WO2022019547A1 - 표시 장치 - Google Patents

표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
WO2022019547A1
WO2022019547A1 PCT/KR2021/008822 KR2021008822W WO2022019547A1 WO 2022019547 A1 WO2022019547 A1 WO 2022019547A1 KR 2021008822 W KR2021008822 W KR 2021008822W WO 2022019547 A1 WO2022019547 A1 WO 2022019547A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
sub
disposed
electrode
pixel
light emitting
Prior art date
Application number
PCT/KR2021/008822
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
박노경
김경배
박도영
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to CN202180059975.XA priority Critical patent/CN116134622A/zh
Publication of WO2022019547A1 publication Critical patent/WO2022019547A1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials

Definitions

  • the present invention relates to a display device.
  • OLED organic light emitting display
  • LCD liquid crystal display
  • a device for displaying an image of a display device includes a display panel such as an organic light emitting display panel or a liquid crystal display panel.
  • the light emitting display panel may include a light emitting device.
  • a light emitting diode LED
  • OLED organic light emitting diode
  • the present invention provides a display device having a novel pixel arrangement and an electrode structure.
  • the present invention provides a display device capable of securing a sufficient aperture ratio by securing a free space between adjacent sub-pixels according to pixel arrangement.
  • a display device includes a plurality of sub-pixels, a plurality of pixels disposed in a first direction and a second direction intersecting the first direction, and spaced apart from each other in the first direction a plurality of electrodes extending in the second direction and disposed in each of the plurality of sub-pixels, a plurality of light-emitting elements disposed in the plurality of sub-pixels and disposed on the electrodes, and the plurality of light-emitting devices a device and a plurality of contact electrodes electrically connected to the plurality of electrodes, wherein each of the plurality of sub-pixels includes a light emitting area including the plurality of light emitting devices and a sub spaced apart from the light emitting area in the second direction a first sub-pixel including an area, wherein each of the plurality of pixels includes a first light-emitting area and a sub-region disposed on one side of the first light-emitting area in the second direction; a second sub-pixel disposed on
  • the plurality of electrodes includes a first electrode disposed over the light emitting area and the sub area of each of the sub pixels of the plurality of pixels, and spaced apart from the first electrode in the first direction to extend over the plurality of sub pixels a second electrode disposed between the first electrode and the second electrode, a third electrode disposed over the light emitting area and the sub area of the plurality of sub-pixels, and a third electrode disposed between the first electrode and the second electrode a third electrode and a fourth electrode spaced apart from each other in the first direction; and a plurality of second electrode contact portions disposed at a boundary with the plurality of pixels adjacent in a direction.
  • Each of the plurality of electrodes includes electrode extensions disposed in the light emitting area of the plurality of sub-pixels, and the plurality of light emitting devices includes a first end disposed on the first electrode extension of the first electrode and A first light emitting device having a second end disposed on a fourth electrode extension of the fourth electrode, and a first end disposed on a third electrode extension of the third electrode and a second of the second electrode It may include a second light emitting device having a second end disposed on the electrode extension.
  • the electrode contact part may be disposed to overlap the second horizontal wiring part and may be electrically connected to the second horizontal wiring part.
  • the first horizontal wiring portion crosses the first emission area of the first sub-pixel and is spaced apart from the plurality of light-emitting devices disposed in the first sub-pixel in the second direction
  • the second wiring horizontal portion The plurality of light emitting devices may cross the second light emitting area of the second sub pixel and be spaced apart from the plurality of light emitting devices disposed in the second sub pixel in one side in the second direction.
  • the second electrode contact part electrically connected to the second wiring lateral part is disposed on one side of the sub-region of the first sub-pixel in the second direction, and In the second electrode disposed in the second sub-pixel, a portion of the second electrode contact portion contacting the second interconnection horizontal portion may be disposed in the second light emitting area.
  • the plurality of contact electrodes may include a first contact electrode electrically connected to the first electrode and the first end of the first light emitting element, and a first contact electrode electrically connected to the second electrode and the second end of the second light emitting element. and a second contact electrode, and a third contact electrode electrically connected to the third electrode, the fourth electrode, the second end of the first light emitting device, and the first end of the second light emitting device.
  • the first contact electrode is disposed on the first electrode extension to extend in the second direction
  • the second contact electrode is disposed on the second electrode extension to extend in the second direction
  • a three-contact electrode surrounds the first contact electrode, and includes a first extension portion disposed on the third electrode extension portion, a second extension portion disposed on the fourth electrode extension portion, and the first extension portion; It may include a plurality of connection parts electrically connecting the second extension part.
  • a third bank may further include a third bank including a portion disposed between the first banks, wherein the plurality of light emitting devices may be disposed between the first bank and the third bank.
  • the plurality of color control structures are disposed in the first light emitting area of the first sub-pixel, a first wavelength conversion layer overlapping the plurality of light emitting elements in the first light emitting area, and disposed in the second light emitting area of the second sub-pixel to overlap the plurality of light emitting elements in the second light emitting area It may include a light-transmitting layer.
  • At least a portion of the first wavelength conversion layer is disposed over the sub-region of the second sub-pixel disposed on one side of the first light-emitting region in the first direction, and the light-transmitting layer is disposed on the first sub-pixel of the first sub-pixel. It may not be disposed in the sub-region.
  • Each of the first wavelength conversion layer and the light-transmitting layer may be disposed such that at least a portion thereof overlaps the second bank in a thickness direction.
  • a third sub-pixel disposed on one side of the second sub-pixel in the first direction and including a third light-emitting area and a sub-area disposed on one side of the third light-emitting area in the second direction;
  • a second light emitting area is disposed between the sub areas of the first sub pixel and the third sub pixel in the second sub pixel, and the sub area includes the first light emitting area and the second light emitting area of the first sub pixel.
  • the second sub-pixel may be disposed between the third light emitting area.
  • the plurality of color control structures may further include a second wavelength conversion layer disposed in the third emission region of the third sub-pixel and overlapping the plurality of light emitting devices in the third emission region, and the second wavelength At least a portion of the conversion layer may overlap the sub-region of the second sub-pixel disposed on the other side of the third light-emitting region of the third sub-pixel in the first direction.
  • the first electrode of the second sub-pixel may be electrically connected to an electrode, and the first electrode contact portion may directly contact the second capacitor electrode in the sub-region of the second sub-pixel.
  • a display device includes a plurality of pixels including a plurality of light emitting areas and sub areas, each of the plurality of pixels being spaced apart from each other in a first direction and at least a portion of the plurality of pixels is spaced apart from each other in a first direction.
  • a plurality of electrodes extending in the second direction from the light emitting area, a plurality of light emitting elements respectively disposed in the plurality of light emitting areas and having both ends disposed on the plurality of electrodes, and the plurality of light emitting elements and a plurality of contact electrodes electrically connected to the plurality of electrodes, wherein the plurality of light emitting areas of the plurality of pixels include a first light emitting area, the first light emitting area and the first direction and the second direction a second light emitting region spaced apart from each other in a diagonal direction of and at least one of the plurality of sub-regions spaced apart from the region in the second direction.
  • the plurality of color control structures include the first light emitting area a first wavelength conversion layer disposed to overlap with the first wavelength conversion layer, a light transmitting layer disposed to overlap the second light emitting region, and a second wavelength conversion layer disposed to overlap with the third light emitting area, wherein the first wavelength conversion layer and At least a portion of the second wavelength conversion layer may be disposed to overlap the second light emitting area and the sub area spaced apart in the second direction.
  • the bank arranged to surround the plurality of light emitting regions and the sub-regions of the plurality of pixels, wherein the first wavelength conversion layer and the second wavelength conversion layer are arranged such that at least a portion overlaps the bank can
  • the first wavelength conversion layer has a maximum width measured in the first direction that is greater than a maximum width measured in the first direction of the first light emitting region, and the second wavelength conversion layer includes the third light emitting region.
  • the maximum width measured in the first direction may be greater than the maximum width measured in the first direction.
  • the plurality of electrodes may include a first electrode disposed over each of the emission areas and the sub-regions of the plurality of pixels, and a plurality of pixels spaced apart from the first electrode in the first direction and adjacent in the second direction. an overlapping second electrode, a third electrode disposed between the first electrode and the second electrode and overlapping the light emitting region and the sub-region of the plurality of pixels, and the third electrode with the first electrode interposed therebetween and a fourth electrode spaced apart from each other in the first direction, wherein the first electrode includes a first electrode contact part disposed in the sub-regions of the plurality of pixels, and the second electrode is adjacent in the second direction. It may include a plurality of second electrode contact portions disposed at a boundary with the pixel.
  • a display device may include pixels of different types in which the emission area and the sub area are arranged in one pixel. Accordingly, adjacent sub-pixels may secure a light emitting area having a sufficient area.
  • the display device may further include color control structures disposed to correspond to the sub-pixels in each pixel. Even if the color control structures are deformed due to deterioration, the color control structures overlapping the sub-region may be disposed to cover at least the light emitting device of the light emitting area, thereby minimizing light loss due to deformation.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of a display device according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic layout view illustrating wirings included in a display device according to an exemplary embodiment.
  • 3 is an equivalent circuit diagram of one sub-pixel according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic plan view illustrating wirings disposed in one pixel of a display device according to an exemplary embodiment.
  • 5 to 7 are layout diagrams illustrating an arrangement of a plurality of conductive layers included in one pixel of a display device according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 8 is a schematic plan view illustrating a plurality of electrodes and banks included in one pixel of a display device according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 9 is a plan view illustrating a plurality of electrodes and banks disposed in the first sub-pixel of FIG. 8 .
  • FIG. 10 is a cross-sectional view taken along lines Q1-Q1' and Q2-Q2' of FIG. 8 .
  • FIG. 11 is a cross-sectional view taken along line Q3-Q3' of FIG. 8 .
  • FIG. 12 is a cross-sectional view taken along lines Q4-Q4' and Q5-Q5' of FIG. 8 .
  • FIG. 13 is a cross-sectional view taken along lines Q6-Q6' and Q7-Q7' of FIG. 8 .
  • FIG. 14 is a schematic diagram of a light emitting device according to an embodiment.
  • 15 is a plan view illustrating a schematic arrangement of a plurality of electrodes and a third conductive layer included in one pixel of a display device according to an exemplary embodiment.
  • 16 is a cross-sectional view taken along lines C1-C1', C2-C2', and C3-C3' of FIG. 15 .
  • 17 is a plan view illustrating a schematic arrangement of color control structures disposed in one pixel of a display device according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view taken along line X1-X1' of FIG. 17;
  • FIG. 19 is a cross-sectional view taken along line X2-X2' of FIG. 17 .
  • 20 is a plan view illustrating an arrangement of a plurality of electrodes included in one pixel of a display device according to another exemplary embodiment.
  • 21 is a cross-sectional view illustrating a schematic arrangement of a circuit layer, a light emitting unit, and color control structures of a display device according to another exemplary embodiment.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view illustrating a schematic arrangement of a circuit layer, a light emitting unit, and color control structures of a display device according to another exemplary embodiment.
  • FIG. 23 is a cross-sectional view schematically illustrating arrangement of a circuit layer, a light emitting unit, and color control structures of a display device according to another exemplary embodiment.
  • Elements or layers are referred to as “on” of another element or layer, including cases in which another layer or other element is interposed immediately on or in the middle of another element.
  • those referred to as “Below”, “Left” and “Right” refer to cases where they are interposed immediately adjacent to other elements or interposed other layers or other materials in the middle.
  • Like reference numerals refer to like elements throughout.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of a display device according to an exemplary embodiment.
  • first direction DR1 and the second direction DR2 are directions perpendicular to each other in a plan view
  • the third direction DR3 is the first direction DR1 and the second direction DR2 in a cross-sectional view. and may be in a direction perpendicular to each other.
  • “upper”, “top”, and “top” refer to an upper direction with respect to the display device 10 , that is, one direction in the third direction DR3 , and “lower”, “bottom”, and “ The “lower surface” indicates the other direction of the third direction DR3.
  • “left”, “right”, “top”, and “bottom” indicate directions when the display device 10 is viewed from a plane. For example, “left” is one direction in the first direction DR1, “right” is the other direction in the first direction DR1, “up” is one direction in the second direction DR2, and “bottom” is It indicates the other direction of the second direction DR2.
  • the display device 10 displays a moving image or a still image.
  • the display device 10 may refer to any electronic device that provides a display screen.
  • a television that provides a display screen, a laptop computer, a monitor, a billboard, the Internet of Things, a mobile phone, a smart phone, a tablet PC (Personal Computer), an electronic watch, a smart watch, a watch phone, a head mounted display, a mobile communication terminal,
  • An electronic notebook, an electronic book, a portable multimedia player (PMP), a navigation system, a game console, a digital camera, a camcorder, etc. may be included in the display device 10 .
  • the display device 10 may include a display panel that provides a display screen.
  • the display panel include an inorganic light emitting diode display panel, an organic light emitting display panel, a quantum dot light emitting display panel, a plasma display panel, a field emission display panel, and the like.
  • an inorganic light emitting diode display panel is applied is exemplified, but the present invention is not limited thereto, and the same technical idea may be applied to other display panels if applicable.
  • the shape of the display device 10 may be variously modified.
  • the display device 10 may have a shape such as a long rectangle, a long rectangle, a square, a rectangle with rounded corners (vertices), other polygons, or a circle.
  • the shape of the display area DPA of the display device 10 may also be similar to the overall shape of the display device 10 . 1 , the display device 10 and the display area DPA may have a long rectangular shape.
  • the display device 10 may include a display area DPA and a non-display area NDA.
  • the display area DPA is an area in which a screen can be displayed
  • the non-display area NDA is an area in which a screen is not displayed.
  • the display area DPA may be referred to as an active area
  • the non-display area NDA may also be referred to as a non-active area.
  • the display area DPA may generally occupy the center of the display device 10 .
  • the display area DPA may include a plurality of pixels PX.
  • the plurality of pixels PX may be arranged in a matrix direction.
  • the shape of each pixel PX may be a rectangular shape or a square shape in plan view, but is not limited thereto, and each side may have a rhombus shape inclined with respect to one direction.
  • Each pixel PX may be alternately arranged in a stripe type or a pentile type.
  • each of the pixels PX may include one or more light emitting devices ED emitting light in a specific wavelength band to display a specific color.
  • a non-display area NDA may be disposed around the display area DPA.
  • the non-display area NDA may completely or partially surround the display area DPA or may be adjacent to the display area DPA.
  • the display area DPA may have a rectangular shape, and the non-display area NDA may be disposed adjacent to four sides of the display area DPA.
  • the non-display area NDA may constitute a bezel of the display device 10 . Wires or circuit drivers included in the display device 10 may be disposed in each non-display area NDA, or external devices may be mounted thereon.
  • FIG. 2 is a schematic layout view illustrating wirings included in a display device according to an exemplary embodiment.
  • the display device 10 may include a plurality of wires.
  • the plurality of wires connect the first scan line SCL, the second scan line SSL, the data line DTL, the initialization voltage line VIL, the first voltage line VDL, and the second voltage line VSL, and the like. may include For example, although not shown in the drawings, other wires may be further disposed in the display device 10 .
  • the first scan line SCL and the second scan line SSL may extend in the first direction DR1 .
  • the first scan line SCL and the second scan line SSL may be electrically connected to the scan driver SDR.
  • the scan driver SDR may include a driving circuit.
  • the scan driver SDR may be disposed on one side of the display area DPA in the first direction DR1 , but is not limited thereto.
  • the scan driver SDR may be electrically connected to the signal wiring pattern CWL, and at least one end of the signal wiring pattern CWL may be electrically connected to an external device by forming a pad WPD_CW on the non-display area NDA. have.
  • connection may mean that one member is connected to another member through mutual physical contact, as well as being connected through another member.
  • one part and another part are interconnected due to the integral member as one integral member.
  • connection between one member and another member may be interpreted as including an electrical connection through another member in addition to a direct contact connection.
  • the data line DTL and the initialization voltage line VIL may extend in a second direction DR2 crossing the first direction DR1 .
  • the first voltage line VDL and the second voltage line VSL are disposed to extend in the first direction DR1 and the second direction DR2 .
  • a portion extending in the first direction DR1 and a portion extending in the second direction DR2 are conductively disposed on different layers. It is made of a layer and may have a mesh structure on the entire surface of the display area DPA.
  • Each pixel PX of the display device 10 may be electrically connected to at least one data line DTL, an initialization voltage line VIL, a first voltage line VDL, and a second voltage line VSL. .
  • the data line DTL, the initialization voltage line VIL, the first voltage line VDL, and the second voltage line VSL may be electrically connected to at least one wiring pad WPD.
  • Each wiring pad WPD may be disposed in the non-display area NDA.
  • the wiring pad WPD_DT (hereinafter, referred to as a 'data pad') of the data line DTL is disposed on one side of the second direction DR2 of the display area DPA in the pad area PDA, of the wiring pad WPD_Vint (hereinafter, 'initialization voltage pad') of the initialization voltage line VIL, the wiring pad WPD_VDD of the first voltage line VDL (hereinafter referred to as "first power pad”), and the second voltage line VSL.
  • the wiring pad WPD_VSS (hereinafter, 'second power pad') may be disposed in the pad area PDA located on the other side of the display area DPA in the second direction DR2 .
  • the data pad WPD_DT, the initialization voltage pad WPD_Vint, the first power pad WPD_VDD, and the second power pad WPD_VSS are all the same area, for example, a non-display area located above the display area DPA. NDA) can also be deployed.
  • An external device may be mounted on the wiring pad WPD.
  • the external device may be mounted on the wiring pad WPD through an anisotropic conductive film, ultrasonic bonding, or the like.
  • Each pixel PX or sub-pixel PXn (n is an integer of 1 to 3) of the display device 10 may include a pixel driving circuit.
  • the above-described wirings may apply a driving signal to each pixel driving circuit while passing through or around each pixel PX.
  • the pixel driving circuit may include a transistor and a capacitor.
  • the number of transistors and capacitors in each pixel driving circuit may be variously modified.
  • each sub-pixel PXn of the display device 10 may have a 3T1C structure in which a pixel driving circuit includes three transistors and one capacitor.
  • the pixel driving circuit will be described using the 3T1C structure as an example, but the present invention is not limited thereto, and various other modified pixel PX structures such as a 2T1C structure, a 7T1C structure, and a 6T1C structure may be applied.
  • 3 is an equivalent circuit diagram of one sub-pixel according to an exemplary embodiment.
  • each sub-pixel PXn of the display device 10 includes, in addition to the light emitting diode EL, three transistors T1 , T2 , T3 and one storage capacitor Cst. may include
  • the light emitting diode EL emits light according to the current supplied through the first transistor T1 .
  • the light emitting diode EL includes a first electrode, a second electrode, and at least one light emitting element disposed therebetween.
  • the light emitting device may emit light in a specific wavelength band by an electrical signal transmitted from the first electrode and the second electrode.
  • One end of the light emitting diode EL is electrically connected to the source electrode of the first transistor T1 , and the other end of the light emitting diode EL has a low potential lower than the high potential voltage (hereinafter, the first power voltage) of the first voltage line VDL. It may be electrically connected to a second voltage line VSL to which a voltage (hereinafter, a second power voltage) is supplied.
  • the other end of the light emitting diode EL may be electrically connected to the source electrode of the second transistor T2 .
  • the first transistor T1 adjusts a current flowing from the first voltage line VDL to which the first power voltage is supplied to the light emitting diode EL according to a voltage difference between the gate electrode and the source electrode.
  • the first transistor T1 may be a driving transistor for driving the light emitting diode EL.
  • the gate electrode of the first transistor T1 is electrically connected to the source electrode of the second transistor T2
  • the source electrode is electrically connected to the first electrode of the light emitting diode EL
  • the drain electrode is electrically connected to the first power supply voltage It may be electrically connected to the first voltage line VDL to which it is applied.
  • the second transistor T2 may be turned on by the scan signal of the first scan line SCL to electrically connect the data line DTL to the gate electrode of the first transistor T1 .
  • the gate electrode of the second transistor T2 is electrically connected to the first scan line SCL, the source electrode is electrically connected to the gate electrode of the first transistor T1, and the drain electrode is electrically connected to the data line DTL. may be electrically connected.
  • the third transistor T3 may be turned on by the sensing signal of the second scan line SSL to electrically connect the initialization voltage line VIL to one end of the light emitting diode EL.
  • the gate electrode of the third transistor T3 is electrically connected to the second scan line SSL, the drain electrode is electrically connected to the initialization voltage line VIL, and the source electrode is one end of the light emitting diode EL or It may be electrically connected to the source electrode of the first transistor T1 .
  • each of the transistors T1 , T2 , and T3 may be formed of a thin film transistor.
  • each of the transistors T1 , T2 , and T3 has been mainly described as being formed of an N-type MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor), but is not limited thereto.
  • each of the transistors T1 , T2 , and T3 may be formed of a P-type MOSFET, some may be formed of an N-type MOSFET, and some may be formed of a P-type MOSFET.
  • the storage capacitor Cst is formed between the gate electrode and the source electrode of the first transistor T1 .
  • the storage capacitor Cst stores a difference voltage between the gate voltage and the source voltage of the first transistor T1 .
  • FIG. 4 is a schematic plan view illustrating wirings disposed in one pixel of a display device according to an exemplary embodiment.
  • 4 illustrates a schematic shape of a plurality of wires and a third bank BNL3 disposed in each pixel PX of the display device 10 and disposed in the emission area EMA of each sub-pixel PXn.
  • the members and some conductive layers disposed thereunder are omitted.
  • both sides of the first direction DR1 may be referred to as left and right, respectively, and both sides of the second direction DR2 may be referred to as upper and lower sides, respectively.
  • each of the plurality of pixels PX of the display device 10 may include a plurality of sub-pixels PXn, where n may be an integer of 1 to 3 .
  • one pixel PX may include a first sub-pixel PX1 , a second sub-pixel PX2 , and a third sub-pixel PX3 .
  • One pixel PX of the display device 10 may include a plurality of emission areas EMA, and each sub-pixel PXn may include an emission area EMA and a non-emission area (not shown).
  • the light emitting area EMA is an area in which a light emitting element ('ED' in FIG. 13 ) is disposed to emit light in a specific wavelength band
  • the non-emission area is an area in which the light emitting device ED is not disposed and is emitted from the light emitting device ED. It may be an area from which the light is not emitted because the received lights do not reach it.
  • the light emitting area may include, in addition to the area where the light emitting device ED is disposed, an area adjacent to the light emitting device ED from which lights emitted from the light emitting device ED are emitted.
  • the light emitting region may also include a region in which light emitted from the light emitting device ED is reflected or refracted by other members to be emitted.
  • the plurality of light emitting devices ED may be disposed in each sub-pixel PXn, and a light emitting area may be formed including an area in which they are disposed and an area adjacent thereto.
  • the first emission area EMA1 of the pixel PX is disposed in the first sub-pixel PX1
  • the second emission area EMA2 is the second sub-pixel PX2
  • the third emission area EMA3 is the third It is disposed in the sub-pixel PX3 .
  • Each of the sub-pixels PXn may include different types of light emitting devices ED, and different colors of light may be emitted from the first to third light emitting areas EMA.
  • the first sub-pixel PX1 emits light of a first color
  • the second sub-pixel PX2 emits light of a second color
  • the third sub-pixel PX3 emits light of a third color. light can be emitted.
  • the first color may be green, the second color may be blue, and the third color may be red.
  • each of the sub-pixels PXn includes the same light emitting device ED, and light of the same color may be emitted from each light emitting area EMA or one pixel PX.
  • Each of the sub-pixels PXn of the pixel PX may include a plurality of sub-areas SA spaced apart from the light-emitting area EMA as a partial area of the non-emission area.
  • the sub-area SA is disposed on one side of the light-emitting area EMA of each sub-pixel PXn in the second direction DR2 , and is the light-emitting area EMA of the sub-pixels PXn adjacent to each other in the second direction DR2 . can be placed between them. Since the light emitting device ED is not disposed in the sub area SA, no light is emitted, but a portion of the electrode ('RME' in FIG. 7 ) disposed in each sub pixel PXn may be disposed. Some of the electrodes RME disposed in each sub-pixel PXn may be disposed separately in the sub-area SA. In this specification, 'neighboring' may be understood as meaning 'adjacent'.
  • the display device 10 may include the sub-pixels PXn in which the emission area EMA and the sub-area SA are different from each other for each pixel PX.
  • the emission area EMA and the sub area SA are disposed adjacent to each other in the second direction DR2 , and some sub-pixels PXn have the emission area DR2.
  • a direction in which the sub-area SA is disposed with respect to the EMA) may be different.
  • different sub areas are arranged along the first direction DR1 .
  • the light emitting area EMA and the sub area SA of the pixel PXn may be alternately arranged or disposed.
  • the sub-area SA is disposed on one side of the second direction DR2 with respect to the emission area EMA, and the second sub-pixel PX3 is disposed on the upper side.
  • the pixel PX2 may be disposed below the sub-area SA on the other side of the second direction DR2 with respect to the emission area EMA.
  • the emission areas EMA of the first to third sub-pixels PX1 , PX2 , and PX3 may be disposed not to be parallel to each other in the first direction DR1 .
  • the first light emitting area EMA1 and the third light emitting area EMA3 are parallel to each other in the first direction DR1 , and the sub area SA of the second sub pixel PX2 may be disposed between them.
  • the sub-areas SA of each sub-pixel PXn may not be adjacent to each other in the first direction DR1 or the second direction DR2 and may be spaced apart from each other in one direction or a diagonal direction.
  • the sub-regions SA of the first sub-pixel PX1 and the third sub-pixel PX3 are parallel to each other in the first direction DR1 but are spaced apart from each other so as not to be adjacent to each other, and the second light emitting area ( EMA2) can be deployed.
  • the sub-area SA of the second sub-pixel PX2 may be diagonally spaced apart from the sub-area SA of the first sub-pixel PX1 and the third sub-pixel PX3 .
  • the plurality of light emitting areas EMA have one light emitting area, for example, the second light emitting area EMA2 as a reference, and other light emitting areas, for example, the first light emitting area EMA1 and the third light emitting area EMA3 .
  • Each of the islands may have an island-like structure disposed in a diagonal direction between the first direction DR1 and the second direction DR2 .
  • each sub-pixel PXn includes a plurality of electrodes ('RME' in FIG. 8 ) and a light emitting device ('RME' in FIG. 8 ).
  • ED' may be included.
  • the light emitting device ED may be disposed in the emission area EMA of each sub-pixel PXn, and the electrodes RME may be disposed over the emission area EMA and the sub-area SA of each sub-pixel PXn. have.
  • the first sub-pixel PX1 , the third sub-pixel PX3 , and the second sub-pixel PX2 have different arrangements of the emission area EMA and the sub area SA, the light emitting devices ED are And the arrangement of the electrodes RME may also be different depending on the type of the sub-pixel PXn.
  • the display device 10 includes sub-pixels PXn of different types in which the light emitting elements ED and the electrodes RME are arranged according to the arrangement of the light emitting area EMA and the sub area SA.
  • the light emitting area EMA needs a minimum area in which the plurality of electrodes RME and the light emitting devices ED are disposed.
  • the light-emitting areas EMA of the plurality of sub-pixels PXn are arranged in one direction, the area occupied by each sub-pixel PXn is increased to secure a space for disposing the electrodes RME and the light-emitting devices ED. increases, and the number of sub-pixels PXn per unit area may be small. If the number of sub-pixels PXn per unit area is increased and the area of each sub-pixel PXn is decreased, the number of light emitting devices ED disposed in the light emitting area EMA is reduced, and thus luminance may be low.
  • the color control structures may have a width smaller than a design value due to deterioration of the organic material.
  • the amount of light emitted through the light emitting device ED and the color control structure may be absolutely reduced.
  • the sub-pixels PXn have a light-emitting area EMA having a sufficient area.
  • the color control structures may be designed to have a sufficient area in consideration of deterioration, and a decrease in the amount of emitted light may be minimized even if the width thereof is reduced due to deterioration.
  • the light emitting area EMA has a sufficient area per unit area. ), which is advantageous for realization of a high-resolution display device. A more detailed description thereof will be provided later.
  • the third bank BNL3 may be disposed in a grid pattern on the entire surface of the display area DPA, including portions extending in the first and second directions DR1 and DR2 in plan view.
  • the third bank BNL3 is disposed across the boundary of each sub-pixel PXn to distinguish neighboring sub-pixels PXn.
  • the third bank BNL3 may be disposed to surround the emission area EMA and the sub area SA disposed in each sub-pixel PXn to distinguish them. A more detailed description of the third bank BNL3 will be described later.
  • the plurality of wirings described above may be disposed in each pixel PX of the display device 10 .
  • the first voltage line VDL and the second voltage It may include line horizontal portions VDL_H and VSL_H of the line VSL.
  • a plurality of data lines DTL, an initialization voltage line VIL, and a vertical line portion VDL_V of the voltage lines VDL and VSL are arranged to extend in the second direction DR2 .
  • VSL_V may be included.
  • Lines and circuit elements of a circuit layer disposed in each pixel PX and connected to the light emitting diode EL may be electrically connected to the first to third sub-pixels PX1 , PX2 , and PX3 , respectively.
  • the wirings and circuit elements are not disposed to correspond to the area occupied by each sub-pixel PXn or the light-emitting area EMA, but are disposed irrespective of the location of the light-emitting area EMA within one pixel PX.
  • circuit layers for driving the light emitting diode EL of each sub pixel PXn are included in the sub pixel PXn or the light emitting area EMA in the pixel PX. ) can be arranged irrespective of the position of the
  • One pixel PX includes the first to third sub-pixels PX1 , PX2 , and PX3 , and circuit layers electrically connected thereto are disposed in a specific pattern, and the patterns are not the sub-pixel PXn but one single pixel PXn.
  • the pixels PX may be repeatedly arranged as a unit.
  • the sub-pixels PXn disposed in one pixel PX are areas divided based on the emission area EMA and the sub area SA, and a circuit layer electrically connected thereto is an area of the sub-pixel PXn.
  • the display device 10 minimizes the area occupied by the wires and devices connected to each sub-pixel PXn by arranging the wires and devices of the circuit layer based on the unit pixel PX instead of the sub-pixel PXn. , and there is an advantage more advantageous for realization of a high-resolution display device.
  • the plurality of data lines DTL1 , DTL2 , and DTL3 extend in the second direction DR2 .
  • a plurality of data lines DTL1 , DTL2 , and DTL3 are disposed on the plurality of pixels PX arranged in the second direction DR2 , and they may be spaced apart from each other in the first direction DR1 .
  • First to third data lines DTL1 , DTL2 , and DTL3 are disposed in one pixel PX, which are electrically connected to each sub-pixel, for example, the first to third sub-pixels PX1 , PX2 and PX3 . can be connected.
  • the first data line DTL1 , the third data line DTL3 , and the second data line DTL2 may be sequentially arranged in the first direction DR1 .
  • the first data line DTL1 may be sequentially arranged in one side of the first direction DR1 .
  • the first data line DTL1 The three data lines DTL3 and the second data lines DTL2 may be sequentially arranged in one direction in the first direction DR1 .
  • Each of the data lines DTL1, DTL2, and DTL3 is electrically connected to a second transistor ('T2' in FIG.
  • the first to third data lines DTL1 , DTL2 , and DTL3 are not arranged to correspond to the areas occupied by the first to third sub-pixels PX1 , PX2 , and PX3 , respectively, but one pixel It can be placed at a specific location within (PX).
  • PX the first to third data lines DTL1 , DTL2 , and DTL3 are arranged over an area occupied by the second sub-pixel PX2 and the third sub-pixel PX3 in one pixel PX.
  • the initialization voltage line VIL extends in the second direction DR2 and is disposed across the plurality of pixels PXs arranged in the second direction DR2 .
  • a plurality of initialization voltage lines VIL are disposed to be spaced apart from each other in the first direction DR1 in the display area DPA, and each initialization voltage line VIL may be disposed across a plurality of pixels PXs arranged in the same column.
  • the initialization voltage line VIL may be disposed on the left side of the first data line DTL1 in a plan view with respect to the center of each pixel PX, but is not limited thereto.
  • the initialization voltage line VIL may include one line per pixel PX arranged in the first direction DR1 , and may be electrically connected to a conductive pattern disposed on another conductive layer to each sub-pixel PXn. can be electrically connected to.
  • the initialization voltage line VIL may be electrically connected to the drain electrode of the third transistor 'T3' of FIG. 5 , and may apply an initialization voltage to the third transistor ('T3' of FIG. 5 ).
  • the first voltage line VDL and the second voltage line VSL may be disposed to extend in the first direction DR1 and the second direction DR2 .
  • each of the first voltage line VDL and the second voltage line VSL may include vertical line portions VDL_V and VSL_V arranged to extend in the second direction DR2 .
  • the line vertical portions VDL_V and VSL_V extend in the second direction DR2 and are disposed across a plurality of pixels PX adjacent to each other in the second direction DR2 .
  • the first vertical portion VDL_V of the first voltage line VDL is disposed on the right side of the initialization voltage line VIL in the first direction DR1
  • the second vertical portion of the second voltage line VSL is disposed on the right side.
  • VSL_V may be disposed on the left side, which is the other side of the initialization voltage line VIL in the first direction DR1 .
  • the second line vertical portion VSL_V is disposed at the boundary of the pixel PX adjacent to each other in the first direction DR1 , and is disposed on the left and right sides of the pixel PX in the drawing to span the boundary between the neighboring pixels PX.
  • the arrangement of the second wiring vertical portions VSL_V overlaps.
  • Each of the wiring vertical portions VDL_V and VSL_V may cross the wiring horizontal portions VDL_H and VSL_H to be described later, and are electrically connected to each other through a contact hole in a region where they intersect each other to form one voltage line VDL and VSL. ) can be configured.
  • the arrangement and configuration of the voltage lines VDL and VSL are not limited to those illustrated in FIG. 4 , and the arrangement of the voltage lines VDL and VSL may be variously modified.
  • Each of the data lines DTL1 , DTL2 , and DTL3 , the initialization voltage line VIL, and the wiring vertical portions VDL_V and VSL_V of the voltage lines VDL and VSL may be formed of a first conductive layer.
  • the first conductive layer may further include another conductive layer in addition to the wirings and lines.
  • the first scan line SCL and the second scan line SSL extend in the first direction DR1 and are disposed across the plurality of pixels PXs arranged in the first direction DR1 .
  • the plurality of first scan lines SCL and the second scan lines SSL are spaced apart from each other in the second direction DR2
  • each of the first scan lines SCL and the second scan line SSL are spaced apart from each other.
  • SSL) may be disposed across a plurality of pixels PXn arranged in the same row.
  • the first scan line SCL may be disposed below the center of each pixel PX in a plan view
  • the second scan line SSL may be disposed above the center of each pixel PX in a plan view. .
  • the first scan line SCL and the second scan line SSL may be disposed to cross the emission area EMA and the non-emission area of some sub-pixels PXn.
  • the first pixel PX extending in one direction
  • the scan line SCL and the second scan line SSL may be disposed in the emission area EMA or the sub area SA of some sub-pixels PXn.
  • the arrangement positions of the first scan line SCL and the second scan line SSL are not limited thereto and may be variously modified according to the structure of the pixel PX.
  • the first scan line SCL and the second scan line SSL may be disposed on a second conductive layer disposed on the first conductive layer and may be electrically connected to a gate pattern extending in the second direction DR2, A part of the gate pattern may serve as a gate electrode of the second transistor ('T2' in FIG. 5 ) or the third transistor ('T3' in FIG. 5 ).
  • the line horizontal portions VDL_H and VSL_H of the first voltage line VDL and the second voltage line VSL extend in the first direction DR1 to the plurality of pixels PX adjacent in the first direction DR1. placed across The plurality of line horizontal portions VDL_H and VSL_H are disposed to be spaced apart from each other in the second direction DR2 , and each horizontal line portion VDL_H and VSL_H is disposed to span the plurality of pixels PXs arranged in the same row.
  • the first line horizontal portion VDL_H of the first voltage line VDL is disposed below the other side of the second direction DR2 with respect to the center of each pixel PX, and the second line of the second voltage line VSL
  • the wiring horizontal portion VSL_H may be disposed on one side of the second direction DR2 .
  • the wiring vertical portions VDL_V and VSL_V and the wiring horizontal portions VDL_H and VSL_H may be formed of conductive layers disposed on different layers, and may be electrically connected through a contact hole.
  • the first horizontal portion of the wiring VDL_H is disposed under the pixel PX and electrically connected through a contact hole at a portion crossing the first vertical portion VDL_V of the second wiring VSL_V ) may not be electrically connected to each other at the intersections.
  • the second line horizontal portion VSL_H is disposed on the upper side of the pixel PX and is electrically connected through a contact hole at a portion crossing the second line vertical portion VSL_V, but the first line vertical portion VDL_V ) may not be electrically connected to each other at the intersections.
  • the first voltage line VDL and the second voltage line VSL may extend from the front surface of the display area DPA in the first direction DR1 and the second direction DR2 to have a mesh structure.
  • the first to third sub-pixels PX1 , PX2 , and PX3 of one pixel PX may share the same first voltage line VDL and the second voltage line VSL.
  • the plurality of sub-pixels PXn disposed in each pixel PX share the first voltage line VDL and the second voltage line VSL to which the same signal is applied, so that they are disposed per unit area. The number of wiring can be reduced.
  • line horizontal portions VDL_H and VSL_H may be disposed to correspond to one pixel PX, respectively, and the second direction DR2 ) may share the adjacent pixel PX and the wiring horizontal portions VDL_H and VSL_H.
  • the horizontal wiring portions VDL_H and VSL_H may be alternately arranged without being repeatedly arranged along the second direction DR2 .
  • the horizontal wiring portions VDL_H and VSL_H may be electrically connected to all the pixels PX even if they are not arranged in each pixel PX and are alternately arranged. Accordingly, the number of wires disposed in the display area DPA can be further reduced, and an IR drop of a voltage applied through the voltage wires VDL and VSL in a large-area display device can be prevented.
  • the first voltage line VDL may be electrically connected to the drain electrode of the first transistor T1 of each sub-pixel PXn and may apply a first power voltage to the first transistor T1 .
  • the second voltage line VSL may be electrically connected to the second electrode of the light emitting diode EL to apply a second power voltage to the light emitting device.
  • the first scan line SCL, the second scan line SSL, and the wiring horizontal portions VDL_H and VSL_H may be formed of a third conductive layer disposed on the second conductive layer.
  • the third conductive layer may further include other conductive patterns in addition to the wirings and lines.
  • a circuit layer transmitting a signal for driving the light emitting diode EL may include first to third conductive layers.
  • the first voltage line VDL and the second voltage line VSL for applying a power supply voltage to the light emitting diode EL are made of lines disposed on the first conductive layer and the third conductive layer, respectively, It may be disposed on the same layer as the data lines DTL, the initialization voltage line VIL, or other conductive patterns.
  • the structure of each sub-pixel PXn will be described in more detail with reference to other drawings.
  • 5 to 7 are layout diagrams illustrating an arrangement of a plurality of conductive layers included in one pixel of a display device according to an exemplary embodiment.
  • 8 is a schematic plan view illustrating a plurality of electrodes and banks included in one pixel of a display device according to an exemplary embodiment.
  • 9 is a plan view illustrating a plurality of electrodes and banks disposed in the first sub-pixel of FIG. 8 .
  • 10 is a cross-sectional view taken along lines Q1-Q1' and Q2-Q2' of FIG. 8 .
  • 11 is a cross-sectional view taken along line Q3-Q3' of FIG. 8 .
  • 12 is a cross-sectional view taken along lines Q4-Q4' and Q5-Q5' of FIG. 8 .
  • 13 is a cross-sectional view taken along lines Q6-Q6' and Q7-Q7' of FIG. 8 .
  • FIG. 5 to 7 illustrate a planar arrangement of wirings and devices of the circuit layer CCL electrically connected to one pixel PX.
  • FIG. 5 shows a planar arrangement of the first conductive layer, the active layer, the second conductive layer, and the third conductive layer
  • FIGS. 6 and 7 are diagrams showing a portion of the conductive layers disposed in one pixel PX. are doing
  • FIGS. 8 and 9 are display device layers disposed in each pixel PX, and are illustrated based on each sub-pixel PXn divided by the third bank BNL3 .
  • the plurality of banks BNL1 , BNL2 , BNL3 and the contact electrodes CNE1 , CNE2 and CNE3 are formed. The layout is shown.
  • FIG. 10 illustrates a cross-section crossing both ends of the light emitting devices ED (ED1, ED2) disposed in the first sub pixel PX1, and in FIG. 11 , the light emitting device ED of the first sub pixel PX1 is shown.
  • 12 illustrates cross-sections of the second transistor T2 and the third transistor T3 of the first sub-pixel PX1 of the first transistor T1 electrically connected to the pixels.
  • 13 is a cross-sectional view illustrating a contact portion between the contact electrodes CNE1 , CNE2 , and CNE3 disposed in the first sub-pixel PX1 and the electrode RME.
  • the display device 10 may include a circuit layer CCL and a display element layer.
  • the display element layer includes a plurality of electrodes RME including the light emitting element ED of the light emitting diode EL and the contact electrodes CNE1 , CNE2 , and CNE3 are disposed, and the circuit layer CCL includes the light emitting diode EL It may be a layer in which a plurality of wirings including pixel circuit elements for driving the display device are disposed.
  • the circuit layer CCL may include a first scan line SCL, a second scan line SSL, a data line DTL, an initialization voltage line VIL, a first voltage line VDL, and a second
  • transistors T1 , T2 , and T3 may be included.
  • the display device 10 may include a circuit layer CCL and a first substrate SUB1 on which display element layers are disposed.
  • the first substrate SUB1 may be an insulating substrate, and may be made of an insulating material such as glass, quartz, or polymer resin.
  • the first substrate SUB1 may be a rigid substrate, but may also be a flexible substrate capable of bending, folding, rolling, or the like.
  • a first conductive layer is disposed on the first substrate SUB1 .
  • the first conductive layer includes the wiring vertical portions VDL_V and VSL_V of the voltage lines VDL and VSL, the initialization voltage line VIL, the data lines DTL1, DTL2, and DTL3, and the plurality of lower metal layers BML1, BML2, BML3) may be included.
  • the line vertical portions VDL_V and VSL_V of the voltage lines VDL and VSL are disposed to extend in the second direction DR2 . They may be electrically connected to the pads WPD_VDD and WPD_VSS of the pad area PDA, and a first power voltage and a second power voltage may be applied thereto.
  • the first vertical portion VDL_V of the first voltage line VDL may be electrically connected to the drain electrode of the first transistor T1 through the first conductive pattern DP1 of the third conductive layer.
  • the first vertical portion VDL_V may be electrically connected to each other through the fourteenth contact hole CT14 at a portion crossing the first horizontal portion VDL_H.
  • the second line vertical portion VSL_V of the second voltage line VSL may be connected to the fifth conductive pattern DP5 of the third conductive layer.
  • the second line vertical portion VSL_V may be electrically connected to each other through the thirteenth contact hole CT13 at a portion crossing the second line horizontal portion VSL_H.
  • the initialization voltage line VIL may extend in the second direction DR2 and may be disposed between the vertical lines VDL_V and VSL_V.
  • the initialization voltage line VIL is electrically connected to the drain electrode of the third transistor T3 through the fourth conductive pattern DP4 of the third conductive layer, and is connected to the third transistor T3 of each sub-pixel PXn. An initialization voltage can be delivered.
  • the plurality of lower metal layers BML1 , BML2 , and BML3 may be disposed on the first substrate SUB1 .
  • the lower metal layers BML1 , BML2 , and BML3 are disposed to overlap the first active layer ACT1 of the semiconductor layer and the first capacitance electrode CSE1 of the second conductive layer, which will be described later.
  • the first lower metal layer BML1 is disposed to overlap the first active layer ACT1 of the first transistor T1_1 electrically connected to the first sub-pixel PX1 .
  • the second lower metal layer BML2 is the first active layer ACT1 of the first transistor T1_2 electrically connected to the second sub-pixel PX2
  • the third lower metal layer BML3 is the third sub-pixel PX3 .
  • the first to third lower metal layers BML1 , BML2 , and BML3 may be disposed to be spaced apart from each other in the second direction DR2 and may be disposed adjacent to the center of each pixel PX in a plan view.
  • the lower metal layers BML1 , BML2 , and BML3 may include a light-blocking material to prevent light from being incident on the first active layer ACT1 of the first transistor T1 .
  • the lower metal layers BML1 , BML2 , and BML3 may be formed of an opaque metal material that blocks light transmission.
  • the present invention is not limited thereto, and in some cases, the lower metal layers BML1 , BML2 , and BML3 may be omitted and may be disposed to overlap the active layers of the other transistors T1 , T2 , and T3 .
  • the plurality of data lines DTL1 , DTL2 , and DTL3 are interposed between the second wiring vertical portion VSL_V of the second voltage line VSL disposed at the boundary between the pixels PX and the lower metal layers BML1 , BML2 , and BML3 . It is disposed to extend in the second direction DR2 .
  • the data lines DTL1 , DTL2 , and DTL3 may be electrically connected to the third conductive pattern DP3 of the third conductive layer to be electrically connected to the drain electrode of the second transistor T2 through this.
  • the first data line DTL1 is electrically connected to the second transistor T2_1 of the first sub-pixel PX1
  • the second data line DTL2 is the second transistor T2_2 of the second sub-pixel PX2
  • the third data line DTL3 may be electrically connected to the second transistor T2_3 of the third sub-pixel PX3 .
  • first sub-pixel PX1 , the second sub-pixel PX2 , and the third sub-pixel PX3 disposed in one pixel PX are sequentially disposed along the first direction DR1 , but each Circuit elements or wirings electrically connected to the sub-pixels PXn may be arranged in a different order from the sub-pixels PXn.
  • the data lines DTL1 , DTL2 , and DTL3 are arranged in the first direction DR1 in the order of the first data line DTL1 , the third data line DTL3 , and the second data line DTL2 , , the lower metal layers BML1 , BML2 , and BML3 may also be disposed in the order of the first lower metal layer BML1 , the third lower metal layer BML3 , and the second lower metal layer BML2 in the second direction DR2 .
  • the arrangement of the active layers ACT of the semiconductor layer which will be described later, may also be different from the arrangement order of the sub-pixels PXn. This may be related to a connection position between the first electrode RME1 and the third conductive layer of each sub-pixel PXn according to the arrangement of different types of sub-pixels disposed in one pixel PX. A detailed description thereof will be provided later.
  • the buffer layer BL may be entirely disposed on the first conductive layer and the first substrate SUB1 .
  • the buffer layer BL is formed on the first substrate SUB1 to protect each of the transistors T1, T2, and T3 from moisture penetrating through the first substrate SUB1, which is vulnerable to moisture permeation, and performs a surface planarization function.
  • the semiconductor layer is disposed on the buffer layer BL.
  • the semiconductor layer may include active layers ACT1 , ACT2 , and ACT3 of each of the transistors T1 , T2 , and T3 .
  • One pixel PX may include a first active layer ACT1 of first transistors T1_1 , T1_2 , and T1_3 electrically connected to each of the sub-pixels PX1 , PX2 , and PX3 .
  • the first active layer ACT1 of each first transistor T1 may be disposed adjacent to the center of each pixel PX and disposed on the left side thereof.
  • the first active layers ACT1 are disposed to be spaced apart from each other in the second direction DR2 , and portions of the first active layers ACT1 are the first conductive pattern DP1 , the lower metal layers BML1 , BML2 , BML3 , and the second capacitance of the third conductive layer It may be disposed to overlap the electrode CSE2 .
  • the first active layer ACT1 has a first region overlapping the first conductive pattern DP1 , and a second region overlapping the lower metal layers BML1 , BML2 , BML3 and the second capacitance electrode CSE2 . It may contain areas. A first region of the first active layer ACT1 may be in contact with the first conductive pattern DP1 to be electrically connected to the first voltage line VDL, and a second region of the first active layer ACT1 may be in contact with the second capacitance electrode CSE2. can A portion of the first conductive pattern DP1 may constitute the first drain electrode D1 of the first transistor T1 , and a portion of the second capacitance electrode CSE2 may be a first portion of the first transistor T1 .
  • the source electrode S1 may be configured.
  • One pixel PX may include a plurality of second active layers ACT2 included in second transistors T2_1 , T2_2 , and T2_3 electrically connected to each of the sub-pixels PX1 , PX2 , and PX3 .
  • the second active layer ACT2 of each second transistor T2 may be disposed adjacent to the center of each pixel PX and disposed on the right side thereof.
  • the second active layers ACT2 may be disposed to be spaced apart from each other in the second direction DR2 , and a portion may be disposed to overlap the second conductive pattern DP2 and the third conductive pattern DP3 of the third conductive layer, respectively. have.
  • the second active layer ACT2 may include a third region overlapping the third conductive pattern DP3 and a fourth region overlapping the second conductive pattern DP2 .
  • a third region of the second active layer ACT2 is in contact with the third conductive pattern DP3 and is electrically connected to any one of the data lines DTL1 , DTL2 , and DTL3
  • the fourth region is a second conductive pattern DP2 . and may be electrically connected to the first capacitive electrode CSE1.
  • a portion of the third conductive pattern DP3 may constitute the second drain electrode D2 of the second transistor T2
  • a portion of the second conductive pattern DP2 may be a second source of the second transistor T2 .
  • the electrode S2 may be configured.
  • the first data line DTL1 may be disposed closest to each other and the second data line DTL2 may be disposed most spaced apart from each other. Accordingly, the length of the second active layer ACT2 of the second transistor T2_1 electrically connected to the first sub-pixel PX1 is equal to the length of the second transistor T2_2 electrically connected to the second sub-pixel PX2 . and a length shorter than the length of the second active layer ACT2 of the second transistor T2_3 electrically connected to the third sub-pixel PX3.
  • the length of the second active layer ACT2 of the second transistor T2_2 electrically connected to the second sub-pixel PX2 is the length of the second transistor T2_3 electrically connected to the third sub-pixel PX3.
  • the present invention is not limited thereto.
  • One pixel PX may include a plurality of third active layers ACT3 included in third transistors T3_1 , T3_2 , and T3_3 electrically connected to each of the sub-pixels PX1 , PX2 , and PX3 . have.
  • the third active layer ACT3 of each third transistor T3 may be disposed on the left side of each pixel PX.
  • the third active layers ACT3 are spaced apart from each other in the second direction DR2 and partially overlap the fourth conductive pattern DP4 of the third conductive layer and the second capacitance electrodes CSE2 different from each other. can be placed.
  • the third active layer ACT3 may include a fifth region overlapping the fourth conductive pattern DP4 and a sixth region overlapping the second capacitance electrode CSE2 .
  • a fifth region of the third active layer ACT3 comes in contact with the fourth conductive pattern DP4 to be electrically connected to the initialization voltage line VIL, and a sixth region contacts the second capacitance electrode CSE2 and is connected thereto. may be electrically connected.
  • a portion of the fourth conductive pattern DP4 may constitute the third drain electrode D3 of the third transistor T3
  • a portion of the second capacitance electrode CSE2 may be a third portion of the third transistor T3 .
  • the source electrode S3 may be configured.
  • the semiconductor layer may include polycrystalline silicon, single crystal silicon, an oxide semiconductor, or the like. Polycrystalline silicon may be formed by crystallizing amorphous silicon.
  • each of the active layers ACT1 , ACT2 , and ACT3 may include a plurality of conductive regions and a channel region therebetween.
  • the oxide semiconductor may be an oxide semiconductor containing indium (In).
  • the oxide semiconductor is indium-tin oxide (ITO), indium-zinc oxide (IZO), indium-gallium oxide (Indium-Gallium Oxide, IGO), indium- Indium-Zinc-Tin Oxide (IZTO), Indium-Gallium-Zinc Oxide (IGZO), Indium-Gallium-Tin Oxide (IGTO), Indium -gallium-zinc-tin oxide (Indium-Gallium-Zinc-Tin Oxide, IGZTO), or the like.
  • the semiconductor layer may include polycrystalline silicon.
  • Polycrystalline silicon may be formed by crystallizing amorphous silicon.
  • the conductive regions of the active layers ACT1 , ACT2 , and ACT3 may be doped regions doped with impurities, respectively.
  • the present invention is not limited thereto.
  • the first gate insulating layer GI is disposed on the semiconductor layer and the buffer layer BL.
  • the first gate insulating layer GI may be disposed to completely cover the semiconductor layer and the buffer layer BL.
  • the first gate insulating layer GI may function as a gate insulating layer of each transistor.
  • the second conductive layer is disposed on the first gate insulating layer GI.
  • the second conductive layer may include a first capacitance electrode CSE1 of the storage capacitor, a first gate pattern DP_C, a second gate pattern DP_S, and a third gate pattern DP_R. These may constitute the gate electrodes G1, G2, and G3 of the transistors T1, T2, and T3, respectively.
  • a plurality of first capacitance electrodes CSE1 may be disposed in one pixel PX.
  • Each of the first capacitance electrodes CSE1 may be disposed to overlap the first active layer ACT1 of the first transistor T1 , and a portion overlapping the first active layer ACT1 may be a first transistor T1 .
  • the first capacitance electrode CSE1 may be disposed to overlap the lower metal layers BML1 , BML2 , and BML3 and the second capacitance electrode CSE2 of the third conductive layer.
  • the first capacitance electrode CSE1 may be electrically connected to the second source electrode S2 of the second transistor T2 .
  • the first capacitive electrode CSE1 may be formed integrally with the first gate electrode G1 , and contact the second conductive pattern DP2 through the fifth contact hole CT5 to form the second transistor ( It may be electrically connected to the second source electrode S2 of T2).
  • the first gate pattern DP_C may include a first portion extending in the first direction DR1 and a second portion connected thereto and extending in the second direction DR2 .
  • the first portion extending in the first direction DR1 of the first gate pattern DP_C may be disposed under each pixel PX to overlap the first scan line SCL.
  • the first gate pattern DP_C is disposed between the lower metal layers BML1 , BML2 , and BML3 and the first data line DTL1 to overlap the plurality of second active layers ACT2 .
  • a portion of the first gate pattern DP_C overlapping the second active layer ACT2 may serve as the second gate electrode G2 of the second transistor T2 .
  • the first gate pattern DP_C may be electrically connected to the first scan line SCL and a first scan signal may be applied to the second transistor T2 .
  • the second gate pattern DP_S may be disposed to extend in the second direction DR2 within one pixel PX.
  • the second gate pattern DP_S may be disposed so as not to cross a boundary with the neighboring pixel PX in the second direction DR2 .
  • the second gate pattern DP_S may be disposed on the left side of each pixel PX to overlap the second scan line SSL.
  • the second gate pattern DP_S is disposed between the initialization voltage line VIL and the first line vertical portion VDL_V to overlap the plurality of third active layers ACT3 .
  • a portion of the second gate pattern DP_S overlapping the third active layer ACT3 may serve as the third gate electrode G3 of the third transistor T3 .
  • the second gate pattern DP_S may be electrically connected to the second scan line SSL, and a second scan signal may be applied to the third transistor T3 .
  • the third gate pattern DP_R may be disposed above the first capacitive electrodes CSE1 to overlap the second scan line SSL.
  • the third gate pattern DP_R may be electrically connected to the second scan line SSL to reduce wiring resistance of the second scan line SSL extending in the first direction DR1 .
  • the first interlayer insulating layer IL1 is disposed on the second conductive layer.
  • the first interlayer insulating layer IL1 may be disposed to cover or overlap the second conductive layer to protect the second conductive layer.
  • the third conductive layer is disposed on the first interlayer insulating layer IL1.
  • the third conductive layer may include a first scan line SCL, a second scan line SSL, horizontal wiring portions VDL_H and VSL_H, and second capacitance electrodes CSE2 .
  • the third conductive layer constitutes the source electrodes S1 , S2 , S3 or the drain electrodes D1 , D2 , and D3 of each of the transistors T1 , T2 , and T3 , or includes the wiring vertical portions VDL_V and VSL_V or It may include a plurality of conductive patterns DP1 , DP2 , DP3 , DP4 , and DP5 electrically connected to the initialization voltage line VIL.
  • the first scan line SCL and the second scan line SSL may extend in the first direction DR1 to be disposed above and below each pixel PX.
  • the first scan line SCL may be disposed under the pixel PX to overlap the first gate pattern DP_C, and may pass through the tenth contact hole CT10 penetrating the first interlayer insulating layer IL1. It may be electrically connected to the first gate pattern DP_C.
  • the second scan line SSL is disposed on the upper side of the pixel PX to overlap the second gate pattern DP_S and the third gate pattern DP_R, and the second scan line SSL passes through the first interlayer insulating layer IL1.
  • the eleventh contact hole CT11 and the twelfth contact hole CT12 may be electrically connected to the second gate pattern DP_S and the third gate pattern DP_R, respectively.
  • a plurality of second capacitance electrodes CSE2 are disposed in one pixel PX. Each of the second capacitance electrodes CSE2 may be disposed to overlap one of the first capacitance electrodes CSE1 .
  • the second capacitance electrode CSE2 may overlap the first capacitance electrode CSE1 in a thickness direction with the first interlayer insulating layer IL1 interposed therebetween, and a storage capacitor Cst may be formed therebetween.
  • the second capacitive electrode CSE2 may be connected to each of the first transistors T1 through the first contact hole CT1 penetrating the first gate insulating layer GI and the first interlayer insulating layer IL1. It may be electrically connected to the first active layer ACT1 to serve as the first source electrode S1 of the first transistor T1 .
  • the second capacitive electrode CSE2 is connected to the lower metal layer through the fourth contact hole CT4 passing through the buffer layer BL, the first gate insulating layer GI, and the first interlayer insulating layer IL1.
  • the first source electrode S1 of the first transistor T1 may also be electrically connected to the lower metal layers BML1 , BML2 , and BML3 .
  • the other portion of the second capacitive electrode CSE2 passes through the third contact hole CT3 penetrating the first gate insulating layer GI and the first interlayer insulating layer IL1 of the third transistor T3.
  • the third active layer ACT3 may be electrically connected to serve as the third source electrode S3 of the third transistor T3 .
  • the second capacitance electrode CSE2 may be electrically connected to a first electrode RME1 of a display element layer to be described later, and may transmit an electrical signal applied through the first transistor T1 to the first electrode RME1 . .
  • the second capacitance electrode CSE2 connected to the first sub-pixel PX1 is electrically connected to the first extension electrode part CP1 extending in the first direction DR1 . and the first extension electrode part CP1 may be in direct contact with the first electrode RME1 of the first sub-pixel PX1 .
  • the second capacitance electrode CSE2 connected to the third sub-pixel PX3 is electrically connected to the second extension electrode part CP2 extending in the first direction DR1, and the second extension electrode The sub CP2 may directly contact the first electrode RME1 of the third sub-pixel PX3 .
  • the second capacitance electrode CSE2 electrically connected to the second sub-pixel PX2 includes the second capacitance electrode CSE2 at a portion overlapping the first capacitance electrode CSE1 even if the extension electrode parts CP1 and CP2 are not included. It may be electrically connected to the first electrode RME1 of the second sub-pixel PX2 .
  • the first conductive pattern DP1 may be disposed on the left side from the center of each pixel PX and may have a shape extending in the second direction DR2 .
  • the first conductive pattern DP1 is disposed to overlap the first interconnection vertical portion VDL_V in the thickness direction, and passes through the buffer layer BL, the first gate insulating layer GI, and the first interlayer insulating layer IL1. It may be electrically connected to the first line vertical portion VDL_V through the sixth contact hole CT6 .
  • the first conductive pattern DP1 may form the first conductive pattern DP1 of each of the first transistors T1 through the first contact hole CT1 penetrating the first gate insulating layer GI and the first interlayer insulating layer IL1. It may be connected to the first active layer ACT1 to serve as the first drain electrode D1 .
  • the first transistor T1 may be electrically connected to the first voltage line VDL through the first conductive pattern DP1 and a first power voltage may be transmitted thereto.
  • the plurality of second conductive patterns DP2 are disposed at the center of each pixel PX and overlap the second active layer ACT2 of the first capacitance electrode CSE1 and the second transistor T2 in the thickness direction. can be Each of the second conductive patterns DP2 is electrically connected to the second active layer ACT2 through the second electrode contact hole CT2 penetrating the first gate insulating layer GI and the first interlayer insulating layer IL1. to serve as the second source electrode S2.
  • the second conductive patterns DP2 are connected to the first capacitance electrode CSE1 through the fifth contact hole CT5 penetrating the first interlayer insulating layer IL1, and the second transistor T2
  • the second source electrode S2 may be electrically connected to the first gate electrode G1 of the first transistor T1 .
  • the plurality of third conductive patterns DP3 are disposed on the left side from the center of each pixel PX in the thickness direction of the data lines DTL1 , DTL2 , and DTL3 and the second active layer ACT2 of the second transistor T2 . may be overlapped.
  • the plurality of third conductive patterns DP3 may be disposed to overlap the second active layer ACT2 and each of the data lines DTL1 , DTL2 , and DTL3 .
  • the third conductive pattern DP3 is electrically connected to the second active layer ACT2 through the second electrode contact hole CT2 penetrating the first gate insulating layer GI and the first interlayer insulating layer IL1. It may serve as the second drain electrode D2.
  • the third conductive patterns DP3 may form the data line DTL1 through the seventh contact hole CT7 penetrating the buffer layer BL, the first gate insulating layer GI, and the first interlayer insulating layer IL1. , DTL2, DTL3) can be electrically connected.
  • the second transistor T2 may be electrically connected to the data lines DTL1 , DTL2 , and DTL3 through the third conductive pattern DP3 .
  • the fourth conductive pattern DP4 may be disposed on the left side of each pixel PX and may have a shape extending in the second direction DR2 .
  • the fourth conductive pattern DP4 is disposed to overlap the initialization voltage line VIL in the thickness direction, and the eighth conductive pattern DP4 passes through the buffer layer BL, the first gate insulating layer GI, and the first interlayer insulating layer IL1 . It may be electrically connected to the initialization voltage line VIL through the contact hole CT8.
  • the fourth conductive pattern DP4 may be formed through the third contact hole CT3 penetrating the first gate insulating layer GI and the first interlayer insulating layer IL1 through the third transistor T3.
  • the third active layer ACT3 may be electrically connected to serve as the third drain electrode D3 .
  • the third transistor T3 may be electrically connected to the initialization voltage line VIL through the fourth conductive pattern DP4 so that an initialization voltage may be applied thereto.
  • the fifth conductive pattern DP5 may be disposed at the boundary of the pixels PXs adjacent in the first direction DR1 to extend in the second direction DR2 .
  • the fifth conductive pattern DP5 is disposed to overlap the second interconnection vertical portion VSL_V in the thickness direction, and passes through the buffer layer BL, the first gate insulating layer GI, and the first interlayer insulating layer IL1. It may be electrically connected to the second line vertical portion VSL_V through the ninth contact hole CT9.
  • the line horizontal portions VDL_H and VSL_H of the voltage lines VDL and VSL may be disposed below and above the pixel PX, respectively.
  • the first interconnection horizontal portion VDL_H is a fourteenth contact penetrating the buffer layer BL, the first gate insulating layer GI, and the first interlayer insulating layer IL1 at a portion crossing the first interconnection vertical part VDL_V. It may be electrically connected to the first vertical portion VDL_V through the hole CT14.
  • the second wiring horizontal portion VSL_H passes through the buffer layer BL, the first gate insulating layer GI, and the first interlayer insulating layer IL1 at a portion crossing the second wiring vertical portion VSL_V. may be electrically connected to the second wiring vertical portion VSL_V through the thirteenth contact hole CT13.
  • the second line vertical portion VSL_V may be electrically connected to a second electrode RME2 to be described later to transmit a second power voltage.
  • the second interlayer insulating layer IL2 is disposed on the third conductive layer.
  • the second interlayer insulating layer IL2 may function as an insulating layer between the third conductive layer and other layers disposed thereon.
  • the second interlayer insulating layer IL2 may cover the third conductive layer and perform a function of protecting the third conductive layer.
  • the second interlayer insulating layer IL2 may perform a surface planarization function.
  • the first to third conductive layers may be selected from among molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu). It may be formed as a single layer or multiple layers made of any one or an alloy thereof. However, the present invention is not limited thereto.
  • the above-described buffer layer BL, first gate insulating layer GI, first interlayer insulating layer IL1, and second interlayer insulating layer IL2 may be formed of a plurality of inorganic layers alternately stacked.
  • the buffer layer BL, the first gate insulating layer GI, the first interlayer insulating layer IL1, and the second interlayer insulating layer IL2 are silicon oxide (SiO x ), silicon nitride ( Silicon Nitride, SiN x ), and silicon oxynitride (Silicon Oxynitride, SiO x N y ) It may be formed as a double layer stacked with an inorganic layer including at least one or a multilayer stacked by alternating them. Alternatively, each of the layers may be formed of one inorganic layer including the materials.
  • a plurality of first banks BNL1 , a plurality of electrodes RME, light emitting devices ED ED1 and ED2 , a second bank BNL2 , and a third bank BNL3 are disposed on the second interlayer insulating layer IL2 . and a plurality of contact electrodes CNE1 , CNE2 , and CNE3 are disposed.
  • a plurality of insulating layers PAS1 , PAS2 , and PAS3 may be further disposed on the second interlayer insulating layer IL2 .
  • the plurality of first banks BNL1 and second bank BNL2 may be directly disposed on the second interlayer insulating layer IL2 .
  • a portion of the plurality of first banks BNL1 may be disposed in the emission area EMA of each sub-pixel PXn to be spaced apart from each other.
  • the first bank BNL1 may include a plurality of sub-banks BNL_A and BNL_B spaced apart from each other in the first direction DR1 in each light emitting area EMA.
  • the first sub-bank BNL_A may be disposed on the left side of the center of the emission area EMA
  • the second sub-bank BNL_B may be disposed on the right side of the light emitting area EMA.
  • a portion of the first sub-bank BNL_A and the second sub-bank BNL_B may overlap a portion extending in the second direction DR2 of the third bank BNL3 .
  • the first banks BNL1 may have a shape extending in the second direction DR2 , and a length thereof may be shorter than a length of an opening region surrounded by the third bank BNL3 in the second direction DR2 .
  • the first banks BNL1 may form an island-shaped or island-shaped pattern extending in one direction from the entire surface of the display area DPA.
  • the second bank BNL2 may be disposed between the first banks BNL1 and extend in the second direction DR2 . Unlike the first bank BNL1 , the second bank BNL2 extends in the second direction DR2 , crosses the emission area EMA and the sub area SA, and includes a plurality of pixels adjacent in the second direction DR2 . (PX) can be placed. In an embodiment, the width of the portion disposed between the first banks BNL1 may be greater than that of other portions of the second bank BNL2 , and on the portion disposed between the first banks BNL1 , A plurality of electrodes RME may be disposed. For example, the second bank BNL2 is disposed in the sub area SA and may include a bank extension part BNL_E having a large width.
  • a third electrode contact portion CE3 of a third electrode RME3 to be described later may be disposed on the bank extension portion BNL_E of the second bank BNL2 .
  • the second bank BNL2 may substantially extend in the second direction DR2 and include portions having a large width to form a linear or stripe pattern in the display area DPA.
  • the first bank BNL1 and the second bank BNL2 may have a structure in which at least a portion protrudes from the top surface of the second interlayer insulating layer IL2 .
  • the first bank BNL1 and the second banks BNL2 may divide a region between them and an external region on the second interlayer insulating layer IL2, and the first sub-bank BNL_A and the second bank BNL2
  • a plurality of light emitting devices ED may be disposed between the second bank BNL2 and the second sub-bank BNL_B.
  • the protruding portions of the first bank BNL1 and the second bank BNL2 may have inclined side surfaces, and the light emitted from the light emitting device ED is transmitted on the first bank BNL1 and the second bank BNL2.
  • the first bank BNL1 may provide a region in which the light emitting device ED is disposed, and may serve as a reflective wall to reflect light emitted from the light emitting device ED in an upward direction.
  • the side surface of the first bank BNL1 may be inclined in a linear shape, but is not limited thereto.
  • the first bank BNL1 may have a shape of a semicircle or a semiellipse with a curved outer surface in cross-section.
  • the first banks BNL1 may include an organic insulating material such as polyimide (PI), but is not limited thereto.
  • the plurality of electrodes RME have a shape extending in one direction, are spaced apart from each other, and are disposed in each sub-pixel PXn.
  • a first electrode RME1 , a second electrode RME2 , a third electrode RME3 , and a fourth electrode RME4 are disposed in one sub-pixel PXn in the second direction DR2 . , and may be spaced apart from each other in the first direction DR1 .
  • the first electrode RME1 and the third electrode RME3 are partially disposed on the second bank BNL2
  • the second electrode RME2 is partially disposed on the first sub-bank BNL_A and a fourth electrode RME4 may be partially disposed on the second sub-bank BNL_B.
  • the plurality of electrodes RME are portions disposed on the first bank BNL1 or the second bank BNL2, respectively, and the electrode extension portions ET1, ET2, and ET3 having a relatively larger width than the other portions. , ET4) may be included.
  • Each of the electrodes RME is disposed such that the electrode extension parts ET1 , ET2 , ET3 , and ET4 lie on one side of the first bank BNL1 or the second bank BNL2 and extend in the second direction DR2 .
  • the first electrode RME1 may be disposed such that the first electrode extension portion ET1 is disposed on one side of the second bank BNL2 opposite to the second sub-bank BNL_B. .
  • the first electrode extension ET1 of the first electrode RME1 is disposed on a portion of the second bank BNL2 that has a larger width and is disposed in the light emitting area EMA, and is disposed on the first electrode RME1 of the first electrode RME1 .
  • a portion other than the electrode extension portion ET1 may be disposed so as not to overlap the second bank BNL2 .
  • first electrode extension portion ET1 may be disposed on the second bank BNL2 , and other portions may be disposed directly on the second interlayer insulating layer IL2 .
  • the first electrode RME1 extends in the second direction DR2 and is disposed beyond the emission area EMA, and in the sub area SA, the first electrode of another pixel PX adjacent in the second direction DR2 . (RME1) and can be separated.
  • the first electrode RME1 may extend in the second direction DR2 and be disposed over the plurality of pixels PX, and then a part of the first electrode RME1 may be removed from the sub-area SA to be separated so as to be disposed in each sub-pixel PXn. have.
  • the first electrode RME1 may be partially disposed at a boundary with another pixel PX adjacent in the second direction DR2 .
  • the first electrode RME1 includes a first electrode contact part CE1 disposed in the sub-region SA, and the first electrode contact part CE1 includes a second interlayer insulating layer IL2. It may be electrically connected to the second capacitive electrode CSE2 of the third conductive layer through the first electrode contact hole CTD passing therethrough.
  • the first electrode RME1 may be electrically connected to the first transistor T1 through the second capacitance electrode CSE2 so that a first power voltage may be applied thereto. Since the first electrode RME1 is separated for each pixel PX and each sub-pixel PXn, the light emitting devices ED of different sub-pixels PXn may emit light individually.
  • the third electrode RME3 may be disposed such that the third electrode extension portion ET3 is disposed on one side of the second bank BNL2 opposite to the first sub-bank BNL_A.
  • the third electrode extension part ET3 of the third electrode RME3 is disposed on a portion of the second bank BNL2 having a larger width and disposed in the light emitting area EMA, and the third electrode extension part ET3 of the third electrode RME3 Parts other than the electrode extension part ET3 may also be disposed on the second bank BNL2 and may extend in the second direction DR2 .
  • the third electrode RME3 may be disposed to be spaced apart from the first electrode RME1 in the first direction DR1 on the second bank BNL2 .
  • the third electrode RME3 may be disposed in the light emitting area EMA and the other side may be disposed in the sub area SA in the second direction DR2 .
  • the third electrode RME3 is disposed over the emission area EMA and the sub-area SA for each sub-pixel PXn, and the pixels PX adjacent to each other in the second direction DR2 . ) may not be placed on the boundary with
  • the third electrode RME3 includes a third electrode contact part CE3 disposed in the sub area SA, and the third electrode contact part CE3 includes the second bank ( BNL2) may be disposed on the extension.
  • an electrode pattern made of a conductive layer may be disposed on the third electrode contact portion CE3 of the third electrode RME3 .
  • the second electrode RME2 may be disposed such that the second electrode extension portion ET2 is disposed on one side of the first sub-bank BNL_A opposite to the second bank BNL2.
  • a portion of the second electrode RME2 other than the second electrode extension portion ET2 may be disposed so as not to overlap the first sub-bank BNL_A, and may be disposed directly on the second interlayer insulating layer IL2.
  • a portion of the second electrode RME2 is disposed in the light emitting area EMA, and a portion of the second electrode RME2 is disposed to overlap the third bank BNL3, and is substantially disposed in the third bank BNL3. may extend in the second direction DR2 from a lower portion of the .
  • the second electrode RME2 extends in the second direction DR2 to extend beyond the light emitting area EMA and the sub area SA, and one second electrode RME2 is disposed in the second direction ( DR2 ) may be disposed across a plurality of pixels PX adjacent to each other. Unlike the first electrode RME1 , the second electrode RME2 may not be separated from the sub area SA. Also, according to an exemplary embodiment, the second electrode RME2 is disposed at the boundary with the neighboring pixel PX in the second direction DR2 to overlap the second wiring horizontal portion VSL_H in the thickness direction. Part CE2 may be included.
  • the second electrode contact portion CE2 may be electrically connected to the second interconnection horizontal portion VSL_H of the third conductive layer through the second electrode contact hole CTS penetrating the second interlayer insulating layer IL2 . Since the second electrode RME2 is disposed in the sub-pixels PXn adjacent in the second direction DR2 across the plurality of pixels PX, they transmit the second power voltage through the same second electrode RME2 . can receive Since the first power voltage applied through the first electrode RME1 is individually applied to each sub-pixel PXn, even if the second electrode RME2 is disposed in the plurality of sub-pixels PXn, each sub-pixel PXn ) can be driven individually.
  • the second electrode RME2 includes a plurality of second electrode contact portions CE2 , and one of the second electrode contact portions CE2 is electrically connected to the third conductive layer through the second electrode contact hole CTS. However, the other second electrode contact portion CE2 may not be electrically connected to the third conductive layer.
  • the first horizontal line portion VDL_H and the second horizontal line portion VSL_H extend in the first direction DR1 from upper and lower sides of each pixel PX, and extend in the second direction DR2. may be alternately arranged. For example, as shown in FIG.
  • the second electrode RME2 includes a plurality of second electrode contact portions CE2 disposed to overlap the first horizontal wiring VDL_H and the second horizontal wiring VSL_H, and among them, the second horizontal wiring portion Only the second electrode contact portion CE2 overlapping (VSL_H) may be electrically connected to the third conductive layer.
  • the fourth electrode RME4 may be disposed such that the fourth electrode extension portion ET4 is disposed on one side of the second sub-bank BNL_B opposite to the second bank BNL2. A portion of the fourth electrode RME4 other than the fourth electrode extension portion ET4 may be disposed so as not to overlap the second sub-bank BNL_B, and may be directly disposed on the second interlayer insulating layer IL2 . Similar to the second electrode RME2 , the fourth electrode RME4 may extend in the second direction DR2 to extend beyond the emission area EMA and the sub area SA. However, unlike the second electrode RME2 , the fourth electrode RME4 may be separated from the fourth electrode RME4 of another pixel PX adjacent to the sub area SA. The fourth electrode RME4 may be substantially symmetrical to the second electrode RME2 , except that the fourth electrode RME4 does not include an electrode contact portion and is separated from the sub-region SA.
  • a plurality of electrode lines ('RM1, RM2, RM3' in FIG. 15 ) extending in the second direction DR2 are formed to arrange the light emitting devices ED.
  • a plurality of electrodes RME may be formed by separating them in the sub area SA.
  • the second electrode RME2 may remain as an electrode line without being separated from the sub-region SA, but a portion of the electrode line may be removed from the first electrode RME1 , the third electrode RME3 , and the fourth electrode RME4 . can be formed.
  • the plurality of electrode lines may be used to generate an electric field for disposing the light emitting device ED during the manufacturing process of the display device 10 .
  • a driving signal for driving the light emitting device ED may be applied to the electrodes RME. .
  • a distance between each of the electrode extensions ET1, ET2, ET3, and ET4 may be smaller than a distance between portions other than the electrode extensions ET1, ET2, ET3, and ET4.
  • a plurality of light emitting devices ED may be disposed on the electrode extensions ET1 , ET2 , ET3 , and ET4 .
  • Each of the electrode extensions ET1 , ET2 , ET3 , and ET4 may be disposed on an inclined side surface of the first bank BNL1 or the second bank BNL2 , and each of the electrode extensions ET1 , ET2 , ET3 and ET4 ) may be smaller than widths measured in the first direction DR1 of the first bank BNL1 and the second bank BNL2 in the first direction DR1 .
  • Each of the electrodes RME is disposed so that the electrode extension parts ET1 , ET2 , ET3 , and ET4 cover at least one side of the first bank BNL1 or the second bank BNL2 , so that the light emitted from the light emitting device ED is disposed. can reflect
  • the present invention is not limited thereto, and the electrodes RME disposed in each sub-pixel PXn are The arrangement position may vary according to the number or the number of light emitting elements ED arranged in each sub-pixel PXn.
  • Each of the electrodes RME may include a conductive material having high reflectivity.
  • each of the electrodes RME is a material having high reflectivity and includes a metal such as silver (Ag), copper (Cu), aluminum (Al), or the like, or includes aluminum (Al), nickel (Ni), and lanthanum (La). It may be an alloy including the like.
  • Each of the electrodes RME may reflect light emitted from the light emitting device ED and traveling toward the inclined side surfaces of the first bank BNL1 and the second bank BNL2 in an upper direction of each sub-pixel PXn. .
  • each electrode RME may further include a transparent conductive material.
  • each electrode RME may include a material such as ITO, IZO, ITZO, or the like.
  • each of the electrodes RME may have a structure in which a transparent conductive material and a metal layer having high reflectivity are stacked in one or more layers, or may be formed as a single layer including them.
  • each electrode RME may have a stacked structure such as ITO/Ag/ITO/, ITO/Ag/IZO, or ITO/Ag/ITZO/IZO.
  • the first insulating layer PAS1 is entirely disposed on the second interlayer insulating layer IL2 .
  • the first insulating layer PAS1 may be disposed to cover the plurality of electrodes RME, the first bank BNL1 and the second bank BNL2 .
  • the first insulating layer PAS1 may include an opening exposing a portion of the top surface of the plurality of electrodes RME, and the contact electrodes CNE1 , CNE2 , and CNE3 to be described later may include an electrode RME exposed through the opening. ) can be in contact with
  • the first insulating layer PAS1 may have a step difference such that a portion of the upper surface thereof is recessed between the electrodes RME spaced apart from each other in the first direction DR1 . As the first insulating layer PAS1 is disposed to cover the electrodes RME, a step difference may be formed therebetween. The first insulating layer PAS1 may protect the electrodes RME and insulate them from each other. Also, it is possible to prevent the light emitting device ED disposed on the first insulating layer PAS1 from being damaged by direct contact with other members.
  • the third bank BNL3 may be disposed on the first insulating layer PAS1 .
  • the third bank BNL3 may be disposed in a grid pattern including portions extending in the first direction DR1 and the second direction DR2 in plan view.
  • the third bank BNL3 is disposed across the boundary of each sub-pixel PXn to distinguish neighboring sub-pixels PXn.
  • the third bank BNL3 may be disposed to surround the emission area EMA and the sub area SA disposed in each sub-pixel PXn to distinguish them.
  • the portion disposed between the light emitting area EMA and the portion disposed between the sub area SA may have the same width. Accordingly, the interval between the sub-areas SA may be the same as the interval between the light-emitting areas EMA.
  • the present invention is not limited thereto.
  • the third bank BNL3 may be disposed to partially overlap with the electrodes RME thereunder in the thickness direction.
  • a portion of the third bank BNL3 disposed at the boundary of the sub-pixel PXn may overlap the second electrode RME2 and the fourth electrode RME4 .
  • the third bank BNL3 may overlap the plurality of electrodes RME in a portion surrounding the sub-region SA, and may overlap with the pixel PX adjacent in the second direction DR2 .
  • a portion extending in the first direction DR1 may overlap the first electrode RME1 , the second electrode RME2 , and the fourth electrode RME4 .
  • the second electrode contact portion CE2 of the second electrode RME2 may be disposed under a portion extending in the first direction DR1 of the third bank BNL3 .
  • the third bank BNL3 may be formed to have a greater height than that of the first bank BNL1 and the second bank BNL2 .
  • the third bank BNL3 prevents ink from overflowing into the adjacent sub-pixels PXn in the inkjet printing process of the manufacturing process of the display device 10 , so that the different light emitting devices ED are dispersed in different sub-pixels PXn. They can be separated so that they do not mix with each other.
  • a portion of the third bank BNL3 extending in the second direction DR2 may be disposed on the first banks BNL1 .
  • the third bank BNL3 may include polyimide (PI) like the first bank BNL1 .
  • the third bank BNL3 is disposed on a different layer from the first bank BNL1, the present invention is not limited thereto.
  • the third bank BNL3 may be formed in the same process as the first bank BNL1 and disposed on the same layer.
  • the light emitting device ED may be disposed on the first insulating layer PAS1 .
  • the plurality of light emitting devices ED may be disposed to be spaced apart from each other in the second direction DR2 in which the respective electrodes RME extend, and may be aligned substantially parallel to each other.
  • the light emitting device ED may have a shape extending in one direction, and the direction in which each of the electrodes RME is extended and the direction in which the light emitting device ED is extended may be substantially perpendicular to each other.
  • the present invention is not limited thereto, and the light emitting device ED may be disposed obliquely in a direction in which the respective electrodes RME extend.
  • the light emitting device ED may include semiconductor layers doped with different conductivity types.
  • the light emitting device ED may include a plurality of semiconductor layers and may be oriented so that one end thereof faces a specific direction according to a direction of an electric field generated on the electrode RME.
  • the light emitting device ED may include a light emitting layer ( '36' in FIG. 14 ) to emit light in a specific wavelength band.
  • the light emitting devices ED disposed in each sub pixel PXn may emit light of different wavelength bands depending on the material constituting the light emitting layer 36 .
  • the present invention is not limited thereto, and the light emitting devices ED disposed in each sub-pixel PXn may emit light of the same color.
  • a plurality of layers may be disposed in a direction parallel to the top surface of the first substrate SUB1 .
  • the light emitting device ED of the display device 10 is disposed so that one extended direction is parallel to the first substrate SUB1 , and a plurality of semiconductor layers included in the light emitting device ED are formed on the top surface of the first substrate SUB1 . may be sequentially disposed along a direction parallel to the However, the present invention is not limited thereto. In some cases, when the light emitting device ED has a different structure, the plurality of layers may be disposed in a direction perpendicular to the first substrate SUB1 .
  • the light emitting device ED may be disposed on each electrode RME between the first bank BNL1 and the second bank BNL2 .
  • the extended length of the light emitting element ED is longer than the distance between the electrodes RME spaced apart in the first direction DR1 , and both ends of the light emitting element ED are disposed on different electrodes RME.
  • the light emitting device ED includes a plurality of semiconductor layers, and a first end and an opposite second end may be defined with respect to one semiconductor layer.
  • the plurality of light emitting devices ED may be divided into different light emitting devices ED based on the electrode on which the first end is disposed.
  • the first light emitting device ED1 and the first light emitting device ED are disposed such that a first end is disposed on the first electrode RME1 and a second end is disposed on the fourth electrode RME4 of the light emitting device ED.
  • the second light emitting device ED2 may include an end portion disposed on the third electrode RME3 and a second end portion disposed on the second electrode RME2 .
  • the first light emitting device ED1 has a first end disposed on the first electrode extension ET1 between the second bank BNL2 and the second sub-bank BNL_B, and a second end of the fourth electrode extension portion ET1 ET4).
  • the second light emitting element ED2 has a first end disposed on the third electrode extension ET3 between the second bank BNL2 and the first sub-bank BNL_A, and a second end of the second electrode extension portion ET3 ET2).
  • the light emitting devices ED disposed in one sub-pixel PXn may include first and second light emitting devices ED1 and ED2 with first ends facing opposite directions.
  • Both ends of the light emitting device ED may contact the contact electrodes CNE1 , CNE2 , and CNE3 , respectively.
  • the exposed semiconductor layer is the contact electrodes CNE1 , CNE2 , and CNE3 .
  • the present invention is not limited thereto.
  • at least a partial region of the insulating layer 38 may be removed, and the insulating layer 38 may be removed to partially expose both end surfaces of the semiconductor layers.
  • the exposed side surfaces of the semiconductor layer may directly contact the contact electrodes CNE1 , CNE2 , and CNE3 .
  • Each of the light emitting devices ED may be electrically connected to each electrode RME through the contact electrodes CNE1 , CNE2 , and CNE3 .
  • the second end of the first light emitting element ED1 and the first end of the second light emitting element ED2 are electrically connected to each other through the same contact electrode, and accordingly, the first light emitting element ED1 and the second light emitting element ( ED2) can be connected in series with each other.
  • the second insulating layer PAS2 may be partially disposed on the first insulating layer PAS1 and the light emitting device ED.
  • the second insulating layer PAS2 may also be disposed in the third bank BNL3 and the sub-region SA.
  • the second insulating layer PAS2 is disposed to partially cover the outer surface of the light emitting device ED, so that one end and the other end of the light emitting device ED are not covered.
  • a portion of the second insulating layer PAS2 may overlap the second bank BNL2 and may be disposed on the first insulating layer PAS1 .
  • the second insulating layer PAS2 is disposed on the light emitting device ED, the first insulating layer PAS1 and the third bank BNL3 in the light emitting area EMA, and is an electrode together with both ends of the light emitting device ED. (RME) may be disposed to expose a portion of the disposed portion.
  • the shape of the second insulating layer PAS2 is completely disposed on the first insulating layer PAS1 and the third bank BNL3 during the manufacturing process of the display device 10 , and then both ends of the light emitting device ED are formed. It may be formed by a process of removing to expose.
  • a portion of the second insulating layer PAS2 disposed on the light emitting device ED is disposed to extend in the second direction DR2 on the first insulating layer PAS1 in a plan view, so that in each sub-pixel PXn, it is linear or An island-like pattern can be formed.
  • the second insulating layer PAS2 may protect the light emitting device ED and may fix the light emitting device ED in the manufacturing process of the display device 10 . Also, the second insulating layer PAS2 may be disposed to fill a space between the light emitting device ED and the lower first insulating layer PAS1 .
  • a process of separating the electrode lines from the sub-region SA to form each electrode RME may be performed after forming the second insulating layer PAS2 .
  • the second insulating layer PAS2 is entirely disposed in the sub area SA and the light emitting area EMA, and may be partially removed by exposing both ends of the light emitting device ED and a separation process.
  • the first insulating layer PAS1 and the second insulating layer PAS2 are removed in the region where the electrode lines are separated, and a third insulating layer PAS3 to be described later is formed on the second interlayer insulating layer IL2. can be placed directly on
  • a plurality of contact electrodes CNE1 , CNE2 , and CNE3 and a third insulating layer PAS3 may be disposed on the second insulating layer PAS2 .
  • the contact electrodes CNE1, CNE2, and CNE3 may include a first contact electrode CNE1 and a second contact electrode CNE2 disposed on the same layer as each other, and a third contact electrode CNE3 disposed on a different layer from them.
  • a third insulating layer PAS3 may be disposed between the first contact electrode CNE1 , the second contact electrode CNE2 , and the third contact electrode CNE3 .
  • the plurality of contact electrodes CNE1 , CNE2 , and CNE3 may contact the light emitting element ED and the electrodes RME, respectively.
  • the plurality of contact electrodes CNE1 , CNE2 , and CNE3 may directly contact the semiconductor layers exposed on both end surfaces of the light emitting device ED, and the first insulating layer PAS1 among the top surfaces of the electrodes RME is not disposed. It can be in contact with the exposed upper surface without Both ends of the light emitting element ED may be electrically connected to the electrode RME through the plurality of contact electrodes CNE1 , CNE2 , and CNE3 .
  • the first contact electrode CNE1 may be disposed on the first electrode CNE1
  • the second contact electrode CNE2 may be disposed on the second electrode CNE2
  • the first contact electrode CNE1 may be disposed on the first electrode extension ET1 , may have a narrower width than the first electrode extension ET1 and may extend in the second direction DR2
  • the first contact electrode CNE1 may include a plurality of first contact portions CNT1 disposed on the first electrode RME1 and having an extended width, and the first contact portions CNT1 may include first contact portions CNT1 .
  • the insulating layer PAS1 may contact the exposed first electrode RME1 .
  • the plurality of first contact portions CNT1 may be disposed so as not to overlap the light emitting devices ED in the first direction DR1 .
  • the first contact part CNT1 may be disposed adjacent to one side of the electrode extension parts ET1 , ET2 , ET3 , and ET4 in the second direction DR2 in which the plurality of light emitting devices ED are disposed. have.
  • the drawing shows that the first contact electrode CNE1 includes two first contact portions CNT1 , the present invention is not limited thereto.
  • the first contact electrode CNE1 may be in contact with the first end and the first electrode RME1 of the first light emitting device ED1 , respectively, and the first light emitting device ED1 is connected to the first contact electrode CNE1 through the first contact electrode CNE1 . It may be electrically connected to the first electrode RME1.
  • the second contact electrode CNE2 may be disposed on the second electrode extension ET2 , may have a narrower width than the second electrode extension ET2 and may extend in the second direction DR2 .
  • the second contact electrode CNE2 may include a plurality of second contact portions CNT2 disposed on the second electrode RME2 and extending in width, and the second contact portions CNT2 may include the first contact portions CNT2 .
  • the insulating layer PAS1 may contact the exposed second electrode RME2 .
  • any one of the second contact portions CNT2 may be disposed on the second electrode contact portion CE2 of the second electrode RME2 .
  • the plurality of second contact portions CNT2 may be disposed so as not to overlap the light emitting devices ED in the first direction DR1 .
  • the second contact part CNT2 may be disposed adjacent to one side of the electrode extension parts ET1 , ET2 , ET3 , and ET4 in the second direction DR2 in which the plurality of light emitting devices ED are disposed. have.
  • the drawing shows that the second contact electrode CNE2 includes two second contact portions CNT2 , the present invention is not limited thereto.
  • the second contact electrode CNE2 may contact the second end and the second electrode RME2 of the second light emitting element ED2 , respectively, and the second light emitting element ED2 is connected to the second contact electrode CNE2 through the second contact electrode CNE2 . It may be electrically connected to the first electrode RME1.
  • the first contact electrode CNE1 and the second contact electrode CNE2 may be directly disposed on the second insulating layer PAS2 , respectively.
  • the first contact electrode CNE1 and the second contact electrode CNE2 may have a smaller width than the electrodes RME and may form a linear pattern extending in the second direction DR2 within the emission area EMA.
  • the first contact portions CNT1 of the first contact electrode CNE1 are disposed on one side of the second direction DR2 of the first electrode extension ET1, and the second contact portions CNT1 of the second contact electrode CNE2
  • the CNT2 may be disposed on the other side of the second electrode extension ET2 in the second direction DR2 .
  • the present invention is not limited thereto.
  • a third insulating layer PAS3 may be disposed on the first contact electrode CNE1 and the second contact electrode CNE2 .
  • the third insulating layer PAS3 may cover the first contact electrode CNE1 and the second contact electrode CNE2 , and a portion may also be disposed on the second insulating layer PAS2 .
  • the third insulating layer PAS3 may be entirely disposed on the first insulating layer PAS1 except for a portion where the third contact electrode CNE3 is disposed on the electrode RME.
  • the third insulating layer PAS3 may insulate the first and second contact electrodes CNE1 and CNE2 and the third contact electrode CNE3 so that they do not directly contact each other.
  • the third insulating layer PAS3 may insulate the first and second contact electrodes CNE1 and CNE2 and the third contact electrode CNE3 from each other, in an embodiment, the third insulating layer PAS3 ) may be omitted. In this case, the first contact electrode CNE1 , the second contact electrode CNE2 , and the third contact electrode CNE3 may be disposed on the same layer.
  • the third contact electrode CNE3 includes a first extension CN_E1 disposed on the third electrode extension ET3 , a second extension CN_E2 disposed on the fourth electrode extension ET4 , and a first It may include a plurality of connection parts CN_B connecting the extension part CN_E1 and the second extension part CN_E2 to each other.
  • the first extension CN_E1 and the second extension CN_E2 may have a shape substantially similar to that of the first contact electrode CNE1 .
  • the first extension part CN_E1 and the second extension part CN_E2 have a narrower width than the third electrode extension part ET3 and the fourth electrode extension part ET4 and have a shape extending in the second direction DR2.
  • the length of the first extension part CN_E1 and the second extension part CN_E2 in the second direction DR2 may be longer than the length of the first contact electrode CNE1 , and the first extension part CN_E1 .
  • the second extension part CN_E2 may be connected to each other through connection parts CN_B extending in the first direction DR1 .
  • the third contact electrode CNE3 may have a shape surrounding the first contact electrode CNE1 in a plan view.
  • the first extension part CN_E1 and the second extension part CN_E2 are disposed on the third electrode RME3 and on the third contact part CNT3 and the fourth electrode RME4 whose widths are extended. It may include fourth contact portions CNT4 disposed at the junction and having an extended width.
  • the third and fourth contact portions CNT3 and CNT4 may contact the third and fourth electrodes RME3 and RME4 exposed by the first insulating layer PAS1 .
  • the plurality of third contact portions CNT3 and fourth contact portions CNT4 may be disposed so as not to overlap the light emitting devices ED in the first direction DR1 .
  • the third contact part CNT3 and the fourth contact part CNT4 may be disposed parallel to the first contact part CNT1 or the second contact part CNT2 in the first direction DR1 .
  • the present invention is not limited thereto.
  • the first extension CN_E1 of the third contact electrode CNE3 is in contact with the second end of the first light emitting element ED1
  • the second extension CN_E2 is connected to the first end of the second light emitting element ED2 can be contacted
  • the first light emitting device ED1 and the second light emitting device ED2 may be connected in series to each other through the third contact electrode CNE3 .
  • the contact electrodes CNE1 , CNE2 , and CNE3 may include a conductive material.
  • it may include ITO, IZO, ITZO, aluminum (Al), and the like.
  • the contact electrodes CNE1, CNE2, and CNE3 may include a transparent conductive material, and light emitted from the light emitting device ED may pass through the contact electrodes CNE1, CNE2, and CNE3 to proceed toward the electrodes RME. have.
  • the present invention is not limited thereto.
  • another insulating layer covering the contact electrodes CNE1 , CNE2 , and CNE3 may be further disposed on the third insulating layer PAS3 .
  • the insulating layer may be entirely disposed on the first substrate SUB1 to protect members disposed thereon from an external environment.
  • first insulating layer PAS1 , second insulating layer PAS2 , and third insulating layer PAS3 may include an inorganic insulating material or an organic insulating material.
  • the first insulating layer PAS1 , the second insulating layer PAS2 , and the third insulating layer PAS3 may include silicon oxide (SiO x ), silicon nitride (SiN x ), silicon oxynitride (SiO x ).
  • N y silicon oxide
  • AlO x aluminum oxide
  • AlN x aluminum nitride
  • etc. may include an inorganic insulating material.
  • organic insulating materials such as acrylic resin, epoxy resin, phenol resin, polyamide resin, polyimide resin, unsaturated polyester resin, polyphenylene resin, polyphenylene sulfide resin, benzocyclobutene, cardo resin, siloxane resin , silsesquioxane resin, polymethyl methacrylate, polycarbonate, polymethyl methacrylate-polycarbonate synthetic resin, and the like.
  • the present invention is not limited thereto.
  • each pixel PX of the display device 10 may include sub-pixels PXn of different types in which the emission area EMA and the sub area SA are arranged.
  • the arrangement of the electrodes RME disposed in each sub-pixel PXn may vary according to the arrangement of the emission area EMA and the sub-area SA of the corresponding sub-pixel PXn.
  • the sub-area SA is one side of the first and third light-emitting areas EMA1 and EMA3 in the second direction DR2 . It may be disposed on the upper side.
  • the first electrode RME1 and the third electrode RME3 of the first sub-pixel PX1 and the third sub-pixel PX3 have the first electrode contact part CE1 and the third electrode disposed in the sub area SA. It may extend downward from the contact part CE3 and be disposed in the light emitting area EMA.
  • the sub-area SA may be disposed on the lower side of the second light-emitting area EMA2 in the second direction DR2 .
  • the first electrode RME1 and the third electrode RME3 of the second sub-pixel PX2 move upward from the first electrode contact part CE1 and the third electrode contact part CE3 disposed in the sub area SA. It may extend and be disposed in the light emitting area EMA.
  • the first sub-pixel PX1 and the third sub-pixel PX3 are first type sub-pixels in which the first electrode RME1 and the third electrode RME3 extend downward from the electrode contact portions CE1 and CE3 .
  • the second sub-pixel PX2 may be a first-type sub-pixel in which the first electrode RME1 and the third electrode RME3 extend upward from the electrode contact portions CE1 and CE3 .
  • the second electrode RME2 is disposed across the plurality of pixels PX or sub-pixels PXn that are adjacent in the second direction DR2 beyond the sub-area SA.
  • the second electrode RME2 includes a plurality of second electrode contact portions CE2 , which are disposed to overlap the first horizontal wiring VDL_H or the second horizontal wiring VSL_H, but Only the second electrode contact portion CE2 overlapping with VSL_H may contact the second line horizontal portion VSL_H through the second electrode contact hole CTS.
  • One second line horizontal portion VSL_H may extend in the first direction DR1 to contact the second electrodes RME2 of the plurality of sub-pixels PXn arranged in the first direction DR1 .
  • Different types of sub-pixels PXn may have different positions of the second electrode contact portion CE2 in contact with the second line horizontal portion VSL_H.
  • the second line horizontal portion VSL_H is disposed above the sub area SA.
  • the second electrode contact portion CE2 of the second electrode RME2 disposed in the first type sub-pixel is disposed above the sub-area SA and is disposed on the second sub-pixel PXn adjacent in the second direction DR2 .
  • the light emitting area EMA may contact the second line horizontal portion VSL_H.
  • the second line horizontal portion VSL_H may cross the second emission area EMA2 .
  • the second electrode contact portion CE2 of the second electrode RME2 disposed in the second type sub-pixel is partially disposed in the emission area EMA, and a second electrode contact portion CE2 is disposed in the vicinity of the emission area EMA of the corresponding sub-pixel PXn. It may be in contact with the wiring horizontal portion VSL_H.
  • the arrangement and structure of the contact electrodes CNE1 , CNE2 , and CNE3 may also be different from the first sub-pixel PX1 and the second sub-pixel PX2 .
  • the second contact electrode CNE2 of the first sub-pixel PX1 has the second contact portion CNT2 in contact with the second electrode contact portion CE2 disposed on the first horizontal portion VDL_H of the wiring. do.
  • the second contact portion CNT2 may be in contact with the second electrode contact portion CE2 disposed on the second line horizontal portion VSL_H. have.
  • the first sub-pixel PX1 , the third sub-pixel PX3 , and the second sub-pixel PX2 may be defined as different types of sub-pixels, and thus light emission
  • the arrangement of the area EMA and the sub area SA or the structure of the electrodes RME may be different.
  • the extending direction of the first electrode RME1 and the third electrode RME3 is the first sub-region based on the first electrode contact portion CE1 and the third electrode contact portion CE3 disposed in the sub area SA.
  • a case in which the pixel PX1 and the second sub-pixel PX2 are opposite to each other is exemplified.
  • the disposition of the electrodes RME, the contact electrodes CNE1 , CNE2 , and CNE3 of the second sub-pixel PX2 , and the emission area EMA and the sub-area SA of the first sub-pixel PX1 is and may have a symmetrical structure.
  • the display device 10 includes sub-pixels of different types, so that the emission areas EMA of the sub-pixels PXn adjacent in one pixel PX are not arranged in parallel with each other, and the first direction DR1 ), a sub-area SA may be disposed between the plurality of light-emitting areas EMA spaced apart from each other.
  • each sub-pixel PXn includes a light emitting area EMA and a sub area SA
  • one pixel PX includes a light emitting device ( An area in which EDs are disposed and an area in which the EDs are not disposed may be distinguished.
  • each sub pixel PXn includes a plurality of electrodes RME and contact electrodes CNE1 , CNE2 , and CNE3 , which are disposed in the light emitting area EMA.
  • each light emitting area EMA a plurality of light emitting devices ED are disposed to have a certain level of luminance, and an area in which electrodes RME and contact electrodes CNE1, CNE2, and CNE3 for driving them are disposed is required. do.
  • the light emitting areas EMA are not parallel and the sub areas SA are disposed between them, the light emitting areas EMA are arranged in a single direction. There is an advantage in securing the area of the light emitting area EMA compared to the area of the pixel PX.
  • the display device 10 When the display device 10 is disposed on the display device layer and further includes color control structures ('TPL, WCL1, WCL2' in FIG. 16 ) to which light emitted from the light emitting devices ED is incident, the light emitting region (EMA) may secure a sufficient area, and even if the color control structures are disposed on the sub-area SA adjacent to the emission area EMA, there is no risk of color mixing between the adjacent sub-pixels PXn.
  • the color control structures may include an organic material, and the color control structures may be deformed by deterioration of the organic material, such that a width of the color control structure may be reduced.
  • the color control structures cover the light emitting devices ED in the light emitting area EMA and are also disposed in the sub area SA, even if the width of the color control structure is reduced, at least the light emitting devices ED can be covered, and light output efficiency is improved. can keep A detailed description thereof will be described later with reference to other drawings.
  • FIG. 14 is a schematic diagram of a light emitting device according to an embodiment.
  • the light emitting device ED may be a light emitting diode (Light Emitting diode), and for example, the light emitting device ED has a size of a micro-meter to a nano-meter unit, and is an inorganic material. It may be a light emitting diode.
  • the inorganic light emitting diode may be aligned between the two electrodes in which polarity is formed when an electric field is formed in a specific direction between the two electrodes facing each other.
  • the light emitting device ED may be aligned between the electrodes by an electric field formed on the two electrodes.
  • the light emitting device ED may have a shape extending in one direction.
  • the light emitting device ED may have a shape such as a rod, a wire, or a tube.
  • the light emitting device ED may have a cylindrical shape or a rod shape.
  • the shape of the light emitting device (ED) is not limited thereto, and the light emitting device ( ED) may have various forms.
  • a plurality of semiconductors included in the light emitting device ED, which will be described later, may have a structure in which they are sequentially disposed or stacked along the one direction.
  • the light emitting device ED may include a semiconductor layer doped with an arbitrary conductivity type (eg, p-type or n-type) impurity.
  • the semiconductor layer may emit an electric signal applied from an external power source to emit light in a specific wavelength band.
  • the light emitting device ED may include a first semiconductor layer 31 , a second semiconductor layer 32 , a light emitting layer 36 , an electrode layer 37 , and an insulating layer 38 .
  • the first semiconductor layer 31 may be an n-type semiconductor.
  • the first semiconductor layer 31 may be Al x Ga y In 1-xy N (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1, 0 ⁇ and a semiconductor material having a formula of x+y ⁇ 1).
  • it may be any one or more of AlGaInN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, and InN doped with n-type.
  • the first semiconductor layer 31 may be doped with an n-type dopant, for example, the n-type dopant may be Si, Ge, Sn, or the like.
  • the first semiconductor layer 31 may be n-GaN doped with n-type Si.
  • the length of the first semiconductor layer 31 may be in a range of 1.5 ⁇ m to 5 ⁇ m, but is not limited thereto.
  • the second semiconductor layer 32 is disposed on the light emitting layer 36 to be described later.
  • the second semiconductor layer 32 may be a p-type semiconductor.
  • the second semiconductor layer 32 may be Al x Ga y In 1-xy It may include a semiconductor material having a formula of N (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1, 0 ⁇ x+y ⁇ 1).
  • N a semiconductor material having a formula of N (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1, 0 ⁇ x+y ⁇ 1).
  • it may be any one or more of AlGaInN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, and InN doped with p-type.
  • the second semiconductor layer 32 may be doped with a p-type dopant, and for example, the p-type dopant may be Mg, Zn, Ca, Ba, or the like. In an exemplary embodiment, the second semiconductor layer 32 may be p-GaN doped with p-type Mg. The length of the second semiconductor layer 32 may be in the range of 0.05 ⁇ m to 0.10 ⁇ m, but is not limited thereto.
  • the drawing shows that the first semiconductor layer 31 and the second semiconductor layer 32 are configured as one layer, the present invention is not limited thereto. According to some embodiments, depending on the material of the light emitting layer 36, the first semiconductor layer 31 and the second semiconductor layer 32 have a larger number of layers, such as a clad layer or a TSBR (Tensile strain barrier reducing). It may further include a layer.
  • the light emitting layer 36 is disposed between the first semiconductor layer 31 and the second semiconductor layer 32 .
  • the light emitting layer 36 may include a material having a single or multiple quantum well structure.
  • the light emitting layer 36 may include a material having a multi-quantum well structure, it may have a structure in which a plurality of quantum layers and a well layer are alternately stacked.
  • the light emitting layer 36 may emit light by combining electron-hole pairs according to an electric signal applied through the first semiconductor layer 31 and the second semiconductor layer 32 .
  • the emission layer 36 when the emission layer 36 emits light in a blue wavelength band, it may include a material such as AlGaN or AlGaInN.
  • the emission layer 36 has a multi-quantum well structure in which quantum layers and well layers are alternately stacked
  • the quantum layer may include a material such as AlGaN or AlGaInN
  • the well layer may include a material such as GaN or AlInN.
  • the light emitting layer 36 includes AlGaInN as a quantum layer and AlInN as a well layer. .
  • the present invention is not limited thereto, and the light emitting layer 36 may have a structure in which a type of semiconductor material having a large band gap energy and a semiconductor material having a small band gap energy are alternately stacked with each other, and the wavelength band of the emitted light It may include other group 3 to group 5 semiconductor materials according to the present invention.
  • the light emitted by the light emitting layer 36 is not limited to the light of the blue wavelength band, and in some cases, the light of the red and green wavelength bands may be emitted.
  • the length of the light emitting layer 36 may have a range of 0.05 ⁇ m to 0.10 ⁇ m, but is not limited thereto.
  • light emitted from the light emitting layer 36 may be emitted not only from the longitudinal outer surface of the light emitting element ED, but also from both sides.
  • the light emitted from the light emitting layer 36 is not limited in directionality in one direction.
  • the electrode layer 37 may be an ohmic contact electrode. However, the present invention is not limited thereto, and may be a Schottky contact electrode.
  • the light emitting device ED may include at least one electrode layer 37 . 14 illustrates that the light emitting device ED includes one electrode layer 37 , but is not limited thereto. In some cases, the light emitting device ED may include a larger number of electrode layers 37 or may be omitted. The description of the light emitting device ED, which will be described later, may be equally applied even if the number of electrode layers 37 is changed or a different structure is further included.
  • the electrode layer 37 may reduce resistance between the light emitting device ED and the electrode or contact electrode when the light emitting device ED is electrically connected to an electrode or a contact electrode in the display device 10 according to an exemplary embodiment.
  • the electrode layer 37 may include a conductive metal.
  • the electrode layer 37 may include at least one of aluminum (Al), titanium (Ti), indium (In), gold (Au), silver (Ag), ITO, IZO, and ITZO.
  • the electrode layer 37 may include a semiconductor material doped with n-type or p-type, but is not limited thereto.
  • the insulating film 38 is disposed to surround outer surfaces of the plurality of semiconductor layers and electrode layers.
  • the insulating layer 38 may be disposed to surround at least the outer surface of the light emitting layer 36 , and may extend in one direction in which the light emitting device ED extends.
  • the insulating layer 38 may function to protect the members.
  • the insulating layer 38 may be formed to surround side surfaces of the members, and both ends of the light emitting device ED in the longitudinal direction may be exposed.
  • the insulating layer 38 extends in the longitudinal direction of the light emitting device ED and is formed to cover from the first semiconductor layer 31 to the side surface of the electrode layer 37 , but is not limited thereto.
  • the insulating layer 38 may cover only the outer surface of a portion of the semiconductor layer including the light emitting layer 36 , or cover only a portion of the outer surface of the electrode layer 37 so that the outer surface of each electrode layer 37 is partially exposed.
  • the insulating layer 38 may be formed to have a rounded upper surface in cross-section in a region adjacent to at least one end of the light emitting device ED.
  • the thickness of the insulating layer 38 may have a range of 10 nm to 1.0 ⁇ m, but is not limited thereto.
  • the thickness of the insulating layer 38 may be about 40 nm.
  • the insulating layer 38 may include materials having insulating properties, for example, silicon oxide (SiO x ), silicon nitride (SiN x ), silicon oxynitride (SiO x N y ), aluminum oxide (AlO x ), or the like.
  • SiO x silicon oxide
  • SiN x silicon nitride
  • SiO x N y silicon oxynitride
  • AlO x aluminum oxide
  • the outer surface of the insulating film 38 may be surface-treated.
  • the light emitting element ED may be sprayed onto the electrode in a state of being dispersed in a predetermined ink to be aligned.
  • the surface of the insulating layer 38 may be treated with hydrophobicity or hydrophilicity.
  • the light emitting device ED may have a length h of 1 ⁇ m to 10 ⁇ m or 2 ⁇ m to 6 ⁇ m, and may have a length of 3 ⁇ m to 5 ⁇ m.
  • the diameter of the light emitting device ED may be in the range of 30 nm to 700 nm, and the aspect ratio of the light emitting device ED may be 1.2 to 100.
  • the present invention is not limited thereto, and the plurality of light emitting devices ED included in the display device 10 may have different diameters according to a difference in composition of the light emitting layer 36 .
  • the diameter of the light emitting device ED may be in a range of about 500 nm.
  • wirings of the circuit layer CCL electrically connected to the plurality of sub-pixels PXn are based on one unit pixel PX instead of the sub-pixel PXn.
  • the wirings of the circuit layer CCL disposed under the area occupied by one sub-pixel PXn may be different for each sub-pixel PXn.
  • one pixel PX includes different types of sub-pixels PXn having different arrangements of the emission area EMA and the sub-area SA.
  • the electrodes RME disposed in each sub-pixel PXn for example, the first electrode RME1 and the second electrode RME2 are electrically connected to the lower third conductive layer electrode contact part CE1;
  • the location of CE2 may be different for each sub-pixel PXn included in one pixel PX.
  • 15 is a plan view illustrating a schematic arrangement of a plurality of electrodes and a third conductive layer included in one pixel of a display device according to an exemplary embodiment.
  • 16 is a cross-sectional view taken along lines C1-C1', C2-C2', and C3-C3' of FIG. 15 .
  • the third conductive layer of the circuit layer CCL and the third bank BNL3 disposed thereon, the electrodes RME, the light emitting devices ED, and the contact electrodes CNE1 , CNE2 , and CNE3 are relative to each other. Only batches are shown.
  • 16 illustrates cross-sections of the first electrode contact portions CE1 of the first sub-pixel PX1 , the second sub-pixel PX2 , and the third sub-pixel PX3 .
  • the first electrode contact part CE1 disposed in the sub area SA is in contact with the third conductive layer thereunder, and , through which it may be electrically connected to the first transistor T1 of the circuit layer CCL.
  • the first electrode RME1 is electrically connected to the first source electrode S1 of the first transistor T1, the first active layer ACT1 of the first transistor T1 disposed in the circuit layer CCL; and the second capacitance electrode CSE2 constituting the first source electrode S1 is disposed at the boundary between the second sub-pixel PX2 or the first sub-pixel PX1 and the second sub-pixel PX2 in a plan view can be
  • the first electrode RME1 of the first sub-pixel PX1 and the third sub-pixel PX3 is disposed to not overlap the second capacitance electrode CSE2 of the third conductive layer, and the second sub-pixel PX2
  • the first electrode RME1 may be disposed to overlap the second capacitance electrode CSE2 of the third conductive layer.
  • the first electrode contact portion CE1 of each sub-pixel PXn is in direct contact with the second capacitance electrode CSE2 of the third conductive layer or through the extension electrode portions CP1 and CP2. may be electrically connected.
  • the first transistor T1 electrically connected to the first electrode RME1 of the first sub-pixel PX1 may include the first active layer ACT1 and the second transistor T1 constituting the first source electrode S1 .
  • the capacitive electrode CSE2 is disposed on the upper side of the second direction DR2 with respect to the center of the pixel PX.
  • the second capacitance electrode CSE2 of the first sub-pixel PX1 is disposed to not overlap the first electrode RME1 and the sub-region SA of the first sub-pixel PX1, the first electrode contact The sub-CE1 may not directly contact the second capacitance electrode CSE2 of the first sub-pixel PX1 .
  • the third conductive layer is directly electrically connected to the second capacitance electrode CSE2 of the first sub-pixel PX1 and is disposed to overlap the sub-region SA of the first sub-pixel PX1.
  • the first extension electrode part CP1 may be integrated with the second capacitance electrode CSE2 including a portion extending in the first direction DR1 , and may be formed in the sub area SA of the first sub pixel PX1 . It may be in direct contact with the first electrode contact part CE1 .
  • the first electrode RME1 of the first sub-pixel PX1 may be electrically connected to the first source electrode S1 of the first transistor T1 through the first extension electrode part CP1 .
  • the first transistor T1 electrically connected to the first electrode RME1 of the third sub-pixel PX3 includes the first active layer ACT1 and the second transistor T1 constituting the first source electrode S1 .
  • the capacitance electrode CSE2 is disposed adjacent to the center of the pixel PX.
  • the second capacitance electrode CSE2 of the third sub-pixel PX3 is disposed to not overlap the first electrode RME1 and the sub-region SA of the third sub-pixel PX3, the first electrode contact The sub-CE1 may not directly contact the second capacitance electrode CSE2 of the third sub-pixel PX3 .
  • the third conductive layer is directly connected to the second capacitance electrode CSE2 of the third sub-pixel PX3 and is disposed to overlap the sub-area SA of the third sub-pixel PX3, the second extension electrode part CP2 ) is included.
  • the second extension electrode part CP2 may include a portion extending in the first direction DR1 and a portion extending in the second direction DR2 , and may be integrated with the second electrostatic capacitance electrode CSE2 , and may be integrated with the third sub-electrode part CP2 .
  • the sub-region SA of the pixel PX3 may directly electrically contact the first electrode contact part CE1 .
  • the first electrode RME1 of the third sub-pixel PX3 may be electrically connected to the first source electrode S1 of the first transistor T1 through the second extension electrode part CP2 .
  • the first transistor T1 electrically connected to the first electrode RME1 of the second sub-pixel PX2 includes the first active layer ACT1 and the second electrostatic charge constituting the first source electrode S1 .
  • the capacitor electrode CSE2 is disposed adjacent to the lower side of the pixel PX in the second direction DR2 . Since the second capacitance electrode CSE2 of the second sub-pixel PX2 overlaps the first electrode RME1 and the sub-region SA of the second sub-pixel PX2, the first electrode contact part CE1 ) may directly contact the second capacitance electrode CSE2 of the second sub-pixel PX2 .
  • the first electrode RME1 of the second sub-pixel PX2 may be directly electrically connected to the first source electrode S1 of the first transistor T1 .
  • the position of the second electrode contact part CE2 overlapping the second wiring horizontal part VSL_H is the light emitting area EMA of each sub-pixel PXn and the sub-pixel PXn. It may be different from each other based on the area SA.
  • the second electrode contact part CE2 in contact with the second line horizontal part VSL_H is disposed on the second side of the sub-region SA. It is disposed in the emission area EMA of another pixel PX adjacent in the direction DR2 , and in the second sub-pixel PX2 , the second electrode contact part CE2 is partially disposed in the second emission area EMA2 .
  • the position of the second electrode contact hole CTS may be different depending on the type of the sub-pixel PXn included in one pixel PX.
  • the second electrode RME2 of the first sub-pixel PX1 and the third sub-pixel PX3 crosses the second wiring through the second electrode contact hole CTS formed in the emission area EMA of the other pixel PX.
  • the second electrode RME2 of the second sub-pixel PX2 is connected to the second electrode RME2 through the second electrode contact hole CTS formed adjacent to the second emission area EMA2 of the corresponding sub-pixel. It may be in contact with the wiring horizontal portion VSL_H.
  • the arrangement of the electrodes RME and the wires included in the unit pixel PX shown in FIG. 15 is repeated in the first direction DR1 and the second direction DR2 or Can be arranged alternately.
  • the arrangement of the electrodes RME and wirings of FIG. 15 may be repeated.
  • the first horizontal wiring portion VDL_H and the second horizontal wiring portion VSL_H are alternately arranged along the second direction DR2
  • the second electrode contact portion CE2 and the second horizontal wiring portion (VSL_H) The positions of the second electrode contact holes CTS to which VSL_H is electrically connected may be different from each other.
  • a second electrode contact hole is formed in the second electrode contact portion CE2 of the first sub-pixel PX1 and the third sub-pixel PX3 .
  • the pixel PX in which the CTS is formed and the pixel PX in which the second contact hole CTS is not formed may be alternately arranged.
  • the pixel PX illustrated in FIG. 15 is a pixel PX in which the second electrode contact hole CTS is not formed in the second electrode contact portion CE2 of the first sub-pixel PX1 and the third sub-pixel PX3 . ) is illustrated, and in the case of the pixel PX located above the pixel PX, the second electrode contact hole CTS is formed in the second electrode contact portion CE2 of the first sub-pixel PX1 and the third sub-pixel PX3. can be formed.
  • the pixels PX in which the second contact hole CTS is not formed may be alternately arranged.
  • the pixel PX illustrated in FIG. 15 the pixel PX in which the second electrode contact hole CTS is formed in the second electrode contact portion CE2 of the second sub-pixel PX2 is exemplified, and is located below the pixel PX.
  • the second electrode contact hole CTS may not be formed in the second electrode contact portion CE2 of the second sub-pixel PX2 .
  • the pixels PXs arranged in the first direction DR1 alternate in a structure in which the electrodes RME of FIG. 15 , and the light emitting area EMA and the sub area SA are either repeated or flipped. can be arranged.
  • the first electrode RME1 of the first sub-pixel PX1 and the third sub-pixel PX3 extends downward from the first electrode contact part CE1 . It is a type sub-pixel, and the second sub-pixel PX2 is a pixel PX that is a second type sub-pixel.
  • the pixels PX having the same electrodes RME and the emission area EMA and the sub-area SA are repeatedly arranged, the pixels PX adjacent to each other in the first direction DR1 of the corresponding pixel PX.
  • the first sub-pixel PX1 and the third sub-pixel PX3 may be a first-type sub-pixel
  • the second sub-pixel PX2 may be a second-type sub-pixel.
  • the electrodes RME and the light emitting area EMA and the sub area SA are alternately arranged in a flip structure, the pixels PX are adjacent to each other in the first direction DR1 .
  • the first sub-pixel PX1 and the third sub-pixel PX3 may be a second-type sub-pixel, and the second sub-pixel PX2 may be a first-type sub-pixel.
  • the display device 10 according to the exemplary embodiment includes pixels of different types in the arrangement of the emission area EMA and the sub area SA in one pixel PX, and adjacent in the first direction DR1 . Since the sub-pixels PXn can secure the light emitting area EMA of a sufficient area, there is an advantage in realizing an ultra-high resolution display device.
  • the color control structures overlapping the light emitting area EMA may be formed to have a sufficient width. Since the sub-area SA of the other sub-pixel PXn may be disposed on one side of the light-emitting area EMA in the first direction DR1, the color control structures cross the light-emitting area EMA of the corresponding sub-pixel PXn. It may be disposed up to the sub area SA of the adjacent sub pixel PXn.
  • 17 is a plan view illustrating a schematic arrangement of color control structures disposed in one pixel of a display device according to an exemplary embodiment.
  • 18 is a cross-sectional view taken along line X1-X1' of FIG. 17;
  • 19 is a cross-sectional view taken along line X2-X2' of FIG. 17 .
  • FIG. 18 illustrates cross-sections of the first wavelength conversion layer WCL1 and the second wavelength conversion layer WCL2, which are color control structures disposed in the first sub-pixel PX1 and the third sub-pixel PX3, and
  • FIG. 19 illustrates a cross-section of the light-transmitting layer TPL, which is a color control structure disposed in the second sub-pixel PX2 .
  • the third bank BNL3, the light emitting devices ED, and the electrodes RME are shown in FIG. 17 .
  • 18 and 19 show only the circuit layer CCL, the third bank BNL3, and the light emitting device ED.
  • a plurality of color control structures WCL1 , WCL2 and TPL and color filter layers CFL1 , CFL2 and CFL3 are disposed on the display element layer. may include more.
  • the display device 10 further includes a second substrate SUB2 opposite to the first substrate SUB1 , and as one surface of the second substrate SUB2 , a color is formed on one surface opposite to the first substrate SUB1 .
  • Filter layers CFL1 , CFL2 , and CFL3 and color control structures WCL1 , WCL2 , and TPL may be disposed.
  • the structures stacked on the one surface will be sequentially described based on the second substrate SUB2.
  • the second substrate SUB2 may be made of a light-transmitting material.
  • the second substrate SUB2 may include a glass substrate or a plastic substrate.
  • the second substrate SUB2 may further include a separate layer positioned on the glass substrate or the plastic substrate, for example, an insulating layer such as an inorganic film.
  • the color filter layers CFL1 , CFL2 , and CFL3 and the first light blocking member UBM may be disposed on one surface opposite to the first substrate SUB1 .
  • the first light blocking member UBM and the color filter layers CFL1 , CFL2 , and CFL3 are directly disposed on one surface of the second substrate SUB2 .
  • the first light blocking member UBM is formed in a grid pattern to partially expose one surface of the second substrate SUB2
  • the color filter layers CFL1 , CFL2 , and CFL3 are the first light blocking members exposed by the first light blocking members UBM. 2 It is disposed on one surface of the substrate SUB2.
  • a portion of the color filter layers CFL1 , CFL2 , and CFL3 may be directly disposed on one surface of the second substrate SUB2 , and another portion may be disposed on the first light blocking member UBM.
  • the different color filter layers CFL1 , CFL2 , and CFL3 may be disposed to be spaced apart from each other on the first light blocking member UBM, but are not limited thereto and may be disposed to overlap each other.
  • the first light blocking member UBM may be disposed to surround an area in which color control structures TPL, WCL1, and WCL2, which will be described later, are disposed.
  • the first light blocking member UBM may be disposed to expose one surface of the second substrate SUB2 corresponding to an area in which the color control structures TPL, WCL1, and WCL2 are disposed.
  • the first light blocking member UBM is disposed to overlap some of the sub-area SA and the light-emitting area EMA of each sub-pixel PXn in addition to the third banks BNL3 of the display element layer to have a grid shape in a plan view can be formed with
  • the second substrate SUB2 is an area surrounded by the first light blocking member UBM and includes the plurality of light transmitting areas TA1 , TA2 and TA3 and the first light blocking member UBM is disposed, and is a light blocking area BA.
  • the first to third light-transmitting areas TA1 , TA2 , and TA3 are formed to correspond to the first to third sub-pixels PX1 , PX2 , and PX3 , respectively, and their areas are the same as those of the color control structures TPL, WCL1, and WCL2. It may vary depending on the shape. For example, the structures of the first light blocking member UBM and the light blocking area BA may also vary according to the shapes of the color control structures TPL, WCL1, and WLC2.
  • the first light blocking member UBM may include an organic material.
  • the first light blocking member UBM may reduce color distortion due to reflection of external light by absorbing external light.
  • the first light blocking member UBM may absorb all visible light wavelengths.
  • the first light blocking member UBM may include a light absorbing material.
  • the first light blocking member UBM may be made of a material used as a black matrix of the display device 10 , and may be made of a material substantially the same as or similar to that of the second light blocking member MBM.
  • the first light blocking member UBM is omitted and a material that absorbs light of a specific wavelength among visible light wavelengths and transmits light of another specific wavelength may be replaced.
  • the first light blocking member UBM may be replaced with the color filter layers CFL1 , CFL2 , and CFL3 .
  • the second color filter layer CFL2 and at least one of the first color filter layer CFL1 and the third color filter layer CFL3 are partially stacked thereon. Accordingly, color mixing between the adjacent light transmitting areas TA1 , TA2 , and TA3 may be prevented.
  • the first light blocking member UBM may be formed integrally with the second color filter layer. For the description thereof, reference is made to another embodiment.
  • the color filter layers CFL1 , CFL2 , and CFL3 may be disposed on one surface of the second substrate SUB2 exposed by the first light blocking member UBM.
  • the color filter layers CFL1 , CFL2 , and CFL3 include a first color filter layer CFL1 disposed in the first sub-pixel PX1 , a second color filter layer CFL2 disposed in the second sub-pixel PX2 , and a third sub-pixel A third color filter layer CFL3 disposed on PX3 may be included.
  • Each of the color filter layers CFL1 , CFL2 , and CFL3 may include a colorant such as a dye or a pigment that absorbs a wavelength other than the color wavelength displayed by each sub-pixel PXn.
  • the first color filter layer CFL1 may be a green color filter layer
  • the second color filter layer CFL2 may be a blue color filter
  • the third color filter layer CFL3 may be a red color filter layer.
  • Lights emitted from the light emitting device ED may pass through the color control structures TPL, WCL1, and WCL2, and may be emitted through the color filter layers CFL1, CFL2, and CFL3.
  • the drawing illustrates a case in which the neighboring color filter layers CFL1 , CFL2 , and CFL3 are disposed to be spaced apart from each other with respect to the first light blocking member UBM
  • the neighboring color filter layers CFL1 , CFL2 , and CFL3 include the first light blocking member (UBM) may at least partially overlap.
  • the color filter layers CFL1 , CFL2 , and CFL3 may be formed in a pattern similar to that of the color control structures TPL, WCL1 and WCL2 to cover a portion of the emission area EMA in each sub-pixel PXn.
  • the color filter layers CFL1 , CFL2 , and CFL3 may be disposed for each sub-pixel PXn to form an island-shaped pattern, but is not limited thereto.
  • the color filter layers CFL1 , CFL2 , and CFL3 may form a linear pattern over the entire display area DPA.
  • the first capping layer CPL1 may be disposed to cover the color filter layers CFL1 , CFL2 , and CFL3 and the first light blocking member UBM.
  • the first capping layer CPL1 is in direct contact with the color filter layers CFL1 , CFL2 , and CFL3 , and the color filter layers CFL1 , CFL2 , and CFL3 are spaced apart from each other to directly contact one surface of the exposed first light blocking member UBM. can be contacted
  • the first capping layer CPL1 may prevent impurities such as moisture or air from penetrating from the outside to damage or contaminate the color filter layers CFL1 , CFL2 , and CFL3 .
  • the first capping layer CPL1 prevents the colorants included in the first to third color filter layers CFL1, CFL2, and CFL3 from being diffused into other components, for example, the color control structures TPL, WCL1, WCL2, etc. can be prevented
  • the first capping layer CPL1 may be formed of an inorganic material.
  • the first capping layer CPL1 may include silicon nitride, aluminum nitride, zirconium nitride, titanium nitride, hafnium nitride, tantalum nitride, silicon oxide, aluminum oxide, titanium oxide, tin oxide, cerium oxide, and silicon oxynitride. can be included.
  • the color control structures TPL, WCL1, and WCL2 are disposed on one surface of the first capping layer CPL1.
  • the color control structures TPL, WCL1, and WCL2 convert a first wavelength disposed in the first sub-pixel PX1 It may include a layer WCL1 , a light-transmitting layer TPL disposed on the second sub-pixel PX2 , and a second wavelength conversion layer WCL2 disposed on the third sub-pixel PX3 .
  • the first wavelength conversion layer WCL1 may include a first base resin BRS1 , a first wavelength conversion material WCP1 disposed in the first base resin BRS1 , and a scatterer SCP.
  • the second wavelength conversion layer WCL2 may include a third base resin BRS3 , a second wavelength conversion material WCP2 disposed in the third base resin BRS3 , and a scatterer SCP.
  • the first wavelength conversion layer WCL1 and the second wavelength conversion layer WCL2 convert the wavelength of the light of the first color incident from the light emitting device ED and transmit it.
  • the scatterers SCP of the first wavelength conversion layer WCL1 and the second wavelength conversion layer WCL2 may increase wavelength conversion efficiency.
  • the light transmitting layer TPL may include a second base resin BRS2 and a scatterer SCP disposed in the second base resin BSR2 .
  • the light transmitting layer TPL transmits the light of the first color incident from the light emitting device ED while maintaining the wavelength.
  • the scatterers SCP of the light transmitting layer TPL may serve to control an emission path of light emitted through the light transmitting layer TPL.
  • the light transmitting layer TPL may not include a wavelength conversion material.
  • the scatterers (SCP) may be metal oxide particles or organic particles.
  • the metal oxide titanium oxide (TiO 2 ), zirconium oxide (ZrO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), indium oxide (In 2 O 3 ), zinc oxide (ZnO) or tin oxide (SnO 2 ), etc. This may be exemplified, and an acrylic resin or a urethane-based resin may be exemplified as the organic particle material.
  • the first to third base resins BRS1 , BRS2 , and BRS3 may include a light-transmitting organic material.
  • the first to third base resins BRS1, BRS2, and BRS3 may include an epoxy-based resin, an acrylic resin, a cardo-based resin, or an imide-based resin.
  • the first to third base resins BRS1, BRS2, and BRS3 may all be made of the same or similar material, but are not limited thereto.
  • the first wavelength conversion material WCP1 may convert light of a first color into light of a second color
  • the second wavelength conversion material WCP2 may be a material that converts light of the first color into light of a third color.
  • the first wavelength conversion material WCP1 and the second wavelength conversion material WCP2 may be quantum dots, quantum bars, phosphors, or the like.
  • the quantum dots may include group IV nanocrystals, group II-VI compound nanocrystals, group III-V compound nanocrystals, group IV-VI nanocrystals, or a combination thereof.
  • the first base resin BRS1 of the first wavelength conversion layer WCL1 is made of a transparent material, and some of the light may pass through the first base resin BRS1. However, at least a portion of the light is incident to the scatterer SCP and the first wavelength conversion material WCP1 disposed in the first base resin BRS1 , and the light is scattered and wavelength-converted to light of the second color may be incident on the first capping layer CPL1 and the first color filter layer CFL1.
  • the first color filter layer CFL1 may block transmission of light of a color other than the light of the second color, and the light of the second color may be displayed in the first sub-pixel PX1 .
  • the second base resin BRS2 of the light transmitting layer TPL is made of a transparent material, and some of the light passes through the second base resin BRS2 and the first capping layer CPL1 and the second color disposed thereon It may be incident on the filter layer CFL2 .
  • the filter layer CFL2 may block transmission of light of a color other than the light of the first color, and the light of the first color may be displayed in the second sub-pixel PX2 .
  • the light of the first color emitted from the light emitting device ED may pass through the second wavelength conversion layer WCL2 and the third color filter layer CFL3 to be displayed as light of the third color.
  • the display device 10 may display light of a different color for each sub-pixel PXn even if each sub-pixel PXn includes a light emitting device ED emitting light of the same color.
  • each sub-pixel PXn includes the light emitting devices ED emitting light of the same color, different colors of light may be displayed according to the arrangement of the color control structures WCL1 , WCL2 and TPL disposed thereon.
  • the color control structures TPL, WCL1, and WCL2 may be disposed to overlap at least a portion of the light emitting device ED disposed in the light emitting area EMA so that light emitted from the light emitting device ED is smoothly incident.
  • the light emitting devices ED are disposed on the electrode extensions ET1 , ET2 , ET3 , and ET4 of the electrodes RME disposed in the light emitting area EMA, and the color control structures TPL, WCL1 and WCL2 are at least electrode extensions. It may be disposed to cover the portions ET1 , ET2 , ET3 , and ET4 and the light emitting devices ED.
  • the color control structures TPL, WCL1, and WCL2 may not be disposed in at least a portion of the light emitting area EMA in which the light emitting devices ED are not disposed.
  • the display device 10 has the light-emitting area EMA of each sub-pixel PXn, the color control structures TPL, WCL1, and WCL2, and the light-transmitting areas TA1, TA2, TA3 corresponding to the color filter layers CFL1, CFL2, and CFL3. ) may include However, since the color control structures TPL, WCL1, and WCL2 are disposed so as not to cover all of the light emitting area EMA, the light emitting area EMA and the light transmitting areas TA1 , TA2 and TA3 may have different areas.
  • the light transmitting layer TPL, the first wavelength conversion layer WCL1 , and the second wavelength conversion layer WCL2 may be spaced apart from each other as they are respectively disposed to correspond to the emission area EMA.
  • the spaced space may substantially overlap the non-emission area, and the spaced space may form a valley portion having a grid shape in a plan view.
  • some of the color control structures TPL, WCL1, and WCL2 may be disposed to partially overlap the sub area SA.
  • the color control structures TPL, WCL1, and WCL2 may have a width sufficient to sufficiently cover the light emitting devices ED while overlapping the light emitting area EMA.
  • some of the color control structures TPL, WCL1, and WCL2 may have a width wider than that of the light emitting area EMA, and may be disposed to overlap the sub area SA of the neighboring sub pixel PXn. may be
  • the first wavelength conversion layer WCL1 disposed to overlap the first emission region EMA1 of the first sub-pixel PX1 has a width measured in the first direction DR1 in a plan view of the first emission region It may be larger than a width measured in the first direction DR1 of EMA1 .
  • the first wavelength conversion layer WCL1 may overlap the first light emitting area EMA1 and the third bank BNL3 in the thickness direction, and in addition, the first wavelength conversion layer WCL1 may overlap the sub area SA of the second sub pixel PX2 in the thickness direction.
  • the first wavelength conversion layer WCL1 includes two vertical sides, two horizontal sides, and one side extending in a diagonal direction in a plan view, and one side of one side extending in the diagonal direction is the second sub-pixel PX2 ) is exemplified, but is not limited thereto.
  • both sides of the first wavelength conversion layer WCL1 in the first direction DR1 may overlap the third bank BNL3 in the thickness direction beyond the first light emitting area EMA1 , some of which may be adjacent to each other. It may be disposed in the sub area SA of one sub pixel PXn.
  • the second wavelength conversion layer WCL2 disposed to overlap the third emission region EMA3 of the third sub-pixel PX3 has a width measured in the first direction DR1 in a plan view of the third emission region It may be larger than a width measured in the first direction DR1 of EMA3 .
  • the second wavelength conversion layer WCL2 may overlap the third light emitting area EMA3 and the third bank BNL3 in the thickness direction, and in addition, the second wavelength conversion layer WCL2 may overlap the sub area SA of the second sub pixel PX2 in the thickness direction.
  • the first wavelength conversion layer WCL1 and the second wavelength conversion layer WCL2 may be spaced apart from each other in the first direction DR1 on the sub area SA of the second sub pixel PX2 .
  • the second wavelength conversion layer WCL2 includes two vertical sides, two horizontal sides, and one side extending in a diagonal direction in a plan view, and one side of one side extending in the diagonal direction is the second sub-pixel PX2 ) is exemplified, but is not limited thereto.
  • both sides of the second wavelength conversion layer WCL2 in the first direction DR1 may overlap the third bank BNL3 in the thickness direction beyond the third light emitting area EMA3 , some of which may be adjacent to each other. It may be disposed in the sub area SA of one sub pixel PXn.
  • the light-transmitting layer TPL disposed to overlap the second light-emitting area EMA2 of the second sub-pixel PX2 has a width measured in the first direction DR1 in the plan view of the second light-emitting area EMA2 . It may be similar to the width measured in one direction DR1.
  • the light transmitting layer TPL overlaps the second light emitting area EMA2 but does not overlap or partially overlaps with the third bank BNL3 and is disposed so as not to overlap the sub area SA of the adjacent sub pixel PXn can be Unlike the first and second wavelength conversion layers WCL1 and WCL2 , the light-transmitting layer TPL is not disposed in the sub-area SA of the adjacent sub-pixel PXn, so that the light-emitting area EMA of the corresponding sub-pixel PXn is not disposed. ) or may partially overlap the third bank BNL3.
  • the present invention is not limited thereto, and as described above, in an exemplary embodiment, some of the color control structures TPL, WCL1, and WCL2 may be disposed to overlap the sub-area SA.
  • the color control structures TPL, WCL1, and WCL2 include the first to third base resins BRS1, BRS2, and BRS3, some of which may further include wavelength conversion particles WCP1 and WCP2.
  • the first to third base resins BRS1 , BRS2 , and BRS3 made of an organic material may be deformed due to deterioration, so that shapes and volumes thereof may be changed.
  • the color control structures TPL, WCL1, and WCL2 are disposed to correspond only to the light emitting area EMA of each sub pixel PXn, they may not overlap with some of the light emitting devices ED due to deformation due to deterioration.
  • one pixel PX includes sub-pixels of different types in which the emission area EMA and the sub-area SA are different from each other.
  • the emission area EMA of PXn may be disposed to be adjacent to the sub-area SA of the neighboring sub-pixel PXn. Since each sub-pixel PXn is disposed in the sub-area SA of the neighboring sub-pixel PXn even though the color control structures TPL, WCL1, and WCL2 are disposed beyond the emission area EMA, the adjacent sub-pixel PXn ) can be prevented.
  • the color control structures TPL, WCL1, and WCL2 overlapping the sub-region SA and the third bank BNL3 are at least the light-emitting areas ( The light emitting device ED of the EMA) may be disposed to cover it, thereby minimizing light loss due to deformation.
  • the color control structures TPL, WCL1, and WCL2 are formed in a pattern through a photoresist.
  • the present invention is not limited thereto, and the color control structures TPL, WCL1, and WCL2 may be formed through an inkjet-printing process.
  • a second capping layer CPL2 is disposed on one surface of the color control structures TPL, WCL1, and WCL2 opposite to the display device layer.
  • the second capping layer CPL2 may be disposed to cover the color control structures TPL, WCL1 and WCL2 and the first capping layer CPL1 .
  • the second capping layer CPL2 may prevent impurities such as moisture or air from penetrating from the outside to damage or contaminate the color control structures TPL, WCL1, and WCL2.
  • the second capping layer CPL2 may prevent the material of the color control structures TPL, WCL1, and WCL2 from being diffused into other components.
  • the second capping layer CPL2 may be formed of an inorganic material.
  • the second capping layer CPL2 may include silicon nitride, aluminum nitride, zirconium nitride, titanium nitride, hafnium nitride, tantalum nitride, silicon oxide, aluminum oxide, titanium oxide, tin oxide, and silicon oxynitride.
  • a second light blocking member MBM may be disposed on the second capping layer CPL2 .
  • the second light blocking member MBM may be made of a material capable of blocking light transmission, and may be emitted from the color control structures TPL, WCL1, and WCL2 to prevent light from penetrating into the adjacent sub-pixels PXn, thereby preventing color mixture from occurring. have.
  • the second light blocking member MBM may be disposed along the boundary of the sub-pixel PXn.
  • the second light blocking member MBM may be disposed along a space between the color control structures TPL, WCL1 and WCL2 to overlap the third bank BNL3 in a thickness direction.
  • the second light blocking member MBM may fill a valley portion disposed in a space between the color control structures TPL, WCL1, and WCL2.
  • a top surface of the second light blocking member MBM may protrude in a thickness direction than top surfaces of the color control structures TPL, WCL1, and WCL2, but is not limited thereto.
  • the second light blocking member MBM may include an organic material.
  • the second light blocking member MBM may include a light absorbing material that absorbs a visible light wavelength band.
  • the second light blocking member MBM may include an organic light blocking material.
  • the second capping layer CPL2 is disposed to surround the color control structures TPL, WCL1, and WCL2, the first capping layer is located in the valley portion where the color control structures TPL, WCL1, and WCL2 are not disposed.
  • a direct contact between the (CPL1) and the second capping layer (CPL2) is exemplified.
  • the present invention is not limited thereto, and in an embodiment, the color control structures TPL, WCL1, and WCL2 are disposed in an area separated by the structure on the first capping layer CPL1, and the second capping layer CPL2 is the structure and the color control structures TPL, WCL1, and WCL2.
  • the second capping layer CPL2 and the first capping layer CPL1 may not directly contact each other, and the structure functions the same as that of the second light blocking member MBM, and the first capping layer CPL1 and can be contacted directly.
  • At least one optical layer may be further disposed on the second capping layer CPL2 and the second light blocking member MBM.
  • the optical layer may be a selective reflection filter layer or a low refractive index layer.
  • the optical layer may be a yellow reflect filter (YRF) layer.
  • the display device 10 further includes optical layers disposed above and below the color control structures TPL, WCL1, and WCL2 based on some of the light emitted from the color control structures TPL, WCL1, and WCL2 to be described later. may be recycled to further improve light conversion efficiency.
  • an encapsulation layer covering the electrodes RME including the light emitting elements ED, the contact electrodes CNE1 , CNE2 , CNE3 , and the third bank BNL3 . EN) can be deployed.
  • the encapsulation layer EN may cover the display element layer and function to protect them.
  • the top surface of the display device layer disposed on the first substrate SUB1 may be planarized.
  • the encapsulation layer EN may be formed of a single inorganic layer or an organic layer, but is not limited thereto, and may be a multilayer in which a plurality of inorganic and organic layers are stacked or these are alternately stacked.
  • the second substrate SUB2 on which the color control structures TPL, WCL1, WCL2 and the color filter layers CFL1, CFL2, and CFL3 are disposed and the first substrate SUB1 on which the display element layer and the circuit layer CCL are disposed They may be bonded to each other by the filling layer SM.
  • the filling layer SM may fill a space between the display device layer, the color control structures TPL, WCL1, and WCL2, and the second light blocking member MBM, and may combine them.
  • the filling layer SM may be made of a Si-based organic material, an epoxy-based organic material, or the like, but is not limited thereto.
  • 20 is a plan view illustrating an arrangement of a plurality of electrodes included in one pixel of a display device according to another exemplary embodiment.
  • each pixel PX has the same relative arrangement between the emission area EMA and the sub area SA of the sub-pixels PXn, but the emission area ( EMA) and the sub-area SA may include a plurality of sub-pixels PXn that are alternately disposed.
  • the sub area SA of each sub pixel PXn is disposed on the upper side of the light emitting area EMA in the second direction DR2 .
  • the arrangement and structure of the electrodes RME disposed in each of the sub-pixels PXn may be substantially the same.
  • the light-emitting area EMA and the sub-area SA are not parallel to the light-emitting area EMA of the other sub-pixel PXn in the first direction DR1 .
  • the arrangement of the first sub-pixel PX1 and the third sub-pixel PX3 and The structure of the electrodes RME is the same as that of the embodiment of FIG.
  • the second sub-pixel PX2 may have substantially the same structure as the first sub-pixel PX1 and the third sub-pixel PX3 .
  • the first electrode RME1 is disposed in the sub-region SA, in which the first electrode contact part CE1 is disposed on the upper side of the second light emitting area EMA2 in the second direction DR2, so that the first electrode contact part ( It may be disposed extending downward from CE1).
  • the third electrode RME3 is also disposed in the sub-area SA, in which the third electrode contact part CE3 is disposed on the upper side of the second light-emitting area EMA2 in the second direction DR2, so that the third electrode is the third electrode RME3 . It may be disposed to extend downwardly from the contact portion CE3 .
  • the arrangement of the first light emitting element ED1 , the second light emitting element ED2 , and the plurality of contact electrodes CNE1 , CNE2 , and CNE3 may be substantially the same as that of the first sub-pixel PX1 .
  • the display device 10_1 has a sub-region ( EMA1 ) between the first emission area EMA1 of the first sub-pixel PX1 and the third emission area EMA3 of the third sub-pixel PX3 .
  • the second sub-pixel PX2 may have a structure in which the second sub-pixel PX2 is moved or shifted in the second direction DR2 so that the SA is disposed.
  • the sub-area SA disposed between the first light-emitting area EMA1 and the third light-emitting area EMA3 of each pixel PX is adjacent to another pixel PX in the second direction DR2 of the corresponding pixel PX.
  • a contact portion CE1 and a third electrode contact portion CE3 may be disposed.
  • the electrode RME2 may include a larger number of second electrode contact parts CE2 .
  • Two second electrode contact portions CE2 of the first sub-pixel PX1 are disposed in an area occupied by one pixel PX, one in contact with the second line horizontal portion VSL_H and the other second electrode contact portion CE2 of the first sub-pixel PX1. It may be in contact with the contact electrode CNE2.
  • three second electrode contact portions CE2 of the second sub-pixel PX2 may be disposed in an area occupied by one pixel PX.
  • two second electrode contact portions CE2 partially disposed in the second light emitting area EMA2 may contact the second interconnection horizontal portion VSL_H or the second contact electrode (CNE2) can be contacted.
  • the second electrode contact part CE2 disposed in the second sub-pixel PX2 of the other pixel PX overlaps the first wiring horizontal part VDL_H but does not contact it. it may not be
  • the second electrode RME2 disposed in the second sub-pixels PX2 may be configured to contact the second contact electrode CNE2.
  • a second electrode contact part CE2 may be further included.
  • the arrangement and structure of the second sub-pixel PX2 are different, the arrangement of the color control structures TPL, WCL1, and WLC2 may be substantially the same as in the embodiments of FIGS. 18 and 19 .
  • the first wavelength conversion layer WCL1 and the second wavelength conversion layer WCL2 cover the light emitting devices ED of the first light emitting area EMA1 and the third light emitting area EMA3, respectively, and the first light emitting area EMA1 and partially overlaps the sub-area SA between the third light-emitting area EMA3 .
  • the sub-region SA where the first wavelength conversion layer WCL1 and the second wavelength conversion layer WCL2 overlap is the pixel PX and the second direction DR2 .
  • the structure of the electrodes RME and the sub-pixel PXn are within a range in which light emitted from the light emitting device ED is not lost. Their arrangement may vary.
  • the second sub-pixel PX2 has a structure substantially the same as that of the first sub-pixel PX1 , and the second light-emitting area EMA2 is disposed to cross the first light-emitting area EMA1 . It may be shifted in the direction DR2.
  • the sub-area SA is positioned in the first direction DR1 of the light-emitting area EMA, and the color control structure TPL is disposed to overlap each of the light-emitting areas EMA; WCL1 and WCL2 may be disposed to partially overlap the sub area SA.
  • 21 is a cross-sectional view illustrating a schematic arrangement of a circuit layer, a light emitting unit, and color control structures of a display device according to another exemplary embodiment.
  • 21 is a cross-sectional view that crosses the first light-emitting area EMA1, the sub area SA, and the third light-emitting area EMA3, and includes the color control structures TPL, WCL1, and WCL2, the display device layer, and the circuit layer CCL. ) is shown schematically.
  • the color control structures TPL, WCL1, and WCL2 are directly disposed on the display device layer, and the second substrate SUB2 may be omitted.
  • the color control structures TPL, WCL1, and WCL2 and the color filter layers CFL1, CFL2, and CFL3 will be described, and a detailed description thereof will be omitted.
  • the color control structures TPL, WCL1 and WCL2 may be disposed on the display device layer and may be directly disposed on the third bank BNL3 , the third contact electrode CNE3 , and the third insulating layer PAS3 .
  • the color control structures TPL, WCL1, and WCL2 are partially disposed in an area surrounded by the third bank BNL3 , some of which may be disposed on the third bank BNL3 .
  • the light-transmitting layer TPL disposed to overlap the second sub-pixel PX2 may be disposed in the second light-emitting area EMA2 surrounded by the third bank BNL3 .
  • the first wavelength conversion layer WCL1 disposed to overlap the first sub-pixel PX1 and the second wavelength conversion layer WCL2 disposed to overlap the third sub-pixel PX3 each have a first emission region ( It may be disposed in the sub area SA of the second sub pixel PX2 beyond the EMA1 and the third emission area EMA3 .
  • the first wavelength conversion layer WCL1 and the second wavelength conversion layer WCL2 may be partially directly disposed on the third bank BNL3 .
  • the height of the color control structures TPL, WCL1, and WCL2 may be greater than the height of the third bank BNL3.
  • the color control structures TPL, WCL1, and WCL2 may be formed through an inkjet printing process or a photoresist process during a manufacturing process of the display device 10 .
  • the color control structures TPL, WCL1, and WCL2 may be formed through drying or exposure and developing processes after a material constituting them is sprayed or applied in an area surrounded by the third bank BNL3.
  • a material forming the color control structures TPL, WCL1, and WCL2 may include an organic material and have viscosity, and the organic material may be sprayed or applied to a position higher than the third bank BNL3. Accordingly, the height of the color control structures TPL, WCL1, and WCL2 may be higher than that of the third bank BNL3.
  • the present invention is not limited thereto.
  • a third capping layer CPL3 is disposed on the color control structures TPL, WCL1, and WCL2.
  • the third capping layer CPL3 may be disposed to cover the color control structures TPL, WCL1 and WCL2 and the third bank BNL3 .
  • the third capping layer CPL3 may prevent impurities such as moisture or air from penetrating from the outside to damage or contaminate the color control structures TPL, WCL1, and WCL2.
  • the third capping layer CPL3 may prevent the material of the color control structures TPL, WCL1, and WCL2 from being diffused into other components.
  • the third capping layer CPL3 may be made of an inorganic material similar to the above-described first capping layer CPL1 .
  • the present invention is not limited thereto.
  • a second light blocking member MBM may be disposed on the third capping layer CPL3 .
  • the second light blocking member MBM may be made of a material capable of blocking light transmission, and may be emitted from the color control structures TPL, WCL1, and WCL2 to prevent light from penetrating into the adjacent sub-pixels PXn, thereby preventing color mixture from occurring. have.
  • a first light blocking member UBM, color filter layers CFL1 , CFL2 and CFL3 , and a fourth capping layer CPL4 are disposed on the color control structures TPL, WCL1 and WCL2 and the second light blocking member MBM.
  • the color filter layers CFL1 , CFL2 , CFL3 and the first light blocking member UBM have the same planar shape and material description as described above, except that they are directly disposed on the third capping layer CPL3 , respectively.
  • the fourth capping layer CPL4 is disposed to cover the color filter layers CFL1 , CFL2 , and CFL3 and the first light blocking member UBM, and may perform a function similar to that of the third capping layer CPL3 .
  • the color control structures TPL, WCL1, and WCL2 and the color filter layers CFL1, CFL2, and CFL3 are sequentially directly disposed on the display element layer, so that the second substrate SUB2 This can be omitted.
  • the display device 10_2 stacks the circuit layer CCL, the display element layer, the color control structures TPL, WCL1, and WCL2, and the color filter layers CFL1, CFL2 and CFL3 including only one first substrate SUB1. Accordingly, there is an advantage that the manufacturing process can be simplified.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view illustrating a schematic arrangement of a circuit layer, a light emitting unit, and color control structures of a display device according to another exemplary embodiment.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view that crosses the first light-emitting area EMA1, the sub area SA, and the third light-emitting area EMA3, and includes the color control structures TPL, WCL1, and WCL2, the display element layer, and the circuit layer CCL. ) is shown schematically.
  • the first light blocking member UBM is omitted, and at least some of the color filter layers CFL1 , CFL2 , and CFL3 are stacked on each other in the light blocking area BA.
  • the color filter layers CFL1 , CFL2 , and CFL3 may include dyes of different colors, respectively, and as they are stacked, light transmission may be blocked.
  • This embodiment is different from the embodiment of FIG. 17 in that the color filter layers CFL1 , CFL2 , and CFL3 serve as the first light blocking member UBM.
  • duplicate descriptions will be omitted and descriptions will be made focusing on differences.
  • the second color filter layers CFL2 instead of the first light blocking member UBM may be disposed in the light blocking area BA of the second substrate SUB2 .
  • the second color filter layer CFL2 is disposed on the light-transmitting layer TPL to correspond to the second sub-pixel PX2 and also disposed in the light-blocking area BA where the color control structures TPL, WCL1, and WCL2 are not disposed.
  • the second color filter layer CFL2 may be extended to have a large width in the light blocking area BA adjacent to the second light transmitting area TA.
  • At least one of the first color filter layer CFL1 and the third color filter layer CFL3 may be disposed on the second color filter layer CFL2 disposed in the light blocking area BA. Since the first color filter layer CFL1 and the third color filter layer CFL3 each include a dye having a different color from that of the second color filter layer CFL2 , light transmission may be blocked in the stacked portion. For example, in an embodiment in which the second color filter layer CFL2 includes a blue colorant, external light or reflected light passing through the light blocking area BA may have a blue wavelength band.
  • Eye color sensibility recognized by the user's eyes varies depending on the color of the light, and light of a blue wavelength band may be perceived less sensitively by a user than light of a green wavelength band and light of a red wavelength band.
  • the user perceives reflected light relatively less sensitively. In this case, a portion of light introduced from the outside of the display device 10_3 may be absorbed to reduce reflected light due to external light.
  • the first capping layer CPL1 and the color control structures TPL, WCL1 and WCL2 are located between the color filter layers CFL1 , CFL2 and CFL3 and the first capping layer CPL1 .
  • At least one optical layer may be further disposed between the second capping layer CPL2 and the second light blocking member MBM.
  • 23 is a cross-sectional view schematically illustrating arrangement of a circuit layer, a light emitting unit, and color control structures of a display device according to another exemplary embodiment.
  • 23 is a cross-sectional view that crosses the first light emitting area EMA1, the sub area SA, and the third light emitting area EMA3, and includes the color control structures TPL, WCL1, and WCL2, the display element layer and the circuit layer CCL. ) is shown schematically.
  • color filter layers CFL1 , CFL2 , and CFL3 are stacked on each other in the light blocking area BA, and a plurality of color filter layers CFL1 , CFL2 , CFL3 are overlapped.
  • the first light blocking member UBM may be disposed on the portion.
  • the color filter layers CFL1 , CFL2 , and CFL3 may include dyes of different colors, respectively, and as they are stacked, light transmission may be blocked.
  • This embodiment is different from the embodiment of FIG. 22 in that the color filter layers CFL1 , CFL2 , and CFL3 perform a light blocking function together with the first light blocking member UBM.
  • duplicate descriptions will be omitted and descriptions will be made focusing on differences.
  • a second color filter layer CFL2 and a third color filter layer CFL3 and a first color filter layer CFL1 may be sequentially further disposed on the light blocking area BA of the second substrate SUB2 .
  • the first to third color filter layers CFL1 , CFL2 , and CFL3 are disposed on the color control structures TPL, WCL1 and WCL2 to correspond to the sub-pixel PXn, respectively, and also extend to the light blocking area BA.
  • the second color filter layer CFL2 is extended in the light blocking area BA adjacent to the second light transmitting area TA2 , and the third color filter layer CFL3 and the first color filter layer CFL1 are formed thereon. more can be placed. Since the first color filter layer CFL1 and the third color filter layer CFL3 each include a dye having a different color from that of the second color filter layer CFL2 , light transmission may be blocked in the stacked portion.
  • a first light blocking member UBM may be further disposed on a portion in which the first to third color filter layers CFL1 , CFL2 , and CFL3 are stacked to block light between neighboring sub-pixels PXn in the light blocking area BA.
  • the first light blocking member UBM may be omitted.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

표시 장치가 제공된다. 표시 장치는 복수의 서브 화소들을 포함하는 복수의 화소들, 상기 복수의 서브 화소들 각각에 배치된 복수의 전극들, 상기 전극들 상에 배치된 복수의 발광 소자들, 및 상기 복수의 발광 소자 및 상기 복수의 전극들과 전기적으로 연결된 복수의 접촉 전극들을 포함하며, 상기 복수의 서브 화소들 각각은 발광 영역 및 서브 영역을 포함하고, 상기 복수의 화소들 각각은 제1 발광 영역 및 상기 제1 발광 영역의 상기 제2 방향 일 측에 배치된 서브 영역을 포함하는 제1 서브 화소, 및 제2 발광 영역 및 상기 제2 발광 영역의 상기 제2 방향 타 측에 배치된 서브 영역을 포함하는 제2 서브 화소를 포함하고, 상기 제2 서브 화소의 상기 서브 영역은 상기 제1 발광 영역과 상기 제1 방향으로 나란하게 배치된다.

Description

표시 장치
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 유기발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display, OLED), 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD) 등과 같은 여러 종류의 표시 장치가 사용되고 있다.
표시 장치의 화상을 표시하는 장치로서 유기 발광 표시 패널이나 액정 표시 패널과 같은 표시 패널을 포함한다. 그 중, 발광 표시 패널로서, 발광 소자를 포함할 수 있는데, 예를 들어 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)의 경우, 유기물을 발광 물질로 이용하는 유기 발광 다이오드(OLED), 무기물을 발광 물질로 이용하는 무기 발광 다이오드 등이 있다.
본 발명은 신규한 화소 배치 및 전극 구조를 갖는 표시 장치를 제공한다.
또한, 본 발명은 화소 배치에 따라 인접 서브 화소 간 여유 공간을 확보하여 충분한 개구율 확보가 가능한 표시 장치를 제공한다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 서브 화소들을 포함하며 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 배치된 복수의 화소들, 상기 제1 방향으로 서로 이격되고 상기 제2 방향으로 연장되어 상기 복수의 서브 화소들 각각에 배치된 복수의 전극들, 상기 복수의 서브 화소들에 배치되고 상기 전극들 상에 배치된 복수의 발광 소자들, 및 상기 복수의 발광 소자 및 상기 복수의 전극들과 전기적으로 연결된 복수의 접촉 전극들을 포함하며, 상기 복수의 서브 화소들 각각은 상기 복수의 발광 소자들을 포함하는 발광 영역 및 상기 발광 영역과 상기 제2 방향으로 이격된 서브 영역을 포함하고, 상기 복수의 화소들 각각은 제1 발광 영역 및 상기 제1 발광 영역의 상기 제2 방향 일 측에 배치된 서브 영역을 포함하는 제1 서브 화소, 및 상기 제1 서브 화소의 상기 제1 방향 일 측에 배치되어 제2 발광 영역 및 상기 제2 발광 영역의 상기 제2 방향 타 측에 배치된 서브 영역을 포함하는 제2 서브 화소를 포함하고, 상기 제2 서브 화소의 상기 서브 영역은 상기 제1 발광 영역과 상기 제1 방향으로 나란하게 배치된다.
상기 복수의 전극들은 상기 복수의 화소들의 상기 서브 화소 각각의 상기 발광 영역 및 상기 서브 영역에 걸쳐 배치된 제1 전극, 상기 제1 전극과 상기 제1 방향으로 이격되어 복수의 상기 서브 화소들에 걸쳐 배치된 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되어 상기 복수의 서브 화소들의 상기 발광 영역과 상기 서브 영역에 걸쳐 배치된 제3 전극, 상기 제1 전극을 사이에 두고 상기 제3 전극과 상기 제1 방향으로 이격된 제4 전극을 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 복수의 서브 화소들의 상기 서브 영역에 배치된 제1 전극 컨택부를 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 제2 방향으로 인접한 상기 복수의 화소들과의 경계에 배치된 복수의 제2 전극 컨택부를 포함할 수 있다.
상기 복수의 전극들 각각은 상기 복수의 서브 화소들의 상기 발광 영역에 배치된 전극 확장부들을 포함하고, 상기 복수의 발광 소자들은 상기 제1 전극의 제1 전극 확장부 상에 배치된 제1 단부 및 상기 제4 전극의 제4 전극 확장부 상에 배치된 제2 단부를 갖는 제1 발광 소자, 및 상기 제3 전극의 제3 전극 확장부 상에 배치된 제1 단부 및 상기 제2 전극의 제2 전극 확장부 상에 배치된 제2 단부를 갖는 제2 발광 소자를 포함할 수 있다.
상기 복수의 서브 화소들 각각의 상기 제2 방향 일 측 및 타 측에 배치되어 상기 제1 방향으로 연장된 제1 배선 가로부 및 제2 배선 가로부를 더 포함하고, 상기 제2 전극의 상기 제2 전극 컨택부는 상기 제2 배선 가로부와 중첩하도록 배치되어 상기 제2 배선 가로부와 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 배선 가로부는 상기 제1 서브 화소의 상기 제1 발광 영역을 가로지르며 상기 제1 서브 화소에 배치된 상기 복수의 발광 소자들과 상기 제2 방향 타 측으로 이격되고, 상기 제2 배선 가로부는 상기 제2 서브 화소의 상기 제2 발광 영역을 가로지르며 상기 제2 서브 화소에 배치된 상기 복수의 발광 소자들과 상기 제2 방향 일 측으로 이격될 수 있다.
상기 제1 서브 화소에 배치된 상기 제2 전극은 상기 제2 배선 가로부와 전기적으로 연결된 상기 제2 전극 컨택부가 상기 제1 서브 화소의 상기 서브 영역의 상기 제2 방향 일 측에 배치되고, 상기 제2 서브 화소에 배치된 상기 제2 전극은 상기 제2 배선 가로부와 접촉하는 상기 제2 전극 컨택부가 일부분이 상기 제2 발광 영역 내에 배치될 수 있다.
상기 복수의 접촉 전극들은 상기 제1 전극 및 상기 제1 발광 소자의 상기 제1 단부와 전기적으로 연결된 제1 접촉 전극, 상기 제2 전극 및 상기 제2 발광 소자의 상기 제2 단부와 전기적으로 연결된 제2 접촉 전극, 및 상기 제3 전극, 상기 제4 전극, 상기 제1 발광 소자의 상기 제2 단부 및 상기 제2 발광 소자의 상기 제1 단부와 전기적으로 연결된 제3 접촉 전극을 포함할 수 있다.
상기 제1 접촉 전극은 상기 제1 전극 확장부 상에 배치되어 상기 제2 방향으로 연장되고, 상기 제2 접촉 전극은 상기 제2 전극 확장부 상에 배치되어 상기 제2 방향으로 연장되며, 상기 제3 접촉 전극은 상기 제1 접촉 전극을 둘러싸며, 상기 제3 전극 확장부 상에 배치된 제1 연장부, 상기 제4 전극 확장부 상에 배치된 제2 연장부, 및 상기 제1 연장부와 상기 제2 연장부를 전기적으로 연결하는 복수의 연결부들을 포함할 수 있다.
상기 복수의 서브 화소들 각각의 상기 발광 영역에 배치되며, 상기 제2 전극 및 상기 제4 전극과 중첩하도록 배치된 복수의 제1 뱅크들, 상기 복수의 서브 화소들 각각의 상기 발광 영역 및 상기 서브 영역을 둘러싸도록 배치되며 서로 인접한 상기 서브 화소들의 경계에 배치된 제2 뱅크, 및 상기 제2 방향으로 연장되어 상기 복수의 서브 화소들 각각의 상기 발광 영역 및 상기 서브 영역을 가로지르며, 상기 복수의 제1 뱅크들 사이에 배치된 부분을 포함하는 제3 뱅크를 더 포함하고, 상기 복수의 발광 소자들은 상기 제1 뱅크와 상기 제3 뱅크 사이에 배치될 수 있다.
적어도 일부분이 상기 복수의 서브 화소들 각각의 상기 발광 영역과 중첩하도록 배치된 복수의 컬러 제어 구조물들을 더 포함하고, 상기 복수의 컬러 제어 구조물들은 상기 제1 서브 화소의 상기 제1 발광 영역에 배치되어 상기 제1 발광 영역의 상기 복수의 발광 소자들과 중첩하는 제1 파장 변환층, 및 상기 제2 서브 화소의 상기 제2 발광 영역에 배치되어 상기 제2 발광 영역의 상기 복수의 발광 소자들과 중첩하는 투광층을 포함할 수 있다.
상기 제1 파장 변환층은 적어도 일부분이 상기 제1 발광 영역의 상기 제1 방향 일 측에 배치된 상기 제2 서브 화소의 상기 서브 영역에 걸쳐 배치되고, 상기 투광층은 상기 제1 서브 화소의 상기 서브 영역에는 배치되지 않을 수 있다.
상기 제1 파장 변환층 및 상기 투광층은 각각 적어도 일부분이 상기 제2 뱅크와 두께 방향으로 중첩하도록 배치될 수 있다.
상기 제2 서브 화소의 상기 제1 방향 일 측에 배치되어 제3 발광 영역 및 상기 제3 발광 영역의 상기 제2 방향 일 측에 배치된 서브 영역을 포함하는 제3 서브 화소를 더 포함하고, 상기 제2 발광 영역은 상기 제2 서브 화소에서 상기 제1 서브 화소 및 상기 제3 서브 화소의 상기 서브 영역들 사이에 배치되고, 상기 서브 영역은 상기 제1 서브 화소의 상기 제1 발광 영역 및 상기 제2 서브 화소의 상기 제3 발광 영역 사이에 배치될 수 있다.
상기 복수의 컬러 제어 구조물들은 상기 제3 서브 화소의 상기 제3 발광 영역에 배치되어 상기 제3 발광 영역의 상기 복수의 발광 소자들과 중첩하는 제2 파장 변환층을 더 포함하고, 상기 제2 파장 변환층은 적어도 일부분이 상기 제3 서브 화소의 상기 제3 발광 영역의 상기 제1 방향 타 측에 배치된 상기 제2 서브 화소의 상기 서브 영역과 중첩할 수 있다.
상기 제2 발광 영역과 중첩하고 상기 제2 배선 가로부와 동일한 층에 배치된 제1 용량 전극, 상기 제2 서브 화소의 상기 서브 영역과 중첩하는 제2 용량 전극 및 상기 제1 서브 화소의 상기 서브 영역과 중첩하고 상기 제1 용량 전극과 연결된 제1 연장 전극부를 더 포함하고, 상기 제1 서브 화소의 상기 제1 전극은 상기 제1 전극 컨택부가 상기 제1 서브 화소의 서브 영역에서 상기 제1 연장 전극부와 전기적으로 연결되고, 상기 제2 서브 화소의 상기 제1 전극은 상기 제1 전극 컨택부가 상기 제2 서브 화소의 서브 영역에서 상기 제2 용량 전극과 직접 접촉할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 발광 영역 및 서브 영역을 포함하는 복수의 화소들을 포함하고, 상기 복수의 화소들 각각은, 서로 제1 방향으로 이격되고 적어도 일부분이 상기 발광 영역에서 제2 방향으로 연장되어 배치된 복수의 전극들, 상기 복수의 발광 영역들 내에 각각 배치되어 양 단부가 상기 복수의 전극들 상에 배치된 복수의 발광 소자들, 및 상기 복수의 발광 소자 및 상기 복수의 전극들과 전기적으로 연결된 복수의 접촉 전극들을 포함하고, 상기 복수의 화소들의 상기 복수의 발광 영역들은 제1 발광 영역, 상기 제1 발광 영역과 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향 사이의 대각선 방향으로 이격된 제2 발광 영역, 및 상기 제1 발광 영역과 상기 제1 방향으로 이격된 제3 발광 영역을 포함하고, 상기 제1 발광 영역과 상기 제3 발광 영역 사이에서 상기 제2 발광 영역과 상기 제2 방향으로 이격된 적어도 하나의 상기 복수의 서브 영역들을 포함한다.
상기 복수의 화소들 각각의 상기 복수의 발광 영역들 각각에 배치된 상기 복수의 발광 소자들과 중첩하도록 배치된 복수의 컬러 제어 구조물들을 더 포함하고, 상기 복수의 컬러 제어 구조물들은 상기 제1 발광 영역과 중첩하도록 배치된 제1 파장 변환층, 상기 제2 발광 영역과 중첩하도록 배치된 투광층 및 상기 제3 발광 영역과 중첩하도록 배치된 제2 파장 변환층을 포함하며, 상기 제1 파장 변환층 및 상기 제2 파장 변환층은 적어도 일부가 상기 제2 발광 영역과 상기 제2 방향으로 이격된 상기 서브 영역과 중첩하도록 배치될 수 있다.
상기 복수의 화소들의 상기 복수의 발광 영역들 및 상기 서브 영역들을 둘러싸도록 배치된 뱅크를 더 포함하고, 상기 제1 파장 변환층 및 상기 제2 파장 변환층은 적어도 일부분이 상기 뱅크와 중첩하도록 배치될 수 있다.
상기 제1 파장 변환층은 상기 제1 발광 영역의 상기 제1 방향으로 측정된 최대 폭보다 큰 상기 제1 방향으로 측정된 최대 폭을 갖고, 상기 제2 파장 변환층은 상기 제3 발광 영역의 상기 제1 방향으로 측정된 최대 폭보다 큰 상기 제1 방향으로 측정된 최대 폭을 가질 수 있다.
상기 복수의 전극들은 상기 복수의 화소들의 상기 각 발광 영역 및 상기 서브 영역에 걸쳐 배치된 제1 전극, 상기 제1 전극과 상기 제1 방향으로 이격되어 상기 제2 방향으로 인접한 복수의 상기 화소들에 중첩하는 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되어 상기 복수의 화소들의 상기 발광 영역과 상기 서브 영역에 중첩하는 제3 전극, 상기 제1 전극을 사이에 두고 상기 제3 전극과 상기 제1 방향으로 이격된 제4 전극을 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 복수의 화소들의 상기 서브 영역에 배치된 제1 전극 컨택부를 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 제2 방향으로 인접한 상기 화소와의 경계에 배치된 복수의 제2 전극 컨택부를 포함할 수 있다.
실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 하나의 화소 내에 발광 영역 및 서브 영역의 배치가 서로 다른 타입의 화소들을 포함할 수 있다. 그에 따라 이웃한 서브 화소들이 충분한 면적의 발광 영역을 확보할 수 있다.표시 장치는 각 화소 내의 서브 화소에 대응되어 배치된 컬러 제어 구조물들을 더 포함할 수 있다. 컬러 제어 구조물들이 열화에 의해 변형되더라도, 서브 영역에 중첩하는 컬러 제어 구조물들은 적어도 발광 영역의 발광 소자는 덮도록 배치될 수 있어, 변형에 따른 광 손실을 최소화할 수 있다.
실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치에 포함된 배선들을 나타내는 개략적인 배치도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 일 서브 화소의 등가 회로도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소에 배치된 배선들을 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 5 내지 도 7은 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소에 포함된 복수의 도전층들의 배치를 나타내는 레이아웃도들이다.
도 8은 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소에 포함된 복수의 전극들과 뱅크들을 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 9는 도 8의 제1 서브 화소에 배치된 복수의 전극들과 뱅크들을 나타내는 평면도이다.
도 10은 도 8의 Q1-Q1'선 및 Q2-Q2'선을 따라 자른 단면도이다.
도 11은 도 8의 Q3-Q3'선을 따라 자른 단면도이다.
도 12는 도 8의 Q4-Q4'선 및 Q5-Q5'선을 따라 자른 단면도이다.
도 13은 도 8의 Q6-Q6'선 및 Q7-Q7'선을 따라 자른 단면도이다.
도 14는 일 실시예에 따른 발광 소자의 개략도이다.
도 15는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소에 포함된 복수의 전극들과 제3 도전층의 개략적인 배치를 나타내는 평면도이다.
도 16은 도 15의 C1-C1'선, C2-C2'선 및 C3-C3'선을 따라 자른 단면도이다.
도 17은 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소에 배치되는 컬러 제어 구조물들의 개략적인 배치를 나타내는 평면도이다.
도 18은 도 17의 X1-X1'선을 따라 자른 단면도이다.
도 19는 도 17의 X2-X2'선을 따라 자른 단면도이다.
도 20은 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소에 포함된 복수의 전극들의 배치를 나타내는 평면도이다.
도 21은 다른 실시예에 따른 표시 장치의 회로층, 발광부 및 컬러 제어 구조물들의 개략적인 배치를 나타내는 단면도이다.
도 22는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 회로층, 발광부 및 컬러 제어 구조물들의 개략적인 배치를 나타내는 단면도이다.
도 23은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 회로층, 발광부 및 컬러 제어 구조물들의 개략적인 배치를 나타내는 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(Elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "상(On)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 이와 마찬가지로, "하(Below)", "좌(Left)" 및 "우(Right)"로 지칭되는 것들은 다른 소자와 바로 인접하게 개재된 경우 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소재를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 실시예들에 대해 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
본 명세서에서, 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)은 평면도 상 서로 수직하게 교차하는 방향이고, 제3 방향(DR3)은 단면도 상 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)과 서로 수직하게 교차하는 방향일 수 있다. 또한, 본 명세서에서 “상부”, “탑”, “상면”은 표시 장치(10)를 기준으로 상부 방향, 즉 제3 방향(DR3)의 일 방향을 가리키고, “하부”, “바텀”, “하면”은 제3 방향(DR3)의 타 방향을 가리킨다. 또한, “좌”, “우”, “상”, “하”는 표시 장치(10)를 평면에서 바라보았을 때의 방향을 가리킨다. 예를 들어, “좌”는 제1 방향(DR1)의 일 방향, “우”는 제1 방향(DR1)의 타 방향, “상”은 제2 방향(DR2)의 일 방향, “하”는 제2 방향(DR2)의 타 방향을 가리킨다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(10)는 동영상이나 정지영상을 표시한다. 표시 장치(10)는 표시 화면을 제공하는 모든 전자 장치를 지칭할 수 있다. 예를 들어, 표시 화면을 제공하는 텔레비전, 노트북, 모니터, 광고판, 사물 인터넷, 모바일 폰, 스마트 폰, 태블릿 PC(Personal Computer), 전자 시계, 스마트 워치, 워치 폰, 헤드 마운트 디스플레이, 이동 통신 단말기, 전자 수첩, 전자 책, PMP(Portable Multimedia Player), 내비게이션, 게임기, 디지털 카메라, 캠코더 등이 표시 장치(10)에 포함될 수 있다.
표시 장치(10)는 표시 화면을 제공하는 표시 패널을 포함할 수 있다. 표시 패널의 예로는 무기 발광 다이오드 표시 패널, 유기발광 표시 패널, 양자점 발광 표시 패널, 플라즈마 표시 패널, 전계방출 표시 패널 등을 들 수 있다. 이하에서는 무기 발광 다이오드 표시 패널이 적용된 경우를 예시하지만, 그에 제한되는 것은 아니며, 동일한 기술적 사상이 적용 가능하다면 다른 표시 패널에도 적용될 수 있다.
표시 장치(10)의 형상은 다양하게 변형될 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(10)는 가로가 긴 직사각형, 세로가 긴 직사각형, 정사각형, 코너부(꼭지점)가 둥근 사각형, 기타 다각형, 원형 등의 형상을 가질 수 있다. 표시 장치(10)의 표시 영역(DPA)의 형상 또한 표시 장치(10)의 전반적인 형상과 유사할 수 있다. 도 1과 같이 표시 장치(10) 및 표시 영역(DPA)이 가로가 긴 직사각형 형상일 수 있다.
표시 장치(10)는 표시 영역(DPA)과 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DPA)은 화면이 표시될 수 있는 영역이고, 비표시 영역(NDA)은 화면이 표시되지 않는 영역이다. 표시 영역(DPA)은 활성 영역으로, 비표시 영역(NDA)은 비활성 영역으로도 지칭될 수 있다. 표시 영역(DPA)은 대체로 표시 장치(10)의 중앙을 차지할 수 있다.
표시 영역(DPA)은 복수의 화소(PX)를 포함할 수 있다. 복수의 화소(PX)는 행렬 방향으로 배열될 수 있다. 각 화소(PX)의 형상은 평면상 직사각형 또는 정사각형일 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니고 각 변이 일 방향에 대해 기울어진 마름모 형상일 수도 있다. 각 화소(PX)는 스트라이프 타입 또는 펜타일 타입으로 교대 배열될 수 있다. 예를 들어, 화소(PX)들 각각은 특정 파장대의 광을 방출하는 발광 소자(ED)를 하나 이상 포함하여 특정 색을 표시할 수 있다.
표시 영역(DPA)의 주변에는 비표시 영역(NDA)이 배치될 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DPA)을 전부 또는 부분적으로 둘러싸거나, 표시 영역(DPA)과 인접할 수 있다. 표시 영역(DPA)은 직사각형 형상이고, 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DPA)의 4변에 인접하도록 배치될 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 장치(10)의 베젤을 구성할 수 있다. 각 비표시 영역(NDA)들에는 표시 장치(10)에 포함되는 배선들 또는 회로 구동부들이 배치되거나, 외부 장치들이 실장될 수 있다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치에 포함된 배선들을 나타내는 개략적인 배치도이다.
도 2를 참조하면, 표시 장치(10)는 복수의 배선들을 포함할 수 있다. 복수의 배선은 제1 스캔 라인(SCL), 제2 스캔 라인(SSL), 데이터 라인(DTL), 초기화 전압 배선(VIL), 제1 전압 배선(VDL) 및 제2 전압 배선(VSL) 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도면에 도시되지 않았으나, 표시 장치(10)는 다른 배선들이 더 배치될 수 있다.
제1 스캔 라인(SCL)과 제2 스캔 라인(SSL)은 제1 방향(DR1)으로 연장될 수 있다. 제1 스캔 라인(SCL)과 제2 스캔 라인(SSL)은 스캔 구동부(SDR)에 전기적으로 연결될 수 있다. 스캔 구동부(SDR)는 구동 회로를 포함할 수 있다. 스캔 구동부(SDR)는 표시 영역(DPA)의 제1 방향(DR1) 일 측에 배치될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 스캔 구동부(SDR)는 신호 배선 패턴(CWL)과 전기적으로 연결되고, 신호 배선 패턴(CWL)의 적어도 일 단부는 비표시 영역(NDA) 상에서 패드(WPD_CW)를 형성하여 외부 장치와 전기적으로 연결될 수 있다.
한편, 본 명세서에서 '연결'의 의미를 어느 한 부재가 다른 부재와 상호 물리적인 접촉을 통하여 연결되는 것뿐만 아니라, 다른 부재를 통하여 연결된 것을 의미할 수도 있다. 예를 들어, 이는 일체화된 하나의 부재로서 어느 일 부분과 다른 부분은 일체화된 부재로 인하여 상호 연결된 것으로 이해될 수 있다. 나아가, 어느 한 부재와 다른 부재의 연결은 직접 접촉된 연결에 더하여 다른 부재를 통한 전기적 연결까지 포함하는 의미로 해석될 수 있다.
데이터 라인(DTL)과 초기화 전압 배선(VIL)은 제1 방향(DR1)과 교차하는 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 제1 전압 배선(VDL)과 제2 전압 배선(VSL)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 연장되어 배치된다. 후술할 바와 같이, 제1 전압 배선(VDL)과 제2 전압 배선(VSL)은 제1 방향(DR1)으로 연장된 부분과 제2 방향(DR2)으로 연장된 부분이 서로 다른 층에 배치된 도전층으로 이루어지고, 표시 영역(DPA) 전면에서 메쉬(Mesh) 구조를 가질 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않는다. 표시 장치(10)의 각 화소(PX)들은 적어도 하나의 데이터 라인(DTL), 초기화 전압 배선(VIL), 제1 전압 배선(VDL) 및 제2 전압 배선(VSL)에 전기적으로 접속될 수 있다.
데이터 라인(DTL), 초기화 전압 배선(VIL), 제1 전압 배선(VDL)과 제2 전압 배선(VSL)은 적어도 하나의 배선 패드(WPD)와 전기적으로 연결될 수 있다. 각 배선 패드(WPD)는 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 데이터 라인(DTL)의 배선 패드(WPD_DT, 이하, '데이터 패드'라 칭함)는 표시 영역(DPA)의 제2 방향(DR2) 일 측에 패드 영역(PDA)에 배치되고, 초기화 전압 배선(VIL)의 배선 패드(WPD_Vint, 이하, '초기화 전압 패드'), 제1 전압 배선(VDL)의 배선 패드(WPD_VDD, 이하 제1 전원 패드') 및 제2 전압 배선(VSL)의 배선 패드(WPD_VSS, 이하, '제2 전원 패드')는 표시 영역(DPA)의 제2 방향(DR2) 타 측에 위치하는 패드 영역(PDA)에 배치될 수 있다. 다른 예로, 데이터 패드(WPD_DT), 초기화 전압 패드(WPD_Vint), 제1 전원 패드(WPD_VDD) 및 제2 전원 패드(WPD_VSS)가 모두 동일한 영역, 예컨대 표시 영역(DPA)의 상측에 위치한 비표시 영역(NDA)에 배치될 수도 있다. 배선 패드(WPD) 상에는 외부 장치가 실장될 수 있다. 외부 장치는 이방성 도전 필름, 초음파 접합 등을 통해 배선 패드(WPD) 상에 실장될 수 있다.
표시 장치(10)의 각 화소(PX) 또는 서브 화소(PXn, n은 1 내지 3의 정수)는 화소 구동 회로를 포함할 수 있다. 상술한 배선들은 각 화소(PX) 또는 그 주위를 지나면서 각 화소 구동 회로에 구동 신호를 인가할 수 있다. 화소 구동 회로는 트랜지스터와 커패시터를 포함할 수 있다. 각 화소 구동 회로의 트랜지스터와 커패시터의 개수는 다양하게 변형될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 표시 장치(10)의 각 서브 화소(PXn)는 화소 구동 회로가 3개의 트랜지스터와 1개의 커패시터를 포함하는 3T1C 구조일 수 있다. 이하에서는 3T1C 구조를 예로 하여, 화소 구동 회로에 대해 설명하지만, 이에 제한되지 않고 2T1C 구조, 7T1C 구조, 6T1C 구조 등 다른 다양한 변형 화소(PX) 구조가 적용될 수도 있다.
도 3은 일 실시예에 따른 일 서브 화소의 등가 회로도이다.
도 3을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(10)의 각 서브 화소(PXn)는 발광 다이오드(EL) 이외에, 3개의 트랜지스터(T1, T2, T3)와 1개의 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
발광 다이오드(EL)는 제1 트랜지스터(T1)를 통해 공급되는 전류에 따라 발광한다. 발광 다이오드(EL)는 제1 전극, 제2 전극 및 이들 사이에 배치된 적어도 하나의 발광 소자를 포함한다. 상기 발광 소자는 제1 전극과 제2 전극으로부터 전달되는 전기 신호에 의해 특정 파장대의 광을 방출할 수 있다.
발광 다이오드(EL)의 일 단은 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극에 전기적으로 연결되고, 타 단은 제1 전압 배선(VDL)의 고전위 전압(이하, 제1 전원 전압)보다 낮은 저전위 전압(이하, 제2 전원 전압)이 공급되는 제2 전압 배선(VSL)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 발광 다이오드(EL)의 타 단은 제2 트랜지스터(T2)의 소스 전극에 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)는 게이트 전극과 소스 전극의 전압 차에 따라 제1 전원 전압이 공급되는 제1 전압 배선(VDL)으로부터 발광 다이오드(EL)로 흐르는 전류를 조정한다. 일 예로, 제1 트랜지스터(T1)는 발광 다이오드(EL)의 구동을 위한 구동 트랜지스터일 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 제2 트랜지스터(T2)의 소스 전극에 전기적으로 연결되고, 소스 전극은 발광 다이오드(EL)의 제1 전극에 전기적으로 연결되며, 드레인 전극은 제1 전원 전압이 인가되는 제1 전압 배선(VDL)에 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 트랜지스터(T2)는 제1 스캔 라인(SCL)의 스캔 신호에 의해 턴-온되어 데이터 라인(DTL)을 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 전기적으로 연결시킬 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 제1 스캔 라인(SCL)에 전기적으로 연결되고, 소스 전극은 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 전기적으로 연결되며, 드레인 전극은 데이터 라인(DTL)에 전기적으로 연결될 수 있다.
제3 트랜지스터(T3)는 제2 스캔 라인(SSL)의 센싱 신호에 의해 턴-온되어 초기화 전압 배선(VIL)을 발광 다이오드(EL)의 일 단에 전기적으로 연결시킬 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극은 제2 스캔 라인(SSL)에 전기적으로 연결되고, 드레인 전극은 초기화 전압 배선(VIL)에 전기적으로 연결되며, 소스 전극은 발광 다이오드(EL)의 일 단 또는 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극에 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시예에서, 각 트랜지스터(T1, T2, T3)들의 소스 전극과 드레인 전극은 상술한 바에 제한되지 않고, 그 반대의 경우일 수도 있다. 예를 들어, 트랜지스터(T1, T2, T3)들 각각은 박막 트랜지스터(thin film transistor)로 형성될 수 있다. 도 3에서는 각 트랜지스터(T1, T2, T3)들이 N 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)으로 형성된 것을 중심으로 설명하였으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 각 트랜지스터(T1, T2, T3)들은 P 타입 MOSFET으로 형성되거나, 일부는 N 타입 MOSFET으로, 다른 일부는 P 타입 MOSFET으로 형성될 수도 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 소스 전극 사이에 형성된다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전압과 소스 전압의 차전압을 저장한다.
이하에서는 다른 도면을 더 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치(10)의 일 화소(PX)의 구조에 대하여 상세히 설명하기로 한다.
도 4는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소에 배치된 배선들을 나타내는 개략적인 평면도이다. 도 4에서는 표시 장치(10)의 각 화소(PX)에 배치되는 복수의 배선들과 제3 뱅크(BNL3)의 개략적인 형상을 도시하며 각 서브 화소(PXn)의 발광 영역(EMA)에 배치된 부재들과 그 하부에 배치된 몇몇 도전층들은 생략하여 도시하고 있다. 이하의 각 도면들에, 제1 방향(DR1)의 양 측은 각각 좌측과 우측으로, 제2 방향(DR2)의 양 측은 각각 상측과 하측으로 지칭될 수 있다.
도 4를 참조하면, 표시 장치(10)의 복수의 화소(PX)들 각각은 복수의 서브 화소(PXn, n은 1 내지 3의 정수일 수 있다.)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 하나의 화소(PX)는 제1 서브 화소(PX1), 제2 서브 화소(PX2) 및 제3 서브 화소(PX3)를 포함할 수 있다.
표시 장치(10)의 하나의 화소(PX)는 복수의 발광 영역(EMA)들을 포함하고, 각 서브 화소(PXn)들은 발광 영역(EMA) 및 비발광 영역(미도시)을 포함할 수 있다. 발광 영역(EMA)은 발광 소자(도 13의 'ED')가 배치되어 특정 파장대의 광이 출사되는 영역이고, 비발광 영역은 발광 소자(ED)가 배치되지 않고, 발광 소자(ED)에서 방출된 광들이 도달하지 않아 광이 출사되지 않는 영역일 수 있다. 발광 영역은 발광 소자(ED)가 배치된 영역에 더하여 발광 소자(ED)와 인접한 영역으로 발광 소자(ED)에서 방출된 광들이 출사되는 영역을 포함할 수 있다.
다만, 발광 영역은 발광 소자(ED)에서 방출된 광이 다른 부재에 의해 반사되거나 굴절되어 출사되는 영역도 포함할 수 있다. 복수의 발광 소자(ED)들은 각 서브 화소(PXn)에 배치되고, 이들이 배치된 영역과 이에 인접한 영역을 포함하여 발광 영역을 형성할 수 있다.
화소(PX)의 제1 발광 영역(EMA1)은 제1 서브 화소(PX1)에 배치되고, 제2 발광 영역(EMA2)은 제2 서브 화소(PX2), 제3 발광 영역(EMA3)은 제3 서브 화소(PX3)에 배치된다. 각 서브 화소(PXn)는 서로 다른 종류의 발광 소자(ED)를 포함하여 제1 내지 제3 발광 영역(EMA)에서는 각각 서로 다른 색의 광이 방출될 수 있다. 예를 들어, 제1 서브 화소(PX1)는 제1 색의 광을 발광하고, 제2 서브 화소(PX2)는 제2 색의 광을 발광하며, 제3 서브 화소(PX3)는 제3 색의 광을 발광할 수 있다. 제1 색은 녹색, 제2 색은 청색, 제3 색은 적색일 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 각 서브 화소(PXn)는 동일한 발광 소자(ED)를 포함하여 각 발광 영역(EMA) 또는 하나의 화소(PX)에서는 동일한 색의 광이 방출될 수도 있다.
화소(PX)의 각 서브 화소(PXn)들은 비발광 영역 중 일부 영역으로서 발광 영역(EMA)과 이격되어 배치된 복수의 서브 영역(SA)을 포함할 수 있다. 서브 영역(SA)은 각 서브 화소(PXn)의 발광 영역(EMA)에서 제2 방향(DR2) 일 측에 배치되어 제2 방향(DR2)으로 이웃하는 서브 화소(PXn)들의 발광 영역(EMA) 사이에 배치될 수 있다. 서브 영역(SA)에는 발광 소자(ED)가 배치되지 않아 광이 출사되지 않으나, 각 서브 화소(PXn)에 배치된 전극(도 7의 'RME') 일부가 배치될 수 있다. 각 서브 화소(PXn)마다 배치되는 전극(RME)들 중 일부는 서브 영역(SA)에서 분리되어 배치될 수 있다. 본 명세서에서 '이웃하는'은 '인접한'의 뜻으로 이해될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 표시 장치(10)는 각 화소(PX)마다 발광 영역(EMA)과 서브 영역(SA)의 배치가 서로 다른 서브 화소(PXn)를 포함할 수 있다. 하나의 화소(PX)에 포함된 각 서브 화소(PXn)는 발광 영역(EMA)과 서브 영역(SA)이 제2 방향(DR2)으로 이웃하여 배치되는데, 몇몇 서브 화소(PXn)들은 발광 영역(EMA)을 기준으로 서브 영역(SA)이 배치된 방향이 다를 수 있다. 예를 들어, 제2 방향(DR2)을 따라 각 서브 화소(PXn)의 발광 영역(EMA)과 서브 영역(SA)이 교대로 배열되는 것과 유사하게, 제1 방향(DR1)을 따라 서로 다른 서브 화소(PXn)의 발광 영역(EMA)과 서브 영역(SA)이 교대로 배열 또는 배치될 수 있다.
예를 들어, 제1 서브 화소(PX1) 및 제3 서브 화소(PX3)는 발광 영역(EMA)을 기준으로 서브 영역(SA)이 제2 방향(DR2) 일 측인 상측에 배치되고, 제2 서브 화소(PX2)는 발광 영역(EMA)을 기준으로 서브 영역(SA)이 제2 방향(DR2) 타 측인 하측에 배치될 수 있다. 제1 내지 제3 서브 화소(PX1, PX2, PX3)의 발광 영역(EMA)들은 서로 제1 방향(DR1)으로 나란하지 않게 배치될 수 있다. 제1 발광 영역(EMA1)과 제3 발광 영역(EMA3)은 서로 제1 방향(DR1)으로 나란하되, 이들 사이에는 제2 서브 화소(PX2)의 서브 영역(SA)이 배치될 수 있다. 이와 유사하게, 각 서브 화소(PXn)의 서브 영역(SA)들은 제1 방향(DR1) 또는 제2 방향(DR2)으로 이웃하지 않으며 서로 일 방향 또는 대각선 방향으로 이격될 수 있다. 예를 들어, 제1 서브 화소(PX1)와 제3 서브 화소(PX3)의 서브 영역(SA)들은 제1 방향(DR1)으로 나란하되 서로 이웃하지 않도록 이격되고, 이들 사이에는 제2 발광 영역(EMA2)이 배치될 수 있다. 제2 서브 화소(PX2)의 서브 영역(SA)은 제1 서브 화소(PX1) 및 제3 서브 화소(PX3)의 서브 영역(SA)과 대각선 방향으로 이격될 수 있다. 이에 따라, 복수의 발광 영역(EMA)들은 어느 한 발광 영역, 예컨대 제2 발광 영역(EMA2)을 기준으로, 다른 발광 영역들, 예컨대 제1 발광 영역(EMA1)과 제3 발광 영역(EMA3)은 각각 제1 방향(DR1)과 제2 방향(DR2) 사이의 대각선 방향으로 배치된 섬형 구조로 배치될 수 있다.
후술할 바와 같이, 하나의 화소(PX)에는 복수의 서브 화소(PXn)들이 배치되고, 각 서브 화소(PXn)들은 복수의 전극(도 8의 'RME')들과 발광 소자(도 8의 'ED')들을 포함할 수 있다. 발광 소자(ED)는 각 서브 화소(PXn)의 발광 영역(EMA)에 배치되고, 전극(RME)들은 각 서브 화소(PXn)의 발광 영역(EMA)과 서브 영역(SA)에 걸쳐 배치될 수 있다. 제1 서브 화소(PX1) 및 제3 서브 화소(PX3)와 제2 서브 화소(PX2)가 서로 다른 발광 영역(EMA) 및 서브 영역(SA)의 배치를 가짐에 따라, 발광 소자(ED)들 및 전극(RME)들의 배치도 서브 화소(PXn)의 타입에 따라 서로 다를 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 발광 영역(EMA)과 서브 영역(SA)의 배치에 따라 발광 소자(ED)들 및 전극(RME)들의 배치가 서로 다른 타입의 서브 화소(PXn)들을 포함할 수 있다. 그에 따라 단위 면적 당 충분한 면적의 발광 영역(EMA)을 확보할 수 있고, 컬러 제어 구조물을 보다 넓은 폭을 갖도록 형성하여 열화에 따른 출광량 감소를 방지할 수 있다.
발광 영역(EMA)은 복수의 전극(RME)들과 발광 소자(ED)들이 배치되기 위한 최소한의 면적이필요하다. 복수의 서브 화소(PXn)들의 발광 영역(EMA)들이 일 방향으로 배열될 경우, 전극(RME)들과 발광 소자(ED)들의 배치를 위한 공간 확보를 위해 각 서브 화소(PXn)가 차지하는 면적이 커지게 되고, 단위 면적 당 서브 화소(PXn)의 개수가 적을 수 있다. 단위 면적 당 서브 화소(PXn)의 개수를 늘리고 각 서브 화소(PXn)의 면적을 줄인다면, 발광 영역(EMA)에 배치된 발광 소자(ED)들의 개수가 줄어들어 휘도가 낮을 수 있다.
예를 들어, 표시 장치(10)가 발광 영역(EMA)에 대응되어 배치되며 유기 물질들을 갖는 컬러 제어 구조물들을 포함할 경우, 상기 유기 물질의 열화에 의하여 컬러 제어 구조물들이 설계치보다 작은 폭을 가질 수 있고, 작은 면적을 갖는 서브 화소(PXn)는 발광 소자(ED) 및 컬러 제어 구조물을 통과하여 출광되는 광의 광량이 절대적으로 작아질 수 있다.
반면, 표시 장치(10)에 배치된 서브 화소(PXn)의 전극(RME) 및 발광 소자(ED)들이 상술한 바와 같은 배치를 가질 경우, 서브 화소(PXn)들이 충분한 면적의 발광 영역(EMA)을 확보할 수 있다. 그에 따라 컬러 제어 구조물들도 열화를 고려하여 충분한 면적을 갖도록 설계할 수 있고, 열화에 따라 그 폭이 축소되더라도 출광되는 광량의 감소를 최소화할 수 있다. 이에 따라, 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 서브 화소(PXn)의 전극(RME) 및 발광 소자(ED)들이 상술한 바와 같은 배치를 가짐에 따라 단위 면적 당 충분한 면적의 발광 영역(EMA)을 확보할 수 있어 고해상도 표시 장치의 구현에 이점이 있다. 이에 대한 보다 자세한 설명은 후술하기로 한다.
제3 뱅크(BNL3)는 평면상 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 연장된 부분을 포함하여 표시 영역(DPA) 전면에서 격자형 패턴으로 배치될 수 있다. 제3 뱅크(BNL3)는 각 서브 화소(PXn)들의 경계에 걸쳐 배치되어 이웃하는 서브 화소(PXn)들을 구분할 수 있다. 예를 들어, 제3 뱅크(BNL3)는 서브 화소(PXn)마다 배치된 발광 영역(EMA)과 서브 영역(SA)을 둘러싸도록 배치되어 이들을 구분할 수 있다. 제3 뱅크(BNL3)에 대한 보다 자세한 설명은 후술하기로 한다.
표시 장치(10)의 각 화소(PX)에는 상술한 복수의 배선들이 배치될 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(10)는 제1 방향(DR1)으로 연장되어 배치된 제1 스캔 라인(SCL) 및 제2 스캔 라인(SSL)에 더하여, 제1 전압 배선(VDL)과 제2 전압 배선(VSL)의 배선 가로부(VDL_H, VSL_H)들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(10)는 제2 방향(DR2)으로 연장되어 배치된 복수의 데이터 라인(DTL), 초기화 전압 배선(VIL), 및 전압 배선(VDL, VSL)들의 배선 세로부(VDL_V, VSL_V)들을 포함할 수 있다.
각 화소(PX)에 배치되어 발광 다이오드(EL)에 접속되는 회로층의 배선들 및 회로 소자들은 각각 제1 내지 제3 서브 화소(PX1, PX2, PX3)에 전기적으로 접속될 수 있다. 다만, 상기 배선들과 회로 소자들은 각 서브 화소(PXn) 또는 발광 영역(EMA)이 차지하는 영역에 대응되어 배치되지 않고, 하나의 화소(PX) 내에서 발광 영역(EMA)의 위치와 무관하게 배치될 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 각 서브 화소(PXn)의 발광 다이오드(EL)를 구동하기 위한 회로층들이 화소(PX) 내에서 서브 화소(PXn) 또는 발광 영역(EMA)의 위치와 무관하게 배치될 수 있다.
하나의 화소(PX)는 제1 내지 제3 서브 화소(PX1, PX2, PX3)를 포함하여 이에 전기적으로 접속되는 회로층이 특정 패턴으로 배치되며, 상기 패턴들은 서브 화소(PXn)가 아닌 하나의 화소(PX)를 단위로 반복 배열될 수 있다. 하나의 화소(PX)에 배치된 서브 화소(PXn)들은 발광 영역(EMA) 및 서브 영역(SA)을 기준으로 구분된 영역이며, 이들에 전기적으로 접속된 회로층은 서브 화소(PXn)의 영역과 무관하게 배치될 수 있다. 표시 장치(10)는 서브 화소(PXn)가 아닌 단위 화소(PX)를 기준으로 상기 회로층의 배선들과 소자들을 배치함으로써 각 서브 화소(PXn)에 접속되는 배선들 및 소자들이 차지하는 면적을 최소화할 수 있고, 고해상도 표시 장치의 구현에 더 유리한 이점이 있다.
각 화소(PX)에 배치되는 배선들의 배치에 대하여 상세히 설명하면, 복수의 데이터 라인(DTL1, DTL2, DTL3)들은 제2 방향(DR2)으로 연장된다. 표시 영역(DPA)에는 복수의 데이터 라인(DTL1, DTL2, DTL3)들이 제2 방향(DR2)으로 배열된 복수의 화소(PX)들에 배치되고, 이들은 서로 제1 방향(DR1)으로 이격될 수 있다. 하나의 화소(PX)에는 제1 내지 제3 데이터 라인(DTL1, DTL2, DTL3)들이 배치되고, 이들은 각 서브 화소, 예를 들어 제1 내지 제3 서브 화소(PX1, PX2, PX3)에 전기적으로 접속될 수 있다. 제1 데이터 라인(DTL1), 제3 데이터 라인(DTL3) 및 제2 데이터 라인(DTL2)들은 제1 방향(DR1)을 따라 순차적으로 배열될 수 있다. 예를 들어, 제1 서브 화소(PX1), 제2 서브 화소(PX2) 및 제3 서브 화소(PX3)가 제1 방향(DR1) 일 측으로 순차 배열된 반면, 제1 데이터 라인(DTL1), 제3 데이터 라인(DTL3) 및 제2 데이터 라인(DTL2)들이 제1 방향(DR1) 일 측 방향으로 순차 배열될 수 있다. 각 데이터 라인(DTL1, DTL2, DTL3)들은 다른 도전층에 배치된 도전 패턴을 통해 제2 트랜지스터(도 5의 'T2')와 전기적으로 연결되어 제2 트랜지스터(도 5의 'T2')에 데이터 신호를 인가할 수 있다. 다만, 상술한 바와 같이, 제1 내지 제3 데이터 라인(DTL1, DTL2, DTL3)들은 제1 내지 제3 서브 화소(PX1, PX2, PX3)가 차지하는 영역에 각각 대응되어 배치되지 않고, 하나의 화소(PX) 내에서 특정 위치에 배치될 수 있다. 도면에서는 제1 내지 제3 데이터 라인(DTL1, DTL2, DTL3)들이 하나의 화소(PX) 내에서 제2 서브 화소(PX2)와 제3 서브 화소(PX3)가 차지하는 영역에 걸쳐 배열된 것이 예시되어 있으나, 이에 제한되지 않는다.
초기화 전압 배선(VIL)은 제2 방향(DR2)으로 연장되어, 제2 방향(DR2)으로 배열된 복수의 화소(PX)들에 걸쳐 배치된다. 표시 영역(DPA)에는 복수의 초기화 전압 배선(VIL)들이 제1 방향(DR1)으로 이격되어 배치되고, 각 초기화 전압 배선(VIL)들은 동일한 열에 배열된 복수의 화소(PX)들에 걸쳐 배치될 수 있다. 초기화 전압 배선(VIL)은 평면도 상 제1 데이터 라인(DTL1)의 좌측으로서, 각 화소(PX)의 중심부를 기준으로 좌측에 배치될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 초기화 전압 배선(VIL)은 제1 방향(DR1)으로 배열된 하나의 화소(PX) 당 한 배선이 배치될 수 있고, 다른 도전층에 배치된 도전 패턴과 전기적으로 연결되어 각 서브 화소(PXn)들에 전기적으로 접속될 수 있다. 초기화 전압 배선(VIL)은 제3 트랜지스터(도 5의 'T3')의 드레인 전극과 전기적으로 연결될 수 있고, 제3 트랜지스터(도 5의 'T3')에 초기화 전압을 인가할 수 있다.
제1 전압 배선(VDL)과 제2 전압 배선(VSL)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 연장되어 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 전압 배선(VDL)과 제2 전압 배선(VSL)은 각각 제2 방향(DR2)으로 연장되어 배치된 배선 세로부(VDL_V, VSL_V)를 포함할 수 있다. 배선 세로부(VDL_V, VSL_V)들은 제2 방향(DR2)으로 연장되어 제2 방향(DR2)으로 이웃하는 복수의 화소(PX)에 걸쳐 배치된다. 제1 전압 배선(VDL)의 제1 배선 세로부(VDL_V)는 초기화 전압 배선(VIL)의 제1 방향(DR1) 일 측인 우측에 배치되고, 제2 전압 배선(VSL)의 제2 배선 세로부(VSL_V)는 초기화 전압 배선(VIL)의 제1 방향(DR1) 타 측인 좌측에 배치될 수 있다. 제2 배선 세로부(VSL_V)는 제1 방향(DR1)으로 이웃하는 화소(PX)의 경계에 배치되고, 도면에서는 화소(PX)의 좌측과 우측에 배치되어 이웃 화소(PX) 간 경계에 걸쳐 배치된 제2 배선 세로부(VSL_V)를 중복하여 도시하고 있다. 각 배선 세로부(VDL_V, VSL_V)들은 후술하는 배선 가로부(VDL_H, VSL_H)들과 교차할 수 있고, 이들이 서로 교차하는 영역에서 컨택홀을 통해 상호 전기적으로 연결되어 하나의 전압 배선(VDL, VSL)을 구성할 수 있다. 다만, 전압 배선(VDL, VSL)들의 배치 및 그 구성이 도 4에 예시된 바에 제한되지는 않으며, 전압 배선(VDL, VSL)들의 배치는 다양하게 변형될 수 있다.
데이터 라인(DTL1, DTL2, DTL3)들, 초기화 전압 배선(VIL), 및 전압 배선(VDL, VSL)들의 배선 세로부(VDL_V, VSL_V)들은 각각 제1 도전층으로 이루어질 수 있다. 제1 도전층은 상기 배선들 및 라인들에 더하여 다른 도전층을 더 포함할 수 있다.
제1 스캔 라인(SCL)과 제2 스캔 라인(SSL)은 제1 방향(DR1)으로 연장되어 제1 방향(DR1)으로 배열된 복수의 화소(PX)들에 걸쳐 배치된다. 예를 들어, 복수의 제1 스캔 라인(SCL)들과 제2 스캔 라인(SSL)들은 제2 방향(DR2)으로 이격되어 배치되고, 각 제1 스캔 라인(SCL)들과 제2 스캔 라인(SSL)들은 동일한 행으로 배열된 복수의 화소(PXn)들에 걸쳐 배치될 수 있다. 제1 스캔 라인(SCL)은 평면도 상 각 화소(PX)의 중심을 기준으로 하측에 배치되고 제2 스캔 라인(SSL)은 평면도 상 각 화소(PX)의 중심을 기준으로 상측에 배치될 수 있다. 제1 스캔 라인(SCL)과 제2 스캔 라인(SSL)은 몇몇 서브 화소(PXn)의 발광 영역(EMA) 및 비발광 영역을 가로질러 배치될 수 있다. 상술한 바와 같이, 표시 장치(10)는 하나의 화소(PX)가 발광 영역(EMA) 및 서브 영역(SA)의 배치가 상이한 서로 다른 타입의 서브 화소들을 포함하므로, 일 방향으로 연장된 제1 스캔 라인(SCL)과 제2 스캔 라인(SSL)은 몇몇 서브 화소(PXn)의 발광 영역(EMA) 또는 서브 영역(SA)에 배치될 수 있다. 다만, 제1 스캔 라인(SCL)과 제2 스캔 라인(SSL)의 배치 위치는 이에 제한되지 않고 화소(PX)의 구조에 따라 다양하게 변형될 수 있다. 제1 스캔 라인(SCL)과 제2 스캔 라인(SSL)은 제1 도전층 상에 배치된 제2 도전층에 배치되어 제2 방향(DR2)으로 연장된 게이트 패턴과 전기적으로 연결될 수 있고, 상기 게이트 패턴은 일부분이 제2 트랜지스터(도 5의 'T2') 또는 제3 트랜지스터(도 5의 'T3')의 게이트 전극의 역할을 할 수 있다.
제1 전압 배선(VDL) 및 제2 전압 배선(VSL)의 배선 가로부(VDL_H, VSL_H)들은 제1 방향(DR1)으로 연장되어 제1 방향(DR1)으로 이웃하는 복수의 화소(PX)에 걸쳐 배치된다. 복수의 배선 가로부(VDL_H, VSL_H)들은 각각 제2 방향(DR2)으로 이격되어 배치되고, 각 배선 가로부(VDL_H, VSL_H)들은 동일한 행에 배열된 복수의 화소(PX)들에 걸쳐 배치될 수 있다. 제1 전압 배선(VDL)의 제1 배선 가로부(VDL_H)는 각 화소(PX)의 중심부를 기준으로 제2 방향(DR2) 타 측인 하측에 배치되고, 제2 전압 배선(VSL)의 제2 배선 가로부(VSL_H)는 제2 방향(DR2) 일 측인 상측에 배치될 수 있다. 배선 세로부(VDL_V, VSL_V)와 배선 가로부(VDL_H, VSL_H)는 서로 다른 층에 배치된 도전층으로 이루어질 수 있고, 이들은 컨택홀을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 배선 가로부(VDL_H)는 화소(PX)의 하측에 배치되어 제1 배선 세로부(VDL_V)와 교차하는 부분에서 컨택홀을 통해 전기적으로 연결되되 제2 배선 세로부(VSL_V)와 교차하는 부분에서는 서로 전기적으로 연결되지 않을 수 있다. 이와 유사하게, 제2 배선 가로부(VSL_H)는 화소(PX)의 상측에 배치되어 제2 배선 세로부(VSL_V)와 교차하는 부분에서 컨택홀을 통해 전기적으로 연결되되 제1 배선 세로부(VDL_V)와 교차하는 부분에서는 서로 전기적으로 연결되지 않을 수 있다.
제1 전압 배선(VDL)과 제2 전압 배선(VSL)은 표시 영역(DPA) 전면에서 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 연장되어 메쉬 구조로 배치될 수 있다. 예를 들어, 하나의 화소(PX)의 제1 내지 제3 서브 화소(PX1, PX2, PX3)들은 동일한 제1 전압 배선(VDL) 및 제2 전압 배선(VSL)을 공유할 수 있다. 상술한 바와 같이, 각 화소(PX)에 배치된 복수의 서브 화소(PXn)들은 동일한 신호가 인가되는 제1 전압 배선(VDL)과 제2 전압 배선(VSL)을 공유함으로써, 단위 면적 당 배치되는 배선 수를 줄일 수 있다.
일 실시예에서, 제1 전압 배선(VDL)과 제2 전압 배선(VSL)은 각각 하나의 화소(PX)에 대응하여 배선 가로부(VDL_H, VSL_H)가 배치될 수 있고, 제2 방향(DR2)으로 인접한 화소(PX)와 배선 가로부(VDL_H, VSL_H)를 공유할 수도 있다. 이 경우, 배선 가로부(VDL_H, VSL_H)들은 제2 방향(DR2)을 따라 반복 배열되지 않고 서로 교대로 배열될 수도 있다. 제1 전압 배선(VDL)과 제2 전압 배선(VSL)은 배선 가로부(VDL_H, VSL_H)에 더하여 배선 세로부(VDL_V, VSL_V)를 포함하여 메쉬 구조로 배치되므로, 배선 가로부(VDL_H, VSL_H)들이 각 화소(PX)에 배치되지 않고 서로 교대 배열되더라도 모든 화소(PX)에 전기적으로 접속될 수 있다. 이에 따라, 표시 영역(DPA)에 배치되는 배선 수를 더 줄일 수 있고, 대면적 표시 장치에 있어 전압 배선(VDL, VSL)을 통해 인가되는 전압의 전압 강하(IR Drop)을 방지할 수 있는 효과가 있다.
제1 전압 배선(VDL)은 각 서브 화소(PXn)의 제1 트랜지스터(T1)의 드레인 전극과 전기적으로 연결될 수 있고, 제1 트랜지스터(T1)에 제1 전원 전압을 인가할 수 있다. 제2 전압 배선(VSL)은 발광 다이오드(EL)의 제2 전극과 전기적으로 연결되어 발광 소자에 제2 전원 전압을 인가할 수 있다.
제1 스캔 라인(SCL)과 제2 스캔 라인(SSL), 및 배선 가로부(VDL_H, VSL_H)들은 제2 도전층 상에 배치된 제3 도전층으로 이루어질 수 있다. 제3 도전층은 상기 배선들 및 라인들에 더하여 다른 도전 패턴들을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 발광 다이오드(EL)를 구동하기 위한 신호를 전달하는 회로층이 제1 내지 제3 도전층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광 다이오드(EL)에 전원 전압을 인가하는 제1 전압 배선(VDL)과 제2 전압 배선(VSL)이 각각 제1 도전층과 제3 도전층에 배치된 배선들로 이루어지고, 데이터 라인(DTL)들, 초기화 전압 배선(VIL) 또는 다른 도전 패턴들과 동일한 층에 배치될 수 있다. 이하, 다른 도면들을 더 참조하여, 각 서브 화소(PXn)의 구조에 대하여 보다 상세히 설명하기로 한다.
도 5 내지 도 7은 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소에 포함된 복수의 도전층들의 배치를 나타내는 레이아웃도들이다. 도 8은 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소에 포함된 복수의 전극들과 뱅크들을 나타내는 개략적인 평면도이다. 도 9는 도 8의 제1 서브 화소에 배치된 복수의 전극들과 뱅크들을 나타내는 평면도이다. 도 10은 도 8의 Q1-Q1'선 및 Q2-Q2'선을 따라 자른 단면도이다. 도 11은 도 8의 Q3-Q3'선을 따라 자른 단면도이다. 도 12는 도 8의 Q4-Q4'선 및 Q5-Q5'선을 따라 자른 단면도이다. 도 13은 도 8의 Q6-Q6'선 및 Q7-Q7'선을 따라 자른 단면도이다.
도 5 내지 도 7은 하나의 화소(PX)에 전기적으로 접속된 회로층(CCL)의 배선들 및 소자들의 평면 배치를 도시하고 있다. 도 5에서는 제1 도전층, 액티브층, 제2 도전층, 및 제3 도전층의 평면 배치를 도시하고, 도 6 및 도 7은 하나의 화소(PX)에 배치된 도전층들의 일부분을 나누어 도시하고 있다.
도 8 및 도 9는 각 화소(PX)에 배치된 표시 소자층으로, 제3 뱅크(BNL3)에 의하여 구분되는 각 서브 화소(PXn)를 기준으로 도시하고 있다. 도 8 및 도 9에서는 발광 다이오드(EL)를 이루는 각 전극(RME)들과 발광 소자(ED)에 더하여, 복수의 뱅크(BNL1, BNL2, BNL3)들 및 접촉 전극(CNE1, CNE2, CNE3)의 배치를 도시하고 있다.
도 10에서는 제1 서브 화소(PX1)에 배치된 발광 소자(ED; ED1, ED2)들의 양 단부를 가로지르는 단면을 도시하고 있고, 도 11에서는 제1 서브 화소(PX1)의 발광 소자(ED)들에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터(T1)를, 도 12에서는 제1 서브 화소(PX1)의 제2 트랜지스터(T2) 및 제3 트랜지스터(T3)의 단면을 도시하고 있다. 도 13은 제1 서브 화소(PX1)에 배치된 접촉 전극(CNE1, CNE2, CNE3)들과 전극(RME) 사이의 접촉부를 단면으로 도시하고 있다.
도 4에 결부하여 도 5 내지 도 13을 참조하면, 표시 장치(10)는 회로층(CCL)과 표시 소자층을 포함할 수 있다. 표시 소자층은 발광 다이오드(EL)의 발광 소자(ED)를 포함하여 복수의 전극(RME)들과 접촉 전극(CNE1, CNE2, CNE3)들이 배치되고, 회로층(CCL)은 발광 다이오드(EL)를 구동하기 위한 화소 회로 소자들을 포함하여 복수의 배선들이 배치된 층일 수 있다. 예를 들어, 회로층(CCL)은 제1 스캔 라인(SCL), 제2 스캔 라인(SSL), 데이터 라인(DTL), 초기화 전압 배선(VIL), 제1 전압 배선(VDL), 및 제2 전압 배선(VSL)에 더하여, 각 트랜지스터(T1, T2, T3)들을 포함할 수 있다.
예를 들어, 표시 장치(10)는 회로층(CCL) 및 표시 소자층들이 배치되는 제1 기판(SUB1)을 포함할 수 있다. 제1 기판(SUB1)은 절연 기판일 수 있으며, 유리, 석영, 또는 고분자 수지 등의 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 기판(SUB1)은 리지드(Rigid) 기판일 수 있지만, 벤딩(Bending), 폴딩(Folding), 롤링(Rolling) 등이 가능한 플렉시블(Flexible) 기판일 수도 있다.
제1 기판(SUB1) 상에는 제1 도전층이 배치된다. 제1 도전층은 전압 배선(VDL, VSL)들의 배선 세로부(VDL_V, VSL_V)들, 초기화 전압 배선(VIL), 데이터 라인(DTL1, DTL2, DTL3)들 및 복수의 하부 금속층(BML1, BML2, BML3)들을 포함할 수 있다.
전압 배선(VDL, VSL)들의 배선 세로부(VDL_V, VSL_V)들 제2 방향(DR2)으로 연장되어 배치된다. 이들은 패드 영역(PDA)의 패드(WPD_VDD, WPD_VSS)와 전기적으로 연결될 수 있고, 제1 전원 전압 및 제2 전원 전압이 인가될 수 있다.
제1 전압 배선(VDL)의 제1 배선 세로부(VDL_V)는 제3 도전층의 제1 도전 패턴(DP1)을 통해 제1 트랜지스터(T1)의 드레인 전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 배선 세로부(VDL_V)는 제1 배선 가로부(VDL_H)와 교차하는 부분에서 제14 컨택홀(CT14)을 통해 상호 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 전압 배선(VSL)의 제2 배선 세로부(VSL_V)는 제3 도전층의 제5 도전 패턴(DP5)과 연결될 수 있다. 제2 배선 세로부(VSL_V)는 제2 배선 가로부(VSL_H)와 교차하는 부분에서 제13 컨택홀(CT13)을 통해 상호 전기적으로 연결될 수 있다.
초기화 전압 배선(VIL)은 제2 방향(DR2)으로 연장되어 배선 세로부(VDL_V, VSL_V)들 사이에 배치될 수 있다. 초기화 전압 배선(VIL)은 제3 도전층의 제4 도전 패턴(DP4)을 통해 제3 트랜지스터(T3)의 드레인 전극과 전기적으로 연결되고, 각 서브 화소(PXn)의 제3 트랜지스터(T3)에 초기화 전압을 전달할 수 있다.
복수의 하부 금속층(BML1, BML2, BML3)들은 제1 기판(SUB1) 상에 배치될 수 있다. 하부 금속층(BML1, BML2, BML3)은 후술하는 반도체층의 제1 액티브층(ACT1), 및 제2 도전층의 제1 정전 용량 전극(CSE1)과 중첩하도록 배치된다. 제1 하부 금속층(BML1)은 제1 서브 화소(PX1)에 전기적으로 접속된 제1 트랜지스터(T1_1)의 제1 액티브층(ACT1)과 중첩하도록 배치된다. 제2 하부 금속층(BML2)은 제2 서브 화소(PX2)에 전기적으로 접속된 제1 트랜지스터(T1_2)의 제1 액티브층(ACT1), 제3 하부 금속층(BML3)은 제3 서브 화소(PX3)에 전기적으로 접속된 제1 트랜지스터(T1_3)의 제1 액티브층(ACT1)과 중첩하도록 배치된다. 제1 내지 제3 하부 금속층(BML1, BML2, BML3)은 제2 방향(DR2)으로 서로 이격 배치되며, 평면 상 각 화소(PX)의 중심부에 인접하게 배치될 수 있다. 하부 금속층(BML1, BML2, BML3)들은 광을 차단하는 재료를 포함하여, 제1 트랜지스터(T1)의 제1 액티브층(ACT1)에 광이 입사되는 것을 방지할 수 있다. 일 예로, 하부 금속층(BML1, BML2, BML3)은 광의 투과를 차단하는 불투명한 금속 물질로 형성될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며 경우에 따라서 하부 금속층(BML1, BML2, BML3)은 생략될 수 있고, 다른 트랜지스터(T1, T2, T3)들의 액티브층과 중첩하도록 배치될 수도 있다.
복수의 데이터 라인(DTL1, DTL2, DTL3)들은 화소(PX) 간 경계에 배치된 제2 전압 배선(VSL)의 제2 배선 세로부(VSL_V)와 하부 금속층(BML1, BML2, BML3)들 사이에서 제2 방향(DR2)으로 연장되어 배치된다. 데이터 라인(DTL1, DTL2, DTL3)들은 제3 도전층의 제3 도전 패턴(DP3)과 전기적으로 연결되어 이를 통해 제2 트랜지스터(T2)의 드레인 전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 데이터 라인(DTL1)은 제1 서브 화소(PX1)의 제2 트랜지스터(T2_1)와 전기적으로 연결되고, 제2 데이터 라인(DTL2)은 제2 서브 화소(PX2)의 제2 트랜지스터(T2_2), 제3 데이터 라인(DTL3)은 제3 서브 화소(PX3)의 제2 트랜지스터(T2_3)와 전기적으로 연결될 수 있다.
한편, 하나의 화소(PX)에 배치된 제1 서브 화소(PX1), 제2 서브 화소(PX2) 및 제3 서브 화소(PX3)는 제1 방향(DR1)을 따라 순차적으로 배치되나, 이들 각각에 전기적으로 접속되는 회로 소자들 또는 배선들은 서브 화소(PXn)의 순서와 다르게 배치될 수 있다. 예를 들어, 데이터 라인(DTL1, DTL2, DTL3)들은 제1 방향(DR1)으로 제1 데이터 라인(DTL1), 제3 데이터 라인(DTL3), 및 제2 데이터 라인(DTL2)의 순서로 배치되고, 하부 금속층(BML1, BML2, BML3)도 제2 방향(DR2)으로 제1 하부 금속층(BML1), 제3 하부 금속층(BML3) 및 제2 하부 금속층(BML2)의 순서로 배치될 수 있다. 이와 유사하게, 후술하는 반도체층의 액티브층(ACT)들의 배치도 서브 화소(PXn)들의 배치 순서와는 다를 수 있다. 이는 하나의 화소(PX)에 배치된 서로 다른 타입의 서브 화소들의 배치에 따라 각 서브 화소(PXn)의 제1 전극(RME1)과 제3 도전층 간의 연결 위치와 연관될 수 있다. 이에 대한 자세한 설명은 후술하기로 한다.
버퍼층(BL)은 제1 도전층과 제1 기판(SUB1) 상에 전면적으로 배치될 수 있다. 버퍼층(BL)은 투습에 취약한 제1 기판(SUB1)을 통해 침투하는 수분으로부터 각 트랜지스터(T1, T2, T3)들을 보호하기 위해 제1 기판(SUB1) 상에 형성되며, 표면 평탄화 기능을 수행할 수 있다.
반도체층은 버퍼층(BL) 상에 배치된다. 반도체층은 각 트랜지스터(T1, T2, T3)들의 액티브층(ACT1, ACT2, ACT3)들을 포함할 수 있다.
하나의 화소(PX)는 각 서브 화소(PX1, PX2, PX3)들에 전기적으로 접속되는 제1 트랜지스터(T1_1, T1_2, T1_3)들의 제1 액티브층(ACT1)을 포함할 수 있다. 각 제1 트랜지스터(T1)의 제1 액티브층(ACT1)은 각 화소(PX)의 중심에 인접하여 그 좌측에 배치될 수 있다. 제1 액티브층(ACT1)들은 제2 방향(DR2)으로 서로 이격되어 배치되며, 일부분이 제1 도전 패턴(DP1), 하부 금속층(BML1, BML2, BML3) 및 제3 도전층의 제2 정전 용량 전극(CSE2)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 액티브층(ACT1)은 제1 도전 패턴(DP1)과 중첩한 제1 영역, 및 하부 금속층(BML1, BML2, BML3) 및 제2 정전 용량 전극(CSE2)과 중첩한 제2 영역을 포함할 수 있다. 제1 액티브층(ACT1)의 제1 영역은 제1 도전 패턴(DP1)과 접촉하여 제1 전압 배선(VDL)과 전기적으로 연결되고, 제2 영역은 제2 정전 용량 전극(CSE2)과 접촉할 수 있다. 제1 도전 패턴(DP1)은 일부분이 제1 트랜지스터(T1)의 제1 드레인 전극(D1)을 구성할 수 있고, 제2 정전 용량 전극(CSE2)은 일부분이 제1 트랜지스터(T1)의 제1 소스 전극(S1)을 구성할 수 있다.
하나의 화소(PX)는 각 서브 화소(PX1, PX2, PX3)들에 전기적으로 접속되는 제2 트랜지스터(T2_1, T2_2, T2_3)들에 포함된 복수의 제2 액티브층(ACT2)을 포함할 수 있다. 각 제2 트랜지스터(T2)의 제2 액티브층(ACT2)은 각 화소(PX)의 중심에 인접하여 그 우측에 배치될 수 있다. 제2 액티브층(ACT2)들은 제2 방향(DR2)으로 서로 이격되어 배치되며, 일부분이 각각 제3 도전층의 제2 도전 패턴(DP2) 및 제3 도전 패턴(DP3)에 중첩하도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 액티브층(ACT2)은 제3 도전 패턴(DP3)과 중첩한 제3 영역, 및 제2 도전 패턴(DP2)과 중첩한 제4 영역을 포함할 수 있다. 제2 액티브층(ACT2)의 제3 영역은 제3 도전 패턴(DP3)과 접촉하여 어느 한 데이터 라인(DTL1, DTL2, DTL3)과 전기적으로 연결되고, 제4 영역은 제2 도전 패턴(DP2)과 접촉하여 제1 정전 용량 전극(CSE1)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제3 도전 패턴(DP3)은 일부분이 제2 트랜지스터(T2)의 제2 드레인 전극(D2)을 구성할 수 있고, 제2 도전 패턴(DP2)은 일부분이 제2 트랜지스터(T2)의 제2 소스 전극(S2)을 구성할 수 있다.
제2 트랜지스터(T2)의 제4 영역을 기준으로, 제1 데이터 라인(DTL1)이 가장 인접하게 배치되고 제2 데이터 라인(DTL2)이 가장 이격되어 배치될 수 있다. 이에 따라, 제1 서브 화소(PX1)에 전기적으로 접속된 제2 트랜지스터(T2_1)의 제2 액티브층(ACT2)의 길이는 제2 서브 화소(PX2)에 전기적으로 접속된 제2 트랜지스터(T2_2) 및 제3 서브 화소(PX3)에 전기적으로 접속된 제2 트랜지스터(T2_3)의 제2 액티브층(ACT2)의 길이보다 짧을 수 있다. 예를 들어, 제2 서브 화소(PX2)에 전기적으로 접속된 제2 트랜지스터(T2_2)의 제2 액티브층(ACT2)의 길이는 제3 서브 화소(PX3)에 전기적으로 접속된 제2 트랜지스터(T2_3)의 제2 액티브층(ACT2)의 길이보다 길 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않는다.
하나의 화소(PX)는 각 서브 화소(PX1, PX2, PX3)들에 전기적으로 접속되는 제3 트랜지스터(T3_1, T3_2, T3_3)들에 포함된 복수의 제3 액티브층(ACT3)을 포함할 수 있다. 각 제3 트랜지스터(T3)의 제3 액티브층(ACT3)은 각 화소(PX)의 좌측에 배치될 수 있다. 제3 액티브층(ACT3)들은 제2 방향(DR2)으로 이격되어 배치되며, 일부분이 각각 제3 도전층의 제4 도전 패턴(DP4) 및 서로 다른 제2 정전 용량 전극(CSE2)들에 중첩하도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 제3 액티브층(ACT3)은 제4 도전 패턴(DP4)과 중첩한 제5 영역, 및 제2 정전 용량 전극(CSE2)과 중첩한 제6 영역을 포함할 수 있다. 제3 액티브층(ACT3)의 제5 영역은 제4 도전 패턴(DP4)과 접촉하여 초기화 전압 배선(VIL)과 전기적으로 연결되고, 제6 영역은 제2 정전 용량 전극(CSE2)과 접촉하여 이와 전기적으로 연결될 수 있다. 제4 도전 패턴(DP4)은 일부분이 제3 트랜지스터(T3)의 제3 드레인 전극(D3)을 구성할 수 있고, 제2 정전 용량 전극(CSE2)은 일부분이 제3 트랜지스터(T3)의 제3 소스 전극(S3)을 구성할 수 있다.
예시적인 실시예에서, 반도체층은 다결정 실리콘, 단결정 실리콘, 산화물 반도체 등을 포함할 수 있다. 다결정 실리콘은 비정질 실리콘을 결정화하여 형성될 수 있다. 반도체층이 산화물 반도체를 포함하는 경우, 각 액티브층(ACT1, ACT2, ACT3)들은 복수의 도체화 영역 및 이들 사이의 채널 영역을 포함할 수 있다. 상기 산화물 반도체는 인듐(In)을 함유하는 산화물 반도체일 수 있다. 일 실시예에서, 상기 산화물 반도체는 인듐-주석 산화물(Indium-Tin Oxide, ITO), 인듐-아연 산화물(Indium-Zinc Oxide, IZO), 인듐-갈륨 산화물(Indium-Gallium Oxide, IGO), 인듐-아연-주석 산화물(Indium-Zinc-Tin Oxide, IZTO), 인듐-갈륨-아연 산화물(Indium-Gallium-Zinc Oxide, IGZO), 인듐-갈륨-주석 산화물(Indium-Gallium-Tin Oxide, IGTO), 인듐-갈륨-아연-주석 산화물(Indium-Gallium-Zinc-Tin Oxide, IGZTO) 등일 수 있다.
예시적인 실시예에서, 반도체층은 다결정 실리콘을 포함할 수도 있다. 다결정 실리콘은 비정질 실리콘을 결정화하여 형성될 수 있으며, 이 경우, 액티브층(ACT1, ACT2, ACT3)의 도체화 영역은 각각 불순물로 도핑된 도핑 영역일 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않는다.
제1 게이트 절연층(GI)은 반도체층 및 버퍼층(BL)상에 배치된다. 제1 게이트 절연층(GI)은 반도체층과 버퍼층(BL)을 전면적으로 덮도록 배치될 수 있다. 제1 게이트 절연층(GI)은 각 트랜지스터들의 게이트 절연막으로 기능할 수 있다.
제2 도전층은 제1 게이트 절연층(GI) 상에 배치된다. 제2 도전층은 스토리지 커패시터의 제1 정전 용량 전극(CSE1), 제1 게이트 패턴(DP_C), 제2 게이트 패턴(DP_S) 및 제3 게이트 패턴(DP_R)을 포함할 수 있다. 이들은 각각 트랜지스터(T1, T2, T3)들의 게이트 전극(G1, G2, G3)들을 구성할 수 있다.
하나의 화소(PX)에는 복수의 제1 정전 용량 전극(CSE1)들이 배치될 수 있다. 각 제1 정전 용량 전극(CSE1)은 제1 트랜지스터(T1)의 제1 액티브층(ACT1)과 중첩하도록 배치될 수 있고, 제1 액티브층(ACT1)과 중첩하는 부분은 제1 트랜지스터(T1)의 제1 게이트 전극(G1)의 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 제1 정전 용량 전극(CSE1)은 하부 금속층(BML1, BML2, BML3)들 및 제3 도전층의 제2 정전 용량 전극(CSE2)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 제1 정전 용량 전극(CSE1)은 제2 트랜지스터(T2)의 제2 소스 전극(S2)과 전기적으로 연결될 수 있다. 일 예로, 제1 정전 용량 전극(CSE1)은 제1 게이트 전극(G1)과 일체화되어 형성될 수 있고, 제2 도전 패턴(DP2)과 제5 컨택홀(CT5)을 통해 접촉하여 제2 트랜지스터(T2)의 제2 소스 전극(S2)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 게이트 패턴(DP_C)은 제1 방향(DR1)으로 연장된 제1 부분과 이에 연결되어 제2 방향(DR2)으로 연장된 제2 부분을 포함할 수 있다. 제1 게이트 패턴(DP_C)의 제1 방향(DR1)으로 연장된 제1 부분은 각 화소(PX)의 하측에 배치되어 제1 스캔 라인(SCL)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 제1 게이트 패턴(DP_C)은 하부 금속층(BML1, BML2, BML3)들과 제1 데이터 라인(DTL1) 사이에 배치되어 복수의 제2 액티브층(ACT2)들과 중첩하도록 배치된다. 제1 게이트 패턴(DP_C)은 제2 액티브층(ACT2)과 중첩하는 부분이 제2 트랜지스터(T2)의 제2 게이트 전극(G2)의 역할을 할 수 있다. 제1 게이트 패턴(DP_C)은 제1 스캔 라인(SCL)과 전기적으로 연결되고 제2 트랜지스터(T2)는 제1 스캔 신호가 인가될 수 있다.
제2 게이트 패턴(DP_S)은 하나의 화소(PX) 내에서 제2 방향(DR2)으로 연장되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 게이트 패턴(DP_S)은 제2 방향(DR2)으로 이웃한 화소(PX)와의 경계를 넘지 않도록 배치될 수 있다. 제2 게이트 패턴(DP_S)은 각 화소(PX)의 좌측에 배치되어 제2 스캔 라인(SSL)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 제2 게이트 패턴(DP_S)은 초기화 전압 배선(VIL) 및 제1 배선 세로부(VDL_V) 사이에 배치되어 복수의 제3 액티브층(ACT3)들과 중첩하도록 배치된다. 제2 게이트 패턴(DP_S)은 제3 액티브층(ACT3)과 중첩하는 부분이 제3 트랜지스터(T3)의 제3 게이트 전극(G3)의 역할을 할 수 있다. 제2 게이트 패턴(DP_S)은 제2 스캔 라인(SSL)과 전기적으로 연결되고 제3 트랜지스터(T3)는 제2 스캔 신호가 인가될 수 있다.
제3 게이트 패턴(DP_R)은 제1 정전 용량 전극(CSE1)들의 상측에 배치되어 제2 스캔 라인(SSL)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 제3 게이트 패턴(DP_R)은 제2 스캔 라인(SSL)과 전기적으로 연결되어 제1 방향(DR1)으로 연장된 제2 스캔 라인(SSL)의 배선 저항을 낮출 수 있다.
제1 층간 절연층(IL1)은 제2 도전층 상에 배치된다. 제1 층간 절연층(IL1)은 제2 도전층을 덮거나 중첩하도록 배치되어 이를 보호하는 기능을 수행할 수 있다.
제3 도전층은 제1 층간 절연층(IL1) 상에 배치된다. 제3 도전층은 제1 스캔 라인(SCL), 제2 스캔 라인(SSL), 배선 가로부(VDL_H, VSL_H)와 제2 정전 용량 전극(CSE2)들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제3 도전층은 각 트랜지스터(T1, T2, T3)들의 소스 전극(S1, S2, S3) 또는 드레인 전극(D1, D2, D3)을 구성하거나 배선 세로부(VDL_V, VSL_V) 또는 초기화 전압 배선(VIL)과 전기적으로 연결되는 복수의 도전 패턴(DP1, DP2, DP3, DP4, DP5)를 포함할 수 있다.
제1 스캔 라인(SCL)과 제2 스캔 라인(SSL)은 제1 방향(DR1)으로 연장되어 각 화소(PX)의 상측과 하측에 배치될 수 있다. 제1 스캔 라인(SCL)은 화소(PX)의 하측에 배치되어 제1 게이트 패턴(DP_C)과 중첩할 수 있고, 제1 층간 절연층(IL1)을 관통하는 제10 컨택홀(CT10)을 통해 제1 게이트 패턴(DP_C)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 스캔 라인(SSL)은 화소(PX)의 상측에 배치되어 제2 게이트 패턴(DP_S) 및 제3 게이트 패턴(DP_R)과 중첩할 수 있고, 제1 층간 절연층(IL1)을 관통하는 제11 컨택홀(CT11) 및 제12 컨택홀(CT12)을 통해 각각 제2 게이트 패턴(DP_S) 및 제3 게이트 패턴(DP_R)과 전기적으로 연결될 수 있다.
하나의 화소(PX)에는 복수의 제2 정전 용량 전극(CSE2)들이 배치된다. 각 제2 정전 용량 전극(CSE2)은 제1 정전 용량 전극(CSE1)들 중 하나와 중첩하도록 배치될 수 있다. 제2 정전 용량 전극(CSE2)은 제1 층간 절연층(IL1)을 사이에 두고 제1 정전 용량 전극(CSE1)과 두께 방향으로 중첩하고 이들 사이에 스토리지 커패시터(Cst)가 형성될 수 있다.
예를 들어, 제2 정전 용량 전극(CSE2)은 제1 게이트 절연층(GI) 및 제1 층간 절연층(IL1)을 관통하는 제1 컨택홀(CT1)을 통해 각 제1 트랜지스터(T1)의 제1 액티브층(ACT1)과 전기적으로 연결되어 제1 트랜지스터(T1)의 제1 소스 전극(S1)의 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 제2 정전 용량 전극(CSE2)은 버퍼층(BL), 제1 게이트 절연층(GI) 및 제1 층간 절연층(IL1)을 관통하는 제4 컨택홀(CT4)을 통해 하부 금속층(BML1, BML2, BML3)과 전기적으로 연결될 수 있고, 제1 트랜지스터(T1)의 제1 소스 전극(S1)은 하부 금속층(BML1, BML2, BML3)과도 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 정전 용량 전극(CSE2) 중 다른 일부분은 제1 게이트 절연층(GI) 및 제1 층간 절연층(IL1)을 관통하는 제3 컨택홀(CT3)을 통해 각 제3 트랜지스터(T3)의 제3 액티브층(ACT3)과 전기적으로 연결되어 제3 트랜지스터(T3)의 제3 소스 전극(S3)의 역할을 할 수 있다.
제2 정전 용량 전극(CSE2)은 후술하는 표시 소자층의 제1 전극(RME1)과 전기적으로 연결되고, 제1 트랜지스터(T1)를 통해 인가되는 전기 신호를 제1 전극(RME1)에 전달할 수 있다. 제2 정전 용량 전극(CSE2) 중, 제1 서브 화소(PX1)에 접속되는 제2 정전 용량 전극(CSE2)은 제1 방향(DR1)으로 연장된 제1 연장 전극부(CP1)와 전기적으로 연결되고, 제1 연장 전극부(CP1)는 제1 서브 화소(PX1)의 제1 전극(RME1)과 직접 접촉할 수 있다. 이와 유사하게, 제3 서브 화소(PX3)에 접속되는 제2 정전 용량 전극(CSE2)은 제1 방향(DR1)으로 연장된 제2 연장 전극부(CP2)와 전기적으로 연결되고, 제2 연장 전극부(CP2)는 제3 서브 화소(PX3)의 제1 전극(RME1)과 직접 접촉할 수 있다. 반면, 제2 서브 화소(PX2)에 전기적으로 접속되는 제2 정전 용량 전극(CSE2)은 연장 전극부(CP1, CP2)를 포함하지 않더라도, 제1 정전 용량 전극(CSE1)과 중첩하는 부분에서 제2 서브 화소(PX2)의 제1 전극(RME1)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 도전 패턴(DP1)은 각 화소(PX)의 중심부로부터 좌측에 배치되어 제2 방향(DR2)으로 연장된 형상을 가질 수 있다. 제1 도전 패턴(DP1)은 제1 배선 세로부(VDL_V)와 두께 방향으로 중첩하도록 배치되고, 버퍼층(BL), 제1 게이트 절연층(GI) 및 제1 층간 절연층(IL1)을 관통하는 제6 컨택홀(CT6)을 통해 제1 배선 세로부(VDL_V)와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 도전 패턴(DP1)은 제1 게이트 절연층(GI) 및 제1 층간 절연층(IL1)을 관통하는 제1 컨택홀(CT1)을 통해 각 제1 트랜지스터(T1)의 제1 액티브층(ACT1)과 연결되어 제1 드레인 전극(D1)의 역할을 할 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 제1 도전 패턴(DP1)을 통해 제1 전압 배선(VDL)과 전기적으로 연결되고 제1 전원 전압이 전달될 수 있다.
복수의 제2 도전 패턴(DP2)들은 각 화소(PX)의 중심부에 배치되어 제1 정전 용량 전극(CSE1) 및 제2 트랜지스터(T2)의 제2 액티브층(ACT2)과 두께 방향으로 중첩하여 배치될 수 있다. 각 제2 도전 패턴(DP2)들은 제1 게이트 절연층(GI) 및 제1 층간 절연층(IL1)을 관통하는 제2 전극 컨택홀(CT2)을 통해 제2 액티브층(ACT2)과 전기적으로 연결되어 제2 소스 전극(S2)의 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 제2 도전 패턴(DP2)들은 제1 층간 절연층(IL1)을 관통하는 제5 컨택홀(CT5)을 통해 제1 정전 용량 전극(CSE1)과 연결되고, 제2 트랜지스터(T2)의 제2 소스 전극(S2)은 제1 트랜지스터(T1)의 제1 게이트 전극(G1)과 전기적으로 연결될 수 있다.
복수의 제3 도전 패턴(DP3)들은 각 화소(PX)의 중심부로부터 좌측에 배치되어 데이터 라인(DTL1, DTL2, DTL3)들 및 제2 트랜지스터(T2)의 제2 액티브층(ACT2)과 두께 방향으로 중첩하여 배치될 수 있다. 예를 들어, 복수의 제3 도전 패턴(DP3)들은 제2 액티브층(ACT2) 및 각 데이터 라인(DTL1, DTL2, DTL3)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 제3 도전 패턴(DP3)은 제1 게이트 절연층(GI) 및 제1 층간 절연층(IL1)을 관통하는 제2 전극 컨택홀(CT2)을 통해 제2 액티브층(ACT2)과 전기적으로 연결되어 제2 드레인 전극(D2)의 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 제3 도전 패턴(DP3)들은 버퍼층(BL), 제1 게이트 절연층(GI) 및 제1 층간 절연층(IL1)을 관통하는 제7 컨택홀(CT7)을 통해 데이터 라인(DTL1, DTL2, DTL3)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는 제3 도전 패턴(DP3)을 통해 데이터 라인(DTL1, DTL2, DTL3)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제4 도전 패턴(DP4)은 각 화소(PX)의 좌측에 배치되어 제2 방향(DR2)으로 연장된 형상을 가질 수 있다. 제4 도전 패턴(DP4)은 초기화 전압 배선(VIL)과 두께 방향으로 중첩하도록 배치되고, 버퍼층(BL), 제1 게이트 절연층(GI) 및 제1 층간 절연층(IL1)을 관통하는 제8 컨택홀(CT8)을 통해 초기화 전압 배선(VIL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제4 도전 패턴(DP4)은 제1 게이트 절연층(GI) 및 제1 층간 절연층(IL1)을 관통하는 제3 컨택홀(CT3)을 통해 각 제3 트랜지스터(T3)의 제3 액티브층(ACT3)과 전기적으로 연결되어 제3 드레인 전극(D3)의 역할을 할 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)는 제4 도전 패턴(DP4)을 통해 초기화 전압 배선(VIL)과 전기적으로 연결되어 초기화 전압이 인가될 수 있다.
제5 도전 패턴(DP5)은 제1 방향(DR1)으로 이웃하는 화소(PX)들의 경계에 배치되어 제2 방향(DR2)으로 연장된 형상을 가질 수 있다. 제5 도전 패턴(DP5)은 제2 배선 세로부(VSL_V)와 두께 방향으로 중첩하도록 배치되고, 버퍼층(BL), 제1 게이트 절연층(GI) 및 제1 층간 절연층(IL1)을 관통하는 제9 컨택홀(CT9)을 통해 제2 배선 세로부(VSL_V)와 전기적으로 연결될 수 있다.
전압 배선(VDL, VSL)의 배선 가로부(VDL_H, VSL_H)들은 각각 화소(PX)의 하측 및 상측에 배치될 수 있다. 제1 배선 가로부(VDL_H)는 제1 배선 세로부(VDL_V)와 교차하는 부분에서 버퍼층(BL), 제1 게이트 절연층(GI) 및 제1 층간 절연층(IL1)을 관통하는 제14 컨택홀(CT14)을 통해 제1 배선 세로부(VDL_V)와 전기적으로 연결될 수 있다. 이와 유사하게, 제2 배선 가로부(VSL_H)는 제2 배선 세로부(VSL_V)와 교차하는 부분에서 버퍼층(BL), 제1 게이트 절연층(GI) 및 제1 층간 절연층(IL1)을 관통하는 제13 컨택홀(CT13)을 통해 제2 배선 세로부(VSL_V)와 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 제2 배선 세로부(VSL_V)는 후술하는 제2 전극(RME2)과 전기적으로 연결되어 제2 전원 전압을 전달할 수 있다.
제2 층간 절연층(IL2)은 제3 도전층 상에 배치된다. 제2 층간 절연층(IL2)은 제3 도전층과 그 위에 배치되는 다른 층들 사이에서 절연막의 기능을 수행할 수 있다. 예를 들어, 제2 층간 절연층(IL2)은 제3 도전층을 덮으며 제3 도전층을 보호하는 기능을 수행할 수 있다. 또한, 제2 층간 절연층(IL2)은 표면 평탄화 기능을 수행할 수 있다.
상술한 제1 내지 제3 도전층은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
상술한 버퍼층(BL), 제1 게이트 절연층(GI), 제1 층간 절연층(IL1), 및 제2 층간 절연층(IL2)은 교번하여 적층된 복수의 무기층들로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(BL), 제1 게이트 절연층(GI), 제1 층간 절연층(IL1), 및 제2 층간 절연층(IL2)은 산화실리콘(Silicon Oxide, SiOx), 질화실리콘(Silicon Nitride, SiNx), 산질화실리콘(Silicon Oxynitride, SiOxNy) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 무기층이 적층된 이중층 또는 이들이 교번하여 적층된 다중층으로 형성될 수 있다. 또는 상기 각 층들은 상기 재료들을 포함하는 하나의 무기층으로 이루어질 수도 있다.
제2 층간 절연층(IL2) 상에는 복수의 제1 뱅크(BNL1)들, 복수의 전극(RME)들, 발광 소자(ED; ED1, ED2), 제2 뱅크(BNL2), 제3 뱅크(BNL3) 및 복수의 접촉 전극(CNE1, CNE2, CNE3)들이 배치된다. 또한, 제2 층간 절연층(IL2) 상에는 복수의 절연층(PAS1, PAS2, PAS3)들이 더 배치될 수 있다.
복수의 제1 뱅크(BNL1)들 및 제2 뱅크(BNL2)는 제2 층간 절연층(IL2) 상에 직접 배치될 수 있다. 복수의 제1 뱅크(BNL1)들은 일부분이 각 서브 화소(PXn)의 발광 영역(EMA) 내에 배치되어 서로 이격될 수 있다. 예를 들어, 제1 뱅크(BNL1)는 각 발광 영역(EMA)에서 서로 제1 방향(DR1)으로 이격된 복수의 서브 뱅크(BNL_A, BNL_B)들을 포함할 수 있다. 제1 서브 뱅크(BNL_A)는 발광 영역(EMA)의 중심에서 좌측에 배치되고, 제2 서브 뱅크(BNL_B)는 우측에 배치될 수 있다. 제1 서브 뱅크(BNL_A)와 제2 서브 뱅크(BNL_B)들은 일부분이 제3 뱅크(BNL3)의 제2 방향(DR2)으로 연장된 부분과 중첩할 수 있다. 제1 뱅크(BNL1)들은 제2 방향(DR2)으로 연장된 형상을 갖되, 그 길이가 제3 뱅크(BNL3)가 둘러싸는 개구 영역의 제2 방향(DR2) 길이보다 짧을 수 있다. 제1 뱅크(BNL1)들은 표시 영역(DPA) 전면에서 일 방향으로 연장된 섬형 또는 아일랜드(Island) 형 패턴을 형성할 수 있다.
제2 뱅크(BNL2)는 제1 뱅크(BNL1)들 사이에 배치되어 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 제1 뱅크(BNL1)와 달리, 제2 뱅크(BNL2)는 제2 방향(DR2)으로 연장되어 발광 영역(EMA) 및 서브 영역(SA)을 넘어 제2 방향(DR2)으로 이웃하는 복수의 화소(PX)들에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제2 뱅크(BNL2)는 제1 뱅크(BNL1)들 사이에 배치된 부분의 폭이 다른 부분들보다 크게 형성될 수 있고, 제1 뱅크(BNL1)들 사이에 배치된 부분 상에는 복수의 전극(RME)들이 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 뱅크(BNL2)는 서브 영역(SA)에 배치되며 그 폭이 큰 뱅크 확장부(BNL_E)를 포함할 수 있다. 제2 뱅크(BNL2)의 뱅크 확장부(BNL_E) 상에는 후술하는 제3 전극(RME3)의 제3 전극 컨택부(CE3)가 배치될 수 있다. 제2 뱅크(BNL2)는 대체로 제2 방향(DR2)으로 연장되되 부분적으로 그 폭이 큰 부분들을 포함하여 표시 영역(DPA)에서 선형 또는 스트라이프(Stripe)형 패턴을 형성할 수 있다.
제1 뱅크(BNL1)와 제2 뱅크(BNL2)는 제2 층간 절연층(IL2)의 상면을 기준으로 적어도 일부가 돌출된 구조를 가질 수 있다. 제1 뱅크(BNL1) 및 제2 뱅크(BNL2)들은 제2 층간 절연층(IL2) 상에서 그 사이의 영역과 그 외부 영역을 나눌 수 있고, 제1 서브 뱅크(BNL_A)와 제2 뱅크(BNL2) 사이, 및 제2 뱅크(BNL2)와 제2 서브 뱅크(BNL_B) 사이에는 복수의 발광 소자(ED)들이 배치될 수 있다. 제1 뱅크(BNL1) 및 제2 뱅크(BNL2)의 돌출된 부분은 경사진 측면을 가질 수 있고, 발광 소자(ED)에서 방출된 광은 제1 뱅크(BNL1) 및 제2 뱅크(BNL2)상에 배치되는 전극(RME)에서 반사되어 제1 기판(SUB1)의 상부 방향으로 출사될 수 있다. 제1 뱅크(BNL1)는 발광 소자(ED)가 배치되는 영역을 제공함과 동시에 발광 소자(ED)에서 방출된 광을 상부 방향으로 반사시키는 반사벽의 기능을 수행할 수도 있다. 제1 뱅크(BNL1)의 측면은 선형의 형상으로 경사질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 제1 뱅크(BNL1)는 단면 상 외면이 곡률진 반원 또는 반타원의 형상을 가질 수도 있다. 제1 뱅크(BNL1)들은 폴리이미드(Polyimide, PI)와 같은 유기 절연 물질을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
복수의 전극(RME)들은 일 방향으로 연장된 형상을 갖고 서로 이격되어 각 서브 화소(PXn)마다 배치된다. 예를 들어, 하나의 서브 화소(PXn)에는 제1 전극(RME1), 제2 전극(RME2), 제3 전극(RME3) 및 제4 전극(RME4)이 배치되고, 이들은 제2 방향(DR2)으로 연장되며 서로 제1 방향(DR1)으로 이격될 수 있다. 제1 전극(RME1)과 제3 전극(RME3)은 부분적으로 제2 뱅크(BNL2) 상에 배치되고, 제2 전극(RME2)은 부분적으로 제1 서브 뱅크(BNL_A) 상에 배치되며 제4 전극(RME4)은 부분적으로 제2 서브 뱅크(BNL_B) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 복수의 전극(RME)들은 각각 제1 뱅크(BNL1) 또는 제2 뱅크(BNL2) 상에 배치되는 부분으로서, 다른 부분보다 비교적 큰 폭을 갖는 전극 확장부(ET1, ET2, ET3, ET4)들을 포함할 수 있다. 각 전극(RME)들은 전극 확장부(ET1, ET2, ET3, ET4)가 제1 뱅크(BNL1) 또는 제2 뱅크(BNL2)의 일 측면 상에 놓이도록 배치되며 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다.
예를 들어, 제1 전극(RME1)은 제1 전극 확장부(ET1)가 제2 뱅크(BNL2)의 양 측면 중 제2 서브 뱅크(BNL_B)와 대향하는 일 측면 상에 놓이도록 배치될 수 있다. 제1 전극(RME1)의 제1 전극 확장부(ET1)는 제2 뱅크(BNL2) 중 큰 폭을 갖고 발광 영역(EMA)에 배치된 부분 상에 배치되고, 제1 전극(RME1)의 제1 전극 확장부(ET1) 이외의 다른 부분은 제2 뱅크(BNL2)와 비중첩하도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(RME1)은 제1 전극 확장부(ET1)의 일부가 제2 뱅크(BNL2) 상에 배치되고, 다른 부분들은 제2 층간 절연층(IL2) 상에 직접 배치될 수 있다. 제1 전극(RME1)은 제2 방향(DR2)으로 연장되어 발광 영역(EMA)을 넘어 배치되되, 서브 영역(SA)에서는 제2 방향(DR2)으로 이웃한 다른 화소(PX)의 제1 전극(RME1)과 분리될 수 있다. 제1 전극(RME1)은 제2 방향(DR2)으로 연장되어 복수의 화소(PX)에 걸쳐 배치되었다가 서브 영역(SA)에서 일부분이 제거되어 각 서브 화소(PXn)마다 배치되도록 분리된 것일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(RME1)은 제2 방향(DR2)으로 이웃한 다른 화소(PX)와의 경계에도 부분적으로 배치될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 전극(RME1)은 서브 영역(SA)에 배치된 제1 전극 컨택부(CE1)를 포함하고, 제1 전극 컨택부(CE1)는 제2 층간 절연층(IL2)을 관통하는 제1 전극 컨택홀(CTD)을 통해 제3 도전층의 제2 정전 용량 전극(CSE2)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(RME1)은 제2 정전 용량 전극(CSE2)을 통해 제1 트랜지스터(T1)와 전기적으로 연결되어 제1 전원 전압이 인가될 수 있다. 제1 전극(RME1)은 각 화소(PX) 및 각 서브 화소(PXn)마다 분리되기 때문에, 서로 다른 서브 화소(PXn)의 발광 소자(ED)들은 개별적으로 발광할 수 있다.
제3 전극(RME3)은 제3 전극 확장부(ET3)가 제2 뱅크(BNL2)의 양 측면 중 제1 서브 뱅크(BNL_A)와 대향하는 일 측면 상에 놓이도록 배치될 수 있다. 제3 전극(RME3)의 제3 전극 확장부(ET3)는 제2 뱅크(BNL2) 중 큰 폭을 갖고 발광 영역(EMA)에 배치된 부분 상에 배치되며, 제3 전극(RME3)의 제3 전극 확장부(ET3) 이외의 다른 부분들도 제2 뱅크(BNL2) 상에 배치되며 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 제3 전극(RME3)은 제2 뱅크(BNL2) 상에서 제1 전극(RME1)과 제1 방향(DR1)으로 이격되어 배치될 수 있다. 제3 전극(RME3)은 제2 방향(DR2)의 일 측은 발광 영역(EMA) 내에 배치되고 타 측은 서브 영역(SA)에 배치될 수 있다. 제3 전극(RME3)은 제1 전극(RME1)과 달리 각 서브 화소(PXn)마다 발광 영역(EMA)과 서브 영역(SA)에 걸쳐 배치되되, 제2 방향(DR2)으로 이웃한 화소(PX)와의 경계에는 배치되지 않을 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에 따르면, 제3 전극(RME3)은 서브 영역(SA)에 배치된 제3 전극 컨택부(CE3)를 포함하고, 제3 전극 컨택부(CE3)는 제2 뱅크(BNL2)의 확장부 상에 배치될 수 있다. 도면에 도시하지 않았으나, 제3 전극(RME3)의 제3 전극 컨택부(CE3) 상에는 도전층으로 이루어진 전극 패턴이 배치될 수도 있다.
제2 전극(RME2)은 제2 전극 확장부(ET2)가 제1 서브 뱅크(BNL_A)의 양 측면 중 제2 뱅크(BNL2)와 대향하는 일 측면 상에 놓이도록 배치될 수 있다. 제2 전극(RME2)은 제2 전극 확장부(ET2) 이외의 다른 부분은 제1 서브 뱅크(BNL_A)와 비중첩하도록 배치되어 제2 층간 절연층(IL2) 상에 직접 배치될 수 있다. 제2 전극(RME2)은 제2 전극 확장부(ET2)의 일부는 발광 영역(EMA) 내에 배치되되, 다른 일부는 제3 뱅크(BNL3)와 중첩하도록 배치되며, 실질적으로 제3 뱅크(BNL3)의 하부에서 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 일 실시예에서, 제2 전극(RME2)은 제2 방향(DR2)으로 연장되어 발광 영역(EMA) 및 서브 영역(SA)을 넘어 배치되며, 하나의 제2 전극(RME2)은 제2 방향(DR2)으로 이웃한 복수의 화소(PX)들에 걸쳐 배치될 수 있다. 제1 전극(RME1)과 달리, 제2 전극(RME2)은 서브 영역(SA)에서 분리되지 않을 수 있다. 또한, 일 실시예에 따르면 제2 전극(RME2)은 제2 방향(DR2)으로 이웃한 화소(PX)와의 경계에 배치되어 제2 배선 가로부(VSL_H)와 두께 방향으로 중첩하는 제2 전극 컨택부(CE2)를 포함할 수 있다. 제2 전극 컨택부(CE2)는 제2 층간 절연층(IL2)을 관통하는 제2 전극 컨택홀(CTS)을 통해 제3 도전층의 제2 배선 가로부(VSL_H)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 전극(RME2)은 복수의 화소(PX)에 걸쳐 제2 방향(DR2)으로 이웃한 서브 화소(PXn)들에 배치되므로, 이들은 동일한 제2 전극(RME2)을 통해 제2 전원 전압을 전달받을 수 있다. 제1 전극(RME1)을 통해 인가되는 제1 전원 전압은 각 서브 화소(PXn)마다 개별적으로 인가되므로, 제2 전극(RME2)이 복수의 서브 화소(PXn)들에 배치되더라도 각 서브 화소(PXn)들은 개별적으로 구동할 수 있다.
제2 전극(RME2)은 복수의 제2 전극 컨택부(CE2)를 포함하며, 어느 한 제2 전극 컨택부(CE2)는 제2 전극 컨택홀(CTS)을 통해 제3 도전층과 전기적으로 연결되되 다른 제2 전극 컨택부(CE2)는 제3 도전층과 전기적으로 연결되지 않을 수 있다. 상술한 바와 같이, 제1 배선 가로부(VDL_H)와 제2 배선 가로부(VSL_H)는 각 화소(PX)의 상측과 하측에서 제1 방향(DR1)으로 연장되며, 제2 방향(DR2)을 따라 교대로 배열될 수 있다. 예를 들어, 도 5와 같이 어느 한 화소(PX)에서 제1 배선 가로부(VDL_H)가 하측에 배치되고 제2 배선 가로부(VSL_H)가 상측에 배치되면, 이에 제2 방향(DR2)으로 이웃한 화소(PX)에서는 제1 배선 가로부(VDL_H)가 상측에 배치되고 제2 배선 가로부(VSL_H)가 하측에 배치될 수 있다. 제2 전극(RME2)은 제1 배선 가로부(VDL_H) 및 제2 배선 가로부(VSL_H)와 중첩하도록 배치된 복수의 제2 전극 컨택부(CE2)를 포함하며, 이들 중 제2 배선 가로부(VSL_H)와 중첩하는 제2 전극 컨택부(CE2)만이 제3 도전층과 전기적으로 연결될 수 있다.
제4 전극(RME4)은 제4 전극 확장부(ET4)가 제2 서브 뱅크(BNL_B)의 양 측면 중 제2 뱅크(BNL2)와 대향하는 일 측면 상에 놓이도록 배치될 수 있다. 제4 전극(RME4)은 제4 전극 확장부(ET4) 이외의 다른 부분은 제2 서브 뱅크(BNL_B)와 비중첩하도록 배치되어 제2 층간 절연층(IL2) 상에 직접 배치될 수 있다. 제4 전극(RME4)은 제2 전극(RME2)과 유사하게 제2 방향(DR2)으로 연장되어 발광 영역(EMA) 및 서브 영역(SA)을 넘어 배치될 수 있다. 다만, 제4 전극(RME4)은 제2 전극(RME2)과 달리 서브 영역(SA)에서 이웃한 다른 화소(PX)의 제4 전극(RME4)과 분리될 수 있다. 제4 전극(RME4)은 전극 컨택부를 포함하지 않으며 서브 영역(SA)에서 분리된 점을 제외하고는 실질적으로 제2 전극(RME2)과 대칭 구조로 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 표시 장치(10)의 제조 공정 중에는 제2 방향(DR2)으로 연장된 복수의 전극 라인(도 15의 'RM1, RM2, RM3')을 형성하여 발광 소자(ED)들을 배치한 뒤, 이들을 서브 영역(SA)에서 분리함으로써 복수의 전극(RME)들이 형성될 수 있다. 제2 전극(RME2)은 서브 영역(SA)에서 분리되지 않고 전극 라인으로 남을 수 있으나, 제1 전극(RME1), 제3 전극(RME3) 및 제4 전극(RME4)은 전극 라인의 일부분이 제거되어 형성될 수 있다. 복수의 전극 라인들은 표시 장치(10)의 제조 공정 중 발광 소자(ED)를 배치시키기 위한 전계를 생성하는 데에 활용될 수 있다. 발광 소자(ED)들을 배치한 뒤, 전극 라인들을 서브 영역(SA)에서 분리하여 전극(RME)들을 형성하면, 전극(RME)들은 발광 소자(ED)를 구동하기 위한 구동 신호가 인가될 수 있다.
복수의 전극(RME)들은 각 전극 확장부(ET1, ET2, ET3, ET4)들 사이의 간격이 전극 확장부(ET1, ET2, ET3, ET4)들 이외의 다른 부분들 사이의 간격보다 작을 수 있다. 전극 확장부(ET1, ET2, ET3, ET4)들 상에는 복수의 발광 소자(ED)들이 배치될 수 있다. 각 전극 확장부(ET1, ET2, ET3, ET4)들은 제1 뱅크(BNL1) 또는 제2 뱅크(BNL2)의 경사진 측면 상에 배치될 수 있고, 각 전극 확장부(ET1, ET2, ET3, ET4)들의 제1 방향(DR1)으로 측정된 폭은 제1 뱅크(BNL1) 및 제2 뱅크(BNL2)의 제1 방향(DR1)으로 측정된 폭보다 작을 수 있다. 각 전극(RME)들은 전극 확장부(ET1, ET2, ET3, ET4)가 적어도 제1 뱅크(BNL1) 또는 제2 뱅크(BNL2)의 일 측면은 덮도록 배치되어 발광 소자(ED)에서 방출된 광을 반사시킬 수 있다.
도면에서는 각 서브 화소(PXn)마다 제1 내지 제4 전극(RME1, RME2, RME3, RME4)들이 배치된 것이 예시되어 있으나 이에 제한되지 않으며, 각 서브 화소(PXn)에 배치되는 전극(RME)들은 그 개수, 또는 각 서브 화소(PXn)에 배치된 발광 소자(ED)들의 수에 따라 배치되는 위치가 달라질 수 있다.
각 전극(RME)들은 반사율이 높은 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 각 전극(RME)들은 반사율이 높은 물질로 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 등과 같은 금속을 포함하거나, 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 란타늄(La) 등을 포함하는 합금일 수 있다. 각 전극(RME)들은 발광 소자(ED)에서 방출되어 제1 뱅크(BNL1) 및 제2 뱅크(BNL2)의 경사진 측면으로 진행하는 광을 각 서브 화소(PXn)의 상부 방향으로 반사시킬 수 있다.
다만, 이에 제한되지 않고 각 전극(RME)은 투명성 전도성 물질을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 각 전극(RME)은 ITO, IZO, ITZO 등과 같은 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서 각 전극(RME)들은 투명성 전도성 물질과 반사율이 높은 금속층이 각각 한층 이상 적층된 구조를 이루거나, 이들을 포함하여 하나의 층으로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 각 전극(RME)은 ITO/Ag/ITO/, ITO/Ag/IZO, 또는 ITO/Ag/ITZO/IZO 등의 적층 구조를 가질 수 있다.
제1 절연층(PAS1)은 제2 층간 절연층(IL2) 상에 전면적으로 배치된다. 예를 들어, 제1 절연층(PAS1)은 복수의 전극(RME)들, 제1 뱅크(BNL1) 및 제2 뱅크(BNL2)들을 덮도록 배치될 수 있다. 다만, 제1 절연층(PAS1)은 복수의 전극(RME)들의 상면 일부를 노출하는 개구부를 포함할 수 있고, 후술하는 접촉 전극(CNE1, CNE2, CNE3)들은 상기 개구부를 통해 노출된 전극(RME)과 접촉할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 절연층(PAS1)은 서로 제1 방향(DR1)으로 이격된 전극(RME)들 사이에서 상면의 일부가 함몰되도록 단차가 형성될 수 있다. 제1 절연층(PAS1)은 전극(RME)들을 덮도록 배치됨에 따라 이들 사이에서 단차지게 형성될 수도 있다. 제1 절연층(PAS1)은 전극(RME)들을 보호함과 동시에 이들을 상호 절연시킬 수 있다. 또한, 제1 절연층(PAS1) 상에 배치되는 발광 소자(ED)가 다른 부재들과 직접 접촉하여 손상되는 것을 방지할 수도 있다.
제3 뱅크(BNL3)는 제1 절연층(PAS1) 상에 배치될 수 있다. 제3 뱅크(BNL3)는 평면상 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 연장된 부분을 포함하여 격자형 패턴으로 배치될 수 있다. 제3 뱅크(BNL3)는 각 서브 화소(PXn)들의 경계에 걸쳐 배치되어 이웃하는 서브 화소(PXn)들을 구분할 수 있다. 제3 뱅크(BNL3)는 서브 화소(PXn)마다 배치된 발광 영역(EMA)과 서브 영역(SA)을 둘러싸도록 배치되어 이들을 구분할 수 있다. 제3 뱅크(BNL3)의 제2 방향(DR2)으로 연장된 부분 중 발광 영역(EMA) 사이에 배치된 부분과 서브 영역(SA) 사이에 배치된 부분은 동일한 폭을 가질 수 있다. 이에 따라, 서브 영역(SA)들 사이의 간격은 발광 영역(EMA)들 사이의 간격과 동일할 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않는다.
제3 뱅크(BNL3)는 부분적으로 그 하부의 전극(RME)들과 두께 방향으로 중첩하도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 제3 뱅크(BNL3)는 서브 화소(PXn)의 경계에 배치된 부분은 제2 전극(RME2) 및 제4 전극(RME4)과 중첩할 수 있다. 예를 들어, 제3 뱅크(BNL3)는 서브 영역(SA)을 둘러싸는 부분에서 복수의 전극(RME)들과 중첩할 수 있고, 제2 방향(DR2)으로 이웃한 화소(PX)와의 경계에서 제1 방향(DR1)으로 연장된 부분에서는 제1 전극(RME1), 제2 전극(RME2) 및 제4 전극(RME4)과 중첩할 수 있다. 일 예로, 제2 전극(RME2)의 제2 전극 컨택부(CE2)는 제3 뱅크(BNL3)의 제1 방향(DR1)으로 연장된 부분의 하부에 배치될 수 있다.
제3 뱅크(BNL3)는 제1 뱅크(BNL1) 및 제2 뱅크(BNL2)보다 더 큰 높이를 갖도록 형성될 수 있다. 제3 뱅크(BNL3)는 표시 장치(10)의 제조 공정의 잉크젯 프린팅 공정에서 잉크가 인접한 서브 화소(PXn)로 넘치는 것을 방지하여 다른 서브 화소(PXn)마다 다른 발광 소자(ED)들이 분산된 잉크가 서로 혼합되지 않도록 이들을 분리시킬 수 있다. 제3 뱅크(BNL3)의 제2 방향(DR2)으로 연장된 부분 중 일부는 제1 뱅크(BNL1)들 상에 배치될 수 있다. 제3 뱅크(BNL3)는 제1 뱅크(BNL1)와 같이 폴리이미드(Polyimide, PI)를 포함할 수 있다. 도면에서는 제3 뱅크(BNL3)가 제1 뱅크(BNL1)와 다른 층에 배치된 것이 예시되어 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 일 실시예에서 제3 뱅크(BNL3)는 제1 뱅크(BNL1)와 동일한 공정에서 형성되어 동일한 층에 배치될 수도 있다.
발광 소자(ED)는 제1 절연층(PAS1) 상에 배치될 수 있다. 복수의 발광 소자(ED)들은 각 전극(RME)들이 연장된 제2 방향(DR2)을 따라 서로 이격되어 배치되며 실질적으로 상호 평행하게 정렬될 수 있다. 발광 소자(ED)는 일 방향으로 연장된 형상을 가질 수 있고, 각 전극(RME)들이 연장된 방향과 발광 소자(ED)가 연장된 방향은 실질적으로 수직을 이루도록 배치될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며, 발광 소자(ED)는 각 전극(RME)들이 연장된 방향에 비스듬히 배치될 수도 있다.
발광 소자(ED)는 서로 다른 도전형으로 도핑된 반도체층들을 포함할 수 있다. 발광 소자(ED)는 복수의 반도체층들을 포함하여 전극(RME) 상에 생성되는 전계의 방향에 따라 일 단부가 특정 방향을 향하도록 배향될 수 있다. 발광 소자(ED)는 발광층(도 14의 '36')을 포함하여 특정 파장대의 광을 방출할 수 있다. 각 서브 화소(PXn)에 배치된 발광 소자(ED)들은 발광층(36)을 이루는 재료에 따라 서로 다른 파장대의 광을 방출할 수도 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 각 서브 화소(PXn)에 배치된 발광 소자(ED)들은 동일한 색의 광을 방출할 수 있다.
발광 소자(ED)는 제1 기판(SUB1)의 상면에 평행한 방향으로 복수의 층들이 배치될 수 있다. 표시 장치(10)의 발광 소자(ED)는 연장된 일 방향이 제1 기판(SUB1)과 평행하도록 배치되고, 발광 소자(ED)에 포함된 복수의 반도체층들은 제1 기판(SUB1)의 상면과 평행한 방향을 따라 순차적으로 배치될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않는다. 경우에 따라서는 발광 소자(ED)가 다른 구조를 갖는 경우, 복수의 층들은 제1 기판(SUB1)에 수직한 방향으로 배치될 수도 있다.
발광 소자(ED)는 제1 뱅크(BNL1)와 제2 뱅크(BNL2)들 사이에서 각 전극(RME) 상에 배치될 수 있다. 발광 소자(ED)의 연장된 길이는 제1 방향(DR1)으로 이격된 전극(RME)들 사이의 간격보다 길고, 발광 소자(ED)의 양 단부가 각각 서로 다른 전극(RME) 상에 배치될 수 있다. 후술할 바와 같이, 발광 소자(ED)는 복수의 반도체층들을 포함하고, 어느 한 반도체층을 기준으로 제1 단부와 그 반대편 제2 단부가 정의될 수 있다. 복수의 발광 소자(ED)들은 제1 단부가 배치된 전극을 기준으로 서로 다른 발광 소자(ED)로 구분될 수 있다.
예를 들어 발광 소자(ED)는 제1 단부가 제1 전극(RME1) 상에 놓이고, 제2 단부가 제4 전극(RME4) 상에 놓이도록 배치된 제1 발광 소자(ED1) 및 제1 단부가 제3 전극(RME3) 상에 배치되고 제2 단부가 제2 전극(RME2) 상에 배치된 제2 발광 소자(ED2)를 포함할 수 있다. 제1 발광 소자(ED1)는 제2 뱅크(BNL2) 및 제2 서브 뱅크(BNL_B) 사이에서 제1 단부는 제1 전극 확장부(ET1) 상에 놓이고 제2 단부는 제4 전극 확장부(ET4) 상에 놓이도록 배치될 수 있다. 제2 발광 소자(ED2)는 제2 뱅크(BNL2) 및 제1 서브 뱅크(BNL_A) 사이에서 제1 단부는 제3 전극 확장부(ET3) 상에 놓이고 제2 단부는 제2 전극 확장부(ET2) 상에 놓이도록 배치될 수 있다. 하나의 서브 화소(PXn)에 배치된 발광 소자(ED)들은 제1 단부가 서로 반대 방향을 향하는 제1 및 제2 발광 소자(ED1, ED2)들을 포함할 수 있다.
발광 소자(ED)의 양 단부는 각각 접촉 전극(CNE1, CNE2, CNE3)들과 접촉할 수 있다. 발광 소자(ED)는 연장된 일 방향측 단부면에는 절연막(도 14의 '38')이 형성되지 않고 반도체층 일부가 노출되기 때문에, 상기 노출된 반도체층은 접촉 전극(CNE1, CNE2, CNE3)과 접촉할 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않는다. 경우에 따라서 발광 소자(ED)는 절연막(38) 중 적어도 일부 영역이 제거되고, 절연막(38)이 제거되어 반도체층들의 양 단부 측면이 부분적으로 노출될 수 있다. 상기 노출된 반도체층의 측면은 접촉 전극(CNE1, CNE2, CNE3)과 직접 접촉할 수도 있다. 각 발광 소자(ED)들은 접촉 전극(CNE1, CNE2, CNE3)들을 통해 각 전극(RME)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 발광 소자(ED1)의 제2 단부와 제2 발광 소자(ED2)의 제1 단부는 동일한 접촉 전극을 통해 서로 전기적으로 연결되며, 그에 따라 제1 발광 소자(ED1)와 제2 발광 소자(ED2)는 서로 직렬로 연결될 수 있다.
제2 절연층(PAS2)은 제1 절연층(PAS1)과 발광 소자(ED) 상에 부분적으로 배치될 수 있다. 제2 절연층(PAS2)은 제3 뱅크(BNL3) 및 서브 영역(SA)에도 배치될 수 있다. 일 예로, 제2 절연층(PAS2)은 발광 소자(ED)의 외면을 부분적으로 감싸도록 배치되어 발광 소자(ED)의 일 단부 및 타 단부는 덮지 않도록 배치된다. 예를 들어, 제2 절연층(PAS2)의 일부분은 제2 뱅크(BNL2)와 중첩하며 제1 절연층(PAS1) 상에 배치될 수 있다. 제2 절연층(PAS2)은 발광 영역(EMA)에서 발광 소자(ED)와 제1 절연층(PAS1) 및 제3 뱅크(BNL3) 상에 배치되되, 발광 소자(ED)의 양 단부와 함께 전극(RME)들이 배치된 부분 일부를 노출하도록 배치될 수 있다. 이러한 제2 절연층(PAS2)의 형상은 표시 장치(10)의 제조 공정 중 제1 절연층(PAS1) 및 제3 뱅크(BNL3) 상에 전면적으로 배치되었다가 발광 소자(ED)의 양 단부를 노출하도록 제거하는 공정에 의해 형성된 것일 수 있다.
제2 절연층(PAS2) 중 발광 소자(ED) 상에 배치된 부분은 평면상 제1 절연층(PAS1) 상에서 제2 방향(DR2)으로 연장되어 배치됨으로써 각 서브 화소(PXn) 내에서 선형 또는 섬형 패턴을 형성할 수 있다. 제2 절연층(PAS2)은 발광 소자(ED)를 보호함과 동시에 표시 장치(10)의 제조 공정에서 발광 소자(ED)를 고정시킬 수 있다. 또한, 제2 절연층(PAS2)은 발광 소자(ED)와 그 하부의 제1 절연층(PAS1) 사이의 공간을 채우도록 배치될 수도 있다.
한편, 표시 장치(10)의 제조 공정 중, 각 전극(RME)을 형성하기 위해 전극 라인들을 서브 영역(SA)에서 분리하는 공정은 제2 절연층(PAS2)을 형성한 뒤에 수행될 수 있다. 제2 절연층(PAS2)은 서브 영역(SA)과 발광 영역(EMA)에 전면적으로 배치되되, 발광 소자(ED)의 양 단부 노출 공정 및 분리 공정에 의해 부분적으로 제거될 수 있다. 서브 영역(SA)에서는 전극 라인이 분리된 영역에서 제1 절연층(PAS1)과 제2 절연층(PAS2)이 제거되고 후술하는 제3 절연층(PAS3)이 제2 층간 절연층(IL2) 상에 직접 배치될 수 있다.
제2 절연층(PAS2) 상에는 복수의 접촉 전극(CNE1, CNE2, CNE3)들과 제3 절연층(PAS3)이 배치될 수 있다. 접촉 전극(CNE1, CNE2, CNE3)은 서로 동일한 층에 배치된 제1 접촉 전극(CNE1) 및 제2 접촉 전극(CNE2)과, 이들과 다른 층에 배치된 제3 접촉 전극(CNE3)을 포함할 수 있다. 제1 접촉 전극(CNE1) 및 제2 접촉 전극(CNE2)과 제3 접촉 전극(CNE3) 사이에는 제3 절연층(PAS3)이 배치될 수 있다.
복수의 접촉 전극(CNE1, CNE2, CNE3)들은 각각 발광 소자(ED) 및 전극(RME)들과 접촉할 수 있다. 복수의 접촉 전극(CNE1, CNE2, CNE3)들은 발광 소자(ED)의 양 단부면에 노출된 반도체층과 직접 접촉할 수 있고, 전극(RME)들의 상면 중 제1 절연층(PAS1)이 배치되지 않고 노출된 상면과 접촉할 수 있다. 발광 소자(ED)의 양 단부는 복수의 접촉 전극(CNE1, CNE2, CNE3)들을 통해 전극(RME)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 접촉 전극(CNE1)은 제1 전극(CNE1) 상에 배치되고 제2 접촉 전극(CNE2)은 제2 전극(CNE2) 상에 배치될 수 있다. 제1 접촉 전극(CNE1)은 제1 전극 확장부(ET1) 상에 배치되며, 제1 전극 확장부(ET1)보다 좁은 폭을 갖고 제2 방향(DR2)으로 연장된 형상을 가질 수 있다. 또한, 제1 접촉 전극(CNE1)은 제1 전극(RME1) 상에 배치되며 그 폭이 확장된 복수의 제1 컨택부(CNT1)들을 포함할 수 있고, 제1 컨택부(CNT1)들은 제1 절연층(PAS1)이 노출하는 제1 전극(RME1)과 접촉할 수 있다. 복수의 제1 컨택부(CNT1)들은 발광 소자(ED)들과 제1 방향(DR1)으로 중첩하지 않도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 컨택부(CNT1)는 복수의 발광 소자(ED)들이 배치되는 전극 확장부(ET1, ET2, ET3, ET4)의 제2 방향(DR2)의 일 측에 인접하여 배치될 수 있다. 도면에서는 제1 접촉 전극(CNE1)이 2개의 제1 컨택부(CNT1)를 포함하는 것이 도시되어 있으나, 이에 제한되지 않는다. 제1 접촉 전극(CNE1)은 제1 발광 소자(ED1)의 제1 단부 및 제1 전극(RME1)과 각각 접촉할 수 있고, 제1 발광 소자(ED1)는 제1 접촉 전극(CNE1)을 통해 제1 전극(RME1)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 접촉 전극(CNE2)은 제2 전극 확장부(ET2) 상에 배치되며, 제2 전극 확장부(ET2)보다 좁은 폭을 갖고 제2 방향(DR2)으로 연장된 형상을 가질 수 있다. 또한, 제2 접촉 전극(CNE2)은 제2 전극(RME2) 상에 배치되며 그 폭이 확장된 복수의 제2 컨택부(CNT2)들을 포함할 수 있고, 제2 컨택부(CNT2)들은 제1 절연층(PAS1)이 노출하는 제2 전극(RME2)과 접촉할 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서, 제2 컨택부(CNT2) 중 어느 하나는 제2 전극(RME2)의 제2 전극 컨택부(CE2) 상에 배치될 수도 있다. 복수의 제2 컨택부(CNT2)들은 발광 소자(ED)들과 제1 방향(DR1)으로 중첩하지 않도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 컨택부(CNT2)는 복수의 발광 소자(ED)들이 배치되는 전극 확장부(ET1, ET2, ET3, ET4)의 제2 방향(DR2)의 일 측에 인접하여 배치될 수 있다. 도면에서는 제2 접촉 전극(CNE2)이 2개의 제2 컨택부(CNT2)를 포함하는 것이 도시되어 있으나, 이에 제한되지 않는다. 제2 접촉 전극(CNE2)은 제2 발광 소자(ED2)의 제2 단부 및 제2 전극(RME2)과 각각 접촉할 수 있고, 제2 발광 소자(ED2)는 제2 접촉 전극(CNE2)을 통해 제1 전극(RME1)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 접촉 전극(CNE1)과 제2 접촉 전극(CNE2)은 각각 제2 절연층(PAS2) 상에 직접 배치될 수 있다. 제1 접촉 전극(CNE1)과 제2 접촉 전극(CNE2)은 전극(RME)들보다 작은 폭을 갖고 발광 영역(EMA) 내에서 제2 방향(DR2)으로 연장된 선형의 패턴을 형성할 수 있다. 제1 접촉 전극(CNE1)의 제1 컨택부(CNT1)들은 제1 전극 확장부(ET1)의 제2 방향(DR2) 일 측에 배치되고, 제2 접촉 전극(CNE2)의 제2 컨택부(CNT2)들은 제2 전극 확장부(ET2)의 제2 방향(DR2) 타 측에 배치될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않는다.
제1 접촉 전극(CNE1)과 제2 접촉 전극(CNE2) 상에는 제3 절연층(PAS3)이 배치될 수 있다. 제3 절연층(PAS3)은 제1 접촉 전극(CNE1)과 제2 접촉 전극(CNE2)을 덮으며 일부분은 제2 절연층(PAS2) 상에도 배치될 수 있다. 일 실시예에서 제3 절연층(PAS3)은 전극(RME) 상에서 제3 접촉 전극(CNE3)이 배치된 부분을 제외하고 제1 절연층(PAS1) 상에 전면적으로 배치될 수 있다. 제3 절연층(PAS3)은 제1 접촉 전극(CNE1) 및 제2 접촉 전극(CNE2)과 제3 접촉 전극(CNE3)이 직접 접촉하지 않도록 이들을 상호 절연시킬 수 있다. 제3 절연층(PAS3)이 제1 접촉 전극(CNE1) 및 제2 접촉 전극(CNE2)과 제3 접촉 전극(CNE3) 사이에서 이들을 상호 절연시킬 수 있으나, 일 실시예에서 제3 절연층(PAS3)은 생략될 수도 있다. 이 경우, 제1 접촉 전극(CNE1)과 제2 접촉 전극(CNE2) 및 제3 접촉 전극(CNE3)은 동일한 층에 배치될 수 있다.
제3 접촉 전극(CNE3)은 제3 전극 확장부(ET3) 상에 배치된 제1 연장부(CN_E1), 제4 전극 확장부(ET4) 상에 배치된 제2 연장부(CN_E2) 및 제1 연장부(CN_E1)와 제2 연장부(CN_E2)를 서로 연결하는 복수의 연결부(CN_B)들을 포함할 수 있다. 제1 연장부(CN_E1) 및 제2 연장부(CN_E2)는 실질적으로 제1 접촉 전극(CNE1)과 유사한 형상을 가질 수 있다. 제1 연장부(CN_E1) 및 제2 연장부(CN_E2)는 제3 전극 확장부(ET3) 및 제4 전극 확장부(ET4)보다 좁은 폭을 갖고 제2 방향(DR2)으로 연장된 형상을 가질 수 있다. 다만, 제1 연장부(CN_E1) 및 제2 연장부(CN_E2)는 제2 방향(DR2)으로 측정된 길이가 제1 접촉 전극(CNE1)의 길이보다 길 수 있고, 제1 연장부(CN_E1) 및 제2 연장부(CN_E2)는 제1 방향(DR1)으로 연장된 연결부(CN_B)들을 통해 서로 연결될 수 있다. 제3 접촉 전극(CNE3)은 평면도 상 제1 접촉 전극(CNE1)을 둘러싸는 형상을 가질 수 있다.
예를 들어, 제1 연장부(CN_E1) 및 제2 연장부(CN_E2)는 제3 전극(RME3) 상에 배치되며 그 폭이 확장된 제3 컨택부(CNT3) 및 제4 전극(RME4) 상에 배치되며 그 폭이 확장된 제4 컨택부(CNT4)들을 포함할 수 있다. 제3 컨택부(CNT3) 및 제4 컨택부(CNT4)들은 제1 절연층(PAS1)이 노출하는 제3 전극(RME3) 및 제4 전극(RME4)과 접촉할 수 있다. 복수의 제3 컨택부(CNT3) 및 제4 컨택부(CNT4)들은 발광 소자(ED)들과 제1 방향(DR1)으로 중첩하지 않도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 제3 컨택부(CNT3) 및 제4 컨택부(CNT4)는 제1 컨택부(CNT1) 또는 제2 컨택부(CNT2)와 제1 방향(DR1)으로 나란하게 배치될 수 있다.
도면에서는 제3 접촉 전극(CNE3)이 2개의 제3 컨택부(CNT3)를 포함하여 각각 제3 전극(RME3) 및 제4 전극(RME4)과 접촉한 것이 도시되어 있으나, 이에 제한되지 않는다. 제3 접촉 전극(CNE3)의 제1 연장부(CN_E1)는 제1 발광 소자(ED1)의 제2 단부와 접촉하고 제2 연장부(CN_E2)는 제2 발광 소자(ED2)의 제1 단부와 접촉할 수 있다. 제1 발광 소자(ED1)와 제2 발광 소자(ED2)는 제3 접촉 전극(CNE3)을 통해 서로 직렬로 연결될 수 있다.
접촉 전극(CNE1, CNE2, CNE3)은 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, ITO, IZO, ITZO, 알루미늄(Al) 등을 포함할 수 있다. 일 예로, 접촉 전극(CNE1, CNE2, CNE3)은 투명성 전도성 물질을 포함하고, 발광 소자(ED)에서 방출된 광은 접촉 전극(CNE1, CNE2, CNE3)을 투과하여 전극(RME)들을 향해 진행할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
도면에 도시하지 않았으나, 접촉 전극(CNE1, CNE2, CNE3)들, 및 제3 절연층(PAS3) 상에는 이들을 덮는 다른 절연층이 더 배치될 수 있다. 상기 절연층은 제1 기판(SUB1) 상에 전면적으로 배치되어 상에 배치된 부재들 외부 환경에 대하여 보호하는 기능을 할 수 있다.
상술한 제1 절연층(PAS1), 제2 절연층(PAS2) 및 제3 절연층(PAS3) 각각은 무기물 절연성 물질 또는 유기물 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제1 절연층(PAS1), 제2 절연층(PAS2) 및 제3 절연층(PAS3)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 산화 알루미늄(AlOx), 질화 알루미늄(AlNx)등과 같은 무기물 절연성 물질을 포함할 수 있다. 또는, 이들은 유기물 절연성 물질로서, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리아마이드 수지, 폴리이미드 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리페닐렌 수지, 폴리페닐렌설파이드 수지, 벤조사이클로부텐, 카도 수지, 실록산 수지, 실세스퀴옥산 수지, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리카보네이트, 폴리메틸메타크릴레이트-폴리카보네이트 합성수지 등을 포함할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
한편, 상술한 바와 같이 표시 장치(10)의 각 화소(PX)는 발광 영역(EMA)과 서브 영역(SA)의 배치가 서로 다른 타입의 서브 화소(PXn)들을 포함할 수 있다. 그에 대응하여 각 서브 화소(PXn)에 배치된 전극(RME)들의 배치는 해당 서브 화소(PXn)의 발광 영역(EMA)과 서브 영역(SA)의 배치에 따라 달라질 수 있다.
예를 들어, 제1 서브 화소(PX1)와 제3 서브 화소(PX3)에서는 서브 영역(SA)이 제1 발광 영역(EMA1) 및 제3 발광 영역(EMA3)의 제2 방향(DR2) 일 측인 상측에 배치될 수 있다. 제1 서브 화소(PX1)와 제3 서브 화소(PX3)의 제1 전극(RME1) 및 제3 전극(RME3)은 서브 영역(SA)에 배치된 제1 전극 컨택부(CE1) 및 제3 전극 컨택부(CE3)로부터 하측으로 연장되어 발광 영역(EMA)에 배치될 수 있다. 반면, 제2 서브 화소(PX2)에서는 서브 영역(SA)이 제2 발광 영역(EMA2)의 제2 방향(DR2) 타 측인 하측에 배치될 수 있다. 제2 서브 화소(PX2)의 제1 전극(RME1) 및 제3 전극(RME3)은 서브 영역(SA)에 배치된 제1 전극 컨택부(CE1) 및 제3 전극 컨택부(CE3)로부터 상측으로 연장되어 발광 영역(EMA)에 배치될 수 있다. 제1 서브 화소(PX1)와 제3 서브 화소(PX3)는 제1 전극(RME1)과 제3 전극(RME3)이 전극 컨택부(CE1, CE3)로부터 하측으로 연장되어 배치된 제1 타입 서브 화소이고, 제2 서브 화소(PX2)는 제1 전극(RME1)과 제3 전극(RME3)이 전극 컨택부(CE1, CE3)로부터 상측으로 연장되어 배치된 제1 타입 서브 화소일 수 있다.
제2 전극(RME2)의 경우, 서브 영역(SA)을 넘어 제2 방향(DR2)으로 이웃하는 복수의 화소(PX) 또는 서브 화소(PXn)들에 걸쳐 배치된다. 제2 전극(RME2)은 복수의 제2 전극 컨택부(CE2)들을 포함하고 이들은 제1 배선 가로부(VDL_H) 또는 제2 배선 가로부(VSL_H)와 중첩하도록 배치되나, 제2 배선 가로부(VSL_H)와 중첩하는 제2 전극 컨택부(CE2)만이 제2 전극 컨택홀(CTS)을 통해 제2 배선 가로부(VSL_H)와 접촉할 수 있다. 하나의 제2 배선 가로부(VSL_H)는 제1 방향(DR1)으로 연장되어 제1 방향(DR1)으로 배열된 복수의 서브 화소(PXn)들의 제2 전극(RME2)과 접촉할 수 있다. 서로 다른 타입의 서브 화소(PXn)들은 제2 배선 가로부(VSL_H)와 접촉하는 제2 전극 컨택부(CE2)의 위치가 다를 수 있다.
예를 들어, 제1 타입 서브 화소인 제1 서브 화소(PX1) 및 제3 서브 화소(PX3)는 제2 배선 가로부(VSL_H)가 서브 영역(SA)의 상측에 배치된다. 제1 타입 서브 화소에 배치된 제2 전극(RME2)의 제2 전극 컨택부(CE2)는 서브 영역(SA)의 상측에 배치되어 제2 방향(DR2)으로 이웃하는 다른 서브 화소(PXn)의 발광 영역(EMA)에서 제2 배선 가로부(VSL_H)와 접촉할 수 있다.
반면, 제2 타입 서브 화소인 제2 서브 화소(PX2)는 제2 배선 가로부(VSL_H)가 제2 발광 영역(EMA2)을 가로지를 수 있다. 제2 타입 서브 화소에 배치된 제2 전극(RME2)의 제2 전극 컨택부(CE2)는 부분적으로 발광 영역(EMA) 내에 배치되며 해당 서브 화소(PXn)의 발광 영역(EMA) 부근에서 제2 배선 가로부(VSL_H)와 접촉할 수 있다.
이와 유사하게, 접촉 전극(CNE1, CNE2, CNE3)들의 배치 및 구조도 제1 서브 화소(PX1)와 제2 서브 화소(PX2)가 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 제1 서브 화소(PX1)의 제2 접촉 전극(CNE2)은 제2 컨택부(CNT2)가 제1 배선 가로부(VDL_H) 상에 배치된 제2 전극 컨택부(CE2)와 접촉한다. 반면, 제2 서브 화소(PX2)의 제2 접촉 전극(CNE2)은 제2 컨택부(CNT2)가 제2 배선 가로부(VSL_H) 상에 배치된 제2 전극 컨택부(CE2)와 접촉할 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 제1 서브 화소(PX1) 및 제3 서브 화소(PX3)와 제2 서브 화소(PX2)는 서로 다른 타입의 서브 화소로 정의될 수 있으며, 그에 따라 발광 영역(EMA) 및 서브 영역(SA)의 배열이나 전극(RME)들의 구조가 다를 수 있다. 도면에서는 서브 영역(SA)에 배치된 제1 전극 컨택부(CE1) 및 제3 전극 컨택부(CE3)를 기준으로 제1 전극(RME1)과 제3 전극(RME3)의 연장 방향이 제1 서브 화소(PX1)와 제2 서브 화소(PX2)가 서로 반대 방향인 경우가 예시되어 있다. 예를 들어, 제2 서브 화소(PX2)의 전극(RME)들, 접촉 전극(CNE1, CNE2, CNE3)들 및 발광 영역(EMA)과 서브 영역(SA)의 배치는 제1 서브 화소(PX1)와 대칭 구조를 가질 수 있다. 표시 장치(10)는 서로 다른 타입의 서브 화소들을 포함하여, 하나의 화소(PX) 내에서 이웃한 서브 화소(PXn)들의 발광 영역(EMA)은 서로 나란하게 배열되지 않고, 제1 방향(DR1)으로 이격된 복수의 발광 영역(EMA)들 사이에는 서브 영역(SA)이 배치할 수 있다.
하나의 화소(PX)가 복수의 서브 화소(PXn)들을 포함하고, 각 서브 화소(PXn)들은 발광 영역(EMA)과 서브 영역(SA)을 포함함에 따라 하나의 화소(PX)에는 발광 소자(ED)들이 배치된 영역과 그렇지 않은 영역이 구분될 수 있다. 발광 소자(ED)가 광을 방출하기 위해 각 서브 화소(PXn)는 복수의 전극(RME)들 및 접촉 전극(CNE1, CNE2, CNE3)들을 포함하고, 이들은 발광 영역(EMA) 내에 배치된다. 각 발광 영역(EMA)은 일정 수준의 휘도를 갖기 위해 복수의 발광 소자(ED)들이 배치되고, 이들을 구동하기 위한 전극(RME)들 및 접촉 전극(CNE1, CNE2, CNE3)들이 배치되는 면적이 필요하다. 일 실시예에 따른 표시 장치(10)와 같이 발광 영역(EMA)들이 나란하지 않도록 배치되며 이들 사이에 서브 영역(SA)이 배치될 경우, 발광 영역(EMA)들이 일 방향으로 배열된 경우보다 단일 화소(PX) 면적 대비 발광 영역(EMA)의 면적 확보가 유리한 이점이 있다.
표시 장치(10)가 표시 소자층 상에 배치되어 발광 소자(ED)들에서 방출된 광이 입사되는 컬러 제어 구조물(도 16의 'TPL, WCL1, WCL2')들을 더 포함하는 경우, 발광 영역(EMA)이 충분한 면적을 확보할 수 있고, 컬러 제어 구조물들이 발광 영역(EMA)에 이웃한 서브 영역(SA) 상에 배치되더라도 이웃 서브 화소(PXn) 간 혼색의 우려가 없다. 몇몇 실시예에서 컬러 제어 구조물들은 유기 물질을 포함할 수 있는데, 컬러 제어 구조물들은 유기 물질이 열화에 의해 변형되어 컬러 제어 구조물의 폭이 줄어들 수 있다. 다만, 컬러 제어 구조물들이 발광 영역(EMA) 중 발광 소자(ED)들을 덮으며 서브 영역(SA)에도 배치된다면 컬러 제어 구조물의 폭이 줄어들더라도 적어도 발광 소자(ED)들은 덮을 수 있고, 출광 효율을 유지할 수 있다. 이에 대한 자세한 설명은 다른 도면들을 참조하여 후술하기로 한다.
도 14는 일 실시예에 따른 발광 소자의 개략도이다.
발광 소자(ED)는 발광 다이오드(Light Emitting diode)일 수 있으며, 일 예로 발광 소자(ED)는 마이크로 미터(Micro-meter) 내지 나노 미터(Nano-meter) 단위의 크기를 가지고, 무기물로 이루어진 무기 발광 다이오드일 수 있다. 무기 발광 다이오드는 서로 대향하는 두 전극들 사이에 특정 방향으로 전계를 형성하면 극성이 형성되는 상기 두 전극 사이에 정렬될 수 있다. 발광 소자(ED)는 두 전극 상에 형성된 전계에 의해 전극 사이에 정렬될 수 있다.
일 실시예에 따른 발광 소자(ED)는 일 방향으로 연장된 형상을 가질 수 있다. 발광 소자(ED)는 로드, 와이어, 튜브 등의 형상을 가질 수 있다. 예시적인 실시예에서, 발광 소자(ED)는 원통형 또는 로드형(Rod)일 수 있다. 다만, 발광 소자(ED)의 형태가 이에 제한되는 것은 아니며, 정육면체, 직육면체, 육각기둥형 등 다각기둥의 형상을 갖거나, 일 방향으로 연장되되 외면이 부분적으로 경사진 형상을 갖는 등 발광 소자(ED)는 다양한 형태를 가질 수 있다. 후술하는 발광 소자(ED)에 포함되는 복수의 반도체들은 상기 일 방향을 따라 순차적으로 배치되거나 적층된 구조를 가질 수 있다.
발광 소자(ED)는 임의의 도전형(예컨대, p형 또는 n형) 불순물로 도핑된 반도체층을 포함할 수 있다. 반도체층은 외부의 전원으로부터 인가되는 전기 신호가 전달되어 특정 파장대의 광을 방출할 수 있다.
도 14를 참조하면, 발광 소자(ED)는 제1 반도체층(31), 제2 반도체층(32), 발광층(36), 전극층(37) 및 절연막(38)을 포함할 수 있다.
제1 반도체층(31)은 n형 반도체일 수 있다. 일 예로, 발광 소자(ED)가 청색 파장대의 광을 방출하는 경우, 제1 반도체층(31)은 AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 화학식을 갖는 반도체 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, n형으로 도핑된 AlGaInN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN 및 InN 중에서 어느 하나 이상일 수 있다. 제1 반도체층(31)은 n형 도펀트가 도핑될 수 있으며, 일 예로 n형 도펀트는 Si, Ge, Sn 등일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제1 반도체층(31)은 n형 Si로 도핑된 n-GaN일 수 있다. 제1 반도체층(31)의 길이는 1.5㎛ 내지 5㎛의 범위를 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
제2 반도체층(32)은 후술하는 발광층(36) 상에 배치된다. 제2 반도체층(32)은 p형 반도체일 수 있으며 일 예로, 발광 소자(ED)가 청색 또는 녹색 파장대의 광을 방출하는 경우, 제2 반도체층(32)은 AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 화학식을 갖는 반도체 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, p형으로 도핑된 AlGaInN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN 및 InN 중에서 어느 하나 이상일 수 있다. 제2 반도체층(32)은 p형 도펀트가 도핑될 수 있으며, 일 예로 p형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Ba 등일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제2 반도체층(32)은 p형 Mg로 도핑된 p-GaN일 수 있다. 제2 반도체층(32)의 길이는 0.05㎛ 내지 0.10㎛의 범위를 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
한편, 도면에서는 제1 반도체층(31)과 제2 반도체층(32)이 하나의 층으로 구성된 것을 도시하고 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 몇몇 실시예에 따르면 발광층(36)의 물질에 따라 제1 반도체층(31)과 제2 반도체층(32)은 더 많은 수의 층, 예컨대 클래드층(Clad layer) 또는 TSBR(Tensile strain barrier reducing)층을 더 포함할 수도 있다.
발광층(36)은 제1 반도체층(31)과 제2 반도체층(32) 사이에 배치된다. 발광층(36)은 단일 또는 다중 양자 우물 구조의 물질을 포함할 수 있다. 발광층(36)이 다중 양자 우물 구조의 물질을 포함하는 경우, 양자층(Quantum layer)과 우물층(Well layer)이 서로 교번적으로 복수 개 적층된 구조일 수도 있다. 발광층(36)은 제1 반도체층(31) 및 제2 반도체층(32)을 통해 인가되는 전기 신호에 따라 전자-정공 쌍의 결합에 의해 광을 발광할 수 있다. 일 예로, 발광층(36)이 청색 파장대의 광을 방출하는 경우, AlGaN, AlGaInN 등의 물질을 포함할 수 있다. 특히, 발광층(36)이 다중 양자 우물 구조로 양자층과 우물층이 교번적으로 적층된 구조인 경우, 양자층은 AlGaN 또는 AlGaInN, 우물층은 GaN 또는 AlInN 등과 같은 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 발광층(36)은 양자층으로 AlGaInN를, 우물층으로 AlInN를 포함하여 발광층(36)은 중심 파장대역이 450nm 내지 495nm의 범위를 갖는 청색(Blue)광을 방출할 수 있다.
다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 발광층(36)은 밴드갭(Band gap) 에너지가 큰 종류의 반도체 물질과 밴드갭 에너지가 작은 반도체 물질들이 서로 교번적으로 적층된 구조일 수도 있고, 발광하는 광의 파장대에 따라 다른 3족 내지 5족 반도체 물질들을 포함할 수도 있다. 발광층(36)이 방출하는 광은 청색 파장대의 광으로 제한되지 않고, 경우에 따라 적색, 녹색 파장대의 광을 방출할 수도 있다. 발광층(36)의 길이는 0.05㎛ 내지 0.10㎛의 범위를 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
한편, 발광층(36)에서 방출되는 광은 발광 소자(ED)의 길이 방향 외부면뿐만 아니라, 양 측면으로 방출될 수 있다. 발광층(36)에서 방출되는 광은 하나의 방향으로 방향성이 제한되지 않는다.
전극층(37)은 오믹(Ohmic) 접촉 전극일 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 쇼트키(Schottky) 접촉 전극일 수도 있다. 발광 소자(ED)는 적어도 하나의 전극층(37)을 포함할 수 있다. 도 14에서는 발광 소자(ED)가 하나의 전극층(37)을 포함하는 것을 도시하고 있으나, 이에 제한되지 않는다. 경우에 따라서 발광 소자(ED)는 더 많은 수의 전극층(37)을 포함하거나, 생략될 수도 있다. 후술하는 발광 소자(ED)에 대한 설명은 전극층(37)의 수가 달라지거나 다른 구조를 더 포함하더라도 동일하게 적용될 수 있다.
전극층(37)은 일 실시예에 따른 표시 장치(10)에서 발광 소자(ED)가 전극 또는 접촉 전극과 전기적으로 연결될 때, 발광 소자(ED)와 전극 또는 접촉 전극 사이의 저항을 감소시킬 수 있다. 전극층(37)은 전도성이 있는 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전극층(37)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 인듐(In), 금(Au), 은(Ag), ITO, IZO 및 ITZO 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 일 예로 전극층(37)은 n형 또는 p형으로 도핑된 반도체 물질을 포함할 수도 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
절연막(38)은 복수의 반도체층 및 전극층들의 외면을 둘러싸도록 배치된다. 예시적인 실시예에서, 절연막(38)은 적어도 발광층(36)의 외면을 둘러싸도록 배치되고, 발광 소자(ED)가 연장된 일 방향으로 연장될 수 있다. 절연막(38)은 상기 부재들을 보호하는 기능을 수행할 수 있다. 일 예로, 절연막(38)은 상기 부재들의 측면부를 둘러싸도록 형성되되, 발광 소자(ED)의 길이방향의 양 단부는 노출되도록 형성될 수 있다.
도면에서는 절연막(38)이 발광 소자(ED)의 길이방향으로 연장되어 제1 반도체층(31)으로부터 전극층(37)의 측면까지 커버하도록 형성된 것을 도시하고 있으나, 이에 제한되지 않는다. 절연막(38)은 발광층(36)을 포함하여 일부의 반도체층의 외면만을 커버하거나, 전극층(37) 외면의 일부만 커버하여 각 전극층(37)의 외면이 부분적으로 노출될 수도 있다. 일 예로, 절연막(38)은 발광 소자(ED)의 적어도 일 단부와 인접한 영역에서 단면상 상면이 라운드지게 형성될 수도 있다.
절연막(38)의 두께는 10nm 내지 1.0㎛의 범위를 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 절연막(38)의 두께는 40nm 내외일 수 있다.
절연막(38)은 절연특성을 가진 물질들, 예를 들어, 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 산질화 실리콘(SiOxNy), 산화알루미늄(AlOx) 등을 포함할 수 있다. 이에 따라 발광층(36)이 발광 소자(ED)에 전기 신호가 전달되는 전극과 직접 접촉하는 경우 발생할 수 있는 전기적 단락을 방지할 수 있다. 절연막(38)은 발광층(36)을 포함하여 발광 소자(ED)의 외면을 보호하기 때문에, 발광 효율의 저하를 방지할 수 있다. 도면에서는 절연막(38)이 하나의 층으로 형성된 것이 예시되어 있으나, 이에 제한되지 않고 절연막(38)은 복수의 층이 적층된 이중층 또는 다중층으로 형성될 수도 있다.
또한, 몇몇 실시예에서, 절연막(38)은 외면이 표면처리될 수 있다. 발광 소자(ED)는 소정의 잉크 내에서 분산된 상태로 전극 상에 분사되어 정렬될 수 있다. 여기서, 발광 소자(ED)가 잉크 내에서 인접한 다른 발광 소자(ED)와 응집되지 않고 분산된 상태를 유지하기 위해, 절연막(38)은 표면이 소수성 또는 친수성 처리될 수 있다.
발광 소자(ED)는 길이(h)가 1㎛ 내지 10㎛ 또는 2㎛ 내지 6㎛의 범위를 가질 수 있으며, 3㎛ 내지 5㎛의 길이를 가질 수 있다. 또한, 발광 소자(ED)의 직경은 30nm 내지 700nm의 범위를 갖고, 발광 소자(ED)의 종횡비(Aspect ratio)는 1.2 내지 100일 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 표시 장치(10)에 포함되는 복수의 발광 소자(ED)들은 발광층(36)의 조성 차이에 따라 서로 다른 직경을 가질 수도 있다. 발광 소자(ED)의 직경은 500nm 내외의 범위를 가질 수 있다.
한편, 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 복수의 서브 화소(PXn)들에 전기적으로 접속되는 회로층(CCL)의 배선들이 서브 화소(PXn)가 아닌 하나의 단위 화소(PX)를 기준으로 배치될 수 있다. 그에 따라 하나의 서브 화소(PXn)가 차지하는 영역의 하부에 배치된 회로층(CCL)의 배선들은 각 서브 화소(PXn)마다 다를 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(10)는 하나의 화소(PX)가 발광 영역(EMA) 및 서브 영역(SA)의 배치가 다른 서로 다른 타입의 서브 화소(PXn)들을 포함한다. 이에 따라 각 서브 화소(PXn)에 배치된 전극(RME)들, 일 예로 제1 전극(RME1)과 제2 전극(RME2)이 하부의 제3 도전층과 전기적으로 연결되는 전극 컨택부(CE1, CE2)의 위치는 하나의 화소(PX)에 포함된 서브 화소(PXn)마다 다를 수 있다.
도 15는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소에 포함된 복수의 전극들과 제3 도전층의 개략적인 배치를 나타내는 평면도이다. 도 16은 도 15의 C1-C1'선, C2-C2'선 및 C3-C3'선을 따라 자른 단면도이다.
도 15에서는 회로층(CCL)의 제3 도전층과 그 상부에 배치된 제3 뱅크(BNL3), 전극(RME)들, 발광 소자(ED)들 및 접촉 전극(CNE1, CNE2, CNE3)들의 상대적인 배치만을 도시하였다. 도 16에서는 제1 서브 화소(PX1), 제2 서브 화소(PX2) 및 제3 서브 화소(PX3)의 제1 전극 컨택부(CE1)의 단면을 도시하고 있다.
도 15 및 도 16을 참조하면, 각 서브 화소(PXn)의 제1 전극(RME1)은 서브 영역(SA)에 배치된 제1 전극 컨택부(CE1)가 그 하부의 제3 도전층과 접촉하고, 이를 통해 회로층(CCL)의 제1 트랜지스터(T1)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(RME1)은 제1 트랜지스터(T1)의 제1 소스 전극(S1)과 전기적으로 연결되는데, 회로층(CCL)에 배치된 제1 트랜지스터(T1)의 제1 액티브층(ACT1), 및 제1 소스 전극(S1)을 구성하는 제2 정전 용량 전극(CSE2)은 평면도 상 제2 서브 화소(PX2), 또는 제1 서브 화소(PX1)와 제2 서브 화소(PX2)의 경계에 배치될 수 있다. 제1 서브 화소(PX1) 및 제3 서브 화소(PX3)의 제1 전극(RME1)은 제3 도전층의 제2 정전 용량 전극(CSE2)과 비중첩하도록 배치되고, 제2 서브 화소(PX2)의 제1 전극(RME1)은 제3 도전층의 제2 정전 용량 전극(CSE2)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 각 서브 화소(PXn)의 제1 전극 컨택부(CE1)는 제3 도전층의 제2 정전 용량 전극(CSE2)과 직접 접촉하거나 연장 전극부(CP1, CP2)를 통해 이와 전기적으로 연결될 수 있다.
예를 들어, 제1 서브 화소(PX1)의 제1 전극(RME1)과 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터(T1)는 제1 액티브층(ACT1), 및 제1 소스 전극(S1)을 구성하는 제2 정전 용량 전극(CSE2)이 화소(PX)의 중심을 기준으로 제2 방향(DR2) 일 측인 상측에 배치된다. 다만, 제1 서브 화소(PX1)의 제2 정전 용량 전극(CSE2)은 제1 서브 화소(PX1)의 제1 전극(RME1) 및 서브 영역(SA)과 비중첩하도록 배치되므로, 제1 전극 컨택부(CE1)는 제1 서브 화소(PX1)의 제2 정전 용량 전극(CSE2)과 직접 접촉하지 않을 수 있다. 제3 도전층은 제1 서브 화소(PX1)의 제2 정전 용량 전극(CSE2)과 직접 전기적으로 연결되며 제1 서브 화소(PX1)의 서브 영역(SA)과 중첩하도록 배치된 제1 연장 전극부(CP1)를 포함한다. 제1 연장 전극부(CP1)는 제1 방향(DR1)으로 연장된 부분을 포함하여 제2 정전 용량 전극(CSE2)과 일체화될 수 있고, 제1 서브 화소(PX1)의 서브 영역(SA)에서 제1 전극 컨택부(CE1)와 직접 접촉할 수 있다. 제1 서브 화소(PX1)의 제1 전극(RME1)은 제1 연장 전극부(CP1)를 통해 제1 트랜지스터(T1)의 제1 소스 전극(S1)과 전기적으로 연결될 수 있다.
이와 유사하게, 제3 서브 화소(PX3)의 제1 전극(RME1)과 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터(T1)는 제1 액티브층(ACT1), 및 제1 소스 전극(S1)을 구성하는 제2 정전 용량 전극(CSE2)이 화소(PX)의 중심에 인접하여 배치된다. 다만, 제3 서브 화소(PX3)의 제2 정전 용량 전극(CSE2)은 제3 서브 화소(PX3)의 제1 전극(RME1) 및 서브 영역(SA)과 비중첩하도록 배치되므로, 제1 전극 컨택부(CE1)는 제3 서브 화소(PX3)의 제2 정전 용량 전극(CSE2)과 직접 접촉하지 않을 수 있다. 제3 도전층은 제3 서브 화소(PX3)의 제2 정전 용량 전극(CSE2)과 직접 연결되며 제3 서브 화소(PX3)의 서브 영역(SA)과 중첩하도록 배치된 제2 연장 전극부(CP2)를 포함한다. 제2 연장 전극부(CP2)는 제1 방향(DR1)으로 연장된 부분과 제2 방향(DR2)으로 연장된 부분을 포함하여 제2 정전 용량 전극(CSE2)과 일체화될 수 있고, 제3 서브 화소(PX3)의 서브 영역(SA)에서 제1 전극 컨택부(CE1)와 직접 전기적으로 접촉할 수 있다. 제3 서브 화소(PX3)의 제1 전극(RME1)은 제2 연장 전극부(CP2)를 통해 제1 트랜지스터(T1)의 제1 소스 전극(S1)과 전기적으로 연결될 수 있다.
이와 달리, 제2 서브 화소(PX2)의 제1 전극(RME1)과 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터(T1)는 제1 액티브층(ACT1), 및 제1 소스 전극(S1)을 구성하는 제2 정전 용량 전극(CSE2)이 화소(PX)의 제2 방향(DR2) 타 측인 하측에 인접하여 배치된다. 제2 서브 화소(PX2)의 제2 정전 용량 전극(CSE2)은 제2 서브 화소(PX2)의 제1 전극(RME1) 및 서브 영역(SA)과 중첩하도록 배치되므로, 제1 전극 컨택부(CE1)는 제2 서브 화소(PX2)의 제2 정전 용량 전극(CSE2)과 직접 접촉할 수 있다. 제2 서브 화소(PX2)의 제1 전극(RME1)은 제1 트랜지스터(T1)의 제1 소스 전극(S1)과 직접 전기적으로 연결될 수 있다.
상술한 바와 같이, 제2 전극(RME2)의 경우에도 제2 배선 가로부(VSL_H)와 중첩하는 제2 전극 컨택부(CE2)의 위치는 각 서브 화소(PXn)의 발광 영역(EMA) 및 서브 영역(SA)을 기준으로 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 제1 서브 화소(PX1) 및 제3 서브 화소(PX3)는 제2 배선 가로부(VSL_H)와 접촉하는 제2 전극 컨택부(CE2)가 서브 영역(SA)의 상측에서 제2 방향(DR2)으로 이웃한 다른 화소(PX)의 발광 영역(EMA)에 배치되고, 제2 서브 화소(PX2)는 제2 전극 컨택부(CE2)가 부분적으로 제2 발광 영역(EMA2) 내에 배치되며 제2 배선 가로부(VSL_H)와 접촉할 수 있다. 예를 들어, 제2 전극 컨택홀(CTS)의 위치는 하나의 화소(PX)에 포함된 서브 화소(PXn)의 타입에 따라 서로 다를 수 있다. 제1 서브 화소(PX1)와 제3 서브 화소(PX3)의 제2 전극(RME2)은 다른 화소(PX)의 발광 영역(EMA)에 형성된 제2 전극 컨택홀(CTS)을 통해 제2 배선 가로부(VSL_H)와 접촉하고, 제2 서브 화소(PX2)의 제2 전극(RME2)은 해당 서브 화소의 제2 발광 영역(EMA2)에 인접하여 형성된 제2 전극 컨택홀(CTS)의 통해 제2 배선 가로부(VSL_H)와 접촉할 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 도 15에 도시된 단위 화소(PX)에 포함된 전극(RME)들 및 배선들의 배치가 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 반복 또는 교대 배열될 수 있다.
제2 방향(DR2)으로 배열된 화소(PX)들은 도 15의 전극(RME)들 및 배선들의 배치가 반복될 수 있다. 상술한 바와 같이 제1 배선 가로부(VDL_H) 및 제2 배선 가로부(VSL_H)는 제2 방향(DR2)을 따라 교대로 배열되므로, 제2 전극 컨택부(CE2)와 제2 배선 가로부(VSL_H)가 전기적으로 연결되는 제2 전극 컨택홀(CTS)의 위치는 서로 다를 수 있다.
예를 들어, 제2 방향(DR2)으로 배열된 화소(PX)들 중, 제1 서브 화소(PX1) 및 제3 서브 화소(PX3)의 제2 전극 컨택부(CE2)에 제2 전극 컨택홀(CTS)이 형성된 화소(PX)와 제2 컨택홀(CTS)이 형성되지 않은 화소(PX)가 서로 교대로 배열될 수 있다. 도 15에 도시된 화소(PX)는 제1 서브 화소(PX1) 및 제3 서브 화소(PX3)의 제2 전극 컨택부(CE2)에 제2 전극 컨택홀(CTS)이 형성되지 않은 화소(PX)가 예시되어 있고, 그 상측에 위치한 화소(PX)의 경우 제1 서브 화소(PX1) 및 제3 서브 화소(PX3)의 제2 전극 컨택부(CE2)에 제2 전극 컨택홀(CTS)이 형성될 수 있다.
이와 유사하게, 제2 방향(DR2)으로 배열된 화소(PX)들 중, 제2 서브 화소(PX2)의 제2 전극 컨택부(CE2)에 제2 전극 컨택홀(CTS)이 형성된 화소(PX)와 제2 컨택홀(CTS)이 형성되지 않은 화소(PX)가 서로 교대로 배열될 수 있다. 도 15에 도시된 화소(PX)는 제2 서브 화소(PX2)의 제2 전극 컨택부(CE2)에 제2 전극 컨택홀(CTS)이 형성된 화소(PX)가 예시되어 있고, 그 하측에 위치한 화소(PX)의 경우 제2 서브 화소(PX2)의 제2 전극 컨택부(CE2)에 제2 전극 컨택홀(CTS)이 형성되지 않을 수 있다.
한편, 제1 방향(DR1)으로 배열된 화소(PX)들은 도 15의 전극(RME)들, 및 발광 영역(EMA)과 서브 영역(SA)의 배치가 반복되거나 플립(Flip)된 구조로 교대 배열될 수 있다. 예를 들어, 도 15의 화소(PX)는 제1 서브 화소(PX1)와 제3 서브 화소(PX3)의 제1 전극(RME1)이 제1 전극 컨택부(CE1)로부터 하측으로 연장된 제1 타입 서브 화소이고, 제2 서브 화소(PX2)가 제2 타입 서브 화소인 화소(PX)이다. 동일한 전극(RME)들, 및 발광 영역(EMA)과 서브 영역(SA)의 배치를 갖는 화소(PX)들이 반복 배열될 경우, 해당 화소(PX)의 제1 방향(DR1)으로 이웃한 화소(PX)는 제1 서브 화소(PX1)와 제3 서브 화소(PX3)가 제1 타입 서브 화소이고 제2 서브 화소(PX2)는 제2 타입 서브 화소일 수 있다. 반면, 전극(RME)들, 및 발광 영역(EMA)과 서브 영역(SA)의 배치가 플립(Flip)된 구조로 교대 배열될 경우, 해당 화소(PX)의 제1 방향(DR1)으로 이웃한 화소(PX)는 제1 서브 화소(PX1)와 제3 서브 화소(PX3)가 제2 타입 서브 화소이고 제2 서브 화소(PX2)는 제1 타입 서브 화소일 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 하나의 화소(PX) 내에 발광 영역(EMA) 및 서브 영역(SA)의 배치가 서로 다른 타입의 화소들을 포함하여, 제1 방향(DR1)으로 이웃한 서브 화소(PXn)들이 충분한 면적의 발광 영역(EMA)을 확보할 수 있어 초고해상도 표시 장치의 구현에 이점이 있다.
나아가, 표시 장치(10)가 표시 소자층의 상부에 배치되는 컬러 제어 구조물들을 포함하는 실시예에서, 발광 영역(EMA)과 중첩하는 컬러 제어 구조물들이 충분한 폭을 갖도록 형성될 수 있다. 발광 영역(EMA)의 제1 방향(DR1) 일 측에는 다른 서브 화소(PXn)의 서브 영역(SA)이 배치될 수 있으므로, 컬러 제어 구조물들은 해당 서브 화소(PXn)의 발광 영역(EMA)을 넘어 이웃한 서브 화소(PXn)의 서브 영역(SA)에까지 배치될 수 있다.
도 17은 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소에 배치되는 컬러 제어 구조물들의 개략적인 배치를 나타내는 평면도이다. 도 18은 도 17의 X1-X1'선을 따라 자른 단면도이다. 도 19는 도 17의 X2-X2'선을 따라 자른 단면도이다.
도 18에서는 제1 서브 화소(PX1)와 제3 서브 화소(PX3)에 배치된 컬러 제어 구조물인 제1 파장 변환층(WCL1) 및 제2 파장 변환층(WCL2)의 단면을 도시하고 있고, 도 19에서는 제2 서브 화소(PX2)에 배치된 컬러 제어 구조물인 투광층(TPL)의 단면을 도시하고 있다. 컬러 제어 구조물(WCL1, WCL2, TPL)과 각 서브 화소(PXn)와의 상대적인 배치를 설명하기 위해, 도 17에서는 제3 뱅크(BNL3), 발광 소자(ED)들 및 전극(RME)들만을 도시하여 하였고, 도 18 및 도 19에서는 회로층(CCL)과 제3 뱅크(BNL3) 및 발광 소자(ED)들만을 도시하였다.
도 17 내지 도 19를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 표시 소자층 상에 배치된 복수의 컬러 제어 구조물(WCL1, WCL2, TPL)들 및 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)들을 더 포함할 수 있다. 표시 장치(10)는 제1 기판(SUB1)과 대향하는 제2 기판(SUB2)을 더 포함하고, 제2 기판(SUB2)의 일 면으로서 제1 기판(SUB1)과 대향하는 일 면 상에 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)들과 컬러 제어 구조물(WCL1, WCL2, TPL)이 배치될 수 있다. 이하, 제2 기판(SUB2)을 기준으로 상기 일 면 상에 적층된 구조들을 순차적으로 설명하기로 한다.
제2 기판(SUB2)은 투광성을 갖는 재질로 이루어질 수 있다. 일 실시예에서 제2 기판(SUB2)은 유리기판 또는 플라스틱 기판을 포함할 수 있다. 일 실시예에서 제2 기판(SUB2)은 유리기판 또는 플라스틱 기판 상에 위치하는 별도의 층, 예시적으로 무기막 등의 절연층 등을 더 포함할 수도 있다.
제2 기판(SUB2)의 일 면으로서, 제1 기판(SUB1)과 대향하는 일 면 상에는 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3) 및 제1 차광 부재(UBM)가 배치될 수 있다. 제1 차광 부재(UBM)와 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)은 제2 기판(SUB2)의 일 면 상에 직접 배치된다. 제1 차광 부재(UBM)는 제2 기판(SUB2)의 일 면을 부분적으로 노출하도록 격자형 패턴으로 형성되고, 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)들은 제1 차광 부재(UBM)들이 노출하는 제2 기판(SUB2)의 일 면 상에 배치된다. 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)들은 일부분은 제2 기판(SUB2)의 일 면 상에 직접 배치되고, 다른 일부분은 제1 차광 부재(UBM) 상에 배치될 수 있다. 서로 다른 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)들은 제1 차광 부재(UBM) 상에서 서로 이격 배치될 수 있으나, 이에 제한되지 않고 서로 중첩하도록 배치될 수 있다.
제1 차광 부재(UBM)는 후술하는 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)들이 배치된 영역을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 제1 차광 부재(UBM)는 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)들이 배치되는 영역에 해당하는 제2 기판(SUB2)의 일 면을 노출하도록 배치될 수 있다. 제1 차광 부재(UBM)는 표시 소자층의 제3 뱅크(BNL3)들에 더하여 각 서브 화소(PXn)의 서브 영역(SA) 및 발광 영역(EMA) 중 일부와 중첩하도록 배치되어 평면도상 격자 형상으로 형성될 수 있다. 제2 기판(SUB2)은 제1 차광 부재(UBM)가 둘러싸는 영역으로 복수의 투광 영역(TA1, TA2, TA3)들과, 제1 차광 부재(UBM)가 배치된 영역으로 차광 영역(BA)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 투광 영역(TA1, TA2, TA3)은 각각 제1 내지 제3 서브 화소(PX1, PX2, PX3)에 대응되어 형성되되, 그 면적은 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)의 형상에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WLC2)의 형상에 따라 제1 차광 부재(UBM) 및 차광 영역(BA)의 구조도 달라질 수 있다.
제1 차광 부재(UBM)는 유기 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 제1 차광 부재(UBM)는 외광을 흡수함으로써 외광 반사로 인한 색의 왜곡을 저감시킬 수 있다. 일 실시예에서, 제1 차광 부재(UBM)는 가시광 파장을 모두 흡수할 수 있다. 제1 차광 부재(UBM)는 광 흡수 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 차광 부재(UBM)는 표시 장치(10)의 블랙 매트릭스로 사용되는 물질로 이루어져 제2 차광 부재(MBM)와 실질적으로 동일하거나 유사한 재료로 이루어질 수 있다.
일 실시예에서, 표시 장치(10)는 제1 차광 부재(UBM)가 생략되고 가시광 파장 중 특정 파장의 빛은 흡수하고, 다른 특정 파장의 빛은 투과시키는 재료로 대체될 수도 있다. 예를 들어, 제1 차광 부재(UBM)는 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)으로 대체될 수 있다. 일 예로, 제1 차광 부재(UBM)가 배치된 영역에는 제2 컬러 필터층(CFL2)과 그 상에 제1 컬러 필터층(CFL1)과 제3 컬러 필터층(CFL3) 중 적어도 어느 한 층이 부분적으로 적층됨으로써 이웃한 투광 영역(TA1, TA2, TA3) 간 혼색이 방지될 수도 있다. 일 실시예에서, 제1 차광 부재(UBM)는 제2 컬러 필터층과 일체화되어 형성될 수도 있다. 이에 대한 설명은 다른 실시예가 참조된다.
컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)은 제1 차광 부재(UBM)가 노출하는 제2 기판(SUB2)의 일 면 상에 배치될 수 있다. 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)은 제1 서브 화소(PX1)에 배치되는 제1 컬러 필터층(CFL1), 제2 서브 화소(PX2)에 배치되는 제2 컬러 필터층(CFL2) 및 제3 서브 화소(PX3)에 배치되는 제3 컬러 필터층(CFL3)을 포함할 수 있다. 각 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)은 각 서브 화소(PXn)에서 표시하는 색 파장 이외의 파장을 흡수하는 염료나 안료 같은 색료(colorant)를 포함할 수 있다. 제1 컬러 필터층(CFL1)은 녹색 컬러 필터층이고, 제2 컬러 필터층(CFL2)은 청색 컬러 필터이고, 제3 컬러 필터층(CFL3)은 적색 컬러 필터층일 수 있다. 발광 소자(ED)에서 방출된 광들은 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)을 통과하여 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)을 통해 출사될 수 있다.
도면에서는 이웃하는 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)이 제1 차광 부재(UBM)를 기준으로 서로 이격되도록 배치된 경우를 예시하였지만, 이웃하는 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)은 제1 차광 부재(UBM) 상에서 적어도 부분적으로 중첩할 수도 있다.
컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)은 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)과 유사한 패턴으로 형성되어 각 서브 화소(PXn)에서 발광 영역(EMA) 중 일부를 커버하도록 배치될 수 있다. 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)은 각 서브 화소(PXn)마다 배치되어 섬형의 패턴을 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)은 표시 영역(DPA) 전면에 걸쳐 선형의 패턴을 형성할 수도 있다.
제1 캡핑층(CPL1)은 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)과 제1 차광 부재(UBM)를 덮도록 배치될 수 있다. 제1 캡핑층(CPL1)은 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)과 직접 접촉하며, 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)들이 서로 이격되어 노출된 제1 차광 부재(UBM)의 일 면과도 직접 접촉할 수 있다. 제1 캡핑층(CPL1)은 외부로부터 수분 또는 공기 등의 불순물이 침투하여 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)을 손상시키거나 오염시키는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 제1 캡핑층(CPL1)은 제1 내지 제3 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)에 포함된 색료가 다른 구성, 예컨대 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2) 등으로 확산되는 것을 방지할 수 있다. 일 실시예에서 제1 캡핑층(CPL1)은 무기물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 캡핑층(CPL1)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산질화물 등을 포함하여 이루어질 수 있다. 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)들은 제1 캡핑층(CPL1)의 일 면 상에 배치된다. 각 서브 화소(PXn)의 발광 소자(ED)들이 제1 색의 광을 방출하는 실시예에서, 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)은 제1 서브 화소(PX1)에 배치된 제1 파장 변환층(WCL1), 제2 서브 화소(PX2)에 배치된 투광층(TPL), 및 제3 서브 화소(PX3)에 배치된 제2 파장 변환층(WCL2)을 포함할 수 있다.
제1 파장 변환층(WCL1)은 제1 베이스 수지(BRS1) 및 제1 베이스 수지(BRS1) 내에 배치된 제1 파장 변환 물질(WCP1)과 산란체(SCP)를 포함할 수 있다. 제2 파장 변환층(WCL2)은 제3 베이스 수지(BRS3) 및 제3 베이스 수지(BRS3) 내에 배치된 제2 파장 변환 물질(WCP2)과 산란체(SCP)를 포함할 수 있다. 제1 파장 변환층(WCL1)과 제2 파장 변환층(WCL2)은 발광 소자(ED)에서 입사되는 제1 색의 광의 파장을 변환시켜 투과시킨다. 제1 파장 변환층(WCL1)과 제2 파장 변환층(WCL2)의 산란체(SCP)는 파장 변환 효율을 증가시킬 수 있다.
투광층(TPL)은 제2 베이스 수지(BRS2) 및 제2 베이스 수지(BSR2) 내에 배치된 산란체(SCP)를 포함할 수 있다. 투광층(TPL)은 발광 소자(ED)에서 입사되는 제1 색의 광의 파장을 유지한 채 투과시킨다. 투광층(TPL)의 산란체(SCP)는 투광층(TPL)을 통해 출사되는 빛의 출사 경로를 조절하는 역할을 할 수 있다. 투광층(TPL)은 파장 변환 물질을 불포함할 수 있다.
산란체(SCP)는 금속 산화물 입자 또는 유기 입자일 수 있다. 상기 금속 산화물로는 산화 티타늄(TiO2), 산화 지르코늄(ZrO2), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 인듐(In2O3), 산화 아연(ZnO) 또는 산화 주석(SnO2) 등이 예시될 수 있고, 상기 유기 입자 재료로는 아크릴계 수지 또는 우레탄계 수지 등이 예시될 수 있다.
제1 내지 제3 베이스 수지(BRS1, BRS2, BRS3)는 투광성 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 베이스 수지(BRS1, BRS2, BRS3)는 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 카도계 수지 또는 이미드계 수지 등을 포함하여 이루어질 수 있다. 제1 내지 제3 베이스 수지(BRS1, BRS2, BRS3)는 모두 동일하거나 유사한 물질로 이루어질 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
제1 파장 변환 물질(WCP1)은 제1 색의 광을 제2 색의 광으로 변환하고, 제2 파장 변환 물질(WCP2)은 제1 색의 광을 제3 색의 광으로 변환하는 물질일 수 있다. 제1 파장 변환 물질(WCP1)과 제2 파장 변환 물질(WCP2)은 양자점, 양자 막대, 형광체 등일 수 있다. 상기 양자점은 IV족계 나노 결정, II-VI족계 화합물 나노 결정, III-V족계 화합물 나노 결정, IV-VI족계 나노 결정 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
제1 서브 화소(PX1)의 발광 소자(ED)에서 방출된 제1 색의 광은 제1 파장 변환층(WCL1)을 통과하여 일부 광이 제2 색의 광으로 변환되어 제1 컬러 필터층(CFL1)으로 입사된다. 제1 파장 변환층(WCL1)의 제1 베이스 수지(BRS1)는 투명한 재료로 이루어지고 상기 광 중 일부는 제1 베이스 수지(BRS1)를 투과할 수 있다. 다만, 상기 광 중 적어도 일부는 제1 베이스 수지(BRS1) 내에 배치된 산란체(SCP) 및 제1 파장 변환 물질(WCP1)로 입사되고, 상기 광은 산란 및 파장이 변환되어 제2 색의 광으로 제1 캡핑층(CPL1) 및 제1 컬러 필터층(CFL1)으로 입사될 수 있다. 제1 컬러 필터층(CFL1)은 제2 색의 광을 제외한 다른 색의 광의 투과를 차단하고, 제1 서브 화소(PX1)에서는 제2 색의 광이 표시될 수 있다.
제2 서브 화소(PX2)의 발광 소자(ED)에서 방출된 제1 색의 광은 투광층(TPL)을 통과하여 색이 변하지 않은 상태로 제2 컬러 필터층(CFL2)으로 입사된다. 투광층(TPL)의 제2 베이스 수지(BRS2)는 투명한 재료로 이루어지고 상기 광 중 일부는 제2 베이스 수지(BRS2)를 투과하여 그 상부에 배치된 제1 캡핑층(CPL1) 및 제2 컬러 필터층(CFL2)으로 입사될 수 있다. 예를 들어, 상기 광 중 적어도 일부는 제2 베이스 수지(BRS2) 내에 배치된 산란체(SCP)로 입사되어 광이 산란된 후에 제1 캡핑층(CPL1) 및 제2 컬러 필터층(CFL2)으로 입사될 수 있다. 제2 컬러 필터층(CFL2)은 제1 색의 광을 제외한 다른 색의 광의 투과를 차단하고, 제2 서브 화소(PX2)에서는 제1 색의 광이 표시될 수 있다.
제3 서브 화소(PX3)는 발광 소자(ED)에서 방출된 제1 색의 광이 제2 파장 변환층(WCL2) 및 제3 컬러 필터층(CFL3)을 통과하여 제3 색의 광으로 표시될 수 있다. 표시 장치(10)는 각 서브 화소(PXn)가 동일한 색의 광을 방출하는 발광 소자(ED)를 포함하더라도, 각 서브 화소(PXn)마다 다른 색의 광을 표시할 수 있다.
제1 서브 화소(PX1)에 배치된 발광 소자(ED)에서 방출된 광은 제1 파장 변환층(WCL1)으로 입사되고, 제2 서브 화소(PX2)에 배치된 발광 소자(ED)에서 방출된 광은 투광층(TPL)으로 입사되며, 제3 서브 화소(PX3)에 배치된 발광 소자(ED)에서 방출된 광은 제2 파장 변환층(WCL2)으로 입사된다. 투광층(TPL)으로 입사된 광은 파장 변환 없이 동일한 제1 색의 광으로 투과되고, 제1 파장 변환층(WCL1)으로 입사된 광은 제2 색의 광으로 변환되며 제2 파장 변환층(WCL2)으로 입사된 광은 제3 색의 광으로 변환될 수 있다. 각 서브 화소(PXn)는 동일한 색의 광을 방출하는 발광 소자(ED)들을 포함하더라도, 그 상부에 배치된 컬러 제어 구조물(WCL1, WCL2, TPL)의 배치에 따라 서로 다른 색의 광을 표시할 수 있다.
컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)은 발광 소자(ED)에서 방출된 광이 원활하게 입사되도록 발광 영역(EMA)에 배치된 발광 소자(ED)와 적어도 일부분이 중첩하도록 배치될 수 있다. 발광 소자(ED)들은 발광 영역(EMA)에 배치된 전극(RME)들의 전극 확장부(ET1, ET2, ET3, ET4) 상에 배치되고, 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)들은 적어도 전극 확장부(ET1, ET2, ET3, ET4)와 발광 소자(ED)들을 덮도록 배치될 수 있다. 발광 영역(EMA) 중 발광 소자(ED)들이 배치되지 않은 영역 중 적어도 일부는 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)들이 배치되지 않을 수 있다. 표시 장치(10)는 각 서브 화소(PXn)의 발광 영역(EMA)과 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2) 및 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)에 대응되는 투광 영역(TA1, TA2, TA3)들을 포함할 수 있다. 다만, 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)이 발광 영역(EMA)을 모두 덮지 않도록 배치되므로, 발광 영역(EMA)과 투광 영역(TA1, TA2, TA3)은 서로 다른 면적을 가질 수 있다.
투광층(TPL)과 제1 파장 변환층(WCL1) 및 제2 파장 변환층(WCL2)은 각각 발광 영역(EMA)에 대응하여 배치됨에 따라 서로 이격될 수 있다. 상기 이격 공간은 대체로 비발광 영역에 중첩할 수 있고, 상기 이격 공간은 평면도상 격자 형상을 갖는 골짜기부를 이룰 수 있다.
한편, 일 실시예에 따르면, 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)들 중 일부는 부분적으로 서브 영역(SA)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)은 발광 영역(EMA)과 중첩하면서 발광 소자(ED)들을 충분히 덮을 수 있을 정도의 폭을 가질 수 있다. 일 실시예에서 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2) 중 일부는 그 폭이 발광 영역(EMA)의 폭보다 넓을 수 있으며, 이웃한 서브 화소(PXn)의 서브 영역(SA)과 중첩하도록 배치될 수도 있다.
예를 들어, 제1 서브 화소(PX1)의 제1 발광 영역(EMA1)과 중첩하도록 배치된 제1 파장 변환층(WCL1)은 평면도 상 제1 방향(DR1)으로 측정된 폭이 제1 발광 영역(EMA1)의 제1 방향(DR1)으로 측정된 폭보다 클 수 있다. 제1 파장 변환층(WCL1)은 제1 발광 영역(EMA1) 및 제3 뱅크(BNL3)와 두께 방향으로 중첩할 수 있으며, 이에 더하여 제2 서브 화소(PX2)의 서브 영역(SA)과 두께 방향으로 중첩할 수 있다. 도면에서는 제1 파장 변환층(WCL1)이 평면도 상 두개의 세로변, 두개의 가로변 및 대각선 방향으로 연장된 일 변을 포함하여, 상기 대각성 방향으로 연장된 일 변의 일 측이 제2 서브 화소(PX2)의 서브 영역(SA) 상에 놓인 것이 예시되어 있으나, 이에 제한되지 않는다. 제1 파장 변환층(WCL1)은 평면도 상 제1 방향(DR1)의 양 측변이 제1 발광 영역(EMA1)을 넘어 제3 뱅크(BNL3)와 두께 방향으로 중첩할 수 있으며, 그 중 일부는 이웃한 서브 화소(PXn)의 서브 영역(SA)에 배치될 수 있다.
이와 유사하게, 제3 서브 화소(PX3)의 제3 발광 영역(EMA3)과 중첩하도록 배치된 제2 파장 변환층(WCL2)은 평면도 상 제1 방향(DR1)으로 측정된 폭이 제3 발광 영역(EMA3)의 제1 방향(DR1)으로 측정된 폭보다 클 수 있다. 제2 파장 변환층(WCL2)은 제3 발광 영역(EMA3) 및 제3 뱅크(BNL3)와 두께 방향으로 중첩할 수 있으며, 이에 더하여 제2 서브 화소(PX2)의 서브 영역(SA)과 두께 방향으로 중첩할 수 있다. 이에 따라, 제1 파장 변환층(WCL1)과 제2 파장 변환층(WCL2)은 제2 서브 화소(PX2)의 서브 영역(SA) 상에서 서로 제1 방향(DR1)으로 이격될 수 있다. 도면에서는 제2 파장 변환층(WCL2)이 평면도 상 두개의 세로변, 두개의 가로변 및 대각선 방향으로 연장된 일 변을 포함하여, 상기 대각성 방향으로 연장된 일 변의 일 측이 제2 서브 화소(PX2)의 서브 영역(SA) 상에 놓인 것이 예시되어 있으나, 이에 제한되지 않는다. 제2 파장 변환층(WCL2)은 평면도 상 제1 방향(DR1)의 양 측변이 제3 발광 영역(EMA3)을 넘어 제3 뱅크(BNL3)와 두께 방향으로 중첩할 수 있으며, 그 중 일부는 이웃한 서브 화소(PXn)의 서브 영역(SA)에 배치될 수 있다.
반면, 제2 서브 화소(PX2)의 제2 발광 영역(EMA2)과 중첩하도록 배치된 투광층(TPL)은 평면도 상 제1 방향(DR1)으로 측정된 폭이 제2 발광 영역(EMA2)의 제1 방향(DR1)으로 측정된 폭과 유사할 수 있다. 투광층(TPL)은 제2 발광 영역(EMA2)과 중첩하되 제3 뱅크(BNL3)와는 중첩하지 않거나, 부분적으로 중첩하며, 이웃한 서브 화소(PXn)의 서브 영역(SA)에는 비중첩하도록 배치될 수 있다. 투광층(TPL)은 제1 및 제2 파장 변환층(WCL1, WCL2)과 달리, 이웃한 서브 화소(PXn)의 서브 영역(SA)에는 배치되지 않도록 해당 서브 화소(PXn)의 발광 영역(EMA) 내에 배치되거나, 제3 뱅크(BNL3)와 일부 중첩할 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며, 상술한 바와 같이 일 실시예에서 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2) 중 일부는 서브 영역(SA)과 중첩하도록 배치될 수도 있다.
상술한 바와 같이, 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)은 제1 내지 제3 베이스 수지(BRS1, BRS2, BRS3)를 포함하며, 이들 중 몇몇은 파장 변환 입자(WCP1, WCP2)를 더 포함할 수 있다. 유기 물질로 이루어지는 제1 내지 제3 베이스 수지(BRS1, BRS2, BRS3)는 열화에 의해 변형되어 그 형상 및 부피 등이 달라질 수 있다. 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)이 각 서브 화소(PXn)의 발광 영역(EMA)에만 대응하여 배치되면 열화에 의한 변형으로 발광 소자(ED)들 중 일부와 비중첩할 수 있고, 발광 소자(ED)에서 방출된 광이 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)로 입사되지 못하고 유실될 수도 있다. 이를 방지하기 위해, 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 하나의 화소(PX)가 발광 영역(EMA) 및 서브 영역(SA)의 배치가 서로 다른 타입의 서브 화소들을 포함하여 어느 한 서브 화소(PXn)의 발광 영역(EMA)은 이웃한 서브 화소(PXn)의 서브 영역(SA)과 이웃하도록 배치될 수 있다. 각 서브 화소(PXn)는 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)들이 발광 영역(EMA)을 넘어 배치되더라도 이웃한 서브 화소(PXn)의 서브 영역(SA)에 배치되므로, 이웃한 서브 화소(PXn)들 간 혼색 이슈가 방지될 수 있다. 일 예로, 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)들이 열화에 의해 변형되더라도, 서브 영역(SA) 및 제3 뱅크(BNL3)와 중첩하는 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)들은 적어도 발광 영역(EMA)의 발광 소자(ED)는 덮도록 배치될 수 있어, 변형에 따른 광 손실을 최소화할 수 있다.
한편, 도 18 및 도 19의 실시예에서는 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)이 포토 레지스트(Photoresist)를 통한 패턴으로 형성된 것이 예시되어 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며, 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)은 잉크젯 프린팅(Inkjet-printing) 공정을 통해 형성될 수도 있다.
컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)의 일 면으로서 표시 소자층과 대향하는 일 면 상에는 제2 캡핑층(CPL2)이 배치된다. 제2 캡핑층(CPL2)은 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)과 제1 캡핑층(CPL1)을 덮도록 배치될 수 있다. 제2 캡핑층(CPL2)은 외부로부터 수분 또는 공기 등의 불순물이 침투하여 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)을 손상시키거나 오염시키는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제2 캡핑층(CPL2)은 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)의 재료가 다른 구성으로 확산되는 것을 방지할 수 있다. 제2 캡핑층(CPL2)은 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제2 캡핑층(CPL2)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물 및 실리콘 산질화물 등을 포함하여 이루어질 수 있다. 제2 캡핑층(CPL2) 상에는 제2 차광 부재(MBM)가 배치될 수 있다. 제2 차광 부재(MBM)는 광 투과를 차단할 수 있는 물질로 이루어져, 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)에서 방출되어 인접한 서브 화소(PXn)로 광이 침범하여 혼색이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 제2 차광 부재(MBM)는 서브 화소(PXn)의 경계를 따라 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 차광 부재(MBM)는 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)들 사이의 이격 공간을 따라 배치되어 제3 뱅크(BNL3)와 두께 방향으로 중첩하도록 배치될 수 있다. 제2 차광 부재(MBM)는 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)들 사이의 이격 공간에 배치된 골짜기부를 충진할 수 있다. 제2 차광 부재(MBM)의 상면은 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)들의 상면보다 두께 방향으로 돌출될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
제2 차광 부재(MBM)는 유기 물질을 포함할 수 있다. 제2 차광 부재(MBM)는 가시광 파장 대역을 흡수하는 광 흡수 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제2 차광 부재(MBM)는 유기 차광 물질을 포함할 수 있다.
한편, 도면에서는 제2 캡핑층(CPL2)이 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)을 감싸도록 배치됨에 따라, 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)들이 배치되지 않은 골짜기부분에서 제1 캡핑층(CPL1)과 제2 캡핑층(CPL2)이 직접 접촉하는 것이 예시되어 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며, 일 실시예에서 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)들이 제1 캡핑층(CPL1) 상의 구조물에 의해 구분된 영역에 배치되고, 제2 캡핑층(CPL2)은 상기 구조물과 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2) 상에 배치될 수 있다. 이 경우, 제2 캡핑층(CPL2)과 제1 캡핑층(CPL1)은 서로 직접 접촉하지 않을 수 있고, 상기 구조물은 제2 차광 부재(MBM)와 동일한 역할을 하며 제1 캡핑층(CPL1)과 직접 접촉할 수 있다.
일 예로, 도면에 도시되지 않았으나, 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)과 제1 캡핑층(CPL1) 사이, 제1 캡핑층(CPL1)과 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)들 사이, 또는 제2 캡핑층(CPL2)과 제2 차광 부재(MBM) 상에는 적어도 하나의 광학층이 더 배치될 수도 있다. 일 예로, 상기 광학층은 선택적 반사 필터층, 또는 저굴절층일 수 있다. 상기 광학층이 선택적 반사 필터층일 경우, 이는 황색 반사 필터(Yellow reflect filter, YRF)층일 수 있다. 표시 장치(10)는 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)을 기준으로 그 상부 및 하부에 배치된 광학층들을 더 포함하여 후술하는 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)으로부터 방출되는 광 중 일부를 리사이클링(Recycling)하여 광 변환 효율을 더 개선시킬 수 있다.
제1 기판(SUB1) 상에 배치된 표시 소자층 상에는 발광 소자(ED)들을 포함하여 전극(RME)들, 접촉 전극(CNE1, CNE2, CNE3)들 및 제3 뱅크(BNL3)를 덮는 봉지층(EN)이 배치될 수 있다. 봉지층(EN)은 표시 소자층을 덮으며 이들을 보호하는 기능을 수행할 수 있다. 예를 들어, 제1 기판(SUB1) 상에 배치된 표시 소자층의 상면을 평탄화할 수 있다. 봉지층(EN)은 하나의 무기층 또는 유기층으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않고 복수의 무기층 및 유기층이 적층되거나 이들이 서로 교번적으로 적층된 다중층일 수도 있다.
컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)들과 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)이 배치된 제2 기판(SUB2)과 표시 소자층과 회로층(CCL)이 배치된 제1 기판(SUB1)은 충진층(SM)에 의해 상호 합착될 수 있다. 충진층(SM)은 표시 소자층과 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2) 및 제2 차광 부재(MBM) 사이의 공간을 충진하면서 이들을 상호 결합할 수 있다. 충진층(SM)은 Si계 유기물질, 에폭시계 유기물질 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
이하, 다른 도면들을 참조하여 표시 장치(10)의 다른 실시예에 대하여 설명하기로 한다.
도 20은 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소에 포함된 복수의 전극들의 배치를 나타내는 평면도이다.
도 20을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(10_1)는 각 화소(PX)가 서브 화소(PXn)들의 발광 영역(EMA)과 서브 영역(SA) 간 상대적 배치는 동일하되, 발광 영역(EMA) 및 서브 영역(SA)이 서로 엇갈리게 배치된 복수의 서브 화소(PXn)들을 포함할 수 있다. 도 7의 실시예와 달리, 본 실시예에 따른 표시 장치(10_1)는 각 서브 화소(PXn)들의 서브 영역(SA)은 발광 영역(EMA)의 제2 방향(DR2) 일 측인 상측에 배치되고, 각 서브 화소(PXn)들에 배치되는 전극(RME)들의 배치 및 구조도 실질적으로 동일할 수 있다. 다만, 어느 한 서브 화소(PXn)는 발광 영역(EMA)이 다른 서브 화소(PXn)의 발광 영역(EMA)과 제1 방향(DR1)으로 나란하지 않도록, 발광 영역(EMA)과 서브 영역(SA)이 제2 방향(DR2)으로 이동 또는 쉬프트(Shift)된 구조를 가질 수 있다. 본 실시예는 표시 장치(10_1)의 화소(PX)에 포함된 서브 화소(PXn)들 중, 제1 타입 서브 화소로서, 제1 서브 화소(PX1) 및 제3 서브 화소(PX3)의 배치 및 전극(RME)들 구조는 도 7의 실시예와 동일하되, 제2 타입 서브 화소로서 제2 서브 화소(PX)의 배치 및 전극(RME)의 구조가 도 7의 실시예와 다른 점에서 차이가 있다. 이하, 중복된 내용은 생략하고 제2 서브 화소(PX2)의 구조에 대하여 자세히 설명하기로 한다.
제2 서브 화소(PX2)는 제1 서브 화소(PX1) 및 제3 서브 화소(PX3)와 실질적으로 동일한 구조를 가질 수 있다. 제1 전극(RME1)은 제1 전극 컨택부(CE1)가 제2 발광 영역(EMA2)의 제2 방향(DR2) 일 측인 상측에 배치된 서브 영역(SA)에 배치되어 제1 전극 컨택부(CE1)로부터 하측 방향으로 연장되어 배치될 수 있다. 이와 유사하게 제3 전극(RME3)도 제3 전극 컨택부(CE3)가 제2 발광 영역(EMA2)의 제2 방향(DR2) 일 측인 상측에 배치된 서브 영역(SA)에 배치되어 제3 전극 컨택부(CE3)로부터 하측 방향으로 연장되어 배치될 수 있다. 그에 따라, 제1 발광 소자(ED1)와 제2 발광 소자(ED2), 복수의 접촉 전극(CNE1, CNE2, CNE3)들의 배치도 제1 서브 화소(PX1)와 실질적으로 동일할 수 있다.
다만, 표시 장치(10_1)는 각 화소(PX)에서 제1 서브 화소(PX1)의 제1 발광 영역(EMA1)과 제3 서브 화소(PX3)의 제3 발광 영역(EMA3) 사이에 서브 영역(SA)이 배치되도록 제2 서브 화소(PX2)가 제2 방향(DR2)으로 이동 또는 쉬프트(Shift)된 구조를 가질 수 있다. 각 화소(PX)의 제1 발광 영역(EMA1)과 제3 발광 영역(EMA3) 사이에 배치된 서브 영역(SA)은 해당 화소(PX)의 제2 방향(DR2)으로 이웃한 다른 화소(PX)에 포함된 제2 서브 화소(PXn)의 서브 영역(SA)일 수 있다. 각 화소(PX)의 제1 발광 영역(EMA1)과 제3 발광 영역(EMA3) 사이에 배치된 서브 영역(SA)에는 다른 화소(PXn)의 제2 서브 화소(PX2)에 배치되는 제1 전극 컨택부(CE1)와 제3 전극 컨택부(CE3)가 배치될 수 있다.
한편, 제2 서브 화소(PX2)의 전극(RME) 구조가 제1 서브 화소(PX1)와 동일하게 배치되는 경우, 전극(RME2)은 더 많은 수의 제2 전극 컨택부(CE2)를 포함할 수 있다. 제1 서브 화소(PX1)의 제2 전극 컨택부(CE2)는 하나의 화소(PX)가 차지하는 영역 내에 2개씩 배치되어, 하나는 제2 배선 가로부(VSL_H)와 접촉하고 다른 하나는 제2 접촉 전극(CNE2)과 접촉할 수 있다. 반면, 제2 서브 화소(PX2)의 제2 전극 컨택부(CE2)는 하나의 화소(PX)가 차지하는 영역 내에 3개씩 배치될 수 있다. 3개의 제2 전극 컨택부(CE2) 중, 제2 발광 영역(EMA2) 내에 부분적으로 배치되는 2개의 제2 전극 컨택부(CE2)는 제2 배선 가로부(VSL_H)와 접촉하거나 제2 접촉 전극(CNE2)과 접촉할 수 있다. 또 다른 제2 전극 컨택부(CE2)로서 다른 화소(PX)의 제2 서브 화소(PX2)에 배치된 제2 전극 컨택부(CE2)는 제1 배선 가로부(VDL_H)와 중첩하되 이와 접촉하지 않을 수 있다. 제2 서브 화소(PX2)의 전극(RME) 구조 및 배치가 달라짐에 따라, 제2 서브 화소(PX2)들에 배치된 제2 전극(RME2)은 제2 접촉 전극(CNE2)과의 접촉을 위한 제2 전극 컨택부(CE2)를 더 포함할 수 있다.
제2 서브 화소(PX2)의 배치 및 구조가 달라지더라도, 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WLC2)들의 배치는 도 18 및 도 19의 실시예와 실질적으로 동일할 수 있다. 제1 파장 변환층(WCL1) 및 제2 파장 변환층(WCL2)은 각각 제1 발광 영역(EMA1) 및 제3 발광 영역(EMA3)의 발광 소자(ED)들을 덮되, 제1 발광 영역(EMA1) 및 제3 발광 영역(EMA3) 사이의 서브 영역(SA)과 일부 중첩하도록 배치될 수 있다. 다만, 도 18 및 도 19의 실시예와 달리, 제1 파장 변환층(WCL1) 및 제2 파장 변환층(WCL2)이 중첩하는 서브 영역(SA)은 해당 화소(PX)와 제2 방향(DR2)으로 이웃한 다른 화소(PX)의 서브 영역(SA)일 수 있다.
표시 장치(10_1)는 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)들이 열화에 의해 변형되더라도 발광 소자(ED)에서 방출된 광이 유실되지 않는 범위 내에서 전극(RME)들의 구조 및 서브 화소(PXn)들의 배치가 달라질 수 있다. 본 실시예에 따르면, 제2 서브 화소(PX2)가 제1 서브 화소(PX1)와 실질적으로 동일한 구조를 갖되, 제2 발광 영역(EMA2)이 제1 발광 영역(EMA1)과 엇갈려 배치되도록 제2 방향(DR2)으로 쉬프트될 수 있다. 제2 서브 화소(PX2)가 쉬프트됨에 따라 발광 영역(EMA)의 제1 방향(DR1)에는 서브 영역(SA)이 위치하고, 각 발광 영역(EMA)들과 중첩하도록 배치된 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)들은 부분적으로 서브 영역(SA)에 중첩하도록 배치될 수 있다.
도 21는 다른 실시예에 따른 표시 장치의 회로층, 발광부 및 컬러 제어 구조물들의 개략적인 배치를 나타내는 단면도이다. 도 21에서는 제1 발광 영역(EMA1), 서브 영역(SA) 및 제3 발광 영역(EMA3)을 가로지르는 단면으로서, 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)들과 표시 소자층 및 회로층(CCL)의 개략적인 배치가 도시되어 있다.
도 21를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(10_2)는 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)이 표시 소자층 상에 직접 배치되고, 제2 기판(SUB2)은 생략될 수 있다. 이하에서는 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)과 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)의 상대적인 배치 구조에 대하여 설명하고, 이들에 대한 구체적은 설명은 생략하기로 한다.
컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)은 표시 소자층 상에 배치되어 제3 뱅크(BNL3), 제3 접촉 전극(CNE3) 및 제3 절연층(PAS3) 상에 직접 배치될 수 있다. 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)은 부분적으로 제3 뱅크(BNL3)가 둘러싸는 영역 내에 배치되되, 이들 중 몇몇은 제3 뱅크(BNL3) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 서브 화소(PX2)와 중첩하도록 배치된 투광층(TPL)은 제3 뱅크(BNL3)가 둘러싸는 제2 발광 영역(EMA2) 내에 배치될 수 있다. 반면, 제1 서브 화소(PX1)와 중첩하도록 배치된 제1 파장 변환층(WCL1) 및 제3 서브 화소(PX3)와 중첩하도록 배치된 제2 파장 변환층(WCL2)은 각각 제1 발광 영역(EMA1) 및 제3 발광 영역(EMA3)을 넘어 제2 서브 화소(PX2)의 서브 영역(SA)에도 배치될 수 있다. 제1 파장 변환층(WCL1)과 제2 파장 변환층(WCL2)은 부분적으로 제3 뱅크(BNL3) 상에 직접 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)의 높이는 제3 뱅크(BNL3)의 높이보다 클 수 있다. 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)은 표시 장치(10)의 제조 공정 중 잉크젯 프린팅 공정, 또는 포토 레지스트 공정을 통해 형성될 수 있다. 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)은 이들을 이루는 재료가 제3 뱅크(BNL3)가 둘러싸는 영역 내에 분사 또는 도포된 후, 건조 또는 노광 및 현상 공정을 통해 형성될 수 있다. 일 예로, 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)을 이루는 재료는 유기 물질을 포함하여 점성을 가질 수 있고, 상기 유기 물질이 제3 뱅크(BNL3)보다 높은 위치까지 분사 또는 도포될 수 있다. 이에 따라, 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)의 높이는 제3 뱅크(BNL3)보다 높을 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않는다.
컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2) 상에는 제3 캡핑층(CPL3)이 배치된다. 제3 캡핑층(CPL3)은 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)과 제3 뱅크(BNL3)를 덮도록 배치될 수 있다. 제3 캡핑층(CPL3)은 외부로부터 수분 또는 공기 등의 불순물이 침투하여 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)을 손상시키거나 오염시키는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 제3 캡핑층(CPL3)은 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)의 재료가 다른 구성으로 확산되는 것을 방지할 수 있다. 제3 캡핑층(CPL3)은 상술한 제1 캡핑층(CPL1)과 유사하게 무기 물질로 이루어질 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않는다.
제3 캡핑층(CPL3) 상에는 제2 차광 부재(MBM)가 배치될 수 있다. 제2 차광 부재(MBM)는 광 투과를 차단할 수 있는 물질로 이루어져, 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)에서 방출되어 인접한 서브 화소(PXn)로 광이 침범하여 혼색이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)과 제2 차광 부재(MBM) 상에는 제1 차광 부재(UBM), 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3), 및 제4 캡핑층(CPL4)이 배치된다. 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3) 및 제1 차광 부재(UBM)는 각각 제3 캡핑층(CPL3) 상에 직접 배치된 점을 제외하고는 그 평면 형상 및 재료에 대한 설명은 상술한 바와 동일하다. 제4 캡핑층(CPL4)은 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3) 및 제1 차광 부재(UBM)를 덮도록 배치되며, 제3 캡핑층(CPL3)과 유사한 기능을 수행할 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(10_2)는 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2) 및 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)을 표시 소자층 상에 순차적으로 직접 배치함에 따라, 제2 기판(SUB2)이 생략가능하다. 표시 장치(10_2)는 하나의 제1 기판(SUB1) 만을 포함하여 회로층(CCL), 표시 소자층, 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2) 및 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)들을 적층함에 따라, 제조 공정의 단순화가 가능한 이점이 있다.
도 22는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 회로층, 발광부 및 컬러 제어 구조물들의 개략적인 배치를 나타내는 단면도이다.
도 22에서는 제1 발광 영역(EMA1), 서브 영역(SA) 및 제3 발광 영역(EMA3)을 가로지르는 단면으로서, 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)들과 표시 소자층 및 회로층(CCL)의 개략적인 배치가 도시되어 있다.
도 22를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(10_3)는 제1 차광 부재(UBM)가 생략되고, 차광 영역(BA)에는 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)들 중 적어도 일부가 상호 적층될 수 있다. 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)은 각각 서로 다른 색의 염료를 포함할 수 있고, 이들이 적층됨에 따라 광의 투과를 차단할 수 있다. 본 실시예는 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)들이 제1 차광 부재(UBM)의 역할을 수행하는 점에서 도 17의 실시예와 차이가 있다. 이하, 중복된 설명은 생략하고 차이점을 중심으로 설명하기로 한다.
제2 기판(SUB2)의 차광 영역(BA)에는 제1 차광 부재(UBM)가 아닌 제2 컬러 필터층(CFL2)들이 배치될 수 있다. 제2 컬러 필터층(CFL2)은 제2 서브 화소(PX2)에 대응되어 투광층(TPL) 상에 배치됨에 더하여, 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)들이 배치되지 않는 차광 영역(BA)에도 배치될 수 있다. 제2 투광 영역(TA)과 인접한 차광 영역(BA)에는 제2 컬러 필터층(CFL2)이 연장되어 큰 폭을 갖도록 배치될 수 있다.
차광 영역(BA)에 배치된 제2 컬러 필터층(CFL2) 상에는 제1 컬러 필터층(CFL1) 및 제3 컬러 필터층(CFL3) 중 적어도 어느 하나가 배치될 수 있다. 제1 컬러 필터층(CFL1) 및 제3 컬러 필터층(CFL3)은 각각 제2 컬러 필터층(CFL2)과 다른 색의 염료를 포함함에 따라, 이들이 적층된 부분에서는 광의 투과가 차단될 수 있다. 예를 들어, 제2 컬러 필터층(CFL2)이 청색의 색료를 포함한 실시예에서, 차광 영역(BA)을 투과한 외광 또는 반사광은 청색 파장대역을 가질 수 있다. 사용자의 눈이 인식하는 색상별 민감도(eye color sensibility)는 광의 색상에 따라 다른데, 청색 파장대역의 광은 녹색 파장대역의 광 및 적색 파장대역의 광보다 사용자에게 보다 덜 민감하게 인식될 수 있다. 차광 영역(BA)에서 제1 차광 부재(UBM)가 생략되고 복수의 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)들을 적층하여 배치함으로써, 광의 투과를 차단함과 동시에 사용자는 반사광을 상대적으로 덜 민감하게 인식할 수 있고, 표시 장치(10_3)의 외부에서 유입되는 광의 일부를 흡수하여 외광에 의한 반사광을 저감시킬 수 있다.
도면으로 도시하지 않았으나, 도 22의 실시예에서도 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)과 제1 캡핑층(CPL1) 사이, 제1 캡핑층(CPL1)과 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)들 사이, 또는 제2 캡핑층(CPL2)과 제2 차광 부재(MBM) 상에는 적어도 하나의 광학층이 더 배치될 수도 있다.
도 23은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 회로층, 발광부 및 컬러 제어 구조물들의 개략적인 배치를 나타내는 단면도이다. 도 23에서는 제1 발광 영역(EMA1), 서브 영역(SA) 및 제3 발광 영역(EMA3)을 가로지르는 단면으로서, 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)들과 표시 소자층 및 회로층(CCL)의 개략적인 배치가 도시되어 있다.
도 23을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(10_4)는 차광 영역(BA)에 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)들이 상호 적층되고, 복수의 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)들이 중첩된 부분 상에 제1 차광 부재(UBM)가 배치될 수 있다. 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)은 각각 서로 다른 색의 염료를 포함할 수 있고, 이들이 적층됨에 따라 광의 투과를 차단할 수 있다. 본 실시예는 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)들이 제1 차광 부재(UBM)와 함께 광 차단 기능을 수행하는 점에서 도 22의 실시예와 차이가 있다. 이하, 중복된 설명은 생략하고 차이점을 중심으로 설명하기로 한다.
제2 기판(SUB2)의 차광 영역(BA)에는 제2 컬러 필터층(CFL2)과, 그 상에 순차적으로 제3 컬러 필터층(CFL3) 및 제1 컬러 필터층(CFL1)이 더 배치될 수 있다. 제1 내지 제3 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)들은 각각 서브 화소(PXn)에 대응되어 컬러 제어 구조물(TPL, WCL1, WCL2)들 상에 배치됨에 더하여, 차광 영역(BA)에도 연장되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 투광 영역(TA2)과 인접한 차광 영역(BA)에는 제2 컬러 필터층(CFL2)이 연장되어 배치되고, 그 상에는 제3 컬러 필터층(CFL3) 및 제1 컬러 필터층(CFL1)들이 더 배치될 수 있다. 제1 컬러 필터층(CFL1) 및 제3 컬러 필터층(CFL3)은 각각 제2 컬러 필터층(CFL2)과 다른 색의 염료를 포함함에 따라, 이들이 적층된 부분에서는 광의 투과가 차단될 수 있다.
제1 내지 제3 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)들이 상호 적층된 부분 상에는 제1 차광 부재(UBM)가 더 배치되어 차광 영역(BA)에서 이웃 서브 화소(PXn) 간 광을 차단할 수 있다. 다만, 차광 영역(BA)에서 제1 내지 제3 컬러 필터층(CFL1, CFL2, CFL3)들이 상호 적층된 실시예에서 제1 차광 부재(UBM)는 생략될 수도 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (20)

  1. 복수의 서브 화소들을 포함하며 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 배치된 복수의 화소들;
    상기 제1 방향으로 서로 이격되고 상기 제2 방향으로 연장되어 상기 복수의 서브 화소들 각각에 배치된 복수의 전극들;
    상기 복수의 서브 화소들에 배치되고 상기 전극들 상에 배치된 복수의 발광 소자들; 및
    상기 복수의 발광 소자 및 상기 복수의 전극들과 전기적으로 연결된 복수의 접촉 전극들을 포함하며,
    상기 복수의 서브 화소들 각각은 상기 복수의 발광 소자들을 포함하는 발광 영역 및 상기 발광 영역과 상기 제2 방향으로 이격된 서브 영역을 포함하고,
    상기 복수의 화소들 각각은 제1 발광 영역 및 상기 제1 발광 영역의 상기 제2 방향 일 측에 배치된 서브 영역을 포함하는 제1 서브 화소, 및
    상기 제1 서브 화소의 상기 제1 방향 일 측에 배치되어 제2 발광 영역 및 상기 제2 발광 영역의 상기 제2 방향 타 측에 배치된 서브 영역을 포함하는 제2 서브 화소를 포함하고,
    상기 제2 서브 화소의 상기 서브 영역은 상기 제1 발광 영역과 상기 제1 방향으로 나란하게 배치된 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 전극들은 상기 복수의 화소들의 상기 서브 화소 각각의 상기 발광 영역 및 상기 서브 영역에 걸쳐 배치된 제1 전극;
    상기 제1 전극과 상기 제1 방향으로 이격되어 복수의 상기 서브 화소들에 걸쳐 배치된 제2 전극;
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되어 상기 복수의 서브 화소들의 상기 발광 영역과 상기 서브 영역에 걸쳐 배치된 제3 전극;
    상기 제1 전극을 사이에 두고 상기 제3 전극과 상기 제1 방향으로 이격된 제4 전극을 포함하고,
    상기 제1 전극은 상기 복수의 서브 화소들의 상기 서브 영역에 배치된 제1 전극 컨택부를 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 제2 방향으로 인접한 상기 복수의 화소들과의 경계에 배치된 복수의 제2 전극 컨택부를 포함하는 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 복수의 전극들 각각은 상기 복수의 서브 화소들의 상기 발광 영역에 배치된 전극 확장부들을 포함하고,
    상기 복수의 발광 소자들은 상기 제1 전극의 제1 전극 확장부 상에 배치된 제1 단부 및 상기 제4 전극의 제4 전극 확장부 상에 배치된 제2 단부를 갖는 제1 발광 소자, 및
    상기 제3 전극의 제3 전극 확장부 상에 배치된 제1 단부 및 상기 제2 전극의 제2 전극 확장부 상에 배치된 제2 단부를 갖는 제2 발광 소자를 포함하는 표시 장치.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 복수의 서브 화소들 각각의 상기 제2 방향 일 측 및 타 측에 배치되어 상기 제1 방향으로 연장된 제1 배선 가로부 및 제2 배선 가로부를 더 포함하고,
    상기 제2 전극의 상기 제2 전극 컨택부는 상기 제2 배선 가로부와 중첩하도록 배치되어 상기 제2 배선 가로부와 전기적으로 연결된 표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 제1 배선 가로부는 상기 제1 서브 화소의 상기 제1 발광 영역을 가로지르며 상기 제1 서브 화소에 배치된 상기 복수의 발광 소자들과 상기 제2 방향 타 측으로 이격되고,
    상기 제2 배선 가로부는 상기 제2 서브 화소의 상기 제2 발광 영역을 가로지르며 상기 제2 서브 화소에 배치된 상기 복수의 발광 소자들과 상기 제2 방향 일 측으로 이격된 표시 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제1 서브 화소에 배치된 상기 제2 전극은 상기 제2 배선 가로부와 전기적으로 연결된 상기 제2 전극 컨택부가 상기 제1 서브 화소의 상기 서브 영역의 상기 제2 방향 일 측에 배치되고,
    상기 제2 서브 화소에 배치된 상기 제2 전극은 상기 제2 배선 가로부와 접촉하는 상기 제2 전극 컨택부가 일부분이 상기 제2 발광 영역 내에 배치된 표시 장치.
  7. 제3 항에 있어서,
    상기 복수의 접촉 전극들은 상기 제1 전극 및 상기 제1 발광 소자의 상기 제1 단부와 전기적으로 연결된 제1 접촉 전극;
    상기 제2 전극 및 상기 제2 발광 소자의 상기 제2 단부와 전기적으로 연결된 제2 접촉 전극; 및
    상기 제3 전극, 상기 제4 전극, 상기 제1 발광 소자의 상기 제2 단부 및 상기 제2 발광 소자의 상기 제1 단부와 전기적으로 연결된 제3 접촉 전극을 포함하는 표시 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 접촉 전극은 상기 제1 전극 확장부 상에 배치되어 상기 제2 방향으로 연장되고,
    상기 제2 접촉 전극은 상기 제2 전극 확장부 상에 배치되어 상기 제2 방향으로 연장되며,
    상기 제3 접촉 전극은 상기 제1 접촉 전극을 둘러싸며,
    상기 제3 전극 확장부 상에 배치된 제1 연장부, 상기 제4 전극 확장부 상에 배치된 제2 연장부, 및 상기 제1 연장부와 상기 제2 연장부를 전기적으로 연결하는 복수의 연결부들을 포함하는 표시 장치.
  9. 제2 항에 있어서,
    상기 복수의 서브 화소들 각각의 상기 발광 영역에 배치되며, 상기 제2 전극 및 상기 제4 전극과 중첩하도록 배치된 복수의 제1 뱅크들;
    상기 복수의 서브 화소들 각각의 상기 발광 영역 및 상기 서브 영역을 둘러싸도록 배치되며 서로 인접한 상기 서브 화소들의 경계에 배치된 제2 뱅크; 및
    상기 제2 방향으로 연장되어 상기 복수의 서브 화소들 각각의 상기 발광 영역 및 상기 서브 영역을 가로지르며, 상기 복수의 제1 뱅크들 사이에 배치된 부분을 포함하는 제3 뱅크를 더 포함하고,
    상기 복수의 발광 소자들은 상기 제1 뱅크와 상기 제3 뱅크 사이에 배치된 표시 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    적어도 일부분이 상기 복수의 서브 화소들 각각의 상기 발광 영역과 중첩하도록 배치된 복수의 컬러 제어 구조물들을 더 포함하고,
    상기 복수의 컬러 제어 구조물들은 상기 제1 서브 화소의 상기 제1 발광 영역에 배치되어 상기 제1 발광 영역의 상기 복수의 발광 소자들과 중첩하는 제1 파장 변환층, 및
    상기 제2 서브 화소의 상기 제2 발광 영역에 배치되어 상기 제2 발광 영역의 상기 복수의 발광 소자들과 중첩하는 투광층을 포함하는 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 파장 변환층은 적어도 일부분이 상기 제1 발광 영역의 상기 제1 방향 일 측에 배치된 상기 제2 서브 화소의 상기 서브 영역에 걸쳐 배치되고,
    상기 투광층은 상기 제1 서브 화소의 상기 서브 영역에는 배치되지 않는 표시 장치.
  12. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 파장 변환층 및 상기 투광층은 각각 적어도 일부분이 상기 제2 뱅크와 두께 방향으로 중첩하도록 배치된 표시 장치.
  13. 제10 항에 있어서,
    상기 제2 서브 화소의 상기 제1 방향 일 측에 배치되어 제3 발광 영역 및 상기 제3 발광 영역의 상기 제2 방향 일 측에 배치된 서브 영역을 포함하는 제3 서브 화소를 더 포함하고,
    상기 제2 발광 영역은 상기 제2 서브 화소에서 상기 제1 서브 화소 및 상기 제3 서브 화소의 상기 서브 영역들 사이에 배치되고,
    상기 서브 영역은 상기 제1 서브 화소의 상기 제1 발광 영역 및 상기 제2 서브 화소의 상기 제3 발광 영역 사이에 배치된 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 복수의 컬러 제어 구조물들은 상기 제3 서브 화소의 상기 제3 발광 영역에 배치되어 상기 제3 발광 영역의 상기 복수의 발광 소자들과 중첩하는 제2 파장 변환층을 더 포함하고,
    상기 제2 파장 변환층은 적어도 일부분이 상기 제3 서브 화소의 상기 제3 발광 영역의 상기 제1 방향 타 측에 배치된 상기 제2 서브 화소의 상기 서브 영역과 중첩하는 표시 장치.
  15. 제4 항에 있어서,
    상기 제2 발광 영역과 중첩하고 상기 제2 배선 가로부와 동일한 층에 배치된 제1 용량 전극,
    상기 제2 서브 화소의 상기 서브 영역과 중첩하는 제2 용량 전극 및
    상기 제1 서브 화소의 상기 서브 영역과 중첩하고 상기 제1 용량 전극과 연결된 제1 연장 전극부를 더 포함하고,
    상기 제1 서브 화소의 상기 제1 전극은 상기 제1 전극 컨택부가 상기 제1 서브 화소의 서브 영역에서 상기 제1 연장 전극부와 전기적으로 연결되고,
    상기 제2 서브 화소의 상기 제1 전극은 상기 제1 전극 컨택부가 상기 제2 서브 화소의 서브 영역에서 상기 제2 용량 전극과 직접 접촉하는 표시 장치.
  16. 복수의 발광 영역 및 서브 영역을 포함하는 복수의 화소들을 포함하고,
    상기 복수의 화소들 각각은,
    서로 제1 방향으로 이격되고 적어도 일부분이 상기 발광 영역에서 제2 방향으로 연장되어 배치된 복수의 전극들;
    상기 복수의 발광 영역들 내에 각각 배치되어 양 단부가 상기 복수의 전극들 상에 배치된 복수의 발광 소자들; 및
    상기 복수의 발광 소자 및 상기 복수의 전극들과 전기적으로 연결된 복수의 접촉 전극들을 포함하고,
    상기 복수의 화소들의 상기 복수의 발광 영역들은 제1 발광 영역,
    상기 제1 발광 영역과 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향 사이의 대각선 방향으로 이격된 제2 발광 영역, 및
    상기 제1 발광 영역과 상기 제1 방향으로 이격된 제3 발광 영역을 포함하고,
    상기 제1 발광 영역과 상기 제3 발광 영역 사이에서 상기 제2 발광 영역과 상기 제2 방향으로 이격된 적어도 하나의 상기 복수의 서브 영역들을 포함하는 표시 장치.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 복수의 화소들 각각의 상기 복수의 발광 영역들 각각에 배치된 상기 복수의 발광 소자들과 중첩하도록 배치된 복수의 컬러 제어 구조물들을 더 포함하고,
    상기 복수의 컬러 제어 구조물들은 상기 제1 발광 영역과 중첩하도록 배치된 제1 파장 변환층, 상기 제2 발광 영역과 중첩하도록 배치된 투광층 및 상기 제3 발광 영역과 중첩하도록 배치된 제2 파장 변환층을 포함하며,
    상기 제1 파장 변환층 및 상기 제2 파장 변환층은 적어도 일부가 상기 제2 발광 영역과 상기 제2 방향으로 이격된 상기 서브 영역과 중첩하도록 배치된 표시 장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 복수의 화소들의 상기 복수의 발광 영역들 및 상기 서브 영역들을 둘러싸도록 배치된 뱅크를 더 포함하고,
    상기 제1 파장 변환층 및 상기 제2 파장 변환층은 적어도 일부분이 상기 뱅크와 중첩하도록 배치된 표시 장치.
  19. 제17 항에 있어서,
    상기 제1 파장 변환층은 상기 제1 발광 영역의 상기 제1 방향으로 측정된 최대 폭보다 큰 상기 제1 방향으로 측정된 최대 폭을 갖고,
    상기 제2 파장 변환층은 상기 제3 발광 영역의 상기 제1 방향으로 측정된 최대 폭보다 큰 상기 제1 방향으로 측정된 최대 폭을 갖는 표시 장치.
  20. 제16 항에 있어서,
    상기 복수의 전극들은 상기 복수의 화소들의 상기 각 발광 영역 및 상기 서브 영역에 걸쳐 배치된 제1 전극;
    상기 제1 전극과 상기 제1 방향으로 이격되어 상기 제2 방향으로 인접한 복수의 상기 화소들에 중첩하는 제2 전극;
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되어 상기 복수의 화소들의 상기 발광 영역과 상기 서브 영역에 중첩하는 제3 전극;
    상기 제1 전극을 사이에 두고 상기 제3 전극과 상기 제1 방향으로 이격된 제4 전극을 포함하고,
    상기 제1 전극은 상기 복수의 화소들의 상기 서브 영역에 배치된 제1 전극 컨택부를 포함하고,
    상기 제2 전극은 상기 제2 방향으로 인접한 상기 화소와의 경계에 배치된 복수의 제2 전극 컨택부를 포함하는 표시 장치.
PCT/KR2021/008822 2020-07-24 2021-07-09 표시 장치 WO2022019547A1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202180059975.XA CN116134622A (zh) 2020-07-24 2021-07-09 显示装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200092320A KR20220014390A (ko) 2020-07-24 2020-07-24 표시 장치
KR10-2020-0092320 2020-07-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022019547A1 true WO2022019547A1 (ko) 2022-01-27

Family

ID=79729266

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2021/008822 WO2022019547A1 (ko) 2020-07-24 2021-07-09 표시 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US12015047B2 (ko)
KR (1) KR20220014390A (ko)
CN (1) CN116134622A (ko)
WO (1) WO2022019547A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4239676A3 (en) * 2022-02-14 2023-11-15 Samsung Display Co., Ltd. Display device

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220075585A (ko) * 2020-11-30 2022-06-08 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20230013705A (ko) * 2021-07-19 2023-01-27 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200034904A (ko) * 2018-09-21 2020-04-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20200037911A (ko) * 2018-10-01 2020-04-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20200063386A (ko) * 2018-11-27 2020-06-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200063380A (ko) * 2018-11-27 2020-06-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200079379A (ko) * 2018-12-24 2020-07-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 리페어 방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102584959B1 (ko) * 2016-08-31 2023-10-06 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102461360B1 (ko) 2017-12-15 2022-11-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR102185116B1 (ko) * 2017-12-19 2020-12-01 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102652645B1 (ko) 2018-09-03 2024-04-02 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이를 구비하는 표시 장치
KR20200059369A (ko) * 2018-11-20 2020-05-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
CN109935622B (zh) * 2019-03-29 2021-06-01 上海天马有机发光显示技术有限公司 阵列基板、显示面板、显示装置和阵列基板的制作方法
KR20200144903A (ko) * 2019-06-19 2020-12-30 삼성전자주식회사 불규칙한 패턴이 형성된 디스플레이를 포함하는 전자 장치
KR20210057891A (ko) 2019-11-12 2021-05-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200034904A (ko) * 2018-09-21 2020-04-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20200037911A (ko) * 2018-10-01 2020-04-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20200063386A (ko) * 2018-11-27 2020-06-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200063380A (ko) * 2018-11-27 2020-06-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200079379A (ko) * 2018-12-24 2020-07-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 리페어 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4239676A3 (en) * 2022-02-14 2023-11-15 Samsung Display Co., Ltd. Display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220014390A (ko) 2022-02-07
US12015047B2 (en) 2024-06-18
US20220028922A1 (en) 2022-01-27
CN116134622A (zh) 2023-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2021149863A1 (ko) 표시 장치
WO2022019547A1 (ko) 표시 장치
WO2021162180A1 (ko) 표시 장치
WO2021242074A1 (ko) 표시 장치
WO2022025395A1 (ko) 표시 장치
WO2021125704A1 (ko) 표시 장치
WO2021235689A1 (ko) 표시 장치
WO2022035233A1 (ko) 표시 장치
WO2021066287A1 (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
WO2021091062A1 (ko) 표시 장치
WO2022164168A1 (ko) 발광 소자, 발광 소자를 포함하는 발광 소자 유닛, 및 표시 장치
WO2022154517A1 (ko) 표시 장치
WO2022045698A1 (ko) 표시 장치
WO2022050685A1 (ko) 표시 장치
WO2022030763A1 (ko) 표시 장치
WO2021215585A1 (ko) 표시 장치
WO2023008846A1 (ko) 표시 장치
WO2022146131A1 (ko) 표시 장치
WO2022059986A1 (ko) 표시 장치
WO2023003320A1 (ko) 표시 장치
WO2022092880A1 (ko) 표시 장치
WO2022145889A1 (ko) 표시 장치
WO2022055297A1 (ko) 표시 장치
WO2022050782A1 (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
WO2021230426A1 (ko) 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 21846302

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 21846302

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1