KR20180046970A - 마스크 어셈블리 및 이의 제조 방법 - Google Patents

마스크 어셈블리 및 이의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 마스크 어셈블리 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 개구 영역을 갖는 마스크 프레임; 마스크 프레임 상에 배치된 복수의 분할 마스크;를 포함하고, 분할 마스크는 증착 패턴부 및 마스크 프레임에 고정되는 단부를 포함하고, 증착 패턴부는 복수의 개구 패턴을 포함하고, 분할 마스크는 20㎛이하의 두께를 가진다.

Description

마스크 어셈블리 및 이의 제조 방법{MASK ASSMBLY AND THE MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 마스크 어셈블리 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 초박형의 마스크 기판으로 제조된 마스크 어셈블리 및 이의 제조 방법에 대한 것이다.
유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display)는 빛을 방출하는 유기 발광 소자를 가지고 화상을 표시하는 자발광형 표시 장치이다. 유기 발광 표시 장치는 액정 표시 장치(liquid crystal display)와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 상대적으로 작은 두께와 무게를 갖는다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 가지므로 휴대용 전자 기기의 차세대 표시 장치로 주목 받고 있다.
유기 발광 표시 장치는 애노드와 캐소드에 주입되는 정공과 전자가 발광층에서 재결합하여 발광하여 색상을 구현하며, 애노드와 캐소드 사이에 발광층을 삽입한 적층형 구조이다. 그러나, 상기한 구조로는 고효율 발광을 얻기 어렵기 때문에 각각의 전극과 발광층 사이에 전자 주입층, 전자 수송층, 정공 수송층, 및 정공 주입층 등의 중간층을 선택적으로 추가 삽입하여 이용하고 있다.
한편, 유기 발광 표시 장치의 전극들 및 발광층을 포함한 중간층은 여러 가지 방법에 의하여 형성할 수 있는데, 그 중 하나의 방법이 증착법이다. 증착법을 이용하여 유기 발광 표시 장치를 제조하기 위해 기판 상에 형성될 박막의 패턴과 동일한 패턴을 가지는 파인 메탈 마스크(Fine Metal Mask; FMM)를 이용한다. 파인 메탈 마스크(FMM)는 기판 상에 정렬되고 박막을 이루는 물질이 증착되어, 기판 상에 박막이 패터닝된다.
이때, 파인 메탈 마스크가 증착용 기판과 밀착되어 배치될수록 패턴의 정밀도가 향상된다. 이에 따라, 최근 초박형의 마스크 기판을 이용하여 마스크 어셈블리를 제조하기 위한 연구가 진행되고 있다.
본 발명은 초박형 마스크 기판을 사용하여 제조할 수 있는 마스크 어셈블리 및 이의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리는, 개구 영역을 갖는 마스크 프레임; 마스크 프레임 상에 배치된 복수의 분할 마스크;를 포함하고, 분할 마스크는 증착 패턴부 및 상기 마스크 프레임에 고정되는 단부를 포함하고, 증착 패턴부는 복수의 개구 패턴을 포함하고, 분할 마스크는 20㎛이하의 두께를 가진다.
개구 패턴의 길이에 대한 분할 마스크의 두께의 비율(d/L)은 0.2이상 0.7이하일 수 있다.
개구 패턴은 30㎛이상 50㎛이하의 길이를 가질 수 있다.
분할 마스크 기판은 금속으로 이루어질 수 있다.
분할 마스크 기판은 인바(Invar) 합금으로 이루어질 수 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리의 제조 방법은, 분할 마스크 기판을 준비하는 단계; 분할 마스크 기판의 일면에 제 1 개구를 정의하는 제 1 증착 패턴 및 상기 제 1 개구 내에 배치된 보조 패턴을 포함하는 제 1 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 분할 마스크 기판의 타면에 제 2 개구를 정의하는 제 2 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 분할 마스크 기판의 일면을 하프 에칭하는 단계; 하프 에칭된 분할 마스크 기판의 일면 상에 레진을 도포하는 단계; 분할 마스크 기판의 타면을 하프 에칭하는 단계;를 포함하고, 보조 패턴은 제 2 개구와 중첩한다.
보조 패턴의 중심은 제 1 개구부의 중심과 일치할 수 있다.
분할 마스크 기판의 타면을 하프 에칭하는 단계 후에, 제 1 포토 레지스트 패턴 및 제 2 포토 레지스트 패턴을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
제 1 포토 레지스트 패턴은 제 2 포토 레지스트 패턴의 면적보다 큰 면적을 가질 수 있다.
제 1 포토 레지스트 패턴은 제 1 증착 패턴과 보조 패턴을 연결하는 적어도 하나의 브리지 패턴을 더 포함할 수 있다.
브리지 패턴은 제 1 브리지 패턴, 제 2 브리지 패턴, 제 3 브리지 패턴 및 제 4 브리지 패턴을 포함할 수 있다.
제 1 브리지 패턴 및 제 3 브리지 패턴은 제 1 방향을 따라 연장될 수 있다.
제 2 브리지 패턴 및 제 4 브리지 패턴은 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장될 수 있다.
본 발명에 다른 마스크 어셈블리는 다음과 같은 효과를 제공한다.
초박형의 마스크 기판을 사용하여 마스크 어셈블리를 제조할 수 있다. 또한, 초박형의 마스크 기판을 사용하여 마스크 어셈블리를 제조하는 경우에도 개구부 패턴을 정밀하게 형성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리의 사시도이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 분할 마스크의 사시도이다.
도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 분할 마스크의 단면도이다.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 분할 마스크의 제조 공정을 나타낸 도면이다.
도 4a는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 도 3c의 제 1 면을 나타낸 평면도이다.
도 4b는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 도 3c의 제 2 면을 나타낸 평면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 도 3c의 제 1 면을 나타낸 다른 평면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 도 3c의 제 1 면을 나타낸 또 다른 평면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리를 이용하여 기판 상에 증착하는 것을 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리를 이용하여 제조된 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 따라서, 몇몇 실시예에서, 잘 알려진 공정 단계들, 잘 알려진 소자 구조 및 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 아래에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 제 1, 제 2, 제 3 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소들로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 벗어나지 않고, 제 1 구성 요소가 제 2 또는 제 3 구성 요소 등으로 명명될 수 있으며, 유사하게 제 2 또는 제 3 구성 요소도 교호적으로 명명될 수 있다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 대해 상세히 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리의 사시도이다.
마스크 어셈블리(10)는 마스크 프레임(100) 및 복수의 분할 마스크(200)를 포함한다.
마스크 프레임(100)은 개구 영역(101)을 가지며, 사각의 고리 형상일 수 있다. 예를 들어, 마스크 프레임(100)은 Y방향을 따라 연장되고, X방향으로 서로 대향하는 두 프레임 및 X방향을 따라 연장되고, Y방향으로 서로 대향하는 두 프레임이 서로 연결된 사각의 고리 형태일 수 있다.
마스크 프레임(100)은 마스크 프레임(100)에 작용하는 압축 또는 열에 의한 변형을 최소화하기 위해 강성이 큰 금속 물질로 이루어질 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 마스크 프레임(100) 상에 복수의 분할 마스크(200)가 배치될 수 있다. 분할 마스크(200)는 스테인레스 스틸(SUS), 인바(Invar) 합금, 니켈(Ni), 코발트(Co), 니켈 합금, 니켈-코발트 합금 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
분할 마스크(200)는 마스크 프레임(100) 상에 X방향을 따라 배치되고, 복수의 분할 마스크(200)는 Y방향을 따라 연속적으로 배치된다. 분할 마스크(200)는 단부(216,217)가 마스크 프레임(100)에 용접되어 고정될 수 있다. 예를 들어, 용접은 점 용접(Spot Welding)일 수 있다. 점 용접은 복수개의 용접 포인트를 설정하여 각각 용접함으로써, 용접 시 분할 마스크(120)의 변형을 최소화할 수 있다. 용접 포인트는, 예를 들어, 적어도 하나의 열(Column) 또는 지그재그(Zigzag) 형태로 이루어질 수 있다.
또한, 복수의 분할 마스크(200)는 마스크 프레임(100)의 개구 영역(101)을 덮을 수 있다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 분할 마스크의 사시도이고, 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 분할 마스크의 단면도이다.
도 2a를 참조하면, 분할 마스크(200)는 복수의 증착 패턴부(211)를 가지는 중앙부 및 마스크 프레임(100)에 고정되는 단부(216,217)를 포함할 수 있다.
도 2b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 분할 마스크(200)는 초박형의 금속 플레이트로 만들어질 수 있다. 구체적으로, 분할 마스크(200)는 20㎛ 이하의 두께(d)를 갖는 금속 플레이트로 만들어질 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 분할 마스크(200)의 개구 패턴(212)은 30㎛이상 50㎛이하의 길이(L)를 가진다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 분할 마스크(200)는 개구 패턴(212)의 길이(L)에 대한 두께(d)의 비율(d/L)은 0.2이상 0.7이하일 수 있다. 따라서, 정밀한 증착 패턴을 형성하고 마스크 어셈블리(10) 상에 배치될 증착용 기판(300)과의 밀착성을 향상시키기 위해, 초박형의 분할 마스크 기판(200`)을 이용하여 마스크 어셈블리(10)를 제조할 수 있다.
분할 마스크(200)는 증착용 기판(300)과 마주보는 제 1 면(201) 및 제 1 면(201)과 반대되는 제 2 면(202)을 포함한다.
분할 마스크(200)는 증착 패턴부(211)를 포함할 수 있다. 증착 패턴부(211)는 분할 마스크(200)의 길이 방향(X방향)을 따라 서로 이격되어 배치될 수 있다.
각 증착 패턴부(211)는 복수의 개구 패턴(212)을 포함한다. 도 2b에 도시된 바와 같이, 분할 마스크(200)는 개구 패턴(212)에 의해 두께 방향으로 관통된다.
개구 패턴(212) 각각은 복수의 분할 마스크(200) 상에 배치되는 증착용 기판(300)에 증착하고자 하는 박막 형상과 대응하는 형상으로 형성될 수 있다. 이에 따라, 증착 공정에서 증착 물질이 개구 패턴(212)을 통해 증착용 기판 상에 증착되어 원하는 형상의 박막이 형성될 수 있다. 도 1 및 도 2a에 도시된 바와 같이, 개구 패턴(212)은 스트립 형상일 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며, 개구 패턴(212)은 원 형상, 사각 형상 등 여러 가지 형상일 수 있다.
이하, 도 3a 내지 도 4b를 참조하여 본 발명의 다른 일 실시예에 다른 분할 마스크의 제조 방법에 대해 상세히 설명한다. 도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 분할 마스크의 제조 공정을 나타낸 도면이다. 도 4a는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 도 3c의 제 1 면을 나타낸 평면도이고, 도 4b는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 도 3c의 제 2 면을 나타낸 평면도이다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 분할 마스크 기판(200`)을 준비한다. 분할 마스크 기판(200`)은 스테인레스 스틸(SUS), 인바(Invar) 합금, 니켈(Ni), 코발트(Co), 니켈 합금, 니켈-코발트 합금 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
이때, 분할 마스크 기판(200`)은 증착용 기판(300)과 마주보는 제 1 면(201) 및 제 1 면(201)과 반대되는 제 2 면(202)을 포함한다.
도 3b를 참조하면, 분할 마스크 기판(200`)의 제 1 면(201)에 제 1 포토 레지스트(410`)를 도포하고, 분할 마스크 기판(200`)의 제 2 면(202)에 제 2 포토 레지스트(420`)를 도포한다.
도 3c를 참조하면, 제 1 면(201)에 도포된 제 1 포토 레지스트(.
`)를 패터닝하여 제 1 포토 레지스트 패턴(410)을 형성하고, 제 2 면(202)에 도포된 제 2 포토 레지스트(420`)를 패터닝하여 제 2 포토 레지스트 패턴(420)를 형성한다.
제 1 포토 레지스트 패턴(410)은 제 1 증착 패턴(411) 및 보조 패턴(412)을 포함한다.
제 1 증착 패턴(411)은 복수의 분할 마스크(200) 상에 배치되는 증착용 기판(300)에 증착하고자 하는 박막 형상과 대응하는 형상의 제 1 개구(431)를 정의하도록 형성될 수 있다.
보조 패턴(412)은 제 1 증착 패턴(411)에 의해 정의된 제 1 개구(431) 내에 배치된다. 또한, 보조 패턴(412)은, 도 3c에 도시된 바와 같이, 제 2 포토 레지스트 패턴(420)에 의해 정의되는 제 2 개구(432)와 중첩한다. 이때, 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 제 1 포토 레지스트 패턴(410)은 제 2 포토 레지스트 패턴(420)보다 큰 면적을 가질 수 있다.
제 2 포토 레지스트 패턴(402)은 복수의 분할 마스크(200) 상에 배치되는 증착용 기판(300)에 증착하고자 하는 박막 형상과 대응하는 형상의 제 2 개구(432)를 정의하도록 형성될 수 있다. 이때, 제 2 개구(432)는 보조 패턴(412)와 중첩한다.
도 3c에 도시된 바와 같이, 보조 패턴(412)의 중심(C2)은 제 1 개구(431)의 중심(C1)과 실질적으로 일치한다. 즉, 보조 패턴(412)은 제 1 개구(431)의 중심에 위치할 수 있다. 이에 따라, 제 1 포토 레지스트 패턴(410)에 따른 하프 에칭시 초박형의 분할 마스크 기판(200`)이 과도하게 에칭되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리(10)의 제조 방법은 제 1 개구(431)의 중심에 위치한 보조 패턴(412)을 형성하여, 제 1 포토 레지스트 패턴(410)에 의한 하프 에칭시 분할 마스크 기판(200`)이 관통되지 않도록 한다. 이에 따라, 개구 패턴(212)을 갖는 초박형의 분할 마스크(200)를 형성할 수 있다.
도 3d를 참조하면, 분할 마스크 기판(200`)의 제 1 면(201)은 제 1 포토 레지스트 패턴(410)에 따라 하프 에칭된다. 구체적으로, 제 1 포토 레지스트 패턴(410)에 의하여 형성된 제 1 개구(431)에 대응하여 제 1 홈(451)이 형성된다. 이때, 제 1 홈(451)은 분할 마스크 기판(200`)을 관통하지 않으며, 제 1 면(201)으로부터 소정의 깊이를 가질 수 있다.
도 3e를 참조하면, 제 1 홈(451)이 형성된 제 1 면(201) 상에 레진(500)을 도포한다. 이때, 레진(500)은 분할 마스크 기판(200`)의 제 1 면(201) 전면을 덮을 수 있다. 구체적으로, 레진(500)은 제 1 홈(451)을 포함하는 제 1 면(201)을 덮을 수 있다.
도 3f를 참조하면, 분할 마스크 기판(200`)의 제 2 면(202)은 제 2 포토 레지스트 패턴(420)에 따라 하프 에칭한다. 구체적으로, 제 2 포토 레지스트 패턴(420)에 의하여 형성된 제 2 개구(432)에 대응하여 제 2 면(202)에 제 2 홈(452)을 형성한다. 이때, 제 1 홈(451) 및 제 2 홈(452)에 의해 분할 마스크 기판(200`)이 관통된다.
다시 도 2b를 참조하면, 분할 마스크 기판(200`)의 제 1 면(201) 상에 도포된 레진(500) 및 제 1 포토 레지스트 패턴(410) 및 분할 마스크 기판(200`)의 제 2 면(202) 상에 도포된 제 2 포토 레지스트 패턴(420)이 제거된다. 이에 따라, 초박형의 분할 마스크 기판(200`)에 개구 패턴(212)이 형성된 분할 마스크(200)가 만들어질 수 있다.
개구 패턴(212) 각각은 복수의 분할 마스크(200) 상에 배치될 증착용 기판(300)에 증착하고자 하는 박막 형상과 대응하는 형상으로 형성될 수 있다. 이에 따라, 증착 공정에서 증착 물질이 개구 패턴(212)을 통해 증착용 기판 상에 증착되어 원하는 형상의 박막이 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 개구 패턴(212)의 길이(L)는 30㎛이상 50㎛이하이다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 분할 마스크 기판(200`)은 20㎛ 이하의 두께를 가진다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 분할 마스크 기판(200`)은 개구 패턴(212)의 길이(L)에 대한 두께(d)의 비율(d/L)은 0.2이상 0.7이하일 수 있다. 따라서, 정밀한 개구 패턴(212)을 형성하고 마스크 어셈블리(10) 상에 배치될 증착용 기판(300)과의 밀착성을 향상시키기 위해, 초박형의 분할 마스크 기판(200`)을 이용하여 마스크 어셈블리(10)를 제조할 수 있다.
이하, 도 5를 참조하여 본 발명의 또 다른 일 실시예에 대해 상세히 설명한다. 도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 도 3c의 다른 평면도이다. 본 발명의 다른 일 실시예와 동일한 구성에 대한 설명은 설명의 편의를 위해 생략한다.
도 5를 참조하면, 제 1 포토 레지스트 패턴(410)은 제 1 증착 패턴(411) 및 보조 패턴(412)을 연결하는 브리지 패턴(413)을 적어도 하나 포함한다. 예를 들어, 도 5에 도시된 바와 같이, 제 1 포토 레지스트 패턴(410)은 제 1 브리지 패턴(413a), 제 2 브리지 패턴(413b), 제 3 브리지 패턴(413c) 및 제 4 브리지 패턴(414d)을 포함할 수 있다.
제 1 브리지 패턴(413a)은 제 3 브리지 패턴(413c)과 실질적으로 평행할 수 있고, 제 2 브리지 패턴(413b)은 제 4 브리지 패턴(413d)과 실질적으로 평행할 수 있다. 예를 들어, 도 5에 도시된 바와 같이, 제 1 브리지 패턴(413a) 및 제 3 브리지 패턴(413c)는 제 1 방향(D1)을 따라 연장되고, 제 2 브리지 패턴(413b) 및 제 4 브리지 패턴(413d)는 제 1 방향(D1)과 교차하는 제 2 방향(D2)을 따라 연장된다. 이때, 제 1 방향(D1)은 제 2 방향(D2)과 직각을 이룰 수 있다. 이때, 제 1 방향(D1) 은 분할 마스크(200)의 길이 방향(도 1의 X방향)일 수 있다.
이에 따라, 제 1 개구(431)은 제 1 브리지 패턴(413a), 제 2 브리지 패턴(413b), 제 3 브리지 패턴(413c) 및 제 4 브리지 패턴(413d)에 의해 4개의 개구(431a,431b,431c,431d)로 구분될 수 있다.
이하, 도 6을 참조하여 본 발명의 또 다른 일 실시예에 대해 자세히 설명한다. 도 6은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 도 3c의 또 다른 평면도이다. 본 발명의 다른 일 실시예와 동일한 구성에 대한 설명은 설명의 편의를 위해 생략한다.
도 6을 참조하면, 제 1 포토 레지스트 패턴(410)은 제 1 증착 패턴(411) 및 보조 패턴(412)을 연결하는 브리지 패턴(413)을 적어도 하나 포함한다. 예를 들어, 도 6에 도시된 바와 같이, 제 1 포토 레지스트 패턴(410)은 제 1 브리지 패턴(413a), 제 2 브리지 패턴(413b), 제 3 브리지 패턴(413c) 및 제 4 브리지 패턴(413d)을 포함할 수 있다.
제 1 브리지 패턴(413a)은 제 3 브리지 패턴(413c)과 실질적으로 평행할 수 있고, 제 2 브리지 패턴(413b)은 제 4 브리지 패턴(413d)과 실질적으로 평행할 수 있다. 예를 들어, 도 6에 도시된 바와 같이, 제 1 브리지 패턴(413a) 및 제 3 브리지 패턴(413c)는 제 3 방향(D3)을 따라 연장되고, 제 2 브리지 패턴(413b) 및 제 4 브리지 패턴(413d)는 제 3 방향(D3)과 교차하는 제 4 방향(D4)을 따라 연장된다. 이때, 제 3 방향(D3)은 제 4 방향(D4)과 직각을 이룰 수 있다. 이때, 도 6을 참조하면, 제 3 방향(D3) 및 제 4 방향(D4)는 각각 제 1 방향(D1) 및 제 2 방향(D2)과 예각을 이루며 교차할 수 있다.
이에 따라, 제 1 개구(431)은 제 1 브리지 패턴(413a), 제 2 브리지 패턴(413b), 제 3 브리지 패턴(413c) 및 제 4 브리지 패턴(413d)에 의해 4개의 개구(431a,431b,431c,431d)로 구분될 수 있다.
이하, 도 7을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리를 이용하여 기판 상에 증착하는 과정을 상세히 설명한다. 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리를 이용하여 기판 상에 증착하는 것을 도시한 도면이다.
도 7을 참조하면, 마스크 어셈블리(10)은 유기 발광 표시 장치의 유기 발광층이나 전극을 증착하기 위하여 진공 챔버(600) 내에 배치된다.
진공 챔버(600)의 하부에는 증착원(601)이 위치하며, 증착원(601)의 상부에는 마스크 어셈블리(10)가 배치될 수 있다. 마스크 어셈블리(10)는 도 1에 도시된 분할 마스크(200)를 포함할 수 있다. 분할 마스크(200)는 마스크 프레임(100) 상에 배치될 수 있다. 분할 마스크(200)의 상부에는 증착용 기판(300)이 배치될 수 있다.
증착원(601)은 내부에 유기 물질을 포함하는 가열 용기(crucible) 형태로서, 열로 유기 물질을 증발시켜 증착용 기판(300)에 증착시킬 수 있다. 증착 공정 장비는 유기 물질을 가열시키기 위한 히터(미도시)를 더 포함할 수 있다. 히터는 증착원(601)의 양측에 구비되어, 증착원(601)을 가열하여 증착원(601) 내에 담겨있는 유기 물질을 가열하여 승화시키는 역할을 한다.
진공 챔버(600)는 증착 공정이 진행되는 공간을 제공한다. 진공 챔버(600)는 증착 공정 시 진공 챔버(600) 내부를 진공 상태로 유지하도록 TMP(Turbo Molecular Pump)와 같은 진공 펌프(미도시)와 연결된다. 진공 챔버(600)는 내부의 벽면을 둘러싸도록 배치된 방착판(미도시)을 더 포함할 수 있다. 방착판은 증착원(601)으로부터 분출되는 유기 물질 중 증착용 기판(300)에 증착되지 않는 유기 물질이 진공 챔버(600) 내부 벽면에 흡착되는 것을 방지한다.
별도의 지지 부재(602)는 마스크 어셈블리(10)의 가장자리에서 마스크 어셈블리(10)를 고정할 수 있다.
증착용 기판(300) 상에 증착 물질이 증착되는 과정을 간략하게 설명하면 다음과 같다.
우선, 마스크 어셈블리(10)를 지지 부재(602) 상에 고정하고, 고정된 마스크 어셈블리(10) 상에 증착용 기판(300)을 배치한다.
이어서, 진공 챔버(600)의 하부에 위치하는 증착원(601)은 증착 물질을 증착용 기판(300)을 향하여 분사한다. 구체적으로, 증착원(601)에 전원이 인가되면, 증착 물질이 담겨져 있는 증착원(601)이 가열되고, 이에 따라 증착 물질이 가열 및 승화되어 마스크 어셈블리(10)를 향하여 분사된다. 이때, 진공 챔버(600) 내부는 높은 진공도 및 높은 온도로 유지된다.
증착 물질이 분사되면, 분할 마스크(200)에 형성된 증착 패턴부(도 1의 211)에 의하여 증착용 기판(300)의 일면에 증착 물질이 증착된다.
이하, 도 8을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리를 이용하여 제조된 유기 발광 표시 장치에 대해 상세히 설명한다. 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리를 이용하여 제조된 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널은 스위칭 박막트랜지스터(미도시), 구동 박막트랜지스터(20), 축전 소자(80) 및 유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)(810)를 포함하는 복수개의 화소를 갖는다. 유기 발광 소자(810)는 상대적으로 낮은 온도에서 증착이 가능하고, 저전력, 높은 휘도 등의 이유로 플렉시블 표시 장치에 주로 적용될 수 있다. 여기서, 화소는 화상을 표시하는 최소 단위를 말하며, 표시 패널은 복수의 화소를 통해 화상을 표시한다.
또한, 하나의 화소에 두 개의 박막트랜지스터(thin film transistor, TFT)와 하나의 축전 소자(capacitor)가 배치된 것이 첨부 도면에 도시되어 있지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 하나의 화소는 셋 이상의 박막트랜지스터와 둘 이상의 축전 소자를 구비할 수도 있으며, 별도의 배선을 더 포함하여 다양한 구조를 가질 수 있다.
표시 패널은 기판(710), 기판(710) 상에 배치된 게이트 라인(751)과, 게이트 라인(751)과 절연 교차되는 데이터 라인(771) 및 공통 전원 라인(772)을 포함할 수 있다. 일반적으로 하나의 화소는 게이트 라인(751), 데이터 라인(771) 및 공통 전원 라인(772)을 경계로 정의될 수 있지만, 화소가 전술한 정의에 한정되는 것은 아니다. 화소는 블랙 매트릭스 또는 화소 정의막에 의하여 정의될 수 있다.
베이스 기판(611)은 유연성을 가지는 절연성 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 베이스 기판(611)은 폴리이미드(Polyimide, PI), 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC), 폴리에테르설폰(Polyethersulphone, PES), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate, PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(Polyethylene naphthalate, PEN), 폴리아릴레이트(Polyarylate, PAR), 유리섬유 강화플라스틱(Fiber glass reinforced plastic, FRP) 등의 고분자 물질로 이루어질 수 있다. 또는, 베이스 기판(611)은 글래스 기판일 수 있다. 베이스 기판(611)은 투명하거나, 반투명하거나, 불투명할 수 있다.
기판(710) 상에 버퍼층(720)이 배치된다. 버퍼층(720)은 불순 원소의 침투를 방지하며 표면을 평탄화하는 역할을 하는 것으로, 이러한 역할을 수행할 수 있는 다양한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(720)은 질화규소(SiNx)막, 산화규소(SiO2)막, 산질화규소(SiOxNy)막 중 어느 하나로 만들어질 수 있다. 그러나, 버퍼층(720)은 반드시 필요한 것은 아니며, 기판(710)의 종류 및 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다.
버퍼층(720) 상에 스위칭 반도체층(731) 및 구동 반도체층(732)이 배치된다. 스위칭 반도체층(731) 및 구동 반도체층(732)은 다결정 규소막, 비정질 규소막, 및 IGZO(Indium-Galuim-Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide)와 같은 산화물 반도체 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 예를 들어, 구동 반도체층(732)이 다결정 규소막으로 형성되는 경우, 구동 반도체층(732)은 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역(735)과, 채널 영역(735)의 양 옆으로 p+ 도핑되어 형성된 소스 영역(736) 및 드레인 영역(737)을 포함한다. 이 때, 도핑되는 이온 물질은 붕소(B)와 같은 P형 불순물이며, 주로 B2H6이 사용된다. 이러한 불순물은 박막트랜지스터의 종류에 따라 달라진다. 본 발명의 일 실시예에서 구동 박막트랜지스터(20)로 P형 불순물을 사용한 PMOS 구조의 박막트랜지스터가 사용되었으나, 구동 박막트랜지스터(20)가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 구동 박막트랜지스터(20)로 NMOS 구조 또는 CMOS 구조의 박막트랜지스터도 모두 사용될 수 있다.
스위칭 반도체층(731) 및 구동 반도체층(732) 위에 게이트 절연막(740)이 배치된다. 게이트 절연막(740)은 테트라에톡시실란(TetraEthylOrthoSilicate, TEOS), 질화 규소(SiNx) 및 산화 규소(SiO2) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일례로, 게이트 절연막(740)은 40nm의 두께를 갖는 질화규소막과 80nm의 두께를 갖는 테트라에톡시실란막이 차례로 적층된 이중막 구조를 가질 수 있다.
게이트 절연막(740) 위에 게이트 전극(752, 755)을 포함하는 게이트 배선이 배치된다. 게이트 배선은 게이트 라인(751), 제 1 축전판(758) 및 그 밖의 배선을 더 포함한다. 그리고 게이트 전극(752, 755)은 반도체층(731, 732)의 적어도 일부, 특히 채널 영역과 중첩되도록 배치된다. 게이트 전극(752, 755)은 반도체층(731, 732) 형성과정에서 반도체층(731, 732)의 소스 영역(736)과 드레인 영역(737)에 불순물이 도핑될 때 채널 영역에 불순물이 도핑되는 것을 차단하는 역할을 한다.
게이트 전극(752, 755)과 제 1 축전판(758)은 동일한 층에 배치되며, 실질적으로 동일한 금속으로 만들어진다. 게이트 전극(752, 755)과 제 1 축전판(758)은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 및 텅스텐(W) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
게이트 절연막(740) 상에 게이트 전극(752, 755)을 덮는 층간 절연막(760)이 배치된다. 층간 절연막(760)은 게이트 절연막(740)과 마찬가지로, 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx) 또는 테트라에톡시실란(TEOS) 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
층간 절연막(760)상에 소스 전극(773, 776) 및 드레인 전극(774, 777)을 포함하는 데이터 배선이 배치된다. 데이터 배선은 데이터 라인(771), 공통 전원 라인(772), 제 2 축전판(778) 및 그 밖에 배선을 더 포함한다. 그리고 소스 전극(773, 776) 및 드레인 전극(774, 777)은 게이트 절연막(740) 및 층간 절연막(760)에 형성된 접촉 구멍을 통하여 반도체층(731, 732)의 소스 영역(736) 및 드레인 영역(737)과 각각 연결된다.
이와 같이, 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 스위칭 반도체층(미도시), 스위칭 게이트 전극(미도시), 스위칭 소스 전극(미도시) 및 스위칭 드레인 전극(미도시)을 포함하며, 구동 박막트랜지스터(20)는 구동 반도체층(732), 구동 게이트 전극(755), 구동 소스 전극(776) 및 구동 드레인 전극(777)을 포함한다. 박막트랜지스터(20)의 구성은 전술한 예에 한정되지 않고, 당해 기술 분야의 전문가가 용이하게 실시할 수 있는 공지된 구성으로 다양하게 변형 가능하다.
또한, 축전 소자(80)는 층간 절연막(760)을 사이에 두고 배치된 제 1 축전판(758)과 제 2 축전판(778)을 포함한다.
도시되지 않았지만, 스위칭 박막트랜지스터는 발광시키고자 하는 화소를 선택하는 스위칭 소자로 사용된다. 스위칭 게이트 전극은 게이트 라인(751)에 연결된다. 스위칭 소스 전극은 데이터 라인(771)에 연결된다. 스위칭 드레인 전극은 스위칭 소스 전극으로부터 이격 배치되며, 제 1 축전판(758)과 연결된다.
구동 박막트랜지스터(20)는 선택된 화소 내의 유기 발광 소자(810)의 발광층(812)을 발광시키기 위한 구동 전원을 화소 전극(811)에 인가한다. 구동 게이트 전극(755)은 제 1 축전판(758)과 연결된다. 구동 소스 전극(776) 및 제 2 축전판(778)은 각각 공통 전원 라인(772)과 연결된다. 구동 드레인 전극(777)은 컨택홀을 통해 유기 발광 소자(810)의 화소 전극(811)과 연결된다.
이와 같은 구조에 의하여, 스위칭 박막트랜지스터는 게이트 라인(751)에 인가되는 게이트 전압에 의해 작동하여 데이터 라인(771)에 인가되는 데이터 전압을 구동 박막트랜지스터(20)로 전달하는 역할을 한다. 공통 전원 라인(772)으로부터 구동 박막트랜지스터(20)에 인가되는 공통 전압과 스위칭 박막트랜지스터로부터 전달된 데이터 전압의 차에 해당하는 전압이 축전 소자(80)에 저장되고, 축전 소자(80)에 저장된 전압에 대응하는 전류가 구동 박막트랜지스터(20)를 통해 유기 발광 소자(810)로 흘러 유기 발광 소자(810)가 발광하게 된다.
층간 절연막(760) 상에 배치된 데이터 라인(771), 공통 전원 라인(772), 소스 전극(776) 및 드레인 전극(777), 제 2 축전판(778) 등과 같이 동일층으로 패턴된 데이터 배선을 덮는 평탄화막(780)이 배치된다.
평탄화막(780)은 그 위에 형성될 유기 발광 소자(810)의 발광 효율을 높이기 위해, 단차를 없애고 평탄화시키는 역할을 한다. 평탄화막(780)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolicresin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(polyphenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(polyphenylenesulfides resin), 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 중 하나 이상의 물질로 만들어질 수 있다.
평탄화막(780) 상에 유기 발광 소자(810)의 화소 전극(811)이 배치된다. 화소 전극(811)은 평탄화막(780)에 형성된 컨택홀을 통하여 드레인 전극(777)과 연결된다.
평탄화막(780) 상에 화소 전극(811)의 적어도 일부를 드러내어 화소 영역을 정의하는 화소정의막(790)이 배치된다. 화소 전극(811)은 화소정의막(790)의 화소 영역에 대응하도록 배치된다. 화소정의막(790)은 폴리아크릴계(polyacrylates resin) 및 폴리이미드계(polyimides) 등의 수지로 만들어질 수 있다.
화소 영역 내의 화소 전극(811)상에 발광층(812)이 배치되고, 화소정의막(790) 및 발광층(812) 상에 공통 전극(813)이 배치된다. 발광층(812)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물로 이루어진다. 화소전극(811)과 발광층(812) 사이에 정공 주입층(Hole Injection Layer, HIL) 및 정공 수송층(Hole Transporting Layer, HTL) 중 적어도 하나가 더 배치될 수 있고, 발광층(812)과 공통 전극(813) 사이에 전자 수송층(Electron Transporting Layer, ETL) 및 전자 주입층(Electron Injection Layer, EIL) 중 적어도 하나가 더 배치될 수 있다.
화소 전극(811) 및 공통 전극(813)은 투과형 전극, 반투과형 전극 및 반사형 전극 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
투과형 전극 형성을 위하여 투명 도전성 산화물(TCO; Transparent Conductive Oxide)이 사용될 수 있다. 투명한 도전성 산화물(TCO)로, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(산화 아연) 또는 In2O3(Indium Oxide) 등이 있다.
반투과형 전극 및 반사형 전극 형성을 위하여 마그네슘(Mg), 은(Ag), 금(Au), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 구리(Cu)와 같은 금속 또는 이들의 합금이 사용될 수 있다. 이때, 반투과형 전극과 반사형 전극은 두께로 결정된다. 일반적으로, 반투과형 전극은 약 200nm 이하의 두께를 가지며, 반사형 전극은 300nm 이상의 두께를 가진다. 반투과형 전극은 두께가 얇아질수록 빛의 투과율이 높아지지만 저항이 커지고, 두께가 두꺼워질수록 빛의 투과율이 낮아진다.
또한, 반투과형 및 반사형 전극은 금속 또는 금속의 합금으로 된 금속층과 금속층상에 적층된 투명 도전성 산화물(TCO)층을 포함하는 다층구조로 형성될 수 있다.
제 2 전극(813) 상에 박막 봉지층(850)이 배치된다. 박막 봉지층(850)은 하나 이상의 무기막(851, 853, 855) 및 하나 이상의 유기막(852, 854)을 포함한다. 또한, 박막 봉지층(850)은 무기막(851, 853, 855)과 유기막(852, 854)이 교호적으로 적층된 구조를 갖는다. 이때, 무기막(851)이 최하부에 배치된다. 즉, 무기막(851)이 유기 발광 소자(810)와 가장 가깝게 배치된다.
박막 봉지층(850)은 3개의 무기막(851, 853, 855)과 2개의 유기막(852, 854)을 포함하고 있으나, 본 발명의 일 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
무기막(851, 853, 855)은 Al2O3, TiO2, ZrO, SiO2, AlON, AlN, SiON, Si3N4, ZnO, 및 Ta2O5 중 하나 이상의 무기물을 포함하여 형성된다. 무기막(851, 853, 855)은 화학증착(chemical vapor deposition, CVD)법 또는 원자층 증착(atomic layer depostion, ALD)법을 통해 형성된다. 하지만, 본 발명의 일 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 무기막(851, 853, 855)은 해당 기술 분야의 종사자에게 공지된 다양한 방법을 통해 형성될 수 있다.
유기막(852, 854)은 고분자(polymer) 계열의 소재로 만들어진다. 여기서, 고분자 계열의 소재는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드, 및 폴리에틸렌 등을 포함한다. 또한, 유기막(852, 854)은 열증착 공정을 통해 형성된다. 그리고, 유기막(852, 854)을 형성하기 위한 열증착 공정은 유기 발광 소자(810)를 손상시키지 않는 온도 범위 내에서 진행된다. 하지만, 본 발명의 일 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 유기막(852, 854)은 해당 기술 분야의 종사자에게 공지된 다양한 방법을 통해 형성될 수 있다.
박막의 밀도가 치밀하게 형성된 무기막(851, 853, 855)이 주로 수분 또는 산소의 침투를 억제한다. 대부분의 수분 및 산소는 무기막(851, 853, 855)에 의해 유기 발광 소자(810)로의 침투가 차단된다.
박막 봉지층(850)은 10㎛ 이하의 두께로 형성될 수 있다. 따라서, 표시 패널의 전체적인 두께가 매우 얇게 형성될 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
100: 마스크 프레임 200: 분할 마스크
201: 제 1 면 202: 제 2 면
300: 증착용 기판 410: 제 1 포토 레지스트 패턴
411: 제 1 증착 패턴 412: 보조 패턴
420: 제 2 포토 레지스트 패턴 431: 제 1 개구
432: 제 2 개구 451: 제 1 홈
452: 제 2 홈

Claims (13)

  1. 개구 영역을 갖는 마스크 프레임;
    상기 마스크 프레임 상에 배치된 복수의 분할 마스크;를 포함하고,
    상기 분할 마스크는 증착 패턴부 및 상기 마스크 프레임에 고정되는 단부를 포함하고,
    상기 증착 패턴부는 복수의 개구 패턴을 포함하고,
    상기 분할 마스크는 20㎛이하의 두께를 가지는 마스크 어셈블리.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 개구 패턴의 길이에 대한 상기 분할 마스크의 두께의 비율은 0.2이상 0.7이하인 마스크 어셈블리.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 개구 패턴은 30㎛이상 50㎛이하의 길이를 갖는 마스크 어셈블리.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 분할 마스크는 금속으로 이루어진 마스크 어셈블리.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 분할 마스크는 인바(Invar) 합금으로 이루어진 마스크 어셈블리.
  6. 분할 마스크 기판을 준비하는 단계;
    상기 분할 마스크 기판의 일면에 제 1 개구를 정의하는 제 1 증착 패턴 및 상기 제 1 개구 내에 배치된 보조 패턴을 포함하는 제 1 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 분할 마스크 기판의 타면에 제 2 개구를 정의하는 제 2 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 분할 마스크 기판의 일면을 하프 에칭하는 단계;
    상기 하프 에칭된 분할 마스크 기판의 일면 상에 레진을 도포하는 단계;
    상기 분할 마스크 기판의 타면을 하프 에칭하는 단계;를 포함하고,
    상기 보조 패턴은 상기 제 2 개구와 중첩하는 마스크 어셈블리 제조 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 보조 패턴의 중심은 상기 제 1 개구부의 중심과 일치하는 마스크 어셈블리 제조 방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 분할 마스크 기판의 타면을 하프 에칭하는 단계 후에,
    상기 제 1 포토 레지스트 패턴 및 상기 제 2 포토 레지스트 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하는 마스크 어셈블리 제조 방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 포토 레지스트 패턴은 상기 제 2 포토 레지스트 패턴의 면적보다 큰 면적을 갖는 마스크 어셈블리 제조 방법.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 포토 레지스트 패턴은 상기 제 1 증착 패턴과 상기 보조 패턴을 연결하는 적어도 하나의 브리지 패턴을 더 포함하는 마스크 어셈블리 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 브리지 패턴은 제 1 브리지 패턴, 제 2 브리지 패턴, 제 3 브리지 패턴 및 제 4 브리지 패턴을 포함하는 마스크 어셈블리 제조 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 브리지 패턴 및 상기 제 3 브리지 패턴은 제 1 방향을 따라 연장된 마스크 어셈블리 제조 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 2 브리지 패턴 및 상기 제 4 브리지 패턴은 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장된 마스크 어셈블리 제조 방법.
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