WO2019103320A1 - 증착용 마스크 - Google Patents

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WO2019103320A1
WO2019103320A1 PCT/KR2018/012488 KR2018012488W WO2019103320A1 WO 2019103320 A1 WO2019103320 A1 WO 2019103320A1 KR 2018012488 W KR2018012488 W KR 2018012488W WO 2019103320 A1 WO2019103320 A1 WO 2019103320A1
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WO
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holes
hole
area
effective
deposition mask
Prior art date
Application number
PCT/KR2018/012488
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English (en)
French (fr)
Inventor
조수현
손효원
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
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Publication date
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
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    • C23F1/02—Local etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
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    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02—Local etching
    • C23F1/04—Chemical milling
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Definitions

  • the present invention relates to a vapor deposition mask and a method of manufacturing the same.
  • Display devices are used in various devices. For example, display devices are used not only for small devices such as smart phones and tablet PCs, but also for large devices such as TVs, monitors, public displays (PDs) and the like.
  • UHD ultrahigh resolution UHD
  • PPI Matel Per Inch
  • high resolution display devices are being applied to small devices and large devices. Accordingly, there is a growing interest in techniques for implementing low power and high resolution.
  • a commonly used display device can be roughly divided into an LCD (Liquid Crystal Display) and an OLED (Organic Light Emitting Diode) according to a driving method.
  • LCD Liquid Crystal Display
  • OLED Organic Light Emitting Diode
  • An LCD is a display device driven using a liquid crystal.
  • the LCD has a structure in which a light source including a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) or a light emitting diode (LED) is disposed under the liquid crystal. And is driven by adjusting the amount of light emitted from the light source using the liquid crystal disposed.
  • CCFL cold cathode fluorescent lamp
  • LED light emitting diode
  • the OLED is a display device which is driven using organic materials, and a separate light source is not required, and the organic material itself can function as a light source and can be driven with low power.
  • OLEDs are attracting attention as a display device capable of expressing an infinite contrast ratio, having a response speed that is about 1000 times faster than that of an LCD, and excellent viewing angle, thereby being able to replace an LCD.
  • the organic material contained in the light emitting layer can be deposited on the substrate by a deposition mask called a fine metal mask (FMM), and the deposited organic material corresponds to a pattern formed on the deposition mask So that it can function as a pixel.
  • the vapor deposition mask is generally made of Invar alloy metal sheet including iron (Fe) and nickel (Ni).
  • one surface and the other surface of the metal plate may have through-holes passing through the one surface and the other surface, and the through-holes may be formed at positions corresponding to the pixel patterns. Accordingly, organic materials such as red, green, and blue can be deposited on the substrate through the through holes of the metal plate, and a pixel pattern can be formed on the substrate.
  • the deposition mask may include an effective portion of the deposition region and a non-processed portion excluding the effective portion.
  • the valid portion may include a valid region disposed at the center and an outer region surrounding the valid region. And the unaffected portion is a peripheral region of the outer region of the valid portion.
  • the through hole is not formed in the ungrooved portion of the vapor deposition mask, and the through hole is formed only in the effective region and the outer region.
  • the through hole of the above-described vapor deposition mask is formed by an etching liquid.
  • radicals concentrate in the etching process by the etching solution in the outer region adjacent to the unheated portion in which the through hole is not formed.
  • the through holes formed in the outer region are formed larger than the target size according to the concentration of the radicals. As the size of the through hole formed in the outer region is larger than the target size, the size of the island portion formed on the outer region is reduced, and the thickness of the central portion of the rib connecting between the through hole and the through hole is also reduced do.
  • the thickness of the central portion of the rib becomes thinner, so that the overall strength of the vapor deposition mask can be weakened. Accordingly, in the OLED panel manufacturing process, when the evaporation mask is pulled and welded to the mask frame, there is a problem that the effective region of the effective portion is separated from the outer region.
  • an evaporation mask capable of preventing over-etching caused in an outer region of a growth mask, and a method of manufacturing the same.
  • an embodiment of the present invention is to provide an evaporation mask capable of preventing over-etching which occurs between an ineffective portion in which etching does not proceed and an effective portion in which etching proceeds, and a method for manufacturing the same.
  • an evaporation mask capable of increasing the strength of a rib connecting between a through hole in an outer region and a through hole in an effective region, and a method for manufacturing the same.
  • an evaporation mask not including an un-etched area in a valid part including an effective area and an outer area and a manufacturing method thereof are provided.
  • An embodiment is a mask for depositing a metal material for the deposition of OLED pixels, the deposition mask comprising a plurality of effective portions for deposition and a non-effective portion other than the effective portion, And a plurality of effective areas arranged at the center of the effective part and an outer area surrounding each of the plurality of effective areas, wherein the effective area includes a plurality of first small-sized holes formed on one surface, A plurality of first through holes formed on the other side opposite to the first through holes, a plurality of first through holes communicating with the first side face holes and the first facing holes, and a second through hole formed between the first through holes
  • the outer region includes a plurality of second small hole holes formed on one surface, a plurality of second facing holes formed on the other surface opposite to the one surface, A plurality of second through holes communicating with the second face-to-face holes, and a second island portion formed between the second through-holes, wherein the second through holes are formed in the periphery of the effective region And has a smaller size than the first
  • the distance between the centers of the second through-holes is larger than the distance between the centers of the first through-holes.
  • the first opening ratio of the first through holes in the effective region is larger than the second opening ratio of the second through holes in the outside region.
  • the area of the first island portion is smaller than the area of the second island portion.
  • the effective region may include a first rib formed by contacting the first facing holes of the first through holes, and the outer region may include a second through hole formed in contact with the second facing holes of the second through holes.
  • the thickness of the central portion of the second rib is smaller than the thickness of the non-deposited region and larger than the thickness of the central portion of the first rib.
  • the apparatus may further include a third rib formed at a boundary between the effective region and the outer region, the third rib being formed in contact with the first facing surface of the first through hole and the second facing surface of the second through hole, Is smaller than the thickness of the non-vapor-deposition region.
  • the thickness of the central portion of the third rib is larger than the thickness of the central portion of the first rib and smaller than the thickness of the central portion of the second rib.
  • a third island portion located between the first through hole and the second through hole at a boundary between the effective region and the outer region, wherein a top surface area of the third island portion is larger than a top surface area of the first island portion Is larger than the top surface area and smaller than the top surface area of the second island portion.
  • the third island portion may include a first sub third island portion located on the effective region and a second sub third island portion located on the outer region, The area is smaller than the top surface area of the second sub third island portion.
  • the outer region may include a first outer region located adjacent to the effective region and surrounding the effective region, and a second outer region located adjacent to the unaffected portion and surrounding the first outer region, Wherein the second through hole is located on the first outer region, the second outer region includes a plurality of third small-diameter holes formed on one surface, and a plurality of second small- A plurality of third through holes, a plurality of third through holes communicating with the plurality of third small hole holes and the third facing holes, and a fourth island portion formed between the third through holes; And the second through hole is smaller than the first through hole and larger than the third through hole.
  • the second outer area may further include a plurality of half-nicks located at the outermost portion of the second outer area and including a plurality of fourth facing holes formed on the other surface.
  • the through hole is not located in the non-affluent portion.
  • An embodiment provides a method of manufacturing an evaporation mask for OLED pixel deposition, comprising the steps of: forming an effective portion for forming a deposition pattern including a plurality of effective regions and an outer region surrounding the effective regions; Preparing a metal plate including a filament part; Disposing a first photoresist layer on one side of the metal plate and patterning the first photoresist layer; Half-etching the first open portion of the patterned first photoresist layer to form a first groove on one side of the deposition area of the metal plate; A second photoresist layer is disposed on the other surface opposite to the one surface of the metal plate, and a second opening portion having a first width on the effective region and a third opening portion having a second width smaller than the first width on the outer- Patterning said second photoresist layer to have an open portion; A first through hole for forming a second groove and a third groove by half-etching the second and third open portions of the patterned second photoresist layer, the first through-hole
  • the non-affluent portion of the vapor deposition mask is not provided with a through hole.
  • the step of forming the evaporation mask may include forming a rib in which the second groove of the first through hole and the third groove of the second through hole are in contact with each other at a boundary between the effective region and the outer region, And the rib has a thickness smaller than the thickness of the non-vapor deposition region.
  • a mask pattern having uniform pore size can be formed in the evaporation mask.
  • the size of the through hole in the outer region is reduced compared to the size of the through hole in the effective region located at the center of the effective portion of the deposition mask, during tensile welding before deposition during the manufacturing process of the OLED panel, It is possible to solve the phenomenon that the effective part separates from the vapor deposition mask separated from the non-affinity part.
  • the through hole is not located in the non-affinity portion not involved in the deposition.
  • the outer region of the effective portion is disposed so as to surround the upper and lower sides as well as the left and right sides of the effective region located at the center of the effective portion. Therefore, the through holes of the outer area are located at the periphery including the left side, the right side, the upper side and the lower side of the effective area. According to the embodiment of the present invention, the through hole of the outer region and the through hole of the effective region are connected through one rib. At this time, the thickness of the central portion of the rib is smaller than the thickness of the metal plate as the raw material. That is, there is no non-etched area in the effective part including the effective area and the outer area.
  • the deposition mask according to the embodiment can have more precise and uniform through holes, and can uniformly deposit OLED pixel patterns of resolution of 400 PPI or more, high resolution of 500 PPI or more, and ultrahigh resolution of 800 PPI or more.
  • 1 to 3 are conceptual diagrams illustrating a process of depositing an organic material on a substrate using a deposition mask according to an embodiment.
  • FIG. 4 is a plan view of a vapor deposition mask according to an embodiment.
  • FIG. 5 is a plan view showing an effective region and an outer region of the effective portion of the deposition mask according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is a microscope image of the effective region of the effective portion of the deposition mask of FIG. 5 viewed from a plane.
  • FIG. 7 is another plan view of the vapor deposition mask according to the embodiment.
  • FIG 8 is another plan view of the deposition mask according to the embodiment.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line A-A 'and a cross-sectional view taken along line B-B' of FIG. 5;
  • FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line B-B 'of FIG.
  • FIG 11 is a view showing a plan view of the effective area and the outer area of the deposition mask according to the second embodiment.
  • FIG. 12 is a plan view showing an effective area and an outer area of the evaporation mask according to the third embodiment.
  • FIG. 13 and 14 are views showing a method of manufacturing an evaporation mask according to an embodiment.
  • 15 and 16 are views showing a deposition pattern formed through the deposition mask according to the embodiment.
  • each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being “on” or “under / under quot; under " includes all that is formed directly or through another layer.
  • the criteria for top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.
  • 1 to 3 are conceptual diagrams illustrating a process of depositing an organic material on a substrate 300 using an evaporation mask 100 according to an embodiment.
  • FIG. 1 is a view showing an organic substance deposition apparatus including an evaporation mask 100 according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of an organic film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention in which an evaporation mask 100 is stretched to be mounted on a mask frame 200
  • Fig. 3 is a view showing a plurality of deposition patterns formed on the substrate 300 through a plurality of through-holes of the deposition mask 100.
  • the organic substance deposition apparatus may include an evaporation mask 100, a mask frame 200, a substrate 300, an organic material deposition container 400, and a vacuum chamber 500.
  • the vapor deposition mask 100 may include a metal.
  • the vapor deposition mask may include iron (Fe) and nickel (Ni).
  • the deposition mask 100 may include a plurality of through holes TH in an effective portion for deposition.
  • the vapor deposition mask 100 may be a substrate for an evaporation mask including a plurality of through holes TH.
  • the through holes may be formed to correspond to patterns to be formed on the substrate.
  • the through hole is formed not only in the effective region located at the center of the effective portion but also in the outer region surrounding the effective region located at the outer periphery of the effective portion.
  • the vapor deposition mask 100 may include an ungrooved portion other than the effective portion including a deposition region. And the non-affluent portion does not include the through-hole.
  • the mask frame 200 may include openings.
  • the plurality of through holes of the vapor deposition mask 100 may be disposed on a region corresponding to the opening. Accordingly, the organic material supplied to the organic material deposition container 400 can be deposited on the substrate 300.
  • the vapor deposition mask 100 may be disposed and fixed on the mask frame 200. For example, the vapor deposition mask 100 may be tensioned at a constant tension and secured by welding on the mask frame 200.
  • the vapor deposition mask 100 may be stretched in directions opposite to each other at an edge disposed at the outermost periphery of the vapor deposition mask 100.
  • the vapor deposition mask 100 may be pulled in a direction opposite to the one end of the vapor deposition mask 100 and the other end opposite to the one end in the longitudinal direction of the vapor deposition mask 100.
  • One end and the other end of the vapor deposition mask 100 may be arranged parallel to each other.
  • One end of the vapor deposition mask 100 may be one of four side surfaces disposed at the outermost side of the vapor deposition mask 100.
  • the vapor deposition mask 100 may be tensioned with a tensile force of about 0.1 kgf to about 2 kgf.
  • the vapor deposition mask can be tensioned on the mask frame 200 with a tensile force of 0.4 kgf to about 1.5 kgf. Accordingly, the stress of the vapor deposition mask 100 can be reduced.
  • the embodiment is not limited to this, and may be fixed on the mask frame 200 by being pulled with various tensile forces to reduce the stress of the deposition mask 100.
  • the vapor deposition mask 100 may fix the vapor deposition mask 100 to the mask frame 200 by welding the unaffected portion of the vapor deposition mask 100.
  • a part of the vapor deposition mask 100 disposed outside the mask frame 200 may be removed by cutting or the like.
  • the substrate 300 may be a substrate used for manufacturing a display device.
  • the substrate 300 may be a substrate 300 for organic material deposition for OLED pixel patterns.
  • Organic patterns of red, green, and blue may be formed on the substrate 300 to form pixels that are three primary colors of light. That is, RGB patterns may be formed on the substrate 300.
  • the organic material deposition container 400 may be a crucible. An organic material may be disposed inside the crucible.
  • the organic material may be deposited on the substrate 100.
  • the deposition mask 100 may include a first surface 101 and a second surface 102 opposite to the first surface.
  • the one face 101 of the vapor deposition mask 100 may include a small-hole hole V1, and the other face may include a face-to-face hole V2.
  • each of the one surface 101 and the other surface 102 of the vapor deposition mask 100 may include a plurality of surface voids V1 and a plurality of facing surfaces V2.
  • the vapor deposition mask 100 may include a through hole TH.
  • the through hole TH may be communicated by a communication portion to which the boundary between the small-sized hole V1 and the facing hole V2 is connected.
  • the deposition mask 100 may include a first etching surface ES1 in the small-sized hole V1.
  • the vapor deposition mask 100 may include a second etching surface ES2 in the facing surface V2.
  • the through hole TH may be formed by connecting a first etching surface ES1 in the small hole V1 and a second etching surface ES2 in the facing hole V2.
  • the first etching surface ES1 in one small hole V1 can form one through hole in communication with the second etching surface ES2 in one facing hole V2.
  • the number of the through holes TH may correspond to the number of the small-hole holes V1 and the number of the facing holes V2.
  • the width of the face-to-face V2 may be greater than the width of the small-plane hole V1.
  • the width of the face-face hole V1 is measured on one face 101 of the face mask 100 and the width of the face-face V2 is measured on the face 102 of the face mask 100 .
  • the small-sized hole (V1) may be disposed toward the substrate 300.
  • the small-sized hole V1 may be disposed close to the substrate 300. Accordingly, the small hole V1 may have a shape corresponding to the deposition material, that is, the deposition pattern DP.
  • the facing surface (V2) may be disposed toward the organic material deposition container (400). Accordingly, the face-to-face V2 can accommodate the organic material supplied from the organic material deposition container 400 in a wide width, and the small-sized hole V2, which is wider than the face- A fine pattern can be formed on the substrate 300 quickly.
  • FIG. 4 is a plan view of the vapor deposition mask 100 according to the embodiment. Referring to Fig. 4, the vapor deposition mask 100 will be described in more detail.
  • the deposition mask 100 may include a deposition area DA and a non-deposition area NDA.
  • the deposition region DA may be a region for forming a deposition pattern. Accordingly, the deposition area DA may include an effective part for forming a deposition pattern.
  • the deposition area DA may include a pattern area and a non-pattern area.
  • the pattern region may be a region including a small-plane hole V1, a large-diameter hole V2, a through hole TH and an island portion IS, and the non-pattern region may include a small- ), The through hole (TH), and the island portion (IS).
  • the deposition region may include an effective portion including a valid region and an outer region, which will be described later, and a non-effective portion in which deposition does not proceed.
  • the valid portion may be referred to as the pattern region, and the non-affinity portion may be referred to as the non-pattern region.
  • one deposition mask 100 may include a plurality of deposition areas DA.
  • the deposition area DA of the embodiment may include a plurality of effective portions capable of forming a plurality of deposition patterns.
  • Each of the plurality of effective portions includes a plurality of effective regions (AA1, AA2, and AA3) corresponding to the central region of the effective portion and a periphery of the plurality of effective regions (AA1, AA2, AA3) And a plurality of outer areas OA1, OA2, and OA3 disposed on the outer periphery of the valid part.
  • the plurality of valid areas AA1, AA2, and AA3 may include a first valid area AA1, a second valid area AA2, and a third valid area AA3.
  • one deposition area DA may be a first valid part including a first valid area AA1 and a first outer area OA1 surrounding the first valid area AA1.
  • one deposition area DA may be a second effective part including a second effective area AA2 and a second outer area OA2 surrounding the second effective area AA2.
  • one deposition area DA may be a third effective part including a third effective area AA3 and a third outer area OA3 surrounding the third effective area AA3.
  • any one of the plurality of deposition regions included in the deposition mask 100 may be for forming one display device.
  • the single mask for vapor deposition 100 can include a plurality of effective portions, so that a plurality of display devices can be formed at the same time. Therefore, the vapor deposition mask 100 according to the embodiment can improve the process efficiency.
  • a plurality of effective portions included in one deposition mask 100 may be a part for forming one display device.
  • the plurality of valid portions may be for preventing deformation due to the load of the mask.
  • the deposition area DA may include a plurality of isolation areas IA1 and IA2 included in one deposition mask 100.
  • Separation regions IA1 and IA2 may be disposed between adjacent effective portions.
  • the isolation regions IA1 and IA2 may be spaced apart from a plurality of effective portions.
  • a first isolation area IA1 is disposed between the first outer area OA1 of the first effective area AA1 and the second outer area OA2 of the second effective area AA2 .
  • the second isolation area IA2 may be disposed between the second outer area OA2 of the second effective area AA2 and the third outer area OA3 of the third effective area AA3 have. That is, the adjacent effective portions can be distinguished from each other by the isolation regions IA1 and IA2, and one mask for applying the vapor can support the plurality of effective portions.
  • the deposition mask 100 may include a non-deposition region NDA on both sides of the deposition region DA in the longitudinal direction.
  • the deposition mask 100 according to the embodiment may include the non-deposition region NDA on both sides of the deposition region DA in the horizontal direction.
  • the non-deposition region NDA of the deposition mask 100 may be a region not involved in deposition.
  • the non-deposition area NDA may include frame fixing areas FA1 and FA2 for fixing the deposition mask 100 to the mask frame 200.
  • the non-deposition region NDA may include half etching portions HF1 and HF2 and an open portion.
  • the deposition region DA may be a region for forming a deposition pattern
  • the non-deposition region NDA may be a region not involved in deposition.
  • a surface treatment layer different from the material of the metal plate 10 may be formed in the deposition area DA of the deposition mask 100, and the surface treatment layer of the non-deposition area NDA may not be formed .
  • a surface treatment layer different from the material of the metal plate 10 may be formed on only one of the one surface 101 or the other surface 102 of the vapor deposition mask 100.
  • a surface treatment layer different from the material of the metal plate 10 may be formed on only a part of one surface 101 of the mask for vapor deposition 100.
  • the surface 101 and / or the other surface 102 of the vapor deposition mask 100 and the vapor deposition mask 100 may be entirely and / or partially covered with a surface treatment layer having a lower etching rate than the material of the metal plate 10 So that the etch factor can be improved.
  • the vapor deposition mask 100 of the embodiment can form a through hole having a small size with high efficiency.
  • the vapor deposition mask 100 of the embodiment may have a resolution of 400 PPI or more.
  • the deposition mask 100 can form a deposition pattern having a high resolution of 500 PPI or more with high efficiency.
  • the surface treatment layer may include an element different from the material of the metal plate 10, or may include a metal material having a different composition of the same element.
  • the manufacturing process of the evaporation mask will be described in detail.
  • the non-deposition region NDA may include half etching portions HF1 and HF2.
  • the non-deposition area NDA of the deposition mask 100 may include a first half-etching area HF1 on one side of the deposition area DA, And a second half-etching portion HF2 on the other side opposite to the one side.
  • the first half etching part HF1 and the second half etching part HF2 may be regions where grooves are formed in the depth direction of the deposition mask 100.
  • the first half etching part HF1 and the second half etching part HF2 can have grooves having a thickness of about 1/2 of the thickness of the deposition mask so that stress can be dispersed during the tensile stress of the deposition mask 100 have.
  • the half etching portions HF1 and HF2 are preferably formed symmetrically with respect to the center of the evaporation mask 100 in the X-axis direction or in the Y-axis direction. This makes it possible to uniformly control the tensile force in both directions.
  • the half-etching portions HF1 and HF2 may be formed in various shapes.
  • the half etching portions HF1 and HF2 may include a semicircular groove.
  • the grooves may be formed on at least one of the one surface 101 of the vapor deposition mask 100 and the other surface 102 opposite to the one surface 101.
  • the half-etched portions HF1 and HF2 may be formed on a surface corresponding to the small-hole surface V1. Accordingly, the half-etching portions HF1 and HF2 can be formed simultaneously with the small-plane hole V1, thereby improving the process efficiency.
  • the half-etching portions HF1 and HF2 can disperse stress that may be caused by a difference in size between facing faces V2.
  • the embodiment is not limited thereto, and the half-etching portions HF1 and HF2 may have a rectangular shape.
  • the first half-etching portion HF1 and the second half-etching portion HF2 may have a rectangular or square shape. Accordingly, the vapor deposition mask 100 can effectively disperse the stress.
  • the half-etching portions HF1 and HF2 may include a curved surface and a flat surface.
  • the plane of the first half-etching part HF1 may be disposed adjacent to the first effective area AA1 and the plane may be disposed horizontally with the longitudinal end of the evaporation mask 100.
  • the curved surface of the first half-etching part HF1 may be convex toward one end in the longitudinal direction of the evaporation mask 100.
  • the curved surface of the first half-etching part HF1 may be formed so that a half of the length of the mask in the vertical direction corresponds to the radius of the semicircular shape.
  • the plane of the second half-etching part HF2 may be disposed adjacent to the third effective area AA3, and the plane may be disposed horizontally with respect to the longitudinal direction end of the deposition mask 100 have.
  • the curved surface of the second half-etching portion HF2 may be convex toward the other end in the longitudinal direction of the deposition mask 100.
  • the curved surface of the second half-etching portion HF2 may be formed so that a half of the length of the mask in the vertical direction corresponds to the radius of the semicircular surface.
  • the half etching portions HF1 and HF2 can be formed at the same time when forming the small-plane hole V1 or the facing hole V2. This can improve process efficiency.
  • the grooves formed on one surface 101 and the other surface 102 of the evaporation mask 100 may be offset from each other. Whereby the half etching portions HF1 and HF2 may not penetrate.
  • the deposition mask 100 may include four half-etching portions.
  • the half etching portions HF1 and HF2 may include even-numbered half etching portions HF1 and HF2, so that the stress can be more efficiently dispersed.
  • the half-etching portions HF1 and HF2 may be further formed on the unaffected portion UA of the deposition region DA.
  • the half-etching portions HF1 and HF2 may be disposed in a plurality of the non-fluxing portions UA dispersed in all or a part of the UA to disperse the stress in tension of the vapor deposition mask 100.
  • the half etching portions HF1 and HF2 may also be formed in the peripheral areas of the frame fixing areas FA1 and FA2 and / or the frame fixing areas FA1 and FA2. Accordingly, when the deposition mask 100 (see FIG. 1) is formed when the deposition mask 100 is fixed to the mask frame 200, and / or when depositing the deposition material after fixing the deposition mask 100 to the mask frame 200 Can be uniformly dispersed. Accordingly, the vapor deposition mask 100 can be maintained to have a uniform through-hole.
  • the deposition mask 100 according to the embodiment may include a plurality of half-etching portions.
  • the deposition mask 100 according to the embodiment includes the half-etching portions HF1 and HF2 only in the non-deposition region NDA, but is not limited thereto.
  • the deposition region DA and the non- NDA) may further include a plurality of half-etching portions. Accordingly, the stress of the vapor deposition mask 100 can be uniformly dispersed.
  • the non-deposition area NDA may include frame fixing areas FA1 and FA2 for fixing the deposition mask 100 to the mask frame 200.
  • a first frame fixing area FA1 may be formed on one side of the deposition area DA and a second frame fixing area FA2 may be formed on the other side opposite to the one side of the deposition area DA .
  • the first frame fixing area FA1 and the second frame fixing area FA2 may be areas fixed to the mask frame 200 by welding.
  • the frame fixing areas FA1 and FA2 are disposed between the half etching portions HF1 and HF2 of the non-deposition region NDA and the effective portions of the deposition region DA adjacent to the half etching portions HF1 and HF2.
  • the first frame fixing area FA1 is formed in the first half etching portion HF1 of the non-deposition region NDA and the first half etching portion HF2 of the deposition region DA adjacent to the first half etching portion HF1.
  • the second frame fixing area FA2 may be formed in the second half etching portion HF2 of the non-deposition region NDA and the second half etching portion HF2 of the deposition region DA adjacent to the second half etching portion HF2.
  • the deposition mask 100 may include semicircular openings at both ends in the horizontal direction X.
  • the non-deposited region NDA may include an open portion.
  • the non-deposition area NDA may include one semicircular open part at each end in the horizontal direction.
  • the non-deposition area NDA of the vapor deposition mask 100 may include an open part having a center in the vertical direction Y on one side in the horizontal direction.
  • the non-deposition area NDA of the vapor deposition mask 100 may include an open part whose center is opened in the vertical direction on the opposite side to the one side in the horizontal direction. That is, both ends of the vapor-deposition mask 100 may include open portions at half the length in the vertical direction.
  • both ends of the vapor deposition mask 100 may be shaped like a horse hoof.
  • the curved surface of the open portion may be directed to the half-etching portions HF1 and HF2. Accordingly, the opening portions located at both ends of the deposition mask 100 are spaced apart from the first half-etching portions HF1 and HF2 or the second half-etching portions HF1 and HF2 and the vertical direction length of the deposition mask 100 The separation distance may be the shortest at a half of the distance.
  • the length h2 in the vertical direction of the open portion may correspond to the length h1 in the vertical direction of the first half-etching portion HF1 or the second half-etching portion HF2. Accordingly, when the vapor deposition mask 100 is stretched, the stress can be evenly dispersed, and the wave deformation of the vapor deposition mask can be reduced. Therefore, the vapor deposition mask 100 according to the embodiment can have a uniform through-hole, and the deposition efficiency of the pattern can be improved.
  • the half-etched portion may be further formed in the unaffected portion UA of the deposition region DA.
  • the half-etching portion may be disposed in a plurality of the non-legible portions UA dispersed in all or a part of the non-legible portion UA in order to disperse the stress during tensioning of the vapor-deposition mask 100.
  • the half etching portions HF1 and HF2 may also be formed in the peripheral areas of the frame fixing areas FA1 and FA2 and / or the frame fixing areas FA1 and FA2. Accordingly, the stress of the vapor deposition mask 100, which is generated when the vapor deposition mask 100 is fixed to the mask frame 200, and / or when depositing the deposition material after fixing the vapor deposition mask 100 to the frame, It can be uniformly dispersed. Accordingly, the vapor deposition mask 100 can be maintained to have a uniform through-hole.
  • the vapor deposition mask 100 may include a plurality of effective portions spaced apart in the longitudinal direction and a non-effective portion (UA) other than the effective portion.
  • the deposition area DA may include a plurality of effective parts and a non-effective part UA other than the effective part.
  • the plurality of valid portions may include a first valid portion, a second valid portion, and a third valid portion.
  • the first valid part may include a first valid area AA1 and a first outer area OA1 surrounding the first valid area AA1.
  • the second valid area may include a second valid area AA2 and a second outer area OA2 surrounding the second valid area AA2.
  • the third valid part may include a third effective area AA3 and a third outer area OA3 surrounding the third valid area AA3.
  • the effective areas AA1, AA2, and AA3 in the plurality of valid areas include a plurality of first small-sized holes V1-1 formed on one surface of the deposition mask 100, a plurality of first small- And a plurality of first through holes (V1-2) formed by a connecting portion (CA) to which a boundary between the first side face hole (V1-1) and the facing face (V1-2) (TH1).
  • the effective regions AA1, AA2, and AA3 may include a plurality of first island portions IS1 that support a plurality of the first through holes TH1.
  • the first island portion IS1 may be positioned between adjacent first through holes TH1 of the plurality of first through holes TH1. That is, the region other than the first through hole TH1 in the effective regions AA1, AA2, and AA3 of the deposition mask 100 may be the first island portion IS1.
  • the first island portion IS1 may refer to a portion of the deposition mask not etched on one side 101 or the other side 102 of the effective portion.
  • the first island portion IS1 is formed in the first through hole TH1 and the first through hole H1 in the other surface 102 on which the first facing surface V1-2 of the effective portion of the vapor deposition mask 100 is formed, TH1). ≪ / RTI > Therefore, the first island portion IS1 may be disposed in parallel with the one surface 101 of the evaporation mask 100.
  • the upper surface of the first island portion IS1 may be disposed parallel to the first surface 101.
  • the first island portion IS1 may be disposed on the same plane as the other surface 102 of the deposition mask 100. [ Accordingly, the first island portion IS1 may have the same thickness as at least a portion of the non-fatliquoring portion on the other surface 102 of the vapor-deposition mask 100. In detail, the first island portion IS1 may have the same thickness as the un-etched portion of the non-affinity portion 102 on the other side 102 of the evaporation mask 100. Accordingly, the deposition uniformity of the subpixel can be improved through the deposition mask 100.
  • the first island portion IS may be disposed in a plane parallel to the other surface 102 of the deposition mask 100.
  • the parallel plane means that the other face of the deposition mask 100 in which the first island portion IS1 is disposed is etched by the etching process around the first island portion IS1, And the height difference of the other surface of the substrate 100 is +/- 1 ⁇ ⁇ or less.
  • the vapor deposition mask 100 may include outer regions OA1, OA2, and OA3 disposed around the effective regions AA1, AA2, and AA3 and disposed at the outer periphery of the effective portion.
  • the effective area AA may be an inner area of the plurality of first through holes when the outer peripheries of the outermost first through holes for depositing the organic material are connected.
  • the outer regions OA1, OA2, and OA3 may be outer regions of the plurality of first through holes when the outer peripheries of the outermost first through holes for depositing the organic material are connected.
  • the unfiltered portion UA may be an outer region of the second through holes of the outer regions OA1, OA2, and OA3 when the outer peripheries of the outermost second through holes for depositing the organic material are connected, have.
  • the unaffected portion UA is a region excluding the effective regions AA1, AA2, and AA3 and the outer regions OA1, OA2, and OA3 of the deposition region DA and the non-deposited region NDA.
  • the number of the outer areas OA1, OA2, and OA3 may correspond to the number of the effective areas AA1, AA2, and AA3. That is, one valid part may include one outer area which is separated from the end of the valid area by a predetermined distance in the horizontal direction and the vertical direction, respectively.
  • the first valid area AA1 may be located in the first outer area OA1.
  • the first effective area AA1 may include a plurality of second through holes TH2 for forming an evaporation material.
  • the first outer area OA1 surrounding the outer periphery of the first effective area AA1 may include a plurality of second through holes TH2.
  • the plurality of second through holes TH2 included in the first outer area OA1 may reduce the etching failure of the first through holes TH1 located at the outermost portion of the first effective area AA1 . Accordingly, the vapor deposition mask 100 according to the embodiment can improve the uniformity of the plurality of first through holes located in the effective regions AA1, AA2, and AA3, and improve the quality of the vapor deposition pattern manufactured thereby .
  • the second through holes TH2 formed in the first outer area OA1 may surround the first effective area AA1.
  • the second through holes TH2 include second through holes formed on the left side of the first effective area AA1, second through holes formed on the right side of the first effective area AA1, Second through holes formed above the first effective area AA1, and second through holes formed below the first effective area AA1.
  • the second through holes may be formed to minimize a difference in pore size between the effective area to be etched and the through holes in the non-area to be etched.
  • the non-etched region around the first effective portion on the deposition mask 100 is divided into a left region and a right region of the first outer region OA1 surrounding the first effective portion AA1, An upper region, and a lower region. Accordingly, the second through holes TH2 formed in the first outer area OA1 may be formed in the left area, the right area, the upper area and the lower area of the first effective area AA1, respectively.
  • the shape of the first through hole TH1 in the first effective area AA1 may correspond to the shape of the second through hole TH2 in the first outside area OA1. Accordingly, the uniformity of the first through hole TH1 included in the first effective area AA1 can be improved.
  • the shape of the first through hole TH1 of the first effective area AA1 and the shape of the first outside area OA1 and the second through hole TH2 may all be circular.
  • the embodiment is not limited to this, and the first and second through holes TH1 and TH2 may have various shapes such as a diamond pattern and an elliptical pattern.
  • the shape of the first through hole TH1 of the first effective area AA1 may be different from the shape of the second through hole TH2 of the first outside area OA1.
  • the shape of the first through hole TH1 in the first effective area AA1 may be circular
  • the shape of the second through hole TH2 in the first outer area OA1 may be a rectangle.
  • the embodiment is not limited to this, and the first and second through holes TH1 and TH2 may have a plurality of different shapes among various shapes such as a diamond pattern and an elliptical pattern.
  • the second through holes TH2 formed in the first outer area OA1 may be formed in two or more rows.
  • the second through hole TH2 may be formed in seven rows or less, and preferably in five rows or less.
  • two or more second through holes (TH2) may be arranged in a single row, or seven or less, preferably five or less second through holes (TH2) may be arranged in the outward direction of the effective area (AA) . That is, as the area through which the second through-hole TH2 is disposed increases, the area of the effective area decreases, and accordingly, the second through-hole TH2 has 7 rows or less, preferably 5 rows or less .
  • the second through holes TH2 formed in the first outer area OA1 may be formed in at least two rows.
  • the second through hole TH2 is formed to improve the uniformity of the plurality of first through holes TH1 located in the first effective area AA1 and to improve the quality of the deposition pattern.
  • the second through-holes TH2 are formed in order to solve the overetching problem occurring between the area etched like the first effective area AA1 and the area not etched like the unaffected area UA do.
  • the hole (TH2) is formed in at least two rows.
  • the first through hole (TH1) of the first effective area (AA1) is at least 80% to 90% of the deposition area including the first effective area (AA1) and the first outer area %.
  • the amount of etching depends on the size difference between the first through hole TH1 and the second through hole TH2, 1 through hole TH1 can not be formed at a desired target size.
  • the first through hole TH1 is formed at 90% or more, overetching occurs in the second through hole TH2 formed in the first outer area OA1. Therefore, in the deposition region including the first effective region AA1 and the first outer region OA1, the first through hole TH1 of the first effective region AA1 is at least 80% to 90% .
  • the diameter of the second through hole TH2 in the horizontal direction may be smaller than the diameter of the first through hole TH1 in the horizontal direction.
  • the diameter of the second through hole TH2 in the vertical direction may be smaller than the diameter of the first through hole TH1 in the vertical direction.
  • the size of the second through hole TH2 may be smaller than the size of the first through hole TH1.
  • the effective area AA may include a first aperture ratio of the plurality of first through holes TH1, and the outer area OA may include a plurality of second through holes TH2. 2 aperture ratio.
  • the first aperture ratio may be larger than the second aperture ratio.
  • the area of the first through hole TH1 disposed in the A * B cm area within the first effective area AA1 is smaller than the area of the A * B cm area within the first outer area OA1
  • the area occupied by the first through hole (TH1) may be larger than the area occupied by the second through hole (TH2) in the area of the same area.
  • the diameter of the first through hole TH1 in the horizontal direction may be 25 mu m.
  • the diameter of the second through hole TH2 in the horizontal direction may be 23.5 mu m.
  • the second valid area AA2 may be located in the second outer area OA2.
  • the second valid area AA2 may have a shape corresponding to the first valid area AA1.
  • the second outer area OA2 may have a shape corresponding to the first outer area OA1.
  • the second outer area OA2 may include a plurality of second through holes TH2 in the horizontal direction and the vertical direction from the first through hole located at the outermost of the second effective area AA2.
  • a plurality of second through holes TH2 are formed in the upper and lower positions of the first through hole located at the outermost of the second effective area AA2, Can be arranged in a line.
  • a plurality of second through holes TH2 are arranged in a row in the vertical direction on the left side and the right side of the through hole located at the outermost side of the second effective area AA2 .
  • the plurality of second through holes TH2 included in the second outer region OA2 are for reducing the etching failure of the first through holes located at the outermost portion of the second effective region AA2. Accordingly, the vapor deposition mask according to the embodiment can improve the uniformity of the plurality of first through holes located in the second effective area AA2, thereby improving the quality of the vapor deposition pattern manufactured thereby.
  • the second through hole TH2 formed in the second outer area OA2 may be formed under the same condition as the second through hole TH2 formed in the first outer area OA1.
  • the third valid area AA3 may be included in the third outer area OA3.
  • the third effective area AA3 may include a plurality of second through holes TH2 for forming a deposition material.
  • the third outer area OA3 surrounding the outer periphery of the third effective area AA3 may include a plurality of second through holes.
  • the third valid area AA3 may have a shape corresponding to the first valid area AA1.
  • the third outer area OA3 may have a shape corresponding to the first outer area OA1.
  • the first through holes TH1 included in the effective areas AA1, AA2, and AA3 may have a shape partially corresponding to the second through holes TH2 included in the outer areas OA1, OA2, and OA3 Lt; / RTI >
  • the first through holes TH1 included in the effective areas AA1, AA2, and AA3 may have different shapes from the second through holes TH2 located in the outer areas OA1, OA2, and OA3. have. Accordingly, it is possible to control the difference in the stress depending on the position of the deposition mask 100.
  • FIG. 5 is a view showing a plan view of an effective area and an outer area of an effective part of the vapor deposition mask according to the first embodiment
  • FIG. 6 is a microscope image viewed from the plane of the effective area of the vapor deposition mask of FIG. 5
  • 7 is another plan view of the deposition mask according to the embodiment
  • FIG. 8 is another plan view of the deposition mask according to the embodiment.
  • FIG. 5 to 8 illustrate a first effective area AA2 including a first effective area AA1 and a first outside area OA1 of the deposition mask 100 according to the embodiment, A second valid portion including the outer area OA2, and a third valid portion including the third valid area AA3 and the third outer area OA3.
  • FIG. 5 to 8 illustrate the shape and arrangement of the first through-hole TH1 and the second through-hole TH2, and the vapor deposition mask 100 according to the embodiment is the same as the first through- But is not limited to the number of through holes TH1.
  • first to third outer regions included in the first to third effective portions are disposed so as to surround the left, right, upper, and lower sides of the first to third effective regions, An outer area located on the left side of the effective area among the outer areas will be described.
  • second through holes (TH2) in two rows are arranged in the vertical direction in the outer region disposed on the left side of the effective region, the second through holes (TH2) The number of people will increase or decrease.
  • the vapor deposition mask 100 may include a plurality of first through holes TH1 in the effective area AA.
  • the first through holes TH1 may be arranged in a line or may be staggered according to the direction.
  • the first through holes TH1 may be arranged in a row in the vertical axis and the horizontal axis, and may be arranged in a row in the vertical axis or the horizontal axis.
  • the deposition mask 100 may include a plurality of first through holes TH1 in the effective area AA.
  • the plurality of first through holes TH1 may have a circular shape.
  • the first through hole TH1 may have a diameter Cx1 in the horizontal direction and a diameter Cy1 in the vertical direction and may have a diameter Cx1 in the horizontal direction of the first through hole TH1, And the diameter Cy1 of the direction may correspond to each other.
  • the first through holes TH1 may be arranged in a line according to the direction.
  • the first through holes TH1 may be arranged in a row on the vertical axis and the horizontal axis.
  • the 1-1 through-hole (TH1-1) and the 1-2 through-hole (TH1-2) in the effective area AA can be arranged in a line on the abscissa, and the 1-3 through- TH1-3 and the 1-4th through holes TH1-4 may be arranged in a line on the vertical axis.
  • the 1-1 through-hole (TH1-1) and the 1-3 through-hole (TH1-3) in the effective area (AA) may be arranged in a row on the vertical axis, TH1-2 and the 1-4th through holes TH1-4 may be arranged in a line on the horizontal axis.
  • the portion IS1 may be located. That is, the first island portion IS1 may be positioned between two adjacent first through holes TH1 located diagonally to each other.
  • the first island portion IS1 may be disposed between the 1-1 through hole TH1-1 and the 1-4th hole TH1-4.
  • the first island portion IS1 may be disposed between the first through-hole TH1-2 and the first through-hole TH1-3.
  • the first island portion IS1 may be positioned in the inclination angle direction of about +45 degrees and the inclination angle direction of about -45 degrees, respectively, based on the transverse axis crossing the two adjacent first through holes.
  • the direction of the inclination angle of about +/- 45 may mean the diagonal direction between the abscissa and the ordinate, and the inclination angle in the diagonal direction may be measured on the same plane of the abscissa and the ordinate.
  • the other mask for vapor deposition 100 may include a plurality of first through holes in the effective area AA.
  • the plurality of first through holes may have an elliptical shape.
  • the diameter (Cx1) in the horizontal direction of the first through hole (TH1) and the diameter (Cy1) in the vertical direction may be different from each other.
  • the diameter (Cx1) in the horizontal direction of the first through hole may be larger than the diameter (Cy1) in the vertical direction.
  • the embodiment is not limited to this, and the first through-hole may have a rectangular shape, an octagonal shape, or a rounded octagonal shape.
  • the first through holes TH1 may be arranged in a line in one axis of the longitudinal axis or in the transverse axis and may be staggered in the other axis.
  • the 1-1 through-hole (TH1-1) and the 1-2 through-hole (TH1-2) can be arranged in a line on the abscissa, and the 1-3 through-holes (TH1-3)
  • the four through holes TH1 to TH4 may be staggered with the first through hole TH1-1 and the first through hole TH1-2 on the vertical axis, respectively.
  • the first island portion IS1 may be located between the holes TH1-1 and TH1-2.
  • the first island portion IS1 may be positioned between the three first through holes TH1-1, TH1-2, and TH1-3 positioned adjacent to each other.
  • Two of the first through holes TH1-1 and TH1-2 among the three adjacent first through holes TH1-1, TH1-2 and TH1-3 are through-holes arranged in a line, and the other one through-
  • the holes TH1-3 may be through holes which can be arranged in the region between the two through holes TH1-1 and TH1-2 at adjacent positions in the direction corresponding to the row direction.
  • the first island portion IS1 may be disposed between the first through hole TH1-1, the first through hole TH1-2, and the first through hole TH1-3 .
  • the first island portion IS1 may be disposed between the first through-hole TH1-2, the first through-hole TH1-3, and the first through-hole TH1-4. .
  • the deviation between the diameters Cx1 in the respective horizontal directions between the first through holes TH1 and the deviation between the diameters Cy1 in the vertical direction can be realized to be about 2% to about 10%. That is, when the size deviation between adjacent first through-holes of one reference hole is about 2% to about 10%, the uniformity of the deposition can be ensured.
  • the size variation between the reference hole and the adjacent first through holes may be about 4% to about 9%.
  • the size variation between the reference hole and the adjacent first through holes may be between about 5% and about 7%.
  • the size variation between the reference hole and the adjacent first through holes may be between about 2% and about 5%.
  • the rate of occurrence of moire in the OLED panel after deposition may be increased.
  • the size deviation between the reference hole and the adjacent first through holes exceeds about 10%, the incidence of color unevenness in the OLED panel after deposition can be increased.
  • the average deviation of the diameter of the first through holes may be +/- 5 mu m.
  • the average deviation of the diameter of the first through holes may be +/- 3 mu m.
  • the average deviation of the diameter of the first through holes may be +/- 1 mu m.
  • Embodiments can improve the deposition efficiency by realizing the size deviation between the reference hole and the adjacent first through holes within +/- 3 mu m.
  • the vapor deposition mask 100 may include a plurality of first through holes TH1 in the effective area AA.
  • the plurality of first through holes TH1 may have a rectangular shape.
  • the first through hole TH1 may have a rhombic shape.
  • the first through hole TH1 may have a length Cx1 in a horizontal direction and a length Cy1 in a vertical direction and may have a length Cx1 in a horizontal direction and a length Cx2 in a vertical direction of the first through hole TH1.
  • the lengths Cy1 may correspond to each other.
  • the first through holes TH1 may be arranged in a line according to the direction.
  • the first through holes TH1 may be arranged in a line in one axis of the vertical axis and the other of the axes may be staggered in the other axis.
  • the 1-1 through-hole (TH1-1), the 1-2 through-hole (TH1-2) and the 1-3 through-hole (TH1-3) can be arranged in a line on the abscissa
  • the four through holes (TH1-4) and the first through first through holes (TH1-5) can be arranged in a line on the horizontal axis
  • the first through fourth through holes (TH1-4) and the first through first through holes -5 may be staggered with the 1-1 through hole TH1-1, the 1-2th through hole TH1-2, and the 1-3th through hole TH1-3 on the vertical axis, respectively.
  • the 1-4th through holes TH1-4 may be staggered between the 1-1th through hole TH1-1 and the 1-2th through hole TH1-2, and the 1- 5 through-holes TH1-5 may be staggered between the first through-hole TH1-2 and the first through-hole TH1-3.
  • first island portion IS1 is formed at a point where the longitudinal axis and the transverse axis cross each other Can be located.
  • the first island portion IS1 may be positioned between four adjacent first through holes TH1-1, TH1-2, TH1-4, and TH1-6.
  • Two of the first through holes (TH1-1, TH1-2) among the four adjacent first through holes (TH1-1, TH1-2, TH1-4, TH1-6) are connected to one of the vertical axis and the horizontal axis
  • the other two first through holes (TH1-4, TH1-6) may mean first through holes arranged in a line in the other one of the longitudinal axis and the transverse axis can do.
  • the first island portion IS1 represents an unetched surface between the first through holes TH1 on the other surface of the deposition mask 100 on which the facing surface V2 of the effective area AA is formed can do.
  • the first island portion IS is formed in the effective region AA of the deposition mask, and the second etched surface ES1-2 located in the opposite surface and the first through hole TH1, (100).
  • the deposition mask 100 of the embodiment may be for high resolution to ultra high resolution OLED pixel deposition having a resolution of 400 PPI or more and 400 PPI to 800 PPI or more in detail.
  • the deposition mask 100 of the embodiment may be for forming a deposition pattern having a high resolution of Full HD (High Definition) having a resolution of 400 PPI or more.
  • the vapor deposition mask 100 of the embodiment may be for OLED pixel deposition with a number of pixels in the horizontal and vertical directions of 1920 * 1080 or more and 400 PPI or more. That is, one valid part included in the deposition mask 100 of the embodiment may be for forming a pixel number of 1920 * 1080 or more.
  • the deposition mask 100 of the embodiment may be for forming a deposition pattern having a high resolution of QHD (Quad High Definition) having a resolution of 500PPI or more.
  • the deposition mask 100 of the embodiment may be for OLED pixel deposition with a number of pixels in the horizontal and vertical directions of 2560 * 1440 or more and 530 PPI or more.
  • the number of pixels per inch can be 530 PPI or more based on a 5.5 inch OLED panel. That is, one valid part included in the mask for mask 100 of the embodiment may be for forming a pixel number of 2560 * 1440 or more.
  • the deposition mask 100 of the embodiment may be for forming an ultra high resolution deposition pattern of UHD (Ultra High Definition) having a resolution of 700 PPI or more.
  • the vapor deposition mask 100 of the embodiment forms a vapor deposition pattern having a resolution of UHD (Ultra High Definition) for deposition of OLED pixels of 794 PPI or more and having a number of pixels of 3840 * 2160 or more in the horizontal and vertical directions . ≪ / RTI >
  • the diameter of the first through hole TH1 may be a width between the communicating portions CA.
  • the diameter of the first through hole TH1 can be measured at the point where the end of the etched surface in the small-hole V1 meets the end of the etched surface in the opposite surface V2.
  • the measurement direction of the diameter of the first through hole TH1 may be any one of a horizontal direction, a vertical direction, and a diagonal direction.
  • the diameter of the first through hole TH1 measured in the horizontal direction may be 33 ⁇ or less.
  • the diameter of the first through hole TH1 measured in the vertical direction may be 33 ⁇ or less.
  • the diameter of the first through-hole TH1 may be an average of values measured in the horizontal direction, the vertical direction, and the diagonal direction.
  • the deposition mask 100 can realize the QHD resolution.
  • the diameter of the first through hole TH1 may be about 15 mu m to about 33 mu m.
  • the diameter of the first through hole TH1 may be about 19 ⁇ to about 33 ⁇ .
  • the diameter of the first through hole TH1 may be about 20 mu m to about 27 mu m.
  • the diameter of the first through hole TH1 is greater than about 33 mu m, it may be difficult to realize a resolution of 500 PPI or more.
  • the diameter of the through-hole TH1 is less than about 15 mu m, deposition failure may occur.
  • the diameter of the first through hole TH1 is assumed to be in the same range as described above.
  • the diameter of the first through hole TH1 is substantially equal to the diameter of the second through hole TH2 .
  • the diameter of the second through hole may be smaller than the diameter of the first through hole, but may be 0.9 times or more, preferably 0.95 times or more of the diameter of the first through hole.
  • the diameter of the second through-hole TH2 is set to be smaller than the diameter of the first through- Mu m.
  • the diameter of the second through hole is too small as compared with the diameter of the first through hole, for example, when the diameter of the second through hole is reduced to 0.5 times or less the diameter of the first through hole, the volume is decreased, There is a possibility to happen.
  • a pitch between two neighboring first through holes TH1 among the plurality of first through holes in the horizontal direction may be about 48 ⁇ ⁇ or less.
  • a pitch between two adjacent first through holes TH1 among the plurality of first through holes TH1 in the horizontal direction may be about 20 mu m to about 48 mu m.
  • a pitch between two neighboring first through-holes TH1 among the plurality of first through-holes TH1 in the horizontal direction may be about 30 mu m to about 35 mu m.
  • the interval may mean the interval P1 between the center of two adjacent first through-hole 1-1 and the center of the first through-hole TH1-2 in the horizontal direction .
  • the spacing may refer to an interval (P2) between the center of two adjacent first 1-1 island portions and the center of the 1-2 first island portions in the horizontal direction.
  • the center of the first island portion IS1 may be the center in the non-etched side between the four first through holes TH1 adjacent in the horizontal direction and the vertical direction.
  • the center of the first island portion IS1 is defined by two first through-holes TH1-1 and TH1-2 which are adjacent to each other in the horizontal direction, -1th through hole TH1-3 adjacent to the first through hole TH1-1 in the vertical direction and the fourth through hole H3-1 adjacent to the first through hole TH1-2 in the vertical direction And a vertical axis connecting an edge of the first island portion IS1 located between the horizontal axis and the edge.
  • the pitch between two neighboring first through holes TH1 among the plurality of first through holes in the horizontal direction may be about 48 ⁇ ⁇ or less.
  • a pitch between two adjacent first through holes TH1 among the plurality of first through holes TH1 in the horizontal direction may be about 20 mu m to about 48 mu m.
  • a pitch between two neighboring first through-holes TH1 among the plurality of first through-holes TH1 in the horizontal direction may be about 30 mu m to about 35 mu m.
  • the interval may mean the interval P1 between the center of two adjacent first through-hole 1-1 and the center of the first through-hole TH1-2 in the horizontal direction .
  • the interval may mean the interval (P2) between the center of two adjacent first 1-1 island parts and the center of the 1-2 first island part in the horizontal direction.
  • the center of the first island portion IS1 may be the center of the unexposed face between one through-hole and two through-holes adjacent in the vertical direction.
  • the center of the first island portion IS1 may be centered on the non-etched side between the two through-holes and one through-hole adjacent in the vertical direction. That is, the center of the first island portion IS1 is the center of the non-etched side surface between the adjacent three through holes, and the adjacent three through holes can mean that a triangle shape can be formed when the center is have.
  • the pitch between adjacent two first through holes TH1 among the plurality of first through holes in the horizontal direction may be about 48 ⁇ ⁇ or less.
  • the pitch between two neighboring first through holes TH1 among the plurality of first through holes TH1 in the horizontal direction may be about 20 mu m to about 48 mu m.
  • a pitch between two neighboring first through-holes TH1 among the plurality of first through-holes TH1 in the horizontal direction may be about 30 mu m to about 35 mu m.
  • the interval may mean the interval P1 between the center of two adjacent first through-hole 1-1 and the center of the first through-hole TH1-2 in the horizontal direction .
  • the spacing may mean the spacing P2 between the centers of two adjacent two first island portions in the horizontal direction.
  • the center of the first island portion IS1 may be the center on the un-etched side between the four through-holes TH1 adjacent in the horizontal direction and the vertical direction.
  • the center of the first island portion IS1 is defined by two first through-holes TH1-1 and TH1-2 which are adjacent to each other in the horizontal direction, -1th through hole TH1-3 adjacent to the first through hole TH1-1 in the vertical direction and the fourth through hole H3-1 adjacent to the first through hole TH1-2 in the vertical direction And a vertical axis connecting an edge of the first island portion IS1 located between the horizontal axis and the edge.
  • the center of the first island portion IS1 is divided into a first through hole TH1-1 and a first through hole TH1-2 which are two first through holes adjacent in the horizontal direction, A fourth through hole TH4 which is a first through hole adjacent in the vertical direction at the center of the area between the 1-1 through hole TH1-1 and the 1st 1-2 through hole TH1-2, And may be the center of the non-etched opposite surface located in the region between the first through sixth through holes TH1-6. That is, the center of the first island portion IS may be the center of the inviscid facet located between the four first through holes.
  • the measurement direction of the diameter of the first through-hole TH1 and the interval between the two first through-holes TH1 adjacent to each other may be the same.
  • the interval of the first through holes TH1 may be a distance between the two first through holes TH1 adjacent to each other in the horizontal direction or the vertical direction.
  • the deposition mask 100 according to the embodiment can deposit OLED pixels having a resolution of 400 PPI or more. More specifically, the vapor deposition mask 100 according to the embodiment is configured such that the diameter of the first through hole TH1 in the effective area AA is about 33 ⁇ m or less and the pitch between the first through holes TH1 is about It is possible to deposit OLED pixels having a resolution of 500PPI or more. That is, the QHD resolution can be realized by using the deposition mask 100 according to the embodiment.
  • the diameter of the first through hole TH1 and the distance between the first through holes TH1 may be a size for forming a green subpixel.
  • the diameter of the first through hole TH1 can be measured based on a green (G) pattern.
  • the green (G) pattern requires a larger number than the red (R) pattern and the blue (B) pattern because the recognition rate through the time is low and the interval between the through holes (TH1) B) pattern.
  • the deposition mask 100 may be an OLED deposition mask for implementing a QHD display pixel.
  • the deposition mask 100 may be for depositing at least one subpixel of red (R), first green (G1), blue (B), and second green (G2).
  • the deposition mask 100 may be for depositing red (R) sub-pixels.
  • the deposition mask 100 may be for depositing a blue (B) sub-pixel.
  • the deposition mask 100 may be for simultaneously forming a first green (G1) subpixel and a second green (G2) subpixel.
  • the pixel arrangement of the organic light emitting display may be arranged in the order of 'red (R) - first green (G1) - blue (B) - second green (G2)' (RGBG).
  • R 'red
  • G1 first green
  • B blue
  • G2 second green
  • the red R - the first green G1 can form one pixel RG
  • the blue B - the second green G2 can form another pixel BG.
  • the vapor deposition mask 100 according to the present invention may be required.
  • the diameter of the first through hole TH1 in the effective area AA may be about 20 mu m or less in the horizontal direction. Accordingly, the deposition mask 100 according to the embodiment can implement UHD resolution.
  • the diameter of the first through hole and the distance between the first through holes may be a size for forming a green sub-pixel.
  • the deposition mask may be an OLED deposition mask for implementing a UHD display pixel.
  • the vapor deposition mask 100 may include a plurality of second through holes TH2 in the outer region OA.
  • the second through holes (TH2) may be arranged in a line or may be staggered according to the direction.
  • the second through holes TH2 may be arranged in a row in the vertical axis and the horizontal axis, and may be arranged in a row in the vertical axis or the horizontal axis.
  • the vapor deposition mask 100 may include a plurality of second through holes TH2 in the outer region OA.
  • the plurality of second through holes TH2 may have a circular shape.
  • the second through hole TH2 may have a diameter Cx2 in a horizontal direction and a diameter Cy2 in a vertical direction and may have a diameter Cx2 in a horizontal direction of the second through hole TH1, And the diameter (Cy2) of the direction may correspond to each other.
  • the diameter of at least one of the horizontal diameter Cx2 of the second through hole TH2 and the diameter Cy2 of the vertical direction is set to be equal to the diameter Cx1 of the first through hole TH1 in the horizontal direction, And may be smaller than at least one diameter of the diameter Cy1 in the vertical direction.
  • the second through holes TH2 may be arranged in a line according to the direction.
  • the second through holes TH2 may be arranged in a row on the vertical axis and the horizontal axis.
  • the 2-1th through-hole (TH2-1) and the 2-2th through-hole (TH2-2) in the outer area (OA) can be arranged in a line on the abscissa, TH2-3 and 2-4 through holes TH2-4 may be arranged in a line on the vertical axis.
  • the second through-hole (TH2-1) and the second through-hole (TH2-3) in the outer area (OA) may be arranged in a row on the vertical axis, and the second- TH2-2 and 2-4 through holes TH2-4 may be arranged in a line on the horizontal axis.
  • the second through holes TH2 when the second through holes TH2 are arranged in a row on the vertical axis and the horizontal axis, respectively, the second through holes TH2, which are adjacent to each other in the diagonal direction, (IS2) can be located. That is, the second island portion IS2 may be positioned between two adjacent second through holes TH2 located diagonally to each other.
  • a second island portion IS2 may be disposed between the 2-1th through hole TH2-1 and the 2-4th hole TH2-4.
  • the second island portion IS2 may be disposed between the second through hole TH2-2 and the second through hole TH2-3.
  • the second island portion IS1 may be positioned in the inclination angle direction of about +45 degrees and the inclination angle direction of about -45 degrees, respectively, based on the transverse axis crossing the two adjacent second through holes.
  • the direction of the inclination angle of about +/- 45 may mean the diagonal direction between the abscissa and the ordinate, and the inclination angle in the diagonal direction may be measured on the same plane of the abscissa and the ordinate.
  • the second island portion IS2 includes a second-1 island portion IS2-1 disposed between the plurality of second through holes TH2, a second through hole portion TH2, And a second-second island portion IS2-2 disposed between the first and second island portions TH1 and IS2.
  • the first island portion IS1 and the second island portion IS2 may have different sizes.
  • the distance between the first through holes TH1 and the distance between the second through holes TH2 may be the same.
  • the size of each of the second through holes (TH2) is smaller than the size of the first through hole (TH1).
  • the size may be a diameter in the vertical direction of the through hole, a diameter in the horizontal direction, and a width between the communicating portions.
  • the second island portion IS2 is larger than the first island portion IS1.
  • the area of one first island portion IS1 is smaller than the area of one second island portion IS2.
  • the width of the second island portion IS2 in the horizontal direction is larger than the width of the first island portion IS1 in the horizontal direction.
  • the width of the second island portion IS2 in the vertical direction is larger than the width of the first island portion IS1 in the vertical direction.
  • the second island portion IS2 also includes a second-second island portion IS2-2 disposed between the first through-hole TH1 and the second through-hole TH2, -1 island portion (IS2-1) may have different sizes. That is, a part of the second-second island part IS2-2 is influenced by the second through-hole TH2, and a part of the second through-hole IS2-2 is influenced by the first through-hole TH1. Therefore, the size of the portion of the second-second island portion IS2-2 that is affected by the second through-hole TH2 may be greater than the size of the portion affected by the first through-hole TH1 .
  • the size of the portion of the second-second island portion IS2-2 disposed in the outer area OA may be larger than the width of the portion disposed in the effective area AA.
  • the area of the second-second island part IS2-2 is larger than the area of the first island part IS1 but smaller than the area of the second-first island part IS2-1 have.
  • the first and second island portions IS1 and IS2-1 may have the same shape of the left and right island portions with respect to the vertical line passing through the center.
  • the centers of the respective island portions are already described in the description of the first island portion IS1, and therefore, the description will be omitted. That is, the first island portion IS1 and the second island portion IS2-1 have a symmetrical shape with respect to the vertical line passing through the center, and the island portion located on the left side and the island portion located on the right side are symmetrical.
  • the second and second island portions IS2-2 have different shapes of the left and right island portions with respect to the vertical line passing through the center.
  • the second-second island portion IS2-2 has an asymmetrical shape with respect to the vertical line passing through the center, and the island portion located on the left side and the island portion located on the right side are mutually asymmetrical.
  • a part of the second-second island part (IS2-2) located on the right side is disposed in the effective area (AA), and a part of the second-second island part (IS2-2) And may be disposed in the outer area OA.
  • the diameter Cx2 in the horizontal direction and the diameter Cy2 in the vertical direction of the reference hole as any arbitrary one second through hole in the mask for vapor deposition 100 according to the embodiment are measured.
  • the deviation between the diameters Cx2 in the respective horizontal directions between the second through holes TH2 and the deviation between the diameters Cy2 in the vertical direction can be realized at about 2% to about 10%. That is, when the size deviation between adjacent second through-holes of one reference hole is about 2% to about 10%, the uniformity of the deposition can be ensured.
  • the size variation between the reference hole and the adjacent second through holes may be about 4% to about 9%.
  • the size variation between the reference hole and the adjacent second through holes may be about 5% to about 7%.
  • the size variation between the reference hole and the adjacent second through holes may be between about 2% and about 5%. If the size deviation between the reference hole and the adjacent second through holes is less than about 2%, the rate of occurrence of moire in the OLED panel after deposition may be increased. If the size deviation between the reference hole and the adjacent second through holes exceeds about 10%, the incidence of color unevenness in the OLED panel after deposition can be increased.
  • the average deviation of the diameter of the second through holes may be +/- 5 mu m.
  • the average deviation of the second through-hole diameter may be +/- 3 mu m.
  • the average deviation of the diameter of the second through-hole may be +/- 1 mu m.
  • Embodiments can improve the deposition efficiency by realizing the size deviation between the reference hole and the adjacent second through holes within +/- 3 mu m.
  • the second island portion IS2 denotes an unetched surface between the second through holes TH2 on the other surface of the deposition mask 100 in which the facing surface V2 of the outer surface area OA is formed can do.
  • the second island portion IS2 is formed in the outer region OA of the vapor deposition mask, at the other surface of the non-etched evaporation mask 100 excluding the second etching surface and the second through hole TH2 located in the facing surface, Lt; / RTI >
  • the deposition mask 100 of the embodiment may be for high resolution to ultra high resolution OLED pixel deposition having a resolution of 400 PPI or more and 400 PPI to 800 PPI or more in detail.
  • the deposition mask 100 of the embodiment may be for forming a deposition pattern having a high resolution of Full HD (High Definition) having a resolution of 400 PPI or more.
  • the vapor deposition mask 100 of the embodiment may be for OLED pixel deposition with a number of pixels in the horizontal and vertical directions of 1920 * 1080 or more and 400 PPI or more. That is, one valid part included in the deposition mask 100 of the embodiment may be for forming a pixel number of 1920 * 1080 or more.
  • the deposition mask 100 of the embodiment may be for forming a deposition pattern having a high resolution of QHD (Quad High Definition) having a resolution of 500PPI or more.
  • the deposition mask 100 of the embodiment may be for OLED pixel deposition with a number of pixels in the horizontal and vertical directions of 2560 * 1440 or more and 530 PPI or more.
  • the number of pixels per inch can be 530 PPI or more based on a 5.5 inch OLED panel. That is, one valid part included in the mask for mask 100 of the embodiment may be for forming a pixel number of 2560 * 1440 or more.
  • the deposition mask 100 of the embodiment may be for forming an ultra high resolution deposition pattern of UHD (Ultra High Definition) having a resolution of 700 PPI or more.
  • the vapor deposition mask 100 of the embodiment forms a vapor deposition pattern having a resolution of UHD (Ultra High Definition) for deposition of OLED pixels of 794 PPI or more and having a number of pixels of 3840 * 2160 or more in the horizontal and vertical directions . ≪ / RTI >
  • the diameter of the second through hole TH1 may be a width between the communicating portions CA.
  • the diameter of the second through hole TH1 can be measured at the point where the end of the etching surface in the small-hole V1 meets the end of the etching surface in the facing hole V2.
  • the measurement direction of the diameter of the second through hole TH2 may be any one of a horizontal direction, a vertical direction, and a diagonal direction.
  • the diameter of the second through-hole TH2 measured in the horizontal direction may be 32 ⁇ or less.
  • the diameter of the second through-hole TH2 measured in the vertical direction may be 32 ⁇ or less.
  • the diameter of the second through-hole TH2 may be an average of values measured in the horizontal direction, the vertical direction, and the diagonal direction.
  • the second through hole (TH2) satisfies the above range and has a smaller diameter than the diameter of the first through hole (TH1).
  • the deposition mask 100 can realize the QHD resolution.
  • the diameter of the second through hole TH2 may be about 15 mu m to about 33 mu m.
  • the diameter of the second through hole TH2 may be about 19 [mu] m to about 33 [mu] m.
  • the diameter of the second through hole TH2 may be about 20 ⁇ to about 27 ⁇ . If the diameter of the second through hole TH2 is larger than about 33 mu m, it may be difficult to realize a resolution of 500 PPI or more. On the other hand, if the diameter of the second through-hole TH2 is less than about 15 mu m, deposition failure may occur.
  • the diameter of the second through-hole TH2 is assumed to be in the range described above, and the diameter of the second through-hole TH2 is substantially smaller than the diameter of the first through-hole TH1 .
  • the diameter of the second through hole TH2 is smaller than the diameter of the first through hole TH1 As shown in FIG.
  • the pitch between the adjacent two second through holes TH2 among the plurality of second through holes in the horizontal direction may be about 48 mu m or less.
  • the pitch between two adjacent second through holes TH2 among the plurality of second through holes TH2 in the horizontal direction may be about 20 mu m to about 48 mu m.
  • the pitch between the adjacent two second through holes TH2 among the plurality of second through holes TH2 in the horizontal direction may be about 30 mu m to about 35 mu m.
  • the interval may mean the distance between the center of two adjacent second through-holes TH2-1 and the center of second through-hole TH2-2 in the horizontal direction.
  • the spacing may mean the distance between the center of two adjacent second-1-island portions and the center of the second-second island portion in the horizontal direction.
  • the interval between the adjacent two second through-holes (TH2) of the plurality of second through-holes (TH2) is larger than the interval between the adjacent two first through-holes (TH1) among the plurality of first through- As shown in FIG.
  • the measurement direction of the diameter of the second through-hole TH2 and the interval between the two adjacent second through-holes TH2 may be the same.
  • the distance between the second through holes TH2 may be a distance between the two second through holes TH2 adjacent to each other in the horizontal direction or the vertical direction.
  • the deposition mask 100 according to the embodiment can deposit OLED pixels having a resolution of 400 PPI or more.
  • the vapor deposition mask 100 according to the embodiment is configured such that the diameter of the second through hole TH2 in the effective area AA is about 32 ⁇ m or less and the pitch between the second through holes TH2 is about It is possible to deposit OLED pixels having a resolution of 500PPI or more. That is, the QHD resolution can be realized by using the deposition mask 100 according to the embodiment.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of the cross section taken along the line A-A 'in FIG. 5 and the cross section of the cross section between the effective area AA and the cross-section of the outer area OA in the B-B' direction.
  • the A-A 'direction is a transverse cross section that intersects a center region between two first through-holes TH1 and second through-holes TH2 which are adjacent in the vertical direction. That is, the A-A 'direction is a transverse cross-section that intersects the central region between the first 1-1 through holes (TH1-1) and the 1-2th through holes (TH1-2) adjacent in the vertical direction. That is, the A-A 'direction is a transverse cross section that intersects the center area between the two second through-holes TH2-1 and the second through-holes TH2-2 which are adjacent in the vertical direction. That is, the transverse section in the direction A-A 'may not include the first through hole TH1 and the second through hole TH2.
  • the cross section in the A-A 'direction is not etched between the etching surface ES2 in the facing hole in the first through hole TH1 and the second through hole TH2 and the etching surface ES2 in the facing surface
  • the first island portion IS1 and the second island portion IS2 which are the other surfaces of the evaporation mask, may be located. Accordingly, the first and second island portions IS1 and IS2 may include a surface parallel to an un-etched surface of the deposition mask. Alternatively, the first and second island portions (IS1, IS2) may include surfaces that are the same or parallel to the unmasked surface of the deposition mask (100).
  • the second island portion IS2 may include a second-first island portion IS2-1 and a second-second island portion IS2-2.
  • the thickness of the vapor deposition mask 100 may be about 30 ⁇ or less.
  • the thickness may be from about 20 [mu] m to about 30 [mu] m.
  • the thickness may be from about 15 [mu] m to about 20 [mu] m.
  • the thickness of the vapor deposition mask 100 may be a thickness of a portion of the vapor deposition mask 100 that is not etched to a thickness of one surface 101 and the other surface 102. That is, the thickness of the vapor deposition mask 100 may correspond to the thickness of the metal plate 10 for manufacturing the vapor deposition mask 100 in the method of manufacturing the vapor deposition mask to be described later. That is, the island portions (IS1, IS2-1, IS2-2) may be equal to the thickness of the deposition mask (100).
  • the B-B 'direction is a transverse cross section across the centers of the two first through holes (TH1) and the second through holes (TH2) adjacent in the horizontal direction. That is, the B-B 'direction is a transverse cross section that crosses the centers of the two first 1-1 through holes (TH1-1) and the second through holes (TH1-2) adjacent to each other in the horizontal direction. That is, the B-B 'direction is a transverse cross section across the center of each of the second 2-1th through-hole (TH2-1) and second 2-2th through hole (TH2-2) adjacent in the horizontal direction. That is, the transverse section in the direction of B-B 'may include a plurality of first through holes TH1 and a second through hole TH2.
  • One rib (RB1, RB2, RB3) may be positioned between adjacent through holes in the direction of B-B '. That is, one first rib (RB1) is formed between the first through third through holes (TH1-3) and the first through holes (TH1-3) and the fourth through holes (TH1-4) ) Can be located. The first through hole TH1-3 and the first through hole TH1-3 are horizontally adjacent to the first through hole TH1-3, And another first rib RB1 may be positioned between the holes.
  • One first through hole TH1 may be positioned between the plurality of first ribs RB1. That is, one first through hole TH1 may be positioned between the two first ribs RB1 adjacent in the horizontal direction.
  • One second through hole TH1 may be positioned between the plurality of second ribs RB2. That is, one second through hole TH2 may be positioned between two adjacent second ribs RB2 in the horizontal direction.
  • 3 ribs can be located.
  • the third rib RB3 may be positioned on the interface between the effective area AA and the outer area OA on the deposition mask 100.
  • the transverse cross-section in the direction of B-B includes a first rib RB1 connecting the etched surfaces of the adjacent first through-holes TH1 in the opposing face to each other, a second rib RB2 interposed between the adjacent second through- A third rib RB3 connecting the etched surfaces of the opposite surfaces of the first through holes TH1 and the opposite surfaces of the adjacent second through holes TH2 to each other, Can be located.
  • the ribs RB1, RB2, and RB3 may be regions where the boundaries of two adjacent facing balls are connected.
  • the thickness of the central portion of the ribs RB1, RB2 and RB3 may be smaller than the thickness of the island portions IS1, IS2-1 and IS2-2.
  • the width W1 of the first island portion IS1 may be about 2 ⁇ or more.
  • first rib RB1 may be positioned at a position where the opposite faces of the plurality of adjacent first through holes TH1 contact each other.
  • second ribs RB2 may be positioned at positions where the opposite surfaces of the adjacent second through holes TH2 are in contact with each other.
  • the third rib RB3 may be positioned at a position where the opposite face of the adjacent first through hole TH1 and the opposite face of the second through hole TH2 are in contact with each other.
  • the third rib RB3 may be positioned on the boundary between the effective area AA and the outer area OA.
  • the thickness of the central portion of each of the first ribs RB1, the second ribs RB2, and the third ribs RB3 may be smaller than the thickness of the unaffected portion UA where the etching does not proceed.
  • the first through holes or the second through holes or the opposed faces of the first through holes and the second through holes are in continuous contact with each other, and thus the first ribs RB1,
  • the thickness of the central portion of each of the second rib RB2 and the third rib RB3 may be smaller than the thickness of the non-affected portion UA.
  • the width W1 in the direction parallel to the other surface of the remaining portion that is not etched on the other surface may be about 2 ⁇ ⁇ or more.
  • the entire volume of the vapor deposition mask 100 can be increased.
  • the vapor deposition mask 100 having such a structure can secure sufficient rigidity against the tensile force applied in the organic material deposition process or the like and can be advantageous to maintain the uniformity of the through holes.
  • the width W2 of one second-second island portion IS2-1 may be larger than the width W1 of the first island portion IS1. That is, the through-holes disposed on both sides of the second-first island portion IS2-1 are the second through-holes TH2 smaller in diameter than the first through-holes TH1, and the diameter of the through- And accordingly the width W2 of the island portion can be larger. Therefore, the width W2 of the second-first island portion IS2-1 is greater than the width W1 of the first island portion IS1.
  • the width W3 of one second-second island portion IS2-2 is greater than the width W1 of the first island portion IS1, Is smaller than the width (W2). That is, the first through-hole TH1 is disposed on one side of the second-second island portion IS2-2, and the second through-hole TH2 is disposed on the other side. Therefore, a part of the second-second island part IS2-2 is influenced by the first through-hole TH1, and a part of the second through-hole IS2-2 is influenced by the second through-hole TH2. That is, the width W3-1 of the part of the second-second island part IS2-2 may be 1/2 of the width W1 of the first island part IS1, W3-2 may be 1/2 of the width W2 of the 2-1 island portion IS2-1.
  • the first rib RB1 positioned between the first through holes TH1 has a maximum thickness T1 measured in the central region (that is, the thickness of the central portion of the first rib RB1) ≪ / RTI >
  • the maximum thickness T1 measured at the center of the first rib RB1 may be about 7 ⁇ to about 10 ⁇ .
  • the maximum thickness T1 measured at the center of the first rib RB1 may be about 6 ⁇ ⁇ to about 9 ⁇ ⁇ . If the maximum thickness (T1) measured at the center of the first rib (RB1) exceeds about 15 mu m, it may be difficult to form an OLED deposition pattern having a high resolution of 500 PPI or more. In addition, when the maximum thickness T1 measured at the center of the first rib RB1 is less than about 6 mu m, uniform formation of the evaporation pattern may be difficult.
  • the second rib RB2 located between the second through holes TH2 may have a maximum thickness T2 measured at the central region thereof greater than a thickness of the central portion of the first rib RB1.
  • the central portion of the second rib RB2 may be thicker than the central portion of the first rib RB1 while satisfying the thickness range of the central portion of the first rib RB1.
  • An unetched region having a predetermined area may be formed between an outer region in which the second through hole TH2 having a relatively small size is disposed and an effective region in which the first through hole TH1 is disposed . Also, it is possible to solve the problem that over etching occurs on the basis of the second through-hole in the outer region disposed at a position spaced apart from the effective region. However, the overetching problem as described above occurs as the radicals are concentrated between the non-etching region and the etching region. Accordingly, if a part of the non-etched area is left between the effective area and the outer area as described above, the remaining remaining non-etched area can concentrate the radical on the effective area adjacent to the non-etched area.
  • the first through holes disposed at the outer periphery of the effective region are over etched due to the concentration of the radicals, and thus have a size larger than the target size.
  • the thickness of the central portion of the rib connecting between the first through holes becomes thinner, so that the strength of the entire effective region is weakened. Therefore, in the present invention, the non-etching region is not present in the region where the etching proceeds as described above. In other words, the non-etching region is not present between the effective region and the outer region, and the through hole having a relatively small size is arranged in the outer region adjacent to the non-dielectric portion, thereby solving the over etching problem. In the present invention, no through holes are provided in the non-affluent portion.
  • the through hole is not disposed in the non-fatliquored portion, so that the tensile rigidity of the vapor-deposition mask can be secured.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line B-B 'of FIG. 10, the through holes TH1 and TH2 between the ribs RB1, RB2 and RB3 according to FIG. 9 and the ribs RB1, RB2 and RB3 will be described.
  • the vapor deposition mask 100 has a structure in which the first through hole TH1 and the second through hole TH2 are formed in the effective area AA and the outer area OA And the thickness of the unetched portion (UA) may be different from each other.
  • the thickness of the central portions of the ribs RB1, RB2 and RB3 may be smaller than the thickness of the unetched portion UA.
  • the masking mask 100 may have a thickness of the unaffected portion UA larger than the thickness of the effective regions AA1, AA2 and AA3 and the thickness of the outer regions OA1, OA2 and OA3.
  • the vapor deposition mask 100 may have a maximum thickness of about 30 mu m or less in the unaffected portion UA to the non-deposition region NDA.
  • the vapor deposition mask 100 may have a maximum thickness of about 25 mu m or less of the unaffected portion UA to the non-deposition region NDA.
  • the deposition mask of an embodiment may have a maximum thickness of about 15 [mu] m to about 25 [mu] m in the unglued or non-deposited regions.
  • the thickness of the metal plate 10 which is the source of the deposition mask 100, becomes thick, It may be difficult to form the hole TH.
  • the maximum thickness of the non-fatigued portion (UA) to the non-deposited region (NDA) of the vapor deposition mask (100) is less than about 15 mu m, the thickness of the metal plate is small, .
  • the height H1 of the small hole of the first through hole TH1 of the vapor deposition mask 100 may be about 0.2 to about 0.4 times the maximum thickness T1 measured at the center of the first rib RB1 have.
  • the maximum thickness T1 measured at the center of the first rib RB1 is about 7 ⁇ m to about 9 ⁇ m, and the one surface of the vapor deposition mask 100 and the first through-
  • the height H1 between the parts may be about 1.4 mu m to about 3.5 mu m.
  • the height (H1) of the small hole of the first through hole (TH1) of the vapor deposition mask (100) may be about 3.5 mu m or less.
  • the height of the small hole V1 of the first through hole TH1 may be about 0.1 mu m to about 3.4 mu m.
  • the height of the small hole V1 of the first through hole TH1 of the vapor deposition mask 100 may be about 0.5 mu m to about 3.2 mu m.
  • the height of the small hole V1 of the first through hole TH1 of the vapor deposition mask 100 may be about 1 mu m to about 3 mu m.
  • the height can be measured in the direction of thickness measurement of the thickening mask 100, that is, the depth direction, and the height from one surface of the thickening mask 100 to the connecting portion of the first through hole TH1 is measured . (X direction) and the vertical direction (y direction) described above with reference to the plan views of Figs. 4 to 8, respectively.
  • the shadow effect that the evaporation material spreads over the area of the through hole at the time of the OLED deposition effect may occur.
  • the pore W5 at the connecting portion, which is a boundary between the facing surfaces V2 of the first through hole TH1 may be similar to or different from each other.
  • the pore size W4 of the first through hole TH1 of the vapor deposition mask 100 on one side where the small-hole V1 is formed may be larger than the pore size W5 of the communicating portion.
  • the difference between the pore W4 on one surface of the first through hole TH1 of the vapor deposition mask 100 and the pore W5 on the communicating portion may be about 0.01 ⁇ m to about 1.1 ⁇ m have.
  • the difference between the pore size W4 on one side of the vapor-deposition mask and the pore size W5 on the other side may be about 0.03 ⁇ m to about 1.1 ⁇ m.
  • the difference between the pore size W4 on one surface of the evaporation mask and the pore size W5 on the communicating portion may be about 0.05 ⁇ m to about 1.1 ⁇ m.
  • the first island portion IS1 may be present on the other side of the first island portion IS1.
  • the pore W5 at the connecting portion, which is a boundary between the facing surfaces V2 of the first through hole TH1 may be similar to or different from each other.
  • the pore size W4 of the first through hole TH1 of the vapor deposition mask 100 on one side where the small-hole V1 is formed may be larger than the pore size W5 of the communicating portion.
  • the difference between the pore W4 on one surface of the first through hole TH1 of the vapor deposition mask 100 and the pore W5 on the communicating portion may be about 0.01 ⁇ m to about 1.1 ⁇ m have.
  • the difference between the pore size W4 on one side of the vapor-deposition mask and the pore size W5 on the other side may be about 0.03 ⁇ m to about 1.1 ⁇ m.
  • the difference between the pore size W4 on one surface of the evaporation mask and the pore size W5 on the communicating portion may be about 0.05 ⁇ m to about 1.1 ⁇ m.
  • the pore W1 of the second through hole TH1 and the pore V1 of the second through hole TH1 on one side where the small side hole V1 of the vapor deposition mask 100 is formed may be similar to or different from each other.
  • the pore W6 at one surface of the second through hole TH1 of the vapor deposition mask 100 where the small-hole V1 is formed may be larger than the pore W7 at the communicating portion.
  • the difference between the pore size W6 on one surface of the second through hole TH2 of the vapor deposition mask 100 and the pore size W7 on the connecting portion may be about 0.01 ⁇ m to about 1.1 ⁇ m have.
  • the difference between the pore size W6 on one surface of the evaporation mask and the pore size W7 on the communicating portion may be about 0.03 m to about 1.1 m.
  • the difference between the pore size W6 on one surface of the evaporation mask and the pore size W7 on the communicating portion may be about 0.05 ⁇ m to about 1.1 ⁇ m.
  • the pore size W7 of the communicating portion between the small hole and the large hole of the second through hole TH2 is smaller than the small hole diameter W5 of the small hole of the first through hole TH1, .
  • a mask pattern having uniform pore size can be formed in the evaporation mask.
  • the size of the through hole in the outer region is reduced compared to the size of the through hole in the effective region located at the center of the effective portion of the deposition mask, during tensile welding before deposition during the manufacturing process of the OLED panel, It is possible to solve the phenomenon that the effective part separates from the vapor deposition mask separated from the non-affinity part.
  • the through hole is not located in the non-affinity portion not involved in the deposition.
  • the outer region of the effective portion is disposed so as to surround the upper and lower sides as well as the left and right sides of the effective region located at the center of the effective portion. Therefore, the through holes of the outer area are located at the periphery including the left side, the right side, the upper side and the lower side of the effective area. According to the embodiment of the present invention, the through hole of the outer region and the through hole of the effective region are connected through one rib. At this time, the thickness of the central portion of the rib is smaller than the thickness of the metal plate as the raw material. That is, there is no non-etched area in the effective part including the effective area and the outer area.
  • the deposition mask according to the embodiments can have more precise and uniform through holes, can uniformly deposit OLED pixel patterns of 400 PPI or more, high resolution of 500 PPI or more, and ultrahigh resolution of 800 PPI or more
  • FIG. 11 is a view showing a plan view of an effective part and an outer area of the deposition mask according to the second embodiment.
  • the vapor deposition mask in FIG. 11 differs from the vapor deposition mask in FIG. 5 in the second through hole TH2 formed in the outer area OA.
  • the second through hole TH2 formed in the outer area OA of FIG. 11 as compared with FIG. 5 will be described.
  • the outer area OA may include a plurality of second through holes TH2.
  • the second through holes (TH2) may be arranged in a line or may be staggered according to the direction.
  • the second through holes TH2 may be arranged in a row in the vertical axis and the horizontal axis, and may be arranged in a row in the vertical axis or the horizontal axis.
  • the vapor deposition mask 100 may include a plurality of second through holes TH2 in the outer region OA.
  • the plurality of second through holes TH2 may have a circular shape.
  • the second through hole TH2 may have a diameter Cx2 in a horizontal direction and a diameter Cy2 in a vertical direction and may have a diameter Cx2 in a horizontal direction of the second through hole TH1, And the diameter (Cy2) of the direction may correspond to each other.
  • the horizontal diameter Cx2 of the second through hole TH2 and the diameter Cy2 of the vertical direction are set so that the diameter Cx1 of the first through hole TH1 in the horizontal direction and the diameter Cx2 of the vertical direction Cy1).
  • the second through holes TH2 may be arranged in a line according to the direction.
  • the second through holes TH2 may be arranged in a row on the vertical axis and the horizontal axis.
  • the 2-1th through-hole (TH2-1) and the 2-2th through-hole (TH2-2) in the outer area (OA) can be arranged in a line on the abscissa, TH2-3 and 2-4 through holes TH2-4 may be arranged in a line on the vertical axis.
  • the second through-hole (TH2-1) and the second through-hole (TH2-3) in the outer area (OA) may be arranged in a row on the vertical axis, and the second- TH2-2 and 2-4 through holes TH2-4 may be arranged in a line on the horizontal axis.
  • the second through holes TH2 when the second through holes TH2 are arranged in a row on the vertical axis and the horizontal axis, respectively, the second through holes TH2, which are adjacent to each other in the diagonal direction, (IS2-1, IS2-2) can be located. That is, the second island portions IS2-1 and IS2-2 may be positioned between two adjacent second through holes TH2 located diagonally to each other.
  • a second island portion IS2 may be disposed between the 2-1th through hole TH2-1 and the 2-4th hole TH2-4.
  • the second island portion IS2 may be disposed between the second through hole TH2-2 and the second through hole TH2-3.
  • the second island portion IS1 may be positioned in the inclination angle direction of about +45 degrees and the inclination angle direction of about -45 degrees, respectively, based on the transverse axis crossing the two adjacent second through holes.
  • the direction of the inclination angle of about +/- 45 may mean the diagonal direction between the abscissa and the ordinate, and the inclination angle in the diagonal direction may be measured on the same plane of the abscissa and the ordinate.
  • the second island portion IS2 includes a second-1 island portion IS2-1 disposed between the plurality of second through holes TH2, a second through hole portion TH2, And a second-second island portion IS2-2 disposed between the first and second island portions TH1 and IS2.
  • the diameter of the second through hole TH2 may be a width between the small hole of the second through hole TH2 and the communication portion CA connecting the opposite surface of the second through hole TH2.
  • the diameter of the second through hole TH2 can be measured at the point where the end of the etched surface in the small-hole V1 meets the end of the etched surface in the opposite surface V2.
  • the measurement direction of the diameter of the second through hole TH2 may be any one of a horizontal direction, a vertical direction, and a diagonal direction.
  • the diameter of the second through-hole TH2 measured in the horizontal direction may be 33 ⁇ or less.
  • the diameter of the second through-hole TH2 measured in the vertical direction may be 33 ⁇ or less.
  • the diameter of the second through-hole TH2 may be an average of values measured in the horizontal direction, the vertical direction, and the diagonal direction.
  • the deposition mask 100 can realize the QHD resolution.
  • the diameter of the second through hole TH2 may be about 15 mu m to about 33 mu m.
  • the diameter of the second through hole TH2 may be about 19 [mu] m to about 33 [mu] m.
  • the diameter of the second through hole TH2 may be about 20 ⁇ to about 27 ⁇ . If the diameter of the second through hole TH2 is larger than about 33 mu m, it may be difficult to realize a resolution of 500 PPI or more. On the other hand, if the diameter of the second through-hole TH2 is less than about 15 mu m, deposition failure may occur.
  • first island portion IS1 and the second island portion IS2 may have different sizes. This is because the diameter of the first through hole (TH1) and the diameter of the second through hole (TH2) are equal to each other, and the distance between the plurality of first through holes (TH1) (TH2) are different from each other.
  • the distance between two neighboring first through-holes TH1 among the plurality of first through-holes TH1 in the horizontal direction may be about 48 mu m or less.
  • a pitch between two adjacent first through holes TH1 among the plurality of first through holes TH1 in the horizontal direction may be about 20 mu m to about 48 mu m.
  • a pitch between two neighboring first through-holes TH1 among the plurality of first through-holes TH1 in the horizontal direction may be about 30 mu m to about 35 mu m.
  • the interval may mean the distance between the center of two adjacent first 1-1 through holes (TH1-1) and the center of the 1-2th through holes (TH1-2) in the horizontal direction.
  • the spacing may mean the spacing between the centers of two adjacent first island portions in the horizontal direction.
  • the interval between the adjacent two second through-holes TH1 in the plurality of second through-holes TH2 in the horizontal direction is about 48 mu m or less, and the distance between the adjacent first through-holes TH1 It is larger than the interval.
  • the pitch between adjacent two second through holes TH2 of the plurality of second through holes TH2 in the horizontal direction is about 20 mu m to about 48 mu m, Hole TH1.
  • the pitch between the adjacent two second through holes TH2 of the plurality of second through holes TH2 in the horizontal direction is about 30 mu m to about 35 mu m, Hole TH1.
  • the width of the first through-hole TH1 is equal to the width of the second through-hole TH2.
  • 1 through-holes TH1 1 through-holes TH1.
  • the width of the ribs between the second through holes TH2 and the width of the island portion also increases by the increased distance. Therefore, even if over etching is performed in the outer area OA, the cover can be covered by the width of the raised rib and the island part, and the problem of separation between the effective area AA and the outer area OA can be solved do.
  • FIG. 12 is a view showing a plan view of an effective portion and an outer region of a vapor deposition mask according to the third embodiment.
  • the vapor deposition mask in FIG. 12 differs from the vapor deposition mask in FIG. 5 in the second through hole TH2 formed in the outer area OA. Accordingly, only the second through hole TH2 formed in the outer area OA of FIG. 12 as compared with FIG. 5 will be described below.
  • the outer area OA may include a first outer area OA1-1 and a first outer area OA1-2. That is, three rows of second through holes TH2 may be formed in the outer area OA.
  • One row adjacent to the valid area AA in the three rows is defined as a 1-1 outline area OA1-1 and a remaining one outline area OA1-1 excluding the 1-1 outline area OA1-1, ) Can be defined as a first-second outer region OA1-2.
  • the outer area OA can be divided into an area adjacent to the effective area AA and an area surrounding the area adjacent to the effective area AA.
  • the through holes formed in the outer area OA are divided into a second through hole TH2 formed in the first outer area OA1-1, And a third through hole TH3 formed in the area OA1-2.
  • the vapor deposition mask 100 may include a plurality of second through holes TH2 in the first outer region OA1-1.
  • the second through holes (TH2) may be arranged in a line or may be staggered according to the direction.
  • the second through holes TH2 may be arranged in a row in the vertical axis and the horizontal axis, and may be arranged in a row in the vertical axis or the horizontal axis.
  • the vapor deposition mask 100 may include a plurality of third through holes TH3 in the first and second outer regions OA1-2.
  • the third through holes TH3 may be arranged in a line or may be staggered according to the direction.
  • the third through holes TH3 may be arranged in a row on the vertical axis and the horizontal axis, and may be arranged in a row on the vertical axis or the horizontal axis.
  • the vapor deposition mask 100 may include a plurality of second through holes TH2 in the first outer region OA1-1. At this time, the plurality of second through holes TH2 may have a circular shape.
  • the second through hole TH2 may have a diameter Cx2 in a horizontal direction and a diameter Cy2 in a vertical direction and may have a diameter Cx2 in a horizontal direction of the second through hole TH1, And the diameter (Cy2) of the direction may correspond to each other.
  • the diameter of at least one of the horizontal diameter Cx2 of the second through hole TH2 and the diameter Cy2 of the vertical direction is set to be equal to the diameter Cx1 of the first through hole TH1 in the horizontal direction, And may be smaller than at least one diameter of the diameter Cy1 in the vertical direction.
  • the second through holes TH2 may be arranged in a line according to the direction.
  • the second through holes TH2 may be arranged in a row on the vertical axis and the horizontal axis.
  • the second through holes TH2 in the first-first outer region OA1-1 may be arranged in a line on the horizontal axis, and the second through holes TH2 may be arranged in a line on the vertical axis .
  • the 1-1 outer region OA1-1 includes one row of the second through holes TH2 in the figure, the first through-holes TH1 and the second through holes TH2 may be formed substantially on the upper and lower sides of the effective region AA, OA1-1), and the second through holes TH2 may be arranged in a line on the abscissa.
  • the number of rows and the number of columns of the second through holes TH2 disposed in the first-first outer region OA1-1 may be increased.
  • the third through holes TH3 in the first-second outer zone OA1-2 may be arranged in a row on the horizontal axis, and the third through holes TH3 may be arranged in a row on the vertical axis .
  • the third through holes TH3 adjacent to each other in the diagonal direction intersecting both the vertical axis and the horizontal axis, (IS4) can be located. That is, the fourth island portion IS4 may be positioned between two adjacent third through holes TH3 located diagonally to each other.
  • a second island portion IS2 is formed between the first through hole TH1 formed in the effective area AA and the second through hole TH2 formed in the first outside area OA1-1 Can be located.
  • a third through hole TH2 formed in the first outer area OA1-1 and a third through hole TH3 formed in the first outer area OA1-2 are formed in a third island (IS3) may be located.
  • Each of the first to fourth island portions IS1, IS2, IS3 and IS4 has a different size.
  • the interval between the second through holes TH2 and the interval between the adjacent second through holes TH2 and TH3 may be the same.
  • the size of each of the second through holes (TH2) is smaller than the size of the first through hole (TH1). That is, the width of the communicating portion of the second through-hole TH2 is smaller than the width of the communicating portion of the first through-hole TH1. That is, the width Cx2 in the horizontal direction of the second through-hole TH2 is smaller than the width Cx1 in the horizontal direction of the first through-hole TH1. That is, the width Cy2 in the vertical direction of the second through-hole TH2 is smaller than the width Cy1 in the vertical direction of the first through-hole TH1.
  • each of the third through holes TH3 is smaller than the size of the second through hole TH2. That is, the width of the communicating portion of the third through-hole TH3 is smaller than the width of the communicating portion of the second through-hole TH2. That is, the width Cx3 in the horizontal direction of the third through-hole TH3 is smaller than the width Cx2 in the horizontal direction of the second through-hole TH2. That is, the width Cy3 in the vertical direction of the third through-hole TH3 is smaller than the width Cy2 in the vertical direction of the second through-hole TH2.
  • the size of the second through hole TH2 is smaller than the size of the first through hole TH1, but larger than the size of the third through hole TH3. That is, the width of the communication portion of the second through-hole TH2 is smaller than the width of the communication portion of the first through-hole TH1, but larger than the width of the communication portion of the third through-hole TH3. That is, the width Cx2 in the horizontal direction of the second through-hole TH2 is smaller than the width Cx1 in the horizontal direction of the first through-hole TH1, Direction width Cx3. That is, the width Cy2 in the vertical direction of the second through-hole TH2 is smaller than the width Cy1 in the vertical direction of the first through-hole TH1, Direction is larger than the width Cy3 in the direction of the thickness direction.
  • the through hole formed in the outer area OA with respect to the effective area AA may gradually decrease in width as the distance from the outermost area of the effective area AA increases. Therefore, the width of the through hole located at the outermost portion of the outer region OA, that is, the through hole located in the region closest to the non-etched region, may be the smallest.
  • the outer area OA is divided into a plurality of areas, and accordingly, the widths of the through holes formed in the outer area OA gradually decrease from the effective area AA have.
  • the second through hole TH2 and the third through hole TH3 formed in the first 1-1 outer area OA1-1 and the first 1-2 outer area OA1-2 do not include a small hole It can be formed as a half nickname of only a face-to-face.
  • the second through hole TH2 is formed in the first outside area OA1-1 and the third through hole TH3 is formed only in the first outside area OA1-2.
  • the radical scoring phenomenon by the etching solution occurs in the etching region closest to the etching-free region.
  • the second through hole TH2 is formed in the first outer region OA1-1 as described above.
  • the half-nicked portion having only the facing hole is formed in the outermost region of the first-second outer zone OA1-2.
  • the third through hole TH3 may be formed in a region other than the outermost region of the first-second outer region OA1-2.
  • FIG. 13 and 14 are views showing a manufacturing method of the deposition mask 100 according to the embodiment.
  • the method for manufacturing the deposition mask 100 includes preparing a metal plate 10, arranging a photoresist layer on the metal plate 10 to form first and second through holes TH1 And TH2, and removing the photoresist layer to form the evaporation mask 100 including the first through-hole TH1 and the second through-hole TH2.
  • the metal plate 10 as a base material for manufacturing the vapor deposition mask 100 is prepared (S410).
  • the metal plate 10 may include a metal material.
  • the metal plate 10 may include nickel (Ni).
  • the metal plate 10 may include iron (Fe) and nickel (Ni). More specifically, the metal plate 10 may include iron (Fe), nickel (Ni), oxygen (O), and chromium (Cr).
  • the metal plate 10 may include a small amount of carbon, silicon, sulfur, phosphorus, manganese, titanium, cobalt, copper, May further include at least one or more elements of silver (Ag), vanadium (V), niobium (Nb), indium (In), and antimony (Sb).
  • the Invar is an alloy containing iron and nickel, and is a low thermal expansion alloy having a thermal expansion coefficient close to zero. That is, since the Invar has a very small thermal expansion coefficient, it is used in precision parts such as masks and precision instruments. Therefore, the vapor deposition mask manufactured using the metal plate 10 can have improved reliability, can prevent deformation, and can also increase the lifetime.
  • the metal plate 10 may contain about 60 wt% to about 65 wt% of iron, and the nickel may include about 35 wt% to about 40 wt%. In detail, the metal plate 10 may include about 63.5 wt% to about 64.5 wt% of iron, and the nickel may include about 35.5 wt% to about 36.5 wt%.
  • the metal plate 10 may be formed of a metal such as carbon, silicon, sulfur, phosphorus, manganese, titanium, cobalt, At least one element selected from the group consisting of silver (Ag), vanadium (V), niobium (Nb), indium (In) and antimony (Sb).
  • the content, weight and% by weight of the metal sheet 10 can be determined by selecting a specific area a * b on the plane of the metal sheet 10 and measuring a specimen a * b corresponding to the thickness t of the metal sheet 10, b * t) is sampled and dissolved in strong acid, etc., and the weight% of each component is examined.
  • the embodiment is not limited to this, and the composition can be examined in weight% by various methods which can confirm the composition of the metal plate.
  • the metal plate 10 may be manufactured by a cold rolling method.
  • the metal sheet 10 may be formed through melting, forging, hot rolling, normalizing, primary cold rolling, primary annealing, secondary cold rolling, and secondary annealing, Or less.
  • the metal sheet 10 may have a thickness of less than about 30 microns after the process through an additional thickness reduction process.
  • the step of preparing the metal plate 10 may further include a step of decreasing the thickness according to the thickness of the metal plate 10 to be targeted.
  • the thickness reducing step may be a step of reducing the thickness by rolling and / or etching the metal plate 10.
  • a metal plate 10 having a thickness of about 30 ⁇ may be required to manufacture an evaporation mask for realizing a resolution of 400 PPI or more, and in order to manufacture an evaporation mask for realizing a resolution of 500 PPI or more, A metal plate 10 having a thickness of about 30 ⁇ to about 30 ⁇ may be required and a metal plate 10 having a thickness of about 15 ⁇ to about 20 ⁇ may be required to manufacture an evaporation mask capable of achieving a resolution of 800 PPI or higher.
  • the step of preparing the metal plate 10 may further include a surface treatment step.
  • the nickel alloy such as Invar may have a high etching rate at the initial stage of the etching, so that the etching factor of the small hole V1 in each of the first through hole TH1 and the second through hole TH2 may be lowered.
  • the photoresist layer for forming the opposite face V2 is peeled off by side etching of the etching liquid, . Accordingly, it may be difficult to form a through-hole having a small size, and it is difficult to uniformly form the through-hole, so that the manufacturing yield may be lowered.
  • a surface treatment layer for surface modification with different components, content, crystal structure and corrosion rate can be disposed on the surface of the metal plate 10.
  • the surface modification may mean a layer made of various materials disposed on the surface to improve the etching factor.
  • the surface treatment layer may be a barrier layer for inhibiting rapid etching on the surface of the metal plate 10 and having a lower etching rate than the metal plate 10.
  • the surface treatment layer may have a crystal plane and a crystal structure different from that of the metal plate 10. For example, as the surface treatment layer includes different elements from the metal plate 10, the crystal plane and the crystal structure may be different from each other.
  • the surface treatment layer may have a corrosion potential different from that of the metal plate 10.
  • the surface treatment layer may have different corrosion current or corrosion potential from the metal plate 10.
  • the metal plate 10 may include a surface treatment layer or a surface treatment portion on one side and / or both sides, the whole and / or the effective region.
  • the surface treatment layer or the surface treatment portion may include elements different from the metal plate 10 or may include a metallic element with a slower corrosion rate in an amount larger than the metal plate 10.
  • a step of forming a first through hole TH1 and a second through hole TH2 by arranging a photoresist layer on the metal plate 10 may be performed.
  • a first photoresist is formed on one surface of the metal plate 10 so as to form a small hole V1 of the first through hole TH1 and the second through hole TH2 on one surface of the metal plate 10,
  • the layer PR1 can be disposed.
  • the first photoresist layer PR1 may be exposed and developed to form a patterned first photoresist layer PR1 on one side of the metal plate 10.
  • a first photoresist layer PR1 including an open portion may be formed on one surface of the metal plate.
  • An etch stop layer such as a coating layer or a film layer for preventing etching may be disposed on the other surface opposite to the one surface of the metal plate 10.
  • the open portion of the patterned first photoresist layer PR1 is half-etched to form a first groove on one surface of the metal plate 10.
  • the open portion of the first photoresist layer PR1 may be exposed to an etchant or the like so that etching may occur at an open portion of the one surface of the metal plate 10 where the first photoresist layer PR1 is not disposed.
  • the step of forming the first groove may be a step of etching the metal plate 10 having a thickness (T1) of about 20 mu m to about 30 mu m to a thickness of about 1/2.
  • the depth of the first groove formed through this step may be about 10 ⁇ to 15 ⁇ . That is, the thickness (T2) of the metal plate measured at the center of the first groove formed after this step may be about 10 ⁇ ⁇ to about 15 ⁇ ⁇ .
  • the step of forming the first groove (S430) may be a step of forming a groove with an anisotropic etching or a semi-additive process (SAP).
  • an anisotropic etching or semi-addition process may be used to half-etch the open portion of the first photoresist layer PR1.
  • the first groove formed through the half-etching can have an etching speed (direction b) in the depth direction higher than that in the side etching (direction a) rather than an isotropic etching.
  • the etch factor of the small-plane hole (V1) may be 2.0 to 3.0.
  • the etch factor of the small-hole (V1) may be 2.1 to 3.0.
  • the etch factor of the small-hole (V1) may be 2.2 to 3.0.
  • the etching factor is the depth (B) of the etched SOF / the width A of the photoresist layer extending in the direction of the center of the through hole TH extending from the island portion IS of the SOF B / A).
  • A is an average value of the width of one side of the photoresist layer protruding on the one face and the width of the other side opposite to the one side.
  • a second photoresist layer PR2 may be disposed on the other surface of the metal plate 10. Then, the second photoresist layer PR2 may be exposed and developed to form a patterned second photoresist layer PR2 on the other surface of the metal plate 10 (S440). That is, a second photoresist layer PR2 including a first open portion OR1 and a second open portion OR2 may be formed on the other surface of the metal plate 10.
  • an etch stop layer such as a coating layer or a film layer for preventing etching may be disposed on one surface of the metal plate 10.
  • the first and second openings OR1 and OR2 of the second photoresist layer PR2 may be exposed to an etchant or the like so that the second photoresist layer PR2 Etching may occur at the first and second openings (OR1, OR2).
  • the other surface of the metal plate 10 may be etched by anisotropic etching or isotropic etching.
  • the first and second openings OR1 and OR2 of the second photoresist layer PR2 are etched so that the first groove on one surface of the metal plate 10 is connected to the facing surface V2,
  • the hole TH1 and the second through hole TH2 can be formed. That is, the facing hole formed by etching through the first open portion OR1 may be connected to the small hole to form the first through hole TH1.
  • the facing hole formed by etching through the second open portion (OR2) may be connected to the cavity surface to form a second through hole (TH2).
  • the first open part OR1 is located in a region corresponding to the effective area AA of the other side of the metal plate 10 and the second open part OR2 is located in an outer side area of the other side of the metal plate 10. [ (OA).
  • the width of the first open portion OR1 is greater than the width of the second open portion OR2.
  • the width of the first open portion OR1 and the width of the second open portion OR2 may be equal to each other, but the interval between the plurality of first open portions OR1 may be equal to the width of the plurality of second open portions OR2 ) May be different. That is, the interval between the plurality of first open portions OR1 may be narrower than the interval between the plurality of second open portions OR2.
  • the area of the upper surface of the second island portion IS2 may vary. For example, the smaller the size of the second open portion OR2, the larger the area of the upper surface of the second island portion IS2 formed by decreasing the area to be etched through the second open portion.
  • the sizes of the second open portions may be different from each other.
  • the sizes of the second openings OR2 located in the effective areas AA1, AA2, and AA3 and the neighboring outer areas OA are the same as those of the second through holes TH2 located in the area adjacent to the non- Size.
  • the size of the second open portion may decrease as the distance from the effective portion increases. Accordingly, the width of the second through hole TH2 may gradually decrease as the distance from the effective area AA increases. Therefore, the area of the second island part IS2 may gradually increase from the effective areas AA1, AA2, and AA3 toward the non-affected part UA.
  • the forming of the first through hole and the second through hole may include forming a second groove for forming the facing hole (V2) after forming the first groove for forming the small-sized hole (V1) May be performed to form the first and second through holes TH1 and TH2.
  • the step of forming the first and second through holes (TH1, TH2) may include forming a first groove for forming the face-face hole (V1) after the step of forming the second groove for forming the facing face (V2) And forming the first and second through holes TH1 and TH2 by advancing the step of forming the grooves.
  • the step of forming the first and second through holes TH1 and TH2 may include the steps of forming a first groove for forming the small-sized hole V1 and forming a second groove for forming the facing hole V2, The steps of forming the grooves may be simultaneously performed to form the first and second through holes TH1 and TH2.
  • first photoresist layer PR1 and the second photoresist layer PR2 are removed to form a face-to-face hole V2 formed on the one face, a face-face hole V1 formed on the other face opposite to the one face, Forming an evaporation mask 100 including first and second through holes TH1 and TH2 formed by a through hole V2 and a connecting portion to which a boundary of the small hole V1 is connected,
  • the vapor deposition mask 100 may be formed.
  • the deposition mask 100 formed through the above steps may include the same material as the metal plate 10.
  • the vapor deposition mask 100 may include a material having the same composition as that of the metal plate 10.
  • the island portion IS of the vapor deposition mask 100 may represent the above-described surface treatment layer.
  • the maximum thickness at the center of the first rib RB1 may be about 15 ⁇ .
  • the maximum thickness at the center of the first rib RB1 may be less than about 10 ⁇ ⁇ .
  • the maximum thickness in the unaffected portion UA of the vapor-deposition mask 100 can be about 20 ⁇ to about 30 ⁇ , and can be about 15 ⁇ to about 25 ⁇ . That is, the maximum thickness of the vapor deposition mask 100 in the unaffected portion UA may correspond to the thickness of the metal plate 10 prepared in the step of preparing the metal plate 10.
  • 15 and 16 are views showing a deposition pattern formed through the deposition mask according to the embodiment.
  • the vapor deposition mask 100 may have a height H1 between one side of the vapor deposition mask 100 having the small hole V1 formed thereon and the connecting portion thereof of about 3.5 ⁇ m or less.
  • the height H1 may be about 0.1 [mu] m to about 3.4 [mu] m.
  • the height H1 may be about 0.5 [mu] m to about 3.2 [mu] m.
  • the height H1 may be about 1 [mu] m to about 3 [mu] m.
  • the distance between the one surface of the deposition mask 100 and the substrate on which the deposition pattern is disposed can be as short as possible, and the deposition failure due to the shadow effect can be reduced.
  • the R, G, and B patterns using the deposition mask 100 according to the embodiment it is possible to prevent the deposition of different deposition materials in the region between two adjacent patterns.
  • the patterns are formed in the order of R, G, and B from the left as shown in FIG. 13, the R pattern and the G pattern are prevented from being deposited by the shadow effect in the region between the R pattern and the G pattern .
  • the vapor deposition mask 100 can reduce the size of the first island portion IS1 in the effective portion.
  • the area of the upper surface of the first irregular portion IS1 can be reduced, so that the organic material can easily pass through the first through hole TH1 during the deposition of the organic material, thereby improving the deposition efficiency.
  • the area of the first island portion IS1 may decrease from the center of the effective regions AA1, AA2, and AA3 towards the non-divergent portion UA. Accordingly, the organic material can be smoothly supplied to the first through holes located at the edges of the effective regions AA1, AA2, and AA3, thereby improving the deposition efficiency and improving the quality of the deposition pattern.

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Abstract

실시 예는, OLED 화소 증착을 위한 금속재의 증착용 마스크에 있어서, 상기 증착용 마스크는 증착을 위한 복수 개의 유효부 및 상기 유효부 이외의 비유효부를 포함하고, 상기 유효부는, 길이 방향으로 이격하여 배치되고 상기 유효부의 중앙에 배치된 복수 개의 유효 영역 및 상기 복수 개의 유효 영역을 각각 둘러싸는 외곽 영역을 포함하고, 상기 유효 영역은, 일면 상에 형성된 복수의 제 1 소면공들과, 상기 일면과 반대되는 타면 상에 형성되는 복수의 제 1 대면공들과, 상기 제 1 소면공들과 상기 제 1 대면공들을 연통하는 복수의 제 1 관통 홀들과, 상기 제 1 관통 홀들 사이에 형성되는 제 1 아일랜드부;를 포함하고, 상기 외곽 영역은,일면 상에 형성된 복수의 제 2 소면공들과, 상기 일면과 반대되는 타면 상에 형성되는 복수의 제 2 대면공들과, 상기 제 2 소면공들과 상기 제 2 대면공들을 연통하는 복수의 제 2 관통 홀들과, 상기 제 2 관통 홀들 사이에 형성되는 제 2 아일랜드부;를 포함하고, 상기 제 2 관통 홀들은 상기 유효 영역의 주위를 둘러싸며 배치되고, 상기 제 1 관통 홀보다 작은 크기를 가진다.

Description

증착용 마스크
본 발명은 증착용 마스크 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 다양한 디바이스에 적용되어 사용되고 있다. 예를 들어, 표시 장치는 스마트폰, 태블릿 PC 등과 같은 소형 디바이스뿐만 아니라, TV, 모니터, 퍼블릭 디스플레이(PD, Public Display) 등과 같은 대형 디바이스에 적용되어 이용되고 있다. 특히, 최근에는 500 PPI(Pixel Per Inch) 이상의 초고해상도 UHD(UHD, Ultra High Definition)에 대한 수요가 증가하고 있으며, 고해상도 표시 장치가 소형 디바이스 및 대형 디바이스에 적용되고 있다. 이에 따라, 저전력 및 고해상도 구현을 위한 기술에 대한 관심이 높아지고 있다.
일반적으로 사용되는 표시 장치는 구동 방법에 따라 크게 LCD(Liquid Crystal Display) 및 OLED(Organic Light Emitting Diode) 등으로 구분될 수 있다.
LCD는 액정(Liquid Crystal)을 이용하여 구동되는 표시 장치로 상기 액정의 하부에는 CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp) 또는 LED(Light Emitting Diode) 등을 포함하는 광원이 배치되는 구조를 가지며, 상기 광원 상에 배치되는 상기 액정을 이용하여 상기 광원으로부터 방출되는 빛의 양을 조절하여 구동되는 표시 장치 이다.
또한, OLED는 유기물을 이용해 구동되는 표시 장치로, 별도의 광원이 요구되지 않고, 유기물이 자체가 광원의 역할을 수행하여 저전력으로 구동될 수 있다. 또한, OLED는 무한한 명암비를 표현할 수 있고, LCD보다 약 1000배 이상의 빠른 응답 속도를 가지며 시야각이 우수하여 LCD를 대체할 수 있는 표시 장치로 주목 받고 있다.
특히, OLED에서 발광층에 포함된 상기 유기물은 파인 메탈 마스크(FMM, Fine Metal Mask)라 불리는 증착용 마스크에 의해 기판 상에 증착될 수 있고, 증착된 상기 유기물은 상기 증착용 마스크에 형성된 패턴과 대응되는 패턴으로 형성되어 화소의 역할을 수행할 수 있다. 상기 증착용 마스크는 일반적으로 철(Fe) 및 니켈(Ni)을 포함하는 인바(Invar) 합금 금속판으로 제조된다. 이때, 상기 금속판의 일면 및 타면에는 상기 일면 및 상기 타면을 관통하는 관통 홀이 형성되며 상기 관통 홀은 화소 패턴과 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 이에 따라, 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue) 등의 유기물은 상기 금속판의 관통 홀을 통과하여 기판 상에 증착될 수 있고, 기판 상에는 화소 패턴이 형성될 수 있다.
상기와 같은 증착용 마스크는, 증착 영역의 유효부 및 상기 유효부를 제외한 비유효부를 포함할 수 있다. 그리고, 상기 유효부는, 중앙에 배치되는 유효 영역과, 상기 유효 영역을 둘러싸는 외곽 영역을 포함할 수 있다. 상기 비유효부는 상기 유효부의 상기 외곽 영역의 주변 영역이다.
이때, 상기 증착용 마스크의 상기 비유효부에는 상기 관통 홀이 형성되지 않으며, 상기 유효영역 및 상기 외곽 영역에만 상기 관통 홀이 형성된다.
한편, 상기와 같은 증착용 마스크의 관통 홀은 에칭액에 의해 형성된다. 이때, 상기 관통 홀이 형성되지 않는 상기 비유효부와 인접하게 위치한 외곽 영역에는 상기 에칭액에 의한 에칭 공정 시에 라디칼이 집중되는 현상이 발생한다.
그리고, 상기 라디칼이 집중되는 현상에 따라 상기 외곽 영역에 형성되는 관통 홀은 목표 크기보다 크게 형성된다. 상기 외곽 영역에 형성되는 관통 홀의 크기가 목표 크기보다 커짐에 따라, 상기 외곽 영역 상에 형성되는 아일랜드부의 크기가 작아질 뿐 아니라, 관통 홀과 관통 홀 사이를 연결하는 리브의 중앙부의 두께도 얇아지게 된다.
이에 따라, 상기 증착용 마스크에 형성되는 관통 홀들을 동일 크기로 패터닝하는 경우, 상기 외곽 영역에서의 과에칭으로 인한 상기 관통 홀들의 공경이 불균일한 문제가 있어 패턴 증착 효율이 낮아질 수 있고 증착 불량이 발생할 수 있다.
또한, 상기 외곽 영역에서의 아일랜드부의 크기가 작아지면서 리브의 중앙부의 두께가 얇아짐에 따라, 상기 증착용 마스크의 전체적인 강도가 약해질 수 있다. 이로 인해, OLED 패널 제조 공정에서, 상기 증착용 마스크를 인장하여 마스크 프레임에 용접하는 경우, 상기 유효부의 유효 영역과 상기 외곽 영역 사이가 분리되는 문제가 있다.
따라서, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 새로운 증착용 마스크 및 이의 제조 방법이 요구된다.
본 발명에 따른 실시 예에서는, 증착용 마스크의 외곽 영역에서 발생하는 과에칭을 방지할 수 있는 증착용 마스크 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다.
또한, 본 발명에 따른 실시 예에서는 에칭이 진행되지 않는 비유효부과, 에칭이 진행되는 유효부 사이에서 발생하는 과에칭을 방지할 수 있는 증착용 마스크 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다.
또한, 본 발명에 따른 실시 예에서는, 증착용 마스크에서 외곽 영역의 관통 홀과 유효 영역의 관통 홀 사이를 연결하는 리브의 강도를 증가시킬 수 있는 증착용 마스크 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다.
또한, 본 발명에 따른 실시 예에서는, 유효 영역과 외곽 영역을 포함하는 유효부 내에 비식각 영역을 포함하지 않는 증착용 마스크 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다.
제안되는 실시 예에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 제안되는 실시 예가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
실시 예는, OLED 화소 증착을 위한 금속재의 증착용 마스크에 있어서, 상기 증착용 마스크는 증착을 위한 복수 개의 유효부 및 상기 유효부 이외의 비유효부를 포함하고, 상기 유효부는, 길이 방향으로 이격하여 배치되고 상기 유효부의 중앙에 배치된 복수 개의 유효 영역 및 상기 복수 개의 유효 영역을 각각 둘러싸는 외곽 영역을 포함하고, 상기 유효 영역은, 일면 상에 형성된 복수의 제 1 소면공들과, 상기 일면과 반대되는 타면 상에 형성되는 복수의 제 1 대면공들과, 상기 제 1 소면공들과 상기 제 1 대면공들을 연통하는 복수의 제 1 관통 홀들과, 상기 제 1 관통 홀들 사이에 형성되는 제 1 아일랜드부;를 포함하고, 상기 외곽 영역은,일면 상에 형성된 복수의 제 2 소면공들과, 상기 일면과 반대되는 타면 상에 형성되는 복수의 제 2 대면공들과, 상기 제 2 소면공들과 상기 제 2 대면공들을 연통하는 복수의 제 2 관통 홀들과, 상기 제 2 관통 홀들 사이에 형성되는 제 2 아일랜드부;를 포함하고, 상기 제 2 관통 홀들은 상기 유효 영역의 주위를 둘러싸며 배치되고, 상기 제 1 관통 홀보다 작은 크기를 가진다.
또한, 제 1항에 있어서, 상기 제 2 관통 홀들의 중심 사이의 간격은, 상기 제 1 관통 홀들의 중심 사이의 간격보다 크다.
또한, 상기 유효 영역에서의 상기 제 1 관통홀에 의한 제 1 개구율은 상기 외곽 영역에서의 상기 제 2 관통홀에 의한 제 2 개구율보다 크다.
또한, 상기 제 1 아일랜드부의 면적은, 상기 제 2 아일랜드부의 면적보다 작다.
또한, 상기 유효 영역은, 상기 제 1 관통 홀들의 제 1 대면공들이 접하면서 형성되는 제 1 리브를 포함하고, 상기 외곽영역은, 상기 제 2 관통 홀들의 제 2 대면공들이 접하면서 형성되는 제 2 리브를 포함하고, 상기 제 2 리브의 중앙부의 두께는, 상기 비증착 영역의 두께보다 작고, 상기 제 1 리브의 중앙부의 두께보다 크다.
또한, 상기 유효 영역과 상기 외곽 영역의 경계에서, 상기 제 1 관통 홀의 제 1 대면공과, 상기 제 2 관통 홀의 제 2 대면공이 접하면서 형성되는 제 3 리브를 더 포함하고, 상기 제 3 리브의 중앙부의 두께는, 상기 비증착 영역의 두께보다 작다.
또한, 상기 제 3 리브의 중앙부의 두께는, 상기 제 1 리브의 중앙부의 두께보다 크고, 상기 제 2 리브의 중앙부의 두께보다 작다.
또한, 상기 유효 영역과 상기 외곽 영역의 경계에서, 상기 제 1 관통 홀과 상기 제 2 관통 홀 사이에 위치하는 제 3 아일랜드부를 더 포함하고, 상기 제 3 아일랜드부의 상면 면적은, 상기 제 1 아일랜드부의 상면 면적보다 크고, 상기 제 2 아일랜드부의 상면 면적보다 작다.
또한, 상기 제 3 아일랜드부는, 상기 유효 영역 상에 위치하는 제 1 서브 제 3 아일랜드부와, 상기 외곽 영역 상에 위치하는 제 2 서브 제 3 아일랜드부를 포함하고, 상기 제 1 서브 제 3 아일랜드부의 상면 면적은, 상기 제 2 서브 제 3 아일랜드부의 상면 면적보다 작다.
또한, 상기 외곽 영역은, 상기 유효 영역과 인접하게 위치하고, 상기 유효 영역의 주위을 둘러싸는 제 1 외곽 영역과, 상기 비유효부와 인접하게 위치하고, 상기 제 1 외곽 영역의 주위를 둘러싸는 제 2 외곽 영역을 포함하고, 상기 제 2 관통 홀은, 상기 제 1 외곽 영역 상에 위치하고, 상기 제 2 외곽 영역은, 일면 상에 형성된 복수의 제 3 소면공들과, 상기 일면과 반대되는 타면 상에 형성되는 복수의 제 3 대면공들과, 상기 복수의 제 3 소면공들과 상기 제 3 대면공들을 연통하는 복수의 제 3 관통 홀들과, 상기 제 3 관통 홀들 사이에 형성되는 제 4 아일랜드부;를 포함하고, 상기 제 2 관통 홀은, 상기 제 1 관통 홀보다 작고, 상기 제 3 관통 홀보다 큰 크기를 가진다.
또한, 상기 제 2 외곽 영역은, 상기 제 2 외곽 영역의 최외곽에 위치하며, 상기 타면 상에 형성되는 복수의 제 4 대면공들을 포함하는 복수의 하프애칭부를 더 포함한다.
또한, 상기 비유효부 내에는, 관통 홀이 위치하지 않는다.
실시 예는, OLED 화소 증착을 위한 증착용 마스크의 제조 방법에 있어서, 다수 개의 유효 영역 및 상기 유효 영역의 주위를 둘러싸는 외곽 영역을 포함하는 증착 패턴 형성을 위한 유효부 및 상기 유효부 이외의 비유효부를 포함하는 금속판을 준비하는 단계; 상기 금속판의 일면 상에 제 1 포토 레지스트층을 배치하고, 상기 제 1 포토레지스트층을 패턴화하는 단계; 패턴화된 상기 제 1 포토레지스트층의 제 1 오픈부를 하프 에칭하여 상기 금속판의 상기 증착 영역의 일면 상에 제 1 홈을 형성하는 단계; 상기 금속판의 일면과 반대되는 타면 상에 제 2 포토레지스트층을 배치하고, 상기 유효 영역 상에 제 1 폭의 제 2 오픈부 및 상기 외곽 영역 상에 상기 제 1 폭보다 작은 제 2 폭의 제 3 오픈부를 가지도록 상기 제 2 포토레지스트층을 패턴화하는 단계; 패턴화된 상기 제 2 포토레지스트층의 상기 제 2 및 3 오픈부를 하프 에칭하여 제 2 홈 및 제 3 홈을 형성하고, 상기 제 1 홈 및 상기 제 2 홈을 연통하는 제 1 관통홀과, 상기 제 1 홈 및 상기 제 3 홈을 연통하는 제 2 관통 홀을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 포토레지스트층 및 상기 제 2 포토레지스트층을 제거하여, 상기 상기 유효부의 상기 유효 영역 상에 배치된 제 1 관통 홀과, 상기 유효부의 상기 외곽 영역 상에 배치된 제 2 관통 홀을 포함하는 증착용 마스크를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제 2 관통 홀은, 상기 제 1 관통 홀보다 작은 크기를 가지면서, 상기 제 1 관통 홀이 위치한 상기 유효 영역의 주위를 둘러싸며 위치한다.
또한, 상기 증착용 마스크의 상기 비유효부에는 관통 홀이 위치하지 않는다.
또한, 상기 증착용 마스크를 형성하는 단계는, 상기 유효 영역과 상기 외곽 영역의 경계에서, 상기 제 1 관통 홀의 상기 제 2 홈과, 상기 제 2 관통 홀의 상기 제 3 홈이 접하는 리브를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 리브는, 상기 비증착 영역의 두께보다 작은 두께를 가진다.
본 발명에 따른 실시 예에 의하면, 증착용 마스크에 균일한 공경을 가지는 마스크 패턴을 형성할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 실시예에 의하면, 증착용 마스크의 유효부 중심에 위치한 유효 영역의 관통 홀 사이즈 대비 외곽 영역의 관통 홀 사이즈를 감소시키는 경우, OLED 패널의 제조 공정 중 증착 전 인장 용접 시, 유효부가 비유효부로부터 분리되어 증착용 마스크에서 떨어져 나오는 현상을 해결할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 실시 예에 의하면, 증착에 관여하지 않는 비유효부 내에는 관통 홀이 위치하지 않는다. 이에 따라, 상기 비유효부 상에서 증착용 마스크의 강성을 증가시킬 수 있는 체적을 확보할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 실시 예에 의하면, 유효부의 외곽 영역은, 유효부의 중앙에 위치하는 유효 영역의 좌측 및 우측뿐 아니라, 상측 및 하측을 둘러싸며 배치된다. 따라서, 상기 유효 영역의 좌측, 우측, 상측 및 하측을 포함하는 주변에 상기 외곽 영역의 관통 홀이 위치한다. 또한, 본 발명에 따른 실시 예에 의하면, 외곽 영역의 관통 홀과 상기 유효 영역의 관통 홀 사이가 하나의 리브를 통해 연결되도록 한다. 이때, 상기 리브의 중앙부의 두께는 원자재인 금속판의 두께보다 작다. 즉, 상기 유효 영역과 상기 외곽 영역을 포함하는 상기 유효부 내에는 비식각 영역이 존재하지 않는다. 이에 따라, 본 발명에서는 증착용 마스크에서 식각 영역과 비식각 영역 사이에서 발생하는 라디칼 쏠림 문제를 해결할 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 증착용 마스크는 보다 정밀하고 균일한 관통 홀을 가질 수 있으며, 400PPI 이상의 해상도, 자세하게 500 PPI 이상의 고해상도, 나아가 800PPI 이상의 초고해상도의 OLED 화소 패턴을 균일하게 증착할 수 있다.
도 1 내지 도 3은 실시 예에 따른 증착용 마스크를 사용하여 기판 상에 유기 물질을 증착하는 공정을 설명하기 위한 개념도들이다.
도 4는 실시 예에 따른 증착용 마스크의 평면도를 도시한 도면이다.
도 5는 제 1 실시 예에 따른 증착용 마스크의 유효부의 유효영역 및 외곽 영역의 평면도를 도시한 도면이다.
도 6은 도 5의 증착용 마스크의 유효부의 유효 영역을 평면에서 바라본 현미경 이미지이다.
도 7은 실시 예에 따른 증착용 마스크의 다른 평면도를 도시한 도면이다.
도 8은 실시 예에 따른 증착용 마스크의 또 다른 평면도를 도시한 도면이다.
도 9는 도 5의 A-A'의 단면도 및 B-B'의 단면도를 겹쳐서 도시한 도면이다.
도 10은 도 5의 B-B' 방향에서의 단면도를 도시한 도면이다.
도 11은 제 2 실시 예에 따른 증착용 마스크의 유효 영역 및 외곽 영역의 평면도를 도시한 도면이다.
도 12는 제 3 실시 예에 따른 증착용 마스크의 유효 영역 및 외곽 영역의 평면도를 도시한 도면이다.
도 13 및 도 14는 실시 예에 따른 증착용 마스크의 제조 방법을 도시한 도면들이다.
도 15 및 도 16은 실시 예에 따른 증착용 마스크를 통해 형성되는 증착 패턴을 도시한 도면들이다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 구성 및 작용을 구체적으로 설명한다. 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성요소는 동일한 참조부여를 부여하고, 이에 대한 중복설명은 생략하기로 한다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
또한, 실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
또한, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.
이하 도면들을 참조하여 실시 예에 따른 증착용 마스크를 설명한다.
도 1 내지 도 3은 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)를 사용하여 기판(300) 상에 유기 물질을 증착하는 공정을 설명하기 위한 개념도들이다.
도 1은 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)가 포함된 유기물 증착 장치를 나타낸 도면이고, 도 2는 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)가 마스크 프레임(200) 상에 거치되기 위해 인장되는 것을 도시한 도면이다. 또한, 도 3은 상기 증착용 마스크(100)의 복수 개의 관통 홀을 통해 상기 기판(300) 상에 복수 개의 증착 패턴이 형성되는 것을 도시한 도면이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 유기물 증착 장치는 증착용 마스크(100), 마스크 프레임(200), 기판(300), 유기물 증착 용기(400) 및 진공 챔버(500)를 포함할 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)는 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크는 철(Fe) 및 니켈(Ni)을 포함할 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)는 증착을 위한 유효부에 복수 개의 관통 홀(TH)을 포함할 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 복수 개의 관통 홀(TH)들을 포함하는 증착용 마스크용 기판일 수 있다. 이때, 상기 관통 홀은 기판 상에 형성될 패턴과 대응되도록 형성될 수 있다. 상기 관통 홀은 상기 유효부의 중앙에 위치하는 유효 영역뿐 아니라, 상기 유효부의 외곽에 위치하여 상기 유효 영역을 둘러싸는 외곽 영역에도 형성된다. 상기 증착용 마스크(100)는 증착 영역을 포함하는 상기 유효부 이외의 비유효부를 포함할 수 있다. 상기 비유효부에는 상기 관통 홀이 위치하지 않는다.
상기 마스크 프레임(200)은 개구부를 포함할 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 복수 개의 관통 홀은 상기 개구부와 대응되는 영역 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 유기물 증착 용기(400)로 공급되는 유기 물질이 상기 기판(300) 상에 증착될 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 상기 마스크 프레임(200) 상에 배치되어 고정될 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 일정한 인장력으로 인장되고, 상기 마스크 프레임(200) 상에 용접에 의하여 고정될 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착용 마스크(100)의 최외곽에 배치된 가장자리에서, 서로 반대되는 방향으로 인장될 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착용 마스크(100)의 길이 방향에서, 상기 증착용 마스크(100)의 일단 및 상기 일단과 반대되는 타단이 서로 반대되는 방향으로 잡아 당겨질 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 일단과 상기 타단은 서로 마주보며 평행하게 배치될 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 일단은 상기 증착용 마스크(100)의 최외곽에 배치된 4개의 측면을 이루는 단부 중 어느 하나일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 약 0.1 kgf 내지 약 2 kgf의 인장력으로 인장될 수 있다. 자세하게, 상기 증착용 마스크는 0.4 kgf 내지 약 1.5 kgf의 인장력으로 인장되어 상기 마스크 프레임(200) 상에 고정될 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크(100)의 응력은 감소될 수 있다. 그러나, 실시 예는 이에 제한되지 않고, 상기 증착용 마스크(100)의 응력을 감소시킬 수 있는 다양한 인장력으로 인장되어 상기 마스크 프레임(200) 상에 고정될 수 있다.
이어서, 상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착용 마스크(100)의 비유효부를 용접함에 따라, 상기 마스크 프레임(200)에 상기 증착용 마스크(100)를 고정할 수 있다. 그 다음으로, 상기 마스크 프레임(200)의 외부에 배치되는 상기 증착용 마스크(100)의 일부분은 절단 등의 방법으로 제거될 수 있다.
상기 기판(300)은 표시 장치의 제조에 사용되는 기판일 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(300)은 OLED 화소 패턴용 유기물 증착을 위한 기판(300)일 수 있다. 상기 기판(300) 상에는 빛의 3원색인 화소를 형성하기 위하여 적색(Red), 녹색(Greed) 및 청색(Blue)의 유기물 패턴이 형성될 수 있다. 즉, 상기 기판(300) 상에는 RGB 패턴이 형성될 수 있다.
상기 유기물 증착 용기(400)는 도가니일 수 있다. 상기 도가니의 내부에는 유기 물질이 배치될 수 있다.
상기 진공 챔버(500) 내에서 상기 도가니에 열원 및/또는 전류가 공급됨에 따라, 상기 유기 물질은 상기 기판(100) 상에 증착될 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 일면(101) 및 상기 일면과 반대되는 타면(102)을 포함할 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)의 상기 일면(101)은 소면공(V1)을 포함하고, 상기 타면은 대면공(V2)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)의 일면(101) 및 타면(102) 각각은 복수 개의 소면공(V1)들 및 복수 개의 대면공(V2)들을 포함할 수 있다.
또한, 상기 증착용 마스크(100)는 관통 홀(TH)을 포함할 수 있다. 상기 관통 홀(TH)은 상기 소면공(V1) 및 상기 대면공(V2)의 경계가 연결되는 연통부에 의하여 연통될 수 있다.
또한, 상기 증착용 마스크(100)는 상기 소면공(V1) 내의 제 1 에칭면(ES1)을 포함할 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 상기 대면공(V2) 내의 제 2 에칭면(ES2)을 포함할 수 있다. 상기 관통 홀(TH)은 상기 소면공(V1) 내의 제 1 에칭면(ES1) 및 상기 대면공(V2) 내의 제 2 에칭면(ES2)이 서로 연통하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 하나의 소면공(V1) 내의 제 1 에칭면(ES1)은 하나의 대면공(V2) 내의 제 2 에칭면(ES2)과 연통하여 하나의 관통 홀을 형성할 수 있다. 이에 따라, 상기 관통 홀(TH)의 수는 상기 소면공(V1) 및 상기 대면공(V2)의 수와 대응될 수 있다.
상기 대면공(V2)의 폭은 상기 소면공(V1)의 폭보다 클 수 있다. 이때, 상기 소면공(V1)의 폭은 상기 증착용 마스크(100)의 일면(101)에서 측정되고, 상기 대면공(V2)의 폭은 상기 증착용 마스크(100)의 타면(102)에서 측정될 수 있다.
상기 소면공(V1)은 상기 기판(300)을 향하여 배치될 수 있다. 상기 소면공(V1)은 상기 기판(300)과 가까이 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 소면공(V1)은 증착 물질, 즉 증착 패턴(DP)과 대응되는 형상을 가질 수 있다.
상기 대면공(V2)은 상기 유기물 증착 용기(400)를 향하여 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 대면공(V2)은 상기 유기물 증착 용기(400)로부터 공급되는 유기물질을 넓은 폭에서 수용할 수 있고, 상기 대면공(V2)보다 폭이 작은 상기 소면공(V1)을 통해 상기 기판(300) 상에 미세한 패턴을 빠르게 형성할 수 있다.
도 4는 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)의 평면도를 도시한 도면이다. 도 4를 참조하여, 상기 증착용 마스크(100)를 보다 구체적으로 설명한다.
도 4를 참조하면, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 증착 영역(DA) 및 비증착 영역(NDA)을 포함할 수 있다.
상기 증착 영역(DA)은 증착 패턴을 형성하기 위한 영역일 수 있다. 따라서, 상기 증착 영역(DA)은 증착 패턴을 형성하는 유효부를 포함할 수 있다. 상기 증착 영역(DA)은 패턴 영역 및 비패턴 영역을 포함할 수 있다. 상기 패턴 영역은 소면공(V1), 대면공(V2), 관통 홀(TH) 및 아일랜드부(IS)를 포함하는 영역일 수 있고, 상기 비패턴 영역은 소면공(V1), 대면공(V2), 관통 홀(TH) 및 아일랜드부(IS)를 포함하지 않는 영역일 수 있다. 여기에서, 상기 증착 영역은 후술할 유효 영역과 외곽 영역을 포함하는 유효부와, 증착이 진행되지 않는 비유효부를 포함할 수 있다. 그리고, 상기 유효부는 상기 패턴 영역이라 할 수 있고, 상기 비유효부는 상기 비패턴 영역이라 할 수 있다.
또한, 하나의 증착용 마스크(100)는 복수 개의 증착 영역(DA)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 실시 예의 상기 증착 영역(DA)은 복수 개의 증착 패턴을 형성할 수 있는 복수 개의 유효부를 포함할 수 있다. 그리고, 상기 복수 개의 유효부 각각은, 상기 유효부의 중심 영역에 대응하는 복수의 유효 영역(AA1, AA2, AA3)과, 상기 복수의 유효 영역(AA1, AA2, AA3)의 주변을 둘러싸며 위치하고 상기 유효부의 외곽에 배치되는 복수의 외곽 영역(OA1, OA2, OA3)을 포함할 수 있다.
상기 복수의 유효 영역(AA1, AA2, AA3)는 제 1 유효 영역(AA1), 제 2 유효 영역(AA2) 및 제 3 유효 영역(AA3)를 포함할 수 있다. 여기서 하나의 증착 영역(DA)은 제 1 유효 영역(AA1)과 상기 제 1 유효 영역(AA1)을 둘러싸는 제 1 외곽 영역(OA1)을 포함하는 제 1 유효부일 수 있다. 또한, 하나의 증착 영역(DA)은 제 2 유효 영역(AA2)과 상기 제 2 유효 영역(AA2)을 둘러싸는 제 2 외곽 영역(OA2)을 포함하는 제 2 유효부일 수 있다. 또한, 하나의 증착 영역(DA)은 제 3 유효 영역(AA3)과 상기 제 3 유효 영역(AA3)을 둘러싸는 제 3 외곽 영역(OA3)을 포함하는 제 3 유효부일 수 있다.
스마트폰과 같은 소형 표시 장치의 경우, 증착용 마스크(100)에 포함된 복수의 증착 영역 중 어느 하나의 유효부는 하나의 표시장치를 형성하기 위한 것일 수 있다. 이에 따라, 하나의 증착용 마스크(100)는 복수의 유효부를 포함할 수 있어, 여러 개의 표시장치를 동시에 형성할 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 공정 효율을 향상시킬 수 있다.
이와 다르게, 텔레비전과 같은 대형 표시 장치의 경우, 하나의 증착용 마스크(100)에 포함된 여러 개의 유효부가 하나의 표시장치를 형성하기 위한 일부일 수 있다. 이때, 상기 복수의 유효부는 마스크의 하중에 의한 변형을 방지하기 위한 것일 수 있다.
상기 증착 영역(DA)은 하나의 증착용 마스크(100)에 포함된 복수의 분리 영역(IA1, IA2)을 포함할 수 있다. 인접한 유효부 사이에는 분리 영역(IA1, IA2)이 배치될 수 있다. 상기 분리 영역(IA1, IA2)은 복수 개의 유효부 사이의 이격 영역일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 유효 영역(AA1)의 상기 제 1 외곽 영역(OA1) 및상기 제 2 유효 영역(AA2)의 상기 제 2 외곽 영역(OA2) 사이에는 제 1 분리 영역(IA1)이 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 유효 영역(AA2)의 상기 제 2 외곽 영역(OA2) 및 상기 제 3 유효 영역(AA3)의 상기 제 3 외곽 영역(OA3) 사이에는 제 2 분리 영역(IA2)이 배치될 수 있다. 즉, 상기 분리 영역(IA1, IA2)에 의해 인접한 유효부를 서로 구별할 수 있고, 하나의 증착용 마스크(100)가 복수의 유효부를 지지할 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착 영역(DA)의 길이 방향의 양 측부에 비증착 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 상기 증착 영역(DA)의 수평 방향의 양측에 상기 비증착 영역(NDA)을 포함할 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)의 상기 비증착 영역(NDA)은 증착에 관여하지 않는 영역일 수 있다. 상기 비증착 영역(NDA)은 상기 증착용 마스크(100)를 마스크 프레임(200)에 고정하기 위한 프레임 고정영역(FA1, FA2)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 비증착 영역(NDA)은 하프 에칭부(HF1, HF2) 및 오픈부를 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이 상기 증착 영역(DA)은 증착 패턴을 형성하기 위한 영역일 수 있고, 상기 비증착 영역(NDA)은 증착에 관여하지 않는 영역일 수 있다. 이때, 상기 증착용 마스크(100)의 상기 증착 영역(DA)에는 상기 금속판(10) 재질과 다른 표면 처리층을 형성할 수 있고, 상기 비증착 영역(NDA) 표면 처리층을 형성하지 않을 수 있다. 또는, 증착용 마스크(100)의 일면(101) 또는 타면(102) 중 어느 한 면에만 상기 금속판(10)의 재질과 다른 표면 처리층을 형성할 수 있다. 또는, 증착용 마스크(100)의 일면(101)의 일부분에만 상기 금속판(10)의 재질과 다른 표면 처리층을 형성할 수 있다. 예를 들어, 증착용 마스크(100)의 일면(101) 및/또는 타면(102), 증착용 마스크(100)의 전체 및/또는 일부는 상기 금속판(10) 재질보다 식각 속도가 느린 표면 처리층을 포함할 수 있어, 식각 팩터를 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 실시 예의 증착용 마스크(100)는 미세한 크기의 관통 홀을 높은 효율로 형성할 수 있다. 일례로, 실시예의 증착용 마스크(100)는 400PPI 이상의 해상도를 가질 수 있다. 구체적으로, 상기 증착용 마스크(100)는 500PPI 이상의 높은 해상도를 가지는 증착 패턴을 높은 효율로 형성할 수 있다. 여기에서, 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)의 재질과 다른 원소를 포함하거나, 동일한 원소의 조성이 다른 금속 물질을 포함하는 것을 의미할 수 있다. 이와 관련하여서는 후술한 증착용 마스크의 제조 공정에서 보다 상세히 설명하기로 한다.
상기 비증착 영역(NDA)은 하프에칭부(HF1, HF2)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)의 상기 비증착 영역(NDA)은 상기 증착 영역(DA)의 일측에 제 1 하프에칭부(HF1)를 포함할 수 있고, 상기 증착 영역(DA)의 상기 일측과 반대되는 타측에 제 2 하프에칭부(HF2)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 하프에칭부(HF1) 및 상기 제 2 하프에칭부(HF2)는 증착용 마스크(100)의 깊이 방향으로 홈이 형성되는 영역일 수 있다. 상기 제 1 하프에칭부(HF1) 및 상기 제 2 하프에칭부(HF2)는 증착용 마스크의 약 1/2 두께의 홈을 가질 수 있어, 증착용 마스크(100)의 인장시 응력을 분산시킬 수 있다. 또한, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 상기 증착용 마스크(100)의 중심을 기준으로 X축 방향으로 대칭되거나 Y축 방향으로 대칭되도록 형성하는 것이 바람직하다. 이를 통해 양방향으로의 인장력을 균일하게 조절할 수 있다.
상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 반원 형상의 홈을 포함할 수 있다. 상기 홈은 상기 증착용 마스크(100)의 일면(101) 및 상기 일면(101)과 반대되는 타면(102) 중 적어도 하나의 면 상에 형성될 수 있다. 바람직하게, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 소면공(V1)과 대응되는 면 상에 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 소면공(V1)과 동시에 형성될 수 있으므로 공정 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 대면공(V2) 사이의 크기 차이에 의해 발생할 수 있는 응력을 분산시킬 수 있다. 그러나 실시 예는 이에 제한되지 않고 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 사각형 형상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 하프에칭부(HF1) 및 상기 제 2 하프에칭부(HF2)는 직사각형 또는 정사각형 형상일 수 있다. 이에 따라 상기 증착용 마스크(100)는 효과적으로 응력을 분산시킬 수 있다.
또한, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 곡면 및 평면을 포함할 수 있다. 상기 제 1 하프에칭부(HF1)의 평면은 상기 제 1 유효 영역(AA1)과 인접하게 배치될 수 있고, 상기 평면은 증착용 마스크(100)의 길이 방향의 끝단과 수평하게 배치될 수 있다. 상기 제 1 하프에칭부(HF1)의 곡면은 증착용 마스크(100)의 길이 방향의 일단을 향해서 볼록한 형상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 하프에칭부(HF1)의 곡면은 증착용 마스크(100)의 수직 방향 길이의 1/2 지점이 반원형상의 반지름과 대응되도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 제 2 하프에칭부(HF2)의 평면은 상기 제 3 유효 영역(AA3)과 인접하게 배치될 수 있고, 상기 평면은 증착용 마스크(100)의 길이 방향의 끝단과 수평하게 배치될 수 있다. 상기 제 2 하프에칭부(HF2)의 곡면은 증착용 마스크(100)의 길이 방향의 타단을 향해서 볼록한 형상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 하프에칭부(HF2)의 곡면은 증착용 마스크(100)의 수직 방향 길이의 1/2 지점이 반원형상의 반지름과 대응되도록 형성될 수 있다.
상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 소면공(V1) 또는 대면공(V2)을 형성할 때 동시에 형성할 수 있다. 이를 통해 공정 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 증착용 마스크(100)의 일면(101) 및 타면(102)에 형성되는 홈은 서로 어긋나게 형성할 수 있다. 이를 통해 하프에칭부(HF1, HF2)가 관통되지 않을 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 4개의 하프에칭부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 짝수 개의 하프에칭부(HF1, HF2)를 포함할 수 있어 응력을 보다 효율적으로 분산할 수 있다.
또한, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 증착 영역(DA)의 비유효부(UA)에 더 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 증착용 마스크(100)의 인장시 응력을 분산시키기 위해서 비유효부(UA)의 전체 또는 일부에 분산되어 다수 개 배치될 수 있다.
또한, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 프레임 고정영역(FA1, FA2) 및/또는 프레임 고정영역(FA1, FA2)의 주변영역에도 형성될 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)를 마스크 프레임(200)에 고정할 때, 및/또는 증착용 마스크(100)를 마스크 프레임(200)에 고정한 후에 증착물을 증착할 때에 발생하는 증착용 마스크(100)의 응력을 균일하게 분산시킬 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)가 균일한 관통 홀을 가지도록 유지할 수 있다.
즉, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 복수 개의 하프에칭부를 포함할 수 있다. 자세하게, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 비증착 영역(NDA)에만 하프에칭부(HF1, HF2)를 포함하는 것으로 도시하였으나 이에 제한되지 않고 상기 증착 영역(DA) 및 상기 비증착 영역(NDA) 중 적어도 하나의 영역은 복수 개의 하프에칭부를 더 포함할 수 있다. 이에 따라 증착용 마스크(100)의 응력을 균일하게 분산시킬 수 있다.
상기 비증착 영역(NDA)은 상기 증착용 마스크(100)를 상기 마스크 프레임(200)에 고정하기 위한 프레임 고정영역(FA1, FA2)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착 영역(DA)의 일측에 제 1 프레임 고정영역(FA1)을 포함할 수 있고, 상기 증착 영역(DA)의 상기 일측과 반대되는 타측에 제 2 프레임 고정영역(FA2)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 프레임 고정영역(FA1) 및 상기 제 2 프레임 고정영역(FA2)은 용접에 의해서 마스크 프레임(200)과 고정되는 영역일 수 있다.
상기 프레임 고정영역(FA1, FA2)은 상기 비증착 영역(NDA)의 하프에칭부(HF1, HF2) 및 상기 하프에칭부(HF1, HF2)와 인접한 상기 증착 영역(DA)의 유효부의 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 프레임 고정영역(FA1)은 상기 비증착 영역(NDA)의 제 1 하프에칭부(HF1) 및 상기 제 1 하프에칭부(HF1)와 인접한 상기 증착 영역(DA)의 제 1 유효 영역(AA1) 및 제 1 외곽 영역(OA1)을 포함한 제 1 유효부의 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 프레임 고정영역(FA2)은 상기 비증착 영역(NDA)의 제 2 하프에칭부(HF2) 및 상기 제 2 하프에칭부(HF2)와 인접한 상기 증착 영역(DA)의 제 3 유효 영역(AA3) 및 제 3 외곽 영역(OA3)을 포함한 제 3 유효부의 사이에 배치될 수 있다. 이에 따라, 복수 개의 증착 패턴부를 동시에 고정할 수 있다.
또한, 상기 증착용 마스크(100)는 수평 방향(X)의 양 끝단에 반원 형상의 오픈부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 비증착 영역(NDA)은 오픈부를 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 비증착 영역(NDA)은 수평 방향의 양 끝단에 각각 하나의 반원 형상의 오픈부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 증착용 마스크(100)의 상기 비증착 영역(NDA)은 수평방향의 일측에는 수직 방향(Y)의 중심이 오픈된 오픈부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 증착용 마스크(100)의 상기 비증착 영역(NDA)은 수평방향의 상기 일측과 반대되는 타측에는 수직 방향의 중심이 오픈된 오픈부를 포함할 수 있다. 즉, 증착용 마스크(100)의 양 끝단은 수직 방향 길이의 1/2 지점이 오픈부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 증착용 마스크(100)의 양 끝단은 말발굽과 같은 형태일 수 있다.
이때, 상기 오픈부의 곡면은 상기 하프에칭부(HF1, HF2)를 향할 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)의 양 끝단에 위치한 오픈부는 상기 제 1 하프에칭부(HF1, HF2) 또는 제 2 하프에칭부(HF1, HF2)와 상기 증착용 마스크(100)의 수직 방향 길이의 1/2 지점에서 이격 거리가 제일 짧을 수 있다.
또한, 상기 오픈부의 수직방향의 길이(h2)는, 상기 제 1 하프에칭부(HF1) 또는 상기 제 2 하프에칭부(HF2)의 수직방향의 길이(h1)와 대응될 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크(100)를 인장하는 경우 응력이 고르게 분산될 수 있어 증착용 마스크의 변형(wave deformation)을 감소시킬 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 균일한 관통 홀을 가질 수 있어, 패턴의 증착효율이 향상될 수 있다. 바람직하게, 상기 제 1 하프에칭부(HF1) 또는 상기 제 2 하프에칭부(HF2)의 수직방향의 길이(h1)는 상기 오픈부의 수직방향의 길이(h2)의 약 80% 내지 약 200%일 수 있다(h1:h2 = 0.8~2:1). 상기 제 1 하프에칭부(HF1) 또는 상기 제 2 하프에칭부(HF2)의 수직방향의 길이(h1)는 상기 오픈부의 수직방향의 길이(h2)의 약 90% 내지 약 150%일 수 있다(h1:h2 = 0.9~1.5:1). 상기 제 1 하프에칭부(HF1) 또는 상기 제 2 하프에칭부(HF2)의 수직방향의 길이(h1)는 상기 오픈부의 수직방향의 길이(h2)의 약 95% 내지 약 110%일 수 있다(h1:h2 = 0.95~1.1:1).
또한, 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 하프에칭부는 증착 영역(DA)의 비유효부(UA)에 더 형성될 수 있다. 상기 하프에칭부는 증착용 마스크(100)의 인장시 응력을 분산시키기 위해서 비유효부(UA)의 전체 또는 일부에 분산되어 다수 개 배치될 수 있다.
또한, 하프에칭부(HF1, HF2)는 프레임 고정영역(FA1, FA2) 및/또는 프레임 고정영역(FA1, FA2)의 주변영역에도 형성될 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)를 마스크 프레임(200)에 고정할 때, 및/또는 증착용 마스크(100)를 프레임에 고정한 후에 증착물을 증착할 때에 발생하는 증착용 마스크(100)의 응력을 균일하게 분산시킬 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)가 균일한 관통 홀을 가지도록 유지할 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)는 길이 방향으로 이격된 복수 개의 유효부 및 상기 유효부 이외의 비유효부(UA)을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 증착 영역(DA)은 복수 개의 유효부 및 상기 유효부 이외의 비유효부(UA)을 포함할 수 있다. 그리고, 상기 복수 개의 유효부는 제 1 유효부, 제 2 유효부 및 제 3 유효부를 포함할 수 있다. 그리고, 상기 제 1 유효부는 제 1 유효 영역(AA1) 및 상기 제 1 유효 영역(AA1)의 주위를 둘러싸는 제 1 외곽 영역(OA1)을 포함할 수 있다. 상기 제 2 유효부는 제 2 유효 영역(AA2) 및 상기 제 2 유효 영역(AA2)의 주위를 둘러싸는 제 2 외곽 영역(OA2)을 포함할 수 있다. 상기 제 3 유효부는 제 3 유효 영역(AA3) 및 상기 제 3 유효 영역(AA3)의 주위를 둘러싸는 제 3 외곽 영역(OA3)을 포함할 수 있다. 상기 복수의 유효부 내의 유효 영역(AA1, AA2, AA3)은 상기 증착용 마스크(100)의 일면 상에 형성된 다수의 제 1 소면공(V1-1), 상기 일면과 반대되는 타면 상에 형성된 다수의 제 1 대면공(V1-2), 상기 제 1 소면공(V1-1) 및 상기 대면공(V1-2)의 경계가 연결되는 연통부(CA)에 의해 형성되는 복수 개의 제 1 관통 홀(TH1)을 포함할 수 있다.
또한, 상기 유효 영역(AA1, AA2, AA3)는 복수 개의 상기 제 1 관통 홀(TH1)들 사이를 지지하는 복수의 제 1 아일랜드부(IS1)를 포함할 수 있다.
상기 제 1 아일랜드부(IS1)는 복수 개의 제 1 관통 홀(TH1) 중 인접한 제 1 관통 홀(TH1)들 사이에 위치할 수 있다. 즉, 상기 증착용 마스크(100)의 상기 유효 영역(AA1, AA2, AA3)에서 제 1 관통 홀(TH1) 이외의 영역은 제 1 아일랜드부(IS1)일 수 있다.
상기 제 1 아일랜드부(IS1)는 상기 증착 마스크의 유효부의 일면(101) 또는 타면(102)에서 식각되지 않은 부분을 의미할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 아일랜드부(IS1)는 상기 증착용 마스크(100)의 유효부의 제 1 대면공(V1-2)이 형성된 타면(102)에서 제 1 관통 홀(TH1)과 제 1 관통 홀(TH1) 사이의 식각되지 않은 영역일 수 있다. 따라서 상기 제 1 아일랜드부(IS1)는 상기 증착용 마스크(100)의 일면(101)과 평행하게 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 아일랜드부(IS1)의 상부면은 상기 일면(101)과 평행하게 배치될 수 있다.
상기 제 1 아일랜드부(IS1)는 상기 증착용 마스크(100)의 타면(102)과 동일평면에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 아일랜드부(IS1)는 상기 증착용 마스크(100)의 타면(102)에서 비유효부의 적어도 일부분과 두께가 동일할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 아일랜드부(IS1)는 상기 증착용 마스크(100)의 타면(102)에서 비유효부 중 식각되지 않은 부분과 두께가 동일할 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크(100)를 통해 서브 픽셀의 증착 균일성을 향상시킬 수 있다.
또는, 상기 제 1 아일랜드부(IS)는 상기 증착용 마스크(100)의 타면(102)과 평행한 평면에 배치될 수 있다. 여기에서, 평행한 평면이라는 것은 상기 제 1 아일랜드부(IS1) 주위의 식각 공정에 의해서 제 1 아일랜드부(IS1)가 배치되는 증착용 마스크(100)의 타면과 비유효부 중 비식각된 증착용 마스크(100)의 타면의 높이 단차가 ± 1 ㎛ 이하인 것을 포함할 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)는 상기 유효 영역(AA1, AA2, AA3)을 둘러싸며 배치되고, 유효부의 외곽에 배치되는 외곽 영역(OA1, OA2, OA3)을 포함할 수 있다. 상기 유효 영역(AA)는 복수 개의 제 1 관통 홀들 중 유기물질을 증착하기 위한 최외곽에 위치한 제 1 관통 홀들의 외곽을 연결하였을 때의 안쪽 영역일 수 있다. 상기 외곽 영역(OA1, OA2, OA3) 복수 개의 제 1 관통 홀들 중 유기물질을 증착하기 위한 최외곽에 위치한 제 1 관통 홀들의 외곽을 연결하였을 때의 바깥쪽 영역일 수 있다. 또한, 비유효부(UA)는 상기 외곽 영역(OA1, OA2, OA3)의 제 2 관통 홀들 중 유기물질을 증착하기 위한 최외곽에 위치한 제 2 관통 홀들의 외곽을 연결하였을 때의 바깥쪽 영역일 수 있다.
상기 비유효부(UA)은 상기 증착 영역(DA)의 유효영역(AA1, AA2, AA3) 및 외곽영역(OA1, OA2, OA3)을 제외한 영역 및 상기 비증착 영역(NDA)이다.
상기 외곽영역(OA1, OA2, OA3)의 개수는 상기 유효 영역(AA1, AA2, AA3)의 개수와 대응될 수 있다. 즉, 하나의 유효부는 유효영역의 끝단으로부터 수평방향 및 수직방향에서 각각 일정한 거리로 떨어진 하나의 외곽영역을 포함할 수 있다.
상기 제 1 유효 영역(AA1)는 제 1 외곽영역(OA1) 내에 위치될 수 있다. 상기 제 1 유효 영역(AA1)은 증착 물질을 형성하기 위한 복수 개의 제 2 관통 홀(TH2)들을 포함할 수 있다. 상기 제 1 유효 영역(AA1)의 외곽을 둘러싸는 상기 제 1 외곽영역(OA1)은 복수 개의 제 2 관통 홀(TH2)을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 제 1 외곽영역(OA1)에 포함되는 복수 개의 제 2 관통 홀(TH2)들은 상기 제 1 유효 영역(AA1)의 최외곽에 위치한 제 1 관통 홀(TH1)들의 에칭 불량을 감소시키기 위한 것이다. 이에 따라, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 유효 영역(AA1, AA2, AA3)에 위치한 복수 개의 제 1 관통 홀들의 균일성을 향상시킬 수 있고, 이를 통해 제조되는 증착 패턴의 품질을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 제 1 외곽 영역(OA1)에 형성되는 제 2 관통 홀(TH2)들은 상기 제 1 유효 영역(AA1)의 주위를 모두 둘러싸며 형성될 수 있다. 바람직하게, 상기 제 2 관통 홀(TH2)들은, 상기 제 1 유효 영역(AA1)의 좌측에 형성되는 제 2 관통 홀들과, 상기 제 1 유효 영역(AA1)의 우측에 형성되는 제 2 관통 홀들과, 상기 제 1 유효 영역(AA1)의 상측에 형성되는 제 2 관통 홀들과, 상기 제 1 유효 영역(AA1)의 하측에 형성되는 제 2 관통 홀들을 포함할 수 있다. 이때, 상기 제 2 관통 홀들은, 상기 식각되는 유효부 영역과 식각되지 않는 비유효부 영역에서의 관통 홀들의 공경의 차이를 최소화하도록 형성될 수 있다. 이때, 상기 증착 마스크(100) 상에서 상기 제 1 유효부를 중심으로 상기 식각되지 않는 영역은, 상기 제 1 유효부(AA1)의 주위를 둘러싸는 상기 제 1 외곽 영역(OA1)의 좌측 영역, 우측 영역, 상측 영역 및 하측 영역을 포함한다. 따라서, 상기 제 1 외곽 영역(OA1)에 형성되는 제 2 관통 홀(TH2)들은 상기 제 1 유효 영역(AA1)의 좌측 영역, 우측 영역, 상측 영역 및 하측 영역에 각각 형성될 수 있다.
또한, 상기 제 1 유효 영역(AA1)의 제 1 관통 홀(TH1)의 형상은 상기 제 1 외곽영역(OA1) 제 2 관통 홀(TH2)의 형상과 서로 대응될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 유효 영역(AA1)에 포함된 제 1 관통 홀(TH1)의 균일성을 향상시킬 수 있다. 일례로, 상기 제 1 유효 영역(AA1)의 제 1 관통 홀(TH1)의 형상 및 상기 제 1 외곽영역(OA1) 제 2 관통 홀(TH2)의 형상은 모두 원형일 수 있다. 그러나, 실시 예는 이에 제한되지 않고, 상기 제 1 및 2 관통 홀(TH1, TH2)은 다이아몬드 패턴, 타원형 패턴 등 다양한 형상일 수 있다.
또한, 상기 제 1 유효 영역(AA1)의 제 1 관통 홀(TH1)의 형상은 상기 제 1 외곽영역(OA1)의 제 2 관통 홀(TH2)의 형상과 다를 수 있다. 일례로, 상기 제 1 유효 영역(AA1)의 제 1 관통 홀(TH1)의 형상은 원형일 수 있고, 상기 제 1 외곽영역(OA1) 제 2 관통 홀(TH2)의 형상은 사각형일 수 있다. 그러나, 실시 예는 이에 제한되지 않고, 상기 제 1 및 2 관통 홀(TH1, TH2)은 다이아몬드 패턴, 타원형 패턴 등 다양한 형상 중 서로 다른 복수의 형상을 가지며 형성될 수 있다.
한편, 상기 제 1 외곽 영역(OA1)에 형성되는 제 2 관통 홀(TH2)들은 2열 이상으로 형성될 수 있다. 또한 제 2 관통 홀(TH2)은 7열 이하로 형성될 수 있으며, 바람직하게 5열 이하로 형성될 수 있다. 자세하게, 상기 유효 영역(AA) 외측 방향으로 2 개 이상의 제 2 관통 홀(TH2)이 한 줄로 있거나, 또는 7개 이하, 바람직하게는 5개 이하의 제 2 관통 홀(TH2)이 배치될 수 있다. 즉, 상기 제 2 관통 홀(TH2)이 배치된 영역이 증가할수록 이에 따른 유효 영역의 면적이 감소하게 되며, 이에 따라, 상기 제 2 관통 홀(TH2)은 7열 이하, 바람직하게 5열 이하로 배치되도록 한다.
또한, 상기 제 1 외곽 영역(OA1)에 형성되는 제 2 관통 홀(TH2)들은 적어도 2열 이상으로 형성될 수 있도록 한다. 상기 제 2 관통 홀(TH2)은 상기 제 1 유효 영역(AA1)에 위치한 복수 개의 제 1 관통 홀(TH1)들의 균일성을 향상시키면서 이에 따른 증착 패턴의 품질을 향상시키기 위해 형성된다. 이때, 상기 제 2 관통 홀(TH2)들은 상기 제 1 유효 영역(AA1)과 같이 식각되는 영역과, 상기 비유효부(UA)와 같이 식각되지 않는 영역 사이에서 발생하는 과에칭 문제를 해결하기 위해 형성된다. 이때, 상기 제 2 관통 홀(TH2)이 1열로 형성되는 경우, 1열의 제 2 관통 홀(TH2)만으로는 상기 과에칭 문제를 발생시키는 에칭액의 라디칼 집중을 분산시키기 힘드며, 이에 따라 상기 제 2 관통 홀(TH2)은 적어도 2열 이상으로 형성하도록 한다.
바람직하게, 상기 제 1 유효 영역(AA1)과 상기 제 1 외곽 영역(OA1)을 포함하는 증착 영역 내에서, 상기 제 1 유효 영역(AA1)의 제 1 관통 홀(TH1)이 적어도 80% 내지 90%를 차지하도록 한다. 이때, 상기 제 1 관통 홀(TH1)이 80%미만으로 형성되는 경우, 상기 제 1 관통 홀(TH1)과 제 2 관통 홀(TH2)의 사이즈 차이에 따른 에칭 양이 달라지며, 이에 따른 상기 제 1 관통 홀(TH1)을 원하는 목표 크기로 형성할 수 없다. 또한, 상기 제 1 관통 홀(TH1)이 90% 이상으로 형성되는 경우, 상기 제 1 외곽 영역(OA1)에 형성되는 제 2 관통 홀(TH2)에서의 과에칭이 발생한다. 따라서, 상기 제 1 유효 영역(AA1)과 상기 제 1 외곽 영역(OA1)을 포함하는 증착 영역 내에서, 상기 제 1 유효 영역(AA1)의 제 1 관통 홀(TH1)이 적어도 80% 내지 90%를 차지하도록 한다.
또한, 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 수평 방향으로의 직경은, 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 수평 방향으로의 직경보다 작을 수 있다. 또한, 제 2 관통 홀(TH2)의 수직 방향으로의 직경은 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 수직 방향으로의 직경보다 작을 수 있다. 바람직하게, 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 크기는, 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 크기보다 작을 수 있다.
자세하게, 상기 유효 영역(AA)은 복수 개의 상기 제 1 관통홀(TH1)에 의한 제 1 개구율을 포함할 수 있으며, 상기 외곽 영역(OA)는 복수 개의 상기 제 2 관통홀(TH2)에 의한 제 2 개구율을 포함할 수 있다. 상기 제 1 개구율은 상기 제 2 개구율보다 더 클 수 있다. 다시 말하면, 상기 제 1 유효 영역(AA1) 내에서 A*B cm 영역 내에 배치된 제 1 관통 홀(TH1)의 면적은, 상기 제 1 외곽 영역(OA1) 내에서 A*B cm 영역 내에 배치된 제 2 관통 홀(TH2)의 면적보다 클 수 있다. 다시 말해서, 동일한 면적의 영역 내에서 상기 제 2 관통 홀(TH2)이 차지하는 면적보다 상기 제 1 관통 홀(TH1)이 차지하는 면적이 더 클 수 있다. 바람직하게, 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 수평 방향으로의 직경은 25㎛일 수 있다. 그리고, 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 수평 방향으로의 직경은 23.5㎛일 수 있다.
상기 제 2 유효 영역(AA2)은 제 2 외곽영역(OA2) 내에 위치할 수 있다. 상기 제 2 유효 영역(AA2)은 상기 제 1 유효 영역(AA1)과 서로 대응되는 형상일 수 있다. 상기 제 2 외곽영역(OA2)은 상기 제 1 외곽영역(OA1)과 서로 대응되는 형상일 수 있다.
상기 제 2 외곽영역(OA2)은 상기 제 2 유효 영역(AA2)의 최외곽에 위치한 제 1 관통 홀로부터 수평방향 및 수직방향에 각각 복수의 제 2 관통 홀(TH2)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 외곽영역(OA2)은 상기 제 2 유효 영역(AA2)의 최외곽에 위치한 제 1 관통 홀의 상부 및 하부의 위치에 각각 복수의 제 2 관통 홀(TH2)이 수평방향으로 일렬로 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 외곽영역(OA2)은 상기 제 2 유효 영역(AA2)의 최외곽에 위치한 관통 홀의 좌측 및 우측에 각각 복수의 제 2 관통 홀(TH2)이 수직방향으로 일렬로 배치될 수 있다. 상기 제 2 외곽영역(OA2)에 포함되는 복수 개의 제 2 관통 홀(TH2)은 제 2 유효 영역(AA2)의 최외곽에 위치한 제 1 관통 홀들의 에칭 불량을 감소시키기 위한 것이다. 이에 따라, 실시 예에 따른 증착용 마스크는 제 2 유효 영역(AA2)에 위치한 복수 개의 제 1 관통 홀들의 균일성을 향상시킬 수 있고, 이를 통해 제조되는 증착 패턴의 품질을 향상시킬 수 있다. 한편, 상기 제 2 외곽영역(OA2)에 형성되는 제 2 관통 홀(TH2)은 상기 제 1 외곽영역(OA1)에 형성되는 제 2 관통 홀(TH2)과 동일한 조건으로 형성될 수 있다.
상기 제 3 유효 영역(AA3)는 제 3 외곽영역(OA3) 내에 포함될 수 있다. 상기 제 3 유효 영역(AA3)는 증착 물질을 형성하기 위한 복수 개의 제 2 관통 홀(TH2)들을 포함할 수 있다. 상기 제 3 유효 영역(AA3)의 외곽을 둘러싸는 상기 제 3 외곽영역(OA3)은 복수 개의 제 2 관통 홀을 포함할 수 있다.
상기 제 3 유효 영역(AA3)은 상기 제 1 유효 영역(AA1)과 서로 대응되는 형상일 수 있다. 상기 제 3 외곽영역(OA3)은 상기 제 1 외곽영역(OA1)과 서로 대응되는 형상일 수 있다.
또한, 상기 유효 영역(AA1, AA2, AA3)에 포함된 제 1 관통 홀(TH1)은 상기 외곽 영역(OA1, OA2, OA3)에 포함된 제 2 관통 홀(TH2)과 부분적으로 대응되는 형상을 가질 수 있다. 일례로, 상기 유효 영역(AA1, AA2, AA3)에 포함된 제 1 관통 홀(TH1)들은 외곽영역(OA1, OA2, OA3)에 위치한 제 2 관통 홀(TH2)과 서로 다른 형상을 포함할 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)의 위치에 따른 응력의 차이를 조절할 수 있다.
도 5는 제 1 실시 예에 따른 증착용 마스크의 유효부의 유효 영역부 및 외곽 영역의 평면도를 도시한 도면이고, 도 6은 도 5의 증착용 마스크의 유효 영역을 평면에서 바라본 현미경 이미지이며, 도 7은 실시 예에 따른 증착용 마스크의 다른 평면도를 도시한 도면이고, 도 8은 실시 예에 따른 증착용 마스크의 또 다른 평면도를 도시한 도면이다.
도 5 내지 도 8은 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)의 제 1 유효 영역(AA1)와 제 1 외곽 영역(OA1)을 포함하는 제 1 유효부 상기 제 2 유효 영역(AA2)와 제 2 외곽 영역(OA2)을 포함하는 제 2 유효부 및 상기 제 3 유효 영역(AA3)와 제 3 외곽 영역(OA3)을 포함하는 제 3 유효부 중 어느 하나의 평면도일 수 있다.
또한, 상기 도 5 내지 도 8은 제 1 관통 홀(TH1)과 제 2 관통 홀(TH2)형상 및 배열을 설명하기 위한 것으로, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 도면에 도시된 제 1 관통 홀(TH1)의 개수에 한정되지 않는다.
또한, 상기 제 1 내지 3 유효부에 포함되는 제 1 내지 3 외곽 영역은, 상기 제 1 내지 3 유효 영역의 좌측, 우측, 상측 및 하측을 둘러싸며 배치되지만, 도면 상에서는 설명의 편의를 위해, 상기 외곽 영역 중 유효 영역의 좌측에 배치된 외곽 영역에 대해 설명하기로 한다. 또한, 상기 유효 영역의 좌측에 배치된 외곽 영역에는 2열의 복수의 제 2 관통 홀(TH2)들이 수직 방향으로 배치되는 것으로 도시하였으나 이에 한정되지 않고, 실시 예에 따라 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 수는 더 증가하거나 줄어들 수 있을 것이다.
도 5 내지 도 8을 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 유효 영역(AA)에 복수 개의 제 1 관통 홀(TH1)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 제 1 관통 홀(TH1)들은 방향에 따라, 일렬로 배치되거나 서로 엇갈려서 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 관통 홀(TH1)들은 종축 및 횡축에서 일렬로 배치될 수 있고, 종축 또는 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다.
먼저, 도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 유효 영역(AA)에 복수 개의 제 1 관통 홀(TH1)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 복수 개의 제 1 관통 홀(TH1)은 원형 형상일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 관통 홀(TH1)은 수평 방향의 직경(Cx1)과 수직 방향의 직경(Cy1) 값을 가질 수 있고, 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 수평 방향의 직경(Cx1)과 수직 방향의 직경(Cy1) 값은 서로 대응될 수 있다.
상기 제 1 관통 홀(TH1)들은 방향에 따라 일렬로 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 관통 홀(TH1)들은 종축 및 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다.
자세하게, 유효 영역(AA) 내에서의 제 1-1 관통 홀(TH1-1) 및 제 1-2 관통 홀(TH1-2)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있고, 제 1-3 관통 홀(TH1-3) 및 제 1-4 관통 홀(TH1-4)은 종축에서 일렬로 배치될 수 있다.
또한, 유효 영역(AA)에서의 상기 제 1-1 관통 홀(TH1-1) 및 제 1-3 관통 홀(TH1-3)은 종축에서 일렬로 배치될 수 있고, 제 1-2 관통 홀(TH1-2) 및 제 1-4 관통 홀(TH1-4)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다.
즉, 제 1 관통 홀(TH1)들이 종축 및 횡축에서 각각 일렬로 배치되는 경우에는, 종축 및 횡축과 모두 교차하는 방향인 대각 방향으로 인접한 두 개의 제 1 관통 홀(TH1)들 사이에 제 1 아일랜드부(IS1)가 위치할 수 있다. 즉, 서로 대각선 방향에 위치한 두 개의 인접한 제 1 관통 홀(TH1)들 사이에는 제 1 아일랜드부(IS1)가 위치할 수 있다.
예를 들어, 제 1-1 관통 홀(TH1-1) 및 제 1-4 관통 홀(TH1-4)의 사이에는 제 1 아일랜드부(IS1)가 배치될 수 있다. 또한, 제 1-2 관통 홀(TH1-2) 및 제 1-3 관통 홀(TH1-3)의 사이에는 제 1 아일랜드부(IS1)가 배치될 수 있다. 인접한 두 개의 제 1 관통 홀을 가로지르는 횡축을 기준으로 약 +45도 전후의 경사각 방향 및 약 -45도 전후의 경사각 방향에 제 1 아일랜드부(IS1)가 각각 위치할 수 있다. 여기에서, 약 ±45 전후의 경사각 방향은 횡축과 종축 사이의 대각 방향을 의미할 수 있고, 상기 대각 방향의 경사각은 횡축 및 종축의 동일 평면에서 측정한 것일 수 있다.
또한, 도 7을 참조하면, 실시 예에 따른 다른 증착용 마스크(100)는 유효 영역(AA)에서 복수 개의 제 1 관통 홀을 포함할 수 있다. 이때, 복수 개의 제 1 관통 홀은 타원형 형상일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 수평 방향의 직경(Cx1)과 수직 방향의 직경(Cy1)은 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 제 1 관통 홀의 수평 방향의 직경(Cx1)은 수직 방향의 직경(Cy1)보다 클 수 있다. 그러나, 실시예는 이에 제한되지 않고, 제 1 관통 홀은 장방형 형상이거나 8각형 형상이거나 라운드진 8각형 형상일 수 있다.
상기 제 1 관통 홀(TH1)들은 종축 또는 횡축 중 어느 하나의 축에서 일렬로 배치되고, 다른 하나의 축에서 엇갈려서 배치될 수 있다.
자세하게, 제 1-1 관통 홀(TH1-1) 및 제 1-2 관통 홀(TH1-2)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있고, 제 1-3 관통 홀(TH1-3) 및 제 1-4 관통 홀(TH1-4)은 제 1-1 관통 홀(TH1-1) 및 제 1-2 관통 홀(TH1-2)과 각각 종축에서 엇갈려서 배치될 수 있다.
상기 제 1 관통 홀(TH1)들이 종축 또는 횡축 중 어느 하나의 방향으로 일렬로 배치되고, 다른 하나의 방향으로 엇갈려서 배치되는 경우에는, 종축 또는 횡축 중 다른 하나의 방향으로의 인접한 두 개의 제 1 관통 홀(TH1-1, TH1-2)들 사이에 제 1 아일랜드부(IS1)가 위치할 수 있다. 또는, 서로 인접하게 위치한 세 개의 제 1 관통 홀(TH1-1, TH1-2, TH1-3)들 사이에 제 1 아일랜드부(IS1)가 위치할 수 있다. 인접한 세 개의 제 1 관통 홀(TH1-1, TH1-2, TH1-3)들 중 두 개의 제 1 관통 홀(TH1-1, TH1-2)들은 일렬로 배치되는 관통 홀이며, 나머지 하나의 관통 홀(TH1-3)은 상기 일렬 방향과 대응되는 방향의 인접한 위치에서, 상기 두 개의 관통 홀(TH1-1, TH1-2) 사이의 영역에 배치될 수 있는 관통 홀을 의미할 수 있다. 제 1-1 관통 홀(TH1-1), 제 1-2 관통 홀(TH1-2) 및 제 1-3 관통 홀(TH1-3)의 사이에는 제 1 아일랜드부(IS1)가 배치될 수 있다. 또는, 제 1-2 관통 홀(TH1-2), 제 1-3 관통 홀(TH1-3) 및 제 1-4 관통 홀(TH1-4)의 사이에는 제 1 아일랜드부(IS1)가 배치될 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)에서 임의의 어느 하나의 제 1 관통 홀인 기준 홀의 수평 방향의 직경(Cx1)과 수직 방향의 직경(Cy1)를 측정하는 경우, 상기 기준 홀에 인접하는 제 1 관통 홀(TH1)들 간의 각각의 수평 방향의 직경(Cx1)들 간의 편차와, 수직 방향의 직경(Cy1)들 간의 편차는 약 2% 내지 약 10% 로 구현될 수 있다. 즉, 하나의 기준 홀의 인접한 제 1 관통 홀들 간의 크기 편차가 약 2% 내지 약 10% 로 구현하는 경우에는 증착의 균일도를 확보할 수 있다. 예를 들어, 상기 기준 홀과 상기 인접한 제 1 관통 홀들 간의 크기 편차는 약 4% 내지 약 9% 일 수 있다. 예를 들어, 상기 기준 홀과 상기 인접한 제 1 관통 홀들 간의 크기 편차는 약 5% 내지 약 7%일 수 있다. 예를 들어, 상기 기준 홀과 상기 인접한 제 1 관통 홀들 간의 크기 편차는 약 2% 내지 약 5% 일 수 있다. 상기 기준 홀과 상기 인접한 제 1 관통 홀들 간의 크기 편차가 약 2% 미만인 경우에는, 증착 후 OLED 패널에서 모아레 발생률이 높아질 수 있다. 상기 기준 홀과 상기 인접한 제 1 관통 홀들 간의 크기 편차가 약 10%를 초과하는 경우, 증착 후의 OLED 패널에서 색 얼룩의 발생률이 높아질 수 있다. 상기 제 1 관통 홀 직경의 평균편차는 ±5㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 관통 홀 직경의 평균편차는 ±3㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 관통 홀 직경의 평균편차는 ±1㎛일 수 있다. 실시 예는 상기 기준 홀과 상기 인접한 제 1 관통 홀들 간의 크기 편차를 ±3㎛ 이내로 구현함에 따라, 증착 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 도 8을 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 유효 영역(AA)에서, 복수 개의 제 1 관통 홀(TH1)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 복수 개의 제 1 관통 홀(TH1)은 사각형 형상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 관통 홀(TH1)은 마름모 형상일 수 있다. 상기 제 1 관통 홀(TH1)은 수평 방향의 길이(Cx1)과 수직 방향의 길이(Cy1) 값을 가질 수 있고, 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 수평 방향의 길이(Cx1) 및 수직 방향의 길이(Cy1)는 서로 대응될 수 있다.
상기 제 1 관통 홀(TH1)들은 방향에 따라 일렬로 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 관통 홀(TH1)들은 종축 및 횡축 중 어느 하나의 축에서 일렬로 배치되고, 다른 하나의 축에서는 엇갈려서 배치될 수 있다.
자세하게, 제 1-1 관통 홀(TH1-1), 제 1-2 관통 홀(TH1-2) 및 제 1-3 관통 홀(TH1-3)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있고, 제 1-4 관통 홀(TH1-4) 및 제 1-5 관통 홀(TH1-5)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있고, 제 1-4 관통 홀(TH1-4) 및 제 1-5 관통 홀(TH1-5)은 제 1-1 관통 홀(TH1-1), 제 1-2 관통 홀(TH1-2) 및 제 1-3 관통 홀(TH1-3)과 각각 종축에서 엇갈려서 배치될 수 있다. 예를 들어, 제 1-4 관통 홀(TH1-4)은 제 1-1 관통 홀(TH1-1) 및 제 1-2 관통 홀(TH1-2) 사이에 엇갈려서 배치될 수 있고, 제 1-5 관통 홀(TH1-5)은 제 1-2 관통 홀(TH1-2) 및 제 1-3 관통 홀(TH1-3) 사이에 엇갈려서 배치될 수 있다.
상기 제 1 관통 홀(TH1)들이 종축 또는 횡축 중 어느 하나의 방향으로 일렬로 배치되고, 다른 하나의 방향으로 엇갈려서 배치되는 경우에는, 종축 및 횡축이 교차하는 지점에 제 1 아일랜드부(IS1)가 위치할 수 있다. 또는, 서로 인접한 네 개의 제 1 관통 홀들(TH1-1, TH1-2, TH1-4, TH1-6) 사이에 제 1 아일랜드부(IS1)가 위치할 수 있다.
인접한 네 개의 제 1 관통 홀들(TH1-1, TH1-2, TH1-4, TH1-6) 중 두 개의 제 1 관통 홀들(TH1-1, TH1-2)은 종축 또는 횡축 중 어느 하나의 방향으로 일렬로 배치되는 제 1 관통 홀들을 의미할 수 있고, 나머지 두 개의 제 1 관통 홀들(TH1-4, TH1-6)은 종축 또는 횡축 중 다른 하나의 방향으로 일렬로 배치되는 제 1 관통 홀들을 의미할 수 있다.
한편, 상기 제 1 아일랜드부(IS1)는 유효 영역(AA)의 대면공(V2)이 형성되는 증착용 마스크(100)의 타면에서 제 1 관통 홀(TH1)들 사이의 식각되지 않은 면을 의미할 수 있다. 자세하게, 제 1 아일랜드부(IS)는 증착용 마스크의 유효 영역(AA)에서, 대면공 내에 위치한 제 2 에칭면(ES1-2) 및 제 1 관통 홀(TH1)을 제외한 식각되지 않은 증착용 마스크(100)의 타면일 수 있다. 실시 예의 증착용 마스크(100)는 400PPI 이상, 자세하게 400PPI 내지 800PPI 이상의 해상도를 가지는 고해상도 내지 초고해상도의 OLED 화소 증착을 위한 것일 수 있다.
예를 들어, 실시 예의 증착용 마스크(100)는 400PPI 이상의 해상도를 가지는 Full HD(High Definition)의 고해상도를 가지는 증착 패턴을 형성하기 위한 것일 수 있다. 예를 들어, 실시예의 증착용 마스크(100)는 수평방향 및 수직방향에서의 화소수가 1920*1080 이상이고, 400PPI 이상인 OLED 화소 증착을 위한 것일 수 있다. 즉, 실시예의 증착용 마스크(100)에 포함된 하나의 유효부는 해상도 1920*1080 이상의 픽셀 수를 형성하기 위한 것일 수 있다.
예를 들어, 실시 예의 증착용 마스크(100)는 500PPI 이상의 해상도를 가지는 QHD(Quad High Definition)의 고해상도를 가지는 증착 패턴을 형성하기 위한 것일 수 있다. 예를 들어, 실시예의 증착용 마스크(100)는 수평방향 및 수직방향에서의 화소수가 2560*1440 이상이고, 530 PPI 이상인 OLED 화소 증착을 위한 것일 수 있다. 실시 예의 증착용 마스크(100)를 통해, 인치당 픽셀수는 5.5인치 OLED 패널을 기준으로 530 PPI 이상일 수 있다. 즉, 실시예의 증착용 마스크(100)에 포함된 하나의 유효부는 해상도 2560*1440 이상의 픽셀 수를 형성하기 위한 것일 수 있다.
예를 들어, 실시 예의 증착용 마스크(100)는 700PPI 이상의 해상도를 가지는 UHD(Ultra High Definition)의 초고해상도를 가지는 증착 패턴을 형성하기 위한 것일 수 있다. 예를 들어, 실시 예의 증착용 마스크(100)는 수평방향 및 수직방향에서의 화소 수가 3840*2160 이상이고, 794 PPI 이상의 OLED 화소 증착을 위한 UHD(Ultra High Definition)급 해상도를 가지는 증착 패턴을 형성하기 위한 것일 수 있다.
상기 제 1 관통 홀(TH1)의 직경은 상기 연통부(CA) 사이의 폭일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 직경은 소면공(V1) 내의 에칭면의 끝단과 대면공(V2) 내의 에칭면의 끝단이 만나는 지점에서 측정할 수 있다. 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 직경의 측정 방향은 수평방향, 수직방향, 대각 방향 중 어느 하나일 수 있다. 수평방향에서 측정된 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 직경은 33㎛ 이하일 수 있다. 또는, 수직방향에서 측정된 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 직경은 33㎛ 이하일 수 있다. 또는, 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 직경은 수평방향, 수직방향, 대각 방향에서 각각 측정한 값의 평균값일 수 있다.
따라서, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 QHD급 해상도를 구현할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 직경은 약 15㎛ 내지 약 33㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 직경은 약 19㎛ 내지 약 33㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 직경은 약 20㎛ 내지 약 27㎛일 수 있다. 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 직경이 약 33㎛ 초과인 경우에는 500PPI 급 이상의 해상도를 구현하기 어려울 수 있다. 한편, 상기 관통 홀(TH1)의 직경이 약 15㎛ 미만인 경우에는 증착 불량이 발생할 수 있다. 여기에서, 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 직경이 상기와 같은 범위를 가진다고 하였으며, 실질적으로 상기 제 1 관통 홀(TH1)이 가지는 직경은, 추후 설명할 제 2 관통 홀(TH2)이 가지는 직경보다는 크다. 예를 들어, 상기 제 2 관통홀의 직경은 상기 제 1 관통홀의 직경보다 작으면서 상기 제 1 관통홀의 직경의 0.9배 이상일 수 있으며, 바람직하게는 0.95배 이상일 수 있다. 예를 들면, 상기 범위 중에서 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 직경이 25㎛로 형성되는 경우, 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 직경은, 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 직경보다 작은 23.5㎛로 형성될 수 있다. 상기 제 1 관통 홀의 직경 대비, 상기 제 2 관통 홀의 직경이 지나치게 작은 경우, 예를 들어 제 2 관통 홀의 직경이 제 1 관통홀의 직경의 0.5배 이하로 작아지는 경우, 체적이 감소하여 인장 시 변형이 일어날 가능성이 있다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 수평방향에서 복수 개의 제 1 관통 홀 중 인접한 두 개의 제1 관통 홀(TH1) 사이의 간격(pitch)은 약 48㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 제 1 관통 홀(TH1) 중 인접한 두 개의 제 1 관통 홀(TH1) 사이의 간격(pitch)은 약 20㎛ 내지 약 48㎛일 수 있다. 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 제 1 관통 홀(TH1) 중 인접한 두 개의 제 1 관통 홀(TH1) 사이의 간격(pitch)은 약 30㎛ 내지 약 35㎛일 수 있다. 여기에서, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1-1 관통 홀(TH1-1)의 중심과 제 1-2 관통 홀(TH1-2)의 중심 사이의 간격(P1)을 의미할 수 있다. 이와 다르게, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1-1 아일랜드부의 중심과 제 1-2 아일랜드부의 중심 사이의 간격(P2)을 의미할 수 있다. 여기에서, 제 1 아일랜드부(IS1)의 중심은 수평방향 및 수직방향에서 인접한 네 개의 제 1 관통 홀(TH1)들 사이의 비식각된 타면에서의 중심일 수 있다. 예를 들어, 제 1 아일랜드부(IS1)의 중심은 수평방향에서 인접한 두 개의 제 1-1 관통 홀(TH1-1) 및 제 1-2 관통 홀(TH1-2)을 기준으로, 상기 제 1-1 관통 홀(TH1-1)과 수직방향에서 인접한 제 1-3 관통 홀(TH1-3) 및 상기 제 1-2 관통 홀(TH1-2)과 수직방향에서 인접한 제 1-4 관통 홀(TH1-4) 사이의 영역에 위치한 하나의 제 1 아일랜드부(IS1)의 에지를 잇는 횡축과 에지를 잇는 종축이 교차하는 지점을 의미할 수 있다.
또한, 도 7을 참조하면, 수평방향에서 복수 개의 제 1 관통 홀 중 인접한 두 개의 제 1 관통 홀(TH1) 사이의 간격(pitch)은 약 48㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 제 1 관통 홀(TH1) 중 인접한 두 개의 제 1 관통 홀(TH1) 사이의 간격(pitch)은 약 20㎛ 내지 약 48㎛일 수 있다. 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 제 1 관통 홀(TH1) 중 인접한 두 개의 제 1 관통 홀(TH1) 사이의 간격(pitch)은 약 30㎛ 내지 약 35㎛일 수 있다. 여기에서, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1-1 관통 홀(TH1-1)의 중심과 제 1-2 관통 홀(TH1-2)의 중심 사이의 간격(P1)을 의미할 수 있다. 또한, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1-1 아일랜드부의 중심과 제 1-2 아일랜드부의 중심 사이의 간격(P2)을 의미할 수 있다. 여기에서, 제 1 아일랜드부(IS1)의 중심은 하나의 관통 홀과 수직 방향에서 인접한 두 개의 관통 홀 사이의 비식각된 타면에서의 중심일 수 있다. 또는, 여기에서, 제 1 아일랜드부(IS1)의 중심은 두 개의 관통 홀과 수직 방향에서 인접한 하나의 관통 홀 사이의 비식각된 타면에서의 중심일 수 있다. 즉, 제 1 아일랜드부(IS1)의 중심은 인접한 세 개의 관통 홀 사이의 비식각된 타면에서의 중심이며, 인접한 세 개의 관통 홀이란 그 중심을 이었을 때 삼각형 형상을 형성할 수 있는 것을 의미할 수 있다.
또한, 도 8을 참조하면, 수평방향에서 복수 개의 제 1 관통 홀 중 인접한 두 개의 제 1 관통 홀(TH1) 사이의 간격(pitch)은 약 48㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 제 1 관통 홀(TH1) 중 인접한 두 개의 제 1 관통 홀(TH1) 사이의 간격(pitch)은 약 20㎛ 내지 약 48㎛일 수 있다. 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 제 1 관통 홀(TH1) 중 인접한 두 개의 제 1 관통 홀(TH1) 사이의 간격(pitch)은 약 30㎛ 내지 약 35㎛일 수 있다. 여기에서, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1-1 관통 홀(TH1-1)의 중심과 제 1-2 관통 홀(TH1-2)의 중심 사이의 간격(P1)을 의미할 수 있다. 이와 다르게, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 2개의 제 1 아일랜드부의 중심 사이의 간격(P2)을 의미할 수 있다. 여기에서, 제 1 아일랜드부(IS1)의 중심은 수평방향 및 수직방향에서 인접한 네 개의 관통 홀(TH1)들 사이의 비식각된 타면에서의 중심일 수 있다. 예를 들어, 제 1 아일랜드부(IS1)의 중심은 수평방향에서 인접한 두 개의 제 1-1 관통 홀(TH1-1) 및 제 1-2 관통 홀(TH1-2)을 기준으로, 상기 제 1-1 관통 홀(TH1-1)과 수직방향에서 인접한 제 1-3 관통 홀(TH1-3) 및 상기 제 1-2 관통 홀(TH1-2)과 수직방향에서 인접한 제 1-4 관통 홀(TH1-4) 사이의 영역에 위치한 하나의 제 1 아일랜드부(IS1)의 에지를 잇는 횡축과 에지를 잇는 종축이 교차하는 지점을 의미할 수 있다. 예를 들어, 제 1 아일랜드부(IS1)의 중심은 수평방향으로 인접한 두 개의 제 1 관통 홀인 제 1-1 관통 홀(TH1-1) 및 제 1-2 관통 홀(TH1-2)과, 상기 제 1-1 관통 홀(TH1-1) 및 제 상기 제 1-2 관통 홀(TH1-2) 사이 영역의 중심에서 수직방향으로 인접한 두 개의 제 1 관통 홀인 제 1-4 관통 홀(TH4) 및 제 1-6 관통 홀(TH1-6) 사이의 영역에 위치한 비식각된 타면의 중심일 수 있다. 즉, 제 1 아일랜드부(IS)의 중심은 네 개의 제 1 관통 홀 사이에 위치한 비식각면의 중심일 수 있다.
상기 제 1 관통 홀(TH1)의 직경의 측정 방향과 인접한 두 개의 제 1 관통 홀(TH1) 사이의 간격의 측정 방향은 동일할 수 있다. 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 간격은 수평 방향 또는 수직 방향으로 인접한 두 개의 제 1 관통 홀(TH1) 사이의 간격을 측정한 것일 수 있다.
즉, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 400PPI 이상의 해상도를 가지는 OLED 화소를 증착할 수 있다. 자세하게, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 유효 영역(AA)에서의 제 1 관통 홀(TH1)의 직경이 약 33um 이하이고, 상기 제 1 관통 홀(TH1) 간의 간격(pitch)이 약 48um 이하임에 따라, 500PPI 이상의 해상도를 가지는 OLED 화소를 증착할 수 있다. 즉, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)를 사용하여 QHD급 해상도를 구현할 수 있다.
상기 제 1 관통 홀(TH1)의 직경 및 상기 제 1 관통 홀(TH1) 간의 간격은 녹색 서브 픽셀을 형성하기 위한 크기일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 직경은 녹색(G) 패턴을 기준으로 측정할 수 있다. 상기 녹색(G) 패턴은 시각을 통한 인식률이 낮으므로 적색(R) 패턴 및 청색(B) 패턴보다 많은 수가 요구되며, 상기 관통 홀(TH1)들 사이의 간격이 적색(R) 패턴 및 청색(B) 패턴보다 좁을 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 QHD 디스플레이 픽셀을 구현하기 위한 OLED 증착용 마스크일 수 있다.
예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 적색(R), 제 1 녹색(G1), 청색(B) 및 제 2 녹색(G2) 중 적어도 하나의 서브 픽셀을 증착하기 위한 것일 수 있다. 자세하게, 상기 증착용 마스크(100)는 적색(R) 서브 픽셀을 증착하기 위한 것일 수 있다. 또는, 상기 증착용 마스크(100)는 청색(B) 서브 픽셀을 증착하기 위한 것일 수 있다. 또는, 상기 증착용 마스크(100)는 제 1 녹색(G1) 서브 픽셀 및 제 2 녹색(G2) 서브 픽셀을 동시에 형성하기 위한 것일 수 있다.
유기 발광 표시 장치의 픽셀 배열은 '적색(R)-제 1 녹색(G1)-청색(B)-제 2 녹색(G2)' 순(RGBG)으로 배치될 수 있다. 이 경우 적색(R)-제 1 녹색(G1)이 하나의 픽셀(RG)을 이룰 수 있고, 청색(B)-제 2 녹색(G2)가 다른 하나의 픽셀(BG)을 이룰 수 있다. 이와 같은 배열의 유기 발광 표시 장치에서는, 적색 발광 유기물 및 청색 발광 유기물 보다 녹색 발광 유기물의 증착 간격이 더 좁아지기 때문에, 본 발명과 같은 형태의 증착용 마스크(100)가 필요할 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 유효 영역(AA)에서의 제 1 관통 홀(TH1)의 직경이 수평방향에서 약 20㎛ 이하일 수 있다. 이에 따라, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 UHD급 해상도를 구현할 수 있다. 예를 들어, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 직경이 약 20㎛ 이하이고, 상기 제 1 관통 홀 간의 간격이 약 32㎛ 이하임에 따라, 800PPI 급의 해상도를 가지는 OLED 화소를 증착할 수 있다. 즉, 실시 예에 따른 증착 마스크를 사용하여 UHD급 해상도를 구현할 수 있다.
상기 제 1 관통 홀의 직경 및 상기 제 1 관통 홀 간의 간격은 녹색 서브 픽셀을 형성하기 위한 크기일 수 있다. 상기 증착용 마스크는 UHD 디스플레이 픽셀을 구현하기 위한 OLED 증착 마스크일 수 있다.
한편, 상기 증착용 마스크(100)는 외곽영역(OA)에 복수 개의 제 2 관통 홀(TH2)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 제 2 관통 홀(TH2)들은 방향에 따라, 일렬로 배치되거나 서로 엇갈려서 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 관통 홀(TH2)들은 종축 및 횡축에서 일렬로 배치될 수 있고, 종축 또는 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)는 외곽영역(OA)에 복수 개의 제 2 관통 홀(TH2)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 복수 개의 제 2 관통 홀(TH2)은 원형 형상일 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 관통 홀(TH2)은 수평 방향의 직경(Cx2)과 수직 방향의 직경(Cy2) 값을 가질 수 있고, 상기 제 2 관통 홀(TH1)의 수평 방향의 직경(Cx2)과 수직 방향의 직경(Cy2) 값은 서로 대응될 수 있다. 이때, 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 수평 방향의 직경(Cx2) 및 수직 방향의 직경(Cy2) 중 적어도 하나의 직경은, 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 수평 방향의 직경(Cx1) 및 수직 방향의 직경(Cy1) 중 적어도 하나의 직경보다 작을 수 있다.
상기 제 2 관통 홀(TH2)들은 방향에 따라 일렬로 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 관통 홀(TH2)들은 종축 및 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다.
자세하게, 외곽영역(OA) 내에서의 제 2-1 관통 홀(TH2-1) 및 제 2-2 관통 홀(TH2-2)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있고, 제 2-3 관통 홀(TH2-3) 및 제 2-4 관통 홀(TH2-4)은 종축에서 일렬로 배치될 수 있다.
또한, 외곽영역(OA)에서의 상기 제 2-1 관통 홀(TH2-1) 및 제 2-3 관통 홀(TH2-3)은 종축에서 일렬로 배치될 수 있고, 제 2-2 관통 홀(TH2-2) 및 제 2-4 관통 홀(TH2-4)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다.
즉, 제 2 관통 홀(TH2)들이 종축 및 횡축에서 각각 일렬로 배치되는 경우에는, 종축 및 횡축과 모두 교차하는 방향인 대각 방향으로 인접한 두 개의 제 2 관통 홀(TH2)들 사이에 제 2 아일랜드부(IS2)가 위치할 수 있다. 즉, 서로 대각선 방향에 위치한 두 개의 인접한 제 2 관통 홀(TH2)들 사이에는 제 2 아일랜드부(IS2)가 위치할 수 있다.
예를 들어, 제 2-1 관통 홀(TH2-1) 및 제 2-4 관통 홀(TH2-4)의 사이에는 제 2 아일랜드부(IS2)가 배치될 수 있다. 또한, 제 2-2 관통 홀(TH2-2) 및 제 2-3 관통 홀(TH2-3)의 사이에는 제 2 아일랜드부(IS2)가 배치될 수 있다. 인접한 두 개의 제 2 관통 홀을 가로지르는 횡축을 기준으로 약 +45도 전후의 경사각 방향 및 약 -45도 전후의 경사각 방향에 제 2 아일랜드부(IS1)가 각각 위치할 수 있다. 여기에서, 약 ±45 전후의 경사각 방향은 횡축과 종축 사이의 대각 방향을 의미할 수 있고, 상기 대각 방향의 경사각은 횡축 및 종축의 동일 평면에서 측정한 것일 수 있다.
이때, 상기 제 2 아일랜드부(IS2)는 복수의 제 2 관통 홀(TH2)들 사이에 배치되는 제 2-1 아일랜드부(IS2-1)와, 제 2 관통 홀(TH2)과 제 1 관통 홀(TH1) 사이에 배치되는 제 2-2 아일랜드부(IS2-2)를 포함한다.
한편, 상기 제 1 아일랜드부(IS1), 상기 제 2 아일랜드부(IS2)는 서로 다른 크기를 가질 수 있다. 제 1 관통 홀(TH1)들 사이의 간격과, 제 2 관통 홀(TH2)들 사이의 간격을 동일할 수 있다. 이때, 상기 제 2 관통 홀(TH2)들 각각의 크기는 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 크기보다 작다. 여기에서, 상기 크기는 관통 홀의 수직 방향으로의 직경일 수 있고, 수평 방향으로의 직경일 수 있으며, 연통부 사이의 폭일 있다.
따라서, 상기 제 2 아일랜드부(IS2)는 상기 제 1 아일랜드부(IS1)보다 크다. 바람직하게, 상기 증착용 마스크 상에서, 하나의 제 1 아일랜드부(IS1)가 가지는 면적은 하나의 제2 아일랜드부(IS2)가 가지는 면적보다 작다. 바람직하게, 상기 제 2 아일랜드부(IS2)의 수평 방향으로의 폭은 상기 제 1 아일랜드부(IS1)의 수평 방향으로의 폭보다 크다. 바람직하게, 상기 제 2 아일랜드부(IS2)의 수직 방향으로의 폭은 상기 제 1 아일랜드부(IS1)의 수직 방향으로의 폭보다 크다.
한편, 상기 제 2 아일랜드부(IS2)에서도, 상기 제 1 관통 홀(TH1)과 제 2 관통 홀(TH2) 사이에 배치된 제 2-2 아일랜드부(IS2-2)와, 그 이외의 제 2-1 아일랜드부(IS2-1)도 서로 다른 크기를 가질 수 있다. 즉, 상기 제 2-2 아일랜드부(IS2-2)의 일부는 상기 제 2 관통 홀(TH2)에 영향을 받으며, 나머지 일부는 상기 제 1 관통 홀(TH1)에 영향을 받는다. 따라서, 상기 제 2-2 아일랜드부(IS2-2) 중 상기 제 2 관통 홀(TH2)에 영향을 받는 부분의 크기가 상기 제 1 관통 홀(TH1)에 영향을 받는 부분의 크기보다 클 수 있다. 즉, 상기 제 2-2 아일랜드부(IS2-2) 중 상기 외곽영역(OA)에 배치된 부분의 크기가 상기 유효 영역(AA)에 배치된 부분의 폭보다 클 수 있다. 바람직하게, 상기 제 2-2 아일랜드부(IS2-2)의 면적은, 상기 제 1 아일랜드부(IS1)의 면적보다는 크면서, 상기 제 2-1 아일랜드부(IS2-1)의 면적보다는 작을 수 있다.
이때, 상기 제 1 아일랜드부(IS1) 및 제 2-1 아일랜드부(IS2-1)는 중심을 지나는 수직 선상을 기준으로 좌측 및 우측의 아일랜드부 형상이 동일할 수 있다. 여기에서, 각각의 아일랜드부의 중심은, 상기 제 1 아일랜드부(IS1)의 설명에서 이미 언급하였으므로 생략하기로 한다. 즉, 상기 제 1 아일랜드부(IS1) 및 제 2-1 아일랜드부(IS2-1)는 중심을 지나는 수직 선상을 기준으로, 좌측에 위치한 아일랜드부와 우측에 위치한 아일랜드부가 서로 대칭 형상을 갖는다.
반면에, 상기 제 2-2 아일랜드부(IS2-2)는 중심을 지나는 수직 선상을 기준으로 좌측 및 우측의 아일랜드부의 형상이 다르다. 바람직하게, 상기 제 2-2 아일랜드부(IS2-2)는 중심을 지나는 수직 선상을 기준으로, 좌측에 위치한 아일랜드부와 우측에 위치한 아일랜드부가 서로 비대칭 형상을 갖는다. 이때, 상기 우측에 위치한 상기 제 2-2 아일랜드부(IS2-2)의 일부는 상기 유효 영역(AA)에 배치되고, 상기 좌측에 위치한 상기 제 2-2 아일랜드부(IS2-2)의 일부는 상기 외곽영역(OA)에 배치될 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)에서 임의의 어느 하나의 제 2 관통 홀인 기준 홀의 수평 방향의 직경(Cx2)과 수직 방향의 직경(Cy2)를 측정하는 경우, 상기 기준 홀에 인접하는 제 2 관통 홀(TH2)들 간의 각각의 수평 방향의 직경(Cx2)들 간의 편차와, 수직 방향의 직경(Cy2)들 간의 편차는 약 2% 내지 약 10% 로 구현될 수 있다. 즉, 하나의 기준 홀의 인접한 제 2 관통 홀들 간의 크기 편차가 약 2% 내지 약 10% 로 구현하는 경우에는 증착의 균일도를 확보할 수 있다. 예를 들어, 상기 기준 홀과 상기 인접한 제 2 관통 홀들 간의 크기 편차는 약 4% 내지 약 9% 일 수 있다. 예를 들어, 상기 기준 홀과 상기 인접한 제 2 관통 홀들 간의 크기 편차는 약 5% 내지 약 7%일 수 있다. 예를 들어, 상기 기준 홀과 상기 인접한 제 2 관통 홀들 간의 크기 편차는 약 2% 내지 약 5% 일 수 있다. 상기 기준 홀과 상기 인접한 제 2 관통 홀들 간의 크기 편차가 약 2% 미만인 경우에는, 증착 후 OLED 패널에서 모아레 발생률이 높아질 수 있다. 상기 기준 홀과 상기 인접한 제 2 관통 홀들 간의 크기 편차가 약 10%를 초과하는 경우, 증착 후의 OLED 패널에서 색 얼룩의 발생률이 높아질 수 있다. 상기 제 2 관통 홀 직경의 평균편차는 ±5㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 관통 홀 직경의 평균편차는 ±3㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 관통 홀 직경의 평균편차는 ±1㎛일 수 있다. 실시 예는 상기 기준 홀과 상기 인접한 제 2 관통 홀들 간의 크기 편차를 ±3㎛ 이내로 구현함에 따라, 증착 효율을 향상시킬 수 있다.
한편, 상기 제 2 아일랜드부(IS2)는 외곽영역(OA)의 대면공(V2)이 형성되는 증착용 마스크(100)의 타면에서 제 2 관통 홀(TH2)들 사이의 식각되지 않은 면을 의미할 수 있다. 자세하게, 제 2 아일랜드부(IS2)는 증착용 마스크의 외곽영역(OA)에서, 대면공 내에 위치한 제 2 에칭면 및 제 2 관통 홀(TH2)을 제외한 식각되지 않은 증착용 마스크(100)의 타면일 수 있다. 실시 예의 증착용 마스크(100)는 400PPI 이상, 자세하게 400PPI 내지 800PPI 이상의 해상도를 가지는 고해상도 내지 초고해상도의 OLED 화소 증착을 위한 것일 수 있다.
예를 들어, 실시 예의 증착용 마스크(100)는 400PPI 이상의 해상도를 가지는 Full HD(High Definition)의 고해상도를 가지는 증착 패턴을 형성하기 위한 것일 수 있다. 예를 들어, 실시예의 증착용 마스크(100)는 수평방향 및 수직방향에서의 화소수가 1920*1080 이상이고, 400PPI 이상인 OLED 화소 증착을 위한 것일 수 있다. 즉, 실시예의 증착용 마스크(100)에 포함된 하나의 유효부는 해상도 1920*1080 이상의 픽셀 수를 형성하기 위한 것일 수 있다.
예를 들어, 실시 예의 증착용 마스크(100)는 500PPI 이상의 해상도를 가지는 QHD(Quad High Definition)의 고해상도를 가지는 증착 패턴을 형성하기 위한 것일 수 있다. 예를 들어, 실시예의 증착용 마스크(100)는 수평방향 및 수직방향에서의 화소수가 2560*1440 이상이고, 530 PPI 이상인 OLED 화소 증착을 위한 것일 수 있다. 실시 예의 증착용 마스크(100)를 통해, 인치당 픽셀수는 5.5인치 OLED 패널을 기준으로 530 PPI 이상일 수 있다. 즉, 실시예의 증착용 마스크(100)에 포함된 하나의 유효부는 해상도 2560*1440 이상의 픽셀 수를 형성하기 위한 것일 수 있다.
예를 들어, 실시 예의 증착용 마스크(100)는 700PPI 이상의 해상도를 가지는 UHD(Ultra High Definition)의 초고해상도를 가지는 증착 패턴을 형성하기 위한 것일 수 있다. 예를 들어, 실시 예의 증착용 마스크(100)는 수평방향 및 수직방향에서의 화소 수가 3840*2160 이상이고, 794 PPI 이상의 OLED 화소 증착을 위한 UHD(Ultra High Definition)급 해상도를 가지는 증착 패턴을 형성하기 위한 것일 수 있다.
상기 제 2 관통 홀(TH1)의 직경은 상기 연통부(CA) 사이의 폭일 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 관통 홀(TH1)의 직경은 소면공(V1) 내의 에칭면의 끝단과 대면공(V2) 내의 에칭면의 끝단이 만나는 지점에서 측정할 수 있다. 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 직경의 측정 방향은 수평방향, 수직방향, 대각 방향 중 어느 하나일 수 있다. 수평방향에서 측정된 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 직경은 32㎛ 이하일 수 있다. 또는, 수직방향에서 측정된 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 직경은 32㎛ 이하일 수 있다. 또는, 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 직경은 수평방향, 수직방향, 대각 방향에서 각각 측정한 값의 평균값일 수 있다. 이때, 상기 제 2 관통 홀(TH2)은 상기 범위를 만족하면서, 상기 제 1 관통 홀(TH1)이 가지는 직경보다 작은 직경을 가지도록 한다.
따라서, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 QHD급 해상도를 구현할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 직경은 약 15㎛ 내지 약 33㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 직경은 약 19㎛ 내지 약 33㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 직경은 약 20㎛ 내지 약 27㎛일 수 있다. 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 직경이 약 33㎛ 초과인 경우에는 500PPI 급 이상의 해상도를 구현하기 어려울 수 있다. 한편, 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 직경이 약 15㎛ 미만인 경우에는 증착 불량이 발생할 수 있다. 여기에서, 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 직경이 상기와 같은 범위를 가진다고 하였으며, 실질적으로 상기 제 2 관통 홀(TH2)이 가지는 직경은, 상기 제 1 관통 홀(TH1)이 가지는 직경보다 작다. 다시 말해서, 상기 범위 중에서 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 직경이 25㎛로 형성되는 경우, 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 직경은, 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 직경보다 작은 23.5㎛로 형성될 수 있다.
한편, 수평방향에서 복수 개의 제 2 관통 홀 중 인접한 두 개의 제 2 관통 홀(TH2) 사이의 간격(pitch)은 약 48㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 제 2 관통 홀(TH2) 중 인접한 두 개의 제 2 관통 홀(TH2) 사이의 간격(pitch)은 약 20㎛ 내지 약 48㎛일 수 있다. 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 제 2 관통 홀(TH2) 중 인접한 두 개의 제 2 관통 홀(TH2) 사이의 간격(pitch)은 약 30㎛ 내지 약 35㎛일 수 있다. 여기에서, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 2-1 관통 홀(TH2-1)의 중심과 제 2-2 관통 홀(TH2-2)의 중심 사이의 간격을 의미할 수 있다. 이와 다르게, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 2-1 아일랜드부의 중심과 제 2-2 아일랜드부의 중심 사이의 간격을 의미할 수 있다.
다시 말해서, 상기 복수 개의 제 2 관통 홀(TH2) 중 인접한 2개의 제 2 관통 홀(TH2) 사이의 간격은, 상기 복수 개의 제 1 관통 홀(TH1) 중 인접한 2개의 제1 관통 홀(TH1) 사이의 간격(P1)에 대응될 수 있다.
상기 제 2 관통 홀(TH2)의 직경의 측정 방향과 인접한 두 개의 제 2 관통 홀(TH2) 사이의 간격의 측정 방향은 동일할 수 있다. 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 간격은 수평 방향 또는 수직 방향으로 인접한 두 개의 제 2 관통 홀(TH2) 사이의 간격을 측정한 것일 수 있다.
즉, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 400PPI 이상의 해상도를 가지는 OLED 화소를 증착할 수 있다. 자세하게, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 유효 영역(AA)에서의 제 2 관통 홀(TH2)의 직경이 약 32um 이하이고, 상기 제 2 관통 홀(TH2) 간의 간격(pitch)이 약 48um 이하임에 따라, 500PPI 이상의 해상도를 가지는 OLED 화소를 증착할 수 있다. 즉, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)를 사용하여 QHD급 해상도를 구현할 수 있다.
도 9는 도 5의 A-A' 방향에서의 단면과 B-B' 방향에서 유효 영역(AA)과 외곽영역(OA)의 단면 사이의 높이 단차와 크기를 설명하기 위해 각각의 단면을 겹쳐서 도시한 도면이다.
먼저, A-A' 방향에서의 횡단면을 설명한다. 상기 A-A'방향은 수직 방향에서 인접한 두 개의 제 1 관통 홀(TH1)과 제 2 관통 홀(TH2) 사이의 중심 영역을 가로 지는 횡단면이다. 즉, 상기 A-A'방향은 수직 방향에서 인접한 두 개의 제 1-1 관통 홀(TH1-1)과 제 1-2 관통 홀(TH1-2) 사이의 중심 영역을 가로 지는 횡단면이다. 즉, A-A'방향은 수직 방향에서 인접한 두 개의 제 2-1 관통 홀(TH2-1)과 제 2-2 관통 홀(TH2-2) 사이의 중심 영역을 가로 지는 횡단면이다. 즉, 상기 A-A'방향에서의 횡단면은 제 1 관통 홀(TH1) 및 제 2 관통 홀(TH2)을 포함하지 않을 수 있다.
상기 A-A'방향에서의 횡단면은 제 1 관통 홀(TH1) 및 제 2 관통 홀(TH2)에서의 대면공 내의 식각면(ES2) 및 상기 대면공 내의 식각면(ES2)들 사이에 식각되지 않은 증착용 마스크의 타면인 제 1 아일랜드부(IS1) 및 제 2 아일랜드부(IS2)가 위치할 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 및 2 아일랜드부(IS1, IS2)는 증착용 마스크의 식각되지 않은 일면과 평행한 면을 포함할 수 있다. 또는, 상기 제 1 및 2 아일랜드부(IS1, IS2)는 증착용 마스크(100)의 식각되지 않은 타면과 동일하거나 평행한 면을 포함할 수 있다. 상기 제 2 아일랜드부(IS2)는 제 2-1 아일랜드부(IS2-1)와 제 2-2 아일랜드부(IS2-2)를 포함할 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)의 두께는 약 30㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 두께는 약 20㎛ 내지 약 30㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 두께는 약 15㎛ 내지 약 20㎛일 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 두께는 상기 증착용 마스크(100)의 일면(101) 및 타면(102)의 두께로 식각되지 않은 부분의 두께일 수 있다. 즉, 상기 증착용 마스크(100)의 두께은 후술할 증착용 마스크의 제조 방법에서 상기 증착용 마스크(100)를 제조하기 위한 금속판(10)의 두께와 대응될 수 있다. 즉, 상기 아일랜드부(IS1, IS2-1, IS2-2)는 상기 증착용 마스크(100)의 두께와 동일할 수 있다.
다음으로, B-B 방향에서의 횡단면을 설명한다. 상기 B-B'방향은 수평 방향에서 인접한 두 개의 제 1 관통 홀(TH1) 및 제 2 관통 홀(TH2) 각각의 중심을 가로지르는 횡단면이다. 즉, 상기 B-B'방향은 수평 방향에서 인접한 두 개의 제 1-1 관통 홀(TH1-1) 및 제 2 관통 홀(TH1-2) 각각의 중심을 가로지르는 횡단면이다. 즉, 상기 B-B'방향은 수평 방향에서 인접한 두 개의 제 2-1 관통 홀(TH2-1) 및 제 2-2 관통 홀(TH2-2) 각각의 중심을 가로지르는 횡단면이다. 즉, 상기 B-B'방향에서의 횡단면은 복수 개의 제 1 관통 홀(TH1) 및 제 2 관통 홀(TH2)을 포함할 수 있다.
상기 B-B'방향에서의 인접한 관통 홀들 사이에 하나의 리브(RB1, RB2, RB3)가 위치할 수 있다. 즉, 제 1-3관통 홀(TH1-3) 및 제 1-3 관통 홀(TH1-3)과 수평방향으로 인접한 제1-4 관통 홀(TH1-4) 사이에는 하나의 제 1 리브(RB1)가 위치할 수 있다. 또한, 제 1-3관통 홀(TH1-3) 및 제 1-3 관통 홀(TH1-3)과 수평 방향으로 인접하되, 상기 제1-3 관통 홀(TH1-3)과 반대 방향에 위치한 관통 홀 사이에는 또 하나의 제 1 리브(RB1)가 위치할 수 있다. 그리고, 복수의 제 1 리브(RB1)들 사이에는 하나의 제 1 관통 홀(TH1)이 위치할 수 있다. 즉, 수평방향에서 인접한 두 개의 제 1 리브(RB1) 사이에는 하나의 제 1 관통 홀(TH1)이 위치할 수 있다.
또한, 제 2-3관통 홀(TH2-3) 및 제 2-3 관통 홀(TH2-3)과 수평방향에서 인접하되, 제 2-3 관통 홀(TH2-3)과 반대방향에 위치한 제2-4 관통 홀(TH2-4) 사이에는 제 2 리브(RB2)가 위치할 수 있다. 그리고, 복수의 제 2 리브(RB2)들 사이에는 하나의 제 2 관통 홀(TH1)이 위치할 수 있다. 즉, 수평방향에서 인접한 두 개의 제 2 리브(RB2) 사이에는 하나의 제 2 관통 홀(TH2)이 위치할 수 있다.
또한, 제 2-4관통 홀(TH2-4) 및 제 2-4 관통 홀(TH2-3)과 수평방향에서 인접한 유효 영역(AA) 내의 제 1-3 관통 홀(TH1-3) 사이에는 제 3 리브(RB3)가 위치할 수 있다. 상기 제 3 리브(RB3)는 상기 증착용 마스크(100) 상에서 유효 영역(AA)와 외곽영역(OA)의 경계면 상에 위치할 수 있다.
즉, 상기 B-B'방향에서의 횡단면은 인접한 제1 관통 홀(TH1)들의 대면공 내의 식각면을 서로 연결하는 제 1 리브(RB1), 인접한 제 2 관통 홀(TH2)들의 대면공 내의 식각면을 서로 잇는 제 2 리브(RB2), 그리고 제 1 관통 홀(TH1)의 대면공의 식각면 및 인접한 제 2 관통 홀(TH2)의 대면공의 식각면을 서로 연결하는 제 3 리브(RB3)가 위치할 수 있다. 여기에서 리브(RB1, RB2, RB3)는 인접한 두 개의 대면공들의 경계가 연결되는 영역일 수 있다. 상기 리브(RB1, RB2, RB3)는 식각면이기 때문에, 상기 리브(RB1, RB2, RB3)의 중앙부의 두께는 상기 아일랜드부(IS1, IS2-1, IS2-2)의 두께보다 작을 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 아일랜드부(IS1)의 폭(W1)은 약 2㎛ 이상일 수 있다.
즉, 인접한 복수의 제 1 관통 홀(TH1)들의 대면공이 접하는 위치에 제 1 리브(RB1)가 위치할 수 있다. 또한, 인접한 복수의 제 2 관통 홀(TH2)들의 대면공이 접하는 위치에 제 2 리브(RB2)가 위치할 수 있다. 또한, 인접한 제 1 관통 홀(TH1)의 대면공과 제 2 관통 홀(TH2)의 대면공이 접하는 위치에 제 3 리브(RB3)가 위치할 수 있다. 상기 제 3 리브(RB3)는 상기 유효 영역(AA)과 상기 외곽 영역(OA)의 경계 상에 위치할 수 있다. 한편, 상기 제 1 리브(RB1), 제 2 리브(RB2), 및 제 3 리브(RB3) 각각의 중앙부의 두께는 상기 식각이 진행되지 않는 비유효부(UA)의 두께보다 작을 수 있다. 다시 말해서, 상기 유효 영역과 외곽 영역 내에는, 제 1 관통 홀들 또는 제 2 관통 홀들 또는 제 1 관통홀과 제 2 관통 홀의 대면공들이 서로 연속적으로 접하고 있으며, 이에 따라 상기 제 1 리브(RB1), 제 2 리브(RB2), 및 제 3 리브(RB3) 각각의 중앙부의 두께는 상기 비유효부(UA)의 두께보다 작을 수 있다. 즉, 유효 영역과 외곽 영역을 포함하는 유효부를 수평 방향으로 가로지는, 상기 B-B' 라인 상에는, 상기 비유효부(UA)의 두께와 동일한 두께를 가지는 영역이 존재하지 않는다. 다시 말해서, 상기 유효부 내에는 비식각 영역이 존재하지 않는다.
즉, 상기 타면에서 에칭되지 않고 남아있는 부분의 상기 타면과 평행한 방향으로의 폭(W1)이 약 2㎛ 이상일 수 있다. 하나의 제 1 아일랜드부(IS1)의 일단과 타단의 폭(W1)이 약 2㎛ 이상인 경우, 증착용 마스크(100)의 전체 체적을 증가시킬 수 있다. 이러한 구조의 증착용 마스크(100)는 유기물 증착 공정 등에서 부여되는 인장력에 대하여 충분한 강성을 확보하도록 하며, 관통 홀의 균일도를 유지하는데 유리할 수 있다.
또한, 하나의 제 2-1 아일랜드부(IS2-1)의 폭(W2)은 상기 제 1 아일랜드부(IS1)의 폭(W1)보다 클 수 있다. 즉, 상기 제 2-1 아일랜드부(IS2-1)의 양측에 배치되는 관통 홀은 상기 제 1 관통 홀(TH1)보다 직경이 작은 제 2 관통 홀(TH2)이며, 상기 관통 홀의 직경이 작음에 따라 그에 따른 아일랜드부의 폭(W2)이 더 커질 수 있다. 따라서, 상기 제 2-1 아일랜드부(IS2-1)의 폭(W2)은 상기 제 1 아일랜드부(IS1)의 폭(W1)보다 크다.
또한, 하나의 제 2-2 아일랜드부(IS2-2)의 폭(W3)은 상기 제 1 아일랜드부(IS1)의 폭(W1)보다 크면서, 상기 제 2-1 아일랜드부(IS2-1)의 폭(W2)보다는 작다. 즉, 상기 제 2-2 아일랜드부(IS2-2)의 일측에는 제 1 관통 홀(TH1)이 배치되고, 타측에는 제 2 관통 홀(TH2)이 배치된다. 따라서, 상기 제 2-2 아일랜드부(IS2-2)의 일부는 상기 제 1 관통 홀(TH1)에 영향을 받고, 나머지 일부는 상기 제 2 관통 홀(TH2)에 영향을 받는다. 즉, 상기 제 2-2 아일랜드부(IS2-2)의 일부의 폭(W3-1)은 상기 제 1 아일랜드부(IS1)의 폭(W1)의 1/2일 수 있고, 나머지 일부의 폭(W3-2)은 상기 2-1 아일랜드부(IS2-1)의 폭(W2)의 1/2일 수 있다.
또한, 제 1 관통 홀(TH1)들 사이에 위치한 제 1 리브(RB1)는, 중심영역에서 측정된 최대 두께(T1)(다시 말해서, 제 1 리브(RB1)의 중앙부의 두께)가 약 15㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 리브(RB1)의 중심에서 측정된 최대 두께(T1)는 약 7㎛ 내지 약 10㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 리브(RB1)의 중심에서 측정된 최대 두께(T1)는 약 6㎛ 내지 약 9㎛ 일 수 있다. 상기 제 1 리브(RB1) 의 중심에서 측정된 최대 두께(T1)가 약 15㎛를 초과하는 경우 500 PPI 급 이상의 고해상도를 가지는 OLED 증착 패턴을 형성하기 어려울 수 있다. 또한, 상기 제 1 리브(RB1)의 중심에서 측정된 최대 두께(T1)가 약 6㎛ 미만인 경우에는 증착 패턴의 균일한 형성이 어려울 수 있다.
또한, 제 2 관통 홀(TH2)들 사이에 위치한 제 2 리브(RB2)는, 중심영역에서 측정된 최대 두께(T2)가 상기 제 1 리브(RB1)의 중앙부의 두께보다 두꺼울 수 있다. 이때, 상기 제 2 리브(RB2)의 중앙부는 상기 제 1 리브(RB1)의 중앙부가 가지는 두께 범위를 만족하면서, 상기 제 1 리브(RB1)의 중앙부가 가지는 두께보다 두껍게 형성될 수 있다.
또한, 제 1 관통 홀(TH1)과 제 2 관통 홀(TH2) 사이에 위치한 제 3 리브(RB3)는, 중심영역에서 측정된 최대 두께(T3)가 상기 제 1 리브(RB1)의 중앙부의 두께보다 두꺼우면서, 상기 제 2 리브(RB2)의 중앙부의 두께보다 얇을 수 있다. 즉, 상기 제 3 리브(RB3)의 중앙부는 상기 제 1 리브(RB1)의 중앙부가 가지는 두께 범위를 만족하면서, 상기 제 1 리브(RB1)의 중앙부의 두께와 상기 제 2 리브(RB2)의 중앙부의 두께의 사이에 존재하는 두께를 가질 수 있다.
한편, 상기 상대적으로 작은 크기를 가지는 제 2 관통 홀(TH2)이 배치된 외곽 영역과, 상기 제 1 관통 홀(TH1)이 배치된 유효 영역 사이에 일정 면적을 가지는 비식각 영역을 형성할 수 있다. 그리고, 상기 유효 영역과 일정 간격 이격된 위치에 배치된 외곽 영역의 제 2 관통 홀을 토대로 과에칭이 발생하는 문제를 해결할 수 있다. 그러나, 상기와 같은 과에칭 문제는 비식각 영역과 식각 영역 사이에서 라디칼이 집중됨에 따라 발생한다. 이에 따라, 상기와 같이 유효 영역과 외곽 영역 사이에 비식각 영역이 일부라도 남아있다면, 상기 일부 남아있는 비식각 영역에 의해, 상기 비식각 영역과 인접한 상기 유효 영역 상에 라디칼이 집중될 수 있다. 따라서, 상기 유효 영역의 외곽에 배치되는 제 1 관통 홀은 상기 라디칼 집중에 따른 과에칭이 발생하며, 이로 인해 목표 크기보다 큰 크기를 가지게 된다. 또한, 상기 제 1 관통 홀들 사이를 연결하는 리브의 중앙부의 두께도 얇아지게 되며, 이에 따라 전체적인 유효 영역의 강도가 약해진다. 따라서, 본 발명에서는 상기와 같이 에칭이 진행되는 영역 내에는, 비식각 영역이 존재하지 않도록 한다. 다시 말해서, 유효 영역과 외곽 영역 사이에는 비식각 영역이 존재하지 않도록 하고, 이에 따라 비유효부와 인접한 외곽 영역에 상대적으로 크기가 작은 관통 홀을 배치하여, 과에칭 문제를 해결할 수 있도록 한다. 또한, 본 발명에서는 상기 비유효부에는 관통 홀을 위치시키지 않는다. 이때, 상기 비유효부에도 관통 홀이 위치하는 경우, 상기 증착용 마스크의 전체적인 강도가 저하될 수 있으며, 이에 따른 인장 시에 상기 유효 영역이 떨어져 나가는 문제가 발생할 수 있다. 따라서, 본 발명에서는 상기 비유효부에 관통 홀이 배치되지 않도록 하여 증착용 마스크의 인장 강성이 확보될 수 있도록 한다.
도 10은 도 5의 B-B' 방향에서의 단면도를 도시한 도면이다. 도 10을 이용하여 상기 B-B' 방향에서의 횡단면과 도 9에 따른 리브(RB1, RB2, RB3) 및 상기 리브(RB1, RB2, RB3)들 사이의 관통 홀(TH1, TH2)을 설명한다.
도 10를 참조하면, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 식각에 의한 제 1 관통 홀(TH1) 및 제 2 관통 홀(TH2)이 형성되는 유효 영역(AA) 및 외곽영역(OA)에서의 두께와 식각되지 않은 비유효부(UA)에서의 두께가 서로 다를 수 있다. 자세하게, 리브(RB1, RB2, RB3)의 중앙부의 두께는 식각되지 않은 비유효부(UA)에서의 두께보다 작을 수 있다.
실시 예예 따른 증착용 마스크(100)는 비유효부(UA)의 두께가 유효 영역(AA1, AA2, AA3)의 두께 및 외곽 영역(OA1, OA2, OA3)의 두께보다 클 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 비유효부(UA) 내지 비증착 영역(NDA)의 최대 두께가 약 30㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 비유효부(UA) 내지 비증착 영역(NDA)의 최대 두께가 약 25㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 실시예의 증착 마스크는 비유효부 내지 비증착 영역의 최대 두께가 약 15㎛ 내지 약 25㎛일 수 있다. 실시예에 따른 증착 마스크의 비유효부 내지 비증착 영역의 최대 두께가 약 30㎛를 초과하는 경우에는 상기 증착용 마스크(100)의 원재인 금속판(10)의 두께가 두꺼워지기 때문에 때문에 미세한 크기의 관통 홀(TH)을 형성하기 어려울 수 있다. 또한, 상기 증착용 마스크(100)의 비유효부(UA) 내지 비증착 영역(NDA)의 최대 두께가 약 15㎛ 미만인 경우에는 금속판의 두께가 얇기 때문에 균일한 크기의 관통 홀을 형성하기 어려울 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)의 제 1 관통 홀(TH1)의 소면공의 높이(H1)는 상기 제 1 리브(RB1)의 중심에서 측정된 최대 두께(T1)의 약 0.2배 내지 약 0.4배일 수 있다. 일례로, 상기 제 1 리브(RB1)의 중심에서 측정된 최대 두께(T1)는 약 7㎛ 내지 약 9㎛이고, 상기 증착용 마스크(100)의 일면 및 제 1 관통 홀(TH1)의 상기 연통부 사이의 높이(H1)는 약 1.4㎛ 내지 약 3.5㎛일 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 소면공의 높이(H1)는 약 3.5㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 소면공(V1)의 높이는 약 0.1㎛ 내지 약 3.4㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)의 제 1 관통 홀(TH1)의 소면공(V1)의 높이는 약 0.5㎛ 내지 약 3.2㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)의 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 소면공(V1)의 높이는 약 1㎛ 내지 약 3㎛일 수 있다. 여기에서, 높이는 증착용 마스크(100)의 두께 측정 방향, 즉 깊이 방향에서 측정할 수 있고, 증착용 마스크(100)의 일면으로부터 제 1 관통 홀(TH1)의 연통부까지의 높이를 측정한 것일 수 있다. 자세하게, 도 4 내지 도 8의 평면도에서 상술한 수평 방향(x 방향)과 수직 방향(y 방향)과 각각 90도를 이루는 z축 방향에서 측정한 것일 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)의 일면 및 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 연통부 사이의 높이가 약 3.5㎛ 초과인 경우에는 OLED 증착시 증착 물질이 관통 홀의 면적보다 큰 영역으로 퍼지는 쉐도우 효과(shadow effect)에 따른 증착 불량이 발생할 수 있다.
또한, 상기 증착용 마스크(100)의 제 1 관통 홀(TH1)의 소면공(V1)이 형성되는 일면에서의 공경(W4)과 상기 제1 관통 홀(TH1)의 소면공(V1)과 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 대면공(V2) 사이의 경계인 연통부에서의 공경(W5)은 서로 유사하거나 서로 다를 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 제 1 관통 홀(TH1)의 소면공(V1)이 형성되는 일면에서의 공경(W4)은 연통부에서의 공경(W5)보다 클 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)의 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 일면에서의 공경(W4)과 상기 연통부에서의 공경(W5)의 차이는 약 0.01㎛ 내지 약 1.1㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크의 일면에서의 공경(W4)과 상기 연통부에서의 공경(W5)의 차이는 약 0.03㎛ 내지 약 1.1㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크의 일면에서의 공경(W4)과 상기 연통부에서의 공경(W5)의 차이는 약 0.05㎛ 내지 약 1.1㎛일 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)의 일면에서의 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 공경(W4)과 상기 연통부에서의 공경(W5)의 차이가 약 1.1㎛보다 큰 경우에는 쉐도우 효과에 의한 증착 불량이 발생할 수 있다.
또한, 상기 증착용 마스크(100)의 상기 일면과 반대되는 타면에 위치한 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 대면공(V2)의 일단(E1) 및 상기 소면공(V1)과 대면공(V2) 사이의 연통부의 일단(E2)을 잇는 경사각(θ은 40도 내지 55도 일 수 있다. 이에 따라, 400 PPI급 이상, 자세하게 500 PPI급 이상의 고해상도의 증착패턴을 형성할 수 있는 동시에, 증착용 마스크(100)의 타면상에 제 1 아일랜드부(IS1)가 존재할 수 있다.
또한, 상기 증착용 마스크(100)의 제 1 관통 홀(TH1)의 소면공(V1)이 형성되는 일면에서의 공경(W4)과 상기 제1 관통 홀(TH1)의 소면공(V1)과 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 대면공(V2) 사이의 경계인 연통부에서의 공경(W5)은 서로 유사하거나 서로 다를 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 제 1 관통 홀(TH1)의 소면공(V1)이 형성되는 일면에서의 공경(W4)은 연통부에서의 공경(W5)보다 클 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)의 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 일면에서의 공경(W4)과 상기 연통부에서의 공경(W5)의 차이는 약 0.01㎛ 내지 약 1.1㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크의 일면에서의 공경(W4)과 상기 연통부에서의 공경(W5)의 차이는 약 0.03㎛ 내지 약 1.1㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크의 일면에서의 공경(W4)과 상기 연통부에서의 공경(W5)의 차이는 약 0.05㎛ 내지 약 1.1㎛일 수 있다.
또한, 상기 증착용 마스크(100)의 제 2 관통 홀(TH2)의 소면공(V1)이 형성되는 일면에서의 공경(W6)과 상기 제2 관통 홀(TH1)의 소면공(V1)과 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 대면공(V2) 사이의 경계인 연통부에서의 공경(W7)은 서로 유사하거나 서로 다를 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 제 2 관통 홀(TH1)의 소면공(V1)이 형성되는 일면에서의 공경(W6)은 연통부에서의 공경(W7)보다 클 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)의 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 일면에서의 공경(W6)과 상기 연통부에서의 공경(W7)의 차이는 약 0.01㎛ 내지 약 1.1㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크의 일면에서의 공경(W6)과 상기 연통부에서의 공경(W7)의 차이는 약 0.03㎛ 내지 약 1.1㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크의 일면에서의 공경(W6)과 상기 연통부에서의 공경(W7)의 차이는 약 0.05㎛ 내지 약 1.1㎛일 수 있다. 한편, 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 소면공과 대면공 사이의 연통부에서의 공경(W7)은, 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 소면공과 대면공 사이의 연통부에서의 공경(W5)보다 작을 수 있다.
본 발명에 따른 실시 예에 의하면, 증착용 마스크에 균일한 공경을 가지는 마스크 패턴을 형성할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 실시예에 의하면, 증착용 마스크의 유효부 중심에 위치한 유효 영역의 관통 홀 사이즈 대비 외곽 영역의 관통 홀 사이즈를 감소시키는 경우, OLED 패널의 제조 공정 중 증착 전 인장 용접 시, 유효부가 비유효부로부터 분리되어 증착용 마스크에서 떨어져 나오는 현상을 해결할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 실시 예에 의하면, 증착에 관여하지 않는 비유효부 내에는 관통 홀이 위치하지 않는다. 이에 따라, 상기 비유효부 상에서 증착용 마스크의 강성을 증가시킬 수 있는 체적을 확보할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 실시 예에 의하면, 유효부의 외곽 영역은, 유효부의 중앙에 위치하는 유효 영역의 좌측 및 우측뿐 아니라, 상측 및 하측을 둘러싸며 배치된다. 따라서, 상기 유효 영역의 좌측, 우측, 상측 및 하측을 포함하는 주변에 상기 외곽 영역의 관통 홀이 위치한다. 또한, 본 발명에 따른 실시 예에 의하면, 외곽 영역의 관통 홀과 상기 유효 영역의 관통 홀 사이가 하나의 리브를 통해 연결되도록 한다. 이때, 상기 리브의 중앙부의 두께는 원자재인 금속판의 두께보다 작다. 즉, 상기 유효 영역과 상기 외곽 영역을 포함하는 상기 유효부 내에는 비식각 영역이 존재하지 않는다. 이에 따라, 본 발명에서는 증착용 마스크에서 식각 영역과 비식각 영역 사이에서 발생하는 라디칼 쏠림 문제를 해결할 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 증착용 마스크는 보다 정밀하고 균일한 관통 홀을 가질 수 있으며, 400PPI 이상의 해상도, 자세하게 500 PPI 이상의 고해상도, 나아가 800PPI 이상의 초고해상도의 OLED 화소 패턴을 균일하게 증착할 수 있다
도 11은 제 2 실시 예에 따른 증착용 마스크의 유효부 및 외곽 영역의 평면도를 도시한 도면이다.
도 11에서의 증착용 마스크는, 도 5에서의 증착용 마스크 대비, 외곽영역(OA)에 형성되는 제 2 관통 홀(TH2)에 있어 차이가 있다. 이에 따라, 이하에서는 상기 도 5와 대비되는 도 11에서의 외곽영역(OA)에 형성되는 제 2 관통 홀(TH2)에 대해서만 설명하기로 한다.
도 11을 참조하면, 외곽영역(OA)에는 복수 개의 제 2 관통 홀(TH2)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 제 2 관통 홀(TH2)들은 방향에 따라, 일렬로 배치되거나 서로 엇갈려서 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 관통 홀(TH2)들은 종축 및 횡축에서 일렬로 배치될 수 있고, 종축 또는 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)는 외곽영역(OA)에 복수 개의 제 2 관통 홀(TH2)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 복수 개의 제 2 관통 홀(TH2)은 원형 형상일 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 관통 홀(TH2)은 수평 방향의 직경(Cx2)과 수직 방향의 직경(Cy2) 값을 가질 수 있고, 상기 제 2 관통 홀(TH1)의 수평 방향의 직경(Cx2)과 수직 방향의 직경(Cy2) 값은 서로 대응될 수 있다. 이때, 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 수평 방향의 직경(Cx2) 및 수직 방향의 직경(Cy2)은, 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 수평 방향의 직경(Cx1) 및 수직 방향의 직경(Cy1)과 동일할 수 있다.
상기 제 2 관통 홀(TH2)들은 방향에 따라 일렬로 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 관통 홀(TH2)들은 종축 및 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다.
자세하게, 외곽영역(OA) 내에서의 제 2-1 관통 홀(TH2-1) 및 제 2-2 관통 홀(TH2-2)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있고, 제 2-3 관통 홀(TH2-3) 및 제 2-4 관통 홀(TH2-4)은 종축에서 일렬로 배치될 수 있다.
또한, 외곽영역(OA)에서의 상기 제 2-1 관통 홀(TH2-1) 및 제 2-3 관통 홀(TH2-3)은 종축에서 일렬로 배치될 수 있고, 제 2-2 관통 홀(TH2-2) 및 제 2-4 관통 홀(TH2-4)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다.
즉, 제 2 관통 홀(TH2)들이 종축 및 횡축에서 각각 일렬로 배치되는 경우에는, 종축 및 횡축과 모두 교차하는 방향인 대각 방향으로 인접한 두 개의 제 2 관통 홀(TH2)들 사이에 제 2 아일랜드부(IS2-1, IS2-2)가 위치할 수 있다. 즉, 서로 대각선 방향에 위치한 두 개의 인접한 제 2 관통 홀(TH2)들 사이에는 제 2 아일랜드부(IS2-1, IS2-2)가 위치할 수 있다.
예를 들어, 제 2-1 관통 홀(TH2-1) 및 제 2-4 관통 홀(TH2-4)의 사이에는 제 2 아일랜드부(IS2)가 배치될 수 있다. 또한, 제 2-2 관통 홀(TH2-2) 및 제 2-3 관통 홀(TH2-3)의 사이에는 제 2 아일랜드부(IS2)가 배치될 수 있다. 인접한 두 개의 제 2 관통 홀을 가로지르는 횡축을 기준으로 약 +45도 전후의 경사각 방향 및 약 -45도 전후의 경사각 방향에 제 2 아일랜드부(IS1)가 각각 위치할 수 있다. 여기에서, 약 ±45 전후의 경사각 방향은 횡축과 종축 사이의 대각 방향을 의미할 수 있고, 상기 대각 방향의 경사각은 횡축 및 종축의 동일 평면에서 측정한 것일 수 있다.
이때, 상기 제 2 아일랜드부(IS2)는 복수의 제 2 관통 홀(TH2)들 사이에 배치되는 제 2-1 아일랜드부(IS2-1)와, 제 2 관통 홀(TH2)과 제 1 관통 홀(TH1) 사이에 배치되는 제 2-2 아일랜드부(IS2-2)를 포함한다.
상기 제 2 관통 홀(TH2)의 직경은 제 2 관통 홀(TH2)의 소면공과 대면공을 연결하는 연통부(CA) 사이의 폭일 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 직경은 소면공(V1) 내의 에칭면의 끝단과 대면공(V2) 내의 에칭면의 끝단이 만나는 지점에서 측정할 수 있다. 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 직경의 측정 방향은 수평방향, 수직방향, 대각 방향 중 어느 하나일 수 있다. 수평방향에서 측정된 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 직경은 33㎛ 이하일 수 있다. 또는, 수직방향에서 측정된 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 직경은 33㎛ 이하일 수 있다. 또는, 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 직경은 수평방향, 수직방향, 대각 방향에서 각각 측정한 값의 평균값일 수 있다.
따라서, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 QHD급 해상도를 구현할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 직경은 약 15㎛ 내지 약 33㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 직경은 약 19㎛ 내지 약 33㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 직경은 약 20㎛ 내지 약 27㎛일 수 있다. 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 직경이 약 33㎛ 초과인 경우에는 500PPI 급 이상의 해상도를 구현하기 어려울 수 있다. 한편, 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 직경이 약 15㎛ 미만인 경우에는 증착 불량이 발생할 수 있다.
한편, 상기 제 1 아일랜드부(IS1), 상기 제 2 아일랜드부(IS2)는 서로 다른 크기를 가질 수 있다. 이는, 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 직경과 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 직경이 서로 동일하지만, 상기 복수의 제 1 관통 홀(TH1)들 사이의 간격과, 복수의 제 2 관통 홀(TH2)들 사이의 간격이 서로 상이하기 때문이다.
다시 말해서, 상기 수평 방향에서 복수 개의 제 1 관통 홀(TH1) 중 인접한 두 개의 제 1 관통 홀(TH1)의 간격은 약 48㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 제 1 관통 홀(TH1) 중 인접한 두 개의 제 1 관통 홀(TH1) 사이의 간격(pitch)은 약 20㎛ 내지 약 48㎛일 수 있다. 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 제 1 관통 홀(TH1) 중 인접한 두 개의 제 1 관통 홀(TH1) 사이의 간격(pitch)은 약 30㎛ 내지 약 35㎛일 수 있다. 여기에서, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1-1 관통 홀(TH1-1)의 중심과 제 1-2 관통 홀(TH1-2)의 중심 사이의 간격을 의미할 수 있다. 이와 다르게, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1 아일랜드부의 중심 사이의 간격을 의미할 수 있다.
이와 다르게, 상기 수평 방향에서 복수 개의 제 2 관통 홀(TH2) 중 인접한 두 개의 제 2 관통 홀(TH1)의 간격은 약 48㎛ 이하이면서, 상기 인접한 복수의 제 1 관통 홀(TH1)들 사이의 간격보다는 크다. 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 제 2 관통 홀(TH2) 중 인접한 두 개의 제 2 관통 홀(TH2) 사이의 간격(pitch)은 약 20㎛ 내지 약 48㎛이면서, 상기 인접한 복수의 제 1 관통 홀(TH1) 사이의 간격보다는 크다. 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 제 2 관통 홀(TH2) 중 인접한 두 개의 제 2 관통 홀(TH2) 사이의 간격(pitch)은 약 30㎛ 내지 약 35㎛이면서, 상기 인접한 복수의 제 1 관통 홀(TH1) 사이의 간격보다는 크다.
즉, 본 발명의 제 2 실시 예에서는 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 폭과 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 폭을 동일하게 하였다. 다만, 동일한 면적 내에서 상기 제 1 관통 홀(TH1)이 차지하는 면적보다 상기 제 2 관통 홀(TH2)이 차지하는 면적이 작도록 하기 위해, 상기 제 2 관통 홀(TH2)들 사이의 간격을 상기 제 1 관통 홀(TH1)들 사이의 간격보다 크게 하였다.
다시 말해서, 상기 제 2 관통 홀(TH2)들 사이의 간격이 커지면, 상기 커지는 간격만큼 제 2 관통 홀(TH2)들 사이의 리브의 폭 및 아일랜드부의 폭도 상승한다. 따라서, 상기 외곽영역(OA)에서 과에칭이 진행되어도, 상기 상승한 리브 및 아일랜드부의 폭에 의해 커버가 가능하도록 하고, 이에 따른 유효 영역(AA)와 외곽영역(OA)의 분리 문제를 해결할 수 있도록 한다.
도 12는 제 3 실시 예에 따른 증착용 마스크의 유효부 및 외곽 영역의 평면도를 도시한 도면이다.
도 12는에서의 증착용 마스크는, 도 5에서의 증착용 마스크 대비, 외곽영역(OA)에 형성되는 제 2 관통 홀(TH2)에 있어 차이가 있다. 이에 따라, 이하에서는 상기 도 5와 대비되는 도 12에서의 외곽영역(OA)에 형성되는 제 2 관통 홀(TH2)에 대해서만 설명하기로 한다.
본 발명의 제 3 실시 예에 따른 외곽영역(OA)은 제 1-1 외곽영역(OA1-1)과 제 1-2 외곽영역(OA1-2)을 포함할 수 있다. 즉, 외곽영역(OA) 내에는 3행의 제 2 관통 홀(TH2)이 형성될 수 있다. 이때, 상기 3행 중 유효 영역(AA)과 인접한 1행을 제 1-1 외곽영역(OA1-1)으로 정의하고, 상기 제 1-1 외곽영역(OA1-1)을 제외한 나머지 외곽영역(OA)을 제 1-2외곽영역(OA1-2)으로 정의할 수 있다. 다시 말해서, 제 3 실시 예에서는 외곽영역(OA)을 유효 영역(AA)와 인접한 영역과, 상기 유효 영역(AA)와 인접한 영역을 둘러싸는 영역으로 구분할 수 있다.
그리고, 제 3 실시 예에서는 상기 외곽영역(OA)에 형성되는 관통 홀을, 상기 제 1-1 외곽영역(OA1-1)에 형성되는 제 2 관통 홀(TH2)과, 상기 제 1-2외곽영역(OA1-2)에 형성되는 제 3 관통 홀(TH3)로 구분한다.
상기 증착용 마스크(100)는 제 1-1 외곽영역(OA1-1)에 복수 개의 제 2 관통 홀(TH2)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 제 2 관통 홀(TH2)들은 방향에 따라, 일렬로 배치되거나 서로 엇갈려서 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 관통 홀(TH2)들은 종축 및 횡축에서 일렬로 배치될 수 있고, 종축 또는 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다.
또한, 상기 증착용 마스크(100)는 제 1-2 외곽영역(OA1-2)에 복수 개의 제 3 관통 홀(TH3)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 제 3 관통 홀(TH3)들은 방향에 따라, 일렬로 배치되거나 서로 엇갈려서 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 3 관통 홀(TH3)들은 종축 및 횡축에서 일렬로 배치될 수 있고, 종축 또는 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)는 제 1-1 외곽영역(OA1-1)에 복수 개의 제 2 관통 홀(TH2)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 복수 개의 제 2 관통 홀(TH2)은 원형 형상일 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 관통 홀(TH2)은 수평 방향의 직경(Cx2)과 수직 방향의 직경(Cy2) 값을 가질 수 있고, 상기 제 2 관통 홀(TH1)의 수평 방향의 직경(Cx2)과 수직 방향의 직경(Cy2) 값은 서로 대응될 수 있다. 이때, 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 수평 방향의 직경(Cx2) 및 수직 방향의 직경(Cy2) 중 적어도 하나의 직경은, 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 수평 방향의 직경(Cx1) 및 수직 방향의 직경(Cy1) 중 적어도 하나의 직경보다 작을 수 있다.
상기 제 2 관통 홀(TH2)들은 방향에 따라 일렬로 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 관통 홀(TH2)들은 종축 및 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다.
자세하게, 제 1-1 외곽영역(OA1-1) 내에서의 제 2 관통 홀(TH2)들은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있고, 또한 제 2 관통 홀(TH2)들은 종축에서 일렬로 배치될 수 있다. 이때, 도면 상에는 1-1 외곽 영역(OA1-1)이 1행의 제 2 관통 홀(TH2)을 포함한다고 하였으나, 실질적으로는 유효 영역(AA)의 상측 및 하측에도 제 1-1 외곽영역(OA1-1)이 배치되며, 여기에는 횡축으로 제 2 관통 홀(TH2)들이 일렬로 배치될 수 있을 것이다. 또한, 상기 제 1-1 외곽영역(OA1-1)에 배치되는 제 2 관통 홀(TH2)들의 행 수나, 열 수를 증가시킬 수 있을 것이다.
또한, 제 1-2 외곽영역(OA1-2) 내에서의 제 3 관통 홀(TH3)들은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있고, 또한 제 3 관통 홀(TH3)들은 종축에서 일렬로 배치될 수 있다. 그리고, 제 3 관통 홀(TH3)들이 종축 및 횡축에서 각각 일렬로 배치되는 경우에는, 종축 및 횡축과 모두 교차하는 방향인 대각 방향으로 인접한 두 개의 제 3 관통 홀(TH3)들 사이에 제 4 아일랜드부(IS4)가 위치할 수 있다. 즉, 서로 대각선 방향에 위치한 두 개의 인접한 제 3 관통 홀(TH3)들 사이에는 제 4 아일랜드부(IS4)가 위치할 수 있다.
또한, 상기 유효 영역(AA)에 형성된 제 1 관통 홀(TH1)과, 상기 제 1-1 외곽영역(OA1-1)에 형성된 제 2 관통 홀(TH2) 사이에는 제 2 아일랜드부(IS2)가 위치할 수 있다.
또한, 상기 제 1-1 외곽영역(OA1-1)에 형성된 제 2 관통 홀(TH2)과 상기 제 1-2 외곽영역(OA1-2)에 형성된 제 3 관통 홀(TH3) 사이에는 제 3 아일랜드부(IS3)가 위치할 수 있다.
그리고, 상기 제 1 내지 4 아일랜드부(IS1, IS2, IS3, IS4) 각각은, 서로 다른 크기를 가진다. 이때, 인접한 제 1 관통 홀(TH1)들 사이의 간격, 인접한 제 2 관통 홀(TH2)들 사이의 간격, 인접한 제 3 관통 홀(TH3)들 사이의 간격, 인접한 제 1 관통 홀(TH1)과 제 2 관통 홀(TH2) 사이의 간격, 그리고 인접한 제 2 관통 홀(TH2)과 제 3 관통 홀(TH3) 사이의 간격은 동일할 수 있다.
이때, 상기 제 2 관통 홀(TH2)들 각각의 크기는, 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 크기보다 작다. 즉, 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 연통부의 폭은, 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 연통부의 폭보다 작다. 즉, 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 수평 방향으로의 폭(Cx2)은 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 수평 방향으로의 폭(Cx1)보다 작다. 즉, 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 수직 방향으로의 폭(Cy2)은 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 수직 방향으로의 폭(Cy1)보다 작다.
또한, 상기 제 3 관통 홀(TH3)들 각각의 크기는, 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 크기보다 작다. 즉, 상기 제 3 관통 홀(TH3)의 연통부의 폭은, 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 연통부의 폭보다 작다. 즉, 상기 제 3 관통 홀(TH3)의 수평 방향으로의 폭(Cx3)은 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 수평 방향으로의 폭(Cx2)보다 작다. 즉, 상기 제 3 관통 홀(TH3)의 수직 방향으로의 폭(Cy3)은 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 수직 방향으로의 폭(Cy2)보다 작다.
즉, 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 크기는, 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 크기보다 작으면서, 상기 제 3 관통 홀(TH3)의 크기보다 크다. 즉, 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 연통부의 폭은, 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 연통부의 폭보다 작으면서, 제 3 관통 홀(TH3)의 연통부의 폭보다는 크다. 즉, 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 수평 방향으로의 폭(Cx2)은 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 수평 방향으로의 폭(Cx1)보다 작으면서, 제 3 관통 홀(TH3)의 수평 방향으로의 폭(Cx3)보다는 크다. 즉, 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 수직 방향으로의 폭(Cy2)은 상기 제 1 관통 홀(TH1)의 수직 방향으로의 폭(Cy1)보다 작으면서, 제 3 관통 홀(TH3)의 수직 방향으로의 폭(Cy3)보다는 크다.
다시 말해서, 상기 유효 영역(AA)를 중심으로, 상기 외곽영역(OA)에 형성된 관통 홀은, 상기 유효 영역(AA)의 최외곽 영역에서 멀어질수록 폭이 점차 감소할 수 있다. 따라서, 외곽영역(OA)의 최외곽에 위치한 관통 홀, 다시 말해서 식각되지 않는 영역과 가장 인접한 영역에 위치한 관통 홀의 폭이 가장 작을 수 있다.
상기와 같이, 제 3 실시 예에서는 외곽영역(OA)을 복수의 영역으로 구분하고, 그에 따라 외곽영역(OA)에 형성된 관통 홀을 유효 영역(AA)에서 멀어질수록 폭이 점차 작아지도록 할 수 있다.
한편, 도 12에서 제 1-1 외곽영역(OA1-1) 및 제 1-2 외곽영역(OA1-2)에 형성된 제 2 관통 홀(TH2) 및 제 3 관통 홀(TH3) 중 적어도 하나는 하프애칭된 하프애칭부로 형성할 수 있다.
바람직하게, 상기 제 1-1 외곽영역(OA1-1) 및 제 1-2 외곽영역(OA1-2)에 형성된 제 2 관통 홀(TH2) 및 제 3 관통 홀(TH3)은 소면공을 포함하지 않는 대면공만의 하프 애칭부로 형성될 수 있다.
또한, 상기 제 1-1 외곽영역(OA1-1)에는 상기 설명한 바와 같이 제 2 관통 홀(TH2)을 형성하고, 상기 제 1-2 외곽영역(OA1-2)에만 상기 제 3 관통 홀(TH3) 대신에 상기 소면공을 포함하지 않는 대면공만의 하프 애칭부로 형성할 수 있다.
또한, 상기 에칭액에 의한 라디칼 쏠림 현상은 식각되지 않는 영역과 가장 인접한 식각 영역에서 발생한다. 따라서, 상기 제 1-1 외곽영역(OA1-1)에는 상기 설명한 바와 같이 제 2 관통 홀(TH2)을 형성한다. 그리고, 상기 제 1-2 외곽영역(OA1-2)의 최외곽 영역에는 상기 대면공만의 하프 애칭부를 형성한다. 그리고, 상기 제 1-2 외곽영역(OA1-2)의 최외곽 영역을 제외한 나머지 영역에는 상기 제 3 관통 홀(TH3)을 형성할 수도 있을 것이다.
도 13 및 도 14는 실시예에 따른 증착용 마스크(100)의 제조 방법을 도시한 도면들이다.
도 13을 참조하면, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)의 제조 방법은 금속판(10)을 준비하는 단계, 상기 금속판(10) 상에 포토레지스트층을 배치하여 제 1 및 2 관통 홀(TH1, TH2)을 형성하는 단계 및 상기 포토레지스트층을 제거하여 상기 제 1 관통 홀(TH1) 및 제 2 관통 홀(TH2)을 포함하는 증착용 마스크(100)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
먼저, 증착용 마스크(100)를 제조하기 위한 기초 자재인 상기 금속판(10)을 준비한다(S410).
상기 금속판(10)은 금속 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속판(10)은 니켈(Ni)을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 금속판(10)은 철(Fe) 및 니켈(Ni)을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 금속판(10)은 철(Fe), 니켈(Ni), 산소(O) 및 크롬(Cr)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 금속판(10)은 소량의 탄소(C), 규소(Si), 황(S), 인(P), 망간(Mn), 티타늄(Ti), 코발트(Co), 구리(Cu), 은(Ag), 바나듐(V), 나이오븀(Nb), 인듐(In), 안티몬(Sb) 중 적어도 하나 이상의 원소를 더 포함할 수 있다. 상기 인바(Invar)는 철 및 니켈을 포함하는 합금으로 열팽창계수가 0에 가까운 저열팽창 합금이다. 즉, 상기 인바는 열팽창 계수가 매우 작기 때문에 마스크 등과 같은 정밀 부품, 정밀 기기에 이용되고 있다. 따라서, 상기 금속판(10)을 이용하여 제조되는 증착용 마스크는 향상된 신뢰성을 가질 수 있어 변형을 방지할 수 있고, 수명 또한 증가시킬 수 있다.
상기 금속판(10)에는 상기 철이 약 60 중량% 내지 약 65 중량%만큼 포함될 수 있고, 상기 니켈은 약 35 중량% 내지 약 40 중량%만큼 포함될 수 있다. 자세하게, 상기 금속판(10)에는 상기 철이 약 63.5 중량% 내지 약 64.5 중량%만큼 포함될 수 있고, 상기 니켈은 약 35.5 중량% 내지 약 36.5 중량%만큼 포함될 수 있다. 또한, 상기 금속판(10)은 탄소(C), 규소(Si), 황(S), 인(P), 망간(Mn), 티타늄(Ti), 코발트(Co), 구리(Cu), 은(Ag), 바나듐(V), 나이오븀(Nb), 인듐(In), 안티몬(Sb) 중 적어도 하나 이상의 원소를 약 1 중량% 이하만큼 더 포함할 수 있다. 상기 금속판(10)의 성분, 함량, 중량%는, 상기 금속판(10)의 평면 상에서 특정 영역(a*b)을 선택하여, 상기 금속판(10)의 두께(t)에 해당하는 시편(a*b*t)을 샘플링하여 강산 등에 녹여 각 성분의 중량%를 조사하는 방법을 사용하여 확인할 수 있다. 그러나, 실시예는 이에 제한되지 않고 금속판의 조성을 확인할 수 있는 다양한 방법으로 조성을 중량%를 조사할 수 있다.
상기 금속판(10)은 냉간 압연 방식으로 제조될 수 있다. 예를 들어, 상기 금속판(10)은 용해, 단조, 열간 압연, 노멀라이징, 1차 냉간압연, 1차 어닐링, 2차 냉간압연 및 2차 어닐링 공정을 통해 형성될 수 있고 상기 공정들을 통해 약 30㎛ 이하의 두께를 가질 수 있다. 또는, 상기 금속판(10)은 상기 공정 이후에 추가 두께 감소 공정을 통해 약 30㎛ 이하의 두께를 가질 수 있다.
또한, 상기 금속판(10)을 준비하는 단계(S410)는 목표로 하는 금속판(10)의 두께에 따라 두께 감소 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 두께 감소 단계는 상기 금속판(10)을 압연 및/또는 에칭하여 두께를 감소하는 단계일 수 있다.
예를 들어, 400PPI 이상의 해상도를 구현하기 위한 증착용 마스크를 제조하기 위해서는 약 30㎛ 두께의 금속판(10)이 요구될 수 있고, 500PPI 이상의 해상도를 구현하기 위한 증착용 마스크를 제조하기 위해서는 약 20㎛ 내지 약 30㎛ 두께의 금속판(10)이 요구될 수 있고, 800PPI 이상의 해상도를 구현할 수 있는 증착용 마스크를 제조하기 위해서는 약 15㎛ 내지 약 20㎛ 두께의 금속판(10)이 요구될 수 있다.
또한, 상기 금속판(10)을 준비하는 단계는 표면 처리 단계를 선택적으로 더 포함할 수 있다. 자세하게, 인바와 같은 니켈 합금은 식각 초기에 식각 속도가 빠를 수 있어 제 1 관통 홀(TH1) 및 제 2 관통 홀(TH2) 각각의 소면공(V1)의 식각 팩터가 저하될 수 있다. 또한, 제 1 관통 홀(TH1) 및 제 2 관통 홀(TH2) 각각의 대면공(V2) 형성을 위한 에칭 시, 에칭액의 사이드 에칭에 의해 상기 대면공(V2) 형성을 위한 포토 레지스트층이 박리될 수 있다. 이에 따라 미세한 크기의 관통 홀을 형성하기 어려울 수 있고, 상기 관통 홀을 균일하게 형성하기 어려워 제조 수율이 저하될 수 있다.
따라서, 상기 금속판(10)의 표면 상에 성분, 함량, 결정구조 및 부식속도를 달리하는 표면 개질을 위한 표면 처리층을 배치할 수 있다. 여기에서, 표면 개질이란 식각 팩터를 향상시키기 위하여 표면에 배치되는 다양한 물질로 이루어진 층을 의미할 수 있다.
즉, 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)의 표면 상에 빠른 식각을 저지하기 위한 층으로 상기 금속판(10)보다 식각 속도가 느린 배리어층일 수 있다. 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)과 결정면 및 결정구조가 다를 수 있다. 예를 들어, 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)과 서로 다른 원소를 포함함에 따라, 결정면 및 결정구조가 서로 다를 수 있다.
예를 들어, 동일한 부식환경에서 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)과 부식 전위가 다를 수 있다. 예를 들어, 동일한 온도의 동일한 에칭액에 동일 시간 처리하였을 때, 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)과 부식전류 내지 부식전위가 서로 다를 수 있다.
상기 금속판(10)은 일면 및/또는 양면, 전체 및/또는 유효영역에 표면 처리층 내지 표면 처리부를 포함할 수 있다. 상기 표면 처리층 내지 표면 처리부는 상기 금속판(10)과 서로 다른 원소를 포함하거나, 부식 속도가 느린 금속 원소를 상기 금속판(10)보다 큰 함량으로 포함할 수 있다.
이어서, 상기 금속판(10)에 포토레지스트층을 배치하여 제 1 관통 홀(TH1) 및 제 2 관통 홀(TH2)을 형성하는 단계가 진행될 수 있다.
이를 위해, 상기 금속판(10)의 일면 상에 제 1 관통 홀(TH1) 및 제 2 관통 홀(TH2)의 소면공(V1)을 형성하기 위해 상기 금속판(10)의 일면 상에 제 1 포토 레지스트층(PR1)을 배치할 수 있다. 상기 제 1 포토레지스트층(PR1)을 노광 및 현상하여 상기 금속판(10)의 일면 상에 패턴화된 제 1 포토레지스트층(PR1)을 형성할 수 있다. 즉, 상기 금속판의 일면 상에 오픈부를 포함하는 제 1 포토레지스트층(PR1)을 형성할 수 있다. 또한, 상기 금속판(10)의 일면과 반대되는 타면 상에는 식각을 저지하기 위한 코팅층 또는 필름층과 같은 식각 저지층이 배치될 수 있다.
이어서, 패턴화된 상기 제 1 포토레지스트층(PR1)의 오픈부를 하프 에칭하여 상기 금속판(10)의 일면 상에 제 1 홈을 형성할 수 있다. 상기 제 1 포토레지스트층(PR1)의 오픈부는 식각액 등에 노출될 수 있어, 상기 금속판(10)의 일면 중 상기 제 1 포토레지스트층(PR1)이 배치되지 않은 오픈부에서 에칭이 일어날 수 있다.
상기 제 1 홈을 형성하는 단계는 약 20㎛ 내지 약 30㎛ 두께(T1)의 상기 금속판(10)을 약 1/2 두께가 될 때까지 에칭하는 단계일 수 있다. 이 단계를 통해 형성된 제 1 홈의 깊이는 약 10㎛ 내지 15㎛일 수 있다. 즉, 이 단계 후에 형성된 제 1 홈의 중심에서 측정한 상기 금속판의 두께(T2)는 약 10㎛ 내지 약 15㎛일 수 있다.
상기 제 1 홈을 형성하는 단계(S430)는, 이방성 에칭 또는 세미-부가 공법(semi additive process, SAP)으로 홈을 형성하는 단계일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 포토레지스트층(PR1)의 오픈부를 하프 에칭하기 위하여 이방성 에칭 또는 세미 부가 공법을 사용할 수 있다. 이에 따라, 하프 에칭을 통해 형성된 제 1 홈은 등방성 에칭보다 깊이 방향으로의 식각 속도(b 방향)가 사이드 에칭(a 방향)의 속도보다 빠를 수 있다.
상기 소면공(V1)의 식각 팩터는 2.0 내지 3.0일 수 있다. 예를 들어, 소면공(V1)의 식각 팩터는 2.1 내지 3.0일 수 있다. 예를 들어, 소면공(V1)의 식각 팩터는 2.2 내지 3.0일 수 있다. 여기에서, 식각 팩터는 식각된 소면공의 깊이(B)/소면공 상의 아일랜드부(IS)에서 연장되어 관통 홀(TH)의 중심방향으로 돌출된 포토레지스트층의 폭(A)(Etching Factor = B/A)을 의미할 수 있다. 상기 A는 상기 하나의 면공 상에 돌출된 포토레지스트층 일측의 폭 및 상기 일측과 반대되는 타측의 폭의 평균 값을 의미한다.
이어서, 상기 금속판(10)의 상기 타면 상에 제 2 포토레지스트층(PR2)을 배치할 수 있다. 이어서, 상기 제 2 포토레지스트층(PR2)을 노광 및 현상하여 상기 금속판(10)의 타면 상에 패턴화된 제 2 포토레지스트층(PR2)이 배치할 수 있다(S440). 즉, 상기 금속판(10)의 타면 상에 제 1 오픈부(OR1) 및 제 2 오픈부(OR2)를 포함하는 제 2 포토레지스트층(PR2)을 형성할 수 있다. 또한, 상기 금속판(10)의 일면 상에는 식각을 저지하기 위한 코팅층 또는 필름층과 같은 식각 저지층이 배치될 수 있다.
상기 제 2 포토레지스트층(PR2)의 제 1 및 2 오픈부(OR1, OR2)는 식각액 등에 노출될 수 있어, 금속판(10)의 타면 중 상기 제 2 포토레지스트층(PR2)이 배치되지 않은 제 1 및 2 오픈부(OR1, OR2)에서 에칭이 일어날 수 있다. 상기 금속판(10)의 타면은 이방성 에칭 또는 등방성 에칭에 의하여 에칭될 수 있다.
상기 제 2 포토레지스트층(PR2)의 제 1 및 2 오픈부(OR1, OR2)를 에칭함에 따라, 상기 금속판(10)의 일면 상의 제 1 홈은 대면공(V2)과 연결되어 각각 제 1 관통 홀(TH1) 및 제 2 관통 홀(TH2)을 형성할 수 있다. 즉, 상기 제 1 오픈부(OR1)를 통해 에칭되어 형성된 대면공은 상기 소면공과 연결되어 제 1 관통 홀(TH1)을 형성할 수 있다. 그리고, 상기 제 2 오픈부(OR2)를 통해 에칭되어 형성된 대면공은 상기 소면공과 연결되어 제 2 관통 홀(TH2)을 형성할 수 있다. 이때, 상기 제 1 오픈부(OR1)는 상기 금속판(10)의 타면 중 유효 영역(AA)에 대응하는 영역에 위치하고, 상기 제 2 오픈부(OR2)는 상기 금속판(10)의 타면 중 외곽영역(OA)에 대응하는 영역에 위치한다. 그리고, 상기 제 1 오픈부(OR1)의 폭은 상기 제 2 오픈부(OR2)의 폭보다 크다.
이와 다르게, 제 1 오픈부(OR1)의 폭과 제 2 오픈부(OR2)의 폭은 서로 같을 수 있으나, 복수의 제 1 오픈부(OR1)의 사이의 간격은 복수의 제 2 오픈부(OR2) 사이의 간격과 다를 수 있다. 즉, 복수의 제 1 오픈부(OR1)의 사이의 간격은 복수의 제 2 오픈부(OR2) 사이의 간격보다 좁을 수 있다.
상기 제 2 오픈부(OR2)의 크기 및 위치에 따라, 제 2 아일랜드부(IS2)의 상부면의 면적은 변화할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 오픈부(OR2)의 크기가 작을수록 상기 제 2 오픈부를 통해 식각되는 영역이 감소하여 형성되는 제 2 아일랜드부(IS2)의 상부면 면적은 증가할 수 있다.
또한, 상기 제 2 오픈부의 크기는 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 유효 영역(AA1, AA2, AA3)과 인접한 외곽영역(OA)에 위치한 제 2 오픈부(OR2)의 크기는, 식각되지 않는 영역과 인접한 영역에 위치한 제 2 관통 홀(TH2)의 크기보다 클 수 있다.
또한, 상기 제 2 오픈부의 크기는 상기 유효부에서 점점 멀어질수록 감소할 수 있다. 이에 따라, 상기 제 2 관통 홀(TH2)의 폭은, 상기 유효 영역(AA)에서 멀어질수록 점차 감소할 수 있다. 따라서, 상기 제 2 아일랜드부(IS2)의 면적은 상기 유효 영역(AA1, AA2, AA3)에서 상기 비유효부(UA)로 갈수록 점점 증가할 수 있다.
상기 제 1 관통 홀 및 제 2 관통 홀을 형성하는 단계는, 상기 소면공(V1) 형성을 위한 제 1 홈을 형성하는 단계 이후에 상기 대면공(V2) 형성을 위한 제 2 홈을 형성하는 단계가 진행되어 상기 제 1 및 2 관통 홀(TH1, TH2)을 형성하는 단계일 수 있다.
이와 다르게, 상기 제 1 및 2 관통 홀(TH1, TH2)을 형성하는 단계는, 상기 대면공(V2) 형성을 위한 제 2 홈을 형성하는 단계 이후에 상기 소면공(V1) 형성을 위한 제 1 홈을 형성하는 단계가 진행되어 상기 제 1 및 2 관통 홀(TH1, TH2)을 형성하는 단계일 수 있다.
이와 또 다르게, 상기 제 1 및 2 관통 홀(TH1, TH2)을 형성하는 단계는, 상기 소면공(V1) 형성을 위한 제 1 홈을 형성하는 단계 및 상기 대면공(V2) 형성을 위한 제 2 홈을 형성하는 단계가 동시에 진행되어 상기 제 1 및 2 관통 홀(TH1, TH2)을 형성하는 단계일 수 있다.
다음으로, 상기 제 1 포토레지스트층(PR1) 및 상기 제 2 포토레지스트층(PR2)을 제거하여, 상기 일면 상에 형성된 대면공(V2), 상기 일면과 반대되는 타면 상에 형성된 소면공(V1), 상기 대면공(V2) 및 상기 소면공(V1)의 경계가 연결되는 연통부에 의해 형성되는 제 1 및 2 관통 홀(TH1, TH2)을 포함하는 증착용 마스크(100)를 형성하는 단계를 거쳐 증착용 마스크(100)가 형성될 수 있다.
상기 단계들을 거쳐 형성된 증착용 마스크(100)는 상기 금속판(10)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 상기 금속판(10)과 동일한 조성의 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 증착용 마스크(100)의 아일랜드부(IS)는 상술한 표면 처리층을 표함할 수 있다.
상기 단계들을 거쳐 형성된 증착용 마스크(100)는 유효 영역(AA)에 형성된 제 1 리브(RB1)의 중심에서의 최대 두께(제 1 리브의 중앙부의 두께)가 에칭을 거치지 않은 비유효부(UA)에서의 최대 두께보다 작을 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 리브(RB1) 중심에서의 최대 두께는 약 15㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 리브(RB1) 중심에서의 최대 두께는 약 10㎛ 미만일 수 있다. 그러나, 증착용 마스크(100)의 비유효부(UA)에서의 최대 두께는 약 20㎛ 내지 약 30㎛ 일 수 있고, 약 15㎛ 내지 약 25㎛일 수 있다. 즉, 상기 증착용 마스크(100)의 비유효부(UA)에서의 최대 두께는 상기 금속판(10)을 준비하는 단계에서 준비된 금속판(10)의 두께와 대응될 수 있다.
도 15 및 도 16은 실시예에 따른 증착용 마스크를 통해 형성되는 증착 패턴을 나타내는 도면들이다.
도 15를 참조하면, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 소면공(V1)이 형성된 증착용 마스크(100)의 일면 및 연통부 사이의 높이(H1)가 약 3.5㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 높이(H1)는 약 0.1㎛ 내지 약 3.4㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 높이(H1)는 약 0.5㎛ 내지 약 3.2㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 높이(H1)는 약 1㎛ 내지 약 3㎛일 수 있다.
이에 따라, 상기 증착용 마스크(100)의 일면과 증착 패턴이 배치되는 기판 사이의 거리가 가까울 수 있어 쉐도우 효과에 따른 증착 불량을 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)를 이용하여 R, G, B 패턴 형성 시, 인접한 두 패턴 사이의 영역에 서로 다른 증착 물질이 증착되는 불량을 방지할 수 있다. 자세하게, 도 13에 도시된 바와 같이 상기 패턴들이 좌측부터 R, G, B 순으로 형성될 경우, 상기 R 패턴 및 상기 G 패턴 사이의 영역에 쉐도우 효과로 R 패턴 및 G 패턴이 증착되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 유효부에서의 제 1 아일랜드부(IS1)의 크기를 감소시킬 수 있다. 자세하게, 비식각면인 제 1 아일랜드부(IS1)의 상부면의 면적을 감소시킬 수 있어 유기물 증착 시 상기 유기물은 제 1 관통 홀(TH1)을 쉽게 통과할 수 있어 증착 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 제 1 아일랜드부(IS1)의 면적은 유효 영역(AA1, AA2, AA3)의 중심에서 비유효부(UA) 방향으로 갈수록 감소할 수 있다. 이에 따라, 상기 유효 영역(AA1, AA2, AA3)의 가장자리에 위치한 제 1 관통 홀에 유기물을 원활하게 공급할 수 있어 증착 효율을 향상시킬 수 있고 증착패턴의 품질을 향상시킬 수 있다.
*301상술한 실시 예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시 예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (10)

  1. OLED 화소 증착을 위한 금속재의 증착용 마스크에 있어서,
    상기 증착용 마스크는 증착을 위한 복수 개의 유효부 및 상기 유효부 이외의 비유효부를 포함하고,
    상기 유효부는, 길이 방향으로 이격하여 배치되고 상기 유효부의 중앙에 배치된 복수 개의 유효 영역 및 상기 복수 개의 유효 영역을 각각 둘러싸는 외곽 영역을 포함하고,
    상기 유효 영역은,
    일면 상에 형성된 복수의 제 1 소면공들과,
    상기 일면과 반대되는 타면 상에 형성되는 복수의 제 1 대면공들과,
    상기 제 1 소면공들과 상기 제 1 대면공들을 연통하는 복수의 제 1 관통 홀들과,
    상기 제 1 관통 홀들 사이에 형성되는 제 1 아일랜드부;를 포함하고,
    상기 외곽 영역은,
    일면 상에 형성된 복수의 제 2 소면공들과,
    상기 일면과 반대되는 타면 상에 형성되는 복수의 제 2 대면공들과,
    상기 제 2 소면공들과 상기 제 2 대면공들을 연통하는 복수의 제 2 관통 홀들과,
    상기 제 2 관통 홀들 사이에 형성되는 제 2 아일랜드부;를 포함하고,
    상기 제 2 관통 홀들은
    상기 유효 영역의 주위를 둘러싸며 배치되고, 상기 제 1 관통 홀보다 작은 크기를 가지는
    증착용 마스크.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제 2 관통 홀들의 중심 사이의 간격은,
    상기 제 1 관통 홀들의 중심 사이의 간격보다 큰
    증착용 마스크.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 유효 영역에서의 상기 제 1 관통홀에 의한 제 1 개구율은
    상기 외곽 영역에서의 상기 제 2 관통홀에 의한 제 2 개구율보다 큰
    증착용 마스크.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 아일랜드부의 면적은,
    상기 제 2 아일랜드부의 면적보다 작은
    증착용 마스크.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 유효 영역은,
    상기 제 1 관통 홀들의 제 1 대면공들이 접하면서 형성되는 제 1 리브를 포함하고,
    상기 외곽영역은,
    상기 제 2 관통 홀들의 제 2 대면공들이 접하면서 형성되는 제 2 리브를 포함하고,
    상기 제 2 리브의 중앙부의 두께는,
    상기 비증착 영역의 두께보다 작고, 상기 제 1 리브의 중앙부의 두께보다 큰
    증착용 마스크.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 유효 영역과 상기 외곽 영역의 경계에서, 상기 제 1 관통 홀의 제 1 대면공과, 상기 제 2 관통 홀의 제 2 대면공이 접하면서 형성되는 제 3 리브를 더 포함하고,
    상기 제 3 리브의 중앙부의 두께는,
    상기 비증착 영역의 두께보다 작은
    증착용 마스크.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 제 3 리브의 중앙부의 두께는,
    상기 제 1 리브의 중앙부의 두께보다 크고, 상기 제 2 리브의 중앙부의 두께보다 작은
    증착용 마스크.
  8. 제 5항에 있어서,
    상기 유효 영역과 상기 외곽 영역의 경계에서, 상기 제 1 관통 홀과 상기 제 2 관통 홀 사이에 위치하는 제 3 아일랜드부를 더 포함하고,
    상기 제 3 아일랜드부의 상면 면적은,
    상기 제 1 아일랜드부의 상면 면적보다 크고, 상기 제 2 아일랜드부의 상면 면적보다 작은
    증착용 마스크.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 제 3 아일랜드부는,
    상기 유효 영역 상에 위치하는 제 1 서브 제 3 아일랜드부와,
    상기 외곽 영역 상에 위치하는 제 2 서브 제 3 아일랜드부를 포함하고,
    상기 제 1 서브 제 3 아일랜드부의 상면 면적은,
    상기 제 2 서브 제 3 아일랜드부의 상면 면적보다 작은
    증착용 마스크.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 외곽 영역은,
    상기 유효 영역과 인접하게 위치하고, 상기 유효 영역의 주위을 둘러싸는 제 1 외곽 영역과,
    상기 비유효부와 인접하게 위치하고, 상기 제 1 외곽 영역의 주위를 둘러싸는 제 2 외곽 영역을 포함하고,
    상기 제 2 관통 홀은,
    상기 제 1 외곽 영역 상에 위치하고,
    상기 제 2 외곽 영역은,
    일면 상에 형성된 복수의 제 3 소면공들과,
    상기 일면과 반대되는 타면 상에 형성되는 복수의 제 3 대면공들과,
    상기 복수의 제 3 소면공들과 상기 제 3 대면공들을 연통하는 복수의 제 3 관통 홀들과,
    상기 제 3 관통 홀들 사이에 형성되는 제 4 아일랜드부;를 포함하고,
    상기 제 2 관통 홀은,
    상기 제 1 관통 홀보다 작고, 상기 제 3 관통 홀보다 큰 크기를 가지는
    증착용 마스크.
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