CN115020508A - 一种全背接触太阳能电池及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
提供了一种全背接触太阳能电池及其制作方法，其包括：在P型硅片衬底的正表面上形成第一氮化硅掩模；在衬底的背表面上形成具有多个通孔的隧穿钝化接触层，并去除第一氮化硅掩模；在隧穿钝化接触层上和通孔中依序形成第一钝化层和第一减反射层，且衬底的正表面上依序形成第二钝化层和第二减反射层；在通孔区域内形成与衬底接触的第一电极，且形成与隧穿钝化接触层接触的第二电极。所述制作方法通过利用氮化硅掩膜层以对衬底正面的绒面结构进行保护，有效解决了在形成隧穿钝化接触结构的过程中导致的多晶硅薄膜绕镀及磷杂质绕扩的清洗去除操作复杂的问题，有利于简化后续的清洗工序，此外，电池的背场区域为抛光面，避免了造成光电流的损失。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种全背接触太阳能电池及其制作方法。
背景技术
全背电极太阳能电池(Interdigitated Back Contact，IBC)由于电池的正面没有电极栅线的遮挡，因此其对入射光的吸收效果较好，电池的转换效率也较高。但由于IBC电池的特殊结构，光生载流子产生后需要运动至电池的背面才能够被收集，使其对硅片少子寿命的要求也较高。目前，现有技术中大部分均选用N型单晶硅片作为电池的基底，虽然N型IBC电池具有高效率、外观优美等优势，但仍存在一定的缺陷。一方面N型IBC电池在利用硼扩散工艺进行硼掺杂的过程中生成的硼硅玻璃对石英管的破坏尤为严重，导致维护成本较高；另一方面电池的发射极区和场区均需要进行硼掺杂，从而进一步增加了制备电池的工艺流程和生产成本；此外，N型单晶硅片的价格也高于P型单晶硅片，从而进一步增加了电池的生产成本。因此，N型IBC电池由于仍存在生产成本较高、工艺较为复杂等问题，从而在市场上一直缺乏竞争性。
近几年，随着P型单晶硅片的少子寿命质量的提升，在P型单晶硅片上制备低成本、高效率的IBC电池成为可能。例如专利公开号CN109244194A通过利用隧穿氧化、多晶硅沉积、氮化硅掩膜、激光图形化、局部铝背场等工艺制备获得了一种P型IBC电池。但该P型IBC电池的背场区域表面为绒面，而非抛光面，导致了到达该电池背面的部分光子未能够进行有效反射，造成光电流的损失，此外，在进行多晶硅沉积制备的过程中导致的多晶硅层的绕镀以及磷杂质的绕扩的清洗操作也比较复杂，不利于减少制备P型IBC电池的工序时长和制造成本。
发明内容
为了解决上述现有技术存在的问题，本发明提供了一种全背接触太阳能电池及其制作方法。
根据本发明的实施例的一方面提供的一种全背接触太阳能电池的制作方法，所述制作方法包括：在P型硅片衬底的正表面上形成第一氮化硅掩模；在所述P型硅片衬底的背表面上形成具有多个通孔的隧穿钝化接触层，并去除所述第一氮化硅掩模；所述P型硅片衬底的正表面和背表面彼此相对；在所述隧穿钝化接触层上和所述通孔中形成第一钝化层，且在所述P型硅片衬底的正表面上形成第二钝化层；在所述第一钝化层上形成第一减反射层，且在所述第二钝化层上形成第二减反射层；在与通孔区域相对的所述P型硅片衬底的背表面上形成与所述P型硅片衬底接触的第一电极，且在与所述通孔区域之外的区域相对的所述第一减反射层上形成穿过所述第一减反射层和所述第一钝化层而与所述隧穿钝化接触层接触的第二电极。
在上述实施例的一方面提供的全背接触太阳能电池的制作方法的一个示例中，在所述P型硅片衬底的正表面上形成第一氮化硅掩模之后，且在所述P型硅片衬底的背表面上形成具有多个通孔的隧穿钝化接触层之前，对所述P型硅片衬底的背表面进行抛光处理，以使所述P型硅片衬底的背表面形成为抛光面。
在上述实施例的一方面提供的全背接触太阳能电池的制作方法的一个示例中，所述在P型硅片衬底的正表面上形成第一氮化硅掩模的方法包括：对所述P型硅片衬底进行碱制绒，以使所述P型硅片衬底的正表面和背表面形成金字塔绒面；对所述P型硅片衬底进行酸洗，以去除衬底表面的杂质；在所述P型硅片衬底的正表面上形成所述第一氮化硅掩模。
在上述实施例的一方面提供的全背接触太阳能电池的制作方法的一个示例中，所述在所述P型硅片衬底的背表面上形成具有多个通孔的隧穿钝化接触层，并去除所述第一氮化硅掩模的方法包括：在所述P型硅片衬底的背表面上依序形成层叠的隧穿氧化层和本征多晶硅层；通过磷扩散工艺对所述本征多晶硅层进行磷掺杂处理以将所述本征多晶硅层形成为磷掺杂多晶硅层；将与通孔区域相对的所述磷掺杂多晶硅层和所述隧穿氧化层去除，以形成所述多个通孔；清洗去除所述第一氮化硅掩模；其中，所述磷掺杂多晶硅层中磷掺杂方阻为30ohn/sq～150ohn/sq。
在上述实施例的一方面提供的全背接触太阳能电池的制作方法的一个示例中，所述将与所述通孔区域相对的所述磷掺杂多晶硅层和所述隧穿氧化层去除，以形成所述多个通孔的方法包括：在与所述通孔区域相对的所述磷掺杂多晶硅层和与所述通孔区域之外的区域相对的所述磷掺杂多晶硅层上形成第二氮化硅掩模；通过激光刻蚀将与所述通孔区域相对的所述第二氮化硅掩模去除；将与所述通孔区域相对的所述磷掺杂多晶硅层和所述隧穿氧化层进行去除，以形成所述多个通孔。
在上述实施例的一方面提供的全背接触太阳能电池的制作方法的一个示例中，所述清洗去除所述第一氮化硅掩模的方法包括：采用质量百分比浓度为1％～15％的HF溶液将所述第一氮化硅掩模和所述第二氮化硅掩模同时进行清洗去除。
在上述实施例的一方面提供的全背接触太阳能电池的制作方法的一个示例中，形成所述第一电极的方法包括：通过激光刻蚀去除所述通孔区域内与所述第一电极区域相对的所述第一减反射层和所述第一钝化层，以暴露出与所述第一电极区域相对的所述P型硅片衬底；在与所述第一电极区域相对的所述P型硅片衬底的背表面上丝网印刷第一电极浆料；在第一温度下进行高温烧结使所述第一电极浆料与所述P型硅片衬底形成欧姆接触，以形成所述第一电极。
在上述实施例的一方面提供的全背接触太阳能电池的制作方法的一个示例中，形成所述第二电极的方法包括：在与所述通孔区域之外的区域相对的所述第一减反射层上丝网印刷第二电极浆料；在第二温度下进行高温烧结使所述第二电极浆料烧穿所述第一减反射层和所述第一钝化层而与所述隧穿钝化接触层形成欧姆接触，以形成所述第二电极。
在上述实施例的一方面提供的全背接触太阳能电池的制作方法的一个示例中，所述第一电极浆料包括银浆料和铝浆料，且所述第一电极浆料为不可烧穿型浆料；所述第二电极浆料包括银浆料，且所述第二电极浆料为可烧穿型浆料。
根据本发明实施例的另一方面提供的全背接触太阳能电池，由上述的制作方法制作而成。
有益效果：本发明的全背接触太阳能电池，以P型单晶硅片作为衬底，在对衬底进行双面制绒处理后通过利用氮化硅掩膜层以对衬底的正面的绒面结构进行保护，有利于解决在制备电池的背面的隧穿钝化接触结构的过程中导致的多晶硅薄膜绕镀及磷杂质绕扩的清洗去除操作复杂的问题，从而有利于简化电池制备过程中的清洗工序，减少工序时长，降低电池的制造成本；此外，所述全背接触太阳能电池的背表面经过抛光处理形成为抛光面，有利于使到达电池背面的部分光子能够进行有效反射，避免造成光电流的损失，进而有利于提高电池的转化效率。
附图说明
通过结合附图进行的以下描述，本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：
图1是根据本发明的实施例的全背接触太阳能电池的结构示意图；
图2是根据本发明的实施例的全背接触太阳能电池的制作过程示意图；
图3是根据本发明的实施例的全背接触太阳能电池的制作方法的流程图。
具体实施方式
以下，将参照附图来详细描述本发明的具体实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。
如本文中使用的，术语“包括”及其变型表示开放的术语，含义是“包括但不限于”。术语“基于”、“根据”等表示“至少部分地基于”、“至少部分地根据”。术语“一个实施例”和“一实施例”表示“至少一个实施例”。术语“另一个实施例”表示“至少一个其他实施例”。术语“第一”、“第二”等可以指代不同的或相同的对象。下面可以包括其他的定义，无论是明确的还是隐含的。除非上下文中明确地指明，否则一个术语的定义在整个说明书中是一致的。
如背景技术中所述，现有的P型IBC电池的背场区域表面为绒面，导致了到达电池背面的部分光子未能够进行有效反射，造成光电流的损失，此外，在进行多晶硅沉积制备的过程中导致的多晶硅层的绕镀以及磷杂质的绕扩的清洗操作也比较复杂。因此，为了解决所述现有技术中有关P型IBC电池存在的技术问题，根据本发明的实施例提供了一种全背接触太阳能电池及其制作方法。
以下将结合附图来详细描述根据本发明的实施例的全背接触太阳能电池及其制作方法。
图1是根据本发明的实施例的全背接触太阳能电池的结构示意图。
参照图1，根据本发明的实施例的全背接触太阳能电池包括：P型硅片衬底10、隧穿钝化接触层20(所述隧穿钝化接触层20包括依序层叠的隧穿氧化层21和磷掺杂多晶硅层22)、第一钝化层30、第一减反射层40、第二钝化层50、第一减反射层60、第一电极70和第二电极80。
具体地，所述隧穿钝化接触层20设置于所述P型硅片衬底10的背表面上。所述隧穿钝化接触层20具有多个通孔。
所述第一钝化层30和所述第一减反射层40依序层叠于所述隧穿钝化接触层20上和所述通孔中。
所述第二钝化层50和第二减反射层60依序层叠于所述P型硅片衬底10的正表面上。
所述第一电极70设置于与通孔区域相对的所述P型硅片衬底10的背表面上且与所述P型硅片衬底10接触。
所述第二电极80贯穿第一减反射层40和所述第一钝化层30而与所述隧穿钝化接触层20接触。
所述P型硅片衬底10的正表面和背表面是所述P型硅片衬底10的彼此相对的一对表面。其中，所述P型硅片衬底10的正表面为受光面，所述P型硅片衬底10的背表面为背光面。
图2是根据本发明的实施例的全背接触太阳能电池的制作过程示意图。图3是根据本发明的实施例的全背接触太阳能电池的制作方法的流程图。一并参照图2和图3，根据发明的实施例的全背接触太阳能电池的制作方法包括步骤S110、步骤S120、步骤S130、步骤S140、步骤S150、步骤S160和步骤S170。
具体地，在步骤S110中，在P型硅片衬底10的正表面上形成第一氮化硅掩模。
具体地，实现所述步骤S110的方法进一步包括：
第一步、首先通过采用KOH溶液对与所述P型硅片衬底10进行碱制绒，以使所述P型硅片衬底10的正表面和背表面形成金字塔绒面。其中，进行碱制绒的温度为60℃～95℃。
第二步、通过采用质量百分比浓度为1％～10％的HF溶液或HCl溶液对所述P型硅片衬底10进行酸洗，以清洗去除衬底表面残留的杂质。
第三步、在所述P型硅片衬底10的正表面上形成所述第一氮化硅掩模。
在一个示例中，所述第一氮化硅掩模的形成方法包括：利用等离子体增强化学的气相沉积法(PECVD)在所述P型硅片衬底10的正表面上形成所述第一氮化硅掩模。其中，通过射频电源辉光放电分解SiN4和NH3，形成Si和N的离子，它们结合形成SiNx分子。
在一个示例中，所述第一氮化硅掩模的厚度为60nm～120nm。
氮化硅掩模的制备时间短，薄膜均匀性和致密性较好，掩膜效果也较好。利用所述氮化硅掩膜以对衬底的正表面的绒面结构进行保护，有利于解决在制备电池背面的隧穿钝化接触结构的过程中导致的多晶硅薄膜绕镀及磷杂质绕扩的清洗去除操作复杂的问题，从而有利于简化电池制备过程中的清洗工序，减少工序时长，降低电池的制造成本。
在步骤S120中，对所述P型硅片衬底10的背表面进行抛光处理，以使所述P型硅片衬底10的背表面形成为抛光面。
具体地，实现所述步骤S120的方法进一步包括：
首先，采用质量百分比浓度为1％～10％的HF溶液对所述P型硅片衬底10的背表面进行酸洗，以清洗去除所述衬底10的背表面的氮化硅绕镀。
然后，采用KOH溶液对所述P型硅片衬底10的背表面进行抛光处理，以使所述P型硅片衬底10的背表面形成为抛光面。
通过将所述P型硅片衬底10的背表面经过抛光处理形成为抛光面，有利于使到达电池背面的部分光子能够进行有效反射，避免造成光电流的损失，进而有利于提高电池的转化效率。
在对所述P型硅片衬底10的背表面进行抛光处理的过程中，所述第一氮化硅掩模有利于保护所述衬底10的正表面的绒面结构不被破坏。
在步骤S130中，在所述P型硅片衬底10的背表面上形成具有多个通孔的隧穿钝化接触层20，并去除所述第一氮化硅掩模。其中，所述P型硅片衬底10的正表面和背表面彼此相对。
具体地，实现所述步骤S130的方法进一步包括：
第一步、在所述P型硅片衬底10的背表面上依序形成层叠的隧穿氧化层21和本征多晶硅层。
其中，所述隧穿氧化层21的厚度为1nm～2nm。
所述本征多晶硅层的厚度为100nm～200nm。所述本征多晶硅层的形成方法包括等离子体增强化学的气相沉积法(PECVD)和低压化学气相沉积法(LPCVD)。
第二步、通过磷扩散工艺对所述本征多晶硅层进行磷掺杂处理以将所述本征多晶硅层形成为磷掺杂多晶硅层22。其中，进行所述磷掺杂处理的温度为800℃～900℃。
在一个示例中，所述磷掺杂多晶硅层22中磷掺杂方阻为30ohn/sq～150ohn/sq。
第三步、在所述磷掺杂多晶硅层22上形成第二氮化硅掩模。其中，所述第二氮化硅掩模的厚度为40nm～80nm。
第四步、通过激光刻蚀将与所述通孔区域相对的所述第二氮化硅掩模去除。
第五步、将与所述通孔区域相对的所述磷掺杂多晶硅层22和所述隧穿氧化层21进行去除，以形成所述多个通孔；具体包括：
首先，采用质量百分比浓度为1％～15％的HF溶液去除所述通孔区域内残留的氮化硅和磷硅玻璃层。然后，采用KOH溶液对与所述通孔区域相对的所述磷掺杂多晶硅层22和所述隧穿氧化层21进行腐蚀去除，以形成所述多个通孔。
第六步、采用质量百分比浓度为1％～15％的HF溶液将所述第一氮化硅掩模和所述第二氮化硅掩模同时进行清洗去除。并且，所述HF溶液还能够同时去除在所述P型硅片衬底10的四周残留的氮化硅杂质。
在步骤S140中，在所述隧穿钝化接触层20上和所述通孔中形成第一钝化层30，且在所述P型硅片衬底10的正表面上形成第二钝化层50。
在一个示例中，所述第一钝化层30和所述第二钝化层50的形成方法包括：采用三甲基铝作为铝源，通过等离子体增强化学的气相沉积法(PECVD)或原子层沉积法(ALD)进行所述第一钝化层30和所述第二钝化层50的制备。
所述第一钝化层30和所述第二钝化层50的厚度为1nm～20nm。
在步骤S150中，在所述第一钝化层30上形成第一减反射层40，且在所述第二钝化层50上形成第二减反射层60。
在一个示例中，所述第一减反射层40和所述第二减反射层60的形成方法包括等离子体增强化学的气相沉积法(PECVD)。
在一个示例中，所述第一减反射层40的厚度为65nm～85nm。所述第二减反射层60的厚度为65nm～120nm
在步骤S160中，在与通孔区域相对的所述P型硅片衬底10的背表面上形成与所述P型硅片衬底10接触的第一电极70。
具体地，实现所述步骤S160的方法进一步包括：
第一步、通过激光刻蚀去除所述通孔区域内与所述第一电极70区域相对的所述第一减反射层40和所述第一钝化层30，以暴露出与所述第一电极70区域相对的所述P型硅片衬底10。
第二步、在与所述第一电极70区域相对的所述P型硅片衬底10的背表面上丝网印刷第一电极浆料；然后在第一温度下进行高温烧结使所述第一电极浆料与所述P型硅片衬底10形成欧姆接触，以形成所述第一电极70。其中，所述第一电极70所在的区域为背场区域。
在一个示例中，所述第一电极浆料包括银浆料和铝浆料。所述第一电极浆料为不可烧穿型浆料。其中，所述铝浆料与暴露出的所述P型硅片衬底10接触形成局部铝背场；所述银浆料用于导电和焊接。
在一个示例中，所述第一温度为250℃～350℃。
在步骤S170中，在与所述通孔区域之外的区域相对的所述第一减反射层40上形成穿过所述第一减反射层40和所述第一钝化层30而与所述隧穿钝化接触层20接触的第二电极80。
具体地，实现所述步骤S170的方法进一步包括：
首先，在与所述通孔区域之外的区域相对的所述第一减反射层40上丝网印刷第二电极浆料。然后，在第二温度下进行高温烧结使所述第二电极浆料烧穿所述第一减反射层40和所述第一钝化层30而与所述隧穿钝化接触层20形成欧姆接触，以形成所述第二电极80。其中，所述第二电极80所在的区域为发射极区域。
在一个示例中，所述第二电极浆料包括银浆料。所述第二电极浆料为可烧穿型浆料。并且，所述第二电极浆料与所述隧穿钝化接触层20的所述磷掺杂多晶硅层22形成欧姆接触。
在一个示例中，所述第二温度为700℃～800℃。
综上所述，根据本发明的实施例的全背接触太阳能电池及其制作方法，所述全背接触太阳能电池以P型单晶硅片作为衬底，在对衬底进行双面制绒处理后通过利用氮化硅掩膜层以对衬底的正面的绒面结构进行保护，有利于解决在制备电池的背面的隧穿钝化接触结构的过程中导致的多晶硅薄膜绕镀及磷杂质绕扩的清洗去除操作复杂的问题，从而有利于简化电池制备过程中的清洗工序，减少工序时长，从而降低电池的制造成本；此外，所述全背接触太阳能电池的背场区域表面经过抛光处理形成为抛光面，有利于使到达电池背面的部分光子能够进行有效反射，避免造成光电流的损失，进而有利于提高电池的转化效率。
上述对本发明的特定实施例进行了描述。其它实施例在所附权利要求书的范围内。
在整个本说明书中使用的术语“示例性”、“示例”等意味着“用作示例、实例或例示”，并不意味着比其它实施例“优选”或“具有优势”。出于提供对所描述技术的理解的目的，具体实施方式包括具体细节。然而，可以在没有这些具体细节的情况下实施这些技术。在一些实例中，为了避免对所描述的实施例的概念造成难以理解，公知的结构和装置以框图形式示出。
以上结合附图详细描述了本发明的实施例的可选实施方式，但是，本发明的实施例并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的实施例的技术构思范围内，可以对本发明的实施例的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的实施例的保护范围。
本说明书内容的上述描述被提供来使得本领域任何普通技术人员能够实现或者使用本说明书内容。对于本领域普通技术人员来说，对本说明书内容进行的各种修改是显而易见的，并且，也可以在不脱离本说明书内容的保护范围的情况下，将本文所定义的一般性原理应用于其它变型。因此，本说明书内容并不限于本文所描述的示例和设计，而是与符合本文公开的原理和新颖性特征的最广范围相一致。
Claims (10)
1.一种全背接触太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在P型硅片衬底的正表面上形成第一氮化硅掩模；
在所述P型硅片衬底的背表面上形成具有多个通孔的隧穿钝化接触层，并去除所述第一氮化硅掩模；所述P型硅片衬底的正表面和背表面彼此相对；
在所述隧穿钝化接触层上和所述通孔中形成第一钝化层，且在所述P型硅片衬底的正表面上形成第二钝化层；
在所述第一钝化层上形成第一减反射层，且在所述第二钝化层上形成第二减反射层；
在与通孔区域相对的所述P型硅片衬底的背表面上形成与所述P型硅片衬底接触的第一电极，且在与所述通孔区域之外的区域相对的所述第一减反射层上形成穿过所述第一减反射层和所述第一钝化层而与所述隧穿钝化接触层接触的第二电极。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在P型硅片衬底的正表面上形成第一氮化硅掩模之后，且在所述P型硅片衬底的背表面上形成具有多个通孔的隧穿钝化接触层之前，所述制作方法还包括：对所述P型硅片衬底的背表面进行抛光处理，以使所述P型硅片衬底的背表面形成为抛光面。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在P型硅片衬底的正表面上形成第一氮化硅掩模的方法包括：
对所述P型硅片衬底进行碱制绒，以使所述P型硅片衬底的正表面和背表面形成金字塔绒面；
对所述P型硅片衬底进行酸洗，以去除衬底表面的杂质；
在所述P型硅片衬底的正表面上形成所述第一氮化硅掩模。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述P型硅片衬底的背表面上形成具有多个通孔的隧穿钝化接触层，并去除所述第一氮化硅掩模的方法包括：
在所述P型硅片衬底的背表面上依序形成层叠的隧穿氧化层和本征多晶硅层；
通过磷扩散工艺对所述本征多晶硅层进行磷掺杂处理以将所述本征多晶硅层形成为磷掺杂多晶硅层；
将与通孔区域相对的所述磷掺杂多晶硅层和所述隧穿氧化层去除，以形成所述多个通孔；
清洗去除所述第一氮化硅掩模；
其中，所述磷掺杂多晶硅层中磷掺杂方阻为30ohn/sq～150ohn/sq。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述将与通孔区域相对的所述磷掺杂多晶硅层和所述隧穿氧化层去除，以形成所述多个通孔的方法包括：
在与所述通孔区域相对的所述磷掺杂多晶硅层和与所述通孔区域之外的区域相对的所述磷掺杂多晶硅层上形成第二氮化硅掩模；
通过激光刻蚀将与所述通孔区域相对的所述第二氮化硅掩模去除；
将与所述通孔区域相对的所述磷掺杂多晶硅层和所述隧穿氧化层进行去除，以形成所述多个通孔。
6.根据权利要求4或5所述的制作方法，其特征在于，所述清洗去除所述第一氮化硅掩模的方法包括：采用质量百分比浓度为1％～15％的HF溶液将所述第一氮化硅掩模和所述第二氮化硅掩模同时进行清洗去除。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述第一电极的方法包括：
通过激光刻蚀去除所述通孔区域内与所述第一电极区域相对的所述第一减反射层和所述第一钝化层，以暴露出与所述第一电极区域相对的所述P型硅片衬底；
在与所述第一电极区域相对的所述P型硅片衬底的背表面上丝网印刷第一电极浆料；
在第一温度下进行高温烧结使所述第一电极浆料与所述P型硅片衬底形成欧姆接触，以形成所述第一电极。
8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述第二电极的方法包括：
在与所述通孔区域之外的区域相对的所述第一减反射层上丝网印刷第二电极浆料；
在第二温度下进行高温烧结使所述第二电极浆料烧穿所述第一减反射层和所述第一钝化层而与所述隧穿钝化接触层形成欧姆接触，以形成所述第二电极。
9.根据权利要求7或8所述的制作方法，其特征在于，所述第一电极浆料包括银浆料和铝浆料，且所述第一电极浆料为不可烧穿型浆料；所述第二电极浆料包括银浆料，且所述第二电极浆料为可烧穿型浆料。
10.一种由权利要求1～9任一项所述的制作方法制作得到的全背接触太阳能电池。
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