KR102442459B1 - 마스크 지지 템플릿의 제조 방법, 마스크 지지 템플릿 및 프레임 일체형 마스크의 제조 방법 - Google Patents

마스크 지지 템플릿의 제조 방법, 마스크 지지 템플릿 및 프레임 일체형 마스크의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 마스크 지지 템플릿의 제조 방법 및 프레임 일체형 마스크의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 마스크 지지 템플릿의 제조 방법은, OLED 화소 형성용 마스크를 지지하여 프레임에 대응시키는 마스크 지지 템플릿(template)의 제조 방법으로서, (a) 트랜스퍼 기판에 마스크 금속막을 접착하는 단계; (b) 트랜스퍼 기판과 접촉된 마스크 금속막의 일면과 대향하는 타면 상에 서브 마스크 패턴을 형성하는 단계; (c) 트랜스퍼 기판을 분리하는 단계; (d) 서브 마스크 패턴이 형성된 마스크 금속막의 타면 상에 배리어 절연부를 형성하고, 배리어 절연부를 개재하여 템플릿이 포함된 템플릿 지지부 상에 마스크 금속막의 타면을 접착하는 단계; (e) 마스크 금속막의 일면 상에서 마스크 금속막의 두께를 감축하는 단계; (f) 마스크 금속막의 일면 상에 메인 마스크 패턴을 형성하여 마스크를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

마스크 지지 템플릿의 제조 방법, 마스크 지지 템플릿 및 프레임 일체형 마스크의 제조 방법 {PRODUCING METHOD OF TEMPLATE FOR SUPPORTING MASK AND TEMPLATE FOR SUPPORTING MASK AND PRODUCING METHOD OF MASK INTEGRATED FRAME}
본 발명은 마스크 지지 템플릿의 제조 방법 및 프레임 일체형 마스크의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 마스크의 변형없이 안정적으로 지지 및 이동이 가능하고, 각 마스크 간의 얼라인(align)을 명확하게 할 수 있는 마스크 지지 템플릿의 제조 방법, 마스크 지지 템플릿 및 프레임 일체형 마스크의 제조 방법에 관한 것이다.
OLED 제조 공정에서 화소를 형성하는 기술로, 박막의 금속 마스크(Shadow Mask)를 기판에 밀착시켜서 원하는 위치에 유기물을 증착하는 FMM(Fine Metal Mask) 법이 주로 사용된다.
기존의 OLED 제조 공정에서는 마스크를 스틱 형태, 플레이트 형태 등으로 제조한 후, 마스크를 OLED 화소 증착 프레임에 용접 고정시켜 사용한다. 마스크 하나에는 디스플레이 하나에 대응하는 셀이 여러개 구비될 수 있다. 또한, 대면적 OLED 제조를 위해서 여러 개의 마스크를 OLED 화소 증착 프레임에 고정시킬 수 있는데, 프레임에 고정하는 과정에서 각 마스크가 평평하게 되도록 인장을 하게 된다. 마스크의 전체 부분이 평평하게 되도록 인장력을 조절하는 것은 매우 어려운 작업이다. 특히, 각 셀들을 모두 평평하게 하면서, 크기가 수 내지 수십 ㎛에 불과한 마스크 패턴을 정렬하기 위해서는, 마스크의 각 측에 가하는 인장력을 미세하게 조절하면서, 정렬 상태를 실시간으로 확인하는 고도의 작업이 요구된다.
그럼에도 불구하고, 여러 개의 마스크를 하나의 프레임에 고정시키는 과정에서 마스크 상호간에, 그리고 마스크 셀들의 상호간에 정렬이 잘 되지 않는 문제점이 있었다. 또한, 마스크를 프레임에 용접 고정하는 과정에서 마스크 막의 두께가 너무 얇고 대면적이기 때문에 하중에 의해 마스크가 쳐지거나 뒤틀어지는 문제점, 용접 과정에서 용접 부분에 발생하는 주름, 번짐(burr) 등에 의해 마스크 셀의 정렬이 엇갈리게 되는 문제점 등이 있었다.
초고화질의 OLED의 경우, 현재 QHD 화질은 500~600 PPI(pixel per inch)로 화소의 크기가 약 30~50㎛에 이르며, 4K UHD, 8K UHD 고화질은 이보다 높은 ~860 PPI, ~1600 PPI 등의 해상도를 가지게 된다. 이렇듯 초고화질의 OLED의 화소 크기를 고려하여 각 셀들간의 정렬 오차를 수 ㎛ 정도로 감축시켜야 하며, 이를 벗어나는 오차는 제품의 실패로 이어지게 되므로 수율이 매우 낮아지게 될 수 있다. 그러므로, 마스크가 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형을 방지하고, 정렬을 명확하게 할 수 있는 기술, 마스크를 프레임에 고정하는 기술 등의 개발이 필요한 실정이다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 마스크를 변형없이 안정적으로 지지 및 이동이 가능하고, 마스크가 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형을 방지하고 정렬을 명확하게 할 수 있는 마스크 지지 템플릿의 제조 방법, 마스크 지지 템플릿 및 프레임 일체형 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 복수의 마스크 지지 템플릿을 프레임에 동시에 대응하고 부착시킬 수 있는 마스크 지지 템플릿의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 제조시간을 현저하게 감축시키고, 수율을 현저하게 상승시킨 프레임 일체형 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
본 발명의 상기의 목적은, OLED 화소 형성용 마스크를 지지하여 프레임에 대응시키는 마스크 지지 템플릿(template)의 제조 방법으로서, (a) 트랜스퍼 기판에 마스크 금속막을 접착하는 단계; (b) 트랜스퍼 기판과 접착된 마스크 금속막의 일면과 대향하는 타면 상에 서브 마스크 패턴을 형성하는 단계; (c) 트랜스퍼 기판을 분리하는 단계; (d) 서브 마스크 패턴이 형성된 마스크 금속막의 타면 상에 배리어 절연부를 형성하고, 배리어 절연부를 개재하여 템플릿 상에 마스크 금속막의 타면을 접착하는 단계; (e) 마스크 금속막의 일면 상에 메인 마스크 패턴을 형성하여 마스크를 제조하는 단계;를 포함하는, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법에 의해 달성된다.
(a) 단계에서, 트랜스퍼 기판과 마스크 금속막 사이에 제1 임시접착부가 개재될 수 있다.
(b) 단계에서, 마스크 금속막의 마스크 셀부에 서브 마스크 패턴을 형성하고, 마스크 셀부를 제외한 더미부에 용접 패턴을 형성할 수 있다.
서브 마스크 패턴 및 용접 패턴은 마스크 금속막을 관통하지 않게 형성할 수 있다.
(c) 단계에서, 트랜스퍼 기판을 분리하고, 제1 임시접착부를 제거할 수 있다.
(d) 단계에서, 템플릿은 템플릿 지지부의 홈에 수용된 상태에서, 배리어 절연부를 개재하여 템플릿 및 템플릿 지지부 상에 마스크 금속막의 타면을 접착할 수 있다.
템플릿과 템플릿 지지부는 상부면의 높이가 일치하고, 배리어 절연부와 템플릿 및 템플릿 지지부 사이에 제3 임시접착부가 개재될 수 있다.
템플릿 지지부의 홈에 제2 임시접착부가 형성되어 템플릿의 적어도 일면이 제2 임시접착부를 개재하여 템플릿 지지부에 접착될 수 있다.
템플릿 지지부는, 베이스판, 및 베이스판의 일면 테두리에 연결되고 중공 영역을 가지는 테두리판을 포함하고, 중공 영역이 템플릿 지지부의 홈에 대응하며, 중공 영역에 템플릿이 안착될 수 있다.
(f) 템플릿 지지부로부터 템플릿을 분리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
(d) 단계와 (e) 단계 사이에, (d2) 마스크 금속막의 일면 상에서 마스크 금속막의 두께를 감축하는 단계를 더 포함할 수 있다.
(d2) 단계에서, 마스크 셀부의 두께를 감축하고, 용접부에 대응하는 영역에는 두께 감축을 수행하지 않을 수 있다.
(e) 단계에서, 메인 마스크 패턴은 마스크 금속막을 관통하게 형성하고, 메인 마스크 패턴은 서브 마스크 패턴보다 폭과 두께가 크며, 메인 마스크 패턴과 서브 마스크 패턴의 합으로 마스크 패턴이 구성될 수 있다.
(e) 단계에서, 메인 마스크 패턴을 형성하면서, 마스크 금속막 테두리를 템플릿 크기와 동일하게 커팅할 수 있다.
템플릿과 동일한 크기를 가지며 복수의 마스크 패턴이 형성된 마스크가 지지된 마스크 지지 템플릿을 준비할 수 있다.
(a) 단계 이후, 마스크 금속막 상에, 서브 마스크 패턴 및 메인 마스크 패턴의 위치를 얼라인(align)하기 위한 제1 얼라인 홀; 및 마스크 금속막과 템플릿 지지부의 얼라인을 위한 제2 얼라인 홀을 더 형성할 수 있다.
그리고, 본 발명의 상기의 목적은, OLED 화소 형성용 마스크를 지지하여 프레임에 대응시키는 템플릿으로서, 마스크를 지지하는 템플릿; 템플릿 상에 형성된 임시접착부; 임시접착부 상에 형성된 배리어 절연부; 및 배리어 상에 형성되고 복수의 마스크 패턴이 형성된 마스크;를 포함하고, 마스크 패턴은 배리어 절연부에 맞닿은 서브 마스크 패턴 및 서브 마스크 패턴 상부의 메인 마스크 패턴으로 구성되고, 메인 마스크 패턴은 서브 마스크 패턴보다 폭과 두께가 큰, 마스크 지지 템플릿에 의해 달성된다.
그리고, 본 발명의 상기의 목적은, 적어도 하나의 마스크와 마스크를 지지하는 프레임이 일체로 형성된 프레임 일체형 마스크의 제조 방법으로서, (a) 트랜스퍼 기판에 마스크 금속막을 접착하는 단계; (b) 트랜스퍼 기판과 접착된 마스크 금속막 일면과 대향하는 타면 상에 서브 마스크 패턴을 형성하는 단계; (c) 트랜스퍼 기판을 분리하는 단계; (d) 서브 마스크 패턴이 형성된 마스크 금속막 타면 상에 배리어 절연부를 형성하고, 배리어 절연부를 개재하여 템플릿 상에 마스크 금속막 타면을 접착하는 단계; (e) 마스크 금속막 일면 상에 메인 마스크 패턴을 형성하여 마스크를 제조하는 단계; (f) 적어도 하나의 마스크 셀 영역을 구비한 프레임 상에 템플릿을 로딩하여 마스크를 프레임의 마스크 셀 영역에 대응하는 단계; (g) 마스크를 프레임에 부착하는 단계; 에 의해 달성된다.
그리고, 본 발명의 상기의 목적은, 적어도 하나의 마스크와 마스크를 지지하는 프레임이 일체로 형성된 프레임 일체형 마스크의 제조 방법으로서, (a) 적어도 하나의 마스크 셀 영역을 구비한 프레임 상에, 상기 제조 방법으로 제조한 템플릿을 로딩하여 마스크를 프레임의 마스크 셀 영역에 대응하는 단계; 및 (b) 마스크를 프레임에 부착하는 단계;를 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법에 의해 달성된다.
상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 마스크를 변형없이 안정적으로 지지 및 이동이 가능하고, 마스크가 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형을 방지하고 정렬을 명확하게 할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 복수의 마스크 지지 템플릿을 프레임에 동시에 대응하고 부착시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 제조시간을 현저하게 감축시키고, 수율을 현저하게 상승시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래의 마스크를 프레임에 부착하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크를 나타내는 정면도 및 측단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 및 비교예에 따른 마스크 지지 템플릿을 나타내는 개략 평면도 및 측단면도이다.
도 4는 비교예에 따른 마스크 지지 템플릿을 프레임 상에 로딩하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 5 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 지지 템플릿을 제조하는 과정을 나타내는 개략도이다. 각 단계에서 상부의 도면은 개략 측단면도 하부의 도면은 개략 평면도를 나타낸다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 지지 템플릿을 프레임 상에 로딩하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 템플릿을 프레임 상에 로딩하여 마스크를 프레임의 셀 영역에 대응시키는 상태를 나타내는 개략도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 프레임에 부착한 후 마스크와 템플릿을 분리하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 프레임에 부착한 상태를 나타내는 개략도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크를 이용한 OLED 화소 증착 장치를 나타내는 개략도이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다.
이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 종래의 마스크(10)를 프레임(20)에 부착하는 과정을 나타내는 개략도이다.
종래의 마스크(10)는 스틱형(Stick-Type) 또는 판형(Plate-Type)이며, 도 1의 스틱형 마스크(10)는 스틱의 양측을 OLED 화소 증착 프레임에 용접 고정시켜 사용할 수 있다. 마스크(10)의 바디(Body)[또는, 마스크 막(11)]에는 복수의 디스플레이 셀(C)이 구비된다. 하나의 셀(C)은 스마트폰 등의 디스플레이 하나에 대응한다. 셀(C)에는 디스플레이의 각 화소에 대응하도록 화소 패턴(P)이 형성된다.
도 1의 (a)를 참조하면, 스틱 마스크(10)의 장축 방향으로 인장력(F1~F2)을 가하여 편 상태로 사각틀 형태의 프레임(20) 상에 스틱 마스크(10)를 로딩한다. 스틱 마스크(10)의 셀(C1~C6)들은 프레임(20)의 틀 내부 빈 영역 부분에 위치하게 된다.
도 1의 (b)를 참조하면, 스틱 마스크(10)의 각 측에 가하는 인장력(F1~F2)을 미세하게 조절하면서 정렬을 시킨 후, 스틱 마스크(10) 측면의 일부를 용접(W)함에 따라 스틱 마스크(10)와 프레임(20)을 상호 연결한다. 도 1의 (c)는 상호 연결된 스틱 마스크(10)와 프레임의 측단면을 나타낸다.
스틱 마스크(10)의 각 측에 가하는 인장력(F1~F2)을 미세하게 조절함에도 불구하고, 마스크 셀(C1~C3)들의 상호간에 정렬이 잘 되지 않는 문제점이 나타난다. 가령, 셀(C1~C6)들의 패턴 간에 거리가 상호 다르게 되거나, 패턴(P)들이 비뚤어지는 것이 그 예이다. 스틱 마스크(10)는 복수의 셀(C1~C6)을 포함하는 대면적이고, 수십 ㎛ 수준의 매우 얇은 두께를 가지기 때문에, 하중에 의해 쉽게 쳐지거나 뒤틀어지게 된다. 또한, 각 셀(C1~C6)들을 모두 평평하게 하도록 인장력(F1~F2)을 조절하면서, 각 셀(C1~C6)들간의 정렬 상태를 현미경을 통해 실시간으로 확인하는 것은 매우 어려운 작업이다. 크기가 수 내지 수십 ㎛인 마스크 패턴(P)이 초고화질 OLED의 화소 공정에 악영향을 미치지 않도록 하기 위해서는, 정렬 오차가 3㎛를 초과하지 않는 것이 바람직하다. 이렇게 인접하는 셀 사이의 정렬 오차를 PPA(pixel position accuracy)라 지칭한다.
이에 더하여, 복수의 스틱 마스크(10)들을 프레임(20) 하나에 각각 연결하면서, 복수의 스틱 마스크(10)들간에, 그리고 스틱 마스크(10)의 복수의 셀(C~C6)들간에 정렬 상태를 명확히 하는 것도 매우 어려운 작업이고, 정렬에 따른 공정 시간이 증가할 수밖에 없게 되어 생산성을 감축시키는 중대한 이유가 된다.
한편, 스틱 마스크(10)를 프레임(20)에 연결 고정시킨 후에는, 스틱 마스크(10)에 가해졌던 인장력(F1~F2)이 프레임(20)에 역으로 장력(tension)을 작용할 수 있다. 이러한 장력이 프레임(20)을 미세하게 변형시킬 수 있고, 복수의 셀(C~C6)들간에 정렬 상태가 틀어지는 문제가 발생할 수 있다.
이에, 본 발명은 마스크(100)가 프레임(200)과 일체형 구조를 이룰 수 있게 하는 프레임(200) 및 프레임 일체형 마스크를 제안한다. 프레임(200)에 일체로 형성되는 마스크(100)는 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형이 방지되고, 프레임(200)에 명확히 정렬될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크를 나타내는 정면도[도 2의 (a)] 및 측단면도[도 2의 (b)]이다.
본 명세서에서는 아래에서 프레임 일체형 마스크의 구성을 간단히 설명하나, 프레임 일체형 마스크의 구조, 제조 과정은 한국특허출원 제2018-0016186호의 내용이 전체로서 산입된 것으로 이해될 수 있다.
도 2를 참조하면, 프레임 일체형 마스크는, 복수의 마스크(100) 및 하나의 프레임(200)을 포함할 수 있다. 다시 말해, 복수의 마스크(100)들을 각각 하나씩 프레임(200)에 부착한 형태이다. 이하에서는, 설명의 편의상 사각 형태의 마스크(100)를 예로 들어 설명하나, 마스크(100)들은 프레임(200)에 부착되기 전에는 양측에 클램핑되는 돌출부를 구비한 스틱 마스크 형태일 수 있으며, 프레임(200)에 부착된 후에 돌출부가 제거될 수 있다.
각각의 마스크(100)에는 복수의 마스크 패턴(P)이 형성되며, 하나의 마스크(100)에는 하나의 셀(C)이 형성될 수 있다. 하나의 마스크 셀(C)은 스마트폰 등의 디스플레이 하나에 대응할 수 있다.
마스크(100)는 인바(invar), 슈퍼 인바(super invar), 니켈(Ni), 니켈-코발트(Ni-Co) 등의 재질일 수도 있다. 마스크(100)는 압연(rolling) 공정 또는 전주 도금(electroforming)으로 생성한 금속 시트(sheet)를 사용할 수 있다.
프레임(200)은 복수의 마스크(100)를 부착시킬 수 있도록 형성된다. 프레임(200)은 열변형을 고려하여 마스크와 동일한 재질로 구성되는 것이 바람직하다. 프레임(200)은 대략 사각 형상, 사각틀 형상의 테두리 프레임부(210)를 포함할 수 있다. 테두리 프레임부(210)의 내부는 중공 형태일 수 있다.
이에 더하여, 프레임(200)은 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 구비하며, 테두리 프레임부(210)에 연결되는 마스크 셀 시트부(220)를 포함할 수 있다. 마스크 셀 시트부(220)는 테두리 시트부(221) 및 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)로 구성될 수 있다. 테두리 시트부(221) 및 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)는 동일한 시트에서 구획된 각 부분을 지칭하며, 이들은 상호간에 일체로 형성된다.
테두리 프레임부(210)의 두께는 마스크 셀 시트부(220)의 두께보다 두꺼운 수mm 내지 수cm의 두께로 형성될 수 있다. 마스크 셀 시트부(220)는 테두리 프레임부(210)의 두께보다는 얇지만, 마스크(100)보다는 두꺼운 약 0.1mm 내지 1mm 정도로 두께일 수 있다. 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)의 폭은 약 1~5mm 정도로 형성될 수 있다.
평면의 시트에서 테두리 시트부(221), 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)가 점유하는 영역을 제외하여, 복수의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)이 제공될 수 있다.
프레임(200)은 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 구비하고, 각각의 마스크(100)는 각각 하나의 마스크 셀(C)이 마스크 셀 영역(CR)에 대응되도록 부착될 수 있다. 마스크 셀(C)은 프레임(200)의 마스크 셀 영역(CR)에 대응하고, 더미의 일부 또는 전부가 프레임(200)[마스크 셀 시트부(220)]에 부착될 수 있다. 이에 따라, 마스크(100)와 프레임(200)이 일체형 구조를 이룰 수 있게 된다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(100) 및 비교예에 따른 마스크 지지 템플릿(50')을 나타내는 개략 평면도 및 측단면도이다.
도 3의 (a) 및 (b)를 참조하면, 마스크(100)는 복수의 마스크 패턴(P)이 형성된 마스크 셀(C) 및 마스크 셀(C) 주변의 더미(DM)를 포함할 수 있다. 압연 공정, 전주 도금 등으로 생성한 금속 시트로 마스크(100)를 제조할 수 있고, 마스크(100)에는 하나의 셀(C), 또는 복수의 셀(C)이 형성될 수 있다. 더미(DM)는 셀(C)을 제외한 마스크 막(110)[마스크 금속막(110)] 부분에 대응하고, 마스크 막(110)만을 포함하거나, 마스크 패턴(P)과 유사한 형태의 소정의 더미 패턴이 형성된 마스크 막(110)을 포함할 수 있다. 더미(DM)는 마스크(100)의 테두리에 대응하여 더미(DM)의 일부 또는 전부가 프레임(200)[마스크 셀 시트부(220)]에 부착될 수 있다.
마스크 패턴(P)의 폭은 40㎛보다 작게 형성될 수 있고, 마스크(100)의 두께는 약 5~20㎛로 형성될 수 있다. 프레임(200)이 복수의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)을 구비하므로, 각각의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)에 대응하는 마스크 셀(C: C11~C56)을 가지는 마스크(100)도 복수개 구비할 수 있다.
도 3의 (b)를 참조하면, 비교예에 따른 템플릿(50')의 일면 상에 마스크(100)가 부착되어 지지된 상태로 이동할 수 있다. 템플릿(50)' 중심부는 마스크 금속막(110)의 마스크 셀(C)에 대응하고, 테두리부는 마스크 금속막(110)의 더미(DM)에 대응할 수 있다. 마스크 금속막(110)이 전체적으로 지지될 수 있도록 템플릿(50')의 크기는 마스크 금속막(110)보다 면적이 큰 평판 형상이다.
템플릿(50')은 템플릿(50')의 상부에서 조사하는 레이저(L)가 마스크(100)의 용접부(용접을 수행할 영역, WP)에까지 도달할 수 있도록, 템플릿(50')에는 레이저 통과공(51')이 형성될 수 있다. 레이저 통과공(51')은 용접부(WP)의 위치 및 개수에 대응하도록 템플릿(50)에 형성될 수 있다.
템플릿(50')의 일면에는 임시접착부(55')가 형성될 수 있다. 임시접착부(55')는 마스크(100)가 프레임(200)에 부착되기 전까지 마스크(100)[또는, 마스크 금속막(110)]이 임시로 템플릿(50')의 일면에 접착되어 템플릿(50') 상에 지지되도록 할 수 있다.
도 4는 비교예에 따른 마스크 지지 템플릿(50')을 프레임(200) 상에 로딩하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 4를 참조하면, 템플릿(50')은 진공 척(90)에 의해 이송될 수 있다. 진공 척(90)으로 마스크(100)가 접착된 템플릿(50') 면의 반대 면을 흡착하여 이송할 수 있다.
마스크(100)를 프레임(200)의 하나의 마스크 셀 영역(CR)에 대응할 수 있다. 템플릿(50')을 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)] 상에 로딩하는 것으로 마스크(100)를 마스크 셀 영역(CR)에 대응시킬 수 있다.
이어서, 마스크(100)에 레이저(L)를 조사하여 레이저 용접에 의해 마스크(100)를 프레임(200)에 접착할 수 있다. 레이저 용접된 마스크의 용접부 부분에는 용접 비드(WB)가 생성되고, 용접 비드(WB)는 마스크(100)/프레임(200)과 동일한 재질을 가지고 일체로 연결될 수 있다.
하나의 마스크(100)를 하나의 마스크 셀 영역(CR)에 대응시키고 레이저(L)를 조사하여 마스크(100)를 프레임(200)에 접착하는 과정을 반복적으로 수행하여 모든 마스크 셀 영역(CR)에 각각 마스크(100)를 접착할 수 있다. 하지만, 마스크(100)가 용접에 의해 프레임(200)에 접착된 후에 해당 마스크(100) 주변의 마스크 셀 시트부(220)에 인장력을 작용하게 될 수 있다. 이에 의해 마스크 셀 시트부(220)가 미세하게 변형되어, 다음 순번의 마스크(100)를 접착하려고 할때 정렬에 악영향을 미칠 수 있다.
따라서, 마스크(100)를 하나씩 마스크 셀 영역(CR)에 대응/접착하는 것보다는 모든 마스크(100)를 모든 마스크 셀 영역(CR)에 동시에 대응시키고 접착하는 것이 바람직하게 요구될 수 있다. 이렇게 동시에 마스크(100)를 마스크 셀 영역(CR)에 대응하기 위해서는 마스크(100)가 지지접착된 템플릿(50')들이 프레임(200) 상에 복수개가 로딩되어야 한다. 하지만, 도 4에 도시된 바와 같이, 템플릿(50')은 마스크(100)보다 넓은 면적으로 형성되기 때문에, 이웃하는 템플릿(50') 간에 상호 중첩되는 영역(OR)으로 인한 간섭이 발생하는 문제점이 있었다. 복수의 템플릿(50')을 프레임(200) 상에 나란히 대응시키기가 어려운 것이다. 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)의 폭은 약 1~5mm 정도에 불과하므로, 마스크(100)와 템플릿(50')의 일측 길이의 차이는 그 1/2인 약 0.5~2.5mm보다도 적어야 한다. 위 치수 차이를 만족시키면서 템플릿(50') 상에서 마스크 패턴(P)을 가지는 마스크(100)를 제조하는 공정을 수행하기는 대단히 어렵다.
이에 따라, 마스크(100)의 면적과 동일한 템플릿(50)을 구성하는 것이 제안된다. 하지만, 마스크 금속막(110)에 마스크 패턴(P)을 형성하는 공정을 마스크 금속막(110)과 동일한 면적의 템플릿(50)에서 곧바로 수행하는 경우, 마스크 패턴(P)과 템플릿(50)의 정렬이 어긋나는 문제가 발생하고, 템플릿(50)의 레이저 통과공(51)과 마스크(100)의 더미(DM)[또는, 용접부(WP)]의 정렬이 맞지 않는 문제도 발생한다. 또한, 마스크 금속막(110)에 마스크 패턴(P)을 형성한 후 모서리 부분을 커팅하여 도 3의 (a)와 같은 마스크(100)를 완성해야 하는데, 마스크(100)와 동일한 면적을 가지는 템플릿(50)에서 모서리 부분을 커팅하는 것은 어려운 문제가 있다.
이 문제를 해결하기 위해, 마스크(100)를 소정의 기판 상에서 제조한 후 마스크(100)와 동일한 크기의 템플릿(50)에 전사(transfer)하는 방식을 고려할 수 있다. 하지만, 마스크(100)를 전사하는 과정에서 마스크(100)에 결함이 생기거나, 마스크(100)에 구김, 변형이 생겨 템플릿(50)과 정렬이 어긋나거나, 마스크(100)와 템플릿(50) 사이에 이물질이 개재되는 등으로 인해 제품이 불량률이 늘어나는 문제점이 다시 발생할 수 있다.
도 3의 (b)를 다시 참조하면, 템플릿(50') 상에서 마스크 금속막(110)에 마스크 패턴(P)을 형성하는 공정이 진행될 수 있다. 마스크 금속막(110)의 하부면은 템플릿(50')에 의해 막힌 상태이므로, 상부면에서 식각을 수행하여 마스크 패턴(P)을 형성하여야 한다. 이렇게 하나의 면을 통해서만 식각을 수행하는 경우, 마스크 패턴(P)의 폭 크기를 정밀하게 제어하기 어렵고, 마스크 패턴(P)들마다 균일도도 저하될 수 있다. 식각액이 상부면에서 식각을 수행하면서 형성한 마스크 패턴(P) 내에 잔류하면서 의도치 않는 공정 결함 발생할 수 있다. 마스크 패턴(P)의 상부 폭(PA)은 식각이 수행되는 초반의 폭이므로 어느 정도 제어가 가능하다. 하지만, 하부 폭(PB)은 등방성 식각이 이루어 질 때 약간의 깊이만이라도 더해지게 식각이 된다면 깊이에 해당하는만큼 측방향으로의 식각이 더해질 수 있다. 이에 따라, 마스크 패턴(P)마다 하부 폭(PB)의 편차가 커질 수 있다. 유기물 소스가 진입하여 화소를 형성하는 크기는 하부 폭(PB)에 의해 더 크게 좌우되므로 하부 폭(PB)의 정밀도를 높이고 마스크 패턴(P)들간의 하부 폭(PB)의 편차를 줄이는 방안이 필요하다.
따라서, 본 발명은 마스크 금속막(110)의 양면 방향으로 식각을 수행하여 마스크 패턴(P)의 상부 폭(PA) 및 하부 폭(PB)의 정밀도 및 균일도를 향상시키는 것을 특징으로 한다. 동시에 템플릿(50)과 동일한 면적의 마스크(100)를 제조하여 프레임(200)에 마스크(100)를 부착하는 과정에서 프레임(200)의 변형을 방지하는 것을 특징으로 한다.
도 5 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 지지 템플릿(50)을 제조하는 과정을 나타내는 개략도이다. 각 단계에서 상부의 도면은 개략 측단면도 하부의 도면은 개략 평면도를 나타낸다.
도 5의 (a)를 참조하면, 트랜스퍼 기판(40) 상에 접착된 마스크 금속막(110)을 제공할 수 있다. 트랜스퍼 기판(40)은 마스크(100)의 제조 과정에서 임시로 사용하며, 마스크(100)를 지지하여 프레임(200)에 로딩하는 템플릿(50)으로는 사용하지 않기 때문에 통과공(51)도 형성될 필요는 없다. 트랜스퍼 기판(60)의 재질은 글래스, 석영 등일 수 있고, 마스크 금속막(110)의 마스크 패턴(P) 형성 공정을 수행할 수 있도록 마스크 금속막(110)[마스크(100)]보다 면적이 큰 평판 형상을 가질 수 있다. 도 3 내지 도 4의 비교예에 따른 템플릿(50')의 크기에 대응할 수 있다.
트랜스퍼 기판(40)과 마스크 금속막(110) 사이에는 임시접착부(53)[제1 임시접착부(53)]가 개재될 수 있다. 임시접착부(53)는 후술할 템플릿(50)의 임시접착부(55)[제 3 임시접착부(55)]와 동일한 재질을 사용할 수 있다. 임시접착부(53)는 차후 도 5의 (b)에서 수행할 서브 마스크 패턴(P2) 형성 과정에서 마스크 금속막(110)이 트랜스퍼 기판(40) 상에서 움직이지 않도록 접착하는 역할을 할 수 있다.
한편, 마스크 패턴(P)의 형성 전에 식각과 같은 별도의 패턴 형성 공정을 이용하여 마스크 금속막(110) 상에 제1 얼라인 홀(AH1), 제2 얼라인 홀(AH2)을 형성할 수도 있다.
제1 얼라인 홀(AH1)은 마스크 금속막(110) 상에 서브 마스크 패턴(P2) 및 메인 마스크 패턴(P1)의 위치를 얼라인 하기 위한 것으로, 서브 마스크 패턴(P2) 및 메인 마스크 패턴(P1)의 형성을 위한 절연부(21, 25)의 얼라인에도 사용할 수 있다. 제2 얼라인 홀(AH2)은 마스크 금속막(110)과 템플릿 지지부(60)[도 6의 (d) 참조]의 위치를 얼라인 하기 위한 것이다.
마스크 금속막(110)은 마스크 패턴(P: P1, P2)이 형성될 영역인 마스크 셀부(C)와 마스크 셀부(C) 외곽의 더미부(DM1, DM2)를 포함할 수 있다. 제1. 2 얼라인 홀(AH1, AH2)은 마스크 금속막(110)의 더미부(DM1, DM2)에 형성될 수 있고, 더미부(DM1. DM2)에서도 특히 제2 더미부(DM2)에 형성되는 것이 바람직하다. 제1 더미부(DM1)는 용접 패턴(PW)[또는, 용접부(WP)]이 형성되는 영역으로 마스크(100)의 범위 내에 포함되나, 제2 더미부(DM2)는 마스크(100)의 제조 공정 후 커팅되는 부분일 수 있다. 즉, 제2 더미부(DM2)는 템플릿(50)의 외곽 영역으로 템플릿 지지부(60)[도 6의 (d) 참조]에만 대응되는 영역일 수 있다.
다음으로, 도 5의 (b)를 참조하면, 트랜스퍼 기판(40)과 접촉된 마스크 금속막(110)의 일면(하부면)과 대향하는 타면(상부면)에 서브 마스크 패턴(P2)을 형성할 수 있다.
서브 마스크 패턴(P2)은 마스크 금속막(110)의 타면(상부면)에 패턴화된 제1 절연부(21)를 형성하고 제1 절연부(21)의 패턴 사이 공간에 식각을 수행하여 형성할 수 있다. 서브 마스크 패턴(P2)은 마스크 금속막(110)의 마스크 셀부(C) 영역에 형성할 수 있다. 제1 절연부(21)는 프린팅 법 등을 이용하여 포토레지스트 재질로 형성될 수 있고, 식각은 건식 식각, 습식 식각 등의 방법을 제한없이 사용할 수 있다.
일 예로, 습식 식각을 사용하는 경우, 등방성 식각에 의한 언더컷(undercut)이 발생하므로, 제1 절연부(21)의 패턴 사이 폭(PB)보다 서브 마스크 패턴(P2)의 폭(PB')이 커질 수 있다. 이 때문에, 서브 마스크 패턴(P2)은 마스크 금속막(110)의 두께에 대해서 매우 적은 두께만큼만 형성하는 것이 바람직하다. 즉, 마스크 금속막(110)이 관통되지 않도록 매우 적은 두께만큼만 식각을 수행하여 의도한 설정값인 패턴 하부 폭(PB)에 근접하도록 할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 약 20㎛ 두께의 마스크 금속막(110)을 기준으로 서브 마스크 패턴(P2)의 두께는 약 5㎛보다 적게, 바람직하게는 약 2㎛보다 적게 형성할 수 있다. 서브 마스크 패턴(P2)의 폭(PB')은 약 10~25㎛일 수 있다.
서브 마스크 패턴(P2)을 형성하는 과정에서 동시에 제1 절연부(21)의 패턴 사이 공간을 통해 용접 패턴(PW)도 형성할 수 있다. 또는, 별도의 공정을 이용하여 용접 패턴(PW)을 형성할 수도 있다. 용접 패턴(PW)은 이후 용접부(WP)가 배치될 용접 영역(WR)에 형성할 수 있다. 용접 영역(WR)은 마스크 셀부(C)를 제외한 더미부, 그 중에서도 마스크(100)에 포함되는 제1 더미부(DM1)에 대응할 수 있다. 용접 패턴(PW)의 두께도 서브 마스크 패턴(P2)에 대응하는 정도로 형성할 수 있다. 용접 패턴(PW)의 형성 공간인 단차는 추후 프레임(200)에 마스크(100)를 레이저 용접하는 과정에서 용접 비드(WB)[또는, 용접 버(burr)]가 상부로 돌출되어 화소 증착이 되는 대상 기판(900)[도 13 참조]과의 밀착성을 악화시키는 것을 방지하기 위한 공간이다. 용접 비드(WB)가 상부로 돌출된다고 하여도 용접 패턴(PW)의 단차로 인해 마스크(100)의 상부면보다 높게 돌출되는 것이 방지될 수 있다.
다음으로, 도 6의 (c)를 참조하면, 마스크 금속막(110)과 트랜스퍼 기판(40)을 분리(debonding)할 수 있다. 마스크 금속막(110)과 트랜스퍼 기판(40)의 분리는 임시접착부(51)에 열 인가(ET), 화학적 처리(CM), 초음파 인가(US), UV 인가(UV) 중 적어도 어느 하나를 통해 수행할 수 있다. 일 예로, 85℃~100℃보다 높은 온도의 열을 인가(ET)하면 임시접착부(51)의 점성이 낮아지게 되고, 마스크(100)와 트랜스퍼 기판(40)의 접착력이 약해지게 되어, 마스크(100)와 트랜스퍼 기판(40)이 분리될 수 있다. 다른 예로, IPA, 아세톤, 에탄올 등의 화학 물질에 제1 임시접착부(51)를 침지(CM)함으로서 임시접착부(51)를 용해, 제거 등의 방식으로 마스크(100)와 트랜스퍼 기판(40) 이 분리될 수 있다. 다른 예로, 초음파를 인가(US)하거나, UV를 인가(UV)하면 마스크 금속막(110)과 트랜스퍼 기판(40)의 접착력이 약해지게 되어, 마스크 금속막(110)과 트랜스퍼 기판(40)이 분리될 수 있다.
트랜스퍼 기판(40)의 분리 후, 마스크 금속막(110)의 잔류하는 제1 임시접착부(51)와 제1 절연부(21)도 세정 등을 통해 제거할 수 있다.
다음으로, 도 6의 (d)를 참조하면, 마스크 금속막(110)을 뒤집어서, 서브 마스크 패턴(P2)이 형성된 마스크 금속막(110)의 타면 상에 배리어 절연부(23)를 형성할 수 있다. 그리고, 배리어 절연부(23)를 개재하여 템플릿(50)이 포함된 템플릿 지지부(60) 상에 마스크 금속막(110)의 타면(하부면)을 접착할 수 있다. 배리어 절연부(23)는 마스크 금속막(110) 또는/및 템플릿 지지부(60)[또는 템플릿(50)] 상에 형성할 수 있다.
또한, 배리어 절연부(23)와, 템플릿(50) 및 템플릿 지지부(60) 사이에 임시접착부(55)[제2 임시접착부(55)]가 더 개재될 수 있다. 임시접착부(55)는 마스크 금속막(110)에 대응하는 템플릿(50) 및 템플릿 지지부(60)의 부분에 형성되는 것이 바람직하다. 마스크 금속막(110)은 템플릿(50)보다는 크고, 템플릿 지지부(60)보다는 작은 면적을 가질 수 있으므로, 템플릿(50)의 일면(상면) 전체 및 템플릿 지지부(60)의 일면(상면) 일부 상에 임시접착부(55)가 형성될 수 있다. 임시접착부(55)는 마스크(100)가 프레임(200)에 부착되기 전까지 마스크(100)가 임시로 템플릿(50)의 일면에 접착되어 템플릿(50) 상에 지지되도록 할 수 있다. 또한, 임시접착부(55)는 마스크 금속막(110)에 마스크 패턴(P)을 형성하여 마스크(100)를 제조하기 전까지 마스크 금속막(110)이 템플릿(50) 및 템플릿 지지부(60)의 일면에 접착되어 지지되도록 할 수 있다.
임시접착부(55)는 열을 가함에 따라 분리가 가능한 접착제, UV 조사에 의해 분리가 가능한 접착제를 사용할 수 있다.
일 예로, 임시접착부(55)는 액체 왁스(liquid wax)를 사용할 수 있다. 액체 왁스는 반도체 웨이퍼의 폴리싱 단계 등에서 이용되는 왁스와 동일한 것을 사용할 수 있고, 그 유형이 특별히 한정되지는 않는다. 액체 왁스는 주로 유지력에 관한 접착력, 내충격성 등을 제어하기 위한 수지 성분으로 아크릴, 비닐아세테이트, 나일론 및 다양한 폴리머와 같은 물질 및 용매를 포함할 수 있다. 일 예로, 임시접착부(55)는 수지 성분으로 아크릴로나이트릴 뷰타디엔 고무(ABR, Acrylonitrile butadiene rubber), 용매 성분으로 n-프로필알코올을 포함하는 SKYLIQUID ABR-4016을 사용할 수 있다. 액체 왁스는 스핀 코팅을 사용하여 임시접착부(55)를 형성할 수 있다.
액체 왁스인 임시접착부(55)는 85℃~100℃보다 높은 온도에서는 점성이 낮아지고, 85℃보다 낮은 온도에서 점성이 커지고 고체처럼 일부 굳을 수 있어, 마스크 금속막(110)과 템플릿(50)[및 템플릿 지지부(60)]을 고정 접착할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 임시접착부(55)를 형성하고 마스크 금속막(110)이 템플릿(50) 및 템플릿 지지부(60)와 접착되는 공정이 수행되는 공간의 공정 온도를 상온보다 높은 온도로 상승시킨다. 공정 온도는 상술한 임시접착부(55)의 점성이 낮아지는 85℃~100℃ 정도일 수 있다.
이어서, 템플릿(50) 및 템플릿 지지부(60) 상에 마스크 금속막(110)을 접착할 수 있다. 일 예로, 액체 왁스를 85℃ 이상으로 가열하고 마스크 금속막(110)을 템플릿(50) 및 템플릿 지지부(60)에 접촉시킨 후, 마스크 금속막(110), 템플릿(50) 및 템플릿 지지부(60)를 롤러 사이에 통과시켜 접착을 수행할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 템플릿(50)[및 템플릿 지지부(60)]에 약 120℃, 60초 동안 베이킹(baking)을 수행하여 임시접착부(55)의 솔벤트를 기화시키고, 곧바로, 마스크 금속막(110)의 라미네이션(lamination) 공정을 진행할 수 있다. 라미네이션은 임시접착부(55)가 일면에 형성된 템플릿(50) 및 템플릿 지지부(60) 상에 마스크 금속막(110)을 로딩하고, 약 100℃의 상부 롤(roll)과 약 0℃의 하부 롤 사이에 통과시켜 수행할 수 있다. 또는, 임시접착부(55)가 일면에 형성된 템플릿(50) 및 템플릿 지지부(60) 상에 마스크 금속막(110)을 로딩하고, 상온 또는 상온보다 높은 온도에서 라미네이션을 수행할 수도 있다. 그 결과로, 마스크 금속막(110)이 템플릿(50) 및 템플릿 지지부(60) 상에서 임시접착부(55)를 개재하여 접촉될 수 있다.
라미네이션은 진공 상태에서 수행하는 것이 바람직하다. 진공 상태에서 라미네이션을 수행하여 임시접착부(55), 마스크 금속막(110)/템플릿(50)/템플릿 지지부(60)의 계면 상에 기포가 개재되는 것을 방지할 수 있다.
배리어 절연부(23)는 후술할 메인 마스크 패턴(P1)을 형성하는 식각 공정에서, 식각액이 마스크 금속막(110)과 임시접착부(55)의 계면까지 진입하여 임시접착부(55)/템플릿(50)을 손상시키고, 메인 마스크 패턴(P1)의 식각 오차를 발생시키는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다. 배리어 절연부(23)는 식각액에 식각되지 않는 네거티브, 포지티브 포토레지스트 재질로 프린팅 방법 등을 사용하여 마스크 금속막(110) 상에 형성될 수 있다. 또한, 습식 식각 공정에서 원형을 보존하기 위해서, 배리어 절연부(23)는 경화성 네거티브 포토레지스트, 에폭시를 포함하는 네거티브 포토레지스트 등을 사용할 수도 있다. 일 예로, 에폭시 기반의 SU-8 포토레지스트, 블랙 매트릭스(black matrix) 포토레지스트를 사용하여 임시접착부(55)의 베이킹 등의 과정에서 같이 경화가 되도록 할 수 있다.
또한, 배리어 절연부(23)는 마스크 금속막(110)의 타면에 형성된 서브 마스크 패턴(P2), 용접 패턴(PW)의 공간 내에 채워질 수 있다. 이에 따라 후술할 메인 마스크 패턴(P1)의 형성 과정에서 서브 마스크 패턴(P2)의 형태가 변하지 않도록 막는 역할을 할 수 있다.
다시, 도 6의 (d)를 참조하면, 템플릿 지지부(60)는 템플릿(template; 50)이 삽입되는 홈(64)이 형성될 수 있다. 홈(64)의 너비, 높이는 템플릿(50)에 대응하도록 형성될 수 있다. 템플릿(50)을 홈(64)에 수용할 수 있도록, 템플릿 지지부(60)는 크기, 높이는 템플릿(50)보다 커야함은 물론이다. 또한, 열적거동이 유사하도록 템플릿 지지부(60)는 템플릿(50)과 동일한 재질, 동일한 열팽창 계수를 가지는 재질을 채용할 수 있다.
한편, 홈(64)의 적어도 일부에는 템플릿(50)이 삽입된 후에 접착 고정될 수 있도록 임시접착부(65)[제3 임시접착부(65)]가 형성될 수 있다. 임시접착부(65)는 템플릿(50)의 임시접착부(55)[제2 임시접착부(55)]와 동일한 재질을 사용할 수 있으며, 바람직하게는, UV 조사에 의해 분리가 가능한 접착시트(UV release tape; URT)를 사용할 수 있다. 제3 임시접착부(65)로 URT를 쓰는 경우 UV를 특정 영역에만 조사하여 분리를 수행할 수 있으므로, 추후 템플릿(50)을 템플릿 지지부(60)로부터 분리하기 용이한 이점이 있다.
템플릿 지지부(60)의 홈(64)에 템플릿(50)이 삽입될 수 있다. 템플릿(50)은 마스크(100)가 일면 상에 부착되어 지지된 상태로 이동시킬 수 있는 매개체이다. 템플릿(50)의 일면은 평평한 마스크(100)를 지지하여 이동시킬 수 있도록 평평한 것이 바람직하다.
템플릿(50)은 템플릿(50)의 상부에서 조사하는 레이저(L)가 마스크(100)의 용접부(WP)에까지 도달할 수 있도록, 레이저 통과공(51)이 형성될 수 있다. 레이저 통과공(51)은 용접부(WP)의 위치 및 개수에 대응하도록 템플릿(50)에 형성될 수 있다. 용접부(WP)는 마스크(100)의 테두리 또는 더미(DM)[또는, 제1 더미부(DM1)] 부분에서 소정 간격을 따라 복수개 배치되어 있으므로, 레이저 통과공(51)도 이에 대응하도록 소정 간격을 따라 복수개 형성될 수 있다. 일 예로, 용접부(WP)는 마스크(100)의 양측(좌측/우측) 더미(DM) 부분에 소정 간격을 따라 복수개 배치되어 있으므로, 레이저 통과공(51)도 템플릿(50)이 양측(좌측/우측)에 소정 간격을 따라 복수개 형성될 수 있다.
레이저 통과공(51)은 반드시 용접부의 위치 및 개수에 대응될 필요는 없다. 예를 들어, 레이저 통과공(51) 중 일부에 대해서만 레이저(L)를 조사하여 용접을 수행할 수도 있다. 또한, 용접부에 대응되지 않는 레이저 통과공(51) 중 일부는 마스크(100)와 템플릿(50)을 정렬할 때 얼라인 마크를 대신하여 사용할 수도 있다. 만약, 템플릿(50)의 재질이 레이저(L) 광에 투명하다면 레이저 통과공(51)을 형성하지 않을 수도 있다.
템플릿(50)을 템플릿 지지부(60)의 홈(64)에 삽입하는 과정에서 얼라인을 위한 위치 제어가 수행될 수 있다. 홈(64)과 템플릿(50)이 명확하게 동일할 수 있지만, 홈(64)이 템플릿(50)보다 크게 형성되는 경우 정렬 과정이 필요할 수 있다. 현미경, 얼라이너 등 공지의 위치 확인 및 위치 제어 수단을 사용하여 위치 제어를 수행할 수 있다.
또한, 템플릿 지지부(60)의 상면에는 마스크 금속막(110)과의 정렬에 필요한 얼라인 마크(AH1', AH2')가 형성될 수 있다. 제1 얼라인 마크(AH1')는 마스크 금속막(110) 상에 마스크 패턴(P)을 형성할 때 제1 얼라인 홀(AH1)과 상호 대응시켜 정렬을 수행하는데 사용할 수 있다. 제2 얼라인 마크(AH2')는 마스크 금속막(110)과 템플릿 지지부(60)[및 템플릿(50)]의 위치를 얼라인할 때 제2 얼라인 홀(AH2)과 상호 대응시켜 정렬을 수행하는데 사용할 수 있다.
한편, 템플릿(50)을 템플릿 지지부(60)의 홈(64)에 삽입한 후에, 템플릿(50)과 템플릿 지지부(60)의 일면(상면)의 높이가 일치하지 않는 경우에는 소정의 평탄화 공정을 수행할 수 있다. 평탄화 공정은 폴리싱(polishing) 등으로 템플릿(50)과 템플릿 지지부(60)의 높이를 일치시키는 일련의 공정을 의미할 수 있다. 템플릿(50)과 템플릿 지지부(60)의 가공 공차가 발생할 수 있기 때문에, 높이를 일치시킴에 따라 후속 공정인 임시접착부(55) 형성, 마스크 금속막(110) 접착을 용이하게 수행할 수 있게 된다.
또한, 다른 실시예에 따른 템플릿 지지부(60)는 각각 별개의 구성인 베이스판(61) 및 테두리판(62)을 포함할 수 있다. 베이스판(61)은 평판 형상이고, 테두리판(62)은 중공 영역을 가지는 사각 링 형상일 수 있다. 베이스판(61) 상에 테두리판(62)이 소정의 접착부를 개재하여 접착되고 테두리판(62)의 중공 영역은 템플릿 지지부(60)의 홈(64)을 구성할 수 있다. 접착부는 접착제, 또는 임시접착부(55)에 대응할 수 있다.
특히, 테두리판(62)과 템플릿(50)은 같은 원판을 사용하여 제조된 것일 수 있다. 같은 원판을 사용하여 테두리판(62)과 템플릿(50)을 제조하면, 두께 및 재질이 동일하고, 높이에 따른 가공 공차가 생기지 않게 된다. 이에 따라, 템플릿(50)과 템플릿 지지부(60)의 높이를 일치시키기 위한 평탄화 공정을 생략할 수 있는 이점이 있다. 게다가, 베이스판(61)과 테두리판(62)을 분리함에 따라, 템플릿(50)을 템플릿 지지부(60) 로부터 분리하기 더 용이한 이점이 있다.
다음으로, 도 7의 (e)를 참조하면, 마스크 금속막(110)의 일면(상부면) 상에서 평탄화 공정(PS)을 수행할 수 있다. 여기서 평탄화(PS)는 마스크 금속막(110)의 일면(상부면)을 경면화 하면서 동시에 마스크 금속막(110)의 상부를 일부 제거하여 두께를 얇게 감축시키는 것을 의미한다. 평탄화(PS)는 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 방법으로 수행할 수 있고, 공지의 CMP 방법을 제한없이 사용할 수 있다. 또한, 화학적 습식 식각(chemical wet etching) 또는 건식 식각(dry etching) 방법으로 마스크 금속막(110)의 두께를 감축시킬 수도 있다. 이 외에도 마스크 금속막(110)의 두께를 얇게 하는 평탄화가 가능한 공정을 제한없이 사용할 수 있다.
압연 공정으로 제조된 마스크 금속막(110)은 평탄화 공정(PS)으로 두께를 감축시킬 수 있다. 그리고, 전주 도금 공정으로 제조된 마스크 금속막(110)도 표면 특성, 두께의 제어를 위해 평탄화 공정(PS)이 수행될 수 있다. 마스크 금속막(110)의 두께가 감축됨에 따라, 마스크 금속막(110)은 두께가 약 5㎛ 내지 20㎛가 될 수 있다.
두께 감축은 서브 마스크 패턴(P2)이 형성된 영역인 마스크 셀부(C)에 대해서 수행할 수 있다. 반면, 용접 패턴(PW)이 형성된 영역은 추후에 용접을 수행할 때 충분히 용접 비드(WB)를 형성할 수 있도록 마스크 금속막(110)의 두께가 확보될 필요가 있기 때문에, 더미부(DM), 특히 용접 패턴(PW)이 형성된 영역인 제1 더미부(DM1)에 대해서는 두께 감축을 수행하지 않는 것이 바람직하다.
마스크 금속막(110)은 템플릿(50)/템플릿 지지부(60) 상에 임시접착부(55)를 개재하여 접착되어 있기 때문에, 평탄화 공정(PS)을 수행하는 과정에서도 마스크 금속막(110)의 위치가 변하지 않고 유지될 수 있다.
다음으로, 도 7의 (f)를 참조하면, 템플릿(50)과 접촉된 마스크 금속막(110)의 타면(하부면)에 대향하는 일면(상부면)에 메인 마스크 패턴(P1)을 형성할 수 있다.
메인 마스크 패턴(P1)은 마스크 금속막(110)의 일면(상부면)에 패턴화된 제2 절연부(25)를 형성하고 제2 절연부(25)의 패턴 사이 공간에 식각을 수행하여 형성할 수 있다. 메인 마스크 패턴(P1)은 마스크 금속막(110)의 마스크 셀부(C) 영역에 형성할 수 있고, 서브 마스크 패턴(P2)이 형성된 위치에 대응되도록 형성할 수 있다. 제2 절연부(25)는 프린팅 법 등을 이용하여 포토레지스트 재질로 형성될 수 있고, 식각은 건식 식각, 습식 식각 등의 방법을 제한없이 사용할 수 있다.
일 예로, 습식 식각을 사용하는 경우, 등방성 식각에 의한 언더컷(undercut)이 발생하므로, 제2 절연부(51)의 패턴 사이 폭(PA)보다 메인 마스크 패턴(P1)의 폭(PA')이 커질 수 있다. 이를 고려하여 제2 절연부(51)의 패턴 사이폭을 설정하는 것이 바람직하다. 일 실시예에 따르면, 약 20㎛ 두께의 마스크 금속막(110)을 기준으로 메인 마스크 패턴(P1)의 두께는 약 15~18㎛두께 정도로 형성할 수 있다. 메인 마스크 패턴(P1)의 폭(PA')은 약 30~40㎛일 수 있으나 이에 제한되지 않는다.
메인 마스크 패턴(P1)의 식각 공정은 서브 마스크 패턴(P2)이 형성된 계면, 즉, 배리어 절연부(23)가 형성된 부분까지 수행될 수 있다. 메인 마스크 패턴(P1)은 서브 마스크 패턴(P2)까지 연통될 수 있다. 다시 말해, 메인 마스크 패턴(P1)의 형성으로 마스크 금속막(110)이 관통되고, 메인 마스크 패턴(P1) 및 서브 마스크 패턴(P2)의 합으로 마스크 패턴(P)이 구성될 수 있다. 복수의 마스크 패턴(P)이 형성됨에 따라 마스크 금속막(110)은 마스크(100)로서 작용할 수 있게 된다.
한편, 메인 마스크 패턴(P1)의 마스크 금속막(110)의 테두리도 식각(EC)할 수 있다. 절연부(25)의 빈 부분을 템플릿(50) 형태에 대응하도록 형성하고 빈 공간으로 노출된 마스크 금속막(110)의 부분을 식각(EC)하면, 템플릿(50)의 크기와 동일하게 마스크 금속막(110)의 테두리 부분이 커팅될 수 있다. 즉, 마스크 금속막(110)은 마스크 셀부(C) 및 제1 더미부(DM1)를 포함하게 되고, 제2 더미부(DM2)는 커팅되어 분리될 수 있다. 마스크 금속막(110)의 테두리는 식각 외에 레이저 스크라이빙 등의 공지의 공정을 이용하여 커팅할 수도 있다.
다음으로, 도 8의 (g)를 참조하면, 템플릿 지지부(60)로부터 템플릿(50) 및 마스크(100)를 분리(debonding)할 수 있다. 템플릿 지지부(60)와 템플릿(50)이 임시접착부(65)를 통해 접착된 상태라면 상술한 임시접착부(65)에 열 인가, 화학적 처리, 초음파 인가, UV 인가(UV) 중 적어도 어느 하나를 통해 분리를 수행할 수 있다. 특히, 특정 영역만 분리를 수행하기 용이하도록 URT 임시접착부(65)에 UV를 조사하는 방법을 수행할 수 있다.
마스크(100)도 마스크 셀부(C) 및 제1 더미부(DM1)를 포함하고, 제2 더미부(DM2)는 커팅된 상태이므로, 템플릿(50)과 정확히 동일한 크기를 가지고 접착된 상태일 수 있다. 따라서, 템플릿(50)만 템플릿 지지부(60)로부터 분리하면, 마스크(100)는 템플릿(50)에 지지되며 같이 분리될 수 있다. 이어서, 절연부(25)의 제거 공정 등을 더 수행할 수 있다.
마스크 지지 템플릿(50)에서 마스크(100)의 서브 마스크 패턴(P2)은 메인 마스크 패턴(P1)보다 적은 두께와 폭을 가지고 형성된다. 그러므로, 마스크 패턴(P)의 형태는 전체적으로 메인 마스크 패턴(P1)의 형태를 따라 테이퍼/역테이퍼 형상을 가질 수 있다. 다만, 서브 마스크 패턴(P2)의 폭(PB')에 의해 실질적으로 유기물 소스(600)[도 13 참조]가 통과되므로, 서브 마스크 패턴(P2)의 폭(PB')에 따라 화소 크기가 규정되게 된다.
본 발명은 마스크 금속막(110)의 일측에서 서브 마스크 패턴(P2)을 먼저 형성하고, 이후에 마스크 금속막(110)을 템플릿(50)에 접착시킨 상태로 메인 마스크 패턴(P1)을 형성할 수 있으므로, 서브 마스크 패턴(P2)의 크기가 후속 공정에 의해 영향받지 않고 초기 상태를 유지할 수 있게 된다. 이에 따라, 마스크 패턴(P)의 하부 폭(PB')을 명확히 컨트롤 할 수 있는 이점이 있다. 또한, 본 발명은 마스크 금속막(110)이 템플릿(50)에 접착된 상태로 메인 마스크 패턴(P1)을 형성하여 마스크 패턴(P)을 최종적으로 구성할 수 있고, 마스크 패턴(P)이 형성됨과 동시에 마스크(100)가 템플릿(50)에 지지된 상태이므로, 곧바로 템플릿(50)을 프레임(200)에 로딩하여 후술할 프레임(200)에 마스크(100)의 부착 공정에 이용할 수 있는 이점이 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 지지 템플릿을 프레임 상에 로딩하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 9를 참조하면, 템플릿(50)은 진공 척(90)에 의해 이송될 수 있다. 진공 척(90)으로 마스크(100)가 접착된 템플릿(50) 면의 반대 면을 흡착하여 이송할 수 있다. 진공 척(90)은 x, y, z, θ축으로 이동되는 이동 수단(미도시)에 연결될 수 있다. 또한, 진공 척(90)은 템플릿(50)을 흡착하여 플립(flip)할 수 있는 플립 수단(미도시)에 연결될 수 있다. 도 9의 (b)에 도시된 바와 같이, 진공 척(90)이 템플릿(50)을 흡착하여 플립한 후, 프레임(200) 상으로 템플릿(50)을 이송하는 과정에서도, 마스크(100)의 접착 상태 및 정렬 상태에는 영향이 없게 된다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 템플릿을 프레임 상에 로딩하여 마스크를 프레임의 셀 영역에 대응시키는 상태를 나타내는 개략도이다.
도 10을 참조하면, 마스크(100)를 프레임(200)의 하나의 마스크 셀 영역(CR)에 대응할 수 있다. 템플릿(50)을 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)] 상에 로딩하는 것으로 마스크(100)를 마스크 셀 영역(CR)에 대응시킬 수 있다. 템플릿(50)/진공 척(90)의 위치를 제어하면서, 현미경을 통해 마스크(100)가 마스크 셀 영역(CR)에 대응하는지 살펴볼 수 있다. 템플릿(50)이 마스크(100)를 압착하므로, 마스크(100)와 프레임(200)은 긴밀히 맞닿을 수 있다.
순차적으로 또는 동시에, 복수의 템플릿(50)을 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)] 상에 로딩하여 각각의 마스크(100)를 각각의 마스크 셀 영역(CR)에 대응시킬 수 있다. 템플릿(50)과 마스크(100)의 크기가 동일하므로, 특정 마스크 셀 영역(CR11) 상에 대응하는 템플릿(50)과 이에 이웃하는 마스크 셀 영역(CR12, CR21) 상에 대응하는 템플릿(50)은 서로 간섭/중첩되지 않고 소정 간격을 이룰 수 있다. 이 소정 간격은 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)의 폭의 1/2보다 작은 정도일 수 있다.
한편, 하부 지지체(70)를 프레임(200) 하부에 더 배치할 수도 있다. 하부 지지체(70)는 마스크(100)가 접촉하는 마스크 셀 영역(CR)의 반대면을 압착할 수 있다. 동시에, 하부 지지체(70)와 템플릿(50)이 상호 반대되는 방향으로 마스크(100)의 테두리 및 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)]를 압착하게 되므로, 마스크(100)의 정렬 상태가 흐트러지지 않고 유지될 수 있게 된다.
이어서, 마스크(100)에 레이저(L)를 조사하여 레이저 용접에 의해 마스크(100)를 프레임(200)에 부착할 수 있다. 레이저 용접된 마스크(100)의 용접부(WP) 부분에는 용접 비드(WB)가 생성되고, 용접 비드(WB)는 마스크(100)/프레임(200)과 동일한 재질을 가지고 일체로 연결될 수 있다.
한편, 마스크(100)의 용접부(WP) 부분은 다른 마스크(100)의 부분보다 두껍게 형성되어 용접 비드(WB)가 보다 잘 생성되어 용접 부착성이 향상될 수 있다. 게다가 본 발명의 마스크(100)는 용접부(WP)에 단차지게 용접 패턴(PW)이 형성되므로, 용접 비드(WB)가 일부 돌출되게 형성되더라도 마스크(100)의 상부면을 넘게 돌출되지 않고 용접 패턴(PW) 내에 존재하게 된다. 이에 따라 마스크(100)와 대상 기판(900)과의 밀착성을 보다 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 프레임에 부착한 후 마스크와 템플릿을 분리하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 11을 참조하면, 마스크(100)를 프레임(200)에 부착한 후, 마스크(100)와 템플릿(50)을 분리(debonding)할 수 있다. 마스크(100)와 템플릿(50)의 분리는 임시접착부(55)에 열 인가(ET), 화학적 처리(CM), 초음파 인가(US), UV 인가(UV) 중 적어도 어느 하나를 통해 수행할 수 있다. 마스크(100)는 프레임(200)에 부착된 상태를 유지하므로, 템플릿(50)만을 들어올릴 수 있다. 일 예로, 85℃~100℃보다 높은 온도의 열을 인가(ET)하면 임시접착부(55)의 점성이 낮아지게 되고, 마스크(100)와 템플릿(50)의 접착력이 약해지게 되어, 마스크(100)와 템플릿(50)이 분리될 수 있다. 다른 예로, IPA, 아세톤, 에탄올 등의 화학 물질에 임시접착부(55)를 침지(CM)함으로서 임시접착부(55)를 용해, 제거 등의 방식으로 마스크(100)와 템플릿(50)이 분리될 수 있다. 다른 예로, 초음파를 인가(US)하거나, UV를 인가(UV)하면 마스크(100)와 템플릿(50)의 접착력이 약해지게 되어, 마스크(100)와 템플릿(50)이 분리될 수 있다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(100)를 프레임(200)에 부착한 상태를 나타내는 개략도이다. 도 12에서는 모든 마스크(100)를 프레임(200)의 셀 영역(CR)에 부착한 상태를 나타낸다. 하나씩 마스크(100)를 부착한 후 템플릿(50)을 분리할 수 있지만, 모든 마스크(100)를 부착한 후 모든 템플릿(50)을 분리할 수 있다.
종래의 도 1의 마스크(10)는 셀 6개(C1~C6)를 포함하므로 긴 길이를 가지는데 반해, 본 발명의 마스크(100)는 셀 1개(C)를 포함하여 짧은 길이를 가지므로 PPA(pixel position accuracy)가 틀어지는 정도가 작아질 수 있다. 또한, 본 발명은 마스크(100)의 하나의 셀(C)을 대응시키고 정렬 상태를 확인하기만 하면 되므로, 복수의 셀(C: C1~C6)을 동시에 대응시키고 정렬 상태를 모두 확인하여야 하는 종래의 방법[도 1 참조]보다, 제조시간을 현저하게 감축시킬 수 있다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크(100, 200)를 이용한 OLED 화소 증착 장치(1000)를 나타내는 개략도이다.
도 13을 참조하면, OLED 화소 증착 장치(1000)는, 마그넷(310)이 수용되고, 냉각수 라인(350)이 배설된 마그넷 플레이트(300)와, 마그넷 플레이트(300)의 하부로부터 유기물 소스(600)를 공급하는 증착 소스 공급부(500)를 포함한다.
마그넷 플레이트(300)와 소스 증착부(500) 사이에는 유기물 소스(600)가 증착되는 유리 등의 대상 기판(900)이 개재될 수 있다. 대상 기판(900)에는 유기물 소스(600)가 화소별로 증착되게 하는 프레임 일체형 마스크(100, 200)[또는, FMM]이 밀착되거나 매우 근접하도록 배치될 수 있다. 마그넷(310)이 자기장을 발생시키고 자기장에 의해 대상 기판(900)에 밀착될 수 있다.
증착 소스 공급부(500)는 좌우 경로를 왕복하며 유기물 소스(600)를 공급할 수 있고, 증착 소스 공급부(500)에서 공급되는 유기물 소스(600)들은 프레임 일체형 마스크(100, 200)에 형성된 패턴(P)을 통과하여 대상 기판(900)의 일측에 증착될 수 있다. 프레임 일체형 마스크(100, 200)의 패턴(P)을 통과한 증착된 유기물 소스(600)는 OLED의 화소(700)로서 작용할 수 있다.
새도우 이펙트(Shadow Effect)에 의한 화소(700)의 불균일 증착을 방지하기 위해, 프레임 일체형 마스크(100, 200)의 패턴은 경사지게 형성(S)[또는, 테이퍼 형상(S)으로 형성]될 수 있다. 경사진 면을 따라서 대각선 방향으로 패턴을 통과하는 유기물 소스(600)들도 화소(700)의 형성에 기여할 수 있으므로, 화소(700)는 전체적으로 두께가 균일하게 증착될 수 있다.
본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.
21, 25: 절연부
23: 배리어 절연부
50: 템플릿(template)
51: 레이저 통과공
53, 55, 65: 임시접착부
60: 템플릿 지지부
100: 마스크
110: 마스크 막, 마스크 금속막
200: 프레임
210: 테두리 프레임부
220: 마스크 셀 시트부
221: 테두리 시트부
223: 제1 그리드 시트부
225: 제2 그리드 시트부
AH1, AH2: 얼라인 홀
C: 셀, 마스크 셀
CR: 마스크 셀 영역
DM: 더미, 마스크 더미
L: 레이저
P: 마스크 패턴
P1: 메인 마스크 패턴
P2: 서브 마스크 패턴
PW: 용접 패턴
WB: 용접 비드
WP: 용접부

Claims (19)

  1. OLED 화소 형성용 마스크를 지지하여 프레임에 대응시키는 마스크 지지 템플릿(template)의 제조 방법으로서,
    (a) 트랜스퍼 기판에 마스크 금속막을 접착하는 단계;
    (b) 트랜스퍼 기판과 접착된 마스크 금속막의 일면과 대향하는 타면 상에 서브 마스크 패턴을 형성하는 단계;
    (c) 트랜스퍼 기판을 분리하는 단계;
    (d) 서브 마스크 패턴이 형성된 마스크 금속막의 타면의 전체면 상에 배리어 절연부 및 제3 임시접착부를 순차적으로 형성하고, 배리어 절연부 및 제3 임시접착부를 개재하여 템플릿 상에 마스크 금속막의 타면을 접착하는 단계;
    (e) 마스크 금속막의 일면 상에 메인 마스크 패턴을 형성하여 마스크를 제조하는 단계;
    를 포함하고,
    배리어 절연부는 경화성 포토레지스트, 에폭시를 포함하는 포토레지스트 중 적어도 어느 하나를 포함하며, 배리어 절연부는 서브 마스크 패턴의 공간 내에 채워짐에 따라 (e) 단계에서 메인 마스크 패턴의 형성을 위한 식각 공정은 배리어 절연부가 형성된 부분까지 수행되는, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    (a) 단계에서, 트랜스퍼 기판과 마스크 금속막 사이에 제1 임시접착부가 개재되는, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    (b) 단계에서, 마스크 금속막의 마스크 셀부에 서브 마스크 패턴을 형성하고, 마스크 셀부를 제외한 더미부에 용접 패턴을 형성하는, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    서브 마스크 패턴 및 용접 패턴은 마스크 금속막을 관통하지 않게 형성하는, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법.
  5. 제2항에 있어서,
    (c) 단계에서, 트랜스퍼 기판을 분리하고, 제1 임시접착부를 제거하는, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    (d) 단계에서, 템플릿은 템플릿 지지부의 홈에 수용된 상태에서, 배리어 절연부를 개재하여 템플릿 및 템플릿 지지부 상에 마스크 금속막의 타면을 접착하는, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    템플릿과 템플릿 지지부는 상부면의 높이가 일치하고,
    제3 임시접착부는 배리어 절연부와 템플릿 및 템플릿 지지부 사이에 개재되는, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법.
  8. 제6항에 있어서,
    템플릿 지지부의 홈에 제2 임시접착부가 형성되어 템플릿의 적어도 일면이 제2 임시접착부를 개재하여 템플릿 지지부에 접착되는, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법.
  9. 제6항에 있어서,
    템플릿 지지부는, 베이스판, 및 베이스판의 일면 테두리에 연결되고 중공 영역을 가지는 테두리판을 포함하고,
    중공 영역이 템플릿 지지부의 홈에 대응하며, 중공 영역에 템플릿이 안착되는, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법.
  10. 제6항에 있어서,
    (f) 템플릿 지지부로부터 템플릿을 분리하는 단계를 더 포함하는, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법.
  11. 제1항에 있어서,
    (d) 단계와 (e) 단계 사이에,
    (d2) 마스크 금속막의 일면 상에서 마스크 금속막의 두께를 감축하는 단계를 더 포함하는, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    (d2) 단계에서, 마스크 셀부의 두께를 감축하고, 용접부에 대응하는 영역에는 두께 감축을 수행하지 않는, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법.
  13. 제1항에 있어서,
    (e) 단계에서, 메인 마스크 패턴은 마스크 금속막을 관통하게 형성하고,
    메인 마스크 패턴은 서브 마스크 패턴보다 폭과 두께가 크며, 메인 마스크 패턴과 서브 마스크 패턴의 합으로 마스크 패턴이 구성되는, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법.
  14. 제1항에 있어서,
    (e) 단계에서, 메인 마스크 패턴을 형성하면서, 마스크 금속막 테두리를 템플릿 크기와 동일하게 커팅하는, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    템플릿과 동일한 크기를 가지며 복수의 마스크 패턴이 형성된 마스크가 지지된 마스크 지지 템플릿을 준비하는, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법.
  16. 제1항에 있어서,
    (a) 단계 이후, 마스크 금속막 상에, 서브 마스크 패턴 및 메인 마스크 패턴의 위치를 얼라인(align)하기 위한 제1 얼라인 홀; 및 마스크 금속막과 템플릿 지지부의 얼라인을 위한 제2 얼라인 홀을 더 형성하는, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법.
  17. OLED 화소 형성용 마스크를 지지하여 프레임에 대응시키는 템플릿으로서,
    마스크를 지지하는 템플릿;
    템플릿의 전체면 상에 형성된 임시접착부;
    임시접착부의 전체면 상에 형성된 배리어 절연부; 및
    배리어 절연부 상에 형성되고 복수의 마스크 패턴이 형성된 마스크;
    를 포함하고,
    마스크 패턴은 배리어 절연부에 맞닿은 서브 마스크 패턴 및 서브 마스크 패턴 상부의 메인 마스크 패턴으로 구성되고, 메인 마스크 패턴은 서브 마스크 패턴보다 폭과 두께가 크며,
    배리어 절연부는 경화성 포토레지스트, 에폭시를 포함하는 포토레지스트 중 적어도 어느 하나를 포함하고, 배리어 절연부는 서브 마스크 패턴의 공간 내에 채워지며, 메인 마스크 패턴은 마스크의 표면에서 배리어 절연부가 형성된 부분까지 식각 형성된 부분인, 마스크 지지 템플릿.
  18. 적어도 하나의 마스크와 마스크를 지지하는 프레임이 일체로 형성된 프레임 일체형 마스크의 제조 방법으로서,
    (a) 트랜스퍼 기판에 마스크 금속막을 접착하는 단계;
    (b) 트랜스퍼 기판과 접착된 마스크 금속막 일면과 대향하는 타면 상에 서브 마스크 패턴을 형성하는 단계;
    (c) 트랜스퍼 기판을 분리하는 단계;
    (d) 서브 마스크 패턴이 형성된 마스크 금속막 타면의 전체면 상에 배리어 절연부 및 제3 임시접착부를 순차적으로 형성하고, 배리어 절연부 및 제3 임시접착부를 개재하여 템플릿 상에 마스크 금속막 타면을 접착하는 단계;
    (e) 마스크 금속막 일면 상에 메인 마스크 패턴을 형성하여 마스크를 제조하는 단계;
    (f) 적어도 하나의 마스크 셀 영역을 구비한 프레임 상에 템플릿을 로딩하여 마스크를 프레임의 마스크 셀 영역에 대응하는 단계;
    (g) 마스크를 프레임에 부착하는 단계;
    를 포함하고,
    배리어 절연부는 경화성 포토레지스트, 에폭시를 포함하는 포토레지스트 중 적어도 어느 하나를 포함하며, 배리어 절연부는 서브 마스크 패턴의 공간 내에 채워짐에 따라 (e) 단계에서 메인 마스크 패턴의 형성을 위한 식각 공정은 배리어 절연부가 형성된 부분까지 수행되는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.
  19. 적어도 하나의 마스크와 마스크를 지지하는 프레임이 일체로 형성된 프레임 일체형 마스크의 제조 방법으로서,
    (a) 적어도 하나의 마스크 셀 영역을 구비한 프레임 상에, 제1항의 제조 방법으로 제조한 템플릿을 로딩하여 마스크를 프레임의 마스크 셀 영역에 대응하는 단계; 및
    (b) 마스크를 프레임에 부착하는 단계;
    를 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.
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