JPH05343308A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH05343308A JPH05343308A JP4149391A JP14939192A JPH05343308A JP H05343308 A JPH05343308 A JP H05343308A JP 4149391 A JP4149391 A JP 4149391A JP 14939192 A JP14939192 A JP 14939192A JP H05343308 A JPH05343308 A JP H05343308A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は基板の上に段差があっても、寸法制
御性よくレジストパターンを形成することができ、かつ
下地基板のエッチングを寸法制御性よく行なうことがで
きるように改良された、半導体装置の製造方法を提供す
ることを最も主要な特徴とする。 【構成】 半導体基板２の上に、昇華性を有し、かつ光
を吸収する性質を有し、さらに有機溶剤に溶けない有機
物質からなる下敷膜７を形成する。上記下敷膜７の上に
レジスト８を塗布する。上記レジスト８に光１２を選択
的に照射する。上記レジスト８を現像し、それによって
レジストパターン１００を形成する。上記レジストパタ
ーン１００をマスクにして、上記半導体基板２をエッチ
ングする。
御性よくレジストパターンを形成することができ、かつ
下地基板のエッチングを寸法制御性よく行なうことがで
きるように改良された、半導体装置の製造方法を提供す
ることを最も主要な特徴とする。 【構成】 半導体基板２の上に、昇華性を有し、かつ光
を吸収する性質を有し、さらに有機溶剤に溶けない有機
物質からなる下敷膜７を形成する。上記下敷膜７の上に
レジスト８を塗布する。上記レジスト８に光１２を選択
的に照射する。上記レジスト８を現像し、それによって
レジストパターン１００を形成する。上記レジストパタ
ーン１００をマスクにして、上記半導体基板２をエッチ
ングする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、一般に半導体装置の
製造方法に関するものであり、より特定的には、レジス
トパターンを寸法再現性よく形成できるように改良され
た工程を含む半導体装置の製造方法に関する。この発明
は、また、レジストを電子ビームによって描画する際、
レジストの帯電を抑制することができるように改良され
た工程を含む、半導体装置の製造方法に関する。この発
明は、さらに、レジストパターンをマスクに用いてイオ
ン注入する際に、レジストの帯電を抑制することができ
るように改良された工程を含む、半導体装置の製造方法
に関する。
製造方法に関するものであり、より特定的には、レジス
トパターンを寸法再現性よく形成できるように改良され
た工程を含む半導体装置の製造方法に関する。この発明
は、また、レジストを電子ビームによって描画する際、
レジストの帯電を抑制することができるように改良され
た工程を含む、半導体装置の製造方法に関する。この発
明は、さらに、レジストパターンをマスクに用いてイオ
ン注入する際に、レジストの帯電を抑制することができ
るように改良された工程を含む、半導体装置の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】６４Ｍダイナミックランダムアクセスメ
モリー以降のデバイス製造プロセスでは、クォーターミ
クロンリソグラフィー技術の開発が必要となっている。
現在、エキシマレーザー光等の遠紫外光を用いたリソグ
ラフィーでは、遠紫外線に対して吸収が小さいベース樹
脂と、光化学反応により分解して酸を発生する酸発生剤
と、酸触媒反応によりベース樹脂を架橋する架橋剤とか
らなる化学増幅ネガ型レジストが用いられている。
モリー以降のデバイス製造プロセスでは、クォーターミ
クロンリソグラフィー技術の開発が必要となっている。
現在、エキシマレーザー光等の遠紫外光を用いたリソグ
ラフィーでは、遠紫外線に対して吸収が小さいベース樹
脂と、光化学反応により分解して酸を発生する酸発生剤
と、酸触媒反応によりベース樹脂を架橋する架橋剤とか
らなる化学増幅ネガ型レジストが用いられている。
【０００３】図８は、従来の化学増幅ネガ型レジストに
含まれている成分の化学構造式を示したものである。化
学増幅ネガ型レジストは、図８（ａ）に示す、ポリ−ｐ
−ヒドロキシスチレンからなるベース樹脂と、図８
（ｂ）に示すような、架橋点を２以上有するメラミン系
架橋剤と、図８（ｃ）に示す酸発生剤とからなる。図
中、ｎは重合度を表す自然数を表しており、大文字Ｒは
アルキル基を表しており、Ｍはヒ素やアンチモン等の金
属元素を表しており、Ｘはハロゲン元素を表している。
Ｘｎのｎは、配位数を表わしている。
含まれている成分の化学構造式を示したものである。化
学増幅ネガ型レジストは、図８（ａ）に示す、ポリ−ｐ
−ヒドロキシスチレンからなるベース樹脂と、図８
（ｂ）に示すような、架橋点を２以上有するメラミン系
架橋剤と、図８（ｃ）に示す酸発生剤とからなる。図
中、ｎは重合度を表す自然数を表しており、大文字Ｒは
アルキル基を表しており、Ｍはヒ素やアンチモン等の金
属元素を表しており、Ｘはハロゲン元素を表している。
Ｘｎのｎは、配位数を表わしている。
【０００４】図９は、化学増幅ネガ型レジストを用いた
エキシマレーザーリソグラフィーによる、従来のパター
ン形成方法の順序の各工程における半導体装置の部分断
面図である。
エキシマレーザーリソグラフィーによる、従来のパター
ン形成方法の順序の各工程における半導体装置の部分断
面図である。
【０００５】図９（ａ）を参照して、半導体基板２の上
に、図８にその成分を示す、膜厚１．０〜１．５μｍの
エキシマレーザーリソグラフィー用化学増幅ネガ型レジ
スト８を形成する。化学増幅ネガ型レジスト層８は、レ
ジスト液を半導体基板２の上にスピン塗布し、これを９
０〜１３０℃程度でソフトベークすることによって形成
される。
に、図８にその成分を示す、膜厚１．０〜１．５μｍの
エキシマレーザーリソグラフィー用化学増幅ネガ型レジ
スト８を形成する。化学増幅ネガ型レジスト層８は、レ
ジスト液を半導体基板２の上にスピン塗布し、これを９
０〜１３０℃程度でソフトベークすることによって形成
される。
【０００６】図９（ｂ）を参照して、化学増幅ネガ型レ
ジスト層８に、エキシマレーザー光１２を、レチクル１
３を通して、選択的に照射する。エキシマレーザー光１
２の選択的照射によって、化学増幅ネガ型レジスト層８
の露光部分１０において、図１０に示す反応式のよう
に、酸発生剤であるトリフェニルスルフォニウムトリフ
レートが分解し、トリフルフォロメタンスルホン酸であ
るプロトン酸９が発生する。
ジスト層８に、エキシマレーザー光１２を、レチクル１
３を通して、選択的に照射する。エキシマレーザー光１
２の選択的照射によって、化学増幅ネガ型レジスト層８
の露光部分１０において、図１０に示す反応式のよう
に、酸発生剤であるトリフェニルスルフォニウムトリフ
レートが分解し、トリフルフォロメタンスルホン酸であ
るプロトン酸９が発生する。
【０００７】図９（ｃ）を参照して、１１０〜１４０℃
の温度で、１〜２分間、露光後のベーキングを行った。
このベーキングによる、ベース樹脂の露光部分における
架橋の様子を、図１１を用いて説明する。
の温度で、１〜２分間、露光後のベーキングを行った。
このベーキングによる、ベース樹脂の露光部分における
架橋の様子を、図１１を用いて説明する。
【０００８】図１１（ａ）は、化学増幅ネガ型レジスト
層８にたとえばエキシマレーザー光を照射している様子
を示している。化学増幅ネガ型レジスト層８にエキシマ
レーザー光が照射されると、図１１（ｂ）を参照して、
トリフェニルスルフォニミウムトリフレートが分解し、
プロトン酸（Ｈ+ ）が発生する。図１１（ｃ）を参照し
て、レジストをベークすると、プロトン酸（Ｈ+ ）を触
媒にして、ベース樹脂の１つが架橋し、この時、プロト
ン酸（Ｈ+ ）が副生する。図１１（ｄ）を参照して、副
生したプロトン酸（Ｈ+ ）を触媒にして、次々と、連鎖
反応的に、ベース樹脂が架橋していく。図１１（ｅ）を
参照して、上述の連鎖反応によって、ベース樹脂が網目
上に架橋する。架橋反応は、図１２に示す反応式によっ
て表される。反応式中、ＨＸはプロトン酸（Ｈ+ ）を表
している。架橋した部分は、アルカリ現像液に不溶とな
る。
層８にたとえばエキシマレーザー光を照射している様子
を示している。化学増幅ネガ型レジスト層８にエキシマ
レーザー光が照射されると、図１１（ｂ）を参照して、
トリフェニルスルフォニミウムトリフレートが分解し、
プロトン酸（Ｈ+ ）が発生する。図１１（ｃ）を参照し
て、レジストをベークすると、プロトン酸（Ｈ+ ）を触
媒にして、ベース樹脂の１つが架橋し、この時、プロト
ン酸（Ｈ+ ）が副生する。図１１（ｄ）を参照して、副
生したプロトン酸（Ｈ+ ）を触媒にして、次々と、連鎖
反応的に、ベース樹脂が架橋していく。図１１（ｅ）を
参照して、上述の連鎖反応によって、ベース樹脂が網目
上に架橋する。架橋反応は、図１２に示す反応式によっ
て表される。反応式中、ＨＸはプロトン酸（Ｈ+ ）を表
している。架橋した部分は、アルカリ現像液に不溶とな
る。
【０００９】図９（ｃ）に戻って、化学増幅ネガ型レジ
スト層８の架橋部分１１は、アルカリ現像液に不溶とな
る。図９（ｄ）を参照して、適当な濃度のアルカリ現像
液によって、化学増幅ネガ型レジスト層８を現像する
と、未露光部（架橋していない部分）が現像液によって
溶出し、レジストパターン１００が半導体基板２の上に
形成される。その後、レジストパターン１００をマスク
にして、半導体基板２（たとえばポリシリコン）をエッ
チングする。これによって、たとえばゲート電極等が形
成される。
スト層８の架橋部分１１は、アルカリ現像液に不溶とな
る。図９（ｄ）を参照して、適当な濃度のアルカリ現像
液によって、化学増幅ネガ型レジスト層８を現像する
と、未露光部（架橋していない部分）が現像液によって
溶出し、レジストパターン１００が半導体基板２の上に
形成される。その後、レジストパターン１００をマスク
にして、半導体基板２（たとえばポリシリコン）をエッ
チングする。これによって、たとえばゲート電極等が形
成される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】以上述べた従来のレジ
ストパターンの形成方法は、平坦な半導体基板の上で
は、断面形状が矩型の、良好な微細レジストパターンを
高感度で与える。
ストパターンの形成方法は、平坦な半導体基板の上で
は、断面形状が矩型の、良好な微細レジストパターンを
高感度で与える。
【００１１】しかしながら、ベース樹脂であるポリ−ｐ
−ヒドロキシスチレンは、エキシマレーザー光に対する
透過性が高いので、下地の半導体基板からのエキシマレ
ーザー光の反射による膜内多重反射効果を強く受ける。
−ヒドロキシスチレンは、エキシマレーザー光に対する
透過性が高いので、下地の半導体基板からのエキシマレ
ーザー光の反射による膜内多重反射効果を強く受ける。
【００１２】膜内多重反射効果とは、図１３に示される
ように、照射された光１７と下地の半導体基板２からの
反射光との干渉によって生じるものである。この膜内多
重反射効果のために、図１３と図１４を参照して、レジ
スト８の膜厚の変動によって、レジストパターンの寸法
が大きく変化する。そのため、図１３を参照して、半導
体基板２に段差２ａがある場合には、レジスト８の膜厚
が変動するため、レジストパターンの寸法が一定となら
ないという問題点があった。
ように、照射された光１７と下地の半導体基板２からの
反射光との干渉によって生じるものである。この膜内多
重反射効果のために、図１３と図１４を参照して、レジ
スト８の膜厚の変動によって、レジストパターンの寸法
が大きく変化する。そのため、図１３を参照して、半導
体基板２に段差２ａがある場合には、レジスト８の膜厚
が変動するため、レジストパターンの寸法が一定となら
ないという問題点があった。
【００１３】また、膜内多重反射効果を防止するため
に、有機系の反射防止膜を使用する方法がある。有機系
の反射防止膜は、レジストを塗布するに先立ち、半導体
基板の上にノボラック−ナフトキノンジアジト系レジス
トを塗布し、これをハードベークすることによって得ら
れる。しかしながら、この方法にも、以下に述べる問題
点がある。
に、有機系の反射防止膜を使用する方法がある。有機系
の反射防止膜は、レジストを塗布するに先立ち、半導体
基板の上にノボラック−ナフトキノンジアジト系レジス
トを塗布し、これをハードベークすることによって得ら
れる。しかしながら、この方法にも、以下に述べる問題
点がある。
【００１４】図１５（ａ）を参照して、半導体基板２に
段差２ａがある場合、ノボラック−ナフトキノンジアジ
ト系レジスト３０を薄く塗布すると、半導体基板２とノ
ボラック−ナフトキノンジアジト系レジスト３０との親
和性がないために、段差２ａのコーナー部分２１が露出
する。コーナー部分２１まで覆うようにノボラックナフ
トキノン系レジスト３０を塗布しようとするならば、図
１５（ｂ）（ｃ）を参照して、段差２ａの底の部分にお
いては、レジスト３０の膜厚がかなり厚くなる。段差２
ａの高さが、たとえば０．７μｍの場合、段差２ａの底
部分におけるノボラック−ナフトキノンジアジド系レジ
スト３０の膜厚は１．５μｍにもなる。
段差２ａがある場合、ノボラック−ナフトキノンジアジ
ト系レジスト３０を薄く塗布すると、半導体基板２とノ
ボラック−ナフトキノンジアジト系レジスト３０との親
和性がないために、段差２ａのコーナー部分２１が露出
する。コーナー部分２１まで覆うようにノボラックナフ
トキノン系レジスト３０を塗布しようとするならば、図
１５（ｂ）（ｃ）を参照して、段差２ａの底の部分にお
いては、レジスト３０の膜厚がかなり厚くなる。段差２
ａの高さが、たとえば０．７μｍの場合、段差２ａの底
部分におけるノボラック−ナフトキノンジアジド系レジ
スト３０の膜厚は１．５μｍにもなる。
【００１５】反射防止膜は、このように厚く塗布された
ノボラック−ナフトキノンジアジド系レジスト３０をハ
ードベークすることによって完成する。その後、図１５
（ｄ）を参照して、反射防止膜（３０）の上にリソグラ
フィー用レジスト１０１を塗布し、これをパターニング
する。ついで、パターニングされたリソグラフィー用レ
ジスト１０１をマスクに用いて、半導体基板２および反
射防止膜（３０）を同時にエッチングする。このとき、
反射防止膜（３０）とリソグラフィー用レジスト１０１
との間にエッチング速度に差がほとんどない。その結
果、図１５（ｅ）を参照して、半導体基板２のエッチン
グが寸法制御性よく進まないという問題点があった。
ノボラック−ナフトキノンジアジド系レジスト３０をハ
ードベークすることによって完成する。その後、図１５
（ｄ）を参照して、反射防止膜（３０）の上にリソグラ
フィー用レジスト１０１を塗布し、これをパターニング
する。ついで、パターニングされたリソグラフィー用レ
ジスト１０１をマスクに用いて、半導体基板２および反
射防止膜（３０）を同時にエッチングする。このとき、
反射防止膜（３０）とリソグラフィー用レジスト１０１
との間にエッチング速度に差がほとんどない。その結
果、図１５（ｅ）を参照して、半導体基板２のエッチン
グが寸法制御性よく進まないという問題点があった。
【００１６】また、従来の化学増幅ネガ型レジストを用
いるリソグラフィー法においては、電子ビーム描画を行
なう際にも、次のような問題点があった。
いるリソグラフィー法においては、電子ビーム描画を行
なう際にも、次のような問題点があった。
【００１７】図１６（ａ）を参照して、半導体基板２の
上に、化学増幅ネガ型レジスト８を塗布する。その後、
化学増幅ネガ型レジスト８に向けて、電子ビームを選択
的に照射する。
上に、化学増幅ネガ型レジスト８を塗布する。その後、
化学増幅ネガ型レジスト８に向けて、電子ビームを選択
的に照射する。
【００１８】図１６（ｂ）を参照して、化学増幅ネガ型
レジスト８に電子ビームを選択的に照射すると、レジス
ト８が絶縁物であることから、レジスト８の表面に図の
ように、帯電が起こる。
レジスト８に電子ビームを選択的に照射すると、レジス
ト８が絶縁物であることから、レジスト８の表面に図の
ように、帯電が起こる。
【００１９】その結果、図１６（ｃ）を参照して、レジ
スト８を現像すると、図のように、テーパー形状のレジ
ストのパターン１０１が得られ、寸法制御性よくレジス
トパターンが形成できないという問題点があった。
スト８を現像すると、図のように、テーパー形状のレジ
ストのパターン１０１が得られ、寸法制御性よくレジス
トパターンが形成できないという問題点があった。
【００２０】さらに、従来の化学増幅型ネガ型レジスト
を用いた場合には、このレジストをマスクに用いて、イ
オン注入する際、次に述べるような問題点があった。
を用いた場合には、このレジストをマスクに用いて、イ
オン注入する際、次に述べるような問題点があった。
【００２１】図１７は、レジスト３０のパターンをマス
クにして、半導体基板５０の主表面にソース・ドレイン
５１を形成するための、イオン５２の注入を行っている
様子を図示した図である。イオン注入の際、レジスト３
０は絶縁物であることから、レジスト３０の表面に帯電
が起こりやすくなる。そのため、図のように、レジスト
３０に亀裂が生じる（この現象は、ちょうど落雷現象に
似ている。）という問題点があった。
クにして、半導体基板５０の主表面にソース・ドレイン
５１を形成するための、イオン５２の注入を行っている
様子を図示した図である。イオン注入の際、レジスト３
０は絶縁物であることから、レジスト３０の表面に帯電
が起こりやすくなる。そのため、図のように、レジスト
３０に亀裂が生じる（この現象は、ちょうど落雷現象に
似ている。）という問題点があった。
【００２２】それゆえに、この発明の目的は、基板の上
に段差があっても、寸法制御性よくレジストパターンを
形成することができ、かつ下地基板のエッチングを寸法
制御性よく行なうことができるように改良された、半導
体装置の製造方法を提供することにある。
に段差があっても、寸法制御性よくレジストパターンを
形成することができ、かつ下地基板のエッチングを寸法
制御性よく行なうことができるように改良された、半導
体装置の製造方法を提供することにある。
【００２３】この発明の他の目的は、電子ビーム描画の
際に、レジストの表面に帯電を生じさせないように改良
された、半導体装置の製造方法を提供することにある。
際に、レジストの表面に帯電を生じさせないように改良
された、半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００２４】この発明のさらに他の目的は、レジストパ
ターンをマスクに用いて、半導体基板の主表面にイオン
を注入する際、レジストの表面に帯電を生じさせないよ
うに改良された、半導体装置の製造方法を提供すること
にある。
ターンをマスクに用いて、半導体基板の主表面にイオン
を注入する際、レジストの表面に帯電を生じさせないよ
うに改良された、半導体装置の製造方法を提供すること
にある。
【００２５】
【課題を解決するための手段】この発明の第一の局面に
したがう半導体装置の製造方法においては、まず、半導
体基板の上に、昇華性を有し、かつ光を吸収する性質を
有し、さらに有機溶剤に溶けない有機物質からなる下敷
膜を形成する。上記下敷膜の上にレジストを塗布する。
上記レジストに光を選択的に照射する。上記レジストを
現像し、それによってレジストパターンを形成する。上
記レジストパターンをマスクにして、上記半導体基板を
エッチングする。
したがう半導体装置の製造方法においては、まず、半導
体基板の上に、昇華性を有し、かつ光を吸収する性質を
有し、さらに有機溶剤に溶けない有機物質からなる下敷
膜を形成する。上記下敷膜の上にレジストを塗布する。
上記レジストに光を選択的に照射する。上記レジストを
現像し、それによってレジストパターンを形成する。上
記レジストパターンをマスクにして、上記半導体基板を
エッチングする。
【００２６】上記有機物質は、無金属フタロシアニン誘
導体、ポルフィリン誘導体およびジヒドロ−ジベンゾ−
テトラアザ−シクロテトラデシン誘導体からなる群より
選ばれた共役大環状有機物質であるのが好ましい。
導体、ポルフィリン誘導体およびジヒドロ−ジベンゾ−
テトラアザ−シクロテトラデシン誘導体からなる群より
選ばれた共役大環状有機物質であるのが好ましい。
【００２７】この発明の第二の局面にしたがう半導体装
置の製造方法においては、半導体基板の上に昇華性を有
し、有機溶剤に溶けない有機物質からなる下敷膜を形成
する。上記下敷膜中に酸化性ガスをドーピングし、それ
によって該下敷膜に導電性を付与する。上記下敷膜の上
にレジストを塗布する。上記レジストに電子ビームによ
って描画する。上記レジストを現像し、それによってレ
ジストパターンを形成する。上記レジストパターンをマ
スクに用いて、上記半導体基板をエッチングする。
置の製造方法においては、半導体基板の上に昇華性を有
し、有機溶剤に溶けない有機物質からなる下敷膜を形成
する。上記下敷膜中に酸化性ガスをドーピングし、それ
によって該下敷膜に導電性を付与する。上記下敷膜の上
にレジストを塗布する。上記レジストに電子ビームによ
って描画する。上記レジストを現像し、それによってレ
ジストパターンを形成する。上記レジストパターンをマ
スクに用いて、上記半導体基板をエッチングする。
【００２８】この発明において、上記有機物質は、金属
フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体およびジヒ
ドロ−ジベンゾ−テトラアザ−シクロテトラデシン誘導
体からなる群より選ばれた共役大環状有機物質であるこ
とが好ましい。
フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体およびジヒ
ドロ−ジベンゾ−テトラアザ−シクロテトラデシン誘導
体からなる群より選ばれた共役大環状有機物質であるこ
とが好ましい。
【００２９】上記酸化性ガスは、ＮＯx 、ハロゲン化水
素、ハロゲンガスおよびＳＯx からなる群より選ばれた
ガスであるのが好ましい。
素、ハロゲンガスおよびＳＯx からなる群より選ばれた
ガスであるのが好ましい。
【００３０】この発明の第三の局面にしたがう半導体装
置の製造方法においては、まず、半導体基板の上に昇華
性を有し、かつ有機溶剤に溶けない有機物質からなる下
敷膜を形成する。上記下敷膜中に酸化性ガスをドーピン
グし、それによって該下敷膜に導電性を付与する。上記
下敷膜の上にレジストを塗布する。上記レジストをパタ
ーニングする。パターニングされた上記レジストをマス
クに用いて、上記半導体基板中にイオンを注入する。
置の製造方法においては、まず、半導体基板の上に昇華
性を有し、かつ有機溶剤に溶けない有機物質からなる下
敷膜を形成する。上記下敷膜中に酸化性ガスをドーピン
グし、それによって該下敷膜に導電性を付与する。上記
下敷膜の上にレジストを塗布する。上記レジストをパタ
ーニングする。パターニングされた上記レジストをマス
クに用いて、上記半導体基板中にイオンを注入する。
【００３１】この発明において、上記有機物質は、無金
属フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体およびジ
ヒドロ−ジベンゾ−テトラアザ−シクロテトラデシン誘
導体からなる群より選ばれた共役大環状有機物質を含む
ことが好ましい。また、上記酸化性ガスは、ＮＯx 、ハ
ロゲン化水素、ハロゲンガスおよびＳＯx からなる群よ
り選ばれたガスであることが好ましい。
属フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体およびジ
ヒドロ−ジベンゾ−テトラアザ−シクロテトラデシン誘
導体からなる群より選ばれた共役大環状有機物質を含む
ことが好ましい。また、上記酸化性ガスは、ＮＯx 、ハ
ロゲン化水素、ハロゲンガスおよびＳＯx からなる群よ
り選ばれたガスであることが好ましい。
【００３２】
【作用】本発明の第一の局面にしたがう半導体装置の製
造方法においては、光を吸収する性質を有する有機物質
からなる下敷膜を、半導体基板の上に形成する。したが
って、半導体基板からの反射光を低減させることができ
る。ひいては膜内多重反射効果に起因する、レジストパ
ターンの寸法の変動を抑えることができる。
造方法においては、光を吸収する性質を有する有機物質
からなる下敷膜を、半導体基板の上に形成する。したが
って、半導体基板からの反射光を低減させることができ
る。ひいては膜内多重反射効果に起因する、レジストパ
ターンの寸法の変動を抑えることができる。
【００３３】また、上記下敷膜は昇華性を有する有機物
質で形成されるので、この下敷膜は有機物質を昇華させ
る方法によって形成される。ひいては、下敷膜の膜厚
は、均一となる。
質で形成されるので、この下敷膜は有機物質を昇華させ
る方法によって形成される。ひいては、下敷膜の膜厚
は、均一となる。
【００３４】さらに、上記下敷膜は有機溶剤に溶けない
ので、次に塗布されるレジストと混ざり合わない。
ので、次に塗布されるレジストと混ざり合わない。
【００３５】第二の局面にしたがう半導体装置の製造方
法によれば、半導体基板の上に、導電性が付与された下
敷膜が形成される。したがって、レジストに電子ビーム
描画を行なう際、レジストが帯電しなくなる。
法によれば、半導体基板の上に、導電性が付与された下
敷膜が形成される。したがって、レジストに電子ビーム
描画を行なう際、レジストが帯電しなくなる。
【００３６】この発明の第三の局面にしたがう半導体装
置の製造方法によれば、半導体基板の上に、導電性が付
与された下敷膜が形成される。したがって、レジストパ
ターンをマスクに用いて、半導体基板の主表面にイオン
を注入しても、レジストは帯電しなくなる。
置の製造方法によれば、半導体基板の上に、導電性が付
与された下敷膜が形成される。したがって、レジストパ
ターンをマスクに用いて、半導体基板の主表面にイオン
を注入しても、レジストは帯電しなくなる。
【００３７】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。
る。
【００３８】図１は、この発明の一実施例にかかる半導
体装置の製造方法の順序の各工程における、半導体装置
の部分断面図である。
体装置の製造方法の順序の各工程における、半導体装置
の部分断面図である。
【００３９】図１（ａ）を参照して半導体基板２（たと
えばポリシリコン）の上に、昇華性を有し、かつ光を吸
収する性質を有し、さらに有機溶剤に溶けない有機物質
からなる下敷膜７を形成する。
えばポリシリコン）の上に、昇華性を有し、かつ光を吸
収する性質を有し、さらに有機溶剤に溶けない有機物質
からなる下敷膜７を形成する。
【００４０】図２は、下敷膜を形成する有機物質の一例
である、共役大環状有機化合物を示す。
である、共役大環状有機化合物を示す。
【００４１】図２（ａ）は、エキシマレーザー光等のデ
ィープＵＶ光に対して強い吸収を持ち、かついかなる有
機溶剤にも不溶であるところの、無金属フタロシアニン
を示す。
ィープＵＶ光に対して強い吸収を持ち、かついかなる有
機溶剤にも不溶であるところの、無金属フタロシアニン
を示す。
【００４２】図２（ｂ）は、エキシマレーザー光等のデ
ィープＵＶ光に対して強い吸収を持ち、昇華性を有し、
かついかなる有機溶剤にも不溶であるところの、メソ−
テトラ（Ｐ−Ｒ−フェニル）ポルフィリンである。図
中、Ｒは、水素原子あるいはアルキル基を示す。
ィープＵＶ光に対して強い吸収を持ち、昇華性を有し、
かついかなる有機溶剤にも不溶であるところの、メソ−
テトラ（Ｐ−Ｒ−フェニル）ポルフィリンである。図
中、Ｒは、水素原子あるいはアルキル基を示す。
【００４３】図２（ｃ）は、エキシマレーザー光等のデ
ィープＵＶ光に対して強い吸収を持ち、昇華性を有し、
かついかなる有機溶剤にも不溶であるところの、ジヒド
ロ−ジベンゾ［ｂ，ｊ］［１．４．８．１１］テトラア
ザ−シクロテトラデシンおよびその誘導体を示す。図中
Ｒ1 ，Ｒ2 は、水素原子あるいはアルキル基を示す。
ィープＵＶ光に対して強い吸収を持ち、昇華性を有し、
かついかなる有機溶剤にも不溶であるところの、ジヒド
ロ−ジベンゾ［ｂ，ｊ］［１．４．８．１１］テトラア
ザ−シクロテトラデシンおよびその誘導体を示す。図中
Ｒ1 ，Ｒ2 は、水素原子あるいはアルキル基を示す。
【００４４】図３は、図２に示した共役大環状有機物質
を用いて、減圧下の昇華法によって、半導体基板上に下
敷膜を蒸着形成する方法を示した概念図である。下敷膜
形成装置は、ベルジャー２５を備える。ベルジャー２５
は、真空用Ｏ−リング２６によって、本体部（図示せ
ず）固定される。ベルジャー２５内には、共役大環状有
機化合物２１が載せられた石英ボート２３が配置され
る。石英ボート２３の下方には、加熱ヒーター２４が設
けられる。ベルジャー２５の上方には、半導体基板２２
が配置される。ベルジャー２５には排気口２５ａが設け
られている。共役大環状有機化合物２１は加熱されるこ
とによって昇華し、半導体基板２２の上に下敷膜として
付着する。昇華法によって、薄膜を形成すると、均一な
膜厚を有する薄膜が得られる。
を用いて、減圧下の昇華法によって、半導体基板上に下
敷膜を蒸着形成する方法を示した概念図である。下敷膜
形成装置は、ベルジャー２５を備える。ベルジャー２５
は、真空用Ｏ−リング２６によって、本体部（図示せ
ず）固定される。ベルジャー２５内には、共役大環状有
機化合物２１が載せられた石英ボート２３が配置され
る。石英ボート２３の下方には、加熱ヒーター２４が設
けられる。ベルジャー２５の上方には、半導体基板２２
が配置される。ベルジャー２５には排気口２５ａが設け
られている。共役大環状有機化合物２１は加熱されるこ
とによって昇華し、半導体基板２２の上に下敷膜として
付着する。昇華法によって、薄膜を形成すると、均一な
膜厚を有する薄膜が得られる。
【００４５】昇華は、減圧下、１００〜３００℃程度の
温度で行なわれる。下敷膜の膜厚は、５００〜２０００
Åであるのが好ましい。
温度で行なわれる。下敷膜の膜厚は、５００〜２０００
Åであるのが好ましい。
【００４６】図１（ｂ）を参照して、下敷膜７を形成し
た半導体基板２の上に、厚さ１．０〜１．５μｍの化学
増幅法ネガ型レジスト層８を形成する。化学増幅ネガ型
レジスト層８は、レジスト液を半導体基板２の上にスピ
ン塗布し、これを９０〜１３０℃程度でソフトベークす
ることによって形成される。共役大環状有機化合物より
形成した下敷膜は、いかなる有機溶剤にも不溶であるの
で、レジスト層８と下敷膜７とのミキシングは起こらな
い。
た半導体基板２の上に、厚さ１．０〜１．５μｍの化学
増幅法ネガ型レジスト層８を形成する。化学増幅ネガ型
レジスト層８は、レジスト液を半導体基板２の上にスピ
ン塗布し、これを９０〜１３０℃程度でソフトベークす
ることによって形成される。共役大環状有機化合物より
形成した下敷膜は、いかなる有機溶剤にも不溶であるの
で、レジスト層８と下敷膜７とのミキシングは起こらな
い。
【００４７】図１（ｃ）を参照して、化学増幅ネガ型レ
ジスト層８にエキシマレーザー光１２等のディープＵＶ
光をレチクル１３を通して選択的に照射する。エキシマ
レーザー光１２の選択的照射により、化学増幅ネガ型レ
ジスト層８の露光部１０において、プロトン酸９が発生
する。プロトン酸９は、図１１に示すように、樹脂の架
橋反応を進行させる。下敷膜７は、エキシマレーザー光
等のディープＵＶ光１２を吸収するので、露光部１０に
おいて、レジスト膜内多重反射効果は、著しく低減され
る。
ジスト層８にエキシマレーザー光１２等のディープＵＶ
光をレチクル１３を通して選択的に照射する。エキシマ
レーザー光１２の選択的照射により、化学増幅ネガ型レ
ジスト層８の露光部１０において、プロトン酸９が発生
する。プロトン酸９は、図１１に示すように、樹脂の架
橋反応を進行させる。下敷膜７は、エキシマレーザー光
等のディープＵＶ光１２を吸収するので、露光部１０に
おいて、レジスト膜内多重反射効果は、著しく低減され
る。
【００４８】図１（ｄ）を参照して、露光後、１１０〜
１３０℃の温度で、レジストを１〜２分間ベークする。
このベークによって、レジスト８の露光部１０におい
て、図１１に示すような、ベース樹脂の架橋反応が進行
する。架橋部分１１は、アルカリ現像液に対する溶解性
が低下する。
１３０℃の温度で、レジストを１〜２分間ベークする。
このベークによって、レジスト８の露光部１０におい
て、図１１に示すような、ベース樹脂の架橋反応が進行
する。架橋部分１１は、アルカリ現像液に対する溶解性
が低下する。
【００４９】図１（ｅ）を参照して、適当な濃度のアル
カリ現像液によって現像すると、レジスト８の未露光部
がアルカリ現像液に溶解し、ネガ型のレジストパターン
１００が形成される。
カリ現像液によって現像すると、レジスト８の未露光部
がアルカリ現像液に溶解し、ネガ型のレジストパターン
１００が形成される。
【００５０】図１（ｆ）を参照して、レジストパターン
１００をマスクにして、半導体基板２と下敷膜７を同時
にエッチングする。このとき、下敷膜７は、その膜厚が
薄いので、容易にエッチング除去される。
１００をマスクにして、半導体基板２と下敷膜７を同時
にエッチングする。このとき、下敷膜７は、その膜厚が
薄いので、容易にエッチング除去される。
【００５１】実施例にかかる方法によると、下敷膜７を
使用しているので、膜内多重反射効果は著しく低減さ
れ、ひいては、半導体基板２のエッチングを寸法制御性
よく行なうことができる。これによって、たとえばゲー
ト電極を、信頼性良く形成できる。
使用しているので、膜内多重反射効果は著しく低減さ
れ、ひいては、半導体基板２のエッチングを寸法制御性
よく行なうことができる。これによって、たとえばゲー
ト電極を、信頼性良く形成できる。
【００５２】図４は、レジストパターン寸法の、レジス
ト膜厚依存性を示す図である。図４において、曲線
（１）は下敷膜を用いた場合のデータであり、曲線
（２）は下敷膜を形成しなかったときのデータである。
図４から明らかなように、レジスト塗布に先立ち、半導
体基板の表面に共役大環状有機物質から形成される下敷
膜を形成すると、膜内多重反射効果が著しく抑制される
ことが明らかとなった。
ト膜厚依存性を示す図である。図４において、曲線
（１）は下敷膜を用いた場合のデータであり、曲線
（２）は下敷膜を形成しなかったときのデータである。
図４から明らかなように、レジスト塗布に先立ち、半導
体基板の表面に共役大環状有機物質から形成される下敷
膜を形成すると、膜内多重反射効果が著しく抑制される
ことが明らかとなった。
【００５３】図５は、この発明の第二の実施例にかかる
半導体装置の製造方法の順序の各工程における半導体装
置の部分断面図である。
半導体装置の製造方法の順序の各工程における半導体装
置の部分断面図である。
【００５４】図５（ａ）を参照して、半導体基板２の上
に、無金属フタロシアニン（以下、Ｈ2 ＰＣと略する）
からなる下敷膜７を形成する。次に、下敷膜７中に酸化
性ガスであるＮＯx をドーピングする。このとき、図６
（ａ）に示す反応式を参照して、共役π電子を有する無
金属フタロシアニン（Ｈ2 ＰＣ）からＮＯx により、部
分的に電子が引き抜かれる。これによって、無金属フタ
ロシアニンはＰ型半導体としての性質を有するようにな
り、導電性が発現する。
に、無金属フタロシアニン（以下、Ｈ2 ＰＣと略する）
からなる下敷膜７を形成する。次に、下敷膜７中に酸化
性ガスであるＮＯx をドーピングする。このとき、図６
（ａ）に示す反応式を参照して、共役π電子を有する無
金属フタロシアニン（Ｈ2 ＰＣ）からＮＯx により、部
分的に電子が引き抜かれる。これによって、無金属フタ
ロシアニンはＰ型半導体としての性質を有するようにな
り、導電性が発現する。
【００５５】図６（ｂ）は、無金属フタロシアニン（Ｈ
2 ＰＣ）の導電性に与えるＮＯx の濃度の効果を示した
ものである。このデータは、J. Chem. Soc. Faraday Tr
ans., 1, 80, 851(1984)に記載されているものである。
図６（ｂ）から明かなように、ＮＯx は、下敷膜中に１
０ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍ加えられるのがより好ましい
が、ＮＯx は０．１ｐｐｍ〜１０万ｐｐｍの範囲で、好
ましく使用される。
2 ＰＣ）の導電性に与えるＮＯx の濃度の効果を示した
ものである。このデータは、J. Chem. Soc. Faraday Tr
ans., 1, 80, 851(1984)に記載されているものである。
図６（ｂ）から明かなように、ＮＯx は、下敷膜中に１
０ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍ加えられるのがより好ましい
が、ＮＯx は０．１ｐｐｍ〜１０万ｐｐｍの範囲で、好
ましく使用される。
【００５６】なお、酸化性ガスとしてＮＯx を使用した
場合を例示したが、この発明はこれに限られるものでな
く、ハロゲン化水素、ハロゲンガスおよびＳＯx も好ま
しく使用できる。
場合を例示したが、この発明はこれに限られるものでな
く、ハロゲン化水素、ハロゲンガスおよびＳＯx も好ま
しく使用できる。
【００５７】図５（ａ）に戻って、電子ビームをレジス
ト８に向けて選択的に照射する。
ト８に向けて選択的に照射する。
【００５８】図５（ｂ）を参照して、電子ビームの選択
照射によって、レジスト８の表面に電荷が生じても、導
電性が付与された下敷膜７を通って、この電荷は大地に
逃げる。その結果、レジスト８の表面には帯電が生じな
い。
照射によって、レジスト８の表面に電荷が生じても、導
電性が付与された下敷膜７を通って、この電荷は大地に
逃げる。その結果、レジスト８の表面には帯電が生じな
い。
【００５９】図５（ｃ）を参照して、レジスト８を現像
すると、美しい形状のレジストパターン１００が得られ
る。
すると、美しい形状のレジストパターン１００が得られ
る。
【００６０】図５（ｄ）を参照して、レジストパターン
１００をマスクにして、半導体基板２と下敷膜７を同時
にエッチングする。このとき、下敷膜７は、その膜厚が
薄いので、容易にエッチング除去される。この方法によ
ると、レジストの表面に帯電が生じないので、レジスト
パターン１００の形状は美しいものとなり、ひいては、
半導体基板２のエッチングを寸法制御性よく行なうこと
ができる。
１００をマスクにして、半導体基板２と下敷膜７を同時
にエッチングする。このとき、下敷膜７は、その膜厚が
薄いので、容易にエッチング除去される。この方法によ
ると、レジストの表面に帯電が生じないので、レジスト
パターン１００の形状は美しいものとなり、ひいては、
半導体基板２のエッチングを寸法制御性よく行なうこと
ができる。
【００６１】図７は、この発明の第３の実施例にかか
る、半導体装置の製造方法を図示したものである。半導
体基板２の上に、導電性が付与された下敷膜７を介在さ
せて、レジスト８のパターンが設けられている。下敷膜
７は、共役大環状有機物質に酸化性ガスをドーピングし
てなるものである。ソース・ドレイン領域５１を形成す
るために、Ｎ型不純物イオン５２を半導体基板２の主表
面に注入する。このとき、Ｎ型不純物イオン５２がレジ
スト８の表面の上に注入されても、生じた電荷は、導電
性が付与された下敷膜７を通って大地に逃げる。その結
果、レジスト８が帯電することによって生じるレジスト
８の亀裂は生じない。ひいては、イオン５２の注入を、
正確に行なうことができる。
る、半導体装置の製造方法を図示したものである。半導
体基板２の上に、導電性が付与された下敷膜７を介在さ
せて、レジスト８のパターンが設けられている。下敷膜
７は、共役大環状有機物質に酸化性ガスをドーピングし
てなるものである。ソース・ドレイン領域５１を形成す
るために、Ｎ型不純物イオン５２を半導体基板２の主表
面に注入する。このとき、Ｎ型不純物イオン５２がレジ
スト８の表面の上に注入されても、生じた電荷は、導電
性が付与された下敷膜７を通って大地に逃げる。その結
果、レジスト８が帯電することによって生じるレジスト
８の亀裂は生じない。ひいては、イオン５２の注入を、
正確に行なうことができる。
【００６２】なお、上記実施例では、レジストとしてネ
ガ型レジストを用いる場合を例示したが、この発明はこ
れに限られるものでなく、ポジ型レジストを用いても、
実施例と同様の効果を奏する。
ガ型レジストを用いる場合を例示したが、この発明はこ
れに限られるものでなく、ポジ型レジストを用いても、
実施例と同様の効果を奏する。
【００６３】
【発明の効果】以上説明した通り、この発明の第一の局
面にしたがう半導体装置の製造方法においては、光を吸
収する物質を有する有機物質からなる下敷膜を半導体基
板の上に形成する。したがって、半導体基板からの反射
光が低減される。ひいては、膜内多重反射効果に起因す
る、レジストパターンの寸法の変動を抑えることができ
る。その結果、半導体基板のエッチングを寸法制御性よ
く行なうことができる。
面にしたがう半導体装置の製造方法においては、光を吸
収する物質を有する有機物質からなる下敷膜を半導体基
板の上に形成する。したがって、半導体基板からの反射
光が低減される。ひいては、膜内多重反射効果に起因す
る、レジストパターンの寸法の変動を抑えることができ
る。その結果、半導体基板のエッチングを寸法制御性よ
く行なうことができる。
【００６４】また、この発明の第２の局面にしたがう半
導体装置の製造方法によれば、半導体基板の上に、導電
性が付与された下敷膜が、レジスト塗布に先立ち形成さ
れる。したがって、レジストに電子ビーム描画を行なう
際、レジストは帯電しなくなる。ひいては、所望の形状
のレジストが正確に得られ、このレジストをマスクにし
て、半導体基板のエッチングを寸法制御性よく行なうこ
とができる。
導体装置の製造方法によれば、半導体基板の上に、導電
性が付与された下敷膜が、レジスト塗布に先立ち形成さ
れる。したがって、レジストに電子ビーム描画を行なう
際、レジストは帯電しなくなる。ひいては、所望の形状
のレジストが正確に得られ、このレジストをマスクにし
て、半導体基板のエッチングを寸法制御性よく行なうこ
とができる。
【００６５】この発明の第３の局面にしたがう半導体装
置の製造方法によれば、半導体基板の上に、導電性が付
与された下敷膜が、レジストパターンを介在させて形成
される。したがって、レジストパターンをマスクに用い
て、半導体基板の主表面に不純物イオンを注入しても、
レジストは帯電しなくなる。ひいては、半導体基板の主
表面に不純物イオン注入を正確に行なうことができる。
置の製造方法によれば、半導体基板の上に、導電性が付
与された下敷膜が、レジストパターンを介在させて形成
される。したがって、レジストパターンをマスクに用い
て、半導体基板の主表面に不純物イオンを注入しても、
レジストは帯電しなくなる。ひいては、半導体基板の主
表面に不純物イオン注入を正確に行なうことができる。
【図１】本発明の１実施例にかかる半導体装置の製造方
法の順序の各工程における、半導体装置の部分断面図で
ある。
法の順序の各工程における、半導体装置の部分断面図で
ある。
【図２】本発明において使用される共役大環状有機化合
物の具体例を示す図である。
物の具体例を示す図である。
【図３】昇華法を用いて、半導体基板の上に共役大環状
有機物質からなる下敷膜を形成する方法を図示した図で
ある。
有機物質からなる下敷膜を形成する方法を図示した図で
ある。
【図４】本発明の効果を説明するための図である。
【図５】本発明の第２の実施例にかかる、半導体装置の
製造方法の順序の各工程における、半導体の部分断面図
である。
製造方法の順序の各工程における、半導体の部分断面図
である。
【図６】（ａ）は無金属フタロシアニンに酸化性ガスで
あるＮＯx をドーピングしたときの反応式を示してお
り、（ｂ）は無金属フタロシアニンの導電性に与えるＮ
Ｏ x の濃度の効果を示す図である。
あるＮＯx をドーピングしたときの反応式を示してお
り、（ｂ）は無金属フタロシアニンの導電性に与えるＮ
Ｏ x の濃度の効果を示す図である。
【図７】この発明の第３の実施例にかかる、半導体装置
の製造方法を説明するための、半導体装置の部分断面図
である。
の製造方法を説明するための、半導体装置の部分断面図
である。
【図８】従来方法において、または本発明において使用
される化学増幅型ネガ型レジストの主要成分を化学構造
式で示した図である。
される化学増幅型ネガ型レジストの主要成分を化学構造
式で示した図である。
【図９】化学増幅ネガ型レジストを用いる、従来の半導
体装置の製造方法の順序の各工程における半導体装置の
部分断面図である。
体装置の製造方法の順序の各工程における半導体装置の
部分断面図である。
【図１０】化学増幅ネガ型レジスト中に含まれる酸発生
剤の光分解の様子を反応式で示した図である。
剤の光分解の様子を反応式で示した図である。
【図１１】化学増幅ネガ型レジストの露光部における架
橋の様子を示す図である。
橋の様子を示す図である。
【図１２】化学増幅ネガ型レジストの露光部の架橋の様
子を反応式で示した図である。
子を反応式で示した図である。
【図１３】膜内多重反射効果を説明するための図であ
る。
る。
【図１４】膜内多重反射効果が顕著に存在する場合の、
レジストパターン寸法とレジスト膜厚との関係を示す図
である。
レジストパターン寸法とレジスト膜厚との関係を示す図
である。
【図１５】従来の、反射防止膜の形成工程を含む、半導
体装置の製造方法の順序の各工程における半導体装置の
部分断面図である。
体装置の製造方法の順序の各工程における半導体装置の
部分断面図である。
【図１６】電子ビーム描画法を用いる、従来の半導体装
置の製造方法の順序の各工程における半導体装置の部分
断面図である。
置の製造方法の順序の各工程における半導体装置の部分
断面図である。
【図１７】レジストパターンを用いて半導体基板の主表
面に不純物イオンを注入する従来の方法を示した図であ
る。
面に不純物イオンを注入する従来の方法を示した図であ
る。
２ 半導体基板 ７ 下敷膜 ８ 化学増幅ネガ型レジスト層 ９ プロトン酸 １０ 露光部 １１ 架橋部 １２ エキシマレーザ光 １３ レチクル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/266 21/302 Ｊ 8518−4Ｍ 7352−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/30 ３６１ Ａ
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板の上に、昇華性を有し、かつ
光を吸収する性質を有し、さらに有機溶剤に溶けない有
機物質からなる下敷膜を形成する工程と、 前記下敷膜の上にレジストを塗布する工程と、 前記レジストに光を選択的に照射する工程と、 前記レジストを現像し、それによってレジストパターン
を形成する工程と、 前記レジストパターンをマスクにして、前記半導体基板
をエッチングする工程と、 を備えた半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 半導体基板の上に、昇華性を有し、かつ
有機溶剤に溶けない有機物質からなる下敷膜を形成する
工程と、 前記下敷膜中に酸化性ガスをドーピングし、それによっ
て該下敷膜に導電性を付与する工程と、 前記下敷膜の上にレジストを塗布する工程と、 前記レジストを電子ビームによって描画する工程と、 前記レジストを現像し、それによってレジストパターン
を形成する工程と、 前記レジストパターンをマスクに用いて前記半導体基板
をエッチングする工程と、 を備えた半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 半導体基板の上に、昇華性を有し、かつ
有機溶剤に溶けない有機物質からなる下敷膜を形成する
工程と、 前記下敷膜中に酸化性ガスをドーピングし、それによっ
て該下敷膜に導電性を付与する工程と、 前記下敷膜の上にレジストを塗布する工程と、 前記レジストをパターニングする工程と、 パターニングされた前記レジストをマスクに用い、前記
半導体基板中にイオンを注入する工程と、 を備えた半導体装置の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4149391A JPH05343308A (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | 半導体装置の製造方法 |
| KR93007573A KR960016318B1 (en) | 1992-06-09 | 1993-05-03 | Method of manufacturing semiconductor device |
| US08/068,133 US5328560A (en) | 1992-06-09 | 1993-05-27 | Method of manufacturing semiconductor device |
| DE4317925A DE4317925C2 (de) | 1992-06-09 | 1993-05-28 | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4149391A JPH05343308A (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343308A true JPH05343308A (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=15474104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4149391A Withdrawn JPH05343308A (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5328560A (ja) |
| JP (1) | JPH05343308A (ja) |
| KR (1) | KR960016318B1 (ja) |
| DE (1) | DE4317925C2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US10331033B2 (en) | 2014-07-04 | 2019-06-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Hardmask composition and method of forming pattern using the hardmask composition |
| US10495972B2 (en) | 2015-04-03 | 2019-12-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Hardmask composition and method of forming pattern using the hardmask composition |
| US10685844B2 (en) | 2017-07-27 | 2020-06-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Hardmask composition, method of forming pattern by using the hardmask composition, and hardmask formed using the hardmask composition |
| US10808142B2 (en) | 2017-07-28 | 2020-10-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of preparing graphene quantum dot, hardmask composition including the graphene quantum dot obtained by the method, method of forming patterns using the hardmask composition, and hardmask formed from the hardmask composition |
| US11034847B2 (en) | 2017-07-14 | 2021-06-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Hardmask composition, method of forming pattern using hardmask composition, and hardmask formed from hardmask composition |
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| JP2006019672A (ja) * | 2004-06-02 | 2006-01-19 | Seiko Epson Corp | トランジスタの製造方法、電気光学装置の製造方法、および電子デバイスの製造方法 |
| KR100904896B1 (ko) | 2008-01-31 | 2009-06-29 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 패턴 형성을 위한 전자빔 레지스트 현상방법 |
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1992
- 1992-06-09 JP JP4149391A patent/JPH05343308A/ja not_active Withdrawn
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1993
- 1993-05-03 KR KR93007573A patent/KR960016318B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1993-05-27 US US08/068,133 patent/US5328560A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-05-28 DE DE4317925A patent/DE4317925C2/de not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960016318B1 (en) | 1996-12-09 |
| DE4317925C2 (de) | 1996-10-02 |
| KR940001294A (ko) | 1994-01-11 |
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| DE4317925A1 (de) | 1993-12-16 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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