KR100258494B1 - 레지스트 표면 반사 방지막 형성 조성물 및 패턴 형성방법 - Google Patents

레지스트 표면 반사 방지막 형성 조성물 및 패턴 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 수용성 불소 화합물의 수용액으로 이루어지는 레지스트 표면 반사 방지막 형성 조성물 및 기판상에 포토레지스트 조성물을 도포하는 공정, 상기 반사 방지막 형성 조성물을 도포하는 공정, 도포막에 소정 패턴을 노광하는 공정, 및 포토레지스트를 현상하는 공정으로 이루어지는 패턴 형성방법이다. 반사 방지막 형성성 조성물을 포토레지스트 위에 수용액으로서 도포할 수 있기 때문에 용이하게 반사 방지막을 형성할 수 있고, 게다가 수세 또는 알칼리 현상에 의해 용이하게 제거할 수 있다. 따라서, 본 발명의 패턴 형성방법에 의해 간편하게, 게다가 치수 정밀도가 높은 패턴형성을 할 수가 있다.

Description

레지스트 표면 반사 방지막 형성성 조성물 및 패턴 형성방법
반도체 소자의 집적도의 향상과 함께 패턴의 미세화도 진행되고 있다. 거기서는 여전히 광을 광원으로 한 광 석판인쇄술이 사용되고 있다. 그리고, 현재에는 그의 고해상성과 우수한 알라인멘트 정밀도 때문에 축소투영노광법이 주류이다. 당 석판 인쇄술로 1층 레지스트법에 의해 미세패턴을 형성할때의 과제는, 기판단차에 의한 레지스트 막두께의 국소적 변동에 따른 패턴 치수의 변화(벌크 효과) 및 기판 단차 측벽등으로 부터의 산란광에 의한 레지스트의 국소적 과잉노광에 의한 패턴치수의 세밀(노칭 효과)에 있다. 또, 축소투영노광은 굴절 광학계를 사용하므로, 단색광을 광원으로서 사용하지만, 이 단색광을 사용함으로써 생기는 문제점이 있다.
즉, 레지스트에의 입사광, 레지스트 표면으로 부터의 반사광, 레지스트/기판계면으로 부터의 반사광의 상호간에서, 간섭이 생기고, 레지스트 막 두께의 약간의 변동에 수반하여 레지스트 속에 흡수되는 실효적 광량의 변동이 λ/2n(λ : 노광파장, n : 레지스트의 굴절율)의 주기에서 생기고, 레지스트 패턴치수에 변동이 생기거나 (막내 다중 반사효과), 레지스트의 두께 방향으로 주기적인 광강도의 분포가 생기고, 현상후의 레지스트 패턴 단면에 그것에 대응한 파도치는 형상이 생긴다(정재파 효과). 이것들은 모두 레지스트 패턴 치수의 변동이나 해상불량의 원인으로 된다.
이것들의 종래의 1층 레지스트법의 문제점을 해결하는 방법으로서 다층 레지스트법이나 ARC법, ARCOR 법등이 제안되고 있다. 그러나, 다층 레지스트법은 레지스트층을 3층 형성하고, 그후 패턴 전사를 하여서 마스크로 되는 레지스트 패턴을 형성하기 때문에 공정수가 많고 재료처리량이 적은 문제가 있다. ARC법은 레지스트 하부에 형성한 반사 방지막을 현상에 의해 웨트에칭하기 때문에 사이드에치량이 많고, 이로 인한 치수 정밀도의 저하가 크다고 하는 문제가 있다. ARCOR 법이란 레지스트 막의 위에 1층 및 다층의 유용성 퍼플루오로알킬 화합물의 간섭형 반사 방지막을 도포하여 레지스트 막 중에서의 다중반사를 억제하는 방법이지만 여기서 사용하는 반사방지막은 수용액으로서 도포할 수 없고, 따라서 용제용액으로서 도포하지만, 당연히 수세로는 반사 방지막을 제거할 수 없기 때문에 번잡하고, 또 상당히 공정수, 사용재료가 증가한다는 문제가 있다. 그리고, 다층 레지스트법에 관해서는 일본국 특개소 51-10775호 등에 기재되어 있다. 또, ARC 법은 특개소 59-93448호에, ARCOR 법은 특개소 62-62520호에 기재되어 있다.
본 발명은 상기한 배경을 감안하여 이루어진 거승로서, 그 목적은 패턴을 형성할 때에 포토레지스트 막위에 도포하여 표면 반사 방지막을 형성하기 위한 조성물을 제공하는데 있다. 또, 다른 목적은 패턴형성에 있어서 레지스트 패턴치수의 변동이나 해상도를 개량하는 방법으로서, 반사 방지막 형성용 조성물을 수용액으로서 도포할 수가 있고, 또한 얻어진 반사 방지막을 포토 레지스트 패턴 형성후, 일반적 후공정인 수세, 알칼리 현상 등의 간편한 방법으로 제거할 수 있는 방법을 제공하는데 있다.
본 발명은 일반적으로 복사선에 감응하는 포토레지스트를 사용한 패턴 형성을 할때의 레지스트 표면 반사 방지막을 형성하기 위한 조성물 및 이것을 사용하는 패턴의 형성방법에 관한 것이다.
제1도는 실시예 1 및 비교예 1에 있어서의 포토레지스트막 두께와 패턴치수와의 관계를 나타낸다.
[발명을 실시하기 위한 최량의 형태]
이하, 실시예를 들어서, 본 발명의 구체적 태양을 더욱 상세히 설명하겠으나, 본 발명은 그의 요지를 벗어나지 않는한 이하의 실시예에 의해 하등 한정되는 것은 아니다.
[발명의 개시]
이와 같은 과제를 해경하기 위하여 본 발명자들은 여러가지로 검토를 거듭한 결과, 수용성 불소 화합물을 포토레지스트 위에 도포한 경우에는 형성된 수용성 불소 화합물 막이 수세, 현상에 의해 용이하게 제거할 수 있고, 반사 방지막으로서의 기능이 뛰어나고 있는 것을 발견하여 본 발명을 완성하였다.
즉, 본 발명의 요지는 수용성 불소화합물의 수용액으로 이루어진 레지스트 표면 반사 방지막 형성성 조성물에 있다. 또, 다른 요지는 기판상에 포토레지스트 조성물을 도포하는 공정, 얻어진 포토레지스트 위에 레지스트 표면 반사 방지막 형성성 조성물을 도포하는 공정, 이 포토레지스트 및 얻어진 레지스트 표면 반사 방지막에 소정패턴을 노광하는 공정 및 이 포토레지스트를 알칼리 수용액을 사용하여 현상하는 공정을 포함하는 패턴 형성 방법에 있어서, 이 레지스트 표면 반사 방지막 형성 조성물로서, 수용성 불소 화합물의 수용액으로 이루어지는 조성물을 사용하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법에 있다.
이하, 본 발명을 더욱 상세히 설명한다.
본 발명의 레지스트 표면 반사 방지막 형성성 조성물에 있어서, 수용성 불소 화합물로서는, 수용성을 가진 불소 화합물이면 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 다음의 것을 들 수 있다.
퍼플루오로노난카르복실산암모늄(C9F19COONH4)등의 퍼플루오로알킬카르복실산 및 그의 염, 퍼플루오로옥탄술폰산암모늄(C8F17SO3NH4)등의 퍼플루오로 알킬술폰산 및 그의 염, 하기 식(I)으로 표시되는 p-퍼플루오로노닐벤젠술폰산 등의 퍼플루오로알킬벤젠술폰산 및 그의 염, 하기 식(II)으로 표시되는 p-퍼플루오로노닐옥시벤젠술폰산 등의 퍼플루오로알킬옥시벤젠술폰산 및 그의 염, 하기 식(III)으로 표시되는 퍼플루오로노닐트리메틸암모늄클로라이드 등의 퍼플루오로알킬아민 및 그의 염, 하기 식(IV)으로 표시되는 N-프로핀-N-(2-히드록시 에틸) 퍼플루오로옥탄술폰 아미드 등의 퍼플루오로알킬술폰아미드, α-퍼플루오로노네닐-ω-메톡시폴리옥시에틸렌(C9F17O-(CH2CH2O)20CH3등)등의 퍼플루오로알킬알콜·에킬렌옥시드 부가물 및 그의 유도체 등을 들 수 있다.
그리고, 상기 카르복실산, 술폰산의 염의 종류로서는, 나트륨염, 암모늄염 등의 무기염 및 알킬아민염 등의 유기염을 들 수 있다. 아민의 염으로서는 염산염, 황산염 등의 무기산염, 카르복실산염 등의 유기산염 및 사차염 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서의 수용성 불소 화합물의 물에 대한 용해도는 통상 1중량%이상이다. 수용성 불소 화합물 중에서도, 퍼플루오로알킬카르복실산 및 그의 염, 또는 퍼플루오로알킬알콜·에킬렌옥시드 부가물 및 그의 유도체가 용해성인 점에서 바람직하다.
본 발명의 조성물은 포토레지스트막 위에 도포함으로써, 표면반사 방지막을 형성하기 위하여 사용되는 것이지만, 도포성 및 도포막의 반사 방지 효과의 점에서, 수용성 불소 화합물로서 수용성의 퍼플루오로 알킬알콜·에틸렌옥시드 부가물 및/또는 그의 유도체(A)와, 다른 수용성 불소 화합물(B)을 병용하는 것이 바람직하다.
이 경우의 배합비율은 통상 (A)/(B)=9/1~1/9(중량비)이지만, 바람직하기는 (A)/(B)=8/2~2/8이다. 상기 비율에 있어서, B가 지나치게 적으면 패턴치수 정밀도가 저하하고, 또 지나치게 많아도 패턴치수 정밀도가 저하한다. 다른 수용성 불소 화합물(B)로서는, 퍼플루오로알킬카르복실산 및 그의 염, 퍼플루오로알킬술폰산 및 그의 염, 퍼플루오로알킬벤젠술폰산 및 그의 염, 퍼플루오로알킬아민 및 그의 염, 퍼플루오로알킬술폰아미드 등이 추장되나, 특히 퍼플루오로알킬카르복실산염이 바람직하고, 퍼플루오로알킬카르복실산염과 퍼플루오로알킬알콜·에틸렌옥시드 부가물 및/또는 그의 유도체와의 혼합물이 반사방지효과 및 도막형성의 면에서 가장 바람직하다.
또, 본 발명의 조성물은 수용성 불소 화합물에 가하여 수용성의 고분자 화합물을 함유하여도 좋다. 수용성 고분자 화합물로서는, 주지의 수용성 고분자 화합물은 어느 것이라도 사용할 수 있고, 예컨대 전분 및 그의 유도체, 젤라틴, 카제인, 아르기닌산, 셀룰로오스 유도체, 폴리비닐알콜, 폴리비닐피롤리돈, 폴리아크릴산, 폴리아크릴아미드, 폴리메타크릴산, 폴리메틸비닐에테르, 폴리비닐에틸에테르, 폴리에틸렌글리콜 등을 들 수가 있다. 이 중에서도, 폴리비닐피롤리돈이 바람직하다.
이 경우의 수용성 불소화합물(C)과 수용성 고분자 화합물(D)과의 비율은 통상 C/D=9.5/0.5~0.5/9.5(중량비)이지만 바람직하게는 C/D=9/1~4/6이다.
수용성 고분자 화합물을 수용성 불소화합물의 수용액에 함유시킬 때는, 도막의 안정성이 향상된다는 효과를 나타낸다.
본 발명의 조성물은 상기와 같은 수용성 불소 화합물의 수용액이다. 수용성 불소 화합물의 물에 대한 첨가량은 수용액을 형성하고 있는 한 특별히 한정되지 않으나, 반사 방지막 형성시의 사용농도로서, 물에 대하여 통상 1~30중량%, 바람직하게는 3~25중량%이다. 그리고, 본 발명의 조성물은 미리부터 고농도의 조성물을 제조하여 두고, 이것을 물로 희석하여 상기 농도로 하고 나서 사용하여도 무방하다.
한편, 본 발명의 패턴 형성방법은, 기판상에 포토레지스트 조성물을 도포하는 공정, 얻어진 포토레지스트 막에 소정 패턴을 노광하는 공정 및 이 포토레지스트를 알칼리 수용액을 사용하여 현상하는 공정으로 이루어진 공지의 패턴 형성방법에 있어서, 노광전의 포토레지스트 막위에 수용성 불소 화합물의 수용액으로 이루어지는 본 발명의 조성물을 도포하는 것에 특징이 있다.
본 발명의 패턴 형성방법에 있어서 대상으로 되는 포토레지스트 조성물로서는 포지티브형, 네가티브형의 어느 것이라도 좋고, 종래 공지의 여러가지의 포토레지스트 조성물을 사용할 수 있다. 포지티브형 포토레지스트 조성물로서는 통상, 알칼리 가용성 수지, 나프토퀴논 디아지드계 감광제 및 용매로 이루어지는 나프토퀴는 디아지드계 포지티브형 포톨 조성물 등을 들 수 있다(예를 들면, 특개소 61-118744호 공보 참조).
화학 증폭형 포지티브형 포토레지스트로서는 예컨대 폴리히드록시스티렌의 수산기를 t-부톡시 카르보닐기로 보호한 중합체와 광산 발생제를 조합한 것(H, Ito, C. G. Willson : Polym. Eng. Sci. 23, 1012(1983)참조)등을 들 수 있다.
네가티브형 포토레지스트 조성물 중, 화학증폭형 네가티브형 포토레지스트로서는, 알칼리 가용성 수지, 가교제로서의 헥사메톡시멜라민 및 광산 발생제로 이루어지는 포토레지스트 조성물 등을 들 수 있다. (예를 들면, W. E. Feely, J. C. Imhof, C. M. Stein, T. A. Fisher, M. W. Legenza : Ploym. Eng. Sci., 26, 1101(1986) 참조).
본 발명의 패턴 형성방법에 사용되는 기판으로서는 특별히 한정되지 않으나, 실리콘기판, 갈륨비소기판 등의 IC 제조용 기판이 일반적이다.
기판상에 포토레지스트 조성물을 도포하는 방법으로서는 스핀코터 등을 사용하여, 상법에 따라 수행된다.
얻어진 포토레지스트의 막 두께는 통상 0.3~0.5㎛정도이다.
포토레지스트의 기판상에의 도포후의 가열 건조처리는 핫플레이트 등을 사용하여 수행하고, 통상 70~100℃에서 30~120초 정도이다.
본 발명의 패턴 형성방법에는 상술과 같은 수용성 불소화합물의 수용액으로 이루어지는 조성물을 포토레지스트 위에 도포함으로써, 표면 반사 방지막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 것이다.
반사 방지막의 막 두께는 노광파장 등에 의해서 적당히 최적화하면 좋다.
본 발명에서는, 반사 방지막을 형성하기 위한 조성물로서 수용성 불소 화합물의 수용액으로 이루어지는 조성물을 사용하기 때문에, 형성된 반사 방지막은 노광후, 알칼리 수용액에서의 현상시에, 혹은 단순히 수세함으로써 용이하게 제거할 수 있다. 게다가 포토레지스트상에 이러한 반사 방지막이 형성되어 있음으로써 레지스트 패턴 치수의 변동이나 해상도가 개선된다.
그리고, 포토레지스트막 위에 형성된 수용성 불소화합물로 이루어진 도포막은 노광후의 현상시에 알칼리 수용액의 현상액에 의해 제거할 수가 있으나, 현상전에 미리 수세정하여 제거하는 것이 바람직하다.
기판상에 형성된 포토레지스트 막에 이미지전사를 하는데 사용하는 노광파장으로서는, 통상 g선(436nm), i선 (365nm), Xe-Cl 엑시머 레이저광(308nm), Kr-F 엑시머 레이저광(248nm), Ar-F 엑시머 레이저광(193nm)이지만, 또한 다파장의 경우에도 유효하다.
포토레지스트막 및 반사 방지막을 노광후, 필요에 따라 노광후 가열(PEB)을 하여도 좋다. PEB의 조건으로서는 핫플레이트 등을 사용하여 90~120℃에서 60~120초 정도의 조건에 적합하게 사용된다. 핫플레이트 대신에 컨벡션오븐을 사용하여도 좋으나, 이 경우는 통상 핫 플레이트를 사용한 경우보다도 긴 시간을 필요로 한다.
노광후에 포토레지스트를 현상하기 위한 알칼리 수용액으로서는, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 암모니아수, 규산나트륨, 메타규산나트륨 등의 무기알칼리류, 에틸아민, n-프로필아민 등의 제1차 아민류, 디에틸 아민, 디-n-프로필아민 등의 제2차 아민류, 트리에틸아민, ㅁ베틸디에틸아민 등의 제3차 아민류, 테트라메틸암모늄히드록시드, 트리메틸히드록시에틸암모늄히드록시드 등의 제4차 암모늄염 등의 수용액 또는 이것에 알콜 등을 첨가한 것을 사용할 수가 있다.
또, 필요에 따라 계면활성제 등을 첨가하여 사용할 수도 있다. 현상시간은 0~180초 정도, 현상온도는 15~30℃ 정도가 바람직하다. 그리고, 포토레지스트 현상액은 사용시 여과하여 불용물을 제거하여 사용된다.
[실시예 1]
포지티브형 포토레지스트 MCPR-2000H(미쓰비시가세이 가부시끼가이샤 제 : 상품명)을 스핀코터를 사용하여 복수의 베어실리콘웨이퍼 상에 도포하고 그 후 80℃에서 90초 예비 소부하여 각각 두께 1.0~1.3㎛의 포토레지스트 도포막을 형성하였다.
그런후, 각 레지스트 위에 퍼플루오로알킬카르복실산암모늄(유니다인 DS-101, 다이낑고오교 가부시끼가이샤 제 : 상품명)의 20중량% 수용액을 도포하고, 80℃에서 90초 예비소부하여 두께 700Å의 퍼플루오로알킬카르복실산암모늄염의 막으로 이루어진 반사 방지막을 형성하였다.
이어서, 노광장치(NSR 1755i7A : 니콘사제)를 사용하여, 동일 노광량으로 1.0㎛의 패턴을 전사하고, 순수로 웨이퍼를 헹구고, 반사 방지막을 용해 제거하고, 2.38 중량% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액으로 23℃, 50초 현상하고, 레지스트 패턴을 형성하였다. 각 웨이퍼에 관하여, 패턴치수를 측정하고, 포토레지스트 도포막과 패턴치수와의 관계를 제1도에 실선으로 표시하였다.
제1도에 있어서, 패턴 치수 변동곡선의 커브의 최하점을 잇는 직선과 커브의 최상점으로 부터 패턴치수 변동량 d(= 치수제어성)을 구하였다. 결과를 표 1에 표시하였다. 또, 반사 방지막의 도막성(도포성 및 도막의 성능유지 안정성을 합친 성능) 및 현상후의 박리성을 합하여 표 1에 표시하였다.
[실시예 2]
퍼플루오로알킬카르복실산암모늄 수용액 대신에 퍼플루오로알킬알콜·에틸렌옥시드 부가물의 유도체(A1)(프타-젠트 250, (주) 네어스 제 : 상품명)과 실시예 1의 퍼플루오로알킬카르복실산암모늄 염(B1)과의 혼합 수용액(중량비 : (B1)/(A1)=7/3, 농도 10중량 %)를 도포한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 실시하여 평가하였다.
결과를 표 1에 표시하였다.
[실시예 3]
수용성 불소 화합물로서 퍼플루오로알킬카르목실산 암모늄 염(B1)과 퍼플루오로알킬알콜·에틸렌옥시드부가물(A2), 및 수용성 고분자 화합물로서 폴리비닐피롤리돈(C1)을 중량비 B1/A2/C1=7.5/0.5/2.0로 혼합하여 도포한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 실시화고 평가하였다.
그 결과, 표 1에 표시한 바와 같이 양호한 결과를 나타내고, 도막 안정성은 실시예 2의 경우 보다 더욱 향상되었다.
[실싱{ 4]
수용성 불소 화합물로서 퍼플루오로알킬술폰산(D1)과 수용성 고분자 화합물로서 폴리비닐 피롤리돈(C1)을 중량비로 D1/C1=6/4로 혼합하여 도포한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 실시하고 평가하였다.
그 결과, 표 1에 표시한 바와 같이 양호한 결과를 나타내고, 도막 안정성은 실시예 2의 경우보다 더욱 향상되었다.
[비교예 1]
실시예 1에 있어서, 반사 방지막을 형성하지 않은것 이외는 동일하게 실시하고 평가하였다. 그리고, 포트레지스트 도포막과 패턴치수와의 관계를 제1도에 1점 쇄선(패턴치수 제어성 d')으로 표시하였다. 평가결과를 표 1에 표시하였다.
[비교예 2]
퍼플루오로알킬카르복실산암모늄 수용액 대신에 퍼플루오로알킬폴리에테르(듀퐁사 KRYTOX : 등록상표)의 프레온 용액(농도 10중량%)을 사용한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 패턴형성을 하였으나, 순수에 의한 헹굼 및 현상액에 의한 퍼플루오로알킬폴리에테르 도포막이 제거되지 않고, 현상후의 패턴형성이 되지 않았다.
[비교예 3]
퍼플루오로알킬카르목실산암모늄 수용액 대신에 수용성 다당류의 아르기닌산나트륨의 수용액을 도포하고, 이하 실시예 1과 동일하게 평가하였다.
[표 1]
본 발명의 조성물은 포토레지스트 위에 수용액으로서 도포할 수 있기 때문에 용이하게 반자 방지막을 형성할 수 있고 게다가 수세 또는 알칼리 수용액에 의한 현상에 의해 용이하게 제거할 수 있다. 게다가 본 발명의 패턴 형성방법에 의하면 간단한 방법으로 반사 방지막을 형성 및 제거할 수 있고, 치수정밀도가 높은 패턴을 형성할 수가 있고, LSI 등을 공업적으로 제조하는데 있어 이점이 크다.

Claims (29)

  1. 수용성 불소 화합물의 수용액으로 이루어지는 레지스트 표면 반사 방사막 형성성 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 수용성 불소 화합물이 ① 퍼플루오로알킬카르복실산 및 그의 염 ② 퍼플루오로알킬술폰산 및 그의 염 ③ 퍼플루오로알킬옥시벤젠술폰산 및 그의 염 ④ 퍼플루오로알킬벤젠술폰산 및 그의 염 ⑤ 퍼플루오로알킬아민 및 그의 염 ⑥ 퍼플루오로알킬술폰아미드, 및 ⑦ 퍼플루오로알킬알콜·에틸렌옥시드 부가물 및 그의 유도체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 수용성 화합물인 것을 특징으로 하는 조성물.
  3. 제2항에 있어서, 수용성 불소 화합물이 수용성 퍼플루오로알킬카르복실산 또는 그의 염인 것을 특징으로 하는 조성물.
  4. 제2항에 있어서, 수용성 불소 화합물이 수용성 퍼플루오로알킬알콜·에틸렌옥시드 부가물 또는 그의 유도체인 것을 특징으로 하는 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 수용성 불소 화합물로서 퍼플루오로알킬알콜·에틸렌옥시드 부가물 또는 그의 유도체와 다른 수용성 불소 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  6. 제5항에 있어서, 퍼플루오로알킬알콜·에틸렌옥시드 부가물 또는 그의 유도체(A)와 다른 수용성 불소 화합물(B)과의 비율이 A/B=9/1~1/9(중량비)인 것을 특징으로 하는 조성물.
  7. 제5항에 있어서, 퍼플루오로알킬알콜·에틸렌옥시드 부가물 또는 그의 유도체(A)와, 다른 수용성 불소 화합물(B)과의 비율이 A/B=8/2~2/8(중량비)인 것을 특징으로 하는 조성물.
  8. 제5항에 있어서, 다른 수용성 불소 화합물이 ① 퍼플루오로알킬카르복실산 및 그의 염 ② 퍼플루오로알킬술폰산 및 그의 염 ③ 퍼플루오로알킬옥시벤젠술폰산 및 그의 염 ④ 퍼플루오로알킬벤젠술폰산 및 그의 염 ⑤ 퍼플루오로알킬아민 및 그의 염 ⑥ 퍼플루오로알킬술폰아미드, 및로 이루어지는 군으로 부터 선택되는 1종 이상의 수용성 화합물인 것을 특징으로 하는 조성물.
  9. 제8항에 있어서, 다른 수용성 불소 화합물이 퍼플루오로알킬카르복실산염인 것을 특징으로 하는 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 수용성 불소 화합물의 수용액이 수용성 고분자 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  11. 제10항에 있어서, 수용성 고분자 화합물이 전분 및 그의 유도체, 젤라틴, 카제인, 아르기닌산, 셀룰로오스 유도체, 폴리비닐알콜, 폴리비닐피롤리돈, 폴리아크릴산, 폴리아크릴아미드, 폴리메타크릴산, 폴리메틸비닐에테르, 폴리비닐에틸에테르 및 폴리 에텔렌글리콜로 이루어지는 군으로 부터 선택되는 1종 이상의 수용성 고분자 화합물인 것을 특징으로 하는 조성물.
  12. 제10항에 있어서, 수용성 불소 화합물이 폴리비닐피롤리돈인 것을 특징으로 하는 조성물.
  13. 제10항에 있어서, 수용성 불소 화합물(C)과 수용성 고분자 화합물(D)과의 비율이 C/D=9.5/0.5~0.5/9.5(중량비)인 것을 특징으로 하는 조성물.
  14. 제10항에 있어서, 수용성 불소 화합물(C)과 수용성 고분자 화합물(D)과의 비율이 C/D=9/1~4/6(중량비)인 것을 특징으로 하는 조성물.
  15. 기판상에 포토레지스트 조성물을 도포하는 공정, 얻어진 포토레지스트 위에 레지스트 표면 반사 방지막 형성성 조성물을 도포하는 공정, 이 포토레지스트 및 얻어진 레지스트 표면 반사 방지막에 소정 패턴을 노광하는 공정, 및 이 포토레지스트를 알칼리 수용액을 사용하여 현상하는 공정을 포함하는 패턴 형성방법에 있어서, 이 레지스트 표면 반사 방지막 형성성 조성물로서 수용성 불소화합물의 수용액으로 이루어지는 조성물을 사용하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법.
  16. 제15항에 있어서, 패턴 노광후, 현상에 앞서서 기판을 미리 수세정하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법.
  17. 제15항에 있어서, 다른 수용성 불소 화합물이 ① 퍼플루오로알킬카르복실산 및 그의 염 ② 퍼플루오로알킬술폰산 및 그의 염 ③ 퍼플루오로알킬옥시벤젠술폰산 및 그의 염 ④ 퍼플루오로알킬벤젠술폰산 및 그의 염 ⑤ 퍼플루오로알킬아민 및 그의 염 ⑥ 퍼플루오로알킬술폰아미드, 및 ⑦ 퍼플루오로알킬알콜·에틸렌옥시드 부가물 및 그의 유도체로 이루어지는 군으로 부터 선택되는 1종 이상의 수용성 화합물인 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법.
  18. 제17항에 있어서, 수용성 불소 화합물이 수용성 퍼플루오로알킬카르복실산 또는 그의 염인 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법.
  19. 제17항에 있어서, 수용성 불소 화합물이 수용성 퍼플루오로알킬알콜·에틸렌옥시드 부가물 또는 그의 유도체인 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법.
  20. 제15항에 있어서, 수용성 불소 화합물로서 퍼플루오로알킬알콜·에틸렌옥시드 부가물 또는 그의 유도체와 다른 수용성 불소 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법.
  21. 제20항에 있어서, 퍼플루오로알킬알콜·에틸렌옥시드 부가물 또는 그의 유도체(A)와 다른 수용성 불소 화합물(B)과의 비율이 A/B=9/1~1/9(중량비)인 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법.
  22. 제20항에 있어서, 퍼플루오로알킬알콜·에틸렌옥시드 부가물 또는 그의 유도체(A)와 다른 수용성 불소 화합물(B)과의 비율이 A/B=8/2~2/8(중량비)인 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법.
  23. 제20항에 있어서, 다른 수용성 불소 화합물이 ① 퍼플루오로알킬카르복실산 및 그의 염 ② 퍼플루오로알킬술폰산 및 그의 염 ③ 퍼플루오로알킬옥시벤젠술폰산 및 그의 염 ④ 퍼플루오로알킬벤젠술폰산 및 그의 염 ⑤ 퍼플루오로알킬아민 및 그의 염 ⑥ 퍼플루오로알킬술폰아미드로 이루어진 군으로 부터 선택되는 1종 이상의 수용성 화합물인 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법.
  24. 제23항에 있어서, 다른 수용성 불소 화합물이 퍼플루오로알킬카르복실산염인 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법.
  25. 제15항에 있어서, 수용성 불소 화합물의 수용액이 수용성 고분자 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법.
  26. 제25항에 있어서, 수용성 고분자 화합물이 전분 및 그의 유도체, 젤라틴, 카제인, 아르기닌산, 셀룰로오스 유도체, 폴리비닐알콜, 폴리비닐피롤리돈, 폴리아크릴산, 폴리아크릴아미드, 폴리메타크릴산, 폴리메틸비닐에테르, 폴리비닐에틸에테르 및 폴리 에텔렌글리콜로 이루어지는 군으로 부터 선택되는 1종 이상의 수용성 고분자 화합물인 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법.
  27. 제25항에 있어서, 수용성 불소 화합물이 폴리비닐피롤리돈인 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법.
  28. 제25항에 있어서, 수용성 불소 화합물(C)과 수용성 고분자 화합물(D)과의 비율이 C/D=9.5/0.5~0.5/9.5(중량비)인 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법.
  29. 제25항에 있어서, 수용성 불소 화합물(C)과 수용성 고분자 화합물(D)과의 비율이 C/D=9/1~4/6(중량비)인 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법.
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