WO2013179840A1 - 熱電変換装置の製造方法、熱電変換装置を備える電子装置の製造方法、熱電変換装置 - Google Patents

熱電変換装置の製造方法、熱電変換装置を備える電子装置の製造方法、熱電変換装置 Download PDF

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back surface
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conductive
base material
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谷口 敏尚
芳彦 白石
坂井田 敦資
岡本 圭司
栄二郎 宮川
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株式会社デンソー
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Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a thermoelectric conversion device, a method for manufacturing an electronic device including the thermoelectric conversion device, and a thermoelectric conversion device.
  • Patent Document 1 proposes a method for manufacturing a thermoelectric conversion device as follows.
  • first, through holes are formed in an insulating mold, and the first conductive paste regularly formed of Bi, Te, Se, etc., and Bi, Sb, Te, etc. are formed in the through holes. Fill with the second conductive paste.
  • a plurality of surface conductive layers are formed on the surface of the insulating mold so as to be in contact with the adjacent first and second conductive pastes. Also, a back conductive layer that contacts the first conductive paste and a second conductive paste that contacts a surface conductive layer different from the surface conductive layer that contacts the first conductive paste on the back of the insulating mold A plurality of are formed.
  • the insulating mold is heat-treated at 460 ° C. for 10 hours in an Ar gas atmosphere to form an N-type thermoelectric conversion element from a conductive paste composed of Bi, Te, Se, etc., and Bi, Sb, Te
  • a P-type thermoelectric conversion element is formed from a conductive paste composed of the like.
  • the N-type thermoelectric conversion element and the P-type thermoelectric conversion element are also connected to the front surface conductive layer and the back surface conductive layer. Thereby, a thermoelectric conversion device in which a plurality of N-type thermoelectric conversion elements and a plurality of P-type thermoelectric conversion elements are alternately connected in series is manufactured.
  • the N-type thermoelectric conversion element and the P-type thermoelectric conversion element have a melting point of Bi and Te lower than 460 °. It is formed by doing.
  • the alloy formed by liquid phase sintering has a problem that the crystal structure of metal atoms is random, so that it is difficult to generate power in practice.
  • the applied pressure is equally applied not only to the first and second conductive pastes but also to the insulating mold located around the first and second conductive pastes (through holes).
  • the first and second conductive pastes cannot be pressurized efficiently. For this reason, when the pressure applied to the first and second conductive pastes is insufficient, the N-type thermoelectric conversion element and the P-type thermoelectric conversion element cannot be formed from the first and second conductive pastes. There is a problem that there is.
  • thermoelectric conversion device having an N-type thermoelectric conversion element and a P-type thermoelectric conversion element. That is, the thermoelectric effect occurs when two different types of metals are connected. For this reason, for example, the through holes are filled only with a conductive paste composed of Bi, Te, Se, etc., and the surface conductive layer and the back surface conductive layer are made of a material different from the alloy in which the conductive paste is solid-phase sintered. The above problem also occurs in the formed thermoelectric conversion device.
  • An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a thermoelectric conversion device capable of efficiently applying pressure to a conductive paste, a method for manufacturing an electronic device including a thermoelectric conversion device, and a thermoelectric conversion device.
  • a plurality of first and second via holes (11, 12) penetrating in the thickness direction are formed, including a thermoplastic resin, and the first conductive paste ( 41) and a step of preparing the insulating base material 10 in which the second via hole is filled with the second conductive paste (51), and predetermined first and second conduction on the surface 10a of the insulating base material.
  • the first conductive paste an alloy powder in which a plurality of metal atoms maintain a predetermined crystal structure is added to an organic solvent to make a paste, and the second conductive paste is used as a different metal from the alloy.
  • cavities 13 to 17 are formed inside the laminate, and in the integration step, the cavities Application in the laminating direction acting on the laminate by absorbing pressure in a direction different from the laminating direction acting on the first conductive paste by acting to promote the flow of the thermoplastic resin
  • the first interlayer connecting member is configured by increasing the pressure and solid-phase sintering the first conductive paste.
  • the applied pressure around the first via hole (the portion where the thermoplastic resin is flowing) is reduced.
  • the pressurizing force which should be originally applied to this part is applied to the 1st conductive paste, and the pressurizing force applied to the 1st conductive paste becomes large. That is, the applied pressure can be efficiently applied to the first conductive paste. Therefore, it can suppress that a 1st conductive paste is not solid-phase-sintered.
  • a pressurizing force can be efficiently applied also to a 2nd conductive paste, when solid-phase sintering a 2nd conductive paste, it can also suppress that a 2nd conductive paste is not solid-phase sintered. .
  • a plurality of via holes (11, 12) penetrating in the thickness direction are formed and filled with a conductive paste (41).
  • a paste prepared by adding an organic solvent to an alloy powder in which a plurality of metal atoms maintain a predetermined crystal structure is prepared.
  • cavities 13 to 17
  • the integration step what is the stacking direction that acts on the conductive paste by the cavities acting to promote the flow of the thermoplastic resin?
  • the applied pressure in the stacking direction acting on the stacked body is increased, and the conductive paste is solid-phase sintered to form an interlayer connection member.
  • thermoelectric conversion device in which only one kind of interlayer connection member is arranged on the insulating base material is manufactured. And also in such a thermoelectric conversion apparatus, since the integration process is performed while allowing the thermoplastic resin to flow into the cavity, it is possible to efficiently apply pressure to the conductive paste as in the first embodiment. It is possible to prevent the conductive paste from being solid-phase sintered.
  • the first and second via holes (11, 12) are formed to include a thermoplastic resin and penetrate in the thickness direction.
  • a step of preparing an insulating base material (10) filled with the first conductive paste (41) and the second via hole filled with the second conductive paste (51); and a surface (10a) of the insulating base material A surface protective member (20) having a surface conductive layer (21) in contact with the predetermined first and second conductive pastes and including a thermoplastic resin, and a back surface of the insulating substrate.
  • a back surface protective member (30) having a back surface conductive layer (31) in contact with predetermined first and second conductive pastes and including a thermoplastic resin is disposed to form a laminate ( 80) and lamination while heating the laminate
  • the first and second interlayer connection members (40, 50) are formed from the first and second conductive pastes, and the first and second interlayer connection members are electrically connected to the surface conductive layer and the back surface conductive layer. And an integration step of connecting them together.
  • the first conductive paste an alloy powder in which a plurality of metal atoms maintain a predetermined crystal structure is added to an organic solvent to make a paste, and the second conductive paste is used as a different metal from the alloy.
  • a hollow portion (90a) is formed in at least one of the portion facing the surface of the insulating base material and the portion facing the back surface of the insulating base material.
  • the laminated body is pressed using the pair of pressed plates (90), and at least one of the thermoplastic resins constituting the surface protection member and the back surface protection member is caused to flow into the recess, and the thermoplastic resin constituting the insulating base material
  • the first conductive paste is solid-phase sintered to make the first interlayer connection member.
  • thermoplastic resin which comprises an insulating base material flows, it is the 1st like the 1st form.
  • the applied pressure can be efficiently applied to the conductive paste. For this reason, it can suppress that a conductive paste is not solid-phase sintered.
  • a plurality of first and second via holes (11, 12) penetrating in the thickness direction are formed, and a first via hole is formed in the first via hole.
  • a step of preparing an insulating base material (10) filled with the first conductive paste (41) and the second via hole filled with the second conductive paste (51); and a surface (10a) of the insulating base material A surface metal plate (21a) and a back surface metal plate (31a) on the back surface (10b) of the insulating substrate to form a laminate (80), and a laminating direction while heating the laminate
  • the first and second interlayer connection members (40, 50) are formed from the first and second conductive pastes, and the first and second interlayer connection members are electrically connected to the front surface metal plate and the back surface metal plate. Integration process to connect to the surface metal plate and And dicing the back metal plate to form a plurality of front surface conductive layers (21) and back surface conductive layers (31) electrically connected to predetermined first and second interlayer connection
  • the first conductive paste an alloy powder in which a plurality of metal atoms maintain a predetermined crystal structure is added to an organic solvent to make a paste, and the second conductive paste is used as a different metal from the alloy.
  • cavities 13 to 17 are formed inside the laminate, and in the integration step, the cavities Application in the laminating direction acting on the laminate by absorbing pressure in a direction different from the laminating direction acting on the first conductive paste by acting to promote the flow of the thermoplastic resin
  • the first interlayer connecting member is formed by increasing the pressure and solid-phase sintering the first conductive paste.
  • the front surface metal plate is disposed on the surface of the insulating base material
  • the back surface metal plate is disposed on the back surface of the insulating base material
  • the surface conductive layer and the back surface conductive layer are formed after the laminate is integrated.
  • the integration process is carried out while allowing the thermoplastic resin to flow into the cavity, it is possible to efficiently apply pressure to the conductive paste as in the first embodiment, and the conductive paste is solid phase. It can suppress that it is not sintered.
  • the surface protection member (20) which has a some surface conductive layer (21), the back surface protection member (30) which has a some back surface conductive layer (31), and thickness direction A plurality of first and second via holes (11, 12) penetrating through the insulating base material (10) including a thermoplastic resin, and the first via hole (11) filled with a plurality of metals
  • the first interlayer connecting member and the second interlayer The surface protection member is disposed in a state where the connecting member is in contact with the same surface conductive layer in the plurality of surface conductive layers for each set, and the first con
  • the back surface protection member is disposed in a state where the conductive paste and the second conductive paste of the other set are in contact with the same back surface conductive layer in the plurality of back surface conductive layers, and around the first interlayer connection member and the second interlayer connection member Is characterized by being surrounded by an insulating substrate.
  • the insulation base material comprised including the thermoplastic resin is arrange
  • FIG. 1 is a plan view of the thermoelectric conversion device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG. 4 (a) to 4 (i) are cross-sectional views showing manufacturing steps of the thermoelectric conversion device shown in FIG.
  • FIG. 5 is a plan view of the surface side of the insulating base shown in FIG.
  • FIG. 6 is a diagram showing manufacturing conditions in the integration step shown in FIG. 7 (a) to 7 (d) are detailed cross-sectional views in the integration process shown in FIG. 4 (i).
  • FIG. 8 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 4E in the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 4E in the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a plan view of the surface side of the insulating base shown in FIG.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 4H in the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 4E in the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 4E in the fifth embodiment of the present invention.
  • FIGS. 13A to 13C are cross-sectional views when performing the step of FIG. 4H in the sixth embodiment of the present invention.
  • 14 (a) to 14 (c) are cross-sectional views showing manufacturing steps for preparing an insulating base material according to the seventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 4H in the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 4E in the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view
  • thermoelectric conversion device 15 is a cross-sectional view of the thermoelectric conversion device according to the eighth embodiment of the present invention.
  • 16 (a) to 16 (c) are cross-sectional views corresponding to FIG. 4 (i) showing the manufacturing process of the thermoelectric conversion device of FIG.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view of the thermoelectric conversion device according to the ninth embodiment of the present invention.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 4H illustrating the manufacturing process of the thermoelectric conversion device illustrated in FIG. 17.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view of the thermoelectric conversion device according to the tenth embodiment of the present invention.
  • FIG. 20 is a plan view of the surface side of the thermoelectric conversion device according to the eleventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 21 is a plan view of the back side of the thermoelectric conversion device shown in FIG.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view of a thermoelectric conversion device according to a twelfth embodiment of the present invention.
  • FIG. 23 is a developed plan view of the front surface protection member and the back surface protection member.
  • FIG. 24 is a cross-sectional view of an electronic device according to a thirteenth embodiment of the present invention.
  • FIG. 25 is a cross-sectional view of an electronic device having a thermoelectric conversion device.
  • FIG. 26 is a cross-sectional view of a modified example of an electronic device having a thermoelectric conversion device.
  • FIG. 27 is a cross-sectional view of another modified example of an electronic device having a thermoelectric conversion device.
  • thermoelectric conversion device 1 includes an insulating base material 10, a surface protection member 20, a back surface protection member 30, and a plurality of first and second interlayer connection members 40 and 50.
  • the insulating base material 10, the surface protection member 20, and the back surface protection member 30 are connected to each other, that is, integrated in a multilayer form.
  • a plurality of connection member arrays comprising first and second interlayer connection members 40 and 50 for connecting the front surface protection member 20 and the rear surface protection member 30 are formed in the horizontal direction of the drawing. It extends to.
  • Each first interlayer connection member 40 and each second interlayer connection member 50 are made of different metals. In each connection member arrangement, the first and second interlayer connection members 40 and 50 are alternately connected in series.
  • FIG. 1 the surface protecting member 20 is omitted for easy understanding. Further, FIG. 1 is not a cross-sectional view.
  • the first interlayer connection member 40 and the second interlayer connection member 50 are indicated by hatching composed of lines in different directions.
  • the insulating substrate 10 is made of a planar rectangular thermoplastic resin film containing polyetheretherketone (PEEK) or polyetherimide (PEI).
  • the insulating base 10 is formed with a plurality of first and second via holes 11 and 12 penetrating in the thickness direction.
  • the plurality of first and second via holes 11 and 12 are alternately arranged in each of the horizontal arrays extending in the left-right direction in FIG.
  • the first and second via holes 11 and 12 have a cylindrical shape whose diameter is constant from the front surface 10a to the back surface 10b of the insulating base material 10, but the first and second via holes 11 and 12 are
  • the taper may have a diameter that decreases from the front surface 10a toward the back surface 10b, or may have a rectangular tube shape.
  • first interlayer connection member 40 is disposed in each first via hole 11.
  • second interlayer connection member 50 is disposed in each second via hole 12.
  • the second interlayer connection member 50 is formed of a metal different from that of the first interlayer connection member 40. That is, as described above, the insulating base material 10 includes the first and second interlayer connection members 40 and 50 that are alternately arranged in each of the horizontal arrays extending in the horizontal direction in FIG. Also in FIG. For example, in the lowermost array in FIG. 1, the second interlayer connection member 50, the first interlayer connection member 40, and the second interlayer connection member 50 are arranged in this order from the right. In the second arrangement, the first interlayer connection member 40, the second interlayer connection member 50, and the first interlayer connection member 40 are arranged from the right in the order of “middot; ··”.
  • the first interlayer connection member 40 is made of a conductive paste containing powder (metal particles) of a Bi—Sb—Te alloy constituting P-type.
  • the second interlayer connection member 50 is made of a conductive paste containing powder (metal particles) of Bi-Te alloy constituting N type.
  • a surface protection member 20 made of a flat rectangular thermoplastic resin film containing polyetheretherketone (PEEK) or polyetherimide (PEI) is disposed on the surface 10a of the insulating substrate 10.
  • the surface protection member 20 has the same planar shape as the insulating base material 10.
  • a plurality of surface conductive layers 21 made of a patterned copper foil or the like are formed on one surface 20a of the surface protection member 20 facing the insulating substrate 10. The plurality of surface conductive layers 21 are separated from each other. Each surface conductive layer 21 is electrically connected to the first and second interlayer connection members 40 and 50, respectively.
  • a set 60 is constituted by one adjacent first interlayer connection member 40 and one second interlayer connection member 50.
  • the first and second interlayer connection members 40 and 50 of each set 60 are connected to the same surface conductive layer 21. That is, the first and second interlayer connection members 40 and 50 of each set 60 are electrically connected via the surface conductive layer 21.
  • each set 60 includes one first interlayer connection member 40 and one second interlayer connection member 50 that are adjacent to each other along the long side direction of the insulating substrate 10 (the left-right direction in FIG. 1). It consists of.
  • a flat rectangular back surface protection member 30 made of a thermoplastic resin film containing polyether ether ketone (PEEK) or polyether imide (PEI) is disposed on the back surface 10b of the insulating base material 10.
  • the back surface protection member 30 has the same size as that of the insulating base material 10 in plan view.
  • a plurality of back surface conductive layers 31 made of a patterned copper foil or the like are formed on one surface 30a side of the back surface protection member 30 facing the insulating base material 10. The plurality of back surface conductive layers 31 are separated from each other. Each back surface conductive layer 31 is electrically connected to the first and second interlayer connection members 40 and 50.
  • one first interlayer connection member 40 of each of the two adjacent sets 60 and the second interlayer connection member 50 of the other set 60 are connected to the same back surface conductive layer 31. That is, the first and second interlayer connection members 40 and 50 of two sets 60 adjacent in the horizontal direction are electrically connected via the back surface conductive layer 31.
  • two sets 60 arranged along the long side direction of the insulating base material 10 are adjacent sets 60.
  • two sets 60 arranged along the short side direction are adjacent sets 60.
  • the first and second interlayer connection members 40 and 50 are connected in series as shown in FIG. Is done.
  • the first interlayer connection member 40 or the second interlayer connection member 50 located at either one of the left and right ends of each horizontal array is the second interlayer connection member 50 or the first interlayer adjacent in the vertical direction.
  • the connecting member 40 Connected to the connecting member 40.
  • the 1st interlayer connection member 40 and the 2nd interlayer connection member 50 are connected in series as a whole.
  • thermoelectric conversion device 1 is different from that of the thermoelectric conversion device 1.
  • the back surface protection member 30 is electrically connected to the back surface conductive layer 31 and opposite to the insulating base material 10.
  • An interlayer connection member exposed from one surface of the side rear surface protection member 30 is formed.
  • the interlayer connection member can be electrically connected to the outside.
  • the thermoelectric conversion device 1 has a structure as described above.
  • the diameter of the first and second via holes 11 and 12 is ⁇ 0.7 mm
  • the thickness of the insulating base material 10 is 1 mm
  • the first and second interlayer connection members 40 and 50 are combined.
  • a power of about 2.5 mW can be obtained at a temperature difference of 10 ° C.
  • thermoelectric conversion device 1 Next, a method for manufacturing the thermoelectric conversion device 1 will be described with reference to FIGS. 4 (a) -4 (i).
  • 4 (a) -4 (i) are cross-sectional views taken along the line II-II in FIG.
  • an insulating substrate 10 is prepared, and a plurality of first via holes 11 are formed by a drill or the like.
  • each first via hole 11 is filled with a first conductive paste 41.
  • the insulating base material 10 is arranged on a holding table (not shown) with the suction paper 70 interposed therebetween so that the back surface 10 b faces the suction paper 70.
  • the adsorbing paper 70 may be made of a material that can absorb the organic solvent of the first conductive paste 41, and general high-quality paper or the like is used. Then, the first conductive paste 41 is filled into the first via hole 11 while the first conductive paste 41 is melted. As a result, most of the organic solvent of the first conductive paste 41 is adsorbed by the adsorbent paper 70, and the alloy powder is placed in close contact with the first via hole 11.
  • the first conductive paste 41 is a paste obtained by adding an organic solvent such as paraffin having a melting point of 43 ° C. to an alloy powder in which metal atoms maintain a predetermined crystal structure. It is done. For this reason, when the first conductive paste 41 is filled, the surface 10a of the insulating base 10 is heated to about 43 ° C.
  • the alloy powder constituting the first conductive paste 41 is, for example, Bi—Sb—Te formed by mechanical alloying.
  • a plurality of second via holes 12 are formed in the insulating base material 10 by a drill or the like. As described above, the second via holes 12 are alternately formed with the first via holes 11 and are formed to form a staggered pattern together with the first via holes 11.
  • the insulating base material 10 is again disposed on the holding table (not shown) with the suction paper 70 interposed therebetween so that the back surface 10 b faces the suction paper 70.
  • the second conductive paste 51 is filled in the second via hole 12 in the same manner as when the first conductive paste 41 is filled.
  • most of the organic solvent of the second conductive paste 51 is adsorbed by the adsorbent paper 70, and the alloy powder is placed in close contact with the second via hole 12.
  • the second conductive paste 51 an organic solvent such as terpine which has a melting point of room temperature is added to an alloy powder in which metal atoms different from the metal atoms constituting the first conductive paste 41 maintain a predetermined crystal structure.
  • the organic solvent constituting the second conductive paste 51 a solvent having a melting point lower than that of the organic solvent constituting the first conductive paste 41 is used.
  • the second conductive paste 51 is filled in a state where the organic solvent contained in the first conductive paste 41 is solidified.
  • the second conductive paste 51 is suppressed from being mixed into the first via hole 11.
  • the alloy powder constituting the second conductive paste 51 for example, Bi-Te formed by mechanical alloying is used.
  • the insulating base material 10 filled with the first and second conductive pastes 41 and 51 is prepared.
  • a plurality of through holes 13 as cavities are formed in the insulating base material 10 by a drill or a laser.
  • the through holes 13 are preferably spaced at equal intervals in the circumferential direction on concentric circles centering on the first and second via holes 11 and 12.
  • each through-hole 13 is cylindrical, it is good also as a taper shape where a diameter becomes small toward the back surface 10b from the surface 10a.
  • each set 60 includes the first conductive paste 41 filled in one adjacent first via hole 11 and the second conductive paste 51 filled in one second via hole 12.
  • the surface protection member 20 is arranged on the surface 10a of the insulating base 10 so that the first and second conductive pastes 41 and 51 of each set 60 are in contact with the same surface conductive layer 21.
  • the first conductive pastes 41 and 1 filled in one first via hole 11 adjacent along the long side direction of the insulating base material 10 (the left-right direction in FIG. 1).
  • the second conductive paste 51 filled in the two second via holes 12 constitutes each set 60.
  • the first conductive paste 41 of one set 60 and the second conductive paste 51 of the other set 60 in the two adjacent sets 60 on the back surface 10b of the insulating base 10 are the same as the back conductive layer 31.
  • the back surface protection member 30 is disposed so as to come into contact.
  • the adjacent sets 60 are two sets 60 arranged in the long side direction of the insulating base material 10 (left and right direction in FIG. 1).
  • two sets 60 arranged along the short side direction (up and down direction in FIG. 1) are adjacent sets 60.
  • thermoelectric conversion device 1 is completed by applying pressure while integrating the insulating base material 10, the surface protection member 20, and the back surface protection member 30.
  • buffer materials such as rock wool paper
  • the laminated body 80 is heated to about 320 ° C. and pressurized at 0.1 Mpa until time T1, and the organic solvent contained in the first and second conductive pastes 41 and 51 is evaporated. (See FIG. 7 (a)).
  • the time between T0 and T1 is about 10 minutes.
  • the organic solvent contained in the first and second conductive pastes 41 and 51 is an organic solvent remaining without being adsorbed on the adsorbing paper 70 in the steps of FIGS. 4B and 4D. It is.
  • the laminated body 80 (that is, the assembly of the insulating base material 10, the surface protection member 20, and the back surface protection member 30 is heated to a temperature equal to or higher than the softening point of the thermoplastic resin. And pressurizing at 10 MPa until time T2 while maintaining at about 320 ° C. At this time, the thermoplastic resin constituting the insulating base material 10 melts and flows, whereby the first and second via holes 11 and 12 The first and second conductive pastes 41 and 51 (alloy powder) are pressed from the lateral direction (radial direction), so that the first and second via holes 11 and 12 are formed as shown in FIG.
  • thermoplastic resin flows and the through-hole 13 is deformed to reduce its volume, whereby the pressure applied to the periphery of the first and second via holes 11 and 12 is absorbed and reduced.
  • the pressure drops, It becomes possible to increase the pressure that can be applied from above and below the second conductive pastes 41 and 51. That is, the pressure applied from the press plate to the first and second conductive pastes 41 and 51 is increased.
  • the pressing direction of the laminate 80 at 10 MPa is the direction in which the insulating base material 10, the surface protection member 20, and the back surface protection member 30 are overlapped, that is, the lamination.
  • the alloy powders, the alloy powder, the front surface conductive layer 21 and the back surface conductive layer 31 are pressed and solid-phase sintered, so that the first and second layers Connection members 40 and 50 are formed.
  • the first and second interlayer connecting members 40 and 50 are electrically connected to the front surface conductive layer 21 and the back surface conductive layer 31.
  • the time between T1 and T2 is about 10 minutes.
  • a space is formed in the first and second via holes 11 and 12 by evaporating the organic solvent. However, since this space is very small, the solid-phase sintering of the first and second interlayer connection members 40 and 50 is not hindered by these.
  • the laminated body 80 is cooled until time T ⁇ b> 3 while maintaining the pressure applied to the laminated body 80 including the insulating base material 10, the surface protection member 20, and the back surface protection member 30 at 10 MPa.
  • the thermoelectric conversion device 1 shown in FIG. 1 in which the insulating base material 10, the surface protection member 20, and the back surface protection member 30 are integrated is manufactured.
  • the time between T2 and T3 is about 8 minutes.
  • the plurality of through holes 13 are formed in the insulating base material 10.
  • the insulating substrate 10 is heated to cause the thermoplastic resin that is the material of the insulating substrate 10 to flow.
  • the through-hole 13 is deformed to have a small volume, further increasing the flow of the thermoplastic resin.
  • the pressure applied around the first and second via holes 11 and 12 is reduced.
  • the pressure applied to the first and second conductive pastes 41 and 51 can be increased by the reduced amount. That is, pressure can be efficiently applied to the first and second conductive pastes 41 and 51. Therefore, the first and second conductive pastes 41 and 51 can reliably perform solid-phase sintering.
  • the plurality of through holes 13 are arranged at equal intervals in the circumferential direction on concentric circles centering on the first and second via holes 11 and 12, respectively. For this reason, when the laminated body 80 is formed, the thermoplastic resin around the first and second via holes 11 and 12 is likely to flow so as to make the through-holes 13 isotropically smaller, and the first and second The bias of the two via holes 11 and 12 in the planar direction of the stacked body 80 is suppressed. Therefore, the stability of conduction between the first and second interlayer connection members 40 and 50 formed from the first and second conductive pastes 41 and 51 and the front surface conductive layer 21 and the back surface conductive layer 31 is ensured.
  • thermoelectric device having a desired conversion efficiency can be obtained simply by appropriately changing the size and thickness of the planar shape of the insulating base material 10, the number of first and second via holes 11 and 12, the diameter, and the like.
  • the converter 1 can be manufactured, and the manufacturing process is not particularly increased or complicated depending on the use of the thermoelectric converter 1. That is, the degree of freedom in designing the thermoelectric conversion device 1 can be improved.
  • thermoelectric conversion device 1 generates large electric power because the first and second interlayer connection members 40 and 50 are formed of an alloy in which a plurality of metal atoms maintain a predetermined crystal structure. Can be made. And since the insulating base material 10 comprised including the thermoplastic resin is arrange
  • the insulating base material 10 is arrange
  • a multilayer board in which a via hole having a wiring pattern such as a copper foil is formed on the bottom and a plurality of resin films in which interlayer connection members are arranged in the via hole are laminated.
  • a via hole having a wiring pattern such as a copper foil as a bottom surface is formed, and a plurality of resin films in which a conductive paste is filled in the via hole are prepared.
  • the conductive paste contains Sn.
  • a plurality of resin films are superposed to form a film laminate (stack).
  • the film laminate is pressed and integrated while being heated in a vacuum state to form a stack body.
  • the conductive paste is sintered to form an interlayer connection member, and the interlayer connection member is electrically connected to the wiring pattern.
  • the conductive paste contains Sn
  • the Sn is diffused into the wiring pattern to bond the interlayer connection member (conductive paste) and the wiring pattern. That is, since the metal particles cannot be directly pressed, the laminate is formed using a pressure of about 4 MPa at the maximum. Therefore, the multilayer substrate having such a configuration cannot be formed by the manufacturing method of this embodiment in which the thermoelectric conversion device 1 is manufactured using a large applied pressure.
  • the first conductive paste 41 is formed from Bi—Sb—Te alloy powder
  • the second conductive paste 51 is Bi—Te alloy powder.
  • the powder of the alloy constituting the first and second conductive pastes 41 and 51 is appropriately selected from those in which copper, constantan, chromel, alumel, etc. are alloyed with iron, nickel, chromium, copper, silicon, etc. May be.
  • thermoelectric conversion device 1 of the present embodiment differs from the first embodiment in the shape of the cavity formed in the insulating base material 10 and is otherwise the same as that of the first embodiment, so the description thereof is omitted here. .
  • a closed-loop square groove 14 surrounding each of the first and second via holes 11 and 12 is formed in the insulating base material 10.
  • the grooves 14 are formed on the surface 10 a of the insulating base 10 so that the first and second via holes 11 and 12 enter one groove 14.
  • the groove 14 is formed on the back surface 10 b of the insulating base material 10 so that the first and second via holes 11 and 12 enter the single groove 14.
  • the groove 14 forms a cavity.
  • the plurality of grooves 14 surrounding the first and second via holes 11 and 12 are arranged in a lattice shape, but the shape of the grooves 14 may be other than a square.
  • the groove 14 may be formed to extend directly.
  • the grooves 14 formed on the front surface 10a and the back surface 10b of the insulating base material 10 have the same size.
  • the first and second via holes 11 and 12 are located at the center in the groove 14.
  • the groove 14 of the insulating base material 10 is deformed in its own shape with the flow of the thermoplastic resin, and absorbs pressure acting on the groove 14.
  • the pressure applied to the first and second conductive pastes 41 and 51 can be increased, and the same effect as in the first embodiment can be obtained.
  • the grooves 14 are formed on the front surface 10a and the back surface 10b of the insulating base material 10, but the grooves 14 may be formed only on one of the front surface 10a and the back surface 10b of the insulating base material 10. .
  • thermoelectric conversion device 1 of the present embodiment is different from the first embodiment in the shape of the cavity, and the other aspects are the same as those of the first embodiment, and thus the description thereof is omitted here.
  • the step of FIG. 4 (e) is omitted, and in the steps of FIGS. 4 (f) and 4 (g), the first and second conductive properties of the front surface conductive layer 21 and the back surface conductive layer 31 are omitted.
  • a recess 15 is formed in a portion different from the portion in contact with the pastes 41 and 51. That is, the laminated body 80 in which the concave portion 15 is formed in a portion of the front surface conductive layer 21 and the back surface conductive layer 31 facing the thermoplastic resin constituting the insulating base material 10 is formed.
  • the concave portion 15 functions as a cavity.
  • the concave portion 15 formed in the front surface conductive layer 21 and the back surface conductive layer 31 is deformed in its own shape with the flow of the thermoplastic resin and absorbs pressure acting on the concave portion 15. By doing so, the pressure applied to the 1st, 2nd conductive pastes 41 and 51 can be enlarged, and the effect similar to the said 1st Embodiment can be acquired.
  • the formation of the recess 15 in the front surface conductive layer 21 and the back surface conductive layer 31 has been described.
  • the recess 15 is formed only in one of the front surface conductive layer 21 and the back surface conductive layer 31. Also good.
  • thermoelectric conversion device 1 of the present embodiment differs from the first embodiment in the cavities formed in the insulating base material 10 and is otherwise the same as in the first embodiment, so the description thereof is omitted here.
  • thermoplastic resin film 10c As shown in FIG. 11, in this embodiment, a thermoplastic resin film 10c, a glass cloth 10d having a plurality of cavities 16 therein, and a thermoplastic resin film 10c are laminated in this order as the insulating base material 10, and these are at a low temperature. What was temporarily joined with a press or the like is used.
  • the glass cloth 10d functions as a porous member.
  • the thermoplastic resin flows (impregnates) into the cavity 16 in the glass cloth 10d in the step of FIG. 4 (i).
  • the cavity 16 increases the flow of the thermoplastic resin, that is, promotes the absorption of pressure acting on the cavity 16. For this reason, the pressure applied to the 1st, 2nd conductive paste 41 and 51 can be enlarged, and the effect similar to the said 1st Embodiment can be acquired.
  • an aramid nonwoven fabric may be used as the porous member.
  • thermoelectric conversion device 1 (Fifth embodiment) A fifth embodiment of the present invention will be described.
  • the thermoelectric conversion device 1 according to the present embodiment is different from the first embodiment in the cavity and is otherwise the same as in the first embodiment, and thus the description thereof is omitted here.
  • the insulating base material 10 is made of a porous member in which a plurality of holes 17 are formed in a thermoplastic resin film.
  • the thermoplastic resin flows into (impregnates) the plurality of holes 17 in the step of FIG.
  • the pressure applied to the first and second conductive pastes 41 and 51 can be increased by absorbing the pressure acting on the holes 17 as the holes 17 flow with the thermoplastic resin. The same effect as in the first embodiment can be obtained.
  • thermoelectric conversion apparatus 1 of this embodiment has the laminated body 80 in which the through-hole 13 is not formed with respect to 1st Embodiment. Since this laminated body 80 is formed using a press plate in which a hollow portion is formed, and the other parts are the same as those in the first embodiment, the description thereof is omitted here.
  • the through hole 13 is not formed in the laminated body 80. That is, the laminate 80 is formed by the steps of FIGS. 4A to 4D and 4F to 4H.
  • the laminated body 80 (that is, the assembly made up of the insulating base material 10, the surface protection member 20, and the back surface protection member 30) has a recess 90a formed in a portion different from the portion facing the front surface conductive layer 21 and the back surface conductive layer 31.
  • the pair of press plates 90 are pressurized.
  • thermoplastic resin constituting the surface protection member 20 and the back surface protection member 30 flows into the respective recessed portions 90 a of the pair of press plates 90, and the thermoplastic resin Following, the thermoplastic resin of the insulating base material 10 flows.
  • the lateral pressure acting on the first and second conductive pastes 41 and 51 is absorbed, and the pressure applied from the press plate 90 to the first and second conductive pastes 41 and 51 is increased.
  • the first and second conductive pastes 41 and 51 are solid-phase sintered to form the first and second interlayer connection members 40 and 50.
  • thermoplastic resin constituting the insulating base material 10 is allowed to flow, whereby the first and first The pressure applied to the two conductive pastes 41 and 51 can be increased, and the same effect as in the first embodiment can be obtained.
  • thermoelectric conversion apparatus 1 manufactured by this embodiment, a convex part is formed with the thermoplastic resin which flowed in the hollow part 90a.
  • thermoplastic resin which flowed in the hollow part 90a.
  • hollow part 90a is formed in each of a pair of press plates 90, you may use the press plate 90 in which the hollow part 90a was formed only in either one of a pair of press plates 90.
  • a pair of press plates 90 in which recessed portions 90a are formed in portions different from the portions facing the front surface conductive layer 21 and the back surface conductive layer 31 are used.
  • FIG. Also by this, since the flow of each thermoplastic resin which comprises the insulating base material 10, the surface protection member 20, and the back surface protection member 30 is permitted, the effect similar to the said Example can be acquired.
  • a seventh embodiment of the present invention will be described.
  • the present embodiment is different from the first embodiment in the manufacturing process of preparing the insulating base material 10 filled with the first and second conductive pastes 41 and 51, and the other aspects are the first embodiment. Therefore, the description is omitted here.
  • first and second via holes 11 and 12 are formed in the insulating base material 10 at the same time.
  • a mask 91 having an area corresponding to the first via hole 11 is disposed on the surface 10 a of the insulating base material 10. Then, only the first via hole 11 is filled with the first conductive paste 41.
  • thermoelectric conversion device 1 shown in FIG. 1 is manufactured by performing the same steps as in the first embodiment.
  • the first and second via holes 11 and 12 are simultaneously formed in the insulating base material 10.
  • the first and second via holes are formed in a single process.
  • a mask having an opening corresponding to the second via hole 12 may be disposed on the surface 10 a of the insulating substrate 10.
  • the second conductive paste 51 is filled in the second via hole 12
  • the second conductive paste 51 is suppressed from being mixed into the first via hole 11 by the mask. Therefore, as the organic solvent that constitutes the second conductive paste 51, a material in which the first conductive paste 41 melts when the second conductive paste 51 is filled can be used. Paraffin can be used similarly to the organic solvent of the paste 41.
  • the present embodiment differs from the first embodiment in the configuration of the insulating base material 10 and in the shapes of the first and second via holes 11 and 12 (first and second interlayer connection members 40 and 50). Since other aspects are the same as those in the first embodiment, description thereof is omitted here.
  • the insulating base material 10 is configured by laminating a thermosetting resin film 10e, a thermoplastic resin film 10c, and a thermosetting resin film 10e in this order.
  • the diameters of the portions near the front surface 10a and the rear surface 10b of the insulating base 10 are larger than the diameter of the central portion. ing.
  • thermoelectric conversion device 1 is manufactured as follows. That is, the thermosetting resin film 10e, the thermoplastic resin film 10c, and the thermosetting resin film 10e are laminated in order, and these assemblies are pressed at a low temperature and temporarily joined to form the insulating substrate 10.
  • thermosetting resin film 10e that forms the front surface 10a of the insulating substrate 10 and the thermosetting resin film 10e that forms the back surface 10b are thermoplastic.
  • a plurality of large-diameter holes reaching the surface of the resin film 10c are formed.
  • the 1st, 2nd via-holes 11 and 12 are formed by forming the small diameter hole smaller in diameter in the large diameter hole than the several large diameter hole formed in the thermosetting resin film 10e in the thermoplastic resin film 10c. .
  • the laminated body 80 is formed by performing the process of FIG. That is, as shown in FIG. 16 (a), when pressure is applied from the upper and lower surfaces in the stacking direction of the laminate 80, as shown in FIG. 16 (b), the thermoplastic resin (thermoplastic resin film 10c) is It flows and pressurizes the first and second conductive pastes 41 and 51 and flows into the through holes 13. However, the thermosetting resin (thermosetting resin film 10e) does not flow. For this reason, as shown in FIG. 16C, the thermoplastic resin flows into the gap and the through hole 13 formed between the thermosetting resin film 10 e and the first and second interlayer connection members 40 and 50. .
  • the thermoplastic resin flows into the through-hole 13 and the through-hole 13 is deformed, the radial (lateral direction in the drawing) force applied to the first and second conductive pastes 41 and 51 is absorbed.
  • the pressure applied to the first and second conductive pastes 41 and 51 is increased. Even with such a manufacturing method, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
  • thermosetting resin does not flow, the displacement of the first and second via holes 11 and 12 in the plane direction of the laminate 80 due to the thermoplastic flow is suppressed. And since the thermosetting resin film 10e becomes a flow resistance when the thermoplastic resin flows, it is possible to suppress the thermoplastic resin from flowing out particularly at the outer edge portion of the insulating base material 10.
  • the first and second via holes 11 and 12 have the diameters of the portions near the front surface 10a and the back surface 10b of the insulating base material 10 larger than the diameter of the central portion. For this reason, the contact area of the 1st, 2nd interlayer connection members 40 and 50, the surface conductive layer 21, and the back surface conductive layer 31 can fully be ensured, and it can suppress that a conduction
  • the insulating base material 10 of this embodiment is comprised as a laminated body which consists of three resin films of the thermosetting resin film 10e, the thermoplastic resin film 10c, and the thermosetting resin film 10e, it is two sheets Or you may comprise by the laminated body of four or more resin films.
  • thermoelectric conversion device 1 of the present embodiment is different from the first embodiment in that the front surface protection member 20 and the back surface protection member 30 are not provided, and the other aspects are the same as those of the first embodiment. Therefore, the description is omitted here.
  • thermoelectric conversion device 1 is manufactured as follows. That is, as shown in FIG. 18, the front surface metal plate 21 a and the rear surface metal plate 31 a such as a copper plate having the same size as the planar shape of the insulating base material 10 are arranged on the front surface 10 a and the back surface 10 b of the insulating base material 10. Thus, the laminated body 80 is configured.
  • the surface metal plate 21a so that only the first and second interlayer connection members 40, 50 of each set 60 are connected to the same surface conductive layer 21. Dicing. Further, in the two adjacent sets 60, the back surface metal so that only the first interlayer connection member 40 of one set 60 and the second interlayer connection member 50 of the other set 60 are connected to the same back surface conductive layer 31. The plate 31a is diced. Thereby, the thermoelectric conversion apparatus 1 shown in FIG. 17 is completed.
  • thermoelectric conversion device 1 in which only the surface conductive layer 21 is disposed on the front surface 10a of the insulating base material 10 and only the back surface conductive layer 31 is disposed on the back surface 10b is also formed by the manufacturing method of any of the above embodiments. can do.
  • thermoelectric conversion device 1 of the present embodiment is different from the first embodiment in the second interlayer connection member 50, and the other parts are the same as those in the first embodiment, and thus the description thereof is omitted here.
  • the second interlayer connection member 50 is configured by sintering a second conductive paste 51 containing metal particles such as Ag—Sn. That is, the second interlayer connection member 50 is not intended mainly for exerting the thermoelectric effect, but is intended to conduct. For this reason, the diameter of the second via hole 12 is made smaller than the diameter of the first via hole 11. In other words, the cross-sectional area along the plane parallel to the surface of the insulating base material 10 in the second via hole 12 is made smaller than the cross-sectional area along the plane parallel to the surface of the insulating base material 10 in the first via hole 11.
  • thermoelectric conversion device 1 As well, the first interlayer connection member 40, the front surface conductive layer 21, and the back surface conductive layer 31 are made of different metals. A thermoelectric effect can be obtained with the conductive layer 31.
  • thermoelectric conversion apparatus 1 is manufactured using the conductive paste containing metal particles, such as Ag-Sn type
  • thermoelectric conversion device 1 configured so that the second interlayer connection member 50 mainly conducts can also be formed by the manufacturing method of any of the above-described embodiments.
  • the second interlayer connection member 50 is not connected to the front surface conductive layer 21 and the back surface conductive layer 31 by solid phase sintering, but is connected to the front surface conductive layer 21 and the back surface conductive layer 31 by metal (diffusion) bonding. Is done.
  • thermoelectric conversion device 1 according to an eleventh embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 20 and 21.
  • the thermoelectric conversion device 1 is different from the tenth embodiment in the arrangement of the first and second via holes 11 and 12, and the rest is the same as in the tenth embodiment, so the description thereof is omitted here.
  • FIG. 20 shows the surface of the insulating substrate 10 on which the surface conductive layer 21 is disposed.
  • FIG. 21 shows the back surface of the insulating base material 10 on which the back surface conductive layer 31 is disposed.
  • the first interlayer connection member 40 and the second interlayer connection member 50 are indicated by hatching composed of lines in different directions.
  • the first via hole 11 and the second via hole 12 have a plurality of horizontal arrays (horizontal arrays) extending in the long side direction of the insulating base material 10 (left and right direction in FIG. 20 and FIG. 21). ).
  • the second via holes 12 are formed only at one end of each horizontal array. More specifically, in each of the left and right of the vertical array extending in the short side direction on the insulating base material 10 (the vertical direction in FIG. 20 and FIG. 21), the first and second via holes 11 and 12 are provided. Alternatingly arranged.
  • the first and second interlayer connection members 40 in each horizontal array are connected to the same surface conductive layer 21. Further, as is apparent from FIG. 23, the first interlayer connection members 40 in each horizontal array are connected to the same back surface conductive layer 31.
  • Each of the back surface conductive layers 31 has an L shape, as is apparent from FIG. 21, and each of the second interlayer connection members 50 is connected to the adjacent first interlayer connection members 40 in the horizontal arrangement. The back surface conductive layer 31 is connected.
  • the first interlayer connection members 40 in each horizontal array are connected in parallel, and those connected in parallel are adjacent to each other through the second interlayer connection member 50.
  • the member 40 is connected in series.
  • the surface protecting member 20 is omitted for easy understanding.
  • the first and second interlayer connection members 40 and 50 are hatched as described above.
  • FIG. 21 does not show the back surface protection member 30 for easy understanding.
  • the first and second interlayer connection members 40 and 50 are hatched.
  • thermoelectric conversion device 1 Although the manufacture of such a thermoelectric conversion device 1 is not particularly illustrated, the locations where the first via holes 11 and the second via holes 12 are formed are changed in the steps of FIGS. 4A and 4C. (F) and the process of FIG.4 (g) are performed by forming the said surface conductive layer 21 and the back surface conductive layer 31 in a shape as shown to FIG.
  • thermoelectric conversion device 1 in which the first and second via holes 11 and 12 are not alternately formed, the thermoelectric conversion device 1 can be formed by any one of the manufacturing methods of the above embodiments.
  • thermoelectric conversion device 1 of the present embodiment is different from the first embodiment in that only the first via hole 11 is provided and the front surface protection member 20 and the back surface protection member 30 are integrated. Since it is the same as the embodiment, the description thereof is omitted here.
  • FIG. 23 is a development view of FIG.
  • only the first via hole 11 is formed in the insulating base material 10. That is, only the first interlayer connection member 40 is disposed on the insulating base material 10. Moreover, the surface protection member 20 and the back surface protection member 30 are integrated. In other words, the front surface conductive layer 21 and the back surface conductive layer 31 are continuous as is apparent from FIG.
  • Each of the plurality of surface conductive layers 21 is connected to the first interlayer connection member 40 in each lateral arrangement, as is apparent from FIG. Further, each of the back surface conductive layers 31 formed continuously with the surface conductive layer 21 has a horizontal arrangement adjacent to the horizontal arrangement of the first interlayer connection members 40 connected to the surface conductive layer 21 connected thereto. The first interlayer connection member 40 is connected.
  • the first interlayer connection members 40 arranged in the horizontal direction along the long side direction of the insulating base material 10 are connected in parallel.
  • thermoelectric conversion device 1 is not particularly shown, but only the first via hole 11 is formed in the insulating base material 10 in the step of FIG. 4A, and the surface in the steps of FIGS. 4F and 4G. It is manufactured by integrally forming the protection member 20 and the back surface protection member 30.
  • thermoelectric conversion device 1 of this embodiment can also be completed using any of the manufacturing methods of the above embodiments.
  • thermoelectric conversion device 1 heats or cools the electronic device 100 to maintain the electronic device 100 at a desired temperature or generate power using the heat of the electronic device 100.
  • the electronic device 100 includes a multilayer substrate 110 on the surface protection member 20 in the thermoelectric conversion device 1.
  • the multilayer substrate 110 includes a laminate composed of a plurality of (four in this embodiment) resin films 120 each including the wiring pattern 121 and the interlayer connection member 122, and the inside of the laminate and the surface opposite to the thermoelectric conversion device 1.
  • Semiconductor chips 131 to 133 are provided on the top. And the thermoelectric conversion apparatus 1 and the multilayer substrate 110 are directly joined.
  • thermoelectric conversion device 1 provided in the electronic device 100 functions to cool the multilayer substrate 110 and generate power to be supplied to the chips 131 to 133.
  • thermoelectric conversion device 1 can also be used to supply power to the multilayer substrate 110.
  • the thermoelectric conversion device 1 and the multilayer substrate 110 are each provided with an interlayer connection member or the like as described in the above embodiment, and are electrically connected to each other.
  • the back surface protection member 30, the insulating base material 10, the surface protection member 20, and the plurality of resin films 120 are stacked on each other to form a stack 80, and the stack 80 is heated while being heated.
  • the thermoelectric conversion device 1 and the multilayer substrate 110 are bonded simultaneously with the manufacture of the thermoelectric conversion device 1.
  • thermoelectric conversion device 1 when the thermoelectric conversion device 1 is manufactured, the thermoelectric conversion device 1 and the multilayer substrate 110 are simultaneously bonded. Therefore, the manufacturing process of the electronic device 100 can be simplified as compared with the case where the thermoelectric conversion device 1 is bonded to the multilayer substrate 110 via an adhesive or the like after the thermoelectric conversion device 1 is formed.
  • the electronic device 100 is configured by directly joining the thermoelectric conversion device 1 and the multilayer substrate 110. That is, no extra inclusions are present between the thermoelectric conversion device 1 and the multilayer substrate 110. For this reason, the heat of the multilayer substrate 110 is easily transferred to the thermoelectric conversion device 1, and the electronic device 100 having high heat transfer between the multilayer substrate 110 and the thermoelectric conversion device 1 can be obtained.
  • the multilayer substrate 110 of the electronic device 100 has the laminated body which consists of the some resin film 120
  • the multilayer substrate 110 may be formed first, and the back surface protection member 30, the insulating base material 10, the surface protection member 20, and the multilayer substrate 110 may be laminated to form the laminate 80.
  • the above embodiments can be combined as follows. That is, the first and second embodiments may be combined with the third embodiment to form the through hole 13 or the groove 14 while forming the recess 15. Further, the second embodiment may be combined with the seventh to twelfth embodiments, and the groove 14 may be formed instead of the through hole 13. Further, the third embodiment may be combined with the seventh to twelfth embodiments, and the recess 15 may be formed instead of the through hole 13.
  • the fourth embodiment may be combined with the seventh to twelfth embodiments, and the glass cloth 10d may be used instead of the through hole 13, or the fifth embodiment may be combined with the seventh to twelfth embodiments to Instead, a thermoplastic resin film 10c in which a plurality of holes 17 are formed may be used.
  • channel 14, the recessed part 15, or all can also be formed.
  • the sixth embodiment may be combined with the first to fifth embodiments, and the laminate 80 may be integrated using a pair of press plates 90 in which the recessed portions 90a are formed.
  • the eighth embodiment may be combined with the ninth to twelfth embodiments, and the insulating substrate 10 may be a laminate of a thermoplastic resin film 10c and a thermosetting resin film 10e. Moreover, when using the insulating base material 10 which laminated
  • thermoelectric conversion device 1 described above can have a structure of several combinations of the above embodiments, and the thermoelectric conversion device 1 is manufactured by any one of the manufacturing methods of the above embodiments. Can do.
  • the electronic device 100 is configured by the thermoelectric conversion device 1 and the multilayer substrate 110, but the attachment target of the thermoelectric conversion device is not limited to the multilayer substrate 110.
  • the electronic device 100 may further include fins 140 on the surface protection member 20 in the thermoelectric conversion device 1.
  • the heat dissipation effect can be improved by the fins 140.
  • the electronic device 100 includes a laminated body 80 including the fins 140 and is integrally manufactured by pressing the laminated body 80 while heating.
  • the electronic device 100 may be configured by joining the thermoelectric conversion device 1 to a circular cross-section such as a pipe 150 as shown in FIG.
  • thermoelectric conversion device 1 used in the electronic device 100 is manufactured by using, for example, a pair of press plates that have a curved surface as a pair of press plates for heating the laminated body 80 in the integration step of FIG.
  • the In the integration step stress is applied to the first and second via holes 11 and 12 by the flow of the resin constituting the insulating base 10 as described above, so that the metal particles, the metal particles and the surface conductive layer 21, and the back surface conductive Since the layer 31 is press-contacted, a stable bonding can be obtained even when the shape has a curved surface.
  • the thermoelectric conversion device 1 and the target object may be joined.
  • the insulating base material 10, the surface protection member 20, and the back surface protection member 30 are made of resin, and the thermoelectric conversion device 1 has flexibility. For this reason, after manufacturing the thermoelectric conversion apparatus 1, you may bend
  • the electronic device 100 can also be composed of a thermoelectric conversion device 1 and an electronic device 190.
  • the thermoelectric conversion device 1 is disposed on the base 160.
  • the electronic device 190 has a communication device 180.
  • the communication device 180 has a control IC chip 170 disposed on the substrate 160.
  • the thermoelectric conversion device 1 generates power and supplies it to the communication device 180.
  • the communication apparatus 180 may be arrange
  • thermoelectric conversion apparatus 1 of this invention and the electronic apparatus 100 containing this thermoelectric conversion apparatus 1 are provided in the roof and wall which partition indoor and the outdoor, for example, and generate

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Abstract

 第1伝導性ペースト41として、複数の金属原子が所定の結晶構造を維持している合金の粉末に有機溶剤を加えてペースト化したものを用い、第2伝導性ペースト51として、合金と異種金属の粉末に有機溶剤を加えてペースト化したものを用いる。そして、積層体80を構成する工程では、積層体80の内部に空洞13~17が形成されており、一体化工程では、空洞が熱可塑性樹脂の流動を助長させるように作用することにより前記第1導電ペースト41に対して作用する積層体80を一体化させるための加圧方向とは異なる方向への圧力を吸収することにより、一体化させるための圧力を増大させ、第1伝導性ペースト41を固相焼結して第1層間接続部材40を構成する。

Description

熱電変換装置の製造方法、熱電変換装置を備える電子装置の製造方法、熱電変換装置
 本発明は、熱電変換装置の製造方法、熱電変換装置を備える電子装置の製造方法、熱電変換装置に関するものである。
 例えば、特許文献1に以下のような熱電変換装置の製造方法が提案されている。この製造方法では、まず、絶縁性型枠に透孔を形成し、透孔に規則的にBi、Te、Se等で構成される第1伝導性ペーストおよびBi、Sb、Te等で構成される第2伝導性ペーストを充填する。
 そして、絶縁性型枠の表面に、隣接する第1、第2伝導性ペーストと接触するような表面導電層を複数形成する。また、絶縁性型枠の裏面に、第1伝導性ペーストと、当該第1伝導性ペーストと接触する表面導電層と異なる表面導電層と接触する第2伝導性ペーストと接触するような裏面導電層を複数形成する。
 その後、絶縁性型枠をArガス雰囲気中、460℃で10時間熱処理することにより、Bi、Te、Se等で構成される伝導性ペーストからN型熱電変換素子を形成すると共にBi、Sb、Te等で構成される伝導性ペーストからP型熱電変換素子を形成する。このとき、N型熱電変換素子およびP型熱電変換素子と表面導電層および裏面導電層とも接続される。これにより、複数のN型熱電変換素子と複数のP型熱電変換素子とが交互に直列に接続された熱電変換装置が製造される。
 なお、絶縁性型枠を460℃で10時間熱処理した場合には、N型熱電変換素子およびP型熱電変換素子(合金)は、Bi、Teの融点が460°より低いため、液相焼結することで形成される。
特開平8-153899号公報
 しかしながら、上記特許文献1の製造方法では、液相焼結で形成された合金は、金属原子の結晶構造がランダムとなるため、実際には電力が発生し難いという問題がある。
 ここで、固相焼結で形成された合金は、所定の結晶構造を維持しつつ積層されるため、熱電変換装置に利用されると大きな電力を発生させ得ることが知られている。このため、上記特許文献1の製造方法において固相焼結を適用してN型熱電変換素子およびP型熱電変換素子を形成すべく、例えば、二つのプレス板の間に上記絶縁性型枠を配置し、絶縁性型枠の表裏面から加圧して第1、第2伝導性ペーストを圧接することにより、N型熱電変換素子およびP型熱電変換素子を固相焼結で形成することが考えられる。
 しかしながら、この方法では、加圧力が第1、第2伝導性ペーストだけでなく、第1、第2伝導性ペースト(透孔)の周囲に位置する絶縁性型枠にも均等に印加されるため、第1、第2伝導性ペーストを効率よく加圧することができない。このため、第1、第2伝導性ペーストに印加される圧力が不足する場合には、第1、第2伝導性ペーストからN型熱電変換素子およびP型熱電変換素子を形成することができない場合があるという問題がある。
 なお、このような問題は、N型熱電変換素子およびP型熱電変換素子を有する熱電変換装置のみに発生する問題ではない。すなわち、熱電効果は、異なる2種類の金属が接続されていれば発生する。このため、例えば、透孔にBi、Te、Se等で構成される伝導性ペーストのみが充填され、表面導電層および裏面導電層が、伝導性ペーストが固相焼結された合金と異なる材料で形成された熱電変換装置においても上記問題が発生する。
 本発明は、伝導性ペーストに圧力を効率よく印加することができる熱電変換装置の製造方法、熱電変換装置を備える電子装置の製造方法、熱電変換装置を提供することを目的とする。
 発明の一形態として、熱可塑性樹脂を含んで構成されており、厚さ方向に貫通する複数の第1、第2ビアホールが(11,12)形成され、第1ビアホールに第1伝導性ペースト(41)が充填されていると共に第2ビアホールに第2伝導性ペースト(51)が充填されている絶縁基材10を用意する工程と、絶縁基材の表面10aに所定の第1、第2伝導性ペーストと接触する表面導電層(21)を有する表面保護部材(20)を配置すると共に、絶縁基材の裏面(10b)に所定の第1、第2伝導性ペーストと接触する裏面導電層(31)を有する裏面保護部材(30)を配置して積層体(80)を形成する工程と、積層体を加熱しながら積層方向から加圧し、第1、第2伝導性ペーストから第1、第2層間接続部材(40、50)を構成すると共に第1、第2層間接続部材と表面導電層および裏面導電層とを電気的に接続する一体化工程と、を行うことを特徴としている。
 そして、第1伝導性ペーストとして、複数の金属原子が所定の結晶構造を維持している合金の粉末に有機溶剤を加えてペースト化したものを用い、第2伝導性ペーストとして、合金と異種金属の粉末に有機溶剤を加えてペースト化したものを用い、積層体を構成する工程では、積層体の内部に空洞(13~17)が形成されており、前記一体化工程では、前記空洞が前記熱可塑性樹脂の流動を助長させるように作用することにより前記第1導電ペーストに対して作用する積層方向とは異なる方向への圧力を吸収することにより、前記積層体に作用する積層方向への印加圧力を増大させ、前記第1伝導性ペーストを固相焼結して前記第1層間接続部材を構成することを特徴としている。
 これによれば、熱可塑性樹脂を空洞に流動させつつ一体化工程を行っているため、第1ビアホールの周囲(熱可塑性樹脂が流動している部分)に印加される加圧力は小さくなる。そして、本来この部分に印加されるべき加圧力が第1伝導性ペーストに印加され、第1伝導性ペーストに印加される加圧力が大きくなる。つまり、第1伝導性ペーストに加圧力を効率良く印加することができる。したがって、第1伝導性ペーストが固相焼結されないことを抑制できる。なお、第2伝導性ペーストにも加圧力を効率良く印加することができるため、第2伝導性ペーストを固相焼結する場合には第2伝導性ペーストが固相焼結されないことも抑制できる。
 また、発明の別の形態によれば、熱可塑性樹脂を含んで構成されており、厚さ方向に貫通する複数のビアホール(11、12)が形成され、ビアホールに伝導性ペースト(41)が充填されている絶縁基材(10)を用意する工程と、絶縁基材の表面(10a)に所定の伝導性ペーストと接触する表面導電層(21)を有する表面保護部材(20)を配置すると共に、絶縁基材の裏面(10b)に所定の伝導性ペーストと接触する裏面導電層(31)を有する裏面保護部材(30)を配置して積層体(80)を形成する工程と、積層体を加熱しながら積層方向から加圧し、伝導性ペーストから層間接続部材(40)を構成すると共に当該層間接続部材と表面導電層および裏面導電層とを電気的に接続する一体化工程と、を行うことを特徴としている。
 そして、伝導性ペーストとして、複数の金属原子が所定の結晶構造を維持している合金の粉末に有機溶剤を加えてペースト化したものを用意し、積層体を構成する工程では、積層体の内部には空洞(13~17)が形成されており、前記一体化工程では、前記空洞が前記熱可塑性樹脂の流動を助長させるように作用することにより前記導電ペーストに対して作用する積層方向とは異なる方向への圧力を吸収することにより、前記積層体に作用する積層方向への印加圧力を増大させ、前記伝導性ペーストを固相焼結して層間接続部材を構成することを特徴としている。
 これによれば、絶縁基材に1種類の層間接続部材のみが配置された熱電変換装置が製造される。そして、このような熱電変換装置においても、熱可塑性樹脂を空洞に流動させつつ一体化工程を行っているため、上記第1の形態と同様に、伝導性ペーストに加圧力を効率良く印加することができ、伝導性ペーストが固相焼結されないことを抑制できる。
 また、発明の別の形態によれば、熱可塑性樹脂を含んで構成されており、厚さ方向に貫通する複数の第1、第2ビアホール(11、12)が形成され、第1ビアホールに第1伝導性ペースト(41)が充填されていると共に第2ビアホールに第2伝導性ペースト(51)が充填されている絶縁基材(10)を用意する工程と、絶縁基材の表面(10a)に、所定の第1、第2伝導性ペーストと接触する表面導電層(21)を有し、熱可塑性樹脂を含んで構成された表面保護部材(20)を配置すると共に、絶縁基材の裏面(10b)に、所定の第1、第2伝導性ペーストと接触する裏面導電層(31)を有し、熱可塑性樹脂を含んで構成された裏面保護部材(30)を配置して積層体(80)を形成する工程と、積層体を加熱しながら積層方向から加圧し、第1、第2伝導性ペーストから第1、第2層間接続部材(40、50)を構成すると共に第1、第2層間接続部材と表面導電層および裏面導電層とを電気的に接続する一体化工程と、を行うことを特徴としている。
 そして、第1伝導性ペーストとして、複数の金属原子が所定の結晶構造を維持している合金の粉末に有機溶剤を加えてペースト化したものを用い、第2伝導性ペーストとして、合金と異種金属の粉末に有機溶剤を加えてペースト化したものを用い、一体化工程では、絶縁基材の表面と対向する部分および絶縁基材の裏面と対向する部分の少なくとも一方に窪み部(90a)が形成された一対のプレス板(90)を用いて積層体を加圧し、表面保護部材および裏面保護部材を構成する熱可塑性樹脂の少なくとも一方を窪み部に流動させると共に絶縁基材を構成する熱可塑性樹脂を流動させつつ、第1伝導性ペーストを固相焼結して第1層間接続部材を構成することを特徴としている。
 このように、窪み部が形成された一対のプレス板を用いて一体化工程を行っても、絶縁基材を構成する熱可塑性樹脂が流動するため、上記第1の形態と同様に、第1伝導性ペーストに加圧力を効率良く印加することができる。このため、伝導性ペーストが固相焼結されないことを抑制できる。
 さらに、発明の別の形態によれば、熱可塑性樹脂を含んで構成されており、厚さ方向に貫通する複数の第1、第2ビアホール(11、12)が形成され、第1ビアホールに第1伝導性ペースト(41)が充填されていると共に第2ビアホールに第2伝導性ペースト(51)が充填されている絶縁基材(10)を用意する工程と、絶縁基材の表面(10a)に表面金属板(21a)を配置すると共に、絶縁基材の裏面(10b)に裏面金属板(31a)を配置して積層体(80)を形成する工程と、積層体を加熱しながら積層方向から加圧し、第1、第2伝導性ペーストから第1、第2層間接続部材(40、50)を構成すると共に第1、第2層間接続部材と表面金属板および裏面金属板とを電気的に接続する一体化工程と、表面金属板および裏面金属板をダイシングし、所定の第1、第2層間接続部材と電気的に接続される複数の表面導電層(21)および裏面導電層(31)を形成する工程と、を行うことを特徴としている。
 そして、第1伝導性ペーストとして、複数の金属原子が所定の結晶構造を維持している合金の粉末に有機溶剤を加えてペースト化したものを用い、第2伝導性ペーストとして、合金と異種金属の粉末に有機溶剤を加えてペースト化したものを用い、積層体を構成する工程では、積層体の内部に空洞(13~17)が形成されており、前記一体化工程では、前記空洞が前記熱可塑性樹脂の流動を助長させるように作用することにより前記第1導電ペーストに対して作用する積層方向とは異なる方向への圧力を吸収することにより、前記積層体に作用する積層方向への印加圧力を増大させ、前記第1伝導性ペーストを固相焼結して第1層間接続部材を構成することを特徴としている。
 このように、絶縁基材の表面に表面金属板を配置すると共に絶縁基材の裏面に裏面金属板を配置し、積層体を一体化した後に表面導電層および裏面導電層を形成するようにしても、熱可塑性樹脂を空洞に流動させつつ一体化工程を行っているため、上記第1の形態と同様に、伝導性ペーストに加圧力を効率良く印加することができ、伝導性ペーストが固相焼結されないことを抑制できる。
 また、発明の別の形態によれば、複数の表面導電層(21)を有する表面保護部材(20)と、複数の裏面導電層(31)を有する裏面保護部材(30)と、厚さ方向に貫通する複数の第1、第2ビアホール(11、12)を有し、熱可塑性樹脂を含んで構成された絶縁基材(10)と、第1ビアホール(11)に充填され、複数の金属原子が所定の結晶構造を維持している合金で形成された第1層間接続部材(40)と、第2ビアホール(12)に充填され、合金に対して異種金属で形成された第2層間接続部材(50)と、を備え、隣接する1つの第1ビアホールに充填された第1層間接続部材と1つの第2ビアホールに充填された第2層間接続部材とを組(60)としたとき、絶縁基材の表面側に、第1層間接続部材および第2層間接続部材が組毎に複数の表面導電層における同じ表面導電層に接触する状態で表面保護部材が配置されている共に、絶縁基材の裏面側に、隣接する組における一方の組の第1伝導性ペーストおよび他方の組の第2伝導性ペーストが複数の裏面導電層における同じ裏面導電層に接触する状態で裏面保護部材が配置されており、第1層間接続部材および第2層間接続部材の周囲は、絶縁基材で囲まれていることを特徴としている。
 これによれば、第1層間接続部材として複数の金属原子が所定の結晶構造を維持している合金で形成されているので、大きな電力を発生させることができる。そして、第1層間接続部材および第2層間接続部材の周囲は、熱可塑性樹脂を含んで構成された絶縁基材が配置されているため、第1層間接続部材および第2層間接続部材と、表面導電層および裏面導電層との密着性を向上させることができ、さらに大きな電力を発生させることができる。
 なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
図1は、本発明の第1実施形態における熱電変換装置の平面図である。 図2は、図1中のII-II線に沿った断面図である。 図3は、図1中のIII-III線に沿った断面図である。 図4(a)-図4(i)は、図1に示す熱電変換装置の製造工程を示す断面図である。 図5は、図4(e)に示す絶縁基材の表面側の平面図である。 図6は、図4(i)に示す一体化工程の際の製造条件を示す図である。 図7(a)-図7(d)は、図4(i)に示す一体化工程の際の詳細な断面図である。 図8は、本発明の第2実施形態における図4(e)に相当する断面図である。 図9は、図8に示す絶縁基材の表面側の平面図である。 図10は、本発明の第3実施形態における図4(h)に相当する断面図である。 図11は、本発明の第4実施形態における図4(e)に相当する断面図である。 図12は、本発明の第5実施形態における図4(e)に相当する断面図である。 図13(a)-図13(c)は、本発明の第6実施形態における図4(h)の工程を行う際の断面図である。 図14(a)-図14(c)は、本発明の第7実施形態における絶縁基材を用意する製造工程を示す断面図である。 図15は、本発明の第8実施形態における熱電変換装置の断面図である。 図16(a)-図16(c)は、図15の熱電変換装置の製造工程を示す図4(i)に相当する断面図である。 図17は、本発明の第9実施形態における熱電変換装置の断面図である。 図18は、図17に示す熱電変換装置の製造工程を示す図4(h)に相当する断面図である。 図19は、本発明の第10実施形態における熱電変換装置の断面図である。 図20は、本発明の第11実施形態における熱電変換装置の表面側の平面図である。 図21は、図20に示す熱電変換装置の裏面側の平面図である。 図22は、本発明の第12実施形態における熱電変換装置の断面図である。 図23は、表面保護部材および裏面保護部材の展開平面図である。 図24は、本発明の第13実施形態における電子装置の断面図である。 図25は、熱電変換装置を有する電子装置の断面図である。 図26は、変熱電変換装置を有する電子装置の変形例の断面図である。 図27は、熱電変換装置を有する電子装置の他の変形例の断面図である。
 以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の説明において、同一もしくは均等である部分には、同一符号を付す。
 (第1実施形態)
 本発明の第1実施形態の熱電変換装置1について図面を参照しつつ説明する。図1~図3に示されるように、熱電変換装置1は、絶縁基材10、表面保護部材20、裏面保護部材30、および複数の第1、第2層間接続部材40、50を有する。絶縁基材10、表面保護部材20、裏面保護部材30は、多層形態で、互いに接続、すなわち一体化される。この一体化された組立体(assembly)内において、表面保護部材20と裏面保護部材30を接続する第1、第2層間接続部材40、50からなる複数の接続部材配列(arrays)が図面左右方向に延在している。各第1層間接続部材40と各第2層間接続部材50は互いに異なる金属からなる。各接続部材配列において、第1、第2層間接続部材40、50は交互に直列に接続されている。
 なお、図1は、理解をし易くするために、表面保護部材20を省略して示してある。また、図1は、断面図ではない。第1層間接続部材40と第2層間接続部材50とは、異なる向きの線からなるハッチングで示してある。
 絶縁基材10は、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)やポリエーテルイミド(PEI)を含む平面矩形状の熱可塑性樹脂フィルムによって構成されている。そして、この絶縁基材10には、その厚さ方向に貫通する複数の第1、第2ビアホール11、12が形成されている。この複数の第1、第2ビアホール11,12は、図1の左右方向に延びる横配列の各々において、互い違いになるように配置されている。
 なお、第1、第2ビアホール11、12が、絶縁基材10の表面10aから裏面10bに向かって径が一定とされた円筒状とされているが、第1、第2ビアホール11、12は表面10aから裏面10bに向かって径が小さくなるテーパ状とされていてもよいし、角筒状とされていてもよい。
 そして、各第1ビアホール11には、一つの第1層間接続部材40が配置されている。同様に、各第2ビアホール12には、一つの第2層間接続部材50が配置されている。第2層間接続部材50は、第1層間接続部材40と異なる金属で形成されている。
 つまり、絶縁基材10には、上記したように、第1、第2層間接続部材40、50が、図1の左右方向に延びる横配列の各々において互い違いに配置され、上下方向に延びる縦配列においても、互い違いに配置される。例えば、図1の一番下の配列においては、右から、第2層間接続部材50、第1層間接続部材40、第2層間接続部材50···の順で配置され、下から2番目の配列においては、右から第1層間接続部材40、第2層間接続部材50、第1層間接続部材40···の順で配置されている。
 特に限定されるものではないが、例えば、第1層間接続部材40はP型を構成するBi-Sb-Te合金の粉末(金属粒子)を含む伝導性ペーストから構成される。また、第2層間接続部材50はN型を構成するBi-Te合金の粉末(金属粒子)を含む伝導性ペーストから構成される。
 絶縁基材10の表面10aには、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)やポリエーテルイミド(PEI)を含む平面矩形状の熱可塑性樹脂フィルムからなる表面保護部材20が配置されている。この表面保護部材20は、絶縁基材10と平面形状が同じ大きさとされている。表面保護部材20の絶縁基材10と対向する一面20a上には、パターンニングされた銅箔等からなる複数の表面導電層21が形成されている。この複数の表面導電層21は、互いに離間している。そして、各表面導電層21はそれぞれ第1、第2層間接続部材40、50と電気的に接続されている。
 具体的には、隣接する1つの第1層間接続部材40と1つの第2層間接続部材50とから組60が構成される。各組60の第1、第2層間接続部材40、50は同じ表面導電層21と接続されている。つまり、各組60の第1、第2層間接続部材40、50は表面導電層21を介して電気的に接続されている。なお、本実施形態では、各組60は、絶縁基材10の長辺方向(図1中紙面左右方向)に沿って隣接する1つの第1層間接続部材40と1つの第2層間接続部材50とからなる。
 また、絶縁基材10の裏面10bには、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)やポリエーテルイミド(PEI)を含む熱可塑性樹脂フィルムからなる平面矩形状の裏面保護部材30が配置されている。この裏面保護部材30は、絶縁基材10と平面形状が同じ大きさとされている。裏面保護部材30の絶縁基材10と対向する一面30a側には、パターンニングされた銅箔等からなる複数の裏面導電層31が形成されている。この複数の裏面導電層31は、が互いに離間している。そして、各裏面導電層31は、第1、第2層間接続部材40、50と電気的に接続されている。
 具体的には、隣接する各二組60の一方の第1層間接続部材40と、他方の組60の第2層間接続部材50とが同じ裏面導電層31と接続されている。つまり、横方向に隣接する二つの組60の第1、第2層間接続部材40、50が裏面導電層31を介して電気的に接続されている。
 図2の構成においては、絶縁基材10の長辺方向(図1中紙面左右方向)に沿って並んでいる2つの組60が隣接する組60とする。また、図3に示されるように、絶縁基材10の左右の端部では、短辺方向(図1中紙面上下方向)に沿って並んでいる2つの組60が隣接する組60とする。
 すなわち、絶縁基材10の長辺方向(図2の左右方向)に延びる前記した各横配列において、第1、第2層間接続部材40、50は、図2図に示すように、直列に接続される。各横配列の左右いずれか一方の端に位置する第1層間接続部材40あるいは第2層間接続部材50は、図3に示すように、上下方向に隣接する第2層間接続部材50あるいは第1層間接続部材40に接続される。これにより、第1層間接続部材40と第2層間接続部材50は全体として直列接続される。
 なお、図2、図3に示される熱電変換装置1の断面とは異なる別断面において、裏面保護部材30上には、裏面導電層31と電気的に接続されると共に、絶縁基材10と反対側の裏面保護部材30の一面から露出する層間接続部材が形成されている。そして、この層間接続部材によって外部との電気的な接続が図れるようになっている。
 熱電変換装置1は上記したような構造を有する。この熱電変換装置1では、例えば、第1、第2ビアホール11、12の径をφ0.7mm、絶縁基材10の厚みを1mmとし、第1、第2層間接続部材40、50を合わせて約900個配置したとき、温度差10℃で約2.5mWの電力を得ることができる。
 次に、上記熱電変換装置1の製造方法について図4(a)―4(i)を参照しつつ説明する。なお、図4(a)―4(i)は、図1中のII-II線に沿った断面図である。
 まず、図4(a)に示されるように、絶縁基材10を用意し、複数の第1ビアホール11をドリル等によって形成する。
 次に、図4(b)に示されるように、各第1ビアホール11に第1伝導性ペースト41を充填する。
 第1ビアホール11に第1伝導性ペースト41を充填する方法(装置)としては、本出願人による特願2010-50356号に記載の方法(装置)を採用すると良い。
 簡単に説明すると、吸着紙70を介して図示しない保持台上に、裏面10bが吸着紙70と対向するように絶縁基材10を配置する。なお、吸着紙70は、第1伝導性ペースト41の有機溶剤を吸収できる材質のものであれば良く、一般的な上質紙等が用いられる。そして、第1伝導性ペースト41を溶融させつつ、第1ビアホール11内に第1伝導性ペースト41を充填する。これにより、第1伝導性ペースト41の有機溶剤の大部分が吸着紙70に吸着され、第1ビアホール11に合金の粉末が密接して配置される。
 第1伝導性ペースト41としては、本実施形態では、金属原子が所定の結晶構造を維持している合金の粉末を融点が43℃であるパラフィン等の有機溶剤を加えてペースト化したものが用いられる。このため、第1伝導性ペースト41を充填する際には、絶縁基材10の表面10aが約43℃に加熱された状態で行われる。なお、第1伝導性ペースト41を構成する合金の粉末としては、例えば、メカニカルアロイングにて形成されたBi-Sb-Te等が用いられる。
 続いて、図4(c)に示されるように、絶縁基材10に複数の第2ビアホール12をドリル等によって形成する。この第2ビアホール12は、上記のように、第1ビアホール11と互い違いとなり、第1ビアホール11と共に千鳥パターンを構成するように形成される。
 次に、図4(d)に示されるように、再び、吸着紙70を介して図示しない保持台上に、裏面10bが吸着紙70と対向するように絶縁基材10を配置する。そして、第1伝導性ペースト41を充填したときと同様に、第2ビアホール12内に第2伝導性ペースト51を充填する。これにより、第2伝導性ペースト51の有機溶剤の大部分が吸着紙70に吸着され、第2ビアホール12に合金の粉末が密接して配置される。
 第2伝導性ペースト51としては、第1伝導性ペースト41を構成する金属原子と異なる金属原子が所定の結晶構造を維持している合金の粉末を融点が常温であるテレピネ等の有機溶剤を加えてものが用いられる。つまり、第2伝導性ペースト51を構成する有機溶剤として、第1伝導性ペースト41を構成する有機溶剤より融点が低いものが用いられる。そして、第2伝導性ペースト51を充填する際には、絶縁基材10の表面10aが常温に保持された状態で行われる。言い換えると、第1伝導性ペースト41に含まれる有機溶剤が固化された状態で、第2伝導性ペースト51の充填が行われる。これにより、第1ビアホール11に第2伝導性ペースト51が混入することが抑制される。なお、第2伝導性ペースト51を構成する合金の粉末としては、例えば、メカニカルアロイングにて形成されたBi-Te等が用いられる。
 以上のようにして、第1、第2伝導性ペースト41、51が充填された絶縁基材10を用意する。
 そして、図4(e)に示されるように、この絶縁基材10に、空洞(cavity)としての複数の貫通孔13をドリルやレーザ等によって形成する。貫通孔13は、図4(e)および図5に示されるように、各第1、第2ビアホール11、12を中心とする同心円上において周方向に等間隔に離間するのが好ましい。
 なお、各貫通孔13が円筒状であるが、表面10aから裏面10bに向かって径が小さくなるテーパ状としてもよい。
 また、上記工程とは別工程において、図4(f)および図4(g)に示されるように、表面保護部材20および裏面保護部材30のうち絶縁基材10と対向する一面20a、30aに銅箔等をパターンニングする。これにより、互いに離間している複数の表面導電層21が形成された表面保護部材20、互いに離間している複数の裏面導電層31が形成された裏面保護部材30が用意される。
 その後、図4(h)に示されるように、裏面保護部材30、絶縁基材10、表面保護部材20を重ね合わせて積層体80を構成する。具体的には、上記したように、隣接する1つの第1ビアホール11に充填された第1伝導性ペースト41と1つの第2ビアホール12に充填された第2伝導性ペースト51とから各組60が構成され、絶縁基材10の表面10a上に、各組60の第1、第2伝導性ペースト41、51が同じ表面導電層21に接触するように表面保護部材20を配置する。なお、本実施形態では、上記のように、絶縁基材10の長辺方向(図1紙面左右方向)に沿って隣接する1つの第1ビアホール11に充填された第1伝導性ペースト41と1つの第2ビアホール12に充填された第2伝導性ペースト51とが各組60を構成する。
 また、絶縁基材10の裏面10b上に、隣接する各二つの組60における一方の組60の第1伝導性ペースト41および他方の組60の第2伝導性ペースト51が同じ裏面導電層31と接触するように裏面保護部材30を配置している。なお、上記のように、隣接する組60とは、絶縁基材10の長辺方向(図1中紙面左右方向)に沿って並んでいる2つの組60である。また、絶縁基材10の左右端部では、短辺方向(図1中紙面上下方向)に沿って並んでいる2つの組60が隣接する組60とする。
 続いて、図4(i)に示されるように、この積層体80を図示しない一対のプレス板の間に配置し、真空において、積層方向、すなわち、積層体80の厚み方向に積層体80を加熱しながら加圧して絶縁基材10、表面保護部材20、裏面保護部材30を一体化させて熱電変換装置1を完成させる。なお、特に限定されるものではないが、絶縁基材10、表面保護部材20、裏面保護部材30を一体化する際には、積層体80とプレス板との間にロックウールペーパー等の緩衝材を配置してもよい。以下に、本実施形態の熱電変換装置1の組立て工程について図6から図7(a)―7(d)を参照しつつ具体的に説明する。
 図6に示されるように、まず、積層体80を約320℃まで加熱しながら時点T1まで0.1Mpaで加圧し、第1、第2伝導性ペースト41、51に含まれる有機溶剤を蒸発させる(図7(a)参照)。
 なお、T0~T1間は約10分間である。また、第1、第2伝導性ペースト41、51に含まれる有機溶剤とは、図4(b)および図4(d)の工程において、吸着紙70に吸着されずに残存した有機溶剤のことである。
 次に、図6および図7(b)に示されるように、積層体80(すなわち、絶縁基材10、表面保護部材20、裏面保護部材30の組立体を熱可塑性樹脂の軟化点以上の温度である約320℃に保持しつつ時点T2まで10MPaで加圧する。このとき、絶縁基材10を構成する熱可塑性樹脂が溶融し流動する。これにより、第1、第2ビアホール11,12内の第1、第2伝導性ペースト41、51(合金の粉末)を横方向(径方向)から加圧する。このため、図7(c)に示されるように、第1、第2ビアホール11、12の径が小さくなる。また、熱可塑性樹脂が流動して貫通孔13が変形しその体積が小さくなる。これにより第1、第2ビアホール11、12の周囲に加わる圧力が吸収され低下する。この圧力低下にともない、第1、第2伝導性ペースト41、51に対して、上下方向から印加可能な圧力を増大させることが可能となる。すなわち、プレス板から第1、第2伝導性ペースト41、51に印加される圧力を高くすることができる。なお、図7(b)において、10MPaでの積層体80の加圧方向を、絶縁基材10、表面保護部材20、裏面保護部材30を重ね合わせた方向、すなわち、積層方向とも言う。また、絶縁基材10を構成する熱可塑性樹脂が溶融することにより、第1、第2ビアホール11,12内の第1、第2伝導性ペースト41、51に作用する圧力の方向(図7(c)において横方)を積層方向とは異なる方向とも言う。
 そして、図7(d)に示されるように、合金の粉末同士および合金の粉末と表面導電層21および裏面導電層31とが圧接されて固相焼結されることで第1、第2層間接続部材40、50が構成される。また、第1、第2層間接続部材40、50と表面導電層21、裏面導電層31とが電気的に接続される。
 なお、T1~T2間は約10分間である。また、第1、第2ビアホール11、12には、有機溶剤を蒸発させることによって空間が形成される。しかしながら、この空間は微小であるため、これらによって第1、第2層間接続部材40、50の固相焼結を阻害することはない。
 その後、図6に示されるように、絶縁基材10、表面保護部材20、裏面保護部材30からなる積層体80への加圧を10MPaで維持したまま、時点T3まで、積層体80を冷却することにより、絶縁基材10、表面保護部材20、裏面保護部材30一体された図1に示す熱電変換装置1が製造される。なお、T2~T3間は約8分間である。
 以上説明したように、熱電変換装置1の製造工程のいては、絶縁基材10に複数の貫通孔13を形成する。絶縁基材10を加熱して絶縁基材10の材料である熱可塑性樹脂の流動を生じさせる。これにより貫通孔13はその体積が小さく変形し、熱可塑性樹脂の流動をさらに増大させる。したがって、第1、第2ビアホール11、12の周囲に印加される圧力が小さくなる。この小さくなった分、第1、第2伝導性ペースト41、51に対して上下に印加される圧力を増大させることが可能となる。つまり、第1、第2伝導性ペースト41、51に圧力を効率良く印加することができる。したがって、第1、第2伝導性ペースト41、51が固相焼結を確実に行うことができる。
 さらに、複数の貫通孔13を、第1、第2ビアホール11、12のそれぞれを中心とした同心円上において周方向に等間隔に離間するように配置している。このため、積層体80を形成する際、第1、第2ビアホール11、12の周囲の熱可塑性樹脂が等方的に貫通孔13を小さくするように流動しやすくなり、よれによる第1、第2ビアホール11、12が積層体80の平面方向への偏りが抑制される。したがって、第1、第2伝導性ペースト41、51から形成される第1、第2層間接続部材40、50と表面導電層21および裏面導電層31とが導通の安定性が確保される。
 また、本実施形態の製造方法によれば、絶縁基材10の平面形状の大きさや厚み、第1、第2ビアホール11、12の数、径等を適宜変更するのみで所望の変換効率の熱電変換装置1を製造することができ、熱電変換装置1の用途に応じて製造工程が特に増加したり複雑になったりすることがない。つまり、熱電変換装置1の設計の自由度を向上させることができる。
 さらに、本実施形態の熱電変換装置1は、第1、第2層間接続部材40、50が複数の金属原子が所定の結晶構造を維持している合金で形成されているので、大きな電力を発生させることができる。そして、第1層間接続部材40および第2層間接続部材50の周囲は、熱可塑性樹脂を含んで構成された絶縁基材10が配置されているため、第1層間接続部材40および第2層間接続部材50と、表面導電層21および裏面導電層31との密着性を向上させることができる。このため、さらに大きな電力を発生させることができる。
 また、表面導電層21(表面保護部材20)と裏面導電層31(裏面保護部材30)との間に絶縁基材10が配置されており、表面導電層21(表面保護部材20)と裏面導電層31(裏面保護部材30)との間に空気流れが生じない。したがって、表面導電層21(表面保護部材20)と裏面導電層31(裏面保護部材30)との間の熱差が小さくなることを抑制することができる。
 ところで、銅箔等の配線パターンを底面とするビアホールが形成されていると共にビアホールに層間接続部材が配置された複数枚の樹脂フィルムを積層した多層基板が知られており、このような多層基板は次のように製造される。
 まず、銅箔等の配線パターンを底面とするビアホールを形成されおり、ビアホールに伝導性ペーストを充填した複数枚の樹脂フィルムを用意する。なお、伝導性ペーストはSnを含む。そして、複数枚の樹脂フィルムを重ね合わせてフィルム積層体(スタック)を構成する。このフィルム積層体を真空状態で加熱しながら加圧して一体化し、積層体(stack body)を形成する。このとき、伝導性ペーストが焼結されて層間接続部材が構成されると共に、この層間接続部材が配線パターンと電気的に接続される。
 しかしながら、上記製造方法の組立工程では、伝導性ペーストがSnを含むため、このSnを配線パターンに拡散させて層間接続部材(伝導性ペースト)と配線パターンとを結合している。つまり、金属粒子を直接圧接できないため、最大でも4MPa程度の加圧を用いて積層体を形成している。したがって、このような構成の多層基板を、大きい加圧力を用いて熱電変換装置1を製造する本実施例の製造方法で、形成することはできない。
 なお、本実施形態では、第1伝導性ペースト41をBi-Sb-Te合金の粉末により形成し、第2伝導性ペースト51はBi-Te合金の粉末を用いているが、合金の粉末はこれらに限定されるものではない。例えば、第1、第2伝導性ペースト41、51を構成する合金の粉末として、銅、コンスタンタン、クロメル、アルメル等が鉄、ニッケル、クロム、銅、シリコン等と合金化されたものから適宜選択してもよい。また、テルル、ビスマス、アンチモン、セレンの合金や、シリコン、鉄、アルミニウムの合金等から適宜選択してもよい。
 (第2実施形態)
 本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態の熱電変換装置1は、第1実施形態に対して、絶縁基材10に形成する空洞の形状において異なり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
 図8および図9に示されるように、図4(e)の工程において、絶縁基材10に対して各第1、第2ビアホール11、12を囲む閉ループ状の四角い溝14を形成する。具体的には、絶縁基材10の表面10aに、各第1、第2ビアホール11、12が一つの溝14に入るように溝14を形成する。同様に、絶縁基材10の裏面10bにも、各第1、第2ビアホール11、12が一つの溝14内に入るように溝14を形成する。
 なお、本実施形態では、溝14が空洞を形成している。また、ここでは、第1、第2ビアホール11、12を囲む複数の溝14は格子状に配列されているが、溝14の形状を四角以外としてもよい。例えば、溝14を直接に延びるように形成してもよい。さらに、絶縁基材10の表面10aおよび裏面10bに形成された溝14は同じ大きさとしている。第1、第2ビアホール11、12が溝14内の中心に位置されている。
 積層体80を形成する図4(i)の工程において、絶縁基材10の溝14は、熱可塑性樹脂の流動に伴い、それ自体の形状が変形し、溝14に作用する圧力を吸収することにより、第1、第2伝導性ペースト41、51に印加される圧力を大きくすることができ、上記第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
 なお、ここでは、絶縁基材10の表面10aおよび裏面10bに溝14を形成したが、絶縁基材10の表面10aおよび裏面10bのうちいずれか一方のみに溝14を形成するようにしてもよい。
 (第3実施形態)
 本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態の熱電変換装置1は、第1実施形態に対して、空洞の形状において異なるものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
 図10に示されるように、図4(e)の工程を省略し、図4(f)および(g)の工程において、表面導電層21および裏面導電層31のうち第1、第2伝導性ペースト41、51と接触する部分と異なる部分に凹部15を形成する。つまり、表面導電層21および裏面導電層31のうち絶縁基材10を構成する熱可塑性樹脂と対向する部分に凹部15が形成された積層体80を構成する。なお、凹部15が空洞として機能する。
 積層体80を形成する際に、表面導電層21および裏面導電層31に形成された凹部15は、熱可塑性樹脂の流動に伴い、それ自体の形状が変形し、凹部15に作用する圧力を吸収することにより、第1、第2伝導性ペースト41、51に印加される圧力を大きくすることができ、上記第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
 なお、ここでは、表面導電層21および裏面導電層31に凹部15を形成することについて説明したが、表面導電層21および裏面導電層31のうちいずれか一方のみに凹部15を形成するようにしてもよい。
 (第4実施形態)
 本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態の熱電変換装置1は、第1実施形態に対して、絶縁基材10に形成する空洞において異なり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
 図11に示されるように、本実施形態では、絶縁基材10として、熱可塑性樹脂フィルム10c、内部に複数の空洞16を有するガラスクロス10d、熱可塑性樹脂フィルム10cが順に積層され、これらが低温プレス等で仮接合したものを用いる。なお、ガラスクロス10dは多孔質部材として機能する。
 積層体80を形成する際に、図4(i)の工程において、ガラスクロス10d内の空洞16に熱可塑性樹脂が流れ込む(含浸する)。言い換えれば、空洞16が熱可塑性樹脂の流動を増大、すなわち助長して空洞16へ作用する圧力を吸収する。このため、第1、第2伝導性ペースト41、51に印加される圧力を大きくすることができ、上記第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
 なお、ここでは、ガラスクロス10dに代えて、アラミド不織布を多孔質部材として用いてもよい。
 (第5実施形態)
 本発明の第5実施形態について説明する。本実施形態の熱電変換装置1は、第1実施形態に対して、空洞において異なるものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
 図12に示されるように、絶縁基材10は、熱可塑性樹脂フィルムに複数の穴17が形成されている多孔質部材からなる。
 積層体80を形成する際に、図4(i)の工程において、複数の穴17に熱可塑性樹脂が流れ込む(含浸する)。言い換えれば、穴17が熱可塑性樹脂の流動に伴い、穴17へ作用する圧力を吸収することにより、第1、第2伝導性ペースト41、51に印加される圧力を大きくすることができ、上記第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
 (第6実施形態)
 本発明の第6実施形態について説明する。本実施形態の熱電変換装置1は、第1実施形態に対して、貫通孔13が形成されていない積層体80を有している。この積層体80は窪み部が形成されたプレス板を用いて形成されるものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
 図13(a)に示されるように、積層体80の内部には貫通孔13が形成されていない。つまり、積層体80は、図4(a)~(d)、(f)~(h)の工程により形成される。積層体80(すなわち、絶縁基材10、表面保護部材20、裏面保護部材30からなる組立体)は、表面導電層21および裏面導電層31と対向する部分と異なる部分に窪み部90aが形成されている一対のプレス板90により加圧される。
 これにより、図13(b)に示されるように、一対のプレス板90の各窪み部90aに表面保護部材20および裏面保護部材30を構成する熱可塑性樹脂が流動すると共に、この熱可塑性樹脂に追従し絶縁基材10の熱可塑性樹脂が流動する。これにより第1、第2伝導性ペースト41,51に作用する横圧力が吸収され、プレス板90から第1、第2伝導性ペースト41、51に印加される圧力が大きくなり、図13(c)に示されるように、第1、第2伝導性ペースト41、51が固相焼結されて第1、第2層間接続部材40、50が構成される。なお、各窪み部90aに表面保護部材20および裏面保護部材30のいずれか一方を構成する熱可塑性樹脂を流動させてもよい。
 すなわち、窪み部90aが形成された一対のプレス板90を用いて積層体80を押圧して組み立てることにより、絶縁基材10を構成する熱可塑性樹脂の流動を許容し、これにより第1、第2伝導性ペースト41、51に印加される圧力を大きくすることができ、上記第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
 なお、本実施形態で製造された熱電変換装置1は、窪み部90a内に流れ込んだ熱可塑性樹脂にて凸部が形成される。このため、積層体80を一体化した後、凸部を切削等によって除去するようにしてもよい。もしくは、凸部を覆うように熱伝導性を有するシート等を配置して熱電変換装置1の上下両面を平坦化するようにしてもよい。
 また、一対のプレス板90のそれぞれに窪み部90aが形成されているが、一対のプレス板90のうちいずれか一方のみに窪み部90aが形成されたプレス板90を用いてもよい。
 さらに、本実施形態では、表面導電層21および裏面導電層31と対向する部分と異なる部分に窪み部90aが形成されている一対のプレス板90を用いた。しかしながら、プレス板90を、表面導電層21および裏面導電層31と対向する部分に窪み部90aを有するように構成してもよい。これによっても、絶縁基材10、表面保護部材20、裏面保護部材30を構成する各熱可塑性樹脂の流動を許容するため、上記実施例と同様の効果を得ることができる。
 (第7実施形態)
 本発明の第7実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して、第1、第2伝導性ペースト41、51が充填された絶縁基材10を用意する製造工程において異なるものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
 図14(a)に示されるように、熱電変換装置1の製造工程において、絶縁基材10に第1、第2ビアホール11、12を同時に形成する。
 次に、図14(b)に示されるように、絶縁基材10の表面10a上に第1ビアホール11と対応する領域が開口されたマスク91を配置する。そして、第1ビアホール11のみに第1伝導性ペースト41を充填する。
 続いて、図14(c)に示されるように、マスク91を除去し、第1実施形態と同様に、常温で第2伝導性ペースト51を充填する。これにより、第1、第2伝導性ペースト41、51が充填された絶縁基材10が用意される。その後は、上記第1実施形態と同様の工程を行うことにより、図1に示す熱電変換装置1が製造される。
 以上説明したように、本実施形態では、絶縁基材10に第1、第2ビアホール11、12を同時に形成している。言い換えれば、第1、第2ビアホールを単一の工程で形成している。
 なお、第1ビアホール11に第1伝導性ペースト41を充填した後、絶縁基材10の表面10a上に第2ビアホール12と対応する領域が開口されたマスクを配置するようにしてもよい。この場合は、第2ビアホール12に第2伝導性ペースト51を充填する際に、マスクによって第1ビアホール11に第2伝導性ペースト51が混入することが抑制される。したがって、第2伝導性ペースト51を構成する有機溶剤として、第2伝導性ペースト51を充填する際に第1伝導性ペースト41が溶融してしまうものも用いることができ、例えば、第1伝導性ペースト41の有機溶剤と同様にパラフィンを用いることができる。
 (第8実施形態)
 本発明の第8実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して、絶縁基材10の構成が異なるとともに、第1、第2ビアホール11、12(第1、第2層間接続部材40、50)の形状が異なるものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
 図15に示されるように、絶縁基材10は、熱硬化性樹脂フィルム10e、熱可塑性樹脂フィルム10c、熱硬化性樹脂フィルム10eが順に積層されて構成されている。そして、第1、第2ビアホール11、12(第1、第2層間接続部材40、50)は、絶縁基材10の表面10a付近および裏面10b付近の部分の径が中央部分の径より大きくなっている。
 このような熱電変換装置1は、次のように製造される。すなわち、熱硬化性樹脂フィルム10e、熱可塑性樹脂フィルム10c、熱硬化性樹脂フィルム10eが順に積層され、これら組立体を低温でプレスして仮接合し、絶縁基材10を形成する。
 そして、図4(a)および図4(c)の工程において、まず、絶縁基材10の表面10aを形成する熱硬化性樹脂フィルム10eおよび裏面10bを形成する熱硬化性樹脂フィルム10eに熱可塑性樹脂フィルム10cの面に達する複数の大径穴を形成する。その後、熱可塑性樹脂フィルム10cに熱硬化性樹脂フィルム10eに形成した複数の大径穴より径が小さい小径穴を大径穴内に形成することにより、第1、第2ビアホール11、12を形成する。
 そして、図4(i)の工程を行って積層体80を形成する。すなわち、図16(a)に示されるように、積層体80の積層方向の上下両面から加圧すると、図16(b)に示されるように、熱可塑性樹脂(熱可塑性樹脂フィルム10c)は、流動して第1、第2伝導性ペースト41、51を加圧すると共に貫通孔13に流れ込む。しかしながら、熱硬化性樹脂(熱硬化性樹脂フィルム10e)は流動しない。このため、図16(c)に示されるように、熱硬化性樹脂フィルム10eと第1、第2層間接続部材40、50との間に形成された隙間と貫通孔13に熱可塑性樹脂が流れ込む。
 すなわち、貫通孔13に熱可塑性樹脂が流れ込み、貫通孔13が変形することにより、第1、第2伝導性ペースト41,51にかかる径方向(図において横方向)の力が吸収され、その分、第1、第2伝導性ペースト41、51に印加される圧力が大きくなる。このような製造方法によっても上記第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
 また、熱硬化性樹脂は流動しないため、熱可塑性の流動による第1、第2ビアホール11、12が積層体80の平面方向への変位が抑制される。そして、熱硬化性樹脂フィルム10eが熱可塑性樹脂が流動する際の流動抵抗となるため、特に絶縁基材10の外縁部において、熱可塑性樹脂が流出してしまうことを抑制できる。
 さらに、本実施形態では、第1、第2ビアホール11、12は、絶縁基材10の表面10a付近および裏面10b付近の部分の径が中央部分の径より大きくされている。このため、第1、第2層間接続部材40、50と表面導電層21および裏面導電層31との接触面積を十分に確保することができ、導通不良が発生することを抑制できる。また、第1、第2ビアホール11、12の径が絶縁基材10の表面10a付近および裏面10b付近の部分の径で一定とされている場合と比較して、第1、第2層間接続部材40、50の熱伝導率を低減できる。
 なお、本実施形態の絶縁基材10は、熱硬化性樹脂フィルム10e、熱可塑性樹脂フィルム10c、熱硬化性樹脂フィルム10eの3枚の樹脂フィルムからなる積層体として構成されているが、2枚あるいは4枚以上の樹脂フィルムの積層体により構成してもよい。
 (第9実施形態)
 本発明の第9実施形態について説明する。本実施形態の熱電変換装置1は、第1実施形態に対して、表面保護部材20および裏面保護部材30を有さないという点で異なるものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
 図17に示されるように、絶縁基材10の表面10aに表面導電層21のみが配置され、絶縁基材10の裏面10bに裏面導電層31のみが配置されている。
 このような熱電変換装置1は、次のように製造される。すなわち、図18に示されるように、絶縁基材10の表面10aおよび裏面10bに、絶縁基材10の平面形状と同じ大きさとされている銅板等の表面金属板21aおよび裏面金属板31aを配置して積層体80を構成する。
 そして、図4(i)の工程において積層体80を形成した後、各組60の第1、第2層間接続部材40、50のみが同じ表面導電層21と接続されるように表面金属板21aをダイシングする。また、隣接する二つの組60において、一方の組60の第1層間接続部材40と、他方の組60の第2層間接続部材50のみが同じ裏面導電層31と接続されるように、裏面金属板31aをダイシングする。これにより、図17に示す熱電変換装置1が完成する。
 このように、絶縁基材10の表面10aに表面導電層21のみが配置され、裏面10bに裏面導電層31のみが配置された熱電変換装置1も、いずれかの上記実施例の製造方法により形成することができる。
 (第10実施形態)
 本発明の第10実施形態について説明する。本実施形態の熱電変換装置1は、第1実施形態に対して、第2層間接続部材50において異なるものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
 図19に示されるように、第2層間接続部材50は、Ag-Sn系等の金属粒子を含む第2伝導性ペースト51が焼結されることによって構成されている。つまり、第2層間接続部材50は、主として熱電効果を発揮させるためのものではなく、導通を図るものである。このため、第2ビアホール12の径が第1ビアホール11の径より小さくされている。言い換えると、第2ビアホール12における絶縁基材10の表面と平行な平面に沿った断面積が第1ビアホール11における絶縁基材10の表面と平行な平面に沿った断面積より小さくされている。
 なお、上記熱電変換装置1においても、第1層間接続部材40と表面導電層21および裏面導電層31とが異なる金属で構成されているため、第1層間接続部材40と表面導電層21および裏面導電層31との間で熱電効果を得ることができる。
 特に図示しないが、図4(c)の工程において、第1ビアホール11より径の小さい第2ビアホール12が形成される。そして、Ag-Sn系等の金属粒子を含む伝導性ペーストを、第2伝導性ペースト51として用いて熱電変換装置1が製造される。
 このように、第2層間接続部材50が主に導通を図るように構成された熱電変換装置1もいずれかの上記実施例の製造方法により形成することができる。
 なお、第2層間接続部材50は、固相焼結で表面導電層21および裏面導電層31と接続されるのではなく、金属(拡散)結合にて表面導電層21および裏面導電層31と接続される。
 (第11実施形態)
 本発明の第11実施形態の熱電変換装置1について図20および図21を用いて説明する。熱電変換装置1は、第10実施形態に対して、第1、第2ビアホール11、12の配列において異なるものであり、その他に関しては第10実施形態と同様であるため、ここではその説明を省略する。なお、図20は、絶縁基材10の表面導電層21が配置された表面を示す。図21は、絶縁基材10の裏面導電層31が配置された裏面を示す。なお、図20,21において、第1層間接続部材40と第2層間接続部材50とを、異なる向きの線からなるハッチングで示してある。
 第1ビアホール11および第2ビアホール12は、図20および図21に示されるように、絶縁基材10の長辺方向(図20および図21中紙面左右方向)に延びる複数の横配列(horizontal array)として配置されている。そして、第2ビアホール12は、各横配列の一端にのみ形成されている。さらに詳述すると、絶縁基材10上の短辺方向(図20および図21中紙面上下方向)に延びる縦配列(vertical array)の左右の各々においては、第1、第2ビアホール11、12が交互に配置されている。
 各横配列の第1、第2層間接続部材40は同じ表面導電層21と接続されている。また、各横配列の第1層間接続部材40は、図23より明らかなように、同じ裏面導電層31と接続されている。そして、裏面導電層31の各々は、図21から明らかなように、L形状をしており、各第2層間接続部材50は、隣接する横配列の第1層間接続部材40が接続されている裏面導電層31と接続されている。
 つまり、本実施形態では、各横配列の第1層間接続部材40はそれぞれ並列接続され、これら並列接続されたものが一つの第2層間接続部材50を介して隣接する横配列の第1層間接続部材40に直列に接続されたている。
 なお、図20は、理解をし易くするために、表面保護部材20を省略して示してある。また、断面図ではないが、第1、第2層間接続部材40、50に上記したようにハッチングを施してある。同様に、図21は、理解をし易くするために、裏面保護部材30を省略して示してある。また、断面図ではないが、第1、第2層間接続部材40、50にハッチングを施してある。
 このような熱電変換装置1を製造は、特に図示しないが、図4(a)および図4(c)の工程において、第1ビアホール11および第2ビアホール12を形成する場所を変更し、図4(f)および図4(g)の工程において、上記表面導電層21および裏面導電層31を図21,22に示すような形状に形成することにより行われる。
 このように、第1、第2ビアホール11、12が互い違いに形成されていない熱電変換装置1においても、いずれかの上記実施例の製造方法により形成することができる。
 (第12実施形態)
 本発明の第12実施形態について説明する。本実施形態の熱電変換装置1は、第1実施形態に対して、第1ビアホール11のみを有すると共に表面保護部材20と裏面保護部材30とを一体化した点において異なり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここではその説明を省略する。図23は図22の展開図である。
 図22および図23に示されるように、絶縁基材10には、第1ビアホール11のみが形成されている。つまり、絶縁基材10には、第1層間接続部材40のみが配置されている。また、表面保護部材20と裏面保護部材30とは一体化されている。言い方を換えれば、表面導電層21と裏面導電層31とは、図23から明らかなように、連続している。
 そして、複数の表面導電層21のそれぞれは、図23より明らかなように、各横配列の第1層間接続部材40と接続されている。また、この表面導電層21と連続して形成されている裏面導電層31の各々は、それにつながった表面導電層21に接続している第1層間接続部材40の横配列に隣接する横配列の第1層間接続部材40と接続されている。
 言い換えれば、絶縁基材10の長辺方向に沿って配置された各横配列の第1層間接続部材40はそれぞれ並列接続されている。
 このような熱電変換装置1は、特に図示しないが、図4(a)の工程において、第1ビアホール11のみを絶縁基材10に形成し、図4(f)および(g)の工程において表面保護部材20および裏面保護部材30が一体的に形成することより製造される。
 この実施例の熱電変換装置1も、いずれかの上記実施例の製造方法を利用して完成させることが出来る。
 (第13実施形態)
 本発明の第13実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態の熱電変換装置1を有する電子装置100に関するものである。熱電変換装置1の構造の詳細は第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。熱電変換装置1は、電子装置100を加熱あるいは冷却することにより、電子装置100を所望の温度に保ったり、電子装置100の熱を利用して発電したりする。
 図24に示されるように、電子装置100は、熱電変換装置1における表面保護部材20上に多層基板110が備えている。多層基板110は、それぞれが、配線パターン121および層間接続部材122を備える複数(本実施例では4)の樹脂フィルム120からなる積層体と、この積層体の内部や熱電変換装置1と反対の面上に設けられた半導体チップ131~133を備えている。そして、熱電変換装置1と多層基板110とが直接接合されている。
 上記電子装置100に設けられた熱電変換装置1は、多層基板110を冷却したり、チップ131~133に供給する電力を生成したりする機能を果す。なお、熱電変換装置1を多層基板110に電力を供給するものとして用いることも可能である。この場合、熱電変換装置1および多層基板110にそれぞれ上記実施例にて記載したような層間接続部材等を設け、互いに電気的に接続する。
 このような電子装置100は、裏面保護部材30、絶縁基材10、表面保護部材20、および複数の樹脂フィルム120を互いに重ね合わせて積層体80を構成し、この積層体80を加熱しながら加圧して一体化することにより製造される。つまり、熱電変換装置1を製造すると同時に、熱電変換装置1と多層基板110とを接合する。
 以上説明したように、本実施形態では、熱電変換装置1を製造する際に、熱電変換装置1と多層基板110とを同時に接合する。したがって、熱電変換装置1を形成した後に接着剤等を介して熱電変換装置1を多層基板110に接合する場合と比較して、電子装置100の製造工程を簡略化することができる。
 また、熱電変換装置1と多層基板110とを直接接合して電子装置100を構成している。つまり、熱電変換装置1と多層基板110との間に余分な介在物を存在させていない。このため、多層基板110の熱が熱電変換装置1に伝熱されやすくなり、多層基板110と熱電変換装置1との伝熱性が高い電子装置100を得ることができる。
 なお、電子装置100の多層基板110は、複数の樹脂フィルム120からなる積層体を有しているが、例えば、多層基板110を複数のセラミック基板からなる積層体で構成してもよい。また、多層基板110のみを先に形成しておき、裏面保護部材30、絶縁基材10、表面保護部材20、多層基板110を積層して積層体80を構成するようにしてもよい。
 (他の実施形態)
 本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において上記実施例の可能な数の組み合わせや、変形例を含むものである。
 例えば、上記実施形態を以下のように組み合わせることができる。すなわち、第3実施形態に第1、第2実施形態を組み合わせ、凹部15を形成しつつ、貫通孔13または溝14を形成してもよい。また、第2実施形態を第7~第12実施形態に組み合わせ、貫通孔13の代わりに溝14を形成してもよい。また、第3実施形態を第7~12実施形態に組み合わせ、貫通孔13の代わりに凹部15を形成してもよい。さらに、第4実施形態を第7~12実施形態に組み合わせ、貫通孔13の代わりにガラスクロス10dを用いてもよいし、第5実施形態を第7~12実施形態に組み合わせ、貫通孔13の代わりに複数の穴17が形成されている熱可塑性樹脂フィルム10cを用いてもよい。
 そして、ガラスクロス10dや複数の穴17が形成されている熱可塑性樹脂フィルム10cを用いる場合には、貫通孔13、溝14、凹部15のいずれか、または全部を形成することもできる。
 さらに、第6実施形態を第1~第5実施形態に組み合わせ、窪み部90aが形成された一対のプレス板90を用いて積層体80を一体化してもよい。
 そして、第8実施形態を第9~第12実施形態に組み合わせ、絶縁基材10として熱可塑性樹脂フィルム10cおよび熱硬化性樹脂フィルム10eを積層したものを用いてもよい。また、第8実施形態のように、熱可塑性樹脂フィルム10cおよび熱硬化性樹脂フィルム10eを積層した絶縁基材10を用いる場合、第1、第2ビアホール11、12の径が一定とされていてもよい。そして、第9実施形態を第10~第12実施形態に組み合わせ、金属板21a、31aを用いて表面導電層21および裏面導電層31を形成してもよい。
 上記したように、上記した熱電変換装置1は、上記実施例の幾つかの組み合わせの構造を有することが可能であり、この熱電変換装置1は上記実施例のいずれかの製造方法により製造することができる。
 また、上記第13実施形態では、熱電変換装置1と多層基板110によって電子装置100を構成したが、熱電変換装置の取り付け対象は多層基板110に限定されるものではない。
 例えば、図25に示されるように、電子装置100は、熱電変換装置1における表面保護部材20上にフィン140をさらに備えてもよい。このような電子装置100では、フィン140により、放熱効果を向上させることができる。なお、この電子装置100は、フィン140を含む積層体80を構成し、この積層体80を加熱しながら加圧して一体的に製造される。
 また、例えば、電子装置100を、図26に示されるように、熱電変換装置1を配管150等の断面円形状のものに接合させて構成してもよい。
 上記電子装置100に用いられる熱電変換装置1は、例えば、図4(i)の一体化工程の際に、積層体80を加熱する一対のプレス板として曲面を有するものを利用することにより製造される。なお、一体化工程では、上記のように絶縁基材10を構成する樹脂の流動によって第1、第2ビアホール11、12に応力を印加して金属粒子および金属粒子と表面導電層21、裏面導電層31とを圧接するため、曲面を有する形状としても安定した接合を得ることができる。また、このような電子装置100においても、熱電変換装置1を製造する際に、熱電変換装置1と被対象物とを接合するようにしてもよい。
 また、絶縁基材10、表面保護部材20、裏面保護部材30は樹脂で構成されており、熱電変換装置1は可撓性を有している。このため、熱電変換装置1を製造した後に被対象物の形状に合わせて折り曲げてもよい。
 さらに、図27に示されるように、電子装置100を、熱電変換装置1と、電子装置190とから構成することもできる。熱電変換装置1は、基盤160上に配置されている。電子装置190は、通信装置180を有している。通信装置180は、基板160に配置された制御ICチップ170を有している。熱電変換装置1は、電力は発生し、それを通信装置180に供給する。なお、図27では、通信装置180が露出しているが、通信装置180は、熱電変換装置1(絶縁基材10)内に配置されていてもよい。
 そして、本発明の熱電変換装置1やこの熱電変換装置1を含む電子装置100は、例えば、屋内と屋外とを仕切る屋根や壁に備えられ、屋内と屋外との気温差によって電力を生成するものとしても用いることができる。また、大気と地面との気温差によって電力を生成するものとしても用いることができる。
 10  絶縁基材
 10a 表面
 10b 裏面
 11  第1ビアホール
 12  第2ビアホール
 20  表面保護部材
 21  表面導電層
 30  裏面保護部材
 31  裏面導電層
 40  第1層間接続部材
 41  第1伝導性ペースト
 50  第2層間接続部材
 51  第2伝導性ペースト
 60  組
 80  積層体

Claims (18)

  1.  熱可塑性樹脂を含んで構成されており、厚さ方向に貫通する複数の第1、第2ビアホール(11、12)が形成され、前記第1ビアホールに第1伝導性ペースト(41)が充填されていると共に前記第2ビアホールに第2伝導性ペースト(51)が充填されている絶縁基材(10)を用意する工程と、
     前記絶縁基材の表面(10a)に所定の前記第1、第2伝導性ペーストと接触する表面導電層(21)を有する表面保護部材(20)を配置すると共に、前記絶縁基材の裏面(10b)に所定の前記第1、第2伝導性ペーストと接触する裏面導電層(31)を有する裏面保護部材(30)を配置して積層体(80)を形成する工程と、
     前記積層体を加熱しながら積層方向から加圧し、前記第1、第2伝導性ペーストから第1、第2層間接続部材(40、50)を構成すると共に前記第1、第2層間接続部材と前記表面導電層および前記裏面導電層とを電気的に接続する一体化工程と、を行い、
     前記第1伝導性ペーストとして、複数の金属原子が所定の結晶構造を維持している合金の粉末に有機溶剤を加えてペースト化したものを用い、
     前記第2伝導性ペーストとして、前記合金と異種金属の粉末に有機溶剤を加えてペースト化したものを用い、
     前記積層体を構成する工程では、前記積層体の内部に空洞(13~17)が形成されており、
     前記一体化工程では、前記空洞が前記熱可塑性樹脂の流動を助長させるように作用することにより前記第1導電ペーストに対して作用する積層方向とは異なる方向への圧力を吸収することにより、前記積層体に作用する積層方向への印加圧力を増大させ、前記第1伝導性ペーストを固相焼結して前記第1層間接続部材を構成することを特徴とする熱電変換装置の製造方法。
  2.  前記積層体を構成する工程の前に、前記絶縁基材に貫通孔(13)を形成することを特徴とする請求項1に記載の熱電変換装置の製造方法。
  3.  前記貫通孔を形成する工程では、前記第1、第2ビアホールのそれぞれを中心とする同心円上において周方向に等間隔に複数の前記貫通孔を形成することを特徴とする請求項2に記載の熱電変換装置の製造方法。
  4.  前記積層体を構成する工程の前に、閉ループ状の溝部(14)を当該溝部の閉ループ内に前記第1、第2ビアホールのいずれか一方が1つずつ位置するように形成することを特徴とする請求項1に記載の熱電変換装置の製造方法。
  5.  前記積層体を構成する工程では、前記表面導電層および前記裏面導電層の少なくとも一方のうち前記第1、第2伝導性ペーストと接触する部分と異なる部分に凹部(15)が形成されている前記表面保護部材および前記裏面保護部材を用いることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の熱電変換装置の製造方法。
  6.  前記絶縁基材として、内部に空洞(16)を有する多孔質部材(10d)を含有するものを用いることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の熱電変換装置の製造方法。
  7.  前記絶縁基材として、内部に穴(17)が形成された多孔質性のものを用いることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の熱電変換装置の製造方法。
  8.  前記絶縁基材を用意する工程では、
     前記絶縁基材に前記第1ビアホールを形成する工程と、
     前記第1ビアホールに前記第1伝導性ペーストを充填する工程と、
     前記第1伝導性ペーストを充填する工程の後に行う前記絶縁基材に前記第2ビアホールを形成する工程と、
     前記第2ビアホールに前記第2伝導性ペーストを充填する工程と、を行い、
     前記第2伝導性ペーストとして、前記第1伝導性ペーストを構成する有機溶剤より融点が低い有機溶剤にて構成されるものを用い、
     前記第2伝導性ペーストを充填する工程では、前記絶縁基材を前記第1伝導性ペーストに含まれる有機溶剤の融点より低い温度であって、前記第2伝導性ペーストに含まれる有機溶剤の融点より高い温度に維持しつつ行うことを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1つに記載の熱電変換装置の製造方法。
  9.  前記絶縁基材を用意する工程では、
     前記絶縁基材に前記第1、第2ビアホールを同時に形成する工程と、
     前記絶縁基材の表面上に、前記第1ビアホールに対応する領域が開口されたマスクを配置する工程と、
     前記絶縁基材の表面側から前記第1ビアホールに前記第1伝導性ペーストを充填する工程と、
     前記マスクを除去する工程と、
     前記第2ビアホールに前記第2伝導性ペーストを充填する工程と、を行い、
     前記第2伝導性ペーストとして、前記第1伝導性ペーストを構成する有機溶剤より融点が低い有機溶剤にて構成されるものを用い、
     前記第2伝導性ペーストを充填する工程では、前記絶縁基材を前記第1伝導性ペーストに含まれる有機溶剤の融点より低い温度であって、前記第2伝導性ペーストに含まれる有機溶剤の融点より高い温度に維持しつつ行うことを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1つに記載の熱電変換装置の製造方法。
  10.  前記絶縁基材として、熱硬化性樹脂フィルム(10e)、熱可塑性樹脂フィルム(10c)、熱硬化性樹脂フィルム(10e)が順に積層されたものを用いることを特徴とする請求項1ないし9のいずれか1つに記載の熱電変換装置の製造方法。
  11.  前記絶縁基材を用意する工程では、前記第1、第2ビアホールが互い違いに形成されたものを用意し、
     前記積層体を構成する工程では、隣接する1つの前記第1ビアホールに充填された前記第1伝導性ペーストと1つの前記第2ビアホールに充填された前記第2伝導性ペーストとを組(60)としたとき、前記絶縁基材の表面側に、前記第1伝導性ペーストおよび前記第2伝導性ペーストが前記組毎に前記複数の表面導電層における同じ表面導電層に接触する状態で前記表面保護部材を配置すると共に、前記絶縁基材の裏面側に、隣接する組における一方の組の前記第1伝導性ペーストおよび他方の組の前記第2伝導性ペーストが前記複数の裏面導電層における同じ前記裏面導電層に接触する状態で前記裏面保護部材を配置することを特徴とする請求項1ないし10のいずれか1つに記載の熱電変換装置の製造方法。
  12.  前記絶縁基材を用意する工程では、前記第2ビアホールにおける前記絶縁基材の表面と平行な平面に沿った断面積が前記第1ビアホールにおける前記絶縁基材の前記平面に沿った断面積より小さいものを用意し、
     前記第2伝導性ペーストとして前記表面導電層と前記裏面導電層とを接続するためのものを用いることを特徴とする請求項1ないし10のいずれか1つに記載の熱電変換装置の製造方法。
  13.  前記積層体を構成する工程では、前記表面保護部材および前記裏面保護部材が一体化されているものを用いることを特徴とする請求項1ないし12のいずれか1つに記載の熱電変換装置の製造方法。
  14.  熱可塑性樹脂を含んで構成されており、厚さ方向に貫通する複数のビアホール(11、12)が形成され、前記ビアホールに伝導性ペースト(41)が充填されている絶縁基材(10)を用意する工程と、
     前記絶縁基材の表面(10a)に所定の前記伝導性ペーストと接触する表面導電層(21)を有する表面保護部材(20)を配置すると共に、前記絶縁基材の裏面(10b)に所定の前記伝導性ペーストと接触する裏面導電層(31)を有する裏面保護部材(30)を配置して積層体(80)を形成する工程と、
     前記積層体を加熱しながら積層方向から加圧し、前記伝導性ペーストから層間接続部材(40)を構成すると共に当該層間接続部材と前記表面導電層および前記裏面導電層とを電気的に接続する一体化工程と、を行い、
     前記伝導性ペーストとして、複数の金属原子が所定の結晶構造を維持している合金の粉末に有機溶剤を加えてペースト化したものを用意し、
     前記積層体を構成する工程では、前記積層体の内部には空洞(13~17)が形成されており、
     前記一体化工程では、前記空洞が前記熱可塑性樹脂の流動を助長させるように作用することにより前記導電ペーストに対して作用する積層方向とは異なる方向への圧力を吸収することにより、前記積層体に作用する積層方向への印加圧力を増大させ、前記伝導性ペーストを固相焼結して層間接続部材を構成することを特徴とする熱電変換装置の製造方法。
  15.  請求項1ないし14のいずれか1つに記載の熱電変換装置の製造方法を電子装置の製造方法として適用し、
     前記積層体を構成する工程では、前記表面保護部材上に被対象物(110、140、150)を積層した積層体を構成し、
     前記一体化工程では、前記表面保護部材と前記被対象物とを直接接合することを特徴とする電子装置の製造方法。
  16.  熱可塑性樹脂を含んで構成されており、厚さ方向に貫通する複数の第1、第2ビアホール(11、12)が形成され、前記第1ビアホールに第1伝導性ペースト(41)が充填されていると共に前記第2ビアホールに第2伝導性ペースト(51)が充填されている絶縁基材(10)を用意する工程と、
     前記絶縁基材の表面(10a)に、所定の前記第1、第2伝導性ペーストと接触する表面導電層(21)を有し、熱可塑性樹脂を含んで構成された表面保護部材(20)を配置すると共に、前記絶縁基材の裏面(10b)に、所定の前記第1、第2伝導性ペーストと接触する裏面導電層(31)を有し、熱可塑性樹脂を含んで構成された裏面保護部材(30)を配置して積層体(80)を形成する工程と、
     前記積層体を加熱しながら積層方向から加圧し、前記第1、第2伝導性ペーストから第1、第2層間接続部材(40、50)を構成すると共に前記第1、第2層間接続部材と前記表面導電層および前記裏面導電層とを電気的に接続する一体化工程と、を行い、
     前記第1伝導性ペーストとして、複数の金属原子が所定の結晶構造を維持している合金の粉末に有機溶剤を加えてペースト化したものを用い、
     前記第2伝導性ペーストとして、前記合金と異種金属の粉末に有機溶剤を加えてペースト化したものを用い、
     前記一体化工程では、前記絶縁基材の表面と対向する部分および前記絶縁基材の裏面と対向する部分の少なくとも一方に窪み部(90a)が形成された一対のプレス板(90)を用いて前記積層体を加圧し、前記表面保護部材および前記裏面保護部材を構成する熱可塑性樹脂の少なくとも一方を前記窪み部に流動させると共に前記絶縁基材を構成する熱可塑性樹脂を流動させつつ、前記第1伝導性ペーストを固相焼結して前記第1層間接続部材を構成することを特徴とする熱電変換装置の製造方法。
  17.  熱可塑性樹脂を含んで構成されており、厚さ方向に貫通する複数の第1、第2ビアホール(11、12)が形成され、前記第1ビアホールに第1伝導性ペースト(41)が充填されていると共に前記第2ビアホールに第2伝導性ペースト(51)が充填されている絶縁基材(10)を用意する工程と、
     前記絶縁基材の表面(10a)に表面金属板(21a)を配置すると共に、前記絶縁基材の裏面(10b)に裏面金属板(31a)を配置して積層体(80)を形成する工程と、
     前記積層体を加熱しながら積層方向から加圧し、前記第1、第2伝導性ペーストから第1、第2層間接続部材(40、50)を構成すると共に前記第1、第2層間接続部材と前記表面金属板および前記裏面金属板とを電気的に接続する一体化工程と、
     前記表面金属板および前記裏面金属板をダイシングし、所定の前記第1、第2層間接続部材と電気的に接続される複数の表面導電層(21)および裏面導電層(31)を形成する工程と、を行い、
     前記第1伝導性ペーストとして、複数の金属原子が所定の結晶構造を維持している合金の粉末に有機溶剤を加えてペースト化したものを用い、
     前記第2伝導性ペーストとして、前記合金と異種金属の粉末に有機溶剤を加えてペースト化したものを用い、
     前記積層体を構成する工程では、前記積層体の内部に空洞(13~17)が形成されており、
     前記一体化工程では、前記空洞が前記熱可塑性樹脂の流動を助長させるように作用することにより前記第1導電ペーストに対して作用する積層方向とは異なる方向への圧力を吸収することにより、前記積層体に作用する積層方向への印加圧力を増大させ、前記第1伝導性ペーストを固相焼結して第1層間接続部材を構成することを特徴とする熱電変換装置の製造方法。
  18.  複数の表面導電層(21)を有する表面保護部材(20)と、
    複数の裏面導電層(31)を有する裏面保護部材(30)と、
     厚さ方向に貫通する複数の第1、第2ビアホール(11、12)を有し、熱可塑性樹脂を含んで構成された絶縁基材(10)と、
    前記第1ビアホール(11)に充填され、複数の金属原子が所定の結晶構造を維持している合金で形成された第1層間接続部材(40)と、
    前記第2ビアホール(12)に充填され、前記合金に対して異種金属で形成された第2層間接続部材(50)と、を備え、
    隣接する1つの前記第1ビアホールに充填された前記第1層間接続部材と1つの前記第2ビアホールに充填された前記第2層間接続部材とを組(60)としたとき、前記絶縁基材の表面側に、前記第1層間接続部材および前記第2層間接続部材が前記組毎に前記複数の表面導電層における同じ表面導電層に接触する状態で前記表面保護部材が配置されている共に、前記絶縁基材の裏面側に、隣接する組における一方の組の前記第1伝導性ペーストおよび他方の組の前記第2伝導性ペーストが前記複数の裏面導電層における同じ前記裏面導電層に接触する状態で前記裏面保護部材が配置されており、
     前記第1層間接続部材および前記第2層間接続部材の周囲は、前記絶縁基材で囲まれていることを特徴とする熱電変換装置。
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