CN100390624C - 液晶显示装置和图像显示装置 - Google Patents
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Abstract
提供一种液晶显示装置和图像显示装置。该液晶显示装置包括夹在透明的第1基板和第2基板间的液晶层和滤色层，在上述第1基板上有多个栅极配线、多个漏极配线、以及对应于它们的各个交点形成的薄膜晶体管，由邻接的栅极配线和漏极配线包围的区域构成像素区域，各个像素至少有共用电极配线和共用电极和像素电极，其中：上述共用电极配线包括在上述像素区域中沿上述栅极配线延长方向延长的第1共用电极配线和沿上述漏极配线延长方向延长的第2共用电极配线，该第1共用电极配线与该第2共用电极配线由第1绝缘膜隔开，该第1共用电极配线与该第2共用电极配线在设在第1绝缘膜上的开口部处连接，在该开口部上形成第2绝缘膜。
Description
(本申请是在先申请03101518.2的分案申请。)
技术领域
本发明涉及液晶显示装置，特别是涉及薄膜晶体管(TFT)方式等有源矩阵型液晶显示装置及其制造方法。
背景技术
在IPS(平面内切换)模式的液晶显示装置中，作为可以实现宽视野角的方式在日本特开平7-36058号等中已公开。此外在特开平9-230378号中提出了在有机类树脂上经由开口于上述树脂的通孔配置像素电极和共用电极的方式。而且，作为切换用的有源元件，除了用非晶态硅的TFT以外，用多晶硅的TFT已公知。
发明内容
在IPS型液晶显示装置中存在着比TN方式数值孔径低的问题，存在着提高数值孔径的问题。此外存在着为了适应包括大型尺寸的液晶电视在内的影像数字媒体而实现高辉度，而且在大画面尺寸下减少配线迟延的影响实现均一的显示的问题。
而且，在IPS显示的液晶显示装置的画面尺寸大型化，其分辨率高精细化时，存在着辉度不匀、拖影等恶化，图像质量劣化的问题。在采用有源矩阵型驱动的IPS显示装置中，通过加在各像素的像素电极和共用电极间的横向电场来驱动液晶。因为像素电极是针对各像素独立驱动的，故各个像素内的迟延时间由像素TFT对液晶电容和保持电容的总和的驱动能力来决定。在IPS显示装置中，与TN显示装置相比，液晶电容小而保持电容的值大。另一方面，共用电极是画面内的接线的配线，其电极材料的电阻率或与其他配线的电电容对负载的配线迟延成为使图像质量恶化的迟延时间。如果针对各像素来看则保持电容成为配线迟延的最大原因。因而，为了提高图像质量必须缩短共用电极的配线迟延时间，这一点是特别有效的。
而且，已明确为了把驱动漏极配线的电路内藏于玻璃等的TFT基板上而减少外部的驱动IC数，必须减小漏极配线的配线迟延。因此，存在着减小漏极配线电容的问题。
解决以上的问题的一个或多个正是本申请的目的，本发明的第1目的在于提供一种提高数值孔径的IPS型液晶显示装置。第2目的在于提供一种实现高辉度化的IPS型液晶显示装置。第3目的在于提供一种即使大画面也可以减少配线迟延的影响，改善图像质量的液晶显示装置。
作为本申请解决的目的的其他问题将在本申请说明书中明确。
根据本发明的解决问题的方式的主要例子如下。
(方式1)
一种液晶显示装置，包括夹在透明的第1基板和第2基板间的液晶层和滤色层，
在上述第1基板上有多个栅极配线、与上述栅极配线矩阵状交叉的多个漏极配线、以及对应于上述栅极配线与漏极配线的各个交点所形成的薄膜晶体管，由邻接的栅极配线和漏极配线所包围的区域来构成像素区域，各个像素至少有共用电极配线和共用电极和像素电极，其特征在于，
上述共用电极配线包括在上述像素区域中沿上述栅极配线延长方向延长的第1共用电极配线、和沿上述漏极配线延长方向延长的第2共用电极配线，该第1共用电极配线与该第2共用电极配线由第1绝缘膜隔开，该第1共用电极配线与该第2共用电极配线在设在第1绝缘膜上的开口部处连接，在该开口部上形成第2绝缘膜。
(方式2)
在方式1中，上述第1共用电极配线与第2共用电极配线在上述像素区域中与上述共用电极之间至少有上述第2绝缘膜，而且上述共用电极在上述漏极配线上至少包括经由上述第2绝缘膜比上述漏极配线加宽配置的部分。
(方式3)
一种液晶显示装置，包括夹在透明的第1基板和第2基板间的液晶层和滤色层，
在上述第1基板上有多个栅极配线、与上述栅极配线矩阵状交叉的多个漏极配线、以及对应于上述栅极配线与漏极配线的各个交点所形成的薄膜晶体管，由邻接的栅极配线和漏极配线所包围的区域来构成像素区域，各个像素至少有共用电极配线和像素电极，其特征在于，
在上述像素区域中有第1岛状电极，在覆盖第1岛状电极的第1绝缘膜上有开口部，有沿上述漏极配线延长方向延长的共用电极配线，该第1岛状电极与该共用电极配线在上述开口部处连接，该第1岛状电极构成下部电极，连接于上述薄膜晶体管的源电极而在上述第1绝缘膜上形成的第2岛状电极构成上部电极而构成保持电容。
(方式4)
在方式3中，在上述第1基板上，在上述漏极配线上所覆盖的绝缘膜上有所构成的共用电极，该共用电极在邻接的像素间矩阵状地连接而构成，而且该共用电极在上述漏极配线上所覆盖的绝缘膜上包括比上述漏极配线加宽地配置的部分。
(方式5)
在方式3中，上述保持电容的绝缘膜为覆盖上述薄膜晶体管的栅极配线的无机绝缘膜。
(方式6)
在方式3中，上述第1岛状电极由上述薄膜晶体管的半导体层来构成，上述保持电容的绝缘膜至少包括上述薄膜晶体管的栅极绝缘膜。
(方式7)
一种液晶显示装置，包括夹在透明的第1基板和第2基板间的液晶层和滤色层，
在上述第1基板上有多个栅极配线、与上述栅极配线矩阵状交叉的多个漏极配线、以及对应于上述栅极配线与漏极配线的各个交点所形成的薄膜晶体管，由邻接的栅极配线和漏极配线所包围的区域来构成像素区域，各个像素至少有共用电极配线和共用电极和像素电极，其特征在于，
作为上述共用电极配线有沿上述漏极配线延长方向延长的共用电极配线，有连接于上述薄膜晶体管的源电极的岛状金属像素电极，上述像素区域在邻接的漏极配线间有分割六份以上的开口部，上述岛状金属像素电极与上述邻接的漏极配线当中的一个之间有至少一个开口部，上述共用电极配线与上述邻接的漏极配线当中的另一个漏极配线之间有至少两个开口部，上述岛状金属像素电极与上述共用电极配线之间有至少三个开口部。
(方式8)
一种液晶显示装置，包括夹在透明的第1基板和第2基板间的液晶层和滤色层，
在上述第1基板上有多个栅极配线、与上述栅极配线矩阵状交叉的多个漏极配线、以及对应于上述栅极配线与漏极配线的各个交点所形成的薄膜晶体管，由邻接的栅极配线和漏极配线所包围的区域来构成像素区域，各个像素至少有共用电极配线和共用电极和像素电极，其特征在于，
作为上述共用电极配线有沿上述漏极配线延长方向延长的共用电极配线，有连接于上述薄膜晶体管的源电极的岛状金属像素电极，上述像素区域在邻接的漏极配线间有分割八份以上的开口部，上述岛状金属像素电极与上述邻接的漏极配线当中的一方之间有至少三个开口部，上述共用电极配线与上述邻接的漏极配线当中的另一个漏极配线之间有至少两个开口部，上述岛状金属像素电极与上述共用电极配线之间有至少三个开口部。
(方式9)
一种液晶显示装置，包括夹在透明的第1基板和第2基板间的液晶层和滤色层，
在上述第1基板上有多个栅极配线、与上述栅极配线矩阵状交叉的多个漏极配线、以及对应于上述栅极配线与漏极配线的各个交点所形成的薄膜晶体管，由邻接的栅极配线和漏极配线所包围的区域来构成像素区域，各个像素至少有共用电极配线和透明共用电极和透明像素电极，其特征在于，
上述透明共用电极和上述透明像素电极由比上述漏极配线更上面的层同层地形成，作为上述共用电极配线有沿上述漏极配线延长方向延长的共用电极配线，有连接于上述薄膜晶体管的源电极的金属像素电极，上述像素区域在上述像素区域邻接的漏极配线间有分割六份以上的开口部，上述金属像素电极配置在最邻接于上述邻接的漏极配线当中一个漏极配线的透明像素电极的下部，上述共用电极配线配置在邻接于上述邻接配置的漏极配线当中另一个漏极配线且不在另一个漏极配线上的透明共用电极的下部，在上述金属像素电极与上述共用电极配线之间有至少一个以上的透明共用电极或透明像素电极。
(方式10)
一种液晶显示装置，包括夹在透明的第1基板和第2基板间的液晶层和滤色层，
在上述第1基板上有多个栅极配线、与上述栅极配线矩阵状交叉的多个漏极配线、以及对应于上述栅极配线与漏极配线的各个交点所形成的薄膜晶体管、由邻接的栅极配线和漏极配线所包围的区域来构成像素区域，各个像素至少有共用电极配线和共用电极和像素电极，其特征在于，
在夹在邻接的漏极配线中的区域有所配置的金属像素电极，作为上述共用电极有沿上述漏极配线延长方向延长的共用电极，针对像素区域的分割数以几乎均等的间隔来配置上述邻接的漏极配线当中的一个与该金属像素电极之间，该金属像素电极与该共用电极之间，该共用电极与上述邻接的漏极配线当中另一个漏极配线之间。
(方式11)
在方式7至方式10中，作为共用电极配线有沿上述栅极配线延长方向延长的第1共用电极配线，和沿上述漏极配线延长方向延长的第2共用电极配线，上述第1共用电极配线和上述第2共用电极配线在像素区域中在绝缘膜的开口部处相互连接。
(方式12)
在方式10中，针对上述像素区域的分割数几乎均等的间隔，在邻接的影像信号线之间的区域的分割数8分割的构成的液晶显示装置中为3+3+2，在邻接的影像信号线之间的区域的分割数10分割的构成的液晶显示装置中为3+3+4，在邻接的影像信号线之间的区域的分割数12分割的构成的液晶显示装置中为5+4+3地构成。
(方式13)
一种液晶显示装置，包括夹在透明的第1基板和第2基板间的液晶层和滤色层，
在上述第1基板上有多个栅极配线、与上述栅极配线矩阵状交叉的多个漏极配线、以及对应于上述栅极配线与漏极配线的各个交点所形成的薄膜晶体管，由邻接的栅极配线和漏极配线所包围的区域来构成像素区域，各个像素至少有保持电极配线和像素电极，其特征在于，
在上述像素区域中有第1岛状电极，在覆盖第1岛状电极的第1绝缘膜上有开口部，有严上述漏极配线延长方向延长的保持电极配线，该第1岛状电极与该保持电极配线在上述开口部处连接，该第1岛状电极构成下部电极，连接于上述薄膜晶体管的源电极并在上述第1绝缘膜上所形成的第2岛状电极构成上部电极并构成保持电容。
(方式14)
在方式13中，有沿上述栅极配线延长方向延长的第2保持电容配线，靠在上述第1绝缘膜上所形成的通孔把该第2保持电容配线与沿上述漏极配线延长方向延长的保持电容配线电气连接。
(方式15)
在方式13中，有沿上述栅极配线延长方向延长的第2保持电容配线，该第2保持电容配线兼作上述第1岛状电极。
(万式16)
一种液晶显示装置，包括夹在透明的第1基板和第2基板间的液晶层和滤色层，
在上述第1基板上有多个栅极配线、与上述栅极配线矩阵状交叉的多个漏极配线、以及对应于上述栅极配线与漏极配线的各个交点所形成的薄膜晶体管，靠由邻接的栅极配线和漏极配线所包围的区域来构成像素区域而各个像素至少有共用电极配线和透明共用电极和像素电极，其特征在于，
上述栅极配线在其上部有绝缘膜，而且在其上部有上述透明共用电极比上述栅极配线的宽度更宽地覆盖的区域，该比栅极配线更宽的透明电极配线具有液晶显示装置的黑矩阵的作用。
(方式17)
在方式16中，上述比栅极配线更宽的透明电极配线还覆盖薄膜晶体管的半导体层。
(方式18)
在方式16中，上述绝缘膜是丙烯酸等的有机绝缘膜。
(方式19)
在方式1、2、4、7至10、12中的任何一项中，上述共用电极和像素电极由透明电极来构成，双方形成上述第1基板的取向膜下的最上层。
(方式20)
方式1至10、12至18的液晶显示装置是横向电场方式的液晶显示装置。
(方式21)
在方式1至10、12至18中的任何一项中，由多晶硅来构成上述薄膜晶体管的半导体层。
(方式22)
用方式1至10、12至18中的任何一项的有源矩阵型液晶显示装置来构成用作液晶电视的图像显示装置。
(方式23)
用方式1至10、12至18中的任何一项的有源矩阵型液晶显示装置来构成用作液晶显示器的图像显示装置。
(方式24)
用方式1至10、12至18中的任何一项的有源矩阵型液晶显示装置来构成用作整体型个人计算机的图像显示装置。
本发明的更多的方式将在包含权利要求书在内的本申请说明书中变得明晰。
附图说明
图1是根据本发明的一个实施例的TFT液晶显示装置的像素的局部俯视图。
图2是沿图1的2-2′线的像素的局部剖视图。
图3是沿图1的3-3′线的像素的局部剖视图。
图4是沿图1的4-4′线的像素的局部剖视图。
图5是用来说明根据本发明的一个实施例的TFT液晶显示装置的TFT基板的直到第1光加工工序后的制造方法的剖视图。
图6是用来说明根据本发明的一个实施例的TFT液晶显示装置的TFT基板的直到第2光加工工序的制造方法的剖视图。
图7是用来说明根据本发明的一个实施例的TFT液晶显示装置的TFT基板的直到第3光加工工序的制造方法的剖视图。
图8是用来说明根据本发明的一个实施例的TFT液晶显示装置的TFT基板的直到第4光加工工序的制造方法的剖视图。
图9是用来说明根据本发明的一个实施例的TFT液晶显示装置的TFT基板的直到第5光加工工序的制造方法的剖视图。
图10是LCD盒的总体俯视图。
图11是把PCB基板和TAB连接于LCD盒的总体俯视图。
图12是LCD盒的TAB和漏电极侧引出端子部附近的剖视图。
图13是表示本发明的一个实施例的TFT-LCD的概略的等效电路的俯视图。
图14是表示本发明的一个实施例的TFT-LCD的像素的驱动波形的时间分配图。
图15是表示本发明的模块构成之一例的说明图。
图16是根据本发明的一个实施例的偏振片和初期取向方向的关系的图。
图17是根据本发明的另一个实施例的TFT液晶显示装置的像素的俯视图。
图18是沿图17的18-18′的局部剖视图。
图19是根据本发明的另一个实施例的TFT液晶显示装置的像素的俯视图。
图20是沿图19的20-20′的局部剖视图。
图21是根据本发明的另一个实施例的TFT液晶显示装置的像素的俯视图。
图22是沿图21的22-22′线的局部剖视图。
图23是沿图21的23-23′线的局部剖视图。
图24是根据本发明的另一个实施例的TFT液晶显示装置的像素的俯视图。
图25是沿图24的25-25′线的局部俯视图。
图26是根据本发明的另一个实施例的TFT液晶显示装置的像素的俯视图。
图27是沿图26的27-27′线的局部俯视图。
图28是沿图26的27-27′线的局部剖视图。
图29是运用本发明的液晶TV的示意图。
图30是运用本发明的液晶显示器的示意图。
图31是运用本发明的整体型个人计算机的示意图。
(标号的说明)
CJ...连接部，CLMD...纵向共用电极配线，CLMG...横向共用电极配线，CLT...透明共用电极，CPAD...检查片，CNT1...连接漏极配线和Si岛的接触孔，CNT2...连接金属像素电极和Si岛的接触孔，CNT3...连接金属像素电极和透明像素电极的接触孔，CNT4...连接纵向共用电极配线和横向共用电极配线的接触孔，Cstg...保持电容，DDC...玻璃基板上的漏电极分割电路，DL...漏极配线，EPX...环氧树脂，CF...滤色层，FIL...滤色层，FPAS...有机保护膜，GFPC...栅极FPC，GI...栅极绝缘膜，GL...栅极配线，GLS1...TFT玻璃基板，GLS2...CF玻璃基板，IDC...外附的漏电极电路，INJ...封入口，IL1...层间绝缘膜，LC...液晶(分子)，LCB...导光板，MDL...模块，OC...滤色的外膜，OLI...取向膜，PAS...保护绝缘膜，POL...偏振片，PSI...p-Si岛，PSI(p)...p型p-Si半导体层，PSI(n+)...n+型p-Si半导体层，RM...反射板，SPB...扩散膜，SPC...支柱，SHD...机壳，SPM...金属像素电极，SPT...透明像素电极，STM...保持电容电极，SSC...电源，控制电路，TCP...带载封装，ULS...底层绝缘膜，SP...扬声器，LCM...液晶显示装置，SW...开关，KB...键盘。
具体实施方式
用以下实施例说明展示本发明的特征的典型结构。
(第1实施例)
图1～图5是根据本发明的一个实施例的液晶显示装置的俯视图和剖视图。图2、图3、图4分别示出作为图1中的2-2′、3-3′、4-4′用单点划线表示的剖切线处的断面。在附图中为了容易分辨剖切部分，用○包围数字来表示剖切部。而且，附图是为了说明而记载了主要部分，有的图中省略了取向膜。还有的图中省略了对置基板侧的构成。下面依次示出。
图1示出像素的示意俯视图。邻接的栅极配线GL、邻接的漏极配线DL包围构成一个像素。栅极配线GL也作为由多晶硅PSI构成的TFT的栅电极起作用，供给使TFT接通的电压。漏电极线供给去往多晶硅PSI的电流，也就是在上述栅极电压GL供给接通电压的定时向一个像素的液晶电容、保持电容供给所施加的影像电压(漏电极电压)，结果金属像素电极SPM和与之连接的透明像素电极SPT的电位成为影像电位。
上述电流的流动，从漏极配线DL通过第1接触孔CNT1到多晶硅PSI，该多晶硅中的电流通过第2接触孔CNT2流到金属像素电极SPM。而且从金属像素电极SPM经由第3接触孔CNT3到达绝缘膜上的透明像素电极SPT。
在图1中，在DL和PSI的接触孔CNT1的周围局部加粗地构成DL。由此，实现CNT1的连接电阻的减小和稳定的接触。当然，只要接触孔可以正常DL的粗细也可以相同。
与像素电极一起构成液晶电容或保持电容的另一个电极的共用电极电位按以下的路径来施加。配置于邻接的栅极配线间的大致中央的横向共用电极配线CLMG，和配置于邻接的漏极配线间的大致中央的纵向共用电极配线CLMD上首先施加共同电位。这些共用电极配线从画面外部的电源来供给。而且，该横向共用电极配线CLMG与栅极配线GL由相同的材料在相同的工序中形成。另一方面，纵向共用电极配线CLMD与漏极配线DL由相同的材料在相同的工序中形成。
本平面结构之一在于，该横向共用电极配线CLMG与纵向共用电极配线CLMD由第4接触孔CNT4相互连接。因而，如果从液晶显示装置画面区域观看，则在低电阻的网格状共用电极配线接线的状态下配线迟延变得极小。这些由金属构成的共用电极配线主要起向金属像素电极SPM和横向共用电极配线在平面地重合的面积区域中所规定的保持电容供给电位的作用。构成保持电容的绝缘膜是绝缘分离栅极配线GL和漏极配线的层间绝缘膜。像这样与漏极配线同层地形成纵向共用电极配线CLMD，与栅极配线同层地形成横向共用电极配线CLMG，在各像素中连接两者的共用电极配线，由此可以减小漏极配线与共用电极配线间的寄生电容，还包含矩阵状的供电效应，因为供给的共用电极电位稳定化，故实现大幅度地减少辉度不匀、拖影的稳定的显示。而且，在该共用电极配线的配置中，因为纵向共用电极配线CLMD成为与同层的漏极配线平行方向，横向共用电极配线CLMG成为与同层的栅极配线平行方向，故同层的电极间的短路的概率也可以降低，可以提高成品率。而且，因为漏极配线横跨多个栅极配线供电，栅极配线产生的影像信号包含电容结合引起的栅极配线的影响。在本实施例中通过与漏极配线同层地形成纵向共用电极配线CLMD，成为从纵向所供给的共同电位从栅极配线受到类似于影像信号的影响。结果，因为写入保持电容部的电压成为两者的电压差，故收到向栅极配线的影响被抵销的方向动作的效果。因此，可以进一步谋求显示不匀的降低，拖影的减少。此外从图3可以看出，因为连接横向共用电极配线CLMG和纵向共用电极配线CLMD的通孔CNT4靠PAS保护其上部，故可以成为连接部的可靠性也高的。而且因为可以靠FPAS平坦化，故也不产生对摩擦取向的影响。此外通过在栅极配线曾形成横向共用电极配线CLMG，在漏极配线层形成纵向共用电极配线CLMD，两者之间的接触孔在无机绝缘膜上形成成为可能。因此，可以减小接触孔的大小，实现数值孔径的进一步提高。
另一方面，在各像素区域中与上述网格状地电气上连接的金属制的共用电极配线分开地，在栅极配线GL和漏极配线DL上经由低介电率的绝缘膜，在其上部有以屏蔽上述配线的方式配置的透明共用电极CLT，在邻接的像素间网格状地构成。透明共用电极CLT向像素内分支，起与像素电极SPT一起驱动液晶的共用电极的作用。透明共用电极CLT与在像素内由金属所形成的横向共用电极配线CLMG或纵向共用电极配线CLMD不连接，在画面周边区域中连接接线。此外，该透明共用电极CLT与横向共用电极配线CLMG或纵向共用电极配线CLMD是主要充电保持电容的配线不同，起充电液晶电容的作用。在IPS液晶显示装置中因为液晶电容成为例如图1的透明共用电极CLT与透明像素电极SPT间所规定的值，故该值成为与在对置的基板面的大部分区域中所形成的电极间形成液晶电容的TN液晶显示装置相比，小了一半以下的值。结果，即使透明共用电极CLT的配线电阻规格为相当高的值，给液晶电容充电也成为可能，可以使用各种透明导体，也就是ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、ITZO(氧化铟锡锌)、SnO2、In2O3等，而且可以得到抑制辉度不匀或拖影的良好的图像质量。
上述共用电极和共用电极配线的电位设定成逐帧交流化的像素电位的几乎中点电位(图14中再次说明细节)。在用TFT的液晶显示装置的场合，最好是考虑到跃变电压引起的变动而设定。液晶电容和保持电容由该像素电极电位与共用电极电位构成，并且通过该电位间的电位差在液晶层内产生电场，由从上述漏极配线DL供给的影像电压和上述共同电压来显示影像。图1中的主要透射部是沿2-2′线设置的4个开口部。
下面，用剖视图详细地说明各部的构成。图2是沿图1的2-2′线的剖视图，是横切邻接的漏电极线DL间的一个像素区域的部分。在软化温度约670℃的无碱TFT玻璃基板GLS1上形成由膜厚50nm的Si3N4膜和膜厚120nm的SiO2膜组成的底层绝缘膜ULS。底层绝缘膜ULS具有防止来自TFT玻璃基板GLS1的Na等杂质的扩散的作用。在底层绝缘膜ULS上形成由SiO2组成的栅极绝缘膜GI。
覆盖上述地形成由SiO2组成的层间绝缘膜IL1，在层间绝缘膜IL1上形成Ti/Al/Ti这样由三层金属膜组成的漏极配线DL。用与上述漏极配线DL相同材料、相同的工序形成的金属像素电极SPM，是在图1中从TFT的第2接触孔CNT2供给电位的电极。此外，在同层上平行地配置用与上述漏极配线DL相同材料、相同的工序形成的纵向共用电极配线CLMD，这些起着对保持电容供给电位的作用。在其上层上靠由膜厚200nm的Si3N4组成的保护绝缘膜PAS和膜厚2μm的以丙烯酸类树脂为主要成分的有机保护膜FPAS来覆盖。在有机保护膜FPAS上，首先比漏极配线DL的宽度要宽地形成由铟锡氧化物(ITO)组成的透明共用电极CT。用相同的工序、相同材料制作的由ITO构成的透明像素电极SPT也在上述有机绝缘膜FPAS上形成。
在上述说明中，对配线材料没有特别限制。
主要透射区域是(1)漏电极线DL上的透明共用电极CLT和透明像素电极SPT间，(2)上述透明像素电极SPT和图1的俯视图中覆盖纵向共用电极配线CLMD地配置，从栅极配线GL向上侧上下延伸的透明共用电极配线CLT之间，(3)上述透明共用电极CLT和透明像素电极SPT之间，(4)上述透明像素电极SPT和漏极配线DL上的透明共用电极CPT之间等4个区域。上述透明像素电极SPT、透明共用电极CPT是驱动液晶的电极。
另一方面，封固液晶LC的对置的基板是滤色(CF)基板GLS2。CF玻璃基板GLS2，根据在液晶侧由把进行彩色显示的颜料分散的有机膜材料构成的滤色片(FIL)分配给每个像素的颜色，成为表现蓝(B)、红(R)、绿(G)的透射光的滤色片(对红色来说FIL(R))。在其内侧形成由有机材料构成的外膜OC膜。虽然也可以没有OC膜，但是出于提高平坦性的目的，最好是有。在CF基板GLS2和TFT基板GLS1对液晶LC相接的面上印刷了取向膜OLI并施加规定的摩擦取向，控制初期取向方向。此外上述CF玻璃基板CLS2和TFT玻璃基板CLS1外侧的表面上分别粘贴偏振片POL。该偏振片在相互的玻璃基板间形成偏转轴正交的所谓正交尼科耳状态。
摩擦取向方向与偏振片的角度的关系示于图16。偏振轴的一方PD2与GL同方向，另一方PD1取为与GL正交的方向。此外摩擦取向方向RD取为上下基板也与GL正交的方向。由此成为常黑模式的配置，而且通过图1那样的弯曲形状的像素图形进行多畴化。当然，非多畴的场合也包含在本申请的范畴内，即使在该场合下偏振片配置也必须取为正交尼科耳。
在本断面的CF基板GLS2上形成所谓黑矩阵BM。对照滤色片FIL的颜色在所配置的透明共用电极配线CLT上进行，以便覆盖漏极配线DL。
本断面结构的特征之一在于，靠有机绝缘膜FPAS上的透明像素电极SPT和透明共用电极CPT对液晶LC，一个像素至少具有分割四份的开口(主透射区域)。
此外另一个特征在于，在有机保护膜FPAS上，在分开施加液晶显示电压的间隔地配置的具有规定的宽度的透明像素电极SPT和透明共用电极CLT的下部，夹着有机绝缘膜FAPS和保护膜PAS的叠层绝缘膜配置着金属像素电极SPM、纵向共用电极配线CLMD和漏极配线DL。各个透明电极宽度像如下设定。
覆盖漏极配线DL的透明共用电极配线CLT宽度必须为漏极配线宽度的至少2倍以上。这是因为，IPS液晶显示装置中，如果在液晶上施加了共用电极电位和像素电位以外的电场，则产生拖影或磁畴，其屏蔽是必须的。另一方面，金属像素电极SPM与纵向共用电极配线CLMD上的透明电极SPT和CLT的宽度，因为它们与下部的金属电极同电位，故不受作为金属电极的SPM、CLMD的宽度制约。但是，在用正型液晶材料的IPS液晶显示装置中，即使在透明电极上光也不透射。这是因为在宽度宽的电极上未施加横向电场，液晶分子不旋转。与此相反，从透明电极的端部到向其宽度的内部1.5μm的区域边缘的横向电场开始透过。由于以上原因，金属像素电极SPM和纵向共用电极配线的宽度基本上设定成，与各自上部的透明像素电极SPT和透明共用电极配线CLT同一宽度或比它窄。此外，纵向共用电极配线CLMD的配线材料与漏极配线DL相同，基本上是低电阻的Ti/Al/Ti配线，具有即使其宽度设定由工艺规程确定的最小值也可以减小配线迟延，不使数值孔径降低的特征。特别是，在本实施例中，配置在对液晶驱动不可缺少的透明电极配线CLT下部，不使新的数值孔径降低也成为特征之一。
图3是沿图1的3-3′线的剖视图。本剖视图示出图1的俯视图中漏极配线DL～第1接触孔CNTI～TFT的多晶硅层PSI～第2接触孔CNT2～横向共用电极配线CLMG上经由层间绝缘层IL1跨越配置的金属像素电极SPM～第3接触孔CNT3～连接横向共用电极配线CLMG与纵向共用电极配线CLMD的第4接触孔CNT4的断面。图3的剖视图的左侧是TFT的断面。是以漏极配线DL、金属像素电极SPM为所谓漏电极、源电极，以栅极配线GL为栅电极，具有栅极绝缘膜GI的所谓MOS型TFT。在ULS上有p-Si层，漏极配线DL和金属像素电极SPM分别连通开在栅极绝缘膜GI和层间绝缘膜ILI上的第1接触孔CNT1和第2接触孔CNT2，连接于以低温多晶硅PSI的磷为杂质掺杂的高浓度n型层PSI(n+)。该高浓度n型层PSI(n+)导电性高，虚拟地作为配线部起作用。另一方面，GL下的PSI是以硼为杂质掺杂的p型层PSI(p)，作为所谓半导体层起作用，表现出在CL上以ON电位为导通状态，以OFF电位为非导通状态的开关动作。在栅极配线GL上施加接通电压的场合，在栅极配线GL下部是栅极绝缘膜GI下部，以硼为杂质掺杂的p型层PSI(p)的栅极绝缘膜GI界面的电位翻转而形成沟道层，被n型化而接通电流流入TFT，结果电流流向金属像素电极SPM，而液晶电容和保持电容被充电。保持电容Cstg像该图那样以横向共用电极配线CLMG为一个电极，以层间绝缘膜ILI为绝缘膜，以另一个电极为金属像素电极SPM而形成。保持电容Cstg是为了针对在来自TFT玻璃基板GLS1一侧的显示的背照明光，对该图的TFT的多晶硅PSI的光照射下发生的电子、空穴的对子增加时的漏电流，保持由液晶电容确定的图像显示期间(保持期间)中的电位而设定的。如果此值设定得大，则可以极好地保持显示画面上的均一性。
图4是沿图1的4-4′线的剖视图。本剖视图主要表示从栅极配线GL与TFT的低温多晶硅PSI和经由有机保护膜覆盖这些的透明共用电极配线CLT到透射区域的断面结构。
图4的断面结构在左手侧是栅极配线GL，右手侧是透射区域。栅极配线GL和低温多晶硅PSI被配置在保护膜PAS和有机保护膜FPAS上的透明共用电极CLT覆盖。这是因为，栅极配线GL的电位在透明共用电极CLT和透明像素电极SPT夹着的透射区域中，不引起栅极配线GL的电力线泄漏、显示的误动作。
本结构的特征在于，以覆盖上述栅极配线和低温多晶硅层的方式配置的透明共用电极配线CLT虽然是透明电极，但是表现出极优质的黑矩阵BM的效果。如图2中所示，使液晶驱动的电场E是透明共用电极配线CLT和透明像素电极SPT的横向电场。在IPS型液晶显示装置中，在该横向电场下使液晶分子旋转而对正交的偏光板POL改变透射率。因为在无电场或横向电场小的状态下偏振片被正交尼科耳配置，故成为黑色显示。如果施加电场则发生椭圆偏振光的透射，根据电场而透射。因而，在无电场或横向电场小的区域中，即使在透明共用电极CLT由ITO之类透明电极形成时，来自TFT玻璃基板GLS1一侧的背照明光也不透射，即使从处于观察者一侧的CF基板GLS2观看也成为良好的黑色状态。另一方面，在电压施加状态下，在从透明电极向电极内部大约1.5μm的区域(例如在GL上的CLT的场合的区域的例子作为WT示于图4)中，存在着边缘状态的横向电场分量，有助于透射。
因而，对于来自TFT玻璃基板GLS1一侧的背照明光的图像，在图1的平面结构中，以至少覆盖包含低温多晶硅PSI的TFT和栅极配线GL方式设定得宽度宽的透明共用电极CLT，在用人眼观察时使各像素的轮廓明晰，起着使图像显眼的与BM同样的作用。在图4中，该透明共用电极CLT上的WN区域，也就是透明电极单体存在，而且因为离透明电极端部1.5μm以上内侧的区域几乎没有横向电场分量，在液晶层透射中光的偏转状态受影响，故最终被CF基板上的偏振片POL遮光。例如，虽然低温多晶硅PSI理应看做红色着色，但是可以看做完全黑色显示状态的BM。在栅极配线GL的区域WR中，由于被盒的金属完全遮光，所以成为与电场无关的黑色状态。
如图4的剖视图中所示，在本实施例结构中在CF基板GLS2上不形成现有的BM。因此，用本实施例结构的IPS型液晶显示装置不需要BM层形成工序，所以可以降低成本。对于外光，上述透明共用电极CLT起着极好的反射少的BM的作用。这是因为把透明电极用作遮光层的效果，而且该遮光层处于与观察侧基板对置的基板上，由此更加减少反射。在透明共用电极CLT的WN区域中外光虽然靠CLT本身的吸收，保护膜PAS、有机保护膜FPAS等吸收，但是因为没有反射率高的金属层，故向观察者侧的反射很少。另一方面，栅极配线GL上其材料是MoW，虽然与例如Al相比小却存在着若干反射，但是两次通过上层的保护膜PAS等，也有正交尼科耳状态的偏振片POL的效果只有小的反射。这样一来，在把透明共用电极CLT作为黑矩阵BM使用的场合，可以形成反射极少的BM。而且，因为消除了在CF基板上形成BM的必要，故上下基板的对合裕度扩大，实现生产率的提高。此外因为不需要预料不对合的设计，由现在作为BM遮光所需的区域预料对合裕度而有余，靠BM遮光的区域成为透射区域，故实现数值孔径的提高。而且，因为透明电极端部处的遮光区域在黑色显示时成为电极上的整个区域，在白色显示时从电极端到1.5μm成为透射区域，故在必须显眼地显示图像的黑色显示状态，和必须明亮显示的白色显示状态下遮光区域动态而自动地变化，在黑色显示时遮光区域宽，在白色显示时遮光区域窄，透明电极产生的遮光层作为理想的BM起作用。由此，把图像的清晰度提高、对比度提高、以及辉度提高这样的乍看起来矛盾的事项统一起来成为可能。
接下来，用图5～图9和图3来说明图3中所示的NMOS型TFT的制造工序。
在洗净厚度0.7mm，尺寸730mm×920mm的软化温度大约670℃的无碱TFT玻璃基板GLS1后，通过用SiH4和NH3和N2的混合气体的等离子体CVD法形成膜厚50nm的Si3N4膜，接着通过用四乙氧基硅烷与O2的混合气体的等离子体CVD法形成膜厚120nm的SiO2膜的叠层的底层绝缘膜ULS。本绝缘膜ULS用来防止来自TFT玻璃基板GLS1的Na向多晶硅膜的扩散。Si3N4、SiO2的形成温度都是400℃。再者，在本申请中作为半导体层虽然以多晶硅为代表，但是也可以是巨大结晶硅、连续晶界硅、非晶态硅。
接着，通过用SiH4、Ar的混合气体的等离子体CVD法在其上形成50nm本征的氢化非晶质硅膜。成膜温度为400℃，刚成膜后氢量约为5at％。接着通过把基板在450℃下退火大约30分，使氢化非晶质硅膜中的氢放出。退火后的氢量约为1at％。
接着，把波长308nm的激元激光LASER以400mJ/cm2的能量密度照射上述非晶质硅膜，使非晶质硅膜熔化并再结晶，得到几乎本征的多晶硅膜。此时激光束为宽0.3mm，长200mm的细线形状，一边使基板以10μm间距沿与激光束的纵长方向垂直的方向移动一边照射。照射时取为氮气气氛。
通过通常的光刻法在多晶硅膜上形成规定的抗蚀图形并通过用CF4与O2的混合气体的反应离子蚀刻法把多晶硅膜PSI加工成规定的形状(图5)。
接着，通过用四乙氧基硅烷与氧气的混合气体的等离子体CVD法形成膜厚100nm的SiO2而得到栅极绝缘膜GI。此时的四乙氧基硅烷与O2的混合比为1∶50，形成温度为400℃。接着通过离子注入法以加速电压33KeV、剂量1E12(cm-2)注入B离子，形成n型TFT的沟道区域的多晶硅膜PSI(p)。
接着通过溅射法形成金属配线，例如Mo或MoW膜后，通过通常的光刻法在Mo膜上形成规定的抗蚀图形，通过用混合酸的蚀刻法把Mo膜加工成规定的形状而得到扫描配线GL和第2横向共用电极配线CLMG。
保留着蚀刻中所用的抗蚀图形，通过离子注入法以加速电压60KeV、剂量1E15(cm-2)注入P离子，形成n型TFT的源极、漏电极区域PSI(n+)(图6)。虽然在上述中n型TFT的源极、漏电极可以举出n+型的低温多晶硅膜PSI(n+)和p型的沟道区域的多晶硅膜PSI(p)，但是像以下那样在p型与n+型之间作成P离子浓度少于n+型的LDD区域，可以减小TFT的漏电电流(未画出)。也就是说，除去用于蚀刻的抗蚀图形后，在此通过离子注入法以加速电压65KeV、剂量2E13(cm-2)注入P离子，形成n型TFT的LDD区域。LDD区域的长度由进行蚀刻Mo时的侧蚀刻量来确定。在本实施例的场合约为0.8μm。该长度可以控制使Mo的过蚀刻时间变化。
接着，通过把激源灯或金属卤化物灯的光照射于基板的快速热退火(RAT)法使注入的杂质激活。通过用激源灯或金属卤化物灯等的富含紫外线的光进行退火，可以有选择地仅加热多晶硅层PSI，可以避免玻璃基板因加热引起的损坏。杂质的激活也可以在基板收缩或变形等不成问题的范围内，通过在450℃左右以上的温度下的热处理来进行(图6)。
接着，通过用四乙氧基硅烷与氧气的混合气体的等离子体CVD法形成膜厚500nm的SiO2得到层间绝缘膜ILI。此时的四乙氧基硅烷与O2的混合比为1∶5，形成温度为350℃。
接着，在形成规定的抗蚀图形后，通过用混合酸的蚀刻法在上述层间绝缘膜上开孔出第1接触孔CNT1，第2接触孔CNT2和图1的俯视图的第4接触孔CNT4(图7)。
接着，在通过溅射法依次叠层形成50nm的Ti、500nm的Al-Si合金、50nm的Ti之后形成规定的抗蚀图形，然后通过用BCl3和Cl2的混合气体的反应离子蚀刻法一并进行蚀刻，得到漏极配线DL、金属像素电极SPM、纵向共用电极配线CLMD(图8)。
通过用SiH4与NH3与N2的混合气体的等离子体CVD法形成作为膜厚300nm的Si3N4膜的保护膜PAS，而且，通过旋转涂布法以大约3.5μm的膜厚涂布丙烯酸类感光性树脂，用规定的掩模进行曝光、显影，在上述丙烯酸类树脂上形成通孔。接着在230℃下进行20分焙烤，由此烧制丙烯酸类树脂，得到膜厚2.0μm的平坦化有机保护膜FPAS。接着，以设在上述有机保护膜FPAS上的通孔图形为掩模通过用CF4的反应离子蚀刻法来加工Si3N4膜，在Si3N4膜上形成第3接触孔CNT3(图9)。
通过像这样用有机保护膜FPAS作为掩模来加工下层的绝缘膜，可以在一次光刻法工序中形成两层膜图形，可以使工序简化。
最后通过溅射法形成70nm的ITO膜等透明导电膜，通过用混合酸的蚀刻加工成规定的形状，形成透明共用电极配线CLT和透明像素电极SPT，完成有源矩阵基板(图3)。在以上6次光刻法工序中形成多晶硅TFT。
接下来就液晶板的概观的平面结构进行说明。图10是表示包含上下的玻璃基板GLS1、GLS2的显示板的矩阵(AR)周边的局部平面的图。在该板的制造中，如果是小尺寸，则为了提高生产率在一张玻璃基板上同时加工多个器件然后分割；如果是大尺寸，则为了共用制造设备，无论哪个品种都加工成标准化的大小的玻璃基板，然后加工成与各品种对应的尺寸，无论哪种场合都是在一系列工序后切断玻璃。
图10示出后者的例子，表示上下基板GLS1、GLS2切断后。无论哪种场合，在完成状态下外部连接端子群Tg、Td存在的部分(图中上边)上侧基板GLS2的大小都被限制于下侧基板GLS1的内侧以便露出它们。端子群Tg、Td分别是在后述的TFT玻璃基板GLS1上向配置在显示部AR左右的低温多晶硅TFT的扫描电路GSCL供给的电源和关于定时数据的连接端子，在显示区域AR的上部向TFT玻璃基板GLS1供给去往低温多晶硅TFT的影像信号电路DDC的影像数据或电源数据用的端子。是集成电路芯片CHI所搭载的带载封装TCP(图11)的单位中汇总多根引出配线部而命名的。从各群矩阵部经由影像信号电路DDC直到外部连接端子部的引出配线随着接近两端而倾斜。这是因为使显示板的影像信号端子Td符合包装TCP的排列间距和各包装TCP中的连接端子间距的缘故。
在透明玻璃基板GLS1、GLS2之间沿着其边缘除了液晶封入口INJ，封住液晶LC地形成密封图形SL。密封材料由例如环氧树脂组成。
在图2的断面结构中所示的取向膜ORI层，作为一个例子在密封图形SL的内侧形成。液晶LS封入在设定液晶分子的方向的下部取向膜ORI和上部取向膜ORI之间由密封图形SL隔开的区域中。
该液晶显示装置在下部透明TFT玻璃基板GLS1侧、上部透明CF玻璃基板GLS2侧分别地叠层各种层，在基板GLS2一侧形成密封图形SL，下部透明玻璃基板SUB1与上部透明玻璃基板GLS2重合，从密封材料SL的开口部INJ注入液晶LC，用环氧树脂等封住注入口INJ，通过切断上下基板而组装。
图11是表示把影像信号驱动IC搭载于图10中所示的显示板的TCP与TFT基板GLS1上由低温多晶硅TFT形成的扫描电路GSCL与外部的连接状态的俯视图。
TCP是带载封装，是把驱动用IC芯片通过带载自动化连接法安装。PCB1是作为上述TCP或控制IC的TCON，其他电源用的放大器、电阻、电容等所安装的驱动电路基板。CJ是引入来自个人计算机等的信号或电源的连接器连接部分。
图12是表示把带载封装TCP连接于液晶显示板的信号电路用端子Td的状态的局部剖视图。带载封装TCP靠各向异性导电膜ACF连接液晶显示板。TCP电气上其输出端子与板侧的连接端子Td连接，形成为覆盖TFT的保护膜PAS和有机保护膜FPAS的开口部，而且与在透明共用电极CLT相同的工序中所形成的透明电极ITO连接。密封图形SL的外侧的上下玻璃基板的间隙洗净后靠环氧树脂EPX等来保护，而且硅有机树脂填充于TCP与上侧CF基板GLS2之间而保护多重化(未画出)。此外，上下的玻璃基板GLS2、GLS1对液晶LC的间隙其高度靠由有机膜所形成的支柱SPC或纤维来确定。
显示矩阵部的等效电路及其周边电路的接线图示于图13。图中，DL意味着漏电极线，DL1、DL2、DL3及其数字意味着画面从左到画面内的漏极配线(影像信号线)。下标R、G和B分别对应红、绿和蓝色像素而附加。GL意味着栅极配线GL，GL1、GL2按扫描定时的顺序而附加。CLX意味着横向共用电极配线CLMG，CLX1、CLX2及其数字意味着从画面上部到画面内的共用电极配线。另一方面，CLY意味着纵向共用电极配线CLMD，CLY1、CLY2及其数字意味着从画面上部到画面内的共用电极配线。
栅极配线GL(后附数字省略)连接于玻璃基板上的扫描电路GSCL，去往该扫描电路的电源或定时信号由在玻璃基板外部的PCB上所形成的电源和定时电路SCC供给。虽然在上述中，由低温多晶硅TFT所构成的玻璃基板上的扫描电路为了提高冗余性对一根栅极线(扫描线)从左右两侧供电，但是也可以根据画面尺寸等从单侧供电。
另一方面，去往漏极配线DL的供电由玻璃基板上的由低温多晶硅TFT所形成的信号电路DDC来供电。信号电路DDC具有根据R、G、B的颜色数据分配来自玻璃基板的由影像信号电路IC所构成的电路的影像数据的功能。因而，来自玻璃基板上的信号电路的连接端子数为画面内的漏极配线数的三分之一。
此外，共用电极配线在本实施例中有由金属构成的横向共用电极配线CLX、纵向共用电极配线CLY、和透明共用电极。横向共用电极配线和纵向共用电极配线如图1中所示，在像素内接线而成为矩阵形的金属配线。横向共用电极配线CLX在画面的左右引出，汇总而连接于阻抗低的共用电极总线CBL，同样至电源电路SCC。透明共用电极如图1中所示，在画面内不与上述横向共用电极配线、纵向共用电极配线接线，在画面外周，在左右方向与横向共用电极配线，在下部与纵向共用电极配线接线，连接于共用电极总线CBL并同样连接于外部电源SCC。虽然在图13中未画出，但是以矩阵形状构成。该共用电极赋予画面内的像素的公共电位。
画面内的低温多晶硅TFT是n型的TFT，在栅极配线GL上施加栅极电压，把按其定时向漏电极线DL所供电的漏极电压(数据)向与共用电极配线之间的液晶电容Clc供电，由此来进行显示。为了提高在显示期间维持液晶电容Clc的电位的能力，横向共用电极配线CLMG如图3中所示在与金属像素电极SPM之间形成保持电容Cstg。CC是检查漏极配线DL的断线的由低温多晶硅TFT形成的检查电路，CPAD是检查端子。
图14中示出本发明的液晶显示装置的驱动波形。示出把共用电极电压Vcom取为直流电压的场合的例子。栅极电压Vg依次扫描每根栅极线，在施加对漏电极电位Vd进一步加算像素的低温多晶硅TFT的阈值电压的电压之际像素TFT成为导通状态，给图13中所示的液晶电容Clc充电。上述共用电极电压Vcom、栅极电压Vg、漏电极电压Vd分别施加于图13的横向共用电极配线CLX、纵向共用电极配线CLY，图1中所示的透明共用电极CLT，栅极配线GL，漏极配线DL。在本实施例中，漏电极电压Vd表示例如在常黑模式下的液晶显示中进行白色显示的场合，栅极线逐条线被选择，每条该线上对共用电极电压Vcom进行正、负的极性翻转。像素电位Vp虽然通过TFT给液晶电容Clc充电，但是在奇数、偶数帧中对共用电极电压Vcom进行翻转。对特定地址的TFT的栅极配线GL，虽然栅极配线被选择而如果Vg成为大于Vd则对应于图像的电位给液晶电容Clc充电，但是如上所述成为下一帧，液晶电容Clc的电位必须保持直到对共用电极电位Vcom所翻转的Vd被施加为止。如果TFT的断路(漏电)电流加大则该保持率降低。为了防止这种情况，必须把图13的等效电路的保持电容Cstg设定得大些。在该保持电容Cstg加大的场合，在共用电极配线的寄生电容大的场合，配线迟延增大，辉度、拖影、而且残像或闪烁的画面内均一性不能保持，但是如图1、图3的平面和断面结构中所示，在画面内接线金属材料的横向共用电极配线CLMG和纵向共用电极配线CLMD制成矩阵形而取为减小电阻的构成。另一方面，透明共用电极CLT在画面内以有机绝缘膜形状连接像素之间地接线，在画面内CLT与金属共用电极配线CLMG、CLMD不直接接线。但是CLT的作用仅在于影响电容的充电，如前所述，即使是电阻比较高的材料也能够运用。而且在画面外部连接于低阻抗的图13的共用电极总线CBL，进行低电阻化。通过这些效果，在本申请中即使在增加保持电容Cstg的场合，也可以提高画面的图像质量均一性。
图15是表示液晶显示模块MDL的各构成零件的分解透视图。SHD是由金属板制成的框形屏蔽箱(金属框)，LCW是其显示窗，PNL是液晶显示板，SPB是光扩散板，LCB是导光体，RM是反射板，BL是背照明荧光管，LCA是背照明箱，按图中所示的上下的配置关系叠加各构件而组装模块MDL。
模块MDL靠设在屏蔽箱SHD上的爪和钩整体被固定。背照明箱LCA为收容背照明荧光管BL、光扩散板SPB、导光体LCB、反射板RM的形状，把配置在导光体LCB的侧面的背照明荧光管BL的光通过导光体LCB、反射板RM、光扩散板SPB成为在显示面上均一的背照明光，向液晶显示板PNL一侧出射。在背照明荧光管BL中连接着转换电路基板PCB2，成为背照明荧光管BL的电源。
(第2实施例)
图17是表示本发明的第2实施例的像素的俯视图，图18示出取该图17中的18-18′单点划线所示的切断线处的断面。在附图中为了容易分辨切断部用○围住数字表示切断线。
图17是与第1实施例同样沿横切漏极配线DL的方向具有4个主透射部的IPS方式的像素图形。构成虽然接近第1实施例但是大的特征在于由金属构成的共用电极配线仅配线了纵向共用电极配线CLMD，图1中所配置的横向共用电极配线被去掉。因而，在保持电容的形成中用新的构成。而且，通过该结构，数值孔径与第1实施例相比可以提高。
保持电容Cstg成为以下那样的构成。首先，把由与栅极配线GL相同的工序、材料构成的保持电容电极STM加工成岛形。把它通过第4接触孔CNT4与纵向共用电极配线CLMD接线。另一方面，从由低温多晶硅PSI构成的TFT的第2接触孔CNT2延伸的金属像素电极SPM在保持电容电极STM上延伸。该金属像素电极SPM与保持电容电极STM经由层间绝缘膜其重合面积部分构成保持电容。透明像素电极SPT经由第3接触孔CNT3与金属像素电极SPM接线，像素电位向液晶供电。另一方面，虽然透明共用电极配线CLT在画面内与纵向共用电极配线CLMD不接线，但是在画面区域外接线，把共同电位向液晶提供。
通过上述构成，可以新得到两个效果。第一，图17的像素的俯视图的4个透射区域之内，通过去掉第1实施例的图1的横向共用电极配线，可以形成由覆盖漏极配线DL的透明电极配线CLT与该像素内的内侧的透明像素电极SPT所规定的新的开口部(图17的由LL、LR所规定的区域)。由此，可以提供亮的IPS型的液晶显示装置。第二，通过去掉与漏极配线DL交叉的横向共用电极配线CLMG，漏极配线DL的寄生电容被降低。由此，可以增加图13的漏电极分割电路DDC的内藏电路的分割数，可以减少图1中所示的由TCP构成的零件数，可以降低成本。
图17的18-18′切断线处的剖视图是图18。成为影像信号的漏极电压从漏极配线DL经由第1接触孔CNT1靠低温多晶硅PSI传递。如果向栅极电压GL施加接通电压则MOS型TFT动作，影像电压由第2接触孔CNT2向所连接的金属像素电极SPM传递，最终由第3接触孔传递到所连接的透明像素电极SPT，液晶电容一个电位成为像素电位。作为驱动液晶的另一个电位的共同电压施加于透明共用电极配线CLT。图17的LR所示的新的开口部在施加于该透明像素电极SPT与透明共用电极配线CLT的横向电场中成为透射区域，可以提供亮的液晶显示装置。
而且，在本图中还可以看出，不在CF基板上形成黑矩阵，而是由低温多晶硅所形成的TFT和栅极配线GL靠配置在有机保护膜FPAS上的透明共用电极配线来覆盖，虽然是透明电极，但是形成横向电场不施加的区域，发挥良好的黑矩阵的作用。
而且在本实施例中，因为把去掉的共用电极配线作为横向共用电极配线CLMG，故第1实施例中说明的纵向共用电极配线CLMD与漏极配线DL同层，而且，因为横切栅极配线GL，所以可以依旧发挥所得到的对保持电容的栅极电位的消除效果。
(第3实施例)
图19是表示本发明的第3实施例的像素的俯视图，图20是取图19中的20-20′由单点划线表示的切断线处的断面。在附图中为了容易分辨切断部，用○围住数字来表示切断部。
图19与第2实施例同样沿横切漏极配线DL的方向具有4个主透射部的IPS方式的像素图形。构成虽然接近第2实施例，但是大的特征在于保持电容的下部电极由多晶硅PSI构成，该多晶硅PSI经由第5接触孔与纵向共用电极配线CLMD连接。因此，构成保持电容的绝缘膜的短路缺陷率降低，成为进一步提高成品率的液晶显示装置。
保持电容Cstg成为以下那样的构成。首先，把薄膜晶体管的低温多晶硅PSI加工成岛形。把它经由第5接触孔CNT5与纵向共用电极配线CLMD接线。另一方面，从由低温多晶硅PSI来构成的TFT的第2接触孔CNT2延伸的金属像素电极SPM在构成保持电容的下部电极的低温多晶硅PSI上延伸。该金属像素电极SPM与构成保持电容的下部电极的低温多晶硅PSI经由栅极绝缘膜与层间绝缘膜其重合面积部分构成保持电容。透明像素电极SPT经由第3接触孔CNT3与金属像素电极SPM接线，像素电位向液晶供电。另一方面，虽然透明共用电极配线CLT在画面内与纵向共用电极配线CLMD不接线，但是在画面区域外接线，把共同电位向液晶提供。
图19的20-20′切断线处的剖视图是图20。成为影像信号的漏电极电压从漏极配线DL经由第1接触孔CNT1靠低温多晶硅PSI传递。如果向栅极电压GL施加接通电压则MOS型TFT动作，影像电压经由第2接触孔CNT2向所连接的金属像素电极SPM传递，最终经由第3接触孔传递到所连接的透明像素电极SPT，液晶电容一个电位成为像素电位。作为驱动液晶的另一个电位的共同电压施加于透明共用电极配线CLT。图19的LR所示的新的开口部在施加于该透明像素电极SPT与透明共用电极配线CLT的横向电场中成为透射区域，可以提供亮的液晶显示装置。
因为保持电容Cstg的下部电极由低温多晶硅PSI(n+)构成，因为其绝缘膜成为栅极绝缘膜GI与层间绝缘膜ILI的叠层膜，故其绝缘耐压与第2实施例的保持电容的层间绝缘膜ILI的单层膜相比更高些。由此，可以提供短路不良导致的点缺陷少的IPS型的液晶显示装置。
(第4实施例)
图21是本发明的第4实施例中的像素的俯视图，图22和图23是图21的俯视图中的22-22′线、23-23′线处的断面结构。
图21的像素的平面图形提供一个像素的尺寸大，而且画面尺寸大的液晶电视中提高数值孔径的构成。图21沿横向有10个透射区域，该分成10份的梳齿电极间的尺寸标为L1、L2、L3、L4、L5、L6、L7、L8、L9、L10。各梳齿电极间的间隔L与第1实施例的图1大致相同。本实施倒是适用于大画面的高辉度型液晶电视的IPS液晶显示装置的像素图形。在用低温多晶硅PSI的TFT中，如图3中所示，背照明光配置在TFT玻璃基板一侧，该光直接照射于低温多晶硅PSI。因此，存在着光照射漏电电流增加，像素电位降低的问题。为此，必须加大一个像素的保持电容，而且降低随之增加的共用电极配线的配线迟延。
在图21的像素中在相邻的漏极配线DL与栅极配线GL所包围的一个像素区域中，由与漏极配线DL相同的工序、材料所构成的纵向共用电极配线CLMD与漏极配线几乎平行，配置在透明共用电极配线CLT的下部。纵向共用电极配线CLMD由于共同电位的施加，所以对该断面结构，如图22中所示，必须配置在透明共用电极配线CLT下部。因为如果配置在透明像素电极SPT下部，则干扰由像素电极SPT与透明共用电极配线CLT所规定的影像数据。因而，纵向共用电极配线CLMD必须经由至少一个梳齿间隔(图21中的L9)平面地配置在一格的透明像素电极SPT的其内侧。此外，纵向共用电极配线CLMD与漏极配线在制造工艺上，由于由相同的工序、材料来构成，所以制造工序中的灰尘容易引起短路，短路时成为线上的缺陷。在这一点上，经由至少两个开口部(图21的L9、L10)配置在漏极配线DL的像素内侧在成品率上也是有利的。
上述纵向共用电极配线CLMD经由第4接触孔与横向共用电极配线CLMG接线，在画面上成为金属的矩阵配线，即使在形成大的保持电容的场合，也可以减小配线迟延而实现均一的画面显示。保持电容是在图21的俯视图中以低温多晶硅PSI的TFT部的连接于第2接触孔CNT2的金属像素电极SPM为上部电极，以横向共用电极配线CLMG为下部电极的电容。因为金属像素电极SPM与纵向共用电极配线CLMD由相同的工序、材料来构成，故相互不会交叉。因而，为了得到更大值的保持电容，在图21的俯视图和图22的剖视图中，金属像素电极SPM必须配置在接近左侧的漏极配线DL的梳齿形的透明像素电极SPT的下部，纵向共用电极配线CLMD必须配置在接近右侧的梳齿形的透明共用电极配线CLT下部。而且，取为在上述金属像素电极SPT与纵向共用电极配线CLMD之间配置至少一个以上的透明共用电极CLT或透明像素电极SPT的构成，由此可以把保持电容取为更大的值，可以为液晶TV之类要求高辉度的用途，这也就是背照明光的辉度高，作为保持电容要求更大的值的用途提供辉度不匀、拖影、残像、闪烁少的IPS型液晶显示装置。
上述的配置(1)把一个像素的透射区域分割成6份以上，(2)把金属像素电极SPM配置在最靠近一个漏极配线DL的梳齿形的透明像素电极SPT的下部，(3)把纵向共用电极配线CLMD配置在另一个漏极配线DL一侧，而且在与该漏极配线上不同的透明共用电极CLT下部，(4)在金属像素电极SPT与纵向共用电极配线CLMD之间配置至少一个以上的透明共用电极CLT或透明像素电极SPT，由此可以实现。在本实施例中如图21、图22中所示，有10个透射区域，在金属像素电极SPM与纵向共用电极配线CLMD之间有6个梳齿形透明电极。
图23是沿着横向共用电极配线CLMG的断面，示出保持电容的断面构成。以连接于由低温多晶硅PSI构成的TFT的金属像素电极SPM为上部电极，以下部电极为横向共用电极配线CLMG，绝缘膜取为层间绝缘膜ILI而构成。横向共用电极配线CLMG与保护膜PAS
下部的纵向共用电极配线CLMD经由第4接触孔CNT4连接，减小其配线迟延时间。此外，经由第3接触孔CNT3金属像素电极SPM的电位传递到有机保护膜FPAS上的透明像素电极SPT而驱动液晶。如前所述，因为纵向共用电极配线CLMD与金属像素电极SPM同一层上配置，故配置在接近右手侧的漏极配线DL的位置上，可以加大横向共用电极配线CLMG上的金属像素电极SPM的面积，也就是加大保持电容。
(第5实施例)
图24是本发明的第5实施例中的一个像素的俯视图，图25是沿图24的25-25′线的断面结构。
图24的像素的平面图形与一个像素的尺寸大，而且画面尺寸大的液晶电视对应。图24有10个透射区域，该分成10份的梳齿电极间的尺寸标为L1、L2、L3、L4、L5、L6、L7、L8、L9、L10。各梳齿间隔L与图21大致相同。本实施例虽然与第4实施例同样，是适用于大画面的高辉度型液晶电视的IPS液晶显示装置的像素图形，但是而且是在把用低温多晶硅PSI的电路配置在TFT玻璃基板上的场合最大限度地发挥其驱动能力的像素方式。
如第1实施例的图13中所示，像素区域的漏极配线DL经由TFT玻璃基板上的信号侧内藏电路DDC连接于外部电路IDC。在第1实施例中把3根漏电极线DL经由一根漏电极端子Td连接于外部。因而，与用在玻璃基板上不内藏信号侧内藏电路DDC的非晶态硅TFT的液晶显示装置相比，由于把外部电路IDC中使用的驱动器IC减少到1/3所以可以降低成本。另一方面，在该场合，漏极配线DL与非晶态硅TFT的液晶显示装置相比必须用3倍的时间写入影像电压。因此必须减小漏极配线DL的配线电阻或电容。
如第4实施例的图21中所示，横向共用电极配线CLMG与漏极配线DL经由绝缘膜交叉，该交叉区域成为漏极配线的寄生电容。因而，如果可以消除该交叉区域则可以减小漏极配线的寄生电容，可以减小漏极配线的延迟时间。
图24是与上述目的相对应的一个像素的俯视图。在沿纵向延伸的两根漏极配线DL之间有10个透射区域(把其间隔标为L1、L2、...L10)。与第4实施例同样，金属像素电极SPM接近低温多晶硅PSI的TFT所配置的左手侧的漏极配线DL地配置，配置在夹在L1与L2的透射区域中的透明像素电极SPT的下部。另一方面，纵向共用电极配线CLMD不在右手侧的漏极配线DL上，而且配置在夹在作为最靠近的透明共用电极CLT的L8与L9中的透明共用电极CLT下部。这种配置在有透射区域分割成6份以上的像素的IPS型的液晶显示装置中可以使保持电容最大化。
保持电容平面图形上成为以下的构成。也就是说，形成由与栅极配线GL相同的工序、材料来构成的保持电容电极STM。该电极不与漏极配线DL交叉配置，因此可以减小漏极配线的延迟时间。上述保持电容电极STM成为保持电容一个电极，通过第4接触孔CNT4与纵向共用电极配线CLMD连接而被赋予共同电位。保持电容另一个电极与第4实施例同样是从低温多晶硅PSI的第2接触孔CNT2延伸的金属像素电极SPM。由此，上述保持电容电极STM与金属像素电极SPM的交叉面积部分构成保持电容。
在上述构成的像素中，除了栅极配线GL，与漏极配线DL交叉的保持电容配线被去掉而减小配线电容，驱动漏极配线的TFT玻璃基板上的信号侧电路进行良好的动作。
而且，如上所述，与第4实施例相比，横向共用电极配线CLMG被去掉的部分(由图24的俯视图的LL、LR的间隔确定的透射区域)形成新的透射区域，可以提供更亮的IPS型液晶显示装置。
图26中示出其断面结构。是横切邻接的漏极配线DL与保持电容电极STM的剖视图。在漏极配线DL间的栅极绝缘膜GI上配置由与栅极配线GL相同的工序、材料构成的保持电容电极STM。该电极不延长到漏极配线DL下部，不形成电容。另一方面，配置在层间绝缘膜ILI上的由与漏极配线DL相同的工序、材料构成的纵向共用电极配线CLMD，通过开口于层间绝缘膜ILI的第4接触孔CNT4向上述保持电容电极STM供给共同电位。另一方面，金属像素电极SPM由TFT供给像素电位，而且通过开口于有机保护膜FPAS的第3接触孔CNT3向透明像素电极SPT赋予像素电位。保持电容Cstg以上述金属像素电极SPM为上部电极，以绝缘膜为层间绝缘膜ILI，以保持电容电极STM为下部电极而构成。
图25中示出图24的像素俯视图的新的透射区域的断面结构。液晶的驱动电压由上述透明像素电极SPT和透明共用电极CLT来供给。透明共用电极CLT在像素内，如图24中所示与纵向共用电极配线CLMD不接线。这配置在有机保护膜FPAS上以便栅极配线GL兼作黑矩阵，而且配置成还覆盖漏极配线，作为整个像素区域网格状地配置。去往透明共用电极CLT的供电与第1实施例的图13中所示同样，在TFT基板GLS1上最终连接于画面区域外的共用电极总线CBL，从外部电源电路SCC赋予共同电位。通过上述两个透明电极向漏极配线DL与保持电容电极STM的间隙LL和LR的新的透射区域施加液晶的驱动电压，可以提供亮的IPS型的液晶显示装置。
(第6实施例)
图26是本发明的第6实施例中的一个像素的俯视图，图27、图28是沿图26的27-27′线、28-28′线的断面结构。
图26的像素的平面图形与一个像素的尺寸大，且画面尺寸大的液晶电视对应。图26有10个透射区域，该分成10份的梳齿电极间的尺寸标为L1、L2、L3、L4、L5、L6、L7、L8、L9、L10。各梳齿间隔L与第4实施例的图21大致相同。本实施例虽然与第4实施例同样，是适用于大画面的高辉度型液晶电视的IPS液晶显示装置的像素图形，但是是实现减少画面上的线缺陷或点缺陷的发生的液晶显示装置。
图26是减少因由与漏极配线DL相同的工序、材料构成的金属的梳齿电极或者电极配线间的短路而发生的线缺陷、点缺陷的像素平面图形。在夹在相邻的栅极配线GL、漏极配线DL间的一个像素区域中，由与漏极配线DL相同的工序、材料构成的，是从低温多晶硅PSI的TFT的第2接触孔CNT2向横向共用电极配线CLMG上延伸，且通过第3接触孔CNT3向透明像素电极SPT供给像素电位的金属像素电极SPM，和与漏极配线DL几乎平行地向纵向延伸，通过第4接触孔CNT4与横向共用电极配线CLMG连接而供给共同电位的纵向共用电极配线CLMD。
上述，如果金属像素电极SPM与左边的漏极配线DL短路则是点缺陷，如果纵向共用电极配线CLMD与漏极配线DL短路则是线缺陷。此外，如果金属像素电极SPM与纵向共用电极配线CLMD相互短路则成为点缺陷。
为了减少由制造工序中的微细的灰尘等异物引起随机发生的短路不良，必须缩短同一平面上对置的金属电极或者配线的长度，或加长对置的电极间的距离。在对置的电极间的距离短的场合，只要缩短对置的长度就可以了。
在图26的像素平面结构中，纵向共用电极配线CLMD与右手侧的漏极配线DL由4个作为透射区域的L7、L8、L9、L10与3个透明电极来构成其间隔，降低短路概率。另一方面，左手侧的漏极配线DL与金属像素电极SPM的3个作为透射区域的L1、L2、L3与2个透明电极来构成其间隔。此外，上述金属像素电极SPM与纵向共用电极配线CLMD由3个透射区域L4、L5、L6与2个透明电极来构成其间隔。如上所述，把夹在相邻的漏极配线DL间的金属像素电极SPM、纵向共用电极配线CLMD和漏极配线DL间按几乎均等的间隔对像素的分割数配置。透射区域的数成为4、3、3，虽然并不完全一致，但是在透射区域合计为10的场合，对分割数可以是几乎均等的间隔。这是因为，下一个接近于上述4、3、3的分割的分割数为4、4、2，或者5、3、2，随便哪种场合分割数间都出现2以上的差，分割数之差都大于差为1的4、3、3的场合。
而且，为了上述这种把夹在相邻的漏极配线DL间的金属像素电极SPM、纵向共用电极配线CLMD和漏极配线DL间按几乎均等的间隔对像素的分割数配置，必须在金属像素电极SPM与邻接的漏极配线DL之间，和金属像素电极SPM与纵向共用电极配线CLMD之间至少配置2个透射电极和3个透射区域。必须把像素分割数取为8以上。由此，在例如分割成8份的场合可以取为3、3、2来分割，可以把差取为1进行分割。此外在分割成12份的场合，通过取为3、5、4来分割，可以在分割成12份的配置中取为几乎均等。这是因为如果取为4、4、4来分割则无法把SPT配置在SPM之下，此外如果取为5、5、2来分割则差扩大，故3、5、4的分割成为均等的值。这样一来，在可能的配置中实现实质上的均等配置，由此可以使成品率最大。再者，上述配置引起的成品率提高的效果不限于上述漏极配线、金属像素电极、纵向共用电极配线的场合，只要是在同层上所形成的电极间通过运用可以收到同样的效果。
例如在相邻的漏极配线DL间有金属的纵向共用电极配线CLMD，而且有从TFT供给像素电位的金属像素电极SPM的有分割成8份以上的透射区域的像素构成的场合，在各个金属电极间有2个透明电极的梳齿和3个透射区域的像素图形，可以提供能使金属电极间的短路不良的发生最小的IPS型的液晶显示装置。虽然横向共用电极配线CLMG图形上的金属像素电极SPM与纵向共用电极配线CLMD和金属像素电极SPM与左手侧的漏极配线DL的间隔很窄，但是因为对置的长度是未达到像素区域的短的值，故这里的短路概率很低。
图27是相邻的漏极配线间的剖视图。在TFT基板GLS1上的层间绝缘膜ILI上，金属像素电极SPM和纵向共用电极配线CLMD配置在漏极配线DL之间。漏极配线DL、金属像素电极SPM、纵向共用电极配线CLMD以几乎均等的间隔配置，如前所述成为短路不良不容易发生的配置。在各电极或者配线间形成至少两个以上的透射区域。此外，在金属像素电极SPM上由有机保护膜FPAS覆盖透明像素电极SPT，在SPT上施加与SPM相同的电压。在纵向共用电极配线CLMD上由有机保护膜FPAS覆盖透明共用电极CLT，在CLT上施加与CLMD相同的电压。由此，来自有机保护膜FPAS的各个梳齿透明电极的施加电压就可以没有误差地向液晶施加电场E。
图28是沿着横向共用电极配线CLMG的剖视图。在TFT基板GLS1上形成由与栅极配线GL相同的工序形成的横向共用电极配线CLMG，通过开口于覆盖它的层间绝缘膜ILI的第4接触孔CNT4与纵向共用电极配线连接而进行低电阻化。另一方面，金属像素电极SPM通过开口于有机保护膜FPAS的第3接触孔CNT3与透明像素电极SPT连接。在覆盖漏极配线DL的有机保护膜FPAS上覆盖着透明共用电极CLT，成为没有把漏极配线DL的不需要的电场施加于液晶的误动作的配置。保持电容Cstg以下部电极为横向共用电极配线CLMG，以上部电极为金属像素电极SPM，以绝缘膜为层间绝缘膜ILI而构成。
(第7实施例)
图29是搭载采用第1实施例至第6实施例中的任何一项的液晶显示装置而构成液晶TV的例子。液晶显示装置LCM与扬声器SP一起配置，实现图像、声音双方的输出。由此，可以实现以宽视野角、高辉度、高对比度清晰地显示画面。而且可以使画面的辉度均一性也提高。此外因为生产率高、成品率高，故以更低的价格提供液晶TV成为可能。
(第8实施例)
图30是搭载采用第1实施例至第6实施例中的任何一项的液晶显示装置而构成液晶显示器的例子。液晶显示装置LCM显示来自个人计算机等的信息，实现低耗电量、高辉度的显示器。由此，可以实现以宽视野角、高辉度、高对比度清晰地显示画面。而且可以使画面的辉度均一性也提高。此外因为生产率高、成品率高，故以更低的价格提供液晶显示器成为可能。
(第9实施例)
图31是搭载采用第1实施例至第6实施例中的任何一项的液晶显示装置而构成整体型个人计算机的例子。图是笔记本PC的例子，直到键盘KB整体地构成。当然不限于此，所谓液晶个人计算机之类，只要液晶部与运算装置部在同一壳体中构成就可以了。液晶显示装置LCM显示来自个人计算机等的信息，实现低耗电量、高辉度的显示。由此，可以实现以宽视野角、高辉度、高对比度清晰地显示画面。而且可以使画面的辉度均一性也提高。此外因为生产率高、成品率高，故以更低的价格提供整体型个人计算机成为可能。
(第10实施例)
在本实施例中，用第1实施例至第9实施例中的任何一项中所公开的思想，以纵向电场方式，即TN方式、VA方式、PVA方式、MVA方式、OCB方式、ASV方式等通过保持电容的增加来实现稳定的显示和成品率的提高。再者，该TN方式、VA方式、PVA方式、MVA方式、OCB方式、ASV方式本身全都是公知的，在运用本申请的实施例公开的思想上这一点有所不同。
上述实施例的效果不仅限于横向电场型，在上述各纵向电场方式中也可以收到其一部分或全部效果。在该场合，共用电极作为保持电容配线发挥功能，代替在TFT基板上的像素电极，在对置的CF基板上形成共用电极。
只要在本发明的各实施例中所公开的技术思想的范围内，就是本申请说明书的公开范围。
像以上详细描述的那样，通过本发明的主要由低温多晶硅TFT来构成的IPS显示方式的液晶显示装置，可以以亮的、对环境稳定性高的、生产率高的、成品率高的、辉度均一性优良、对比度高的、而且图像间的层次分明的高图像质量提供可靠性高的液晶显示装置。
Claims (9)
1.一种液晶显示装置，具有夹在透明的第1基板和第2基板间的液晶层和滤色层，且在上述第1基板上具有多个栅极配线、与上述多个栅极配线矩阵状交叉的多个漏极配线、以及对应于上述栅极配线与漏极配线的各个交点所形成的薄膜晶体管，由邻接的栅极配线和漏极配线所包围的区域构成像素区域，各个像素至少具有共用电极配线和像素电极，其特征在于：
在上述像素区域中具有第1岛状电极，在覆盖第1岛状电极的第1绝缘膜上具有开口部，具有沿上述漏极配线延伸方向延伸的共用电极配线，该第1岛状电极与该共用电极配线在上述开口部处连接，该第1岛状电极构成下部电极，在上述第1绝缘膜上形成第2岛状电极，该第2岛状电极与上述薄膜晶体管的源极连接，上述第1岛状电极和上述第2岛状电极构成保持电容。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：在上述第1基板上，具有在上述漏极配线上所覆盖的绝缘膜上构成的共用电极，该共用电极在邻接的像素间矩阵状地连接而构成，且该共用电极在上述漏极配线上所覆盖的绝缘膜上包括比上述漏极配线加宽地配置的部分。
3.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，上述保持电容的绝缘膜为覆盖上述薄膜晶体管的栅极配线的无机绝缘膜。
4.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：上述第1岛状电极由上述薄膜晶体管的半导体层构成，上述保持电容的绝缘膜至少包括上述薄膜晶体管的栅极绝缘膜。
5.如权利要求1～4中的任何一项所述的液晶显示装置，其特征在于：上述液晶显示装置是横向电场方式的液晶显示装置。
6.如权利要求1～4中的任何一项所述的液晶显示装置，其特征在于，上述薄膜晶体管的半导体层由多晶硅构成。
7.一种用作液晶电视的图像显示装置，其特征在于：采用权利要求1～4中的任何一项所述的液晶显示装置。
8.一种用作液晶显示器的图像显示装置，其特征在于：采用权利要求1～4中的任何一项所述的液晶显示装置。
9.一种用作整体型个人计算机的图像显示装置，其特征在于：用权利要求1～4中的任何一项所述的液晶显示装置。
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| TWI641897B (zh) | 2006-05-16 | 2018-11-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置 |
| US7847904B2 (en) | 2006-06-02 | 2010-12-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic appliance |
| KR20080003078A (ko) * | 2006-06-30 | 2008-01-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| JP2008065300A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-03-21 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置 |
| JP4952425B2 (ja) * | 2006-08-21 | 2012-06-13 | ソニー株式会社 | 液晶装置および電子機器 |
| US20090201455A1 (en) * | 2006-09-27 | 2009-08-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and liquid crystal display device provided with same |
| KR20080046039A (ko) * | 2006-11-21 | 2008-05-26 | 삼성전자주식회사 | 액정조성물과 이를 포함하는 액정표시장치 |
| US7872720B2 (en) * | 2007-03-01 | 2011-01-18 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device and projector |
| JP5151212B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2013-02-27 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 液晶パネル |
| KR101396720B1 (ko) * | 2007-04-23 | 2014-05-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101391884B1 (ko) | 2007-04-23 | 2014-05-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101341008B1 (ko) * | 2007-08-09 | 2013-12-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계 액정 표시 장치 |
| CN101339341B (zh) * | 2007-07-06 | 2011-08-24 | 奇美电子股份有限公司 | 液晶显示面板及其制作方法及使用其的液晶显示装置 |
| JP2009020374A (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-29 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| EP2023195B1 (en) | 2007-08-09 | 2017-04-05 | LG Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| KR101308462B1 (ko) * | 2007-08-09 | 2013-09-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| KR101473839B1 (ko) * | 2007-10-17 | 2014-12-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| US8047442B2 (en) * | 2007-12-03 | 2011-11-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US7659627B2 (en) * | 2007-12-05 | 2010-02-09 | Fujifilm Corporation | Photodiode |
| KR20090080009A (ko) * | 2008-01-19 | 2009-07-23 | 삼성전자주식회사 | 패널형 디스플레이장치 |
| JP5132341B2 (ja) * | 2008-02-01 | 2013-01-30 | 株式会社ジャパンディスプレイウェスト | 液晶表示パネル |
| KR101570532B1 (ko) * | 2008-10-30 | 2015-11-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
| US8681305B2 (en) * | 2008-12-24 | 2014-03-25 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device comprising a common line pattern formed correspond to the conductive seal pattern, a transparent electrode pattern overlapping the common line pattern with an insulating layer interposed there between, the transparent electrode pattern having a width equal to or less than that of the common line pattern |
| KR101609597B1 (ko) * | 2009-02-16 | 2016-04-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 회로기판 및 이를 갖는 표시패널 어셈블리 |
| US20110085121A1 (en) * | 2009-10-08 | 2011-04-14 | Hydis Technologies Co., Ltd. | Fringe Field Switching Mode Liquid Crystal Display Device and Method of Fabricating the Same |
| JP5642978B2 (ja) * | 2010-02-12 | 2014-12-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置および電子機器 |
| JP2012053372A (ja) * | 2010-09-03 | 2012-03-15 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2012078692A (ja) * | 2010-10-05 | 2012-04-19 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
| JP5530971B2 (ja) * | 2011-04-19 | 2014-06-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
| JP5555663B2 (ja) * | 2011-05-19 | 2014-07-23 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
| TWI451179B (zh) * | 2011-11-17 | 2014-09-01 | Au Optronics Corp | 畫素結構及其製造方法 |
| CN103176315A (zh) * | 2011-12-20 | 2013-06-26 | 群康科技(深圳)有限公司 | 显示装置和电子装置 |
| JP2013190662A (ja) * | 2012-03-14 | 2013-09-26 | Japan Display Inc | 液晶表示装置 |
| KR101888034B1 (ko) * | 2012-05-31 | 2018-09-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판 및 이를 구비한 입체 영상 표시장치 |
| KR20140088810A (ko) * | 2013-01-03 | 2014-07-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| JP2014178490A (ja) * | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Japan Display Inc | 液晶表示装置 |
| JP2014209212A (ja) | 2013-03-29 | 2014-11-06 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置及び電子機器 |
| KR102081827B1 (ko) * | 2013-07-02 | 2020-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| US20150035741A1 (en) * | 2013-07-30 | 2015-02-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus |
| TWI509337B (zh) * | 2013-09-16 | 2015-11-21 | Au Optronics Corp | 畫素結構及其製造方法以及顯示面板 |
| JP2015090434A (ja) * | 2013-11-06 | 2015-05-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| KR102046848B1 (ko) * | 2013-12-20 | 2019-11-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
| KR20150078308A (ko) * | 2013-12-30 | 2015-07-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 리페어 방법 |
| JP2015203775A (ja) * | 2014-04-14 | 2015-11-16 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及び電子機器 |
| CN103969859B (zh) * | 2014-04-22 | 2016-08-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示用基板及显示装置 |
| KR20150136685A (ko) * | 2014-05-27 | 2015-12-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CN104880873B (zh) * | 2015-06-29 | 2019-04-02 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 像素结构、显示面板和像素结构的制作方法 |
| KR102477984B1 (ko) * | 2015-12-11 | 2022-12-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CN105652547A (zh) * | 2016-04-15 | 2016-06-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、其制造方法、显示面板及显示装置 |
| TWI637624B (zh) * | 2017-05-09 | 2018-10-01 | 友達光電股份有限公司 | 畫素陣列 |
| CN107132711A (zh) * | 2017-06-20 | 2017-09-05 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板和液晶显示面板 |
| JP7062490B2 (ja) * | 2018-03-29 | 2022-05-06 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| JP2019184864A (ja) * | 2018-04-12 | 2019-10-24 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
| CN110596976A (zh) * | 2019-08-22 | 2019-12-20 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种显示面板及其显示装置 |
| US11829041B2 (en) * | 2020-09-07 | 2023-11-28 | Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Array substrate and display panel |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1154490A (zh) * | 1995-12-08 | 1997-07-16 | Lg半导体株式会社 | 薄膜晶体管的液晶显示装置及其制造方法 |
| US5852485A (en) * | 1996-02-27 | 1998-12-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for producing the same |
| CN1258357A (zh) * | 1998-03-19 | 2000-06-28 | 精工爱普生株式会社 | 液晶装置以及投射型显示装置 |
| US6118508A (en) * | 1997-08-13 | 2000-09-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal displays including reference electrode lines that extend across multiple pixels |
| CN1289432A (zh) * | 1998-11-26 | 2001-03-28 | 精工爱普生株式会社 | 电光装置及其制造方法和电子装置 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2701698B2 (ja) * | 1993-07-20 | 1998-01-21 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
| JP3199221B2 (ja) * | 1996-02-27 | 2001-08-13 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| WO1997034191A1 (fr) * | 1996-03-14 | 1997-09-18 | Citizen Watch Co., Ltd. | Dispositif d'affichage a cristaux liquides |
| JP3481074B2 (ja) | 1997-04-25 | 2003-12-22 | 松下電器産業株式会社 | 液晶表示素子 |
| KR100477130B1 (ko) * | 1997-09-25 | 2005-08-29 | 삼성전자주식회사 | 평면구동방식액정표시장치의박막트랜지스터기판및제조방법 |
| JPH11125840A (ja) | 1997-10-24 | 1999-05-11 | Sharp Corp | 液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置 |
| US6762816B1 (en) * | 1999-06-11 | 2004-07-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid crystal display with special electrode configurations and compositions and method for producing the same |
| KR100736114B1 (ko) * | 2000-05-23 | 2007-07-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| JP2002131767A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-05-09 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| TW469496B (en) * | 2001-01-19 | 2001-12-21 | Hannstar Display Corp | Electrode arrangement structure of In-Plane switching mode LCD |
| US6917406B2 (en) * | 2001-03-16 | 2005-07-12 | Hannstar Display Corp. | Electrode array structure of IPS-LCD |
| JP4019697B2 (ja) * | 2001-11-15 | 2007-12-12 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
-
2002
- 2002-01-17 JP JP2002008283A patent/JP3881248B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-12-03 TW TW091135042A patent/TW591282B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-12-06 US US10/310,915 patent/US20030133066A1/en not_active Abandoned
-
2003
- 2003-01-10 KR KR10-2003-0001644A patent/KR20030063131A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-01-16 CN CNB200610100017XA patent/CN100428029C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-01-16 CN CNB031015182A patent/CN1220909C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-01-16 CN CNB2005100916042A patent/CN100390624C/zh not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-08-15 US US11/503,977 patent/US7304708B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1154490A (zh) * | 1995-12-08 | 1997-07-16 | Lg半导体株式会社 | 薄膜晶体管的液晶显示装置及其制造方法 |
| US5852485A (en) * | 1996-02-27 | 1998-12-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for producing the same |
| US6118508A (en) * | 1997-08-13 | 2000-09-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal displays including reference electrode lines that extend across multiple pixels |
| CN1258357A (zh) * | 1998-03-19 | 2000-06-28 | 精工爱普生株式会社 | 液晶装置以及投射型显示装置 |
| CN1289432A (zh) * | 1998-11-26 | 2001-03-28 | 精工爱普生株式会社 | 电光装置及其制造方法和电子装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104698705A (zh) * | 2013-12-09 | 2015-06-10 | 三星显示有限公司 | 液晶显示器 |
| CN104698705B (zh) * | 2013-12-09 | 2020-04-10 | 三星显示有限公司 | 液晶显示器 |
| US11175545B2 (en) | 2013-12-09 | 2021-11-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030133066A1 (en) | 2003-07-17 |
| CN1432855A (zh) | 2003-07-30 |
| CN100428029C (zh) | 2008-10-22 |
| CN1721934A (zh) | 2006-01-18 |
| JP3881248B2 (ja) | 2007-02-14 |
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| CN1877429A (zh) | 2006-12-13 |
| TW200304009A (en) | 2003-09-16 |
| KR20030063131A (ko) | 2003-07-28 |
| JP2003207797A (ja) | 2003-07-25 |
| US7304708B2 (en) | 2007-12-04 |
| TW591282B (en) | 2004-06-11 |
| CN1220909C (zh) | 2005-09-28 |
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