WO2019098547A2 - 증착용 마스크 및 이의 제조 방법 - Google Patents

증착용 마스크 및 이의 제조 방법 Download PDF

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WO2019098547A2
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metal plate
mask
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photoresist layer
deposition
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이상유
조영득
김남호
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엘지이노텍 주식회사
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    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23F1/02—Local etching
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    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
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    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching

Definitions

  • the present invention relates to a vapor deposition mask capable of minimizing a length deviation and a manufacturing method thereof.
  • Display devices are used in various devices. For example, display devices are used not only for small devices such as smart phones and tablet PCs, but also for large devices such as TVs, monitors, public displays (PDs) and the like.
  • UHD ultrahigh resolution UHD
  • PPI Matel Per Inch
  • high resolution display devices are being applied to small devices and large devices. Accordingly, there is a growing interest in techniques for implementing low power and high resolution.
  • a commonly used display device can be broadly divided into an LCD (Liquid Crystal Display) and an OLED (Organic Light Emitting Diode) according to a driving method.
  • LCD Liquid Crystal Display
  • OLED Organic Light Emitting Diode
  • An LCD is a display device driven using a liquid crystal.
  • the LCD has a structure in which a light source including a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) or a light emitting diode (LED) is disposed under the liquid crystal. And is driven by adjusting the amount of light emitted from the light source using the liquid crystal disposed.
  • CCFL cold cathode fluorescent lamp
  • LED light emitting diode
  • the OLED is a display device which is driven using organic materials, and a separate light source is not required, and the organic material itself can function as a light source and can be driven with low power.
  • OLEDs are attracting attention as a display device capable of expressing an infinite contrast ratio, having a response speed that is about 1000 times faster than that of an LCD, and excellent viewing angle, thereby being able to replace an LCD.
  • the organic material contained in the light emitting layer can be deposited on the substrate by a deposition mask called a fine metal mask (FMM), and the deposited organic material corresponds to a pattern formed on the deposition mask So that it can function as a pixel.
  • the vapor deposition mask is generally made of Invar alloy metal sheet including iron (Fe) and nickel (Ni).
  • one surface and the other surface of the metal plate may have through-holes passing through the one surface and the other surface, and the through-holes may be formed at positions corresponding to the pixel patterns. Accordingly, organic materials such as red, green, and blue can be deposited on the substrate through the through holes of the metal plate, and a pixel pattern can be formed on the substrate.
  • the metal plate may be manufactured by a rolling process, and the metal plate may have a rectangular shape including a major axis and a minor axis.
  • the metal plate may include stress due to the rolling process and the like, and wave deformation may occur in the metal plate. As a result, the length of the two corners of the metal plate in the major axis direction may be different from each other.
  • the deposition mask may be manufactured by supplying the metal plate in a roll-to-roll manner, and the metal plate may be supplied in a state in which a predetermined tensile force is applied by the roll-to-roll method. Further, in the patterning process for forming a through hole on the metal plate, a separate tensile force may be applied to the metal plate.
  • the mask pattern may be formed in a state where another tensile force is applied to the metal plate, and the mask pattern formed by the above-mentioned warping phenomenon may not be uniform when the separate tensile force is removed. Accordingly, the shape of the mask pattern formed on the metal plate and the uniformity of the positions of the through holes may be lowered, and the diameter of the through holes may not be uniform, which may result in lower pattern deposition efficiency and poor deposition .
  • Embodiments provide an evaporation mask capable of minimizing a length deviation of a mask pattern formed on a metal plate and a method of manufacturing the same.
  • the embodiment is to provide a mask for vapor deposition capable of realizing a high resolution by uniformly forming the shape, position and through-hole of the mask pattern, and a manufacturing method thereof.
  • a method for fabricating an evaporation mask for OLED pixel deposition comprising: providing a metal plate; disposing a first photoresist layer on one side of the metal plate, exposing and developing the first photoresist layer, Patterning the first photoresist layer, half etching the open portion of the patterned first photoresist layer to form a first groove on one side of the metal plate, forming a first groove on the other side of the metal plate A step of disposing a second photoresist layer and patterning the second photoresist layer by exposing and developing the second photoresist layer; a step of half-etching the open portion of the patterned second photoresist layer, And removing the first photoresist layer and the second photoresist layer to form a mask pattern on the metal plate, A step, wherein the plate has a value represented by the equation (1) is also linear to the straightness of the metal sheet to be not more than 0.006%.
  • the embodiment is a mask for depositing a metal material for OLED pixel deposition, wherein the deposition mask comprises a deposition region for forming a deposition pattern and a non-deposition region other than the deposition region, And a pattern area including an effective part, wherein the effective part includes a plurality of small-sized holes formed on one surface of the metallic material, a plurality of facing holes formed on a surface opposite to the one surface of the metallic material, Wherein the through hole has a resolution of 400 PPI or more, and the metal material has a straightness value represented by the following equation (1): " (1) " And the straightness of the metal material is 0.006% or less.
  • the straightness is determined based on a reference line extending in the major axis direction of the metal plate and a ratio of a distance d x that is farthest away from the reference line in the minor axis direction with respect to the length d o of the metal plate .
  • the deposition mask according to the embodiment can form a uniform mask pattern.
  • a different tensile force may be applied depending on the length deviation of the metal plate to produce a mask pattern. Accordingly, a uniform mask pattern can be formed on the metal plate from which the tensile is removed. Accordingly, the deposition mask according to the embodiment can have more precise and uniform through holes, and can uniformly deposit OLED pixel patterns of resolution of 400 PPI or more, high resolution of 500 PPI or more, and ultrahigh resolution of 800 PPI or more.
  • 1 to 3 are conceptual diagrams illustrating a process of depositing an organic material on a substrate using a deposition mask according to an embodiment.
  • FIG. 4 is a plan view of a vapor deposition mask according to an embodiment.
  • FIG. 5 is a plan view showing an effective part of the vapor deposition mask according to the embodiment.
  • FIG. 6 is a microscope image of the effective portion of the vapor deposition mask according to the embodiment viewed from a plane.
  • FIG. 6 is a microscope image of the effective portion of the vapor deposition mask according to the embodiment viewed from a plane.
  • FIG. 7 is another plan view of the vapor deposition mask according to the embodiment.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line A-A 'in FIG. 5 or 6 and a cross-sectional view taken along line B-B' in FIG.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line B-B 'of FIG. 5 or FIG.
  • FIG. 10 is a perspective view and a plan view of a metal plate as a raw material of a vapor deposition mask according to an embodiment.
  • 11 to 12 are views showing a manufacturing process of a deposition mask according to an embodiment.
  • FIG. 13 is a view showing a manufacturing process of a vapor deposition mask according to a comparative example.
  • FIG. 14 and 15 are views showing a deposition pattern formed through the deposition mask according to the embodiment.
  • each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being “on” or “under / under quot; under " includes all that is formed directly or through another layer.
  • the criteria for top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.
  • 1 to 3 are conceptual diagrams illustrating a process of depositing an organic material on a substrate 300 using an evaporation mask 100 according to an embodiment.
  • FIG. 1 is a view showing an organic substance deposition apparatus including an evaporation mask 100 according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of an organic film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention in which an evaporation mask 100 is stretched to be mounted on a mask frame 200
  • Fig. 3 is a view showing a plurality of deposition patterns formed on the substrate 300 through a plurality of through-holes of the deposition mask 100.
  • the organic substance deposition apparatus may include an evaporation mask 100, a mask frame 200, a substrate 300, an organic material deposition container 400, and a vacuum chamber 500.
  • the vapor deposition mask 100 may include a metal.
  • the vapor deposition mask may include iron (Fe) and nickel (Ni).
  • the deposition mask 100 may include a plurality of through holes TH in an effective portion for deposition.
  • the vapor deposition mask 100 may be a substrate for an evaporation mask including a plurality of through holes TH. At this time, the through holes may be formed to correspond to patterns to be formed on the substrate.
  • the vapor deposition mask 100 may include an ungrooved portion other than the effective portion including the deposition region.
  • the mask frame 200 may include openings.
  • the plurality of through holes of the vapor deposition mask 100 may be disposed on a region corresponding to the opening. Accordingly, the organic material supplied to the organic material deposition container 400 can be deposited on the substrate 300.
  • the vapor deposition mask 100 may be disposed and fixed on the mask frame 200. For example, the vapor deposition mask 100 may be tensioned at a constant tension and secured by welding on the mask frame 200.
  • the vapor deposition mask 100 may be stretched in directions opposite to each other at an edge disposed at the outermost periphery of the vapor deposition mask 100.
  • the vapor deposition mask 100 may be pulled in a direction opposite to the one end of the vapor deposition mask 100 and the other end opposite to the one end in the longitudinal direction of the vapor deposition mask 100.
  • One end and the other end of the vapor deposition mask 100 may be arranged parallel to each other.
  • One end of the vapor deposition mask 100 may be one of four side surfaces disposed at the outermost side of the vapor deposition mask 100.
  • the vapor deposition mask 100 may be tensioned with a tensile force of about 0.1 kgf to about 2 kgf.
  • the vapor deposition mask can be tensioned on the mask frame 200 with a tensile force of 0.4 kgf to about 1.5 kgf. Accordingly, the stress of the vapor deposition mask 100 can be reduced.
  • the embodiment is not limited to this, and may be fixed on the mask frame 200 by being pulled with various tensile forces to reduce the stress of the deposition mask 100.
  • the vapor deposition mask 100 may fix the vapor deposition mask 100 to the mask frame 200 by welding the unaffected portion of the vapor deposition mask 100.
  • a part of the vapor deposition mask 100 disposed outside the mask frame 200 may be removed by cutting or the like.
  • the substrate 300 may be a substrate used for manufacturing a display device.
  • the substrate 300 may be a substrate 300 for organic material deposition for OLED pixel patterns.
  • Organic patterns of red, green, and blue may be formed on the substrate 300 to form pixels that are three primary colors of light. That is, RGB patterns may be formed on the substrate 300.
  • the organic material deposition container 400 may be a crucible. An organic material may be disposed inside the crucible.
  • the organic material may be deposited on the substrate 100.
  • the deposition mask 100 may include a first surface 101 and a second surface 102 opposite to the first surface.
  • the one face 101 of the vapor deposition mask 100 may include a small-hole hole V1, and the other face may include a face-to-face hole V2.
  • each of the one surface 101 and the other surface 102 of the vapor deposition mask 100 may include a plurality of surface voids V1 and a plurality of facing surfaces V2.
  • the vapor deposition mask 100 may include a through hole TH.
  • the through hole TH may be communicated by a communication portion to which the boundary between the small-sized hole V1 and the facing hole V2 is connected.
  • the deposition mask 100 may include a first etching surface ES1 in the small-sized hole V1.
  • the vapor deposition mask 100 may include a second etching surface ES2 in the facing surface V2.
  • the through hole TH may be formed by connecting a first etching surface ES1 in the small hole V1 and a second etching surface ES2 in the facing hole V2.
  • the first etching surface ES1 in one small hole V1 can form one through hole in communication with the second etching surface ES2 in one facing hole V2.
  • the number of the through holes TH may correspond to the number of the small-hole holes V1 and the number of the facing holes V2.
  • the width of the face-to-face V2 may be greater than the width of the small-plane hole V1.
  • the width of the face-face hole V1 is measured on one face 101 of the face mask 100 and the width of the face-face V2 is measured on the face 102 of the face mask 100 .
  • the small-sized hole (V1) may be disposed toward the substrate 300.
  • the small-sized hole V1 may be disposed close to the substrate 300. Accordingly, the small hole V1 may have a shape corresponding to the deposition material, that is, the deposition pattern DP.
  • the facing surface (V2) may be disposed toward the organic material deposition container (400). Accordingly, the face-to-face V2 can accommodate the organic material supplied from the organic material deposition container 400 in a wide width, and the small-sized hole V2, which is wider than the face- A fine pattern can be formed on the substrate 300 quickly.
  • FIG. 4 is a plan view of the vapor deposition mask 100 according to the embodiment. Referring to Fig. 4, the vapor deposition mask 100 will be described in more detail.
  • the deposition mask 100 may include a deposition area DA and a non-deposition area NDA.
  • the deposition region DA may be a region for forming a deposition pattern.
  • the deposition area DA may include a pattern area and a non-pattern area.
  • the pattern region may be a region including a small-plane hole V1, a large-diameter hole V2, a through hole TH and an island portion IS, and the non-pattern region may include a small- ), The through hole (TH), and the island portion (IS).
  • one deposition mask 100 may include a plurality of deposition areas DA.
  • the deposition area DA of the embodiment may include a plurality of effective portions AA1, AA2, and AA3 capable of forming a plurality of deposition patterns.
  • the pattern region may include the plurality of valid portions (AA1, AA2, AA3).
  • the plurality of effective portions AA1, AA2, and AA3 may include a first effective portion AA1, a second effective portion AA2, and a third effective portion AA3.
  • one deposition area DA may be any one of the first effective part AA1, the second effective part AA2, and the third effective part AA3.
  • any one of the plurality of deposition regions included in the deposition mask 100 may be for forming one display device.
  • the single mask for vapor deposition 100 can include a plurality of effective portions, so that a plurality of display devices can be formed at the same time. Therefore, the vapor deposition mask 100 according to the embodiment can improve the process efficiency.
  • a plurality of effective portions included in one deposition mask 100 may be a part for forming one display device.
  • the plurality of valid portions may be for preventing deformation due to the load of the mask.
  • the deposition area DA may include a plurality of isolation areas IA1 and IA2 included in one deposition mask 100.
  • Separation regions IA1 and IA2 may be disposed between adjacent effective portions.
  • the isolation regions IA1 and IA2 may be spaced apart from a plurality of effective portions.
  • the first isolation region IA1 may be disposed between the first valid portion AA1 and the second valid portion AA2.
  • a second isolation region IA2 may be disposed between the second effective portion AA2 and the third effective portion AA3. That is, the adjacent effective regions can be distinguished from each other by the isolation regions IA1 and IA2, and one mask mask 100 can support a plurality of effective regions.
  • the deposition mask 100 may include a non-deposition region NDA on both sides of the deposition region DA in the longitudinal direction.
  • the deposition mask 100 according to the embodiment may include the non-deposition area NDA on both sides in the horizontal direction of the deposition area DA.
  • the non-deposition region NDA of the deposition mask 100 may be a region not involved in deposition.
  • the non-deposition area NDA may include frame fixing areas FA1 and FA2 for fixing the deposition mask 100 to the mask frame 200.
  • the non-deposition region NDA may include half etching portions HF1 and HF2 and an open portion.
  • the deposition region DA may be a region for forming a deposition pattern
  • the non-deposition region NDA may be a region not involved in deposition.
  • a surface treatment layer different from the material of the metal plate 10 may be formed in the deposition area DA of the deposition mask 100, and the surface treatment layer of the non-deposition area NDA may not be formed .
  • a surface treatment layer different from the material of the metal plate 10 may be formed on only one of the one surface 101 or the other surface 102 of the vapor deposition mask 100.
  • a surface treatment layer different from the material of the metal plate 10 may be formed on only a part of one surface 101 of the mask for vapor deposition 100.
  • the surface 101 and / or the other surface 102 of the vapor deposition mask 100 and the vapor deposition mask 100 may be entirely and / or partially covered with a surface treatment layer having a lower etching rate than the material of the metal plate 10 So that the etch factor can be improved.
  • the vapor deposition mask 100 of the embodiment can form a through hole having a small size with high efficiency.
  • the vapor deposition mask 100 of the embodiment may have a resolution of 400 PPI or more.
  • the deposition mask 100 can form a deposition pattern having a high resolution of 500 PPI or more with high efficiency.
  • the surface treatment layer may include an element different from the material of the metal plate 10, or may include a metal material having a different composition of the same element.
  • the manufacturing process of the evaporation mask will be described in detail.
  • the non-deposition region NDA may include half etching portions HF1 and HF2.
  • the non-deposition area NDA of the deposition mask 100 may include a first half-etching area HF1 on one side of the deposition area DA, And a second half-etching portion HF2 on the other side opposite to the one side.
  • the first half etching part HF1 and the second half etching part HF2 may be regions where grooves are formed in the depth direction of the deposition mask 100.
  • the first half etching part HF1 and the second half etching part HF2 can have grooves having a thickness of about 1/2 of the thickness of the deposition mask so that stress can be dispersed during the tensile stress of the deposition mask 100 have.
  • the half etching portions HF1 and HF2 are preferably formed symmetrically with respect to the center of the evaporation mask 100 in the X-axis direction or in the Y-axis direction. This makes it possible to uniformly control the tensile force in both directions.
  • the half-etching portions HF1 and HF2 may be formed in various shapes.
  • the half etching portions HF1 and HF2 may include a semicircular groove.
  • the grooves may be formed on at least one of the one surface 101 of the vapor deposition mask 100 and the other surface 102 opposite to the one surface 101.
  • the half-etched portions HF1 and HF2 may be formed on a surface corresponding to the small-hole surface V1. Accordingly, the half-etching portions HF1 and HF2 can be formed simultaneously with the small-plane hole V1, thereby improving the process efficiency.
  • the half-etching portions HF1 and HF2 can disperse stress that may be caused by a difference in size between facing faces V2.
  • the embodiment is not limited thereto, and the half-etching portions HF1 and HF2 may have a rectangular shape.
  • the first half-etching portion HF1 and the second half-etching portion HF2 may have a rectangular or square shape. Accordingly, the vapor deposition mask 100 can effectively disperse the stress.
  • the half-etching portions HF1 and HF2 may include a curved surface and a flat surface.
  • the plane of the first half etching part HF1 may be disposed adjacent to the first effective part AA1 and the plane may be disposed horizontally with the longitudinal end of the evaporation mask 100.
  • the curved surface of the first half-etching part HF1 may be convex toward one end in the longitudinal direction of the evaporation mask 100.
  • the curved surface of the first half-etching part HF1 may be formed so that a half of the length of the mask in the vertical direction corresponds to the radius of the semicircular shape.
  • the plane of the second half-etching portion HF2 may be disposed adjacent to the third effective portion AA3, and the plane may be disposed horizontally with respect to the longitudinal direction end of the deposition mask 100 have.
  • the curved surface of the second half-etching portion HF2 may be convex toward the other end in the longitudinal direction of the deposition mask 100.
  • the curved surface of the second half-etching portion HF2 may be formed so that a half of the length of the mask in the vertical direction corresponds to the radius of the semicircular surface.
  • the half etching portions HF1 and HF2 can be formed at the same time when forming the small-plane hole V1 or the facing hole V2. This can improve process efficiency.
  • the grooves formed on one surface 101 and the other surface 102 of the evaporation mask 100 may be offset from each other. Whereby the half etching portions HF1 and HF2 may not penetrate.
  • the deposition mask 100 may include four half-etching portions.
  • the half etching portions HF1 and HF2 may include even-numbered half etching portions HF1 and HF2, so that the stress can be more efficiently dispersed.
  • the half-etching portions HF1 and HF2 may be further formed on the unaffected portion UA of the deposition region DA.
  • the half-etching portions HF1 and HF2 may be disposed in a plurality of the non-fluxing portions UA dispersed in all or a part of the UA to disperse the stress in tension of the vapor deposition mask 100.
  • the half etching portions HF1 and HF2 may also be formed in the peripheral areas of the frame fixing areas FA1 and FA2 and / or the frame fixing areas FA1 and FA2. Accordingly, when the deposition mask 100 (see FIG. 1) is formed when the deposition mask 100 is fixed to the mask frame 200, and / or when depositing the deposition material after fixing the deposition mask 100 to the mask frame 200 Can be uniformly dispersed. Accordingly, the vapor deposition mask 100 can be maintained to have a uniform through-hole.
  • the deposition mask 100 according to the embodiment may include a plurality of half-etching portions.
  • the deposition mask 100 according to the embodiment includes the half-etching portions HF1 and HF2 only in the non-deposition region NDA, but is not limited thereto.
  • the deposition region DA and the non- NDA) may further include a plurality of half-etching portions. Accordingly, the stress of the vapor deposition mask 100 can be uniformly dispersed.
  • the non-deposition area NDA may include frame fixing areas FA1 and FA2 for fixing the deposition mask 100 to the mask frame 200.
  • a first frame fixing area FA1 may be formed on one side of the deposition area DA and a second frame fixing area FA2 may be formed on the other side opposite to the one side of the deposition area DA .
  • the first frame fixing area FA1 and the second frame fixing area FA2 may be areas fixed to the mask frame 200 by welding.
  • the frame fixing areas FA1 and FA2 are disposed between the half etching portions HF1 and HF2 of the non-deposition region NDA and the effective portions of the deposition region DA adjacent to the half etching portions HF1 and HF2. .
  • the first frame fixing area FA1 is formed in the first half etching portion HF1 of the non-deposition region NDA and the first half etching portion HF2 of the deposition region DA adjacent to the first half etching portion HF1. 1 valid portion AA1.
  • the second frame fixing area FA2 may be formed in the second half etching portion HF2 of the non-deposition region NDA and the second half etching portion HF2 of the deposition region DA adjacent to the second half etching portion HF2. 3 valid portion AA3.
  • a plurality of deposition pattern units can be fixed at the same time.
  • the deposition mask 100 may include semicircular openings at both ends in the horizontal direction X.
  • the non-deposited region NDA may include an open portion.
  • the non-deposition area NDA may include one semicircular open part at each end in the horizontal direction.
  • the non-deposition area NDA of the vapor deposition mask 100 may include an open part having a center in the vertical direction Y on one side in the horizontal direction.
  • the non-deposition area NDA of the vapor deposition mask 100 may include an open part whose center is opened in the vertical direction on the opposite side to the one side in the horizontal direction. That is, both ends of the vapor-deposition mask 100 may include open portions at half the length in the vertical direction.
  • both ends of the vapor deposition mask 100 may be shaped like a horse hoof.
  • the curved surface of the open portion may be directed to the half-etching portions HF1 and HF2. Accordingly, the opening portions located at both ends of the deposition mask 100 are spaced apart from the first half-etching portions HF1 and HF2 or the second half-etching portions HF1 and HF2 and the vertical direction length of the deposition mask 100 The separation distance may be the shortest at a half of the distance.
  • the length h2 in the vertical direction of the open portion may correspond to the length h1 in the vertical direction of the first half-etching portion HF1 or the second half-etching portion HF2. Accordingly, when the vapor deposition mask 100 is stretched, the stress can be evenly dispersed, and the wave deformation of the vapor deposition mask can be reduced. Therefore, the vapor deposition mask 100 according to the embodiment can have a uniform through-hole, and the deposition efficiency of the pattern can be improved.
  • the half-etched portion may be further formed in the unaffected portion UA of the deposition region DA.
  • the half-etching portion may be disposed in a plurality of the non-legible portions UA dispersed in all or a part of the non-legible portion UA in order to disperse the stress during tensioning of the vapor-deposition mask 100.
  • the half etching portions HF1 and HF2 may also be formed in the peripheral areas of the frame fixing areas FA1 and FA2 and / or the frame fixing areas FA1 and FA2. Accordingly, the stress of the vapor deposition mask 100, which is generated when the vapor deposition mask 100 is fixed to the mask frame 200, and / or when depositing the deposition material after fixing the vapor deposition mask 100 to the frame, It can be uniformly dispersed. Accordingly, the vapor deposition mask 100 can be maintained to have a uniform through-hole.
  • the vapor deposition mask 100 may include a plurality of effective portions AA1, AA2, and AA3 spaced apart in the longitudinal direction and a non-effective portion UA other than the effective portion.
  • the deposition area DA may include a plurality of effective portions AA1, AA2, and AA3 and a non-effective portion UA other than the effective portion AA.
  • the effective portions AA1, AA2, and AA3 include a plurality of small-hole holes V1 formed on one surface of the deposition mask 100, a plurality of facing holes V2 formed on the other surface opposite to the one surface, And a through hole TH formed by a communicating portion CA to which a boundary between the hole V1 and the facing hole V2 is connected.
  • the effective portions AA1, AA2, and AA3 may include an island portion IS that supports a plurality of through holes TH.
  • the island portion IS may be positioned between adjacent through holes TH of the plurality of through holes TH. That is, the areas other than the through holes TH in the effective portions AA1, AA2, and AA3 of the vapor deposition mask 100 may be the island portions IS.
  • the island portion IS may refer to a portion of the deposition mask not etched on one side 101 or the other side 102 of the effective portion.
  • the island portion IS may be an unetched region between the through hole TH and the through hole TH at the other surface 102 on which the facing surface V2 of the effective portion of the vapor deposition mask 100 is formed. have. Therefore, the island portion IS may be disposed parallel to one surface 101 of the deposition mask 100. In detail, the upper surface of the island portion IS may be disposed parallel to the one surface 101.
  • the island portion IS may be disposed on the same plane as the other surface 102 of the deposition mask 100. Accordingly, the island portion IS may have the same thickness as at least a portion of the non-fatigue portion on the other surface 102 of the vapor deposition mask 100. In detail, the island portion IS may have the same thickness as the unetched portion of the non-affinity portion 102 on the other side 102 of the deposition mask 100. Accordingly, the deposition uniformity of the subpixel can be improved through the deposition mask 100.
  • the island portion IS may be disposed in a plane parallel to the other surface 102 of the deposition mask 100.
  • the parallel plane means that the other surface of the deposition mask 100 in which the island portion IS is disposed by the etching process around the island portion IS and the other surface of the mask portion 100 in the non- And the height difference of the other surface is +/- 1 ⁇ ⁇ or less.
  • the vapor deposition mask 100 may include an unaffected portion UA disposed on the outer side of the effective portions AA1, AA2, and AA3.
  • the effective portion AA may be an inner region when the outer peripheries of the outermost through holes for depositing the organic material among the plurality of through holes are connected.
  • the non-dielectrophoretic unit UA may be an outer region of the plurality of through holes when the outer peripheries of the outermost through holes for depositing the organic material are connected.
  • the unaffected portion UA is a region excluding the effective portions AA1, AA2, and AA3 of the deposition region DA and the non-deposition region NDA.
  • the non-divergent portion UA may include outer regions OA1, OA2, and OA3 surrounding the outer portions of the valid portions AA1, AA2, and AA3.
  • the number of the outer areas OA1, OA2, and OA3 may correspond to the number of the valid parts AA1, AA2, and AA3. That is, one valid part may include one outer area that is separated from the end of the valid part by a predetermined distance in the horizontal direction and the vertical direction, respectively.
  • the first valid portion AA1 may be included in the first outer area OA1.
  • the first effective portion AA1 may include a plurality of through holes TH for forming a deposition material.
  • the first outer area OA1 surrounding the outer periphery of the first effective portion AA1 may include a plurality of through holes.
  • the plurality of through holes included in the first outer region OA1 are for reducing the etching failure of the through holes TH located at the outermost portion of the first effective portion AA1. Accordingly, the vapor deposition mask 100 according to the embodiment can improve the uniformity of the plurality of through holes located in the effective portions AA1, AA2, and AA3, and improve the quality of the vapor deposition pattern manufactured thereby have.
  • the shape of the through hole TH of the first effective part AA1 may correspond to the shape of the through hole TH of the first outer area OA1. Accordingly, the uniformity of the through hole TH included in the first effective portion AA1 can be improved.
  • the shape of the through hole TH of the first effective part AA1 and the shape of the through hole of the first outer area OA1 may be circular.
  • the embodiment is not limited to this, and the through hole TH may have various shapes such as a diamond pattern, an elliptical pattern, and the like.
  • the second valid portion AA2 may be included in the second outer area OA2.
  • the second effective part AA2 may have a shape corresponding to the first effective part AA1.
  • the second outer area OA2 may have a shape corresponding to the first outer area OA1.
  • the second outer area OA2 may further include two through holes in the horizontal direction and the vertical direction from the through hole located at the outermost of the second effective part AA2.
  • two through holes may be arranged in a row in the horizontal direction at the upper and lower positions of the through holes located at the outermost of the second effective part AA2.
  • two through holes may be arranged in a line in the vertical direction on the left side and the right side of the through hole located at the outermost side of the second effective part AA2.
  • the plurality of through holes included in the second outer region OA2 are for reducing the etching failure of the through holes located at the outermost portion of the effective portion. Accordingly, the vapor deposition mask according to the embodiment can improve the uniformity of the plurality of through holes located in the effective portion, thereby improving the quality of the vapor deposition pattern manufactured through the mask.
  • the third valid part AA3 may be included in the third outer area OA3.
  • the third effective portion AA3 may include a plurality of through holes for forming an evaporation material.
  • the third outer area OA3 surrounding the outer periphery of the third effective part AA3 may include a plurality of through holes.
  • the third effective part AA3 may have a shape corresponding to the first effective part AA1.
  • the third outer area OA3 may have a shape corresponding to the first outer area OA1.
  • the through holes TH included in the effective portions AA1, AA2, and AA3 may have a shape partially corresponding to the through holes included in the non-effective portion UA.
  • the through holes included in the effective portions AA1, AA2, and AA3 may have different shapes from the through holes located at the edge portions of the non-effective portion UA. Accordingly, it is possible to control the difference in stress depending on the position of the deposition mask 100.
  • FIGS. 5 and 6 are plan views of an effective view of the deposition mask 100 according to the embodiment
  • FIG. 7 is another plan view of the deposition mask according to the embodiment.
  • 5 to 7 are plan views of any one of the first effective portion AA1, the second effective portion AA2 and the third effective portion AA3 of the vapor deposition mask 100 according to the embodiment .
  • 5 to 7 illustrate the shape of the through hole TH and the arrangement between the through holes TH.
  • the vapor deposition mask 100 according to the embodiment has the through holes TH ).
  • the vapor deposition mask 100 may include a plurality of through holes TH.
  • the through holes TH may be arranged in a line or may be staggered according to the direction.
  • the through holes TH may be arranged in a row in the vertical axis and the horizontal axis, and may be arranged in a row in the vertical axis or the horizontal axis.
  • the vapor deposition mask 100 may include a plurality of through holes TH.
  • the plurality of through holes TH may have a circular shape.
  • the through hole TH may have a diameter Cx in the horizontal direction and a diameter Cy in the vertical direction and the diameter Cx of the through hole TH in the horizontal direction and the diameter Cy) values may correspond to each other.
  • the through holes TH may be arranged in a line according to the direction.
  • the through holes TH may be arranged in a row in the vertical axis and the horizontal axis.
  • the first through hole TH1 and the second through hole TH2 may be arranged in a line on the horizontal axis and the third through hole TH1 and the fourth through hole TH4 may be arranged in a line on the vertical axis. have.
  • the first through hole TH1 and the third through hole TH3 may be arranged in a row on the vertical axis and the second through hole TH2 and the fourth through hole TH4 may be arranged in a row on the horizontal axis. have.
  • the island portions IS are positioned between the two adjacent through holes TH in the diagonal direction, can do. That is, the island portion IS may be positioned between two adjacent through holes TH located in diagonal directions with respect to each other.
  • the island portion IS may be disposed between the first through hole TH1 and the fourth through hole TH4.
  • the island portion IS may be disposed between the second through hole TH2 and the third through hole TH3.
  • the island portion IS may be positioned in the inclination angle direction of about +45 degrees and the inclination angle direction of about -45 degrees, respectively, based on the horizontal axis crossing the two adjacent through holes.
  • the direction of the inclination angle of about +/- 45 may mean the diagonal direction between the abscissa and the ordinate, and the inclination angle in the diagonal direction may be measured on the same plane of the abscissa and the ordinate.
  • the other mask for vapor deposition 100 may include a plurality of through holes.
  • the plurality of through holes may have an elliptical shape.
  • the diameter Cx in the horizontal direction of the through hole TH and the diameter Cy in the vertical direction may be different from each other.
  • the diameter Cx in the horizontal direction of the through hole may be larger than the diameter Cy in the vertical direction.
  • the embodiment is not limited to this, and the through-hole may have a rectangular shape, an octagonal shape, or a rounded octagonal shape.
  • the through holes TH may be arranged in a line in one axis of the longitudinal axis or in the transverse axis and may be staggered in the other axis.
  • the first through hole TH1 and the second through hole TH2 may be arranged in a line on the abscissa axis and the third through hole TH1 and the fourth through hole TH4 may be arranged in the first through hole TH1. And the second through hole (TH2), respectively.
  • two adjacent through holes TH1, TH2 may be located between the island portions IS.
  • the island portion IS may be positioned between the three through holes TH1, TH2, and TH3 positioned adjacent to each other.
  • the two through holes TH1 and TH2 among the three adjacent through holes TH1 and TH2 are through holes arranged in a line and the other through hole TH3 is adjacent to the one in the direction corresponding to the in- Hole, which can be disposed in an area between the two through-holes TH1 and TH2.
  • the island portion IS may be disposed between the first through hole TH1, the second through hole TH2, and the third through hole TH3. Alternatively, the island portion IS may be disposed between the second through hole TH2, the third through hole TH3, and the fourth through hole TH4.
  • the deviation between the diameters Cx in each horizontal direction between the vertexes TH and the deviation between the diameters Cy in the vertical direction can be realized at about 2% to about 10%. That is, when the size deviation between adjacent through holes of one reference hole is about 2% to about 10%, the uniformity of the deposition can be ensured.
  • the size variation between the reference hole and the adjacent through holes may be about 4% to about 9%.
  • the size variation between the reference hole and the adjacent through holes may be about 5% to about 7%.
  • the size variation between the reference hole and the adjacent through holes may be between about 2% and about 5%.
  • the size deviation between the reference hole and the adjacent through holes is less than about 2%, the occurrence rate of the moiré in the OLED panel after deposition can be increased.
  • the size deviation between the reference hole and the adjacent through holes exceeds about 10%, the incidence of color unevenness in the OLED panel after deposition can be increased.
  • the mean deviation of the through-hole diameters may be +/- 5 mu m.
  • the mean deviation of the through-hole diameter may be +/- 3 mu m.
  • the mean deviation of the through-hole diameters may be +/- 1 mu m.
  • Embodiments can improve the deposition efficiency by realizing the size deviation between the reference hole and the adjacent through holes within +/- 3 mu m.
  • the island portion IS in FIGS. 5 to 7 denotes an un-etched surface between the through holes TH on the other surface of the deposition mask 100 in which the facing surface V2 of the effective portion AA is formed .
  • the island portion IS is formed in the effective portion AA of the vapor deposition mask at the other surface side of the unetched vapor deposition mask 100 excluding the second etching surface ES2 and the through hole TH located in the facing surface.
  • the deposition mask 100 of the embodiment may be for high resolution to ultra high resolution OLED pixel deposition having a resolution of 400 PPI or more and 400 PPI to 800 PPI or more in detail.
  • the deposition mask 100 of the embodiment may be for forming a deposition pattern having a high resolution of Full HD (High Definition) having a resolution of 400 PPI or more.
  • the vapor deposition mask 100 of the embodiment may be for OLED pixel deposition with a number of pixels in the horizontal and vertical directions of 1920 * 1080 or more and 400 PPI or more. That is, one valid part included in the deposition mask 100 of the embodiment may be for forming a pixel number of 1920 * 1080 or more.
  • the deposition mask 100 of the embodiment may be for forming a deposition pattern having a high resolution of QHD (Quad High Definition) having a resolution of 500PPI or more.
  • the deposition mask 100 of the embodiment may be for OLED pixel deposition with a number of pixels in the horizontal and vertical directions of 2560 * 1440 or more and 530 PPI or more.
  • the number of pixels per inch can be 530 PPI or more based on a 5.5 inch OLED panel. That is, one valid part included in the mask for mask 100 of the embodiment may be for forming a pixel number of 2560 * 1440 or more.
  • the deposition mask 100 of the embodiment may be for forming an ultra high resolution deposition pattern of UHD (Ultra High Definition) having a resolution of 700 PPI or more.
  • the vapor deposition mask 100 of the embodiment forms a vapor deposition pattern having a resolution of UHD (Ultra High Definition) for deposition of OLED pixels of 794 PPI or more and having a number of pixels of 3840 * 2160 or more in the horizontal and vertical directions . ≪ / RTI >
  • the diameter of the through hole (TH) may be a width between the communicating portions (CA).
  • the diameter of the through hole TH can be measured at the point where the end of the etched surface in the small-hole V1 meets the end of the etched surface in the opposite surface V2.
  • the measuring direction of the diameter of the through hole TH may be any one of a horizontal direction, a vertical direction, and a diagonal direction.
  • the diameter of the through-hole TH measured in the horizontal direction may be 33 ⁇ or less.
  • the diameter of the through-hole TH measured in the horizontal direction may be 33 ⁇ or less.
  • the diameter of the through-hole TH may be an average value of values measured in the horizontal direction, the vertical direction, and the diagonal direction, respectively.
  • the deposition mask 100 can realize the QHD resolution.
  • the diameter of the through hole TH may be about 15 ⁇ to about 33 ⁇ .
  • the diameter of the through hole TH may be about 19 ⁇ ⁇ to about 33 ⁇ ⁇ .
  • the diameter of the through hole TH may be about 20 ⁇ to about 27 ⁇ . If the diameter of the through hole TH is greater than about 33 ⁇ , it may be difficult to realize a resolution of 500 PPI or more.
  • the diameter of the through-hole TH is less than about 15 mu m, deposition failure may occur.
  • a pitch between two adjacent through-holes TH among the plurality of through-holes in the horizontal direction may be about 48 ⁇ m or less.
  • the pitch between adjacent two through holes TH among the plurality of through holes TH in the horizontal direction may be about 20 ⁇ to about 48 ⁇ .
  • the pitch between two neighboring through holes TH among the plurality of through holes TH in the horizontal direction may be about 30 ⁇ to about 35 ⁇ .
  • the interval may mean the interval P1 between the center of the two adjacent first through holes TH1 and the center of the second through holes TH2 in the horizontal direction.
  • the spacing may mean the distance P2 between the center of the two adjacent first island portions and the center of the second island portion in the horizontal direction.
  • the center of the island portion IS may be the center on the un-etched side between the four through-holes TH adjacent in the horizontal direction and the vertical direction.
  • the center of the island portion IS may be located adjacent to the first through-hole TH1 and the second through-hole TH2 adjacent to each other in the vertical direction
  • the pitch between adjacent two through holes TH among the plurality of through holes in the horizontal direction may be about 48 ⁇ ⁇ or less.
  • the pitch between adjacent two through holes TH among the plurality of through holes TH in the horizontal direction may be about 20 ⁇ to about 48 ⁇ .
  • the pitch between two neighboring through holes TH among the plurality of through holes TH in the horizontal direction may be about 30 ⁇ to about 35 ⁇ .
  • the interval may mean the interval P1 between the center of the two adjacent first through holes TH1 and the center of the second through holes TH2 in the horizontal direction.
  • the interval may mean the interval (P2) between the center of the two adjacent first island portions and the center of the second island portion in the horizontal direction.
  • the center of the island portion IS may be the center of the unexposed face between one through-hole and two through-holes adjacent in the vertical direction.
  • the center of the island portion IS may be centered on the unexposed face between the two through holes and one through hole adjacent in the vertical direction. That is, the center of the island portion (IS) is the center of the non-etched opposite surface between the adjacent three through holes, and the adjacent three through holes may mean that a triangular shape can be formed when the center is the center.
  • the measuring direction of the distance between the two through-holes (TH) adjacent to the measurement direction of the diameter of the through-hole (TH) may be the same.
  • the distance between the through holes TH may be measured by measuring the distance between the two through holes TH adjacent to each other in the horizontal direction or the vertical direction.
  • the deposition mask 100 according to the embodiment can deposit OLED pixels having a resolution of 400 PPI or more.
  • the vapor deposition mask 100 according to the embodiment has a resolution of 500PPI or more as the diameter of the through hole TH is about 33 ⁇ ⁇ or less and the pitch between the through holes TH is about 48 ⁇ ⁇ or less OLED pixels can be deposited. That is, the QHD resolution can be realized by using the deposition mask 100 according to the embodiment.
  • the diameter of the through hole (TH) and the distance between the through holes (TH) may be a size for forming green subpixels.
  • the diameter of the through hole TH can be measured based on a green (G) pattern.
  • the green (G) pattern requires a larger number than the red (R) pattern and the blue (B) pattern because the recognition rate through the time is low, and the spacing between the through holes (TH) B) pattern.
  • the deposition mask 100 may be an OLED deposition mask for implementing a QHD display pixel.
  • the deposition mask 100 may be for depositing at least one subpixel of red (R), first green (G1), blue (B), and second green (G2).
  • the deposition mask 100 may be for depositing red (R) sub-pixels.
  • the deposition mask 100 may be for depositing a blue (B) sub-pixel.
  • the deposition mask 100 may be for simultaneously forming a first green (G1) subpixel and a second green (G2) subpixel.
  • the pixel arrangement of the organic light emitting display may be arranged in the order of 'red (R) - first green (G1) - blue (B) - second green (G2)' (RGBG).
  • R 'red
  • G1 first green
  • B blue
  • G2 second green
  • the red R - the first green G1 can form one pixel RG
  • the blue B - the second green G2 can form another pixel BG.
  • the vapor deposition mask 100 according to the present invention may be required.
  • the diameter of the through hole TH may be about 20 ⁇ ⁇ or less in the horizontal direction in the vapor deposition mask 100 according to the embodiment. Accordingly, the deposition mask 100 according to the embodiment can implement UHD resolution.
  • the vapor deposition mask 100 according to the embodiment may have a resolution of 800 PPI class as the diameter of the through hole TH is about 20 ⁇ m or less and the interval between the through holes is about 32 ⁇ m or less OLED pixels can be deposited. That is, UHD resolution can be realized by using the deposition mask according to the embodiment.
  • the diameter of the through hole and the distance between the through holes may be a size for forming a green sub-pixel.
  • the deposition mask may be an OLED deposition mask for implementing a UHD display pixel.
  • FIG. 8 is a diagram showing overlapping sections of respective sections to explain height differences and sizes between a section in the direction of A-A 'in FIG. 5 or 6 and a section in the direction of B-B'.
  • the A-A 'direction is a transverse cross section that crosses a central region between two first through holes TH1 and a third through hole TH3 which are adjacent in the vertical direction. That is, the transverse section in the direction A-A 'may not include the through hole TH.
  • the transverse section in the direction A-A ' may be located between the etching surface ES2 in the facing face and the etching surface ES2 in the facing surface, and the island portion IS, which is the other surface of the deposition mask, is not etched. Accordingly, the island portion IS may include a surface parallel to an un-etched surface of the deposition mask. Alternatively, the island portion IS may include a surface that is the same as or parallel to the unmasked surface of the deposition mask 100.
  • the B-B 'direction is a transverse cross section across the centers of the two first through holes (TH1) and the second through holes (TH2) adjacent in the horizontal direction. That is, the transverse section in the direction of B-B 'may include a plurality of through holes TH.
  • One rib (RB) may be positioned between the adjacent third through hole (TH3) and the fourth through hole (TH4) in the direction of B-B '.
  • Another rib RB may be positioned between the fourth through hole TH4 and the fourth through hole in the horizontal direction and between the fifth through hole located in the opposite direction to the third through hole TH3.
  • One through hole (TH) may be positioned between the one rib and the other rib. That is, one through hole TH may be positioned between two ribs RB adjacent to each other in the horizontal direction.
  • the cross section in the direction of B-B ' may be a rib RB which is an area where the etching surface ES2 in the facing face and the etching surfaces ES2 in the adjacent facing face are connected to each other.
  • the rib (RB) may be a region to which the boundaries of two adjacent facing balls are connected. Since the ribs RB are etched, the ribs RB may be thinner than the island portions IS.
  • the width of the island portion IS may be about 2 ⁇ or more. That is, the width of the portion remaining unetched at the other surface in the direction parallel to the other surface may be about 2 ⁇ or more.
  • the entire volume of the mask for vapor deposition 100 can be increased.
  • the vapor deposition mask 100 having such a structure can secure sufficient rigidity against the tensile force applied in the organic material deposition process or the like and can be advantageous to maintain the uniformity of the through holes.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line B-B 'of FIG. 5 or FIG. 9, the ribs RB in the effective region according to FIG. 8 and the through holes TH between the ribs RB will be described.
  • the vapor deposition mask 100 may have a thickness in the effective portion AA where the through holes are formed by etching and a thickness in the unetched portion UA that is not etched .
  • the thickness of the rib (RB) may be smaller than the thickness of the unetched unaffected portion (UA).
  • the thickness of the non-affected portion UA may be larger than the thickness of the effective portions AA1, AA2, AA3.
  • the vapor deposition mask 100 may have a maximum thickness of about 30 mu m or less in the unaffected portion UA to the non-deposition region NDA.
  • the vapor deposition mask 100 may have a maximum thickness of about 25 mu m or less of the unaffected portion UA to the non-deposition region NDA.
  • the deposition mask of an embodiment may have a maximum thickness of about 15 [mu] m to about 25 [mu] m in the unglued or non-deposited regions.
  • the thickness of the metal plate 10 which is the source of the deposition mask 100, becomes thick, It may be difficult to form the hole TH.
  • the maximum thickness of the non-fatigued portion (UA) to the non-deposited region (NDA) of the vapor deposition mask (100) is less than about 15 mu m, the thickness of the metal plate is small, .
  • the maximum thickness (T3) measured at the center of the rib (RB) may be about 15 mu m or less.
  • the maximum thickness T3 measured at the center of the rib (RB) may be about 7 ⁇ ⁇ to about 10 ⁇ ⁇ .
  • the maximum thickness T3 measured at the center of the rib (RB) may be about 6 ⁇ ⁇ to about 9 ⁇ ⁇ .
  • the maximum thickness (T3) measured at the center of the rib (RB) exceeds about 15 mu m, it may be difficult to form an OLED deposition pattern having a high resolution of 500 PPI or more. Further, when the maximum thickness T3 measured at the center of the rib (RB) is less than about 6 mu m, uniform formation of the deposition pattern may be difficult.
  • the height H1 of the small hole of the vapor deposition mask 100 may be about 0.2 to about 0.4 times the maximum thickness T3 measured at the center of the rib RB.
  • the maximum thickness T3 measured at the center of the rib RB is about 7 ⁇ m to about 9 ⁇ m
  • the height H 1 between one surface of the vapor deposition mask 100 and the communication portion is about 1.4 Mu m to about 3.5 mu m.
  • the height H1 of the small hole of the vapor deposition mask 100 may be about 3.5 mu m or less.
  • the height of the small hole V1 may be about 0.1 mu m to about 3.4 mu m.
  • the height of the small hole V1 of the vapor deposition mask 100 may be about 0.5 mu m to about 3.2 mu m.
  • the height of the small hole V1 of the vapor deposition mask 100 may be about 1 [mu] m to about 3 [mu] m.
  • the height may be measured in the direction of thickness measurement of the vapor deposition mask 100, that is, the depth direction, and the height from one surface of the vapor deposition mask 100 to the communication portion may be measured. (X direction) and the vertical direction (y direction) described above with reference to the plan views of Figs. 4 to 7 in the z axis direction at 90 degrees, respectively.
  • a deposition defect may occur due to a shadow effect in which the evaporation material spreads to a region larger than the area of the through hole in the OLED deposition .
  • the pore size W1 at one surface of the evaporation mask 100 where the small-sized hole V1 is formed may be larger than the pore size W2 at the communicating portion.
  • the difference between the pore size W1 on one surface of the evaporation mask 100 and the pore size W2 on the communicating portion may be about 0.01 ⁇ m to about 1.1 ⁇ m.
  • the difference between the pore size W1 on one surface of the evaporation mask and the pore size W2 on the communicating portion may be about 0.03 ⁇ m to about 1.1 ⁇ m.
  • the difference between the pore size W1 on one surface of the evaporation mask and the pore size W2 on the communicating portion may be about 0.05 ⁇ m to about 1.1 ⁇ m.
  • the deposition pattern having a high resolution of 400 PPI or higher and 500 PPI or higher in detail can be formed and an irregular pattern can be formed on the other surface of the deposition mask 100, (IS) may be present.
  • 10 to 12 are views showing a manufacturing process of the vapor deposition mask 100 according to the embodiment.
  • FIG. 10 is a perspective view and a plan view of the metal plate 10 as a raw material of the vapor deposition mask 100 according to the embodiment.
  • the metal plate 10 may include a metal material.
  • the metal plate 10 may include nickel (Ni).
  • the metal plate 10 may include iron (Fe) and nickel (Ni). More specifically, the metal plate 10 may include iron (Fe), nickel (Ni), oxygen (O), and chromium (Cr).
  • the metal plate 10 may include a small amount of carbon, silicon, sulfur, phosphorus, manganese, titanium, cobalt, copper, May further include at least one or more elements of silver (Ag), vanadium (V), niobium (Nb), indium (In), and antimony (Sb).
  • the Invar is an alloy containing iron and nickel, and is a low thermal expansion alloy having a thermal expansion coefficient close to zero. That is, since the Invar has a very small thermal expansion coefficient, it is used in precision parts such as masks and precision instruments. Therefore, the vapor deposition mask manufactured using the metal plate 10 can have improved reliability, can prevent deformation, and can also increase the lifetime.
  • the metal plate 10 may contain about 60 wt% to about 65 wt% of iron, and the nickel may include about 35 wt% to about 40 wt%. In detail, the metal plate 10 may include about 63.5 wt% to about 64.5 wt% of iron, and the nickel may include about 35.5 wt% to about 36.5 wt%.
  • the metal plate 10 may be formed of a metal such as carbon, silicon, sulfur, phosphorus, manganese, titanium, cobalt, At least one element selected from the group consisting of silver (Ag), vanadium (V), niobium (Nb), indium (In) and antimony (Sb).
  • the content, weight and% by weight of the metal sheet 10 can be determined by selecting a specific area a * b on the plane of the metal sheet 10 and measuring a specimen a * b corresponding to the thickness t of the metal sheet 10, b * t) is sampled and dissolved in strong acid, etc., and the weight% of each component is examined.
  • the examples are not limited thereto, and the weight percentage of the composition can be confirmed by various methods which can confirm the composition of the metal plate.
  • the metal plate 10 may be manufactured by a cold rolling method.
  • the metal sheet 10 may be formed through melting, forging, hot rolling, normalizing, primary cold rolling, primary annealing, secondary cold rolling, and secondary annealing, Or less.
  • the metal plate 10 may have a thickness of about 30 ⁇ or less through an additional thickness reduction process.
  • the metal plate 10 may be wound as shown in Fig.
  • the metal plate 10 manufactured by the cold rolling method can be wound on a winding roll or the like.
  • the metal plate 10 since the process of manufacturing a mask for vapor deposition proceeds with a roll-to-roll process, the metal plate 10 can be wound.
  • the metal plate 10 may have a rectangular shape (dotted line in FIG. 10) as shown in FIG.
  • the metal plate 10 may have a rectangular shape including a major axis and a minor axis.
  • wave deformation may occur.
  • the metal plate 10 when the metal plate 10 is formed by rolling in the longitudinal direction of the metal plate 10, the metal plate 10 may be bent in the major axis direction.
  • a bending phenomenon may occur in the minor axis direction of the metal plate 10.
  • warping may occur in both the long and short axes of the metal plate 10. Accordingly, the edge of the metal plate 10 may have a curve like a wave shape (solid line in FIG. 10).
  • the metal plate 10 may have a straightness value due to the bending phenomenon.
  • the straightness of the metal plate 10 according to the embodiment may be about 0.006% or less.
  • the straightness of the metal plate 10 is more than about 0.006%, the uniformity of the mask pattern formed on the metal plate 10 may be lowered. Therefore, Bad deposition may occur during deposition.
  • the straightness can be expressed by the following equation (1) as a value indicating the degree of the warping phenomenon.
  • the straightness is determined with reference to a reference line extending in the major axis direction of the metal plate 10, and a distance from the reference line to the longest distance in the minor axis direction of the metal plate 10 with respect to the entire length d 0 of the reference line (d x ).
  • the length of the reference line may mean the cutting length of the metal plate 10.
  • the length of the reference line may be the length of the metal plate 10 in tension.
  • the straightness is determined based on the long axis length (d 0 ) of the metal plate (indicated by the dashed line in FIG. 10) where no warpage has occurred and the metal plate Can be calculated using the maximum value (d x )
  • the straightness of the metal plate 10 is more than about 0.006%, the uniformity of the small hole V1, the opposing hole V2, and the through hole TH formed in the metal plate 10 is lowered, Defects may occur, and the island portion (IS) may be formed non-uniformly, so that effective stress distribution may be difficult.
  • FIG. 11 is a view schematically showing a manufacturing process of the vapor deposition mask 100 according to the embodiment.
  • FIG. 12 is a view showing a process of manufacturing the vapor deposition mask 100 by forming a mask pattern PA on the metal plate 10, Fig.
  • the vapor deposition mask 100 according to the embodiment can be manufactured using the metal plate 10 described above.
  • the manufacturing process of the small-sized hole V1 as shown in S410, S420 and S430 in FIG. 12 can be performed in the step S100 of preparing the metal plate 10, ) May be performed in the step of forming a mask pattern (S400).
  • the manufacturing process of the vapor deposition mask 100 may include a step S100 of preparing the metal plate 10, a step S200 of stretching, and a step S400 of forming a mask pattern.
  • the metal plate 10 may include a first edge L1 and a second edge L2 extending in the major axis direction.
  • the metal plate 10 includes a first edge L1 extending in the major axis direction of the metal plate 10 and a second edge L2 spaced apart from the first edge L1 in the minor axis direction of the metal plate 10, ).
  • the first edge L1 may include a first vertex P1 and the second vertex P2 and the second edge L2 may include a third vertex P3 and a fourth vertex P4. can do.
  • the first edge L1 may be an edge connecting the first vertex P1 and the second vertex P2 of the metal plate 10 and the second edge L2 may be an edge connecting the third vertex P3 And the fourth vertex P4.
  • the metal plate 10 may further include an edge connecting the first vertex P 1 and the third vertex P 3 and may include a corner connecting the second vertex P 2 and the fourth vertex P 3. As shown in FIG. That is, the metal plate 10 may further include edges extending in the minor axis direction of the metal plate 10.
  • the first vertex P1 and the second vertex P2 may be spaced apart by a first length d1.
  • the first length d1 may be the shortest length between the first vertex P1 and the second vertex P2.
  • the third vertex P3 and the fourth vertex P4 may be spaced apart by a second length d2.
  • the second length d2 may be the shortest length between the third vertex P3 and the fourth vertex P4.
  • the first length d1 and the second length d2 may be different from each other.
  • the first length d1 and the second length d2 may be different from each other due to the stress of the metal plate 10.
  • the metal plate 10 is manufactured by a rolling process, and wave deformation may be generated due to the position, direction, and size of a force applied in the rolling process.
  • the region where the bending deformation occurs in the metal plate 10 may be different depending on process conditions. Accordingly, the first length d1 may be longer or shorter than the second length d2.
  • the step of preparing the metal plate 10 may be a step of confirming the straightness of the metal plate 10.
  • the straightness of the metal plate 10 according to the embodiment may be about 0.006% or less.
  • the major axis length d 0 of the metal plate 10 without bending may be about 6,000 mm, and the edge of at least one of the first edge L1 and the second edge L2 may have a warping phenomenon a maximum distance (d x) out of the shorter axis from the longitudinal reference line of the metal plate (10) has not occurred may be up to about 0.36mm.
  • the step of preparing the metal plate 10 (S100) may further include a thickness reducing step.
  • a metal plate 10 having a thickness of about 30 ⁇ m or less may be required to manufacture an evaporation mask for realizing a resolution of 400 PPI or more.
  • a metal plate 10 having a thickness of from about ⁇ to about 30 ⁇ may be required and a metal plate 10 having a thickness of about 15 ⁇ to about 20 ⁇ may be required to manufacture an evaporation mask capable of achieving a resolution of 800 PPI or higher. That is, the step of reducing the thickness may be a step of rolling and / or etching the metal plate 10 to form a required thickness.
  • the step of preparing the metal plate 10 may further include a surface treatment step for improving the etch factor.
  • nickel alloys such as invar can have an early etching rate in the early stage of etching, and the etching factor of the small-surface opening (V1) may be lowered. Therefore, it may be difficult to form the penetrating hole TH of a small size and the through hole TH at a uniform position.
  • a surface treatment layer for preventing rapid etching on the surface of the metal plate 10 can be formed.
  • the surface treatment layer may be an etch barrier layer having an etching rate lower than that of the metal plate 10.
  • the surface treatment layer may have a crystal plane and a crystal structure different from that of the metal plate 10. For example, as the surface treatment layer includes different elements from the metal plate 10, the crystal plane and the crystal structure may be different from each other.
  • the surface treatment layer may have a corrosion potential different from that of the metal plate 10.
  • the surface treatment layer may have different corrosion current or corrosion potential from the metal plate 10.
  • the metal plate 10 may include a surface treatment layer or a surface treatment portion on one side and / or both sides, the whole and / or the effective region.
  • the surface treatment layer or the surface treatment portion may include elements different from the metal plate 10 or may include a metallic element with a slower corrosion rate in an amount larger than the metal plate 10.
  • the metal plate 10 may be supplied with a certain amount of tensile force.
  • the step (S100) of preparing the metal plate 10 may further include forming a mask pattern.
  • the step (S100) of preparing the metal plate 10 may further include the step of forming a small-sized hole V1.
  • the region where the mask pattern PA is formed in the step S100 may be a region where the small-hole V1 is formed.
  • a step of forming a small-sized hole V1 on one surface of the metal plate 10 may be performed in a state in which tensile force is applied in the roll-to-roll process.
  • a first photoresist layer PR1 may be disposed on one side of the metal plate 10 to form a small-sized hole V1 in the metal plate 10. [ Subsequently, the first photoresist layer PR1 may be exposed and developed to dispose a patterned first photoresist layer PR1 on one side of the metal plate 10 (S420). The other surface opposite to the one surface of the metal plate 10 may be provided with an etch lower layer such as a coating layer or a film layer for preventing etching.
  • the open portion of the patterned first photoresist layer PR1 is half-etched to form a groove on one surface of the metal plate 10 (S430).
  • the open portion of the first photoresist layer PR1 may be exposed to an etchant or the like so that etching may occur at an open portion of the one surface of the metal plate 10 where the first photoresist layer PR1 is not disposed .
  • the step S430 of forming the groove on one surface of the metal plate 10 may include etching the metal plate 10 having a thickness of about 20 to about 30 ⁇ ⁇ until the thickness of the metal plate 10 becomes about 1/2 .
  • the depth of the groove formed through this step may be about 10 ⁇ to 15 ⁇ . That is, the thickness (T2) of the metal plate measured at the center of the groove formed after this step may be about 10 ⁇ to about 15 ⁇ .
  • the step of forming the groove (S430) may be an anisotropic etching or a semi-additive process (SAP).
  • SAP semi-additive process
  • an anisotropic etching or semi-addition method may be used to half-etch the open portion of the photoresist layer. Accordingly, the grooves formed through the half-etching can have an etching speed (direction b) in the depth direction higher than the speed in the side etching (direction a) rather than isotropic etching.
  • the etching factor of the small-plane hole (V1) may be 2.0 to 3.0.
  • the etch factor of the small-hole (V1) may be 2.1 to 3.0.
  • the etch factor of the small-hole (V1) may be 2.2 to 3.0.
  • the etching factor is the depth (B) of the etched SOF / the width A of the photoresist layer extending in the direction of the center of the through hole TH extending from the island portion IS of the SOF B / A).
  • A is an average value of the width of one side of the photoresist layer protruding on the one face and the width of the other side opposite to the one side.
  • the stretching step S200 may be a step of stretching the metal plate 10.
  • the stretching step S200 may be a step of applying a tensile force different from the tensile force applied to roll the metal sheet 10 to roll.
  • the drawing step S200 may be a step of stretching the metal plate 10 to form a mask pattern PA such as a small hole V1 and a facing hole V2 on the metal plate 10 have.
  • the stretching step S200 may be a step of stretching the metal plate 10 in the major axis direction.
  • the metal plate 10 may be tensioned with a force of about 3 kgf to about 15 kgf.
  • the metal plate 10 can be tensioned with a force of about 5 kgf to about 10 kgf.
  • the tensile force applied to the metal plate 10 may be different.
  • the first edge L1 and the second edge L2 are The applied tensile force may be different.
  • the first length d1 when the first length d1 is greater than the second length d2, a greater amount of wave deformation than the first edge L1 is generated in the second edge L2 . That is, when the first length d1 is longer than the second length d2, a camber is formed by the bending deformation from the first edge L1 toward the second edge L2 It can mean something. Accordingly, the tensile force applied to the second edge L2 may be greater than the tensile force applied to the first edge L1.
  • the first edge L1 when the first length d1 is shorter than the second length d2, the first edge L1 may have a larger amount of flexural deformation than the second edge L2. Accordingly, the tensile force applied to the first edge L1 may be greater than the tensile force applied to the second edge L2.
  • the metal plate 10, that is, the first edge L1 and the second edge d2 are formed in accordance with the difference in length of the first length d1 and the second length d2 of the metal plate 10, 2
  • the tensile force applied to the edge L2 may be different.
  • tensile force applied to the first edge L1 and the second edge L2 may differ according to the straightness of the metal plate 10 in the step of stretching S200 of the embodiment.
  • the tensile force applied to the first edge L1 and the second edge L2 may differ depending on the tendency of the camber formed on the metal plate 10 in the stretching step.
  • the first edge L1 and the second edge L2 May be small. That is, the difference in the tensile force applied to the first edge L1 and the second edge L2 may be proportional to the difference between the first length d1 and the second length d2. Further, the smaller the straightness of the metal plate 10, the smaller the difference in tensile force applied to the first edge L1 and the second edge L2. That is, the difference in the tensile force applied to the first edge L1 and the second edge L2 may be proportional to the straightness value of the metal plate 10.
  • the shape of the metal plate 10 may vary.
  • the metal plate 10 may have a fan shape before a tensile force is applied to form the mask pattern PA. That is, the metal plate 10 may have a fan shape due to a difference in length between the first length d1 and the second length d2.
  • the tensile force in the width direction of the metal plate 10 is different from that in the surface portion.
  • the tensile force of the surface portion is cut into different portions.
  • the metal plate 10 of the S100 when the metal plate 10 of the S100 is manufactured by forming the small-sized hole V1 in the state of being stretched by the roll roll, the metal plate 100 after being punched, Becomes a fan shape. At this time, if the surface of the metal plate 10 having a small face is covered with a resin and then stretched on a glass substrate having a rim, the metal plate 10 has a square shape again, When it is separated from the glass substrate, it has a fan shape again.
  • the deposition mask when depositing the deposition source using the deposition mask, the deposition mask is pulled again to proceed, and the deposition mask may again have a square shape.
  • the vapor deposition mask has a fan shape before the stretching, which may cause a problem in the reliability of the vapor deposition mask, thereby causing a problem in wearing the vapor deposition mask.
  • the deposition process of the deposition source using the deposition mask proceeds in a state in which the deposition mask is stretched, there is no problem in the shape of the deposition mask.
  • the vapor deposition mask has a fan shape, and thus a process of setting different tensile forces on the upper and lower portions of the vapor deposition mask is additionally required have.
  • the stretching step S200 may include applying a tensile force to the metal plate 10 in consideration of the length difference. For example, when the first length d1 of the metal plate 10 is longer than the second length d2, the tensile force applied to the second edge L2 is greater than the tensile force applied to the first edge L1 . Accordingly, the metal plate 10 can be changed into a rectangular shape as in S300 of FIG. In addition, the metal plate 10 may be changed in such a manner that the first length d1 and the second length d2 correspond to each other by the stretching step S200. Therefore, the metal plate 10 may have a straightness value close to 0% before the tensile force is applied, and may have a straightness value of 0%.
  • the forming of the mask pattern (S400) may include forming a mask pattern (PA) on the metal plate (10).
  • the step of forming the mask pattern (S400) may be a step of forming a deposition area DA on the metal plate 10.
  • the step of forming the mask pattern (S400) includes forming a face-to-face hole V2 using a photoresist layer, a through hole TH communicating the face-face hole V1 with the facing face V2 Lt; / RTI > That is, the small hole V1 is formed in the preparing step S100, and thus, in the step S400 of forming the mask pattern, the facing hole V2 is formed, and the small hole V1 and the face- And a through hole TH communicating with the hole V2 can be formed.
  • the area where the mask pattern PA is formed includes the effective areas AA1, AA2, and AA3 that affect the organic material deposition and the outer areas OA1, OA2, and OA3 that surround the effective areas AA1, . ≪ / RTI >
  • the region where the mask pattern PA is formed may include a region including the isolation regions IA1 and IA2 disposed between the adjacent effective portions AA1, AA2, and AA3.
  • the forming of the mask pattern (S400) may include forming a facing surface (V2) on the other surface of the metal plate (10).
  • a second photoresist layer PR2 may be disposed on the other surface of the metal plate 10. Then, the second photoresist layer PR2 may be exposed and developed to form a patterned second photoresist layer PR2 on the other surface of the metal plate 10 (S440). On the other surface of the metal plate 10, a patterned second photoresist layer PR2 having an open portion to form a facing surface V2 may be disposed.
  • One side of the metal plate 10 may be provided with an etch lower layer such as a coating layer or a film layer for preventing etching.
  • an etch stop layer such as a coating layer or a film layer for preventing etching may be disposed on one surface of the metal plate 10 and the small surface opening V1.
  • the open portion of the patterned second photoresist layer PR2 may be exposed to an etchant or the like so that etching may occur in an open portion of the other surface of the metal plate 10 where the second photoresist layer PR2 is not disposed (S440).
  • the other surface of the metal plate 10 may be etched by anisotropic etching or isotropic etching.
  • the groove on one surface of the metal plate 10 is connected to the facing surface V2 to form a through hole.
  • the step of forming the through hole S450 may include forming a groove for forming the facing hole V2 on the previously formed small hole V1 S440, Lt; / RTI >
  • the step of forming the mask pattern (S400) may proceed in a state in which the tensile force of the stretching step (S200) is maintained.
  • the tensile force may be applied. That is, the tensile force can reduce the stress of the metal plate 10 and improve the accuracy of the mask pattern PA formed on the metal plate 10.
  • the forming of the mask pattern S400 may include forming the outer regions OA1, OA2 and OA3 surrounding the effective portions AA1, AA2 and AA3 and the effective portions AA1, AA2 and AA3 .
  • the step of forming the mask pattern (S400) may be a step of forming the small-diameter hole (V1), the facing hole (V2), the through groove (TH) and the island portion (IS).
  • the mask pattern PA may have a plurality of edges.
  • the mask pattern PA may include a third edge L3 and a fourth edge L4 that extend in the major axis direction of the metal plate 10.
  • the mask pattern PA may include a third edge L3 extending in the major axis direction and a fourth edge L4 spaced apart from the third edge in the minor axis direction of the metal plate 10.
  • the third edge L3 and the fourth edge L4 are formed in the pattern region and the isolation regions IA1 and IA2 including the effective portions AA1, AA2 and AA3 and the outer regions OA1, OA2 and OA3, May be an edge as shown in S400 of FIG. 11 when assuming a single pattern.
  • the third edge L3 may be an edge connecting the fifth vertex P5 and the sixth vertex P6 of the mask pattern PA. That is, the fifth vertex P5 may be one of the vertices of the first outer area OA1, and the sixth vertex P6 may be one of the vertices of the third outer area OA.
  • the fourth edge L4 may be an edge connecting the seventh vertex P7 and the eighth vertex P8 of the mask pattern PA. That is, the seventh vertex P7 may be one of the vertices of the first outer area OA1 and the eighth vertex P8 may be one of the vertices of the third outer area OA.
  • the mask pattern PA may further include a corner connecting the fifth vertex P5 and the seventh vertex P7 and the sixth vertex P6 and the eighth vertex P8 may be formed of a material having a high refractive index, As shown in FIG. That is, the mask pattern PA may further include edges extending in the minor axis direction of the metal plate 10.
  • the fifth vertex P5 and the sixth vertex P6 may be spaced apart by a third length d3.
  • the third length d3 may be the shortest length between the fifth vertex P5 and the sixth vertex P6.
  • the seventh vertex P7 and the eighth vertex P8 may be spaced apart by a fourth length d4.
  • the fourth length d4 may be the shortest length between the seventh vertex P7 and the eighth vertex P8.
  • the mask pattern PA may be formed in consideration of the straightness of the metal plate 10.
  • it may be performed in consideration of a tensile force applied to the first edge L1 and the second edge L2.
  • the first length d1 is longer than the second length d2
  • the tensile force applied to the second edge L2 may be greater than the tensile force applied to the first edge L1. Therefore, the first and second lengths d1 and d2 of the metal plate 10 may be changed to correspond to each other by the applied tensile force, as shown in S300 of FIG.
  • the mask pattern PA may be formed on the metal plate 10 by using the photoresist layer described above.
  • the third length d3 of the mask pattern PA may be shorter than the fourth length d4.
  • the tensile force applied in the stretching step (S200) may be removed. Accordingly, the metal plate 10 can be restored to a state before the tensile force is applied. That is, the metal plate 10 can be restored such that the first length d1 is longer than the second length d2, and the third length d3 and the fourth length d2 are formed on the metal plate 10, and the mask pattern PA corresponding to each other may be formed.
  • the step of forming the mask pattern (S400) it is possible to change the distance between adjacent small-hole holes (V1) and the distance between adjacent face holes (V2) according to the straightness of the metal plate (10).
  • the step of forming the mask pattern (S400) The centers of the open portions of the photoresist layer for forming the facing surface V1 and the facing surface V2 may vary.
  • the center distance of the open portions formed in the major axis direction of the metal plate 10 may change from the third edge L3 to the fourth edge L4.
  • the center distance of the open portions formed in the major axis direction of the metal plate 10 may be further away from the third edge L3 toward the fourth edge L4. That is, the center pitch of the through-holes TH adjacent to the metal plate 10 in the longitudinal direction of the metal plate 10 in the state where the tensile force is applied decreases from the third edge L3 toward the fourth edge L4 It can go away.
  • the center interval of the portions may become closer from the third edge L3 toward the fourth edge L4. That is, the center pitch of the through-holes TH adjacent to the metal plate 10 in the longitudinal direction of the metal plate 10 in the state where the tensile force is applied decreases from the third edge L3 toward the fourth edge L4 Can be approached.
  • the deposition mask 100 may be formed through the step of forming the deposition mask 100 including the through holes TH formed by the connecting portions to which the boundaries of the deposition masks 100 are connected.
  • the vapor deposition mask 100 may include the same material as the metal plate 10.
  • the surface of the deposition mask 100 in which surface etching has not proceeded may have the same conductivity as the surface of the metal plate 10.
  • the island portion IS may include the above-described surface treatment layer.
  • the vapor deposition mask 100 formed through the above steps may have a maximum thickness at the center of the ribs RB that is smaller than the maximum thickness at the unaffected portion UA that is not etched.
  • the maximum thickness at the center of the rib (RB) may be about 15 microns.
  • the maximum thickness at the center of the rib (RB) may be less than about 10 ⁇ ⁇ .
  • the maximum thickness in the unaffected portion UA of the vapor-deposition mask 100 can be about 20 ⁇ to about 30 ⁇ , and can be about 15 ⁇ to about 25 ⁇ .
  • the maximum thickness of the vapor deposition mask 100 in the unaffected portion UA may correspond to the thickness of the metal plate 10 prepared in the step of preparing the metal plate 10. Accordingly, the vapor deposition mask 100 may have a thickness of about 30 mu m or less.
  • a manufacturing process of a vapor deposition mask according to a comparative example will be described.
  • the description of the same constitution as the manufacturing process according to the above-described embodiment is omitted, and the same reference numerals are given to the same constitutional elements.
  • the manufacturing process of the evaporation mask according to the comparative example may include a step S100 of preparing the metal plate 10, a step S200 of stretching, and a step S400 of forming a mask pattern.
  • the metal plate 10 according to the comparative example may have a straightness of about 0.006% or less, and the first length d1 and the second length d2 of the metal plate 10 may be different from each other due to the stress.
  • the stretching step S200 may be a step of stretching the metal plate 10 in the major axis direction of the metal plate 10.
  • the stretching step S200 may tension the metal plate 10 with a force of about 3 kgf to about 15 kgf.
  • the metal plate 10 can be tensioned with a force of about 5 kgf to about 10 kgf.
  • the stretching step S200 according to the comparative example may apply the same tensile force to the metal plate 10. For example, when the first length d1 is longer than the second length d2, the same tensile force is applied to the first edge L1 and the second edge L2, It can be stretched.
  • the tensioning step S200 of the comparative example may be performed by applying the same tensile force to each edge regardless of the difference in length between the first length d1 of the metal plate 10 and the second length d2.
  • the tensioning step (S200) of the comparative example may be a step of applying the same tensile force to each edge of the metal plate 10 without taking the straightness of the metal plate 10 into consideration.
  • the tensioning step (S200) of the comparative example may be a step of applying the same tensile force to each edge irrespective of the tendency of the camber formed on the metal plate 10.
  • the forming of the mask pattern (S400) may include forming a mask pattern (PA) on the metal plate (10).
  • the mask pattern PA may refer to the outer regions OA1, OA2, and OA3 surrounding the effective portions AA1, AA2, and AA3 and the effective portions AA1, AA2, and AA3, respectively, .
  • the mask pattern PA may mean the effective portions AA1, AA2, and AA3, the outer regions OA1, OA2, and OA3, and the isolation regions IA1 and IA2.
  • the mask pattern PA may include a third edge L3 and a fourth edge L4 extending in the major axis direction of the metal plate.
  • the step S400 of forming the mask pattern May be formed such that the third length d3 and the fourth length d4 correspond to each other.
  • the tensile force applied in the stretching step (S200) may be removed. Accordingly, the metal plate 10 can be restored to a state before the tensile force is applied. That is, the metal plate 10 can be restored such that the first length d1 is longer than the second length d2, and the third length d3 and the fourth length d2 are formed on the metal plate 10, a mask pattern PA different from the mask pattern PA may be formed. That is, the third length d3 may be longer than the fourth length d4 due to the stress of the metal plate 10.
  • the uniformity of the mask pattern PA can be lowered.
  • the center pitch of the through holes TH in the manufactured mask for vapor deposition 100 of the comparative example may vary. More specifically, the center pitches of the through-holes TH adjacent to each other in the major axis direction in the vapor deposition mask 100 of the comparative example manufactured are closer to each other in the direction from the third edge L3 to the fourth edge L4 Can be. Therefore, when an organic material is deposited using the evaporation mask 100 of the comparative example, deposition failure may occur.
  • FIG. 14 and 15 are views showing a deposition pattern formed through the deposition mask according to the embodiment.
  • the vapor deposition mask 100 may have a height H1 between one surface of the vapor deposition mask 100 in which the small-sized hole V1 is formed and the communication portion is about 3.5 ⁇ m or less.
  • the height H1 may be about 0.1 [mu] m to about 3.4 [mu] m.
  • the height H1 may be about 0.5 [mu] m to about 3.2 [mu] m.
  • the height H1 may be about 1 [mu] m to about 3 [mu] m.
  • the distance between the one surface of the deposition mask 100 and the substrate on which the deposition pattern is disposed can be as short as possible, and the deposition failure due to the shadow effect can be reduced.
  • the deposition mask 100 when forming the R, G, and B patterns using the deposition mask 100 according to the embodiment, it is possible to prevent the deposition of different deposition materials in the region between two adjacent patterns.
  • the patterns are formed in the order of R, G, and B from the left as shown in FIG. 15, the R pattern and the G pattern are prevented from being deposited in the region between the R pattern and the G pattern by a shadow effect .
  • the vapor deposition mask 100 according to the embodiment can be manufactured in consideration of the stress and straightness of the metal plate 10.
  • the vapor deposition mask 100 can be manufactured in consideration of the fact that the tensile force applied to the metal plate 10 is removed and restored to its original shape.
  • the vapor deposition mask 100 can form a mask pattern PA such as a small hole V1, a facing hole V2, and a through hole TH in a state in which the metal plate 10 is stretched
  • the mask pattern PA can be formed in consideration of restoration of the metal plate 10 after the tensile force is removed. Accordingly, the uniformity of the mask pattern PA formed on the deposition mask 100, that is, the uniformity of the through holes TH can be improved to prevent deposition defects, thereby improving the deposition efficiency.

Abstract

실시예는 OLED 화소 증착을 위한 증착용 마스크의 제조 방법에 대한 것으로, 금속판을 준비하는 단계, 상기 금속판의 일면 상에 제 1 포토레지스트층을 배치하고 상기 제 1 포토레지스트층을 노광 및 현상하여 상기 제 1 포토레지스트층을 패턴화하는 단계, 패턴화된 상기 제 1 포토레지스트층의 오픈부를 하프 에칭하여 상기 금속판의 일면 상에 제 1 홈을 형성하는 단계, 상기 금속판의 일면과 반대되는 타면 상에 제 2 포토레지스트층을 배치하고, 상기 제 2 포토레지스트층을 노광 및 현상하여 제 2 포토레지스트층을 패턴화하는 단계, 패턴화된 상기 제 2 포토레지스트층의 오픈부를 하프 에칭하여 상기 제 1 홈과 연결되는 관통홀을 형성하는 단계 및 상기 제 1 포토레지스트층 및 상기 제 2 포토레지스트층을 제거하여 상기 금속판 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 금속판은 하기 수학식 1로 표시되는 직진도 값을 가지며 상기 금속판의 직진도는 0.006% 이하이다.

Description

증착용 마스크 및 이의 제조 방법
본 발명은 길이 편차를 최소화할 수 있는 증착용 마스크 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 다양한 디바이스에 적용되어 사용되고 있다. 예를 들어, 표시 장치는 스마트폰, 태블릿 PC 등과 같은 소형 디바이스뿐만 아니라, TV, 모니터, 퍼블릭 디스플레이(PD, Public Display) 등과 같은 대형 디바이스에 적용되어 이용되고 있다. 특히, 최근에는 500 PPI(Pixel Per Inch) 이상의 초고해상도 UHD(UHD, Ultra High Definition)에 대한 수요가 증가하고 있으며, 고해상도 표시 장치가 소형 디바이스 및 대형 디바이스에 적용되고 있다. 이에 따라, 저전력 및 고해상도 구현을 위한 기술에 대한 관심이 높아지고 있다.
일반적으로 사용되는 표시 장치는 구동 방법에 따라 크게 LCD(Liquid Crystal Display) 및 OLED(Organic Light Emitting Diode) 등으로 구분될 수 있다.
LCD는 액정(Liquid Crystal)을 이용하여 구동되는 표시 장치로 상기 액정의 하부에는 CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp) 또는 LED(Light Emitting Diode) 등을 포함하는 광원이 배치되는 구조를 가지며, 상기 광원 상에 배치되는 상기 액정을 이용하여 상기 광원으로부터 방출되는 빛의 양을 조절하여 구동되는 표시 장치 이다.
또한, OLED는 유기물을 이용해 구동되는 표시 장치로, 별도의 광원이 요구되지 않고, 유기물이 자체가 광원의 역할을 수행하여 저전력으로 구동될 수 있다. 또한, OLED는 무한한 명암비를 표현할 수 있고, LCD보다 약 1000배 이상의 빠른 응답 속도를 가지며 시야각이 우수하여 LCD를 대체할 수 있는 표시 장치로 주목 받고 있다.
특히, OLED에서 발광층에 포함된 상기 유기물은 파인 메탈 마스크(FMM, Fine Metal Mask)라 불리는 증착용 마스크에 의해 기판 상에 증착될 수 있고, 증착된 상기 유기물은 상기 증착용 마스크에 형성된 패턴과 대응되는 패턴으로 형성되어 화소의 역할을 수행할 수 있다. 상기 증착용 마스크는 일반적으로 철(Fe) 및 니켈(Ni)을 포함하는 인바(Invar) 합금 금속판으로 제조된다. 이때, 상기 금속판의 일면 및 타면에는 상기 일면 및 상기 타면을 관통하는 관통홀이 형성되며 상기 관통홀은 화소 패턴과 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 이에 따라, 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue) 등의 유기물은 상기 금속판의 관통홀을 통과하여 기판 상에 증착될 수 있고, 기판 상에는 화소 패턴이 형성될 수 있다.
상기 금속판은 압연 공정으로 제조될 수 있고, 상기 금속판은 장축 및 단축을 포함하는 사각형 형태일 수 있다. 또한, 상기 금속판은 상기 압연 공정 등에 의해 응력(Stress)을 포함할 수 있고, 상기 금속판에는 휨 현상(wave deformation)이 발생할 수 있다. 이로 인해 상기 금속판의 장축 방향의 두 모서리 길이는 서로 다를 수 있다.
상기 증착용 마스크는 상기 금속판이 롤투롤(Roll to Roll) 방식으로 공급되며 제조될 수 있고, 상기 금속판은 상기 롤투롤 방식에 의해 일정한 인장력이 가해진 상태로 공급될 수 있다. 또한, 상기 금속판 상에 관통홀 형성을 위한 패터닝 공정 시 상기 금속판에는 별도의 인장력이 더 가해질 수 있다.
즉, 상기 금속판은 별도의 인장력이 더 가해진 상태에서 마스크 패턴이 형성되고 상기 별도의 인장력이 제거되었을 때, 상술한 휨 현상에 의해 형성되는 마스크 패턴이 균일하지 않을 수 있다. 이에 따라, 상기 금속판 상에 형성되는 마스크 패턴의 형상 및 관통홀 위치의 균일도가 저하될 수 있고, 상기 관통홀의 직경이 균일하지 않는 문제점이 있어 패턴 증착 효율이 낮아질 수 있고 증착 불량이 발생할 수 있는 문제점이 있다.
따라서, 상기와 같은 문제점을 해결할 수 있는 새로운 증착용 마스크 및 이의 제조 방법이 요구된다.
실시예는 금속판 상에 형성되는 마스크 패턴의 길이편차를 최소화할 수 있는 증착용 마스크 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다.
또한, 실시예는 상기 마스크 패턴의 형태, 위치 및 관통홀을 균일하게 형성하여 고해상도를 구현할 수 있는 증착용 마스크 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다.
실시예는 OLED 화소 증착을 위한 증착용 마스크의 제조 방법에 대한 것으로, 금속판을 준비하는 단계, 상기 금속판의 일면 상에 제 1 포토레지스트층을 배치하고 상기 제 1 포토레지스트층을 노광 및 현상하여 상기 제 1 포토레지스트층을 패턴화하는 단계, 패턴화된 상기 제 1 포토레지스트층의 오픈부를 하프 에칭하여 상기 금속판의 일면 상에 제 1 홈을 형성하는 단계, 상기 금속판의 일면과 반대되는 타면 상에 제 2 포토레지스트층을 배치하고, 상기 제 2 포토레지스트층을 노광 및 현상하여 제 2 포토레지스트층을 패턴화하는 단계, 패턴화된 상기 제 2 포토레지스트층의 오픈부를 하프 에칭하여 상기 제 1 홈과 연결되는 관통홀을 형성하는 단계 및 상기 제 1 포토레지스트층 및 상기 제 2 포토레지스트층을 제거하여 상기 금속판 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 금속판은 하기 수학식 1로 표시되는 직진도 값을 가지며 상기 금속판의 직진도는 0.006% 이하이다.
또한, 실시예는 OLED 화소 증착을 위한 금속재의 증착용 마스크에 있어서, 상기 증착용 마스크는 증착 패턴을 형성하기 위한 증착 영역 및 증착 영역 이외의 비증착 영역을 포함하고, 상기 증착 영역은 비패턴 영역 및 유효부를 포함하는 패턴 영역을 포함하고, 상기 유효부는 상기 금속재의 일면 상에 형성된 복수 개의 소면공들, 상기 금속재의 일면과 반대되는 타면 상에 형성된 복수 개의 대면공들, 상기 소면공들 및 상기 대면공들을 각각 연통하는 복수 개의 관통홀들 및 인접한 상기 관통홀들 사이에 형성되는 아일랜드부를 포함하고, 상기 관통홀은 400PPI 이상의 해상도를 가지고, 상기 금속재는 하기 수학식 1로 표시되는 직진도 값을 가지며 상기 금속재의 직진도는 0.006% 이하이다.
[수학식 1] 직진도(%) = (dx / d0) * 100
(상기 직진도는 상기 금속판의 장축 방향으로 연장되는 기준선을 기준으로 정하고, 상기 기준선의 길이(d0)에 대해 상기 기준선으로부터 상기 금속판의 단축 방향으로 가장 멀리 벗어난 거리(dx)의 비율을 나타낸 것을 의미한다.)
실시예에 따른 증착용 마스크는 균일한 마스크 패턴을 형성할 수 있다. 자세하게, 상기 금속판 상에 마스크 패턴 형성 시, 상기 금속판의 길이 편차에 따라 상이한 인장력을 부여하여 마스크 패턴을 제조할 수 있다. 이에 따라, 인장이 제거된 상기 금속판 상에는 균일한 마스크 패턴이 형성될 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 증착용 마스크는 보다 정밀하고 균일한 관통홀을 가질 수 있으며, 400PPI 이상의 해상도, 자세하게 500 PPI 이상의 고해상도, 나아가 800PPI 이상의 초고해상도의 OLED 화소 패턴을 균일하게 증착할 수 있다.
도 1 내지 도 3은 실시예에 따른 증착용 마스크를 사용하여 기판 상에 유기 물질을 증착하는 공정을 설명하기 위한 개념도들이다.
도 4는 실시예에 따른 증착용 마스크의 평면도를 도시한 도면이다.
도 5는 실시예에 따른 증착용 마스크의 유효부의 평면도를 도시한 도면이다.
도 6은 실시예에 따른 증착용 마스크의 유효부를 평면에서 바라본 현미경 이미지이다.
도 7은 실시예에 따른 증착용 마스크의 다른 평면도를 도시한 도면이다.
도 8은 도 5 또는 도 6의 A-A'의 단면도 및 B-B'의 단면도를 겹쳐서 도시한 도면이다.
도 9는 도 5 또는 도 6의 B-B' 방향에서의 단면도를 도시한 도면이다.
도 10은 실시예에 따른 증착용 마스크의 원재인 금속판이 권취된 사시도 및 평면도를 도시한 도면이다.
도 11 내지 도 12는 실시예예 따른 증착용 마스크의 제조 공정을 도시한 도면들이다.
도 13은 비교예에 따른 증착용 마스크의 제조 공정을 도시한 도면이다.
도 14 및 도 15는 실시예에 따른 증착용 마스크를 통해 형성되는 증착 패턴을 도시한 도면들이다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 구성 및 작용을 구체적으로 설명한다. 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성요소는 동일한 참조부여를 부여하고, 이에 대한 중복설명은 생략하기로 한다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
또한, 실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
또한, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.
이하 도면들을 참조하여 실시예에 따른 증착용 마스크를 설명한다.
도 1 내지 도 3은 실시예에 따른 증착용 마스크(100)를 사용하여 기판(300) 상에 유기 물질을 증착하는 공정을 설명하기 위한 개념도들이다.
도 1은 실시예에 따른 증착용 마스크(100)가 포함된 유기물 증착 장치를 나타낸 도면이고, 도 2는 실시예에 따른 증착용 마스크(100)가 마스크 프레임(200) 상에 거치되기 위해 인장되는 것을 도시한 도면이다. 또한, 도 3은 상기 증착용 마스크(100)의 복수 개의 관통홀을 통해 상기 기판(300) 상에 복수 개의 증착 패턴이 형성되는 것을 도시한 도면이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 유기물 증착 장치는 증착용 마스크(100), 마스크 프레임(200), 기판(300), 유기물 증착 용기(400) 및 진공 챔버(500)를 포함할 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)는 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크는 철(Fe) 및 니켈(Ni)을 포함할 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)는 증착을 위한 유효부에 복수 개의 관통홀(TH)을 포함할 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 복수 개의 관통홀(TH)들을 포함하는 증착용 마스크용 기판일 수 있다. 이때, 상기 관통홀은 기판 상에 형성될 패턴과 대응되도록 형성될 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 증착 영역을 포함하는 유효부 이외의 비유효부를 포함할 수 있다.
상기 마스크 프레임(200)은 개구부를 포함할 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 복수 개의 관통홀은 상기 개구부와 대응되는 영역 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 유기물 증착 용기(400)로 공급되는 유기 물질이 상기 기판(300) 상에 증착될 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 상기 마스크 프레임(200) 상에 배치되어 고정될 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 일정한 인장력으로 인장되고, 상기 마스크 프레임(200) 상에 용접에 의하여 고정될 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착용 마스크(100)의 최외곽에 배치된 가장자리에서, 서로 반대되는 방향으로 인장될 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착용 마스크(100)의 길이 방향에서, 상기 증착용 마스크(100)의 일단 및 상기 일단과 반대되는 타단이 서로 반대되는 방향으로 잡아당겨질 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 일단과 상기 타단은 서로 마주보며 평행하게 배치될 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 일단은 상기 증착용 마스크(100)의 최외곽에 배치된 4개의 측면을 이루는 단부 중 어느 하나일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 약 0.1 kgf 내지 약 2 kgf의 인장력으로 인장될 수 있다. 자세하게, 상기 증착용 마스크는 0.4 kgf 내지 약 1.5 kgf의 인장력으로 인장되어 상기 마스크 프레임(200) 상에 고정될 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크(100)의 응력은 감소될 수 있다. 그러나, 실시예는 이에 제한되지 않고, 상기 증착용 마스크(100)의 응력을 감소시킬 수 있는 다양한 인장력으로 인장되어 상기 마스크 프레임(200) 상에 고정될 수 있다.
이어서, 상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착용 마스크(100)의 비유효부를 용접함에 따라, 상기 마스크 프레임(200)에 상기 증착용 마스크(100)를 고정할 수 있다. 그 다음으로, 상기 마스크 프레임(200)의 외부에 배치되는 상기 증착용 마스크(100)의 일부분은 절단 등의 방법으로 제거될 수 있다.
상기 기판(300)은 표시 장치의 제조에 사용되는 기판일 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(300)은 OLED 화소 패턴용 유기물 증착을 위한 기판(300)일 수 있다. 상기 기판(300) 상에는 빛의 3원색인 화소를 형성하기 위하여 적색(Red), 녹색(Greed) 및 청색(Blue)의 유기물 패턴이 형성될 수 있다. 즉, 상기 기판(300) 상에는 RGB 패턴이 형성될 수 있다.
상기 유기물 증착 용기(400)는 도가니일 수 있다. 상기 도가니의 내부에는 유기 물질이 배치될 수 있다.
상기 진공 챔버(500) 내에서 상기 도가니에 열원 및/또는 전류가 공급됨에 따라, 상기 유기 물질은 상기 기판(100) 상에 증착될 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 일면(101) 및 상기 일면과 반대되는 타면(102)을 포함할 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)의 상기 일면(101)은 소면공(V1)을 포함하고, 상기 타면은 대면공(V2)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)의 일면(101) 및 타면(102) 각각은 복수 개의 소면공(V1)들 및 복수 개의 대면공(V2)들을 포함할 수 있다.
또한, 상기 증착용 마스크(100)는 관통홀(TH)을 포함할 수 있다. 상기 관통홀(TH)은 상기 소면공(V1) 및 상기 대면공(V2)의 경계가 연결되는 연통부에 의하여 연통될 수 있다.
또한, 상기 증착용 마스크(100)는 상기 소면공(V1) 내의 제 1 에칭면(ES1)을 포함할 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 상기 대면공(V2) 내의 제 2 에칭면(ES2)을 포함할 수 있다. 상기 관통홀(TH)은 상기 소면공(V1) 내의 제 1 에칭면(ES1) 및 상기 대면공(V2) 내의 제 2 에칭면(ES2)이 서로 연통하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 하나의 소면공(V1) 내의 제 1 에칭면(ES1)은 하나의 대면공(V2) 내의 제 2 에칭면(ES2)과 연통하여 하나의 관통홀을 형성할 수 있다. 이에 따라, 상기 관통홀(TH)의 수는 상기 소면공(V1) 및 상기 대면공(V2)의 수와 대응될 수 있다.
상기 대면공(V2)의 폭은 상기 소면공(V1)의 폭보다 클 수 있다. 이때, 상기 소면공(V1)의 폭은 상기 증착용 마스크(100)의 일면(101)에서 측정되고, 상기 대면공(V2)의 폭은 상기 증착용 마스크(100)의 타면(102)에서 측정될 수 있다.
상기 소면공(V1)은 상기 기판(300)을 향하여 배치될 수 있다. 상기 소면공(V1)은 상기 기판(300)과 가까이 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 소면공(V1)은 증착 물질, 즉 증착 패턴(DP)과 대응되는 형상을 가질 수 있다.
상기 대면공(V2)은 상기 유기물 증착 용기(400)를 향하여 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 대면공(V2)은 상기 유기물 증착 용기(400)로부터 공급되는 유기물질을 넓은 폭에서 수용할 수 있고, 상기 대면공(V2)보다 폭이 작은 상기 소면공(V1)을 통해 상기 기판(300) 상에 미세한 패턴을 빠르게 형성할 수 있다.
도 4는 실시예에 따른 증착용 마스크(100)의 평면도를 도시한 도면이다. 도 4를 참조하여, 상기 증착용 마스크(100)를 보다 구체적으로 설명한다.
도 4를 참조하면, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 증착 영역(DA) 및 비증착 영역(NDA)을 포함할 수 있다.
상기 증착 영역(DA)은 증착 패턴을 형성하기 위한 영역일 수 있다. 상기 증착 영역(DA)은 패턴 영역 및 비패턴 영역을 포함할 수 있다. 상기 패턴 영역은 소면공(V1), 대면공(V2), 관통홀(TH) 및 아일랜드부(IS)를 포함하는 영역일 수 있고, 상기 비패턴 영역은 소면공(V1), 대면공(V2), 관통홀(TH) 및 아일랜드부(IS)를 포함하지 않는 영역일 수 있다.
또한, 하나의 증착용 마스크(100)는 복수 개의 증착 영역(DA)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 실시예의 상기 증착 영역(DA)은 복수 개의 증착 패턴을 형성할 수 있는 복수 개의 유효부(AA1, AA2, AA3)를 포함할 수 있다. 상기 패턴 영역은 상기 복수 개의 유효부((AA1, AA2, AA3))을 포함할 수 있다.
상기 복수의 유효부(AA1, AA2, AA3)는 제 1 유효부(AA1), 제 2 유효부(AA2) 및 제 3 유효부(AA3)를 포함할 수 있다. 여기서 하나의 증착 영역(DA)은 제 1 유효부(AA1), 제 2 유효부(AA2) 및 제 3 유효부(AA3) 중 어느 하나일 수 있다.
스마트 폰과 같은 소형 표시장치의 경우, 증착용 마스크(100)에 포함된 복수의 증착 영역 중 어느 하나의 유효부는 하나의 표시장치를 형성하기 위한 것일 수 있다. 이에 따라, 하나의 증착용 마스크(100)는 복수의 유효부를 포함할 수 있어, 여러 개의 표시장치를 동시에 형성할 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 공정 효율을 향상시킬 수 있다.
이와 다르게, 텔레비전과 같은 대형 표시장치의 경우, 하나의 증착용 마스크(100)에 포함된 여러 개의 유효부가 하나의 표시장치를 형성하기 위한 일부일 수 있다. 이때, 상기 복수의 유효부는 마스크의 하중에 의한 변형을 방지하기 위한 것일 수 있다.
상기 증착 영역(DA)은 하나의 증착용 마스크(100)에 포함된 복수의 분리 영역(IA1, IA2)을 포함할 수 있다. 인접한 유효부 사이에는 분리 영역(IA1, IA2)이 배치될 수 있다. 상기 분리 영역(IA1, IA2)은 복수 개의 유효부 사이의 이격 영역일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 유효부(AA1) 및 상기 제 2 유효부(AA2)의 사이에는 제 1 분리 영역(IA1)이 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 유효부(AA2) 및 상기 제 3 유효부(AA3)의 사이에는 제 2 분리 영역(IA2)이 배치될 수 있다. 즉, 상기 분리 영역(IA1, IA2)에 의해 인접한 유효 영역을 서로 구별할 수 있고, 하나의 증착용 마스크(100)가 복수의 유효 영역을 지지할 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착 영역(DA)의 길이 방향의 양 측부에 비증착 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 상기 증착 영역(DA)의 수평 방향의 양 측에 상기 비증착 영역(NDA)을 포함할 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)의 상기 비증착 영역(NDA)은 증착에 관여하지 않는 영역일 수 있다. 상기 비증착 영역(NDA)은 상기 증착용 마스크(100)를 마스크 프레임(200)에 고정하기 위한 프레임 고정영역(FA1, FA2)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 비증착 영역(NDA)은 하프에칭부(HF1, HF2) 및 오픈부를 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이 상기 증착 영역(DA)은 증착 패턴을 형성하기 위한 영역일 수 있고, 상기 비증착 영역(NDA)은 증착에 관여하지 않는 영역일 수 있다. 이때, 상기 증착용 마스크(100)의 상기 증착 영역(DA)에는 상기 금속판(10) 재질과 다른 표면 처리층을 형성할 수 있고, 상기 비증착 영역(NDA) 표면 처리층을 형성하지 않을 수 있다. 또는, 증착용 마스크(100)의 일면(101) 또는 타면(102) 중 어느 한 면에만 상기 금속판(10)의 재질과 다른 표면 처리층을 형성할 수 있다. 또는, 증착용 마스크(100)의 일면(101)의 일부분에만 상기 금속판(10)의 재질과 다른 표면 처리층을 형성할 수 있다. 예를 들어, 증착용 마스크(100)의 일면(101) 및/또는 타면(102), 증착용 마스크(100)의 전체 및/또는 일부는 상기 금속판(10) 재질보다 식각 속도가 느린 표면처리층을 포함할 수 있어, 식각 팩터를 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 실시예의 증착용 마스크(100)는 미세한 크기의 관통홀을 높은 효율로 형성할 수 있다. 일례로, 실시예의 증착용 마스크(100)는 400PPI 이상의 해상도를 가질 수 있다. 구체적으로, 상기 증착용 마스크(100)는 500PPI 이상의 높은 해상도를 가지는 증착 패턴을 높은 효율로 형성할 수 있다. 여기에서, 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)의 재질과 다른 원소를 포함하거나, 동일한 원소의 조성이 다른 금속 물질을 포함하는 것을 의미할 수 있다. 이와 관련하여서는 후술한 증착용 마스크의 제조 공정에서 보다 상세히 설명하기로 한다.
상기 비증착 영역(NDA)은 하프에칭부(HF1, HF2)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)의 상기 비증착 영역(NDA)은 상기 증착 영역(DA)의 일측에 제 1 하프에칭부(HF1)를 포함할 수 있고, 상기 증착 영역(DA)의 상기 일측과 반대되는 타측에 제 2 하프에칭부(HF2)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 하프에칭부(HF1) 및 상기 제 2 하프에칭부(HF2)는 증착용 마스크(100)의 깊이 방향으로 홈이 형성되는 영역일 수 있다. 상기 제 1 하프에칭부(HF1) 및 상기 제 2 하프에칭부(HF2)는 증착용 마스크의 약 1/2 두께의 홈을 가질 수 있어, 증착용 마스크(100)의 인장시 응력을 분산시킬 수 있다. 또한, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 상기 증착용 마스크(100)의 중심을 기준으로 X축 방향으로 대칭 되거나 Y축방향으로 대칭 되도록 형성하는 것이 바람직하다. 이를 통해 양방향으로의 인장력을 균일하게 조절할 수 있다.
상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 반원 형상의 홈을 포함할 수 있다. 상기 홈은 상기 증착용 마스크(100)의 일면(101) 및 상기 일면(101)과 반대되는 타면(102) 중 적어도 하나의 면 상에 형성될 수 있다. 바람직하게, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 소면공(V1)과 대응되는 면 상에 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 소면공(V1)과 동시에 형성될 수 있으므로 공정 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 대면공(V2) 사이의 크기 차이에 의해 발생할 수 있는 응력을 분산시킬 수 있다. 그러나 실시예는 이에 제한되지 않고 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 사각형 형상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 하프에칭부(HF1) 및 상기 제 2 하프에칭부(HF2)는 직사각형 또는 정사각형 형상일 수 있다. 이에 따라 상기 증착용 마스크(100)는 효과적으로 응력을 분산시킬 수 있다.
또한, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 곡면 및 평면을 포함할 수 있다. 상기 제 1 하프에칭부(HF1)의 평면은 상기 제 1 유효부(AA1)와 인접하게 배치될 수 있고, 상기 평면은 증착용 마스크(100)의 길이 방향의 끝단과 수평하게 배치될 수 있다. 상기 제 1 하프에칭부(HF1)의 곡면은 증착용 마스크(100)의 길이 방향의 일단을 향해서 볼록한 형상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 하프에칭부(HF1)의 곡면은 증착용 마스크(100)의 수직 방향 길이의 1/2 지점이 반원형상의 반지름과 대응되도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 제 2 하프에칭부(HF2)의 평면은 상기 제 3 유효부(AA3)와 인접하게 배치될 수 있고, 상기 평면은 증착용 마스크(100)의 길이 방향의 끝단과 수평하게 배치될 수 있다. 상기 제 2 하프에칭부(HF2)의 곡면은 증착용 마스크(100)의 길이 방향의 타단을 향해서 볼록한 형상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 하프에칭부(HF2)의 곡면은 증착용 마스크(100)의 수직 방향 길이의 1/2 지점이 반원형상의 반지름과 대응되도록 형성될 수 있다.
상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 소면공(V1) 또는 대면공(V2)을 형성할 때 동시에 형성할 수 있다. 이를 통해 공정 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 증착용 마스크(100)의 일면(101) 및 타면(102)에 형성되는 홈은 서로 어긋나게 형성할 수 있다. 이를 통해 하프에칭부(HF1, HF2)가 관통되지 않을 수 있다.
또한, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 4개의 하프에칭부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 짝수 개의 하프에칭부(HF1, HF2)를 포함할 수 있어 응력을 보다 효율적으로 분산할 수 있다.
또한, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 증착 영역(DA)의 비유효부(UA)에 더 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 증착용 마스크(100)의 인장시 응력을 분산시키기 위해서 비유효부(UA)의 전체 또는 일부에 분산되어 다수 개 배치될 수 있다.
또한, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 프레임 고정영역(FA1, FA2) 및/또는 프레임 고정영역(FA1, FA2)의 주변영역에도 형성될 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)를 마스크 프레임(200)에 고정할 때, 및/또는 증착용 마스크(100)를 마스크 프레임(200)에 고정한 후에 증착물을 증착할 때에 발생하는 증착용 마스크(100)의 응력을 균일하게 분산시킬 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)가 균일한 관통홀을 가지도록 유지할 수 있다.
즉, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 복수 개의 하프에칭부를 포함할 수 있다. 자세하게, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 비증착 영역(NDA)에만 하프에칭부(HF1, HF2)를 포함하는 것으로 도시하였으나 이에 제한되지 않고 상기 증착 영역(DA) 및 상기 비증착 영역(NDA) 중 적어도 하나의 영역은 복수 개의 하프에칭부를 더 포함할 수 있다. 이에 따라 증착용 마스크(100)의 응력을 균일하게 분산시킬 수 있다.
상기 비증착 영역(NDA)은 상기 증착용 마스크(100)를 상기 마스크 프레임(200)에 고정하기 위한 프레임 고정영역(FA1, FA2)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착 영역(DA)의 일측에 제 1 프레임 고정영역(FA1)을 포함할 수 있고, 상기 증착 영역(DA)의 상기 일측과 반대되는 타측에 제 2 프레임 고정영역(FA2)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 프레임 고정영역(FA1) 및 상기 제 2 프레임 고정영역(FA2)은 용접에 의해서 마스크 프레임(200)과 고정되는 영역일 수 있다.
상기 프레임 고정영역(FA1, FA2)은 상기 비증착 영역(NDA)의 하프에칭부(HF1, HF2) 및 상기 하프에칭부(HF1, HF2)와 인접한 상기 증착 영역(DA)의 유효부의 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 프레임 고정영역(FA1)은 상기 비증착 영역(NDA)의 제 1 하프에칭부(HF1) 및 상기 제 1 하프에칭부(HF1)와 인접한 상기 증착 영역(DA)의 제 1 유효부(AA1)의 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 프레임 고정영역(FA2)은 상기 비증착 영역(NDA)의 제 2 하프에칭부(HF2) 및 상기 제 2 하프에칭부(HF2)와 인접한 상기 증착 영역(DA)의 제 3 유효부(AA3)의 사이에 배치될 수 있다. 이에 따라, 복수 개의 증착패턴부를 동시에 고정할 수 있다.
또한, 상기 증착용 마스크(100)는 수평 방향(X)의 양 끝단에 반원 형상의 오픈부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 비증착 영역(NDA)은 오픈부를 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 비증착 영역(NDA)은 수평 방향의 양 끝단에 각각 하나의 반원 형상의 오픈부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 증착용 마스크(100)의 상기 비증착 영역(NDA)은 수평방향의 일측에는 수직 방향(Y)의 중심이 오픈된 오픈부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 증착용 마스크(100)의 상기 비증착 영역(NDA)은 수평방향의 상기 일측과 반대되는 타측에는 수직 방향의 중심이 오픈된 오픈부를 포함할 수 있다. 즉, 증착용 마스크(100)의 양 끝단은 수직 방향 길이의 1/2 지점이 오픈부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 증착용 마스크(100)의 양 끝단은 말발굽과 같은 형태일 수 있다.
이때, 상기 오픈부의 곡면은 상기 하프에칭부(HF1, HF2)를 향할 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)의 양 끝단에 위치한 오픈부는 상기 제 1 하프에칭부(HF1, HF2) 또는 제 2 하프에칭부(HF1, HF2)와 상기 증착용 마스크(100)의 수직 방향 길이의 1/2 지점에서 이격거리가 제일 짧을 수 있다.
또한, 상기 오픈부의 수직방향의 길이(h2)는, 상기 제 1 하프에칭부(HF1) 또는 상기 제 2 하프에칭부(HF2)의 수직방향의 길이(h1)와 대응될 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크(100)를 인장하는 경우 응력이 고르게 분산될 수 있어 증착용 마스크의 변형(wave deformation)을 감소시킬 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 균일한 관통홀을 가질 수 있어, 패턴의 증착효율이 향상될 수 있다. 바람직하게, 상기 제 1 하프에칭부(HF1) 또는 상기 제 2 하프에칭부(HF2)의 수직방향의 길이(h1)는 상기 오픈부의 수직방향의 길이(h2)의 약 80% 내지 약 200%일 수 있다(h1:h2 = 0.8~2:1). 상기 제 1 하프에칭부(HF1) 또는 상기 제 2 하프에칭부(HF2)의 수직방향의 길이(h1)는 상기 오픈부의 수직방향의 길이(h2)의 약 90% 내지 약 150%일 수 있다(h1:h2 = 0.9~1.5:1). 상기 제 1 하프에칭부(HF1) 또는 상기 제 2 하프에칭부(HF2)의 수직방향의 길이(h1)는 상기 오픈부의 수직방향의 길이(h2)의 약 95% 내지 약 110%일 수 있다(h1:h2 = 0.95~1.1:1).
또한, 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 하프에칭부는 증착 영역(DA)의 비유효부(UA)에 더 형성될 수 있다. 상기 하프에칭부는 증착용 마스크(100)의 인장시 응력을 분산시키기 위해서 비유효부(UA)의 전체 또는 일부에 분산되어 다수 개 배치될 수 있다.
또한, 하프에칭부(HF1, HF2)는 프레임 고정영역(FA1, FA2) 및/또는 프레임 고정영역(FA1, FA2)의 주변영역에도 형성될 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)를 마스크 프레임(200)에 고정할 때, 및/또는 증착용 마스크(100)를 프레임에 고정한 후에 증착물을 증착할 때에 발생하는 증착용 마스크(100)의 응력을 균일하게 분산시킬 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)가 균일한 관통홀을 가지도록 유지할 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)는 길이 방향으로 이격된 복수 개의 유효부(AA1, AA2, AA3) 및 상기 유효부 이외의 비유효부(UA)을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 증착 영역(DA)은 복수 개의 유효부(AA1, AA2, AA3) 및 상기 유효부(AA) 이외의 비유효부(UA)을 포함할 수 있다.
상기 유효부(AA1, AA2, AA3)는 상기 증착용 마스크(100)의 일면 상에 형성된 다수의 소면공(V1), 상기 일면과 반대되는 타면 상에 형성된 다수의 대면공(V2), 상기 소면공(V1) 및 상기 대면공(V2)의 경계가 연결되는 연통부(CA)에 의해 형성되는 관통홀(TH)을 포함할 수 있다.
또한, 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)는 복수 개의 상기 관통홀(TH)들 사이를 지지하는 아일랜드부(IS)를 포함할 수 있다.
상기 아일랜드부(IS)는 복수 개의 관통홀(TH) 중 인접한 관통홀(TH)들 사이에 위치할 수 있다. 즉, 상기 증착용 마스크(100)의 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)에서 관통홀(TH) 이외의 영역은 아일랜드부(IS)일 수 있다.
상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착 마스크의 유효부의 일면(101) 또는 타면(102)에서 식각되지 않은 부분을 의미할 수 있다. 자세하게, 상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착용 마스크(100)의 유효부의 대면공(V2)이 형성된 타면(102)에서 관통홀(TH)과 관통홀(TH) 사이의 식각되지 않은 영역일 수 있다. 따라서 상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착용 마스크(100)의 일면(101)과 평행하게 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 아일랜드부(IS)의 상부면은 상기 일면(101)과 평행하게 배치될 수 있다.
상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착용 마스크(100)의 타면(102)과 동일평면에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착용 마스크(100)의 타면(102)에서 비유효부의 적어도 일 부분과 두께가 동일할 수 있다. 자세하게, 상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착용 마스크(100)의 타면(102)에서 비유효부 중 식각되지 않은 부분과 두께가 동일할 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크(100)를 통해 서브 픽셀의 증착 균일성을 향상시킬 수 있다.
또는, 상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착용 마스크(100)의 타면(102)과 평행한 평면에 배치될 수 있다. 여기에서, 평행한 평면이라는 것은 상기 아일랜드부(IS) 주위의 식각공정에 의해서 아일랜드부(IS)가 배치되는 증착용 마스크(100)의 타면과 비유효부 중 비식각된 증착용 마스크(100)의 타면의 높이 단차가 ± 1 ㎛ 이하인 것을 포함할 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)는 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)의 외곽에 배치되는 비유효부(UA)를 포함할 수 있다. 상기 유효부(AA)는 복수 개의 관통홀들 중 유기물질을 증착하기 위한 최외곽에 위치한 관통홀들의 외곽을 연결하였을 때의 안쪽 영역일 수 있다. 상기 비유효부(UA)은 복수 개의 관통홀들 중 유기물질을 증착하기 위한 최외곽에 위치한 관통홀들의 외곽을 연결하였을 때의 바깥쪽 영역일 수 있다.
상기 비유효부(UA)은 상기 증착 영역(DA)의 유효부(AA1, AA2, AA3)를 제외한 영역 및 상기 비증착 영역(NDA)이다. 상기 비유효부(UA)은 유효부(AA1, AA2, AA3)의 외곽을 둘러싸는 외곽영역(OA1, OA2, OA3)을 포함할 수 있다.
상기 외곽영역(OA1, OA2, OA3)의 개수는 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)의 개수와 대응될 수 있다. 즉, 하나의 유효부는 유효부의 끝단으로부터 수평방향 및 수직방향에서 각각 일정한 거리로 떨어진 하나의 외곽영역을 포함할 수 있다.
상기 제 1 유효부(AA1)는 제 1 외곽영역(OA1) 내에 포함될 수 있다. 상기 제 1 유효부(AA1)은 증착물질을 형성하기 위한 복수 개의 관통홀(TH)들을 포함할 수 있다. 상기 제 1 유효부(AA1)의 외곽을 둘러싸는 상기 제 1 외곽영역(OA1)은 복수 개의 관통홀을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 제 1 외곽영역(OA1)에 포함되는 복수 개의 관통홀은 상기 제 1 유효부(AA1)의 최외곽에 위치한 관통홀(TH)들의 에칭 불량을 감소시키기 위한 것이다. 이에 따라, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 유효부(AA1, AA2, AA3)에 위치한 복수 개의 관통홀들의 균일성을 향상시킬 수 있고, 이를 통해 제조되는 증착패턴의 품질을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 제 1 유효부(AA1)의 관통홀(TH)의 형상은 상기 제 1 외곽영역(OA1) 관통홀(TH)의 형상과 서로 대응될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 유효부(AA1)에 포함된 관통홀(TH)의 균일성을 향상시킬 수 있다. 일례로, 상기 제 1 유효부(AA1)의 관통홀(TH)의 형상 및 상기 제 1 외곽영역(OA1) 관통홀의 형상은 원형일 수 있다. 그러나, 실시예는 이에 제한되지 않고, 상기 관통홀(TH)은 다이아몬드 패턴, 타원형 패턴 등 다양한 형상일 수 있다.
상기 제 2 유효부(AA2)는 제 2 외곽영역(OA2) 내에 포함될 수 있다. 상기 제 2 유효부(AA2)는 상기 제 1 유효부(AA1)와 서로 대응되는 형상일 수 있다. 상기 제 2 외곽영역(OA2)은 상기 제 1 외곽영역(OA1)과 서로 대응되는 형상일 수 있다.
상기 제 2 외곽영역(OA2)은 상기 제 2 유효부(AA2)의 최외곽에 위치한 관통홀로부터 수평방향 및 수직방향에 각각 두 개의 관통홀을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 외곽영역(OA2)은 상기 제 2 유효부(AA2)의 최외곽에 위치한 관통홀의 상부 및 하부의 위치에 각각 두 개의 관통홀이 수평방향으로 일렬로 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 외곽영역(OA2)은 상기 제 2 유효부(AA2)의 최외곽에 위치한 관통홀의 좌측 및 우측에 각각 두 개의 관통홀이 수직방향으로 일렬로 배치될 수 있다. 상기 제 2 외곽영역(OA2)에 포함되는 복수 개의 관통홀은 유효부의 최외곽에 위치한 관통홀들의 에칭 불량을 감소시키기 위한 것이다. 이에 따라, 실시예에 따른 증착용 마스크는 유효부에 위치한 복수 개의 관통홀들의 균일성을 향상시킬 수 있고, 이를 통해 제조되는 증착패턴의 품질을 향상시킬 수 있다.
상기 제 3 유효부(AA3)는 제 3 외곽영역(OA3) 내에 포함될 수 있다. 상기 제 3 유효부(AA3)는 증착물질을 형성하기 위한 복수 개의 관통홀을 포함할 수 있다. 상기 제 3 유효부(AA3)의 외곽을 둘러싸는 상기 제 3 외곽영역(OA3)은 복수 개의 관통홀을 포함할 수 있다.
상기 제 3 유효부(AA3)는 상기 제 1 유효부(AA1)와 서로 대응되는 형상일 수 있다. 상기 제 3 외곽영역(OA3)은 상기 제 1 외곽영역(OA1)과 서로 대응되는 형상일 수 있다.
또한, 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)에 포함된 관통홀(TH)은 상기 비유효부(UA)에 포함된 관통홀과 부분적으로 대응되는 형상을 가질 수 있다. 일레로, 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)에 포함된 관통홀은 상기 비유효부(UA)의 에지부에 위치한 관통홀과 서로 다른 형상을 포함할 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)의 위치에 따른 응력의 차이를 조절 할 수 있다.
도 5 및 도 6은 실시예에 따른 증착용 마스크(100)의 유효뷰의 평면도를 도시한 도면이고, 도 7은 실시예에 따른 증착용 마스크의 다른 평면도를 도시한 도면이다.
도 5 내지 도 7은 실시예에 따른 증착용 마스크(100)의 제 1 유효부(AA1), 상기 제 2 유효부(AA2) 및 상기 제 3 유효부(AA3) 중 어느 하나의 평면도일 수 있다. 또한, 상기 도 5 내지 도 7은 관통홀(TH)의 형상 및 상기 관통홀(TH) 간의 배열을 설명하기 위한 것으로, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 도면에 도시된 관통홀(TH)의 개수에 한정되지 않는다.
도 5 내지 도 7을 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 복수 개의 관통홀(TH)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 관통홀(TH)들은 방향에 따라, 일렬로 배치되거나 서로 엇갈려서 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀(TH)들은 종축 및 횡축에서 일렬로 배치될 수 있고, 종축 또는 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다.
먼저, 도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 복수 개의 관통홀(TH)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 복수 개의 관통홀(TH)은 원형 형상일 수 있다. 자세하게, 상기 관통홀(TH)은 수평 방향의 직경(Cx)과 수직 방향의 직경(Cy) 값을 가질 수 있고, 상기 관통홀(TH)의 수평 방향의 직경(Cx)과 수직 방향의 직경(Cy) 값은 서로 대응될 수 있다.
상기 관통홀(TH)들은 방향에 따라 일렬로 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀(TH)들은 종축 및 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다.
자세하게, 제 1 관통홀(TH1) 및 제 2 관통홀(TH2)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있고, 제 3 관통홀(TH1) 및 제 4 관통홀(TH4)은 종축에서 일렬로 배치될 수 있다.
또한, 제 1 관통홀(TH1) 및 제 3 관통홀(TH3)은 종축에서 일렬로 배치될 수 있고, 제 2 관통홀(TH2) 및 제 4 관통홀(TH4)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다.
즉, 관통홀(TH)들이 종축 및 횡축에서 각각 일렬로 배치되는 경우에는, 종축 및 횡축과 모두 교차하는 방향인 대각 방향으로 인접한 두 개의 관통홀(TH)들 사이에 아일랜드부(IS)가 위치할 수 있다. 즉, 서로 대각선 방향에 위치한 두 개의 인접한 관통홀(TH)들 사이에는 아일랜드부(IS)가 위치할 수 있다.
예를 들어, 제 1 관통홀(TH1) 및 제 4 관통홀(TH4)의 사이에는 아일랜드부(IS)가 배치될 수 있다. 또한, 제 2 관통홀(TH2) 및 제 3 관통홀(TH3)의 사이에는 아일랜드부(IS)가 배치될 수 있다. 인접한 두 관통홀을 가로지르는 횡축을 기준으로 약 +45도 전후의 경사각 방향 및 약 -45도 전후의 경사각 방향에 아일랜드부(IS)가 각각 위치할 수 있다. 여기에서, 약 ±45 전후의 경사각 방향은 횡축과 종축 사이의 대각 방향을 의미할 수 있고, 상기 대각 방향의 경사각은 횡축 및 종축의 동일 평면에서 측정한 것일 수 있다.
또한, 도 7을 참조하면, 실시예에 따른 다른 증착용 마스크(100)는 복수 개의 관통홀을 포함할 수 있다. 이때, 복수 개의 관통홀은 타원형 형상일 수 있다. 자세하게, 상기 관통홀(TH)의 수평 방향의 직경(Cx)과 수직 방향의 직경(Cy)은 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 관통홀의 수평 방향의 직경(Cx)은 수직 방향의 직경(Cy)보다 클 수 있다. 그러나, 실시예는 이에 제한되지 않고, 관통홀은 장방형 형상이거나 8각형 형상이거나 라운드진 8각형 형상일 수 있다.
상기 관통홀(TH)들은 종축 또는 횡축 중 어느 하나의 축에서 일렬로 배치되고, 다른 하나의 축에서 엇갈려서 배치될 수 있다.
자세하게, 제 1 관통홀(TH1) 및 제 2 관통홀(TH2)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있고, 제 3 관통홀(TH1) 및 제 4 관톨홀(TH4)은 제 1 관통홀(TH1) 및 제 2 관통홀(TH2)과 각각 종축에서 엇갈려서 배치될 수 있다.
상기 관통홀(TH)들이 종축 또는 횡축 중 어느 하나의 방향으로 일렬로 배치되고, 다른 하나의 방향으로 엇갈려서 배치되는 경우에는, 종축 또는 횡축 중 다른 하나의 방향으로의 인접한 두 개의 관통홀(TH1, TH2)들 사이에 아일랜드부(IS)가 위치할 수 있다. 또는, 서로 인접하게 위치한 세 개의 관통홀(TH1, TH2, TH3)들 사이에 아일랜드부(IS)가 위치할 수 있다. 인접한 세 개의 관통홀(TH1, TH2, TH3)들 중 두 개의 관통홀(TH1, TH2)들은 일렬로 배치되는 관통홀이며, 나머지 하나의 관통홀(TH3)은 상기 일렬 방향과 대응되는 방향의 인접한 위치에서, 상기 두 개의 관통홀(TH1, TH2) 사이의 영역에 배치될 수 있는 관통홀을 의미할 수 있다. 제 1 관통홀(TH1), 제 2 관통홀(TH2) 및 제 3 관통홀(TH3)의 사이에는 아일랜드부(IS)가 배치될 수 있다. 또는, 제 2 관통홀(TH2), 제 3 관통홀(TH3) 및 제 4 관통홀(TH4)의 사이에는 아일랜드부(IS)가 배치될 수 있다.
또한, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)에서 임의의 어느 하나의 관통홀인 기준홀의 수평 방향의 직경(Cx)과 수직 방향의 직경(Cy)를 측정하는 경우, 상기 기준홀에 인접하는 관통홀(TH)들 간의 각각의 수평 방향의 직경(Cx)들 간의 편차와, 수직 방향의 직경(Cy)들 간의 편차는 약 2% 내지 약 10% 로 구현될 수 있다. 즉, 하나의 기준홀의 인접한 관통홀들 간의 크기 편차가 약 2% 내지 약 10% 로 구현하는 경우에는 증착의 균일도를 확보할 수 있다. 예를 들어, 상기 기준홀과 상기 인접한 관통홀들 간의 크기 편차는 약 4% 내지 약 9% 일 수 있다. 예를 들어, 상기 기준홀과 상기 인접한 관통홀들 간의 크기 편차는 약 5% 내지 약 7%일 수 있다. 예를 들어, 상기 기준홀과 상기 인접한 관통홀들 간의 크기 편차는 약 2% 내지 약 5% 일 수 있다. 상기 기준홀과 상기 인접한 관통홀들 간의 크기 편차가 약 2% 미만인 경우에는, 증착 후 OLED 패널에서 무아레 발생율이 높아질 수 있다. 상기 기준홀과 상기 인접한 관통홀들 간의 크기 편차가 약 10%를 초과하는 경우, 증착 후의 OLED 패널에서 색 얼룩의 발생율이 높아질 수 있다. 상기 관통홀 직경의 평균편차는 ±5㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀 직경의 평균편차는 ±3㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀 직경의 평균편차는 ±1㎛일 수 있다. 실시예는 상기 기준홀과 상기 인접한 관통홀들 간의 크기 편차를 ±3㎛ 이내로 구현함에 따라, 증착 효율을 향상시킬 수 있다.
도 5 내지 도 7의 아일랜드부(IS)는 유효부(AA)의 대면공(V2)이 형성되는 증착용 마스크(100)의 타면에서 관통홀(TH)들 사이의 식각되지 않은 면을 의미할 수 있다. 자세하게, 아일랜드부(IS)는 증착용 마스크의 유효부(AA)에서, 대면공 내에 위치한 제 2 에칭면(ES2) 및 관통홀(TH)을 제외한 식각되지 않은 증착용 마스크(100)의 타면일 수 있다. 실시예의 증착용 마스크(100)는 400PPI 이상, 자세하게 400PPI 내지 800PPI 이상의 해상도를 가지는 고해상도 내지 초고해상도의 OLED 화소 증착을 위한 것일 수 있다.
예를 들어, 실시예의 증착용 마스크(100)는 400PPI 이상의 해상도를 가지는 Full HD(High Definition)의 고해상도를 가지는 증착 패턴을 형성하기 위한 것일 수 있다. 예를 들어, 실시예의 증착용 마스크(100)는 수평방향 및 수직방향에서의 화소수가 1920*1080 이상이고, 400PPI 이상인 OLED 화소 증착을 위한 것일 수 있다. 즉, 실시예의 증착용 마스크(100)에 포함된 하나의 유효부는 해상도 1920*1080 이상의 픽셀 수를 형성하기 위한 것일 수 있다.
예를 들어, 실시예의 증착용 마스크(100)는 500PPI 이상의 해상도를 가지는 QHD(Quad High Definition)의 고해상도를 가지는 증착 패턴을 형성하기 위한 것일 수 있다. 예를 들어, 실시예의 증착용 마스크(100)는 수평방향 및 수직방향에서의 화소수가 2560*1440 이상이고, 530 PPI 이상인 OLED 화소 증착을 위한 것일 수 있다. 실시예의 증착용 마스크(100)를 통해, 인치당 픽셀수는 5.5인치 OLED 패널을 기준으로 530 PPI 이상일 수 있다. 즉, 실시예의 증착용 마스크(100)에 포함된 하나의 유효부는 해상도 2560*1440 이상의 픽셀 수를 형성하기 위한 것일 수 있다.
예를 들어, 실시예의 증착용 마스크(100)는 700PPI 이상의 해상도를 가지는 UHD(Ultra High Definition)의 초고해상도를 가지는 증착 패턴을 형성하기 위한 것일 수 있다. 예를 들어, 실시예의 증착용 마스크(100)는 수평방향 및 수직방향에서의 화소수가 3840*2160 이상이고, 794 PPI 이상의 OLED 화소 증착을 위한 UHD(Ultra High Definition)급 해상도를 가지는 증착 패턴을 형성하기 위한 것일 수 있다.
상기 관통홀(TH)의 직경은 상기 연통부(CA) 사이의 폭일 수 있다. 자세하게, 상기 관통홀(TH)의 직경은 소면공(V1) 내의 에칭면의 끝단과 대면공(V2) 내의 에칭면의 끝단이 만나는 지점에서 측정할 수 있다. 상기 관통홀(TH)의 직경의 측정 방향은 수평방향, 수직방향, 대각 방향 중 어느 하나일 수 있다. 수평방향에서 측정된 상기 관통홀(TH)의 직경은 33㎛ 이하일 수 있다. 또는, 수평방향에서 측정된 상기 관통홀(TH)의 직경은 33㎛ 이하일 수 있다. 또는, 상기 관통홀(TH)의 직경은 수평방향, 수직방향, 대각 방향에서 각각 측정한 값의 평균 값일 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 QHD급 해상도를 구현할 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀(TH)의 직경은 약 15㎛ 내지 약 33㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀(TH)의 직경은 약 19㎛ 내지 약 33㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀(TH)의 직경은 약 20㎛ 내지 약 27㎛일 수 있다. 상기 관통홀(TH)의 직경이 약 33㎛ 초과인 경우에는 500PPI 급 이상의 해상도를 구현하기 어려울 수 있다. 한편, 상기 관통홀(TH)의 직경이 약 15㎛ 미만인 경우에는 증착불량이 발생할 수 있다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 수평방향에서 복수 개의 관통홀 중 인접한 두 개의 관통홀(TH) 사이의 간격(pitch)은 약 48㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 관통홀(TH) 중 인접한 두 개의 관통홀(TH) 사이의 간격(pitch)은 약 20㎛ 내지 약 48㎛일 수 있다. 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 관통홀(TH) 중 인접한 두 개의 관통홀(TH) 사이의 간격(pitch)은 약 30㎛ 내지 약 35㎛일 수 있다. 여기에서, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1 관통홀(TH1)의 중심과 제 2 관통홀(TH2)의 중심 사이의 간격(P1)을 의미할 수 있다. 이와 다르게, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1 아일랜드부의 중심과 제 2 아일랜드부의 중심 사이의 간격(P2)을 의미할 수 있다. 여기에서, 아일랜드부(IS)의 중심은 수평방향 및 수직방향에서 인접한 네 개의 관통홀(TH)들 사이의 비식각된 타면에서의 중심일 수 있다. 예를 들어, 아일랜드부(IS)의 중심은 수평방향에서 인접한 두 개의 제 1 관통홀(TH1) 및 제 2 관통홀(TH2)을 기준으로, 상기 제 1 관통홀(TH1)과 수직방향에서 인접한 제 3 관통홀(TH3) 및 상기 제 2 관통홀(TH2)과 수직방향에서 인접한 제 4 관통홀(TH4) 사이의 영역에 위치한 하나의 아일랜드부(IS)의 에지를 잇는 횡축과 에지를 잇는 종축이 교차하는 지점을 의미할 수 있다.
또한, 도 7을 참조하면, 수평방향에서 복수 개의 관통홀 중 인접한 두 개의 관통홀(TH) 사이의 간격(pitch)은 약 48㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 관통홀(TH) 중 인접한 두 개의 관통홀(TH) 사이의 간격(pitch)은 약 20㎛ 내지 약 48㎛일 수 있다. 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 관통홀(TH) 중 인접한 두 개의 관통홀(TH) 사이의 간격(pitch)은 약 30㎛ 내지 약 35㎛일 수 있다. 여기에서, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1 관통홀(TH1)의 중심과 제 2 관통홀(TH2)의 중심 사이의 간격(P1)을 의미할 수 있다. 또한, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1 아일랜드부의 중심과 제 2 아일랜드부의 중심 사이의 간격(P2)을 의미할 수 있다. 여기에서, 아일랜드부(IS)의 중심은 하나의 관통홀과 수직 방향에서 인접한 두 개의 관통홀 사이의 비식각된 타면에서의 중심일 수 있다. 또는, 여기에서, 아일랜드부(IS)의 중심은 두 개의 관통홀과 수직 방향에서 인접한 하나의 관통홀 사이의 비식각된 타면에서의 중심일 수 있다. 즉, 아일랜드부(IS)의 중심은 인접한 세 개의 관통홀 사이의 비식각된 타면에서의 중심이며, 인접한 세 개의 관통홀이란 그 중심을 이었을 때 삼각형 형상을 형성할 수 있는 것을 의미할 수 있다.
상기 관통홀(TH)의 직경의 측정 방향과 인접한 두 개의 관통홀(TH) 사이의 간격의 측정 방향은 동일할 수 있다. 상기 관통홀(TH)의 간격은 수평 방향 또는 수직 방향으로 인접한 두 개의 관통홀(TH) 사이의 간격을 측정한 것일 수 있다.
즉, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 400PPI 이상의 해상도를 가지는 OLED 화소를 증착할 수 있다. 자세하게, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 관통홀(TH)의 직경이 약 33um 이하이고, 상기 관통홀(TH) 간의 간격(pitch)이 약 48um 이하임에 따라, 500PPI 이상의 해상도를 가지는 OLED 화소를 증착할 수 있다. 즉, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)를 사용하여 QHD급 해상도를 구현할 수 있다.
상기 관통홀(TH)의 직경 및 상기 관통홀(TH) 간의 간격은 녹색 서브 픽셀을 형성하기 위한 크기일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀(TH)의 직경은 녹색(G) 패턴을 기준으로 측정할 수 있다. 상기 녹색(G) 패턴은 시각을 통한 인식률이 낮으므로 적색(R) 패턴 및 청색(B) 패턴보다 많은 수가 요구되며, 상기 관통홀(TH)들 사이의 간격이 적색(R) 패턴 및 청색(B) 패턴보다 좁을 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 QHD 디스플레이 픽셀을 구현하기 위한 OLED 증착용 마스크일 수 있다.
예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 적색(R), 제 1 녹색(G1), 청색(B) 및 제 2 녹색(G2) 중 적어도 하나의 서브 픽셀을 증착하기 위한 것일 수 있다. 자세하게, 상기 증착용 마스크(100)는 적색(R) 서브 픽셀을 증착하기 위한 것일 수 있다. 또는, 상기 증착용 마스크(100)는 청색(B) 서브 픽셀을 증착하기 위한 것일 수 있다. 또는, 상기 증착용 마스크(100)는 제 1 녹색(G1) 서브 픽셀 및 제 2 녹색(G2) 서브 픽셀을 동시에 형성하기 위한 것일 수 있다.
유기 발광 표시 장치의 픽셀 배열은 '적색(R)-제 1 녹색(G1)-청색(B)-제 2 녹색(G2)' 순(RGBG)으로 배치될 수 있다. 이 경우 적색(R)-제 1 녹색(G1)이 하나의 픽셀(RG)을 이룰 수 있고, 청색(B)-제 2 녹색(G2)가 다른 하나의 픽셀(BG)을 이룰 수 있다. 이와 같은 배열의 유기 발광 표시 장치에서는, 적색 발광 유기물 및 청색 발광 유기물 보다 녹색 발광 유기물의 증착 간격이 더 좁아지기 때문에, 본 발명과 같은 형태의 증착용 마스크(100)가 필요할 수 있다.
또한, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 관통홀(TH)의 직경이 수평방향에서 약 20㎛ 이하일 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 UHD급 해상도를 구현할 수 있다. 예를 들어, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 상기 관통홀(TH)의 직경이 약 20㎛ 이하이고, 상기 관통홀 간의 간격이 약 32㎛ 이하임에 따라, 800PPI 급의 해상도를 가지는 OLED 화소를 증착할 수 있다. 즉, 실시예에 따른 증착 마스크를 사용하여 UHD급 해상도를 구현할 수 있다.
상기 관통홀의 직경 및 상기 관통홀 간의 간격은 녹색 서브 픽셀을 형성하기 위한 크기일 수 있다. 상기 증착용 마스크는 UHD 디스플레이 픽셀을 구현하기 위한 OLED 증착 마스크일 수 있다.
도 8은 도 5 또는 도 6의 A-A' 방향에서의 단면과 B-B' 방향에서의 단면 사이의 높이 단차와 크기를 설명하기 위해 각각의 단면을 겹쳐서 도시한 도면이다.
먼저 A-A' 방향에서의 횡단면을 설명한다. 상기 A-A'방향은 수직 방향에서 인접한 두 개의 제 1 관통홀(TH1) 및 제 3 관통홀(TH3) 사이의 중심 영역을 가로지르는 횡단면이다. 즉, 상기 A-A'방향에서의 횡단면은 관통홀(TH)을 포함하지 않을 수 있다.
상기 A-A'방향에서의 횡단면은 대면공 내의 식각면(ES2) 및 대면공 내의 식각면(ES2)들 사이에 식각되지 않은 증착용 마스크의 타면인 아일랜드부(IS)가 위치할 수 있다. 이에 따라, 상기 아일랜드부(IS)는 증착용 마스크의 식각되지 않은 일면과 평행한 면을 포함할 수 있다. 또는, 상기 아일랜드부(IS)는 증착용 마스크(100)의 식각되지 않은 타면과 동일하거나 평행한 면을 포함할 수 있다.
다음으로 B-B 방향에서의 횡단면을 설명한다. 상기 B-B'방향은 수평 방향에서 인접한 두 개의 제 1 관통홀(TH1) 및 제 2 관통홀(TH2) 각각의 중심을 가로지르는 횡단면이다. 즉, 상기 B-B'방향에서의 횡단면은 복수 개의 관통홀(TH)을 포함할 수 있다.
상기 B-B'방향에서의 인접한 제 3 관통홀(TH3)과 제 4 관통홀(TH4) 사이에 하나의 리브(RB)가 위치할 수 있다. 제 4 관통홀(TH4) 및 제 4 관통홀과 수평방향에서 인접하되, 제 3 관통홀(TH3)과 반대방향에 위치한 제 5 관통홀 사이에는 다른 하나의 리브(RB)가 위치할 수 있다. 상기 하나의 리브 및 상기 다른 하나의 리브 사이에는 하나의 관통홀(TH)이 위치할 수 있다. 즉, 수평방향에서 인접한 두 개의 리브(RB) 사이에는 하나의 관통홀(TH)이 위치할 수 있다.
또한, 상기 B-B'방향에서의 횡단면은 대면공 내의 식각면(ES2), 및 인접한 대면공 내의 식각면(ES2)들이 서로 연결되는 영역인 리브(RB)가 위치할 수 있다. 여기에서 리브(RB)는 인접한 두 개의 대면공들의 경계가 연결되는 영역일 수 있다. 상기 리브(RB)는 식각면이기 때문에, 상기 아일랜드부(IS)보다 두께가 작을 수 있다. 예를 들어, 상기 아일랜드부(IS)의 폭은 약 2㎛ 이상일 수 있다. 즉, 상기 타면에서 에칭되지 않고 남아있는 부분의 상기 타면과 평행한 방향으로의 폭이 약 2㎛ 이상일 수 있다. 하나의 아일랜드부(IS)의 일단과 타단의 폭이 약 2㎛ 이상인 경우, 증착용 마스크(100)의 전체 체적을 증가시킬 수 있다. 이러한 구조의 증착용 마스크(100)는 유기물 증착 공정 등에서 부여되는 인장력에 대하여 충분한 강성을 확보하도록 하며, 관통홀의 균일도를 유지하는데 유리할 수 있다.
도 9는 도 5 또는 도 6의 B-B' 방향에서의 단면도를 도시한 도면이다. 도 9를 이용하여 상기 B-B' 방향에서의 횡단면과 도 8에 따른 유효 영역의 리브(RB) 및 상기 리브(RB)들 사이의 관통홀(TH)을 설명한다.
도 9를 참조하면, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 식각에 의한 관통홀이 형성되는 유효부(AA)에서의 두께와 식각되지 않은 비유효부(UA)에서의 두께가 서로 다를 수 있다. 자세하게, 리브(RB)의 두께는 식각되지 않은 비유효부(UA)에서의 두께보다 작을 수 있다.
실시예예 따른 증착용 마스크(100)는 비유효부(UA)의 두께가 유효부(AA1, AA2, AA3)의 두께보다 클 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 비유효부(UA) 내지 비증착 영역(NDA)의 최대 두께가 약 30㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 비유효부(UA) 내지 비증착 영역(NDA)의 최대 두께가 약 25㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 실시예의 증착 마스크는 비유효부 내지 비증착 영역의 최대 두께가 약 15㎛ 내지 약 25㎛일 수 있다. 실시예에 따른 증착 마스크의 비유효부 내지 비증착 영역의 최대 두께가 약 30㎛를 초과하는 경우에는 상기 증착용 마스크(100)의 원재인 금속판(10)의 두께가 두꺼워지기 때문에 때문에 미세한 크기의 관통홀(TH)을 형성하기 어려울 수 있다. 또한, 상기 증착용 마스크(100)의 비유효부(UA) 내지 비증착 영역(NDA)의 최대 두께가 약 15㎛ 미만인 경우에는 금속판의 두께가 얇기 때문에 균일한 크기의 관통홀을 형성하기 어려울 수 있다.
상기 리브(RB)의 중심에서 측정된 최대 두께(T3)는 약 15㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 리브(RB)의 중심에서 측정된 최대 두께(T3)는 약 7㎛ 내지 약 10㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 상기 리브(RB)의 중심에서 측정된 최대 두께(T3)는 약 6㎛ 내지 약 9㎛ 일 수 있다. 상기 리브(RB) 의 중심에서 측정된 최대 두께(T3)가 약 15㎛를 초과하는 경우 500 PPI 급 이상의 고해상도를 가지는 OLED 증착 패턴을 형성하기 어려울 수 있다. 또한, 상기 리브(RB)의 중심에서 측정된 최대 두께(T3)가 약 6㎛ 미만인 경우에는 증착패턴의 균일한 형성이 어려울 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)의 소면공의 높이(H1)는 상기 리브(RB)의 중심에서 측정된 최대 두께(T3)의 약 0.2배 내지 약 0.4배일 수 있다. 일례로, 상기 리브(RB)의 중심에서 측정된 최대 두께(T3)는 약 7㎛ 내지 약 9㎛이고, 상기 증착용 마스크(100)의 일면 및 상기 연통부 사이의 높이(H1)는 약 1.4㎛ 내지 약 3.5㎛일 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 소면공의 높이(H1)는 약 3.5㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 소면공(V1)의 높이는 약 0.1㎛ 내지 약 3.4㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)의 소면공(V1)의 높이는 약 0.5㎛ 내지 약 3.2㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)의 소면공(V1)의 높이는 약 1㎛ 내지 약 3㎛일 수 있다. 여기에서, 높이는 증착용 마스크(100)의 두께 측정 방향, 즉 깊이 방향에서 측정할 수 있고, 증착용 마스크(100)의 일면으로부터 연통부까지의 높이를 측정한 것일 수 있다. 자세하게, 도 4 내지 도 7의 평면도에서 상술한 수평방향(x방향)과 수직방향(y방향)과 각각 90도를 이루는 z축 방향에서 측정한 것일 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)의 일면 및 상기 연통부 사이의 높이가 약 3.5㎛ 초과인 경우에는 OLED 증착시 증착 물질이 관통홀의 면적보다 큰 영역으로 퍼지는 쉐도우 효과(shadow effect)에 따른 증착 불량이 발생할 수 있다.
또한, 상기 증착용 마스크(100)의 소면공(V1)이 형성되는 일면에서의 공경(W1)과 소면공(V1)과 대면공(V2) 사이의 경계인 연통부에서의 공경(W2)은 서로 유사하거나 서로 다를 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 소면공(V1)이 형성되는 일면에서의 공경(W1)은 연통부에서의 공경(W2)보다 클 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)의 일면에서의 공경(W1)과 상기 연통부에서의 공경(W2)의 차이는 약 0.01㎛ 내지 약 1.1㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크의 일면에서의 공경(W1)과 상기 연통부에서의 공경(W2)의 차이는 약 0.03㎛ 내지 약 1.1㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크의 일면에서의 공경(W1)과 상기 연통부에서의 공경(W2)의 차이는 약 0.05㎛ 내지 약 1.1㎛일 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)의 일면에서의 공경(W1)과 상기 연통부에서의 공경(W2)의 차이가 약 1.1㎛보다 큰 경우에는 쉐도우 효과에 의한 증착 불량이 발생할 수 있다.
또한, 상기 증착용 마스크(100)의 상기 일면과 반대되는 타면에 위치한 상기 대면공(V2)의 일단(E1) 및 상기 소면공(V1)과 대면공(V2) 사이의 연통부의 일단(E2)을 잇는 경사각(θ은 40도 내지 55도 일 수 있다. 이에 따라, 400 PPI급 이상, 자세하게 500 PPI급 이상의 고해상도의 증착패턴을 형성할 수 있는 동시에, 증착용 마스크(100)의 타면상에 아일랜드부(IS)가 존재할 수 있다.
도 10 내지 도 12는 실시예에 따른 증착용 마스크(100)의 제조 공정을 도시한 도면들이다.
도 10은 실시예에 따른 증착용 마스크(100)의 원재인 금속판(10)이 권취된 사시도 및 평면도를 도시한 도면이다.
도 10을 참조하면, 실시예에 따른 금속판(10)은 금속 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속판(10)은 니켈(Ni)을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 금속판(10)은 철(Fe) 및 니켈(Ni)을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 금속판(10)은 철(Fe), 니켈(Ni), 산소(O) 및 크롬(Cr)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 금속판(10)은 소량의 탄소(C), 규소(Si), 황(S), 인(P), 망간(Mn), 티타늄(Ti), 코발트(Co), 구리(Cu), 은(Ag), 바나듐(V), 나이오븀(Nb), 인듐(In), 안티몬(Sb) 중 적어도 하나 이상의 원소를 더 포함할 수 있다. 상기 인바(Invar)는 철 및 니켈을 포함하는 합금으로 열팽창계수가 0에 가까운 저열팽창 합금이다. 즉, 상기 인바는 열팽창 계수가 매우 작기 때문에 마스크 등과 같은 정밀 부품, 정밀 기기에 이용되고 있다. 따라서, 상기 금속판(10)을 이용하여 제조되는 증착용 마스크는 향상된 신뢰성을 가질 수 있어 변형을 방지할 수 있고, 수명 또한 증가시킬 수 있다.
상기 금속판(10)에는 상기 철이 약 60 중량% 내지 약 65 중량%만큼 포함될 수 있고, 상기 니켈은 약 35 중량% 내지 약 40 중량%만큼 포함될 수 있다. 자세하게, 상기 금속판(10)에는 상기 철이 약 63.5 중량% 내지 약 64.5 중량%만큼 포함될 수 있고, 상기 니켈은 약 35.5 중량% 내지 약 36.5 중량%만큼 포함될 수 있다. 또한, 상기 금속판(10)은 탄소(C), 규소(Si), 황(S), 인(P), 망간(Mn), 티타늄(Ti), 코발트(Co), 구리(Cu), 은(Ag), 바나듐(V), 나이오븀(Nb), 인듐(In), 안티몬(Sb) 중 적어도 하나 이상의 원소를 약 1 중량% 이하만큼 더 포함할 수 있다. 상기 금속판(10)의 성분, 함량, 중량%는, 상기 금속판(10)의 평면 상에서 특정 영역(a*b)을 선택하여, 상기 금속판(10)의 두께(t)에 해당하는 시편(a*b*t)을 샘플링하여 강산 등에 녹여 각 성분의 중량%를 조사하는 방법을 사용하여 확인할 수 있다. 그러나, 실시예는 이에 제한되지 않고 금속판의 조성을 확인할 수 있는 다양한 방법으로 조성의 중량%를 확인할 수 있다.
상기 금속판(10)은 냉간 압연 방식으로 제조될 수 있다. 예를 들어, 상기 금속판(10)은 용해, 단조, 열간 압연, 노멀라이징, 1차 냉간압연, 1차 어닐링, 2차 냉간압연 및 2차 어닐링 공정을 통해 형성될 수 있고 상기 공정들을 통해 약 30㎛ 이하의 두께를 가질 수 있다. 또는, 상기 공정 이후에 추가 두께 감소 공정을 통해 상기 금속판(10)은 약 30㎛ 이하의 두께를 가질 수 있다.
상기 금속판(10)은 도 10에 도시된 바와 같이 권취될 수 있다. 예를 들어, 냉간 압연 방식으로 제조된 상기 금속판(10)은 권취롤 등에 권취될 수 있다. 자세하게, 증착용 마스크 제조 공정은 롤루롤(Roll to Roll) 공정으로 진행되기 때문에 상기 금속판(10)은 권취될 수 있다.
상기 금속판(10)은 도 10에 도시된 바와 같이 사각형 형상(도 10의 점선)을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 금속판(10)은 장축 및 단축을 포함하는 직사각형 형상을 가질 수 있다. 그러나, 상기 금속판(10)은 상술한 압연 방식으로 제조됨에 따라 휨 현상(wave deformation)이 발생할 수 있다. 자세하게, 상기 금속판(10)이 상기 금속판(10)의 장축 방향으로 압연되어 형성될 경우, 상기 금속판(10)의 장축 방향으로 휨 현상이 발생할 수 있다. 또는, 상기 금속판(10)을 장축 방향으로 압연할 경우 상기 금속판(10)의 단축 방향으로 휨 현상이 발생할 수 있다. 또는, 상기 금속판(10)을 장축 방향으로 압연할 경우 상기 금속판(10)의 장축 및 단축 방향 모두 휨 현상이 발생할 수 있다. 이에 따라, 상기 금속판(10)의 모서리는 웨이브(wave) 형상(도 10의 실선)과 같이 곡선을 가질 수 있다.
상기 금속판(10)은 상기 휨 현상에 의해 직진도 값을 가질 수 있다. 예를 들어, 실시예에 따른 금속판(10)의 직진도는 약 0.006% 이하일 수 있다. 상기 금속판(10)의 직진도가 약 0.006%를 초과하는 경우, 상기 금속판(10)에 형성되는 마스크 패턴의 균일도가 저하될 수 있다, 따라서, 상기 금속판(10)으로 제조한 증착용 마스크로 유기물 증착 시, 증착 불량이 발생할 수 있다. 여기서 직진도는 휨 현상의 정도를 의미하는 수치로 하기 [수학식 1]로 표시할 수 있다. 자세하게, 상기 직진도는 상기 금속판(10)의 장축 방향으로 연장되는 기준선을 기준으로 정하고, 상기 기준선의 전체 길이(d0)에 대해 상기 기준선으로부터 상기 금속판(10)의 단축 방향으로 가장 멀리 벗어난 거리(dx)의 비율을 의미할 수 있다. 여기에서, 기준선의 길이는 금속판(10)의 절단 길이를 의미할 수 있다. 바람직하게, 상기 기준선의 길이는 상기 금속판(10)을 인장한 상태에서의 길이를 의미할 수 있다.
예를 들어, 상기 직진도는 휨 현상이 발생하지 않은 금속판(도 10에서 점선으로 표시)의 장축 길이(d0)를 기준으로, 휨 현상이 발생한 금속판(도 10에서 실선으로 표시)이 단축 방향으로 벗어난 최대값(dx)을 이용하여 계산할 수 있다.
[수학식 1] 직진도(%) = (dx / d0) * 100
즉, 상기 금속판(10)의 직진도가 약 0.006%을 초과하는 경우, 상기 금속판(10)에 형성되는 소면공(V1), 대면공(V2) 및 관통홀(TH)의 균일도가 저하되어 증착 불량이 발생할 수 있고, 아일랜드부(IS)가 불균일하게 형성될 수 있어 효과적인 응력 분배가 어려울 수 있다.
도 11은 실시예에 따른 증착용 마스크(100)의 제조 공정을 간략하게 도시한 도면이고, 도 12는 금속판(10) 상에 마스크 패턴(PA)을 형성하여 상기 증착용 마스크(100)를 제조하는 것을 도시한 도면이다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 상술한 금속판(10)을 이용하여 제조할 수 있다.
여기에서, 도 12에서의 S410, S420 및 S430과 같은 소면공(V1)의 제조 공정은 아래의 금속판(10)을 준비하는 단계(S100)에서 진행될 수 있고, S450 및 S460과 같은 대면공(V2)의 제조 공정은 마스크 패턴을 형성하는 단계(S400)에서 진행될 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)의 제조 공정은 금속판(10)을 준비하는 단계(S100), 인장하는 단계(S200) 및 마스크 패턴을 형성하는 단계(S400)를 포함할 수 있다.
상기 금속판(10)은 장축 방향으로 연장되는 제 1 모서리(L1) 및 제 2 모서리(L2)를 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 금속판(10)은 상기 금속판(10)의 장축 방향으로 연장되는 제 1 모서리(L1) 및 상기 제 1 모서리(L1)와 상기 금속판(10)의 단축 방향으로 이격되는 제 2 모서리(L2)를 포함할 수 있다.
상기 제 1 모서리(L1)는 제 1 꼭지점(P1) 및 제 2 꼭지점(P2)을 포함할 수 있고, 상기 제 2 모서리(L2)는 제 3 꼭지점(P3) 및 제 4 꼭지점(P4)을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 모서리(L1)는 상기 금속판(10)의 제 1 꼭지점(P1) 및 제 2 꼭지점(P2)을 연결하는 모서리일 수 있고, 상기 제 2 모서리(L2)는 제 3 꼭지점(P3) 및 제 4 꼭지점(P4)을 연결하는 모서리일 수 있다. 또한, 상기 금속판(10)은 상기 제 1 꼭지점(P1) 및 상기 제 3 꼭지점(P3)을 연결하는 모서리를 더 포함할 수 있고, 상기 제 2 꼭지점(P2) 및 상기 제 4 꼭지점을 연결하는 모서리를 더 포함할 수 있다. 즉, 상기 금속판(10)은 상기 금속판(10)의 단축 방향으로 연장되는 모서리들을 더 포함할 수 있다.
상기 제 1 꼭지점(P1) 및 상기 제 2 꼭지점(P2)은 제 1 길이(d1)로 이격될 수 있다. 상기 제 1 길이(d1)는 상기 제 1 꼭지점(P1) 및 상기 제 2 꼭지점(P2) 사이의 최단 길이일 수 있다. 또한, 상기 제 3 꼭지점(P3) 및 상기 제 4 꼭지점(P4)은 제 2 길이(d2)로 이격될 수 있다. 상기 제 2 길이(d2)는 상기 제 3 꼭지점(P3) 및 상기 제 4 꼭지점(P4) 사이의 최단 길이일 수 있다.
상기 제 1 길이(d1) 및 상기 제 2 길이(d2)는 서로 다를 수 있다. 자세하게, 상기 금속판(10)의 응력에 의해 상기 제 1 길이(d1) 및 상기 제 2 길이(d2)는 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 상기 금속판(10)은 압연 공정으로 제조되고, 상기 압연 공정 시 가해지는 힘의 위치, 방향, 크기 등에 의해 휨 변형(Wave deformation)이 발생될 수 있다. 또한, 상기 금속판(10)에서 상기 휨 변형이 발생하는 영역은 공정 조건에 따라 상이할 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 길이(d1)는 상기 제 2 길이(d2)보다 길 수도 있고 짧을 수도 있다.
상기 금속판(10)을 준비하는 단계(S100)는 상기 금속판(10)의 직진도를 확인하는 단계일 수 있다. 실시예에 따른 금속판(10)의 직진도는 약 0.006% 이하일 수 있다. 일례로, 휨이 발생하지 않은 금속판(10)의 장축 길이(d0)는 약 6,000mm 일 수 있고, 상기 제 1 모서리(L1) 및 상기 제 2 모서리(L2) 중 적어도 하나의 모서리가 휨 현상이 발생하지 않은 상기 금속판(10)의 장축 기준선으로부터 단축 방향으로 벗어난 최대 거리(dx)는 약 0.36mm 이하일 수 있다.
또한, 상기 금속판(10)을 준비하는 단계(S100)는 두께 감소 단계를 더 포함할 수 있다.
예를 들어, 400PPI 이상의 해상도를 구현하기 위한 증착용 마스크를 제조하기 위해서는 약 30㎛ 이하 두께의 금속판(10)이 요구될 수 있고, 500PPI 이상의 해상도를 구현하기 위한 증착용 마스크를 제조하기 위해서는 약 20㎛ 내지 약 30㎛ 두께의 금속판(10)이 요구될 수 있고, 800PPI 이상의 해상도를 구현할 수 있는 증착용 마스크를 제조하기 위해서는 약 15㎛ 내지 약 20㎛ 두께의 금속판(10)이 요구될 수 있다. 즉, 상기 두께 감소 단계는 상기 금속판(10)을 압연 및/또는 에칭하여 요구되는 두께를 형성하는 단계일 수 있다.
또한, 상기 금속판(10)을 준비하는 단계는, 식각 팩터 향상을 위한 표면 처리 단계를 선택적으로 더 포함할 수 있다. 자세하게, 인바와 같은 니켈 합금은 식각 초기에 식각 속도가 빠를 수 있어 소면공(V1)의 식각 팩터가 저하될 수 있다. 따라서, 미세한 크기의 관통홀(TH) 및 균일한 위치에 관통홀(TH)을 형성하는 것이 어려울 수 있다.
따라서, 상기 금속판(10)의 표면 상에 빠른 식각을 저지하기 위한 표면 처리층을 형성할 수 있다. 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)보다 식각 속도가 느린 식각 배리어층일 수 있다. 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)과 결정면 및 결정구조가 다를 수 있다. 예를 들어, 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)과 서로 다른 원소를 포함함에 따라, 결정면 및 결정구조가 서로 다를 수 있다.
예를 들어, 동일한 부식환경에서 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)과 부식 전위가 다를 수 있다. 예를 들어, 동일한 온도의 동일한 식각액에 동일 시간 처리하였을 때, 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)과 부식전류 내지 부식전위가 서로 다를 수 있다.
상기 금속판(10)은 일면 및/또는 양면, 전체 및/또는 유효영역에 표면 처리층 내지 표면 처리부를 포함할 수 있다. 상기 표면 처리층 내지 표면 처리부는 상기 금속판(10)과 서로 다른 원소를 포함하거나, 부식 속도가 느린 금속 원소를 상기 금속판(10)보다 큰 함량으로 포함할 수 있다.
상기 증착용 마스크(100) 제조 공정이 롤투롤(Roll to Roll) 공정으로 진행될 경우, 상기 금속판(10)은 일정 양의 인장력이 부여된 상태로 공급될 수 있다.
또한, 상기 금속판(10)을 준비하는 단계(S100)는 마스크 패턴을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 바람직하게, 상기 금속판(10)을 준비하는 단계(S100)는 소면공(V1)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 S100 단계에서의 마스크 패턴(PA)이 형성되는 영역은 소면공(V1)이 형성되는 영역을 의미할 수 있다.
즉, 롤투롤 공정에서 인장력이 부여된 상태에서, 상기 금속판(10)의 일면에 소면공(V1)을 형성하는 단계를 진행할 수 있다.
상기 금속판(10)에 소면공(V1)을 형성하기 위해서 상기 금속판(10)의 일면 상에 제 1 포토레지스트층(PR1)을 배치할 수 있다. 이어서 상기 제 1 포토레지스트층(PR1)을 노광 및 현상하여 상기 금속판(10)의 일면 상에 패턴화된 제 1 포토레지스트층(PR1)을 배치할 수 있다(S420). 상기 금속판(10)의 일면과 반대되는 타면은 식각을 저지하기 위한 코팅층 또는 필름층과 같은 식각 저치층이 배치될 수 있다.
이어서, 패턴화된 상기 제 1 포토레지스트층(PR1)의 오픈부를 하프 에칭하여 상기 금속판(10)의 일면 상에 홈을 형성할 수 있다(S430). 자세하게, 상기 제 1 포토레지스트층(PR1)의 오픈부는 식각액 등에 노출될 수 있어, 상기 금속판(10)의 일면 중 상기 제 1 포토레지스트층(PR1)이 배치되지 않은 오픈부에서 에칭이 일어날 수 있다.
상기 금속판(10)의 일면 상에 홈을 형성하는 단계(S430)는, 약 20㎛ 내지 약 30㎛ 두께(T1)의 상기 금속판(10)을 약 1/2 두께가 될 때까지 에칭하는 단계일 수 있다. 이 단계를 통해 형성된 홈의 깊이는 약 10㎛ 내지 15㎛일 수 있다. 즉, 이 단계 후에 형성된 홈의 중심에서 측정한 상기 금속판의 두께(T2)는 약 10㎛ 내지 약 15㎛일 수 있다.
상기 홈을 형성하는 단계(S430)는, 이방성 에칭 또는 세미-부가 공법(semi additive process, SAP)일 수 있다. 자세하게, 상기 포토레지스트층의 오픈부를 하프 에칭하기 위하여 이방성 에칭 또는 세미 부가 공법을 사용할 수 있다. 이에 따라, 하프 에칭을 통해 형성된 홈은 등방성 에칭보다 깊이 방향으로의 식각 속도(b 방향)가 사이드 에칭(a 방향)의 속도보다 빠를 수 있다.
소면공(V1)의 식각 팩터는 2.0 내지 3.0일 수 있다. 예를 들어, 소면공(V1)의 식각 팩터는 2.1 내지 3.0일 수 있다. 예를 들어, 소면공(V1)의 식각 팩터는 2.2 내지 3.0일 수 있다. 여기에서, 식각 팩터는 식각된 소면공의 깊이(B)/소면공 상의 아일랜드부(IS)에서 연장되어 관통홀(TH)의 중심방향으로 돌출된 포토레지스트층의 폭(A)(Etching Factor = B/A)을 의미할 수 있다. 상기 A는 상기 하나의 면공 상에 돌출된 포토레지스트층 일측의 폭 및 상기 일측과 반대되는 타측의 폭의 평균 값을 의미한다.
상기 인장하는 단계(S200)는 상기 금속판(10)을 인장하는 단계일 수 있다. 상기 인장하는 단계(S200)는 상기 금속판(10)을 롤투롤 공급하기 위해 부여되는 인장력과 다른 인장력을 부여하는 단계일 수 있다. 자세하게, 상기 인장하는 단계(S200)는 상기 금속판(10) 상에 소면공(V1) 및 대면공(V2)과 같은 마스크 패턴(PA)을 형성하기 위해 상기 금속판(10)을 인장하는 단계일 수 있다.
상기 인장하는 단계(S200)는 상기 금속판(10)을 장축 방향으로 인장하는 단계일 수 있다. 예를 들어, 상기 인장하는 단계(S200)에서 상기 금속판(10)을 약 3 kgf 내지 약 15 kgf의 힘으로 인장할 수 있다. 자세하게, 상기 금속판(10)을 약 5 kgf 내지 약 10 kgf의 힘으로 인장할 수 있다.
상기 인장하는 단계(S200)에서 상기 금속판(10)에 가해지는 인장력은 상이할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속판(10)의 응력에 의해 상기 제 1 길이(d1) 및 상기 제 2 길이(d2)가 서로 다를 경우, 상기 제 1 모서리(L1) 및 상기 제 2 모서리(L2)에 각각 가해지는 인장력은 상이할 수 있다.
일례로, 상기 제 1 길이(d1)가 상기 제 2 길이(d2)보다 긴 경우, 상기 제 2 모서리(L2)에는 상기 제 1 모서리(L1)보다 많은 양의 휨 변형(wave deformation)이 발생한 것일 수 있다. 즉, 상기 제 1 길이(d1)가 상기 제 2 길이(d2)보다 긴 경우는 상기 제 1 모서리(L1)에서 상기 제 2 모서리(L2) 방향으로 갈수록 휨 변형에 의한 캠버(Camber)가 많이 형성된 것을 의미할 수 있다. 이에 따라, 상기 제 2 모서리(L2)에 가해지는 인장력은 상기 제 1 모서리(L1)에 가해지는 인장력보다 클 수 있다.
다른 일례로, 상기 제 1 길이(d1)가 상기 제 2 길이(d2)보다 짧은 경우, 상기 제 1 모서리(L1)에는 상기 제 2 모서리(L2)보다 많은 양의 휨 변형이 발생한 것일 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 모서리(L1)에 가해지는 인장력은 상기 제 2 모서리(L2)에 가해지는 인장력보다 클 수 있다.
즉, 실시예의 인장하는 단계(S200)에서 상기 금속판(10)의 제 1 길이(d1) 및 제 2 길이(d2)의 길이 차이에 따라 상기 금속판(10), 즉 제 1 모서리(L1) 및 제 2 모서리(L2)에 가해지는 인장력이 상이할 수 있다. 또한, 실시예의 인장하는 단계(S200)에서 상기 금속판(10)의 직진도에 따라 상기 제 1 모서리(L1) 및 제 2 모서리(L2)에 가해지는 인장력이 상이할 수 있다. 또한, 상기 인장하는 단계에서 상기 금속판(10)에 형성되는 캠버(Camber)의 경향성에 따라 제 1 모서리(L1) 및 제 2 모서리(L2)에 가해지는 인장력이 상이할 수 있다.
또한, 상기 인장하는 단계(S200)에서 상기 금속판(10)의 제 1 길이(d1) 및 상기 제 2 길이(d2)의 길이 차이가 작을수록 상기 제 1 모서리(L1) 및 상기 제 2 모서리(L2)에 각각 가해지는 인장력의 차이가 작을 수 있다. 즉, 상기 제 1 모서리(L1) 및 상기 제 2 모서리(L2)에 가해지는 인장력의 차이는, 상기 제 1 길이(d1) 및 상기 제 2 길이(d2)의 차이값과 비례할 수 있다. 또한, 상기 금속판(10)의 직진도가 작을수록 제 1 모서리(L1) 및 상기 제 2 모서리(L2)에 각각 가해지는 인장력의 차이가 작을 수 있다. 즉, 상기 제 1 모서리(L1) 및 상기 제 2 모서리(L2)에 가해지는 인장력의 차이는, 상기 금속판(10)의 직진도 값에 비례할 수 있다.
상기 인장하는 단계(S200)에서 상기 금속판(10)의 형태는 변화할 수 있다.
예를 들어, 상기 금속판(10)은 마스크 패턴(PA)을 형성하기 위한 인장력이 가해지기 이전에는 부채 형상을 가질 수 있다. 즉, 상기 금속판(10)은 제 1 길이(d1) 및 제 2 길이(d2)의 길이 차이에 의해 부채 형상을 가질 수 있다.
즉, 상기 금속판(10)은 폭 방향으로의 인장력이 표면 부분에서 서로 다르게 나타나는데, 이를 단위 제품으로 절단 시에 표면 부분의 인장력이 서로 다른 부분으로 절단됨에 따라 상기와 같은 부채 형상을 가지게 된다.
또한, 상기 증착용 마스크(100)의 제조 공정은 롤투롤로 인장한 상태에서 소면공(V1)을 형성한 후에 타발을 해서 S100의 금속판(10)을 제조하면, 상기 타발된 후의 상기 금속판(100)은 부채 형상이 된다. 이때, 상기 부채 형상의 금속판(10)의 소면공쪽 표면을 레진으로 막은 다음에 테두리가 있는 글라스 기판에 인장해서 걸치면, 상기 금속판(10)은 다시 네모 형상을 가지게 되며, 상기 금속판(10)을 상기 글라스 기판에서 분리하면 다시 부채 형상을 가지게 된다.
이때, 증착 업체에서 상기 증착용 마스크를 이용하여 증착 소스의 증착을 진행할 때는, 상기 증착용 마스크를 다시 인장하여 진행하게 되며, 이에 따라 상기 증착용 마스크는 다시 네모 형상을 가질 수 있다. 그러나, 상기 증착용 마스크는 상기 인장하기 전에는 부채 형상을 가지게 되며, 이에 따른 상기 증착용 마스크의 신뢰성에 문제가 발생할 수 있어 상기 증착용 마스크의 입고에 문제가 발생할 수 있다.
다시 말해서, 상기 증착용 마스크를 이용한 증착 소스의 증착 공정은 상기 증착용 마스크를 인장한 상태에서 진행되기 때문에 상기 증착용 마스크의 형상에 문제가 없다. 그러나, 상기 증착 공정에서 인장이 이루어지기 전에는 상기 증착용 마스크가 부채 형상을 가지게 되며, 이에 따라 상기 부채 형상의 증착용 마스크의 상하 부분에 인장력을 서로 다르게 설정하는 공정 등이 추가로 발생하는 문제가 있다.
상기 인장하는 단계(S200)는 상기 길이 차이를 고려하여 상기 금속판(10)에 인장력을 부여하는 단계일 수 있다. 예를 들어, 상기 금속판(10)의 제 1 길이(d1)가 제 2 길이(d2)보다 긴 경우, 상기 제 2 모서리(L2)에 가해지는 인장력은 상기 제 1 모서리(L1)에 가해지는 인장력보다 클 수 있다. 이에 따라, 상기 금속판(10)은 도 11의 S300과 같이 직사각형 형태로 변화할 수 있다. 또한, 상기 금속판(10)은 상기 인장하는 단계(S200)에 의해 상기 제 1 길이(d1) 및 상기 제 2 길이(d2)가 서로 대응되는 형태로 변화할 수 있다. 따라서, 상기 금속판(10)은 상기 인장력이 부여되기 이전보다 0%에 가까운 직진도 값을 가질 수 있고, 나아가 0%의 직진도 값을 가질 수 있다.
상기 마스크 패턴을 형성하는 단계(S400)는 상기 금속판(10) 상에 마스크 패턴(PA)을 형성하는 단계일 수 있다. 예를 들어, 상기 마스크 패턴을 형성하는 단계(S400)는 상기 금속판(10) 상에 증착 영역(DA)을 형성하는 단계일 수 있다. 자세하게, 상기 마스크 패턴을 형성하는 단계(S400)는 포토레지스트층을 이용하여 대면공(V2), 상기 소면공(V1)과 상기 대면공(V2)을 연통하는 관통홀(TH)을 형성하는 단계일 수 있다. 즉, 상기 소면공(V1)은 상기 준비 단계(S100)에서 형성되며, 이에 따라 상기 마스크 패턴을 형성하는 단계(S400)에서는 대면공(V2)을 형성하여, 상기 소면공(V1)과 상기 대면공(V2)을 연통하는 관통홀(TH)을 형성할 수 있다.
여기서 상기 마스크 패턴(PA)이 형성되는 영역은 유기물 증착에 영향을 미치는 유효부(AA1, AA2, AA3) 및 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)를 둘러싸는 외곽영역(OA1, OA2, OA3)을 포함하는 영역일 수 있다. 또한, 상기 마스크 패턴(PA)이 형성되는 영역은 인접한 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)들 사이에 배치되는 분리 영역(IA1, IA2)을 포함하는 영역을 의미할 수 있다.
상기 마스크 패턴을 형성하는 단계(S400)는, 상기 금속판(10)의 타면에 대면공(V2)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
이를 위해, 상기 금속판(10)의 상기 타면 상에 제 2 포토레지스트층(PR2)을 배치할 수 있다. 이어서, 상기 제 2 포토레지스트층(PR2)을 노광 및 현상하여 상기 금속판(10)의 타면 상에 패턴화된 제 2 포토레지스트층(PR2)이 배치할 수 있다(S440). 상기 금속판(10)의 상기 타면 상에는 대면공(V2)을 형성하기 위하여 오픈부를 가지는 패턴화된 제 2 포토레지스트층(PR2)을 배치할 수 있다. 상기 금속판(10)의 일면은 식각을 저지하기 위한 코팅층 또는 필름층과 같은 식각 저치층이 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 금속판(10)의 일면 및 상기 소면공(V1) 내에는 식각을 저지하기 위한 코팅층 또는 필름층과 같은 식각 저지층이 배치될 수 있다.
패턴화된 상기 제 2 포토레지스트층(PR2)의 오픈부는 식각액 등에 노출될 수 있어, 금속판(10)의 타면 중 상기 제 2 포토레지스트층(PR2)이 배치되지 않은 오픈부에서 에칭이 일어날 수 있다(S440). 상기 금속판(10)의 타면은 이방성 에칭 또는 등방성 에칭에 의하여 에칭될 수 있다.
상기 제 2 포토레지스트층(PR2)의 오픈부를 에칭함에 따라, 상기 금속판(10)의 일면 상의 홈은 대면공(V2)과 연결되어 관통홀을 형성할 수 있다.
상기 관통홀을 형성하는 단계는(S450), 상기 이전에 형성된 소면공(V1) 상에 상기 대면공(V2) 형성을 위한 홈을 형성하는 단계(S440)가 진행되어 상기 관통홀을 형성하는 단계일 수 있다.
또한, 상기 마스크 패턴을 형성하는 단계(S400)는, 상기 인장하는 단계(S200)의 인장력이 유지된 상태로 진행할 수 있다. 자세하게, 상기 대면공(V2) 형성을 위한 홈을 형성하는 단계(S440, S450)에서 포토레지스트층을 노광하거나 현상할 때 상기 인장력이 부여된 상태로 진행할 수 있다. 즉, 상기 인장력은 금속판(10)의 응력을 감소시킬 수 있고, 상기 금속판(10) 상에 형성되는 마스크 패턴(PA)의 정밀도를 향상시킬 수 있다.
상기 마스크 패턴을 형성하는 단계(S400)는 상기 유효부(AA1, AA2, AA3) 및 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)를 둘러싸는 상기 외곽영역(OA1, OA2, OA3)을 형성하는 단계일 수 있다. 예를 들어, 상기 마스크 패턴을 형성하는 단계(S400)는 상기 소면공(V1), 상기 대면공(V2), 상기 관통홈(TH) 및 상기 아일랜드부(IS)를 형성하는 단계일 수 있다.
상기 마스크 패턴(PA)은 복수 개의 모서리를 가질 수 있다. 상기 마스크 패턴(PA)은 상기 금속판(10)의 장축 방향으로 연장되는 제 3 모서리(L3) 및 제 4 모서리(L4)를 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 마스크 패턴(PA)은 상기 장축 방향으로 연장되는 제 3 모서리(L3) 및 상기 제 3 모서리와 상기 금속판(10)의 단축 방향으로 이격되는 제 4 모서리(L4)를 포함할 수 있다. 상기 제 3 모서리(L3) 및 상기 제 4 모서리(L4)는 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)와 상기 외곽영역(OA1, OA2, OA3)을 포함하는 패턴 영역 및 분리 영역(IA1, IA2)을 하나의 패턴으로 가정하였을 때, 도 11의 S400과 같이 도시되는 모서리를 의미할 수 있다.
상기 제 3 모서리(L3)는, 상기 마스크 패턴(PA)의 제 5 꼭지점(P5) 및 제 6 꼭지점(P6)을 연결하는 모서리일 수 있다. 즉, 상기 제 5 꼭지점(P5)은 제 1 외곽영역(OA1)의 꼭지점 중 하나일 수 있고, 상기 제 6 꼭지점(P6)은 제 3 외곽영역(OA)의 꼭지점 중 하나일 수 있다. 또한, 상기 제 4 모서리(L4)는, 상기 마스크 패턴(PA)의 제 7 꼭지점(P7) 및 제 8 꼭지점(P8)을 연결하는 모서리일 수 있다. 즉, 상기 제 7 꼭지점(P7)은 상기 제 1 외곽영역(OA1)의 꼭지점 중 하나일 수 있고, 상기 제 8 꼭지점(P8)은 제 3 외곽영역(OA)의 꼭지점 중 하나일 수 있다. 또한, 상기 마스크 패턴(PA)은 상기 제 5 꼭지점(P5) 및 상기 제 7 꼭지점(P7)을 연결하는 모서리를 더 포함할 수 있고, 상기 제 6 꼭지점(P6) 및 상기 제 8 꼭지점(P8)을 연결하는 모서리를 더 포함할 수 있다. 즉, 상기 마스크 패턴(PA)은 상기 금속판(10)의 단축 방향으로 연장되는 모서리들을 더 포함할 수 있다.
상기 제 5 꼭지점(P5) 및 상기 제 6 꼭지점(P6)은 제 3 길이(d3)로 이격될 수 있다. 상기 제 3 길이(d3)는 상기 제 5 꼭지점(P5) 및 상기 제 6 꼭지점(P6) 사이의 최단 길이일 수 있다. 또한, 상기 제 7 꼭지점(P7) 및 상기 제 8 꼭지점(P8)은 제 4 길이(d4)로 이격될 수 있다. 상기 제 4 길이(d4)는 상기 제 7 꼭지점(P7) 및 상기 제 8 꼭지점(P8) 사이의 최단 길이일 수 있다.
특히, 상기 마스크 패턴을 형성하는 단계(S400)에서, 상기 마스크 패턴(PA)은 상기 금속판(10)의 직진도를 고려하여 형성될 수 있다. 자세하게, 상기 단계(S400)에서는 상기 제 1 모서리(L1) 및 상기 제 2 모서리(L2)에 가해지는 인장력을 고려하여 진행될 수 있다.
일례로, 상기 제 1 길이(d1)가 상기 제 2 길이(d2)보다 긴 경우를 설명한다. 이 경우, 상기 제 2 모서리(L2)에 가해지는 인장력은 상기 제 1 모서리(L1)에 가해지는 인장력보다 클 수 있다. 따라서, 상기 금속판(10)은 부여되는 인장력에 의해 도 11의 S300과 같이 상기 제 1 길이(d1) 및 상기 제 2 길이(d2)가 대응되는 형태로 변화할 수 있다.
이어서, 상술한 포토레지스트층을 이용하여 상기 금속판(10) 상에 마스크 패턴(PA)을 형성할 수 있다. 이때, 상기 마스크 패턴(PA)은 상기 제 3 길이(d3)가 상기 제 4 길이(d4)보다 짧게 형성될 수 있다.
또한, 상기 마스크 패턴을 형성하는 단계(S400) 이후에는 상기 인장하는 단계(S200)에서 부여된 인장력이 제거될 수 있다. 이에 따라, 상기 금속판(10)은 상기 인장력이 부여되기 이전의 형태로 복원될 수 있다. 즉, 상기 금속판(10)은 상기 제 1 길이(d1)가 상기 제 2 길이(d2)보다 긴 형태로 복원될 수 있고, 상기 금속판(10) 상에는 상기 제 3 길이(d3) 및 상기 제 4 길이(d4)가 서로 대응되는 마스크 패턴(PA)이 형성될 수 있다.
보다 자세하게, 상기 마스크 패턴을 형성하는 공정(S400)에서 상기 금속판(10)의 직진도에 따라 인접한 소면공(V1)들 사이의 간격 및 인접한 대면공(V2)의 간격을 변화할 수 있다.
일례로, 상기 제 1 길이(d1)가 상기 제 2 길이(d2)보다 긴 경우를 설명한다. 인장력이 제거된 금속판(10) 상에 제 3 길이(d3) 및 제 4 길이(d4)가 대응되는 마스크 패턴(PA)을 형성하기 위해서는, 상기 마스크 패턴을 형성하는 단계(S400)에서 소면공(V1) 및 대면공(V2) 형성을 위한 포토레지스트층의 오픈부들의 중심 간격이 변화할 수 있다. 자세하게, 상기 금속판(10)의 장축 방향으로 형성된 상기 오픈부들의 중심 간격은 상기 제 3 모서리(L3)에서 상기 제 4 모서리(L4) 방향으로 갈수록 변화할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속판(10)의 장축 방향으로 형성된 상기 오픈부들의 중심 간격은 상기 제 3 모서리(L3)에서 상기 제 4 모서리(L4) 방향으로 갈수록 멀어질 수 있다. 즉, 상기 인장력이 부여된 상태에서 상기 금속판(10)의 장축 방향으로 인접한 상기 관통홀(TH)들의 중심 간격(pitch)은 상기 제 3 모서리(L3)에서 상기 제 4 모서리(L4) 방향으로 갈수록 멀어질 수 있다.
다른 일례로, 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 제 2 길이(d2)가 상기 제 1 길이(d1)보다 긴 경우를 설명한다. 인장력이 제거된 증착용 마스크(100)상에 제 3 길이(d3) 및 제 4 길이(d4)가 대응되는 마스크 패턴(PA)을 형성하기 위해서는, 상기 금속판(10)의 장축 방향으로 형성된 상기 오픈부들의 중심 간격이 상기 제 3 모서리(L3)에서 상기 제 4 모서리(L4) 방향으로 갈수록 가까워질 수 있다. 즉, 상기 인장력이 부여된 상태에서 상기 금속판(10)의 장축 방향으로 인접한 상기 관통홀(TH)들의 중심 간격(pitch)은 상기 제 3 모서리(L3)에서 상기 제 4 모서리(L4) 방향으로 갈수록 가까워질 수 있다.
다음으로, 상기 포토레지스트층을 제거하여, 상기 일면 상에 형성된 대면공(V2), 상기 일면과 반대되는 타면 상에 형성된 소면공(V1), 상기 대면공(V2) 및 상기 소면공(V1)의 경계가 연결되는 연통부에 의해 형성되는 관통홀(TH)을 포함하는 증착용 마스크(100)를 형성하는 단계를 거쳐 증착용 마스크(100)가 형성될 수 있다.
상기 증착용 마스크(100) 상기 금속판(10)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100) 중 표면 에칭이 진행되지 않은 영역은 상기 금속판(10)의 표면과 동일한 도성을 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 아일랜드부(IS)는 상술한 표면 처리층을 포함할 수 있다.
또한, 상기 단계들을 거쳐 형성된 증착용 마스크(100)는 리브(RB) 중심에서의 최대 두께가 에칭을 거치지 않은 비유효부(UA)에서의 최대 두께보다 작을 수 있다. 예를 들어, 상기 리브(RB) 중심에서의 최대 두께는 약 15㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 리브(RB) 중심에서의 최대 두께는 약 10㎛ 미만일 수 있다. 그러나, 증착용 마스크(100)의 비유효부(UA)에서의 최대 두께는 약 20㎛ 내지 약 30㎛ 일 수 있고, 약 15㎛ 내지 약 25㎛일 수 있다. 즉, 상기 증착용 마스크(100)의 비유효부(UA)에서의 최대 두께는 상기 금속판(10)을 준비하는 단계에서 준비된 금속판(10)의 두께와 대응될 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크(100)는 약 30㎛ 이하의 두께를 가질 수 있다.
도 13을 참조하여, 비교예에 따른 증착용 마스크의 제조 공정을 설명한다. 비교예에 따른 증착용 마스크의 제조 공정에 대한 설명에서는 앞서 설명한 실시예에 따른 제조 공정과 동일 유사한 구성에 대해서는 설명을 생략하며, 동일 유사한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여한다.
도 13을 참조하면, 비교예예 따른 증착용 마스크의 제조 공정은 금속판(10)을 준비하는 단계(S100), 인장하는 단계(S200) 및 마스크 패턴을 형성하는 단계(S400)를 포함할 수 있다.
비교예에 따른 금속판(10)은 약 0.006% 이하의 직진도를 가질 수 있고, 응력에 의해 상기 금속판(10)의 제 1 길이(d1) 및 제 2 길이(d2)는 서로 다를 수 있다.
상기 인장하는 단계(S200)는 상기 금속판(10)을 상기 금속판(10)의 장축 방향으로 인장하는 단계일 수 있다. 예를 들어, 상기 인장하는 단계(S200)는 상기 금속판(10)을 약 3 kgf 내지 약 15 kgf의 힘으로 인장할 수 있다. 자세하게, 상기 금속판(10)을 약 5 kgf 내지 약 10 kgf의 힘으로 인장할 수 있다.
비교예에 따른 인장하는 단계(S200)는 상기 금속판(10)에 동일한 인장력을 가할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 길이(d1)가 상기 제 2 길이(d2)보다 긴 경우, 상기 제 1 모서리(L1) 및 상기 제 2 모서리(L2)에 동일한 인장력을 부여하여 상기 금속판(10)을 인장할 수 있다.
즉, 비교예의 인장하는 단계(S200)는 상기 금속판(10)의 제 1 길이(d1) 및 상기 제 2 길이(d2)의 길이 차이와 무관하게 각 모서리에 동일한 인장력을 부여하는 단계일 수 있다. 또한, 비교예의 인장하는 단계(S200)는 상기 금속판(10)의 직진도를 고려하지 않고 상기 금속판의 각 모서리에 동일한 인장력을 부여하는 단계일 수 있다. 또한, 비교예의 인장하는 단계(S200)는 상기 금속판(10)에 형성되는 캠버(Camber)의 경향성과 무관하게 각 모서리에 동일한 인장력을 부여는 단계일 수 있다.
상기 마스크 패턴을 형성하는 단계(S400)는 상기 금속판(10) 상에 마스크 패턴(PA)을 형성하는 단계일 수 있다. 상기 마스크 패턴(PA)은 유기물 증착에 영향을 미치는 유효부(AA1, AA2, AA3) 및 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)를 둘러싸는 외곽영역(OA1, OA2, OA3)을 의미할 수 있다. 자세하게, 상기 마스크 패턴(PA)은 유효부(AA1, AA2, AA3), 외곽영역(OA1, OA2, OA3) 및 분리 영역(IA1, IA2)을 의미할 수 있다.
상기 마스크 패턴(PA)은 상기 금속판의 장축 방향으로 연장되는 제 3 모서리(L3) 및 제 4 모서리(L4)를 포함할 수 있고, 상기 마스크 패턴을 형성하는 단계(S400)에서 상기 마스크 패턴(PA)은 제 3 길이(d3) 및 제 4 길이(d4)가 서로 대응되게 형성될 수 있다.
상기 마스크 패턴을 형성하는 단계(S400) 이후에는 상기 인장하는 단계(S200)에서 부여된 인장력이 제거될 수 있다. 이에 따라, 상기 금속판(10)은 상기 인장력이 부여되기 이전의 형태로 복원될 수 있다. 즉, 상기 금속판(10)은 상기 제 1 길이(d1)가 상기 제 2 길이(d2)보다 긴 형태로 복원될 수 있고, 상기 금속판(10) 상에는 상기 제 3 길이(d3) 및 상기 제 4 길이(d4)가 상이한 마스크 패턴(PA)이 형성될 수 있다. 즉, 상기 금속판(10)의 응력에 의해 상기 제 3 길이(d3)는 상기 제 4 길이(d4)보다 길 수 있다.
이에 따라, 상기 마스크 패턴(PA)의 균일도는 저하될 수 있다. 자세하게, 제조된 비교예의 증착용 마스크(100)에서 상기 관통홀(TH)들의 중심 간격(pitch)은 변화할 수 있다. 더 자세하게, 제조된 비교예의 증착용 마스크(100)에서 장축 방향으로 인접한 상기 관통홀(TH)들의 중심 간격(pitch)은 상기 제 3 모서리(L3)에서 상기 제 4 모서리(L4) 방향으로 갈수록 가까워질 수 있다. 따라서, 비교예의 증착용 마스크(100)를 이용하여 유기물을 증착할 경우 증착 불량이 발생할 수 있다.
도 14 및 도 15는 실시예에 따른 증착용 마스크를 통해 형성되는 증착 패턴을 나타내는 도면들이다.
도 14를 참조하면, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 소면공(V1)이 형성된 증착용 마스크(100)의 일면 및 연통부 사이의 높이(H1)가 약 3.5㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 높이(H1)는 약 0.1㎛ 내지 약 3.4㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 높이(H1)는 약 0.5㎛ 내지 약 3.2㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 높이(H1)는 약 1㎛ 내지 약 3㎛일 수 있다.
이에 따라, 상기 증착용 마스크(100)의 일면과 증착 패턴이 배치되는 기판 사이의 거리가 가까울 수 있어 쉐도우 효과에 따른 증착 불량을 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)를 이용하여 R, G, B 패턴 형성 시, 인접한 두 패턴 사이의 영역에 서로 다른 증착 물질이 증착되는 불량을 방지할 수 있다. 자세하게, 도 15에 도시된 바와 같이 상기 패턴들이 좌측부터 R, G, B 순으로 형성될 경우, 상기 R 패턴 및 상기 G 패턴 사이의 영역에 쉐도우 효과로 R 패턴 및 G 패턴이 증착되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 금속판(10)의 응력, 직진도를 고려하여 제조될 수 있다. 자세하게, 상기 증착용 마스크(100)는 상기 금속판(10)에 가해진 인장력이 제거되어 원래의 형태로 복원되는 것을 고려하여 제조될 수 있다.
예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 상기 금속판(10)을 인장한 상태로 소면공(V1), 대면공(V2) 및 관통홀(TH) 등의 마스크 패턴(PA)을 형성할 수 있고, 추후 인장력이 제거되어 상기 금속판(10)이 복원되는 것을 고려하여 상기 마스크 패턴(PA)을 형성할 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크(100)에 형성된 마스크 패턴(PA)의 균일도, 즉 관통홀(TH)의 균일도을 향상시킬 수 있어 증착 불량을 방지할 수 있고 이에 따라 증착 효율은 향상될 수 있다.
상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (7)

  1. OLED 화소 증착을 위한 증착용 마스크의 제조 방법에 있어서,
    금속판을 준비하는 단계;
    상기 금속판의 일면 상에 제 1 포토레지스트층을 배치하고 상기 제 1 포토레지스트층을 노광 및 현상하여 상기 제 1 포토레지스트층을 패턴화하는 단계;
    패턴화된 상기 제 1 포토레지스트층의 오픈부를 하프 에칭하여 상기 금속판의 일면 상에 제 1 홈을 형성하는 단계;
    상기 금속판의 일면과 반대되는 타면 상에 제 2 포토레지스트층을 배치하고, 상기 제 2 포토레지스트층을 노광 및 현상하여 제 2 포토레지스트층을 패턴화하는 단계;
    패턴화된 상기 제 2 포토레지스트층의 오픈부를 하프 에칭하여 상기 제 1 홈과 연결되는 관통홀을 형성하는 단계; 및
    상기 제 1 포토레지스트층 및 상기 제 2 포토레지스트층을 제거하여 상기 금속판 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 금속판은 하기 수학식 1로 표시되는 직진도 값을 가지며 상기 금속판의 직진도는 0.006% 이하인 증착용 마스크의 제조 방법.
    [수학식 1]
    직진도(%) = (dx / d0) * 100
    (상기 직진도는 상기 금속판의 장축 방향으로 연장되는 기준선을 기준으로 정하고, 상기 기준선의 길이(d0)에 대해 상기 기준선으로부터 상기 금속판의 단축 방향으로 가장 멀리 벗어난 거리(dx)의 비율을 나타낸 것을 의미한다.)
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속판은,
    상기 금속판의 장축 방향으로 연장되는 제 1 모서리; 및
    상기 금속판의 장축 방향으로 연장되며 상기 제 1 모서리와 상기 금속판의 단축 방향으로 이격되는 제 2 모서리를 포함하고,
    상기 제 1 모서리는, 제 1 꼭지점 및 상기 제 1 꼭지점과 제 1 길이로 이격된 제 2 꼭지점을 포함하고,
    상기 제 2 모서리는, 제 3 꼭지점 및 상기 제 3 꼭지점과 제 2 길이로 이격된 제 4 꼭지점을 포함하고,
    상기 제 1 포토레지스트층을 패턴화하는 단계 및 상기 제 2 포토레지스트층을 패턴화하는 단계는, 상기 금속판을 상기 금속판의 장축 방향으로 인장하는 단계를 포함하고,
    상기 인장하는 단계는, 상기 제 1 길이 및 상기 제 2 길이의 차이에 따라 상기 제 1 모서리 및 상기 제 2 모서리 각각에 상이한 인장력을 가하는 증착용 마스크의 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 길이가 상기 제 2 길이보다 긴 경우,
    상기 제 1 모서리에 가해지는 인장력의 크기는 상기 제 2 모서리에 가해지는 인장력의 크기보다 작은 증착용 마스크의 제조 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 모서리에 가해지는 인장력 및 상기 제 2 모서리에 가해지는 인장력의 차이는, 상기 금속판의 직진도 값에 비례하는 증착용 마스크의 제조 방법.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 인장하는 단계는, 상기 금속판을 3kgf 내지 15kgF의 힘으로 인장하는 증착용 마스크의 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속판은 30㎛ 이하의 두께를 가지고, 철(Fe) 및 니켈(Ni)을 포함하는 인바(Invar)인 증착용 마스크의 제조 방법.
  7. OLED 화소 증착을 위한 금속재의 증착용 마스크에 있어서,
    상기 증착용 마스크는 증착 패턴을 형성하기 위한 증착 영역 및 증착 영역 이외의 비증착 영역을 포함하고,
    상기 증착 영역은 비패턴 영역 및 유효부를 포함하는 패턴 영역을 포함하고,
    상기 유효부는,
    상기 금속재의 일면 상에 형성된 복수 개의 소면공들;
    상기 금속재의 일면과 반대되는 타면 상에 형성된 복수 개의 대면공들;
    상기 소면공들 및 상기 대면공들을 각각 연통하는 복수 개의 관통홀들; 및
    인접한 상기 관통홀들 사이에 형성되는 아일랜드부를 포함하고,
    상기 관통홀은 400PPI 이상의 해상도를 가지고,
    상기 금속재는 하기 수학식 1로 표시되는 직진도 값을 가지며 상기 금속재의 직진도는 0.006% 이하인 증착용 마스크.
    [수학식 1]
    직진도(%) = (dx / d0) * 100
    (상기 직진도는 상기 금속재의 장축 방향으로 연장되는 기준선을 기준으로 정하고, 상기 기준선의 길이(d0)에 대해 상기 기준선으로부터 상기 금속재의 단축 방향으로 가장 멀리 벗어난 거리(dx)의 비율을 나타낸 것을 의미한다.)
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