CN101165920A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

一种显示装置(26)，该显示装置包括多个分立的显示部分(2)。各个显示部分(2)设置有用于驱动布置在显示区域内的显示元件的驱动电路。该显示装置可以设置成为无源、有源或直接像素寻址阵列。通过相互连接多个显示部分可以获得大面积的显示器，而不需要长的电极。这样便减小了寻址电极的电阻和寄生电容，使得显示器的显示图像具有改善的发光强度，并可以以较高的速度来工作，以通过提高的分辨率。还可采用迁移率较低的有机薄膜晶体管来实施有源矩阵寻址方案。

Description

显示装置

此申请是国际申请日为2002年1月30日、中国申请号为02801039.6、国际申请号为PCT/GB02/00412的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种显示装置，尤其涉及显示装置的驱动装置。

背景技术

各种显示装置例如液晶显示器或发光二极管(LED)显示器已获得广泛应用。近来，已提出另一种LED显示器，其形式为可寻址的电致发光显示器。这种电致发光显示装置包括夹在由固体基板支承的阳极和阴极之间有机材料或有机小分子的混合物，该有机材料例如有机聚合物，该固体基板例如为玻璃、塑料或硅基板，该有机材料提供显示器的发光元件。

有机材料的LED其响应特性比液晶显示装置锐敏得多。在对于加在这种显示装置上的电流作出响应时，有机LED装置具有很好的“开”、“关”特性，与液晶显示器相比具有改进的对比度。除改进对比度外，有机材料在显示器制造方面也具有显著的优越性。

在结合有机聚合物材料作发光像素的有机LED显示器中，有机聚合物材料可以采用不适合于制造液晶显示器或常规发光二极管显示器的制造工艺沉积在基板上。已经提出的一个方法是，采用喷墨印刷方法将有机聚合物材料沉积在基板上，在这种喷墨印刷方法中，聚合物材料作为分离的材料滴沉积在预先定位的沉积位置上，一在基板上形成为矩阵结构。对于彩色显示装置应用喷墨印刷法是特别有利的，因为在显像器的各个像素处包括红、蓝和绿LED的各种有机聚合物材料可以按要求的预定的图案进行沉积，而不需要进行任何蚀刻工艺。在小分子式的有机LED显示器的情况下，一般采用荫罩蒸发法形成彩色像素。

另外，当显示器的活性材料是有机聚合物材料，这些材料可以沉积在任何适合的基板材料上，包括沉积在形式为连续的、柔性的、且可绕卷的塑料膜的塑料材料上。有机聚合物材料的特性有助于制造很大面积的单色或彩色显像装置，这种显像装置包含形成显示装置显示区域的极大数目的活性材料像素的行和列。

可以采用有源或无源矩阵寻址系统驱动有机电致发光显示器。在显示器的任何像素上形成光输出的显示元件本质上由有机发光二极管提供。这些显示装置是电流驱动的装置，因此当采用有源矩阵寻址方案来寻址显示器以产生显示图像时，对每个显示图像的像素设置两个晶体管，第一个晶体管起开关的作用，使数据信号输送到第二晶体管，该第二晶体管起到像素的LED的电流驱动器的作用，由此确定该像素的发光。

图1示意示出无源矩阵寻址方案。图1示出的显示元件2包括基板4，该基板支承条形电极6的列阵，该电极构成显示元件的阳极。在该阳电极6上设置有机发光材料层8，条形电极10的第二列阵构成显示元件的阴极，该列阵设置在发光层8的上面。从图1可以看出，阴极和阳极的条形电极6和10的相应列阵基本上是彼此正交布置的。如果在任何两个条形电极之间加上电压，则电流便会流过两个电极重叠区域的那部分发光层8。发光层的材料起发光二极管的作用，因此，两个电极重叠区域施加电压的那部分发光层将发光。参照图2可以清楚地看这一点。

从图2可以看出，显示器的像素分别由连接在相应条形阳极和阴极电极之间的有机LED形成。该条形阳极例如通过图2中Z表示的高阻抗电路与地电位断开。图2中用电压V1-V4表示的数据信号可以加在该阵列的阴极上。同时可使条形阳极选择地连接于地电位。因此，例如，如图2所示，当电压V1加在最左边的条形阴极上时，有机LED的L1将发光。同样，当电压V2-V4加在阴极10上时，LEDL2-L4将分别发光。

上述类型的寻址方案称作无源矩阵方案。因为在显示区域内没有设置有源元件来驱动LED，使其发光。光的发射纯粹是数据信号引起的，这种数据信号为电压脉冲形式，从显示装置的框架或边缘区域输送到条形电极的一个组上，或输送到阴极或阳极中的一个组上，然而薄的条形电极具有电阻，这种电阻随着条形电极长度的增加而变大。因此，如果显示装置的显示区域尺寸作得较大，则条形电极的长度增加，这样，条形电极的电阻也增加。

显示器从显示器的侧边缘驱动，因此，当电脉冲加在任何特定的电极上时，实际上加在电极下面像素上的电压将随该像素距施加脉冲电压的显示器边缘的距离而降低。与LED驱动电压相比，沿电极的电位降将变得很显著，因此可以看到，如果电极相当长，则相对于驱动边缘，施加到位于电极远端像素上的电压将显著小于施加在更靠近驱动边缘像素上的电压。因此显示器的亮度将随距离驱动边缘的距离的增加而降低，因为LED装置的亮度-电压特征曲线是非线形的，这样便造成显示像的亮度不均匀。

另外，LED显示器的发光强度是独立LED装置峰值发光强度和显示器实际显示面积中像素行数数量的函数。这是因为显示器的LED由帧周期中的脉冲操作来寻址。寻址任何LED的延续时间称为占空比，等于t_f/N，式中t_f是帧周期，而N是显示器的行数。因此可以得出，如果显示器的行数数量增加，则寻址任何像素的持续时间降低。在被寻址时，该LED的发光强度达到峰值，该峰值强度将在整个帧周期中被平均。因此，为了得到无闪烁的显示器，当显示区域的尺寸增加和显示器行数也增加，以保持分辨率时，必须补偿LED装置发射光的峰值强度，以保持显示器要求的输出强度，因为，在帧周期期间只可能在较短的时间内对该LED装置寻址。这对于有机LED装置特别成为问题，因为它们具有很快的上升和衰减时间，这意味着，它们没有表现出本身的记忆特征。

增加用来寻址LED装置的脉冲电压可以增加LED装置的峰值强度，因此可以看到，当显示器尺寸因而扫描行数增加时，需要将相当高的电压脉冲在高电流密度下驱动LED装置，由此使显示器产生足够大的输出光强。这是相当大的缺点，因为，这有害于发光装置的长期可靠性。当显示器装在周内部电池电源的装置中时，例如装在笔记本电脑中时，必须应用很大很沉价格更贵的电池。然而应用这种相当高的电压脉冲又引起LED操作的其它问题。

已知的是，在LED装置中，电子空穴的复合的概率即产生光发射的概率随电压的增加而降低。这是因为LED装置操作的最佳区域是通常已知的“复合区”的区域。

图3示出典型LED的操作特性，该图示出发光强度和装置效率如何随加在装置上的电流和电压变化。从图3可以看出，一旦电流达到阈值时，随着通过该装置的电流增加时，该装置的发光强度也增加。然而，对效率而言可以看出一旦装置开始发光，装置的效率很快达到峰值。随着加在装置上电压进一步增加，该效率很快降低到相当低的水平，如图3所示。对于有机聚合物的LED，峰值效率通常位于约2.2V-约5V的范围，而当所加电压在约10V-20V的范围内时，装置的效率便下降到非常低的水平，以至于效率很低并且实际上不能应用这种LED。对于很多实际应用的LED，显示器显示效率是关键的问题，这是因为装有这种显示器的装置通常需要使用内部电池电源来工作。

这种装置效率急剧降低是因为当加在LED阳极和阴极之间的电压增加时，复合区移向该装置电极中的一个电极。因为复合区的形状取决于所加电压，所以对于无源矩阵寻址显示器，便很难获得足够的显示光输出强度，这是因为需要较高的电压脉冲来驱动LED装置，这又意味着LED装置不能在最佳的复合区工作，并且因此没有以可接受的效率程度来工作。

总而言之，显示装置通常包含200条以上的行，以便获得显示图像足够大的分辨率。因此，LED具有较低的占空比，该占空比可以通过增加施加在LED上的电压进行补偿。然而这造成LED的工作效率降低，这种降低又减少了LED的发光强度，如图5所示。这两个操作难点是互相相关和结合成一体的，另外，它们又随显示器行的数目的增加不成比例的增加。

因此，在LED显示器中经常采用有源矩阵寻址系统。图4中示出用于有机聚合物LED显示装置的例示性有源矩阵寻址方案，该图示出显示装置的四个像素。有源矩阵驱动方案包括在图4中表示为X₁和X₂、Y₁和Y₂的行列地址线的阵列。这些地址线结构为薄的导电条，沿着这些导电条，像素的选择信号和数据信号可以输送到显示装置的像素。各个显示装置的像素具有两个晶体管，在图4中表示为T₁和T₂。另外还设置其它的线，沿着这些线可以将电源电压V_ss输送到各个像素的晶体管上。

当需要激励任何特定的像素，因而使位于该像素的LED发光时，将选择的电压脉冲加在行地址线上，例如加在图4中的行地址线X₁上。该电压脉冲由晶体管T₁的门电极G接收，使得晶体管T₁在加脉冲电压期间切换到ON位置。假如需要使右上方的像素发光，则将数据信号加在处于ON位置的晶体管T₁的源极上。数据信号表示为Data1，它由晶体管T₁输送到连接于晶体管T₂门电极的电容器上，该数据信号因此作为电容器的电压被储存起来。

晶体管T₁起开关作用，而晶体管T₂起有机LED电流驱动器作用，该LED又通过晶体管T₂连接于电源电压V_ss。当起电流驱动器作用时，在晶体管T₂漏极上的电流是储存在电容器上电压数值的函数，该电压正比于数据信号Data1。因此，流过有机LED的电流确定LED的发光强度，该电流由信号Data1的变化控制。

这样设置数据信号，即，使得LED总是在显示器工作期间发射光。因此，在各个显像像素上采用驱动晶体管可使LED能够工作在较低的工作电压，因而大大提高了效率。图5示出用有源和无源矩阵寻址方案工作时LED显示器的典型工作效率。LED的工作效率是最重要的，而且是LED显示器经常采用有源矩阵方案的主要原因。因为驱动晶体管设置在显示器的各个像素上，所以必须在较大的区域上制造这些晶体管，因此在有源矩阵寻址方案中采用薄膜晶体管(TFT)作驱动晶体管。这样有源矩阵显示器通常称作TFT显示器。

两种最普通类型的TFT是半导体材料层包含多晶硅或者非晶硅的TFT。最近，已经采用有机分子或聚合物作为半导体层来制造TFT。然而，因为TFT需具有较高的载流子迁移率，所以在有机发光二极管显示器的有源矩阵显示装置中通常采用多晶硅做驱动晶体管。对于有机有源矩阵显示器，当显示器的各个LED像素上必须设置两个晶体管时，晶体管的成本相当高，因为必须采用的制造工艺很复杂。具体是，当采用多晶硅驱动晶体管时，必须采用高温工艺来形成多晶硅半导体层，这增加了成本，特别是在显示面积比较大时，抵消了由于采用有机聚合物材料得到的低成本优点。晶体管性能的不一致性也是一个问题。而且对于大面积的显示器更成为一个问题，这是因为必须在显示器的大面积上制造大量晶体管驱动器，这样，便增加了工艺的相关影响，并降低了全功能晶体管装置的生产率。为此，通常需要提供“备用的”驱动晶体管，这又进一步增加了显示装置的成本。

如上所述，多晶硅迄今为止是制造TFT的最好材料，因为，它具有相当高的迁移率。多晶硅TFT的迁移率通常在100-500cm²/Vs，而非晶硅TFT的迁移率通常在0.1-1cm²/Vs，有机TFT的迁移率在0.001-0.1cm²/Vs。有机LED是电流驱动装置，所以在图4所示的驱动电路中，重要的是尽量增加由晶体管T₂提供的漏电流。

TFT的漏电流Id表示如下：

Id∝μ WC/L

式中μ是半导体的迁移率；

W是晶体管沟道区域的宽度；

L是晶体管沟道区域的长度；

C是门电极的电容。

因此，漏电流Id正比于半导体的迁移率。另外，漏电流还正比于沟道宽度，但反比于沟道长度。因此，如果多晶硅TFT应用于驱动电路，则相当高的迁移率可使晶体管构件在显示器各个像素内的脚印达到最小，这对于多晶硅和非晶硅形的TFT是最重要的考虑，因为两组装置是不透明的。因为这种TFT采用高温工艺制作，所以它们通常形成在显示器屏幕(基板)后表面上，然后再形成发光元件。这样，TFT的脚印将不透过LED发射的光射向显示器观看人的光。能够透过观看人观看的那部分光的显示器部分称作孔径比，对于小尺寸的显示器例如在移动电话上的显示器，孔径比只能达到约50％。即只有一半的显示区域可向观看人显示信息，而显示器区域的其余一半由驱动器电路的不透明TFT和用来连接像素的驱动电路的导电线所占据。即使对于较大面积的显示器，该孔径比也很难超过约70-80％，所以，应用设置在显示器前部观测面近侧的不透明多晶硅或非晶硅TFT将显著降低发光效率，不管显示器的尺寸如何。

已知可以用有机分子化合物或聚合物制造有机TFT，该聚合物具有可以透过可见光谱辐射的透明带间隙。然而，这种晶体管的迁移率相当低，迄今不能将这种有机TFT用在图4所示的有源矩阵驱动电路中。显示器已经证明，有时可应用有机TFT作开关晶体管T₁，但迄今还不能用有机TFT作电流驱动晶体管，因为装置的迁移率低意味着装置的脚印必须作得很大，以便形成足够大的沟道宽度，补偿迁移率，这样晶体管T₁和T₂便不能容纳显示器各个像素可用的区域内。因此采用已知的有源矩阵显示器设置迄今还不可能获得在有源矩阵驱动电路中中采用大体透明TFT的优越性，这种优越性能够使纵横比达到约100％。

另一个相关考虑在于寄生电容，该电容存在于驱动晶体管的驱动线之间，在液晶显示器中，活性液晶材料设置在阳极和阴极驱动线之间。该液晶层通常厚度在2-10微米之间，因此驱动线和公用对电极之间产生的寄生电容是相当小的。然而，对于有机LED显示器，有机分子化合物或聚合物层是很薄的，通常厚度约为几百纳米。因此与LCD显示器相比寄生电容相当大，这种寄生电容限制了显示器的操作速度，当显示器面积增加时，更成为问题。这是因为当显示器的尺寸变大时，需要以较高的速度寻址显示器，以便保证显示图像的质量。但是这又引起矛盾，因为存在电极间电容。另外，在显示器尺寸增加时，驱动线的长度及其电阻也增加，这又限制了显示器工作的速度。

因此，可以看到，对于大面积的显示器，不管采用有源还是无源驱动方案都有困难，这些困难在应用有机LED和聚合物LED作显示器发光元件时特别成为问题。对于很大面积的显示器例如用在公共场合显示图像的显示器，已知将多个显示器结合在一起形成一个很大面积的显示器。然而，组成这种很大面积显示器一部分的各个显示器是一个单独的显示装置。尽管采用多个显示装置与一个相等尺寸的由单一显示装置组成的显示器相比可以减小驱动线的长度，但是各个大面积显示器的各个显示装置包括相当长的用于寻址显示器发光元件的地址线。这样，这些显示装置继续存在上述问题，因此很需要提供一种改进的可以避免上述问题的显示装置。

发明内容

按照本发明的一个方面，提供一种显示装置，其包括：

多个显示元件；

用于驱动所述多个显示元件中的至少一个显示元件的驱动电路，

连接到该驱动电路上的第一电极，和

布置在该第一电极和该驱动电路之间的第二电极，  每个所述多个显示元件布置在一第一电极和一第二电极之间。

在优选实施例中，该显示元件包括有机聚合物发光二极管。

该显示元件布置在阴电极的无源列阵和阳电极的无源列阵之间，并且该驱动电路包括第一驱动电路和另一驱动电路，第一驱动电路用于向阳电极的列阵提供信号，而另一驱动电路用于向阴电极的列阵提供信号。

按另一种方式，每个显示元件可以包括各自的驱动电路，该驱动电路包括薄膜开关晶体管和薄膜电流驱动晶体管，由此可以提供有源矩阵显示部分。

开关晶体管和电流驱动晶体管最好包括有机的或聚合物的晶体管。

可以选择有机分子化合物和聚合物，使得晶体管基本上对于可见光是透明的。

该电流驱动晶体管最好包括源区和漏区，各个区形成为多个纵向延伸部分，各个部分在一端处由多个横向延伸部分连接，其中源区的纵向延伸部分与漏区的纵向延伸部分形成叉指形交错并与其隔开，由此在蛇形的叉指形纵向延伸部分之间提供一间隔，由此薄膜晶体管设置有沟道区域，该沟道长度等于该间隔的宽度，而沟道宽度沿该蛇形间隔的长度延伸。

每个显示部分包括门线和数据线，以便将控制信号输送到驱动电路，该门线和数据线包括导电的有机材料或聚合物材料。

该门线和驱动线分别包括双层结构，该双层结构具有第一层和另一层，第一层包括导电的有机材料或聚合物材料，另一层包括无机导电材料。

在另一实施例中，每个显示部分包括阴极和阳极，这些电极中的一种电极是显示部分所有像素公用的，而这些电极中的另一种电极具有电极图案，以提供该显示部分各个像素的各自的电极区域。其中，驱动电路连接于阳极和阴极，并设置在显示元件的与基板相对的侧面上。

在本发明的第二方面中，提供一种制造显示装置的方法，其包括在基板上设置多个显示部分，每个显示部分具有由显示元件的阵列限定的像素的显示区域；以及在该显示区域内布置用于驱动该显示元件的驱动电路。

活性显示元件可以用有机或聚合物材料制造，这些材料最好用喷墨印刷头进行沉积。

按照本发明的第三方面提供一种薄膜晶体管，该晶体管包括基板、导电聚合物源区和漏区，各个区形成为多个纵向延伸部分，各个部分在一端处由多个横向延伸部分连接，其中源区的纵向延伸部分与漏区的纵向延伸部分形成叉指形交错并与其隔开，由此在蛇形的叉指形纵向延伸部分之间提供一间隔，由此薄膜晶体管设置有沟道区域，该沟道长度等于该间隔的宽度，而沟道宽度沿该蛇形间隔的长度延伸。

附图说明

下面参考附图，作为例子说明本发明的实施例，这些附图是；

图1是示意图，示出LED显示器的无源矩阵寻址方案；

图2是示意图，示出图1所示显示器的LED如何寻址；

图3是曲线图，示出典型LED装置的发光强度和效率的变化；

图4是示意图，示出LED显示器的有源矩阵寻址方案；

图5是曲线图，示出与无源矩阵寻址系统相比，有源矩阵寻址系统可实现的效率增大；

图6是横截面示意图，其示出液晶显示装置；

图7是示意图，其示出本发明显示装置的显示部分；

图8示意示出现有技术的显示装置；

图9示出本发明的显示装置，该显示装置的驱动电路装在该显示装置的背面；

图10是局部横截面图，示出具有的驱动电路设置在基板表面凹部中的显示部分；

图11是局部横截面图，示出具有的驱动电路设置在显示部分前部的显示部分；

图12是示意图，示出本发明的有源矩阵寻址方案；

图13是示意图，示出图12所示寻址方案驱动晶体管的源极、门极和漏极如何构成；

图14是曲线图，示出有机聚合物对紫外光和可见光的吸收特性；

图15是显示器像素的示意横截面图；

图16是有源矩阵显示装置的示意横截面图；

图17是有机聚合物晶体管的示意横截面图；

图18是像素的直接驱动寻址方案的示意截面图；

图19是示意横截面图，示出像素的直接驱动寻址方案的另一实施例；

图20是装有本发明显示装置的移动计算机示意图；

图21是装有本发明显示装置的移动电话示意图；和

图22是装有本发明显示装置的数字照相机的示意图。

具体实施方式

对于液晶显示器，在液晶材料是流体材料时液晶材料必须装在基板和前板或显示面板之间，因此地址线和驱动晶体管(如果用有源矩阵)设置在基板和前板之间，且位于液晶材料本身之中，如图6所示。对于这种结构，实际上液晶像素必须从显示器的边缘被驱动，换言之，必须设置通过显示器前面板和后面板的孔，以便到达地址线，这是不实际的事情。

可以看出，对于液晶显示器在增加显示区域的尺寸时，该地址线的长度也增加，因而显示器存在上述寻址问题，不管是采用有源的或无源的矩阵寻址方案。

在有机或聚合物LED中，活性有机材料包括聚合物材料或有机小分子材料。对于聚合物材料可以用液体状态沉积，一旦沉积在基板上和干燥以后，便形成固态的具有相当柔性的材料。小分子材料可以用蒸发法沉积，但是这些材料一旦沉积以后也是固态的，并具有相当的柔性。因而对于聚合物和小分子材料，活性有机材料不需要通过形成前板来固定于基板上，虽然这种板形成在最后的显示器装置上，对发光装置提供物理的和环境的保护。因此，从本发明可以看到，可以从显示器内的任何位置包括从显示器后面寻址显示器图像形成元件的像素，并不一定要从显示器的边缘进行寻址。另外，还可以看到，因为可从任何位置寻址图像形成元件，所以可将显示装置的图像形成区域划分成很多显示部分，各个显示部分具有其自己的寻址方案，因而与已知寻址方案设置相比，具有很大的优越性。

不管显示器尺寸以及采用的是有源矩阵寻址方案还是无源矩阵寻址方案，显示装置的性能均可得到重大改进。如果采用无源矩阵寻址方案，则与常规显示装置相比，显示元件的驱动线长度可以显著减少。因为，驱动线只在一个显示部分内延伸，而不伸过显示器的整个长度或宽度。对于大面积的显示装置，这是特别有利的，因为较大的显示区域可以用多个较小的显示部分构成，各个显示部分具有相当短的地址线，该地址线只在各个显示部分内被驱动和延伸。这样便减小了驱动线的电阻，因而可以提高显示强度，因为对于任何尺寸的显示器可以应用较低的驱动电压，使得LED装置可以在其最佳的复合区域内工作，即使对于大面积的显示器。另外，因为在相配合的阳极和阴极列阵之间由相当短的地址线构成的寄生电容减小，所以还可增加显示器的寻址速度。从上面说明可以看出，将显示器分成多个驱动电路设置在其中的小部分，便可以提供一种显示图像对比度和分辨率得到改进的显示装置。

而且对于从侧边缘驱动显示器的常规无源矩阵寻址方案，在任何时刻只有一行显像行发射光，因为在帧周期期间这些行被顺序寻址。相比较，有源矩阵寻址方案是更好的，因为所有像素设置成可以在同时发光。然而，对于驱动电路设置在显示区域的显示部分内的本发明驱动方案，可以在任何时间点寻址一个以上的无源矩阵部分。因此，可以以一种类似于有源矩阵寻址方案的方式设置显示部分，使其发光，由此可以增加显示器的发光强度。

另外，通过将很大数目的显示部分组装在一个公用的单一基板上可以获得很大面积的显示器，因为有机或聚合物材料具有相当柔性，所以可以采用连续的分批工艺制造这种大面积的显示器，在这种工艺中，可以使绕卷的塑料膜通过各种处理站进行显示器的制造。因此，采用多个显示部分可以更容易降低有机聚合物显示装置的成本，其中各个显示部分具有其自己的寻址方案和有关的驱动电路。

在本发明应用于有源矩阵式显示器时，还将得到显著的优越性。采用有源矩阵式显示器仍需要以适当的扫描频率扫描显示器中各行像素。在显示器的尺寸增加，因而被扫描的行数增加时，也必须增加扫描频率，以保持显示图像的装置。由于将显示器分成多个部分，所以可以有效减少被扫描像素行的数目，因而也可以减小扫描频率。示于图4的有源矩阵寻址方案包括门线X₁和X₂以及数据线Data1和Data2。由于将显示器分成多个显示部分，所以可以有效减小门线和数据线两种线的长度。减小门线和数据线的长度均是有利的，因为这些线具有限制扫描显示器像素扫描速度的电容和电阻。减小门线和数据线长度也能使这些线用其它材料例如导电聚合物或包含碳粉的导电浆液制作。这些其它的材料具有另外的优越性，因为这些线可以用印刷方法形成，例如采用喷墨印刷机形成，而不需要成本高的影印工艺或掩模工艺。当应用有机或聚合物TFT作开关晶体管T₁时，用分割显示器的方法减少扫描频率是特别重要的，因为，充电电容所需的时间由于其低的迁移率而倾向于变长。

将显示器分成多个小的显示部分，还使得能够应用其它类型的寻址方案，这些寻址方案在本发明的前后文中称作“像素的直接驱动”方案。采用这种像素的直接驱动方法，在任何显示部分中的像素可以直接由设置在各个部分显示区域内的驱动电路IC直接驱动。像素的直接驱动方案可以看作为另一种驱动方案，这种驱动方案介于常规无源矩阵方案和常规有源矩阵方案之间，前者具有阳极和阴极的重叠列阵，如图7所示，后者具有实际上位于各个像素上的开关晶体管和驱动晶体管，如图4所示。

参照图7，无源矩阵显示装置的显示部分包括基板4，该基板支承阳电极6的列阵。在阳电极6的上面，形成电致发光的有机或聚合物材料层8。然后在该层8上形成阴电极10的列阵。该电致发光聚合物材料包括共轭聚合物，这种共轭聚合物最好包括芴基聚合物，当电压加在阳极元件和阴极元件之间时，例如加在阳极元件6a和阴极元件10a时，电流便流过位于元件6a和10a重叠的那部分层8的聚合物材料，如图7中的阴影区域12所示。这使得该阴影区域12发射可见光，因而形成显示器的发光显示元件。因此该阴影区域12与元件6a和10a的重合部分相结合便构成显示部分的一个像素。

显示部分2还包括第一驱动电路14和另一驱动电路18，前者用于通过导电线16向阳电极6的列阵输送驱动信号，后者通过导电线20向阴电极10的列阵输送驱动信号。示于图7的显示部分2的像素结合起来构成该显示部分的显示区域22，该区域在图7中用粗虚线表示的矩形示出。从图7可以看出，驱动电路14和18设置在显示部分的该显示区域内。因此，形成显示部分2的无源矩阵寻址系统的阳电极和阴电极6、10列阵的物理长度当用该部分本身内部的驱动电路来寻址这些电极时可以保持在最小。

因此可以得出，电极的电阻以及在阳电极和阴电极之间产生的寄生电容与常规寻址显示装置的阳电极和阴电极相比显著降低，在这种常规寻址显示装置中，相同的电极6和10需要伸过装置的整个长度和宽度。如前所述，这样便可以采用较低电压的驱动信号，而且有可以在其最佳的复合区域内操作构成有机发光二极管的显示元件，因而使得显示装置具有比已知显示装置高得多的效率。

图8示意示出现有技术的已知无源矩阵装置24通常如何被构成。为了容易说明，在图7和图8中应用了相同的附图标记来表示两个装置等效的元件。示于图8的显示装置24不由多个显示部分构成。因此，显示区域22由一个整体的显像区域构成，该显像区域具有伸过装置显示区域整个长度和宽度的阳极6和阴极10。这样，显示装置24的阳极和阴极其长度便显著大于图7所示显示部分2的阳极和阴极长度，从而引起上述问题。另外，从下面的说明可以明显看出，因为这些驱动电路设置在有源显示区域内，所以图7显示部分的驱动电路14和18不需要装在显示区域之前进行封装，因为，可以在稍后的阶段，在制造显示装置的集成步骤期间进行有效封装。因此，事实上图7所示的驱动电路可以是不封装的物理尺寸很小的集成电路装置。

相反，图8的显示装置的驱动电路14和18则需要形成为全封装的集成电路，因为这些电路位于显示区域的外面，并通过显示器的相应边缘用导线连接于相应的阳极和阴极。因此，图8的驱动电路14和18与图7所示的显示部分的等效电路相比，其物理尺寸大得多，成本也高得多，因为在这种装置中所需的封装和引线结构需要在外部用导线连接于阳极和阴极列阵。因此可以看到，对于一定尺寸的显示装置外壳通过连接多个显示部分2不仅可以将总的显示面积作得较大，因为驱动电路14和18装在显示区域的里面，而不是设置在该显示区域的侧面，而且还可以获得成本更低的更薄的体积更小的显示装置，因为图7所示的驱动电路可以形成为裸露的不封装的装置，该装置可以在随后通过形成一个薄的封装层封装起来。

图9示出一种显示装置26，该装置具有多个相互连接的显示部分2，和图7、8一样，采用相同的附图标记来表示显示器的相同部件。应当注意到，图9示出显示器的后侧图，所以在此实施例中，各个显示部分2的驱动电路14和18设置在阳极元件6的列阵和基板4之间，为更加容易看清，该基板在图9中未示出。

在该显示装置26中，显示部分2的阳极6用的相应驱动电路由连接件28相互连接，而阴极驱动电路18由连接件30相互连接。这些连接件的作用是将显示部分2组成一个单一的显示装置。从图9可以看出，阳极6和阴极10仍保持为相当短的电极条，所以即使形成大面积的显示器，也不需要用具有很大电阻和寄生电容的相当长的阳极和阴极。事实上，通过有效将无源寻址矩阵分开形成显示部分，并将驱动电路14和18设置在各个部分内，便可以达到这一点。另外，因为驱动电路14和18设置在各个部分内，所以显示装置的显示区域可以通过进一步包含更多的显示元件而增加到很大的尺寸，而且不需要增加阳极和阴极6和10的长度就可以达到这一点。

应当看出，在图9所示的显示装置中，发光有机聚合物材料(在图中未示出)层8设置在阳极6和阴极10列阵之间，这样，将在显示器后侧的驱动电路18连接于在显示器前侧的阴极10的导电线20必须穿过有机或聚合物层8。从图9可以看出，该导电线这样设置，即，使得它在阳极6之间的间隙32中穿过层8，从而不至于降低显示装置的发光区域。另外，有机聚合物层是相当软的材料，所以在制造装置期间容易形成从层8的一侧到另一侧的这种导电线。或者，可以用若干插针设置成导电线，该插针可以设置在驱动电路18上，并穿过相当软的薄有机聚合物层。对于图7所示的显示部分也可以这样做，在图7中阳极驱动电路14设置在显示器的前侧，该驱动电路必须连接于位于该有机聚合物层下面的阳极。

图10示出本发明的另一实施例，在该实施例中驱动电路14和18设置在与基板4上形成的凹部34中。因为，驱动电路可以形成为不封装的集成电路，所以该凹部的尺寸较小，可以用常规工艺形成，例如用湿法或干法蚀刻、激光冲孔、基板的冲压和模制等方法制成。该驱动电路可以利用适当定位的连接件类似于图9所示的连接件进行相互连接。

图11示出图7所示显示部分2的局部截面图，其中驱动电路14和18装在前侧。如前所述，因为驱动电路设置在各个具有自己的阳极和阴极无源阵列的显示部分中，所以未封装的集成电路装置可以用作该驱动电路14和18，这些驱动电器随后再用薄的封装层进行封装。在图10中示出这样一种封装层36。应当认识到，与用于单独集成电路的例如通常用于封装现有技术显示器驱动电路的封装包装相比，封装层36非常薄，因此，采用本发明可以得到很薄的显示器。

通常采用透明的阳极和不透明的阴极制造有机聚合物LED显示器，使得发射光可以通过透明基板例如玻璃基板。装有本发明驱动电路结构的显示装置相对于阳极和阴极的透明性和不透明性可以制成任何结构。例如在图10的结构中，驱动电路14和18设置在基板的凹部中，阳极可以作成不透明的，而阴极可以作成透明的，在这种情况下，发射光穿过封装层36。在这种情况下，透明的阴极可以包括例如薄的钙(Ca)层或具有铟锡氧化物(ITO)的氟化锂(LiF)薄层，而不透明的阳极可以包括金(Au)或铂(Pt)。或者，在图11所示的结构中，驱动电路14和18设置在阴极的上面，阳极作成是透明的而阴极是不透明的，在这种情况下，发射光穿过基板，该基板也是一种透明材料。在这种情况下，透明阳极包括例如铟锡氧化物或二氧化锌(ZnO₂)，而不透明的阴极包括由钙/铝构成的双层(Ca/Al)结构，或者由氟化锂/铝构成的双层(LiF/Al)结构。

按照另一种方法，透明阳极列阵可以由有机聚合物例如PEDOT或聚苯胺制造，或由双层结构例如ITO线和位于上面的导电聚合物线构成。在后一种情况下，放在上面的有机聚合物层有助于使该ITO层平面化。

可以采用任何合适的工艺沉积为有机聚合物材料的层8。采用喷墨印刷头喷射聚合物溶液，可以方便地沉积该材料。或者，该有机聚合物可以用旋转涂层法进行涂层。如果发光层包括小分子材料，则可以用蒸发法沉积该材料。

对于无源矩阵式显示器，已参照图7-11说明本发明，但是如上所述，在用于有源矩阵式显示器时将显示器分成多个显示部分也具有优越性。

上面已经提到有源矩阵式显示器的重要问题之一是需要在图4所示的有源矩阵寻址方案中由电流驱动晶体管T₂提供充分大的驱动电流，而且还说明，迄今为止，这种方式限制了可用材料只能选择多晶硅，因为与非晶硅或有机或聚合物材料相比，它具有较高的迁移率。如上所述，多晶硅材料是不透明的，所以为各个像素设置的TFT减小了显示器的孔径比。然而，因为采用本发明可以降低使电容的电压顺序操作的扫描频率，所以对有源矩阵显示器的开关和电流两种晶体管均可应用透明的有机聚合物TFT。

再分的本发明的显示器还使得开关晶体管的开/关比比较低，因为在各个显示部分具有较小数目的门线。有机或聚合物TFT的开/关比(10³-10⁶)一般比多晶硅的TFT的开/关比(10⁷-10⁸)低。电容器上的电荷可以在非选择期间(开关晶体管断开状态)放电，而且在应用具有较低开/关比的TFT时，这种现象更为显著。这限制了门线的数目，或限制了在门线上信号的占空比。即使采用这种TFT，通过再分的本发明的显示器也可以达到很高分辨率的显示器，因为利用再分的法可以减小门线的数目。

图12示意示出本发明显示器相源中有源矩阵寻址方案的例子。该寻址方案包括驱动电路，该驱动电路包括薄膜开关晶体管102和薄膜电流驱动晶体管104，该方案类似于图4所示的方案。开关晶体管TFT102的作用仅是在利用门线108上提供的电压启动时，使数据信号加到数据线106上。因为开关晶体管TFT102只起通道门的作用，所以它不能提供高的漏电流。因而TFT102的尺寸可以作得相当小，使得它只占据像素面积的很小部分。另外，因为TFT102不需要提供高的漏电流，所以它可以用有机或聚合物材料制作，这些材料可以采用例如喷墨印刷法沉积在支承基板上。

电流驱动晶体管104最好也用无机或聚合物材料形成，这是可能的，因为门线和驱动线由于将显示器分成显示部分的阵列，所以它们具有相当短的长度。要求在各个像素上的电流驱动晶体管尽量增大从电源V_ss输送到像素LED的漏电流，该电源通过梳形电极110连接于TFT104的源极，如图12所示。因为电流驱动器TFT用有机或聚合物材料形成，所以它具有相当低的迁移率，为了进行补偿，沟道区域的宽度必须作得尽可能大，而沟道区域的长度必须尽可能作得短，以便提供足够大的漏电流来使LED发射足够量的发射光。因此形成如图13所示的电流驱动TFT104的源区和漏区。

源区S和漏区D制成为梳状的叉指形(interdigitated)区域，如图13所示。因为源区和漏区S、D用导电聚合物形成，所以可以用喷墨印刷法印刷该叉指形区域，从而使得可以采用已知的方法在源区S和漏区D之间容易地和可靠地形成相当小的间隔，小到2-30微米。事实上，该间隔代表TFT的沟道长度，如图13中的L所示。

在源区S的叉指形的指和漏区的叉指形的指之间的间隙长度形成沟道的宽度。该宽度在图13中表示为W，并等于源区S和漏区D的相应指之间间隔的整个长度。由于按照图13方式所示制造驱动晶体管，所以该晶体管具有极长的沟道宽度W，该宽度基本上由显示元件的尺寸确定，但是可以超过1000微米，同时可以达到很好的图像分辨率。

TFT的漏电流正比于沟道宽度W，而反比于沟道长度L。因此如果沟道宽度W作得很大，而沟道长度L作得很小，例如图13的结构所形成的沟道，则对相当低迁移率的有机/聚合物晶体管可以形成足够高的漏电流，如果在各个像素中允许这样大的漏电流驱动晶体管，由此电源V_ss可驱动该像素的LED。

图14示出有机聚合物材料的吸收随波长变化的曲线，可以看出，该材料基本上对于波长大于410纳米即可见光波长的辐射是透明的。因此，如果适当选择用于示于图12和13中开关和电流驱动TFT的有机材料，则有源矩阵寻址方案的晶体管可以作成基本上对可见辐射是透明的，因而可以占据显示器像素中所用的最大空间，而不减少显示器的孔径比。采用能带间隙具有三个电子伏特以上的有机材料可以获得在可见光谱的透明性。

在这种结构中，门电极104的大区域起电容器的一部分的作用，该电容保持顺序化操作的电位。由于这种大的面积以及在门电极104和源极110之间或者有机LED的电极之间的距离小，电容器的电容变得较大。当开关晶体管是有机/聚合物晶体管时，需要相当长的时间使充电电容达到一定电位，这便限制了扫描频率。在用有机分子化合物或聚合物作开关晶体管102的沟道材料时，降低本发明分割显示器所达到的扫描频率也是一个重要方面。

因此将显示器形成为显示部分的阵列的设置可以提供一种有源矩阵寻址方案，该方案的门线和数据线的长度与结构为单一显示装置的相同尺寸的门线和数据线的长度相比较短，这种门线和数据线长度的减小使得可以减小显示器的扫描频率，这种扫描频率的减小又能使有机/聚合物形TFT提供足够大的驱动电流来驱动LED。因为可以采用聚合物的TFT，所以可以选择有机材料，使其对可见光是透明的，因此，TFT可以基本上占据显示器像素的整个表面积，而不会降低孔径比。另外，因为可以用有机/聚合物作TFT的沟道材料，所以可以采用相当简单的低温工艺来印刷TFT，例如采用喷墨印刷法、微接触印刷法(microcontact printing)、丝网印刷法或照像成图法，而不需要影印或掩模技术。

图15示出本发明这一方面的显示器像素的示意横截面图，图中有源矩阵寻址方案的开关TFT和电流驱动TFT形成在支承基板例如玻璃或塑料基板上。而光发射区域形成在该TFT上，然后在显示器像素的光发射区域的上面形成公用的阴极。因为开关晶体管和驱动晶体管可以作成透明的，所以它们可以基本上占据像素的整个表面积，而且该光发射区域能够发射透过透明晶体管和透明基板的光。因为有源矩阵驱动方案的门极、源极和漏极以及数据线也可以包括透明的导电聚合物，所以显示器可以整个地用低温印刷工艺制造。而且可以达到约100％的纵横比，即使采用有源矩阵寻址方案，因此显示器的成本相当低，而且效率高。

还可以通过形成与有源矩阵TFT连通的图案阴极形成显示器，该图案阴极设置在位于公用阳极上面的公用发光层上，如图16所示。另外，可以用上述任何一种印刷或形成图案的工艺来制造有源矩阵的TFT，使得该TFT可以基本上占据各个像素的整个面积。仅当采用有机/聚合物的TFT来驱动发光像素时才可能形成这种结构，因为有机/聚合物的TFT可以采用不使有机/聚合物发光层质量下降的低温工艺来制造。当制造多晶硅或非晶硅的TFT时，不仅需要高温工艺，而且还需要高能工艺，例如等离子体沉积和蚀刻、离子注入以及在影印技术中的紫外曝光。这些工艺破坏或降低了有机/聚合物发光层的性能，所以这种TFT需要在形成有机/聚合物发光层之前形成在基板上。采用本发明，可以应用有机聚合物的TFT来驱动发光像素，这样便完全改变了有源矩阵显示器的常规制造工艺：可以在形成有机/聚合物发光装置之后形成TFT。

在图16所示的结构中，开关晶体管和驱动晶体管通过绝缘层与图案阴极分开，该绝缘层是一种绝缘聚合物。这样，有机发光层和绝缘层均相当软，因此可以容易地形成通到埋制公用阳极的导电路径。

在图16所示的结构中，在发光装置上形成TFT，该发光装置具有公用的阳极和图案阴极。然而TFT也可以形成在具有图案阳极和公用的阴极光发射装置上。在这种情况下，需要在公用阴极中形成孔，以形成从位于顶部的TFT通向公用阳极的导电路径。

顶端TFT-结构的另一个重要优点是不要求电极、半导体和TFT的绝缘层的材料是透明的。例如可以用金属或金属胶体作电极而且可以采用在可见区完全不透明的迁移率较高的材料，例如用聚噻吩、聚(烷噻吩)、并五苯、芴和二噻吩的共聚物、聚噻吩亚基乙烯撑、噻吩基的低聚物、酞菁染料作半导体。还可以采用其半导体具有较高电子迁移率的n型有机TFT，例如采用Pc2Lu、Pc2Tm、C60/C70、TCNQ、PTCDI-Ph、TCNNQ、NTCDI、NTCDA、PTCDA、F16CuPc、NTCDI-C8F、DHF-6T、并五苯或PDCDI-C8。

从上述说明可以看出，通过适当选择有机或聚合物材料，有源矩阵寻址方案的晶体管可以作成基本上透明的。还可以选择基本上透明的电极材料，例如对晶体管的源极或漏极采用ITO或PEDOT，或采用PEDOT或聚苯胺作门电极。

也可以采用导电聚合物，例如PEDOT，与无机导体例如ITO联用来形成源极/漏极，这样便在有源矩阵方案上提供额外的优点。通常采用ITO来制造无源矩阵寻址方案的阳极，因为它基本上是透明的，具有相当高的导电性。然而在沉积后ITO，众所周知，具有很不好的平整性，这增加了沉积其它层的困难，特别是在ITO沉积层上形成绝缘层时。可以采用某些电离电位高于5.0eV的p型有机半导体。当应用ITO作这种有机或聚合物是晶体管的电极时，ITO轮机和有机聚合物的差别使得很难注入空穴，这增加了在ITO电极和有机半导体之间界面上的接触电阻。

导电聚合物例如聚-3，4-乙撑二氧噻吩(PEDOT)或聚苯胺，其电离电位见于ITO的电离电位和电离电位高于5.0eV的有机半导体材料的电离电位之间。因此，如果采用结构为双层结构的源电极/漏电极以及有机半导体设置成与导电有机聚合物层接触以形成一种如图17所述的结构，则容易将空穴注入到半导体层中，该双层结构包括有机半导体的第一层以及由导电有机聚合物组成的第二层。例如可以假定无机半导体层120是ITO，其费米能级在-4.0至-4.5eV之间，导电层122是PEDOT，其费米能级约为-4.6至-4.8eV，而有机p型半导体层124具有约-5.0eV的最高充满分子轨道的能级。因为，在ITO层120和PEDOT层122之间的能量间隙相当小，所以从ITO层中将空穴注入到PEDOT层与从ITO直接将空穴注入到有机p型半导体相比是更容易的。同样，因为在有机半导体层122和p型有机半导体层124之间能带的差是相当小的，所以从有机导电层将空穴注入到有机半导体层也是比较容易达到的。ITO的导电性高于大多数的导电聚合物，因此与单层聚合物电极的导电率相比，双层电极结构具有较高的导电率。因此，利用这种无机/有机双层电极结构可以利用确定电压的电源提高有机聚合物的晶体管操作效率。用图案聚合物层作蚀刻的掩模可以蚀刻无机层，由此可以形成这种双层电极。例如可以将呈图案的PEDOT电极用喷墨印刷法、微接触印刷法或丝网印刷法将呈图案的PEDOT印刷在连续的层上，然后用酸性蚀刻剂蚀刻ITO。该蚀刻剂只腐蚀没有覆盖PEDOT电极的区域，由此形成无机/有机双层电极结构。

操作效率的这种改进对于应用有机聚合物晶体管作有源矩阵寻址方案的电流驱动晶体管是重要的，因为这种半导体器件的本征迁移率是较低的。

因此，将显示器再分成显示部分的阵列，可以形成一种具有有源矩阵寻址系统和门线与数据线长度减小的显示器，这又使得可以应用有机聚合物式晶体管作有源矩阵方案的开关晶体管和电流驱动晶体管。有机聚合物晶体管可以采用低温工艺形成，例如用喷墨印刷法形成，而不采用影印方法和掩模方法，这使得有源矩阵晶体管可以形成在有机电致发光显示器的有机发光二极管上。可以选择有源矩阵晶体管的有机聚合物材料，使其对可见辐射基本上是透明的，由此可以改进显示器的孔径比。因此，可以用相当低的成本用可靠的印刷技术形成效率相当高、质量相当好的显示器。由于制造TFT采用这种低温和低能工艺，所以可以在制备有机/聚合物/发光二极管之后形成TFT。

将显示器分成多个显示部分和利用在显示面积内的驱动电路驱动显示像素，使得可以采用直接的像素驱动寻址方案。这种方案的例子示于图18和19，图中采用相同的附图标记表示相同的结构部件。

图18示出采用分立阳极200的阵列的直接像素驱动寻址方案，该分立电极设置在透明基板202上。阳极图案这样设置，即，使得电极区域可形成为显示部分的各个像素。有机聚合物发光层204设置在分立的阳极的阵列上面，而公用电极206设置在该发光层204的上面。设置驱动IC208，使其驱动显示器的像素，该驱动IC208通过电极210连接于公用的阴极和分立的阳极。

采用透明材料例如ITO或PEDOT形成分立阳极200的阵列，使其可以通过基板观看显示图像。设置在有机聚合物发光层上面的公用阴极206最好用导电聚合物形成，该聚合物可以用旋转涂层法涂覆，然后蚀刻能使电极210从光发射层伸到分立阳极的孔。

示于图19的结构基本上类似于图18的结构，只是对显示部分采用公用阳极212和分立的阴极阵列。

采用图18和19的结构时，可以并排设置多个显示部分，由此形成显示装置，因为各个显示部分可以作得相当小，所以每个显示部分可以用各自的驱动电路例如图18和19所示的驱动集成电路进行驱动，各个驱动集成电路设置在结构的后面，因此可以驱动显示器，而不需要扫描个别的像素行或列，和一般采用的有源或无源矩阵寻址方案的情况不同。

本发明的显示装置可以装在很多种设备上，例如移动的显示装置，如移动电话、笔记本个人电脑、DVD播放机、照相机、野外设备上；便携式的显示装置如台式计算机、CCTV或照片册上；仪器面板，例如车辆或飞机的仪器面板上；或工业显示装置例如室内控作的设备显示器上。

下面说明采用上述电致发光显示装置的各种电子设备。

1：轻便计算机

下面说明将上述实施例中一个实施例显示装置应用于轻便个人计算机的一个例子。

图20是等角视图，示出这种个人计算机的结构。在此图中，个人计算机1100具有主体1104，该主体包括键盘1102和显示单元1106，如上所述，该显示单元采用本发明制造的显示面板形成。

2：移动电话

下面说明将显示装置应用于移动电话显示部分的一个例子。图21是等角视图，示出移动电话的结构。在图中，移动电话1200具有多个操作键1202、耳机1204、送话器1206以及显示面板100。该显示面板采用上述本发明的显示装置形成。

3：数字静物照相机

下面说明用OEL显示装置作取景器的数字静物照相机。图22是等角视图，示出数字静物照相机的结构以及简要示出与外部设备的连接。

典型的照相机采用具有光敏感涂层的感光胶卷，并通过光敏感涂层中的化学变化来记录物体的光学图像，而数字静物照相机1300则采用例如电荷耦合器件(CCD)的光电转换装置，使物体的光学图像转换成数据信号。该数字静物照相机1300具有设置在盒子1302后表面的OEL元件100，该元件根据CCD的数据信号显示图像。因此，显示面板100起显示物体取景器的作用。照片接收单元1304包括光学透镜，CCD设置在盒子1302的前侧(图的后侧)。

当照相人确定在OEL元件面板100上显示的物体像，并松开快门以后，CCD输出的图像信号便传输和储存在电路板1308的存储器中。在数字静物照相机1300中，图像信号输出端1312和用于数据通信的输入/输出端1314设置在盒子1302的一个侧面上。如图所示，如果需要，可以分别将电视监视器1403和个人计算机1440连接于图像信号端1312和输入/输出端1314。储存在电路板1308存储器中的图像信号通过预定的操作将输入到电视监视器1403和个人计算机1440上。

除图20所示的个人计算机、图21所示的移动电话以及图22所示的数字静物照相机而外，电子装置的例子还包括OEL元件电视机、取景式和监视式磁带录象机、车辆导航系统、寻呼电话接收机、电子笔记本、便携式计算器、文字处理机、工作站、电视电话、销售点系统(POS)终端以及具有触摸面板的装置。上述OEL装置当然可以应用于这些电子设备的显示部分。

另外，本发明的显示装置适用于屏幕形的大面积电视机，该显示装置很薄，具有柔性，而且很轻。因此可以将这种大面积的电视机贴在墙上或挂在墙上。在不用时，可以将柔性的电视机卷起来。

采用本发明，可以在一个公用的基板上将多个显示部分相互连接起来，构成一个大面积的显示驱动器，而不需要增加输送到装置的阳极和阴极的驱动信号电压，或者不需要增加扫描显示器像素的速度。因此，虽然基板可以是刚性的基板例如玻璃基板、塑料基板和硅基板，但本发明有利于在可绕卷的塑料基板上制造显示装置，因此适合于制造很大面积的高速高分辨率的具有很高效率的显示器。

上面仅作为举例进行说明，但本领域的技术人员可以看出，可以进行各种变型，而不超出本发明的范围。例如，虽然已针对有机聚合物LED显示器说明本发明，但是本发明也可以应用于反射式的液晶显示器。另外，对于无源矩阵式显示器，阳极和阴极的驱动电路可以看作为单独的驱动电路。然而，这些驱动电路可以集成为一个整体的驱动电路，在这种情况下，可以用一个整体的驱动电路驱动阳极和阴极。已针对用作发光元件的有机聚合物材料说明本发明，然而也可以采用小分子材料来获得同等的效果。

Claims (11)

1.一种半导体装置，其包括第一晶体管，第一晶体管包括第一栅电极，以及包括第一半导体层、位于第一栅电极和第一半导体层之间的第一绝缘层，电连接到第一半导体层的第一源极，电连接到第一半导体层的第一漏极，所述半导体装置设置成：

第一源极具有第一延伸源极部分以及多个第二延伸源极部分，每个第二源极部分连接到第一延伸源极部分；

第一漏极具有第一延伸漏极部分和多个第二延伸源极部分，多个第二延伸漏极部分其中的每一个连接到第一延伸漏极部分；以及

多个第二延伸漏极部分的其中一个形成在多个第二延伸源极部分其中的两个之间，多个第二延伸漏极部分其中的一个和多个第二延伸源极部分其中的两个之间的空腔构造作为第一晶体管的沟道区。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，多个第二延伸漏极部分其中的一个和多个第二延伸源极部分其中的两个之一之间的长度为2-30微米。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，多个第二延伸漏极部分的其中一个的一部分和多个第二延伸源极部分其中的两个之一的一部分彼此相对，第一多个第二延伸漏极的其中一个的一部分的长度超过1000微米。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，第一源极和第一漏极之间具有蛇形间距。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，第一源极为梳子形的叉合电极。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，第一源极由有机物或聚合物制成。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，第一漏极由有机物或聚合物制成。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括Vss线，该Vss线电连接第一延伸源极部分。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括发光元件，该发光元件具有一个阳极，该阳极电连接到第一延伸漏极部分。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括第二晶体管，第二晶体管包括第二栅电极、第二半导体层、位于第二栅电极和第二半导体层之间的第二绝缘层、电连接到第二半导体层的第二源极，和电连接到第二半导体层的第二漏极，其中第二漏极电连接到第一栅电极。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，第一晶体管作为一个电流驱动晶体管，第二晶体管作为一个开关晶体管。

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