CN117769337A - 制造用于有机发光二极管沉积的沉积掩模的方法 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及制造用于有机发光二极管沉积的沉积掩模的方法，包括：准备具有长轴和短轴的金属板；以拉力沿长轴方向拉拔金属板；在被拉拔的金属板上形成包括光致抗蚀剂层的掩模图案；形成穿透被拉拔的金属板的一个表面和另一表面的多个通孔。金属板包括沿长轴方向延伸且沿短轴方向间隔开的第一边缘及第二边缘。在拉拔金属板时，根据差异施加拉力以使得第一边缘长度和第二边缘长度沿着长轴彼此对应。被拉拔的金属板上的被拉拔的掩模图案包括沿长轴方向延伸且沿短轴方向间隔开的第三边缘和第四边缘。在被拉拔的掩模图案中，第三边缘的长度与第四边缘的长度不同，在长轴方向上邻近的通孔中的每个通孔的中心间距从第三边缘朝向第四边缘变得更远。

Description

制造用于有机发光二极管沉积的沉积掩模的方法
本申请是国际申请日为2018年10月22日、中国国家申请号为201880074235.1(国际申请号为PCT/KR2018/012484)且发明名称为“用于沉积的掩模及用于制造该掩模的方法”的申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及能够使长度偏差最小化的沉积掩模及制造该沉积掩模的方法。
背景技术
显示装置通过应用于各种装置来使用。例如，显示装置通过不仅应用于诸如智能电话和平板电脑之类的小型装置而且应用于诸如电视、监测器和公共显示器(PD)之类的大型装置来使用。特别地，近来，对500像素每英寸(PPI)或更高像素的超高清(UHD)的需求已经增加，并且高分辨率显示装置已经应用于小型装置和大型装置。因此，对用于实现低功率和高分辨率的技术的兴趣日益增加。
通常使用的显示装置可以根据驱动方法大致分类成液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)等。
LCD是通过使用液晶驱动的显示装置，并且LCD具有下述结构：在该结构中，在液晶的下部部分处设置有包括冷阴极荧光灯(CCFL)、发光二极管(LED)等的光源。LCD是通过使用设置在光源上的液晶控制从光源发射的光量来驱动的显示装置。
另外，OLED是通过使用有机材料驱动且不需要独立光源的显示装置，并且有机材料本身可以充当光源并且可以以低功耗来驱动。另外，OLED作为可以表现出无限的对比度、具有比LCD快约1000倍的响应速度、并且可以以极好的视角代替LCD的显示装置而引起关注。
具体地，包括在OLED的发光层中的有机材料可以通过称为精细金属掩模(FMM)的沉积掩模沉积在基板上，并且经沉积的有机材料可以形成为与形成在沉积掩模上的图案相对应的图案以用作像素。通常，沉积掩模由包含铁(Fe)和镍(Ni)的殷钢合金的金属板制成。在这种情况下，在金属板的一个表面和另一表面上可以形成有穿过一个表面和另一表面的通孔，并且通孔可以形成在与像素图案相对应的位置处。因此，有机材料比如红色、绿色、蓝色的有机材料可以通过金属板的通孔沉积在基板上，并且像素图案可以形成在基板上。
金属板可以通过轧制工艺制造，并且金属板可以具有包括长轴和短轴的矩形形状。另外，金属板可能会由于轧制工艺等而包含应力，并且在金属板中可能会发生翘曲现象(波变形)。由此，金属板的长轴方向上的两个棱边(corners)的长度可能彼此不同。
沉积掩模可以通过以辊对辊方法供给金属板来制造，并且金属板可以在通过辊对辊方法施加预定量的拉力的状态下被供给。此外，在用于在金属板上形成通孔的图案化过程中，可以向金属板进一步施加单独的拉力。
也就是说，当在进一步施加单独的拉力的状态下在金属板上形成掩模图案并且单独的拉力被移除时，所形成的掩模图案可能由于上述翘曲现象而不均匀。因此，形成在金属板上的掩模图案的形状的均匀性和通孔的位置的均匀性可能会劣化，并且存在通孔的直径不均匀的问题，并且因此存在图案沉积效率可能会降低的问题，并且可能发生沉积不良。
因此，需要一种能够解决上述问题的新型沉积掩模及一种制造该沉积掩模的方法。
发明内容
技术问题
实施方式旨在提供一种能够使形成在金属板上的掩模图案的长度偏差最小化的沉积掩模及制造该沉积掩模的方法。
另外，实施方式旨在提供一种可以通过均匀地形成掩模图案和通孔的形状及位置来实现高分辨率的沉积掩模及制造该沉积掩模的方法。
技术方案
实施方式涉及一种制造用于OLED像素沉积的沉积掩模的方法，该方法包括：准备金属板；在金属板的一个表面上设置第一光致抗蚀剂层，并且通过对第一光致抗蚀剂层进行曝光和显影而使第一光致抗蚀剂层图案化；通过对图案化的第一光致抗蚀剂层的开口部分进行半蚀刻而在金属板的所述一个表面上形成第一凹槽；在金属板的与所述一个表面相反的另一表面上设置第二光致抗蚀剂层，并且通过对第二光致抗蚀剂层进行曝光和显影而使第二光致抗蚀剂层图案化；通过对图案化的第二光致抗蚀剂层的开口部分进行半蚀刻而形成连接至第一凹槽的通孔；以及通过移除第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层而在金属板上形成掩模图案，其中，金属板具有由以下等式1表示的平直度值，并且金属板的平直度为0.006％或更小。
另外，在根据实施方式的用于OLED像素沉积的由金属材料制成的沉积掩模中，该沉积掩模包括用于形成沉积图案的沉积区域和除沉积区域之外的非沉积区域，其中，沉积区域包括非图案区域和包括有效部分的图案区域，其中，有效部分包括：多个小表面孔，所述多个小表面孔形成在金属材料的一个表面上；多个大表面孔，所述多个大表面孔形成在金属材料的与所述一个表面相反的另一表面上；多个通孔，所述多个通孔分别将小表面孔和大表面孔连通；以及岛状部分，该岛状部分形成在邻近的通孔之间，其中，通孔具有400PPI或更高的分辨率，并且金属材料具有由以下等式1表示的平直度值，并且金属材料的平直度为0.006％或更小。
[等式1]平直度(％)＝(dx/d0)*100
(平直度是基于沿金属材料的长轴方向延伸的参考线定义的，并且平直度指的是表示在金属材料的短轴方向上距参考线最远的距离(dx)与参考线的长度(d0)的比值。)
有利效果
根据实施方式的沉积掩模可以形成均匀的掩模图案。具体地，当在金属板上形成掩模图案时，可以根据金属板的长度偏差而施加不同的拉力以制造掩模图案。因此，可以在已经去除拉力的金属板上形成均匀的掩模图案。因此，根据实施方式的沉积掩模可以具有更精确且更均匀的通孔，并且可以均匀地沉积具有400PPI或更高的分辨率、500PPI或更高的高分辨率、以及800PPI或更高的超高分辨率的OLED像素图案。
附图说明
图1至图3是描述了使用根据实施方式的沉积掩模在基板上沉积有机材料的过程的概念图。
图4是示出了根据实施方式的沉积掩模的平面图的视图。
图5是示出了根据实施方式的沉积掩模的有效部分的平面图的视图。
图6是根据实施方式的沉积掩模的有效部分的从平面观察的显微镜图像。
图7是示出了根据实施方式的沉积掩模的另一平面图的视图。
图8是在图5或图6中沿着线A-A’截取的横截面图和沿着线B-B’截取的横截面图重叠的视图。
图9是示出了沿着图5或图6中的线B-B’截取的横截面图的视图。
图10是示出了作为根据实施方式的沉积掩模的原材料的金属板被卷绕的立体图和平面图的视图。
图11和图12是示出了根据实施方式的沉积掩模的制造过程的视图。
图13是示出了根据比较性示例的沉积掩模的制造过程的视图。
图14和图15是示出了通过根据实施方式的沉积掩模形成的沉积图案的视图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细地描述根据本发明的构型和操作。在以下参照附图的描述中，无论附图标记如何，相同的元件由相同的附图标记表示，并且将省略对相同的元件的冗余描述。术语“第一”、“第二”等可以用于描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。
另外，在实施方式的描述中，将理解的是，层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一层(或膜)、区域、衬垫或图案“上/上方”或“下面”既包括“直接地”的含义，也包括“通过插置另一层(间接地)”的含义。此外，将参照附图来描述关于在每层“上/上方”或“下面”的参考。
另外，当部件被称为“连接”至另一部件时，其包括“直接连接”的情况，但也包括通过该部件与另一部件之间的另一构件“间接连接”的情况。此外，当元件被称为“包括”其他元件时，其意味着该元件可以包括其他元件，除非特别说明，否则不排除另一元件。
在下文中，将参照附图对根据实施方式的沉积掩模进行描述。
图1至图3是描述了使用根据实施方式的沉积掩模100在基板300上沉积有机材料的过程的概念图。
图1是示出了包括根据实施方式的沉积掩模100的有机材料沉积设备的示意图，并且图2是示出了根据实施方式的沉积掩模100被拉拔以安置在掩模框架200上的视图。另外，图3是示出了通过沉积掩模100的多个通孔在基板300上形成多个沉积图案的视图。
参照图1至图3，有机材料沉积设备可以包括沉积掩模100、掩模框架200、基板300、有机材料沉积容器400和真空室500。
沉积掩模100可以包括金属。例如，沉积掩模可以包括铁(Fe)和镍(Ni)。
沉积掩模100可以在用于沉积的有效部分处包括多个通孔TH。沉积掩模100可以是包括多个通孔TH的用于沉积掩模的基板。在这种情况下，通孔可以形成为与要在基板上形成的图案相对应。除了包括沉积区域的有效部分之外，沉积掩模100还可以包括非有效部分。
掩模框架200可以包括开口。沉积掩模100的多个通孔可以设置在与开口对应的区域上。因此，供给至有机材料沉积容器400的有机材料可以沉积在基板300上。沉积掩模100可以设置并固定在掩模框架200上。例如，沉积掩模100可以被拉拔并通过焊接固定在掩模框架200上。
沉积掩模100可以在设置于沉积掩模100的最外部部分上的端部处沿相反的方向被拉拔。在沉积掩模100中，沉积掩模100的一个端部和与该一个端部相对的另一端部可以在沉积掩模100的纵向方向上沿相反的方向被拉拔。沉积掩模100的一个端部和另一端部可以彼此面向并且平行地设置。沉积掩模100的一个端部可以是形成设置在沉积掩模100的最外部部分上的四个侧表面的端部部分中的一个端部部分。例如，沉积掩模100可以以0.1kgf至2kgf的拉力被拉拔。具体地，沉积掩模100可以以0.4kgf至1.5kgf的拉力被拉拔以固定在掩模框架200上。因此，沉积掩模100的应力可以被减小。然而，实施方式不限于此，并且沉积掩模100可以通过能够使沉积掩模100的应力减小的各种拉力来拉拔，以固定在掩模框架200上。
然后，沉积掩模100可以通过对沉积掩模100的非有效部分进行焊接而固定至掩模框架200。随后，沉积掩模100的设置在掩模框架200外部的部分可以通过比如切割的方法移除。
基板300可以是用于制造显示装置的基板。例如，基板300可以是用于沉积用于OLED像素图案的有机材料的基板300。红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的图案可以形成在基板300上，以形成作为光的三种原色的像素。也就是说，可以在基板300上形成RGB图案。
有机材料沉积容器400可以是坩埚。有机材料可以设置在坩埚的内部。
当在真空室500中向坩埚供给热源和/或电流时，有机材料可以沉积在基板100上。
参照图3，沉积掩模100可以包括一个表面101和与该一个表面相反的另一表面102。
沉积掩模100的一个表面101可以包括小表面孔Vl，而另一表面可以包括大表面孔V2。沉积掩模100的一个表面101和另一表面102可以分别包括多个小表面孔V1和多个大表面孔V2。
另外，沉积掩模100可以包括通孔TH。通孔可以通过连通部分连通，小表面孔V1和大表面孔V2的边界连接至该连通部分。
沉积掩模100可以在小表面孔V1中包括第一蚀刻表面ES1。沉积掩模100可以在大表面孔V2中包括第二蚀刻表面ES2。通孔TH可以通过使小表面孔V1中的第一蚀刻表面ES1和大表面孔V2中的第二蚀刻表面ES2彼此连通来形成。例如，一个小表面孔V1中的第一蚀刻表面ES1可以与一个大表面孔V2中的第二蚀刻表面ES2连通以形成一个通孔。因此，通孔TH的数目可以与小表面孔V1和大表面孔V2的数目相对应。
大表面孔V2的宽度可以大于小表面孔V1的宽度。此时，小表面孔V1的宽度可以在沉积掩模100的一个表面101处测量，并且大表面孔V2的宽度可以在沉积掩模100的另一表面102处测量。
小表面孔V1可以朝向基板300设置。小表面孔V1可以靠近基板300设置。因此，小表面孔V1可以具有与沉积材料、即沉积图案DP相对应的形状。
大表面孔V2可以朝向有机材料沉积容器400设置。因此，大表面孔V2可以以宽的宽度容纳从有机材料沉积容器400供给的有机材料，并且可以通过具有比大表面孔V2的宽度小的宽度的小表面孔V1在基板300上快速形成精细图案。
图4是示出了根据实施方式的沉积掩模100的平面图的视图。参照图4，将更详细地描述沉积掩模100。
参照图4，根据实施方式的沉积掩模100可以包括沉积区域DA和非沉积区域NDA。
沉积区域DA可以是用于形成沉积图案的区域。沉积区域DA可以包括图案区域和非图案区域。图案区域可以是包括小表面孔V1、大表面孔V2、通孔TH和岛状部分IS的区域，并且非图案区域可以是不包括小表面孔V1、大表面孔V2、通孔TH和岛状部分IS的区域。
另外，一个沉积掩模100可以包括多个沉积区域DA。例如，实施方式的沉积区域DA可以包括能够形成多个沉积图案的多个有效部分AA1、AA2和AA3。图案区域可以包括多个有效部分AA1、AA2和AA3。
多个有效部分可以包括第一有效部分AA1、第二有效部分AA2和第三有效部分AA3。此处，一个沉积区域DA可以是第一有效部分AA1、第二有效部分AA2和第三有效部分AA3中的任何一者。
在小型显示装置比如智能电话的情况下，包括在沉积掩模100中的多个沉积区域中的任何一个沉积区域的有效部分可以是用于形成一个显示装置的有效部分。因此，一个沉积掩模100可以包括多个有效部分以同时形成多个显示装置。因此，根据实施方式的沉积掩模可以提高处理效率。
替代性地，在大型显示装置比如电视的情况下，包括在一个沉积掩模中的多个有效部分可以是用于形成一个显示装置的一部分。在这种情况下，多个有效部分可以用于防止由于掩模的载荷引起的变形。
沉积区域DA可以包括被包括在一个沉积掩模中的多个隔离区域IA1和IA2。隔离区域IA1和IA2可以设置在邻近的有效部分之间。隔离区域IA1和IA2可以是多个有效部分之间的间隔区域。例如，第一隔离区域IA1可以设置在第一有效部分AA1与第二有效部分AA2之间。此外，第二隔离区域IA2可以设置在第二有效部分AA2与第三有效部分AA3之间。也就是说，隔离区域IA1和IA2可以将邻近的有效区域区分开，并且一个沉积掩模100可以支承多个有效部分。
沉积掩模100可以在沉积区域DA的纵向方向上的两侧部分包括非沉积区域NDA。根据实施方式的沉积掩模100可以在沉积区域DA的水平方向上的两侧包括非沉积区域NDA。
沉积掩模100的非沉积区域NDA可以是不参与沉积的区域。非沉积区域NDA可以包括用于将沉积掩模固定至掩模框架的框架固定区域FA1和FA2。另外，非沉积区域NDA可以包括半蚀刻部分HF1和HF2。
如上所述，沉积区域DA可以是用于形成沉积图案的区域，而非沉积区域NDA可以是不参与沉积的区域。在这种情况下，在沉积掩模100的沉积区域DA中可以形成与金属板10的材料不同的表面处理层，并且表面处理层可以不形成在非沉积区域NDA中。替代性地，与金属板10的材料不同的表面处理层可以仅形成在沉积掩模100的一个表面101和另一表面102中的任何一个表面上。替代性地，与金属板10的材料不同的表面处理层可以仅形成在沉积掩模100的一个表面101的一部分上。例如，沉积掩模的一个表面和/或另一表面、以及沉积掩模100的整体和/或一部分可以包括具有比金属板10的材料的蚀刻速率低的蚀刻速率的表面处理层，从而改善了蚀刻因子。因此，实施方式的沉积掩模100可以高效地形成具有精细尺寸的通孔。作为示例，实施方式的沉积掩模100可以具有400PPI或更高的分辨率。具体地，沉积掩模100可以高效地形成具有500PPI或更高的高分辨率的沉积图案。此处，表面处理层可以包括与金属板10的材料不同的材料，或者可以包括具有相同元素的不同组成的金属材料。就这一点而言，将在稍后描述的沉积掩模的制造过程中更详细地描述。
非沉积区域NDA可以包括半蚀刻部分HF1和HF2。例如，沉积掩模100的非沉积区域NDA可以在沉积区域DA的一侧包括第一半蚀刻部分HF1，并且可以在与沉积区域DA的一侧相对的另一侧包括第二半蚀刻部分HF2。第一半蚀刻部分HF1和第二半蚀刻部分HF2可以是其中在沉积掩模100的深度方向上形成凹槽的区域。第一半蚀刻部分HF1和第二半蚀刻部分HF2可以具有厚度为沉积掩模的约1/2的凹槽，从而在拉拔沉积掩模100时分散应力。另外，优选的是将半蚀刻部分HF1和HF2形成为相对于沉积掩模100的中心在X轴方向或Y轴方向上对称。因此，可以均匀地控制两个方向上的拉力。
半蚀刻部分HF1和HF2可以形成为各种形状。半蚀刻部分HF1和HF2可以包括半圆形形状的凹槽部分。凹槽可以形成在沉积掩模100的一个表面101和与该一个表面101相反的另一表面102中的至少一个表面上。优选地，半蚀刻部分HF1和HF2可以形成在与小表面孔V1相对应的表面上。因此，半蚀刻部分HF1和HF2可以与小表面孔V1同时形成，从而提高处理效率。另外，半蚀刻部分HF1和HF2可以使可能由于大表面孔V2之间的尺寸差异而产生的应力分散。然而，实施方式不限于此，并且半蚀刻部分HF1和HF2可以具有四边形形状。例如，半蚀刻部分HF1和第二半蚀刻部分HF2可以具有矩形或正方形形状。因此，沉积掩模100可以有效地分散应力。
另外，半蚀刻部分HF1和HF2可以包括弯曲表面和平坦表面。第一半蚀刻部分HF1的平坦表面可以设置成与第一有效区域AA1邻近，并且平坦表面可以水平地设置成具有在沉积掩模100的纵向方向上的端部。第一半蚀刻部分HF1的弯曲表面可以具有朝向沉积掩模100的纵向方向上的一个端部的凸形形状。例如，第一半蚀刻部分HF1的弯曲表面可以形成为使得在沉积掩模100的竖向方向上的长度的1/2点对应于半圆形形状的半径。
此外，第二半蚀刻部分HF2的平坦表面可以设置成与第三有效区域AA3邻近，并且平坦表面可以水平地设置成具有在沉积掩模100的纵向方向上的端部。第二半蚀刻部分HF2的弯曲表面可以具有朝向沉积掩模100的纵向方向上的另一端部的凸形形状。例如，第二半蚀刻部分HF2的弯曲表面可以形成为使得在沉积掩模100的竖向方向上的长度的1/2点对应于半圆形形状的半径。
半蚀刻部分HF1和HF2可以在形成小表面孔V1或大表面孔V2时同时形成。因此，可以提高处理效率。另外，形成在沉积掩模100的一个表面101和另一表面102上的凹槽可以形成为彼此移位。因此，半蚀刻部分HF1和HF2可以不被穿通。
另外，根据实施方式的沉积掩模100可以包括四个半蚀刻部分。例如，半蚀刻部分HF1和HF2可以包括偶数个半蚀刻部分HF1和HF2，从而更有效地分散应力。
另外，半蚀刻部分HF1和HF2还可以形成在沉积区域DA的非有效部分UA中。例如，半蚀刻部分HF1和HF2可以在非有效部分UA的整体或一部分中分散成以复数的形式设置，以分散当拉拔沉积掩模100时的应力。
另外，半蚀刻部分HF1和HF2可以形成在框架固定区域FA1和FA2以及/或者框架固定区域FA1和FA2的外周缘区域中。因此，可以均匀地分散沉积掩模100的当将沉积掩模100固定至掩模框架200时和/或当在将沉积掩模100固定至掩模框架200之后将沉积材料沉积时产生的应力。因此，可以将沉积掩模100保持成具有均匀的通孔。
也就是说，根据实施方式的沉积掩模100可以包括多个半蚀刻部分。详细地，根据实施方式的沉积掩模100被示出为仅在非沉积区域NDA中包括半蚀刻部分HF1和HF2，但是实施方式不限于此，并且沉积区域DA和非沉积区域NDA中的至少一个区域还可以包括多个半蚀刻部分。因此，可以均匀地分散沉积掩模100的应力。
非沉积区域NDA可以包括用于将沉积掩模100固定至掩模框架200的框架固定区域FA1和FA2。例如，非沉积区域NDA可以在沉积区域DA的一侧包括第一框架固定区域FA1，并且可以在与沉积区域DA的一侧相对的另一侧包括第二框架固定区域FA2。第一框架固定区域FA1和第二框架固定区域FA2可以是通过焊接固定至掩模框架200的区域。
框架固定区域FA1和FA2可以设置在非沉积区域NDA的半蚀刻部分HF1和HF2与沉积区域DA的邻近于半蚀刻部分HF1和HF2的有效部分之间。例如，第一框架固定区域FA1可以设置在非沉积区域NDA的第一半蚀刻部分HF1与沉积区域DA的邻近于第一半蚀刻部分HF1的第一有效部分AA1之间。例如，第二框架固定区域FA2可以设置在非沉积区域NDA的第二半蚀刻部分HF2与沉积区域DA的邻近于第二半蚀刻部分HF2的第三有效部分AA3之间。因此，可以同时固定多个沉积图案部分。
另外，沉积掩模100可以在水平方向X上的两个端部处包括半圆形形状的开口部分。例如，非沉积区域NDA可以包括开口部分。详细地，非沉积区域NDA可以在水平方向上的两个端部中的每个端部处包括一个半圆形形状的开口部分。例如，沉积掩模100的非沉积区域NDA可以包括开口部分，该开口部分的在竖向方向Y上的中心在水平方向上的一侧敞开。例如，沉积掩模100的非沉积区域NDA可以包括开口部分，该开口部分的在竖向方向上的中心在与水平方向上的一侧相对的另一侧敞开。也就是说，沉积掩模100的两个端部可以在竖向方向上的长度的1/2点处包括开口部分。例如，沉积掩模100的两个端部可以定形状成如马蹄形。
在这种情况下，开口部分的弯曲表面可以向半蚀刻部分HF1和HF2定向。因此，在沉积掩模100的两个端部处的开口部分可以在第一半蚀刻部分HF1和HF2或第二半蚀刻部分HF1和HF2以及沉积掩模100的竖向方向上的长度的1/2点处具有最短的分离距离。
另外，第一半蚀刻部分HF1或第二半蚀刻部分HF2的竖向方向上的长度h1可以与开口部分的竖向方向上的长度h2相对应。因此，当沉积掩模100被拉拔时，应力可以均匀地分散，使得可以减小沉积掩模的变形(波变形)。因此，根据实施方式的沉积掩模100可以具有均匀的通孔，使得可以提高图案的沉积效率。优选地，第一半蚀刻部分HF1或第二半蚀刻部分HF2的竖向方向上的长度h1可以是开口部分的竖向方向上的长度h2的约80％至200％(h1：h2＝0.8至2：1)。第一半蚀刻部分HF1或第二半蚀刻部分HF2的竖向方向上的长度h1可以是开口部分的竖向方向上的长度h2的约90％至约150％(h1：h2＝0.9至1.5：1)。第一半蚀刻部分HF1或第二半蚀刻部分HF2的竖向方向上的长度h1可以是开口部分的竖向方向上的长度h2的约95％至约110％(h1：h2＝0.95至1.1：1)。
另外，尽管在附图中未示出，但是半蚀刻部分还可以形成在沉积区域DA的非有效部分UA中。半蚀刻部分可以在非有效部分UA的整体或一部分中分散成以复数的形式设置，以分散当拉拔沉积掩模100时的应力。
另外，半蚀刻部分HF1和HF2可以形成在框架固定区域FA1和FA2以及/或者框架固定区域的外周缘区域中。因此，可以均匀地分散沉积掩模100的当将沉积掩模100固定至掩模框架200时和/或当在将沉积掩模100固定至掩模框架200之后将沉积材料沉积时产生的应力。因此，可以将沉积掩模100保持成具有均匀的通孔。
沉积掩模100可以包括在纵向方向上间隔开的多个有效部分AA1、AA2和AA3以及除有效部分之外的非有效部分UA。详细地，沉积区域DA可以包括多个有效部分AA1、AA2和AA3以及除有效部分AA之外的非有效部分UA。
沉积掩模可以包括在纵向方向上间隔开的多个有效部分AA1、AA2和AA3以及除有效部分之外的非有效部分UA。
有效部分AA1、AA2和AA3可以包括形成在沉积掩模100的一个表面上的多个小表面孔Vl、形成在与该一个表面相反的另一表面上的多个大表面孔V2、由连通部分CA形成的通孔TH，小表面孔V1与大表面孔V2之间的边界连接在该连通部分CA中。
另外，有效部分AA1、AA2和AA3可以包括支承在多个通孔TH之间的岛状部分IS。
岛状部分IS可以定位在多个通孔TH中的邻近的通孔之间。也就是说，在沉积掩模100的有效部分AA1、AA2和AA3中，除了通孔TH以外的区域可以是岛状部分IS。
岛状部分IS可以指的是当形成通孔时在沉积掩模的有效部分的一个表面101或另一表面102中未被蚀刻的部分。详细地，岛状部分IS可以是沉积掩模100的有效部分的大表面孔V2形成所在的另一表面102上的通孔TH与通孔TH之间的未蚀刻区域。因此，岛状部分IS可以与沉积掩模100的一个表面101平行设置。详细地，岛状部分IS的上表面可以与一个表面101平行设置。
岛状部分IS可以与沉积掩模100的另一表面102共面设置。因此，岛状部分IS可以具有与沉积掩模100的另一表面102上的非有效部分的至少一部分相同的厚度。详细地，岛状部分IS可以具有与沉积掩模100的另一表面102上的非有效部分的未蚀刻部分相同的厚度。因此，可以通过沉积掩模100提高子像素的沉积均匀性。
替代性地，岛状部分IS可以设置在与沉积掩模100的另一表面102平行的平坦表面中。此处，平行的平坦表面可以包括：通过围绕岛状部分IS的蚀刻工艺，沉积掩模100的设置有岛状部分IS的另一表面和非有效部分的未蚀刻沉积掩模100的另一表面的高度差为±1μm或更小。
沉积掩模100可以包括设置在有效区域的外周缘处的非有效部分UA。有效部分AA可以是多个通孔中的位于最外部部分处用于沉积有机材料的通孔的外周缘所连接的内部区域。非有效部分UA可以是多个通孔中的位于最外部部分处用于沉积有机材料的通孔的外周缘所连接的外部区域。
非有效部分UA是除了沉积区域DA的有效部分AA1、AA2和AA3以及非沉积区域NDA之外的区域。非有效部分UA可以包括围绕有效部分AA1、AA2和AA3的外周缘的外部区域OA1、OA2和OA3。
外部区域OA1、OA2和OA3的数目可以与有效部分AAl、AA2和AA3的数目相对应。也就是说，一个有效部分可以包括在水平方向和竖向方向上与一个有效部分的端部以预定距离间隔开的一个外部区域。
第一有效部分AA1可以被包括在第一外部区域OA1中。第一有效部分AA1可以包括用于形成沉积材料的多个通孔TH。围绕第一有效部分AA1的外周缘的第一外部区域OA1可以包括多个通孔。
例如，包括在第一外部区域OA1中的多个通孔用于减少位于有效部分的最外部部分处的通孔TH的蚀刻不良。因此，根据实施方式的沉积掩模100可以提高位于有效部分AA1、AA2和AA3中的多个通孔的均匀性，并且可以提高通过沉积掩模100形成的沉积图案的质量。
另外，第一有效部分AA1的通孔TH的形状可以与第一外部区域OA1的通孔TH的形状相对应。因此，可以提高包括在第一有效部分AA1中的通孔的均匀性。例如，第一有效部分AA1的通孔TH的形状和第一外部区域OA1的通孔的形状可以为圆形形状。然而，实施方式不限于此，并且通孔TH可以具有各种形状，比如菱形图案、椭圆形图案等。
第二有效部分AA2可以被包括在第二外部区域OA2中。第二有效部分AA2可以具有与第一有效部分AA1相对应的形状。第二外部区域OA2可以具有与第一外部区域OA1相对应的形状。
第二外部区域OA2还可以从位于第二有效部分AA2的最外部部分处的通孔开始分别在水平方向和竖向方向上包括两个通孔。例如，在第二外部区域OA2中，在位于第二有效部分AA2的最外部部分处的通孔的上部部分和下部部分处分别可以在水平方向上成排地设置两个通孔。例如，在第二外部区域OA2中，在位于第二有效部分AA2的最外部部分处的通孔的左侧和右侧处分别可以在竖向方向上成行地设置两个通孔。包括在第二外部区域OA2中的多个通孔用于减小位于有效部分的最外部部分处的通孔的蚀刻不良。因此，根据实施方式的沉积掩模可以提高位于有效部分中的多个通孔的均匀性，并且可以提高通过沉积掩模制造的沉积图案的质量。
第三有效部分AA3可以被包括在第三外部区域OA3中。第三有效部分AA3可以包括用于形成沉积材料的多个通孔。围绕第三有效部分AA3的外周缘的第三外部区域OA3可以包括多个通孔。
第三有效部分AA3可以呈与第一有效部分AA1的形状相对应的形状。第三外部区域OA3可以呈与第一外部区域OA1的形状相对应的形状。
包括在有效部分AA1、AA2和AA3中的通孔TH的形状可以与包括在非有效部分UA中的通孔的形状部分对应。作为示例，包括在有效部分AA1、AA2和AA3中的通孔可以具有与位于非有效部分UA的边缘部分处的通孔的形状不同的形状。因此，可以根据沉积掩模100的位置来调节应力差。
图5和图6是示出了根据实施方式的沉积掩模100的有效部分的平面图的视图，并且图7是示出了根据实施方式的沉积掩模的另一平面图的视图。
图5至图7可以是根据实施方式的沉积掩模100的第一有效部分AA1、第二有效部分AA2和第三有效部分AA3中的任何一者的平面图。另外，图5至图7示出了通孔TH的形状以及通孔TH之间的布置，并且根据实施方式的沉积掩模100不限于附图中所示出的通孔TH的数目。
参照图5至图7，沉积掩模100可以包括多个通孔TH。在这种情况下，通孔TH可以成排设置或者可以根据方向彼此交叉设置。例如，通孔TH可以沿竖向轴线成排设置，并且可以沿水平轴线成排设置。
首先，参照图5和图6，沉积掩模100可以包括多个通孔TH。此时，多个通孔TH可以具有圆形形状。详细地，通孔TH可以具有水平方向上的直径Cx和竖向方向上的直径Cy，并且通孔TH的在水平方向上的直径Cx和在竖向方向上的直径Cy可以彼此对应。
通孔TH可以根据方向成排设置。例如，通孔TH可以沿竖向轴线和水平轴线成排设置。
具体地，第一通孔TH1和第二通孔TH2可以沿水平轴线成排设置。另外，第三通孔TH1和第四通孔TH4可以沿水平轴线成排设置。
另外，第一通孔TH1和第三通孔TH3可以沿竖向轴线成排设置。另外，第二通孔TH2和第四通孔TH4可以沿水平轴线成排设置。
也就是说，当通孔TH沿竖向轴线和水平轴线成排设置时，岛状部分IS被安置在沿对角线方向彼此邻近的两个通孔TH之间，在该对角线方向上竖向轴线和水平轴线两者相交。也就是说，岛状部分IS可以位于在对角线方向上相对于彼此定位的两个邻近的通孔TH之间。
例如，岛状部分IS可以设置在第一通孔TH1与第四通孔TH4之间。此外，岛状部分IS可以设置在第二通孔TH2与第三通孔TH3之间。岛状部分IS分别沿相对于横穿两个邻近的通孔的水平轴线成约+45度的倾斜角方向和约-45度的倾斜角方向设置。此处，约±45的倾斜角方向可以表示水平轴线与竖向轴线之间的对角线方向，并且对角线倾斜角在水平轴线与竖向轴线的同一平面上来测量。
另外，参照图7，根据实施方式的另一沉积掩模100可以包括多个通孔。此时，多个通孔可以具有椭圆形状。详细地，通孔的在水平方向上的直径Cx和在竖向方向上的直径Cy可以彼此不同。例如，通孔的在水平方向上的直径Cx可以大于在竖向方向上的直径Cy。然而，实施方式不限于此，并且当然，通孔可以具有矩形形状、八边形形状或圆形八边形形状。
通孔TH可以在竖向轴线和水平轴线中的任何一者上成排设置，并且可以在另一轴线上彼此交叉设置。
具体地，第一通孔TH1和第二通孔TH2可以在水平轴线上成排设置，并且第三通孔TH1和第四通孔TH4分别可以在竖向轴线上与第一通孔TH1和第二通孔TH2交叉设置。
当通孔TH在竖向轴线和水平轴线中的任何一个方向上成排设置并且在另一方向上交叉时，岛状部分IS可以定位在竖向轴线和水平轴线中的另一方向上的两个邻近的通孔TH1与TH2之间。替代性地，岛状部分IS可以定位在彼此邻近的三个通孔TH1、TH2和TH3之间。三个邻近的通孔TH1、TH2和TH3中的两个通孔TH1和TH2是成排设置的通孔，并且剩余的一个通孔TH3可以指的是可以在与排的方向相对应的方向上设置在邻近的位置处的两个通孔TH1与TH2之间的区域中的通孔。岛状部分IS可以设置在第一通孔TH1、第二通孔TH2和第三通孔TH3之间。替代性地，岛状部分IS可以设置在第二通孔TH2、第三通孔TH3和第四通孔TH4之间。
另外，在根据实施方式的沉积掩模100中，在测量作为通孔中的任何一个通孔的参考孔的水平方向上的直径Cx和竖向方向上的直径Cy的情况下，与参考孔邻近的孔中的每个孔的在水平方向上的直径Cx之间的偏差和在竖向方向上的直径Cy之间的偏差可以实现为2％至10％。也就是说，当将一个参考孔的邻近孔之间的尺寸偏差实现为2％至10％时，可以确保沉积均匀性。参考孔与邻近孔之间的尺寸偏差可以是4％至9％。例如，参考孔与邻近孔之间的尺寸偏差可以为5％至7％。例如，参考孔与邻近孔之间的尺寸偏差可以是2％至5％。当参考孔与邻近孔之间的尺寸偏差小于2％时，会使沉积之后OLED面板中的莫尔条纹(moire)的发生率增加。当参考孔与邻近孔之间的尺寸偏差大于10％时，会使沉积之后OLED面板中的颜色不均匀的发生率增加。通孔的直径的平均偏差可以是±5μm。例如，通孔的直径的平均偏差可以是±3μm。例如，通孔的直径的平均偏差可以是±1μm。在实施方式中，可以通过将参考孔与邻近孔之间的尺寸偏差实现在±3μm以内来提高沉积效率。
图5至图7的岛状部分IS可以指的是沉积掩模100的形成有效部分AA的大表面孔V2的另一表面中的位于通孔TH之间的未蚀刻表面。详细地，岛状部分IS可以是除了第二蚀刻表面ES2和位于沉积掩模的有效部分AA中的大表面孔中的通孔TH之外的未蚀刻沉积掩模100的另一表面。实施方式的沉积掩模100可以用于沉积具有400PPI或更高的——详细地，具有400PPI至800PPI或更高的——分辨率的高分辨率至超高分辨率的OLED像素。
例如，实施方式的沉积掩模100可以用于形成具有400PPI或更高的分辨率的全高清(HD)的高分辨率的沉积图案。例如，实施方式的沉积掩模100可以用于沉积在水平方向和竖向方向上具有1920*1080或更大的像素数并且分辨率为400PPI或更高的OLED像素。也就是说，包括在实施方式的沉积掩模100中的一个有效部分可以用于形成分辨率为1920*1080或更大的像素数。
例如，实施方式的沉积掩模100可以用于形成具有500PPI或更高的分辨率的四倍高清(QHD)的高分辨率的沉积图案。例如，实施方式的沉积掩模100可以用于沉积在水平方向和竖向方向上具有2560*1440或更大的像素数并且分辨率为530PPI或更大的OLED像素。根据实施方式的沉积掩模100，基于5.5英寸的OLED面板，每英寸的像素数可以是530PPI或更多。也就是说，包括在实施方式的沉积掩模100中的一个有效部分可以用于形成分辨率为2560*1440或更大的像素数。
例如，实施方式的沉积掩模100可以用于形成具有700PPI或更高的分辨率的超高清(UHD)的超高分辨率的沉积图案。例如，实施方式的沉积掩模可以用于形成具有UHD级分辨率的沉积图案，以用于沉积在水平方向和竖向方向上具有3840*2160或更大的像素数并且分辨率为794PPI或更高的OLED像素。
通孔TH的直径可以是连通部分CA之间的宽度。详细地，通孔TH的直径可以在小表面孔V1中的内侧表面的端部与大表面孔V2中的内侧表面的端部相交的点处测量。通孔TH的直径的测量方向可以是水平方向、竖向方向和对角线方向中的任何一者。通孔TH的在水平方向上测量的直径可以为33μm或更小。替代性地，通孔TH的在水平方向上测量的直径可以为33μm或更小。替代性地，通孔TH的直径可以是分别在水平方向、竖向方向和对角线方向上测量的值的平均值。
因此，根据实施方式的沉积掩模100可以实现QHD级分辨率。例如，通孔TH的直径可以是约15μm至约33μm。例如，通孔TH的直径可以是约19μm至约33μm。例如，通孔TH的直径可以是约20μm至约27μm。当通孔TH的直径超过约33μm时，可能难以实现500PPI或更高的分辨率。另一方面，当通孔TH的直径小于约15μm时，可能发生沉积不良。
参照图5和图6，水平方向上的多个通孔TH中的两个邻近的通孔之间的间距可以是约48μm或更小。例如，水平方向上的多个通孔TH中的两个邻近的通孔TH之间的间距可以是约20μm至约48μm。例如，水平方向上的多个通孔TH中的两个邻近的通孔TH之间的间距可以是约30μm至约35μm。此处，间距可以指的是在水平方向上邻近的第一通孔TH1的中心与第二通孔TH2的中心之间的间距P1。另外，间距可以指的是在水平方向上邻近的第一岛状部分的中心与第二岛状部分的中心之间的间距P2。此处，岛状部分IS的中心可以是在水平方向和竖向方向上的四个邻近的通孔TH之间的未蚀刻的另一表面处的中心。例如，基于在水平方向上邻近的第一通孔TH1和第二通孔TH2，岛状部分IS的中心可以指的是将定位在和第一通孔TH1竖向邻近的第三通孔TH3与和第二通孔TH2竖向邻近的第四通孔TH4之间的区域中的一个岛状部分IS的边缘连接的水平轴线和竖向轴线相交处的点。
另外，参照图7，水平方向上的多个通孔TH中的两个邻近通孔之间的间距可以是约48μm或更小。例如，水平方向上的多个通孔TH中的两个邻近通孔TH之间的间距可以是约20μm至约48μm。例如，水平方向上的多个通孔TH中的两个邻近通孔TH之间的间距可以是约30μm至约35μm。此处，间距可以指的是在水平方向上邻近的第一通孔TH1的中心与第二通孔TH2的中心之间的间距P1。此外，间距可以指的是在水平方向上邻近的第一岛状部分的中心与第二岛状部分的中心之间的间距P2。此处，岛状部分IS的中心可以是一个通孔与在竖向方向上邻近的两个通孔之间的未蚀刻的另一表面处的中心。替代性地，此处，岛状部分IS的中心可以是两个通孔与在竖向方向上邻近的一个通孔之间的未蚀刻的另一表面处的中心。也就是说，岛状部分IS的中心是三个邻近的通孔之间的未蚀刻表面的中心，并且这三个邻近的通孔可以指当将中心连接时可以形成三角形。
通孔TH的直径的测量方向和两个邻近的通孔TH之间的间距的测量方向可以是相同的。通孔TH的间距可以是对水平方向或竖向方向上两个邻近的通孔TH之间的间距进行测量的值。
也就是说，根据实施方式的沉积掩模100可以沉积具有400PPI或更高的分辨率的OLED像素。详细地，在根据实施方式的沉积掩模100中，通孔的直径为33μm或更小，并且通孔TH之间的间距为48μm或更小，并且因此，可以沉积具有500PPI或更高的分辨率的OLED像素。也就是说，可以使用根据实施方式的沉积掩模100来实现QHD级分辨率。
通孔TH的直径和通孔TH之间的间距可以是用于形成绿色子像素的尺寸。例如，通孔TH的直径可以基于绿色(G)图案来测量。由于绿色(G)图案在视觉上具有低的识别率，因此需要比R和B图案大的数目，并且通孔TH之间的间距可能比R和B图案窄。沉积掩模100可以是用于实现QHD显示像素的OLED沉积掩模。
例如，沉积掩模100可以用于沉积红色R、第一绿色G1、蓝色B和第二绿色G2中的至少一个子像素。详细地，沉积掩模100可以用于沉积红色R子像素。替代性地，沉积掩模100可以用于沉积蓝色B子像素。替代性地，沉积掩模100可以用于同时形成第一绿色G1子像素和第二绿色G2子像素。
有机发光显示装置的像素布置可以以“红色R-第一绿色G1-蓝色B-第二绿色G2”的顺序设置。在这种情况下，红色R-第一绿色G1可以形成一个像素RG，并且蓝色B-第二绿色G2可以形成另一像素BG。在具有这种布置的有机发光显示装置中，由于绿色发光有机材料的沉积间隔比红色发光有机材料和蓝色发光有机材料的沉积间隔窄，因此可能需要像本发明这样的沉积掩模100的形式。
另外，根据实施方式的沉积掩模100可以具有在水平方向上的直径为约20μm或更小的通孔TH。因此，根据实施方式的沉积掩模100可以实现UHD级分辨率。例如，在根据实施方式的沉积掩模中，通孔TH的直径为约20μm或更小，并且通孔之间的间距为约32μm或更小，并且因此，可以沉积具有800PPI级的分辨率的OLED像素。也就是说，可以使用根据实施方式的沉积掩模来实现UHD级分辨率。
通孔的直径和通孔之间的间距可以是用于形成绿色子像素的尺寸。沉积掩模可以是用于实现UHD显示像素的OLED沉积掩模。
图8是示出了各个横截面重叠以用于描述图5和图6的沿A-A’方向的横截面与沿B-B’方向的横截面之间的高度差和尺寸的视图。
首先，将描述沿A-A’方向的横截面。A-A’方向是与在竖向方向上邻近的第一通孔TH1与第三通孔TH3之间的中心区域相交的横截面。也就是说，沿A-A’方向的横截面可以不包括通孔。
大表面孔中的蚀刻表面ES2和作为沉积掩模的在大表面孔中的蚀刻表面ES2之间未被蚀刻的另一表面的岛状部分IS可以定位在沿A-A’方向的横截面中。因此，岛状部分IS可以包括与沉积掩模的一个未蚀刻表面平行的表面。替代性地，岛状部分IS可以包括与沉积掩模的另一未蚀刻表面相同或平行的表面。
接下来，将描述沿B-B’方向的横截面。B-B’方向是与在水平方向上邻近的第一通孔TH1和第二通孔TH2中的每一者的中心相交的横截面。也就是说，沿方向B-B’的横截面可以包括多个通孔。
在方向B-B’上邻近的第三通孔TH3与第四通孔TH4之间可以定位有一个肋。在第四通孔TH4与在水平方向上和第四通孔邻近但沿与第三通孔TH3相反的方向定位的第五通孔之间可以定位有另一肋。在所述一个肋与另一肋之间可以定位有一个通孔。也就是说，在水平方向上邻近的两个肋之间可以定位有一个通孔。
另外，在沿B-B’方向的横截面中，可以定位有作为下述区域的肋RB：在该区域中，大表面孔中的蚀刻表面ES2与邻近的大表面孔中的蚀刻表面ES2彼此连接。此处，肋RB可以是两个邻近的大表面孔的边界连接的区域。由于肋RB是蚀刻表面，因此肋RB可以具有比岛状部分IS小的厚度。例如，岛状部分IS可以具有2μm或更大的宽度。也就是说，在与另一表面上保持未被蚀刻的部分的另一表面平行的方向上的宽度可以为约2μm或更大。当一个岛状部分IS的一个端部和另一端部的宽度为约2μm或更大时，沉积掩模100的总体积可以增加。具有这种结构的沉积掩模100确保了对施加于有机材料沉积过程等的拉力进行抵抗的足够刚度，并且因此对于保持通孔的均匀性是有利的。
图9是示出了沿图5和图6的B-B’方向的横截面图的视图。参照图9，将对B-B’方向的横截面和根据图8的有效区域的肋RB之间的通孔TH以及这些肋RB进行描述。
参照图9，在根据实施方式的沉积掩模100中，通过蚀刻形成通孔的有效部分AA的厚度可以与未被蚀刻的非有效部分UA的厚度不同。详细地，肋RB的厚度可以小于未被蚀刻的非有效部分UA中的厚度。
在本实施方式的沉积掩模100中，非有效部分UA的厚度可以大于有效部分AA1、AA2和AA3的厚度。例如，在沉积掩模100中，非有效部分UA或非沉积区域NDA的最大厚度可以为约30μm或更小。例如，在沉积掩模100中，非有效部分UA或非沉积区域NDA的最大厚度可以为约25μm或更小。例如，在本实施方式的沉积掩模中，非有效部分或非沉积区域的最大厚度可以为约15μm至约25μm。当根据本实施方式的沉积掩模的非有效部分或非沉积区域的最大厚度超过约30μm时，由于金属板10的厚度较厚，可能难以形成具有精细尺寸的通孔TH。此外，当沉积掩模100的非有效部分UA或非沉积区域NDA的最大厚度小于约15μm时，由于金属板的厚度较薄，可能难以形成具有均匀尺寸的通孔。
在肋RB的中心处测量的最大厚度T3可以为约15μm或更小。例如，在肋RB的中心处测量的最大厚度T3可以为约7μm至约10μm。例如，在肋RB的中心处测量的最大厚度T3可以为约6μm至约9μm。当在肋RB的中心处测量的最大厚度T3超过约15μm时，可能难以形成具有500PPI级或更高的高分辨率的OLED沉积图案。此外，当在肋RB的中心处测量的最大厚度T3小于约6μm时，可能难以均匀地形成沉积图案。
沉积掩模100的小表面孔的高度H1可以是在肋RB的中心处测量的最大厚度T3的约0.2至约0.4倍。例如，在肋RB的中心处测量的最大厚度T3可以为约7μm至约9μm，并且沉积掩模100的一个表面与连通部分之间的高度H1可以为约1.4μm至约3.5μm。沉积掩模100的小表面孔的高度H1可以为约3.5μm或更小。例如，小表面孔V1的高度可以为约0.1μm至约3.4μm。例如，沉积掩模100的小表面孔V1的高度可以为约0.5μm至约3.2μm。例如，沉积掩模100的小表面孔V1的高度可以为约1μm至约3μm。此处，高度可以沿沉积掩模100的厚度测量方向、即沿深度方向测量，并且高度可以是从沉积掩模100的一个表面至连通部分测量的高度。详细地，高度可以沿与上面在图4至图7的平面图中描述的水平方向(x方向)和竖向方向(y方向)形成90度的z轴方向测量。
当沉积掩模100的一个表面与连通部分之间的高度超过约3.5μm时，由于下述阴影效应可能发生沉积不良：在该阴影效应中，沉积材料扩散至比在OLED沉积期间通孔的面积大的区域。
另外，在形成有沉积掩模100的小表面孔V1的一个表面处的孔径W1和在作为小表面孔V1与大表面孔V2之间的边界的连通部分处的孔径W2可以彼此相似或不同。在形成有沉积掩模100的小表面孔V1的一个表面处的孔径W1可以大于在连通部分处的孔径W2。例如，沉积掩模100的一个表面处的孔径W1与连通部分处的孔径W2之差可以为约0.01μm至约1.1μm。例如，沉积掩模的一个表面处的孔径W1与连通部分处的孔径W2之差可以为约0.03μm至约1.1μm。例如，沉积掩模的一个表面处的孔径W1与连通部分处的孔径W2之差可以为约0.05μm至约1.1μm。
当沉积掩模100的一个表面处的孔径W1与连通部分处的孔径W2之差大于约1.1μm时，由于阴影效应可能发生沉积不良。
另外，将定位在与沉积掩模100的一个表面相反的另一表面处的大表面孔V2的一个端部E1和小表面孔V1与大表面孔V2之间的连通部分的一个端部E2连接的倾斜角θ可以为40至55度。因此，可以形成具有400PPI级或更高的——详细地，具有500PPI级或更高的——高分辨率的沉积图案，并且同时，岛状部分IS可以存在于沉积掩模100的另一表面上。
图10至图12是示出了根据实施方式的沉积掩模100的制造过程的视图。
图10是示出了作为根据实施方式的沉积掩模的原材料的金属板被卷绕的立体图和平面图的视图。
参照图10，根据实施方式的金属板10可以包含金属材料。例如，金属板10可以包含镍(Ni)。详细地，金属板10可以包含铁(Fe)和镍(Ni)。更详细地，金属板10可以包含铁(Fe)、镍(Ni)、氧(O)和铬(Cr)。另外，金属板10还可以包含少量的碳(C)、硅(Si)、硫(S)、磷(P)、锰(Mn)、钛(Ti)、钴(Co)、铜(Cu)、银(Ag)、钒(V)、铌(Nb)、铟(In)和锑(Sb)中的至少一种元素。殷钢是包含铁和镍的合金，并且是具有接近零的热膨胀系数的低热膨胀合金。也就是说，由于殷钢的热膨胀系数非常小，因此殷钢用于精密零件，比如掩模和精密设备。因此，使用金属板10制造的沉积掩模可以具有改善的可靠性，从而防止变形并增加寿命。
金属板10可以包含约60重量％至约65重量％的铁，并且可以包含约35重量％至约40重量％的镍。详细地，金属板10可以包含约63.5重量％至约64.5重量％的铁，并且可以包含约35.5重量％至约36.5重量％的镍。另外，金属板10还可以包含约1重量％或更少的碳(C)、硅(Si)、硫(S)、磷(P)、锰(Mn)、钛(Ti)、钴(Co)、铜(Cu)、银(Ag)、钒(V)、铌(Nb)、铟(In)、锑(Sb)中的至少一种元素。金属板10的成分、含量和重量％可以使用下述方法来确定：在该方法中，通过在金属板10的平面上选择特定区域a*b、采取与金属板10的厚度t相对应的测试件(a*b*t)、并将该测试件溶于强酸等来对每种成分的重量％进行检测。然而，实施方案不限于此，并且含量可以通过各种方法确定。
金属板10可以通过冷轧方法制造。例如，金属板10可以通过熔融、锻造、热轧、正火、一次冷轧、一次退火、二次冷轧和二次退火过程形成，并且通过上述过程可以具有约30μm或更小的厚度。替代性地，金属板10可以在上述过程之后通过额外的厚度减小过程而具有约30μm或更小的厚度。
金属板10可以如图10中所示的那样卷绕。例如，通过冷轧方法制造的金属板10可以绕卷绕辊等来卷绕。详细地，由于沉积掩模的制造过程可以以辊对辊工艺来执行，因此金属板10可以被卷绕。
金属板10可以具有如图10中所示的矩形形状(图10中的虚线)。例如，金属板10可以具有包括长轴和短轴的矩形形状。然而，当通过上述轧制方法制造金属板10时，可能发生翘曲现象(波变形)。具体地，当通过在金属板10的长轴方向上轧制而形成金属板10时，可能在金属板10的长轴方向上发生翘曲现象。替代性地，当在长轴方向上轧制金属板10时，可能在金属板10的短轴方向上发生翘曲现象。替代性地，当在长轴方向上轧制金属板10时，可能在金属板10的长轴方向和短轴方向上都发生翘曲现象。因此，金属板10的棱边可能具有如波形形状的曲线(图10中的实线)。
由于翘曲现象，金属板10会具有平直度值。例如，根据本实施方式的金属板10的平直度可以为约0.006％或更小。当金属板10的平直度超过约0.006％时，形成在金属板10上的掩模图案的均匀性可能会降低。因此，当通过使用金属板10制造的沉积掩模来沉积有机材料时，可能发生沉积不良。此处，平直度可以由[等式1]表示，平直度是指示翘曲现象的程度的数值。详细地，平直度是参照沿金属板10的长轴方向延伸的参考线确定的，并且平直度指的是在金属板10的短轴方向上距该参考线最远的距离dx相对于参考线的整个长度d0的比值。此处，参考线的长度可以指的是金属板10的切割长度。优选地，参考线的长度可以指的是在金属板10被拉拔的状态下的长度。
例如，可以使用已经发生翘曲现象的金属板(由图10中的实线所指示)在短轴方向上偏离的最大值dx相对于未发生翘曲现象的金属板(由图10中的虚线所指示)的长轴长度d0来计算平直度。
[等式1]平直度(％)＝(dx/d0)*100
也就是说，当金属板10的平直度超过约0.006％时，形成在金属板10上的小表面孔V1、大表面孔V2和通孔TH的均匀性降低，并且因此可能会发生沉积不良，并且由于岛状部分IS可能不均匀地形成，因此有效的应力分布可能很难。
图11是示意性地示出了根据实施方式的沉积掩模100的制造过程的视图，并且图12是示出了在金属板10上形成掩模图案PA以制造沉积掩模100的视图。
参照图11和图12，可以使用上述金属板10来制造根据实施方式的沉积掩模100。
此处，小表面孔Vl的制造过程比如图12中的S410、S420和S430可以在以下准备金属板10的步骤S100中执行，并且大表面孔V2的制造过程可以在形成掩模图案的步骤400中执行。
沉积掩模100的制造过程可以包括准备金属板10的步骤S100、拉拔的步骤S200以及形成掩模图案的步骤S400。
金属板10可以包括沿长轴方向延伸的第一棱边L1和第二棱边L2。详细地，金属板10可以包括沿金属板10的长轴方向延伸的第一棱边L1和与第一棱边L1在金属板10的短轴方向上间隔开的第二棱边L2。
第一棱边L1可以包括第一顶点P1和第二顶点P2，并且第二棱边L2可以包括第三顶点P3和第四顶点P4。具体地，第一棱边L1可以是将金属板10的第一顶点P1和第二顶点P2连接的棱边，并且第二棱边L2可以是将第三顶点P3和第四顶点P4连接的棱边。另外，金属板10还可以包括将第一顶点P1和第三顶点P3连接的棱边以及将第二顶点P2和第四顶点P4连接的棱边。也就是说，金属板10还可以包括沿金属板10的短轴方向延伸的棱边。
第一顶点P1和第二顶点P2可以以第一长度d1间隔开。第一长度d1可以是第一顶点P1与第二顶点P2之间的最短长度。此外，第三顶点P3和第四顶点P4可以以第二长度d2间隔开。第二长度d2可以是第三顶点P3与第四顶点P4之间的最短长度。
第一长度dl和第二长度d2可以彼此不同。具体地，第一长度d1和第二长度d2可以由于金属板10的应力而彼此不同。例如，金属板10通过轧制工艺制造，并且根据轧制工艺中施加的力的位置、方向、大小等，可能发生波变形。此外，发生波变形的区域可以根据金属板10中的工艺条件而不同。因此，第一长度d1可能长于或短于第二长度d2。
准备金属板10的步骤S100可以是用于确定金属板10的平直度的步骤。根据本实施方式的金属板10的平直度可以为约0.006％或更小。作为示例，未发生翘曲的金属板10的长轴长度d0可以为约6,000mm，并且第一棱边L1和第二棱边L2中的至少一者与未发生翘曲现象的金属板10的长轴方向上的参考线在短轴方向上偏离的最大距离dx可以为约0.36mm或更小。
另外，准备金属板10的步骤S100还可以包括减小厚度的步骤。
例如，可能需要具有约30μm或更小的厚度的金属板10来制造用于实现400PPI或更高的分辨率的沉积掩模，并且可能需要具有约20μm至约30μm的厚度的金属板10来制造用于实现500PPI或更高的分辨率的沉积掩模，并且可能需要具有约15μm至约20μm的厚度的金属板10来制造能够实现800PPI或更高的分辨率的沉积掩模。也就是说，减小厚度的步骤可以是通过对金属板10进行轧制和/或蚀刻而形成所需厚度的步骤。
另外，准备金属板10的步骤还可以可选地包括用于提高蚀刻因子的表面处理步骤。详细地，在诸如殷钢之类的镍合金中，蚀刻速率在蚀刻开始时可能增加，并且因此可能会使小表面孔V1的蚀刻因子降低。因此，可能难以形成具有精细尺寸的通孔TH和处于均匀位置处的通孔TH。
因此，可以在金属板10的表面上形成用于防止快速蚀刻的表面处理层。表面处理层可以是蚀刻速率比金属板10的蚀刻速率低的蚀刻阻挡层。表面处理层可以具有与金属板10的晶面和晶体结构不同的晶面和晶体结构。例如，由于表面处理层包含与金属板10的元素不同的元素，因此晶面和晶体结构可以彼此不同。
例如，在相同的侵蚀环境中，表面处理层可以具有与金属板10的侵蚀电位不同的侵蚀电位。例如，当相同的蚀刻剂在相同的温度下被施加持续相同的时间时，表面处理层可以具有与金属板10的侵蚀电流或侵蚀电位不同的侵蚀电流或侵蚀电位。
金属板10可以在金属板10的一个表面和/或两个表面、整个表面和/或有效区域上包括表面处理层或表面处理部分。表面处理层或表面处理部分可以包含与金属板10不同的元素，或者可以相比于金属板10包含更大的含量的具有慢侵蚀速率的金属元素。
当以辊对辊工艺来执行沉积掩模100的制造过程时，金属板10可以在施加有预定量的拉力的状态下被供给。
另外，准备金属板10的步骤S100还可以包括形成掩模图案。优选地，准备金属板10的步骤S100还可以包括形成小表面孔V1。
在这种情况下，在步骤S100中形成掩模图案PA的区域可以指的是形成小表面孔V1的区域。
也就是说，在以辊对辊工艺施加拉力的状态下，可以执行在金属板10的一个表面上形成小表面孔V1。
在金属板10的一个表面上可以设置第一光致抗蚀剂层PR1，以在金属板10中形成小表面孔V1。随后，可以通过对第一光致抗蚀剂层PR1进行曝光和显影而在金属板10的一个表面上设置图案化的第一光致抗蚀剂层PR1(S420)。在金属板10的与一个表面相反的另一表面上可以设置有用于防止蚀刻的诸如涂层或膜层之类的蚀刻阻挡层。
随后，可以通过对图案化的第一光致抗蚀剂层PRl的开口部分进行半蚀刻而在金属板10的一个表面上形成凹槽(S430)。详细地，第一光致抗蚀剂层PR1的开口部分可以暴露于蚀刻剂等，并且因此蚀刻可以在金属板10的一个表面的未设置有第一光致抗蚀剂层PR1的开口部分中发生。
在金属板10的一个表面上形成凹槽的步骤S430是将具有约20μm至约30μm的厚度T1的金属板10蚀刻至约1/2的厚度的步骤。通过该步骤形成的凹槽的深度可以为约10μm至15μm。也就是说，在该步骤之后金属板的在形成的凹槽的中心处测量的厚度T2可以为约10μm至约15μm。
形成凹槽的步骤S430可以是各向异性蚀刻或半增材工艺(SAP)。详细地，各向异性蚀刻或半增材工艺可以用于对光致抗蚀剂层的开口部分进行半蚀刻。因此，在通过半蚀刻形成的凹槽中，与各向同性蚀刻相比，深度方向(b方向)上的蚀刻速率可以比侧面蚀刻(a方向)的蚀刻速率快。
小表面孔V1的蚀刻因子可以是2.0到3.0。例如，小表面孔V1的蚀刻因子可以是2.1至3.0。例如，小表面孔V1的蚀刻因子可以是2.2至3.0。此处，蚀刻因子可以是指蚀刻的小表面孔的深度B除以光致抗蚀剂层的从小表面孔上的岛状部分IS延伸并朝向通孔TH的中心突出的宽度A(蚀刻因子＝B/A)。A可以是指光致抗蚀剂层的在一个表面孔上突出的一侧的宽度和与该一侧相反的另一侧的宽度的平均值。
拉拔的步骤S200可以是拉拔金属板10的步骤。拉拔的步骤S200可以是施加与辊对辊方法中施加为用以供给金属板10的拉力不同的拉力的步骤。详细地，拉拔的步骤S200可以是拉拔金属板10以在金属板10上形成诸如小表面孔V1和大表面孔V2之类的掩模图案PA的步骤。
拉拔的步骤S200可以是沿长轴方向拉拔金属板10的步骤。例如，在拉拔的步骤S200中，金属板10可以以3kgf至15kgf的拉力被拉拔。详细地，金属板10可以以5kgf至10kgf的拉力被拉拔。
在拉拔的步骤S200中，施加至金属板10的拉力可以不同。例如，当第一长度d1和第二长度d2由于金属板10的应力而彼此不同时，施加至第一棱边L1和第二棱边L2中的每一者的拉力可以彼此不同。
作为示例，当第一长度dl长于第二长度d2时，第二棱边L2中的波变形量可能会大于第一棱边L1中的波变形量。也就是说，当第一长度d1长于第二长度d2时，可能意味着从第一棱边L1朝向第二棱边L2形成有由于波变形而引起的更大的弧度。因此，施加至第二棱边L2的拉力可以大于施加至第一棱边L1的拉力。
作为另一示例，当第一长度d1短于第二长度d2时，第一棱边L1中的波变形量可能会大于第二棱边L2中的波变形量。因此，施加至第一棱边L1的拉力可以大于施加至第二棱边L2的拉力。
也就是说，在本实施方式的拉拔的步骤S200中，施加至金属板10、即第一棱边L1和第二棱边L2的拉力可以根据金属板10的第一长度d1与第二长度d2之间的长度差异而不同。另外，在本实施方式的拉拔的步骤S200中，施加至第一棱边L1和第二棱边L2的拉力可以根据金属板10的平直度而不同。另外，在拉拔的步骤中，施加至第一棱边L1和第二棱边L2的拉力可以根据形成在金属板10处的弧度的趋势而不同。
另外，由于在拉拔的步骤S200中金属板10的第一长度d1与第二长度d2之间的长度差异较小，因此施加至第一棱边L1和第二棱边L2的拉力差异可以较小。也就是说，施加至第一棱边L1和第二棱边L2的拉力差异可以与第一长度d1和第二长度d2之间的差值成比例。此外，由于金属板10的平直度较小，因此施加至第一棱边L1和第二棱边L2的拉力差异可以较小。也就是说，施加至第一棱边L1和第二棱边L2的拉力差异可以与金属板10的平直度值成比例。
在拉拔的步骤S200中，可以改变金属板10的形状。
例如，在施加用于形成掩模图案PA的拉力之前，金属板10可以具有扇形形状。也就是说，金属板10可以由于第一长度d1与第二长度d2之间的长度差异而具有扇形形状。
也就是说，在金属板10中，宽度方向上的拉力在表面部分处彼此不同，并且当将金属板10被切割成单元产品时，表面部分处的拉力被切割成不同部分，并且因此金属板10具有如上所述的扇形形状。
另外，在沉积掩模100的制造过程中，当在金属板10通过辊对辊方法被拉拔的状态下形成小表面孔V1之后通过冲压制造步骤S100处的金属板10时，冲压之后的金属板100变成呈扇形形状。此时，当用树脂阻塞扇形形状的金属板10的小表面孔侧的表面并且然后通过框架将金属板10拉拔在玻璃基板上方时，金属板10再次具有方形形状，并且当金属板10与玻璃基板分离时，金属板10再次具有扇形形状。
在这种情况下，当在沉积企业中通过使用该沉积掩模来执行沉积源的沉积时，沉积通过再次拉拔沉积掩模来执行，并且因此，沉积掩模可以再次具有方形形状。然而，沉积掩模在拉拔之前具有扇形形状，并且因此，可能发生沉积掩模的可靠性方面的问题，并且因此可能发生沉积掩模的进入方面的问题。
换句话说，由于使用沉积掩模的沉积源的沉积过程是在沉积掩模被拉拔的状态下执行，因此不存在沉积掩模的形状方面的问题。然而，在沉积过程中执行拉拔之前，沉积掩模具有扇形形状，并且因此，存在下述问题：额外地需要在扇形形状的沉积掩模的上部和下部处设定不同的拉力的过程。
拉拔的步骤S200可以是在考虑长度差异的情况下将拉力施加至金属板10的步骤。例如，当金属板10的第一长度d1长于金属板10的第二长度d2时，施加至第二棱边L2的拉力可以大于施加至第一棱边L1的拉力。因此，金属板10可以改变成如图11的步骤S300处所示的矩形形状。另外，由于金属板10的拉拔的步骤S200，第一长度d1和第二长度d2可以改变成彼此对应。因此，与施加拉力之前相比，金属板10可以具有接近于0％的平直度值，并且还可以具有0％的平直度值。
形成掩模图案的步骤S400可以是在金属板10上形成掩模图案PA的步骤。例如，形成掩模图案的步骤S400可以是在金属板10上形成沉积区域DA的步骤。详细地，形成掩模图案的步骤S400可以是使用光致抗蚀剂层形成大表面孔V2以及与小表面孔V1和大表面孔V2连通的通孔TH的步骤。也就是说，小表面孔V1可以在准备的步骤S100处形成，并且因此，在形成掩模图案的步骤S400中，形成大表面孔V2以形成与小表面孔V1和大表面孔V2连通的通孔TH。
此处，形成掩模图案PA的区域可以是包括影响有机材料沉积的有效部分AA1、AA2和AA3以及围绕有效部分AA1、AA2和AA3的外部区域OA1、OA2和OA3的区域。另外，形成掩模图案PA的区域可以指的是包括设置在邻近的有效部分AA1、AA2和AA3之间的隔离区域IA1和IA2的区域。
形成掩模图案的步骤S400可以包括在金属板10的另一表面处形成大表面孔V2的步骤。
为此，在金属板10的另一表面上可以设置有第二光致抗蚀剂层PR2。随后，可以通过对第二光致抗蚀剂层PR2进行曝光和显影而在金属板10的另一表面上设置图案化的第二光致抗蚀剂层PR2(S440)。具有开口部分的图案化的第二光致抗蚀剂层PR2可以设置在金属板10的另一表面上，以形成大表面孔V2。在金属板10的一个表面上可以设置有用于防止蚀刻的诸如涂层或膜层的蚀刻阻挡层。例如，用于防止蚀刻的诸如涂层或膜层的蚀刻阻挡层可以设置在金属板10的一个表面和小表面孔V1中。
图案化的第二光致抗蚀剂层PR2的开口部分可以暴露于蚀刻剂等，并且因此蚀刻可以在金属板10的另一表面的未设置有第二光致抗蚀剂层PR2的开口部分中发生(S440)。金属板10的另一表面可以通过各向异性蚀刻或各向同性蚀刻来蚀刻。
由于第二光致抗蚀剂层PR2的开口部分被蚀刻，因此金属板10的一个表面上的凹槽可以连接至大表面孔V2以形成通孔。
形成通孔的步骤S450可以是通过执行在先前形成的小表面孔Vl上形成用于形成大表面孔V2的凹槽的步骤S440来形成通孔的步骤。
另外，形成掩模图案的步骤S400可以在保持拉拔的步骤S200的拉力的状态下进行。详细地，当在形成用于形成大表面孔V2的凹槽的步骤S440和S450处对光致抗蚀剂层进行曝光或显影时，形成掩模图案的步骤S400可以在施加拉力的状态下进行。也就是说，拉力可以减小金属板10的应力并提高形成在金属板10上的掩模图案PA的精度。
形成掩模图案的步骤S400是形成有效部分AA1、AA2、AA3以及围绕有效部分AA1、AA2和AA3的外部区域OA1、OA2和OA3的步骤。例如，形成掩模图案的步骤S400可以是形成小表面孔V1、大表面孔V2、通孔TH和岛状部分IS的步骤。
掩模图案PA可以具有多个棱边。掩模图案PA可以包括沿金属板10的长轴方向延伸的第三棱边L3和第四棱边L4。详细地，掩模图案PA可以包括沿长轴方向延伸的第三棱边L3和与第三棱边在金属板10的短轴方向上间隔开的第四棱边L4。假设包括有效部分AA1、AA2和AA3以及外部区域OA1、OA2和OA3的图案区域与隔离区域IA1和IA2是一个图案，则第三棱边L3和第四棱边L4可以指的是如图11的步骤S400所示的棱边。
第三棱边L3可以是将掩模图案PA的第五顶点P5和第六顶点P6连接的棱边。也就是说，第五顶点P5可以是第一外部区域OA1的顶点中的一个顶点，并且第六顶点P6可以是第三外部区域OA的顶点中的一个顶点。另外，第四棱边L4可以是将掩模图案PA的第七顶点P7和第八顶点P8连接的棱边。也就是说，第七顶点P7可以是第一外部区域OA1的顶点中的一个顶点，并且第八顶点P8可以是第三外部区域OA的顶点中的一个顶点。此外，掩模图案PA还可以包括将第五顶点P5和第七顶点P7连接的棱边，并且还可以包括将第六顶点P6和第八顶点P8连接的棱边。也就是说，掩模图案PA还可以包括沿金属板10的短轴方向延伸的棱边。
第五顶点P5和第六顶点P6可以以第三长度d3间隔开。第三长度d3可以是第五顶点P5与第六顶点P6之间的最短长度。此外，第七顶点P7和第八顶点P8可以以第四长度d4间隔开。第四长度d4可以是第七顶点P7与第八顶点P8之间的最短长度。
特别地，在形成掩模图案的步骤S400中，可以在考虑金属板10的平直度的情况下形成掩模图案PA。详细地，可以在考虑施加至第一棱边L1和第二棱边L2的拉力的情况下进行步骤S400。
作为示例，将描述第一长度d1长于第二长度d2的情况。在这种情况下，施加至第二棱边L2的拉力可以大于施加至第一棱边L1的拉力。因此，金属板10可以通过所施加的拉力改变成第一长度d1和第二长度d2彼此对应的形状，如图11的S300中所示。
随后，可以使用上述光致抗蚀剂层在金属板10上形成掩模图案PA。此时，掩模图案PA可以形成为使得第三长度d3短于第四长度d4。
另外，在形成掩模图案的步骤S400之后，可以移除在拉拔的步骤S200中施加的拉力。因此，金属板10可以恢复至施加拉力之前的形状。也就是说，金属板10可以恢复至第一长度d1长于第二长度d2的形状，并且可以在金属板上10形成第三长度d3和第四长度d4彼此对应的掩模图案PA。
更详细地，在形成掩模图案的步骤S400中，邻近的小表面孔V1之间的距离和邻近的大表面孔V2之间的距离可以根据金属板10的平直度来改变。
作为示例，将描述第一长度d1长于第二长度d2的情况。为了在拉力已经被移除的金属板10上形成第三长度d3和第四长度d4彼此对应的掩模图案PA，在形成掩模图案的步骤S400中，可以改变用于形成小表面孔V1和大表面孔V2的光致抗蚀剂层的开口部分的中心间距。详细地，在金属板10的长轴方向上形成的开口部分的中心间距可以从第三棱边L3朝向第四棱边L4变化。例如，在金属板10的长轴方向上形成的开口部分的中心间距可以从第三棱边L3朝向第四棱边L4变得更远。也就是说，在施加拉力的状态下，在金属板10的长轴方向上邻近的通孔TH的中心间距可以从第三棱边L3朝向第四棱边L4变得更远。
作为另一示例，尽管在附图中未示出，但是将描述第二长度d2长于第一长度dl的情况。为了在移除了拉力的沉积掩模100上形成第三长度d3和第四长度d4彼此对应的掩模图案PA，在金属板10的长轴方向上形成的开口部分的中心间距可以从第三棱边L3朝向第四棱边L4变得更近。也就是说，在施加拉力的状态下，在金属板10的长轴方向上邻近的通孔TH的中心间距可以从第三棱边L3朝向第四棱边L4变得更近。
接下来，在移除光致抗蚀剂层之后，可以通过下述步骤形成沉积掩模100：在该步骤中，形成包括形成在一个表面上的大表面孔V2、形成在与该一个表面相反的另一表面上的小表面孔V1、以及由连接大表面孔V2与小表面孔V1之间的边界的连通部分形成的通孔TH的沉积掩模100。
沉积掩模100可以包括与金属板10相同的材料。例如，在其中不执行沉积掩模100中的表面蚀刻的区域可以具有与金属板10的表面相同的导电性。因此，岛状部分IS可以包括上述表面处理层。
另外，在通过以上步骤形成的沉积掩模100中，肋RB的中心处的最大厚度可以小于未受到蚀刻的非有效部分UA的最大厚度。例如，肋RB的中心处的最大厚度可以为约15μm。例如，肋RB的中心处的最大厚度可以小于约10μm。然而，沉积掩模100的非有效部分UA中的最大厚度可以为约20μm至约30μm，并且可以为约15μm至约25μm。也就是说，沉积掩模100的非有效部分UA中的最大厚度可以与在准备金属板10的步骤中准备的金属板10的厚度相对应。因此，沉积掩模100可以具有约30μm或更小的厚度。
参照图13，将描述根据比较性示例的沉积掩模的制造过程。在根据比较性示例的沉积掩模的制造过程的描述中，将省略与根据上述实施方式的制造过程相同或类似的部件，并且相同或类似的部件由相同的附图标记表示。
参照图13，根据比较性示例的沉积掩模的制造过程可以包括准备金属板10的步骤S100、拉拔的步骤S200和形成掩模图案的步骤S400。
根据比较性示例的金属板10可以具有0.006％或更小的平直度，并且金属板10的第一长度d1和第二长度d2可以由于应力而彼此不同。
拉拔的步骤S200可以是沿金属板10的长轴方向拉拔金属板10的步骤。例如，在拉拔的步骤S200中，金属板10可以以3kgf至15kgf的力被拉拔。详细地，金属板10可以以5kgf至10kgf的力被拉拔。
在根据比较性示例的拉拔的步骤S200中，可以向金属板10施加相同的拉力。例如，当第一长度dl长于第二长度d2时，可以通过向第一棱边L1和第二棱边L2施加相同的拉力来拉拔金属板10。
也就是说，比较性示例的拉拔的步骤S200可以是无论金属板10的第一长度d1与第二长度d2之间的长度差异如何均向每个棱边施加相同的拉力的步骤。另外，比较性示例的拉拔的步骤S200可以是不考虑金属板10的平直度而向金属板的每个棱边施加相同的拉力的步骤。另外，比较性示例的拉拔的步骤S200可以是无论形成在金属板10处的弧度的趋势如何均向每个棱边施加相同的拉力的步骤。
形成掩模图案的步骤S400可以是在金属板10上形成掩模图案PA的步骤。掩模图案PA可以指的是影响有机材料沉积的有效部分AAl、AA2和AA3以及围绕有效部分AA1、AA2和AA3的外部区域OA1、OA2和OA3。详细地，掩模图案PA可以指的是有效部分AA1、AA2和AA3，外部区域OA1、OA2和OA3以及隔离区域IA1和IA2。
掩模图案PA可以包括沿金属板的长轴方向延伸的第三棱边L3和第四棱边L4，并且在形成掩模图案的步骤S400中掩模图案PA可以形成为使得第三长度d3和第四长度d4彼此对应。
在形成掩模图案的步骤S400之后，可以移除在拉拔的步骤S200中施加的拉力。因此，金属板10可以恢复至施加拉力之前的形状。也就是说，金属板10可以恢复至第一长度d1长于第二长度d2的形状，并且在金属板10上可以形成第三长度d3和第四长度d4彼此不同的掩模图案PA。也就是说，由于金属板10的应力，第三长度d3可以长于第四长度d4。
因此，掩模图案PA的均匀性可能会降低。详细地，在比较性示例的制造的沉积掩模100中，通孔TH的中心间距可以改变。更详细地，在比较性示例的制造的沉积掩模100中，在长轴方向上邻近的通孔TH的中心间距可以从第三棱边L3朝向第四棱边L4变得更近。因此，当使用比较性示例的沉积掩模100沉积有机材料时，可能发生沉积不良。
图14和图15是示出了经由根据实施方式的沉积掩模形成的沉积图案的视图。
参照图14，在根据实施方式的沉积掩模100中，沉积掩模100的形成有小表面孔V1的一个表面与连通部分之间的高度H1可以为约3.5μm或更小。例如，高度H1可以为约0.1μm至约3.4μm。例如，高度H1可以为约0.5μm至约3.2μm。例如，高度H1可以为约1μm至约3μm。
因此，沉积掩模100的一个表面与设置有沉积图案的基板之间的距离可以较短，并且因此可以减少由于阴影效应而导致的沉积不良。例如，可以通过使用根据实施方式的沉积掩模100来防止在形成R、G和B图案时在两个邻近图案之间的区域中沉积不同的沉积材料的不良。具体地，如图15中所示，当从左开始以R、G和B的顺序形成上述图案时，可以通过阴影效应防止R图案和G图案沉积在R图案与G图案之间的区域中。
另外，根据实施方式的沉积掩模100可以在考虑金属板10的应力和平直度的情况下来制造。详细地，沉积掩模100可以在考虑施加至金属板10的拉力被移除并且恢复原始形状的情况下来制造。
例如，沉积掩模100可以在金属板10被拉拔的状态下形成掩模图案PA，比如小表面孔V1、大表面孔V2和通孔TH。此后，掩模图案PA可以在考虑到移除拉力之后金属板10被恢复的情况下形成。因此，可以提高形成在沉积掩模100上的掩模图案PA的均匀性、即通孔TH的均匀性，从而防止沉积不良，并且因此，可以提高沉积效率。
在上述实施方式中描述的特性、结构、效果等包括在本发明的至少一个实施方式中，但不限于仅一个实施方式。此外，本领域技术人员可以针对其他实施方式组合或修改每个实施方式中示出的特性、结构和效果。因此，应当理解的是，这样的组合和改型包括在本发明的范围内。
另外，以上描述已经集中在实施方式上，但是仅是说明性的并且不限制本发明。对于本领域技术人员将明显的是，在不脱离本实施方式的基本特征的情况下，以上未示出的各种改型和应用是可能的。例如，本文描述的实施方式的元件可以被修改和实现。而且，应当解释的是，与这样的变型和应用有关的差异包括在所附权利要求书中所限定的本发明的范围内。

Claims (9)

1.一种制造用于有机发光二极管沉积的沉积掩模的方法，所述方法包括：
准备金属板，所述金属板具有长轴和短轴；以及
以拉力沿长轴方向拉拔所述金属板；
在被拉拔的所述金属板上形成掩模图案，所述掩模图案包括光致抗蚀剂层；
形成多个通孔，所述通孔穿透被拉拔的所述金属板的一个表面和另一表面；
其中，所述金属板包括沿所述金属板的所述长轴方向延伸的第一边缘以及沿所述金属板的所述长轴方向延伸且与所述第一边缘在所述金属板的短轴方向上间隔开的第二边缘，
其中，所述第一边缘包括第一顶点和与所述第一顶点在第一长度上间隔开的第二顶点，并且所述第二边缘包括第三顶点和与所述第三顶点在第二长度上间隔开的第四顶点，
其中，在拉拔所述金属板时，根据差异施加拉力以使得第一边缘长度和第二边缘长度沿着所述长轴彼此对应，
其中，被拉拔的所述金属板上的被拉拔的所述掩模图案包括沿所述长轴方向延伸的第三边缘和沿所述长轴方向延伸并且与所述第三边缘在所述金属板的所述短轴方向上间隔开的第四边缘，并且
其中，在被拉拔的所述金属板上的被拉拔的所述掩模图案中，所述第三边缘的长度与所述第四边缘的长度不同，并且在所述长轴上邻近的所述通孔中的每个通孔的中心间距从所述第三边缘朝向所述第四边缘变得更远。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述金属板中，当在形成所述多个通孔之后所述拉力被移除时，所述第三边缘的长度对应于所述第四边缘的长度。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第三边缘的长度、所述第四边缘的长度中的每一者分别短于所述第一边缘的长度、所述第二边缘的长度。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，在被拉拔的所述金属板上的被拉拔的所述掩模图案中，所述第三边缘的长度短于所述第四边缘的长度。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述掩模图案的形成包括：
在所述金属板的一个表面上设置第一光致抗蚀剂层，并且使所述第一光致抗蚀剂层图案化；
通过对所述金属板的通过图案化的所述第一光致抗蚀剂层而被敞开的所述一个表面进行蚀刻形成第一凹槽；
在所述金属板的与所述一个表面相反的所述另一表面上设置第二光致抗蚀剂层，并且使所述第二光致抗蚀剂层图案化；
通过对所述金属板的通过图案化的所述第二光致抗蚀剂层而被敞开的所述另一表面进行蚀刻形成连接至所述第一凹槽的第二凹槽；以及
移除所述第一光致抗蚀剂层和所述第二光致抗蚀剂层，
所述第一光致抗蚀剂层的图案化和所述第二光致抗蚀剂层的图案化包括沿所述金属板的所述长轴方向拉拔所述金属板，
其中，所述拉拔根据所述第一长度与所述第二长度之间的差向所述第一边缘和所述第二边缘中的每一者施加不同的拉力。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属板是包含铁(Fe)和镍(Ni)的殷钢。
7.根据权利要求1所述的方法，所述金属板具有30μm或更小的厚度。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，当所述第一长度长于所述第二长度时，
施加至所述第一边缘的拉力的大小小于施加至所述第二边缘的拉力的大小，
其中，所述金属板具有由以下等式1表示的平直度值，并且所述金属板的平直度为0.006％或更小，
[等式1]
平直度(％)＝(dx/d0)*100
其中，所述平直度是基于沿所述金属板的所述长轴方向延伸的参考线定义的，并且所述平直度指的是在所述金属板的所述短轴方向上距所述参考线的竖向最远距离(dx)与所述参考线的长度(d0)的比。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述拉拔包括以3kgf至15kgf的所述拉力进行拉拔。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110428748A (zh) * 2019-08-09 2019-11-08 厦门强力巨彩光电科技有限公司 一种led显示屏面罩的制造方法
CN112825348A (zh) * 2019-11-20 2021-05-21 旭晖应用材料股份有限公司 用于蒸镀制程形成微小图案镀膜的金属遮罩及其制法
KR102206894B1 (ko) * 2020-07-21 2021-01-25 풍원정밀(주) Oled 증착용 메탈 마스크 및 그의 제조방법
CN112309986B (zh) * 2020-10-30 2022-03-29 福建省晋华集成电路有限公司 版图结构、半导体器件及其形成方法
TWI757041B (zh) * 2021-01-08 2022-03-01 達運精密工業股份有限公司 遮罩

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2955420B2 (ja) * 1992-01-31 1999-10-04 日新製鋼株式会社 極薄ステンレス鋼帯の製造方法および装置
JP3573047B2 (ja) * 2000-02-10 2004-10-06 住友金属工業株式会社 エッチング後の平坦性に優れたステンレス鋼板の製造方法
JP2009041054A (ja) * 2007-08-07 2009-02-26 Sony Corp 蒸着用マスクおよびその製造方法ならびに表示装置の製造方法
JP2011034681A (ja) * 2009-07-29 2011-02-17 Hitachi Displays Ltd 金属加工方法、金属マスク製造方法及び有機ｅｌ表示装置製造方法
KR101931770B1 (ko) * 2011-11-30 2018-12-24 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체 및 유기 발광 표시장치
JP5382259B1 (ja) * 2013-01-10 2014-01-08 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法
JP6347105B2 (ja) * 2013-06-28 2018-06-27 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、金属フレーム付き蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法
JP5455099B1 (ja) * 2013-09-13 2014-03-26 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いてマスクを製造する方法
KR102235602B1 (ko) * 2014-12-05 2021-04-05 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크 제조 방법
KR101603200B1 (ko) * 2015-04-24 2016-03-14 엘지이노텍 주식회사 금속기판 및 이를 이용한 증착용마스크
KR101724996B1 (ko) * 2015-07-01 2017-04-10 엘지이노텍 주식회사 금속판 및 이를 이용한 증착용마스크
KR102556805B1 (ko) * 2016-04-01 2023-07-18 엘지이노텍 주식회사 금속판, 증착용마스크 및 이를 이용한 oled 패널
KR102590890B1 (ko) * 2016-02-16 2023-10-19 엘지이노텍 주식회사 금속판, 증착용마스크 및 이를 이용한 oled 패널
KR101931902B1 (ko) * 2016-04-14 2018-12-21 도판 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크용 기재, 증착 마스크용 기재의 제조 방법, 및, 증착 마스크의 제조 방법
JP6376483B2 (ja) * 2017-01-10 2018-08-22 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク装置の製造方法および蒸着マスクの良否判定方法

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