JP2694097B2 - 反射防止コーティング組成物 - Google Patents

反射防止コーティング組成物

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JP2694097B2
JP2694097B2 JP5000065A JP6593A JP2694097B2 JP 2694097 B2 JP2694097 B2 JP 2694097B2 JP 5000065 A JP5000065 A JP 5000065A JP 6593 A JP6593 A JP 6593A JP 2694097 B2 JP2694097 B2 JP 2694097B2
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ケビン・マイケル・ウェルシュ
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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化学的に増幅されたフ
ォトレジスト組成物と併用する反射防止コーティング組
成物に関し、特に、ミッド／ディープＵＶ放射に対して
吸収性が高く、化学的に増幅されたフォトレジスト組成
物及びその現像剤に対して不溶性である成膜組成物に関
する。本発明はまた、線幅の制御性を向上させたフォト
レジスト・イメージ形成方法を提供する。
【０００２】
【従来の技術】半導体メーカーは、素子の性能を高める
ために、回路の集積度を高めた素子の製造方法を探って
いるが、微細な構造を得るためには、ミッドＵＶ及びデ
ィープＵＶスペクトル（中間／遠紫外領域）の短い波長
を用いたフォトリソグラフィ方式が必要になっている。
極めて微細な所望のパターンを形成するプロセスでは、
フォトレジストのイメージに歪みや変位をもたらす様々
な光学的影響がみられる。これらは直接、配線幅のばら
つき、オープン、ショート等の弊害をもたらし、素子性
能が劣化する原因になる。こうした光学的影響の多く
は、ハレーションや他の反射光の散乱の影響など、基板
の形状と反射率の影響に起因し、その原因として、所望
の構造を得るために、上層にパターンが形成された基板
と配線または層の形状の不均一性あるいは（波長に依存
する）反射率の変化が考えられる。このような影響は、
フォトレジスト膜及び膜圧の不均一性によってさらにひ
どくなる。こうした影響は、リソグラフィ・パターンで
は定在波現象によるもので、しばしば"反射ノッチ"を伴
う不均一な線幅や垂直でないパターンの側壁となって現
われる。
【０００３】Arnoldらによる米国特許第４９１０１２２
号明細書は、集積度を高めた回路の製造に用いられる薄
膜リソグラフィで、反射率の問題を解決するプロセスに
言及している。このプロセスでは、表面エネルギの小さ
い（染料化合物を付加できる）ポリマから成る反射防止
膜組成物が用いられる。この膜は、緩慢な反射の影響を
低減し、フォトレジスト現像剤で除去できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなプロセス
は、化学的に増幅されたレジスト組成物とは両立しない
ことがわかっている。化学的に増幅されたフォトレジス
ト組成物とは、フォトアシッド生成のイメージ形成を含
むメカニズムによって反応が継続し、２次アシッドの生
成が影響を与えるものをいう。このような組成物の一例
はItoらによる米国特許第４４９１６２８号明細書に見
られる。同時現像の可能な反射防止コーティングは、フ
ォトレジストの成分とマイナスの方向に反応する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、化学的に増幅
されたフォトレジスト組成物と併用する反射防止コーテ
ィング組成物（ＡＲＣ）を提供するものである。フォト
レジスト組成物は、ミッド／ディープＵＶ放射に対して
吸収性が高く、化学的に増幅されたフォトレジスト組成
物との接触反応に対して実質上不活性であり、化学的に
増幅されたフォトレジスト組成物の現像剤において不溶
性であるポリマ組成物より成る。
【０００６】ＡＲＣに用いられるポリマ組成物は、ミッ
ドＵＶ及びディープＵＶスペクトルで吸収性が強いポリ
シランと、ディープＵＶ放射吸収性が強く、個別下層を
形成するポリビニル芳香族組成物とから成るグループか
ら選択される。これらの物質はフォトレジストと混合さ
れず、フォトレジストの通常の湿式現像で除去されな
い。ポリビニル芳香族組成物は、架橋可能なものとそう
でないものがあり、架橋可能な場合は架橋状態で用いら
れる場合とそうでない場合がある。また、架橋可能なポ
リビニル芳香族化合物と熱安定生のない架橋剤を組合わ
せてもよい。像の歪みを効果的に防止するためには、Ａ
ＲＣの絶対光学濃度を波長２３５−２８０ｎｍの範囲で
少なくとも０．２５とする必要がある。被膜が比較的薄
ければ副作用のないプロセスを実現しやすいため、反射
率によるリソグラフィのばらつきを克服するには、光学
濃度が少なくとも２．０／μｍの物質を採用するのが望
ましい。
【０００７】
【実施例】本発明に従って、化学的に増幅されたフォト
レジスト組成物と併用する反射防止コーティング組成物
（ＡＲＣ）が提供される。このようなポリマ組成物の特
徴は、ミッドＵＶ及びディープＵＶ放射の吸収性が高い
こと、化学的に増幅されたフォトレジスト組成物との接
触反応に対して実質上不活性であること、及び化学的に
増幅されたフォトレジスト組成物の現像剤において実質
上不溶性であることが挙げられる。
【０００８】ＡＲＣに用いられるポリマ組成物は、ポリ
シランと、架橋可能で個別下層を形成するポリビニル芳
香族組成物とより成るグループから選択される。これら
の物質は、フォトレジストと混合されず、フォトレジス
トの通常の湿式現像で除去されない。像の歪みを効果的
に防止するためには、ＡＲＣ膜の絶対光学濃度を波長２
３５−２８０ｎｍの範囲で少なくとも０．２５にする必
要がある。このような薄膜は付着しやすく、露光設定
（焦点深度等）が変化せず、処理の後に除去しやすい。
膜はプロセスの基本ルールに応じて構造中に維持するか
除去することができる。具体的には、ポリシランは、ポ
リ（シクロヘキシルメチルシラン）、ポリ（シクロヘキ
シルメチルシラン）とジフェニルシランもしくはフェニ
ルメチルシランとの共重合体、またはポリ（シクロテト
ラメチレンシラン）である。シクロヘキシルメチルシラ
ン単位のジフェニルシラン単位に対する比が２：１−
４：１のポリ（シクロヘキシルメチルシランーコージフ
ェニルシラン）の共重合体を使用することもできる。
【０００９】リソグラフィ・パターンは実質上、リソグ
ラフィ・プロセスにミッドＵＶ及びディープＵＶ ＡＲ
Ｃを取入れることで改良されることがわかっている。下
層の反射構造の不均一な形状に及ぶ定在波効果による線
幅のばらつきは、ＡＲＣによる像形成波長の吸収によっ
て制御することができる。得られるパターン・プロファ
イルは基本的に垂直であり、従来のリソグラフィで観測
される"フット"（側壁下部から線の領域へのはみだし）
ではなく、表面エネルギの小さいポリマ・コーティング
に見られる"フレア"（非垂直側壁または極端なフット）
でもない。このほかの利点として、本発明のＡＲＣは、
化学的に増幅されたフォトレジストとシリコン基板との
化学的障壁となる。このような利点は、化学的に増幅さ
れたフォトレジストの溶剤においてＡＲＣが可溶性でな
いことと、フォトレジスト組成物に対してＡＲＣが非混
合性であることによる。化学的障壁効果はまた、反射率
の低い窒化チタニウム（ＴｉＮ）、窒化シリコン（Ｓｉ
3Ｎ4）、及びＴＥＯＳ（テトラエチルオルトケイ酸塩）
に対する像形成の際に重要である。このような物質は環
境の影響に極めて反応しやすく、本発明のＡＲＣは、障
壁層として働いて、環境の汚染物に対する保護層として
優れており、これがプロセスの許容範囲を拡大する。
【００１０】例１ トルエン（３７５ｍｌ）とジグライム（４０ｍｌ）の還
流混合物内に分散されたナトリウム（４５．４ｇ、４０
％鉱油、０．７９ｍｏｌ）に、シクロヘキシルメチルジ
クロロシラン（５４．７５ｇ、０．２７７ｍｏｌ）とジ
フェニルジクロロシラン（１７．５５ｇ、０．０６９ｍ
ｏｌ）の混合物を急速に付加した。付加後、混合物を１
時間還流し、室温まで冷却した。次にイソプロピルアル
コール（７５ｍｌ）をゆっくり加え、反応しなかったナ
トリウムを急冷すると、形成された共重合体がイソプロ
ピルアルコール（２ｌ）に沈殿した。固形物を、重力濾
過と空気乾燥の後、トルエン（５００ｍｌ）で抽出し
た。このトルエン抽出物を水（３×２５０ｍｌ）で洗浄
し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶剤の蒸発により
１０．２５グラムの共重合体を得た。この共重合体、ポ
リ（シクロヘキシルメチルシラン−コ−ジフェニルシラ
ン）の光学濃度は２．４／μｍである。
【００１１】共重合体を、トルエンで溶解し、重量比１
０％の溶液を得た。濾過の後、３０００ｒｐｍ、３０秒
のスピン・キャスティングによってシリコン・ウエハ表
面に共重合体の薄膜を被着した。この被覆されたウエハ
を９０℃で６０秒間ベークし、厚み０．３μｍ、光学濃
度０．７２（２４８ｎｍにおいて）の膜を得た。
【００１２】ｔ−ブチルオキシカルボニルオキシで一部
置換されたポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）すなわちポ
リ（ｐ−ヒドロキシスチレン−コ−ｐ−ｔ−ブチルオキ
シカルボニルオキシスチレン）とフォトアシッド発生
剤、トリフルオロメチルスルホニルオキシビシクロ
［２．２．１］−ヘプト−５−エネ−２、３−ジカルボ
キシミドより成るディープＵＶで化学的に増幅されたフ
ォトレジストを、キャスティング溶剤、プロピレン・グ
リコール・モノメチル・エチル・アセテート（ＰＭアセ
テート）内で、１．０μｍ厚の膜として、３２００ｒｐ
ｍ、３０秒のスピン・キャスティングとこれに続く９０
℃、６０秒のソフト・ベークにより反射防止物質で被覆
されたシリコン・ウエハ表面に塗布した。次にＡＲＣフ
ォトレジストを塗布したウエハを、適当な光学系及びレ
チクルを通してＫｒＦレーザの出力（５ｍＪ／ｃｍ2 ）
にかけた。露光されたウエハを９０℃、９０秒間ベーク
し、冷却の後、０．２４Ｎテトラメチルアンモニウム水
酸化物（ＴＭＡＨ）／水溶液へ浸漬し最終的に現像し
た。
【００１３】現像によってＡＲＣ層以外のフォトレジス
ト組成物を除去した。このパターンをさらに、ＣＦ4 反
応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）によりＡＲＣ層を通
して基板に転写できる。
【００１４】例２ R．WestがJ．Organomet．Chem．、300、327 （1986）で
示した合成により形成された、架橋可能なポリ（シクロ
テトラメチレンシラン）は、例１のＡＲＣで行なったよ
うに、シリコン・ウエハに約２．０μｍの厚みに被着で
きる。
【００１５】その後、処理したウエハの上層に、例１で
述べたディープＵＶフォトレジスト組成物を約１．０μ
ｍの厚みに被着する。フォトレジストは、ＫｒＦレーザ
で露光し、０．２４Ｎ ＴＭＡＨで現像することができ
る。このイメージはＣＦ4ＲＩＥでＡＲＣを通して転写
可能である。
【００１６】例３ 一般に入手できるポリ（２−ビニルナフタレン）（Aldr
ich Chemical：19、193-0；Monomer-Polymer：7668）
２．０グラムをキシレン（９８グラム）で溶解した。こ
の溶液を何もないシリコン・ウエハ上にスピン速度２４
００ｒｐｍで３０秒間キャスティングした。次に被覆さ
れたウエハを９０℃で６０秒間ベークし、厚み０．０５
μｍ、光学濃度０．２６（２４８ｎｍにおいて）の高分
子膜を得た。
【００１７】ディープＵＶで化学的に増幅された例１の
フォトレジスト組成物を用いて、例１と同じように１．
０μｍ厚のコーティングをＡＲＣ被覆されたシリコン・
ウエハに被着した。被覆されたウエハはＫｒＦレーザ
（５ｍＪ／ｃｍ2 ）で露光され、９０℃で９０秒間、露
光後のベーク（ＰＥＢ）にかけられ、０．２４Ｎ ＴＭ
ＡＨへの浸漬で現像された。このパターンをさらにＯ2
ＲＩＥでＡＲＣを通して転写した。イメージ・プロファ
イルのアンダーカットの指標が認められた。
【００１８】例４ 光学濃度が約５．２／μｍ、１．７６グラムの、一般に
入手できるポリ（２−ビニルナフタレン）（Aldrich Ch
emical：19、193-0；Monomer-Polymer：7668）と、２、
６−ビス（４−アジドベンジリデン）−４−メチルシク
ロヘキサノン（ＤＡＢＭＣ）２４０ｍｇをキシレン９８
グラムに付加した。この溶液を、２４００ｒｐｍでシリ
コン・ウエハにスピン被着した後、厚み０．０５μｍの
高分子膜を得た。次に被覆されたウエハを、１８０℃で
９０秒間ハード・ベークし、光学濃度０．２６（２４８
ｎｍにおいて）の架橋高分子膜を得た。
【００１９】例１のディープＵＶで化学的に増幅された
フォトレジスト組成物を、１．０μｍ厚のコーティング
として、例１に示したようにＡＲＣ被覆されたシリコン
・ウエハに塗布した。被覆されたウエハをＫｒＦレーザ
（５ｍＪ／ｃｍ2 ）で露光し、９０℃で９０秒間、露光
後のベーク（ＰＥＢ）にかけ、０．２４Ｎ ＴＭＡＨへ
の浸漬によって現像した。パターンをさらに、Ｏ2 ＲＩ
ＥでＡＲＣを通して転写した。
【００２０】例５ ０．９３グラムのポリ（２−ビニル−ナフタレン）、
０．０７グラムの２、６−ビス（４−アジドベンジリデ
ン）−４−フェニルシクロヘキサノン（ＤＡＢＰＣ）、
及び４９グラムのキシレンを調製し、０．２μｍに濾過
した。溶液を、回転するシリコン・ウエハにキャスティ
ングした（２４００ｒｐｍ、３０秒）。被覆されたウエ
ハを、１８０℃で９０秒間ベークし、厚み０．０５μ
ｍ、光学濃度０．２７（２４８ｎｍにおいて）の架橋重
合膜を得た。
【００２１】例１のディープＵＶで化学的に増幅された
フォトレジスト組成物を、ＡＲＣ被覆されたシリコン・
ウエハに１．０μｍ厚のコーティングとして、例１の方
法で塗布した。被覆されたウエハをＫｒＦレーザ（５ｍ
Ｊ／ｃｍ2 ）で露光し、９０℃で９０秒間、露光後のベ
ーク（ＰＥＢ）にかけ、０．２４Ｎ ＴＭＡＨへの浸漬
によって現像した。パターンをさらにＯ2 ＲＩＥでＡＲ
Ｃを通して転写した。
【００２２】例６ ポリ（１−ビニルナフタレン）を一般から入手した（Mo
nomer-Polymer：8170）。１．８グラムのポリマと０．
２グラムのＤＡＢＭＣを４８グラムのキシレンに加えて
４％固形物溶液を調製した。何もないシリコン・ウエハ
へのスピン・コーティング（３０００ｒｐｍ）と１８０
℃、９０秒間の塗布後のベークにより、厚み０．１μ
ｍ、光学濃度０．５（２４８ｎｍにおいて）の膜を得
た。
【００２３】例１のディープＵＶで化学的に増幅された
フォトレジスト組成物を、ＡＲＣ被覆されたシリコン・
ウエハに、１．０μｍ厚のコーティングとして、例１の
方法で塗布した。被覆されたウエハをＫｒＦレーザ（５
ｍＪ／ｃｍ2 ）で露光し、９０℃で９０秒間、露光後の
ベーク（ＰＥＢ）にかけ、０．２４Ｎ ＴＭＡＨへの浸
漬によって現像した。さらに、パターンをＯ2 ＲＩＥで
ＡＲＣを通して転写した。
【００２４】例７ ポリ（アセナフチレン）を Monomer-Polymer（8675）か
ら入手した。キシレンの４％溶液から、３０００ｒｐｍ
のスピン・コーティングと９０℃、６０秒間のソフト・
ベークの後、厚み０．１μｍ、光学濃度０．６（２４８
ｎｍにおいて）の膜を得た。
【００２５】例１のディープＵＶで化学的に増幅された
フォトレジスト組成物を、ＡＲＣ被覆されたシリコン・
ウエハに、１．０μｍ厚のコーティングとして、例１の
方法で塗布した。被覆されたウエハをＫｒＦレーザ（５
ｍＪ／ｃｍ2 ）で露光し、９０℃で９０秒間、露光後の
ベーク（ＰＥＢ）にかけ、０．２４Ｎ ＴＭＡＨへの浸
漬によって現像した。さらに、パターンをＯ2 ＲＩＥで
ＡＲＣを通して転写した。
【００２６】例８ ポリ（４−ビニルビフェニル）をAldrich Chemical （1
8、254-0）から入手した。キシレン９５グラムをＤＡＢ
ＰＣ ０．６グラムとポリマ４．４グラムに付加した。
濾過の後、４０００ｒｐｍ、３０秒間のスピン・コーテ
ィングでシリコン・ウエハにこの高分子混合物の薄膜を
塗布した。被覆されたウエハを２００℃で２分間ベーク
し、厚み０．１５μｍ、光学濃度１．６（２４８ｎｍに
おいて）の膜を得た。
【００２７】例１のディープＵＶで化学的に増幅された
フォトレジスト組成物を、ＡＲＣ被覆されたシリコン・
ウエハに、１．０μｍ厚のコーティングとして、例１の
方法で塗布した。被覆されたウエハをＫｒＦレーザ（５
ｍＪ／ｃｍ2 ）で露光し、９０℃で９０秒間、露光後の
ベーク（ＰＥＢ）にかけ、０．２４Ｎ ＴＭＡＨへの浸
漬によって現像した。さらに、パターンをＯ2 ＲＩＥで
ＡＲＣを通して転写した。
【００２８】例９ ＰＭアセテートのキャスティング溶剤中、一部はポリ
（ｐ−ヒドロキシスチレン−コ−ｐ−ｔ−ブチルオキシ
カルボニルオキシスチレン）とトリフルオロメチルスル
ホニルオキシビシクロ［２．２．１］−ヘプト−５−エ
ネ−２、３−ジ−カルボキシミドより成る、例のディー
プＵＶで化学的に増幅されたフォトレジスト組成物のリ
ソグラフィ性能が、フォトレジストのみと対比される例
４の架橋したポリ−（２−ビニルナフタレン）／ＤＡＢ
ＭＣ ＡＲＣを用いて複数の基板上で評価された。
【００２９】 表Ｉ 基板 性能 シリコン（ＨＭＤＳ）1 ブレア Brewer CD-32 アンダーカット（散見） Brewer CD-52 垂直プロファイル Brewer Omni-Layer2 極端なフット ハード・ベークしたＴＮＳ3 極端なフット ハード・ベークしたＴＮＳ3（ＡＲＣ塗布） 垂直プロファイル 窒化シリコン フット 窒化シリコン（ＡＲＣ塗布） 垂直プロファイル 窒化チタニウム 極端なフット 窒化チタニウム（ＡＲＣ塗布） 垂直プロファイル ハード・ベークしたＫＴＦＲ4 フット ＴＥＯＳ5 フット ＴＥＯＳ5（ＡＲＣ塗布） 垂直プロファイル 1 ＨＭＤＳ＝ヘキサメチルジシラザン 2 Brewer Science、Inc．より 3 ＴＮＳ＝ジアゾナフトキノン・ノボラック・レジスト 4 ＫＴＦＲ＝Kodak薄膜レジスト 5 ＴＥＯＳ＝テトラエチルオルトケイ酸塩
【００３０】例１０ 本発明のＡＲＣの効果を示すために２組のシリコン・ウ
エハが用いられた。まず比較のためのウエハを、例１に
示したディープＵＶで化学的に増幅されたフォトレジス
トで被覆した。Canon エキシマ・ステッパ（０．３７Ｎ
Ａ）でウエハのパターンを形成した。線幅はどの線も標
準で０．５μｍであった。
【００３１】膜厚に対する線幅のばらつきは次のとおり
である（図では１）。
【００３２】 表II 膜厚（Å） 線幅（μｍ） ８１８３ ０．４７ ８３５２ ０．４１ ８６３５ ０．５３ ８８８６ ０．４５ ９３４２ ０．５５ ９８２２ ０．４８
【００３３】同様にして１組のウエハを用いて、最初に
本発明の例４のＡＲＣ（０．０６μｍ）で、次に例４に
示した処理条件により被覆した。次にウエハは、上記の
化学的に増幅されたディープＵＶフォトレジストで被覆
した。結果は次のとおりである（図では２）。
【００３４】 表III 膜厚（Å） 線幅（μｍ） ８３５６ ０．５１ ８６８９ ０．４９ ８７７２ ０．５２ ９３５２ ０．４９ ９７９０ ０．５３ ９９７３ ０．５０
【００３５】線幅のばらつきは、本発明でＡＲＣを処理
に加えることで大幅に減少することがわかる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の反射防止コーティング組成物を用いた
場合２及び用いない場合１のレジスト膜厚に対する線幅
のばらつきを比較した図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 クリストファー・フランシス・リオン アメリカ合衆国、ニューヨーク州ラグレ ーンジビル、ビーバー・ロード ５ (72)発明者 ラトナサバパシー・ソリヤクマラン アメリカ合衆国12524、ニューヨーク州 フィッシュキル、ラウドン・ドライブ 15−30 (72)発明者 ゲリー・トーマス・スピニロ アメリカ合衆国12590、ニューヨーク州 ワッピンガーズ・フォールズ、バレー・ ロード 23 (72)発明者 ケビン・マイケル・ウェルシュ アメリカ合衆国12524、ニューヨーク州 フィッシュキル、グリーンヒル・ドライ ブ ９ (72)発明者 ロバート・ラビン・ウッド アメリカ合衆国、ニューヨーク州ポキプ シ、アージェント・ドライブ ６ (56)参考文献 特開 平３−40421（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−202747（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−249656（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−52644（ＪＰ，Ａ)

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ポリ（ビニルナフタレン）、ポリ（アセナ
    フタレン）、及びポリ（ビニルビフェニル）からなる群
    から選択されるポリビニル芳香族、またはポリシランを
    含む、化学的に増幅されたフォトレジスト組成物と併用
    できる反射防止コーティング組成物。
  2. 【請求項２】前記ポリシランは、ポリ（シクロヘキシル
    メチルシラン）、ポリ（シクロヘキシルメチルシラン）
    とジフェニルシランもしくはフェニルメチルシランとの
    共重合体、及びポリ（シクロテトラメチレンシラン）か
    らなる群から選択される、請求項１記載の組成物。
  3. 【請求項３】化学的に増幅されたフォトレジスト組成物
    との接触反応に対して実質上不活性であり、かつ化学的
    に増幅されたフォトレジスト組成物の現像剤に対して不
    溶性である、ポリ（ビニルナフタレン）、ポリ（アセナ
    フタレン）、及びポリ（ビニルビフェニル）からなる群
    から選択されるポリビニル芳香族、またはポリシランを
    含んで成り、２３５〜２８０ｎｍの波長範囲において少
    なくとも０．２５の絶対光学濃度を有することを特徴と
    する、化学的に増幅されたフォトレジスト組成物と併用
    できる反射防止コーティング。
  4. 【請求項４】フォトレジスト・イメージ形成方法におい
    て、 （ａ）基板上に、ポリ（ビニルナフタレン）、ポリ（ア
    セナフタレン）、及びポリ（ビニルビフェニル）からな
    る群から選択されるポリビニル芳香族、またはポリシラ
    ンを含んで成り、２３５〜２８０ｎｍの波長範囲におい
    て少なくとも０．２５の絶対光学濃度を有することを特
    徴とする反射防止コーティング層を付着し、 （ｂ）前記反射防止コーティング層上に、化学的に増幅
    されたフォトレジスト組成物の層を付着し、 （ｃ）前記フォトレジスト層を、前記波長範囲の紫外光
    で露光して、潜像を形成し、 （ｄ）前記潜像を現像することを含む、イメージ形成方
    法。
  5. 【請求項５】ポリ（ビニルナフタレン）、ポリ（アセナ
    フタレン）、及びポリ（ビニルビフェニル）からなる群
    から選択されるポリビニル芳香族、またはポリシランを
    含んで成り、２３５〜２８０ｎｍの波長範囲において少
    なくとも０．２５の絶対光学濃度を有することを特徴と
    する反射防止コーティング層と、 前記反射防止コーティング層上に付着された、上記波長
    範囲の紫外光に感受性の化学的に増幅されたフォトレジ
    スト層とを含む、フォトレジスト構造。
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