JPH02151030A - パターン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ、産業上の利用分野 本発明は、一般に集積回路や配線などの半導体構成要素
の作成に関し、より具体的には、相互接続メタラジを画
定するためのＭＬＲ（多色レジスト）法用ポリマー下層
の改良に関する。より具体的な態様では、本発明は、ポ
リマー構造網中に含ふっ素セグメントを有する基板上の
ポリマー・コーティングを覆う、シリル化フォトレジス
ト材料または含ケイ素フォトレジスト材料を利用した２
層構造など、簡単な方法による基板上でのパターン画定
に関する。

Ｂ、従来技術及びその問題点 集積回路の作成において、高密度半導体技術及び実装技
術のどちらにおいても、標準のＭＬＲ法に勝る大きな利
点を提供する工程単純化技術は、標準の方法によるレジ
ストのパターン付は後に、有機シリコン反応剤で処理し
て、フォトレジスト・マスクをｏ２耐性にするものであ
る。次いで、シリル化レジスト・マスクを使って、反応
性イオン・エッチングなどの０２プラズマ処理によって
基板を覆った下層のポリマー・コーティングにパターン
付けする。シリル化法の使用により、比較的薄いレジス
ト層を使用することが可能になり、別にマスク層を設け
る必要はなくなる。というのは、シリル化レジスト層は
、続いてリフトオフによって相互接続メタラジを付着さ
せるため、下層のポリマー材料を０２反応性イオン・エ
ッチング（０□ＲＩＥ）して、基板をパターン通りに露
光させる間に、有効なマスクとして機能するからである
。

使用するフォトレジスト材料を薄くすると、下層のポリ
マー材料上のパターンの鮮鋭度をより細く改善すること
ができる。別法として、シリコンを含む放射線感受性ポ
リマー層をポリマー下層上の０□ＲＩＥ耐性作像層とし
て利用することにより、工程の単純化を行なうことがで
きる。この場合は、標準のりソグラフィ技術によって上
部層中にパターンを画定し、次いで含シリコン層をマス
クとして使って、０２反応性イオン・エッチングにより
、下層中にレジスト・パターンを複製する。こうしたシ
リル化技術は、周知であり、米国特許第４５５２８３３
号、米国特許出願第７２０７８１号、米国特許出願第７
１３３７０号、米国特許出願第７１３５０９号に記載さ
れている。

溶解法を用いるシリル化法では、宵機シランの均一な溶
液ができるが、シリル化中にポリマー・フィルムが腐食
されないように選択した溶媒にシリル化反応剤を溶かし
た溶液に、スタック全体を漬ける。この技術を実際に利
用して、樹脂母材中に必要なシリコン成分を導入するに
は、レジスト層は、フェノール樹脂（またはノヴオラッ
ク樹脂）の場合のような残渣反応基を有するポリマー相
を含まなければならず、同時に下層ポリマーは不活性で
シリル化工程に耐性でなければならない。ＰＭＤＡ−Ｏ
ＤＡ　（ピロメリット酸ジアンハイドライド−オキシジ
アニリン）や、デュポン社（Ｅ。

１、　ｄｕＰｏｎｔ　ｄｅ　Ｎｅｍｏｕｒｓ　Ｃｏ、　
）から市販されているビラリン（Ｐｙｒａｌｉｎ）　Ｐ
　Ｉ　２５４０など通常のポリイミドは、不可避的に除
去不能なＲＩＥ残渣の形成をもたらし、またポリマーを
高温で硬化させた後に共通溶媒に溶けないためリフトオ
フに使用できないので、適切でないことが判明している
。

他方、チバ＝ガイギー社（Ｃｉｂａ−Ｇｅｉｇｙ　）の
ＸＵ−２１８などの可溶性ボリイミ、ドの使用は、薄い
（２−３μ未満の）フィルムに限られている。これより
も厚いと、これらのフィルムは、溶媒浸漬工程でシリル
化条件で亀裂及び小熱れを起こすからである。

また、上記のポリマー及びＩＣＩインダストリーズ社の
ポリスルホンなどその他の従来技術によるポリマーの０
２反応性イオン・エッチングも、除去不能なＲＩＥ残渣
の形成をもたらす。溶解シリル化法を使用する場合、５
０ないし７０％の過剰エツチングによっても除去できな
いＲＩＥ残渣が生じるという問題があった。これはいく
つかの形をとるが、その結果生じる一つの状態は、「グ
ラス（ｇｒａｓｓ）　Ｊ形成と呼ばれるものである。こ
れは、エツチングされたポリマーの下の基板の通常なら
露出する表面から上に延び、基板表面から生えた「草」
のように見えるポリマーの薄い軸部がある、ポリマーが
不均一にエツチングされたものである。これらの薄い軸
部に埋め込まれたシリコンの粒子が、表面が完全には清
浄化されなかった他の類似の状態と共に、その原因とな
っていると思われる。

こうした残渣は、後のメタライゼーション・ステップで
基板金属または金属間接点と干渉して、接触抵抗や金属
付着に関して多くの問題を生じるので、望ましくない。

Ｃ１問題点を解決するための手段 本発明によれば、作像レジスト・シリル化法を利用して
ポリマーの０２反応性イオン・エッチングを行なってエ
ツチング・マスクを生成することにより、下層のポリマ
ー・フィルムを通して基板上に残渣のない均一な亀裂の
ないパターンを得るための技術が提供される。この技術
は、含ふっ素ポリマー下層と、フェノール樹脂やノヴオ
ラック樹脂を含むレジスト層及びナフトキノンジアジド
スルホン酸エステルなどの放射線感受性化合物とを利用
するものである。ＡＺ１３５０Ｊは、フェノール樹脂（
ノヴオラック）とナフトキノン−１゜２−ジアジド−５
−スルホン酸エステルをベースとする通常のポジティブ
・フォトレジストの代表例である。含ふっ素ポリマー下
層を利用することにより、エツチング後に、ポリマー層
の亀裂や機械的特性の低下といった問題なしに、「グラ
ス」その他の残渣のない、清浄なイメージ転写が達成さ
れる。

Ｄ、実施例 本発明によれば、イメージを形成し下層構造に転写する
ための改善された技術が提供される。第１図ないし第５
図は、追加のＳｉ３Ｎ４不動態化層によるポリマーの絶
縁を用いて多段金属構造を作成する、本発明の実施例の
一つを概略的に示したものである。第１図は、その上に
平坦化ポリマー・コーティング１２を設け、層１２の上
面に窒化シリコンのエッチ・ストップ層１４を形成した
、通常の方式で作成したシリコン・ウェハ１０を示す。

層１２のポリマーは、デュポン社からプラリンの商標で
市販されているＰＭＤＡ−〇ＤＡから誘導したポリイミ
ドであり、標準の技術、たとえばＪ。

Ｓ、　Ｌｏｇａｎ他の１９８３年１月４日付は米国特許
第４３６７１１９号明細書「エッチ・ストップを組み込
んだ平坦な多段金属プロセス（ＰｌａｎａｒＭｕｌｔｉ
−Ｌｅｖｅｌ　Ｍｅｔａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓ　ｗｉｔｈ
　Ｂｕｉｌｄ−Ｉｎ　ＥｔｃｈＳｔｏｐ）　Ｊに記載さ
れている、プラズマ増強化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）によっ
て、窒化シリコン層をプラズマ付着することができる。

シリコン基板及びその作成は当技術で周知であり、本発
明の一部ではない。他の基板や基板上の層も利用するこ
とができる。

第２図に示すように、含ふっ素ポリマー、たとえばフッ
化ポリイミド１６を窒化シリコン層１４の上に塗布し、
硬化させる。若干の例では、このフッ化ポリマー層１６
は平坦化層１２の役割を果たすことができる。その場合
、ポリマー層１６を基板１０に直接塗布し、層１２と１
４は省略する。

含ふっ素ポリマー１６の上面に、フォトレジスト材料の
居を塗布する。光活性化合物と７ヴオラツク樹脂または
ポリビニルフェノール型樹脂とを含む２成分系をベース
とするものなど、通常のどんなフォトレジストでも使用
できる。２成分系のポジティブ型フォトレジスト組成物
の代表例は、ノヴオラック樹脂中にキノンジアジド型感
光剤を含む、ＡＺ型処法である。もう一つの高感度のポ
ジティブに作用する樹脂処決の範Ｉｉは、ポリオレフィ
ン・スルホン・ノヴオラックをベースとする組成物であ
る。第３図を見るとわかるように、フォトレジスト１８
を適切な波長の放射線、たとえば紫外線にイメージ通り
に露光して、フォトレジスト中に所望のイメージを作成
し、フォトレジストを現像して露光部分を除去し、下層
のフッ化ポリイミドを露出させる。パターン付きフォト
レジスト層のシリル化に使用できる代表的な有機シリコ
ン・モノマーには、次のものがある。

Ｎ、Ｎ−ジエチルアシノトリメチルシランヘキサメチル
ジシラザン １．１，３．３−テトラメチルジシラザンヘキサメチル
シクロトリシラザン ジメチルジクロロシラン ジビニルテトラメチルジシラザン トリメチルトリビニルシクロトリシラザンこれらの物質
は有機溶媒中に５−２０重量％まで溶解して、シリル化
溶液を形成する。有機溶媒としては、２０−６５°Ｃで
５−３０分間シリル化する間に含ふっ素の下層またはフ
ォトレジスト・フィルムに損傷を起こさないような有機
溶媒を選択する。本発明の含ふっ素子層と両立する代表
的な溶媒は、ベンゼン、トルエン、キシーレン、ヘキサ
ン、ペンタンまたはそれらの混合物、もしくはそれらに
、ｎ−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメ
チルアセトアミド、ｎ−プロピルアミン、ジグリム、γ
−ブチロラクトンなどより極性の強い溶媒１〜５％を加
えたものである。得られたスタックを、次にたとえば官
能基のついたシランなどのシリル化剤３−１５％を非極
性溶媒に溶かした溶液に漬けることによってシリル化し
て、フォトレジスト成分の活性部位との反応によって有
機シリコン・セグメントを導入し、パターン付けしたフ
ォトレジストを、０２反応性イオン・エッチングによっ
てパターンを下層に転写するための有効なマスクに変換
させる。次に、第４図に示すように０□反応性イオン・
エッチングを行なって、含ふっ素ポリイミドの露光領域
を除去する。

この含ふっ素ポリマー下層の他と区別する特徴は、残渣
または「グラス」がなく亀裂のないＲＩＥエッチ・パタ
ーンをもたらすことである。これは、ＩＣＩポリスルホ
ンやチバ＝ガイギー社のプロピミド（ｐｒｏｂｉｉｉｄ
ｅ）　Ｘ　Ｕ　−２８４など標準のポリイミド下層に勝
る独自の利点である。本発明によれば、好ましい含ふっ
素ポリマーは、下記に示すようなジアンハイドライドま
たはジアミンあるいはその両方を含むヘキサフルオロイ
ソプロピリデン（Ｃ（ＣＦ３）２）基から誘導したポリ
イミドである（完全にイミド化されたポリマーの構造）
。

ただし、上式で Ｒ”　　−Ｃ（ＣＦ３）２、（ＣＦ２）１〜６．０．５
１ＳＯ２、ｃ。

Ｒ’　＝　　Ｃ（ＣＦ３）２、（ＣＦ２）１〜６．０．
５１Ｓｏ２、ｃ。

Ｒ”＝　、ＣＦ３、Ｈ このクラスの特定の物質は、下記に示すような２．２−
ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）へキサフルオロ
プロパンのジアンハイドライド（６−ＦＤＡ）及びオキ
シジ７二！Ｊ　ン（ＯＤＡ）から誘導される。

ただし、上式中、１）では基板にスピン塗布が行なわれ
、２）では加熱が行なわれる。

ポリアミン酸の処決は、約１５−２０％の固形物を１０
−２０％の炭化水素溶媒を加えたＮＭＰに溶かしたもの
が、デュポン社からＲＣ２５８８の部名で市販されてい
る。関連する含ふっ素ポリイミドであるデュポン社の樹
脂ＮＲ１５０も使用できる。

下層用のＲＣ２５８１及び関連するふっ素原子を６個含
ｔｌｌＪ？−４−ｆｔ、ＰＭＤＡ−ＯＤＡやＢＴＤＡ−
ＯＤＡなどふっ素を含まないポリイミ、ドとは違って、
６−ＦＤＡから誘導したポリイミドを２００−２５０°
Ｃで硬化したフィルムは、依然としてＮＭＰに可溶であ
り、したがって、多層金属法及び多層レジスト法でリフ
トオフに使用できることが判明した。これらのフィルム
は、３００℃以上で硬化した後、溶媒耐性を示す。した
がって、含ふっ素ポリイミド、代表的にはＲＣ２５６６
及びその関連物質は、下層として使用するのに秀れてい
ることがわかる。判明した主な利点は次の通りである。

（１）現像後のシリル化ステップを伴う２層レジスト法
での０２反応性イオン・エッチングによって、残渣なし
にまたは「グラス」なしにパターンが転写される。

（２）標準のＭＬＲ法と同様に、下層及びレジスト層の
上にスピンオンＲＩＥバリアを使用する３層法での０２
反応性イオン・エッチングによって、残渣なしにまたは
「グラス」なしにパターンが転写される。

（３）シリル化、０□反応性イオン・エッチング、及び
ＮＭＰなどの溶媒中でのリフトオフに関する加ニステッ
プで、厚さ１２ミクロンまでの下層が亀裂するという問
題がない。

（４）金属リフトオフ、イオン注入パターン転写、その
他の製造工程で下層として一般に使用でき、性能が改善
される。

窒化シリコンまたは、無機、を機金属、育機の２重不動
態化層を下引で使用する場合、次に第５図に示すような
通常のＣＦ４またはＣＦ４＋０２反応性イオン・エッチ
ングによってそれを除去し、続いてスパッタリングまた
は蒸着によってメタライズし、次にＮＭＰ中でリフトオ
フを行なって、清浄なはっきり画定された接着力の大き
い秀れた品質のメタライゼーシロン・パターンを得るこ
とができる。

？Ｉ　Ｉ 清浄なシリコン・ウェハを、水またはエタノールと水の
混合物に溶かした０、１％のγ−アミノプロピルトリエ
トキシシラン・カップリング剤で表面処理し、続いてデ
ュポン社から市販されているＰＭＤＡ−ＯＤＡから誘導
したポリアミン酸を平坦化コーティングとしてスピン・
コーティングし、不活性雰囲気中で８５℃で１５分間、
続いて２００°Ｃで２５分間、次に３００°Ｃで３０分
間、最後に４００°Ｃで４０分間の硬化／焼成サイクル
にかける。これによって、最終厚さ５．５ミクロンのコ
ーティングが得られる。厚さ約２５０Ｏ入の窒化シリコ
ンをプラズマ付着した後、基板を２００″Ｃに１０分間
加熱し、再度水またはエタノールと水の混合物に溶かし
たγ−アミノプロピルトリエトキシシランの０．１％溶
液で下塗りした。

デュポン社から市販されている含ふっ素ポリマーＲＣ２
５６６商用処法は、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）に
溶かした２０％固形物の形で得られるが、下塗りした基
板にこれをスピン・コーティングし、８５°Ｃに２５分
間、１５０°Ｃに２０分間、２３０″Ｃに３０分間の焼
成サイクルにかけて、厚さ３−４ミクロンのフィルムを
形成した。フィルムの厚さがもっと厚い（８−１０ミク
ロン）場合、第１のコーティングは僅か１５０　”Ｃに
焼成することができ、希釈したポリマーＲＣ２５６６の
第２のコーティングを塗布し、続いて８５°Ｃで２５分
間、２００℃で２５分間、最後に２３０　”Ｃで３０分
間の焼成サイクルにかけて、厚さ８ミクロンの層を得た
。高分子全のＲＣ２５６６処法を使用すると、−回のコ
ーティングで厚さ８−１０ミクロンのコーティングが形
成できる。

ある種の実装で必要な、たとえば１０１２ミクロンのよ
り厚い下層では、高粘性材料を使って一回ノコーティン
グで厚いフィルムを形成しても、低粘性材料で数回コー
ティングを行ない、コーティングの間に１３０−１５０
°Ｃで硬化を行なってもよい。

２３０−２５０°Ｃでの焼成／硬化サイクルの後に所望
の厚さの下層が形成されると、通常のポジティブ・フォ
トレジスト処決であるシラプリー社の１４５０Ｂを３０
００ｒｐｍで３０−４５秒間スピン・コーティングし、
８５°Ｃで３０分間焼成して、厚さ約０．８ミクロンの
レジスト層を形成した。次にこのレジストを中葉外線に
２２−２５秒間イメージ通りに露光した。露光したイメ
ージを次に１：４．５ＡＺ現像剤（シラプリー社より市
販）で浸漬現像し、脱イオン水で完全に洗浄して、８５
°Ｃで１０分間焼成した。

パターン付けしたレジストを、１％ＮＭＰを含むキシレ
ンに溶かした２８−４２℃のヘキサメチルシクロトリシ
ラザン（ＨＭＣＴＳ）の１０％溶液に１５分間漬けてシ
リル化し、キシレンで洗浄した。別法として、パターン
付けしたレジストを、キシレンに溶かした３５℃のジビ
ニルテトラメチルジシラザンとｒ−アミノプロピルトリ
エトキシシラン（１０：１）の６％溶液に１５分間漬け
て、シリル化することもできる。シリル化に続いて、０
２反応性イオン・エッチングを行なって、含ふっ素ポリ
イミド下層にパターンを転写する。このエツチングは、
ＧＣＡ反応性イオン・エッチング装置で、３００ワツト
、圧力３１ミクロン、０゜約２８ｓｅｃｍでシリル化レ
ジスト層をエッチ・マスクとして使って、毎分１７００
人のＲＣ２５６６ポリイミドのエツチング速度で行なう
ことができる。一般に、この方法は、リフトオフ・プロ
フィールが望ましい場合、十分なオーバーハングを得る
ために、約５０−７０％の過剰エツチングが必要である
。この段階で、ポリイミド・コーティングに亀裂その他
の損傷は起こらず、得られるイメージは清浄で「グラス
」その他の残渣を含まない。

窒化シリコンは、通常のＣＦ、反応性イオン・エッチン
グによってエツチングすることができる。希望する場合
、緩衝ＨＦ浸漬液中での清浄化と脱イオン水による洗浄
というポスト・エツチング・ステップを使って、残った
シリル化フォトレジストをさらに除去することができる
。

続いてＡ　Ｑ　／　ＣｕまたはＣｕをブランケット蒸着
し、さらに常法通り７０−８５°ＣのＮＭＰに１−２時
間漬けてリフトオフ・ステンシルを除去すると、秀れた
品質の金属パターンが得られた。

ｕ シリコン・ウェハに、接着促進剤としてのγ−アミノプ
ロピルトリエトキシシラン０．１％溶液を下塗りした。

次いで、含ふっ素ポリマー処決であるＲＣ２５Ｅ！６　
（デュポン）をスピン・コーティングし、２２０℃で３
０分間焼成して、厚さ約１゜２ミクロンのフィルムを形
成した。キノンジアジド感光剤を加えた、ノヴオラック
樹脂をベースとする通常のポジティブ・フォトレジスト
ＡＺ１３５０Ｊを厚さ約０．８ミクロンに塗布し、８５
’Ｃで３０分間焼成した。レジストを近紫外線（３６５
ｎｍ）でパターン通り露光し、９５°Ｃで５分間後焼成
した。露光したレジストを０．１７ＮのＫＯＨで現像し
、脱イオン水で洗浄した。それに続いて、５５℃の１０
％へキサメチルシクロトリシラザン（ＨＭＣＴＳ）と９
０％キシレン中で１５分間シリル化を行ない、キシレン
で洗浄し、窒素気流で乾燥した。次いで、アプライド・
マテリアルズ社（Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ
　Ｃｏ）製の８１００型エツチング装置で、電力８００
ワツト、圧力８ミリトル、酸素流量３１ｓｅｃｍｓアル
ゴン流ｆｆｉ１３ｓｅｃｍで、反応性イオン・エッチン
グを行なった。次に、下層材料をエツチングした。それ
に続いて、７０′ＣのＮ−メチルピロリドン中でストリ
ップ操作を行ない、さらに濃硫酸／硝酸混合物で最終清
浄化を行ない、続いて洗浄した。その結果、エツチング
した領域に残渣ポリマー　とくに「ガラス」様残渣のな
い基板が得られた。

■工 この場合、ＲＣ２５６８下層と、ポリオレフィン・スル
ホン・ノヴオラックをベースとする樹脂を利用した。レ
ジストを電子線（５μＣ／Ｃｍ２）で露光してパターン
付けし、水性塩基で洗浄した。

５５°ＣのＨＭＣＴＳの５％キシレン溶液中で５分間シ
リル化を行ない、次いで０□反応性イオン・エッチング
によって下層にパターンを転写し、緩衝ＨＦで１５秒間
処理し、続いて脱イオン水で洗浄した。

この方法は、酸化シリコン、ポリシリコンなどの他の基
板や、さらにはタングステンなどの金属にも使用されて
きた。

含ふっ素ポリイミドが、シリル化を用いる工程で下層ポ
リマーとして非常に有効な理由は、完全には理解できな
い。しかし、それはいくつかの相関連する現象や機構の
結果であると考えられる。

第一に、レジストのシリル化には、シリル化反応剤と、
ノヴオラックなどのレジスト・ポリマー母材上の遊離の
水酸基（−ＯＨ）などの活性部位が反応して、０２反応
性イオン・エッチングに耐性なパターン付けした樹脂層
を含むシリコンをもたらすことが必要であることに留意
されたい。同様に、下層のポリマー層に活性部位が存在
する場合、有機シリコン反応剤は、これらの部位で反応
して、下層のポリマー中にシリコンを導入し、これが０
□反応性イオン・エッチングでＲＩＥ残渣をもたらすも
のと思われる。含ふっ素ポリイミドは通常のポリイミド
よりも接近可能な部位が少ないと思われる。しかし、シ
リル化中またはその後のエツチング中に若干のシリコン
部分がポリイミド層に導入される場合でも、ふっ素が存
在すると、ポリイミドに含有されるシリコンをエツチン
グによって除去する（ガスを形成する）反応剤が生じる
。

しかし、ポリイミド・フィルム構造の一部であるふっ素
は局在しており、一般にシリル化レジスト材料がエッチ
・マスクとして機能するのに悪影響を与えるのに十分な
ふっ素を雰囲気中に生成しない。また、エツチング特性
に影響を与えず、たとえば等方、性エツチング成分を増
加させることはない。とはいえ、どのような機構を伴っ
ていようと、含ふっ素ポリイミドは、本発明で述べたよ
うな独自の性能上の利点をもたらすことが判明している
。

また、上記の例は本発明の様々な実施例を例示したもの
にすぎず、本発明は上記の特定のステップ及び材料だけ
に限定されるものではないことを了解されたい。たとえ
ば、他のシリル化技術やシリル化剤も使用できる。たと
えば、ケミカル・アブストラクト（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　
Ａｂｓｔｒａｃｔｓ）　、Ｖ　ｏ　１　。

１０４．４３１９７のＲ，Ｍｏｒｇａｎｌ及び米国特許
第４５５２８３３号明細書に記載されているような、他
の溶液シリル化剤が使用できる。また、１９８５年９月
４日付けの英国特許第２１５４３３０号に記載されてい
るような、蒸気シリル化を実施することもできる。

どの技術を使用するかは、レジストの種類に応じて変わ
る。ＡＺやポリオレフィン・スルホン・ノヴオラック型
などのポジティブ・レジストを利用する場合、露光した
領域は、拡散速度が相対的に速いため、シリル化を受け
る。たとえば、Ｊ６Ｖｉｅの論文「プラズマ現像可能樹
脂の形成の原理及びサブミクロ７級リングラフィの乾式
現像にとっての重要性（Ａ　Ｐｒ１ｎｃｉｐｌｅ　ｏｆ
　Ｆｏｒｍａｔｉｏｎ　ｏｆＰｌａｓｍａ　Ｄｅｖｅｌ
ｏｐａｂｌｅ　Ｒｅ５ｉｎｓ　ａｎｄ　Ｉｍｐｏｒｔａ
ｎｃｅ　ｔ。

Ｄｒｙ　Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ　ｏｆ　Ｓｕｂｍｉｃ
ｒｏｎ　Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）　Ｊ、サイエンス・
テクニカルｍ　（ＳｃｉｅｎｃｅＴｅｃｈｎ　ｉｃａ　
ｌ　）、１９　（２）　、１９８１年８月、ｐ。

２５９１を参照のこと。ある種のネガティブ・レジスト
の場合、露光した領域が優先的にシリル化される。次い
で、上記のように０２反応性イオン・エッチングを行な
う。

Ｅ８発明の効果 本発明に従い、作像レジスト・シリル化法を利用してポ
リマーの０□反応性イオン・エッチングを行なってエツ
チング・マスクを生成することにより、下層のポリマー
・フィルムを通して基板上に残渣のない均一な亀裂のな
いパターンを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第５図は、本発明の方法の様々なステップ
の概略断面図である。 １０・・・・シリコン・ウェハ、１２・・・・平坦化ポ
リマー・コーティング層、１４・・・・窒化シリコン・
エッチ・ストップ層、１６・・・・フッ化ポリイミドＦ
ｌ、１８＝−・・フォトレジスト。 第１図 第４図 第５図 第３図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 基板を準備するステップと、 含ふっ素構造セグメントを含むポリマー材料層を基板に
   付着し、上記材料を硬化するステップと、上記材料層の
   上にレジスト層を塗布するステップと、 上記レジスト層のフォトレジスト材料をイメージ通り露
   光し現像して、上記の下にあるポリマー材料をイメージ
   通り露出させるステップと、上記ポリマー材料上に残っ
   たフォトレジスト材料をシリル化するステップと、 露出した下のポリマー領域を反応性イオン・エッチング
   して、シリル化したレジストをエッチング・バリアとし
   て用いてパターンを下の基板まで転写するステップと、 を含む、フォトリソグラフィ技術によって基板上にパタ
   ーンを形成するパターン形成方法。