JPS6247045A - ポリイミド組成物およびパタ−ンを有する膜の形成法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔浬業上の利用分野〕 本発明は集積回路の製造に使用するための下引き層組成
物、および特に、該製造に関わるリフト−オフ（１ｉｆ
ｔ−ｏｆｆ　）方法に関する。

〔従来の技術〕

集積回路の製造に使用されク一つの方法は、選択された
・ｆターンて与えるためＶこエツチング抵抗性ホトレノ
スト層を存在させてエツチングされる真空蒸痛・された
薄い金属膜の形成を含む、これは、基本的には伝統的な
写真凸版または写真平板エツチング技術を含む。しかし
ながら、半導体集積回路の間断ない小型化とともに、大
規模実績回路にひける工り大きい素子密度とより小さな
ユニットを得るために、基体上でホトレノスト層に・ン
ターンを付し、釜属をこのホトレノスト層上に真空蒸着
し、引き続いてこのホトレノストを除去して基体上に微
細な金属の線加工物すなわち・ぐターン金あとに残すそ
の他の方法が開発された。

微細で細密な解像を得るために、当該分野で開発された
このような別な方法の一例として、非感光性重合体材料
からなる底部層すなわち下引き層をシリコン基体上に形
成する方法がある。

シリコン基体もまた予じめ・ぐターンを付した層をそれ
までに含んでいてもよい。次に、ホトレノスト組成物を
下引き層上に付着し、かつ電子ビーム１７’Ｃは紫外光
などの選択された照射パターンにさらす。ホトレノスト
層の照射にさらされた部分の現像によってホトレノスト
層および重合体下引き層の直線的にそろった（　ａｌｉ
ｇｎｅｄ　）部分に開孔が形成される。次に、金ＩｊＡ
薄膜をホトレノスト層の現像されなかつ足部分上および
ホトレノストと下引き層中に形成された開孔を通して基
体上に付着させる。

基体上に付着はれ友薄膜層の／４’ターン形成は、重合
体下引き層を溶解する溶媒中に基体を浸漬することによ
って、ホトレノスト／下引き層複合体を過剰の薄膜とと
もに除去することによって行なわれる。パターンを有す
る金属膜の形成のためのこの方広は、当該技術において
［リフト−オフ（１ｉｔｔ−ｏｆｆ　）　４方法と呼ば
れており、かつこのような方法によって横方向に一定幅
の金ＦＩ４薄膜がシリコンウェハー基体上に付着され、
かつ０．５ミルまたはそれ以下のオーダーで間隔が設け
られる。このようなりフトーオフ方法の従来技術の一例
が米国特許第４，００４，０４４号に包含されている。

下引き層材料として使用されるべき重合体組成物は、重
合体下引き層の分解２工び／または不浴化を避けるため
、に金属薄膜の付着が生じる温度、例えば２１０〜２３
０℃で熱的に安定でなければならない。熱可塑性の、グ
レイミド化した（　ｐｒｅｉｔｎｉｄｉｚｅｄ　）ポリ
イミドをそれらの高い熱安定性、例えば４００℃以上で
ある几めに下引き層材料として使用してもよい。ポリイ
ミドは玉鎖に繰り返しのイミド結合 を有する重合体と一般に定義され、かつピロメリット酸
無水物などの芳香族二無水物および脂肪族または芳香族
ノアミンρ）ら誘導される。

熱可塑性でプレイミド化したポリイミドを工周知のもの
である。このような材料としては商業的に入手できるチ
バーがイギー社によって販売されているＸＵ２１８［Ｆ
］がある。ポリイミドはベンゾフェノンテトラカルダン
酸二無水物’ｒ　５　（６）−アミノ−１−（４’−ア
ミノフェニル）　−１，５，３−トリメチルインダン（
ＤＡＰＩ）と縮合し、ρ・っ次いでこれが完全に重合す
るまで２５℃で加熱することに工って生成される。ＸＵ
２１Ｂ（９は固形粉末として供給され、１．２　？／Ｃ
ＴＬ’の密度と６２０℃のガラス転移温度（Ｔｇ）を有
する。

下引き層材料として使用されるポリイミド調合物は、付
着したホトレノスト像形成層中のＧ幅解像度と均一性を
改善するために照射吸収性染料をその中に混合させても
工い、従って、ホトレノスト像形成層を紫外光などの照
射へさらす間の基俸−下引き層境界ρ・らの九の散乱と
反　　　　　□射に起因して線幅制御の問題が起り得々
ことがつきとめられている。光散乱と反射はホトレノス
トを望ましくない紫外光の高線量にさらさせ、これはさ
らに望ましくない線幅変動に主らしめる。当該技術、例
えば本国特許第４，３６２．８０９号明細書に二って、
光散乱および反射現像はポリイミド組成物に照射吸収染
料を混合させることに工って減少させ得ることが分って
いる。像形成源が紫外線照射でるるときは使用される染
料は３５０〜５００ナノメータ（ｎｍ）の波長の光を吸
収でき、最大吸収能が４００〜５００　ｎｍの範囲内に
あるものが好ましい。

リフト−オフ方法に使用するための下引き層材料として
評価されてきたチバーガイギー社から商業的に入手でき
るポリイミド浴ｐＩＬは、がンマーブチロラクトン溶媒
に溶解した約１５重量％のＸＵ２１８■とｓｉｔ％のオ
ラゾルイエロー（ｕｒａｓｏｌ　Ｙｅｌｌｏｗ　）　４
ＯＮモノアゾ染料の混合物からなる。ガンマ−ブチロラ
クトン溶媒ＶＣ溶解した染料は３５０〜５００ｎｍの範
囲の光を吸収する。

〔発明が解決しょうとする問題点〕

オラゾル（０ｒａｓｏｌ　）　４ＯＮ染料を使用するに
ついての欠点の一つは、染料が２３０℃で熱安定性の限
界を示すことでめる。金属薄膜の付着は通常この温度で
実施され、そしてそれによって染料は分解を受けやすい
。染料の分解から生ずるガス放出は付着した金属線の望
ましくない寸法変動または歪曲を引き起こす。

オラゾル（Ｏｒａｓｏｌ）　４ＯＮ　染料の使用に対す
る　　　　□二番目の欠点は、高濃度、例えば５重量％
のオーダーの染料が光散乱に起因する線幅変動を防止す
るために必要とされることである。染料が高濃度で存在
するとポリイミド下引き層膜のりフトーオフを達成する
のに必要な時間を著しく増加させることが分った。

商業的に入手できるポリイミド調合物全使用する際の別
の欠点は、ガンマ−ブチロラクトン（沸点２０３℃）な
どの高沸点溶媒が存在することによって、膜の・［端部
後退（ｅｄｇｅ　ｐｕｌｌ　ｂａｃｋ月すなわち容積凝
１＠　（ｖｏｌｕｍｅ　ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ　
）　ｆそれが基体上にキャストされた後に引き起こすこ
とである。端部後退は通常、下引き層として適用される
キャスト成形された膜の残りの厚み、例えば約１．８〜
２．０ミクロンと比較して薄い（例えば１〜１．２ミク
ロン）膜材料からなる１〜２罰径のバンドを基体の端部
に形成する。膜表面のアルゴンス・ぞツタクリーニング
のような被覆された基体の処理の際、この工うな処理の
間に発生した熱は基体の端部の重合体膜の比較的薄いバ
ンドを基体により強固に結合させて、それによって慣用
の溶媒による下引き層の除去は不可能になり、そのため
にホトレジスト層と付着した金属層のリフト−オフを妨
ける。

２′５０℃以上の温度で熱的に安定であって、端部後退
の発生を伴なわずに半導体基体にキャスト成形すること
ができ、かつリフト−オフ処理中に容易にかつ完全に除
去できる熱的に安定な下引き層組成物は太いに好都合で
ろり、当業者によって高く評価されるであろう。

それ故に、２３０℃以上の温度で半導体の製造に使用す
ることができ、す７トーオフ方法で容易にかつ完全に除
去できる熱的に安定な下引き層組成物全提供することが
本発明の一つの目的である。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明はリフト−オフ方法において下引き層として使用
するのに好ｆ１な組成物を提供することである。この組
成物は＋ａｌ熱可塑性の、！レイミド化しｆｃポリイミ
ドとｔｂ＋下記の式を有するクマリン染料の混合物力・
らなる。

〔式中、ＥｌｌはＨで必り、Ｂ２はＢ１罵は１〜４個の
炭素原子を有するアルキル基であり、吊は−ＮＨＦＩ　
（ここでＲは１〜４個の炭素原子を有するアルキル基で
ある〕または阻Ｃ２Ｈ３）２でめつ、Ｂ４はＨまたは１
〜４個の炭素原子７有するアルキル基であり、Ｂ５（工
ＨまたはＣＦｓであり、そして−または−〇０２０２Ｈ
５である〕。この混合物は下記（Ｄ式を有する置換フェ
ノール溶媒中に溶解される。

（式中、ＢはＨ、−ＣＨｘ　筐ｆｃｋ’Ｌ−ＱＣ）］３
である）。

本発明の実施に使用する置換フェノール溶媒は通常１１
０〜２１０℃の範囲、下引き層膜の付着を制御するため
の所望の蒸発速度を与えるためには好１しくに約１６０
〜約１７０℃の沸点を有する。

以下に災に詳細に説明するように、置換フェノール溶媒
に溶解した本発明のポリイミド調せ物を使用することに
より端部後退を実質的に敗り除く。ポリイミド調合物中
にクマリン型の染料を混合するとこの種類の染料の熱安
定性のより高い改善された熱安定性を有する下引き層組
成物が得られる。

ＸＵ２１Ｂ型の熱可塑性の、！レイミド化したポリイミ
ｌ−′岨成物は本発明を実施するのに好ましい。本発明
の実施において用いられる他のポリイミド組成物として
はピロメリット酸二無水物とＤＡＰ　Ｉの縮合物、ＤＡ
ＰＩとノメチレンの混合物とピロメリット酸二無水物と
の縮合物、およびＤＡＰＩとメチレンツアニリンの混合
物とペンゾフエノンテトラヵルゲ′ン酸二無水物との結
合物を含む。

本発明の実施に有用なりマリン染料は２５０と５５０　
ｎｍの間で吸収が最大で、クマリン６、クマリン３０、
クマリン１５２、クマリ／１５３、クマリン５１４、ク
マリンろ３４、クマリ／３６７、クマリン３５５および
ビス−５，３’（７−ノエチルアミノ）クマリンが包含
される。本発明の実施に特に有用なりマリン染料はオラ
セソトイエロー　（０ｒａｃｅｔ　Ｙｅｌｌｏｗ　）　
８　（）Ｆ　、つまり当該技術においてクマリン７とし
て知られているものである。

本発明の実施に有用な好適な置換フェノール溶媒として
はアニソールおよびツメチオキシベンゼンがある。

実際には、本発明のポリイミド調合物の半導体基体への
スピンコーティング適用の間にコーティング材料の薄い
ストランドまたはウィスカーが基体の端部に形成される
ことがある。ウィスカーの形成はスピンコーティングの
間にウィスカーが折れてウェハー上に落下してしまうこ
とがらり、汚染を引き起こし、これによって製品の歩留
まりを低下させるので望ましくない。

スピンコーティングの間の基体の端部上のウィスカーの
形成は、本発明の溶媒部分に低沸点（すなわち約７０〜
約１５０℃）の液体有機化合物を混合させることによっ
て避けることができる。

低沸点有機液体は本発明の組成物全調製するために使用
される全溶媒の約１〜約１５重、ｔ％、好ましくは約５
〜約１０重量％金構成する。低沸点有機液体はキシレン
、トルエン、およびエチルベンゼンエーテル（例えハ、
テトラヒドロフランお裏びノオキサン）などの置換芳香
族炭化水素および脂、坊族ケトンから選据する。低沸点
有機化合物についての好ましい沸点の範囲は約１６０〜
約１６０℃である。ざらに、ｊ’）ｒ望により、１６０
℃以上、通常は１６０〜２００℃の沸点を有する極性溶
媒、例えばアミド、ラクトン、およびケトンｋｆｌＬ換
フェノール溶媒と組み合わせて使用しても工い。これら
の極性溶媒の例としてはツメチルホルムアミド、ガンマ
−ブチロラクトン、およびＮ−メチル−ピロリドンであ
る。ガンマ−ブチロラクトンのような補助溶媒を用いる
ことによる効果は、それらが置換フェノール溶媒１つも
高い沸点（１６０℃〜２００℃）を有し、付着した膜が
早期乾燥するのを防ぐことである。補助溶媒は置換フェ
ノール溶媒と組み合わせて約５０：５０〜９０：１０、
好ましくは約７０：３０の重量比で使用してＬい。

本発明の組成物は、置換フェノール溶媒または置換フェ
ノール溶媒と極性溶媒および上記の低沸点有機液体化合
物との混合物中で熱可塑性のプレイミド化したポリイミ
ドをクマリン染料と混合することによって製造する。本
発明の膜浴液は通常約１０〜約２０重憧チのポリイミド
樹脂を含む。クマリン染料は溶液の１Ｊ、量基準で約０
．１〜約１重電チ、あるいは全固形物の約１〜約６重量
％の濃度で調合物中に通常存在できる。置換フェノール
溶媒あるいは溶媒の混合物およびこの混合物からなる組
成物の童は公知のコーティング技術により所望きれる一
定の厚みおよびコーテイング品質を得る工うに−）８択
する。　　　“本発明の組成物は好適な支持体上にスピ
ンコーティング、浸漬、刷毛塗り、ロール塗り、噴霧な
どのような慣用の任意の方法によってでも被覆されるリ
フト−オフ膜あるいはマスキング膜として使用して工い
。用いられる特定の技法は溶液の密度、粘度、および固
形物含有量［工って決まる。２０００〜１００００　ｒ
ｐｍでの１〜９゜秒間のスピンコーティングが良好なも
のであることがわかり、かつ均一なりフトーオフ層にな
る。リフト−オフ膜として使用するときは、本発明の組
成物の支持体上の厚みは約ｃＬ５〜約８ミクロンの範囲
で工く、大部分のりフトーオフ方法について約１．５〜
約２．５ミクロンの厚みが好ましい。マスキング膜とし
て使用するときは、付着した膜の厚みは当該技術におい
て周知のととく、用いられるエツチング方法によって決
まる。

実際上は、本発明の組成物ｋ　ＩＪアフト−フ膜とし、
て使用するときは、リフト−オフ膜材料の溶成は半導体
基体上にスピンコーティングによって下引き層膜として
塗布する。層の厚みは基体上に付着された材料の粘度と
付着中にスピンされる速度に工っで調整される。集積回
路の応用分封で使用するときは、典型的には、厚みは１
．５〜２．５ミクロン、好ましくは約１．８〜２．０ミ
クロンの範囲内である。

集積回路の製造では、基体は半導体材料または二酸化硅
素または窒化硅素（Ｓｉ３Ｎａ）などの電気的に絶縁性
の物質からなる表面層を有する半導体基体でよい。典型
的な多層方法では、基体は標準のスピンコーティングま
たは浸漬コーティング技術を用いて適用されるアミノシ
ランのような接着促進剤で壕ず被覆する。引き続いて、
プリイミドの下引き層調合物全基体に通用し、被覆し念
基体またはウエーーーを乾燥させる。本発明のポリイミ
ドリフト−オフ膜層調合物中の溶媒としてアニソールを
使用するときは、２媒は十分に揮発性（沸点１５４℃）
であるので、ホトレジスト層の塗布前の中間乾燥段階は
不要で、次に続く被膜はポリイミド下引き層に乾燥させ
ないで塗布して工い。しかしながら、１０分間２００℃
の焼成がすべての残存溶媒？除去するために使用される
。バリヤ層あるいは樹脂ガラス（典型的にはシロキサン
〕をスピンコーティング技法を用いてポリイミド下引き
層上に塗布する。樹脂−ガラス層は典型的には２［］［
）℃で１０〜３０分間焼成する。その後で、酩光性物質
を樹脂−ガラスバリヤ層の表面上（Ｃホトｖ−、ｙスト
として塗布する。重ねたホトレノスト層ハ次ニ基体上の
所望の予じめ選択した形態に相応する光のパターンの適
当な照射源、例えば紫外光にさらす。

ホトレジスト層の露光された領域は水性ベースの現像剤
を用いて現像してパターンを得る。

・９ターンはＣＦ４プラズマエツチングを用いて樹脂−
ガラスのバリヤ層を通して転写される。引き続いて、ツ
クターンは酸素イオン反応エツチングを用いてポリイミ
ド下引き層を通して転写される。ＣＦ４プラズマおよび
酸素反応イオンエツチングの両者は商業的に入手できる
装ａｔ用いて当該技術において公仰の方法で実施する。

本発明のポリイミド下引き層膜を用いる集積回路製造の
ための代りの多層方法では、バリヤｉｔ用いず、ホトレ
ノストは直接ポリイミド層に塗布する。代りのこれらの
多層方法では、ホトレノスト組成物ｔ−７１？リイミド
下引き層よりもでらにエツチング抵抗性を有する工うに
配合して・やターンのΔ光２工び現像後に反応性イオン
エツチングを用いて・にターンをポリイミド下引き層を
通して転写させるか、ホトレノスト膜をシリエート（５
ｉｌｙａｔｅ　）化してポリイミド下引き層の反応性イ
オンエツチングの進展に先立ってホトレノストにエツチ
ング抵抗性に付与ｆる。

開孔・ンターンの形成後に、金属薄膜を例えば真空蒸着
により１００〜３００℃の温度でホトレジスト層上およ
びホトレノストとポリイミド下引き層中にエツチングさ
れた開孔全通して基体上に付着させる。金属は集積回路
の金属化に通常使用される金属、すなわち、Ａｔ−Ｃｕ
合金、Ｃｕ。

ＣｒＳＡｇ、　Ｔａ、　Ａｕおよびこれらの組み合わせ
のいずれでも：い。金属薄膜は一般にＱ、５〜１．０ミ
クロンのオーダーの岸みを有する。

金属薄膜の付着後に、本発明のポリイミド下引き層は金
属薄膜に作用することなくポリイミド層を溶解または膨
張させる溶媒への浸漬によるなどの慣用のリフト−オフ
技術によって容易にかつ迅速に除去できる。好適な溶媒
としてはアセトン、ブチルアセテート、トリクロロエチ
レンおよびセロソルブアセテートを含む。好ましいリフ
ト−オフ技法は基体ｉＮ−メチルー２−ピロリノノンの
ような溶媒に約５〜１０分間浸ａすゐ。リフト−オフ方
法に慣用的に使用される超音波攪拌は本発明の方法では
必要でない。

付着した層を除去することによって基体上に所望の予じ
め選択した形態の金属薄膜を残す。

本発明を下記の実施例によって具体的に説明する。

実施例　１ リフト−オフ方法に使用するための下引き層膜を調製す
るためのポリイミド調合物を、１５重量％のＸＵ２１Ｂ
と５重量−のオラセットイエロー（０ｒａｃｅｔ　Ｙｅ
ｌｌｏｗ　）　８Ｃ）Ｆからなる混合物をアニソールと
ガンマ−ブチロラクトン（アニソール：ブチロラクトン
の重量比７０：３０　）と力・らなる溶媒中に溶解させ
て、Ａ製した。オラセットイエロー８０Ｆは下記の式を
有する。

□ 一連の石英ディスクをポリイミド調合物でスピン桧覆し
、次に１００℃で１０分間、続いて２４０℃で３０分間
焼成して石英ディスク上に１．９ミクロンの厚みのポリ
イミド膜全設けた。

焼成した膜の紫外線吸収能をｕｖ−可視分光光度計を用
いて測定して下記の第１表に記録する。

比較のために、１５ｉ世チのＸＵ　２１８　と５重１チ
のオラソル４（）Ｎとの混合物ｔガ／マーブチロラクト
ンＩｃ浴解したものからなるポリイミド調合物を下引き
層調合物として使用した点を除いて実施例１の方法を繰
り返した。これらの比較のための焼成した膜の紫外線吸
収能も第１衣に記載する。

８ｇ１表 焼成条件 オラセソトイエロー８０Ｆ 波長　４４０ｎｍ　　　　１．３７　　　　　−４３８
ｎｍ　　　　　　　　　　　　　　　１．２８オランル
イエロ−４ＯＮ 波長　４５４ｎｔｏ　　　ＣＬ５７５　　　　−４２２
ｎ＋ｎ　　　　　　　　　　　　　　（Ｌ５５４第１表
データは、オラセットイエロー８０Ｆ桑ｌＦ＋’ｃ加え
たポリイミドから調製され次焼成した膜の光学密度がオ
ランシイエロー４ＯＮ染料を加えｆｃポリイミドのそれ
の２倍以上であることを示している。

実施例　２ 粉末状のオラセットイエロー８０Ｆとオランシイエロー
４ＯＮ染料の熱安定性を熱重量分析（ＴＧＡ）を用いて
２４０’Ｃで等温下に分析した。ＴＣ）Ａの結果を比較
のために下記の第２表に記載する。

第　　２　　表 第５セｙトイエｏ−８０Ｆ　　　９９．５　　９ａ５　
　９ａＯ９６，０オランルイエロ−４ＯＮ　　　９６．
５　　７Ｇ、０　　６２．０　　６０．０第２懺のデー
タは、オランシイエロー４ＯＮ染料に比較してオラセッ
）　８０Ｆ染料の著しく大きな熱安定性を示している。

実施例　３ 窒化物で被覆した一遅のウエーーーをオラセツト染料を
４重ｉ％含有し、その中に１０重を−のキシレンを混合
している実施例１で調製し次ポリイミド調合物でスピン
被覆した。スピン被覆の後、つ゛エーーーを２００℃で
１０分間および２３０℃で３０分間焼成してウェー・−
基体上に２．０ミクロンの厚みのポリイミド膜を設は友
。

端部後退またはウィスカーの形成がないことが明らかで
あった。

ポリイミド下引き層の塗布に続いて樹脂−ｆラスシロキ
サンからなるエツチング抵抗性バリヤ層佑米国籍許第４
．００４，０４４号明細書の方法に従ってポリイミド下
引き層上にスピン被覆し、ウェハー會２００℃で１０分
間焼成した。その後、ノぎラック型−フエノール−ホル
ムアルデヒド樹脂と感光性架橋剤の混合物からなる通常
のホトレノスト組成物を焼成したポリイミド層上にスピ
ン被覆して８０℃で焼成した。ウェー・−は次に紫外線
露光装置中で６ミクロンの幅ツバ−（ｂａｒ）が２ミク
ロンの間隔で離れているパターンを有する金属マスクを
通して４５６　ｎｍの波長でｇ元し友、露光したホトレ
ジストは水性ペースの現像剤および標準的湿式現像技術
を用いて現像し友。現像し友ホトレノストノ４ターンは
商業的に入手できるエツチング設備と技術に工りＣＦａ
プラズマエツチング剤を使用して樹脂−がラスシロキサ
ンバリヤを通して転写され友。

このパターンは続けて標準的酸素反応性イオンエツチン
グ技術を用いてポリイミド下引き層を通して転写された
。多層マスキングラ有スるウェハーは次にＡＬ　−Ｃｕ
合金に工って真空メタライズされ友。す７トーオ７はこ
のメタライズされたウェハーを約１′５５℃のＮ−メチ
ル−２−ピロリディノンに浸漬することによって行われ
友。

金属被膜はウェハー゛基体から７０分以内でり７トーオ
フされた。

基体は顕微鏡（倍率１００Ｘ　）で横歪して取り去られ
ていない金属がないことが分った。

５０００Ｘの倍率で撮った顕微鏡写真は金属の線が良好
な解像度とマスクの寸法に対する忠実度（ｆｉｄｅｌｉ
ｔｙ　）を有し、かつ線幅変動がほとんどないことを示
した。

本発明の系の特定の成分を上に示したが、本発明の系に
効果を符し、強化し、あるいはまた改善するその他の多
くの変更も本発明に包含され、その他、本明細書中には
いくつ７：ｌ）の変形例があげられているが、本発明の
開示ρ・ら当朶者により想起される多くの部分的修正や
派生事項も当然本発明に含まれるものとする。

特許出願人　　インターナショナル・ビジネス・マシー
ンズ・コーポレーション 復代理人　　弁理士　　高　　木　　千　　嘉、否：−
゛′ｔ　　＋１ 、工

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）熱可塑性のプレイミド化したポリイミド樹脂と式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＿１は水素であり、Ｒ＿２は水素または１〜
   ４個の炭素原子を有するアルキル基であり、Ｒ＿３は−
   ＮＨＲ（ここでＲは１〜４個の炭素原子を有するアルキ
   ル基である）または −Ｎ（Ｃ＿２Ｈ＿５）＿２であり、Ｒ＿４は水素または
   １〜４個の炭素原子をもつアルキル基であり、Ｒ＿５は
   水素または−ＣＦ＿６であり、そしてＲ＿６は水素、−
   ＣＮ、−ＣＯＣＨ＿３、−ＣＯ＿２Ｃ＿２Ｈ＿５、▲数
   式、化学式、表等があります▼、または▲数式、化学式
   、表等があります▼である〕 を有するクマリン染料の混合物とからなる組成物であつ
   て、このポリイミド樹脂とクマリン染料の混合物が式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒは水素、−ＣＨ＿３または−ＯＣＨ＿３であ
   る）を有する置換フェノールを含有する溶媒中に溶解さ
   れている、パターンを有する金属薄膜を基体上に付着す
   る方法に用いるための組成物。 ２）溶媒が置換フェノールとアミド、ラクトンおよびケ
   トンからなる群から選択される１６０℃より高い沸点を
   有する極性溶媒の混合物である特許請求の範囲第１項記
   載の組成物。 ３）溶媒が置換フェノールと極性溶媒を約５０：５０〜
   約９０：１０の重量比で含有するものである特許請求の
   範囲第２項記載の組成物。 ４）置換フェノールがアニソールである特許請求の範囲
   第１項記載の組成物。 ５）極性溶媒がガンマ−ブチロラクトンである特許請求
   の範囲第２項記載の組成物。 ６）クマリン染料が約０．１〜約１重量％の濃度で混合
   物中に存在する特許請求の範囲第１項記載の組成物。 ７）ポリイミド樹脂がベンゾフェノン−テトラカルボン
   酸二無水物と５（６）−アミノ−１−（４′アミノフェ
   ニル）−１，３，３−トリメチルインダンの縮合物であ
   る特許請求の範囲第１項記載の組成物。 ８）クマリン染料が、式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿４およびＲ＿５は水素で
   あり、Ｒ＿３はＮ（ＣＨ＿５）＿２であり、そしてＲ＿
   ６は▲数式、化学式、表等があります▼である） を有する特許請求の範囲第１項記載の組成物。 ９）沸点が約７０〜約１５０℃の範囲内にあり、置換芳
   香族炭化水素、エーテルおよび脂肪族ケトンからなる群
   から選択された液体有機化合物が溶媒中に混合されてい
   る特許請求の範囲第１項記載の組成物。 １０）液体有機化合物が溶媒の約１〜約１５重量％を構
   成する特許請求の範囲第９項記載の組成物。 １１）液体有機化合物がキシレンである特許請求の範囲
   第９項記載の組成物。 １２）（ｉ）式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒは水素、−ＣＨ＿３または−ＯＣＨ＿３であ
   る）を有する置換フェノールを含有する溶媒中の溶液か
   ら基体の表面への、式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＿１は水素であり、Ｒ＿２は水素または１〜
   ４個の炭素原子を有するアルキル基であり、Ｒ＿３は−
   ＮＨＲ（ここで、Ｒは１〜４個の炭素原子を有するアル
   キル基である）または −Ｎ（Ｃ＿２Ｈ＿５）＿２であり、Ｒ＿４は水素または
   １〜４個の炭素原子を有するアルキル基であり、Ｒ＿５
   は水素または−ＣＦ＿３であり、そしてＲ＿６は水素、
   −ＣＮ、−ＣＯＣＨ＿３、−ＣＯ＿２Ｃ＿２Ｈ＿５、▲
   数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学式
   、表等があります▼である〕 を有するクマリン染料と混合した熱可塑性の、プレイミ
   ド化したポリイミド樹脂からなる第一層を塗布し、 （ｉｉ）この第一層上へのホトレジスト層を形成し、 （ｉｉｉ）選択したパターンの紫外光に対してホトレジ
   スト層を露光し、 （ｉｖ）ホトレジストを現像し、 （ｖ）ホトレジスト中の開孔の形成および第一層を通し
   てこのホトレジスト層中の開孔に相補的なパターンを有
   する開孔を形成し、 （ｖｉ）相補的な開孔を通して基体上へ金属薄膜を付着
   させ、次いで （ｖｉｉ）ホトレジスト層および過剰の薄膜材料をリフ
   ト−オフして基体上に金属薄膜パターンを残すために第
   一層を除去する、 ことからなるパターンを有する金属薄膜を基体上に形成
   するためのリフト−オフ方法。 １３）ホトレジスト中に開孔を形成する前にホトレジス
   トがシリエート化される特許請求の範囲第１２項記載の
   方法。 １４）樹脂ガラスのバリヤ層がホトレジスト層上に塗布
   され、ホトレジスト層中に開孔を形成する前にＣＦ＿４
   でエッチングされる特許請求の範囲第１２項記載の方法
   。 １５）クマリン染料が混合物中にポリイミド樹脂の重量
   を基準にして約１〜約３重量％の濃度で存在する特許請
   求の範囲第１２項記載の方法。 １６）ポリイミド樹脂がベンゾフェノンテトラカルボン
   酸無水物と５（６）−アミノ−１−（４′アミノフェニ
   ル）−１，３，３−トリメチルインダンの縮合物である
   特許請求の範囲第１２項記載の方法。 １７）クマリン染料が、式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿４、およびＲ＿５は水素
   であり、Ｒ＿３は−Ｎ（Ｃ＿２Ｈ＿５）＿２であり、そ
   してＲ＿６は▲数式、化学式、表等があります▼である
   ） を有する特許請求の範囲第１２項記載の方法。 １８）置換フェノールがアニソールである特許請求の範
   囲第１２項記載の方法。 １９）溶媒が置換フェノールと１６０℃より高い沸点を
   有するアミド、ラクトンおよびケトンからなる群から選
   択される極性溶媒の混合物である特許請求の範囲第１２
   項記載の方法。 ２０）溶媒が置換フェノールと極性溶媒を重量比で約５
   ０：５０〜約９０：１０で含有する特許請求の範囲第１
   ９項記載の方法。 ２１）極性溶媒がガンマ−ブチロラクトンである特許請
   求の範囲第１９項記載の方法。 ２２）沸点が約７０〜約１５０℃であり置換芳香族炭化
   水素、エーテル、および脂肪族ケトンからなる群から選
   択される液体有機化合物が溶媒中に混合されている特許
   請求の範囲第１２項記載の方法。 ２３）液体有機化合物がキシレンである特許請求の範囲
   第２２項記載の方法。 ２４）液体有機化合物が溶媒の約１〜約１５重量％を構
   成する特許請求の範囲第２２項記載の方法。