CN101020818A - 有机发光器件 - Google Patents

有机发光器件 Download PDF

Info

Publication number
CN101020818A
CN101020818A CNA2007100057866A CN200710005786A CN101020818A CN 101020818 A CN101020818 A CN 101020818A CN A2007100057866 A CNA2007100057866 A CN A2007100057866A CN 200710005786 A CN200710005786 A CN 200710005786A CN 101020818 A CN101020818 A CN 101020818A
Authority
CN
China
Prior art keywords
unsubstituted
replace
organic
group
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2007100057866A
Other languages
English (en)
Inventor
李泰雨
田村真一郎
朴钟辰
权五炫
朴俊勇
金武谦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung SDI Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung SDI Co Ltd filed Critical Samsung SDI Co Ltd
Publication of CN101020818A publication Critical patent/CN101020818A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/151—Copolymers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/326—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising gallium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/361—Polynuclear complexes, i.e. complexes comprising two or more metal centers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/621—Aromatic anhydride or imide compounds, e.g. perylene tetra-carboxylic dianhydride or perylene tetracarboxylic di-imide
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

提供一种有机发光器件，该器件在第一电极和发光层之间包括至少一层有机层，其中该有机层包括至少两种有机材料，且从而该有机材料的至少一种通过单溶液工艺由自组织在从第一电极到第二电极的方向上具有浓度梯度。由于该有机层具有在从第一电极到第二电极的方向上具有梯度的功函，所以空穴可从第一电极注入发光层，且由此可获得具有高效率和长寿命的有机发光器件。

Description

有机发光器件
技术领域
本发明涉及有机发光器件，且更具体地，涉及在第一电极和发光层之间包括至少一层有机层的有机发光器件，该有机层包括至少两种有机材料，其中该有机层由自组织通过单溶液工艺形成，且因此该有机材料的至少一种在从第一电极到第二电极的方向上具有通过自组织的浓度梯度。
背景技术
有机发光器件是一种自发光显示器件，该器件采用如下原理：当将电流施加到荧光或磷光有机化合物薄层(此后称为‘有机层’)时，电子和空穴在有机层中结合并因此发光。有机发光器件可制得很轻，由于其简单的元件而容易制造，且可提供宽视角和高质量图像。此外，发光器件可实现完美的移动图像和高色纯度，并且可以在低功率和低电压下操作，且因此适于移动电子设备。
依据形成有机层的材料和工艺，有机发光器件可分类为小分子有机发光器件和聚合物发光器件。
小分子有机发光器件可采用真空沉积法制造。在小分子有机发光器件中，发光材料可容易纯化，可容易地获得高纯度，且可容易地实现彩色像素。尽管小分子有机发光器件具有这些优点，但是对于实际应用仍需要改进，例如量子效率和色纯度以及防止薄层结晶。
自从1990年Cambridge group报道当将电力施加到π-共轭聚合物聚(1，4-亚苯基亚乙烯基)(PPV)时发光后，已对采用聚合物的发光器件进行了积极的研究。π-共轭聚合物具有其中单键(或σ-键)和双键(或π-键)交替的化学结构，且因此具有不定域的可根据键合链相对自由地移动的π-电子。由于π-共轭聚合物的半导电性质，当将π-共轭聚合物应用到电致发光器件的发光层时，采用分子设计可容易地获得对应于HOMO-LUMO带隙的整个区域的光。此外，当使用该π-共轭聚合物时，可采用旋涂或印刷法以简单的方式形成薄膜，这简化器件的制造工艺并降低成本，且由于该π-共轭聚合物具有高玻璃化转变温度，可获得具有优异机械特性的薄膜。因此，在长期运转中预计采用聚合物的EL器件具有比小分子发光器件更大的商业能力。
该聚合物发光器件不但包括单一发光层作为有机层以改善效率和降低驱动电压，而且具有多层结构，该多层包括包括使用导电聚合物的空穴注入层、发光层、电子注入层等。
尤其，当制造发光器件时，聚(3，4-亚乙二氧基噻吩))-PSS(聚(4-苯乙烯-磺酸盐)(PEDOT)溶液被广泛用于旋涂到氧化铟锡(ITO)电极上以形成空穴注入层，该溶液由Bayer AG制造并以名称Baytron-P出售。该空穴注入材料PEDOT-PSS具有下面所示的结构。
然而，PEDOT/PSS组合物具有5.0到5.2的功函，且因此不利于空穴注入，因为在具有最高已占分子轨道(HOMO)值(通常大于5.5eV)的聚芴衍生物和PEDOT/PSS组合物之间的能垒大于0.3eV，这使空穴注入困难。此外，即使合成具有5.5eV或更大的空穴注入层功函的材料(仍没有报道具有5.5eV或更大的空穴注入层功函的材料)，主要在OLED中用作阳极的ITO的功函为4.7到4.9eV。这样在ITO和PEDOT/PSS之间存在能垒，且空穴注入困难。
因此，为了克服ITO电极和发光层的HOMO之间的能垒，需要开发一种新的有机发光器件。
发明内容
本发明提供一种改进的有机发光器件。
本发明还提供一种化合物，其可与共轭化合物用作空穴注入材料或空穴传输材料。
该化合物可由式1表示：
[式1]
Figure A20071000578600171
其中0＜m＜10,000,000，0≤n＜10,000,000，0≤p＜10,000,000，0≤a≤20，0≤b≤20，0≤c≤20；
A、B、A′、B′、A″和B″各自独立地选自C、Si、Ge、Sn和Pb；
R1、R2、R3、R4、R1′、R2′、R3′、R4′、R1″、R2″、R3″和R4″各自独立地选自：氢、卤素、硝基、取代或未取代的氨基、氰基、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30芳烷基、取代或未取代的C6-C30芳氧基、取代或未取代的C1-C30杂烷基、取代或未取代的C1-C30杂烷氧基、取代或未取代的C2-C30杂芳基、取代或未取代的C2-C30杂芳烷基、取代或未取代的C2-C30杂芳氧基、取代或未取代的C5-C20环烷基、取代或未取代的C5-C30杂环烷基、取代或未取代的C1-C30烷基酯基、取代或未取代的C1-C30杂烷基酯基、取代或未取代的C6-C30芳基酯基和取代或未取代的C6-C30杂芳基酯基；
当0＜n＜10,000,000时，R1、R2、R3、R4、R1′、R2′、R3′和R4′的至少一个是氟或氟取代的基团，且R1、R2、R3和R4的至少一个是离子基或包括离子基；
当n＝0时，R1、R2、R3和R4的至少一个是氟或氟取代的基团，且R1、R2、R3和R4的至少一个是离子基或包括离子基；且
X、X′和X″各自独立地选自：键、O、S、取代或未取代的C1-C30亚烷基、取代或未取代的C1-C30杂亚烷基、取代或未取代的C6-C30亚芳基、取代或未取代的C6-C30亚芳烷基、取代或未取代的C2-C30杂亚芳基、取代或未取代的C2-C30杂亚芳烷基、取代或未取代的C5-C20亚环烷基、取代或未取代的C2-C30杂亚环烷基、取代或未取代的C6-C30芳基酯基、和取代或未取代的C6-C30杂芳基酯基，其中X、X′和X″可选择地用氟取代或不取代。
根据本发明的一方面，提供一种有机发光器件，其包括：第一电极；在第一电极上形成的发光层；在发光层上形成的第二电极；以及第一电极和发光层之间的有机层，该有机层包括至少两种有机材料，所述至少两种有机材料的至少一种具有从第一电极到第二电极的方向上的浓度梯度。
该有机层可通过单溶液工艺由自组织形成。
该有机发光器件还可包括第一电极和发光层之间的至少一个另外的有机层，该有机层包括至少一种有机材料，且该另外的有机层的至少一种有机材料在从第一电极到第二电极的方向上没有浓度梯度。
该有机层可以是空穴注入层或空穴传输层。
该有机材料的至少一种可具有在从第一电极到第二电极的方向上降低的浓度。
有机层中的电离能、功函和最高已占分子轨道(HOMO)的绝对值可在从第一电极到第二电极的方向上增加。
有机层可包括共轭化合物和式1表示的化合物：
[式1]
Figure A20071000578600191
其中0＜m＜10,000,000，0≤n＜10,000,000，0≤p＜10,000,000，0≤a≤20，0≤b≤20，0≤c≤20；
A、B、A′、B′、A″和B″各自独立地选自C、Si、Ge、Sn和Pb；
R1、R2、R3、R4、R1′、R2′、R3′、R4′、R1″、R2″、R3″和R4″各自独立地选自：氢、卤素、硝基、取代或未取代的氨基、氰基、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30芳烷基、取代或未取代的C6-C30芳氧基、取代或未取代的C1-C30杂烷基、取代或未取代的C1-C30杂烷氧基、取代或未取代的C2-C30杂芳基、取代或未取代的C2-C30杂芳烷基、取代或未取代的C2-C30杂芳氧基、取代或未取代的C5-C20环烷基、取代或未取代的C5-C30杂环烷基、取代或未取代的C1-C30烷基酯基、取代或未取代的C1-C30杂烷基酯基、取代或未取代的C6-C30芳基酯基和取代或未取代的C6-C30杂芳基酯基；
当0＜n＜10,000,000时，R1、R2、R3、R4、R1′、R2′、R3′、和R4′的至少一个为氟或用氟取代的基团，且R1、R2、R3和R4的至少一个为离子基或包括离子基；
当n＝0时，R1、R2、R3和R4的至少一个为氟或用氟取代的基团，且R1、R2、R3和R4的至少一个为离子基或包括离子基；和
X、X′和X″各自独立地选自：键、O、S、取代或未取代的C1-C30亚烷基、取代或未取代的C1-C30杂亚烷基、取代或未取代的C6-C30亚芳基、取代或未取代的C6-C30亚芳烷基、取代或未取代的C2-C30杂亚芳基、取代或未取代的C2-C30杂亚芳烷基、取代或未取代的C5-C20亚环烷基、取代或未取代的C2-C30杂亚环烷基、取代或未取代的C6-C30芳基酯基、和取代或未取代的C6-C30杂芳基酯基，其中X、X′和X″可选择地用氟取代或不取代。
共轭化合物可以为用离子基取代或未取代的导电化合物，或用离子基取代或未取代的半导电化合物。
共轭化合物和式1表示的化合物的至少一种可在从第一电极到第二电极的方向上具有浓度梯度。
优选地，基于100重量份的共轭化合物，式1表示的化合物可为10到5,000重量份。
有机层还可包括式13表示的化合物：
[式13]
其中0＜q＜10,000,000，0≤r＜10,000,000，0≤s＜10,000,000，0≤d≤20，0≤e≤20，和0≤f≤20；
C、D、C’、D’、C”和D”各自独立地选自：C、Si、Ge、Sn和Pb；
R5、R6、R7、R8、R5′、R6′、R7′、R8′、R5”、R6”、R7”和R8”各自独立地选自：氢、硝基、取代或未取代的氨基、氰基、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30芳烷基、取代或未取代的C6-C30芳氧基、取代或未取代的C1-C30杂烷基、取代或未取代的C1-C30杂烷氧基、取代或未取代的C2-C30杂芳基、取代或未取代的C2-C30杂芳烷基、取代或未取代的C2-C30杂芳氧基、取代或未取代的C5-C20环烷基、取代或未取代的C5-C30杂环烷基、取代或未取代的C1-C30烷基酯基、取代或未取代的C1-C30杂烷基酯基、取代或未取代的C6-C30芳基酯基和取代或未取代的C6-C30杂芳基酯基，且取代基团的取代基不为氟；
R6、R7、R8、R9、R6′、R7′、R8′和R9′的至少一个为离子基或包括离子基；和
Y、Y’和Y”各自独立地选自：键、O、S、取代或未取代的C1-C30亚烷基、取代或未取代的C1-C30杂亚烷基、取代或未取代的C6-C30亚芳基、取代或未取代的C6-C30亚芳烷基、取代或未取代的C2-C30杂亚芳基、取代或未取代的C2-C30杂亚芳烷基、取代或未取代的C5-C20亚环烷基、取代或未取代的C2-C30杂亚环烷基、取代或未取代的C6-C30芳基酯基和取代或未取代的C6-C30杂芳基酯基，且取代基团的取代基不为氟。
根据本发明的一个方面，提供一种有机发光器件，该器件包括：基底；基底上的第一电极；在第一电极上形成的发光层；在发光层上形成的第二电极；和插入在第一电极和发光层之间的有机层，该有机层包括共轭化合物和式1表示的化合物，该共轭化合物和式1表示的化合物的至少一种在从第一电极到第二电极的方向上具有浓度梯度。
附图说明
通过参考下面的详细描述并结合附图更好地理解了本发明时，对本发明更全面的理解和其许多伴随的优点将变得显而易见，相同的附图标记表示相同或相似的部件，其中：
图1A到1D是根据本发明的实施方案的有机发光器件的横截面图；
图2A和2B是说明通过根据本发明实施方案的对比试样A和试样3的X-射线光电子光谱法的有机发光器件薄膜分析的结果的图；
图3分别说明传统的有机发光器件和根据本发明实施方案的有机发光器件的能量图；
图4是说明根据本发明实施方案的有机发光器件效率特性的图；
图5是说明根据本发明另一实施方案的有机发光器件效率特性的图；和
图6是说明根据本发明实施方案的有机发光器件的寿命的图。
具体实施方式
现在将更详细地描述本发明。
根据本发明实施方案的有机发光器件包括至少一个有机层，该有机层在第一电极和发光层之间包括至少两种有机材料且由自组织通过单溶液工艺形成，其中该有机材料的至少一种因此具有在从第一电极到第二电极的方向上具有增加梯度的浓度，且因此空穴可从第一电极注入到发光层中。这样，可获得具有高效率和长寿命的有机发光器件。
根据本发明实施方案的有机发光器件包括：在基底上形成的第一电极；在第一电极上形成的发光层；和在发光层上形成的第二电极，其中包括至少两种有机材料的至少一个有机层在第一电极和发光层之间形成，且通过单溶液工艺由自组织形成，其中该有机材料的至少一种在从第一电极到第二电极的方向上具有浓度梯度。
此外，根据本发明当前实施方案的有机发光器件还可包括至少一个另外的有机层，该有机层包括至少一种有机材料且在第一电极和发光层之间形成，其中该有机材料在从第一电极到第二电极的方向上不具有浓度梯度。即，如上所述具有浓度梯度的至少一个有机层在第一电极上形成，且由无浓度梯度的传统的有机材料形成的至少一个另外有机层可在第一电极上形成。
该有机层为选自在有机发光器件中的空穴注入层和空穴传输层之中的至少一个，且以平衡的方式采用发光聚合物有效地注入空穴以改善有机EL器件的发光强度和效率。
该有机层包括至少两种有机材料，其中一种具有在从第一电极到第二电极的方向上增加或降低的浓度。
结果，当在从第一电极到第二电极的方向上浓度增加的有机材料具有与其它有机材料相比更高的电离能、功函和HOMO的绝对值时，有机层本身的电离能、功函和HOMO在从第一电极到第二电极的方向上增加。
该有机层通过单溶液工艺由自组织形成，且因此包括在有机层中的至少一种有机材料具有在从第一电极到第二电极的方向上的浓度梯度。
用于形成有机层的单溶液工艺指的是这样的工艺，例如，其中将至少一种有机材料溶解或分散在预定溶剂中并涂布到预定基底上，然后干燥和/或热处理。
该溶剂向如前所述的有机材料提供预定粘度。不限制该溶剂的种类，只要该溶剂可溶解或分散有机材料。该溶剂的实例包括水、醇、甲苯、二甲苯、氯苯、氯仿、二氯乙烷、二甲基甲酰胺、二甲亚砜等，但不限于此。
然后采用传统的涂布方法诸如旋涂、浸涂、喷射印刷、喷墨印刷、喷嘴印刷等将包含有机材料的溶液涂布到预定的基底上，但不限于此。然后，干燥和/或热处理涂层以完成有机层的形成。
不限制用于形成在有机层中的一种有机材料以具有浓度梯度的方法。示范性方法利用有机材料对各溶剂的溶解度之间的差异。
即，当采用单一溶剂制造溶液，在该溶剂中至少两种有机材料具有不同的溶解度，然后涂布该溶液并去除其溶剂以形成有机层时，具有较低溶解度的有机材料不能在有机层中均匀分布，且因此在向有机层的下部的方向上或在向上部的方向上有机材料的浓度增加。然而，具有较高溶解度的有机材料通常可以均匀分布。
此外，当其中至少两种有机材料具有不同溶解度的至少两种溶剂混合使用时，溶剂的互溶性降低，使溶剂相分离。因此主要溶解在各个溶剂中的各个有机材料分布不同，且因此在通过去除溶剂形成的有机层的高度方向上具有浓度梯度。
例如，当亲水有机材料和疏水有机材料溶解在亲水溶剂和疏水溶剂的混合溶剂中时，该亲水溶剂溶解亲水有机材料，且疏水溶剂溶解疏水有机材料，使得溶剂也相分离。结果，通过去除混合溶剂获得的有机层具有浓度分布。即，从有机层的下部到上部，该亲水有机材料和疏水有机材料在有机层中具有不同的浓度分布。
作为另一个实例，由碳氟化合物形成的材料和由烃形成的材料彼此具有低亲和力。然而，将具有亲水性的碳氟化合物材料(例如，全氟化离聚物)和具有亲水性的烃材料(例如，聚苯乙烯磺酸盐离聚物)溶解在亲水溶剂(水、醇、二甲基甲酰胺等)中。然而，当通过溶液工艺去除该溶液时，与含有亲水性的烃的材料相比，含有亲水性的碳氟化合物的材料可能主要通过自组织集中在表面处，因此获得浓度梯度。
此外，当使用具有不同表面能的至少两种有机材料时，具有较低表面能的材料在溶液工艺中易于到表面，该有机材料的至少一种在有机层中可具有浓度梯度。
此外，当使用具有不同分子量的至少两种有机材料时，由于具有较小分子量的材料比具有较高分子量的材料具有更大的溶解度和更快的链段运动的迁移率，且因此当通过溶液工艺和热处理形成薄膜时具有升高到表面的特性，该有机材料的至少一种在有机层中可具有浓度梯度。
然而，形成有机材料的浓度梯度的方法不限于此。
由于有机材料的浓度梯度的形成，所以具有功函、电离能和HOMO的高绝对值的有机材料的浓度在从第一电极到第二电极的方向上，即，向着发光层方向增加。结果，在第一电极和发光层之间可不生成任何大能垒而携带空穴，且因此驱动电压降低且有机发光器件的使用寿命增加。
该有机层含有共轭化合物和式1表示的化合物：
[式1]
Figure A20071000578600241
其中0＜m＜10,000,000，0≤n＜10,000,000，0≤p＜10,000,000，0≤a≤20，0≤b≤20，0≤c≤20；
A、B、A′、B′、A″和B″各自独立地选自C、Si、Ge、Sn和Pb；
R1、R2、R3、R4、R1′、R2′、R3′、R4′、R1″、R2″、R3″和R4″各自独立地选自：氢、卤素、硝基、取代或未取代的氨基、氰基、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30芳烷基、取代或未取代的C6-C30芳氧基、取代或未取代的C1-C30杂烷基、取代或未取代的C1-C30杂烷氧基、取代或未取代的C2-C30杂芳基、取代或未取代的C2-C30杂芳烷基、取代或未取代的C2-C30杂芳氧基、取代或未取代的C5-C20环烷基、取代或未取代的C5-C30杂环烷基、取代或未取代的C1-C30烷基酯基、取代或未取代的C1-C30杂烷基酯基、取代或未取代的C6-C30芳基酯基和取代或未取代的C6-C30杂芳基酯基；
当n＞0时，R1、R2、R3、R4、R1′、R2′、R3′和R4′的至少一个为氟或用氟取代的基团，和R1、R2、R3和R4的至少一个为离子基或包括离子基；
当n＝0时，R1、R2、R3和R4的至少一个为氟或用氟取代的基团，和R1、R2、R3和R4的至少一个为离子基或包括离子基；和
X、X′和X″各自独立地选自：键、O、S、取代或未取代的C1-C30亚烷基、取代或未取代的C1-C30杂亚烷基、取代或未取代的C6-C30亚芳基、取代或未取代的C6-C30亚芳烷基、取代或未取代的C2-C30杂亚芳基、取代或未取代的C2-C30杂亚芳烷基、取代或未取代的C5-C20亚环烷基、取代或未取代的C2-C30杂亚环烷基、取代或未取代的C6-C30芳基酯基和取代或未取代的C6-C30杂芳基酯基，其中X、X′和X″可选择地用氟取代或不取代。
式1表示的化合物包括至少一个离子基，且离子基可以相同或不同。
当0＜p＜10,000,000时，本发明的第一掺杂剂具有含不含有离子基的非离子单体的共聚结构，因此导电聚合物中离子基的含量在合适的范围内降低，且结果，通过与电子的反应分解的残基的量可降低。在此，非离子共聚单体的含量优选为0.1到99摩尔％(即，0.001＜p/(m+n+p)＜0.99)，更优选1到50摩尔％(即，0.01＜p/(m+n+p)＜0.5)。当共聚单体的含量小于0.1摩尔％时，共聚单体不能起到非离子基的作用，当该共聚单体的含量大于99摩尔％时，离子基少，且因此不能起到掺杂剂的作用。
当m＞0，n＝0，p＝0时，本发明的式1既不包括非离子单体也不处于共聚。
当m＞0，n＞0，p＝0时，本发明的式1具有不包括非离子单体的共聚结构。
如上所述，式1中的R1、R2、R3、R4、R1′、R2′、R3′和R4′的至少一个氢可由离子基取代或离子基自身可直接由B或B’取代。该离子基由阴离子基团和阳离子基团构成。阴离子基团的实例可以为PO3 2-、SO3 -、COO-、I-、CH3COO-等等，且与阴离子基团配对的阳离子基团的实例可以为金属离子诸如Na+、K+、Li+、Mg+2、Zn+2和Al+3或有机离子诸如H+、NH4 +和CH3(-CH2-)nO+(n为0到50的整数)。
此外，当有至少两种阳离子基团时，式1优选具有在每个单体内具有不同酸度的离子基，例如，当R1、R2、R3的一个为PO3 2-时，R1′、R2′、R3′和R4′的一个可被选自SO3 -、COO-、I-、CH3COO-的离子基取代。当R1、R2、R3为SO3 -时，R1′、R2′、R3′和R4′的一个可被选自COO-、I-和CH3COO-的离子基取代。
共轭化合物指的是用离子基取代或未取代的导电化合物，或用离子基取代或未取代的半导电化合物。
该导电化合物可选自由亚乙二氧基噻吩(EDOT)、苯胺、吡咯、乙炔、亚苯基、亚苯基亚乙烯基、噻吩构成的聚合物、及其低聚物和聚合物衍生物。
此外，该半导电化合物优选具有式1A到1AA表示的重复单元中的至少一种和1到10,000,000的聚合度。
[式1A]
Figure A20071000578600261
[式1B]
Figure A20071000578600262
[式1C]
[式1D]
Figure A20071000578600264
[式1E]
Figure A20071000578600265
[式1F]
Figure A20071000578600266
[式1G]
Figure A20071000578600267
[式1H]
Figure A20071000578600271
[式1I]
Figure A20071000578600272
[式1J]
Figure A20071000578600273
[式1K]
Figure A20071000578600274
[式1L]
[式1M]
Figure A20071000578600276
[式1N]
Figure A20071000578600277
[式1O]
Figure A20071000578600281
[式1P]
Figure A20071000578600282
[式1Q]
Figure A20071000578600283
[式1R]
Figure A20071000578600284
[式1S]
Figure A20071000578600285
[式1T]
Figure A20071000578600286
[式1U]
Figure A20071000578600287
[式1V]
Figure A20071000578600291
[式IW]
Figure A20071000578600292
[式1X]
[式1Y]
Figure A20071000578600294
[式1Z]
Figure A20071000578600295
[式1AA]
Figure A20071000578600296
其中Ra1、Ra2、Ra3和Ra4各自为离子基、氢、取代或未取代的C1-C12烷基、取代或未取代的C1-C12烷氧基、取代或未取代的C6-C20芳基或-N(R′)(R″)(R′和R″各自为氢或取代或未取代的C1-12烷基)。
当该共轭化合物被由阴离子基和阳离子基组成的离子基取代时，该阴离子基可以为PO3 2-、SO3 -、COO-、I-或CH3COO-，且阳离子基(即，阴离子基的反离子)可以为金属离子诸如Na+、K+、Li+、Mg+2、Zn+2和Al+3；或有机离子诸如H+、NH4 +和CH3(-CH2-)nO+(n为1到50的自然数)。
根据本发明的实施方案，在本发明式1表示的化合物中，m＝1，n＝0和p＝0，且式1表示的化合物为碳氟聚合物，且更优选为全氟化的化合物。
优选地，本发明中式1表示的化合物的实例包括式2到12表示的化合物：
【式2】
其中m为1到10,000,000，且x和y各自为0到10，M+为Na+、K+、Li+、H+、CH3(CH2)nNH3 +(n为0到50的整数)、NH4 +、NH2 +、NHSO2CF3 +、CHO+、C2H5OH+、CH3OH+或RCHO+(R为烷基，即，CH3(CH2)n -；n为0到50的整数)。
【式3】
Figure A20071000578600302
其中m为1到10,000,000。
【式4】
其中0＜m≤10,000,000，0≤n＜10,000,000，且x和y各自为0到20，M+为Na+、K+、Li+、H+、CH3(CH2)nNH3 +(n为0到50的整数)、NH4 +、NH2 +、NHSO2CF3 +、CHO+、C2H5OH+、CH3OH+或RCHO+(R为烷基，即，CH3(CH2)n -；n为0到50的整数)。
【式5】
Figure A20071000578600304
其中0＜m≤10,000,000，0≤n＜10,000,000，且x和y各自为0到20，M+为Na+、K+、Li+、H+、CH3(CH2)nNH3 +(n为0到50的整数)、NH4 +、NH2 +、NHSO2CF3 +、CHO+、C2H5OH+、CH3OH+或RCHO+(R为烷基，即，CH3(CH2)n -；n为0到50的整数)。
【式6】
Figure A20071000578600311
其中0＜m≤10,000,000，0≤n＜10,000,000，z为0到20的整数，M+为Na+、K+、Li+、H+、CH3(CH2)nNH3 +(n为0到50的整数)、NH4 +、NH2 +、NHSO2CF3 +、CHO+、C2H5OH+、CH3OH+或RCHO+(R为烷基，即，CH3(CH2)n -；n为0到50的整数)。
【式7】
其中0＜m≤10,000,000，0≤n＜10,000,000，且x和y各自为0到20，Y为选自-COO-M+、-SO3 -NHSO2CF3 +和-PO3 2-(M+)2之一，M+为Na+、K+、Li+、H+、CH3(CH2)nNH3 +(n为0到50的整数)、NH4 +、NH2 +、NHSO2CF3 +、CHO+、C2H5OH+、CH3OH+或RCHO+(R为烷基，即，CH3(CH2)n -；n为0到50的整数)。
【式8】
Figure A20071000578600313
其中0＜m≤10,000,000，0≤n＜10,000,000，且x和y各自为0到20，M+为Na+、K+、Li+、H+、CH3(CH2)nNH3 +(n为0到50的整数)、NH4 +、NH2 +、NHSO2CF3 +、CHO+、C2H5OH+、CH3OH+或RCHO+(R为烷基，即，CH3(CH2)n -；n为0到50的整数)。
【式9】
Figure A20071000578600321
其中0＜m≤10,000,000，0≤n＜10,000,000，且x和y各自为0到20，M+为Na+、K+、Li+、H+、CH3(CH2)nNH3 +(n为0到50的整数)、NH4 +、NH2 +、NHSO2CF3 +、CHO+、C2H5OH+、CH3OH+或RCHO+(R为烷基，即，CH3(CH2)n -；n为0到50的整数)。
【式10】
Figure A20071000578600322
其中0≤m＜10,000,000，0＜n≤10,000,000，Rf＝-(CF2)z-(z为1或3到50的整数)，-(CF2CF2O)zCF2CF2-(z为1到50的整数)，-(CF2CF2CF2O)zCF2CF2-(z为1到50的整数)，M+为Na+、K+、Li+、H+、CH3(CH2)nNH3 +(n为0到50的整数)、NH4 +、NH2 +、NHSO2CF3 +、CHO+、C2H5OH+、CH3OH+或RCHO+(R为烷基，即，CH3(CH2)n -；n为0到50的整数)。
【式11】
其中0≤m＜10,000,000，0＜n≤10,000,000，x和y各自为0到20，Y为选自-SO3 -M+、-COO-M+、-SO3 -NHSO2CF3+和-PO3 2-(M+)2之一，M+为Na+、K+、Li+、H+、CH3(CH2)nNH3 +(n为0到50的整数)、NH4 +、NH2 +、NHSO2CF3 +、CHO+、C2H5OH+、CH3OH+或RCHO+(R为烷基，即，CH3(CH2)n -；n为0到50的整数)。
[式12]
Figure A20071000578600331
其中0≤m＜10,000,000，0＜n≤10,000,000，M+为Na+、K+、Li+、H+、CH3(CH2)nNH3 +(n为0到50的整数)、NH4 +、NH2 +、NHSO2CF3 +、CHO+、C2H5OH+、CH3OH+或RCHO+(R为烷基，即，CH3(CH2)n -；n为0到50的整数)。
基于100重量份共轭化合物，本发明有机层中式1表示的化合物的含量优选为10到5,000重量份，优选100到3,000重量份。当该化合物的含量小于10重量份时，式1表示的化合物的含量不足以形成浓度梯度，且当该化合物的含量大于5,000重量份时，共轭聚合物的含量不足以形成浓度梯度。
如上所述，当包括共轭化合物和式1表示的化合物的该有机层通过单溶液工艺由自组织形成时，式1表示的该化合物与共轭化合物不具有好的互溶性，因为式1表示的化合物用至少一个氟原子取代，且因此与共轭化合物相比具有疏水性或低表面能。因此，共轭化合物和式1表示的化合物的至少一种在第一电极到第二电极的方向上可具有浓度梯度，和更优选地，式1表示的化合物的浓度在从第一电极到第二电极的方向上增加。
本发明当前实施方案的有机层还可包括式13表示的化合物：
[式13]
Figure A20071000578600332
其中0＜q＜10,000,000，0≤r＜10,000,000，0≤s＜10,000,000，0≤d≤20，0≤e≤20和0≤f≤20；
C、D、C’、D’、C”和D”各自独立地选自C、Si、Ge、Sn和Pb；
R5、R6、R7、R8、R5′、R6′、R7′、R8′、R5”、R6”、R7”和R8”各自独立地选自：氢、硝基、取代或未取代的氨基、氰基、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30芳烷基、取代或未取代的C6-C30芳氧基、取代或未取代的C1-C30杂烷基、取代或未取代的C1-C30杂烷氧基、取代或未取代的C2-C30杂芳基、取代或未取代的C2-C30杂芳烷基、取代或未取代的C2-C30杂芳氧基、取代或未取代的C5-C20环烷基、取代或未取代的C5-C30杂环烷基、取代或未取代的C1-C30烷基酯基、取代或未取代的C1-C30杂烷基酯基、取代或未取代的C6-C30芳基酯基和取代或未取代的C6-C30杂芳基酯基，且如果取代，不用氟取代(即，取代基团的取代基不是氟)；
R6、R7、R8、R9、R6′、R7′、R8′和R9′的至少一个为离子基或包括离子基；以及
Y、Y’和Y”各自独立地选自：键、O、S、取代或未取代的C1-C30亚烷基、取代或未取代的C1-C30杂亚烷基、取代或未取代的C6-C30亚芳基、取代或未取代的C6-C30亚芳烷基、取代或未取代的C2-C30杂亚芳基、取代或未取代的C2-C30杂亚芳烷基、取代或未取代的C5-C20亚环烷基、取代或未取代的C2-C30杂亚环烷基、取代或未取代的C6-C30芳基酯基和取代或未取代的C6-C30杂芳基酯基，且如果取代，不用氟取代(即，取代基团的取代基不是氟)。
式13的离子基的实例包括选自PO3 2-、SO3 -、COO-、I-、CH3COO-的阴离子基团和阳离子基团，该阳离子基团选自金属离子诸如Na+、K+、Li+、Mg+2、Zn+2和Al+3和有机离子诸如H+、NH4 +和CH3(-CH2-)nO+(n为1到50的自然数)，且与阴离子基团形成对。
在根据本发明当前实施方案的有机层中，基于100重量份的共轭化合物，式13表示的化合物含量可以为10到5,000重量份，优选100到3,000重量份。当该量小于10重量份时，式13的添加没有效果，且当该量大于5,000重量份时，导电性迅速降低。
如上所述，包括共轭化合物、式1表示的化合物和式13表示的化合物的有机层通过单溶液工艺由自组织形成，且结果，式1和式13表示的化合物的至少一种可具有在从第一电极到第二电极的方向上增加的浓度梯度，且更优选式1表示的化合物的浓度在从第一电极到第二电极的方向上增加。
这是因为式1表示的化合物用至少一个氟原子取代，且因此与式13表示的化合物相比具有低表面能和降低的互溶性。
具体地，式13表示的化合物的实例包括式14到16：
[式14]
Figure A20071000578600351
其中0＜q≤10,000,000，0≤r＜10,000,000，M+为Na+、K+、Li+、H+、CH3(CH2)nNH3 +(n为0到50的整数)、NH4 +、NH2 +、NHSO2CF3 +、CHO+、C2H5OH+、CH3OH+或RCHO+(R为烷基，即，CH3(CH2)n -；n为0到50的整数)。
[式15]
Figure A20071000578600352
其中0＜q≤10,000,000，0≤r＜10,000,000，M+为Na+、K+、Li+、H+、CH3(CH2)nNH3 +(n为0到50的整数)、NH4 +、NH2 +、NHSO2CF3 +、CHO+、C2H5OH+、CH3OH+或RCHO+(R为烷基，即，CH3(CH2)n -；n为0到50的整数)。
[式16]
Figure A20071000578600353
其中0＜q≤10,000,000，0≤r＜10,000,000，0≤s＜10,000,000，M+为Na+、K+、Li+、H+、CH3(CH2)nNH3 +(n为0到50的整数)、NH4 +、NH2 +、NHSO2CF3 +、CHO+、C2H5OH+、CH3OH+或RCHO+(R为烷基，即，CH3(CH2)n -；n为0到50的整数)。
作为用于本发明的取代基之一的未取代的烷基是直链或支链的，且可包括甲基、乙基、丙基、异丁基、仲-丁基、叔-丁基、戊基、异-戊基、己基，且烷基中包括的至少一个氢原子可用以下基团取代：卤素原子、羟基、硝基、氰基、取代或未取代的氨基(-NH2、-NH(R)、-N(R′)(R″)，R′和R″各自为C1-C10烷基)、脒基、肼、或腙基、羧基、磺酸基、磷酸基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C1-C20烯基、C1-C20炔基、C1-C20杂烷基、C6-C20芳基、C6-C20芳烷基、C6-C20杂芳基、或C6-C20杂芳烷基。
用于本发明的杂烷基指的是烷基主链内的至少一个碳原子，优选，C1-C5碳原子由诸如氧原子、硫原子、氮原子、磷原子等的杂原子取代。
用于本发明的芳基指的是包括至少一个芳香环的碳环芳族体系，且该环采用悬垂方法(pendant method)结合在一起或稠合。芳基的实例包括芳香基，诸如苯基、萘基、四氢萘基等等，且在芳基中至少一个氢原子也可用如烷基的情况的相同的取代基取代。
用于本发明的作为取代基的杂芳基指的是C5-C30环状芳香系，其包括选自N、O、P和S的一到三个杂原子，其中环的其余原子为C，且环采用悬垂法结合在一起或稠合。在杂芳基中的多个氢原子中的至少一个可用如烷基的情况的相同的取代基来取代。
作为用于本发明的取代基之一的烷氧基是指基团-O-烷基，且烷基是如上所述定义的。烷氧基的实例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丁氧基、仲-丁氧基、戊氧基、异戊氧基、己氧基等等，且在烷氧基中的至少一个氢原子可如烷基的情况的相同的取代基取代。
除了烷基链中可存在O、S或N之外，作为用于本发明的取代基之一的杂烷氧基基本上与烷氧基相同。杂烷氧基的实例包括CH3CH2OCH2CH2O-、C4H9OCH2CH2OCH2CH2O-和CH3O(CH2CH2O)nH。
作为用于本发明的取代基之一的芳烷基是指如上所述限定的芳基，其中部分氢原子用基团如甲基、乙基、丙基等取代。芳烷基的实例为苄基、苯乙基等。在芳烷基中的至少一个氢原子可用如烷基的情况的相同的取代基取代。
用于本发明的杂芳烷基指的是杂芳基，其中部分氢原子用低级烷基取代，且杂芳烷基中的杂芳基如上所述定义。在杂芳烷基中的至少一个氢原子可用相同的取代基取代。
用于本发明的芳氧基指的是基团-O-芳基，且芳基如上所述定义的。芳氧基的实例包括苯氧基、萘氧基、蒽氧基、菲氧基、芴氧基、茚氧基等等，且芳氧基中至少一个氢原子用与烷基的情况中相同的取代基取代。
用于本发明的杂芳氧基指的是基团-O-杂芳基，且杂芳基如上所述限定。
杂芳氧基的实例包括苄氧基、苯乙氧基等等，且杂芳氧基中至少一个氢原子可用如烷基的情况的相同取代基取代。
用于本发明中的环烷基指的是C5-C30单价单环体系。环烷基中的至少一个氢原子可用如烷基的情况的相同取代基取代。
用于本发明的杂环烷基指的是C5-30单价单环体系，其包括选自N、O、P和S的一个或三个杂原子，其中环的其余为C原子。环烷基中的至少一个氢原子可用如烷基的情况的相同取代基取代。
用于本发明的烷基酯基指的是官能团，该官能团中烷基和酯基结合，且烷基如上所述限定。
用于本发明的杂烷基酯基指的是官能团，该官能团中杂烷基和酯基结合，且杂烷基如上所述限定。
用于本发明中的芳基酯基指的是官能团，该官能团中芳基和酯基结合，且芳基如上所述限定。
用于本发明中的杂芳基酯基指的是官能团，该官能团中杂芳基和酯基结合，且杂芳基如上所述限定。
用于本发明中的氨基指的是-NH2、-NH(R)或-N(R′)(R″)，且R′和R″各自为C1-C10烷基。
用于本发明中的卤素可以为氟、氯、溴、碘或砹，优选氟。
此外，该有机层还可包括物理和/或化学交联剂以改善共轭化合物与式1和/或13表示的化合物的交联能力。
物理交联剂交联聚合物链而不用化学键合，且可以为小分子化合物或包括羟基(-OH)的聚合物。小分子化合物的实例包括甘油和丁醇，聚合物的实例包括聚乙烯醇、聚乙烯基苯酚、聚乙二醇等等。也可使用聚乙烯亚胺、聚乙烯吡咯烷酮等。
基于100重量份用于形成有机层的有机材料溶液，物理交联剂的含量优选0.001到5重量份，更优选0.1到3重量份。当物理交联剂的含量小于0.001重量份时，该物理交联剂不能有效地交联，而当物理交联剂的含量大于5重量份时，有机层的薄膜形态不令人满意。
此外，该化学交联剂是化学材料，该化学材料化学地交联，可原位聚合并可形成互穿聚合物网络。该化学交联剂的实例包括硅烷材料诸如四乙氧基硅烷(TEOS)。也可使用聚氮丙啶、密胺、环氧材料等。
基于100重量份用于形成有机层的有机材料溶液，该化学交联剂的含量可以为0.001到50重量份，优选1到10重量份。当该化学交联剂的含量小于0.001重量份时，该化学交联剂不能有效地交联，和当该化学交联剂的含量大于50重量份时，有机层的导电性迅速降低。
根据本发明当前实施方案的有机层还可包括金属纳米颗粒。该金属纳米颗粒可改善有机层的导电性。
优选地，该金属纳米颗粒可以为选自Au、Ag、Cu、Pd和Pt纳米颗粒的至少一种金属纳米颗粒。该金属纳米颗粒可优选具有5到20nm的平均直径。当该金属纳米颗粒的平均直径小于5nm时，该纳米颗粒容易聚集在一起，而当该金属纳米颗粒的平均直径大于20nm时，不能控制有机层的表面平整度。
此外，本发明的有机层还可包括无机纳米颗粒。当形成包括有机纳米颗粒的有机层时，在有机层中分散无机纳米颗粒以促进共轭化合物之间的网络内的导电性或强化网络。
优选地，无机纳米颗粒可以是选自SiO2和TiO2纳米颗粒的至少一种无机纳米颗粒。无机纳米颗粒可优选具有5到100nm的平均直径。当该无机纳米颗粒的直径小于5nm时，该纳米颗粒容易聚集在一起，而当该无机纳米颗粒的直径大于100nm时，不能控制薄膜的表面平整度。
在下文中，根据本发明实施方案，将描述采用包括本发明有机材料的有机层的有机发光器件，及其制造方法。
图1A到1D说明根据本发明的实施方案的有机发光器件的层状结构。
在图1A中的有机发光器件中，发光层12堆积在第一电极10上，包括本发明的有机材料的空穴注入层(HIL)11(也称为“缓冲层”)堆积在第一电极10和发光层12之间，空穴阻挡层(HBL)13堆积在发光层12上，且第二电极14形成在HBL13上。
除了在发光层12上形成电子传输层(ETL)15代替HBL13之外，图1B中的有机发光器件具有与图1A相同的层状结构。
除了在发光层12上用其中HBL13和ETL15顺序堆积的双层薄膜代替HBL13之外，图1C的有机发光器件具有与图1A相同的层状结构。
除了在空穴注入层11和发光层12之间进一步形成空穴传输层16，图1D的有机发光器件具有与图1C相同的层状结构。该空穴传输层16抑制杂质从空穴注入层11渗透到发光层12中。
具有如上所述的图1A到1D的层状结构的有机发光器件可采用普通方法制造，且不具体限制该方法。
在下文中，将描述根据本发明的实施方案制造有机发光器件的方法。
首先，图案化的第一电极10在基底(未示出)上形成。该基底可以为用于传统的有机发光器件的基底，例如，玻璃基底或透明塑料基底，具有平整表面，可容易地处理且防水。基底的厚度可以为0.3到1.1mm。
不限制形成第一电极10的材料。当第一电极10为阳极时，该阳极由导电金属或其氧化物形成，利用该材料空穴可容易地注入，且该材料的实例包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、镍(Ni)、铂(Pt)、金(Au)、铱(Ir)等等。
将其上形成第一电极10的基底清洗，且然后用臭氧处理。有机溶剂诸如去离子(DI)水、丙酮和异丙醇(IPA)可用于清洗基底。
包括本发明的有机材料的空穴注入层11在清洗基底的第一电极10上形成。当形成该空穴注入层11时，在第一电极10和发光层12之间的接触电阻降低，且对于发光层12的空穴注入和传输能力改善，由此通常改善有机发光器件的驱动电压和有机发光器件的寿命。
不限制形成空穴注入层11的材料。形成空穴注入层11的材料的实例括铜酞菁(CuPc)，星爆型胺诸如TCTA，m-MTDATA，HI406(从IdemitsuCorporation可购得)，可溶导电聚合物，诸如聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)或聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)，聚苯胺/樟脑磺酸基(Pani/CSA)或(聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)等。
Figure A20071000578600401
该空穴注入层11通过在第一电极10上旋涂通过将有机材料溶解在溶剂中制备的用于形成空穴注入层的组合物，且然后干燥组合物而形成。用于形成空穴注入层的组合物为采用有机溶剂如水、醇、二甲基甲酰胺和二甲亚砜二氯乙烷等以0.5到10重量％的比例稀释本发明的有机材料制备的溶液。
可使用任何可溶解有机材料的材料，且该溶剂的实例为有机溶剂如水，醇，二甲基甲酰胺(DMF)，甲苯，二甲苯，氯苯等等。
空穴注入层11的厚度可为5到1,000nm，优选10到100nm。根据本发明当前实施方案的空穴注入层11的厚度可以为50nm。当空穴注入层11的厚度小于5nm时，其太薄而不能适当地注入空穴，而当空穴注入层11的厚度大于1,000nm时，透光度降低。
发光层12在空穴注入层11上形成。不限制形成发光层12的材料。形成发光层12的材料的实例包括作为蓝色材料的二唑二聚体染料(Bis-DAPOXP)、螺环化合物(Spiro-DPVBi，Spiro-6P)、三芳基胺化合物、双(苯乙烯基)胺(DPVBi、DSA)、化合物(A)、双[2-(4，6-二氟苯基)吡啶合(pyridinato)-N，C2′]铱吡啶甲酸盐(Flrpic)、CzTT、蒽、1，1，4，4-四苯基-1，3-丁二烯(TPB)、1，2，3，4，5-五苯基-1，3-环戊二烯(PPCP)、DST、TPA、OXD-4、BBOT、AZM-Zn等等，作为绿色材料的香豆素6、C545T、喹吖啶酮、三(2-苯基吡啶)-铱(Ir(ppy)3)等，和作为红色材料的DCM1、DCM2、Eu(噻吩甲酰三氟丙酮)3(Eu(TTA)3)、丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛尼定基-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB)等。此外，聚合物发光材料的实例包括聚合物如亚苯基、亚苯基亚乙烯基、噻吩、芴和螺-芴-基聚合物和含氮的芳香化合物，但不限于此。
Figure A20071000578600411
Figure A20071000578600421
化合物(A)
Figure A20071000578600431
发光层12的厚度可以为10nm到500nm，优选50nm到120nm。在此，蓝色发光层的厚度可以为70nm。当发光层12的厚度小于10nm时，漏电流增加，因此降低效率，而当发光层12的厚度大于500nm时，通过更大的单元有机发光器件的驱动电压增加。
有时，可进一步添加掺杂剂到用于形成发光层12的材料中。掺杂剂的含量可根据用于形成发光层12的材料改变，但基于100重量份用于形成发光层12的材料(基质和掺杂剂的总重量)，可以为1到80重量份。如果掺杂剂的含量在上述范围外，有机发光器件的发光降低。掺杂剂的实例包括芳基胺，peryl化合物，吡咯化合物，腙化合物，咔唑化合物，芪化合物，星爆化合物，二唑化合物等等。
空穴传输层16可任选地在空穴注入层11和发光层12之间形成。
不限制形成空穴传输层16的材料，且可以为包括选自传输空穴的咔唑基和/或具有芳基胺的化合物、酞菁化合物和苯并菲衍生物的至少一种的材料。具体地，该空穴传输层16可由选自以下的至少一种化合物形成：1，3，5-三-咔唑基苯、4，4′-双咔唑基联苯、聚乙烯基咔唑、M-双咔唑基苯基、4，4′-双咔唑基-2，2′-二甲基联苯、4，4′，4″-三(N-咔唑基)三苯基胺、1，3，5-三(2-咔唑基苯基)苯、1，3，5-三(2-咔唑基-5-甲氧基苯基)苯、双(4-咔唑基苯基)硅烷、N，N′-双(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-[1，1-联苯基]-4，4′二胺(TPD)、N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基联苯胺(a-NPD)、N，N′-二苯基-N，N′-双(1-萘基)-(1，1＇联苯基)-4，4′-二胺(NPB)、IDE 320(Idemitsu Corporation)、聚(9，9-二辛基芴-共-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)、和聚(9，9-二辛基芴-共-双-N，N-苯基-1，4-亚苯基二胺(聚(9，9-二辛基芴-共-双-(4-丁基苯基-双-N，N-苯基-1，4-亚苯基二胺)(PFB)，但不限于此。
Figure A20071000578600441
该空穴传输层16具有1到100nm的厚度，优选5到50nm。根据本发明当前实施方案，空穴传输层16的厚度优选小于30nm。当该空穴传输层16的厚度小于1nm时，它太薄且因此空穴传输能力降低。当该空穴传输层16的厚度大于100nm时，有机发光器件驱动电压可增加。
在OLED领域中，一种材料可用于形成空穴注入层或空穴传输层，且因此很难通过材料的结构限定材料的功能。在其中诸如PEDOT和PANI的导电共聚物用有机酸(举例来说，PSS)掺杂的组合物的情况中，在ITO上沉积该组合物，且这样该材料通常称为空穴注入层，但是因为该材料同时具有好的空穴注入和传输特性，研究人员有时根据它们的惯例和器件结构称其为空穴传输层。例如，CuPc沉积在ITO上且不具有大的空穴传输能力，且因为需要额外的传输层，因此主要用作空穴注入层。当芳基胺材料沉积在ITO上，尽管具有好的空穴传输特性，且考虑到ITO的功函和发光层的HOMO值，它们对于空穴注入是有优势的，因此称其为空穴注入层，当额外地将优异的空穴传输层沉积在空穴注入层的顶部上时，通常称其为空穴传输层。
采用沉积或旋涂法在发光层12上形成空穴阻挡层13和/或电子传输层15。在此，该空穴阻挡层13阻挡在荧光材料中生成的激子向电子传输层15移动或阻挡空穴移动到电子传输层15。
形成空穴阻挡层13的材料的实例包括下式表示的菲咯啉化合物(例子：BCP，从UDC购得)、咪唑化合物、三唑化合物、二唑化合物(例子：PBD)、铝络合物(从UDC购得)、铝(III)双(2-甲基-8-喹啉合)4-苯基苯酚盐(BAlq)。
Figure A20071000578600451
包括菲咯啉的有机化合物
Figure A20071000578600452
包括咪唑的有机化合物
Figure A20071000578600453
包括三唑的有机化合物
Figure A20071000578600454
二唑化合物
Figure A20071000578600461
用于形成电子传输层15的材料的实例包括唑化合物、异唑化合物、三唑化合物、异噻唑化合物、二唑化合物、噻重氮化合物、二萘嵌苯化合物、铝络合物(Alq3(三(8-喹啉醇合)-铝)、BAlq、SAlq、Almq3、镓络合物(例如，Gaq′2OPiv、Gaq′2OAc、2(Gaq′2))等等。
二萘嵌苯化合物
Figure A20071000578600463
Figure A20071000578600471
空穴阻挡层13的厚度可以为5nm到100nm，电子传输层15的厚度可以为5nm到100nm。当该空穴阻挡层13和电子传输层15的厚度在这些范围之外时，空穴阻挡能力和电子传输能力不理想。
然后第二电极14在得到的组合物上形成，并封装以完成根据本发明当前实施方案的有机发光器件的形成。
不限制用于形成第二电极14的材料，且可使用具有低功函的金属，即，Li、Cs、Ba、Ca、Ca/Al、LiF/Ca、LiF/Al、BaF2/Ca、Mg、Ag、Al、其合金或其多层结构。第二电极14的厚度可以为50到3,000。
不用特别的设备或方法可制造根据本发明当前实施方案的有机发光器件，且可采用传统的方法制造。
在下文中，参见下面的实施例将更详细地描述本发明。然而，这些实施例不意在限制本发明的范围。
制造实施例1：有机材料溶液的制造
1)式14(聚苯乙烯磺酸盐：PSS)的合成
具有230,000的重均分子量(数均分子量140,000)的聚苯乙烯可从Sigma-Aldrich Co.购买到。该聚苯乙烯的磺化采用乙酰硫酸盐(酯)作为磺化剂在1，2-二氯乙烷溶剂中在50度下进行。磺酸盐聚合物通过汽提获得，并在真空炉中在60度下干燥两天以去除残留的溶剂。聚合物的磺酸盐的量对应于聚苯乙烯主链的95摩尔％。
2)共轭化合物(PEDOT)/PSS的合成
然后在水中溶解合成的PSS，并共轭化合物PEDOT在水、甲醇或DMF中聚合，如在采用已公开的公知的合成方法[Greonendaal等AdvancedMaterials，Vol.12，p481，2000]的这种介质的状态中，以获得PEDOT/PSS。
3)式5(PFI)的合成
从Sigma-Aldrich Co.购得具有式5结构并且以5重量％溶解在4.5∶5.5的水和醇(2-丙醇)的混合溶剂中的化合物(PFI)。
4)有机材料溶液的制备
然后100重量份的PEDOT、600重量份的PSS和158.5重量份的PFI混合在水和醇(水∶醇＝60∶40)的混合溶液中，即，溶剂中至1.35重量％以制备有机材料溶液。
制造实施例2：有机材料溶液的制备
除了添加317重量份式5(PFI)之外，如制造实施例1制备有机材料溶液。
制造实施例3：有机材料溶液的制备
除了添加634.1重量份式5(PFI)之外，如制造实施例1制备有机材料溶液。
制造实施例4：有机材料溶液的制备
除了添加1268.1重量份式5(PFI)之外，如制造实施例1制备有机材料溶液。
制造实施例5：有机材料溶液的制备
除了添加2536.2重量份式5(PFI)之外，如制造实施例1制备有机材料溶液。
对比制造例：有机材料溶液的制备
除了不添加式5(PFI)之外，如制造实施例1制备有机材料溶液。
制造实施例3到5以及对比制造例的有机材料溶液的功函采用表面分析仪(Model AC2，购自Riken Keiki Co.，Ltd)在空气氛围中测量，且下表1示出结果。
表1
有机材料溶液的功函评估
试样     PEDOT∶PSS∶PFI(重量份) 功函(eV)(AC2)
  对比制造例     100∶600∶0    5.20
  制造实施例1     100∶600∶158.5    5.55
  制造实施例2     100∶600∶317    5.63
  制造实施例3     100∶600∶634.1    5.72
  制造实施例4     100∶600∶1268.1    5.79
  制造实施例5     100∶600∶2536.2    5.95
从表1可以看出，当PFI，即，式5的含量增加时，有机材料的功函增加，且结果，获得具有高功函(5.55到5.95eV)的溶液。
此外，在表2中，比较了杂氟化碳磺酸以及烃磺酸的偶极矩、电离电位(IP)和去质子化能量。
即，当对磺酸进行去质子化时，杂氟化碳磺酸内计算的IP水平小于相应的杂烃酸。这是因为氟原子的电子吸收使氟碳分子比相应的碳氢更难氧化。因此很明显，具有氟碳磺酸的聚合物如PFI具有比聚苯乙烯磺酸低的IP水平。
表2
采用密度-泛函理论计算(采用Gaussian 98程序)获得的端基的计算偶极矩、电离电位(IP)和去质子化能量(DP)。
端基   偶极(中性)(德拜)   偶极(去质子化)(德拜) IP(eV) DP(kcal/mol)
   CH2CH2SO3H   3.395   4.935   -8.287    336.3
   CH3-O-CH2CH2SO3H   2.681   8.154   -7.424    332.8
   (CH3)2CH-O-CH2-(CH3)CH-O-CH2CH2SO3H 3.807 19.522 -6.943 332.6
   CF2CF2SO3H   2.800   6.248   -9.316    316.0
   CF3-O-CF2CF2SO3H   2.578   10.107   -9.248    314.4
   (CF3)2CF-O-CF2-(CF3)CF-O-CF2CF2SO3H 2.719 21.940 -9.264 314.3
   Ph-SO3H   4.361   8.116   -7.549    332.5
   (CH3)2CH-Ph-SO3H   3.950   13.310   -7.252    333.3
*Ph＝苯基
从表1和表2可以看出，由于PFI本身具有的低IP水平(即，在远离真空水平的方向上的绝对增加)，当PFI的含量增加时，PEDOT/PSS/PFI的有机材料溶液的功函增加。
实施例1
将Corning的15Ω/cm2(150nm)的ITO玻璃基底切成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，且在中性洗涤剂水溶液、纯水和异丙醇中各自清洗15分钟，然后利用UV臭氧清洗15分钟。
将制造实施例1获得的1.35重量％的有机材料溶液旋涂到基底上以形成空穴注入层至60nm厚度。
将红色发光聚合物(LUMATION RP158，购自Sumimoto Corporation)用甲苯溶解至1.2重量％在空穴注入层上以形成80nm厚度的发光层，然后在发光层上形成3.5nm的Ba和200nm的Al作为第二电极以完成有机发光器件的形成。在此制造的有机发光器件称为试样1。
实施例2
除了使用制造实施例2获得的有机材料溶液作为空穴注入层形成材料之外，以与实施例1相同的方式制造有机发光器件。在此制造的有机发光器件称为试样2。
实施例3
除了使用制造实施例3获得的有机材料溶液作为空穴注入层形成材料之外，以与实施例1相同的方式制造有机发光器件。在此制造的有机发光器件称为试样3。
对比例1
除了使用H.C.Starck的Barton P Al 4083的PEDOT/PSS水溶液作为空穴注入层形成材料之外，以与实施例1相同的方式制造有机发光器件。在此制造的有机发光器件称为对比试样A。
实施例4
除了使用氧化铟锌(IZO，功函：5.1eV)代替ITO(功函：4.9eV)，和使用绿色聚合物材料(LUMATION Green K2，购自Sumitomo)溶液之外，以与实施例3相同的方式制造有机发光器件。在此制造的有机发光器件称为试样4。
对比例2
除了使用H.C.Starck的Barton P Al 4083的PEDOT/PSS水溶液作为空穴注入层形成材料之外，以与实施例4相同的方式制造有机发光器件。在此制造的有机发光器件称为对比试样B。
为了分析薄膜深度方向上的组合物的组成，通过X-射线光电子能谱法的测量分析对比试样A和试样3的薄膜。图2A和2B说明了深度方向上分子元素的组成，其通过S2p光谱的拟合来获得。通过从S2P光谱提取诸如PEDOT，磺酸，砜和硫化物等等的组成进行组成分析，且对于含有PFI组分的试样，为了分析CF2组成额外地进行C1s分析。将S2p光谱中169eV处的双峰分配作为磺酸(-SO3H)，且在168.4和168.9eV处的组分分配作为PSS-盐形式和PSSH。在166.6eV处有很小的峰，并将该部分分配作为砜(-SO2-)峰以达到令人满意的拟合。
对比试样A仅由PEDOT和PSS形成，且PSS保留在宽范围的表面上，但是然后突然降低，且示出平坦的分布直到22分钟溅射的时间(见图2A)。然而，在试样3中，PFI(-CF2-峰)很多地在表面上分布，且当溅射时间经过时，示出减少的分布(见图2B)。因此，明显PFI具有从薄膜表面到薄膜底部的浓度梯度。该浓度梯度导致薄膜的功函(电离能或HOMO绝对值)的梯度。
结果，在有机发光器件中朝着在第一电极上形成的有机层的表面PFI的含量逐渐增加，且功函的值从底部到表面增加。
图3说明有机发光器件的能量图，其中对比了分别由PEDOT/PSS形成的传统的空穴注入层和由本发明的PEDOT/PSS/PFI形成的空穴注入层。从PEDOT/PSS/PFI形成的有机发光器件可看出，当空穴注入层的功函逐渐增加时，尽管ITO电极和发光层之间具有高能垒，但是空穴可有效注入。
评估实施例1-效率特性评估I
采用分光辐射谱仪SpectraScan PR 650测量试样1、2、3和对比试样A的效率。结果示于图4中。图4是说明根据试样1、2、3和对比试样A制造的有机发光器件的效率特性的图。
试样1示出约2.0cd/A的效率，试样2示出2.05cd/A以及试样3示出2.5cd/A和对比试样A示出约1.75cd/A。因此，效率改善约14到43％。
因此，明显包括由本发明的有机材料溶液形成的空穴注入层的有机发光器件具有优异的发光效率。
评估实施例2-效率特性评估II
采用分光辐射谱仪SpectraScan PR 650测量试样4和对比试样B的效率。结果示于图5中。图5是说明根据试样4和对比试样B制造的有机发光器件的效率特性的图。
试样4示出20.8cd/A的效率，而对比试样B示出约9.8cd/A的效率。因此，效率改善约210％。
因此，明显包括由本发明的有机材料溶液形成的空穴注入层的有机发光器件具有优异的发光效率。
评估实施例3-寿命评估
测量试样4和对比试样B的寿命。采用光电二极管通过测量根据时间的亮度测量寿命，且可由当初始亮度降低到50％时的时间表示。结果示于图6中。图6是说明根据试样4和对比试样B制造的有机发光器件的寿命的图。
试样4在1,000cd/m2初始亮度下具有2680小时寿命，而对比试样B，它具有52小时的寿命。因此很明显，与传统的有机发光器件相比，本发明的有机发光器件的寿命增加约5,000％或更大。
因此，如上所述，传统的PEDOT/PSS导电聚合物组合物具有5.0到5.2eV的低功函，而PEDOT/PSS/PFI组合物具有很高的功函(5.55到5.95eV)。这样，当设计导电薄层，使得导电聚合物PEDOT/PSS/PFI组合物的PFI浓度选择性地从ITO电极到发光层增加，空穴可有效地从电极注入到发光层。因此，有机发光器件的发光效率可大幅增加。
此外，由于PFI没示出酸度，且主要集中在表面，其可有效阻挡In和Sn从ITO电极移动到发光层，由于作为强酸的PSS的存在，侵蚀ITO电极。飞行时间次级离子质谱法(SIMS)示出In和Sn的含量降低到小于1/10。因此，可改善有机发光器件的寿命。
结果，可改善有机发光器件的寿命和亮度效率。
本发明的有机发光器件包括有机层，其功函、电离能或HOMO的绝对值具有逐渐增加梯度，由此促进空穴从第一电极注入到发光层，且因此可获得具有高效率和长寿命的有机发光器件。
尽管已经参见其示范性实施方案具体示出和描述了本发明，本领域普通技术人员应该理解，在不脱离由所附权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下，在形式和细节上可作出各种改变。

Claims (31)

1.一种有机发光器件，其包括：
第一电极；
在该第一电极上形成的发光层；
在该发光层上形成的第二电极；和
插入在该第一电极和该发光层之间的有机层，该有机层包括至少两种有机材料，所述至少两种有机材料的至少一种在从第一电极到第二电极的方向上具有浓度梯度。
2.权利要求1的有机发光器件，还包括在该第一电极和该发光层之间的包括至少一种有机材料的至少一个另外的有机层，且所述至少一个另外的有机层的至少一种有机材料在从第一电极到第二电极的方向上没有浓度梯度。
3.权利要求1的有机发光器件，其中该有机层为空穴注入层或空穴传输层。
4.权利要求1的有机发光器件，其中所述至少两种有机材料的至少一种在从第一电极到第二电极的方向上具有降低的浓度梯度。
5.权利要求1的有机发光器件，其中该有机层中的电离能、功函和最高已占分子轨道(HOMO)的绝对值在从第一电极到第二电极的方向上增加。
6.权利要求1的有机发光器件，其中该有机层通过单溶液工艺由自组织形成。
7.权利要求6的有机发光器件，其中该单溶液工艺包括在溶剂中溶解所述至少两种有机材料，将所述溶剂中的至少两种有机材料涂布到第一电极上，干燥涂布的有机材料，和热处理干燥的有机材料。
8.权利要求1的有机发光器件，其中该有机层包括共轭化合物和式1表示的化合物：
Figure A2007100057860002C1
其中0＜m＜10,000,000，0≤n＜10,000,000，0≤p＜10,000,000，0≤a≤20，0≤b≤20，0≤c≤20；
A、B、A′、B′、A″和B″各自独立地选自C、Si、Ge、Sn和Pb；
R1、R2、R3、R4、R1′、R2′、R3′、R4′、R1″、R2″、R3″和R4″各自独立地选自：氢、卤素、硝基、取代或未取代的氨基、氰基、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30芳烷基、取代或未取代的C6-C30芳氧基、取代或未取代的C1-C30杂烷基、取代或未取代的C1-C30杂烷氧基、取代或未取代的C2-C30杂芳基、取代或未取代的C2-C30杂芳烷基、取代或未取代的C2-C30杂芳氧基、取代或未取代的C5-C20环烷基、取代或未取代的C5-C30杂环烷基、取代或未取代的C1-C30烷基酯基、取代或未取代的C1-C30杂烷基酯基、取代或未取代的C6-C30芳基酯基和取代或未取代的C6-C30杂芳基酯基；
当n＞0时，R1、R2、R3、R4、R1′、R2′、R3′和R4′的至少一个为氟或用氟取代的基团，和R1、R2、R3和R4的至少一个为离子基或包括离子基；
当n＝0时，R1、R2、R3和R4的至少一个为氟或用氟取代的基团，和R1、R2、R3和R4的至少一个为离子基或包括离子基；和
X、X′和X″各自独立地选自：键、O、S、取代或未取代的C1-C30亚烷基、取代或未取代的C1-C30杂亚烷基、取代或未取代的C6-C30亚芳基、取代或未取代的C6-C30亚芳烷基、取代或未取代的C2-C30杂亚芳基、取代或未取代的C2-C30杂亚芳烷基、取代或未取代的C5-C20亚环烷基、取代或未取代的C2-C30杂亚环烷基、取代或未取代的C6-C30芳基酯基和取代或未取代的C6-C30杂芳基酯基，其中X，X′和X″可选择地用氟取代或不取代。
9.权利要求8的有机发光器件，其中该共轭化合物是用离子基取代或未取代的导电化合物，或用离子基取代或未取代的半导电化合物。
10.权利要求9的有机发光器件，其中该导电化合物选自：由亚乙二氧基噻吩(EDOT)、苯胺、吡咯、乙炔、亚苯基、亚苯基亚乙烯基、噻吩构成的聚合物、和其衍生物的低聚物和聚合物。
11.权利要求9的有机发光器件，其中该半导电化合物具有式1A到1AA表示的至少一种重复单元，且具有1到10,000,000的聚合度：
Figure A2007100057860004C1
Figure A2007100057860005C1
Figure A2007100057860006C1
其中Ra1、Ra2、Ra3和Ra4各自为离子基、氢、取代或未取代的C1-C12烷基、取代或未取代的C1-C12烷氧基、取代或未取代的C6-C20芳基或-N(R′)(R″)，其中R′和R″各自为氢或取代或未取代的C1-C12烷基。
12.权利要求8的有机发光器件，其中该共轭化合物和式1表示的化合物的至少一种在从第一电极到第二电极的方向上具有浓度梯度。
13.权利要求8的有机发光器件，其中在有机层中式1表示的化合物的浓度在从第一电极到第二电极的方向上增加。
14.权利要求8的有机发光器件，其中基于100重量份的共轭化合物，式1表示的化合物为10到5,000重量份。
15.权利要求8的有机发光器件，其中该离子基包括阴离子基团和与阴离子基团配对的阳离子基团，该阴离子基团为PO3 2-、SO3 -、COO-、I-或CH3COO-，该阳离子基团为选自Na+、K+、Li+、Mg+2、Zn+2和Al+3的金属离子；或选自H+、NH4 +和CH3(-CH2-)nO+的有机离子，其中n为1到50的自然数。
16.权利要求8的有机发光器件，其中在式1表示的化合物中，m＝1，n＝0和p＝0，且式1表示的化合物为碳氟聚合物。
17.权利要求8的有机发光器件，其中式1表示的化合物为全氟化的化合物。
18.权利要求8的有机发光器件，其中式1表示的化合物由式2到12表示：
Figure A2007100057860007C2
其中m为1到10,000,000，x和y各自为0到10，M+为Na+、K+、Li+、H+、其中n为0到50的整数的CH3(CH2)nNH3 +、NH4 +、NH2 +、NHSO2CF3 +、CHO+、C2H5OH+、CH3OH+或其中R为其中n为0到50的整数的CH3(CH2)n -的RCHO+；
Figure A2007100057860008C1
其中m为1到10,000,000；
Figure A2007100057860008C2
其中0＜m≤10,000,000，0≤n＜10,000,000，x和y各自为0到20，M+为Na+、K+、Li+、H+、其中n为0到50的整数的CH3(CH2)nNH3 +、NH4 +、NH2 +、NHSO2CF3 +、CHO+、C2H5OH+、CH3OH+或其中R为其中n为0到50的整数的CH3(CH2)n -的RCHO+；
Figure A2007100057860008C3
其中0＜m≤10,000,000，0≤n＜10,000,000，x和y各自为0到20，M+为Na+、K+、Li+、H+、其中n为0到50的整数的CH3(CH2)nNH3 +、NH4 +、NH2 +、NHSO2CF3 +、CHO+、C2H5OH+、CH3OH+或其中R为其中n为0到50的整数的CH3(CH2)n -的RCHO+；
Figure A2007100057860008C4
其中0＜m≤10,000,000，0≤n＜10,000,000，z为0到20的整数，M+为Na+、K+、Li+、H+、其中n为0到50的整数的CH3(CH2)nNH3 +、NH4 +、NH2 +、NHSO2CF3 +、CHO+、C2H5OH+、CH3OH+或其中R为其中n为0到50的整数的CH3(CH2)n -的RCHO+；
Figure A2007100057860008C5
其中0＜m≤10,000,000，0≤n＜10,000,000，x和y各自为0到20，Y为选自-COO-M+、-SO3 -NHSO2CF3 +和-PO3 2-(M+)2之一，M+是Na+、K+、Li+、H+、其中n为0到50的整数的CH3(CH2)nNH3 +、NH4 +、NH2 +、NHSO2CF3 +、CHO+、C2H5OH+、CH3OH+或其中R为其中n为0到50的整数的CH3(CH2)n -的RCHO+；
Figure A2007100057860009C1
其中0＜m≤10,000,000，0≤n＜10,000,000，x和y各自为0到20，M+为Na+、K+、Li+、H+、其中n为0到50的整数的CH3(CH2)nNH3 +、NH4 +、NH2 +、NHSO2CF3 +、CHO+、C2H5OH+、CH3OH+或其中R为其中n为0到50的整数的CH3(CH2)n -的RCHO+；
Figure A2007100057860009C2
其中0＜m≤10,000,000，0≤n＜10,000,000，x和y各自为0到20，M+为Na+、K+、Li+、H+、其中n为0到50的整数的CH3(CH2)nNH3 +、NH4 +、NH2 +、NHSO2CF3 +、CHO+、C2H5OH+、CH3OH+或其中R为其中n为0到50的整数的CH3(CH2)n -的RCHO+；
Figure A2007100057860009C3
其中0≤m＜10,000,000，0＜n≤10,000,000，Rf＝其中z为1或3到50的整数的-(CF2)z-、其中z为1到50的整数的-(CF2CF2O)zCF2CF2-、其中z为1到50的整数的-(CF2CF2CF2O)zCF2CF2-，M+为Na+、K+、Li+、H+、其中n为0到50的整数的CH3(CH2)nNH3 +、NH4 +、NH2 +、NHSO2CF3 +、CHO+、C2H5OH+、CH3OH+或其中R为其中n为0到50的整数的CH3(CH2)n -的RCHO+；
Figure A2007100057860010C1
其中0≤m＜10,000,000，0＜n≤10,000,000，x和y各自为0到20，Y为选自-SO3 -M+、-COO-M+、-SO3 -NHSO2CF3+和-PO3 2-(M+)2之一，M+为Na+、K+、Li+、H+、其中n为0到50的整数的CH3(CH2)nNH3 +、NH4 +、NH2 +、NHSO2CF3 +、CHO+、C2H5OH+、CH3OH+或其中R为其中n为0到50的整数的CH3(CH2)n -的RCHO+；和
Figure A2007100057860010C2
其中0≤m＜10,000,000，0＜n≤10,000,000，M+为Na+、K+、Li+、H+、其中n为0到50的整数的CH3(CH2)nNH3 +、NH4 +、NH2 +、NHSO2CF3 +、CHO+、C2H5OH+、CH3OH+或其中R为其中n为0到50的整数的CH3(CH2)n -的RCHO+。
19.权利要求8的有机发光器件，其中该有机层还包括式13表示的化合物：
Figure A2007100057860010C3
其中0＜q＜10,000,000，0≤r＜10,000,000，0≤s＜10,000,000，0≤d≤20，0≤e≤20和0≤f≤20；
C、D、C’、D’、C”和D”各自独立地选自C、Si、Ge、Sn和Pb；
R5、R6、R7、R8、R5′、R6′、R7′、R8′、R5”、R6”、R7”和R8”各自独立地选自：氢、硝基、取代或未取代的氨基、氰基、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30芳烷基、取代或未取代的C6-C30芳氧基、取代或未取代的C1-C30杂烷基、取代或未取代的C1-C30杂烷氧基、取代或未取代的C2-C30杂芳基、取代或未取代的C2-C30杂芳烷基、取代或未取代的C2-C30杂芳氧基、取代或未取代的C5-C20环烷基、取代或未取代的C5-C30杂环烷基、取代或未取代的C1-C30烷基酯基、取代或未取代的C1-C30杂烷基酯基、取代或未取代的C6-C30芳基酯基和取代或未取代的C6-C30杂芳基酯基，且该取代基团的取代基不为氟；
R6、R7、R8、R9、R6′、R7′、R8′和R9′的至少一个为离子基或包括离子基；和
Y、Y’和Y”各自独立地选自：键、O、S、取代或未取代的C1-C30亚烷基、取代或未取代的C1-C30杂亚烷基、取代或未取代的C6-C30亚芳基、取代或未取代的C6-C30亚芳烷基、取代或未取代的C2-C30杂亚芳基、取代或未取代的C2-C30杂亚芳烷基、取代或未取代的C5-C20亚环烷基、取代或未取代的C2-C30杂亚环烷基、取代或未取代的C6-C30芳基酯基和取代或未取代的C6-C30杂芳基酯基，且该取代基团的取代基不为氟。
20.权利要求19的有机发光器件，其中式1表示的化合物和式13表示的化合物的至少一种在从第一电极到第二电极的方向上具有浓度梯度。
21.权利要求19的有机发光器件，其中式13表示的化合物的浓度在从第一电极到第二电极的方向上降低。
22.权利要求19的有机发光器件，其中基于100重量份的共轭化合物，式13表示的化合物为10到5,000重量份。
23.权利要求19的有机发光器件，其中该离子基包括阴离子基团和与阴离子基团配对的阳离子基团，该阴离子基团选自PO3 2-、SO3 -、COO-、I-和CH3COO-，该阳离子基团为选自Na+、K+、Li+、Mg+2、Zn+2和Al+3的金属离子；或选自H+、NH4 +和CH3(-CH2-)nO+的有机离子，其中n为1到50的自然数。
24.权利要求19的有机发光器件，其中式13表示的化合物是式14到16之一：
Figure A2007100057860011C1
其中0＜q≤10,000,000，0≤r＜10,000,000，M+为Na+、K+、Li+、H+、其中n为0到50的整数的CH3(CH2)nNH3 +、NH4 +、NH2 +、NHSO2CF3 +、CHO+、C2H5OH+、CH3OH+或其中R为其中n为0到50的整数的CH3(CH2)n -的RCHO+；
Figure A2007100057860012C1
其中0＜q≤10,000,000，0≤r＜10,000,000，M+为Na+、K+、Li+、H+、其中n为0到50的整数的CH3(CH2)nNH3 +、NH4 +、NH2 +、NHSO2CF3 +、CHO+、C2H5OH+、CH3OH+或其中R为其中n为0到50的整数的CH3(CH2)n -的RCHO+；和
Figure A2007100057860012C2
其中0＜q≤10,000,000，0≤r＜10,000,000，0≤s＜10,000,000，M+为Na+、K+、Li+、H+、其中n为0到50的整数的CH3(CH2)nNH3 +、NH4 +、NH2 +、NHSO2CF3 +、CHO+、C2H5OH+、CH3OH+和其中R为其中n为0到50的整数的CH3(CH2)n -的RCHO+。
25.权利要求8的有机发光器件，其中该有机层还包括物理交联剂和化学交联剂的至少一种。
26.权利要求25的有机发光器件，其中该物理交联剂包括选自甘油、丁醇的小分子化合物、聚乙烯醇、聚乙二醇、聚乙烯亚胺和聚乙烯吡咯烷酮，以及包括羟基(-OH)的聚合物的至少一种，化学交联剂选自四乙氧基硅烷(TEOS)、聚氮丙啶、密胺材料和环氧材料。
27.权利要求8的有机发光器件，其中该有机层还包括金属纳米颗粒和无机纳米颗粒的至少一种。
28.权利要求1的有机发光器件，在第一电极和第二电极之间还包括空穴阻挡层、电子阻挡层、电子传输层和电子注入层。
29.一种式1表示的化合物：
其中0＜m＜10,000,000，0≤n＜10,000,000，0≤p＜10,000,000，0≤a≤20，0≤b≤20，0≤c≤20；
A、B、A′、B′、A″和B″各自独立地选自C、Si、Ge、Sn和Pb；
R1、R2、R3、R4、R1′、R2′、R3′、R4′、R1″、R2″、R3″和R4″各自独立地选自：氢、卤素、硝基、取代或未取代的氨基、氰基、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30芳烷基、取代或未取代的C6-C30芳氧基、取代或未取代的C1-C30杂烷基、取代或未取代的C1-C30杂烷氧基、取代或未取代的C2-C30杂芳基、取代或未取代的C2-C30杂芳烷基、取代或未取代的C2-C30杂芳氧基、取代或未取代的C5-C20环烷基、取代或未取代的C5-C30杂环烷基、取代或未取代的C1-C30烷基酯基、取代或未取代的C1-C30杂烷基酯基、取代或未取代的C6-C30芳基酯基和取代或未取代的C6-C30杂芳基酯基；
当n＞0时，R1、R2、R3、R4、R1′、R2′、R3′和R4′的至少一个为氟或用氟取代的基团，和R1、R2、R3和R4的至少一个为离子基或包括离子基；
当n＝0时，R1、R2、R3和R4的至少一个为氟或用氟取代的基团，和R1、R2、R3和R4的至少一个为离子基或包括离子基；和
X、X′和X″各自独立地选自：键、O、S、取代或未取代的C1-C30亚烷基、取代或未取代的C1-C30杂亚烷基、取代或未取代的C6-C30亚芳基、取代或未取代的C6-C30亚芳烷基、取代或未取代的C2-C30杂亚芳基、取代或未取代的C2-C30杂亚芳烷基、取代或未取代的C5-C20亚环烷基、取代或未取代的C2-C30杂亚环烷基、取代或未取代的C6-C30芳基酯基和取代或未取代的C6-C30杂芳基酯基，其中X、X′和X″可选择地用氟取代或不取代。
30.权利要求29的化合物，其中该化合物如权利要求16-18之一所限定的。
31.一种有机发光器件，其包括：
基底；
在该基底上的第一电极；
在该第一电极上形成的发光层；
在该发光层上形成的第二电极；和
插入在该第一电极和该发光层之间的有机层，该有机层包括共轭化合物和式1表示的化合物，该有机层通过单溶液工艺由自组织形成，该共轭化合物和式1表示的化合物的至少一种在从第一电极到第二电极的方向上具有浓度梯度：
Figure A2007100057860014C1
其中0＜m＜10,000,000，0≤n＜10,000,000，0≤p＜10,000,000，0≤a≤20，0≤b≤20，0≤c≤20；
A、B、A′、B′、A″和B″各自独立地选自C、Si、Ge、Sn和Pb；
R1、R2、R3、R4、R1′、R2′、R3′、R4′、R1″、R2″、R3″和R4″各自独立地选自：氢、卤素、硝基、取代或未取代的氨基、氰基、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30芳烷基、取代或未取代的C6-C30芳氧基、取代或未取代的C1-C30杂烷基、取代或未取代的C1-C30杂烷氧基、取代或未取代的C2-C30杂芳基、取代或未取代的C2-C30杂芳烷基、取代或未取代的C2-C30杂芳氧基、取代或未取代的C5-C20环烷基、取代或未取代的C5-C30杂环烷基、取代或未取代的C1-C30烷基酯基、取代或未取代的C1-C30杂烷基酯基、取代或未取代的C6-C30芳基酯基和取代或未取代的C6-C30杂芳基酯基；
当n＞0时，R1、R2、R3、R4、R1′、R2′、R3′和R4′的至少一个为氟或用氟取代的基团，和R1、R2、R3和R4的至少一个为离子基或包括离子基；
当n＝0时，R1、R2、R3和R4的至少一个为氟或用氟取代的基团，和R1、R2、R3和R4的至少一个为离子基或包括离子基；和
X、X′和X″各自独立地选自：键、O、S、取代或未取代的C1-C30亚烷基、取代或未取代的C1-C30杂亚烷基、取代或未取代的C6-C30亚芳基、取代或未取代的C6-C30芳亚烷基、取代或未取代的C2-C30杂亚芳基、取代或未取代的C2-C30杂芳亚烷基、取代或未取代的C5-C20亚环烷基、取代或未取代的C2-C30杂亚环烷基、取代或未取代的C6-C30芳基酯基和取代或未取代的C6-C30杂芳基酯基，其中X、X′和X″可选择地用氟取代或不取代。
CNA2007100057866A 2006-02-13 2007-02-13 有机发光器件 Pending CN101020818A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060013699A KR20070081623A (ko) 2006-02-13 2006-02-13 유기 발광 소자
KR13699/06 2006-02-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101020818A true CN101020818A (zh) 2007-08-22

Family

ID=38367456

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2007100057866A Pending CN101020818A (zh) 2006-02-13 2007-02-13 有机发光器件

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20070187675A1 (zh)
JP (1) JP5068558B2 (zh)
KR (1) KR20070081623A (zh)
CN (1) CN101020818A (zh)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102290530A (zh) * 2011-09-13 2011-12-21 西南大学 一种高磁场响应的有机发光二极管
CN102800809A (zh) * 2011-05-27 2012-11-28 浦项工科大学校产学协力团 使用具有高功函数的聚合物阳极的简化的有机电子器件
CN103178212A (zh) * 2011-12-26 2013-06-26 三星显示有限公司 具有提高的使用寿命的有机发光装置
CN103227190A (zh) * 2013-04-28 2013-07-31 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层及制备方法、oled基板、显示装置
TWI421260B (zh) * 2008-12-26 2014-01-01 Cheil Ind Inc 導電性聚合物、聚合物組成物、薄膜及包括其等之有機光電元件
CN103819904A (zh) * 2012-11-16 2014-05-28 陶氏环球技术有限责任公司 有机金属聚合物组合物，制备它的方法，和由其制造的有机发光二极管
CN105161635A (zh) * 2015-07-01 2015-12-16 Tcl集团股份有限公司 一种具有自组装电子传输层的qled器件及其制备方法
CN105826484A (zh) * 2016-05-18 2016-08-03 Tcl集团股份有限公司 一种oled及其制备方法
CN102800810B (zh) * 2011-05-27 2016-08-03 浦项工科大学校产学协力团 电极和包括其的电子器件
CN109155369A (zh) * 2016-05-10 2019-01-04 日立化成株式会社 电荷传输性材料、有机电子元件及有机电致发光元件
CN109713138A (zh) * 2017-10-25 2019-05-03 Tcl集团股份有限公司 一种qled器件
CN113841265A (zh) * 2019-08-26 2021-12-24 株式会社Lg化学 有机发光器件

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020025918A (ko) * 2002-02-15 2002-04-04 박병주 습식 공정으로 제작된 유기 반도체 디바이스 및 유기전계발광 소자
KR101213484B1 (ko) * 2005-05-19 2012-12-20 삼성디스플레이 주식회사 전도성 고분자 조성물 및 이를 채용한 유기 광전 소자
KR101041548B1 (ko) * 2007-11-30 2011-06-15 제일모직주식회사 전도성 고분자 화합물 및 이를 포함하는 유기 광전 소자
JPWO2009084413A1 (ja) * 2007-12-28 2011-05-19 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US20090218933A1 (en) * 2008-03-03 2009-09-03 Idemitsu Kosan Co., Ltd Organic electroluminescent device
US20090236979A1 (en) * 2008-03-24 2009-09-24 Air Products And Chemicals, Inc. Organic Electroluminescent Device and the Method of Making
KR101571116B1 (ko) * 2008-11-13 2015-11-24 삼성전자주식회사 유기 물질, 상기 유기 물질을 포함한 필름, 상기 필름을 구비한 전기 소자
JP5752381B2 (ja) 2009-09-30 2015-07-22 住友化学株式会社 積層構造体、重合体、電界発光素子及び光電変換素子
WO2012060329A1 (ja) * 2010-11-02 2012-05-10 株式会社日立製作所 有機発光素子、有機発光素子形成用塗液、有機発光素子形成用材料及び当該有機発光素子を用いた光源装置並びに当該有機発光素子の製造方法
KR20120082354A (ko) * 2011-01-13 2012-07-23 삼성전자주식회사 유기 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9397294B2 (en) * 2011-07-05 2016-07-19 Solvay Usa, Inc. Vertically phase-separating semiconducting organic material layers
JP5656765B2 (ja) * 2011-07-19 2015-01-21 株式会社日立製作所 有機発光素子、有機発光素子を用いた光源装置およびそれらの製造方法
JPWO2013047660A1 (ja) 2011-09-28 2015-03-26 コニカミノルタ株式会社 透明電極、有機電子素子および透明電極の製造方法
KR101305869B1 (ko) 2011-10-12 2013-09-09 포항공과대학교 산학협력단 단순화된 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR101449249B1 (ko) * 2013-02-28 2014-10-10 포항공과대학교 산학협력단 고-일함수 및 고-전도도 하이브리드 전극을 채용한 전자 소자
US20160020420A1 (en) * 2013-02-28 2016-01-21 Postech Academy - Industry Foundation Electronic element employing hybrid electrode having high work function and conductivity
JP6864879B2 (ja) * 2015-04-15 2021-04-28 国立大学法人山梨大学 導電性高分子複合体、導電性高分子複合体の製造方法、導電性高分子複合体組成物及び薄膜
KR102414076B1 (ko) * 2017-06-20 2022-06-29 삼성디스플레이 주식회사 박막 형성 방법 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법
WO2019099647A1 (en) * 2017-11-15 2019-05-23 President And Fellows Of Harvard College Light-emitting device structures for blue light and other applications
KR102405260B1 (ko) 2017-11-21 2022-06-02 삼성전자주식회사 양자점 소자 및 전자 장치
CN110943177A (zh) * 2019-11-25 2020-03-31 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 发光器件及其制备方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3282875A (en) * 1964-07-22 1966-11-01 Du Pont Fluorocarbon vinyl ether polymers
GB9718393D0 (en) * 1997-08-29 1997-11-05 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent Device
JP4076769B2 (ja) * 2000-12-28 2008-04-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電気器具
JP4363050B2 (ja) * 2002-01-31 2009-11-11 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US7317047B2 (en) * 2002-09-24 2008-01-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electrically conducting organic polymer/nanoparticle composites and methods for use thereof
US20040096570A1 (en) * 2002-11-15 2004-05-20 Michael Weaver Structure and method of fabricating organic devices
JP2005109184A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Seiko Epson Corp 膜パターン形成方法、回路素子、電気光学装置、および電子機器
US20050175861A1 (en) * 2004-02-10 2005-08-11 H.C. Starck Gmbh Polythiophene compositions for improving organic light-emitting diodes
DE102004006583A1 (de) * 2004-02-10 2005-09-01 H.C. Starck Gmbh Polythiophenformulierungen zur Verbesserung von organischen Leuchtdioden
US7985490B2 (en) * 2005-02-14 2011-07-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Composition of conducting polymer and organic opto-electronic device employing the same

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI421260B (zh) * 2008-12-26 2014-01-01 Cheil Ind Inc 導電性聚合物、聚合物組成物、薄膜及包括其等之有機光電元件
US8932493B2 (en) 2008-12-26 2015-01-13 Cheil Industries, Inc. Conductive polymer, conductive polymer composition, conductive polymer organic film, and organic photoelectric device including the same
CN102800809A (zh) * 2011-05-27 2012-11-28 浦项工科大学校产学协力团 使用具有高功函数的聚合物阳极的简化的有机电子器件
CN102800809B (zh) * 2011-05-27 2016-08-17 浦项工科大学校产学协力团 使用具有高功函数的聚合物阳极的简化的有机电子器件
CN102800810B (zh) * 2011-05-27 2016-08-03 浦项工科大学校产学协力团 电极和包括其的电子器件
CN102290530A (zh) * 2011-09-13 2011-12-21 西南大学 一种高磁场响应的有机发光二极管
CN103178212B (zh) * 2011-12-26 2016-05-11 三星显示有限公司 具有提高的使用寿命的有机发光装置
CN103178212A (zh) * 2011-12-26 2013-06-26 三星显示有限公司 具有提高的使用寿命的有机发光装置
US9515280B2 (en) 2011-12-26 2016-12-06 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting device with enhanced lifespan
CN103819904A (zh) * 2012-11-16 2014-05-28 陶氏环球技术有限责任公司 有机金属聚合物组合物，制备它的方法，和由其制造的有机发光二极管
CN103227190B (zh) * 2013-04-28 2015-06-10 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层及制备方法、oled基板、显示装置
US9054345B2 (en) 2013-04-28 2015-06-09 Boe Technology Group Co., Ltd. Pixel defining layer, preparation method thereof, organic light-emitting diode substrate and display
WO2014176810A1 (zh) * 2013-04-28 2014-11-06 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层及制备方法、oled基板、显示装置
CN103227190A (zh) * 2013-04-28 2013-07-31 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层及制备方法、oled基板、显示装置
CN105161635A (zh) * 2015-07-01 2015-12-16 Tcl集团股份有限公司 一种具有自组装电子传输层的qled器件及其制备方法
CN105161635B (zh) * 2015-07-01 2018-06-19 Tcl集团股份有限公司 一种具有自组装电子传输层的qled器件及其制备方法
CN109155369A (zh) * 2016-05-10 2019-01-04 日立化成株式会社 电荷传输性材料、有机电子元件及有机电致发光元件
CN105826484A (zh) * 2016-05-18 2016-08-03 Tcl集团股份有限公司 一种oled及其制备方法
CN105826484B (zh) * 2016-05-18 2019-03-08 Tcl集团股份有限公司 一种oled及其制备方法
CN109713138A (zh) * 2017-10-25 2019-05-03 Tcl集团股份有限公司 一种qled器件
CN113841265A (zh) * 2019-08-26 2021-12-24 株式会社Lg化学 有机发光器件
CN113841265B (zh) * 2019-08-26 2023-09-22 株式会社Lg化学 有机发光器件

Also Published As

Publication number Publication date
US20070187675A1 (en) 2007-08-16
JP5068558B2 (ja) 2012-11-07
JP2007221132A (ja) 2007-08-30
KR20070081623A (ko) 2007-08-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101020818A (zh) 有机发光器件
CN101087013B (zh) 有机发光器件
CN101085857B (zh) 导电聚合物组合物、使用其的导电膜和含该膜的电子器件
US7569159B2 (en) Hole injection/transport layer compositions and devices
CN102800810B (zh) 电极和包括其的电子器件
CN100523097C (zh) 电荷传输清漆
CN101331557B (zh) 含有自掺杂导电聚合物的接枝共聚物的用于有机光电器件的导电膜组合物以及利用该组合物的有机光电器件
JP5770268B2 (ja) 共役ポリマーおよびデバイスのドーピング
EP1753047B1 (en) Solution processed crosslinkable hole injection and hole transport polymers for oleds
US20090211640A1 (en) Electron injecting layer including superacid salt, lithium salt or mixture thereof, photovoltaic device including the electron injecting layer, method of manufacturing the photovoltaic device, and organic light-emitting device including the electron injecting layer
US20060158105A1 (en) Organic light emitting device and method for preparing the same
US20080023674A1 (en) Dispersions and Films Comprising Conducting Polymer for Optroelectronic Devices
KR102408799B1 (ko) 정공 캐리어 물질 및 플루오로중합체를 함유하는 조성물 및 그의 용도
CN101883800B (zh) 导电聚合物复合物和包括该聚合物复合物的有机光电装置
Pu et al. Solution-processable organic fluorescent dyes for multicolor emission in organic light emitting diodes
CN102576815A (zh) 有机电子器件及其制造方法
CN1821311B (zh) 导电聚合物组合物和应用其的有机光电子器件
KR101092032B1 (ko) 저전압 고효율 유기 전자 소자 및 그 제조방법
KR102399386B1 (ko) 정공 캐리어 물질 및 폴리(아릴 에테르 술폰)을 함유하는 조성물 및 그의 용도
CN102686675A (zh) 导电聚合物、导电聚合物组合物、导电聚合物组合物层和用其的有机光电装置
EP3996150A1 (en) Perovskite photoelectric element and method for manufacturing same
KR102260621B1 (ko) 페로브스카이트 광전소자 및 이의 제조방법
CN1818010B (zh) 蓝光电致发光聚合物和使用其的有机电致发光器件
CN107580601A (zh) 金属络合物和包含这些金属络合物的电致发光器件
CN106575712B (zh) 有机发光器件及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20090116

Address after: Gyeonggi Do, South Korea

Applicant after: Samsung Mobile Display Co., Ltd.

Address before: Gyeonggi Do, South Korea

Applicant before: Samsung SDI Co., Ltd.

C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG SDI CO., LTD.

Effective date: 20090116

C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20070822