TW569443B - Display device - Google Patents

Display device Download PDF

Info

Publication number
TW569443B
TW569443B TW091101684A TW91101684A TW569443B TW 569443 B TW569443 B TW 569443B TW 091101684 A TW091101684 A TW 091101684A TW 91101684 A TW91101684 A TW 91101684A TW 569443 B TW569443 B TW 569443B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
display
patent application
scope
transistor
item
Prior art date
Application number
TW091101684A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeo Kawase
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Application granted granted Critical
Publication of TW569443B publication Critical patent/TW569443B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13336—Combining plural substrates to produce large-area displays, e.g. tiled displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/18—Tiled displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/125—Active-matrix OLED [AMOLED] displays including organic TFTs [OTFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/129—Chiplets

Description

569443 A7 ________B7___ 五、發明説明（彳） 本發明係有關顯示裝置，且特別係有關顯示裝置之驅 動安排。 多種顯示裝置，諸如液晶顯示器或發光二極體（ L ED )顯示器在廣泛使用中。最近，有提出另一種 L E D顯示器，爲可定址之電發光顯示器之形態。電發光 顯示裝置包含有機材料，諸如有機聚合物或小分子之混合 物包夾於一陽極及一陰極之間，由一固體基體，諸如一玻 璃’塑膠’或矽基體支持，有機材料提供顯示器之發光元 件。 有機材料L E D具有遠較液晶顯示裝置明銳之反應特 性。有機L E D裝置具有反應所施加之電流非常尖銳之” 接通”及”關斷”特性’此使此顯示器具有較之液晶顯示 器爲高之對比。除較高之對比外，有機材料亦在製造上具 有重大之優點。 在裝有有機聚合物材料作爲發光像素之有機L E D顯 示器中’有機聚合物材料可使用不能採用於製造液晶或普 通發光一極體顯示器上之製造技術沉積於基體上。已提出 之一方法爲使用噴墨印刷沉積有機聚合物材料於基體上， 在此，聚合物材料沉積成分立之材料小滴於基體上之預定 之沉積位置上’設置成矩陣構造。噴墨印刷之使用對彩色 顯示器特別有利，因爲構成顯示器之每一像素處之紅，綠 ’及藍LED之各種有機聚合物材料可沉積成所需之預定 圖案，而無需任何蝕刻程序步驟。在小分子式有機L e D 顯示器之情形，通常應用蔭蔽罩蒸發，以製造彩色像素。 1紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) μ規格（210'χ297公董）~~- ---- -4 - 丨·—^-----— - - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 569443 A7 ___B7___ 五、發明説明（2 ) 而且，由於顯示器之活性材料爲有機聚合物材料，故 此等可沉積於任何適當之基體材料，包括連續可撓性及可 捲成軸之大片形狀之塑膠材料上。有機聚合物材料之特性 故此適合製造非常大面積之單色或彩色顯示裝置，包含活 性材料之非常多之像素行及列，構成顯示裝置之顯示區。 有機電發光顯示器可使用主動或被動矩陣定址系統驅 動。在顯示器之任一像素上產生光輸出之顯示元件基本上 由有機發光二極體提供。此等爲電流驅動裝置，故當使用 一主動矩陣定址設計來對顯示器定址，以產生顯示之影像 時，顯不影像之每一像素設置二電晶體’桌一用作開關， 使資料信號可流至第二電晶體，此用作像素之L E D之電 流驅動器，由此決定像素之亮度。 一被動矩陣定址設計槪要顯示於圖1。圖1所示之顯 示元件包含一基體4支持一陣列之條形電極6，此構成顯 示元件之陽電極。有機發光材料之一層8設置於陽電極6 上，及一第二陣列之條形電極1 0設置於發光層8上，此 構成顯示元件之陰極元件。自圖1可見，各別陣列之陽及 陰條形電極6，8大致相互正交安排。如一電壓施加於任 二條形電極之間，一電流通過發光層8之安排於相疊之二 電極之區域中之該部份。發光層之材料行爲如發光二極體 ，且故此，發光層之在電壓所施加之二電極之相疊區中之 該部份發光。此可參考圖2更爲明瞭。 自圖2可見，顯示器之像素各由一有機L ED連接於 各別條形陽及陰電極之間所構成。條形陽電極例如由一高 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） — If丨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -5- 569443 A7 ______B7 五、發明説明（3 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 阻抗電路（在圖2中由値Z指示）阻斷與地電位連接。在 圖2中，由電壓V 1至V 4指示之資料信號施加於該陣列 之陰電極上。同時，條形陽電極選擇性直接連接至地電位 。因而，在圖2所示之例中，當電壓V ]_施加於最左之條 形陰電極上時，有機L EDL 1發光。同樣，當電壓V2 至V4施加於陰電極1 〇上時，L ED L 2至L 4分別發 光。 上式之定址設計稱爲被動矩陣設計，因爲無主動元件 置於顯示區內，以驅動L E D發光。發光純由資料信號引 起’此爲電壓脈波之形態，自顯示裝置之框或邊界區提供 至個組條形電極，即陰或陽電極。然而，細條形電極具有 電阻，且此電阻隨條形電極之長度增加而變大。故此，如 顯示裝置之顯示面積之大小較大，則條形電極之長度增加 ，且因而，條形電極之電阻亦增加。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 顯示器自顯示器之側邊驅動，且故此，當電壓脈波施 加於任一特定電極時，由於電極之電阻，實際施加於該電 極下方之像素上之電壓隨任一像素距顯示器之邊緣（電壓 脈波加於此處）之距離而降低。沿電極上之電位降可較之 L E D驅動電壓變大。故此，應明瞭如電極相當長，則施 加於在電極之與驅動邊緣相對之末端處之像素上之電壓較 之施加於接近驅動邊緣處之像素上之電壓大爲減小。顯示 器之亮度故此隨距驅動邊緣之距離之增加而減小，且由於 L E D裝置之亮度-電壓特性爲非線性，故此引起顯示之 影像之不均勻之亮度。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -6 - 569443 A7 ___B7 ____ 五、發明説明（4 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 而且，自L E D顯示器所發射之光之強度爲個別 L E D裝置之照射強度，及在顯示器之實際顯示區中之像 素之線數之函數。此仍由於顯示器之L E D由一框週期中 之脈波操作定址之故。在任一 L E D可定址之期間中之週 期稱爲工作比率，且等於tf/N，在此，tf爲框週期， 及N爲顯示器中之線數。故此，如顯示器之線數增加，則 任一像素可定址之時間減少。一 L E D之亮度之尖峰強度 在其定址時發生，且此平均於整個框週期上。故此，爲提 供無閃燦之顯示，當顯示器面積之大小增加，及顯示器之 線數亦增加來維持解析度時，由L E D裝置所發射之光之 尖峰強度需加以補償’以維持顯不器之所需之輸出強度’ 因爲僅能在一框週期之較短時間中對L E D定址。此在有 機L E D裝置可爲特別問題，因其上升及崩潰時間非常快 速，此意爲此等並不呈現一本質記憶特性。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 L E D裝置之尖峰強度可由增加用以對L E D裝置定 址之脈波之電壓來增加。故此可知，當顯示器大小，且因 而掃描列數增加時，需要較高之電壓脈波來驅動L E D裝 置於高電流密度上，且從而由顯示器提供充分之光輸出強 度。此爲一相當大之缺點，因爲會損害發光裝置之長期可 靠性，及當顯示器裝於由內部電池供電之裝置，諸如膝上 電腦中時，需使用較大，較重，及較昂貴之電池。然而， 此較高電壓脈波之使用引起有關L E D操作之另外問題。
已知在L E D裝置’成對之電子-電洞再結合（此產 生發光）之可能率隨電壓之增加而降低。此仍由於L E D 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公羡） 569443 A7 B7 五、發明説明（5 ) 裝置之最佳操作區爲通常稱爲”再結合區”。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 普通L E D之操作特性顯示於圖3，此顯示亮度及裝 置效率如何與施加於裝置上之電流及電壓相對變化。自圖 3可見，一旦到達電流臨限，當通過裝置之電流增加時， 裝置之亮度亦增加。然而，至於效率，可見一旦裝置開始 發光時，裝置效率尖峰迅速變化。隨施加於裝置上之電壓 進一步增加，效率迅速下降至較低之效率位準，如顯示於 圖3。在有機聚合物LED，尖峰效率普通發生於約 2 · 2 V至約5 V範圍，而當所施加之電壓在約1 Ο V至 2 Ο V範圍時，裝置之效率降回至低位準，變爲無效率及 不實際使用此LED。裝置效率爲LED顯示器之許多實 際應用上之主要問題，因爲裝用該顯示器之裝備常需由內 部電池電源操作。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 裝置效率之此尖銳下降之原因爲，當施加於L E D之 陽極及陰極間之電壓增加時，再結合區向裝置電極之一遷 移。由於再結合區之形狀取決於所施加之電壓，在被動矩 陣定址之顯示器，由於需要相當高電壓之脈波來驅動 L E D裝置，故更難提供充分之顯示光輸出強度，此轉而 意爲L E D裝置不再操作於最佳再結合區，且故此，在可 接受之效率位準上。 故此，總而言之，顯示裝置普通包含2 0 0線以上， 以提供顯示影像之充分解析度。故此，L E D具有較低之 工作比率，此由增加施加於L E D上之電壓來補償。然而 ，此引起L E D之工作效率降低，此轉而降低L E D之亮 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -8- 569443 Α7 Β7 五、發明説明（7) 信號資料1之變化控制，此決定L E D之亮度強度。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 安排資料信號，俾在顯示器之操作期間中，L E D恆 發射光，且故此，可使用較低之操作電壓。故此，在顯示 器之每一像素處使用驅動電晶體使L E D能操作於較低之 操作電壓，且故此，遠較爲高之效率上。圖5顯示當由主 動及被動矩陣定址設計操作時，L E D顯示器之普通操作 效率。L E D之操作效率最爲重要，且爲何以主動矩陣設 計常採用於L E D顯示器上之主要理由。由於驅動電晶體 置於顯示器之每一像素處，此等需構製於相當大之面積上 ，且故此，使用薄膜電晶體（T F T作爲主動矩陣定址設 計中之驅動電晶體。故此，主動矩陣顯示器通常稱爲 T F T顯示器。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 最普通之二種T F T爲半導體材料層包含多晶矽或非 晶矽。更近，T F T亦已使用有機分子或聚合物製造成半 導體層。然而，由於其較高之載子遷移率，多晶矽TFT 通常用作主動矩陣顯示器中之驅動電晶體，用於有機發光 二極體顯示器。在有機主動矩陣顯示器，由於顯示器之每 一 L E D像素需要設置二驅動電晶體，故電晶體製造成本 聿父局’因爲需彳未用複雑之製造技術。明確Η之’當使用多 晶矽驅動電晶體時，需使用高溫製程，以產生多晶矽半導 體層。此增加成本，尤其是當顯示面積較大時爲然，抵消 由有機聚合物材料所提供之成本利益。電晶體性能之不均 勻亦爲一問題。而且，此在面積顯示器特別成問題，因爲 需要在顯示器之大面積上製造大量之電晶體驅動器，引起 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐) ' -10- 569443 A7 B7 五、發明説明（。） 〇 全功能電晶體裝置之處理關切之增加及良率之降低。爲此 ，通常設置”冗餘”驅動電晶體，進一步增加顯示器之成 本° 如上述，目前，多晶矽由於其較高遷移率，已爲 TFT製造之較宜材料。多晶矽TFT普通呈現在1 〇 〇 至5 0 0 c m 2/ V s之遷移率，而非晶矽T F T則呈現 0 . 1至lcm2/Vs之普通遷移率，及有機TFT呈現 〇· 001至0 · 1 cm2/Vs之遷移率。有機LED爲 電流驅動之裝置，故在圖4所示之驅動電路中，重要者爲 使電晶體T 2所提供之電流最大。 T F T之汲極電流I d可表示如：
I d a // W C / L 其中：//爲半導體之遷移率 W爲電晶體通道區之寬度 L爲電晶體通道區之長度 C爲閘極之電容 故此，汲極電流I d與半導體之遷移率成比例。而且 ，汲極電流亦與通道寬度成比例，但與通道長度成反比。 故此，如使用多晶矽T F T於驅動電路，則相當高之遷移 率使顯示器之每一像素內之電晶體結構之足跡可最小，此 爲多晶矽及非晶矽式T F T之一重要考慮，因爲二裝置均 爲不透明。由於此等T F T使用高溫製程製造，故此等通 常先構製於顯示器之螢幕（基體）之後表面上，然後製造 發光元件，且故此，TFT之足跡不透射由L ED發射至 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -----^----_丨衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -11 - 569443 A7 B7 五、發明説明（9 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 顯示器之觀看者之光。能通過所發射之光至觀看者之顯示 器之比例稱爲孔徑比率，且在較小之顯示器，諸如在行動 電話機中所用者，可達成約僅5 0 %之孔徑比率。即是， 約一.半可用之顯示面積可顯示資訊給觀看者，其餘一半顯 示面積由驅動電路之不透明之T F T及用以進出驅動電路 處之像素之導線佔用。即使在大面積之顯示.器，亦難以達 成大於約7 0至8 0 %之孔徑比率，故由使用朝向顯示器 之前觀看面安排之不透明多晶矽或非晶矽T F T引起重大 照射效率降低，不管顯示器之大小。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 知道有機T F T可由有機分子或聚合物製造，此等具 有對可見光譜中之射線透明之一帶隙。然而，此種電晶體 具有較低之遷移率，且故此目前不能使用此有機T F T於 圖4所示之主動矩陣驅動電路。已有顯示器出現，在此， 使用有機T F T作爲開關電晶體T 1 ，但目前，無法使用 有機TFT爲電流驅動電晶體T2，因其遷移率低，意爲 該裝置足跡需大，俾提供充分之通道寬度，以補償電晶體 T 1及T 2不能容納於顯示器之每一像素可用之面積內之 低遷移率。故此，使用大致透明之T F T於主動矩陣驅動 電路之優點（此可達成約1 〇 〇 %之孔徑比率）迄此尙不 可能使用主動矩陣顯示器之已知之安排。 另一關切由寄生電容所引起，此存在於至驅動電晶體 之各驅動線之間。在液晶顯示器，主動液晶材料置於陽及 陰極驅動線之間。液晶層通常在2至1 〇微米範圍之厚度 ’且故此，產生於驅動線及反公共電極間之寄生電容相當 ^氏張尺度適用中關家標準（CNS ) A4規格（2l〇x297公潑) ~ -12- 569443 A7 B7___ 五、發明説明（1〇) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 小。然而，在有機L ED顯示器，有機分子或聚合物層非 常薄，普通數百奈米厚度。故此，寄生電容較之L CD顯 示器大，且此寄生電容限制顯示器可操作之速度’當顯示 面積增加時，此特別成爲問題。此仍由於’當顯示器之大 小變爲更大時，需以更高之速度對顯示器定址，以維持顯 示影像之品質，但由於電極之電容’此引起衝突。而且’ 當顯示器之大小增加時，驅動線之長度且因而電阻亦增加 ，此亦限制顯示器可操作之速度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 故此，可知在大面積顯示器，引起採用主動或被動驅 動設計之困難’且當使用有機或聚合物L E D作爲藏不窃 發光元件時，此等困難更成問題。在每一大面積顯示器， 諸如用以在公共場所中顯示影像者，知道合倂若干顯示器 ，以提供非常大面積之顯示器。然而，構成此非常大面積 顯示器之一部份之每一顯示器爲一分離之顯示裝置。與單 個顯示裝置所構成之相等大小之顯示器相較，雖使用許多 顯示裝置可減小驅動線之長度，但大面積顯示器之每一顯 示裝置仍含有相當長之位址線，用以對顯示器之發光元件 定址。由於此，顯示裝置仍有上述關切。故此，極需有一 種改良之顯示裝置，其中消除以上問題。 依據本發明之一第一方面，提供一種顯示裝置，包含 多個顯示節段安排於一基體上，每一顯示節段具有像素之 一顯示區，此由一陣列之顯示元件界定，及一驅動電路用 以驅動顯不兀件，安排於顯示區內。 在一較宜之安排中，顯示元件包含有機聚合物發光二 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210X297公釐） -13- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 569443 A7 _B7_ 五、發明説明（彳彳） 極體。 顯示元件可安排於一被動陣列之陰電極及一被動陣列 之陽電極之間，及驅動電路包含一第一驅動電路用以提供 信號至該陣列之陽電極’及另一驅動電路用以提供信號至 該陣列之陰電極。 或且，顯示元件各可包含一各別之驅動電路，包含一 薄膜開關電晶體及一薄膜電流驅動電晶體，從而提供主動 矩陣顯示節段。 開關電晶體及電流驅動電晶體宜包含有機或聚合物電 晶體。 可選擇有機分子或聚合物，俾電晶體對可見光大致透 明 電流驅動電晶體宜包含一源及一汲極區，區各製成多 個縱向延伸區段，在一端由多個橫向延伸之區段連接，且 其中，源極區之縱向延伸區段與汲極區之縱向延伸區段交 插並分開，從而提供一空間於蛇形之交插之縱向延伸區段 之間，從而薄膜電晶體具有一通道區，具有一通道長度等 於該間隔之寬度，及一通道寬度伸於蛇形間隔之長度。 每一顯示節段可包含閘極線及資料線，用以提供控制 is號至驅動電路，閘極線及資料線包含導電性有機或聚合 物材料。 聞極線及驅動線可各包含一雙層結構，具有第一層包 含導電性有機或聚合物材料，及另一層包含無機導電性材 料。 —,--.--^---丨衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂
-14- 569443 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（12) 在另一實施例中，每一顯示節段包含一陰電極及一陽 電極，電極之一爲顯不節段之所有像素所公用，及電極之 另一具有電極圖案，以提供顯示節段之每一像素之各別電 極區，且其中，驅動電路連接至陽及陰電極，並安排於與 基體相反之顯示元件之面上。 在本發明之一第二方面，提供一種用以製造顯示裝置 之方法，包括提供多個顯示節段於一基體上，各具有像素 之一顯示區，由一陣列之顯示元件界定，及安排一驅動電 路，用以驅動顯示區內之顯示元件。 主動顯示元件可由有機或聚合物材料製造，此宜由噴 墨印刷頭沉積。 依據本發明之一第三方面，提供一種薄膜電晶體，包 含一基體，導電性聚合物之源及汲極區，各製成多個縱向 延伸區段，在一端由多個橫向延伸之區段連接，且其中， 源極區之縱向延伸區段與汲極區之縱向延伸后段交插並分 開，從而提供一蛇形間隔於源及汲極區之間，及薄膜電晶 體具有一通道區，具有一通道長度等於該間隔之寬度，及 一通道寬度延伸於蛇形間隔之長度。 現另僅由實例，並參考附圖，說明本發明之實施例， 在附圖中： 圖1爲一 L E D顯示器之被動矩陣定址設計之槪要表 示； ’ . 圖2爲槪要表示，顯示圖1所示之顯示器之L ED可 如何定址； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -15- 569443 A7 B7 五、發明説明（^) " ΙΟ 圖3爲曲線圖，顯示普通L ED裝置之亮度及效率之 變化； 圖4爲一 L E D顯示器之主動矩陣定址設計之槪要表 示； 圖5爲曲線圖，顯示可由主動矩陣定址設計所達成之 較之被動矩陣定址設計增加之效率； 圖6爲液晶顯示裝置之槪要斷面表示； 圖7爲本發明之顯示裝置之顯示節段之槪要表示； 圖8爲先行技藝顯示裝置之槪要表示； 圖9顯示具有驅動電路安裝於顯示裝置之背面上之本 發明之顯示裝置； 圖10顯示具有驅動電路置於基體之一表面上所設置 之井內之一顯示節段之部份斷面圖； 圖1 1顯不具有驅動電路置於顯示節段之前面上之顯 示節段之部份斷面圖； 圖1 2槪要表示本發明之主動矩陣定址設計； 圖1 3爲槪要表示，顯示圖1 2所示之定址設計之驅 動電晶體之源，閘，及汲極可如何構造； 圖1 4爲曲線圖，顯示有機聚合物對紫外線及可見光 之吸收特性； 圖1 5爲顯示像素之顧要斷面圖； 圖1 6爲主動矩陣顯示裝置之槪要斷面圖； 圖1 7爲有機聚合物晶體之槪要斷面圖； 圖1 8爲直接像素驅動定址設計之槪要斷面圖； 本紙張尺度適财關緖準（CNS) Α4規格（21〇><297公羡） 丨_--------- V - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T I# 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -16- 569443 A 7 __ B7 五、發明説明（14) 圖1 9爲直接像素驅動定址設計之另一實施例之槪要 斷面圖； 圖2 0爲裝有本發明之顯示裝置之行動個人電腦之槪 要圖； 圖21爲裝有本發明之顯示裝置之行動電話機之槪要 圖；及 圖2 2爲裝有本發明之顯示裝置之數位攝影機之槪要 圖。 主要元件對照表 1 :顯示元件 2 :顯示節段 4 :基體 6 :陽電極 1 〇 :陰電極 1 4 :驅動電路 1 6 :導線 2 2 :顯示區 2 4 :被動矩陣顯示裝置 2 6 :顯示裝置 2 8 :互接線 3 4 ··井 . 1〇〇··顯示板 1 0 2 :薄膜開關電晶體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210'/297公釐） 丨·------^丨衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁〕 、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -17- 569443 A7 B7 五、發明説明（ 16; 採用主動或被動矩陣定址設計。 在有機或聚合物LED， 物材料或一有機小分子式材料 形狀中沉積，但一旦沉積於基 爲相當可撓性材料。小分子式 主動有機材料可包含一‘聚合 。在聚合物材料，此在液體 體上並乾燥後，爲一固體且 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此等一旦沉積 ，在聚合物及 置前板而保持 中，以對發光 發明，經達成 器內之任何位 緣定址。且亦 址，故顯示裝 設有其自已之 生重大之優點 不管顯示 可達成顯示器 設計，則至顯 大爲減小，因 之整個長度或 爲大顯示區可 線驅動，且僅 阻，且故此， 示器，可使用 後，亦爲固體， 小分子式材料二 於基體上，即使 裝置提供物理及 提供顯示器之影 置，包括自顯示 已達成，由於影 置之影像形成區 定址設計，較之 器大小 性能上 示元件 爲驅動 寬度。 由許多 延伸於 可提高 較低之 材料由 且爲相 者，主 此板設 環境保 像形成 器後面 像形成 可細分 定址設 蒸發沉 當可撓 動有機 置於完 護亦然 元件之 ，而非 元件可 爲許多 計之已 及使用主動或被 之一重要改善。 之驅動線 線僅需延 此對大面 動矩陣 如使用 之長度可較之 伸於一節段內 示裝置 ，各具 積之顯 小顯示節段構成 每一節段內。此大爲降 顯示強度，因爲對任一 電壓驅動，使LED裝 積，但 性材料 材料無 工之顯 。故此 像素可 僅自顯 自任何 顯示節 知之安 定址設 被動矩 普通顯 ，而非 特別有 有較短 低驅動 特定大 置可操 同樣， 。故此 需由設 示裝置 ，由本 自顯示 示器邊 位置定 段，各 排，產 計，均 陣定址 示裝置 顯示器 利，因 之定址 線之電 小之顯 作於其 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐） -19- 569443 A7 ___B7 五、發明説明（17) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 最佳再結合區中，即使大面積之顯示器亦然。而且，顯示 器之定址速度亦可增加，因爲共操作節點之陣列及由較短 之定址線所構成之陰電極間之寄生電容減小。如自以上說 明可明瞭，顯示器之細分爲若干小節段，以驅動電路安排 於節段內，使顯示器所顯示之影像具有較高之對比及解像 度。 而且，在自側邊驅動顯示器之普通被動矩陣定址設計 ，任一時刻僅顯示器之一線發射光，因爲在一框期間中， 各線依次定址。比較上，主動矩陣定址設計有利，因爲所 有像素安排在所有時間發射光。然而，由具有驅動電路安 排於顯示區之各顯示節段中之本發明之驅動設計，工作一 時間點，可定址一個以上之被動矩陣節段。故此，可安排 各節段發射光，其方式更類似主動矩陣定址設計，從而增 加顯示器之亮度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而且，可由合倂§午多顯不節段於一公共單個基體上， 達成非常大面積之顯示器，且由於有機或聚合物相當可撓 性，故可使用連續成批方法製造此大面積顯示器，在此， 饋送可捲成軸之一大片塑膠材料通過各處理站，以達成顯 示器之製造。故此，可由採用各具有其自已之定址設計及 有關之驅動電路之若干顯示節段，更容易達成有機聚合物 顯示器之成本效益。 當使用本發明於主動矩陣式顯示器時，亦產生重大之 利益。在主動矩陣式顯示器，仍需以適當之掃描頻率掃描 顯示器之每一像素線。當顯示器之大小增加，且因而欲掃 i紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) ' - ' -20- 569443 A7 B7 五、發明説明（19) 物材料8設置於陽電極6上，一陣列之陰電極1 〇設置於 層8上。電發光聚合物材料可包含共軛聚合物，宜含有一 芴團。當一電壓施加於陽極元件及陰極元件，諸如陽極元 件6 a及陰極元件1 〇 a之間時，一電流流過層8之元件 6 a及1 0 a重疊處之部份中之聚合物材料，如顯示於圖 7之蔭蔽區1 2。此導致蔭蔽區1 2發射可見光，且從而 提供顯示器之一發光顯示元件。蔭蔽區故此與元件6 a及 1 0 a之重疊部份構成顯示節段之像素之一。 顯示節段2並包含一第一驅動電路1 4，用以提供驅 動信號經導線1 6至該行列之陽電極6 ，及另一驅動電路 1 8，用以提供驅動信號經導線2 0至該陣列之陰電極 1 0。圖7所示之節段2之像素聯合提供該節段之一顯示 區22，且此在圖7中由寬虛線方形界定。自圖7可見， 驅動電路1 4及1 8安排於顯示節段之此顯示區內。如此 ，構成節段2之被動矩陣定址系統之該陣列之陽及陰電極 6，1 0之物理長度可保持最小，因其係由節段本身內之 驅動電路定址。 故此，電極之電阻以及可產生於陽及陰電極間之任何 寄生電容較之普通定址之顯示裝置（在此，電極6及1 0 之相等者需延伸於裝置之整個長度及寬度）大爲減小。如 前述，如此可採用較低電壓驅動信號，及構成有機發光二 極體之顯示元件可操作於其最佳再結合區內，提供具有遠 較已知顯示裝置爲高效率之一顯示器。 圖8槪要顯示普通可如何構造一先行技藝已知之被動 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） !----：--— I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -22- 569443 A7 B7 五、發明説明（20) 矩陣顯示裝置2 4。爲便於說明，相同之參考編號使用於 圖7及8中，以顯示二裝置之相等特色。圖8所示之顯示 裝置2 4並非構製成多個或若干顯示節段。故此，顯示區 2 2由單個獨一顯示器構成，具有陽及陰電極6，1 〇延 伸於裝置之顯示區之整個長度及寬度。由於此，顯示裝置 2 4之陽及陰電極遠較圖7所示之顯示節段2之陽及陰電 極之長度爲長，引起前述之關切。而且，如自以下說明可 明暸，由於此等位於有效顯示區內，故圖7之顯示節段之 驅動電路1 4及1 8在安裝於顯示區內之前無需裹囊，因 爲可在較後之階段執行有效之裹囊，作爲製造顯示裝置之 一整合步驟。故此，在本質上，圖7之驅動電路可爲非常 小實際體積之不裹囊之積體電路裝置。 反之’圖8之顯示裝置之驅動電路需要作爲全裹囊之 積體電路供’因爲此等置於顯不區外，且由線連接經顯 75器之各別邊緣至各別陽及陰電極。故此，圖8之驅動電 路14及18較之圖7所示之顯示節段之相等電路在實際 大小上遠較爲大，且遠較昂貴，因爲此種裝置需要裹囊及 銷構造使接線可自外部至陽及陰極陣列。故此，應明瞭由 互接若干顯示節段2，不獨可使特定大小之顯示裝置機殻 之總顯示面積較大，因爲驅動電路1 4及1 6置於顯示區 內，而非在側邊處，且可達成較低成本，較薄或較不笨重 之顯不裝置，因爲圖7所示之驅動電路可成不裹囊之裸裝 置提供，此等其後由設置薄裹囊層提供裹囊。 圖9顯示一顯示裝置2 6，具有若干互接之顯示節段 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、\st> 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
-23- 569443 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7_五、發明説明（21) 2。與圖7及8同樣，相同之參考編號用以指示顯示器之 相同特色。應注意圖9顯示顯示器之背視圖，故在此實施 例中，每一顯示節段2之驅動電路1 4及1 8安排於該陣 列之陽極元件6及基體4之間，爲增加淸楚，此未顯示於 圖9中。 在顯示裝置2 6中，顯示節段2之陽電極6之各別驅 動電路1 4由互接線2 8互接，及陰電極驅動電路1 8由 互接線3 0互接。故此，此等互接線用以合倂顯示節段2 爲單一顯示裝置2 6。如自圖9可見，陽及陰電極6， 1 0保持成相當短之電極條，故雖提供大面積之顯示器， 達成此點而無需具有較高電阻及寄生電容之較長之陽及陰 電極。基本上，此可由有效細分被動定址矩陣，以提供顯 示節段，並置驅動電路1 4，1 8於每一節段之顯示區內 達成。而且，由於驅動電路1 4，1 8設置於每一節段內 ，故顯示裝置之顯示面積可由包含及互接更多之顯示元件 ，進一步增加至非常大之大小。但亦達成此點，而無需增 加較短之陽及陰電極6，1 0之長度。 應明瞭在圖9之顯示裝置中，發射性有機聚合物材料 之層8 (此未顯示於圖9中）置於各陣列之陽及陰電極6 ，1 0之間。由於此，導線2 0 (此連接顯示器之側邊上 之驅動電路1 8至顯示器之前邊上之陰電極1 〇 )需通過 有機或聚合物層8。自圖9可見’該等導線安排通過陽電 極6間之空間3 2中之層8，俾不減小顯示裝置之發光面 積。而且，有機聚合物8爲較軟材料，故在裝置製造之期 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐1 --- -24- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣. 訂 I# 569443 A 7 B7 五、發明説明（24) -------^---衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 移率爲高。且如上述，多晶矽材料爲不透明，故設置用作 每一像素之T F T減小顯示器之孔徑比率。然而，由於規 劃電容之電壓之掃描頻率可由本發明降低，故亦可使用透 明有機聚合物T F T於於主動矩陣顯示器之開關及電流驅 動電晶體上。 本發明之細分顯示器由於每一顯示節段中之閘極線數 較少，故亦可降低開關電晶體之通/斷比率。有機或聚合 物T F T之通/斷比率大體較之多晶矽T F T之比率（ 1 0 7 - 1 0 8 )低（1 0 3 — 1 〇 6 )。在未選擇週期（開 關電晶體之斷狀態）之期間中，電容器中之電荷會逸失， 且當使用具有低通/斷比率之τ F T時，此發生更爲明顯 。此限制閘極線數或在閘極線上之信號之工作比率。即使 使用此種T F T，可由本發明之細分顯示器，達成高解析 度顯示器，因爲閘極線數可由分節減少。 I# 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 2槪要顯示本發明之顯示像素中之主動矩陣定址 設計之一例。該定址設計包含一驅動電路，含有一薄膜開 關電晶體1 0 2及一薄膜電流驅動電晶體1 0 4，與圖4 所示之設計相似。開關T F Τ 1 〇 2當由施加於閘極線 1 0 8上之電壓激發時，僅用以通過資料線1 〇 6上之資 料信號。由於開關T F Τ 1 〇 2僅用作通過閘，故無需提 供高汲極電流。故此，T F Τ 1 〇 2可製成較小，故僅佔 用像素之面積之一小部份。而且，由於T F Τ 1 〇 2無需 提供高汲極電流，故可由有機或聚合物材料製造，此可由 諸如噴墨印刷法印刷於支持基體上。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2ΐ〇χ297公釐） -27- 569443 A7 B7 五、發明説明（26) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 小，諸如由圖1 3所示之結構所提供者，則相當低遷移率 之有機/聚合物電晶體可提供充分高之汲極電流，由電源 V S S驅動像素L E D，如每一像素中許可此相當大電流 驅動電晶體。 圖1 4顯示有機聚合物材料之抗吸收波長圖，且可見 該材料基本上對具有波長大ir 4 1 〇奈米即可見_ 光透明。故此，如適當選擇圖1 2及1 3所示之開關及電 流驅動器T F T之有機材料，則主動矩陣定址設計之電晶 體可製成對可見射線大致透明，且故此可佔據顯示器之像 素中可提供之最大空間，而不減小顯示器之孔徑比率。具 有帶隙大於3電子伏特之有機材料之使用可在可見光譜中 透明。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在此一構造中，閘電極1 〇 4之大面積作用如電容器 之一部份，此保持規劃之電位。由於此大面積及閘電極 1 0 4及源極1 1 〇或有機L ED之電極間之小距離，電 容器之電容趨於變大。當開關電晶體爲一有機/聚合物電 晶體時，需要相當多之時間來充電該電容器至一特定電壓 ，導致掃描頻率受限制。當有機分子或聚合物用作開關電 晶體1 0 2之通道材料時’由本發明之分節顯示器可達成 之掃描頻率之降低亦爲一重要方面。 設置一顯示器成一陣列之顯示節段故此可提供一主動 矩陣定址設計，具有較之單一顯示裝置形態之同等大小之 顯示器之閘極及資料線之長度爲短之長度之閘極及資料線 ，且此減小之閘極及資料線長度使顯示器之掃描頻率可降 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇χ297公羡) --—- -29- 569443 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（2g) 作爲半導體。亦可使用η型有機TFT，及具有高電子遷 移率之半導體’諸如Pc2Lu ’ Pc2Tm，C6Q/ C70，TCNQ，PTCDI—Ph，TCNNQ， N T C D I，NTCDA，PTCDA，Fl6CuPc ，NTCDI— C8F，DHF — 6T，戊省，或 P T C D I - C 8。 自上述可明瞭，由適當選擇有機或聚合物材料，可製 造大致透明之主動矩陣定址設計電晶體。亦可選擇透明之 電極材料，諸如由使用I T〇或P EDOT於電晶體源及 汲電極，或使用P E D〇Τ或polyanilene於閘電極。 導電性聚合物，諸如P E D〇T亦可與無機導體，諸 如I Τ〇聯合使用，以製造源/汲極電極，且此提供主動 矩陣設計之額外優點。I Τ〇常用以製造被動矩陣定址設 計之陽極，因其大致透明，但呈現相當高之導電率。然而 ，知道I T 0當沉積時呈現相當差之平面化，此增加沉積 另外層，尤其是絕緣層於I TO沉積層上之困難。一些p 型有機半導體呈現電離電位高於5.OeV。當使用 I TO作爲此一有機或聚合物式電晶體之電極時，I τ〇 及有機聚合物之能階中之差使電洞注入困難，此增加在 I Τ 0電極及有機半導體間之介面處之接觸電阻。 導電性聚合物，諸如聚3，4聚乙烯二氧塞吩（ P EDO Τ)或p〇iyaniiene具有電離電位在I τ〇及有 機半導體材料（此具有電離電位高於5 · 0 e V )之間。 故此’如使用雙層結構形態之源/汲電極，包含無機導體 本紙張尺度適财國國家標準（cns ) a4規格（2igx297公釐) - -32- ： :I -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 569443 A7 B7 ___ 五、發明説明（3〇) 之第一層及導電性有機聚合物之第二層，且有機半導體安 排接觸導電性有機聚合物層，以提供如圖1 7所示之結構 ，則電洞較易注入於半導體層中。例如，假定無機導體層 120爲IT〇，此具有Fe rmi能階在—4 · OeV 至—4 · 5eV之間，有機導體層122爲PED〇T， 此具有Fermi能階約—4 · 6eV至_4 · 8eV， 及有機P型半導體層1 2 4具有最高佔據之分子軌道之能 階約一5·OEv。由於IT〇層120及PEDOT層 1 2 2間之能隙相當小，故電洞之自I Τ〇層注入於 P EDOT層中較之電洞自I TO直接注入於有機ρ型半 導體中爲易。同樣，由於有機半導體層1 2 2及P型有機 半導體層1 2 4間之能帶亦相當小，故電洞之自有機導體 層注入於有機半導體層中亦較易達成。IT◦之導電率高 於大部份導電性聚合物，導致雙層電極結構之導電率高於 聚合物單層電極。故此，有機聚合物電晶體由特定電壓之 電源操作之效率可由使用此一無機/有機雙層電極結構提 高。此雙層電極可由蝕刻無機層製造，使用圖案之聚合物 層作爲蝕刻蔽罩。例如，圖案之P E D OT電極可由噴墨 印刷，微接觸印刷，或網印沉積於一連續I T〇層上，且 隨後使用酸性蝕刻劑蝕刻該I T 0。僅由蝕刻劑蝕刻未由 P E D〇T覆蓋之區域，產生無機/有機層電極結構。 操作效率之此提高對使用有機聚合物電晶體作爲主動 矩陣定址設計之電流驅動電晶體爲一重要之考慮，因爲此 等半導體裝置之固有遷移率相當低。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) ' " -33- —-------”丨衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 569443 A7 B7___ 五、發明説明（31) 故此，顯示器之細分爲一陣列之顯示節段對顯示器提 供一主動矩陣式定址設計，減小長度之閘極及資料線，此 轉而使有機聚合物式之電晶體可採用於主動矩陣設計之開 關及電流驅動電晶體。有機聚合物電晶體可由低溫法製造 ，不使用照相製版或蔽罩步驟，諸如使用噴墨印刷，此使 主動矩陣電晶體可構製於有機電發光顯示器之有機發光二 極體上。可選用對可見射線大致透明之主動矩陣電晶體之 有機聚合物材料，從而提高顯示器之孔徑比率。故此，可 在較低之成本上製造較有效率及較高品質之顯示器，使用 良好証明之印刷技術。由於用以製造T F T之此低溫及低 能量方法，可在有機/聚合物發光二極體之製備方法之後 ，製造該等T F T。 顯示器之細分爲若干顯示節段，及顯示像素之由顯示 區內之驅動電路驅動亦使直接像素驅動定址設計可使用。 此一設計之例顯示於圖1 8及1 9，在此，相同之編號用 以指示結構之相同部份。 圖1 8顯示一直接像素驅動定址設計，使用一陣列之 分立陽極2 0 0安排於透明基體2 0 2上。安排陽極圖案 •，俾顯示節段之每一像素具有一電極區。一有機聚合物發. 光層2 0 4設置於該陣列之分立陽極上，及一公共陰極 206設置於發光層204上。設置一驅動IC208， 用以驅動顯不器之像素，且此由電極2 1 〇連接至公共陰 極及分立之陽極。 該陣列之分立陽極2 〇 0由透明材料，諸如I τ〇及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X：297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -34- 569443 A7 B7 _ 五、發明説明（32) ί----_---.10^-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) P EDOT製造，故可通過基體看到顯示器。安排於有機 聚合物發光層上之公共陰極2宜由導電性聚合物製造，此 可由旋塗法沉積，其後鈾刻孔，俾電極2 1 0可通過發光 層而至分立陽極。 圖1 9所示之結構基本上與圖1 8所示之結構相似， 唯使用一公共陽極212及一陣列之分立陰極於顯示節段 〇 由圖1 8及1 9所示之結構，可並列安排若干顯示節 段，以提供一顯示裝置，且由於每一顯示節段可製成相當 小，故各可由一各別驅動電路，諸如安排於結構後方之圖 1 8及1 9所示之驅動I C驅動，且可驅動顯示器，而無 需掃描個別列或行之像素，如普通使用之主動或被動矩陣 驅動定址設計之情形。 b. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之顯示裝置可裝於多種裝備，諸如行動顯示器 ’例如行動話機，膝上個人電腦，D V D播放機，攝影機 ’野外裝備；便攜顯示器，諸如桌上電腦，C C T V，或 相簿；儀表板，諸如車輛或飛機儀表板；或工業顯示器， 諸如控制室裝備顯不器。 現說明使用以上有機電發光顯示裝置之各種電子裝置 〇 < 1 :行動電腦> 現說明一例，其中’以上實施例之一之顯示裝置應用 於行動個人電腦。 圖2 0爲等視圖，顯示此個人電腦之構造。在圖中， 本紙張尺度適用中國國家標準( CNS ) A4規格（21GX297公釐) -- -35- 569443 A7 B7 五、發明説明（33) 個人電腦1 1 0 0具有一主體11 0 4，包含一鍵盤 1 1〇2及一顯示單位1 1 0 6。顯示單位1 1 0 6使用 依據本發明所製之顯示板實施。 < 2 :便攜話機> 其次，說明一例，其中，顯示裝置應用於便攜話機之 顯示部份上。圖2 1爲等視圖，顯示便攜話機之構造。在 圖中，便攜話機1200設有多個操作鍵1202，一耳 機1204，一口機1206，及一顯示板100。此顯 示板1 0 0使用本發明之顯示裝置實施，如上述。 <3:數位靜止相機> 其次，說明一數位靜止相機，使用一 〇 E L顯示裝置 作爲取景器。圖2 2爲等視圖，簡要顯示數位靜止相機之 構造及其連接至外部裝置。 普通相機使用具有感光塗層之感光薄膜，並由使感光 塗層化學變化，記錄物件之光影像，而數位靜止相機 1 3 0 0則由使用例如電荷交連裝置（C C D )之光電變 換，自物件之光影像產生攝影信號。數位靜止相機 1 3 00設有一〇EL元件1 〇〇在機匣1 3 02之背面 上，俾根據來自C C D之攝影信號’執行顯示。如此’顯 示板1 0 0作用如取景器，用以顯示物件。包含光學透鏡 及C CD之光接受單位1 3 0 4設置於機匣1 3 0 2之背 面（在圖後）。 當攝影者決定Ο E L元件板1 〇 〇中所顯示之物件影 像，並釋放快門時，影像信號自c CD發送’並儲存於電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨〇'〆297公釐） —.----_---：丨 衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -36- 569443 A7 B7 五、發明説明（34) 路板1 3 0 8之記憶體中。在數位靜止相機1 3 0 0中， 資料通訊之影像信號輸出端1 3 1 2及輸入/輸出端 1 3 1 4設置於機相1 3 0 2之一側邊上。如圖所示，一 電視監視器1 4 3 0及一個人電腦1 4 4 0分別連接至影 像信號端1 3 1 2及輸入/輸出端1 3 1 4，如需要。儲 存於電路板1 3 0 8之記憶體中之影像信號由特定之操作 ，輸出至電視監視器1 4 3 0及個人電腦1 4 4 0。 圖2 0所示之個人電腦，圖2 1所示之便攜話機，及 圖2 2所示之數位靜止相機1 3 0 0以外之電子裝置之例 包括0 E L元件電視組，取景式及監視式錄影帶，車用導 航系統，報紙，電子筆記本，便攜計算機，文書處理器， 工作站，T V電話機，出售點系統（P〇S )終端機，及 設有接觸板之裝置。當然，以上〇E L裝置可應用於此等 電子裝置之顯示部份。 而且，本發明之顯示裝置適用於螢幕式大面積TV， 此非常薄，可撓性，且輕。可張貼此大面積T V於牆壁上 ，懸掛於壁上。可撓性T V不使用時可捲成軸。 由本發明，許多顯示節段可在一公共基體上互接，以 形成大面積顯示驅動，無需增加饋送至裝置之陽及陰電極 上之驅動信號之電壓，或需要增加顯示器之像素之掃描速 度。故此，雖基體4可爲剛性基體，諸如玻璃，塑膠，或 矽，但本發明適合非常有利製造顯示裝置於可捲成軸之塑 膠基體上，從而便於在高效率上有效製造非常大面積，高 速度，高解析度之顯示器。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21 ΟΧ 297公釐） —.----;---：— 衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T -L· 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 -37- 569443 A7 B7 五、發明説明（35) 以上說明僅以實例提出，且精於本藝之人士明瞭可作 修改，而不脫離本發明之範圍。例如，本發明以有機聚合 物L E D顯示器來作說明，但亦可用於反射式液晶顯示器 。而且，在被動矩陣式顯示器，說明陽極及陰極之驅動電 路爲分開之驅動電路。然而，此等驅動電路亦可整合成單 一驅動電路，在此情形，陽極及陰極可由單個電路驅動。 本發明以有機聚合物材料用作發光元件作說明。然而，小 分子材料亦可等有效使用。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -38 -

Claims (1)

  1. 56944^月i 2:第91101684號專利申請案 後無劃線之中文申請專利範圍替換本 民國92年9月10日呈 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 r、申請專利範圍 1·一種顯示裝置，包含多個顯示節段安排於一基體 上，每一顯示節段具有設有像素之一顯示區，由一陣列之 顯示元件界定，及一驅動電路用以驅動顯示元件，並安排 於顯示區內。 2 ·如申請專利fe圍弟1項所述之顯示裝置，其中， 顯示元件包含有機發光二極體。 3 ·如申|靑專利範圍第2項所述之顯示裝置，其中， 有機發光二極體包含有機聚合物材料。 4 ·如申請專利範圍第3項所述之顯示裝置，其中， 有機聚合物包含共軛聚合物。 5 ·如申請專利範圍第4項所述之顯示裝置，其中， 共軛聚合物包含芴團。 6 .如申請專利範圍第2項所述之顯示裝置，其中， 有機發光二極體包含小分子材料。 7 ·如申請專利範圍第1至6項中任一項所述之顯示 裝置，其中，顯示元件安排於一被動陣列之陰電極及一被 動陣列之陽電極之間，及驅動電路包含一第一驅動電路用 以提供信號至該陣列之陽電極，及另一驅動電路用以提供 信號至該陣列之陰電極。 8 ·如申請專利範圍第7項所述之顯示裝置，其中， 第一及/或另一驅動電路安排於基體之一第一表面上所設 置之井中。 9 ·如申請專利範圍第7項所述之顯示裝置，其中， 第一及/或另一驅動電路安排於陽電極及基體之間。 (請先閲母背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張从朝中國國家標準（CNS ) ( 21GX297公iy 569443 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 0 ·如申請專利範圍第7項所述之顯示裝置’其中 ，第一及/或另一驅動電路安排與陰電極成重疊關係。 (請先閲命背面之注意事項再填寫本頁) i i .如申請專利範圍第8項所述之顯示裝置，其中 ，用以提供信號至該陣列之顯示元件相對面上所置之電極 之驅動電路設有導電性線跡，安排連接至由顯示元件所界 定之像素及該等陣列之陽及陰電極間之空間中之相對面上 之電極。 1 2 ·如申請專利範圍第8項所述之顯示裝置’其中 ，用以提供信號至該陣列之主動顯示元件之相對面上所置 之電極之驅動電路包含多個銷安排通過有機發光二極體顯 示元件連接至相對面上之電極。 1 3 ·如申請專利範圍第7項所述之顯示裝置，其中 ，第一及/或另一驅動電路包含未裹囊之積體電路裝置。 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項所述之顯示裝置·，又 包含一裹囊層用以包裹第一及另一驅動電路，其中’第一 及/或另一驅動電路安排與陰電極成重疊關係° 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 5 ·如申請專利範圍第1至6項之任一項所述之顯 示裝置，其中，顯示元件各包含一各別之驅動電路，包含· 一薄膜開關電晶體及一薄膜電流驅動電晶體’從而提供主 動矩陣顯示節段。 1 6 ·如申請專利範圍第1 5項所述之顯示裝置，其 中，開關電晶體及電流驅動電晶體包含有機或聚合物材料 電晶體。 1 7 ·如申請專利範圍第1 6項所述之顯示裝置，其 本&張尺度適用中國國家標準（€阳）人4规格（210\297公嫠） -2^ '^ 569443 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 中，有機或聚合物材料具有使電晶體對可見光大致透明之 一帶隙。 (請先聞令背面之注意事項再填寫本頁) 1 8 .如申請專利範圍第1 7項所述之顯示裝置，其 中，電流驅動電晶體包含一源極及一汲極區，各區製成多 個縱向延伸區段，在一端由多個橫向延伸之區段連接，且 其中，源極區之縱向延伸區段與汲極區之縱向延伸區段交 插並分開，由此提供一間隔於蛇形之交插之縱向延伸區段 之間，從而薄膜.電晶體具有一通道區，具有一通道長度等 於該間隔之寬度，及一通道寬度延伸於蛇形空間之長度。 1 9 ·如申請專利範圍第1 8項所述之顯示裝置，其 中，薄膜電晶體具有通道長度在2 _ 3 0微米範圍，及通 道寬度超過1000微米。 2 0 ·如申請專利範圍第1 7項所述之顯示裝置，其 中，開關電晶體及電流驅動電晶體安排於基體及一發光層 之間。 2 1 ·如申請專利範圍第1 5項所述之顯示裝置，其 中’每一顯示節段包含閘極線及資料線，用以提供控制信 號至驅動電路’閘極線及資料線包含導電性有機材料。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 2 ·如申請專利範圍第2 1項所述之顯示裝置，其 中’閘極線及資料線各包含一雙層結構，具有第一層包含 導電性有機材料，及另一層包含金屬。 2 3 ·如申請專利範圍第2 1項所述之顯示裝置，其 中’導電性有機材料對可見射線大致透明。 2 4 ·如申請專利範圍第1至6項之任一項所述之顯 本紙適用中國國家樣)八4胁（2丨〇><297公羡） 569443 A8 B8 C8 ___ D8 六、申請專利範圍 (請先閲身背面之注意事項再填寫本頁) 示裝置，其中，每一顯示節段包含一陰電極及一陽電極， 電極之一爲該顯示節段之所有像素所公用，及電極之另一 具有電極圖案，以提供顯示節段之每一像素之一各別電極 區’且其中，驅動電路連接至陽及陰電極，並安排於與基 體相反之顯示元件之面上。 2 5 ·如申請專利範圍第2 4項所述之顯示裝置，其 中’公共電極包含陽電極安排於顯示元件及基體之間。 2 6 ·如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中 ’基體包含玻璃，塑膠，或矽之一剛性基體。 2 7 ·如申請專利範圍第χ項所述之顯示裝置，其中 ’基體包含一可捲成軸之塑膠材料。 2 8 · —種用以製造顯示裝置之方法，包括提供多個 顯示節段於一基體上，每一具有像素之一顯示區，由一陣 列之顯示元件界定，及安排一驅動電路用以驅動顯示區內 之顯示元件。 2 9 ·如申請專利範圍第2 8項所述之方法，另包括 步驟：由有機材料製造主動顯示元件。· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 0 ·如申請專利範圍第2 9項所述之方法，包括步 驟··由有機聚合物材料製造顯示元件。 3 1 ·如申請專利範圍第3 〇項所述之方法，包括步 驟：由有機小分子材料製造顯示元件。 3 2 ·如申請專利範圍第2 9項所述之方法，包括步 驟：由共軛聚合物製造有機材料。 3 3 .如申請專利範圍第3 2項所述之方法，其中， 本紙張纽適用中國國家禚準 T^- 之井中 3 569443 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 共軛聚合物選擇包含芴團。 3 4 .如申請專利範圍第2 8至3 3項之任一項所述 之方法，包括安排顯示元件於一被動陣列之陰電極及一被 動陣列之陽電極之間，及設置驅動電路作爲一第一驅動電 路，用以提供信號至該陣列之陽電極，及另一驅動電路用 以提供信號至該陣列之陰電極。 3 5 ·如申請專利範圍第3 4項所述之方法，包括步 驟：安排第一及另一驅動電路於基體之第一表面上所設置 •如申請專利範圍第3 4項所述之方法，包括步 驟：安排第一及另一驅動電路於陽電極及基體之間 (請先閎脅背面之注意事項再填寫本頁) 7 ·如申請專利範圍第 項所述之方法，包括步 驟：安排第一及另一驅動電路與陰電極成重疊關係。 其中， 開關電 顯示節 其中，’ 物材料 其中， 透明之 3 8 ·如申請專利範圍第2 8項所述之方法， 顯示元件各安排包含一各別驅動電路，包含一薄膜 晶體及一薄膜電流驅動電晶體，從而提供主動矩陣 段。 3 9 ·如申請專利範圍第3 8項所述之方法， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 選擇開關電晶體及電流驅動電晶體包含有機或聚合 電晶體。 4 0 ·如申請專利範圍第3 9項所述之方法， 選擇有機或聚合物材料具有使電晶體對可見光大致 帶隙 4 1 ·如申請專利範圍第4 0項所述之方法，其中，
    569443 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (讀先閲·τ*背面之注意事項再填寫本頁) 電流驅動電晶體設置具有一源極區及一汲極區，各製成多 個縱向延伸區段，在一端由多個橫向延伸之區段連接，且 安排源極區之縱向延伸區段與汲極區之縱向延伸區段交插 並分開’從而提供一蛇形間隔於交插之縱向延伸區段之間 ，以提供一通道區，具有一通道長度等於該間隔之寬度， 及一通道寬度伸於蛇形間隔之長度。 4 2 .如申請專利範圍第3 8項所述之方法，包括每 一顯示節段設有閘極線及資料線，用以提供控制信號至由 導電性聚合物材料所製之驅動電路。 4 3 .如申請專利範圍第4 2項所述之方法，其中， 閘極線及資料線各設置成雙層結構，具有一第一層包含導 電性有機聚合物材料，及另一層包含金屬。 4 4 ·如申請專利範圍第4 2項所述之方法，其中， 導電性有機聚合物材料選擇對可見光大致透明。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 5 ·如申請專利範圍第2 8至3 3項之任一項所述 之方法’包括安排每一顯示節段包含一陰電極及一陽電.極 ’並安排電極之一爲顯示節段之所有像素所公用，及電極 之另一具有電極圖案，以提供顯示節段之每一像素之一各 別電極區，連接驅動電路至陽及陰電極，並安排驅動電路 於與基體相反之顯示元件之面上。 4 6 .如申請專利範圍第4 5項所述之方法，包括安 ，排公共電極作爲顯示元件及基體間之陽電極。 4 7 ·如申請專利範圍第2 9至3 1或3 9至4 4項 之任一項所述之方法，其中，有機材料使用噴墨印刷，或 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -6 - 569443 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 微接觸印刷，或網印，或照相製圖沉積。 (請先閲令背面之注意事項再填寫本頁) 48·—種電子裝置，包含顯示裝置，該顯示裝置包 含多個顯示節段安排於一基體上，每一顯示節段具有設有 像素之一顯示區，由一陣列之顯示元件界定，及一驅動電 路用以驅動顯示元件，並安排於顯示區內。 49 ·一種薄膜電晶體，包含一基體，有機或聚合物 材料之源及汲極區，各區製成多個縱向延伸區段，在一端 由多個橫向延伸之區段連接，且其中，源極區之縱向延伸 區段與汲極區之縱向延伸區段交插並分開，從而提供一蛇 形間隔於源極及汲極區之間，及薄膜電晶體具有一通道區 ，具有一通道長度等於該間隔之寬度，及一通道寬度延伸 於蛇形間隔之長度。 5 0 ·如申請專利範圍第4 9項所述之電晶體，其中 ，薄膜電晶體具有通道長度在2至3 0微米範圍，及通道 寬度超過1000微米。 5 1 ·如申請專利範圍第4 9或5 0項所述之電晶體 ，其中，有機或聚合物材料對可見射線·大致透明。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 2 ·如申請專利範圍第4 9或5 0項所述之電晶體 ，包含導電性有機材料之源、閘、及汲電極。 5 3 ·如申請專利範圍第5 2項所述之電晶體，其中 ，導電性有機材料對可見射線大致透明。 5 4 · —種製造電晶體之方法，該方法使用噴墨印刷 ，該電晶體包含一基體，有機或聚合物材料之源及汲極區 ，各區製成多個縱向延伸區段，在一端由多個橫向延伸之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4洗格（210Χ297公釐) 569443 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閲-t»背面之注意事項再填寫本頁) 區段連接，且其中，源極區之縱向延伸區段與汲極區之縱 向延伸區段交插並分開，從而提供一蛇形間隔於源極及汲 極區之間，及該電晶體具有一通道區，具有一通道長度等 於該間隔之寬度，及一通道寬度延伸於蛇形間隔之長度。 5 5 . —種製造電晶體之方法，該方法使用微接觸印 刷，該電晶體包含一基體，有機或聚合物材料之源及汲極 區，各區製成多個縱向延伸區段，在一端由多個橫向延伸 之區段連接，且其中，源極區之縱向延伸區段與汲極區之 縱向延伸區段交插並分開，從而提供一蛇形間隔於源極及 汲極區之間，及該電晶體具有一通道區，具有一通道長度 等於該間隔之寬度，及一通道寬度延伸於蛇形間隔之長度 0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 56·—種製造電晶體之方法，該方法使用網印，該 電晶體包含一基體，有機或聚合物材料之源及汲極區，各 區製成多個縱向延伸區段，在一端由多個橫向延伸之區段 連接，且其中，源極區之縱向延伸區段與汲極區之縱向延 伸區段交插並分開，從而提供一蛇形間隔於源極及汲極區 之間，及該電晶體具有一通道區，具有一通道長度等於該_ 間隔之寬度，及一通道寬度延伸於蛇形間隔之長度。 5 7 . —種製造電晶體之方法，該方法使用照相製圖 ，該電晶體包含一基體，有機或聚合物材料之源及汲極區 ，各區製成多個縱向延伸區段，在一端由多個橫向延伸之 區段連接，且其中，源極區之縱向延伸區段與汲極區之縱 向延伸區段交插並分開，從而提供一蛇形間隔於源極及汲 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） -8 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 569443 A8 Βδ C8 D8 六、申請專利範圍 極區之間，及該電晶體具有一通道區，具有一通道長度等 於該間隔之寬度’及一通道寬度延伸於蛇形間隔之長度。 5 8 · —種製造電晶體之方法，該方法使用噴墨印刷 ，該電晶體包含一基體，有機或聚合物材料之源及汲極區 ，各區製成多個縱向延伸區段，在一端由多個橫向延伸之 區段連接，且其中，源極區之縱向延伸區段與汲極區之縱 向延伸區段交插並分開，從而提供一蛇形間隔於源極及汲 極區之間，及該電晶體具有一通道區，具有一通道長度等 於該間隔之寬度.，及一通道寬度延伸於蛇形間隔之長度， 該通道長度在2至3 0微米範圍，及通道寬度超過 1 0 0 0微米。 5 9 · —種製造電晶體之方法，該方法使用微接觸印 刷，該電晶體包含一基體，有機或聚合物材料之源及汲極 區，各區製成多個縱向延伸區段，在一端由多個橫向延伸 之區段連接，且其中，源極區之縱向延伸區段與汲極區之 縱向延伸區段交插並分開，從而提供一蛇形間隔於源極及 汲極區之間，及該電晶體具有一通道區，具有一通道長度 等於該間隔之寬度，及一通道寬度延伸於蛇形間隔之長度· ’該通道長度在2至3 0微米範圍，及該通道寬度超過. 1 0 0 0微米。 6 0 · —種製造電晶體之方法，該方法使用網印，該 電晶體包含一基體，有機或聚合物材料之源及汲極區，各 區製成多個縱向延伸區段，在一端由多個橫向延伸之區段 連接，且其中，源極區之縱向延伸區段與汲極區之縱向延 本紙張錢適用巾g|gj家料（CNS ) A侧^ ( 210X297公釐)~ . I 訂 (請先聞身背面之注意事項再填寫本頁) 569443 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 伸區段交插並分開，從而提供一蛇形間隔於源極及汲極區 之間’及該電晶體具有一通道區，具有一通道長度等於該 間隔之寬度，及一通道寬度延伸於蛇形間隔之長度，該通 道長度在2至3 0微米範圍，及該通道寬度超過1 〇 〇 〇 微米。 6 1 · —種製造電晶體之方法，該方法使用照相製圖 ，該電晶體包含一基體，有機或聚合物材料之源及汲極區 ，各區製成多個縱向延伸區段，在一端由多個橫向延伸之 區段連接，且其.中，源極區之縱向延伸區段與汲極區之縱 向延伸區段交插並分開，從而提供一蛇形間隔於源極及汲 極區之間，及該電晶體具有一通道區，具有一通道長度等 於該間隔之寬度，及一通道寬度延伸於蛇形間隔之長度， 該通道長度在2至3 0微米範圍，及該通道寬度超過 1 0 0 0微米。 (請先閲啼背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -10- 本紙張尺度適用中國國家摞準（CNS ) A4規格（210X297公釐）
    569443
    8/11
    410nm 圖 15
    569443
    9/11 圖 16 170 172
    164 162
    圖17 ·
    120
TW091101684A 2001-01-31 2002-01-31 Display device TW569443B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB0102434A GB2371910A (en) 2001-01-31 2001-01-31 Display devices

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW569443B true TW569443B (en) 2004-01-01

Family

ID=9907854

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW091101684A TW569443B (en) 2001-01-31 2002-01-31 Display device

Country Status (9)

Country Link
US (3) US7068418B2 (zh)
EP (2) EP1850382A3 (zh)
JP (2) JP4254240B2 (zh)
KR (1) KR100522323B1 (zh)
CN (2) CN100409441C (zh)
AU (1) AU2002228186A1 (zh)
GB (1) GB2371910A (zh)
TW (1) TW569443B (zh)
WO (1) WO2002061837A2 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8912718B2 (en) 2004-09-13 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device with a plurality of circuits connected in parallel
TWI478623B (zh) * 2012-02-13 2015-03-21 E Ink Holdings Inc 顯示器
TWI791182B (zh) * 2019-12-31 2023-02-01 南韓商樂金顯示科技股份有限公司 薄膜電晶體、其製造方法以及包含其之顯示設備

Families Citing this family (116)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002215065A (ja) * 2000-11-02 2002-07-31 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器
GB2371910A (en) 2001-01-31 2002-08-07 Seiko Epson Corp Display devices
TW543169B (en) * 2002-02-08 2003-07-21 Ritdisplay Corp Package structure and process of organic light-emitting diode panel
DE10212639A1 (de) * 2002-03-21 2003-10-16 Siemens Ag Vorrichtung und Verfahren zur Laserstrukturierung von Funktionspolymeren und Verwendungen
GB0218202D0 (en) * 2002-08-06 2002-09-11 Avecia Ltd Organic light emitting diodes
TW569409B (en) * 2002-10-22 2004-01-01 Ritek Display Technology Corp Process for packaging an OLED panel
US6753247B1 (en) * 2002-10-31 2004-06-22 Advanced Micro Devices, Inc. Method(s) facilitating formation of memory cell(s) and patterned conductive
US20060118778A1 (en) * 2002-11-05 2006-06-08 Wolfgang Clemens Organic electronic component with high-resolution structuring and method for the production thereof
US7256427B2 (en) * 2002-11-19 2007-08-14 Articulated Technologies, Llc Organic light active devices with particulated light active material in a carrier matrix
GB0316481D0 (en) * 2003-07-15 2003-08-20 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix display
GB0319714D0 (en) * 2003-08-21 2003-09-24 Philipp Harald Anisotropic touch screen element
DE10339036A1 (de) * 2003-08-25 2005-03-31 Siemens Ag Organisches elektronisches Bauteil mit hochaufgelöster Strukturierung und Herstellungsverfahren dazu
CN1842745B (zh) * 2003-08-28 2013-03-27 株式会社半导体能源研究所 薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法、以及显示器件的制造方法
KR100563058B1 (ko) * 2003-11-21 2006-03-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
US7358530B2 (en) * 2003-12-12 2008-04-15 Palo Alto Research Center Incorporated Thin-film transistor array with ring geometry
KR100711001B1 (ko) 2003-12-29 2007-04-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자
JP4566575B2 (ja) * 2004-02-13 2010-10-20 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
ATE431620T1 (de) * 2004-03-18 2009-05-15 Fiat Ricerche Leuchtelement, das eine dreidimensionale perkolationsschicht verwendet, und herstellungsverfahren dafür
US20050285518A1 (en) * 2004-06-24 2005-12-29 Eastman Kodak Company OLED display having thick cathode
US7205718B2 (en) * 2004-06-24 2007-04-17 Eastman Kodak Company OLED display having thermally conductive adhesive
US7205717B2 (en) * 2004-06-24 2007-04-17 Eastman Kodak Company OLED display having thermally conductive material
KR100683675B1 (ko) * 2004-06-30 2007-02-15 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 소자
US20060012742A1 (en) * 2004-07-16 2006-01-19 Yaw-Ming Tsai Driving device for active matrix organic light emitting diode display and manufacturing method thereof
US7410906B2 (en) * 2004-07-16 2008-08-12 Fujifilm Corporation Functional device and method for producing the same, and image pickup device and method for producing the same
KR100594865B1 (ko) 2004-08-10 2006-06-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
DE102004040831A1 (de) * 2004-08-23 2006-03-09 Polyic Gmbh & Co. Kg Funketikettfähige Umverpackung
KR100662978B1 (ko) * 2004-08-25 2006-12-28 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시장치와 그의 구동방법
JP2006065021A (ja) * 2004-08-27 2006-03-09 Seiko Epson Corp アクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板、電気光学装置並びに電子機器
JP4534673B2 (ja) * 2004-08-31 2010-09-01 日産自動車株式会社 機能性薄膜素子、機能性薄膜素子の製造方法及び機能性薄膜素子を用いた物品
JP4534674B2 (ja) * 2004-08-31 2010-09-01 日産自動車株式会社 機能性薄膜素子、機能性薄膜素子の製造方法及び機能性薄膜素子を用いた物品
GB0421710D0 (en) 2004-09-30 2004-11-03 Cambridge Display Tech Ltd Multi-line addressing methods and apparatus
GB0428191D0 (en) 2004-12-23 2005-01-26 Cambridge Display Tech Ltd Digital signal processing methods and apparatus
GB0421711D0 (en) 2004-09-30 2004-11-03 Cambridge Display Tech Ltd Multi-line addressing methods and apparatus
GB0421712D0 (en) 2004-09-30 2004-11-03 Cambridge Display Tech Ltd Multi-line addressing methods and apparatus
GB2420215A (en) * 2004-11-12 2006-05-17 Pelikon Ltd Flexible displays
KR100611660B1 (ko) * 2004-12-01 2006-08-10 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 장치 및 동작 방법
JP5121118B2 (ja) * 2004-12-08 2013-01-16 株式会社ジャパンディスプレイイースト 表示装置
DE102004059464A1 (de) * 2004-12-10 2006-06-29 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbauteil mit Modulator
DE102004059465A1 (de) * 2004-12-10 2006-06-14 Polyic Gmbh & Co. Kg Erkennungssystem
DE102004059467A1 (de) * 2004-12-10 2006-07-20 Polyic Gmbh & Co. Kg Gatter aus organischen Feldeffekttransistoren
DE102004063435A1 (de) 2004-12-23 2006-07-27 Polyic Gmbh & Co. Kg Organischer Gleichrichter
DE102005009819A1 (de) 2005-03-01 2006-09-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbaugruppe
DE102005009820A1 (de) * 2005-03-01 2006-09-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbaugruppe mit organischen Logik-Schaltelementen
GB0506899D0 (en) * 2005-04-05 2005-05-11 Plastic Logic Ltd Multiple conductive layer TFT
DE102005017655B4 (de) * 2005-04-15 2008-12-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Mehrschichtiger Verbundkörper mit elektronischer Funktion
DE102005031448A1 (de) 2005-07-04 2007-01-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Aktivierbare optische Schicht
JP4404026B2 (ja) * 2005-07-26 2010-01-27 セイコーエプソン株式会社 エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
DE102005035589A1 (de) 2005-07-29 2007-02-01 Polyic Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
DE102005035590A1 (de) * 2005-07-29 2007-02-01 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronisches Bauelement
KR100658286B1 (ko) * 2005-08-11 2006-12-14 삼성에스디아이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 평판표시장치
DE102005042166A1 (de) * 2005-09-06 2007-03-15 Polyic Gmbh & Co.Kg Organisches Bauelement und ein solches umfassende elektrische Schaltung
DE102005044306A1 (de) * 2005-09-16 2007-03-22 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronische Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer solchen
CN101268554A (zh) * 2005-09-19 2008-09-17 皇家飞利浦电子股份有限公司 可变色发光器件及其控制方法
US8138075B1 (en) 2006-02-06 2012-03-20 Eberlein Dietmar C Systems and methods for the manufacture of flat panel devices
KR100737867B1 (ko) * 2006-06-02 2007-07-12 삼성전자주식회사 발광장치 및 발광장치의 제어방법
US20080062090A1 (en) * 2006-06-16 2008-03-13 Roger Stewart Pixel circuits and methods for driving pixels
US7679586B2 (en) * 2006-06-16 2010-03-16 Roger Green Stewart Pixel circuits and methods for driving pixels
US8446394B2 (en) * 2006-06-16 2013-05-21 Visam Development L.L.C. Pixel circuits and methods for driving pixels
US20080001538A1 (en) * 2006-06-29 2008-01-03 Cok Ronald S Led device having improved light output
TWI356386B (en) * 2006-08-04 2012-01-11 Ritdisplay Corp Active matrix organic electro-luminescence display
WO2008039372A2 (en) * 2006-09-22 2008-04-03 Carnegie Mellon University Assembling and applying nano-electro-mechanical systems
JP2008145840A (ja) * 2006-12-12 2008-06-26 Fujifilm Corp 表示装置
US7646144B2 (en) * 2006-12-27 2010-01-12 Eastman Kodak Company OLED with protective bi-layer electrode
US7592827B1 (en) 2007-01-12 2009-09-22 Pdf Solutions, Inc. Apparatus and method for electrical detection and localization of shorts in metal interconnect lines
JP5521270B2 (ja) * 2007-02-21 2014-06-11 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタアレイ、薄膜トランジスタアレイの製造方法、および薄膜トランジスタアレイを用いたアクティブマトリクス型ディスプレイ
US7804421B2 (en) * 2007-02-21 2010-09-28 Audiovox Corporation Vehicle safety system
US7649220B2 (en) * 2007-03-29 2010-01-19 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Photodetector having dark current correction
US20080252202A1 (en) * 2007-04-11 2008-10-16 General Electric Company Light-emitting device and article
US8525954B2 (en) * 2007-06-27 2013-09-03 General Electric Company Three-dimensional display article
US7742673B2 (en) * 2007-09-28 2010-06-22 General Electric Company Thermal mangement article having thermal wave guide
US8058802B2 (en) * 2007-09-28 2011-11-15 General Electric Company Thermal management article and method
US7898176B2 (en) * 2007-09-28 2011-03-01 General Electric Company Fluidic thermal management article and method
US9071809B2 (en) * 2008-01-04 2015-06-30 Nanolumens Acquisition, Inc. Mobile, personsize display system and method of use
US8492781B2 (en) * 2008-01-31 2013-07-23 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device
US8629842B2 (en) * 2008-07-11 2014-01-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
US8928597B2 (en) 2008-07-11 2015-01-06 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
US9342176B2 (en) 2008-07-21 2016-05-17 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
TWI373653B (en) * 2008-09-01 2012-10-01 Au Optronics Corp Conducting layer jump connection structure
EP2332185A2 (en) * 2008-09-08 2011-06-15 3M Innovative Properties Company Electrically pixelated luminescent device
US8513685B2 (en) 2008-11-13 2013-08-20 3M Innovative Properties Company Electrically pixelated luminescent device incorporating optical elements
US8207954B2 (en) * 2008-11-17 2012-06-26 Global Oled Technology Llc Display device with chiplets and hybrid drive
US8610155B2 (en) * 2008-11-18 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, method for manufacturing the same, and cellular phone
US8619008B2 (en) * 2009-02-13 2013-12-31 Global Oled Technology Llc Dividing pixels between chiplets in display device
US8279145B2 (en) * 2009-02-17 2012-10-02 Global Oled Technology Llc Chiplet driver pairs for two-dimensional display
US8456387B2 (en) * 2009-02-18 2013-06-04 Global Oled Technology Llc Display device with chiplet drivers
US8698391B2 (en) * 2009-04-29 2014-04-15 Global Oled Technology Llc Chiplet display with oriented chiplets and busses
US8576209B2 (en) 2009-07-07 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8115383B2 (en) * 2009-10-29 2012-02-14 Global Oled Technology Llc Electroluminescent area illumination with integrated mechanical switch
US8196086B2 (en) * 2010-07-21 2012-06-05 Lsi Corporation Granular channel width for power optimization
JP2012109203A (ja) * 2010-10-22 2012-06-07 Seiko Epson Corp 照明装置
JP5757083B2 (ja) 2010-12-01 2015-07-29 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタ形成用基板、半導体装置、電気装置
US8552440B2 (en) 2010-12-24 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device
WO2012086662A1 (en) 2010-12-24 2012-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device
CN103262656B (zh) 2010-12-28 2016-08-24 株式会社半导体能源研究所 发光单元、发光装置以及照明装置
US9516713B2 (en) * 2011-01-25 2016-12-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP5925511B2 (ja) 2011-02-11 2016-05-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光ユニット、発光装置、照明装置
US8772795B2 (en) 2011-02-14 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and lighting device
US8735874B2 (en) 2011-02-14 2014-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, display device, and method for manufacturing the same
US8373181B2 (en) 2011-06-29 2013-02-12 General Electric Company Method and device for a cathode structure for flexible organic light emitting diode (OLED) device
KR20130078065A (ko) * 2011-12-30 2013-07-10 삼성전기주식회사 터치패널
TWI487111B (zh) 2012-05-21 2015-06-01 Au Optronics Corp 電晶體結構以及驅動電路結構
KR102022698B1 (ko) 2012-05-31 2019-11-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
CN104041186A (zh) * 2012-10-16 2014-09-10 深圳市柔宇科技有限公司 一种oled显示屏及其制造方法
KR20150079645A (ko) 2012-10-30 2015-07-08 샤프 가부시키가이샤 액티브 매트릭스 기판, 표시 패널 및 그것을 구비한 표시 장치
TWI492203B (zh) * 2012-12-04 2015-07-11 Au Optronics Corp 顯示面板之製造方法及疊層體
JP2015215780A (ja) * 2014-05-12 2015-12-03 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN106855764B (zh) * 2015-12-09 2023-05-02 安徽精卓光显技术有限责任公司 触摸显示装置
KR20180041301A (ko) * 2016-10-13 2018-04-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP7002475B2 (ja) * 2017-01-15 2022-01-20 サイントル株式会社 光検出器アレイ
CN107204375B (zh) * 2017-05-19 2019-11-26 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管及其制作方法
US10592024B2 (en) * 2017-08-02 2020-03-17 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Touch screen
US11263963B2 (en) * 2018-05-09 2022-03-01 Apple Inc. Local passive matrix display
KR102620829B1 (ko) * 2019-08-27 2024-01-03 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR20210111918A (ko) * 2020-03-03 2021-09-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
US20220231209A1 (en) * 2021-01-19 2022-07-21 Innostar Service Inc. Led display
US20230037057A1 (en) * 2021-07-30 2023-02-02 Sharp Display Technology Corporation Uv-patterned conductive polymer electrode for qled

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61231584A (ja) 1985-04-05 1986-10-15 日本電気株式会社 Ｅｌ表示装置
JPS63284795A (ja) 1987-05-15 1988-11-22 Furukawa Electric Co Ltd:The エレクトロルミネセンス表示素子
JPS6471899A (en) 1987-09-11 1989-03-16 Nippon Zeon Co Steroid compound
JP2813428B2 (ja) * 1989-08-17 1998-10-22 三菱電機株式会社 電界効果トランジスタ及び該電界効果トランジスタを用いた液晶表示装置
JPH03245126A (ja) * 1990-02-23 1991-10-31 Hitachi Ltd 薄膜トランジスタパネル
JPH0469971A (ja) * 1990-07-10 1992-03-05 Sumitomo Chem Co Ltd 電界効果トランジスタ
JP3522771B2 (ja) * 1991-03-22 2004-04-26 三菱電機株式会社 インバータ
KR940004135B1 (ko) * 1991-12-18 1994-05-13 삼성전관 주식회사 평판형 표시 판넬의 구동회로
US5294870A (en) * 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
US5612549A (en) * 1994-03-24 1997-03-18 Motorola Integrated electro-optical package
TW293172B (zh) * 1994-12-09 1996-12-11 At & T Corp
US6278127B1 (en) * 1994-12-09 2001-08-21 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising an organic thin film transistor adapted for biasing to form a N-type or a P-type transistor
US5640067A (en) * 1995-03-24 1997-06-17 Tdk Corporation Thin film transistor, organic electroluminescence display device and manufacturing method of the same
US5677546A (en) * 1995-05-19 1997-10-14 Uniax Corporation Polymer light-emitting electrochemical cells in surface cell configuration
US5644327A (en) 1995-06-07 1997-07-01 David Sarnoff Research Center, Inc. Tessellated electroluminescent display having a multilayer ceramic substrate
GB9615605D0 (en) 1996-07-25 1996-09-04 British Nuclear Fuels Plc Polymer radiation sensors
US5903246A (en) * 1997-04-04 1999-05-11 Sarnoff Corporation Circuit and method for driving an organic light emitting diode (O-LED) display
KR100248392B1 (ko) * 1997-05-15 2000-09-01 정선종 유기물전계효과트랜지스터와결합된유기물능동구동전기발광소자및그소자의제작방법
US6452218B1 (en) * 1997-06-10 2002-09-17 Uniax Corporation Ultra-thin alkaline earth metals as stable electron-injecting electrodes for polymer light emitting diodes
US5807645A (en) * 1997-06-18 1998-09-15 Wilson Greatbatch Ltd. Discharge promoter mixture for reducing cell swelling in alkali metal electrochemical cells
EP0968537B1 (en) * 1997-08-22 2012-05-02 Creator Technology B.V. A method of manufacturing a field-effect transistor substantially consisting of organic materials
US5853905A (en) * 1997-09-08 1998-12-29 Motorola, Inc. Efficient single layer electroluminescent device
JP2850906B1 (ja) 1997-10-24 1999-01-27 日本電気株式会社 有機ｅｌ素子およびその製造方法
US6087196A (en) * 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
US6370019B1 (en) 1998-02-17 2002-04-09 Sarnoff Corporation Sealing of large area display structures
US6476783B2 (en) * 1998-02-17 2002-11-05 Sarnoff Corporation Contrast enhancement for an electronic display device by using a black matrix and lens array on outer surface of display
JP3543170B2 (ja) * 1998-02-24 2004-07-14 カシオ計算機株式会社 電界発光素子及びその製造方法
GB9808061D0 (en) * 1998-04-16 1998-06-17 Cambridge Display Tech Ltd Polymer devices
EP0978880B1 (en) 1998-08-07 2010-10-06 LG Electronics, Inc. Organic electroluminescent display panel and method for fabricating the same
JP4366743B2 (ja) 1998-09-11 2009-11-18 ソニー株式会社 平面表示装置
US6259838B1 (en) * 1998-10-16 2001-07-10 Sarnoff Corporation Linearly-addressed light-emitting fiber, and flat panel display employing same
JP3885385B2 (ja) * 1998-10-19 2007-02-21 ヤマハ株式会社 表示装置
US6426595B1 (en) 1999-02-08 2002-07-30 Sony Corporation Flat display apparatus
JP2000298446A (ja) 1999-02-08 2000-10-24 Sony Corp 平面表示装置
US6498592B1 (en) * 1999-02-16 2002-12-24 Sarnoff Corp. Display tile structure using organic light emitting materials
US6600467B1 (en) * 1999-04-28 2003-07-29 Homer L. Webb Flat panel display architecture
JP4627822B2 (ja) 1999-06-23 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US6545291B1 (en) * 1999-08-31 2003-04-08 E Ink Corporation Transistor design for use in the construction of an electronically driven display
EP1138091B1 (en) * 1999-09-10 2007-01-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Conductive structure based on poly-3,4-alkenedioxythiophene (pedot) and polystyrenesulfonic acid (pss)
WO2001027998A1 (en) * 1999-10-11 2001-04-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Integrated circuit
US6541919B1 (en) * 2000-02-14 2003-04-01 Sarnoff Corporation Electrical interconnection of light-emitting fibers, and method therefor
GB2371910A (en) 2001-01-31 2002-08-07 Seiko Epson Corp Display devices

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8912718B2 (en) 2004-09-13 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device with a plurality of circuits connected in parallel
TWI552644B (zh) * 2004-09-13 2016-10-01 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置
TWI571177B (zh) * 2004-09-13 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置
TWI478623B (zh) * 2012-02-13 2015-03-21 E Ink Holdings Inc 顯示器
TWI791182B (zh) * 2019-12-31 2023-02-01 南韓商樂金顯示科技股份有限公司 薄膜電晶體、其製造方法以及包含其之顯示設備
US11574843B2 (en) 2019-12-31 2023-02-07 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor and display apparatus comprising the same

Also Published As

Publication number Publication date
GB0102434D0 (en) 2001-03-14
US7068418B2 (en) 2006-06-27
US7468580B2 (en) 2008-12-23
KR100522323B1 (ko) 2005-10-18
US20030141807A1 (en) 2003-07-31
KR20020093867A (ko) 2002-12-16
JP4254240B2 (ja) 2009-04-15
US20050218791A1 (en) 2005-10-06
CN1460295A (zh) 2003-12-03
GB2371910A (en) 2002-08-07
JP2008016857A (ja) 2008-01-24
CN101165920A (zh) 2008-04-23
WO2002061837A2 (en) 2002-08-08
US20080246704A1 (en) 2008-10-09
US8139005B2 (en) 2012-03-20
JP2004518994A (ja) 2004-06-24
EP1356523A2 (en) 2003-10-29
EP1356523B1 (en) 2015-04-01
JP4811371B2 (ja) 2011-11-09
EP1850382A3 (en) 2009-04-29
AU2002228186A1 (en) 2002-08-12
EP1850382A2 (en) 2007-10-31
CN100409441C (zh) 2008-08-06
WO2002061837A3 (en) 2003-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW569443B (en) Display device
CN112071882B (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
US8916876B2 (en) White organic light emitting diode display device and method of fabricating the same
US11943970B2 (en) Light emitting device, display device, photoelectric conversion device, electronic device, illumination device, and mobile device with first transistor connected to light emitting element anode, second transistor connected to first transistor gate electrode, and third transistor connected to first transistor
CN109326633B (zh) 一种显示面板及显示装置
US11527735B2 (en) Flexible display panel with connecting portion and flexible bridging portion, method for manufacturing the same and display device
WO2020186396A1 (zh) 像素阵列基板及其驱动方法、显示面板、显示装置
US11450694B2 (en) Display apparatus and electronic device
JP2002314756A (ja) 表示装置
KR20120072949A (ko) 화이트 유기발광다이오드 표시소자 및 그 제조방법
JP2018116276A (ja) 表示装置
JP2005189304A (ja) 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器
US8653569B2 (en) Transistor, display device, electronic device, manufacturing method of transistor, and manufacturing method of display device
US20240049543A1 (en) Display device
WO2022227478A1 (zh) 一种显示基板及其制作方法、显示装置
US20220399379A1 (en) Driving backplane and method of manufacturing the same, and display apparatus
WO2024036629A1 (zh) 显示基板及其驱动方法、显示装置
CN116601694A (zh) 显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees