WO2020050558A1 - 증착용 마스크 및 이의 제조 방법 - Google Patents

증착용 마스크 및 이의 제조 방법 Download PDF

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WO2020050558A1
WO2020050558A1 PCT/KR2019/011201 KR2019011201W WO2020050558A1 WO 2020050558 A1 WO2020050558 A1 WO 2020050558A1 KR 2019011201 W KR2019011201 W KR 2019011201W WO 2020050558 A1 WO2020050558 A1 WO 2020050558A1
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deposition
deposition mask
hole
area
groove
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PCT/KR2019/011201
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English (en)
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손효원
엄태인
조수현
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엘지이노텍 주식회사
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Publication date
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    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition

Definitions

  • Embodiments relate to a deposition mask and a method of manufacturing the same.
  • Display devices are applied to various devices.
  • the display device is applied to a large device such as a TV, a monitor, a public display (PD), as well as a small device such as a smart phone or a tablet PC.
  • UHD ultra-high definition UHD
  • PPI Pixel Per Inch
  • Display devices that are generally used may be largely classified into a liquid crystal display (LCD) and an organic light emitting diode (OLED).
  • LCD liquid crystal display
  • OLED organic light emitting diode
  • the LCD is a display device driven using a liquid crystal, and has a structure in which a light source including a Cold Cathode Fluorescent Lamp (CCFL) or a LED (Light Emitting Diode) is disposed under the liquid crystal, and on the light source. It is a display device that is driven by controlling the amount of light emitted from the light source by using the disposed liquid crystal.
  • CCFL Cold Cathode Fluorescent Lamp
  • LED Light Emitting Diode
  • the OLED is a display device driven by using an organic material, and a separate light source is not required, and the organic material itself may serve as a light source and be driven with low power.
  • OLEDs are drawing attention as display devices that can replace LCDs because they can express an infinite contrast ratio, have a response speed that is about 1000 times faster than LCDs, and have excellent viewing angles.
  • the organic material included in the light emitting layer may be deposited on a substrate by a deposition mask called a fine metal mask (FMM), and the deposited organic material corresponds to a pattern formed in the deposition mask. It is formed in a pattern that can serve as a pixel.
  • the deposition mask is generally made of an Invar alloy metal plate containing iron (Fe) and nickel (Ni).
  • Fe iron
  • Ni nickel
  • through holes penetrating the one surface and the other surface are formed on one surface and the other surface of the metal plate, and the through holes may be formed at positions corresponding to the pixel patterns. Accordingly, organic materials such as red, green, and blue may be deposited on the substrate through the through hole of the metal plate, and a pixel pattern may be formed on the substrate.
  • the deposition mask as described above may include an effective portion of the deposition region and a non-effective portion excluding the effective portion.
  • the effective portion may include an effective region disposed in the center and an outer region surrounding the effective region.
  • the non-effective portion is a peripheral region of the outer region of the effective portion.
  • grooves for spraying stress may be formed in the non-deposition region of the deposition mask.
  • the grooves may be formed by an etching process such as etching. At this time, when forming the grooves, stress due to etching may occur, and the deposition mask is bent according to the stress, and deposition using the deposition mask Efficiency and deposition quality may be degraded.
  • An embodiment is to provide a deposition mask capable of uniformly forming a pattern having a high resolution of about 500 PPI or higher or an ultra high resolution (UHD level) of about 800 PPI or higher without deposition defects and a method of manufacturing the same.
  • the deposition mask according to the embodiment includes a deposition region for forming a deposition pattern and a non-deposition region other than the deposition region, wherein the deposition region includes a plurality of effective portions spaced apart in the longitudinal direction and non-effective portions other than the effective portions Including, the effective portion, a plurality of small face holes formed on one surface, a plurality of face holes formed on the other surface opposite to the one surface; And an island portion between the small hole and the large hole, and the island portion between the plurality of through holes, and the ineffective portion includes a plurality of first grooves spaced apart from each other, and the first grooves are spaced apart from each other. , The first groove is formed by an area of 10% to 60% of the total area of the ineffective portion.
  • the plurality of grooves formed in the ineffective portion may improve the straightness of the deposition mask.
  • bending of the deposition mask may occur due to the characteristics of the rolled deposition mask. That is, when forming grooves in the non-deposition portion of the deposition mask, the size difference between the upper and lower portions of the deposition mask is increased, and accordingly, the deposition mask is bent by the difference, thereby Straightness can be reduced.
  • the grooves having a specific shape and a certain area or more are formed in the non-effective portion, it is possible to minimize warpage of the deposition marks. That is, stress generated when forming grooves in the non-deposition portion of the deposition mask can be effectively dispersed in the grooves, thereby minimizing the warpage of the substrate due to stress generation to increase the straightness of the deposition mask.
  • 1 to 3 are conceptual views illustrating a process of depositing an organic material on a substrate using a deposition mask according to an embodiment.
  • FIG. 4 is a plan view of a deposition mask according to an embodiment.
  • FIG 5 is a plan view of a deposition mask according to an embodiment.
  • FIG. 6 is a view showing a plan view of an ineffective portion for deposition according to an embodiment.
  • FIG. 7 is a view showing a plan view of an ineffective portion for deposition according to an embodiment.
  • FIG. 8 is a view showing a plan view of an effective portion of a deposition mask.
  • FIG. 9 is a photograph showing a plan view of an effective portion of a deposition mask.
  • FIG. 10 is a view showing overlapping cross-sectional views of A-A 'and B-B' of FIG. 8 or FIG. 9.
  • FIG. 11 is a view showing another plan view of the deposition mask according to the embodiment.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view taken along the B-B 'direction of FIG. 8 or 9 of the deposition mask according to the embodiment.
  • FIG. 13 is a view showing a manufacturing process of a deposition mask according to an embodiment.
  • FIG. 14 and 15 are views showing a deposition pattern formed through a deposition mask according to an embodiment.
  • first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are only for distinguishing the component from other components, and the term is not limited to the nature, order, or order of the component.
  • a component when a component is described as being 'connected', 'coupled' or 'connected' to another component, the component is not only directly connected, coupled or connected to the other component, but also to the component It may also include a case of 'connected', 'coupled' or 'connected' due to another component between the other components.
  • top (bottom) or bottom (bottom) is not only when two components are in direct contact with each other, but also It also includes a case where the above-described further components are formed or disposed between two components.
  • 1 to 3 are conceptual views illustrating a process of depositing an organic material on a substrate 300 using a deposition mask 100 according to an embodiment.
  • FIG. 1 is a view showing an organic material deposition apparatus including a deposition mask 100 according to an embodiment
  • Figure 2 is a deposition mask 100 according to the embodiment is stretched to be mounted on the mask frame 200 It is a drawing showing that.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating that a plurality of deposition patterns are formed on the substrate 300 through a plurality of through holes of the deposition mask 100.
  • the organic material deposition apparatus may include a deposition mask 100, a mask frame 200, a substrate 300, an organic material deposition container 400, and a vacuum chamber 500.
  • the deposition mask 100 may include metal.
  • the deposition mask may include iron (Fe) and nickel (Ni).
  • the deposition mask 100 may include a plurality of through holes TH in an effective portion for deposition.
  • the deposition mask 100 may be a substrate for a deposition mask including a plurality of through holes TH. At this time, the through hole may be formed to correspond to a pattern to be formed on the substrate.
  • the through hole is formed not only in the effective region located in the center of the effective portion, but also in an outer region positioned outside the effective portion and surrounding the effective region.
  • the deposition mask 100 may include a non-effective portion other than the effective portion including a deposition region. The through hole is not located in the ineffective portion.
  • the mask frame 200 may include an opening area. A plurality of through holes of the deposition mask 100 may be disposed on a region corresponding to the opening. Accordingly, an organic material supplied to the organic material deposition container 400 may be deposited on the substrate 300.
  • the deposition mask 100 may be disposed and fixed on the mask frame 200. For example, the deposition mask 100 is tensioned with a constant tensile force, and may be fixed by welding on the mask frame 200.
  • the deposition mask 100 may be stretched in opposite directions from an edge disposed at the outermost edge of the deposition mask 100. In the longitudinal direction of the deposition mask 100, the deposition mask 100 may be pulled in a direction opposite to one end of the deposition mask 100 and the other end opposite to the one end. One end and the other end of the deposition mask 100 may be disposed parallel to each other.
  • One end of the deposition mask 100 may be any one of four end surfaces forming the outermost sides of the deposition mask 100.
  • the deposition mask 100 may be tensioned with a tensile force of about 0.1 kgf to about 2 kgf.
  • the deposition mask may be tensioned with a tensile force of 0.4 kgf to about 1.5 kgf to be fixed on the mask frame 200.
  • the stress of the deposition mask 100 may be reduced.
  • the embodiment is not limited thereto, and may be tensioned with various tensile forces capable of reducing the stress of the deposition mask 100 and fixed on the mask frame 200.
  • the deposition mask 100 may fix the deposition mask 100 to the mask frame 200 by welding an ineffective portion of the deposition mask 100.
  • a portion of the deposition mask 100 disposed outside the mask frame 200 may be removed by a method such as cutting.
  • the substrate 300 may be a substrate used for manufacturing a display device.
  • the substrate 300 may be a substrate 300 for depositing an organic material for an OLED pixel pattern. Red, green, and blue organic patterns may be formed on the substrate 300 to form a pixel having three primary colors of light. That is, an RGB pattern may be formed on the substrate 300.
  • the organic material deposition container 400 may be a crucible. An organic material may be disposed inside the crucible.
  • the organic material may be deposited on the substrate 300.
  • the deposition mask 100 may include one surface 101 and the other surface 102 opposite to the one surface.
  • the one surface 101 of the deposition mask 100 may include a small surface hole V1, and the other surface may include a large surface hole V2.
  • each of the one surface 101 and the other surface 102 of the deposition mask 100 may include a plurality of small face holes V1 and a plurality of face holes V2.
  • the deposition mask 100 may include a through hole TH.
  • the through hole TH may be communicated by a communication portion CA to which the boundary between the small face hole V1 and the large face hole V2 is connected.
  • the deposition mask 100 may include a first inner surface ES1 in the small surface hole V1.
  • the deposition mask 100 may include a second inner surface ES2 in the large hole V2.
  • the through hole TH may be formed by communicating a first inner surface ES1 in the small face hole V1 and a second inner surface ES2 in the face hole V2 in communication with each other.
  • the first inner surface ES1 in one small surface hole V1 may communicate with the second inner surface ES2 in one large surface hole V2 to form one through hole.
  • the number of through holes TH may correspond to the number of small face holes V1 and the large face holes V2.
  • the width of the large face hole V2 may be greater than the width of the small face hole V1. At this time, the width of the small hole V1 is measured on one surface 101 of the deposition mask 100, and the width of the large surface hole V2 is measured on the other surface 102 of the deposition mask 100. Can be.
  • the small hole V1 may be disposed toward the substrate 300.
  • the small hole V1 may be disposed close to the substrate 300. Accordingly, the small hole V1 may have a shape corresponding to a deposition material, that is, a deposition pattern DP.
  • the large hole V2 may be disposed toward the organic material deposition container 400. Accordingly, the large-surface hole V2 can accommodate the organic material supplied from the organic material deposition container 400 in a wide width, and the small-surface hole V1 is smaller in width than the large-surface hole V2. A fine pattern can be quickly formed on the substrate 300.
  • 4 and 5 are plan views of a deposition mask 100 according to an embodiment. 4 and 5, the deposition mask 100 will be described in more detail.
  • the deposition mask 100 may include a deposition area DA and a non-deposition area NDA.
  • the deposition area DA may be an area for forming a deposition pattern. Therefore, the deposition area DA may include an effective portion forming a deposition pattern.
  • the deposition area DA may include a pattern area and a non-pattern area.
  • the pattern area may be an area including a small face hole V1, a large face hole V2, a through hole TH, a first groove G1, and an island portion IS
  • the non-pattern area may be a small face hole ( V1), a face hole V2, a through hole TH, a first groove G1, and an island portion IS.
  • the deposition region may include an effective portion including an effective region and an outer region, which will be described later, and a non-effective portion in which deposition does not proceed.
  • one deposition mask 100 may include a plurality of deposition regions DA.
  • the deposition area DA of the embodiment may include a plurality of effective parts capable of forming a plurality of deposition patterns.
  • each of the plurality of effective portions is positioned to surround a plurality of effective regions AA1, AA2, and AA3 corresponding to the central region of the effective portion, and surroundings of the plurality of effective regions AA1, AA2, and AA3. It may include a plurality of outer regions (OA1, OA2, OA3) disposed on the outer edge of the effective portion.
  • the plurality of effective areas AA1, AA2, and AA3 may include a first effective area AA1, a second effective area AA2, and a third effective area AA3.
  • one deposition area DA may be a first effective portion including a first effective area AA1 and a first outer area OA1 surrounding the first effective area AA1.
  • one deposition area DA may be a second effective portion including a second effective area AA2 and a second outer area OA2 surrounding the second effective area AA2.
  • one deposition area DA may be a third effective part including a third effective area AA3 and a third outer area OA3 surrounding the third effective area AA3.
  • any one of the plurality of deposition regions included in the deposition mask 100 may be for forming one display device. Accordingly, one deposition mask 100 may include a plurality of effective portions, and thus multiple display devices may be simultaneously formed. Therefore, the deposition mask 100 according to the embodiment may improve process efficiency.
  • a plurality of effective parts included in one deposition mask 100 may be part for forming a single display device. At this time, the plurality of effective parts may be to prevent deformation due to the load of the mask.
  • the deposition area DA may include a plurality of separation areas IA1 and IA2 included in one deposition mask 100.
  • separation regions IA1 and IA2 may be disposed between adjacent effective portions.
  • the separation regions IA1 and IA2 may be spaced apart between a plurality of effective portions.
  • a first separation area IA1 is disposed between the first outer area OA1 of the first effective area AA1 and the second outer area OA2 of the second effective area AA2. Can be.
  • a second separation area IA2 may be disposed between the second outer area OA2 of the second effective area AA2 and the third outer area OA3 of the third effective area AA3. have.
  • adjacent effective portions may be distinguished from each other by the separation regions IA1 and IA2, and one deposition mask 100 may support a plurality of effective portions.
  • the deposition mask 100 may include non-deposition regions NDA on both sides in the longitudinal direction of the deposition region DA.
  • the deposition mask 100 according to an embodiment may include the non-deposition region NDA on both sides of the deposition region DA in a horizontal direction.
  • the non-deposition area NDA of the deposition mask 100 may be an area not involved in deposition.
  • the non-deposition region NDA may include frame fixing regions FA1 and FA2 for fixing the deposition mask 100 to the mask frame 200.
  • the non-deposition area NDA may include second grooves G2-1 and G2-2 and an open portion.
  • the deposition area DA may be an area for forming a deposition pattern
  • the non-deposition area NDA may be an area not involved in deposition.
  • a surface treatment layer different from the material of the metal plate 10 may be formed in the deposition region DA of the mask 100 for deposition, and a surface treatment layer may not be formed in the non-deposition region NDA. have.
  • a surface treatment layer different from the material of the metal plate 10 may be formed on only one of the one surface 101 or the other surface 102 of the deposition mask 100.
  • a surface treatment layer different from the material of the metal plate 10 may be formed only on a part of one surface 101 of the deposition mask 100.
  • one surface 101 and / or the other surface 102 of the deposition mask 100, and all and / or a part of the deposition mask 100 have a slow surface treatment layer than the metal plate 10 material. It may include, it is possible to improve the etching factor.
  • the deposition mask 100 of the embodiment can form a through hole of a fine size with high efficiency.
  • the deposition mask 100 of the embodiment may have a resolution of 400 PPI or more.
  • the deposition mask 100 may form a deposition pattern having a high resolution of 500 PPI or higher with high efficiency.
  • the surface treatment layer may include a material different from the material of the metal plate 10, or may mean that the composition of the same element includes a different metal material. In this regard, it will be described in more detail in the manufacturing process of the deposition mask described later.
  • the non-deposition region NDA may include second grooves G2-1.G2-2.
  • the non-deposition area NDA of the deposition mask 100 may include a 2-1 groove G2-1 on one side of the deposition area DA, and the deposition area DA ) May include a 2-2 groove G2-2 on the other side opposite to the one side.
  • the 2-1 groove G2-1 and the 2-2 groove G2-2 may be regions where grooves are formed in a depth direction of the deposition mask 100.
  • the 2-1 groove (G2-1) and the 2-2 groove (G2-2) may have a groove having a thickness of about 1/2 of that of the deposition mask, so that the stress during tension of the deposition mask (100) Can disperse.
  • the 2-1 groove G2-1 and the 2-2 groove G2-2 are symmetrical in the X-axis direction or symmetrical in the Y-axis direction based on the center of the deposition mask 100. It is desirable to form. Through this, the tensile force in both directions can be uniformly controlled.
  • the 2-1 groove G2-1 and the 2-2 groove G2-2 may be formed in various shapes.
  • the 2-1 groove G2-1 and the 2-2 groove G2-2 may include a semi-circular groove.
  • the 2-1 groove (G2-1) and the 2-2 groove (G2-2) are one of the one surface 101 of the deposition mask 100 and the other surface 102 opposite to the one surface 101 It can be formed on at least one side.
  • the 2-1 groove G2-1 and the 2-2 groove G2-2 may be formed on a surface corresponding to the small face hole V1. Accordingly, the 2-1 groove G2-1 and the 2-2 groove G2-2 may be formed simultaneously with the small face hole V1, thereby improving process efficiency.
  • the 2-1 groove (G2-1) and the 2-2 groove (G2-2) can disperse the stress that may occur due to the size difference between the large holes (V2).
  • the 2-1 groove G2-1 and the 2-2 groove G2-2 may have a rectangular shape.
  • the 2-1 groove G2-1 and the 2-2 groove G2-2 may have a rectangular shape or a square shape. Accordingly, the deposition mask 100 can effectively disperse the stress.
  • the 2-1 groove G2-1 and the 2-2 groove G2-2 may include curved surfaces and planes.
  • the plane of the 2-1 groove G2-1 may be disposed adjacent to the first effective area AA1, and the plane may be disposed horizontally with the longitudinal end of the deposition mask 100. have.
  • the curved surface of the 2-1 groove G2-1 may be convex toward one end in the longitudinal direction of the deposition mask 100.
  • the curved surface of the 2-1 groove G2-1 may be formed such that 1/2 of the vertical length of the deposition mask 100 corresponds to a semicircular radius.
  • the plane of the 2-2 groove G2-2 may be disposed adjacent to the third effective area AA3, and the plane is disposed horizontally with the longitudinal end of the deposition mask 100.
  • the curved surface of the 2-2 groove G2-2 may be convex toward the other end in the longitudinal direction of the deposition mask 100.
  • the curved surface of the 2-2 groove G2-2 may be formed such that 1/2 of the vertical length of the deposition mask 100 corresponds to a semicircular radius.
  • the 2-1 groove G2-1 and the 2-2 groove G2-2 may be formed simultaneously when forming the small face hole V1 or the large face hole V2. Through this, process efficiency can be improved.
  • grooves formed on one surface 101 and the other surface 102 of the deposition mask 100 may be formed to be offset from each other. Through this, the 2-1 groove G2-1 and the 2-2 groove G2-2 may not penetrate.
  • the deposition mask 100 according to the embodiment may include four second grooves.
  • the 2-1 groove G2-1 and the 2-2 groove G2-2 may include an even number of grooves to more effectively distribute stress.
  • the 2-1 grooves G2-1 and the 2-2 grooves G2-2 are also formed in the peripheral regions of the frame fixing regions FA1 and FA2 and / or the frame fixing regions FA1 and FA2. Can be. Accordingly, the deposition mask 100 that is generated when the deposition mask 100 is fixed to the mask frame 200 and / or after the deposition mask 100 is fixed to the mask frame 200 is deposited. ) Can be uniformly distributed. Accordingly, the deposition mask 100 can be maintained to have a uniform through hole.
  • the deposition mask 100 according to the embodiment may include a plurality of second grooves.
  • the deposition mask 100 according to the embodiment is illustrated as including the second grooves only in the non-deposition area NDA, but is not limited thereto, and at least one of the deposition area DA and the non-deposition area NDA A plurality of grooves may be further included in the region of. Accordingly, the stress of the deposition mask 100 can be uniformly distributed. Grooves formed in the non-effective area of the deposition area DA will be described in detail below.
  • the non-deposition region NDA may include frame fixing regions FA1 and FA2 for fixing the deposition mask 100 to the mask frame 200.
  • a first frame fixing area FA1 may be included on one side of the deposition area DA
  • a second frame fixing area FA2 may be provided on the other side opposite to the one side of the deposition area DA. It can contain.
  • the first frame fixing area FA1 and the second frame fixing area FA2 may be areas fixed to the mask frame 200 by welding.
  • the frame fixing regions FA1 and FA2 are adjacent to the second grooves G2-1 and G2-2 of the non-deposition region NDA and the deposition regions adjacent to the second grooves G2-1 and G2-2. DA).
  • the first frame fixing area FA1 is the deposition area adjacent to the 2-1 groove G2-1 and the 2-1 groove G2-1 of the non-deposition area NDA. It may be disposed between the first effective area including the first effective area AA1 and the first outer area OA1 of DA).
  • the second frame fixing area FA2 includes the deposition area adjacent to the 2-2 groove G2-2 and the 2-2 groove G2-2 of the non-deposition area NDA. It may be disposed between the third effective area AA3 and the third effective area including the third outer area OA3. Accordingly, a plurality of deposition pattern portions can be fixed at the same time.
  • the deposition mask 100 may include semi-circular open portions at both ends in the horizontal direction (X).
  • the non-deposition area NDA may include an open portion.
  • the non-deposition area NDA may include one semi-circular open portion at both ends in the horizontal direction.
  • the non-deposition area NDA of the deposition mask 100 may include an open portion in which the center of the vertical direction Y is open on one side of the horizontal direction.
  • the non-deposition region NDA of the deposition mask 100 may include an open portion in which the center of the vertical direction is opened on the other side opposite to the one side in the horizontal direction. That is, both ends of the deposition mask 100 may include an open portion at a half point of a length in the vertical direction.
  • both ends of the deposition mask 100 may be shaped like a horseshoe.
  • the curved surface of the open portion may face the second grooves G2-1 and G2-2. Accordingly, the open portion located at both ends of the deposition mask 100 is the length of the 2-1 groove (G2-1) or 2-2 groove (G2-2) and the deposition mask 100 in the vertical direction
  • the separation distance may be the shortest at 1/2 point of.
  • the vertical length d2 of the open portion may correspond to the vertical length d1 of the 2-1 groove G2-1 or the 2-2 groove G2-2. Accordingly, when the deposition mask 100 is stretched, stress may be evenly distributed, thereby reducing wave deformation of the deposition mask.
  • the deposition mask 100 may have a uniform through hole, and thus the deposition efficiency of the pattern may be improved.
  • the deposition mask 100 may include a plurality of effective parts spaced apart in the longitudinal direction and non-effective parts (UA) other than the effective parts.
  • the effective portions AA1, AA2, and AA3 of the deposition mask 100 may include a plurality of through holes TH and an island portion IS supporting between the plurality of through holes.
  • the island portion IS may mean a portion that is not etched on one side or the other side of the effective portion of the deposition mask.
  • the island portion IS may be an etched region between the through-hole and the through-hole on the other surface on which the opposite side of the effective portion of the deposition mask is formed. Therefore, the island portion IS may be disposed parallel to one surface of the deposition mask.
  • the island portion IS may be disposed on the same plane as the other surface of the deposition mask. Accordingly, the island portion IS may have the same thickness as at least a portion of the non-effective portion on the other surface of the deposition mask. In detail, the island portion IS may have the same thickness as the non-etched portion of the non-effective portion on the other surface of the deposition mask. Accordingly, the deposition uniformity of the sub-pixels may be improved through the deposition mask.
  • the island portion IS may be disposed on a plane parallel to the other surface of the deposition mask.
  • the parallel plane means that the height difference between the other surface of the deposition mask in which the island portion IS is disposed by the etching process around the island portion IS and the other surface of the non-etched deposition mask among the ineffective portions is ⁇ It may contain 1 ⁇ m or less.
  • An island portion IS may be positioned between adjacent through-holes among the plurality of through-holes. That is, regions other than the through-holes in the effective portions AA1, AA2, and AA3 of the deposition mask 100 may be island portions IS.
  • the effective portion (AA1, AA2, AA3) is a plurality of small surface holes (V1) formed on one surface of the deposition mask 100, a plurality of large surface holes (V2) formed on the other surface opposite to the one surface, the small surface It may include a through hole (TH) formed by the communication portion (CA) is connected to the boundary of the ball and the face hole.
  • the deposition mask 100 may include a non-effective portion (UA) disposed outside the effective portion.
  • UA non-effective portion
  • the effective portion AA may be an inner region when connecting the outermost of the through-holes located at the outermost for depositing the organic material among the plurality of through-holes.
  • the ineffective portion UA may be an outer region when connecting the outer portions of the through-holes located on the outermost side for depositing an organic material among the plurality of through-holes.
  • the non-effective portion UA is an area excluding the effective portion of the deposition area DA and is a non-deposition area.
  • the non-effective portion UA may include outer regions OA1, OA2, and OA3 surrounding the outer portions of the effective portions AA1, AA2, and AA3.
  • the deposition mask according to the embodiment may include a plurality of outer regions (OA1, OA2, OA3).
  • the number of outer regions may correspond to the number of effective portions. That is, one effective portion may include one outer region separated from each other by a predetermined distance in the horizontal and vertical directions from the ends of the effective portion.
  • the first effective portion AA1 may be included in the first outer region OA1.
  • the first effective portion AA1 may include a plurality of through holes for forming a deposition material.
  • the first outer region OA1 surrounding the outer periphery of the first effective portion AA1 may include a plurality of through holes.
  • the shape of the through hole TH of the first effective portion AA1 may correspond to the shape of the through hole of the first outer region OA1. Accordingly, uniformity of the through-holes included in the first effective portion AA1 may be improved.
  • the shape of the through hole TH of the first effective portion AA1 and the shape of the through hole of the first outer region OA1 may be circular.
  • the embodiment is not limited to this, and the through-holes may have various shapes such as a diamond pattern and an oval pattern.
  • the plurality of through holes included in the first outer region OA1 is for reducing etching defects of the through holes located at the outermost portion of the effective portion. Accordingly, the deposition mask according to the embodiment can improve the uniformity of a plurality of through-holes located in the effective portion, thereby improving the quality of the deposition pattern produced.
  • the through-hole included in the effective portion may have a shape partially corresponding to the through-hole included in the outer region.
  • the through hole included in the effective portion may include a different shape from the through hole located in the outer region. Accordingly, the difference in stress according to the position of the deposition mask can be adjusted.
  • the second effective portion AA2 may be included in the second outer region OA2.
  • the second effective portion AA2 may have a shape corresponding to the first effective portion AA1.
  • the second outer region OA2 may have a shape corresponding to the first outer region OA1.
  • the second outer region OA2 may further include two through holes in a horizontal direction and a vertical direction, respectively, from the through holes located at the outermost portion of the second effective portion AA2.
  • two through holes may be arranged in a row in the horizontal direction at positions of upper and lower portions of the through holes located at the outermost portions of the second effective portion AA2.
  • two through holes may be arranged in a vertical direction, respectively, on the left and right sides of the through hole located at the outermost portion of the second effective portion AA2.
  • the plurality of through holes included in the second outer region OA2 is for reducing etching defects of the through holes located at the outermost portion of the effective portion. Accordingly, the deposition mask according to the embodiment can improve the uniformity of a plurality of through-holes located in the effective portion, thereby improving the quality of the deposition pattern produced.
  • the third effective portion AA3 may be included in the third outer region OA3.
  • the third effective portion AA3 may include a plurality of through holes for forming a deposition material.
  • the third outer region OA3 surrounding the outer periphery of the third effective portion AA3 may include a plurality of through holes.
  • the third effective portion AA3 may have a shape corresponding to the first effective portion AA1.
  • the third outer region OA3 may have a shape corresponding to the first outer region OA1.
  • a plurality of first grooves may be formed in the non-effective portion UA.
  • a plurality of first grooves G1 having different shapes and depths from the through holes formed in the effective portion AA may be formed in the non-effective portion UA.
  • the first groove G1 may be formed on at least one of one surface and the other surface of the deposition mask.
  • the first groove G1 may be formed on at least one surface of one surface 101 of the deposition mask and the other surface 102 opposite to the one surface.
  • the first groove G1 may be formed on a surface corresponding to the small face hole V1. Accordingly, the first groove G1 may be formed simultaneously with the small face hole V1, thereby improving process efficiency.
  • the first groove G1 may be formed on a surface corresponding to the small face hole V1 and the large face hole V2, respectively.
  • the first groove G1 when the first groove G1 is formed on both one surface and the other surface of the deposition mask, the first grooves formed on each surface may not overlap each other.
  • a plurality of first grooves G1 may be formed in the ineffective portion UA.
  • the first groove G1 may be formed of a plurality of grooves spaced apart from each other in the non-effective portion UA.
  • a plurality of first grooves G1 formed in a shape different from a through hole of the effective portion AA may be formed in the non-effective portion UA.
  • At least one surface of the first groove G1 may include a curved surface.
  • the first groove G1 may be formed in a dot shape.
  • the first groove G1 may include an outer portion GO and an inner portion GI.
  • the outer portion GO may be disposed while surrounding the inner portion GI. That is, the outer portion GO may be disposed surrounding the inner portion GI.
  • the outer portion GO may be a region in which a groove is formed in a depth direction of the deposition mask.
  • the inner portion GI may be a region disposed in parallel with one surface or the other surface of the deposition mask. That is, the inner portion GI may be defined as a region in which a groove is not formed in the ineffective portion UA.
  • the size of the outer portion GO may be the same as or different from the size of the through hole of the effective portion.
  • the outer portion GO may be formed in a constant shape. That is, the outer line of the outer portion (GO) may be formed in a dot (dot) shape.
  • the inner portion GI may be formed in a constant shape. That is, the inner portion GI may be formed in the same dot shape as that of the outer portion GO.
  • the first groove G1 may be formed in a certain area in the non-effective portion UA.
  • the area of the first groove G1 may be formed with an area of 60% or less with respect to the total area of the non-effective portion UA.
  • the area of the first groove G1 may be formed with an area of 10% to 60% of the total area of the non-effective portion UA. In more detail, the area of the first groove G1 may be formed with an area of 20% to 55% of the total area of the non-effective portion UA. In more detail, the area of the first groove G1 may be formed with an area of 30% to 50% with respect to the total area of the non-effective portion UA.
  • the straightness of the deposition mask may be lowered.
  • the area of the first groove is formed in excess of 60% with respect to the total area of the ineffective portion UA, the strength of the deposition mask may be lowered.
  • a plurality of first grooves formed in a shape and depth different from a through hole of the effective portion AA may be formed in the non-effective portion UA.
  • At least one surface of the first groove G1 may include a curved surface.
  • the first groove G1 may be formed in a stripe shape.
  • the first groove G1 may be formed in a stripe shape extending in a tensile direction of the deposition mask.
  • the first groove G1 may include an outer portion GO and an inner portion GI.
  • the outer portion GO may be disposed while surrounding the inner portion GI. That is, the outer portion GO may be disposed surrounding the inner portion GI.
  • the outer portion GO may be a region in which a groove is formed in a depth direction of the deposition mask.
  • the inner portion GI may be a region disposed in parallel with one surface or the other surface of the deposition mask. That is, the inner portion GI may be defined as a region in which a groove is not formed in the ineffective portion UA.
  • the outer portion GO may be formed in a constant shape. That is, the outer line of the outer portion (GO) may be formed in a stripe (stripe) shape.
  • the inner portion GI may be formed in a constant shape. That is, the inner portion GI may be formed in the same stripe shape as the shape of the outer portion GO.
  • the first groove G1 may be formed in a certain area in the non-effective portion UA.
  • the area of the first groove G1 may be formed with an area of 60% or less with respect to the total area of the non-effective portion UA.
  • the area of the first groove G1 may be formed with an area of 10% to 60% of the total area of the non-effective portion UA. In more detail, the area of the first groove G1 may be formed with an area of 20% to 55% of the total area of the non-effective portion UA. In more detail, the area of the first groove G1 may be formed with an area of 30% to 50% with respect to the total area of the non-effective portion UA.
  • the area of the first groove G1 is less than 10% of the total area of the ineffective portion UA, stress and increase occurring during the formation of the second groove when forming the second grooves G2
  • the tensile stress generated when the wear mask is tensioned cannot be sufficiently dispersed by the first groove, and thus the straightness of the mask for deposition may be reduced.
  • the area of the first groove is formed in excess of 60% with respect to the total area of the ineffective portion UA, the strength of the deposition mask may be lowered.
  • the plurality of first grooves formed in the ineffective portion may improve the straightness of the deposition mask.
  • the second grooves are formed in the non-deposition portion NDA of the deposition mask
  • bending of the deposition mask may occur due to the properties of the rolled deposition mask. That is, when the second groove is formed in the non-deposition portion NDA of the deposition mask, the size difference between the upper and lower portions of the deposition mask is increased, and accordingly, the deposition mask is bent by the difference. , The straightness of the deposition mask may be reduced.
  • the warpage of the marks for deposition can be minimized. That is, the stress generated when forming the second grooves in the non-deposition portion (NDA) of the deposition mask is effectively dispersed in the first groove, thereby minimizing the warpage of the substrate due to the stress generation and straightening the deposition mask The degree can be increased.
  • 8, 9 and 11 are diagrams and photographs showing a plan view of an effective portion of a deposition mask.
  • 8, 9, and 11 are plan views or photographs of any one of the first effective portion AA1, the second effective portion AA2, and the third effective portion AA3.
  • 8, 9 and 11 are for explaining the shape of the silver through-hole and the arrangement between the through-holes, the deposition mask according to the embodiment is not limited to the number of through-holes in the drawing.
  • the deposition mask 100 may include a plurality of through holes.
  • the plurality of through holes may have a circular shape. Accordingly, the horizontal diameter Cx and the vertical diameter Cy of the through-holes may correspond to each other.
  • the through hole may have an elliptical shape. Accordingly, the horizontal diameter Cx of the through-hole and the vertical diameter Cy of the through-hole may be different. For example, the diameter Cx in the horizontal direction of the through-hole may be larger than the diameter Cy in the vertical direction.
  • the embodiment is not limited to this, and the through-hole may have a rectangular shape, an octagonal shape, or a rounded octagonal shape.
  • each horizontal diameter (Cx) between holes adjacent to the reference hole may be implemented in 2% to 10%.
  • the size difference between the reference hole and the adjacent holes may be 4% to 9%.
  • the size deviation between the reference hole and the adjacent holes may be 5% to 7%.
  • the size deviation between the reference hole and the adjacent holes may be 2% to 5%.
  • the moire generation rate in the OLED panel after deposition may be increased.
  • the average deviation of the through hole diameter may be ⁇ 5 ⁇ m.
  • the average deviation of the through hole diameter may be ⁇ 3 ⁇ m.
  • the average deviation of the through-hole diameter may be ⁇ 1 ⁇ m.
  • deposition efficiency may be improved.
  • the through holes may be arranged in a line or staggered with each other depending on the direction. 8 and 9, the through holes may be arranged in a line in the vertical axis and may be arranged in a line in the horizontal axis.
  • the first through hole Td1 and the second through hole Td2 may be arranged in a line on the horizontal axis. Also, the third through hole Td3 and the fourth through hole TH4 may be arranged in a line on the horizontal axis.
  • the first through hole Td1 and the third through hole TH3 may be arranged in a line at the vertical axis. Further, the second through hole Td2 and the fourth through hole TH4 may be arranged in a line on the horizontal axis.
  • the island portion When the through-holes are arranged in a line in the vertical axis and the horizontal axis, the island portion may be located between two adjacent through-holes in diagonal directions, which are directions that intersect both the vertical axis and the horizontal axis. That is, an island portion may be located between two adjacent through holes located diagonally to each other.
  • An island portion IS may be disposed between the first through hole Td1 and the fourth through hole TH4. Also, an island portion IS may be disposed between the second through hole Td2 and the third through hole TH3. Island portions IS may be located in an inclined angle direction of about +45 degrees around and an inclined angle of about -45 degrees around each of the horizontal axes traversing two adjacent through holes.
  • the inclination angle direction of about ⁇ 45 around may mean the diagonal direction between the horizontal axis and the vertical axis, and the inclination angle in the diagonal direction may be measured in the same plane of the horizontal axis and the vertical axis.
  • the through-holes may be arranged in a line on one of the vertical axis or the horizontal axis, and may be alternately arranged on the other axis.
  • the first through hole Td1 and the second through hole Td2 may be arranged in a line on the horizontal axis.
  • the third through hole Td1 and the fourth through hole TH4 may be disposed to be staggered from the vertical axis of the first through hole Td1 and the second through hole Td2, respectively.
  • the island portion may be positioned between two adjacent through-holes in the other direction of the longitudinal or transverse axis. have.
  • an island portion may be located between three through holes positioned adjacent to each other. Of the three adjacent through-holes, two through-holes are arranged in a line, and the other through-hole may be disposed in an area between the two through-holes at adjacent positions in a direction corresponding to the line-direction. It may mean a through hole.
  • An island portion IS may be disposed between the first through hole Td1, the second through hole Td2, and the third through hole TH3.
  • the island portion IS may be disposed between the second through hole Td2, the third through hole TH3, and the fourth through hole TH4.
  • the island portion IS of FIGS. 8, 9, and 11 may mean an unetched surface between through-holes on the other surface of the deposition mask in which large holes of the effective portion AA are formed.
  • the island portion IS may be the other side of the etched deposition mask excluding the second inner surface ES2 and the through hole TH located in the large hole in the effective portion AA of the deposition mask.
  • the deposition mask of the embodiment may be for high-resolution to ultra-high resolution OLED pixel deposition with a resolution of 500 PPI to 800 PPI or more.
  • the deposition mask of the embodiment may be for forming a deposition pattern having a high resolution of QHD (Quad High Definition) having a resolution of 500 PPI or more.
  • the deposition mask of the embodiment may be for deposition of OLED pixels having a resolution of 2560 * 1440 or more and a resolution of 530 PPI or more in the horizontal and vertical directions.
  • the number of pixels per inch may be 530 PPI or more based on a 5.5 inch OLED panel. That is, one effective part included in the deposition mask of the embodiment may be for forming a number of pixels having a resolution of 2560 * 1440 or more.
  • the deposition mask of the embodiment may be for forming a deposition pattern having ultra-high resolution of UHD (Ultra High Definition) having a resolution of 700 PPI or more.
  • UHD Ultra High Definition
  • the deposition mask of the embodiment is for forming a deposition pattern having an Ultra High Definition (UHD) -class resolution for depositing OLED pixels having a pixel count in the horizontal and vertical directions of 3840 * 2160 or more and 794 PPI or more. You can.
  • UHD Ultra High Definition
  • the diameter of one through hole may be a width between the communication parts CA.
  • the diameter of one through hole can be measured at the point where the end of the inner surface in the small face hole meets the end of the inner surface in the large face hole.
  • the measuring direction of the diameter of the through hole may be any one of a horizontal direction, a vertical direction, and a diagonal direction.
  • the diameter of the through hole measured in the horizontal direction may be 33 ⁇ m or less.
  • the diameter of the through hole measured in the horizontal direction may be 33 ⁇ m or less.
  • the diameter of the through hole may be an average value of values measured in horizontal, vertical, and diagonal directions, respectively.
  • the deposition mask according to the embodiment may implement QHD-level resolution.
  • the diameter of the through hole in the horizontal direction may be 20 ⁇ m or less. Accordingly, the deposition mask according to the embodiment may implement UHD-level resolution.
  • the diameter of the through hole may be 15 ⁇ m to 33 ⁇ m.
  • the diameter of the through hole may be 19 ⁇ m to 33 ⁇ m.
  • the diameter of the through hole may be 20 ⁇ m to 17 ⁇ m.
  • the diameter of the through hole is greater than 33 ⁇ m, it may be difficult to realize a resolution of 500 PPI or higher.
  • the diameter of the through hole is less than 15 ⁇ m, deposition failure may occur.
  • the diameter of the through hole can be measured based on the green (G) pattern. This is because, among the R, G, and B patterns, the G pattern has a lower recognition rate through time, and thus a larger number is required than the R and B patterns, and the distance between through holes may be narrower than the R and B patterns.
  • the measuring direction of the diameter of the through hole and the measuring direction of the gap between the two through holes may be the same.
  • the gap between the through holes may be a measure of a gap between two adjacent through holes in a horizontal direction or a vertical direction.
  • a pitch between two adjacent through holes among a plurality of through holes in a horizontal direction may be 48 ⁇ m or less.
  • a pitch between two adjacent through-holes among a plurality of through-holes in the horizontal direction may be 20 ⁇ m to 48 ⁇ m.
  • a pitch between two adjacent through-holes among a plurality of through-holes in the horizontal direction may be 30 ⁇ m to 35 ⁇ m.
  • the distance may mean a distance P1 between the center of two adjacent first through holes Td1 and the center of the second through holes Td2 in the horizontal direction.
  • the gap may mean a gap P2 between the center of two adjacent first island portions and the center of the second island portions in the horizontal direction.
  • the center of the island portion may be a center on an etched other surface between four adjacent through holes in the horizontal and vertical directions.
  • the center of the island portion is based on two first through holes Td1 and second through holes Td2 adjacent in the horizontal direction, and a third through hole adjacent in the vertical direction to the first through hole Td1.
  • a point at which the horizontal axis connecting the edges of one island portion IS and the vertical axis connecting the edges intersect in the region between the TH3 and the second through hole Td2 and the adjacent fourth through hole TH4 in the vertical direction.
  • the gap may mean a distance P2 between the center of the first island portion between the three adjacent through-holes in the horizontal direction and the center of the second island portion adjacent to the first island portion.
  • the center of the island portion may be a center on an etched other surface between one through hole and two adjacent through holes in a vertical direction.
  • the center of the island portion may be the center on the other side that is not etched between two through holes and one adjacent through hole in the vertical direction. That is, the center of the island portion is the center on the other side that is not etched between the three adjacent through-holes, and the three adjacent through-holes may mean that a triangular shape can be formed when the center is the center.
  • the center of the island portion may include two first through holes Td1 and second through holes Td2 adjacent to each other in the horizontal direction, and the first through holes Td1 and the second through holes Td2, respectively. It may be a center on the other side that is not etched between the third through holes TH3 in which at least some or all of the regions are located in a region between vertical directions.
  • the deposition mask according to the embodiment has a through-hole diameter of 33 ⁇ m or less and a gap between the through-holes of 48 ⁇ m or less, an OLED pixel having a resolution of 500 PPI or more can be deposited. That is, QHD-level resolution may be implemented using a deposition mask according to an embodiment.
  • the diameter of the through hole and the distance between the through holes may be sized to form a green sub-pixel.
  • the deposition mask may be an OLED deposition mask for realizing quad high display pixels.
  • the deposition mask may be for depositing at least one sub-pixel of red (R), first green (G1), blue (B), and second green (G2).
  • the deposition mask may be for depositing red (R) sub-pixels.
  • the deposition mask may be for depositing a blue (B) sub-pixel.
  • the deposition mask may be for simultaneously forming a first green (G1) subpixel and a second green (G2) subpixel.
  • the pixel arrangement of the organic light emitting diode display may be arranged in the order of 'Red (R)-first green (G1)-blue (B)-second green (G2)' (RGBG).
  • the red (R) -first green (G1) may form one pixel RG
  • the blue (B) -second green (G2) may form another pixel (BG).
  • a deposition mask of the same type as the present invention may be required.
  • the deposition mask according to the embodiment may deposit an OLED pixel having a resolution of 800 PPI as the diameter of the through hole is 20 ⁇ m or less and the distance between the through holes is 32 ⁇ m or less. That is, a UHD-level resolution may be implemented using a deposition mask according to an embodiment.
  • the diameter of the through hole and the distance between the through holes may be sized to form a green sub-pixel.
  • the deposition mask may be an OLED deposition mask for implementing ultra high display pixels.
  • FIGS. 8 and 9 are cross-sectional views of each of the cross-sections in order to explain the height difference between the cross-section in the A-A 'direction of FIGS. 8 and 9 and the cross-section in the B-B' direction.
  • the A-A 'direction is a cross section that crosses a central region between two adjacent first through holes Td1 and third through holes TH3 in the vertical direction. That is, the cross section in the A-A 'direction may not include a through hole.
  • an island portion IS which is the other surface of the deposition mask that is not etched, may be located between the etched surfaces ES2 in the large hole. Accordingly, the island portion IS may include a surface parallel to an unetched surface of the deposition mask. Alternatively, the island portion IS may include a surface that is the same as or parallel to the other surface of the deposition mask.
  • the B-B 'direction is a cross section crossing the center of each of the two first through holes Td1 and the second through holes Td2 adjacent in the horizontal direction. That is, the cross section in the B-B 'direction may include a plurality of through holes.
  • One rib may be positioned between the adjacent third through hole TH3 and the fourth through hole TH4 in the B-B 'direction. Another rib may be located between the fourth through hole TH4 and the third through hole TH3 and the fifth through hole positioned in the opposite direction.
  • One through hole may be positioned between the one rib and the other rib. That is, one through hole may be positioned between two adjacent ribs in the horizontal direction.
  • an etch surface ES2 in the large-faced hole and a rib RB which is an area in which the etched surfaces ES2 in the adjacent large-faced hole are connected to each other, may be located.
  • the rib (RB) may be an area in which the boundary between two adjacent large holes is connected. Since the rib RB is an etched surface, a thickness may be smaller than that of the island portion IS.
  • the width of the island portion may be 2 ⁇ m or more. That is, a width in a direction parallel to the other surface of a portion remaining without being etched on the other surface may be 2 ⁇ m or less.
  • the width of one island portion is 2 ⁇ m or more, the total volume of the deposition mask can be increased.
  • the mask for deposition of such a structure is to ensure sufficient stiffness against the tensile force applied in the organic material deposition process, etc., it may be advantageous to maintain the uniformity of the through hole.
  • a cross section of B-B 'in Figs. 8 and 9, and a cross section in which a through hole between ribs and ribs RB of the effective area according to Fig. 10 are enlarged will be described.
  • the thickness in the effective portion AA in which the through-hole through etching is formed and the thickness in the non-etched non-effective portion UA may be different.
  • the thickness of the ribs RB may be smaller than the thickness in the non-etched non-effective portion UA.
  • the thickness of the non-effective portion may be greater than the thickness of the effective portion.
  • the maximum thickness of the non-effective portion to the non-deposition region may be 30 ⁇ m or less.
  • the deposition mask of the embodiment may have a maximum thickness of 25 ⁇ m or less in the non-effective area to the non-deposition area.
  • the maximum thickness of the non-effective portion to the non-deposited region may be 15 ⁇ m to 25 ⁇ m.
  • the maximum thickness of the ineffective region to the non-deposited region of the deposition mask according to the embodiment is greater than 30 ⁇ m, it may be difficult to form a through hole having a fine size because the thickness of the metal plate material is thick.
  • the maximum thickness of the ineffective region to the non-deposited region of the deposition mask according to the embodiment is less than 15 ⁇ m, it may be difficult to form a through hole having a uniform size because the thickness of the metal plate material is thin.
  • the maximum thickness T3 measured at the center of the rib RB may be 15 ⁇ m or less.
  • the maximum thickness T3 measured at the center of the rib RB may be 7 ⁇ m to 10 ⁇ m.
  • the maximum thickness T3 measured at the center of the rib RB may be 6 ⁇ m to 9 ⁇ m.
  • the maximum thickness T3 measured at the center of the rib RB is more than 15 ⁇ m, it may be difficult to form an OLED deposition pattern having a high resolution of 500 PPI or higher.
  • the maximum thickness T3 measured at the center of the rib RB is less than 6 ⁇ m, uniform formation of the deposition pattern may be difficult.
  • the height d1 of the small hole of the deposition mask may be 0.2 to 0.4 times the maximum thickness T3 measured at the center of the rib RB.
  • the maximum thickness (T3) measured at the center of the rib (RB) is 7 ⁇ m to 9 ⁇ m
  • the height (d1) between the one side of the deposition mask and the communication portion may be 1.4 ⁇ m to 3 ⁇ m have.
  • the height (d1) of the small hole of the deposition mask may be 3 ⁇ m or less.
  • the height of the small hole may be 0.1 ⁇ m to 3 ⁇ m.
  • the height of the small hole of the deposition mask may be 0.5 ⁇ m to 3 ⁇ m.
  • the height of the small hole of the deposition mask may be 1 ⁇ m to 3 ⁇ m.
  • the height may be measured in the thickness measurement direction of the deposition mask, that is, in the depth direction, and may be a measurement of the height from one surface of the deposition mask to the communicating portion.
  • the horizontal direction (x direction) and the vertical direction (y direction) described above in the plan view of FIG. 4 or 5 may be measured in the z-axis direction forming 90 degrees.
  • deposition defects may occur due to a shadow effect in which the deposition material spreads to an area larger than the area of the through-hole during OLED deposition.
  • the pore diameter (W1) at one side where the small face hole (V1) of the deposition mask is formed and the pore diameter (W2) at the communication portion which is the boundary between the small face hole (V1) and the large face hole (V2) may be similar to or different from each other. have.
  • the pore diameter W1 on one surface where the small face hole V1 of the deposition mask is formed may be larger than the pore diameter W2 in the communication portion.
  • the difference between the pore diameter W1 on one surface of the deposition mask and the pore diameter W2 on the communication portion may be 0.01 ⁇ m to 1.1 ⁇ m.
  • the difference between the pore diameter W1 on one surface of the deposition mask and the pore diameter W2 on the communication portion may be 0.03 ⁇ m to 1.1 ⁇ m.
  • the difference between the pore diameter W1 on one surface of the deposition mask and the pore diameter W2 on the communication portion may be 0.05 ⁇ m to 1.1 ⁇ m.
  • the inclined radius of curvature R of the small surface hole may be 3 ⁇ m to 86 ⁇ m.
  • the inclined curvature radius (R) of the small surface hole may be 4.5 ⁇ m to 86 ⁇ m.
  • the inclined curvature radius (R) of the small surface hole may be 17 ⁇ m to 86 ⁇ m.
  • the deposition material may form a pattern having a uniform shape.
  • An inclination angle connecting one end (E1) of the small surface hole and one end (E2) of the communication portion between the small surface hole and the large surface hole located on one surface of the deposition mask may be 70 to 89 degrees.
  • an inclination angle connecting one end (E1) of the small surface hole and one end (E2) of the communication portion between the small surface hole and the large surface hole located on one surface of the deposition mask may be 75 to 89 degrees.
  • the inclination angle connecting one end (E1) of the small surface hole and one end (E2) of the communication portion between the small surface hole and the large surface hole located on one surface of the deposition mask may be 78 to 89 degrees.
  • an inclination angle connecting one end (E1) of the small surface hole and one end (E2) of the communication portion between the small surface hole and the large surface hole located on one surface of the deposition mask may be 85 to 89 degrees.
  • the deposition mask according to the embodiment has an inclination angle ( ⁇ 1) of the small-sided hole of 70 to 89 degrees, and the curvature of the small-sided hole can be formed from 3 ⁇ m to 86 ⁇ m, thereby preventing a shadow effect and at the same time It is possible to solve the problem of remaining organic material in the deposition mask, and in the process of separating the deposition mask from the substrate after depositing the organic material on the substrate, it is possible to prevent the problem of the organic material deposited on the substrate being detached from the deposition mask. .
  • the volume of the island portion can be increased, deformation during elongation of the deposition mask can be prevented.
  • the deposition mask capable of implementing a resolution of 500 PPI has an inclination angle of 75 to 89 degrees connecting one end (E1) of the small face hole and one end (E2) of the communicating portion between the small face hole and the large face hole.
  • the inclined curvature radius may be 4.5 ⁇ m to 86 ⁇ m.
  • the deposition mask capable of realizing a resolution of 600 PPI to 700 PPI has an inclination angle connecting one end (E1) of the small face hole and one end (E2) of the communicating portion between the small face hole and the large face hole at an angle of 78 degrees to 89 degrees,
  • the inclined radius of curvature of the small surface hole may be 6 ⁇ m to 86 ⁇ m.
  • the deposition mask capable of realizing a resolution of 800 PPI or more has an inclination angle of 85 degrees to 89 degrees connecting one end (E1) of the small face hole and one end (E2) of the communicating portion between the small face hole and the large face hole, and the slope of the small face hole
  • the radius of curvature may be 17 ⁇ m to 86 ⁇ m.
  • An inclination angle connecting one end (E3) of the large hole (V2) located on the other surface opposite to the one surface of the deposition mask and one end (E2) of the communicating portion between the small hole and the large hole may be 40 to 55 degrees. Accordingly, it is possible to form a high-resolution deposition pattern of 500 PPI or higher, and at the same time, an island portion may exist on the other surface of the deposition mask.
  • the mask for deposition is a first step of preparing a base metal plate having a thickness of 20 ⁇ m to 30 ⁇ m; and patterning on one surface of the base metal plate Arranged photoresist layer, half-etched the open portion of the photoresist layer to form a groove on one side of the base metal plate, and a patterned photoresist layer on the other side opposite to the one side of the base metal plate And removing the photoresist layer and the second step of forming a through hole connected to a groove on one surface of the base metal plate by etching the open portion of the photoresist layer, opposite to the one surface formed on the one surface, the one surface It includes a small hole formed on the other surface, the through hole formed by the communication between the large-faced hole and the boundary between the small-sided hole Authentication can be made by a third step of forming a mask to wear. Through this, it is possible
  • a method of manufacturing a mask for depositing a metal material for depositing an OLED pixel includes a first step of preparing a base metal plate having a thickness of 15 ⁇ m to 20 ⁇ m; A patterned photoresist layer is disposed on one surface of the base metal plate, half-etched the open portion of the photoresist layer to form a groove on one surface of the base metal plate, and on the other surface opposite to the one surface of the base metal plate A second step of disposing a patterned photoresist layer on the surface and etching the open portion of the photoresist layer to form a through hole connected to a groove on one surface of the base metal plate; And removing the photoresist layer, to form a through hole formed by a large surface hole formed on one surface, a small surface hole formed on the other surface opposite to the one surface, and a communication portion connecting a boundary between the large surface hole and the small surface hole. And a third step of forming a deposition mask containing the same.
  • BM base metal plate
  • the base metal plate BM may include a metal material.
  • the base metal plate (BM) may include a nickel alloy.
  • the base metal plate (BM) may be an alloy of nickel and iron.
  • nickel may be from about 35% to about 37% by weight
  • the iron may be from about 63% to about 65% by weight.
  • the base metal plate (BM) is about 35% to about 37% by weight of nickel, about 63% to about 65% by weight of iron, and trace amounts of C, Si, S, P, Cr, Mo, Mn, Ti, Co, Cu, Fe, Ag, Nb, V, In, and Sb may include Invar (Invar).
  • the trace amount may mean that it is 1% by weight or less. In detail, here, the trace amount may mean that it is 0.5% by weight or less.
  • the base metal plate (BM) is not limited thereto, and of course, it may include various metal materials.
  • the nickel alloy such as the invar has a small thermal expansion coefficient, it has an advantage that the lifetime of the deposition mask can be increased.
  • the first step may further include a thickness reduction step, depending on the thickness of the target base metal plate.
  • the base metal plate (BM) may have a thickness of 25 ⁇ m to 30 ⁇ m.
  • the base metal plate (BM) may have a thickness of 15 ⁇ m to 25 ⁇ m through a thickness reduction step by rolling and / or etching.
  • the etching may include electrical or chemical etching.
  • the base metal plate (BM) or the base metal plate (BM) having undergone a thickness reduction step may optionally include a surface treatment step.
  • a nickel alloy such as Invar has a problem that uniform etching is difficult. That is, a nickel alloy such as Invar may have a high etching rate at the beginning of etching. Accordingly, there is a problem that the etching factor of the small surface hole may be lowered. When the etching factor of the small surface hole is lowered, there may be a problem that a deposition mask in which deposition defects are generated due to a shadow effect may be formed. Alternatively, the photoresist layer may be de-filmed due to side etching of the large hole. In addition, as the size of the through hole increases, it may be difficult to form a through hole having a fine size. In addition, the through-holes are formed non-uniformly, so that the production yield of the deposition mask can be lowered.
  • the embodiment may arrange a surface treatment layer for surface modification having different components, contents, crystal structure and corrosion rate on the surface of the base metal plate.
  • surface modification may mean a layer made of various materials disposed on a surface in order to improve an etching factor.
  • the surface treatment layer may be a layer for preventing rapid etching on the surface of the base metal plate.
  • the surface treatment layer may be an etch barrier layer having a slower etch rate than the base metal plate.
  • the surface treatment layer may have a different crystal surface and crystal structure from the base metal plate. For example, as the surface treatment layer includes different elements from the base metal plate, a crystal surface and a crystal structure may be different.
  • the surface treatment layer may have a different corrosion potential from the base metal plate.
  • the surface treatment layer may have a different corrosion current or corrosion potential from the base metal plate.
  • the base metal plate (BM) may include a surface treatment layer or a surface treatment portion on one side and / or both sides, the whole and / or the effective area.
  • the surface treatment layer to the surface treatment part may include different elements from the base metal plate, or may contain a metal element having a slow corrosion rate in a larger content than the base metal plate.
  • the surface treatment layer is nickel (Ni), chromium (Cr), iron (Fe), titanium (Ti), manganese (Mn), oxygen (O), molybdenum (Mo), silver (Ag), zinc (Zn), nitrogen (N), aluminum (Al) and may include at least one metal of alloys thereof, nickel (Ni), chromium (Cr), iron (Fe), titanium (Ti), manganese ( The metal content of at least one of Mn), oxygen (O), molybdenum (Mo), silver (Ag), zinc (Zn), nitrogen (N), aluminum (Al), and alloys thereof may be greater than that of the base metal plate .
  • a surface treatment layer may be disposed on the surface of the base metal plate according to the embodiment.
  • the corrosion rate on the surface may be slower than the raw material material of the base metal plate BM. Accordingly, the etching factor of the deposition mask according to the embodiment may be increased.
  • the deposition mask according to the embodiment can improve the deposition efficiency of the R, G, and B patterns, as a plurality of through holes can be uniformly formed.
  • the inclusion of different elements may mean that the base metal plate (BM) and the surface treatment layer contain at least one other element, or alloys having different contents even if all elements are the same.
  • a patterned photoresist layer P1 may be disposed on one surface of the base metal plate.
  • the other surface opposite to one surface of the base metal plate may be provided with an etch-bottom layer such as a coating layer or a film layer to prevent etching.
  • etching may occur in an open portion of the base metal plate where the photoresist layer P1 is not disposed.
  • the second step may be a step of etching the base metal plate having a thickness of 20 ⁇ m to 30 ⁇ m (T1) until the thickness is about 1/2.
  • the depth of the groove formed through the second step may be about 10 ⁇ m to 15 ⁇ m. That is, the thickness T2 of the base metal plate measured at the center of the groove after the second step may be about 10 ⁇ m to 15 ⁇ m.
  • the second step may be anisotropic etching or a semi additive process (SAP).
  • SAP semi additive process
  • an anisotropic etching or semi-addition method may be used to half etch the open portion of the photoresist layer. Accordingly, the groove formed through the half etching may have an etching rate in the depth direction (b direction) faster than that of the side etching (a direction) than isotropic etching.
  • the etch factor of the small facet may be 2.0 to 3.0.
  • the etch factor of the small facet may be 2.1 to 3.0.
  • the etch factor of the small facet may be 2.2 to 3.0.
  • the A represents an average value of the width of one side of the photoresist layer protruding on the one surface hole and the width of the other side opposite to the one side.
  • a patterned photoresist layer P2 may be disposed on the other surface opposite to the one surface of the base metal plate.
  • a patterned photoresist layer P2 having an open portion may be disposed on the other surface opposite to the one surface of the base metal plate to form a large hole.
  • An etch bottom layer such as a coating layer or a film layer for preventing etching may be disposed on one surface of the base metal plate.
  • etching may occur in an open portion of the other surface of the base metal plate where the photoresist layer P2 is not disposed.
  • the other surface of the base metal plate may be etched by anisotropic etching or isotropic etching.
  • a groove on one surface of the metal plate may be connected to a large surface hole to form a through hole.
  • the second step is 1) after disposing the photoresist layer P1 patterned on one surface of the base metal plate and the photoresist layer P2 patterned on the other surface of the base metal plate, 2 )
  • the through-hole may be formed by simultaneously etching one surface and the other surface of the base metal plate.
  • the second step is 1) by disposing the patterned photoresist layer P1 on one surface of the base metal plate, and 2) by half-etching the open portion of the photoresist layer P1, one surface of the base metal plate After forming a groove only on the top, 3) after disposing the patterned photoresist layer P2 on the other side of the base metal plate, 4) opening the photoresist layer P2 on the other side of the base metal plate A through hole may be formed by etching a portion.
  • the second step is 1) by placing the patterned photoresist layer (P2) on the other surface of the base metal plate, 2) by etching the open portion of the photoresist layer (P2) on the other surface of the base metal plate After forming the face hole only, 3) after arranging the patterned photoresist layer P1 on one surface of the base metal plate, 4) the open portion of the photoresist layer P1 on one surface of the base metal plate Half-etching may be to form a through hole that is connected to the face hole.
  • the deposition mask may be formed through a third step of forming a deposition mask including holes.
  • the deposition mask 100 formed through the third step may include the same material as the base metal plate.
  • the deposition mask may include a material having the same composition as the base metal plate.
  • the island portion of the deposition mask may include the surface treatment layer described above.
  • the deposition mask formed through the third step may have a maximum thickness at the center of the rib that is smaller than the maximum thickness at the non-effective area without etching.
  • the maximum thickness at the center of the rib may be 15 ⁇ m.
  • the maximum thickness at the center of the rib may be less than 10 ⁇ m.
  • the maximum thickness in the non-effective area of the deposition mask may be 20 ⁇ m to 30 ⁇ m.
  • the maximum thickness in the non-effective area of the deposition mask may be the same as the thickness of the base metal plate prepared in the first step.
  • the maximum thickness in the ineffective region of the deposition mask may be 15 ⁇ m to 25 ⁇ m after the thickness reduction step in the first step.
  • the first grooves were formed with an area of 45% of the total area of the ineffective portion.
  • TP total pitch difference measures the length difference between the upper surface and the lower surface based on the direction in which the deposition mask is stretched. Measure the difference between the lowest peak and zero.
  • the total pitch (TP) of the deposition mask Differences and straightness were measured.
  • the TP (total pitch) difference of the deposition mask and going straight Degrees were measured.
  • the total pitch is about 5 ⁇ m to about 10 ⁇ m
  • the straightness is about 5 ⁇ m to about 11 ⁇ m.
  • the first mask is not formed in the deposition mask according to the comparison 2, and accordingly, the total pitch is increased compared to the embodiments, and the straightness is reduced.
  • FIG. 14 and 15 are views showing a deposition pattern formed through a deposition mask according to an embodiment.
  • the deposition mask 100 may have a height H1 between one side and a communication portion of the deposition mask 100 in which the small hole V1 is formed may be about 3.5 ⁇ m or less.
  • the height H1 may be about 0.1 ⁇ m to about 3.4 ⁇ m.
  • the height H1 may be about 0.5 ⁇ m to about 3.2 ⁇ m.
  • the height H1 may be about 1 ⁇ m to about 3 ⁇ m.
  • the distance between one surface of the deposition mask 100 and the substrate on which the deposition pattern is disposed may be close, thereby reducing deposition defects due to the shadow effect.
  • defects in which different deposition materials are deposited in an area between two adjacent patterns may be prevented.
  • R patterns and G patterns are prevented from being deposited with a shadow effect in the region between the R patterns and the G patterns. Can.
  • the deposition mask 100 forms a first groove in the non-effective portion, effectively dispersing the stress generated when forming the second groove in the effective portion by the first groove, thereby for deposition
  • the warpage of the mask can be minimized. Therefore, it is possible to improve the deposition efficiency when depositing an organic material and to improve the quality of the deposition pattern.

Abstract

실시예에 따른 증착용 마스크는, 증착 패턴을 형성하기 위한 증착 영역 및 증착 영역 이외의 비증착 영역을 포함하고, 상기 증착 영역은 길이 방향으로 이격된 복수 개의 유효부 및 유효부 이외의 비유효부를 포함하고, 상기 유효부는, 일면 상에 형성된 다수의 소면공, 상기 일면과 반대되는 타면상에 형성된 다수의 대면공; 상기 소면공과 상기 대면공을 연통하는 관통홀 및 상기 다수의 관통홀 사이의 아일랜드부를 포함하고, 상기 비유효부는 서로 이격하는 복수의 제 1홈을 포함하고, 상기 제 1 홈은 서로 이격하여 배치되고, 상기 제 1 홈은 상기 비유효부 전체 면적에 대해 10% 내지 60%의 면적만큼 형성된다.

Description

증착용 마스크 및 이의 제조 방법
실시예는 증착용 마스크 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 다양한 디바이스에 적용되어 사용되고 있다. 예를 들어, 표시 장치는 스마트폰, 태블릿 PC 등과 같은 소형 디바이스뿐만 아니라, TV, 모니터, 퍼블릭 디스플레이(PD, Public Display) 등과 같은 대형 디바이스에 적용되어 이용되고 있다. 특히, 최근에는 500 PPI(Pixel Per Inch) 이상의 초고해상도 UHD(UHD, Ultra High Definition)에 대한 수요가 증가하고 있으며, 고해상도 표시 장치가 소형 디바이스 및 대형 디바이스에 적용되고 있다. 이에 따라, 저전력 및 고해상도 구현을 위한 기술에 대한 관심이 높아지고 있다.
일반적으로 사용되는 표시 장치는 구동 방법에 따라 크게 LCD(Liquid Crystal Display) 및 OLED(Organic Light Emitting Diode) 등으로 구분될 수 있다.
LCD는 액정(Liquid Crystal)을 이용하여 구동되는 표시 장치로 상기 액정의 하부에는 CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp) 또는 LED(Light Emitting Diode) 등을 포함하는 광원이 배치되는 구조를 가지며, 상기 광원 상에 배치되는 상기 액정을 이용하여 상기 광원으로부터 방출되는 빛의 양을 조절하여 구동되는 표시 장치 이다.
또한, OLED는 유기물을 이용해 구동되는 표시 장치로, 별도의 광원이 요구되지 않고, 유기물이 자체가 광원의 역할을 수행하여 저전력으로 구동될 수 있다. 또한, OLED는 무한한 명암비를 표현할 수 있고, LCD보다 약 1000배 이상의 빠른 응답 속도를 가지며 시야각이 우수하여 LCD를 대체할 수 있는 표시 장치로 주목 받고 있다.
특히, OLED에서 발광층에 포함된 상기 유기물은 파인 메탈 마스크(FMM, Fine Metal Mask)라 불리는 증착용 마스크에 의해 기판 상에 증착될 수 있고, 증착된 상기 유기물은 상기 증착용 마스크에 형성된 패턴과 대응되는 패턴으로 형성되어 화소의 역할을 수행할 수 있다. 상기 증착용 마스크는 일반적으로 철(Fe) 및 니켈(Ni)을 포함하는 인바(Invar) 합금 금속판으로 제조된다. 이때, 상기 금속판의 일면 및 타면에는 상기 일면 및 상기 타면을 관통하는 관통 홀이 형성되며 상기 관통 홀은 화소 패턴과 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 이에 따라, 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue) 등의 유기물은 상기 금속판의 관통 홀을 통과하여 기판 상에 증착될 수 있고, 기판 상에는 화소 패턴이 형성될 수 있다.
상기와 같은 증착용 마스크는, 증착 영역의 유효부 및 상기 유효부를 제외한 비유효부를 포함할 수 있다. 그리고, 상기 유효부는, 중앙에 배치되는 유효 영역과, 상기 유효 영역을 둘러싸는 외곽 영역을 포함할 수 있다. 상기 비유효부는 상기 유효부의 상기 외곽 영역의 주변 영역이다.
한편, 증착용 마스크의 비증착 영역에는 응력을 분사시키는 홈들이 형성될 수 있다.
상기 홈들은 에칭 등의 식각 공정에 의해 형성될 수 있고, 이때, 상기 홈들을 형성할 때 식각에 의한 응력이 발생할 수 있고, 이러한 응력에 따라 증착용 마스크가 휘어지게 되어, 증착용 마스크를 이용한 증착 효율 및 증착 품질이 저하될 수 있다.
따라서, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 새로운 증착용 마스크 및 이의 제조 방법이 요구된다.
실시예는 약 500 PPI 이상의 고해상도 또는 약 800PPI 이상의 초고해상도(UHD급)의 패턴을 증착불량 없이 균일하게 형성할 수 있는 증착용 마스크 및 이의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
실시예에 따른 증착용 마스크는, 증착 패턴을 형성하기 위한 증착 영역 및 증착 영역 이외의 비증착 영역을 포함하고, 상기 증착 영역은 길이 방향으로 이격된 복수 개의 유효부 및 유효부 이외의 비유효부를 포함하고, 상기 유효부는, 일면 상에 형성된 다수의 소면공, 상기 일면과 반대되는 타면상에 형성된 다수의 대면공; 상기 소면공과 상기 대면공을 연통하는 관통홀 및 상기 다수의 관통홀 사이의 아일랜드부를 포함하고, 상기 비유효부는 서로 이격하는 복수의 제 1홈을 포함하고, 상기 제 1 홈은 서로 이격하여 배치되고, 상기 제 1 홈은 상기 비유효부 전체 면적에 대해 10% 내지 60%의 면적만큼 형성된다.
상기 비유효부에 형성되는 복수의 홈들은 증착용 마스크의 직진도를 향상시킬 수 있다.
즉, 상기 증착용 마스크의 비증착부에 홈들을 형성할 때, 압연된 증착용 마스크의 특성 상 증착용 마스크의 휨이 발생할 수 있다. 즉, 상기 증착용 마스크의 비증착부에 홈들을 형성할 때, 상기 증착용 마스크의 상부와 하부의 크기 차이가 증가되고, 이에 따라, 이러한 차이에 의해 증착용 마스크가 휘게되어, 증착용 마스크의 직진도가 감소될 수 있다.
이에 따라, 상기 비유효부에 특정한 형상을 가지고, 일정한 면적 이상을 가지는 홈들을 형성함에 따라, 증착용 마크스의 휨 현상을 최소화할 수 있다. 즉, 상기 증착용 마스크의 비증착부에 홈들을 형성할 때 발생되는 응력을 상기 홈들에 효과적으로 분산시켜, 응력 발생에 따른 기판의 휨 현상을 최소화하여 증착용 마스크의 직진도를 증가시킬 수 있다.
도 1 내지 도 3은 실시예에 따른 증착용 마스크를 사용하여 기판 상에 유기 물질을 증착하는 공정을 설명하기 위한 개념도들이다.
도 4는 실시예에 따른 증착용 마스크의 평면도를 도시한 도면이다.
도 5는 실시예에 따른 증착용 마스크의 평면도를 도시한 도면이다.
도 6은 실시예에 따른 증착용 비유효부의 평면도를 도시한 도면이다.
도 7은 실시예에 따른 증착용 비유효부의 평면도를 도시한 도면이다.
도 8은 증착용 마스크의 유효부의 평면도를 도시한 도면이다.
도 9는 증착용 마스크의 유효부의 평면도를 도시한 사진이다.
도 10은 도 8 또는 도 9의 A-A'의 단면도 및 B-B'의 단면도를 겹쳐서 도시한 도면이다.
도 11은 실시예에 따른 증착용 마스크의 다른 평면도를 도시한 도면이다.
도 12는 실시예에 따른 증착용 마스크의 도 8 또는 도 9의 B-B' 방향에서의 단면도이다.
도 13은 실시예에 따른 증착용 마스크의 제조 공정을 도시한 도면들이다.
도 14 및 도 15는 실시예에 따른 증착용 마스크를 통해 형성되는 증착 패턴을 나타내는 도면들이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다만, 본 발명의 기술 사상은 설명되는 일부 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있고, 본 발명의 기술 사상 범위 내에서라면, 실시예들간 그 구성 요소들 중 하나 이상을 선택적으로 결합, 치환하여 사용할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에서 사용되는 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는, 명백하게 특별히 정의되어 기술되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일반적으로 이해될 수 있는 의미로 해석될 수 있으며, 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥상의 의미를 고려하여 그 의미를 해석할 수 있을 것이다.
또한, 본 발명의 실시예에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함할 수 있고, “A 및(와) B, C중 적어도 하나(또는 한개이상)”로 기재되는 경우 A, B, C로 조합할 수 있는 모든 조합 중 하나이상을 포함 할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등으로 한정되지 않는다.
그리고, 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 '연결', '결합' 또는 '접속'된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결, 결합 또는 접속되는 경우 뿐만 아니라, 그 구성 요소와 그 다른 구성요소 사이에 있는 또 다른 구성 요소로 인해 '연결', '결합' 또는 '접속＇되는 경우도 포함할 수 있다.
또한, 각 구성 요소의 " 상(위) 또는 하(아래)"에 형성 또는 배치되는 것으로 기재되는 경우, 상(위) 또는 하(아래)는 두 개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되는 경우뿐만 아니라 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 형성 또는 배치되는 경우도 포함한다.
또한 “상(위) 또는 하(아래)”으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
이하 도면들을 참조하여 실시 예에 따른 증착용 마스크를 설명한다.
도 1 내지 도 3은 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)를 사용하여 기판(300) 상에 유기 물질을 증착하는 공정을 설명하기 위한 개념도들이다.
도 1은 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)가 포함된 유기물 증착 장치를 나타낸 도면이고, 도 2는 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)가 마스크 프레임(200) 상에 거치되기 위해 인장되는 것을 도시한 도면이다. 또한, 도 3은 상기 증착용 마스크(100)의 복수 개의 관통 홀을 통해 상기 기판(300) 상에 복수 개의 증착 패턴이 형성되는 것을 도시한 도면이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 유기물 증착 장치는 증착용 마스크(100), 마스크 프레임(200), 기판(300), 유기물 증착 용기(400) 및 진공 챔버(500)를 포함할 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)는 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크는 철(Fe) 및 니켈(Ni)을 포함할 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)는 증착을 위한 유효부에 복수 개의 관통 홀(TH)을 포함할 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 복수 개의 관통 홀(TH)들을 포함하는 증착용 마스크용 기판일 수 있다. 이때, 상기 관통 홀은 기판 상에 형성될 패턴과 대응되도록 형성될 수 있다. 상기 관통 홀은 상기 유효부의 중앙에 위치하는 유효 영역뿐 아니라, 상기 유효부의 외곽에 위치하여 상기 유효 영역을 둘러싸는 외곽 영역에도 형성된다. 상기 증착용 마스크(100)는 증착 영역을 포함하는 상기 유효부 이외의 비유효부를 포함할 수 있다. 상기 비유효부에는 상기 관통 홀이 위치하지 않는다.
상기 마스크 프레임(200)은 개구 영역을 포함할 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 복수 개의 관통 홀은 상기 개구부와 대응되는 영역 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 유기물 증착 용기(400)로 공급되는 유기 물질이 상기 기판(300) 상에 증착될 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 상기 마스크 프레임(200) 상에 배치되어 고정될 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 일정한 인장력으로 인장되고, 상기 마스크 프레임(200) 상에 용접에 의하여 고정될 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착용 마스크(100)의 최외곽에 배치된 가장자리에서, 서로 반대되는 방향으로 인장될 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착용 마스크(100)의 길이 방향에서, 상기 증착용 마스크(100)의 일단 및 상기 일단과 반대되는 타단이 서로 반대되는 방향으로 잡아 당겨질 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 일단과 상기 타단은 서로 마주보며 평행하게 배치될 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)의 일단은 상기 증착용 마스크(100)의 최외곽에 배치된 4개의 측면을 이루는 단부 중 어느 하나일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 약 0.1 kgf 내지 약 2 kgf의 인장력으로 인장될 수 있다. 자세하게, 상기 증착용 마스크는 0.4 kgf 내지 약 1.5 kgf의 인장력으로 인장되어 상기 마스크 프레임(200) 상에 고정될 수 있다.
이에 따라, 상기 증착용 마스크(100)의 응력은 감소될 수 있다. 그러나, 실시예는 이에 제한되지 않고, 상기 증착용 마스크(100)의 응력을 감소시킬 수 있는 다양한 인장력으로 인장되어 상기 마스크 프레임(200) 상에 고정될 수 있다.
이어서, 상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착용 마스크(100)의 비유효부를 용접함에 따라, 상기 마스크 프레임(200)에 상기 증착용 마스크(100)를 고정할 수 있다. 그 다음으로, 상기 마스크 프레임(200)의 외부에 배치되는 상기 증착용 마스크(100)의 일부분은 절단 등의 방법으로 제거될 수 있다.
상기 기판(300)은 표시 장치의 제조에 사용되는 기판일 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(300)은 OLED 화소 패턴용 유기물 증착을 위한 기판(300)일 수 있다. 상기 기판(300) 상에는 빛의 3원색인 화소를 형성하기 위하여 적색(Red), 녹색(Greed) 및 청색(Blue)의 유기물 패턴이 형성될 수 있다. 즉, 상기 기판(300) 상에는 RGB 패턴이 형성될 수 있다.
상기 유기물 증착 용기(400)는 도가니일 수 있다. 상기 도가니의 내부에는 유기 물질이 배치될 수 있다.
상기 진공 챔버(500) 내에서 상기 도가니에 열원 및/또는 전류가 공급됨에 따라, 상기 유기 물질은 상기 기판(300) 상에 증착될 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 일면(101) 및 상기 일면과 반대되는 타면(102)을 포함할 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)의 상기 일면(101)은 소면공(V1)을 포함하고, 상기 타면은 대면공(V2)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)의 일면(101) 및 타면(102) 각각은 복수 개의 소면공(V1)들 및 복수 개의 대면공(V2)들을 포함할 수 있다.
또한, 상기 증착용 마스크(100)는 관통 홀(TH)을 포함할 수 있다. 상기 관통 홀(TH)은 상기 소면공(V1) 및 상기 대면공(V2)의 경계가 연결되는 연통부(CA)에 의하여 연통될 수 있다.
또한, 상기 증착용 마스크(100)는 상기 소면공(V1) 내의 제 1 내측면(ES1)을 포함할 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 상기 대면공(V2) 내의 제 2 내측면(ES2)을 포함할 수 있다. 상기 관통 홀(TH)은 상기 소면공(V1) 내의 제 1 내측면(ES1) 및 상기 대면공(V2) 내의 제 2 내측면(ES2)이 서로 연통하여 형성될 수 있다.
예를 들어, 하나의 소면공(V1) 내의 제 1 내측면(ES1)은 하나의 대면공(V2) 내의 제 2 내측면(ES2)과 연통하여 하나의 관통 홀을 형성할 수 있다. 이에 따라, 상기 관통 홀(TH)의 수는 상기 소면공(V1) 및 상기 대면공(V2)의 수와 대응될 수 있다.
상기 대면공(V2)의 폭은 상기 소면공(V1)의 폭보다 클 수 있다. 이때, 상기 소면공(V1)의 폭은 상기 증착용 마스크(100)의 일면(101)에서 측정되고, 상기 대면공(V2)의 폭은 상기 증착용 마스크(100)의 타면(102)에서 측정될 수 있다.
상기 소면공(V1)은 상기 기판(300)을 향하여 배치될 수 있다. 상기 소면공(V1)은 상기 기판(300)과 가까이 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 소면공(V1)은 증착 물질, 즉 증착 패턴(DP)과 대응되는 형상을 가질 수 있다.
상기 대면공(V2)은 상기 유기물 증착 용기(400)를 향하여 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 대면공(V2)은 상기 유기물 증착 용기(400)로부터 공급되는 유기물질을 넓은 폭에서 수용할 수 있고, 상기 대면공(V2)보다 폭이 작은 상기 소면공(V1)을 통해 상기 기판(300) 상에 미세한 패턴을 빠르게 형성할 수 있다.
도 4 및 도 5는 실시예에 따른 증착용 마스크(100)의 평면도를 도시한 도면이다. 도 4 및 도 5를 참조하여, 상기 증착용 마스크(100)를 보다 구체적으로 설명한다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 증착 영역(DA) 및 비증착 영역(NDA)을 포함할 수 있다.
상기 증착 영역(DA)은 증착 패턴을 형성하기 위한 영역일 수 있다. 따라서, 상기 증착 영역(DA)은 증착 패턴을 형성하는 유효부를 포함할 수 있다. 상기 증착 영역(DA)은 패턴 영역 및 비패턴 영역을 포함할 수 있다. 상기 패턴 영역은 소면공(V1), 대면공(V2), 관통 홀(TH), 제 1 홈(G1) 및 아일랜드부(IS)를 포함하는 영역일 수 있고, 상기 비패턴 영역은 소면공(V1), 대면공(V2), 관통 홀(TH), 제 1 홈(G1) 및 아일랜드부(IS)를 포함하지 않는 영역일 수 있다. 여기에서, 상기 증착 영역은 후술할 유효 영역과 외곽 영역을 포함하는 유효부와, 증착이 진행되지 않는 비유효부를 포함할 수 있다.
또한, 하나의 증착용 마스크(100)는 복수 개의 증착 영역(DA)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 실시 예의 상기 증착 영역(DA)은 복수 개의 증착 패턴을 형성할 수 있는 복수 개의 유효부를 포함할 수 있다.
그리고, 상기 복수 개의 유효부 각각은, 상기 유효부의 중심 영역에 대응하는 복수의 유효 영역(AA1, AA2, AA3)과, 상기 복수의 유효 영역(AA1, AA2, AA3)의 주변을 둘러싸며 위치하고 상기 유효부의 외곽에 배치되는 복수의 외곽 영역(OA1, OA2, OA3)을 포함할 수 있다.
상기 복수의 유효 영역(AA1, AA2, AA3)은 제 1 유효 영역(AA1), 제 2 유효 영역(AA2) 및 제 3 유효 영역(AA3)를 포함할 수 있다.
여기서 하나의 증착 영역(DA)은 제 1 유효 영역(AA1)과 상기 제 1 유효 영역(AA1)을 둘러싸는 제 1 외곽 영역(OA1)을 포함하는 제 1 유효부일 수 있다.
또한, 하나의 증착 영역(DA)은 제 2 유효 영역(AA2)과 상기 제 2 유효 영역(AA2)을 둘러싸는 제 2 외곽 영역(OA2)을 포함하는 제 2 유효부일 수 있다.
또한, 하나의 증착 영역(DA)은 제 3 유효 영역(AA3)과 상기 제 3 유효 영역(AA3)을 둘러싸는 제 3 외곽 영역(OA3)을 포함하는 제 3 유효부일 수 있다.
스마트폰과 같은 소형 표시 장치의 경우, 증착용 마스크(100)에 포함된 복수의 증착 영역 중 어느 하나의 유효부는 하나의 표시장치를 형성하기 위한 것일 수 있다. 이에 따라, 하나의 증착용 마스크(100)는 복수의 유효부를 포함할 수 있어, 여러 개의 표시장치를 동시에 형성할 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 공정 효율을 향상시킬 수 있다.
이와 다르게, 텔레비전과 같은 대형 표시 장치의 경우, 하나의 증착용 마스크(100)에 포함된 여러 개의 유효부가 하나의 표시장치를 형성하기 위한 일부일 수 있다. 이때, 상기 복수의 유효부는 마스크의 하중에 의한 변형을 방지하기 위한 것일 수 있다.
상기 증착 영역(DA)은 하나의 증착용 마스크(100)에 포함된 복수의 분리 영역(IA1, IA2)을 포함할 수 있다. 자세하게, 인접한 유효부 사이에는 분리 영역(IA1, IA2)이 배치될 수 있다.
상기 분리 영역(IA1, IA2)은 복수 개의 유효부 사이의 이격 영역일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 유효 영역(AA1)의 상기 제 1 외곽 영역(OA1) 및 상기 제 2 유효 영역(AA2)의 상기 제 2 외곽 영역(OA2) 사이에는 제 1 분리 영역(IA1)이 배치될 수 있다.
또한, 상기 제 2 유효 영역(AA2)의 상기 제 2 외곽 영역(OA2) 및 상기 제 3 유효 영역(AA3)의 상기 제 3 외곽 영역(OA3) 사이에는 제 2 분리 영역(IA2)이 배치될 수 있다.
즉, 상기 분리 영역(IA1, IA2)에 의해 인접한 유효부를 서로 구별할 수 있고, 하나의 증착용 마스크(100)가 복수의 유효부를 지지할 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착 영역(DA)의 길이 방향의 양 측부의 비증착 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 상기 증착 영역(DA)의 수평 방향의 양측에 상기 비증착 영역(NDA)을 포함할 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)의 상기 비증착 영역(NDA)은 증착에 관여하지 않는 영역일 수 있다. 상기 비증착 영역(NDA)은 상기 증착용 마스크(100)를 마스크 프레임(200)에 고정하기 위한 프레임 고정영역(FA1, FA2)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 비증착 영역(NDA)은 제 2 홈들(G2-1, G2-2) 및 오픈부를 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이 상기 증착 영역(DA)은 증착 패턴을 형성하기 위한 영역일 수 있고, 상기 비증착 영역(NDA)은 증착에 관여하지 않는 영역일 수 있다. 이때, 상기 증착용 마스크(100)의 상기 증착 영역(DA)에는 상기 금속판(10) 재질과 다른 표면 처리층을 형성할 수 있고, 상기 비증착 영역(NDA)에는 표면 처리층을 형성하지 않을 수 있다.
또는, 증착용 마스크(100)의 일면(101) 또는 타면(102) 중 어느 한 면에만 상기 금속판(10)의 재질과 다른 표면 처리층을 형성할 수 있다.
또는, 증착용 마스크(100)의 일면(101)의 일부분에만 상기 금속판(10)의 재질과 다른 표면 처리층을 형성할 수 있다. 예를 들어, 증착용 마스크(100)의 일면(101) 및/또는 타면(102), 증착용 마스크(100)의 전체 및/또는 일부는 상기 금속판(10) 재질보다 식각 속도가 느린 표면 처리층을 포함할 수 있어, 식각 팩터를 향상시킬 수 있다.
이에 따라, 실시 예의 증착용 마스크(100)는 미세한 크기의 관통 홀을 높은 효율로 형성할 수 있다. 일례로, 실시예의 증착용 마스크(100)는 400PPI 이상의 해상도를 가질 수 있다. 구체적으로, 상기 증착용 마스크(100)는 500PPI 이상의 높은 해상도를 가지는 증착 패턴을 높은 효율로 형성할 수 있다. 여기에서, 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)의 재질과 다른 원소를 포함하거나, 동일한 원소의 조성이 다른 금속 물질을 포함하는 것을 의미할 수 있다. 이와 관련하여서는 후술한 증착용 마스크의 제조 공정에서 보다 상세히 설명하기로 한다.
상기 비증착 영역(NDA)은 제 2 홈들(G2-1. G2-2)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)의 상기 비증착 영역(NDA)은 상기 증착 영역(DA)의 일측에 제 2-1 홈(G2-1)을 포함할 수 있고, 상기 증착 영역(DA)의 상기 일측과 반대되는 타측에 제 2-2 홈(G2-2)를 포함할 수 있다.
상기 제 2-1 홈(G2-1) 및 상기 제 2-2 홈(G2-2)는 증착용 마스크(100)의 깊이 방향으로 홈이 형성되는 영역일 수 있다. 상기 제 2-1 홈(G2-1) 및 상기 제 2-2 홈(G2-2)는 증착용 마스크의 약 1/2 두께의 홈을 가질 수 있어, 증착용 마스크(100)의 인장시 응력을 분산시킬 수 있다.
또한, 상기 제 2-1 홈(G2-1) 및 상기 제 2-2 홈(G2-2)은 상기 증착용 마스크(100)의 중심을 기준으로 X축 방향으로 대칭되거나 Y축 방향으로 대칭되도록 형성하는 것이 바람직하다. 이를 통해 양방향으로의 인장력을 균일하게 조절할 수 있다.
상기 제 2-1 홈(G2-1) 및 상기 제 2-2 홈(G2-2)은 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 상기 제 2-1 홈(G2-1) 및 상기 제 2-2 홈(G2-2)은 반원 형상의 홈을 포함할 수 있다. 상기 제 2-1 홈(G2-1) 및 상기 제 2-2 홈(G2-2)은 상기 증착용 마스크(100)의 일면(101) 및 상기 일면(101)과 반대되는 타면(102) 중 적어도 하나의 면 상에 형성될 수 있다. 바람직하게, 상기 제 2-1 홈(G2-1) 및 상기 제 2-2 홈(G2-2)은 소면공(V1)과 대응되는 면 상에 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 2-1 홈(G2-1) 및 상기 제 2-2 홈(G2-2)은 소면공(V1)과 동시에 형성될 수 있으므로 공정 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 제 2-1 홈(G2-1) 및 상기 제 2-2 홈(G2-2)은 대면공(V2) 사이의 크기 차이에 의해 발생할 수 있는 응력을 분산시킬 수 있다.
상기 제 2-1 홈(G2-1) 및 상기 제 2-2 홈(G2-2)은 사각형 형상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2-1 홈(G2-1) 및 상기 제 2-2 홈(G2-2)은 직사각형 또는 정사각형 형상일 수 있다. 이에 따라 상기 증착용 마스크(100)는 효과적으로 응력을 분산시킬 수 있다.
또한, 상기 제 2-1 홈(G2-1) 및 상기 제 2-2 홈(G2-2)은 곡면 및 평면을 포함할 수 있다. 상기 제 2-1 홈(G2-1)의 평면은 상기 제 1 유효 영역(AA1)과 인접하게 배치될 수 있고, 상기 평면은 증착용 마스크(100)의 길이 방향의 끝단과 수평하게 배치될 수 있다. 상기 제 2-1 홈(G2-1)의 곡면은 증착용 마스크(100)의 길이 방향의 일단을 향해서 볼록한 형상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2-1 홈(G2-1)의 곡면은 증착용 마스크(100)의 수직 방향 길이의 1/2 지점이 반원형상의 반지름과 대응되도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 제 2-2 홈(G2-2)의 평면은 상기 제 3 유효 영역(AA3)과 인접하게 배치될 수 있고, 상기 평면은 증착용 마스크(100)의 길이 방향의 끝단과 수평하게 배치될 수 있다. 상기 제 2-2 홈(G2-2)의 곡면은 증착용 마스크(100)의 길이 방향의 타단을 향해서 볼록한 형상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2-2 홈(G2-2)의 곡면은 증착용 마스크(100)의 수직 방향 길이의 1/2 지점이 반원형상의 반지름과 대응되도록 형성될 수 있다.
상기 제 2-1 홈(G2-1) 및 제 2-2 홈(G2-2)은 소면공(V1) 또는 대면공(V2)을 형성할 때 동시에 형성할 수 있다. 이를 통해 공정 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 증착용 마스크(100)의 일면(101) 및 타면(102)에 형성되는 홈들은 서로 어긋나게 형성할 수 있다. 이를 통해 상기 제 2-1 홈(G2-1) 및 상기 제 2-2 홈(G2-2)가 관통되지 않을 수 있다.
또한, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 4개의 제 2 홈들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2-1 홈(G2-1) 및 상기 제 2-2 홈(G2-2)는 짝수 개의 홈들을 포함할 수 있어 응력을 보다 효율적으로 분산할 수 있다.
또한, 상기 제 2-1 홈(G2-1) 및 상기 제 2-2 홈(G2-2)은 프레임 고정영역(FA1, FA2) 및/또는 프레임 고정영역(FA1, FA2)의 주변영역에도 형성될 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)를 마스크 프레임(200)에 고정할 때, 및/또는 증착용 마스크(100)를 마스크 프레임(200)에 고정한 후에 증착물을 증착할 때에 발생하는 증착용 마스크(100)의 응력을 균일하게 분산시킬 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)가 균일한 관통 홀을 가지도록 유지할 수 있다.
즉, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 복수 개의 제 2 홈들을 포함할 수 있다. 자세하게, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 비증착 영역(NDA)에만 제 2 홈들을 포함하는 것으로 도시하였으나 이에 제한되지 않고 상기 증착 영역(DA) 및 상기 비증착 영역(NDA) 중 적어도 하나의 영역에도 복수 개의 홈들을 더 포함할 수 있다. 이에 따라 증착용 마스크(100)의 응력을 균일하게 분산시킬 수 있다. 상기 증착 영역(DA) 중 상기 비유효 영역에 형성되는 홈들에 대해서는 이하에서 상세하게 설명한다.
상기 비증착 영역(NDA)은 상기 증착용 마스크(100)를 상기 마스크 프레임(200)에 고정하기 위한 프레임 고정영역(FA1, FA2)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착 영역(DA)의 일측에 제 1 프레임 고정영역(FA1)을 포함할 수 있고, 상기 증착 영역(DA)의 상기 일측과 반대되는 타측에 제 2 프레임 고정영역(FA2)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 프레임 고정영역(FA1) 및 상기 제 2 프레임 고정영역(FA2)은 용접에 의해서 마스크 프레임(200)과 고정되는 영역일 수 있다.
상기 프레임 고정영역(FA1, FA2)은 상기 비증착 영역(NDA)의 제 2 홈들(G2-1, G2-2) 및 상기 제 2 홈들(G2-1, G2-2)과 인접한 상기 증착 영역(DA)의 유효부의 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 프레임 고정영역(FA1)은 상기 비증착 영역(NDA)의 제 2-1 홈(G2-1) 및 상기 제 2-1 홈(G2-1)과 인접한 상기 증착 영역(DA)의 제 1 유효 영역(AA1) 및 제 1 외곽 영역(OA1)을 포함한 제 1 유효부의 사이에 배치될 수 있다.
예를 들어, 상기 제 2 프레임 고정영역(FA2)은 상기 비증착 영역(NDA)의 제 2-2 홈(G2-2) 및 상기 제 2-2 홈(G2-2)과 인접한 상기 증착 영역(DA)의 제 3 유효 영역(AA3) 및 제 3 외곽 영역(OA3)을 포함한 제 3 유효부의 사이에 배치될 수 있다. 이에 따라, 복수 개의 증착 패턴부를 동시에 고정할 수 있다.
또한, 상기 증착용 마스크(100)는 수평 방향(X)의 양 끝단에 반원 형상의 오픈부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 비증착 영역(NDA)은 오픈부를 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 비증착 영역(NDA)은 수평 방향의 양 끝단에 각각 하나의 반원 형상의 오픈부를 포함할 수 있다.
예를 들어, 증착용 마스크(100)의 상기 비증착 영역(NDA)은 수평방향의 일측에는 수직 방향(Y)의 중심이 오픈된 오픈부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 증착용 마스크(100)의 상기 비증착 영역(NDA)은 수평방향의 상기 일측과 반대되는 타측에는 수직 방향의 중심이 오픈된 오픈부를 포함할 수 있다. 즉, 증착용 마스크(100)의 양 끝단은 수직 방향 길이의 1/2 지점이 오픈부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 증착용 마스크(100)의 양 끝단은 말발굽과 같은 형태일 수 있다.
이때, 상기 오픈부의 곡면은 상기 제 2 홈들(G2-1, G2-2)을 향할 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)의 양 끝단에 위치한 오픈부는 상기 제 2-1 홈(G2-1) 또는 제 2-2 홈(G2-2)과 상기 증착용 마스크(100)의 수직 방향 길이의 1/2 지점에서 이격 거리가 제일 짧을 수 있다.
또한, 상기 오픈부의 수직방향의 길이(d2)는, 상기 제 2-1 홈(G2-1) 또는 상기 제 2-2 홈(G2-2)의 수직방향의 길이(d1)와 대응될 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크(100)를 인장하는 경우 응력이 고르게 분산될 수 있어 증착용 마스크의 변형(wave deformation)을 감소시킬 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 균일한 관통 홀을 가질 수 있어, 패턴의 증착효율이 향상될 수 있다. 바람직하게, 상기 제 2-1 홈(G2-1) 또는 상기 제 2-2 홈(G2-2)의 수직방향의 길이(d1)는 상기 오픈부의 수직방향의 길이(d2)의 약 80% 내지 약 200%일 수 있다(d1:d2 = 0.8~2:1).
상기 제 2-1 홈(G2-1) 또는 상기 제 2-2 홈(G2-2)의 수직방향의 길이(d1)는 상기 오픈부의 수직방향의 길이(d2)의 약 90% 내지 약 150%일 수 있다(d1:d2 = 0.9~1.5:1).
상기 제 2-1 홈(G2-1) 또는 상기 제 2-2 홈(G2-2)의 수직방향의 길이(d1)는 상기 오픈부의 수직방향의 길이(d2)의 약 95% 내지 약 110%일 수 있다(d1:d2 = 0.95~1.1:1).
상기 증착용 마스크(100)는 길이 방향으로 이격된 복수 개의 유효부 및 상기 유효부 이외의 비유효부(UA)를 포함할 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)의 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)는 복수 개의 관통홀(TH)과 복수 개의 관통홀 사이를 지지하는 아일랜드부(IS)를 포함할 수 있다. 상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착 마스크의 유효부의 일면 또는 타면에서 식각되지 않은 부분을 의미할 수 있다. 자세하게, 상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착 마스크의 유효부의 대면공이 형성된 타면에서 관통홀과 관통홀 사이의 식각되지 않은 영역일 수 있다. 따라서 상기 아일랜드부(IS)는 증착용 마스크의 일면과 평행하게 배치될 수 있다.
상기 아일랜드부(IS)는 증착용 마스크의 타면과 동일평면에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 아일랜드부(IS)는 증착용 마스크의 타면에서 비유효부의 적어도 일 부분과 두께가 동일할 수 있다. 자세하게, 상기 아일랜드부(IS)는 증착용 마스크의 타면에서 비유효부 중 식각되지 않은 부분과 두께가 동일할 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크를 통해 서브 픽셀의 증착 균일성을 향상시킬 수 있다.
또는, 상기 아일랜드부(IS)는 증착용 마스크의 타면과 평행한 평면에 배치될 수 있다. 여기에서, 평행한 평면이라는 것은 상기 아일랜드부(IS) 주위의 식각공정에 의해서 아일랜드부(IS)가 배치되는 증착용 마스크의 타면과 비유효부 중 비식각된 증착용 마스크의 타면의 높이 단차가 ± 1 ㎛ 이하인 것을 포함할 수 있다.
복수 개의 관통홀 중 인접한 관통홀 사이에는 아일랜드부(IS)가 위치할 수 있다. 즉, 상기 증착용 마스크(100)의 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)에서 관통홀 이외의 영역은 아일랜드부(IS)일 수 있다.
상기 유효부(AA1, AA2, AA3)는 상기 증착용 마스크(100)의 일면 상에 형성된 다수의 소면공(V1), 상기 일면과 반대되는 타면 상에 형성된 다수의 대면공(V2), 상기 소면공 및 상기 대면공의 경계가 연결되는 연통부(CA)에 의해 형성되는 관통홀(TH)을 포함할 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)는 상기 유효부의 외곽에 배치되는 비유효부(UA)를 포함할 수 있다.
상기 유효부(AA)는 복수 개의 관통홀들 중 유기물질을 증착하기 위한 최외곽에 위치한 관통홀들의 외곽을 연결하였을 때의 안쪽 영역일 수 있다. 상기 비유효부(UA)는 복수 개의 관통홀들 중 유기물질을 증착하기 위한 최외곽에 위치한 관통홀들의 외곽을 연결하였을 때의 바깥쪽 영역일 수 있다.
상기 비유효부(UA)는 상기 증착 영역(DA)의 유효부를 제외한 영역이며, 비증착 영역이다. 상기 비유효부(UA)는 유효부(AA1, AA2, AA3)의 외곽을 둘러싸는 외곽영역(OA1, OA2, OA3)을 포함할 수 있다.
실시예에 따른 증착용 마스크는 복수 개의 외곽영역(OA1, OA2, OA3)을 포함할 수 있다. 상기 외곽영역 개수는 상기 유효부의 개수와 대응될 수 있다. 즉, 하나의 유효부는 유효부의 끝단으로부터 수평방향 및 수직방향에서 각각 일정한 거리로 떨어진 하나의 외곽영역을 포함할 수 있다.
상기 제 1 유효부(AA1)는 제 1 외곽영역(OA1) 내에 포함될 수 있다. 상기 제 1 유효부(AA1)은 증착물질을 형성하기 위한 복수 개의 관통홀을 포함할 수 있다. 상기 제 1 유효부(AA1)의 외곽을 둘러싸는 상기 제 1 외곽영역(OA1)은 복수 개의 관통홀을 포함할 수 있다.
상기 제 1 유효부(AA1)의 관통홀(TH)의 형상은 상기 제 1 외곽영역(OA1) 관통홀의 형상과 서로 대응될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 유효부(AA1)에 포함된 관통홀의 균일성을 향상시킬 수 있다. 일례로, 상기 제 1 유효부(AA1)의 관통홀(TH)의 형상 및 상기 제 1 외곽영역(OA1) 관통홀의 형상은 원형일 수 있다. 다만, 실시예는 이에 제한되지 않고, 관통홀은 다이아몬드 패턴, 타원형 패턴 등 다양한 형상일 수 있음은 물론이다.
상기 제 1 외곽영역(OA1)에 포함되는 복수 개의 관통홀은 유효부의 최외곽에 위치한 관통홀들의 에칭 불량을 감소시키기 위한 것이다. 이에 따라, 실시예에 따른 증착용 마스크는 유효부에 위치한 복수 개의 관통홀들의 균일성을 향상시킬 수 있고, 이를 통해 제조되는 증착패턴의 품질을 향상시킬 수 있다.
상기 유효부에 포함된 관통홀은 상기 외곽 영역에 포함된 관통홀과 부분적으로 대응되는 형상을 가질 수 있다. 일례로, 상기 유효부에 포함된 관통홀은 상기 외곽 영역에 위치한 관통홀과 서로 다른 형상을 포함할 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크의 위치에 따른 응력의 차이를 조절 할 수 있다.
상기 제 2 유효부(AA2)는 제 2 외곽영역(OA2) 내에 포함될 수 있다. 상기 제 2 유효부(AA2)는 상기 제 1 유효부(AA1)와 서로 대응되는 형상일 수 있다. 상기 제 2 외곽영역(OA2)은 상기 제 1 외곽영역(OA1)과 서로 대응되는 형상일 수 있다.
상기 제 2 외곽영역(OA2)은 상기 제 2 유효부(AA2)의 최외곽에 위치한 관통홀로부터 수평방향 및 수직방향에 각각 두 개의 관통홀을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 외곽영역(OA2)은 상기 제 2 유효부(AA2)의 최외곽에 위치한 관통홀의 상부 및 하부의 위치에 각각 두 개의 관통홀이 수평방향으로 일렬로 배치될 수 있다.
예를 들어, 상기 제 2 외곽영역(OA2)은 상기 제 2 유효부(AA2)의 최외곽에 위치한 관통홀의 좌측 및 우측에 각각 두 개의 관통홀이 수직방향으로 일렬로 배치될 수 있다. 상기 제 2 외곽영역(OA2)에 포함되는 복수 개의 관통홀은 유효부의 최외곽에 위치한 관통홀들의 에칭 불량을 감소시키기 위한 것이다. 이에 따라, 실시예에 따른 증착용 마스크는 유효부에 위치한 복수 개의 관통홀들의 균일성을 향상시킬 수 있고, 이를 통해 제조되는 증착패턴의 품질을 향상시킬 수 있다.
상기 제 3 유효부(AA3)는 제 3 외곽영역(OA3) 내에 포함될 수 있다. 상기 제 3 유효부(AA3)는 증착물질을 형성하기 위한 복수 개의 관통홀을 포함할 수 있다. 상기 제 3 유효부(AA3)의 외곽을 둘러싸는 상기 제 3 외곽영역(OA3)은 복수 개의 관통홀을 포함할 수 있다.
상기 제 3 유효부(AA3)는 상기 제 1 유효부(AA1)와 서로 대응되는 형상일 수 있다. 상기 제 3 외곽영역(OA3)은 상기 제 1 외곽영역(OA1)과 서로 대응되는 형상일 수 있다.
상기 비유효부(UA)에는 복수 개의 제 1 홈들이 형성될 수 있다. 자세하게, 상기 비유효부(UA)에는 상기 유효부(AA)에 형성되는 관통홀과 서로 다른 형상 및 깊이를 가지는 복수의 제 1 홈(G1)들이 형성될 수 있다.
상기 제 1 홈(G1)은 상기 증착용 마스크의 일면 및 타면 중 적어도 하나의 면 상에 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 제 1 홈(G1)은 상기 증착용 마스크의 일면(101) 및 상기 일면과 반대되는 타면(102) 중 적어도 하나의 면 상에 형성될 수 있다.
바람직하게, 상기 제 1 홈(G1)은 소면공(V1)과 대응되는 면 상에 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 홈(G1)은 소면공(V1)과 동시에 형성될 수 있으므로 공정 효율을 향상시킬 수 있다.
또는, 상기 제 1 홈(G1)은 소면공(V1) 및 대면공(V2)과 대응되는 면 상에 각각 형성될 수 있다.
이때, 상기 제 1 홈(G1)이 상기 증착용 마스크의 일면 및 타면 모두에 형성되는 경우, 각각의 면에 형성되는 제 1 홈들은 서로 중첩되지 않을 수 있다.
상기 제 1 홈(G1)은 상기 비유효부(UA)에 복수 개로 형성될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 홈(G1)은 상기 비유효부(UA)에 서로 이격하여 복수 개의 홈들로 형성될 수 있다.
도 4 및 도 6를 참조하면, 상기 비유효부(UA)에는 상기 유효부(AA)의 관통홀과 다른 형상으로 형성되는 복수의 제 1 홈(G1)들이 형성될 수 있다.
상기 제 1 홈(G1)의 적어도 일면은 곡면을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 4 및 도 6를 참조하면 상기 제 1 홈(G1)은 도트(dot) 형상으로 형성될 수 있다
상기 제 1 홈(G1)은 외측부(GO)과 내측부(GI)를 포함할 수 있다. 상기 외측부(GO)는 상기 내측부(GI)를 감싸면서 배치될 수 있다. 즉, 상기 외측부(GO)는 상기 내측부(GI)를 둘러싸며 배치될 수 있다.
상기 외측부(GO)는 상기 증착용 마스크의 깊이 방향으로 홈이 형성되는 영역일 수 있다. 또한, 상기 내측부(GI)는 상기 증착용 마스크의 일면 또는 타면과 평행하게 배치되는 영역일 수 있다. 즉, 상기 내측부(GI)는 상기 비유효부(UA)에서 홈이 형성되지 않는 영역으로 정의될 수 있다.
상기 외측부(GO)의 크기는 상기 유효부의 관통홀의 크기와 동일하거나 또는 다를 수 있다.
상기 외측부(GO)는 일정한 형상으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 외측부(GO)의 외곽 라인은 도트(dot) 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 내측부(GI)는 일정한 형상으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 내측부(GI)는 상기 외측부(GO)의 형상과 동일한 도트(dot) 형상으로 형성될 수 있다.
상기 제 1 홈(G1)은 상기 비유효부(UA) 내에서 일정한 면적만큼 형성될 수 있다.
자세하게, 상기 제 1 홈(G1)의 면적은 상기 비유효부(UA)의 전체 면적에 대해서 60% 이하의 면적으로 형성될 수 있다.
자세하게, 상기 제 1 홈(G1)의 면적은 상기 비유효부(UA)의 전체 면적에 대해 10% 내지 60%의 면적으로 형성될 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 홈(G1)의 면적은 상기 비유효부(UA)의 전체 면적에 대해 20% 내지 55%의 면적으로 형성될 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 홈(G1)의 면적은 상기 비유효부(UA)의 전체 면적에 대해 30% 내지 50%의 면적으로 형성될 수 있다.
상기 제 1 홈(G1)의 면적이 상기 비유효부(UA)의 전체 면적에 대해 10% 미만으로 형성되는 경우, 상기 제 2 홈(G2)들을 형성할 때 상기 제 2 홈 형성 중 발생하는 응력 및 증착용 마스크를 인장할 때 발생하는 인장 응력을 제 1 홈에 의해 충분하게 분산할 수 없어 증착용 마스크 직진도가 저하될 수 있다. 또한, 상기 제 1 홈의 면적이 상기 비유효부(UA)의 전체 면적에 대해 60%를 초과하여 형성되는 경우, 상기 증착용 마스크의 강도가 저하될 수 있다.
한편, 도 5 및 도 7를 참조하면, 상기 비유효부(UA)에는 상기 유효부(AA)의 관통홀과 다른 형상 및 깊이로 형성되는 복수의 제 1 홈들이 형성될 수 있다.
상기 제 1 홈(G1)의 적어도 일면은 곡면을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 5 및 도 7를 참조하면 상기 제 1 홈(G1)은 스트라이프(stripe) 형상으로 형성될 수 있다.
즉, 상기 제 1 홈(G1)은 상기 증착용 마스크의 인장 방향으로 연장되는 스트라이프 형상으로 형성될 수 있다.
상기 제 1 홈(G1)은 외측부(GO)과 내측부(GI)를 포함할 수 있다. 상기 외측부(GO)는 상기 내측부(GI)를 감싸면서 배치될 수 있다. 즉, 상기 외측부(GO)는 상기 내측부(GI)를 둘러싸며 배치될 수 있다.
상기 외측부(GO)는 상기 증착용 마스크의 깊이 방향으로 홈이 형성되는 영역일 수 있다. 또한, 상기 내측부(GI)는 상기 증착용 마스크의 일면 또는 타면과 평행하게 배치되는 영역일 수 있다. 즉, 상기 내측부(GI)는 상기 비유효부(UA)에서 홈이 형성되지 않은 영역으로 정의될 수 있다.
상기 외측부(GO)는 일정한 형상으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 외측부(GO)의 외곽 라인은 스트라이프(stripe) 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 내측부(GI)는 일정한 형상으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 내측부(GI)는 상기 외측부(GO)의 형상과 동일한 스트라이프(stripe) 형상으로 형성될 수 있다.
상기 제 1 홈(G1)은 상기 비유효부(UA) 내에서 일정한 면적만큼 형성될 수 있다.
자세하게, 상기 제 1 홈(G1)의 면적은 상기 비유효부(UA)의 전체 면적에 대해서 60% 이하의 면적으로 형성될 수 있다.
자세하게, 상기 제 1 홈(G1)의 면적은 상기 비유효부(UA)의 전체 면적에 대해 10% 내지 60%의 면적으로 형성될 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 홈(G1)의 면적은 상기 비유효부(UA)의 전체 면적에 대해 20% 내지 55%의 면적으로 형성될 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 홈(G1)의 면적은 상기 비유효부(UA)의 전체 면적에 대해 30% 내지 50%의 면적으로 형성될 수 있다.
상기 제 1 홈(G1)의 면적이 상기 비유효부(UA)의 전체 면적에 대해 10% 미만으로 형성되는 경우, 상기 제 2 홈(G2)들을 형성할 때 제 2 홈 형성 중 발생하는 응력 및 증착용 마스크를 인장할 때 발생하는 인장 응력을 제 1 홈에 의해 충분하게 분산할 수 없어 증착용 마스크 직진도가 저하될 수 있다. 또한, 상기 제 1 홈의 면적이 상기 비유효부(UA)의 전체 면적에 대해 60%를 초과하여 형성되는 경우, 상기 증착용 마스크의 강도가 저하될 수 있다.
상기 비유효부에 형성되는 복수의 제 1 홈들은 증착용 마스크의 직진도를 향상시킬 수 있다.
즉, 상기 증착용 마스크의 비증착부(NDA)에 제 2 홈들을 형성할 때, 압연된 증착용 마스크의 특성 상 증착용 마스크의 휨이 발생할 수 있다. 즉, 상기 증착용 마스크의 비증착부(NDA)에 제 2 홈을 형성할 때, 상기 증착용 마스크의 상부와 하부의 크기 차이가 증가되고, 이에 따라, 이러한 차이에 의해 증착용 마스크가 휘게되어, 증착용 마스크의 직진도가 감소될 수 있다.
이에 따라, 상기 비유효부(UA)에 특정한 형상을 가지고, 일정한 면적 이상을 가지는 제 1 홈들을 형성함에 따라, 증착용 마크스의 휨 현상을 최소화할 수 있다. 즉, 상기 증착용 마스크의 비증착부(NDA)에 제 2 홈들을 형성할 때 발생되는 응력을 상기 제 1 홈에 효과적으로 분산시켜, 응력 발생에 따른 기판의 휨 현상을 최소화하여 증착용 마스크의 직진도를 증가시킬 수 있다.
도 8, 도 9 및 도 11은 증착용 마스크의 유효부의 평면도를 도시한 도면 및 사진이다. 도 8, 도 9 및 도 11은 상기 제 1 유효부(AA1), 상기 제 2 유효부(AA2) 및 상기 제 3 유효부(AA3) 중 어느 하나의 유효부의 평면도 또는 사진이다. 도 8, 도 9 및 도 11은 은 관통홀의 형상 및 관통홀 상호간의 배열을 설명하기 위한 것으로, 실시예에 따른 증착용 마스크는 도면의 관통홀의 개수에 한정되지 않음은 물론이다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 복수 개의 관통홀을 포함할 수 있다. 복수 개의 관통홀은 원형 형상일 수 있다. 이에 따라, 관통홀의 수평 방향의 직경(Cx)과 수직 방향의 직경(Cy)은 서로 대응될 수 있다.
또는, 도 10을 참조하면, 상기 관통홀은 타원형 형상일 수 있다. 이에 따라, 관통홀의 수평 방향의 직경(Cx)과 수직 방향의 직경(Cy)은 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 관통홀의 수평 방향의 직경(Cx)은 수직 방향의 직경(Cy)보다 클 수 있다. 다만, 실시예는 이에 제한되지 않고, 관통홀은 장방형 형상이거나 8각형 형상이거나 라운드진 8각형 형상일 수 있음은 물론이다.
일례로, 임의의 어느 하나의 관통홀인 기준홀의 수평 방향의 직경(Cx)과 수직 방향의 직경(Cy)를 측정하는 경우, 상기 기준홀에 인접하는 홀들 간의 각각의 수평 방향의 직경(Cx)들 간의 편차와, 수직 방향의 직경(Cy)들 간의 편차는 2% 내지 10% 로 구현될 수 있다.
즉, 하나의 기준홀의 인접홀들 간의 크기 편차가 2% 내지 10% 로 구현하는 경우에는 증착의 균일도를 확보할 수 있다. 상기 기준홀과 상기 인접홀들 간의 크기 편차는 4% 내지 9% 일 수 있다. 예를 들어, 상기 기준홀과 상기 인접홀들 간의 크기 편차는 5% 내지 7%일 수 있다. 예를 들어, 상기 기준홀과 상기 인접홀들 간의 크기 편차는 2% 내지 5% 일 수 있다. 상기 기준홀과 상기 인접홀들 간의 크기 편차가 2% 미만인 경우에는, 증착 후 OLED 패널에서 모아레 발생율이 높아질 수 있다.
상기 기준홀과 상기 인접홀들 간의 크기 편차가 10%를 초과인 경우에는, 증착 후의 OLED 패널에서 색 얼룩의 발생율이 높아질 수 있다. 상기 관통홀 직경의 평균편차는 ±5㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀 직경의 평균편차는 ±3㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀 직경의 평균편차는 ±1㎛일 수 있다. 실시예는 상기 기준홀과 상기 인접홀들 간의 크기 편차를 ±3㎛ 이내로 구현함에 따라, 증착 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 관통홀들은 방향에 따라, 일렬로 배치되거나 서로 엇갈려서 배치될 수 있다. 도 8 및 도 9를 참조하면, 상기 관통홀들은 종축에서 일렬로 배치되고, 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다.
제 1 관통홀(Td1) 및 제 2 관통홀(Td2)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다. 또한, 제 3 관통홀(Td3) 및 제 4 관통홀(TH4)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다.
제 1 관통홀(Td1) 및 제 3 관통홀(TH3)은 종축에서 일렬로 배치될 수 있다. 또한, 제 2 관통홀(Td2) 및 제 4 관통홀(TH4)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다.
관통홀이 종축 및 횡축에서 각각 일렬로 배치되는 경우에는, 종축 및 횡축과 모두 교차하는 방향인 대각 방향으로 인접한 두 개의 관통홀 사이에 아일랜드부가 위치할 수 있다. 즉, 서로 대각선 방향에 위치한 두 개의 인접한 관통홀 사이에는 아일랜드부가 위치할 수 있다.
제 1 관통홀(Td1) 및 제 4 관통홀(TH4)의 사이에는 아일랜드부(IS)가 배치될 수 있다. 또한, 제 2 관통홀(Td2) 및 제 3 관통홀(TH3)의 사이에는 아일랜드부(IS)가 배치될 수 있다. 인접한 두 관통홀을 가로지르는 횡축을 기준으로 약 +45도 전후의 경사각 방향 및 약 -45도 전후의 경사각 방향에 아일랜드부(IS)가 각각 위치할 수 있다. 여기에서, 약 ±45 전후의 경사각 방향은 횡축과 종축 사이의 대각 방향을 의미할 수 있고, 상기 대각 방향의 경사각은 횡축 및 종축의 동일 평면에서 측정한 것일 수 있다.
도 11을 참조하면, 관통홀들은 종축 또는 횡축 중 어느 하나의 축에서 일렬로 배치되고, 다른 하나의 축에서 엇갈려서 배치될 수 있다.
제 1 관통홀(Td1) 및 제 2 관통홀(Td2)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다. 제 3 관통홀(Td1) 및 제 4 관톨홀(TH4)은 제 1 관통홀(Td1) 및 제 2 관통홀(Td2)와 각각 종축에서 엇갈려서 배치될 수 있다.
관통홀이 종축 또는 횡축 중 어느 하나의 방향으로 일렬로 배치되고, 다른 하나의 방향으로 엇갈려서 배치되는 경우에는, 종축 또는 횡축 중 다른 하나의 방향으로의 인접한 두 개의 관통홀 사이에 아일랜드부가 위치할 수 있다. 또는, 서로 인접하게 위치한 세 개의 관통홀 사이에 아일랜드부가 위치할 수 있다. 인접한 세 개의 관통홀 중 두 개의 관통홀은 일렬로 배치되는 관통홀이며, 나머지 하나의 관통홀은 상기 일렬 방향과 대응되는 방향의 인접한 위치에서, 상기 두 개의 관통홀 사이의 영역에 배치될 수 있는 관통홀을 의미할 수 있다. 제 1 관통홀(Td1), 제 2 관통홀(Td2) 및 제 3 관통홀(TH3)의 사이에는 아일랜드부(IS)가 배치될 수 있다. 또는, 제 2 관통홀(Td2), 제 3 관통홀(TH3) 및 제 4 관통홀(TH4)의 사이에는 아일랜드부(IS)가 배치될 수 있다.
도 8, 도 9 및 도 11의 아일랜드부(IS)는 유효부(AA)의 대면공이 형성되는 증착용 마스크의 타면에서 관통홀들 사이의 식각되지 않은 면을 의미할 수 있다. 자세하게, 아일랜드부(IS)는 증착용 마스크의 유효부(AA)에서, 대면공 내에 위치한 제 2 내측면(ES2) 및 관통홀(TH)을 제외한 식각되지 않은 증착용 마스크의 타면일 수 있다. 실시예의 증착용 마스크는 500 PPI 내지 800 PPI 이상의 해상도를 가지는 고해상도 내지 초고해상도의 OLED 화소 증착을 위한 것일 수 있다.
예를 들어, 실시예의 증착용 마스크는 500PPI 이상의 해상도를 가지는 QHD(Quad High Definition)의 고해상도를 가지는 증착 패턴을 형성하기 위한 것일 수 있다. 예를 들어, 실시예의 증착용 마스크는 수평방향 및 수직방향에서의 화소수가 2560*1440 이상이고, 530 PPI 이상의 해상도인 OLED 화소 증착을 위한 것일 수 있다. 실시예의 증착 마스크를 통해, 인치당 픽셀수는 5.5인치 OLED 패널을 기준으로 530 PPI 이상일 수 있다. 즉, 실시예의 증착용 마스크에 포함된 하나의 유효부는 해상도 2560*1440 이상의 픽셀 수를 형성하기 위한 것일 수 있다.
예를 들어, 실시예의 증착용 마스크는 700PPI 이상의 해상도를 가지는 UHD(Ultra High Definition)의 초고해상도를 가지는 증착 패턴을 형성하기 위한 것일 수 있다. 예를 들어, 실시예의 증착용 마스크는 수평방향 및 수직방향에서의 화소수가 3840*2160 이상이고, 794 PPI 이상의 OLED 화소 증착을 위한 UHD(Ultra High Definition)급 해상도를 가지는 증착 패턴을 형성하기 위한 것일 수 있다.
하나의 관통홀의 직경은 상기 연통부(CA) 사이의 폭일 수 있다. 자세하게, 하나의 관통홀의 직경은 소면공 내의 내측면의 끝단과 대면공 내의 내측면의 끝단이 만나는 지점에서 측정할 수 있다. 상기 관통홀의 직경의 측정 방향은 수평방향, 수직방향, 대각 방향 중 어느 하나일 수 있다. 수평방향에서 측정된 상기 관통홀의 직경은 33㎛ 이하일 수 있다. 또는, 수평방향에서 측정된 상기 관통홀의 직경은 33㎛ 이하일 수 있다. 또는, 상기 관통홀의 직경은 수평방향, 수직방향, 대각 방향에서 각각 측정한 값의 평균 값일 수 있다.
이에 따라, 실시예에 따른 증착용 마스크는 QHD급 해상도를 구현할 수 있다.
예를 들어, 수평방향에서 상기 관통홀의 직경은 20㎛ 이하일 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 증착용 마스크는 UHD급 해상도를 구현할 수 있다.
예를 들어, 상기 관통홀의 직경은 15㎛ 내지 33㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀의 직경은 19㎛ 내지 33㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀의 직경은 20㎛ 내지 17㎛일 수 있다. 상기 관통홀의 직경이 33㎛ 초과인 경우에는 500PPI 급 이상의 해상도를 구현하기 어려울 수 있다. 한편, 상기 관통홀의 직경이 15㎛ 미만인 경우에는 증착불량이 발생할 수 있다.
상기 관통홀의 직경은 녹색(G) 패턴을 기준으로 측정할 수 있다. R, G, B 패턴 중에 G 패턴은 시각을 통한 인식률이 낮으므로 R, B 패턴보다 많은 수가 요구되며, 관통홀 사이의 간격이 R, B 패턴보다 좁을 수 있기 때문이다.
상기 관통홀의 직경의 측정 방향과 두 개의 관통홀 사이의 간격의 측정 방향은 동일할 수 있다. 상기 관통홀의 간격은 수평 방향 또는 수직 방향으로 인접한 두 개의 관통홀 사이의 간격을 측정한 것일 수 있다.
도 8, 도 9를 참조하면, 수평방향에서 복수 개의 관통홀 중 인접한 두 개의 관통홀 사이의 간격(pitch)은 48㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 관통홀 중 인접한 두 개의 관통홀 사이의 간격(pitch)은 20㎛ 내지 48㎛일 수 있다. 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 관통홀 중 인접한 두 개의 관통홀 사이의 간격(pitch)은 30㎛ 내지 35㎛일 수 있다.
여기에서, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1 관통홀(Td1)의 중심과 제 2 관통홀(Td2)의 중심 사이의 간격(P1)을 의미할 수 있다.
또는, 여기에서, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1 아일랜드부의 중심과 제 2 아일랜드부의 중심 사이의 간격(P2)을 의미할 수 있다. 여기에서, 아일랜드부의 중심은 수평방향 및 수직방향에서 인접한 네 개의 관통홀 사이의 비식각된 타면에서의 중심일 수 있다. 예를 들어, 아일랜드부의 중심은 수평방향에서 인접한 두 개의 제 1 관통홀(Td1) 및 제 2 관통홀(Td2)을 기준으로, 상기 제 1 관통홀(Td1)과 수직방향에서 인접한 제 3 관통홀(TH3) 및 상기 제 2 관통홀(Td2)과 수직방향에서 인접한 제 4 관통홀(TH4) 사이의 영역에 위치한 하나의 아일랜드부(IS)의 에지를 잇는 횡축과 에지를 잇는 종축이 교차하는 지점을 의미할 수 있다.
또는, 여기에서, 상기 간격은 수평방향에서 세 개의 인접한 관통홀 사이의 제 1 아일랜드부의 중심 및 제 1 아일랜드부에 인접한 제 2 아일랜드부의 중심 사이의 간격(P2)을 의미할 수 있다.
도 11을 참조하면, 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1 아일랜드부의 중심과 제 2 아일랜드부의 중심 사이의 간격(P2)을 의미할 수 있다. 여기에서, 아일랜드부의 중심은 하나의 관통홀과 수직 방향에서 인접한 두 개의 관통홀 사이의 비식각된 타면에서의 중심일 수 있다. 또는, 여기에서, 아일랜드부의 중심은 두 개의 관통홀과 수직 방향에서 인접한 하나의 관통홀 사이의 비식각된 타면에서의 중심일 수 있다. 즉, 아일랜드부의 중심은 인접한 세 개의 관통홀 사이의 비식각된 타면에서의 중심이며, 인접한 세 개의 관통홀이란 그 중심을 이었을 때 삼각형 형상을 형성할 수 있는 것을 의미할 수 있다.
예를 들어, 아일랜드부의 중심은 수평방향에서 인접한 두 개의 제 1 관통홀(Td1) 및 제 2 관통홀(Td2) 및, 상기 제 1 관통홀(Td1) 및 상기 제 2 관통홀(Td2) 각각의 수직 방향 사이의 영역에 적어도 일부 또는 전부가 위치한 제 3 관통홀(TH3) 사이의 식각되지 않은 타면에서의 중심일 수 있다.
실시예에 따른 증착용 마스크는 관통홀의 직경이 33um 이하이고, 상기 관통홀 간의 간격(pitch)이 48um 이하임에 따라, 500PPI 이상의 해상도를 가지는 OLED 화소를 증착할 수 있다. 즉, 실시예에 따른 증착용 마스크를 사용하여 QHD급 해상도를 구현할 수 있다.
상기 관통홀의 직경 및 상기 관통홀 간의 간격은 녹색 서브 픽셀을 형성하기 위한 크기일 수 있다. 상기 증착용 마스크는 쿼드(quad) 하이 디스플레이 픽셀을 구현하기 위한 OLED 증착 마스크일 수 있다.
예를 들어, 상기 증착용 마스크는 적색(R), 제 1 녹색(G1), 청색(B) 및 제 2 녹색(G2) 중 적어도 하나의 서브 픽셀을 증착하기 위한 것일 수 있다. 자세하게, 상기 증착용 마스크는 적색(R) 서브 픽셀을 증착하기 위한 것일 수 있다. 또는, 상기 증착용 마스크는 청색(B) 서브 픽셀을 증착하기 위한 것일 수 있다. 또는, 상기 증착용 마스크는 제 1 녹색(G1) 서브 픽셀 및 제 2 녹색(G2) 서브 픽셀을 동시에 형성하기 위한 것일 수 있다.
유기 발광 표시 장치의 픽셀 배열은 '적색(R)-제 1 녹색(G1)-청색(B)-제 2 녹색(G2)' 순(RGBG)으로 배치될 수 있다. 이 경우 적색(R)-제 1 녹색(G1)이 하나의 픽셀(RG)을 이룰 수 있고, 청색(B)-제 2 녹색(G2)가 다른 하나의 픽셀(BG)을 이룰 수 있다. 이와 같은 배열의 유기 발광 표시 장치에서는, 적색 발광 유기물 및 청색 발광 유기물 보다 녹색 발광 유기물의 증착 간격이 더 좁아지기 때문에, 본 발명과 같은 형태의 증착용 마스크가 필요할 수 있다.
실시예에 따른 증착용 마스크는 관통홀의 직경이 20㎛ 이하이고, 상기 관통홀 간의 간격이 32㎛ 이하임에 따라, 800PPI 급의 해상도를 가지는 OLED 화소를 증착할 수 있다. 즉, 실시예에 따른 증착 마스크를 사용하여 UHD급 해상도를 구현할 수 있다.
상기 관통홀의 직경 및 상기 관통홀 간의 간격은 녹색 서브 픽셀을 형성하기 위한 크기일 수 있다. 상기 증착용 마스크는 울트라(ultra) 하이 디스플레이 픽셀을 구현하기 위한 OLED 증착 마스크일 수 있다.
도 10를 참조하여, 도 8 및 도 9의 A-A'방향에서의 단면과, B-B'방향에서의 단면을 각각 설명한다.
도 10는 도 8 및 도 9의 A-A'방향에서의 단면과, B-B'방향에서의 단면 사이의 높이 단차와 크기를 설명하기 위해서 각각의 단면을 겹쳐서 나타낸 것이다.
먼저, 도 8 및 도 9의 A-A'방향에서의 횡단면을 설명한다. A-A'방향은 수직 방향에서 인접한 두 개의 제 1 관통홀(Td1) 및 제 3 관통홀(TH3) 사이의 중심 영역을 가로지르는 횡단면이다. 즉, A-A'방향에서의 횡단면은 관통홀을 포함하지 않을 수 있다.
A-A'방향에서의 횡단면은 대면공 내의 식각면(ES2)들 사이에 식각되지 않은 증착용 마스크의 타면인 아일랜드부(IS)가 위치할 수 있다. 이에 따라, 상기 아일랜드부(IS)는 증착용 마스크의 식각되지 않은 일면과 평행한 면을 포함할 수 있다. 또는, 상기 아일랜드부(IS)는 증착용 마스크의 식각되지 않은 타면과 동일하거나 평행한 면을 포함할 수 있다.
다음으로, 도 8 및 도 9의의 B-B'방향에서의 횡단면을 설명한다. B-B'방향은 수평 방향에서 인접한 두 개의 제 1 관통홀(Td1) 및 제 2 관통홀(Td2) 각각의 중심을 가로지르는 횡단면이다. 즉, B-B'방향에서의 횡단면은 복수 개의 관통홀을 포함할 수 있다.
B-B'방향에서의 인접한 제 3 관통홀(TH3)과 제 4 관통홀(TH4) 사이에 하나의 리브가 위치할 수 있다. 제 4 관통홀(TH4)과 수평방향에서 인접하되, 제 3 관통홀(TH3)과 반대방향에 위치한 제 5 관통홀 사이에는 다른 하나의 리브가 위치할 수 있다. 상기 하나의 리브 및 상기 다른 하나의 리브 사이에는 하나의 관통홀이 위치할 수 있다. 즉, 수평방향에서 인접한 두 개의 리브 사이에는 하나의 관통홀이 위치할 수 있다.
B-B'방향에서의 횡단면은 대면공 내의 식각면(ES2), 및 인접한 대면공 내의 식각면(ES2)들이 서로 연결되는 영역인 리브(RB)가 위치할 수 있다. 여기에서 리브(RB)는 인접한 두 개의 대면공들의 경계가 연결되는 영역일 수 있다. 상기 리브(RB)는 식각면이기 때문에, 상기 아일랜드부(IS)보다 두께가 작을 수 있다.
예를 들어 상기 아일랜드부의 폭은 2㎛ 이상일 수 있다. 즉 상기 타면에서 에칭되지 않고 남아있는 부분의 상기 타면과 평행한 방향으로의 폭이 2㎛ 이하 일 수 있다. 하나의 아일랜드부의 일단과 타단의 폭이 2㎛ 이상인 경우, 증착용 마스크의 전체 체적을 증가시킬 수 있다. 이러한 구조의 증착용 마스크는 유기물 증착 공정 등에서 부여되는 인장력에 대하여 충분한 강성을 확보하도록 하며, 관통홀의 균일도를 유지하는데 유리할 수 있다.
도 12를 참조하여, 도 8, 도 9의 B-B'의 횡단면, 도 10에 따른 유효 영역의 리브(RB) 및 리브들 사이의 관통홀을 확대한 횡단면을 설명한다. 실시예의 증착 마스크는 식각에 의한 관통홀이 형성되는 유효부(AA)에서의 두께와 식각되지 않은 비유효부(UA)에서의 두께가 서로 다를 수 있다. 자세하게, 리브(RB)의 두께는 식각되지 않은 비유효부(UA)에서의 두께보다 작을 수 있다.
실시예의 증착 마스크는 비유효부의 두께가 유효부의 두께보다 클 수 있다. 예를 들어, 실시예의 증착 마스크는 비유효부 내지 비증착 영역의 최대 두께가 30㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 실시예의 증착 마스크는 비유효부 내지 비증착 영역의 최대 두께가 25㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 실시예의 증착 마스크는 비유효부 내지 비증착 영역의 최대 두께가 15㎛ 내지 25㎛일 수 있다. 실시예에 따른 증착 마스크의 비유효부 내지 비증착 영역의 최대 두께가 30㎛ 초과인 경우에는 금속판 재질의 두께가 두껍기 때문에 미세한 크기의 관통홀을 형성하기 어려울 수 있다. 실시예에 따른 증착 마스크의 비유효부 내지 비증착 영역의 최대 두께가 15㎛ 미만인 경우에는 금속판 재질의 두께가 얇기 때문에 균일한 크기의 관통홀을 형성하기 어려울 수 있다.
상기 리브(RB)의 중심에서 측정된 최대 두께(T3)는 15㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 리브(RB)의 중심에서 측정된 최대 두께(T3)는 7㎛ 내지 10㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 상기 리브(RB)의 중심에서 측정된 최대 두께(T3)는 6㎛ 내지 9㎛ 일 수 있다. 상기 리브(RB) 의 중심에서 측정된 최대 두께(T3)가 15㎛ 초과인 경우에는 500 PPI 급 이상의 고해상도를 가지는 OLED 증착 패턴을 형성하기 어려울 수 있다. 상기 리브(RB)의 중심에서 측정된 최대 두께(T3)가 6㎛ 미만인 경우에는 증착패턴의 균일한 형성이 어려울 수 있다.
상기 증착용 마스크의 소면공의 높이(d1)는 상기 리브(RB)의 중심에서 측정된 최대 두께(T3)의 0.2 내지 0.4배일 수 있다. 일례로, 상기 리브(RB)의 중심에서 측정된 최대 두께(T3)는 7㎛ 내지 9㎛이고, 상기 증착용 마스크의 일면 및 상기 연통부 사이의 높이(d1)는 1.4㎛ 내지 3㎛일 수 있다. 상기 증착용 마스크의 소면공의 높이(d1)는 3㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 소면공의 높이는 0.1㎛ 내지 3㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크의 소면공의 높이는 0.5㎛ 내지 3㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크의 소면공의 높이는 1㎛ 내지 3㎛일 수 있다. 여기에서, 높이는 증착용 마스크의 두께 측정 방향, 즉 깊이 방향에서 측정할 수 있고, 증착용 마스크의 일면으로부터 연통부까지의 높이를 측정한 것일 수 있다. 자세하게, 도 4 또는 도 5의 평면도에서 상술한 수평방향(x방향)과 수직방향(y방향)과 각각 90도를 이루는 z축 방향에서 측정한 것일 수 있다.
상기 증착용 마스크의 일면 및 상기 연통부 사이의 높이가 3㎛ 초과인 경우에는 OLED 증착시 증착 물질이 관통홀의 면적보다 큰 영역으로 퍼지는 쉐도우 효과(shadow effect)에 따른 증착 불량이 발생할 수 있다.
상기 증착용 마스크의 소면공(V1)이 형성되는 일면에서의 공경(W1)과 소면공(V1)과 대면공(V2) 사이의 경계인 연통부에서의 공경(W2)은 서로 유사하거나 서로 다를 수 있다. 상기 증착용 마스크의 소면공(V1)이 형성되는 일면에서의 공경(W1)은 연통부에서의 공경(W2)보다 클 수 있다.
예를 들어, 상기 증착용 마스크의 일면에서의 공경(W1)과 상기 연통부에서의 공경(W2)의 차이는 0.01㎛ 내지 1.1㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크의 일면에서의 공경(W1)과 상기 연통부에서의 공경(W2)의 차이는 0.03㎛ 내지 1.1㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크의 일면에서의 공경(W1)과 상기 연통부에서의 공경(W2)의 차이는 0.05㎛ 내지 1.1㎛일 수 있다.
상기 증착용 마스크의 일면에서의 공경(W1)과 상기 연통부에서의 공경(W2)의 차이가 1.1㎛보다 큰 경우에는 쉐도우 효과에 의한 증착 불량이 발생할 수 있다.
상기 소면공(V1) 내의 제 1 내측면(ES1)이 가지는 경사의 곡률 반경이 커질수록 증착 물질이 퍼짐에 따른 쉐도우 효과를 감소시킬 수 있다. 실시예에 따른 증착용 마스크에 있어서, 상기 소면공의 경사 곡률반경(R)은 3㎛ 내지 86㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 소면공의 경사 곡률반경(R)은 4.5㎛ 내지 86㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 소면공의 경사 곡률반경(R)은 17㎛ 내지 86㎛일 수 있다. 상기 소면공의 경사 곡률반경(R)이 3㎛ 내지 86㎛인 경우에 증착 물질이 균일한 형상의 패턴을 형성할 수 있다.
상기 증착용 마스크의 일면에 위치한 상기 소면공의 일단(E1) 및 상기 소면공과 대면공 사이의 연통부의 일단(E2)을 잇는 경사각은 70도 내지 89도일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크의 일면에 위치한 상기 소면공의 일단(E1) 및 상기 소면공과 대면공 사이의 연통부의 일단(E2)을 잇는 경사각은 75도 내지 89도일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크의 일면에 위치한 상기 소면공의 일단(E1) 및 상기 소면공과 대면공 사이의 연통부의 일단(E2)을 잇는 경사각은 78도 내지 89도일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크의 일면에 위치한 상기 소면공의 일단(E1) 및 상기 소면공과 대면공 사이의 연통부의 일단(E2)을 잇는 경사각은 85도 내지 89도일 수 있다.
상기 증착용 마스크의 일면에 위치한 상기 소면공의 일단(E1) 및 상기 소면공과 대면공 사이의 연통부의 일단(E2)을 잇는 경사각이 89도 초과인 경우에는 쉐도우 효과를 방지할 수 있지만, 증착시 관통홀 내에 유기물이 잔류하는 문제가 발생할 수 있다. 이에 따라, 균일한 크기의 증착 패턴을 형성하기 어려울 수 있다.
상기 증착용 마스크의 일면에 위치한 상기 소면공의 일단(E1) 및 상기 소면공과 대면공 사이의 연통부의 일단(E2)을 잇는 경사각이 70도 미만인 경우에는 쉐도우 효과에 의한 증착 불량이 발생할 수 있다.
즉, 실시예에 따른 증착용 마스크는 소면공의 경사각(θ1)을 70도 내지 89도이고, 소면공의 곡률을 3㎛ 내지 86㎛로 형성할 수 있어, 쉐도우 효과를 방지하는 동시에 증착 공정 시 증착용 마스크에 유기물이 잔류하는 문제를 해결할 수 있으며, 기판에 유기물을 증착한 후에 증착용 마스크를 기판으로부터 분리하는 과정에서, 기판에 증착된 유기물이 증착용 마스크에 붙어 탈막되는 문제를 예방할 수 있다.
또한 아일랜드 부의 체적을 늘릴 수 있으므로, 증착용 마스크의 인장 시 변형을 예방할 수 있다.
500 PPI 급의 해상도를 구현할 수 있는 증착용 마스크는 상기 소면공의 일단(E1) 및 상기 소면공과 대면공 사이의 연통부의 일단(E2)을 잇는 경사각이 75도 내지 89도의 각도이고, 소면공의 경사 곡률반경은 4.5㎛ 내지 86㎛일 수 있다.
600 PPI 내지 700 PPI 급의 해상도를 구현할 수 있는 증착용 마스크는 상기 소면공의 일단(E1) 및 상기 소면공과 대면공 사이의 연통부의 일단(E2)을 잇는 경사각이 78도 내지 89도의 각도이고, 소면공의 경사 곡률반경은 6㎛ 내지 86㎛일 수 있다.
800 PPI 이상의 해상도를 구현할 수 있는 증착용 마스크는 상기 소면공의 일단(E1) 및 상기 소면공과 대면공 사이의 연통부의 일단(E2)을 잇는 경사각이 85도 내지 89도의 각도이고, 소면공의 경사 곡률반경은 17㎛ 내지 86㎛일 수 있다.
상기 증착용 마스크의 상기 일면과 반대되는 타면에 위치한 상기 대면공(V2)의 일단(E3) 및 상기 소면공과 대면공 사이의 연통부의 일단(E2)을 잇는 경사각은 40도 내지 55도 일 수 있다. 이에 따라, 500 PPI급 이상의 고해상도의 증착패턴을 형성할 수 있는 동시에, 증착용 마스크의 타면상에 아일랜드부가 존재할 수 있다.
도 13을 참조하여, 실시예에 따른 증착용 마스크의 제조방법을 설명한다.
OLED 화소 증착을 위한 금속재의 증착용 마스크의 제조방법에 있어서, 실시예에 따른 증착용 마스크는 20㎛ 내지 30㎛ 두께의 베이스 금속판을 준비하는 제 1 단계;, 상기 베이스 금속판의 일면 상에 패턴화된 포토레지스트층을 배치하고, 상기 포토레지스트층의 오픈부를 하프 에칭하여 상기 베이스 금속판의 일면 상에 홈을 형성하고, 상기 베이스 금속판의 상기 일면과 반대되는 타면 상에 패턴화된 포토레지스트층을 배치하고, 상기 포토레지스트층의 오픈부를 에칭하여 상기 베이스 금속판의 일면 상의 홈과 연결되는 관통홀을 형성하는 제 2 단계 및 상기 포토레지스트층을 제거하여, 상기 일면 상에 형성된 대면공, 상기 일면과 반대되는 타면 상에 형성된 소면공, 상기 대면공 및 상기 소면공의 경계가 연결되는 연통부에 의해 형성되는 관통홀을 포함하는 증착용 마스크를 형성하는 제 3 단계를 포함하여 제조할 수 있다. 이를 통해, 500PPI 이상의 해상도를 구현할 수 있는 증착용 마스크를 제조할 수 있다.
OLED 화소 증착을 위한 금속재의 증착용 마스크의 제조방법에 있어서, 실시예에 따른 증착용 마스크는 15㎛ 내지 20㎛ 두께의 베이스 금속판을 준비하는 제 1 단계; 상기 베이스 금속판의 일면 상에 패턴화된 포토레지스트층을 배치하고, 상기 포토레지스트층의 오픈부를 하프 에칭하여 상기 베이스 금속판의 일면 상에 홈을 형성하고, 상기 베이스 금속판의 상기 일면과 반대되는 타면 상에 패턴화된 포토레지스트층을 배치하고, 상기 포토레지스트층의 오픈부를 에칭하여 상기 베이스 금속판의 일면 상의 홈과 연결되는 관통홀을 형성하는 제 2 단계; 및 상기 포토레지스트층을 제거하여, 상기 일면 상에 형성된 대면공, 상기 일면과 반대되는 타면 상에 형성된 소면공, 상기 대면공 및 상기 소면공의 경계가 연결되는 연통부에 의해 형성되는 관통홀을 포함하는 증착용 마스크를 형성하는 제 3 단계;를 포함하여 제조할 수 있다. 이를 통해, 800PPI 이상의 해상도를 구현할 수 있는 증착용 마스크를 제조할 수 있다.
먼저, 20㎛ 내지 30㎛ 두께의 베이스 금속판(BM)을 준비하는 제 1 단계를 설명한다.
상기 베이스 금속판(BM)은 금속 물질을 포함할 수 있다. 상기 베이스 금속판(BM)은 니켈 합금을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 베이스 금속판(BM) 은 니켈과 철의 합금일 수 있다. 이때, 니켈은 약 35 중량% 내지 약 37 중량% 일 수 있고, 상기 철은 약 63 중량% 내지 약 65 중량%일 수 있다. 일례로, 상기 베이스 금속판(BM)은 니켈은 약 35 중량% 내지 약 37중량%, 철은 약 63중량% 내지 약 65 중량%과 미량의 C, Si, S, P, Cr, Mo, Mn, Ti, Co, Cu, Fe, Ag, Nb, V, In, Sb 중 적어도 하나 이상이 포함된 인바(Invar)를 포함할 수 있다. 여기에서, 미량은 1 중량% 이하인 것을 의미할 수 있다. 자세하게, 여기에서, 미량은 0.5 중량% 이하인 것을 의미할 수 있다. 다만, 상기 베이스 금속판(BM)이 이에 제한되는 것은 아니며, 다양한 금속 물질을 포함할 수 있음은 물론이다.
상기 인바와 같은 니켈 합금은 열팽창 계수가 작기 때문에, 증착용 마스크의 수명이 증가될 수 있는 장점을 가진다.
여기에서, 상기 제 1 단계는 목표로 하는 베이스 금속판의 두께에 따라, 두께 감소단계를 추가로 포함할 수 있다.
예를 들어, 베이스 금속판(BM)은 25㎛ 내지 30㎛ 의 두께를 가질 수 있다. 이러한 베이스 금속판(BM)은 압연 및/또는 에칭에 의한 두께 감소단계를 거쳐 15㎛ 내지 25㎛의 두께를 가질 수 있다. 여기에서, 에칭이란 전기적 또는 화학적인 에칭을 포함할 수 있다.
상기 베이스 금속판(BM) 또는 두께 감소단계를 거친 상기 베이스 금속판(BM)은 표면 처리단계를 선택적으로 포함할 수 있다.
예를 들어, 인바와 같은 니켈 합금은 균일한 식각이 어려운 문제점을 가진다. 즉, 인바와 같은 니켈 합금은 식각 초기에 식각 속도가 빠를 수 있다. 이에 따라, 소면공의 식각 팩터가 저하될 수 있는 문제를 가진다. 소면공의 식각 팩터가 저하되는 경우에는 쉐도우 효과에 따른 증착 불량이 발생되는 증착용 마스크가 형성될 수 있는 문제가 있을 수 있다. 또는, 대면공의 사이드 에칭으로 인하여 포토레지스트층의 탈막이 발생할 수 있다. 또한, 관통홀의 크기가 커짐에 따라, 미세한 크기의 관통홀을 형성하기 어려울 수 있다. 또한, 관통홀이 불균일하게 형성되어, 증착용 마스크의 제조 수율이 저하될 수 있다.
따라서, 실시예는 베이스 금속판 표면 상에 성분, 함량, 결정구조 및 부식속도를 달리하는 표면개질을 위한 표면 처리층을 배치할 수 있다. 여기에서, 표면 개질이란 식각 팩터를 향상시키기 위하여 표면에 배치되는 다양한 물질로 이루어진 층을 의미할 수 있다.
즉, 표면 처리층은 베이스 금속판의 표면 상에 빠른 식각을 저지하기 위한 층일 수 있다. 상기 표면 처리층은 베이스 금속판보다 식각 속도가 느린 식각 배리어층일 수 있다. 상기 표면 처리층은 상기 베이스 금속판과 결정면 및 결정구조가 다를 수 있다. 예를 들어, 상기 표면 처리층은 상기 베이스 금속판과 서로 다른 원소를 포함함에 따라, 결정면 및 결정구조가 서로 다를 수 있다.
동일한 부식환경에서 상기 표면 처리층은 상기 베이스 금속판과 부식 전위가 다를 수 있다. 예를 들어, 동일한 온도의 동일한 식각액에 동일 시간 처리하였을 때, 상기 표면 처리층은 상기 베이스 금속판과 부식전류 내지 부식전위가 서로 다를 수 있다.
상기 베이스 금속판(BM)은 일면 및/또는 양면, 전체 및/또는 유효영역에 표면 처리층 내지 표면 처리부를 포함할 수 있다. 상기 표면 처리층 내지 표면 처리부는 베이스 금속판과 서로 다른 원소를 포함하거나, 부식 속도가 느린 금속 원소를 베이스 금속판보다 큰 함량으로 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 표면 처리층은 니켈(Ni), 크롬(Cr), 철(Fe), 티타늄(Ti), 망간(Mn), 산소(O), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 아연(Zn), 질소(N), 알루미늄(Al) 및 이들의 합금 중 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있고, 니켈(Ni), 크롬(Cr), 철(Fe), 티타늄(Ti), 망간(Mn), 산소(O), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 아연(Zn), 질소(N), 알루미늄(Al) 및 이들의 합금 중 적어도 하나의 금속의 함량은 베이스 금속판보다 클 수 있다.
이러한 표면 처리단계를 더 포함하는 경우에, 실시예에 따른 베이스 금속판의 표면에는 표면 처리층이 배치될 수 있다. 이러한 표면 처리단계는, 상기 베이스 금속판(BM)과 서로 다른 원소의 표면 처리층을 배치함에 따라, 표면에서의 부식 속도를 상기 베이스 금속판(BM)의 원소재 물질보다 느리게 할 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 증착용 마스크의 식각 팩터를 증가시킬 수 있다. 또한, 실시예에 따른 증착용 마스크는 복수개의 관통홀을 균일하게 형성할 수 있음에 따라, R, G, B 패턴의 증착 효율을 향상시킬 수 있다. 여기에서, 서로 다른 원소를 포함한다는 것은 상기 베이스 금속판(BM)과 상기 표면 처리층이 적어도 하나의 다른 원소를 포함하거나, 모든 원소가 동일하더라도 함량이 다른 합금을 포함하는 것을 의미할 수 있다.
다음으로, 상기 베이스 금속판의 일면 상에 패턴화된 포토레지스트층(P1)을 배치하는 단계를 설명한다. 소면공을 형성하기 위해서 상기 베이스 금속판의 일면 상에 패턴화된 포토레지스트층(P1)을 배치할 수 있다. 상기 베이스 금속판의 일면과 반대되는 타면은 식각을 저지하기 위한 코팅층 또는 필름층과 같은 식각 저치층이 배치될 수 있다.
다음으로, 상기 포토레지스트층(P1)의 오픈부를 하프 에칭하여 상기 금속판의 일면 상에 홈을 형성하는 제 2 단계를 설명한다.
상기 포토레지스트층(P1)의 오픈부는 식각액 등에 노출될 수 있어, 베이스 금속판의 일면 중 상기 포토레지스트층(P1)이 배치되지 않은 오픈부에서 에칭이 일어날 수 있다.
상기 제 2 단계는 20㎛ 내지 30㎛ 두께(T1)의 상기 베이스 금속판을 약 1/2 두께가 될 때까지 에칭하는 단계일 수 있다. 상기 제 2 단계를 통해 형성된 홈의 깊이는 약 10㎛ 내지 15㎛일 수 있다. 즉, 상기 제 2 단계 후에 홈의 중심에서 측정한 베이스 금속판의 두께(T2)는 약 10㎛ 내지 15㎛일 수 있다.
상기 제 2 단계는 이방성 에칭 또는 세미-부가 공법(semi additive process, SAP)일 수 있다. 자세하게, 상기 포토레지스트층의 오픈부를 하프 에칭하기 위하여 이방성 에칭 또는 세미 부가 공법을 사용할 수 있다. 이에 따라, 하프 에칭을 통해 형성된 홈은 등방성 에칭보다 깊이 방향으로의 식각 속도(b 방향)가 사이드 에칭(a 방향)의 속도보다 빠를 수 있다.
소면공의 식각 팩터는 2.0 내지 3.0일 수 있다. 예를 들어, 소면공의 식각 팩터는 2.1 내지 3.0일 수 있다. 예를 들어, 소면공의 식각 팩터는 2.2 내지 3.0일 수 있다.
여기에서, 식각 팩터는 식각된 소면공의 깊이(B)/소면공 상의 아일랜드 부에서 연장되어 관통홀의 중심방향으로 돌출된 포토레지스트층의 폭(A)(Etching Factor = B/A)을 의미할 수 있다. 상기 A는 상기 하나의 면공 상에 돌출된 포토레지스트층 일측의 폭 및 상기 일측과 반대되는 타측의 폭의 평균 값을 의미한다.
다음으로, 관통홀을 형성하는 단계를 설명한다.
먼저, 상기 베이스 금속판의 상기 일면과 반대되는 타면 상에 패턴화된 포토레지스트층(P2)을 배치할 수 있다. 상기 베이스 금속판의 상기 일면과 반대되는 타면 상에는 대면공을 형성하기 위하여 오픈부를 가지는 패턴화된 포토레지스트층(P2)을 배치할 수 있다. 상기 베이스 금속판의 일면은 식각을 저지하기 위한 코팅층 또는 필름층과 같은 식각 저치층이 배치될 수 있다.
상기 포토레지스트층(P2)의 오픈부는 식각액 등에 노출될 수 있어, 베이스 금속판의 타면 중 상기 포토레지스트층(P2)이 배치되지 않은 오픈부에서 에칭이 일어날 수 있다. 상기 베이스 금속판의 타면은 이방성 에칭 또는 등방성 에칭에 의하여 에칭될 수 있다.
상기 포토레지스트층의 오픈부를 에칭함에 따라, 상기 금속판의 일면 상의 홈은 대면공과 연결되어 관통홀을 형성할 수 있다.
상기 제 2 단계는 1) 상기 베이스 금속판의 일면 상에 패턴화된 상기 포토레지스트층(P1)과, 상기 베이스 금속판의 타면 상에 패턴화된 상기 포토레지스트층(P2)을 배치한 이후에, 2) 상기 베이스 금속판의 일면 및 타면을 동시에 에칭하여 관통홀을 형성하는 것일 수 있다.
또는, 상기 제 2 단계는 1) 상기 베이스 금속판의 일면 상에 패턴화된 상기 포토레지스트층(P1)을 배치하고, 2) 상기 포토레지스트층(P1)의 오픈부를 하프 에칭하여 상기 베이스 금속판의 일면 상에만 홈을 형성한 다음, 3) 상기 베이스 금속판의 타면 상에 패턴화된 상기 포토레지스트층(P2)을 배치한 이후에, 4) 상기 베이스 금속판의 타면에서 상기 포토레지스트층(P2)의 오픈부를 에칭하여 관통홀을 형성하는 것일 수 있다.
또는, 상기 제 2 단계는 1) 상기 베이스 금속판의 타면 상에 패턴화된 상기 포토레지스트층(P2)을 배치하고, 2) 상기 포토레지스트층(P2)의 오픈부를 에칭하여 상기 베이스 금속판의 타면 상에만 대면공 형성한 다음, 3) 상기 베이스 금속판의 일면 상에 패턴화된 상기 포토레지스트층(P1)을 배치한 이후에, 4) 상기 베이스 금속판의 일면에서 상기 포토레지스트층(P1)의 오픈부를 하프에칭하여 상기 대면공과 연결되는 관통홀을 형성하는 것일 수 있다.
다음으로, 상기 포토레지스트층을 제거하여, 상기 일면 상에 형성된 대면공, 상기 일면과 반대되는 타면 상에 형성된 소면공, 상기 대면공 및 상기 소면공의 경계가 연결되는 연통부에 의해 형성되는 관통홀을 포함하는 증착용 마스크를 형성하는 제 3 단계를 거쳐, 증착 마스크가 형성될 수 있다.
상기 제 3 단계를 거쳐 형성된 증착용 마스크(100)는 상기 베이스 금속판과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크는 상기 베이스 금속판과 동일한 조성의 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크의 아일랜드부는 앞서 설명한 표면 처리층을 포함할 수 있다.
상기 제 3 단계를 거쳐 형성된 증착용 마스크는 리브 중심에서의 최대 두께가 에칭을 거치지 않은 비유효 영역에서의 최대 두께보다 작을 수 있다. 예를 들어, 리브 중심에서의 최대 두께는 15㎛일 수 있다. 예를 들어, 리브 중심에서의 최대 두께는 10㎛ 미만일 수 있다. 그러나, 증착용 마스크의 비유효 영역에서의 최대 두께는 20㎛ 내지 30㎛ 일 수 있다. 증착용 마스크의 비유효 영역에서의 최대 두께는 제 1 단계에서 준비된 베이스 금속판의 두께와 동일할 수 있다. 또는, 증착용 마스크의 비유효 영역에서의 최대 두께는 제 1 단계에서 두께 감소단계를 거친 15㎛ 내지 25㎛일 수 있다.
이하, 실시예들 및 비교예들을 통하여 본 발명을 좀더 상세하게 설명한다. 이러한 실시예는 본 발명을 좀더 상세하게 설명하기 위하여 예시로 제시한 것에 불과하다. 따라서 본 발명이 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
유효부에 소면공 및 대면공이 형성되고, 비유효부에는 도트 모양의 제 1 홈들을 형성하고, 증착용 마스크를 제조한 후, 비증착부에 제 2 홈들을 형성한 후, 증착용 마스크의 TP(total pitch) 차이 및 직진도를 측정하였다.
이때, 상기 제 1 홈들은 비유효부 전체 면적에 대해 45%의 면적으로 형성되었다.
또한, TP(total pitch) 차이는 증착용 마스크를 인장되는 방향을 기준으로 상부면과 하부면의 길이 차이를 측정하며, 직진도는 증착용 마스크가 휘지 않는 것을 0으로 가정할 때, 휘어지는 상부 및 하부의 최고점과 0의 차이를 측정한다.
실시예 2
제 1 홈의 형상이 스트라이프 형상이라는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 증착용 마스크를 제조한 후, 비증착부에 제 2 홈들을 형성한 후, 증착용 마스크의 TP(total pitch) 차이 및 직진도를 측정하였다.
비교예 1
제 1 홈의 형상이 아일랜드 형상이라는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 증착용 마스크를 제조한 후, 비증착부에 제 2 홈들을 형성한 후, 증착용 마스크의 TP(total pitch) 차이 및 직진도를 측정하였다.
비교예 2
제 1 홈들을 형성하지 않았다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 증착용 마스크를 제조한 후, 비증착부에 제 2 홈들을 형성한 후, 증착용 마스크의 TP(total pitch) 차이 및 직진도를 측정하였다.
비교예 3
제 1 홈들은 비유효부 전체 면적에 대해 5%의 면적으로 형성되었다는 점을제외하고는 실시예 1과 동일하게 증착용 마스크를 제조한 후, 비증착부에 제 2 홈들을 형성한 후, 증착용 마스크의 TP(total pitch) 차이 및 직진도를 측정하였다.
TP 차이(㎛) 직진도(㎛)
실시예1 8 5
실시예2 6 11
비교예1 67 229
비교예2 339 560
비교예3 41 118
표 1을 참조하면, 실시예 1 및 실시예 2에 따른 증착용 마스크는 제 1 홈들에 의한 응력 분산으로 인해 토탈 피치 차이가 감소되고, 이에 따라 증착용 마스크의 직진도가 향상되는 것을 알 수 있다.
즉, 토탈 피치는 약 5㎛ 내지 약 10㎛이고, 직진도는 약 5㎛ 내지 약 11㎛인 것을 알 수 있다.
반면에, 비교예 1에 따른 증착용 마스크는 제 1 홈들이 형성되지만, 응력 분산이 원활하게 이루어지지 않아 실시예들에 비해 토탈 피치가 증가되어, 직진도가 감소되는 것을 알 수 있다.
또한, 비교에 2에 따른 증착용 마스크는 제 1 홈들이 형성되지 않고, 이에 따라, 실시예들에 비해 토탈 피치가 증가되어, 직진도가 감소되는 것을 알 수 있다.
또한, 비교예 3에 따른 증착용 마스크는 실시예 1과 동일한 형상의 제 1 홈들이 형성되지만, 그 면적이 작아짐에 따라 응력 분산이 원활하게 이루어지지 않아 실시예들에 비해 토탈 피치가 증가되어, 직진도가 감소되는 것을 알 수 있다.
도 14 및 도 15는 실시예에 따른 증착용 마스크를 통해 형성되는 증착 패턴을 나타내는 도면들이다.
도 14를 참조하면, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 소면공(V1)이 형성된 증착용 마스크(100)의 일면 및 연통부 사이의 높이(H1)가 약 3.5㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 높이(H1)는 약 0.1㎛ 내지 약 3.4㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 높이(H1)는 약 0.5㎛ 내지 약 3.2㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 높이(H1)는 약 1㎛ 내지 약 3㎛일 수 있다.
이에 따라, 상기 증착용 마스크(100)의 일면과 증착 패턴이 배치되는 기판 사이의 거리가 가까울 수 있어 쉐도우 효과에 따른 증착 불량을 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)를 이용하여 R, G, B 패턴 형성 시, 인접한 두 패턴 사이의 영역에 서로 다른 증착 물질이 증착되는 불량을 방지할 수 있다. 자세하게, 도 15에 도시된 바와 같이 상기 패턴들이 좌측부터 R, G, B 순으로 형성될 경우, 상기 R 패턴 및 상기 G 패턴 사이의 영역에 쉐도우 효과로 R 패턴 및 G 패턴이 증착되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 비유효부에 제 1 홈을 형성하여, 유효부에서 제 2 홈을 형성할 때 발생되는 응력을 제 1 홈에 의해 효과적으로 분산시켜, 이에 따른 증착용 마스크의 휨 현상을 최소화 할 수 있다. 따라서, 유기물 증착 시 증착 효율을 향상시킬 수 있고 증착패턴의 품질을 향상시킬 수 있다.
상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (10)

  1. OLED 화소 증착을 위한 금속재의 증착용 마스크에 있어서,
    상기 증착용 마스크는 증착 패턴을 형성하기 위한 증착 영역 및 증착 영역 이외의 비증착 영역을 포함하고,
    상기 증착 영역은 길이 방향으로 이격된 복수 개의 유효부 및 유효부 이외의 비유효부를 포함하고,
    상기 유효부는,
    일면 상에 형성된 다수의 소면공;
    상기 일면과 반대되는 타면상에 형성된 다수의 대면공;
    상기 소면공과 상기 대면공을 연통하는 관통홀; 및
    상기 다수의 관통홀 사이의 아일랜드부;를 포함하고,
    상기 비유효부는 서로 이격하는 복수의 제 1 홈을 포함하고,
    상기 제 1 홈은 서로 이격하여 배치되고,
    상기 제 1 홈은 상기 비유효부 전체 면적에 대해 10% 내지 60%의 면적만큼 형성되는 증착용 마스크.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 홈은 상기 비유효부 전체 면적에 대해 30% 내지 50%의 면적만큼 형성되는 증착용 마스크.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 홈의 형상은 상기 관통홀의 형상과 다른 증착용 마스크.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 제 1 홈은 곡면을 포함하는 증착용 마스크.
  5. 제 2항에 있어서,
    상기 제 1홈의 형상은 도트 형상 또는 스트라이프 형상을 포함하는 증착용 마스크.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 증착용 마스크의 직진도는 상기 증착용 마스크가 휘지 않는 것을 0으로 가정할 때, 휘어지는 상부 및 하부의 최고점과 0의 차이로 정의되고,
    상기 증착용 마스크의 직진도는 5㎛ 내지 11㎛인 증착용 마스크.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 증착용 마스크의 인장 방향을 기준으로 상부면의 길이와 하부면의 길이 차이는 5㎛ 내지 10㎛인 증착용 마스크.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 홈은 외측부 및 상기 외곽부에 의해 둘러싸이는 내측부를 포함하고,
    상기 외측부는 상기 증착용 마스크의 깊이 방향으로 홈이 형성되는 영역이고,
    상기 내측부는 상기 비유효부에서 식각되지 않은 영역인 증착용 마스크.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 제 1 홈은 상기 일면 및 상기 타면 중 적어도 하나의 면 상에 형성되는 증착용 마스크.
  10. 제 5항에 있어서,
    상기 제 1 홈은 상기 증착용 마스크의 인장 방향으로 연장되는 스트라이프 형상으로 형성되는 증착용 마스크.
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