WO2024053855A1 - Oled 화소 증착을 위한 증착용 마스크 - Google Patents

Oled 화소 증착을 위한 증착용 마스크 Download PDF

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WO2024053855A1
WO2024053855A1 PCT/KR2023/010586 KR2023010586W WO2024053855A1 WO 2024053855 A1 WO2024053855 A1 WO 2024053855A1 KR 2023010586 W KR2023010586 W KR 2023010586W WO 2024053855 A1 WO2024053855 A1 WO 2024053855A1
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WO
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pattern
area
deposition
patterns
deposition mask
Prior art date
Application number
PCT/KR2023/010586
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English (en)
French (fr)
Inventor
윤진석
권기영
권학노
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엘지이노텍 주식회사
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
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    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass

Definitions

  • the embodiment relates to a deposition mask for OLED pixel deposition.
  • Display devices are applied to various devices.
  • the display device is applied to small devices such as smartphones or tablet PCs.
  • the display device is applied to large devices such as TVs, monitors, or public displays (PDs).
  • UHD ultra-high definition
  • PPI Matel Per Inch
  • Display devices are classified into LCD (Liquid Crystal Display) and OLED (Organic Light Emitting Diode) depending on the driving method.
  • the LCD is a display device driven using liquid crystal. Additionally, OLED is a display device driven using organic materials.
  • the OLED can express an infinite contrast ratio, has a response speed more than 1000 times faster than LCD, and has an excellent viewing angle. Accordingly, the OELD is attracting attention as a display device that can replace the LCD.
  • the OLED includes a light emitting layer.
  • the light-emitting layer includes an organic material.
  • the organic material is deposited on the substrate using a deposition mask.
  • the deposition mask may include an open mask (OM) or a fine metal mask (FMM).
  • OM open mask
  • FMM fine metal mask
  • a deposition pattern corresponding to the pattern formed on the deposition mask is formed on the substrate. As a result, the deposition pattern can serve as a pixel.
  • the open mask is a thin plate that forms a deposition pattern only at specific locations when manufacturing OLED.
  • the open mask is used in a deposition process to form a light emitting layer on the backplane after the display manufacturing process is completed.
  • the open mask is a mask that does not cover the area within the operating range of the display in order to deposit the front surface of the display. Therefore, the open mask is used when depositing a light-emitting layer with a light-emitting material of one color.
  • the pi metal mask includes ultrafine holes.
  • the process using the fine metal mask requires several stages of deposition. Therefore, the process requires precise alignment. Accordingly, the process using the fine metal mask is more difficult than the process using the open mask.
  • the fine metal mask is generally manufactured from an Invar alloy metal plate containing iron (Fe) and nickel (Ni). A through hole penetrating through one side and the other side of the metal plate is formed. The through hole is formed at a position corresponding to the pixel pattern. Accordingly, red, green, and blue organic materials can pass through the through-hole of the metal plate and be deposited on the substrate. As a result, a pixel pattern can be formed on the substrate.
  • the fine metal mask includes small holes formed on one side of the metal plate and large holes formed on the other side of the metal plate.
  • the small hole and the large hole are connected by a connection part, thereby forming the through hole.
  • the organic material is sprayed in the direction of the fine metal mask.
  • the organic material is deposited on the deposition substrate using the large hole as an inlet and the small hole as an outlet.
  • a plurality of strip-shaped fine metal masks are disposed on the deposition substrate.
  • the organic matter moves in the direction of the small pores through the large pores of the plurality of fine metal masks.
  • the fine metal mask is stretched in the longitudinal direction of the mask and connected to the frame. Thereby, the plurality of fine metal masks are fixed by the frame.
  • the spacing between the small hole and the large hole can be changed depending on the waviness. Accordingly, the position of the organic material deposited by the fine metal mask changes. Accordingly, the deposition reliability of the fine metal mask may be reduced.
  • Embodiments provide a mask for deposition with improved deposition reliability.
  • a deposition mask includes a metal plate including a deposition area and a non-deposition area, wherein the metal plate has a first longitudinal direction and a second width direction defined, and the deposition area has a plurality of effective area; and an unactive area, wherein the unactive area includes a first unactive area between active areas, a plurality of through holes are disposed in the effective area, and the first unactive area includes at least one pattern. are disposed, and the pattern and the through hole are formed in different shapes.
  • the reliability of the deposition mask according to the embodiment can be improved by the pattern disposed between the effective areas.
  • the deposition mask is fixed by a mask frame. At this time, the deposition mask is stretched in the longitudinal direction. Accordingly, after the deposition mask is fixed to the mask frame, tensile stress may remain inside the deposition mask. The waviness of the surface of the deposition mask may increase due to residual stress. Accordingly, the spacing between effective areas of the deposition mask may change. Additionally, the spacing between through holes disposed in the effective area may vary.
  • the deposition mask may include a pattern disposed in the deposition area.
  • the pattern may be placed between adjacent effective areas.
  • Residual stress of the deposition mask may be distributed by the pattern. Accordingly, the waviness of the deposition mask may be reduced.
  • the deposition mask has improved deposition reliability.
  • the pattern and the through hole are formed by different processes. Accordingly, the shape and size of the pattern can be formed in various ways. Therefore, the shape and size of the pattern can be formed in various ways depending on the magnitude of the tensile force applied to the deposition mask. Therefore, patterns of various shapes and sizes can be formed depending on the size and usage environment of the deposition mask. Accordingly, the deposition mask can have improved deposition reliability.
  • the difference in width of the pattern may be small in the thickness direction of the metal plate. Accordingly, the difference in the amount of metal removed from the first and second surfaces of the deposition mask can be reduced. Accordingly, it is possible to prevent the deposition mask from bending in one direction due to a difference in residual metal between the first and second surfaces.
  • FIG. 1 is a diagram illustrating the combination of a deposition mask and a frame according to an embodiment.
  • Figure 2 is a cross-sectional view of an organic material deposition apparatus including a deposition mask according to an embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a deposition pattern being formed on a deposition substrate through a through hole of a deposition mask according to an embodiment.
  • Figure 4 is a top view of a deposition mask according to an embodiment.
  • Figures 5 to 7 are cross-sectional views taken along area A-A' of Figure 4.
  • 8 to 23 are plan views of a deposition mask according to another embodiment.
  • the terms used in the embodiments of the present invention are for describing the embodiments and are not intended to limit the present invention.
  • the singular may also include the plural unless specifically stated in the phrase, and when described as “at least one (or more than one) of A, B, and C,” it can be combined with A, B, and C. It can contain one or more of all possible combinations.
  • first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are only used to distinguish the component from other components, and are not limited to the essence, sequence, or order of the component.
  • a component when a component is described as being 'connected', 'coupled' or 'connected' to another component, the component is not only directly connected, coupled or connected to that other component, but also is connected to that component. It may also include cases where other components are 'connected', 'coupled', or 'connected' by another component between them.
  • “above” or “below” refers not only to cases where two components are in direct contact with each other, but also to one This also includes cases where another component described above is formed or placed between two components.
  • top (above) or bottom (bottom), it can include the meaning of not only the upward direction but also the downward direction based on one component.
  • the deposition mask described below is a fine metal mask (FMM) that can form an RGB pixel pattern on the deposition substrate by depositing red, green, and blue organic materials on the deposition substrate. . Additionally, the following description does not apply to the open mask (OM).
  • FMM fine metal mask
  • the first direction 1D is the longitudinal direction of the deposition mask. Additionally, the second direction 2D is the width direction of the deposition mask.
  • 1 to 3 are diagrams for explaining a process of depositing an organic material on a deposition substrate 300 using a deposition mask 100 according to an embodiment.
  • the organic material deposition apparatus includes a deposition mask 100, a mask frame 200, a deposition substrate 300, an organic material deposition container 400, and a vacuum chamber 500.
  • the deposition mask 100 includes metal.
  • the deposition mask includes iron (Fe) and nickel (Ni).
  • the deposition mask includes an Invar alloy containing iron (Fe) and nickel (Ni).
  • the deposition mask 100 includes a plurality of through holes (TH).
  • the through hole is disposed in an effective area.
  • the through hole is arranged to correspond to the pixel pattern to be formed on the deposition substrate.
  • the deposition mask 100 includes an inactive area other than the effective area including the deposition area.
  • the deposition mask 100 includes a metal plate 10, and a plurality of through holes TH may be formed in the metal plate 10.
  • the mask frame 200 includes an opening 205.
  • the plurality of through holes are disposed in an area corresponding to the opening 205. Accordingly, the organic material supplied to the organic material deposition container 400 is deposited on the deposition substrate 300.
  • the deposition mask 100 is placed and fixed on the mask frame 200. For example, the deposition mask 100 is stretched with a constant tensile force. Additionally, the deposition mask 100 is welded and fixed on the mask frame 200.
  • the non-effective area of the deposition mask 100 is welded.
  • the deposition mask 100 is fixed on the mask frame 200. Subsequently, the portion protruding outside of the mask frame 200 is cut and removed.
  • the mask frame 200 includes metal with high rigidity. Thereby, deformation of the mask frame during the welding process is reduced.
  • the deposition substrate 300 is a substrate used when manufacturing a display device. For example, an OLED pixel pattern is formed on the deposition substrate 300. Organic patterns of red, green, and blue are formed on the deposition substrate 300 to form pixels of the three primary colors of light. That is, an RGB pattern is formed on the deposition substrate 300.
  • the organic material deposition vessel 400 is a crucible. An organic material is placed inside the crucible.
  • the organic material deposition vessel 400 moves within the vacuum chamber 500. That is, the organic material deposition vessel 400 moves in one direction within the vacuum chamber 500. For example, the organic material deposition container 400 moves in the width direction of the deposition mask 100 within the vacuum chamber 500.
  • a heat source and/or current is supplied to the organic material deposition vessel 400. Thereby, the organic material is deposited on the deposition substrate 300.
  • the deposition mask 100 includes a metal plate 10.
  • the metal plate includes a first side (1S) and a second side (2S).
  • the first surface 1S and the second surface 2S are opposite surfaces to each other.
  • the first surface 1S includes a carding hole V1.
  • the second surface 2S includes a facing hole V2.
  • a plurality of small holes V1 and a plurality of large holes V2 are formed on the first surface 1S and the second surface 2S, respectively.
  • the deposition mask 100 includes a through hole (TH).
  • the through hole (TH) is formed by a connection portion (CA) connecting the boundaries of the small hole (V1) and the large hole (V2).
  • the width of the large hole (V2) is larger than the width of the small hole (V1).
  • the width of the small hole V1 is measured on the first surface 1S of the deposition mask 100.
  • the width of the facing hole V2 is measured on the second surface 2S of the deposition mask 100.
  • the width of the connection portion CA has a set size.
  • the width of the connection portion (CA) may be 15 ⁇ m to 33 ⁇ m.
  • the width of the connection portion CA may be 19 ⁇ m to 33 ⁇ m.
  • the width of the connection portion (CA) may be 20 ⁇ m to 27 ⁇ m. If the width of the connection portion (CA) exceeds 33 ⁇ m, it is difficult to achieve a resolution of 500PPI or higher. Additionally, if the width of the connection portion CA is less than 15 ⁇ m, defects may occur during the deposition process.
  • the carding hole V1 faces the deposition substrate 300.
  • the carding hole V1 is disposed close to the deposition substrate 300. Accordingly, the small hole V1 has a shape corresponding to the deposition pattern DP.
  • the facing hole V2 faces the organic material deposition container 400. Accordingly, the organic material supplied from the organic material deposition container 400 can be accommodated in a wide area by the facing hole V2. Additionally, a fine pattern can be quickly formed on the deposition substrate 300 through the carding hole V1.
  • the organic material accommodated by the large hole (V1) is deposited on the deposition substrate 300 by the small hole (V1). Accordingly, one of red, green, or blue pixel patterns is formed on the deposition substrate 300. Then, repeat the above process. Accordingly, all red, green, or blue pixel patterns are formed on the deposition substrate 300.
  • the deposition mask is stretched in one direction to be fixed to the mask frame.
  • the deposition mask 100 may be stretched in a first direction.
  • tensile stress is formed inside the deposition mask 100. Additionally, after the deposition mask 100 is fixed to the mask frame 200, stress remains inside the deposition mask 100. Waviness formed on the surface of the deposition mask 100 may increase due to residual stress.
  • the spacing between effective areas through which the organic material moves may vary.
  • the spacing of the through holes disposed in the effective area may change. Accordingly, when forming a deposition pattern on a deposition substrate using the deposition mask, the spacing of the deposition pattern may change. Accordingly, the deposition reliability of the deposition mask may decrease.
  • Figure 4 is a plan view of a deposition mask 100 according to an embodiment.
  • Figures 5 to 7 are cross-sectional views taken along line A-A' of Figure 4.
  • the deposition mask 100 includes a deposition area (DA) and a non-deposition area (NDA).
  • DA deposition area
  • NDA non-deposition area
  • the deposition area DA is an area for forming a deposition pattern.
  • the deposition area (DA) includes an active area (AA) and an unactive area (UA).
  • the effective area (AA) is an area where a through hole (TH) through which the organic material passes is formed. Additionally, the uneffective area UA is an area in which the through hole TH is not formed.
  • the effective area AA is shown in a square shape. However, the embodiment is not limited thereto.
  • the effective area AA may have a rectangular shape.
  • the effective area AA may include a plurality of effective areas.
  • the plurality of effective areas are spaced apart in the first direction.
  • the deposition area DA is an area from a point where the first effective area starts to a point where the last effective area ends in the first direction.
  • the unavailable area (UA) is an area other than the effective area (AA).
  • the unavailable area (UA) may be divided into a first unavailable area (UA1) and a second unavailable area (UA2) depending on its location.
  • the first uneffective area (UA1) is an area between the effective areas (AA). Accordingly, the plurality of first uneffective areas UA1 are spaced apart in the first direction 1D. Additionally, the second unactive area UA2 is an area between the effective area AA and the deposition mask 100. Alternatively, the second unactive area UA2 is an area between both ends of the metal plate in the second direction.
  • the non-deposition area is an area that is not involved in deposition.
  • the non-deposition area NDA may include a frame fixing area.
  • the frame fixing area is an area for fixing the deposition mask 100 to the mask frame 200.
  • the non-deposition area NDA may include at least one of a half-etched portion HF and an open portion OA.
  • the half-etched portion HF may be formed by partially etching the metal plate 10.
  • the open portion OA may be formed by etching all of the metal plate 10.
  • the half-etched portion HF can disperse stress generated when the deposition mask 100 is stretched. Accordingly, the waviness of the deposition mask may be reduced.
  • the open portion OA is an area for fixing a jig such as a clamp when tensioning the deposition mask 100.
  • a through hole (TH) may be disposed in the effective area (AA).
  • the through hole (TH) includes the small hole (V1), the large hole (V2), and the connection portion (CA).
  • the connecting portion (CA) connects the small hole (V1) and the large hole (V2).
  • a pattern P may be placed in the unavailable area UA.
  • a plurality of patterns P may be disposed in the first uneffective area UA1. That is, the pattern P may be disposed between the effective areas AA. That is, the pattern P may be disposed between adjacent effective areas AA.
  • the pattern P distributes residual stress of the deposition mask 100. Thereby, the stress of the deposition mask can be alleviated.
  • residual stress generated by tension of the deposition mask 100 may be transmitted to the periphery of the pattern P. Accordingly, the residual stress of the deposition mask 100 may be distributed rather than concentrated in one area. Accordingly, the size of the waviness of the deposition mask 100 can be reduced by the pattern P.
  • a change in the spacing between the effective areas and/or a change in the spacing between the through holes disposed within the effective area may be reduced. That is, the positional change of the effective area and the positional change of the through holes can be reduced.
  • the deposition mask according to the embodiment may have improved deposition reliability.
  • the pattern (P) and the through hole (TH) may be formed in different shapes.
  • the pattern (P) and the through hole (TH) may be formed to have different widths.
  • the pattern (P) and the through hole (TH) may have different inner surface shapes.
  • the width of the through hole TH and the width of the pattern P may change while extending in the thickness direction of the metal plate 10.
  • the change in width of the through hole (TH) may be greater than the change in width of the pattern (P). That is, the difference between the maximum and minimum widths of the through hole TH may be greater than the difference between the maximum and minimum widths of the pattern P.
  • the first surface 1S and the second surface 2S of the metal plate 10 are each etched to form a small hole V1 and a large hole V2.
  • the through hole (TH) may be formed by a connection portion (CA) connecting the small hole (V1) and the large hole (V2).
  • the through hole TH can be formed by etching the metal plate 10 using an etchant.
  • the inner surface of the through hole TH may have a curvature. Accordingly, the width of the through hole TH may change while extending from the first surface 1S to the second surface 2S.
  • the pattern P may be formed by etching the first surface 1S or the second surface 2S of the metal plate 10.
  • the pattern P may be formed using a laser.
  • the pattern P may be formed by irradiating a laser in the direction of the first surface 1S or the second surface 2S.
  • the angle of the inner surface of the through hole TH may be greater than the angle of the inner surface of the pattern P.
  • the pattern P may be formed by penetrating the first surface 1S and the second surface 2S.
  • the laser is irradiated in the direction of the first surface 1S or the second surface 2S and penetrates the metal plate 10.
  • the pattern P may be formed in a hole shape. That is, the pattern P may be a hole formed in the deposition mask 100.
  • the pattern (P) is formed in a hole shape, the residual stress of the first surface (1S) and the second surface (2S) can be distributed by the pattern (P). Accordingly, the waviness size of the first surface 1S and the second surface 2S may be reduced.
  • the pattern P may be formed by partially removing the first surface 1S or the second surface 2S.
  • the laser may be irradiated in the direction of the first surface 1S or the second surface 2S to partially remove the first surface 1S or the second surface 2S.
  • the pattern P may be formed in a groove shape. That is, the pattern P may be a groove formed in the deposition mask 100.
  • the inner surface of the pattern P may have a flat surface. Accordingly, the change in width of the pattern P may be small as it extends from the first surface 1S to the second surface 2S.
  • the pattern (P) is formed in a groove shape, residual stress on the first surface (1S) or the second surface (2S) can be distributed by the pattern (P). Additionally, the strength of the deposition mask can be prevented from being reduced by the pattern P. In addition, when the pattern P is formed on the first surface 1S where the carding hole V1 is formed, the difference in metal remaining on the first surface 1S and the second surface 2S is can be reduced. Accordingly, the deposition mask can be prevented from bending in one direction.
  • the width W1 of the pattern P may have a set size.
  • the width W1 of the pattern P may be different from the width W2 of the carding hole V1.
  • the width W1 of the pattern P may be smaller than the width W2 of the carding hole W1.
  • the width W1 of the pattern P may be different from the width W3 of the facing hole V2.
  • the width W1 of the pattern P may be smaller than the width W3 of the facing hole V2.
  • the width W1 of the pattern P means the maximum width among the widths of the pattern P.
  • the width W2 of the carding hole V1 means the maximum width among the widths of the carding hole V1.
  • the width W3 of the facing hole V2 means the maximum width among the widths of the facing hole V2.
  • the width W1 of the pattern P may be different from the first distance D1 between the pattern P and the carding hole V1 in the first direction.
  • the width W1 of the pattern P may be smaller than the first distance D1.
  • the width W1 of the pattern P may be different from the second distance D2 between the pattern P and the facing hole V2 in the first direction.
  • the width W1 of the pattern P may be smaller than the second distance D2.
  • the width W1 of the pattern P may be 0.005 mm to 20 mm.
  • the inclination angle of the inner surface of the pattern P may be 60° or more.
  • the pattern P has the set width as described above, the deposition reliability of the deposition mask can be improved.
  • the distance between the pattern P and the effective area AA may become very small due to errors during the process.
  • the pattern P may be partially formed inside the effective area AA.
  • the organic material can move through the pattern (P). Accordingly, the quality of the deposition pattern may be reduced. Therefore, in the deposition mask according to the embodiment, the deposition reliability of the deposition mask can be improved by setting the width of the pattern as described above.
  • the deposition mask according to the embodiment has improved deposition reliability due to the pattern.
  • the deposition mask is fixed by a mask frame. At this time, the deposition mask is stretched in the longitudinal direction. Accordingly, after the deposition mask is fixed to the mask frame, tensile stress may remain inside the deposition mask. The waviness of the surface of the deposition mask may increase due to residual stress. Accordingly, the spacing between effective areas of the deposition mask may change. Additionally, the spacing between through holes disposed in the effective area may vary.
  • the deposition mask may include a pattern disposed in the deposition area.
  • the pattern may be placed between adjacent effective areas.
  • Residual stress of the deposition mask may be distributed by the pattern. Accordingly, the waviness of the deposition mask may be reduced.
  • the deposition mask has improved deposition reliability.
  • the pattern and the through hole are formed by different processes. Accordingly, the shape and size of the pattern can be formed in various ways. Therefore, the shape and size of the pattern can be formed in various ways depending on the magnitude of the tensile force applied to the deposition mask. Therefore, patterns of various shapes and sizes can be formed depending on the size and usage environment of the deposition mask. Accordingly, the deposition mask can have improved deposition reliability.
  • the difference in width of the pattern may be small in the thickness direction of the metal plate. Accordingly, the difference in the amount of metal removed from the first and second surfaces of the deposition mask can be reduced. Accordingly, it is possible to prevent the deposition mask from bending in one direction due to a difference in residual metal between the first and second surfaces.
  • the deposition mask 100 may include a plurality of pattern portions.
  • the deposition mask 100 may include a first pattern portion (PA1) and a second pattern portion (PA2).
  • FIG. 8 shows only the first pattern part PA1 and the second pattern part PA2 for convenience of explanation.
  • the embodiment is not limited to this, and the deposition mask may include three or more pattern portions.
  • the first pattern portion PA1 may include a plurality of first patterns P1.
  • the plurality of first patterns P1 may be spaced apart in the second direction 2D.
  • the second pattern portion PA2 may include a plurality of second patterns P2.
  • the plurality of second patterns P2 may be spaced apart in the second direction 2D.
  • the first pattern part PA1 and the second pattern part PA2 may be spaced apart in the first direction 1D.
  • the deposition mask 100 includes the first pattern portion PA1 and the second pattern portion PA2. Accordingly, patterns can be formed at various positions in the first unactive area UA1. Accordingly, the waviness of the deposition mask is reduced. Accordingly, the deposition reliability of the deposition mask can be improved.
  • the deposition mask 100 may include a plurality of pattern portions.
  • the deposition mask 100 may include a first pattern portion (PA1), a second pattern portion (PA2), and a third pattern portion (PA3).
  • PA1 first pattern portion
  • PA2 second pattern portion
  • PA3 third pattern portion
  • 9 and 10 illustrate only the first pattern part PA1, the second pattern part PA2, and the third pattern part PA3 for convenience of explanation.
  • the embodiment is not limited to this, and the deposition mask may include four or more pattern portions.
  • the first pattern portion PA1 may include a plurality of first patterns P1.
  • the plurality of first patterns P1 may be spaced apart in the second direction 2D.
  • the second pattern portion PA2 may include a plurality of second patterns P2.
  • the plurality of second patterns P2 may be spaced apart in the second direction 2D.
  • the third pattern portion PA3 may include a plurality of third patterns P3.
  • the plurality of third patterns P3 may be spaced apart in the second direction 2D.
  • the first pattern part PA1, the second pattern part PA2, and the third pattern part PA3 may be spaced apart in the first direction 1D.
  • the patterns of the first pattern part PA1, the second pattern part PA2, and the third pattern part PA3 may be arranged in a zigzag pattern. That is, the second pattern (P2) is disposed between adjacent first patterns (P1). Additionally, the third pattern (P3) is disposed between adjacent second patterns (P2).
  • the patterns of the first pattern part PA1, the second pattern part PA2, and the third pattern part PA3 may be arranged in the first direction 1D. That is, the patterns of the first pattern part PA1, the second pattern part PA2, and the third pattern part PA3 may face each other in the first direction 1D.
  • the deposition mask 100 may include a half-etch portion HF disposed in the non-deposition area NDA.
  • the half-etched portion HF may be formed by partially removing the first surface 1S of the metal plate 10. That is, the half-etched portion HF may be a groove formed on the first surface 1S.
  • the half-etched portion HF may distribute stress in the non-deposited area NDA. Accordingly, the waviness of the non-deposition area NDA can be reduced. Accordingly, when depositing an organic material on the deposition substrate using the deposition mask 100, it is possible to prevent a gap from being formed between the deposition mask and the deposition substrate.
  • the number of patterns in the first pattern part PA1, the second pattern part PA2, and the third pattern part PA3 may be different.
  • the numbers of the first pattern (P1), the second pattern (P2), and the third pattern (P3) may be different.
  • the number of first patterns P1 may be greater than the number of second patterns P2 and third patterns P3.
  • the number of second patterns P2 may be greater than the number of third patterns P3.
  • the number of patterns may decrease while extending from the effective area AA toward the central portion C of the first unactive area UA1. That is, the area of the opening area due to the pattern may decrease as it extends from the effective area AA toward the central part C of the first unactive area UA1.
  • the number of patterns and the area of the opening area may decrease while extending from the outside to the inside of the first unactive area UA1 in the first direction 1D. Additionally, the number of patterns and the area of the opening area may increase as the first unactive area UA1 extends from the outside to the inside in the second direction 2D.
  • the deposition mask according to another embodiment extends from the outside to the inside of the first unactive area UA1 in the first direction 1D, while the number of patterns and the area of the opening area decrease. Accordingly, the stress dispersion effect in the effective area and adjacent areas is increased. Accordingly, the waviness of the area adjacent to the effective area is reduced. Accordingly, the change in position of the through holes is reduced.
  • the first unactive area UA1 extends from the outside to the inside in the second direction 2D, and the number of patterns and the area of the opening area increase. Accordingly, the residual stress of the outer portion and the central portion of the deposition mask in the second direction can be formed to be similar.
  • the deposition mask 100 may include a plurality of pattern portions.
  • the deposition mask 100 may include a first pattern portion (PA1), a second pattern portion (PA2), and a third pattern portion (PA3).
  • PA1 first pattern portion
  • PA2 second pattern portion
  • PA3 third pattern portion
  • FIGS. 11 and 12 only the first pattern part PA1, the second pattern part PA2, and the third pattern part PA3 are shown for convenience of explanation.
  • the embodiment is not limited to this, and the deposition mask may include four or more pattern portions.
  • the first pattern portion PA1 may include a plurality of first patterns P1.
  • the plurality of first patterns P1 may be spaced apart in the second direction 2D.
  • the second pattern portion PA2 may include a plurality of second patterns P2.
  • the plurality of second patterns P2 may be spaced apart in the second direction 2D.
  • the third pattern portion PA3 may include a plurality of third patterns P3.
  • the plurality of third patterns P3 may be spaced apart in the second direction 2D.
  • the first pattern part PA1, the second pattern part PA2, and the third pattern part PA3 may be spaced apart in the first direction 1D.
  • the patterns of the first pattern part PA1, the second pattern part PA2, and the third pattern part PA3 may be arranged in a zigzag pattern. That is, the second pattern (P2) is disposed between adjacent first patterns (P1). Additionally, the third pattern (P3) is disposed between adjacent second patterns (P2).
  • the patterns of the first pattern part PA1, the second pattern part PA2, and the third pattern part PA3 may be arranged in the first direction 1D. That is, the patterns of the first pattern part PA1, the second pattern part PA2, and the third pattern part PA3 may face each other in the first direction 1D.
  • the number of patterns in the first pattern part PA1, the second pattern part PA2, and the third pattern part PA3 may be different.
  • the numbers of the first pattern (P1), the second pattern (P2), and the third pattern (P3) may be different.
  • the number of first patterns P1 may be smaller than the number of second patterns P2 and third patterns P3.
  • the number of second patterns P2 may be smaller than the number of third patterns P3.
  • the number of patterns may increase while extending from the effective area AA toward the central portion C of the first unactive area UA1. That is, the area of the opening area due to the pattern may increase as it extends from the effective area AA toward the central part C of the first unactive area UA1.
  • the number of patterns and the area of the opening area may increase while extending from the outside to the inside of the first unactive area UA1 in the first direction 1D. Additionally, the number of patterns and the area of the opening area may increase as the first unactive area UA1 extends from the outside to the inside in the second direction 2D.
  • the deposition mask according to another embodiment extends from the outside of the first uneffective area UA1 to the inside in the first direction 1D, and the number of patterns and the area of the opening area increase. Accordingly, the stress dispersion effect in the central part of the first non-effective area increases. Accordingly, the waviness of the first non-effective area can be reduced. Accordingly, the change in spacing between the effective areas is reduced.
  • the deposition mask according to another embodiment extends from the outside to the inside of the first unactive area UA1 in the second direction 2D, and the number of patterns and the area of the opening area increase. Accordingly, the residual stress of the outer portion and the central portion of the deposition mask in the second direction can be formed to be similar.
  • the deposition mask 100 may include a plurality of pattern portions.
  • the deposition mask 100 may include a first pattern portion (PA1), a second pattern portion (PA2), and a third pattern portion (PA3).
  • PA1 first pattern portion
  • PA2 second pattern portion
  • PA3 third pattern portion
  • FIGS. 13 and 14 only the first pattern portion (PA1), the second pattern portion (PA2), and the third pattern portion (PA3) are shown for convenience of explanation.
  • the embodiment is not limited to this, and the deposition mask may include four or more pattern portions.
  • the first pattern portion PA1 may include a plurality of first patterns P1.
  • the plurality of first patterns P1 may be spaced apart in the second direction 2D.
  • the second pattern portion PA2 may include a plurality of second patterns P2.
  • the plurality of second patterns P2 may be spaced apart in the second direction 2D.
  • the third pattern portion PA3 may include a plurality of third patterns P3.
  • the plurality of third patterns P3 may be spaced apart in the second direction 2D.
  • the first pattern part PA1, the second pattern part PA2, and the third pattern part PA3 may be spaced apart in the first direction 1D.
  • At least one active area (AA) among the plurality of effective areas (AA) may be defined by two non-active areas disposed at both ends in the first direction (1D).
  • the number of pattern portions and the number of patterns in an area adjacent to the effective area in the center of the two non-effective areas may be different. That is, the areas of the opening areas disposed at both ends of the effective area AA in the first direction 1D may be different.
  • the first pattern part PA1, the second pattern part PA2, and the third pattern part PA3 are formed in an area adjacent to the first end E1 of the effective area AA. can be placed. Additionally, only the first pattern portion PA1 may be disposed in an area adjacent to the second end E2 of the effective area AA.
  • the first pattern portion PA1 and the second pattern portion PA2 may be disposed in an area adjacent to the first end E1 of the effective area AA. Additionally, the pattern portion may not be disposed in an area adjacent to the second end E2 of the effective area AA.
  • the area adjacent to the end of the effective area AA is an area between the effective area AA and the center of the first unactive area UA1.
  • the number of patterns arranged in the area adjacent to the first end (E1) of the effective area (AA) and the number of patterns arranged in the area adjacent to the second end (E2) of the effective area (AA) are different.
  • the area of the opening disposed in the area adjacent to the first end (E1) of the effective area (AA) and the area of the opening area disposed in the area adjacent to the second end (E2) of the effective area (AA) may be different. there is.
  • the number of patterns disposed in the plurality of first unactive areas UA1 or the area of the opening areas may be different.
  • the first unactive area UA1 includes a 1-1 unactive area UA1-1 and a 1-2 unactive area UA1-2 spaced apart from each other in the first direction. ) may include. That is, the effective area AA may be disposed between the 1-1 unactive area UA1-1 and the 1-2 unactive area UA1-2. In detail, one effective area may be disposed between the 1-1 unactive area (UA1-1) and the 1-2 unactive area (UA1-2).
  • the number of patterns arranged in the 1-1 unavailable area (UA1-1) and the number of patterns arranged in the 1-2 unavailable area (UA1-2) may be different.
  • the number of patterns arranged in the 1-1 unactive area UA1-1 may be greater than the number of patterns arranged in the 1-2 unactive area UA1-2. That is, the area of the opening area of the 1-1 unactive area UA1-1 may be larger than the area of the opening area disposed in the 1-2 unactive area UA1-2.
  • a deposition mask according to another embodiment may have different numbers of patterns disposed in areas adjacent to both ends of the effective area and different areas of the opening areas.
  • the number of patterns disposed in each first non-effective area and the area of the opening area may be different.
  • Through holes, patterns, and open portions are formed in the metal plate. Before forming through holes, patterns, and open portions in the metal plate, a rolling process may be performed. As a result, the thickness of the metal plate can be formed to a set thickness.
  • Stress is generated inside the metal plate by the rolling process. Additionally, waviness may be formed on the surface of the metal plate due to the stress.
  • the waviness distribution of the metal plate is measured before forming through holes, patterns, and open parts in the metal plate. Subsequently, the number of patterns formed in areas with large waviness and areas with small waviness can be varied.
  • the shape of the effective area AA may be different.
  • the width of the effective area AA may change while extending in one direction.
  • the width of at least one effective area among the plurality of effective areas may change.
  • the width of the effective area AA may change while extending in the first direction 1D.
  • the width of the effective area AA may change while extending in the second direction 2D.
  • the effective area AA of the deposition mask 100 may be formed in various shapes. Accordingly, the pattern deposited on the deposition substrate 300 can be formed in various designs.
  • the deposition mask 100 may include a plurality of patterns (P).
  • the number of patterns P may change as it moves away from one end of the effective area AA.
  • the effective area AA becomes narrower as it extends from the 1-2 end E1-2 to the 1-1 end E1-1. Additionally, the number of patterns P decreases from the 1-2 end E1-2 to the 1-1 end E1-1.
  • the effective area AA becomes narrower as it extends from the 2-2 end E2-2 to the 1-2 end E1-2. Additionally, the number of patterns P increases from the 2-2 end E2-2 to the 1-2 end E1-2.
  • the deposition mask according to another embodiment may arrange the pattern in various ways according to the shape of the effective area AA. Therefore, even if the shape of the effective area AA changes, residual stress can be effectively distributed by the pattern. Accordingly, the waviness of the deposition mask can be reduced. Accordingly, the deposition reliability of the deposition mask can be improved.
  • a deposition mask 100 may include a plurality of pattern portions.
  • the deposition mask 100 may include a first pattern portion (PA1), a second pattern portion (PA2), and a third pattern portion (PA3). 17 to 20 , only the first pattern part PA1, the second pattern part PA2, and the third pattern part PA3 are shown for convenience of explanation. However, the embodiment is not limited to this, and the deposition mask may include four or more pattern portions.
  • the first pattern portion PA1 may include a plurality of first patterns P1.
  • the plurality of first patterns P1 may be spaced apart in the second direction 2D.
  • the second pattern portion PA2 may include a plurality of second patterns P2.
  • the plurality of second patterns P2 may be spaced apart in the second direction 2D.
  • the third pattern portion PA3 may include a plurality of third patterns P3.
  • the plurality of third patterns P3 may be spaced apart in the second direction 2D.
  • the first pattern part PA1, the second pattern part PA2, and the third pattern part PA3 may be spaced apart in the first direction 1D.
  • the size of the pattern may change while extending in one direction.
  • the size of the pattern may change while extending in the first direction (1D).
  • the pattern sizes of the first pattern part PA1, the second pattern part PA2, and the third pattern part PA3 may be different.
  • the size of the first pattern (P1) may be larger than the sizes of the second pattern (P2) and the third pattern (P3).
  • the size of the second pattern (P2) may be larger than the size of the third pattern (P3).
  • the size of the pattern may decrease while extending from the end of the effective area toward the central part C of the first unactive area UA1.
  • the size of the first pattern (P1) may be smaller than the sizes of the second pattern (P2) and the third pattern (P3). Additionally, the size of the second pattern (P2) may be smaller than the size of the third pattern (P3).
  • the size of the pattern may increase while extending from the end of the effective area toward the central part C of the first unactive area UA1.
  • the spacing of the patterns may change while extending in one direction.
  • the spacing of the patterns may change while extending in the first direction (1D).
  • the gap G1 between the first pattern P1 and the second pattern P2 may be smaller than the gap G2 between the second pattern P2 and the third pattern P3. there is.
  • the spacing of the patterns may increase while extending from the end of the effective area toward the central part C of the first unactive area UA1.
  • the gap G1 between the first pattern P1 and the second pattern P2 is greater than the gap G2 between the second pattern P2 and the third pattern P3. You can.
  • the spacing between the patterns may decrease as it extends from the end of the effective area toward the central part C of the first unactive area UA1.
  • both the size and spacing of the pattern may change while extending in the first direction 1D.
  • a deposition mask according to another embodiment may vary the size and spacing of the patterns.
  • many patterns can be formed in areas adjacent to the effective area.
  • many patterns can be formed in areas far from the effective area.
  • the metal plate may have different physical properties depending on the manufacturing process or the characteristics of the raw materials. Accordingly, residual stress may be concentrated in the central area or outer area of the deposition mask.
  • the size and spacing of the patterns are arranged in various ways. Accordingly, the position of the pattern can be controlled according to the physical characteristics of the metal plate. Accordingly, tensile stress caused by tension of the deposition mask is effectively distributed. Accordingly, the waviness of the deposition mask is reduced. As a result, the deposition mask can have improved deposition reliability.
  • the pattern portion may be formed in areas other than the effective area AA.
  • the pattern P may be formed in the non-deposition area NDA. Accordingly, the pattern P may be formed between the open portion OA and the effective area AA.
  • the residual stress can be effectively distributed in the non-deposition area NDA. Additionally, the process of forming a separate half-etched portion in the non-deposition area NDA can be omitted.
  • the pattern P may be formed in the second unactive area UA2. That is, the pattern P may be formed between the effective area AA and an end of the deposition mask 100 in the second direction.
  • the pattern P may be formed in an area outside the deposition area DA.
  • the residual stress can be effectively distributed in an area outside the deposition area NDA. Additionally, it is possible to prevent the distance between the small hole V1 and the deposition substrate 300 from increasing. Therefore, it is possible to prevent a decrease in deposition quality due to the shadow effect.
  • the pattern P may be formed in both the non-deposition area NDA and the second non-effective area UA2.
  • one pattern P may be formed between the effective areas.
  • the area of the pattern P may be smaller than the area of the first unactive area UA1.
  • the area of the pattern P may be 90% or less, 80% or less, 70% or less, or 60% or less of the area of the first unactive area UA1.
  • the area of the pattern P may be 50% to 90% of the area of the first unactive area UA1.
  • the area of the pattern (P) exceeds 90% of the area of the first unactive area (UA1), one area of the pattern (P) is placed inside the effective area (AA) due to an error during the process. It can be. As a result, the deposition reliability of the deposition mask may be reduced.
  • the area of the pattern P is less than 50% of the area of the first unactive area UA1
  • the residual stress may not be effectively distributed by the pattern P between the effective areas. Accordingly, the waviness of the deposition mask may increase. As a result, the deposition reliability of the deposition mask may be reduced.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

실시예에 따른 증착용 마스크는, 증착 영역 및 비증착 영역을 포함하는 금속판을 포함하고, 상기 금속판은 길이 방향인 제 1 방향 및 폭 방향인 제 2 방향이 정의되고, 상기 증착 영역은 복수의 유효 영역; 및 비유효 영역을 포함하고, 상기 비유효 영역은 유효 영역 사이의 제 1 비유효 영역을 포함하고, 상기 유효 영역에는 복수의 관통홀이 배치되고, 상기 제 1 비유효 영역에는 적어도 하나의 패턴이 배치되고, 상기 패턴과 상기 관통홀은 서로 다른 형상으로 형성된다.

Description

OLED 화소 증착을 위한 증착용 마스크
실시예는 OLED 화소 증착을 위한 증착용 마스크에 관한 것이다.
표시 장치는 다양한 디바이스에 적용된다. 예를 들어, 상기 표시 장치는 스마트폰 또는 태블릿 PC와 같은 소형 디바이스에 적용된다. 또는, 상기 표시 장치는 TV, 모니터 또는 퍼블릭 디스플레이(PD, Public Display)과 같은 대형 디바이스에 적용된다. 최근에는 500 PPI(Pixel Per Inch) 이상의 초고해상도 UHD(UHD, Ultra High Definition)에 대한 수요가 증가하고 있다. 이에 따라, 고해상도를 가지는 표시 장치가 소형 디바이스 및 대형 디바이스에 적용되고 있다.
표시 장치는 구동 방법에 따라서 LCD(Liquid Crystal Display) 및 OLED(Organic Light Emitting Diode)로 구분된다.
상기 LCD는 액정(Liquid Crystal)을 이용하여 구동되는 표시 장치이다. 또한, OLED는 유기물을 이용해 구동되는 표시 장치이다.
상기 OLED는 무한한 명암비를 표현할 수 있고, LCD보다 1000배 이상의 빠른 응답 속도를 가지며 시야각이 우수하다. 이에 따라, 상기 OELD는 상기 LCD를 대체할 수 있는 표시 장치로 주목 받고 있다.
상기 OLED는 발광층을 포함한다. 상기 발광층은 유기물을 포함한다. 상기 유기물은 증착용 마스크에 의해 기판 상에 증착된다. 상기 증착용 마스크는 오픈 마스크(OM, Open Mask) 또는 파인 메탈 마스크(FMM, Fine Metal Mask)를 포함할 수 있다. 상기 기판 상에는 증착용 마스크에 형성된 패턴과 대응되는 증착 패턴이 형성된다. 이에 의해, 상기 증착 패턴은 화소의 역할을 할 수 있다.
상기 오픈마스크는 OLED를 제조할 때, 특정 위치에만 증착 패턴을 형성하는얇은 판이다. 상기 오픈 마스크는 디스플레이 제조 과정에서 백플레인(Backplane)이 완료된 후 그 위에 발광층을 형성하는 증착공정에서 사용된다. 즉, 상기 오픈마스크는 디스플레이의 전면을 증착하기 위해 디스플레이가 작동하는 범위 내에서 가림 부위가 없는 마스크이다. 따라서, 상기 오픈 마스크는 한 가지 색깔의 발광물질로 발광층을 증착할 때 사용된다.
반면에, 파인 메탈 마스크는 발광층의 서브 픽셀(Sub-pixel)에 색깔을 달리하기 위해 사용한다. 따라서, 상기 파이 메탈 마스크는 초미세 홀(Hole)을 포함한다. 상기 파인 메탈 마스크를 이용하는 공정은 여러 단계의 증착 과정을 진행해야 한다. 따라서, 상기 공정은 정확한 정렬이 요구된다. 이에 따라, 상기 파인 메탈 마스크를 이용하는 공정은 오픈 마스크를 이용하는 공정보다 난이도가 높다.
상기 OLED의 발광층을 오픈 마스크에 의해 증착하는 경우 한가지 색의 발광층만이 형성된다. 따라서, 다양한 색의 구현을 위해 별도의 컬러필터(Color Filter, C/F)가 요구된다. 반면에, 상기 파인 메탈 마스크를 사용하는 경우 RGB 발광층을 형성할 수 있다. 따라서, 별도의 컬러필더가 요구되지 않는다. 즉, 상기 파인 메탈 마스크를 사용하는 기술은 난이도가 높다. 그러나, 오픈 마스크를 사용하는 방식과 대비하여 빛을 차단하는 필터가 요구되지 않으므로 빛 효율이 좋다.
상기 파인 메탈 마스크는 일반적으로 철(Fe) 및 니켈(Ni)을 포함하는 인바(Invar) 합금 금속판에 의해 제조된다. 상기 금속판의 일면 및 타면에는 상기 일면 및 상기 타면을 관통하는 관통홀이 형성된다. 상기 관통홀은 화소 패턴과 대응되는 위치에 형성된다. 이에 따라, 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue)의 유기물은 상기 금속판의 관통홀을 통과하여 기판 상에 증착될 수 있다. 이에 의해, 상기 기판 상에는 화소 패턴이 형성될 수 있다.
한편, 상기 파인 메탈 마스크는 금속판의 일면에 형성되는 소면공 및 상기 금속판의 타면에 형성되는 대면공을 포함한다. 상기 관통홀은 상기 소면공과 상기 대면공은 연결부에 의해 연결된다, 이에 의해, 상기 관통홀이 형성된다.
상기 유기물은 상기 파인 메탈 마스크 방향으로 분사된다. 상기 유기물은 상기 대면공을 입구로 하고, 상기 소면공을 출구로 하여 상기 증착 기판 상에 증착된다.
자세하게, 상기 증착 기판 상에는 스트립 형상의 복수의 파인 메탈 마스크가 배치된다. 상기 유기물은 복수의 파인 메탈 마스크의 대면공을 통해 소면공 방향으로 이동한다.
상기 파인 메탈 마스크는 마스크의 길이 방향으로 인장되어 프레임과 연결된다. 이에 의해, 복수의 파인 메탈 마스크는 상기 프레임에 의해 고정된다.
이에 따라, 상기 파인 메탈 마스크는 상기 인장에 의해 응력이 발생한다. 이에 의해, 상기 파인 메탈 마스크의 표면에는 상기 응력에 의해 웨이비니스(waviness)가 형성될 수 있다.
상기 소면공 및 상기 대면공의 간격은 상기 웨이비니스에 의해 변화될 수 있다. 따라서, 상기 파인 메탈 마스크에 의해 증착되는 유기물의 위치가 변화한다. 따라서 상기 파인 메탈 마스크의 증착 신뢰성이 감소될 수 있다.
따라서, 상기와 같은 문제점을 해결할 수 있는 새로운 구조의 증착용 마스크가 요구된다.
실시예는 향상된 증착 신뢰성을 가지는 증착용 마스크를 제공한다.
실시예에 따른 증착용 마스크는, 증착 영역 및 비증착 영역을 포함하는 금속판을 포함하고, 상기 금속판은 길이 방향인 제 1 방향 및 폭 방향인 제 2 방향이 정의되고, 상기 증착 영역은 복수의 유효 영역; 및 비유효 영역을 포함하고, 상기 비유효 영역은 유효 영역 사이의 제 1 비유효 영역을 포함하고, 상기 유효 영역에는 복수의 관통홀이 배치되고, 상기 제 1 비유효 영역에는 적어도 하나의 패턴이 배치되고, 상기 패턴과 상기 관통홀은 서로 다른 형상으로 형성된다.
실시예에 따른 증착용 마스크의 신뢰성은 유효 영역 사이에 배치되는 패턴에 의해 향상될 수 있다.
상기 증착용 마스크는 마스크 프레임에 의해 고정된다. 이때, 상기 증착용 마스크는 길이 방향으로 인장된다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크가 상기 마스크 프레임에 고정된 후, 상기 증착용 마스크의 내부에는 인장 응력이 잔류할 수 있다. 상기 증착용 마스크의 표면의 웨이비니스는 잔류 응력에 의해 증가할 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크의 유효 영역들 사이의 간격이 변할 수 있다. 또한, 상기 유효 영역에 배치되는 관통홀 사이의 간격이 변할 수 있다.
상기 증착용 마스크는 상기 증착 영역애 배치되는 패턴을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 패턴은 인접하는 유효 영역들 사이에 배치될 수 있다.
상기 증착용 마스크의 잔류 응력은 상기 패턴에 의해 분산될 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크의 웨이비니스가 감소할 수 있다.
따라서, 상기 유효 영역들 사이의 간격 및 유효 영역 내부의 관통홀들 사이의 간격의 변화가 최소화된다. 따라서, 상기 증착용 마스크는 향상된 증착 신뢰성을 가진다.
또한, 상기 패턴과 상기 관통홀은 다른 공정에 의해 형성된다. 이에 따라, 상기 패턴의 형상 및 크기는 다양하게 형성될 수 있다. 따라서, 상기 증착용 마스크에 인가되는 인장력의 크기에 따라서, 상기 패턴의 형상 및 크기를 다양하게 형성할 수 있다. 따라서, 상기 증착용 마스크의 크기 및 사용환경에 따라서 다양한 형상 및 크기의 패턴을 형성할 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크는 향상된 증착 신뢰성을 가질 수 있다.
또한, 상기 패턴의 폭의 차이는 상기 금속판의 두께 방향으로 작게 형성될 수 있다. 따라서, 상기 증착용 마스크의 제 1 면 및 제 2 면에서 제거되는 금속의 양의 차이가 감소될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 면 및 상기 제 2 면의 잔류 금속의 차이에 의해 상기 증착용 마스크가 일 방향으로 휘어지는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 증착용 마스크 및 프레임의 결합을 도시한 도면이다.
도 2는 실시예에 따른 증착용 마스크를 포함하는 유기물 증착 장치의 단면도이다.
도 3은 실시예에 따른 증착용 마스크의 관통홀에 의해 증착 기판 상에 증착 패턴이 형성되는 것을 도시한 도면이다.
도 4는 실시예에 따른 증착용 마스크의 평면도이다.
도 5 내지 도 7은 도 4의 A-A' 영역을 절단한 단면도이다.
도 8 내지 도 23은 다른 실시예에 따른 증착용 마스크의 평면도들이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다만, 본 발명의 기술 사상은 설명되는 일부 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있고, 본 발명의 기술 사상 범위 내에서라면, 실시예들간 그 구성 요소들 중 하나 이상을 선택적으로 결합, 치환하여 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에서 사용되는 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는, 명백하게 특별히 정의되어 기술되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일반적으로 이해될 수 있는 의미로 해석될 수 있으며, 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥상의 의미를 고려하여 그 의미를 해석할 수 있을 것이다.
또한, 본 발명의 실시예에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함할 수 있고, “A 및(와) B, C중 적어도 하나(또는 한개이상)”로 기재되는 경우 A, B, C로 조합할 수 있는 모든 조합 중 하나이상을 포함 할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등으로 한정되지 않는다.
그리고, 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 '연결', '결합' 또는 '접속'된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결, 결합 또는 접속되는 경우 뿐만 아니라, 그 구성 요소와 그 다른 구성요소 사이에 있는 또 다른 구성 요소로 인해 '연결', '결합' 또는 '접속＇되는 경우도 포함할 수 있다.
또한, 각 구성 요소의 " 상(위) 또는 하(아래)"에 형성 또는 배치되는 것으로 기재되는 경우, 상(위) 또는 하(아래)는 두 개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되는 경우뿐만 아니라 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 형성 또는 배치되는 경우도 포함한다.
또한 “상(위) 또는 하(아래)”으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
이하 도면들을 참조하여 실시예에 따른 증착용 마스크를 설명한다.
이하에서 설명하는 증착용 마스크는 증착 기판에 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue)의 유기물을 증착하여 상기 증착 기판 상에 RGB 화소 패턴을 형성할 수 있는 파인 메탈 마스크(FMM)이다. 또한, 오픈 마스크(OM)에 대해서는 이하의 설명이 적용되지 않는다.
또한, 이하의 설명에서, 제 1 방향(1D)은 증착용 마스크의 길이 방향이다. 또한, 제 2 방향(2D)은 증착용 마스크의 폭 방향이다.
도 1 내지 도 3은 실시예에 따른 증착용 마스크(100)를 사용하여 증착 기판(300) 상에 유기 물질을 증착하는 공정을 설명하기 위한 도면들이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 유기물 증착 장치는 증착용 마스크(100), 마스크 프레임(200), 증착 기판(300), 유기물 증착 용기(400) 및 진공 챔버(500)를 포함한다.
상기 증착용 마스크(100)는 금속을 포함한다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크는 철(Fe) 및 니켈(Ni)을 포함한다. 자세하게, 상기 증착용 마스크는 철(Fe) 및 니켈(Ni)을 포함하는 인바 합금을 포함한다.
상기 증착용 마스크(100)는 복수의 관통홀(TH)을 포함한다. 상기 관통홀은 유효 영역에 배치된다. 상기 관통홀은 증착 기판 상에 형성될 화소 패턴과 대응되도록 배치된다. 상기 증착용 마스크(100)는 증착 영역을 포함하는 유효 영역 이외의 비유효 영역을 포함한다.
즉, 상기 증착용 마스크(100)는 금속판(10)을 포함하고, 상기 금속판(10)에는 복수의 관통홀(TH)이 형성될 수 있다.
상기 마스크 프레임(200)은 개구부(205)를 포함한다. 상기 복수의 관통홀은 상기 개구부(205)와 대응되는 영역 상에 배치된다. 이에 따라, 상기 유기물 증착 용기(400)로 공급되는 유기 물질이 상기 증착 기판(300) 상에 증착된다. 상기 증착용 마스크(100)는 상기 마스크 프레임(200) 상에 배치되어 고정된다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 일정한 인장력으로 인장된다. 또한, 상기 증착용 마스크(100)는 상기 마스크 프레임(200) 상에 용접되어 고정된다.
예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)의 비유효 영역을 용접한다. 이에 의해, 상기 증착용 마스크(100)는 상기 마스크 프레임(200) 상에 고정된다. 이어서, 상기 마스크 프레임(200)의 외부로 돌출되는 부분은 절단하여 제거한다.
상기 마스크 프레임(200)은 강성이 큰 금속을 포함한다. 이에 의해, 용접 공정 중에 상기 마스크 프레임의 변형이 감소된다..
상기 증착 기판(300)은 표시 장치를 제조할 때 사용하는 기판이다. 예를 들어, 상기 증착 기판(300) 상에는 OLED 화소 패턴이 형성된다. 상기 증착 기판(300) 상에는 빛의 3원색인 화소를 형성하기 위하여 적색(Red), 녹색(Greed) 및 청색(Blue)의 유기물 패턴이 형성된다. 즉, 상기 증착 기판(300) 상에는 RGB 패턴이 형성된다.
상기 유기물 증착 용기(400)는 도가니이다. 상기 도가니의 내부에는 유기 물질이 배치된다. 상기 유기물 증착 용기(400)는 상기 진공 챔버(500) 내에서 이동한다. 즉, 상기 유기물 증착 용기(400)는 진공 챔버(500) 내에서 일 방향으로 이동한다. 예를 들어, 상기 유기물 증착 용기(400)는 진공 챔버(500) 내에서 상기 증착용 마스크(100)의 폭 방향으로 이동한다.
상기 유기물 증착 용기(400)에는 열원 및/또는 전류가 공급된다. 이에 의해, 상기 유기 물질은 상기 증착 기판(300) 상에 증착된다.
도 3을 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 금속판(10)을 포함한다. 상기 금속판은 제 1 면(1S) 및 제 2 면(2S)을 포함한다. 상기 제 1 면(1S) 및 상기 제 2 면(2S)은 서로 반대되는 면이다.
상기 제 1 면(1S)은 소면공(V1)을 포함한다. 상기 제 2 면(2S)은 대면공(V2)을 포함한다. 예를 들어, 상기 제 1 면(1S) 및 상기 제 2 면(2S)에는 각각 복수의 소면공(V1)들 및 복수의 대면공(V2)들이 형성된다.
또한, 상기 증착용 마스크(100)는 관통홀(TH)을 포함한다. 상기 관통홀(TH)은 상기 소면공(V1) 및 상기 대면공(V2)의 경계가 연결되는 연결부(CA)에 의해 형성된다.
상기 대면공(V2)의 폭은 상기 소면공(V1)의 폭보다 크다. 상기 소면공(V1)의 폭은 상기 증착용 마스크(100)의 제 1 면(1S)에서 측정된다. 상기 대면공(V2)의 폭은 상기 증착용 마스크(100)의 제 2 면(2S)에서 측정된다.
또한, 상기 연결부(CA)의 폭은 설정된 크기를 가진다. 자세하게, 상기 연결부(CA)의 폭은 15㎛ 내지 33㎛일 수 있다. 더 자세하게, 상기 연결부(CA)의 폭은 19㎛ 내지 33㎛일 수 있다. 더 자세하게, 상기 연결부(CA)의 폭은 20㎛ 내지 27㎛일 수 있다. 상기 연결부(CA)의 폭이 33㎛ 초과하면 500PPI 급 이상의 해상도를 구현하기 어렵다. 또한, 상기 연결부(CA)의 폭이 15㎛ 미만인 경우에는 증착 공정 중 불량이 발생할 수 있다.
상기 소면공(V1)은 상기 증착 기판(300)과 마주본다. 상기 소면공(V1)은 상기 증착 기판(300)과 가까이 배치된다. 이에 따라, 상기 소면공(V1)은 증착 패턴(DP)과 대응되는 형상을 가진다.
상기 대면공(V2)은 상기 유기물 증착 용기(400)과 마주본다. 이에 따라, 상기 유기물 증착 용기(400)로부터 공급되는 유기물질은 상기 대면공(V2)에 의해 넓은 폭에서 수용될 수 있다. 또한, 상기 소면공(V1)을 통하여 상기 증착 기판(300) 상에 미세한 패턴을 빠르게 형성할 수 있다.
이에 따라, 상기 대면공(V1)에 의해 수용되는 유기물질은 상기 소면공(V1)에 의해 상기 증착 기판(300)에 증착된다. 이에 따라, 상기 증착 기판(300) 상에는 적색, 녹색 또는 청색의 화소 패턴 중 어느 하나의 패턴이 형성된다. 이어서, 상기 공정을 반복한다. 이에 따라, 상기 증착 기판(300) 상에 적색, 녹색 또는 청색의 화소 패턴이 모두 형성된다.
앞서 설명하였듯이, 상기 증착용 마스크는 상기 마스크 프레임에 고정하기 위해 일 방향으로 인장된다, 자세하게, 상기 증착용 마스크(100)는 제 1 방향으로 인장될 수 있다.
이에 따라, 상기 증착용 마스크(100)의 내부에는 인장 응력이 형성된다. 또한, 상기 증착용 마스크(100)가 상기 마스크 프레임(200)에 고정되 후, 상기 증착용 마스크(100)의 내부에는 응력이 잔류한다. 상기 증착용 마스크(100)의 표면에 형성되는 웨이비니스(waviness)는 잔류 응력에 증가될 수 있다.
따라서, 상기 유기 물질이 이동하는 유효 영역 사이의 간격이 변할 수 있다. 또는, 상기 유효 영역에 배치되는 상기 관통홀들의 간격이 변할 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크에 의해 증착 기판에 증착 패턴을 형성할 때, 상기 증착 패턴의 간격이 변화할 수 있다. 따라서, 상기 증착용 마스크의 증착 신뢰성이 감소할 수 있다.
이하에서는, 상기와 같은 문제점을 해결할 수 있는 증착용 마스크를 설명한다.
도 4는 실시예에 따른 증착용 마스크(100)의 평면도이다. 도 5 내지 도 7은 도 4의 A-A'를 절단한 단면도들이다.
도 4 내지 도 7을 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 증착 영역(DA) 및 비증착 영역(NDA)을 포함한다.
상기 증착 영역(DA)은 증착 패턴을 형성하기 위한 영역이다. 상기 증착 영역(DA)은 유효 영역(AA) 및 비유효 영역(UA)을 포함한다. 상기 유효 영역(AA)은 상기 유기 물질이 통과하는 관통홀(TH)이 형성되는 영역이다. 또한, 상기 비유효 영역(UA)은 상기 관통홀(TH)이 형성되지 않는 영역이다.
도면에서는 상기 유효 영역(AA)을 정사각형 형상으로 도시하였다. 그러나, 실시예는 이에 제한되지 않는다. 상기 유효 영역(AA)은 직사각형 형상일 수 있다.
상기 유효 영역(AA)은 복수의 유효 영역을 포함할 수 있다. 상기 복수의 유효 영역은 상기 제 1 방향으로 이격한다.
상기 증착 영역(DA)은 상기 제 1 방향으로 첫 번째 유효 영역이 시작되는 지점에서부터 마지막 유효 영역이 종료되는 지점까지의 영역이다.
상기 비유효 영역(UA)은 상기 유효 영역(AA) 이외의 영역이다. 상기 비유효 영역(UA)은 위치에 따라서 제 1 비유효 영역(UA1) 및 제 2 비유효 영역(UA2)으로 구분될 수 있다.
상기 제 1 비유효 영역(UA1)은 상기 유효 영역(AA) 사이의 영역이다. 이에 따라, 복수의 제 1 비유효 영역(UA1)은 상기 제 1 방향(1D)으로 이격한다. 또한, 상기 제 2 비유효 영역(UA2)은 상기 유효 영역(AA)과 상기 증착용 마스크(100) 사이의 영역이다. 또는, 상기 제 2 비유효 영역(UA2)은 상기 금속판의 제 2 방향의 양 끝단 사이의 영역이다.
상기 비증착 영역(NDA)은 증착에 관여하지 않는 영역이다. 상기 비증착 영역(NDA)은 프레임 고정 영역을 포함할 수 있다. 상기 프레임 고정영역은 상기 증착용 마스크(100)를 마스크 프레임(200)에 고정하기 위한 영역이다. 또한, 상기 비증착 영역(NDA)은 하프에칭부(HF) 및 오픈부(OA) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 하프에칭부(HF)는 상기 금속판(10)이 부분적으로 식각되어 형성될 수 있다. 또한, 상기 오픈부(OA)는 상기 금속판(10)이 모두 식각되어 형성될 수 있다.
상기 하프에칭부(HF)는 증착용 마스크(100)를 인장할 때 발생하는 응력을 분산시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크의 웨이비니스가 감소할 수 있다.
또한, 상기 오픈부(OA)는 상기 증착용 마스크(100)를 인장할 때, 클램프와 같은 지그(jig)를 고정하는 영역이다.
상기 유효 영역(AA)에는 관통홀(TH)이 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 관통홀(TH)은 상기 소면공(V1), 상기 대면공(V2) 및 연결부(CA)를 포함한다. 상기 연결부(CA)는 상기 소면공(V1) 및 상기 대면공(V2)을 연결한다.
상기 비유효 영역(UA)에는 패턴(P)이 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 비유효 영역(UA1)에는 복수의 패턴(P)이 배치될 수 있다. 즉, 상기 패턴(P)은 상기 유효 영역(AA)의 사이에 배치될 수 있다. 즉, 상기 패턴(P)은 인접하는 유효 영역(AA)들 사이에 배치될 수 있다.
상기 패턴(P)은 상기 증착용 마스크(100)의 잔류 응력을 분산한다. 이에 의해, 상기 증착용 마스크의 응력을 완화할 수 있다. 자세하게, 상기 증착용 마스크(100)의 인장에 의해 발생하는 잔류 응력은 상기 패턴(P)의 주변으로 전달될 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크(100)의 잔류 응력이 일 영역에 집중되지 않고 분산될 수 있다. 따라서, 상기 증착용 마스크(100)의 웨이비니스의 크기는 상기 패턴(P)에 의해 감소될 수 있다.
이에 따라, 상기 유효 영역들의 간격의 변화 및/또는 상기 유효 영역 내에 배치되는 관통홀들의 간격의 변화가 감소할 수 있다. 즉, 상기 유효 영역의 위치 변화 및 관통홀들의 위치 변화가 감소할 수 있다.
이에 따라, 상기 증착용 마스크(100)를 이용하여 상기 증착 기판 상에 증착 패턴을 형성할 때, 상기 증착 기판(300)의 원하는 위치에 상기 증착 패턴이 형성될 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 증착용 마스크는 향상된 증착 신뢰성을 가질 수 있다.
상기 패턴(P)과 상기 관통홀(TH)은 서로 다른 형상으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 패턴(P)과 상기 관통홀(TH)은 서로 다른 폭으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 패턴(P)과 상기 관통홀(TH)은 서로 다른 내측면 형상을 가질 수 있디.
예를 들어, 상기 관통홀(TH)의 폭 및 상기 패턴(P)의 폭은 상기 금속판(10)의 두께 방향으로 연장하면서 변화할 수 있다. 이때, 상기 관통홀(TH)의 폭의 변화는 상기 패턴(P)의 폭의 변화보다 클 수 있다. 즉, 상기 관통홀(TH)의 최대폭과 최소폭의 차이는 상기 패턴(P)의 최대폭과 최소폭의 차이보다 클 수 있다.
예를 들어, 상기 금속판(10)의 제 1 면(1S) 및 제 2면(2S)을 각각 식각하여 소면공(V1) 및 대면공(V2)을 형성한다. 상기 관통홀(TH)은 상기 소면공(V1) 및 상기 대면공(V2)을 연결하는 연결부(CA)에 의해 형성될 수 있다. 일례로, 상기 관통홀(TH)은 에칭액을 이용하여 상기 금속판(10)을 에칭하여 형성할 수 있다.
이에 따라, 상기 관통홀(TH)의 내측면은 곡률을 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 관통홀(TH)의 폭은 상기 제 1 면(1S)에서 상기 제 2 면(2S) 방향으로 연장하면서 변화할 수 있다.
또한, 상기 패턴(P)은 상기 금속판(10)의 제 1 면(1S) 또는 제 2 면(2S)을 식각하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 패턴(P)은 레이저를 이용하여 형성될 수 있다. 일례로, 상기 제 1 면(1S) 또는 상기 제 2 면(2S) 방향에서 레이저를 조사하여 상기 패턴(P)을 형성될 수 있다.
이에 따라, 상기 관통홀(TH)의 내측면의 각도는 상기 패턴(P)의 내측면의 각도보다 클 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 패턴(P)은 상기 제 1 면(1S) 및 상기 제 2 면(2S)이 관통되어 형성될 수 있다. 자세하게, 상기 레이저가 상기 제 1 면(1S) 또는 상기 제 2 면(2S) 방향에서 조사되어 상기 금속판(10)을 관통한다. 이에 따라, 상기 패턴(P)은 홀 형상으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 패턴(P)은 상기 증착용 마스크(100)에 형성되는 홀일 수 있다.
상기 패턴(P)이 홀 형상으로 형성되므로, 상기 제 1 면(1S) 및 상기 제 2 면(2S)의 잔류 응력은 상기 패턴(P)에 의해 분산될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 면(1S) 및 상기 제 2 면(2S)의 웨이비니스 크기가 감소될 수 있다.
또는, 도 6 및 도 7을 참조하면, 상기 패턴(P)은 상기 제 1 면(1S) 또는 상기 제 2 면(2S)이 부분적으로 제거되어 형성될 수 있다. 자세하게, 상기 레이저가 상기 제 1 면(1S) 또는 상기 제 2 면(2S) 방향에서 조사되어 상기 제 1 면(1S) 또는 상기 제 2 면(2S)을 부분적으로 제거할 수 있다. 이에 따라, 상기 패턴(P)은 홈 형상으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 패턴(P)은 상기 증착용 마스크(100)에 형성되는 홈일 수 있다.
이에 따라, 상기 패턴(P)의 내측면은 평면을 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 패턴(P)의 폭의 변화는 상기 제 1 면(1S)에서 상기 제 2 면(2S) 방향으로 연장하면서 작을 수 있다.
상기 패턴(P)이 홈 형상으로 형성되므로, 상기 제 1 면(1S) 또는 상기 제 2 면(2S)의 잔류 응력은 상기 패턴(P)에 의해 분산될 수 있다. 또한, 상기 증착용 마스크의 강도가 상기 패턴(P)에 의해 감소하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 패턴(P)이 상기 소면공(V1)이 형성되는 제 1 면(1S)에 형성되는 경우, 상기 제 1 면(1S)과 상기 제 2 면(2S)에 잔류하는 금속의 차이가 감소될 수 있다. 따라서, 상기 증착용 마스크가 일 방향으로 휘어지는 것을 방지할 수 있다.
상기 패턴(P)의 폭(W1)은 설정된 크기를 가질 수 있다. 상기 패턴(P)의 폭(W1)은 상기 소면공(V1)의 폭(W2)과 다를 수 있다. 예를 들어, 상기 패턴(P)의 폭(W1)은 상기 소면공(W1)의 폭(W2)보다 작을 수 있다.
또는, 상기 패턴(P)의 폭(W1)은 상기 대면공(V2)의 폭(W3)과 다를 수 있다. 예를 들어, 상기 패턴(P)의 폭(W1)은 상기 대면공(V2)의 폭(W3)보다 작을 수 있다.
여기서, 상기 패턴(P)의 폭(W1)은 상기 패턴(P)의 폭들 중 최대폭을 의미한다. 상기 소면공(V1)의 폭(W2)은 상기 소면공(V1)의 폭들 중 최대 폭을 의미한다. 상기 대면공(V2)의 폭(W3)은 상기 대면공(V2)의 폭들 중 최대 폭을 의미한다.
또는, 상기 패턴(P)의 폭(W1)은 상기 패턴(P)과 상기 소면공(V1)의 제 1 방향의 제 1 거리(D1)와 다를 수 있다. 예를 들어, 상기 패턴(P)의 폭(W1)은 상기 제 1 거리(D1)보다 작을 수 있다.
또는, 상기 패턴(P)의 폭(W1)은 상기 패턴(P)과 상기 대면공(V2)의 제 1 방향의 제 2 거리(D2)와 다를 수 있다. 예를 들어, 상기 패턴(P)의 폭(W1)은 상기 제 2 거리(D2)보다 작을 수 있다.
일례로, 상기 패턴(P)의 폭(W1)은 0.005㎜ 내지 20㎜일 수 있다. 또한, 상기 패턴(P)의 내측면의 경사각도는 60° 이상일 수 있다.
상기 패턴(P)이 상기와 같은 설정된 폭을 가지므로, 상기 증착용 마스크의 증착 신뢰성이 향상될 수 있다. 자세하게, 상기 패턴(P)의 폭이 크게 형성되는 경우, 공정 중 오차에 의해 상기 패턴(P)과 상기 유효 영역(AA) 사이의 거리가 매우 작아질 수 있다. 또는, 상기 패턴(P)이 상기 유효 영역(AA)의 내부에 일부 형성될 수 있다.
이에 따라, 상기 유기 물질이 상기 패턴(P)을 통해서 이동할 수 있다. 이에 따라, 상기 증착 패턴의 품질이 감소될 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 증착용 마스크는 상기 패턴의 폭을 상기와 같이 설정하여, 상기 증착용 마스크의 증착 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
실시예에 따른 증착용 마스크는 상기 패턴에 의해 향상된 증착 신뢰성을 가진다.
상기 증착용 마스크는 마스크 프레임에 의해 고정된다. 이때, 상기 증착용 마스크는 길이 방향으로 인장된다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크가 상기 마스크 프레임에 고정된 후, 상기 증착용 마스크의 내부에는 인장 응력이 잔류할 수 있다. 상기 증착용 마스크의 표면의 웨이비니스는 잔류 응력에 의해 증가할 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크의 유효 영역들 사이의 간격이 변할 수 있다. 또한, 상기 유효 영역에 배치되는 관통홀 사이의 간격이 변할 수 있다.
상기 증착용 마스크는 상기 증착 영역애 배치되는 패턴을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 패턴은 인접하는 유효 영역들 사이에 배치될 수 있다.
상기 증착용 마스크의 잔류 응력은 상기 패턴에 의해 분산될 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크의 웨이비니스가 감소할 수 있다.
따라서, 상기 유효 영역들 사이의 간격 및 유효 영역 내부의 관통홀들 사이의 간격의 변화가 최소화된다. 따라서, 상기 증착용 마스크는 향상된 증착 신뢰성을 가진다.
또한, 상기 패턴과 상기 관통홀은 다른 공정에 의해 형성된다. 이에 따라, 상기 패턴의 형상 및 크기는 다양하게 형성될 수 있다. 따라서, 상기 증착용 마스크에 인가되는 인장력의 크기에 따라서, 상기 패턴의 형상 및 크기를 다양하게 형성할 수 있다. 따라서, 상기 증착용 마스크의 크기 및 사용환경에 따라서 다양한 형상 및 크기의 패턴을 형성할 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크는 향상된 증착 신뢰성을 가질 수 있다.
또한, 상기 패턴의 폭의 차이는 상기 금속판의 두께 방향으로 작게 형성될 수 있다. 따라서, 상기 증착용 마스크의 제 1 면 및 제 2 면에서 제거되는 금속의 양의 차이가 감소될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 면 및 상기 제 2 면의 잔류 금속의 차이에 의해 상기 증착용 마스크가 일 방향으로 휘어지는 것을 방지할 수 있다.
이하, 도 8 내지 도 20을 참조하여, 다른 실시예에 따른 증착용 마스크의 패턴의 다양한 배치 및 형상을 설명한다. 다른 실시예에 따른 증착용 마스크에 대한 설명에서는 앞서 설명한 실시예에 따른 증착용 마스크와 동일 유사한 설명에 대해서는 설명을 생략한다. 또한, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여한다.
도 8을 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 복수의 패턴부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 제 1 패턴부(PA1) 및 제 2 패턴부(PA2)를 포함할 수 있다. 도 8은 설명의 편의를 위해 제 1 패턴부(PA1) 및 제 2 패턴부(PA2)만을 도시하였다. 그러나, 실시예는 이에 제한되지 않는다, 상기 증착용 마스크는 3개 이상의 패턴부를 포함할 수 있다.
상기 제 1 패턴부(PA1)는 복수의 제 1 패턴(P1)을 포함할 수 있다. 복수의 제 1 패턴(P1)은 상기 제 2 방향(2D)으로 이격할 수 있다. 상기 제 2 패턴부(PA2)는 복수의 제 2 패턴(P2)을 포함할 수 있다. 복수의 제 2 패턴(P2)은 상기 제 2 방향(2D)으로 이격할 수 있다.
상기 제 1 패턴부(PA1)와 상기 제 2 패턴부(PA2)는 상기 제 1 방향(1D)으로 이격할 수 있다.
다른 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 상기 제 1 패턴부(PA1)와 상기 제 2 패턴부(PA2)를 포함한다. 이에 따라, 상기 제 1 비유효 영역(UA1)의 다양한 위치에 패턴들을 형성할 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크는 웨이비니스가 감소된다. 따라서, 상기 증착용 마스크의 증착 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 복수의 패턴부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 제 1 패턴부(PA1), 제 2 패턴부(PA2) 및 제 3 패턴부(PA3)를 포함할 수 있다. 도 9 및 도 10은 설명의 편의를 위해 제 1 패턴부(PA1) 제 2 패턴부(PA2) 및 제 3 패턴부(PA3)만을 도시하였다. 그러나, 실시예는 이에 제한되지 않는다, 상기 증착용 마스크는 4개 이상의 패턴부를 포함할 수 있다.
상기 제 1 패턴부(PA1)는 복수의 제 1 패턴(P1)을 포함할 수 있다. 복수의 제 1 패턴(P1)은 상기 제 2 방향(2D)으로 이격할 수 있다. 상기 제 2 패턴부(PA2)는 복수의 제 2 패턴(P2)을 포함할 수 있다. 복수의 제 2 패턴(P2)은 상기 제 2 방향(2D)으로 이격할 수 있다. 상기 제 3 패턴부(PA3)는 복수의 제 3 패턴(P3)을 포함할 수 있다. 복수의 제 3 패턴(P3)은 상기 제 2 방향(2D)으로 이격할 수 있다.
상기 제 1 패턴부(PA1), 상기 제 2 패턴부(PA2) 및 상기 제 3 패턴부(PA3)는 상기 제 1 방향(1D)으로 이격할 수 있다.
도 9를 참조하면, 상기 제 1 패턴부(PA1), 상기 제 2 패턴부(PA2) 및 상기 제 3 패턴부(PA3)의 패턴은 지그재그로 배치될 수 있다. 즉, 상기 제 2 패턴(P2)은 인접하는 제 1 패턴(P1)들 사이에 배치된다. 또한, 상기 제 3 패턴(P3)은 인접하는 제 2 패턴(P2)들 사이에 배치된다.
또는, 도 10을 참조하면, 상기 제 1 패턴부(PA1), 상기 제 2 패턴부(PA2) 및 상기 제 3 패턴부(PA3)의 패턴은 상기 제 1 방향(1D)으로 배치될 수 있다. 즉, 상기 제 1 패턴부(PA1), 상기 제 2 패턴부(PA2) 및 상기 제 3 패턴부(PA3)의 패턴은 상기 제 1 방향(1D)으로 마주볼 수 있다.
또한, 상기 증착용 마스크(100)는 상기 비증착 영역(NDA)에 배치되는 하프에칭부(HF)를 포함할 수 있다. 상기 하프 에칭부(HF)는 금속판(10)의 제 1 면(1S)을 부분적으로 제거하여 형성될 수 있다. 즉, 상기 하프 에칭부(HF)는 상기 제 1 면(1S)에 형성되는 홈일 수 있다.
상기 하프 에칭부(HF)는 상기 비증착 영역(NDA)의 응력을 분산할 수 있다. 이에 따라, 상기 비증착 영역(NDA)의 웨이비니스를 감소할 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크(100)를 이용하여 상기 증착 기판에 유기 물질을 증착할 때, 상기 증착용 마스크와 상기 증착 기판 사이에 갭이 형성되는 것을 방지할 수 있다.
이에 따라, 상기 소면공(V1)과 상기 증착 기판(300) 사이의 거리가 증가하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 쉐도우 효과에 의한 증착 품질 감소가 방지될 수 있다.
상기 제 1 패턴부(PA1), 상기 제 2 패턴부(PA2) 및 상기 제 3 패턴부(PA3)의 패턴의 수는 다를 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 패턴(P1), 상기 제 2 패턴(P2) 및 상기 제 3 패턴(P3)의 수는 다를 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 패턴(P1)의 수는 상기 제 2 패턴(P2) 및 상기 제 3 패턴(P3)의 수보다 클 수 있다. 또한, 상기 제 2 패턴(P2)의 수는 상기 제 3 패턴(P3)의 수보다 클 수 있다.
이에 따라, 상기 유효 영역(AA)에서 상기 제 1 비유효 영역(UA1)의 중앙부(C) 방향으로 연장하면서 패턴의 수가 감소할 수 있다. 즉, 상기 유효 영역(AA)에서 상기 제 1 비유효 영역(UA1)의 중앙부(C) 방향으로 연장하면서 패턴에 의한 개구 영역의 면적이 감소할 수 있다.
따라서, 상기 제 1 비유효 영역(UA1)의 외측에서 내측으로 상기 제 1 방향(1D)으로 연장하면서 패턴의 수 및 개구 영역의 면적이 감소할 수 있다. 또한, 상기 제 1 비유효 영역(UA1)의 외측에서 내측으로 상기 제 2 방향(2D)으로 연장하면서 패턴의 수 및 개구 영역의 면적이 증가할 수 있다.
다른 실시예에 따른 증착용 마스크는 상기 제 1 비유효 영역(UA1)의 외측에서 내측으로 상기 제 1 방향(1D)으로 연장하면서 패턴의 수 및 개구 영역의 면적이 감소한다. 따라서, 상기 유효 영역과 인접한 영역의 응력 분산 효과가 증가된다. 따라서, 상기 유효 영역과 인접한 영역의 웨이비니스가 감소한다. 따라서, 상기 관통홀들의 위치 변화가 감소한다.
또한, 다른 실시예에 따른 증착용 마스크는 상기 제 1 비유효 영역(UA1)은 외측에서 내측으로 상기 제 2 방향(2D)으로 연장하면서 패턴의 수 및 개구 영역의 면적이 증가한다. 따라서, 상기 증착용 마스크의 제 2 방향의 외측부와 중앙부의 잔류 응력을 유사하게 형성할 수 있다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 복수의 패턴부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 제 1 패턴부(PA1), 제 2 패턴부(PA2) 및 제 3 패턴부(PA3)를 포함할 수 있다. 도 11 및 도 12에서는 설명의 편의를 위해 제 1 패턴부(PA1) 제 2 패턴부(PA2) 및 제 3 패턴부(PA3)만을 도시하였다. 그러나, 실시예는 이에 제한되지 않는다, 상기 증착용 마스크는 4개 이상의 패턴부를 포함할 수 있다.
상기 제 1 패턴부(PA1)는 복수의 제 1 패턴(P1)을 포함할 수 있다. 복수의 제 1 패턴(P1)은 상기 제 2 방향(2D)으로 이격할 수 있다. 상기 제 2 패턴부(PA2)는 복수의 제 2 패턴(P2)을 포함할 수 있다. 복수의 제 2 패턴(P2)은 상기 제 2 방향(2D)으로 이격할 수 있다. 상기 제 3 패턴부(PA3)는 복수의 제 3 패턴(P3)을 포함할 수 있다. 복수의 제 3 패턴(P3)은 상기 제 2 방향(2D)으로 이격할수 있다.
상기 제 1 패턴부(PA1), 상기 제 2 패턴부(PA2) 및 상기 제 3 패턴부(PA3)는 상기 제 1 방향(1D)으로 이격할 수 있다.
도 11을 참조하면, 상기 제 1 패턴부(PA1), 상기 제 2 패턴부(PA2) 및 상기 제 3 패턴부(PA3)의 패턴은 지그재그로 배치될 수 있다. 즉, 상기 제 2 패턴(P2)은 인접하는 제 1 패턴(P1)들 사이에 배치된다. 또한, 상기 제 3 패턴(P3)은 인접하는 제 2 패턴(P2)들 사이에 배치된다.
또는, 도 12를 참조하면, 상기 제 1 패턴부(PA1), 상기 제 2 패턴부(PA2) 및 상기 제 3 패턴부(PA3)의 패턴은 상기 제 1 방향(1D)으로 배치될 수 있다. 즉, 상기 제 1 패턴부(PA1), 상기 제 2 패턴부(PA2) 및 상기 제 3 패턴부(PA3)의 패턴은 상기 제 1 방향(1D)으로 마주볼 수 있다.
상기 제 1 패턴부(PA1), 상기 제 2 패턴부(PA2) 및 상기 제 3 패턴부(PA3)의 패턴의 수는 다를 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 패턴(P1), 상기 제 2 패턴(P2) 및 상기 제 3 패턴(P3)의 수는 다를 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 패턴(P1)의 수는 상기 제 2 패턴(P2) 및 상기 제 3 패턴(P3)의 수보다 작을 수 있다. 또한, 상기 제 2 패턴(P2)의 수는 상기 제 3 패턴(P3)의 수보다 작을 수 있다.
이에 따라, 상기 유효 영역(AA)에서 상기 제 1 비유효 영역(UA1)의 중앙부(C) 방향으로 연장하면서 패턴의 수가 증가할 수 있다. 즉, 상기 유효 영역(AA)에서 상기 제 1 비유효 영역(UA1)의 중앙부(C) 방향으로 연장하면서 패턴에 의한 개구 영역의 면적이 증가할 수 있다.
따라서, 상기 제 1 비유효 영역(UA1)의 외측에서 내측으로 상기 제 1 방향(1D)으로 연장하면서 패턴의 수 및 개구 영역의 면적이 증가할 수 있다. 또한, 상기 제 1 비유효 영역(UA1)의 외측에서 내측으로 상기 제 2 방향(2D)으로 연장하면서 패턴의 수 및 개구 영역의 면적이 증가할 수 있다.
다른 실시예에 따른 증착용 마스크는 상기 제 1 비유효 영역(UA1)의 외측에서 내측으로 상기 제 1 방향(1D)으로 연장하면서 패턴의 수 및 개구 영역의 면적이 증가한다. 따라서, 상기 제 1 비유효 영역의 중앙부에서의 응력 분산 효과가 증가한다. 따라서, 상기 제 1 비유효 영역의 웨이비니스를 감소할 수 있다. 따라서, 상기 유효 영역들 사이의 간격 변화가 감소한다.
또한 다른 실시예에 따른 증착용 마스크는 상기 제 1 비유효 영역(UA1)의 외측에서 내측으로 상기 제 2 방향(2D)으로 연장하면서 패턴의 수 및 개구 영역의 면적이 증가한다. 따라서, 상기 증착용 마스크의 제 2 방향의 외측부와 중앙부의 잔류 응력을 유사하게 형성할 수 있다.
도 13 및 도 14를 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 복수의 패턴부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 제 1 패턴부(PA1), 제 2 패턴부(PA2) 및 제 3 패턴부(PA3)를 포함할 수 있다. 도 13 및 도 14에서는 설명의 편의를 위해 제 1 패턴부(PA1) 제 2 패턴부(PA2) 및 제 3 패턴부(PA3)만을 도시하였다. 그러나, 실시예는 이에 제한되지 않는다, 상기 증착용 마스크는 4개 이상의 패턴부를 포함할 수 있다.
상기 제 1 패턴부(PA1)는 복수의 제 1 패턴(P1)을 포함할 수 있다. 복수의 제 1 패턴(P1)은 상기 제 2 방향(2D)으로 이격할 수 있다. 상기 제 2 패턴부(PA2)는 복수의 제 2 패턴(P2)을 포함할 수 있다. 복수의 제 2 패턴(P2)은 상기 제 2 방향(2D)으로 이격할 수 있다. 상기 제 3 패턴부(PA3)는 복수의 제 3 패턴(P3)을 포함할 수 있다. 복수의 제 3 패턴(P3)은 상기 제 2 방향(2D)으로 이격할 수 있다.
상기 제 1 패턴부(PA1), 상기 제 2 패턴부(PA2) 및 상기 제 3 패턴부(PA3)는 상기 제 1 방향(1D)으로 이격할 수 있다.
상기 복수의 유효 영역(AA) 중 적어도 하나의 유효 영역(AA)은 제 1 방향(1D)의 양 끝단에 배치되는 두 개의 비유효 영역이 정의될 수 있다. 상기 두 개의 비유효 영역의 중앙부에서 상기 유효 영역에 인접하는 영역의 패턴부의 수 및 패턴의 수는 다를 수 있다. 즉, 상기 유효 영역(AA)의 제 1 방향(1D)의 양 끝단에 배치되는 개구 영역의 면적은 다를 수 있다.
도 13을 참조하면, 상기 유효 영역(AA)의 제 1 끝단(E1)에 인접한 영역에는 상기 제 1 패턴부(PA1), 상기 제 2 패턴부(PA2) 및 상기 제 3 패턴부(PA3)가 배치될 수 있다. 또한, 상기 유효 영역(AA)의 제 2 끝단(E2)에 인접한 영역에는 상기 제 1 패턴부(PA1)만이 배치될 수 있다.
또는, 도 14를 참조하면, 상기 유효 영역(AA)의 제 1 끝단(E1)에 인접한 영역에는 상기 제 1 패턴부(PA1) 및 상기 제 2 패턴부(PA2)가 배치될 수 있다. 또한, 상기 유효 영역(AA)의 제 2 끝단(E2)에 인접한 영역에는 상기 패턴부가 배치되지 않을 수 있다.
상기 유효 영역(AA)의 끝단과 인접한 영역은 상기 유효 영역(AA)과 상기 제 1 비유효 영역(UA1)의 중앙부 사이의 영역이다.
이에 따라, 상기 유효 영역(AA)의 제 1 끝단(E1)에 인접한 영역에 배치되는 패턴의 수와 상기 유효 영역(AA)의 제 2 끝단(E2)에 인접한 영역에 배치되는 패턴의 수는 다를 수 있다. 즉, 상기 유효 영역(AA)의 제 1 끝단(E1)에 인접한 영역에 배치되는 개구 면적과 상기 유효 영역(AA)의 제 2 끝단(E2)에 인접한 영역에 배치되는 개구 영역의 면적은 다를 수 있다.
또한, 복수의 제 1 비유효 영역(UA1)에 배치되는 패턴의 수 또는 개구 영역의 면적은 서로 다를 수 있다.
도 13 및 도 14를 참조하면, 상기 제 1 비유효 영역(UA1)은 상기 제 1 방향으로 이격하는 제 1-1 비유효 영역(UA1-1) 및 제 1-2 비유효 영역(UA1-2)을 포함할 수 있다. 즉, 상기 유효 영역(AA)은 상기 제 1-1 비유효 영역(UA1-1) 및 상기 제 1-2 비유효 영역(UA1-2)의 사이에 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1-1 비유효 영역(UA1-1) 및 상기 제 1-2 비유효 영역(UA1-2)의 사이에는 하나의 유효영역이 배치될 수 있다.
상기 제 1-1 비유효 영역(UA1-1)에 배치되는 패턴의 수와 상기 제 1-2 비유효 영역(UA1-2)에 배치되는 패턴의 수는 다를 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1-1 비유효 영역(UA1-1)에 배치되는 패턴의 수는 상기 제 1-2 비유효 영역(UA1-2)에 배치되는 패턴의 수보다 클 수 있다. 즉, 상기 제 1-1 비유효 영역(UA1-1)의 개구 영역의 면적은 상기 제 1-2 비유효 영역(UA1-2)에 배치되는 개구 영역의 면적보다 클 수 있다.
다른 실시예에 따른 증착용 마스크는 유효 영역의 양 끝단에 인접하는 영역에 배치되는 패턴의 수 및 개구 영역의 면적이 다를 수 있다. 또는, 각각의 제 1 비유효 영역에 배치되는 패턴의 수 및 개구 영역의 면적이 다를 수 있다.
상기 금속판에는 관통홀, 패턴 및 오픈부가 형성된다. 상기 금속판에 관통홀, 패턴 및 오픈부를 형성하기 전에, 압연 공정이 진행될 수 있다. 이에 의해, 상기 금속판의 두께를 설정 두께로 형성할 수 있다.
상기 금속판의 내부에는 상기 압연 공정에 의해 응력이 발생한다. 또한, 상기 금속판의 표면에는 상기 응력에 의해 웨이비니스가 형성될 수 있다.
따라서, 상기 금속판에 관통홀, 패턴 및 오픈부를 형성하기 전에, 상기 금속판의 웨이비니스의 분포를 측정한다. 이어서, 웨이비니스가 큰 영역과 작은 영역에 형성되는 패턴의 수를 다르게 할 수 있다.
예를 들어, 웨이비니스가 큰 영역에는 패턴을 많이 형성한다. 또한, 웨이비니스가 작은 영역에는 패턴을 적게 형성한다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크를 인장할 때 발생하는 인장 응력에 의한 웨이비니스의를 감소할 수 있다.
즉, 웨이비니스가 큰 영역에는 패턴을 많이 형성하고, 웨이비니스가 작은 영역에는 패턴을 적게 형성한다. 이에 의해, 웨이비니스가 작은 영역의 개구 영역의 면적을 상대적으로 감소시켜 인장 응력을 분산시킨다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크가 마스크 프레임에 고정된 후, 상기 금속판의 원소재 특성에 의해 웨이비니스가 더 증가되는 것을 방지할 수 있다.
도 15 및 도 16을 참조하면, 상기 유효 영역(AA)의 형상이 다를 수 있다.
자세하게, 상기 유효 영역(AA)의 폭은 일 방향으로 연장하면서 변화될 수 있다. 자세하게, 복수의 유효 영역들 중 적어도 하나의 유효 영역의 폭은 변화할 수 있다.
예를 들어, 도 15를 참조하면, 상기 유효 영역(AA)의 폭은 제 1 방향(1D)으로 연장하면서 변화할 수 있다.
또는, 도 16을 참조하면, 상기 유효 영역(AA)의 폭은 제 2 방향(2D)으로 연장하면서 변화할 수 있다.
즉, 상기 증착용 마스크(100)의 유효 영역(AA)은 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 따라서, 증착 기판(300)에 증착되는 패턴을 다양한 디자인으로 형성할 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)는 복수의 패턴(P)을 포함할 수 있다. 상기 패턴(P)의 수는 상기 유효 영역(AA)의 일 끝단에서 멀어지면서 변화할 수 있다.
예를 들어, 도 15를 참조하면, 상기 유효 영역(AA)은 제 1-2 끝단(E1-2)에서 제 1-1 끝단(E1-1) 방향으로 연장하면서 폭이 좁아진다. 또한, 상기 패턴(P)의 수는 상기 제 1-2 끝단(E1-2)에서 상기 제 1-1 끝단(E1-1) 방향으로 갈수록 감소한다.
또는, 도 16을 참조하면, 상기 유효 영역(AA)은 제 2-2 끝단(E2-2)에서 제 1-2 끝단(E1-2) 방향으로 연장하면서 폭이 좁아진다. 또한, 상기 패턴(P)의 수는 상기 제 2-2 끝단(E2-2)에서 상기 제 1-2 끝단(E1-2) 방향으로 갈수록 증가한다.
이에 따라, 다른 실시예에 따른 증착용 마스크는 상기 유효 영역(AA)의 형상에 따라서 상기 패턴을 다양하게 배치할 수 있다. 따라서, 상기 유효 영역(AA)의 형상이 변화하여도, 상기 패턴에 의해 잔류 응력을 효과적으로 분산할 수 있다. 따라서, 상기 증착용 마스크의 웨이비니스를 감소할 수 있다. 따라서, 증착용 마스크의 증착 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 17 내지 도 20을 참조하면, 다른 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 복수의 패턴부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 제 1 패턴부(PA1), 제 2 패턴부(PA2) 및 제 3 패턴부(PA3)를 포함할 수 있다. 도 17 내지 도 20에서는 설명의 편의를 위해 제 1 패턴부(PA1) 제 2 패턴부(PA2) 및 제 3 패턴부(PA3)만을 도시하였다. 그러나, 실시예는 이에 제한되지 않는다, 상기 증착용 마스크는 4개 이상의 패턴부를 포함할 수 있다.
상기 제 1 패턴부(PA1)는 복수의 제 1 패턴(P1)을 포함할 수 있다. 복수의 제 1 패턴(P1)은 상기 제 2 방향(2D)으로 이격할 수 있다. 상기 제 2 패턴부(PA2)는 복수의 제 2 패턴(P2)을 포함할 수 있다. 복수의 제 2 패턴(P2)은 상기 제 2 방향(2D)으로 이격할 수 있다. 상기 제 3 패턴부(PA3)는 복수의 제 3 패턴(P3)을 포함할 수 있다. 복수의 제 3 패턴(P3)은 상기 제 2 방향(2D)으로 이격할 수 있다.
상기 제 1 패턴부(PA1), 상기 제 2 패턴부(PA2) 및 상기 제 3 패턴부(PA3)는 상기 제 1 방향(1D)으로 이격할 수 있다.
상기 패턴의 크기는 일 방향으로 연장하면서 변화할 수 있다. 자세하게, 상기 패턴의 크기는 상기 제 1 방향(1D)으로 연장하면서 변화할 수 있다.
도 17을 참조하면, 상기 제 1 패턴부(PA1), 상기 제 2 패턴부(PA2) 및 상기 제 3 패턴부(PA3)의 패턴의 크기는 다를 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 패턴(P1)의 크기는 상기 제 2 패턴(P2) 및 상기 제 3 패턴(P3)의 크기보다 클 수 있다. 또한, 상기 제 2 패턴(P2)의 크기는 상기 제 3 패턴(P3)의 크기보다 클 수 있다.
즉, 상기 패턴의 크기는 상기 유효 영역의 끝단에서 상기 제 1 비유효 영역(UA1)의 중앙부(C) 방향으로 연장하면서 감소할 수 있다.
또는, 도 18을 참조하면, 상기 제 1 패턴(P1)의 크기는 상기 제 2 패턴(P2) 및 상기 제 3 패턴(P3)의 크기보다 작을 수 있다. 또한, 상기 제 2 패턴(P2)의 크기는 상기 제 3 패턴(P3)의 크기보다 작을 수 있다.
즉, 상기 패턴의 크기는 상기 유효 영역의 끝단에서 상기 제 1 비유효 영역(UA1)의 중앙부(C) 방향으로 연장하면서 증가할 수 있다.
또는, 상기 패턴의 간격은 일 방향으로 연장하면서 변화할 수 있다. 자세하게, 상기 패턴의 간격은 상기 제 1 방향(1D)으로 연장하면서 변화할 수 있다.
도 19를 참조하면, 상기 제 1 패턴(P1)과 상기 제 2 패턴(P2)의 간격(G1)은 상기 제 2 패턴(P2)과 상기 제 3 패턴(P3)의 간격(G2)보다 작을 수 있다.
즉, 상기 패턴의 간격은 상기 유효 영역의 끝단에서 상기 제 1 비유효 영역(UA1)의 중앙부(C) 방향으로 연장하면서 증가할 수 있다.
또는, 도 20을 참조하면, 상기 제 1 패턴(P1)과 상기 제 2 패턴(P2)의 간격(G1)은 상기 제 2 패턴(P2)과 상기 제 3 패턴(P3의 간격(G2)보다 클 수 있다.
즉, 상기 패턴의 간격은 상기 유효 영역의 끝단에서 상기 제 1 비유효 영역(UA1)의 중앙부(C) 방향으로 연장하면서 간격이 감소할 수 있다.
또한, 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 패턴은 상기 제 1 방향(1D)으로 연장하면서 패턴의 크기 및 간격이 모두 변화할 수도 있다.
다른 실시예에 따른 증착용 마스크는 패턴의 크기 및 간격을 다양하게 할 수 있다.
이에 따라, 유효 영역과 인접한 영역에 패턴을 많이 형성할 수 있다. 또는, 유효 영역과 먼 영역에 패턴을 많이 형성할 수 있다.
상기 금속판은 제조공정 또는 원소재의 특성에 따라서 다른 물리적 특성을 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크의 중앙 영역 또는 외측 영역으로 잔류 응력이 집중될 수 있다.
따라서, 패턴의 크기, 간격을 다양하게 배치한다. 이에 따라, 상기 금속판의 물리적 특성에 따라서 패턴의 위치를 제어할 수 있다. 따라서, 상기 증착용 마스크의 인장에 의한 인장 응력이 효과적으로 분산된다. 따라서, 상기 증착용 마스크의 웨이비니스가 감소한다. 이에 의해, 상기 증착용 마스크는 향상된 증착 신뢰성을 가질 수 있다.
도 21 및 도 22를 참조하면, 상기 패턴부는 상기 유효 영역(AA) 이외의 영역에도 형성될 수 있다.
도 21을 참조하면, 상기 패턴(P)은 상기 비증착 영역(NDA)에 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 오픈부(OA)와 상기 유효 영역(AA) 사이에 상기 패턴(P)이 형성될 수 있다.
이에 따라, 상기 잔류 응력은 상기 비증착 영역(NDA)에서 효과적으로 분산될 수 있다. 또한, 상기 비증착 영역(NDA)에 별도의 하프에칭부를 형성하는 공정을 생략할 수 있다.
도 22를 참조하면, 상기 패턴(P)은 상기 제 2 비유효 영역(UA2)에 형성될 수 있다. 즉, 상기 패턴(P)은 상기 유효 영역(AA)과 상기 증착용 마스크(100)의 제 2 방향의 끝단 사이에 형성될 수 있다.
이에 따라, 상기 패턴(P)은 상기 증착 영역(DA)의 외측 영역에도 형성될 수 있다.
이에 따라, 상기 잔류 응력은 상기 증착 영역(NDA)의 외측 영역에서 효과적으로 분산될 수 있다. 또한, 상기 소면공(V1)과 증착 기판(300) 사이의 거리가 증가하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 쉐도우 효과에 의한 증착 품질 감소를 방지할 수 있다.
또한, 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 패턴(P)은 상기 비증착 영역(NDA) 및 상기 제 2 비유효 영역(UA2)에 모두 형성될 수도 있다.
도 23을 참조하면, 상기 유효 영역 사이에 하나의 패턴(P)이 형성될 수 있다.
상기 패턴(P)의 면적은 상기 제 1 비유효 영역(UA1)의 면적보다 작을 수 있다. 자세하게, 상기 패턴(P)의 면적은 상기 제 1 비유효 영역(UA1)의 면적의 90% 이하, 80% 이하, 70% 이하 또는 60% 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 패턴(P)의 면적은 상기 제 1 비유효 영역(UA1)의 면적의 50% 내지 90%일 수 있다.
상기 패턴(P)의 면적이 상기 제 1 비유효 영역(UA1)의 면적의 90%를 초과하는 경우, 공정 중 오차에 의해 상기 패턴(P)의 일 영역이 상기 유효 영역(AA) 내부에 배치될 수 있다. 이에 의해, 상기 증착용 마스크의 증착 신뢰성이 감소될 수 있다.
또한, 상기 패턴(P)의 면적이 상기 제 1 비유효 영역(UA1)의 면적의 50% 미만인 경우, 상기 잔류 응력이 상기 유효 영역 사이에서 상기 패턴(P)에 의해 효과적으로 분산되지 않을 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크의 웨이비니스가 증가할 수 있다. 이에 의해, 상기 증착용 마스크의 증착 신뢰성이 감소될 수 있다.
상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (10)

  1. 증착 영역 및 비증착 영역을 포함하는 금속판을 포함하고,
    상기 금속판은 길이 방향인 제 1 방향 및 폭 방향인 제 2 방향이 정의되고,
    상기 증착 영역은 복수의 유효 영역; 및 비유효 영역을 포함하고,
    상기 비유효 영역은 유효 영역 사이의 제 1 비유효 영역을 포함하고,
    상기 유효 영역에는 복수의 관통홀이 배치되고,
    상기 제 1 비유효 영역에는 적어도 하나의 패턴이 배치되고,
    상기 패턴과 상기 관통홀은 서로 다른 형상으로 형성되는 증착용 마스크.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 비유효 영역은 복수의 제 1 패턴을 포함하는 제 1 패턴부; 및 복수의 제 2 패턴을 포함하는 제 2 패턴부를 포함하고,
    상기 제 1 패턴부와 상기 제 2 패턴부는 상기 제 1 방향으로 이격하여 배치되는 증착용 마스크.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 비유효 영역은 복수의 제 1 패턴을 포함하는 제 1 패턴부; 복수의 제 2 패턴을 포함하는 제 2 패턴부; 및 복수의 제 3 패턴을 포함하는 제 3 패턴부를 포함하고,
    상기 제 1 패턴부, 상기 제 2 패턴부 및 상기 제 3 패턴부는 상기 제 1 방향으로 이격하여 배치되고,
    상기 제 1 패턴부 상기 제 2 패턴부 및 상기 제 3 패턴부의 패턴의 수는 다른 증착용 마스크.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 제 1 방향으로 상기 제 1 비유효 영역의 외측에서 내측으로 연장하면서 패턴의 수가 감소하고,
    상기 제 2 방향으로 상기 제 1 비유효 영역의 외측에서 내측으로 연장하면서 패턴의 수가 증가하는 증착용 마스크.
  5. 제 3항에 있어서,
    상기 제 1 방향으로 상기 제 1 비유효 영역의 외측에서 내측으로 연장하면서 패턴의 수가 증가하고,
    상기 제 2 방향으로 상기 제 1 비유효 영역의 외측에서 내측으로 연장하면서 패턴의 수가 증가하는 증착용 마스크.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 유효 영역의 제 1 방향의 양 끝단에 배치되는 패턴의 수는 다른 증착용 마스크,
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 비유효 영역은 하나의 유효 영역을 사이에 두고 상기 제 1 방향으로 이격하는 제 1-1 비유효 영역 및 제 1-2 비유효 영역을 포함하고,
    상기 제 1-1 비유효 영역에 배치되는 패턴의 수와 상기 제 1-2 비유효 영역에 배치되는 패턴의 수는 다른 증착용 마스크.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 복수의 유효 영역 중 적어도 하나의 유효 영역은 상기 제 1 방향 또는 상기 제 2 방향으로 연장하면서 폭이 변화하는 증착용 마스크.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 비유효 영역은 복수의 제 1 패턴을 포함하는 제 1 패턴부; 복수의 제 2 패턴을 포함하는 제 2 패턴부; 및 복수의 제 3 패턴을 포함하는 제 3 패턴부를 포함하고,
    상기 제 1 패턴부, 상기 제 2 패턴부 및 상기 제 3 패턴부는 상기 제 1 방향으로 이격하여 배치되고,
    상기 제 1 패턴, 상기 제 2 패턴 및 상기 제 3 패턴의 크기는 다른 증착용 마스크.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 유효 영역의 끝단에서 상기 제 1 비유효 영역의 중앙부 방향으로 연장하면서 패턴의 크기는 감소 또는 증가하는 증착용 마스크.
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