CN101142742B - 压电振动片和压电振动器件 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 103
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims abstract description 95
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 79
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 148
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 73
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 73
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 51
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 40
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 30
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 16
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 10
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 175
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract 2
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 94
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 27
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 4
- 244000273256 Phragmites communis Species 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
- H03H9/1021—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device the BAW device being of the cantilever type
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/21—Crystal tuning forks
- H03H9/215—Crystal tuning forks consisting of quartz
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Abstract
晶体振动片(2)配有用于安排引出电极(65a,65b)的电极形成区,以及基板(6)的相对侧面(67a,67b)相对于前主面(63)在相同方向上形成倾斜。在引出电极(65a,65b)的电极形成区中,配备了用于加强与导电粘合剂(5)的粘合的粘合加强部分(7)。例如,粘合加强部分(7)是在相对侧面(67a,67b)上形成的切口部分。因此,提高了晶体振动片(2)与导电粘合剂(5)粘合的强度。
Description
技术领域
本发明涉及压电振动片和压电振动器件。更具体地说,本发明涉及将压电振动片与作为压电振动器件的外壳的基体粘合。
背景技术
压电振动器件包括,例如音叉式晶体振动器等。在这样的压电振动器件中,它们的外壳由基体和盖子组成。粘合并支承在基体上的晶体振动片被密封在外壳中。晶体振动片是利用例如导电粘合剂与基体粘合的。通过导电粘合剂,在配备在晶体振动片的主面上的激振电极与配备在基体上的电极垫片之间建立连接(参见例如专利文献1)。
专利文献1描述了两个音叉式晶体振动器。在一个音叉式晶体振动器中,通过导电粘合剂将音叉式晶体振动片的基部的下主面与基体的电极垫片粘合。此外,在另一个音叉式晶体振动器中,通过导电粘合剂将音叉式晶体振动片的基部的下主面和侧面与基体的电极垫片粘合。
专利文献1:JP2004-200910A
发明内容
本发明要解决的问题
当前,包含如上所述的压电振动器件的电子设备正变成移动式的。移动电子设备要求提高在它们被掉落的情况下的抗冲击性。因此,当前,在制造压电振动器件的过程中,抗冲击测试是重要测试之一。
在如本文使用的抗冲击测试中,使压电振动器件掉落,并测量压电振动器件掉落前后特性(频率、电阻值(CI值)等)的变化量,并且根据测量结果来确定器件的合格与否。
在如上述专利文献1所述的音叉式晶体振动器中,通过导电粘合剂将音叉式晶体振动片的基部的下主面、或下主面和侧面与基体的电极垫片粘合在一起。但是,在抗冲击测试中,在音叉式晶体振动器掉落之后,音叉式晶体振动片可能与导电粘合剂脱离或分开。因此,音叉式晶体振动片的引出电极与导电粘合剂的粘合状态变成不稳定的。其结果是,连接状态变成不稳定的。由于连接状态不稳定,音叉式晶体振动器的特性(频率、电阻值(CI值)等)的变化量变得很大并超过各自特性的规定容许范围,导致音叉式晶体振动器有缺陷。
因此,为了解决上述问题,本发明的目的是提供一种压电振动片和压电振动器件,其中,提高通过导电粘合剂将压电振动片与基体的电极垫片粘合在一起时的粘合强度,从而抑制压电振动片与导电粘合剂分开。
解决问题的手段
为了达到上述目的,提供了一种基于本发明的压电振动片,其中,在基板上配备具有不同电位的激振电极和与激振电极连接以便将激振电极与外部电极电连接的引出电极,以及通过导电粘合剂将所述引出电极与外部电极连接。在压电振动片中,在基板上设立用于提供引出电极的电极形成区,在引出电极的电极形成区中配备用于加强与导电粘合剂的粘合的粘合加强部分,基板的一个主面和粘合加强部分构成与导电粘合剂的粘合面,以及至少粘合加强部分的一部分粘合面相对于另一个主面形成倾斜,以便面向另一个主面。
根据本发明,在基板上配备引出电极的电极形成区;在引出电极的电极形成区中配备粘合加强部分;一个主面和粘合加强部分构成与导电粘合剂的粘合面;以及至少粘合加强部分的一部分粘合面相对于另一个主面形成倾斜,以便面向另一个主面。因此,可以提高压电振动片通过导电粘合剂与外部电极粘合的粘合强度,从而可以抑制压电振动片朝向基板的另一个主面的上方与导电粘合剂分开。其结果是,可以抑制包含压电振动片的压电振动器件的频率和电阻值的变化量。此外,根据本发明,一个主面和粘合加强部分构成与导电粘合剂的粘 合面。因此,与导电粘合剂到达压电振动片的另一个主面的情况不同,在压电振动片和盖子之间的间隙中不提供导电粘合剂,从而可以抑制压电振动器件的电极短路。此外,由于在压电振动片和盖子之间的间隙中不提供导电粘合剂,压电振动片和盖子之间的间隙可以被抑制到最小程度,从而可以缩小压电振动器件的尺寸。此外,由于粘合加强部分的粘合面是相对于主面倾斜的倾斜面,在倾斜面上与导电粘合剂的粘合使得可以通过导电粘合剂将压电振动片压在配备在基板下面的外部电极上。
在该结构中,通过延伸引出电极而形成的延伸电极部分可以配备在粘合加强部分的粘合面上。
在这种情况下,除了上述操作效果之外,由于在粘合面上形成延伸电极部分,与导电粘合剂的电接触面积增大了,从而可以减小接触电阻。
在该结构中,可以在粘合加强部分的整个粘合面上形成延伸电极部分。
在这种情况下,除了上述操作效果之外,由于在整个粘合面上形成延伸电极部分,与导电粘合剂的电接触面积进一步增大,从而可以进一步减小接触电阻。
在该结构中,可以在粘合加强部分的至少一部分粘合面上形成延伸电极部分。
在这种情况下,除了上述操作效果之外,由于在至少一部分粘合面上形成延伸电极部分,与导电粘合剂的电接触面积增大了,从而可以减小接触电阻。另外,由于导电粘合剂和压电振动片的粘合面积得到保证,从而可以保持粘合强度。
此外,为了达到上述目的,提供了一种基于本发明的压电振动器,其中,在基板上配备具有不同电位的激振电极和与激振电极连接以便将激振电极与外部电极电连接的引出电极,以及通过导电粘合剂将引出电极与外部电极连接。在该压电振动器中,在基板上设立用于提供引出电极的电极形成区;在引出电极的电极形成区中配备用于加强与 导电粘合剂的粘合并提供电接触的粘合加强电极部分;以及基板的一个主面和粘合加强电极部分构成与导电粘合剂粘合并提供与导电粘合剂的电接触的粘合面。
根据本发明,在基板上配备引出电极的电极形成区;在引出电极的电极形成区中配备粘合加强电极部分;以及一个主面和粘合加强电极部分构成与导电粘合剂的粘合面。因此,粘合面积增大了,从而可以提高压电振动片通过导电粘合剂与外部电极粘合的粘合强度,从而可以抑制压电振动片与导电粘合剂分开。其结果是,可以抑制包含压电振动片的压电振动器件的频率和电阻值的变化量。此外,根据本发明,一个主面和粘合加强电极部分构成与导电粘合剂的粘合面。因此,与导电粘合剂到达压电振动片的另一个主面的情况不同,在压电振动片和盖子之间的间隙中不提供导电粘合剂,从而可以抑制压电振动器件的电极短路。此外,由于在压电振动片和盖子之间的间隙中不提供导电粘合剂,压电振动片和盖子之间的间隙可以被抑制到最小程度,从而可以缩小压电振动器件的尺寸。此外,根据本发明,由于粘合加强电极部分形成为与导电粘合剂的粘合面,可以增大与导电粘合剂的电接触面积,从而可以减小接触电阻。
在该结构中,至少粘合加强电极部分的一部分粘合面可以相对于另一个主面形成倾斜,以便面向另一个主面。
在这种情况下,除了上述操作效果之外,由于至少粘合加强电极部分的一部分粘合面相对于另一个主面形成倾斜以便面向另一个主面,可以将压电振动片压在外部电极上,以便提高压电振动片通过导电粘合剂与外部电极粘合时的粘合强度,从而可以抑制压电振动片朝向基板的另一个主面的上方与导电粘合剂分开。
在该结构中,可以通过将基板的一个主面布置成相对于作为电极材料的汽相淀积源倾斜并进行真空汽相淀积,来形成激振电极、引出电极和粘合加强电极部分。
在这种情况下,除了上述操作效果之外,可以通过真空汽相淀积来形成粘合加强电极部分。此外,将基板的一个主面布置成相对于作 为电极材料的汽相淀积源倾斜,使得电极材料直接撞击在基板的侧面上,从而有效地形成延伸电极部分。
在该结构中,可以通过溅射来形成激振电极、引出电极和粘合加强电极部分。
在这种情况下,除了上述操作效果之外,可以通过溅射来形成粘合加强电极部分。此外,根据溅射,汽相淀积材料显著四散,使得电极材料可以淀积在基板的侧面上,从而有效地形成延伸电极部分。
在该结构中,与导电粘合剂的粘合面可以包括基板的侧面,以及基板的侧面中相互面对的至少一对相对侧面可以相对于另一个主面形成倾斜,以便面向另一个主面。
在这种情况下,除了上述操作效果之外,与导电粘合剂的粘合面包括基板的侧面,以及基板的侧面中相互面对的至少一对相对侧面相对于另一个主面形成倾斜,以便面向另一个主面。因此,优选地,可以提高压电振动片通过导电粘合剂与外部电极粘合时的粘合强度,从而可以抑制压电振动片朝向基板的另一个主面的上方与导电粘合剂分开。
在该结构中,粘合加强部分或粘合加强电极部分可以具有阶梯部分,以及所述阶梯部分可以包括在粘合面中。
在这种情况下,除了上述操作效果之外,粘合加强部分或粘合加强电极部分具有阶梯部分,以及阶梯部分包括在粘合面中。因此,在阶梯部分的顶面上与导电粘合剂粘合使得可以优选地通过导电粘合剂将压电振动片压在配备在基板下面的外部电极上。
在该结构中,粘合加强部分或粘合加强电极部分可以是在基板的侧面切割形成的切口部分,以及切口部分的切口壁面可以是粘合面。
在这种情况下,除了上述操作效果之外,粘合加强部分或粘合加强电极部分是切口部分,以及切口部分的切口壁面是粘合面。因此,在导电粘合剂与切口壁面粘合时可以产生自持力(固着效果)。其结果是,可以提高晶体振动片通过导电粘合剂与外部电极粘合时的粘合强度。
在该结构中,粘合加强部分或粘合加强电极部分可以是穿过基板的两个主面形成的通孔,以及通孔的贯通壁面可以是粘合面。
在这种情况下,除了上述操作效果之外,粘合加强部分或粘合加强电极部分是通孔,以及通孔的贯通壁面是粘合面。因此,在导电粘合剂与通孔的贯通壁面粘合时可以产生自持力(固着效果)。其结果是,可以提高晶体振动片通过导电粘合剂与外部电极粘合时的粘合强度。
在该结构中,粘合加强部分或粘合加强电极部分可以是在基板的一个主面上形成的带有基面的孔,以及带有基面的孔的壁面可以是粘合面。
在这种情况下,除了上述操作效果之外,粘合加强部分或粘合加强电极部分是带有基面的孔,以及带有基面的孔的壁面是粘合面。因此,在导电粘合剂与带有基面的孔的壁面粘合时可以产生自持力(固着效果)。其结果是,可以提高压电振动片通过导电粘合剂与外部电极粘合时的粘合强度。
在该结构中,基板可以由各向异性材料制成。
在这种情况下,除了上述操作效果之外,基板由各向异性材料制成。因此,可以容易地形成粘合面,其中至少粘合加强部分(或粘合加强电极部分)沿着相对于主面倾斜的轴向相对于主面倾斜。此外,当粘合面包括基板的侧面,以及基板的侧面中相互面对的至少一对相对侧面在相同方向上相对于另一个主面形成倾斜时,通过让相对侧面在沿着相对于主面倾斜的轴向的相同方向上倾斜,可以容易地形成倾斜侧面。
在该结构中,基板可以由晶片制成,以及引出电极可以是最下层由铬制成的多层膜。
在这种情况下,除了上述操作效果之外,基板由晶片制成,以及引出电极是最下层由铬制成的多层膜。晶片和铬的粘合性很高,使得可以容易地在基板上形成引出电极。
此外,为了达到上述目的,提供了一种本发明的压电振动器件, 其中,外壳由基体和盖子组成,通过将基体和盖子粘合在一起来密封外壳的内部,以及构成外部电极的电极垫片配备在外壳内的基体上,以及本发明的压电振动片的粘合面通过导电粘合剂与电极垫片粘合。
根据本发明,外壳由基体和盖子组成,通过将基体和盖子粘合在一起来密封外壳的内部,以及构成外部电极的电极垫片配备在外壳内的基体上,以及本发明的压电振动片的粘合面通过导电粘合剂与电极垫片粘合。因此,提高了压电振动片通过导电粘合剂与基体的粘合强度,从而可以抑制压电振动片朝向基板的另一个主面的上方与导电粘合剂分开。尤其,关于压电振动片在六个方向上的抗冲击性,可以抑制内部被密封的晶体振动片在压电振动片的六个方向上与导电粘合剂分开。其结果是,可以抑制压电振动片的频率和电阻值的变化量。
在该结构中,导电粘合剂的材料可以包括硅酮,以及压电振动片的引出电极可以由最上层由铬制成的多层膜形成。
在这种情况下,除了上述操作效果之外,导电粘合剂的材料包括硅酮,以及压电振动片的引出电极由最上层由铬制成的多层膜形成。由于硅酮和铬的粘合性很高,可以容易地将导电粘合剂和引出电极粘合在一起。
本发明的效果
根据本发明的压电振动片和压电振动器件可以提高压电振动片通过导电粘合剂与基体的电极垫片粘合时的粘合强度,从而可以抑制压电振动片与导电粘合剂分开。
附图说明
[图1]图1(a)是构成基于本实施例的晶体振动器的基体和晶体振动片的示意性分解透视图;图1(b)是沿着图1(a)的A-A线取出的晶体振动器的示意性断面图;图1(c)是沿着图1(a)的A-A线在箭头方向上取出的基于另一个实施例的晶体振动器的示意性断面图;
[图2]图2是用于形成金属薄膜的汽相淀积设备的示意图;
[图3]图3(a)是构成基于另一个实施例的晶体振动器的基体和晶 体振动片的示意性分解透视图;图3(b)是沿着图1(a)的A-A线在箭头方向上取出的晶体振动器的示意性断面图;
[图4]图4(a)-4(i)是配备在本实施例的晶体振动片中的粘合加强部分的变化的示意性放大断面图;
[图5]图5(a)是构成基于本实施例的晶体振动器的基体和晶体振动片的示意性分解透视图;图5(b)是沿着图1(a)的A-A线在箭头方向上取出的晶体振动器的示意性断面图。
标号说明
1 晶体振动器
11 外壳的内部
2 晶体振动片
3 基体
35,36 电极垫片
4 盖子
5 导电粘合剂
6 基板
63 前主面
64 后主面
65a,65b 引出电极
67a,67b相对侧面
7 粘合加强部分
7b 粘合加强电极部分
71 切口壁面
72 阶梯部分
74 贯通壁面
8 延伸电极部分
J 汽相淀积源
具体实施方式
在下文中,将参照附图描述本发明的实施例。请注意,在如下所述的实施例中,本发明应用于作为压电振动器件的音叉式晶体振动器(下文被称为晶体振动器)。
如图1所示,本实施例的晶体振动器1包含晶体振动片2(如本文使用的压电振动片)、用于支承晶体振动片2的基体3和用于密封支承在基体3上的晶体振动片2的盖子4。
在晶体振动器1中,如图1所示,基体3和盖子4粘合在一起形成外壳,晶体振动片2被粘合在外壳内部11中的基体3上,以及外壳内部11被密封。在这种情况下,如图1(b)所示,利用导电粘合剂5将基体3和晶体振动片2粘合在一起。
接着,描述晶体振动器1的每个部分。
基体3由例如陶瓷材料制成,并且如图1所示,形成由底面部分31和从底面部分31向上延伸的壁部32组成的盒形。此外,壁部32沿着底面部分31的前面的外周配备。与盖子4粘合的金属化层34配备在基体3的壁部32的上端部33上。此外,与晶体振动片2的引出电极65a和65b(如下所述)电连接的电极垫片35和36配备在由底面部分31和壁部32组成的基体3的内部(参见外壳内部11)中底面部分31一侧的两个端部。这些电极垫片35和36与在基体3的后面上形成的各自端电极(未示出)电连接,并通过这些端电极与外部设备连接。请注意,电极垫片35和36和端电极通过在将这些部分和基体3烧在一起之前印刷诸如钨、钼等的金属化材料而形成,并且在其上提供例如镀镍和镀金。
如图1(b)所示,盖子4由金属材料制成,并形成从顶端看过去长方形的长方体(单板)形状。在盖子4的下表面上形成蜡材料(未示出),并通过诸如缝焊、束焊等的技术与基体3粘合,使得晶体振动器1的外壳由盖子4和基体3组成。请注意,用在本实施例中的外壳内部11指的是由盖子4和基体3密封的部分。可替代地,盖子可以由陶瓷材料制成,以及可以通过玻璃材料来密封外壳内部11。
作为导电粘合剂5的材料,可以使用包含多个银填充物的硅酮。 通过固化导电粘合剂5,使多个银填充物结合在一起成为导电物质。
如图1所示,通过蚀刻基板6(由各向异性材料制成的晶片)来形成晶体振动片2。基板6由两个腿部61a和61b(第一腿部和第二腿部)和基部62组成。两个腿部61 a和61b从基部62延伸出来。
在晶体振动片2的前主面63(如本文使用的另一个主面)上,配备了具有不同电位的两个激振电极(第一激振电极和第二激振电极(未示出))、和从激振电极引出以便将这些激振电极与电极垫片35和36(如本文使用的外部电极)电连接的引出电极65a和65b。引出电极65a和65b以及电极垫片35和36通过导电粘合剂5粘合在一起,使得引出电极65a和65b与电极垫片35和36电连接在一起。
第一激振电极由在第一腿部61a的两个主面(参见如下所述的前主面63和后主面64)上形成的第一主面电极(未示出)、和在第二腿部61b的两个侧面(参见如下所述的相对侧面67b等)上形成的第二侧面电极(未示出)组成。第一主面电极和第二侧面电极通过引出电极(未示出)连接在一起。
类似地,第二激振电极由在第二腿部61b的两个主面(参见如下所述的前主面63和后主面64)上形成的第二主面电极(未示出)、和在第一腿部61a的两个侧面(参见如下所述的相对侧面67a等)上形成的第一侧面电极(未示出)组成。第二主面电极和第一侧面电极通过引出电极(未示出)连接在一起。
上述激振电极是由例如下电极层和上电极层组成的多层薄膜,下电极层由铬制成以及上电极层由金制成。这个薄膜是在利用光刻技术进行金属蚀刻而形成所需形状之前,利用诸如真空汽相淀积等的技术在整个表面上形成的。此外,引出电极65a和65b的每一个都是由例如下电极层、中间电极层和上电极层组成的多层薄膜,下电极层由铬制成,中间电极层由金制成以及上电极层由铬制成。这个薄膜是在利用光刻技术进行金属蚀刻而形成所需形状之前,利用诸如真空汽相淀积等的技术在整个表面上形成的,此后,仅在局部掩蔽的同时,利用诸如真空汽相淀积等的技术来形成由铬制成的上电极层。
在晶体振动片2的基部62上,如图1(a)所示,在与伸出腿部61 a和61b的角相对的角66a和66b上配备了用于提供引出电极65a和65b的电极形成区。
如图1所示,在基板6的宽度方向上相互面对的相对侧面67a和67b相对于前主面63在相同方向上形成倾斜。在本实施例中,相对侧面67a和67b沿着Z′轴形成。
此外,在引出电极65a和65b的电极形成区中,晶体振动片2在相对侧面67a和67b的侧面部分68a和68b中配有用于加强与导电粘合剂5的粘合的粘合加强部分7。
粘合加强部分7是在相对侧面67a和67b中切割形成的切口部分,以及在切口部分的切口壁面71上与导电粘合剂5粘合。形成面向前主面63的切口壁面71,并且切口壁面71是相对于前主面63倾斜的倾斜面。
在晶体振动片2中,后主面64(如本文使用的一个主面)、粘合加强部分7的切口壁面71以及基板的相对侧面67a和67b构成与导电粘合剂5的粘合面。
晶体振动片2的粘合加强部分7与基体3的电极垫片35和36通过导电粘合剂5粘合在一起。关于本实施例的电极粘合,粘合加强部分7的切口壁面71、相对侧面67a和67b、基部62的基部侧面67c以及后主面64通过导电粘合剂5与基体3的电极垫片35和36粘合。
接着,在下文中描述上述晶体振动器1的抗冲击测试。
在晶体振动器1的抗冲击测试中,测试晶体振动器1在物理外力施加在晶体振动器1上时是否正常工作。具体地说,在晶体振动器1的抗冲击测试中,让晶体振动器1从预先设置的高度掉落,并且测量掉落的晶体振动器1的特性的变化量。根据测量的特性变化量,来确定抗冲击性是否令人满意。请注意,晶体振动器1的外壳是六面体,因此,在本实施例的测试(下文称为本测试)中,晶体振动器1每次(一共六次)都是六面之一朝下地掉落。将六面的掉落操作设置成一次测试操作。
在本测试中,高度被设置成150cm,并假设晶体振动器1的待测特性是频率和CI值。
在本测试中,将本实施例的晶体振动器1和没有粘合加强部分7的传统晶体振动器用于测量每个特性(频率和CI值)。请注意,传统晶体振动器的其它部分与本实施例晶体振动器1的那些类似。关于测量次数,准备了五个本实施例的晶体振动器1和五个传统晶体振动器,以及每个晶体振动器被掉落20次。
接着,将本测试的测量结果显示在表1和2中。请注意,表1(a)示出了本实施例晶体振动器1的频率测量结果,以及表1(b)示出了传统晶体振动器的频率测量结果。表2(a)示出了本实施例晶体振动器1的CI值测量结果,以及表2(b)示出了传统晶体振动器的CI值测量结果。
[表1]
表.1
关于频率的变化量,如表1(a)所示,在本实施例的晶体振动器1中,对于所有20次掉落测试,频率的变化量都被抑制在±5ppm之内。
与此相反,如表1(b)所示,关于传统晶体振动器,在所有晶体振动器中,频率从第15次开始迅速升高,致使频率的变化量明显超过容许变化范围。换句话说,在所述传统晶体振动器中,频率的变化量不能得到抑制,就抗冲击性而言,所有传统晶体振动器都被确定为有缺陷产品。
[表2]
表.2
关于CI值的变化量,如表2(a)所示,在本实施例的晶体振动器1中,对于所有晶体振动器1,CI值的变化量在所有20次测试中都被抑制到±5kΩ或更小。
与此相反,如表2(b)所示,关于传统晶体振动器,四个晶体振动器在20次测试中未超过作为CI值的容许变化量的上限的+10kΩ,而其余一个晶体振动器的CI值的变化量在20次测试中达到+10kΩ。换句话说,在所有传统晶体振动器中,难以总是稳定地抑制CI值变化 量。因此,在传统晶体振动器中,难以将CI值的变化量抑制在预定数值内,因此,就抗冲击性而言,一些晶体振动器都被确定为有缺陷产品。
如表1和2所示,当将本实施例的晶体振动器1与传统晶体振动器相比较时,它们的抗冲击水平可以清楚地相互分开。具体地说,在本实施例中,晶体振动片2配有粘合加强部分7,使得与没有粘合加强部分7的传统晶体振动器相比,晶体振动片2不容易朝向前主面63的上方与导电粘合剂5分开。因此,即使有物理外力施加在晶体振动器1上,与传统晶体振动器相比,本实施例的晶体振动器1也可以抑制晶体振动器1的CI值的变化量。
如上所述,根据本实施例的晶体振动片2,基板6配有引出电极65a和65b的电极形成区;在引出电极65a和65b的电极形成区中配有粘合加强部分7;前主面63和粘合加强部分7的切口壁面71构成与导电粘合剂5的粘合面;以及粘合加强部分7的至少一部分切口壁面71相对于前主面63形成倾斜以便面向前主面63。因此,提高了晶体振动片2通过导电粘合剂5与电极垫片35和36粘合的粘合强度,从而可以抑制晶体振动片2朝向基板6的前主面63的上方与导电粘合剂5分开。其结果是,可以抑制包含晶体振动片2的晶体振动器1的频率和CI值(电阻值)的变化量。
此外,粘合加强部分7的切口壁面71相对于前主面63倾斜,使得通过在倾斜面上与导电粘合剂粘合,可以通过导电粘合剂5将晶体振动片2压在配备在下面的电极垫片35和36上。
此外,前主面63和粘合加强部分7的切口壁面71构成与导电粘合剂5的粘合面,因此,与导电粘合剂5到达晶体振动片2的前主面63时不同,在晶体振动片2和盖子4之间的间隙中不提供导电粘合剂5,从而可以抑制晶体振动器1的电极短路。此外,由于在晶体振动片2和盖子4之间的间隙中不提供导电粘合剂5,晶体振动片2和盖子4之间的间隙可以被抑制到最小程度,从而可以缩小晶体振动器1的尺寸。
进一步,与导电粘合剂5的粘合面包括基板6的相对侧面67a和67b以及基部侧面67c。在基板6的相对侧面67a和67b以及基部侧面67c当中,相互面对的相对侧面67a和67b相对于前主面63形成倾斜以便面向前主面63。具体地说,在该实施例中,相对侧面67a和67b相对于前主面63在相同方向上倾斜,使得优选地提高晶体振动片2通过导电粘合剂5与电极垫片35和36粘合时的粘合强度,从而可以抑制晶体振动片2朝向基板6的前主面63的上方与导电粘合剂5分开。
此外,粘合加强部分7是切口部分,以及切口部分的切口壁面71是粘合面,使得在切口壁面71与导电粘合剂5粘合时可以产生自持力(固着效果)。其结果是,可以提高晶体振动片2通过导电粘合剂5与电极垫片35和36粘合时的粘合强度。
此外,由于基板6由各向异性材料制成,可以容易地使粘合面(切口壁面71和相对侧面67a和67b)沿着相对于前主面63和后主面64(下文称为两个主面)倾斜的Z′轴向而相对于两个主面63和64倾斜。此外,通过使相对侧面67a和67b沿着相对于两个主面63和64倾斜的Z′轴向在相同方向上倾斜,可以容易地使相对侧面67a和67b相对于两个主面63和64在相同方向上倾斜。
此外,本实施例不局限于图1(b)的形式。如图1(c)所示,可以在粘合加强部分7的粘合面上形成通过延伸引出电极65a和65b而获得的延伸电极部分8。如图1(c)所示,延伸电极部分8从引出电极65a和65b延伸出来,并配备在切口部分的切口壁面71上。
延伸电极部分8在形成引出电极65a和65b的步骤中与引出电极65a和65b一起形成。具体地说,利用真空汽相淀积或溅射,在形成基板6的外形的晶片K(参见图2)的整个表面上形成金属薄膜,接着,通过金属蚀刻来除去不需要的金属薄膜以形成电极,从而形成引出电极65a和65b、延伸电极部分8、激振电极等。在下文中,将描述通过真空汽相淀积来形成延伸电极部分8的方法。
首先,将通过蚀刻形成外形的晶片K存放在掩蔽模具(未示出)中。
接着,如图2所示,将掩蔽模具固定在汽相淀积设备的工件夹具H上。将多个工件夹具H附在与淀积源J相距预定距离并水平旋转的转台I的四周。此外,每个工件夹具H以允许工件夹具H绕着它的转轴旋转的方式附在转台I上。每个工件夹具H具有相对于转台I 45°的仰角,并且,工件夹具H的转轴被定位成相对于工件夹具H面向水平面的状态倾斜45°。当被固定在工件夹具H上时,以允许在晶片K上形成的晶体振动片2的基部62面向淀积源J的方式来布置掩蔽模具。
随着转台I旋转,工件夹具H围绕穿过淀积源J的转轴作为中心轴旋转。此外,例如,每当转台I旋转120°时,使工件夹具H旋转90°并定位。将从淀积源J蒸发的电极材料(例如,铬或金)供应给晶片K。借助于这样的安排,可以在基板6的两个主面(参见前主面63和后主面64)、相对侧面67a和67b以及切口壁面71等上形成金属薄膜。
此外,通过改变工件夹具H相对于转台I的仰角或工件夹具H相对于转轴的倾斜角,可以在诸如切口壁面71等的部分中改变从淀积源J蒸发的电极材料所直接投射的范围(改变电极材料未被直接投射的阴影部分)。因此,通过改变仰角或倾斜角,可以控制在切口壁面71上形成的金属薄膜的范围。
接着,将抗蚀剂涂覆到整个基板6并且进行显影,使得抗蚀剂保留在作为引出电极65a和65b保留的部分上和作为延伸电极部分8保留的部分上。进一步,在除去抗蚀剂之前,通过金属蚀刻来除去除了抗蚀剂保留在上面的部分之外的部分的薄膜,从而形成引出电极65a和65b以及延伸电极部分8。
接着,描述通过溅射来形成延伸电极部分8的方法。首先,将通过蚀刻形成外形的晶片K存放在掩蔽模具(未示出)中。
接着,将掩蔽模具固定在工件夹具上。多个工件夹具被布置成几乎与靶等距离、相互面对并且几乎相互平行,接着进行溅射。在晶片K的一个表面上形成金属薄膜,此后,翻转工件夹具,并在另一面上 形成金属薄膜。
根据溅射,从靶散射出来的电极材料可以显著四散到基板周围,因此,即使基板不倾斜,也可以在相对侧面67a和67b等上形成金属薄膜。借助于这样的安排,可以在基板6的两个主面(参见前主面63和后主面64)、相对侧面67a和67b、以及切口壁面71等上形成金属薄膜。
接着,在整个基板6上涂覆抗蚀剂并且进行显影,以便抗蚀剂保留在作为引出电极65a和65b保留的部分上和作为延伸电极部分8保留的部分上。进一步,在除去抗蚀剂之前,通过金属蚀刻来除去除了抗蚀剂保留在上面的部分之外的部分的薄膜,从而形成引出电极65a和65b以及延伸电极部分8。
如上所述,根据具有这种结构的晶体振动片2,由于在粘合面上形成延伸电极部分8,与导电粘合剂5的电接触面积被增大,从而可以减小电阻。
此外,可以在整个切口壁面71上形成延伸电极部分8。在这种情况下,与导电粘合剂5的电接触面积进一步增大,从而可以进一步减小电阻。
此外,可以在切口壁面71的一部分上形成延伸电极部分8。在这种情况下,在粘合面的一部分上形成延伸电极部分8,与导电粘合剂的电接触面积被增大,从而可以减小电阻。另外,由于导电粘合剂5和晶体振动片2的粘合面积得到保证,可以保持粘合强度。
此外,如上所述,根据本实施例的晶体振动器1,基体3和盖子4粘合在一起形成内部密封的外壳;电极垫片35和36配备在外壳内部11的基体3上;以及晶体振动片2的粘合面通过导电粘合剂5粘合到电极垫片35和36上。因此,提高了晶体振动片2通过导电粘合剂5与基体3的粘合强度,从而可以抑制晶体振动片2朝向基板6的前主面63的上方与导电粘合剂5分开。换句话说,关于晶体振动器1在六个方向上的抗冲击性,可以抑制内部密封的晶体振动片2在晶体振动器的六个方向上与导电粘合剂5分开。其结果是,可以抑制晶体 振动器1的频率和CI值(电阻值)的变化量。
此外,晶体振动片2的基板6由晶片制成,以及晶体振动片2的引出电极65a和65b由最下层由铬制成的多层膜形成。因此,晶片和铬的高粘合性使得易于在基板6上形成引出电极65a和65b。
此外,导电粘合剂5的材料包括硅酮,以及晶体振动片2的引出电极65a和65b由最上层由铬制成的多层膜形成。因此,硅酮和铬的高粘合性使得易于将导电粘合剂5和引出电极65a和65b粘合在一起。
尽管在本实施例中将音叉式晶体振动器1用作压电振动器件,但本发明不局限于此。也可以应用进行压电滑动振动的振动器或SAW器件。此外,轴向也不局限于图中所述的那个轴向,可以根据压电振动器件的基板来设置轴。此外,与本实施例的音叉式晶体振动器1一样,悬臂式压电振动器件最好呈现本实施例的晶体振动器1的操作效果。
此外,尽管在本实施例中将晶片用作基板6,但本发明不局限于此。可以使用任何单晶各向异性材料,也可以使用其它材料。基板材料的其它例子包括诸如钽酸锂(LiTaO3)、铌酸锂(LiNbO3)等的单晶材料。
此外,尽管在本实施例中导电粘合剂5由包含多个银填充物的硅酮制成,但本发明不局限于此。
此外,尽管在本实施例中激振电极由铬和金按这个顺序形成,但激振电极也可以,例如,按铬和银的顺序、按铬、金和铬的顺序、或按铬、银和铬的顺序形成。换句话说,最好,基板6由晶片形成,以及激振电极由最下层由铬制成的多层结构形成。在这种情况下,晶片和铬的粘合性高,以便在基板6上容易地形成引出电极65a和65b。此外,激振电极可以由三层或更多层(多层结构)形成。
此外,在本实施例中,引出电极65a和65b由铬、金和铬按这个顺序形成,或可替代地,例如,可以由铬、银和铬按这个顺序形成。具体地说,最好,导电粘合剂5的材料包括硅酮,以及晶体振动片2的引出电极65a和65b由最上层由铬制成的多层结构形成。在这种情 况下,硅酮和铬的粘合性高,使得导电粘合剂5和引出电极65a和65b容易地粘合在一起。此外,引出电极65a和65b可以由四层或更多层(多层结构)形成。
此外,尽管在本实施例中粘合加强部分7配备在相对侧面67a和67b中,但本发明不局限于此。粘合加强部分7可以只配备在相对侧面67a和67b的任何一个中。
此外,尽管在本实施例中在基板6的宽度方向上相互面对的相对侧面67a和67b沿着Z′轴向在相同方向上形成倾斜,但本发明不局限于此。在基板6的纵向相互面对的相对侧面可以相对于前主面63在相同方向上形成倾斜。此外,所有侧面都可以形成倾斜。在这种情况下,两对相对侧面的每一对相对于前主面63在相同方向上倾斜,以及在每个相对侧面提高粘合强度,使得可以提高整个晶体振动片2与导电粘合剂5的粘合强度。
此外,尽管在本实施例中基板6的相对侧面67a和67b相对于前主面63在相同方向上形成倾斜,但本发明不局限于此。只要基板6的相对侧面67a和67b相对于前主面63形成倾斜以便面向前主面63,基板6的相对侧面67a和67b就可以在任何方向上倾斜。
此外,尽管在本实施例中面向前主面63形成与导电粘合剂5的粘合面,但本发明不局限于此。也可以面向前主面63形成与导电粘合剂5的粘合面的至少一部分。换句话说,可以形成粘合加强部分7的除了与导电粘合剂5的粘合面之外的表面,在除了朝向前主面63之外的方向上面向。
此外,尽管在本实施例中晶体振动片2的粘合加强部分7和基体3通过导电粘合剂5粘合在一起,但本发明不局限于此。至少晶体振动片2的粘合加强部分7和基体3可以通过导电粘合剂5粘合在一起。具体地说,粘合加强部分7和基体3可以通过导电粘合剂5粘合在一起,但晶体振动片2的其它部分也可以与基体3粘合。请注意,在其它部分,可以只进行晶体振动片2与基体3的粘合,但在晶体振动片2的激振电极与基体3的电极垫片之间未必通过导电粘合剂5建立连 接。
此外,本实施例的晶体振动片2的形状不局限于图1的晶体振动片2的形状。例如,如图3所示,可以在每个腿部61a和61b中形成长方形凹槽部分69。
图3的晶体振动片2与图1的晶体振动片2的进一步不同之处在于,粘合加强部分7的形状。图3的粘合加强部分7是切割形成的切口部分。所述切口部分的切口壁面71在基板的宽度方向上在基板6的厚度方向的大致中点处具有突起。因此,与相对侧面67a和67b不同,切口壁面71相对于两个主面63和64具有比Z′轴大的角度。请注意,在图3的晶体振动片2中,切口壁面71形成粘合加强部分7的粘合面。
此外,通过任意改变用于形成图1的粘合加强部分7的蚀刻速率来形成图3的粘合加强部分7。可替代地,可以通过利用掩膜来改变对基板6的每个部分的蚀刻量,来形成图3的粘合加强部分7。进一步,粘合加强部分7可以通过半蚀刻来形成,即,首先从前主面63开始蚀刻,然后从后主面64开始蚀刻。
请注意,粘合加强部分7不局限于通过半蚀刻形成的那种,以及可以通过只从两个主面63和64的任何一个蚀刻来形成粘合加强部分7。
此外,只要形成粘合加强部分7而使得至少与导电粘合剂5的粘合面的一部分面向前主面63,粘合加强部分7不局限于图1和3的形状。例如,粘合加强部分7可以是如图4所示的那种。图4的粘合加强部分7通过与用于形成图3的粘合加强部分7的蚀刻步骤相似的蚀刻步骤形成。
图4(a)的粘合加强部分7是切割形成的切口部分,以及所述切口部分的切口壁面71配备成粘合加强部分7的粘合面。粘合加强部分7相对于前主面63形成大于Z′轴的倾斜,并相对于后主面64形成大于Z′轴的倾斜。
图4(b)的粘合加强部分7是切割形成的切口部分,以及所述切口 部分的切口壁面71配备成粘合加强部分7的粘合面。此外,粘合加强部分7具有阶梯部分72,以及阶梯部分72上面的切口壁面71相对于前主面63形成大于Z′轴的倾斜。此外,阶梯部分72下面的切口壁面71在与Z′轴相同的方向上形成。此外,阶梯部分72具有从前主面63侧到后主面64侧向下倾斜形成的顶面73。
图4(c)的粘合加强部分7是切割形成的切口部分,以及所述切口部分的切口壁面71形成粘合加强部分7的粘合面。此外,在粘合加强部分7中,粘合加强部分7具有两个阶梯部分72,以及切口壁面71在与Z′轴相同的方向上形成。此外,两个阶梯部分72具有在与两个主面63和64相同的方向上形成的顶面73。
图4(d)的粘合加强部分7是穿过基板6的两个主面63和64形成的通孔。通孔的贯通壁面74形成粘合面。此外,形成通孔的贯通角具有与Z′轴向相同的方向。
图4(e)的粘合加强部分7是切割形成的切口部分,以及所述切口部分的切口壁面71形成粘合面。在切口部分的切口壁面71中,在作为边界的基板6的厚度方向的大致中点上面的切口壁面71相对于前主面63倾斜大于Z′轴,而在边界下面的切口壁面71在与Z′轴相同的方向上形成。
图4(f)的粘合加强部分7是切割形成的切口部分,以及所述切口部分的切口壁面71形成粘合面。切口部分的切口壁面71具有弯曲表面。如图4(f)所示,基板6的厚度方向的中间部分具有弯曲突起。
图4(g)的粘合加强部分7是穿过基板6的两个主面63和64形成的通孔,以及所述通孔的贯通壁面74形成粘合面。图4(g)的粘合加强部分7的贯通壁面74在基板6的厚度方向的大致中间部分具有最小直径,以及所述侧面74逐渐变宽,使得在位于通孔的两个主面63和64上的开口端具有最大直径。
图4(h)的粘合加强部分7是穿过基板6的两个主面63和64形成的通孔,以及所述通孔的贯通壁面74形成粘合面。并且,如图4(h)所示,基板6的厚度方向的中部具有弯曲突起,使得通孔在中部具有 最小直径。
图4(i)的粘合加强部分7是在基板6的主面64上形成的带有基面的孔,以及带有基面的孔的壁面74形成粘合面。带有基面的孔的壁面74形成顶点部具有多棱锥形状的多面体,并且,如图4(i)所示,具有形状大致为五边形的断面。
如上所述,在图3、图4(a)、4(b)和4(e)-4(h)的粘合加强部分7中,粘合面相对于两个主面63和64形成大于Z′轴向的倾斜。因此,可以比图1的粘合加强部分7更进一步提高与导电粘合剂5的粘合强度。
如上所述,图4(d)、4(g)和4(h)的粘合加强部分7是穿过基板6的两个主面63和64形成的通孔,以及通孔的贯通壁面74形成粘合面。因此,在导电粘合剂5与通孔的贯通壁面74粘合时可以产生自持力(固着效果)。其结果是,可以提高晶体振动片2通过导电粘合剂5与电极垫片35和36粘合时的粘合强度。
此外,图4(b)和4(c)的粘合加强部分7具有阶梯部分72,以及阶梯部分72包含在粘合面中。因此,在阶梯部分72的顶面73上与导电粘合剂5的粘合可以通过导电粘合剂5将晶体振动片2压在配备在晶体振动片2下面的电极垫片35和36上。
此外,图4(i)的粘合加强部分7是在基板6的主面64上形成的带有基面的孔,以及带有基面的孔的壁面74形成粘合面。因此,在导电粘合剂5与带有基面的孔的壁面74粘合时可以产生自持力(固着效果)。其结果是,可以提高晶体振动片2通过导电粘合剂5与电极垫片35和36粘合时的粘合强度。
此外,图3和4(a)-4(i)的粘合加强部分7具有与图1的粘合加强部分7相似的操作效果。
请注意,与图1(c)的晶体振动片2一样,可以在图4(a)-4(i)的粘合加强部分7的粘合面上配备从引出电极65a和65b延伸出来的延伸电极部分8。因此,与导电粘合剂5的电接触面积增大了,从而可以减小电阻。
接着,参照附图描述另一个实施例。请注意,如下的实施例与上述实施例一样,表示应用本发明的压电振动器件的音叉式晶体振动器(下文称为晶体振动器)。
如图5所示,本实施例的晶体振动器1包含晶体振动片2(如本文使用的压电振动片)、支承晶体振动片2的基体3、和用于密封基体3所支承的晶体振动片2的盖子4。除了晶体振动片2之外的其它部分与上述实施例的那些类似,因此将不再加以描述。
如图5所示,通过蚀刻基板6(由各向异性材料制成的晶片)来形成晶体振动片2。基板6由两个腿部61a和61b(第一腿部和第二腿部)、和基部62组成。两个腿部61a和61b从基部62延伸出来。
此外,在两个腿部61a和61b中,如图5所示,在基板6的相对侧面67b上形成突起71a。突起71a是在形成基板6时蚀刻基板6的两侧而形成的。具体地说,蚀刻基板6,使得穿透基板6。在这种情况下,将贯穿部分的一个侧面蚀刻成一个平面,而将与之相对的另一个侧面蚀刻成具有两个平面的突起。因此,通过进一步蚀刻,使具有两个平面的突起部分较小,从而形成突起71a。
请注意,与上述实施例一样(参见图1),可以进一步蚀刻基板6,使得在基板6的宽度方向上相互面对的相对侧面67a和67b在相对于前主面63的相同方向上形成倾斜平面。
在晶体振动片2的前主面63(如本文使用的另一个主面)上,配备了具有不同电位的两个激振电极(第一激振电极和第二激振电极(未示出))、和从激振电极引出以便将这些激振电极与电极垫片35和36(如本文使用的外部电极)电连接的引出电极65a和65b。引出电极65a和65b以及电极垫片35和36通过导电粘合剂5粘合在一起,使得引出电极65a和65b与电极垫片35和36电连接在一起。
第一激振电极和第二激振电极的结构与上述实施例的那些类似,因此将不再加以描述。
在晶体振动片2的基部62上,如图5(a)所示,在与伸出腿部61a和61b的角相对的角66a和66b上配备了用于提供引出电极65a和65b 的电极形成区。
此外,晶体振动片2在引出电极65a和65b的电极形成区中的相对侧面67a和67b的侧面部分68a和68b中,配有用于加强与导电粘合剂5的粘合并与引出电极65a和65b电连接的粘合加强电极部分7b。
粘合加强电极部分7b是在相对侧面67a和67b中切割形成的切口部分,以及在切口部分的切口壁面71上与导电粘合剂5粘合。形成在与两个主面63和64大致等距的地方突起的切口壁面71。
请注意,粘合加强电极部分7b可以是从电极形成区的相对侧面67a和67b形成并突起的突起部分(未示出),并且可以在突起部分的突起壁面上与导电粘合剂5粘合。具体地说,突起部分通过延伸晶体振动片2的一部分来提供,并具有例如大致长方形的形状。
此外,粘合加强电极部分7b配有从引出电极65a和65b形成并延伸的延伸电极部分8。延伸电极部分8可以在整个切口壁面上形成,或可以在切口壁面71的一部分上形成。与上述方法类似,通过真空汽相淀积或溅射而在晶片K上形成金属薄膜,此后金属蚀刻掉不需要形成电极的部分,来形成延伸电极部分8。
在这个晶体振动片2中,后主面64(如本文中使用的一个主面)、粘合加强电极部分7b的切口壁面71、以及基板的相对侧面67a和67b构成与导电粘合剂5的粘合面。
晶体振动片2的粘合加强电极部分7b和基体3的电极垫片35和36通过导电粘合剂5粘合在一起。此外,关于本实施例的电极粘合,粘合加强电极部分7b的切口壁面71、相对侧面67a和67b以及基部62的基部侧面67c和后主面64、以及基体3的电极垫片35和36通过导电粘合剂5粘合在一起。
如上所述,根据本实施例的晶体振动片2,在基板6上配备了用于引出电极65a和65b的电极形成区;在用于引出电极65a和65b的电极形成区中配备了粘合加强电极部分7b;以及后主面64和粘合加强电极部分7b构成与导电粘合剂5的粘合面。因此,增大了粘合面积,使得提高晶体振动片2通过导电粘合剂5与外部电极粘合时的粘合强 度,从而可以抑制晶体振动片2与导电粘合剂5分开。其结果是,可以抑制配有晶体振动片2的晶体振动器1的频率和CI值(电阻值)的变化量。
此外,由于后主面64和粘合加强电极部分7b构成与导电粘合剂5的粘合面,与导电粘合剂5到达晶体振动片2的前主面63时不同,在晶体振动片2和盖子4之间的间隙中未提供导电粘合剂5,从而可以抑制晶体振动器1的电极短路。此外,由于在晶体振动片2和盖子4之间的间隙中未提供导电粘合剂5,晶体振动片2和盖子4之间的间隙可以被抑制到最小程度,从而可以缩小晶体振动器1的尺寸。
此外,由于在粘合加强电极部分7b中配备了延伸电极部分8,可以增大与导电粘合剂5的电接触面积,从而可以减小电阻。换句话说,通过形成延伸电极部分8,增大了与导电粘合剂5的电接触面积,从而可以减小电阻。另外,由于导电粘合剂5和晶体振动片2的粘合面积得到保证,可以保持粘合强度。
此外,本实施例的晶体振动片2的形状不局限于图1的晶体振动片2的形状。例如,如图3所示,可以在每个腿部61a和61b中形成长方形凹槽部分69。借助于这样的结构,可以有效地利用通过激振电极所供应的电力形成的电场分量,从而可以缩小晶体振动片2的尺寸。
此外,可以像图4所示那样形成切口部分、通孔或带有基面的孔,以及可以在壁面上配备延伸电极部分8用作粘合加强电极部分7b。此外,可以配备从相对侧面67a和67b突起的突起部分作为粘合加强电极部分7b。
借助于这样的结构,通过导电粘合剂5将晶体振动片2压在平面电极垫片35和36上,或在切口壁面71、通孔壁面71等与导电粘合剂5粘合时可以产生自持力(固着效果)。其结果是,可以提高晶体振动片2通过导电粘合剂5与电极垫片35和36粘合时的粘合强度。此外,由于在粘合加强电极部分7b中配备了延伸电极部分8,可以增大与导电粘合剂5的电接触面积,从而可以减小电阻。
在不偏离本发明的精神和本质特性的情况下,可以以其它不同形 式具体化和实践本发明。因此,上述实施例无论从哪个方向都应该认为是例示性的而非限制性的。本发明的范围由所附权利要求书指出,而不是由前面的描述指出。在所附权利要求书的等效范围内的所有改变和修改都包括在其中。
工业可应用性
在本发明中,单晶各向异性材料尤其可用作压电振动片的基板。
Claims (13)
1.一种压电振动片,其中,在基板上配备具有不同电位的激振电极和与激振电极连接以便将激振电极与外部电极电连接的引出电极,并且所述引出电极通过导电粘合剂与外部电极连接,其中,
在所述基板上设立用于提供引出电极的电极形成区,
在引出电极的电极形成区中,在基板的相对侧面中的至少一个中配备用于加强与导电粘合剂的粘合的粘合加强部分,并且所述粘合加强部分是在基板的至少一个相对侧面中切割形成的切口部分,
所述基板的一个主面和切口部分的切口壁面构成与导电粘合剂的粘合面,以及
至少所述切口部分的一部分切口壁面相对于另一个主面形成倾斜,以便面向所述另一个主面。
2.一种压电振动片,其中,在基板上配备具有不同电位的激振电极和与激振电极连接以便将激振电极与外部电极电连接的引出电极,并且所述引出电极通过导电粘合剂与外部电极连接,其中,
在基板上设立用于提供引出电极的电极形成区,
在引出电极的电极形成区中配备用于加强与导电粘合剂的粘合的粘合加强部分,并且所述粘合加强部分是穿过基板的两个主面形成的通孔,
所述基板的一个主面和所述通孔的贯通壁面构成与导电粘合剂的粘合面,以及
所述通孔的全部贯通壁面相对于另一个主面形成倾斜,以便面向所述另一个主面。
3.一种压电振动片,其中,在基板上配备具有不同电位的激振电极和与激振电极连接以便将激振电极与外部电极电连接的引出电极,并且所述引出电极通过导电粘合剂与外部电极连接,其中,
在基板上设立用于提供引出电极的电极形成区,
在基板的一个主面上,在引出电极的电极形成区中配备用于加强与导电粘合剂的粘合的粘合加强部分,并且所述粘合加强部分是在基板的所述一个主面上形成的带有基面的孔,
基板的所述一个主面和带有基面的孔的壁面构成与导电粘合剂的粘合面,以及
带有基面的孔的全部壁面相对于另一个主面形成倾斜,以便面向所述另一个主面。
4.根据权利要求1到3的任何一项所述的压电振动片,其中,在所述粘合加强部分的粘合面上配备了通过延伸引出电极而形成的延伸电极部分。
5.根据权利要求4所述的压电振动片,其中,在所述粘合加强部分的整个粘合面上形成所述延伸电极部分。
6.根据权利要求4所述的压电振动片,其中,在所述粘合加强部分的一部分粘合面上形成所述延伸电极部分。
7.根据权利要求1到3的任何一项所述的压电振动片,其中,通过将基板的一个主面布置成相对于作为电极材料的汽相淀积源倾斜并进行真空汽相淀积,来形成所述电极。
8.根据权利要求1到3的任何一项所述的压电振动片,其中,通过溅射来形成所述电极。
9.根据权利要求1到3的任何一项所述的压电振动片,其中,所述粘合加强部分或粘合加强电极部分具有阶梯部分,并且所述阶梯部分包括在所述粘合面中。
10.根据权利要求1到3的任何一项所述的压电振动片,其中,所述基板由各向异性材料制成。
11.根据权利要求1到3的任何一项所述的压电振动片,其中,所述基板由晶片制成,以及
所述引出电极由最下层由铬制成的多层膜形成。
12.一种压电振动器件,其中,外壳由基体和盖子组成,外壳的内部通过将基体和盖子粘合在一起而被密封,以及
构成外部电极的电极垫片配备在外壳内的基体上,以及根据权利要求1到11的任何一项所述的压电振动片的粘合面通过导电粘合剂与所述电极垫片粘合。
13.根据权利要求12所述的压电振动器件,其中,所述导电粘合剂的材料包括硅酮,以及
所述压电振动片的引出电极由最上层由铬制成的多层膜形成。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP119307/2005 | 2005-04-18 | ||
JP2005119307 | 2005-04-18 | ||
PCT/JP2006/303976 WO2006114936A1 (ja) | 2005-04-18 | 2006-03-02 | 圧電振動片及び圧電振動デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101142742A CN101142742A (zh) | 2008-03-12 |
CN101142742B true CN101142742B (zh) | 2011-06-15 |
Family
ID=37214567
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2006800088815A Expired - Fee Related CN101142742B (zh) | 2005-04-18 | 2006-03-02 | 压电振动片和压电振动器件 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8004157B2 (zh) |
JP (1) | JPWO2006114936A1 (zh) |
CN (1) | CN101142742B (zh) |
WO (1) | WO2006114936A1 (zh) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009239412A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Epson Toyocom Corp | 圧電デバイス |
TW201110275A (en) * | 2009-05-13 | 2011-03-16 | Seiko Instr Inc | Electronic component, manufacturing method for electronic component, and electronic device |
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-
2006
- 2006-03-02 CN CN2006800088815A patent/CN101142742B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-02 WO PCT/JP2006/303976 patent/WO2006114936A1/ja active Application Filing
- 2006-03-02 JP JP2007514483A patent/JPWO2006114936A1/ja active Pending
- 2006-03-02 US US11/885,260 patent/US8004157B2/en not_active Expired - Fee Related
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Title |
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JP特开2001-320297A 2004.11.11 |
JP特开2002-141765A 2002.05.17 |
JP特开2003-60474A 2003.02.28 |
JP特开2004-320297A 2004.11.11 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080265717A1 (en) | 2008-10-30 |
WO2006114936A1 (ja) | 2006-11-02 |
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JPWO2006114936A1 (ja) | 2008-12-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20110615 Termination date: 20190302 |