CN105094478B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及具备输入装置的显示装置，其减小包括驱动电极与检测电极的电路的时间常数，并减小该时间常数的温度变动率。显示装置(1)具有：在俯视观察下沿着X轴方向设置的驱动电极(COML)、与驱动电极(COML)串联连接的缓冲TFT元件(Trb)、以及在俯视观察下与驱动电极(COML)分别交叉地设置并在X轴方向上排列的多个检测电极(TDL)。缓冲TFT元件(Trb)的导通电阻与驱动电极(COML)的电阻之和的电阻温度系数为负，多个检测电极(TDL)各自的比电阻为40μΩcm以下，多个检测电极(TDL)各自的电阻温度系数为1×10‑3K‑1～5×10‑3K‑1。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置，特别是涉及具备静电电容方式的输入装置的显示装置。
背景技术
近年来，存在如下技术：即，在显示装置的显示面侧安装被称为触摸面板或者触摸传感器的输入装置，在使手指、触屏笔等输入工具等接触触摸面板而进行了输入动作时，检测输入位置并加以输出。这种具有触摸面板的显示装置由于不需要键盘、鼠标、或者小型键盘等输入装置，因此，除应用于电脑以外，还在便携式电话等便携式信息终端等中被广泛地使用。
作为检测手指等与触摸面板接触的接触位置的检测方式之一，具有静电电容式。在采用了静电电容式的触摸面板中，于触摸面板的面内设置有由夹着介电层而相对配置的一对电极、即驱动电极和检测电极组成的多个电容元件。于是，在使手指、触屏笔等输入工具接触电容元件而进行了输入动作时，利用电容元件的静电电容变化而检测输入位置。
例如，在日本特开2011-253263号公报(专利文献1)中记载了一种触摸面板，该触摸面板包括：具有在第一方向上连接的多个第一栅格电极(格子電極)的第一导电部、以及具有在第二方向上连接的多个第二栅格电极的第二导电部。在专利文献1中记载了形成金属材料(银)来形成第一导电部以及第二导电部。另外，在日本特开2010-197576号公报(专利文献2)中记载了具有配置成与驱动电极相对的面状并在像素电极排列的一方向上以像素的自然数倍的节距分开配置的检测电极的显示装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-253263号公报
专利文献2：日本特开2010-197576号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
在通过检测驱动电极与检测电极之间的静电电容来检测输入位置的情况下，对驱动电极输入例如由矩形波构成的信号，通过检测从检测电极输出的信号来检测驱动电极与检测电极之间的静电电容。在这种情况下，在一定的时间内输入驱动电极的信号的波形的数量越多，则越能提高检测静电电容的检测性能。即，输入驱动电极的信号的周期越短，则越能提高输入装置的检测性能。另外，为了提高输入装置的检测性能，减小包括驱动电极与检测电极的电路的时间常数是重要的。
但是，包括驱动电极和检测电极的电路的时间常数由驱动电极及其引绕布线等的电阻分量、检测电极及其引绕布线的电阻分量、以及驱动电极与检测电极之间的静电电容分量等多个电阻分量和静电电容分量而决定。因此，在这多个电阻分量和静电电容分量中的任一个大的情况下，减小包括驱动电极和检测电极的电路的时间常数是困难的。并且，在无法减小时间常数的情况下，伴随着输入驱动电极的信号，输出到检测电极的信号产生延迟，因而难以增加在一定的时间内输入驱动电极的信号的波形的数量，不易提高输入装置的检测性能。
另外，在多个电阻分量和静电电容分量中的任一个分量的温度变动率大的情况下，不易在使用显示装置的设想温度范围的整个范围内将时间常数维持为一定，难以确保显示装置的可靠性。
本发明是为了解决上述那样的现有技术的问题点而作出的，其目的在于，在包括具有驱动电极和检测电极的输入装置的显示装置方面，提供一种能够减小包括驱动电极和检测电极的电路的时间常数并能减小该时间常数的温度变动率的显示装置。
用于解决技术问题的方案
简单地说明本申请所公开的发明中的具有代表性的发明概要的话，如下所述。
作为本发明的一方式的显示装置具有：第一基板；第二基板，与第一基板相对地设置；以及多个像素，设置于第一基板。并且，该显示装置具有：第一电极，在俯视观察下沿着第一方向地设置于第一基板；晶体管，设置于第一基板，并与第一电极串联连接；以及多个第二电极，在俯视观察下与所述第一电极分别交叉地设置于第二基板，并在第一方向上排列。根据第一电极与多个第二电极各自之间的静电电容来检测输入位置。作为晶体管的导通电阻与第一电极的电阻之和的第一电阻的电阻温度系数为负，多个第二电极各自的比电阻为40μΩcm以下，多个第二电极各自的电阻温度系数为1×10-3K-1～5×10-3K-1。
附图说明
图1是示出实施方式1的显示装置的一个构成例的框图。
图2是表示手指接触或者接近触摸检测器件的状态的说明图。
图3是示出手指接触或者接近触摸检测器件状态的等效电路的例子的说明图。
图4是示出驱动信号及检测信号的波形的一个例子的图。
图5是示出安装有实施方式1的显示装置的模块的一个例子的俯视观察图。
图6是表示实施方式1的显示装置中的带触摸检测功能的显示器件的剖面图。
图7是表示实施方式1的显示装置中的带触摸检测功能的显示器件的电路图。
图8是示出实施方式1的显示装置的驱动电极及检测电极的一个构成例的立体图。
图9是示意性示出实施方式1的显示装置中的检测电极的位置与像素的位置的关系的一个例子的俯视观察图。
图10是示意性示出实施方式1的显示装置中的检测电极的位置与像素的位置的关系的一个例子的俯视观察图。
图11是用于说明决定时间常数的电阻分量和静电电容分量的图。
图12是示出实施方式1的显示装置中的检测电极的各种例子的剖面图。
图13是示出实施方式1的显示装置中的检测电极的各种例子的剖面图。
图14是示出实施方式1的显示装置中的检测电极的各种例子的剖面图。
图15是示出实施方式1的显示装置中的检测电极的各种例子的剖面图。
图16是示出实施方式1的显示装置中的检测电极的各种例子的剖面图。
图17是示出实施方式1的显示装置中的检测电极的各种例子的剖面图。
图18是示出实施方式1的显示装置中的检测电极的各种例子的剖面图。
图19是示出实施方式1的显示装置中的检测电极的各种例子的剖面图。
图20是示出实施方式1的显示装置中的检测电极的各种例子的剖面图。
图21是示出实施方式1的显示装置中的检测电极的各种例子的剖面图。
图22是示出实施方式1的显示装置中的检测电极的各种例子的剖面图。
图23是针对由各种金属材料构成的具有网眼(メッシュ)形状的检测电极示出时间常数的图表。
图24是针对对角线长度为7英寸的情况下由各种金属材料构成的具有网眼形状的检测电极示出时间常数的图表。
图25是示出比较例4中的时间常数的温度依赖性的图表。
图26是示出比较例6中的时间常数的温度依赖性的图表。
图27是示出实施例9中的时间常数的温度依赖性的图表。
图28是示意性示出缓冲TFT元件的导通电阻以及检测电极的电阻的温度依赖性的图表。
图29是示出实施方式2的显示装置的一个例子的构成的剖面图。
符号说明
1显示装置；2阵列基板；3对置基板；6液晶层；7触摸面板基板；10带触摸检测功能的显示器件；11控制部；12栅极驱动器；13源极驱动器；14驱动电极驱动器；19COG；20液晶显示器件(显示器件)；21透明基板；22像素电极；24绝缘膜；25偏光板；30触摸检测器件；31透明基板；32彩色滤光片；32B，32G，32R颜色区域；33保护膜；34偏光板；40触摸检测部；42触摸检测信号放大部；43A/D转换部；44信号处理部；45坐标提取部；46检测定时控制部；71透明基板；72保护膜；73粘接材料；Ad显示区域；C1电容元件；C11，C12，C15，C2静电电容；Cap电容；CF1导电膜；CL1～CL4导电层；COML驱动电极；D介电体；DET电压检测器；E1驱动电极；E2检测电极；GCL扫描线；GL1接地线；LC液晶元件；ML1～ML3导电线；Pix像素；R1～R5电阻；Reset期间；S交流信号源；Scan扫描方向；Sg交流矩形波；SGL信号线；SL1～SL3层叠膜；SPix子像素；T端子部；TDL检测电极；Tr TFT元件；Trb缓冲TFT元件；Vcom驱动信号；Vdd电源；Vdet检测信号；Vdisp影像信号；Vout信号输出；Vpix像素信号；Vscan扫描信号；Vsig图像信号；WR1，WR2引绕布线。
具体实施方式
以下，参照附图，说明本发明的各实施方式。
需要说明的是，本公开只不过是一个示例，对本领域技术人员来说在本发明的主旨的范围内容易想到的适当变更当然也包含在本发明的范围之内。另外，附图有时为了使说明更加清楚而与实施方式相比对各部的宽度、厚度、形状等示意性地加以表示，其只不过是一个示例，并非限定性地解释本发明。
另外，在本说明书和各图中，有时会对与在已出现的图中描述过的成分相同的成分标注相同的符号，并适当省略其详细的说明。
进而，在实施方式中所使用的附图中，即使是剖面图，有时也会为了容易观察附图而省略剖面线(hatching)。另外，即使是俯视观察图，有时也会为了容易观察附图而附加剖面线。
另外，在以下的实施方式中，在以A～B方式表示范围的情况下，除特别说明的情况以外，均表示A以上B以下。
(实施方式1)
首先，作为实施方式1，以将具备作为输入装置的触摸面板的显示装置应用于内置(in-cell)型的带触摸检测功能的液晶显示装置为例进行说明。此外，在本申请说明书中，所谓的输入装置是指，至少检测随接近或接触电极的物体的电容而变化的静电电容的输入装置。另外，所谓的带触摸检测功能的液晶显示装置是指，在形成显示装置的阵列基板2和对置基板3中的任一基板上设置有触摸检测用的检测电极的液晶显示装置。另外，在本实施方式1中，对具有将驱动电极设置成作为显示装置的驱动电极进行动作且作为输入装置的驱动电极进行动作的特征的内置型的带触摸检测功能的显示装置进行说明。
<整体构成>
首先，参照图1，对实施方式1的显示装置的整体构成进行说明。图1是示出实施方式一的显示装置的一个构成例的框图。
显示装置1具备：带触摸检测功能的显示器件10、控制部11、栅极驱动器12、源极驱动器13、驱动电极驱动器14、以及触摸检测部40。
带触摸检测功能的显示器件10具有显示器件20以及触摸检测器件30。在本实施方式1中，显示器件20是使用液晶显示元件作为显示元件的显示器件。因此，下面有时会将显示器件20称作液晶显示器件20。触摸检测器件30是静电电容式的触摸检测器件、即静电电容型触摸检测器件。因此，显示装置1是包括具有触摸检测功能的输入装置的显示装置。另外，带触摸检测功能的显示器件10是将液晶显示器件20与触摸检测器件30一体化的显示器件，是内置有触摸检测功能的显示器件、即内置型(in-cell type)的带触摸检测功能的显示器件。
需要说明的是，带触摸检测功能的显示器件10也可以是在显示器件20之上安装有触摸检测器件30的显示器件。另外，显示器件20例如也可以是有机EL(Electroluminescence：电致发光)显示器件而代替使用液晶显示元件的显示器件。
显示器件20按照从栅极驱动器12供给的扫描信号Vscan，在显示区域中一水平线一水平线地依次扫描而进行显示。如后所述，触摸检测器件30根据静电电容型触摸检测的原理而动作，并输出检测信号Vdet。
控制部11是基于从外部供给的影像信号Vdisp而分别向栅极驱动器12、源极驱动器13、驱动电极驱动器14以及触摸检测部40供给控制信号以控制它们彼此同步地进行动作的电路。
栅极驱动器12具有基于从控制部11供给的控制信号而依次选择作为带触摸检测功能的显示器件10的显示驱动的对象的1水平线的功能。
源极驱动器13是基于从控制部11供给的图像信号Vsig的控制信号而将像素信号Vpix供给至带触摸检测功能的显示器件10中包含的子像素SPix(参照后述的图7)的电路。
驱动电极驱动器14是基于从控制部11供给的控制信号而将驱动信号Vcom供给至带触摸检测功能的显示器件10中包含的驱动电极COML(参照后述的图5或图6)的电路。
触摸检测部40是基于从控制部11供给的控制信号以及从带触摸检测功能的显示器件10的触摸检测器件30供给的检测信号Vdet检测有无手指或触屏笔等输入工具触摸触摸检测器件30、即有无后述的接触或接近状态的电路。而且，触摸检测部40是在有触摸的情况下求出其在触摸检测区域中的坐标、即输入位置等的电路。触摸检测部40具备触摸检测信号放大部42、A/D(Analog/Digital：模数)转换部43、信号处理部44、坐标提取部45、以及检测定时(timing)控制部46。
触摸检测信号放大部42将从触摸检测器件30供给的检测信号Vdet放大。触摸检测信号放大部42也可以具备去除检测信号Vdet中包含的高频成分、即噪声成分并提取触摸成分而分别输出的低通模拟滤波器。
<静电电容型触摸检测的原理>
接下来，参照图1～图4，对本实施方式1的显示装置1中的触摸检测的原理进行说明。图2是表示手指接触或接近了触摸检测器件的状态的说明图。图3是示出手指接触或接近了触摸检测器件的状态的等效电路的例子的说明图。图4是示出驱动信号及检测信号的波形的一个例子的图。
如图2所示，在静电电容型触摸检测中，被称为触摸面板或触摸传感器的输入装置具有夹着介电体D而彼此相对配置的驱动电极E1以及检测电极E2。由这些驱动电极E1及检测电极E2形成电容元件C1。如图3所示，电容元件C1的一端与作为驱动信号源的交流信号源S连接，电容元件C1的另一端与作为触摸检测部的电压检测器DET连接。电压检测器DET例如由图1所示的触摸检测信号放大部42中包含的积分电路构成。
当从交流信号源S向电容元件C1的一端、即驱动电极E1施加具有例如数kHz～数百kHz左右的频率的交流矩形波Sg时，经由与电容元件C1的另一端、即检测电极E2侧连接的电压检测器DET，产生作为输出波形的检测信号Vdet。需要说明的是，该交流矩形波Sg相当于例如图4所示的驱动信号Vcom。
在手指未接触及接近的状态、即非接触状态下，如图3所示，随着对电容元件C1的充放电，流动有对应于电容元件C1的电容值的电流I1。电压检测器DET将对应于交流矩形波Sg的电流I1的变动转换为电压的变动。该电压的变动在图4中由实线的波形V0示出。
另一方面，在手指接触或接近的状态、即接触状态下，受到由手指形成的静电电容C2的影响，由驱动电极E1和检测电极E2形成的电容元件C1的电容值变小。因此，图3所示的电容元件C1中流动的电流I1发生变动。电压检测器DET将与交流矩形波Sg对应的电流I1的变动转换成电压的变动。该电压的变动在图4中由虚线的波形V1示出。在这种情况下，波形V1与上述的波形V0相比，振幅变小。由此，波形V0与波形V1的电压差(電圧差分)的绝对值|ΔV|随着手指等从外部接近的物体的影响而变化。需要说明的是，电压检测器DET为了精度良好地检测波形V0与波形V1的电压差的绝对值|ΔV|，优选通过电路内的转换(switching)，配合交流矩形波Sg的频率，进行设置了重置电容器的充放电的期间Reset的动作。
如图4所示，交流矩形波Sg的波形陡峭，但通过电压检测器DET转换后的检测信号Vdet的波形不陡峭，检测信号Vdet的上升沿(立ち上がり)时间与交流矩形波Sg的变化相比，产生延迟。该延迟的程度依赖于使用后述的图11说明的时间常数τ的大小。时间常数τ越大，则检测信号Vdet的上升沿时间的延迟越大。
在图1所示的例子中，触摸检测器件30按照由驱动电极驱动器14供给的驱动信号Vcom，按与一个或多个驱动电极COML(参照后述的图5或图6)对应的每一个检测块进行触摸检测。即，触摸检测器件30经由图3所示的电压检测器DET，按与一个或多个驱动电极COML各自对应的每一个检测块输出检测信号Vdet，并将输出的检测信号Vdet供给至触摸检测部40的触摸检测信号放大部42。
A/D转换部43是以与驱动信号Vcom同步的定时(timing)，分别对从触摸检测信号放大部42输出的模拟信号进行采样并转换为数字信号的电路。
信号处理部44具备降低A/D转换部43的输出信号中含有的、采样了驱动信号Vcom的频率之外的频率成分、即噪声成分的数字滤波器。信号处理部44是基于A/D转换部43的输出信号检测有无对触摸检测器件30的触摸的逻辑电路。信号处理部44进行仅提取由手指引起的差(差分)的电压的处理。该由手指引起的差的电压是上述波形V0与波形V1的差的绝对值|ΔV|。信号处理部44也可以进行将每1检测块的绝对值|ΔV|平均化的运算，求得绝对值|ΔV|的平均值。由此，信号处理部44可以降低噪声的影响。信号处理部44将检测出的由手指引起的差的电压与规定的阈值电压进行比较，如果是该阈值电压以上，则判断为是从外部接近的外部接近物体的接触状态，在小于阈值电压的情况下，则判断为是外部接近物体的非接触状态。由此，触摸检测部40可以进行触摸检测。
坐标提取部45是在信号处理部44中检测出触摸时求得检测出触摸的位置的坐标、即触摸面板中的输入位置的逻辑电路。检测定时控制部46控制A/D转换部43、信号处理部44、及坐标提取部45同步地进行动作。坐标提取部45将触摸面板坐标作为信号输出Vout进行输出。
<模块>
图5是示出安装有实施方式1的显示装置的模块的一个例子的俯视观察图。在图5所示的例子中，在透明基板21上形成有上述的驱动电极驱动器14。
如图5所示，显示装置1具有：带触摸检测功能的显示器件10、COG(Chip On Glass：玻璃衬底芯片)19、以及透明基板21。
需要说明的是，在本申请说明书中，透明基板的“透明”是指对可见光的透射率例如为80％以上。
带触摸检测功能的显示器件10具有多个驱动电极COML以及多个检测电极TDL。在此，将在透明基板21的作为主面的上表面内彼此交叉、优选正交的两个方向作为X轴方向和Y轴方向。此时，多个驱动电极COML在俯视观察观察中分别在X轴方向上延伸且在Y轴方向上排列。因此，多个驱动电极COML各自被设置成在俯视观察观察中沿着X轴方向。另外，多个检测电极TDL在俯视观察观察中分别在Y轴方向上延伸且在X轴方向上排列。换而言之，多个检测电极TDL在俯视观察观察中与多个驱动电极COML分别交叉且在X轴方向上排列。因此，多个检测电极TDL被设置成在俯视观察观察中与多个驱动电极COML分别交叉。
如将使用图7在后面所描述地，多个驱动电极COML各自设置成在俯视观察观察中与沿X轴方向排列的多个子像素SPix重叠。即，一个驱动电极COML作为对多个子像素SPix通用的电极而设置。
需要注意的是，在本申请说明书中，所谓的“在俯视观察观察中”是指，从垂直于透明基板21或后述的对置基板3中包含的透明基板31的作为主面的上表面的方向进行观察。
在图5所示的例子中，带触摸检测功能的显示器件10具备在俯视观察观察中分别在X轴方向上延伸且彼此相对的两条边、以及分别在Y轴方向上延伸且彼此相对的两条边，其具有矩形形状。在带触摸检测功能的显示器件10的Y轴方向上的一侧设置有端子部T。检测电极TDL经由端子部T与安装在该模块的外部的触摸检测部40连接。
COG19是安装在透明基板21上的芯片，内置有图1中示出的控制部11、栅极驱动器12、源极驱动器13等、显示动作所需的各电路。另外，COG19也可以内置有驱动电极驱动器14。COG19与多个驱动电极COML各自之间分别通过引绕布线WR1而电连接。需要注意的是，如使用后述的图11所说明的，多个驱动电极COML各自与多个引绕布线WR1各自经由缓冲TFT元件Trb而被电连接。
此外，作为透明基板21，可使用例如具有透明性的玻璃基板、或者例如由树脂构成的薄膜等各种基板。
<带触摸检测功能的显示器件>
接着，详细地说明带触摸检测功能的显示器件10的构成例。图6是示出实施方式1的显示装置中的带触摸检测功能的显示器件的截面图。图7是示出实施方式1的显示装置中的带触摸检测功能的显示器件的电路图。
带触摸检测功能的显示器件10具有：阵列基板2、对置基板3、以及液晶层6。对置基板3配置成阵列基板2的作为主面的上表面与对置基板3的作为主面的下表面相对。液晶层6设置于阵列基板2与对置基板3之间。
阵列基板2具有透明基板21。如图7所示，在显示区域Ad中，在透明基板21上形成有多条扫描线GCL、多条信号线SGL以及多个为薄膜晶体管(Thin Film Transistor；TFT)的TFT元件Tr。此外，在图6中，省略了扫描线GCL、信号线SGL以及TFT元件Tr的图示。
如图7所示，多条扫描线GCL在显示区域Ad中分别沿X轴方向延伸且沿Y轴方向排列。多条信号线SGL在显示区域Ad中分别沿Y轴方向延伸且沿X轴方向排列。因此，多条信号线SGL各自在俯视观察观察中与多条扫描线GCL交叉。这样，在俯视观察观察中，在彼此交叉的多条扫描线GCL与多条信号线SGL的交点处配置子像素SPix，由多个不同颜色的子像素SPix形成一个像素Pix。即，在透明基板21上，在显示区域Ad中，子像素SPix沿X轴方向及Y轴方向排列成矩阵状。换言之，子像素SPix在透明基板21的表面侧的显示区域Ad中沿X轴方向及Y轴方向排列成矩阵状。
在俯视观察观察中，在多条扫描线GCL各自与多条信号线SGL各自交叉的交叉部上形成有TFT元件Tr。因此，在显示区域Ad中，在透明基板21上形成有多个TFT元件Tr，这多个TFT元件Tr沿X轴方向及Y轴方向排列成矩阵状。即，在多个子像素SPix各自中设有TFT元件Tr。另外，在多个子像素SPix各自中，除设有TFT元件Tr之外，还设有液晶元件LC。
TFT元件Tr例如由作为n沟道型MOS(Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体)的薄膜晶体管构成。TFT元件Tr的栅极与扫描线GCL连接。TFT元件Tr的源极和漏极中一方与信号线SGL连接。TFT元件Tr的源极和漏极中另一方与液晶元件LC的一端连接。液晶元件LC例如一端与TFT元件Tr的源极或漏极连接，另一端与驱动电极COML连接。
如图6所示，阵列基板2具有多个驱动电极COML、绝缘膜24以及多个像素电极22。多个驱动电极COML在透明基板21的表面侧的显示区域Ad(参照图5)中，设置于透明基板21上。包括多个驱动电极COML各自的表面在内地在透明基板21上形成有绝缘膜24。在显示区域Ad中，在绝缘膜24上形成有多个像素电极22。因此，绝缘膜24将驱动电极COML与像素电极22电绝缘。
如图7所示，多个像素电极22在透明基板21的表面侧的显示区域Ad中，分别形成于沿X轴方向及Y轴方向排列成矩阵状的多个子像素SPix各自的内部。因此，多个像素电极22沿X轴方向及Y轴方向排列成矩阵状。
在图6所示的例子中，多个驱动电极COML各自形成于透明基板21与像素电极22之间。另外，如在图7中示意性地所示，多个驱动电极COML各自设置成在俯视观察观察中与多个像素电极22重叠。于是，通过向多个像素电极22各自与多个驱动电极COML各自之间施加电压，在设置于多个子像素SPix各自中的液晶元件LC中形成电场，从而在显示区域Ad中显示图像。此时，在驱动电极COML与像素电极22之间形成电容Cap，电容Cap作为保持电容起作用。
这样，在带有触摸检测功能的显示器件10包括液晶显示器件20的情况下，由液晶元件LC、多个像素电极22、驱动电极COML、多条扫描线GCL、及多条信号线SGL形成控制图像显示的显示控制部。显示控制部设置于阵列基板2与对置基板3之间。需要说明的是，带触摸检测功能的显示器件10也可以包括为有机EL显示装置等各种显示装置的显示器件，以代替为液晶显示装置的液晶显示器件20。
需要说明的是，多个驱动电极COML各自也可以形成在隔着像素电极22而与透明基板21相对的一侧。另外，在图6所示的例子中，驱动电极COML与像素电极22的配置为作为横电场模式的FFS(Fringe Field Switching：边缘场切换)模式下的配置。但是，驱动电极COML与像素电极22的配置也可以是驱动电极COML与像素电极22在俯视观察观察中不重叠的、作为横电场模式的IPS(In Plane Switching：面内切换)模式下的配置。
液晶层6根据电场的状态调制通过其的光，例如，使用对应于上述的FFS模式或者IPS模式等横电场模式的液晶层。即，作为液晶显示器件20，使用基于FFS模式或IPS模式等横电场模式的液晶显示器件。需要说明的是，也可以在图6中示出的液晶层6与阵列基板2之间、以及液晶层6与对置基板3之间分别设置取向膜。
如图7所示，在X轴方向上排列的多个子像素SPix、即属于液晶显示器件20的同一行的多个子像素SPix由扫描线GCL相互连接。扫描线GCL与栅极驱动器12(参照图1)连接，由栅极驱动器12提供扫描信号Vscan(参照图1)。另外，在Y轴方向上排列的多个子像素SPix、即属于液晶显示器件20的同一列的多个子像素SPix由信号线SGL相互连接。信号线SGL与源极驱动器13(参照图1)连接，由源极驱动器13提供像素信号Vpix(参照图1)。
驱动电极COML与驱动电极驱动器14(参照图1)连接，由驱动电极驱动器14供给驱动信号Vcom(参照图1)。也就是说，在图7示出的例子中，属于同一行的多个子像素SPix共享一个驱动电极COML。多个驱动电极COML在显示区域Ad中分别沿X轴方向延伸且沿Y轴方向排列。如上所述，由于多条扫描线GCL在显示区域Ad中分别沿X轴方向延伸且沿Y轴方向排列，因此，多个驱动电极COML各自延伸的方向与多条扫描线GCL各自延伸的方向平行。不过，不限制多个驱动电极COML各自延伸的方向，例如，多个驱动电极COML各自延伸的方向也可以是与多条信号线SGL各自延伸的方向平行的方向。
图1中所示的栅极驱动器12经由图7中示出的扫描线GCL将扫描信号Vscan施加于各子像素SPix的TFT元件Tr的栅极，从而依次选择在液晶显示器件20中形成为矩阵状的子像素SPix中的一行、即一水平线作为显示驱动的对象。图1中所示的源极驱动器13经由图7中示出的信号线SGL而将像素信号Vpix分别供给至构成由栅极驱动器12依次选择的一水平线的多个子像素SPix。然后，在构成一水平线的多个子像素SPix中，进行对应于所供给的像素信号Vpix的显示。
图1中所示的驱动电极驱动器14施加驱动信号Vcom，按对应于一个或多个驱动电极COML的每一个检测块驱动驱动电极COML。
在液晶显示器件20中，通过栅极驱动器12驱动扫描线GCL来时分地依次进行扫描，从而子像素SPix被一水平线一水平线地依次选择。另外，在液晶显示器件20中，通过源极驱动器13对属于一水平线的子像素SPix供给像素信号Vpix，从而一水平线一水平线地进行显示。当进行该显示动作时，驱动电极驱动器14对包含对应于该一水平线的驱动电极COML的检测块施加驱动信号Vcom。
本实施方式1的显示装置1中的驱动电极COML作为液晶显示器件20的驱动电极而动作且作为触摸检测器件30的驱动电极而动作。图8是示出实施方式1的显示装置的驱动电极以及检测电极的一构成例的立体图。
触摸检测器件30具有设于阵列基板2的多个驱动电极COML以及设于对置基板3的多个检测电极TDL。多个检测电极TDL在俯视观察观察中分别在与多个驱动电极COML各自的延伸方向交叉的方向上延伸。换而言之，多个检测电极TDL以在俯视观察观察中与多个驱动电极COML分别交叉的方式彼此隔开间隔而排列。而且，多个检测电极TDL各自在垂直于阵列基板2中包含的透明基板21的表面的方向上与驱动电极COML相对。多个检测电极TDL各自分别与触摸检测部40的触摸检测信号放大部42(参照图1)连接。在多个驱动电极COML各自与多个检测电极TDL各自在俯视观察观察中的交叉部处产生静电电容。并且，根据多个驱动电极COML各自与多个检测电极TDL各自之间的静电电容检测输入位置。即，由形成有检测电极TDL的透明基板31(参照图6)这样的电极基板以及驱动电极COML形成检测输入位置的检测部、即输入装置。
通过这种构成，在触摸检测器件30中，当进行触摸检测动作时，通过驱动电极驱动器14，在扫描方向Scan上依次选择对应于一个或多个驱动电极COML的一个检测块。然后，在已选择的检测块中，向驱动电极COML输入用于测定驱动电极COML与检测电极TDL之间的静电电容的驱动信号Vcom，从检测电极TDL输出用于检测输入位置的检测信号Vdet。这样，触摸检测器件30按每一检测块进行触摸检测。也就是说，一个检测块对应于上述的触摸检测原理中的驱动电极E1，检测电极TDL对应于检测电极E2。
需要注意的是，显示动作时的检测块的范围与触摸检测动作时的检测块的范围既可以相同，也可以不同。
如图8所示，在俯视观察观察中彼此交叉的多个驱动电极COML与多个检测电极TDL形成排列成矩阵状的静电电容式触摸传感器。因此，通过对触摸检测器件30的整个触摸检测面进行扫描，从而能够检测手指等接触或接近的位置。
如图6所示，对置基板3具有透明基板31、彩色滤光片32、检测电极TDL以及保护膜33。透明基板31具有作为主面的上表面以及作为与上表面相反一侧的主面的下表面。彩色滤光片32形成于透明基板31的作为一个主面的下表面。检测电极TDL是触摸检测器件30的检测电极，形成于透明基板31的作为另一个主面的上表面上。保护膜33以覆盖检测电极TDL的方式形成于透明基板31的上表面上。
作为彩色滤光片32，例如着色为红(R)、绿(G)以及蓝(B)这三色的彩色滤光片在X轴方向上排列。由此，如图7所示，形成分别对应于R、G和B三色的颜色区域32R、32G以及32B各自的多个子像素SPix，由分别对应于一组颜色区域32R、32G以及32B各自的多个子像素SPix形成一个像素Pix。像素Pix沿着扫描线GCL延伸的方向(X轴方向)、以及信号线SGL延伸的方向(Y轴方向)排列成矩阵状。另外，像素Pix排列成矩阵状的区域例如为上述的显示区域Ad。此外，也可以在显示区域Ad的周边设有虚拟(dummy)区域，其中设置有虚拟像素。
作为彩色滤光片32的颜色组合，可以是包括R、G和B以外的其它颜色的多种颜色的组合。另外，也可以不设置彩色滤光片32。或者，一个像素Pix也可以包括未设置彩色滤光片32的子像素SPix、即白色的子像素SPix。另外，可以通过COA(Color filter On Array：阵列上彩色滤光片)技术将彩色滤光片设置于阵列基板2上。
需要说明的是，如图6所示，可以在隔着阵列基板2而与对置基板3相反的一侧设有偏光板25。另外，也可以在隔着对置基板3而与阵列基板2相反的一侧设有偏光板34。
<检测电极的形状以及配置>
接下来，参照图9以及图10，说明检测电极的形状以及配置。图9以及图10是示意性示出实施方式1的显示装置中的检测电极的位置与像素的位置的关系的一个例子的俯视观察图。
如图9以及图10所示，在显示区域Ad内，多个像素Pix在X轴方向以及Y轴方向上矩阵状地排列。多个像素Pix各自包括在X轴方向上排列的多个子像素SPix。因此，多个子像素SPix在显示区域Ad内，在X轴方向以及Y轴方向上矩阵状地排列。在图9以及图10所示的例子中，像素Pix包括显示R(红)、G(绿)以及B(蓝)这3色中的各种颜色的3种子像素SPix。因此，像素Pix包括与R、G和B这3色的颜色区域32R、32G以及32B各自分别对应的多个子像素SPix。需要说明的是，子像素SPix所显示的颜色的种类不限于3种。例如，像素Pix也可以包括显示R(红)、G(绿)、B(蓝)以及W(白)这4色中的各种颜色的4种子像素SPix。
如图9所示，在X轴方向上排列的多个检测电极TDL各自在俯视观察下也可以具有通过多根导电线形成的网眼形状。在图9所示的例子中，多个检测电极TDL各自具有一根导电线ML1和一根导电线ML2。导电线ML1以及导电线ML2各自在俯视观察下具有交替地向反方向弯曲的同时整体上在Y轴方向上延伸的锯齿形状。并且，在X轴方向上相邻的导电线ML1和导电线ML2的彼此向反方向弯曲的部分彼此结合。此外，多个检测电极TDL各自也可以具有多根导电线ML1与多根导电线ML2。
如图10所示，在X轴方向上排列的多个检测电极TDL各自在俯视观察下也可以具有交替地向反方向弯曲的同时整体上在Y轴方向上延伸的锯齿形状。在图10所示的例子中，多个检测电极TDL各自具有一根导电线ML3。需要说明的是，多个检测电极TDL各自也可以具有多根导电线ML3，包含在一个检测电极TDL中的多根导电线ML3各自的Y轴方向上的一侧的端部彼此之间、或者、另一侧的端部彼此之间也可以被电连接。
<时间常数>
接下来，参照图4和图11，对包括驱动电极与检测电极的电路的时间常数进行说明。图11是用于说明决定时间常数的电阻分量及静电电容分量的图。在图11中，为了便于理解，本来在俯视观察下与阵列基板2重叠配置的对置基板3被图示成在俯视观察下与阵列基板2错开。
在包括驱动电极COML与检测电极TDL的、用于检测静电电容的电路是由电阻与静电电容构成的电路、即所谓的RC电路的情况下，该电路整体的时间常数τ由下式(1)表示。
τ＝RC (1)
在此，R为该电路整体的电阻，C为该电路整体的静电电容。
由于这样的时间常数τ，例如如图4所示，检测信号Vdet的上升沿时间与交流矩形波Sg的变化相比，产生延迟。并且，当在时间t＝0开始波形的上升沿的情况下，在与时间常数τ相等的时间t＝τ时，检测信号Vdet上升到时间充分经过之后的上升沿高度的0.63倍的高度。另外，在时间常数τ的3倍的时间t＝3τ时，检测信号Vdet上升到时间充分经过之后的上升沿高度的0.95倍的高度。
作为根据上述式(1)决定包括驱动电极COML与检测电极TDL的电路的电阻分量和静电电容分量，可列举出以下的分量。
首先，作为电阻分量，可列举出用于对驱动电极COML输入作为驱动信号Vcom的交流矩形波Sg的布线、即配置在阵列基板2的周边部的引绕布线WR1的电阻R1。另外，可列举出驱动电极COML的电阻R2。另外，如图11所示，在驱动电极COML与引绕布线WR1之间设置有作为缓冲器(buffer)的缓冲TFT元件Trb，可列举出为该缓冲TFT元件Trb的导通状态的电阻的导通电阻、即电阻R3。另外，可列举出用于输出来自检测电极TDL的检测信号Vdet的布线、即设置在对置基板3的周边部的引绕布线WR2的电阻R4。进而，可列举出检测电极TDL的电阻R5。
另一方面，作为静电电容分量，可列举出驱动电极COML与信号线SGL之间的静电电容C11。另外，可列举出驱动电极COML与接地线GL1之间的静电电容C12。需要注意的是，静电电容C12包括驱动电极COML与扫描线GCL(参照图7)之间的静电电容、引绕布线WR1与接地线GL1之间的静电电容、以及其它各种静电电容。另外，可列举出由与多个子像素SPix对应地设置的多个TFT元件Tr(参照图7)中的导通状态的TFT元件Tr所引起的静电电容C13(省略图示)。或者，可列举出由多个TFT元件Tr中的截止状态的TFT元件Tr所引起的静电电容C14(省略图示)。并且，还可列举出驱动电极COML与检测电极TDL之间的静电电容C15。
<检测电极的剖面结构>
接下来，参照图12～图22，说明检测电极的剖面结构。图12～图22是示出实施方式1的显示装置中的检测电极的各种例子的剖面图。
在图12所示的例子中，多个检测电极TDL各自包括设置在透明基板31的主面上的导电层CL1。导电层CL1由金属材料构成。作为这样的导电层CL1的金属材料，例如可使用铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)合金、铬(Cr)、钼(Mo)或者铝合金(例如AlNd、AlCu、AlSi、AlSiCu等)等。
在图13以及图14所示的例子中，多个检测电极TDL各自包括由导电层CL1和导电层CL2在透明基板31的主面上按任意顺序层叠而成的层叠膜SL1。作为导电层CL1，可使用图12所示的例子中的导电层CL1。另外，作为导电层CL2，可使用由具有比导电层CL1的金属材料的熔点高的熔点的金属材料构成的导电层CL2。作为这样的导电层CL2的金属材料，可使用钼(Mo)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)、钽(Ta)、氮化钽(TaN)或者钼(Mo)合金等。
在图13所示的例子中，在导电层CL1上层叠有导电层CL2。由具有比导电层CL1的金属材料的熔点高的熔点的金属材料构成的导电层CL2具有比导电层CL1的杨氏模量高的杨氏模量。因此，通过具有高杨氏模量的导电层CL2，能够保护导电层CL1的表面。
另一方面，在图14所示的例子中，在导电层CL2上层叠有导电层CL1。导电层CL2由具有比导电层CL1的金属材料的熔点高的熔点的金属材料构成，所以导电层CL2直接形成在透明基板31的主面上时的导电层CL2与透明基板31之间的贴紧力大于导电层CL1直接形成在透明基板31的主面上时的导电层CL1与透明基板31之间的贴紧力。因此，通过使导电层CL2介于透明基板31与导电层CL1之间，能够提高检测电极TDL与透明基板31的贴紧性。
在图15所示的例子中，多个检测电极TDL各自包括由导电层CL1和导电层CL3在透明基板31的主面上按任意顺序层叠而成的层叠膜SL2。作为导电层CL1，可使用图12所示的例子中的导电层CL1。另外，作为导电层CL3，可使用由透明导电膜构成的导电层CL3。作为这样的导电层CL3的透明导电膜，可使用由是无机透明导电材料的ITO(Indium Tin Oxide，铟锡氧化物)或者IZO(Indium Zinc Oxide，铟锌氧化物)等构成的透明导电膜。
需要说明的是，在本申请说明书中，透明导电膜及透明导电材料的“透明”表示对可见光的透射率例如为80％以上。另外，导电层、透明导电膜以及透明导电材料等的“导电”表示比电阻例如为2×10-3Ωcm以下。
在图15所示的例子中，在导电层CL1上层叠有导电层CL3。由此，能够抑制由金属材料构成的导电层CL1所导致的光的反射或者晃眼，提高显示于显示区域Ad(参照图5)的图像的视觉辨认性。另外，例如在由ITO膜或者IZO膜等透明导电膜构成的导电层CL3具有比导电层CL1的杨氏模量高的杨氏模量的情况下，通过具有高的杨氏模量的导电层CL3，能够保护导电层CL1的表面。
此外，也可以在导电层CL3上层叠导电层CL1。在导电层CL3与透明基板31之间的贴紧力大于导电层CL1与透明基板31之间的贴紧力的情况下，通过使导电层CL3介于透明基板31与导电层CL1之间，能够提高检测电极TDL与透明基板31的贴紧性。
在图16所示的例子中，多个检测电极TDL各自包括设置在透明基板31的主面上的导电层CL1、以及以覆盖导电层CL1的方式设置的导电膜CF1。作为导电层CL1，可使用图12所示的例子中的导电层CL1。另外，作为导电膜CF1，可使用由透明导电膜构成的导电膜CF1。作为这样的导电膜CF1的透明导电膜，可使用由是无机透明导电材料的ITO及IZO等构成的透明导电膜。
由此，能够抑制由金属材料构成的导电层CL1所导致的光的反射或者晃眼，能够提高显示于显示区域Ad(参照图5)的图像的视觉辨认性。另外，例如在由ITO膜或者IZO膜等透明导电膜构成的导电膜CF1具有比导电层CL1的杨氏模量高的硬度的情况下，通过具有高的杨氏模量的导电膜CF1，能够保护导电层CL1的表面。
在图17以及图18所示的例子中，多个检测电极TDL各自包括由导电层CL1、导电层CL2和导电层CL3在透明基板31的主面上按任意顺序层叠而成的层叠膜SL3。另外，在图19所示的例子中，多个检测电极TDL各自包括设置于透明基板31的主面上的导电层CL4、以及由导电层CL1、导电层CL2和导电层CL3在导电层CL4上按任意顺序层叠而成的层叠膜SL3。作为导电层CL1，可使用图12所示的例子中的导电层CL1。作为导电层CL2，可使用图13以及图14所示的例子中的导电层CL2。作为导电层CL3，可使用图15所示的例子中的导电层CL3。作为导电层CL4，可使用由与图13及图14所示的例子中的导电层CL2的金属材料相同的金属材料构成的导电层CL4。
在图17以及图19所示的例子中，层叠膜SL3是将导电层CL1、导电层CL2与导电层CL3按从下到上的顺序依次层叠而成的膜。在图18所示的例子中，层叠膜SL3是将导电层CL2、导电层CL1与导电层CL3按从下到上的顺序依次层叠而成的膜。
在图17～图19所示的例子中，通过将导电层CL3设置为层叠膜SL3的最上层，能够抑制由金属材料构成的导电层CL1或导电层CL2所导致的光的反射或者晃眼，可提高显示于显示区域Ad(参照图5)的图像的视觉辨认性。另外，在图18所示的例子中，例如在由ITO膜或者IZO膜等透明导电膜构成的导电层CL3具有比导电层CL1的杨氏模量高的杨氏模量的情况下，通过具有高的杨氏模量的导电层CL3，能够保护导电层CL1的表面。
在图17以及图19所示的例子中，能够通过具有比导电层CL1的杨氏模量高的杨氏模量的导电层CL2来保护导电层CL1的表面。另外，在图18以及图19所示的例子中，通过使导电层CL2或者导电层CL4介于透明基板31与导电层CL1之间，能够提高检测电极TDL与透明基板31的贴紧性。
在图20以及图21所示的例子中，多个检测电极TDL各自包括由导电层CL1和导电层CL2在透明基板31的主面上按任意顺序层叠而成的层叠膜SL1、以及以覆盖层叠膜SL1的方式设置的导电膜CF1。在图22所示的例子中，多个检测电极TDL各自包括设置在透明基板31的主面上的导电层CL4、由导电层CL1和导电层CL2在导电层CL4上按任意顺序层叠而成的层叠膜SL1、以及以覆盖层叠膜SL1以及导电层CL4的方式设置的导电膜CF1。作为导电层CL1，可使用图12所示的例子中的导电层CL1。作为导电层CL2，可使用图13以及图14所示的例子中的导电层CL2。作为导电膜CF1，可使用图16所示的例子中的导电膜CF1。另外，作为导电层CL4，可使用图19所示的例子中的导电层CL4。
在图20以及图22所示的例子中，层叠膜SL1是将导电层CL1和导电层CL2按从下到上的顺序依次层叠而成的膜。另外，在图21所示的例子中，层叠膜SL1是将导电层CL2与导电层CL1按从下到上的顺序依次层叠而成的膜。
在图20～图22所示的例子中，层叠膜SL1被由透明导电膜构成的导电膜CF1覆盖，从而能够抑制由金属材料构成的导电层CL1或导电层CL2所导致的光的反射或者晃眼，可提高显示于显示区域Ad(参照图5)的图像的视觉辨认性。另外，在图21所示的例子中，例如在由ITO膜或者IZO膜等透明导电膜构成的导电膜CF1具有比导电层CL1的杨氏模量高的硬度的情况下，通过具有高的杨氏模量的导电膜CF1，能够保护导电层CL1的表面。
在图20以及图22所示的例子中，能够通过具有比导电层CL1的杨氏模量高的杨氏模量的导电层CL2来保护导电层CL1的表面。另外，在图21以及图22所示的例子中，通过使导电层CL2或者导电层CL4介于透明基板31与导电层CL1之间，能够提高检测电极TDL与透明基板31的贴紧性。
需要说明的是，在图12～图22中任一所示的例子中，也如使用例如后述的表3及图23所说明地，检测电极TDL的比电阻ρ为40μΩcm以下、且检测电极TDL的电阻温度系数为1×10-3K-1～5×10-3K-1。
<检测电极的材料的比电阻以及电阻温度系数>
接下来，说明检测电极的比电阻以及电阻温度系数。表1示出在后述的各实施例以及各比较例中用作检测电极TDL的材料的各种材料的比电阻ρ与电阻温度系数α。
【表1】
在表1中，作为比电阻ρ，示出室温下的比电阻。另外，在表1中，作为电阻温度系数α，示出243K～343K的温度范围内的电阻温度系数。需要说明的是，在本申请说明书中，在未写明温度而提到比电阻时，表示室温下的比电阻的意思。另外，在未写明温度范围而提到电阻温度系数时，表示243K～293K(室温)～343K的温度范围(以下，将该温度范围示为243K～343K)内的电阻温度系数的意思。
另外，在表1中，作为后述的比较例1～比较例6以及比较例8～比较例13中使用的材料，示出了为有机透明导电材料的PEDOT(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene；聚3,4-乙撑二氧噻吩)、以及、为无机透明导电材料的ITO和IZO各种材料的比电阻ρ以及电阻温度系数α。另外，在表1中，作为实施例1～实施例20、比较例7以及比较例14中使用的材料，示出了铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)合金、铝钕(AlNd)合金以及层叠合金这些各种金属材料的比电阻ρ以及电阻温度系数α。
如表1所示，上述各种金属材料的比电阻ρ与为有机透明导电材料的PEDOT、以及为无机透明导电材料的ITO和IZO中任一材料的比电阻ρ相比，都处于1000(千)分之一～100(百)分之一左右的范围，极其低。即，各金属材料的比电阻ρ与PEDOT、ITO及IZO中任一材料的比电阻ρ相比，都低2位数～3位数左右。
另外，如表1所示，上述各种金属材料、以及为无机透明导电材料的ITO和IZO都具有正的电阻温度系数α。即，上述各种金属材料、以及为无机透明导电材料的ITO和IZO中任一材料的电阻温度依赖性都是随温度上升而比电阻ρ增加的、所谓的金属性(metallic)的电阻温度依赖性。另外，如表1所示，为有机透明导电材料的PEDOT具有负的电阻温度系数α。即，PEDOT的电阻温度依赖性是随温度上升而比电阻ρ减少的、所谓的半导体性(semiconducting)的电阻温度依赖性。
另一方面，使用上述的图11说明的电阻R1～R4中的最大电阻分量是作为缓冲TFT元件Trb的导通电阻的电阻R3。另外，缓冲TFT元件Trb中的产生电阻R3的部分是由多晶硅膜构成的半导体层，所以电阻R3具有负的电阻温度系数α。因此，在检测电极TDL由上述各种金属材料、以及为无机透明导电材料的ITO和IZO中任一构成的情况下，检测电极TDL的电阻R5具有与电阻R3的电阻温度系数α的极性相反的极性的电阻温度系数α。另外，在检测电极TDL由为有机透明导电材料的PEDOT构成的情况下，检测电极TDL的电阻R5具有与电阻R3的电阻温度系数α的极性相同的极性的电阻温度系数α。
需要说明的是，电阻R3的电阻温度系数α例如为-1.5×10-3(K-1)。因此，上述各种金属材料的电阻温度系数α的绝对值是与具有与上述各种金属材料的电阻温度系数α的极性相反的极性的电阻温度系数α的电阻R3的电阻温度系数的绝对值相同的位数(order)。
<具有网眼形状的检测电极的电阻>
接下来，进行具有图9所示的网眼形状并由表1中的各种材料构成的检测电极TDL的电阻R5的估算。
将检测电极TDL的电阻R5设为多个检测电极TDL全部的电阻的总和。另外，将多个检测电极TDL各自的面积的总和相对于整个显示区域Ad的面积之比、即面积比率设为面积比率rs。另外，将在显示区域Ad的整面设有检测电极TDL时的检测电极TDL的表面电阻(sheet resistance)设为表面电阻Rsh。在此，如果将检测电极TDL的膜厚设为膜厚d，则表面电阻Rsh使用检测电极TDL的材料的比电阻ρ，通过下式(2)表示。
Rsh＝ρ/d (2)
另外，检测电极TDL的电阻R5通过下式(3)表示。
R5＝Rsh/rs (3)
然后，使用上式(2)及上式(3)来进行检测电极TDL的电阻R5的估算。其结果，如表2所示。
【表2】
如表2所示，将使用为有机透明导电材料的PEDOT、以及为无机透明导电材料的ITO和IZO中各种材料作为检测电极TDL的材料的情况作为比较例1～比较例3。另外，将使用Al、Cu、Ag合金、AlNd合金以及层叠合金中各种金属材料作为检测电极TDL的材料、并设置具有图9所示的网眼形状的检测电极TDL的情况作为实施例1～实施例5。此时，将实施例1～实施例5中的面积比率rs设为5％。另外，实施例5中的由层叠合金构成的检测电极TDL相当于例如使用图13及图14等所说明的结构的检测电极TDL。
另外，将实施例1～实施例5中的膜厚d设为与比较例1～比较例3中的膜厚d大致相等。
如表2所示，能够使实施例1～实施例5中的检测电极TDL的电阻R5小于比较例1～比较例3中的检测电极TDL的电阻R5。
需要说明的是，在比较例1～比较例3中，检测电极TDL由透明导电膜构成，可配置成在俯视观察下与各子像素SPix重叠，所以将比较例1～比较例3中的面积比率rs设为大于实施例1～实施例5中的面积比率rs的值。但是，在将比较例1～比较例3中的面积比率rs设为与实施例1～实施例5中的面积比率rs相等的值的情况下，比较例1～比较例3中的电阻R5比表2所示的比较例1～比较例3中的电阻R5还大。因此，将比较例1～比较例3中的面积比率rs设为大于实施例1～实施例5中的面积比率rs的值对实施例1～实施例5与比较例1～比较例3之间的电阻R5的大小关系不造成影响。
<具有网眼形状的检测电极的时间常数>
接下来，参照表3以及图23～图28，针对检测电极TDL具有图9所示的网眼形状的情况，说明进行时间常数的估算的结果。
在此，根据上式(1)、电阻R1～R5以及静电电容C11～C15来进行包括驱动电极COML和检测电极TDL的电路的时间常数以及时间常数的温度变动率的估算。此时，将电阻R1～R5以及静电电容C11～C15中的电阻R1～R4及静电电容C11～C14设为固定(一定)。然后，变更检测电极TDL的材料来估算仅变更了电阻R5的电阻值以及温度变动率时的时间常数。其结果，如表3所示。在表3中，将时间常数τ的3倍的时间3τ作为时间常数示出。如使用图4及图11所说明地，在时间3τ时，检测信号Vdet上升到时间充分经过之后的波形的整个上升沿高度的0.95倍的高度。需要说明的是，在表3中，以通过某一定的值标准化后的任意的单位来表示时间常数3τ。另外，在表3中，作为时间常数3τ的温度变动率，示出243K～343K的温度范围内的变动率。
【表3】
如表3所示，将使用为有机透明导电材料的PEDOT、以及为无机透明导电材料的ITO和IZO中各种材料作为检测电极TDL的材料的情况作为比较例4～比较例6。另外，将使用Al、Cu、以及AlNd合金中各种金属材料作为检测电极TDL的材料、并设置具有图9所示的网眼形状的检测电极TDL的情况作为实施例6～实施例8。进而，将使用比电阻ρ为40μΩcm的层叠合金中的、电阻温度系数α为1×10-3K-1的层叠合金的情况作为实施例9，将使用电阻温度系数α为5×10-3K-1的层叠合金的情况作为实施例10，将使用电阻温度系数α为1×10-2K-1的层叠合金的情况作为比较例7。
图23是针对由各种金属材料构成的具有网眼形状的检测电极示出时间常数的图表。在图23中，示出了表3所示的比较例4～比较例7以及实施例6～实施例10中的比较例4～比较例6以及实施例6～实施例9。另外，在图23中，将使用比电阻ρ为20μΩcm的层叠合金的情况作为实施例10A示出。
需要说明的是，在比较例4～比较例6、实施例6～实施例10以及实施例10A中，设想具备对角线长度为5英寸的纵向型显示区域Ad的显示装置进行估算，该显示区域Ad具有在纵向(图5的Y轴方向)上排列的像素数为1920个、在横向(图5的X轴方向)上排列的像素数为1080个的FHD的分辨率。
如图23以及表3所示，在比较例4～比较例6中的时间常数3τ中，比较例6中的时间常数3τ最小，为3.35，而实施例6～实施例10以及实施例10A中的时间常数3τ为2.58以下，与时间常数3τ为3.35的比较例6相比，降低了20％以上。
在实施例6～实施例10中，如表1所示，检测电极TDL的比电阻ρ为40μΩcm以下。另外，在实施例10A中，如上所述，检测电极TDL的比电阻ρ为20μΩcm、即40μΩcm以下。因此，在检测电极TDL的比电阻ρ为40μΩcm以下时，与检测电极TDL由透明导电膜构成的情况相比，能够使时间常数3τ降低20％以上。这样，由于使时间常数3τ降低20％以上，因此，能够使在一定时间内输入驱动电极COML的作为驱动信号Vcom的交流矩形波Sg的波形数量增多，从而能够容易地提高输入装置的检测性能。另一方面，在检测电极TDL的比电阻ρ超过40μΩcm的情况下，与检测电极TDL由透明导电膜构成的情况相比，无法使时间常数3τ降低20％以上。
如表3以及图23所示，实施例9以及实施例10中的时间常数3τ的温度变动率的绝对值为5％以下。另一方面，比较例7中的时间常数3τ的温度变动率为10.5％，时间常数3τ的温度变动率的绝对值超过5％。
如表1以及表3所示，在实施例6～实施例10中，检测电极TDL的比电阻ρ为40μΩcm以下，并且，电阻温度系数为1×10-3K-1～5×10-3K-1。因此，在检测电极TDL的比电阻ρ为40μΩcm以下、且电阻温度系数为1×10-3K-1～5×10-3K-1的情况下，能够使时间常数3τ的243K～343K的温度范围内的温度变动率的绝对值减小到5％以下。这样，通过使时间常数3τ的243K～343K的温度范围内的温度变动率的绝对值减小到5％以下，从而能够在宽的温度范围内将时间常数维持为大致一定(固定)，所以能够容易地提高输入装置的检测性能。另一方面，在检测电极TDL的比电阻ρ超过40μΩcm、或者电阻温度系数不在1×10-3K-1～5×10-3K-1的范围内的情况下，无法使时间常数3τ的243K～343K的温度范围内的温度变动率的绝对值减小到5％以下。
需要说明的是，关于比较例4～比较例6、实施例6～实施例9以及实施例10A的具备由各种材料构成的检测电极TDL时的时间常数3τ，设想具备对角线长度为7英寸的纵向型的显示区域Ad的显示装置进行了估算。具体来说，设想具备对角线长度为7英寸的纵向型显示区域Ad的显示装置进行了估算，其中，该显示区域Ad具有在纵向(图5的Y轴方向)上排列的像素数为2048个、在横向(图5的X轴方向)上排列的像素数为1152个的WQXGA的分辨率。其结果，如图24所示。图24是针对对角线长度为7英寸时由各种金属材料构成的具有网眼形状的检测电极示出时间常数的图表。
如图24所示，在对角线长度为7英寸的情况下，也与对角线长度为5英寸的情况同样地，在检测电极TDL的比电阻ρ为40μΩcm以下时，与检测电极TDL由透明导电膜构成的情况相比，能够使时间常数3τ降低20％以上。另外，如图24所示，在对角线长度为7英寸的情况下，也与对角线长度为5英寸的情况同样地，在检测电极TDL的比电阻ρ为40μΩcm以下、且电阻温度系数为1×10-3K-1～5×10-3K-1时，能够使时间常数3τ的243K～343K的温度范围内的温度变动率的绝对值减小到5％以下。
图25是示出比较例4中的时间常数的温度依赖性的图表。图26是示出比较例6中的时间常数的温度依赖性的图表。图27是示出实施例9中的时间常数的温度依赖性的图表。在图25～图27中，将243K、293K以及343K的温度下的时间常数分开示为由驱动电极COML所引起的分量3τ1以及由检测电极TDL所引起的分量3τ2。
如表3以及图25所示，比较例4中的293K(室温)下的时间常数3τ为4.11，243K～343K的温度范围内的时间常数3τ的温度变动率为-5.23％。另外，如表3以及图26所示，比较例6中的293K(室温)下的时间常数3τ为3.35，243K～343K的温度范围内的时间常数3τ的温度变动率为-0.27％。
如图25所示，在比较例4中，时间常数3τ中由驱动电极COML所引起的分量3τ1具有负的温度变动率，时间常数3τ中由检测电极TDL所引起的分量3τ2具有负的温度变动率，因此，整体的时间常数3τ也具有负的温度变动率。另外，如图26所示，在比较例6中，时间常数3τ中由驱动电极COML所引起的分量3τ1具有负的温度变动率，分量3τ1在整体的时间常数3τ中所占的比例大，所以整体的时间常数3τ也具有负的温度变动率。
另一方面，如表3以及图27所示，实施例9中的293K(室温)下的时间常数3τ为2.58，243K～343K的温度范围内的时间常数3τ的温度变动率为0.04％。在实施例9中，时间常数3τ中由驱动电极COML所引起的分量3τ1具有负的温度变动率，但时间常数3τ中由检测电极TDL所引起的分量3τ2具有正的温度变动率，因此，整体的时间常数3τ的绝对值变小。
在通过检测驱动电极COML与检测电极TDL之间的静电电容来检测输入位置的互电容方式中，在一定时间内输入驱动电极COML的作为驱动信号Vcom的交流矩形波Sg(图4参照)的波形数量越多，则越能提高检测静电电容的检测性能。即，输入驱动电极COML的作为驱动信号Vcom的交流矩形波Sg的周期越短，则越能提高输入装置的检测性能。另外，如使用图4在上面所叙述地，为了提高输入装置的检测性能，减小包括驱动电极与检测电极的电路的时间常数τ是重要的。
另一方面，使用上述图11所说明过的、作为对时间常数τ造成影响的分量的电阻R1～R5以及静电电容C11～C15中的静电电容C11～C15例如在243K～343K的温度范围内基本恒定(一定)。另外，电阻R1～R5中的电阻R1、R2以及R4小于电阻R3及R5。因此，时间常数3τ中由驱动电极COML所引起的分量3τ1的温度变动率主要依赖于作为缓冲TFT元件Trb的导通电阻的电阻R3的温度变动率。另外，时间常数3τ中由检测电极TDL所引起的分量3τ2主要依赖于检测电极TDL的电阻R5的温度变动率。
图28是示意性示出缓冲TFT元件的导通电阻以及检测电极的电阻的温度依赖性的图表。
如图28所示，作为缓冲TFT元件Trb的导通电阻的电阻R3具有负的电阻温度系数，伴随温度上升，电阻R3减少。另外，表1所示的为有机透明导电材料的PEDOT具有负的电阻温度系数。因此，在检测电极TDL由PEDOT构成的情况下，检测电极TDL的电阻R5的温度变动率与作为缓冲TFT元件Trb的导通电阻的电阻R3的温度变动率不相互抵消，无法使时间常数3τ的电阻温度系数的绝对值小于电阻R3的电阻温度系数的绝对值。
另一方面，表1所示的为无机透明导电材料的ITO和IZO、以及表1所示的各种金属材料具有正的电阻温度系数。因此，在检测电极TDL由表1所示的为无机透明导电材料的ITO和IZO、以及由表1所示的各种金属材料构成的情况下，检测电极TDL的电阻R5的温度变动率与作为缓冲TFT元件Trb的导通电阻的电阻R3的温度变动率相互抵消。
不过，为无机透明导电材料的ITO和IZO的电阻温度系数与表1所示的各种金属材料的电阻温度系数相比，低1位数左右。因此，在使用表1所示的各种金属材料作为检测电极TDL的材料的情况下，与使用为无机透明导电材料的ITO和IZO作为检测电极TDL的材料的情况相比，由于电阻R5的温度变动率与电阻R3的温度变动率相互抵消，从而更能减小整体的时间常数3τ的电阻温度系数的绝对值。即，在使用表1所示的各种金属材料作为检测电极TDL的材料的情况下，与使用表1所示的各种透明导电材料作为检测电极TDL的材料的情况相比，更能减小整体的时间常数3τ的电阻温度系数的绝对值。
将作为缓冲TFT元件Trb的导通电阻的电阻R3与驱动电极COML的电阻R2之和设为电阻R6。此时，驱动电极COML的电阻R2小于作为缓冲TFT元件Trb的导通电阻的电阻R3，因此，电阻R6的电阻温度系数也与电阻R3的电阻温度系数同样地为负。即，如果电阻R6的电阻温度系数为负，则在使用表1所示的各种金属材料作为检测电极TDL的材料的情况下，与使用表1所示的各种透明导电材料作为检测电极TDL的材料的情况相比，更能减小整体的时间常数3τ的电阻温度系数的绝对值。
需要说明的是，即使在驱动电极COML的电阻R2大于作为缓冲TFT元件Trb的导通电阻的电阻R3的情况下，如果电阻R6的电阻温度系数为负，则在使用表1所示的各种金属材料作为检测电极TDL的材料的情况下，也能减小整体的时间常数3τ的电阻温度系数的绝对值。
另外，上述的、检测电极TDL具有网眼形状时的时间常数的估算是考虑多个检测电极TDL中的全部的检测电极TDL而进行的。因此，检测电极TDL的比电阻ρ为40μΩcm以下意味着多个检测电极TDL全体的比电阻ρ为40μΩcm以下，检测电极TDL的电阻温度系数为1×10- 3K-1～5×10-3K-1意味着多个检测电极TDL全体的电阻温度系数为1×10-3K-1～5×10-3K-1。但是，如果多个检测电极TDL各自的比电阻ρ为40μΩcm以下，则多个检测电极TDL全体的比电阻ρ也为40μΩcm以下，如果多个检测电极TDL各自的电阻温度系数为1×10-3K-1～5×10-3K-1，则多个检测电极TDL全体的电阻温度系数也为1×10-3K-1～5×10-3K-1。因此，检测电极TDL的比电阻ρ为40μΩcm以下包括多个检测电极TDL各自的比电阻ρ为40μΩcm以下的情况，检测电极TDL的电阻温度系数为1×10-3K-1～5×10-3K-1包括多个检测电极TDL各自的电阻温度系数为1×10-3K-1～5×10-3K-1的情况(后述的锯齿形状的情况也是同样)。
<具有锯齿形状的检测电极的电阻>
接下来，对具有图10所示的锯齿形状的、由表1中的各种材料构成的检测电极TDL的电阻R5进行估算。在这种情况下，也与具有图9所示的网眼形状的情况同样，使用上式(2)以及上式(3)来对检测电极TDL的电阻R5进行估算。其结果，如表4所示。
【表4】
如表4所示，将使用为有机透明导电材料的PEDOT、以及为无机透明导电材料的ITO和IZO中各种材料作为检测电极TDL的材料的情况作为比较例8～比较例10。另外，将使用Al、Cu、Ag合金、AlNd合金以及层叠合金中各种金属材料作为检测电极TDL的材料、并设置具有图10所示的锯齿形状的检测电极TDL的情况作为实施例11～实施例15。此时，将实施例11～实施例15中的面积比率rs设为5％。另外，实施例15中的由层叠合金构成的检测电极TDL相当于使用例如图13以及图14等所说明的结构的检测电极TDL。
在检测电极TDL具有锯齿形状的情况下，与检测电极TDL具有网眼形状的情况相比，检测电极TDL的根数变少。但是，在检测电极TDL具有锯齿形状的情况下，与检测电极TDL具有网眼形状的情况相比，可扩宽检测电极TDL的宽度。因此，检测电极TDL具有锯齿形状时的面积比率也能够设为与检测电极TDL具有网眼形状时的面积比率相同的面积比率。
另外，实施例11～实施例15中的膜厚d设为与比较例8～比较例10中的膜厚d大致相等。
如表4所示，实施例11～实施例15中的检测电极TDL的电阻R5能够小于比较例8～比较例10中的检测电极TDL的电阻R5。
需要说明的是，由比较例8～比较例10中使用的材料构成的检测电极由透明导电膜构成，能够配置成在俯视观察下与各子像素SPix重叠，因此，将比较例8～比较例10中的面积比率rs设为大于实施例11～实施例15中的面积比率rs的值。但是，与使用表2所说明的同样地，对实施例11～实施例15与比较例8～比较例10之间的电阻R5的大小关系不造成影响。
<具有锯齿形状的检测电极的时间常数>
接下来，参照表5，针对检测电极TDL具有图10所示的锯齿形状的情况，说明进行了时间常数的估算的结果。
在此，根据上式(1)、电阻R1～R5以及静电电容C11～C15，来对包括驱动电极COML和检测电极TDL的电路的时间常数、以及时间常数的温度变动率进行估算。此时，将电阻R1～R5以及静电电容C11～C15中的电阻R1～R4以及静电电容C11～C14设为固定(一定)。于是，变更检测电极TDL的材料来估算仅变更了电阻R5的电阻值以及温度变动率时的时间常数。其结果，如表5所示。在表5中，与表3同样，将时间常数τ的3倍的时间3τ作为时间常数示出。需要说明的是，在表5中，以通过某一定的值标准化后的任意的单位来表示时间常数3τ。另外，在表5中，作为时间常数3τ的温度变动率，示出243K～343K的温度范围内的变动率。
【表5】
如表5所示，将使用为有机透明导电材料的PEDOT、以及为无机透明导电材料的ITO和IZO中各种材料作为检测电极TDL的材料的情况作为比较例11～比较例13。另外，将使用Al、Cu、以及AlNd合金中各种金属材料作为检测电极TDL的材料、并设置具有图10所示的锯齿形状的检测电极TDL的情况作为实施例16～实施例18。进而，将使用比电阻ρ为40μΩcm的层叠合金中的、电阻温度系数α为1×10-3K-1的层叠合金的情况作为实施例19，将使用电阻温度系数α为5×10-3K-1的层叠合金的情况作为实施例20，将使用电阻温度系数α为1×10- 2K-1的层叠合金的情况作为比较例14。
如表5所示，实施例16～实施例18中的时间常数3τ与时间常数3τ为3.35的比较例13相比，降低20％以上。因此，在检测电极TDL的比电阻ρ为40μΩcm以下时，与检测电极TDL由透明导电膜构成的情况相比，能够使时间常数3τ降低20％以上。
另外，如表5所示，比较例14中的时间常数3τ的温度变动率的绝对值超过5％，而实施例19以及实施例20中的时间常数3τ的温度变动率的绝对值为5％以下。因此，在检测电极TDL的比电阻ρ为40μΩcm以下、且电阻温度系数为1×10-3K-1～5×10-3K-1的情况下，能够使时间常数3τ的243K～343K的温度范围内的温度变动率的绝对值减小到5％以下。
<本实施方式的主要的特征与效果>
在本实施方式1的显示装置中，作为缓冲TFT元件Trb的导通电阻的电阻R3与驱动电极COML的电阻R2之和、即电阻R6的电阻温度系数为负。另外，多个检测电极TDL各自的比电阻为40μΩcm以下，多个检测电极TDL各自的电阻温度系数为1×10-3K-1～5×10-3K-1。由此，与检测电极TDL由透明导电膜构成的情况相比，能够使包括驱动电极COML与检测电极TDL的电路的时间常数3τ降低20％以上，能够使时间常数3τ的243K～343K的温度范围内的温度变动率的绝对值减小到5％以下。
通过使时间常数3τ减小20％以上，能够使在一定时间内输入驱动电极COML的作为驱动信号Vcom的交流矩形波Sg的波形数量增多。因此，伴随着输入驱动电极的信号而输出到检测电极的信号不易发生延迟，由于能够使在一定时间内输入驱动电极的信号的波形数量增加，所以能够提高输入装置的检测性能。
另外，通过使时间常数3τ的243K～343K的温度范围内的温度变动率的绝对值减小到5％以下，从而不仅能够减小室温下的时间常数，还能够减小偏离室温的温度下的时间常数。因此，能够在使用显示装置的温度范围的整个范围内将时间常数维持为一定，实现输入装置的可靠性的提高。
需要说明的是，驱动电极COML的电阻R2大于作为缓冲TFT元件Trb的导通电阻的电阻R3，根据驱动电极COML的材料的种类，驱动电极COML的电阻R2的电阻温度系数有时为负。即使在这样的情况下，由于多个检测电极TDL各自的比电阻为40μΩcm以下，多个检测电极TDL各自的电阻温度系数为1×10-3K-1～5×10-3K-1，从而驱动电极COML的电阻R2的负的温度依赖性也能够被检测电极TDL的电阻R5的正的温度依赖性抵消。因此，与检测电极TDL由透明导电膜构成的情况相比，能够使包括驱动电极COML与检测电极TDL的电路的时间常数3τ降低20％以上，并且能够使时间常数3τ的243K～343K的温度范围内的温度变动率的绝对值减小到5％以下。
(实施方式2)
在实施方式1中，驱动电极设置在阵列基板上，检测电极设置在对置基板上。与此相对地，在实施方式2中，驱动电极与实施方式1同样，设置于阵列基板，但检测电极与实施方式1不同，其在隔着对置基板而设置于与阵列基板相对一侧的触摸面板基板上设置。
图29是示出实施方式2的显示装置的一个例子的构成的剖面图。
带触摸检测功能的显示器件10具有阵列基板2、对置基板3以及液晶层6。对置基板3在与阵列基板2的表面垂直的方向上与其相对地配置。液晶层6设置在阵列基板2与对置基板3之间。
关于本实施方式2的显示装置中的阵列基板2以及液晶层6，与实施方式1的显示装置中的阵列基板2以及液晶层6的各部分相同，省略其说明。
在本实施方式2中，对置基板3包括透明基板31与彩色滤光片32。彩色滤光片32形成于透明基板31的作为一个主面的下表面。需要说明的是，也可以如图29所示，在隔着阵列基板2与对置基板3相对的一侧设置偏光板25。另外，也可以在隔着对置基板3与阵列基板2相对的一侧设置偏光板34。
在本实施方式2中，与实施方式1不同的是，在隔着对置基板3与阵列基板2相对的一侧设置触摸面板基板7。因此，触摸面板基板7在俯视观察下与阵列基板2重叠地设置，并设置成隔着对置基板3与阵列基板2相对。需要注意的是，偏光板34设置在对置基板3与触摸面板基板7之间。
触摸面板基板7具有透明基板71、检测电极TDL以及保护膜72。检测电极TDL是触摸检测器件30的检测电极，形成于透明基板71的作为一个主面的下表面。保护膜72以覆盖检测电极TDL的方式形成于透明基板71的下表面。关于在俯视观察下的检测电极TDL的形状以及配置，可以与在俯视观察下的实施方式1的检测电极TDL的形状以及配置相同。
触摸面板基板7以触摸面板基板7的下表面与对置基板3的上表面相对的方式，与对置基板3相对地配置。另外，在形成于触摸面板基板7的下表面的保护膜72与偏光板34之间，配置有粘接材料73，触摸面板基板7与对置基板3经由粘接材料73而被粘接。
<本实施方式的主要特征与效果>
在本实施方式2的显示装置中，也与实施方式1的显示装置同样，作为缓冲TFT元件Trb的导通电阻的电阻R3与驱动电极COML的电阻R2之和、即电阻R6的电阻温度系数为负。另外，多个检测电极TDL各自的比电阻为40μΩcm以下，多个检测电极各自的电阻温度系数为1×10-3K-1～5×10-3K-1。由此，与检测电极TDL由透明导电膜构成的情况相比，能够使包括驱动电极COML与检测电极TDL的电路的时间常数3τ降低20％以上，并且能够使时间常数3τ的243K～343K的温度范围内的温度变动率的绝对值减小到5％以下。即，关于时间常数3τ、以及时间常数3τ的243K～343K的温度范围内的温度变动率，能够得到与实施方式1相同的效果。
另外，在本实施方式2中，与实施方式1不同的是，检测电极TDL设置于在隔着对置基板3与阵列基板2相对的一侧配置的触摸面板基板7上。由此，形成检测电极TDL的工序中的各种制造条件不受形成于对置基板3的彩色滤光片32等的耐热温度制约。因此，具有使能够用作检测电极TDL中包含的各种金属材料的金属材料的种类增加等效果。
以上，根据实施方式具体说明了由本发明人所作出的发明，但本发明不限于上述实施方式，在不脱离其主旨的范围内，当然能够进行各种变更。
另外，在上述实施方式中，作为公开例，例示了液晶显示装置的情况，但作为其它应用例，可列举出有机EL显示装置、其它自发光型显示装置、或者具有电泳元件等的电子纸型显示装置等所有平板型显示装置。另外，从中小型到大型都能够无特别限定地加以应用，这自不待言。
应当理解，在本发明的思想范畴内，本领域技术人员能够想到各种变更例以及修改例，这些变更例及修改例也属于本发明的范围之内。
例如，关于本领域技术人员对上述各实施方式适当进行构成成分的追加、删除或者设计变更、或者进行工序的追加、省略或者条件变更，只要其包含本发明的主旨，均包含于本发明范围之内。
产业上的可利用性
本发明有效应用于显示装置。

Claims (9)

1.一种显示装置，其特征在于，具有：
第一基板；
第二基板，与所述第一基板相对地设置；
多个像素，设置于所述第一基板；
第一电极，在俯视观察下沿着第一方向延伸设置于所述第一基板；
晶体管，设置于所述第一基板，并与所述第一电极串联连接；以及
多个第二电极，在俯视观察下与所述第一电极分别交叉地设置于所述第二基板，并在所述第一方向上排列，其中，
根据所述第一电极与所述多个第二电极各自之间的静电电容来检测输入位置，
作为所述晶体管的导通电阻与所述第一电极的电阻之和的第一电阻的电阻温度系数为负，
所述多个第二电极各自的比电阻为40μΩcm以下，
所述多个第二电极各自的电阻温度系数为1×10-3K-1～5×10-3K-1。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述多个第二电极各自包括由第一金属材料构成的第一导电层。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述多个第二电极各自包括由所述第一导电层与第二导电层在所述第二基板的主面上按任意顺序层叠而成的层叠膜，
所述第二导电层由具有比所述第一金属材料的熔点高的熔点的第二金属材料构成。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述多个第二电极各自包括由所述第一导电层与第二导电层在所述第二基板的主面上按任意顺序层叠而成的层叠膜，
所述第二导电层由透明导电膜构成。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述多个第二电极各自包括以覆盖所述第一导电层的方式而设置的透明导电膜。
6.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述多个第二电极各自包括由所述第一导电层、第二导电层和第三导电层在所述第二基板的主面上按任意顺序层叠而成的层叠膜，
所述第二导电层由具有比所述第一金属材料的熔点高的熔点的第二金属材料构成，
所述第三导电层由透明导电膜构成。
7.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
所述多个第二电极各自包括以覆盖所述层叠膜的方式而设置的透明导电膜。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述晶体管的导通电阻大于所述第一电极的电阻，
所述导通电阻的电阻温度系数为负。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还具有：
多个第三电极，分别设置在所述多个像素中的沿所述第一方向排列的多个像素各自的内部，
通过在所述多个第三电极各自与所述第一电极之间形成电场来显示图像。
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