CN109314192A - 用于沉积的掩模和使用其的oled面板 - Google Patents

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Abstract

根据实施方式，用于沉积的掩模包括金属板，该金属板包括：有效区域，其包括多个通孔和所述多个通孔之间的桥；以及布置在有效区域的外围的非有效区域，其中，通孔在连接单元中形成，在连接单元中，第一表面上的第一表面孔与第二表面上的第二表面孔接触，第二表面面对第一表面，第一表面孔的宽度小于第二表面孔的宽度，第一表面孔的深度小于第二表面孔的深度，通过使用下面的公式1计算的值k小于0.65‑1。<公式1>k＝H2(T‑H1)。在该公式中，T是在非有效区域中测量的沉积掩模的厚度，H1是在以下的点处相对于连接部分在第一表面的方向上的厚度：所述点具有多个通孔当中的两个相邻通孔之间的桥的最大厚度，H2是在以下的点处相对于连接部分在第二表面的方向上的厚度：所述点具有在两个相邻通孔之间的桥的最大厚度。根据实施方式，用于沉积的掩模包括金属板，其中该金属板包括：有效区域，所述有效区域包括多个通孔和所述多个通孔之间的桥；布置在有效区域的外围的非有效区域；布置在非有效区域中且位置靠近金属板的长度方向的一端的第一半蚀刻单元；以及位置靠近与所述一端相对的另一端的第二半蚀刻单元，其中，当在长度方向上通过0.7kgf的力拉伸金属板时，通过使用下面的公式2计算的扭曲指数α是0.85‑1.15。<公式2>α＝2B/(d1+d2)。在公式2中，d1是在第一半蚀刻单元和与第一半蚀刻单元相邻的有效区域之间的非有效区域中测量的金属板的宽度，d2是在第二半蚀刻单元和与第二半蚀刻单元相邻的有效区域之间的非有效区域中测量的金属板的宽度，B是在有效区域的中间点处测量的金属板的宽度。

Description

用于沉积的掩模和使用其的OLED面板
技术领域
实施方式涉及沉积掩模。更具体地，可以使用根据实施方式的沉积掩模来制造有机发光二极管(OLED)面板。
背景技术
由于需要具有更高分辨率和表现更低功耗的显示装置，已经开发了各种显示装置，例如液晶显示装置或电致发光显示装置。
由于电致发光显示装置具有比液晶显示装置的特性更优异的特性，包括更低的发光、更低的功耗以及更高的分辨率，所以电致发光显示装置作为下一代显示装置已经受到关注。
电致发光显示装置包括有机和无机电致发光显示装置。换句话说，有机和无机电致发光显示装置可以根据发光层的材料来彼此区分。
其中，有机电致发光显示装置受到关注，原因是有机电致发光显示装置具有更宽的视角和更快的响应速度，并且需要更低的功率。
发光层的有机材料可以包括在图案中，以通过精细金属掩模方式在基板上形成像素。
在这种情况下，精细金属掩模，即沉积掩模，可以具有与要在基板上形成的图案相对应的通孔。因此，随着在基板上对准精细金属掩模之后沉积有机材料，可以形成红色、绿色和蓝色图案以形成像素。
用作沉积掩模的金属板可以通过蚀刻工艺形成为在其中具有通孔。
在这种情况下，如果在非蚀刻区域中测量的沉积掩模的厚度与蚀刻区域中测量的用以将通孔彼此连接并支撑通孔的沉积掩模的厚度之间存在显著差异，则在沉积掩模被拉伸时，沉积掩模可能在蚀刻区域中扭曲。另外，在蚀刻工艺中防止蚀刻的光致抗蚀剂层或光敏膜抗蚀剂层可能剥离(delaminated)。因此，由于蚀刻均匀性可能劣化，所以通孔的均匀性可能劣化。
当通孔不均匀时，沉积均匀性可能劣化。因此，降低了图案的沉积效率，使得工艺效率可能降低。
发明内容
技术问题
实施方式提供了具有均匀通孔的沉积掩模。
技术方案
根据实施方式，提供了包括金属板的沉积掩模。该金属板包括：有效区域，该有效区域具有多个通孔和介于通孔之间的桥；以及设置在有效区域的外部的非有效区域。通孔在连接部分中形成，在连接部分中，形成在第一表面中的第一表面孔与形成在第二表面中的第二表面孔接触，第二表面与第一表面相对，第一表面孔的宽度小于第二表面孔的宽度，第一表面孔的深度小于第二表面孔的深度，在等式1中计算的k值在从0.65或更大至小于1的范围内。
&lt;等式1&gt;
在上述等式中，T表示在非有效区域中测量的沉积掩模的厚度，H1表示在介于通孔之中的两个相邻通孔之间的桥具有最大厚度的点处从连接部分起在第一表面的方向上限定的厚度，以及H2表示在介于两个相邻通孔之间的桥具有最大厚度的点处从连接部分起在第二表面的方向上限定的厚度。
根据实施方式，提供了包括金属板的沉积掩模。该金属板包括：有效区域，所述有效区域包括多个通孔和介于通孔之间的桥；设置在有效区域的外部处的非有效区域；布置在非有效区域中且靠近金属板的一个纵向端部的第一半蚀刻部分；以及靠近与所述一个纵向端部相对的另一个纵向端部的第二半蚀刻部分，其中，当在纵向方向上通过0.7kgf的力拉伸金属板时，在等式2中计算的扭曲指数α在0.85至1.15的范围内。
&lt;等式2&gt;
在等式2中，d1表示在介于第一半蚀刻部分和与第一半蚀刻部分相邻的有效区域之间的非有效区域处测量的金属板的宽度，d2表示在介于第二半蚀刻部分和与第二半蚀刻部分相邻的有效区域之间的非有效区域处测量的金属板的宽度，以及B表示在有效区域的中间点处测量的金属板的宽度。
有益效果
如上所述，根据实施方式的沉积掩模，在非蚀刻区域中测量的沉积掩模的厚度能够轻微不同于用以将通孔彼此连接并且支撑通孔的沉积掩模的厚度。换句话说，根据该实施方式，能够减小沉积有机材料的区域中的沉积掩模的厚度与未沉积有机材料的区域中的沉积掩模的厚度之间的差所引起的台阶差。因此，在沉积掩模被拉伸时，能够防止用以将通孔彼此连接并且支撑通孔的沉积掩模在蚀刻桥中扭曲。
另外，根据该实施方式的沉积掩模，在蚀刻金属板以形成通孔的工艺中，可以防止用于防止蚀刻的光致抗蚀剂层或光敏膜抗蚀剂层剥离。因此，因为能够改进蚀刻均匀性，所以能够改进通孔的均匀性。
因此，在使用根据该实施方式的沉积掩模制造的OLED面板中，能够优异地表现图案的沉积效率，并且能够改进沉积均匀性。
附图说明
图1至图3是用于说明在基板上沉积有机材料的工艺的示意图。
图4和图5是示出沉积掩模的平面图。
图6是沿着图4的A-A'线截取的截面图。
图7是用于说明根据实施方式的沉积掩模的扭曲指数的截面图。
图8是用于说明根据实施方式的沉积掩模的扭曲指数的平面图。
图9是根据实施方式的沿着图4的A-A'线截取的截面图。
图10是根据比较例的沿着图4的A-A'线截取的截面图。
图11是用于说明使用根据实施方式的沉积掩模的沉积工艺的截面图。
图12是用于说明使用根据比较例的沉积掩模的沉积工艺的截面图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细地描述实施方式。
在参照附图的以下描述中，相同的元件将被赋予相同的附图标记，并且将省略相同元件的描述的重复以便避免冗余。
术语“第一”和“第二”可以用于说明部件，并且部件不限于术语。术语“第一”和“第二”仅用于将一个部件与另一个部件区分。
当预定部分“包括”预定部件时，预定部分不排除其他部件，而是还可以包括其他部件，除非另有指示。
出于方便或清楚的目的，附图中所示的每一层(膜)、区域、图案或结构的厚度和尺寸可能被夸大、省略或示意性地绘制。另外，元件的尺寸不完全反映实际尺寸。
在下文中，将参照图1至图3描述在基板上沉积有机材料的过程。
图1是示出包括根据实施方式的沉积掩模100的有机材料沉积装置的视图。
有机材料沉积装置可以包括沉积掩模100、掩模框(mask frame)200、基板300、有机材料沉积容器400以及真空室500。
沉积掩模100可以包括多个通孔。沉积掩模100可以是包括多个通孔的金属板。在这种情况下，可以形成与要在基板上形成的图案相对应的通孔。
掩模框200可以包括开口。沉积掩模100的通孔可以设置在对应于开口的区域中。因此，供给到有机材料沉积容器400的有机材料可以被沉积在基板300上。沉积掩模可以设置和固定到基板300上。例如，沉积掩模可以拉伸并通过焊接工艺固定到至掩模框200上。
参照图1和图2，可以在彼此相反的方向上从沉积掩模100的最外边缘拉伸沉积掩模100。可以沿着沉积掩模100的长度、在彼此相反的方向上拉伸沉积掩模100的一端和相对端。沉积掩模100的一端和相对端可以设置成彼此平行同时彼此面对。沉积掩模100的一端可以是形成在沉积掩模100的最外部处设置的四个边缘的端部之一。例如，可以通过0.4kgf至1.5kgf的力拉伸沉积掩模100。因此，沉积掩模100可以安装在掩模框200上。
接下来，可以通过焊接将沉积掩模100固定到掩模框200上。随后，可以通过切割来去除位于掩模框200的外部的沉积掩模100的一部分。例如，由于沉积掩模100在焊接工艺中变形，所以在除了固定区域之外的区域中设置沉积掩模100时，可以去除沉积掩模100的一部分，其中在该固定区域中，沉积掩模100和掩模框200彼此固定。
参照图1和图3，基板300可以是用于制造显示装置的基板。为了形成表现光的三原色的像素，可以在基板300上形成红色、绿色和蓝色图案。
有机材料沉积容器400可以是坩埚(crucible)。可以在坩埚中设置有机材料。
当将热和/或电流施加至真空室500中的坩埚时，有机材料可以沉积在基板300上。
图3是示出沉积掩模100的一个通孔的放大视图。
沉积掩模100可以包括第一表面101和与第一表面101相对的第二表面102。
沉积掩模100的第一表面101可以包括第一表面孔V1，沉积掩模100的第二表面102可以包括第二表面孔V2。
通孔可以由连接部分CA形成，第一表面孔V1和第二表面孔V2通过连接部分CA彼此连通。
第二表面孔V2的宽度可以宽于第一表面孔V1的宽度。在这种情况下，可以在第一表面101上测量第一表面孔V1的宽度，并且可以在第二表面102上测量第二表面孔V2的宽度。
第一表面孔V1可以朝向基板300设置。因此，第一表面孔V1可以具有与沉积材料D对应的形状，即图案。
第二表面孔V2可以朝向有机材料沉积容器400设置。因此，第二表面孔V2可以广泛地接收从有机材料沉积容器400供给的有机材料，并且可以通过宽度窄于第二表面孔V2的宽度的第一表面孔V1在基板300上快速地形成精细图案。
图4和图5是沉积掩模100的正视图。
沉积掩模100可以包括多个通孔。图4所示的通孔可以表示第二表面孔V2。当测量一个通孔(即参考孔)的水平直径Cx和垂直直径Cy时，相邻孔(如图中所示，共六个孔)的水平直径Cx之间的差和所述孔的垂直直径Cy之间的差可以在2％至10％的范围内实现。换句话说，在相邻孔与一个参考孔之间尺寸上的差在2％至10％的范围内实现时，可以确保沉积均匀性。
例如，参考孔与相邻孔之间尺寸上的差可以在4％至9％的范围内。例如，参考孔与相邻孔之间尺寸上的差可以在5％至7％的范围内。
当参考孔与相邻孔之间尺寸上的差小于2％时，可能在沉积工艺之后在有机发光二极管(OLED)面板中以更高的比率引起摩尔纹(Moire)。当参考孔与相邻孔之间尺寸上的差超过10％时，可能以更高的比率引起颜色污染。
根据实施方式，参考孔与相邻孔之间尺寸上的差可以实现为±3μm或更小。因此，可以提高沉积效率。
通孔可以彼此成直线对齐或根据方向彼此偏移。
例如，参照图4，通孔可以在纵向和横向方向上彼此成直线对齐。
例如，参照图5，通孔可以在纵向方向上彼此成直线布置，并且可以在横向方向上布置。
在纵向方向上测量的通孔的第一直径可以对应于或不同于在横向方向上测量的通孔的第二直径。另外，在与沿着线A-A'截取的截面的方向相对应的第一对角线方向上测量的通孔的第三直径可以对应于或可以不同于在与第一对角线方向交叉的第二对角线方向上测量的第四直径。通孔可以被倒圆(rounded)。
图6是示出多个通孔的截面的放大视图。
参照图6，沉积掩模100可以包括金属材料。沉积掩模100可以以多晶形式设置，并且可以具有面心立方结构。
例如，沉积掩模100可以包括镍合金。例如，沉积掩模100可以包括因瓦合金(Invar)，该因瓦合金包含大约35％至37％重量百分比的镍(Ni)、大约63％至65％重量百分比的铁(Fe)、以及非常少量的C、Si、S、P、Cr、Mo、Mn、Ti、Co、Cu、Fe、Ag、Nb、V、In和Sb中的至少一种。上述非常少量可以指1％重量百分比或更少。详细地，上述非常少量可以指0.5％重量百分比或更少。然而，实施方式不限于此，而是沉积掩模100可以包括各种金属材料。
沉积掩模100可以包括第一表面101中的多个第一表面孔V1。第一表面孔V1可以包括第一次级第一表面孔V1a，以及与第一次级第一表面孔V1a相邻的第二次级第一表面孔V1b。
沉积掩模100可以包括第二表面102中的多个第二表面孔V2。第二表面孔V2可以包括第一次级第二表面孔V2a，以及与第一次级第二表面孔V2a相邻的第二次级第二表面孔V2b。
第一次级第一表面孔V1a与第一次级第二表面孔V2a通过连接部分CA连通，以限定一个通孔，并且第二次级第一表面孔V1b与第二次级第二表面孔V2b通过连接部分CA连通，以限定另一个通孔。换句话说，沉积掩模100可以包括多个通孔。
沉积掩模100可以具有10μm至50μm的厚度T。例如，沉积掩模100可以具有10μm至30μm的厚度T。当沉积掩模100的厚度T小于10μm时，制造效率可能降低。
当沉积掩模100的厚度T超过50μm时，形成通孔的工艺的效率可能降低。在这种情况下，沉积掩模100的厚度T可以指在轧制工艺之后测量的厚度。
沉积掩模100的厚度T可以是50μm或更小。例如，沉积掩模100的厚度可以是30μm或更小。
沉积掩模100可以具有以下通孔：该通孔具有在通孔的厚度方向上彼此不同的宽度。
例如，第一次级第一表面孔V1a的宽度W1可以宽于连接部分CA的宽度W3。详细地，通孔的宽度可以从第一表面101朝向连接部分CA沿着第一次级第一表面孔V1a减小。更详细地，通孔的宽度可以从第一表面101朝向连接部分CA沿着第一次级第一表面孔V1a逐渐减小。
例如，第一次级第二表面孔V2a的宽度W2可以宽于连接部分CA的宽度W3。详细地，通孔的宽度可以从第二表面102朝向连接部分CA沿着第一次级第二表面孔V2a减小。更详细地，通孔的宽度可以从第二表面102朝向连接部分CA沿着第一次级第二表面孔V2a逐渐减小。
通孔的厚度可以是20μm或更大。
例如，第一次级第一表面孔V1a的宽度W1和第一次级第二表面孔V2a的宽度W2中的至少一个可以在20μm至50μm的范围内。例如，第一次级第一表面孔V1a的宽度W1和第一次级第二表面孔V2a的宽度W2中的至少一个可以在30μm至50μm的范围内。例如，第一次级第一表面孔V1a的宽度W1和第一次级第二表面孔V2a的宽度W2中的至少一个可以在20μm至40μm的范围内。
详细地，第一次级第一表面孔V1a的宽度W1可以在20μm至50μm的范围内，并且第一次级第二表面孔V2a的宽度W2可以在50μm至90μm的范围内。例如，第一次级第一表面孔V1a的宽度W1可以在20μm至50μm的范围内，并且第一次级第二表面孔V2a的宽度W2可以在60μm至90μm的范围内。例如，第一次级第二表面孔V1a的宽度W1可以在30μm至50μm的范围内，并且第一次级第二表面孔V2a的宽度W2可以在70μm至90μm的范围内。
第一次级第二表面孔V2a的深度H2可以大于第一次级第一表面孔V1a的深度H1。
同时，第一次级第一表面孔V1a的深度H1与沉积掩模100的厚度T的关系比率可以是1：(3至30)。例如，第一次级第一表面孔V1a的深度H1与沉积掩模100的厚度T的关系比率可以是1：(3.5至12.5)。例如，第一次级第一表面孔V1a的深度H1与沉积掩模100的厚度T的关系比率可以是1：(4.5至10.5)。
当第一次级第一表面孔V1a的深度H1与沉积掩模100的厚度T的关系比率超过上述范围时，第一次级第一表面孔V1a的深度H1增大，使得有机材料的厚度方面的变化增大。因此，可能产生没有沉积有机材料的区域。因此，通过沉积掩模制造的OLED面板的制造成品率可能劣化。
第一次级第一表面孔V1a的深度H1可以在0.1μm至7μm的范围内。例如，第一次级第一表面孔V1a的深度H1可以在2μm至6.5μm的范围内。例如，第一次级第一表面孔V1a的深度H1可以在2μm至4.5μm的范围内。当第一次级第一表面孔V1a的深度H1小于0.1μm时，通过沉积掩模的有机材料的沉积效率可能降低。当第一次级第一表面孔V1a的深度H1超过7μm时，可能不会形成精细图案，并且可能产生没有沉积有机材料的区域。因此，通过沉积制造的OLED面板的制造成品率可能劣化。
第一次级第二表面孔V2a的深度H2可以在15μm至25μm的范围内。例如，第一次级第二表面孔V2a的深度H2可以在20μm至25μm的范围内。
将连接部分CA的一端处的预定点A1与第一次级第二表面孔V2a的一端处的预定点B1连接起来的线的倾斜角度可以在20°至70°的范围内。例如，将连接部分CA的一端处的预定点A1与第一次级第二表面孔V2a的一端处的预定点B1连接起来的线的倾斜角度可以在30°至60°的范围内。例如，将连接部分CA的一端处的预定点A1与第一次级第二表面孔V2a的一端处的预定点B1连接起来的线的倾斜角度可以在32°至38°的范围内，或52°至58°的范围内。当将连接部分CA的一端处的预定点A1与第一次级第二表面孔V2a的一端处的预定点B1连接起来的线的倾斜角度在20°至70°的范围内时，沉积均匀性可以改善。当该倾斜角度超出上述范围时，可能产生没有沉积有机材料的区域。因此，沉积效率和工艺效率可能降低。
通孔的宽度可以在沉积掩模100的深度方向上朝向连接部分沿着第一表面孔V1减小。例如，第一表面孔V1的内表面可以具有带有弯曲的结构。另外，通孔的宽度可以在沉积掩模100的深度方向上朝向连接部分沿着第二表面孔V2减小。例如，第二表面孔V2的内表面可以具有带有弯曲的结构。因此，可以调整沉积材料的引入材料，并且与简单的斜坡结构相比，可以改善沉积均匀性。
第一次级第一表面孔V1a的宽度W1和连接部分CA的宽度W3之间的差W1-W3可以在0.2μm至14μm的范围内。
第一次级第一表面孔V1a的一端处的预定点C1与连接部分CA的一端处的预定点A1之间的垂直距离可以在0.1μm至7μm的范围内。第一次级第一表面孔V1a的一端处的预定点C1与连接部分CA的一端处的预定点A1之间的垂直距离可以在1μm至6μm的范围内。第一次级第一表面孔V1a的一端处的预定点C1与连接部分CA的一端处的预定点A1之间的垂直距离可以在2μm至4.5μm的范围内。
当垂直距离小于0.1μm时，通过沉积掩模100的有机材料的沉积效率可能降低。当垂直距离超过7μm时，可能不会形成精细图案，并且可能产生没有沉积有机材料的区域。因此，通过沉积制造的OLED面板的制造成品率可能劣化。
随着形成第一表面孔V1，第一表面101中的开口区域的边缘部分(即开口区域的外部)可以具有弯曲。另外，随着形成第二表面孔V2，第二表面102中的开口区域的边缘部分(即开口区域的外部)可以具有弯曲。例如，开口区域的边缘部分可以具有倒圆结构，该倒圆结构具有预定范围内的曲率。通过增加边缘部分的倒圆部的弯曲而形成的虚拟圆的直径可以在5μm至20μm的范围内。例如，通过增加边缘部分的倒圆部的弯曲而形成的虚拟圆的直径可以在7μm至15μm的范围内。通过增加边缘部分的倒圆部的弯曲而形成的虚拟圆的直径可以在8μm至12μm的范围内。在以上范围中，可以表现出更高的沉积速率，并且沉积材料可以被均匀地沉积。
当通过增加边缘部分的倒圆部的弯曲而形成的虚拟圆的直径小于5μm时，在与不增加弯曲的情况相比时，沉积速率可能不会显著改变。当通过增加边缘部分的倒圆部的弯曲而形成的虚拟圆的直径超过20μm时，沉积速率可能降低。
第二次级第二表面孔V2b的宽度W5可以宽于第二次级第一表面孔V1b的宽度W4。例如，第二次级第一表面孔V1b的宽度W4可以宽于连接部分CA的宽度W6。详细地，通孔的宽度可以从第一表面101朝向连接部分CA沿着第二次级第一表面孔V1b减小。详细地，通孔的宽度可以从第一表面101朝向连接部分CA沿着第二次级第一表面孔V1b逐渐减小。
例如，第二次级第二表面孔V2b的宽度W5可以宽于连接部分CA的宽度W6。详细地，通孔的宽度可以从第二表面102朝向连接部分CA沿着第二次级第二表面孔V2b减小。更详细地，通孔的宽度可以从第二表面102朝向连接部分CA沿着第二次级第二表面孔V2b逐渐减小。
第二次级第二表面孔V2b的深度H4可以大于第二次级第一表面孔V1b的深度H3。
参照图7和图8，沉积掩模100可以包括有效区域AA以及设置在有效区域的外部的非有效区域UA，该有效区域AA包括多个通孔H和介于通孔之间的桥BR。
当最外通孔的外部彼此连接时，有效区域AA可以是内部区域。当最外通孔的外部彼此连接时，非有效区域UA可以是外部区域。详细地，最外孔的第二表面孔的端部可以用作有效区域AA与非有效区域UA之间的边界。
有效区域AA指最外的第二表面孔V2的端点的内侧的区域，即，允许在其中引入沉积材料并且在其中设置有第二表面孔V2的区域。同时，位于最外的第二表面孔V2的端部的外侧的区域(即，在沉积工艺中不涉及的区域)被定义为非有效区域UA。
设置在有效区域AA中的沉积掩模100可以支撑多个通孔。换句话说，可以在通孔之间设置桥。详细地，可以在相邻的通孔之间设置桥。可以通过位于沉积掩模100的第一表面上的第一桥部分和位于金属板的第二表面上的第二桥部分以均匀的尺寸支撑通孔。
另外，设置在有效区域AA中的沉积掩模100可以是在沉积过程涉及的区域(沉积区域)，以在有机材料的沉积工艺中在基板上以预定范围内的图案宽度来沉积从有机材料沉积容器供给的有机材料。
设置在非有效区域UA中的沉积掩模100可以是不包括开口区域的非蚀刻区域。换句话说，由于设置在非有效区域UA中的沉积掩模100不包括用以在有机材料的沉积工艺中穿过有机材料的开口区域，所以在沉积工艺中可以不涉及沉积掩模100。
非有效区域UA可以包括第一半蚀刻部分E和第二半蚀刻部分E。
参照图7，第一和第二半蚀刻部分E可以包括形成在金属板的第一表面中的凹槽。换句话说，由于位于非有效区域UA中的沉积掩模100的第一表面被部分地蚀刻，所以第一和第二半蚀刻部分E可以在其中形成有凹槽。因此，沉积掩模可以在形成第一和第二半蚀刻部分E的区域处具有台阶差。
沉积掩模可以在非有效区域UA中具有相互不同的厚度。非有效区域UA的未被蚀刻的部分的厚度可以大于非有效区域UA的具有半蚀刻部分E的部分的厚度。例如，第一半蚀刻部分和第二半蚀刻部分可以具有比从第一表面至通孔的深度大的深度，并且可以小于第二表面孔的深度。也就是说，第一半蚀刻部分和第二半蚀刻部分可以以下述深度形成在第一表面上：该深度大于从第一表面至连接部分的深度。例如，设置有半蚀刻部分E的区域可以具有在非有效区域UA的未被蚀刻的部分中测量的厚度T的1/2。
半蚀刻部分E和/或半蚀刻部分E的外围区域可以是焊接到掩模框的区域。例如，当半蚀刻部分E和/或半蚀刻部分E的外围区域通过焊接工艺而变形时，半蚀刻部分E和/或半蚀刻部分E的外围区域可以固定到掩模框200。详细地，半蚀刻部分E的凹槽可以部分地或全部地填充有焊接材料。
参照图8，设置在非有效区域UA中的沉积掩模100的两个端部可以在水平方向上拉伸，并且固定到掩模框上。更详细地，在非有效区域UA中设置的沉积掩模的一端和相对端可以平行于y轴方向而设置，并且可以在垂直于y轴方向的x轴方向(即水平方向)上拉伸。
设置在非有效区域UA中的半蚀刻部分E可以部分地或全部地具有倒圆形状。例如，设置在非有效区域UA中的半蚀刻部分E可以具有半月形。换句话说，半蚀刻部分E可以具有直线形状或弯曲形状。详细地，半蚀刻部分E可以包括在沉积掩模的垂直方向上延伸的直线部分，以及通过连接直线部分的两个端部而形成的弯曲部分。在这种情况下，直线部分可以形成垂直于以下端部的角度：该端部形成沉积掩模的x轴方向边缘。直线部分可以具有足以穿过通孔的长度。直线部分可以平行于垂直延伸的虚拟线，其中通过连接位于有效区域和非有效区域之间的边界处的第二表面孔的端部而形成所述垂直延伸的虚拟线。同时，弯曲部分可以具有均匀的曲率。另外，弯曲部分可以具有根据位置而相互不同的曲率。例如，假设沉积掩模的垂直长度为c，弯曲部分可以具有朝向长度的1/2的点而增大的曲率。然而，实施方式不限于此，半蚀刻部分E可以具有矩形形状。
参照图6、图7和图9，在根据实施方式的沉积掩模的情况下，可以减小在有效区域AA和非有效区域UA之间沉积掩模的台阶差。
通过下面的等式1计算的k值可以表示非有效区域UA(即非蚀刻区域)中的沉积掩模100的厚度与有效区域AA(即蚀刻区域)中的沉积掩模100的厚度之间的差的比率。
&lt;等式1&gt;
在等式1中，T表示在非有效区域UA中测量的沉积掩模100的厚度T。在这种情况下，可以在非蚀刻区域中测量T。换句话说，在没有形成半蚀刻部分的区域中测量T。
在等式1中，H1表示在通孔当中的两个相邻通孔之间布置的桥具有最大厚度的点处、从连接部分起在第一表面的方向上定义的厚度，并且H2表示在两个相邻通孔之间布置的桥具有最大厚度的点处、从连接部分起在第二表面的方向上定义的厚度。
在等式1中，H1和H2是从桥测量的厚度，所述桥介于通孔当中的、在对角线方向上彼此相邻的两个通孔之间。
例如，H2可以指在预定桥具有最大厚度的点处测量时，从连接部分CA到第二表面102(其中设置有第二表面孔V2)而形成的最短距离。可以在基板的厚度方向上测量该最短距离。
在根据实施方式的沉积掩模的情况下，通过等式1计算的k值可以在0.65或更大至小于1的范围内。
在根据实施方式的沉积掩模的情况下，通过等式1计算的k值可以在0.8或更大至小于1.0的范围内。
换句话说，在非蚀刻区域中测量的沉积掩模的厚度可以轻微不同于将通孔彼此连接并且支撑通孔的沉积掩模的厚度，或者在非蚀刻区域中的沉积掩模与蚀刻区域中的沉积掩模之间可以不形成台阶差。因此，当沉积掩模被拉伸时，可以防止沉积掩模在蚀刻区域中扭曲。另外，根据实施方式的沉积掩模可以防止用于在蚀刻工艺中防止蚀刻的光致抗蚀剂层或光敏膜抗蚀剂层剥离。因此，由于可以改善蚀刻均匀性，所以可以改善通孔的均匀性。根据实施方式，参考孔与相邻孔之间尺寸上的差可以实现为±3μm或更小，使得可以提高沉积效率。
当通过等式1计算的k值小于0.65时，在非有效区域UA(即非蚀刻区域)中测量的沉积掩模的厚度与在有效区域AA(即蚀刻区域)中用以将通孔彼此连接并且支撑通孔的沉积掩模的厚度之间存在显著的差。因此，当沉积掩模被拉伸时，可以防止沉积掩模在蚀刻区域中扭曲。
在下文中，将参照图10描述当H2具有小的值时产生的问题。当k值随着H2的值减小而减小时，在蚀刻工艺中防止蚀刻的光致抗蚀剂层或光敏膜抗蚀剂层可能剥离。另外，由于蚀刻均匀性劣化，所以通孔的均匀性可能劣化。当通孔不均匀时，沉积的均匀性可能劣化。因此，降低了图案的沉积效率，使得工艺效率可能降低。
在下文中，将参照图7和图8描述扭曲指数。当沉积掩模在纵向方向(即水平方向)上拉伸时，沉积掩模扭曲的程度可以被表示为等式2中的扭曲指数α。
&lt;等式2&gt;
在纵向方向上通过0.7kgf的力拉伸金属板时测量该扭曲指数α。
在等式2中，d1表示在第一半蚀刻部分和与第一半蚀刻部分相邻的有效区域之间布置的非有效区域处测量的金属板的宽度，d2表示在第二半蚀刻部分和与第二半蚀刻部分相邻的有效区域之间布置的非有效区域处测量的金属板的宽度，并且B表示在有效区域的中间点处测量的金属板的宽度。
有效区域和非有效区域可以在垂直方向上分成第一边界区域BA1和第二边界区域BA2。第一边界区域BA1和第二边界区域BA2之间可以包括多个通孔和桥。
非有效区域UA中可以包括多个半蚀刻部分E。例如，非有效区域UA中可以包括第一和第二半蚀刻部分E。与第一半蚀刻部分相邻的有效区域可以是第一边界区域BA1。与第二半蚀刻部分相邻的有效区域可以是第二边界区域BA2。详细地，可以在与第一边界区域BA1相邻的非有效区域UA处设置一个半蚀刻部分E，其作为第一半蚀刻部分。可以在与第二边界区域BA2相邻的非有效区域UA处设置另一个半蚀刻部分E，其作为第二半蚀刻部分。在这种情况下，半蚀刻部分E的弯曲部分可以具有在相关的水平拉伸方向上突出的形状。因此，半蚀刻部分E可以分散在沉积掩模被拉伸时所施加的应力。
与第一边界区域BA1相邻的半蚀刻部分E的一个横向侧面可以定义为第三边界区域BA3。与第二边界区域BA2相邻的半蚀刻部分E的一个横向侧面可以定义为第四边界区域BA4。
换句话说，可以从第一边界区域BA1和第二边界区域BA2起通过通孔来改变金属板的厚度。另外，可以从第三边界区域BA3和第四边界区域BA4起通过凹槽来改变金属板的厚度。详细地，第一、第二、第三和第四区域BA1、BA2、BA3和BA4可以是以下区域：所述区域表示金属板的厚度由于蚀刻而改变的点的边界。
在等式2中，d1表示在第一半蚀刻部分和与第一半蚀刻部分相邻的有效区域之间布置的非有效区域处测量的金属板的宽度，并且d2表示在第二半蚀刻部分和与第二半蚀刻部分相邻的有效区域之间布置的非有效区域处测量的金属板的宽度。
换句话说，d1和d2表示位于非有效区域UA中的半蚀刻部分的直线部分与位于有效区域和非有效区域之间的边界处的第二表面孔之间的距离的1/2处所测量的沉积掩模的垂直长度。
在等式2中，B表示在有效区域的中间点处测量的金属板的宽度。换句话说，B表示在d1的测量点与d2的测量点之间的距离的1/2处所测量的沉积掩模的垂直长度。
根据实施方式的沉积掩模可以具有通过等式2计算的、在0.85至1.15的范围内的扭曲指数α。例如，根据实施方式的沉积掩模可以具有通过等式2计算的、在0.9至1.1的范围内的扭曲指数α。
由于根据实施方式的沉积掩模可以具有在0.85至1.15的范围内的扭曲指数α，所以可以均匀地分散拉伸力。另外，根据实施方式的沉积掩模的根据位置的垂直长度变化可以减小。因此，由于在有效区域AA和非有效区域UA中根据实施方式的沉积掩模的金属板的宽度变化可以减小，所以可以减小通孔的扭曲。
当扭曲指数α小于0.85或超过1.15时，设置在有效区域AA中以支撑通孔的沉积掩模的扭曲可能增大。因此，通过沉积掩模形成的图案的沉积效率可能降低。另外，通过沉积掩模形成的图案可能彼此交叠，使得OLED面板的制造效率可能降低。
设置在有效区域AA中的沉积掩模100可以与设置在非有效区域UA中的沉积掩模100一体地形成。
设置在有效区域AA中的沉积掩模100可以包括用以支撑多个通孔的桥。
桥可以包括用以支撑在金属板的第一表面101中设置的第一表面孔V1之间的部分的第一桥部分BR1，以及用以支撑在金属板的第二表面102中设置的第二表面孔V2之间的部分的第二桥部分BR2。
第一桥部分BR1和第二桥部分BR2可以具有相互不同的宽度。第一表面上的第一桥部分BR1的宽度可以宽于第二表面上的第二桥部分BR2的宽度。在这种情况下，可以从第一表面测量第一桥部分BR1的宽度，并且可以从第二表面测量第二桥部分BR2的宽度。详细地，第一桥部分BR1的宽度可以表示支撑相邻通孔之间的部分的第一桥部分BR1的平均宽度。第二桥部分BR2的宽度可以表示支撑相邻通孔之间的部分的第二桥部分BR2的平均宽度。
第一桥部分BR1和第二桥部分BR2的宽度可以根据沉积掩模的厚度而改变。因此，提供以下厚度仅用于说明性目的，并且实施方式不限于此。
例如，第一桥部分BR1的宽度可以在20μm至50μm的范围内。例如，第一桥部分BR1的宽度可以在30μm至45μm的范围内。例如，第一桥部分BR1的宽度可以在30μm至40μm的范围内。
例如，第二桥部分BR2的宽度可以在0.5μm至7μm的范围内。例如，第二桥部分BR2的宽度可以在1μm至5μm的范围内。例如，第二桥部分BR2的宽度可以在1μm至3μm的范围内。
当在平面视图中观看时第一桥部分BR1和第二桥部分BR2可以具有相互不同的区域。例如，当在平面视图中观看时，第一桥部分BR1的区域可以宽于第二桥部分BR2的区域。
第一桥部分BR1可以是平坦的。另外，第二桥部分BR2可以是平坦的。由于第一桥部分BR1和第二桥部分BR2可以是平坦的，所以可以增大在蚀刻工艺中防止蚀刻的光致抗蚀剂层或光敏膜抗蚀剂层的粘附力，可以改善通孔的均匀性。
在有效区域AA中测量的沉积掩模100的第一表面的深度对应于在非有效区域UA中测量的沉积掩模100的第一表面的深度。在有效区域AA中测量的沉积掩模100的第二表面的深度对应于在非有效区域UA中测量的沉积掩模100的第二表面的深度。
另外，在有效区域AA中测量的沉积掩模100的第一表面的深度与在非有效区域UA中测量的沉积掩模100的第一表面的深度之间的差可以小于在有效区域AA中测量的沉积掩模100的第二表面的深度与在非有效区域UA中测量的沉积掩模100的第二表面的深度之间的差。由于沉积掩模100的第二表面(其作为形成有第二表面孔V2的表面)具有比第一表面的蚀刻区域更宽的蚀刻区域，所以第二表面之间的深度差可以大于第一表面之间的深度差。
换句话说，第一桥部分BR1中的第一表面101可以具有与非有效区域UA中的第一表面101的深度对应的深度。因此，可以减小由张力引起的扭曲。
另外，第一桥部分BR1中的第一表面101可以具有与非有效区域UA中的第一表面101的深度不同的深度。在这种情况下，第一桥部分BR1中的第一表面101可以设置为平行于非有效区域UA中的第一表面101，同时面向非有效区域UA中的第一表面101。因此，可以减小由张力引起的扭曲。
例如，第一桥部分BR1中的第一表面101的深度可以与非有效区域UA中的第一表面101的深度具有小于5μm的差。深度差包括0μm，并且可以根据沉积掩模的厚度而改变，但是实施方式不限于此。
第二桥部分BR2中的第二表面102可以具有与非有效区域UA中的第二表面102的深度对应的深度。因此，可以减小由张力引起的扭曲。
另外，第二桥部分BR2中的第二表面102可以具有与非有效区域UA中的第二表面102的深度不同的深度。在这种情况下，第二桥部分BR2中的第二表面102可以设置为平行于非有效区域UA中的第二表面102，同时面向非有效区域UA中的第二表面102。因此，可以减小由张力引起的扭曲。
例如，第二桥部分BR2中的第二表面102的深度可以与非有效区域UA中的第二表面102的深度具有小于5μm的差。深度差包括0μm，并且可以根据沉积掩模的厚度而改变，但是实施方式不限于此。
换句话说，因为根据实施方式的沉积掩模具有较少地由于张力而扭曲的结构，所以可以均匀地形成通孔。因此，使用根据实施方式的沉积掩模而制造的OLED面板可以表现出优异的图案的沉积效率，并且可以改善沉积的均匀性。
在下文中，将通过实施方式和比较例更详细地描述本公开内容。提供实施方式仅用于本公开内容的说明性目的，并且本公开内容不限于实施方式。
&lt;实验示例1：根据k值的通孔均匀性的评估&gt;
表1
表1示出了根据k值的通孔均匀性的评估结果。
当参考孔与相邻孔之间尺寸上的差超过±3μm时，通孔的均匀性被标记为“不良”。当参考孔与相邻孔之间尺寸上的差是±3μm或更小时，通孔的均匀性被标记为“优良”。
参照表1，当k值等于或大于0.65时，改善了通孔的均匀性。因此，提高了通过根据实施方式的沉积掩模制造的有机材料图案的沉积效率。
当k值小于0.65时，由于通孔的均匀性劣化，所以通过通孔制造的有机材料图案在尺寸上改变，使得OLED面板的制造成品率可能劣化。
&lt;实验示例2：在拉伸中根据k值的扭曲的评估&gt;
表2
表2示出了在拉伸沉积掩模时根据k值的沉积掩模的扭曲的评估结果。
在这种情况下，当通过0.7kgf的力拉伸沉积掩模的样品时，通过测量沉积掩模的扭曲来获得k值。
当设置在基板上的有机材料彼此交叠时，或者当R、G和B图案之间的宽度差由于沉积掩模的扭曲而不规则地形成时，该表被标记为“不良”。当设置在基板上的有机材料彼此不交叠时以及当R、G和B图案之间的宽度差均匀地形成时，该表被标记为“优良”。
参照表2，当k值为0.8或更大时，沉积掩模在拉伸中的扭曲可以降低。因此，可以防止形成在基板上的图案层彼此交叠。
参照图11，在表现出0.8或更大的k值的根据实施方式的沉积掩模的情况下，R、G和B图案彼此不交叠，并且R、G和B图案之间的宽度差均匀地形成。因此，可以提高OLED面板的制造成品率。
同时，当k值小于0.8时，在拉伸中沉积掩模的扭曲可能增大。因此，形成在基板上的图案层可能彼此交叠。
参照图12，在表现出小于0.8的k值的根据比较例的沉积掩模的情况下，R、G和B图案可能彼此交叠。因此，可能改善OLED面板的制造成品率。
换句话说，当在根据该实施方式的沉积掩模中k值为0.8或更大时，可以改善通孔的均匀性，并且可以防止沉积掩模在拉伸中的扭曲。因此，可以提高通过沉积掩模制造的OLED面板的沉积效率和工艺效率。
本说明书中对“一个实施方式”，“实施方式”，“示例实施方式”等的任何提及意味着结合实施方式描述的特定特征、结构或特性包括在本发明的至少一个实施方式中。在说明书中各处出现的这些短语不一定都指同一个实施方式。此外，当结合任何实施方式描述特定特征、结构或特性时，传达的是结合其他实施方式来实现这种特征、结构或特性在本领域技术人员的能力范围内。
尽管已经参考本发明的多个说明性实施方式描述了实施方式，应当理解的是，本领域技术人员能够设计出许多其他修改和实施方式，这些修改和实施方式将落入本公开内容的原理的精神和范围内。更具体地，在本公开内容、附图和所附权利要求书的范围内，可以在主题组合布置的部件部分和/或布置上进行各种变化和修改。除了该部件部分和/或布置方面的变化和修改之外，替代用途对于本领域技术人员而言也将是明显的。

Claims (11)

1.一种沉积掩模，包括金属板，
其中，所述金属板包括：有效区域，所述有效区域具有多个通孔和介于所述通孔之间的桥；以及设置在所述有效区域的外部处的非有效区域，以及
其中，每个通孔在连接部分中形成，在所述连接部分中，形成在第一表面中的第一表面孔与形成在第二表面中的第二表面孔接触，所述第二表面与所述第一表面相对，
所述第一表面孔的宽度小于所述第二表面孔的宽度，
所述第一表面孔的深度小于所述第二表面孔的深度，以及
在等式1中计算的k值在从0.65或更大至小于1的范围内，
&lt;等式1&gt;
k＝H2(T-H1)，
其中，T表示在所述非有效区域中测量的所述沉积掩模的厚度，
H1表示在介于所述通孔之中的两个相邻通孔之间的桥具有最大厚度的点处从所述连接部分起在所述第一表面的方向上限定的厚度，以及
H2表示在介于所述两个相邻通孔之间的所述桥具有最大厚度的点处从所述连接部分起在所述第二表面的方向上限定的厚度。
2.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，通过等式1计算的所述k值在从0.8或更大至小于1的范围内。
3.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述沉积掩模的厚度在10μm至50μm的范围内。
4.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述沉积掩模包括铁-镍(Fe-Ni)合金。
5.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，等式1中的H1和H2是在介于所述通孔之中的在对角线方向上彼此相邻的两个通孔之间的桥中测量的厚度。
6.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述第一表面孔的宽度在20μm至50μm的范围内，
所述第二表面孔的宽度在50μm至90μm的范围内，
所述第一表面孔的深度在0.1μm至7μm的范围内，以及
所述第二表面孔的深度在20μm至25μm的范围内。
7.一种沉积掩模，包括金属板，
其中，所述金属板包括：有效区域，所述有效区域具有多个通孔和介于所述通孔之间的桥；设置在所述有效区域的外部处的非有效区域；布置在所述非有效区域中且位置靠近所述金属板的一个纵向端部的第一半蚀刻部分；以及位置靠近与所述一个纵向端部相对的另一个纵向端部的第二半蚀刻部分，以及
其中，当在纵向方向上通过0.7kgf的力拉伸所述金属板时，在等式2中计算的扭曲指数α在0.85至1.15的范围内，
&lt;等式2&gt;
α＝2B/(d1+d2)，
其中，d1表示在介于所述第一半蚀刻部分和与所述第一半蚀刻部分相邻的有效区域之间的非有效区域处测量的所述金属板的宽度，
d2表示在介于所述第二半蚀刻部分和与所述第二半蚀刻部分相邻的有效区域之间的非有效区域处测量的所述金属板的宽度，以及
B表示在所述有效区域的中间点处测量的所述金属板的宽度。
8.根据权利要求7所述的沉积掩模，其中，所述桥包括第一桥部分和第二桥部分，所述第一桥部分支撑在所述金属板的第一表面中设置的第一表面孔之间的部分，所述第二桥部分支撑在所述金属板的第二表面中设置的第二表面孔之间的部分，其中，所述第一表面上的所述第一桥部分的宽度宽于所述第二表面上的所述第二桥部分的宽度。
9.根据权利要求8所述的沉积掩模，其中，所述第二表面孔的宽度宽于所述第一表面孔的宽度。
10.根据权利要求7所述的沉积掩模，其中，所述半蚀刻部分包括形成在所述金属板的第一表面中的凹槽。
11.根据权利要求8所述的沉积掩模，其中，所述第一桥部分的宽度在20μm至50μm的范围内，所述第二桥部分的宽度在0.5μm至7μm的范围内。
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