WO2014166256A1 - 一种晶体硅太阳能电池的绒面结构及其制备方法 - Google Patents

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silicon wafer
mol
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苏晓东
邹帅
王栩生
章灵军
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CSI Cells Co Ltd
Suzhou University
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CSI Cells Co Ltd
Suzhou University
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    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/70—Surface textures, e.g. pyramid structures
    • H10F77/703—Surface textures, e.g. pyramid structures of the semiconductor bodies, e.g. textured active layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Definitions

  • the invention relates to a suede structure of a crystalline silicon solar cell and a preparation method thereof, and belongs to the technical field of solar energy.
  • the suede structure on the surface of the silicon wafer can effectively reduce the surface reflectance of the solar cell, and is one of the important factors affecting the photoelectric conversion efficiency of the solar cell.
  • many methods have been tried, including mechanical grooving, laser etching, reactive ion etching (RIE ), chemical etching method (ie wet etching).
  • the mechanical groove method can obtain a lower surface reflectance, but the method causes the mechanical damage of the surface of the silicon wafer to be serious, and the yield thereof is relatively low, so that it is used less in industrial production.
  • RIE reactive ion etching
  • the method can be etched by using different stencils.
  • the etching is generally dry etching, and a so-called 'black silicon' structure can be formed on the surface of the silicon wafer, and the reflectance can be as low as 7.9% or even 4%.
  • the chemical etching method has the characteristics of simple process, low cost and high quality, and compatibility with existing processes, and has become the most used method in the existing industry.
  • the suede structure of a wet-etched crystalline silicon solar cell is generally on the order of micrometers.
  • the current practice is still to further reduce its surface reflectance.
  • Chinese invention patent application CN102610692A Disclosed is a method for preparing a crystalline silicon nano-micron composite suede, which mainly comprises the following steps: (1) cleaning and etching a crystalline silicon wafer to form a micron-sized suede; (2) Uniformly covering a surface of the silicon wafer with a layer of non-continuous nano-sized precious metal particles; (3) selectively etching the surface of the silicon wafer with a chemical etching solution to form a nano-scale suede; (4) The chemical solution removes precious metal particles.
  • the nanometer obtained by the above preparation method - In the micro-composite suede the nanostructure is nano-hole-shaped, that is, its pore diameter is small and the depth is deep. Reports and experiments have shown that the surface reflectance of this composite suede structure is reduced to 12%. The following, but it is not conducive to the surface passivation of the latter, and the conversion efficiency of the cell currently produced by the film is lower than that of the conventionally-made cell of the production line.
  • An object of the present invention is to provide a pile structure of a crystalline silicon solar cell and a method of preparing the same.
  • a crystalline silicon solar cell The preparation method of the suede structure comprises the following steps:
  • the metal ion is selected from one of a gold ion, a silver ion, and a copper ion;
  • the first chemical etching liquid is selected from one of the following mixed solutions: a mixed solution of HF and H 2 O 2 , a mixed solution of HF and HNO 3 , a mixed solution of HF and H 2 CrO 4 ;
  • the concentration of HF is 1 ⁇ 15 mol/L, and the concentration of H 2 O 2 , HNO 3 or H 2 CrO 4 is 0.05 ⁇ 0.5 mol/L;
  • the first cleaning solution is a nitric acid solution having a mass percentage of 27 to 69%, the cleaning time is 60 to 1200 seconds, and the cleaning temperature is 5 ⁇ 85 °C;
  • the second cleaning solution is a hydrofluoric acid solution having a mass percentage of 1 to 10%, the cleaning time is 60 to 600 seconds, and the cleaning temperature is 5 ⁇ 45 °C;
  • the second chemical etching solution is selected from one of the following solutions: a NaOH solution, a KOH solution, a tetramethylammonium hydroxide solution, a mixed solution of HNO 3 and HF acid;
  • reaction temperature is 5 ⁇ 85 °C;
  • the reaction temperature is 5 ⁇ 85 °C;
  • reaction temperature is 5 ⁇ 85 °C;
  • the concentrations of HF and HNO 3 are 0.05-0.5 mol/L and 1-10 mol/L, respectively, the reaction time is 10 ⁇ 1000 seconds, and the reaction temperature is 5 ⁇ 45 °C;
  • the suede structure of the crystalline silicon solar cell can be obtained by washing and drying.
  • the concentration of the nano metal particles in the step (2) is 0.0001 ⁇ 0.1 mol/L. .
  • the immersion time is 10 to 1000 seconds, and the solution temperature is 5 to 85 °C.
  • the etching time of the step (3) is 30 to 3000 seconds, and the reaction temperature is 5 to 45 °C.
  • the present invention simultaneously claims the suede structure of the crystalline silicon solar cell obtained by the above production method.
  • the crystalline silicon solar cell is a polycrystalline silicon solar cell, and the reflectivity of the suede structure is 12% to 20%. .
  • the crystalline silicon solar cell is a monocrystalline silicon solar cell, and the reflectivity of the suede structure is 5% to 15%. .
  • the size of the suede structure of the polycrystalline silicon solar cell prepared by the invention is between 100 and 500 nm, The surface reflectance is between 12 and 20%, and the conversion efficiency of the cell can be improved compared to the nano-micron composite suede structure disclosed in Chinese Patent Application No. CN102610692A. About 0.2 ⁇ 0.5%, it has achieved unexpected results.
  • Nano suede structure of the invention It is more suitable for the manufacturing process of current production line polycrystalline silicon solar cells, which reduces the surface reflectivity without affecting the surface passivation process of the subsequent channels.
  • the working principle of the invention is: on the basis of forming the existing micron-sized suede, firstly coating a layer of uniformly distributed metal nanoparticles on the surface of the silicon wafer; secondly, placing the silicon wafer with metal nanoparticles on the surface thereof;
  • the oxidizing agent H 2 O 2 or HNO 3 or H 2 CrO 4
  • the hydrofluoric acid in the etching liquid oxidizes the silicon wafer.
  • SiO 2 is transported into the solution in the form of fluorosilicic acid.
  • the nearby silicon wafer reacts extremely fast, and the difference in reaction speed will form a line or deep on the surface of the silicon wafer.
  • Hole-shaped microstructure finally, the surface of the silicon wafer is etched and etched using a second chemical etching solution, that is, using an alkali solution (NaOH solution, KOH solution, tetramethylammonium hydroxide solution or mixed acid (HF and HNO 3 ) ))
  • a second chemical etching solution that is, using an alkali solution (NaOH solution, KOH solution, tetramethylammonium hydroxide solution or mixed acid (HF and HNO 3 )
  • Corrosion correction of the above-mentioned linear or deep-hole microstructures the lye is mainly anisotropic etching of the above-mentioned linear or deep-hole microstructures, and the anisotropic corrosion will follow the original Linear or deep-hole microstructure Carried out, will be the result of the original etched linear or deep-like micro
  • This isotropic corrosion is preferentially performed along the original linear or deep-hole microstructures.
  • the etching results in the original linear or deep pores.
  • the microstructure is modified into a nanopore structure with a larger aperture and a shallower depth. Through the modified etching of this step, a nanocrystalline suede of a crystalline silicon solar cell is finally obtained.
  • the present invention has the following advantages compared with the prior art:
  • the invention develops a new method for preparing a suede structure of a crystalline silicon solar cell.
  • the first chemical etching solution is used to etch the surface of the silicon wafer to form a nano-scale suede surface.
  • the second chemical etching solution is used to obtain a suede structure which is more suitable for the crystalline silicon solar cell; the test proves that the size of the suede structure of the polycrystalline silicon solar cell of the present invention is 100 ⁇ 500 nm.
  • the surface reflectance is 12-20%.
  • the conversion efficiency of the cell sheet can be increased by 0.2 to 0.5% with respect to the nano-micron composite suede structure disclosed in Chinese Patent Application No. CN102610692A. Left and right, I have achieved unexpected results.
  • the preparation method of the invention is simple and easy, and has good compatibility with the existing industrial production process, and can be quickly transplanted into industrial production. Suitable for promotion.
  • FIG. 2 is a comparison diagram of reflection spectra of polycrystalline silicon suede prepared by polycrystalline silicon suede and conventional acid etching in the first embodiment of the present invention
  • FIG 3 is a SEM scan of a polycrystalline silicon wafer suede according to a second embodiment of the present invention. (magnification 5K times)
  • Figure 5 is a SEM scan of the polycrystalline silicon wafer suede in the third embodiment of the present invention. (magnification 5K times)
  • FIG. 6 is a comparison diagram of reflection spectra of polycrystalline silicon suede prepared by polycrystalline polystyrene and conventional acid etching in the third embodiment of the present invention.
  • Figure 8 is a SEM scan of the modified etching of the polycrystalline silicon wafer in the fourth embodiment of the present invention. (magnification 50K times)
  • Figure 10 is a SEM scan of the polycrystalline silicon wafer after the modified etching of the second embodiment of the present invention. (magnification 5K times)
  • Figure 11 is a SEM scan of the polycrystalline silicon wafer suede in Comparative Example 2 after uncorrected etching. (zoom in 50K Times)
  • Figure 13 is a SEM scan of the suede of a single crystal silicon wafer in the fifth embodiment of the present invention. (magnification 50K times)
  • Example 14 is a comparison diagram of reflection spectra of single crystal silicon suede after correction etching in Comparative Example 3 and modified etching in Example 5;
  • Figure 15 is a SEM scan of the suede of the single crystal silicon wafer in Comparative Example 3 after the correction etching; (magnification 5K times)
  • Fig. 16 is a SEM scanning view of the suede surface of the single crystal silicon wafer of Comparative Example 3 after uncorrected etching. (zoom in 50K Times)
  • a method for preparing a suede structure of a polycrystalline silicon solar cell comprises the following steps:
  • the corrugated layer is corroded to form micron-sized suede; then it is put into AgNO 3 with a concentration of 0.008 mol/L.
  • the reaction was carried out at 20 ° C for 60 s;
  • the suede structure of the polycrystalline silicon solar cell can be obtained by washing and drying.
  • the size of the suede structure of the polycrystalline silicon solar cell obtained in this embodiment is between 100 and 200 nm (as shown in FIG. 1).
  • the average surface reflectance in the wavelength range of 400 ⁇ 1050nm is 13.4%.
  • a method for preparing a suede structure of a polycrystalline silicon solar cell comprises the following steps:
  • the suede structure of the polycrystalline silicon solar cell can be obtained by washing and drying.
  • a method for preparing a suede structure of a polycrystalline silicon solar cell comprises the following steps:
  • TMAH solution tetramethylammonium hydroxide solution
  • the microstructure of the polycrystalline silicon solar cell obtained in this embodiment has a microstructure of 150 to 300 nm (see FIG. 3).
  • the average surface reflectance in the wavelength range of 400 ⁇ 1050 nm is 12.1%.
  • a method for preparing a suede structure of a polycrystalline silicon solar cell comprises the following steps:
  • the microstructure of the polycrystalline silicon solar cell prepared in this embodiment has a microstructure of 150 to 300 nm (see FIG. 5).
  • the average surface reflectance is 10% in the wavelength range of 400 ⁇ 1050 nm.
  • a method for preparing a suede structure of a polycrystalline silicon solar cell comprises the following steps:
  • a method for preparing a suede structure of a polycrystalline silicon solar cell comprises the following steps:
  • the corrugated layer is corroded to form micron-sized suede; then it is put into AgNO 3 with a concentration of 0.008 mol/L.
  • the reaction was carried out at 20 ° C for 60 s;
  • the suede structure of the polycrystalline silicon solar cell can be obtained by washing and drying.
  • the size of the suede structure of the polycrystalline silicon solar cell after the NaOH solution is etched is 150 ⁇ 300 nm. Between (see Figures 7 and 8), the average surface reflectance is 15.6% in the wavelength range of 400 ⁇ 1050nm (see Figure 9).
  • the nano-sue structure obtained by the modified etching in Comparative Example 2 is a nano-deep-hole structure with a pore size of only about 50 nm (see Figure 10, 11 shows that the average surface reflectance is 5.9% in the wavelength range of 400 ⁇ 1050nm (see Figure 9).
  • the unmodified etching is as in Chinese invention patent application CN102610692A The disclosed method of producing a nano-micron composite suede structure without the modified etching of step (5) above.
  • a method for preparing a nano-sue surface of a single crystal silicon solar cell comprising the following steps:
  • the corrugated layer is corroded to form a micron-sized suede; and then the concentration is 0.008 mol/L.
  • AgNO 3 solution the reaction was carried out at 20 °C for 120 s;
  • a method for preparing a suede structure of a single crystal silicon solar cell comprising the following steps:
  • the corrugated layer is corroded to form a micron-sized suede; and then the concentration is 0.008 mol/L.
  • AgNO 3 solution the reaction was carried out at 20 °C for 120 s;
  • the suede structure of the single crystal silicon solar cell can be obtained by washing and drying.
  • the size of the suede structure of the single crystal silicon solar cell after being etched by the NaOH solution is 150 to 300 nm. Between (see Figures 12 and 13), the average surface reflectance is 6.4% in the wavelength range of 400 ⁇ 1050nm (see Figure 14).
  • the nano-sue structure obtained by the modified etching in Comparative Example 3 is a nano-deep-hole structure with a pore size of only about 50 nm (see Figure 15 16) shows an average surface reflectance of 5.0% in the wavelength range of 400 to 1050 nm (see Figure 14).
  • the unmodified etching is as in Chinese invention patent application CN102610692A The disclosed method of producing a nano-micron composite suede structure without the modified etching of step (5) above.

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Abstract

一种晶体硅太阳能电池的绒面结构的制备方法，包括如下步骤：（1）清洗、制绒；（2）放入含有金属离子的溶液中浸泡，使硅片表面涂覆一层金属纳米颗粒；（3）腐蚀硅片表面，形成纳米级绒面；（4）清洗去除金属颗粒；（5）放入第二化学腐蚀液中进行微结构修正刻蚀；（6）清洗、甩干。根据该方法制备的绒面结构的大小在100～500nm之间，呈孔径较大，深度较浅的纳米孔状或带有棱角的纳米金字塔或带有棱角纳米椎体或带有棱角的纳米坑状结构，其电池片的转换效率得到提高。

Description

一种晶体硅太阳能电池的绒面结构及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种晶体硅太阳能电池 的绒面结构及其制备方法 ， 属于太阳能技术领域。
背景技术
随着太阳能电池组件的广泛应用，光伏发电在新能源中越来越占有重要比例，获得了飞速发展。目前商业化的太阳电池产品中，晶体硅（单晶和多晶）太阳电池的市场份额最大，一直保持 85% 以上的市场占有率。
目前，在太阳电池的生产工艺中，硅片表面的绒面结构可以有效地降低太阳电池的表面反射率，是影响太阳电池光电转换效率的重要因素之一。为了在晶体硅太阳能电池表面获得好的绒面结构，以达到较好的减反射效果，人们尝试了许多方法，常用的包括机械刻槽法、激光刻蚀法、反应离子刻蚀法（ RIE ）、化学腐蚀法（即湿法腐蚀）等。其中，机械刻槽方法可以得到较低的表面反射率，但是该方法造成硅片表面的机械损伤比较严重，而且其成品率相对较低，故而在工业生产中使用较少。对于激光刻蚀法，是用激光制作不同的刻槽花样，条纹状和倒金字塔形状的表面都已经被制作出来，其反射率可以低至 8.3% ，但是由其制得的电池的效率都比较低，不能有效地用于生产。 RIE 方法可以利用不同的模版来进行刻蚀，刻蚀一般是干法刻蚀，可以在硅片表面形成所谓的'黑硅'结构，其反射率可以低至 7.9% ，甚至可以达到 4% ，但是由于设备昂贵，生产成本较高，因此在工业成产中使用较少。而化学腐蚀法具有工艺简单、廉价优质、和现有工艺好兼容等特点，成为了现有工业中使用最多的方法。
目前，采用湿法腐蚀的晶体硅太阳能电池的绒面结构一般呈微米级。目前的常规做法仍是进一步降低其表面反射率。中国发明专利申请 CN102610692A 公开了一种晶体硅纳米 - 微米复合绒面的制备方法，其主要包括如下步骤： (1) 将晶硅硅片进行清洗、腐蚀制绒，形成微米级绒面； (2) 在硅片表面均匀覆盖一层非连续纳米级贵金属粒子； (3) 用化学腐蚀液选择性腐蚀硅片表面，形成纳米级绒面； (4) 化学溶液去除贵金属粒子。然而，上述制备方法得到的纳米 - 微米复合绒面中，其纳米结构是呈纳米孔状，即其孔径较小、而深度较深。文献报道及试验证明，这种复合绒面结构的表面反射率虽然降低至 12% 以下，但却不利于后道的表面钝化，且目前由其制得的电池片转换效率要低于产线常规制绒的电池片。
发明内容
本发明目的是提供一种晶体硅太阳能电池 的绒面结构及其制备方法。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案是： 一种 晶体硅太阳能电池 的绒面结构的制备方法，包括如下步骤：
(1) 将多晶硅硅片进行清洗、腐蚀制绒，形成微米级绒面；
(2) 将上述硅片放入含有金属离子的溶液中浸泡，使硅片表面涂覆一层金属纳米颗粒；
所述金属离子选自金离子、银离子和铜离子中的一种；
(3) 用第一化学腐蚀液腐蚀硅片表面，形成纳米级绒面；
所述第一化学腐蚀液选自以下混合溶液中的一种： HF 与 H2O2 的混合溶液、 HF 与 HNO3 的混合溶液、 HF 与 H2CrO4 的混合溶液；
其中， HF 的浓度为 1~15 mol/L ， H2O2 、 HNO3 或 H2CrO4 的浓度为 0.05~0.5 mol/L ；
(4) 分别用第一清洗液、第二清洗液、去离子水清洗上述硅片，去除金属颗粒；
所述第一清洗液 为质量百分比为 27~69% 的硝酸溶液，清洗时间为 60~1200 秒，清洗温度为 5~85℃ ；
所述第二清洗液 为质量百分比为 1~10% 的氢氟酸溶液，清洗时间为 60~600 秒，清洗温度为 5~45℃ ；
(5) 将上述硅片放入第二化学腐蚀液中 进行微结构修正刻蚀；
所述 第二化学腐蚀液选自以下溶液中的一种： NaOH 溶液、 KOH 溶液、四甲基氢氧化铵溶液、 HNO3 与 HF 酸的混合溶液；
当选自 NaOH 溶液时，其浓度为 0.001~0.1 mol/L ，反应时间为 10~1000 秒，反应温度为 5~85℃ ；
当选自 KOH 溶液时，其浓度为 0.001~0.1 mol/L ，反应时间为 10~1000 秒，反应温度为 5~85℃ ；
当选自四甲基氢氧化铵溶液时，其浓度为 0.001~0.1 mol/L ，反应时间为 10~1000 秒，反应温度为 5~85℃ ；
当选自 HNO3 与 HF 酸的混合溶液时， HF 与 HNO3 的浓度分别为 0.05~0.5 mol/L 、 1~10 mol/L ，反应时间为 10~1000 秒，反应温度为 5~45℃ ；
(6) 清洗、甩干，即可得到所述 晶体硅太阳能电池 的绒面结构。
上述技术方案中，所述步骤 (2) 中的纳米级金属颗粒的浓度为 0.0001~0.1 mol/L 。
上述技术方案中，所述步骤 (2) 中，浸泡时间为 10~1000 秒，溶液温度为 5~85℃ 。
上述技术方案中，所述步骤 (3) 的腐蚀时间为 30~3000 秒，反应温度为 5~45℃ 。
本发明同时请求保护由上述制备方法得到的 晶体硅太阳能电池 的绒面结构。
上述技术方案中，所述 晶体硅太阳能电池为多晶硅太阳能电池，其 绒面结构的反射率为 12%~20% 。
上述技术方案中，所述 晶体硅太阳能电池为单晶硅太阳能电池，其 绒面结构的反射率为 5%~15% 。
经测试，本发明制备得到的多晶硅太阳能电池的绒面结构的 大小在 100~500 nm 之间，其 表面反射率在 12~20% 之间，相对于中国发明专利申请 CN102610692A 公开的纳米 - 微米复合绒面结构，其电池片的转换效率可提高 0.2~0.5% 左右，取得了意想不到的效果。本发明的纳米绒面结构 更适合于目前产线多晶硅太阳能电池的制造工艺，在降低表面反射率的同时又不影响后道的表面钝化工艺。
本发明的工作 原理是：在形成现有的微米级绒面的基础上，先在硅片表面反应涂覆一层分布均匀的金属纳米颗粒；其次将表面分布着金属纳米颗粒的硅片放入到第一化学腐蚀液中，腐蚀液中的氧化剂（ H2O2 或 HNO3 或 H2CrO4 ）起氧化硅片的作用；同时，腐蚀液中的氢氟酸再将硅片氧化生成的 SiO2 以氟硅酸的形式输运到溶液中，而在金属颗粒催化的作用下，其附近的硅片反应极快，由于反应速度之间的差异就会在硅片表面形成线状或深孔状的微结构；最后，再利用第二化学腐蚀溶液对硅片表面进行修正刻蚀，即利用碱液（ NaOH 溶液、 KOH 溶液、四甲基氢氧化铵溶液或混合酸（ HF 和 HNO3 ））对上述制得线状或深孔状的微结构进行腐蚀修正，碱液主要是对上述线状或深孔状微结构进行各向异性腐蚀，这种各向异性腐蚀会沿着原来的线状或深孔状微结构优先进行，刻蚀结果就会使原来的线状或深孔状微结构被修正成带有棱角的纳米金字塔或纳米椎体或纳米坑状结构，而混合酸（ HF 和 HNO3 ）主要是对上述线状或深孔状微结构进行各向同性腐蚀，这种各向同性腐蚀会沿着原来的线状或深孔状微结构优先进行，刻蚀结果就会使原来的线状或深孔状微结构被修正成孔径较大，深度较浅的纳米孔状结构，通过该步的修正刻蚀最终制得较优的晶硅太阳电池纳米绒面。
由于上述技术方案的采用，与现有技术相比，本发明具有如下优点：
1 ．本发明开发了一种新的晶体硅太阳能电池的绒面结构的制备方法，其在现有的微米级绒面结构的基础上，采用第一化学腐蚀液腐蚀硅片表面，形成纳米级绒面，清洗后进一步采用第二化学腐蚀液中 进行微结构修正刻蚀，得到了更适用于晶体硅太阳能电池的绒面结构；试验证明：本发明的多晶硅太阳能电池的 绒面结构的 大小在 100~500 nm 之间，呈孔径较大，深度较浅的纳米孔状或带有棱角的纳米金字塔或带有棱角纳米椎体或带有棱角的纳米坑状结构，其 表面反射率在 12~20% 之间，相对于中国发明专利申请 CN102610692A 公开的纳米 - 微米复合绒面结构，其电池片的转换效率可提高 0.2~0.5% 左右，取得了意想不到的效果。
2 ．本发明 的制备方法简单易行， 与现有工业化生产工艺兼容性较好，可以快速移植到工业化生产中 ，适于推广应用。
附图说明
图 1 是本发明实施例一中多晶硅硅片绒面的 SEM 扫描图； （放大 5K 倍）
图 2 是本发明实施例一中多晶硅绒面与常规酸腐蚀制备的多晶硅绒面的反射光谱对比图；
图 3 是本发明实施例二中多晶硅硅片绒面的 SEM 扫描图；（放大 5K 倍）
图 4 是本发明实施例二中多晶硅绒面与常规酸腐蚀制备的多晶硅绒面的反射光谱对比图；
图 5 是本发明实施例三中多晶硅硅片绒面的 SEM 扫描图；（放大 5K 倍）
图 6 是本发明实施例三中多晶硅绒面与常规酸腐蚀制备的多晶硅绒面的反射光谱对比图；
图 7 是本发明实施例四中多晶硅硅片绒面的 SEM 扫描图；（放大 5K 倍）
图 8 是本发明 实施例四 中多晶硅硅片绒面进行修正刻蚀的 SEM 扫描图；（放大 50K 倍）
图 9 是本发明对比例二中未进行修正刻蚀与实施例四进行修正刻蚀后的多晶硅绒面的反射光谱对比图；
图 10 是本发明对比例二中多晶硅硅片绒面未进行修正刻蚀后的 SEM 扫描图；（放大 5K 倍）
图 11 是本发明对比例二中多晶硅硅片绒面进行未进行修正刻蚀后的 SEM 扫描图。（放大 50K 倍）
图 12 是本发明实施例五中单晶硅硅片绒面的 SEM 扫描图；（放大 5K 倍）
图 13 是本发明实施例五中单晶硅硅片绒面的 SEM 扫描图；（放大 50K 倍）
图 14 是本发明对比例三中未进行修正刻蚀与实施例五进行修正刻蚀后的单晶硅绒面的反射光谱对比图；
图 15 是本发明对比例三中单晶硅硅片绒面未进行修正刻蚀后的 SEM 扫描图；（放大 5K 倍）
图 16 是本发明对比例三中单晶硅硅片绒面进行未进行修正刻蚀后的 SEM 扫描图。（放大 50K 倍）
具体实施方式
下面 结合实施例对本发明作进一步描述：
实施例一
一种多晶硅太阳电池的绒面结构的制备方法，包括如下步骤：
(1) 将厚度为 180±10μm ，大小为 156mm ×156mm 的 P 型多晶硅片损伤层去除并清洗干净后， 腐蚀制绒，形成微米级绒面；然后 投入到浓度为 0.008mol/L 的 AgNO3 溶液中，于 20 ℃ 条件下反应 60 s ；
(2) 将上步完成后的硅片放入 HF 与 H2O2 的混合溶液中，其浓度分别为 3mol/L ， 0.1mol/L ，于 20 ℃ 条件下反应 300 s ；
(3) 将上步完成后的硅片放入质量百分比为 69% 硝酸溶液中清洗 300 s ，清洗温度为 20 ℃ ；
(4) 将上步完成后的硅片放入质量百分比为 5% 氢氟溶液中清洗 200 s ，清洗温度为 20 ℃ ；
(5) 将上步完成后的硅片放入 0.05mol/L 的 KOH 溶液中，于 20 ℃ 条件下反应 300s ；
(6) 清洗、甩干，即可得到所述 多晶硅 太阳能电池的绒面结构。
本实施例所制得的多晶硅太阳电池的绒面结构的尺寸在 100~200nm 之间（见图 1 所示），在 400~1050nm 波长范围内其表面平均反射率为 13.4% 。
对比例一
一种多晶硅太阳电池的绒面结构的制备方法，包括如下步骤：
(1) 将厚度为 180±10μm ，大小为 156mm ×156mm 的 P 型多晶硅片损伤层去除并清洗干净后， 腐蚀制绒，形成微米级绒面；
(2) 清洗、甩干，即可得到所述 多晶硅 太阳能电池的绒面结构。
实施例一中多晶硅绒面与对比例一中常规酸腐蚀制备的多晶硅绒面的反射光谱对比图参见 图 2 所示。
实施例二
一种多晶硅太阳电池的绒面结构的制备方法，包括如下步骤：
（ 1 ）将厚度为 180±10μm ，大小为 156mm ×156mm 的 P 型多晶硅片损伤层去除并清洗干净后， 腐蚀制绒，形成微米级绒面；
然后投入到浓度为 0.008mol/L 的 AgNO3 溶液中，于 20 ℃ 条件下反应 60s ；
（ 2 ）将上步完成后的硅片放入 HF 与 H2O2 的混合溶液中，其浓度分别为 3mol/L ， 0.1mol/L ，于 20 ℃ 条件下反应 300s ；
（ 3 ）将上步完成后的硅片放入质量百分比为 69% 硝酸溶液中清洗 300s ，清洗温度为 20 ℃ ；
（ 4 ）将上步完成后的硅片放入质量百分比为 5% 氢氟溶液中清洗 200s ，清洗温度为 20 ℃ ；
（ 5 ）将上步完成后的硅片放入 0.025mol/L 的四甲基氢氧化铵溶液（ TMAH 溶液）中，于 20 ℃ 条件下反应 300s ；
（ 6 ）将上步完成后的硅片用去离子水冲洗干净并甩干。
本实施例所制得的多晶硅太阳电池绒面微结构尺寸在 150~300 nm 之间（见图 3 所示），在 400~1050 nm 的波长范围内其表面平均反射率为 12.1% 。
实施例二中多晶硅绒面与对比例一中常规酸腐蚀制备的多晶硅绒面的反射光谱对比图参见 图 4 所示。
实施例三
一种多晶硅太阳电池的绒面结构的制备方法，包括如下步骤：
(1) 将厚度为 180±10μm ，大小为 156mm ×156mm 的 P 型多晶硅片损伤层去除并清洗干净后， 腐蚀制绒，形成微米级绒面；
然后投入到浓度为 0.008mol/L 的 AgNO3 溶液中，于 20 ℃ 条件下反应 60s ；
（ 2 ）将上步完成后的硅片放入 HF 与 H2O2 的混合溶液中，其浓度分别为 3mol/L ， 0.1mol/L ，于 20 ℃ 条件下反应 300s ；
（ 3 ）将上步完成后的硅片放入质量百分比为 69% 硝酸溶液中清洗 300s ，清洗温度为 20 ℃ ；
（ 4 ）将上步完成后的硅片放入质量百分比为 5% 氢氟溶液中清洗 200s ，清洗温度为 20 ℃ ；
（ 5 ）将上步完成后的硅片放入 HF 与 HNO3 的混合溶液种，其浓度分别为 0.1mol/L ， 5mol/L ，于 20 ℃ 条件下反应 150s ；
（ 6 ）将上步完成后的硅片用去离子水冲洗干净并甩干。
本实施例所制得的多晶硅太阳电池绒面微结构尺寸在 150~300nm 之间（见图 5 所示），在 400~1050 nm 波长范围内其表面平均反射率为 10% 。
实施例三中多晶硅绒面与对比例一中常规酸腐蚀制备的多晶硅绒面的反射光谱对比图参见 图 6 所示。
实施例四
一种多晶硅太阳电池的绒面结构的制备方法，包括如下步骤：
(1) 将厚度为 180±10μm ，大小为 156mm ×156mm 的 P 型多晶硅片损伤层去除并清洗干净后， 腐蚀制绒，形成微米级绒面；
然后投入到浓度为 0.008mol/L 的 AgNO3 溶液中，于 20 ℃ 条件下反应 120s ；
（ 2 ）将上步完成后的硅片放入 HF 与 H2O2 的混合溶液中，其浓度分别为 3mol/L ， 0.1mol/L ，于 20 ℃ 条件下反应 600s ；
（ 3 ）将上步完成后的硅片放入质量百分比为 69% 硝酸溶液中清洗 300s ，清洗温度为 20 ℃ ；
（ 4 ）将上步完成后的硅片放入质量百分比为 5% 氢氟溶液中清洗 200s ，清洗温度为 20 ℃ ；
（ 5 ）将上步完成后的硅片放入 0.025mol/L 的 TMAH 溶液中，于 20 ℃ 条件下反应 300s ；
（ 6 ）将上步完成后的硅片用去离子水冲洗干净并甩干。
对比例二
一种多晶硅太阳电池的绒面结构的制备方法，包括如下步骤：
(1) 将厚度为 180±10μm ，大小为 156mm ×156mm 的 P 型多晶硅片损伤层去除并清洗干净后， 腐蚀制绒，形成微米级绒面；然后 投入到浓度为 0.008mol/L 的 AgNO3 溶液中，于 20 ℃ 条件下反应 60 s ；
(2) 将上步完成后的硅片放入 HF 与 H2O2 的混合溶液中，其浓度分别为 3mol/L ， 0.1mol/L ，于 20 ℃ 条件下反应 300 s ；
(3) 将上步完成后的硅片放入质量百分比为 69% 硝酸溶液中清洗 300 s ，清洗温度为 20 ℃ ；
(4) 将上步完成后的硅片放入质量百分比为 5% 氢氟溶液中清洗 200 s ，清洗温度为 20 ℃ ；
(5) 清洗、甩干，即可得到所述 多晶硅 太阳能电池的绒面结构。
实施例四中，经过 NaOH 溶液修正刻蚀后的多晶硅太阳电池的绒面结构的尺寸在 150~300nm 之间（见图 7 、 8 所示），在 400~1050nm 波长范围内其表面平均反射率为 15.6% （见图 9 所示）。
对比例二中未进行修正刻蚀而制得的纳米绒面结构为纳米深孔状结构，孔径只有 50nm 左右（见图 10 、 11 所示），在 400~1050nm 波长范围内其表面平均反射率为 5.9% （见图 9 所示）。所述未进行修正刻蚀是如 中国发明专利申请 CN102610692A 公开的方法，其制得的纳米 - 微米复合绒面结构没有上述 步骤 (5) 的修正刻蚀。
实施例五
一种单晶硅太阳电池纳米绒面制备方法，包括如下步骤：
（ 1 ）将厚度为 180±10μm ，大小为 156mm ×156mm 的 P 型单晶硅片损伤层去除并清洗干净后， 腐蚀制绒，形成微米级绒面；然后 投入到浓度为 0.008mol/L 的 AgNO3 溶液中，于 20 ℃ 条件下反应 120 s ；
（ 2 ）将上步完成后的硅片放入 HF 与 H2O2 的混合溶液中，其浓度分别为 3mol/L,0.1mol/L, 与 20 ℃ 条件下反应 600s ；
（ 3 ）将上步完成后的硅片放入质量百分比为 69% 硝酸溶液中清洗 300s ，清洗温度为 20 ℃ ；
（ 4 ）将上步完成后的硅片放入质量百分比为 5% 氢氟溶液中清洗 200s ，清洗温度为 20 ℃ ；
（ 5 ）将上步完成后的硅片放入 0.025mol/L 的 TMAH 溶液中，与 20 ℃ 条件下反应 300s ；
（ 6 ）将上步完成后的硅片用去离子水冲洗干净并甩干。
对比例三
一种单晶硅太阳电池的绒面结构的制备方法，包括如下步骤：
（ 1 ）将厚度为 180±10μm ，大小为 156mm ×156mm 的 P 型单晶硅片损伤层去除并清洗干净后， 腐蚀制绒，形成微米级绒面；然后 投入到浓度为 0.008mol/L 的 AgNO3 溶液中，于 20 ℃ 条件下反应 120 s ；
（ 2 ）将上步完成后的硅片放入 HF 与 H2O2 的混合溶液中，其浓度分别为 3mol/L,0.1mol/L, 与 20 ℃ 条件下反应 600s ；
（ 3 ）将上步完成后的硅片放入质量百分比为 69% 硝酸溶液中清洗 300s ，清洗温度为 20 ℃ ；
（ 4 ）将上步完成后的硅片放入质量百分比为 5% 氢氟溶液中清洗 200s ，清洗温度为 20 ℃ ；
（ 5 ）清洗、甩干，即可得到所述 单晶硅 太阳能电池的绒面结构。
实施例五中，经过 NaOH 溶液修正刻蚀后的单晶硅太阳电池的绒面结构的尺寸在 150~300nm 之间（见图 12 、 13 所示），在 400~1050nm 波长范围内其表面平均反射率为 6.4% （见图 14 所示）。
对比例三中未进行修正刻蚀而制得的纳米绒面结构为纳米深孔状结构，孔径只有 50nm 左右（见图 15 、 16 所示），在 400~1050nm 波长范围内其表面平均反射率为 5.0% （见图 14 所示）。所述未进行修正刻蚀是如中国发明专利申请 CN102610692A 公开的方法，其制得的纳米 - 微米复合绒面结构没有上述 步骤 (5) 的修正刻蚀。

Claims (7)

1 ．一种 晶体硅太阳能电池 的绒面结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1) 将多晶硅硅片进行清洗、腐蚀制绒，形成微米级绒面；
(2) 将上述硅片放入含有金属离子的溶液中浸泡，使硅片表面涂覆一层金属纳米颗粒；
所述金属离子选自金离子、银离子和铜离子中的一种；
(3) 用第一化学腐蚀液腐蚀硅片表面，形成纳米级绒面；
所述第一化学腐蚀液选自以下混合溶液中的一种： HF 与 H2O2 的混合溶液、 HF 与 HNO3 的混合溶液、 HF 与 H2CrO4 的混合溶液；
其中， HF 的浓度为 1~15 mol/L ， H2O2 、 HNO3 或 H2CrO4 的浓度为 0.05~0.5 mol/L ；
(4) 分别用第一清洗液、第二清洗液、去离子水清洗上述硅片，去除金属颗粒；
所述第一清洗液 为质量百分比为 27~69% 的硝酸溶液，清洗时间为 60~1200 秒，清洗温度为 5~85℃ ；
所述第二清洗液 为质量百分比为 1~10% 的氢氟酸溶液，清洗时间为 60~600 秒，清洗温度为 5~45℃ ；
(5) 将上述硅片放入第二化学腐蚀液中 进行微结构修正刻蚀；
所述 第二化学腐蚀液选自以下溶液中的一种： NaOH 溶液、 KOH 溶液、四甲基氢氧化铵溶液、 HNO3 与 HF 酸的混合溶液；
当选自 NaOH 溶液时，其浓度为 0.001~0.1 mol/L ，反应时间为 10~1000 秒，反应温度为 5~85℃；
当选自 KOH 溶液时，其浓度为 0.001~0.1 mol/L ，反应时间为 10~1000 秒，反应温度为 5~85℃；
当选自四甲基氢氧化铵溶液时，其浓度为 0.001~0.1 mol/L ，反应时间为 10~1000 秒，反应温度为 5~85℃；
当选自 HNO3 与 HF 酸的混合溶液时， HF 与 HNO3 的浓度分别为 0.05~0.5 mol/L 、 1~10 mol/L ，反应时间为 10~1000 秒，反应温度为 5~45℃；
(6) 清洗、甩干，即可得到所述 晶体硅太阳能电池 的绒面结构。
2 ．根据权利要求 1 所述的制备方法 ， 其特征在于：所述步骤 (2) 中的纳米级金属颗粒的浓度为 0.0001~0.1 mol/L 。
3 ．根据权利要求 1 所述的制备方法 ， 其特征在于：所述步骤 (2) 中，浸泡时间为 10~1000 秒，溶液温度为 5~85℃ 。
4 ．根据权利要求 1 所述的制备方法 ， 其特征在于：所述步骤 (3) 的腐蚀时间为 30~3000 秒，反应温度为 5~45℃。
5 ．根据权利要求 1 所述的制备方法得到的 晶体硅太阳能电池 的绒面结构。
6 ．根据权利要求 5 所述的 晶体硅太阳能电池 的绒面结构 ， 其特征在于：所述 晶体硅太阳能电池为多晶硅太阳能电池，其 绒面结构的反射率为 12%~20% 。
7 ．根据权利要求 5 所述的 晶体硅太阳能电池 的绒面结构 ， 其特征在于：所述 晶体硅太阳能电池为单晶硅太阳能电池，其 绒面结构的反射率为 5%~15% 。
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Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105206709A (zh) * 2015-10-10 2015-12-30 浙江晶科能源有限公司 一种用于优化黑硅表面结构的处理方法
WO2017221710A1 (ja) * 2016-06-20 2017-12-28 株式会社ジェイ・イー・ティ 太陽電池の製造方法
WO2018189131A1 (de) 2017-04-13 2018-10-18 Rct Solutions Gmbh Vorrichtung und verfahren zur chemischen behandlung eines halbleiter-substrats mit einer gesägten oberflächenstruktur
DE102017206432A1 (de) 2017-04-13 2018-10-18 Rct Solutions Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur chemischen Behandlung eines Halbleiter-Substrats mit einer gesägten Oberflächenstruktur
CN110371984A (zh) * 2019-08-29 2019-10-25 贵州大学 一种利用含氧多孔层吸除硅中杂质b的方法
CN110467184A (zh) * 2019-08-30 2019-11-19 贵州大学 一种水热腐蚀去除冶金级硅中杂质p的方法
CN111128714A (zh) * 2019-12-31 2020-05-08 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 降低重掺硼色斑的酸腐蚀工艺
CN111769175A (zh) * 2019-03-15 2020-10-13 中国科学院物理研究所 一种perc单晶硅太阳能电池及其制备方法
CN111916510A (zh) * 2019-05-07 2020-11-10 君泰创新（北京）科技有限公司 超薄柔性硅太阳电池制备方法
CN112466995A (zh) * 2020-11-23 2021-03-09 宁波尤利卡太阳能股份有限公司 一种perc电池的单晶制绒方法
CN112885928A (zh) * 2021-03-30 2021-06-01 东南大学 一种硅晶片上快速形成八边形金字塔结构的方法
CN112909133A (zh) * 2021-03-26 2021-06-04 常州时创能源股份有限公司 硅片制绒产线
CN113937172A (zh) * 2021-10-19 2022-01-14 温州大学 一种晶硅太阳能电池新型复合绒面结构制备方法
CN114551644A (zh) * 2022-02-22 2022-05-27 江西中弘晶能科技有限公司 一种提升高效电池片转换效率的表面微米-纳米复合结构的设计
CN115117202A (zh) * 2022-07-05 2022-09-27 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池
CN115161032A (zh) * 2022-07-05 2022-10-11 北京师范大学 一种适用于单晶硅片的腐蚀溶液及方法
CN115347062A (zh) * 2022-08-17 2022-11-15 中国电子科技集团公司第四十四研究所 多晶硅辅助刻蚀的黑硅微结构及其制备方法
CN115921406A (zh) * 2022-11-14 2023-04-07 天津中环领先材料技术有限公司 一种硅片清洗工艺
CN116004233A (zh) * 2022-12-12 2023-04-25 嘉兴市小辰光伏科技有限公司 一种提升硅片绒面均整度的刻蚀添加剂及使用方法
AU2025202820A1 (en) * 2024-09-13 2026-04-02 Longi Solar Technology (Xi'an) Co., Ltd. Solar Cell And Photovoltaic Module

Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103219428B (zh) * 2013-04-12 2015-08-19 苏州大学 一种晶体硅太阳能电池的绒面结构及其制备方法
CN103456804B (zh) * 2013-09-24 2016-04-27 上海大学 在多晶硅上形成倒金字塔型多孔表面纳米织构的方法及制备短波增强型太阳电池的方法
CN103474518B (zh) * 2013-10-10 2015-09-09 常州天合光能有限公司 多孔金字塔减反射结构制备方法及hit太阳能电池制备工艺
CN104576813B (zh) * 2013-10-14 2017-10-13 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种光电材料表面的纳米结构绒面及其制备方法
CN103578966B (zh) * 2013-10-29 2016-06-15 浙江工业大学 一种表面尖锥状黑硅的湿法化学制备方法
CN103647000B (zh) * 2013-12-20 2016-08-24 天威新能源控股有限公司 一种晶体硅太阳电池表面织构化工艺
CN103956395B (zh) * 2014-05-09 2017-11-10 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 阵列结构绒面及其制法和应用
CN104409564B (zh) * 2014-10-31 2017-01-11 浙江大学 一种n型纳米黑硅的制备方法以及太阳能电池的制备方法
CN104393114A (zh) * 2014-11-17 2015-03-04 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种微纳复合绒面结构的多晶黑硅制备方法
CN104891497B (zh) * 2015-05-06 2017-12-19 苏州旦能光伏科技有限公司 一种太阳级超高纯纳米硅粉的宏量制备方法
CN104992991A (zh) * 2015-05-27 2015-10-21 上饶光电高科技有限公司 一种制备太阳能黑硅电池的方法
CN105154982A (zh) * 2015-07-08 2015-12-16 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 多晶黑硅制绒处理液、应用其进行多晶硅片制绒的方法以及多晶黑硅制绒品
CN108054224B (zh) * 2015-07-09 2020-03-03 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池的绒面结构及其制备方法
CN104993019A (zh) 2015-07-09 2015-10-21 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种局部背接触太阳能电池的制备方法
CN104979430A (zh) * 2015-07-09 2015-10-14 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池的绒面结构的制备方法
CN104966762B (zh) * 2015-07-09 2018-03-09 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法
CN105006496B (zh) * 2015-08-10 2017-03-22 苏州旦能光伏科技有限公司 晶体硅太阳电池的单面纳米绒面制备方法
CN105161553B (zh) * 2015-08-19 2017-04-19 常州天合光能有限公司 一种全背电极晶体硅太阳电池的制备方法
CN105133038B (zh) * 2015-08-28 2018-05-15 中国电子科技集团公司第四十八研究所 具有高效纳米绒面结构的多晶硅的制备方法及其应用
CN105070792B (zh) * 2015-08-31 2018-06-05 南京航空航天大学 一种基于溶液法的多晶太阳电池的制备方法
CN105140343B (zh) * 2015-08-31 2018-02-13 南京航空航天大学 一种多晶黑硅结构及其液相制备方法
CN105226114A (zh) * 2015-08-31 2016-01-06 南京航空航天大学 一种黑硅钝化结构及其制备方法
CN105070772B (zh) * 2015-09-01 2017-07-04 常州时创能源科技有限公司 在单晶硅表面制备均匀倒金字塔绒面的湿化学方法
CN105226112B (zh) * 2015-09-25 2017-09-05 中节能太阳能科技（镇江）有限公司 一种高效晶硅太阳能电池的制备方法
CN105463583A (zh) * 2015-12-11 2016-04-06 奥特斯维能源（太仓）有限公司 一种金刚线切割多晶硅片的制绒方法
CN105543979A (zh) * 2015-12-11 2016-05-04 奥特斯维能源（太仓）有限公司 一种金属催化金刚线切割多晶硅片的湿法制绒工艺
CN105702803A (zh) * 2015-12-21 2016-06-22 合肥晶澳太阳能科技有限公司 一种制造高效率多晶电池的工艺
CN105696084B (zh) * 2016-02-01 2018-07-24 浙江晶科能源有限公司 一种金刚线硅片的制绒方法及应用
CN105742409B (zh) * 2016-04-08 2017-09-22 江苏荣马新能源有限公司 一种黑硅表面清洗方法及黑硅电池制备方法
CN105839193B (zh) * 2016-04-27 2018-09-21 新疆中硅科技有限公司 一种绒面单晶硅的制备方法
CN105810761B (zh) * 2016-04-29 2018-07-27 南京工业大学 一种金刚线切割多晶硅片的制绒方法
CN105810762A (zh) * 2016-05-23 2016-07-27 协鑫集成科技股份有限公司 晶体硅片纳米绒面结构及其制备方法
CN106098840B (zh) * 2016-06-17 2017-09-22 湖洲三峰能源科技有限公司 一种湿法黑硅制备方法
CN106521635A (zh) * 2016-11-17 2017-03-22 上海交通大学 一种硅表面纳米金字塔绒面的全溶液制备方法
CN106601836A (zh) * 2016-12-16 2017-04-26 上海电机学院 一种基于纳米颗粒的光伏电池表面陷光结构的制造工艺
CN108511539B (zh) * 2017-02-28 2020-02-04 比亚迪股份有限公司 一种太阳能电池片制备方法
CN107177889A (zh) * 2017-05-22 2017-09-19 嘉兴尚能光伏材料科技有限公司 一种单晶硅太阳能电池的表面绒面制备方法
CN107598183B (zh) * 2017-08-14 2020-06-12 嘉兴尚能光伏材料科技有限公司 一种纳米银颗粒的宏量制备方法
CN107546285A (zh) * 2017-08-24 2018-01-05 嘉兴尚能光伏材料科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池表面微纳米结构的制备方法
CN107338480A (zh) * 2017-08-24 2017-11-10 嘉兴尚能光伏材料科技有限公司 一种单晶硅硅片制绒方法及其制绒添加剂
CN107623053A (zh) * 2017-09-11 2018-01-23 中节能太阳能科技（镇江）有限公司 基于链式制绒设备的金刚线硅片纳微绒面制备方法
KR101919487B1 (ko) * 2017-09-14 2018-11-19 한국과학기술연구원 반도체 기판을 텍스쳐링하는 방법과, 이 방법에 의해 제조된 반도체 기판, 그리고, 이러한 반도체 기판을 포함하는 태양 전지
CN107681011A (zh) * 2017-09-15 2018-02-09 张家港协鑫集成科技有限公司 类单晶硅片绒面结构及绒面结构的制绒方法及应用
CN108807569B (zh) * 2018-06-20 2020-02-14 通威太阳能（合肥）有限公司 一种单晶电池片的表面微米纳米复合结构的制备方法
KR102046255B1 (ko) * 2018-06-21 2019-11-18 한국생산기술연구원 나노 텍스쳐링 구조를 갖는 태양전지의 제조방법
CN108987497A (zh) * 2018-07-23 2018-12-11 宁夏大学 一种单晶硅太阳能电池用新型陷光结构的制备方法
CN109698246A (zh) * 2018-12-25 2019-04-30 嘉兴尚能光伏材料科技有限公司 Perc太阳电池及其制备方法
CN109473487B (zh) * 2018-12-25 2024-04-02 嘉兴尚能光伏材料科技有限公司 基于复合陷光结构的晶体硅太阳电池及其制备方法
CN109727895A (zh) * 2018-12-25 2019-05-07 保定光为绿色能源科技有限公司 一种晶体硅金属清洗设备
CN112103369B (zh) * 2019-06-17 2024-09-06 欧浦登（顺昌）光学有限公司 一种带有微纳复合绒面的聚光玻璃板及其制备工艺和应用
CN112838140B (zh) * 2019-11-22 2022-05-31 阜宁阿特斯阳光电力科技有限公司 多晶硅太阳能电池及制备方法以及制备其绒面结构的方法
CN114551614B (zh) * 2020-11-24 2024-07-16 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 硅片复合绒面制作方法及由该方法制作的硅片
CN112420494A (zh) * 2020-12-03 2021-02-26 天津市环智新能源技术有限公司 一种太阳能硅片清洗方法、硅片、电池、组件及清洗系统
CN112635591A (zh) * 2020-12-22 2021-04-09 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 一种太阳能电池的制备方法以及太阳能电池
CN113857216B (zh) * 2021-09-29 2022-11-15 中国科学院城市环境研究所 一种废弃光伏组件循环再利用的方法
CN114035253B (zh) * 2021-11-23 2024-06-07 西安知微传感技术有限公司 具有杂散光消除功能的mems微镜、激光扫描设备和微镜的制作方法
CN116722054B (zh) 2022-06-10 2024-05-10 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池及太阳能电池的制备方法、光伏组件
CN115377234A (zh) * 2022-07-21 2022-11-22 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种钙钛矿晶体硅叠层太阳电池及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110070744A1 (en) * 2009-09-18 2011-03-24 Zhi-Wen Sun Silicon Texturing Formulations for Solar Applications
CN102034900A (zh) * 2010-10-27 2011-04-27 晶澳太阳能有限公司 一种准单晶硅片的制绒方法
CN102610692A (zh) * 2012-03-09 2012-07-25 润峰电力有限公司 一种晶体硅纳米-微米复合绒面的制备方法
CN102618937A (zh) * 2012-04-10 2012-08-01 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种单晶硅太阳电池的制绒工艺
CN103219428A (zh) * 2013-04-12 2013-07-24 苏州大学 一种晶体硅太阳能电池的绒面结构及其制备方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10392752T5 (de) * 2002-06-06 2005-06-02 Kansai Technology Licensing Organization Co., Ltd. Verfahren zur Herstellung eines multikristallinen Siliziumsubstrats für Solarzellen
JP3925867B2 (ja) * 2003-12-17 2007-06-06 関西ティー・エル・オー株式会社 多孔質層付きシリコン基板を製造する方法
TWI244135B (en) * 2004-12-31 2005-11-21 Ind Tech Res Inst Method of making solar cell
JP2007194485A (ja) * 2006-01-20 2007-08-02 Osaka Univ 太陽電池用シリコン基板の製造方法
US8178419B2 (en) * 2008-02-05 2012-05-15 Twin Creeks Technologies, Inc. Method to texture a lamina surface within a photovoltaic cell
CN101752450B (zh) * 2008-12-08 2012-02-08 湖南天利恩泽太阳能科技有限公司 晶体硅太阳能电池片多重制绒方法
CN101661972B (zh) * 2009-09-28 2011-07-20 浙江大学 一种低表面反射率的单晶硅太阳电池绒面制作工艺
JP2010245568A (ja) * 2010-07-21 2010-10-28 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池の製造方法
CN102130205A (zh) * 2010-12-10 2011-07-20 上海太阳能电池研究与发展中心 一种多晶硅太阳能电池的表面催化制绒方法
WO2012157179A1 (ja) * 2011-05-17 2012-11-22 株式会社Sumco 太陽電池用ウェーハの製造方法、太陽電池セルの製造方法、および太陽電池モジュールの製造方法
JP5467697B2 (ja) * 2011-10-07 2014-04-09 株式会社ジェイ・イー・ティ 太陽電池の製造方法
CN102544199A (zh) * 2011-12-15 2012-07-04 浙江鸿禧光伏科技股份有限公司 一种晶体硅电池酸制绒蜂窝结构的方法
CN102703989B (zh) * 2012-05-28 2015-12-02 天威新能源控股有限公司 类单晶太阳能电池制绒工艺

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110070744A1 (en) * 2009-09-18 2011-03-24 Zhi-Wen Sun Silicon Texturing Formulations for Solar Applications
CN102034900A (zh) * 2010-10-27 2011-04-27 晶澳太阳能有限公司 一种准单晶硅片的制绒方法
CN102610692A (zh) * 2012-03-09 2012-07-25 润峰电力有限公司 一种晶体硅纳米-微米复合绒面的制备方法
CN102618937A (zh) * 2012-04-10 2012-08-01 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种单晶硅太阳电池的制绒工艺
CN103219428A (zh) * 2013-04-12 2013-07-24 苏州大学 一种晶体硅太阳能电池的绒面结构及其制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
K. TSUJINO ET AL.: "Texturization of Multicrystalline Silicon Wafers for Solar Cells by Chemical Treatment Using Metallic Catalyst.", SOLAR ENERGY MATERIALS & SOLAR CELLS., vol. 90, no. 1, 19 August 2005 (2005-08-19), pages 100 - 110 *

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105206709A (zh) * 2015-10-10 2015-12-30 浙江晶科能源有限公司 一种用于优化黑硅表面结构的处理方法
WO2017221710A1 (ja) * 2016-06-20 2017-12-28 株式会社ジェイ・イー・ティ 太陽電池の製造方法
WO2018189131A1 (de) 2017-04-13 2018-10-18 Rct Solutions Gmbh Vorrichtung und verfahren zur chemischen behandlung eines halbleiter-substrats mit einer gesägten oberflächenstruktur
DE102017206432A1 (de) 2017-04-13 2018-10-18 Rct Solutions Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur chemischen Behandlung eines Halbleiter-Substrats mit einer gesägten Oberflächenstruktur
CN108735594A (zh) * 2017-04-13 2018-11-02 Rct解决方法有限责任公司 化学处理带有被锯割形成的或者由半导体熔体成型的表面结构的半导体衬底的设备和方法
CN111769175A (zh) * 2019-03-15 2020-10-13 中国科学院物理研究所 一种perc单晶硅太阳能电池及其制备方法
CN111769175B (zh) * 2019-03-15 2022-08-26 中国科学院物理研究所 一种perc单晶硅太阳能电池及其制备方法
CN111916510A (zh) * 2019-05-07 2020-11-10 君泰创新（北京）科技有限公司 超薄柔性硅太阳电池制备方法
CN110371984A (zh) * 2019-08-29 2019-10-25 贵州大学 一种利用含氧多孔层吸除硅中杂质b的方法
CN110467184A (zh) * 2019-08-30 2019-11-19 贵州大学 一种水热腐蚀去除冶金级硅中杂质p的方法
CN111128714A (zh) * 2019-12-31 2020-05-08 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 降低重掺硼色斑的酸腐蚀工艺
CN111128714B (zh) * 2019-12-31 2022-06-03 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 降低重掺硼色斑的酸腐蚀工艺
CN112466995A (zh) * 2020-11-23 2021-03-09 宁波尤利卡太阳能股份有限公司 一种perc电池的单晶制绒方法
CN112909133A (zh) * 2021-03-26 2021-06-04 常州时创能源股份有限公司 硅片制绒产线
CN112885928A (zh) * 2021-03-30 2021-06-01 东南大学 一种硅晶片上快速形成八边形金字塔结构的方法
CN112885928B (zh) * 2021-03-30 2022-11-15 东南大学 一种硅晶片上快速形成八边形金字塔结构的方法
CN113937172A (zh) * 2021-10-19 2022-01-14 温州大学 一种晶硅太阳能电池新型复合绒面结构制备方法
CN113937172B (zh) * 2021-10-19 2023-10-10 温州大学 一种晶硅太阳能电池新型复合绒面结构制备方法
CN114551644A (zh) * 2022-02-22 2022-05-27 江西中弘晶能科技有限公司 一种提升高效电池片转换效率的表面微米-纳米复合结构的设计
CN115117202A (zh) * 2022-07-05 2022-09-27 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池
CN115161032A (zh) * 2022-07-05 2022-10-11 北京师范大学 一种适用于单晶硅片的腐蚀溶液及方法
CN115347062A (zh) * 2022-08-17 2022-11-15 中国电子科技集团公司第四十四研究所 多晶硅辅助刻蚀的黑硅微结构及其制备方法
CN115921406A (zh) * 2022-11-14 2023-04-07 天津中环领先材料技术有限公司 一种硅片清洗工艺
CN116004233A (zh) * 2022-12-12 2023-04-25 嘉兴市小辰光伏科技有限公司 一种提升硅片绒面均整度的刻蚀添加剂及使用方法
AU2025202820A1 (en) * 2024-09-13 2026-04-02 Longi Solar Technology (Xi'an) Co., Ltd. Solar Cell And Photovoltaic Module

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