JP2748114B2 - 反射防止コーティング - Google Patents

反射防止コーティング

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JP2748114B2 JP8230097A JP23009796A JP2748114B2 JP 2748114 B2 JP2748114 B2 JP 2748114B2 JP 8230097 A JP8230097 A JP 8230097A JP 23009796 A JP23009796 A JP 23009796A JP 2748114 B2 JP2748114 B2 JP 2748114B2
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Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は反射防止コーティン
グ、特にホトリソグラフィ法によって集積回路素子を製
造するのに好適な反射防止コーティングに関する。 【０００２】 【従来の技術】複雑な集積回路を使用したシステムが小
型化すると、小さいサイズのチップ上にますます複雑な
回路を転写することが要求されるようになってきた。こ
のようなサイズの減少または容量の増加は、その産業分
野における技術上の限界にきている。したがって、標準
的技術により製造される最も進歩した集積回路チップの
歩留りは、より小さい容積の中により大きい容量を入れ
ようという試みのために極めて低く、１％の程度であ
る。今日の産業界により要求されている容量の水準にお
いては、現在のホトリソグラフィ法では現在の約１％以
上には完全な動作可能な構造を製造することはできな
い。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】この問題は大部分は使
用される写真プロセスの限界に由来する。要求される顕
微鏡的水準においては、チップ材料例えばシリコンの層
は完全には平滑および偏平ではない。更に、不均一な下
地形状は、チップ各層に塗布される光感受性物質の像形
成に使用される光の波長に近似した大きさのものであ
る。光感受性物質の像形成に使用される光はチップ物質
の基材すなわちシリコンウェーハーから反射される。こ
の反射は不均一な下地形状の影響を受けて像形成物質中
に不均一な光の分布を生ぜしめ、現像画像中に多数の人
為的欠陥を生ぜしめる結果となる。これらの人為的欠陥
は現在の技術により構成されるすべての半導体構造物に
多数の不合格品を生ぜしめる。 【０００４】この人為的欠陥を除外または減少させるこ
とができるならば集積回路チップの歩留りを上昇させて
効率を大幅に向上し、製造コストを減少させる結果とな
ることは明白である。 【０００５】最近、反射光が原因で生ずる人為的欠陥を
減少させる多数の試みがなされている。米国特許4,102,
683 号明細書はそのような試みの一つを論じている。そ
の他の議論は「IEEE Transactions on Electron Device
s 」第２８版、第１１号、第１４０５〜１４１０頁（１
９８１年１１月）、および「Journal of Applied Photo
graphic Engineering 」第７巻、第６号、第１８４〜１
８６頁（１９８１年１２月）にあるブリューワー等によ
る「正のホトレジストにおける定在波効果の減少」およ
び「Kodak '80 Interface 」１９８０年１０月版、第１
０９〜１１３頁にあるカールソン等による「集積回路に
おける１ミクロン線の制御」に見られる。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本発明者らは集積回路の
製造に有用な改善されたホトリソグラフィ法、その中に
使用するための改善された反射防止性物質およびそのよ
うな物質を使用した集積回路を発見した。本発明は、ウ
エーハ表面およびホトレジスト表面からの内部反射によ
る劣化的作用を除外した反射防止コーティングを使用す
る。本発明の物質は以前に知られていたものよりも一層
良好な接着性と、より大なる光吸収を与え、より薄くて
より均一なコーティングを与え、現像が一層制御され、
工程段階がより少なくなる。本発明の反射防止コーティ
ングは集積回路製造法におけるホトレジストに適合し、
且つそれに像形成が可能である。コーティングは現像後
には集積回路ウエ−ハ上により少ない残渣しか残さな
い。 【０００７】 【作用】本発明は低い表面（界面）エネルギーを有する
一般的有機溶媒の使用を可能ならしめるべく改質され、
そしてウエーハ表面に強固に結合した薄いそして一定し
たコーティングを生成しうる重合体構造を使用してい
る。適切な重合体および共重合体としては、低い表面エ
ネルギーを有する溶媒例えばアルコール、芳香族炭化水
素、ケトン、およびエステル溶媒により可溶性のポリア
ミド酸およびその均等物である。ここでいうポリアミド
酸重合体および共重合体は、トルエンジアミン、キシリ
ルジアミンおよびその他のアリールジアミンおよび脂肪
族ジアミンと脂肪族および芳香族側鎖基または類似基を
有する脂肪族または芳香族酸二無水物の重合体でありう
る。これら重合体に関してはコーティングをウエーハに
定着させる焼付け温度の変動に対してその速度が余り敏
感でないために、これらの物質は例えば、反射防止層の
現像速度に対してより有効な制御を与える。これらジア
ミン、酸二無水物および相当する物質により構成された
重合体はまた、集積回路の製造に使用される表面をより
均一に、より少ない欠陥を持ってコーティングさせ、こ
れらの表面に対してより良好な接着性を有している。こ
れらポリイミドまたはポリアミド酸から現像後に残る残
渣は問題とならない。その理由はそれら残渣は容易に除
去されるからである。 【０００８】４，４′−オキシジアニリンとベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物およびピロメリット酸二
無水物の重合体を包含した反射防止コーティングの生成
させることは以前に試みられた。しかしながらこれら物
質は満足すべき反射防止コーティングの生成においては
有効ではなかった。これらポリイミド前駆体に対する標
準溶媒は大きな表面エネルギーを有しており、小さな凹
部分には入っていかず、その結果集積回路の多くの部分
が基材の形状変化の故にコーティングされずに残され
る。以前に試みられたこれらの物質に対して必要な従来
の溶媒は、例えばＮ−メチルピロリジノン、ジメチルホ
ルムアミドおよびジメチルスルホキサイドのような高度
に極性の溶媒である。前記のポリアミド酸の溶解に必要
とされたこれら溶媒は非常に高い表面エネルギーを有し
ており、そのために集積回路チップによくある小さな凹
部または溝はコーティングされない。そのような高い表
面エネルギーを有するこれらの高度に極性の溶媒を除外
するかまたはその比率を大きく減少させ、低表面エネル
ギー溶媒例えばアルコール、芳香族炭化水素、ケトンま
たはエステル溶媒に可溶性の系を利用することによって
溶液の表面エネルギーは減少し、全ウエーハ表面をコー
ティングおよび平面化させる。本発明の反射防止コーテ
ィングにおけるその他の改良点は、コーティング中に水
溶性成分を任意に導入できる点である。これら成分は例
えばポリビニルピロリジノンおよび相当する重合体であ
る。水溶性成分は焼き付け条件例えば温度の変動により
もたらされる反射防止層の除去速度の変動を軽減する。 【０００９】本発明の新規な物質は改善された染料化合
物を包含してもよい。特に染料クルクミン（C.I.No.753
00) または相当する誘導体およびその組み合わせた物を
反射防止コーティングに包含させると、コーティングの
吸収性能が改善される。これらの染料および関連する染
料は上に載せたホトレジストを通常露光せしめるスペク
トル域（４３６、４０５μｍ）を強く吸収し、これらは
染料のヒドロキシル基の故に一般に使用されるアルカリ
性ホトレジスト現像液で除去することができる。この組
み合わせは迅速なそして一貫した像形成を可能ならしめ
る。コーティング溶媒中での染料の優れた溶解性および
染料の強い吸収は非常に薄いコーティングの使用を可能
ならしめる。他の染料を使用して試みられたコーティン
グは大きい吸光係数を有していなかった。すなわちそれ
らは染料１分子当り多くの光は吸収せず、またはそれら
は多くの染料に関して共通の問題であるように、コーテ
ィングに使用される有機溶媒中に充分に可溶性ではなか
った。染料の限られた溶解性の故に、本質的にすべての
反射された光を吸収させるに充分なだけコーティングす
ることができず、そして例えば定在波のようなその効果
がホトレジスト中にまだ存在していた。さらに以前の染
料とベヒクルとの組み合わせは本発明のような像形成可
能な層を生成させることに対して有効ではなかった。像
形成可能な層を生成させようというこれまでの試みは、
生成されるコーティングの結果例えばピンホールの故に
有効でない生成物を与える結果に終った。従来のコーデ
ィングは像形成性において信頼できず、一貫性がなくそ
して信頼できない工程特性を有し、例えば温度焼付け幅
が狭く、処理後には望ましくない残留物を残した。より
厚いコーティングを使用してこれらの欠点を調整しよう
とする試みは有効ではなかった。本発明のコーティング
は像形成において有効であり、厚いコーティングは必要
とせず、望ましくない残渣を後に残さない。 【００１０】本発明による反射防止コーティングは、ビ
クシン（べにの木抽出物）またはその他の相当する誘導
体、例えばノルビクシンを任意に添加することによりさ
らに有効とすることができる。クルクミン誘導体のよう
にこれら染料はホトレジストの露光されるスペクトル領
域で強く吸収する。これら染料はまたレジスト現像液に
より容易に除去され、これら染料のカルボキシル基およ
びその他の特性は焼付け温度の変化による反射防止層の
除去速度の変動を少なくする。 【００１１】本発明による反射防止コーテイングはまた
製造工程においてパターン画像形成を可能ならしめる乾
式エッチング形態でも使用することができる。この形態
においては、使用されるベヒクルは乾式処理すなわちプ
ラズマイオンまたは電子ビームによって迅速に除去され
る。ホトレジストに像形成させた場合、その像はその系
を短時間乾式エッチングにかけることによって容易に且
つ迅速に反射防止層に転写される。反射防止コーティン
グを製造しようとするこれまでの試みにおいては、乾式
エッチング画像形成を生成させるためには中間層（プラ
ズマによって容易には除去されない物質の第３の層）の
使用が試みられた。ホトレジストをエッチングしそして
完全にかまたはほとんど除去する２層使用系もまた試み
られた。この第２の方法においては、下にある平坦化作
用層はホトレジストの同時的エッチングを阻止するに充
分なほどにはエッチングが速くない。 【００１２】本発明による乾式エッチング可能な反射防
止コーティングはウエーハの表面を平坦化させそしてホ
トレジストを通過した光を吸収する比較的厚い重合体層
である。中間のエッチング抵抗層は必要とされない。そ
の理由は光吸収性平坦化作用層はパターン形成されたホ
トレジスト層をそれほど失わずに乾式法で非常に迅速に
除去されるからである。 【００１３】この迅速エッチング反射防止コーティング
には前記染料および重合体を使用しうる。この重合体と
しては、ポリスルフォンの共重合体例えばポリ（ネオペ
ンチルスルホン）、ポリブテン−１−スルホン、ハロゲ
ン化重合体および共重合体例えばポリ（ビニリデンクロ
リド−ビニルアセテート）、ポリ（エピクロロヒドリ
ン）、塩素化ポリエチレン、臭素化および塩素化ポリイ
ンブチレン、ハロゲン化アクリレート重合体およびハロ
ゲン化メタクリレート重合体およびそれらの共重合体、
ポリアセタールおよびアセタール共重合体、およびα−
置換ビニル重合体例えばメチルメタクリレートおよびメ
チルアクリロニトリル、および相当する重合体があげら
れる。染料としては適当な吸収能を有し乾式法により容
易に除去される任意の可溶性染料または染料の組合わせ
であってもよい。例えばクマリンおよびその誘導体およ
び相当するハロゲン化染料を使用でき、これはまた像形
成可能な反射防止層を形成させるのに有効である。乾式
エッチング像形成可能な反射防止層を形成させるのに有
効である。乾式エッチング像形成性反射防止コーティン
グは歩留りを低下させ、コストを上昇させるようなよけ
いな処理段階を加えることなく、形状の制御に重大な進
歩を加える。本発明は従来のホトレジスト材料および装
置にそのまま適合する。 【００１４】典型的には本発明により使用される染料は
像形成性光源の波長領域で吸収するものである。染料は
約１〜２０％の水準で反射防止コーティング中に包含さ
せることができる。フィルム形成性ベヒクル例えば重合
体は約３〜２０％の水準で存在させることができる。任
意成分としての水溶性物質の添加は約０．１〜１０％の
間の濃度でありうる。適当は湿潤剤、接着促進剤、保存
剤、可塑剤および同様の添加剤を所望により適当な水準
で包含させることができ溶媒を包含させて組成物を１０
０％にすることができる。 【００１５】本発明をたとえばスピニング法のような既
知の基材コーティング技術で使用して約５００〜４００
００オングストロームのフィルム厚さを生成させること
ができる。フィルムは例えば約７０℃〜２００℃の既存
の集積回路工程に適合する温度で焼付けることができ
る。焼付けられたフィルムは公知の方法でホトレジスト
でコーティングし焼付けることができる。ホトレジスト
の厚さはプロセスにより要求されるものとすることがで
きる。次にこれらの層を既知の要求された波長の光に露
光させる。フィルムは例えば約５秒〜５分の間ホトレジ
スト現像液を使用して同時に現像させ、下にあるフィル
ムを短時間プラズマエッチングサイクルで例えば酸素プ
ラズマ中でまたはその他の標準プラズマ法で約５秒〜５
分の間除去することができる。残りの集積回路素子工程
は当技術分野に既知のようにして実施することができ
る。フィルムは標準ホトレジストクリーンアップ法によ
り除去することができる。 【００１６】 【発明の実施の形態】本発明は以下の実施例を参照して
さらに理解されようが、これらの実施例は実施された多
数の実験の中から説明の目的で選択されたものである。
本発明により製造された像形成されたウエーハは電子顕
微鏡で検査された。この検査の結果反射光により生ぜし
められた定在波効果が除去されていることが明らかにな
った。図１は本発明による反射防止コーティングを使用
して湿式エッチングにより集積回路素子を製造するプロ
セスを示す。 【００１７】図２はやはり本発明による反射防止コーテ
ィングを使用して乾式エッチングにより集積回路素子を
製造するプロセスを示す。 実施例１ 次の反射防止コーティング処方すなわち ・ポリ（ブテンスルホン） ８．００重量％ ・クマリン504 ( エクサイトン社製品 ) １．００重量％ ・シクロペンタノン溶媒 残 量 を使用して標準スピンコーティング法によって３インチ
アルミニウム−シリコンウエーハに反射防止コーティン
グを２．０μｍの平均厚さにコーティングした。このコ
ーティングしたウエーハを１４０℃で６０分間焼付けし
てコーティングによってホトレジスト（シップレーＡＺ
１３７０）でコーティングした。このホトレジストを９
５℃で３０分焼付けることによって硬化させた。製造さ
れたウエーハをテスト解像パターンおよびコビルト（Ｃ
ｏｂｉｌｔ）密着プリンターを使用して像形成させた。
像形成されたウエーハを２０秒間シップレー（Ｓｈｉｐ
ｌｅｙ）ＭＦ３１２現像装置を使用して浸漬現像させ
た。露光ホトレジストは現像液により除去されシャープ
なきれいな画像を生成した。反射防止層を酸素プラズマ
（０．２トル、１００ワット、２０秒）により除去し
た。一方、未露光ホトレジストはその厚さをほとんど現
象することなく残留した。アルミニウム基材中に画像を
エッチングさせて集積回路層のシャープなパターンを生
成させ、残存するホトレジストおよび反射防止コーティ
ングを除去した。 実施例２ 次の反射防止コーティング処方すなわち ・ポリ（ブテンスルホン） ６．００重量％ ・ハロゲン化染料クマリン540A １．００重量％ ・シクロペンタノン溶媒 残 部 を使用して標準スピンコーティング法によって３インチ
アルミニウム−シリコンウエーハに反射防止コーティン
グを１．５μｍの平均厚さにコーティングした。このコ
ーティングしたウエーハを１４０℃で６０分間焼付けし
てコーティングを硬化させた。このコーティングされた
ウエーハを冷却させ、スピンコーテイングによってホト
レジスト（シップレーＡＺ１３７０）でコーティングし
た。このホトレジストを９５℃で３０分焼付けて硬化さ
せた。製造されたウエーハをテスト解像パターンおよび
コビルト密着プリンターを使用して像形成させた。この
像形成されたウエーハを２０秒間シップレーＡＺ３５０
現像装置を使用して浸漬現像させた。露光ホトレジスト
は現像液により除去され、シャープなきれいな画像を生
成した。反射防止層を酸素プラズマ（０．２トル、１０
０ワット、２０秒）により除去した。一方、未露光ホト
レジストはその厚さをほとんど減少することなく残留し
た。アルミニウム基材中に画像をエッチングして集積回
路層のシャープはパターンを生成させ、次いで残存する
ホトレジストおよび反射防止コーティングを除去した。 実施例３ 次の反射防止コーティング処方すなわち ・ポリアミド酸（４、４′−オキシジアニリン およびピロメリット酸二無水物） ４．４％ ・クルクミン ３．５６％ ・ビクシン（後記溶媒中溶液） ０．４５％ ・スダンオレンジＧ（後記溶媒中溶液） ０．４５％ ・シクロヘキサノン／Ｎ−メチル−２−ピロリドン（２：１） 残 部 を使用して標準スピンコーティング法によって３インチ
アルミニウム−シリコンウエーハに反射防止コーティン
１グを２０００オングストロームの平均厚さでコーティ
ングした。このコーティングしたウエーハを１４８℃で
３０分間焼付けてコーティングを硬化させた。このコー
ティングされたウエーハを冷却させ、スピンコーティン
グによってホトレジスト（シップレーＡＺ１３７０）を
コーティングした。このホトレジストを９０℃で３０分
焼付けによって硬化させた。製造されたウエーハをテス
ト解像パターンおよびコビルト密着プリンターを使用し
て像形成せしめた。像形成されたウエーハを１０秒間シ
ップレーＭＦ３１２現像装置を使用して浸漬現像した。
像形成されたホトレジストおよび反射防止層は現像液に
より除去され、シャープなきれいな画像を生成した。現
像された像形成ウエーハのアルミニウムまでをエッチン
グして集積回路層のシャープなパターンを生成させ、残
存するホトレジストおよび反射防止コーティングを除去
した。 実施例４ 次の反射防止コーティング処方すなわち ・ポリアミド酸（１、６−ジアミノヘキサン およびベンゾフエノンテトラカルボン酸） ５％ ・クルクミン ３．５６％ ・ビクシン ０．４５％ ・スダンオレンジＧ ０．４５％ ・シクロヘキサノン／Ｎ−メチル−２−ピロリドン（２：１） 残部 を使用して標準スピンコーティング法によって３インチ
シリコンウエーハに反射防止コーティングを１８００オ
ングストロームの平均厚さにコーティングした。このコ
ーティングしたウエーハを１４８℃で３０分間焼付けて
コーティングを硬化させた。このコーティングされたウ
エーハを冷却させ、スピンコーティングによってホトレ
ジスト（シップレーＡＺ１３７０）でコーティングし
た。このホトレジストを９０℃で３０分焼き付けて硬化
させた。製造されたウエーハをテスト解像パターンおよ
びコビルト密着プリンターを使用して像形成させた。像
形成されたウエーハを３０秒間シップレーＭＦ３１２現
像装置を使用して浸漬現像した。像形成されたホトレジ
ストおよび反射防止像を現像液により除去し、シャープ
なきれいな画像を生成させた。 実施例５ 次の反射防止コーティング処方すなわち ・ポリアミド酸（４、４′−オキシジアニリン およびピロメリット酸二無水物） ６．７％ ・クルクミン ５．３％ ・ポリビニルピロリドン（後記溶媒中） １％ ・シクロヘキサノン／Ｎ−メチル−２−ピロリドン（２：１） 残 部 を使用して標準スピンコーティング法によって３インチ
アルミニウム−シリコンウエーハに反射防止コーティン
グを５０００オングストロームの平均厚さにコーティン
グした。このコーティングしたウエーハを１４８℃で３
０分間焼付けてコーティングを硬化させた。このコーテ
ィングされたウエーハを冷却させ、スピンコーティング
によってホトレジスト（シップレーＡＺ１３７０）でコ
ーティングした。このホトレジストを９０℃で３０分焼
付けして硬化させた。製造されたウエーハをテスト解像
パターンおよびコビルト密着プリンターを使用して像形
成せしめた。像形成されたウエーハを１３秒間シップレ
ーＭＦ３１２現像装置を使用して含浸現像した。像形成
せしめられたホトレジストおよび反射防止層を現像液に
より除去し、シャープなきれいな画像を生成させた。 【００１８】現像および画像形成されたウエーハをアル
ミニウム中までエッチングして集積回路層のシャープな
パターンを生成させ、残存するホトレジストおよび反射
防止コーティングを除去した。 実施例６ 次の反射防止コーティング処方すなわち ・ポリアミド酸（２、４−ジアミノトルエン／ ベンゾフエノンテトラカルボン酸二無水物） ５％ ・クルクミン ３．５６％ ・ビクシン（後記溶媒中溶液） ０．４５％ ・スダンオレンジＧ（後記溶媒中溶液） ０．４５％ ・シクロヘキサノン／Ｎ−メチル−２−ピロリドン（２：１） 残 部 を使用して標準スピンコーティング法も３インチアルミ
ニウムシリコンウエーハに反射防止コーティングを２０
００オングストロームの平均厚さにコーティングした。
このコーティングしたウエーハを１６５℃で３０分間焼
付けてコーティングを硬化させた。このコーティングさ
せたウエーハを冷却させ、スピンコーティングによって
ホトレジスト（シツプレーＡＺ１３７０）でコーティン
グした。このホトレジストを９０℃で３０分間焼付けて
硬化した。製造されたウエーハをテスト解像パターンお
よびコビルト密着プリンターを使用して像形成をせしめ
た。像形成されたウエーハを２０秒間シツプレーＭＦ３
１２現像装置を使用して含漫現像した。像形成されたホ
トレジストおよび反射防止層を現像液により除去し、シ
ャープなきれいな画像を生成せしめた。 【００１９】現像された像形成ウエーハをアルミニウム
中までエッチングさせて集積回路層のシャープなパター
ンを生成させそして残存するホトレジストおよび反射防
止コーティングを除去した。 実施例７ 次の反射防止コーティング処方すなわち ・ポリアミン酸（２，４−ジアミノトルエンおよび ベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ無水物） ５％ ・ビクシン ０．４５％ ・スダンオレンジＧ ０．４５％ ・シクロヘキサノン／Ｎ−メチル−２−ピロドリン（２：１） 残部 を使用して標準スピンコーティング法で３インチシリコ
ンウェーハに反射防止コーティングを２０００オングス
トロームの平均厚さにコーティングした。このコーティ
ングしたウエーハを１６５℃で３０分間焼付けてコーテ
ィングを硬化させた。このコーティングさせたウエーハ
を冷却させそしてスピンコーティングによってホトレジ
スト（シップレーＡＺ１３７０）でコーティングした。
このホトレジストを９０℃で３０分焼付けて硬化した。
製造されたウエーハをテスト解像パターンおよびコビル
ト密着プリンターを使用して像形成せしめた。像形成さ
れたウエーハを２０秒間シップレーＭＦ３１２現像装置
を使用して含浸現像した。像形成されたホトレジストお
よび反射防止層を現像液により除去してそしてシャープ
なきれいな画像を生成せしめた。 【００２０】本明細書に開示された本発明の変形を本発
明の精神から逸脱することなしになし得ることを当業者
は理解するであろう。本発明は本明細書に開示された具
体例により限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】 【図１】本発明による像形成可能な反射防止コーティン
グを使用する集積回路エレメントの製造のためのプロセ
スフローシートである。 【図２】乾式エッチングを使用する改変された工程段階
を示すフローシートである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 スマリー・プンヤクムリアード アメリカ合衆国 ミズーリ州65401 ロ ーラ．ナゴガミテラス 241 (56)参考文献 特開 昭52−30428（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−72704（ＪＰ，Ａ) 特公 昭49−45326（ＪＰ，Ｂ１)

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 １．露光した光の基板からの反射を防止し、反射光によ
    る定在波効果を除去し、ホトレジストに所定のシャープ
    な像を形成させるために使用する集積回路素子製造用の
    反射防止コーティングであり、 （ａ）集積回路素子に被覆し、所定の温度で焼付けた後
    ホトレジストで被覆し、 （ｂ）前記ホトレジストをパターン露光し、 （ｃ）前記ホトレジストを現像し、所定のパターンを該
    ホトレジストに形成し、 （ｄ）乾式エッチングによりパターンの下に残るコーテ
    ィング層をエッチング除去する工程に使用し、定められ
    たパターンを基板中に転写させるのに有効であり、上記
    ホトレジストの乾式エッチング性より高い乾式エッチン
    グ性を有する樹脂よりなるベヒクルと、乾式エッチング
    において除去可能であり且つ露光波長の光を吸収可能な
    染料との組合せからなり、前記染料と前記ベヒクルとの
    組合せがアルコール、芳香族炭化水素、ケトン、エステ
    ル、またはそれらの組合せを含有する溶媒に溶解されて
    いることを特徴とする反射防止コーティング。 ２．前記ベヒクルが、ポリアミド酸およびその共重合
    体、二酸化硫黄の重合体および共重合体、ハロゲン化重
    合体および共重合体、ポリアセタールおよびアセタール
    共重合体、α−置換ビニル重合体および相当する重合
    体、およびそれらの組み合わせよりなる群から選ばれる
    １種またはそれ以上のものである請求項１に記載の反射
    防止コーティング。 ３．前記染料が、クルクミンおよびその誘導体およびそ
    の均等物、ビクシンおよびその誘導体およびその均等
    物、クマリンおよびその誘導体およびその均等物および
    相当する有機ハロゲン化、ヒドロキシル化およびカルボ
    キシル化染料およびその組合せよりなる群から選ばれる
    １種またはそれ以上のものである請求項１に記載の反射
    防止コーティング。
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