WO2017171309A1 - 증착용 마스크 및 이를 이용한 oled 패널 - Google Patents

증착용 마스크 및 이를 이용한 oled 패널 Download PDF

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WO2017171309A1
WO2017171309A1 PCT/KR2017/003150 KR2017003150W WO2017171309A1 WO 2017171309 A1 WO2017171309 A1 WO 2017171309A1 KR 2017003150 W KR2017003150 W KR 2017003150W WO 2017171309 A1 WO2017171309 A1 WO 2017171309A1
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WO
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width
holes
deposition mask
metal plate
hole
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PCT/KR2017/003150
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English (en)
French (fr)
Inventor
손효원
박재석
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
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Publication date
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Priority to CN202110105063.3A priority patent/CN112952028B/zh
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02—Local etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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    • C23F1/02—Local etching
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Definitions

  • Embodiments relate to a deposition mask.
  • an OLED panel may be manufactured using the deposition mask according to the embodiment.
  • various display devices such as a liquid crystal display and an electroluminescent display are being developed.
  • the electroluminescent display has been in the spotlight as a next generation display device in accordance with excellent characteristics such as low light emission, low power consumption, and high resolution as compared to a liquid crystal display.
  • the field display device includes an organic light emitting display device and an inorganic light emitting display device. That is, the organic light emitting diode display and the inorganic light emitting diode display may be classified according to the material of the light emitting layer.
  • the organic light emitting diode display is attracting attention because of its wide viewing angle, fast response speed, and low power.
  • the organic material constituting the light emitting layer may have a pattern for forming a pixel on the substrate by a fine metal mask.
  • the fine metal mask that is, the deposition mask may have a through hole corresponding to the pattern to be formed on the substrate. After aligning the fine metal mask on the substrate and depositing the organic material, the red to form the pixel is formed. Red, Green, and Blue patterns may be formed.
  • a plurality of through holes may be formed by an etching process.
  • the thickness of the deposition mask measured in the non-etched region and the thickness of the deposition mask connecting and supporting the through holes in the etched region are large, it is increased in the etched region when the deposition mask is tensioned. Distortion of the wearing mask may occur.
  • the photoresist layer or the photosensitive film resist layer may be removed to prevent etching, and as the uniformity of the etching decreases, the uniformity of the through hole may decrease.
  • deposition uniformity may be lowered, and thus, process efficiency may be lowered as the deposition efficiency of the formed pattern is lowered.
  • An embodiment is to provide a deposition mask having a uniform through hole.
  • the deposition mask according to the embodiment includes a metal plate, and the metal plate includes: an effective area including a plurality of through holes and a bridge between the plurality of through holes; And an invalid area disposed outside the effective area, wherein the through hole is formed at a connection portion where a first surface hole on a first surface and a second surface hole on a second surface facing the first surface meet.
  • the width of the first surface hole is smaller than the width of the second surface hole
  • the depth of the first surface hole is smaller than the depth of the second surface hole
  • k value calculated by the following Equation 1 includes less than 0.65 to 1. .
  • T is the thickness of the deposition mask measured in the ineffective region
  • H1 is the thickness in the first surface direction with respect to the connecting portion at the point that the thickness of the bridge between two adjacent through holes of the plurality of through holes is the maximum
  • the H2 is a thickness in the second plane direction with respect to the connection part at a point where the thickness of the bridge between two adjacent through holes is maximum.
  • the deposition mask according to the embodiment includes a metal plate, and the metal plate may include an effective area including a plurality of through holes and a bridge between the plurality of through holes; And a non-effective region disposed outside the effective region, the first half etching portion disposed in the non-effective region and positioned close to one end in the longitudinal direction of the metal plate, and positioned close to the other end opposite to the one end. And a second half etched portion, wherein the warpage index ⁇ calculated by the following Equation 2 is 0.85 to 1.15 when the metal plate is stretched in the longitudinal direction with a force of 0.7 kgf.
  • D1 is a width of a metal plate measured in an ineffective region between the first half etching portion and an effective region adjacent to the first half etching portion
  • D2 is the width of the metal plate measured in the non-effective area between the second half etching part and the effective area adjacent to the second half etching part
  • B is the width of the metal plate measured at the midpoint of the effective area.
  • the deposition mask according to the embodiment may reduce the difference between the thickness of the deposition mask measured in the non-etched region and the thickness of the deposition mask connecting and supporting the through holes in the etched region. That is, the embodiment may reduce the step difference due to the difference between the thickness of the deposition mask in the region where the organic material is deposited and the thickness of the deposition mask in the non-deposited region of the organic material. Accordingly, when tensioning the deposition mask, it is possible to prevent the deposition mask from twisting in the etched bridge that connects and supports the through holes.
  • the deposition mask according to the embodiment may prevent the photoresist layer or the photosensitive film resist layer from being etched away in the metal plate etching process for forming the through hole, thereby improving the uniformity of etching.
  • the uniformity of the plurality of through holes can be improved.
  • the OLED panel manufactured by the deposition mask according to the embodiment can be excellent in the deposition efficiency of the pattern, the deposition uniformity can be improved.
  • 1 to 3 are conceptual views illustrating a process of depositing an organic material on a substrate.
  • 4 and 5 are plan views showing a plan view of a deposition mask.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 4.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a distortion index of a deposition mask according to an embodiment.
  • FIG. 8 is a plan view illustrating a distortion index of a deposition mask according to an embodiment.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 4 according to an embodiment.
  • FIG. 10 is a sectional view taken along line AA ′ of FIG. 4 according to a comparative example.
  • FIG. 11 is a view for explaining a deposition process of the deposition mask according to the embodiment.
  • FIG. 12 is a view for explaining a deposition process of a deposition mask according to a comparative example.
  • each layer (film), region, pattern, or structure may be modified for clarity and convenience of description, and thus do not necessarily reflect the actual size.
  • FIG. 1 is a view illustrating an organic material deposition apparatus including a deposition mask 100 according to an embodiment.
  • the organic material deposition apparatus may include a deposition mask 100, a mask frame 200, a substrate 300, an organic material deposition container 400, and a vacuum chamber 500.
  • the deposition mask 100 may include a plurality of through holes.
  • the deposition mask 100 may be a metal plate including a plurality of through holes.
  • the through hole may be formed to correspond to the pattern to be formed on the substrate.
  • the mask frame 200 may include an opening.
  • a plurality of through holes of the deposition mask 100 may be disposed on an area corresponding to the opening. Accordingly, an organic material supplied to the organic material deposition container 400 may be deposited on the substrate 300.
  • the deposition mask may be disposed on and fixed to the mask frame 200. For example, the deposition mask may be stretched and fixed by welding on the mask frame 200.
  • the deposition mask 100 may be pulled in directions opposite to each other at an edge disposed at the outermost side of the deposition mask 100.
  • the deposition mask 100 may be pulled in a direction in which one end of the deposition mask 100 and the other end opposite to the one end are opposite to each other in a length direction of the deposition mask 100.
  • One end and the other end of the deposition mask 100 may be disposed to face each other in parallel.
  • One end of the deposition mask 100 may be any one of four corners formed at the outermost portion of the deposition mask 100.
  • the deposition mask 100 may be tensioned with a force of 0.4 to 1.5 kgf. Accordingly, the tensioned deposition mask 100 may be mounted on the mask frame 200.
  • the deposition mask 100 may be fixed to the mask frame 200 by welding. Subsequently, a portion of the deposition mask 100 disposed outside the mask frame 200 may be removed by cutting or the like. For example, as the deposition mask 100 is deformed during the welding process, the deposition mask 100 is disposed in an area except for the fixed areas of the deposition mask 100 and the mask frame 200. In this case, a part of the deposition mask may be removed.
  • the substrate 300 may be a substrate used for manufacturing a display device. Red, green, and blue patterns may be formed on the substrate 300 to form pixels having three primary colors of light.
  • the organic material deposition container 400 may be a crucible. An organic material may be disposed in the crucible.
  • the organic material may be deposited on the substrate 100.
  • 3 is an enlarged view of one through hole of the deposition mask 100.
  • the deposition mask 100 may include a first surface 101 and a second surface 102 facing the first surface.
  • the first surface 101 of the deposition mask 100 includes a first surface hole V1
  • the second surface 102 of the deposition mask 100 includes a second surface hole V2. can do.
  • the through hole may be formed by a connection part CA through which the first surface hole V1 and the second surface hole V2 communicate.
  • the width of the second surface hole V2 may be greater than the width of the first surface hole V1.
  • the width of the first surface hole V1 may be measured at the first surface 101
  • the width of the second surface hole V2 may be measured at the second surface 102.
  • the first surface hole V1 may be disposed toward the substrate 300. Accordingly, the first surface hole V1 may have a shape corresponding to the deposit D, that is, the pattern.
  • the second surface hole V2 may be disposed toward the organic material deposition container 400. Accordingly, the second surface hole V2 may accommodate the organic material supplied from the organic material deposition container 400 in a wide width, and the first surface hole V1 having a width smaller than that of the second surface hole V2. Through this, it is possible to quickly form a fine pattern on the substrate 300.
  • 4 and 5 illustrate front views of the deposition mask 100.
  • the deposition mask 100 may include a plurality of through holes.
  • the plurality of through holes illustrated in FIG. 4 may represent the second surface holes V2.
  • each horizontal between the holes adjacent to the reference hole (6 in the figure shown in total) A deviation between the diameters Cx in the direction and a deviation between the diameters Cy in the vertical direction may be implemented as 2% to 10%. That is, when the size deviation between adjacent holes of one reference hole is 2% to 10%, uniformity of deposition may be secured.
  • the size deviation between the reference hole and the adjacent holes may be 4% to 9%.
  • the size deviation between the reference hole and the adjacent holes may be 5% to 7%.
  • the moire generation rate may increase in the OLED panel after deposition.
  • the size deviation between the reference hole and the adjacent holes is more than 10%, the occurrence rate of color spots in the OLED panel after deposition may increase.
  • a size deviation between the reference hole and the adjacent holes may be implemented within ⁇ 3 ⁇ m. Accordingly, the deposition efficiency can be improved.
  • the through holes may be arranged in a line or staggered with each other according to a direction.
  • the through holes may be arranged in a row on the vertical axis and in a row on the horizontal axis.
  • the through holes may be arranged in a row on the vertical axis, and may be alternately arranged on the horizontal axis.
  • the through hole may correspond to or different from each other in the first diameter measured in the longitudinal direction and the second diameter measured in the transverse direction.
  • the through hole corresponds to or different from a third diameter measured in a first diagonal direction corresponding to the cross-sectional direction of A-A ', and a fourth diameter measured in a second diagonal direction crossing the first diagonal direction.
  • the through hole may be rounded.
  • FIG. 6 is an enlarged view of a cross section of a plurality of through holes.
  • the deposition mask 100 may include a metal material.
  • the deposition mask 100 may be made of polycrystal and may have a face centered cubic structure.
  • the deposition mask 100 may include a nickel alloy.
  • the deposition mask 100 may include about 35 to 37 wt% nickel, about 63 to 65 wt% iron, and trace amounts of C, Si, S, P, Cr, Mo, Mn, Ti, Co, Cu, It may include Invar containing at least one of Fe, Ag, Nb, V, In, and Sb.
  • the trace amount may mean 1 wt% or less.
  • the trace amount may mean 0.5 wt% or less.
  • the embodiment is not limited thereto and may include various metallic materials.
  • the deposition mask 100 may include a plurality of first surface holes V1 on the first surface 101.
  • the first surface hole V1 may include a first sub-first surface hole V1a and a second sub-first surface hole V1b adjacent to the first sub-first surface hole V1a.
  • the deposition mask 100 may include a plurality of second surface holes V2 on the second surface 102.
  • the second surface hole V2 may include a first sub-second surface hole V2a and a second sub-second surface hole V2b adjacent to the first sub-second surface hole V2a.
  • the first sub first surface hole V1a and the first sub second surface hole V2a communicate with each other through a connection part CA to form one through hole, and the second sub first surface hole V1b and the second sub surface hole V1a.
  • the second sub second surface hole V2b may communicate with the connection part CA to form another through hole. That is, the deposition mask 100 may include a plurality of through holes.
  • the thickness T of the deposition mask 100 may be 10 ⁇ m to 50 ⁇ m.
  • the thickness T of the deposition mask 100 may be 10 ⁇ m to 30 ⁇ m.
  • manufacturing efficiency may be low.
  • the thickness T of the deposition mask 100 is greater than 50 ⁇ m, process efficiency for forming the through hole may be reduced.
  • the thickness T of the deposition mask 100 may mean that it is measured after the rolling process.
  • the deposition mask 100 may have a thickness of 50 ⁇ m or less.
  • the deposition mask 100 may have a thickness of 30 ⁇ m or less.
  • the deposition mask 100 may have different widths of the through holes according to the thickness direction of the through holes.
  • the width W1 of the first sub-first surface hole V1a may be greater than the width W3 of the connection part CA.
  • the width of the through hole may decrease in the first sub-first surface hole V1a toward the connecting portion CA from the first surface 101.
  • the width of the through hole may gradually decrease in the first sub-first surface hole V1a toward the connection portion CA from the first surface 101.
  • the width W2 of the first sub-second surface hole V2a may be larger than the width W3 of the connection part CA.
  • the width of the through hole may decrease in the first sub-second surface hole V2a toward the connection portion CA from the second surface 102.
  • the width of the through hole may gradually decrease in the first sub-second surface hole V2a toward the connecting portion CA from the second surface 102.
  • the through hole may have a width of 20 ⁇ m or more.
  • At least one of the width W1 of the first sub-first surface hole V1a and the width W2 of the first sub-second surface hole V2a may have a width of 20 ⁇ m to 50 ⁇ m. .
  • at least one of the width W1 of the first sub-first surface hole V1a and the width W2 of the first sub-second surface hole V2a may have a width of 30 ⁇ m to 50 ⁇ m.
  • at least one of the width W1 of the first sub-first surface hole V1a and the width W2 of the first sub-second surface hole V2a may have a width of 20 ⁇ m to 40 ⁇ m. .
  • the width W1 of the first sub first surface hole V1a may have a width of 20 ⁇ m to 50 ⁇ m, and the width W2 of the first sub second surface hole V2a is 50 ⁇ m to 90 degrees. It may have a width of ⁇ m.
  • the width W1 of the first sub first surface hole V1a may have a width of 20 ⁇ m to 50 ⁇ m, and the width W2 of the first sub second surface hole V2a is 60 ⁇ m.
  • the width W1 of the first sub first surface hole V1a may have a width of 30 ⁇ m to 50 ⁇ m, and the width W2 of the first sub second surface hole V2a is 70 ⁇ m. To 90 ⁇ m in width.
  • the depth H2 of the first sub second surface hole V2a may be greater than the depth H1 of the first sub first surface hole V1a.
  • the depth H1 of the first sub-first surface hole V1a may have a relationship ratio of 1: 3 to 30 with a thickness T of the deposition mask 100.
  • the depth H1 of the first sub-first surface hole V1a may have a relationship ratio of 1: (3.5 to 12.5) with a thickness T of the deposition mask 100.
  • the depth H1 of the first sub-first surface hole V1a may have a relationship ratio of 1: (4.5 to 10.5) with a thickness T of the deposition mask 100.
  • the first sub first surface hole V1a exceeds the ratio in relation to the thickness T of the deposition mask 100, the first sub first surface hole V1a As the depth H1 is increased, the thickness variation of the organic material is increased, which may result in a region where the organic material is not deposited. Accordingly, the manufacturing yield of the OLED panel manufactured through the deposition mask may be reduced.
  • the depth H1 of the first sub first surface hole V1a may be 0.1 ⁇ m to 7 ⁇ m.
  • the depth H1 of the first sub first surface hole V1a may be 2 ⁇ m to 6.5 ⁇ m.
  • the depth H1 of the first sub first surface hole V1a may be 2 ⁇ m to 4.5 ⁇ m.
  • the deposition efficiency of the organic material through the deposition mask may decrease.
  • the depth H1 of the first sub-first surface hole V1a is greater than 7 ⁇ m, it is difficult to form a pattern having a fine size and an area where organic materials are not deposited may occur, thereby manufacturing an OLED panel The production yield of can be lowered.
  • the depth H2 of the first sub second surface hole V2a may be 15 ⁇ m to 25 ⁇ m.
  • the depth H2 of the first sub second surface hole V2a may be 20 ⁇ m to 25 ⁇ m.
  • An inclination angle connecting an arbitrary point A1 of the end of the connection part CA and an arbitrary point B1 of the end of the first sub-second surface hole V2a may be in a range of 20 degrees to 70 degrees.
  • the inclination angle connecting the arbitrary point A1 of the end of the connection part CA and the arbitrary point B1 of the end of the first sub-second surface hole V2a may be in the range of 30 to 60 degrees.
  • the inclination angle connecting the arbitrary point A1 of the end of the connection part CA and the arbitrary point B1 of the end of the first sub-second surface hole V2a is 32 degrees to 38 degrees or 52 degrees. May range from degrees to 58 degrees.
  • the inclination angle connecting the arbitrary point A1 of the end of the connection part CA and the arbitrary point B1 of the end of the first sub-second surface hole V2a is in the range of 20 to 70 degrees, Uniformity can be improved. If the inclination angle is out of the range, since an area in which organic materials are not deposited may occur, deposition efficiency and process efficiency may decrease.
  • the first surface hole V1 may have a narrower width of the through hole toward the connection portion in the depth direction of the deposition mask 100.
  • the inner surface of the first surface hole V1 may have a curvature.
  • the width of the through hole may be narrowed toward the second surface hole V2 toward the connection portion in the depth direction of the deposition mask 100.
  • the inner surface of the first surface hole V1 may have a curvature. Accordingly, the input density of the deposition material can be controlled, and the uniformity of the deposition can be improved compared to the simple slope structure.
  • the difference W1-W3 between the width W1 of the first sub-first surface hole V1a and the width W3 of the connection part CA may be in a range of 0.2 ⁇ m to 14 ⁇ m.
  • the vertical distance from an arbitrary point C1 of the end of the first sub-first surface hole V1a to an arbitrary point A1 of the end of the connecting portion CA may be in a range of 0.1 ⁇ m to 7 ⁇ m.
  • the vertical distance from an arbitrary point C1 of the end of the first sub-first surface hole V1a to an arbitrary point A1 of the end of the connecting portion CA may be in a range of 1 ⁇ m to 6 ⁇ m.
  • the vertical distance from an arbitrary point C1 of the end of the first sub-first surface hole V1a to an arbitrary point A1 of the end of the connection part CA may be in a range of 2 ⁇ m to 4.5 ⁇ m.
  • the deposition efficiency of the organic material through the deposition mask 100 may decrease.
  • the vertical distance is greater than 7 ⁇ m, it is difficult to form a pattern having a fine size, and a region in which organic materials are not deposited may occur, and thus, a manufacturing yield of the manufactured OLED panel may be reduced.
  • an edge portion of the open area on the first surface 101 may have a curvature.
  • the second surface hole V2 may have a curvature at an edge portion of the open area on the second surface 102, that is, an outer portion of the open area.
  • the corner portion of the open area may have a rounded structure having a predetermined range of curvature.
  • the diameter of the imaginary circle formed by extending the curvature of the rounded portion of the corner may range from 5 ⁇ m to 20 ⁇ m.
  • the diameter of the imaginary circle formed by extending the curvature of the rounded portion of the corner portion may range from 7 ⁇ m to 15 ⁇ m.
  • the diameter of the imaginary circle formed by extending the curvature of the rounded portion of the corner may range from 8 ⁇ m to 12 ⁇ m.
  • the deposition rate is high in the above range, it may be possible to deposit a uniform organic material.
  • the difference in deposition rate with that without curvature treatment may not be large. If the diameter of the imaginary circle formed by extending the curvature of the rounded portion of the corner portion is greater than 20 ⁇ m, the deposition rate may be lowered.
  • the width W5 of the second sub second surface hole V2b may be greater than the width W4 of the second sub first surface hole V1b.
  • the width W4 of the second sub-first surface hole V1b may be larger than the width W6 of the connection part CA.
  • the width of the through hole may decrease in the second sub-first surface hole V1b toward the connecting portion CA from the first surface 101.
  • the width of the through hole may gradually decrease in the second sub-first surface hole V1b toward the connection portion CA from the first surface 101.
  • the width W5 of the second sub-second surface hole V2b may be greater than the width W6 of the connection part CA.
  • the width of the through hole may decrease in the second sub-second surface hole V2b toward the connection portion CA from the second surface 102.
  • the width of the through hole may gradually decrease in the second sub second surface hole V2b toward the connecting portion CA from the second surface 102.
  • the depth H4 of the second sub second surface hole V2b may be greater than the depth H3 of the second sub first surface hole V1b.
  • the deposition mask 100 includes an effective area AA including a plurality of through holes H and a bridge BR between the plurality of through holes and an outer edge of the effective area. It may include an invalid area UA disposed in the.
  • the effective area AA may be an inner area when the outside of the plurality of through holes is connected to the outside of the through holes.
  • the non-effective area UA may be an outer area when the outside of the plurality of through holes is connected to the outside of the through holes.
  • an end of the second surface hole located at the outermost side of the plurality of through holes H may be a boundary between the effective area AA and the invalid area UA.
  • the effective area AA refers to an inner region, that is, a region in which the second surface hole V2 into which the deposition material is injected, is disposed based on the points of the ends of the second surface hole V2 located at the outermost portion.
  • the outer region that is, the region not involved in deposition, is defined as the ineffective region UA based on the ends of the second surface hole V2 located at the outermost side.
  • the deposition mask 100 disposed in the effective area AA may support a plurality of through holes. That is, a bridge may be disposed between the plurality of through holes. In detail, the bridge may be disposed between adjacent through holes.
  • the through hole of a uniform size may be supported by the first bridge portion disposed on the first surface of the deposition mask 100 and the second bridge portion disposed on the second surface of the metal plate.
  • the deposition mask 100 disposed in the effective area AA is deposited while the organic material supplied from the organic material deposition container has a width of a predetermined range on the substrate in the deposition process of the organic material. May be a region (deposition region) involved in the deposition.
  • the deposition mask 100 disposed in the ineffective region UA may be an unetched region that does not include an open portion. That is, in the deposition process of the organic material, the deposition mask 100 disposed in the ineffective area UA does not include an open area through which the organic material can pass, and thus does not participate in deposition. Deposition region).
  • the non-effective area UA may include a first half etching part E and a second half etching part E.
  • the first and second half etching portions E may include grooves on the first surface of the metal plate. That is, grooves may be formed in the first and second half etching portions E as the first surface of the deposition mask 100 located in the ineffective region UA is partially etched. Accordingly, the deposition mask may have a step in a region where the first and second half etching portions E are formed.
  • the deposition mask may have a different thickness in the non-effective area UA.
  • the thickness T of the non-etched portion may be greater than the thickness of the region where the half etching portion E is disposed.
  • the region in which the half etching portion E is disposed may have a thickness of about 1/2 of the thickness T measured at the portion not etched.
  • the peripheral region of the half etching portion E and / or the half etching portion E may be a region connected to the mask frame by welding.
  • the half etched portion E and / or the peripheral region of the half etched portion E may be fixed to the mask frame 200 as it is deformed by welding.
  • the groove of the half etching portion E may be filled with a welding material in whole or in part.
  • both ends of the deposition mask 100 disposed in the ineffective area UA may be stretched in a horizontal direction and fixed on the mask frame.
  • one end and the other end of the deposition mask disposed in the ineffective area UA may be disposed in parallel with the y-axis direction, and the one end and the other end may be in the x-axis direction perpendicular to the y-axis direction, that is, the horizontal direction. It can be tensioned with.
  • the half etching portion E disposed in the ineffective region UA may have a rounded shape partially or entirely.
  • the half etching portion E disposed in the ineffective region UA may have a half moon shape. That is, the half etching portion E may have a linear shape and a curved shape.
  • the half etching portion E may include a straight portion extending in the vertical direction of the deposition mask and a curved portion connecting both ends of the straight portion.
  • the straight portion may have an angle perpendicular to an end portion forming an edge in the x-axis direction of the deposition mask.
  • the straight portion may have a length across the plurality of through holes.
  • the straight portion may be parallel to the imaginary line in the vertical direction connecting the ends of the second surface holes located at the boundary between the effective area and the invalid area.
  • the curved portion may have the same curvature.
  • the curved portion may have different curvatures according to positions. For example, when the length of the vertical direction of the deposition mask is c, the radius of curvature may increase toward the point of 1 / 2c length.
  • the embodiment is not limited thereto, and may include a half-etched portion having a rectangular shape.
  • the deposition mask according to the embodiment may have a small step between the deposition mask 100 in the effective area AA and the ineffective area UA.
  • the k value calculated by Equation 1 is a thickness of the deposition mask 100 in the ineffective area UA, that is, an unetched area, and the deposition mask in the effective area AA, that is, an etched area. 100) can represent the ratio of the difference in thickness.
  • T is the thickness T of the deposition mask 100 measured in the ineffective area UA.
  • the T may mean measured at an unetched portion. That is, it measured in the area
  • H1 is the thickness in the first surface direction with respect to the connecting portion at the point where the thickness of the bridge between two adjacent through holes of the plurality of through holes is the maximum
  • H2 is between the two adjacent through holes At the point at which the bridge has the maximum thickness, the thickness in the second plane direction relative to the connection.
  • H1 and H2 of the said Formula 1 are the thickness measured in the bridge between two through-holes diagonally adjacent among the said through-holes.
  • the H2 refers to the shortest distance from the connection CA measured at the point where the thickness of any bridge is maximum to the second surface 102 where the second surface hole V2 is disposed.
  • the shortest distance can be measured in the thickness direction of the substrate.
  • the deposition mask according to the embodiment may have a k value calculated by Equation 1 below 0.65 to less than 1.
  • the deposition mask according to the embodiment may have a k value calculated by Equation 1 below 0.8 to 1.0.
  • the thickness difference between the deposition mask measured in the unetched region and the deposition mask connecting and supporting the through-holes in the etched region may be small or there may be no step. It is possible to prevent distortion of the deposition mask in the etched region.
  • the deposition mask according to the embodiment can prevent the photoresist layer or the photosensitive film resist layer from being removed in the etching process in the etching process, as the uniformity of the etching is improved, the uniformity of the through hole is improved Can be. According to the embodiment, since the size deviation between the reference hole and the adjacent holes may be implemented within ⁇ 3 ⁇ m, the deposition efficiency may be improved.
  • the thickness of the deposition mask measured in the ineffective area UA that is, the unetched area
  • the penetration area in the effective area AA that is, the etched area Since the thickness difference of the deposition mask for connecting and supporting the holes is large, distortion of the deposition mask may occur in the etched area when the deposition mask is tensioned.
  • the problem when the H2 value is small will be described.
  • a photoresist layer or a photosensitive film resist layer may be removed to prevent etching in an etching process.
  • the uniformity of the etching decreases, the uniformity of the through holes may decrease.
  • the uniformity of the deposition may be lowered, and as a result, the deposition efficiency of the formed pattern may be lowered, thereby lowering the process efficiency.
  • the distortion index will be described.
  • the degree of distortion of the deposition mask may be expressed by the distortion index ⁇ according to Equation 2 below.
  • the warpage index ⁇ is measured when the metal plate is tensioned in the longitudinal direction with a force of 0.7 kgf.
  • D1 is a width of a metal plate measured in an ineffective region between the first half etching portion and the effective region adjacent to the first half etching portion
  • D2 is the width of the metal plate measured in the ineffective region between the second half etching portion and the effective region adjacent to the second half etching portion
  • B is the width of the metal plate measured at the midpoint of the effective area.
  • the effective area and the invalid area may be divided into a first boundary area BA1 and a second boundary area BA2 in the vertical direction.
  • a plurality of through holes and a bridge may be included between the first boundary area BA1 and the second boundary area BA2.
  • a plurality of half etching portions E may be included in the ineffective region UA.
  • the ineffective region UA may include first and second half etching portions E.
  • FIG. An effective area adjacent to the first half etching part may be the first boundary area BA1.
  • An effective area adjacent to the second half etching portion may be the second boundary area BA2.
  • the first half etching part which is one half etching part E
  • a second half etching part which is another half etching part E
  • the curved portion of the half etching portion (E) may be a shape protruding in the horizontal direction, respectively tensioned. Accordingly, the half etching portion E may disperse the stress applied during stretching.
  • One side of the half etching part E adjacent to the first boundary area BA1 may be defined as a third boundary area BA3.
  • One side surface of the half etching portion E adjacent to the second boundary area BA2 may be defined as a fourth boundary area BA4.
  • the thickness of the metal plate may be caused by the through-holes based on the first boundary area BA1 and the second boundary area BA2.
  • the thickness of the metal plate may be caused by the grooves based on the third boundary area BA3 and the fourth boundary area BA4.
  • the first boundary area BA1, the second boundary area BA2, the third boundary area BA3, and the fourth boundary area BA4 form a boundary of a point where a thickness change occurs due to etching. It may be an area indicated.
  • Equation 2 d1 is a width of a metal plate measured in an ineffective region between the first half etching portion and the effective region adjacent to the first half etching portion, and d2 is the second half etching portion and the second portion. 2 The width of the metal plate measured in the ineffective area between the half etched portion and the adjacent effective area.
  • the d1 and the d2 are for deposition in the vertical direction measured at a half point between the straight portion of the half etching portion located in the non-effective area UA and the second surface holes located at the boundary between the effective area and the invalid area.
  • the length of the mask is for deposition in the vertical direction measured at a half point between the straight portion of the half etching portion located in the non-effective area UA and the second surface holes located at the boundary between the effective area and the invalid area.
  • B is the width of the metal plate measured at the midpoint of the effective area. That is, B is a deposition mask length in the vertical direction measured at a half point between the measuring point of d1 and the measuring point of d2.
  • the deposition mask according to the embodiment may include a twist index ⁇ calculated by Equation 2 is 0.85 to 1.15.
  • the embodiment may include a twist index ⁇ calculated by Equation 2 is 0.9 to 1.1.
  • the embodiment includes the twist index ⁇ of 0.85 to 1.15, the force due to the tension may be evenly distributed.
  • the length difference in the vertical direction according to the position may be reduced. Accordingly, in the deposition mask according to the embodiment, the difference between the widths of the metal plates in the effective area AA and the ineffective area UA may be small, and distortion of the through hole may be reduced.
  • the warpage index is ⁇ less than 0.85 or more than 1.15
  • the warpage of the deposition mask disposed in the effective area AA supporting the through holes may increase. Accordingly, the pattern formed by the deposition mask may lower the deposition efficiency.
  • the patterns formed by the deposition mask may overlap with each other, the manufacturing yield of the OLED pattern may be reduced.
  • the deposition mask 100 disposed in the effective area AA may be integrally formed with the deposition mask 100 disposed in the ineffective area UA.
  • the deposition mask disposed in the effective area AA may include a bridge supporting a plurality of through holes.
  • the bridge includes a first bridge portion BR1 for supporting between the first surface hole V1 on the first surface 101 of the metal plate and the second surface hole V2 on the second surface 102 of the metal plate. ) May include a second bridge portion BR2.
  • the first bridge BR1 and the second bridge BR2 may have different widths.
  • the width of the first bridge portion BR1 on the first surface may be greater than the width of the second bridge portion BR2 on the second surface.
  • the width of the first bridge portion BR1 may be measured on the first surface
  • the width of the second bridge portion BR2 may be measured on the second surface.
  • the width of the first bridge portion BR1 may mean an average width of each of the first bridge portions BR1 supporting between the adjacent through holes.
  • the width of the second bridge portion BR2 may mean an average width of each of the second bridge portions BR2 supporting between adjacent through holes.
  • Widths of the first bridge part BR1 and the second bridge part BR2 may vary according to the thickness of the deposition mask. Therefore, the following thicknesses are exemplary only, and are not limited thereto.
  • the width of the first bridge portion BR1 may be 20 ⁇ m to 50 ⁇ m.
  • the width of the first bridge portion BR1 may be 30 ⁇ m to 45 ⁇ m.
  • the width of the first bridge portion BR1 may be 30 ⁇ m to 40 ⁇ m.
  • the width of the second bridge portion BR2 may be 0.5 ⁇ m to 7 ⁇ m.
  • the width of the second bridge portion BR2 may be 1 ⁇ m to 5 ⁇ m.
  • the width of the second bridge portion BR2 may be 1 ⁇ m to 3 ⁇ m.
  • the first bridge portion BR1 and the second bridge portion BR2 may have different plane areas.
  • the first bridge portion BR1 may have a larger planar area than the second bridge portion BR2.
  • the first bridge portion BR1 may be a planar region.
  • the second bridge portion BR2 may be a planar region.
  • the first bridge portion BR1 and the second bridge portion BR2 may be planar, and thus, in an etching process, adhesion of the photoresist layer or the photosensitive film resist layer which prevents etching may be increased, thereby improving uniformity. Through holes can be formed.
  • the depth of the first surface of the deposition mask 100 measured in the effective area AA corresponds to the depth of the first surface of the deposition mask 100 measured in the ineffective area UA
  • the depth of the second surface of the deposition mask 100 measured in the effective area AA corresponds to the depth of the second surface of the deposition mask 100 measured in the ineffective area UA. It may include.
  • the depth deviation of the first surface of the deposition mask 100 measured in the effective area AA and the first surface of the deposition mask 100 measured in an ineffective area UA may be equal to the effective area.
  • the second surface of the deposition mask 100 measured in AA may be smaller than the depth deviation of the second surface of the deposition mask 100 measured in the ineffective area UA.
  • the second surface of the deposition mask 100 is a surface on which the second surface hole V2 is formed, and since the etching area is larger than that of the first surface, a depth deviation may be greater than that of the first surface.
  • the first surface 101 in the first bridge portion BR1 may have a depth corresponding to the first surface 101 in the invalid area UA. Accordingly, it is possible to reduce the torsion caused by the tension.
  • the first surface 101 in the first bridge portion BR1 may have a different depth from the first surface 101 in the invalid area UA.
  • the first surface 101 in the first bridge portion BR1 may be disposed in parallel with the first surface 101 in the non-effective area UA. Accordingly, it is possible to reduce the torsion caused by the tension.
  • the first surface 101 in the first bridge portion BR1 may have a depth difference of less than 5 ⁇ m from the first surface 101 in the non-effective area UA.
  • the numerical value includes a depth difference of 0 ⁇ m and may vary depending on the thickness of the deposition mask, and is not limited thereto.
  • the second surface 102 in the second bridge portion BR2 may have a depth corresponding to the second surface 102 in the invalid area UA. Accordingly, it is possible to reduce the torsion caused by the tension.
  • the second surface 102 of the second bridge portion BR2 may have a different depth from the second surface 102 of the non-effective area UA.
  • the second surface 102 in the second bridge portion BR2 may be disposed to face the second surface 102 in the non-effective area UA in parallel with each other. Accordingly, it is possible to reduce the torsion caused by the tension.
  • the second surface 102 in the second bridge portion BR2 may have a depth difference of less than 5 ⁇ m from the second surface 102 in the non-effective area UA.
  • the numerical value includes a depth difference of 0 ⁇ m and may vary depending on the thickness of the deposition mask, and is not limited thereto.
  • the deposition mask according to the embodiment may have a structure in which the warpage due to the tension is small, thereby forming a uniform through hole, and thus, the OLED panel manufactured by the deposition mask according to the embodiment has a high deposition efficiency of the pattern. It is excellent and the deposition uniformity can be improved.
  • Table 1 shows the uniformity evaluation results of the through-hole according to the k value.
  • the organic material patterns manufactured through the same may vary in size, and thus, the yield of the OLED panel may be reduced.
  • Table 2 shows the distortion evaluation results of the deposition mask during tension according to the k value.
  • the k value is to measure the distortion by pulling the deposition mask specimen to 0.7 kgf.
  • the distortion of the deposition mask during tension may be reduced, thereby preventing the pattern layers formed on the substrate from overlapping each other.
  • the R, G, and B patterns do not overlap, and the variation in width between the R, G, and B patterns is regular. Accordingly, the production yield of the OLED panel can be improved.
  • the k value is less than 0.8, the distortion of the deposition mask during stretching may be increased, and thus, the pattern layers formed on the substrate may overlap each other.
  • overlapping may occur between R, G, and B patterns, thereby lowering the yield of manufacturing an OLED panel.
  • the deposition efficiency and the process efficiency of the OLED panel manufactured through the deposition mask roll can be improved.

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Abstract

실시예에 따른 증착용 마스크는 금속판을 포함하고, 상기 금속판은, 복수 개의 관통홀 및 상기 복수개의 관통홀 사이의 브리지를 포함하는 유효 영역; 및 상기 유효 영역의 외곽에 배치되는 비유효 영역;을 포함하고, 상기 관통홀은, 제 1 면 상의 제 1 면공 및 상기 제 1 면과 대향하는 제 2 면상의 제 2 면공이 만나는 연결부에 형성되고, 상기 제 1 면공의 폭은 상기 제 2 면공의 폭 보다 작고, 상기 제 1 면공의 깊이는 상기 제 2 면공의 깊이 보다 작고, 하기 식 1에 의하여 계산된 k 값은 0.65 내지 1 미만인 것을 포함한다. <식 1> k=H2(T-H1) 상기 식에서, 상기 T는 상기 비유효 영역에서 측정된 증착용 마스크의 두께이고, 상기 H1은 상기 복수 개의 관통홀 중 인접한 두 개의 관통홀 사이의 브리지의 두께가 최대인 지점에서, 상기 연결부를 기준으로 상기 제 1 면 방향으로의 두께이고, 상기 H2는 상기 인접한 두 개의 관통홀 사이의 브리지의 두께가 최대인 지점에서, 상기 연결부를 기준으로 상기 제 2 면 방향으로의 두께이다. 실시예에 따른 증착용 마스크는 금속판을 포함하고, 상기 금속판은, 복수 개의 관통홀 및 상기 복수개 관통홀 사이의 브리지를 포함하는 유효 영역; 및 상기 유효 영역의 외곽에 배치되는 비유효 영역을 포함하고, 상기 비유효 영역에 배치되고, 상기 금속판의 길이방향의 일단에 가깝게 위치하는 제 1 하프 에칭부 및 상기 일단과 반대되는 타단에 가깝게 위치하는 제 2 하프 에칭부를 포함하고, 상기 금속판을 0.7kgf의 힘으로 상기 길이 방향으로 인장하였을 때, 하기 식 2에 의해 계산된 뒤틀림 지수 α는 0.85 내지 1.15인 것을 포함한다. <식 2> α=2B/(d1+d2) 상기 식 2에서, 상기 d1은 상기 제 1 하프 에칭부 및 상기 제 1 하프 에칭부와 인접한 유효 영역 사이의 비 유효 영역에서 측정된 금속판의 폭이고, 상기 d2는 상기 제 2 하프 에칭부 및 상기 제 2 하프 에칭부와 인접한 유효 영역 사이의 비 유효 영역에서 측정된 금속판의 폭이고, 상기 B는 상기 유효 영역의 중간 지점에서 측정된 금속판의 폭이다.

Description

증착용 마스크 및 이를 이용한 OLED 패널
실시예는 증착용 마스크에 관한 것이다. 보다 자세하게, 실시예에 따른 증착용 마스크를 사용하여 OLED 패널을 제작할 수 있다.
고해상도 및 저전력을 가지는 표시 장치가 요구됨에 따라, 액정 표시 장치나 전계 발광 표시 장치와 같은 다양한 표시 장치들이 개발되고 있다.
전계 발광 표시 장치는 액정 표시 장치에 비하여 저 발광, 저 소비 전력, 고해상도 등의 우수한 특성에 따라, 차세대 표시 장치로 각광 받고 있다.
전계 표시 장치는 유기 발광 표시 장치와 무기 발광 표시 장치가 있다. 즉, 발광층의 물질에 따라 유기 발광 표시 장치와 무기 발광 표시 장치로 구별될 수 있다.
이중에서도, 유기 발광 표시 장치는 넓은 시야각을 가지고, 빠른 응답속도를 가진다는 점, 저전력이 요구된다는 점에서 주목 받고 있다.
이러한 발광층을 구성하는 유기 물질은 파인 메탈 마스크(fine metal mask) 방식에 의하여 기판 상에 화소를 형성하기 위한 패턴이 형성될 수 있다.
이때, 파인 메탈 마스크, 즉 증착용 마스크는 기판 상에 형성될 패턴과 대응되는 관통홀을 가질 수 있어, 기판 상에 파인 메탈 마스크를 얼라인한 후, 유기 물질을 증착함에 따라, 화소를 형성하는 빨강(Red), 초록(Green), 파랑(Blue)의 패턴을 형성할 수 있다.
증착용 마스크로 사용될 수 있는 금속판은 식각 공정에 의해서 복수 개의 관통홀이 형성될 수 있다.
이때, 식각되지 않은 영역에서 측정된 증착용 마스크의 두께와 식각된 영역에서 관통홀들을 연결 및 지지하는 증착용 마스크의 두께 차이가 큰 경우에는, 증착용 마스크를 인장할 때 상기 식각된 영역에서 증착용 마스크의 뒤틀림이 발생할 수 있다. 또한, 식각 공정에서 식각을 방지하는 포토레지스트층 또는 감광성 필름 레지스트층이 탈막될 수 있어, 식각의 균일성이 저하됨에 따라, 관통홀의 균일성이 저하될 수 있다.
복수 개의 관통홀이 균일하지 않을 경우, 증착의 균일성이 저하될 수 있고, 이로 인해 형성되는 패턴의 증착 효율이 저하됨에 따라 공정 효율이 저하되는 문제점이 있었다.
실시예는 균일한 관통홀을 가지는 증착용 마스크를 제공하기 위한 것이다.
실시예에 따른 증착용 마스크는 금속판을 포함하고, 상기 금속판은, 복수 개의 관통홀 및 상기 복수개의 관통홀 사이의 브리지를 포함하는 유효 영역; 및 상기 유효 영역의 외곽에 배치되는 비유효 영역;을 포함하고, 상기 관통홀은, 제 1 면 상의 제 1 면공 및 상기 제 1 면과 대향하는 제 2 면상의 제 2 면공이 만나는 연결부에 형성되고, 상기 제 1 면공의 폭은 상기 제 2 면공의 폭 보다 작고, 상기 제 1 면공의 깊이는 상기 제 2 면공의 깊이 보다 작고, 하기 식 1에 의하여 계산된 k 값은 0.65 내지 1 미만인 것을 포함한다.
<식 1>
k=H2(T-H1)
상기 식에서,
상기 T는 상기 비유효 영역에서 측정된 증착용 마스크의 두께이고,
상기 H1은 상기 복수 개의 관통홀 중 인접한 두 개의 관통홀 사이의 브리지의 두께가 최대인 지점에서, 상기 연결부를 기준으로 상기 제 1 면 방향으로의 두께이고,
상기 H2는 상기 인접한 두 개의 관통홀 사이의 브리지의 두께가 최대인 지점에서, 상기 연결부를 기준으로 상기 제 2 면 방향으로의 두께이다.
실시예에 따른 증착용 마스크는 금속판을 포함하고, 상기 금속판은, 복수 개의 관통홀 및 상기 복수개 관통홀 사이의 브리지를 포함하는 유효 영역; 및 상기 유효 영역의 외곽에 배치되는 비유효 영역을 포함하고, 상기 비유효 영역에 배치되고, 상기 금속판의 길이방향의 일단에 가깝게 위치하는 제 1 하프 에칭부 및 상기 일단과 반대되는 타단에 가깝게 위치하는 제 2 하프 에칭부를 포함하고, 상기 금속판을 0.7kgf의 힘으로 상기 길이 방향으로 인장하였을 때, 하기 식 2에 의해 계산된 뒤틀림 지수 α는 0.85 내지 1.15인 것을 포함한다.
<식 2>
α=2B/(d1+d2)
상기 식 2에서,
상기 d1은 상기 제 1 하프 에칭부 및 상기 제 1 하프 에칭부와 인접한 유효 영역 사이의 비 유효 영역에서 측정된 금속판의 폭이고,
상기 d2는 상기 제 2 하프 에칭부 및 상기 제 2 하프 에칭부와 인접한 유효 영역 사이의 비 유효 영역에서 측정된 금속판의 폭이고,
상기 B는 상기 유효 영역의 중간 지점에서 측정된 금속판의 폭이다.
실시예에 따른 증착용 마스크는 식각되지 않은 영역에서 측정된 증착용 마스크의 두께와 식각된 영역에서 관통홀들을 연결 및 지지하는 증착용 마스크의 두께 차이를 작게할 수 있다. 즉, 실시예는 유기 물질이 증착되는 영역에서의 증착용 마스크의 두께와 유기 물질 미증착 영역에서의 증착용 마스크 두께의 차이에 따른 단차를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크를 인장할 때, 관통홀들을 연결 및 지지하는 식각된 브리지에서 증착용 마스크가 뒤틀리는 것을 방지할 수 있다.
또한, 실시예에 따른 증착용 마스크는 관통홀을 형성하기 위한 금속판 식각 공정에서, 식각을 방지하는 포토레지스트층 또는 감광성 필름 레지스트층이 탈막되는 것을 방지할 수 있어, 식각의 균일성을 향상시킬 수 있고, 복수 개의 관통홀들의 균일성이 향상될 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 증착용 마스크로 제작한 OLED 패널은 패턴의 증착 효율이 우수하고, 증착 균일성이 향상될 수 있다.
도 1 내지 도 3은 기판 상에 유기 물질을 증착하는 공정을 설명하기 위한 개념도들이다.
도 4 및 도 5는 증착용 마스크의 평면도를 도시한 도면들이다.
도 6은 도 4의 A-A'의 단면도를 도시한 도면이다.
도 7는 실시예에 따른 증착용 마스크의 뒤틀림 지수를 설명하기 위한 단면도이다.
도 8은 실시예에 따른 증착용 마스크의 뒤틀림 지수를 설명하기 위한 평면도이다.
도 9은 실시예에 따른 도 4의 A-A'의 단면도를 도시한 도면이다.
도 10는 비교예에 따른 도 4의 A-A'의 단면도를 도시한 도면이다.
도 11은 실시예에 따른 증착용 마스크의 증착 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 12은 비교예에 따른 증착용 마스크의 증착 공정을 설명하기 위한 도면이다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 실시예를 구체적으로 설명한다.
첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일한 구성요소는 동일한 도면 부호를 부여하고, 이에 대한 중복설명은 생략한다.
제 1, 제 2 등의 용어는 구성요소를 설명하는데 사용될 수 있으나, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 한정되지 않고, 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하는 목적으로만 사용된다.
또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.
도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
도 1 내지 도 3을 참조하여 기판 상에 유기 물질을 증착하는 공정을 설명한다.
도 1은 실시예에 따른 증착용 마스크(100)가 포함된 유기물 증착 장치를 나타낸 도면이다.
유기물 증착 장치는 증착용 마스크(100), 마스크 프레임(200), 기판(300), 유기물 증착 용기(400) 및 진공 챔버(500)를 포함할 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)는 복수 개의 관통홀을 포함할 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 복수 개의 관통홀을 포함하는 금속판일 수 있다. 이때, 상기 관통홀은 기판 상에 형성될 패턴과 대응되도록 형성될 수 있다.
상기 마스크 프레임(200)은 개구부를 포함할 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 복수 개의 관통홀은 상기 개구부와 대응되는 영역 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 유기물 증착 용기(400)로 공급되는 유기 물질이 상기 기판(300) 상에 증착될 수 있다. 상기 증착용 마스크는 상기 마스크 프레임(200) 상에 배치되어 고정될 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크는 인장되고, 상기 마스크 프레임(200) 상에 용접에 의하여 고정될 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착용 마스크(100)의 최외곽에 배치된 가장자리에서, 서로 반대되는 방향으로 잡아당겨질 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착용 마스크(100)의 길이 방향에서, 상기 증착용 마스크(100)의 일단 및 상기 일단과 반대되는 타단이 서로 반대되는 방향으로 잡아당겨질 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 일단과 상기 타단은 서로 마주보며 평행하게 배치될 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 일단은 상기 증착용 마스크(100)의 최외곽에 배치된 4개의 모서리를 이루는 단부 중 어느 하나일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 0.4 내지 1.5 kgf의 힘으로 인장될 수 있다. 이에 따라, 인장된 상기 증착용 마스크(100)는 상기 마스크 프레임(200) 상에 거치될 수 있다.
다음으로, 상기 증착용 마스크(100)는 용접에 의해서, 상기 마스크 프레임(200)에 고정될 수 있다. 그 다음으로, 상기 마스크 프레임(200)의 외부에 배치되는 상기 증착용 마스크(100)의 일부분은 절단 등의 방법으로 제거될 수 있다. 예를 들어, 상기 용접 과정에서 상기 증착용 마스크(100)가 변형됨에 따라, 상기 증착용 마스크(100)가 상기 증착용 마스크(100) 및 상기 마스크 프레임(200)의 고정 영역을 제외한 영역에 배치되는 경우에는, 상기 증착용 마스크의 일부분을 제거할 수 있다.
도 1 및 도 3을 참조하면, 상기 기판(300)은 표시 장치의 제조에 사용되는 기판일 수 있다. 상기 기판(300) 상에는 빛의 3원색인 화소를 형성하기 위하여, 빨강(Red), 초록(Green), 파랑(Blue)의 패턴이 형성될 수 있다.
상기 유기물 증착 용기(400)는 도가니일 수 있다. 상기 도가니의 내부에는 유기 물질이 배치될 수 있다.
상기 진공 챔버(500) 내에서 상기 도가니에 열원 및/또는 전류가 공급됨에 따라, 상기 유기 물질은 상기 기판(100) 상에 증착될 수 있다.
도 3은 상기 증착용 마스크(100)의 하나의 관통홀을 확대한 도면이다.
상기 증착용 마스크(100)는 제 1 면(101) 및 상기 제 1 면과 대향하는 제 2 면(102)을 포함할 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)의 상기 제 1 면(101)은 제 1 면공(V1)을 포함하고, 상기 증착용 마스크(100)의 상기 제 2 면(102)은 제 2 면공(V2)을 포함할 수 있다.
상기 관통홀은 상기 제 1 면공(V1) 및 상기 제 2 면공(V2)이 연통하는 연결부(CA)에 의하여 형성될 수 있다.
상기 제 2 면공(V2)의 폭은 상기 제 1 면공(V1)의 폭보다 클 수 있다. 이때, 상기 제 1 면공(V1)의 폭은 상기 제 1 면(101)에서 측정되고, 상기 제 2 면공(V2)의 폭은 상기 제 2 면(102)에서 측정될 수 있다.
상기 제 1 면공(V1)은 상기 기판(300)을 향하여 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 면공(V1)은 증착물(D), 즉 패턴과 대응되는 형상을 가질 수 있다.
상기 제 2 면공(V2)은 상기 유기물 증착 용기(400)를 향하여 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 2 면공(V2)은 상기 유기물 증착 용기(400)로부터 공급되는 유기물질을 넓은 폭에서 수용할 수 있고, 상기 제 2 면공(V2)보다 폭이 작은 상기 제 1 면공(V1)을 통해 상기 기판(300) 상에 미세한 패턴을 빠르게 형성할 수 있다.
도 4 및 도 5는 증착용 마스크(100)의 정면도를 도시한 도면들이다.
상기 증착용 마스크 (100)는 복수 개의 관통홀을 포함할 수 있다. 상기 도 4에 도시된 복수 개의 관통홀은 상기 제 2 면공(V2)을 나타낸 것일 수 있다. 임의의 어느 하나의 관통홀인 기준홀의 수평 방향의 직경(Cx)과 수직 방향의 직경(Cy)를 측정하는 경우, 상기 기준홀에 인접하는 홀 들(도시된 도면에서는 총 6개) 간의 각각의 수평 방향의 직경(Cx)들 간의 편차와, 수직 방향의 직경(Cy)들 간의 편차는 2% 내지 10% 로 구현될 수 있다. 즉, 하나의 기준홀의 인접홀들 간의 크기 편차가 2% 내지 10% 로 구현하는 경우에는 증착의 균일도를 확보할 수 있다.
예를 들어, 상기 기준홀과 상기 인접홀들 간의 크기 편차는 4% 내지 9% 일 수 있다. 예를 들어, 상기 기준홀과 상기 인접홀들 간의 크기 편차는 5% 내지 7%일 수 있다.
상기 기준홀과 상기 인접홀들 간의 크기 편차가 2% 미만인 경우에는, 증착 후 OLED 패널에서 무아레 발생율이 높아질 수 있다. 상기 기준홀과 상기 인접홀들 간의 크기 편차가 10%를 초과인 경우에는, 증착 후의 OLED 패널에서 색 얼룩의 발생율이 높아질 수 있다.
실시예는 상기 기준홀과 상기 인접홀들 간의 크기 편차를 ±3㎛ 이내로 구현할 수 있다. 이에 따라, 증착 효율이 향상될 수 있다.
상기 관통홀들은 방향에 따라, 일렬로 배치되거나 서로 엇갈려서 배치될 수 있다.
예를 들어, 도 4를 참조하면, 상기 관통홀들은 종축에서 일렬로 배치되고, 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다.
예를 들어, 도 5를 참조하면, 상기 관통홀들은 종축에서 일렬로 배치될 수 있고, 횡축에서 서로 엇갈려서 배치될 수 있다.
상기 관통홀은 종 방향에서 측정된 제 1 직경과, 횡 방향에서 측정된 제 2 직경이 서로 대응되거나 서로 다를 수 있다. 상기 관통홀은 A-A'의 단면방향과 대응되는 제 1 대각선 방향에서 측정된 제 3 직경과, 상기 제 1 대각선 방향과 교차하는 제 2 대각선 방향에서 측정된 제 4 직경이 서로 대응되거나 서로 다를 수 있다. 상기 관통홀은 라운드질 수 있다.
도 6은 복수 개의 관통홀들의 단면을 확대한 도면이다.
도 6을 참조하면, 증착용 마스크(100)는 금속 물질을 포함할 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 다결정으로 구성되고, 면심입방 구조일 수 있다.
예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 니켈 합금을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 니켈 약 35 내지 37 중량%, 철 약 63 내지 65 중량%와 미량의 C, Si, S, P, Cr, Mo, Mn, Ti, Co, Cu, Fe, Ag, Nb, V, In, Sb 중 적어도 하나 이상이 포함된 인바(Invar)를 포함할 수 있다. 여기에서, 미량은 1 중량% 이하인 것을 의미할 수 있다. 자세하게, 여기에서, 미량은 0.5 중량% 이하인 것을 의미할 수 있다. 다만, 실시예가 이에 제한되는 것은 아니며, 다양한 금속 물질을 포함할 수 있음은 물론이다.
상기 증착용 마스크(100)는 상기 제 1 면(101) 상에 복수의 제 1 면공(V1)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 면공(V1)은 제 1 서브 제 1 면공(V1a) 및 상기 제 1 서브 제 1 면공(V1a)와 인접한 제 2 서브 제 1 면공(V1b)을 포함할 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)는 상기 제 2 면(102) 상에 복수의 제 2 면공(V2)을 포함할 수 있다. 상기 제 2 면공(V2)은 제 1 서브 제 2 면공(V2a) 및 상기 제 1 서브 제 2 면공(V2a)와 인접한 제 2 서브 제 2 면공(V2b)을 포함할 수 있다.
상기 제 1 서브 제 1 면공(V1a) 및 상기 제 1 서브 제 2 면공(V2a)은 연결부(CA)를 통하여 연통하여 하나의 관통홀을 형성하고, 상기 제 2 서브 제 1 면공(V1b) 및 상기 제 2 서브 제 2 면공(V2b)은 연결부(CA)를 통하여 연통하여 다른 하나의 관통홀을 형성할 수 있다. 즉, 상기 증착용 마스크(100)는 복수 개의 관통홀을 포함할 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)의 두께(T)는 10㎛ 내지 50㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)의 두께(T)는 10㎛ 내지 30㎛일 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 두께(T)가 10㎛ 미만인 경우에는, 제조 효율이 낮을 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)의 두께(T)가 50㎛ 초과인 경우에는, 관통홀을 형성하기 위한 공정 효율이 저하될 수 있다. 여기에서, 상기 증착용 마스크(100)의 두께(T)는 압연 공정 후에 측정된 것을 의미할 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)의 두께는 50㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)의 두께는 30㎛ 이하일 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)는 관통홀의 두께 방향에 따라, 서로 다른 관통홀의 폭을 가질 수 있다.
예를 들어, 상기 제 1 서브 제 1 면공(V1a)의 폭(W1)은 상기 연결부(CA)의 폭(W3)보다 클 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 서브 제 1 면공(V1a)은 상기 제 1 면(101)으로부터 상기 연결부(CA)를 향하여 갈수록 상기 관통홀의 폭이 감소될 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 서브 제 1 면공(V1a)은 상기 제 1 면(101)으로부터 상기 연결부(CA)를 향하여 갈수록 상기 관통홀의 폭이 점차적으로 감소될 수 있다.
예를 들어, 상기 제 1 서브 제 2 면공(V2a)의 폭(W2)은 상기 연결부(CA)의 폭(W3)보다 클 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 서브 제 2 면공(V2a)은 상기 제 2 면(102)으로부터 상기 연결부(CA)를 향하여 갈수록 상기 관통홀의 폭이 감소될 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 서브 제 2 면공(V2a)은 상기 제 2 면(102)으로부터 상기 연결부(CA)를 향하여 갈수록 상기 관통홀의 폭이 점차적으로 감소될 수 있다.
상기 관통홀의 폭은 20㎛이상일 수 있다.
예를 들어, 상기 제 1 서브 제 1 면공(V1a)의 폭(W1) 및 상기 제 1 서브 제 2 면공(V2a)의 폭(W2) 중 적어도 하나는 20㎛ 내지 50㎛의 폭을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 서브 제 1 면공(V1a)의 폭(W1) 및 상기 제 1 서브 제 2 면공(V2a)의 폭(W2) 중 적어도 하나는 30㎛ 내지 50㎛의 폭을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 서브 제 1 면공(V1a)의 폭(W1) 및 상기 제 1 서브 제 2 면공(V2a)의 폭(W2) 중 적어도 하나는 20㎛ 내지 40㎛의 폭을 가질 수 있다.
자세하게, 상기 제 1 서브 제 1 면공(V1a)의 폭(W1)은 20㎛ 내지 50㎛의 폭을 가질 수 있고, 상기 제 1 서브 제 2 면공(V2a)의 폭(W2)는 50㎛ 내지 90㎛의 폭을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 서브 제 1 면공(V1a)의 폭(W1)은 20㎛ 내지 50㎛의 폭을 가질 수 있고, 상기 제 1 서브 제 2 면공(V2a)의 폭(W2)는 60㎛ 내지 90㎛의 폭을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 서브 제 1 면공(V1a)의 폭(W1)은 30㎛ 내지 50㎛의 폭을 가질 수 있고, 상기 제 1 서브 제 2 면공(V2a)의 폭(W2)는 70㎛ 내지 90㎛의 폭을 가질 수 있다.
상기 제 1 서브 제 2 면공(V2a)의 깊이(H2)는 상기 제 1 서브 제 1 면공(V1a)의 깊이(H1)보다 클 수 있다.
한편, 상기 제 1 서브 제 1 면공(V1a)의 깊이(H1)는 상기 증착용 마스크(100)의 두께(T)와의 관계 비율이 1:(3~30)을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 서브 제 1 면공(V1a)의 깊이(H1)는 상기 증착용 마스크(100)의 두께(T)와의 관계 비율이 1:(3.5~12.5)을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 서브 제 1 면공(V1a)의 깊이(H1)는 상기 증착용 마스크(100)의 두께(T)와의 관계 비율이 1:(4.5~10.5)을 가질 수 있다.
상기 제 1 서브 제 1 면공(V1a)의 깊이(H1)가 상기 증착용 마스크(100)의 두께(T)와의 관계에서 상기 비율을 초과하는 경우에는, 상기 제 1 서브 제 1 면공(V1a)의 깊이(H1)가 커져서, 유기물질의 두께 변화가 커지게 되며, 이로 인해 유기물질이 증착되지 않는 영역이 발생할 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크를 통해 제조된 OLED 패널의 제조 수율이 저하될 수 있다.
상기 제 1 서브 제 1 면공(V1a)의 깊이(H1)는 0.1㎛ 내지 7㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 서브 제 1 면공(V1a)의 깊이(H1)는 2㎛ 내지 6.5㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 서브 제 1 면공(V1a)의 깊이(H1)는 2㎛ 내지 4.5㎛일 수 있다. 상기 제 1 서브 제 1 면공(V1a)의 깊이(H1)가 0.1㎛ 미만인 경우에는, 상기 증착용 마스크를 통한 유기 물질의 증착 효율이 저하될 수 있다. 상기 제 1 서브 제 1 면공(V1a)의 깊이(H1)가 7㎛ 초과인 경우에는, 미세한 크기의 패턴을 형성하기 어렵고, 유기 물질이 증착되지 않는 영역이 발생할 수 있어, 이를 통해 제조된 OLED 패널의 제조 수율이 저하될 수 있다.
상기 제 1 서브 제 2 면공(V2a)의 깊이(H2)는 15㎛ 내지 25㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 서브 제 2 면공(V2a)의 깊이(H2)는 20㎛ 내지 25㎛일 수 있다.
상기 연결부(CA)의 끝단의 임의의 지점(A1)과 상기 제 1 서브 제 2 면공(V2a)의 끝단의 임의의 지점(B1)을 연결하는 경사각은 20도 내지 70도의 범위일 수 있다. 예를 들어, 상기 연결부(CA)의 끝단의 임의의 지점(A1)과 상기 제 1 서브 제 2 면공(V2a)의 끝단의 임의의 지점(B1)을 연결하는 경사각은 30도 내지 60도의 범위일 수 있다. 예를 들어, 상기 연결부(CA)의 끝단의 임의의 지점(A1)과 상기 제 1 서브 제 2 면공(V2a)의 끝단의 임의의 지점(B1)을 연결하는 경사각은 32도 내지 38도 또는 52도 내지 58도의 범위일 수 있다. 상기 연결부(CA)의 끝단의 임의의 지점(A1)과 상기 제 1 서브 제 2 면공(V2a)의 끝단의 임의의 지점(B1)을 연결하는 경사각은 20도 내지 70도의 범위일 때, 증착의 균일성이 향상될 수 있다. 상기 경사각의 범위를 벗어나는 경우에는 유기물질이 증착되지 않는 영역이 발생할 수 있으므로, 증착 효율 및 공정 효율이 저하될 수 있다.
상기 제 1 면공(V1)은 상기 증착용 마스크(100)의 깊이 방향의 연결부로 갈수록 관통홀의 폭이 좁아질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 면공(V1)의 내표면은 곡률을 가지는 구조일 수 있다. 또한, 상기 제 2 면공(V2)은 상기 증착용 마스크(100)의 깊이 방향의 연결부로 갈수록 관통홀의 폭이 좁아질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 면공(V1)의 내표면은 곡률을 가지는 구조일 수 있다. 이에 따라, 증착물질의 투입 밀도가 조절될 수 있고, 단순한 슬로프 구조에 비하여 증착의 균일도가 향상될 수 있다.
상기 제 1 서브 제 1 면공(V1a)의 폭(W1)과 상기 연결부(CA)의 폭(W3)의 차이(W1-W3)는 0.2㎛ 내지 14㎛의 범위일 수 있다.
상기 제 1 서브 제 1 면공(V1a)의 끝단의 임의의 점(C1)에서 상기 연결부(CA)의 끝단의 임의의 지점(A1)까지의 수직 거리는 0.1㎛ 내지 7㎛의 범위일 수 있다. 상기 제 1 서브 제 1 면공(V1a)의 끝단의 임의의 점(C1)에서 상기 연결부(CA)의 끝단의 임의의 지점(A1)까지의 수직 거리는 1㎛ 내지 6㎛의 범위일 수 있다. 상기 제 1 서브 제 1 면공(V1a)의 끝단의 임의의 점(C1)에서 상기 연결부(CA)의 끝단의 임의의 지점(A1)까지의 수직 거리는 2㎛ 내지 4.5㎛의 범위일 수 있다.
상기 수직 거리가 0.1㎛ 미만인 경우에는 상기 증착용 마스크(100)를 통한 유기 물질의 증착 효율이 저하될 수 있다. 상기 수직 거리가 7㎛ 초과인 경우에는, 미세한 크기의 패턴을 형성하기 어렵고, 유기 물질이 증착되지 않는 영역이 발생할 수 있어, 이를 통해 제조된 OLED 패널의 제조 수율이 저하될 수 있다.
상기 제 1 면공(V1)은 상기 제 1 면(101) 상의 오픈 영역의 모서리부, 즉 오픈 영역의 외곽부가 곡률을 가질 수 있다. 또는, 상기 제 2 면공(V2)은 상기 제 2 면(102) 상의 오픈 영역의 모서리부, 즉 오픈 영역의 외곽부가 곡률을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 오픈 영역의 모서리부는 일정한 범위의 곡률을 가지는 라운딩된 구조일 수 있다. 상기 모서리부의 라운딩된 부분의 곡률을 연장하여 형성되는 가상의 원의 지름은 5㎛ 내지 20㎛ 범위일 수 있다. 예를 들어, 상기 모서리부의 라운딩된 부분의 곡률을 연장하여 형성되는 가상의 원의 지름은 7㎛ 내지 15㎛ 범위일 수 있다. 상기 모서리부의 라운딩된 부분의 곡률을 연장하여 형성되는 가상의 원의 지름은 8㎛ 내지 12㎛ 범위일 수 있다. 상기 범위에서 증착율이 높고, 균일한 유기 물질의 증착이 가능할 수 있다.
상기 모서리부의 라운딩된 부분의 곡률을 연장하여 형성되는 가상의 원의 지름이 5㎛ 미만인 경우에는, 곡률처리를 하지 않은 것과의 증착율에 차이가 크지 않을 수 있다. 상기 모서리부의 라운딩된 부분의 곡률을 연장하여 형성되는 가상의 원의 지름이 20㎛ 초과인 경우에는 증착율이 저하될 수 있다.
상기 제 2 서브 제 2 면공(V2b)의 폭(W5)은 상기 제 2 서브 제 1 면공(V1b)의 폭(W4)보다 클 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 서브 제 1 면공(V1b)의 폭(W4)은 상기 연결부(CA)의 폭(W6)보다 클 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 서브 제 1 면공(V1b)은 상기 제 1 면(101)으로부터 상기 연결부(CA)를 향하여 갈수록 상기 관통홀의 폭이 감소될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 서브 제 1 면공(V1b)은 상기 제 1 면(101)으로부터 상기 연결부(CA)를 향하여 갈수록 상기 관통홀의 폭이 점차적으로 감소될 수 있다.
예를 들어, 상기 제 2 서브 제 2 면공(V2b)의 폭(W5)은 상기 연결부(CA)의 폭(W6)보다 클 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 서브 제 2 면공(V2b)은 상기 제 2 면(102)으로부터 상기 연결부(CA)를 향하여 갈수록 상기 관통홀의 폭이 감소될 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 2 서브 제 2 면공(V2b)은 상기 제 2 면(102)으로부터 상기 연결부(CA)를 향하여 갈수록 상기 관통홀의 폭이 점차적으로 감소될 수 있다.
상기 제 2 서브 제 2 면공(V2b)의 깊이(H4)는 상기 제 2 서브 제 1 면공(V1b)의 깊이(H3)보다 클 수 있다.
도 7 및 도 8를 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 복수 개의 관통홀(H) 및 상기 복수개의 관통홀 사이의 브리지 (BR)를 포함하는 유효 영역(AA) 및 상기 유효 영역의 외곽에 배치되는 비유효 영역(UA)을 포함할 수 있다.
상기 유효 영역(AA)은 복수 개의 관통홀들 중 최외곽에 위치한 관통홀들의 외곽을 연결하였을 때의 안쪽 영역일 수 있다. 상기 비유효 영역(UA)은 복수 개의 관통홀들 중 최외곽에 위치한 관통홀들의 외곽을 연결하였을 때의 바깥쪽 영역일 수 있다. 자세하게, 복수 개의 관통홀(H)들 중 최외곽에 위치한 제 2 면공의 끝단은 상기 유효 영역(AA)과 상기 비유효 영역(UA)의 경계가 될 수 있다.
상기 유효 영역(AA)은 최외곽에 위치한 제 2 면공(V2)의 끝단의 지점들을 기준으로 안쪽 영역, 즉, 증착 물질이 투입되는 제 2 면공(V2)이 배치되는 영역을 의미한다. 한편, 최외곽에 위치한 제 2 면공(V2)의 끝단들을 기준으로 바깥쪽 영역, 즉, 증착에 관여하지 않는 영역을 비유효 영역(UA)으로 정의한다.
상기 유효 영역(AA)에 배치되는 증착용 마스크(100)는 복수 개의 관통홀들을 지지할 수 있다. 즉, 상기 복수 개의 관통홀들 사이에는 브리지가 배치될 수 있다. 자세하게, 인접한 관통홀들 사이에는 상기 브리지가 배치될 수 있다. 증착용 마스크(100)의 제 1 면 상에 위치한 제 1 브리지부와 금속판의 제 2 면 상에 위치한 제 2 브리지부에 의하여 균일한 크기의 관통홀이 지지될 수 있다.
또한, 상기 유효 영역(AA)에 배치되는 증착용 마스크 (100)는 상기 유기 물질의 증착 공정에서, 상기 유기물 증착 용기로부터 공급되는 유기물질이 상기 기판 상에 일정한 범위의 패턴의 폭을 가지면서 증착될 수 있게 하는, 증착에 관여하는 영역(증착 영역)일 수 있다.
상기 비유효 영역(UA)에 배치되는 증착용 마스크(100)는 오픈부를 포함하지 않는 미에칭 영역일 수 있다. 즉, 상기 비유효 영역(UA)에 배치되는 증착용 마스크(100)는 상기 유기 물질의 증착 공정에서, 유기 물질을 통과시킬 수 있는 오픈 영역을 포함하지 않기 때문에, 증착에 관여하지 않는 영역(미증착 영역)일 수 있다.
상기 비유효 영역(UA)은 제 1 하프 에칭부(E) 및 제 2 하프 에칭부(E)를 포함할 수 있다.
도 7를 참조하면, 상기 제 1 및 제 2 하프 에칭부(E)는 금속판의 제 1 면에 홈을 포함할 수 있다. 즉, 상기 제 1 및 제 2 하프 에칭부(E)는 비유효 영역(UA)에 위치한 증착용 마스크(100)의 상기 제 1 면이 부분적으로 식각됨에 따라, 홈이 형성될 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크는 상기 제 1 및 제 2 하프 에칭부(E)가 형성되는 영역에서 단차를 가질 수 있다.
증착용 마스크는 비유효 영역(UA)에서 서로 다른 두께를 가질 수 있다. 식각 되지 않은 부분의 두께(T)는 상기 하프 에칭부(E)가 배치되는 영역의 두께보다 클 수 있다. 예를 들어, 상기 하프 에칭부(E)가 배치되는 영역은 식각되지 않은 부분에서 측정된 두께(T)의 약 1/2의 두께를 가질 수 있다.
상기 하프 에칭부(E) 및/또는 상기 하프 에칭부(E)의 주변 영역은 상기 마스크 프레임과 용접에 의하여 연결되는 영역일 수 있다. 예를 들어, 상기 하프 에칭부(E) 및/또는 상기 하프 에칭부(E)의 주변 영역은 용접에 의하여 변형됨에 따라, 상기 마스크 프레임(200)에 고정될 수 있다. 자세하게, 상기 하프 에칭부(E)의 홈에는 전체적으로 또는 부분적으로 용접 물질이 채워질 수 있다.
도 8을 참조하면, 상기 비유효 영역(UA)에 배치되는 증착용 마스크(100)는 양 끝단이 수평 방향으로 인장되고, 마스크 프레임 상에 고정될 수 있다. 더 자세하게, 상기 비유효 영역(UA)에 배치되는 증착용 마스크의 일단과 타단은 y축 방향과 평행하게 배치 될 수 있고, 상기 일단과 타단은 y축 방향과 수직인 x축 방향, 즉 수평 방향으로 인장될 수 있다.
상기 비유효 영역(UA)에 배치되는 상기 하프 에칭부(E)는 부분적으로 또는 전체적으로 라운드진 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 비유효 영역(UA)에 배치되는 상기 하프 에칭부(E)는 반달 형상을 가질 수 있다. 즉, 상기 하프 에칭부(E)는 직선 형상 및 곡선 형상을 가질 수 있다. 자세하게, 상기 하프 에칭부(E)는 증착용 마스크의 수직 방향으로 연장된 직선부 및 상기 직선부의 양 끝을 연결하는 곡선부를 포함할 수 있다. 이때, 상기 직선부는 상기 증착용 마스크 x축 방향의 모서리를 이루는 단부와 수직인 각도를 가질 수 있다. 상기 직선부는 복수 개의 관통홀을 가로지르는 길이를 가질 수 있다. 상기 직선부는 유효 영역 및 비유효 영역의 경계에 위치한 제 2 면공들의 끝단을 잇는 수직 방향의 가상의 선과 평행할 수 있다. 한편, 상기 곡선부는 동일한 곡률을 가질 수 있다. 또는, 상기 곡선부는 위치에 따라, 서로 다른 곡률을 가질 수 있다. 예를 들어, 증착용 마스크의 수직 방향의 길이가 c라고 할 때, 상기 곡선부는 1/2c 길이의 지점으로 갈수록 곡률 반경이 증가할 수 있다. 다만, 실시예는 이에 제한되지 않고, 직사각형 형상의 하프 에칭부를 포함할 수 있음은 물론이다.
도 6, 도 7 및 도 9을 참조하면, 실시예에 따른 증착용 마스크는 상기 유효 영역(AA)과 상기 비유효 영역(UA)에서의 증착용 마스크(100)의 단차가 작을 수 있다.
하기 식 1에 의하여 계산된 k 값은 상기 비유효 영역(UA), 즉 식각되지 않은 영역에서의 증착용 마스크(100) 두께와 상기 유효 영역(AA), 즉 식각된 영역에서의 증착용 마스크(100) 두께의 차이의 비를 나타낼 수 있다.
<식 1>
k=H2(T-H1)
상기 식에서, 상기 T는 상기 비유효 영역(UA)에서 측정된 증착용 마스크(100)의 두께(T)이다. 여기에서, 상기 T는 식각되지 않은 부분에서 측정된 것을 의미할 수 있다. 즉, 하프 에칭부가 형성되지 않은 영역에서 측정된 것이다.
상기 H1은 상기 복수 개의 관통홀 중 인접한 두 개의 관통홀 사이의 브리지의 두께가 최대인 지점에서, 상기 연결부를 기준으로 상기 제 1 면 방향으로의 두께이고, 상기 H2는 상기 인접한 두 개의 관통홀 사이의 브리지의 두께가 최대인 지점에서, 상기 연결부를 기준으로 상기 제 2 면 방향으로의 두께이다.
상기 식 1의 H1 및 H2는, 상기 복수 개의 관통홀 중 대각선 방향으로 인접한 두 개의 관통홀 사이의 브리지에서 측정한 두께이다.
예를 들어, 상기 H2는 임의의 브리지의 두께가 최대인 지점에서 측정된 상기 연결부(CA)로부터 상기 제 2 면공(V2)이 배치된 상기 제 2 면(102)까지의 최단 거리를 의미하는 것으로, 상기 최단 거리는 기판의 두께 방향에서 측정할 수 있다.
실시예에 따른 증착용 마스크는 상기 식 1에 의하여 계산된 k 값이 0.65 내지 1 미만일 수 있다.
실시예에 따른 증착용 마스크는 상기 식 1에 의하여 계산된 k 값이 0.8 내지 1.0 미만일 수 있다.
즉, 식각되지 않은 영역에서 측정된 증착용 마스크의 두께와 식각된 영역에서 관통홀들을 연결 및 지지하는 증착용 마스크의 두께 차이가 작거나, 단차가 없을 수 있어, 증착용 마스크를 인장할 때 상기 식각된 영역에서 증착용 마스크의 뒤틀림을 방지할 수 있다. 또한, 실시예에 따른 증착용 마스크는 식각 공정에서 식각을 방지하는 포토레지스트층 또는 감광성 필름 레지스트층이 탈막되는 것을 방지할 수 있어, 식각의 균일성이 향상됨에 따라, 관통홀의 균일성이 향상될 수 있다. 실시예는 상기 기준홀과 상기 인접홀들 간의 크기 편차를 ±3㎛ 이내로 구현할 수 있으므로, 증착 효율이 향상될 수 있다.
상기 식 1에 의하여 계산된 k 값이 0.65 미만인 경우에는, 상기 비유효 영역(UA), 즉 식각되지 않은 영역에서 측정된 증착용 마스크의 두께와 상기 유효 영역(AA), 즉 식각된 영역에서 관통홀들을 연결 및 지지하는 증착용 마스크의 두께 차이가 크기 때문에, 증착용 마스크를 인장할 때 상기 식각된 영역에서 증착용 마스크의 뒤틀림이 발생할 수 있다.
도 10을 참조하여, H2 값이 작을 때의 문제점을 설명한다. 상기 H2 값이 작음에 따라, k 값이 작아지는 경우에는, 식각 공정에서 식각을 방지하는 포토레지스트층 또는 감광성 필름 레지스트층이 탈막될 수 있다. 또한, 식각의 균일성이 저하됨에 따라, 관통홀의 균일성이 저하될 수 있다. 복수 개의 관통홀이 균일하지 않을 경우, 증착의 균일성이 저하될 수 있고, 이로 인해 형성되는 패턴의 증착 효율이 저하됨에 따라 공정 효율이 저하될 수 있다.
도 7 및 도 8을 참조하여, 뒤틀림 지수를 설명한다. 증착용 마스크를 길이 방향, 즉 수평 방향으로 인장하였을 때, 상기 증착용 마스크가 뒤틀리는 정도를 하기 식 2에 따른 뒤틀림 지수 α로 표현할 수 있다.
<식 2>
α=2B/(d1+d2)
상기 뒤틀림 지수 α는 금속판을 0.7㎏f의 힘으로 상기 길이방향으로 인장하였을 때, 측정된 것이다.
상기 식 2에서,
상기 d1은 상기 제 1 하프 에칭부 및 상기 제 1 하프 에칭부와 인접한 유효 영역 사이의 비유효 영역에서 측정된 금속판의 폭이고,
상기 d2는 상기 제 2 하프 에칭부 및 상기 제 2 하프 에칭부와 인접한 유효 영역 사이의 비유효 영역에서 측정된 금속판의 폭이고,
상기 B는 상기 유효 영역의 중간 지점에서 측정된 금속판의 폭이다.
상기 유효 영역와 상기 비유효 영역은 수직 방향에서 제 1 경계 영역(BA1)과 제 2 경계 영역(BA2)으로 구별될 수 있다. 상기 제 1 경계 영역(BA1)과 상기 제 2 경계 영역(BA2)의 사이에는 복수 개의 관통홀과 브리지가 포함될 수 있다.
상기 비유효 영역(UA)에는 복수 개의 하프 에칭부(E)가 포함될 수 있다. 예를 들어, 상기 비유효 영역(UA)에는 제 1 및 제 2 하프 에칭부(E)가 포함될 수 있다. 상기 제 1 하프 에칭부와 인접한 유효 영역은 상기 제 1 경계 영역(BA1)일 수 있다. 상기 제 2 하프 에칭부와 인접한 유효 영역은 상기 제 2 경계 영역(BA2)일 수 있다.
자세하게, 상기 제 1 경계 영역(BA1)과 인접한 비유효 영역(UA)에는 하나의 하프 에칭부(E)인 제 1 하프 에칭부가 배치될 수 있다. 상기 제 2 경계 영역(BA2)과 인접한 비유효 영역(UA)에는 다른 하나의 하프 에칭부(E)인 제 2 하프 에칭부가 배치될 수 있다. 이때, 하프 에칭부(E)의 곡선부는 각각 인장되는 수평 방향으로 돌출된 형상일 수 있다. 이에 따라, 상기 하프 에칭부(E)는 인장시 가해지는 응력을 분산시킬 수 있다.
상기 제 1 경계 영역(BA1)과 인접한 하프 에칭부(E)의 일 측면은 제 3 경계 영역(BA3)으로 정의될 수 있다. 상기 제 2 경계 영역(BA2)과 인접한 하프 에칭부(E)의 일 측면은 제 4 경계 영역(BA4)으로 정의될 수 있다.
즉, 금속판은 상기 제 1 경계 영역(BA1), 상기 제 2 경계 영역(BA2)을 기준으로 관통홀에 의해서 두께 변화가 발생할 수 있다. 또한, 금속판은 상기 제 3 경계 영역(BA3), 상기 제 4 경계 영역(BA4)을 기준으로 홈에 의해서 두께 변화가 발생할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 경계 영역(BA1), 상기 제 2 경계 영역(BA2), 상기 제 3 경계 영역(BA3), 상기 제 4 경계 영역(BA4)은 식각에 의하여 두께 변화가 발생하는 지점의 경계를 나타내는 영역일 수 있다.
상기 식 2에서, 상기 d1은 상기 제 1 하프 에칭부 및 상기 제 1 하프 에칭부와 인접한 유효 영역 사이의 비유효 영역에서 측정된 금속판의 폭이고, 상기 d2는 상기 제 2 하프 에칭부 및 상기 제 2 하프 에칭부와 인접한 유효 영역 사이의 비유효영역에서 측정된 금속판의 폭이다.
즉, 상기 d1 및 상기 d2는 비유효 영역(UA)에 위치한 하프 에칭부의 직선부와 유효 영역과 비유효 영역의 경계에 위치한 제 2 면공들 사이의 1/2 지점에서 측정된 수직 방향의 증착용 마스크의 길이이다.
상기 B는 상기 유효 영역의 중간 지점에서 측정된 금속판의 폭이다. 즉, 상기 B는 d1의 측정 지점과 d2의 측정 지점의 1/2 지점에서 측정된 수직 방향의 증착용 마스크 길이이다.
실시예에 따른 증착용 마스크는 상기 식 2에 의해 계산된 뒤틀림 지수 α가 0.85 내지 1.15 인 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 실시예는 상기 식 2에 의해 계산된 뒤틀림 지수 α가 0.9 내지 1.1 인 것을 포함할 수 있다.
실시예는 상기 뒤틀림 지수 α가 0.85 내지 1.15 인 것을 포함하므로, 인장에 의한 힘이 고르게 분산될 수 있다. 또한, 실시예에 따른 증착용 마스크는 위치에 따른 수직 방향의 길이 차이가 감소될 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 증착용 마스크는 상기 유효 영역(AA)과 상기 비유효 영역(UA)에서의 금속판의 폭의 차이가 작을 수 있어, 관통홀의 뒤틀림이 저하될 수 있다.
상기 뒤틀림 지수가 α가 0.85 미만이거나, 또는 1.15 초과인 경우에는, 상기 관통홀들을 지지하는 유효 영역(AA)에 배치되는 증착용 마스크의 뒤틀림이 커질 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크로 인해 형성되는 패턴은 증착 효율이 저하될 수 있다. 또한, 상기 증착용 마스크로 인해 형성되는 패턴들은 서로 겹치는 부분이 형성될 수 있어, OLED 패턴의 제조 수율이 저하될 수 있다.
상기 유효 영역(AA)에 배치되는 증착용 마스크(100)는 상기 비유효 영역(UA)에 배치되는 증착용 마스크(100)와 일체로 형성된 것일 수 있다.
상기 유효 영역(AA)에 배치되는 증착용 마스크는 복수 개의 관통홀을 지지하는 브리지를 포함할 수 있다.
상기 브리지는 상기 금속판의 상기 제 1 면(101) 상의 상기 제 1 면공(V1) 사이를 지지하는 제 1 브리지부(BR1) 및 상기 금속판의 상기 제 2 면(102) 상의 상기 제 2 면공(V2) 사이를 지지하는 제 2 브리지부(BR2)를 포함할 수 있다.
상기 제 1 브리지 (BR1)와 상기 제 2 브리지 (BR2)는 폭이 서로 다를 수 있다. 상기 제 1 면에서의 상기 제 1 브리지부(BR1)의 폭은 상기 제 2 면에서의 상기 제 2 브리지부(BR2)의 폭보다 클 수 있다. 여기에서, 상기 제 1 브리지부(BR1)의 폭은 상기 제 1 면에서 측정된 것이고, 상기 제 2 브리지부(BR2)의 폭은 상기 제 2 면에서 측정된 것일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 브리지부(BR1)의 폭은 인접한 관통홀 사이를 지지하는 각각의 상기 제 1 브리지부(BR1)의 평균 폭을 의미할 수 있다. 상기 제 2 브리지부(BR2)의 폭은 인접한 관통홀 사이를 지지하는 각각의 상기 제 2 브리지부(BR2)의 평균 폭을 의미할 수 있다.
상기 제 1 브리지부 (BR1) 및 상기 제 2 브리지부 (BR2)는 증착용 마스크의 두께에 따라, 폭이 달라질 수 있다. 따라서, 하기의 두께는 예시일 뿐, 이에 제한되지 않는다.
일례로, 상기 제 1 브리지부 (BR1)의 폭은 20㎛ 내지 50㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 브리지부 (BR1)의 폭은 30㎛ 내지 45㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 브리지부 (BR1)의 폭은 30㎛ 내지 40㎛일 수 있다.
일례로, 상기 제 2 브리지부 (BR2)의 폭은 0.5㎛ 내지 7㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 브리지부 (BR2)의 폭은 1㎛ 내지 5㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 브리지부 (BR2)의 폭은 1㎛ 내지 3㎛일 수 있다.
상기 제 1 브리지부 (BR1) 및 상기 제 2 브리지부 (BR2)는 평면적이 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 브리지부 (BR1)는 상기 제 2 브리지부 (BR2)보다 평면적이 클 수 있다.
상기 제 1 브리지부 (BR1)는 평면 영역일 수 있다. 또한, 상기 제 2 브리지부 (BR2)는 평면 영역일 수 있다. 상기 제 1 브리지부 (BR1) 및 상기 제 2 브리지부 (BR2)는 평면일 수 있어, 식각 공정에서, 식각을 방지하는 포토레지스트층 또는 감광성 필름 레지스트층의 부착력을 높일 수 있어, 균일성이 향상된 관통홀을 형성할 수 있다.
상기 유효 영역(AA)에서 측정된 상기 증착용 마스크(100)의 제 1 면의 깊이는 상기 비유효 영역(UA)에서 측정된 상기 증착용 마스크(100)의 제 1 면의 깊이와 대응되고, 상기 유효 영역(AA)에서 측정된 상기 증착용 마스크(100)의 상기 제 2 면의 깊이는 상기 비유효 영역(UA)에서 측정된 상기 증착용 마스크(100)의 제 2 면의 깊이와 대응되는 것을 포함할 수 있다.
또는, 상기 유효 영역(AA)에서 측정된 상기 증착용 마스크(100)의 제 1 면과 비유효 영역(UA)에서 측정된 상기 증착용 마스크(100)의 제 1 면의 깊이 편차는 상기 유효 영역(AA)에서 측정된 상기 증착용 마스크(100)의 제 2 면과 상기 비유효 영역(UA)에서 측정된 상기 증착용 마스크(100)의 제 2 면의 깊이 편차보다 작을 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 제 2 면은 상기 제 2 면공(V2)이 형성되는 면으로, 상기 제 1 면보다 식각 면적이 크기 때문에, 상기 제 1 면보다 깊이 편차가 클 수 있다.
즉, 상기 제 1 브리지부 (BR1)에서의 상기 제 1 면(101)은 상기 비유효 영역(UA)에서의 상기 제 1 면(101)과 서로 대응되는 깊이를 가질 수 있다. 이에 따라, 인장에 의한 비틀림을 감소시킬 수 있다.
또는, 상기 제 1 브리지부 (BR1)에서의 상기 제 1 면(101)은 상기 비유효 영역(UA)에서의 상기 제 1 면(101)과 서로 다른 깊이를 가질 수 있다. 이때, 상기 제 1 브리지부 (BR1)에서의 상기 제 1 면(101)은 상기 비유효 영역(UA)에서의 상기 제 1 면(101)과 서로 마주보며 평행하게 배치될 수 있다. 이에 따라, 인장에 의한 비틀림을 감소시킬 수 있다.
일례로, 상기 제 1 브리지부 (BR1)에서의 상기 제 1 면(101)은 상기 비유효 영역(UA)에서의 상기 제 1 면(101)과 5㎛ 미만의 깊이 차이를 가질 수 있다. 다만, 해당 수치는 깊이 차이가 0㎛인 것을 포함하며, 증착용 마스크의 두께에 따라 달라질 수 있으므로, 이에 제한되지 않는다.
상기 제 2 브리지부 (BR2)에서의 상기 제 2 면(102)은 상기 비유효 영역(UA)에서의 상기 제 2 면(102)과 서로 대응되는 깊이를 가질 수 있다. 이에 따라, 인장에 의한 비틀림을 감소시킬 수 있다.
또는, 상기 제 2 브리지부(BR2)에서의 상기 제 2 면(102)은 상기 비유효 영역(UA)에서의 상기 제 2 면(102)과 서로 다른 깊이를 가질 수 있다. 이때, 상기 제 2 브리지부 (BR2)에서의 상기 제 2 면(102)은 상기 비유효 영역(UA)에서의 상기 제 2 면(102)과 서로 마주보며 평행하게 배치될 수 있다. 이에 따라, 인장에 의한 비틀림을 감소시킬 수 있다.
일례로, 상기 제 2 브리지부 (BR2)에서의 상기 제 2 면(102)은 상기 비유효 영역(UA)에서의 상기 제 2 면(102)과 5㎛ 미만 의 깊이 차이를 가질 수 있다. 다만, 해당 수치는 깊이 차이가 0㎛인 것을 포함하며, 증착용 마스크의 두께에 따라 달라질 수 있으므로, 이에 제한되지 않는다.
즉, 실시예에 따른 증착용 마스크는 인장에 의한 뒤틀림이 작은 구조를 가질 수 있어, 균일한 관통홀을 형성할 수 있으므로, 실시예에 따른 증착용 마스크로 제작한 OLED 패널은 패턴의 증착 효율이 우수하고, 증착 균일성이 향상될 수 있다.
이하, 실시예들 및 비교예들을 통하여 본 발명을 좀더 상세하게 설명한다. 이러한 실시예는 본 발명을 좀더 상세하게 설명하기 위하여 예시로 제시한 것에 불과하다. 따라서 본 발명이 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니다.
<실험예 1: k 값에 따른 관통홀의 균일성 평가>
k 값 관통홀의 균일성
0.1 불량
0.15 불량
0.2 불량
0.25 불량
0.3 불량
0.35 불량
0.4 불량
0.45 불량
0.5 불량
0.55 불량
0.6 불량
0.65 양호
0.7 양호
0.75 양호
0.8 양호
0.85 양호
0.9 양호
0.95 양호
1.0 양호
상기 표 1은 k 값에 따른 관통홀의 균일성 평가 결과를 나타낸 것이다.
기준홀과 인접한 홀들의 크기 편차가 ±3㎛을 초과할 때, 불량인 것으로 표시하였고, 기준홀과 인접한 홀들의 크기 편차가 ±3㎛ 이내일 때, 양호한 것으로 표해하였다.
상기 표 1을 참조하면, k 값이 0.65 이상일 때, 관통홀의 균일성이 증가하는 것을 알 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 증착용 마스크를 통해 제조되는 유기 물질 패턴의 증착 효율이 향상되는 것을 알 수 있다.
한편, k값이 0.65 미만일 때, 관통홀의 균일성이 감소됨에 따라, 이를 통해 제조되는 유기 물질 패턴은 서로 크기가 달라질 수 있어, OLED 패널의 제조 수율이 저하될 수 있다.
<실험예 2: k 값에 따른 인장시 뒤틀림 평가>
k 값 인장시 뒤틀림
0.1 불량
0.15 불량
0.2 불량
0.25 불량
0.3 불량
0.35 불량
0.4 불량
0.45 불량
0.5 불량
0.55 불량
0.6 불량
0.65 불량
0.7 불량
0.75 불량
0.8 양호
0.85 양호
0.9 양호
0.95 양호
1.0 양호
상기 표 2는 k 값에 따른 인장시 증착용 마스크의 뒤틀림 평가 결과를 나타낸 것이다.
이때, k 값은 증착용 마스크 시편을 0.7 ㎏f로 당겨서, 뒤틀림을 측정한 것이다.
상기 증착용 마스크의 뒤틀림에 의하여, 기판 상에 배치되는 유기 물질 간에 중첩이 발생하거나, R, G, B 패턴의 폭의 편차가 불규칙한 경우, 불량인 것으로 표시하였고, 기판 상에 배치되는 유기 물질 간에 중첩이 발생하지 않고, R, G, B 패턴의 폭의 편차가 규칙적인 경우, 양호한 것으로 표시하였다.
상기 표 2를 참조하면, k 값이 0.8 이상일 때, 인장시 증착용 마스크의 뒤틀림이 저하될 수 있고, 이에 따라 기판 상에 형성되는 패턴층이 서로 겹치는 것을 방지할 수 있다.
또한, 도 11을 참조하면, k 값이 0.8 이상인 실시예에 따른 증착용 마스크는 R, G, B 패턴이 중첩되지 않고, R, G, B 패턴 간의 폭의 편차가 규칙적인 것을 알 수 있다. 이에 따라, OLED 패널의 제조 수율이 향상될 수 있다.
반면, k 값이 0.8 미만일 때, 인장시 증착용 마스크의 뒤틀림이 증가될 수 있고, 이에 따라, 기판 상에 형성되는 패턴층이 서로 겹쳐질 수 있다.
도 12를 참조하면, k 값이 0.8 미만인 비교예에 따른 증착용 마스크는 R, G, B 패턴 간에 중첩이 발생할 수 있어, OLED 패널의 제조 수율이 저하될 수 있다.
즉, 실시예에 따른 증착용 마스크는 k 값이 0.8 이상일 때, 관통홀의 균일성이 향상되는 동시에 인장시 뒤틀림을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 증착용 마스크롤 통해 제조되는 OLED 패널의 증착 효율 및 공정 효율을 향상시킬 수 있다.
상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (11)

  1. 금속판을 포함하는 증착용 마스크에 있어서,
    상기 금속판은, 복수 개의 관통홀 및 상기 복수개의 관통홀 사이의 브리지를 포함하는 유효 영역; 및
    상기 유효 영역의 외곽에 배치되는 비유효 영역;을 포함하고,
    상기 관통홀은, 제 1 면 상의 제 1 면공 및 상기 제 1 면과 대향하는 제 2 면상의 제 2 면공이 만나는 연결부에 형성되고,
    상기 제 1 면공의 폭은 상기 제 2 면공의 폭 보다 작고,
    상기 제 1 면공의 깊이는 상기 제 2 면공의 깊이 보다 작고,
    하기 식 1에 의하여 계산된 k 값은 0.65 내지 1 미만인 것을 포함하는 증착용 마스크.
    <식 1>
    k=H2(T-H1)
    상기 식에서,
    상기 T는 상기 비유효 영역에서 측정된 증착용 마스크의 두께이고,
    상기 H1은 상기 복수 개의 관통홀 중 인접한 두 개의 관통홀 사이의 브리지의 두께가 최대인 지점에서, 상기 연결부를 기준으로 상기 제 1 면 방향으로의 두께이고,
    상기 H2는 상기 인접한 두 개의 관통홀 사이의 브리지의 두께가 최대인 지점에서, 상기 연결부를 기준으로 상기 제 2 면 방향으로의 두께이다.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 식 1에 의하여 계산된 k 값은 0.8 내지 1 미만인 것을 포함하는 증착용 마스크.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 두께가 10㎛ 내지 50㎛인 것을 포함하는 증착용 마스크.
  4. 제 1항에 있어서,
    철-니켈 합금을 포함하는 증착용 마스크.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 식 1의 H1 및 H2는, 상기 복수 개의 관통홀 중 대각선 방향으로 인접한 두 개의 관통홀 사이의 브리지에서 측정한 두께인 증착용 마스크.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 면공의 폭은 20㎛ 내지 50㎛이고,
    상기 제 2 면공의 폭은 50㎛ 내지 90㎛이고,
    상기 제 1 면공의 깊이는 0.1㎛ 내지 7㎛이고,
    상기 제 2 면공의 깊이는 20㎛ 내지 25㎛인 것을 포함하는 증착용 마스크.
  7. 금속판을 포함하는 증착용 마스크에 있어서,
    상기 금속판은, 복수 개의 관통홀 및 상기 복수개 관통홀 사이의 브리지를 포함하는 유효 영역; 및 상기 유효 영역의 외곽에 배치되는 비유효 영역을 포함하고,
    상기 비유효 영역에 배치되고, 상기 금속판의 길이방향의 일단에 가깝게 위치하는 제 1 하프 에칭부 및 상기 일단과 반대되는 타단에 가깝게 위치하는 제 2 하프 에칭부를 포함하고,
    상기 금속판을 0.7kgf의 힘으로 상기 길이 방향으로 인장하였을 때, 하기 식 2에 의해 계산된 뒤틀림 지수 α는 0.85 내지 1.15인 것을 포함하는 증착용 마스크.
    <식 2>
    α=2B/(d1+d2)
    상기 식 2에서,
    상기 d1은 상기 제 1 하프 에칭부 및 상기 제 1 하프 에칭부와 인접한 유효 영역 사이의 비 유효 영역에서 측정된 금속판의 폭이고,
    상기 d2는 상기 제 2 하프 에칭부 및 상기 제 2 하프 에칭부와 인접한 유효 영역 사이의 비 유효 영역에서 측정된 금속판의 폭이고,
    상기 B는 상기 유효 영역의 중간 지점에서 측정된 금속판의 폭이다.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 브리지는
    상기 금속판의 제 1 면 상의 제 1 면공 사이를 지지하는 제 1 브리지 부를 포함하고,
    상기 금속판의 제 2 면 상의 제 2 면공 사이를 지지하는 제 2 브리지 부를 포함하고,
    상기 제 1 면에서의 상기 제 1 브리지부의 폭은, 상기 제 2 면에서의 상기 제 2 브리지부의 폭보다 큰 것을 포함하는 증착용 마스크.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 제 2 면공의 폭은 상기 제 1 면공의 폭보다 큰 것을 포함하는
    증착용 마스크.
  10. 제 7항에 있어서, 상기 하프 에칭부는 상기 금속판의 제 1 면에 형성된 홈을 포함하는 증착용 마스크.
  11. 제 8항에 있어서,
    상기 제 1 브리지부의 폭은 20㎛ 내지 50㎛이고,
    상기 제 2 브리지부의 폭은 0.5㎛ 내지 7㎛인 것을 포함하는 증착용 마스크.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108598292A (zh) * 2018-04-24 2018-09-28 武汉天马微电子有限公司 一种掩膜板及其制作方法
CN109722624A (zh) * 2017-10-31 2019-05-07 昆山国显光电有限公司 掩模组件
CN110699636A (zh) * 2018-07-09 2020-01-17 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模及其好坏判定、制造、选择、其装置的制造方法
CN112662994A (zh) * 2020-12-04 2021-04-16 合肥维信诺科技有限公司 掩膜版及其制备方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102361452B1 (ko) * 2017-11-23 2022-02-10 엘지이노텍 주식회사 Oled 화소 증착을 위한 금속 재질의 증착용 마스크 및 oled 패널 제조 방법
KR20190059742A (ko) * 2017-11-23 2019-05-31 엘지이노텍 주식회사 증착용 마스크 및 이의 제조 방법
KR102621183B1 (ko) * 2017-12-07 2024-01-05 엘지이노텍 주식회사 증착용 마스크 및 이의 제조 방법
EP3886195A4 (en) * 2018-11-19 2022-07-20 LG Innotek Co., Ltd. ALLOY METAL PLATE AND DEPOSITION MASK WITH IT
CN110331377B (zh) * 2019-07-24 2021-10-29 京东方科技集团股份有限公司 掩膜片及其制作方法、开口掩膜板及其使用方法、薄膜沉积设备
WO2021215642A1 (ko) * 2020-04-23 2021-10-28 엘지이노텍 주식회사 Oled 화소 증착을 위한 금속 재질의 증착용 마스크 및 증착용 마스크의 제조방법
CN114540757A (zh) * 2020-11-24 2022-05-27 悟劳茂材料公司 Oled像素形成用掩模及框架一体型掩模
KR102413445B1 (ko) * 2022-04-01 2022-06-27 풍원정밀(주) 투스텝 가공에 의한 에칭 품질 편차를 개선한 oled 증착용 메탈 마스크 및 그 제조 방법
JP2024055260A (ja) * 2022-10-07 2024-04-18 大日本印刷株式会社 メタルマスク及びその製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090021094A (ko) * 2007-08-24 2009-02-27 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크 및 증착 마스크의 제조 방법
KR20140070255A (ko) * 2012-11-30 2014-06-10 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착용 마스크 프레임 어셈블리
JP2014133932A (ja) * 2013-01-11 2014-07-24 Dainippon Printing Co Ltd 蒸着マスクの製造方法
JP2014218749A (ja) * 2013-01-08 2014-11-20 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法および蒸着マスク
KR101603200B1 (ko) * 2015-04-24 2016-03-14 엘지이노텍 주식회사 금속기판 및 이를 이용한 증착용마스크

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000192224A (ja) * 1998-12-24 2000-07-11 Rohm Co Ltd 蒸着用マスクおよび選択的蒸着方法
JP4170179B2 (ja) * 2003-01-09 2008-10-22 株式会社 日立ディスプレイズ 有機ｅｌパネルの製造方法および有機ｅｌパネル
JP2011034681A (ja) * 2009-07-29 2011-02-17 Hitachi Displays Ltd 金属加工方法、金属マスク製造方法及び有機ｅｌ表示装置製造方法
KR101182439B1 (ko) * 2010-01-11 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착용 마스크 프레임 조립체 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조방법
KR101182239B1 (ko) * 2010-03-17 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 마스크 및 이를 포함하는 마스크 조립체
KR101156442B1 (ko) * 2010-04-29 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 마스크 프레임 조립체
CN103911584B (zh) * 2012-12-31 2017-07-04 上海天马微电子有限公司 一种掩膜板
JP5382259B1 (ja) * 2013-01-10 2014-01-08 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法
JP6086305B2 (ja) * 2013-01-11 2017-03-01 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法および蒸着マスク
JP6184514B2 (ja) * 2013-11-14 2017-08-23 株式会社東芝 有機電界発光素子、照明装置、照明システム及び有機電界発光素子の製造方法
JP5626491B1 (ja) * 2014-03-06 2014-11-19 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法
JP5641462B1 (ja) * 2014-05-13 2014-12-17 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いてマスクを製造する方法
CN112103403B (zh) * 2016-02-16 2023-09-05 Lg伊诺特有限公司 金属板、沉积用掩模及其制造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090021094A (ko) * 2007-08-24 2009-02-27 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크 및 증착 마스크의 제조 방법
KR20140070255A (ko) * 2012-11-30 2014-06-10 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착용 마스크 프레임 어셈블리
JP2014218749A (ja) * 2013-01-08 2014-11-20 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法および蒸着マスク
JP2014133932A (ja) * 2013-01-11 2014-07-24 Dainippon Printing Co Ltd 蒸着マスクの製造方法
KR101603200B1 (ko) * 2015-04-24 2016-03-14 엘지이노텍 주식회사 금속기판 및 이를 이용한 증착용마스크

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109722624A (zh) * 2017-10-31 2019-05-07 昆山国显光电有限公司 掩模组件
CN109722624B (zh) * 2017-10-31 2021-03-02 昆山国显光电有限公司 掩模组件
CN108598292A (zh) * 2018-04-24 2018-09-28 武汉天马微电子有限公司 一种掩膜板及其制作方法
CN108598292B (zh) * 2018-04-24 2020-08-21 武汉天马微电子有限公司 一种掩膜板及其制作方法
CN110699636A (zh) * 2018-07-09 2020-01-17 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模及其好坏判定、制造、选择、其装置的制造方法
EP3822387A4 (en) * 2018-07-09 2022-05-04 Dai Nippon Printing Co., Ltd. VAPOR DEPOSITION MASK DEFECT DETERMINATION METHOD, VAPOR DEPOSITION MASK PRODUCTION METHOD, VAPOR DEPOSITION MASK DEVICE MANUFACTURING METHOD, VAPOR DEPOSITION MASK SELECTION METHOD AND VAPOR DEPOSITION
CN110699636B (zh) * 2018-07-09 2022-09-06 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模及其好坏判定、制造、选择、其装置的制造方法
CN115323321A (zh) * 2018-07-09 2022-11-11 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模的制造方法、蒸镀掩模装置的制造方法、蒸镀方法
CN115323321B (zh) * 2018-07-09 2024-02-09 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模的制造方法、蒸镀掩模装置的制造方法、蒸镀方法
CN112662994A (zh) * 2020-12-04 2021-04-16 合肥维信诺科技有限公司 掩膜版及其制备方法
CN112662994B (zh) * 2020-12-04 2023-04-25 合肥维信诺科技有限公司 掩膜版及其制备方法

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