JPS5993448A - 反射防止コ−テイング - Google Patents

反射防止コ−テイング

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JPS5993448A
JPS5993448A JP58179499A JP17949983A JPS5993448A JP S5993448 A JPS5993448 A JP S5993448A JP 58179499 A JP58179499 A JP 58179499A JP 17949983 A JP17949983 A JP 17949983A JP S5993448 A JPS5993448 A JP S5993448A
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copolymers
coating
substrate
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
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    • H01L21/0276—Photolithographic processes using an anti-reflective coating

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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は反射防止コーティング、特に光石版印刷法によ
って集積回路成分を生成させるに有用な反射防止コーテ
ィングに関する。
複雑な集積回路を使用した系のミニアチュア化はますま
す減少したサイズのチップ上に漸増的に複雑な回路全印
刷すること全を求している。
このサイズ減少または容量能力の増加は、当産業分野に
利用可能な技術がその能力の限界に達する点にきている
。従って、標準的技術により生成さｎる最も進歩した集
積回路チップの歩留シはよ）小さい容量の中によシ犬な
る能力を入扛ようという試みのために極めて低く、１％
の程度である。今日の産業界によシ要求さｎている能力
水準においては、現在の光石版印刷法は現在の約１Ｘ以
上には複雑な作業可能な構造体　６− 全製造することはできない。
この問題は大部分は使用さｎる写真プロセスの限界に由
来する。要求さｎる顕微鏡的水準においては、チップ材
料例えばシリコンの層は完全には平滑および扁平ではな
い。更に、不均一な形状はチップ層に適用さｎる光感受
性物質中の像形成に使用さする光の波長に近似した大き
さのものである。光感受性物質の像形成に使用さ扛る光
はチップ物質の基材すなわちシリコンウェーファーから
反射さｎる。この反射は不均一な形状と結びついて像形
成性物質中に不均一な光の分布を生ぜしめそして現像画
像中に多数の人為的欠陥金主せしめる結果となる。こｎ
ら人為的欠陥は現在の技術により構成されるすべての半
導体構造物に多数の不合格品を生せしめる。
この人為的欠陥を除外または減少させることができるな
らば集積回路チップの歩留！ｌｌを上昇させて犬なる効
率のよさを与えそしてそのような物質の製造コストヲ減
少させうろことは明白である。
最近反射光により生ぜしめらｎる人為的欠陥を減少させ
る多数の試みがなさｎている。ここに参照として仮言さ
扛ている米国特許第４，１０２，６８５号明細書はその
ような試みの一つを論じている。
その他の談論は［工Ｆ；Ｅｆｆ　Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏ
ｎｓ　ｏｎ　ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉａｅｓＪ第２８
版第１１号第１４０５〜１４１０頁（１９ａ　ｉ　）　
、ｒＪ−Ａｐｐｌｉｅａ　ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｔｃ　
輪１ｎｅｅ−ｒ　ｉｎｇＪ第７巻第１８４〜１８６頁（
１９８１）および「Ｋｏｄａｋ　　’ａｏ工ｎｔｅｒｆ
ａｃｅＪ　　１９８０年版第１０９〜１１３頁にみらｎ
る。
本発明者管は集積回路のための改善さｎた光石版印刷法
、その中に使用するための改善さｎた反射防止性物質お
よびそのようなｑｅ６質を使用した集積回路を発見した
。本発明の方法は、ウェーファー表面およびホトレジス
ト表面からの内部反射による劣化的作用を除外した反射
防止コーティング全使用する。本発明の物質は以前に知
らｎてい友ものよりも一層良好な接着性、よシ大なる光
吸収を与え、よシ薄くよシ均一なコーティングを与え、
そしてよシ制御さｆした現像を有しそしてよル少い工程
段階全必要とする。
本発明の物＊Ｕ集積回路製造法【おいては画像およびホ
トレジストと共存性である。本発明のコーティングは現
像後には集積回路ウェーファー上により少ない残渣しが
残さない。
第１図は像形成可能な反射防止コーティングを使用する
集積回路エレメントの製造のためのプロセスフローシー
トを示している。
第２図は乾式エツチングを使用する改変さｎた工程段階
を示している。
　９一 本発明は低い表面（界面）エネルギーを有する一般的有
機痔媒の使用を可能ならしめるべく修正さｎそしてウェ
ーファー表面に強固に結合した薄いそして一足したコー
ティングを生成しうる重合体構造物を使用している。適
描な重合体および共重合体は、低い表面エネルギーを有
する溶媒例えばアルコール、芳香族灰化水素。
ケトンおよびエステル溶媒によシ可ｇ性のポリアミン酸
およびその均等物である。ポリアミン酸重合体および共
重合体にトルエンジアミン（キシリルジアミンおよびそ
の他のアリールジアミン）％脂肪族ジアミンおよび脂肪
族または芳香族側鎖基を石する脂肪族または芳香族ジ無
水物の重合体でるりうる。こｎら重合体に関してはコー
ティングをウェーファーに定着させる焼付は温度の変動
に苅してその速度があまり敏感ではないが故に、こｆら
物質は例えば反射防−１〇− 上層の現像速度のｆｆ７制御に対してよシ有効な制御を
与える。こｎらジアミン、ジ無水物および相当する物質
より構成さｎた重合体はまた、集積回路の製造に使用さ
ｎる表面をより均一に、より少い欠陥をもってコーティ
ングさせそしてこｎはこれら表面に対してよシ良好な接
着性を有している。こｎらポリイミドまたはポリアミン
酸から現像後に残る残渣は問題とはならない。
その理由はぞｎら残渣は容易忙除去さｎるからである。
４．４′−オキシジアニリンとベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸ジ無水物およびピロメリット酸ジ無水物の重合
体を包含した反射防止コーティングを生成させることは
以前に試みらｎた。しかしながらこｎら物質は満足すべ
き反射防止コーティングの生成においては有効ではなか
った。
こｎらポリイミド前駆体に対する標準溶媒は大なる表面
エネルギーを有しており、そして小さな凹部中には入っ
ていかず、その結果集積回路の多くの部分が基材の形状
変化の故にコーティングさ扛ずに残さｎる。こｎらの９
前に試みらｔｌ、た物質に対して必要な伝統的溶媒は高
度に極性の溶媒例えばＮ−メチルピロリジノン、ジメチ
ルホルムアミドおよびジメチルスルホキサイドであった
。前記のポリアミン酸の溶解に必要とさｎるこｎら溶媒
は非常に高い表面エネルギーヲ有しており、その結果集
積回路チップに一般的な小さη凹部または溝はコーティ
ングさｎない。そのような高い表面エネルギーを有する
こｎら高度に極性の溶媒を除外するかまたはその比率を
犬きく減少させそして低表面エネルギー溶媒例えばアル
コール、芳香族炭化水系、ケトンまたはエステル溶媒に
可溶性の系全利用することによって浴液の表面エネルギ
ーは減少し。
全ウェーファー表面をコーティングおよび平面化させる
。本発明の反射防止層におけるその他の改良点は層中の
水溶性成分の任意的な包含である。こｎら成分は例えば
ポリビニルピロリジノンおよび相当する重合体である。
水溶性成分は焼付は条件例えば温度の変箭により導入さ
れる反射防止層の除去速度の変動を軽減する。
本発明の新規な物質はまた反射層中への改善さｎた染料
化合物をも包含しうる。特に染料クルクミン（Ｃ，■、
４７５５００）ｔたは相当する誘導体およびその組合せ
物の反射防止コーティングへの使用はコーティングの吸
収性能を改善させる。こｎらおよび関連する染料はオー
バーレイホトレジストを通常露光せしめるスはクトル域
（４３６％　４０５μｍ）に強く吸収しそしてこれは染
料のヒドロキシル基の故に一般に使用されるアルカリ性
ホトレジスト現像液で除去すること１３− ができる。この絹合せは迅速なそして一貫した像形成を
可Ｒｎ′ｆｘらしめる。コーティング溶媒中での染料の
優ｎた溶解性および染料の強い吸収は非常に薄いコーテ
ィングの使用全可能ならしめる。他の染料を使用して試
みらｎたコーティングは大なる吸光係数を有していなか
った。すなわちそれらは染料１分子当υ多くの光は吸収
せず、またはそｎらは多くの染料に関して共通の問題で
あるようにコーティングに使用さｎる有機溶媒中に充分
に可溶性ではなかった。染料の限らｆた溶解性の故に、
本質的くすべての反射さｆ’した先金吸収させるに充分
なだけコーティングすることができず、そして例えば定
常波のようなその効果がホトレジスト中にまだ存在して
いた。更に以前の染料−ベヒクル組合せは本発明の場合
のように像形成可能なノーヲ生成させることに対して有
効ではなかった。像形成可能１４− な層を生成させようというこＴ′Ｌ′＝！での試みは生
成さｎるコーティング中の欠陥例えばピンホールの故に
有効ではない生成物金与えた。従来のコーティングは像
形成性において信頼できず、一貫性がなくそして信頼で
きない工程特性を有し例えばせまい温度焼付は幅を有し
、そして処理後には望ましくない残留物を残した。よシ
厚いコーティングの使用によるこｎら欠点の調整の試み
は有効ではなかった。本発明のコーティングは像形成に
おいて有効であシそして厚いコーティングは必要とせず
あるいは望ましくない残直全後に残さない。
本発明の反射防止コーティングはビクシン（べにの水抽
出物）またはその他の相当する誘導体例えばノルビクシ
ンの反射防止層への任意の添加によシ更に有効とするこ
とができる。クルクミン誘導体のようにこｎら染料はホ
トレジストの露光さｎるスはクトル領域で強く吸収する
。こｎら染料はまたレジスト現像液により容易に除去さ
ｒしそしてこｎら染料のカルボン酸基およびその他の特
性は焼付は温度の変化による反射防止層の除云速ｆＹの
変ｗＪヲ減少させる。
本発明による反射防止コーティングｈまた製造工程にお
いてパターン画像形成を可能ならしめる乾式エツチング
可能形態で製造することもできる。この形態においては
、使用さｎるベヒクルは乾式処理すなわちプラズマイオ
ンまたは電子ビームによって迅速に除去さｎる。ホトレ
ジストを像形成させた場合、その像はその系を短時間乾
式エツチングにかけることによって容易にそして迅速に
反射防止層に転写さｎる。反射防止層生成のこｔ′Ｌま
での試みにおいては、乾式エツチング画ｆ象形成全生成
させるためには中間層（プラズマによって容易には除去
さしない物質の第６の層）の使用が試みら几た。ホトレ
ジストヲエッチングしそして先金にかまたはほとんど除
去する２）−便用系もまた試みらｎた。
この第２の方法においては、下にある平面化作用層がホ
トレジストの同時的エツチングを阻止するに充分な程に
迅速にはエツチングしない。
本発明の乾式エツチング可能な反射防止コーティングは
ウェーファーの表面全平面化させそしてホトレジストヲ
通過した光を吸収する比較的厚い重合体１−である。中
間のエツチング抵抗層は必要とさｔない。その理由は光
吸収性平面化作用層はパターン形成さｎたホトレジスト
層の有意な損失なしに乾式法で非常に迅速に除去される
からである。
この迅速エツチング反射防止層は前記染料および重合体
を使用しうる。この重合体としては二酸化硫黄の共重合
体例えばポリ（ネオペンチル−１）− スルホン）％、？”）−１テン−１−スルホン、ハロゲ
ン化重合体および共重合体例えばポリ（ビニリデンクロ
リド−ビニルアセテート）、ボ１バエピクロロヒドリン
）、塩素化ポリエチレン、臭素化および塩素化ポリイソ
ブチレン、ハロゲン化アクリレートおよびメタクリレー
トおよび共重合体、ポリアセタールおよびアセタール共
重合体、およびα−置換重合体例えばメチルメタクリレ
ートおよびメチルアクリロニトリル、および相当する重
合体があげらｎる。染料は適当な吸収能を有しそして乾
式法により容易に除去さｎる任意の可溶性染料または染
料組合せでありｙうる。例えばクマリンおよびその誘導
体および相当するハロゲン化染料を使用できそしてこｎ
＃−１ｔまた像形成可能な反射防止ノーヲ形成させるの
に有効である。乾式エツチング像形成性反射防止コーテ
ィングは歩留シラ低下させそして１８− コストを上昇させるような余計な処理段階を加えること
なく、形状の制御に有意の進歩を加える。本発明はホト
レジスト材料および装置と相客できる。
典型的ＩｆＣｄ本発明によシ使用さ牡る染料は像形成性
光源の波長領域で吸収するものである。
染料は約１〜２０Ｘの水準で反射防止コーティング中に
包含させることができる。フィルム形成性ベヒクル例え
ば重合体は約３〜２０％の水準で存在させることができ
る。任意成分としての水浴性物質の添加は約０．１〜１
０％の間の濃度でありうる。適当な湿潤剤、接着促進剤
、保存剤、可申剤および同様の添加剤を所望ＫｊＪ）適
当な水準で包含させることができそして溶媒を包含させ
て組成物を１００％にさせることができる。
本発明を既知の基材コーティング技術例えばスピニング
包含する方法で使用して約５００〜４０、００　Ｄオン
グストロームのフィルム厚さ全生成させることができる
。フィルムは例えば約７０℃〜２００℃の存在する集積
回路工程と相容性の温度で焼付けることができる。焼付
けられたフィルムは当技術分野には既知のようにしてホ
トレジストでコーティングしそして焼付ることかできる
。ホトレジスト厚さはそのプロセスにより要求されるも
のでありうる。こｎらの層を次いで既知の要求さｔした
波長の光に露光させる。
フィルムは例・えは約５秒〜５分の間ホトレジスト現像
液を使用して同時に現像することができる。あるいはホ
トレジストを現像させそして下にあるフィルムを短時間
プラズマエツチングサイクルで例えば酸素プラズマ中で
または約５秒〜５分の間のその他の標準プラズマ法で除
去することができる。集積回路エレメント工程のそｎ以
外のことは当技術分野に既知のようにして実施すること
ができる。フィルムは標準ホトレジストクリーンアップ
法によ〕除去することができる。
本発明は以下の実施例を参照して更に理解さｎるがこｎ
らは実施さｎた多数の実験から説明の目的で選択包含さ
ｎているものである。本発明によル製造さｎた像形成し
たウェーファーは常法によルミ子顕微鏡下で検査さｎた
。この検査は反射光によシ生ぜしめらｆ’した定常波効
果が除去されていることを示した。
例　　１ 次の反射防止コーティング処方すなわちポリ（ブテンス
ルホン）　　　　　　　　　ａｏｏ重ｆ％クマリン５０
４（エフサイトン社製品）１．００重量にシクロはンタ
ノン溶媒　　　　　　　　　残　　量を使用して標準ス
ピンコーティング法によって２１− ３インチアルミニウムーシリコンウェーファーに反射防
止コーチイングラ２．０μの平均厚さにコーティングし
た。このコーティングしたウェーファーを１４０℃で６
０分間焼付けしてコーティング全硬化させた。このコー
ティングさｒたウェーファーを冷却させ、そしてスピン
コーティングによってホトレジスト（シラプレーＡｚ１
５７０）でコーティングした。このホトレジストを９５
℃で３ａ分焼付けることによって硬化させた。製造さｎ
、たウェーファーをテス）％像パターンおよびコビルト
（ｃｏｂｉｌｔ）密層プリンター全使用して像形成させ
た。像形成せしめらｆしたウェーファーを２００秒間シ
ラプレー８ｈｉｐｌｅｙ）ＭＦ３１２現像装＠を使用し
て浸漬現像させた。
露光ホトレジストは埃像液によ勺除去さ１．そしてシャ
ープなきｎいな画像全生成した。反射防止層を酸素プラ
ズマ（０，２）ル、１００ワツト。
２２− ２０秒）により除去した。一方未露光ホトレジストはそ
の厚さをほとんど減少することなく残留した。アルミニ
ウム基材中に画像をエツチングさせて集積回路層のシャ
ープなパターンを生成させそして残存するホトレジスト
および反射防止コーティングを除去せしめた。
例　　２ 次の反射防止コーティング処方すなわちポリ（ブテンス
ルホン）　　　　　　　　　６．００重量％ハロゲン化
染料クマリン５４０Ａ　　　　　１．００重量％シクロ
ペンタノン溶媒　　　　　　　　　残　　部を使用して
標準スピンコーティング法によって３インチアルミニウ
ムーシリコンウェーファーに反射防止コーチイングラ１
．５μの平均厚さにコーティングした。このコーティン
グしたウェーファーを１４０℃で６０分間焼付けしてコ
ーティングを硬化させた。このコーティングされたウェ
ーファーを冷却させそしてスピンコーティングによって
ホトレジスト（シラプレーＡＺ１３７０）でコーティン
グした。このホトレジストを９５℃で５０分焼付けて硬
化させた。製造さｎたウェーファーをテスト解像パター
ンおよびコビルト密着プリンターを使用して像形成させ
た。像形成せしめらｎたウェーファー全２０秒間シツプ
レーＡＺ３５０現像装置全使用して浸漬現像させ念。露
光ホトレジストは現像液により除去さｎそしてシャープ
なきｎいな画像全生成した。反射防止層を酸素プラズマ
（０，２）ル、１００ワツト、２０秒）により除去した
。一方未露光ホトレジストはその厚さ全はとんど減少す
ることなく残留した。アルミニウム基材中に画像をエツ
チングして集積回路層のシャープなパターンを生成させ
、そして次いで残存するホトレジストおよび反射防止コ
ーティングを除去せしめた。
例　　３ 次の反射防止コーティング処方すなわちポリアミン酸（
オキシアリリンおよび　　　４．４％ピロメリット酸ジ
無水物） クルクミン　　　　　　　　　　５５６％ピロリドン（
２：１） 全使用して標準スピンコーティング法によって５インチ
アルミニウムーシリコンウェーファーに反射防止コーテ
ィングを２０００オングストロームの平均厚さでコーテ
ィングした。このコーティングしたウェーファーを１４
８℃で３０分間焼付けてコーティングを硬化させた。こ
のコーティングさｎたウェーファーを冷却させそしてス
ピンコーティングによってホトレジスト２５− （シラプレーＡｚ１５７０）ｔコーティングした。
このホトレジスト全９０℃で５０分焼付けによって硬化
させた。製造さ几たウェーファーをテスト解像パターン
およびコビルト密着プリンター全使用して像形成せしめ
た。像形成されたウェーファー全１０秒間シラプレーＭ
Ｆ１１２現像装置を使用して浸漬現像した。像形成せし
めらｎたホトレジストおよび反射防止層は現像液により
除去されそしてシャープなきｎいな画像を生成した。現
像さｎた像形成ウェーファーをアルミニウム中まで全エ
ツチングして集積回路層のシャープなパターンを生成さ
せそして残存するホトレジストおよび反射防止コーティ
ングを除去した。
例　　４ 次の反射防止コーティング処方すなわち２６− ジ無水物） クルクミン　　　　　　　　　　　３．５６％ビクシン
　　　　　　　　　　　０．４５％スダンオレンジＧ　
　　　　　　　Ｏ，４５％を使用して標準スピンコーテ
ィング法によって５インチシリコンウェーファーに反射
防止コーティングに１８００オングストロームの平均厚
さにコーティングした。このコーティングしたウェーフ
ァー全１４８℃で５０分間焼付けてコーティングを硬化
させた。このコーティングさｎたウェーファーを冷却さ
せ、そしてスピンコーティングによってホトレジスト（
シラプレーＡＺ１５７０）でコーティングした。このホ
トレジストを９０℃で６０分焼付けて硬化させた。製造
されたウェーファーをテスト解像パターンおよびコビル
ト密着プリンター全使用して像形成させた。像形成せし
めら扛たウェーファー全６０秒間シラプレーＭＦ６１２
現像装置を使用して浸漬現像した。像形成せしめらｎた
ホトレジストおよび反射防止層全現像液により除去しそ
してシャープなきｎｌ／−１な画像全生成させた。
例　　５ 次の反射防止コーティング処方すなわちポリアミン酸（
オキシアニリンおよび　　　６．７％ピロメリット酸ジ
無水物） クルクミン　　　　　　　　　　　５．３％ポリビニル
ピロリドン（後記溶媒中）　　　　１％シクロヘキサノ
ン／Ｎ−メチル−２−残　部ピロリドン（２：１） ｋｆｆ用して標準スピンコーティング法によって３イン
チアルミニウムーシリコンウェーファーに反射防止コー
ティング’＆５０００オンダストロームの平均厚さにコ
ーティングした。このコーティングしたウェーファーを
１４８℃で３０分間焼付けてコーティングを硬化させた
。このコーティングさｎたウェーファーを冷却させそし
てスピンコーティングによってホトレジスト（シラプレ
ーＡｚ１３７０）でコーティングした。
このホトレジスト’に９０℃で３０分焼付けして硬化さ
せた。製造さｎたウェーファー金テスト解像パターンお
よびコビルト密着プリンターを使用して像形成せしめた
。像形成さ扛たウェーファーを１３３秒間シラプレーＦ
３１２現像装置を使用して含浸現像した。像形成せしめ
らｎたホトレジストおよび反射防止層を現像液により除
去しそしてシャープなきれいな画像を生成させた。
現像および画像形成されたウェーファーをアルミニウム
中までエツチングして集積回路層の２９− シャープなパターンを生成させ、そして残存するホトレ
ジストおよび反射防止コーティングを除去した。
例　　６ 次の反射防止コーティング処方すなわちポリアミン酸（
２，４−ジアミノトルエン／　　５ＣＸベンゾフエノン
テトラカルボンｒＲジ無水物）クルクミン　　　　　　
　　　　　　３．５６％リドン（２：１） を使用して標準スピンコーティング法で３インチアルミ
ニウムーシリコンウェーファーに反射防止コーティング
に２０００オングストロームの平均厚さにコーティング
した。このコーティングしたウェーファーを１６０℃で
３０分間焼付けてコーティングを硬化させた。このコー
テイ３０− ングさｎ、たウェーファーを冷却させそしてスピンコー
ティングによってホトレジスト（シップレーＡｚ１３＋
７０Ｘｒコーティングした。このホトレジストを９０℃
で５０分焼付けて硬化させた。
製造さｎたウェーファーをテスト解像パターンおよびコ
ビルト密着プリンターを使用して像形成せしめた。像形
成されたウェーファーを１３３秒間シラプレーＦ３１２
現像装置を使用して含浸現像した。像形成せしめらｎた
ホトレジストおよび反射防止層を現像液により除去しそ
してシャープなきｎいな画像を生成した。
現像さｎｅ像形成ウェーファーをアルミニウム中豊でエ
ツチングさせて集積回路層のシャープなパターンを生成
させそして残存するホトレジストおよび反射防止コーテ
ィングを除去した。
例　　７ 次の反射防止コーティング処方すなわちポリアミン［（
２，４−ジアミノトルエンお　　５％水物） ビクシン　　　　　　　　　　　　　０，４５％スダン
オレンジＧ　　　　　　　　Ｏ，４５％シクロヘキサノ
ン／Ｎ−メチル−２−ピロ　　残部リドン（２：　１） を使用して標準スピンコーティング法で５インチシリコ
ンウェーファーに反射防止コーティング全２０００オン
グストロームの平均厚さにコーティングした。このコー
ティングしたウェーファー全１６５℃で６０分間焼付け
てコーティング全硬化させた。このコーティングさせた
ウェーファーを冷却させそしてスピンコーティングによ
ってホトレジスト（シラプレーＡＺ１３７０）でコーテ
ィングした。このホトレジストヲ９０℃で３０分焼付け
て硬化した。製造さｎたウェーファーをテスト解像パタ
ーンおよびコビルト密着プリンターを使用して像形成せ
しめた。像形成さｎたウェーファーに２００秒間シラプ
レーＦ３１２現像装置金使用して含浸現像した。像形成
さｎたホトレジストおよび反射防止層を現像液により除
去しそしてシャープなきｎいな画像を生成せしめた。
本明細書に開示された本発明の変形を本発明の精神から
逸脱することなしになしうろことを当業者は理解するで
あろう。本発明は本明細書に開示さｆｉた具体例により
限定さするものではない。
【図面の簡単な説明】
第１図は像形成可能な反射防止コーティングを使用する
集積回路エレメントの製造のためのプロセス７０−シー
トであシ、そして第２図は乾式エツチングを使用する改
変さｎた工程段階を示すフローシートである。 ３３− ＦＩＧ、　２ 第１頁の続き ０発　明　者　スマリー・プンヤクムリアードアメリカ
合衆国ミズーリ州（６５ ４０１）ローラ・ナゴガミテラス２ １

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）エレメント基材に光吸収性、像形成性反射防止コー
    ティングを適用しそしてこの基材および反射防止コーテ
    ィングをホトレジストでオーバーコーテイングさぞ、次
    いでこのホトレジストおよび反射防止コーティング層中
    にパターンを像形成させ、像形成したホトレジストおよ
    び反射防止コーティングにょ９定義さｎたパターンを基
    材中にエツチングさせそしてホトレジストおよび反射防
    止コーティング層を除去して集積回路エレメントを生成
    させることからなシ、而してその反射防止コーティング
    が強固に結合した均一なコーティングおよびシャープな
    実質的に完全に除去可Ｎｔな画像を基材上に再生的に生
    成させるに有効なそして露光光線の波長において反射光
    の定常波（ｓｔａｎｄｉｎｇｗａｖｅ）効果を実質的に
    除去して基材中にきれいなシャープに定義さｎたエツチ
    ングさｎた構造を生成させるに有効な染料とベヒクルと
    の組合せを含有しているものであること全特徴とする、
    光石版印刷によって集積回路ニレメントラ製造する方法
    。 ２）反射防止コーティングが湿式エツチング性である前
    記特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３）反射防止コーティングが乾式エツチング性である、
    前記特許請求の範囲第１項記載の方法。 ４）反射防止コーティングがクルクミンおよびその誘導
    体およびその均等物、ビクシンおよびその誘導体および
    均等物、クマリン銹導体および均等物、および相当する
    有機ハロゲン化、ヒドロキシル化およびカルボキシル化
    染料およびそｎらの組合せよシなる群の１種またはそｎ
    以上である染料を含有している。前記特許請求の範囲第
    １項記載の方法。 ５）反射防止コーティングが容易に可溶性のポリアミン
    酸重合体および共重合体および均等な重合体、水溶性重
    合体および共重合体、二酸化硫黄の重合体および共重合
    体、ノ・ロゲン化重合体および共重合体、ポリアセター
    ルおよびアセタール共重合体およびα−置換重合体およ
    び相当するプラズマ分解性重合体およびその組合せ物よ
    りなる群の１棟またはそｎ以上であるベヒクルを含有し
    ている、前記特許請求の範囲第１項記載の方法。 ６）前記特許請求の範囲第１項記載の方法により製造さ
    ｎた集積回路エレメント。 ７）集積回路エレメントに適用しそしてホトレジストで
    コーティングした場合に固く結合した均一なコーティン
    グを生成させるに有効な、そしてホトレジストに像形成
    させるに充分な波長の光に露光させた場合にシャープな
    実質的に完全に除去可能な像を基材上に生成させるに有
    効な、そして埃像させそして基材から除去した場合に反
    射光の定常波効果を実質的に除去させて基材にきｎいな
    シャープに定義さｎた保全生成させるに有効な染料とベ
    ヒクルとの組合せを溶媒中に包含している、光石版印刷
    法によって集積回路成分その他を生成させるに使用する
    ための反射防止コーテイング物質。 ８）溶媒が低表面（界面）エネルギーを有するアルコー
    ル、芳香族炭化水素、ケトンおよびエステル溶媒および
    その組合せよシなる群の１イ■またはそｎ以上である、
    前記特許請求の範囲第７項記載の反射防止コーテイング
    物質。 ９）染料がクルクミンおよびその誘導体およびその均等
    物、ビクシンおよびその誘導体および均等物、クマリン
    誘導体および均等物および相当する有機ハロゲン化、ヒ
    ドロキシル化およびカルボキシル化染料およびそｎらの
    組合せよシなる群の１種ま次はそｎ以上である前記特許
    請求の範囲第７項記載の反射防止コーティング。 １０）ベヒクルが容易に可溶性のポリアミン酸重合体お
    よび共重合体および均等な重合体、水溶性重合体および
    共重合体、二酸化硫黄の重合体および共重合体、ハロゲ
    ン化重合体および共重合体、ポリアセタールおよびアセ
    タール共重合体およびα−置換重合体、および相当する
    プラズマ分解性重合体およびそれらの組合せ物よシなる
    群の１種まｆｌ：、はそｎ以上である前記特許請求の範
    囲第７項記載の反射防　６− 止コーティング。
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