WO2014182088A1 - 가스 공급 장치 - Google Patents

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강호철
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이용현
정철우
최재욱
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    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs

Definitions

  • the present invention relates to a gas supply device, and more particularly, to a gas supply device capable of improving process gas flow in a process chamber and increasing uniformity of a deposition layer.
  • a liquid crystal display device includes a thin film transistor substrate having a thin film transistor and a pixel electrode in a pixel region defined by a gate wiring and a data wiring, a color filter substrate having a color filter layer and a common electrode, and interposed between two substrates. It consists of a liquid crystal layer.
  • a thin film deposition process for depositing a raw material on a glass substrate, a photolithography process for exposing or hiding selected areas of the thin films using a photosensitive material, and removing the thin films of the selected areas and patterning as desired
  • Etching processes, cleaning processes to remove residues, etc. have to be repeated several to several tens of times, each of which is performed in a chamber in which an optimal environment is created for the process.
  • FIG. 13 schematically illustrates a general configuration of a PECVD apparatus, which is a representative liquid crystal display manufacturing apparatus, and includes a process chamber 10 defining a constant reaction space, and a substrate 30 disposed on an upper surface of the chamber 10.
  • the first plate 41 having a susceptor 20, a plurality of injection holes 42 and the shower head 41, and connected to the external gas inlet pipe 80 And a lead 43.
  • a second plate 50 is provided between the lead 43 and the first plate 41 to disperse the introduced process gas to the first plate 41 by the guidance of the gas inlet pipe 80.
  • a plurality of second discharge holes 51 are provided below the second plate 50.
  • the second plate 50 is formed to surround the discharge port of the gas inlet pipe 80, and is connected to the lower surface of the lid 43.
  • the lead 43 is used as a plasma electrode for applying RF power to a process gas, and the lead 43 is connected to an RF power supply 60 for supplying RF power, and the lead 43 and the RF power supply 60 are connected to the lead 43.
  • IMB Impedance Matching Box
  • the electrode corresponding to the plasma electrode is a grounded susceptor 20, and RF power may be applied to the susceptor 20.
  • a second discharge hole 51 is formed in the second plate 50, and a plurality of second discharge holes 51 are provided, and are arranged at equal intervals.
  • the second discharge hole 51 is formed at the center portion, the periphery, or the edge portion of the second plate 50, and the intervals are equally spaced regardless of the disposed positions.
  • the arrangement density of the second discharge holes 51 of the second plate 50 is the same regardless of the area, and the size of the second plate 50 is smaller than that of the shower head 41.
  • the process gas is introduced, there is a problem that the thickness of the deposition layer deposited on the substrate becomes significantly uneven.
  • the height of the deposition layer is gradually lowered from the central portion of the substrate 30 to the outer portion, the height difference is sometimes more than 10% occurs.
  • the case of the process is more noticeable in the silicon oxide (SiOx) process than the silicon nitride (SiNx) process.
  • the present invention has been made to solve such a problem, and an object thereof is to provide a gas supply device capable of providing a high-quality liquid crystal display device by improving the uniformity of the deposition layer of the substrate.
  • the lead is connected to the gas pipe
  • a first plate for discharging the gas introduced into the lid into the process chamber A second plate provided between the lead and the first plate to disperse the gas directed downward, and a plurality of discharge holes formed in the first plate; And a plurality of discharge holes formed in the second plate, wherein the discharge holes formed in the corner portions of the second plate are disposed in a different state from the discharge holes in the corner portions formed at the same position on the first plate.
  • a gas supply apparatus is provided.
  • the interval between the discharge holes disposed in the corner portion is characterized by being formed differently from the interval between the discharge holes disposed in addition to the corner portion.
  • the interval between the discharge holes disposed in the corner portion is characterized in that formed larger than the interval between the discharge holes disposed in addition to the corner portion.
  • the arrangement density of the discharge hole disposed in the corner portion is characterized by being formed differently from the arrangement density of the discharge hole disposed in addition to the corner portion.
  • the arrangement density of the discharge hole disposed in the corner portion is characterized in that it is formed smaller than the arrangement density of the discharge hole disposed in addition to the corner portion.
  • the diameter of the discharge hole disposed in the corner portion is characterized in that it is formed different from the diameter of the discharge hole disposed in addition to the corner portion.
  • the diameter of the discharge hole disposed in the corner portion is characterized in that it is formed smaller than the diameter of the discharge hole disposed in addition to the corner portion.
  • the number of discharge holes of the first plate and the number of discharge holes of the second plate may be different from each other.
  • the number or arrangement of the discharge holes in the center portion or the edge portion of the first plate is characterized in that formed differently from the number or arrangement of the discharge holes in the center portion or the edge portion of the second plate.
  • the second plate has a first zone formed in the center; And a second zone disposed to surround the first zone, a third zone formed at an edge of the second zone, and a fourth zone formed at a corner of the second plate to form the corner portion. It features.
  • the arrangement density of the discharge holes in the first zone is smaller than the arrangement density of the discharge holes in the second zone
  • the arrangement density of the discharge holes of the first zone is half of the arrangement density of the discharge holes of the second zone.
  • the arrangement density of the discharge holes in the third zone is lower than the placement density of the discharge holes in the second zone.
  • the arrangement density of the discharge holes of the third zone is half of the arrangement density of the discharge holes of the second zone.
  • the arrangement density of the discharge holes in the first zone may correspond to the placement density of the third zone.
  • the hole blocking ratio defined by the relative ratio between the area where the discharge hole formed in the corner portion is blocked and the total area of the second plate is maintained within a predetermined range.
  • the corner portion includes a plurality of unit zones separated from each other,
  • the hole blocking ratio in each unit zone is characterized by being in the range of 0.5 to 3%.
  • the corner portion is characterized in that it is provided in the form of a right triangle
  • the corner portion may be provided at all corners of the second plate.
  • the corner portion is characterized in that it is provided in the form of an arc
  • the corner portion may be provided at all corners of the second plate.
  • the corner portion is characterized in that it is provided in the form of stairs,
  • the corner portion may be provided at all corners of the second plate.
  • the hole density ratio defined by the relative ratio of the placement density of the discharge holes of the second plate as a whole to the placement density of the discharge holes in the corner portion is maintained within a predetermined range.
  • the corner portion includes a plurality of unit zones separated from each other,
  • the hole density ratio in each unit zone is characterized by being in the range of 38 to 48%.
  • the size of the second plate is provided to correspond to the size of the second plate
  • An end portion of the second plate may be provided with a sealing member or a shielding member which prevents leakage of gas and contacts the inner surface of the lid.
  • a gap is formed between the second plate and the first plate
  • a gap is formed between the second plate and the lead.
  • a lid is connected to a gas pipe
  • a first plate having a first discharge hole for discharging the gas introduced into the lead into the process chamber
  • a second plate provided between the lead and the first plate and having a plurality of second discharge holes formed therein to disperse gas toward the first plate
  • It provides a gas supply device characterized in that it is disposed on three or more divided areas consisting of two sides extending from the edge of the second plate having a predetermined length.
  • the interval between the second discharge holes disposed on the divided zone is different from the interval between the second discharge holes disposed outside the divided zone.
  • the interval between the second discharge holes disposed on the divided zone is greater than the interval between the second discharge holes disposed outside the divided zone.
  • the arrangement density of the second discharge hole disposed on the divided zone is different from the arrangement density of the second discharge hole disposed outside the divided zone.
  • the arrangement density of the second discharge hole disposed on the divided zone is smaller than the arrangement density of the second discharge hole disposed outside the divided zone.
  • the hole blocking ratio defined by the relative ratio between the area where the second discharge hole formed in the divided area is blocked and the area of the second plate is maintained within a predetermined range.
  • the divided zone includes a plurality of unit zones separated from each other,
  • the hole blocking ratio in each unit zone is characterized by being in the range of 0.5 to 3%.
  • the hole density ratio defined by the relative ratio of the placement density of the second discharge hole of the second plate as a whole to the placement density of the second discharge hole in the divided zone is maintained within a predetermined range.
  • the divided zone includes a plurality of unit zones separated from each other,
  • the hole density ratio in each unit zone is characterized by being in the range of 38 to 48%.
  • the aperture ratio, charge mobility, response speed, and resolution can be equalized with respect to the entire deposition layer, and the quality of the entire liquid crystal display device can be improved.
  • FIG. 1 is a perspective view of a gas supply device according to the present invention.
  • Fig. 2 is a plan view of a first embodiment of a second plate installed in the gas supply apparatus according to the present invention.
  • Figure 3 is a plan view of a second embodiment of a second plate installed in the gas supply apparatus of the present invention.
  • Fig. 4 is a plan view of a third embodiment of a second plate provided in the gas supply apparatus of the present invention.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of a deposition layer implemented by the gas supply device of FIG. 4.
  • Fig. 6 is a plan view of a fourth embodiment of a second plate installed in the gas supply device of the present invention.
  • FIG. 7 is a plan view of a fifth embodiment of a second plate installed in the gas supply device of the present invention.
  • FIG 8 is a plan view of a sixth embodiment of a second plate installed in a gas supply device according to the present invention.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of the deposition layer implemented by the gas supply device of FIG.
  • Fig. 10 is a plan view of a seventh embodiment of a second plate installed in a gas supply device according to the present invention.
  • Fig. 11 is a plan view of an eighth embodiment of a second plate provided in the gas supply apparatus of the present invention.
  • FIG. 12 is an enlarged perspective view of a gas supply device according to the present invention.
  • FIG. 13 is a view of a gas supply apparatus according to the prior art.
  • FIG. 14 is a plan view of a second plate according to the prior art.
  • a susceptor 120 on which a substrate 130 is disposed is provided at a lower portion of a process chamber 110 in which a deposition process is performed, and a gas supply device is formed on an upper portion of the process chamber 110. 140 is provided.
  • the gas supply device 140 includes a lead 143, a first plate 141 provided below the lead 143, and a second plate 150.
  • the first plate 141 becomes a first showerhead
  • the second plate 150 becomes the second showerhead
  • the second plate 150 serves as a diffuser to disperse the process gas.
  • the space enclosed by the lid 143 and the first plate 141 is defined as a buffer chamber, and the process gas temporarily accommodated in the buffer chamber is defined by the first plate 141 in the process chamber 110. Is discharged into).
  • the lead 143 is connected to the gas supply pipe 180.
  • the process gas introduced by the gas supply pipe 180 meets the second plate 150 and is dispersed in various directions. After moving to one plate 141, the plate moves to the process chamber 110.
  • the lead 143 is used as a plasma electrode for applying RF power to a process gas, and the lead 143 is connected to an RF power supply 160 for supplying RF power, and the lead 143 and the RF power supply 160.
  • An impedance matching box (IMB) 170 that matches an impedance may be positioned between the power lines so that maximum power can be applied.
  • An electrode corresponding to the plasma electrode is a grounded susceptor 120, and RF power may be applied to the susceptor 120.
  • the first plate 141 is provided with a plurality of first discharge holes 142
  • the second plate 150 is provided with a plurality of second discharge holes 151 through which process gases are dispersed and discharged.
  • the first plate 141 and the second plate 150 need to be spaced apart at regular intervals, for smooth dispersion of the process gas.
  • the separation distance may vary depending on the situation, but a distance of about 5-7 mm may be preferable.
  • the area or size of the second plate 150 may be substantially the same as or similar to the area or size of the second plate 141.
  • a space between the second plate 150 and the lead 143 is defined as a first buffer chamber C1, and a space between the second plate 150 and the first plate 141 is defined as a second buffer chamber ( When C2) is defined, it is preferable that the area of the first buffer chamber C1 and the area of the second buffer chamber C2 are substantially the same or similar.
  • the process gas which is guided by the gas inlet pipe 180 first flows into the first buffer chamber C1 and passes through the second plate 150 while being diffused not only to the center but also to the outer portion. do.
  • the process gas passing through the second plate 150 flows into the second buffer chamber C2 and is diffused and mixed therein, and then passes through the first plate 141 to process the process chamber 110. Flows into).
  • Corner portions are formed at each corner portion of the second plate 150, and the corner portions correspond to the fourth zone IV, which will be described later.
  • the second discharge hole 151 formed in the corner portion has a different arrangement form when compared with the second discharge hole in a region other than the corner portion.
  • the arrangement density of the second discharge hole 151 is formed less than other zones, which means that the distance between the second discharge hole 151 is formed larger.
  • the diameter of the second discharge hole 151 formed at the corner may be smaller than the diameter of the second discharge hole 151 formed at the other area.
  • a first discharge hole 142 is formed in a portion (a kind of corner portion) of the first plate 141 corresponding to the corner portion of the second plate 150.
  • the arrangement state of the first discharge hole 142 formed at the corner portion of the first plate 141 is different from the arrangement state of the second discharge hole 151 formed at the corner portion of the second plate 150. .
  • the arrangement density of the second discharge hole 151 has a value lower than that of the first discharge hole 142, or the interval between the second discharge holes 151 is the first discharge hole 142.
  • the diameter of the second discharge hole 151 may be smaller than that of the first discharge hole 142.
  • the number of first discharge holes 142 of the first plate 141 and the number of holes or the pattern of holes of the second discharge holes 151 of the second plate 150 may be different.
  • the pattern or the number of holes may vary in the corners of the first plate 141 and the second plate 150, and may vary in the four edges or the center of the four sides.
  • the front of the first buffer chamber (C1) and the second buffer chamber (C2) is shown as being open, this is to make the configuration easier to distinguish in the figure.
  • the structure is to be sealed by the lid 143.
  • FIG 2 shows a first embodiment of a second plate 150 of the present invention.
  • the shape of the second plate 150 is represented by a rectangle, but is not limited thereto.
  • the second plate 150 may be divided into several zones.
  • first area I having a predetermined area in the center of the second plate 150 and the first area I, which surrounds the first area I, occupy the largest area of the second plate 150.
  • the second zone (II), and the third zone (III) which is provided adjacent to the outer edge of each side of the second plate (150) and disposed on the outer side of the second zone (II), and the second plate (
  • Each of the corners 150 may have a triangular shape and may be divided into a fourth zone IV forming the corner portion adjacent to the third zone III and the second zone II.
  • the third zone III may be classified into two 3-1 zones III-1 arranged in the longitudinal direction and two 3-2 zones III-2 arranged in the longitudinal direction.
  • the area of the first zone (I) is about 12.5% of the total area of the second plate 150
  • the 3-1 zone (III-1) of the third zone (III) is the second plate ( For example, it may be about 6.5% of the total area of 150) and the 3-2 zone (III-2) may occupy about 5% of the total area.
  • the fourth zone IV has a right triangle shape and is provided at four corners, respectively.
  • the shape of the fourth zone (IV) is not limited to the shape of a right triangle, and may be implemented in various shapes including two sides starting at each corner of the second plate 150.
  • the fourth zone IV may also be defined as a corner portion.
  • the characteristic of the first embodiment is that the arrangement density of the second discharge hole 151 in the fourth zone IV is smaller than the density of the second discharge hole 151 in the first to third zones.
  • the thickness of the deposition layer at the central portion and the outermost portion of the substrate becomes significantly thicker, and at the point therebetween. Will be thinner.
  • the uniformity of the thickness of the deposition layer may be secured by relatively reducing the arrangement density of the second discharge hole 151 in the outer portion of the second plate 150.
  • the placement density of the fourth zone (IV) is about half of that or about twice the spacing, compared to the placement density or interval of the second discharge hole 151 in the first to third zones. Do.
  • the number of the second discharge holes in the first to third zones per specific unit area is ten, it is preferable that the number of the second discharge holes in the fourth zone (IV) is about five.
  • the density of the second discharge holes 151 formed in one unit zone is equal to that of the entire second plate 150.
  • the error between the thickness of the thinnest portion and the thickness of the thickest portion deposited on the substrate can be dropped to 10% or less.
  • FIG 3 shows a second embodiment of the second plate 150.
  • the arrangement density of the second discharge hole 151 of the third zone (III) as well as the fourth zone (IV) of the second plate 150 is determined in the first zone (I) and the second zone (II). It is characterized in that it is formed smaller than the placement density of the second discharge hole (151).
  • the arrangement density of the second discharge hole 151 decreases from the center of the second plate 150 toward the outer edges and edges.
  • the density of the process gas is increased in the central portion and the outermost portion, thereby preventing the loss of uniformity of the deposited layer.
  • the thickness of the deposition layer at the central portion and the outermost portion of the substrate is remarkably thick, and at that point the thickness Will be thinner.
  • the uniformity of the thickness of the deposition layer may be ensured by relatively reducing the arrangement density of the second discharge hole 151 in the outer portion of the second plate 150.
  • the density of the second discharge hole 151 in the third to fourth zones is about half that of the density of the second discharge hole 151 in the first to second zones.
  • the number of the second discharge holes in the first to second zones is ten per specific unit area, it is preferable that the number of the second discharge holes in the third to fourth zones is about five.
  • the density of the second discharge holes 151 formed in one unit zone is equal to the second discharge of the entire second plate 150.
  • the error between the thickness of the thinnest portion and the thickness of the thickest portion deposited on the substrate can fall to 10% or less.
  • FIG. 4 shows a third embodiment of the second plate 150.
  • the arrangement density of the second discharge hole 151 decreases from the center of the second plate 150 toward the outer edges and edges.
  • the thickness of the deposition layer at the central portion and the outermost portion of the substrate is remarkably thick, and at that point the thickness Will be thinner.
  • the uniformity of the thickness of the deposition layer may be ensured by relatively reducing the arrangement density of the second discharge hole 151 in the outer portion of the second plate 150.
  • the placement density of the second discharge hole 151 in the first zone (I) zone and the third to fourth zones is It is desirable to be about half.
  • the number of the second discharge holes in the second zone (II) per specific unit area is 10
  • it is preferable that the number of the second discharge holes in the first zone and the third to fourth zones is about five.
  • the arrangement density of the second discharge hole is characterized in that it has a small value-a large value-a small value toward the outer portion from the center portion.
  • the density of the second discharge hole formed in one unit zone is compared with the density of the second discharge hole of the entire second plate. If the range is maintained, the error between the thickness of the thinnest portion and the thickness of the thickest portion deposited on the substrate may drop to 10% or less.
  • the arrangement density of the second discharge holes 151 formed per specific unit area in one unit zone constituting the fourth zone IV is defined by the specific unit area in the second plate 150.
  • the error between the thickness of the thinnest part and the thickness of the thickest part deposited on the substrate may be maintained at 10% or less.
  • the leftmost portion is the thickness of the deposition layer of the substrate corresponding to one corner portion (see FIG. 4, A) of the second plate 150, and the rightmost portion is the center portion of the second plate 150 (see FIG. 4).
  • B) is the thickness of the deposited layer of the substrate.
  • the red box means a region where the error of the deposition layer is 10% or less.
  • Fig. 6 shows a fourth embodiment of the present invention.
  • the shape of the second plate 150 is represented by a rectangle, but is not limited thereto.
  • the second plate 150 may be divided into several zones.
  • first area I having a predetermined area in the center of the second plate 150 and the first area I, which surrounds the first area I, occupy the largest area of the second plate 150.
  • Each corner portion of 150 may be provided in a triangular shape and divided into a fourth zone (IV) adjacent to the third zone (III) and the second zone (II).
  • the third zone III may be classified into two 3-1 zones III-1 arranged in the longitudinal direction and two 3-2 zones III-2 arranged in the longitudinal direction.
  • the area of the first zone (I) is about 12.5% of the total area of the second plate 150
  • the 3-1 zone (III-1) of the third zone (III) is the second plate ( For example, it may be about 6.5% of the total area of 150) and the 3-2 zone (III-2) may occupy about 5% of the total area.
  • the fourth zone IV has a right triangle shape and is provided at four corners, respectively.
  • the shape of the fourth zone (IV) is not limited to the shape of a right triangle, and may be implemented in various shapes including two sides starting at each corner of the second plate 150.
  • the density of the second discharge holes 151 is the same in all the regions of the second plate 150, the thickness of the deposition layer at the center and the outermost part of the substrate becomes significantly thicker, and at the points in between Will be thinner.
  • the uniformity of the thickness of the deposition layer may be ensured by relatively reducing the arrangement density of the second discharge hole 151 in the outer portion of the second plate 150.
  • FIG. 7 shows a fifth embodiment of the present invention.
  • a part of the second discharge hole 151 is blocked in the fourth zone (IV) and the third zone (III), whereas in the first and second zones (I, II), The two discharge holes 151 are maintained in their open state.
  • the arrangement density of the second discharge holes 151 in the fourth zone IV and the third zone III is smaller than that in the first and second zones I and II.
  • the density of the process gas increases in the central portion and the outermost portion, thereby preventing the loss of uniformity of the deposited layer.
  • the density of the second discharge holes 151 is the same in all the regions of the second plate 150, the thickness of the deposition layer at the center and the outermost part of the substrate becomes significantly thicker, and at the points in between Will be thinner.
  • the uniformity of the thickness of the deposition layer may be ensured by relatively reducing the arrangement density of the second discharge hole 151 in the outer portion of the second plate 150.
  • the density of the process gas increases in the central portion and the outermost portion, thereby preventing the loss of uniformity of the deposited layer.
  • the density of the second discharge holes 151 is the same in all the regions of the second plate 150, the thickness of the deposition layer at the center and the outermost part of the substrate becomes significantly thicker, and the thickness between them is Will be thinner.
  • the uniformity of the thickness of the deposition layer may be secured by relatively reducing the arrangement density of the second discharge hole 151 in the outer portion of the second plate 150.
  • FIG. 8 shows a sixth embodiment of the present invention.
  • a part of the second discharge hole 151 is blocked in the fourth zone (IV), the third zone (III) and the first zone (I), whereas the second zone (II) In this case, all of the second discharge holes 151 are maintained.
  • the arrangement density of the second discharge hole 151 in the fourth zone (IV), the third zone (III), and the first zone (I) is smaller than that of the first and second zones (II). .
  • the density of the second discharge holes 151 is the same in all the regions of the second plate 150, the thickness of the deposition layer at the center and the outermost part of the substrate becomes significantly thicker, and the thickness between them is Will be thinner.
  • the uniformity of the thickness of the deposition layer may be secured by relatively reducing the arrangement density of the second discharge holes 151 in the outer portion and the central portion of the second plate 150.
  • the area of the blocked portion of the second discharge hole 151 formed in one unit zone constituting the fourth zone IV is 0.5 to 3% of the total area of the second plate 150.
  • the error between the thickness of the thinnest portion and the thickness of the thickest portion deposited on the substrate can be maintained at 10% or less.
  • the leftmost portion is the thickness of the deposition layer of the substrate corresponding to one corner portion (see FIG. 8, A) of the second plate 150, and the rightmost portion is the center portion of the second plate 150 (see FIG. 8).
  • B) is the thickness of the deposited layer of the substrate.
  • the red box means a region where the error of the deposition layer is 10% or less.
  • the ratio of the blocked area of the second discharge hole 151 in one unit zone is 0.5 to 3% of the total area of the second plate 150. In this case, it is preferable that the ratio of the blocked area of the second discharge hole 151 in the fourth zone IV is 2 to 12% of the total area of the second plate 150.
  • blocking the second discharge hole 151 does not form the second discharge hole 151 in the portion where the second discharge hole 151 should be formed, rather than blocking the already formed second discharge hole, That is, it is preferable to interpret it as not meaning to perforate.
  • FIG. 10 illustrates a seventh embodiment of the present invention, in which the shape of the fourth zone VI is implemented in an arc shape instead of a right triangle shape.
  • FIG. 11 illustrates an eighth embodiment of the present invention. As shown in FIG. 4, the shape of the fourth zone VI is implemented as a staircase instead of a right triangle or an arc.
  • a gap must be maintained between the second plate 150 and the first plate 141, and a gap must also be maintained between the second plate 150 and the lead 143. do.
  • a spacer (not shown) or the like for maintaining these gaps is preferably disposed.
  • Shielding or sealing member 152 for preventing the process gas flowing in the direction of the second plate 150 to leak in a direction other than the second discharge hole 151 on the edge of the second plate 150. Is preferably provided.
  • the shielding member or the sealing member 152 is in contact with the lead 143 to prevent the process gas from leaking to the contacted portion.
  • a process gas is introduced along the gas inlet pipe 180 to perform a deposition process, and power is applied to the RF power supply 160.
  • the process gas moved along the gas inlet pipe 180 is temporarily accommodated in the first buffer chamber C1, and the area of the first buffer chamber C1 is in the area of the outlet of the gas inlet pipe 180. It is significantly wider than that and spreads quickly.
  • the process gas diffused in the first buffer chamber C1 flows on the second plate 150, passes through the second discharge hole 151 of the second plate 150, and the first buffer chamber ( Go to C2).
  • the arrangement of the second discharge holes 151 formed in the second plate 150 is not formed at uniform intervals on all surfaces of the second plate 150, but has a locally different density.
  • the arrangement density of the holes in the center portion (first zone) and the outer portion (zones 3 and 4) of the second plate 150 is different than that in the other zones (second zone). It is characterized by being in a low state.
  • the center portion of the second plate 150 is a portion adjacent to the discharge port of the gas inlet pipe 180, the process gas is concentrated to pass through. Therefore, when the density of the second discharge hole 151 is the same as that of the second zone, the amount of gas passing through is increased, and the amount of gas passing through the central portion of the shower head 141 increases.
  • the thickness of the deposition layer accumulated in the center of the substrate 130 may be significantly thicker than other places.
  • the density at the central portion (first region) of the second plate 150 is smaller than that of the other region (second region). It is necessary to do
  • the outer portion of the second plate 150 is a portion where the gas to be diffused can be concentrated by inertia according to the fast diffusion rate.
  • the thickness of the deposition layer accumulated on the outer portion of the substrate 130 may be significantly thicker than other places.
  • the density at the outer portion (regions 3 and 4) of the second plate 150 may be different from that of the substrate 130. Smaller area).
  • the density of the second discharge hole 151 at the center and the outer portion of the second plate 150 is lower than that of the other portions. It is possible that the difference (uniformity) between the thickness and the thickness of the thinnest part can be 10% or less.
  • the aperture ratio, the charge mobility, the response speed, and the resolution can be equalized for the entire deposition layer, and the quality of the entire liquid crystal display device can be improved.

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Abstract

본 발명은 가스 공급장치에 관한 것으로서, 상세하게는 공정 챔버 내의 공정 가스 흐름을 개선하고, 증착층의 균일도를 높일 수 있는 가스 공급장치에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 가스관이 연결되는 리드와; 상기 리드로 유입된 가스를 공정챔버로 배출하는 제1플레이트와; 상기 리드와 상기 제1플레이트 사이에 마련되어 하부로 향하는 가스를 분산시키도록 마련되는 제2 플레이트와, 상기 제1플레이트에 형성되는 복수의 배출홀과; 상기 제2플레이트에 형성되는 복수의 배출홀을 포함하되, 상기 제2플레이트의 코너부에 형성되는 배출홀은 상기 제1플레이트 상의 동일한 위치에 형성되는 코너부의 배출홀과 상이한 상태로 배치되는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치를 제공한다.

Description

가스 공급 장치
본 발명은 가스 공급장치에 관한 것으로서, 상세하게는 공정 챔버 내의 공정 가스 흐름을 개선하고, 증착층의 균일도를 높일 수 있는 가스 공급장치에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시소자는 게이트 배선 및 데이터 배선에 의해 정의된 화소 영역에 박막트랜지스터와 화소전극을 구비한 박막트랜지스터 기판과, 컬러필터층과 공통전극을 구비한 컬러필터 기판과, 두 기판 사이에 개재되는 액정층으로 구성된다.
이러한 기판을 제조하기 위해서는, 유리기판에 원료물질을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토리소그라피 공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 목적하는 대로 패터닝하는 식각공정, 잔류물을 제거하기 위한 세정공정 등을 수 내지 수십 차례 반복하여야 하는데, 이들 각 공정은 해당 공정을 위해최적의 환경이 조성된 챔버 내부에서 진행된다.
도 13은 대표적인 액정표시장치 제조장비인 PECVD 장비의 일반적인 구성을 개략적으로 도시한 것으로서, 일정한 반응공간을 정의하는 공정챔버(10)와, 상기 챔버(10)의 내부에 위치하며 상면에 기판(30)을 안치하는 서셉터(20)와, 다수의 분사구(42)를 구비하는 제1플레이트(41)와, 상기 샤워헤드(41)의 상부에 마련되고 외부의 가스유입관(80)과 연결되는 리드(43)를 포함한다.
상기 리드(43)와 상기 제1플레이트(41)의 사이에는 상기 가스 유입관(80)의 안내를 받아 유입된 공정가스를 상기 제1플레이트(41)로 분산시키는 제2플레이트(50)가 마련되고, 상기 제2플레이트(50)의 하부에는 다수의 제2배출홀(51)이 마련된다.
상기 제2플레이트(50)는 상기 가스 유입관(80)의 토출구 부근을 둘러싸는 형태가 되고, 상기 리드(43)의 하면에 연결되어 있다.
상기 리드(43)는 공정가스에 RF전력을 인가하는 플라즈마 전극으로 사용되며, 상기 리드(43)에는 RF전력을 공급하는 RF전원(60)이 연결되고, 리드(43)와 RF전원(60)의 사이에는 최대 전력이 인가될 수 있도록 임피던스를 매칭하는 임피던스 매칭박스(I.M.B (Impedance Matching Box), 70)가 위치한다.
플라즈마 전극에 대응되는 전극은 접지된 서셉터(20)이며, 서셉터(20)에도 RF전원이 인가될 수 있다.
도14에서 도시한 바와 같이, 상기 제2플레이트(50)에는 제2배출홀(51)이 형성되는데, 상기 제2배출홀(51)은 복수개로 마련되고, 각각 등간격으로 배치되어 있다.
즉, 상기 제2플레이트(50)의 중앙부이든, 그 주변이든, 테두리 부분이든 제2배출홀(51)이 형성되어 있으며, 그 간격은 배치된 위치에 무관하게 등간격인 것이다.
그런데 이와 같이, 제2플레이트(50)의 제2배출홀(51)의 배치밀도가 영역에 무관하게 동일하고, 또한, 제2플레이트(50)의 크기가 상기 샤워 헤드(41)보다 작게 형성된 상태에서, 공정가스가 유입되는 경우 기판에 증착되는 증착층의 두께가 현저하게 불균일하게 된다는 문제점이 있다.
즉, 기판(30)의 중앙부에서 외곽부로 갈 수록 증착층의 높이가 점점 낮아지게 되는데, 그 높이 차이가 10% 이상이 되는 경우가 발생한다.
특히, 공정의 종류가 실리콘 나이트 라이드(SiNx)공정보다 실리콘 옥사이드(SiOx) 공정에서 이러한 경우가 현저하게 나타난다.
이와 같이, 증착층의 균일도가 훼손되는 경우, 개구율, 전하 이동도, 응답속도, 해상도와 같이 액정표시 소자의 품질과 직접적으로 연관되는 요소들을 저하시킨다는 문제점이 있었다.
본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위해서 마련된 것으로서, 기판의 증착층의 균일도를 개선함으로써 품질이 높은 액정표시소자를 제공할 수 있는 가스공급장치를 마련하는데 그 목적이 있다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 가스관이 연결되는 리드와;
상기 리드로 유입된 가스를 공정챔버로 배출하는 제1플레이트와; 상기 리드와 상기 제1플레이트 사이에 마련되어 하부로 향하는 가스를 분산시키도록 마련되는 제2 플레이트와, 상기 제1플레이트에 형성되는 복수의 배출홀과; 상기 제2플레이트에 형성되는 복수의 배출홀을 포함하되, 상기 제2플레이트의 코너부에 형성되는 배출홀은 상기 제1플레이트 상의 동일한 위치에 형성되는 코너부의 배출홀과 상이한 상태로 배치되는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치를 제공한다.
상기 코너부에 배치되는 배출홀들 간의 간격은 상기 코너부 이외에 배치되는 배출홀들 간의 간격과 다르게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 코너부에 배치되는 배출홀들 간의 간격은 상기 코너부 이외에 배치되는 배출홀들 간의 간격보다 크게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 코너부에 배치되는 배출홀의 배치밀도는 상기 코너부 이외에 배치되는 배출홀의 배치밀도와 다르게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 코너부에 배치되는 배출홀의 배치밀도는 상기 코너부 이외에 배치되는 배출홀의 배치밀도보다 작게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 코너부에 배치되는 배출홀의 지름은 상기 코너부 이외에 배치되는 배출홀의 지름과 다르게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 코너부에 배치되는 배출홀의 지름은 상기 코너부 이외에 배치되는 배출홀의 지름보다 작게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 제1플레이트의 배출홀의 개수와 상기 제2플레이트의 배출홀의 개수는 서로 다르게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 제1플레이트 중앙부 또는 테두리 부에서의 배출홀의 개수 또는 배치는 상기 제2플레이트의 중앙부 또는 테두리 부에서의 배출홀의 개수 또는 배치와 다르게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 제2플레이트는 중앙부에 형성되는 제1구역과; 상기 제1구역을 둘러싸도록 배치되는 제2구역과, 상기 제2구역의 사방 테두리에 형성되는 제3구역과, 상기 제2플레이트의 코너에 형성되어 상기 코너부를 구성하는 제4구역을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 제1구역의 배출홀의 배치밀도는 상기 제2구역에서의 배출홀의 배치밀도보다 작게 형성되며,
상기 제1구역의 배출홀의 배치밀도는 제2구역의 배출홀의 배치밀도의 절반인 것을 특징으로 한다.
상기 제3구역의 배출홀의 배치밀도는 상기 제2구역에서의 배출홀의 배치밀도 보다 낮은 것을 특징으로 한다.
상기 제3구역의 배출홀의 배치밀도는 제2구역의 배출홀의 배치밀도의 절반인 것을 특징으로 한다.
상기 제1구역의 배출홀의 배치밀도는 상기 제3구역의 배치밀도에 대응되는 것을 특징으로 한다.
*상기 코너부에 형성된 배출홀이 막혀 있는 면적과 상기 제2플레이트 전체 면적의 상대적인 비율에 의하여 정의되는 홀 막음 비율이 소정 범위 내에서 유지되는 것을 특징으로 한다.
상기 코너부는 서로 구분되는 복수의 단위 구역을 포함하며,
각 단위 구역에서의 홀 막음 비율은 0.5~3 %의 범위 내에 속하는 것을 특징으로 한다.
상기 코너부의 형태는 직각 삼각형 형태로 마련되는 것을 특징으로 하며,
상기 코너부는 상기 제2플레이트의 모든 코너에 마련되는 것을 특징으로 한다.
상기 코너부의 형태는 호 형태로 마련되는 것을 특징으로 하며,
상기 코너부는 상기 제2플레이트의 모든 코너에 마련되는 것을 특징으로 한다.
상기 코너부의 형태는 계단 형태로 마련되는 것을 특징으로 하며,
상기 코너부는 상기 제2플레이트의 모든 코너에 마련되는 것을 특징으로 한다.
상기 코너부의 배출홀의 배치밀도 대비 제2플레이트 전체의 배출홀의 배치밀도의 상대적인 비율에 의하여 정의되는 홀 밀도 비율이 소정 범위 내에서 유지되는 것을 특징으로 한다.
상기 코너부는 서로 구분되는 복수의 단위 구역을 포함하며,
각 단위 구역에서의 홀 밀도 비율은 38~48 %의 범위 내에 속하는 것을 특징으로 한다.
상기 제2플레이트의 크기는 상기 제2플레이트의 크기에 대응되게 마련되며,
상기 제2플레이트의 단부에는 가스의 누수를 방지하고 상기 리드의 내면과 접촉하는 실링 부재 또는 차폐부재가 마련되는 것을 특징으로 한다.
상기 제2플레이트와 상기 제1플레이트 간에 간격이 형성되고,
상기 제2플레이트와 상기 리드 간에 간격이 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 국면에 의하면, 가스관이 연결되는 리드와;
상기 리드로 유입된 가스를 공정챔버로 배출하는 제1배출홀이 형성되는 제1플레이트와;
상기 리드와 상기 제1플레이트 사이에 마련되어 상기 제1플레이트로 향하는 가스를 분산시키도록 복수의 제2배출홀이 형성되는 제2플레이트를 포함하되,
상기 제2플레이트에 형성된 복수의 제2배출홀 중 일부의 배출홀은,
상기 제2플레이트의 모서리로부터 연장되며 소정 길이는 갖는 두 개의 변으로 이루어지는 3개 이상의 구분된 구역상에 배치되는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치를 제공한다.
상기 구분된 구역 상에 배치되는 제2배출홀들 간의 간격은 상기 구분된 구역 이외에 배치되는 제2배출홀들 간의 간격과 다르게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 구분된 구역 상에 배치되는 제2배출홀들 간의 간격은 상기 구분된 구역 이외에 배치되는 제2배출홀들 간의 간격보다 크게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 구분된 구역 상에 배치되는 제2배출홀의 배치밀도는 상기 구분된 구역 이외에 배치되는 제2배출홀의 배치밀도와 다르게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 구분된 구역 상에 배치되는 제2배출홀의 배치밀도는 상기 구분된 구역 이외에 배치되는 제2배출홀의 배치밀도보다 작게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 구분된 구역에 형성된 제2배출홀이 막혀 있는 면적과 상기 제2플레이트 면적의 상대적인 비율에 의하여 정의되는 홀 막음 비율이 소정 범위 내에서 유지되는 것을 특징으로 한다.
상기 구분된 구역은 서로 구분되는 복수의 단위 구역을 포함하며,
각 단위 구역에서의 홀 막음 비율은 0.5~3 %의 범위 내에 속하는 것을 특징으로 한다.
상기 구분된 구역의 제2배출홀의 배치밀도 대비 상기 제2플레이트 전체의 제2배출홀의 배치밀도의 상대적인 비율에 의하여 정의되는 홀 밀도 비율이 소정 범위 내에서 유지되는 것을 특징으로 한다.
상기 구분된 구역은 서로 구분되는 복수의 단위 구역을 포함하며,
각 단위 구역에서의 홀 밀도 비율은 38~48 %의 범위 내에 속하는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 본 발명에 의하여 기판의 증착층 두께의 전체적인 균일도를 확보할 수 있다.
따라서, 개구율과 전하이동도, 응답속도, 해상도가 증착층 전체에 대해서 균등해질 수 있고, 액정표시장치 전체의 품질도 높일 수 있다는 장점이 있다.
도1은 본 발명에 의한 가스 공급장치의 사시도이다.
도2는 본 발명의 의한 가스 공급장치에 설치된 제2플레이트의 제1실시예의 평면도이다.
도3은 본 발명의 의한 가스 공급장치에 설치된 제2플레이트의 제2실시예의 평면도이다.
도4는 본 발명의 의한 가스 공급장치에 설치된 제2플레이트의 제3실시예의 평면도이다.
도5는 도4에 의한 가스 공급장치에 의하여 구현되는 증착층의 단면도이다.
도6은 본 발명의 의한 가스 공급장치에 설치된 제2플레이트의 제4실시예의 평면도이다.
도7은 본 발명의 의한 가스 공급장치에 설치된 제2플레이트의 제5실시예의 평면도이다.
도8은 본 발명의 의한 가스 공급장치에 설치된 제2플레이트의 제6실시예의 평면도이다.
도9는 도8에 의한 가스 공급장치에 의하여 구현되는 증착층의 단면도이다.
도10은 본 발명의 의한 가스 공급장치에 설치된 제2플레이트의 제7실시예의 평면도이다.
도11은 본 발명의 의한 가스 공급장치에 설치된 제2플레이트의 제8실시예의 평면도이다.
도12는 본 발명에 의한 가스 공급장치의 확대 사시도이다.
도13은 종래 기술에 의한 가스 공급장치의 도면이다.
도14는 종래 기술에 의한 제2플레이트의 평면도이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 알아보도록 하겠다.
도1에서 도시한 바와 같이, 증착공정이 수행되는 공정챔버(110)의 하부에는 기판(130)이 배치되는 서셉터(120)가 마련되고, 상기 공정챔버(110)의 상부에는 가스 공급장치(140)가 마련된다.
상기 가스공급장치(140)는 리드(143)와, 상기 리드(143)의 하부에 마련되는 제1플레이트(141)와, 제2플레이트(150)로 구성된다.
상기 제1플레이트(141)는 제1샤워헤드가 되고, 제2플레이트(150)는 상기 제2샤워헤드가 되며, 상기 제2플레이트(150)는 공정가스를 분산시키는 디퓨저 역할을 수행한다.
상기 리드(143)와 상기 제1플레이트(141)에 의하여 둘러싸이는 공간은 버퍼 챔버로 정의되는데, 상기 버퍼 챔버에 일시적으로 수용된 공정가스는 상기 상기 제1플레이트(141)에 의하여 상기 공정챔버(110) 내로 배출된다.
상기 리드(143)는 가스 공급관(180)과 연결되는데, 상기 가스공급관(180)에 의하여 유입된 공정가스는 상기 제2플레이트(150)와 만나서 여러 방향으로 분산되고, 분산된 공정가스는 상기 제1플레이트(141)로 이동한 후, 상기 공정챔버(110)로 이동한다.
상기 리드(143)는 공정가스에 RF전력을 인가하는 플라즈마 전극으로 사용되며, 상기 리드(143)에는 RF전력을 공급하는 RF전원(160)이 연결되고, 리드(143)와 RF전원(160)의 사이에는 최대 전력이 인가될 수 있도록 임피던스를 매칭하는 임피던스 매칭박스(I.M.B (Impedance Matching Box), 170)가 위치한다.
플라즈마 전극에 대응되는 전극은 접지된 서셉터(120)이며, 서셉터(120)에도 RF전원이 인가될 수 있다.
상기 제1플레이트(141)에는 제1배출홀(142)이 다수 마련되고, 상기 제2플레이트(150)에도 공정가스가 분산되어 배출될 수 있는 제2배출홀(151)이 다수 마련된다.
상기 제1플레이트(141)와 상기 제2플레이트(150)는 일정 간격 이격되는 것이 필요한데, 이는 공정가스의 원활한 분산을 위해서 그러하다.
이격되는 거리는 상황에 따라 달라질 수 있으나, 5~7 mm 정도의 이격거리정도면 바람직할 것이다.
상기 제2플레이트(150)의 면적 또는 크기는 상기 제2플레이트(141)의 면적 또는 크기와 거의 동일하거나, 유사하게 대응되는 것이 바람직하다.
이는 상기 제2플레이트(150)상에서의 공정가스 유동면적과, 상기 제1샤워 헤드(141) 상에서의 공정가스의 유동면적이 거의 동일하거나 유사하게 될 수 있게 하여, 기판의 중심과 외곽 부분에 증착되는 층의 높이가 균일하게 형성될 수 있도록 하기 위함이다.
상기 제2플레이트(150)와 상기 리드(143) 간의 공간을 제1버퍼챔버(C1)이라고 정의하고, 상기 제2플레이트(150)와 상기 제1플레이트(141)간의 공간을 제2버퍼 챔버(C2)라고 정의하는 경우, 상기 제1버퍼챔버(C1)의 면적과, 상기 제2버퍼챔버(C2)의 면적이 거의 동일하거나, 유사하게 되는 것이 바람직하다는 의미이다.
따라서, 상기 가스 유입관(180)의 안내를 받아서 들어온 공정가스는 우선 상기 제1버퍼챔버(C1)에 유입되고, 그 중앙부 뿐만 아니라 외곽부까지 확산된 상태에서 상기 제2플레이트(150)를 통과한다.
이후, 상기 제2플레이트(150)를 통과한 공정가스는 상기 제2버퍼챔버(C2)로 유입되고 그 내부에서 확산되고 혼합된 후, 상기 제1플레이트(141)를 통과하여 상기 공정챔버(110)로 유입된다.
상기 제2플레이트(150)의 각 모서리 부분에는 코너부가 형성되는데, 상기 코너부는 후술하는 제4구역(Ⅳ)에 대응되는 부분이다.
상기 코너부에 형성되는 제2배출홀(151)은 상기 코너부가 아닌 다른 구역에 있는 제2배출홀과 비교할 때 그 배치형태가 다르다.
즉, 제2배출홀(151)의 배치밀도가 다른 구역 보다 더 적게 형성되는데, 이는 상기 제2배출홀(151)간의 간격이 더 크게 형성된다는 의미이다.
또는 코너부에 형성되는 제2배출홀(151)의 지름은 다른 구역에 형성되는 제2배출홀(151)의 지름에 비하여 작게 형성될 수도 있다.
그리고, 상기 제2플레이트(150)의 코너부에 대응되는 상기 제1플레이트(141)의 부분(일종의 코너부)에 제1배출홀(142)이 형성된다.
제1플레이트(141)의 코너부에 형성되는 제1배출홀(142)의 배치상태와 제2플레이트(150)의 코너부에 형성되는 제2배출홀(151)의 배치상태가 다른 것이 바람직하다.
각 코너부 상에서, 상기 제2배출홀(151)의 배치밀도가 상기 제1배출홀(142)보다 낮은 값을 갖거나, 상기 제2배출홀(151)간의 간격이 상기 제1배출홀(142)보다 크게 형성되거나, 상기 제2배출홀(151)의 지름이 상기 제1배출홀(142)보다 작게 형성될 수 있다.
한편, 상기 제1플레이트(141)의 제1배출홀(142)의 개수와 상기 제2플레이트(150)의 제2배출홀(151)의 개수나 홀의 패턴은 상이하게 될 수 있다.
상기 홀의 패턴이나 개수는 상기 제1플레이트(141) 및 상기 제2플레이트(150)의 코너부에서 달라질 수 있을 뿐 아니라, 네 변의 테두리부 또는 중앙부에서 달라질 수도 있다.
여기서 상기 제1버퍼챔버(C1) 및 상기 제2버퍼챔버(C2)의 전방이 개방된 것으로 도시되어 있으나, 이는 도면에서 구성이 보다 쉽게 구별되도록 하기 위한 것이다.
원래는 상기 리드(143)에 의하여 밀폐되어야 하는 구조이다.
도2는 본 발명의 제2플레이트(150)의 제1실시예를 도시한 것이다.
상기 제2플레이트(150)의 모양은 직사각형으로 표현되었으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 제2플레이트(150)는 여러개의 구역으로 구분될 수 있다.
즉, 상기 제2플레이트(150)의 중앙부에 소정의 면적을 갖는 제1구역(Ⅰ)과, 상기 제1구역(Ⅰ)을 둘러싸면서, 상기 제2플레이트(150)의 가장 넓은 면적을 차지하는 제2구역(Ⅱ), 그리고, 상기 제2플레이트(150)의 각 변의 외곽 테두리에 인접하게 마련되며, 제2구역(Ⅱ)의 외곽 쪽에 배치되는 제3구역(Ⅲ)과, 상기 제2플레이트(150)의 각 코너 부분에 삼각형 형태로 마련되고, 상기 제3구역(Ⅲ) 및 상기 제2구역(Ⅱ)과 인접하여 상기 코너부를 형성하는 제4구역(Ⅳ)으로 구분될 수 있다.
상기 제3구역(Ⅲ)은 세로 방향으로 배치되는 두 개의 3-1구역(Ⅲ-1)과, 세로 방향으로 배치되는 두 개의 3-2구역(Ⅲ-2)로 상세히 구분될 수 있다.
제1구역(Ⅰ)의 넓이가 상기 제2플레이트(150)의 전체 면적의 12.5%정도가 되도록 하고, 상기 제3구역(Ⅲ) 중 3-1구역(Ⅲ-1)은 상기 제2플레이트(150)의 전체 면적의 6.5%정도를 차지하고 상기 3-2구역(Ⅲ-2)은 전체 면적의 5% 정도를 차지할 수 있도록 하는 것이 일 예가 될 수 있다.
한편, 제4구역(Ⅳ)은 직각 삼각형 형태로 되어 있으며 4개의 코너에 각각 마련되어 있다.
상기 제4구역(Ⅳ)의 형태는 직각 삼각형의 형태에만 국한되지 않으며, 상기 제2플레이트(150)의 각각의 모서리에서 시작되는 두 개의 변이 포함된 여러가지 형태의 면으로 구현될 수 있다.
즉, 삼각형 이외에도, 호 형, 또는 계단형 형태로 구현될 수 있는데, 이러한 다양한 형태에 대해서는 후술한다.
따라서, 상기 제4구역(Ⅳ)을 코너부이라고도 정의할 수 있다.
제1실시예의 특징은 상기 제4구역(Ⅳ)에서의 상기 제2배출홀(151)의 배치 밀도가 제1~3구역에서의 상기 제2배출홀(151)의 밀도에 비하여 작다는 것이다.
이는 중앙부 및 최 외곽부에서 공정가스의 밀도가 높아지기 때문에, 이에 의한 증착층의 균일도 훼손을 방지하기 위함이다.
제2플레이트(150)의 모든 구역에서 상기 제2배출홀(151)의 밀도가 동일하다면, 기판의 중앙부와 최와곽부에서의 증착층의 두께가 현저하게 두꺼워지고, 그 사이의 지점에서는 그 두께가 얇아지게 될 것이다.
따라서, 상기 제2플레이트(150)의 외곽 부분의 제2배출홀(151)의 배치밀도를 상대적으로 작게함으로써 증착층의 두께의 균일도를 확보할 수 있다.
여기서, 상기 제1~3구역에서의 제2배출홀(151)의 배치밀도 또는 간격에 비하여, 상기 제4구역(Ⅳ)의 배치밀도가 그 절반정도가 되거나 그 간격이 두 배 정도 되는 것이 바람직하다.
즉, 특정단위면적당 제1~3구역에서의 제2배출홀의 갯수가 10개라고 한다면, 상기 제4구역(Ⅳ)의 제2배출홀의 갯수는 5개 정도인 것이 바람직하다.
상기 제4구역(Ⅳ)이 적어도 3개, 구체적으로는 4개의 단위 구역으로 각각 구분되는 경우, 하나의 단위 구역에 형성된 제2배출홀(151)의 밀도가 전체 제2플레이트(150)의 제2배출홀(151)의 밀도와 비교하여 일정 비율 범위를 유지하는 경우, 기판 상에 증착된 가장 얇은 부분의 두께와 가장 두꺼운 부분의 두께의 오차가 10% 이하로 떨어질 수 있게 된다.
도3은 제2플레이트(150)의 제2실시예를 도시한 것이다.
여기서, 제2플레이트(150)의 제4구역(Ⅳ) 뿐만 아니라, 제3구역(Ⅲ)의 제2배출홀(151)의 배치밀도가 제1구역(Ⅰ) 및 제2구역(Ⅱ)에서의 제2배출홀(151)의 배치밀도에 비하여 작게 형성되는 것이 특징이다.
따라서, 제2배출홀(151)의 배치밀도는 상기 제2플레이트(150)의 중앙부에서 외곽(모서리 및 변)으로 가면서 감소하는 형태가 된다.
이 또한, 제1실시예와 마찬가지로 중앙부 및 최 외곽부에서 공정가스의 밀도가 높아지기 때문에, 이에 의한 증착층의 균일도 훼손을 방지하기 위함이다.
제2플레이트(150)의 모든 구역에서 제2배출홀(151)의 밀도가 동일하다면, 기판의 중앙부와 최와곽부에서의 증착층의 두께가 현저하게 두꺼워지고, 그 사이의 지점에서는 그 두께가 얇아지게 될 것이다.
따라서, 상기 제2플레이트(150)의 외곽 부분의 제2배출홀(151)의 배치밀도를 상대적으로 작게 함으로써 증착층의 두께의 균일도를 확보할 수 있다.
여기서, 상기 제1~2구역에서의 제2배출홀(151) 배치밀도에 비하여, 상기 제3~4구역에서의 제2배출홀(151) 배치밀도가 그 절반정도가 되는 것이 바람직하다.
즉, 특정단위면적당 제1~2구역에서의 제2배출홀의 갯수가 10개라고 한다면, 상기 제3~4구역의 제2배출홀의 갯수는 5개 정도인 것이 바람직하다.
제2실시예에서도, 제4구역(Ⅳ)이 4개의 단위 구역으로 각각 구분되는 경우, 하나의 단위 구역에 형성된 제2배출홀(151)의 밀도가 전체 제2플레이트(150)의 제2배출홀(151)의 밀도와 비교하여 일정 비율 범위를 유지하는 경우, 기판 상에 증착된 가장 얇은 부분의 두께와 가장 두꺼운 부분의 두께의 오차가 10% 이하로 떨어질 수 있게 된다.
도4는 제2플레이트(150)의 제3실시예를 도시한 것이다.
여기서, 제2플레이트(150)의 제4구역(Ⅳ) 뿐만 아니라, 제3구역(Ⅲ)의 제2배출홀(151)의 배치밀도 및 제1구역(Ⅰ)의 상기 제2배출홀(151)의 배치밀도가 상기 제2구역(Ⅱ)에서의 제2배출홀(151)의 배치밀도에 비하여 작게 형성되는 것이 특징이다.
따라서, 제2배출홀(151)의 배치밀도는 상기 제2플레이트(150)의 중앙부에서 외곽(모서리 및 변)으로 가면서 감소하는 형태가 된다.
이 또한, 제1 및 제2실시예와 마찬가지로 중앙부 및 최 외곽부에서 공정가스의 밀도가 높아지기 때문에, 이에 의한 증착층의 균일도 훼손을 방지하기 위함이다.
제2플레이트(150)의 모든 구역에서 제2배출홀(151)의 밀도가 동일하다면, 기판의 중앙부와 최와곽부에서의 증착층의 두께가 현저하게 두꺼워지고, 그 사이의 지점에서는 그 두께가 얇아지게 될 것이다.
*따라서, 상기 제2플레이트(150)의 외곽 부분의 제2배출홀(151)의 배치밀도를 상대적으로 작게함으로써 증착층의 두께의 균일도를 확보할 수 있다.
여기서, 상기 제2구역(Ⅱ)에서의 제2배출홀(151) 배치밀도에 비하여, 상기 제1구역(Ⅰ) 구역 및 제3~4구역에서의 제2배출홀(151) 배치밀도가 그 절반정도가 되는 것이 바람직하다.
즉, 특정단위면적당 제2구역(Ⅱ)에서의 제2배출홀의 갯수가 10개라고 한다면, 상기 제1구역 및 제3~4구역의 제2배출홀의 갯수는 5개 정도인 것이 바람직하다.
상기 제3실시예에서, 제2배출홀의 배치밀도는 중앙부에서 외곽으로 갈 수록 작은 값 - 큰 값 - 작은 값을 갖도록 하는 것이 특징이다.
제3실시예에서도, 제4구역(Ⅳ)이 4개의 단위 구역으로 각각 구분되는 경우, 하나의 단위 구역에 형성된 제2배출홀의 밀도가 전체 제2플레이트의 제2배출홀의 밀도와 비교하여 일정 비율 범위를 유지하는 경우, 기판 상에 증착된 가장 얇은 부분의 두께와 가장 두꺼운 부분의 두께의 오차가 10% 이하로 떨어질 수 있게 된다.
도5에서 도시한 바와 같이, 제4구역(Ⅳ)을 이루는 하나의 단위 구역에서 특정 단위 면적당 형성된 제2배출홀(151)의 배치밀도가 상기 제2플레이트(150)에서의 특정 단위 면적당 형성된 제2배출홀(151) 배치밀도에 비하여 38%~48%를 유지하는 경우, 기판 상에 증착된 가장 얇은 부분의 두께와 가장 두꺼운 부분의 두께의 오차가 10% 이하를 유지할 수 있다.
도5에서 가장 왼쪽이 제2플레이트(150)의 일 코너 부분(도4참조, A)에 대응되는 기판의 증착층의 두께이고, 가장 오른쪽이 제2플레이트(150)의 중앙 부분(도4참조, B)에 대응되는 기판의 증착층의 두께이다.
그리고, 도5에서 적색의 박스는 증착층의 오차가 10% 이하로 되는 영역을 의미한다.
도6은 본 발명의 제4실시예를 도시하고 있다.
제4실시예에서도, 상기 제2플레이트(150)의 모양은 직사각형으로 표현되었으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 제2플레이트(150)는 여러개의 구역으로 구분될 수 있다.
즉, 상기 제2플레이트(150)의 중앙부에 소정의 면적을 갖는 제1구역(Ⅰ)과, 상기 제1구역(Ⅰ)을 둘러싸면서, 상기 제2플레이트(150)의 가장 넓은 면적을 차지하는 제2구역(Ⅱ), 그리고, 상기 제2플레이트(150)의 각 변의 외곽 테두리에 인접하게 마련되며, 제2구역(Ⅱ)의 외곽 쪽에 배치되는 제3구역(Ⅲ)과, 상기 제2플레이트(150)의 각 코너 부분에 삼각형 형태로 마련되고, 상기 제3구역(Ⅲ) 및 상기 제2구역(Ⅱ)과 인접하는 제4구역(Ⅳ)으로 구분될 수 있다.
상기 제3구역(Ⅲ)은 세로 방향으로 배치되는 두 개의 3-1구역(Ⅲ-1)과, 세로 방향으로 배치되는 두 개의 3-2구역(Ⅲ-2)로 상세히 구분될 수 있다.
제1구역(Ⅰ)의 넓이가 상기 제2플레이트(150)의 전체 면적의 12.5%정도가 되도록 하고, 상기 제3구역(Ⅲ) 중 3-1구역(Ⅲ-1)은 상기 제2플레이트(150)의 전체 면적의 6.5%정도를 차지하고 상기 3-2구역(Ⅲ-2)은 전체 면적의 5% 정도를 차지할 수 있도록 하는 것이 일 예가 될 수 있다.
한편, 제4구역(Ⅳ)은 직각 삼각형 형태로 되어 있으며 4개의 코너에 각각 마련되어 있다.
상기 제4구역(Ⅳ)의 형태는 직각 삼각형의 형태에만 국한되지 않으며, 상기 제2플레이트(150)의 각각의 모서리에서 시작되는 두 개의 변이 포함된 여러가지 형태의 면으로 구현될 수 있다.
즉, 삼각형 이외에도, 호 형, 또는 계단형 형태로 구현될 수 있는데, 이러한 다양한 형태에 대해서는 후술한다.
*제4실시예로부터 도출되는 특징은 상기 제4구역에서의 상기 제2배출홀(151)이 원래 있어야할 곳 중 막힌 곳(검은 색 점으로 표시)의 면적과 상기 제2플레이트(150)의 전체면적과의 비율(막힌 곳 면적/전체 면적)이 기판의 외곽 부분에서의 증착층의 두께를 결정한다는 것이다.
즉, 상기 제4구역(Ⅳ)이 4개의 단위 구역으로 각각 구분되는 경우, 하나의 단위 구역에 형성된 제2배출홀 중 일부가 막히고, 그 막힌 부분(검은색 점으로 표시됨)의 면적과 전체 제2플레이트(150)의 면적의 비율이 일정 범위를 유지하는 경우, 기판 상에 증착된 가장 얇은 부분의 두께와 가장 두꺼운 부분의 두께의 오차가 10% 이하로 떨어질 수 있게 된다.
여기서, 상기 제4구역(Ⅳ)에서만 복수의 제2배출홀(151)의 일부가 뚫린 상태가 되고 나머지 일부는 막힌 상태를 유지하며, 나머지 구역(1~3구역)에서는 제2배출홀(151)이 모두 뚫린 상태를 유지한다.
이 또한, 제1~3실시예와 마찬가지로 중앙부 및 최외곽부에서 공정가스의 밀도가 높아지기 때문에, 이에 의한 증착층의 균일도 훼손을 방지하기 위함이다.
제2플레이트(150)의 모든 구역에서 제2배출홀(151)의 밀도가 동일하다면, 기판의 중앙부와 최외곽부에서의 증착층의 두께가 현저하게 두꺼워지고, 그 사이의 지점에서는 그 두께가 얇아지게 될 것이다.
*따라서, 상기 제2플레이트(150)의 외곽 부분의 제2배출홀(151)의 배치밀도를 상대적으로 작게함으로써 증착층의 두께의 균일도를 확보할 수 있다.
도7은 본 발명의 제5실시예를 나타내고 있다.
제5실시예에서는 제4구역(Ⅳ) 및 제3구역(Ⅲ)에서 상기 제2배출홀(151)의 일부가 막혀 있는 상태임에 반해, 제1,2구역(Ⅰ,Ⅱ)에서는 상기 제2배출홀(151)이 모두 뚫려 있는 상태를 유지하고 있다.
따라서, 제4구역(Ⅳ) 및 제3구역(Ⅲ)에서의 상기 제2배출홀(151)의 배치밀도는 상기 제1,2구역(Ⅰ,Ⅱ)에 비하여 작게 형성된다.
이 또한, 제1~4실시예와 마찬가지로 중앙부 및 최외곽부에서 공정가스의 밀도가 높아지기 때문에, 이에 의한 증착층의 균일도 훼손을 방지하기 위함이다.
제2플레이트(150)의 모든 구역에서 제2배출홀(151)의 밀도가 동일하다면, 기판의 중앙부와 최외곽부에서의 증착층의 두께가 현저하게 두꺼워지고, 그 사이의 지점에서는 그 두께가 얇아지게 될 것이다.
따라서, 상기 제2플레이트(150)의 외곽 부분의 제2배출홀(151)의 배치밀도를 상대적으로 작게 함으로써 증착층의 두께의 균일도를 확보할 수 있다.
이 또한, 제1~4실시예와 마찬가지로 중앙부 및 최외곽부에서 공정가스의 밀도가 높아지기 때문에, 이에 의한 증착층의 균일도 훼손을 방지하기 위함이다.
제2플레이트(150)의 모든 구역에서 제2배출홀(151)의 밀도가 동일하다면, 기판의 중앙부와 최외곽부에서의 증착층의 두께가 현저하게 두꺼워지고, 그 사이의 지점에서는 그 두께가 얇아지게 될 것이다.
따라서, 상기 제2플레이트(150)의 외곽 부분의 제2배출홀(151)의 배치밀도를 상대적으로 작게함으로써 증착층의 두께의 균일도를 확보할 수 있다.
도8은 본 발명의 제6실시예를 나타내고 있다.
제6실시예에서는 제4구역(Ⅳ) 및 제3구역(Ⅲ) 및 제1구역(Ⅰ)에서 상기 제2배출홀(151)의 일부가 막혀 있는 상태임에 반해, 제2구역(Ⅱ)에서는 상기 제2배출홀(151)이 모두 뚫려 있는 상태를 유지하고 있다.
따라서, 제4구역(Ⅳ) 및 제3구역(Ⅲ), 제1구역(Ⅰ)에서의 상기 제2배출홀(151)의 배치밀도는 상기 제1,2구역(Ⅱ)에 비하여 작게 형성된다.
이 또한, 제1~5실시예와 마찬가지로 중앙부 및 최외곽부에서 공정가스의 밀도가 높아지기 때문에, 이에 의한 증착층의 균일도 훼손을 방지하기 위함이다.
제2플레이트(150)의 모든 구역에서 제2배출홀(151)의 밀도가 동일하다면, 기판의 중앙부와 최외곽부에서의 증착층의 두께가 현저하게 두꺼워지고, 그 사이의 지점에서는 그 두께가 얇아지게 될 것이다.
따라서, 상기 제2플레이트(150)의 외곽 부분 및 중앙부분에서의 제2배출홀(151)의 배치밀도를 상대적으로 작게 함으로써 증착층의 두께의 균일도를 확보할 수 있다.
도9에서 도시한 바와 같이, 제4구역(Ⅳ)을 이루는 하나의 단위 구역에서 형성된 제2배출홀(151) 중 막힌 부분의 면적이 상기 제2플레이트(150) 전체 면적에 비하여 0.5~3 %를 유지하는 경우, 기판 상에 증착된 가장 얇은 부분의 두께와 가장 두꺼운 부분의 두께의 오차가 10% 이하를 유지할 수 있다.
도9에서 가장 왼쪽이 제2플레이트(150)의 일 코너 부분(도8참조, A)에 대응되는 기판의 증착층의 두께이고, 가장 오른쪽이 제2플레이트(150)의 중앙 부분(도8참조, B)에 대응되는 기판의 증착층의 두께이다.
그리고, 도9에서 적색의 박스는 증착층의 오차가 10% 이하로 되는 영역을 의미한다.
제4구역(Ⅳ)은 4개의 단위 구역으로 나뉘어져 있기 때문에, 1개의 단위 구역에서의 제2배출홀(151)의 막힌 면적의 비율이 상기 제2플레이트(150) 전체 면적 대비 0.5~3%인 경우, 제4구역(Ⅳ) 전체에서 제2배출홀(151)의 막힌 면적의 비율은 상기 제2플레이트(150) 전체 면적대비 2~12%가 되는 것이 바람직하다.
*여기서 제2배출홀(151)을 막는다는 것은 이미 형성된 제2배출홀을 막는 것이라기보다는 제2배출홀(151)이 형성 되어야할 부분에 제2배출홀(151)을 형성하지 않는 것, 즉 타공하지 않는 것을 의미하는 것으로 해석하는 것이 바람직하다.
도10은 본 발명의 제7실시예를 도시한 것으로서, 상기 제4구역(Ⅵ)의 형태가 직각 삼각형 형태가 아닌 호 형태로 구현되는 것을 도시한 것이며, 도11은 본 발명의 제8실시예를 도시한 것으로서, 제4구역(Ⅵ)의 형태가 직각 삼각형이나 호 형태가 아닌 계단 형태로 구현된 것으로 도시한 것이다.
상기 제4구역(Ⅵ)의 형태가 직각 삼각형 형태가 아닌 것을 제외한 특징은 상기 제1 내지 제6실시예와 동일하므로 이에 대한 구체적인 설명은 중복을 피하기 위하여 생략하기로 하겠다.
도12에서 도시한 바와 같이, 상기 제2플레이트(150)와 상기 제1플레이트(141) 간에 반드시 간격이 유지되어야 하고, 상기 제2플레이트(150)와 상기 리드(143) 간에도 반드시 간격이 유지되어야 한다.
이때, 이러한 간격들을 유지하기 위한 스페이서(미도시) 등이 배치되는 것이 바람직하다.
상기 제2플레이트(150)의 테두리에는 상기 제2플레이트(150) 방향으로 유입된 공정가스가 상기 제2배출홀(151) 이외의 방향으로 누출되는 것을 방지하기 위한 차폐부재 또는 실링부재(152)가 마련되는 것이 바람직하다.
상기 차폐부재 또는 실링부재(152)는 상기 리드(143)와 접촉하여, 그 접촉된 부분으로 공정가스가 새는 것을 방지한다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 동작에 대하여 알아보도록 하겠다.
도1에서 도시한 바와 같이, 증착공정을 수행하기 위해서 상기 가스 유입관(180)을 따라서 공정가스가 유입되고, 아울러 상기 RF전원(160)에 전력이 인가된다.
상기 가스 유입관(180)을 따라 이동한 공정가스는, 상기 제1버퍼챔버(C1)에 일시 수용되는데, 제1버퍼챔버(C1)의 면적이 상기 가스 유입관(180)의 토출구의 면적에 비하여 현저하게 넓기 때문에 빠르게 확산된다.
상기 제1버퍼챔버(C1)에서 확산된 공정가스는 상기 제2플레이트(150)위에서 유동하면서, 상기 제2플레이트(150)의 제2배출홀(151)을 통과하면서, 상기 제1버퍼 챔버(C2)로 이동한다.
상기 제2플레이트(150)에 형성된 제2배출홀(151)의 배치형태는 상기 제2플레이트(150)의 모든 표면에 균일한 간격으로 형성되는 것이 아니라 국부적으로 다른 밀도를 갖도록 되어 있다.
즉, 도2 또는 도4와 같이, 상기 제2플레이트(150)의 중앙 부분(제1구역) 및 그 외곽 부분(제3,4구역)의 홀의 배치밀도가 다른 구역(제2구역)에 비하여 낮은 상태가 되는 것이 특징이다.
상기 제2플레이트(150)의 중앙부분은 상기 가스 유입관(180)의 토출구와 인접하는 부분이므로 공정가스가 집중적으로 통과하려는 부분이다. 따라서, 제2배출홀(151)의 밀도가 제2구역과 동일하게 되면, 통과하는 가스의 양이 많아지고, 아울러 상기 샤워헤드(141)의 중앙부분을 통과하는 가스의 양이 많아진다.
따라서, 상기 기판(130)의 중앙에 누적되는 증착층의 두께가 다른 곳에 비하여 현저하게 두꺼워 질 수 있다.
이와 같이 기판(130)의 중앙부에서의 증착층 두께가 불균형적으로 두꺼워지는 것을 방지하기 위하여 상기 제2플레이트(150)의 중앙부(제1구역)에서의 밀도를 다른 구역(제2구역)보다 작게 하는 것이 필요하다.
한편, 제2플레이트(150)의 외곽부분은 확산되는 가스가 빠른 확산속도에 따른 관성에 의하여 집중될 수 있는 부분이다.
따라서, 제2배출홀(151)의 밀도가 제2구역과 동일하게 되면, 통과하는 가스의 양이 많아지고, 아울러 상기 제1플레이트(141)의 외곽부분을 통과하는 가스의 양이 많아진다.
따라서, 상기 기판(130)의 외곽 부분에 누적되는 증착층의 두께가 다른 곳에 비하여 현저하게 두꺼워 질 수 있다.
이와 같이 기판(130)의 외곽부분에서의 증착층 두께가 불균형적으로 두꺼워지는 것을 방지하기 위하여 상기 제2플레이트(150)의 외곽부(제3,4구역)에서의 밀도를 다른 구역(제2구역)보다 작게 하는 것이 필요하다.
이와 같이 상기 제2플레이트(150)의 중앙부와 외곽부에서의 제2배출홀(151)의 밀도를 다른 부분보다 낮게 함으로써 도5 또는 도9에서 나타난 바와 같이, 기판의 증착층 중 가장 두꺼운 곳의 두께와 가장 얇은 곳의 두께 간의 차이(균일도)가 10% 이하로 할 수 있는 것이 가능하다.
이와 같이 10% 이하의 균일도가 확보되는 경우, 개구율과 전하이동도, 응답속도, 해상도가 증착층 전체에 대해서 균등해질 수 있고, 액정표시장치 전체의 품질도 높일 수 있다는 장점이 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 한하여 설명하였으나, 이 밖에도 당업자에 의해 다양하게 수정 내지 변형되어 실시될 수 있는 것이며, 그러한 실시내용도 후술하는 특허청구범위에 기술된 본 발명의 기술적 사상을 포함하는 것이라면 본 발명의 권리범위에 속하게 됨은 당연하다 할 것이다.

Claims (32)

  1. 가스관이 연결되는 리드와;
    상기 리드로 유입된 가스를 공정챔버로 배출하는 제1플레이트와;
    상기 리드와 상기 제1플레이트 사이에 마련되어 하부로 향하는 가스를 분산시키도록 마련되는 제2 플레이트와,
    상기 제1플레이트에 형성되는 복수의 배출홀과;
    상기 제2플레이트에 형성되는 복수의 배출홀을 포함하되,
    상기 제2플레이트의 코너부에 형성되는 배출홀은 상기 제1플레이트 상의 동일한 위치에 형성되는 코너부의 배출홀과 상이한 상태로 배치되는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 코너부에 배치되는 배출홀들 간의 간격은 상기 코너부 이외에 배치되는 배출홀들 간의 간격과 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 코너부에 배치되는 배출홀들 간의 간격은 상기 코너부 이외에 배치되는 배출홀들 간의 간격보다 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 코너부에 배치되는 배출홀의 배치밀도는 상기 코너부 이외에 배치되는 배출홀의 배치밀도와 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 코너부에 배치되는 배출홀의 배치밀도는 상기 코너부 이외에 배치되는 배출홀의 배치밀도보다 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 코너부에 배치되는 배출홀의 지름은 상기 코너부 이외에 배치되는 배출홀의 지름과 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 코너부에 배치되는 배출홀의 지름은 상기 코너부 이외에 배치되는 배출홀의 지름보다 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1플레이트의 배출홀의 개수와 상기 제2플레이트의 배출홀의 개수는 서로 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1플레이트 중앙부 또는 테두리 부에서의 배출홀의 개수 또는 배치는 상기 제2플레이트의 중앙부 또는 테두리 부에서의 배출홀의 개수 또는 배치와 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제2플레이트는
    중앙부에 형성되는 제1구역과;
    상기 제1구역을 둘러싸도록 배치되는 제2구역과,
    상기 제2구역의 사방 테두리에 형성되는 제3구역과,
    상기 제2플레이트의 코너에 형성되어 상기 코너부를 구성하는 제4구역을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1구역의 배출홀의 배치밀도는 상기 제2구역에서의 배출홀의 배치밀도보다 작게 형성되며,
    상기 제1구역의 배출홀의 배치밀도는 제2구역의 배출홀의 배치밀도의 절반인 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제3구역의 배출홀의 배치밀도는 상기 제2구역에서의 배출홀의 배치밀도 보다 낮은 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제3구역의 배출홀의 배치밀도는 제2구역의 배출홀의 배치밀도의 절반인 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1구역의 배출홀의 배치밀도는 상기 제3구역의 배치밀도에 대응되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 코너부에 형성된 배출홀이 막혀 있는 면적과 상기 제2플레이트 전체 면적의 상대적인 비율에 의하여 정의되는 홀 막음 비율이 소정 범위 내에서 유지되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 코너부는 서로 구분되는 복수의 단위 구역을 포함하며,
    각 단위 구역에서의 홀 막음 비율은 0.5~3 %의 범위 내에 속하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 코너부의 형태는 직각 삼각형 형태로 마련되는 것을 특징으로 하며,
    상기 코너부는 상기 제2플레이트의 모든 코너에 마련되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 코너부의 형태는 호 형태로 마련되는 것을 특징으로 하며,
    상기 코너부는 상기 제2플레이트의 모든 코너에 마련되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 코너부의 형태는 계단 형태로 마련되는 것을 특징으로 하며,
    상기 코너부는 상기 제2플레이트의 모든 코너에 마련되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  20. 제1항에 있어서,
    상기 코너부의 배출홀의 배치밀도 대비 제2플레이트 전체의 배출홀의 배치밀도의 상대적인 비율에 의하여 정의되는 홀 밀도 비율이 소정 범위 내에서 유지되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 코너부는 서로 구분되는 복수의 단위 구역을 포함하며,
    각 단위 구역에서의 홀 밀도 비율은 38~48 %의 범위 내에 속하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  22. 제1항에 있어서,
    상기 제2플레이트의 크기는 상기 제2플레이트의 크기에 대응되게 마련되며,
    상기 제2플레이트의 단부에는 가스의 누수를 방지하고 상기 리드의 내면과 접촉하는 실링 부재 또는 차폐부재가 마련되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  23. 제1항에 있어서,
    상기 제2플레이트와 상기 제1플레이트 간에 간격이 형성되고,
    상기 제2플레이트와 상기 리드 간에 간격이 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  24. 가스관이 연결되는 리드와;
    상기 리드로 유입된 가스를 공정챔버로 배출하는 제1배출홀이 형성되는 제1플레이트와;
    상기 리드와 상기 제1플레이트 사이에 마련되어 상기 제1플레이트로 향하는 가스를 분산시키도록 복수의 제2배출홀이 형성되는 제2플레이트를 포함하되,
    상기 제2플레이트에 형성된 복수의 제2배출홀 중 일부의 배출홀은,
    상기 제2플레이트의 모서리로부터 연장되며 소정 길이는 갖는 두 개의 변으로 이루어지는 3개 이상의 구분된 구역상에 배치되는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 구분된 구역 상에 배치되는 제2배출홀들 간의 간격은 상기 구분된 구역 이외에 배치되는 제2배출홀들 간의 간격과 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 구분된 구역 상에 배치되는 제2배출홀들 간의 간격은 상기 구분된 구역 이외에 배치되는 제2배출홀들 간의 간격보다 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  27. 제24항에 있어서,
    상기 구분된 구역 상에 배치되는 제2배출홀의 배치밀도는 상기 구분된 구역 이외에 배치되는 제2배출홀의 배치밀도와 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  28. 제27항에 있어서,
    상기 구분된 구역 상에 배치되는 제2배출홀의 배치밀도는 상기 구분된 구역 이외에 배치되는 제2배출홀의 배치밀도보다 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  29. 제24항에 있어서,
    상기 구분된 구역에 형성된 제2배출홀이 막혀 있는 면적과 상기 제2플레이트 면적의 상대적인 비율에 의하여 정의되는 홀 막음 비율이 소정 범위 내에서 유지되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 구분된 구역은 서로 구분되는 복수의 단위 구역을 포함하며,
    각 단위 구역에서의 홀 막음 비율은 0.5~3 %의 범위 내에 속하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  31. 제24항에 있어서,
    상기 구분된 구역의 제2배출홀의 배치밀도 대비 상기 제2플레이트 전체의 제2배출홀의 배치밀도의 상대적인 비율에 의하여 정의되는 홀 밀도 비율이 소정 범위 내에서 유지되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  32. 제31항에 있어서,
    상기 구분된 구역은 서로 구분되는 복수의 단위 구역을 포함하며,
    각 단위 구역에서의 홀 밀도 비율은 38~48 %의 범위 내에 속하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
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