JPH0612452B2 - 集積回路素子の製造方法 - Google Patents

集積回路素子の製造方法

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JPH0612452B2
JPH0612452B2 JP58179499A JP17949983A JPH0612452B2 JP H0612452 B2 JPH0612452 B2 JP H0612452B2 JP 58179499 A JP58179499 A JP 58179499A JP 17949983 A JP17949983 A JP 17949983A JP H0612452 B2 JPH0612452 B2 JP H0612452B2
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H01L21/0276—Photolithographic processes using an anti-reflective coating

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は反射防止コーティングを用いてホトリソグラフ
ィ法によって集積回路素子を製造する方法に関する。
複雑な集積回路を使用したシステムが小型化すると、小
さいサイズのチップ上にますます複雑な回路を転写する
ことが要求されるようになってきた。このようなサイズ
の減少または容量の増加は、その産業分野における技術
上の限界にきている。したがって、標準的技術により製
造される最も進歩した集積回路チップの歩留りは、より
小さい容積の中により大きい容量を入れようという試み
のために極めて低く、１％の程度である。今日の産業界
により要求されている容量の水準においては、現在のホ
トリソグラフィ法では現在の約１％以上には完全な動作
可能な構造を製造することはできない。
この問題は大部分は使用される写真プロセスの限界に由
来する。要求される顕微鏡的水準においては、チップ材
料例えばシリコンの層は完全には平滑および偏平ではな
い。更に、不均一な下地形状は、チップ各層に塗布され
るホトレジストの像形成に使用される光の波長に近似し
た大きさのものである。ホトレジストの像形成に使用さ
れる光はチップ物質の基材すなわちシリコンウェーハー
から反射される。この反射は不均一な下地形状の影響を
受けてホトレジスト中に不均一な光の分布を生ぜしめ、
現像画像中に多数の人為的欠陥を生ぜしめる結果とな
る。これらの人為的欠陥は現在の技術により構成される
すべての半導体構造物に多数の不合格品を生ぜしめる。
この人為的欠陥を除外または減少させることができるな
らば集積回路チップの歩留りを上昇させて効率を大幅に
向上し、製造コストを減少させる結果となることは明白
である。
最近反射光が原因で生ずる人為的欠陥を減少させる多数
の試みがなされている。米国特許4,102,683号明細書は
そのような試みの一つを論じている。その他の議論は
「IEEE Transactions on Electron Devices」第２８
版、第１１号、第１４０〜１４１０頁（１９８１年１１
月）、および「Journal of applied Photographic Engi
neering」第７巻、第６号、第１８４〜１８６頁（１９
８１年１２月）にあるブリューワー等による「正のホト
レジストにおける定在波効果の減少」および「Kodak ′
80 Interface」１９８０年１０月版、第１０９〜１１３
頁にあるカールソン等による「集積回路における１ミク
ロン線の制御」に見られる。
本発明者らは集積回路の製造に有用な改善された反射防
止コーティング組成物を発見した。本発明の製造方法に
おいては、ウエーハ表面およびホトレジスト表面からの
内部反射による劣化的作用を除去するためにこの反射防
止コーティング組成物を使用する。本発明で用いるコー
ティング組成物は、以前に知られていたものよりも一層
良好な接着性と、より大なる光吸収を与え、より薄くて
より均一なコーティングを与え、現像が一層制御され、
工程段階がより少なくなる。本発明のコーティング組成
物は集積回路製造法におけるホトレジストに適合し、且
つそれに像形成が可能である。コーティングは現像後に
は集積回路ウエーハ上により少ない残渣しか残さない。
第１図は、本発明方法において、像形成可能な反射防止
コーティング組成物を使用して湿式エッチングにより集
積回路素子を製造するプロセスを示す。
第２図はやはり本発明方法において、反射防止コーティ
ング組成物を使用して乾式エッチングにより集積回路素
子を製造するプロセスを示す。
本発明方法では低い表面（界面）エネルギーを有する一
般的有機溶媒の使用を可能ならしめるべく改質され、そ
してウエーハ表面に強固に結合した薄いそして一定した
コーティングを生成しうる重合体構造を使用している。
適切な重合体および共重合体としては、低い表面エネル
ギーを有する溶媒例えばアルコール、芳香族炭化水素、
ケトン、およびエステル溶媒により可溶性のポリアミド
酸およびその均等物である。ここでいうポリアミド酸重
合体および共重合体は、トルエンジアミン、キシリルジ
アミンおよびその他のアリールジアミンおよび脂肪族ジ
アミンと脂肪族および芳香族側鎖基または類似基を有す
る脂肪族または芳香族酸二無水物の重合体でありうる。
これら重合体に関してはコーティングをウエーハに定着
させる焼付け温度の変動に対してその速度が余り敏感で
ないために、これらの物質は例えば、反射防止層の現像
速度に対してより有効な制御を与える。これらジアミ
ン、酸二無水物および相当する物質により構成された重
合体はまた、集積回路の製造に使用される表面をより均
一に、より少ない欠陥を持ってコーティングさせ、これ
らの表面に対してより良好な接着性を有している。これ
らポリイミドまたはポリアミド酸から現像後に残る残渣
は問題とならない。その理由はそれら残渣は容易に除去
されるからである。
４，４′−オキシジアニリンとベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物およびピロメリット酸二無水物の重合
体を包含した反射防止コーティングの生成させることは
以前に試みられた。しかしながらこれら物質は満足すべ
き反射防止コーティングの生成においては有効ではなか
った。これらポリイミド前駆体に対する標準溶媒は大き
な表面エネルギーを有しており、小さな凹部分には入っ
ていかず、その結果集積回路の多くの部分が基材の形状
変化の故にコーティングされずに残される。以前に試み
られたこれらの物質に対して必要な従来の溶媒は、例え
ばＮ−メチルピロリジノン、ジメチルホルムアミドおよ
びジメチルスルホキサイドのような高度に極性の溶媒で
ある。前記のポリアミド酸の溶解に必要とされたこれら
溶媒は非常に高い表面エネルギーを有しており、そのた
めに集積回路チップによくある小さな凹部または溝はコ
ーティングされない。そのような高い表面エネルギーを
有するこれらの高度に極性の溶媒を除外するかまたはそ
の比率を大きく減少させ、低表面エネルギー溶媒例えば
アルコール、芳香族炭化水素、ケトンまたはエステル溶
媒に可溶性の系を利用することによって溶液の表面エネ
ルギーは減少し、全ウエーハ表面をコーティングおよび
平面化させる。本発明の反射防止コーティングにおける
その他の改良点は、コーティング中に水溶性成分を任意
に導入できる点である。これら成分は例えばポリビニル
ピロリジノンおよび相当する重合体である。水溶性成分
は焼き付け条件例えば温度の変動によりもたらされる反
射防止層の除去速度の変動を軽減する。
本発明で用いるコーティング組成物は改善された染料化
合物を包含してもよい。特に染料クルクミン（C.I.No.7
5300）または相当する誘導体およびその組み合わせた物
を反射防止コーティングに包含させると、コーティング
の吸収性能が改善される。これらの染料および関連する
染料は上に載せたホトレジストを通常露光せしめるスペ
クトル域（４３６、４０５μｍ）を強く吸収し、これら
は染料のヒドロキシル基の故に一般に使用されるアルカ
リ性ホトレジスト現像液で除去することができる。この
組み合わせは迅速なそして一貫した像形成を可能ならし
める。コーティング溶媒中での染料の優れた溶解性およ
び染料の強い吸収は非常に薄いコーティングの使用を可
能ならしめる。他の染料を使用して試みられたコーティ
ングは大きい吸光係数を有していなかった。すなわちそ
れらは染料１分子当り多くの光は吸収せず、またはそれ
らはは多くの染料に関して共通の問題であるように、コ
ーティングに使用される有機溶媒中に充分に可溶性では
なかった。染料の限られた溶解性の故に、本質的にすべ
ての反射された光を吸収させるに充分なだけコーティン
グすることができず、そして例えば定在波のようなその
効果がホトレジスト中にまだ存在していた。さらに以前
の染料とベヒクルとの組み合わせは本発明のような像形
成可能な層を生成させることに対して有効ではなかっ
た。像形成可能な層を生成させようというこれまでの試
みは、生成されるコーティングの結果例えばピンホール
の故に有効でない生成物を与える結果に終った。従来の
コーティングは像形成性において信頼できず、一貫性が
なくそして信頼できない工程特性を有し、例えば温度焼
付け幅が狭く、処理後には望ましくない酸留物を残し
た。より厚いコーティングを使用してこれらの欠点を調
整しようとする試みは有効ではなかった。本発明のコー
ティングは像形成において有効であり、厚いコーティン
グは必要とせず、望ましくない残渣を後に残さない。
本発明で用いる反射防止コーティング組成物はビクシン
（べにの木抽出物）またはその他の相当する誘導体、例
えばノルビクシンを任意に添加することによりさらに有
効とすることができる。クルクミン誘導体のようにこれ
ら染料はホトレジストの露光されるスペクトル領域で強
く吸収する。これら染料はまたレジスト現像液により容
易に除去され、これら染料のカルボキシル基およびその
他の特性は焼付け温度の変化による反射防止層の除去速
度の変動を少なくする。
本発明で用いる反射防止コーティング組成物はまた製造
工程においてパターン画像形成を可能ならしめる乾式エ
ッチング形態でも使用することができる。この形態にお
いては、使用されるベヒクルは乾式処理すなわちプラズ
マイオンまたは電子ビームによって迅速に除去される。
ホトレジストに像形成させた場合、その像はその系を短
時間乾式エッチングにかけることによって容易に且つ迅
速に反射防止層に転写される。反射防止コーティングを
製造しようとするこれまでの試みにおいては、乾式エッ
チング画像形成を生成させるためには中間層（プラズマ
によって容易には除去されない物質の第３の層）の使用
が試みられた。ホトレジストをエッチングしそして完全
にかまたはほとんど除去する２層使用系もまた試みられ
た。この第２の方法においては、下にある平坦化作用層
はホトレジストの同時的エッチングを阻止するに充分な
ほどにはエッチングが速くない。
本発明で用いる乾式エッチング可能な反射防止コーティ
ングはウエーハの表面を平坦化させそしてホトレジスト
を通過した光を吸収する比較的厚い重合体層である。中
間のエッチング抵抗層は必要とされない。その理由は光
吸収性平坦化作用層はパターン形成されたホトレジスト
層をそれほど失わずに乾式法で非常にに迅速に除去され
るからである。
この迅速エッチング反射防止コーティングには前記染料
および重合体を使用しうる。この重合体としては、ポリ
スルフォンの共重合体例えばポリ（ネオペンチルスルホ
ン）、ポリブテン−１−スルホン、ハロゲン化重合体お
よび共重合体例えばポリ（ビニリデンクロリド−ビニル
アセテート）、ポリ（エピクロロヒドリン）、塩素化ポ
リエチレン、臭素化および塩素化ポリインブチレン、ハ
ロゲン化アクリレート重合体およびハロゲン化メタクリ
レート重合体およびそれらの共重合体、ポリアセタール
およびアセタール共重合体、およびα−置換ビニル重合
体例えばメチルメタクリレートおよびメチルアクリロニ
トリル、および相当する重合体があげられる。染料とし
ては適当当な吸収能を有し乾式法により容易に除去され
る任意の可溶性染料または染料の組合わせであってもよ
い。例えばクマリンおよびその誘導体および相当するハ
ロゲン化染料を使用でき、これはまた像形成可能な反射
防止層を形成させるのに有効である。乾式エッチング像
形成可能な反射防止層を形成させるのに有効である。乾
式エッチング像形成性射反射止コーティングは歩留りを
低下させ、コストを上昇させるようなよけいな処理段階
を加えることなく、形状の制御に重大な進歩を加える。
本発明は従来のホトレジスト材料および装置にそのまま
適合する。
典型的には本発明により使用される染料は像形成性光源
の波長領域で吸収するものである。染料は約１〜２０％
の水準で反射防止コーティング組成物中に包含させるこ
とができる。フィルム形成性ベヒクル例えば重合体は約
３〜２０％の水準で存在させることができる。任意成分
としての水溶性物質の添加は約０．１〜１０％の間の濃
度でありうる。適当は湿潤剤、接着促進剤、保存剤、可
塑剤および同様の添加剤を所望により適当な水準で包含
させることができ溶媒を包含させて組成物を１００％に
することができる。
本発明をたとえばスピニング法のような既知の基材コー
ティング技術で使用して約５００〜４００００オングス
トロームのフィルム厚さを生成させることができる。フ
ィルムは例えば約７０℃〜２００℃の既存の集積回路工
程に適合する温度で焼付けることができる。焼付けられ
たフィルムは公知の方法でホトレジストでコーティング
し焼付けることができる。ホトレジストの厚さはプロセ
スにより要求されるものとすることができる。次にこれ
らの層を既知の要求された波長の光に露光させる。フィ
ルムは例えば約５秒〜５分の間ホトレジスト現像液を使
用して同時に現像させ、下にあるフィルムを短時間プラ
ズマエッチングサイクルで例えば酸素プラズマ中でまた
はその他の標準プラズマ法で約５秒〜５分の間除去する
ことができる。残りの集積回路素子工程は当技術分野に
既知のようにして実施することができる。フィルムは標
準ホトレジストクリーンアップ法により除去することが
できる。
本発明は以下の実施例を参照して更に理解されようが、
これらの実施例は実施された多数の実験の中から説明の
目的で選択されたものである。本発明により製造された
像形成されたウエーハは電子顕微鏡で検査された。この
検査の結果反射光により生ぜしめられた定在波効果が除
去されていることが明らかになった。
例 １ 次の反射防止コーティング処方すななわち ・ポリ（ブテンスルホン） ８．００重量％ ・クマリン504（エクサイトン社製品） １．００重量
％ ・シクロペンタノン溶媒 残 量 を使用して標準スピンコーティング法によって３インチ
アルミニウム−シリコンウエーハに反射防止コーティン
グを２．０μｍの平均厚さにコーティングした。このコ
ーティングしたウエーハを１４０℃で６０分間焼付けし
てコーティングによってホトレジスト（シップレ−ＡＺ
１３７０）でコーティングした。このホトレジストを９
５℃で３０分焼付けることによって硬化させた。製造さ
れたウエーハをテスト解像パターンおよびコビルト（Ｃ
ｏｂｉｌｔ）密着プリンターを使用して像形成させた。
像形成されたウエーハを２０秒間シップレー（Ｓｈｉｐ
ｌｅｙ）ＭＦ３１２現像装置を使用して浸漬現像させ
た。露光ホトレジストは現像液により除去されシャープ
なきれいな画像を生成した。反射防止層を配素プラズマ
（０．２トル、１００ワット、２０秒）により除去し
た。一方、末露光ホトレジストはその厚さをほとんど現
象することなく残留した。アルミニウム基材中に画像を
エッチングさせて集積回路層のシャープなパターンを生
成させ、残存するホトレジストおよび反射防止コーティ
ングを除去した。
例 ２ 次の反射防止コーティング処方すなわち ・ポリ（ブテンスルホン） ６．００重量％ ・ハロゲン化染料クマリン540A） １．００重量％ ・シクロペンタノン溶媒 残 部 を使用して標準スピンコーティング法によって３インチ
アルミニウム−シリコンウエーハに反射防止コーティン
グを１．５μｍの平均厚さにコーティングした。このコ
ーティングしたウエーハを１４０℃で６０分間焼付けし
てコーティングを硬化させた。このコーティングされた
ウエーハを冷却させ、スピンコーティングによってホト
レジスト（シップレーＡＺ１３７０）でコーティングし
た。このホトレジストを９５℃で３０分焼付けて硬化さ
せた。製造されたウエーハをテスト解像パターンおよび
コビルト密着プリンターを使用して像形成させた。この
像形成されたウエーハを２０秒間シップレーＡＺ３５０
現像装置を使用して浸漬現像させた。露光ホトレジスト
は現像液により除去され、シャープなきれいな画像を生
成した。反射防止層を酸素プラズマ（０．２トル、１０
０ワット、２０秒）により除去した。一方、未露光ホト
レジストはその厚さをほとんど減少することなく残留し
た。アルミニウム基材中に画像をエッチングして集積回
路層のシャープはパターンを生成させ、次いで残存する
ホトレジストおよび反射防止コーティングを除去した。
例 ３ 次の反射防止コーティング処方すなわち ・ポリアミド酸（４，４′−オキシジアニリンおよび ピロメリット酸二無水物） ４．４％ ・クルクミン ３．５６％ ・ビクシン（後記溶媒中溶液） ０．４５％ ・スダンオレンジＧ（後記溶媒中溶液） ０．４５％ ・シクロヘキサノン／Ｎ−メチル−２−ピロリドン
（２：１） 残 部 を使用して標準スピンコーティング法によって３インチ
アルミニウム−シリコンウエーハに反射防止コーティン
グを２０００オングストロームの平均厚さでコーティン
グした。このコーティングしたウエーハを１４８℃で３
０分間焼付けてコーティングを硬化させた。このコーテ
ィングされたウエーハを冷却させ、スピンコーティング
によってホトレジスト（シップレーＡＺ１３７０）をコ
ーティングした。このホトレジストを９０℃で３０分焼
付けによって硬化させた。製造されたウエーハをテスト
解像パターンおよびコビルト密着プリンターを使用して
像形成せしめた。像形成されたウエーハを１０秒間シッ
プレーＡＦ３１２現像装置を使用して浸漬現像した。像
形成されたホトレジストおよび反射防止層は現像液によ
り除去され、シャープなきれいな画像を生成した。現像
された像形成ウエーハのアルミニウムまでをエッチング
して集積回路層のシャープなパターンを生成させ、残存
するホトレジストおよび反射防止コーティングを除去し
た。
例 ４ 次の反射防止コーティング処方すなわち ・ポリアミド酸（１、６−ジアミノヘキサンおよび ベンゾフエノンテトラカルボン酸） ５％ ・クルクミン ３．５６％ ・ビクシン ０．４５％ ・スダンオレンジＧ ０．４５％ ・シクロヘキサノン／Ｎ−メチル−２−ピロリドン
（２：１） 残 部 を使用して標準スピンコーティング法によって３インチ
シリコンウエーハに反射防止コーティングを１８００オ
ングストロームの平均厚さにコーティングした。このコ
ーティングしたウエーハを１４８℃で３０分間焼付けて
コーティングを硬化させた。このコーティングされたウ
エーハを冷却させ、スピンコーティングによってホトレ
ジスト（シップレーＡＺ１３７０）でコーティングし
た。このホトレジストを９０℃で３０分焼き付けて硬化
させた。製造されたウエーハをテスト解像パターンおよ
びコビルト密着プリンターを使用して像形成させた。像
形成されたウエーハを３０秒間シップレーＭＦ３１２現
像装置を使用して浸漬現像した。像形成されたホトレジ
ストおよび反射防止像を現像液により除去し、シヤープ
なきれいな画像を生成させた。
例 ５ 次の反射止コーティング処方すなわち ・ポリアミド酸（４，４′−オキシジアニリンおよび ピロメリット酸二無水物） ６．７％ ・クルクミン ５．３％ ・ポリビニルピロリドン（後記溶媒中） １％ ・シクロヘキサノン／Ｎ−メチル−２− ピロリドン（２：１） 残 部 を使用して標準スピンコーティング法によって３インチ
アルミニウム−シリコンウエーハに反射防止コーティン
グを５０００オングストロームの平均厚さにコーティン
グした。このコーティングしたウエーハを１４８℃で３
０分間焼付けてコーティングを硬化させた。このコーテ
ィングされたウエーハを冷却させ、スピンコーティング
によってホトレジスト（シップレーＡＺ１３７０）でコ
ーティングした。このホトレジストを９０℃で３０分焼
付けして硬化させた。製造されたウエーハをテスト解像
パターンおよびコビルト密着プリンターを使用して像形
成せしめた。像形成されたウエーハを１３秒間シップレ
ーＭＦ３１２現像装置を使用して含浸現像した。像形成
せしめられたホトレジストおよび反射防止層を現像液に
より除去し、シャープなきれいな画像を生成させた。
現像および画像形成されたウエーハをアルミニウム中ま
でエッチングして集積回路層のシャープなパターンを生
成させ、残存するホトレジストおよび反射防止コーティ
ングを除去した。
例 ６ 次の反射防止コーティング処方すなわち ・ポリアミド酸（２、４−ジアミノトルエン／ ベンゾフエノンテトラカルボン酸二無水物） ５％ ・クルクミン ３．５６％ ・ビクシン（後記溶媒中溶液） ０．４５％ ・スダンオレンジＧ（後記溶媒中溶液） ０．４５％ ・シクロヘキサノン／Ｎ−メチル−２−ピロリドン
（２：１） 残 部 を使用して標準スピンコーティング法も３インチアルミ
ニウムシリコンウエーファーに反射防止コーティングを
２０００オングストロームの平均厚さにコーティングし
た。このコーティングしたウエーファーを１６５℃で３
０分間焼付けてコーティングを硬化させた。このコーテ
ィングさせたウエーハを冷却させ、スピンコーティング
によってホトレジスト（シップレーＡＺ１３７０）でコ
ーティングした。このホトレジストを９０℃で３０分間
焼付けて硬化した。製造されたウエーハをテスト解像パ
ターンおよびコビルト密着プリンターを使用して像形成
をせしめた。像形成されたウエーハを２０秒間シップレ
ーＭＦ３１２現像装置を使用して含漫現像した。像形成
されたホトレジストおよび反射防止層を現像液により除
去し、シャープなきれいな画像を生成せしめた。
以上説明したように、本発明によれば次の効果が得られ
る。
（イ）像形成部位の反射防止コーティングを現像工程で
ホトレジストとともに除去できる（湿式での効果） （ロ）現像の制御性に優れている （ハ）現像後の基板上に反射防止コーティングの残渣が
少ない （ニ）像排形成部位の反射防止コーティングをホトレジ
ストととも容易に除去できる （ホ）乾式エッチングの場合は、基板のエッチング工程
で反射防止コーティングの除去が同時にできる。
本明細書に開示された本発明の変形を本発明の精神から
逸脱することなしになし得ることを当業者は理解するで
あろう。本発明は本明細書に開示された具体例により限
定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明により湿式エッチングで集積回路素子を
製造するプロセスを示し、第２図は本発明により乾式エ
ッチングで集積回路素子を製造するプロセスを示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 スマリ−・プンヤクムリア−ド アメリカ合衆国ミズ−リ州（65401）ロ− ラ・ナゴガミテラス241

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】（ａ）集積回路素子基板に、ホトレジスト
    とともに現像可能な光吸収性の反射防止コーティングを
    施し、 （ｂ）前記基板と反射防止コーティングをホトレジスト
    で被覆し、 （ｃ）前記ホトレジストをパターン露光し、 （ｄ）パターン露光されたホトレジストを現像液で現像
    し、パターン状にホトレジストおよび反射防止コーティ
    ングを除去し、 （ｅ）現像されたホトレジストおよび反射防止コーティ
    ングにより定められるパターンを基板中にエッチングし
    て集積回路素子を形成することから成り、 前記反射防止コーティングが、ポリアミド酸の重合体、
    その共重合体およびそれらの組合わせよりなる群から選
    ばれた１種またはそれ以上のベヒクルと染料の組み合わ
    せからなり、前記ベヒクルが、アルコール、芳香族炭化
    水素、ケトンおよびエステルまたはそれらの組合わせよ
    りなる群から選ばれた低い表面エネルギーを有する溶媒
    に溶解されていることを特徴とする、ホトリソグラフィ
    によって集積回路素子を製造する方法。
  2. 【請求項２】前記染料が、クルクミンおよびその誘導体
    およびその均等物、ビクシンおよびその誘導体およびそ
    の均等物、クマリン誘導体およびその均等物およびそれ
    に相当する有機ハロゲン化、ヒドロキシル化およびカル
    ボキシル化染料およびそれらの組み合わせからなる群か
    ら選ばれた特許請求の範囲第１項に記載の集積回路素子
    を製造する方法。
  3. 【請求項３】（ａ）集積回路素子基板に光吸収性の反射
    コーティングを施し、 （ｂ）前記基板と反射防止コーティングをホトレジスト
    で被覆し、 （ｃ）前記ホトレジストをパターン露光し、 （ｄ）パターン露光されたホトレジストを現像液で現像
    し、パターン状にホトレジストを除去し、 （ｅ）現像されたホトレジストにより定められるパター
    ンを乾式エッチングにより前記反射防止コーティングに
    エッチングし、その後そのパターンを基板中にエッチン
    グして集積回路素子を形成することから成り、 前記反射防止コーティングが、ポリアミド酸の重合体、
    その共重合体、ポリスルフォン、その共重合体、ハロゲ
    ン化重合体、その共重合体、ポリアセタール、アセター
    ル共重合体、α−置換ビニル重合体よりなる群から選ば
    れたベヒクルと染料の組み合わせからなり、前記ベヒク
    ルが、アルコール、芳香族炭化水素、ケトンおよびエス
    テルまたはそれらの組み合わせよりなる群から選ばれた
    低い表面エネルギーを有する溶媒に溶解されていること
    を特徴とする、ホトリソグラフィによって集積回路素子
    を製造する方法。
  4. 【請求項４】前記染料が、クルクミンおよびその誘導体
    およびその均等物、ビクシンおよびその誘導体およびそ
    の均等物、クマリン誘導体およびその均等物および相当
    する有機ハロゲン化、ヒドロキシル化およびカルボキシ
    ル化染料、およびそれらの組み合わせからなる群から選
    ばれた特許請求の範囲第３項に記載の集積回路素子を製
    造する方法。
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EP (1) EP0159428B1 (ja)
JP (3) JPH0612452B2 (ja)

Cited By (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0690111A1 (en) 1994-06-29 1996-01-03 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Anti-reflective coating composition
EP0789278A2 (en) 1996-02-09 1997-08-13 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Radiation-sensitive resin composition
WO2007058345A1 (ja) 2005-11-21 2007-05-24 Jsr Corporation 感放射線性樹脂組成物
WO2007069640A1 (ja) 2005-12-14 2007-06-21 Jsr Corporation 新規化合物および重合体、ならびに樹脂組成物
WO2008084786A1 (ja) 2007-01-09 2008-07-17 Jsr Corporation 化合物及び感放射線性組成物
WO2008114644A1 (ja) 2007-03-16 2008-09-25 Jsr Corporation レジストパターン形成方法及びそれに用いるレジストパターン不溶化樹脂組成物
WO2008117693A1 (ja) 2007-03-28 2008-10-02 Jsr Corporation ポジ型感放射線性組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法
WO2010007993A1 (ja) 2008-07-15 2010-01-21 Jsr株式会社 ポジ型感放射線性組成物及びレジストパターン形成方法
WO2010029965A1 (ja) 2008-09-10 2010-03-18 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物
WO2010029982A1 (ja) 2008-09-12 2010-03-18 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法
WO2010047340A1 (ja) 2008-10-21 2010-04-29 Jsr株式会社 レジストパターンコーティング剤及びそれを用いるレジストパターン形成方法
WO2010140637A1 (ja) 2009-06-04 2010-12-09 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、重合体及びレジストパターン形成方法
EP2277929A1 (en) 2004-09-30 2011-01-26 JSR Corporation Copolymer and top coating composition
EP2315078A1 (en) 2004-01-15 2011-04-27 JSR Corporation Upper layer film forming composition for liquid immersion and method of forming photoresist pattern
WO2011149029A1 (ja) 2010-05-28 2011-12-01 Jsr株式会社 絶縁パターン形成方法及びダマシンプロセス用絶縁パターン形成材料
WO2012033004A1 (ja) 2010-09-09 2012-03-15 Jsr株式会社 レジストパターン形成方法
EP2485090A1 (en) 2011-02-04 2012-08-08 JSR Corporation Radiation-sensitive resin composition for forming resist pattern
EP2530525A1 (en) 2011-06-01 2012-12-05 JSR Corporation Method for forming pattern and developer
US8377627B2 (en) 2007-08-13 2013-02-19 Jsr Corporation Compound and radiation-sensitive composition
US8389202B2 (en) 2009-09-30 2013-03-05 Jsr Corporation Polymer, radiation-sensitive composition, monomer, and method of producing compound
US8431324B2 (en) 2009-05-07 2013-04-30 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition
US8470513B2 (en) 2009-03-27 2013-06-25 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition and polymer
US8580480B2 (en) 2010-07-27 2013-11-12 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition, method for forming resist pattern, polymer and compound
US8609318B2 (en) 2010-08-05 2013-12-17 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition, method for forming resist pattern and polymer
US8703401B2 (en) 2011-06-01 2014-04-22 Jsr Corporation Method for forming pattern and developer
US8765355B2 (en) 2010-08-19 2014-07-01 Jsr Corporation Radiation sensitive resin composition, method for forming a pattern, polymer and compound
US8795954B2 (en) 2010-10-15 2014-08-05 Jsr Corporation Resist pattern-forming method, and radiation-sensitive resin composition
US8815493B2 (en) 2010-10-19 2014-08-26 Jsr Corporation Resist pattern-forming method, and radiation-sensitive resin composition
EP2781959A2 (en) 2009-09-18 2014-09-24 JSR Corporation Radiation-sensitive resin composition, method for forming resist pattern, polymer and polymerizable compound
US8916333B2 (en) 2010-03-31 2014-12-23 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition
WO2015016027A1 (ja) 2013-07-31 2015-02-05 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、重合体及び化合物
US8956807B2 (en) 2011-09-30 2015-02-17 Jsr Corporation Method for forming resist pattern, and composition for forming resist underlayer film
US8968980B2 (en) 2009-05-18 2015-03-03 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition and compound
US8980529B2 (en) 2010-09-17 2015-03-17 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition, polymer, and resist pattern-forming method
US9023584B2 (en) 2010-11-26 2015-05-05 Jsr Corporation Radiation-sensitive composition, and compound
US9034559B2 (en) 2010-10-22 2015-05-19 Jsr Corporation Pattern-forming method, and radiation-sensitive composition
US9040221B2 (en) 2010-05-20 2015-05-26 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition, method for forming resist pattern, and polymer and compound
US9046775B2 (en) 2012-09-28 2015-06-02 Jsr Corporation Composition for forming liquid immersion upper layer film, resist pattern-forming method, polymer, and compound
US9052600B2 (en) 2011-09-06 2015-06-09 Jsr Corporation Method for forming resist pattern and composition for forming protective film
US9146466B2 (en) 2013-04-08 2015-09-29 Jsr Corporation Resist composition, resist pattern-forming method, and resist solvent
US9164387B2 (en) 2010-10-04 2015-10-20 Jsr Corporation Pattern-forming method, and radiation-sensitive resin composition
US9188858B2 (en) 2011-09-26 2015-11-17 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition, method for forming resist pattern, acid generating agent and compound
US9223207B2 (en) 2011-01-28 2015-12-29 Jsr Corporation Resist pattern-forming method, and radiation-sensitive resin composition
US9250526B2 (en) 2012-03-07 2016-02-02 Jsr Corporation Composition for forming resist underlayer film, and pattern-forming method
US9268225B2 (en) 2011-11-11 2016-02-23 Jsr Corporation Composition, resist pattern-forming method, compound, method for production of compound, and polymer
US9329474B2 (en) 2012-04-02 2016-05-03 Jsr Corporation Photoresist composition and resist pattern-forming method
US9523911B2 (en) 2013-05-20 2016-12-20 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition, resist pattern-forming method, acid generator and compound
US9540535B2 (en) 2010-09-29 2017-01-10 Jsr Corporation Composition for forming liquid immersion upper layer film, and polymer
US9594303B2 (en) 2012-03-19 2017-03-14 Jsr Corporation Resist pattern-forming method and photoresist composition
US9598520B2 (en) 2009-11-18 2017-03-21 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition, polymer and method for forming a resist pattern
US9703195B2 (en) 2013-03-22 2017-07-11 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition, resist pattern-forming method, polymer, and method for producing compound
US9760004B2 (en) 2013-09-30 2017-09-12 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition and resist pattern-forming method
US9874816B2 (en) 2013-09-26 2018-01-23 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition and resist pattern-forming method
US9921474B2 (en) 2014-03-07 2018-03-20 Jsr Corporation Pattern-forming method and composition
WO2018180049A1 (ja) 2017-03-30 2018-10-04 Jsr株式会社 感放射線性組成物及びレジストパターン形成方法
US10331031B2 (en) 2013-09-12 2019-06-25 Jsr Corporation Resin composition, resist pattern-forming method and polymer
US10564546B2 (en) 2016-05-12 2020-02-18 Jsr Corporation Resist pattern-forming method
US11300877B2 (en) 2016-01-13 2022-04-12 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition, resist pattern-forming method and acid diffusion control agent
US11429024B2 (en) 2019-06-17 2022-08-30 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition, resist pattern-forming method, compound, and method of controlling acid diffusion
US11592746B2 (en) 2019-04-24 2023-02-28 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition, resist pattern-forming method, compound and method of generating acid
US11966161B2 (en) 2020-01-07 2024-04-23 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition, method of forming resist pattern, and compound

Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4822718A (en) * 1982-09-30 1989-04-18 Brewer Science, Inc. Light absorbing coating
EP0193603A4 (en) * 1984-09-13 1988-04-06 Advanced Micro Devices Inc PHOTOLITOGRAPHIC PROCESS USING POSITIVE PROTECTIVE PHOTOGRAPHIC MATERIAL CONTAINING A COLORLESS LIGHT ABSORBING AGENT.
JPS61122649A (ja) * 1984-11-19 1986-06-10 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性平版印刷版
DE3515693A1 (de) * 1985-05-02 1986-11-06 Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt Positiv-fotoresist-zusammensetzungen
US5334481A (en) * 1985-05-02 1994-08-02 Ciba-Geigy Corporation Positive diazo quinone photoresist compositions containing antihalation compound
JPS6247045A (ja) * 1985-08-20 1987-02-28 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション ポリイミド組成物およびパタ−ンを有する膜の形成法
DE3623891A1 (de) * 1986-07-15 1988-01-28 Siemens Ag Anordnung zur genauen gegenseitigen ausrichtung einer maske und einer halbleiterscheibe in einem lithographiegeraet und verfahren zu ihrem betrieb
US4778739A (en) * 1986-08-25 1988-10-18 International Business Machines Corporation Photoresist process for reactive ion etching of metal patterns for semiconductor devices
US4681430A (en) * 1986-08-27 1987-07-21 Hewlett-Packard Company Method for focusing projection printer
JPH01285946A (ja) * 1988-05-13 1989-11-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成方法
JPH0253058A (ja) * 1988-08-18 1990-02-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成方法
AU5433890A (en) * 1989-03-30 1990-11-05 Brewer Science, Inc. Base-soluble polyimide release layers for use in microlithographic processing
US5126289A (en) * 1990-07-20 1992-06-30 At&T Bell Laboratories Semiconductor lithography methods using an arc of organic material
JP2694097B2 (ja) * 1992-03-03 1997-12-24 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 反射防止コーティング組成物
KR100258494B1 (ko) * 1992-06-02 2000-06-15 미우라 아끼라 레지스트 표면 반사 방지막 형성 조성물 및 패턴 형성방법
JPH05343308A (ja) * 1992-06-09 1993-12-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
US5498748A (en) * 1993-07-20 1996-03-12 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Anthracene derivatives
US5576359A (en) * 1993-07-20 1996-11-19 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Deep ultraviolet absorbent composition
US5607824A (en) * 1994-07-27 1997-03-04 International Business Machines Corporation Antireflective coating for microlithography
TW337591B (en) * 1996-04-15 1998-08-01 Shinetsu Chem Ind Co Anti-reflection coating material
JP4111281B2 (ja) 1997-04-15 2008-07-02 共同印刷株式会社 液晶表示用カラーフィルタ
US6428894B1 (en) * 1997-06-04 2002-08-06 International Business Machines Corporation Tunable and removable plasma deposited antireflective coatings
JP4082537B2 (ja) 1999-04-28 2008-04-30 Ｔｄｋ株式会社 光学処理溶液、反射防止膜形成方法、パターンメッキ方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法
US6824879B2 (en) 1999-06-10 2004-11-30 Honeywell International Inc. Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography
JP2003502449A (ja) 1999-06-10 2003-01-21 ハネウエル・インターナシヨナル・インコーポレーテツド フォトリソグラフィ用スピンオンガラス反射防止コーティング
KR100772303B1 (ko) 2000-11-14 2007-11-02 제이에스알 가부시끼가이샤 반사방지막 형성 조성물
EP1472574A4 (en) 2001-11-15 2005-06-08 Honeywell Int Inc ANTI-REFLECTIVE COATINGS DESIGNED TO BE INSTALLED BY ROTATION FOR PHOTOLITHOGRAPHY
WO2003077239A1 (fr) 2002-03-11 2003-09-18 Tdk Corporation Procede de traitement conçu pour une matrice en resine photosensible, procede de production d'une matrice utilisant un support d'enregistrement, procede de production d'un support d'enregistrement, matrice en resine photosensible, matrice utilisant un support d'enregistrment et support d'enregistrement
US7078148B2 (en) 2002-06-03 2006-07-18 Jsr Corporation Radiation sensitive resin composition
JP2004013973A (ja) * 2002-06-05 2004-01-15 Tdk Corp フォトレジスト原盤の製造方法、光記録媒体製造用スタンパの製造方法、スタンパ、フォトレジスト原盤、スタンパ中間体及び光記録媒体
US6872506B2 (en) * 2002-06-25 2005-03-29 Brewer Science Inc. Wet-developable anti-reflective compositions
AU2003241802A1 (en) * 2002-06-25 2004-01-06 Tdk Corporation Process for producing stamper for production of optical recording medium and apparatus
US6740469B2 (en) * 2002-06-25 2004-05-25 Brewer Science Inc. Developer-soluble metal alkoxide coatings for microelectronic applications
TWI317365B (en) 2002-07-31 2009-11-21 Jsr Corp Acenaphthylene derivative, polymer, and antireflection film-forming composition
JP3597523B2 (ja) 2002-08-27 2004-12-08 東京応化工業株式会社 リソグラフィー用下地材
WO2005012374A1 (ja) 2003-08-05 2005-02-10 Jsr Corporation アクリル系重合体および感放射線性樹脂組成物
TWI358612B (en) 2003-08-28 2012-02-21 Nissan Chemical Ind Ltd Polyamic acid-containing composition for forming a
US8053159B2 (en) 2003-11-18 2011-11-08 Honeywell International Inc. Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof
JP4769455B2 (ja) * 2003-12-30 2011-09-07 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． コーティング組成物
EP1757628A4 (en) 2004-05-06 2008-04-30 Jsr Corp LACTONCOPOLYMER AND RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION
CN102981368B (zh) 2004-05-14 2015-03-04 日产化学工业株式会社 含有乙烯基醚化合物的形成防反射膜的组合物
US7470505B2 (en) 2005-09-23 2008-12-30 Lexmark International, Inc. Methods for making micro-fluid ejection head structures
US8697343B2 (en) 2006-03-31 2014-04-15 Jsr Corporation Fluorine-containing polymer, purification method, and radiation-sensitive resin composition
JP4831324B2 (ja) * 2006-07-06 2011-12-07 日産化学工業株式会社 スルホンを含有するレジスト下層膜形成組成物
US8642246B2 (en) 2007-02-26 2014-02-04 Honeywell International Inc. Compositions, coatings and films for tri-layer patterning applications and methods of preparation thereof
CN101772735B (zh) 2007-08-09 2012-09-26 Jsr株式会社 放射线敏感性树脂组合物
WO2009044668A1 (ja) 2007-10-01 2009-04-09 Jsr Corporation 感放射線性組成物
TWI503334B (zh) 2009-02-19 2015-10-11 Jsr Corp 聚合物及敏輻射線性組成物、及單體
TWI482755B (zh) 2009-02-23 2015-05-01 Jsr Corp A compound and a method for producing the same, a fluorine atom-containing polymer, and a radiation-sensitive resin composition
US8557877B2 (en) 2009-06-10 2013-10-15 Honeywell International Inc. Anti-reflective coatings for optically transparent substrates
WO2010147099A1 (ja) 2009-06-15 2010-12-23 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び重合体
WO2011030737A1 (ja) 2009-09-11 2011-03-17 Jsr株式会社 感放射線性組成物及び新規化合物
WO2011125839A1 (ja) * 2010-03-31 2011-10-13 Jsr株式会社 レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法
JP5768410B2 (ja) * 2010-04-22 2015-08-26 信越化学工業株式会社 近赤外光吸収膜形成材料及び積層膜
JP5928347B2 (ja) 2011-02-04 2016-06-01 Jsr株式会社 パターン形成方法
JP5786426B2 (ja) 2011-04-11 2015-09-30 Jsr株式会社 フォトレジスト組成物、レジストパターン形成方法
US8864898B2 (en) 2011-05-31 2014-10-21 Honeywell International Inc. Coating formulations for optical elements
JP6065497B2 (ja) 2011-09-29 2017-01-25 Jsr株式会社 パターン形成方法及びポリシロキサン組成物
US8703395B2 (en) 2011-10-28 2014-04-22 Jsr Corporation Pattern-forming method
KR102047860B1 (ko) 2011-12-28 2019-11-22 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 수지 조성물, 중합체, 화합물 및 화합물의 제조 방법
JP6167588B2 (ja) 2012-03-29 2017-07-26 Jsr株式会社 レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法
JP6540293B2 (ja) 2014-07-10 2019-07-10 Jsr株式会社 レジストパターン微細化組成物及び微細パターン形成方法
EP3194502A4 (en) 2015-04-13 2018-05-16 Honeywell International Inc. Polysiloxane formulations and coatings for optoelectronic applications
KR102550157B1 (ko) 2017-03-01 2023-07-03 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 수지 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 산확산 제어제, 카르복실산염 및 카르복실산
WO2019172054A1 (ja) 2018-03-08 2019-09-12 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物及びその製造方法並びにレジストパターン形成方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5346700A (en) * 1976-10-12 1978-04-26 Fujitsu Ltd Exposuring method for resist

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB785858A (en) * 1956-01-11 1957-11-06 Du Pont Photosensitive element and process for preparing printing relief images
DE1597597A1 (de) * 1967-09-14 1970-09-24 Wilhelm Guckert Verfahren zur Reduzierung der Unterstrahlungseffekte bei Kopierverfahren der graphischen Technik,insbesondere im Hinblick auf lichtempfindliche Schichten,die auf metallische Oberflaechen (Offsetdruckplatten- und Folien,Metallplatten fuer die Herstellung von Hochdruckklischees,kupferkaschiertes Isolationsm
JPS5418724B2 (ja) * 1972-09-09 1979-07-10
CA1051707A (en) * 1973-10-25 1979-04-03 Michael Gulla Photoresist film with non-photosensitive resist layer
JPS5230428A (en) * 1975-09-03 1977-03-08 Hitachi Ltd Photoresist exposure method
JPS5768831A (en) * 1980-10-17 1982-04-27 Fuji Photo Film Co Ltd Heat developable photosensitive material
US4362809A (en) * 1981-03-30 1982-12-07 Hewlett-Packard Company Multilayer photoresist process utilizing an absorbant dye
US4370405A (en) * 1981-03-30 1983-01-25 Hewlett-Packard Company Multilayer photoresist process utilizing an absorbant dye
US4414314A (en) * 1982-02-26 1983-11-08 International Business Machines Corporation Resolution in optical lithography

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5346700A (en) * 1976-10-12 1978-04-26 Fujitsu Ltd Exposuring method for resist

Cited By (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0690111A1 (en) 1994-06-29 1996-01-03 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Anti-reflective coating composition
EP0789278A2 (en) 1996-02-09 1997-08-13 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Radiation-sensitive resin composition
US8247165B2 (en) 2004-01-15 2012-08-21 Jsr Corporation Upper layer film forming composition for liquid immersion and method of forming photoresist pattern
EP2315078A1 (en) 2004-01-15 2011-04-27 JSR Corporation Upper layer film forming composition for liquid immersion and method of forming photoresist pattern
US9182674B2 (en) 2004-01-15 2015-11-10 Jsr Corporation Immersion upper layer film forming composition and method of forming photoresist pattern
EP2468780A1 (en) 2004-09-30 2012-06-27 JSR Corporation Copolymer and top coating composition
EP2277929A1 (en) 2004-09-30 2011-01-26 JSR Corporation Copolymer and top coating composition
WO2007058345A1 (ja) 2005-11-21 2007-05-24 Jsr Corporation 感放射線性樹脂組成物
WO2007069640A1 (ja) 2005-12-14 2007-06-21 Jsr Corporation 新規化合物および重合体、ならびに樹脂組成物
WO2008084786A1 (ja) 2007-01-09 2008-07-17 Jsr Corporation 化合物及び感放射線性組成物
WO2008114644A1 (ja) 2007-03-16 2008-09-25 Jsr Corporation レジストパターン形成方法及びそれに用いるレジストパターン不溶化樹脂組成物
WO2008117693A1 (ja) 2007-03-28 2008-10-02 Jsr Corporation ポジ型感放射線性組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法
US8377627B2 (en) 2007-08-13 2013-02-19 Jsr Corporation Compound and radiation-sensitive composition
WO2010007993A1 (ja) 2008-07-15 2010-01-21 Jsr株式会社 ポジ型感放射線性組成物及びレジストパターン形成方法
WO2010029965A1 (ja) 2008-09-10 2010-03-18 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物
WO2010029982A1 (ja) 2008-09-12 2010-03-18 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法
WO2010047340A1 (ja) 2008-10-21 2010-04-29 Jsr株式会社 レジストパターンコーティング剤及びそれを用いるレジストパターン形成方法
US8470513B2 (en) 2009-03-27 2013-06-25 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition and polymer
US8431324B2 (en) 2009-05-07 2013-04-30 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition
US8968980B2 (en) 2009-05-18 2015-03-03 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition and compound
WO2010140637A1 (ja) 2009-06-04 2010-12-09 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、重合体及びレジストパターン形成方法
US9513548B2 (en) 2009-09-18 2016-12-06 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition, method for forming resist pattern, polymer and polymerizable compound
US10048586B2 (en) 2009-09-18 2018-08-14 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition, method for forming resist pattern, polymer and polymerizable compound
EP2781959A2 (en) 2009-09-18 2014-09-24 JSR Corporation Radiation-sensitive resin composition, method for forming resist pattern, polymer and polymerizable compound
US8389202B2 (en) 2009-09-30 2013-03-05 Jsr Corporation Polymer, radiation-sensitive composition, monomer, and method of producing compound
US9598520B2 (en) 2009-11-18 2017-03-21 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition, polymer and method for forming a resist pattern
US8916333B2 (en) 2010-03-31 2014-12-23 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition
US9040221B2 (en) 2010-05-20 2015-05-26 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition, method for forming resist pattern, and polymer and compound
US9261780B2 (en) 2010-05-20 2016-02-16 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition, method for forming resist pattern, and polymer and compound
WO2011149029A1 (ja) 2010-05-28 2011-12-01 Jsr株式会社 絶縁パターン形成方法及びダマシンプロセス用絶縁パターン形成材料
US8580480B2 (en) 2010-07-27 2013-11-12 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition, method for forming resist pattern, polymer and compound
US8609318B2 (en) 2010-08-05 2013-12-17 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition, method for forming resist pattern and polymer
US8765355B2 (en) 2010-08-19 2014-07-01 Jsr Corporation Radiation sensitive resin composition, method for forming a pattern, polymer and compound
WO2012033004A1 (ja) 2010-09-09 2012-03-15 Jsr株式会社 レジストパターン形成方法
US8993223B2 (en) 2010-09-09 2015-03-31 Jsr Corporation Resist pattern-forming method
US10025188B2 (en) 2010-09-09 2018-07-17 Jsr Corporation Resist pattern-forming method
US8980529B2 (en) 2010-09-17 2015-03-17 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition, polymer, and resist pattern-forming method
US9926462B2 (en) 2010-09-29 2018-03-27 Jsr Corporation Composition for forming liquid immersion upper layer film, and polymer
US9540535B2 (en) 2010-09-29 2017-01-10 Jsr Corporation Composition for forming liquid immersion upper layer film, and polymer
US9164387B2 (en) 2010-10-04 2015-10-20 Jsr Corporation Pattern-forming method, and radiation-sensitive resin composition
US8795954B2 (en) 2010-10-15 2014-08-05 Jsr Corporation Resist pattern-forming method, and radiation-sensitive resin composition
US9170488B2 (en) 2010-10-15 2015-10-27 Jsr Corporation Resist pattern-forming method, and radiation-sensitive resin composition
US8815493B2 (en) 2010-10-19 2014-08-26 Jsr Corporation Resist pattern-forming method, and radiation-sensitive resin composition
US9335630B2 (en) 2010-10-22 2016-05-10 Jsr Corporation Pattern-forming method, and radiation-sensitive composition
US9034559B2 (en) 2010-10-22 2015-05-19 Jsr Corporation Pattern-forming method, and radiation-sensitive composition
US9023584B2 (en) 2010-11-26 2015-05-05 Jsr Corporation Radiation-sensitive composition, and compound
US9223207B2 (en) 2011-01-28 2015-12-29 Jsr Corporation Resist pattern-forming method, and radiation-sensitive resin composition
US8530146B2 (en) 2011-02-04 2013-09-10 Jsr Corporation Method for forming resist pattern
US8822140B2 (en) 2011-02-04 2014-09-02 Jsr Corporation Resist pattern-forming method
EP2485090A1 (en) 2011-02-04 2012-08-08 JSR Corporation Radiation-sensitive resin composition for forming resist pattern
EP2738605A2 (en) 2011-06-01 2014-06-04 JSR Corporation Developer for resist pattern-forming method
US8703401B2 (en) 2011-06-01 2014-04-22 Jsr Corporation Method for forming pattern and developer
EP2530525A1 (en) 2011-06-01 2012-12-05 JSR Corporation Method for forming pattern and developer
US8980539B2 (en) 2011-06-01 2015-03-17 Jsr Corporation Developer
US9052600B2 (en) 2011-09-06 2015-06-09 Jsr Corporation Method for forming resist pattern and composition for forming protective film
US9188858B2 (en) 2011-09-26 2015-11-17 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition, method for forming resist pattern, acid generating agent and compound
US8956807B2 (en) 2011-09-30 2015-02-17 Jsr Corporation Method for forming resist pattern, and composition for forming resist underlayer film
US9268225B2 (en) 2011-11-11 2016-02-23 Jsr Corporation Composition, resist pattern-forming method, compound, method for production of compound, and polymer
US9250526B2 (en) 2012-03-07 2016-02-02 Jsr Corporation Composition for forming resist underlayer film, and pattern-forming method
US9594303B2 (en) 2012-03-19 2017-03-14 Jsr Corporation Resist pattern-forming method and photoresist composition
US9329474B2 (en) 2012-04-02 2016-05-03 Jsr Corporation Photoresist composition and resist pattern-forming method
US9046775B2 (en) 2012-09-28 2015-06-02 Jsr Corporation Composition for forming liquid immersion upper layer film, resist pattern-forming method, polymer, and compound
US9703195B2 (en) 2013-03-22 2017-07-11 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition, resist pattern-forming method, polymer, and method for producing compound
US9146466B2 (en) 2013-04-08 2015-09-29 Jsr Corporation Resist composition, resist pattern-forming method, and resist solvent
US9523911B2 (en) 2013-05-20 2016-12-20 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition, resist pattern-forming method, acid generator and compound
WO2015016027A1 (ja) 2013-07-31 2015-02-05 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、重合体及び化合物
US10331031B2 (en) 2013-09-12 2019-06-25 Jsr Corporation Resin composition, resist pattern-forming method and polymer
US9874816B2 (en) 2013-09-26 2018-01-23 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition and resist pattern-forming method
US9760004B2 (en) 2013-09-30 2017-09-12 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition and resist pattern-forming method
US9921474B2 (en) 2014-03-07 2018-03-20 Jsr Corporation Pattern-forming method and composition
US11300877B2 (en) 2016-01-13 2022-04-12 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition, resist pattern-forming method and acid diffusion control agent
US10564546B2 (en) 2016-05-12 2020-02-18 Jsr Corporation Resist pattern-forming method
WO2018180049A1 (ja) 2017-03-30 2018-10-04 Jsr株式会社 感放射線性組成物及びレジストパターン形成方法
US11592746B2 (en) 2019-04-24 2023-02-28 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition, resist pattern-forming method, compound and method of generating acid
US11429024B2 (en) 2019-06-17 2022-08-30 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition, resist pattern-forming method, compound, and method of controlling acid diffusion
US11966161B2 (en) 2020-01-07 2024-04-23 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition, method of forming resist pattern, and compound

Also Published As

Publication number Publication date
EP0159428B1 (en) 1992-11-19
JPH09120163A (ja) 1997-05-06
JP2748114B2 (ja) 1998-05-06
JPS5993448A (ja) 1984-05-29
EP0159428A1 (en) 1985-10-30
JPH06313968A (ja) 1994-11-08
JP2686898B2 (ja) 1997-12-08

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