CN101883800B - 导电聚合物复合物和包括该聚合物复合物的有机光电装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及导电聚合物复合物和包括所述导电聚合物复合物的有机光电装置。所述导电聚合物复合物包括导电聚合物和具体化学式的重复单元。本发明的导电聚合物复合物可以抑制吸湿能力，且在水溶性聚合物存在下通过降低酸性，可防止因有机光电装置中高酸性引起的问题。此外，当水溶性聚合物与胶体类聚合物混合时，本发明的导电聚合物复合物可降低分子间的凝聚。因此，其可以用于制备具有优异的薄膜特性和存储稳定性的导电聚合物复合物组合物。特别地，所述导电聚合物复合物组合物可改进有机发光二极管的发光效率和寿命特性。

Description

导电聚合物复合物和包括该聚合物复合物的有机光电装置
技术领域
本发明涉及导电聚合物复合物和包括所述导电聚合物复合物的有机光电装置。更具体地，本发明涉及导电聚合物复合物和包括其的有机光电装置，所述导电聚合物复合物具有优异的薄膜特性和存储稳定性，且能够改进有机光电装置的发光效率和寿命特性。 
背景技术
光电装置是用于将光能转化为电能和相反地用于将电能转化为光能的装置。光电装置可例如为有机发光二极管、太阳能电池、晶体管等。 
特别地，在这些光电装置中，因为对平板显示器(FPD)需求的增加，所以采用有机发光二极管(OLED)的有机发光装置最近已引起人们关注。 
在包括有机发光二极管的光电装置领域，研究人员正在研究导电聚合物层的形成，以通过将电极中产生的电荷，即空穴和电子平稳地转移到光电装置中来提高光电装置的效率。 
有机发光二极管是利用以下现象的有源发光显示器装置，其中当电流流向荧光或磷光有机化合物薄膜(以下称为有机层)时，电子和空穴在有机层中结合同时发光。有机发光二极管不用单独的发光层作为有机层，而是采用用包括使用导电聚合物的空穴注入层(HIL)、发光层和电子注入层(EIL)的多层结构来提高效率并降低驱动电压。 
多层结构通过使一层履行多种功能来简化。一种最简单的OLED结构是这样的结构，其中将履行全部功能(包括发光层功能)的有机层插入两个电极之间。 
然而，为了充分提高亮度，应将电子注入层(EIL)或空穴注入层引入 电发光组件。 
文献公开了将被电子注入层(EIL)或空穴注入层(HIL)使用的能转移电荷(其是空穴和电子)的许多有机化合物。例如，欧洲专利公开第387 715号、美国专利第4,539,507号、美国专利第4,720,432号和美国专利第4,769，292号公开了有机化合物和它们的应用。 
具体地，可从Bayer AG公司在市场上商购的Baytron-P是能转移电荷的代表性有机化合物，且用于可溶性有机电致发光(EL)。Baytron-P是一种PEDOT(聚(3，4-乙撑二氧噻吩))-PSS(聚(4-苯乙烯磺酸酯))水溶液。 
PEDOT-PSS被广泛地用于有机发光二极管的制备。通过将其旋涂在氧化铟锡(ITO)电极上来形成空穴注入层(HIL)。PEDOT-PSS具有以下化学式A所示的结构。 
[化学式A] 
以上化学式A表示的PEDOT-PSS是多元酸(聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PSS))和导电聚合物(聚(3，4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT))的简单离子复合物。其具有这样的结构，其中PEDOT掺杂有水溶性多元酸。 
然而，当使用PEDOT-PSS导电聚合物组合物形成空穴注入层(HIL)时，PSS因其吸湿性质而受损且被去掺杂，或部分PSS通过与电子反应而分解，因此排出诸如硫酸酯等材料。排出的材料可扩散进入诸如发光层等邻近有机层。源自空穴注入层(HIL)的材料扩散进入发光层会引起激子猝灭，由此 降低有机发光二极管的效率和寿命。 
为了克服上述缺陷，美国专利公开第2005/0251597号和韩国专利公开第2006-0120378号公开了使用掺杂有离聚物的导电聚合物，其中主链和支链均有取代的氟基。 
[化学式B] 
Figure GSB00000793815100031
以上化学式B所示的此类材料在主链中包含了其大部分碳基，并具有氟基取代的支链。因此，它们分散在水中的时间很短，且形成胶体类颗粒。当用这些材料制备导电聚合物时，即使导电聚合物重复单元的长度略微增加，颗粒就凝聚严重。此外，当通过旋涂法使它们用于形成薄膜时，所产生的薄膜均匀性差。 
发明内容
本发明的示例性实施方式提供了这样的导电聚合物复合物，其具有优异的薄膜特性和存储稳定性，且能改进有机光电装置的发光效率和寿命特性。 
本发明的另一实施方式提供了包括所述导电聚合物复合物的导电聚合物复合物组合物。 
本发明的又一实施方式提供了用所述导电聚合物复合物制备的聚合物有机层。 
本发明的又一实施方式提供了包括所述聚合物有机层的有机光电装置，因此具有优异的高效率和长寿命。 
本发明的实施方式不限于以上技术目的，且本领域普通技术人员能够理解其它技术目的。 
根据本发明的第一实施方式，提供了导电聚合物复合物，其包括：导电 聚合物；以下化学式1的第一重复单元；以下化学式2的第二重复单元；和以下化学式3和/或化学式4的第三重复单元。 
[化学式1] 
Figure GSB00000793815100041
[化学式2] 
Figure GSB00000793815100042
在以上化学式1和2中， 
当化学式1的摩尔数是m1且化学式2的摩尔数是n1时，m1和n1的比例是0.0001≤n1/m1≤1； 
A选自由取代或未取代的烷基、取代或未取代的杂烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的杂烷氧基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的杂芳烷基、取代或未取代的杂芳氧基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的杂环烷基、取代或未取代的烷基酯、取代或未取代的杂烷基酯、取代或未取代的芳基酯和取代或未取代的杂芳基酯组成的组中； 
B是阳离子和阴离子的离子对，其中所述阳离子选自由金属离子和CH3(-CH2-)pO+的有机离子组成的组中，所述金属离子选自由H+、Na+、K+、Li+、Mg2+、Zn2+和Al3+组成的组中，p的范围为1～50，且所述阴离子选自由PO3 2-、SO3 -、COO-、I-和CH3COO-组成的组中；和 
C是含卤素的、取代或未取代的烃。 
[化学式3] 
Figure GSB00000793815100051
[化学式4] 
Figure GSB00000793815100052
在以上化学式3和4中，0＜m2≤10,000,000，0≤n2＜10,000,000，0＜m3≤10,000,000，0≤n3＜10,000,000， 
x1、x2、y1和y2独立地是0～20的整数，且 
Y1和Y2独立地是-COO-M+、-SO3M+或-PO3 2-(M+)2，其中M+是Na+、K+、Li+、H+或NH4 +。 
根据本发明的第二实施方式，提供了包括所述导电聚合物复合物和溶剂的导电聚合物复合物组合物。 
根据本发明的第三实施方式，提供了使用所述导电聚合物复合物组合物制备的聚合物有机层。 
根据本发明的第四实施方式，提供了包括使用所述导电聚合物复合物组合物制备的聚合物有机层的有机光电装置。 
本发明的所述导电聚合物复合物可以抑制吸湿性质，且因为水溶性聚合物可降低酸性，所以可防止因有机光电装置中高酸性引起的问题。此外，当水溶性聚合物与胶体类聚合物混合时，因为本发明的导电聚合物复合物可降低分子间的凝聚，所以可制备具有优异薄膜特性和存储稳定性的导电聚合物复合物组合物。因此，所述导电聚合物复合物可提高由其制备的有机发光二极管的发光效率和寿命特性。 
附图说明
图1A～1D是本发明的有机发光二极管的示意性横截面图。 
图2～图4分别显示用根据实施例2和比较例1的聚合物复合物组合物制备的有机层的AFM测量结果。 
图5是显示根据实施例3和比较例3的有机发光二极管效率特性的图。 
图6是显示根据实施例3和比较例3的有机发光二极管功率特性的图。 
<表示附图中主要元件的附图标记的说明> 
10：第一电极 
11：缓冲层 
12：发光层 
13：空穴阻挡层 
14：第二电极 
15：电子传输层(ETL) 
16：空穴传输层(HTL) 
具体实施方式
以下将详细描述本发明的示例性实施方式。然而，这些实施方式仅是示例性的，且本发明不限于此。 
如本文所用，当没有特殊定义时，术语“烷基”是指C1～C30烷基，术语“杂烷基”是指C1～C30杂烷基，术语“烷氧基”是指C1～C30烷氧基，术语“杂烷氧基”是指C1～C30杂烷氧基，术语“芳基”是指C6～C30芳基，术语“芳烷基”是指C6～C30芳烷基，术语“芳氧基”是指C6～C30芳氧基，术语“杂芳基”是指C2～C30杂芳基，术语“杂芳烷基”是指C2～C30杂芳烷基，术语“杂芳氧基”是指C2～C30杂芳氧基，术语“环烷基”是指C5～C20环烷基，术语“杂环烷基”是指C2～C30杂环烷基，术语“烷基酯”是指C2～C30烷基酯，术语“杂烷基酯”是指C1～C30杂烷基酯，术语“芳基酯”是指C7～C30芳基酯，且术语“杂芳基酯”是指C6～C30杂芳基酯。 
如本文所用，当没有特殊定义时，术语“取代的”是指被至少一个取代基取代，所述取代基包括卤素(F、Br、Cl或I)、羟基、硝基、氰基、氨基(-NH2、-NH(R)或-N(R′)(R″)，其中R、R′和R″独立地是C1～C10烷基)，脒基、肼或腙、羧基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的杂芳基或取代或未取代的杂环烷基。 
烷基可以为直链或支链烷基，如甲基、乙基、丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、己基等。 
杂烷基是指这样的烷基，在其主链上包括至少一个杂原子，优选1～5个杂原子如氧(O)、硫(S)、氮(N)、磷(P)等来代替碳。 
烷氧基包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丁氧基、仲丁氧基、戊氧基、异戊氧基、己氧基等。 
芳基是指包括至少一个芳环的碳环芳族分子，且所述环可作为侧基连接或是稠合的。所述芳基的实例包括诸如苯基、萘基、四氢萘基等芳族基团。 
芳烷基是指包括这样的芳基，其包括低级烷基如C1～C5基团，如甲基、乙基、丙基等。所述芳烷基的具体实例包括苄甲基、苯乙基等。 
芳氧基是指-O-芳基，其中所述芳基如上所述。所述芳氧基的实例包括苯氧基、萘氧基、蒽氧基、菲氧基、芴氧基、茚氧基等，且所述芳氧基的至少一个氢原子可被烷基取代。 
杂芳基是指包括1～3个杂原子且其余为碳原子环的C5～C30环芳族化合物，所述杂原子选自由N、O、P和S组成的组中。所述环可作为侧基连接或是稠合的。 
杂芳烷基是指包括低级烷基的杂芳基，且所述杂芳烷基的杂芳基与上述相同。 
杂芳氧基是指-O-杂芳基，其中所述杂芳基与上述相同。 
环烷基是指C5～C30单价单环体系。 
杂环烷基是指C5～C30单价单环化合物，即包括选自N、O、P或S中1～3个杂原子的环烷基。 
杂烷氧基是指这样的碳化合物，其中-O-的一侧与选自N、O、P或S中的1～3个杂原子连接。 
烷基酯是指-COO-烷基，其中所述烷基与上述相同。 
杂烷基酯是指-COO-杂烷基，其中所述杂烷基与上述相同。 
芳基酯和杂芳基酯是指-COO-芳基或杂芳基，且所述芳基和杂芳基与上述相同。所述杂芳基酯的实例包括衍生自噁二唑、呋喃、吡咯、嘧啶等的部分。 
根据本发明的第一实施方式，提供了导电聚合物复合物，其包括：导电聚合物；以下化学式1的第一重复单元；以下化学式2的第二重复单元；和以下化学式3和/或化学式4的第三重复单元。所述第一和第二重复单元以共聚物形式存在，且所述第三重复单元以化合物形式存在。所述共聚物和所述第三重复单元化合物以混合物存在，且所述共聚物和所述第三重复单元化合物可单独通过离子偶合(ion coupling)用于掺杂导电聚合物并起掺杂剂的作用，或它们可作为与导电聚合物的物理混合物存在。 
所述共聚物可为具有规则重复的重复单元的嵌段共聚物，或其可为具有随机重复的重复单元的无规共聚物。 
[化学式1] 
Figure GSB00000793815100081
[化学式2] 
Figure GSB00000793815100082
在以上化学式1和2中， 
当化学式1的摩尔数是m1且化学式2的摩尔数是n1时，m1和n1的比 例是0.0001≤n1/m1≤1； 
A选自由取代或未取代的烷基、取代或未取代的杂烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的杂烷氧基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的杂芳烷基、取代或未取代的杂芳氧基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的杂环烷基、取代或未取代的烷基酯、取代或未取代的杂烷基酯、取代或未取代的芳基酯和取代或未取代的杂芳基酯组成的组中； 
B是阳离子和阴离子的离子对，其中所述阳离子选自由金属离子和CH3(-CH2-)pO+的有机离子组成的组中，所述金属离子选自由H+、Na+、K+、Li+、Mg2+、Zn2+和Al3+组成的组中，其中p的范围为1～50，且所述阴离子选自由PO3 2-、SO3 -、COO-、I-和CH3COO-组成的组中；和 
C是含卤素的、取代或未取代的烃。所述烃是指C2～C30烃，且所述取代基是指氮、磷、硫、硅或氧。所述卤素是指氟、氯、溴、碘或砹，且具体地，所述卤素是指氟。所述C是用于通过偶极-偶极相互作用或疏水基团对聚合物共聚物进行形态变异的结构。 
所述C可以是以下化学式8～12的官能团： 
[化学式8] 
Figure GSB00000793815100091
[化学式9] 
-C6F14
[化学式10] 
Figure GSB00000793815100092
[化学式11] 
Figure GSB00000793815100101
[化学式12] 
Figure GSB00000793815100102
[化学式3] 
Figure GSB00000793815100103
[化学式4] 
Figure GSB00000793815100104
在以上化学式3和4中，m2和n2独立地是0＜m2≤10,000,000，0≤n2＜10,000,000， 
m3和n3独立地是0＜m3≤10,000,000，0≤n3＜10,000,000， 
x1、x2、y1和y2独立地是0～20的整数，且 
Y1和Y2独立地是-COO-M+、-SO3M+或-PO3 2-(M+)2，其中M+是Na+、 K+、Li+、H+或NH4 +。 
所述导电聚合物复合物的导电聚合物通常可被用作用于有机光电装置的导电聚合物。所述导电聚合物可以是从至少一种单体聚合获得的聚合物；所述单体选自聚亚苯基，聚苯乙炔，具有以下化学式5的苯胺或其衍生物的单体，具有以下化学式6的吡咯、噻吩或其衍生物的单体，和具有以下化学式7的环状单体。 
[化学式5] 
Figure GSB00000793815100111
[化学式6] 
Figure GSB00000793815100112
在以上化学式5和6中， 
E是NR，其中R是H或C1～C7低级烷基；或者是S， 
Ra、Rb、Rc和Rd独立地选自由氢；取代或未取代的烷基；取代或未取代的杂烷基；取代或未取代的烷氧基；取代或未取代的杂烷氧基；取代或未取代的芳基；取代或未取代的芳烷基；取代或未取代的芳氧基；取代或未取代的芳胺；取代或未取代的吡咯；取代或未取代的C6～C30噻吩；取代或未取代的杂芳基；取代或未取代的杂芳烷基；取代或未取代的杂芳氧基；取代或未取代的环烷基；取代或未取代的杂环烷基；取代或未取代的烷基酯；取代或未取代的杂烷基酯；取代或未取代的芳基酯和取代或未取代的杂芳基酯组成的组中；和 
Re和Rf独立地选自由NR，其中R是H或C 1～C7低级烷基；包括选自 由N、O、S和P组成的组中的杂原子的C1～C20烷基；包括选自由N、O、S和P组成的组中的杂原子的C6～C20芳基；烷基；芳基；烷氧基；C1～C30杂烷基；杂烷氧基；芳基烷基；芳氧基；C6～C30芳基胺；C6～C30吡咯；C6～C30噻吩；杂芳基；杂芳基烷基；杂芳氧基；C5～C20环烷基；杂环烷基；烷基酯；杂烷基酯；芳基酯和杂芳基酯组成的组中。 
[化学式7] 
在以上化学式7中， 
T是NR，其中R是H或C1～C7低级烷基；包括选自由N、O、S和P组成的组中的杂原子的C1～C20烷基；包括选自由N、O、S和P组成的组中的杂原子的C6～C20芳基， 
U是R为H或C1～C7低级烷基的NR，包括选自由N、O、S和P组成的组中的杂原子的C1～C20烷基；包括选自由N、O、S和P组成的组中的杂原子的C6～C20芳基， 
g和h独立地是0～9， 
W是-(CH2)x-CRgRh-(CH2)y，其中Rg和Rh独立地选自由H、C1～C20烷基、C6～C14芳基和-CH2-ORi组成的组中，其中Ri选自由H、C1～C6烷基酸、C1～C6烷基酯、C1～C6杂烷基酸和C1～C6烷基磺酸组成的组中，且 
x和y独立地是0～5。 
例如，化学式5～7的导电聚合物掺杂有化学式1所示第一重复单元、化学式2所示第二重复单元和化学式3和/或4所示第三重复单元的状态是化学式1的取代基B和化学式3和4的取代基Y1和Y2与化学式5～7的NH、 E和T结合的状态。 
包括化学式1所示第一重复单元、化学式2所示第二重复单元和化学式3和/或4所示第三重复单元和导电聚合物的本发明的导电聚合物复合物具有优异过滤性能和薄膜均匀性的优点，这是因为化学式1和2的水溶性重复单元抑制化学式3和4的胶体结构，由此显著减少凝聚现象。此外，本发明的导电聚合物复合物具有优异的存储稳定性，这是因为其通过使用第一和第二重复单元以及第三重复单元可降低吸湿性和酸性，所述第一和第二重复单元是在它们支链中具有取代的卤素结构的水溶性多元酸，所述第三重复单元是具有大于70摩尔％的取代的氟基团的聚合物离聚物。此外，包括本发明导电聚合物复合物的有机光电装置具有高效率和长寿命。 
导电聚合物和第一至第三重复单元的混合比可为50∶50wt％～1∶99wt％，且更具体为1∶99wt％～20∶80wt％。当导电聚合物含量在1～50wt％的范围内时，导电聚合物组合物的凝聚现象可被抑制，因此在溶剂中不产生沉淀，这是所希望的。换句话说，导电聚合物的含量应该至少为1wt％，以获得可用于有机发光二极管的导电率。当导电聚合物的含量小于1wt％时，导电率过低，且空穴注入特性急剧下降。因此，当导电聚合物的含量落入1～50wt％的范围内时，可获得适合的分散和导电率。 
以上结构仅是为帮助理解本发明的实例，且以上结构不限制化学式1～4所示的重复单元和/或本发明的导电聚合物。 
本发明的第二实施方式提供了包括导电化合物和溶剂的导电聚合物复合物组合物。 
可将能够溶解导电聚合物的任何溶剂用作制备本发明导电聚合物复合物组合物的溶剂。所述溶剂可为选自由水、乙醇、二甲基甲酰胺(DMF)、二甲亚砜、甲苯、二甲苯和氯苯组成的组中的至少一种。 
在本发明的导电聚合物复合物组合物中，包括导电聚合物复合物和/或交联剂的固体组分的含量范围可为0.5～30wt％，且更具体为0.5～10wt％。当固体组分的含量落入此范围中时，固体组分的含量是适合的，因此组合物的 浓度也是适合的。因为浓度是适合的，所以可形成具有良好形状的薄膜，且这使得该方法优异。 
此外，本发明的导电聚合物复合物组合物可进一步包括交联剂，以提高导电聚合物复合物的交联性能。交联剂可为物理和/或化学交联剂。 
用在本发明中的物理交联剂是用于聚合物链物理交联而非化学结合的材料。物理交联剂是指含羟基(-OH)的低分子量或聚合物复合物。 
物理交联剂的实例包括诸如甘油和丁醇等低分子化合物，和诸如聚乙烯醇、聚乙二醇等聚合物复合物。此外，聚乙烯亚胺和聚乙烯基吡咯烷酮可用作物理交联剂。 
相对于100重量份的导电聚合物复合物，所加入物理交联剂的含量范围可为0.001～5重量份，且更具体为0.1～3重量份。 
当物理交联剂的含量落入此范围内时，交联剂可有效地发挥作用，且导电聚合物层的薄膜形态可有效保持。 
化学交联剂是用于化学交联聚合物链的材料，且是可用于原位聚合和能够形成互传聚合物网络(IPN)的化学材料。 
关于化学交联剂，常使用硅烷材料，如将四乙氧基硅烷(TEOS)用作化学交联剂。此外，可将聚吖丙啶、三聚氰胺材料和环氧材料用作化学交联剂。 
相对于100重量份的含有机离子盐的导电聚合物，化学交联剂的含量范围可为0.001～50重量份，且更具体为1～10重量份。 
当化学交联剂的含量落入此范围内时，交联剂可有效地发挥作用且不影响导电聚合物，由此保持充分的导电率。 
当使用物理交联剂和化学交联剂的混合物时，该混合物可在上述它们含量范围内适当制备。 
本发明的导电聚合物复合物组合物可进一步包括有机离子盐。 
有机离子盐转移装置中导电聚合物的电子，因此提高电流稳定性、寿命和电化学稳定性。有机离子盐的实例包括咪唑鎓盐、噻唑啉鎓盐、吡啶鎓盐、 吡咯烷鎓盐和哌啶鎓盐。 
相对于100重量份的导电聚合物复合物，有机离子盐的含量范围可为0.001～10重量份，且更具体为0.01～3重量份。 
相对于100重量份的导电聚合物复合物，当有机离子盐的含量落入0.001～10重量份的范围内时，优点在于导电聚合物组合物的物理性质不改变。 
当使用本发明的导电聚合物复合物组合物制备有机光电装置时，将其涂布在基板上。此时，去除其大部分溶剂，且所述导电聚合物复合物组合物保留为导电聚合物有机层。这样，本发明的第三实施方式提供了通过使用所述导电聚合物组合物形成的聚合物有机层。 
本发明的第四实施方式提供了包括用导电聚合物复合物组合物形成的导电聚合物有机层的有机光电装置。该光电装置的实例可为有机发光二极管、有机太阳能电池、有机晶体管、有机存储设备等。 
在下文中，将描述将本发明的导电聚合物组合物用于有机发光二极管的方法。 
在有机发光二极管中，导电聚合物组合物用在电荷注入层，即空穴或电子注入层(EIL)。有机发光二极管的发光强度和效率通过均匀有效地注入空穴和电子而提高。 
此外，在有机太阳能电池的情况下，本发明的导电聚合物层组合物用作电极或电极缓冲层以此提高量子效率。在有机晶体管的情况下，其可用作栅极和/或源极/漏极中的电极材料。 
在上述有机光电装置中，下文中将描述使用本发明导电聚合物层组合物的有机发光二极管的结构和其制备方法。 
图1A～1D是本发明的有机发光二极管的示意性横截面图。 
图1A的有机发光二极管包括形成在第一电极10之上的发光层12；空穴注入层(HIL)11，其包括本发明导电聚合物组合物并布置在第一电极10和发光层之间；在发光层12顶部的空穴阻挡层(HBL)13；和在空穴阻挡层 (HBL)13顶部的第二电极14。空穴注入层(HIL)11可称作缓冲层。 
图1B的有机发光二极管与图1A的有机发光二极管具有相同的堆叠结构，不同之处在于在发光层12的顶部上形成电子传输层(ETL)15以代替空穴阻挡层(HBL)13。 
图1C的有机发光二极管与图1A的有机发光二极管具有相同的堆叠结构，不同之处在于在发光层12的顶部上形成在其中依次堆叠的空穴阻挡层(HBL)13和电子传输层ETL15的双层。 
图1D的有机发光二极管与图1C的有机发光二极管具有相同的结构，不同之处在于空穴传输层(HTL)16形成在空穴注入层(HIL)11和发光层12之间。此处，空穴传输层(HTL)16抑制杂质从空穴注入层(HIL)11穿透到发光层12。 
具有图1A～1D堆叠结构的有机发光二极管可通过常规制备方法制备。 
首先，图案化的第一电极10形成在基板上(未显示)。基板是有机发光二极管常用的基板，且可以是具有优异整体透明度、表面平整度、易处理性和抗水性的玻璃基板或透明塑料基板。基板的厚度为0.3～1.1mm。 
用于形成第一电极10的材料没有特别限制。当第一电极是阴极时，该阴极用易于进行空穴注入的导电金属或其氧化物形成。材料的实例包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、镍(Ni)、铂(Pt)、金(Au)、铱(Ir)等。 
将包括第一电极10的基板清洁并进行紫外线臭氧处理。注入异丙醇(IPA)、丙酮等有机溶剂可用于该清洁工艺。 
空穴注入层(HIL)11，其是包括本发明导电聚合物复合物组合物的缓冲层，形成在所清洁的基板的第一电极10上。空穴注入层(HIL)11的形成降低了第一电极10和发光层12之间的接触电阻，并同时提高第一电极10向发光层12的空穴转移能力。因此，可整体上提高装置的驱动电压和寿命特性。 
空穴注入层HIL11可通过以下步骤形成：将本发明的导电聚合物复合物 和可选的交联剂和/或有机离子盐溶解在溶剂中，由此制备用于形成空穴注入层(HIL)的组合物；通过旋涂工艺将用于形成空穴注入层(HIL)的所制得的组合物涂布在第一电极10的上部，并干燥该组合物。 
此处，空穴注入层(HIL)11的厚度范围可为5～200nm，且更具体为20～100nm。当空穴注入层(HIL)11的厚度落入此范围时，空穴注入可充分进行，且光透过可保持在良好水平。 
将发光层12布置在空穴注入层(HIL)11上。对发光层材料没有特别限制。该材料的具体实例包括噁二唑二聚体染料(双-DAPOXP)、螺环化合物(螺-DPVBi，螺-6P)、三芳基胺化合物、双(苯乙烯基)胺(DPVBi，DSA)、Flrpic、CzTT、蒽、TPB、PPCP、DST、TPA、OXD-4、BBOT和AZM-Zn(发蓝色光)；香豆素6、C545T、喹吖啶酮和Ir(ppy)3(发绿色光)；DCM1、DCM2、Eu(噻吩甲酰三氟丙酮)3(Eu(TTA)3和1，1，7，7-四甲基久咯呢定基-9-烯基)-4H-吡喃：DCJTB)(发红色光)等。 
此外，可使用聚合物发光材料。聚合物发光材料包括诸如亚苯基类、亚苯基亚乙烯基类、噻吩类、氟类和螺-芴类聚合物或含氮的芳族化合物等聚合物，但不限于此。 
发光层12的厚度范围可为10～500nm，且更具体为50～120nm。当发光层12的厚度落入此范围内，可适当地保持泄漏电流量和驱动电压增加，且这有效地增加寿命。 
可将掺杂剂加入到组合物中用于形成发光层。 
根据形成发光层所用的材料，掺杂剂的含量可变，但相对于100重量份的用于形成发光层的材料(主体和掺杂剂的总重量)，通常掺杂剂的含量范围可为30～80重量份。 
当掺杂剂的含量落入此范围内时，EL装置的发光特性可有效地保持。掺杂剂的实例包括芳胺、吡咯类化合物、腙类化合物、咔唑类化合物、芪类化合物、星爆类化合物和噁二唑类化合物。 
空穴传输层(HTL)16可选择性地形成在空穴注入层(HIL)11和发光 层12之间。 
用于形成空穴传输层(HTL)的材料没有特别限制。然而，其可包括选自由包括传输空穴的咔唑和/或芳胺、酞菁类化合物和苯并菲衍生物的化合物组成的组中的至少一种。 
更具体地，空穴传输层(HTL)材料包括选自由1，3，5-三咔唑基苯、4，4′-双咔唑基联苯、聚乙烯基咔唑、间双咔唑基苯基(m-biscarbazolylphenyl)、4，4′-双咔唑基-2，2′-二甲基联苯、4，4′，4″-三(N-咔唑基)三苯基胺、1，3，5-三(2-咔唑基苯基)苯、1，3，5-三(2-咔唑基-5-甲氧基苯基)苯、双(4-咔唑基苯基)硅烷、N，N′-双(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-[1，1-联苯]-4，4′-二胺(TPD)、N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基联苯胺(α-NPD)、N，N′-二苯基-N，N′-双(1-萘基)-(1，1′-联苯)-4，4′-二胺(NPB)、IDE320(Idemitsu Kosan有限公司)聚(9，9-二辛基芴-共聚-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)和聚(9，9-二辛基芴-共聚-双-N，N-苯基-1，4-苯二胺)(PFB)组成的组中的至少一种材料，但不限于此。 
空穴传输层(HTL)16可具有的厚度范围为1～100nm，且更具体为5～50nm。当空穴传输层(HTL)16的厚度落入此范围时，空穴传输层(HTL)16可保持充分的空穴传输能力和适当水平的驱动电压。 
可将空穴阻挡层13和/或电子传输层(ETL)15可通过沉积或旋涂方法布置在发光层12上。空穴阻挡层13防止发光材料中形成的激子转移至电子传输层(ETL)15，或其防止空穴转移至电子传输层(ETL)15。 
用于形成空穴阻挡层13的材料实例包括化学式13所示的菲咯啉类化合物(如UDC公司的BCP)、化学式14所示的咪唑类化合物、化学式15所示的三唑类化合物、化学式16所示的噁二唑类化合物(如商品PBD)和化学式17所示的铝络合物(如UDC公司的BAlq)。 
空穴阻挡层的厚度可为5～100nm，且电子传输层(ETL)的厚度可为5nm～100nm。当此厚度落入以上范围内时，电子传输能力和空穴抑制能力可有效保持。 
[化学式13] 
Figure GSB00000793815100191
[化学式14] 
Figure GSB00000793815100192
[化学式15] 
Figure GSB00000793815100193
[化学式16] 
Figure GSB00000793815100194
[化学式17] 
Figure GSB00000793815100201
电子传输层ETL15包括选自噁唑类化合物、异噁唑类化合物、三唑类化合物、异噻唑类化合物、噁二唑类化合物、噻二唑类化合物、化学式18的二萘嵌苯类化合物、化学式19的铝络合物(Alq3(三(8-羟基喹啉)-铝))、化学式20的BAlq、化学式21的SAlq、化学式22的Almq3、化学式23的镓络合物(Gaq′2OPiv)、化学式24的Gaq′2OAc、化学式25的2(Gaq′2)等的材料。 
[化学式18] 
Figure GSB00000793815100202
[化学式19] 
Figure GSB00000793815100203
[化学式20] 
Figure GSB00000793815100211
[化学式21] 
Figure GSB00000793815100212
[化学式22] 
Figure GSB00000793815100213
[化学式23] 
Figure GSB00000793815100214
[化学式24] 
[化学式25] 
Figure GSB00000793815100222
将第二电极14布置在如上制备的堆叠结构上，且将所得材料密封以完成有机发光二极管的制备。 
用于形成第二电极14的材料没有特别限制，但这些材料可以是具有小功函的金属，如Li、Cs、Ba、Ca、Ca/Al、LiF/Ca、LiF/Al、BaF2/Ca、Mg、Ag、Al或其合金，或其多层。第二电极14的厚度范围可为 
Figure GSB00000793815100223
本发明中建议的有机发光二极管的制备不需要特殊装置或方法，且本发明的有机发光二极管可通过使用常规导电聚合物组合物的有机发光二极管制备方法制备。 
以下，在以下实施例和对比例中，根据本发明实施方式，用于有机光电装置的导电聚合物可抑制吸湿，并降低分子和分子间凝聚中的多元酸浓度，导致有机光电装置中薄膜特性、存储稳定性、效率和寿命特性的改进。本领域技术人员可充分地理解未具体描述的本发明各部分。 
<实施例1>：水溶性共聚物的合成
将48克Sigma Aldrich公司生产的苯乙烯磺酸钠(SSNa)和19克五氟苯乙烯(PFS)完全溶解在0.6升二甲亚砜(DMSO)中，同时加热。 
将1克偶氮二异丁腈(AIBN)溶解在二甲亚砜(DMSO)中，并以滴加形式加入以聚合超过24小时。通过沉淀和过滤，制得含有30摩尔％PFS的{P(SSNa-共聚-PFS)}共聚物。 
在相同方法中，通过改变并使5、10和20摩尔％PFS反应制得含有5、10和20摩尔％五氟苯乙烯(PFS)的{P(SSNa-共聚-PFS)}共聚物。 
以下化学式26所示的聚(苯乙烯磺酸-全氟苯乙烯)共聚物{P(SSA-共聚-PFS)}的水溶液通过将以上共聚物与阳离子类树脂(AmberiteTM R-120)和阴离子类树脂(LewatitTM MP62)反应来制备。所制备的共聚物是水溶性的，且水溶液的总固体含量是1.5wt％。在以下化学式26中，n1/m1是0.25。 
[化学式26] 
Figure GSB00000793815100231
<实施例2>：PEDOT导电聚合物复合物组合物的制备
离聚物购自Sigma Aldrich公司，其中以下化学式27的结构(NAFION)以胶体存在于水和2-丙醇(45∶55的体积比)的5wt％混合溶剂中。 
将实施例1中制备且含20摩尔％PFS的化学式26的共聚物与化学式27的离聚物以50∶50、80∶20和90∶10的重量比混合。随后，将水和醇的混合溶剂(50∶50)以使整个固体占1.5wt％的方式加入到混合物中。将混合物溶液充分搅拌超过1小时。 
将3，4-乙撑二氧噻吩(EDOT)加入到上述混合物溶液中，并用过硫酸 铵氧化剂在表1的条件下聚合。将作为反应产物或副产物生成的盐通过离子交换树脂法或透析法纯化。将包括如上获得的导电聚合物复合物的溶液用作导电聚合物复合物组合物。该溶液包括体积比为45∶55的水和2-丙醇的溶剂。所述聚合物复合物的含量比，即固体含量比在1.5～1.7wt％的范围内。该导电聚合物复合物组合物用于制备有机发光二极管。 
[化学式27] 
Figure GSB00000793815100241
其中m2＝1，n2＝5～11和x1＝1。 
(表1) 
Figure GSB00000793815100242
<比较例1>：NAFION/PEDOT组合物的制备
根据美国专利申请第10/803,113号，NAFION/PEDOT导电聚合物组合物通过使用胶体结构的离聚物来制备。 
<比较例2>：PEDOT/PSS和NAFION共混组合物的制备
根据韩国专利申请第2006-0091220号，导电聚合物组合物溶液通过将Baytr0n-P(PEDOT的商品名)与化学式27所示的NAFION离聚物以1∶1、2∶1和4∶1的重量比简单混合来制备。 
过滤能力的比较
由实施例2以及比较例1和2获得的组合物的过滤能力通过用由聚偏二氟乙烯材料形成的0.45um注射器过滤器来测定。结果显示在下表2中。 
(表2) 
Figure GSB00000793815100251
注)过滤能力：O(可过滤大于3ml)，Δ(可过滤2～3ml)，X(仅可过滤小于2ml) 
在实施例2的显示于表1的样品S-1～S-9中，除了样品S-3，过滤能力无显著降低。然而，表2显示了在比较例1中作为参照样品制备的ref-1和ref-2具有差的过滤能力。这是因为离聚物本身以胶状分散在水中。因为在制备导电聚合物共聚物时水中的分散性质降低，所以过滤能力降低。 
基于AFM的薄膜特性的评价
在实施例2和比较例2所制备的组合物中选择具有相同EDOT含量的样品S-2和ref-3，且通过使用具有最低含量胶体类离聚物的样品ref-5制备薄膜。薄膜的制备是通过使用旋涂机将S-2、ref-3和ref-5的组合物在ITO玻璃基板上以2000rpm旋涂30秒，和将所得基板在120℃下烘烤约15分钟。薄膜质量通过用Park AFM(原子力显微镜)系统XE-100(产品型号名称)拍AFM照片来评价。结果显示在图2～4中。此外，测定表面粗糙度Ra和Rq，且结果显示在表3中。 
(表3) 
如图2～图4和表3中所示，作为AFM测量的结果，样品S-2具有最佳薄膜特性。另一方面，与样品S-2相比，仅使用离聚物或简单共混的参照样品ref-3和ref-5具有较差的薄膜平面度，这是因为胶体类离聚物在薄膜制备期间凝聚，如AFM图像证实。 
<实施例3>：有机发光二极管的制备
将来自康宁公司的15Ψ/cm2
Figure GSB00000793815100262
ITO玻璃基板以宽×长×厚为50mm×50mm×0.7mm的尺寸切割，用超声波在异丙醇和去离子水中漂洗5分钟，并使用紫外线和臭氧清洁30分钟。将以上制备的基板用实施例2中制备的样品S-2、S-5和S-8的导电聚合物复合物组合物旋涂，由此形成70nm厚的空穴注入层(HIL)。700nm厚的发光层由空穴注入单元上部中的发绿光的聚合物形成，且将2nm处的LiF和100nm处的Al的第二电极形成在发光层上，由此制备有机发光二极管。将制备的装置样品标记为D-1、D-2和D-3，并示于下表4中。 
(表4) 
Figure GSB00000793815100263
<比较例3>
根据与实施例5相同的方法制备有机发光二极管，不同之处在于将拜耳公司的Baytron-P 4083 PEDOT/PSS水溶液用作形成空穴注入层(HIL)用的 材料。将其称为样品ref-D。 
<装置特性的比较>
使用SpectraScan PR650分光辐射谱仪测定根据实施例3和比较例3制备的装置样品的发光效率。结果显示在下表5、图5(效率特性)和图6(功率特性)中。表5显示出基于ref-D的相关评价。换句话说，通过将ref-D的值假定为100％来得出这些值。 
(表5) 
Figure GSB00000793815100271
表4以及图5和6显示在这些实施例中，装置样品D-3具有最佳效率。装置样品D-3的电流效率是约10.9cd/A，其比参照样品ref-D的电流效率(即7.7cd/A)高69％。此外，其显示电功率效率上增加约220％。 
表4还显示与ref-D相比，除D-3外的其它实施例具有改善了的效率。因此可以看出使用导电聚合物共聚物组合物作为空穴注入层(HIL)的本发明的有机发光二极管具有优异的发光效率。 
本发明不限于由附图和表格所说明的实施方式，且本领域技术人员可通过包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等价置换来制备。因此，上述实施方式应理解为是示例性的，且不以任何方式限制本发明。 

Claims (17)

1.一种导电聚合物复合物，包括：
导电聚合物；
以下化学式1的第一重复单元；
以下化学式2的第二重复单元；和
以下化学式3和/或化学式4的第三重复单元：
[化学式1]
Figure FDA00002836070900011
[化学式2]
Figure FDA00002836070900012
其中，在以上化学式1和2中，
当化学式1的摩尔数是m1且化学式2的摩尔数是n1时，m1和n1的比例是0.0001≤n1/m1≤1；
A选自由取代或未取代的亚烷基、取代或未取代的亚杂烷基、取代或未取代的亚烷氧基、取代或未取代的亚杂烷氧基、取代或未取代的亚芳基、取代或未取代的亚芳烷基、取代或未取代的亚芳氧基、取代或未取代的亚杂芳基、取代或未取代的亚杂芳烷基、取代或未取代的亚杂芳氧基、取代或未取代的亚环烷基、取代或未取代的亚杂环烷基、取代或未取代的亚烷基酯、取代或未取代的亚杂烷基酯、取代或未取代的亚芳基酯和取代或未取代的亚杂芳基酯组成的组中；
B是阳离子和阴离子的离子对，其中所述阳离子选自由H+、金属离子和有机离子CH3(-CH2-)pO+组成的组中，所述金属离子选自由Na+、K+、Li+、Mg2+、Zn2+和Al3+组成的组中，所述有机离子CH3(-CH2-)pO+中p的范围为1～50，且所述阴离子选自由PO3 2-、SO3 -、COO-、I-和CH3COO-组成的组中；和
C是含卤素的取代或未取代的烃：
[化学式3]
Figure FDA00002836070900021
[化学式4]
Figure FDA00002836070900022
其中，在以上化学式3和4中，0<m2≤10,000,000，0≤n2<10,000,000，
0<m3≤10,000,000，0≤n3<10,000,000，
x1、x2、y1和y2独立地是0～20的整数，且
Y1和Y2独立地是-COO-M+、-SO3M+或-PO3 2-(M+)2，其中M+是Na+、K+、Li+、H+或NH4 +，
其中所述第一重复单元和第二重复单元以共聚物形式存在。
2.如权利要求1所述的导电聚合物复合物，其中A选自由取代或未取代的C1～C30亚烷基；取代或未取代的C1～C30亚杂烷基；取代或未取代的C1～C30亚烷氧基；取代或未取代的C1～C30亚杂烷氧基；取代或未取代的C6～C30亚芳基；取代或未取代的C6～C30亚芳烷基；取代或未取代的C6～C30亚芳氧基；取代或未取代的C2～C30亚杂芳基；取代或未取代的C2～C30亚杂芳烷基；取代或未取代的C2～C30亚杂芳氧基；取代或未取代的C5～C20亚环烷基；取代或未取代的C2～C30亚杂环烷基；取代或未取代的C2～C30亚烷基酯；取代或未取代的C1～C30亚杂烷基酯；取代或未取代的C7～C30亚芳基酯；和取代或未取代的C2～C30亚杂芳基酯组成的组中。
3.如权利要求1所述的导电聚合物复合物，其中所述导电聚合物是由至少一种单体聚合获得的聚合物；所述单体选自聚亚苯基，聚苯乙炔，具有以下化学式5的聚苯胺或其衍生物的单体，具有以下化学式6的吡咯、噻吩或其衍生物的单体，和具有以下化学式7的环状单体：
[化学式5]
Figure FDA00002836070900031
[化学式6]
Figure FDA00002836070900032
其中，在以上化学式5和6中，
E是NR，其中R是H或C1～C7低级烷基；或者是S，
Ra、Rb、Rc和Rd独立地选自由氢、取代或未取代的烷基、取代或未取代的杂烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的杂烷氧基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的芳胺、取代或未取代的吡咯、取代或未取代的C6～C30噻吩、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的杂芳烷基、取代或未取代的杂芳氧基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的杂环烷基、取代或未取代的烷基酯、取代或未取代的杂烷基酯、取代或未取代的芳基酯和取代或未取代的杂芳基酯组成的组中；和
Re和Rf独立地选自由以下基团组成的组中：NR，其中R是H或C1～C7低级烷基；烷基；芳基；烷氧基；C1～C30杂烷基；杂烷氧基；芳基烷基；芳氧基；C6～C30芳基胺；C6～C30吡咯；C6～C30噻吩；杂芳基；杂芳基烷基；杂芳氧基；C5～C20环烷基；杂环烷基；烷基酯；杂烷基酯；芳基酯和杂芳基酯组成的组中：
[化学式7]
Figure FDA00002836070900041
其中，具有化学式7的环状单体为3,4-乙撑二氧噻吩；或者在以上化学式7中，
T选自NR，其中R是H或C1～C7低级烷基；或含有选自由N、O、S和P组成的组中的杂原子的C1～C20杂烷基；或含有选自由N、O、S和P组成的组中的杂原子的C6～C20杂芳基，
U选自NR，其中R是H或C1～C7低级烷基；或含有选自由N、O、S和P组成的组中的杂原子的C1～C20杂烷基；或含有选自由N、O、S和P组成的组中的杂原子的C6～C20杂芳基，
g和h独立地是0～9，
W是-(CH2)x-CRgRh-(CH2)y，其中Rg和Rh独立地选自由H、C1～C20烷基、C6～C14芳基和-CH2-ORi组成的组中，其中Ri选自由H、C1～C6烷基酸、C1～C6烷基酯、C1～C6杂烷基酸和C1～C6烷基磺酸组成的组中，且x和y独立地是0～5。
4.如权利要求3所述的导电聚合物复合物，其中Re和Rf独立地选自由以下基团组成的组中：含有选自由N、O、S和P组成的组中的杂原子的C1～C20杂烷基；含有自由N、O、S和P组成的组中的杂原子的C6～C20杂芳基。
5.一种导电聚合物复合物组合物，包括：
导电聚合物复合物和溶剂，其中所述导电聚合物复合物包括：导电聚合物；以下化学式1的第一重复单元；以下化学式2的第二重复单元；和以下化学式3和/或化学式4的第三重复单元：
[化学式1]
Figure FDA00002836070900051
[化学式2]
Figure FDA00002836070900052
其中，在以上化学式1和2中，
化学式1的摩尔数是m1且化学式2的摩尔数是n1，m1和n1的比例是0.0001≤n1/m1≤1；
A选自由取代或未取代的亚烷基、取代或未取代的亚杂烷基、取代或未取代的亚烷氧基、取代或未取代的亚杂烷氧基、取代或未取代的亚芳基、取代或未取代的亚芳烷基、取代或未取代的亚芳氧基、取代或未取代的亚杂芳基、取代或未取代的亚杂芳烷基、取代或未取代的亚杂芳氧基、取代或未取代的亚环烷基、取代或未取代的亚杂环烷基、取代或未取代的亚烷基酯、取代或未取代的亚杂烷基酯、取代或未取代的亚芳基酯和取代或未取代的亚杂芳基酯组成的组中；
B是阳离子和阴离子的离子对，其中所述阳离子选自由H+、金属离子和有机离子CH3(-CH2-)pO+组成的组中，所述金属离子选自由Na+、K+、Li+、Mg2+、Zn2+和Al3+组成的组中，其中所述有机离子CH3(-CH2-)pO+中p的范围为1～50，且所述阴离子选自由PO3 2-、SO3 -、COO-、I-和CH3COO-组成的组中；和
C是含卤素的取代或未取代的烃，
[化学式3]
Figure FDA00002836070900061
[化学式4]
Figure FDA00002836070900062
其中，在以上化学式3和4中，0<m2≤10,000,000，0≤n2<10,000,000，
0<m3≤10,000,000，0≤n3<10,000,000，
x1、x2、y1和y2独立地是从0至20的整数，且
Y1和Y2独立地是-COO-M+、-SO3M+或-PO3 2-(M+)2，其中M+是Na+、K+、Li+、H+或NH4 +，
其中所述第一重复单元和第二重复单元以共聚物形式存在。
6.如权利要求5所述的导电聚合物复合物组合物，其中所述导电聚合物是由至少一种单体聚合获得的聚合物；所述单体选自聚亚苯基，聚苯乙炔，具有以下化学式5的聚苯胺或其衍生物的单体，具有以下化学式6的吡咯、噻吩或其衍生物的单体，和具有以下化学式7的环状单体：
[化学式5]
Figure FDA00002836070900063
[化学式6]
Figure FDA00002836070900064
其中，在以上化学式5和6中，
E是NR，其中R是H或C1～C7低级烷基；或者是S，
Ra、Rb、Rc和Rd独立地选自由氢、取代或未取代的烷基、取代或未取代的杂烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的杂烷氧基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的芳胺、取代或未取代的吡咯、取代或未取代的C6～C30噻吩、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的杂芳烷基、取代或未取代的杂芳氧基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的杂环烷基、取代或未取代的烷基酯、取代或未取代的杂烷基酯、取代或未取代的芳基酯和取代或未取代的杂芳基酯组成的组中；和
Re和Rf独立地选自由以下基团组成的组中：NR，其中R是H或C1～C7低级烷基；烷基；芳基；烷氧基；C1～C30杂烷基；杂烷氧基；芳基烷基；芳氧基；C6～C30芳基胺；C6～C30吡咯；C6～C30噻吩；杂芳基；杂芳基烷基；杂芳氧基；C5～C20环烷基；杂环烷基；烷基酯；杂烷基酯；芳基酯和杂芳基酯组成的组中：
[化学式7]
Figure FDA00002836070900071
其中，具有化学式7的环状单体为3,4-乙撑二氧噻吩；或者在以上化学式7中，
T选自NR，其中R是H或C1～C7低级烷基；或含有选自由N、O、S和P组成的组中的杂原子的C1～C20杂烷基；含有选自由N、O、S和P组成的组中的杂原子的C6～C20杂芳基，
U选自NR，其中R是H或C1～C7低级烷基；或含有选自由N、O、S和P组成的组中的杂原子的C1～C20杂烷基；或含有选自由N、O、S和P组成的组中的杂原子的C6～C20杂芳基，
g和h独立地是0～9，
W是-(CH2)x-CRgRh-(CH2)y，其中Rg和Rh独立地选自由H、C1～C20烷基、C6～C14芳基和-CH2-ORi组成的组中，其中Ri选自由H、C1～C6烷基酸、C1～C6烷基酯、C1～C6杂烷基酸和C1～C6烷基磺酸组成的组中，且
x和y独立地是0～5。
7.如权利要求6所述的导电聚合物复合物组合物，其中Re和Rf独立地选自由以下基团组成的组中：C1～C20杂烷基，包括选自由N、O、S和P组成的组中的杂原子；C6～C20杂芳基，包括选自由N、O、S和P组成的组中的杂原子。
8.如权利要求5所述的导电聚合物复合物组合物，其中所述导电聚合物复合物组合物进一步包括选自由物理交联剂、化学交联剂和它们的组合组成的组中的交联剂。
9.如权利要求5所述的导电聚合物复合物组合物，其中基于100重量份的所述导电聚合物复合物，所述导电聚合物复合物组合物包括0.001～5重量份的物理交联剂。
10.如权利要求5所述的导电聚合物复合物组合物，其中基于100重量份的所述导电聚合物复合物，所述导电聚合物复合物组合物包括0.001～50重量份的化学交联剂。
11.如权利要求8所述的导电聚合物复合物组合物，其中所述物理交联剂选自由甘油、丁醇、聚乙烯醇、聚乙二醇、聚乙烯亚胺、聚乙烯基吡咯烷酮和它们的组合组成的组中。
12.如权利要求8所述的导电聚合物复合物组合物，其中所述化学交联剂选自由四乙氧基硅烷、聚吖丙啶、三聚氰胺类聚合物、环氧类聚合物和它们的组合组成的组中。
13.如权利要求5所述的导电聚合物复合物组合物，其中所述溶剂选自由水、乙醇、二甲基甲酰胺、二甲亚砜、甲苯、二甲苯、氯苯和它们的组合组成的组中。
14.一种导电聚合物有机层，用如权利要求5～13中任一项所述的导电聚合物复合物组合物制备。
15.一种有机光电装置，包括用如权利要求5～13中任一项所述的导电聚合物复合物组合物制备的导电聚合物有机层。
16.如权利要求15所述的有机光电装置，其中所述有机光电装置是有机发光二极管。
17.如权利要求15所述的有机光电装置，其中所述导电聚合物有机层是空穴或电子注入层。
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