CN116504877A - 异质结电池及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及太阳能电池的制备技术领域，具体提供一种异质结电池及其制备方法。异质结电池的制备方法，包括：提供半导体衬底层，半导体衬底层包括相对的第一表面和第二表面；在半导体衬底层的第二表面形成图形化掩膜；图形化掩膜覆盖部分第二表面；对半导体衬底层的第一表面和第二表面未被图形化掩膜覆盖的区域进行制绒处理；去除图形化掩膜，形成第一表面为全面绒面，第二表面为部分绒面的半导体衬底层。本发明提供的异质结电池的制备方法，无需背抛工艺，降低半导体衬底层的破碎率，进而提升异质结电池的光电转换效率；未被图形化掩膜覆盖的第二表面呈绒面，能够提高浆料与半导体衬底层的附着性，进而提高异质结电池的可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池的制备技术领域，具体涉及一种异质结电池及其制备方法。
背景技术
在全球能源转型和双碳目标的大背景下，光伏产业蓬勃发展。异质结电池由于其制造工艺流程短、理论效率高、低温制造以及可薄片化等优点受到了广泛的关注，目前已经是高效硅基太阳能电池的重点研究对象之一。异质结电池一般采用具有双面金字塔结构的绒面的N型单晶硅片制备，但是背面绒面结构会造成后续非晶硅钝化层的沉积不均匀，对钝化效果造成影响，同时背面的绒面不利于入射光的二次反射吸收，因此就需要背面有着良好的平整度。然而随着目前硅片切片技术的发展，硅片趋于薄片化，虽然可降低原料成本，但是硅片的加工难度也随之增大。
目前，背抛工艺是半导体衬底层加工中常用的工艺技术，但是由于半导体衬底层的厚度变薄，在背抛工艺中半导体衬底层的破碎率会增加，且会影响异质结电池的光电转换效率。其次，在异质结电池的制备过程中，由于丝网印刷采用低温银浆，半导体衬底层背面的平整度往往与浆料之间的附着性密切相关，平整度较好的情况下，浆料的附着性会较差，这会造成浆料与半导体衬底层接触不良，使得部分栅线脱落，异质结电池的可靠性较差。
因此，亟需提供一种方案保证半导体衬底层的背面具有良好的平整度的同时减少半导体衬底层的破碎率，还能保证浆料与半导体衬底层的背面的附着性，从而提高异质结电池的光电转换效率以及可靠性。
发明内容
因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中的半导体衬底层的破碎率大导致良率低，原有工艺中裂片率高造成异质结电池的光电转换效率低以及浆料与半导体衬底层背面的附着性小导致异质结电池的可靠性差的缺陷，从而提供一种异质结电池的制备方法。
本发明提供一种异质结电池的制备方法，包括：提供半导体衬底层，所述半导体衬底层包括相对的第一表面和第二表面；在所述半导体衬底层的第二表面形成图形化掩膜；所述图形化掩膜覆盖部分所述第二表面；对所述半导体衬底层的第一表面和第二表面未被所述图形化掩膜覆盖的区域进行制绒处理；去除所述图形化掩膜，形成第一表面为全面绒面，第二表面为部分绒面的半导体衬底层。
可选的，所述图形化掩膜呈条状；所述图形化掩膜的数量为若干条，若干条所述图形化掩膜相互平行且间隔设置；形成所述图形化掩膜的方法包括丝网印刷、喷涂、光刻、沉积或物理溅射中的一种或多种。
可选的，所述制绒处理采用碱性制绒溶液，所述碱性制绒溶液包括KOH溶液或者NaOH溶液，碱性制绒溶液的质量百分比浓度为0.01％-20％，制绒处理的温度为40℃-80℃，制绒处理的时间60s-300s。
可选的，去除所述图形化掩膜的步骤包括：将所述半导体衬底层置于酸洗液中对所述图形化掩膜进行酸洗处理，以去除所述图形化掩膜，形成所述第一表面为全面绒面，所述第二表面为部分绒面的半导体衬底层。
可选的，所述酸洗液包括HF溶液，酸洗液的质量百分比浓度为0.001％-30％，所述酸洗处理的温度为25℃-30℃，所述酸洗处理的时间20s-600s。
可选的，还包括：在所述半导体衬底层的第二表面形成图形化掩膜之前，对所述半导体衬底层的第一表面和第二表面进行预清洗处理；所述预清洗处理采用HF和HCl的混合溶液；所述HF的质量百分比浓度为0.01％-5％，所述HCl的质量百分比浓度为5％-20％；所述混合溶液中的HF和HCl的体积比为0.1-0.3。
可选的，还包括：在所述半导体衬底层的第一表面一侧形成第一栅线，在所述半导体衬底层的第二表面一侧形成第二栅线；所述第二栅线与所述第二表面的绒面对应设置，所述第一栅线与所述第二栅线对应设置；还包括：去除所述图形化掩膜之后，在所述半导体衬底层的第一表面形成第一本征半导体层以及在所述半导体衬底层的第二表面形成第二本征半导体层；在所述第一本征半导体层背离所述半导体衬底层的一侧形成第一掺杂半导体层以及在所述第二本征半导体层背离所述半导体衬底层的一侧形成第二掺杂半导体层；其中，所述第二掺杂半导体层的导电类型和所述第一掺杂半导体层的导电类型相反；在所述第一掺杂半导体层背离所述半导体衬底层的一侧形成第一透明导电膜；在所述第二掺杂半导体层背离所述半导体衬底层的一侧形成第二透明导电膜；在形成所述第一透明导电膜和所述第二透明导电膜之后，在所述第一透明导电膜背离所述半导体衬底层的一侧形成第一栅线；在所述第二透明导电膜背离所述半导体衬底层的一侧形成第二栅线。
本发明还提供一种异质结电池，包括：半导体衬底层，所述半导体衬底层的第一表面呈全面绒面，所述半导体衬底层的第二表面呈部分绒面。
可选的，还包括：位于所述半导体衬底层的第一表面一侧的第一栅线；位于所述半导体衬底层的第二表面一侧的第二栅线；所述第二栅线与所述第二表面的绒面对应设置，所述第一栅线与所述第二栅线对应设置。
可选的，还包括：第一本征半导体层，位于所述半导体衬底层的第一表面、且位于所述第一栅线朝向所述半导体衬底层的一侧；第二本征半导体层，位于所述半导体衬底层的第二表面、且位于所述第二栅线朝向所述半导体衬底层的一侧；第一掺杂半导体层，位于所述第一本征半导体层背离所述半导体衬底层的一侧、且位于所述第一栅线朝向所述半导体衬底层的一侧；第二掺杂半导体层，位于所述第二本征半导体层背离所述半导体衬底层的一侧、且位于所述第二栅线朝向所述半导体衬底层的一侧；第一透明导电膜，位于所述第一掺杂半导体层背离所述半导体衬底层的一侧、且位于所述第一栅线朝向所述半导体衬底层的一侧；第二透明导电膜，位于所述第二掺杂半导体层背离所述半导体衬底层的一侧、且位于所述第二栅线朝向所述半导体衬底层的一侧；其中，所述第二掺杂半导体层的导电类型和第一掺杂半导体层的导电类型相反。
本发明的有益效果在于：
本发明提供的异质结电池的制备方法，在半导体衬底层的第一表面形成全面绒面，当有光线从异质结电池的第一表面照射时，入射的太阳光被所述半导体衬底层反射的量降低，这样使得从异质结电池的第一表面入射的太阳光能较多的进入半导体衬底层中。在半导体衬底层的第二表面形成图形化掩膜的区域不受制绒处理的影响、并在去除图形化掩膜之后呈部分光面，首先，有利于半导体衬底层的长波吸收，避免半导体衬底层的第二表面光生载流子的复合，提升少子的寿命；其次，有利于保持半导体衬底层的第二表面的平整度，提高后续形成非晶硅层的均匀性，增加非晶硅层的钝化效果；第三，无需加入背抛工艺，能够降低半导体衬底层的破碎率，进而提升异质结电池的光电转换效率；同时，半导体衬底层的第二表面形成部分绒面，有利于提高后续印刷的浆料与半导体衬底层的附着性，避免后续形成的第二栅线脱栅，提高异质结电池的可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例1中异质结电池的制备方法的流程图；
图2至图10为本发明实施例1中异质结电池的制备方法中各工艺的结构示意图；
附图标记说明：
1-半导体衬底层；2-图形化掩膜；4-第一本征半导体层；5-第二本征半导体层；6-第一掺杂半导体层；7-第二掺杂半导体层；8-第一透明导电膜；9-第二透明导电膜；10-第一栅线；11-第二栅线。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
实施例1
本发明实施例提供一种异质结电池的制备方法，参考图1，该方法包括：
S1：提供半导体衬底层，所述半导体衬底层包括相对的第一表面和第二表面；
S2：在所述半导体衬底层的第二表面形成图形化掩膜；所述图形化掩膜覆盖部分所述第二表面；
S3：对所述半导体衬底层的第一表面和第二表面未被所述图形化掩膜覆盖的区域进行制绒处理；
S4：去除所述图形化掩膜，形成第一表面为全面绒面，第二表面为部分绒面的半导体衬底层。
在本实施例中，在半导体衬底层的第一表面形成全面绒面，当有光线从异质结电池的第一表面照射时，入射的太阳光被所述半导体衬底层反射的量降低，这样使得从异质结电池的第一表面入射的太阳光能较多的进入半导体衬底层中。在半导体衬底层的第二表面形成图形化掩膜的区域不受制绒处理的影响、并在去除图形化掩膜之后呈部分光面，首先，有利于半导体衬底层的长波吸收，避免半导体衬底层的第二表面光生载流子的复合，提升少子的寿命；其次，有利于保持半导体衬底层的第二表面的平整度，提高后续形成非晶硅层的均匀性，增加非晶硅层的钝化效果；第三，无需加入背抛工艺，能够降低半导体衬底层的破碎率，进而提升异质结电池的光电转换效率；同时，半导体衬底层的第二表面形成部分绒面，有利于提高后续印刷的浆料与半导体衬底层的附着性，避免后续形成的第二栅线脱栅，提高异质结电池的可靠性。
异质结电池的制备方法还包括：在所述半导体衬底层的第二表面形成图形化掩膜之前，对所述半导体衬底层的第一表面和第二表面进行预清洗处理。
下面参照图2至图10详细介绍异质结电池的制备方法。
参考图2，提供半导体衬底层1。
所述半导体衬底层1包括相对的第一表面和第二表面。
具体的，半导体衬底层1的第一表面为半导体衬底层1的正面，半导体衬底层1的第二表面为半导体衬底层1的背面。在其他实施例中，还可以是，半导体衬底层的第一表面为半导体衬底层的背面，半导体衬底层的第二表面为半导体衬底层的正面。
半导体衬底层1的材料包括单晶硅。在其他实施例中，半导体衬底层的材料为其他的半导体材料，如硅或者硅锗。半导体衬底层的材料还可以为其他的半导体材料。
本实施例中，半导体衬底层的导电类型为N型，例如可以为N型硅片，适合用于异质结电池的制备。
参考图3，对所述半导体衬底层1的第一表面和第二表面进行预清洗处理。
预清洗处理的作用包括：去除半导体衬底层1第一表面和第二表面的有机物以及金属污染物。
在本实施例中，预清洗处理采用HF和HCl的混合溶液；所述HF的质量百分比浓度为0.01％-5％，例如为0.01％、1％、3％或5％，所述HCl的质量百分比浓度为5％-20％，例如为5％、10％、15％或20％；所述混合溶液中的HF和HCl的体积比为0.1-0.3，例如为0.1、0.2或0.3。
在本实施例中，对所述半导体衬底层1的第一表面和第二表面进行预清洗处理之后，对所述半导体衬底层1的第一表面和第二表面进行第一烘干处理(图中未示意)。
参考图4，在所述半导体衬底层1的第二表面形成图形化掩膜2。
在本实施例中，对所述半导体衬底层1的第一表面和第二表面进行第一烘干处理之后，在所述半导体衬底层1的第二表面形成图形化掩膜2。所述图形化掩膜2为抗碱不抗酸的掩膜，由于后续制绒处理采用碱性制绒溶液，被图形化掩膜2遮挡的半导体衬底层1的区域经过制绒处理、并在去除图形化掩膜2之后呈部分光面，无需加入背抛工艺，能够减少原有工艺中裂片情况，降低半导体衬底层1的破碎率，提高产品良率，同时提升异质结电池的光电转换效率；其次，在后续去除图形化掩膜2的步骤中，仅在对半导体衬底层1进行酸洗的过程中可以直接去除，无需额外的清洗工序，降低工艺生产成本。
在一个实施例中，所述图形化掩膜2呈条状；所述图形化掩膜2的数量为若干条，若干条所述图形化掩膜2相互平行且间隔设置。
在一个实施例中，形成所述图形化掩膜2的方法包括丝网印刷、喷涂、光刻、沉积或物理溅射中的一种或多种。在其他实施例中，形成图形化掩膜的方法包括其他方法。
在其他实施例中，无需进行第一烘干处理；对所述半导体衬底层1的第一表面和第二表面进行预清洗处理之后，在所述半导体衬底层的第二表面形成图形化掩膜。
参考图5，对所述半导体衬底层1的第一表面和第二表面进行制绒处理。
在所述半导体衬底层1的第二表面形成图形化掩膜2之后，对所述半导体衬底层1的第一表面和第二表面进行制绒处理。
进行制绒处理之后，半导体衬底层1的第一表面形成全面绒面，当有光线从异质结电池的第一表面照射时，入射的太阳光被所述半导体衬底层1反射的量降低，这样使得从异质结电池的第一表面入射的太阳光能较多的进入半导体衬底层1中。半导体衬底层1的第二表面未形成图形化掩膜2的区域呈部分绒面，有利于提高后续印刷的浆料与半导体衬底层的附着性，避免后续形成的第二栅线脱栅，提高异质结电池的可靠性。
在一个实施例中，绒面为金字塔形。在其他实施例中，所述绒面还可以为其他形状，不做限制。
在一个实施例中，通过碱制绒形成金字塔陷光绒面。所述制绒处理采用碱性制绒溶液，所述碱性制绒溶液包括KOH溶液或者NaOH溶液，碱性制绒溶液的质量百分比浓度为0.01％-20％，例如为0.01％、2％、4％、6％、8％、10％、15％或20％；制绒处理的温度为40℃-80℃，例如为40℃、50℃、60℃、70℃或80℃，制绒处理的时间60s-300s，例如为60s、100s、150s、200s、250s或300s。
参考图6，去除所述图形化掩膜2，形成第一表面为全面绒面，第二表面为部分绒面的半导体衬底层。
对所述半导体衬底层1的第一表面和第二表面进行制绒处理之后，去除所述图形化掩膜2。
具体的，去除所述图形化掩膜2的步骤包括：将所述半导体衬底层1置于酸洗液中对所述图形化掩膜2进行酸洗处理，以去除所述图形化掩膜，形成第一表面为全面绒面，第二表面为部分绒面的半导体衬底层1。
在一个实施例中，所述酸洗液包括HF溶液，酸洗液的质量百分比浓度为0.001％-30％，例如为0.001％、5％、10％、15％、20％或30％；酸洗处理的温度为25℃-30℃，例如为25℃、28℃或30℃；酸洗处理的时间20s-600s，例如为20s、100s、200s、300s、400s、500s或600s。
在本实施例中，去除所述图形化掩膜2之后，对所述半导体衬底层1的第一表面和第二表面进行漂洗处理；对所述半导体衬底层1的第一表面和第二表面进行漂洗处理之后，对所述半导体衬底层1的第一表面和第二表面进行第二烘干处理。
参考图7，在所述半导体衬底层1的第一表面形成第一本征半导体层4以及在所述半导体衬底层1的第二表面形成第二本征半导体层5。
对所述半导体衬底层1的第一表面和第二表面进行第二烘干处理之后，在所述半导体衬底层1的第一表面形成第一本征半导体层4以及在所述半导体衬底层1的第二表面形成第二本征半导体层5。
在其他实施例中，无需进行第二烘干处理，也无需进行漂洗处理；去除所述图形化掩膜之后，在所述半导体衬底层的第一表面形成第一本征半导体层以及在所述半导体衬底层的第二表面形成第二本征半导体层。
形成所述第一本征半导体层4的工艺包括气相沉积工艺。形成所述第二本征半导体层5的工艺包括气相沉积工艺。通过形成第一本征半导体层4和第二本征半导体层5，可以有效地将半导体衬底层1的悬挂键氢化并降低表面缺陷，从而提高少子寿命，增加开路电压，最终提高异质结电池效率。
参考图8，在所述第一本征半导体层4背离所述半导体衬底层1的一侧形成第一掺杂半导体层6以及在所述第二本征半导体层5背离所述半导体衬底层1的一侧形成第二掺杂半导体层7。
在所述半导体衬底层1的第一表面形成第一本征半导体层4以及在所述半导体衬底层1的第二表面形成第二本征半导体层5之后，在所述第一本征半导体层4背离所述半导体衬底层1的一侧形成第一掺杂半导体层6以及在所述第二本征半导体层5背离所述半导体衬底层1的一侧形成第二掺杂半导体层7。其中，所述第二掺杂半导体层7的导电类型和所述第一掺杂半导体层6的导电类型相反。
在本实施例中，以第一掺杂半导体层6的导电类型为N型，第二掺杂半导体层7的导电类型为P型为示例。
形成所述第一掺杂半导体层6的工艺包括气相沉积工艺。形成所述第二掺杂半导体层7的工艺包括气相沉积工艺。
参考图9，在所述第一掺杂半导体层6背离所述半导体衬底层1的一侧形成第一透明导电膜8；在所述第二掺杂半导体层7背离所述半导体衬底层1的一侧形成第二透明导电膜9。
在所述第一本征半导体层4背离所述半导体衬底层1的第一表面形成第一掺杂半导体层6以及在所述第二本征半导体层5背离所述半导体衬底层1的第二表面形成第二掺杂半导体层7之后，在所述第一掺杂半导体层6背离所述半导体衬底层1的一侧形成第一透明导电膜8；在所述第二掺杂半导体层7背离所述半导体衬底层1的一侧形成第二透明导电膜9。
参考图10，在所述第一透明导电膜8背离所述半导体衬底层1的一侧形成第一栅线10；在所述第二透明导电膜9背离所述半导体衬底层1的一侧形成第二栅线11。
在所述第一掺杂半导体层6背离所述半导体衬底层1的一侧形成第一透明导电膜8；在所述第二掺杂半导体层7背离所述半导体衬底层1的一侧形成第二透明导电膜9之后，在所述第一透明导电膜8背离所述半导体衬底层1的一侧形成第一栅线10；在所述第二透明导电膜9背离所述半导体衬底层1的一侧形成第二栅线11。
具体的，所述第二栅线11与所述第二表面的绒面对应设置，所述第一栅线10与所述第二栅线11对应设置。
实施例2
本实施例提供一种异质结电池，参考图10，包括：
半导体衬底层1，所述半导体衬底层1的第一表面呈全面绒面，所述半导体衬底层1的第二表面呈部分绒面。
在本实施例中，所述半导体衬底层1的第一表面呈全面绒面，当有光线从异质结电池的第一表面照射时，入射的太阳光被所述半导体衬底层1反射的量降低，这样使得从异质结电池的第一表面入射的太阳光能较多的进入半导体衬底层1中。所述半导体衬底层1的第二表面呈部分绒面，有利于提高后续印刷的浆料与半导体衬底层的附着性，避免后续形成第二栅线脱栅，提高异质结电池的可靠性。
异质结电池还包括：位于所述半导体衬底层1的第一表面一侧的第一栅线10；位于所述半导体衬底层1的第二表面一侧的第二栅线11。
在一个实施例中，所述第二栅线11与所述第二表面的绒面对应设置，所述第一栅线10与所述第二栅线11对应设置。由于绒面结构有利于保持印刷的浆料与半导体衬底层的附着性，能够避免第一栅线10和第二栅线11脱栅，提高异质结电池的可靠性。
异质结电池还包括：第一本征半导体层4，位于所述半导体衬底层1的第一表面、且位于所述第一栅线10朝向所述半导体衬底层1的一侧；第二本征半导体层5，位于所述半导体衬底层1的第二表面、且位于所述第二栅线11朝向所述半导体衬底层1的一侧；第一掺杂半导体层6，位于所述第一本征半导体层4背离所述半导体衬底层1的一侧、且位于所述第一栅线10朝向所述半导体衬底层1的一侧；第二掺杂半导体层7，位于所述第二本征半导体层5背离所述半导体衬底层1的一侧、且位于所述第二栅线11朝向所述半导体衬底层1的一侧；第一透明导电膜8，位于所述第一掺杂半导体层6背离所述半导体衬底层1的一侧、且位于所述第一栅线10朝向所述半导体衬底层1的一侧；第二透明导电膜9，位于所述第二掺杂半导体层7背离所述半导体衬底层1的一侧、且位于所述第二栅线11朝向所述半导体衬底层1的一侧。
所述第二掺杂半导体层7的导电类型和第一掺杂半导体层6的导电类型相反。在本实施例中，以第一掺杂半导体层6的导电类型为N型，第二掺杂半导体层7的导电类型为P型为示例。
本发明不同于现有技术中通过碱液与半导体衬底层的背面的全区域反应对其抛光，而正面的全区域由于氧化层的保护而不被反应，从而使得半导体衬底层的背面可形成具有良好平整度的背抛面。具体的，本发明提到的第一表面为半导体衬底层的正面，第二表面为半导体衬底层的背面；本发明半导体衬底层1的背面形成图形化掩膜的区域经过制绒处理、并在去除图形化掩膜之后呈部分光面，无需加入背抛工艺，能够降低半导体衬底层1的破碎率，提高产品良率，并减少原有工艺中裂片情况，进而提升异质结电池的光电转换效率约0.05％-0.2％；同时，半导体衬底层1未形成图形化掩膜2的区域经过制绒处理呈部分绒面，有利于提高后续印刷的浆料与半导体衬底层1的附着性，避免后续形成第一栅线10和第二栅线11脱栅，提高异质结电池的可靠性。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。
Claims (10)
1.一种异质结电池的制备方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底层，所述半导体衬底层包括相对的第一表面和第二表面；
在所述半导体衬底层的所述第二表面形成图形化掩膜；所述图形化掩膜覆盖部分所述第二表面；
对所述半导体衬底层的所述第一表面和所述第二表面未被所述图形化掩膜覆盖的区域进行制绒处理；
去除所述图形化掩膜，形成所述第一表面为全面绒面，所述第二表面为部分绒面的半导体衬底层。
2.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，所述图形化掩膜呈条状；所述图形化掩膜的数量为若干条，若干条所述图形化掩膜相互平行且间隔设置；
形成所述图形化掩膜的方法包括丝网印刷、喷涂、光刻、沉积或物理溅射中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，所述制绒处理采用碱性制绒溶液，所述碱性制绒溶液包括KOH溶液或者NaOH溶液，碱性制绒溶液的质量百分比浓度为0.01％-20％，制绒处理的温度为40℃-80℃，制绒处理的时间60s-300s。
4.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于：去除所述图形化掩膜的步骤包括：将所述半导体衬底层置于酸洗液中对所述图形化掩膜进行酸洗处理，以去除所述图形化掩膜，形成所述第一表面为全面绒面，所述第二表面为部分绒面的半导体衬底层。
5.根据权利要求4所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，所述酸洗液包括HF溶液，酸洗液的质量百分比浓度为0.001％-30％，所述酸洗处理的温度为25℃-30℃，所述酸洗处理的时间20s-600s。
6.根据权利要求1-5任一项所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，还包括：在所述半导体衬底层的所述第二表面形成图形化掩膜之前，对所述半导体衬底层的所述第一表面和所述第二表面进行预清洗处理，所述预清洗处理采用HF和HCl的混合溶液；所述HF的质量百分比浓度为0.01％-5％，所述HCl的质量百分比浓度为5％-20％；所述混合溶液中的HF和HCl的体积比为0.1-0.3。
7.根据权利要求1-5任一项所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，还包括：在所述半导体衬底层的所述第一表面一侧形成第一栅线，在所述半导体衬底层的所述第二表面一侧形成第二栅线；
所述第二栅线与所述第二表面的绒面对应设置，所述第一栅线与所述第二栅线对应设置；
还包括：去除所述图形化掩膜之后，在所述半导体衬底层的所述第一表面形成第一本征半导体层以及在所述半导体衬底层的所述第二表面形成第二本征半导体层；
在所述第一本征半导体层背离所述半导体衬底层的一侧形成第一掺杂半导体层以及在所述第二本征半导体层背离所述半导体衬底层的一侧形成第二掺杂半导体层；其中，所述第二掺杂半导体层的导电类型和所述第一掺杂半导体层的导电类型相反；
在所述第一掺杂半导体层背离所述半导体衬底层的一侧形成第一透明导电膜；在所述第二掺杂半导体层背离所述半导体衬底层的一侧形成第二透明导电膜；在形成所述第一透明导电膜和所述第二透明导电膜之后，在所述第一透明导电膜背离所述半导体衬底层的一侧形成第一栅线；在所述第二透明导电膜背离所述半导体衬底层的一侧形成第二栅线。
8.一种异质结电池，其特征在于，包括：
半导体衬底层，所述半导体衬底层的第一表面呈全面绒面，所述半导体衬底层的第二表面呈部分绒面。
9.根据权利要求8所述的异质结电池，其特征在于，还包括：位于所述半导体衬底层的第一表面一侧的第一栅线；位于所述半导体衬底层的第二表面一侧的第二栅线；
所述第二栅线与所述第二表面的绒面对应设置，所述第一栅线与所述第二栅线对应设置。
10.根据权利要求9所述的异质结电池，其特征在于，还包括：第一本征半导体层，位于所述半导体衬底层的第一表面、且位于所述第一栅线朝向所述半导体衬底层的一侧；
第二本征半导体层，位于所述半导体衬底层的第二表面、且位于所述第二栅线朝向所述半导体衬底层的一侧；
第一掺杂半导体层，位于所述第一本征半导体层背离所述半导体衬底层的一侧、且位于所述第一栅线朝向所述半导体衬底层的一侧；第二掺杂半导体层，位于所述第二本征半导体层背离所述半导体衬底层的一侧、且位于所述第二栅线朝向所述半导体衬底层的一侧；第一透明导电膜，位于所述第一掺杂半导体层背离所述半导体衬底层的一侧、且位于所述第一栅线朝向所述半导体衬底层的一侧；第二透明导电膜，位于所述第二掺杂半导体层背离所述半导体衬底层的一侧、且位于所述第二栅线朝向所述半导体衬底层的一侧；
其中，所述第二掺杂半导体层的导电类型和第一掺杂半导体层的导电类型相反。
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |