WO2017130745A1 - 高純度５塩化タングステンおよびその合成方法 - Google Patents

高純度５塩化タングステンおよびその合成方法 Download PDF

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reducing agent
less
ppm
tungsten pentachloride
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高橋　秀行
桃井　元
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Ｊｘ金属株式会社
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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G41/00—Compounds of tungsten
    • C01G41/04—Halides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/80—Compositional purity

Definitions

  • the present invention relates to a high-purity tungsten pentachloride and a high-yield and safe synthesis method for high-purity tungsten pentachloride.
  • an object of the present invention is tungsten pentachloride which can be produced more safely than before, has a high compound purity, and has a high purity with respect to impurity elements other than chlorine, tungsten and elements used as a reducing agent. It is in providing the synthesis method of this.
  • the inventor uses high-purity tungsten hexachloride as a starting material, and uses a substance selected from the group consisting of high-purity Bi, Hg, Sb, Ti, Al, P, As as a reducing agent.
  • a substance selected from the group consisting of high-purity Bi, Hg, Sb, Ti, Al, P, As as a reducing agent.
  • the present invention includes the following (1) and below.
  • a reducing agent selected from the group consisting of Bi, Hg, Sb, Ti, Al, P, and As and tungsten hexachloride, with a molar ratio of tungsten chloride: reducing agent of 2.8: 1.0-3. 2: 1.0, uniformly mixing in an inert atmosphere to obtain a mixture;
  • Tungsten pentachloride having a compound purity of 95% by mass or more Tungsten pentachloride having a compound purity of 95% by mass or more.
  • the safety can be improved as compared to the conventional case, and the compound purity of tungsten pentachloride existing in tungsten chloride can be increased, so that the yield can be improved and the production time can be shortened.
  • high-purity tungsten pentachloride can be synthesized at low cost.
  • a reducing agent selected from the group consisting of Bi, Hg, Sb, Ti, Al, P, As and tungsten hexachloride is mixed with a tungsten hexachloride: reducing agent molar ratio of 2.8: 1.0 to 3.2: 1.0, in which the mixture is uniformly mixed in an inert atmosphere to obtain a mixture, and the mixture of the reducing agent and tungsten hexachloride is heated to 80 to 210 ° C. at 13 Pa or less. The reduced product of the mixture of the reducing agent and tungsten hexachloride is heated to 120 to 290 ° C.
  • Tungsten pentachloride can be synthesized by a method that includes heating to 140 to 350 ° C. at 13 Pa or less and sublimation purification to obtain tungsten pentachloride.
  • the tungsten hexachloride used as a raw material is preferably a high-purity raw material, and preferably has a purity of 5N or more, for example.
  • the reducing agent may be any element that has an effect of reducing tungsten hexachloride.
  • a reducing agent selected from the group consisting of Bi, Hg, Sb, Ti, Al, P, As and the like can be used.
  • Sb and Bi are more preferably used.
  • the reducing agent and tungsten hexachloride are uniformly mixed in an inert atmosphere.
  • the inert atmosphere include Ar and N 2 .
  • a ball mill or a mortar can be preferably used.
  • the reducing agent and tungsten hexachloride to be mixed have a molar ratio of tungsten chloride: reducing agent in the range of 2.8: 1.0 to 3.2: 1.0, preferably 2.9: 1. It can be in the range of 0 to 3.1: 1.0, particularly preferably 3: 1.
  • the particle size of the pulverized raw material to 300 ⁇ m or less, more preferably 100 ⁇ m or less, the reactivity in the reduction reaction can be increased.
  • the mixture of reducing agent and tungsten hexachloride is reduced by heating.
  • the heat reduction is performed, for example, under a reduced pressure atmosphere, preferably at 13 Pa or less, for example by heating for 1 hour or longer, preferably 2 to 24 hours, for example 80 to 210 ° C., 80 to 110 ° C., about 105 ° C.
  • Sb As a reducing agent, it is preferable to heat at, for example, 80 to 110 ° C. and about 105 ° C.
  • the resulting reduced product is distilled under reduced pressure to remove impurities.
  • the vacuum distillation is performed by heating at, for example, 66 Pa or less, preferably 13 Pa or less, for example 1 hour or more, preferably 2 to 24 hours, for example, 120 to 290 ° C. or 120 to 130 ° C.
  • the pressure is preferably 13 Pa or less, for example, preferably 120 to 130 ° C.
  • the reduced product from which impurities have been removed by distillation under reduced pressure is purified by sublimation to obtain high-purity tungsten pentachloride.
  • the sublimation purification is performed by heating at, for example, 13 Pa or less, preferably 1.3 Pa or less, for example 1 hour or more, preferably 2 to 48 hours, for example 140 to 350 ° C., preferably 150 to 170 ° C. It is desirable to increase the purity by performing it twice or more, preferably twice or more.
  • the sublimate can be collected, for example, by air cooling or water cooling, and more preferably in a dry room or an inert atmosphere having a dew point of ⁇ 30 ° C. or lower.
  • Tungsten pentachloride (WCl 5 ) obtained by sublimation purification has a high purity.
  • the content (compound purity) of tungsten pentachloride is 95% by mass or more, preferably 99% or more.
  • the total content of impurities consisting of certain chlorine, tungsten and metal elements excluding the reducing agent is less than 50 ppm in purity 4N5, preferably less than 10 ppm in purity 5N, and the reducing agent element is 1 ppm to 350 ppm, preferably 1 to 100 ppm.
  • the Mo content can be 0.5 ppm or less.
  • the high purity tungsten pentachloride according to the present invention can be used as an excellent electronic material (a material for MO-CVD raw material or a material for ALD raw material) and a raw material for a functional chemical catalyst.
  • the reducing agent efficiently reduces tungsten hexachloride (WCl 6 ).
  • the reaction time can be reduced to less than 1/10 with the same throughput.
  • the compound purity of the obtained product was about 80 wt% according to the conventional method, but it can be increased to 95 wt% or more.
  • the metal impurities can be less than 10 ppm.
  • WCl 5 containing an appropriate amount of a group 5 element acting as a dopant can be synthesized. By selecting a group 5 element to be added later, it can be used as a rather suitable raw material in the subsequent use.
  • the sublimation purification effect is show
  • the melting point is lowered by the high purity raw material, and the reaction is promoted.
  • the reactivity can be increased by setting the particle size of the raw material to 100 ⁇ m or less.
  • a uniform reaction can be realized with low oxygen by performing the mortar mixing immediately before in an inert atmosphere.
  • the “compound purity” of tungsten pentachloride in the present invention means five types of tungsten chloride having a valence of 2 to 6 (composition formula: WCl 2 , WCl 3 , WCl 4 , WCl 5 , WCl 6 ) and oxychloride.
  • ICP mass spectrometry Ag, Na, Cd, Co, Fe, In, Mn, Ni are used as elements having a small influence of molecular ion interference that causes a sensitivity drop or measurement error due to the overlap of mass numbers.
  • Pb, Zn, Cu, Cr, Tl, Li, Be, Mg, Al, K, Ca, Ga, Ge, As, Sr, Sn, Sb, Bi, Ba, Mo, U, Th are target elements, and ICP Those less than the detection limit value of mass spectrometry were excluded from the total content of metal impurities as those not containing.
  • Example 1 High-purity WCl 6 and high-purity Sb were mixed in a molar ratio of 2.8: 1 using a mortar uniformly in a nitrogen atmosphere so that the total mass was 1 kg. Next, this mixture was placed in a vacuum vessel, maintained at about 13 Pa or less while constantly evacuating the atmosphere, and reduced by heating for about 2 hours. The heating temperature is 105 ° C. Next, it heated at 130 degreeC under about 66 Pa for about 1 hour, and sublimated (vacuum distillation), and the impurity was removed. Next, sublimation purification was performed by heating at about 13 Pa or less at 160 ° C. for about 1 hour. Then collected in a nitrogen atmosphere, and sealed in ampoules to give WCl 5 powder with high purity.
  • Table 1 shows the analytical values of the high purity WCl 5 obtained in Example 1 by ICP spectroscopy.
  • Example 2 to 5 were carried out by changing some conditions from Example 1. The conditions of Examples 1 to 5 are summarized in Table 1. Table 2 shows the analytical values obtained by ICP spectroscopy of the high purity WCl 5 obtained in Example 5.
  • Comparative Examples 1 to 6 were carried out by changing some conditions from Example 1 or omitting some processes.
  • the conditions of Comparative Examples 1 to 6 are summarized in Table 1.
  • Table 2 shows the analytical values of WCl 5 obtained in Comparative Example 4 by ICP spectroscopy.
  • Example 1 The operation of Example 1 was performed by a synthesizer capable of continuously carrying out the steps of heat reduction, impurity removal by sublimation (vacuum distillation), and sublimation purification, provided with mutually connected vacuum vessels.
  • the present invention it is possible to synthesize high-purity tungsten pentachloride at a low cost as a result of improving the yield, improving the safety, shortening the production time.
  • the present invention is industrially useful.

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Abstract

Ｂｉ、Ｈｇ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｐ、Ａｓからなる群から選択された還元剤と、６塩化タングステンとを、６塩化タングステン：還元剤のモル比が２．８：１．０～３．２：１．０で、不活性雰囲気中で均一に混合して、混合物を得る工程、還元剤と６塩化タングステンとの混合物を、１３Ｐａ以下で８０～２１０℃に加熱して還元する工程、還元剤と６塩化タングステンとの混合物の還元物を、６６Ｐａ以下で１２０～２９０℃に加熱し、減圧蒸留して不純物を除去する工程、減圧蒸留によって不純物除去された還元物を、１３Ｐａ以下で１４０～３５０℃に加熱し、昇華精製して、５塩化タングステンを得る工程、を含む、５塩化タングステンの製造方法によって、従来よりも高収率で安全な高純度で、高純度５塩化タングステンを合成する。

Description

高純度５塩化タングステンおよびその合成方法
　本発明は、高純度５塩化タングステン及び高純度５塩化タングステンの高収率で安全な合成方法に関する。
　ＷＣｌ5を合成するにはＷＣｌ6を適当なレベルで水素還元する手法が従来から一般的に用いられて来た。このような従来法では、スケールアップした場合、還元されない部分や還元されすぎた部分が生じることで、ＷＣｌ6残留物やＷＣｌ4、ＷＣｌ2、Ｗなどが発生して、５塩化タングステンの回収物中の含有率（化合物純度）が低下してしまう問題に加え、これら目的外の物質が５塩化タングステンを使用する際に反応を阻害したり、最終製品に混入し、最終製品の歩留まりが悪化してしまう等の欠点があった。また、製造プロセスにおいては水素のフロー速度や温度制御などが非常に難しく、収率の低さおよび反応完了に要する時間の長さ、安全面でも水素ガスが漏えいし爆発を起こす可能性がある等の問題で実用的ではなかった。さらに、還元手法としてＢｉ、Ｈｇ、Ｓｂなどを還元剤として使用し、封止したアンプル内で還元・蒸留する手法が開示されているが、還元が進み過ぎてＷＣｌ4やＷＣｌ2が合成されることや、封止したアンプル内圧が上昇し、破裂する危険などがあった。（非特許文献１、２）
詫間、川久保、「六塩化タングステンおよび五塩化タングステンの熱力学的性質」、日本化学会誌、１９７２年、Ｎｏ．５、８６５～８７３頁 Ｖ．Ｋｏｌｅｓｎｉｃｈｅｎｋｏ，ｅｔ　ａｌ．，Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，１９９８，Ｖｏｌ．３７，Ｎｏ．１３，Ｐａｇｅｓ３２５７－３２６２
　したがって、本発明の目的は、従来よりも安全に製造することができ、高い化合物純度であり、さらに、塩素、タングステン、還元剤に使用する元素以外の不純物元素に対して高純度な５塩化タングステンの合成方法を提供することにある。
　本発明者は、鋭意検討の結果、高純度６塩化タングステンを出発材料として使用し、高純度Ｂｉ、Ｈｇ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｐ、Ａｓからなる群から選択された物質を還元剤として使用して、減圧蒸留を組み合わせて行うことによって、従来よりも安全に製造することができ、高収率で、高純度な５塩化タングステンを合成できることを見出し、本発明に到達した。
　したがって、本発明は次の（１）以下を含む。
（１）
　Ｂｉ、Ｈｇ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｐ、Ａｓからなる群から選択された還元剤と、６塩化タングステンとを、６塩化タングステン：還元剤のモル比が２．８：１．０～３．２：１．０で、不活性雰囲気中で均一に混合して、混合物を得る工程、
　　還元剤と６塩化タングステンとの混合物を、１３Ｐａ以下で８０～２１０℃に加熱して還元する工程、
　還元剤と６塩化タングステンとの混合物の還元物を、６６Ｐａ以下で１２０～２９０℃に加熱し、減圧蒸留して不純物を除去する工程、
　減圧蒸留によって不純物除去された還元物を、１３Ｐａ以下で１４０～３５０℃に加熱し、昇華精製して、５塩化タングステンを得る工程、
を含む、５塩化タングステンの製造方法。
（２）
　不活性雰囲気中で均一に混合して、混合物を得る工程が、
　不活性雰囲気中で乳鉢、又は、ボールミルを用いて、６塩化タングステンおよび還元剤のそれぞれの最大粒子径が３００μｍ以下となるように粉砕し、それらを均一に混合して、混合物を得る工程である、（１）に記載の製造方法。
（３）
　化合物純度が９５質量％以上である、（１）又は（２）に記載の５塩化タングステンの製造方法。
（４）
　還元剤を除く、金属不純物の含有量の合計が１０ｐｐｍ未満（純度５Ｎ）である、（１）～（３）のいずれかに記載の５塩化タングステンの製造方法。
（５）
　還元剤の元素を１ｐｐｍ～３５０ｐｐｍ含む、（１）～（４）のいずれかに記載の５塩化タングステンの製造方法。
（６）
　Ｍｏ含有量が０．５ｐｐｍ以下である（１）～（５）のいずれかに記載の５塩化タングステンの製造方法。
（７）
　化合物純度が９５質量％以上である５塩化タングステン。
（８）
　還元剤として使用した元素の含有量を除き、金属不純物が合計１０ｐｐｍ未満（純度５Ｎ）である、（７）に記載の５塩化タングステン。
（９）
　還元剤として使用した元素の含有量が、１ｐｐｍ～３５０ｐｐｍである（７）～（８）のいずれかに記載の５塩化タングステン。
（１０）
　Ｍｏの含有量が０．５ｐｐｍ以下である、（７）～（９）のいずれかに記載の５塩化タングステン。
　本発明によれば、従来よりも安全性を向上でき、塩化タングステン中に存在する５塩化タングステンの化合物純度を高めることができるので、その収率を向上させることができ、製造時間を短縮して、結果として低いコストで、高純度の５塩化タングステンを合成することができる。
　以下に本発明を実施の態様をあげて詳細に説明する。本発明は以下にあげる具体的な実施の態様に限定されるものではない。
［５塩化タングステンの合成］
　本発明によれば、Ｂｉ、Ｈｇ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｐ、Ａｓからなる群から選択された還元剤と、６塩化タングステンとを、６塩化タングステン：還元剤のモル比が２．８：１．０～３．２：１．０で、不活性雰囲気中で均一に混合して、混合物を得る工程、還元剤と６塩化タングステンとの混合物を、１３Ｐａ以下で８０～２１０℃に加熱して還元する工程、還元剤と６塩化タングステンとの混合物の還元物を、６６Ｐａ以下で１２０～２９０℃に加熱し、減圧蒸留して不純物を除去する工程、減圧蒸留によって不純物除去された還元物を、１３Ｐａ以下で１４０～３５０℃に加熱し、昇華精製して、５塩化タングステンを得る工程、を含む方法によって、５塩化タングステンを合成することができる。
［原料６塩化タングステン］
　原料として使用される６塩化タングステンは、高純度の原料であることが好ましく、例えば５Ｎ以上の純度とすることが好ましい。
［還元剤］
　還元剤としては６塩化タングステンを還元する効果のある元素であれば良く、たとえばＢｉ、Ｈｇ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｐ、Ａｓなどからなる群から選択された還元剤が使用できる。この中でもより好ましくはＳｂやＢｉが使用される。
［混合］
　還元剤と６塩化タングステンとは、不活性雰囲気中で均一に混合される。不活性雰囲気として、例えばＡｒやＮ2をあげることができる。混合は、好ましくはボールミルや乳鉢などを使用することができる。混合される還元剤と６塩化タングステンは、６塩化タングステン：還元剤のモル比を、例えば２．８：１．０～３．２：１．０での範囲、好ましくは２．９：１．０～３．１：１．０の範囲、特に好ましくは３：１とすることができる。粉砕混合した原料の粒径は３００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下とすることで還元反応における反応性を上げることができる。
［還元］
　還元剤と６塩化タングステンとの混合物は、加熱して還元される。加熱還元は、例えば減圧雰囲気下、好ましくは１３Ｐａ以下で、例えば１時間以上、好ましくは２～２４時間、例えば８０～２１０℃、８０～１１０℃、約１０５℃で加熱して行われる。還元剤としてＳｂを使用する場合には、例えば８０～１１０℃、約１０５℃で加熱することが好ましい。
［減圧蒸留］
　還元剤と６塩化タングステンとの混合物が加熱還元された後に、得られた還元物は、減圧蒸留して不純物を除去される。減圧蒸留は、例えば６６Ｐａ以下、好ましくは１３Ｐａ以下で、例えば１時間以上、好ましくは２～２４時間、例えば１２０～２９０℃、１２０～１３０℃で加熱して行われる。還元剤としてＳｂを使用する場合には、例えば１３Ｐａ以下の圧力とすることが好ましく、例えば１２０～１３０℃で加熱することが好ましい。
［昇華精製］
　減圧蒸留によって不純物除去された還元物を、昇華精製して、高純度の５塩化タングステンを回収して得る。昇華精製は、例えば１３Ｐａ以下、好ましくは１．３Ｐａ以下で、例えば１時間以上、好ましくは２～４８時間、例えば１４０～３５０℃、好ましくは１５０～１７０℃加熱して行われ、この処理は１回以上、好ましくは２回以上行い、純度を上げることが望ましい。昇華物の回収は、例えば、空冷又は水冷して行うことができ、より好ましくは、露点－３０℃以下のドライルームまたは不活性雰囲気中で行う。
［高純度５塩化タングステン］
　昇華精製して得られる５塩化タングステン（ＷＣｌ5）は、高純度であり、例えば５塩化タングステンの含有率（化合物純度）が９５質量％以上、好ましくは含有率９９％以上であり、構成元素である塩素、タングステンと、還元剤を除く金属元素からなる不純物の合計含有量が５０ｐｐｍ未満の純度４Ｎ５、好ましくは１０ｐｐｍ未満の純度５Ｎであり、還元剤の元素を１ｐｐｍ～３５０ｐｐｍ、好ましくは１～１００ｐｐｍ含むものとすることができる。また、特にＭｏの含有量を０．５ｐｐｍ以下にすることができる。
　本発明による高純度５塩化タングステンは、優れた電子材料（ＭＯ－ＣＶＤ原料用の材料又はＡＬＤ原料用の材料)及び機能化学品触媒の原料用の材料として使用することができる。
［本発明における６塩化タングステンの還元］
　本発明においては、前記還元剤が６塩化タングステン（ＷＣｌ6）を効率的に還元する。従来、使用されてきた水素還元に比べて、同じ処理量であれば反応時間を１／１０未満にできる。得られる生成物の化合物純度が、従来の方法によれば８０ｗｔ％程度であったが、それを９５ｗｔ％以上に高めることができる。さらに金属不純物１０ｐｐｍ未満とできる。また、ドーパントとして作用する５族元素を適量含んだＷＣｌ5を合成することができ、これは後に添加する５族元素を選択することで、その後の使用の用途においてむしろ好適な原料として使用できる。また、本発明では、減圧で処理することで液相を介さず直接昇華精製効果を奏している。そして、高純度原料により融点が下がり反応が促進されている。好ましくは原料の粒径を１００μｍ以下とすることで反応性を上げることができる。また直前の乳鉢混合を不活性雰囲気で行うことで、低酸素で均一な反応が実現できる。
　尚、本発明における５塩化タングステンの「化合物純度」とは、価数２から６までの５種の塩化タングステン（組成式：ＷＣｌ2、ＷＣｌ3、ＷＣｌ4、ＷＣｌ5、ＷＣｌ6）やオキシクロライドであるＷＯＣｌ4などのうち、ＷＣｌ5の占める割合を意味する。
　また、本発明における金属不純物の含有量の分析は、還元剤として用いられる元素（ＳｂまたはＢｉ）の分析には、高周波誘導結合プラズマ（ICP）発光分光分析法（Inductively Coupled Plasma Optical Emission Spectroscopy：ICP－OES）で行ない、また、還元剤元素以外の、ｐｐｍオーダーもしくはサブｐｐｍオーダーの極微量に含有する金属不純物の分析には、高周波誘導結合プラズマ質量分析法（ICP-MS：ICP-Mass Spectrometry）で行なった。その結果を表２に示す。特に、本発明では、ＩＣＰ質量分析法において、質量数の重なりによって、感度低下や測定誤差を引き起こす分子イオン干渉の影響の小さい元素として、Ａｇ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔｌ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｒ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂi、Ｂａ、Ｍｏ、Ｕ、Ｔｈを対象元素とし、ＩＣＰ質量分析法の検出限界値未満のものは、含有していないものとして、金属不純物の含有量の合計値から除外した。
　以下に実施例を挙げて、本発明をさらに詳細に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
［実施例１］
　総質量１ｋｇとなるように高純度ＷＣｌ6と高純度Ｓｂをモル比２．８：１で、均一に窒素雰囲気中で乳鉢を用いて混合した。
　次に、この混合物を、真空容器中に入れ、雰囲気を常時真空排気しながら約１３Ｐａ以下に維持し、約２時間加熱して、還元した。加熱温度は、１０５℃である。
　次に、約６６Ｐａ下で、１３０℃で約１時間加熱して、昇華（減圧蒸留）させて、不純物を除去した。
　次に、約１３Ｐａ以下で、１６０℃約１時間加熱して、昇華精製した。その後、窒素雰囲気中で回収して、アンプルに封入して、高純度のＷＣｌ5粉末を得た。
　実施例１の条件を表１にまとめて示す。実施例１で得られた高純度のＷＣｌ5のＩＣＰ分光による分析値を表２に示す。
［実施例２～５］
　実施例１から一部の条件を変更して、実施例２～５を行った。実施例１～５の条件を表１にまとめて示す。実施例５で得られた高純度のＷＣｌ5のＩＣＰ分光による分析値を表２に示す。
［比較例１～６］
　実施例１から一部の条件を変更し、あるいは一部の工程を省いて、比較例１～６を行った。比較例１～６の条件を表１にまとめて示す。比較例４で得られたＷＣｌ5のＩＣＰ分光による分析値を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 (*1 検出下限値未満および還元剤元素を除く）（％表記以外　単位はwtppm）
［合成装置］
　実施例１の操作は、加熱還元、昇華（減圧蒸留）による不純物除去、昇華精製の各工程を、相互に接続された減圧容器を備えて、連続して行うことができる合成装置によって行った。
　本発明によれば、収率を向上させ、安全性を向上させ、製造時間を短縮して、結果として低いコストで、高純度５塩化タングステンを合成することができる。本発明は産業上有用な発明である。

Claims (10)

  1. 　Ｂｉ、Ｈｇ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｐ、Ａｓからなる群から選択された還元剤と、６塩化タングステンとを、６塩化タングステン：還元剤のモル比が２．８：１．０～３．２：１．０で、不活性雰囲気中で均一に混合して、混合物を得る工程、
    　還元剤と６塩化タングステンとの混合物を、１３Ｐａ以下で８０～２１０℃に加熱して還元する工程、
    　還元剤と６塩化タングステンとの混合物の還元物を、６６Ｐａ以下で、１２０～２９０℃に加熱し、減圧蒸留して不純物を除去する工程、
    　減圧蒸留によって不純物除去された還元物を、１３Ｐａ以下で１４０～３５０℃に加熱し、昇華精製して、５塩化タングステンを得る工程、
    を含む、５塩化タングステンの製造方法。
  2. 　不活性雰囲気中で均一に混合して、混合物を得る工程が、
    　不活性雰囲気中で乳鉢、又は、ボールミルを用いて、６塩化タングステンおよび還元剤のそれぞれの最大粒子径が３００μｍ以下となるように粉砕し、それらを均一に混合して、混合物を得る工程である、請求項１に記載の製造方法。
  3. 　化合物純度が９５質量％以上である、請求項１又は２に記載の５塩化タングステンの製造方法。
  4. 　還元剤を除く、金属不純物の含有量の合計が１０ｐｐｍ未満（純度５Ｎ）である、請求項１～３のいずれかに記載の５塩化タングステンの製造方法。
  5. 　還元剤の元素を１ｐｐｍ～３５０ｐｐｍ含む、請求項１～４のいずれかに記載の５塩化タングステンの製造方法。
  6. 　Ｍｏの含有量が０．５ｐｐｍ以下である、請求項１～５のいずれかに記載の５塩化タングステンの製造方法。
  7. 　化合物純度が９５質量％以上である５塩化タングステン。
  8. 　還元剤として使用した元素の含有量を除き、金属不純物が合計１０ｐｐｍ未満（純度５Ｎ）である、請求項７に記載の５塩化タングステン。
  9. 　還元剤として使用した元素の含有量が、１ｐｐｍ～３５０ｐｐｍである請求項７～８のいずれかに記載の５塩化タングステン。
  10. 　Ｍｏの含有量が０．５ｐｐｍ以下である、請求項７～９のいずれかに記載の５塩化タングステン。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018105220A1 (ja) * 2016-12-05 2018-06-14 Ｊｘ金属株式会社 高純度五塩化タングステン及びその製造方法
WO2019115361A1 (en) * 2017-12-14 2019-06-20 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Preprocessing method for solid material, and solid material product filled with solid material manufactured using said solid material preprocessing method
WO2019213116A1 (en) * 2018-04-30 2019-11-07 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Tungsten pentachloride conditioning and crystalline phase manipulation
WO2019213115A1 (en) * 2018-04-30 2019-11-07 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Tungsten pentachloride conditioning and crystalline phase manipulation
WO2019213110A1 (en) * 2018-04-30 2019-11-07 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Heterogeneous wet synthesis process for preparation of high purity tungsten pentahalide
KR20200074894A (ko) * 2018-12-17 2020-06-25 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨 초고순도 텅스텐 클로라이드
JP2021517884A (ja) * 2018-09-27 2021-07-29 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 五塩化タングステンコンディショニング及び結晶相マニピュレーション

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108298586B (zh) * 2018-03-29 2019-12-31 绿菱电子材料（天津）有限公司 一种五氯化钨的制备方法
CN109250759B (zh) * 2018-12-10 2021-03-02 湖南省华京粉体材料有限公司 一种五氯化钨的制备方法及其装置
CN113651362B (zh) * 2021-08-27 2023-02-17 福建福豆新材料有限公司 一种五氯化钨的制备及纯化方法
CN114790009B (zh) * 2022-05-18 2024-03-12 江苏南大光电材料股份有限公司 高纯六羰基钨的提纯方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10100406B2 (en) * 2015-04-17 2018-10-16 Versum Materials Us, Llc High purity tungsten hexachloride and method for making same
JP6517375B2 (ja) 2016-12-05 2019-05-22 Ｊｘ金属株式会社 高純度五塩化タングステン及びその製造方法
EP3573929A1 (de) * 2017-01-25 2019-12-04 Umicore AG & Co. KG Verfahren zur reduktion von metallhalogeniden
US10669160B2 (en) * 2018-04-30 2020-06-02 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Heterogeneous wet synthesis process for preparation of high purity tungsten pentahalide

Non-Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
BROWN, T. M. ET AL.: "Preparation and reactions of some lower tungsten halides and halide complexes", IOWA STATE UNIVERSITY DIGITAL REPOSITORY, 1963, XP055532653 *
COTTON, F. A. ET AL.: "Tungsten pentachloride", ACTA CRYSTALLOGRAPHICA SECTION B, vol. 34, no. 9, 1978, pages 2833 - 2834, XP055532728 *
CROUCH, P.C. ET AL.: "The high yield synthesis of the tungsten(VI)oxyhalides WO C14, WOBr4 and WO 2Cl2 and some observations on tungsten(VI) bromide and tungsten(V)chloride", JOURNAL OF INORGANIC AND NUCLEAR CHEMISTRY, vol. 32, no. 1, January 1970 (1970-01-01), pages 329 - 333, XP055532735 *
KORSHUNOV, B. G. ET AL.: "Reaction of tungsten hexachloride with titanium, silicon, tin(II,IV), antimony(V)chlorides and with phosphoryl chloride", ZHURNAL NEORGANICHESKOI KHIMII, vol. 12, no. 12, 1967, pages 3280 - 3282, XP009512786, ISSN: 0044-457X *
MCCANN, E.L. ET AL.: "TUNGSTEN(V) CHLORIDE", INORGANIC SYNTHESES, vol. 13, 1971, pages 150 - 154, XP055407465 *
See also references of EP3409647A4 *
TAKASHI TAKUMA ET AL.: "Thermodynamic Properties of Tungsten Hexachloride and Tungsten Pentachloride", JOURNAL OF THE CHEMICAL SOCIETY OF JAPAN, no. 5, 1972, pages 865 - 873, XP055532685 *
THORN-CSANYI, E. ET AL.: "A new route to the preparation of tungsten pentachloride.", JOURNAL OF MOLECULAR CATALYSIS, vol. 65, no. 1-2, March 1991 (1991-03-01), pages 261 - 267, XP055532665 *

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018105220A1 (ja) * 2016-12-05 2018-06-14 Ｊｘ金属株式会社 高純度五塩化タングステン及びその製造方法
JPWO2018105220A1 (ja) * 2016-12-05 2018-12-06 Ｊｘ金属株式会社 高純度五塩化タングステン及びその製造方法
WO2019115361A1 (en) * 2017-12-14 2019-06-20 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Preprocessing method for solid material, and solid material product filled with solid material manufactured using said solid material preprocessing method
US11806677B2 (en) 2017-12-14 2023-11-07 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Preprocessing method for solid material, and solid material product filled with solid material manufactured using said solid material preprocessing method
US11066310B2 (en) 2018-04-30 2021-07-20 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Tungsten pentachloride conditioning and crystalline phase manipulation
JP2021520338A (ja) * 2018-04-30 2021-08-19 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 高純度五ハロゲン化タングステン調製のための不均一湿式合成プロセス
US10669160B2 (en) 2018-04-30 2020-06-02 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Heterogeneous wet synthesis process for preparation of high purity tungsten pentahalide
WO2019213116A1 (en) * 2018-04-30 2019-11-07 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Tungsten pentachloride conditioning and crystalline phase manipulation
US10710896B2 (en) 2018-04-30 2020-07-14 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Tungsten pentachloride conditioning and crystalline phase manipulation
KR20200123863A (ko) * 2018-04-30 2020-10-30 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레뜌드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 고순도 텅스텐 펜타할라이드의 제조를 위한 불균질 습식 합성 공정
KR20200123862A (ko) * 2018-04-30 2020-10-30 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레뜌드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 텅스텐 펜타클로라이드 컨디셔닝 및 결정질상 조작
US10899630B2 (en) 2018-04-30 2021-01-26 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procédés Georges Claude Tungsten pentachloride conditioning and crystalline phase manipulation
WO2019213115A1 (en) * 2018-04-30 2019-11-07 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Tungsten pentachloride conditioning and crystalline phase manipulation
US11577967B2 (en) 2018-04-30 2023-02-14 L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Tungsten pentachloride conditioning and crystalline phase manipulation
JP2021517883A (ja) * 2018-04-30 2021-07-29 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 五塩化タングステンコンディショニング及び結晶相マニピュレーション
WO2019213110A1 (en) * 2018-04-30 2019-11-07 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Heterogeneous wet synthesis process for preparation of high purity tungsten pentahalide
KR102425884B1 (ko) 2018-04-30 2022-07-27 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 텅스텐 펜타클로라이드 컨디셔닝 및 결정질상 조작
JP7093846B2 (ja) 2018-04-30 2022-06-30 レール・リキード－ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 五塩化タングステンコンディショニング及び結晶相マニピュレーション
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JP7093888B2 (ja) 2018-04-30 2022-06-30 レール・リキード－ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 高純度五ハロゲン化タングステン調製のための不均一湿式合成プロセス
JP7093847B2 (ja) 2018-09-27 2022-06-30 レール・リキード－ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 五塩化タングステンコンディショニング及び結晶相マニピュレーション
JP2021517884A (ja) * 2018-09-27 2021-07-29 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 五塩化タングステンコンディショニング及び結晶相マニピュレーション
KR102362782B1 (ko) 2018-12-17 2022-02-11 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨 초고순도 텅스텐 클로라이드
KR20200074894A (ko) * 2018-12-17 2020-06-25 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨 초고순도 텅스텐 클로라이드
US11932553B2 (en) 2018-12-17 2024-03-19 Versum Materials Us, Llc Ultra-high purity tungsten chlorides

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