CN111916510A - 超薄柔性硅太阳电池制备方法 - Google Patents
超薄柔性硅太阳电池制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111916510A CN111916510A CN201910557480.4A CN201910557480A CN111916510A CN 111916510 A CN111916510 A CN 111916510A CN 201910557480 A CN201910557480 A CN 201910557480A CN 111916510 A CN111916510 A CN 111916510A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon wafer
- solar cell
- solution
- koh
- hno
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 134
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 134
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 134
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 43
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims abstract description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 107
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 77
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 20
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 17
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 88
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 8
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 8
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02366—Special surface textures of the substrate or of a layer on the substrate, e.g. textured ITO/glass substrate or superstrate, textured polymer layer on glass substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/08—Etching
- C30B33/10—Etching in solutions or melts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
本申请涉及一种超薄柔性硅太阳电池制备方法，包括，提供硅片；将提供所述硅片浸入化学溶液中进行表面抛光，形成抛光硅片；提供所述抛光硅片浸入碱液和掩膜颗粒的悬浮液中，进行化学制绒，通过本发明实施例提供的技术方案能够制备厚度更均匀的超薄柔性硅太阳电池片，并在硅片上形成的金字塔颗粒的尺寸大小降低到0.1～2μm，这样有利于超薄柔性太阳电池片的光吸收，同时降低的电池片的厚度，能够实现柔性和弯曲。
Description
本申请要求于2019年05月07日提交中国专利局、申请号为201910377622.9，发明名称为“超薄柔性硅太阳电池制备方法”的中国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本申请涉及光伏技术领域，尤其涉及一种超薄柔性硅太阳电池制备方法。
背景技术
异质结非晶硅/晶硅太阳能电池HJT(Hetero-junction with Intrinsic Thinlayer)，又名HIT，是一种高效的晶硅电池，具有高开路电压等优点。HJT电池较高的开路电压主要得益于其电池结构中有良好的本征非晶硅的钝化。目前量产的高效硅太阳电池绝大多数采用的是厚度为150-200μm的单、多晶硅片，做成晶硅电池的转换效率为19-21％，如普通p型晶硅技术、p型PERC(Passivated Emitter and Rear Cell，钝化发射极背表面电池)技术和n型PERT(Passivated Emitter，Rear Totally-diffused cell，钝化发射极背表面全扩散电池)技术等。这类电池目前是光伏市场的主流产品，占据整个应用市场的85％以上。
但是，现有量产的高效硅太阳电池的单片重量约为8-11g，即折算到每瓦电池的克重为1.56-2.37g/W，无法进入航空航天、平流层飞艇、无人机、空间站等轻质太阳能应用领域。而且该种电池一般为脆性产品，弯曲弧度较小，也无法应用在柔性太阳能领域。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种超薄柔性硅太阳电池制备方法，其可以实现柔性弯曲。
本申请实施例提供的具体技术方案如下：
一种超薄柔性硅太阳电池制备方法，包括：
提供硅片；
将所述硅片浸入化学溶液中进行表面抛光，形成抛光硅片；
将所述抛光硅片浸入碱液和掩膜颗粒的悬浮液中，进行化学制绒。
在一些实施例中，所述化学溶液为KOH或NaOH溶液。
在一些实施例中，所述化学溶液为HNO3和HF的混合溶液。
在一些实施例中，所述将所述硅片浸入化学溶液中进行表面抛光为两步：
提供所述硅片浸入到所述化学溶液为KOH或NaOH溶液中，形成碱抛光硅片；
提供所述碱抛光硅片浸入到所述化学溶液为HNO3和HF的混合溶液中。
在一些实施例中，所述将所述硅片浸入化学溶液中进行表面抛光为两步：
提供所述硅片浸入到所述化学溶液为HNO3和HF的混合溶液中，形成酸抛光硅片；
提供所述酸抛光硅片浸入到化学溶液为KOH或NaOH溶液中。
在一些实施例中，提供所述硅片浸入到所述化学溶液为KOH或NaOH溶液中，形成碱抛光硅片，其中所述KOH或NaOH溶液的质量浓度为10％～30％。
在一些实施例中，提供所述硅片浸入到所述化学溶液为KOH或NaOH溶液中，形成碱抛光硅片，其中所述KOH或NaOH溶液的温度为60℃～90℃。
在一些实施例中，提供所述硅片浸入到所述化学溶液为KOH或NaOH溶液中，形成碱抛光硅片，其中所述KOH或NaOH溶液参与抛光的反应时间为10min～40min。
在一些实施例中，所述HNO3和HF的混合溶液中HNO3：HF的质量比为20:1～200:1。
在一些实施例中，所述HNO3和HF的混合溶液的温度为8℃～35℃。
在一些实施例中，所述HNO3和HF的混合溶液参与抛光的反应时间时间为10min～60min。
在一些实施例中，在所述化学制绒中，所述碱液为KOH或NaOH溶液。
在一些实施例中，在所述化学制绒中，所述KOH或NaOH溶液的质量浓度为0.5％～5％。
在一些实施例中，在所述化学制绒中，所述KOH或NaOH溶液的温度为60℃～90℃。
在一些实施例中，所述化学制绒的时间为5～25min。
在一些实施例中，所述硅片的厚度为小于90μm。
在一些实施例中，掩膜颗粒的质量浓度为2％～10％。
通过本发明实施例提供的技术方案能够制备厚度更均匀的超薄柔性硅太阳电池片，并在硅片上形成的金字塔颗粒的尺寸大小降低到0.1～2μm，这样有利于超薄柔性太阳电池片的光吸收，同时降低的电池片的厚度，能够实现柔性和弯曲。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。
图1为本发明一实施例的超薄柔性硅太阳能电池制备流程图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的一个实施例中，提供的超薄柔性硅太阳电池制备方法，如图1所示，包括：S1提供硅片；S2将所述硅片浸入化学溶液中进行表面抛光，形成抛光硅片；S3将所述抛光硅片浸入碱液和掩膜颗粒的悬浮液中，进行化学制绒。具体的，所述化学溶液为KOH或NaOH溶液，或者，所述化学溶液为HNO3和HF的混合溶液。具体的，所述硅片可选自N型硅片或P型硅片；所述N型硅片或P型硅片由单晶硅锭经过机械切片制得，而机械切片制得的硅片厚度较厚，且没有柔性，不能弯曲。在本公开的技术方案中，以N型硅片为例，将N型硅片浸入到化学溶液中进行，通过化学溶液的腐蚀作用，使得N型硅片的表面被部分刻蚀掉，从而形成被抛光并被减薄了的抛光硅片，经过刻蚀以及抛光后，所述硅片能够实现柔性弯曲，后续在进行化学制绒，形成具有金字塔结构的绒面硅片。
另外，所述将所述硅片浸入化学溶液中进行表面抛光为两步：首先，提供所述硅片浸入到所述化学溶液为KOH或NaOH溶液中，形成碱抛光硅片；然后提供所述碱抛光硅片浸入到所述化学溶液为HNO3和HF的混合溶液中，进行酸抛光，形成酸抛光硅片。
或者是，首先，提供所述硅片浸入到所述化学溶液为HNO3和HF的混合溶液中，形成酸抛光硅片；然后提供所述酸抛光硅片浸入到所述化学溶液为KOH或NaOH溶液中，进行碱抛光，形成碱抛光硅片。
通过将所述硅片进行两步抛光工艺，能够将硅片表面的难容物质溶解刻蚀掉，例如不溶于酸的物质，和不溶于碱的物质，通过酸碱交替刻蚀抛光，完成溶解刻蚀，避免采用一种物质导致选择性刻蚀而造成硅片表面不均匀的后果。
本发明的一个实施例中，在硅片的表面抛光中，所述KOH或NaOH溶液的浓度为10％～30％，所述KOH或NaOH溶液的温度为60℃～90℃，所述KOH或NaOH溶液参与抛光的反应时间为10min～40min。本技术方案能够控制硅片碱抛光过程中的过度刻蚀和过慢刻蚀的问题，在所述KOH或NaOH溶液的浓度为10％～30％，所述KOH或NaOH溶液的温度为60℃～90℃，所述KOH或NaOH溶液参与抛光的反应时间为10min～40min的条件下，所述硅片的抛光减薄能够实现均匀刻蚀，达到所述硅片抛光后能够弯曲的技术效果。
本发明的一个实施例中，在硅片的表面抛光中，所述HNO3和HF的混合溶液中HNO3：HF的质量比为20:1～200:1，所述HNO3和HF的混合溶液的温度为8℃～35℃，所述HNO3和HF的混合溶液参与抛光的反应时间时间为10min～60min。本技术方案能沟通控制硅片酸抛光过程中的过度刻蚀和过慢刻蚀的问题，在所述HNO3和HF的混合溶液中HNO3：HF的质量比为20:1～200:1，所述HNO3和HF的混合溶液的温度为8℃～35℃的条件下，所述硅片的抛光减薄能够实现均匀刻蚀，达到所述硅片抛光后能够弯曲的技术效果。
本发明的一个实施例中，在所述化学制绒中，所述碱液为KOH或NaOH溶液，所述KOH或NaOH溶液的质量浓度为0.5％～5％，所述KOH或NaOH溶液的温度为60℃～90℃，所述化学制绒的时间为5min～25min。通过控制所述硅片的化学制绒，能够实现硅片绒面均匀的技术效果，提升电池的光照透过率。
本发明的一个实施例中，所述硅片的厚度为小于90μm，可选的，所述硅片的厚度小于70μm，通过所述硅片刻蚀抛光，降低了硅片的重量，同时使所述硅片能够实现柔性弯曲。
本发明的一个实施例中，掩膜颗粒的质量浓度为2％～10％，通过增加淹没颗粒，使得硅片表面的金字塔绒面形成速率更快，提高了硅片制绒的效率。
实施例1
提供70um厚的硅片，浸入到KOH溶液中，其中KOH溶液10％，温度60℃，表面抛光时间为10分钟，完成表面抛光后，将抛光硅片(或称为碱抛光硅片)浸入到含有2％掩膜剂的KOH溶液中，其中KOH溶液的质量浓度为0.5％，化学制绒的反应温度为60℃，反应时间5分钟。通过使用掩膜剂控制硅片表面的金字塔数量，并最终可控制金字塔的尺寸到0.1～2μm。
实施例2
提供10um厚的硅片，浸入到HNO3和HF的混合溶液中，其中HNO3：HF的质量比为＝20:1，HNO3和HF的混合溶液的温度为8℃，抛光反应的时间10分钟，完成表面抛光反应，将抛光硅片(或称为酸抛光硅片)浸入到含有2％掩膜剂的KOH溶液中，其中KOH溶液的质量浓度为0.5％，化学制绒的反应温度为60℃，反应时间5分钟。通过使用掩膜剂控制硅片表面的金字塔数量，并最终可控制金字塔的尺寸到0.1～2μm。
实施例3
提供70um厚的硅片，浸入到KOH溶液中，其中KOH溶液10％，温度60℃，表面抛光时间为10分钟，完成碱抛光硅片的反应，然后将完成碱抛光的硅片浸入到HNO3和HF的混合溶液中，其中HNO3：HF的质量比为＝20:1，HNO3和HF的混合溶液的温度为8℃，抛光反应的时间10分钟，完成酸抛光硅片的反应，然后将完成酸抛光的硅片浸入到含有2％掩膜剂的KOH溶液中，其中KOH溶液的质量浓度为0.5％，化学制绒的反应温度为60℃，反应时间5分钟。通过使用掩膜剂控制硅片表面的金字塔数量，并最终可控制金字塔的尺寸到0.1～2μm。
实施例4
提供70um厚的硅片，浸入到HNO3和HF的混合溶液中，其中HNO3：HF的质量比为＝20:1，HNO3和HF的混合溶液的温度为8℃，抛光反应的时间10分钟，完成酸抛光硅片的反应，然后，将完成酸抛光的硅片浸入到KOH溶液中，其中KOH溶液10％，温度60℃，表面抛光时间为10分钟，完成碱抛光硅片的反应，将完成碱抛光的硅片浸入到含有2％掩膜剂的KOH溶液中，其中KOH溶液的质量浓度为0.5％，化学制绒的反应温度为60℃，反应时间5分钟。通过使用掩膜剂控制硅片表面的金字塔数量，并最终可控制金字塔的尺寸到0.1～2μm。
对比例1
提供120um厚的硅片，浸入KOH或NaOH进行抛光，然后进行KOH或NaOH制绒，形成金字塔大小约3～10μm。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (17)
1.一种超薄柔性硅太阳电池制备方法，其特征在于：包括：
提供硅片；
将所述硅片浸入化学溶液中进行表面抛光，形成抛光硅片；
将所述抛光硅片浸入碱液和掩膜颗粒的悬浮液中，进行化学制绒。
2.根据权利要求1所述的超薄柔性硅太阳电池制备方法，其特征在于，所述化学溶液为KOH或NaOH溶液。
3.根据权利要求1所述的超薄柔性硅太阳电池制备方法，其特征在于，所述化学溶液为HNO3和HF的混合溶液。
4.根据权利要求1所述的超薄柔性硅太阳电池制备方法，其特征在于，所述将所述硅片浸入化学溶液中进行表面抛光为两步：
提供所述硅片浸入到所述化学溶液为KOH或NaOH溶液中，形成碱抛光硅片；
提供所述碱抛光硅片浸入到所述化学溶液为HNO3和HF的混合溶液中。
5.根据权利要求1所述的超薄柔性硅太阳电池制备方法，其特征在于，所述将所述硅片浸入化学溶液中进行表面抛光为两步：
提供所述硅片浸入到所述化学溶液为HNO3和HF的混合溶液中，形成酸抛光硅片；
提供所述酸抛光硅片浸入到所述化学溶液为KOH或NaOH溶液中。
6.根据权利要求2、4、5中任意一项所述的超薄柔性硅太阳电池制备方法，其特征在于，所述的KOH或NaOH溶液的质量浓度为10％～30％。
7.根据权利要求2、4、5中任意一项所述的超薄柔性硅太阳电池制备方法，其特征在于，所述KOH或NaOH溶液的温度为60℃～90℃。
8.根据权利要求2、4、5中任意一项所述的超薄柔性硅太阳电池制备方法，其特征在于，所述KOH或NaOH溶液参与抛光的反应时间为10min～40min。
9.根据权利要求3、4、5中任意一项所述的超薄柔性硅太阳电池制备方法，其特征在于，所述HNO3和HF的混合溶液中HNO3：HF的质量比为20:1～200:1。
10.根据权利要求3、4、5中任意一项所述的超薄柔性硅太阳电池制备方法，其特征在于，所述HNO3和HF的混合溶液的温度为8℃～35℃。
11.根据权利要求3、4、5中任意一项所述的超薄柔性硅太阳电池制备方法，其特征在于，所述HNO3和HF的混合溶液参与抛光的反应时间时间为10min～60min。
12.根据权利要求1-11任意一项所述超薄柔性硅太阳电池制备方法，其特征在于，所述化学制绒中，所述碱液为KOH或NaOH溶液。
13.根据权利要求12所述超薄柔性硅太阳电池制备方法，其特征在于：所述KOH或NaOH溶液的质量浓度为0.5％～5％。
14.根据权利要求12所述超薄柔性硅太阳电池制备方法，其特征在于：所述KOH或NaOH溶液的温度为60℃～90℃。
15.根据权利要求1-14任意一项所述超薄柔性硅太阳电池制备方法，其特征在于，所述化学制绒的时间为5min～25min。
16.根据权利要求1-15任意一项所述的超薄柔性硅太阳电池制备方法，其特征在于，所述硅片的厚度为小于90μm。
17.根据权利要求1-16任意一项所述的超薄柔性硅太阳电池制备方法，其特征在于，掩膜颗粒的质量浓度为2％～10％。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910377622 | 2019-05-07 | ||
| CN2019103776229 | 2019-05-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111916510A true CN111916510A (zh) | 2020-11-10 |
Family
ID=73242649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910557480.4A Pending CN111916510A (zh) | 2019-05-07 | 2019-06-25 | 超薄柔性硅太阳电池制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111916510A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113808933A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-12-17 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 一种电池用硅片制绒方法及由其制备的电池用硅片 |
-
2019
- 2019-06-25 CN CN201910557480.4A patent/CN111916510A/zh active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113808933A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-12-17 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 一种电池用硅片制绒方法及由其制备的电池用硅片 |
| CN113808933B (zh) * | 2021-08-30 | 2023-12-01 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 一种电池用硅片制绒方法及由其制备的电池用硅片 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108666393B (zh) | 太阳能电池的制备方法及太阳能电池 | |
| CN102212885B (zh) | 多晶硅太阳能电池片的制绒方法 | |
| CN111900214B (zh) | 去除多晶硅绕镀的方法、太阳能电池及其制备方法 | |
| CN109449248A (zh) | 一种高效率se-perc太阳能电池的制备方法 | |
| JP6553731B2 (ja) | Ｎ型両面電池のウェットエッチング方法 | |
| CN110265497B (zh) | 一种选择性发射极的n型晶体硅太阳电池及其制备方法 | |
| CN114678446A (zh) | 一种低成本接触钝化全背电极太阳能电池及其制备方法 | |
| CN110571149A (zh) | 一种p型全接触钝化太阳能电池的制备方法 | |
| CN104037257A (zh) | 太阳能电池及其制造方法、单面抛光设备 | |
| CN109686816A (zh) | 钝化接触n型太阳电池的制备方法 | |
| CN112599636B (zh) | 一种晶体硅太阳能电池的制备方法及晶体硅太阳能电池 | |
| CN111129221A (zh) | 一种perc太阳能电池碱抛光制备方法 | |
| CN115020537B (zh) | 一种p型ibc电池及其制备方法 | |
| CN111584343A (zh) | 一种可同时实现抛光和制绒的单晶硅片的制备方法 | |
| CN113964241A (zh) | N型单晶硅双面太阳电池及其制备方法 | |
| CN106601835A (zh) | 一种单晶硅异质结太阳能电池片绒面尺寸的控制方法 | |
| CN115020538B (zh) | 一种p型ibc单晶太阳能电池及其制备方法 | |
| CN111599895A (zh) | 一种晶硅太阳能钝化接触电池的制备方法 | |
| CN113113510A (zh) | 一种p型双面perc太阳电池及其制备方法和应用 | |
| CN116504877A (zh) | 异质结电池及其制备方法 | |
| WO2012012979A1 (zh) | 一种激光与酸刻蚀结合的制绒方法 | |
| CN111916510A (zh) | 超薄柔性硅太阳电池制备方法 | |
| CN102867880A (zh) | 一种多晶硅表面两次酸刻蚀织构的制备方法 | |
| CN113035978A (zh) | 异面结构硅片及其制备方法、太阳电池及其制备方法 | |
| CN103258918A (zh) | 硅片的制绒方法、太阳能电池片及其制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20210119 Address after: 101149 102-lq307, 1-3 / F, building 26, No. 17, huanke Middle Road, Jinqiao Science and technology industrial base, Tongzhou Park, Zhongguancun Science and Technology Park, Tongzhou District, Beijing Applicant after: Deyun Chuangxin (Beijing) Technology Co.,Ltd. Address before: 100176 10th floor, building 2, yard 9, Ronghua South Road, Yizhuang Economic and Technological Development Zone, Daxing District, Beijing Applicant before: Juntai innovation (Beijing) Technology Co.,Ltd. |
|
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |