KR20140132476A - 가스 공급 장치 - Google Patents

가스 공급 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20140132476A
KR20140132476A KR1020130051652A KR20130051652A KR20140132476A KR 20140132476 A KR20140132476 A KR 20140132476A KR 1020130051652 A KR1020130051652 A KR 1020130051652A KR 20130051652 A KR20130051652 A KR 20130051652A KR 20140132476 A KR20140132476 A KR 20140132476A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plate
discharge holes
zone
corner portion
arrangement density
Prior art date
Application number
KR1020130051652A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102067002B1 (ko
Inventor
황철주
강호철
양승용
이명진
이용현
정철우
최재욱
Original Assignee
주성엔지니어링(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주성엔지니어링(주) filed Critical 주성엔지니어링(주)
Priority to KR1020130051652A priority Critical patent/KR102067002B1/ko
Priority to TW103116420A priority patent/TWI640650B/zh
Priority to US14/889,855 priority patent/US20160115595A1/en
Priority to PCT/KR2014/004095 priority patent/WO2014182088A1/ko
Priority to CN201480025607.3A priority patent/CN105209964A/zh
Publication of KR20140132476A publication Critical patent/KR20140132476A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102067002B1 publication Critical patent/KR102067002B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
    • C23C16/5096—Flat-bed apparatus
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 가스 공급장치에 관한 것으로서, 상세하게는 공정 챔버 내의 공정 가스 흐름을 개선하고, 증착층의 균일도를 높일 수 있는 가스 공급장치에 관한 것이다.
이러한 본 발명은, 가스관이 연결되는 리드와; 상기 리드로 유입된 가스를 공정챔버로 배출하는 제1플레이트와; 상기 리드와 상기 제1플레이트 사이에 마련되어 하부로 향하는 가스를 분산시키도록 마련되는 제2 플레이트와, 상기 제1플레이트에 형성되는 복수의 배출홀과; 상기 제2플레이트에 형성되는 복수의 배출홀을 포함하되, 상기 제2플레이트의 코너부에 형성되는 배출홀은 상기 제1플레이트 상의 동일한 위치에 형성되는 코너부의 배출홀과 상이한 상태로 배치되는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치를 제공한다.

Description

가스 공급 장치{A gas supplying apparatus}
본 발명은 가스 공급장치에 관한 것으로서, 상세하게는 공정 챔버 내의 공정 가스 흐름을 개선하고, 증착층의 균일도를 높일 수 있는 가스 공급장치에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시소자는 게이트 배선 및 데이터 배선에 의해 정의된 화소 영역에 박막트랜지스터와 화소전극을 구비한 박막트랜지스터 기판과, 컬러필터층과 공통전극을 구비한 컬러필터 기판과, 두 기판 사이에 개재되는 액정층으로 구성된다.
이러한 기판을 제조하기 위해서는, 유리기판에 원료물질을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토리소그라피 공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 목적하는 대로 패터닝하는 식각공정, 잔류물을 제거하기 위한 세정공정 등을 수 내지 수십 차례 반복하여야 하는데, 이들 각 공정은 해당 공정을 위해최적의 환경이 조성된 챔버 내부에서 진행된다.
도 13은 대표적인 액정표시장치 제조장비인 PECVD 장비의 일반적인 구성을 개략적으로 도시한 것으로서, 일정한 반응공간을 정의하는 공정챔버(10)와, 상기 챔버(10)의 내부에 위치하며 상면에 기판(30)을 안치하는 서셉터(20)와, 다수의 분사구(42)를 구비하는 제1플레이트(41)와, 상기 샤워헤드(41)의 상부에 마련되고 외부의 가스유입관(80)과 연결되는 리드(43)를 포함한다.
상기 리드(43)와 상기 제1플레이트(41)의 사이에는 상기 가스 유입관(80)의 안내를 받아 유입된 공정가스를 상기 제1플레이트(41)로 분산시키는 제2플레이트(50)가 마련되고, 상기 제2플레이트(50)의 하부에는 다수의 제2배출홀(51)이 마련된다.
상기 제2플레이트(50)는 상기 가스 유입관(80)의 토출구 부근을 둘러싸는 형태가 되고, 상기 리드(43)의 하면에 연결되어 있다.
상기 리드(43)는 공정가스에 RF전력을 인가하는 플라즈마 전극으로 사용되며, 상기 리드(43)에는 RF전력을 공급하는 RF전원(60)이 연결되고, 리드(43)와 RF전원(60)의 사이에는 최대 전력이 인가될 수 있도록 임피던스를 매칭하는 임피던스 매칭박스(I.M.B (Impedance Matching Box), 70)가 위치한다.
플라즈마 전극에 대응되는 전극은 접지된 서셉터(20)이며, 서셉터(20)에도 RF전원이 인가될 수 있다.
도14에서 도시한 바와 같이, 상기 제2플레이트(50)에는 제2배출홀(51)이 형성되는데, 상기 제2배출홀(51)은 복수개로 마련되고, 각각 등간격으로 배치되어 있다.
즉, 상기 제2플레이트(50)의 중앙부이든, 그 주변이든, 테두리 부분이든 제2배출홀(51)이 형성되어 있으며, 그 간격은 배치된 위치에 무관하게 등간격인 것이다.
그런데 이와 같이, 제2플레이트(50)의 제2배출홀(51)의 배치밀도가 영역에 무관하게 동일하고, 또한, 제2플레이트(50)의 크기가 상기 샤워 헤드(41)보다 작게 형성된 상태에서, 공정가스가 유입되는 경우 기판에 증착되는 증착층의 두께가 현저하게 불균일하게 된다는 문제점이 있다.
즉, 기판(30)의 중앙부에서 외곽부로 갈 수록 증착층의 높이가 점점 낮아지게 되는데, 그 높이 차이가 10% 이상이 되는 경우가 발생한다.
특히, 공정의 종류가 실리콘 나이트 라이드(SiNx)공정보다 실리콘 옥사이드(SiOx) 공정에서 이러한 경우가 현저하게 나타난다.
이와 같이, 증착층의 균일도가 훼손되는 경우, 개구율, 전하 이동도, 응답속도, 해상도와 같이 액정표시 소자의 품질과 직접적으로 연관되는 요소들을 저하시킨다는 문제점이 있었다
본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위해서 마련된 것으로서, 기판의 증착층의 균일도를 개선함으로써 품질이 높은 액정표시소자를 제공할 수 있는 가스공급장치를 마련하는데 그 목적이 있다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 가스관이 연결되는 리드와;
상기 리드로 유입된 가스를 공정챔버로 배출하는 제1플레이트와; 상기 리드와 상기 제1플레이트 사이에 마련되어 하부로 향하는 가스를 분산시키도록 마련되는 제2 플레이트와, 상기 제1플레이트에 형성되는 복수의 배출홀과; 상기 제2플레이트에 형성되는 복수의 배출홀을 포함하되, 상기 제2플레이트의 코너부에 형성되는 배출홀은 상기 제1플레이트 상의 동일한 위치에 형성되는 코너부의 배출홀과 상이한 상태로 배치되는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치를 제공한다.
상기 코너부에 배치되는 배출홀들 간의 간격은 상기 코너부 이외에 배치되는 배출홀들 간의 간격과 다르게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 코너부에 배치되는 배출홀들 간의 간격은 상기 코너부 이외에 배치되는 배출홀들 간의 간격보다 크게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 코너부에 배치되는 배출홀의 배치밀도는 상기 코너부 이외에 배치되는 배출홀의 배치밀도와 다르게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 코너부에 배치되는 배출홀의 배치밀도는 상기 코너부 이외에 배치되는 배출홀의 배치밀도보다 작게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 코너부에 배치되는 배출홀의 지름은 상기 코너부 이외에 배치되는 배출홀의 지름과 다르게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 코너부에 배치되는 배출홀의 지름은 상기 코너부 이외에 배치되는 배출홀의 지름보다 작게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 제1플레이트의 배출홀의 개수와 상기 제2플레이트의 배출홀의 개수는 서로 다르게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 제1플레이트 중앙부 또는 테두리 부에서의 배출홀의 개수 또는 배치는 상기 제2플레이트의 중앙부 또는 테두리 부에서의 배출홀의 개수 또는 배치와 다르게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 제2플레이트는 중앙부에 형성되는 제1구역과; 상기 제1구역을 둘러싸도록 배치되는 제2구역과, 상기 제2구역의 사방 테두리에 형성되는 제3구역과, 상기 제2플레이트의 코너에 형성되어 상기 코너부를 구성하는 제4구역을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 제1구역의 배출홀의 배치밀도는 상기 제2구역에서의 배출홀의 배치밀도보다 작게 형성되며,
상기 제1구역의 배출홀의 배치밀도는 제2구역의 배출홀의 배치밀도의 절반인 것을 특징으로 한다.
상기 제3구역의 배출홀의 배치밀도는 상기 제2구역에서의 배출홀의 배치밀도 보다 낮은 것을 특징으로 한다.
상기 제3구역의 배출홀의 배치밀도는 제2구역의 배출홀의 배치밀도의 절반인 것을 특징으로 한다.
상기 제1구역의 배출홀의 배치밀도는 상기 제3구역의 배치밀도에 대응되는 것을 특징으로 한다.
상기 코너부에 형성된 배출홀이 막혀 있는 면적과 상기 제2플레이트 전체 면적의 상대적인 비율에 의하여 정의되는 홀 막음 비율이 소정 범위 내에서 유지되는 것을 특징으로 한다.
상기 코너부는 서로 구분되는 복수의 단위 구역을 포함하며,
각 단위 구역에서의 홀 막음 비율은 0.5~3 %의 범위 내에 속하는 것을 특징으로 한다.
상기 코너부의 형태는 직각 삼각형 형태로 마련되는 것을 특징으로 하며,
상기 코너부는 상기 제2플레이트의 모든 코너에 마련되는 것을 특징으로 한다.
상기 코너부의 형태는 호 형태로 마련되는 것을 특징으로 하며,
상기 코너부는 상기 제2플레이트의 모든 코너에 마련되는 것을 특징으로 한다.
상기 코너부의 형태는 계단 형태로 마련되는 것을 특징으로 하며,
상기 코너부는 상기 제2플레이트의 모든 코너에 마련되는 것을 특징으로 한다.
상기 코너부의 배출홀의 배치밀도 대비 제2플레이트 전체의 배출홀의 배치밀도의 상대적인 비율에 의하여 정의되는 홀 밀도 비율이 소정 범위 내에서 유지되는 것을 특징으로 한다.
상기 코너부는 서로 구분되는 복수의 단위 구역을 포함하며,
각 단위 구역에서의 홀 밀도 비율은 38~48 %의 범위 내에 속하는 것을 특징으로 한다.
상기 제2플레이트의 크기는 상기 제2플레이트의 크기에 대응되게 마련되며,
상기 제2플레이트의 단부에는 가스의 누수를 방지하고 상기 리드의 내면과 접촉하는 실링 부재 또는 차폐부재가 마련되는 것을 특징으로 한다.
상기 제2플레이트와 상기 제1플레이트 간에 간격이 형성되고,
상기 제2플레이트와 상기 리드 간에 간격이 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 국면에 의하면, 가스관이 연결되는 리드와;
상기 리드로 유입된 가스를 공정챔버로 배출하는 제1배출홀이 형성되는 제1플레이트와;
상기 리드와 상기 제1플레이트 사이에 마련되어 상기 제1플레이트로 향하는 가스를 분산시키도록 복수의 제2배출홀이 형성되는 제2플레이트를 포함하되,
상기 제2플레이트에 형성된 복수의 제2배출홀 중 일부의 배출홀은,
상기 제2플레이트의 모서리로부터 연장되며 소정 길이는 갖는 두 개의 변으로 이루어지는 3개 이상의 구분된 구역상에 배치되는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치를 제공한다.
상기 구분된 구역 상에 배치되는 제2배출홀들 간의 간격은 상기 구분된 구역 이외에 배치되는 제2배출홀들 간의 간격과 다르게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 구분된 구역 상에 배치되는 제2배출홀들 간의 간격은 상기 구분된 구역 이외에 배치되는 제2배출홀들 간의 간격보다 크게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 구분된 구역 상에 배치되는 제2배출홀의 배치밀도는 상기 구분된 구역 이외에 배치되는 제2배출홀의 배치밀도와 다르게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 구분된 구역 상에 배치되는 제2배출홀의 배치밀도는 상기 구분된 구역 이외에 배치되는 제2배출홀의 배치밀도보다 작게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 구분된 구역에 형성된 제2배출홀이 막혀 있는 면적과 상기 제2플레이트 면적의 상대적인 비율에 의하여 정의되는 홀 막음 비율이 소정 범위 내에서 유지되는 것을 특징으로 한다.
상기 구분된 구역은 서로 구분되는 복수의 단위 구역을 포함하며,
각 단위 구역에서의 홀 막음 비율은 0.5~3 %의 범위 내에 속하는 것을 특징으로 한다.
상기 구분된 구역의 제2배출홀의 배치밀도 대비 상기 제2플레이트 전체의 제2배출홀의 배치밀도의 상대적인 비율에 의하여 정의되는 홀 밀도 비율이 소정 범위 내에서 유지되는 것을 특징으로 한다.
상기 구분된 구역은 서로 구분되는 복수의 단위 구역을 포함하며,
각 단위 구역에서의 홀 밀도 비율은 38~48 %의 범위 내에 속하는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 본 발명에 의하여 기판의 증착층 두께의 전체적인 균일도를 확보할 수 있다.
따라서, 개구율과 전하이동도, 응답속도, 해상도가 증착층 전체에 대해서 균등해질 수 있고, 액정표시장치 전체의 품질도 높일 수 있다는 장점이 있다.
도1은 본 발명에 의한 가스 공급장치의 사시도이다.
도2는 본 발명의 의한 가스 공급장치에 설치된 제2플레이트의 제1실시예의 평면도이다.
도3은 본 발명의 의한 가스 공급장치에 설치된 제2플레이트의 제2실시예의 평면도이다.
도4는 본 발명의 의한 가스 공급장치에 설치된 제2플레이트의 제3실시예의 평면도이다.
도5는 도4에 의한 가스 공급장치에 의하여 구현되는 증착층의 단면도이다.
도6은 본 발명의 의한 가스 공급장치에 설치된 제2플레이트의 제4실시예의 평면도이다.
도7은 본 발명의 의한 가스 공급장치에 설치된 제2플레이트의 제5실시예의 평면도이다.
도8은 본 발명의 의한 가스 공급장치에 설치된 제2플레이트의 제6실시예의 평면도이다.
도9는 도8에 의한 가스 공급장치에 의하여 구현되는 증착층의 단면도이다.
도10은 본 발명의 의한 가스 공급장치에 설치된 제2플레이트의 제7실시예의 평면도이다.
도11은 본 발명의 의한 가스 공급장치에 설치된 제2플레이트의 제8실시예의 평면도이다.
도12는 본 발명에 의한 가스 공급장치의 확대 사시도이다.
도13은 종래 기술에 의한 가스 공급장치의 도면이다.
도14는 종래 기술에 의한 제2플레이트의 평면도이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 알아보도록 하겠다.
도1에서 도시한 바와 같이, 증착공정이 수행되는 공정챔버(110)의 하부에는 기판(130)이 배치되는 서셉터(120)가 마련되고, 상기 공정챔버(110)의 상부에는 가스 공급장치(140)가 마련된다.
상기 가스공급장치(140)는 리드(143)와, 상기 리드(143)의 하부에 마련되는 제1플레이트(141)와, 제2플레이트(150)로 구성된다.
상기 제1플레이트(141)는 제1샤워헤드가 되고, 제2플레이트(150)는 상기 제2샤워헤드가 되며, 상기 제2플레이트(150)는 공정가스를 분산시키는 디퓨저 역할을 수행한다.
상기 리드(143)와 상기 제1플레이트(141)에 의하여 둘러싸이는 공간은 버퍼 챔버로 정의되는데, 상기 버퍼 챔버에 일시적으로 수용된 공정가스는 상기 상기 제1플레이트(141)에 의하여 상기 공정챔버(110) 내로 배출된다.
상기 리드(143)는 가스 공급관(180)과 연결되는데, 상기 가스공급관(180)에 의하여 유입된 공정가스는 상기 제2플레이트(150)와 만나서 여러 방향으로 분산되고, 분산된 공정가스는 상기 제1플레이트(141)로 이동한 후, 상기 공정챔버(110)로 이동한다.
상기 리드(143)는 공정가스에 RF전력을 인가하는 플라즈마 전극으로 사용되며, 상기 리드(143)에는 RF전력을 공급하는 RF전원(160)이 연결되고, 리드(143)와 RF전원(160)의 사이에는 최대 전력이 인가될 수 있도록 임피던스를 매칭하는 임피던스 매칭박스(I.M.B (Impedance Matching Box), 170)가 위치한다.
플라즈마 전극에 대응되는 전극은 접지된 서셉터(120)이며, 서셉터(120)에도 RF전원이 인가될 수 있다.
상기 제1플레이트(141)에는 제1배출홀(142)이 다수 마련되고, 상기 제2플레이트(150)에도 공정가스가 분산되어 배출될 수 있는 제2배출홀(151)이 다수 마련된다.
상기 제1플레이트(141)와 상기 제2플레이트(150)는 일정 간격 이격되는 것이 필요한데, 이는 공정가스의 원활한 분산을 위해서 그러하다.
이격되는 거리는 상황에 따라 달라질 수 있으나, 5~7 mm 정도의 이격거리정도면 바람직할 것이다.
상기 제2플레이트(150)의 면적 또는 크기는 상기 제2플레이트(141)의 면적 또는 크기와 거의 동일하거나, 유사하게 대응되는 것이 바람직하다.
이는 상기 제2플레이트(150)상에서의 공정가스 유동면적과, 상기 제1샤워 헤드(141) 상에서의 공정가스의 유동면적이 거의 동일하거나 유사하게 될 수 있게 하여, 기판의 중심과 외곽 부분에 증착되는 층의 높이가 균일하게 형성될 수 있도록 하기 위함이다.
상기 제2플레이트(150)와 상기 리드(143) 간의 공간을 제1버퍼챔버(C1)이라고 정의하고, 상기 제2플레이트(150)와 상기 제1플레이트(141)간의 공간을 제2버퍼 챔버(C2)라고 정의하는 경우, 상기 제1버퍼챔버(C1)의 면적과, 상기 제2버퍼챔버(C2)의 면적이 거의 동일하거나, 유사하게 되는 것이 바람직하다는 의미이다.
따라서, 상기 가스 유입관(180)의 안내를 받아서 들어온 공정가스는 우선 상기 제1버퍼챔버(C1)에 유입되고, 그 중앙부 뿐만 아니라 외곽부까지 확산된 상태에서 상기 제2플레이트(150)를 통과한다.
이후, 상기 제2플레이트(150)를 통과한 공정가스는 상기 제2버퍼챔버(C2)로 유입되고 그 내부에서 확산되고 혼합된 후, 상기 제1플레이트(141)를 통과하여 상기 공정챔버(110)로 유입된다.
상기 제2플레이트(150)의 각 모서리 부분에는 코너부가 형성되는데, 상기 코너부는 후술하는 제4구역(Ⅳ)에 대응되는 부분이다.
상기 코너부에 형성되는 제2배출홀(151)은 상기 코너부가 아닌 다른 구역에 있는 제2배출홀과 비교할 때 그 배치형태가 다르다.
즉, 제2배출홀(151)의 배치밀도가 다른 구역 보다 더 적게 형성되는데, 이는 상기 제2배출홀(151)간의 간격이 더 크게 형성된다는 의미이다.
또는 코너부에 형성되는 제2배출홀(151)의 지름은 다른 구역에 형성되는 제2배출홀(151)의 지름에 비하여 작게 형성될 수도 있다.
그리고, 상기 제2플레이트(150)의 코너부에 대응되는 상기 제1플레이트(141)의 부분(일종의 코너부)에 제1배출홀(142)이 형성된다.
제1플레이트(141)의 코너부에 형성되는 제1배출홀(142)의 배치상태와 제2플레이트(150)의 코너부에 형성되는 제2배출홀(151)의 배치상태가 다른 것이 바람직하다.
각 코너부 상에서, 상기 제2배출홀(151)의 배치밀도가 상기 제1배출홀(142)보다 낮은 값을 갖거나, 상기 제2배출홀(151)간의 간격이 상기 제1배출홀(142)보다 크게 형성되거나, 상기 제2배출홀(151)의 지름이 상기 제1배출홀(142)보다 작게 형성될 수 있다.
한편, 상기 제1플레이트(141)의 제1배출홀(142)의 개수와 상기 제2플레이트(150)의 제2배출홀(151)의 개수나 홀의 패턴은 상이하게 될 수 있다.
상기 홀의 패턴이나 개수는 상기 제1플레이트(141) 및 상기 제2플레이트(150)의 코너부에서 달라질 수 있을 뿐 아니라, 네 변의 테두리부 또는 중앙부에서 달라질 수도 있다.
여기서 상기 제1버퍼챔버(C1) 및 상기 제2버퍼챔버(C2)의 전방이 개방된 것으로 도시되어 있으나, 이는 도면에서 구성이 보다 쉽게 구별되도록 하기 위한 것이다.
원래는 상기 리드(143)에 의하여 밀폐되어야 하는 구조이다.
도2는 본 발명의 제2플레이트(150)의 제1실시예를 도시한 것이다.
상기 제2플레이트(150)의 모양은 직사각형으로 표현되었으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 제2플레이트(150)는 여러개의 구역으로 구분될 수 있다.
즉, 상기 제2플레이트(150)의 중앙부에 소정의 면적을 갖는 제1구역(Ⅰ)과, 상기 제1구역(Ⅰ)을 둘러싸면서, 상기 제2플레이트(150)의 가장 넓은 면적을 차지하는 제2구역(Ⅱ), 그리고, 상기 제2플레이트(150)의 각 변의 외곽 테두리에 인접하게 마련되며, 제2구역(Ⅱ)의 외곽 쪽에 배치되는 제3구역(Ⅲ)과, 상기 제2플레이트(150)의 각 코너 부분에 삼각형 형태로 마련되고, 상기 제3구역(Ⅲ) 및 상기 제2구역(Ⅱ)과 인접하여 상기 코너부를 형성하는 제4구역(Ⅳ)으로 구분될 수 있다.
상기 제3구역(Ⅲ)은 세로 방향으로 배치되는 두 개의 3-1구역(Ⅲ-1)과, 세로 방향으로 배치되는 두 개의 3-2구역(Ⅲ-2)로 상세히 구분될 수 있다.
제1구역(Ⅰ)의 넓이가 상기 제2플레이트(150)의 전체 면적의 12.5%정도가 되도록 하고, 상기 제3구역(Ⅲ) 중 3-1구역(Ⅲ-1)은 상기 제2플레이트(150)의 전체 면적의 6.5%정도를 차지하고 상기 3-2구역(Ⅲ-2)은 전체 면적의 5% 정도를 차지할 수 있도록 하는 것이 일 예가 될 수 있다.
한편, 제4구역(Ⅳ)은 직각 삼각형 형태로 되어 있으며 4개의 코너에 각각 마련되어 있다.
상기 제4구역(Ⅳ)의 형태는 직각 삼각형의 형태에만 국한되지 않으며, 상기 제2플레이트(150)의 각각의 모서리에서 시작되는 두 개의 변이 포함된 여러가지 형태의 면으로 구현될 수 있다.
즉, 삼각형 이외에도, 호 형, 또는 계단형 형태로 구현될 수 있는데, 이러한 다양한 형태에 대해서는 후술한다.
따라서, 상기 제4구역(Ⅳ)을 코너부이라고도 정의할 수 있다.
제1실시예의 특징은 상기 제4구역(Ⅳ)에서의 상기 제2배출홀(151)의 배치 밀도가 제1~3구역에서의 상기 제2배출홀(151)의 밀도에 비하여 작다는 것이다.
이는 중앙부 및 최 외곽부에서 공정가스의 밀도가 높아지기 때문에, 이에 의한 증착층의 균일도 훼손을 방지하기 위함이다.
제2플레이트(150)의 모든 구역에서 상기 제2배출홀(151)의 밀도가 동일하다면, 기판의 중앙부와 최와곽부에서의 증착층의 두께가 현저하게 두꺼워지고, 그 사이의 지점에서는 그 두께가 얇아지게 될 것이다.
따라서, 상기 제2플레이트(150)의 외곽 부분의 제2배출홀(151)의 배치밀도를 상대적으로 작게함으로써 증착층의 두께의 균일도를 확보할 수 있다.
여기서, 상기 제1~3구역에서의 제2배출홀(151)의 배치밀도 또는 간격에 비하여, 상기 제4구역(Ⅳ)의 배치밀도가 그 절반정도가 되거나 그 간격이 두 배 정도 되는 것이 바람직하다.
즉, 특정단위면적당 제1~3구역에서의 제2배출홀의 갯수가 10개라고 한다면, 상기 제4구역(Ⅳ)의 제2배출홀의 갯수는 5개 정도인 것이 바람직하다.
상기 제4구역(Ⅳ)이 적어도 3개, 구체적으로는 4개의 단위 구역으로 각각 구분되는 경우, 하나의 단위 구역에 형성된 제2배출홀(151)의 밀도가 전체 제2플레이트(150)의 제2배출홀(151)의 밀도와 비교하여 일정 비율 범위를 유지하는 경우, 기판 상에 증착된 가장 얇은 부분의 두께와 가장 두꺼운 부분의 두께의 오차가 10% 이하로 떨어질 수 있게 된다.
도3은 제2플레이트(150)의 제2실시예를 도시한 것이다.
여기서, 제2플레이트(150)의 제4구역(Ⅳ) 뿐만 아니라, 제3구역(Ⅲ)의 제2배출홀(151)의 배치밀도가 제1구역(Ⅰ) 및 제2구역(Ⅱ)에서의 제2배출홀(151)의 배치밀도에 비하여 작게 형성되는 것이 특징이다.
따라서, 제2배출홀(151)의 배치밀도는 상기 제2플레이트(150)의 중앙부에서 외곽(모서리 및 변)으로 가면서 감소하는 형태가 된다.
이 또한, 제1실시예와 마찬가지로 중앙부 및 최 외곽부에서 공정가스의 밀도가 높아지기 때문에, 이에 의한 증착층의 균일도 훼손을 방지하기 위함이다.
제2플레이트(150)의 모든 구역에서 제2배출홀(151)의 밀도가 동일하다면, 기판의 중앙부와 최와곽부에서의 증착층의 두께가 현저하게 두꺼워지고, 그 사이의 지점에서는 그 두께가 얇아지게 될 것이다.
따라서, 상기 제2플레이트(150)의 외곽 부분의 제2배출홀(151)의 배치밀도를 상대적으로 작게 함으로써 증착층의 두께의 균일도를 확보할 수 있다.
여기서, 상기 제1~2구역에서의 제2배출홀(151) 배치밀도에 비하여, 상기 제3~4구역에서의 제2배출홀(151) 배치밀도가 그 절반정도가 되는 것이 바람직하다.
즉, 특정단위면적당 제1~2구역에서의 제2배출홀의 갯수가 10개라고 한다면, 상기 제3~4구역의 제2배출홀의 갯수는 5개 정도인 것이 바람직하다.
제2실시예에서도, 제4구역(Ⅳ)이 4개의 단위 구역으로 각각 구분되는 경우, 하나의 단위 구역에 형성된 제2배출홀(151)의 밀도가 전체 제2플레이트(150)의 제2배출홀(151)의 밀도와 비교하여 일정 비율 범위를 유지하는 경우, 기판 상에 증착된 가장 얇은 부분의 두께와 가장 두꺼운 부분의 두께의 오차가 10% 이하로 떨어질 수 있게 된다.
도4는 제2플레이트(150)의 제3실시예를 도시한 것이다.
여기서, 제2플레이트(150)의 제4구역(Ⅳ) 뿐만 아니라, 제3구역(Ⅲ)의 제2배출홀(151)의 배치밀도 및 제1구역(Ⅰ)의 상기 제2배출홀(151)의 배치밀도가 상기 제2구역(Ⅱ)에서의 제2배출홀(151)의 배치밀도에 비하여 작게 형성되는 것이 특징이다.
따라서, 제2배출홀(151)의 배치밀도는 상기 제2플레이트(150)의 중앙부에서 외곽(모서리 및 변)으로 가면서 감소하는 형태가 된다.
이 또한, 제1 및 제2실시예와 마찬가지로 중앙부 및 최 외곽부에서 공정가스의 밀도가 높아지기 때문에, 이에 의한 증착층의 균일도 훼손을 방지하기 위함이다.
제2플레이트(150)의 모든 구역에서 제2배출홀(151)의 밀도가 동일하다면, 기판의 중앙부와 최와곽부에서의 증착층의 두께가 현저하게 두꺼워지고, 그 사이의 지점에서는 그 두께가 얇아지게 될 것이다.
따라서, 상기 제2플레이트(150)의 외곽 부분의 제2배출홀(151)의 배치밀도를 상대적으로 작게함으로써 증착층의 두께의 균일도를 확보할 수 있다.
여기서, 상기 제2구역(Ⅱ)에서의 제2배출홀(151) 배치밀도에 비하여, 상기 제1구역(Ⅰ) 구역 및 제3~4구역에서의 제2배출홀(151) 배치밀도가 그 절반정도가 되는 것이 바람직하다.
즉, 특정단위면적당 제2구역(Ⅱ)에서의 제2배출홀의 갯수가 10개라고 한다면, 상기 제1구역 및 제3~4구역의 제2배출홀의 갯수는 5개 정도인 것이 바람직하다.
상기 제3실시예에서, 제2배출홀의 배치밀도는 중앙부에서 외곽으로 갈 수록 작은 값 - 큰 값 - 작은 값을 갖도록 하는 것이 특징이다.
제3실시예에서도, 제4구역(Ⅳ)이 4개의 단위 구역으로 각각 구분되는 경우, 하나의 단위 구역에 형성된 제2배출홀의 밀도가 전체 제2플레이트의 제2배출홀의 밀도와 비교하여 일정 비율 범위를 유지하는 경우, 기판 상에 증착된 가장 얇은 부분의 두께와 가장 두꺼운 부분의 두께의 오차가 10% 이하로 떨어질 수 있게 된다.
도5에서 도시한 바와 같이, 제4구역(Ⅳ)을 이루는 하나의 단위 구역에서 특정 단위 면적당 형성된 제2배출홀(151)의 배치밀도가 상기 제2플레이트(150)에서의 특정 단위 면적당 형성된 제2배출홀(151) 배치밀도에 비하여 38%~48%를 유지하는 경우, 기판 상에 증착된 가장 얇은 부분의 두께와 가장 두꺼운 부분의 두께의 오차가 10% 이하를 유지할 수 있다.
도5에서 가장 왼쪽이 제2플레이트(150)의 일 코너 부분(도4참조, A)에 대응되는 기판의 증착층의 두께이고, 가장 오른쪽이 제2플레이트(150)의 중앙 부분(도4참조, B)에 대응되는 기판의 증착층의 두께이다.
그리고, 도5에서 적색의 박스는 증착층의 오차가 10% 이하로 되는 영역을 의미한다.
도6은 본 발명의 제4실시예를 도시하고 있다.
제4실시예에서도, 상기 제2플레이트(150)의 모양은 직사각형으로 표현되었으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 제2플레이트(150)는 여러개의 구역으로 구분될 수 있다.
즉, 상기 제2플레이트(150)의 중앙부에 소정의 면적을 갖는 제1구역(Ⅰ)과, 상기 제1구역(Ⅰ)을 둘러싸면서, 상기 제2플레이트(150)의 가장 넓은 면적을 차지하는 제2구역(Ⅱ), 그리고, 상기 제2플레이트(150)의 각 변의 외곽 테두리에 인접하게 마련되며, 제2구역(Ⅱ)의 외곽 쪽에 배치되는 제3구역(Ⅲ)과, 상기 제2플레이트(150)의 각 코너 부분에 삼각형 형태로 마련되고, 상기 제3구역(Ⅲ) 및 상기 제2구역(Ⅱ)과 인접하는 제4구역(Ⅳ)으로 구분될 수 있다.
상기 제3구역(Ⅲ)은 세로 방향으로 배치되는 두 개의 3-1구역(Ⅲ-1)과, 세로 방향으로 배치되는 두 개의 3-2구역(Ⅲ-2)로 상세히 구분될 수 있다.
제1구역(Ⅰ)의 넓이가 상기 제2플레이트(150)의 전체 면적의 12.5%정도가 되도록 하고, 상기 제3구역(Ⅲ) 중 3-1구역(Ⅲ-1)은 상기 제2플레이트(150)의 전체 면적의 6.5%정도를 차지하고 상기 3-2구역(Ⅲ-2)은 전체 면적의 5% 정도를 차지할 수 있도록 하는 것이 일 예가 될 수 있다.
한편, 제4구역(Ⅳ)은 직각 삼각형 형태로 되어 있으며 4개의 코너에 각각 마련되어 있다.
상기 제4구역(Ⅳ)의 형태는 직각 삼각형의 형태에만 국한되지 않으며, 상기 제2플레이트(150)의 각각의 모서리에서 시작되는 두 개의 변이 포함된 여러가지 형태의 면으로 구현될 수 있다.
즉, 삼각형 이외에도, 호 형, 또는 계단형 형태로 구현될 수 있는데, 이러한 다양한 형태에 대해서는 후술한다.
제4실시예로부터 도출되는 특징은 상기 제4구역에서의 상기 제2배출홀(151)이 원래 있어야할 곳 중 막힌 곳(검은 색 점으로 표시)의 면적과 상기 제2플레이트(150)의 전체면적과의 비율(막힌 곳 면적/전체 면적)이 기판의 외곽 부분에서의 증착층의 두께를 결정한다는 것이다.
즉, 상기 제4구역(Ⅳ)이 4개의 단위 구역으로 각각 구분되는 경우, 하나의 단위 구역에 형성된 제2배출홀 중 일부가 막히고, 그 막힌 부분(검은색 점으로 표시됨)의 면적과 전체 제2플레이트(150)의 면적의 비율이 일정 범위를 유지하는 경우, 기판 상에 증착된 가장 얇은 부분의 두께와 가장 두꺼운 부분의 두께의 오차가 10% 이하로 떨어질 수 있게 된다.
여기서, 상기 제4구역(Ⅳ)에서만 복수의 제2배출홀(151)의 일부가 뚫린 상태가 되고 나머지 일부는 막힌 상태를 유지하며, 나머지 구역(1~3구역)에서는 제2배출홀(151)이 모두 뚫린 상태를 유지한다.
이 또한, 제1~3실시예와 마찬가지로 중앙부 및 최외곽부에서 공정가스의 밀도가 높아지기 때문에, 이에 의한 증착층의 균일도 훼손을 방지하기 위함이다.
제2플레이트(150)의 모든 구역에서 제2배출홀(151)의 밀도가 동일하다면, 기판의 중앙부와 최외곽부에서의 증착층의 두께가 현저하게 두꺼워지고, 그 사이의 지점에서는 그 두께가 얇아지게 될 것이다.
따라서, 상기 제2플레이트(150)의 외곽 부분의 제2배출홀(151)의 배치밀도를 상대적으로 작게함으로써 증착층의 두께의 균일도를 확보할 수 있다.
도7은 본 발명의 제5실시예를 나타내고 있다.
제5실시예에서는 제4구역(Ⅳ) 및 제3구역(Ⅲ)에서 상기 제2배출홀(151)의 일부가 막혀 있는 상태임에 반해, 제1,2구역(Ⅰ,Ⅱ)에서는 상기 제2배출홀(151)이 모두 뚫려 있는 상태를 유지하고 있다.
따라서, 제4구역(Ⅳ) 및 제3구역(Ⅲ)에서의 상기 제2배출홀(151)의 배치밀도는 상기 제1,2구역(Ⅰ,Ⅱ)에 비하여 작게 형성된다.
이 또한, 제1~4실시예와 마찬가지로 중앙부 및 최외곽부에서 공정가스의 밀도가 높아지기 때문에, 이에 의한 증착층의 균일도 훼손을 방지하기 위함이다.
제2플레이트(150)의 모든 구역에서 제2배출홀(151)의 밀도가 동일하다면, 기판의 중앙부와 최외곽부에서의 증착층의 두께가 현저하게 두꺼워지고, 그 사이의 지점에서는 그 두께가 얇아지게 될 것이다.
따라서, 상기 제2플레이트(150)의 외곽 부분의 제2배출홀(151)의 배치밀도를 상대적으로 작게 함으로써 증착층의 두께의 균일도를 확보할 수 있다.
이 또한, 제1~4실시예와 마찬가지로 중앙부 및 최외곽부에서 공정가스의 밀도가 높아지기 때문에, 이에 의한 증착층의 균일도 훼손을 방지하기 위함이다.
제2플레이트(150)의 모든 구역에서 제2배출홀(151)의 밀도가 동일하다면, 기판의 중앙부와 최외곽부에서의 증착층의 두께가 현저하게 두꺼워지고, 그 사이의 지점에서는 그 두께가 얇아지게 될 것이다.
따라서, 상기 제2플레이트(150)의 외곽 부분의 제2배출홀(151)의 배치밀도를 상대적으로 작게함으로써 증착층의 두께의 균일도를 확보할 수 있다.
도8은 본 발명의 제6실시예를 나타내고 있다.
제6실시예에서는 제4구역(Ⅳ) 및 제3구역(Ⅲ) 및 제1구역(Ⅰ)에서 상기 제2배출홀(151)의 일부가 막혀 있는 상태임에 반해, 제2구역(Ⅱ)에서는 상기 제2배출홀(151)이 모두 뚫려 있는 상태를 유지하고 있다.
따라서, 제4구역(Ⅳ) 및 제3구역(Ⅲ), 제1구역(Ⅰ)에서의 상기 제2배출홀(151)의 배치밀도는 상기 제1,2구역(Ⅱ)에 비하여 작게 형성된다.
이 또한, 제1~5실시예와 마찬가지로 중앙부 및 최외곽부에서 공정가스의 밀도가 높아지기 때문에, 이에 의한 증착층의 균일도 훼손을 방지하기 위함이다.
제2플레이트(150)의 모든 구역에서 제2배출홀(151)의 밀도가 동일하다면, 기판의 중앙부와 최외곽부에서의 증착층의 두께가 현저하게 두꺼워지고, 그 사이의 지점에서는 그 두께가 얇아지게 될 것이다.
따라서, 상기 제2플레이트(150)의 외곽 부분 및 중앙부분에서의 제2배출홀(151)의 배치밀도를 상대적으로 작게 함으로써 증착층의 두께의 균일도를 확보할 수 있다.
도9에서 도시한 바와 같이, 제4구역(Ⅳ)을 이루는 하나의 단위 구역에서 형성된 제2배출홀(151) 중 막힌 부분의 면적이 상기 제2플레이트(150) 전체 면적에 비하여 0.5~3 %를 유지하는 경우, 기판 상에 증착된 가장 얇은 부분의 두께와 가장 두꺼운 부분의 두께의 오차가 10% 이하를 유지할 수 있다.
도9에서 가장 왼쪽이 제2플레이트(150)의 일 코너 부분(도8참조, A)에 대응되는 기판의 증착층의 두께이고, 가장 오른쪽이 제2플레이트(150)의 중앙 부분(도8참조, B)에 대응되는 기판의 증착층의 두께이다.
그리고, 도9에서 적색의 박스는 증착층의 오차가 10% 이하로 되는 영역을 의미한다.
제4구역(Ⅳ)은 4개의 단위 구역으로 나뉘어져 있기 때문에, 1개의 단위 구역에서의 제2배출홀(151)의 막힌 면적의 비율이 상기 제2플레이트(150) 전체 면적 대비 0.5~3%인 경우, 제4구역(Ⅳ) 전체에서 제2배출홀(151)의 막힌 면적의 비율은 상기 제2플레이트(150) 전체 면적대비 2~12%가 되는 것이 바람직하다.
여기서 제2배출홀(151)을 막는다는 것은 이미 형성된 제2배출홀을 막는 것이라기보다는 제2배출홀(151)이 형성 되어야할 부분에 제2배출홀(151)을 형성하지 않는 것, 즉 타공하지 않는 것을 의미하는 것으로 해석하는 것이 바람직하다.
도10은 본 발명의 제7실시예를 도시한 것으로서, 상기 제4구역(Ⅵ)의 형태가 직각 삼각형 형태가 아닌 호 형태로 구현되는 것을 도시한 것이며, 도11은 본 발명의 제8실시예를 도시한 것으로서, 제4구역(Ⅵ)의 형태가 직각 삼각형이나 호 형태가 아닌 계단 형태로 구현된 것으로 도시한 것이다.
상기 제4구역(Ⅵ)의 형태가 직각 삼각형 형태가 아닌 것을 제외한 특징은 상기 제1 내지 제6실시예와 동일하므로 이에 대한 구체적인 설명은 중복을 피하기 위하여 생략하기로 하겠다.
도12에서 도시한 바와 같이, 상기 제2플레이트(150)와 상기 제1플레이트(141) 간에 반드시 간격이 유지되어야 하고, 상기 제2플레이트(150)와 상기 리드(143) 간에도 반드시 간격이 유지되어야 한다.
이때, 이러한 간격들을 유지하기 위한 스페이서(미도시) 등이 배치되는 것이 바람직하다.
상기 제2플레이트(150)의 테두리에는 상기 제2플레이트(150) 방향으로 유입된 공정가스가 상기 제2배출홀(151) 이외의 방향으로 누출되는 것을 방지하기 위한 차폐부재 또는 실링부재(152)가 마련되는 것이 바람직하다.
상기 차폐부재 또는 실링부재(152)는 상기 리드(143)와 접촉하여, 그 접촉된 부분으로 공정가스가 새는 것을 방지한다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 동작에 대하여 알아보도록 하겠다.
도1에서 도시한 바와 같이, 증착공정을 수행하기 위해서 상기 가스 유입관(180)을 따라서 공정가스가 유입되고, 아울러 상기 RF전원(160)에 전력이 인가된다.
상기 가스 유입관(180)을 따라 이동한 공정가스는, 상기 제1버퍼챔버(C1)에 일시 수용되는데, 제1버퍼챔버(C1)의 면적이 상기 가스 유입관(180)의 토출구의 면적에 비하여 현저하게 넓기 때문에 빠르게 확산된다.
상기 제1버퍼챔버(C1)에서 확산된 공정가스는 상기 제2플레이트(150)위에서 유동하면서, 상기 제2플레이트(150)의 제2배출홀(151)을 통과하면서, 상기 제1버퍼 챔버(C2)로 이동한다.
상기 제2플레이트(150)에 형성된 제2배출홀(151)의 배치형태는 상기 제2플레이트(150)의 모든 표면에 균일한 간격으로 형성되는 것이 아니라 국부적으로 다른 밀도를 갖도록 되어 있다.
즉, 도2 또는 도4와 같이, 상기 제2플레이트(150)의 중앙 부분(제1구역) 및 그 외곽 부분(제3,4구역)의 홀의 배치밀도가 다른 구역(제2구역)에 비하여 낮은 상태가 되는 것이 특징이다.
상기 제2플레이트(150)의 중앙부분은 상기 가스 유입관(180)의 토출구와 인접하는 부분이므로 공정가스가 집중적으로 통과하려는 부분이다. 따라서, 제2배출홀(151)의 밀도가 제2구역과 동일하게 되면, 통과하는 가스의 양이 많아지고, 아울러 상기 샤워헤드(141)의 중앙부분을 통과하는 가스의 양이 많아진다.
따라서, 상기 기판(130)의 중앙에 누적되는 증착층의 두께가 다른 곳에 비하여 현저하게 두꺼워 질 수 있다.
이와 같이 기판(130)의 중앙부에서의 증착층 두께가 불균형적으로 두꺼워지는 것을 방지하기 위하여 상기 제2플레이트(150)의 중앙부(제1구역)에서의 밀도를 다른 구역(제2구역)보다 작게 하는 것이 필요하다.
한편, 제2플레이트(150)의 외곽부분은 확산되는 가스가 빠른 확산속도에 따른 관성에 의하여 집중될 수 있는 부분이다.
따라서, 제2배출홀(151)의 밀도가 제2구역과 동일하게 되면, 통과하는 가스의 양이 많아지고, 아울러 상기 제1플레이트(141)의 외곽부분을 통과하는 가스의 양이 많아진다.
따라서, 상기 기판(130)의 외곽 부분에 누적되는 증착층의 두께가 다른 곳에 비하여 현저하게 두꺼워 질 수 있다.
이와 같이 기판(130)의 외곽부분에서의 증착층 두께가 불균형적으로 두꺼워지는 것을 방지하기 위하여 상기 제2플레이트(150)의 외곽부(제3,4구역)에서의 밀도를 다른 구역(제2구역)보다 작게 하는 것이 필요하다.
이와 같이 상기 제2플레이트(150)의 중앙부와 외곽부에서의 제2배출홀(151)의 밀도를 다른 부분보다 낮게 함으로써 도5 또는 도9에서 나타난 바와 같이, 기판의 증착층 중 가장 두꺼운 곳의 두께와 가장 얇은 곳의 두께 간의 차이(균일도)가 10% 이하로 할 수 있는 것이 가능하다.
이와 같이 10% 이하의 균일도가 확보되는 경우, 개구율과 전하이동도, 응답속도, 해상도가 증착층 전체에 대해서 균등해질 수 있고, 액정표시장치 전체의 품질도 높일 수 있다는 장점이 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 한하여 설명하였으나, 이 밖에도 당업자에 의해 다양하게 수정 내지 변형되어 실시될 수 있는 것이며, 그러한 실시내용도 후술하는 특허청구범위에 기술된 본 발명의 기술적 사상을 포함하는 것이라면 본 발명의 권리범위에 속하게 됨은 당연하다 할 것이다.
110: 공정챔버 120: 서셉터
130: 기판 140: 가스공급장치
141: 제1플레이트 142: 제1배출홀
143: 리드 150: 제2플레이트
151: 제2배출홀 153: 실링부재 또는 차폐부재

Claims (32)

  1. 가스관이 연결되는 리드와;
    상기 리드로 유입된 가스를 공정챔버로 배출하는 제1플레이트와;
    상기 리드와 상기 제1플레이트 사이에 마련되어 하부로 향하는 가스를 분산시키도록 마련되는 제2 플레이트와,
    상기 제1플레이트에 형성되는 복수의 배출홀과;
    상기 제2플레이트에 형성되는 복수의 배출홀을 포함하되,
    상기 제2플레이트의 코너부에 형성되는 배출홀은 상기 제1플레이트 상의 동일한 위치에 형성되는 코너부의 배출홀과 상이한 상태로 배치되는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 코너부에 배치되는 배출홀들 간의 간격은 상기 코너부 이외에 배치되는 배출홀들 간의 간격과 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 코너부에 배치되는 배출홀들 간의 간격은 상기 코너부 이외에 배치되는 배출홀들 간의 간격보다 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 코너부에 배치되는 배출홀의 배치밀도는 상기 코너부 이외에 배치되는 배출홀의 배치밀도와 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 코너부에 배치되는 배출홀의 배치밀도는 상기 코너부 이외에 배치되는 배출홀의 배치밀도보다 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 코너부에 배치되는 배출홀의 지름은 상기 코너부 이외에 배치되는 배출홀의 지름과 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 코너부에 배치되는 배출홀의 지름은 상기 코너부 이외에 배치되는 배출홀의 지름보다 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1플레이트의 배출홀의 개수와 상기 제2플레이트의 배출홀의 개수는 서로 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1플레이트 중앙부 또는 테두리 부에서의 배출홀의 개수 또는 배치는 상기 제2플레이트의 중앙부 또는 테두리 부에서의 배출홀의 개수 또는 배치와 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제2플레이트는
    중앙부에 형성되는 제1구역과;
    상기 제1구역을 둘러싸도록 배치되는 제2구역과,
    상기 제2구역의 사방 테두리에 형성되는 제3구역과,
    상기 제2플레이트의 코너에 형성되어 상기 코너부를 구성하는 제4구역을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1구역의 배출홀의 배치밀도는 상기 제2구역에서의 배출홀의 배치밀도보다 작게 형성되며,
    상기 제1구역의 배출홀의 배치밀도는 제2구역의 배출홀의 배치밀도의 절반인 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제3구역의 배출홀의 배치밀도는 상기 제2구역에서의 배출홀의 배치밀도 보다 낮은 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제3구역의 배출홀의 배치밀도는 제2구역의 배출홀의 배치밀도의 절반인 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1구역의 배출홀의 배치밀도는 상기 제3구역의 배치밀도에 대응되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 코너부에 형성된 배출홀이 막혀 있는 면적과 상기 제2플레이트 전체 면적의 상대적인 비율에 의하여 정의되는 홀 막음 비율이 소정 범위 내에서 유지되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 코너부는 서로 구분되는 복수의 단위 구역을 포함하며,
    각 단위 구역에서의 홀 막음 비율은 0.5~3 %의 범위 내에 속하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 코너부의 형태는 직각 삼각형 형태로 마련되는 것을 특징으로 하며,
    상기 코너부는 상기 제2플레이트의 모든 코너에 마련되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 코너부의 형태는 호 형태로 마련되는 것을 특징으로 하며,
    상기 코너부는 상기 제2플레이트의 모든 코너에 마련되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 코너부의 형태는 계단 형태로 마련되는 것을 특징으로 하며,
    상기 코너부는 상기 제2플레이트의 모든 코너에 마련되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  20. 제1항에 있어서,
    상기 코너부의 배출홀의 배치밀도 대비 제2플레이트 전체의 배출홀의 배치밀도의 상대적인 비율에 의하여 정의되는 홀 밀도 비율이 소정 범위 내에서 유지되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 코너부는 서로 구분되는 복수의 단위 구역을 포함하며,
    각 단위 구역에서의 홀 밀도 비율은 38~48 %의 범위 내에 속하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  22. 제1항에 있어서,
    상기 제2플레이트의 크기는 상기 제2플레이트의 크기에 대응되게 마련되며,
    상기 제2플레이트의 단부에는 가스의 누수를 방지하고 상기 리드의 내면과 접촉하는 실링 부재 또는 차폐부재가 마련되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  23. 제1항에 있어서,
    상기 제2플레이트와 상기 제1플레이트 간에 간격이 형성되고,
    상기 제2플레이트와 상기 리드 간에 간격이 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  24. 가스관이 연결되는 리드와;
    상기 리드로 유입된 가스를 공정챔버로 배출하는 제1배출홀이 형성되는 제1플레이트와;
    상기 리드와 상기 제1플레이트 사이에 마련되어 상기 제1플레이트로 향하는 가스를 분산시키도록 복수의 제2배출홀이 형성되는 제2플레이트를 포함하되,
    상기 제2플레이트에 형성된 복수의 제2배출홀 중 일부의 배출홀은,
    상기 제2플레이트의 모서리로부터 연장되며 소정 길이는 갖는 두 개의 변으로 이루어지는 3개 이상의 구분된 구역상에 배치되는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 구분된 구역 상에 배치되는 제2배출홀들 간의 간격은 상기 구분된 구역 이외에 배치되는 제2배출홀들 간의 간격과 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 구분된 구역 상에 배치되는 제2배출홀들 간의 간격은 상기 구분된 구역 이외에 배치되는 제2배출홀들 간의 간격보다 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  27. 제24항에 있어서,
    상기 구분된 구역 상에 배치되는 제2배출홀의 배치밀도는 상기 구분된 구역 이외에 배치되는 제2배출홀의 배치밀도와 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  28. 제27항에 있어서,
    상기 구분된 구역 상에 배치되는 제2배출홀의 배치밀도는 상기 구분된 구역 이외에 배치되는 제2배출홀의 배치밀도보다 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  29. 제24항에 있어서,
    상기 구분된 구역에 형성된 제2배출홀이 막혀 있는 면적과 상기 제2플레이트 면적의 상대적인 비율에 의하여 정의되는 홀 막음 비율이 소정 범위 내에서 유지되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 구분된 구역은 서로 구분되는 복수의 단위 구역을 포함하며,
    각 단위 구역에서의 홀 막음 비율은 0.5~3 %의 범위 내에 속하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  31. 제24항에 있어서,
    상기 구분된 구역의 제2배출홀의 배치밀도 대비 상기 제2플레이트 전체의 제2배출홀의 배치밀도의 상대적인 비율에 의하여 정의되는 홀 밀도 비율이 소정 범위 내에서 유지되는 것을 특징으로 하는 가스 공급장치.
  32. 제31항에 있어서,
    상기 구분된 구역은 서로 구분되는 복수의 단위 구역을 포함하며,
    각 단위 구역에서의 홀 밀도 비율은 38~48 %의 범위 내에 속하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
KR1020130051652A 2013-05-08 2013-05-08 가스 공급 장치 KR102067002B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130051652A KR102067002B1 (ko) 2013-05-08 2013-05-08 가스 공급 장치
TW103116420A TWI640650B (zh) 2013-05-08 2014-05-08 氣體供給設備
US14/889,855 US20160115595A1 (en) 2013-05-08 2014-05-08 Gas supply apparatus
PCT/KR2014/004095 WO2014182088A1 (ko) 2013-05-08 2014-05-08 가스 공급 장치
CN201480025607.3A CN105209964A (zh) 2013-05-08 2014-05-08 供气装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130051652A KR102067002B1 (ko) 2013-05-08 2013-05-08 가스 공급 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140132476A true KR20140132476A (ko) 2014-11-18
KR102067002B1 KR102067002B1 (ko) 2020-01-16

Family

ID=51867490

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130051652A KR102067002B1 (ko) 2013-05-08 2013-05-08 가스 공급 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20160115595A1 (ko)
KR (1) KR102067002B1 (ko)
CN (1) CN105209964A (ko)
TW (1) TWI640650B (ko)
WO (1) WO2014182088A1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102085041B1 (ko) * 2016-05-30 2020-03-05 가부시끼가이샤 제이씨유 플라즈마 처리장치 및 방법
TWI605150B (zh) * 2017-02-03 2017-11-11 台灣積體電路製造股份有限公司 氣體供應裝置及方法
US10240234B2 (en) 2017-02-22 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Gas distribution apparatus for processing chambers
CN109817505B (zh) * 2017-11-20 2021-09-24 长鑫存储技术有限公司 等离子体供应装置及晶圆刻蚀装置
US10876208B2 (en) * 2018-01-16 2020-12-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Apparatus and method for fabricating a semiconductor device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050015931A (ko) * 2003-08-05 2005-02-21 주성엔지니어링(주) 균일한 막 증착을 위한 챔버 및 샤워 헤드
KR20080101942A (ko) * 2007-05-17 2008-11-24 주식회사 마이크로텍 샤워헤드 및 이를 채용한 증착장치
KR100941960B1 (ko) * 2003-06-03 2010-02-11 주성엔지니어링(주) 화학기상증착 장치의 샤워헤드
KR20120028963A (ko) * 2012-03-06 2012-03-23 주성엔지니어링(주) 가스분사장치

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS637374A (ja) * 1986-06-27 1988-01-13 Canon Inc マイクロ波プラズマｃｖｄ法による機能性堆積膜の形成法及び装置
TW513489B (en) * 2000-10-24 2002-12-11 Duratek Inc Gas distribution plate for plasma treatment gas and its manufacture method
US20050241767A1 (en) * 2004-04-30 2005-11-03 Ferris David S Multi-piece baffle plate assembly for a plasma processing system
JP3913244B2 (ja) * 2004-10-21 2007-05-09 松下電器産業株式会社 基板処理方法
KR101153161B1 (ko) * 2005-04-01 2012-06-18 주성엔지니어링(주) 가스분사장치 및 이를 포함하는 액정표시소자의 제조장치
KR101253332B1 (ko) * 2006-03-03 2013-04-10 주성엔지니어링(주) 균일한 가스분사를 위한 가스분배판
JP4768584B2 (ja) * 2006-11-16 2011-09-07 財団法人山形県産業技術振興機構 蒸発源およびこれを用いた真空蒸着装置
US20080302303A1 (en) * 2007-06-07 2008-12-11 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for depositing a uniform silicon film with flow gradient designs
KR100914398B1 (ko) * 2007-11-06 2009-08-31 주식회사 케이씨텍 플라즈마 기판 처리 장치
JP5674328B2 (ja) * 2010-03-16 2015-02-25 東京エレクトロン株式会社 電極及びプラズマ処理装置
KR101157199B1 (ko) * 2010-04-05 2012-06-20 주식회사 에스에프에이 화학기상증착장치용 가스분배판 및 그를 구비한 화학기상증착장치
CN101921996B (zh) * 2010-08-17 2012-02-15 彭继忠 一种mocvd设备喷淋头装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100941960B1 (ko) * 2003-06-03 2010-02-11 주성엔지니어링(주) 화학기상증착 장치의 샤워헤드
KR20050015931A (ko) * 2003-08-05 2005-02-21 주성엔지니어링(주) 균일한 막 증착을 위한 챔버 및 샤워 헤드
KR20080101942A (ko) * 2007-05-17 2008-11-24 주식회사 마이크로텍 샤워헤드 및 이를 채용한 증착장치
KR20120028963A (ko) * 2012-03-06 2012-03-23 주성엔지니어링(주) 가스분사장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR102067002B1 (ko) 2020-01-16
WO2014182088A1 (ko) 2014-11-13
WO2014182088A9 (ko) 2017-09-14
TW201502312A (zh) 2015-01-16
US20160115595A1 (en) 2016-04-28
TWI640650B (zh) 2018-11-11
CN105209964A (zh) 2015-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20140132476A (ko) 가스 공급 장치
TWI382488B (zh) 適合用於基材處理室的氣流等化板
KR101095172B1 (ko) 플라즈마 반응 챔버의 사이드 가스 인젝터
KR101092122B1 (ko) 에칭 프로파일 제어를 위한 가스 인젝션 시스템
US20200083025A1 (en) Electrode assembly and etching apparatus
TWI657164B (zh) 用於大面積電漿增強化學氣相沈積之系統及方法的製程氣體流動引導元件
TWI668323B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及基板保持構件
TW201540863A (zh) 氣體限制組件及應用其之處理腔室
KR101214860B1 (ko) 가스분사장치
US20060001848A1 (en) Apparatus for fabricating semiconductor device
CN116288269B (zh) 一种薄膜沉积设备和一种薄膜沉积方法
KR20080048243A (ko) 플라즈마 화학기상 증착장치
KR20210043810A (ko) 반도체 제조 장비
KR20090102955A (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
KR101119798B1 (ko) 화학기상 증착장치
US7339648B2 (en) Apparatus for manufacturing liquid crystal display device and liquid crystal display device manufactured using the same
KR102291236B1 (ko) 기판 처리 장치
KR100941959B1 (ko) 액정표시장치용 박막증착장치
KR102664983B1 (ko) 샤워헤드 및 기판처리장치
KR101016921B1 (ko) 샤워헤드
JPH09120939A (ja) 基板の熱処理方法及び装置
KR102681009B1 (ko) 기판처리장치
KR101058747B1 (ko) 가스분사장치
TW202032053A (zh) 進氣裝置、氣體反應系統與其清洗方法
KR102625409B1 (ko) 트레이 및 이를 사용한 기판처리장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right