WO2020013643A1 - Oled 화소 증착을 위한 금속판 재질의 증착용 마스크 - Google Patents

Oled 화소 증착을 위한 금속판 재질의 증착용 마스크 Download PDF

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WO2020013643A1
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deposition mask
deposition
diameter
holes
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장우영
백지흠
강지훈
곽정민
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엘지이노텍 주식회사
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    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Definitions

  • Embodiments relate to a deposition mask of a metal plate material for OLED pixel deposition.
  • the embodiment relates to a deposition mask and a method for manufacturing the same that can improve the deposition efficiency when the OLED pixel deposition.
  • the display device is applied to and used in various devices.
  • the display device is applied to not only small devices such as smart phones and tablet PCs but also large devices such as TVs, monitors, and public displays (PDs).
  • PDs public displays
  • UHD ultra-high definition ultra high definition
  • PPI pixels per inch
  • LCD liquid crystal display
  • OLED organic light emitting diode
  • the LCD is a display device driven by using a liquid crystal, and has a structure in which a light source including a Cold Cathode Fluorescent Lamp (CCFL) or a Light Emitting Diode (LED) is disposed below the liquid crystal.
  • the display device is driven by controlling the amount of light emitted from the light source using the liquid crystal disposed.
  • the OLED is a display device driven by using an organic material, and a separate light source is not required, and the organic material may be driven at a low power by serving as a light source.
  • OLED has been attracting attention as a display device that can represent an infinite contrast ratio, has a response speed of about 1000 times faster than LCD, and has an excellent viewing angle to replace LCD.
  • the organic material included in the emission layer may be deposited on a substrate by a deposition mask called a fine metal mask (FMM), and the deposited organic material may correspond to a pattern formed on the deposition mask. It may be formed as a pattern to serve as a pixel.
  • FMM fine metal mask
  • the deposition mask is generally formed of a metal plate.
  • the deposition mask may be manufactured by forming a through hole at a position corresponding to the pattern of the pixel on the metal plate.
  • the through hole may include a first surface hole and a second surface hole communicating with each other on the metal plate through an iron chloride wet etching process.
  • the inner wall of the through hole including the first surface hole and the second surface hole has a root mean square surface roughness (RMS) of a predetermined level or more. That is, the inner wall of the through hole has a square average surface roughness (RMS) in the range of 150 to 200 nm.
  • the root mean square surface roughness (RMS) of the inner wall of the through hole may be determined by the etchant used to form the through hole rather than the physical property of the metal plate. Generally, iron chloride is used as an etchant in the wet etching process of the through hole.
  • the inner wall of the through hole formed by the iron chloride has a root mean square surface roughness (RMS) in the range of 150 to 200 nm depending on the physical properties of the iron chloride.
  • RMS root mean square surface roughness
  • the durability of the deposition mask is closely related to the root mean square surface roughness (RMS) of the inner wall of the through hole. That is, when the root mean square surface roughness (RMS) of the inner wall of the through hole increases, difficulty occurs in the cleaning process of the deposition source. In other words, as the root mean square roughness (RMS) increases, the bonding force with the deposition source increases. Accordingly, there is a problem in that the deposition element attached to the inner wall of the through hole is partially removed without being completely removed during the cleaning process.
  • surface roughness of the surface of the deposition mask or the inner wall of the through hole is controlled by changing an etching process condition or an etching solution condition.
  • an etching process condition or an etching solution condition there is a limit in improving the surface roughness of the inner wall of the through hole only by changing the etching process conditions or the etching solution conditions as described above.
  • the etching process conditions or the etching solution conditions are changed, the size of the through-holes also changes, thereby reducing the uniformity and precision of the through-holes.
  • the embodiment provides a deposition mask and a method of manufacturing the same, which may improve deposition efficiency by controlling the root mean square surface roughness (RMS) of the inner wall of the through hole.
  • RMS root mean square surface roughness
  • the embodiment provides a deposition mask and a method of manufacturing the same that can improve the cleaning of the deposition source during the cleaning process is carried out after the deposition of the deposition source.
  • the embodiment provides an evaporation mask and a method for manufacturing the same, which further improve the square average surface roughness (RMS) of the inner wall of the through hole by further performing the electropolishing process after the wet etching process.
  • RMS square average surface roughness
  • the embodiment provides a deposition mask and a method of manufacturing the same that can enhance the corrosion resistance inside the through-hole to enhance quality and durability.
  • the embodiment provides a deposition mask and a method of manufacturing the same to improve the surface roughness of the metal plate to improve the adhesion between the metal plate and the photoresist.
  • the embodiment to provide a deposition mask and a method of manufacturing the same to improve the surface roughness of the metal plate to improve the uniformity of the through-holes formed in the metal plate.
  • the surface roughness of the first and second surfaces of the metal plate is differently applied based on the characteristics of the small pore diameter and the characteristics of the large pore diameter, so that both the adhesion to the photoresist and the uniformity of the through hole are all applied.
  • the present invention provides a deposition mask and a method of manufacturing the same.
  • the embodiment is to provide a deposition mask and a method of manufacturing the same to minimize the size of the island to maintain the shape of the island located on the surface where the large pore is formed to the maximum.
  • the embodiment is to provide a deposition mask including a plurality of through holes having a different shape depending on the position.
  • a deposition mask of a metal material for depositing an OLED pixel may include a deposition region for forming a deposition pattern and a non-deposition region other than the deposition region, and the deposition regions may be spaced apart in the longitudinal direction.
  • a plurality of effective portions having a plurality of through holes and non-effective portions other than the effective portions, wherein the through holes include: a small hole formed on one surface of the deposition mask; A facing hole formed on the other surface of the deposition mask opposite to the one surface; And a communicating portion in which a boundary between the facet hole and the facet hole is connected, wherein a square mean surface roughness (RMS) of an inner surface of at least one of the facet hole and the facet hole is less than 150 nm.
  • RMS square mean surface roughness
  • the root mean square surface roughness (RMS) of at least one of the facets and the facets satisfies the range between 50 nm and 100 nm. Further, the root mean square surface roughness (RMS) of the inner surface of the small hole is smaller than the root mean square surface roughness (RMS) of the one surface on which the small hole is formed. Further, the root mean square surface roughness (RMS) of the inner surface of the facing hole is smaller than the root mean square surface roughness (RMS) of the other surface on which the facing hole is formed.
  • the 1st diameter which the said small surface hole has is larger than the 2nd diameter which the said communication part has, and the said 1st diameter is 1.2 times or less of the said 2nd diameter.
  • the first diameter has a range between 1.05 times and 1.1 times the second diameter.
  • a first inflection point is formed on an inner side surface of the small hole, and an inner side surface of the small hole includes a first sub-first inner side surface formed between one surface of the deposition mask and the first inflection point, and the first inflection point. And a second sub-first inner surface formed between the inflection point and the communication portion.
  • a second inflection point is formed on an inner side surface of the facing hole, and an inner side surface of the facing hole includes a first sub-second inner side surface formed between the other surface of the deposition mask and the second inflection point, and the second inflection point. And a second sub-second inner surface formed between the inflection point and the communication portion.
  • the through hole has a diameter of 33 ⁇ m or less, and the gap between the plurality of through holes has a resolution of 500 PPI or more of 48 ⁇ m or less.
  • the manufacturing method prepares a metal plate having a predetermined thickness, the first surface and the other surface of the metal plate by etching each of the first surface having a small hole, a facing hole and a communication portion connecting the boundary between the small hole and the facing hole And forming a through hole and electropolishing the inner surface of the formed first through hole to form a second through hole, wherein the root mean square surface roughness (RMS) of the inner surface of the second through hole is the first It is smaller than the root mean square surface roughness RMS of the inner surface of the through hole, and the root mean square surface roughness RMS of the inner surface of the second through hole is less than 150 nm.
  • RMS root mean square surface roughness
  • the root mean square surface roughness (RMS) of at least one inner surface of the small through hole and the facing hole satisfies a range between 50 nm and 100 nm.
  • the square average surface roughness RMS of the inner surface of the small hole of the second through hole is smaller than the square average surface roughness RMS of one surface of the metal material, and is the square average of the inner surface of the facing hole of the second through hole.
  • Surface roughness RMS is smaller than the square average surface roughness RMS of the other surface of the said metal material.
  • the first cross-sectional inclination angle of the small surface hole of the second through hole is larger than the second cross-sectional inclination angle of the small surface hole of the first through hole, and the first cross-sectional inclination angle has a range between 75 degrees and 89 degrees.
  • the deposition mask includes a deposition region for deposition and non-deposition regions other than the deposition region, the deposition region, a plurality of effective portions and A plurality of small surface holes formed on one surface of said metal material, including an ineffective portion other than said effective portion; A plurality of facing holes formed on the other surface opposite to one surface of the metal material; A plurality of through holes communicating the small holes and the facing holes; And an island portion located between the plurality of through holes, the island portion being an unetched region of the metal material, wherein the first surface of the island part corresponding to one surface of the metal material has a first square mean surface roughness, and the other surface of the metal material.
  • the second face of the island portion corresponding to has a second square mean surface roughness different from the first square mean surface roughness.
  • first square mean surface roughness is smaller than the second square mean surface roughness. Further, the first square mean surface roughness has a range between 150 nm and 200 nm. Further, the second square mean surface roughness has a range between 200 nm and 250 nm.
  • the width in the horizontal direction of the second surface of the island portion has a range between 4 ⁇ m and 6 ⁇ m. The width in the vertical direction of the second surface of the island portion is 95% to 110% of the width in the horizontal direction.
  • the pore deviation between the plurality of facets is within 1.5 ⁇ m.
  • a first metal plate having a predetermined thickness is prepared, a first surface treatment is performed on the first and second surfaces of the prepared first metal plate to form a second metal plate, and Second surface treatment is performed on the first and second surfaces of the second metal plate to form a third metal plate, and a small hole is formed on the first surface of the third metal plate, and on the second surface of the third metal plate.
  • the first surface of the third metal plate has a first square average surface roughness
  • the second surface of the third metal plate has a second square average surface roughness different from the first square average surface roughness.
  • first and second surfaces of the first metal plate each have a square mean surface roughness ranging from 70 nm to 150 nm
  • first and second surfaces of the second metal plate each have a square average surface ranging from 250 nm to 300 nm. Have roughness.
  • first surface of the third metal plate has a first square average surface roughness in the range of 150 nm to 200 nm
  • the second surface of the third metal plate has a second square average surface roughness in the range of 200 nm to 250 nm.
  • the deposition mask of the metal material for the deposition of the OLED pixel according to the embodiment of the deposition mask for an OLED comprising a first surface and a second surface facing each other, the small surface hole on the first surface and the facing surface on the second surface
  • a deposition pattern region including a plurality of through holes formed in communication with the ball and a non-deposition region, wherein the deposition pattern region includes three or more effective regions, and the two outermost effective regions are outer regions,
  • the effective area excluding the outer area is a central area, and the through hole located in the central area includes a portion different in shape from the through hole located in the outer area.
  • the central region is aligned with the center of the large pore diameter and the center of the small pore diameter
  • the outer region includes a region where the center of the large pore diameter and the center of the small pore diameter is misaligned.
  • At least a portion of the outer region includes a center of the large pore diameter and the center of the small pore diameter.
  • each of the plurality of through holes in the outer region includes a distance between the center of the large diameter and the center of the small diameter increases as the distance from the central region increases.
  • the outer region may include a first outer region positioned at one end close to the central region and a second outer region positioned at the other end opposite to the one end of the central region, and the plurality of through holes positioned at the second outer region. As the distance away from the central region includes the center of the large diameter closer to the center region than the center of the small pore diameter.
  • the size of the small pore diameter of the central region and the outer region includes a corresponding one.
  • the outer region includes a region having different sizes of the central region and the large diameter.
  • the central region is aligned with the center of the large pore diameter and the center of the small pore diameter
  • the outer region includes a region where the center of the large pore diameter and the center of the small pore diameter are aligned.
  • the thickness of the lip measured in the central region includes an area larger than the thickness of the lip measured in the outer region.
  • the outer region includes a region where the thickness of the lip decreases as the distance from the central region increases.
  • the diameter of the island of the outer region includes an area smaller than the diameter of the island of the central region.
  • the central region is aligned with the center of the large pore diameter and the center of the small pore diameter
  • the outer region includes a region where the center of the large pore diameter and the center of the small pore diameter is misaligned.
  • the deposition mask includes a plurality of through holes formed in communication with the first surface hole and the second surface hole.
  • the through hole may be formed by further performing an electropolishing process after performing a wet etching process.
  • the root mean square surface roughness RMS of the inner wall of the through hole is smaller than the root mean square surface roughness RMS of the first and / or second surface of the deposition mask.
  • the deposition mask in the embodiment has a root mean square surface roughness (RMS) of the inner wall of the through-hole less than 150nm. More preferably, the deposition mask in the embodiment satisfies the range of 50 nm to 100 nm of the root mean square surface roughness (RMS) of the inner wall of the through hole.
  • the root mean square surface roughness (RMS) of the inner wall of the through-hole of the deposition mask can be improved, thereby improving the cleanliness of the deposition mask.
  • RMS root mean square surface roughness
  • the inclination angle that can be formed to the maximum of the small hole corresponding to the first surface hole is 75 °.
  • the inclination angle with respect to the small hole may be formed to be 75 ° or more.
  • the inclination angle of the small hole in the embodiment may have a range between 75 ° ⁇ 85 °.
  • the shadow effect can be improved by increasing the inclination angle of the through-hole of the deposition mask.
  • the interface between the first surface hole and the second surface hole of the deposition mask has a gentle round shape, thereby improving durability against high tensile load when the deposition mask is tensioned.
  • the first and second surfaces of the metal plate are formed to have different square mean surface roughnesses. That is, the first square mean surface roughness is applied to the first surface of the metal plate on which the small pore diameter is formed, and the second surface on which the large pore diameter is formed is adapted to the characteristics of the large diameter. Apply a second squared mean surface roughness.
  • the small pore diameter is closely related to the deposition uniformity of the deposition source, and thus, the first surface has a lower first square mean surface roughness than the second square mean surface roughness to improve the pore uniformity of the small pore diameter.
  • the large pore size is important to increase the pore size while maintaining the island shape as much as possible, and accordingly, a second square mean surface roughness higher than the first square mean surface roughness is applied to the two surfaces to maintain the island shape.
  • the deposition mask according to the above-described embodiments may provide different square average surface roughnesses of the first and second surfaces to improve adhesion and pore uniformity with the photoresist on each surface. Accordingly, in an embodiment, the island size may be minimized according to the improvement of adhesion with the photoresist, and thus the deposition efficiency may be increased by lowering the inclination angle of the large diameter. In addition, in the embodiment, by improving the workability to the first surface, it is possible to form a small pore diameter more precisely and uniformly.
  • the deposition mask for an OLED according to the embodiment is formed so that the shape of the through-holes located in the outer region is different from the through-holes located in the central region, thereby improving the uniformity of the OLED deposition pattern.
  • the deposition mask for an OLED according to the embodiment can solve the problem that the deposition efficiency is reduced as the outermost through holes are far from the organic material source and the angle with the organic material source is far from the vertical.
  • FIG. 1 is a perspective view illustrating an organic material deposition apparatus including a deposition mask according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an organic material deposition apparatus including a deposition mask according to an embodiment.
  • FIG 3 is a view showing that the deposition mask according to the embodiment is tensioned to be mounted on the mask frame.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating a plurality of deposition patterns formed on a substrate in an embodiment.
  • FIG. 5 is a plan view illustrating a deposition mask according to an embodiment.
  • 6A is a view illustrating a plan view of an effective part of a deposition mask according to a first embodiment.
  • 6B is a photograph showing a plan view of an effective part of the deposition mask according to the first embodiment.
  • FIG. 6C is a cross-sectional view of A-A 'and B-B' of FIG. 6A or 6B.
  • FIG. 7 is a view showing another plan view of the deposition mask according to the embodiment.
  • FIG 8 is a view illustrating a through hole after the wet etching process according to the first embodiment.
  • FIG 9 is a view showing a through hole after the electropolishing process according to the first embodiment.
  • FIG. 10 is a view comparing the root mean square surface roughness of the through holes of the first embodiment and the comparative example.
  • FIG. 11 illustrates a method of manufacturing a deposition mask according to a first embodiment.
  • 14A is a view showing a cross section of a metal plate that is a raw material of a deposition mask according to a second embodiment.
  • 14B is a flowchart for explaining a method of manufacturing a metal plate, according to a second embodiment, step by step.
  • 15A is a micrograph of the surface of the raw material of the metal plate according to the second embodiment.
  • 15B is a photomicrograph of the surface of a metal plate primarily treated with a second embodiment.
  • 15C is a micrograph of a first surface of a second surface treated metal plate according to the second embodiment.
  • 15D is a micrograph of the second surface of the second surface treated metal plate according to the second embodiment.
  • 16 is a plan view showing an effective part of a deposition mask according to a second embodiment.
  • 17 is a micrograph showing a plan view of an effective part of a deposition mask according to a second embodiment.
  • FIG. 18 is a micrograph showing a plan view of an effective part of a deposition mask according to a comparative example.
  • 19A is a sectional view of a deposition mask according to a comparative example.
  • 19B is a view showing the relative positions of the inner surface, the small surface and the large surface of the deposition mask according to the comparative example observed in the plane.
  • 20A is a sectional view of a deposition mask according to a third embodiment.
  • FIG. 20B is a view showing the relative positions of the inner holes, the small holes and the facing holes of the deposition mask according to the third embodiment when viewed from a plane.
  • 21A is a sectional view of a deposition mask according to a fourth embodiment.
  • FIG. 21B is a view showing the relative positions of the inner holes, the small holes and the facing holes of the deposition mask according to the fourth embodiment when viewed from a plane.
  • FIG. 22A is a sectional view of a deposition mask according to a fifth embodiment.
  • FIG. 22A is a sectional view of a deposition mask according to a fifth embodiment.
  • FIG. 22B is a view showing relative positions of inner, small, and facing holes of the deposition mask according to the fifth embodiment viewed from a plane.
  • FIG. 23A is a view showing the relative positions of the small holes and the facing holes of the deposition mask according to the third embodiment or the fifth embodiment viewed from a plane.
  • FIG. 23B is a graph showing misalignment with distance with respect to the center area of the deposition mask.
  • FIG. 23C is a view showing misalignment of the small and large holes of the deposition mask according to the third or fifth embodiment observed from the cross section.
  • 24A is a plan view of a deposition mask and a shape of a small hole and a facing hole in a central area and an outer area according to a third embodiment.
  • 24B is a sectional view of a deposition mask according to a third embodiment.
  • 25A is a plan view of a deposition mask and a shape of a small hole and a facing hole in a central area and an outer area according to a fourth embodiment.
  • 25B is a sectional view of a deposition mask according to a fourth embodiment.
  • FIG. 26A is a plan view of a deposition mask and a shape of a small hole and a facing hole in a central area and an outer area according to a fifth embodiment.
  • Fig. 26B is a sectional view of the deposition mask according to the fifth embodiment.
  • the singular may also include the plural unless specifically stated otherwise, and when combined with “A, and B, C, at least one (or more than one)”, combine as A, B, C. It can include one or more of all possible combinations.
  • terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are only for distinguishing the components from other components, and the terms are not limited to the nature, order, order, etc. of the components.
  • the component when a component is described as being 'connected', 'coupled' or 'connected' to another component, the component is not only connected, coupled or connected directly to the other component, It may also include the case where 'connected', 'coupled' or 'connected' due to another component between the other components.
  • the top (bottom) or bottom (bottom) when described as being formed or disposed on the "top (or bottom)" of each component, the top (bottom) or bottom (bottom) is not only when the two components are in direct contact with each other, but also one It also includes a case where the above-described further components are formed or disposed between the two components.
  • up (up) or down (down) when expressed as "up (up) or down (down)” may include the meaning of the down direction as well as the up direction based on one component.
  • 1 to 4 are conceptual views illustrating a process of depositing an organic material on a substrate 300 using the deposition mask 100 according to an embodiment.
  • FIG. 1 is a perspective view illustrating an organic material deposition apparatus including a deposition mask according to an embodiment
  • FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an organic material deposition apparatus including a deposition mask 100 according to an embodiment
  • 4 illustrates a plurality of deposition patterns formed on the substrate 300 through a plurality of through holes of the deposition mask 100.
  • the organic material deposition apparatus may include a deposition mask 100, a mask frame 200, a substrate 300, an organic material deposition container 400, and a vacuum chamber 500.
  • the deposition mask 100 may include a metal.
  • the deposition mask may include iron (Fe) and nickel (Ni).
  • the deposition mask 100 may include a plurality of through holes TH in an effective portion for deposition.
  • the deposition mask 100 may be a deposition mask substrate including a plurality of through holes TH.
  • the through hole may be formed to correspond to the pattern to be formed on the substrate.
  • the deposition mask 100 may include an invalid portion other than an effective portion including a deposition region.
  • the mask frame 200 may include an opening 205.
  • the plurality of through holes of the deposition mask 100 may be disposed on an area corresponding to the opening 205 of the mask frame 200. Accordingly, an organic material supplied to the organic material deposition container 400 may be deposited on the substrate 300.
  • the deposition mask 100 may be disposed on and fixed to the mask frame 200. For example, the deposition mask 100 may be stretched with a constant tensile force, and may be fixed by welding on the mask frame 200.
  • the mask frame 200 includes a plurality of frames 201, 202, 203, and 204 surrounding the opening 205.
  • the plurality of frames 20, 202, 203, and 204 may be connected to each other.
  • the mask frame 200 includes a first frame 201 and a second frame 202 facing each other in the X direction and extending along the Y direction, facing each other in the Y direction, and extending along the X direction.
  • the first frame 201, the second frame 202, the third frame 203, and the fourth frame 204 may be rectangular frames connected to each other.
  • the mask frame 200 may be made of a material having a small deformation when the mask 130 is welded, for example, a metal having high rigidity.
  • the deposition mask 100 may be stretched in directions opposite to each other at an edge disposed at the outermost side of the deposition mask 100.
  • the deposition mask 100 may be pulled in a direction in which one end of the deposition mask 100 and the other end opposite to the one end are opposite to each other in a length direction of the deposition mask 100. Therefore, the tensile direction, the X axis direction, and the longitudinal direction of the deposition mask 100 of the deposition mask 100 may all be the same direction.
  • One end and the other end of the deposition mask 100 may be disposed to face each other in parallel.
  • One end of the deposition mask 100 may be any one of end portions forming four side surfaces disposed at the outermost side of the deposition mask 100.
  • the deposition mask 100 may be tensioned with a tensile force of about 0.1 kgf to about 2 kgf.
  • the deposition mask may be tensioned with a tensile force of 0.4 kgf to about 1.5 kgf to be fixed on the mask frame 200. Accordingly, the stress of the deposition mask 100 may be reduced.
  • the embodiment is not limited thereto and may be tensioned with various tensile forces that may reduce the stress of the deposition mask 100 and may be fixed on the mask frame 200.
  • the deposition mask 100 may fix the deposition mask 100 to the mask frame 200 by welding an ineffective portion of the deposition mask 100. Subsequently, a portion of the deposition mask 100 disposed outside the mask frame 200 may be removed by cutting or the like.
  • the substrate 300 may be a substrate used for manufacturing a display device.
  • the substrate 300 may be a substrate 300 for depositing an organic material for an OLED pixel pattern. Red, green, and blue organic patterns may be formed on the substrate 300 to form pixels that are three primary colors of light. That is, an RGB pattern may be formed on the substrate 300.
  • the organic material deposition container 400 may be a crucible. An organic material may be disposed in the crucible.
  • the organic material deposition container 400 may move in the vacuum chamber 500. That is, the organic material deposition container 400 may move in the Y-axis direction in the vacuum chamber 500. That is, the organic material deposition container 400 may move in the width direction of the deposition mask 100 in the vacuum chamber 500. That is, the organic material deposition container 400 may move in a direction perpendicular to the tensile direction of the deposition mask 100 in the vacuum chamber 500.
  • the organic material may be deposited on the substrate 100.
  • the deposition mask 100 may include one surface 101 and the other surface 102 opposite to the one surface.
  • the one surface 101 of the deposition mask 100 may include a small hole V1, and the other surface may include a large hole V2.
  • each of the one surface 101 and the other surface 102 of the deposition mask 100 may include a plurality of small holes V1 and a plurality of facing holes V2.
  • the deposition mask 100 may include a through hole TH.
  • the through hole TH may be communicated by a communication part CA to which a boundary between the small hole V1 and the large hole V2 is connected.
  • the communication part CA refers to a point at which the boundary between the small hole V1 and the large hole V2 is defined, which may be expressed as a boundary, a boundary point, a boundary surface, or the like.
  • the deposition mask 100 may include a first inner surface ES1 in the small hole V1.
  • the deposition mask 100 may include a second inner surface ES2 in the facing hole V2.
  • the through hole TH may be formed such that the first inner surface ES1 in the small hole V1 and the second inner surface ES2 in the large hole V2 communicate with each other.
  • the first inner surface ES1 in one small hole V1 may communicate with the second inner surface ES2 in one facing hole V2 to form one through hole.
  • the number of the through holes TH may correspond to the number of the small holes V1 and the large holes V2.
  • the first inner surface ES1 in the small hole V1 may include a plurality of sub-first inner surfaces ES2.
  • a first inflection point IP1 may be formed between the one surface 101 and the communication portion CA on the first inner surface ES1 of the small hole V1.
  • the first inner side surface ES1 may include a first sub-first inner side surface formed between the one surface 101 and the first inflection point IP1, the first inflection point IP1, and the communicating portion ( It may include a second sub-first inner surface formed between the CA).
  • the second inner side surface ES2 of the facing hole V2 may include a plurality of sub-second inner side surfaces ES2.
  • a second inflection point IP2 may be formed at the second inner side surface ES2 of the facing hole V2 between the other surface 102 and the communication portion CA.
  • the second inner side surface ES2 may include a first sub second inner side surface formed between the other surface 102 and the second inflection point IP2, the second inflection point IP2, and the communication unit CA. ) May include a second sub-second inner surface formed therebetween.
  • the first inner surface ES1, the second inner surface ES2, the first sub first inner surface, the second sub first inner surface, the first sub second inner surface, and the second sub second The inner surface may also be referred to as an etching surface formed by etching. More preferably, the first inner surface ES1, the second inner surface ES2, the first sub first inner surface, the second sub first inner surface, the first sub second inner surface, and the second sub The second inner side surface may be referred to as a polishing surface formed through an additional electrolytic polishing process after the etching process.
  • the width of the facing hole V2 may be larger than the width of the facing hole V1.
  • the width of the small hole (V1) is measured on one surface 101 of the deposition mask 100
  • the width of the facing hole (V2) is measured on the other surface 102 of the deposition mask 100 Can be.
  • the small hole V1 may be disposed toward the substrate 300.
  • the small hole V1 may be disposed close to the substrate 300. Accordingly, the small hole V1 may have a shape corresponding to the deposition material, that is, the deposition pattern DP.
  • the facing hole V2 may be disposed toward the organic material deposition container 400. Accordingly, the facing hole (V2) can accommodate the organic material supplied from the organic material deposition container 400 in a wide width, and through the faceting hole (V1) having a width smaller than the facing hole (V2) A fine pattern may be quickly formed on the substrate 300.
  • the deposition mask according to the embodiment may include a deposition region DA and a non-deposition region NDA.
  • the deposition area DA may be a region for forming a deposition pattern.
  • One deposition mask may include a plurality of deposition areas DA.
  • the deposition area DA of the embodiment may include a plurality of effective parts AA1, AA2, and AA3 capable of forming a plurality of deposition patterns.
  • the plurality of valid parts may include a first valid part AA1, a second valid part AA2, and a third valid part AA3.
  • One deposition area DA may be any one of a first effective part AA1, a second effective part AA2, and a third effective part AA3.
  • an effective portion of any one of the plurality of deposition regions included in the deposition mask may be used to form one display device.
  • one deposition mask may include a plurality of effective portions, so that a plurality of display devices may be formed at the same time. Therefore, the deposition mask according to the embodiment can improve the process efficiency.
  • the plurality of effective parts included in one deposition mask may be a part for forming one display device.
  • the plurality of effective parts may be for preventing deformation due to the load of the mask.
  • the deposition area DA may include a plurality of separation areas IA1 and IA2 included in one deposition mask. Separation regions IA1 and IA2 may be disposed between adjacent effective portions.
  • the separation region may be a separation region between a plurality of effective portions. For example, a first separation region IA1 may be disposed between the first valid portion AA1 and the second valid portion AA2.
  • a second separation region IA2 may be disposed between the second effective portion AA2 and the third effective portion AA3.
  • the isolation region can distinguish adjacent effective regions and allow a single deposition mask to support a plurality of effective regions.
  • the separation regions IA1 and IA2 may have the same height as the island portion, the non-deposition region, or the ineffective region.
  • the separation regions IA1 and IA2 may be regions that are not etched when forming the through holes.
  • the deposition mask may include non-deposition regions NDA on both sides of the deposition region DA in the longitudinal direction.
  • the deposition mask according to the embodiment may include the non-deposition region NDA on both sides of the deposition region DA in the horizontal direction.
  • the non-deposition region NDA of the deposition mask may be a region not involved in deposition.
  • the non-deposition region NDA may include frame fixing regions FA1 and FA2 for fixing to the mask frame.
  • the non-deposition region NDA of the deposition mask may include a first frame fixing region FA1 on one side of the deposition region DA, and the one side of the deposition region DA.
  • the other side may include a second frame fixing area FA2.
  • the first frame fixing area FA1 and the second frame fixing area FA2 may be areas fixed to the mask frame by welding.
  • the non-deposition region NDA may include half etching portions HF1 and HF2.
  • the non-deposition region NDA of the deposition mask may include a first half etching portion HF1 on one side of the deposition region DA, and the one side of the deposition region DA.
  • a second half etching portion HF2 may be included on the other side of the substrate.
  • the first half etching portion HF1 and the second half etching portion HF2 may be regions where grooves are formed in the depth direction of the deposition mask.
  • the first half-etching portion HF1 and the second half-etching portion HF2 may have grooves having a thickness of about 1/2 of the deposition mask, thereby dispersing the stress during the stretching of the deposition mask.
  • the half etching portion may be simultaneously formed when forming a small hole or a large surface hole. This can improve process efficiency.
  • the surface treatment layer different from the metal plate material may be formed in the deposition region DA of the deposition mask, and the surface treatment layer may not be formed in the non-deposition region NDA.
  • the surface treatment layer different from the material of the metal plate may be formed on only one surface of the deposition mask or the other surface opposite to the one surface.
  • the surface treatment layer different from the material of the metal plate may be formed only on a portion of one surface of the deposition mask.
  • one side and / or the other side of the deposition mask may include a surface treatment layer in which all and / or a portion of the deposition mask is slower than the metal plate material, thereby improving an etching factor.
  • the deposition mask of the embodiment can form a through hole of minute size with high efficiency.
  • the deposition mask of the embodiment can form a deposition pattern having a high resolution of 500PPI or more with high efficiency.
  • the surface treatment layer may include a metal plate material and another element, or may mean that the composition of the same element includes a different metal material.
  • the half etching portion may be formed in the ineffective portion UA of the deposition area DA.
  • the half etched portions may be disposed in plural or part of the ineffective portion UA in order to disperse the stress during the stretching of the deposition mask.
  • the half etching portion may be formed in the frame fixing region and / or the peripheral region of the frame fixing region. Accordingly, the stress of the deposition mask generated when the deposition mask is fixed to the frame and / or the deposition mask is deposited after the deposition mask is fixed to the frame can be uniformly dispersed. Accordingly, the deposition mask can be maintained to have a uniform through hole.
  • Frame fixing areas FA1 and FA2 for fixing to the mask frame of the non-deposited area NDA are formed by half-etching parts HF1 and HF2 and the half-etching parts HF1 and HF2 of the non-deposited area NDA. It may be disposed between the effective portions of the adjacent deposition area DA.
  • the first frame fixing area FA1 is formed of the first half etching part HF1 of the non-deposition area NDA and the deposition area DA adjacent to the first half etching part HF1. It may be disposed between one effective portion AA1.
  • the second frame fixing area FA2 is formed of the second half etching part HF2 of the non-deposition area NDA and the deposition area DA adjacent to the second half etching part HF2. It may be arranged between the three effective portions AA3. Accordingly, the plurality of deposition pattern portions can be fixed at the same time.
  • the deposition mask may include semi-circular open portions at both ends in the horizontal direction X.
  • the non-deposition region NDA of the deposition mask may include one semicircular open portion at each end in the horizontal direction.
  • the non-deposition region NDA of the deposition mask may include an open portion in which a center of the vertical direction Y is opened at one side of the horizontal direction.
  • the non-deposition region NDA of the deposition mask may include an open part having a center in the vertical direction open at the other side opposite to the one side in the horizontal direction. That is, both ends of the deposition mask may include an open portion at one half of the length in the vertical direction.
  • both ends of the deposition mask may be shaped like a horseshoe.
  • the half etching part included in the deposition mask of the embodiment may be formed in various shapes.
  • the half etching portion may include a semi-circular groove portion.
  • the half etching portion may include various groove portions such as a square shape, a rhombus shape, a triangular shape, an ellipse shape, a star shape, a polygon shape, or the like.
  • the groove may be formed on at least one surface of one surface of the deposition mask and the other surface opposite to the one surface.
  • the half etching portion may be formed on a surface corresponding to the small hole (side of the surface to be deposited). Accordingly, since the half etching portion may be formed at the same time as the small hole, the process efficiency may be improved.
  • the half etching portion may disperse the stress that may be caused by the size difference between the facing holes.
  • the half etching portion may be formed on both sides of the deposition mask to disperse the stress of the deposition mask.
  • the half etching region of the half etching portion may be wider in a surface corresponding to the first surface hole (the surface side to be deposited). That is, the deposition mask according to the embodiment may include the half-etching portion as the grooves are formed in the first and second surfaces of the deposition mask, respectively.
  • the depth of the groove of the half etching portion formed on the first surface may be greater than the depth of the groove of the half etching portion formed on the second surface. Accordingly, the half etching portion may disperse the stress that may occur due to the difference in size between the small hole and the large hole. Formation of the small hole, the facing hole, and the half etching portion can make the surface area on the first and second surfaces of the deposition mask similar, thereby preventing the through-hole from becoming skewed.
  • the grooves formed on the first surface and the second surface can be formed to be offset from each other. This may not penetrate the half etching portion.
  • the half etching portion may include a curved surface and a plane.
  • the plane of the first half-etching portion HF1 may be disposed adjacent to the first effective portion AA1, and the plane may be disposed horizontally with the end in the longitudinal direction of the deposition mask.
  • the curved surface of the first half etching portion HF1 may be convex toward one end in the longitudinal direction of the deposition mask.
  • the curved surface of the first half etching portion HF1 may be formed such that half of the vertical length of the deposition mask corresponds to a semi-circular radius.
  • the plane of the second half-etching portion HF2 may be disposed adjacent to the third effective portion AA3, and the plane may be disposed horizontally with the end of the deposition mask in the longitudinal direction.
  • the curved surface of the second half etching portion HF2 may be convex toward the other end in the longitudinal direction of the deposition mask.
  • the curved surface of the second half etching portion HF2 may be formed such that half of the vertical length of the deposition mask corresponds to a semi-circular radius.
  • the curved surface of the open portion located at both ends of the deposition mask may face the half etching portion. Accordingly, the open portions at both ends of the deposition mask may have the shortest separation distance at 1/2 of the vertical length of the first or second half etching portion and the deposition mask.
  • the half etching portion may be rectangular in shape.
  • the first half etching portion HF1 and the second half etching portion HF2 may have a rectangular or square shape.
  • the deposition mask according to the embodiment may include a plurality of half etching portions.
  • the deposition mask according to the embodiment may include a plurality of half-etching portions in at least one of the deposition area DA and the non-deposition area NDA.
  • the deposition mask according to the embodiment may include a half etching portion only in the ineffective portion UA.
  • the ineffective part UA may be an area other than the effective part AA.
  • the deposition mask according to the embodiment may include two half etching portions. Although not shown in the drawings, the deposition mask according to the embodiment may include four half-etched portions, of course. For example, the half etching portion may include an even number of half etching portions, so that the stress may be efficiently distributed.
  • the deposition mask according to the embodiment may be disposed only in the non-deposition region NDA.
  • the half etching portion may be formed to be symmetrical in the X-axis direction or the Y-axis direction with respect to the center of the mask. This makes it possible to uniformly adjust the tensile force in both directions.
  • the vertical length d1 of the first half etching part HF1 or the second half etching part HF2 may correspond to the length d2 of the vertical direction of the open part. Accordingly, when the deposition mask is tensioned, the stress can be evenly distributed, so that the wave deformation of the deposition mask can be reduced. Therefore, the deposition mask according to the embodiment may have a uniform through hole, the deposition efficiency of the pattern can be improved.
  • the deposition mask may include a plurality of effective portions AA1, AA2, and AA3 spaced apart in the longitudinal direction, and an invalid portion UA other than the effective portion.
  • the effective portions AA1, AA2, and AA3 of the deposition mask 100 may include a plurality of through holes TH and an island portion IS supporting the plurality of through holes TH.
  • the island portion IS may mean a portion that is not etched when a through hole is formed on one surface or the other surface of the effective portion of the deposition mask.
  • the island portion IS may be an unetched region between the through hole and the through hole on the other surface where the facing hole of the effective portion of the deposition mask is formed. Therefore, the island portion IS may be disposed in parallel with one surface of the deposition mask.
  • the island portion IS may be disposed on the same plane as the other surface of the deposition mask. Accordingly, the island portion IS may have the same thickness as at least a portion of the ineffective portion on the other surface of the deposition mask. In detail, the island portion IS may have the same thickness as an unetched portion of the ineffective portion on the other surface of the deposition mask. Accordingly, the deposition uniformity of the subpixels may be improved through the deposition mask.
  • the island portion IS may be disposed in a plane parallel to the other surface of the deposition mask.
  • the parallel plane means that the height difference between the other surface of the deposition mask in which the island portion IS is disposed by the etching process around the island portion IS and the other surface of the non-etched deposition mask among the ineffective portions is ⁇ . It may include 1 ⁇ m or less.
  • the island part IS may be positioned between adjacent through holes among the plurality of through holes. That is, in the effective portions AA1, AA2, and AA3 of the deposition mask 100, a region other than the through hole may be an island portion IS.
  • the effective portions AA1, AA2, and AA3 include a plurality of small holes V1 formed on one surface of the deposition mask 100, a plurality of facing holes V2 formed on the other surface opposite to the one surface, and the small surfaces. It may include a through-hole (TH) formed by the communication portion (CA) is connected to the boundary of the ball and the facing hole.
  • TH through-hole
  • the deposition mask 100 may include an ineffective part UA disposed outside the effective part.
  • the effective portion AA may be an inner region when the outer periphery of the through holes located at the outermost part for depositing the organic material among the plurality of through holes is connected.
  • the ineffective part UA may be an outer area when the outer parts of the plurality of through holes are connected to the outermost parts of the through holes located at the outermost part for depositing the organic material.
  • the non-effective portion UA is a region excluding the effective portion of the deposition region DA and the non-deposition region NDA.
  • the ineffective unit UA may include outer regions OA1, OA2, and OA3 surrounding the outer sides of the effective units AA1, AA2, and AA3.
  • the deposition mask according to the embodiment may include a plurality of outer regions OA1, OA2, and OA3.
  • the number of the outer regions may correspond to the number of the effective parts. That is, one valid portion may include one outer region spaced apart from each other by a predetermined distance in the horizontal and vertical directions from the end of the valid portion.
  • the first valid portion AA1 may be included in the first outer region OA1.
  • the first effective portion AA1 may include a plurality of through holes for forming a deposition material.
  • the first outer region OA1 surrounding the outer portion of the first effective portion AA1 may include a plurality of through holes.
  • the shape of the through hole TH of the first effective part AA1 may correspond to the shape of the through hole of the first outer region OA1. Accordingly, the uniformity of the through holes included in the first effective portion AA1 may be improved.
  • the shape of the through hole TH of the first effective portion AA1 and the shape of the through hole of the first outer region OA1 may be circular.
  • the embodiment is not limited thereto, and the through hole may have various shapes such as a diamond pattern and an oval pattern.
  • the plurality of through holes included in the first outer region OA1 may be used to reduce etching defects of the through holes located at the outermost portion of the effective portion. Accordingly, the deposition mask according to the embodiment may improve the uniformity of the plurality of through holes positioned in the effective portion, and thereby improve the quality of the deposition pattern manufactured.
  • the through hole included in the effective part may have a shape partially corresponding to the through hole included in the ineffective part.
  • the through hole included in the effective part may have a shape different from that of the through hole located at the edge of the ineffective part. Accordingly, it is possible to adjust the difference in stress according to the position of the deposition mask.
  • the second valid portion AA2 may be included in the second outer region OA2.
  • the second valid portion AA2 may have a shape corresponding to the first valid portion AA1.
  • the second outer region OA2 may have a shape corresponding to the first outer region OA1.
  • the second outer area OA2 may further include two through holes in the horizontal direction and the vertical direction from the through hole located at the outermost part of the second effective portion AA2.
  • two through holes may be arranged in a line in a horizontal direction at positions of upper and lower portions of the through hole located at the outermost side of the second effective portion AA2.
  • two through holes may be arranged in a line in the vertical direction on the left side and the right side of the through hole positioned at the outermost side of the second effective portion AA2.
  • the plurality of through holes included in the second outer region OA2 may be used to reduce etching defects of the through holes located at the outermost portion of the effective portion. Accordingly, the deposition mask according to the embodiment may improve the uniformity of the plurality of through holes positioned in the effective portion, and thereby improve the quality of the deposition pattern manufactured.
  • the third effective part AA3 may be included in the third outer area OA3.
  • the third effective portion AA3 may include a plurality of through holes for forming a deposition material.
  • the third outer region OA3 surrounding the outer portion of the third effective portion AA3 may include a plurality of through holes.
  • the third effective part AA3 may have a shape corresponding to the first valid part AA1.
  • the third outer region OA3 may have a shape corresponding to the first outer region OA1.
  • the surface roughness measured in the non-deposition region NDA except for the half etching portions HF1 and HF2 of the deposition mask according to the embodiment is about the longitudinal direction (x direction), the width direction (y direction), the length direction and the width direction.
  • the value in the diagonal direction located at 45 degrees may have a certain range.
  • the diagonal direction may be an inclination direction of about +45 degrees, or about ⁇ 45 degrees, and may mean an angle between the x direction and the y direction.
  • the oblique direction may comprise an angle between +40 degrees and +50 degrees, or -40 degrees and -50 degrees.
  • the average centerline average surface roughness in the longitudinal direction of the non-deposition region DA, the average centerline average surface roughness in the diagonal about +45 degree direction, the average centerline average surface roughness in the diagonal about -45 degree direction, and the width direction Average center line average surface roughness is 0.1 ⁇ to 0.3 ⁇
  • the average ten point average surface roughness in the 45 degree direction and the average ten point average surface roughness in the width direction may be 0.5 ⁇ m to 2.0 ⁇ m.
  • the average centerline average surface roughness in the longitudinal direction of the non-deposited area DA, the average centerline average surface roughness in the diagonal about +45 degree direction, the average centerline average surface roughness in the diagonal about -45 degree direction, and The average centerline average surface roughness in the width direction is 0.1 ⁇ m to 0.2 ⁇ m
  • the average ten-point average surface roughness in the longitudinal direction of the non-deposited area DA, and the average ten-point average surface roughness in the diagonal about +45 degree direction The average ten point average surface roughness in the diagonal about -45 degree direction and the average ten point average surface roughness in the width direction may be 0.5 ⁇ m to 1.5 ⁇ m.
  • the average centerline average surface roughness in the longitudinal direction of the non-deposited area DA, the average centerline average surface roughness in the diagonal about +45 degree direction, the average centerline average surface roughness in the diagonal about -45 degree direction, and The average centerline average surface roughness in the width direction is 0.1 ⁇ m to 0.15 ⁇ m
  • the average ten point average surface roughness in the diagonal about -45 degree direction and the average ten point average surface roughness in the width direction may be 0.5 ⁇ m to 1.0 ⁇ m.
  • the OLED deposition mask having a QHD resolution of 500 PPI or more of the embodiment has a diameter of a through hole of 33 ⁇ m or less, and a distance between each center of two adjacent through holes among the plurality of through holes is 48 ⁇ m or less, and faces the hole on the other surface.
  • the inclination angle of is 40 degrees to 55 degrees, and the deviation of the average centerline average surface roughness Ra (RD) value in the longitudinal direction with respect to the average centerline average surface roughness Ra (TD) in the width direction ((
  • / Rz (TD) x 100 (%)) of the 10 point average surface roughness Rz (RD) value in the direction may be less than 50%.
  • OLED deposition mask having a UHD resolution of 800PPI or more of the embodiment of the through-hole diameter is 20 ⁇ m or less, the inclination angle of the facing hole with respect to the other surface is 45 to 55 degrees, two adjacent through holes of the plurality of through holes
  • the distance between each center of a hole is 32 micrometers or less, and the deviation of the average centerline average surface roughness Ra (RD) value in the said longitudinal direction with respect to the average centerline average surface roughness Ra (TD) in the said width direction ( (
  • the deviation of the average centerline average surface roughness Ra (RD) value in the longitudinal direction with respect to the average centerline average surface roughness Ra (TD) in the width direction ((
  • / Rz (TD) x 100 (%)) of the point average surface roughness Rz (RD)) value may be 15% or less.
  • the deviation of the average centerline average surface roughness Ra (RD) value in the longitudinal direction with respect to the average centerline average surface roughness Ra (TD) in the width direction ((
  • / Rz (TD) x 100 (%)) of the point average surface roughness Rz (RD)) value may be 10% or less.
  • the vapor deposition region includes an ineffective portion in an area other than the effective portion, and the surface roughness of the island portion among the ineffective portions includes an average centerline average surface roughness in the longitudinal direction, an average centerline average surface roughness in the diagonal direction, and a width direction.
  • Average center line average surface roughness is 0.1 ⁇ m to 0.3 ⁇ m
  • the average ten point average surface roughness in the longitudinal direction, the average center line average surface roughness in the diagonal direction, and the average ten point average surface roughness in the width direction are 0.5 ⁇ m to 2.0 ⁇ m
  • the deviation of the average centerline average surface roughness Ra (RD) value in the longitudinal direction relative to the average centerline average surface roughness Ra (TD) in the width direction ((
  • Deviation of Average Surface Roughness (Rz (RD)) Value (
  • the surface roughness of the island portion among the ineffective portions may have an average center line average surface roughness in the longitudinal direction, an average center line average surface roughness in the diagonal direction, and an average center line average surface roughness in the width direction of 0.1 ⁇ m to 0.2 ⁇ m, and the longitudinal direction Average 10-point average surface roughness in the surface, average centerline average surface roughness in the diagonal direction, and average 10-point average surface roughness in the width direction are 0.5 ⁇ m to 1.5 ⁇ m, and the average centerline average surface roughness in the width direction (Ra Deviation of the mean center line average surface roughness (Ra (RD)) value in the longitudinal direction with respect to (TD)) ((
  • the surface roughness of the island portion among the ineffective portions is 0.1 m to 0.15 m in average center line average surface roughness in the longitudinal direction, average center line average surface roughness in the diagonal direction and average center line average surface roughness in the width direction.
  • Average 10-point average surface roughness in the surface, average centerline average surface roughness in the diagonal direction, and average 10-point average surface roughness in the width direction are 0.5 ⁇ m to 1.0 ⁇ m, and the average centerline average surface roughness in the width direction (Ra Deviation of the mean center line average surface roughness (Ra (RD)) value in the longitudinal direction with respect to (TD)) ((
  • Separation areas IA1, IA2 located between adjacent effective areas AA1, AA2, AA3 have an average centerline average surface roughness in the longitudinal direction, an average centerline average surface roughness in the diagonal direction and an average centerline average surface roughness in the width direction.
  • Is 0.1 ⁇ m to 0.3 ⁇ m, and the average ten-point average surface roughness in the longitudinal direction of the non-effective portion, the average ten-point average surface roughness in the diagonal direction, and the average ten-point average surface roughness in the width direction are 0.5 ⁇ m to 2.0. May be ⁇ m.
  • 6A, 6B, and 7 are a plan view and a photograph showing a plan view of the effective portion of the deposition mask.
  • 6A, 6B, and 7 are plan views or photographs of one of the effective parts of the first valid part AA1, the second valid part AA2, and the third valid part AA3.
  • 6A, 6B and 7 illustrate the shape of the silver through holes and the arrangement of the through holes, and the deposition mask according to the embodiment is not limited to the number of through holes in the drawing.
  • the deposition mask 100 may include a plurality of through holes.
  • the plurality of through holes may have a circular shape. Accordingly, the diameter Cx in the horizontal direction of the through hole and the diameter Cy in the vertical direction may correspond to each other.
  • an elliptical shape may be provided. Accordingly, the diameter Cx in the horizontal direction of the through hole and the diameter Cy in the vertical direction may be different from each other.
  • the diameter Cx in the horizontal direction of the through hole may be larger than the diameter Cy in the vertical direction.
  • the embodiment is not limited thereto, and the through hole may have a rectangular shape, an octagonal shape, or a rounded octagonal shape.
  • each horizontal diameter (Cx) between the holes adjacent to the reference hole may be implemented in 2% to 10%. That is, when the size deviation between adjacent holes of one reference hole is 2% to 10%, uniformity of deposition may be secured.
  • the size deviation between the reference hole and the adjacent holes may be 4% to 9%.
  • the size deviation between the reference hole and the adjacent holes may be 5% to 7%.
  • the size deviation between the reference hole and the adjacent holes may be 2% to 5%.
  • the moire generation rate may increase in the OLED panel after deposition.
  • the size deviation between the reference hole and the adjacent holes is more than 10%, the occurrence rate of color spots in the OLED panel after deposition may increase.
  • the average deviation of the through hole diameter may be ⁇ 5 ⁇ m.
  • the average deviation of the through hole diameter may be ⁇ 3 ⁇ m.
  • the average deviation of the through hole diameter may be ⁇ 1 ⁇ m.
  • the embodiment may improve the deposition efficiency by implementing the size deviation between the reference hole and the adjacent holes within ⁇ 3 ⁇ m.
  • the through holes may be arranged in a line or staggered with each other according to a direction. 6A and 6B, the through holes may be arranged in a row on the vertical axis and in a row on the horizontal axis.
  • the first through hole TH1 and the second through hole TH2 may be arranged in a row on the horizontal axis.
  • the third through hole TH1 and the fourth through hole TH4 may be arranged in a row on the horizontal axis.
  • the first through hole TH1 and the third through hole TH3 may be arranged in a row on the longitudinal axis.
  • the second through hole TH2 and the fourth through hole TH4 may be arranged in a row on the horizontal axis.
  • the island portion When the through-holes are arranged in a row on the longitudinal axis and the horizontal axis, the island portion may be located between two adjacent through-holes in a diagonal direction that intersects both the longitudinal axis and the horizontal axis. That is, the island portion may be located between two adjacent through holes positioned diagonally to each other.
  • the island part IS may be disposed between the first through hole TH1 and the fourth through hole TH4.
  • the island portion IS may be disposed between the second through hole TH2 and the third through hole TH3.
  • the island portion IS may be positioned in a diagonal direction of about +45 degrees and a diagonal direction of about -45 degrees around the horizontal axis crossing two adjacent through holes.
  • the diagonal direction of about ⁇ 45 degrees may mean a diagonal direction between the horizontal axis and the longitudinal axis
  • the inclination angle of the diagonal direction may be measured in the same plane of the horizontal axis and the vertical axis.
  • the through holes may be arranged in a row in one of the longitudinal axis and the horizontal axis, and may be alternately arranged in the other axis.
  • the first through hole TH1 and the second through hole TH2 may be arranged in a row on the horizontal axis.
  • the third through hole TH1 and the fourth through hole TH4 may be alternately disposed in the longitudinal axis with the first through hole TH1 and the second through hole TH2, respectively.
  • the island portion may be located between two adjacent through-holes in the other direction of the longitudinal or transverse axis. have.
  • the island portion may be located between three through holes adjacent to each other. Two through-holes of three adjacent through-holes are through-holes arranged in a row, and the other through-holes may be disposed in an area between the two through-holes at an adjacent position in a direction corresponding to the line direction. It may mean a through hole.
  • the island part IS may be disposed between the first through hole TH1, the second through hole TH2, and the third through hole TH3.
  • the island portion IS may be disposed between the second through hole TH2, the third through hole TH3, and the fourth through hole TH4.
  • 6A, 6B, and 7 may refer to an unetched surface between the through holes on the other surface of the deposition mask in which the facing hole of the effective portion AA is formed.
  • the island portion IS may be the other surface of the non-etched deposition mask except for the second inner surface ES2 and the through hole TH, which are located in the facing hole, in the effective portion AA of the deposition mask.
  • the deposition mask of the embodiment may be for the deposition of OLED pixels of high resolution to ultra high resolution having a resolution of 500 PPI to 800 PPI or more.
  • the deposition mask of the embodiment may be for forming a deposition pattern having a high resolution of QHD (Quad High Definition) having a resolution of 500 PPI or more.
  • the deposition mask of the embodiment may be for OLED pixel deposition having a pixel number of 2560 * 1440 or more in the horizontal direction and the vertical direction of 530 PPI or more.
  • the number of pixels per inch can be at least 530 PPI based on a 5.5 inch OLED panel. That is, one effective part included in the deposition mask of the embodiment may be for forming a pixel number of resolution 2560 * 1440 or more.
  • the deposition mask of the embodiment may be for forming a deposition pattern having an ultra high resolution of Ultra High Definition (UHD) having a resolution of 700 PPI or more.
  • UHD Ultra High Definition
  • the deposition mask of the embodiment has a deposition pattern having a UHD (Ultra High Definition) resolution for the deposition of OLED pixels of 794 PPI (800 PPI) or more in the horizontal and vertical pixels of 3840 * 2160 or more. It may be for forming.
  • the diameter of one through hole may be a width between the communication parts CA.
  • the diameter of one through hole may be measured at the point where the end of the inner surface in the small hole meets the end of the inner surface in the facing hole.
  • the measuring direction of the diameter of the through hole may be any one of a horizontal direction, a vertical direction, and a diagonal direction.
  • the diameter of the through hole measured in the horizontal direction may be 42 ⁇ m or less.
  • the diameter of the through hole measured in the horizontal direction may be 42 ⁇ m or less.
  • the diameter of the through hole may be an average value of values measured in a horizontal direction, a vertical direction, and a diagonal direction, respectively.
  • the deposition mask according to the embodiment may implement a QHD resolution.
  • the diameter of the through hole in the horizontal direction may be 20 ⁇ m or less. Accordingly, the deposition mask according to the embodiment may implement a UHD-class resolution.
  • the diameter of the through hole may be 15 ⁇ m to 33 ⁇ m.
  • the diameter of the through hole may be 19 ⁇ m to 33 ⁇ m.
  • the diameter of the through hole may be 20 ⁇ m to 17 ⁇ m.
  • the diameter of the through hole is more than 33 ⁇ m, it may be difficult to realize a resolution of 500 PPI or more.
  • the diameter of the through hole is less than 15 ⁇ m may result in poor deposition. That is, the diameter of the through hole may vary depending on the resolution of the deposition mask.
  • the diameter of the through hole may be measured based on the green (G) pattern.
  • G green
  • the R, G, and B patterns since the G pattern has a low recognition rate through vision, a larger number is required than the R and B patterns, and the spacing between the through holes may be narrower than that of the R and B patterns.
  • the measuring direction of the diameter of the through hole and the measuring direction of the gap between the two through holes may be the same.
  • the spacing of the through holes may be a measure of the spacing between two adjacent through holes in a horizontal or vertical direction.
  • a pitch between two adjacent through holes among the plurality of through holes in the horizontal direction may be 48 ⁇ m or less.
  • a pitch between two adjacent through holes among the plurality of through holes in the horizontal direction may be 20 ⁇ m to 48 ⁇ m.
  • a pitch between two adjacent through holes among the plurality of through holes in the horizontal direction may be 30 ⁇ m to 35 ⁇ m.
  • the interval may mean a distance P1 between the centers of two adjacent first through holes TH1 and the center of the second through holes TH2 in the horizontal direction.
  • the spacing may refer to a spacing P2 between the center of two adjacent first island portions and the center of the second island portion in the horizontal direction.
  • the center of the island portion may be the center at the unetched other surface between four adjacent through holes in the horizontal and vertical directions.
  • the center of the island portion has a third through hole adjacent in the vertical direction with respect to the first through hole TH1 based on two first through holes TH1 and a second through hole TH2 adjacent in the horizontal direction.
  • a point where the horizontal axis connecting the edge of one island portion IS located in the area between TH3 and the second through hole TH2 and the fourth through hole TH4 adjacent in the vertical direction and the vertical axis connecting the edge cross each other. It may mean.
  • the spacing may mean a spacing P2 between the center of the first island portion between three adjacent through holes in the horizontal direction and the center of the second island portion adjacent to the first island portion.
  • the distance P2 between a center of two adjacent first island portions and a center of a second island portion in a horizontal direction may be referred to.
  • the center of the island portion may be the center at the unetched other surface between one through hole and two adjacent through holes in the vertical direction.
  • the center of the island portion may be the center at the unetched other surface between two through holes and one through hole adjacent in the vertical direction. That is, the center of the island portion is the center of the non-etched surface between three adjacent through holes, and the three adjacent through holes may mean that a triangular shape can be formed when the center of the island is the center.
  • a center of the island portion may include two first through holes TH1 and a second through hole TH2 adjacent to each other in the horizontal direction, and each of the first through hole TH1 and the second through hole TH2. It may be the center at the other surface that is not etched between the third through holes TH3 at least partially or entirely positioned in the regions between the vertical directions.
  • the diameter of the through holes is 33 ⁇ m or less, and the pitch between the through holes is 48 ⁇ m or less, so that OLED pixels having a resolution of 500 PPI or more can be deposited. That is, the QHD resolution may be implemented using the deposition mask according to the embodiment.
  • the diameter of the through hole and the gap between the through holes may be a size for forming a green sub pixel.
  • the deposition mask may be an OLED deposition mask for implementing quad high display pixels.
  • the deposition mask may be for depositing at least one subpixel among red (R), first green (G1), blue (B), and second green (G2).
  • the deposition mask may be for depositing a red (R) subpixel.
  • the deposition mask may be for depositing a blue (B) subpixel.
  • the deposition mask may be for simultaneously forming the first green (G1) subpixel and the second green (G2) subpixel.
  • the pixel array of the organic light emitting diode display may be arranged in the order of 'red (R)-first green (G1)-blue (B)-second green (G2)'.
  • red (R) -first green (G1) may form one pixel RG
  • blue (B) -second green (G2) may form another pixel (BG).
  • a deposition mask of the form of the present invention may be required.
  • the diameter of the through-holes is 20 ⁇ m or less, and the interval between the through holes is 32 ⁇ m or less, so that an OLED pixel having a resolution of 800 PPI level can be deposited. That is, UHD-class resolution may be implemented using the deposition mask according to the embodiment.
  • the diameter of the through hole and the gap between the through holes may be a size for forming a green sub pixel.
  • the deposition mask may be an OLED deposition mask for implementing an ultra high display pixel.
  • FIG. 6C is a cross-sectional view of each cross section for explaining the height step and size between the cross section in the A-A 'direction and the cross section in the B-B' direction of FIGS. 6A and 6B.
  • A-A 'direction is a cross section which crosses the center area
  • the cross section in the A-A 'direction may be an island portion IS, which is the other surface of the deposition mask, which is not etched between the inner surface ES2 in the facing hole and the inner surface ES2 in the facing hole.
  • the island portion IS may include a surface parallel to an unetched surface of the deposition mask.
  • the island portion IS may include a surface that is the same as or parallel to the other unetched surface of the deposition mask.
  • the B-B 'direction is a cross section that crosses the center of each of the two first through holes TH1 and the second through hole TH2 adjacent in the horizontal direction. That is, the cross section in the direction B-B 'may include a plurality of through holes.
  • One rib may be located between the adjacent third through hole TH3 and the fourth through hole TH4 in the direction B-B '. Another rib may be positioned between the fourth through hole TH4 and the fourth through hole in the horizontal direction and between the fifth through hole located in the opposite direction to the third through hole TH3.
  • One through hole may be located between the one rib and the other rib. That is, one through hole may be located between two adjacent ribs in the horizontal direction.
  • the cross section in the direction B-B ' may include a rib RB, which is an area where the inner surface ES2 in the facing hole and the inner surface ES2 in the adjacent facing hole are connected to each other.
  • the rib RB may be an area where the boundary between two adjacent facing holes is connected. Since the rib RB is a surface formed by etching, the rib RB may have a smaller thickness than the island portion IS.
  • the island portion may have a width of 2 ⁇ m or more. That is, the width of the portion remaining unetched on the other surface in a direction parallel to the other surface may be 2 ⁇ m or less.
  • the total volume of the deposition mask may be increased.
  • the deposition mask having such a structure may be advantageous to ensure sufficient rigidity with respect to the tensile force applied in the organic material deposition process and the like, and to maintain the uniformity of the through-holes.
  • FIGS. 8 and 9 a cross-sectional view in which the rib RB and the through hole between the ribs of the effective area are enlarged according to an exemplary embodiment of the present disclosure.
  • FIG 8 is a view showing a through hole after the wet etching process according to an embodiment of the present invention
  • Figure 9 is a view showing a through hole after the electrolytic polishing process according to an embodiment of the present invention.
  • surface roughness means the degree of minute unevenness occurring on the metal surface when the metal surface is processed. Surface roughness is caused by tools used for processing, suitability of processing methods, scratches and rust on the surface, and the like.
  • the statistical value representing the degree of surface roughness is called roughness parameter.
  • the roughness parameters include Ra (center line average value), Rmax (Rt-maximum roughness), Rz (ten point average roughness), Rq (square average roughness, RMS), and the like.
  • the Ra (center line average value) uses Ra, AA, or CLA as a symbol of the center line average value for surface roughness, and means the mean roughness, the arithmetic average, and the center line average, respectively. It includes.
  • the value of Ra is obtained as the average within the reference length of the absolute values of the length from the center line to the cross-sectional curve of the surface.
  • Rmax (Rt, Maximum Roughness) means Maximum Peak to Vally Roughness Height, and Rmax or Rt is used as a symbol thereof. This is the distance between two parallel lines taken from the roughness cross section curve by the reference length and parallel to the center line of the cross section curve and contacting the highest mountain and the deepest valley.
  • Rz is a ten point average roughness. This is taken from the roughness cross section curve by the reference length, and draws an arbitrary straight line (base line) parallel to the average line of the cross section curve and calculates the average value of the distance from the baseline of the five highest peaks and the distance from the baseline of the five lowest valleys. It is shown by the difference from an average value. (See picture below)
  • Rq is a parameter having a similar meaning to the root mean square roughness Ra, but the calculation method is slightly different.
  • Ra is calculated using the arithmetic mean, using the average method, but Rq is calculated using the root-mean-square (RMS) method.
  • Rq is an RMS value of roughness.
  • provided average surface roughness (Rq, RMS) was used as the roughness parameter for the first inner surface of the small hole including the through hole and the second inner surface of the facing hole.
  • the deposition mask after the wet etching process and before the electropolishing process according to the present invention has a thickness, as shown in FIG. 8, orthogonal to the thickness direction, and facing each other 101 and 102. It is provided with a metal plate having a), penetrating the one surface 101 and the other surface 102, and comprises a plurality of unit holes having a small hole (V1) and a facing hole (V2) to communicate with each other.
  • the small surface hole V1 and the facing hole V2 share and communicate the communication part CA which is a boundary part which mutually communicates.
  • the through hole may be implemented in a structure in which a plurality of through holes are provided.
  • the third square mean surface roughness RMS3 of one surface 101 or the other surface 102 after the wet etching process implemented in the deposition mask according to the present invention is the first square mean surface roughness of the small hole V1 ( RMS1) or the second square average surface roughness RMS2 of the facing hole V2 may be formed to have a value smaller than RMS2 [RMS3 ⁇ RMS1 or RMS2]. This is because the wet etching process is performed by an etching solution such as iron chloride, and the square average surface roughness (RMS1, RMS2) of the inner surface of the through hole is increased by the physical property of the etching solution.
  • the second square mean surface roughness RMS2 of the second inner surface ES2 that is the inner surface of the facing hole V2 is the first of the first inner surface ES1 that is the inner surface of the small hole V1. It may be formed to have a value less than the root mean square surface roughness (RMS1).
  • RMS1 root mean square surface roughness
  • the etching process for the facing hole (V2) and the small hole (V1) may be performed under the same conditions except for the etching time. Accordingly, the first root mean square surface roughness RMS1 and the second root mean square surface roughness RMS2 may have similar levels.
  • the second root mean square surface roughness RMS2 of the second inner side surface ES2 may be 95% to 99% of the first root mean square surface roughness RMS1 of the first inner side surface ES1.
  • each of the first root mean square surface roughness RMS1 and the second root mean square surface roughness RMS2 may have a root mean square surface roughness RMS of 200 nm or more.
  • the first root mean square roughness RMS and the second root mean square roughness RMS may each have a root mean square roughness in the range of 150 nm to 200 nm.
  • the inclination angle ⁇ 1 of the first inner surface ES1, which is an inner surface of the small hole V1 may be formed to be 75 ° or less.
  • the cross-sectional inclination angle ⁇ 1 of the first inner surface ES1, which is an inner surface of the small hole V1 may satisfy a range between 60 ° and 70 °.
  • the cross-sectional inclination angle ⁇ 1 is an imaginary straight line L1 connecting between one end C1 of the face hole V1 and one end A1 of the communication part CA and one surface of the deposition mask ( 101) may mean a cabinet between. That is, the inclination angle ⁇ 1 of the first inner side surface ES1, which is the inner side surface of the small hole V1, may be formed up to 75 °.
  • the relationship between the diameter (A) of the communication portion (CA) and the diameter (C) of the small hole (V1) may be implemented to have a range that satisfies 1: (1.2 ⁇ 1.3). That is, the diameter (A) of the communication portion (CA) may be smaller than the diameter (C) of the small surface hole (V1). Preferably, the difference between the diameter (A) of the communication portion (CA) and the diameter (C) of the small hole (V1) may be 3 ⁇ m or more.
  • the diameter A of the communication part CA may mean a width between both ends A1 and A2 of the communication part CA corresponding to an imaginary straight line passing through the center of the communication part CA.
  • the diameter C of the face hole V1 is formed at both ends of the face hole V1 corresponding to an imaginary straight line passing through the center of the face hole V1 on one surface 101 of the deposition mask. It may mean the width between C1, C2).
  • the inner surface of each of the small holes V1 and the large holes V2 after the wet etching process has a square average surface roughness RMS of 150 nm or more.
  • RMS mean square surface roughness
  • the cross-sectional inclination angle of the small hole (V1) after the wet etching process as described above can be formed up to 75 degrees.
  • the cross-sectional inclination angle of the small hole (V1) as described above is formed to the level of 75 degrees, the shadow effect is not completely eliminated, thereby reducing the deposition efficiency.
  • an additional electrolytic polishing process is performed to obtain a square mean of the first inner surface ES1 of the small surface hole V1 and the second inner surface ES2 of the large surface hole V2. Allows you to adjust the surface roughness (RMS).
  • the electrolytic polishing process is performed to form a cross-sectional inclination angle of the small hole V1 at a level of 75 degrees or more.
  • FIG 9 illustrates a through hole finally formed after the electropolishing process according to an embodiment of the present invention.
  • the deposition mask of the embodiment may have a thickness different from that of the effective portion AA in which the through hole is formed by the etching and electropolishing processes, and the thickness of the non-etched invalid portion UA.
  • the thickness of the rib RB may be smaller than the thickness in the non-etched non-effective portion UA.
  • the thickness of the invalid portion may be larger than the thickness of the effective portion.
  • the deposition mask of the embodiment may have a maximum thickness of the ineffective portion or the non-deposition region of 30 ⁇ m or less.
  • the deposition mask of the embodiment may have a maximum thickness of the ineffective portion to the non-deposition region of 25 ⁇ m or less.
  • the deposition mask of the embodiment may have a maximum thickness of the non-effective portion to the non-deposited region of 15 ⁇ m to 25 ⁇ m.
  • the maximum thickness of the ineffective portion or the non-deposition region of the deposition mask according to the embodiment is greater than 30 ⁇ m, it may be difficult to form through holes having a fine size because the thickness of the metal plate is thick.
  • the maximum thickness of the ineffective portion or the non-deposition region of the deposition mask according to the embodiment is less than 15 ⁇ m, it may be difficult to form a through hole having a uniform size because the thickness of the metal plate material is thin.
  • the through-hole of the deposition mask may be implemented to be different from the depth in the thickness direction of the metal plate of the small hole (V1) and the depth in the thickness direction of the metal plate of the facing hole (V2).
  • the depth b from the small hole V1 to the communicating portion CA may be smaller than the depth a from the large hole V2 to the communicating portion CA.
  • the depth (a) of the small hole (V1) may be implemented to have a range in which a relationship ratio with the total thickness (c) of the metal plate satisfies 1: (3 to 30). That is, the depth (a) of the small hole (V1) may act as an important factor that can control the thickness of the deposition.
  • the change in the thickness of the organic material is large, thereby Areas that cannot be deposited may occur.
  • the non-deposited regions reduce the area of the organic material in the entire OLED, thereby acting as a cause of reducing the lifetime.
  • the ratio of the depth a of the small hole V1 and the thickness c of the metal plate may satisfy 1: (3.5 to 12.5) within the above range. More preferably, it can be implemented to satisfy the ratio of 1: (4.5-10.5).
  • the thickness c of the metal plate satisfying the ratio range may be implemented in a range of 10 ⁇ m to 50 ⁇ m. If the thickness of the metal plate is less than 10 ⁇ m, the degree of twisting of the substrate is difficult to control the process, and if the thickness of the substrate exceeds 50 ⁇ m, the deposition of the undeposited area (dead space) during the subsequent deposition is increased OLED It is impossible to implement a fine pattern of.
  • the thickness (c) of the substrate can be implemented to meet the thickness of 15 ⁇ m ⁇ 40 ⁇ m. Further more preferably, it can be implemented in 20 ⁇ m ⁇ 30 ⁇ m.
  • the depth (a) of the small hole (V1) corresponding to the thickness (c) of the metal plate is preferably implemented to satisfy the range of 0.1 ⁇ m ⁇ 7 ⁇ m. This is difficult to implement a groove when the depth (a) of the small hole (V1) is less than 0.1 ⁇ m, and if the depth (a) of the small hole (V1) exceeds 7 ⁇ m is not deposited later Due to the dead space, it is difficult to form the OLED fine pattern, and the area of the organic material is reduced, thereby reducing the life of the OLED.
  • the depth (a) of the small hole (V1) can be implemented in a depth range of 1 ⁇ m ⁇ 6 ⁇ m in the above range, more preferably can be implemented in 2 ⁇ m ⁇ 4.5 ⁇ m.
  • the maximum thickness measured at the center of the rib (RB) of the thickness for each region of the deposition mask may be 15 ⁇ m or less.
  • the maximum thickness measured at the center of the rib (RB) may be 7 ⁇ m to 10 ⁇ m.
  • the maximum thickness measured at the center of the rib may be 6 ⁇ m to 9 ⁇ m.
  • the maximum thickness measured at the center of the rib RB is more than 15 ⁇ m, it may be difficult to form an OLED deposition pattern having a high resolution of 500 PPI or more.
  • the maximum thickness measured at the center of the rib RB is less than 6 ⁇ m, uniform formation of the deposition pattern may be difficult.
  • the depth a of the small hole V1 of the deposition mask may be 0.2 to 0.4 times the maximum thickness measured at the center of the rib RB.
  • the maximum thickness measured at the center of the rib RB is 7 ⁇ m to 9 ⁇ m
  • the depth a between one surface of the small hole V1 of the deposition mask and the communication portion is 1.4 ⁇ m to 3 ⁇ m. May be ⁇ m.
  • the depth (a) of the small hole of the deposition mask may be 3.5 ⁇ m or less.
  • the depth of the small hole may be 0.1 ⁇ m to 3.2 ⁇ m.
  • the depth of the small hole in the deposition mask may be 0.5 ⁇ m to 3.5 ⁇ m.
  • the depth of the small hole of the deposition mask may be 2 ⁇ m to 3.2 ⁇ m.
  • the depth may be measured in the thickness measurement direction, that is, the depth direction of the deposition mask, and may be a measure of the height from one surface of the deposition mask to the communication portion. In detail, it may be measured in the z-axis direction of 90 degrees each of the horizontal direction (x direction) and the vertical direction (y direction) described above in the plan view of FIG.
  • deposition failure may occur due to a shadow effect in which the deposition material spreads to an area larger than the area of the through hole during OLED deposition.
  • the diameter C 'on one surface of the deposition mask V1 of the deposition mask and the diameter A ⁇ at the communication portion, which is a boundary between the surface hole V1 and the facing hole V2, are similar to each other or mutually. can be different.
  • the diameter C1 at one surface on which the small hole V1 of the deposition mask is formed may be larger than the diameter A ′ at the communicating portion.
  • the difference between the diameter C ′ of the small hole V1 on one surface of the deposition mask and the diameter A1 at the communicating portion may be 0.01 ⁇ m to 1.1 ⁇ m.
  • a difference between the diameter C ′ of the small hole V1 on one surface of the deposition mask and the diameter A ′ at the communicating portion may be 0.03 ⁇ m to 1.1 ⁇ m.
  • the difference between the diameter C ′ of the small hole V1 on one surface of the deposition mask and the diameter A ′ at the communicating portion may be 0.05 ⁇ m to 1.1 ⁇ m.
  • the difference of the diameter of the said small surface hole V1 and the diameter of the communicating part CA was 3 micrometers or more.
  • the electrolytic polishing process is further performed on the first inner side surface ES1 of the face hole V1 and the second inner side surface ES2 of the facing hole V2 as described above. Accordingly, the inner surface around the communication portion CA is further removed.
  • a difference between the diameter C ′ of the facet hole V1 and the diameter A ′ at the communication part may be smaller than 1.1 ⁇ m. .
  • the ratio of the relationship between the diameter (A ⁇ ) of the communication portion (CA) and the diameter (C ⁇ ) of the small hole (V1) may be implemented to have a range that satisfies 1: (1.01 ⁇ 1.2).
  • the ratio of the relationship between the diameter (A ⁇ ) of the communication portion (CA) and the diameter (C ⁇ ) of the small hole (V1) may be implemented to have a range that satisfies 1: (1.05 ⁇ 1.1). .
  • An inclination angle ⁇ 2 of the small hole measured on one surface of the deposition mask may be 89 degrees or less.
  • the inclination angle of the small hole may mean that measured in the rib (RB).
  • An inclination angle ⁇ 2 of the small hole V1 which is an inner angle of, may be 89 degrees or less.
  • a cross-sectional inclination angle ⁇ 2 of one of the small holes (C1 ′) located on one surface of the deposition mask and one of the small holes (V1) connecting the one end (A1 ′) of the communication portion between the small and small holes. May be 75 degrees to 89 degrees.
  • a cross-sectional inclination angle ⁇ 2 of one of the small holes (C1 ′) located on one surface of the deposition mask and one of the small holes (V1) connecting the one end (A1 ′) of the communication portion between the small and small holes. May be 78 degrees to 89 degrees.
  • a cross-sectional inclination angle ⁇ 2 of one of the small holes (C1 ′) located on one surface of the deposition mask and one of the small holes (V1) connecting the one end (A1 ′) of the communication portion between the small and small holes. May be between 85 and 89 degrees.
  • the cross-sectional inclination angle of the small hole (V1) connecting one end (C1 ⁇ ) of the small hole and one end (A1 ⁇ ) of the communication portion between the small hole and the facing hole located on one surface of the deposition mask is less than 70 degrees Defects may occur due to effects.
  • the cross-sectional inclination angle between the virtual straight line connecting the one end of the small hole (V1) and the one end of the communicating portion CA before the electropolishing process and the one surface 101 was at a maximum of 75 degrees.
  • the electropolishing process is further performed as described above to further remove the first inner side surface ES1 of the small hole V1 and the second inner side surface ES2 of the facing hole V2. Proceed with the process. Accordingly, the communication part CA, which is an interface between the first inner side surface ES1 and the second inner side surface ES2, is processed in a smooth round shape, so that the cross-sectional inclination angle of the small hole V1 is changed. Can increase.
  • each of the small holes (V1) and the large holes (V2) of the through hole, which has undergone only the wet etching process, has a constant curvature with respect to the communicating part CA.
  • the small hole V1 in which only the wet etching process is performed has a first curvature corresponding to the first etching factor.
  • the facing hole V2 in which only the wet etching process is performed has a second curvature corresponding to the second etching factor.
  • between the one end (B1) of the facing hole (V2) constituting the facing hole (V2) and one end of the communication portion (CA) has a constant curvature without an inflection point.
  • the communicating portion CA communicating the small holes V1 and the large holes V2 has a smooth round shape curvature different from the conventional one.
  • the faceting hole V1 is the first inflection point IP1 between one end C2 'of the faceting hole V1 corresponding to the one surface 101 and one end A2' of the communicating part CA. ) Is formed. Accordingly, the first inner side surface ES1 of the small surface hole V1 may have a first sub-first inner side surface between one end C2 ′ corresponding to the one surface 101 and the first inflection point IP1. And a second sub-first inner surface between the first inflection point IP1 and the communicating portion CA.
  • the facing hole V2 has a second inflection point IP2 between one end B2 of the facing hole V2 corresponding to the other surface 102 and one end A2 ′ of the communicating portion CA. Is formed. Accordingly, the second inner side surface ES2 of the facing hole V2 may include a first sub second inner side surface between one end B2 corresponding to the other surface 102 and the second inflection point IP2; And a second sub-second inner surface between the second inflection point IP2 and the communicating portion CA.
  • the first sub-first inner surface has a first curvature
  • the second sub-first inner surface and the second sub-second inner surface have one different second curvature
  • the first sub-second The inner side may have another third curvature.
  • an additional curvature of a round shape around the communication portion CA may be formed to be gentle, and thus, the surface of the small hole (V1) may be formed. It is possible to increase the cross-sectional inclination angle.
  • the cross-sectional inclination angle of the facing hole (V2) may be 55 degrees or less.
  • the facing surface corresponding to an internal angle between an imaginary straight line connecting one end B1 of the facing hole V2 and one end A1 ⁇ between the faceting hole and the facing hole and the other surface 102 of the deposition mask.
  • the cross-sectional inclination angle of the ball V2 may be 40 degrees to 55 degrees. Accordingly, the deposition pattern having a high resolution of 500 PPI or more may be formed and an island portion may exist on the other surface of the deposition mask.
  • the facing surface corresponding to an internal angle between an imaginary straight line connecting one end B1 of the facing hole V2 and one end A1 ⁇ between the faceting hole and the facing hole and the other surface 102 of the deposition mask.
  • the cross-sectional inclination angle of the ball V2 may be 45 degrees to 55 degrees. Accordingly, the deposition pattern having a high resolution of 800 PPI or more may be formed, and island portions may exist on the other surface of the deposition mask.
  • 10 is a view comparing the square average surface roughness of the inner surface of the through hole of the embodiment of the present invention and the comparative example.
  • the third square mean surface roughness RMS3 of the one surface 101 or the other surface 102 after the electrolytic polishing process according to the present invention is formed by the first inner surface ES1 of the small hole V1. It can be formed to have a value larger than the first square mean surface roughness (RMS1 ⁇ ) or the second square average surface roughness (RMS2 ⁇ ) of the second inner side surface ES2 of the facing hole (V2) [RMS1 or RMS2 ⁇ RMS3 ]. This is because, by the electropolishing process, the etchant such as iron chloride in the wet etching process is removed to reduce the root mean square roughness (RMS1, RMS2) of the inner surface of the through hole.
  • the etchant such as iron chloride in the wet etching process
  • the 1st inner side surface whose 2nd square average surface roughness RMS2 ⁇ of the 2nd inner side surface ES2 which is an inner side surface of the said facing hole V2 after the said electrolytic polishing process is an inner side surface of the said small face hole V1. It can be formed so as to have a value equal to or more than the first square mean surface roughness (RMS1 ') of (ES1). [RMS1'? The process may be performed under the same conditions, such that the first square mean surface roughness RMS1 ′ and the second square mean surface roughness RMS2 ′ may have similar levels.
  • the first root mean square surface roughness RMS1 ⁇ of the first inner side surface ES1 may be 95% to 99% of the second root mean square surface roughness RMS2 ⁇ of the second inner side surface ES2.
  • each of the first average surface roughness RMS1 ′ and the second square mean surface roughness RMS2 ′ may have a square mean surface roughness RMS of less than 150 nm.
  • the first square mean surface roughness RMS1 ′ and the second square mean surface roughness RMS2 ′ may each have a square mean surface roughness RMS of 50 nm to 150 nm.
  • the first square mean surface roughness RMS1 ′ and the second square mean surface roughness RMS2 ′ may each have a square mean surface roughness RMS of 50 nm to 100 nm.
  • the deposition mask includes a plurality of through holes formed by communicating the first surface hole and the second surface hole.
  • the through hole may be formed by further performing an electropolishing process after performing a wet etching process.
  • the root mean square surface roughness (RMS) of the inner wall of the through hole is smaller than the root mean square surface roughness (RMS) of the first and / or second surface of the deposition mask.
  • the deposition mask in the present invention has a root mean square surface roughness (RMS) of the inner wall of the through hole smaller than 150 nm. More preferably, the deposition mask of the present invention satisfies the range of 50 nm to 100 nm of the root mean square surface roughness (RMS) of the inner wall of the through hole.
  • the present invention as described above, it is possible to improve the root mean square surface roughness (RMS) of the inner wall of the through-hole of the deposition mask, thereby improving the cleanability of the deposition mask.
  • RMS root mean square surface roughness
  • the number of times the deposition mask can be used can be drastically increased according to the above improvement in cleaning property.
  • the inclination angle that can be formed to the maximum of the small hole corresponding to the first surface hole is 75 °.
  • the inclination angle with respect to the small hole may be formed to be 75 ° or more.
  • the inclination angle of the small hole in the present invention may have a range between 75 ° ⁇ 85 °.
  • the shadow effect can be improved by increasing the inclination angle of the through hole of the deposition mask.
  • the interface between the first surface hole and the second surface hole of the deposition mask has a smooth round shape, thereby improving durability against high tensile load when the deposition mask is tensioned.
  • FIG. 11 illustrates a method of manufacturing the deposition mask 100 according to the embodiment.
  • a photoresist layer is disposed on the metal plate 10 to form through holes according to wet etching. And forming a through hole by further performing an electropolishing process on the wet etched through hole, and removing the photoresist layer to form a deposition mask 100 including the through hole. can do.
  • the metal plate 10 which is a base material for manufacturing the deposition mask 100, is prepared (S410).
  • the metal plate 10 may include a metal material.
  • the metal plate 10 may include nickel (Ni).
  • the metal plate 10 may include iron (Fe) and nickel (Ni).
  • the metal plate 10 may include iron (Fe), nickel (Ni), oxygen (O), and chromium (Cr).
  • the metal plate 10 has a small amount of carbon (C), silicon (Si), sulfur (S), phosphorus (P), manganese (Mn), titanium (Ti), cobalt (Co), copper (Cu), At least one element of silver (Ag), vanadium (V), niobium (Nb), indium (In), and antimony (Sb) may be further included.
  • the Invar is an alloy containing iron and nickel and is a low thermal expansion alloy having a coefficient of thermal expansion close to zero. That is, the invar is used in precision components such as masks and precision instruments because of its very small coefficient of thermal expansion. Therefore, the deposition mask manufactured by using the metal plate 10 may have improved reliability, thereby preventing deformation and increasing lifetime.
  • the metal plate 10 may include about 60 wt% to about 65 wt% of iron, and about 35 wt% to about 40 wt% of nickel. In detail, the metal plate 10 may include about 63.5 wt% to about 64.5 wt% of iron, and about 35.5 wt% to about 36.5 wt% of nickel. In addition, the metal plate 10 is carbon (C), silicon (Si), sulfur (S), phosphorus (P), manganese (Mn), titanium (Ti), cobalt (Co), copper (Cu), silver ( Ag), vanadium (V), niobium (Nb), indium (In), antimony (Sb) may further include at least one element by about 1% by weight or less.
  • the component, content, and weight percent of the metal plate 10 select a specific region (a * b) on the plane of the metal plate 10, so that the specimen (a *) corresponding to the thickness t of the metal plate 10.
  • b * t) can be sampled and dissolved in a strong acid or the like to examine the weight percent of each component.
  • the embodiment is not limited thereto, and the composition may be investigated by weight in various ways in which the composition of the metal plate can be confirmed.
  • the metal plate 10 may be manufactured by cold rolling.
  • the metal plate 10 may be formed through melting, forging, hot rolling, normalizing, primary cold rolling, primary annealing, secondary cold rolling, and secondary annealing processes, and through the processes, about 30 ⁇ m. It may have the following thickness. Alternatively, the metal plate 10 may have a thickness of about 30 ⁇ m or less through an additional thickness reduction process after the process.
  • the preparing of the metal plate 10 may further include a thickness reduction step according to the thickness of the target metal plate 10.
  • the thickness reducing step may be a step of reducing the thickness by rolling and / or etching the metal plate 10.
  • a metal plate 10 having a thickness of about 30 ⁇ m may be required to manufacture a deposition mask for implementing a resolution of 400 PPI or more, and about 20 ⁇ m to manufacture a deposition mask for implementing a resolution of 500 PPI or more.
  • the metal plate 10 having a thickness of about 30 ⁇ m may be required, and the metal plate 10 having a thickness of about 15 ⁇ m to about 20 ⁇ m may be required to manufacture a deposition mask capable of implementing a resolution of 800 PPI or more.
  • the preparing of the metal plate 10 may further include a surface treatment step.
  • a nickel alloy such as Invar may have a high etching speed at an initial stage of etching, and thus, an etching factor of the face hole V1 of each of the through holes may decrease.
  • the photoresist layer for forming the facing hole V2 may be peeled off by side etching of the etching solution. Accordingly, it may be difficult to form a through hole of a fine size, it is difficult to uniformly form the through hole, the production yield may be lowered.
  • the surface treatment layer for surface modification that varies the component, content, crystal structure and corrosion rate can be disposed on the surface of the metal plate 10.
  • the surface modification may mean a layer made of various materials disposed on the surface to improve the etching factor.
  • the surface treatment layer may be a barrier layer having a lower etching speed than the metal plate 10 as a layer for preventing rapid etching on the surface of the metal plate 10.
  • the surface treatment layer may have a crystal surface and a crystal structure different from the metal plate 10.
  • the surface treatment layer may include different elements from the metal plate 10, and thus may have different crystal planes and crystal structures.
  • the surface treatment layer may have a different corrosion potential from the metal plate 10.
  • the surface treatment layer may have a different corrosion current or corrosion potential from the metal plate 10.
  • the metal plate 10 may include a surface treatment layer or a surface treatment portion on one surface and / or both surfaces, the whole, and / or the effective area.
  • the surface treatment layer to the surface treatment part may include different elements from the metal plate 10, or may include a metal element having a slow corrosion rate in a larger amount than the metal plate 10.
  • the through-hole TH may be formed by disposing a photoresist layer on the metal plate 10.
  • the first photoresist layer PR1 may be disposed on one surface of the metal plate 10 to form the small hole V1 of the through hole on one surface of the metal plate 10 (step 420).
  • the patterned first photoresist layer PR1 may be formed on one surface of the metal plate 10 by exposing and developing the first photoresist layer PR1. That is, the first photoresist layer PR1 including the open part may be formed on one surface of the metal plate.
  • an etch stop layer such as a coating layer or a film layer, may be disposed on the other surface opposite to one surface of the metal plate 10.
  • a first groove may be formed on one surface of the metal plate 10 (S430).
  • the open portion of the first photoresist layer PR1 may be exposed to an etchant, and etching may occur in an open portion of the metal plate 10 in which the first photoresist layer PR1 is not disposed.
  • Forming the first groove may be etching the metal plate 10 having a thickness of about 20 ⁇ m to about 30 ⁇ m until it is about 1/2 thickness.
  • the depth of the first groove formed through this step may be about 10 ⁇ m to 15 ⁇ m. That is, the thickness of the metal plate measured at the center of the first groove formed after this step may be about 10 ⁇ m to about 15 ⁇ m.
  • the forming of the first groove (S430) may be a step of forming the groove by an anisotropic etching or a semi additive process (SAP).
  • anisotropic etching or a semi addition method may be used to half-etch the open portion of the first photoresist layer PR1. Accordingly, the etching rate (b direction) in the depth direction of the first groove formed through the half etching may be faster than that of the side etching (a direction) than the isotropic etching.
  • the etching factor of the small hole (V1) may be 2.0 to 3.0.
  • the etching factor of the small holes V1 may be 2.1 to 3.0.
  • the etching factor of the small holes V1 may be 2.2 to 3.0.
  • the etching factor is a depth A of the photoresist layer extending from the depth B of the etched face hole / island portion IS on the face hole and protruding toward the center of the through hole TH. B / A).
  • A means an average value of the width of one side of the photoresist layer protruding on the one surface hole and the width of the other side opposite to the one side.
  • a second photoresist layer PR2 may be disposed on the other surface of the metal plate 10. Subsequently, the second photoresist layer PR2 may be disposed on the other surface of the metal plate 10 by exposing and developing the second photoresist layer PR2 (S440). In addition, an etching stop layer such as a coating layer or a film layer may be disposed on one surface of the metal plate 10 to prevent etching.
  • the open portion of the second photoresist layer PR2 may be exposed to an etchant, and etching may occur in the open portion of the other surface of the metal plate 10 where the second photoresist layer PR2 is not disposed.
  • the other surface of the metal plate 10 may be etched by anisotropic etching or isotropic etching.
  • the first groove on one surface of the metal plate 10 may be connected to the facing hole V2 to form a through hole (S460).
  • the forming of the through hole may include forming a second groove for forming the facing hole V2 after forming the first groove for forming the small hole V1. TH) may be formed.
  • the forming of the through hole TH may include forming a first groove for forming the small hole V1 after forming the second groove for forming the facing hole V2. The process may be performed to form the through hole TH.
  • the forming of the through hole TH may include forming a first groove for forming the small hole V1 and forming a second groove for forming the large hole V2. The process may be performed at the same time to form the through hole TH.
  • the inner surface of the formed through hole TH may be further removed by performing an electropolishing process (S470).
  • the electropolishing process may be performed at the same time with respect to the small hole and the facing hole of the through hole (TH).
  • the electropolishing process is performed, the square average surface roughness of the inner side surfaces of the small and small holes and the facing holes is reduced compared to the through holes before the electrolytic polishing process, and the cross-sectional inclination angle of the small holes is increased.
  • the electropolishing process may be performed only in one direction centering on the through hole.
  • a protective layer may be formed on one surface or the other surface of the metal plate.
  • the surface on which the protective layer is formed may be a portion in which a groove is not formed.
  • the protective layer may be disposed on the other surface of the metal plate.
  • the protective layer may be disposed on one surface of the metal plate.
  • the electropolishing process may be performed only in some directions based on the effects to be improved among the above effects.
  • the deposition mask 100 may be formed by forming a deposition mask 100 including a through hole TH formed by a communication unit to which a boundary of the junction is connected.
  • the deposition mask 100 formed through the above steps may include the same material as the metal plate 10.
  • the deposition mask 100 may include a material having the same composition as the metal plate 10.
  • the island portion IS of the deposition mask 100 may include the surface treatment layer described above.
  • the deposition mask 100 may have a height a between one surface and a communication portion of the deposition mask 100 on which the small hole V1 is formed, about 3.5 ⁇ m or less.
  • the height a may be about 0.1 ⁇ m to about 3.4 ⁇ m.
  • the height H1 may be about 0.5 ⁇ m to about 3.2 ⁇ m.
  • the height H1 may be about 1 ⁇ m to about 3 ⁇ m.
  • the distance between one surface of the deposition mask 100 and the substrate on which the deposition pattern is disposed may be close, thereby reducing deposition failure due to a shadow effect.
  • the R, G, and B patterns are formed using the deposition mask 100 according to the embodiment, defects in which different deposition materials are deposited in regions between two adjacent patterns may be prevented.
  • the R pattern and the G pattern may be prevented from being deposited by a shadow effect in a region between the R pattern and the G pattern. Can be.
  • the deposition mask 100 may reduce the size of the island portion IS in the effective portion.
  • the area of the upper surface of the island portion IS, which is the non-etching surface, may be reduced, and thus the organic material may easily pass through the through hole TH when the organic material is deposited, thereby improving deposition efficiency.
  • the area of the island portion IS may decrease from the center of the effective portions AA1, AA2, AA3 toward the ineffective portion UA. Accordingly, the organic material may be smoothly supplied to the through-holes located at the edges of the effective parts AA1, AA2, and AA3, thereby improving deposition efficiency and improving the quality of the deposition pattern.
  • the deposition mask may be manufactured using a metal plate as a raw material. Before describing the deposition mask, the metal plate will be described first.
  • FIG. 14A is a view showing a cross section of a metal plate 10 that is a raw material of the deposition mask 100 according to the second embodiment
  • FIG. 14B is a flowchart for explaining a method of manufacturing the metal plate according to the second embodiment, step by step.
  • 15A is a micrograph of the surface of the raw material of the metal plate according to the second embodiment
  • FIG. 15B is a micrograph of the surface of the metal plate subjected to the primary surface treatment according to the second embodiment
  • FIG. 15C is a second embodiment
  • FIG. 15D is a micrograph of the second surface of the second surface-treated metal plate according to the second embodiment.
  • the metal plate 10 may include a metal material.
  • the metal plate 10 may include a nickel (Ni) alloy.
  • the metal plate 10 may include iron (Fe) and nickel (Ni) alloys.
  • the metal plate 10 may include iron (Fe), nickel (Ni), oxygen (O), and chromium (Cr).
  • the metal plate 10 may include about 60 wt% to about 65 wt% of iron, and about 35 wt% to about 40 wt% of nickel.
  • the component, content, and weight percent of the metal plate 10 select a specific region (a * b) on the plane of the metal plate 10, so that the specimen (a *) corresponding to the thickness t of the metal plate 10. b * t) can be sampled and dissolved using a strong acid or the like to investigate the weight percent of each component, but is not limited thereto.
  • the metal plate 10 may include about 63.5 wt% to about 64.5 wt% of iron, and about 35.5 wt% to about 36.5 wt% of nickel.
  • the metal plate 10 has a small amount of carbon (C), silicon (Si), sulfur (S), phosphorus (P), manganese (Mn), titanium (Ti), cobalt (Co), copper (Cu), At least one element of silver (Ag), vanadium (V), niobium (Nb), indium (In), and antimony (Sb) may be further included.
  • the small amount may mean 1 wt% or less. That is, the metal plate 10 may include Invar.
  • the invar is an alloy containing iron and nickel and is a low thermal expansion alloy having a coefficient of thermal expansion close to zero. That is, the invar is used in precision components such as masks and precision instruments because of its very small coefficient of thermal expansion. Therefore, the deposition mask manufactured by using the metal plate 10 may have improved reliability, thereby preventing deformation and increasing lifetime.
  • the metal plate 10 including the iron-nickel alloy described above may be finally manufactured by performing a primary and secondary surface treatment process on a raw material manufactured by cold rolling.
  • the metal plate 10 may be formed of a raw material by cold rolling through melting, forging, hot rolling, normalizing, primary cold rolling, primary annealing, secondary cold rolling, and secondary annealing processes (S110). ).
  • the raw material may be a metal plate before the primary and secondary surface treatment in the metal plate 10 according to the embodiment.
  • the metal plate 10 after cold rolling is referred to as a first metal plate
  • the metal plate after undergoing a primary surface treatment process with respect to the first metal plate is referred to as a second metal plate.
  • the metal plate after carrying out the secondary surface treatment step is referred to as a third metal plate.
  • surface roughness means the grade of the fine unevenness
  • Surface roughness is caused by tools used for processing, suitability of processing methods, scratches and rust on the surface, and the like.
  • the statistical value representing the degree of surface roughness is called roughness parameter.
  • the roughness parameters include Ra (center line average value), Rmax (Rt-maximum roughness), Rz (ten point average roughness), Rq (square average roughness, RMS), and the like.
  • the Ra (center line average value) uses Ra, AA, or CLA as a symbol of the center line average value for surface roughness, and means the mean roughness, the arithmetic average, and the center line average, respectively. It includes.
  • the value of Ra is obtained as the average within the reference length of the absolute values of the length from the center line to the cross-sectional curve of the surface.
  • Rmax (Rt, Maximum Roughness) means Maximum Peak to Vally Roughness Height, and Rmax or Rt is used as a symbol thereof. This is the distance between two parallel lines taken from the roughness cross section curve by the reference length and parallel to the center line of the cross section curve and contacting the highest mountain and the deepest valley.
  • Rz is a ten point average roughness. This is taken from the roughness cross section curve by the reference length, and draws an arbitrary straight line (base line) parallel to the average line of the cross section curve and calculates the average value of the distance from the baseline of the five highest peaks and the distance from the baseline of the five lowest valleys. It is shown by the difference from an average value.
  • Rq is a parameter having a similar meaning to the root mean square roughness Ra, but the calculation method is slightly different.
  • Ra is calculated using the arithmetic mean, using the average method, but Rq is calculated using the root-mean-square (RMS) method.
  • Rq is an RMS value of roughness.
  • the surface roughness parameter of any one of Ra, Rz, and RMS (Rq) will be applied.
  • the first metal plate after the cold rolling may have a predetermined thickness and a root mean square surface roughness (RMS).
  • the first metal plate after the cold rolling may have a square mean surface roughness (RMS) of a different range according to the cold rolling method.
  • the first metal plate may be provided from a raw material manufacturer, or alternatively, may be manufactured directly.
  • the first metal plate may have a square mean surface roughness (RMS) different from each other according to a manufacturing environment or a manufacturer.
  • RMS square mean surface roughness
  • the first metal plate may have a root mean square surface roughness (RMS) in the range of 70 nm to 100 nm.
  • the first metal plate may have a root mean square surface roughness (RMS) in the range of 90 nm to 120 nm.
  • the first metal plate may have a square mean surface roughness (RMS) in the range of 100 nm to 150 nm.
  • the first metal plate may have a root mean square surface roughness (RMS) in the range of 70 nm to 150 nm.
  • the first metal plate may have a root mean square surface roughness (RMS) in the range of 70 nm to 120 nm.
  • the first metal plate includes a first surface and a second surface.
  • the first surface may be an upper surface of the first metal plate, and the second surface may be a lower surface of the first metal plate opposite to the first surface.
  • the first surface and the second surface of the first metal plate may have the same root mean square surface roughness (RMS) within the above range.
  • the deviation of the root mean square roughness (RMS) between the first surface and the second surface of the first metal plate may have a thickness of 10nm or less.
  • a first surface treatment is performed on the first and second surfaces of the first metal plate to manufacture a second metal plate having the first surface treatment. It may be (S120). In this case, the first surface treatment may be performed by applying the same conditions to the first and second surfaces of the first metal plate.
  • the same condition means that the surface treatment chemicals used for the primary surface treatment are the same, and the environment such as the surface treatment time or temperature of the surface treatment chemicals is the same.
  • Surface treatment chemicals used in the primary surface treatment may include a first surface treatment chemical and a second surface treatment chemical.
  • the first surface treatment agent may comprise iron chloride.
  • the second surface treatment agent may include sulfuric acid fruit water.
  • the first and second surface treatment chemicals have a property of changing the root mean square surface roughness (RMS) of the surface of the metal plate.
  • the first surface treatment agent has a property of increasing the square mean surface roughness (RMS) of the surface of the metal plate
  • the second surface treatment agent reduces the square mean surface roughness (RMS) of the surface of the metal plate. It has a property to make.
  • the surface treatment time of the first surface treatment chemicals and the surface treatment time of the second surface treatment chemicals are adjusted to obtain a square average surface of the first and second surfaces of the first metal plate. Increase roughness (RMS) by a certain level or more.
  • the deviation of the root mean square roughness (RMS) between the first surface and the second surface of the second metal plate after the first surface treatment process may be within 10 nm.
  • the root mean square roughness (RMS) of each of the first and second surfaces of the second metal plate may have a range of 250 nm to 300 nm.
  • the square mean surface roughness (RMS) of each of the first and second surfaces of the second metal plate may have 280 nm ⁇ 10 nm.
  • the root mean square surface roughness (RMS) of the metal plate exceeds 250nm
  • a problem may occur in the reliability of the deposition mask manufactured by the metal plate. That is, when the root mean square surface roughness (RMS) of the metal plate exceeds 250 nm, the photoresist may not be uniformly formed on the surface of the metal plate.
  • the uniformity of the pattern may be reduced during patterning of the photoresist, thereby decreasing the uniformity of the through-holes (face holes and / or facing holes).
  • an additional secondary surface treatment process is performed to lower the root mean square roughness (RMS) of the first surface treated second metal plate to 250 nm or less. That is, when the second metal plate is manufactured, the third metal plate is manufactured by performing secondary surface treatment on the first and second surfaces of the manufactured second metal plate (S130).
  • RMS root mean square roughness
  • the second surface treatment may be performed by applying different conditions to the first surface and the second surface of the second metal plate.
  • the different conditions may mean that the surface treatment chemicals used in the second surface treatment are different.
  • the surface treatment chemicals may be the same, but the surface treatment time may be different. have.
  • the surface treatment chemicals used for the second surface treatment may include the first surface treatment chemicals and the second surface treatment chemicals in the same manner as the surface treatment chemicals used for the primary surface treatment.
  • the first surface treatment agent may comprise iron chloride.
  • the second surface treatment agent may include sulfuric acid fruit water.
  • the first and second surface treatment chemicals have a property of changing the root mean square surface roughness (RMS) of the surface of the metal plate.
  • the first surface treatment agent has a property of increasing the root mean square surface roughness (RMS) of the surface of the metal plate
  • the second surface treatment agent reduces the square mean surface roughness (RMS) of the surface of the metal plate Has the nature.
  • the surface treatment time of the first surface treatment chemical and the surface treatment time of the second surface treatment chemical are adjusted to obtain a square average surface of the first and second surfaces of the second metal plate. Reduce the roughness (RMS) to a certain level.
  • the surface treatment conditions applied to the first surface of the second metal plate and the surface treatment conditions applied to the second surface of the second metal plate are different from each other. Accordingly, the amount of reduction of the root mean square surface roughness (RMS) after the secondary surface treatment is different from each other on the first and second surfaces.
  • RMS root mean square surface roughness
  • the surface treatment chemicals may be different, or the surface treatment time may be different, in the embodiment for the convenience of the process on the first surface of the second metal plate And the surface treatment time for the second surface of the second metal plate.
  • RMS root mean square roughness
  • the root mean square surface roughness (RMS) of the second metal plate decreases. Accordingly, in the present invention, the treatment time of the second surface treatment agent applied to the first side of the second metal plate and the treatment time of the second surface treatment agent applied to the second side of the second metal plate are different from each other. do.
  • the treatment time of the second surface treatment agent applied to the first side of the second metal plate is greater than the treatment time of the second surface treatment agent applied to the second side of the second metal plate. That is, in the second embodiment, the treatment time of the second surface treatment chemical for the first surface is further increased compared to the second surface of the second metal plate.
  • the third metal plate after the second surface treatment may have a first surface having a first square mean surface roughness RMS1 and a second square mean surface roughness RMS2 different from the first square mean surface roughness RMS1. It has a second surface having.
  • the third metal plate is a material for forming the through hole (VH).
  • the through hole VH includes a face hole V1 and a face hole V2 described later.
  • the small hole (V1) and the facing hole (V2) are each required characteristics are different.
  • the facing hole (V2) serves to pass through the deposition source, and thus requires a low cross-sectional inclination angle and the like.
  • the small hole V1 serves to deposit the deposition source on the substrate, and high uniformity of inclination angle or pore diameter is required to increase deposition efficiency or uniformity.
  • the square mean surface roughness RMS of the first surface and the second surface of the third metal plate is different from each other according to the required characteristics of the small holes V1 and the large holes V2.
  • the first surface of the third metal plate is a surface on which the small hole V1 is to be formed
  • the second surface of the third metal plate is a surface on which the facing hole V2 is to be formed.
  • the first square mean surface roughness RMS1 of the first surface of the third metal plate is smaller than the second square mean surface roughness RMS2 of the second surface.
  • the first square mean surface roughness RMS1 of the first surface of the third metal plate may have a range between 150 nm and 200 nm.
  • the first square mean surface roughness RMS1 may have a range between 160 nm and 190 nm.
  • the adhesion force with the photoresist may be too low to form a small hole V1 in the correct position.
  • the first square mean surface roughness RMS1 is greater than 200 nm, there is a problem that the uniformity of the small hole V1 is lowered.
  • the second root mean square surface roughness RMS2 of the second surface of the third metal plate may have a range between 200 nm and 250 nm.
  • the second square mean surface roughness RMS2 may have a range of 210 nm to 240 nm.
  • the adhesion force to the photoresist decreases, thereby deteriorating the shape of the island IS formed on the second surface.
  • the second square mean surface roughness RMS2 is smaller than 200 nm, there is a limit to maintaining the island shape as the adhesion to the photoresist decreases.
  • the second square mean surface roughness RMS2 is greater than 250 nm, there is a problem that the uniformity of the facing hole V2 is lowered.
  • the first square mean surface roughness RMS1 of the first surface of the third metal plate and the second square mean surface roughness RMS2 of the second surface are different from each other.
  • the second square mean surface roughness RMS2 is greater than the first square mean surface roughness RMS1.
  • the first square mean surface roughness is applied to the first surface of the metal plate on which the small pore diameter is formed, and the second surface on which the large pore diameter is formed is adapted to the characteristics of the large diameter.
  • Apply a second squared mean surface roughness Apply a second squared mean surface roughness.
  • the small pore diameter is closely related to the deposition uniformity of the deposition source, and thus, the first surface has a lower first square mean surface roughness than the second square mean surface roughness to improve the pore uniformity of the small pore diameter.
  • the large pore size is important to increase the pore size while maintaining the island shape as much as possible, and accordingly, a second square mean surface roughness higher than the first square mean surface roughness is applied to the two surfaces to maintain the island shape.
  • the metal plate according to the second embodiment as described above may give different square average surface roughness of the first and second surfaces, thereby improving adhesion and pore uniformity with the photoresist on each surface. Accordingly, in the present invention, the island size can be minimized according to the improved adhesion to the photoresist, and thus the deposition efficiency can be increased by lowering the inclination angle of the large diameter. In addition, in the present invention, the workability to the first surface can be improved, and the small pore diameter can be formed more precisely and uniformly.
  • the third metal plate finally manufactured through the secondary surface treatment will be described as the metal plate 10.
  • the metal plate 10 may be formed to a thickness of about 30 ⁇ m or less through the processes.
  • the surface atom concentration of the metal plate 10 may be changed in the process of manufacturing the metal plate 10.
  • the metal plate 10 may include an outer portion SP including a surface and an inner portion IP other than the outer portion SP, and atoms of the outer portion SP of the metallic plate 10. The concentration may be different from the atomic concentration of the inner portion IP of the metal plate 10.
  • the metal plate 10 may have a rectangular shape.
  • the metal plate 10 may have a rectangular shape having a long axis and a short axis, and may have a thickness of about 30 ⁇ m or less.
  • the metal plate 10 may include iron (Fe), nickel (Ni), oxygen (O), and chromium (Cr), and the atomic concentration of chromium (Cr) is about 0.03 with respect to the metal plate 10 as a whole. It may be at% or less.
  • the atomic concentration of the outer portion SP of the metal plate 10 may be different from the inner portion IP of the metal plate 10.
  • the outer portion SP may mean a depth range of about 30 nm or less from each surface of one surface and the other surface of the metal plate 10.
  • the outer portion SP may mean a depth range of about 25 nm or less from the surface of the metal plate 10.
  • the inner portion IP may mean a depth range exceeding the above-described range from the surface of the metal plate 10.
  • the inner portion IP may mean a depth range portion greater than 30 nm from the surface of the metal plate 10.
  • first root mean square surface roughness RMS1 and the second root mean square surface roughness RMS2 may be formed in the outer portion SP disposed above and below the inner portion IP, respectively.
  • the deposition mask in the second embodiment may include a deposition region DA and a non-deposition region NDA.
  • the deposition area DA may be a region for forming a deposition pattern.
  • the deposition area DA may include an effective part for forming a deposition pattern.
  • the deposition area DA may include a pattern area and a non-pattern area.
  • the pattern region may be a region including a small hole V1, a large hole V2, a through hole TH, and an island portion IS, and the non-patterned area may be a small hole V1, a large hole V2.
  • the through hole TH and the island part IS may not be included.
  • the deposition area DA may include an effective part including an effective area and an outer area, which will be described later, and an invalid part not including deposition.
  • the effective portion may be the pattern region, and the invalid portion may be the non-pattern region.
  • the non-patterned regions may be located on the first and second surfaces of the deposition mask 100, respectively.
  • the root mean square surface roughness (RMS) of the non-patterned region of the deposition mask 100 of the first surface may be equal to the root mean square surface roughness (RMS) of the non-patterned region of the deposition mask 100 of the second surface. different.
  • the non-patterned region of the first surface has a first mean square surface roughness RMS1.
  • the first square mean surface roughness RMS1 may have a range between 150 nm and 200 nm.
  • the first square mean surface roughness RMS1 may have a range between 160 nm and 190 nm.
  • the adhesion force with the photoresist may be too low to prevent the formation of the small hole V1 at the exact position of the pattern region except for the non-pattern region. Can be.
  • the first square mean surface roughness RMS1 is greater than 200 nm, there is a problem that the uniformity of the small hole V1 is lowered.
  • the non-patterned region of the second surface has a second square mean surface roughness RMS2.
  • the second root mean square surface roughness RMS2 may range from 200 nm to 250 nm.
  • the second square mean surface roughness RMS2 may have a range of 210 nm to 240 nm.
  • the adhesion force with the photoresist in the pattern region of the second surface is reduced, thereby deteriorating the shape of the island IS formed on the second surface.
  • the second square mean surface roughness RMS2 is greater than 250 nm, there is a problem that the uniformity of the facing hole V2 is lowered.
  • FIG. 16 and 17 are plan views showing effective areas of the deposition masks 100 according to the second embodiment
  • FIG. 18 is plan views showing effective areas of the deposition masks according to a comparative example.
  • 16, 17, and 18 are plan views of any one of the first effective area AA1, the second effective area AA2, and the third effective area AA3 of the deposition mask 100 according to the embodiment.
  • Can be. 16 and 17 illustrate the shape of the through hole TH and the arrangement between the through hole TH.
  • the deposition mask 100 according to the second embodiment includes a through hole shown in the drawing. It is not limited to the number of (TH).
  • the deposition mask 100 may include a plurality of through holes TH.
  • the through holes TH may be arranged in a line or staggered with each other according to a direction.
  • the through holes TH may be arranged in a row on the vertical axis and the horizontal axis, and may be disposed in a row on the vertical axis or the horizontal axis.
  • the deposition mask 100 may include a plurality of through holes TH.
  • the plurality of through holes TH may have a circular shape.
  • the horizontal diameter Cx of the through hole TH and the diameter Cy of the vertical direction may correspond to each other.
  • the first through hole TH1 and the second through hole TH2 may be arranged in a row on the horizontal axis, and the third through hole TH1 and the fourth through hole TH4 may be disposed in the row on the horizontal axis.
  • the first through hole TH1 and the third through hole TH3 may be arranged in a row on the vertical axis, and the second through hole TH2 and the fourth through hole TH4 may be arranged in a row on the horizontal axis. have.
  • the island portion IS when the through holes TH are arranged in a row on the longitudinal axis and the horizontal axis, the island portion IS is positioned between two adjacent through holes TH in the diagonal direction, which is a direction intersecting with both the longitudinal axis and the horizontal axis. can do. That is, the island portion IS may be positioned between two adjacent through holes TH disposed in diagonal directions with each other.
  • the first surface of the metal plate is subjected to a different surface treatment from the second surface, so that the first surface has a first square mean surface roughness RMS1.
  • uniformity among the plurality of small holes V1 formed in the first surface may be improved. That is, the pore deviation between the plurality of small holes V1 in the second embodiment may be implemented within ⁇ 1.5 ⁇ m, thereby improving the deposition efficiency. That is, conventionally, the pore deviation between the plurality of facets was ⁇ 2 ⁇ m or more, as different conditions from those of the second face were not applied to the first face of the metal plate.
  • the first surface has the first square mean surface roughness RMS1 in the range of 150 nm to 200 nm, thereby allowing the pore deviation between the plurality of small holes V1 to be ⁇ 1.5. It can be implemented within a micrometer.
  • the width Wy in the vertical direction and the width Wx in the horizontal direction of the island portion IS in the second surface may have a range between 2 ⁇ m and 9 ⁇ m, respectively.
  • the width Wy in the vertical direction and the width Wx in the horizontal direction of the island portion IS in the second surface may have a range between 3 ⁇ m and 7 ⁇ m, respectively.
  • the width Wy in the vertical direction and the width Wx in the horizontal direction of the island portion IS in the second surface may have a range between 4 ⁇ m and 6 ⁇ m, respectively.
  • the second surface 102 of the deposition mask 100 has a second square mean surface roughness RMS2 as described above.
  • the second root mean square surface roughness RMS2 may range from 200 nm to 250 nm. Accordingly, in the present invention, the adhesion with the photoresist on the second surface can be maximized, and thus, the size can be minimized while maintaining the shape of the island portion IS on the second surface. .
  • the deposition mask was manufactured with the first metal plate in FIG. 15A corresponding to the raw material. Accordingly, the root mean square surface roughness (RMS) at the second surface on which the facing hole V2 is formed was about 100 nm. As the root mean square roughness (RMS) of the second surface is about 100 nm, the adhesion between the second surface and the photoresist decreases, and thus, it is difficult to maintain the shape of the island portion IS. Therefore, in the related art, the width Wy ⁇ in the vertical direction and the width Wx ⁇ in the horizontal direction of the island portion IS in the second surface were 9 ⁇ m to 15 ⁇ m, respectively.
  • FIG. 19A is a cross-sectional view of a deposition mask according to a comparative example
  • FIG. 19B is a view showing relative positions of inner, small, and facing holes of the deposition mask according to a comparative example viewed from a plane
  • FIG. 20B is a cross-sectional view of a deposition mask according to a third embodiment
  • FIG. 20B is a view showing relative positions of inner, small, and facing holes of the deposition mask according to the third embodiment when viewed from a plane
  • FIG. 21A Is a cross-sectional view of a deposition mask according to a fourth embodiment
  • 21B is a view showing relative positions of inner, small, and facing holes of the deposition mask according to the fourth embodiment when viewed from a plane.
  • 22A illustrates a cross-sectional view of a deposition mask according to a fifth embodiment
  • FIG. 22B illustrates relative positions of inner, small, and facing holes of the deposition mask according to the fifth embodiment viewed from a plane. The figure shown.
  • the deposition mask according to the comparative example may have the same shape of the through hole disposed in the central area CA and the through hole disposed in the outer area EA.
  • the size of the inner hole diameter, the small hole diameter, and the large hole diameter of the through hole located in the center area CA and the through hole located in the outer area EA may correspond.
  • the inner pore diameter I1 of the through hole located in the central area CA may have a size corresponding to the inner pore diameter I2 of the through hole located in the first outer area EA1.
  • the inner pore diameter I1 of the through hole located in the central area CA may have a size corresponding to the inner pore diameter I3 of the through hole located in the second outer area EA2.
  • the inner pore diameter I2 of the through hole located in the first outer area EA1 may have a size corresponding to the inner pore diameter I3 of the through hole located in the second outer area EA2.
  • the small pore diameter S1 of the through hole located in the central area CA may have a size corresponding to the small pore diameter S2 of the through hole located in the first outer area EA1.
  • the small pore diameter S1 of the through hole located in the central area CA may have a size corresponding to the small pore diameter S3 of the through hole located in the second outer area EA2.
  • the small hole diameter S2 of the through hole located in the first outer area EA1 may have a size corresponding to the small hole diameter S3 of the through hole located in the second outer area EA2.
  • the large hole diameter L1 of the through hole located in the central area CA may have a size corresponding to the large hole diameter L2 of the through hole located in the first outer area EA1.
  • the large hole diameter L1 of the through hole disposed in the central area CA may have a size corresponding to the large hole diameter L3 of the through hole located in the second outer area EA2.
  • the large hole diameter L2 of the through hole located in the first outer area EA1 may have a size corresponding to the large hole diameter L3 of the through hole located in the second outer area EA2.
  • the center of the small pore diameter S1 and the center of the large pore diameter L1 are aligned with each other, and the center of the small pore diameter S1 located in the outer region EA is aligned with the center of the small pore diameter S1.
  • the center of the large diameter L1 may be aligned.
  • the center of the small hole diameter (S1) and the center of the large hole diameter (L1) of the through hole located in the central area CA may coincide.
  • the center of the small hole diameter S2 and the center of the large hole diameter L2 of the through hole located in the first outer area EA1 may coincide with each other.
  • the center of the small hole diameter S3 and the center of the large hole diameter L3 of the through hole located in the second outer area EA2 may coincide with each other.
  • the separation distance between two adjacent ribs LB positioned in the central area CA may correspond to the separation distance between two adjacent ribs LB positioned in the outer area EA.
  • the separation distance may mean a distance measured between one end in which the large diameter of the first lip LB adjacent to each other and the end in which the large diameter of the second lip LB is formed.
  • An area of the island part located in the central area CA may correspond to an area of the island part located in the outer area EA.
  • the island part may mean one surface of the deposition mask positioned between adjacent through holes.
  • the island portion may refer to any one surface of an unetched deposition mask located between any adjacent first and second through holes.
  • the diameter of the island portion located in the central area CA may correspond to the diameter of the island portion located in the outer area EA.
  • the diameter of the island portion may mean the maximum diameter of the non-etching surface of any one island portion surrounded by different through holes.
  • the height of the lip LB located in the center area CA may correspond to the height of the lip LB located in the outer area EA.
  • the face hole height SH1 of the lip LB located in the central area CA may correspond to the face hole height SH2 of the lip LB located in the first outer area EA1.
  • the face hole height SH1 of the lip LB located in the central area CA may correspond to the face hole height SH3 of the lip LB located in the second outer area EA2.
  • the face hole height SH2 of the lip LB positioned in the first outer region EA1 may correspond to the face hole height SH3 of the lip LB located in the second outer region EA2.
  • the small hole height means the distance from the connecting portion where the inner hole is located to the first surface, the distance can be measured in a direction perpendicular to the first surface.
  • the facing hole height LH1 of the lip LB located in the central area CA may correspond to the facing hole height LH2 of the lip LB located in the first outer area EA1.
  • the facing hole height LH1 of the lip LB located in the central area CA may correspond to the facing hole height LH3 of the lip LB located in the second outer area EA2.
  • the facing hole height LH2 of the lip LB positioned in the first outer region EA1 may correspond to the facing hole height LH3 of the lip LB located in the second outer region EA2.
  • the height of the facing hole means a distance from the connection portion where the inner hole is located to the second surface, and the distance can be measured in a direction perpendicular to the second surface.
  • the pore angle of the lip LB located in the center area CA may correspond to the pore angle of the lip LB located in the outer area EA.
  • the deposition mask according to the comparative example can be seen that the height of the pore diameter and the size of the lip is constant.
  • the through-holes located at the outer side away from the organic material source have a problem of lowering the deposition efficiency (see dotted arrow in FIG. 19A).
  • the deposition efficiency of the outer region is lower than that of the central region of the deposition mask.
  • the pore formed in the central region can be deposited at the correct location on the substrate because it lies at an angle close to the organic material source.
  • the pore formed in the outer region is placed at an acute angle or an obtuse angle away from the right angle with the organic material source toward the outermost, it may be difficult to be deposited in the correct position on the substrate under the interference of the lip and the island.
  • the deposition mask according to the embodiment may include a portion having a shape different from that of the through hole disposed in the central area CA. This is to increase the deposition efficiency of the through-holes located at the outer side away from the organic material source.
  • a deposition mask according to a third embodiment will be described with reference to FIG. 20.
  • the deposition mask according to the third embodiment may include a portion having a shape different from that of the through hole located in the center area CA and the through hole located in the outer area EA.
  • the through-holes in the central area CA and the sizes of the inner pore diameter, the small pore diameter, and the large pore diameter of the through-holes in the outer area EA may correspond.
  • the inner pore diameter I1 of the through hole located in the central area CA may have a size corresponding to the inner pore diameter I2 of the through hole located in the first outer area EA1.
  • the inner pore diameter I1 of the through hole located in the central area CA may have a size corresponding to the inner pore diameter I3 of the through hole located in the second outer area EA2.
  • the inner pore diameter I2 of the through hole located in the first outer area EA1 may have a size corresponding to the inner pore diameter I3 of the through hole located in the second outer area EA2.
  • the small pore diameter S1 of the through hole located in the central area CA may have a size corresponding to the small pore diameter S2 of the through hole located in the first outer area EA1.
  • the small pore diameter S1 of the through hole located in the central area CA may have a size corresponding to the small pore diameter S3 of the through hole located in the second outer area EA2.
  • the small hole diameter S2 of the through hole located in the first outer area EA1 may have a size corresponding to the small hole diameter S3 of the through hole located in the second outer area EA2.
  • the large diameter L1 of the through hole located in the central area CA may have a size corresponding to the large diameter L2 of the through hole located in the first outer area EA1.
  • the large hole diameter L1 of the through hole disposed in the central area CA may have a size corresponding to the large hole diameter L3 of the through hole located in the second outer area EA2.
  • the large hole diameter L2 of the through hole located in the first outer area EA1 may have a size corresponding to the large hole diameter L3 of the through hole located in the second outer area EA2.
  • the center of the small pore diameter S1 and the center of the large pore diameter L1 positioned in the central area CA may be aligned.
  • the center of the small pore diameter S1 and the center of the large pore diameter L1 located in the outer area EA may include a misaligned region.
  • the center of the small pore diameter S1 and the center of the large pore L1 located in the outer area EA are misaligned, and the center of the small pore diameter S1 located in a part of the outer area EA is misaligned. This may mean that the center of the large diameter L1 includes a misaligned region.
  • the center of the small hole diameter (S1) and the center of the large hole diameter (L1) of the through hole located in the central area CA may coincide.
  • the center of the small hole diameter (S1) and the center of the large hole diameter (L1) of the through hole located in the central area (CA) is located above and below, the center of the small hole diameter (S1) and the center of the large hole diameter (L1)
  • the passing virtual line may be perpendicular to one surface of the deposition mask.
  • the center of the small hole diameter (S2) and the center of the large hole diameter (L2) of the through hole located in the first outer area (EA1) may be different from each other.
  • an imaginary line passing through the center of the small hole diameter S2 and the center of the large hole diameter L2 of the through hole disposed in the first outer area EA1 may be inclined with one surface of the deposition mask.
  • an imaginary line passing through the center of the small hole diameter S2 and the center of the large hole diameter L2 of the through hole located in the first outer area EA1 is an organic deposition material as the first outer area EA1. It may be the same as or similar to the direction of radiation to the angle of radiation.
  • the center of the small hole diameter S3 and the center of the large hole diameter L3 of the through hole located in the second outer area EA2 may be different from each other.
  • an imaginary line passing through the center of the small hole diameter S3 and the center of the large hole diameter L3 of the through hole disposed in the second outer area EA2 may be inclined with one surface of the deposition mask.
  • an imaginary line passing through the center of the small hole diameter S3 and the center of the large hole diameter L3 of the through hole located in the second outer area EA2 is an organic deposition material as the second outer area EA2. It may be the same as or similar to the direction of radiation to the angle of radiation.
  • Each of the plurality of through holes in the outer area EA may include a distance between the center of the large diameter and the center of the small diameter increases as the distance from the central area CA increases.
  • the separation distance between the center of the large diameter and the center of the small diameter may refer to the separation distance when observed in the plane.
  • the separation distance between two adjacent ribs LB disposed in the central area CA may include a portion different from the separation distance between two adjacent ribs LB positioned in the outer area EA.
  • the separation distance may mean a distance measured between one end in which the large diameter of the first lip LB adjacent to each other and the end in which the large diameter of the second lip LB is formed.
  • An area of the island part located in the central area CA may correspond to an area of the island part located in the outer area EA.
  • the island part may mean one surface of the deposition mask positioned between adjacent through holes.
  • the island portion may refer to any one surface of an unetched deposition mask located between any adjacent first and second through holes.
  • the diameter of the island portion located in the central area CA may correspond to the diameter of the island portion located in the outer area EA.
  • the deposition mask according to the third embodiment may include a region where the height of the lip LB located in the center area CA and the height of the lip LB located in the outer area EA correspond to each other.
  • the face hole height SH1 of the lip LB located in the center area CA may include a region corresponding to the face hole height SH2 of the lip LB located in the first outer area EA1.
  • the face hole height SH1 of the lip LB located in the central area CA may correspond to the face hole height SH3 of the lip LB located in the second outer area EA2.
  • the face hole height SH2 of the lip LB positioned in the first outer region EA1 may include an area corresponding to the face hole height SH3 of the lip LB located in the second outer region EA2.
  • the small hole height means the distance from the connecting portion where the inner hole is located to the first surface, the distance can be measured in a direction perpendicular to the first surface.
  • the facing hole height LH1 of the lip LB located in the central area CA may include an area corresponding to the facing hole height LH2 of the lip LB located in the first outer area EA1.
  • the facing hole height LH1 of the lip LB located in the central area CA may include an area corresponding to the facing hole height LH3 of the lip LB located in the second outer area EA2.
  • the facing hole height LH2 of the lip LB positioned in the first outer region EA1 may correspond to the facing hole height LH3 of the lip LB located in the second outer region EA2.
  • the height of the facing hole means a distance from the connection portion where the inner hole is located to the second surface, and the distance can be measured in a direction perpendicular to the second surface.
  • the deposition mask according to the first embodiment may include a region in which the pore angle of the lip LB located in the center area CA and the lip LB located in the outer area EA are different from each other. have.
  • the deposition mask according to the first embodiment may adjust the angle of the pore diameter to facilitate the deposition of the organic material based on the organic material source through the misalignment of the small pore diameter and the large pore diameter.
  • the central area CA may be deposited through the alignment of the center of the large pore diameter and the center of the small pore diameter.
  • a plurality of through-holes in the outer area (EA) toward the both ends of the outer area (EA) relative to the center area (CA) as the distance from the central area (CA) is far larger You can gradually move the position of.
  • the direction of the large pore diameter shifted (shifted) with respect to the small pore diameter of one through hole from the central area CA toward the end of the first outer area EA1 is from the central area CA.
  • the second outer area EA2 may be opposite to the direction of the large pore diameter that is shifted (shifted) based on the small pore diameter of one through hole.
  • the opposite may mean a direction in which 180 degrees of right and left directions are placed on each other. That is, in the embodiment, the pore size may be formed by adjusting the angle of the pore so as to easily deposit the organic material. Accordingly, the through-hole located in the outermost part (end) of the outer area EA may have excellent deposition efficiency.
  • the deposition mask according to the fourth embodiment may include a portion having a shape different from that of the through hole located in the center area CA and the through hole located in the outer area EA.
  • the through-holes in the central area CA and the sizes of the inner and small pore diameters of the through-holes in the outer area EA may correspond to each other.
  • the inner pore diameter I1 of the through hole located in the central area CA may have a size corresponding to the inner pore diameter I2 of the through hole located in the first outer area EA1.
  • the inner pore diameter I1 of the through hole located in the central area CA may have a size corresponding to the inner pore diameter I3 of the through hole located in the second outer area EA2.
  • the inner pore diameter I2 of the through hole located in the first outer area EA1 may have a size corresponding to the inner pore diameter I3 of the through hole located in the second outer area EA2.
  • the small pore diameter S1 of the through hole located in the central area CA may have a size corresponding to the small pore diameter S2 of the through hole located in the first outer area EA1.
  • the small pore diameter S1 of the through hole located in the central area CA may have a size corresponding to the small pore diameter S3 of the through hole located in the second outer area EA2.
  • the small hole diameter S2 of the through hole located in the first outer area EA1 may have a size corresponding to the small hole diameter S3 of the through hole located in the second outer area EA2.
  • the deposition mask according to the fourth embodiment may include a region in which the large diameter of the central area CA and the large diameter of the large diameter located in the outer area EA are different from each other.
  • the large hole diameter L1 of the through hole disposed in the central area CA may have a size smaller than the large hole diameter L2 of the through hole located in the first outer area EA1.
  • the large diameter L1 of the through hole located in the central area CA may have a smaller size than the large diameter L3 of the through hole located in the second outer area EA2.
  • the plurality of through-holes in the outer area EA have a larger diameter as the distance from the central area CA toward both ends of the outer area EA toward the both ends of the outer area EA. May include an area that gradually increases.
  • the large diameter of each of the through holes may gradually increase from the central area CA toward the end of the first outer area EA1.
  • Each of the through-holes may have an area that gradually increases from the central area CA toward the end of the second outer area EA2.
  • the large diameter L2 of the through hole located in the first outer area EA1 has a size corresponding to each other or has a different size from the large diameter L3 of the through hole located in the second outer area EA2.
  • the branch may include an area.
  • the plurality of through holes located in the first outer region EA1 and / or the second outer region EA2 have a large pore size depending on a distance from the central region CA, and thus, an organic material.
  • the large diameter of the outer region which can be placed close to the source, can be the same size as the large diameter of the central region.
  • the large diameter located in the outermost (end) of the outer region far from the organic material source may include a region larger in size than the large diameter of the central region. Accordingly, it is possible to prevent a decrease in deposition efficiency due to covering the organic material supplied with the lip (LB).
  • the center of the small pore diameter S1 and the center of the large pore diameter L1 are aligned, and the center of the small pore diameter S1 located in the outer region EA is aligned.
  • the center of the large diameter L1 may be aligned.
  • the center of the small hole diameter (S1) and the center of the large hole diameter (L1) of the through hole located in the central area CA may coincide.
  • the center of the small hole diameter S2 and the center of the large hole diameter L2 of the through hole located in the first outer area EA1 may coincide with each other.
  • the center of the small hole diameter S3 and the center of the large hole diameter L3 of the through hole located in the second outer area EA2 may coincide with each other.
  • the separation distance between two adjacent ribs LB positioned in the central area CA may correspond to the separation distance between two adjacent ribs LB positioned in the outer area EA.
  • the separation distance may mean a distance measured between one end in which the large diameter of the first lip LB adjacent to each other and the end in which the large diameter of the second lip LB is formed.
  • An area of the island part located in the central area CA may be different from an area of the island part located in the outer area EA.
  • An area of the island part located in the central area CA may be larger than an area of the island part located in the outer area EA. That is, since each of the through-holes located in the outer area EA is larger than the large diameter located in the center area as the distance from the central area CA increases, the area of the island part located in the outer area EA is increased. May be smaller than the area of the island portion located in the central area CA.
  • an island may mean a second side of an unetched deposition mask located between any adjacent first through hole and second through hole.
  • the diameter of the island located in the central area CA may include a region different from the diameter of the island located in the outer area EA.
  • the island diameter of the outer area EA may include an area smaller than the island diameter of the central area CA.
  • the diameter of the island may mean the maximum diameter of the non-etching surface of any one island portion surrounded by different through holes.
  • the deposition mask according to the fourth embodiment may include a region where the height of the lip LB located in the center area CA and the height of the lip LB located in the outer area EA are different from each other.
  • the face hole height SH1 of the lip LB located in the center area CA may include a region corresponding to the face hole height SH2 of the lip LB located in the first outer area EA1.
  • the face hole height SH1 of the lip LB located in the central area CA may correspond to the face hole height SH3 of the lip LB located in the second outer area EA2.
  • the face hole height SH2 of the lip LB positioned in the first outer region EA1 may include an area corresponding to the face hole height SH3 of the lip LB located in the second outer region EA2.
  • the small hole height means the distance from the connecting portion where the inner hole is located to the first surface, the distance can be measured in a direction perpendicular to the first surface.
  • the facing hole height LH1 of the lip LB located in the central area CA may include a region different from the facing hole height LH2 of the lip LB located in the first outer area EA1.
  • the facing hole height LH1 of the lip LB located in the central area CA may include an area larger than the facing hole height LH2 of the lip LB located in the first outer area EA1.
  • the facing hole height LH1 of the lip LB located in the central area CA may include a region different from the facing hole height LH3 of the lip LB located in the second outer area EA2.
  • the facing hole height LH1 of the lip LB located in the central area CA may include an area larger than the facing hole height LH3 of the lip LB located in the second outer area EA2.
  • the facing hole height LH2 of the lip LB positioned in the first outer region EA1 corresponds to or is different from the facing hole height LH3 of the lip LB located in the second outer region EA1. It may include.
  • the plurality of through holes located in the first outer region EA1 and / or the second outer region EA2 have a large pore diameter depending on a distance from the central region CA, and thus, an organic material.
  • the large diameter of the outer region which can be placed close to the source, can be flush with the large diameter of the central region.
  • the large diameter located at the outermost (end) of the outer region far from the organic material source may be lower than the large diameter of the central region. Accordingly, it is possible to prevent a decrease in deposition efficiency due to covering the organic material supplied with the lip (LB).
  • the deposition mask of the fourth embodiment may include an area that gradually decreases as the thickness of the lip LB located in the outer area CA becomes far from the center area.
  • the deposition mask according to the second embodiment may increase the deposition efficiency by lowering the height of the lip LB away from the central area CA.
  • the deposition mask according to the fifth embodiment may include portions having different shapes of the through-holes located in the central area CA and the through-holes located in the outer area EA.
  • the through-holes in the central area CA and the sizes of the inner and small pore diameters of the through-holes in the outer area EA may correspond to each other.
  • the inner pore diameter I1 of the through hole located in the central area CA may have a size corresponding to the inner pore diameter I2 of the through hole located in the first outer area EA1.
  • the inner pore diameter I1 of the through hole located in the central area CA may have a size corresponding to the inner pore diameter I3 of the through hole located in the second outer area EA2.
  • the inner pore diameter I2 of the through hole located in the first outer area EA1 may have a size corresponding to the inner pore diameter I3 of the through hole located in the second outer area EA2.
  • the small pore diameter S1 of the through hole located in the central area CA may have a size corresponding to the small pore diameter S2 of the through hole located in the first outer area EA1.
  • the small pore diameter S1 of the through hole located in the central area CA may have a size corresponding to the small pore diameter S3 of the through hole located in the second outer area EA2.
  • the small hole diameter S2 of the through hole located in the first outer area EA1 may have a size corresponding to the small hole diameter S3 of the through hole located in the second outer area EA2.
  • the deposition mask according to the fifth embodiment may include regions in which the large diameters of the central area CA and the large diameters of the outer area EA are different from each other.
  • the large hole diameter L1 of the through hole disposed in the central area CA may have a size smaller than the large hole diameter L2 of the through hole located in the first outer area EA1.
  • the large diameter L1 of the through hole located in the central area CA may have a smaller size than the large diameter L3 of the through hole located in the second outer area EA2.
  • the plurality of through-holes in the outer area EA have a larger diameter as the distance from the central area CA toward both ends of the outer area EA toward the both ends of the outer area EA. May include an area that gradually increases.
  • the large diameter of each of the through holes may gradually increase from the central area CA toward the end of the first outer area EA1.
  • Each of the through-holes may have an area that gradually increases from the central area CA toward the end of the second outer area EA2.
  • the large diameter L2 of the through hole located in the first outer area EA1 has a size corresponding to each other or has a different size from the large diameter L3 of the through hole located in the second outer area EA2.
  • the branch may include an area.
  • the plurality of through holes located in the first outer region EA1 and / or the second outer region EA2 have a large pore size depending on a distance from the central region CA, and thus, an organic material.
  • the large diameter of the outer region which can be placed close to the source, can be the same size as the large diameter of the central region.
  • the large diameter located in the outermost (end) of the outer region far from the organic material source may include a region larger in size than the large diameter of the central region. Accordingly, it is possible to prevent a decrease in deposition efficiency due to covering the organic material supplied with the lip (LB).
  • the center of the small pore diameter S1 and the center of the large pore diameter L1 positioned in the central area CA may be aligned.
  • the center of the small pore diameter S1 and the center of the large pore diameter L1 located in the outer area EA may include a misaligned region.
  • the center of the small pore diameter S1 and the center of the large pore L1 located in the outer area EA are misaligned, and the center of the small pore diameter S1 located in a part of the outer area EA is misaligned. This may mean that the center of the large diameter L1 includes a misaligned region.
  • the center of the small hole diameter (S1) and the center of the large hole diameter (L1) of the through hole located in the central area CA may coincide.
  • the center of the small hole diameter (S1) and the center of the large hole diameter (L1) of the through hole located in the central area (CA) is located above and below, the center of the small hole diameter (S1) and the center of the large hole diameter (L1)
  • the passing virtual line may be perpendicular to one surface of the deposition mask.
  • the center of the small hole diameter (S2) and the center of the large hole diameter (L2) of the through hole located in the first outer area (EA1) may be different from each other.
  • an imaginary line passing through the center of the small hole diameter S2 and the center of the large hole diameter L2 of the through hole disposed in the first outer area EA1 may be inclined with one surface of the deposition mask.
  • an imaginary line passing through the center of the small hole diameter S2 and the center of the large hole diameter L2 of the through hole located in the first outer area EA1 is an organic deposition material as the first outer area EA1. It may be the same as or similar to the direction of radiation to the angle of radiation.
  • the center of the small hole diameter S3 and the center of the large hole diameter L3 of the through hole located in the second outer area EA2 may be different from each other.
  • an imaginary line passing through the center of the small hole diameter S3 and the center of the large hole diameter L3 of the through hole disposed in the second outer area EA2 may be inclined with one surface of the deposition mask.
  • an imaginary line passing through the center of the small hole diameter S3 and the center of the large hole diameter L3 of the through hole located in the second outer area EA2 is an organic deposition material as the second outer area EA2. It may be the same as or similar to the direction of radiation to the angle of radiation.
  • Each of the plurality of through holes in the outer area EA may include a distance between the center of the large diameter and the center of the small diameter increases as the distance from the central area CA increases.
  • the separation distance between the center of the large diameter and the center of the small diameter may refer to the separation distance when observed in the plane.
  • the separation distance between two adjacent ribs LB disposed in the central area CA may include a portion different from the separation distance between two adjacent ribs LB positioned in the outer area EA.
  • the separation distance may mean a distance measured between one end in which the large diameter of the first lip LB adjacent to each other and the end in which the large diameter of the second lip LB is formed.
  • An area of the island part located in the central area CA may be different from an area of the island part located in the outer area EA.
  • An area of the island part located in the central area CA may be larger than an area of the island part located in the outer area EA. That is, since each of the through-holes located in the outer area EA is larger than the large diameter located in the center area as the distance from the central area CA increases, the area of the island part located in the outer area EA is increased. May be smaller than the area of the island portion located in the central area CA.
  • an island may mean a second side of an unetched deposition mask located between any adjacent first through hole and second through hole.
  • the diameter of the island located in the central area CA may include a region different from the diameter of the island located in the outer area EA.
  • the island diameter of the outer area EA may include an area smaller than the island diameter of the central area CA.
  • the diameter of the island may mean the maximum diameter of the non-etching surface of any one island portion surrounded by different through holes.
  • the deposition mask according to the fifth embodiment may include a region where the height of the lip LB located in the center area CA and the height of the lip LB located in the outer area EA are different from each other.
  • the face hole height SH1 of the lip LB located in the center area CA may include a region corresponding to the face hole height SH2 of the lip LB located in the first outer area EA1.
  • the face hole height SH1 of the lip LB located in the central area CA may include an area corresponding to the face hole height SH3 of the lip LB located in the second outer area EA2.
  • the face hole height SH2 of the lip LB positioned in the first outer region EA1 may include an area corresponding to the face hole height SH3 of the lip LB located in the second outer region EA2.
  • the small hole height means the distance from the connecting portion where the inner hole is located to the first surface, the distance can be measured in a direction perpendicular to the first surface.
  • the facing hole height LH1 of the lip LB located in the central area CA may include a region different from the facing hole height LH2 of the lip LB located in the first outer area EA1.
  • the facing hole height LH1 of the lip LB located in the central area CA may include an area larger than the facing hole height LH2 of the lip LB located in the first outer area EA1.
  • the facing hole height LH1 of the lip LB located in the central area CA may include a region different from the facing hole height LH3 of the lip LB located in the second outer area EA2.
  • the facing hole height LH1 of the lip LB located in the central area CA may include an area larger than the facing hole height LH3 of the lip LB located in the second outer area EA2.
  • the facing hole height LH2 of the lip LB positioned in the first outer region EA1 corresponds to or is different from the facing hole height LH3 of the lip LB located in the second outer region EA1. It may include.
  • the plurality of through holes located in the first outer region EA1 and / or the second outer region EA2 have a large pore diameter depending on a distance from the central region CA, and thus, an organic material.
  • the large diameter of the outer region which can be placed close to the source, can be flush with the large diameter of the central region.
  • the large diameter located at the outermost (end) of the outer region far from the organic material source may be lower than the large diameter of the central region. Accordingly, it is possible to prevent a decrease in deposition efficiency due to covering the organic material supplied with the lip (LB).
  • the deposition mask of the fifth embodiment may include a region that gradually decreases as the thickness of the lip LB located in the outer region CA becomes far from the central region.
  • the deposition mask according to the second embodiment may increase the deposition efficiency by lowering the height of the lip LB away from the central area CA.
  • the deposition mask according to the fifth embodiment may include a region in which the pore angle of the lip LB located in the center area CA and the lip angle LB of the outer area EA are different from each other. have.
  • the deposition mask according to the fifth embodiment may adjust the angle of the pore diameter to facilitate the deposition of the organic material based on the organic material source through the misalignment of the small pore diameter and the large pore diameter.
  • the central area CA may be deposited through the alignment of the center of the large pore diameter and the center of the small pore diameter.
  • the plurality of through-holes in the outer area (EA) can gradually move the position of the large diameter as the distance from the central area (CA) toward both ends with respect to the center area (CA) far away. have.
  • the direction of the large pore diameter shifted (shifted) with respect to the small pore diameter of one through hole from the central area CA toward the end of the first outer area EA1 is from the central area CA.
  • the second outer area EA2 may be opposite to the direction of the large pore diameter that is shifted (shifted) based on the small pore diameter of one through hole.
  • the opposite may mean a direction in which 180 degrees of right and left directions are placed on each other. That is, in the embodiment, the pore size may be formed by adjusting the angle of the pore so as to easily deposit the organic material. Accordingly, the through-hole located in the outermost part (end) of the outer area EA may have excellent deposition efficiency.
  • the fifth embodiment can increase the deposition efficiency through the adjustment of the pore angle and the height of the lip.
  • the point where the x-axis and the y-axis intersect is the central area CA. It can be seen that the small holes S1 and the large holes L1 located in the central area CA are aligned with their centers.
  • the facing hole L2 may include an area misaligned with the face hole S2 toward the -x axis direction from the central area CA.
  • the facing hole L3 may include an area that is misaligned with the face hole S2 toward the + x axis direction from the central area CA.
  • the misalignment direction of the facing hole L2 located in the -x axis direction may be opposite to the misalignment direction of the facing hole L3 located in the + x axis direction.
  • the small hole (S2) and the facing hole (L2) located in the -x axis direction may be a surface hole located in the first outer area (EA1).
  • the small holes S3 and the facing holes L3 positioned in the + x-axis direction may be surface holes positioned in the second outer area EA2.
  • the facing hole (L4) may include a region that is misaligned with respect to the small hole (S4) toward the + y axis direction from the central area (CA).
  • the facing hole L5 may include an area that is misaligned with the face hole S5 toward the -y axis direction from the central area CA.
  • the misalignment direction of the facing hole L4 located in the + y axis direction may be opposite to the misalignment direction of the facing hole L5 located in the ⁇ y axis direction.
  • the change in size or height gradually depends on the distance from the center area means a change in size between through holes relatively close to the center area and through holes relatively far from the center area in different through holes. It may be.
  • the outer region includes a first through hole having a first separation distance from the central area, a second through hole having a second separation distance from the central area, and a third through hole having a third separation distance from the central area.
  • first separation distance ⁇ the second separation distance ⁇ the third separation distance in the order
  • the gradual change is larger than the first through hole
  • the misalignment of the second through hole is larger than the second through hole, It can mean that the misalignment is large.
  • the gradual change is that the height of the lip LB adjacent to the second through hole is smaller than the height of the lip LB adjacent to the first through hole and the third penetration is greater than the height of the lip LB adjacent to the second through hole. It may mean that the height of the lip (LB) adjacent to the hole is small.
  • the embodiment is not limited thereto and may mean that a difference occurs near and far from the central region in one through hole.
  • the misalignment cannot exceed (Max 1/2 * (D ⁇ -d ⁇ ), because if the misalignment exceeds this, the pinhole is formed by overshift of the large diameter, where D ⁇ is the size of the facing hole. , d ⁇ is the size of the card hole.
  • the center of the small pore diameter and the center of the large pore diameter may be aligned at a portion of the outer region.
  • the center of the small pore diameter and the center of the large pore diameter may include a misaligned region.
  • the center of the small pore diameter S1 and the center of the large pore diameter L1 positioned in the central area CA may be aligned.
  • the center of the small hole diameter S2a and the large hole diameter L2a may be aligned with each other in the first through hole of the portion adjacent to the central area CA.
  • the first through hole of the portion adjacent to the center area CA may be aligned with the center of the small hole diameter S3a and the center of the large hole diameter L3a. That is, at least a part of the outer region may include a center of the large pore diameter and a center of the small pore diameter coincide up and down. As the distance from the organic material source in the outer region is closer to each other, the through hole at the position where the deposition efficiency is high may be aligned with the center of the small pore diameter and the large pore diameter.
  • the center of the large diameter may be misaligned based on the center of the small diameter.
  • the second through hole farther from the center area CA than the first through hole has a misaligned center of the large hole L2b with respect to the center of the small hole S2b. It can include an area.
  • the third through hole farther from the center area CA than the second through hole has a misalignment at the center of the large hole L2c based on the center of the small hole S2c. Can be bigger
  • the center of the large diameter may be misaligned based on the center of the small diameter.
  • the second through-hole farther from the central region CA than the first through-hole is misaligned with the center of the large diameter L3b based on the center of the small pore diameter S3b. It can include an area.
  • the third through hole farther from the center area CA than the second through hole has a misalignment at the center of the large hole L3c based on the center of the small hole S3c. Can be bigger
  • the plurality of through holes located in the first outer region is located closer to the center region than the center of the small diameter as the distance from the center region is greater, and the plurality of through holes located in the second outer region.
  • the hole may include a center of the large diameter closer to the center region than a center of the small diameter as the distance from the central region.
  • the outer area EA including the misaligned area is 1/2 of the first outer area EA1 located in the -x axis direction, and the + x axis It may be a half area of the second outer area EA2 positioned in the direction.
  • the embodiment is not limited thereto, and the range of the outer region may vary according to the size and resolution of the deposition mask.
  • the deposition pattern is uniformly formed in all the through holes of the deposition mask.
  • the size of the large pore diameter and the height of the lip may be changed in a portion of the outer region.
  • the size of the small pore diameter S1 and the large pore diameter L1 located in the central region CA may include a first through hole in a portion adjacent to the central region CA in the first outer region EA1. These branches may correspond to the sizes of small pore diameter S2a and large pore diameter L2a, respectively.
  • the small pore diameter S1 and the large pore diameter L1 located in the central region CA have a small pore diameter S3a of the first through hole of a portion adjacent to the central region CA in the second outer region EA2. ) May correspond to the size of the large diameter (L3a). That is, at least a portion of the outer region may include a region where the size of the large diameter corresponds to the size of the central region. As the distance from the organic material source is located in the outer region, the large pore size at the position where the deposition efficiency is high may be arranged to be the same size as the central region.
  • the size of the large diameter may be increased.
  • the large diameter L2b of the second through hole distant from the central area CA may be larger than the large diameter L2a of the first through hole in the first outer area EA1.
  • the large diameter L2c of the third through hole distant from the central area CA may be larger than the large diameter L2b of the second through hole in the first outer area EA1.
  • the size of the large diameter may increase.
  • the size of the large through hole L3b of the second through hole far from the central area CA may be larger than the large through hole L3a of the first through hole.
  • the large diameter L3c of the third through hole distant from the central area CA may be larger than the large diameter L3b of the second through hole in the first outer area EA1.
  • the outer area EA in which the change in the size of the large diameter and the size of the ribs appears is 1/2 of the first outer area EA1 located at the end in the -x axis direction.
  • the area may be a half area of the second outer area EA2 positioned at the end of the + x axis direction.
  • the embodiment is not limited thereto, and the range of the outer region may vary according to the size and resolution of the deposition mask.
  • a large pore size increases as the plurality of through holes in the regions located at the ends of the first and second outer regions moves away from the central region. It can be seen that as the height of LB) is lowered, the deposition efficiency is improved.
  • the difference TG between the thickness of the lip LB located in the center area CA and the thickness of the lip LB located in the outer area EA is determined by the thickness of the base substrate of the deposition mask- (thickness of the base substrate * 2/3). May be).
  • the thickness of the lip LB located in the outer area EA may be measured at one area having the lowest thickness at the outermost part of the outer area EA.
  • the difference between the thickness of the rib LB located in the center area CA and the thickness of the rib LB located in the outer area EA is TG.
  • the difference TG of the thickness of the lip LB located in the central area CA and the thickness of the lip LB located in the outer area EA may be 8 ⁇ m to 12 ⁇ m.
  • the difference TG of the thickness of the lip LB located in the central area CA and the thickness of the lip LB located in the outer area EA may be 9 ⁇ m to 11 ⁇ m.
  • the difference TG between the thickness of the lip LB located in the central area CA and the thickness of the lip LB located in the outer area EA may be set such that the size of the island maintains 5 ⁇ m or more in diameter. If the diameter of the island is less than 5 ⁇ m may cause a problem that the size of the pore size is larger than the design due to the loss of the island.
  • the diameter of the island in the central region of the deposition mask is about 10 ⁇ m
  • the diameter of the island of the first outer region of the deposition mask is about 5 ⁇ m
  • the diameter of the island of the second outer region of the deposition mask is It appears to be about 5 ⁇ m.
  • the center of the small pore diameter and the center of the large pore diameter may be aligned at a portion of the outer region.
  • the center of the small pore diameter and the center of the large pore diameter may include a misaligned region.
  • the center of the small pore diameter S1 and the center of the large pore diameter L1 positioned in the central area CA may be aligned.
  • the center of the small hole diameter S2a and the large hole diameter L2a may be aligned with each other in the first through hole of the portion adjacent to the central area CA.
  • the first through hole of the portion adjacent to the center area CA may be aligned with the center of the small hole diameter S3a and the center of the large hole diameter L3a. That is, at least a part of the outer region may include a center of the large pore diameter and a center of the small pore diameter coincide up and down. As the distance from the organic material source in the outer region is located close, the through hole at the position where the deposition efficiency is high may be aligned with the center of the small pore diameter and the large pore diameter.
  • the center of the large diameter may be misaligned based on the center of the small diameter.
  • the second through hole farther from the center area CA than the first through hole has a misaligned center of the large hole L2b with respect to the center of the small hole S2b. It can include an area.
  • the third through hole farther from the center area CA than the second through hole has a misalignment at the center of the large hole L2c based on the center of the small hole S2c. Can be bigger
  • the center of the large diameter may be misaligned based on the center of the small diameter.
  • the second through-hole farther from the central region CA than the first through-hole is misaligned with the center of the large diameter L3b based on the center of the small pore diameter S3b. It can include an area.
  • the third through hole farther from the center area CA than the second through hole has a misalignment at the center of the large hole L3c based on the center of the small hole S3c. Can be bigger
  • the plurality of through holes located in the first outer region is located closer to the center region than the center of the small diameter as the distance from the center region is increased, and the plurality of through holes located in the second outer region.
  • the hole may include a center of the large diameter closer to the center region than a center of the small diameter as the distance from the central region.
  • the outer area EA including an area to be misaligned is a half area of the first outer area EA1 located at the end in the -x axis direction. It may be a half area of the second outer area EA2 located at the end in the + x axis direction.
  • the embodiment is not limited thereto, and the range of the outer region may vary according to the size and resolution of the deposition mask.
  • the size of the large diameter and the height of the lip may be changed in a portion of the outer region.
  • the small pore diameter S1 and the large pore diameter L1 located in the central region CA have a small pore diameter S2a of the first through hole of a portion adjacent to the central region CA in the first outer region EA1.
  • a large pore diameter (L2a) may correspond respectively.
  • the small pore diameter S1 and the large pore diameter L1 located in the central region CA have a small pore diameter S3a of the first through hole of a portion adjacent to the central region CA in the second outer region EA2.
  • the large pore size at the position where the deposition efficiency is high may be arranged to be the same size as the central region.
  • the size of the large diameter may be increased.
  • the large diameter L2b of the second through hole distant from the central area CA may be larger than the large diameter L2a of the first through hole in the first outer area EA1.
  • the large diameter L2c of the third through hole distant from the central area CA may be larger than the large diameter L2b of the second through hole in the first outer area EA1.
  • the size of the large diameter may increase.
  • the size of the large through hole L3b of the second through hole far from the central area CA may be larger than the large through hole L3a of the first through hole.
  • the large diameter L3c of the third through hole distant from the central area CA may be larger than the large diameter L3b of the second through hole in the first outer area EA1.
  • the outer area EA in which the large-diameter size and the lip size change appear is 1/2 of the first outer area EA1 located at the end in the -x axis direction.
  • the area may be a half area of the second outer area EA2 positioned at the end of the + x axis direction.
  • the embodiment is not limited thereto, and the range of the outer region may vary according to the size and resolution of the deposition mask.
  • the deposition pattern is uniformly formed in all the through holes of the deposition mask.
  • the deposition mask according to the third embodiment as the plurality of through holes in the regions located at the ends of the first and second outer regions move away from the center region, the size of the large diameter increases, and the height of the ribs LB is increased. As it becomes lower, it can be seen that the deposition efficiency is improved.
  • each horizontal between the holes adjacent to the reference hole (6 in the figure shown in total)
  • a deviation between the diameters Cx in the direction and a deviation between the diameters Cy in the vertical direction may be implemented as 2% to 10%. That is, when the size deviation between adjacent holes of one reference hole is 2% to 10%, uniformity of deposition may be secured.
  • the size deviation between the reference hole and the adjacent holes may be 4% to 9%.
  • the size deviation between the reference hole and the adjacent holes may be 5% to 7%.
  • the size deviation between the reference hole and the adjacent holes may be 2% to 5%.
  • the moire generation rate may increase in the OLED panel after deposition.
  • the size deviation between the reference hole and the adjacent holes is more than 10%, the occurrence rate of color spots in the OLED panel after deposition may increase.
  • the average deviation of the through hole diameter may be ⁇ 5 ⁇ m.
  • the average deviation of the through hole diameter may be ⁇ 3 ⁇ m.
  • deposition efficiency may be improved.
  • the through holes may be arranged in a line or staggered with each other according to a direction.
  • the through holes may be arranged in a row on the vertical axis and in a row on the horizontal axis.
  • the through holes may be arranged in a row on the longitudinal axis, and may be alternately arranged on the horizontal axis.
  • the through holes may be alternately arranged on the vertical axis, and may be arranged in a row on the horizontal axis.
  • the through hole may have a first diameter Cx measured in the horizontal direction and a second diameter Cy measured in the vertical direction.
  • the through hole may correspond to or different from a third diameter measured in a first diagonal direction between a horizontal direction and a vertical direction, and a fourth diameter measured in a second diagonal direction crossing the first diagonal direction.
  • the through hole may be rounded.
  • the deposition mask includes a plurality of through holes formed in communication with the first surface hole and the second surface hole.
  • the through hole may be formed by further performing an electropolishing process after performing a wet etching process.
  • the root mean square surface roughness RMS of the inner wall of the through hole is smaller than the root mean square surface roughness RMS of the first and / or second surface of the deposition mask.
  • the deposition mask in the embodiment has a root mean square surface roughness (RMS) of the inner wall of the through-hole less than 150nm. More preferably, the deposition mask in the embodiment satisfies the range of 50 nm to 100 nm of the root mean square surface roughness (RMS) of the inner wall of the through hole.
  • the root mean square surface roughness (RMS) of the inner wall of the through-hole of the deposition mask can be improved, thereby improving the cleanliness of the deposition mask.
  • RMS root mean square surface roughness
  • the inclination angle that can be formed to the maximum of the small hole corresponding to the first surface hole is 75 °.
  • the inclination angle with respect to the small hole may be formed to be 75 ° or more.
  • the inclination angle of the small hole in the embodiment may have a range between 75 ° ⁇ 85 °.
  • the shadow effect can be improved by increasing the inclination angle of the through-hole of the deposition mask.
  • the interface between the first surface hole and the second surface hole of the deposition mask has a gentle round shape, thereby improving durability against high tensile load when the deposition mask is tensioned.
  • the first and second surfaces of the metal plate are formed to have different square mean surface roughnesses. That is, the first square mean surface roughness is applied to the first surface of the metal plate on which the small pore diameter is formed, and the second surface on which the large pore diameter is formed is adapted to the characteristics of the large diameter. Apply a second squared mean surface roughness.
  • the small pore diameter is closely related to the deposition uniformity of the deposition source, and thus, the first surface has a lower first square mean surface roughness than the second square mean surface roughness to improve the pore uniformity of the small pore diameter.
  • the large pore size is important to increase the pore size while maintaining the island shape as much as possible, and accordingly, a second square mean surface roughness higher than the first square mean surface roughness is applied to the two surfaces to maintain the island shape.
  • the deposition mask according to the above-described embodiments may provide different square average surface roughnesses of the first and second surfaces to improve adhesion and pore uniformity with the photoresist on each surface. Accordingly, in an embodiment, the island size may be minimized according to the improvement of adhesion with the photoresist, and thus the deposition efficiency may be increased by lowering the inclination angle of the large diameter. In addition, in the embodiment, by improving the workability to the first surface, it is possible to form a small pore diameter more precisely and uniformly.
  • the deposition mask for an OLED according to the embodiment is formed so that the shape of the through-holes located in the outer region is different from the through-holes located in the central region, thereby improving the uniformity of the OLED deposition pattern.
  • the deposition mask for an OLED according to the embodiment can solve the problem that the deposition efficiency is reduced as the outermost through holes are far from the organic material source and the angle with the organic material source is far from the vertical.

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Abstract

실시 예에 따른 OLED 화소 증착을 위한 금속재의 증착용 마스크에 있어서, 상기 증착용 마스크는 증착 패턴을 형성하기 위한 증착 영역 및 상기 증착 영역 이외의 비증착 영역을 포함하고, 상기 증착 영역은 길이 방향으로 이격되며 복수의 관통홀이 형성된 복수 개의 유효부 및 상기 유효부 이외의 비유효부를 포함하고, 상기 관통홀은, 상기 증착용 마스크의 일면 상에 형성된 소면공; 상기 일면과 반대되는 상기 증착용 마스크의 타면상에 형성된 대면공; 및 상기 소면공과 상기 대면공의 경계가 연결되는 연통부;를 포함하고, 상기 소면공 및 상기 대면공 중 적어도 하나의 내측면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)는 150nm 미만이다.

Description

OLED 화소 증착을 위한 금속판 재질의 증착용 마스크
실시 예는, OLED 화소 증착을 위한 금속판 재질의 증착용 마스크에 관한 것이다. 자세하게, 실시 예는 OLED 화소 증착 시 증착 효율을 향상시킬 수 있는 증착용 마스크 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 다양한 디바이스에 적용되어 사용되고 있다. 예를 들어, 표시 장치는 스마트폰, 태블릿 PC 등과 같은 소형 디바이스뿐만 아니라, TV, 모니터, 퍼블릭 디스플레이(PD, Public Display) 등과 같은 대형 디바이스에 적용되어 이용되고 있다. 특히, 최근에는 500 PPI(Pixel Per Inch) 이상의 초고해상도 UHD(UHD, Ultra High Definition)에 대한 수요가 증가하고 있으며, 고해상도 표시 장치가 소형 디바이스 및 대형 디바이스에 적용되고 있다. 이에 따라, 저전력 및 고해상도 구현을 위한 기술에 대한 관심이 높아지고 있다.
일반적으로 사용되는 표시 장치는 구동 방법에 따라 크게 LCD(Liquid Crystal Display) 및 OLED(Organic Light Emitting Diode) 등으로 구분될 수 있다.
LCD는 액정(Liquid Crystal)을 이용하여 구동되는 표시 장치로 상기 액정의 하부에는 CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp) 또는 LED(Light Emitting Diode) 등을 포함하는 광원이 배치되는 구조를 가지며, 상기 광원 상에 배치되는 상기 액정을 이용하여 상기 광원으로부터 방출되는 빛의 양을 조절하여 구동되는 표시 장치 이다.
또한, OLED는 유기물을 이용해 구동되는 표시 장치로, 별도의 광원이 요구되지 않고, 유기물이 자체가 광원의 역할을 수행하여 저전력으로 구동될 수 있다. 또한, OLED는 무한한 명암비를 표현할 수 있고, LCD보다 약 1000배 이상의 빠른 응답 속도를 가지며 시야각이 우수하여 LCD를 대체할 수 있는 표시 장치로 주목 받고 있다.
특히, OLED에서 발광층에 포함된 상기 유기물은 파인 메탈 마스크(FMM, Fine Metal Mask)라 불리는 증착용 마스크 의해 기판 상에 증착될 수 있고, 증착된 상기 유기물은 상기 증착용 마스크에 형성된 패턴과 대응되는 패턴으로 형성되어 화소의 역할을 수행할 수 있다.
자세하게, 상기 증착용 마스크는 일반적으로 금속판으로 형성된다. 상기 증착용 마스크는 상기 금속판 상에서 상기 화소의 패턴과 대응되는 위치에 관통홀을 형성하여 제조할 수 있다. 이때, 상기 관통홀은 염화철 습식 식각 공정을 통해 상기 금속판 상에 상호 연통하는 제1 면공 및 제2 면공을 포함할 수 있다.
이때, 상기 제1 면공 및 제2 면공을 포함하는 관통홀의 내벽은 일정 수준 이상의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)를 갖는다. 즉, 상기 관통홀의 내벽은 150~200nm 범위의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)를 갖는다. 여기에서, 상기 관통홀 내벽의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)는 상기 금속판이 가지는 물성보다는 상기 관통홀 형성 시에 사용된 식각액에 의해 결정될 수 있다. 일반적으로, 상기 관통홀의 습식 식각 공정에서는 염화철을 식각액으로 사용한다. 그리고, 상기 염화철에 의해 형성되는 상기 관통홀의 내벽은 상기 염화철이 가지는 물성에 의해 150~200nm 범위의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)를 가진다. 이때, 상기 증착용 마스크의 내구성은 상기 관통홀 내벽의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)와 밀접한 연관이 있다. 즉, 상기 관통홀 내벽의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)가 증가하게 되면, 증착 소스의 세정 공정 시에 어려움이 발생한다. 다시 말해서, 상기 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)가 증가함에 따라 상기 증착 소소와의 결합력도 증가하게 된다. 이에 따라 상기 세정 공정 시에 상기 관통홀 내벽에 붙어있는 증착 소자가 완전히 제거되지 않고 일부 잔존하게 되는 문제점이 있다.
이에 따라, 최근에는 식각 공정 조건이나 식각액 조건 변경 등을 통해 상기 증착용 마스크의 표면이나 상기 관통홀 내벽의 표면 거칠기를 조절하고 있다. 그러나, 상기와 같이 식각 공정 조건이나 식각액 조건 변경만으로 상기 관통홀 내벽의 표면 거칠기를 개선하는데 한계가 있다. 또한, 상기 식각 공정 조건이나 식각액 조건이 변경됨에 따라 관통홀의 사이즈도 변화하며, 이에 따른 관통홀의 균일도나 정밀도가 감소하는 문제점이 있다.
따라서, 관통홀의 균일도나 정밀도를 유지하면서 상기 관통홀의 내벽의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)를 개선할 수 있는 증착용 마스크 및 이의 제조 방법이 요구되고 있는 실정이다.
실시 예에서는 관통홀의 내벽의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)를 제어하여 증착 효율을 향상시킬 수 있는 증착용 마스크 및 이의 제조 방법을 제공하도록 한다.
또한, 실시 예에서는 증착 소소의 증착 후에 진행되는 세정 공정 시에 증착 소스의 세정성을 개선시킬 수 있는 증착용 마스크 및 이의 제조 방법를 제공하도록 한다.
또한, 실시 예에서는, 습식 식각 공정 후에 전해 연마 공정을 추가로 진행하여 관통홀 내벽의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)를 개선시킬 수 있는 증착용 마스크 및 이의 제조 방법을 제공한다.
또한, 실시 예에서는 관통홀 내부의 내부식성을 강화하여 품질 및 내구성을 강화시킬 수 있는 증착용 마스크 및 이의 제조 방법을 제공한다.
또한, 실시 예에서는 금속판의 표면 거칠기를 개선하여 금속판과 포토레지스트의 밀착력을 향상시킬 수 있는 증착용 마스크 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
또한, 실시 예에서는 금속판의 표면 거칠기를 개선하여 금속판에 형성되는 관통홀의 균일도를 향상시킬 수 있는 증착용 마스크 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
또한, 실시 예에서는 소공경이 가져야 하는 특성과, 대공경이 가져야 하는 특성을 기준으로 금속판의 제 1면 및 제 2면의 표면 거칠기를 서로 다르게 적용하여 포토레지스트와의 밀착력 및 관통홀의 균일도를 모두 향상시킬 수 있는 증착용 마스크 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
또한, 실시 예에서는 대공경이 형성되는 면에 위치한 아일랜드의 형상이 최대한 유지될 수 있도록 하여, 종래 대비 상기 아일랜드의 사이즈를 최소화할 수 있도록 한 증착용 마스크 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
또한, 실시 예에서는 위치에 따라 다른 형상을 가지는 복수 개의 관통홀을 포함하는 증착 마스크를 제공하고자 한다.
제안되는 실시 예에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 제안되는 실시 예가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
실시 예에 따른 OLED 화소 증착을 위한 금속재의 증착용 마스크는 상기 증착용 마스크는 증착 패턴을 형성하기 위한 증착 영역 및 상기 증착 영역 이외의 비증착 영역을 포함하고, 상기 증착 영역은 길이 방향으로 이격되며 복수의 관통홀이 형성된 복수 개의 유효부 및 상기 유효부 이외의 비유효부를 포함하고, 상기 관통홀은, 상기 증착용 마스크의 일면 상에 형성된 소면공; 상기 일면과 반대되는 상기 증착용 마스크의 타면상에 형성된 대면공; 및 상기 소면공과 상기 대면공의 경계가 연결되는 연통부;를 포함하고, 상기 소면공 및 상기 대면공 중 적어도 하나의 내측면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)는 150nm 미만이다.
또한, 상기 소면공 및 상기 대면공 중 적어도 하나의 내측면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)는, 50nm 내지 100nm 사이의 범위를 만족한다. 또한, 상기 소면공의 내측면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)는, 상기 소면공이 형성되는 상기 일면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)보다 작다. 또한, 상기 대면공의 내측면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)는, 상기 대면공이 형성되는 상기 타면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)보다 작다. 또한, 상기 소면공이 가지는 제 1 직경은, 상기 연통부가 가지는 제 2 직경보다 크며, 상기 제 1 직경은, 상기 제 2 직경의 1.2배 이하이다. 또한, 상기 제 1 직경은, 상기 제 2 직경의 1.05배 내지 1.1배 사이의 범위를 가진다.
또한, 상기 소면공의 내측면에는 제 1 변곡점이 형성되고, 상기 소면공의 내측면은, 상기 증착용 마스크의 일면과 상기 제 1 변곡점 사이에 형성된 제 1 서브 제 1 내측면과, 상기 제 1 변곡점과 상기 연통부 사이에 형성된 제 2 서브 제 1 내측면을 포함한다.
또한, 상기 대면공의 내측면에는 제 2 변곡점이 형성되고, 상기 대면공의 내측면은, 상기 증착용 마스크의 타면과 상기 제 2 변곡점 사이에 형성된 제 1 서브 제 2 내측면과, 상기 제 2 변곡점과 상기 연통부 사이에 형성된 제 2 서브 제 2 내측면을 포함한다.
또한, 상기 관통 홀은, 직경이 33㎛ 이하이고, 상기 복수의 관통홀들 간의 간격은, 48㎛ 이하인 500PPI 이상의 해상도를 가진다.
한편, 실시 예에 따른 제조 방법은 소정의 두께를 가지는 금속판을 준비하고, 상기 금속판의 일면 및 타면을 각각 식각하여 소면공, 대면공 및 상기 소면공과 대면공의 경계를 연결하는 연통부를 갖는 제 1 관통홀을 형성하고, 상기 형성된 제 1 관통 홀의 내측면을 전해 연마하여 제 2 관통홀을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제 2 관통홀의 내측면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)는, 상기 제 1 관통홀의 내측면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)보다 작고, 상기 제 2 관통홀의 내측면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)는 150nm 미만이다.
또한, 상기 제 2 관통홀의 소면공 및 상기 대면공 중 적어도 하나의 내측면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)는, 50nm 내지 100nm 사이의 범위를 만족한다.
또한, 상기 제 2 관통홀의 소면공의 내측면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)는, 상기 금속재의 일면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)보다 작고, 상기 제 2 관통홀의 대면공의 내측면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)는, 상기 금속재의 타면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)보다 작다.
또한, 상기 제 2 관통홀의 소면공의 제 1 단면 경사각은, 상기 제 1 관통홀의 소면공의 제 2 단면 경사각보다 크며, 상기 제 1 단면 경사각은, 75도 내지 89도 사이의 범위를 가진다.
실시 예에 따른 OLED 화소 증착을 위한 금속재의 증착용 마스크에 있어서, 상기 증착용 마스크는 증착을 위한 증착 영역 및 상기 증착 영역 이외의 비증착 영역을 포함하고, 상기 증착 영역은, 복수 개의 유효부 및 상기 유효부 이외의 비유효부를 포함하고, 상기 유효부는, 상기 금속재의 일면 상에 형성되는 복수 개의 소면공; 상기 금속재의 일면과 반대되는 타면 상에 형성되는 복수 개의 대면공; 상기 소면공 및 상기 대면공을 연통하는 복수 개의 관통홀; 및 상기 복수의 관통홀 사이에 위치하고, 상기 금속재의 비식각 영역인 아일랜드부를 포함하고, 상기 금속재의 일면에 대응하는 상기 아일랜드부의 제1면은, 제 1 제곱 평균 표면 거칠기를 가지고, 상기 금속재의 타면에 대응하는 상기 아일랜드부의 제2면은, 상기 제 1 제곱 평균 표면 거칠기와 다른 제 2 제곱 평균 표면 거칠기를 가진다.
또한, 상기 제 1 제곱 평균 표면 거칠기는, 상기 제 2 제곱 평균 표면 거칠기보다 작다. 또한, 상기 제 1 제곱 평균 표면 거칠기는, 150nm 내지 200nm 사이의 범위를 가진다. 또한, 상기 제 2 제곱 평균 표면 거칠기는, 200nm 내지 250nm 사이의 범위를 가진다. 또한, 상기 아일랜드부의 제 2 면의 수평 방향의 폭은, 4㎛ 내지 6㎛ 사이의 범위를 가진다. 또한, 상기 아일랜드부의 제 2면의 수직 방향의 폭은, 상기 수평 방향의 폭의 95% 내지 110%이다. 또한, 상기 복수의 소면공들 사이의 공경 편차는, 1.5㎛ 이내이다.
한편, 증착용 마스크의 제조 방법은 소정의 두께를 가지는 제 1 금속판을 준비하고, 상기 준비된 제 1 금속판의 제1면 및 제 2면에 1차 표면 처리를 진행하여 제 2 금속판을 형성하고, 상기 제 2 금속판의 제1면 및 제2면에 2차 표면처리를 진행하여 제 3 금속판을 형성하고, 상기 제 3 금속판의 제1면에 소면공을 형성하고, 상기 제 3 금속판의 제2면에 대면공을 형성하여 상기 소면공과 대면공의 경계를 연통하는 관통홀을 형성하며, 상기 2차 표면 처리는, 상기 제 2 금속판의 제 1면 및 제2면에 각각 서로 다른 표면 처리를 적용하여 진행되며, 상기 제 3 금속판의 제1면은, 제 1 제곱 평균 표면 거칠기를 가지고, 상기 제 3 금속판의 제2면은, 상기 제 1 제곱 평균 표면 거칠기와 다른 제 2 제곱 평균 표면 거칠기를 가진다.
또한, 상기 제 1 금속판의 제 1면 및 제 2면은 각각 70nm 내지 150nm 범위의 제곱 평균 표면 거칠기를 가지고, 상기 제 2 금속판의 제 1면 및 제 2면은 각각 250nm 내지 300nm 범위의 제곱 평균 표면 거칠기를 가진다.
또한, 상기 제 3 금속판의 제1면은, 150nm 내지 200nm 범위의 제 1 제곱 평균 표면 거칠기를 가지고, 상기 제 3 금속판의 제 2면은, 200nm 내지 250nm 범위의 제 2 제곱 평균 표면 거칠기를 가진다.
또한, 실시 예에 따른 OLED 화소 증착을 위한 금속재의 증착용 마스크는 서로 대향하는 제 1 면 및 제 2 면을 포함하는 OLED용 증착 마스크에 있어서, 상기 제 1 면 상의 소면공과 상기 제 2 면 상의 대면공이 연통하여 형성되는 복수 개의 관통홀을 포함하는 증착패턴 영역 및 비증착 영역을 포함하고, 상기 증착패턴 영역은 3개 이상의 유효 영역을 포함하고, 최외곽에 있는 2개의 유효 영역은 외곽 영역이고, 상기 외곽 영역을 제외한 유효 영역은 중앙 영역이고, 상기 중앙 영역에 위치한 관통홀은 상기 외곽 영역에 위치한 관통홀과 형상이 다른 부분을 포함한다.
또한, 상기 중앙 영역은 대공경의 중심과 소공경의 중심이 얼라인되고, 상기 외곽 영역은 대공경의 중심과 소공경의 중심이 미스얼라인되는 영역을 포함한다.
또한, 상기 외곽 영역의 적어도 일부는 대공경의 중심과 소공경의 중심이 얼라인 되는 것을 포함한다.
또한, 상기 외곽 영역에 위치한 복수 개의 관통홀들은 각각 중앙 영역으로부터의 거리가 멀어질수록 대공경의 중심과 소공경의 중심간의 이격 거리가 증가하는 것을 포함한다.
또한, 상기 외곽 영역은 상기 중앙 영역에 가까운 일단에 위치한 제 1 외곽 영역 및 상기 중앙 영역의 상기 일단과 반대되는 타단에 위치한 제 2 외곽 영역을 포함하고, 상기 제 2 외곽 영역에 위치한 복수 개의 관통홀은 상기 중앙 영역에서 멀어질수록 소공경의 중심보다 대공경의 중심이 중앙 영역에 가까이 위치하는 것을 포함한다.
또한, 상기 중앙 영역 및 상기 외곽 영역의 소공경의 크기는 서로 대응되는 것을 포함한다. 또한, 상기 외곽 영역은 상기 중앙 영역과 대공경의 크기가 서로 다른 영역을 포함한다. 또한, 상기 중앙 영역은 대공경의 중심과 소공경의 중심이 얼라인되고, 상기 외곽 영역은 대공경의 중심과 소공경의 중심이 얼라인되는 영역을 포함한다. 또한, 상기 중앙 영역에서 측정한 립의 두께는 상기 외곽 영역에서 측정한 립의 두께보다 큰 영역을 포함한다. 또한, 상기 외곽 영역은 상기 중앙 영역에서 멀어질수록 립의 두께가 작아지는 영역을 포함한다. 또한, 상기 외곽 영역의 아일랜드의 직경은 상기 중앙 영역의 아일랜드의 직경보다 작은 영역을 포함한다. 또한, 상기 중앙 영역은 대공경의 중심과 소공경의 중심이 얼라인되고, 상기 외곽 영역은 대공경의 중심과 소공경의 중심이 미스얼라인되는 영역을 포함한다.
실시 예에 의하면 증착용 마스크는 제1 면공 및 제2면공이 연통하여 형성되는 복수 개의 관통홀을 포함한다. 이때, 상기 관통홀은 습식 식각 공정을 진행한 후 전해 연마 공정을 추가적으로 진행하여 형성할 수 있다. 이에 따라, 실시 예에서의 증착용 마스크는 관통홀 내벽의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)는 증착용 마스크의 제 1면 및/또는 제 2 면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)보다 작다. 바람직하게, 실시 예에서의 증착용 마스크는 관통홀 내벽의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)가 150nm보다 작다. 더욱 바람직하게, 실시 예에서의 증착용 마스크는 관통홀 내벽의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)가 50nm~100nm 범위를 만족한다.
상기와 같은 실시 예에 따르면, 상기 증착용 마스크의 관통홀 내벽의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)를 향상시킬 수 있으며, 이에 따른 증착 마스크의 세정성을 향상시킬 수 있다. 또한, 실시 예에 따르면, 상기와 같은 세정성의 향상에 따라 상기 증착 마스크의 사용 가능 횟수를 획기적으로 증가시킬 수 있다. 또한, 실시 예에 따르면, 상기 증착용 마스크의 관통홀 내부의 내부식성을 강화할 수 있으며, 이에 따른 증착용 마스크의 품질 및 내구성을 강화할 수 있다.
또한, 종래에는 상기 습식 식각 공정만을 진행함에 따라 제 1면공에 대응하는 소면공에 대하여, 최대로 형성할 수 있는 경사각이 75°였다. 그러나, 실시 예에서는 상기와 같이 전해 연마 공정을 추가로 진행함에 따라 상기 소면공에 대한 경사각을 75°이상으로 형성할 수 있다. 바람직하게, 실시 예에서의 상기 소면공의 경사각은 75°~85° 사이의 범위를 가질 수 있다.
상기와 같은 실시 예에 따르면, 상기 증착용 마스크의 관통홀의 경사각을 증가시킴에 따라 쉐도우 효과(shadow effect)를 개선할 수 있다. 또한, 실시 예에 따르면, 상기 경사각의 증가에 따른 증착 불량을 방지할 수 있고 증착 효율을 향상시킬 수 있으며, 이에 따른 400PPI 이상의 해상도의 OLED 화소 패턴을 균일하게 증착할 수 있는 증착용 마스크의 제공이 가능하다.
또한, 실시 예에 따르면 증착용 마스크의 제1면공과 제2면공 사이의 경계면은 완만한 라운드 형태를 가지며, 이에 따른 증착용 마스크의 인장 시 높은 인장 하중에 대한 내구도를 향상시킬 수 있다.
실시 예에서는 금속판의 제1면 및 제2면을 제곱 평균 표면 거칠기를 서로 다르게 형성한다. 즉, 소공경이 형성되는 금속판의 제1면에서는 상기 소공경이 가져야 하는 특성에 맞게 제 1 제곱 평균 표면 거칠기를 적용하고, 대공경이 형성되는 제2면에서는 상기 대공경이 가져야 하는 특성에 맞게 제 2 제곱 평균 표면 거칠기를 적용한다. 상기 소공경은 증착 소소의 증착 균일도와 밀접한 관계가 있으며, 이에 따라 상기 제1면에는 소공경의 공경 균일성을 향상시키기 위해 상기 제 2 제곱 평균 표면 거칠기 대비 낮은 제 1 제곱 평균 표면 거칠기를 적용한다. 또한, 상기 대공경은 아일랜드 형상을 최대한 유지시키면서 공경 사이즈를 키우는 것이 중요하며, 이에 따라 상기 2면에는 아일랜드 형상 유지를 위해 상기 제 1 제곱 평균 표면 거칠기 대비 높은 제 2 제곱 평균 표면 거칠기를 적용한다.
상기와 같은 실시 예에 따른 증착용 마스크는, 제1면 및 제2면의 제곱 평균 표면 거칠기를 서로 다르게 부여하여, 각각의 면에서 포토레지스트와의 밀착력 및 공경 균일도를 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 실시 예에서는 상기 포토레지스트와의 밀착력 향상에 따라 아일랜드 사이즈를 최소화할 수 있으며, 이에 따른 대공경의 단면 경사각을 낮춰 증착 효율을 증가시킬 수 있다. 또한, 실시 예에서는 상기 제 1면에 대한 가공성을 향상시켜, 소공경을 보다 정밀하고 균일하게 형성할 수 있다.
실시예에 따른 OLED용 증착 마스크는 외곽 영역에 위치한 관통홀들의 형상을 중앙 영역에 위치한 관통홀과 다르도록 형성함에 따라, OLED 증착 패턴의 균일성을 향상시킬 수 있다.
실시예에 따른 OLED용 증착 마스크는 최외곽에 위치한 관통홀들이 유기 물질 공급원과의 거리가 멀고, 유기 물질 공급원과의 각도가 수직으로부터 멀어짐에 따라 증착 효율이 저하되는 문제를 해결할 수 있다.
도 1은 실시 예에 따른 증착용 마스크가 포함된 유기물 증착 장치를 도시한 사시도이다.
도 2는 실시 예에 따른 증착용 마스크가 포함된 유기물 증착 장치를 나타낸 단면도이다.
도 3은 실시 예에 따른 증착용 마스크가 마스크 프레임 상에 거치되기 위해 인장되는 것을 도시한 도면이다.
도 4는 실시 예에서의 기판 상에 복수 개의 증착 패턴이 형성되는 것을 도시한 도면이다.
도 5는 실시예에 따른 증착용 마스크의 평면도를 도시한 도면이다.
도 6a는 제1 실시 예에 따른 증착용 마스크의 유효부의 평면도를 도시한 도면이다.
도 6b는 제1 실시 예에 따른 증착용 마스크의 유효부의 평면도를 도시한 사진이다.
도 6c는 도 6a 또는 도 6b의 A-A'의 단면도 및 B-B'의 단면도를 겹쳐서 도시한 도면이다.
도 7은 실시예에 따른 증착용 마스크의 다른 평면도를 도시한 도면이다.
도 8은 제1 실시 예에 따른 습식 식각 공정 후의 관통 홀을 나타낸 도면이다.
도 9는 제1 실시 예에 따른 전해 연마 공정 후의 관통 홀을 나타낸 도면이다.
도 10은 제1 실시 예와 비교 예의 관통 홀의 내측면의 제곱 평균 표면 거칠기를 비교한 도면이다.
도 11은 제1 실시예에 따른 증착용 마스크의 제조 방법을 도시한 도면들이다.
도 12 및 도 13은 실시예에 따른 증착용 마스크를 통해 형성되는 증착 패턴을 나타내는 도면들이다.
도 14a는 제2 실시 예에 따른 증착용 마스크의 원재인 금속판의 단면을 도시한 도면이다.
도 14b는 제2 실시 예에 따른 금속판의 제조 방법을 단계별로 설명하기 위한 흐름도이다.
도 15a는 제2 실시 예에 따른 금속판의 원소재 표면의 현미경 사진이다.
도 15b는 제2 실시 예에 따른 1차 표면처리된 금속판의 표면의 현미경 사진이다.
도 15c는 제2 실시 예에 따른 2차 표면처리된 금속판의 제 1면의 현미경 사진이다.
도 15d는 제2 실시 예에 따른 2차 표면처리된 금속판의 제 2면의 현미경 사진이다.
도 16은 제2 실시 예에 따른 증착용 마스크의 유효부의 평면도를 도시한 도면이다.
도 17은 제2 실시 예에 따른 증착용 마스크의 유효부의 평면도를 도시한 현미경 사진이다.
도 18은 비교 예에 따른 증착용 마스크의 유효부의 평면도를 도시한 현미경 사진이다.
도 19a는 비교예에 따른 증착 마스크의 단면도를 도시한 도면이다.
도 19b는 평면에서 관측한 비교예에 따른 증착 마스크의 내면공, 소면공 및 대면공의 상대적인 위치를 나타낸 도면이다.
도 20a는 제 3 실시예에 따른 증착 마스크의 단면도를 도시한 도면이다.
도 20b는 평면에서 관측한 제 3 실시예에 따른 증착 마스크의 내면공, 소면공 및 대면공의 상대적인 위치를 나타낸 도면이다.
도 21a는 제 4 실시예에 따른 증착 마스크의 단면도를 도시한 도면이다.
도 21b는 평면에서 관측한 제 4 실시예에 따른 증착 마스크의 내면공, 소면공 및 대면공의 상대적인 위치를 나타낸 도면이다.
도 22a는 제 5 실시예에 따른 증착 마스크의 단면도를 도시한 도면이다.
도 22b는 평면에서 관측한 제 5 실시예에 따른 증착 마스크의 내면공, 소면공 및 대면공의 상대적인 위치를 나타낸 도면이다.
도 23a는 평면에서 관측한 제 3 실시예 또는 제 5 실시예에 따른 증착 마스크의 소면공 및 대면공의 상대적인 위치를 나타낸 도면이다.
도 23b는 증착 마스크의 중앙 영역을 기준으로 거리에 따른 미스얼라인을 나타낸 그래프이다.
도 23c는 단면에서 관측한 제 3 실시예 또는 제 5 실시예에 따른 증착 마스크의 소면공 및 대면공의 미스얼라인을 나타낸 도면이다.
도 24a는 제 3 실시예에 따른 증착 마스크의 평면도 및 중앙 영역과 외곽 영역에서 소면공과 대면공의 형상을 나타낸 도면이다.
도 24b는 제 3 실시예에 따른 증착 마스크의 단면도이다.
도 25a는 제 4 실시예에 따른 증착 마스크의 평면도 및 중앙 영역과 외곽 영역에서 소면공과 대면공의 형상을 나타낸 도면이다.
도 25b는 제 4 실시예에 따른 증착 마스크의 단면도이다.
도 26a는 제 5 실시예에 따른 증착 마스크의 평면도 및 중앙 영역과 외곽 영역에서 소면공과 대면공의 형상을 나타낸 도면이다.
도 26b는 제 5 실시예에 따른 증착 마스크의 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다만, 본 발명의 기술 사상은 설명되는 일부 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양헌 형태로 구현될 수 있고, 본 발명의 기술 사상 범위 내에서라면, 실시예들 간의 그 구성 요소들 중 하나 이상을 선택적으로 결합, 치환하여 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에서 사용되는 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는, 명백하게 특별히 정의되어 기술되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일반적으로 이해될 수 있는 의미로 해석될 수 있으며, 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥상의 의미를 고려하여 그 의미를 해석할 수 있을 것이다. 또한, 본 발명의 실시예에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함할 수 있고, “A 및(와) B, C중 적어도 하나(또는 한개이상)”로 기재되는 경우 A, B, C로 조합할 수 있는 모든 조합중 하나이상을 포함할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등으로 한정되지 않는다. 그리고, 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 '연결', '결합' 또는 '접속'된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결, 결합 또는 접속되는 경우 뿐만아니라, 그 구성 요소와 그 다른 구성요소 사이에 있는 또 다른 구성 요소로 인해 '연결', '결합' 또는 '접속＇되는 경우도 포함할 수 있다. 또한, 각 구성 요소의 " 상(위) 또는 하(아래)"에 형성 또는 배치되는 것으로 기재되는 경우, 상(위) 또는 하(아래)는 두개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되는 경우 뿐만아니라 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 형성 또는 배치되는 경우도 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)”으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
이하 도면들을 참조하여 실시예에 따른 증착용 마스크를 설명한다.
도 1 내지 도 4는 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)를 사용하여 기판(300) 상에 유기 물질을 증착하는 공정을 설명하기 위한 개념도들이다.
도 1은 실시 예에 따른 증착용 마스크가 포함된 유기물 증착 장치를 도시한 사시도이고, 도 2는 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)가 포함된 유기물 증착 장치를 나타낸 단면도이고, 도 3은 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)가 마스크 프레임(200) 상에 거치되기 위해 인장되는 것을 도시한 도면이다. 또한, 도 4는 상기 증착용 마스크(100)의 복수 개의 관통 홀을 통해 상기 기판(300) 상에 복수 개의 증착 패턴이 형성되는 것을 도시한 도면이다.
도 1 내지 도 4을 참조하면, 유기물 증착 장치는 증착용 마스크(100), 마스크 프레임(200), 기판(300), 유기물 증착 용기(400) 및 진공 챔버(500)를 포함할 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)는 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크는 철(Fe) 및 니켈(Ni)을 포함할 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)는 증착을 위한 유효부에 복수 개의 관통홀(TH)을 포함할 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 복수 개의 관통홀(TH)들을 포함하는 증착용 마스크용 기판일 수 있다. 이때, 상기 관통홀은 기판 상에 형성될 패턴과 대응되도록 형성될 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 증착 영역을 포함하는 유효부 이외의 비유효부를 포함할 수 있다.
상기 마스크 프레임(200)은 개구부(205)를 포함할 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 복수 개의 관통 홀은 상기 마스크 프레임(200)의 개구부(205)와 대응되는 영역 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 유기물 증착 용기(400)로 공급되는 유기 물질이 상기 기판(300) 상에 증착될 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 상기 마스크 프레임(200) 상에 배치되어 고정될 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 일정한 인장력으로 인장되고, 상기 마스크 프레임(200) 상에 용접에 의하여 고정될 수 있다.
즉, 상기 마스크 프레임(200)은 상기 개구부(205)를 둘러싸는 복수의 프레임(201, 202, 203, 204)을 포함한다. 복수의 프레임(20, 202, 203, 204)은 서로 연결될 수 있다. 상기 마스크 프레임(200)은 X 방향으로 서로 마주보며, Y 방향을 따라 연장된 제 1 프레임(201) 및 제 2 프레임(202)을 포함하고, Y 방향으로 서로 마주보며, X 방향을 따라 연장된 제 3 프레임(203) 및 제 4 프레임(204)을 포함한다. 상기 제 1 프레임(201), 제 2 프레임(202), 제 3 프레임(203), 및, 제 4 프레임(204)은 서로 연결된 사각 프레임일 수 있다. 상기 마스크 프레임(200)은 마스크(130)가 용접시에 변형이 작은 소재, 이를테면, 강성이 큰 금속으로 제조될 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착용 마스크(100)의 최외곽에 배치된 가장자리에서, 서로 반대되는 방향으로 인장될 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착용 마스크(100)의 길이 방향에서, 상기 증착용 마스크(100)의 일단 및 상기 일단과 반대되는 타단이 서로 반대되는 방향으로 잡아 당겨질 수 있다. 따라서, 상기 증착용 마스크(100)의 인장 방향, X 축 방향 및 상기 증착용 마스크의 길이 방향은 모두 동일한 방향일 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)의 일단과 상기 타단은 서로 마주보며 평행하게 배치될 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 일단은 상기 증착용 마스크(100)의 최외곽에 배치된 4개의 측면을 이루는 단부 중 어느 하나일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 약 0.1 kgf 내지 약 2 kgf의 인장력으로 인장될 수 있다. 자세하게, 상기 증착용 마스크는 0.4 kgf 내지 약 1.5 kgf의 인장력으로 인장되어 상기 마스크 프레임(200) 상에 고정될 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크(100)의 응력은 감소될 수 있다. 그러나, 실시 예는 이에 제한되지 않고, 상기 증착용 마스크(100)의 응력을 감소시킬 수 있는 다양한 인장력으로 인장되어 상기 마스크 프레임(200) 상에 고정될 수 있다.
이어서, 상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착용 마스크(100)의 비유효부를 용접함에 따라, 상기 마스크 프레임(200)에 상기 증착용 마스크(100)를 고정할 수 있다. 그 다음으로, 상기 마스크 프레임(200)의 외부에 배치되는 상기 증착용 마스크(100)의 일부분은 절단 등의 방법으로 제거될 수 있다.
상기 기판(300)은 표시 장치의 제조에 사용되는 기판일 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(300)은 OLED 화소 패턴용 유기물 증착을 위한 기판(300)일 수 있다. 상기 기판(300) 상에는 빛의 3원색인 화소를 형성하기 위하여 적색(Red), 녹색(Greed) 및 청색(Blue)의 유기물 패턴이 형성될 수 있다. 즉, 상기 기판(300) 상에는 RGB 패턴이 형성될 수 있다.
상기 유기물 증착 용기(400)는 도가니일 수 있다. 상기 도가니의 내부에는 유기 물질이 배치될 수 있다. 상기 유기물 증착 용기(400)는 진공 챔버(500) 내에서 이동할 수 있다. 즉, 상기 유기물 증착 용기(400)는 진공 챔버(500) 내에서 Y축 방향으로 이동할 수 있다. 즉, 상기 유기물 증착 용기(400)는 진공 챔버(500) 내에서 증착용 마스크(100)의 폭 방향으로 이동할 수 있다. 즉, 상기 유기물 증착 용기(400)는 진공 챔버(500) 내에서 증착용 마스크(100)의 인장 방향과 수직한 방향으로 이동할 수 있다.
상기 진공 챔버(500) 내에서 상기 유기물 증착 용기(400)인 도가니에 열원 및/또는 전류가 공급됨에 따라, 상기 유기 물질은 상기 기판(100) 상에 증착될 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 일면(101) 및 상기 일면과 반대되는 타면(102)을 포함할 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)의 상기 일면(101)은 소면공(V1)을 포함하고, 상기 타면은 대면공(V2)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)의 일면(101) 및 타면(102) 각각은 복수 개의 소면공(V1)들 및 복수 개의 대면공(V2)들을 포함할 수 있다.
또한, 상기 증착용 마스크(100)는 관통홀(TH)을 포함할 수 있다. 상기 관통홀(TH)은 상기 소면공(V1) 및 상기 대면공(V2)의 경계가 연결되는 연통부(CA)에 의하여 연통될 수 있다. 상기 연통부(CA)는 상기 소면공(V1) 및 상기 대면공(V2)의 경계가 되는 지점을 의미하며, 이는 경계부, 경계점, 경계면 등으로도 표현될 수 있다.
또한, 상기 증착용 마스크(100)는 상기 소면공(V1) 내의 제 1 내측면(ES1)을 포함할 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 상기 대면공(V2) 내의 제 2 내측면(ES2)을 포함할 수 있다. 상기 관통홀(TH)은 상기 소면공(V1) 내의 제 1 내측면(ES1) 및 상기 대면공(V2) 내의 제 2 내측면(ES2)이 서로 연통하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 하나의 소면공(V1) 내의 제 1 내측면(ES1)은 하나의 대면공(V2) 내의 제 2 내측면(ES2)과 연통하여 하나의 관통홀을 형성할 수 있다. 이에 따라, 상기 관통홀(TH)의 수는 상기 소면공(V1) 및 상기 대면공(V2)의 수와 대응될 수 있다.
한편, 상기 소면공(V1) 내의 제 1 내측면(ES1)은 복수의 서브 제 1 내측면(ES2)을 포함할 수 있다. 상기 소면공(V1)의 제 1 내측면(ES1)에는 상기 일면(101)과 상기 연통부(CA) 사이에 제 1 변곡점(IP1)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 내측면(ES1)은 상기 일면(101)과 상기 제 1 변곡점(IP1) 사이에 형성되는 제 1 서브 제 1 내측면과, 상기 제 1 변곡점(IP1)과 상기 연통부(CA) 사이에 형성되는 제 2 서브 제 1 내측면을 포함할 수 있다.
또한, 상기 대면공(V2)의 상기 제 2 내측면(ES2)은 복수의 서브 제 2 내측면(ES2)을 포함할 수 있다. 상기 대면공(V2)의 상기 제 2 내측면(ES2)에는 상기 타면(102)과 상기 연통부(CA) 사이에 제 2 변곡점(IP2)이 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제 2 내측면(ES2)는 상기 타면(102)과 상기 제 2 변곡점(IP2) 사이에 형성되는 제 1 서브 제 2 내측면과, 상기 제 2 변곡점(IP2)과 상기 연통부(CA) 사이에 형성되는 제 2 서브 제 2 내측면을 포함할 수 있다.
여기에서, 상기 제 1 내측면(ES1), 제 2 내측면(ES2), 제 1 서브 제 1 내측면, 제 2 서브 제 1 내측면, 제 1 서브 제 2 내측면, 및 제 2 서브 제 2 내측면은 식각에 의해 형성되는 식각면이라고도 할 수 있다. 보다 바람직하게, 상기 기 제 1 내측면(ES1), 제 2 내측면(ES2), 제 1 서브 제 1 내측면, 제 2 서브 제 1 내측면, 제 1 서브 제 2 내측면, 및 제 2 서브 제 2 내측면은 식각 공정 이후에 추가적인 전해 연마 공정을 통해 형성되는 연마면이라고 할 수 있다.
상기 대면공(V2)의 폭은 상기 소면공(V1)의 폭보다 클 수 있다. 이때, 상기 소면공(V1)의 폭은 상기 증착용 마스크(100)의 일면(101)에서 측정되고, 상기 대면공(V2)의 폭은 상기 증착용 마스크(100)의 타면(102)에서 측정될 수 있다.
상기 소면공(V1)은 상기 기판(300)을 향하여 배치될 수 있다. 상기 소면공(V1)은 상기 기판(300)과 가까이 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 소면공(V1)은 증착 물질, 즉 증착 패턴(DP)과 대응되는 형상을 가질 수 있다.
상기 대면공(V2)은 상기 유기물 증착 용기(400)를 향하여 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 대면공(V2)은 상기 유기물 증착 용기(400)로부터 공급되는 유기물질을 넓은 폭에서 수용할 수 있고, 상기 대면공(V2)보다 폭이 작은 상기 소면공(V1)을 통해 상기 기판(300) 상에 미세한 패턴을 빠르게 형성할 수 있다.
도 5는 실시예에 따른 증착용 마스크의 평면도를 도시한 도면이다. 도 5를 참조하면, 실시예에 따른 증착용 마스크는 증착 영역(DA) 및 비증착 영역(NDA)을 포함할 수 있다.
상기 증착 영역(DA)은 증착 패턴을 형성하기 위한 영역일 수 있다. 하나의 증착용 마스크는 복수 개의 증착 영역(DA)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 실시예의 상기 증착 영역(DA)은 복수의 증착 패턴을 형성할 수 있는 복수의 유효부(AA1, AA2, AA3)를 포함할 수 있다.
복수의 유효부는 제 1 유효부(AA1), 제 2 유효부(AA2) 및 제 3 유효부(AA3)를 포함할 수 있다. 하나의 증착 영역(DA)은 제 1 유효부(AA1), 제 2 유효부(AA2) 및 제 3 유효부(AA3) 중 어느 하나일 수 있다.
스마트 폰과 같은 소형 표시장치의 경우, 증착용 마스크에 포함된 복수의 증착 영역 중 어느 하나의 유효부는 하나의 표시장치를 형성하기 위한 것일 수 있다. 이에 따라, 하나의 증착용 마스크는 복수의 유효부를 포함할 수 있어, 여러 개의 표시장치를 동시에 형성할 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 증착용 마스크는 공정 효율을 향상시킬 수 있다.
또는, 텔레비전과 같은 대형 표시장치의 경우, 하나의 증착용 마스크에 포함된 여러 개의 유효부가 하나의 표시장치를 형성하기 위한 일부일 수 있다. 이때, 상기 복수의 유효부는 마스크의 하중에 의한 변형을 방지하기 위한 것일 수 있다.
상기 증착 영역(DA)은 하나의 증착용 마스크에 포함된 복수의 분리 영역(IA1, IA2)을 포함할 수 있다. 인접한 유효부 사이에는 분리 영역(IA1, IA2)이 배치될 수 있다. 상기 분리 영역은 복수의 유효부 사이의 이격 영역일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 유효부(AA1) 및 상기 제 2 유효부(AA2)의 사이에는 제 1 분리 영역(IA1)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 유효부(AA2) 및 상기 제 3 유효부(AA3)의 사이에는 제 2 분리 영역(IA2)이 배치될 수 있다. 상기 분리 영역은 인접한 유효 영역을 구별할 수 있게 할 수 있고, 복수의 유효 영역을 하나의 증착용 마스크가 지지할 수 있게 한다.
상기 분리 영역(IA1, IA2)은 아일랜드부 또는 비증착 영역 또는 비유효 영역과 동일한 높이를 가질 수 있다. 상기 분리 영역(IA1, IA2)은 관통홀을 형성할 때, 식각되지 않는 영역일 수 있다.
증착용 마스크는 상기 증착 영역(DA)의 길이 방향의 양 측부에 비증착 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 실시예에 따른 증착용 마스크는 상기 증착 영역(DA)의 수평 방향의 양 측에 상기 비증착 영역(NDA)을 포함할 수 있다.
상기 증착용 마스크의 상기 비증착 영역(NDA)은 증착에 관여하지 않는 영역일 수 있다. 상기 비증착 영역(NDA)은 마스크 프레임에 고정하기 위한 프레임 고정영역(FA1, FA2)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크의 상기 비증착 영역(NDA)은 상기 증착 영역(DA)의 일측에 제 1 프레임 고정영역(FA1)을 포함할 수 있고, 상기 증착 영역(DA)의 상기 일측과 반대되는 타측에 제 2 프레임 고정영역(FA2)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 프레임 고정영역(FA1) 및 상기 제 2 프레임 고정영역(FA2)은 용접에 의해서 마스크 프레임과 고정되는 영역일 수 있다.
상기 비증착 영역(NDA)은 하프에칭부(HF1, HF2)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크의 상기 비증착 영역(NDA)은 상기 증착 영역(DA)의 일측에 제 1 하프에칭부(HF1)를 포함할 수 있고, 상기 증착 영역(DA)의 상기 일측과 반대되는 타측에 제 2 하프에칭부(HF2)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 하프에칭부(HF1) 및 상기 제 2 하프에칭부(HF2)는 증착용 마스크의 깊이 방향으로 홈이 형성되는 영역일 수 있다. 상기 제 1 하프에칭부(HF1) 및 상기 제 2 하프에칭부(HF2)는 증착용 마스크의 약 1/2 두께의 홈부를 가질 수 있어, 증착용 마스크의 인장시 응력을 분산시킬 수 있다.
상기 하프 에칭부는 소면공 또는 대면공을 형성할 때 동시에 형성할 수 있다. 이를 통해 공정 효율을 향상시킬 수 있다.
증착용 마스크의 상기 증착 영역(DA)에는 금속판 재질과 다른 표면 처리층을 형성하고, 상기 비증착 영역(NDA)은 영역에는 표면 처리층을 형성하지 않을 수 있다. 또는, 증착용 마스크의 일면 또는 상기 일면과 반대되는 타면 중 어느 일면에만 금속판의 재질과 다른 표면 처리층을 형성할 수 있다. 또는, 증착용 마스크의 일면의 일부분에만 금속판의 재질과 다른 표면 처리층을 형성할 수 있다. 예를 들어, 증착용 마스크의 일면 및/또는 타면, 증착용 마스크의 전체 및/또는 일부는 금속판 재질보다 식각 속도가 느린 표면처리층을 포함할 수 있어, 식각 팩터를 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 실시예의 증착용 마스크는 미세한 크기의 관통홀을 높은 효율로 형성할 수 있다. 일례로, 실시예의 증착용 마스크는 500PPI 이상의 높은 해상도를 가지는 증착 패턴을 높은 효율로 형성할 수 있다. 여기에서, 상기 표면 처리층은 금속판 재질과 다른 원소를 포함하거나, 동일한 원소의 조성이 다른 금속 물질을 포함하는 것을 의미할 수 있다.
하프 에칭부는 증착 영역(DA)의 비유효부(UA)에 형성될 수 있다. 하프 에칭부는 증착용 마스크의 인장시 응력을 분산시키기 위해서 비유효부(UA)의 전체 또는 일부에 분산되어 다수 개 배치될 수 있다.
또한, 하프 에칭부는 프레임 고정 영역 및/또는 프레임 고정 영역의 주변영역에도 형성될 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크를 프레임에 고정할 때, 및/또는 증착용 마스크를 프레임에 고정한 후에 증착물을 증착할 때에 발생하는 증착용 마스크의 응력을 균일하게 분산시킬 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크가 균일한 관통홀을 가지도록 유지할 수 있다.
상기 비증착 영역(NDA)의 마스크 프레임에 고정하기 위한 프레임 고정영역(FA1, FA2)은 상기 비증착 영역(NDA)의 하프에칭부(HF1, HF2) 및 상기 하프에칭부(HF1, HF2)와 인접한 상기 증착 영역(DA)의 유효부의 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 프레임 고정영역(FA1)은 상기 비증착 영역(NDA)의 제 1 하프에칭부(HF1) 및 상기 제 1 하프에칭부(HF1)와 인접한 상기 증착 영역(DA)의 제 1 유효부(AA1)의 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 프레임 고정영역(FA2)은 상기 비증착 영역(NDA)의 제 2 하프에칭부(HF2) 및 상기 제 2 하프에칭부(HF2)와 인접한 상기 증착 영역(DA)의 제 3 유효부(AA3)의 사이에 배치될 수 있다. 이에 따라, 복수 개의 증착패턴부를 동시에 고정할 수 있다.
증착용 마스크는 수평 방향(X)의 양 끝단에 반원 형상의 오픈부를 포함하는 포함할 수 있다. 증착용 마스크의 상기 비증착 영역(NDA)은 수평 방향의 양 끝단에 각각 하나의 반원 형상의 오픈부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 증착용 마스크의 상기 비증착 영역(NDA)은 수평방향의 일측에는 수직 방향(Y)의 중심이 오픈된 오픈부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 증착용 마스크의 상기 비증착 영역(NDA)은 수평방향의 상기 일측과 반대되는 타측에는 수직 방향의 중심이 오픈된 오픈부를 포함할 수 있다. 즉, 증착용 마스크의 양 끝단은 수직 방향 길이의 1/2 지점이 오픈부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 증착용 마스크의 양 끝단은 말발굽과 같은 형태일 수 있다.
실시예의 증착용 마스크에 포함되는 하프 에칭부는 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 상기 하프 에칭부는 반원 형상의 홈부를 포함할 수 있다. 이와 다르게, 상기 하프 에칭부는 사각 형상 또는 마름모 형상 또는 삼각 형상 또는 타원 형상 또는 별 형상 또는 다각 형상 등과 같은 다양한 홈부를 포함할 수도 있다. 상기 홈은 상기 증착용 마스크의 일면 및 상기 일면과 반대되는 타면 중 적어도 하나의 면 상에 형성될 수 있다. 바람직하게, 상기 하프 에칭부는 소면공(증착되는 면 측)과 대응되는 면 상에 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 하프 에칭부는 소면공과 동시에 형성될 수 있으므로 공정 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 하프 에칭부는 대면공 사이의 크기 차이에 의해 발생할 수 있는 응력을 분산시킬 수 있다.
또는, 상기 하프 에칭부는 증착용 마스크의 응력을 분산시키기 위해서, 증착용 마스크의 양면에 형성될 수 있다. 이때, 상기 하프에칭부의 하프에칭 영역은 제 1 면공(증착되는 면 측)과 대응되는 면에서 더 넓을 수 있다. 즉, 실시예에 따른 증착용 마스크는 증착용 마스크의 제 1 면 및 제 2 면에 각각 홈이 형성됨에 따라, 상기 하프에칭부를 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 면에 형성되는 하프에칭부의 홈의 깊이는 상기 제 2 면에 형성되는 하프에칭부의 홈의 깊이보다 클 수 있다. 이에 따라, 상기 하프 에칭부는 소면공과 대면공의 크기 차이에 의해 발생할 수 있는 응력을 분산시킬 수 있다. 소면공, 대면공 및 하프에칭부의 형성은 증착용 마스크의 제 1 면과 제 2 면에서의 표면적을 유사하게 할 수 있어, 관통홀의 틀어짐을 방지할 수 있다.
또한, 제 1 면 및 제 2 면에 형성되는 홈은 서로 어긋나게 형성할 수 있다. 이를 통해 하프 에칭부가 관통되지 않을 수 있다.
상기 하프에칭부는 곡면 및 평면을 포함할 수 있다. 상기 제 1 하프에칭부(HF1)의 평면은 상기 제 1 유효부(AA1)와 인접하게 배치될 수 있고, 상기 평면은 증착용 마스크의 길이 방향의 끝단과 수평하게 배치될 수 있다. 상기 제 1 하프에칭부(HF1)의 곡면은 증착용 마스크의 길이 방향의 일단을 향해서 볼록한 형상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 하프에칭부(HF1)의 곡면은 증착용 마스크의 수직 방향 길이의 1/2 지점이 반원형상의 반지름과 대응되도록 형성될 수 있다.
상기 제 2 하프에칭부(HF2)의 평면은 상기 제 3 유효부(AA3)와 인접하게 배치될 수 있고, 상기 평면은 증착용 마스크의 길이 방향의 끝단과 수평하게 배치될 수 있다. 상기 제 2 하프에칭부(HF2)의 곡면은 증착용 마스크의 길이 방향의 타단을 향해서 볼록한 형상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 하프에칭부(HF2)의 곡면은 증착용 마스크의 수직 방향 길이의 1/2 지점이 반원형상의 반지름과 대응되도록 형성될 수 있다.
한편, 증착용 마스크의 양 끝단에 위치한 오픈부의 곡면은 하프에칭부를 향할 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크의 양 끝단에 위치한 오픈부는 상기 제 1 또는 제 2 하프에칭부와 증착용 마스크의 수직 방향 길이의 1/2 지점에서 이격거리가 제일 짧을 수 있다.
도면에는 도시하지 않았으나, 상기 하프에칭부는 사각형 형상일 수 있음은 물론이다. 상기 제 1 하프에칭부(HF1) 및 상기 제 2 하프에칭부(HF2)는 직사각형 또는 정사각형 형상일 수 있다.
실시예에 따른 증착용 마스크는 복수 개의 하프에칭부를 포함할 수 있다. 실시예에 따른 증착용 마스크는 상기 증착 영역(DA) 및 상기 비증착 영역(NDA) 중 적어도 하나의 영역에 복수 개의 하프에칭부를 포함할 수 있다. 실시예에 따른 증착용 마스크는 비유효부(UA)에만 하프에칭부를 포함할 수 있다. 상기 비유효부(UA)은 유효부(AA)이외의 영역일 수 있다.
실시예에 따른 증착용 마스크는 2 개의 하프에칭부를 포함할 수 있다. 도면에는 도시하지 않았으나, 실시예에 따른 증착용 마스크는 4 개의 하프에칭부를 포함할 수 있음은 물론이다. 예를 들어, 상기 하프 에칭부는 짝수 개의 하프에칭부를 포함할 수 있어, 응력을 효율적으로 분산할 수 있다. 실시예에 따른 증착용 마스크는 상기 비증착영역(NDA)에만 배치될 수 있다.
상기 하프 에칭부는 마스크의 중심을 기준으로 X축 방향으로 대칭 되거나 Y축방향으로 대칭 되도록 형성하는 것이 좋다. 이를 통해 양방향으로의 인장력을 균일하게 조절할 수 있다.
상기 제 1 하프에칭부(HF1) 또는 상기 제 2 하프에칭부(HF2)의 수직방향의 길이(d1)는 상기 오픈부의 수직방향의 길이(d2)와 대응될 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크를 인장하는 경우에, 응력이 고르게 분산될 수 있어, 증착용 마스크의 변형(wave deformation)을 감소시킬 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 증착용 마스크는 균일한 관통홀을 가질 수 있어, 패턴의 증착효율이 향상될 수 있다. 바람직하게, 상기 제 1 하프에칭부(HF1) 또는 상기 제 2 하프에칭부(HF2)의 수직방향의 길이(d1)는 상기 오픈부의 수직방향의 길이(d2)의 80 내지 200%일 수 있다(d1:d2 = 0.8~2:1). 상기 제 1 하프에칭부(HF1) 또는 상기 제 2 하프에칭부(HF2)의 수직방향의 길이(d1)는 상기 오픈부의 수직방향의 길이(d2)의 90 내지 150%일 수 있다(d1:d2 = 0.9~1.5:1). 상기 제 1 하프에칭부(HF1) 또는 상기 제 2 하프에칭부(HF2)의 수직방향의 길이(d1)는 상기 오픈부의 수직방향의 길이(d2)의 95 내지 110%일 수 있다(d1:d2 = 0.95~1.1:1).
증착용 마스크는 길이 방향으로 이격된 복수 개의 유효부(AA1, AA2, AA3) 및 상기 유효부 이외의 비유효부(UA)을 포함할 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)의 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)는 복수 개의 관통홀(TH)과 복수 개의 관통홀 사이를 지지하는 아일랜드부(IS)를 포함할 수 있다. 상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착 마스크의 유효부의 일면 또는 타면에서 관통홀 형성 시 식각되지 않은 부분을 의미할 수 있다. 자세하게, 상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착 마스크의 유효부의 대면공이 형성된 타면에서 관통홀과 관통홀 사이의 식각되지 않은 영역일 수 있다. 따라서 상기 아일랜드부(IS)는 증착용 마스크의 일면과 평행하게 배치될 수 있다.
상기 아일랜드부(IS)는 증착용 마스크의 타면과 동일평면에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 아일랜드부(IS)는 증착용 마스크의 타면에서 비유효부의 적어도 일 부분과 두께가 동일할 수 있다. 자세하게, 상기 아일랜드부(IS)는 증착용 마스크의 타면에서 비유효부 중 식각되지 않은 부분과 두께가 동일할 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크를 통해 서브 픽셀의 증착 균일성을 향상시킬 수 있다.
또는, 상기 아일랜드부(IS)는 증착용 마스크의 타면과 평행한 평면에 배치될 수 있다. 여기에서, 평행한 평면이라는 것은 상기 아일랜드부(IS) 주위의 식각공정에 의해서 아일랜드부(IS)가 배치되는 증착용 마스크의 타면과 비유효부 중 비식각된 증착용 마스크의 타면의 높이 단차가 ± 1 ㎛ 이하인 것을 포함할 수 있다.
복수 개의 관통홀 중 인접한 관통홀 사이에는 아일랜드부(IS)가 위치할 수 있다. 즉, 상기 증착용 마스크(100)의 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)에서 관통홀 이외의 영역은 아일랜드부(IS)일 수 있다.
상기 유효부(AA1, AA2, AA3)는 상기 증착용 마스크(100)의 일면 상에 형성된 다수의 소면공(V1), 상기 일면과 반대되는 타면 상에 형성된 다수의 대면공(V2), 상기 소면공 및 상기 대면공의 경계가 연결되는 연통부(CA)에 의해 형성되는 관통홀(TH)을 포함할 수 있다.
상기 증착용 마스크(100)는 상기 유효부의 외곽에 배치되는 비유효부(UA)를 포함할 수 있다.
상기 유효부(AA)는 복수 개의 관통홀들 중 유기물질을 증착하기 위한 최외곽에 위치한 관통홀들의 외곽을 연결하였을 때의 안쪽 영역일 수 있다. 상기 비유효부(UA)은 복수 개의 관통홀들 중 유기물질을 증착하기 위한 최외곽에 위치한 관통홀들의 외곽을 연결하였을 때의 바깥쪽 영역일 수 있다.
상기 비유효부(UA)은 상기 증착 영역(DA)의 유효부를 제외한 영역 및 상기 비증착 영역(NDA)이다. 상기 비유효부(UA)은 유효부(AA1, AA2, AA3)의 외곽을 둘러싸는 외곽영역(OA1, OA2, OA3)을 포함할 수 있다.
실시예에 따른 증착용 마스크는 복수 개의 외곽영역(OA1, OA2, OA3)을 포함할 수 있다. 상기 외곽영역 개수는 상기 유효부의 개수와 대응될 수 있다. 즉, 하나의 유효부는 유효부의 끝단으로부터 수평방향 및 수직방향에서 각각 일정한 거리로 떨어진 하나의 외곽영역을 포함할 수 있다.
상기 제 1 유효부(AA1)는 제 1 외곽영역(OA1) 내에 포함될 수 있다. 상기 제 1 유효부(AA1)은 증착물질을 형성하기 위한 복수 개의 관통홀을 포함할 수 있다. 상기 제 1 유효부(AA1)의 외곽을 둘러싸는 상기 제 1 외곽영역(OA1)은 복수 개의 관통홀을 포함할 수 있다.
상기 제 1 유효부(AA1)의 관통홀(TH)의 형상은 상기 제 1 외곽영역(OA1) 관통홀의 형상과 서로 대응될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 유효부(AA1)에 포함된 관통홀의 균일성을 향상시킬 수 있다. 일례로, 상기 제 1 유효부(AA1)의 관통홀(TH)의 형상 및 상기 제 1 외곽영역(OA1) 관통홀의 형상은 원형일 수 있다. 다만, 실시예는 이에 제한되지 않고, 관통홀은 다이아몬드 패턴, 타원형 패턴 등 다양한 형상일 수 있음은 물론이다.
상기 제 1 외곽영역(OA1)에 포함되는 복수 개의 관통홀은 유효부의 최외곽에 위치한 관통홀들의 에칭 불량을 감소시키기 위한 것이다. 이에 따라, 실시예에 따른 증착용 마스크는 유효부에 위치한 복수 개의 관통홀들의 균일성을 향상시킬 수 있고, 이를 통해 제조되는 증착패턴의 품질을 향상시킬 수 있다.
상기 유효부에 포함된 관통홀은 상기 비유효부에 포함된 관통홀과 부분적으로 대응되는 형상을 가질 수 있다. 일레로, 상기 유효부에 포함된 관통홀은 상기 비유효부의 에지부에 위치한 관통홀과 서로 다른 형상을 포함할 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크의 위치에 따른 응력의 차이를 조절 할 수 있다.
상기 제 2 유효부(AA2)는 제 2 외곽영역(OA2) 내에 포함될 수 있다. 상기 제 2 유효부(AA2)는 상기 제 1 유효부(AA1)와 서로 대응되는 형상일 수 있다. 상기 제 2 외곽영역(OA2)은 상기 제 1 외곽영역(OA1)과 서로 대응되는 형상일 수 있다.
상기 제 2 외곽영역(OA2)은 상기 제 2 유효부(AA2)의 최외곽에 위치한 관통홀로부터 수평방향 및 수직방향에 각각 두 개의 관통홀을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 외곽영역(OA2)은 상기 제 2 유효부(AA2)의 최외곽에 위치한 관통홀의 상부 및 하부의 위치에 각각 두 개의 관통홀이 수평방향으로 일렬로 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 외곽영역(OA2)은 상기 제 2 유효부(AA2)의 최외곽에 위치한 관통홀의 좌측 및 우측에 각각 두 개의 관통홀이 수직방향으로 일렬로 배치될 수 있다. 상기 제 2 외곽영역(OA2)에 포함되는 복수 개의 관통홀은 유효부의 최외곽에 위치한 관통홀들의 에칭 불량을 감소시키기 위한 것이다. 이에 따라, 실시예에 따른 증착용 마스크는 유효부에 위치한 복수 개의 관통홀들의 균일성을 향상시킬 수 있고, 이를 통해 제조되는 증착패턴의 품질을 향상시킬 수 있다.
상기 제 3 유효부(AA3)는 제 3 외곽영역(OA3) 내에 포함될 수 있다. 상기 제 3 유효부(AA3)는 증착물질을 형성하기 위한 복수 개의 관통홀을 포함할 수 있다. 상기 제 3 유효부(AA3)의 외곽을 둘러싸는 상기 제 3 외곽영역(OA3)은 복수 개의 관통홀을 포함할 수 있다.
상기 제 3 유효부(AA3)는 상기 제 1 유효부(AA1)와 서로 대응되는 형상일 수 있다. 상기 제 3 외곽영역(OA3)은 상기 제 1 외곽영역(OA1)과 서로 대응되는 형상일 수 있다.
실시예에 따른 증착 마스크의 하프에칭부(HF1, HF2)를 제외한 비증착 영역(NDA)에서 측정된 표면 거칠기는 길이 방향(x방향)과 폭 방향(y방향), 길이방향과 폭방향의 약 45도에 위치한 대각선 방향에서의 값이 일정한 범위를 가질 수 있다. 대각선 방향은, 약 + 45도, 또는 약 - 45도 전후의 경사 방향일 수 있으며, x 방향과 y 방향 사이의 각도를 의미할 수 있다. 사선 방향은 +40도 내지 +50도, 또는 -40도 내지 -50도 사이의 각도를 포함할 수 있다.
상기 비증착 영역(DA) 의 길이 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기, 대각선 약 + 45도 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기, 대각선 약 - 45도 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기 및 폭 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기는 0.1㎛ 내지 0.3㎛이고, 상기 비증착 영역(DA)의 길이 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기, 대각선 약 + 45도 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기, 대각선 약 - 45도 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기 및 폭 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기는 0.5㎛ 내지 2.0㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 비증착 영역(DA) 의 길이 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기, 대각선 약 + 45도 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기, 대각선 약 - 45도 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기 및 폭 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기는 0.1㎛ 내지 0.2㎛ 이고, 상기 비증착 영역(DA)의 길이 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기, 대각선 약 + 45도 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기, 대각선 약 - 45도 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기 및 폭 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기는 0.5㎛ 내지 1.5㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 비증착 영역(DA) 의 길이 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기, 대각선 약 + 45도 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기, 대각선 약 - 45도 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기 및 폭 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기는 0.1㎛ 내지 0.15㎛이고, 상기 비증착 영역(DA)의 길이 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기, 대각선 약 + 45도 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기, 대각선 약 - 45도 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기 및 폭 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기는 0.5㎛ 내지 1.0㎛일 수 있다.
실시예의 500 PPI 이상의 QHD급 해상도를 가지는 OLED 증착용 마스크는 관통홀의 직경이 33㎛ 이하이고, 상기 다수의 관통홀 중 인접한 두 개의 관통홀의 각 중심 간의 거리는 48㎛ 이하이고, 상기 타면에 대한 대면공의 경사각이 40도 내지 55도이고, 상기 폭 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기(Ra(TD))에 대한 상기 길이 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기(Ra(RD)) 값의 편차((|(Ra(RD)-Ra(TD))|/Ra(TD) x 100(%)))는 50% 미만이고, 상기 폭 방향으로의 10점 평균 표면 거칠기(Rz(TD))에 대한 상기 길이 방향으로의 10점 평균 표면 거칠기(Rz(RD)) 값의 편차(|(Rz(RD)-Rz(TD))|/Rz(TD) x 100(%))는 50% 미만일 수 있다.
실시예의 800PPI급 이상의 UHD급 해상도를 가지는 OLED 증착용 마스크는 관통홀의 직경이 20㎛ 이하이고, 상기 타면에 대한 대면공의 경사각이 45도 내지 55도이고, 상기 다수의 관통홀 중 인접한 두 개의 관통홀의 각 중심 사이의 거리가 32㎛ 이하이고, 상기 폭 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기(Ra(TD))에 대한 상기 길이 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기(Ra(RD)) 값의 편차((|(Ra(RD)-Ra(TD))|/Ra(TD) x 100(%)))는 30% 이하이고, 상기 폭 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기(Rz(TD))에 대한 상기 길이 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기(Rz(RD)) 값의 편차(|(Rz(RD)-Rz(TD))|/Rz(TD) x 100(%))는 30% 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 폭 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기(Ra(TD))에 대한 상기 길이 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기(Ra(RD)) 값의 편차((|(Ra(RD)-Ra(TD))|/Ra(TD) x 100(%)))는 15% 이하이고, 상기 폭 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기(Rz(TD))에 대한 상기 길이 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기(Rz(RD)) 값의 편차(|(Rz(RD)-Rz(TD))|/Rz(TD) x 100(%))는 15% 이하일 수 있다.
예를 들어, 상기 폭 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기(Ra(TD))에 대한 상기 길이 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기(Ra(RD)) 값의 편차((|(Ra(RD)-Ra(TD))|/Ra(TD) x 100(%)))는 13% 이하이고, 상기 폭 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기(Rz(TD))에 대한 상기 길이 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기(Rz(RD)) 값의 편차(|(Rz(RD)-Rz(TD))|/Rz(TD) x 100(%))는 10% 이하일 수 있다.
상기 증착 영역은, 유효부 이외의 영역에 비유효부를 포함하고, 비유효부 중 아일랜드부의 표면 거칠기는, 길이 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기, 대각선 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기 및 폭 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기가 0.1㎛ 내지 0.3㎛이고, 길이 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기, 대각선 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기, 및 폭 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기는 0.5㎛ 내지 2.0㎛이고, 상기 폭 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기(Ra(TD))에 대한 상기 길이 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기(Ra(RD)) 값의 편차((|(Ra(RD)-Ra(TD))|/Ra(TD) x 100(%)))는 50% 미만이고, 상기 폭 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기(Rz(TD))에 대한 상기 길이 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기(Rz(RD)) 값의 편차(|(Rz(RD)-Rz(TD))|/Rz(TD) x 100(%))는 50% 미만일 수 있다.
또는, 비유효부 중 아일랜드부의 표면 거칠기는, 길이 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기, 대각선 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기 및 폭 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기가 0.1㎛ 내지 0.2㎛이고, 길이 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기, 대각선 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기, 및 폭 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기는 0.5㎛ 내지 1.5㎛이고, 상기 폭 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기(Ra(TD))에 대한 상기 길이 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기(Ra(RD)) 값의 편차((|(Ra(RD)-Ra(TD))|/Ra(TD) x 100(%)))는 30% 미만이고, 상기 폭 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기(Rz(TD))에 대한 상기 길이 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기(Rz(RD)) 값의 편차(|(Rz(RD)-Rz(TD))|/Rz(TD) x 100(%))는 30% 미만일 수 있다.
또는, 비유효부 중 아일랜드부의 표면 거칠기는, 길이 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기, 대각선 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기 및 폭 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기가 0.1㎛ 내지 0.15㎛이고, 길이 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기, 대각선 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기, 및 폭 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기는 0.5㎛ 내지 1.0㎛이고, 상기 폭 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기(Ra(TD))에 대한 상기 길이 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기(Ra(RD)) 값의 편차((|(Ra(RD)-Ra(TD))|/Ra(TD) x 100(%)))는 15% 미만이고, 상기 폭 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기(Rz(TD))에 대한 상기 길이 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기(Rz(RD)) 값의 편차(|(Rz(RD)-Rz(TD))|/Rz(TD) x 100(%))는 15% 미만일 수 있다.
인접한 유효 영역(AA1, AA2, AA3) 사이에 위치한 분리 영역(IA1, IA2)은 길이 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기, 대각선 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기 및 폭 방향으로의 평균 중심선 평균 표면 거칠기가 0.1㎛ 내지 0.3㎛이고, 상기 비유효부의 길이 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기, 대각선 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기, 및 폭 방향으로의 평균 10점 평균 표면 거칠기가 0.5㎛ 내지 2.0㎛일 수 있다.
도 6a, 도 6b 및 도 7은 증착용 마스크의 유효부의 평면도를 도시한 도면 및 사진이다. 도 6a, 도 6b 및 도 7은 상기 제 1 유효부(AA1), 상기 제 2 유효부(AA2) 및 상기 제 3 유효부(AA3) 중 어느 하나의 유효부의 평면도 또는 사진이다. 도 6a, 도 6b 및 도 7은 은 관통홀의 형상 및 관통홀 상호간의 배열을 설명하기 위한 것으로, 실시예에 따른 증착용 마스크는 도면의 관통홀의 개수에 한정되지 않음은 물론이다.
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 복수 개의 관통홀을 포함할 수 있다. 복수 개의 관통홀은 원형 형상일 수 있다. 이에 따라, 관통홀의 수평 방향의 직경(Cx)과 수직 방향의 직경(Cy)은 서로 대응될 수 있다.
또는, 도 7을 참조하면, 타원형 형상일 수 있다. 이에 따라, 관통홀의 수평 방향의 직경(Cx)과 수직 방향의 직경(Cy)은 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 관통홀의 수평 방향의 직경(Cx)은 수직 방향의 직경(Cy)보다 클 수 있다. 다만, 실시예는 이에 제한되지 않고, 관통홀은 장방형 형상이거나 8각형 형상이거나 라운드진 8각형 형상일 수 있음은 물론이다. 일례로, 임의의 어느 하나의 관통홀인 기준홀의 수평 방향의 직경(Cx)과 수직 방향의 직경(Cy)를 측정하는 경우, 상기 기준홀에 인접하는 홀 들 간의 각각의 수평 방향의 직경(Cx)들 간의 편차와, 수직 방향의 직경(Cy)들 간의 편차는 2% 내지 10% 로 구현될 수 있다. 즉, 하나의 기준홀의 인접홀들 간의 크기 편차가 2% 내지 10% 로 구현하는 경우에는 증착의 균일도를 확보할 수 있다. 상기 기준홀과 상기 인접홀들 간의 크기 편차는 4% 내지 9% 일 수 있다. 예를 들어, 상기 기준홀과 상기 인접홀들 간의 크기 편차는 5% 내지 7%일 수 있다. 예를 들어, 상기 기준홀과 상기 인접홀들 간의 크기 편차는 2% 내지 5% 일 수 있다. 상기 기준홀과 상기 인접홀들 간의 크기 편차가 2% 미만인 경우에는, 증착 후 OLED 패널에서 무아레 발생율이 높아질 수 있다. 상기 기준홀과 상기 인접홀들 간의 크기 편차가 10%를 초과인 경우에는, 증착 후의 OLED 패널에서 색 얼룩의 발생율이 높아질 수 있다. 상기 관통홀 직경의 평균편차는 ±5㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀 직경의 평균편차는 ±3㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀 직경의 평균편차는 ±1㎛일 수 있다. 실시예는 상기 기준홀과 상기 인접홀들 간의 크기 편차를 ±3㎛ 이내로 구현함에 따라, 증착 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 관통홀들은 방향에 따라, 일렬로 배치되거나 서로 엇갈려서 배치될 수 있다. 도 6a 및 도 6b를 참조하면, 상기 관통홀들은 종축에서 일렬로 배치되고, 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다.
제 1 관통홀(TH1) 및 제 2 관통홀(TH2)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다. 또한, 제 3 관통홀(TH1) 및 제 4 관통홀(TH4)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다.
제 1 관통홀(TH1) 및 제 3 관통홀(TH3)은 종축에서 일렬로 배치될 수 있다. 또한, 제 2 관통홀(TH2) 및 제 4 관통홀(TH4)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다.
관통홀이 종축 및 횡축에서 각각 일렬로 배치되는 경우에는, 종축 및 횡축과 모두 교차하는 방향인 대각 방향으로 인접한 두 개의 관통홀 사이에 아일랜드부가 위치할 수 있다. 즉, 서로 대각선 방향에 위치한 두 개의 인접한 관통홀 사이에는 아일랜드부가 위치할 수 있다.
제 1 관통홀(TH1) 및 제 4 관통홀(TH4)의 사이에는 아일랜드부(IS)가 배치될 수 있다. 또한, 제 2 관통홀(TH2) 및 제 3 관통홀(TH3)의 사이에는 아일랜드부(IS)가 배치될 수 있다. 인접한 두 관통홀을 가로지르는 횡축을 기준으로 약 +45도 전후의 대각선 방향 및 약 -45도 전후의 대각선 방향에 아일랜드부(IS)가 각각 위치할 수 있다. 여기에서, 약 ±45 전후의 대각선 방향은 횡축과 종축 사이의 대각 방향을 의미할 수 있고, 상기 대각선 방향의 경사각은 횡축 및 종축의 동일 평면에서 측정한 것일 수 있다.
도 7을 참조하면, 관통홀들은 종축 또는 횡축 중 어느 하나의 축에서 일렬로 배치되고, 다른 하나의 축에서 엇갈려서 배치될 수 있다.
제 1 관통홀(TH1) 및 제 2 관통홀(TH2)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다. 제 3 관통홀(TH1) 및 제 4 관톨홀(TH4)은 제 1 관통홀(TH1) 및 제 2 관통홀(TH2)와 각각 종축에서 엇갈려서 배치될 수 있다.
관통홀이 종축 또는 횡축 중 어느 하나의 방향으로 일렬로 배치되고, 다른 하나의 방향으로 엇갈려서 배치되는 경우에는, 종축 또는 횡축 중 다른 하나의 방향으로의 인접한 두 개의 관통홀 사이에 아일랜드부가 위치할 수 있다. 또는, 서로 인접하게 위치한 세 개의 관통홀 사이에 아일랜드부가 위치할 수 있다. 인접한 세 개의 관통홀 중 두 개의 관통홀은 일렬로 배치되는 관통홀이며, 나머지 하나의 관통홀은 상기 일렬 방향과 대응되는 방향의 인접한 위치에서, 상기 두 개의 관통홀 사이의 영역에 배치될 수 있는 관통홀을 의미할 수 있다. 제 1 관통홀(TH1), 제 2 관통홀(TH2) 및 제 3 관통홀(TH3)의 사이에는 아일랜드부(IS)가 배치될 수 있다. 또는, 제 2 관통홀(TH2), 제 3 관통홀(TH3) 및 제 4 관통홀(TH4)의 사이에는 아일랜드부(IS)가 배치될 수 있다.
도 6a, 도 6b 및 도 7의 아일랜드부(IS)는 유효부(AA)의 대면공이 형성되는 증착용 마스크의 타면에서 관통홀들 사이의 식각되지 않은 면을 의미할 수 있다. 자세하게, 아일랜드부(IS)는 증착용 마스크의 유효부(AA)에서, 대면공 내에 위치한 제 2 내측면(ES2) 및 관통홀(TH)을 제외한 식각되지 않은 증착용 마스크의 타면일 수 있다. 실시예의 증착용 마스크는 500 PPI 내지 800 PPI 이상의 해상도를 가지는 고해상도 내지 초고해상도의 OLED 화소 증착을 위한 것일 수 있다.
예를 들어, 실시예의 증착용 마스크는 500PPI 이상의 해상도를 가지는 QHD(Quad High Definition)의 고해상도를 가지는 증착 패턴을 형성하기 위한 것일 수 있다. 예를 들어, 실시예의 증착용 마스크는 수평방향 및 수직방향에서의 화소수가 2560*1440 이상이고, 530 PPI 이상인 OLED 화소 증착을 위한 것일 수 있다. 실시예의 증착 마스크를 통해, 인치당 픽셀수는 5.5인치 OLED 패널을 기준으로 530 PPI 이상일 수 있다. 즉, 실시예의 증착용 마스크에 포함된 하나의 유효부는 해상도 2560*1440 이상의 픽셀 수를 형성하기 위한 것일 수 있다.
예를 들어, 실시예의 증착용 마스크는 700PPI 이상의 해상도를 가지는 UHD(Ultra High Definition)의 초고해상도를 가지는 증착 패턴을 형성하기 위한 것일 수 있다. 예를 들어, 실시예의 증착용 마스크는 수평방향 및 수직방향에서의 화소수가 3840*2160 이상이고, 794 PPI(800PPI급) 이상의 OLED 화소 증착을 위한 UHD(Ultra High Definition)급 해상도를 가지는 증착 패턴을 형성하기 위한 것일 수 있다.
하나의 관통홀의 직경은 상기 연통부(CA) 사이의 폭일 수 있다. 자세하게, 하나의 관통홀의 직경은 소면공 내의 내측면의 끝단과 대면공 내의 내측면의 끝단이 만나는 지점에서 측정할 수 있다. 상기 관통홀의 직경의 측정 방향은 수평방향, 수직방향, 대각 방향 중 어느 하나일 수 있다. 수평방향에서 측정된 상기 관통홀의 직경은 42㎛ 이하일 수 있다. 또는, 수평방향에서 측정된 상기 관통홀의 직경은 42㎛ 이하일 수 있다. 또는, 상기 관통홀의 직경은 수평방향, 수직방향, 대각 방향에서 각각 측정한 값의 평균 값일 수 있다.
이에 따라, 실시예에 따른 증착용 마스크는 QHD급 해상도를 구현할 수 있다.
예를 들어, 수평방향에서 상기 관통홀의 직경은 20㎛ 이하일 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 증착용 마스크는 UHD급 해상도를 구현할 수 있다.
예를 들어, 상기 관통홀의 직경은 15㎛ 내지 33㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀의 직경은 19㎛ 내지 33㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀의 직경은 20㎛ 내지 17㎛일 수 있다. 상기 관통홀의 직경이 33㎛ 초과인 경우에는 500PPI 급 이상의 해상도를 구현하기 어려울 수 있다. 한편, 상기 관통홀의 직경이 15㎛ 미만인 경우에는 증착불량이 발생할 수 있다. 즉, 상기 관통홀의 직경은 상기 증착용 마스크가 가지는 해상도에 따라 달라질 수 있다.
상기 관통홀의 직경은 녹색(G) 패턴을 기준으로 측정할 수 있다. R, G, B 패턴 중에 G 패턴은 시각을 통한 인식률이 낮으므로 R, B 패턴보다 많은 수가 요구되며, 관통홀 사이의 간격이 R, B 패턴보다 좁을 수 있기 때문이다.
상기 관통홀의 직경의 측정 방향과 두 개의 관통홀 사이의 간격의 측정 방향은 동일할 수 있다. 상기 관통홀의 간격은 수평 방향 또는 수직 방향으로 인접한 두 개의 관통홀 사이의 간격을 측정한 것일 수 있다.
도 6a, 도 56를 참조하면, 수평방향에서 복수 개의 관통홀 중 인접한 두 개의 관통홀 사이의 간격(pitch)은 48㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 관통홀 중 인접한 두 개의 관통홀 사이의 간격(pitch)은 20㎛ 내지 48㎛일 수 있다. 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 관통홀 중 인접한 두 개의 관통홀 사이의 간격(pitch)은 30㎛ 내지 35㎛일 수 있다.
여기에서, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1 관통홀(TH1)의 중심과 제 2 관통홀(TH2)의 중심 사이의 간격(P1)을 의미할 수 있다.
또는, 여기에서, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1 아일랜드부의 중심과 제 2 아일랜드부의 중심 사이의 간격(P2)을 의미할 수 있다. 여기에서, 아일랜드부의 중심은 수평방향 및 수직방향에서 인접한 네 개의 관통홀 사이의 비식각된 타면에서의 중심일 수 있다. 예를 들어, 아일랜드부의 중심은 수평방향에서 인접한 두 개의 제 1 관통홀(TH1) 및 제 2 관통홀(TH2)을 기준으로, 상기 제 1 관통홀(TH1)과 수직방향에서 인접한 제 3 관통홀(TH3) 및 상기 제 2 관통홀(TH2)과 수직방향에서 인접한 제 4 관통홀(TH4) 사이의 영역에 위치한 하나의 아일랜드부(IS)의 에지를 잇는 횡축과 에지를 잇는 종축이 교차하는 지점을 의미할 수 있다.
또는, 여기에서, 상기 간격은 수평방향에서 세 개의 인접한 관통홀 사이의 제 1 아일랜드부의 중심 및 제 1 아일랜드부에 인접한 제 2 아일랜드부의 중심 사이의 간격(P2)을 의미할 수 있다.
도 7을 참조하면, 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1 아일랜드부의 중심과 제 2 아일랜드부의 중심 사이의 간격(P2)을 의미할 수 있다. 여기에서, 아일랜드부의 중심은 하나의 관통홀과 수직 방향에서 인접한 두 개의 관통홀 사이의 비식각된 타면에서의 중심일 수 있다. 또는, 여기에서, 아일랜드부의 중심은 두 개의 관통홀과 수직 방향에서 인접한 하나의 관통홀 사이의 비식각된 타면에서의 중심일 수 있다. 즉, 아일랜드부의 중심은 인접한 세 개의 관통홀 사이의 비식각된 타면에서의 중심이며, 인접한 세 개의 관통홀이란 그 중심을 이었을 때 삼각형 형상을 형성할 수 있는 것을 의미할 수 있다.
예를 들어, 아일랜드부의 중심은 수평방향에서 인접한 두 개의 제 1 관통홀(TH1) 및 제 2 관통홀(TH2) 및, 상기 제 1 관통홀(TH1) 및 상기 제 2 관통홀(TH2) 각각의 수직 방향 사이의 영역에 적어도 일부 또는 전부가 위치한 제 3 관통홀(TH3) 사이의 식각되지 않은 타면에서의 중심일 수 있다.
실시예에 따른 증착용 마스크는 관통홀의 직경이 33um 이하이고, 상기 관통홀 간의 간격(pitch)이 48um 이하임에 따라, 500PPI 이상의 해상도를 가지는 OLED 화소를 증착할 수 있다. 즉, 실시예에 따른 증착용 마스크를 사용하여 QHD급 해상도를 구현할 수 있다.
상기 관통홀의 직경 및 상기 관통홀 간의 간격은 녹색 서브 픽셀을 형성하기 위한 크기일 수 있다. 상기 증착용 마스크는 쿼드(quad) 하이 디스플레이 픽셀을 구현하기 위한 OLED 증착 마스크일 수 있다.
예를 들어, 상기 증착용 마스크는 적색(R), 제 1 녹색(G1), 청색(B) 및 제 2 녹색(G2) 중 적어도 하나의 서브 픽셀을 증착하기 위한 것일 수 있다. 자세하게, 상기 증착용 마스크는 적색(R) 서브 픽셀을 증착하기 위한 것일 수 있다. 또는, 상기 증착용 마스크는 청색(B) 서브 픽셀을 증착하기 위한 것일 수 있다. 또는, 상기 증착용 마스크는 제 1 녹색(G1) 서브 픽셀 및 제 2 녹색(G2) 서브 픽셀을 동시에 형성하기 위한 것일 수 있다.
유기 발광 표시 장치의 픽셀 배열은 '적색(R)-제 1 녹색(G1)-청색(B)-제 2 녹색(G2)' 순(RGBG)으로 배치될 수 있다. 이 경우 적색(R)-제 1 녹색(G1)이 하나의 픽셀(RG)을 이룰 수 있고, 청색(B)-제 2 녹색(G2)가 다른 하나의 픽셀(BG)을 이룰 수 있다. 이와 같은 배열의 유기 발광 표시 장치에서는, 적색 발광 유기물 및 청색 발광 유기물 보다 녹색 발광 유기물의 증착 간격이 더 좁아지기 때문에, 본 발명과 같은 형태의 증착용 마스크가 필요할 수 있다.
실시예에 따른 증착용 마스크는 관통홀의 직경이 20㎛ 이하이고, 상기 관통홀 간의 간격이 32㎛ 이하임에 따라, 800PPI 급의 해상도를 가지는 OLED 화소를 증착할 수 있다. 즉, 실시예에 따른 증착 마스크를 사용하여 UHD급 해상도를 구현할 수 있다.
상기 관통홀의 직경 및 상기 관통홀 간의 간격은 녹색 서브 픽셀을 형성하기 위한 크기일 수 있다. 상기 증착용 마스크는 울트라(ultra) 하이 디스플레이 픽셀을 구현하기 위한 OLED 증착 마스크일 수 있다.
도 6c를 참조하여, 도 6a 및 도 6b의 A-A'방향에서의 단면과, B-B'방향에서의 단면을 각각 설명한다.
도 6c는 도 6a 및 도 6b의 A-A'방향에서의 단면과, B-B'방향에서의 단면 사이의 높이 단차와 크기를 설명하기 위해서 각각의 단면을 겹쳐서 나타낸 것이다.
먼저, 도 6a 및 도 6b의 A-A'방향에서의 횡단면을 설명한다. A-A'방향은 수직 방향에서 인접한 두 개의 제 1 관통홀(TH1) 및 제 3 관통홀(TH3) 사이의 중심 영역을 가로지르는 횡단면이다. 즉, A-A'방향에서의 횡단면은 관통홀을 포함하지 않을 수 있다.
A-A'방향에서의 횡단면은 대면공 내의 내측면(ES2) 및 대면공 내의 내측면(ES2)들 사이에 식각되지 않은 증착용 마스크의 타면인 아일랜드부(IS)가 위치할 수 있다. 이에 따라, 상기 아일랜드부(IS)는 증착용 마스크의 식각되지 않은 일면과 평행한 면을 포함할 수 있다. 또는, 상기 아일랜드부(IS)는 증착용 마스크의 식각되지 않은 타면과 동일하거나 평행한 면을 포함할 수 있다.
다음으로, 도 6a 및 도 6b의 B-B'방향에서의 횡단면을 설명한다. B-B'방향은 수평 방향에서 인접한 두 개의 제 1 관통홀(TH1) 및 제 2 관통홀(TH2) 각각의 중심을 가로지르는 횡단면이다. 즉, B-B'방향에서의 횡단면은 복수 개의 관통홀을 포함할 수 있다.
B-B'방향에서의 인접한 제 3 관통홀(TH3)과 제 4 관통홀(TH4) 사이에 하나의 리브가 위치할 수 있다. 제 4 관통홀(TH4) 및 제 4 관통홀과 수평방향에서 인접하되, 제 3 관통홀(TH3)과 반대방향에 위치한 제 5 관통홀 사이에는 다른 하나의 리브가 위치할 수 있다. 상기 하나의 리브 및 상기 다른 하나의 리브 사이에는 하나의 관통홀이 위치할 수 있다. 즉, 수평방향에서 인접한 두 개의 리브 사이에는 하나의 관통홀이 위치할 수 있다.
B-B'방향에서의 횡단면은 대면공 내의 내측면(ES2), 및 인접한 대면공 내의 내측면(ES2)들이 서로 연결되는 영역인 리브(RB)가 위치할 수 있다. 여기에서 리브(RB)는 인접한 두 개의 대면공들의 경계가 연결되는 영역일 수 있다. 상기 리브(RB)는 식각에 의해 형성되는 면이기 때문에, 상기 아일랜드부(IS)보다 두께가 작을 수 있다.
예를 들어 상기 아일랜드부의 폭은 2um 이상일 수 있다. 즉 상기 타면에서 에칭되지 않고 남아있는 부분의 상기 타면과 평행한 방향으로의 폭이 2um 이하 일 수 있다. 하나의 아일랜드부의 일단과 타단의 폭이 2um 이상인 경우, 증착용 마스크의 전체 체적을 증가시킬 수 있다. 이러한 구조의 증착용 마스크는 유기물 증착 공정 등에서 부여되는 인장력에 대하여 충분한 강성을 확보하도록 하며, 관통홀의 균일도를 유지하는데 유리할 수 있다.
이하에서는, 도 8 및 9를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 유효 영역의 리브(RB) 및 리브들 사이의 관통 홀을 확대한 횡단면을 설명한다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 습식 식각 공정 후의 관통 홀을 나타낸 도면이고, 도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 전해 연마 공정 후의 관통 홀을 나타낸 도면이다.
일반적으로, 표면 거칠기는 금속 표면을 가공할 때에 상기 금속 표면에 생기는 미세한 요철의 정도를 의미한다. 표면 거칠기는 가공에 사용되는 공구, 가공법의 적부, 표면에 긁힌 흠이나 녹 등에 발생한다. 이러한 표면 거칠기의 정도를 나타내는 통계적인 값을 거칠기 파라미터라고 한다. 상기 거칠기 파라미터로는 Ra(중심선 평균 값), Rmax(Rt-최대 거칠기), Rz(10점 평균 거칠기), 및 Rq(제곱 평균 거칠기, RMS) 등이 있다.
상기 Ra(중심선 평균값)는 표면 거칠기에 대한 중심선 평균값의 기호로는 Ra, AA 또는 CLA를 사용하며, 각각 평균 거칠기(Roughness average), 산술 평균치(Arithmentic average), 중심선 평균치(Center line average)의 의미를 포함한다. Ra의 값은 중심선에서 표면의 단면 곡선까지 길이의 절대값들의 기준길이내에서의 평균으로 구한다.
Rmax(Rt, 최대 거칠기)는 최대 거칠기(Maximum Peak to Vally Roughness Height)를 의미하며, 이의 기호로는 Rmax 또는 Rt가 사용된다. 이는, 거칠기 단면곡선에서 기준길이 만큼 채취하여, 단면곡선의 중심선과 평행하며 제일 높은 산과 제일 깊은 골을 접하는 두 평행선간의 거리를 말한다.
Rz는 10점 평균 거칠기(ten point height)이다. 이는, 거칠기 단면 곡선에서 기준길이 만큼 채취하여, 단면곡선의 평균선과 평행한 임의직선(기준선)을 긋고 가장 높은 5개 산의 기준선으로 부터 거리의 평균값과 가장 낮은 5개 골의 기준선으로부터의 거리의 평균값과의 차이로 나타낸다. (아래 그림 참조)
Rq는 제곱평균 거칠기 Ra와 비슷한 의미를 갖는 파라미터이나, 계산 방법이 좀 다르다. Ra는 산술평균으로 일반적 평균방법을 써서 구하나, Rq는 제곱평균제곱근(root-mean-square, RMS)의 방법을 써서 구한다. 즉, Rq는 거칠기의 RMS값이다.
이하에서, 관통 홀을 포함하는 소면공의 제 1 내측면과 대면공의 제 2 내측면에 대한 거칠기 파라미터로는 제공평균 표면거칠기(Rq, RMS)가 사용되었다.
한편, 본 발명에서의 습식 식각 공정 후 및 전해 연마 공정 전의 증착용마스크는 도 8에 도시된 구조와 같이, 두께를 가지며 상기 두께방향에 대해 직교하고, 서로 대향하는 일면(101) 및 타면(102)을 구비하는 금속판을 구비하고, 상기 일면(101) 및 타면(102)을 관통하며, 상호간에 연통하는 소면공(V1) 및 대면공(V2)을 가지는 단위홀을 다수 포함하여 구성된다. 이 경우, 소면공(V1) 및 대면공(V2)은 상호 연통되는 경계 부분인 연통부(CA)를 공유하여 연통된다. 이러한 관통홀은 다수 개가 마련되는 구조로 구현될 수 있다.
이때, 본 발명에서의 증착용 마스크에 구현되는 습식 식각 공정 후의 일면(101) 또는 타면(102)의 제 3 제곱 평균 표면 거칠기(RMS3)가 상기 소면공(V1)의 제 1 제곱 평균 표면 거칠기(RMS1)나 상기 대면공(V2)의 제 2 제곱 평균 표면 거칠기(RMS2) 보다 작은 값을 가지도록 형성할 수 있다[RMS3 ≤ RMS1 또는 RMS2]. 이는, 상기 습식 식각 공정이 염화철과 같은 식각액에 의해 진행되고, 상기 식각액의 물성에 의해 상기 관통 홀의 내측면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS1, RMS2)가 증가하기 때문이다.
또한, 상기 대면공(V2)의 내측면인 제 2 내측면(ES2)의 제 2 제곱 평균 표면 거칠기(RMS2)가 상기 소면공(V1)의 내측면인 제 1 내측면(ES1)의 제 1 제곱 평균 표면 거칠기(RMS1) 이하의 값을 가지도록 형성할 수 있다.[RMS2 ≤ RMS1] 바람직하게, 상기 대면공(V2) 및 소면공(V1)에 대한 식각 공정은 식각 시간 외에는 동일 조건으로 진행될 수 있으며, 이에 따라 상기 제 1 제곱 평균 표면 거칠기(RMS1) 및 제 2 제곱 평균 표면 거칠기(RMS2)는 상호 유사한 수준을 가질 수 있다. 바람직하게, 상기 제 2 내측면(ES2)의 제 2 제곱 평균 표면 거칠기(RMS2)는 상기 제 1 내측면(ES1)의 제 1 제곱 평균 표면 거칠기(RMS1)의 95%~99%로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 제곱 평균 표면 거칠기(RMS1) 및 제 2 제곱 평균 표면 거칠기(RMS2) 각각은 200nm 이상의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 제곱 평균 표면 거칠기(RMS1) 및 제 2 제곱 평균 표면 거칠기(RMS2)는 각각 150nm ~ 200nm 범위의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)를 가질 수 있다.
또한, 상기 소면공(V1)의 내측면인 제 1 내측면(ES1)의 단면 경사각(θ1)은 75° 이하로 형성될 수 있다. 바람직하게, 상기 소면공(V1)의 내측면인 제 1 내측면(ES1)의 단면 경사각(θ1)은 60~70°사이의 범위를 만족할 수 있다. 이때, 상기 단면 경사각(θ1)은 상기 소면공(V1)의 일단(C1)과 상기 연통부(CA)의 일단(A1) 사이를 연결하는 가상의 직선(L1)과 상기 증착용 마스크의 일면(101) 사이의 내각을 의미할 수 있다. 즉, 상기 소면공(V1)의 내측면인 제 1 내측면(ES1)의 단면 경사각(θ1)은 최대 75°까지 형성할 수 있다.
또한, 상기 연통부(CA)의 직경(A)와 상기 소면공(V1)의 직경(C)의 관계 비율은 1:(1.2~1.3)를 충족하는 범위를 가지도록 구현될 수 있다. 즉, 상기 연통부(CA)의 직경(A)는 상기 소면공(V1)의 직경(C)보다 작을 수 있다. 바람직하게, 상기 기 연통부(CA)의 직경(A)와 상기 소면공(V1)의 직경(C)의 직경의 차이는 3㎛ 이상일 수 있다. 상기 연통부(CA)의 직경(A)은 상기 연통부(CA)의 중심을 지나는 가상의 직선에 대응하는 상기 연통부(CA)의 양단(A1, A2) 사이의 폭을 의미할 수 있다. 또한, 상기 소면공(V1)의 직경(C)은 상기 증착용 마스크의 일면(101) 상에서, 상기 소면공(V1)의 중심을 지나는 가상의 직선에 대응하는 상기 소면공(V1)의 양단(C1, C2) 사이의 폭을 의미할 수 있다.
상기와 같이, 습식 식각 공정 후의 상기 소면공(V1) 및 대면공(V2)의 각각의 내측면은 150nm 이상의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)를 가진다. 이때, 상기 내측면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)가 상기와 같이 150nm 이상을 가지는 경우, 추후 증착 소스의 세정 공정 시에 상기 표면 거칠기의 영향에 따른 세정성이 떨어지는 문제가 있다. 또한, 상기와 같이 습식 식각 공정 후의 상기 소면공(V1)의 단면 경사각은 최대 75도까지 형성 가능하다. 그러나, 상기와 같이 소면공(V1)의 단면 경사각이 75도 수준으로 형성되는 경우, 쉐도우 효과를 완전히 제거하지 못하며, 이에 따른 증착 효율이 감소하게 된다.
따라서, 본 발명에서는 상기 습식 식각 공정 후에 추가적인 전해 연마 공정을 진행하여 상기 소면공(V1)의 제 1 내측면(ES1)과, 상기 대면공(V2)의 제 2 내측면(ES2)의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)를 조절할 수 있도록 한다. 또한, 본 발명에서는 상기 전해 연마 공정을 진행하여, 상기 소면공(V1)의 단면 경사각을 75도 이상의 수준으로 형성할 수 있도록 한다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 상기 전해 연마 공정 후에 최종적으로 형성되는 관통홀을 나타낸 것이다.
이하에서는, 도 9를 참조하여 도 6a, 도 6b의 B-B'의 횡단면, 도 6c에 따른 유효 영역의 리브(RB) 및 리브들 사이의 관통홀을 확대한 횡단면을 설명한다. 실시예의 증착 마스크는 식각 및 전해 연마 공정에 의한 관통홀이 형성되는 유효부(AA)에서의 두께와 식각되지 않은 비유효부(UA)에서의 두께가 서로 다를 수 있다. 자세하게, 리브(RB)의 두께는 식각되지 않은 비유효부(UA)에서의 두께보다 작을 수 있다.
실시예의 증착 마스크는 비유효부의 두께가 유효부의 두께보다 클 수 있다. 예를 들어, 실시예의 증착 마스크는 비유효부 내지 비증착 영역의 최대 두께가 30㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 실시예의 증착 마스크는 비유효부 내지 비증착 영역의 최대 두께가 25㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 실시예의 증착 마스크는 비유효부 내지 비증착 영역의 최대 두께가 15㎛ 내지 25㎛일 수 있다. 실시예에 따른 증착 마스크의 비유효부 내지 비증착 영역의 최대 두께가 30㎛ 초과인 경우에는 금속판 재질의 두께가 두껍기 때문에 미세한 크기의 관통홀을 형성하기 어려울 수 있다. 실시예에 따른 증착 마스크의 비유효부 내지 비증착 영역의 최대 두께가 15㎛ 미만인 경우에는 금속판 재질의 두께가 얇기 때문에 균일한 크기의 관통홀을 형성하기 어려울 수 있다.
한편, 증착용 마스크의 관통홀은 상기 소면공(V1)의 상기 금속판의 두께 방향의 깊이와, 상기 대면공(V2)의 상기 금속판의 두께 방향의 깊이가 서로 상이하게 구현될 수 있다.
즉, 상기 소면공(V1)에서 상기 연통부(CA)까지의 깊이(b)는 상기 대면공(V2)에서 상기 연통부(CA)까지의 깊이(a)보다 작게 구현될 수 있다. 또한, 전체적으로 상기 소면공(V1)의 깊이(a)가 상기 금속판 전체 두께(c)와의 관계 비율이 1:(3~30)을 충족하는 범위를 가지도록 구현될 수 있다. 즉, 상기 소면공(V1)의 깊이(a)는 증착의 두께를 조절할 수 있는 중요한 요인으로 작용할 수 있다. 이때, 상기 소면공(V1)의 깊이(a)가 너무 깊어져서 전체 기재의 두께(c)와의 관계에서 상술한 두께의 비율 범위를 초과하게 되는 경우에는 유기물의 두께 변화가 커지게 되며, 이로 인해 증착이 되지 않는 영역이 발생할 수 있다. 그리고, 상기 증착이 되지 않는 영역은 전체 OLED에서 유기물의 면적을 감소시키게 되어 수명을 감소시키는 원인으로 작용하게 된다.
따라서, 상기 소면공(V1)의 깊이(a)와 상기 금속판의 두께(c)의 비율은 상술한 범위 내에서 1:(3.5~12.5)를 충족할 수 있다. 더욱 바람직하게는 1:(4.5~10.5)의 비율을 충족하도록 구현할 수 있다. 본 발명의 실시예에서는 이러한 비율 범위를 만족하는 상기 금속판의 두께(c)를 10㎛~50㎛로 구현할 수 있다. 상기 금속판의 두께가 10㎛ 미만으로 구현되는 경우에는 기재의 비틀림 정도가 커져 공정 컨트롤이 어려우며, 기재의 두께가 50㎛를 초과하는 경우에는 추후 증착시 미증착 영역(dead space)의 발생이 커져 OLED의 미세패턴(fine pattern)을 구현할 수 없게 된다. 특히 상기 범위 내에서, 상술한 기재의 두께(c)는 15㎛~40㎛의 두께를 충족하도록 구현할 수 있다. 나아가 더욱 바람직하게는 20㎛~30㎛로 구현할 수 있다.
아울러, 상기 금속판의 두께(c)에 대응하는 상기 소면공(V1)의 깊이(a)는 0.1㎛~7㎛의 범위를 충족하도록 구현함이 바람직하다. 이는 상기 소면공(V1)의 깊이(a)가 0.1㎛ 미만으로 구현하는 경우에는 홈의 구현이 어려우며, 상기 소면공(V1)의 깊이(a)가 7㎛를 초과 초과시에는 추후 증착하는 경우 미증착영역(Dead Space)로 인해 OLED 미세(Fine) 패턴 형성이 어렵고, 유기물 면적이 감소되어 OLED수명을 감소시키는 원인이 된다. 특히, 상기 소면공(V1)의 깊이(a)는 위 범위 내의 깊이 범위에서 1㎛~6㎛로 구현할 수 있으며, 더욱 바람직하게는 2㎛~4.5㎛로 구현할 수 있다.
한편, 상기 증착용 마스크의 영역별 두께 중 리브(RB)의 중심에서 측정된 최대 두께는 15㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 리브(RB)의 중심에서 측정된 최대 두께는 7㎛ 내지 10㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 상기 리브의 중심에서 측정된 최대 두께는 6㎛ 내지 9㎛ 일 수 있다. 상기 리브(RB) 의 중심에서 측정된 최대 두께가 15㎛ 초과인 경우에는 500 PPI 급 이상의 고해상도를 가지는 OLED 증착 패턴을 형성하기 어려울 수 있다. 상기 리브(RB)의 중심에서 측정된 최대 두께가 6㎛ 미만인 경우에는 증착패턴의 균일한 형성이 어려울 수 있다.
또한, 상기 증착용 마스크의 소면공(V1)의 깊이(a)는 상기 리브(RB)의 중심에서 측정된 최대 두께의 0.2 내지 0.4배일 수 있다. 일례로, 상기 리브(RB)의 중심에서 측정된 최대 두께는 7㎛ 내지 9㎛이고, 상기 증착용 마스크의 소면공(V1)의 일면 및 상기 연통부 사이의 깊이(a)는 1.4㎛ 내지 3㎛일 수 있다. 상기 증착용 마스크의 소면공의 깊이(a)는 3.5㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 소면공의 깊이는 0.1㎛ 내지 3.2㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크의 소면공의 깊이는 0.5㎛ 내지 3.5㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크의 소면공의 깊이는 2㎛ 내지 3.2㎛일 수 있다. 여기에서, 깊이는 증착용 마스크의 두께 측정 방향, 즉 깊이 방향에서 측정할 수 있고, 증착용 마스크의 일면으로부터 연통부까지의 높이를 측정한 것일 수 있다. 자세하게, 도 5 또는 도 6의 평면도에서 상술한 수평방향(x방향)과 수직방향(y방향)과 각각 90도를 이루는 z축 방향에서 측정한 것일 수 있다.
상기 증착용 마스크의 일면 및 상기 연통부 사이의 높이가 3.5㎛ 초과인 경우에는 OLED 증착시 증착 물질이 관통홀의 면적보다 큰 영역으로 퍼지는 쉐도우 효과(shadow effect)에 따른 증착 불량이 발생할 수 있다.
상기 증착용 마스크의 소면공(V1)이 형성되는 일면에서의 직경(C')과 소면공(V1)과 대면공(V2) 사이의 경계인 연통부에서의 직경(A`)은 서로 유사하거나 서로 다를 수 있다. 상기 증착용 마스크의 소면공(V1)이 형성되는 일면에서의 직경(C1)은 연통부에서의 직경(A`)보다 클 수 있다.
예를 들어, 상기 증착용 마스크의 일면에서의 소면공(V1)의 직경(C`)과 상기 연통부에서의 직경(A1)의 차이는 0.01㎛ 내지 1.1㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크의 일면에서의 소면공(V1)의 직경(C`)과 상기 연통부에서의 직경(A`)의 차이는 0.03㎛ 내지 1.1㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크의 일면에서의 소면공(V1)의 직경(C`)과 상기 연통부에서의 직경(A`)의 차이는 0.05㎛ 내지 1.1㎛일 수 있다.
상기 증착용 마스크의 일면에서의 소면공(V1)의 직경(C`)과 상기 연통부에서의 직경(A`)의 차이가 1.1㎛보다 큰 경우에는 쉐도우 효과에 의한 증착 불량이 발생할 수 있다.
이때, 상기 전해 연마 공정이 진행되기 전에는 상기 소면공(V1)의 직경과 상기 연통부(CA)의 직경의 차이가 3㎛ 이상이었다. 그러나, 본 발명에서는 상기와 같이 상기 소면공(V1)의 제 1 내측면(ES1)과 상기 대면공(V2)의 제 2 내측면(ES2)에 대해 상기 전해 연마 공정을 추가로 진행하며, 이에 따라 상기 연통부(CA) 주위의 내측면을 추가로 제거한다. 그리고, 상기 연통부(CA) 주위의 내측면이 추가로 제거됨에 따라 상기 소면공(V1)의 직경(C`)과 상기 연통부에서의 직경(A`)의 차이가 1.1㎛보다 작을 수 있다. 바람직하게, 상기 연통부(CA)의 직경(A`)와 상기 소면공(V1)의 직경(C`)의 관계 비율은 1:(1.01~1.2)를 충족하는 범위를 가지도록 구현될 수 있다. 바람직하게, 상기 연통부(CA)의 직경(A`)와 상기 소면공(V1)의 직경(C`)의 관계 비율은 1:(1.05~1.1)를 충족하는 범위를 가지도록 구현될 수 있다.
상기 증착용 마스크의 일면에서 측정된 상기 소면공의 경사각(θ2)은 89도 이하일 수 있다. 상기 소면공의 경사각은 리브(RB)에서 측정한 것을 의미할 수 있다. 상기 증착용 마스크의 일면(101)에 위치한 상기 소면공의 일단(C1`) 및 상기 소면공과 대면공 사이의 연통부의 일단(A1`)을 잇는 가상의 직선(L2)과 상기 일면(101) 사이의 내각인 상기 소면공(V1)의 단면 경사각(θ2)은 89도이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크의 일면에 위치한 상기 소면공의 일단(C1`) 및 상기 소면공과 대면공 사이의 연통부의 일단(A1`)을 잇는 상기 소면공(V1)의 단면 경사각(θ2)은 75도 내지 89도일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크의 일면에 위치한 상기 소면공의 일단(C1`) 및 상기 소면공과 대면공 사이의 연통부의 일단(A1`)을 잇는 상기 소면공(V1)의 단면 경사각(θ2)은 78도 내지 89도일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크의 일면에 위치한 상기 소면공의 일단(C1`) 및 상기 소면공과 대면공 사이의 연통부의 일단(A1`)을 잇는 상기 소면공(V1)의 단면 경사각(θ2)은 85도 내지 89도일 수 있다.
상기 증착용 마스크의 일면에 위치한 상기 소면공의 일단(C1`) 및 상기 소면공과 대면공 사이의 연통부의 일단(A1`)을 잇는 상기 소면공(V1)의 단면 경사각이 89도 초과인 경우에는 쉐도우 효과를 방지할 수 있지만, 증착시 관통홀 내에 유기물이 잔류하는 문제가 발생할 수 있다. 이에 따라, 균일한 크기의 증착 패턴을 형성하기 어려울 수 있다.
상기 증착용 마스크의 일면에 위치한 상기 소면공의 일단(C1`) 및 상기 소면공과 대면공 사이의 연통부의 일단(A1`)을 잇는 상기 소면공(V1)의 단면 경사각이 70도 미만인 경우에는 쉐도우 효과에 의한 증착 불량이 발생할 수 있다.
즉, 상기 전해 연마 공정 전의 상기 소면공(V1)의 일단과 연통부(CA)의 일단 사이를 연결하는 가상의 직선과 상기 일면(101) 사이의 단면 경사각은 최대 75도 수준이었다.
그러나, 본 발명에서는 상기와 같이 전해 연마 공정을 추가로 진행하여 상기 소면공(V1)의 제 1 내측면(ES1) 및 상기 대면공(V2)의 제 2 내측면(ES2)을 추가로 제거하는 공정을 진행한다. 이에 따라, 상기 제 1 내측면(ES1)과 상기 제2 내측면(ES2)의 경계면인 상기 연통부(CA)은 완만한 라운드 형태로 가공되며, 이에 따라 상기 소면공(V1)의 단면 경사각이 증가할 수 있다.
이는, 상기 전해 연마 공정에 의해 상기 소면공(V1)의 제 1 내측면(ES1) 및 상기 대면공(V2)의 제 2 내측면(ES2) 상에 추가적인 변곡점(IP)이 형성되기 때문이다.
즉, 상기 습식 식각 공정만을 진행한 상기 관통홀의 소면공(V1)과 대면공(V2)각각은 연통부(CA)를 중심으로 일정한 곡률을 가지게 된다. 상기 습식 식각 공정만이 진행된 소면공(V1)은 제 1 식각 팩터에 대응하는 제 1 곡률을 가지고 있다. 이때, 상기 소면공(V1)을 구성하는 상기 소면공(V1)의 일단(A1)과 상기 연통부(CA)의 일단 사이는 변곡점 없이 일정한 곡률을 가지게 된다. 상기 습식 식각 공정만이 진행된 대면공(V2)은 제 2 식각 팩터에 대응하는 제 2 곡률을 가지고 있다. 이때, 상기 대면공(V2)을 구성하는 상기 대면공(V2)의 일단(B1)과 상기 연통부(CA)의 일단 사이는 변곡점 없이 일정한 곡률을 가지게 된다.
이때, 상기 관통홀에 대해 추가적인 전해 연마 공정이 진행되면, 상기 소면공(V1)의 제 1 내측면(ES1) 및 상기 대면공(V2)의 제 2 내측면(ES2)이 추가적으로 제거되며, 이에 따라 상기 소면공(V1)과 대면공(V2)을 연통하는 연통부(CA)는 기존과 다른 완만한 라운드 형태의 곡률을 가지게 된다.
다시 말해서, 상기 소면공(V1)은, 상기 일면(101)에 대응하는 소면공(V1)의 일단(C2`)과 상기 연통부(CA)의 일단(A2`) 사이에 제 1 변곡점(IP1)이 형성된다. 이에 따라, 상기 소면공(V1)의 상기 제 1 내측면(ES1)은 상기 일면(101)에 대응하는 일단(C2`)과 상기 제 1 변곡점(IP1) 사이의 제 1 서브 제 1 내측면과, 상기 제 1 변곡점(IP1)과 상기 연통부(CA) 사이의 제 2 서브 제 1 내측면을 포함한다.
이와 마찬가지로, 상기 대면공(V2)은 상기 타면(102)에 대응하는 대면공(V2)의 일단(B2)과 상기 연통부(CA)의 일단(A2`) 사이에 제 2 변곡점(IP2)이 형성된다. 이에 따라, 상기 대면공(V2)의 상기 제 2 내측면(ES2)은 상기 타면(102)에 대응하는 일단(B2)과 상기 제 2 변곡점(IP2) 사이의 제 1 서브 제 2 내측면과, 상기 제 2 변곡점(IP2)과 상기 연통부(CA) 사이의 제 2 서브 제 2 내측면을 포함한다.
이때, 상기 제 1 서브 제 1 내측면은 제 1 곡률을 가지고, 상기 제 2 서브 제 1 내측면과 상기 제 2 서브 제 2 내측면은 하나의 다른 제 2 곡률을 가지며, 상기 제 1 서브 제 2 내측면은 또 다른 제 3 곡률을 가질 수 있다.
이에 따라, 본 발명에서는 상기와 같이 관통홀의 내측면이 추가로 제거됨에 따라 상기 연통부(CA)의 주위가 완만한 라운드 형태의 추가 곡률을 형성할 수 있으며, 이에 따라 상기 소면공(V1)의 단면 경사각을 증가시킬 수 있다.
한편, 상기 대면공(V2)의 단면 경사각은 55도 이하일 수 있다. 상기 대면공(V2)의 일단(B1) 및 상기 소면공과 대면공 사이의 연결부의 일단(A1`)을 잇는 가상의 직선과, 상기 증착용 마스크의 타면(102) 사이의 내각에 대응하는 상기 대면공(V2)의 단면 경사각은 40도 내지 55도일 수 있다. 이에 따라, 500 PPI급 이상의 고해상도의 증착패턴을 형성할 수 있는 동시에, 증착용 마스크의 타면상에 아일랜드부가 존재할 수 있다.
상기 대면공(V2)의 일단(B1) 및 상기 소면공과 대면공 사이의 연결부의 일단(A1`)을 잇는 가상의 직선과, 상기 증착용 마스크의 타면(102) 사이의 내각에 대응하는 상기 대면공(V2)의 단면 경사각은 45도 내지 55도일 수 있다. 이에 따라, 800 PPI급 이상의 고해상도의 증착패턴을 형성할 수 있는 동시에, 증착용 마스크의 타면상에 아일랜드부가 존재할 수 있다.
도 10은 본 발명의 실시 예와 비교 예의 관통 홀의 내측면의 제곱 평균 표면 거칠기를 비교한 도면이다.
도 10을 참조하면, 본 발명에서의 전해 연마 공정 후의 일면(101) 또는 타면(102)의 제 3 제곱 평균 표면 거칠기(RMS3)가 상기 소면공(V1)의 제 1 내측면(ES1)의 제 1 제곱 평균 표면 거칠기(RMS1`) 또는 대면공(V2)의 제 2 내측면(ES2)의 제 2 제곱 평균 표면 거칠기(RMS2`) 보다 큰 값을 가지도록 형성할 수 있다[RMS1 또는 RMS2 ≤ RMS3]. 이는, 상기 전해 연마 공정에 의해 상기 습식 식각 공정에서의 염화철과 같은 식각액이 제거되어 상기 관통 홀의 내측면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS1, RMS2)가 감소하였기 때문이다.
또한, 상기 전해 연마 공정 후의 상기 대면공(V2)의 내측면인 제 2 내측면(ES2)의 제 2 제곱 평균 표면 거칠기(RMS2`)가 상기 소면공(V1)의 내측면인 제 1 내측면(ES1)의 제 1 제곱 평균 표면 거칠기(RMS1`) 이상의 값을 가지도록 형성할 수 있다.[RMS1` ≤ RMS2`] 바람직하게, 상기 대면공(V2) 및 소면공(V1)에 대한 전해 연마 공정은 동일 조건으로 진행될 수 있으며, 이에 따라 상기 제 1 제곱 평균 표면 거칠기(RMS1`) 및 제 2 제곱 평균 표면 거칠기(RMS2`)는 상호 유사한 수준을 가질 수 있다. 바람직하게, 상기 제 1 내측면(ES1)의 제 1 제곱 평균 표면 거칠기(RMS1`)는 상기 제 2 내측면(ES2)의 제 2 제곱 평균 표면 거칠기(RMS2`)의 95%~99%로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 평균 표면 거칠기(RMS1`) 및 제 2 제곱 평균 표면 거칠기(RMS2`) 각각은 150nm 미만의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 제곱 평균 표면 거칠기(RMS1`) 및 제 2 제곱 평균 표면 거칠기(RMS2`)는 각각 50nm ~ 150nm 범위의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 제곱 평균 표면 거칠기(RMS1`) 및 제 2 제곱 평균 표면 거칠기(RMS2`)는 각각 50nm ~ 100nm 범위의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)를 가질 수 있다.
본 발명에 따른 실시 예에 의하면 증착용 마스크는 제1 면공 및 제2면공이 연통하여 형성되는 복수 개의 관통홀을 포함한다. 이때, 상기 관통홀은 습식 식각 공정을 진행한 후 전해 연마 공정을 추가적으로 진행하여 형성할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에서의 증착용 마스크는 관통홀 내벽의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)는 증착용 마스크의 제 1면 및/또는 제 2 면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)보다 작다. 바람직하게, 본 발명에서의 증착용 마스크는 관통홀 내벽의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)가 150nm보다 작다. 더욱 바람직하게, 본 발명에서의 증착용 마스크는 관통홀 내벽의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)가 50nm~100nm 범위를 만족한다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 상기 증착용 마스크의 관통홀 내벽의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)를 향상시킬 수 있으며, 이에 따른 증착 마스크의 세정성을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 상기와 같은 세정성의 향상에 따라 상기 증착 마스크의 사용 가능 횟수를 획기적으로 증가시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 상기 증착용 마스크의 관통홀 내부의 내부식성을 강화할 수 있으며, 이에 따른 증착용 마스크의 품질 및 내구성을 강화할 수 있다.
또한, 종래에는 상기 습식 식각 공정만을 진행함에 따라 제 1면공에 대응하는 소면공에 대하여, 최대로 형성할 수 있는 경사각이 75°였다. 그러나, 본 발명에서는 상기와 같이 전해 연마 공정을 추가로 진행함에 따라 상기 소면공에 대한 경사각을 75°이상으로 형성할 수 있다. 바람직하게, 본 발명에서의 상기 소면공의 경사각은 75°~85° 사이의 범위를 가질 수 있다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 상기 증착용 마스크의 관통홀의 경사각을 증가시킴에 따라 쉐도우 효과(shadow effect)를 개선할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 상기 경사각의 증가에 따른 증착 불량을 방지할 수 있고 증착 효율을 향상시킬 수 있으며, 이에 따른 400PPI 이상의 해상도의 OLED 화소 패턴을 균일하게 증착할 수 있는 증착용 마스크의 제공이 가능하다.
또한, 본 발명에 따르면 증착용 마스크의 제1면공과 제2면공 사이의 경계면은 완만한 라운드 형태를 가지며, 이에 따른 증착용 마스크의 인장 시 높은 인장 하중에 대한 내구도를 향상시킬 수 있다.
도 11은 실시예에 따른 증착용 마스크(100)의 제조 방법을 도시한 도면들이다.
도 11을 참조하면, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)의 제조 방법은 금속판(10)을 준비하는 단계, 상기 금속판(10) 상에 포토레지스트층을 배치하여 습식 식각에 따른 관통 홀을 형성하는 단계, 상기 습식 식각된 관통 홀에 전해 연마 공정을 추가로 진행하여 관통 홀을 형성하는 단계 및 상기 포토레지스트층을 제거하여 상기 관통 홀을 포함하는 증착용 마스크(100)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
먼저, 증착용 마스크(100)를 제조하기 위한 기초 자재인 상기 금속판(10)을 준비한다(S410).
상기 금속판(10)은 금속 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속판(10)은 니켈(Ni)을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 금속판(10)은 철(Fe) 및 니켈(Ni)을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 금속판(10)은 철(Fe), 니켈(Ni), 산소(O) 및 크롬(Cr)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 금속판(10)은 소량의 탄소(C), 규소(Si), 황(S), 인(P), 망간(Mn), 티타늄(Ti), 코발트(Co), 구리(Cu), 은(Ag), 바나듐(V), 나이오븀(Nb), 인듐(In), 안티몬(Sb) 중 적어도 하나 이상의 원소를 더 포함할 수 있다. 상기 인바(Invar)는 철 및 니켈을 포함하는 합금으로 열팽창계수가 0에 가까운 저열팽창 합금이다. 즉, 상기 인바는 열팽창 계수가 매우 작기 때문에 마스크 등과 같은 정밀 부품, 정밀 기기에 이용되고 있다. 따라서, 상기 금속판(10)을 이용하여 제조되는 증착용 마스크는 향상된 신뢰성을 가질 수 있어 변형을 방지할 수 있고, 수명 또한 증가시킬 수 있다.
상기 금속판(10)에는 상기 철이 약 60 중량% 내지 약 65 중량%만큼 포함될 수 있고, 상기 니켈은 약 35 중량% 내지 약 40 중량%만큼 포함될 수 있다. 자세하게, 상기 금속판(10)에는 상기 철이 약 63.5 중량% 내지 약 64.5 중량%만큼 포함될 수 있고, 상기 니켈은 약 35.5 중량% 내지 약 36.5 중량%만큼 포함될 수 있다. 또한, 상기 금속판(10)은 탄소(C), 규소(Si), 황(S), 인(P), 망간(Mn), 티타늄(Ti), 코발트(Co), 구리(Cu), 은(Ag), 바나듐(V), 나이오븀(Nb), 인듐(In), 안티몬(Sb) 중 적어도 하나 이상의 원소를 약 1 중량% 이하만큼 더 포함할 수 있다. 상기 금속판(10)의 성분, 함량, 중량%는, 상기 금속판(10)의 평면 상에서 특정 영역(a*b)을 선택하여, 상기 금속판(10)의 두께(t)에 해당하는 시편(a*b*t)을 샘플링하여 강산 등에 녹여 각 성분의 중량%를 조사하는 방법을 사용하여 확인할 수 있다. 그러나, 실시예는 이에 제한되지 않고 금속판의 조성을 확인할 수 있는 다양한 방법으로 조성을 중량%를 조사할 수 있다.
상기 금속판(10)은 냉간 압연 방식으로 제조될 수 있다. 예를 들어, 상기 금속판(10)은 용해, 단조, 열간 압연, 노멀라이징, 1차 냉간압연, 1차 어닐링, 2차 냉간압연 및 2차 어닐링 공정을 통해 형성될 수 있고 상기 공정들을 통해 약 30㎛ 이하의 두께를 가질 수 있다. 또는, 상기 금속판(10)은 상기 공정 이후에 추가 두께 감소 공정을 통해 약 30㎛ 이하의 두께를 가질 수 있다.
또한, 상기 금속판(10)을 준비하는 단계(S410)는 목표로 하는 금속판(10)의 두께에 따라 두께 감소 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 두께 감소 단계는 상기 금속판(10)을 압연 및/또는 에칭하여 두께를 감소하는 단계일 수 있다.
예를 들어, 400PPI 이상의 해상도를 구현하기 위한 증착용 마스크를 제조하기 위해서는 약 30㎛ 두께의 금속판(10)이 요구될 수 있고, 500PPI 이상의 해상도를 구현하기 위한 증착용 마스크를 제조하기 위해서는 약 20㎛ 내지 약 30㎛ 두께의 금속판(10)이 요구될 수 있고, 800PPI 이상의 해상도를 구현할 수 있는 증착용 마스크를 제조하기 위해서는 약 15㎛ 내지 약 20㎛ 두께의 금속판(10)이 요구될 수 있다.
또한, 상기 금속판(10)을 준비하는 단계는 표면 처리 단계를 선택적으로 더 포함할 수 있다. 자세하게, 인바와 같은 니켈 합금은 식각 초기에 식각 속도가 빠를 수 있어 관통 홀 각각의 소면공(V1)의 식각 팩터가 저하될 수 있다. 또한, 관통 홀의 대면공(V2) 형성을 위한 에칭 시, 에칭액의 사이드 에칭에 의해 상기 대면공(V2) 형성을 위한 포토 레지스트층이 박리될 수 있다. 이에 따라 미세한 크기의 관통 홀을 형성하기 어려울 수 있고, 상기 관통 홀을 균일하게 형성하기 어려워 제조 수율이 저하될 수 있다.
따라서, 상기 금속판(10)의 표면 상에 성분, 함량, 결정구조 및 부식속도를 달리하는 표면 개질을 위한 표면 처리층을 배치할 수 있다. 여기에서, 표면 개질이란 식각 팩터를 향상시키기 위하여 표면에 배치되는 다양한 물질로 이루어진 층을 의미할 수 있다.
즉, 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)의 표면 상에 빠른 식각을 저지하기 위한 층으로 상기 금속판(10)보다 식각 속도가 느린 배리어층일 수 있다. 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)과 결정면 및 결정구조가 다를 수 있다. 예를 들어, 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)과 서로 다른 원소를 포함함에 따라, 결정면 및 결정구조가 서로 다를 수 있다.
예를 들어, 동일한 부식환경에서 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)과 부식 전위가 다를 수 있다. 예를 들어, 동일한 온도의 동일한 에칭액에 동일 시간 처리하였을 때, 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)과 부식전류 내지 부식전위가 서로 다를 수 있다.
상기 금속판(10)은 일면 및/또는 양면, 전체 및/또는 유효영역에 표면 처리층 내지 표면 처리부를 포함할 수 있다. 상기 표면 처리층 내지 표면 처리부는 상기 금속판(10)과 서로 다른 원소를 포함하거나, 부식 속도가 느린 금속 원소를 상기 금속판(10)보다 큰 함량으로 포함할 수 있다.
이어서, 상기 금속판(10)에 포토레지스트층을 배치하여 관통 홀(TH)을 형성하는 단계가 진행될 수 있다.
이를 위해, 상기 금속판(10)의 일면 상에 관통 홀의 소면공(V1)을 형성하기 위해 상기 금속판(10)의 일면 상에 제 1 포토 레지스트층(PR1)을 배치할 수 있다(420단계). 상기 제 1 포토레지스트층(PR1)을 노광 및 현상하여 상기 금속판(10)의 일면 상에 패턴화된 제 1 포토레지스트층(PR1)을 형성할 수 있다. 즉, 상기 금속판의 일면 상에 오픈부를 포함하는 제 1 포토레지스트층(PR1)을 형성할 수 있다. 또한, 상기 금속판(10)의 일면과 반대되는 타면 상에는 식각을 저지하기 위한 코팅층 또는 필름층과 같은 식각 저지층이 배치될 수 있다.
이어서, 패턴화된 상기 제 1 포토레지스트층(PR1)의 오픈부를 하프 에칭하여 상기 금속판(10)의 일면 상에 제 1 홈을 형성할 수 있다(430단계). 상기 제 1 포토레지스트층(PR1)의 오픈부는 식각액 등에 노출될 수 있어, 상기 금속판(10)의 일면 중 상기 제 1 포토레지스트층(PR1)이 배치되지 않은 오픈부에서 에칭이 일어날 수 있다.
상기 제 1 홈을 형성하는 단계는 약 20㎛ 내지 약 30㎛ 두께의 상기 금속판(10)을 약 1/2 두께가 될 때까지 에칭하는 단계일 수 있다. 이 단계를 통해 형성된 제 1 홈의 깊이는 약 10㎛ 내지 15㎛일 수 있다. 즉, 이 단계 후에 형성된 제 1 홈의 중심에서 측정한 상기 금속판의 두께는 약 10㎛ 내지 약 15㎛일 수 있다.
상기 제 1 홈을 형성하는 단계(S430)는, 이방성 에칭 또는 세미-부가 공법(semi additive process, SAP)으로 홈을 형성하는 단계일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 포토레지스트층(PR1)의 오픈부를 하프 에칭하기 위하여 이방성 에칭 또는 세미 부가 공법을 사용할 수 있다. 이에 따라, 하프 에칭을 통해 형성된 제 1 홈은 등방성 에칭보다 깊이 방향으로의 식각 속도(b 방향)가 사이드 에칭(a 방향)의 속도보다 빠를 수 있다.
상기 소면공(V1)의 식각 팩터는 2.0 내지 3.0일 수 있다. 예를 들어, 소면공(V1)의 식각 팩터는 2.1 내지 3.0일 수 있다. 예를 들어, 소면공(V1)의 식각 팩터는 2.2 내지 3.0일 수 있다. 여기에서, 식각 팩터는 식각된 소면공의 깊이(B)/소면공 상의 아일랜드부(IS)에서 연장되어 관통 홀(TH)의 중심방향으로 돌출된 포토레지스트층의 폭(A)(Etching Factor = B/A)을 의미할 수 있다. 상기 A는 상기 하나의 면공 상에 돌출된 포토레지스트층 일측의 폭 및 상기 일측과 반대되는 타측의 폭의 평균 값을 의미한다.
이어서, 상기 금속판(10)의 상기 타면 상에 제 2 포토레지스트층(PR2)을 배치할 수 있다. 이어서, 상기 제 2 포토레지스트층(PR2)을 노광 및 현상하여 상기 금속판(10)의 타면 상에 패턴화된 제 2 포토레지스트층(PR2)이 배치할 수 있다(S440). 또한, 상기 금속판(10)의 일면 상에는 식각을 저지하기 위한 코팅층 또는 필름층과 같은 식각 저지층이 배치될 수 있다.
상기 제 2 포토레지스트층(PR2)의 오픈부는 식각액 등에 노출될 수 있어, 금속판(10)의 타면 중 상기 제 2 포토레지스트층(PR2)이 배치되지 않은 오픈부에서 에칭이 일어날 수 있다. 상기 금속판(10)의 타면은 이방성 에칭 또는 등방성 에칭에 의하여 에칭될 수 있다.
상기 제 2 포토레지스트층(PR2)의 오픈부를 에칭함에 따라, 상기 금속판(10)의 일면 상의 제 1 홈은 대면공(V2)과 연결되어 관통 홀을 형성할 수 있다(S460).
상기 관통 홀을 형성하는 단계는, 상기 소면공(V1) 형성을 위한 제 1 홈을 형성하는 단계 이후에 상기 대면공(V2) 형성을 위한 제 2 홈을 형성하는 단계가 진행되어 상기 관통 홀(TH)을 형성하는 단계일 수 있다.
이와 다르게, 상기 관통 홀(TH)을 형성하는 단계는, 상기 대면공(V2) 형성을 위한 제 2 홈을 형성하는 단계 이후에 상기 소면공(V1) 형성을 위한 제 1 홈을 형성하는 단계가 진행되어 상기 관통 홀(TH)을 형성하는 단계일 수 있다.
이와 또 다르게, 상기 관통 홀(TH)을 형성하는 단계는, 상기 소면공(V1) 형성을 위한 제 1 홈을 형성하는 단계 및 상기 대면공(V2) 형성을 위한 제 2 홈을 형성하는 단계가 동시에 진행되어 상기 관통 홀(TH)을 형성하는 단계일 수 있다.
다음으로, 전해 연마 공정을 진행하여 상기 형성된 관통 홀(TH)의 내측면을 추가로 제거할 수 있다(S470). 바람직하게, 상기 전해 연마 공정은 상기 관통 홀(TH)의 소면공 및 대면공에 대해 동시에 진행될 수 있다. 상기 전해 연마 공정이 진행되면, 상기 전해 연마 공정 전의 관통 홀 대비, 상기 소면공 및 대면공의 내측면의 제곱 평균 표면 거칠기는 감소하게 되며, 상기 소면공의 단면 경사각은 증가하게 된다.
한편, 본 발명에서는 상기 관통홀을 중심으로 일 방향에서만 상기 전해 연마 공정을 진행할 수 있다. 다시 말해서, 상기 전해 연마 공정 진행을 위해, 상기 금속판의 일면 또는 타면에 보호층이 형성될 수 있다. 상기 보호층이 형성되는 면은, 상기 전해 연마 공정을 진행하지 않을 홈이 형성된 부분일 수 있다. 예를 들어, 상기 전해 연마 공정을 상기 소면공에 대해서만 진행할 경우, 상기 보호층은 상기 금속판의 타면에 배치될 수 있다. 또한, 상기 전해 연마 공정을 상기 대면공에 대해서만 진행할 경우, 상기 보호층은 상기 금속판의 일면에 배치될 수 있다.
다시 말해서, 상기 전해 연마 공정에 의해 상기 소면공의 내측면에 대한 제곱 평균 표면 거칠기 및 대면공의 내측면에 대한 제곱 평균 표면 거칠기가 각각 감소하는 경우, 아래와 같은 효과가 있다. 상기 소면공을 전해 연마 하는 경우, 쉐도우 효과를 개선할 수 있는 효과가 있다. 또한, 상기 대면공을 전해 연마 하는 경우, 식각 팩터를 개선할 수 있으며, 상기 대면공의 제곱 평균 표면 거칠기의 개선에 따른 세정성을 강화할 수 있다. 따라서, 상기 전해 연마 공정은 상기와 같은 효과 중 개선하고자 하는 효과를 토대로 일부 방향에 대해서만 진행될 수 있다.
다음으로, 상기 전해 연마 공정을 통해 최종적으로 상기 일면 상에 형성된 대면공(V2), 상기 일면과 반대되는 타면 상에 형성된 소면공(V1), 상기 대면공(V2) 및 상기 소면공(V1)의 경계가 연결되는 연통부에 의해 형성되는 관통 홀(TH)을 포함하는 증착용 마스크(100)를 형성하는 단계를 거쳐 증착용 마스크(100)가 형성될 수 있다.
상기 단계들을 거쳐 형성된 증착용 마스크(100)는 상기 금속판(10)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 상기 금속판(10)과 동일한 조성의 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 증착용 마스크(100)의 아일랜드부(IS)는 상술한 표면 처리층을 표함할 수 있다.
도 12 및 도 13은 실시예에 따른 증착용 마스크를 통해 형성되는 증착 패턴을 나타내는 도면들이다.
도 12를 참조하면, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 소면공(V1)이 형성된 증착용 마스크(100)의 일면 및 연통부 사이의 높이(a)가 약 3.5㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 높이(a)는 약 0.1㎛ 내지 약 3.4㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 높이(H1)는 약 0.5㎛ 내지 약 3.2㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 높이(H1)는 약 1㎛ 내지 약 3㎛일 수 있다.
이에 따라, 상기 증착용 마스크(100)의 일면과 증착 패턴이 배치되는 기판 사이의 거리가 가까울 수 있어 쉐도우 효과에 따른 증착 불량을 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)를 이용하여 R, G, B 패턴 형성 시, 인접한 두 패턴 사이의 영역에 서로 다른 증착 물질이 증착되는 불량을 방지할 수 있다. 자세하게, 도 18에 도시된 바와 같이 상기 패턴들이 좌측부터 R, G, B 순으로 형성될 경우, 상기 R 패턴 및 상기 G 패턴 사이의 영역에 쉐도우 효과로 R 패턴 및 G 패턴이 증착되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 유효부에서의 아일랜드부(IS)의 크기를 감소시킬 수 있다. 자세하게, 비식각면인 아일랜드부(IS)의 상부면의 면적을 감소시킬 수 있어 유기물 증착 시 상기 유기물은 관통 홀(TH)을 쉽게 통과할 수 있어 증착 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 아일랜드부(IS)의 면적은 유효부(AA1, AA2, AA3)의 중심에서 비유효부(UA) 방향으로 갈수록 감소할 수 있다. 이에 따라, 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)의 가장자리에 위치한 관통 홀에 유기물을 원활하게 공급할 수 있어 증착 효율을 향상시킬 수 있고 증착 패턴의 품질을 향상시킬 수 있다.
이하에서는 도면들을 참조하여 제2 실시예에 따른 증착용 마스크를 설명한다. 상기 증착용 마스크는 원재인 금속판을 이용하여 제조할 수 있다. 상기 증착용 마스크를 설명하기 앞서 금속판에 대해 먼저 설명한다.
도 14a는 제2 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)의 원재인 금속판(10)의 단면을 도시한 도면이며, 도 14b은 제2 실시 예에 따른 금속판의 제조 방법을 단계별로 설명하기 위한 흐름도이고, 도 15a는 제2 실시 예에 따른 금속판의 원소재 표면의 현미경 사진이며, 도 15b는 제2 실시 예에 따른 1차 표면처리된 금속판의 표면의 현미경 사진이고, 도 15c는 제2 실시 예에 따른 2차 표면처리된 금속판의 제 1면의 현미경 사진이며, 도 15d는 제2 실시 예에 따른 2차 표면처리된 금속판의 제 2면의 현미경 사진이다.
도 14 및 도 15를 참조하면, 상기 금속판(10)은 금속 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속판(10)은 니켈(Ni) 합금을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 금속판(10)은 철(Fe)과 니켈(Ni) 합금을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 금속판(10)은 철(Fe), 니켈(Ni), 산소(O) 및 크롬(Cr)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속판(10)에는 상기 철이 약 60 중량% 내지 약 65 중량%만큼 포함될 수 있고, 상기 니켈은 약 35 중량% 내지 약 40 중량%만큼 포함될 수 있다. 상기 금속판(10)의 성분, 함량, 중량%는, 상기 금속판(10)의 평면 상에서 특정 영역(a*b)을 선택하여, 상기 금속판(10)의 두께(t)에 해당하는 시편(a*b*t)을 샘플링하여 강산 등에 녹여 각 성분의 중량%를 조사하는 방법을 사용하여 확인할 수 있으며, 이에 제한되지는 않는다.
자세하게, 상기 금속판(10)에는 상기 철이 약 63.5 중량% 내지 약 64.5 중량%만큼 포함될 수 있고, 상기 니켈은 약 35.5 중량% 내지 약 36.5 중량%만큼 포함될 수 있다. 또한, 상기 금속판(10)은 소량의 탄소(C), 규소(Si), 황(S), 인(P), 망간(Mn), 티타늄(Ti), 코발트(Co), 구리(Cu), 은(Ag), 바나듐(V), 나이오븀(Nb), 인듐(In), 안티몬(Sb) 중 적어도 하나 이상의 원소를 더 포함할 수 있다. 여기서 소량은 1 중량% 이하인 것을 의미할 수 있다. 즉, 상기 금속판(10)은 인바(Invar)를 포함할 수 있다. 상기 인바는 철 및 니켈을 포함하는 합금으로 열팽창계수가 0에 가까운 저열팽창 합금이다. 즉, 상기 인바는 열팽창 계수가 매우 작기 때문에 마스크 등과 같은 정밀 부품, 정밀 기기에 이용되고 있다. 따라서, 상기 금속판(10)을 이용하여 제조되는 증착용 마스크는 향상된 신뢰성을 가질 수 있어 변형을 방지할 수 있고, 수명 또한 증가시킬 수 있다.
상술한 철-니켈 합금을 포함하는 금속판(10)은 냉간 압연 방식으로 제조된 원소재에 1차 및 2차 표면 처리 공정을 진행하여 최종 제조될 수 있다.
자세하게, 상기 금속판(10)은 용해, 단조, 열간 압연, 노멀라이징, 1차 냉간압연, 1차 어닐링, 2차 냉간압연 및 2차 어닐링 공정을 통한 냉간 압연 방식으로 원소재가 제조될 수 있다(S110). 상기 원소재는 실시 예에 따른 금속판(10)에서, 1차 및 2차 표면 처리가 진행되기 전의 금속판을 의할 수 있다.
이하에서는 설명의 편의를 위해, 냉간압연된 후의 금속판(10)을 제 1 금속판이라 하고, 제 1 금속판에 대해 1차 표면 처리 공정을 진행한 후의 금속판을 제 2 금속판이라 하고, 상기 제 2 금속판에 대해 2차 표면 처리 공정을 진행한 후의 금속판을 제 3 금속판이라고 한다.
또한, 일반적으로 표면 거칠기는 금속 표면을 가공할 때에 상기 금속 표면에 생기는 미세한 요철의 정도를 의미한다. 표면 거칠기는 가공에 사용되는 공구, 가공법의 적부, 표면에 긁힌 흠이나 녹 등에 발생한다. 이러한 표면 거칠기의 정도를 나타내는 통계적인 값을 거칠기 파라미터라고 한다. 상기 거칠기 파라미터로는 Ra(중심선 평균 값), Rmax(Rt-최대 거칠기), Rz(10점 평균 거칠기), 및 Rq(제곱 평균 거칠기, RMS) 등이 있다.
상기 Ra(중심선 평균값)는 표면 거칠기에 대한 중심선 평균값의 기호로는 Ra, AA 또는 CLA를 사용하며, 각각 평균 거칠기(Roughness average), 산술 평균치(Arithmentic average), 중심선 평균치(Center line average)의 의미를 포함한다. Ra의 값은 중심선에서 표면의 단면 곡선까지 길이의 절대값들의 기준길이내에서의 평균으로 구한다.
Rmax(Rt, 최대 거칠기)는 최대 거칠기(Maximum Peak to Vally Roughness Height)를 의미하며, 이의 기호로는 Rmax 또는 Rt가 사용된다. 이는, 거칠기 단면곡선에서 기준길이 만큼 채취하여, 단면곡선의 중심선과 평행하며 제일 높은 산과 제일 깊은 골을 접하는 두 평행선간의 거리를 말한다.
Rz는 10점 평균 거칠기(ten point height)이다. 이는, 거칠기 단면 곡선에서 기준길이 만큼 채취하여, 단면곡선의 평균선과 평행한 임의직선(기준선)을 긋고 가장 높은 5개 산의 기준선으로 부터 거리의 평균값과 가장 낮은 5개 골의 기준선으로부터의 거리의 평균값과의 차이로 나타낸다.
Rq는 제곱평균 거칠기 Ra와 비슷한 의미를 갖는 파라미터이나, 계산 방법이 좀 다르다. Ra는 산술평균으로 일반적 평균방법을 써서 구하나, Rq는 제곱평균제곱근(root-mean-square, RMS)의 방법을 써서 구한다. 즉, Rq는 거칠기의 RMS값이다.
이에 따라, 이하에서는 금속판 및 이에 의해 제조된 증착용 마스크의 표면 거칠기를 설명할 때, Ra, Rz 및 RMS(Rq) 중 어느 하나의 표면 거칠기 파라미터를 적용하기로 한다. 다만, 이는 일 실시 예에 불과할 뿐, 아래에 설명된 표면 거칠기 파라미터는 측정 방식에 따라 다른 파라미터로도 표현 가능할 것이다.
도 15a를 참조하면, 상기 냉간 압연된 후의 제 1 금속판은 일정 두께 및 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)를 가질 수 있다. 이때, 상기 냉간 압연된 후의 제 1 금속판은 냉간 압연 방식에 따라 서로 다른 범위의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)를 가질 수 있다.
상기 제 1 금속판은 원소재 제조 업체로부터 제공받을 수 있으며, 이와 다르게 직접 제작할 수도 있다.
상기 제 1 금속판은 제조 환경이나, 제조 업체에 따라 서로 다른 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)를 가질 수 있다.
상기 제 1 금속판은 70nm 내지 100nm 범위의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)를 가질 수 있다. 이와 다르게, 상기 제 1 금속판은 90nm 내지 120nm 범위의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)를 가질 수 있다. 또한, 이와 다르게 상기 제 1 금속판은 100nm 내지 150nm 범위의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)를 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 금속판은 70nm 내지 150nm 범위의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)를 가질 수 있다. 또한, 상기 제 1 금속판은 70nm 내지 120nm 사이 범위의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)를 가질 수 있다.
이때, 상기 제 1 금속판은 제1면 및 제2면을 포함한다. 상기 제1면은 상기 제1 금속판의 상면일 수 있고, 상기 제 2면은 상기 제1면과 대향되는 상기 제 1 금속판의 하면일 수 있다. 또한, 상기 제 1 금속판의 제 1면 및 제 2면은 상기 범위 내에서 서로 동일한 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)를 가질 수 있다. 바람직하게, 상기 제 1 금속판의 제1면 및 제 2면 사이의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)의 편차는 10nm 이하를 가질 수 있다.
상기 냉각 압연 방식의 원소재에 대응하는 제 1 금속판이 제조되면, 상기 제 1 금속판의 제1면 및 제 2면에 1차 표면 처리를 진행하여, 상기 1차 표면처리가 진행된 제 2 금속판을 제조할 수 있다(S120). 이때, 상기 1차 표면 처리는, 상기 제 1 금속판의 제1면 및 제 2면에 동일한 조건이 적용되어 진행될 수 있다.
여기에서, 상기 동일한 조건이라 함은 상기 1차 표면처리에 사용되는 표면처리 약품이 동일하고, 상기 표면처리 약품의 표면 처리 시간이나 온도와 같은 환경이 동일함을 의미한다.
상기 1차 표면처리에 사용되는 표면처리 약품은 제 1 표면처리 약품과 제 2 표면처리 약품을 포함할 수 있다. 상기 제 1 표면 처리 약품은 염화철을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 2 표면 처리 약품은 황산과수를 포함할 수 있다. 이때, 상기 제 1 및 2 표면 처리 약품은 상기 금속판의 표면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)를 변화시키는 성질을 갖는다. 바람직하게, 상기 제 1 표면 처리 약품은 상기 금속판의 표면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)를 증가시키는 성질을 가지고, 상기 제 2 표면 처리 약품은 상기 금속판의 표면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)를 감소시키는 성질을 갖는다.
이에 따라, 1차 표면 처리 공정에서는, 상기 제 1 표면 처리 약품의 표면 처리 시간 및 제 2 표면 처리 약품의 표면 처리 시간을 조정하여, 상기 제 1 금속판의 제 1면 및 제 2면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)을 일정 수준 이상 증가시킨다.
도 15b를 참조하면, 상기 1차 표면 처리 공정 후의 상기 제 2 금속판의 제1면 및 제 2면 사이의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)의 편차는 10nm 이내일 수 있다. 그리고, 상기 제 2 금속판의 제 1면 및 제 2면의 각각의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)는 250nm 내지 300nm 범위를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 금속판의 제 1면 및 제 2면의 각각의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)는 280nm ± 10nm를 가질 수 있다.
이때, 금속판의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)가 250nm를 초과하는 경우, 상기 금속판에 의해 제조되는 증착용 마스크의 신뢰성에 문제가 생길 수 있다. 즉, 상기 금속판의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)가 250nm를 초과하면, 금속판의 표면에 포토레지스트가 균일하게 형성되지 않을 수 있다. 또한, 상기 포토레지스트가 균일하게 도포되지 않음에 따라 상기 포토레지스트의 패터닝시에 패턴의 균일도가 저하되며, 이로 인해 관통 홀(소면공 또는/및 대면공)의 균일도가 저하될 수 있다.
이에 따라, 제2 실시 예에서는 상기 1차 표면 처리된 제 2 금속판의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)를 250nm 이하로 낮추기 위한 추가적인 2차 표면 처리 공정을 진행한다. 즉, 상기 제 2 금속판이 제조되면, 상기 제조된 제 2 금속판의 제 1면 및 제2면을 2차 표면처리하여 제 3 금속판을 제조한다(S130).
이때, 상기 2차 표면 처리는 상기 제 2 금속판의 제1면 및 제 2면에 서로 다른 조건이 적용되어 진행될 수 있다.
여기에서, 상기 서로 다른 조건이라 함은, 상기 2차 표면처리에 사용되는 표면처리 약품이 다름을 의미할 수 있고, 이와 다르게 상기 표면 처리 약품은 동일하지만, 이의 표면 처리 시간이 다름을 의미할 수 있다.
상기 2차 표면처리에 사용되는 표면처리 약품은 상기 1차 표면 처리에 사용되는 표면 처리 약품과 동일하게 제 1 표면처리 약품과 제 2 표면처리 약품을 포함할 수 있다. 상기 제 1 표면 처리 약품은 염화철을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 2 표면 처리 약품은 황산과수를 포함할 수 있다. 이때, 상기 설명한 바와 같이, 상기 제 1 및 2 표면 처리 약품은 상기 금속판의 표면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)를 변화시키는 성질을 갖는다. 또한, 상기 제 1 표면 처리 약품은 상기 금속판의 표면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)를 증가시키는 성질을 가지고, 상기 제 2 표면 처리 약품은 상기 금속판의 표면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)를 감소시키는 성질을 갖는다.
이에 따라, 2차 표면 처리 공정에서는, 상기 제 1 표면 처리 약품의 표면 처리 시간 및 제 2 표면 처리 약품의 표면 처리 시간을 조정하여, 상기 제 2 금속판의 제 1면 및 제 2면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)을 일정 수준 감소시킨다.
이때, 상기 제 2 금속판의 제 1면에 적용되는 표면 처리 조건과, 상기 제 2 금속판의 제 2면에 적용되는 표면 처리 조건이 서로 상이하다. 이에 따라, 상기 2차 표면 처리 후에 따른 상기 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)의 감소량은 상기 제 1면 및 제 2면에 서로 다르게 나타난다.
여기에서, 상기 설명한 바와 같이 표면 처리 조건을 서로 다르게 적용하기 위해, 표면 처리 약품을 다르게 하거나, 표면 처리 시간을 다르게 할 수 있으며, 실시 예에서는 공정의 편의를 위해 상기 제 2 금속판의 제 1면에 대한 표면 처리 시간과, 상기 제 2 금속판의 제 2면에 대한 표면 처리 시간을 서로 다르게 한다. 다만, 다만, 이는 일 실시 예에 불과할 뿐, 상기 제 2 금속판의 제 1면 및 제 2 면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)의 감소량을 서로 다르게 적용하기 위하여, 상기 표면 처리 시간 이외의 다른 조건을 변경할 수도 있을 것이다.
한편, 상기 2차 표면 처리 시에 상기 제 2 표면 처리 약품의 처리 시간이 증가함에 따라 상기 제 2 금속판의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)는 감소하게 된다. 이에 따라, 본 발명에서는 상기 제 2 금속판의 제 1면에 적용되는 상기 제 2 표면 처리 약품의 처리 시간과 상기 제 2 금속판의 제2면에 적용되는 상기 제 2 표면 처리 약품의 처리 시간을 서로 다르게 한다.
바람직하게, 제2 실시 예에서는 상기 제 2 금속판의 제1면에 적용되는 제 2 표면 처리 약품의 처리 시간은 상기 제 2 금속판의 제2면에 적용되는 제 2 표면 처리 약품의 처리 시간보다 크다. 즉, 제2 실시 예에서는 상기 제 2 금속판의 제 2 면에 비해, 상기 제 1면에 대한 제 2 표면 처리 약품의 처리 시간을 더 늘린다. 이에 따라, 상기 제 2 표면 처리 후의 제 3 금속판은 제 1 제곱 평균 표면 거칠기(RMS1)를 갖는 제 1면과, 제 1 제곱 평균 표면 거칠기(RMS1)와는 다른 제 2 제곱 평균 표면 거칠기(RMS2)를 갖는 제2면을 포함한다.
한편, 상기 제 3 금속판은 관통홀(VH)을 형성하기 위한 자재이다. 그리고, 상기 관통홀(VH)은 추후 설명한 소면공(V1) 및 대면공(V2)을 포함한다. 이때, 상기 소면공(V1) 및 대면공(V2)는 각각 요구되는 특성이 다르다. 상기 대면공(V2)은 증착 소스를 통과시키는 역할을 하며, 이에 따라 낮은 범위의 단면 경사각 등이 요구된다. 이와 다르게, 소면공(V1)은 기판에 상기 증착 소소를 증착시키는 역할을 하며, 증착 효율이나 균일성을 높이기 위해 높은 단면 경사각이나 공경의 균일성이 요구된다. 이때, 대면공(V2)의 특성을 기준으로 상기 제 3 금속판의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)를 적용하면, 상기 공경의 균일성이 저하되는 문제가 있으며, 상기 소면공(V1)의 특성을 기준으로 상기 금속판의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)를 적용하면 포토레지스터와의 밀착력이 저하되는 문제가 있다.
따라서, 제2 실시 예에서는 상기 소면공(V1) 및 대면공(V2)의 요구 특성에 맞게 상기 제 3 금속판의 제 1면 및 제 2면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)를 서로 다르게 부여한다. 상기 제 3 금속판의 상기 제 1면은 상기 소면공(V1)이 형성될 면이고, 상기 제 3 금속판의 상기 제 2면은 상기 대면공(V2)이 형성될 면이다.
이에 따라, 제2 실시 예에서는 상기 제 3 금속판의 제 1면이 가지는 제 1 제곱 평균 표면 거칠기(RMS1)가 상기 제 2 면이 가지는 제 2 제곱 평균 표면 거칠기(RMS2)보다 작도록 한다.
도 15c를 참조하면, 상기 제 3 금속판의 제 1 면이 가지는 제 1 제곱 평균 표면 거칠기(RMS1)는 150nm 내지 200nm 사이의 범위를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 제곱 평균 표면 거칠기(RMS1)는 160nm 내지 190nm 사이의 범위를 가질 수 있다. 이때, 상기 제 1 제곱 평균 표면 거칠기(RMS1)가 150nm보다 작으면, 상기 포토레지스트와의 밀착력이 너무 낮아져 정확한 위치에 소면공(V1)을 형성하지 못하는 문제가 발생할 수 있다. 또한, 상기 제 1 제곱 평균 표면 거칠기(RMS1)가 200nm보다 크면 상기 소면공(V1)의 균일도가 저하되는 문제가 있다.
또한, 상기 제 3 금속판의 제 2면이 가지는 제 2 제곱 평균 표면 거칠기(RMS2)는 200nm 내지 250nm 사이의 범위를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 제곱 평균 표면 거칠기(RMS2)는 210nm 내지 240nm 사이의 범위를 가질 수 있다. 상기 제 2 제곱 평균 표면 거칠기(RMS2)가 200nm보다 작으면, 포토레지스트와의 밀착력이 감소하여 상기 제 2면에 형성되는 아일랜드(IS)의 형상이 무너지는 문제가 있다. 여기에서, 상기 아일랜드(IS)는 그 형상을 유지하면서 최대한 작은 사이즈로 형성되는 것이 상기 증착 소스를 통과시키는데 유리하다. 그러나, 상기 제 2 제곱 평균 표면 거칠기(RMS2)가 200nm보다 작으면, 상기 포토레지스트와의 밀착력이 감소함에 따라 상기 아일랜드 형상을 유지하는데 한계가 있다. 또한, 상기 제 2 제곱 평균 표면 거칠기(RMS2)가 250nm보다 크면, 상기 대면공(V2)의 균일도가 저하되는 문제가 있다.
상기와 같이, 제2 실시 예에서는 제 3 금속판의 제 1면이 가지는 제 1 제곱 평균 표면 거칠기(RMS1)와 상기 제 2면이 가지는 제 2 제곱 평균 표면 거칠기(RMS2)를 서로 다르게 한다. 바람직하게, 상기 제 1 제곱 평균 표면 거칠기(RMS1)보다 상기 제 2 제곱 평균 표면 거칠기(RMS2)를 크게 한다.
즉, 소공경이 형성되는 금속판의 제1면에서는 상기 소공경이 가져야 하는 특성에 맞게 제 1 제곱 평균 표면 거칠기를 적용하고, 대공경이 형성되는 제2면에서는 상기 대공경이 가져야 하는 특성에 맞게 제 2 제곱 평균 표면 거칠기를 적용한다. 상기 소공경은 증착 소소의 증착 균일도와 밀접한 관계가 있으며, 이에 따라 상기 제1면에는 소공경의 공경 균일성을 향상시키기 위해 상기 제 2 제곱 평균 표면 거칠기 대비 낮은 제 1 제곱 평균 표면 거칠기를 적용한다. 또한, 상기 대공경은 아일랜드 형상을 최대한 유지시키면서 공경 사이즈를 키우는 것이 중요하며, 이에 따라 상기 2면에는 아일랜드 형상 유지를 위해 상기 제 1 제곱 평균 표면 거칠기 대비 높은 제 2 제곱 평균 표면 거칠기를 적용한다.
상기와 같은 제2 실시 예에 따른 금속판은 제1면 및 제2면의 제곱 평균 표면 거칠기를 서로 다르게 부여하여, 각각의 면에서 포토레지스트와의 밀착력 및 공경 균일도를 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명에서는 상기 포토레지스트와의 밀착력 향상에 따라 아일랜드 사이즈를 최소화할 수 있으며, 이에 따른 대공경의 단면 경사각을 낮춰 증착 효율을 증가시킬 수 있다. 또한, 본 발명에서는 상기 제 1면에 대한 가공성을 향상시켜, 소공경을 보다 정밀하고 균일하게 형성할 수 있다.
이하에서는 상기 2차 표면 처리를 통해 최종 제조된 제 3 금속판을 금속판(10)으로 하여 설명한다.
상기 금속판(10)은 상기 공정들을 통해 약 30㎛ 이하의 두께로 형성될 수 있다. 또한, 상기 금속판(10)은 제조되는 과정에서 상기 금속판(10)의 표면 원자 농도는 변화할 수 있다. 자세하게, 상기 금속판(10)은 표면을 포함하는 외부 부분(SP) 및 상기 외부 부분(SP) 이외의 내부 부분(IP)을 포함할 수 있고, 상기 금속판(10)의 외부 부분(SP)의 원자 농도는 상기 금속판(10)의 내부 부분(IP)의 원자 농도와 상이할 수 있다.
상기 금속판(10)은 사각형 형태를 가질 수 있다. 자세하게, 상기 금속판(10)은 장축 및 단축을 가지는 직사각형 형태를 가질 수 있고, 약 30㎛ 이하의 두께를 가질 수 있다.
상기 금속판(10)은 철(Fe), 니켈(Ni), 산소(O) 및 크롬(Cr)을 포함할 수 있고, 상기 크롬(Cr)의 원자 농도는 상기 금속판(10) 전체에 대해 약 0.03 at% 이하일 수 있다.
또한, 상기 금속판(10)의 외부 부분(SP)의 원자 농도는 상기 금속판(10)의 내부 부분(IP)과 상이할 수 있다. 여기서 상기 외부 부분(SP)은 상기 금속판(10)의 일면 및 타면 각각의 표면으로부터 약 30nm 이하의 깊이 범위를 의미할 수 있다. 자세하게, 상기 외부 부분(SP)은 상기 금속판(10)의 표면으로부터 약 25nm 이하의 깊이 범위를 의미할 수 있다. 또한, 상기 내부 부분(IP)은 상기 금속판(10)의 표면으로부터 상술한 범위를 초과하는 깊이 범위를 의미할 수 있다. 자세하게, 상기 내부 부분(IP)은 상기 금속판(10)의 표면으로부터 30nm를 초과하는 깊이 범위 부분을 의미할 수 있다.
또한, 상기 제 1 제곱 평균 표면 거칠기(RMS1) 및 제 2 제곱 평균 표면 거칠기(RMS2)는 상기 내부 부분(IP)을 중심으로 상하에 각각 배치된 외부 부분(SP)에 형성될 수 있다.
즉, 제2 실시 예에서의 증착용 마스크는 증착 영역(DA) 및 비증착 영역(NDA)을 포함할 수 있다.
상기 증착 영역(DA)은 증착 패턴을 형성하기 위한 영역일 수 있다. 상기 증착 영역(DA)은 증착 패턴 형성을 위한 유효부를 포함할 수 있다. 상기 증착 영역(DA)은 패턴 영역 및 비패턴 영역을 포함할 수 있다. 상기 패턴 영역은 소면공(V1), 대면공(V2), 관통홀(TH) 및 아일랜드부(IS)를 포함하는 영역일 수 있고, 상기 비패턴 영역은 소면공(V1), 대면공(V2), 관통홀(TH) 및 아일랜드부(IS)를 포함하지 않는 영역일 수 있다. 여기서, 상기 증착 영역(DA)은 후술할 유효 영역과 외곽 영역을 포함하는 유효부, 및 증착이 포함되지 않는 비유효부를 포함할 수 있다. 따라서, 상기 유효부는 상기 패턴 영역일 수 있고, 상기 비유효부는 상기 비패턴 영역일 수 있다. 이때, 상기 비패턴 영역은 상기 증착용 마스크(100)의 제1면 및 제 2면에 각각 위치할 수 있다. 상기 제 1면의 상기 증착용 마스크(100)의 비패턴 영역의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)는 상기 제 2면의 상기 증착용 마스크(100)의 비패턴 영역의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)와 다르다.
바람직하게, 상기 제 1면의 비패턴 영역은 제 1 제곱 평균 표면 거칠기(RMS1)을 가진다. 그리고, 상기 제 1 제곱 평균 표면 거칠기(RMS1)는 150nm 내지 200nm 사이의 범위를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 제곱 평균 표면 거칠기(RMS1)는 160nm 내지 190nm 사이의 범위를 가질 수 있다. 이때, 상기 제 1 제곱 평균 표면 거칠기(RMS1)가 150nm보다 작으면, 포토레지스트와의 밀착력이 너무 낮아져 상기 비패턴 영역을 제외한 패턴 영역의 정확한 위치에 소면공(V1)을 형성하지 못하는 문제가 발생할 수 있다. 또한, 상기 제 1 제곱 평균 표면 거칠기(RMS1)가 200nm보다 크면 상기 소면공(V1)의 균일도가 저하되는 문제가 있다.
또한, 상기 제 2면의 비패턴 영역은 제 2 제곱 평균 표면 거칠기(RMS2)를 가진다. 상기 제 2 제곱 평균 표면 거칠기(RMS2)는 200nm 내지 250nm 사이의 범위를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 제곱 평균 표면 거칠기(RMS2)는 210nm 내지 240nm 사이의 범위를 가질 수 있다. 상기 제 2 제곱 평균 표면 거칠기(RMS2)가 200nm보다 작으면, 상기 제 2면의 패턴 영역에서의 포토레지스트와의 밀착력이 감소하여 상기 제 2면에 형성되는 아일랜드(IS)의 형상이 무너지는 문제가 있다. 또한, 상기 제 2 제곱 평균 표면 거칠기(RMS2)가 250nm보다 크면, 상기 대면공(V2)의 균일도가 저하되는 문제가 있다.
도 16 및 도 17은 제2 실시예에 따른 증착용 마스크(100)의 유효 영역의 평면도를 도시한 도면이고, 도 18은 비교 예에 따른 증착용 마스크의 유효 영역의 평면도를 도시한 도면이다.
도 16, 도 17, 및 도 18은 실시예에 따른 증착용 마스크(100)의 제 1 유효 영역(AA1), 제 2 유효 영역(AA2) 및 제 3 유효 영역(AA3) 중 어느 하나의 평면도일 수 있다. 또한, 상기 도 16 및 도 17은 관통홀(TH)의 형상 및 상기 관통홀(TH) 간의 배열을 설명하기 위한 것으로, 제2 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 도면에 도시된 관통홀(TH)의 개수에 한정되지 않는다.
도 16 내지 도 18을 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 복수 개의 관통홀(TH)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 관통홀(TH)들은 방향에 따라, 일렬로 배치되거나 서로 엇갈려서 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀(TH)들은 종축 및 횡축에서 일렬로 배치될 수 있고, 종축 또는 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다.
도 16 및 도 17을 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 복수 개의 관통홀(TH)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 복수 개의 관통홀(TH)은 원형 형상일 수 있다. 자세하게, 상기 관통홀(TH)의 수평 방향의 직경(Cx)과 수직 방향의 직경(Cy)은 서로 대응될 수 있다.
제 1 관통홀(TH1) 및 제 2 관통홀(TH2)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있고, 제 3 관통홀(TH1) 및 제 4 관통홀(TH4)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다. 또한, 제 1 관통홀(TH1) 및 제 3 관통홀(TH3)은 종축에서 일렬로 배치될 수 있고, 제 2 관통홀(TH2) 및 제 4 관통홀(TH4)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다.
즉, 관통홀(TH)들이 종축 및 횡축에서 각각 일렬로 배치되는 경우에는, 종축 및 횡축과 모두 교차하는 방향인 대각 방향으로 인접한 두 개의 관통홀(TH)들 사이에 아일랜드부(IS)가 위치할 수 있다. 즉, 서로 대각선 방향에 위치한 두 개의 인접한 관통홀(TH)들 사이에는 아일랜드부(IS)가 위치할 수 있다.
바람직하게, 제2 실시 예에서는 상기 금속판의 제 1면에 대해 제 2 면과 다른 표면 처리를 진행하여, 상기 제 1면이 제 1 제곱 평균 표면 거칠기(RMS1)를 가지도록 하였다. 이에 따라, 제2 실시 예에서는 상기 제 1면에 형성되는 복수의 소면공(V1)들 사이의 균일도를 향상시킬 수 있다. 즉, 제2 실시 예에서의 복수의 소면공(V1)들 간의 공경 편차는 ±1.5㎛ 이내로 구현할 수 있으며, 이에 따라 증착 효율을 향상시킬 수 있다. 즉, 종래에는 상기 금속판의 제 1면에 대해 제 2면과 다른 조건을 적용하지 않음에 따라 상기 복수의 소면공들 사이의 공경 편차가 ± 2㎛ 이상이었다. 이와 다르게, 제2 실시 예에서는 상기와 같이 제 1 면이 150nm 내지 200nm 사이 범위의 제 1 제곱 평균 표면 거칠기(RMS1)를 가지도록 하여, 복수의 소면공(V1)들 사이의 공경 편차를 ±1.5㎛ 이내로 구현할 수 있다.
제2 실시 예에서의 상기 제 2면에서의 아일랜드부(IS)의 수직 방향의 폭(Wy)과 수평 방향의 폭(Wx)은 각각 2㎛ 내지 9㎛ 사이의 범위를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2면에서의 아일랜드부(IS)의 수직 방향의 폭(Wy)과 수평 방향의 폭(Wx)은 각각 3㎛ 내지 7㎛ 사이의 범위를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 면에서의 상기 아일랜드부(IS)의 수직 방향의 폭(Wy)과 수평 방향의 폭(Wx)의 폭은 각각 4㎛ 내지 6㎛ 사이의 범위를 가질 수 있다.
즉, 상기 증착용 마스크(100)의 상기 제 2 면(102)은 상기 설명한 바와 같이 제 2 제곱 평균 표면 거칠기(RMS2)를 가진다. 상기 제 2 제곱 평균 표면 거칠기(RMS2)는 200nm 내지 250nm 사이의 범위를 가질 수 있다. 이에 따라, 본 발명에서는 상기 제 2면에서의 포토레지스트와의 밀착력을 최대로 할 수 있으며, 이에 따라 상기 제 2면에서의 상기 아일랜드부(IS)의 형상을 유지하면서, 사이즈를 최소화할 수 있다.
이와 다르게, 도 18을 참조하면, 종래에는 상기 원소재에 대응하는 도 15a에서의 제 1 금속판을 가지고 상기 증착용 마스크를 제조하였다. 이와 따라, 상기 대면공(V2)이 형성되는 제 2면에서의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)는 100nm 수준이었다. 그리고, 상기 제 2면에서의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)가 100nm 수준임에 따라 상기 제 2면과 상기 포토레지스트 사이의 밀착력이 감소하며, 이에 따라 상기 아일랜드부(IS)의 형상의 유지가 힘들었다. 따라서, 종래에는 제 2 면에서의 상기 아일랜드부(IS)의 수직 방향의 폭(Wy`)과 수평 방향의 폭(Wx`)이 각각 9㎛ 내지 15㎛ 수준이었다.
이하에서는 다른 실시 예에 따른 증착 마스크에 대해 설명하기로 한다.
도 19a는 비교예에 따른 증착 마스크의 단면도를 도시한 도면이고, 도 19b는 평면에서 관측한 비교예에 따른 증착 마스크의 내면공, 소면공 및 대면공의 상대적인 위치를 나타낸 도면이며, 도 20a는 제 3 실시예에 따른 증착 마스크의 단면도를 도시한 도면이며, 도 20b는 평면에서 관측한 제 3 실시예에 따른 증착 마스크의 내면공, 소면공 및 대면공의 상대적인 위치를 나타낸 도면이고, 도 21a는 제 4 실시예에 따른 증착 마스크의 단면도를 도시한 도면이고, 도 21b는 평면에서 관측한 제 4 실시예에 따른 증착 마스크의 내면공, 소면공 및 대면공의 상대적인 위치를 나타낸 도면이며, 도 22a는 제 5 실시예에 따른 증착 마스크의 단면도를 도시한 도면이고, 도 22b는 평면에서 관측한 제 5 실시예에 따른 증착 마스크의 내면공, 소면공 및 대면공의 상대적인 위치를 나타낸 도면이다.
먼저, 도 19를 참조하여 비교예에 따른 증착 마스크를 설명한다.
도 19a를 참조하면, 비교예에 따른 증착 마스크는 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀과 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 관통홀의 형상이 동일할 수 있다.
비교예에 따른 증착 마스크는 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀과 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 관통홀의 내공경, 소공경 및 대공경의 크기가 대응될 수 있다. 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀의 내공경(I1)은 상기 제 1 외곽 영역(EA1)에 위치한 관통홀의 내공경(I2)과 대응되는 크기를 가질 수 있다. 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀의 내공경(I1)은 상기 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치한 관통홀의 내공경(I3)과 대응되는 크기를 가질 수 있다. 또한, 상기 제 1 외곽 영역(EA1)에 위치한 관통홀의 내공경(I2)은 상기 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치한 관통홀의 내공경(I3)과 대응되는 크기를 가질 수 있다.
상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀의 소공경(S1)은 상기 제 1 외곽 영역(EA1)에 위치한 관통홀의 소공경(S2)과 대응되는 크기를 가질 수 있다. 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀의 소공경(S1)은 상기 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치한 관통홀의 소공경(S3)과 대응되는 크기를 가질 수 있다. 또한, 상기 제 1 외곽 영역(EA1)에 위치한 관통홀의 소공경(S2)은 상기 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치한 관통홀의 소공경(S3)과 대응되는 크기를 가질 수 있다.
상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀의 대공경(L1)은 상기 제 1 외곽 영역(EA1)에 위치한 관통홀의 대공경(L2)과 대응되는 크기를 가질 수 있다. 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀의 대공경(L1)은 상기 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치한 관통홀의 대공경(L3)과 대응되는 크기를 가질 수 있다. 또한, 상기 제 1 외곽 영역(EA1)에 위치한 관통홀의 대공경(L2)은 상기 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치한 관통홀의 대공경(L3)과 대응되는 크기를 가질 수 있다.
도 19b를 참조하면, 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 소공경(S1)의 중심과 대공경(L1)의 중심은 얼라인되고, 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 소공경(S1)의 중심과 대공경(L1)의 중심은 얼라인될 수 있다.
즉, 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀의 소공경(S1)의 중심과 대공경(L1)의 중심은 일치할 수 있다. 상기 제 1 외곽 영역(EA1)에 위치한 관통홀의 소공경(S2)의 중심과 대공경(L2)의 중심은 일치할 수 있다. 또한, 상기 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치한 관통홀의 소공경(S3)의 중심과 대공경(L3)의 중심은 일치할 수 있다.
또한, 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 서로 인접한 2개의 립(LB)간의 이격거리는 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 서로 인접한 2개의 립(LB) 간의 이격거리와 대응될 수 있다. 여기에서, 이격 거리는 서로 인접한 제 1 립(LB)의 대공경이 형성되는 끝단과 제 2 립(LB)의 대공경이 형성되는 끝단 간의 거리를 일 방향에서 측정한 것을 의미할 수 있다.
상기 중앙 영역(CA)에 위치한 아일랜드부의 면적은 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 아일랜드부의 면적과 대응될 수 있다. 여기에서, 아일랜드부는 인접한 관통홀 사이에 위치하는 증착 마스크의 일면을 의미할 수 있다. 예를 들어, 아일랜드부는 임의의 인접한 제 1 관통홀과 제 2 관통홀 사이에 위치한 식각되지 않은 증착 마스크의 어느 일면을 의미할 수 있다.
한편, 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 아일랜드부의 직경은 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 아일랜드부의 직경과 대응될 수 있다. 여기에서, 아일랜드부의 직경은 서로 다른 관통홀로 둘러싸인 어느 하나의 아일랜드부가 가지는 비식각면의 최대 직경을 의미할 수 있다.
비교예에 따른 증착 마스크는 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 립(LB)의 높이와 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 립(LB)의 높이가 대응될 수 있다.
상기 중앙 영역(CA)에 위치한 립(LB)의 소면공 높이(SH1)는 상기 제 1 외곽 영역(EA1) 위치한 립(LB)의 소면공 높이(SH2)와 대응될 수 있다. 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 립(LB)의 소면공 높이(SH1)는 상기 제 2 외곽 영역(EA2) 위치한 립(LB)의 소면공 높이(SH3)와 대응될 수 있다. 또한, 상기 제 1 외곽 영역(EA1) 위치한 립(LB)의 소면공 높이(SH2)는 상기 제 2 외곽 영역(EA2) 위치한 립(LB)의 소면공 높이(SH3)와 대응될 수 있다. 이때, 상기 소면공 높이는 내면공이 위치한 연결부로부터 제 1 면까지의 거리를 의미하며, 제 1 면과 수직한 방향으로 거리를 측정할 수 있다.
상기 중앙 영역(CA)에 위치한 립(LB)의 대면공 높이(LH1)는 상기 제 1 외곽 영역(EA1) 위치한 립(LB)의 대면공 높이(LH2)와 대응될 수 있다. 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 립(LB)의 대면공 높이(LH1)는 상기 제 2 외곽 영역(EA2) 위치한 립(LB)의 대면공 높이(LH3)와 대응될 수 있다. 또한, 상기 제 1 외곽 영역(EA1) 위치한 립(LB)의 대면공 높이(LH2)는 상기 제 2 외곽 영역(EA2) 위치한 립(LB)의 대면공 높이(LH3)와 대응될 수 있다. 이때, 상기 대면공 높이는 내면공이 위치한 연결부로부터 제 2 면까지의 거리를 의미하며, 제 2 면과 수직한 방향으로 거리를 측정할 수 있다.
비교예에 따른 증착 마스크는 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 립(LB)의 공경 각도와 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 립(LB)의 공경 각도가 대응될 수 있다.
즉, 비교예에 따른 증착 마스크는 위치에 상관없이 공경의 높이과 립의 크기가 일정한 것을 알 수 있다.
이에 따라, 유기 물질 공급원(source)으로부터 멀리 떨어진 외곽에 위치한 관통홀은 증착 효율이 떨어지는 문제점을 가진다(도 19a의 점선 화살표 참조). 4.5G에서 6G 등으로 증착 면적이 커지게 되면서 증착 마스크의 중앙 영역에 비하여 외곽 영역의 증착 효율이 저하되는 문제를 가진다.
중앙 영역에 형성된 공경은 유기 물질 공급원과 직각에 가까운 각도로 놓이기 때문에 기판 상의 정확한 위치에 증착될 수 있다. 한편, 외곽 영역에 형성된 공경은 최외곽쪽으로 갈수록 유기 물질 공급원과 직각으로부터 멀어지는 예각 또는 둔각의 각도로 놓이기 때문에, 립과 아일랜드의 방해를 받아 기판 상의 정확한 위치에 증착되기 어려울 수 있다.
증착 효율을 증대시키기 위하여 마스크의 두께를 낮추는 방법을 고려할 수 있으나, 두께를 감소시키는 것은 한계가 있기 때문에, 새로운 시도가 요구된다.
다음으로, 도 20 내지 도 22를 참조하여 실시예에 따른 다양한 증착 마스크들을 설명한다.
실시예에 따른 증착 마스크는 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀이 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 관통홀과 형상이 다른 부분을 포함할 수 있다. 이는, 유기 물질 공급원(source)으로부터 멀리 떨어진 외곽에 위치한 관통홀의 증착효율을 증대시키기 위한 것이다.
도 20을 참조하여, 제 3 실시예에 따른 증착 마스크를 설명한다.
도 20a를 참조하면, 제 3 실시예에 따른 증착 마스크는 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀과 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 관통홀의 형상이 다른 부분을 포함할 수 있다.
제 3 실시예에 따른 증착 마스크는 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀과 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 관통홀의 내공경, 소공경 및 대공경의 크기가 대응될 수 있다.
상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀의 내공경(I1)은 상기 제 1 외곽 영역(EA1)에 위치한 관통홀의 내공경(I2)과 대응되는 크기를 가질 수 있다. 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀의 내공경(I1)은 상기 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치한 관통홀의 내공경(I3)과 대응되는 크기를 가질 수 있다. 또한, 상기 제 1 외곽 영역(EA1)에 위치한 관통홀의 내공경(I2)은 상기 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치한 관통홀의 내공경(I3)과 대응되는 크기를 가질 수 있다.
상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀의 소공경(S1)은 상기 제 1 외곽 영역(EA1)에 위치한 관통홀의 소공경(S2)과 대응되는 크기를 가질 수 있다. 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀의 소공경(S1)은 상기 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치한 관통홀의 소공경(S3)과 대응되는 크기를 가질 수 있다. 또한, 상기 제 1 외곽 영역(EA1)에 위치한 관통홀의 소공경(S2)은 상기 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치한 관통홀의 소공경(S3)과 대응되는 크기를 가질 수 있다.
상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀의 대공경(L1)은 상기 제 1 외곽 영역(EA1)에 위치한 관통홀의 대공경(L2)과 대응되는 크기를 가질 수 있다. 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀의 대공경(L1)은 상기 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치한 관통홀의 대공경(L3)과 대응되는 크기를 가질 수 있다. 또한, 상기 제 1 외곽 영역(EA1)에 위치한 관통홀의 대공경(L2)은 상기 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치한 관통홀의 대공경(L3)과 대응되는 크기를 가질 수 있다.
도 20b를 참조하면, 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 소공경(S1)의 중심과 대공경(L1)의 중심은 얼라인될 수 있다. 한편, 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 소공경(S1)의 중심과 대공경(L1)의 중심은 미스얼라인되는 영역을 포함할 수 있다. 여기에서, 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 소공경(S1)의 중심과 대공경(L1)의 중심이 미스얼라인된다는 것은, 상기 외곽 영역(EA)의 일부분에 위치한 소공경(S1)의 중심과 대공경(L1)의 중심이 미스얼라인되는 영역을 포함하는 것을 의미할 수 있다.
즉, 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀의 소공경(S1)의 중심과 대공경(L1)의 중심은 일치할 수 있다. 자세하게, 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀의 소공경(S1)의 중심과 대공경(L1)의 중심은 상, 하에 위치하며, 소공경(S1)의 중심과 대공경(L1)의 중심을 지나는 가상의 선은 증착 마스크의 일면과 수직할 수 있다.
한편, 상기 제 1 외곽 영역(EA1)에 위치한 관통홀의 소공경(S2)의 중심과 대공경(L2)의 중심은 서로 다를 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 외곽 영역(EA1)에 위치한 관통홀의 소공경(S2)의 중심과 대공경(L2)의 중심을 지나는 가상의 선은 증착 마스크의 일면과 경사질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 외곽 영역(EA1)에 위치한 관통홀의 소공경(S2)의 중심과 대공경(L2)의 중심을 지나는 가상의 선은 유기 증착물질이 상기 제 1 외곽 영역(EA1)으로 방사되는 방향 내지 방사 각도와 동일하거나 유사할 수 있다.
또한, 상기 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치한 관통홀의 소공경(S3)의 중심과 대공경(L3)의 중심은 서로 다를 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치한 관통홀의 소공경(S3)의 중심과 대공경(L3)의 중심을 지나는 가상의 선은 증착 마스크의 일면과 경사질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치한 관통홀의 소공경(S3)의 중심과 대공경(L3)의 중심을 지나는 가상의 선은 유기 증착물질이 상기 제 2 외곽 영역(EA2)으로 방사되는 방향 내지 방사 각도와 동일하거나 유사할 수 있다.
상기 외곽 영역(EA)에 위치한 복수 개의 관통홀들은 각각 중앙 영역(CA)으로부터의 거리가 멀어질수록 대공경의 중심과 소공경의 중심간의 이격 거리가 증가하는 것을 포함할 수 있다. 여기에서, 대공경의 중심과 소공경의 중심간의 이격 거리란 평면에서 관측했을 때의 이격거리를 의미할 수 있다.
또한, 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 서로 인접한 2개의 립(LB)간의 이격거리는 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 서로 인접한 2개의 립(LB) 간의 이격거리와 서로 다른 부분을 포함할 수 있다. 여기에서, 이격 거리는 서로 인접한 제 1 립(LB)의 대공경이 형성되는 끝단과 제 2 립(LB)의 대공경이 형성되는 끝단 간의 거리를 일 방향에서 측정한 것을 의미할 수 있다.
상기 중앙 영역(CA)에 위치한 아일랜드부의 면적은 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 아일랜드부의 면적과 대응될 수 있다. 여기에서, 아일랜드부는 인접한 관통홀 사이에 위치하는 증착 마스크의 일면을 의미할 수 있다. 예를 들어, 아일랜드부는 임의의 인접한 제 1 관통홀과 제 2 관통홀 사이에 위치한 식각되지 않은 증착 마스크의 어느 일면을 의미할 수 있다.
한편, 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 아일랜드부의 직경은 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 아일랜드부의 직경과 대응될 수 있다.
제 3 실시예에 따른 증착 마스크는 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 립(LB)의 높이와 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 립(LB)의 높이가 대응되는 영역을 포함할 있다.
상기 중앙 영역(CA)에 위치한 립(LB)의 소면공 높이(SH1)는 상기 제 1 외곽 영역(EA1) 위치한 립(LB)의 소면공 높이(SH2)와 대응되는 영역을 포함할 수 있다. 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 립(LB)의 소면공 높이(SH1)는 상기 제 2 외곽 영역(EA2) 위치한 립(LB)의 소면공 높이(SH3)와 대응될 수 있다. 또한, 상기 제 1 외곽 영역(EA1) 위치한 립(LB)의 소면공 높이(SH2)는 상기 제 2 외곽 영역(EA2) 위치한 립(LB)의 소면공 높이(SH3)와 대응되는 영역을 포함할 수 있다. 이때, 상기 소면공 높이는 내면공이 위치한 연결부로부터 제 1 면까지의 거리를 의미하며, 제 1 면과 수직한 방향으로 거리를 측정할 수 있다.
상기 중앙 영역(CA)에 위치한 립(LB)의 대면공 높이(LH1)는 상기 제 1 외곽 영역(EA1) 위치한 립(LB)의 대면공 높이(LH2)와 대응되는 영역을 포함할 수 있다. 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 립(LB)의 대면공 높이(LH1)는 상기 제 2 외곽 영역(EA2) 위치한 립(LB)의 대면공 높이(LH3)와 대응되는 영역을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 1 외곽 영역(EA1) 위치한 립(LB)의 대면공 높이(LH2)는 상기 제 2 외곽 영역(EA2) 위치한 립(LB)의 대면공 높이(LH3)와 대응될 수 있다. 이때, 상기 대면공 높이는 내면공이 위치한 연결부로부터 제 2 면까지의 거리를 의미하며, 제 2 면과 수직한 방향으로 거리를 측정할 수 있다.
한편, 제 1 실시예에 따른 증착 마스크는 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 립(LB)의 공경 각도와 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 립(LB)의 공경 각도가 서로 다른 영역을 포함할 수 있다.
즉, 제 1 실시예에 따른 증착 마스크는 소공경과 대공경의 미스얼라인을 통해 유기 물질 공급원(source)을 기준으로 유기 물질의 증착이 쉽도록 공경의 각도를 조절할 수 있다.
상기 중앙 영역(CA)은 대공경의 중심과 소공경의 중심의 얼라인을 통해 증착할 수 있다. 한편, 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 복수 개의 관통홀들은 상기 중앙 영역(CA)을 기준으로 상기 외곽 영역(EA)의 양 끝단을 향하여 상기 중앙 영역(CA)과의 거리가 멀어질수록 대공경의 위치를 점차 이동시킬 수 있다. 이때, 상기 중앙 영역(CA)으로부터 상기 제 1 외곽 영역(EA1)의 끝단을 향할수록 각각 하나의 관통홀의 소공경을 기준으로 이동하는(쉬프트되는) 대공경의 방향은 상기 중앙 영역(CA)으로부터 상기 제 2 외곽 영역(EA2)을 끝단을 향할수록 각각 하나의 관통홀의 소공경을 기준으로 이동하는(쉬프트되는) 대공경의 방향과 반대일 수 있다. 여기에서, 반대된다는 것은 우향과 좌향의 서로 180도로 놓이는 방향을 의미할 수 있다. 즉, 실시예는 공경의 각도를 유기 물질의 증착이 쉽도록 조정하여 공경을 형성할 수 있다. 이에 따라, 상기 외곽 영역(EA) 중 최외곽(끝단)에 위치한 관통홀도 증착 효율이 우수할 수 있다.
도 21을 참조하여, 제 4 실시예에 따른 증착 마스크를 설명한다.
도 21a를 참조하면, 제 4 실시예에 따른 증착 마스크는 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀과 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 관통홀의 형상이 다른 부분을 포함할 수 있다.
제 4 실시예에 따른 증착 마스크는 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀과 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 관통홀의 내공경 및 소공경의 크기가 대응될 수 있다.
상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀의 내공경(I1)은 상기 제 1 외곽 영역(EA1)에 위치한 관통홀의 내공경(I2)과 대응되는 크기를 가질 수 있다. 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀의 내공경(I1)은 상기 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치한 관통홀의 내공경(I3)과 대응되는 크기를 가질 수 있다. 또한, 상기 제 1 외곽 영역(EA1)에 위치한 관통홀의 내공경(I2)은 상기 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치한 관통홀의 내공경(I3)과 대응되는 크기를 가질 수 있다.
상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀의 소공경(S1)은 상기 제 1 외곽 영역(EA1)에 위치한 관통홀의 소공경(S2)과 대응되는 크기를 가질 수 있다. 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀의 소공경(S1)은 상기 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치한 관통홀의 소공경(S3)과 대응되는 크기를 가질 수 있다. 또한, 상기 제 1 외곽 영역(EA1)에 위치한 관통홀의 소공경(S2)은 상기 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치한 관통홀의 소공경(S3)과 대응되는 크기를 가질 수 있다.
한편, 제 4 실시예에 따른 증착 마스크는 상기 중앙 영역(CA)의 대공경과 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 대공경의 크기가 서로 다른 영역을 포함할 수 있다.
상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀의 대공경(L1)은 상기 제 1 외곽 영역(EA1)에 위치한 관통홀의 대공경(L2)보다 작은 크기를 가질 수 있다. 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀의 대공경(L1)은 상기 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치한 관통홀의 대공경(L3)보다 작은 크기를 가질 수 있다.
상기 외곽 영역(EA)에 위치한 복수 개의 관통홀들은 상기 중앙 영역(CA)을 기준으로 상기 외곽 영역(EA)의 양 끝단을 향하여 상기 중앙 영역(CA)과의 거리가 멀어질수록 대공경의 크기가 점차 커지는 영역을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 중앙 영역(CA)으로부터 상기 제 1 외곽 영역(EA1)의 끝단을 향할수록 각각 하나의 관통홀의 대공경이 점차 커질 수 있다. 상기 중앙 영역(CA)으로부터 상기 제 2 외곽 영역(EA2)의 끝단을 향할수록 각각 하나의 관통홀의 대공경이 점차 커지는 영역을 포함할 수 있다.
한편, 상기 제 1 외곽 영역(EA1)에 위치한 관통홀의 대공경(L2)은 상기 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치한 관통홀의 대공경(L3)과 서로 대응되는 크기를 가지거나, 서로 다른 크기를 가지는 영역을 포함할 수 있다. 상기 제 1 외곽 영역(EA1) 및/또는 상기 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치하는 복수 개의 관통홀들은 상기 중앙 영역(CA)과의 거리에 의존하여 대공경의 크기가 결정되기 때문에, 유기물질 공급원과 가까이 놓일 수 있는 외곽 영역의 대공경은 중앙 영역의 대공경과 같은 크기를 가질 수 있다. 한편, 유기물질 공급원과 멀리 놓이는 외곽 영역의 최외곽(끝단)에 위치한 대공경은 중앙 영역의 대공경보다 크기가 큰 영역을 포함할 수 있다. 이에 따라, 립(LB)이 공급되는 유기물질을 가림에 따른 증착 효율 저하를 방지할 수 있다.
도 21b를 참조하면, 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 소공경(S1)의 중심과 대공경(L1)의 중심은 얼라인되고, 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 소공경(S1)의 중심과 대공경(L1)의 중심은 얼라인될 수 있다.
즉, 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀의 소공경(S1)의 중심과 대공경(L1)의 중심은 일치할 수 있다. 상기 제 1 외곽 영역(EA1)에 위치한 관통홀의 소공경(S2)의 중심과 대공경(L2)의 중심은 일치할 수 있다. 또한, 상기 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치한 관통홀의 소공경(S3)의 중심과 대공경(L3)의 중심은 일치할 수 있다.
또한, 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 서로 인접한 2개의 립(LB)간의 이격거리는 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 서로 인접한 2개의 립(LB) 간의 이격거리와 대응될 수 있다. 여기에서, 이격 거리는 서로 인접한 제 1 립(LB)의 대공경이 형성되는 끝단과 제 2 립(LB)의 대공경이 형성되는 끝단 간의 거리를 일 방향에서 측정한 것을 의미할 수 있다.
상기 중앙 영역(CA)에 위치한 아일랜드부의 면적은 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 아일랜드부의 면적과 서로 다를 수 있다. 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 아일랜드부의 면적은 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 아일랜드부의 면적보다 클 수 있다. 즉, 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 각각의 관통홀들은 중앙 영역(CA)에서 멀어질수록 대공경이 중앙영역에 위치한 대공경보다 과에칭되기 때문에, 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 아일랜드부의 면적은 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 아일랜드부의 면적보다 작을 수 있다. 예를 들어, 아일랜드는 임의의 인접한 제 1 관통홀과 제 2 관통홀 사이에 위치한 식각되지 않은 증착 마스크의 제 2 면을 의미할 수 있다.
한편, 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 아일랜드의 직경은 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 아일랜드의 직경과 다른 영역을 포함할 수 있다. 상기 외곽 영역(EA)의 아일랜드 직경은 상기 중앙 영역(CA)의 아일랜드 직경보다 작은 영역을 포함할 수 있다. 여기에서, 아일랜드의 직경은 서로 다른 관통홀로 둘러싸인 어느 하나의 아일랜드부가 가지는 비식각면의 최대 직경을 의미할 수 있다.
제 4 실시예에 따른 증착 마스크는 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 립(LB)의 높이와 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 립(LB)의 높이가 서로 다른 영역을 포함할 수 있다.
상기 중앙 영역(CA)에 위치한 립(LB)의 소면공 높이(SH1)는 상기 제 1 외곽 영역(EA1) 위치한 립(LB)의 소면공 높이(SH2)와 대응되는 영역을 포함할 수 있다. 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 립(LB)의 소면공 높이(SH1)는 상기 제 2 외곽 영역(EA2) 위치한 립(LB)의 소면공 높이(SH3)와 대응될 수 있다. 또한, 상기 제 1 외곽 영역(EA1) 위치한 립(LB)의 소면공 높이(SH2)는 상기 제 2 외곽 영역(EA2) 위치한 립(LB)의 소면공 높이(SH3)와 대응되는 영역을 포함할 수 있다. 이때, 상기 소면공 높이는 내면공이 위치한 연결부로부터 제 1 면까지의 거리를 의미하며, 제 1 면과 수직한 방향으로 거리를 측정할 수 있다.
상기 중앙 영역(CA)에 위치한 립(LB)의 대면공 높이(LH1)는 상기 제 1 외곽 영역(EA1) 위치한 립(LB)의 대면공 높이(LH2)와 서로 다른 영역을 포함할 수 있다. 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 립(LB)의 대면공 높이(LH1)는 상기 제 1 외곽 영역(EA1) 위치한 립(LB)의 대면공 높이(LH2)보다 큰 영역을 포함할 수 있다.
상기 중앙 영역(CA)에 위치한 립(LB)의 대면공 높이(LH1)는 상기 제 2 외곽 영역(EA2) 위치한 립(LB)의 대면공 높이(LH3)와 서로 다른 영역을 포함할 수 있다. 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 립(LB)의 대면공 높이(LH1)는 상기 제 2 외곽 영역(EA2) 위치한 립(LB)의 대면공 높이(LH3)보다 큰 영역을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 1 외곽 영역(EA1) 위치한 립(LB)의 대면공 높이(LH2)는 상기 제 2 외곽 영역(EA2) 위치한 립(LB)의 대면공 높이(LH3)와 서로 대응되거나 서로 다른 영역을 포함할 수 있다. 상기 제 1 외곽 영역(EA1) 및/또는 상기 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치하는 복수 개의 관통홀들은 상기 중앙 영역(CA)과의 거리에 의존하여 대공경의 높이가 결정되기 때문에, 유기물질 공급원과 가까이 놓일 수 있는 외곽 영역의 대공경은 중앙 영역의 대공경과 같은 높이를 가질 수 있다. 한편, 유기물질 공급원과 멀리 놓이는 외곽 영역의 최외곽(끝단)에 위치한 대공경은 중앙 영역의 대공경보다 높이가 낮을 수 있다. 이에 따라, 립(LB)이 공급되는 유기물질을 가림에 따른 증착 효율 저하를 방지할 수 있다.
즉, 제 4 실시예의 증착 마스크는 상기 외곽 영역(CA)에 위치한 립(LB)의 두께가 상기 중앙 영역에서 멀어질수록 점차 작아지는 영역을 포함할 수 있다. 제 2 실시예에 따른 증착 마스크는 중앙 영역(CA)에서 멀어지는 립(LB)의 높이를 낮추어 증착 효율을 높일 수 있다.
도 22을 참조하여, 제 5 실시예에 따른 증착 마스크를 설명한다.
도 22a를 참조하면, 제 5 실시예에 따른 증착 마스크는 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀과 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 관통홀의 형상이 다른 부분을 포함할 수 있다.
제 5 실시예에 따른 증착 마스크는 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀과 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 관통홀의 내공경 및 소공경의 크기가 대응될 수 있다.
상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀의 내공경(I1)은 상기 제 1 외곽 영역(EA1)에 위치한 관통홀의 내공경(I2)과 대응되는 크기를 가질 수 있다. 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀의 내공경(I1)은 상기 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치한 관통홀의 내공경(I3)과 대응되는 크기를 가질 수 있다. 또한, 상기 제 1 외곽 영역(EA1)에 위치한 관통홀의 내공경(I2)은 상기 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치한 관통홀의 내공경(I3)과 대응되는 크기를 가질 수 있다.
상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀의 소공경(S1)은 상기 제 1 외곽 영역(EA1)에 위치한 관통홀의 소공경(S2)과 대응되는 크기를 가질 수 있다. 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀의 소공경(S1)은 상기 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치한 관통홀의 소공경(S3)과 대응되는 크기를 가질 수 있다. 또한, 상기 제 1 외곽 영역(EA1)에 위치한 관통홀의 소공경(S2)은 상기 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치한 관통홀의 소공경(S3)과 대응되는 크기를 가질 수 있다.
한편, 제 5 실시예에 따른 증착 마스크는 상기 중앙 영역(CA)의 대공경과 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 대공경의 크기가 서로 다른 영역을 포함할 수 있다.
상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀의 대공경(L1)은 상기 제 1 외곽 영역(EA1)에 위치한 관통홀의 대공경(L2)보다 작은 크기를 가질 수 있다. 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀의 대공경(L1)은 상기 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치한 관통홀의 대공경(L3)보다 작은 크기를 가질 수 있다.
상기 외곽 영역(EA)에 위치한 복수 개의 관통홀들은 상기 중앙 영역(CA)을 기준으로 상기 외곽 영역(EA)의 양 끝단을 향하여 상기 중앙 영역(CA)과의 거리가 멀어질수록 대공경의 크기가 점차 커지는 영역을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 중앙 영역(CA)으로부터 상기 제 1 외곽 영역(EA1)의 끝단을 향할수록 각각 하나의 관통홀의 대공경이 점차 커질 수 있다. 상기 중앙 영역(CA)으로부터 상기 제 2 외곽 영역(EA2)의 끝단을 향할수록 각각 하나의 관통홀의 대공경이 점차 커지는 영역을 포함할 수 있다.
한편, 상기 제 1 외곽 영역(EA1)에 위치한 관통홀의 대공경(L2)은 상기 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치한 관통홀의 대공경(L3)과 서로 대응되는 크기를 가지거나, 서로 다른 크기를 가지는 영역을 포함할 수 있다. 상기 제 1 외곽 영역(EA1) 및/또는 상기 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치하는 복수 개의 관통홀들은 상기 중앙 영역(CA)과의 거리에 의존하여 대공경의 크기가 결정되기 때문에, 유기물질 공급원과 가까이 놓일 수 있는 외곽 영역의 대공경은 중앙 영역의 대공경과 같은 크기를 가질 수 있다. 한편, 유기물질 공급원과 멀리 놓이는 외곽 영역의 최외곽(끝단)에 위치한 대공경은 중앙 영역의 대공경보다 크기가 큰 영역을 포함할 수 있다. 이에 따라, 립(LB)이 공급되는 유기물질을 가림에 따른 증착 효율 저하를 방지할 수 있다.
도 22b를 참조하면, 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 소공경(S1)의 중심과 대공경(L1)의 중심은 얼라인될 수 있다. 한편, 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 소공경(S1)의 중심과 대공경(L1)의 중심은 미스얼라인되는 영역을 포함할 수 있다. 여기에서, 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 소공경(S1)의 중심과 대공경(L1)의 중심이 미스얼라인된다는 것은, 상기 외곽 영역(EA)의 일부분에 위치한 소공경(S1)의 중심과 대공경(L1)의 중심이 미스얼라인되는 영역을 포함하는 것을 의미할 수 있다.
즉, 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀의 소공경(S1)의 중심과 대공경(L1)의 중심은 일치할 수 있다. 자세하게, 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 관통홀의 소공경(S1)의 중심과 대공경(L1)의 중심은 상, 하에 위치하며, 소공경(S1)의 중심과 대공경(L1)의 중심을 지나는 가상의 선은 증착 마스크의 일면과 수직할 수 있다.
한편, 상기 제 1 외곽 영역(EA1)에 위치한 관통홀의 소공경(S2)의 중심과 대공경(L2)의 중심은 서로 다를 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 외곽 영역(EA1)에 위치한 관통홀의 소공경(S2)의 중심과 대공경(L2)의 중심을 지나는 가상의 선은 증착 마스크의 일면과 경사질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 외곽 영역(EA1)에 위치한 관통홀의 소공경(S2)의 중심과 대공경(L2)의 중심을 지나는 가상의 선은 유기 증착물질이 상기 제 1 외곽 영역(EA1)으로 방사되는 방향 내지 방사 각도와 동일하거나 유사할 수 있다.
또한, 상기 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치한 관통홀의 소공경(S3)의 중심과 대공경(L3)의 중심은 서로 다를 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치한 관통홀의 소공경(S3)의 중심과 대공경(L3)의 중심을 지나는 가상의 선은 증착 마스크의 일면과 경사질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치한 관통홀의 소공경(S3)의 중심과 대공경(L3)의 중심을 지나는 가상의 선은 유기 증착물질이 상기 제 2 외곽 영역(EA2)으로 방사되는 방향 내지 방사 각도와 동일하거나 유사할 수 있다.
상기 외곽 영역(EA)에 위치한 복수 개의 관통홀들은 각각 중앙 영역(CA)으로부터의 거리가 멀어질수록 대공경의 중심과 소공경의 중심간의 이격 거리가 증가하는 것을 포함할 수 있다. 여기에서, 대공경의 중심과 소공경의 중심간의 이격 거리란 평면에서 관측했을 때의 이격거리를 의미할 수 있다.
또한, 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 서로 인접한 2개의 립(LB)간의 이격거리는 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 서로 인접한 2개의 립(LB) 간의 이격거리와 서로 다른 부분을 포함할 수 있다. 여기에서, 이격 거리는 서로 인접한 제 1 립(LB)의 대공경이 형성되는 끝단과 제 2 립(LB)의 대공경이 형성되는 끝단 간의 거리를 일 방향에서 측정한 것을 의미할 수 있다.
상기 중앙 영역(CA)에 위치한 아일랜드부의 면적은 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 아일랜드부의 면적과 서로 다를 수 있다. 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 아일랜드부의 면적은 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 아일랜드부의 면적보다 클 수 있다. 즉, 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 각각의 관통홀들은 중앙 영역(CA)에서 멀어질수록 대공경이 중앙영역에 위치한 대공경보다 과에칭되기 때문에, 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 아일랜드부의 면적은 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 아일랜드부의 면적보다 작을 수 있다. 예를 들어, 아일랜드는 임의의 인접한 제 1 관통홀과 제 2 관통홀 사이에 위치한 식각되지 않은 증착 마스크의 제 2 면을 의미할 수 있다.
한편, 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 아일랜드의 직경은 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 아일랜드의 직경과 다른 영역을 포함할 수 있다. 상기 외곽 영역(EA)의 아일랜드 직경은 상기 중앙 영역(CA)의 아일랜드 직경보다 작은 영역을 포함할 수 있다. 여기에서, 아일랜드의 직경은 서로 다른 관통홀로 둘러싸인 어느 하나의 아일랜드부가 가지는 비식각면의 최대 직경을 의미할 수 있다.
제 5 실시예에 따른 증착 마스크는 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 립(LB)의 높이와 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 립(LB)의 높이가 서로 다른 영역을 포함할 수 있다.
상기 중앙 영역(CA)에 위치한 립(LB)의 소면공 높이(SH1)는 상기 제 1 외곽 영역(EA1) 위치한 립(LB)의 소면공 높이(SH2)와 대응되는 영역을 포함할 수 있다. 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 립(LB)의 소면공 높이(SH1)는 상기 제 2 외곽 영역(EA2) 위치한 립(LB)의 소면공 높이(SH3)와 대응되는 영역을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 1 외곽 영역(EA1) 위치한 립(LB)의 소면공 높이(SH2)는 상기 제 2 외곽 영역(EA2) 위치한 립(LB)의 소면공 높이(SH3)와 대응되는 영역을 포함할 수 있다. 이때, 상기 소면공 높이는 내면공이 위치한 연결부로부터 제 1 면까지의 거리를 의미하며, 제 1 면과 수직한 방향으로 거리를 측정할 수 있다.
상기 중앙 영역(CA)에 위치한 립(LB)의 대면공 높이(LH1)는 상기 제 1 외곽 영역(EA1) 위치한 립(LB)의 대면공 높이(LH2)와 서로 다른 영역을 포함할 수 있다. 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 립(LB)의 대면공 높이(LH1)는 상기 제 1 외곽 영역(EA1) 위치한 립(LB)의 대면공 높이(LH2)보다 큰 영역을 포함할 수 있다.
상기 중앙 영역(CA)에 위치한 립(LB)의 대면공 높이(LH1)는 상기 제 2 외곽 영역(EA2) 위치한 립(LB)의 대면공 높이(LH3)와 서로 다른 영역을 포함할 수 있다. 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 립(LB)의 대면공 높이(LH1)는 상기 제 2 외곽 영역(EA2) 위치한 립(LB)의 대면공 높이(LH3)보다 큰 영역을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 1 외곽 영역(EA1) 위치한 립(LB)의 대면공 높이(LH2)는 상기 제 2 외곽 영역(EA2) 위치한 립(LB)의 대면공 높이(LH3)와 서로 대응되거나 서로 다른 영역을 포함할 수 있다. 상기 제 1 외곽 영역(EA1) 및/또는 상기 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치하는 복수 개의 관통홀들은 상기 중앙 영역(CA)과의 거리에 의존하여 대공경의 높이가 결정되기 때문에, 유기물질 공급원과 가까이 놓일 수 있는 외곽 영역의 대공경은 중앙 영역의 대공경과 같은 높이를 가질 수 있다. 한편, 유기물질 공급원과 멀리 놓이는 외곽 영역의 최외곽(끝단)에 위치한 대공경은 중앙 영역의 대공경보다 높이가 낮을 수 있다. 이에 따라, 립(LB)이 공급되는 유기물질을 가림에 따른 증착 효율 저하를 방지할 수 있다.
즉, 제 5 실시예의 증착 마스크는 상기 외곽 영역(CA)에 위치한 립(LB)의 두께가 상기 중앙 영역에서 멀어질수록 점차 작아지는 영역을 포함할 수 있다. 제 2 실시예에 따른 증착 마스크는 중앙 영역(CA)에서 멀어지는 립(LB)의 높이를 낮추어 증착 효율을 높일 수 있다.
또한, 제 5 실시예에 따른 증착 마스크는 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 립(LB)의 공경 각도와 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 립(LB)의 공경 각도가 서로 다른 영역을 포함할 수 있다.
즉, 제 5 실시예에 따른 증착 마스크는 소공경과 대공경의 미스얼라인을 통해 유기 물질 공급원(source)을 기준으로 유기 물질의 증착이 쉽도록 공경의 각도를 조절할 수 있다.
상기 중앙 영역(CA)은 대공경의 중심과 소공경의 중심의 얼라인을 통해 증착할 수 있다. 한편, 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 복수 개의 관통홀들은 상기 중앙 영역(CA)을 기준으로 양 끝단을 향하여 상기 중앙 영역(CA)과의 거리가 멀어질수록 대공경의 위치를 점차 이동시킬 수 있다. 이때, 상기 중앙 영역(CA)으로부터 상기 제 1 외곽 영역(EA1)의 끝단을 향할수록 각각 하나의 관통홀의 소공경을 기준으로 이동하는(쉬프트되는) 대공경의 방향은 상기 중앙 영역(CA)으로부터 상기 제 2 외곽 영역(EA2)을 끝단을 향할수록 각각 하나의 관통홀의 소공경을 기준으로 이동하는(쉬프트되는) 대공경의 방향과 반대일 수 있다. 여기에서, 반대된다는 것은 우향과 좌향의 서로 180도로 놓이는 방향을 의미할 수 있다. 즉, 실시예는 공경의 각도를 유기 물질의 증착이 쉽도록 조정하여 공경을 형성할 수 있다. 이에 따라, 상기 외곽 영역(EA) 중 최외곽(끝단)에 위치한 관통홀도 증착 효율이 우수할 수 있다.
즉, 제 5 실시예는 공경 각도 조절 및 립의 높이 조절을 통해 증착 효율을 증대시킬 수 있다.
도 23을 참조하여, 제 3 실시예 또는 제 5 실시예에 따른 증착 마스크의 소면공 및 대면공의 상대적인 위치를 설명한다.
도 23a을 참조하면, x축과 y축이 교차하는 지점은 중앙 영역(CA)이다. 중앙 영역(CA)에 위치하는 소면공(S1)과 대면공(L1)은 중심이 얼라인되는 것을 알 수 있다. 한편, 중앙 영역(CA)으로부터 -x축 방향으로 갈수록 대면공(L2)은 소면공(S2)에 대하여 미스얼라인되는 영역을 포함할 수 있다. 중앙 영역(CA)으로부터 +x축 방향으로 갈수록 대면공(L3)은 소면공(S2)에 대하여 미스얼라인되는 영역을 포함할 수 있다. -x축 방향에 위치한 대면공(L2)의 미스얼라인 방향은 +x축 방향에 위치한 대면공(L3)의 미스얼라인 방향과 반대일 수 있다. 이때, -x축 방향에 위치한 소면공(S2)과 대면공(L2)은 제 1 외곽 영역(EA1)에 위치한 면공일 수 있다. +x축 방향에 위치한 소면공(S3)과 대면공(L3)은 제 2 외곽 영역(EA2)에 위치한 면공일 수 있다.
한편, 중앙 영역(CA)으로부터 +y축 방향으로 갈수록 대면공(L4)은 소면공(S4)에 대하여 미스얼라인되는 영역을 포함할 수 있다. 중앙 영역(CA)으로부터 -y축 방향으로 갈수록 대면공(L5)은 소면공(S5)에 대하여 미스얼라인되는 영역을 포함할 수 있다. +y축 방향에 위치한 대면공(L4)의 미스얼라인 방향은 -y축 방향에 위치한 대면공(L5)의 미스얼라인 방향과 반대일 수 있다.
도 23b를 참조하여, 증착 마스크의 중앙 영역을 기준으로 거리에 따른 미스얼라인을 설명한다.
본 명세서에서 중앙 영역과의 거리에 의존하여 점차 크기 내지 높이가 변화한다는 것은, 서로 다른 관통홀에 있어서, 상대적으로 중앙영역과 가까운 관통홀과 상대적으로 중앙영역과 멀리놓이는 관통홀간의 크기 변화를 의미하는 것일 수 있다.
예를 들어, 외곽영역에 중앙 영역과 제 1 이격거리를 가지는 제 1 관통홀, 중앙 영역과 제 2 이격거리를 가지는 제 2 관통홀, 중앙 영역과 제 3 이격거리를 가지는 제 3 관통홀이 있고, 제 1 이격거리 < 제 2 이격거리 < 제 3 이격거리의 순서를 가진다고 할 때, 점차적인 변화는 제 1 관통홀보다 제 2 관통홀의 미스얼라인이 크고, 제 2 관통홀보다 제 3 관통홀의 미스얼라인이 큰 것을 의미할 수 있다. 또는, 점차적인 변화는 제 1 관통홀에 인접한 립(LB)의 높이보다 제 2 관통홀에 인접한 립(LB)의 높이가 작고, 제 2 관통홀에 인접한 립(LB)의 높이보다 제 3 관통홀에 인접한 립(LB)의 높이가 작은 것을 의미할 수 있다. 실시예는 이에 제한되지 않고, 하나의 관통홀에서 중앙영역과 가까운쪽과 먼쪽에 차이가 발생하는 것을 의미할 수 있음은 물론이다.
도 23c를 참조하여, 미스얼라인 평가방법을 설명한다.
미스얼라인은 (Max 1/2*(DΨ-dΨ)을 넘지 못한다. 미스얼라인이 이를 넘을 경우, 대공경의 오버 쉬프트에 의해서 핀홀이 형성되기 때문이다. 이때, DΨ는 대면공의 크기이고, dΨ는 소면공의 크기이다.
도 24를 참조하여, 제3 실시예에 따른 증착 마스크를 보다 상세하게 설명한다.
제 3 실시예에 따른 증착 마스크는 상기 외곽 영역의 일 부분에서 소공경의 중심과 대공경의 중심이 얼라인될 수 있다. 상기 외곽 영역의 일 부분에서 소공경의 중심과 대공경의 중심은 미스얼라인되는 영역을 포함할 수 있다.
도 24a를 참조하면, 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 소공경(S1)의 중심과 대공경(L1)의 중심은 얼라인될 수 있다. 제 1 외곽 영역(EA1)에서 상기 중앙 영역(CA)에 인접한 부분의 제 1 관통홀은 소공경(S2a)의 중심과 대공경(L2a)의 중심이 얼라인될 수 있다. 제 2 외곽 영역(EA2)에서 상기 중앙 영역(CA)에 인접한 부분의 제 1 관통홀은 소공경(S3a)의 중심과 대공경(L3a)의 중심이 얼라인될 수 있다. 즉, 상기 외곽 영역의 적어도 일부는 대공경의 중심과 소공경의 중심이 상, 하로 일치하는 것을 포함할 수 있다. 외곽 영역 중 유기물질 공급원으로부터 거리가 가까이 위치함에 따라 증착 효율이 높은 위치의 관통홀은 소공경과 대공경의 중심이 얼라인될 수 있다.
제 1 외곽 영역(EA1)에서 상기 중앙 영역(CA)으로부터 멀어질수록 소공경의 중심을 기준으로 대공경의 중심은 미스얼라인이 커질 수 있다. 제 1 외곽 영역(EA1)에서 상기 제 1 관통홀보다 상기 중앙 영역(CA)에서 멀리떨어진 제 2 관통홀은 소공경(S2b)의 중심을 기준으로 대공경(L2b)의 중심이 미스얼라인되는 영역을 포함할 수 있다. 제 1 외곽 영역(EA1)에서 상기 제 2 관통홀보다 상기 중앙 영역(CA)에서 멀리떨어진 제 3 관통홀은 소공경(S2c)의 중심을 기준으로 대공경(L2c)의 중심의 미스얼라인이 더 클 수있다.
제 2 외곽 영역(EA2)에서 상기 중앙 영역(CA)으로부터 멀어질수록 소공경의 중심을 기준으로 대공경의 중심은 미스얼라인이 커질 수 있다. 제 2 외곽 영역(EA2)에서 상기 제 1 관통홀보다 상기 중앙 영역(CA)에서 멀리떨어진 제 2 관통홀은 소공경(S3b)의 중심을 기준으로 대공경(L3b)의 중심이 미스얼라인되는 영역을 포함할 수 있다. 제 2 외곽 영역(EA2)에서 상기 제 2 관통홀보다 상기 중앙 영역(CA)에서 멀리떨어진 제 3 관통홀은 소공경(S3c)의 중심을 기준으로 대공경(L3c)의 중심의 미스얼라인이 더 클 수있다.
제 1 실시예는 상기 제 1 외곽 영역에 위치한 복수 개의 관통홀은 상기 중앙 영역에서 멀어질수록 소공경의 중심보다 대공경의 중심이 중앙 영역에 가까이 위치하고, 상기 제 2 외곽 영역에 위치한 복수 개의 관통홀은 상기 중앙 영역에서 멀어질수록 소공경의 중심보다 대공경의 중심이 중앙 영역에 가까이 위치하는 것을 포함할 수 있다.
일례로, 4.5G의 유효 영역부 500mm를 기준으로, 미스얼라인 영역을 포함하는 외곽영역(EA)은 -x축 방향에 위치한 제 1 외곽 영역(EA1)의 1/2 영역이고, +x축 방향에 위치한 제 2 외곽 영역(EA2)의 1/2 영역일 수 있다. 다만, 실시예는 이에 제한되지 않고 외곽 영역의 범위는 증착 마스크의 크기, 해상도에 따라 변화할 수 있다.
도 24b를 참조하면, 외곽 영역의 끝단에 위치한 영역이 미스얼라인되는 영역을 포함함에 따라, 증착 마스크의 전체 관통홀에서 증착 패턴이 균일하게 형성되는 것을 알 수 있다.
도 25를 참조하여, 제4 실시예에 따른 증착 마스크를 보다 상세하게 설명한다.
제4 실시예에 따른 증착 마스크는 상기 외곽 영역의 일 부분에서 대공경의 크기 및 립의 높이가 변화할 수 있다.
도 25a를 참조하면, 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 소공경(S1)과 대공경(L1)의 크기는 제 1 외곽 영역(EA1)에서 상기 중앙 영역(CA)에 인접한 부분의 제 1 관통홀이 가지는 소공경(S2a)과 대공경(L2a)의 크기와 각각 대응될 수 있다. 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 소공경(S1)과 대공경(L1)의 크기는 제 2 외곽 영역(EA2)에서 상기 중앙 영역(CA)에 인접한 부분의 제 1 관통홀이 가지는 소공경(S3a)과 대공경(L3a)의 크기와 각각 대응될 수 있다. 즉, 상기 외곽 영역의 적어도 일부는 대공경의 크기가 중앙 영역의 크기와 대응되는 영역을 포함할 수 있다. 외곽 영역 중 유기물질 공급원으로부터 거리가 가까이 위치함에 따라 증착 효율이 높은 위치의 대공경은 중앙영역과 같은 크기로 배치할 수 있다.
제 1 외곽 영역(EA1)에서 상기 중앙 영역(CA)으로부터 멀어질수록 대공경의 크기는 커질 수 있다. 제 1 외곽 영역(EA1)에서 상기 제 1 관통홀의 대공경(L2a)보다 상기 중앙 영역(CA)에서 멀리떨어진 제 2 관통홀의 대공경(L2b)의 크기가 더 클 수 있다. 제 1 외곽 영역(EA1)에서 상기 제 2 관통홀의 대공경(L2b)보다 상기 중앙 영역(CA)에서 멀리떨어진 제 3 관통홀의 대공경(L2c)의 크기가 더 클 수 있다.
제 2 외곽 영역(EA2)에서 상기 중앙 영역(CA)으로부터 멀어질수록 대공경의 크기는 커질 수 있다. 제 2 외곽 영역(EA2)에서 상기 제 1 관통홀의 대공경(L3a)보다 상기 중앙 영역(CA)에서 멀리떨어진 제 2 관통홀의 대공경(L3b)의 크기가 더 클 수 있다. 제 1 외곽 영역(EA1)에서 상기 제 2 관통홀의 대공경(L3b)보다 상기 중앙 영역(CA)에서 멀리떨어진 제 3 관통홀의 대공경(L3c)의 크기가 더 클 수 있다.
일례로, 4.5G의 유효 영역부 500mm를 기준으로, 대공경의 크기 및 립의 크기 변화가 나타나는 외곽영역(EA)은 -x축 방향의 끝단에 위치한 제 1 외곽 영역(EA1)의 1/2 영역이고, +x축 방향의 끝단에 위치한 제 2 외곽 영역(EA2)의 1/2 영역일 수 있다. 다만, 실시예는 이에 제한되지 않고 외곽 영역의 범위는 증착 마스크의 크기, 해상도에 따라 변화할 수 있다.
도 25b를 참조하면, 제4 실시예에 따른 증착 마스크는 상기 제 1, 제 2 외곽 영역의 끝단에 위치한 영역의 복수 개의 관통홀들이 상기 중앙 영역에서 멀어질수록 대공경의 크기가 커지고, 립(LB)의 높이가 낮아짐에 따라, 증착 효율이 향상되는 것을 알 수 있다.
중앙 영역(CA)에 위치한 립(LB)의 두께와 외곽 영역(EA)에 위치한 립(LB)의 두께의 차이(TG)는 증착 마스크의 베이스 기판의 두께-(베이스 기판의 두께 * 2/3)일 수 있다. 여기에서, 상기 외곽 영역(EA)에 위치한 립(LB)의 두께는 외곽 영역(EA)의 최외곽에 위치하여 가장 낮은 두께를 가지는 일 영역에서 측정할 수 있다.
예를 들어, 30㎛ 두께의 인바 소재의 베이스 기판을 사용한 경우에, 중앙 영역(CA)에 위치한 립(LB)의 두께와 외곽 영역(EA)에 위치한 립(LB)의 두께의 차이(TG)는 약 10㎛ 전후의 범위를 포함할 수 있다. 예를 들어, 중앙 영역(CA)에 위치한 립(LB)의 두께와 외곽 영역(EA)에 위치한 립(LB)의 두께의 차이(TG)는 8㎛ 내지 12㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 중앙 영역(CA)에 위치한 립(LB)의 두께와 외곽 영역(EA)에 위치한 립(LB)의 두께의 차이(TG)는 9㎛ 내지 11㎛ 일 수 있다.
중앙 영역(CA)에 위치한 립(LB)의 두께와 외곽 영역(EA)에 위치한 립(LB)의 두께의 차이(TG)는 아일랜드의 크기가 직경 5㎛ 이상을 유지하도록 설정할 수 있다. 아일랜드의 직경이 5㎛ 미만인 경우에는 아일랜드의 소실에 따라 공경의 크기가 설계에 대비하여 커지는 문제가 발생할 수 있다.
이에 따르면, 증착 마스크에서 중앙 영역의 아일랜드의 직경이 약 10㎛로 나타나고, 증착 마스크의 제 1 외곽 영역의 아일랜드의 직경이 약 5㎛인 것으로 나타나며, 증착 마스크에서 제 2 외곽 영역의 아일랜드의 직경이 약 5㎛인 것으로 나타난다.
도 26을 참조하여, 제5 실시예에 따른 증착 마스크를 보다 상세하게 설명한다.
제5 실시예에 따른 증착 마스크는 상기 외곽 영역의 일 부분에서 소공경의 중심과 대공경의 중심이 얼라인될 수 있다. 상기 외곽 영역의 일 부분에서 소공경의 중심과 대공경의 중심은 미스얼라인되는 영역을 포함할 수 있다.
도 26a를 참조하면, 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 소공경(S1)의 중심과 대공경(L1)의 중심은 얼라인될 수 있다. 제 1 외곽 영역(EA1)에서 상기 중앙 영역(CA)에 인접한 부분의 제 1 관통홀은 소공경(S2a)의 중심과 대공경(L2a)의 중심이 얼라인될 수 있다. 제 2 외곽 영역(EA2)에서 상기 중앙 영역(CA)에 인접한 부분의 제 1 관통홀은 소공경(S3a)의 중심과 대공경(L3a)의 중심이 얼라인될 수 있다. 즉, 상기 외곽 영역의 적어도 일부는 대공경의 중심과 소공경의 중심이 상, 하로 일치하는 것을 포함할 수 있다. 외곽 영역 중 유기물질 공급원으로부터 거리가 가까이 위치함에 따라 증착 효율이 높은 위치의 관통홀은 소공경과 대공경의 중심이 얼라인될 수 있다.
제 1 외곽 영역(EA1)에서 상기 중앙 영역(CA)으로부터 멀어질수록 소공경의 중심을 기준으로 대공경의 중심은 미스얼라인이 커질 수 있다. 제 1 외곽 영역(EA1)에서 상기 제 1 관통홀보다 상기 중앙 영역(CA)에서 멀리떨어진 제 2 관통홀은 소공경(S2b)의 중심을 기준으로 대공경(L2b)의 중심이 미스얼라인되는 영역을 포함할 수 있다. 제 1 외곽 영역(EA1)에서 상기 제 2 관통홀보다 상기 중앙 영역(CA)에서 멀리떨어진 제 3 관통홀은 소공경(S2c)의 중심을 기준으로 대공경(L2c)의 중심의 미스얼라인이 더 클 수있다.
제 2 외곽 영역(EA2)에서 상기 중앙 영역(CA)으로부터 멀어질수록 소공경의 중심을 기준으로 대공경의 중심은 미스얼라인이 커질 수 있다. 제 2 외곽 영역(EA2)에서 상기 제 1 관통홀보다 상기 중앙 영역(CA)에서 멀리떨어진 제 2 관통홀은 소공경(S3b)의 중심을 기준으로 대공경(L3b)의 중심이 미스얼라인되는 영역을 포함할 수 있다. 제 2 외곽 영역(EA2)에서 상기 제 2 관통홀보다 상기 중앙 영역(CA)에서 멀리떨어진 제 3 관통홀은 소공경(S3c)의 중심을 기준으로 대공경(L3c)의 중심의 미스얼라인이 더 클 수있다.
제5 실시예는 상기 제 1 외곽 영역에 위치한 복수 개의 관통홀은 상기 중앙 영역에서 멀어질수록 소공경의 중심보다 대공경의 중심이 중앙 영역에 가까이 위치하고, 상기 제 2 외곽 영역에 위치한 복수 개의 관통홀은 상기 중앙 영역에서 멀어질수록 소공경의 중심보다 대공경의 중심이 중앙 영역에 가까이 위치하는 것을 포함할 수 있다.
일례로, 4.5G의 유효 영역부 500mm를 기준으로, 미스얼라인되는 영역을 포함하는 외곽영역(EA)은 -x축 방향의 끝단에 위치한 제 1 외곽 영역(EA1)의 1/2 영역이고, +x축 방향의 끝단에 위치한 제 2 외곽 영역(EA2)의 1/2 영역일 수 있다. 다만, 실시예는 이에 제한되지 않고 외곽 영역의 범위는 증착 마스크의 크기, 해상도에 따라 변화할 수 있다.
제5 실시예에 따른 증착 마스크는 상기 외곽 영역의 일 부분에서 대공경의 크기 및 립의 높이가 변화할 수 있다.
상기 중앙 영역(CA)에 위치한 소공경(S1)과 대공경(L1)의 크기는 제 1 외곽 영역(EA1)에서 상기 중앙 영역(CA)에 인접한 부분의 제 1 관통홀이 가지는 소공경(S2a)과 대공경(L2a)의 크기와 각각 대응될 수 있다. 상기 중앙 영역(CA)에 위치한 소공경(S1)과 대공경(L1)의 크기는 제 2 외곽 영역(EA2)에서 상기 중앙 영역(CA)에 인접한 부분의 제 1 관통홀이 가지는 소공경(S3a)과 대공경(L3a)의 크기와 각각 대응될 수 있다. 즉, 상기 외곽 영역의 적어도 일부는 대공경의 크기가 중앙 영역의 크기와 대응되는 영역을 포함할 수 있다. 외곽 영역 중 유기물질 공급원으로부터 거리가 가까이 위치함에 따라 증착 효율이 높은 위치의 대공경은 중앙영역과 같은 크기로 배치할 수 있다.
제 1 외곽 영역(EA1)에서 상기 중앙 영역(CA)으로부터 멀어질수록 대공경의 크기는 커질 수 있다. 제 1 외곽 영역(EA1)에서 상기 제 1 관통홀의 대공경(L2a)보다 상기 중앙 영역(CA)에서 멀리떨어진 제 2 관통홀의 대공경(L2b)의 크기가 더 클 수 있다. 제 1 외곽 영역(EA1)에서 상기 제 2 관통홀의 대공경(L2b)보다 상기 중앙 영역(CA)에서 멀리떨어진 제 3 관통홀의 대공경(L2c)의 크기가 더 클 수 있다.
제 2 외곽 영역(EA2)에서 상기 중앙 영역(CA)으로부터 멀어질수록 대공경의 크기는 커질 수 있다. 제 2 외곽 영역(EA2)에서 상기 제 1 관통홀의 대공경(L3a)보다 상기 중앙 영역(CA)에서 멀리떨어진 제 2 관통홀의 대공경(L3b)의 크기가 더 클 수 있다. 제 1 외곽 영역(EA1)에서 상기 제 2 관통홀의 대공경(L3b)보다 상기 중앙 영역(CA)에서 멀리떨어진 제 3 관통홀의 대공경(L3c)의 크기가 더 클 수 있다.
일례로, 4.5G의 유효 영역부 500mm를 기준으로, 대공경의 크기 및 립의 크기 변화가 나타나는 외곽영역(EA)은 -x축 방향의 끝단에 위치한 제 1 외곽 영역(EA1)의 1/2 영역이고, +x축 방향의 끝단에 위치한 제 2 외곽 영역(EA2)의 1/2 영역일 수 있다. 다만, 실시예는 이에 제한되지 않고 외곽 영역의 범위는 증착 마스크의 크기, 해상도에 따라 변화할 수 있다.
도 26b를 참조하면, 외곽 영역의 끝단에 위치한 영역이 미스얼라인되는 영역을 포함함에 따라, 증착 마스크의 전체 관통홀에서 증착 패턴이 균일하게 형성되는 것을 알 수 있다. 또한, 제 3 실시예에 따른 증착 마스크는 상기 제 1, 제 2 외곽 영역의 끝단에 위치한 영역의 복수 개의 관통홀들이 상기 중앙 영역에서 멀어질수록 대공경의 크기가 커지고, 립(LB)의 높이가 낮아짐에 따라, 증착 효율이 향상되는 것을 알 수 있다.
도 24 내지 도 26은 관통홀의 배열을 설명하기 위한 것으로, 실시예에 따른 증착 마스크는 도면의 관통홀의 개수에 한정되지 않음은 물론이다.
임의의 어느 하나의 관통홀인 기준홀의 수평 방향의 직경(Cx)과 수직 방향의 직경(Cy)를 측정하는 경우, 상기 기준홀에 인접하는 홀 들(도시된 도면에서는 총 6개) 간의 각각의 수평 방향의 직경(Cx)들 간의 편차와, 수직 방향의 직경(Cy)들 간의 편차는 2% 내지 10% 로 구현될 수 있다. 즉, 하나의 기준홀의 인접홀들 간의 크기 편차가 2% 내지 10% 로 구현하는 경우에는 증착의 균일도를 확보할 수 있다.
예를 들어, 상기 기준홀과 상기 인접홀들 간의 크기 편차는 4% 내지 9% 일 수 있다. 예를 들어, 상기 기준홀과 상기 인접홀들 간의 크기 편차는 5% 내지 7%일 수 있다. 예를 들어, 상기 기준홀과 상기 인접홀들 간의 크기 편차는 2% 내지 5% 일 수 있다.
상기 기준홀과 상기 인접홀들 간의 크기 편차가 2% 미만인 경우에는, 증착 후 OLED 패널에서 무아레 발생율이 높아질 수 있다. 상기 기준홀과 상기 인접홀들 간의 크기 편차가 10%를 초과인 경우에는, 증착 후의 OLED 패널에서 색 얼룩의 발생율이 높아질 수 있다.
상기 관통홀 직경의 평균편차는 ±5㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀 직경의 평균편차는 ±3㎛일 수 있다. 실시예는 상기 기준홀과 상기 인접홀들 간의 크기 편차를 ±3㎛ 이내로 구현함에 따라, 증착 효율이 향상될 수 있다.
상기 관통홀들은 방향에 따라, 일렬로 배치되거나 서로 엇갈려서 배치될 수 있다.
예를 들어, 상기 관통홀들은 종축에서 일렬로 배치되고, 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀들은 종축에서 일렬로 배치될 수 있고, 횡축에서 서로 엇갈려서 배치될 수 있다.
또는, 상기 관통홀들은 종축에서 서로 엇갈려서 배치될 수 있고, 횡축에서 일렬로 배치될 수 있음은 물론이다.
상기 관통홀은 수평 방향에서 측정된 제 1 직경(Cx)과, 수직 방향에서 측정된 제 2 직경(Cy)이 서로 대응되거나 서로 다를 수 있다. 상기 관통홀은 수평 방향과 수직 방향 사이의 제 1 대각선 방향에서 측정된 제 3 직경과, 상기 제 1 대각선 방향과 교차하는 제 2 대각선 방향에서 측정된 제 4 직경이 서로 대응되거나 서로 다를 수 있다. 상기 관통홀은 라운드질 수 있다.
실시 예에 의하면 증착용 마스크는 제1 면공 및 제2면공이 연통하여 형성되는 복수 개의 관통홀을 포함한다. 이때, 상기 관통홀은 습식 식각 공정을 진행한 후 전해 연마 공정을 추가적으로 진행하여 형성할 수 있다. 이에 따라, 실시 예에서의 증착용 마스크는 관통홀 내벽의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)는 증착용 마스크의 제 1면 및/또는 제 2 면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)보다 작다. 바람직하게, 실시 예에서의 증착용 마스크는 관통홀 내벽의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)가 150nm보다 작다. 더욱 바람직하게, 실시 예에서의 증착용 마스크는 관통홀 내벽의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)가 50nm~100nm 범위를 만족한다.
상기와 같은 실시 예에 따르면, 상기 증착용 마스크의 관통홀 내벽의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)를 향상시킬 수 있으며, 이에 따른 증착 마스크의 세정성을 향상시킬 수 있다. 또한, 실시 예에 따르면, 상기와 같은 세정성의 향상에 따라 상기 증착 마스크의 사용 가능 횟수를 획기적으로 증가시킬 수 있다. 또한, 실시 예에 따르면, 상기 증착용 마스크의 관통홀 내부의 내부식성을 강화할 수 있으며, 이에 따른 증착용 마스크의 품질 및 내구성을 강화할 수 있다.
또한, 종래에는 상기 습식 식각 공정만을 진행함에 따라 제 1면공에 대응하는 소면공에 대하여, 최대로 형성할 수 있는 경사각이 75°였다. 그러나, 실시 예에서는 상기와 같이 전해 연마 공정을 추가로 진행함에 따라 상기 소면공에 대한 경사각을 75°이상으로 형성할 수 있다. 바람직하게, 실시 예에서의 상기 소면공의 경사각은 75°~85° 사이의 범위를 가질 수 있다.
상기와 같은 실시 예에 따르면, 상기 증착용 마스크의 관통홀의 경사각을 증가시킴에 따라 쉐도우 효과(shadow effect)를 개선할 수 있다. 또한, 실시 예에 따르면, 상기 경사각의 증가에 따른 증착 불량을 방지할 수 있고 증착 효율을 향상시킬 수 있으며, 이에 따른 400PPI 이상의 해상도의 OLED 화소 패턴을 균일하게 증착할 수 있는 증착용 마스크의 제공이 가능하다.
또한, 실시 예에 따르면 증착용 마스크의 제1면공과 제2면공 사이의 경계면은 완만한 라운드 형태를 가지며, 이에 따른 증착용 마스크의 인장 시 높은 인장 하중에 대한 내구도를 향상시킬 수 있다.
실시 예에서는 금속판의 제1면 및 제2면을 제곱 평균 표면 거칠기를 서로 다르게 형성한다. 즉, 소공경이 형성되는 금속판의 제1면에서는 상기 소공경이 가져야 하는 특성에 맞게 제 1 제곱 평균 표면 거칠기를 적용하고, 대공경이 형성되는 제2면에서는 상기 대공경이 가져야 하는 특성에 맞게 제 2 제곱 평균 표면 거칠기를 적용한다. 상기 소공경은 증착 소소의 증착 균일도와 밀접한 관계가 있으며, 이에 따라 상기 제1면에는 소공경의 공경 균일성을 향상시키기 위해 상기 제 2 제곱 평균 표면 거칠기 대비 낮은 제 1 제곱 평균 표면 거칠기를 적용한다. 또한, 상기 대공경은 아일랜드 형상을 최대한 유지시키면서 공경 사이즈를 키우는 것이 중요하며, 이에 따라 상기 2면에는 아일랜드 형상 유지를 위해 상기 제 1 제곱 평균 표면 거칠기 대비 높은 제 2 제곱 평균 표면 거칠기를 적용한다.
상기와 같은 실시 예에 따른 증착용 마스크는, 제1면 및 제2면의 제곱 평균 표면 거칠기를 서로 다르게 부여하여, 각각의 면에서 포토레지스트와의 밀착력 및 공경 균일도를 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 실시 예에서는 상기 포토레지스트와의 밀착력 향상에 따라 아일랜드 사이즈를 최소화할 수 있으며, 이에 따른 대공경의 단면 경사각을 낮춰 증착 효율을 증가시킬 수 있다. 또한, 실시 예에서는 상기 제 1면에 대한 가공성을 향상시켜, 소공경을 보다 정밀하고 균일하게 형성할 수 있다.
실시예에 따른 OLED용 증착 마스크는 외곽 영역에 위치한 관통홀들의 형상을 중앙 영역에 위치한 관통홀과 다르도록 형성함에 따라, OLED 증착 패턴의 균일성을 향상시킬 수 있다.
실시예에 따른 OLED용 증착 마스크는 최외곽에 위치한 관통홀들이 유기 물질 공급원과의 거리가 멀고, 유기 물질 공급원과의 각도가 수직으로부터 멀어짐에 따라 증착 효율이 저하되는 문제를 해결할 수 있다.

Claims (10)

  1. OLED 화소 증착을 위한 금속재의 증착용 마스크에 있어서,
    상기 증착용 마스크는 증착 패턴을 형성하기 위한 증착 영역 및 상기 증착 영역 이외의 비증착 영역을 포함하고,
    상기 증착 영역은 길이 방향으로 이격되며 복수의 관통홀이 형성된 복수 개의 유효부 및 상기 유효부 이외의 비유효부를 포함하고,
    상기 관통홀은,
    상기 증착용 마스크의 일면 상에 형성된 소면공;
    상기 일면과 반대되는 상기 증착용 마스크의 타면상에 형성된 대면공; 및
    상기 소면공과 상기 대면공의 경계가 연결되는 연통부;를 포함하고,
    상기 소면공 및 상기 대면공 중 적어도 하나의 내측면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)는 150nm 미만인
    증착용 마스크.
  2. OLED 화소 증착을 위한 금속재의 증착용 마스크에 있어서,
    상기 증착용 마스크는
    증착을 위한 증착 영역 및 상기 증착 영역 이외의 비증착 영역을 포함하고,
    상기 증착 영역은, 복수 개의 유효부 및 상기 유효부 이외의 비유효부를 포함하고,
    상기 유효부는,
    상기 금속재의 일면 상에 형성되는 복수 개의 소면공;
    상기 금속재의 일면과 반대되는 타면 상에 형성되는 복수 개의 대면공;
    상기 소면공 및 상기 대면공을 연통하는 복수 개의 관통홀; 및
    상기 복수의 관통홀 사이에 위치하고, 상기 금속재의 비식각 영역인 아일랜드부를 포함하고,
    상기 금속재의 일면에 대응하는 상기 아일랜드부의 제1면은,
    제 1 제곱 평균 표면 거칠기를 가지고,
    상기 금속재의 타면에 대응하는 상기 아일랜드부의 제2면은,
    상기 제 1 제곱 평균 표면 거칠기와 다른 제 2 제곱 평균 표면 거칠기를 가지는,
    증착용 마스크.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 소면공 및 상기 대면공 중 적어도 하나의 내측면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)는,
    50nm 내지 100nm 사이의 범위를 만족하는
    증착용 마스크.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 소면공의 내측면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)는,
    상기 소면공이 형성되는 상기 일면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)보다 작은
    증착용 마스크.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 대면공의 내측면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)는,
    상기 대면공이 형성되는 상기 타면의 제곱 평균 표면 거칠기(RMS)보다 작은
    증착용 마스크.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 소면공이 가지는 제 1 직경은,
    상기 연통부가 가지는 제 2 직경보다 크며,
    상기 제 1 직경은,
    상기 제 2 직경의 1.2배 이하인
    증착용 마스크.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 제 1 직경은,
    상기 제 2 직경의 1.05배 내지 1.1배 사이의 범위를 가지는
    증착용 마스크.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 소면공의 내측면에는 제 1 변곡점이 형성되고,
    상기 소면공의 내측면은,
    상기 증착용 마스크의 일면과 상기 제 1 변곡점 사이에 형성된 제 1 서브 제 1 내측면과,
    상기 제 1 변곡점과 상기 연통부 사이에 형성된 제 2 서브 제 1 내측면을 포함하는
    증착용 마스크.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 대면공의 내측면에는 제 2 변곡점이 형성되고,
    상기 대면공의 내측면은,
    상기 증착용 마스크의 타면과 상기 제 2 변곡점 사이에 형성된 제 1 서브 제 2 내측면과,
    상기 제 2 변곡점과 상기 연통부 사이에 형성된 제 2 서브 제 2 내측면을 포함하는
    증착용 마스크.
  10. 제2항에 있어서,
    상기 제 1 제곱 평균 표면 거칠기는,
    상기 제 2 제곱 평균 표면 거칠기보다 작고,
    상기 제 1 제곱 평균 표면 거칠기는,
    150nm 내지 200nm 사이의 범위를 가지고,
    상기 제 2 제곱 평균 표면 거칠기는,
    200nm 내지 250nm 사이의 범위를 가지는
    증착용 마스크.
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