TWI830051B

TWI830051B - 掩模支撐模板的製造方法、掩模支撐模板及框架一體型掩模的製造方法

Info

Publication number: TWI830051B
Application number: TW110131316A
Authority: TW
Inventors: 李炳一; 金奉辰; 李永浩
Original assignee: 南韓商奧魯姆材料股份有限公司
Priority date: 2020-10-07
Filing date: 2021-08-24
Publication date: 2024-01-21
Also published as: KR102442459B1; KR20220129503A; CN114293145B; TW202230852A; CN118241156A; CN114293145A; KR102657424B1; KR20220046196A

Abstract

本發明涉及掩模支撐模板的製造方法以及框架一體型掩模的製造方法。本發明涉及的掩模支撐模板的製造方法，該掩模支撐模板用於支撐OLED像素形成用掩模並將掩模對應至框架，所述方法包括以下步驟：(a)將掩模金屬膜黏合到轉移襯底；(b)在與黏合有轉移襯底的掩模金屬膜一面相對的另一面上形成副掩模圖案；(c)將轉移襯底剝離；(d)在形成有副掩模圖案的掩模金屬膜的另一面上形成隔板絕緣部，並將掩模金屬膜的另一面以夾設隔板絕緣部地黏合在模板上；(e)在掩模金屬膜的一面上縮減掩模金屬膜的厚度；(f)通過在掩模金屬膜的一面上形成主掩模圖案來製造掩模。

Description

掩模支撐模板的製造方法、掩模支撐模板及框架一體型掩模的製造方法

發明領域

本發明涉及掩模支撐模板的製造方法及框架一體型掩模的製造方法。更具體地，涉及一種使掩模不發生變形且能夠穩定地得到支撐移動並能夠準確地對準各掩模的掩模支撐模板的製造方法、掩模支撐模板及框架一體型掩模的製造方法。

發明背景

作為OLED(有機發光二極體)製造工藝中形成像素的技術，主要使用精細金屬掩模(Fine Metal Mask，FMM)方法，該方法將薄膜形式的金屬掩模(Shadow Mask，陰影掩模)緊貼於基板並且在所需位置上沉積有機物。

在現有的OLED製造工藝中，將掩模製造成條狀、板狀等後，將掩模焊接固定到OLED像素沉積框架並使用。一個掩模上可以具備與一個顯示器對應的多個單元。另外，為了製造大面積OLED，可將多個掩模固定於OLED像素沉積框架，在固定於框架的過程中，拉伸各個掩模，以使其變得平坦。調節拉伸力以使掩模的整體部分變得平坦是非常困難的作業。特別是，為了使各個單元全部變得平坦，同時對準尺寸僅為數μm至數十μm的掩模圖案，需要微調施加到掩模各側的拉伸力並且實時確認對準狀態的高難度作業要求。

儘管如此，在將多個掩模固定於一個框架過程中，仍然存在掩模之間以及掩模單元之間對準不好的問題。另外，在將掩模焊接固定於框架的過程中，掩模膜的厚度過薄且面積大，因此存在掩模因荷重而下垂或者扭曲的問題；由於焊接過程中在焊接部分產生的皺紋、毛邊(burr)等，導致掩模單元的對準不准的問題等。

在超高畫質的OLED中，現有的QHD畫質為500-600PPI(pixel per inch，每英吋像素)，像素的尺寸達到約30-50μm，而4KUHD、8KUHD高畫質具有比之更高的-860PPI，-1600PPI等的解析度。如此，考慮到超高畫質的OLED的像素尺寸，需要將各單元之間的對準誤差縮減為數μm左右，超出這一誤差將導致產品的不良，所以收率可能極低。因此，需要開發能夠防止掩模的下垂或者扭曲等變形並且使對準精確的技術，以及將掩模固定於框架的技術等。

[技術問題]

因此，本發明是為了解決如上所述的諸多技術問題而提出的，其目的在於提供一種使掩模不發生變形且能夠穩定地得到支撐移動，而且能夠防止掩模的下垂或者扭曲等變形，並能夠準確地對準掩模的掩模支撐模板的製造方法、掩模支撐模板及框架一體型掩模的製造方法。

此外，本發明的目的在於，提供一種能夠將多個掩模支撐模板同時對應並附著到框架上的掩模支撐模板的製造方法。

此外，本發明的目的在於，提供一種能夠顯著地縮短製造時間且顯著地提升收率的框架一體型掩模的製造方法。 [技術方案]

本發明的上述目的通過掩模支撐模板的製造方法來實現，該掩模支撐模板用於支撐OLED像素形成用掩模並將掩模對應至框架，所述方法包括以下步驟：(a)將掩模金屬膜黏合到轉移襯底；(b)在與黏合有轉移襯底的掩模金屬膜一面相對的另一面上形成副掩模圖案；(c)將轉移襯底剝離；(d)在形成有副掩模圖案的掩模金屬膜的另一面上形成隔板絕緣部，並將掩模金屬膜的另一面以夾設隔板絕緣部地黏合在模板上；(e)通過在掩模金屬膜的一面上形成主掩模圖案來製造掩模。

在步驟(a)中，第一臨時黏合部可夾設在轉移襯底與掩模金屬膜之間。

在步驟(b)中，在掩模金屬膜的掩模單元部可形成副掩模圖案，並在除掩模單元部以外的虛設部可形成焊接圖案。

副掩模圖案和焊接圖案能夠不貫通掩模金屬膜地形成。

在步驟(c)中，可將轉移襯底剝離後去除第一臨時黏合部。

在步驟(d)中，模板可為容納在模板支撐部槽中的狀態，並將掩模金屬膜的另一面以夾設隔板絕緣部地黏合在模板和模板支撐部上。

模板和模板支撐部的上部面的高度相同，第三臨時黏合部可夾設在隔板絕緣部與模板及模板支撐部之間。

在模板支撐部的槽中可形成第二臨時黏合部，以使模板的至少一面以夾設第二臨時黏合部地黏合在模板支撐部上。

模板支撐部可包括底板及連接在底板的一面邊緣且具有中空區域的邊緣板，中空區域對應模板支撐部的槽，且模板安置在中空區域。

可進一步包括(f)將模板從模板支撐部剝離的步驟。

在步驟(d)與步驟(e)之間，可進一步包括(d2)在掩模金屬膜的一面上縮減掩模金屬膜厚度的步驟。

在(d2)步驟中，可縮減掩模單元部的厚度，然而在對應焊接部的區域不進行厚度縮減。

在步驟(e)中，主掩模圖案能夠貫通掩模金屬膜地形成，主掩模圖案的寬度和厚度大於副掩模圖案的寬度和厚度，主掩模圖案與副掩模圖案之和構成掩模圖案。

在步驟(e)中，在形成主掩模圖案的同時切除掩模金屬膜的邊緣使其與模板的尺寸相同。

準備掩模支撐模板，所述掩模支撐模板支撐具有與模板相同的尺寸且形成有多個掩模圖案的掩模。

在步驟(a)之後，在掩模金屬膜上進一步形成第一對準孔和第二對準孔，所述第一對準孔用於對準副掩模圖案和主掩模圖案的位置；所述第二對準孔用於對準掩模金屬膜與模板支撐部。

另外，本發明的上述目的通過掩模支撐模板來實現，其支撐OLED像素形成用掩模並將掩模對應至框架，該掩模支撐模板包括：模板，其用於支撐掩模；臨時黏合部，其形成於模板上；隔板絕緣部，其形成於臨時黏合部上；以及掩模，其形成於隔板上且形成有多個掩模圖案，掩模圖案由與隔板絕緣部相接觸的副掩模圖案及副掩模圖案上部的主掩模圖案構成，主掩模圖案的寬度和厚度大於副掩模圖案的寬度和厚度。

另外，本發明的上述目的通過框架一體型掩模的製造方法來實現，所述框架一體型掩模由至少一個掩模及用於支撐掩模的框架一體形成，該方法包括以下步驟：(a)將掩模金屬膜黏合到轉移襯底上；(b)在與黏合有轉移襯底的掩模金屬膜一面相對的另一面上形成副掩模圖案；(c)將轉移襯底剝離；(d)在形成有副掩模圖案的掩模金屬膜的另一面上形成隔板絕緣部，並將掩模金屬膜的另一面以夾設隔板絕緣部地黏合到模板上；(e)通過在掩模金屬膜的一面上形成主掩模圖案來製造掩模；(f)在具有至少一個掩模單元區域的框架上裝載模板，並將掩模對應至框架的掩模單元區域；(g)將掩模附著到框架上。

另外，本發明的上述目的通過框架一體型掩模的製造方法來實現，所述框架一體型掩模由至少一個掩模及用於支撐掩模的框架一體形成，該方法包括以下步驟：(a)在具有至少一個掩模單元區域的框架上裝載通過上述製造方法製造的模板，並將掩模對應至框架的掩模單元區域；以及(b)將掩模附著到框架上。 [有益效果]

根據如上所述的本發明，使掩模不發生變形且能夠穩定地得到支撐移動，而且能夠防止掩模的下垂或者扭曲等變形，並能夠準確地對準掩模。

此外，根據本發明，具有可同時將多個掩模支撐模板對應並附著到框架的效果。

此外，根據本發明，具有能夠顯著地縮短製造時間且顯著地提升收率的效果。

較佳實施例之詳細說明

後述本發明的詳細說明將參照附圖，該附圖將能夠實施本發明的特定實施例作為示例示出。充分詳細地說明這些實施例，以使本領域技術人員能夠實施本發明。應當理解，本發明的各種實施例雖然彼此不同，但是不必相互排斥。例如，在此記載的特定形狀、結構及特性與一實施例有關，在不脫離本發明的精神及範圍的情況下，能夠實現為其他實施例。另外，應當理解，在不脫離本發明的精神及範圍的情況下，各公開的實施例中的個別構成要素的位置或配置可進行變更。因此，後述的詳細說明不應被視為具有限制意義，只要適當地說明，則本發明的範圍僅由所附的申請專利範圍及與其等同的所有範圍限定。圖中相似的附圖標記從多方面表示相同或相似的功能，為了方便起見，長度、面積、厚度及其形狀可以誇大表示。

下面，將參照附圖對本發明的優選實施例進行詳細說明，以便本領域技術人員能夠容易實施本發明。

圖1是現有的將掩模10附著於框架20的過程的示意圖。

現有的掩模10為棒式(Stick-Type)或者板式(Plate-Type)，圖1的棒式掩模10可通過將棒的兩側焊接固定於OLED像素沉積框架來使用。掩模10的本體(Body)[或者掩模膜11]具有多個顯示單元C。一個單元C可對應一個智慧手機等的顯示器。單元C上形成有與顯示器的各像素對應的像素圖案P。

參照圖1的(a)，通過沿著棒狀掩模10的長軸方向施加拉伸力F1-F2，以展開的狀態將棒狀掩模10裝載至四邊形框體形狀的框架20上。棒狀掩模10的單元C1-C6將位於框架20的框體內部空白區域部分。

參照圖1的(b)，通過微調施加在棒狀掩模10各側的拉伸力F1-F2並進行對準之後，並通過對棒狀掩模10側面的一部分進行焊接W將棒狀掩模10與框架20相互連接。圖1的(c)圖示了相互連接的棒狀掩模10和框架的側截面。

儘管對施加在棒狀掩模10各側的拉伸力F1-F2進行微調，仍然出現掩模單元C1-C3相互間對準不好的問題。單元C1-C6的圖案間的距離互不相同或圖案P不齊就是這種例子。由於棒狀掩模10包括多個單元C1-C6且具有較大的面積，並且具有數十μm級的十分薄的厚度，因此基於荷重容易發生下垂或者扭曲。而且，為了使各單元C1-C6全部處於平坦狀態，調整拉伸力F1-F2的同時通過顯微鏡觀察各單元C1-C6間的對準狀態是一件十分困難的工作。為了使尺寸為數μm至數十μm的掩模圖案P不對超高畫質OLED的像素工藝產生不良影響，對準誤差優選不超過3μm。這種相鄰的單元之間的對準誤差稱為像素位置精度(pixel position accuracy，PPA)。

另外，多個棒狀掩模10分別連接至一個框架20上，並且確認多個棒狀掩模10間和棒狀掩模10的多個單元C1-C6間對準狀態同樣是一件十分困難的工作，對準操作會導致工藝時間增加，成為降低生產效率的重大原因。

另外，將棒狀掩模10連接固定於框架20之後，施加於棒狀掩模10的拉伸力F1-F2可作為張力(tension)反作用於框架20。這種張力可使框架20細微地變形，而且使多個單元C1-C6間的對準狀態發生扭曲。

因此，本發明提出了一種能夠使掩模100與框架200構成一體型結構的框架200及框架一體型掩模。與框架200形成一體的掩模100可防止發生下垂和扭曲等變形，可準確地在框架200上對準。

圖2是根據本發明的一實施例的框架一體型掩模的主視圖[圖2的(a)]及側截面圖[圖2的(b)]。

在本說明書中，下面將對框架一體型掩模的配置進行簡單的說明，然而框架一體型掩模的結構和製造過程可理解包括韓國專利申請第2018-0016186號的全部內容。

參照圖2，框架一體型掩模可包括多個掩模100及一個框架200。換而言之，是將多個掩模100分別逐一附著於框架200的形態。以下為了便於說明，雖然以四邊形的掩模100為例進行說明，但是掩模100可以是在附著於框架200之前兩側具有用於夾住的突出部的棒狀掩模形態，並且附著於框架200上之後可去除突出部。

各掩模100上形成有多個掩模圖案P，一個掩模100上可形成有一個單元C。一個掩模單元C可對應一個智慧手機等的顯示器。

掩模100的材料也可以是因瓦合金(invar)、超因瓦合金(super invar)、鎳(Ni)、鎳-鈷(Ni-Co)等。掩模100可使用由軋製(rolling)工藝或者電鑄(electroforming)生成的金屬片材(sheet)。

框架200形成為可附著多個掩模100。出於熱變形的考慮，框架200優選由與掩模相同的材料構成。框架200可包括大致為四邊形、四邊形框體狀的邊緣框架部210。邊緣框架部210的內部可為中空形態。

另外，框架200具有多個掩模單元區域CR，可包括連接至邊緣框架部210的掩模單元片材部220。掩模單元片材部220可由邊緣片材部221和第一柵格片材部223及第二柵格片材部225構成。邊緣片材部221和第一柵格片材部223及第二柵格片材部225是指在相同的片材上劃分的各部分，它們相互形成一體。

邊緣框架部210的厚度大於掩模單元片材部220的厚度且由數mm至數cm的厚度形成。掩模單元片材部220的厚度可小於邊緣框架部210的厚度但是大於掩模100的厚度，約為0.1mm至1mm左右。第一柵格片材部223和第二柵格片材部225的寬度約為1-5mm左右。

在平面片材中，除邊緣片材部221和第一柵格片材部223及第二柵格片材部225佔用的區域以外，可提供多個掩模單元區域CR(CR11-CR56)。

框架200具有多個掩模單元區域CR，各掩模100可以以每個掩模單元C與掩模單元區域CR對應的方式附著。掩模單元C與框架200的掩模單元區域CR對應，虛設部的一部分或者全部可附著於框架200[掩模單元片材部220]。由此，掩模100與框架200可形成一體型結構。

圖3是根據本發明的一實施例的掩模100和根據比較例的掩模支撐模板50'的示意性俯視圖及側截面圖。

參照圖3的(a)和圖3的(b)，掩模100可包括形成有多個掩模圖案P的掩模單元C及位於掩模單元C周邊的虛設部DM。掩模100可由軋製工藝、電鑄等生成的金屬片材製成，掩模100上可形成有一個單元C或多個單元C。虛設部DM與除單元C以外的掩模膜110[掩模金屬膜110]部分對應，可以只包括掩模膜110，或者可以包括形成有類似於掩模圖案P形態的預定虛設部圖案的掩模膜110。虛設部DM與掩模100的邊緣對應，且虛設部DM的一部或者全部可附著於框架200[掩模單元片材部220]。

掩模圖案P的寬可以以小於40μm的尺寸形成，掩模100的厚度可以以約5-20μm的尺寸形成。由於框架200具有多個掩模單元區域CR(CR11-CR56)，因此也可具有多個掩模100，所述掩模100具有與各掩模單元區域CR(CR11-CR56)對應的掩模單元C(C11-C56)。

參照圖3的(b)，掩模100能夠以附著在比較例的模板50'的一面上並得到支撐的狀態移動。模板50'的中心部可對應掩模金屬膜110的掩模單元C，邊緣部可對應掩模金屬膜110的虛設部DM。為了整體上支撐掩模金屬膜110，模板50'為尺寸大於掩模金屬膜110面積的大型平板狀。

為了使從模板50'的上部照射的雷射L直達掩模100的焊接部WP(執行焊接功能)，模板50'上可形成有雷射通過孔51'。雷射通過孔51'可以以對應焊接部WP的位置及數量的方式形成於模板50'上。

模板50'的一面可形成有臨時黏合部55'。在掩模100附著於框架200之前，臨時黏合部55'可使掩模100[或者掩模金屬膜110]臨時黏合在模板50'的一面並支撐在模板50'上。

圖4是根據比較例的將掩模支撐模板50'裝載至框架200上的過程的示意圖。

參照圖4，可通過真空吸盤90移送模板50'。利用真空吸盤90吸附黏貼有掩模100的模板50'的一面的相反面從而進行移送。

掩模100可對應於框架200的一個掩模單元區域CR。通過將模板50'裝載至框架200[或者掩模單元片材部220]上從而使掩模100對應至掩模單元區域CR。

接下來，向掩模100照射雷射L，並基於雷射焊接將掩模100黏合至框架200。經雷射焊接的掩模的焊接部分上形成有焊珠WB，焊珠WB可具有與掩模100/框架200相同的材料且連成一體。

通過反復執行將一個掩模100對應至一個掩模單元區域CR並通過照射雷射L使掩模100黏合至框架200的過程，從而可在所有掩模單元區域CR上分別黏合掩模100。然而，掩模100通過焊接黏合至框架200之後，所述掩模100可向所述掩模100周邊的掩模單元片材部220施加拉伸力。由此，掩模單元片材部220會發生細微的變形，從而黏合下一個掩模100時會給對準帶來壞影響。

因此，相比於將掩模100一一對應/黏合至掩模單元區域CR，需要將所有掩模100同時對應並黏合至掩模單元區域CR。為了將掩模100同時對應至掩模單元區域CR，框架200上應裝載多個支撐並黏合有掩模100的模板50'。然而，如圖4所示，由於模板50'以大於掩模100的面積形成，導致相鄰的模板50'間形成相互重疊的區域OR，因此產生干擾問題。將多個模板50'並排地對應至框架200是十分困難的。第一柵格片材部223和第二柵格片材部225的寬度僅為1-5mm左右，因此掩模100與模板50'一側的長度差應小於所述寬度的1/2，即0.5-2.5mm左右。在滿足上述尺寸差的同時在模板50'上執行製造具有掩模圖案P的掩模100的工藝是十分困難的。

因此，提出了一種形成與掩模100的面積相同的模板50的方案。然而，當在具有與掩模金屬膜110相同面積的模板50上直接執行在掩模金屬膜110上形成掩模圖案P的工藝時，掩模圖案P與模板50的對準將會發生錯位，還會發生模板50的雷射通過孔51與掩模100的虛設部DM[或者焊接部WP]對準不好的問題。而且，在掩模金屬膜110上形成掩模圖案P之後應切除角部並形成如圖3的(a)所示的掩模100，但是在具有與掩模100相同面積的模板50上切除角部是十分困難的。

為了解決該問題，可以考慮在預定基板上製造掩模100之後，轉移(transfer)至具有與掩模100相同尺寸的模板50上的方式。然而，在轉移掩模100的過程中因掩模100中產生的缺陷，或者掩模100中產生褶皺、變形使掩模100與模板50的對準不好，或者掩模100與模板50之間夾有異物等會導致再次引發產品的不良率增加的問題。

重新參照圖3的(b)，掩模金屬膜110上形成掩模圖案P的工藝可在模板50'上進行。掩模金屬膜110的下部面為被模板50'堵住的狀態，因此應在上部面上進行蝕刻來形成掩模圖案P。對於只能通過一個面進行蝕刻的情況，掩模圖案P的寬度很難準確地控制，這會降低各掩模圖案P的均勻度。在上部面進行蝕刻時蝕刻液殘留在所形成的掩模圖案P內從而可能產生意外的工藝缺陷。掩模圖案P的上部寬度PA為蝕刻初期的寬度，因此能夠在一定程度上得以控制。然而，當下部寬度PB發生各向同性蝕刻時，在深度方向上即便發生稍微的蝕刻，則側方向可能會發生相當於深度方向的蝕刻。由此，對於各掩模圖案P而言，下部寬度PB偏差可能會變大。有機物源進入並形成像素的尺寸受下部寬度PB影響的程度更大，因此需要一種提高下部寬度PB的精密度並減小掩模圖案P間下部寬度PB偏差的技術方案。

因此，本發明的特徵在於，朝掩模金屬膜110的兩側方向進行蝕刻，以提高掩模圖案P的上部寬度PA和下部寬度PB的精密度及均勻度。本發明的特徵還在於，通過製造具有與模板50相同面積的掩模100從而防止將掩模100附著到框架200的過程中框架200發生變形。

圖5至圖8是根據本發明一實施例的掩模支撐模板50的製造過程的示意圖。各步驟中上部附圖為示意性側向截面圖，下部附圖為示意性俯視圖。

參照圖5的(a)，可提供黏合在轉移襯底40上的掩模金屬膜110。轉移襯底40在掩模100的製造過程中被臨時使用，由於並非作為用於支撐掩模100並將其裝載到框架200的模板50，因此也沒有必要形成通過孔51。轉移襯底40，其材料可以是玻璃、石英等，為了執行掩模金屬膜110的掩模圖案P形成工藝，其可為面積大於掩模金屬膜110(掩模100)的平板狀。可對應圖3至圖4的比較例的模板50'的尺寸。

轉移襯底40與掩模金屬膜110之間可夾設臨時黏合部53(第一臨時黏合部53)。臨時黏合部53可使用與後述的模板50的臨時黏合部55(第三臨時黏合部55)相同的材料。臨時黏合部53可起到在後述的圖5的(b)中形成副掩模圖案P2時使掩模金屬膜110牢固地黏合在轉移襯底40上的作用。

另外，在形成掩模圖案P之前，還可利用蝕刻等其他圖案形成工藝在掩模金屬膜110上形成第一對準孔AH1和第二對準孔AH2。AH1用於在掩模金屬膜110上對準副掩模圖案P2和主掩模圖案P1的位置，還可用於對準絕

第一對準孔緣部21、25，所述絕緣部21、25用於形成副掩模圖案P2和主掩模圖案P1。第二對準孔AH2用於對準掩模金屬膜110和模板支撐部60[參照圖6的(d)]的位置。

掩模金屬膜110可包括作為形成掩模圖案P(P1、P2)區域的掩模單元部C及掩模單元部C外圍的虛設部DM1、DM2。第一對準孔AH1和第二對準孔AH2可形成於掩模金屬膜110的虛設部DM1、DM2，優選在虛設部DM1、DM2特別是在第二虛設部DM2中形成。第一虛設部DM1作為形成焊接圖案PW(或者焊接部WP)的區域，包含在掩模100的範圍內，而第二虛設部DM2可以是在掩模100的製造工序之後被切除的部分。即，第二虛設部DM2作為模板50的外圍區域，可以是僅對應模板支撐部60[參照圖6的(d)]的區域。

然後，參照圖5的(b)，與接觸有轉移襯底40的掩模金屬膜110的一面(下部面)相對的另一面(上部面)可形成副掩模圖案P2。

通過在掩模金屬膜110的另一面(上部面)形成圖案化的第一絕緣部21，並在第一絕緣部21的圖案間的空間中進行蝕刻來形成副掩模圖案P2。副掩模圖案P2可形成於掩模金屬膜110的掩模單元部C區域。第一絕緣部21可利用列印法等由光刻膠材料形成，蝕刻可不受限制地採用乾蝕刻、濕蝕刻等方法。

作為一示例，當採用濕蝕刻時，因各向同性蝕刻產生底切(undercut)，從而副掩模圖案P2的寬度PB'可大於第一絕緣部21的圖案間的寬度PB。因此，副掩模圖案P2相對於掩模金屬膜110的厚度優選以十分薄的厚度形成。即，以十分薄的厚度進行蝕刻以使掩模金屬膜110不被貫通,以接近作為預設值的圖案下部寬度PB。根據一實施例，以約20μm厚度的掩模金屬膜110為基準，副掩模圖案P2的厚度約小於5μm，優選地約小於2μm。副掩模圖案P2的寬度PB'可約為10-25μm。

在形成副掩模圖案P2的過程中可同時通過第一絕緣部21的圖案間的空間形成焊接圖案PW。或者，還可以利用其他工藝形成焊接圖案PW。焊接圖案PW可形成於以後用於佈置焊接部WP的焊接區域WR。焊接區域WR可對應第一虛設部DM1，所述第一虛設部DM1位於除掩模單元部C以外的虛設部中且包含在掩模100中。焊接圖案PW的厚度也應該對應副掩模圖案P2厚度。段差作為形成焊接圖案PW的空間，後續在將掩模100雷射焊接到框架200的過程中可防止焊珠WB[或者焊接毛刺(burr)]向上部突出而導致與像素沉積目標基板900[參照圖13]間的密貼性惡化。即使焊珠WB向上部突出，也因焊接圖案PW的段差可防止高於掩模100的上部面突出的情況。

然後，參照圖6的(c)，可將掩模金屬膜110和轉移襯底40剝離(debonding)。通過對臨時黏合部51進行加熱ET、化學處理CM、施加超聲波US、施加紫外線UV中至少任意一個來剝離掩模金屬膜110和轉移襯底40。作為一示例，如果施加高於85℃-100℃溫度的熱ET，則臨時黏合部51的黏性降低，掩模100和轉移襯底40的黏合力被弱化，從而可將掩模100和轉移襯底40剝離。作為另一示例，通過在IPA、丙酮、乙醇等化學物質中浸泡CM第一臨時黏合部51來溶解、去除臨時黏合部51等方法，可將掩模100和轉移襯底40剝離。作為另一示例，如果施加超聲波US或者施加紫外線UV，則掩模金屬膜110和轉移襯底40的黏合力被弱化，從而可將掩模金屬膜110和轉移襯底40剝離。

在剝離轉移襯底40之後，通過洗滌等可進一步去除殘留在掩模金屬膜110的第一臨時黏合部51和第一絕緣部21。

然後，參照圖6的(d)，可顛覆掩模金屬膜110並在形成有副掩模圖案P2的掩模金屬膜110的另一面上形成隔板絕緣部23。此外，將掩模金屬膜110的另一面(下部面)以夾設有隔板絕緣部23地黏合在包含有模板50的模板支撐部60上。隔板絕緣部23可形成於掩模金屬膜110或者/和模板支撐部60(或者模板50)上。

此外，隔板絕緣部23與模板50及模板支撐部60之間可進一步夾設臨時黏合部55(第二臨時黏合部55)。臨時黏合部55優選形成於與掩模金屬膜110對應的模板50和模板支撐部60的部分上。掩模金屬膜110可具有大於模板50且小於模板支撐部60的面積，因此臨時黏合部55可形成在模板50一面(上面)的全部和模板支撐部60一面(上面)的局部。掩模100附著於框架200之前，臨時黏合部55可使掩模100臨時黏合於模板50的一面並由模板50支撐。而且，在掩模金屬膜110上形成掩模圖案P並製成掩模100之前，臨時黏合部55可使掩模金屬膜110黏合於模板50和模板支撐部60的一面並得到支撐。

臨時黏合部55可使用基於加熱可剝離的黏合劑、基於UV照射可剝離的黏合劑。

作為一示例，臨時黏合部55可使用液蠟(liquid wax)。液蠟可使用半導體晶片的研磨工序等中使用的蠟，其種類沒有特別限制。作為主要用於控制與維持力有關的黏合力、耐衝擊性等的樹脂成分，液蠟可包括如丙烯酸、醋酸乙烯酯、尼龍及各種聚合物的物質及溶劑。作為一示例，臨時黏合部55可使用包括作為樹脂成分的丁腈橡膠(ABR，Acrylonitrile butadiene rubber)，作為溶劑成分的n-丙醇的SKYLIQUIDABR-4016。液蠟可通過旋轉塗布來形成臨時黏合部55。

作為液蠟的臨時黏合部55在高於85℃-100℃的溫度下黏性下降，在低於85℃的溫度下黏性增加，其一部分如固體固化，從而可固定黏合掩模金屬膜110和模板50(和模板支撐部60)。

根據一實施例，可將執行一工藝的空間的工藝溫度上升至高於常溫的溫度，所述工藝用於形成臨時黏合部55並使掩模金屬膜110與模板50及模板支撐部60黏合。工藝溫度可以是使上述臨時黏合部55的黏性下降的溫度，約為85℃-100℃左右。

接著，可在模板50和模板支撐部60上黏合掩模金屬膜110。作為一示例，將液蠟加熱至85℃以上並將掩模金屬膜110接觸模板50和模板支撐部60之後，將掩模金屬膜110、模板50及模板支撐部60通過輥(roller)之間並進行黏合。

根據一實施例，對模板50[和模板支撐部60]以約120℃烘烤(baking)60秒，使臨時黏合部55的溶劑氣化，然後馬上進行掩模金屬膜110的層壓(lamination)工藝。層壓可通過以下方式執行：在一面形成有臨時黏合部55的模板50和模板支撐部60上裝載掩模金屬膜110，並使其通過約為100℃的上部輥(roll)與約為0℃的下部輥之間。或者，在一面形成有臨時黏合部55的模板50和模板支撐部60上裝載掩模金屬膜110，並在常溫或者高於常溫的溫度下進一步執行層壓。結果，掩模金屬膜110可放置在模板50和模板支撐部60上且中間夾設臨時黏合部55。

層壓優選在真空狀態進行。通過在真空狀態下進行層壓，可防止臨時黏合部55、掩模金屬膜110/模板50/模板支撐部60的介面上形成氣泡。

隔板絕緣部23在後述形成主掩模圖案P1的蝕刻工藝中，可起到防止蝕刻液進入至掩模金屬膜110與臨時黏合部55的介面以損傷臨時黏合部55/模板50，以及防止主掩模圖案P1產生蝕刻誤差的作用。隔板絕緣部23可由不受蝕刻液蝕刻的負型、正型光刻膠材料通過列印方法等形成於掩模金屬膜110上。此外，為了在濕蝕刻工藝中保持原形，隔板絕緣部23還可使用固化負型光刻膠、含有環氧樹脂的負型光刻膠等。作為一示例，使用環氧樹脂系的SU-8光刻膠、黑色矩陣光刻膠(black matrix)，從而使其在臨時黏合部55的烘培過程中一併固化。

此外，隔板絕緣部23可填充在形成於掩模金屬膜110的另一面的副掩模圖案P2、焊接圖案PW的空間內。因此，在後述的形成主掩模圖案P1的過程中可起到防止副掩模圖案P2變形的作用。

重新參照圖6的(d)，模板支撐部60可形成有用於插入模板50(template)的槽64。槽64可具有對應於模板50的寬度、高度。為了能夠使模板50容納在槽64中，模板支撐部60的大小、高度應大於模板50。此外，為了使熱行為相似，模板支撐部60可採用具有與模板50相同的材料或者具有相同熱膨脹係數的材料。

另外，槽64的至少一部分可形成有臨時黏合部65(第三臨時黏合部65)以使模板50插入後能夠黏合固定。臨時黏合部65可使用與模板50的臨時黏合部55(第二臨時黏合部55)相同的材料，優選地，可使用基於UV照射可剝離的黏合片(UV release tape；URT)。如果第三臨時黏合部65使用URT，則可通過只對特定區域照射UV來進行剝離，從而具有可從模板支撐部60輕鬆地剝離模板50的優點。

模板50可插在模板支撐部60的槽64中。模板50是一種媒介，使掩模100支撐附著於一面上的狀態移動。模板50優選為平板狀，以使其一面能夠支撐平坦的掩模100並使掩模100移動。

為了使從模板50的上部照射的雷射L能夠到達掩模100的焊接部WP，模板50上可形成有雷射通過孔51。雷射通過孔51能夠以與焊接部WP的位置和數量對應的方式形成在模板50上。由於在掩模100的邊緣或者虛設部DM(或者第一虛設部DM1)部分上以預定的間隔佈置多個焊接部WP，因此與之對應地也可以以預定間隔形成多個雷射通過孔51。作為一示例，由於在掩模100的兩側(左側/右側)虛設部DM部分上以預定間隔佈置多個焊接部WP，因此在模板50的兩側(左側/右側)以預定間隔也可以形成多個雷射通過孔51。

雷射通過孔51的位置和數量不必一定與焊接部的位置和數量對應。例如，也可以僅對部分雷射通過孔51照射雷射L以進行焊接。此外，部分不與焊接部對應的雷射通過孔51在對準掩模100與模板50時也可作為對準標記而使用。如果模板50的材料對雷射L透明，則也可以不形成雷射通過孔51。

在將模板50插入模板支撐部60的槽64的過程中可對位置進行控制以進行對準。雖然槽64可具有與模板50相同的尺寸，但是當尺寸大於模板50時，可能需要進行對準的過程。可通過使用顯微鏡、對準儀等悉知的位置確認及位置控制手段來控制位置。

此外，模板支撐部60的上面可形成有用於與掩模金屬膜110進行對準時的對準標識AH1'、AH2'。在掩模金屬膜110上形成掩模圖案P時，第一對準標識AH1'可用於與第一對準孔AH1相互對應並對準。在對準掩模金屬膜110與模板支撐部60(和模板50)的位置時，第二對準標識AH2'可用於與第二對準孔AH2相互對應並對準。

另外，將模板50插入模板支撐部60的槽64之後，當模板50與模板支撐部60的一面(上面)的高度不一致時可執行預定的平坦化工藝。平坦化工藝可以指利用研磨(polishing)等使模板50與模板支撐部60的高度相同的一系列工藝。由於模板50與模板支撐部60可能會產生加工公差，因此通過使高度保持一致可使後序工藝即臨時黏合部55的形成、掩模金屬膜110的黏合更加容易。

此外，根據另一實施例的模板支撐部60可包括作為獨立構件的底板61和邊緣板62。底板61為平板狀，邊緣板62可以是具有中空區域的方形環狀。邊緣板62黏合在底板61上且中間夾設並黏合有預定的黏合部，邊緣板62的中空區域可形成模板支撐部60的槽64。黏合部可相當於黏合劑或者臨時黏合部55。

特別是，邊緣板62和模板50可使用相同的圓盤製成。如果使用相同的圓盤製造邊緣板62和模板50，則厚度和材料相同，且不會產生因高度不同導致的加工公差。因此，具有可省略使模板50和模板支撐部60的高度保持一致的平坦化工藝的優點。而且，具有通過剝離底板61和邊緣板62，可從模板支撐部60輕鬆地剝離模板50的優點。

然後，參照圖7的(e)，可在掩模金屬膜110的一面(上部面)上進行平坦化工藝PS。其中，平坦化PS是指在鏡面化掩模金屬膜110的一面(上部面)的同時通過部分地去除掩模金屬膜110的上部來縮減厚度的過程。平坦化PS可使用化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing, CMP)方法進行，而且可不受限制地使用悉知的CMP方法。此外，也可以通過化學濕蝕刻(chemical wet etching)或者乾蝕刻(dry etching)方法縮減掩模金屬膜110的厚度。除此之外，只要是能夠縮減掩模金屬膜110厚度的平坦化工藝皆可使用，對其沒有限制。

經軋製工藝製造的掩模金屬膜110可通過平坦化工藝PS來縮減厚度。此外，為了控制表面特性及厚度，經電鑄鍍金工藝製造的掩模金屬膜110也可以進行平坦化工藝PS。隨著掩模金屬膜110厚度的縮減，掩模金屬膜110的厚度可約為5μm至20μm。

對作為形成有副掩模圖案P2區域的掩模單元部C可進行厚度縮減。相反地，在進行後續的焊接時，為了能夠在形成有焊接圖案PW的區域充分地形成焊珠WB，需要確保掩模金屬膜110的厚度，因此對於虛設部DM，特別是對於形成有焊接圖案PW區域的第一虛設部DM1最好不進行厚度縮減。

掩模金屬膜110以夾設臨時黏合部55地黏合在模板50/模板支撐部60上，因此在執行平坦化工藝PS的過程中也可保持掩模金屬膜110的位置不變。

然後，參照圖7的(f)，在與接觸有模板50的掩模金屬膜110的另一面(下部面)相對的一面(上部面)上可形成主掩模圖案P1。

通過在掩模金屬膜110的一面(上部面)形成圖案化的第二絕緣部25並在第二絕緣部25的圖案間的空間進行蝕刻可形成主掩模圖案P1。主掩模圖案P1可形成於掩模金屬膜110的掩模單元部C區域，且能夠與副掩模圖案P2的位置對應地形成。第二絕緣部25可利用列印法等由光刻膠材料形成，蝕刻可不受限制地使用乾蝕刻、濕蝕刻等方法。

作為一示例，當使用濕蝕刻時，可產生基於各向同性蝕刻的底切(undercut)，因此主掩模圖案P1的寬度PA'可大於第二絕緣部51的圖案間寬度PA。優選考慮上述內容後設定第二絕緣部51的圖案間的寬度。根據一實施例，以約20μm厚度的掩模金屬膜110為基準，主掩模圖案P1的厚度可約為15-18μm厚度。主掩模圖案P1的寬度PA'可約為30-40μm，但不限於此。

主掩模圖案P1的蝕刻工藝可執行至形成副掩模圖案P2的介面，即，形成隔板絕緣部23的部分。主掩模圖案P1可連通至副掩模圖案P2。換而言之，主掩模圖案P1的形成將貫通掩模金屬膜110，主掩模圖案P1與副掩模圖案P2的之和可構成掩模圖案P。隨著多個掩模圖案P的形成，掩模金屬膜110可作為掩模100而使用。

另外，主掩模圖案P1的掩模金屬膜110的邊緣同樣可進行蝕刻EC。如果將絕緣部25的空白部分形成為與模板50相對應的形狀，並對從空白空間上露出的掩模金屬膜110部分進行蝕刻EC，則可切除掩模金屬膜110的邊緣部分使其與模板50的大小相同。即，掩模金屬膜110包括掩模單元部C及第一虛設部DM1，第二虛設部DM2被切除並被分離掉。掩模金屬膜110的邊緣除了蝕刻以外還可使用雷射劃刻等悉知的工藝進行切除。

然後，參照圖8的(g)，可從模板支撐部60剝離模板50及掩模100。如果模板和支撐部60模板50處於被臨時黏合部65黏合的狀態，則可通過對上述的臨時黏合部65進行加熱、化學處理、施加超聲波、施加紫外線(UV)中的至少任意一個進行剝離。特別是，為了輕鬆地剝離特定區域，可採用對URT臨時黏合部65照射UV的方法。

掩模100同樣包括掩模單元部C及第一虛設部DM1，且第二虛設部DM2為被切除的狀態，因此可以是以完全相同的尺寸與模板50黏合的狀態。因此，只要將模板50從模板支撐部60剝離，則掩模100以支撐在模板50的狀態一併被剝離掉。接著，可進一步執行絕緣部25的去除工藝。

掩模100的副掩模圖案P2以小於主掩模圖案P1的厚度和寬度形成於掩模支撐模板50上。因此，基於主掩模圖案P1的形態，掩模圖案P的形態整體上可具有錐形/倒錐形。只是，由於有機物源600實質上是基於副掩模圖案P2的寬度PB'通過的，因此像素的尺寸取決於副掩模圖案P2的寬度PB'。

本發明首先在掩模金屬膜110的一側形成副掩模圖案P2，然後能夠以將掩模金屬膜110黏合在模板50的狀態形成主掩模圖案P1，因此副掩模圖案P2的尺寸不受後序工藝影響而能夠保持初始狀態。因此，具有能夠準確地控制掩模圖案P的下部寬度PB'的優點。此外，本發明可通過將掩模金屬膜110黏合到模板50的狀態下形成主掩模圖案P1，最終形成掩模圖案P，由於掩模圖案P形成的同時掩模100處於支撐在模板50的狀態，因此具有能夠即刻將模板50裝載到框架200上，從而可用於後述的掩模100附著工藝的優點。

圖9是根據本發明一實施例的將掩模支撐模板裝載至框架上的過程的示意圖。

參照圖9，可通過真空吸盤90移送模板50。可利用真空吸盤90吸附黏貼有掩模100的模板50的一面的相反面並移送。真空吸盤90可與向x、y、z、θ軸移動的移動手段(未圖示)連接。此外，真空吸盤90還可以與通過吸附模板50來進行翻轉(flip)的翻轉手段(未圖示)連接。如圖9的(b)所示，在真空吸盤90吸附模板50並翻轉後向框架200移送模板50的過程中，也不會影響掩模100的黏合狀態及對準狀態。

圖10是根據本發明一實施例的將模板裝載至框架並將掩模對應至框架的單元區域的狀態的示意圖。

參照圖10，可以將掩模100對應於框架200的一個掩模單元區域CR。可通過將模板50裝載到框架200[或者掩模單元片材部220]上的方式將掩模100對應於掩模單元區域CR。可通過控制模板50/真空吸盤90的位置的同時利用顯微鏡觀察掩模100是否與掩模單元區域CR對應。由於模板50擠壓掩模100，因此掩模100能夠與框架200緊貼。

可依次或者同時將多個模板50裝載到框架200[或者掩模單元片材部220]上，從而使各掩模100與各掩模單元區域CR分別對應。由於模板50與掩模100具有相同的尺寸，因此對應於特定掩模單元區域CR11上的模板50和對應於與其相鄰的掩模單元區域CR12、CR21上的模板50之前不發生干擾/不重疊且具有預定的間隔。該預定的間隔可以是小於第一柵格片材部223和第二柵格片材部225的寬度的1/2。

另外，還可將下部支撐體70佈置在框架200下部。下部支撐體70可擠壓與掩模100接觸的掩模單元區域CR的反面。同時，由於下部支撐體70和模板50沿著相互相反的方向擠壓掩模100的邊緣及框架200[或者掩模單元片材部220]，因此可維持掩模100的對準狀態而不發生扭曲。

接下來，向掩模100照射雷射L，基於雷射焊接將掩模100附著在框架200上。通過雷射焊接的掩模100的焊接部WP部分將生成焊珠WB，焊珠WB可具有與掩模100/框架200相同的材料並連成一體。

另外，掩模100的焊接部WP部分相比於掩模100的其他部分以較厚的厚度形成，更容易形成焊珠WB，從而可提高焊接附著性。而且，本發明的掩模100使焊接圖案PW以形成段差的方式形成於焊接部WP，即使部分焊珠WB突出地形成，也不會突出於掩模100的上部面而存於焊接圖案PW內。因此，具有可提高掩模100與目標基板900間的密貼性的效果。

圖11是根據本發明的一實施例的將掩模附著於框架之後剝離掩模與模板的過程的示意圖。

參照圖11，將掩模100附著於框架200之後，可剝離(debonding)掩模100與模板50。掩模100與模板50的剝離可通過對臨時黏合部55進行加熱ET、化學處理CM、施加超聲波US，施加紫外線UV中至少任意一個而進行。由於掩模100可維持附著在框架200上的狀態，因此可以只抬起模板50。作為一示例，如果施加高於85℃-100℃的溫度的熱ET，則臨時黏合部55的黏性降低，掩模100與模板50的黏合力變弱，從而可剝離掩模100與模板50。作為另一示例，可通過將臨時黏合部55浸漬於IPA、丙酮、乙醇等化學物質中使臨時黏合部55溶解、去除等的方式剝離掩模100和模板50。作為另一示例，如果施加超聲波US或者施加紫外線UV，則掩模100與模板50的黏合力變弱，從而可剝離掩模100與模板50。

圖12是根據本發明的一實施例的掩模100附著於框架200的狀態的示意圖。圖12顯示將所有掩模100附著於框架200的單元區域CR的狀態。可一一附著掩模100後再剝離模板50，也可以附著所有掩模100後再剝離所有模板50。

現有的圖1的掩模10由於包括6個單元C1-C6從而具有較長的長度，相反，本發明的掩模100由於包括1個單元C從而具有較短的長度，因此像素位置精度(pixel position accuracy，PPA)發生扭曲的程度可能會減小。而且，本發明由於只需對應掩模100的一個單元C並確認對準狀態即可，因此相比於需要同時對應多個單元C(C1-C6)並確認所有的對準狀態的現有方法[參照圖1]，能夠顯著地縮短製造時間。

圖13是根據本發明一實施例的利用框架一體型掩模100、200的OLED像素沉積裝置1000的示意圖。

參照圖13，OLED像素沉積裝置1000包括：磁板300，其容納有磁體310，並且佈置有冷卻水管350；沉積源供給部500，其從磁板300的下部供給有機物源600。

磁板300與沉積源供給部500之間可以插入有用於沉積有機物源600的玻璃等目標基板900。目標基板900上可以以緊貼或非常接近的方式配置有使有機物源600按不同像素沉積的框架一體型掩模100、200(或者FMM)。磁體310可以產生磁場，並通過磁場緊貼到目標基板900上。

沉積源供給部500可以往返左右路徑並供給有機物源600，由沉積源供給部500供給的有機物源600可以通過形成於框架一體型掩模100、200的圖案P附著到目標基板900的一側。通過框架一體型掩模100、200的圖案P後沉積的有機物源600，可以用作OLED的像素700。

為了防止由於陰影效應(Shadow Effect)發生的像素700的不均勻沉積，框架一體型掩模100、200的圖案可以傾斜地形成S(或者以錐形S形成)。沿著傾斜表面，在對角線方向上通過圖案的有機物源600，也可以有助於像素700的形成，因此，能夠整體上厚度均勻地沉積像素700。

如上所述，本發明列舉了優選實施例進行圖示和說明，但是不限於上述實施例，在不脫離本發明的精神的範圍內，本領域技術人員能夠進行各種變形和變更。這種變形及變更均落在本發明和所附的申請專利範圍的範圍內。

21,25:絕緣部 23:隔板絕緣部 40:襯底 50:模板 51:雷射通過孔 53,55,65:臨時黏合部 60:模板支撐部 100:掩模 110:掩模膜;掩模金屬膜 200:框架 210:邊緣框架部 220:掩模單元片材部 221:邊緣片材部 223:第一柵格片材部 225:第二柵格片材部 AH1,AH2:對準孔 C:單元;掩模單元 CR:掩模單元區域 DM:虛設部;掩模虛設部 DM1,DM2:虛設部 L:雷射 P:掩模圖案 PB:下部寬度 PB':寬度 P1:主掩模圖案 P2:副掩模圖案 PW:焊接圖案 WB:焊珠 WP:焊接部 WR:焊接區域

圖1是現有的將掩模附著於框架的過程的示意圖。圖2是根據本發明一實施例的框架一體型掩模的主視圖及側截面圖。圖3是根據本發明的一實施例的掩模和根據比較例的掩模支撐模板的示意性俯視圖及側截面圖。圖4是將根據比較例的掩模支撐模板裝載至框架上的過程的示意圖。圖5至圖8是根據本發明一實施例的掩模支撐模板的製造過程的示意圖。各步驟中上部附圖為示意性側向截面圖，下部附圖為示意性俯視圖。圖9是根據本發明一實施例的將掩模支撐模板裝載至框架上的過程的示意圖。圖10是根據本發明一實施例的將模板裝載至框架上並將掩模對應至框架的單元區域的狀態的示意圖。圖11是根據本發明一實施例的將掩模附著到框架之後剝離掩模與模板的過程的示意圖。圖12是根據本發明一實施例的將掩模附著到框架的狀態的示意圖。圖13是根據本發明一實施例的利用框架一體型掩模的OLED像素沉積裝置的示意圖。

21:絕緣部

40:襯底

53:臨時黏合部

110:掩模膜；掩模金屬膜

AH1,AH2:對準孔

C:單元；掩模單元

DM1,DM2:虛設部

PB:下部寬度

PB':寬度

P2:副掩模圖案

PW:焊接圖案

WR:焊接區域

Claims

一種掩模支撐模板的製造方法，該掩模支撐模板用於支撐OLED像素形成用掩模並將掩模對應至框架，所述方法包括以下步驟：(a)將掩模金屬膜黏合到轉移襯底；(b)在與黏合有轉移襯底的掩模金屬膜一面相對的另一面上形成副掩模圖案；(c)將轉移襯底剝離；(d)在形成有副掩模圖案的掩模金屬膜的另一面的整個面上依次形成隔板絕緣部及第三臨時黏合部，並將掩模金屬膜的另一面以夾設隔板絕緣部及第三臨時黏合部地黏合到模板上；(e)通過在掩模金屬膜的一面上形成主掩模圖案來製造掩模，隔板絕緣部包含固化負型光刻膠、含有環氧樹脂的負型光刻膠中的至少一個，隨著隔板絕緣部填充在副掩模圖案的空間內，步驟(e)中用於形成主掩模圖案的蝕刻工藝進行到形成有隔板絕緣部的部分。
如請求項1所述的掩模支撐模板的製造方法，其中，在步驟(a)中，第一臨時黏合部夾設在轉移襯底與掩模金屬膜之間。
如請求項1所述的掩模支撐模板的製造方法，其中，在步驟(b)中，在掩模金屬膜的掩模單元部形成副掩模圖案，並在除掩模單元部以外的虛設部形成焊接圖案。
如請求項3所述的掩模支撐模板的製造方法，其中，副掩模圖案和焊接圖案不貫通掩模金屬膜地形成。
如請求項2所述的掩模支撐模板的製造方法，其中，在步驟(c)中，將轉移襯底剝離後去除第一臨時黏合部。
如請求項1所述的掩模支撐模板的製造方法，其中，在步驟(d) 中，模板為容納在模板支撐部槽中的狀態，將掩模金屬膜的另一面以夾設隔板絕緣部地黏合到模板和模板支撐部上。
如請求項6所述的掩模支撐模板的製造方法，其中，模板和模板支撐部的上部面的高度相同，第三臨時黏合部夾設在隔板絕緣部與模板及模板支撐部之間。
如請求項6所述的掩模支撐模板的製造方法，其中，在模板支撐部的槽中形成第二臨時黏合部，以使模板的至少一面以夾設第二臨時黏合部地黏合在模板支撐部上。
如請求項6所述的掩模支撐模板的製造方法，其中，模板支撐部包括底板及連接在底板的一面邊緣且具有中空區域的邊緣板，中空區域對應模板支撐部的槽，且模板安置在中空區域。
如請求項6所述的掩模支撐模板的製造方法，其中，進一步包括(f)將模板從模板支撐部剝離的步驟。
如請求項1所述的掩模支撐模板的製造方法，其中，在步驟(d)與步驟(e)之間，進一步包括(d2)在掩模金屬膜的一面上縮減掩模金屬膜厚度的步驟。
如請求項11所述的掩模支撐模板的製造方法，其中，在(d2)步驟中，縮減掩模單元部的厚度，然而在對應焊接部的區域不進行厚度縮減。
如請求項1所述的掩模支撐模板的製造方法，其中，在步驟(e)中，主掩模圖案貫通掩模金屬膜地形成，主掩模圖案的寬度和厚度大於副掩模圖案的寬度和厚度，主掩模圖案與副掩模圖案之和構成掩模圖案。
如請求項1所述的掩模支撐模板的製造方法，其中，在步驟(e)中，在形成主掩模圖案的同時切除掩模金屬膜的邊緣使其與模板的尺寸相同。
如請求項14所述的掩模支撐模板的製造方法，其中，準備掩模支撐模板，所述掩模支撐模板支撐具有與模板相同的尺寸且形成有多個掩模圖案的掩模。
如請求項1所述的掩模支撐模板的製造方法，其中，在步驟(a)之後，在掩模金屬膜上進一步形成第一對準孔和第二對準孔，所述第一對準孔用於對準副掩模圖案和主掩模圖案的位置；所述第二對準孔用於對準掩模金屬膜與模板支撐部。
一種掩模支撐模板，其支撐OLED像素形成用掩模並將掩模對應至框架，該掩模支撐模板包括：模板，其用於支撐掩模；臨時黏合部，其形成於模板的整個面上；隔板絕緣部，其形成於臨時黏合部的整個面上；以及掩模，其形成於隔板絕緣部上且形成有多個掩模圖案，掩模圖案由與隔板絕緣部相接觸的副掩模圖案及副掩模圖案上部的主掩模圖案構成，主掩模圖案的寬度和厚度大於副掩模圖案的寬度和厚度，隔板絕緣部包含固化負型光刻膠、含有環氧樹脂的負型光刻膠中的至少一個，隔板絕緣部填充在副掩模圖案的空間內，主掩模圖案為從掩模的表面到形成有隔板絕緣部的部分為止的蝕刻形成部分。
一種框架一體型掩模的製造方法，所述框架一體型掩模由至少一個掩模及用於支撐掩模的框架一體形成，該方法包括以下步驟：(a)將掩模金屬膜黏合到轉移襯底上；(b)在與黏合有轉移襯底的掩模金屬膜一面相對的另一面上形成副掩模圖案；(c)將轉移襯底剝離；(d)在形成有副掩模圖案的掩模金屬膜的另一面的整個面上依次形成隔板絕緣部及第三臨時黏合部，並將掩模金屬膜的另一面以夾設隔板絕緣部及第三臨時黏合部地黏合到模板上；(e)通過在掩模金屬膜的一面上形成主掩模圖案來製造掩模；(f)在具有至少一個掩模單元區域的框架上裝載模板，並將掩模對應至框架的掩模單元區域；(g)將掩模附著到框架上，隔板絕緣部包含固化負型光刻膠、含有環氧樹脂的負型光刻膠中的至少一個，隨著隔板絕緣部填充在副掩模圖案的空間內，步驟(e)中用於形成主掩模圖案的蝕刻工藝進行到形成有隔板絕緣部的部分。
一種框架一體型掩模的製造方法，所述框架一體型掩模由至少一個掩模及用於支撐掩模的框架一體形成，該方法包括以下步驟：(a)在具有至少一個掩模單元區域的框架上裝載通過請求項1所述的製造方法製造的掩模支撐模板，並將掩模對應至框架的掩模單元區域；以及(b)將掩模附著到框架上。