TWI832113B - Ｏｌｅｄ像素形成用掩模及框架一體型掩模 - Google Patents

Abstract

本發明涉及OLED像素形成用掩模及框架一體型掩模。本發明涉及的OLE像素形成用掩模，包括形成有多個掩模圖案的掩模單元和掩模單元周圍的虛設部，虛設部的至少一部分形成有相隔設置的多個焊接部，焊接部與掩模單元的邊緣之間形成有多個虛設部防彎圖案。

Description

OLED像素形成用掩模及框架一體型掩模

發明領域

本發明涉及OLED像素形成用掩模及框架一體型掩模。更詳細地，涉及一種掩模附著到框架上時能夠防止掩模發生變形的同時焊接時可減少掩模變形以提高位置精確度的OLED像素形成用掩模及框架一體型掩模。

發明背景

作為OLED製造工藝中形成像素的技術，主要使用FMM(Fine Metal Mask，精細金屬掩模)方法，該方法將薄膜形式的金屬掩模(Shadow Mask，陰影掩模)緊貼到基板且在所需位置上蒸鍍有機物。

現有的掩模製造方法通過準備作為掩模使用的金屬薄板並在金屬薄板上塗敷PR後進行圖案化或者進行PR塗敷以具有圖案之後經蝕刻從而製造具有圖案的掩模。在超高畫質的OLED中，現有的QHD畫質為500至600PPI(pixel per inch，每英吋像素)，像素的尺寸達到約30至50μm，而4KUHD、8KUHD高畫質具有比之更高的-860PPI，-1600PPI等的解析度。因此，需要開發能夠精確地調節掩模圖案大小的技術。

另外，在現有的OLED製造工藝中，將掩模製造成條狀、板狀等後，將掩模焊接固定到OLED像素蒸鍍框架上並使用。為了製造大面積OLED，可將 多個掩模固定於OLED像素蒸鍍框架，在固定於框架的過程中，拉伸各個掩模，以使其變得平坦。將多個掩模固定於一個框架的過程中，仍然存在掩模之間及掩模單元之間對準不好的問題。另外，在將掩模焊接固定於框架的過程中，掩模膜的厚度過薄且面積大，因此存在掩模因荷重而下垂或者扭曲的問題，由於焊接過程中在焊接部分產生的皺紋、毛刺(burr)等導致掩模單元的對準不准的問題等。

如此，考慮到超高畫質的OLED的像素尺寸，需要將各單元之間的對準誤差縮減為數μm左右，超出這一誤差將導致產品的不良，所以收率可能極低。因此，需要開發能夠防止掩模的下垂或者扭曲等變形並使對準精確的技術以及將掩模固定於框架的技術等。

因此，本發明為了解決如上所述的現有技術的各種問題而提出，其目的在於提供一種掩模附著到框架上時能夠防止掩模發生變形的同時焊接時可減少掩模變形以提高位置精確度的OLED像素形成用掩模及框架一體型掩模。

但是，上述技術問題只是示例性的，本發明的保護範圍並非限於此。

本發明的上述目的通過OLED像素形成用掩模來實現，所述OLED像素形成用掩模包括形成有多個掩模圖案的掩模單元和掩模單元周圍的虛設部，虛設部的至少一部分形成有相隔設置的多個焊接部，焊接部與掩模單元的邊緣之間形成有多個虛設部防彎圖案。

虛設部防彎圖案可形成為貫通或半蝕刻掩模的形態。

虛設部防彎圖案可包括第一單位圖案和第二單位圖案，所述第一單位圖案貫通掩模，所述第二單位圖案與第一單位圖案相隔設置且以半蝕刻形 態形成。

焊接部與掩模單元的邊緣之間、焊接部與相鄰焊接部之間中的至少任一區域可形成有平均寬度大於虛設部防彎圖案的防皺圖案。

掩模的厚度可為5μm至40μm，虛設部防彎圖案的平均寬度可為1μm至40μm。

虛設部防彎圖案可進一步形成於焊接部與相鄰的焊接部之間、焊接部與虛設部邊緣之間中的至少任一區域上。

在對應焊接部的掩模部分上，以與OLED像素蒸鍍目標基板接觸的面為基準形成有段差，使對應焊接部的掩模部分的厚度薄於焊接部以外的虛設部區域的厚度。

此外，本發明的上述目的通過框架一體型掩模來實現，該掩模由多個OLED像素形成用掩模與用於支撐掩模的框架形成一體，其中，包括：多個掩模；及框架，其具有多個掩模單元區域，且邊緣框架部上連接有掩模單元片材部，掩模分別對應地附著到掩模單元區域，掩模包括形成有多個掩膜圖案的掩模單元與掩模單元周圍的虛設部，虛設部的至少一部分上形成有相隔設置的多個焊珠，以使掩模與框架連接一體，焊珠與掩模單元的邊緣之間形成有多個虛設部防彎圖案。

焊接部與掩模單元的邊緣之間、焊接部與相鄰的焊接部之間中的至少任一區域可形成有平均寬度大於虛設部防彎圖案的防皺圖案。

虛設部防彎圖案可形成為貫通或半蝕刻掩模的形態，虛設部防彎圖案減少與OLED像素蒸鍍目標基板相對的掩模面的基準水平面上的隆起，以使掩模單元的邊緣部分與目標基板即OLED像素蒸鍍目標緊貼。

掩模的厚度為5μm至40μm，虛設部防彎圖案的平均寬度為1μm至40μm，在掩模單元的邊緣上朝虛設部方向沿X軸行進時，在與OLED像素蒸 鍍目標基板相對的掩模面上朝垂直方向的偏差小於10μm，在掩模單元的邊緣上朝虛設部方向沿Y軸行進時，在與OLED像素蒸鍍目標基板相對的掩模面上朝垂直方向的偏差可小於15μm。

在形成有焊珠的掩模部分上，以與OLED像素蒸鍍目標基板接觸的面為基準形成有段差，使形成有焊珠的掩模部分的厚度薄於焊接部以外的虛設部區域的厚度，焊珠的最上端位於等於或低於掩模面的最上面的位置。

根據具有如上所述結構的本發明，具有掩模附著到框架上時能夠防止掩模發生變形且焊接時可減少掩模的變形以提高位置精確度的效果。

當然，這些效果並非用於限定本發明的保護範圍。

10:掩模

11:掩模膜

20:框架

25:除絕緣部

50:模板(template)

50a:中心部

50b:邊緣部

51:鐳射通過孔

55:臨時黏合部

90:真空吸盤

100:掩模

105',106':變形

110,110’:掩模膜；掩模金屬膜

150,153:防皺圖案

151:第一圖案；防皺圖案

153,153a,153b,153c,153d:第二圖案

155:第三圖案；防皺圖案

157:對準圖案

160,161,162:虛設部防彎圖案

160a:防皺圖案與焊接部WP之間

160b:掩模單元C區域的邊緣之間

160c:防皺圖案的單位圖案之間

200:框架

210:邊緣框架部

220:掩模單元片材部

221:邊緣片材部

223:第一柵格片材部

225:第二柵格片材部

700:OLED像素

700',700":OLED像素

900:目標基板

AA:有效區域

B1,B2:部分

C,C11至C56:單元；掩模單元

C1至C6:單元

CM:化學處理

CR,CR11至CR56:掩模單元區域

D1,D2:寬度

DM:虛設部；掩模虛設部

dw:寬度

ET:加熱

F1-F2:拉伸力

L:鐳射

MT:厚度

P:掩模圖案

Ra:表面粗糙度

T:張力；壓力

TP:基準面

TW:高度

US:施加超聲波

V:隆起

W:焊接

WB:焊珠

WP:焊接部

WPC:中心

WS:段差

X1,Y1,X2,Y2,X3,Y3:線

圖1是現有的將掩模附著到框架的過程的示意圖。

圖2是根據本發明一實施例的框架一體型掩模的主視圖及側截面圖。

圖3是根據本發明一實施例的掩模的示意圖。

圖4是根據本發明一實施例的通過在模板上黏合掩模金屬膜來形成掩模以製造掩模支撐模板的過程示意圖。

圖5是根據本發明的一實施例的將模板裝載到框架上並將掩模對應到框架的單元區域的狀態示意圖。

圖6是根據本發明的一實施例的將掩模附著到框架上之後使掩模和模板分離的過程示意圖。

圖7是根據本發明一實施例的將掩模附著到框架的單元區域的狀態示意圖。

圖8是將比較例的掩模附著到框架上的狀態示意圖。

圖9及圖10是根據本發明一實施例的防皺圖案的示意圖。

圖11是根據本發明另一實施例的防皺圖案的示意圖。

圖12示出了根據本發明的實驗例的OLED像素。

圖13是根據本發明一實施例的形成有焊珠且附著到框架上的掩模的局部放大示意圖。

圖14是沿著圖13的X1、X2、X3、Y1、Y2、Y3測量的Z軸值的曲線圖。

圖15是沿著X2、Y2測量圖13的掩模全部的Z軸值的曲線圖。

圖16是根據本發明一實施例的防皺圖案的示意圖。

圖17是根據本發明一實施例的掩模上產生的隆起問題的示意性側截面圖。

圖18是根據本發明一實施例的包括虛設部防彎圖案的掩模的示意性側截面圖。

圖19是根據本發明一實施例的包括虛設部防彎圖案的掩模附著到框架上的狀態的示意性側截面圖。

圖20是應用圖18的實施例並沿著X2、Y2測量掩模全部的Z軸值的曲線圖。

較佳實施例之詳細說明

下面，參照附圖詳細說明本發明，所述附圖用於圖示作為本發明可實施的特定實施例的示例。對這些實施例進行詳細說明，以使本領域技術人員能夠充分地實施本發明。本發明的各種實施例應理解為互為不同但不相排斥。例如，在此記載的特定形狀、結構及特性可將一實施例在不超出本發明的精神及範圍的情況下實現為其他實施例。另外，公開的每一個實施例中的個別組成要素的位置或佈置應理解為在不超出本發明精神及範圍情況下可進行變更。因此，以下詳細說明並非用於限定本發明，只要能適當地說明，本發明的範圍僅由所附的申請專利範圍和與其等同的所有範圍限定。附圖中類似的附圖標記通過各個方面指代相同或類似的功能，為了方便起見，長度、面積及厚度等及其形態還可誇大表示。

下面，為了能夠使本領域技術人員容易實施本發明，參照附圖對本發明涉及的優選實施例進行詳細說明。

圖1是現有的將掩模附著到框架的過程的示意圖。

現有的掩模10為條型(Stick-Type)或者板型(Plate-Type)，圖1的條型掩模10可以將條的兩側焊接固定到OLED像素蒸鍍框架上並使用。掩模10的主體(Body，或者掩模膜11)具有多個顯示單元C。一個單元C與智慧手機等的一個顯示器對應。單元C中形成有像素圖案P，以便與顯示器的各個像素對應。

參照圖1的(a)，沿著條型掩模10的長軸方向施加拉伸力F1至F2，並在展開的狀態下將條型掩模10裝載在方框形狀的框架20上。條型掩模10的單元C1至C6將位於框架20的框內部空白區域部分。

參照圖1的(b)，微調施加到條型掩模10各側的拉伸力F1至F2的同時進行對準，之後通過焊接W條型掩模10側面的一部分，使條型掩模10和框架20彼此連接。圖1的(c)示出彼此連接的條型掩模10和框架的側截面。

儘管微調施加到條型掩模10各側的拉伸力F1至F2，但是仍發生掩模單元C1至C3彼此之間對準不好的問題。例如，單元C1至C6的圖案P之間的距離彼此不同或者圖案P歪斜。由於條型掩模10具有包括多個單元C1至C6的大面積，並且具有數十μm的非常薄的厚度，所以容易因荷重而下垂或者扭曲。另外，一邊調節拉伸力F1至F2使各單元C1至C6全部變得平坦，一邊通過顯微鏡即時確認各單元C1至C6之間的對準狀態是非常困難的作業。但是為了避免尺寸為數μm至數十μm的掩模圖案P對超高畫質OLED的像素工藝造成壞影響，對準誤差優選不大於3μm。將如此相鄰的單元之間的對準誤差稱為像素定位精度(pixel position accuracy，PPA)。

進一步而言，將各條型掩模10分別連接到一個框架20，同時使多個條型掩模10之間及條型掩模10的多個單元C至C6之間的對準狀態精確是非常 困難的作業，而且只會增加基於對準的工藝時間，從而成為降低生產效率的重要原因。

另外，將條型掩模10連接固定到框架20後，施加到條型掩模10的拉伸力F1至F2會反向地對框架20施加張力(tension)。該張力會導致框架20細微變形，而且會發生多個單元C至C6間的對準狀態扭曲的問題。

鑒於此，本發明提出能夠使掩模100與框架200形成一體型結構的框架200及框架一體型掩模。與框架200形成一體的掩模100不僅可以防止下垂或者扭曲等變形，而且可以與框架200準確地對準。

圖2是根據本發明一實施例的框架一體型掩模的主視圖[圖2的(a)]及側截面圖[圖2的(b)]。

本說明書對框架一體型掩模的構成進行簡單說明，但框架一體型掩模的結構、製造過程可理解為包括韓國發明專利申請第2018-0016186號的全部內容。

參照圖2，框架一體型掩模可以包括多個掩模100及一個框架200。換而言之，是將多個掩模100分別附著到框架200的形態。下面，為了便於說明，以四角形狀的掩模100為例進行說明，但是掩模100附著到框架200之前，可以是兩側具備用於夾持的突出部的條型掩模形狀，附著到框架200上後可以去除突出部。

各掩模100上形成有多個掩模圖案P，一個掩模100上可以形成有一個單元C。一個掩模單元C可以與智慧手機等的一個顯示器對應。

掩模100也可以為因瓦合金(invar)、超因瓦合金(super invar)、鎳(Ni)、鎳-鈷(Ni-Co)等材料。掩模100可使用由軋製(rolling)工藝或者電鑄(electroforming)生成的金屬片材(sheet)。

框架200形成為可附著多個掩模100的形式。考慮到熱變形，框架 200優選由與掩模具有相同熱膨脹係數的因瓦合金、超級因瓦合金、鎳、鎳-鈷等材料形成。框架200可包括大致四角形狀、方框形狀的邊緣框架部210。邊緣框架部210的內部可以為中空形態。

另外，框架200具有多個掩模單元區域CR，並且可以包括與邊緣框架部210連接的掩模單元片材部220。掩模單元片材部220可以由邊緣片材部221及第一柵格片材部223、第二柵格片材部225組成。邊緣片材部221及第一柵格片材部223、第二柵格片材部225是指在同一片材上劃分的各部分，它們彼此形成一體。

邊緣框架部210的厚度可以大於掩模單元片材部220的厚度，可以以數mm至數cm的厚度形成。掩模單元片材部220的厚度雖然薄於邊緣框架部210的厚度，但比掩模100厚，可約為0.1mm至1mm的厚度。第一柵格片材部223、第二柵格片材部225的寬度可以約為1至5mm。

在平面片材中，除了邊緣片材部221、第一柵格片材部223、第二柵格片材部225佔據的區域以外，可以提供多個掩模單元區域CR(CR11至CR56)。

掩模200具有多個掩模單元區域CR，各掩模100可以各掩模單元C與各掩模單元區域CR分別對應的方式附著。掩模單元C與框架200的掩模單元區域CR對應，虛設部的局部或者全部可以附著到框架200(掩模單元片材部220)上。因此，掩模100和框架200可以形成一體型結構。

圖3是根據本發明的一實施例的掩模100的示意圖。

掩模100可包括形成有多個掩模圖案P的掩模單元C和掩模單元C周圍的虛設部DM。可利用軋製工藝、電鑄等生成的金屬片材製造掩模100，掩模100中可形成有一個單元C。虛設部DM與除單元C以外的掩模膜110(掩模金屬膜110)部分對應，且可以只包括掩模膜110，或者包括形成有類似於掩模圖案P形態的預定的虛設部圖案的掩模膜110。虛設部DM對應掩模100的邊緣且虛設部DM 的局部或者全部可附著在框架200(掩模單元片材部220)。

掩模圖案P的寬度可小於40μm，而且掩模100的厚度可約為5-20μm。由於框架200具備多個掩模單元區域CR(CR11至CR56)，因此也可具備多個掩模100，所述掩模100具有對應每個掩模單元區域CR(CR11至CR56)的掩模單元C(C11至C56)。而且，可進一步包括分別用於支撐後述多個掩模100的多個模板50。

圖4是根據本發明一實施例的通過在模板50上黏合掩模金屬膜110來形成掩模100以製造掩模支撐模板的過程的示意圖。

參照圖4的(a)，可提供模板50(template)。模板50是一種介質，其一面上附著有掩模100並以支撐掩模100的狀態使掩模100移動。中心部50a可對應掩模金屬膜110的掩模單元C，邊緣部50b可對應掩模金屬膜110的虛設部DM。為了能夠整體上支撐掩模金屬膜110，模板50可以為面積大於到或等於掩模金屬膜110的平板形狀。

為了在將掩模100對準並黏合到框架200的過程中便於視覺(vision)觀測，模板50優選使用透明材料。此外，如果是透明材料，則可以使鐳射貫通。作為透明材料，可使用玻璃(glass)、矽膠(silica)、耐熱玻璃、石英(quartz)、氧化鋁(Al₂O₃)、硼矽酸玻璃(borosilicate glass)、氧化鋯(zirconia)等材料。作為一示例，模板50可使用硼矽酸玻璃中具有優異的耐熱性、化學耐久性、機械強度、透明度等的BOROFLOAT^®33材料。此外，BOROFLOAT^®33的熱膨脹係數約為3.3，與因瓦合金掩模金屬膜110的熱膨脹係數的差值較小，具有容易控制掩模金屬膜110的優點。

另外，為了在與掩模金屬膜110(或者掩模100)的分介面之間不產生氣隙(air gap)，模板50與掩模金屬膜110接觸的一面可為鏡面。考慮到這一點，模板50一面的表面粗糙度Ra可以是100nm以下。為了實現表面粗糙度Ra為100nm 以下的模板50，模板50可使用晶圓(wafer)。晶圓(wafer)的表面粗糙度Ra約為10nm左右，市面上的產品較多且諸多表面處理工藝已被習知，因此可作為模板50使用。模板50的表面粗糙度Ra為納米級，因此不存在或者幾乎不存在氣隙，通過鐳射焊接容易產生焊珠WB，因此可能不會影響掩模圖案P的對準誤差。

為了使從模板50的上部照射的鐳射L能夠到達掩模100的焊接部(執行焊接的區域)，模板50上可形成有鐳射通過孔51。鐳射通過孔51能夠以與焊接部的位置和數量對應的方式形成在模板50上。由於在掩模100的邊緣或者虛設部DM部分上以預定的間隔佈置多個焊接部，因此與之對應地也可以以預定間隔形成多個鐳射通過孔51。作為一示例，由於在掩模100的兩側(左側/右側)虛設部DM部分上以預定間隔佈置多個焊接部，因此鐳射通過孔51也可以在模板50的兩側(左側/右側)以預定間隔形成多個。

鐳射通過孔51的位置和數量不必一定與焊接部的位置和數量對應。例如，也可以僅對部分鐳射通過孔51照射鐳射L以進行焊接。此外，不與焊接部對應的部分鐳射通過孔51在對準掩模100與模板50時也可作為對準標記而使用。如果模板50的材料對鐳射L透明，則也可以不形成鐳射通過孔51。

模板50的一面可形成臨時黏合部55。掩模100附著到框架200之前，臨時黏合部55可使掩模100(或者掩模金屬膜110)臨時附著在模板50的一面並支撐在模板50上。

臨時黏合部55可使用基於加熱可分離的黏合劑或者黏合片、基於照射UV可分離的黏合劑或者黏合片。

作為一示例，臨時黏合部55可使用液蠟(liquid wax)。液蠟可使用與半導體晶圓的拋光步驟等中使用的相同的蠟，其類型沒有特別限制。作為主要用於控制與維持力有關的黏合力、耐衝擊性等的樹脂成分，液蠟可包括如丙烯酸、醋酸乙烯酯，尼龍及各種聚合物的物質及溶劑。作為一示例，臨時黏合部55 可使用包括作為樹脂成分的丁腈橡膠(ABR，Acrylonitrile butadiene rubber)和作為溶劑成分的n-丙醇的SKYLIQUIDABR-4016。液蠟可通過旋塗方法形成於臨時黏合部55上。

作為液蠟的臨時黏合部55在高於85℃至100℃的溫度下黏性下降，而在低於85℃的溫度下黏性增加，一部分被固化成固體，從而可將掩模金屬膜110固定黏合到模板50上。

其次，參照圖4的(b)，可以在模板50上黏合掩模金屬膜110。將液蠟加熱到85℃以上且使掩模金屬膜110接觸到模板50之後，使掩模金屬膜110與模板50通過滾軸之間以進行黏合。

根據一實施例，在約120℃下對模板50執行60秒的烘焙(baking)，從而使臨時黏合部55的溶劑氣化，之後可馬上進行掩模金屬膜層壓(lamination)工藝。層壓通過在一面形成有臨時黏合部55的模板50上裝載掩模金屬膜110並使其通過約100℃的上部滾軸(roll)和約0℃的下部滾軸之間來執行。其結果，掩模金屬膜110可通過夾設臨時黏合部55與模板50接觸。

作為又一示例，臨時黏合部55可使用熱分剝離膠帶(thermal release tape)。熱剝離膠帶是中間佈置有PET膜等的基膜，基膜的兩面佈置有可熱剝離的黏合層(thermal release adhesive)，而黏合層的外廓可佈置有剝離膜/離型膜。其中，佈置在基膜兩面的黏合層可具有不同的剝離溫度。

根據一實施例，在去除剝離膜/離型膜的狀態下，熱剝離膠帶的下部面(基膜的下部第二黏合層)黏合在模板50上，熱剝離膠帶的上部面(基膜的上部第一黏合層)可黏合在掩模金屬膜110’上。由於第一黏合層與第二黏合層的剝離溫度互不相同，因此在後面所述的圖16中，將模板50從掩模100分離時，隨著對第一黏合層進行加熱，掩模100可從模板50及臨時黏合部55分離。

另外，掩模金屬膜110可使用其一面或兩面經表面缺陷去除工藝和 厚度縮減工藝的掩模金屬膜。而且，只能針對掩模單元C部分進行厚度縮減工藝。在執行CMP等表面缺陷去除工藝之後，只在與掩模金屬膜110的焊接部WP對應的區域形成光刻膠等絕緣部(未圖示)，或者掩模金屬膜110黏合並支撐於模板50之上的狀態下，只在與掩模金屬膜110的焊接部WP對應的區域形成光刻膠等絕緣部(未圖示)之後，對掩模單元C部分進行蝕刻工藝以縮減厚度，使焊接部WP以較厚的厚度形成，從而與掩模單元C部分形成段差，同時可將用於形成掩模圖案P的掩模單元C部分的表面製成無缺陷狀態。

另外，掩模金屬膜110的下部面也可進一步形成絕緣部如光刻膠(未圖示)，以在掩模金屬膜110與臨時黏合部55之間夾設絕緣部的方式進行黏合。在圖4的步驟(c)中進一步形成絕緣部以防止蝕刻液滲透至掩模金屬膜110與臨時黏合部55的分介面使臨時黏合部55/模板50損壞進而引起掩模圖案P的蝕刻誤差。為了對蝕刻液具有較強的耐久性，絕緣部可包括固化性負型光刻膠、含有環氧樹脂的負型光刻膠中的至少任意一個。作為一示例，優選使用基於環氧樹脂的SU-8光刻膠、黑色矩陣光刻膠(black matrix)，以實現在臨時黏合部55的烘培、絕緣部25的烘培(參照圖4的(c))等過程中一起固化。

然後，參照圖4的(c)，可在掩模金屬膜110上形成經圖案化的絕緣部25。絕緣部25可利用列印法等由光刻膠形成。

接下來，可對掩模金屬膜110進行蝕刻。可不受限制地使用乾式蝕刻、濕式蝕刻等方法，經蝕刻的結果，由絕緣部25之間的空白空間26露出的掩模金屬膜110部分可被蝕刻掉。掩模金屬膜110中被蝕刻的部分形成掩模圖案P，從而可製造形成有多個掩模圖案P的掩模100。

此時，掩模金屬膜110處於表面缺陷已去除的狀態，因此在蝕刻工藝中能夠蝕刻成想要的圖案形態。由於可形成微細的掩模圖案P，因此具有能夠製造出可用於高解析度OLED像素工藝的掩模100的效果。

然後，參照圖4的(d)，通過去除絕緣部25來結束用於支撐掩模100的模板50的製造。

圖5是根據本發明一實施例的將模板50裝載在框架200上並將掩模100對應到框架200的單元區域CR的狀態示意圖。圖5中列舉了將一個掩模100對應/附著到單元區域CR上的過程，但也可以進行將多個掩模100分別同時對應到所有單元區域CR並將掩模100附著到框架200上的過程。此時，可具有分別支撐多個掩模100的多個模板50。

模板50可通過真空吸盤90進行移送。可用真空吸盤90吸附黏合有掩模100的模板50的面的相反面並進行移送。真空吸盤90吸附模板50並翻轉之後，向框架200移送模板50的過程中仍不會影響掩模100的黏合狀態和對準狀態。

接下來，參照圖5，可將掩模100對應到框架200的一個掩模單元區域CR。通過將模板50裝載到框架200(或者掩模單元片材部220)從而可使掩模100對應到掩模單元區域CR。在控制模板50/真空吸盤90的位置的同時可通過顯微鏡觀察掩模100是否與掩模單元區域CR對應。由於模板50擠壓掩模100，因此掩模100可與框架200緊貼。

另外，框架200下部可以進一步佈置下部支撐體70。下部支撐體70可擠壓與掩模100接觸的掩模單元區域CR的反面。與此同時，由於下部支撐體70和模板50以相互相反的方向擠壓掩模100的邊緣和框架200(或者掩模單元片材部220)，因此掩模100能夠保持對準狀態且不被打亂。

接下來，向掩模100照射鐳射L並基於鐳射焊接將掩模100附著到框架200上。經鐳射焊接的掩模的焊接部WP部分生成焊珠WB，焊珠WB可具有與掩模100/框架200相同的材料且與它們一體連接。

圖6是根據本發明一實施例的將掩模100附著到框架200上之後使掩模100與模板50分離的過程示意圖。

參照圖6，將掩模100附著到框架200之後，可將掩模100與模板50進行分離(debonding)。掩模100與模板50的分離可通過對臨時黏合部55進行加熱ET、化學處理CM、施加超聲波US、施加紫外線UV中至少任意一個來完成。由於掩模100保持附著在框架200的狀態，因此可以只抬起模板50。作為一示例，如果施加高於85℃至100℃的熱ET，則臨時黏合部55的黏性降低，掩模100與模板50的黏合力減弱，從而可分離掩模100與模板50。作為另一示例，可利用將臨時黏合部55沉浸CM在IPA、丙酮、乙醇等化學物質中以使臨時黏合部55溶解、去除等的方式分離掩模100與模板50。作為另一示例，可通過施加超聲波US或者施加紫外線UV使掩模100與模板50的黏合力減弱，從而分離掩模100與模板50。

圖7是根據本發明一實施例的將掩模100附著到框架200的狀態示意圖。圖7中圖示了將所有掩模100附著到框架200的單元區域CR的狀態。雖然可一一附著掩模100後再分離模板50，但也可將所有掩模100附著之後再分離所有模板50。

參照圖7，一個掩模100可黏合到框架200的一個單元區域CR上。由於框架200的掩模單元片材部220的厚度薄，因此，如果掩模100在被施加拉伸力的狀態下黏合到掩模單元片材部220，則掩模100中殘留的拉伸力將作用於掩模單元片材部220與掩模單元區域CR，從而會使它們發生變形。因此，應該在對掩模100不施加拉伸力的狀態下，將掩模100黏合到掩模單元片材部220。本發明僅通過在模板50上附著掩模100且將模板50裝載於框架200上便可以完成掩模100與框架200的掩模單元區域CR的對應過程，該過程不對掩模100施加任何拉伸力。

本發明由於只需要對應掩模100的一個單元C並確認對準狀態即可，因此與同時對應多個單元C(C1至C6)並需要確認全部對準狀態的現有方法相比，本發明可以明顯縮短製造時間。

另外，在圖4的(b)中，如上所述，通過層壓工藝將掩模金屬膜110 黏合到模板50上時，掩模金屬膜110上可能會施加有約100℃的溫度。基於此，掩模金屬膜110能夠以施加有部分拉伸力的狀態黏合到模板50上。然後，如果掩模100附著在框架200上而模板50從掩模100分離，則掩模100可收縮一定程度。

如果每個掩模100均附著在對應的掩模單元區域CR上之後再分離模板50與掩模100，則由於多個掩模100會施加朝相反方向收縮的張力，而且所述張力相互抵消，因此掩模單元片材部220上不會發生變形。例如，在CR11單元區域上附著的掩模100與CR12單元區域上附著的掩模100之間的第一柵格片材部223上，附著在CR11單元區域上的掩模100向右側方向作用的張力與附著在CR12單元區域上的掩模100向左側方向作用的張力可相互抵消。因此，框架200(或者掩模單元片材部220)因張力發生的變形被最小化，從而具有使掩模100(或者掩模圖案P)的對準誤差最小化的優點。

圖8是將比較例的掩模附著到框架上的狀態示意圖。

如圖5中所述，如果從掩模100'的上部向焊接部WP照射鐳射L，鐳射L可熔融焊接部WP區域的部分掩模100'。掩模100'的一部分被熔融形成焊珠WB，焊珠WB作為介質可將掩模100'與框架200連接一體。

此時，形成有焊珠WB部分的掩膜100’經熔融後再凝固的過程中，可施加使焊珠WB周邊收縮的張力T。由於該收縮的張力T，可導致焊珠WB的周邊產生皺紋、扭曲、毛邊等變形105'。而且，焊珠WB與掩膜單元C之間的空間上可發生皺紋、扭曲等變形106'。結果，因張力T發生變形105'、106'，並且這些變形105'、106'可導致掩膜圖案P對準狀態及單元C間的對準狀態被打亂的問題產生。

此外，為了使附著有掩模100’的掩模單元片材部220也具有繃緊的狀態，能夠以施加預定張力的狀態附著到邊緣框架部210，但是該掩模單元片材部220內在的拉伸力會傳遞到掩模100’，從而可能會引起掩模圖案P及單元C的對 準誤差。

本發明的掩模100隨著防皺圖案150的形成可防止上述問題。

圖9和圖10是根據本發明一實施例的防皺圖案150(151、153及155)的示意圖。圖9是圖3(a)的B1部分的放大示意圖，圖10是圖3(a)的B2部分的放大示意圖。

參照圖9和圖10，防皺圖案150可包括多個第一圖案151和多個第二圖案153。在此基礎上，可進一步形成多個第三圖案。防皺圖案150類似於掩模圖案P，如同掩模100的虛設部DM(或者邊緣部)上形成的孔(hole)，同樣可在掩模圖案P的形成過程(參照圖4的(d))中形成。防皺圖案150優選以貫通掩模100的形式形成，也可以是在分散施加於掩模100上的張力T以防止掩模100發生變形的範圍內只針對一部分厚度進行蝕刻的形態。

如圖3的(a)、圖9及圖10所示，掩模100上排列有多個作為執行焊接區域的焊接部WP。焊接部WP可沿著X軸和Y軸方向相隔地排列在虛設部DM區域。圖9作為掩模100左側一部分的放大圖，圖示了焊接部WP沿著Y軸方向排列的狀態，圖10作為掩模100上側一部分的放大圖，圖示了焊接部WP沿著X軸方向排列的狀態。焊接部WP可以大致為圓、橢圓等形狀，其具有約300μm左右的直徑/寬度dw。

第一圖案151可朝與排列有多個焊接部WP的方向垂直的方向形成，且與各自的焊接部相隔地形成。圖9中焊接部WP沿著Y軸方向排列，因此第一圖案151可沿著X軸方向形成，圖10中焊接部WP沿著X軸方向排列，因此第一圖案151可沿著Y軸方向形成。

第一圖案151可形成於焊接部WP與相鄰焊接部WP之間，且以大於或者等於焊接部WP寬度dw的形態形成，從而可在較大的範圍內分散焊接部WP周邊的張力T。圖9和圖10中圖示了在焊接部WP與相鄰的焊接部WP之間形成有 一個第一圖案151的狀態，也可以形成有多個第一圖案151。

由於第一圖案151為直線形態，因此施加張力T時出現直線狀縫隙稍微張開或者張開的縫隙閉合的行為，從而通過分散張力T可防止焊接部WP周邊發生變形。

第二圖案153可朝與排列有多個焊接部WP的方向水平的方向形成。圖9中焊接部WP沿著Y軸方向排列，因此第二圖案153可沿著Y軸方向形成，圖10中焊接部WP沿著X軸方向排列，因此第二圖案153可沿著Y軸方向形成。

第二圖案153可從焊接部WP向掩模單元C方向側形成。即，以焊接部WP為基準，可形成於內側。因此，多個第二圖案153不僅可分散焊接部WP周邊的張力T而且可分散焊接部WP(或者虛設部DM)與掩模單元C之間的張力T。

第二圖案153相比於第一圖案151可以形成得較短。作為一示例，第二圖案153能夠以0.1至0.5倍於焊接部WP寬度dw的長度形成。對焊接部WP周邊的張力T，第一圖案151在較大的範圍內可進行第一次分散，各第二圖案153在較小的範圍內可進行第二次分散。由於第二圖案153同樣為直線狀，因此施加張力T時會出現有直線狀縫隙稍微張開或者張開的縫隙閉合的行為，從而通過分散張力T可防止焊接部WP周邊發生變形。

第二圖案153可沿著一條線或者相互分離的多條線形成。由於朝Y軸方向(參照圖9)及X軸方向(參照圖10)沿著一條或者多個線形成，因此第二圖案153實質上可沿著虛設部DM區域的內側邊緣佈置。圖9和圖10雖然圖示了沿著4條線形成的第二圖案153a、153b、153c及153d，但其可進行增減。由此，多個第二圖案153的群集可在較廣的範圍分散焊接部WP周邊的張力、虛設部DM與掩模單元C之間的張力T、掩模100膜上施加的壓力、張力等。

第二圖案153沿著多條線形成時，特定線及其相鄰的線上的第二圖案153可相互錯開地形成。例如，第一條線的第二圖案153a和第二條線的第二圖 案153b相互錯開地形成。第三條線和第四條線的第二圖案153c、153d也相互錯開地形成。因此，具有在第二圖案153佔據的虛設部DM區域內能夠以2重、3重或者其以上較均勻地分散張力T的效果。

焊接部WP與第二圖案153之間可進一步形成第三圖案155。第三圖案155也如同第二圖案153為直線狀，能夠朝與排列有多個焊接部WP的方向水平的方向形成。第三圖案155相比於第一圖案151能夠以較短的長度形成，以大於或者等於第二圖案153的長度形成。而且，第三圖案155的中心與焊接部WP的中心WPC可位於相同的垂直線或者水平線上。

第三圖案155雖然以小於第一圖案151的長度形成，但是由於靠近焊接部WP佈置，因此可起到將焊接部WP周邊的張力T向第二圖案153佔據的寬闊面積分散的中樞作用。

另外，假設第一圖案151、第二圖案153及第三圖案155為直線狀並進行說明，但是也可以是在通過張開或者閉合縫隙的同時分散張力T的範圍內，具有朝一方向延伸的橢圓形或者部分棱角為圓弧狀的形態。

由於第一圖案151和第二圖案153/第三圖案155沿著相互垂直的方向排列，因此具有有利於分散沿著X軸方向、Y軸方向、XY面施加的張力T的優點。而且，由於第一圖案151、第二圖案153及第三圖案155為直線狀且形態不複雜，因此具有容易形成的優點。

圖11是根據本發明另一實施例的防皺圖案的示意圖。

參照圖11，在圖9的形態中可進一步形成對準圖案157。在掩模100中可形成有一個或者多個對準圖案157，而且還可以在掩模100的各邊形成一個或者多個對準圖案157。

對準圖案157大體能夠以包括相鄰的至少兩個焊接部WP的形態形成。圖11示出了包括相鄰兩個焊接部WP即兩個焊接部WP的外廓邊緣相連的長 橢圓形的對準圖案157，但對準圖案157的形狀不限於此。

由於對準圖案157內包括至少兩個焊接部WP，因此可在焊接部WP部分執行焊接並生成焊珠WB。此外，由於對準圖案157具有與防皺圖案150區分的形態且尺寸為數百μm左右，因此具有易於將掩模100或者掩模支撐模板50裝載到框架200上並通過顯微鏡確認對準狀態的優點。而且，對準圖案157起到如第一圖案151、第二圖案153、第三圖案155的防皺圖案150作用，具有可防止掩模100變形的效果。

如上所述，本發明在將掩模100附著到框架200時，通過分散施加在掩模100上的張力和壓力以防止掩模100發生變形，從而具有可提高位置精密度的效果。通過防止掩模100的下垂或者產生褶皺或者扭曲等變形，能夠準確的對準，從而具有能夠提供可蒸鍍超高解析度OLED像素的掩模100的效果。

圖12示出了根據本發明的實驗例的OLED像素。

圖12(a)是由通過掩模單元C中央區域的有機物源形成的OLED像素。可確認到像素被清晰地蒸鍍。圖12(b)和圖12(c)是發生像素蒸鍍模糊的不良情況。特別是，在掩模單元C的邊緣(掩模單元C與虛設部DM的分界)周邊產生不良，當從掩模單元C邊緣向內側方向移動6mm後，可確認到如圖12(a)正常的OLED像素蒸鍍。

如圖12(b)和圖12(c)的OLED像素蒸鍍不良的情況是由於掩模100與蒸鍍OLED像素的目標基板900(參照圖17和圖18)沒有完全緊貼產生隆起而造成的。下面特別針對鐳射照射焊接部WP形成的焊珠WB(或者焊接點)是否參與掩模100與目標基板的緊貼進行說明。

圖13是根據本發明一實施例的形成有焊珠WB且附著到框架200上的掩模100的局部放大示意圖。設想框架200上附著有10個掩模100[或者掩模單元C(C11至C25)的實施例，並放大掩模單元C11的左上端部分進行說明。

在掩模虛設部DM上沿著與掩模100的X軸平行的邊(短邊)以1mm間隔進行焊接形成焊珠WB。在掩模虛設部DM上沿著與Y軸平行的邊(長邊)以5mm間隔進行焊接。圖13中X1是在X軸方向上與焊珠WB相一致的線，Y1是在Y軸方向上與焊珠WB相一致的線。X2是在X軸方向上與掩模單元C的邊緣(或者最外廓的掩模圖案P)或者虛設部DM與掩模單元C的分界相一致的線，Y2是在Y軸方向上與掩模單元C的邊緣(或者最外廓的掩模圖案P)或者虛設部DM與掩模單元C的分界相一致的線。X3是在X軸方向上貫通掩模單元C的中央區域的線，Y3是在Y軸方向上貫通掩模單元C的中央區域的線。

圖14是沿著圖13的X1、X2、X3、Y1、Y2、Y3測量的Z軸值的曲線圖。Z軸表示以大約30μm厚度的掩模100的下部平面(XY面)為基準的垂直方向的軸，有效區域AA對應形成有掩模圖案P的掩模單元C。

觀察圖14(a)的X曲線圖(圖13的X1線、X2線及X3線)，可確認X1軸與焊珠WB形成的軸相一致，形成焊珠WB部分的高度較低。即，焊珠WB之間反而呈現較高，焊珠WB[或者毛刺(burr)]高度約為3至5μm。這可能是由於圖19中後述的焊接部WP的段差WS而引起的，或者也可能是由於在形成焊珠WB時掩模100和掩模單元片材部220(221、223及225)的一部分熔融而引起的。由於焊珠WB與相鄰的焊珠WB之間的高度差，在這附近掩模100上可能會產生褶皺。這種褶皺還會影響到掩模單元C(或者有效區域)。

再次觀察X曲線圖，9.2mm以前，對應焊珠WB的X1軸、對應掩模單元C與虛設部DM的分界(或者有效區域分界)的X2軸、對應掩模單元C內部區域(或者有效區域內部區域)的X3軸的Z值具有較大的偏差，偏差值約為至10μm。相比於X2和X3，X1由於焊珠WB的存在，在9.2mm以前偏差特別大，越是靠近掩模100的邊緣(即，X值越是接近0)偏差越大。特別是，從掩模100的最外廓逐漸向 X軸方向推進，9.2mm以後偏差顯示不大，X1、X2及X3皆保持一定。即，9.2mm以後，X2和X3不發生褶皺，它們的值大致近似。

觀察圖14(b)的Y曲線圖(圖13的Y1線、Y2線及Y3線)，可確認Y1軸與焊珠WB形成軸相一致，形成焊珠WB部分的高度較低。即，焊珠WB之間反而顯示較高，焊珠WB[或者毛刺(burr)]高度約為3至5μm。這可能是由於圖19中後述的焊接部WP的段差WS而引起的，或者也可能是由於在形成焊珠WB時掩模100和掩模單元片材部220(221、223及225)的一部分發生熔融而引起的。由於焊珠WB與相鄰的焊珠WB之間的高度差，在這附近掩模100上可能會產生褶皺。這種褶皺還會影響到掩模單元C(或者有效區域)。

再次觀察Y曲線圖，6.5mm以前，對應焊珠WB的Y1軸、對應掩模單元C與虛設部DM的分界(或者有效區域分界)的Y2軸、對應掩模單元C內部區域(或者有效區域內部區域)的Y3軸的Z值具有較大的偏差，偏差值約為至15μm。相比於Y2和Y3，Y1由於焊珠WB的存在，在6.5mm以前偏差顯示特別大，越是靠近掩模100的邊緣(即，Y值越是接近0)偏差越大。特別是，從掩模100的最外廓逐漸向Y軸方向推進，在6.5mm以後偏差顯示不大，Y1、Y2及Y3皆保持一定。即，6.5mm以後，在Y2和Y3不發生褶皺，它們的值大致近似。

另外，圖14的方塊部分是圖13中用虛線表示的防皺圖案153(spring)的位置部分。可確認的是，在圖14方塊部分X2/X3，Y2/Y3的偏差十分小。這可能是因為掩模100由於防皺圖案153未產生褶皺的結果。

圖15是沿著X2、Y2測量圖13的掩模100全部的Z軸值的曲線圖。Z軸表示以大約30μm厚度MT的掩模100的下部平面(XY面)為基準的垂直方向的軸。

觀察圖15可知，在掩模100的掩模單元C內部，Z值大致一定，而在脫離掩模單元C的虛設部DM區域或者與虛設部DM的分界，Z值的偏差較大。以 掩模的厚度MT為基準的X軸方向的Z值偏差約為-10μm，Y軸方向的Z值偏差約為-15μm。

如上所述，越是靠近掩模單元C內側，Z值偏差消失，即掩模100與目標基板900(參照圖17和圖18)間的隆起V消失，從而像素如圖12(a)清晰地形成。相反，從掩模100邊緣向內側9.2mm/6.5mm左右為止，Z值存在偏差，即掩模100與目標基板900之間存在隆起V，因此如圖12(b)和圖12(c)所示，像素可發生不良。

圖16是根據本發明一實施例的防皺圖案151的示意圖。

為了防止發生如圖12(b)和圖12(c)的像素不良，提出了縮減焊珠WB之間的高度偏差的方案。參照圖14的方塊部分，如圖16所示，在焊珠WB與相鄰的焊珠WB之間新增/應用防皺圖案151，分散焊珠WB間的壓力，從而可防止褶皺從焊珠WB附近向掩模單元C擴散。或者，作為變更鐳射焊接條件的一示例，可考慮通過縮減焊接能量來縮減焊珠WB的高度偏差的方案。另外，還可以考慮通過只形成圖18和圖19中後述的虛設部防彎圖案160來取代防皺圖案150(151、153及155)，從而防止褶皺向掩模單元C擴散的方案。

圖17是根據本發明一實施例的掩模100上產生的隆起V問題的示意性側截面圖。

本發明的掩模100具有防皺圖案153，從而具有分散沿著X軸、Y軸和XY面施加的張力T的效果，但是如圖17的(a)在分散張力T的過程中防皺圖案153可能會發生縫隙的同時防皺圖案153部分可能會發生向上隆起的現象。這種情況下，如圖17的(b)，由於防皺圖案153向上隆起的部分，當將掩模100緊貼在目標基板900即OLED像素蒸鍍目標時，不能做到完全緊貼，呈現數μm左右(約1至9μm)的隆起V。

此外，即使無防皺圖案153或者只存在虛設部防彎圖案160，只要存在高於掩模100的基準水平面(掩模上部面，TP)向上突出的掩模100的部分，便 會出現這種隆起V。掩模100的基準水平面TP與目標基板900的下部面不能實現緊貼從而產生間隙。

如圖15中所觀察，這種隆起V從掩模單元C的內側即掩模單元C與虛設部DM的分界越是靠近內側則越是遠離防皺圖案153，因此隆起V程度逐漸消失。只是，可能對靠近掩模單元C與虛設部DM分界的部分上形成的OLED像素700'、700"產生不良影響。

如圖17的(b)，儘管掩模圖案P的寬度為D1，但隨著因隆起V有機物源推進長度變長，像素的寬度D2變小或者變大，像素700"的蒸鍍量小於所目標的蒸鍍量，從而可引發亮度下降的問題。由此，掩模單元C與虛設部DM分界附近的像素700'、700"可能產生大量的不良。

圖18是根據本發明一實施例的包括虛設部防彎圖案160的掩模的示意性側截面圖。圖19是根據本發明一實施例的包括虛設部防彎圖案160、161及162的掩模附著到框架上的狀態的示意性側截面圖。

參照圖18和圖19，掩模100中可形成虛設部防彎圖案160、161及162。虛設部防彎圖案160可佈置在焊接部WP(或者焊珠WB)與掩模單元C邊緣之間。或者，虛設部防彎圖案161、162可佈置在焊接部WP(或者焊珠WB)的周邊上焊接部WP(或者焊珠WB)與相鄰的焊接部WP(或者焊珠WB)之間，或者也可佈置在焊接部WP(或者焊珠WB)與虛設部DM的邊緣(掩模100最外廓)。

如圖18(a)所示，如果包括防皺圖案153，則在防皺圖案153的周邊可進一步形成虛設部防彎圖案160。虛設部防彎圖案160可形成於以下至少任意一個區域：防皺圖案153與焊接部WP之間(160a)，防皺圖案153與掩模單元C區域的邊緣之間(160b)，防皺圖案153的單位圖案之間(160c)。此時，虛設部防彎圖案160優選以小於防皺圖案153的尺寸形成，通過在防皺圖案153的周邊緩解防皺圖案153的壓力，可防止防皺圖案153的隆起。例如，當使用5μm至40μm厚度的掩 模100時，防皺圖案153可大於或者等於掩模圖案P的寬度，且可具有數mm(約1至9mm)的寬度，相反地，虛設部防彎圖案160優選具有小於掩模圖案P的寬度，以1μm至40μm的平均寬度形成。因此，防皺圖案153的隆起減小，從而可提高掩模單元C區域邊緣部分和目標基板900即OLED像素蒸鍍目標間的緊貼力。

虛設部防彎圖案160、161及162能夠以貫通或者半蝕刻掩模100的形式形成。而且，虛設部防彎圖案160、161及162可由貫通和半蝕刻掩模10的形態組合而成。例如，虛設部防彎圖案160、161及162上可形成有貫通掩模100的第一單位圖案，且可包括為了與第一單位圖案的周邊相隔而半蝕刻的第二單位圖案。由此，掩模100具有沿著特定方向呈現出褶皺或者彎曲(隆起V)逐漸改善的效果。

另外，參照圖19，掩模100在形成焊接部WP(或者焊珠WB)的部分上可形成段差WS。段差WS以與目標基板900接觸的面為基準凹陷地形成，對應焊接部WP的掩模部分的厚度可薄於焊接部WP以外的虛設部DM區域的厚度。段差WS的高度TW可約為5至9μm。由於段差WS凹陷地形成，因此焊接掩模單元片材部221、223與掩模100時從段差WS的底面部分向上生成的焊珠WB不會超出掩模100的基準面TP。換而言之，由於焊珠WB的最上端位於低於或者等於掩模面的最上面TP的位置，因此可進一步防止掩模100與目標基板900之間的隆起V。而且，虛設部防彎圖案161、162能夠以佈置在段差WS的內部或者周邊的方式形成。

圖20是應用圖18的實施例並沿著X2、Y2測量掩模全部的Z軸值的曲線圖。X2軸和Y2軸與上述圖13中的X2軸和Y2軸相同。

參照圖18(b)和圖20，隨著掩模100相對於目標基板900的隆起V程度得到改善，即，與目標基板900面對的掩模100的基準水平面TP可緊貼在目標基板900的下部面。根據一實施例，在掩模單元C的邊緣向虛設部DM方向沿X軸 移動時，在與目標基板900面對的掩模面TP上朝垂直方向(Z軸方向)的偏差小於10μm，從掩模單元C的邊緣向虛設部DM方向沿Y軸移動時，在與目標基板900面對的掩模面TP上朝垂直方向(Z軸方向)的偏差可小於15μm。

由此，靠近掩模單元C與虛設部DM分界的部分上形成的OLED像素700不同於圖17(b)的不良像素700'、700"，具有與掩模圖案P的寬度D1對應的寬度D2，且可均勻、清晰地形成。最終，在顯示器的角部和中央部，具有像素700的大小和亮度的均勻性大幅上升的效果。

通過應用圖19的實施例並進一步形成虛設部防彎圖案160、161及162時，如圖20的結果，在掩模單元C的邊緣上向虛設部DM方向沿X軸和Y軸移動時，與目標基板900面對的掩模面TP上朝垂直方向(Z軸方向)的偏差小於10μm和15μm，相比於圖18的結果偏差可進一步得到改善。而且，根據一實施例，以6.5G級目標基板900作為目標時，如圖20可知，隆起V的改善程度為，從掩模單元C邊緣向內側方向進入約1至2mm時Z值開始幾乎不存在偏差且保持一定。由於掩模圖案P佈置於距掩模單元C邊緣約5mm處，因此從有掩模圖案P的區域開始實質上不存在隆起V，如圖12(a)，像素700的大小和亮度可均勻地形成。

如上所述，本發明列舉了優選實施例進行圖示和說明，但是本發明不限於上述實施例，在不脫離本發明的精神的範圍內，本領域技術人員能夠進行各種變形和變更。這種變形和變更均屬於本發明和所附的申請專利範圍的範圍。

153:第二圖案

160a:防皺圖案與焊接部WP之間

160b:掩模單元C區域的邊緣之間

160c:防皺圖案的單位圖案之間

700:OLED像素

900:目標基板

C:單元；掩模單元

D1,D2:寬度

DM:虛設部；掩模虛設部

P:掩模圖案

TP:基準面

WP:焊接部

Claims (4)

1. 一種框架一體型掩模，其由多個OLED像素形成用掩模與用於支撐掩模的框架形成一體，其中，該框架一體型掩模包括：多個掩模；及框架，其具有多個掩模單元區域，且邊緣框架部上連接有掩模單元片材部，掩模分別對應地附著到掩模單元區域上，掩模包括形成有多個掩膜圖案的掩模單元與掩模單元周圍的虛設部，虛設部的至少一部分上形成有相隔設置的多個焊珠以使掩模與框架連接一體，焊珠與掩模單元的邊緣之間形成有多個虛設部防彎圖案，且形成為貫通或半蝕刻掩模的形態，虛設部防彎圖案減少與OLED像素蒸鍍目標基板相對的掩模面的基準水平面上的隆起，以使掩模單元的邊緣部分與目標基板即OLED像素蒸鍍目標緊貼，在形成有焊珠的掩模部分上，以與OLED像素蒸鍍目標基板接觸的面為基準形成有段差，使形成有焊珠的掩模部分的厚度薄於焊接部以外的虛設部區域的厚度，焊珠的最上端位於等於或低於掩模面的最上面的位置，掩模的厚度為5μm至40μm，虛設部防彎圖案的平均寬度為1μm至40μm，在掩模單元的邊緣上朝虛設部方向沿X軸行進時，在與OLED像素蒸鍍目標基板相對的掩模面上朝垂直方向的偏差小於10μm，在掩模單元的邊緣上朝虛設部方向沿Y軸行進時，在與OLED像素蒸鍍目標基板相對的掩模面上朝垂直方向的偏差小於15μm。
2. 如請求項1所述的框架一體型掩模，其中，焊接部與掩模單元的邊緣之間、焊接部與相鄰的焊接部之間中的至少任一區域形成有平均寬度大 於虛設部防彎圖案的防皺圖案。
3. 如請求項1所述的框架一體型掩模，其中，虛設部防彎圖案包括第一單位圖案和第二單位圖案，所述第一單位圖案貫通掩模，所述第二單位圖案與第一單位圖案相隔設置且以半蝕刻形態形成。
4. 如請求項1所述的框架一體型掩模，其中，虛設部防彎圖案進一步形成於焊接部與相鄰的焊接部之間、焊接部與虛設部邊緣之間中的至少任一區域上。