CN108598292A - 一种掩膜板及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种掩膜板及其制作方法，掩膜板包括至少一个开口以及围绕设置在开口周缘的遮挡区，掩膜板包括贯穿相对设置的第一表面和第二表面的开口，遮挡区的第一表面上设置有第一凹槽，第一凹槽与开口相连。即遮挡区朝向开口的侧边上设置有开放性的第一凹槽，在掩膜板使用过程中，第一凹槽容纳衬底上的颗粒物，使得蒸镀时掩膜板与衬底之间的贴合紧密，避免因颗粒物的存在造成的成膜不均，引起成膜失败问题。而且，颗粒物在重力作用下，能够脱离第一凹槽，避免第一凹槽里容纳较多颗粒物，造成掩膜板与衬底之间出现空隙。同时，第一凹槽的存在还减轻了掩膜板遮挡区实体板材的部分重量，同样能够改善蒸镀过程中形成的材料蒸镀边缘模糊的问题。

Description

一种掩膜板及其制作方法

技术领域

本发明涉及半导体制作技术领域，尤其涉及一种掩膜板及其制作方法。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示技术是现有技术中常见的显示技术，广泛应用于手机、数码摄像机、平板电脑等电子设备上。尤其，随着柔性显示装置和曲面屏的发展，OLED显示技术的地位更加重要。

OLED显示装置制作过程中，需要在衬底上形成阴极层、发光层和阳极层等多层金属、非金属材料，常用的工艺，请参考图1和图2，其中，图1为现有技术中提供的蒸镀工艺制作OLED显示区的工艺图，图2为掩膜板俯视示意图，图1中所示的掩膜板为图2中沿AA’的剖面结构图；在衬底01上设置掩膜板02，掩膜板02的开口021对应待沉积物质的区域，围绕开口021周缘设置有遮挡区022；采用CVD(ChemicalVapor Deposition，化学气相淀积)工艺将金属或有机物蒸镀到位于CVD工艺腔体上方的衬底上，其中，掩膜板开口对应的衬底01上的区域沉积形成阴极和阳极的金属物，掩膜板遮挡的衬底部分不形成上述材料，从而形成多个相互分离的OLED显示装置中的有效显示区04，所述有效显示区即为OLED显示装置通电后显示画面的区域。需要说明的是，图1中03区域为阴极或阳极压盖有效区。

但是，现有技术中的掩膜板在蒸镀过程中，容易造成CVD成膜失败以及蒸镀边界不清晰的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种掩膜板及其制作方法，以解决现有技术中掩膜板在蒸镀过程中，容易造成CVD成膜失败以及蒸镀边界不清晰的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种掩膜板，包括：

至少一个开口；

围绕设置在所述开口周缘的遮挡区；

所述掩膜板包括第一表面和与之相对的第二表面，所述开口贯穿所述第一表面和所述第二表面，所述遮挡区的所述第一表面上设置有第一凹槽，所述第一凹槽与所述开口相连。本发明还提供一种掩膜板制作方法，用于制作上面所述的掩膜板，所述掩膜板制作方法包括：

提供掩膜板，所述掩膜板包括第一表面和与之相对的第二表面；

在所述掩膜板上形成至少一个贯穿所述第一表面和所述第二表面的开口，围绕所述开口周缘的掩膜板为遮挡区；

在所述遮挡区的第一表面形成第一凹槽，所述第一凹槽与所述开口相连。

经由上述的技术方案可知，本发明提供的掩膜板，包括至少一个开口以及围绕设置在所述开口周缘的遮挡区，所述掩膜板包括第一表面和与之相对的第二表面，所述开口贯穿所述第一表面和所述第二表面，所述遮挡区的所述第一表面上设置有第一凹槽，所述第一凹槽与所述开口相连。也即，遮挡区朝向开口的侧边上设置有开放性的第一凹槽，在掩膜板使用过程中，所述第一凹槽能够容纳衬底上的颗粒物，使得蒸镀时掩膜板与衬底之间的贴合更加紧密，避免由于颗粒物的存在造成颗粒物所在位置产生的成膜不均，引起的成膜失败问题。而且，所述第一凹槽为开放性凹槽，当第一凹槽内沉积较多颗粒物时，颗粒物在重力作用下，能够脱离第一凹槽，避免第一凹槽内容纳较多颗粒物，造成掩膜板与衬底之间出现空隙。

同时，所述第一凹槽设置在遮挡区，也即将遮挡区的实体板材去除了一部分，从而减轻了掩膜板遮挡区实体板材的部分重量，能够减小掩膜板张网时，实体板材在重力作用下造成的开口变形的形变量，进而能够改善蒸镀过程中形成的材料蒸镀边缘模糊的问题。

本发明还提供一种掩膜板的制作方法，用于形成上述具有有益效果的掩膜板，从而改善OLED显示装置有效显示区的成膜质量以及提高有效显示区的材料蒸镀边缘的清晰度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为现有技术中提供的蒸镀工艺制作OLED显示区的工艺图；

图2为掩膜板俯视示意图；

图3为本发明实施例提供的一种掩膜板俯视结构示意图；

图4为图3所示掩膜板沿BB’线的剖面结构示意图；

图5为本发明实施例提供的另一种掩膜板的遮挡区剖面结构示意图；

图6为图3所示掩膜板A部分的局部放大图；

图7为现有技术中掩膜板上taper角示意图；

图8为形成第一凹槽时，掩膜板上taper角变化示意图；

图9为本发明实施例提供的另一种掩膜板俯视结构示意图；

图10为图9所示掩膜板C部分的局部放大图；

图11为图3所示掩膜板B部分的局部放大图；

图12为本发明实施例提供的一种掩膜板制作方法流程示意图。

具体实施方式

正如背景技术部分所述，现有技术中掩膜板，在蒸镀过程中，容易造成CVD成膜失败以及蒸镀边界不清晰的问题。

发明人发现，出现上述现象的原因为，通常情况下，衬底上存在颗粒物，在蒸镀过程中，一方面，所述颗粒物的存在对CVD成膜造成划伤，使得CVD成膜失败；另一方面，由于颗粒物凸起于所述衬底表面，使得衬底和掩膜板无法紧密贴合，造成掩膜板与衬底之间形成较大空隙，在蒸镀材料过程中，材料在所述空隙处出现扩展，造成OLED显示装置有效显示区的材料蒸镀边缘模糊。

另外，现有技术中掩膜板俯视结构如图2所示，掩膜板02包括开口区021和遮挡区022，遮挡区022均为实体板材，由于掩膜板实体板材区域较大，在重力作用下，容易出现掩膜板开口形状发生形变，同样也造成OLED显示装置有效显示区的材料蒸镀边缘模糊。

基于此，本发明提供一种掩膜板，包括：

至少一个开口；

围绕设置在所述开口周缘的遮挡区；

所述掩膜板包括第一表面和与之相对的第二表面，所述开口贯穿所述第一表面和所述第二表面，所述遮挡区的所述第一表面上设置有第一凹槽，所述第一凹槽与所述开口相连。

本发明提供的掩膜板，在遮挡区的边缘开设有第一凹槽，所述第一凹槽与所述开口连接，也即所述第一凹槽为开放性凹槽。在掩膜板使用过程中，所述第一凹槽能够容纳衬底上的颗粒物，使得蒸镀时掩膜板与衬底之间的贴合更加紧密，避免由于颗粒物的存在造成颗粒物所在位置产生的成膜不均，引起的成膜失败问题。而且，所述第一凹槽为开放性凹槽，当第一凹槽内沉积较多颗粒物时，颗粒物在重力作用下，能够脱离第一凹槽，避免第一凹槽内容纳较多颗粒物，造成掩膜板与衬底之间出现空隙。同时，所述第一凹槽设置在遮挡区，也即将遮挡区的实体板材去除了一部分，从而减轻了掩膜板遮挡区实体板材的部分重量，能够减小掩膜板张网时，实体板材在重力作用下造成的开口变形的形变量，进而能够改善蒸镀过程中形成的材料蒸镀边缘模糊的问题。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参见图3和图4，图3为本发明实施例提供的一种掩膜板的俯视结构示意图，图4为本发明实施例提供的图3中掩膜板的沿BB’线剖面结构示意图。如图3所示，掩膜板20包括至少一个开口21；围绕设置在开口21周缘的遮挡区22；掩膜板20包括第一表面和与之相对的第二表面，开口21贯穿第一表面和第二表面，遮挡区22的第一表面上设置有第一凹槽，第一凹槽与开口相连。

如图4所示，本发明实施例中，第一凹槽23与开口21相连，也即第一凹槽23内的物质可以通过第一凹槽23与开口21连接的位置移动到开口21位置，也即第一凹槽23为开放性凹槽，所述开放性凹槽即为，在剖面结构中，仅包括凹槽底面和位于凹槽底面一侧的侧壁结构；在立体结构中，开放性凹槽可以是包括凹槽底面和凹槽侧壁，但所述凹槽侧壁为非封闭结构的凹槽。本发明实施例中开放性凹槽能够容纳衬底上附着的颗粒物，同时，衬底上附着的颗粒物在蒸镀腔中掉落至第一凹槽23中后，当第一凹槽23中的颗粒物较多时，颗粒物可以通过第一凹槽23与开口21直接的连接部掉落至蒸镀腔中，而不影响CVD气相沉积的成膜质量。

需要说明的是，为了能够使得颗粒物能够不积攒在第一凹槽内，顺利从第一凹槽掉落至蒸镀腔，从而不影响掩膜板与衬底之间的贴合。如图4所示，在沿开口中心到遮挡区的截面示意图中，本实施例中所述第一凹槽23的底面所在平面231与侧壁所在平面232相交后，相交线将两个平面分别分割成为半平面，底面所在半平面与侧壁所在半平面的夹角为钝角，如图4中角β所示。两个半平面的夹角为钝角，则两个半平面之间的接合更加平缓，避免颗粒物在两个半平面的接合处出现沉积，造成颗粒物堆积。

本发明实施例中不限定所述第一凹槽的底面和侧壁的连接为线连接，还是弧面连接。为了使得颗粒物更加顺利掉落，本实施例中可选的，所述第一凹槽的所述底面和所述侧壁的连接为弧面连接，也即如图5所示。底面和侧壁之间的过渡相对如图4所示的线连接更加圆滑，从而能够避免颗粒物在第一凹槽内堆积。

需要说明的是，本发明实施例中掩膜板用于形成OLED显示装置的阴极层、阳极层或其他覆盖整个OLED显示装置有效显示区的层结构，由于阴极层、阳极层或其他覆盖整个OLED显示装置有效显示区的层结构与有机发光层的结构不同，掩膜板上的开口无需对应各个子像素，只要形成整个显示屏幕即可。因此，本发明实施例中掩膜板上开口的形状和尺寸，与待形成OLED显示装置的显示屏幕对应，本发明实施例中不限定所述掩膜板上开口的尺寸，可选地，在沿第一方向上，第一凹槽的底面宽度与开口长度的比例小于或等于五分之一，其中，第一方向为开口中心指向第一凹槽的方向。具体如图4中所示，第一方向为图中的X方向，第一凹槽23的底面宽度w与开口21长度DW的比例小于或等于五分之一。

本发明实施例中不限定开口的形状，开口形状根据实际掩膜板的用途，所述掩膜板用于制作形成智能穿戴设备的OLED显示屏幕的有效显示区，则所述掩膜板的开口的形状和尺寸对应所述智能穿戴设备的OLED显示屏幕，所述掩膜板用于制作形成智能手机的OLED显示屏幕的有效显示区，则掩膜板的开口的形状和尺寸对应所述智能手机的OLED显示屏幕的有效显示区。另外，不同尺寸的智能手机，掩膜板的开口的尺寸不同，即5.5寸智能手机的掩膜板开口与4.7寸智能手机的开口，形状可以相同，但尺寸不同。

例如，智能穿戴设备为智能手表，所述智能手表的有效显示区为四个顶角为有圆角的矩形，则所述掩膜板的开口形状为四个顶角为有圆角的矩形，若所述智能手表的有效显示区为圆形，则所述掩膜板形状为圆形。掩膜板开口的形状根据OLED显示装置的有效显示区形状而定。如图6所示，为图3中A部分的局部放大图，从图6中可以看出，掩膜板开口21的一个短边上具有部分凹口，所述凹口处不蒸镀阴极或阳极材料，图6为具有刘海屏智能手机的掩膜板俯视结构示意图。

需要说明的是，针对不同尺寸和形状的掩膜板开口，对应的第一凹槽的尺寸也不相同。智能手表的OLED显示面板为目前工艺中OLED显示面板中最小的尺寸，其形状为正方形，长宽基本为0.5mm，因此，掩膜板可以为包括多个呈阵列排布的开口，所述开口沿所述阵列的行方向和列方向上的长度均大于或等于0.5mm。

另外，本发明实施例中为了使得所述第一凹槽能够起到较好的减重作用，并对掩膜板的性能不造成影响，根据实际设计，对所述第一凹槽的尺寸进行限定。通常情况下，掩膜板的遮挡区，也即实体板材区的宽度为20mm，所述第一凹槽通过半蚀刻工艺形成，第一凹槽的底部在所述掩膜板所在平面内沿所述遮挡区指向所述开口的方向上的宽度为w，若w较宽，则会影响后续的CVD成膜区域和OLED显示装置的封装区域位置，因此，本发明实施例中限定50μm≤w≤100μm，包括端点值。

同样的，如图7所示，掩膜板存在taper角α，这是掩膜板制作工艺要求必须满足一定的角度，而如图8所示，第一凹槽的刻蚀深度与掩膜板的taper角存在一定的关系。假设第一凹槽刻蚀深度在位置C1的刻蚀深度为10μm，掩膜板的taper角α1为60°，第一凹槽刻蚀深度在位置C2的刻蚀深度为15um，则由于尖角的位置容易被蚀刻掉，掩膜板的taper角α2增大到65°。也即第一凹槽的刻蚀深度较深，则会将掩膜板的表面刻蚀掉较多材料，使得掩膜板的taper角变大，同样会造成采用该掩膜板进行蒸镀时，出现材料蒸镀边缘外扩，造成蒸镀区域变化，蒸镀精度下降的问题。因此，本发明实施例中可选地，如图4所示，第一凹槽23在沿所述掩膜板的厚度方向上的深度为h，其中，10μm≤h≤30μm，包括端点值。

需要说明的是，本发明实施例中并不限定所述第一凹槽的位置，所述第一凹槽可以沿所述开口的四周设置，也可以仅在开口的某一个边或某几个边上设置。为了能够保证开口四周均能够容纳衬底上附着的颗粒物，避免出现开口的某一侧无法容纳颗粒物，造成掩膜板倾斜设置在衬底上，本发明实施例中所述第一凹槽沿所述开口四周设置。本发明实施例中，第一凹槽沿开口四周设置，可以是沿所述开口的边缘一整圈设置，即第一凹槽为连贯的一整圈。所述第一凹槽还可以是包括多个第一子凹槽，多个所述第一子凹槽沿所述开口的四周间断设置。需要说明的是，第一凹槽沿开口的边缘一整圈设置相对于间断设置，减重作用更大，但是同时，对掩膜板的硬度有一定影响，因此，本发明实施例中根据实际情况选择设置第一凹槽的形式。

本发明实施例中提供的掩膜板，在遮挡区的边缘开设有第一凹槽，所述第一凹槽与所述开口连接，也即所述第一凹槽为开放性凹槽。在掩膜板使用过程中，所述第一凹槽能够容纳衬底上的颗粒物，使得蒸镀时掩膜板与衬底之间的贴合更加紧密，避免由于颗粒物的存在造成颗粒物所在位置产生的成膜不均，引起的成膜失败问题。而且，所述第一凹槽为开放性凹槽，当第一凹槽内沉积较多颗粒物时，颗粒物在重力作用下，能够脱离第一凹槽，避免第一凹槽内容纳较多颗粒物，造成掩膜板与衬底之间出现空隙。同时，所述第一凹槽设置在遮挡区，也即将遮挡区的实体板材去除了一部分，从而减轻了掩膜板遮挡区实体板材的部分重量，能够减小掩膜板张网时，实体板材在重力作用下造成的开口变形的形变量，进而能够改善蒸镀过程中形成的材料蒸镀边缘模糊的问题。

在本发明的另一实施例中，为了能够进一步减少掩膜板的重量，使得掩膜板张网时，能够进一步减小开口的形变，本发明实施例中，如图9和图10所示，其中，图9为本发明实施例提供的掩膜板俯视结构示意图，图10为图9中C部分的局部放大图，如图10所示，在遮挡区还设置有多个第二凹槽24。需要说明的是，遮挡区22上还设置有多个混色标志25，所述混色标志25为贯穿掩膜板的通孔，用于对OLED有机发光层中各个子像素的颜色进行标记，为了避免第二凹槽的设置影响混色标志的作用，本发明实施例中多个第二凹槽位于遮光区上第一凹槽之外的区域，且与所述混色标志间隔设置。

需要说明的是，本发明实施例中第二凹槽通过半刻蚀工艺形成，第二凹槽的作用为减少掩膜板实体板材的重量，只要第二凹槽的设置不影响混色标志的功能，以及能够实现减重的作用即可。当第二凹槽的深度较小，长宽较小时，减重效果并不会特别明显，为了使得减重效果明显，第二凹槽的深度越深、长和宽均越大，则形成第二凹槽时，去除的实体板材越多。但，从刻蚀工艺角度考虑，由于第二凹槽位于全刻蚀形成的混色标志之间，若第二凹槽在相邻两个混色标志的连线方向上的长度较大，则制作过程中，容易对混色标志的制作造成影响。因此，在第二凹槽制作时，预留出与混色标志之间的距离，所述距离至少1.5cm，如图10中所示，本发明实施例中可选地，第二凹槽24在相邻两个混色标志25相连的方向上的长度为L1，相邻两个混色标志之间的距离为L2，其中，L1满足：L1≤(L2-3cm)。第二凹槽在开口指向第二凹槽24的方向上的宽度为W1，遮挡区22的第一表面在开口指向第二凹槽的方向上的宽度为W2，其中，W1满足：32W2≤W1≤(W2-1.5cm)；第二凹槽在沿掩膜板的厚度方向上的深度小于掩膜板厚度的一半，如掩膜板的厚度为100μm，则第二凹槽的深度少于50μm，可以为40μm等，本发明实施例中对此不做详细说明。

本发明实施例中，在遮挡区设置了第一凹槽的基础上，还设置有第二凹槽，第二凹槽的制作能够进一步对掩膜板的遮挡区的实体板材进行去除，从而使得掩膜板的实体板材重量进一步减少，实现掩膜板的减重，进而避免将掩膜板张网安装在衬底上后，出现掩膜板开口因在重力作用以及张网张力作用下形变，导致的蒸镀过程中开口的边界不清晰的问题。

需要说明的是，本发明提供的掩膜板相对于现有技术而言，为新提供的掩膜板，发明人在该掩膜板制作过程中发现，基于现有掩膜板制作工艺，如图3所示，掩膜板的形状多为长方形，且在掩膜板的长度方向的中间区域还具有较大面积的遮挡区。如图11所示，为图3中B部分局部放大图，本发明实施例中位于所述掩膜板长度方向的中间区域的遮挡区22还包括呈阵列排布的第三凹槽26。

本发明实施例中的第三凹槽的作用与第二凹槽的作用类似，主要用于对掩膜板进行减重，因此，可选的，所述第三凹槽在沿所述掩膜板的厚度方向上的深度小于所述掩膜板厚度的一半。需要说明的是，为了保证具有较好的减重效果，且减重后对掩膜板的使用不造成影响，使得减重后的掩膜板还具有承受张力时，变形较小的效果，本发明实施例中，所述第三凹槽的长度为L3、宽度为W3，其中，10mm≤L3≤20mm；3mm≤W3≤5mm；相邻两个所述第三凹槽之间的距离为D，其中，D≥0.5mm。

本发明实施例中，针对本发明提供的新型掩膜板，在掩膜板的中间区域还设置有第三凹槽，第三凹槽进一步对掩膜板进行减重，从而避免开口在重力作用或张网时张力作用下，出现较大形变，造成蒸镀各层结构时，材料蒸镀边缘模糊的问题。

需要说明的是，以上所有实施例中，不限定掩膜板的材质，为了保证掩膜板在蒸镀腔的高温下形变较小，可选的所述掩膜板的热膨胀系数为A，其中，0.8*10^-6/℃≤A≤1.6*10^-6/℃，包括端点值。

本发明对应上述各实施例中所述的掩膜板，还提供一种掩膜板的制作方法，如图12所示，为本发明实施例提供的一种掩膜板制作方法流程图，所述掩膜板制作方法包括：

S101：提供掩膜板，所述掩膜板包括第一表面和与之相对的第二表面；

S102：在所述掩膜板上形成至少一个贯穿所述第一表面和所述第二表面的开口，围绕所述开口周缘的掩膜板为遮挡区；

S103：在所述遮挡区的第一表面形成第一凹槽，所述第一凹槽与所述开口相连。

本发明实施例中不限定所述第一凹槽的形成工艺，可选为半刻蚀工艺，通过半刻蚀工艺，在遮挡区的实体板材上形成第一凹槽，所述第一凹槽与开口相连，从而使得掩膜板使用过程中，第一凹槽能够容纳衬底上附着的颗粒物，同时，当有多余颗粒物沉积时，颗粒物能够从第一凹槽滑落，避免第一凹槽内容纳较多颗粒物，造成掩膜板与衬底之间出现空隙。

为进一步提高掩膜板的使用效果，本发明实施例中还包括：

在所述遮挡区形成过孔，作为混色标志；

以及在所述遮挡区朝向所述衬底的表面，且在相邻两个所述混色标志之间进行半刻蚀，形成第二凹槽。

本发明实施例中不限定所述第二凹槽的形成工艺，可选为，同样采用半刻蚀工艺形成。第二凹槽的存在，使得掩膜板实体板材进一步被去除一部分，从而掩膜板进一步被减重，更能够减小掩膜板张网时，实体板材在重力作用下造成的开口变形的形变量，进而能够改善蒸镀过程中形成的材料蒸镀边缘模糊的问题。

另外，本发明实施例提供的掩膜板制作方法还可以包括：

在所述掩膜板长度方向上的中间区域的遮挡区进行半刻蚀，形成呈阵列排布的第三凹槽。第三凹槽与第一凹槽和第二凹槽同样采用半刻蚀工艺形成，可选的，所述第一凹槽、所述第二凹槽和所述第三凹槽均由湿法刻蚀形成。

需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括上述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (19)

1.一种掩膜板，其特征在于，包括：

至少一个开口；

围绕设置在所述开口周缘的遮挡区；

所述掩膜板包括第一表面和与之相对的第二表面，所述开口贯穿所述第一表面和所述第二表面，所述遮挡区的所述第一表面上设置有第一凹槽，所述第一凹槽与所述开口相连。

2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，在沿第一方向上，所述第一凹槽的底面宽度与所述开口长度的比例小于或等于五分之一，其中，所述第一方向为所述开口中心指向所述第一凹槽的方向。

3.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述第一凹槽的底面宽度为w，其中，50μm≤w≤100μm。

4.根据权利要求3所述的掩膜板，其特征在于，所述开口呈阵列排布，所述开口沿所述阵列的行方向和列方向上的长度均大于或等于0.5mm。

5.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述第一凹槽的底面所在平面与侧壁所在平面相交形成的两个半平面的夹角为钝角。

6.根据权利要求5所述的掩膜板，其特征在于，所述第一凹槽的所述底面和所述侧壁的连接为线连接或弧面连接。

7.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述第一凹槽在沿所述掩膜板的厚度方向上的深度为h，其中，10μm≤h≤30μm。

8.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述第一凹槽沿所述开口的四周设置。

9.根据权利要求8所述的掩膜板，其特征在于，所述第一凹槽沿所述开口的边缘一整圈设置。

10.根据权利要求8所述的掩膜板，其特征在于，所述第一凹槽包括多个第一子凹槽，多个所述第一子凹槽沿所述开口的四周间断设置。

11.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述遮挡区设置有多个混色标志和多个第二凹槽，所述第二凹槽位于所述第一凹槽之外的区域，且与所述混色标志间隔设置。

12.根据权利要求11所述的掩膜板，其特征在于，所述第二凹槽在沿所述掩膜板的厚度方向上的深度小于所述掩膜板厚度的一半；

所述第二凹槽在所述开口指向所述第二凹槽的方向上的宽度为W1，所述遮挡区的第一表面在所述开口指向所述第二凹槽的方向上的宽度为W2，其中，W1满足：

所述第二凹槽在相邻两个混色标志相连的方向上的长度为L1，所述相邻两个混色标志之间的距离为L2，其中，L1满足：L1≤(L2-3cm)。

13.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板为长方形，位于所述掩膜板长度方向的中间区域的遮挡区还包括呈阵列排布的第三凹槽。

14.根据权利要求13所述的掩膜板，其特征在于，所述第三凹槽的长度为L3、宽度为W3，其中，10mm≤L3≤20mm；3mm≤W3≤5mm；相邻两个所述第三凹槽之间的距离为D，其中，D≥0.5mm；所述第三凹槽在沿所述掩膜板的厚度方向上的深度小于所述掩膜板厚度的一半。

15.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板的热膨胀系数为A，其中，0.8*10^-6/℃≤A≤1.6*10^-6/℃。

16.一种掩膜板制作方法，其特征在于，用于制作权利要求1所述的掩膜板，所述掩膜板制作方法包括：

提供掩膜板，所述掩膜板包括第一表面和与之相对的第二表面；

在所述掩膜板上形成至少一个贯穿所述第一表面和所述第二表面的开口，围绕所述开口周缘的掩膜板为遮挡区；

在所述遮挡区的第一表面形成第一凹槽，所述第一凹槽与所述开口相连。

17.根据权利要求16所述的掩膜板制作方法，其特征在于，还包括：

在所述遮挡区形成过孔，作为混色标志；

以及在所述遮挡区朝向所述衬底的表面，且在相邻两个所述混色标志之间进行半刻蚀，形成第二凹槽。

18.根据权利要求17所述的掩膜板制作方法，其特征在于，还包括：

在所述掩膜板长度方向上的中间区域的遮挡区进行半刻蚀，形成呈阵列排布的第三凹槽。

19.根据权利要求18所述掩膜板制作方法，其特征在于，所述第一凹槽、所述第二凹槽和所述第三凹槽均由湿法刻蚀形成。