KR101716559B1 - 열전 변환 장치의 제조 방법, 열전 변환 장치를 구비한 전자 장치의 제조 방법, 열전 변환 장치 - Google Patents

열전 변환 장치의 제조 방법, 열전 변환 장치를 구비한 전자 장치의 제조 방법, 열전 변환 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101716559B1
KR101716559B1 KR1020147032552A KR20147032552A KR101716559B1 KR 101716559 B1 KR101716559 B1 KR 101716559B1 KR 1020147032552 A KR1020147032552 A KR 1020147032552A KR 20147032552 A KR20147032552 A KR 20147032552A KR 101716559 B1 KR101716559 B1 KR 101716559B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conductive paste
conductive
interlayer connection
insulating substrate
laminate
Prior art date
Application number
KR1020147032552A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150002865A (ko
Inventor
도시히사 다니구치
요시히코 시라이시
아츠시 사카이다
게이지 오카모토
에이지로 미야가와
Original Assignee
가부시키가이샤 덴소
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 덴소 filed Critical 가부시키가이샤 덴소
Publication of KR20150002865A publication Critical patent/KR20150002865A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101716559B1 publication Critical patent/KR101716559B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/38—Cooling arrangements using the Peltier effect
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/81—Structural details of the junction
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/82—Connection of interconnections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Abstract

제1 전도성 페이스트(41)로서, 복수의 금속 원자가 소정의 결정 구조를 유지하고 있는 합금의 분말에 유기 용제를 더해 페이스트화 한 것을 이용하고, 제2 전도성 페이스트(51)로서, 합금과 이종 금속의 분말에 유기 용제를 더해 페이스트화 한 것을 이용한다. 그리고, 적층체(80)를 구성하는 공정에서는, 적층체(80)의 내부에 공동(13 ~ 17)이 형성되어 있고, 일체화 공정에서는, 공동이 열가소성 수지의 유동을 조장하게 하도록 작용하는 것에 의해 상기 제1 도전 페이스트(41)에 대해 작용하는 적층체(80)를 일체화시키기 위한 가압 방향과는 상이한 방향으로의 압력을 흡수하는 것으로써, 일체화시키기 위한 압력을 증대시키고, 제1 전도성 페이스트(41)을 고상 소결하여 제1 층간 접속 부재(40)를 구성한다.

Description

열전 변환 장치의 제조 방법, 열전 변환 장치를 구비한 전자 장치의 제조 방법, 열전 변환 장치{THERMOELECTRIC CONVERTER MANUFACTURING METHOD, MANUFACTURING METHOD OF ELECTRONIC DEVICE PROVIDED WITH THERMOELECTRIC CONVERTER, AND THERMOELECTRIC CONVERTER}
본 발명은, 열전 변환 장치의 제조 방법, 열전 변환 장치를 구비한 전자 장치의 제조 방법, 열전 변환 장치에 관한 것이다.
예를 들면, 특허 문헌 1에 이하와 같은 열전 변환 장치의 제조 방법이 제안되고 있다. 이 제조 방법에서는, 우선, 절연성 거푸집에 투공(透孔)을 형성하고, 투공에 규칙적으로 Bi, Te, Se 등으로 구성된 제1 전도성 페이스트 및 Bi, Sb, Te 등으로 구성된 제2 전도성 페이스트를 충전한다.
그리고, 절연성 거푸집의 표면에, 인접하는 제1, 제2 전도성 페이스트와 접촉하는 표면 도전층을 복수 형성한다. 또한, 절연성 거푸집의 이면에, 제1 전도성 페이스트와, 해당 제1 전도성 페이스트와 접촉하는 표면 도전층과 상이한 표면 도전층과 접촉하는 제2 전도성 페이스트와 접촉하는 이면 도전층을 복수 형성한다.
그 후, 절연성 거푸집을 Ar가스 분위기중, 460℃로 10시간 열처리 하는 것으로써, Bi, Te, Se 등으로 구성된 전도성 페이스트로부터 N형 열전 변환 소자를 형성하는 동시에 Bi, Sb, Te 등으로 구성된 전도성 페이스트로부터 P형 열전 변환 소자를 형성한다. 이 때, N형 열전 변환 소자 및 P형 열전 변환 소자와 표면 도전층 및 이면 도전층과도 접속된다. 이것에 의해, 복수의 N형 열전 변환 소자와 복수의 P형 열전 변환 소자가 교대로 직렬로 접속된 열전 변환 장치가 제조된다.
또한, 절연성 거푸집을 460℃로 10시간 열처리 한 경우에는, N형 열전 변환 소자 및 P형 열전 변환 소자(합금)는, Bi, Te의 융점이 460°보다 낮기 때문에, 액상(液相) 소결하는 것으로 형성된다.
일본국 특개평8-153899호 공보
그렇지만, 상기 특허 문헌 1의 제조 방법에서는, 액상 소결로 형성된 합금은, 금속 원자의 결정 구조가 랜덤이 되기 때문에, 실제로는 전력이 발생하기 어렵다고 하는 문제가 있다.
여기서, 고상(固相) 소결로 형성된 합금은, 소정의 결정 구조를 유지하면서 적층되기 때문에, 열전 변환 장치에 이용되면 큰 전력을 발생시킬 수 있는 것이 알려져 있다. 이 때문에, 상기 특허 문헌 1의 제조 방법에 있어서 고상 소결을 적용하여 N형 열전 변환 소자 및 P형 열전 변환 소자를 형성 할 만한, 예를 들면, 두 개의 프레스판 사이에 상기 절연성 거푸집을 배치하고, 절연성 거푸집의 표리면에서 가압하여 제1, 제2 전도성 페이스트를 압접(壓接)하는 것으로써, N형 열전 변환 소자 및 P형 열전 변환 소자를 고상 소결로 형성하는 것을 생각할 수 있다.
그렇지만, 이 방법에서는, 가압력이 제1, 제2 전도성 페이스트 뿐만 아니라, 제1, 제2 전도성 페이스트(투공)의 주위에 위치하는 절연성 거푸집에도 균등하게 인가되기 때문에, 제1, 제2 전도성 페이스트를 효율적으로 가압 할 수 없다. 이 때문에, 제1, 제2 전도성 페이스트에 인가되는 압력이 부족한 경우에는, 제1, 제2 전도성 페이스트로부터 N형 열전 변환 소자 및 P형 열전 변환 소자를 형성할 수 없는 경우가 있다고 하는 문제가 있다.
또한, 이러한 문제는, N형 열전 변환 소자 및 P형 열전 변환 소자를 가진 열전 변환 장치에만 발생하는 문제는 아니다. 즉, 열전 효과는, 상이한 2종류의 금속이 접속되어 있으면 발생한다. 이 때문에, 예를 들면, 투공에 Bi, Te, Se 등으로 구성된 전도성 페이스트만이 충전되고, 표면 도전층 및 이면 도전층이, 전도성 페이스트가 고상 소결된 합금과 상이한 재료로 형성된 열전 변환 장치에 있어서도 상기 문제가 발생한다.
본 발명은, 전도성 페이스트에 압력을 효율적으로 인가 할 수 있는 열전 변환 장치의 제조 방법, 열전 변환 장치를 구비한 전자 장치의 제조 방법, 열전 변환 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
발명의 일 형태로서, 열가소성 수지를 포함해 구성되어 있어, 두께 방향으로 관통하는 복수의 제1, 제2 비어 홀(11, 12)이 형성되고, 제1 비어 홀에 제1 전도성 페이스트(41)가 충전되어 있는 동시에 제2 비어 홀에 제2 전도성 페이스트(51)가 충전되어 있는 절연 기재(10)를 준비하는 공정과, 절연 기재의 표면(10a)에 소정의 제1, 제2 전도성 페이스트와 접촉하는 표면 도전층(21)을 가진 표면 보호 부재(20)를 배치하는 동시에, 절연 기재의 이면(10b)에 소정의 제1, 제2 전도성 페이스트와 접촉하는 이면 도전층(31)을 가진 이면 보호 부재(30)를 배치하여 적층체(80)를 형성하는 공정과, 적층체를 가열하면서 적층 방향에서 가압하고, 제1, 제2 전도성 페이스트로부터 제1, 제2 층간 접속 부재(40, 50)를 구성하는 동시에 제1, 제2 층간 접속 부재와 표면 도전층 및 이면 도전층을 전기적으로 접속하는 일체화 공정을 실시하는 것을 특징으로 하고 있다.
그리고, 제1 전도성 페이스트로서, 복수의 금속 원자가 소정의 결정 구조를 유지하고 있는 합금의 분말에 유기 용제를 더해 페이스트화 한 것을 이용하고, 제2 전도성 페이스트로서, 합금과 이종(異種) 금속의 분말에 유기 용제를 더해 페이스트화 한 것을 이용하여, 적층체를 구성하는 공정에서는, 적층체의 내부에 공동(空洞)(13 ~ 17)이 형성되어 있고, 상기 일체화 공정에서는, 상기 공동이 상기 열가소성 수지의 유동을 조장하게 하도록 작용하는 것으로써 상기 제1 도전 페이스트에 대해 작용하는 적층 방향과는 상이한 방향으로의 압력을 흡수하는 것으로써, 상기 적층체에 작용하는 적층 방향으로의 인가 압력을 증대시키고, 상기 제1 전도성 페이스트를 고상 소결하여 상기 제1 층간 접속 부재를 구성하는 것을 특징으로 하고 있다.
이것에 의하면, 열가소성 수지를 공동에 유동시키면서 일체화 공정을 실시하고 있기 때문에, 제1 비어 홀의 주위(열가소성 수지가 유동하고 있는 부분)에 인가되는 가압력은 작아진다. 그리고, 본래 이 부분에 인가되어야 할 가압력이 제1 전도성 페이스트에 인가되어, 제1 전도성 페이스트에 인가되는 가압력이 커진다. 즉, 제1 전도성 페이스트에 가압력을 효율적으로 인가할 수 있다. 따라서, 제1 전도성 페이스트가 고상 소결되지 않는 것을 억제할 수 있다. 또한, 제2 전도성 페이스트에도 가압력을 효율적으로 인가할 수 있기 때문에, 제2 전도성 페이스트를 고상 소결하는 경우에는 제2 전도성 페이스트가 고상 소결되지 않는 것도 억제할 수 있다.
또한, 발명의 다른 형태에 의하면, 열가소성 수지를 포함해 구성되어 있어, 두께 방향으로 관통하는 복수의 비어 홀(11, 12)이 형성되고, 비어 홀에 전도성 페이스트(41)가 충전되어 있는 절연 기재(10)를 준비하는 공정과, 절연 기재의 표면(10a)에 소정의 전도성 페이스트와 접촉하는 표면 도전층(21)을 가진 표면 보호 부재(20)를 배치하는 동시에, 절연 기재의 이면(10b)에 소정의 전도성 페이스트와 접촉하는 이면 도전층(31)을 가진 이면 보호 부재(30)를 배치하여 적층체(80)를 형성하는 공정과, 적층체를 가열하면서 적층 방향에서 가압하고, 전도성 페이스트로부터 층간 접속 부재(40)를 구성하는 동시에 해당 층간 접속 부재와 표면 도전층 및 이면 도전층을 전기적으로 접속하는 일체화 공정을 실시하는 것을 특징으로 하고 있다.
그리고, 전도성 페이스트로서, 복수의 금속 원자가 소정의 결정 구조를 유지하고 있는 합금의 분말에 유기 용제를 더해 페이스트화 한 것을 준비하여, 적층체를 구성하는 공정에서는, 적층체의 내부에는 공동(13 ~ 17)이 형성되어 있고, 상기 일체화 공정에서는, 상기 공동이 상기 열가소성 수지의 유동을 조장하게 하도록 작용하는 것으로써 상기 도전 페이스트에 대해 작용하는 적층 방향과는 상이한 방향으로의 압력을 흡수하는 것으로써, 상기 적층체에 작용하는 적층 방향으로의 인가 압력을 증대시키고, 상기 전도성 페이스트를 고상 소결하여 층간 접속 부재를 구성하는 것을 특징으로 하고 있다.
이것에 의하면, 절연 기재에 1종류의 층간 접속 부재만이 배치된 열전 변환 장치가 제조된다. 그리고, 이러한 열전 변환 장치에 있어서도, 열가소성 수지를 공동에 유동시키면서 일체화 공정을 실시하고 있기 때문에, 상기 제1의 형태와 마찬가지로, 전도성 페이스트에 가압력을 효율적으로 인가할 수 있어, 전도성 페이스트가 고상 소결되지 않는 것을 억제할 수 있다.
또한, 발명의 다른 형태에 의하면, 열가소성 수지를 포함해 구성되어 있어, 두께 방향으로 관통하는 복수의 제1, 제2 비어 홀(11, 12)이 형성되고, 제1 비어 홀에 제1 전도성 페이스트(41)가 충전되어 있는 동시에 제2 비어 홀에 제2 전도성 페이스트(51)가 충전되어 있는 절연 기재(10)를 준비하는 공정과, 절연 기재의 표면(10a)에, 소정의 제1, 제2 전도성 페이스트와 접촉하는 표면 도전층(21)을 가지고, 열가소성 수지를 포함해 구성된 표면 보호 부재(20)를 배치하는 동시에, 절연 기재의 이면(10b)에, 소정의 제1, 제2 전도성 페이스트와 접촉하는 이면 도전층(31)을 가지고, 열가소성 수지를 포함해 구성된 이면 보호 부재(30)를 배치하여 적층체(80)를 형성하는 공정과, 적층체를 가열하면서 적층 방향에서 가압하여, 제1, 제2 전도성 페이스트로부터 제1, 제2 층간 접속 부재(40, 50)를 구성하는 동시에 제1, 제2 층간 접속 부재와 표면 도전층 및 이면 도전층을 전기적으로 접속하는 일체화 공정을 실시하는 것을 특징으로 하고 있다.
그리고, 제1 전도성 페이스트로서, 복수의 금속 원자가 소정의 결정 구조를 유지하고 있는 합금의 분말에 유기 용제를 더해 페이스트화 한 것을 이용하고, 제2 전도성 페이스트로서, 합금과 이종 금속의 분말에 유기 용제를 더해 페이스트화 한 것을 이용하여, 일체화 공정에서는, 절연 기재의 표면과 대향하는 부분 및 절연 기재의 이면과 대향하는 부분의 적어도 한쪽에 구멍부(90a)가 형성된 한쌍의 프레스판(90)을 이용해 적층체를 가압하고, 표면 보호 부재 및 이면 보호 부재를 구성하는 열가소성 수지의 적어도 한쪽을 구멍부에 유동시키는 동시에 절연 기재를 구성하는 열가소성 수지를 유동시키면서, 제1 전도성 페이스트를 고상 소결하여 제1 층간 접속 부재를 구성하는 것을 특징으로 하고 있다.
이와 같이, 구멍부가 형성된 한쌍의 프레스판을 이용해 일체화 공정을 실시하더라도, 절연 기재를 구성하는 열가소성 수지가 유동하기 때문에, 상기 제1의 형태와 마찬가지로, 제1 전도성 페이스트에 가압력을 효율적으로 인가할 수 있다. 이 때문에, 전도성 페이스트가 고상 소결되지 않는 것을 억제할 수 있다.
더욱이, 발명의 다른 형태에 의하면, 열가소성 수지를 포함해 구성되어 있어, 두께 방향으로 관통하는 복수의 제1, 제2 비어 홀(11, 12)이 형성되고, 제1 비어 홀에 제1 전도성 페이스트(41)가 충전되어 있는 동시에 제2 비어 홀에 제2 전도성 페이스트(51)가 충전되어 있는 절연 기재(10)를 준비하는 공정과, 절연 기재의 표면(10a)에 표면 금속판(21a)을 배치하는 동시에, 절연 기재의 이면(10b)에 이면 금속판(31a)을 배치하여 적층체(80)를 형성하는 공정과, 적층체를 가열하면서 적층 방향에서 가압하여, 제1, 제2 전도성 페이스트로부터 제1, 제2 층간 접속 부재(40, 50)를 구성하는 동시에 제1, 제2 층간 접속 부재와 표면 금속판 및 이면 금속판을 전기적으로 접속하는 일체화 공정과, 표면 금속판 및 이면 금속판을 다이싱(dicing)하여, 소정의 제1, 제2 층간 접속 부재와 전기적으로 접속되는 복수의 표면 도전층(21) 및 이면 도전층(31)을 형성하는 공정을 실시하는 것을 특징으로 하고 있다.
그리고, 제1 전도성 페이스트로서, 복수의 금속 원자가 소정의 결정 구조를 유지하고 있는 합금의 분말에 유기 용제를 더해 페이스트화 한 것을 이용하고, 제2 전도성 페이스트로서, 합금과 이종 금속의 분말에 유기 용제를 더해 페이스트화 한 것을 이용해, 적층체를 구성하는 공정에서는, 적층체의 내부에 공동(13 ~ 17)이 형성되어 있고, 상기 일체화 공정에서는, 상기 공동이 상기 열가소성 수지의 유동을 조장하게 하도록 작용하는 것으로써 상기 제1 도전 페이스트에 대해 작용하는 적층 방향과는 상이한 방향으로의 압력을 흡수하는 것으로써, 상기 적층체에 작용하는 적층 방향으로의 인가 압력을 증대시키고, 상기 제1 전도성 페이스트를 고상 소결하여 제1 층간 접속 부재를 구성하는 것을 특징으로 하고 있다.
이와 같이, 절연 기재의 표면에 표면 금속판을 배치하는 동시에 절연 기재의 이면에 이면 금속판을 배치하고, 적층체를 일체화 한 후에 표면 도전층 및 이면 도전층을 형성하도록 해도, 열가소성 수지를 공동에 유동시키면서 일체화 공정을 실시하고 있기 때문에, 상기 제1의 형태와 마찬가지로, 전도성 페이스트에 가압력을 효율적으로 인가할 수 있어, 전도성 페이스트가 고상 소결되지 않는 것을 억제할 수 있다.
또한, 발명의 다른 형태에 의하면, 복수의 표면 도전층(21)을 가진 표면 보호 부재(20)와, 복수의 이면 도전층(31)을 가진 이면 보호 부재(30)와, 두께 방향으로 관통하는 복수의 제1, 제2 비어 홀(11, 12)을 가지고, 열가소성 수지를 포함해 구성된 절연 기재(10)와, 제1 비어 홀(11)에 충전되어, 복수의 금속 원자가 소정의 결정 구조를 유지하고 있는 합금으로 형성된 제1 층간 접속 부재(40)와, 제2 비어 홀(12)에 충전되어, 합금에 대해 이종 금속으로 형성된 제2 층간 접속 부재(50)를 구비하고, 인접하는 하나의 제1 비어 홀에 충전된 제1 층간 접속 부재와 하나의 제2 비어 홀에 충전된 제2 층간 접속 부재를 세트(60)로 했을 때, 절연 기재의 표면측에, 제1 층간 접속 부재 및 제2 층간 접속 부재가 세트 마다 복수의 표면 도전층에 있어서의 같은 표면 도전층에 접촉하는 상태로 표면 보호 부재가 배치되어 있는 동시에, 절연 기재의 이면측에, 인접하는 세트에 있어서의 한쪽 세트의 제1 전도성 페이스트 및 다른쪽 세트의 제2 전도성 페이스트가 복수의 이면 도전층에 있어서의 같은 이면 도전층에 접촉하는 상태로 이면 보호 부재가 배치되어 있고, 제1 층간 접속 부재 및 제2 층간 접속 부재의 주위는, 절연 기재로 둘러싸여 있는 것을 특징으로 하고 있다.
이것에 의하면, 제1 층간 접속 부재로서 복수의 금속 원자가 소정의 결정 구조를 유지하고 있는 합금으로 형성되어 있으므로, 큰 전력을 발생시킬 수 있다. 그리고, 제1 층간 접속 부재 및 제2 층간 접속 부재의 주위는, 열가소성 수지를 포함해 구성된 절연 기재가 배치되어 있기 때문에, 제1 층간 접속 부재 및 제2 층간 접속 부재와, 표면 도전층 및 이면 도전층과의 밀착성을 향상시킬 수 있어, 더욱 큰 전력을 발생시킬 수 있다.
또한, 이 란(欄) 및 특허 청구의 범위에서 기재한 각 수단의 괄호 내의 부호는, 후술하는 실시 형태에 기재된 구체적 수단과의 대응 관계를 나타내는 것이다.
도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 열전 변환 장치의 평면도이다.
도 2는, 도 1 중의 Ⅱ-Ⅱ선에 따른 단면도이다.
도 3은, 도 1 중의 Ⅲ-Ⅲ선에 따른 단면도이다.
도 4(a) - 도 4(i)는, 도 1에 나타내는 열전 변환 장치의 제조 공정을 나타내는 단면도이다.
도 5는, 도 4(e)에 나타내는 절연 기재의 표면측의 평면도이다.
도 6은, 도 4(i)에 나타내는 일체화 공정 때의 제조 조건을 나타내는 도면이다.
도 7(a) - 도 7(d)는, 도 4(i)에 나타내는 일체화 공정 때의 상세한 단면도이다.
도 8은, 본 발명의 제2 실시 형태에 있어서의 도 4(e)에 상당하는 단면도이다.
도 9는, 도 8에 나타내는 절연 기재의 표면측의 평면도이다.
도 10은, 본 발명의 제3 실시 형태에 있어서의 도 4(h)에 상당하는 단면도이다.
도 11은, 본 발명의 제4 실시 형태에 있어서의 도 4(e)에 상당하는 단면도이다.
도 12는, 본 발명의 제5 실시 형태에 있어서의 도 4(e)에 상당하는 단면도이다.
도 13(a) - 도 13(c)는, 본 발명의 제6 실시 형태에 있어서의 도 4(h)의 공정을 실시할 때의 단면도이다.
도 14(a) - 도 14(c)는, 본 발명의 제7 실시 형태에 있어서의 절연 기재를 준비하는 제조 공정을 나타내는 단면도이다.
도 15는, 본 발명의 제8 실시 형태에 있어서의 열전 변환 장치의 단면도이다.
도 16(a) - 도 16(c)는, 도 15의 열전 변환 장치의 제조 공정을 나타내는 도 4(i)에 상당하는 단면도이다.
도 17은, 본 발명의 제9 실시 형태에 있어서의 열전 변환 장치의 단면도이다.
도 18은, 도 17에 나타내는 열전 변환 장치의 제조 공정을 나타내는 도 4(h)에 상당하는 단면도이다.
도 19는, 본 발명의 제10 실시 형태에 있어서의 열전 변환 장치의 단면도이다.
도 20은, 본 발명의 제11 실시 형태에 있어서의 열전 변환 장치의 표면측의 평면도이다.
도 21은, 도 20에 나타내는 열전 변환 장치의 이면측의 평면도이다.
도 22는, 본 발명의 제12 실시 형태에 있어서의 열전 변환 장치의 단면도이다.
도 23은, 표면 보호 부재 및 이면 보호 부재의 전개 평면도이다.
도 24는, 본 발명의 제13 실시 형태에 있어서의 전자 장치의 단면도이다.
도 25는, 열전 변환 장치를 가진 전자 장치의 단면도이다.
도 26은, 변열전 변환 장치를 가진 전자 장치의 변형예의 단면도이다.
도 27은, 열전 변환 장치를 가진 전자 장치의 다른 변형예의 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 도면에 근거해 설명한다. 또한. 이하의 설명에 있어서, 동일 혹은 균등한 부분에는, 동일 부호를 붙인다.
(제1 실시 형태)
본 발명의 제1 실시 형태의 열전 변환 장치(1)에 대해 도면을 참조하면서 설명한다. 도 1 ~ 도 3에 나타내는 바와 같이, 열전 변환 장치(1)는, 절연 기재(10), 표면 보호 부재(20), 이면 보호 부재(30), 및 복수의 제1, 제2 층간 접속 부재(40, 50)를 가진다. 절연 기재(10), 표면 보호 부재(20), 이면 보호 부재(30)는, 다층 형태로, 서로 접속, 즉 일체화된다. 이 일체화된 조립체(assembly) 내에 있어서, 표면 보호 부재(20)와 이면 보호 부재(30)를 접속하는 제1, 제2 층간 접속 부재(40, 50)로 이루어진 복수의 접속 부재 배열(arrays)이 도면 좌우 방향으로 뻗어 있다. 각 제1 층간 접속 부재(40)와 각 제2 층간 접속 부재(50)는 서로 다른 금속으로 이루어진다. 각 접속 부재 배열에 있어서, 제1, 제2 층간 접속 부재(40, 50)는 교대로 직렬로 접속되어 있다.
또한, 도 1은, 이해하기 쉽게 하기 위해, 표면 보호 부재(20)를 생략해 나타내고 있다. 또한, 도 1은, 단면도는 아니다. 제1 층간 접속 부재(40)와 제2 층간 접속 부재(50)는, 상이한 방향의 선으로 이루어진 해칭(hatching)으로 나타내져 있다.
절연 기재(10)는, 폴리에테르에테르케톤((polyetheretherketone;PEEK)이나 폴리에테르이미드(polyetherimide;PEI)를 포함한 평면 구형 형상의 열가소성 수지 필름에 의해 구성되어 있다. 그리고, 이 절연 기재(10)에는, 그 두께 방향으로 관통하는 복수의 제1, 제2 비어 홀(11, 1)이 형성되어 있다. 이 복수의 제1, 제2 비어 홀(11, 12)은, 도 1의 좌우 방향으로 뻗은 횡배열의 각각에 있어서, 엇갈리게 되도록 배치되어 있다.
또한, 제1, 제2 비어 홀(11, 12)이, 절연 기재(10)의 표면(10a)으로부터 이면(10b)을 향해 지름이 일정하게 된 원통 형상이 되어 있는데, 제1, 제2 비어 홀(11, 12)은 표면(10a)으로부터 이면(10b)을 향해 지름이 작아지는 테이퍼 형상으로 되어 있어도 괜찮고, 각통(角筒) 형상으로 되어 있어도 괜찮다.
그리고, 각 제1 비어 홀(11)에는, 하나의 제1 층간 접속 부재(40)가 배치되어 있다. 마찬가지로, 각 제2 비어 홀(12)에는, 하나의 제2 층간 접속 부재(50)가 배치되어 있다. 제2 층간 접속 부재(50)는, 제1 층간 접속 부재(40)와 상이한 금속으로 형성되어 있다.
즉, 절연 기재(10)에는, 상기한 바와 같이, 제1, 제2 층간 접속 부재(40, 50)가, 도 1의 좌우 방향으로 뻗은 횡배열의 각각에 있어서 엇갈리게 배치되고, 상하 방향으로 뻗은 종배열에 있어서도, 엇갈리게 배치된다. 예를 들면, 도 1의 맨 밑의 배열에 있어서는, 오른쪽으로부터, 제2 층간 접속 부재(50), 제1 층간 접속 부재(40), 제2 층간 접속 부재(50)의 순서로 배치되고, 아래로부터 2번째의 배열에 있어서는, 오른쪽으로부터 제1 층간 접속 부재(40), 제2 층간 접속 부재(50), 제1 층간 접속 부재(40)의 순서로 배치되어 있다.
특별하게 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 제1 층간 접속 부재(40)는 P형을 구성하는 Bi-Sb-Te 합금의 분말(금속 입자)을 포함한 전도성 페이스트로 구성된다. 또한, 제2 층간 접속 부재(50)는 N형을 구성하는 Bi-Te 합금의 분말(금속 입자)을 포함한 전도성 페이스트로 구성된다.
절연 기재(10)의 표면(10a)에는, 폴리에테르에테르케톤(PEEK)이나 폴리에테르이미드(PEI)를 포함한 평면 구형 형상의 열가소성 수지 필름으로 이루어진 표면 보호 부재(20)가 배치되어 있다. 이 표면 보호 부재(20)는, 절연 기재(10)와 평면 형상이 동일한 크기로 되어 있다. 표면 보호 부재(20)의 절연 기재(10)와 대향하는 일면(20a) 상에는, 패터닝된 동박 등으로 이루어진 복수의 표면 도전층(21)이 형성되어 있다. 이 복수의 표면 도전층(21)은, 서로 이간하고 있다. 그리고, 각 표면 도전층(21)은 각각 제1, 제2 층간 접속 부재(40, 50)와 전기적으로 접속되어 있다.
구체적으로는, 인접하는 하나의 제1 층간 접속 부재(40)와 하나의 제2 층간 접속 부재(50)로부터 세트(60)가 구성된다. 각 세트(60)의 제1, 제2 층간 접속 부재(40, 50)는 동일한 표면 도전층(21)과 접속되어 있다. 즉, 각 세트(60)의 제1, 제2 층간 접속 부재(40, 50)는 표면 도전층(21)을 개재하여 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 각 세트(60)는, 절연 기재(10)의 장변 방향(도 1 중 지면 좌우 방향)에 따라 인접하는 하나의 제1 층간 접속 부재(40)와 하나의 제2 층간 접속 부재(50)로 이루어진다.
또한, 절연 기재(10)의 이면(10b)에는, 폴리에테르에테르케톤(PEEK)이나 폴리에테르이미드(PEI)를 포함한 열가소성 수지 필름으로 이루어진 평면 구형 형상의 이면 보호 부재(30)가 배치되어 있다. 이 이면 보호 부재(30)는, 절연 기재(10)와 평면 형상이 동일한 크기로 되어 있다. 이면 보호 부재(30)의 절연 기재(10)와 대향하는 일면(30a) 측에는, 패터닝된 동박 등으로 이루어진 복수의 이면 도전층(31)이 형성되어 있다. 이 복수의 이면 도전층(31)은, 서로 이간하고 있다. 그리고, 각 이면 도전층(31)은, 제1, 제2 층간 접속 부재(40, 50)와 전기적으로 접속되고 있다.
구체적으로는, 인접하는 각 두 세트(60)의 한쪽의 제1 층간 접속 부재(40)와, 다른쪽의 세트(60)의 제2 층간 접속 부재(50)가 동일한 이면 도전층(31)과 접속되어 있다. 즉, 횡방향으로 인접하는 두 개의 세트(60)의 제1, 제2 층간 접속 부재(40, 50)가 이면 도전층(31)을 개재하여 전기적으로 접속되고 있다.
도 2의 구성에 있어서는, 절연 기재(10)의 장변 방향(도 1 중 지면 좌우 방향)을 따라 줄지어 있는 2개의 세트(60)가 인접하는 세트(60)로 한다. 또한, 도 3에 나타내는 바와 같이, 절연 기재(10)의 좌우의 단부에서는, 단변 방향(도 1 중 지면 상하 방향)을 따라 줄지어 있는 2개의 세트(60)가 인접하는 세트(60)로 한다.
즉, 절연 기재(10)의 장변 방향(도 2의 좌우 방향)으로 뻗은 상기한 각 횡배열에 있어서, 제1, 제2 층간 접속 부재(40, 50)는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 직렬로 접속된다. 각 횡배열의 좌우 어느 한쪽의 단에 위치하는 제1 층간 접속 부재(40) 혹은 제2 층간 접속 부재(50)는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 상하 방향으로 인접하는 제2 층간 접속 부재(50) 혹은 제1 층간 접속 부재(40)에 접속된다. 이것에 의해, 제1 층간 접속 부재(40)와 제2 층간 접속 부재(50)는 전체적으로 직렬 접속된다.
또한, 도 2, 도 3에 나타나는 열전 변환 장치(1)의 단면과는 상이한 단면에 있어서, 이면 보호 부재(30) 상에는, 이면 도전층(31)과 전기적으로 접속되는 동시에, 절연 기재(10)와 반대측의 이면 보호 부재(30)의 일면으로부터 노출하는 층간 접속 부재가 형성되어 있다. 그리고, 이 층간 접속 부재에 의해 외부와의 전기적인 접속을 도모할 수 있게 되어 있다.
열전 변환 장치(1)는 상기한 바와 같은 구조를 가진다. 이 열전 변환 장치(1)에서는, 예를 들면, 제1, 제2 비어 홀(11, 12)의 지름을 φ0.7㎜, 절연 기재(10)의 두께를 1㎜로 하고, 제1, 제2 층간 접속 부재(40, 50)를 합쳐 약 900개 배치했을 때, 온도차 10℃에서 약 2.5㎽의 전력을 얻을 수 있다.
다음으로, 상기 열전 변환 장치(1)의 제조 방법에 대해 도 4(a) - 4(i)를 참조하면서 설명한다. 또한, 도 4(a) - 4(i)는, 도 1 중의 Ⅱ-Ⅱ선에 따른 단면도이다.
우선, 도 4(a)에 나타내는 바와 같이, 절연 기재(10)를 준비하여, 복수의 제1 비어 홀(11)을 드릴 등에 의해 형성한다.
다음으로, 도 4(b)에 나타내는 바와 같이, 각 제1 비어 홀(11)에 제1 전도성 페이스트(41)를 충전한다.
제1 비어 홀(11)에 제1 전도성 페이스트(41)를 충전하는 방법(장치)으로는, 본 출원인에 의한 일본국 특원2010-50356호에 기재된 방법(장치)을 채용하면 된다.
간단하게 설명하자면, 흡착지(70)를 개재하여 도시하지 않은 보유대 위에, 이면(10b)이 흡착지(70)와 대향하도록 절연 기재(10)를 배치한다. 또한, 흡착지(70)는, 제1 전도성 페이스트(41)의 유기 용제를 흡수할 수 있는 재질의 것이면 되고, 일반적인 상질지 등이 이용된다. 그리고, 제1 전도성 페이스트(41)를 용해 시키면서, 제1 비어 홀(11) 내에 제1 전도성 페이스트(41)를 충전한다. 이것에 의해, 제1 전도성 페이스트(41)의 유기 용제의 대부분이 흡착지(70)에 흡착되고, 제1 비어 홀(11)에 합금의 분말이 밀접하여 배치된다.
제1 전도성 페이스트(41)로서는, 본 실시 형태에서는, 금속 원자가 소정의 결정 구조를 유지하고 있는 합금의 분말을 융점이 43℃인 파라핀 등의 유기 용제를 더해 페이스트화 한 것이 이용된다. 이 때문에, 제1 전도성 페이스트(41)를 충전할 때는, 절연 기재(10)의 표면(10a)이 약 43℃로 가열된 상태로 이루어진다. 또한, 제1 전도성 페이스트(41)를 구성하는 합금의 분말로서는, 예를 들면, 메카니컬 얼로잉(mechanical alloying)으로 형성된 Bi-Sb-Te 등이 이용된다.
이어서, 도 4(c)에 나타내는 바와 같이, 절연 기재(10)에 복수의 제2 비어 홀(12)을 드릴 등에 의해 형성한다. 이 제2 비어 홀(12)은, 상기와 같이, 제1 비어 홀(11)과 엇갈리게 되고, 제1 비어 홀(11)과 함께 지그자그 패턴을 구성하도록 형성된다.
다음으로, 도 4(d)에 나타내는 바와 같이, 다시, 흡착지(70)를 개재하여 도시하지 않은 보유대 위에, 이면(10b)이 흡착지(70)와 대향하도록 절연 기재(10)를 배치한다. 그리고, 제1 전도성 페이스트(41)를 충전했을 때와 마찬가지로, 제2 비어 홀(12) 내에 제2 전도성 페이스트(51)를 충전한다. 이것에 의해, 제2 전도성 페이스트(51)의 유기 용제의 대부분이 흡착지(70)에 흡착되고, 제2 비어 홀(12)에 합금의 분말이 밀접하여 배치된다.
제2 전도성 페이스트(51)로서는, 제1 전도성 페이스트(41)를 구성하는 금속 원자와 상이한 금속 원자가 소정의 결정 구조를 유지하고 있는 합금의 분말을 융점이 상온인 테르피네올 등의 유기 용제를 더한 것이 이용된다. 즉, 제2 전도성 페이스트(51)를 구성하는 유기 용제로서, 제1 전도성 페이스트(41)를 구성하는 유기 용제보다 융점이 낮은 것이 이용된다. 그리고, 제2 전도성 페이스트(51)를 충전할 때는, 절연 기재(10)의 표면(10a)이 상온에 보유된 상태로 이루어진다. 바꿔 말하면, 제1 전도성 페이스트(41)에 포함된 유기 용제가 고체화된 상태로, 제2 전도성 페이스트(51)의 충전이 이루어진다. 이에 따라, 제1 비어 홀(11)에 제2 전도성 페이스트(51)가 혼입하는 것이 억제된다. 또한, 제2 전도성 페이스트(51)를 구성하는 합금의 분말로서는, 예를 들면, 메카니컬 얼로잉으로 형성된 Bi-Te 등이 이용된다.
이상과 같이, 제1, 제2 전도성 페이스트(41, 51)가 충전된 절연 기재(10)를 준비한다.
그리고, 도 4(e)에 나타내는 바와 같이, 이 절연 기재(10)에, 공동(cavity)으로서의 복수의 관통 구멍(13)을 드릴이나 레이저 등에 의해 형성한다. 관통 구멍(13)은, 도 4(e) 및 도 5에 나타내는 바와 같이, 각 제1, 제2 비어 홀(11, 12)을 중심으로 하는 동심원상에 있어서 둘레 방향에 등간격으로 이간하는 것이 바람직하다.
또한, 각 관통 구멍(13)이 원통 형상이지만, 표면(10a)으로부터 이면(10b)을 향해 지름이 작아지는 테이퍼 형상으로 해도 된다.
또한, 상기 공정과는 다른 공정에 있어서, 도 4(f) 및 도 4(g)에 나타내는 바와 같이, 표면 보호 부재(20) 및 이면 보호 부재(30) 중 절연 기재(10)와 대향하는 일면(20a, 30a)에 동박 등을 패터닝 한다. 이에 따라, 서로 이간하고 있는 복수의 표면 도전층(21)이 형성된 표면 보호 부재(20), 서로 이간하고 있는 복수의 이면 도전층(31)이 형성된 이면 보호 부재(30)가 준비된다.
그 후, 도 4(h)에 나타내는 바와 같이, 이면 보호 부재(30), 절연 기재(10), 표면 보호 부재(20)를 서로 겹쳐서 적층체(80)를 구성한다. 구체적으로는, 상기한 바와 같이, 인접하는 하나의 제1 비어 홀(11)에 충전된 제1 전도성 페이스트(41)와 하나의 제2 비어 홀(12)에 충전된 제2 전도성 페이스트(51)로부터 각 세트(60)가 구성되고, 절연 기재(10)의 표면(10a) 상에, 각 세트(60)의 제1, 제2 전도성 페이스트(41, 51)가 동일한 표면 도전층(21)에 접촉하도록 표면 보호 부재(20)를 배치한다. 또한, 본 실시 형태에서는, 상기한 바와 같이, 절연 기재(10)의 장변 방향(도 1 지면 좌우 방향)에 따라 인접하는 하나의 제1 비어 홀(11)에 충전된 제1 전도성 페이스트(41)와 하나의 제2 비어 홀(12)에 충전된 제2 전도성 페이스트(51)가 각 세트(60)를 구성한다.
또한, 절연 기재(10)의 이면(10b) 상에, 인접하는 각 두 개의 세트(60)에 있어서의 한쪽 세트(60)의 제1 전도성 페이스트(41) 및 다른쪽 세트(60)의 제2 전도성 페이스트(51)가 동일한 이면 도전층(31)과 접촉하도록 이면 보호 부재(30)를 배치하고 있다. 또한, 상기한 바와 같이, 인접하는 세트(60)와는, 절연 기재(10)의 장변 방향(도 1 중 지면 좌우 방향)을 따라 줄지어 있는 두 개의 세트(60)이다. 또한, 절연 기재(10)의 좌우 단부에서는, 단변 방향(도 1 중 지면 상하 방향)을 따라 줄지어 있는 두 개의 세트(60)가 인접하는 세트(60)로 한다.
이어서, 도 4(i)에 나타내는 바와 같이, 이 적층체(80)를 도시하지 않은 한쌍의 프레스판의 사이에 배치해, 진공에 있어서, 적층 방향, 즉, 적층체(80)의 두께 방향으로 적층체(80)를 가열하면서 가압하여 절연 기재(10), 표면 보호 부재(20), 이면 보호 부재(30)를 일체화시켜 열전 변환 장치(1)를 완성시킨다. 또한, 특별하게 한정되는 것은 아니지만, 절연 기재(10), 표면 보호 부재(20), 이면 보호 부재(30)를 일체화 할 때는, 적층체(80)와 프레스판 사이에 암면 페이퍼 등의 완충재를 배치해도 된다. 이하에, 본 실시 형태의 열전 변환 장치(1)의 조립 공정에 대해 도 6에서 도 7(a) - 7(d)를 참조하면서 구체적으로 설명한다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 우선, 적층체(80)를 약 320℃까지 가열하면서 시점 T1까지 0.1Mpa로 가압하고, 제1, 제2 전도성 페이스트(41, 51)에 포함되는 유기 용제를 증발시킨다(도 7(a) 참조).
또한, T0 ~ T1 간은 약 10분이다. 또한, 제1, 제2 전도성 페이스트(41, 51)에 포함되는 유기 용제란, 도 4(b) 및 도 4(d)의 공정에 있어서, 흡착지(70)에 흡착되지 않고 잔존한 유기 용제의 것이다.
다음으로, 도 6 및 도 7(b)에 나타내는 바와 같이, 적층체(80)(즉, 절연 기재(10), 표면 보호 부재(20), 이면 보호 부재(30)의 조립체를 열가소성 수지의 연화점 이상의 온도인 약 320℃로 보유하면서 시점 T2까지 10MPa로 가압한다. 이 때, 절연 기재(10)를 구성하는 열가소성 수지가 용해하여 유동한다. 이에 따라, 제1, 제2 비어 홀(11, 12) 내의 제1, 제2 전도성 페이스트(41, 51)(합금의 분말)를 횡방향(지름 방향)으로부터 가압한다. 이 때문에, 도 7(c)에 나타내는 바와 같이, 제1, 제2 비어 홀(11, 12)의 지름이 작아진다. 또한, 열가소성 수지가 유동하고 관통 구멍(13)이 변형하여 그 체적이 작아진다. 이로써 제1, 제2 비어 홀(11, 12)의 주위에 더해지는 압력이 흡수되어 저하한다. 이 압력 저하에 따라, 제1, 제2 전도성 페이스트(41, 51)에 대해, 상하 방향에서 인가 가능한 압력을 증대시키는 것이 가능하게 된다. 즉, 프레스판으로부터 제1, 제2 전도성 페이스트(41, 51)에 인가되는 압력을 높게 할 수 있다. 또한, 도 7(b)에 있어서, 10MPa에서의 적층체(80)의 가압 방향을, 절연 기재(10), 표면 보호 부재(20), 이면 보호 부재(30)를 서로 겹친 방향, 즉, 적층 방향이라고도 한다. 또한, 절연 기재(10)를 구성하는 열가소성 수지가 용해하는 것에 의해, 제1, 제2 비어 홀(11, 12) 내의 제1, 제2 전도성 페이스트(41, 51)에 작용하는 압력의 방향(도 7(c)에 있어서 횡방)을 적층 방향과는 상이한 방향이라고도 한다.
그리고, 도 7(d)에 나타내는 바와 같이, 합금의 분말끼리 및 합금의 분말과 표면 도전층(21) 및 이면 도전층(31)이 압접되어 고상 소결되는 것으로 제1, 제2 층간 접속 부재(40, 50)가 구성된다. 또한, 제1, 제2 층간 접속 부재(40, 50)와 표면 도전층(21), 이면 도전층(31)이 전기적으로 접속된다.
또한, T1 ~ T2 간은 약 10분이다. 또한, 제1, 제2 비어 홀(11, 12)에는, 유기 용제를 증발시키는 것에 의해 공간이 형성된다. 그렇지만, 이 공간은 매우 작기 때문에, 이들에 의해 제1, 제2 층간 접속 부재(40, 50)의 고상 소결을 저해하는 일은 없다.
그 후, 도 6에 나타내는 바와 같이, 절연 기재(10), 표면 보호 부재(20), 이면 보호 부재(30)로 이루어진 적층체(80)로의 가압을 10MPa로 유지한 채, 시점 T3까지, 적층체(80)를 냉각하는 것에 의해, 절연 기재(10), 표면 보호 부재(20), 이면 보호 부재(30) 일체된 도 1에 나타내는 열전 변환 장치(1)가 제조된다. 또한, T2 ~ T3 간은 약 8분이다.
이상 설명한 바와 같이, 열전 변환 장치(1)의 제조 공정에 있어서는, 절연 기재(10)에 복수의 관통 구멍(13)을 형성한다. 절연 기재(10)를 가열해 절연 기재(10)의 재료인 열가소성 수지의 유동을 생기게 한다. 이것에 의해 관통 구멍(13)은 그 체적이 작게 변형하여, 열가소성 수지의 유동을 더욱 증대시킨다. 따라서, 제1, 제2 비어 홀(11, 12)의 주위에 인가되는 압력이 작아진다. 이 작아진 만큼, 제1, 제2 전도성 페이스트(41, 51)에 대해 상하로 인가되는 압력을 증대시키는 것이 가능하게 된다. 즉, 제1, 제2 전도성 페이스트(41, 51)에 압력을 효율적으로 인가할 수 있다. 따라서, 제1, 제2 전도성 페이스트(41, 51)가 고상 소결을 확실히 실시할 수 있다.
더욱이, 복수의 관통 구멍(13)을, 제1, 제2 비어 홀(11, 12)의 각각을 중심으로 한 동심원상에 있어서 둘레 방향에 등간격으로 이간하도록 배치하고 있다. 이 때문에, 적층체(80)를 형성할 때, 제1, 제2 비어 홀(11, 12) 주위의 열가소성 수지가 등방적(等方的)으로 관통 구멍(13)을 작게 하도록 유동하기 쉬워지고, 뒤틀림에 의한 제1, 제2 비어 홀(11, 12)이 적층체(80)의 평면 방향으로의 치우침이 억제된다. 따라서, 제1, 제2 전도성 페이스트(41, 51)로부터 형성되는 제1, 제2 층간 접속 부재(40, 50)와 표면 도전층(21) 및 이면 도전층(31)이 도통(導通)의 안정성이 확보된다.
또한, 본 실시 형태의 제조 방법에 의하면, 절연 기재(10)의 평면 형상의 크기나 두께, 제1, 제2 비어 홀(11, 12)의 수, 지름 등을 적절히 변경하는 것 만으로 원하는 변환 효율의 열전 변환 장치(1)를 제조할 수 있고, 열전 변환 장치(1)의 용도에 따라 제조 공정이 특별히 증가하거나 복잡하게 되는 일이 없다. 즉, 열전 변환 장치(1)의 설계의 자유도를 향상시킬 수 있다.
더욱이, 본 실시 형태의 열전 변환 장치(1)는, 제1, 제2 층간 접속 부재(40, 50)가 복수의 금속 원자가 소정의 결정 구조를 유지하고 있는 합금으로 형성되어 있으므로, 큰 전력을 발생시킬 수 있다. 그리고, 제1 층간 접속 부재(40) 및 제2 층간 접속 부재(50)의 주위는, 열가소성 수지를 포함해 구성된 절연 기재(10)가 배치되어 있기 때문에, 제1 층간 접속 부재(40) 및 제2 층간 접속 부재(50)와, 표면 도전층(21) 및 이면 도전층(31)과의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 이 때문에, 더욱큰 전력을 발생시킬 수 있다.
또한, 표면 도전층(21)(표면 보호 부재(20))과 이면 도전층(31)(이면 보호 부재(30)) 사이에 절연 기재(10)가 배치되어 있고, 표면 도전층(21)(표면 보호 부재(20))과 이면 도전층(31)(이면 보호 부재(30)) 사이에 공기 흐름이 생기지 않는다. 따라서, 표면 도전층(21)(표면 보호 부재(20))과 이면 도전층(31)(이면 보호 부재(30)) 사이의 열차(熱差)가 작아지는 것을 억제할 수 있다.
그런데, 동박 등의 배선 패턴을 저면으로 하는 비어 홀이 형성되어 있는 동시에 비어 홀에 층간 접속 부재가 배치된 복수매의 수지 필름을 적층한 다층 기판이 알려져 있고, 이러한 다층 기판은 다음과 같이 제조된다.
우선, 동박 등의 배선 패턴을 저면으로 하는 비어 홀이 형성되어 있고, 비어 홀에 전도성 페이스트를 충전한 복수매의 수지 필름을 준비한다. 또한, 전도성 페이스트는 Sn을 포함한다. 그리고, 복수매의 수지 필름을 서로 겹쳐서 필름 적층체(stack)를 구성한다. 이 필름 적층체를 진공 상태로 가열하면서 가압하여 일체화하고, 적층체(stack body)를 형성한다. 이 때, 전도성 페이스트가 소결되어 층간 접속 부재가 구성되는 동시에, 이 층간 접속 부재가 배선 패턴과 전기적으로 접속된다.
그렇지만, 상기 제조 방법의 조립 공정에서는, 전도성 페이스트가 Sn을 포함하기 때문에, 이 Sn을 배선 패턴에 확산시켜 층간 접속 부재(전도성 페이스트)와 배선 패턴을 결합하고 있다. 즉, 금속 입자를 직접 압접할 수 없기 때문에, 최대 4MPa 정도의 가압을 이용해 적층체를 형성하고 있다. 따라서, 이러한 구성의 다층 기판을, 큰 가압력을 이용해 열전 변환 장치(1)를 제조하는 본 실시예의 제조 방법으로, 형성할 수 없다.
또한, 본 실시 형태에서는, 제1 전도성 페이스트(41)를 Bi-Sb-Te 합금의 분말에 의해 형성하고, 제2 전도성 페이스트(51)는 Bi-Te 합금의 분말을 이용하고 있는데, 합금의 분말은 이것들로 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 제1, 제2 전도성 페이스트(41, 51)를 구성하는 합금의 분말로서, 구리, 콘스탄탄, 크로멜, 알루멜 등이 철, 니켈, 크롬, 구리, 실리콘 등과 합금화된 것으로부터 적절히 선택해도 된다. 또한, 텔루루, 비스무트, 안티몬, 셀렌의 합금이나, 실리콘, 철, 알루미늄의 합금 등으로부터 적절히 선택해도 된다.
(제2 실시 형태)
본 발명의 제2 실시 형태에 대해 설명한다. 본 실시 형태의 열전 변환 장치(1)는, 제1 실시 형태에 대해, 절연 기재(10)에 형성하는 공동(空洞)의 형상에 있어서 상이하고, 그 외에 관해서는 제1 실시 형태와 같기 때문에, 여기에서는 설명을 생략한다.
도 8 및 도 9에 나타내는 바와 같이, 도 4(e)의 공정에 있어서, 절연 기재(10)에 대해 각 제1, 제2 비어 홀(11, 12)을 둘러싼 폐루프(close-loop) 형상의 사각형 홈(14)을 형성한다. 구체적으로는, 절연 기재(10)의 표면(10a)에, 각 제1, 제2 비어 홀(11, 12)이 하나의 홈(14)에 들어가도록 홈(14)을 형성한다. 마찬가지로, 절연 기재(10)의 이면(10b)에도, 각 제1, 제2 비어 홀(11, 12)이 하나의 홈(14) 내에 들어가도록 홈(14)을 형성한다.
또한, 본 실시 형태에서는, 홈(14)이 공동을 형성하고 있다. 또한, 여기에서는, 제1, 제2 비어 홀(11, 12)을 둘러싼 복수의 홈(14)은 격자 형상으로 배열되어 있는데, 홈(14)의 형상을 사각 이외로 해도 된다. 예를 들면, 홈(14)을 곧장 뻗도록 형성해도 된다. 나아가, 절연 기재(10)의 표면(10a) 및 이면(10b)에 형성된 홈(14)은 동일한 크기로 하고 있다. 제1, 제2 비어 홀(11, 12)이 홈(14) 내의 중심에 위치하고 있다.
적층체(80)를 형성하는 도 4(i)의 공정에 있어서, 절연 기재(10)의 홈(14)은, 열가소성 수지의 유동에 따라, 그 자체의 형상이 변형하고, 홈(14)에 작용하는 압력을 흡수하는 것에 의해, 제1, 제2 전도성 페이스트(41, 51)에 인가되는 압력을 크게 할 수 있어, 상기 제1 실시 형태와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 여기에서는, 절연 기재(10)의 표면(10a) 및 이면(10b)에 홈(14)을 형성했는데, 절연 기재(10)의 표면(10a) 및 이면(10b) 중 어느 한쪽에만 홈(14)을 형성하도록 해도 된다.
(제3 실시 형태)
본 발명의 제3 실시 형태에 대해 설명한다. 본 실시 형태의 열전 변환 장치(1)는, 제1 실시 형태에 대해, 공동의 형상에 있어서 상이한 것이고, 그 외에 관해서는 제1 실시 형태와 같기 때문에, 여기에서는 설명을 생략한다.
도 10에 나타내는 바와 같이, 도 4(e)의 공정을 생략하고, 도 4(f) 및 도 4(g)의 공정에 있어서, 표면 도전층(21) 및 이면 도전층(31) 중 제1, 제2 전도성 페이스트(41, 51)와 접촉하는 부분과 상이한 부분에 오목부(15)를 형성한다. 즉, 표면 도전층(21) 및 이면 도전층(31) 중 절연 기재(10)를 구성하는 열가소성 수지와 대향하는 부분에 오목부(15)가 형성된 적층체(80)를 구성한다. 또한, 오목부(15)가 공동으로서 기능한다.
적층체(80)를 형성할 때, 표면 도전층(21) 및 이면 도전층(31)에 형성된 오목부(15)는, 열가소성 수지의 유동에 따라, 그 자체의 형상이 변형하고, 오목부(15)에 작용하는 압력을 흡수하는 것에 의해, 제1, 제2 전도성 페이스트(41, 51)에 인가되는 압력을 크게 할 수 있어, 상기 제1 실시 형태와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 여기에서는, 표면 도전층(21) 및 이면 도전층(31)에 오목부(15)를 형성하는 것에 대해 설명했지만, 표면 도전층(21) 및 이면 도전층(31) 중 어느 한쪽에만 오목부(15)를 형성하도록 해도 된다.
(제4 실시 형태)
본 발명의 제4 실시 형태에 대해 설명한다. 본 실시 형태의 열전 변환 장치(1)는, 제1 실시 형태에 대해, 절연 기재(10)에 형성하는 공동에 있어서 상이하고, 그 외에 관해서는 제1 실시 형태와 같기 때문에, 여기에서는 설명을 생략한다.
도 11에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 절연 기재(10)로서, 열가소성 수지 필름(10c), 내부에 복수의 공동(16)을 가진 글래스 크로스(10d), 열가소성 수지 필름(10c)이 차례로 적층되고, 이것들이 저온 프레스 등으로 가(假)접합한 것을 이용한다. 또한, 글래스 크로스(10d)는 다공질 부재로서 기능한다.
적층체(80)를 형성할 때, 도 4(i)의 공정에 있어서, 글래스 크로스(10d) 내의 공동(16)에 열가소성 수지가 흘러 들어간다(함침한다). 바꿔 말하면, 공동(16)이 열가소성 수지의 유동을 증대, 즉 조장하여 공동(16)에 작용하는 압력을 흡수한다. 이 때문에, 제1, 제2 전도성 페이스트(41, 51)에 인가되는 압력을 크게 할 수 있어, 상기 제1 실시 형태와 같은 효과를 얻을 수 있다.
또한, 여기에서는, 글래스 크로스(10d)를 대신해, 아라미드 부직포를 다공질 부재로서 이용해도 된다.
(제5 실시 형태)
본 발명의 제5 실시 형태에 대해 설명한다. 본 실시 형태의 열전 변환 장치(1)는, 제1 실시 형태에 대해, 공동에 있어서 상이한 것이고, 그 외에 관해서는 제1 실시 형태와 같기 때문에, 여기에서는 설명을 생략한다.
도 12에 나타내는 바와 같이, 절연 기재(10)는, 열가소성 수지 필름에 복수의 구멍(17)이 형성되어 있는 다공질 부재로 이루어진다.
적층체(80)를 형성할 때, 도 4(i)의 공정에 있어서, 복수의 구멍(17)에 열가소성 수지가 흘러 들어간다(함침한다). 바꿔 말하면, 구멍(17)이 열가소성 수지의 유동에 따라, 구멍(17)에 작용하는 압력을 흡수하는 것에 의해, 제1, 제2 전도성 페이스트(41, 51)에 인가되는 압력을 크게 할 수 있어, 상기 제1 실시 형태와 같은 효과를 얻을 수 있다.
(제6 실시 형태)
본 발명의 제6 실시 형태에 대해 설명한다. 본 실시 형태의 열전 변환 장치(1)는, 제1 실시 형태에 대해, 관통 구멍(13)이 형성되어 있지 않은 적층체(80)를 가지고 있다. 이 적층체(80)는 구멍부가 형성된 프레스판을 이용해 형성되는 것이고, 그 외에 관해서는 제1 실시 형태와 같기 때문에, 여기에서는 설명을 생략한다.
도 13(a)에 나타내는 바와 같이, 적층체(80)의 내부에는 관통 구멍(13)이 형성되어 있지 않다. 즉, 적층체(80)는, 도 4(a) ~ (d), (f) ~ (h)의 공정에 의해 형성된다. 적층체(80)(즉, 절연 기재(10), 표면 보호 부재(20), 이면 보호 부재(30)로 이루어진 조립체)는, 표면 도전층(21) 및 이면 도전층(31)과 대향하는 부분과 상이한 부분에 구멍부(90a)가 형성되어 있는 한쌍의 프레스판(90)에 의해 가압된다.
이것에 의해, 도 13(b)에 나타내는 바와 같이, 한쌍의 프레스판(90)의 각 구멍부(90a)에 표면 보호 부재(20) 및 이면 보호 부재(30)를 구성하는 열가소성 수지가 유동하는 동시에, 이 열가소성 수지에 추종해 절연 기재(10)의 열가소성 수지가 유동한다. 이것에 의해 제1, 제2 전도성 페이스트(41, 51)에 작용하는 횡압력이 흡수되어, 프레스판(90)으로부터 제1, 제2 전도성 페이스트(41, 51)에 인가되는 압력이 커지고, 도 13(c)에 나타내는 바와 같이, 제1, 제2 전도성 페이스트(41, 51)가 고상 소결되어 제1, 제2 층간 접속 부재(40, 50)가 구성된다. 또한, 각 구멍부(90a)에 표면 보호 부재(20) 및 이면 보호 부재(30)의 어느 한쪽을 구성하는 열가소성 수지를 유동시켜도 된다.
즉, 구멍부(90a)가 형성된 한쌍의 프레스판(90)을 이용해 적층체(80)를 눌러서 조립하는 것으로, 절연 기재(10)를 구성하는 열가소성 수지의 유동을 허용하고, 이것에 의해 제1, 제2 전도성 페이스트(41, 51)에 인가되는 압력을 크게 할 수 있어, 상기 제1 실시 형태와 같은 효과를 얻을 수 있다.
또한, 본 실시 형태로 제조된 열전 변환 장치(1)는, 구멍부(90a) 내에 흘러 들어간 열가소성 수지로 볼록부가 형성된다. 이 때문에, 적층체(80)를 일체화한 후, 볼록부를 절삭 등에 의해 제거하도록 해도 된다. 혹은, 볼록부를 덮도록 열전도성을 가진 시트 등을 배치해 열전 변환 장치(1)의 상하 양면을 평탄화하도록 해도 된다.
또한, 한쌍의 프레스판(90)의 각각에 구멍부(90a)가 형성되어 있는데, 한쌍의 프레스판(90) 중 어느 한쪽에만 구멍부(90a)가 형성된 프레스판(90)을 이용해도 된다.
더욱이, 본 실시 형태에서는, 표면 도전층(21) 및 이면 도전층(31)과 대향하는 부분과 상이한 부분에 구멍부(90a)가 형성되어 있는 한쌍의 프레스판(90)을 이용했다. 그렇지만, 프레스판(90)을, 표면 도전층(21) 및 이면 도전층(31)과 대향하는 부분에 구멍부(90a)를 가지도록 구성해도 된다. 이것에 의해서도, 절연 기재(10), 표면 보호 부재(20), 이면 보호 부재(30)를 구성하는 각 열가소성 수지의 유동을 허용하기 때문에, 상기 실시예와 같은 효과를 얻을 수 있다.
(제7 실시 형태)
본 발명의 제7 실시 형태에 대해 설명한다. 본 실시 형태는, 제1 실시 형태에 대해, 제1, 제2 전도성 페이스트(41, 51)가 충전된 절연 기재(10)를 준비하는 제조 공정에 있어서 상이한 것이고, 그 외에 관해서는 제1 실시 형태와 같기 때문에, 여기에서는 설명을 생략한다.
도 14(a)에 나타내는 바와 같이, 열전 변환 장치(1)의 제조 공정에 있어서, 절연 기재(10)에 제1, 제2 비어 홀(11, 12)을 동시에 형성한다.
다음으로, 도 14(b)에 나타내는 바와 같이, 절연 기재(10)의 표면(10a) 상에 제1 비어 홀(11)과 대응하는 영역이 개구된 마스크(91)를 배치한다. 그리고, 제1 비어 홀(11)에만 제1 전도성 페이스트(41)를 충전한다.
이어서, 도 14(c)에 나타내는 바와 같이, 마스크(91)를 제거하고, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 상온에서 제2 전도성 페이스트(51)를 충전한다. 이것에 의해, 제1, 제2 전도성 페이스트(41, 51)가 충전된 절연 기재(10)가 준비된다. 그 다음은, 상기 제1 실시 형태와 같은 공정을 실시하는 것에 의해, 도 1에 나타내는 열전 변환 장치(1)가 제조된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 절연 기재(10)에 제1, 제2 비어 홀(11, 12)을 동시에 형성하고 있다. 바꿔 말하면, 제1, 제2 비어 홀을 단일의 공정으로 형성하고 있다.
또한, 제1 비어 홀(11)에 제1 전도성 페이스트(41)를 충전한 후, 절연 기재(10)의 표면(10a) 상에 제2 비어 홀(12)과 대응하는 영역이 개구된 마스크를 배치하도록 해도 된다. 이 경우는, 제2 비어 홀(12)에 제2 전도성 페이스트(51)를 충전할 때, 마스크에 의해 제1 비어 홀(11)에 제2 전도성 페이스트(51)가 혼입하는 것이 억제된다. 따라서, 제2 전도성 페이스트(51)를 구성하는 유기 용제로서, 제2 전도성 페이스트(51)를 충전할 때 제1 전도성 페이스트(41)가 용해해 버리는 것도 이용할 수 있고, 예를 들면, 제1 전도성 페이스트(41)의 유기 용제와 마찬가지로 파라핀을 이용할 수 있다.
(제8 실시 형태)
본 발명의 제8 실시 형태에 대해 설명한다. 본 실시 형태는, 제1 실시 형태에 대해, 절연 기재(10)의 구성이 상이한 동시에, 제1, 제2 비어 홀(11, 12)(제1, 제2 층간 접속 부재(40, 50))의 형상이 상이한 것이고, 그 외에 관해서는 제1 실시 형태와 같기 때문에, 여기에서는 설명을 생략한다.
도 15에 나타내는 바와 같이, 절연 기재(10)는, 열강화성 수지 필름(10e), 열가소성 수지 필름(10c), 열강화성 수지 필름(10e)이 차례대로 적층되어 구성하고 있다. 그리고, 제1, 제2 비어 홀(11, 12)(제1, 제2 층간 접속 부재(40, 50))은, 절연 기재(10)의 표면(10a) 부근 및 이면(10b) 부근의 부분의 지름이 중앙 부분의 지름보다 커지고 있다.
이러한 열전 변환 장치(1)는, 다음과 같이 제조된다. 즉, 열강화성 수지 필름(10e), 열가소성 수지 필름(10c), 열강화성 수지 필름(10e)가 차례로 적층되고, 이들 조립체를 저온으로 프레스해 가접합하여, 절연 기재(10)를 형성한다.
그리고, 도 4(a) 및 도 4(c)의 공정에 있어서, 우선, 절연 기재(10)의 표면(10a)을 형성하는 열강화성 수지 필름(10e) 및 이면(10b)을 형성하는 열강화성 수지 필름(10e)에 열가소성 수지 필름(10c)의 면에 이르는 복수의 큰 지름 구멍을 형성한다. 그 후, 열가소성 수지 필름(10c)에 열강화성 수지 필름(10e)에 형성한 복수의 큰 지름 구멍보다 지름이 작은 지름 구멍을 큰 지름 구멍 내에 형성하는 것에 의해, 제1, 제2 비어 홀(11, 12)을 형성한다.
그리고, 도 4(i)의 공정을 실시해 적층체(80)를 형성한다. 즉, 도 16(a)에 나타내는 바와 같이, 적층체(80)의 적층 방향의 상하 양면으로부터 가압하면, 도 16(b)에 나타내는 바와 같이, 열가소성 수지(열가소성 수지 필름(10c))는, 유동하여 제1, 제2 전도성 페이스트(41, 51)를 가압하는 동시에 관통 구멍(13)에 흘러 들어간다. 그렇지만, 열강화성 수지(열강화성 수지 필름(10e))는 유동하지 않는다. 이 때문에, 도 16(c)에 나타내는 바와 같이, 열강화성 수지 필름(10e)과 제1, 제2 층간 접속 부재(40, 50) 사이에 형성된 틈새와 관통 구멍(13)에 열가소성 수지가 흘러 들어간다.
즉, 관통 구멍(13)에 열가소성 수지가 흘러 들어가, 관통 구멍(13)이 변형하는 것에 의해, 제1, 제2 전도성 페이스트(41, 51)에 걸리는 지름 방향(도면에 있어서 횡방향)의 힘이 흡수되고, 그 만큼, 제1, 제2 전도성 페이스트(41, 51)에 인가되는 압력이 커진다. 이러한 제조 방법에 의해서도 상기 제1 실시 형태와 같은 효과를 얻을 수 있다.
또한, 열강화성 수지는 유동하지 않기 때문에, 열가소성의 유동에 의한 제1, 제2 비어 홀(11, 12)이 적층체(80)의 평면 방향으로의 변위가 억제된다. 그리고, 열강화성 수지 필름(10e)이 열가소성 수지가 유동할 때의 유동 저항이 되기 때문에, 특히 절연 기재(10)의 바깥 가장자리부에 있어서, 열가소성 수지가 유출해 버리는 것을 억제할 수 있다.
더욱이, 본 실시 형태에서는, 제1, 제2 비어 홀(11, 12)은, 절연 기재(10)의 표면(10a) 부근 및 이면(10b) 부근의 부분의 지름이 중앙 부분의 지름보다 크게 되어 있다. 이 때문에, 제1, 제2 층간 접속 부재(40, 50)와 표면 도전층(21) 및 이면 도전층(31)과의 접촉 면적을 충분히 확보할 수 있어, 도통 불량이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 제1, 제2 비어 홀(11, 12)의 지름이 절연 기재(10)의 표면(10a) 부근 및 이면(10b) 부근의 부분의 지름으로 일정하게 되어 있는 경우와 비교해, 제1, 제2 층간 접속 부재(40, 50)의 열전도율을 저감 할 수 있다.
또한, 본 실시 형태의 절연 기재(10)는, 열강화성 수지 필름(10e), 열가소성 수지 필름(10c), 열강화성 수지 필름(10e)의 3매의 수지 필름으로 이루어진 적층체로서 구성되어 있는데, 2매 혹은 4매 이상의 수지 필름의 적층체에 의해 구성해도 된다.
(제9 실시 형태)
본 발명의 제9 실시 형태에 대해 설명한다. 본 실시 형태의 열전 변환 장치(1)는, 제1 실시 형태에 대해, 표면 보호 부재(20) 및 이면 보호 부재(30)를 갖지 않다고 하는 점에서 상이한 것이고, 그 외에 관해서는 제1 실시 형태와 같기 때문에, 여기에서는 설명을 생략한다.
도 17에 나타내는 바와 같이, 절연 기재(10)의 표면(10a)에 표면 도전층(21)만이 배치되고, 절연 기재(10)의 이면(10b)에 이면 도전층(31)만이 배치되어 있다.
이러한 열전 변환 장치(1)는, 다음과 같이 제조된다. 즉, 도 18에 나타내는 바와 같이, 절연 기재(10)의 표면(10a) 및 이면(10b)에, 절연 기재(10)의 평면 형상과 동일한 크기로 되어 있는 동판 등의 표면 금속판(21a) 및 이면 금속판(31a)을 배치하여 적층체(80)를 구성한다.
그리고, 도 4(i)의 공정에 있어서 적층체(80)를 형성한 후, 각 세트(60)의 제1, 제2 층간 접속 부재(40, 50)만이 동일한 표면 도전층(21)과 접속되도록 표면 금속판(21a)을 다이싱한다. 또한, 인접하는 두 개의 세트(60)에 있어서, 한쪽 세트(60)의 제1 층간 접속 부재(40)와, 다른쪽 세트(60)의 제2 층간 접속 부재(50)만이 동일한 이면 도전층(31)과 접속되도록, 이면 금속판(31a)을 다이싱한다. 이것에 의해, 도 17에 나타내는 열전 변환 장치(1)가 완성한다.
이와 같이, 절연 기재(10)의 표면(10a)에 표면 도전층(21)만이 배치되고, 이면(10b)에 이면 도전층(31)만이 배치된 열전 변환 장치(1)도, 몇 개의 상기 실시예의 제조 방법에 의해 형성할 수 있다.
(제10 실시 형태)
본 발명의 제10 실시 형태에 대해 설명한다. 본 실시 형태의 열전 변환 장치(1)는, 제1 실시 형태에 대해, 제2 층간 접속 부재(50)에 있어서 상이한 것이고, 그 외에 관해서는 제1 실시 형태와 같기 때문에, 여기에서는 설명을 생략한다.
도 19에 나타내는 바와 같이, 제2 층간 접속 부재(50)는, Ag-Sn계 등의 금속 입자를 포함한 제2 전도성 페이스트(51)가 소결되는 것에 의해 구성되어 있다. 즉, 제2 층간 접속 부재(50)는, 주로 열전 효과를 발휘시키기 위한 것이 아니고, 도통을 도모하는 것이다. 이 때문에, 제2 비어 홀(12)의 지름이 제1 비어 홀(11)의 지름보다 작게 되어 있다. 바꿔 말하면, 제2 비어 홀(12)에 있어서의 절연 기재(10)의 표면과 평행한 평면에 따른 단면적이 제1 비어 홀(11)에 있어서의 절연 기재(10)의 표면과 평행한 평면에 따른 단면적보다 작게 되어 있다.
또한, 상기 열전 변환 장치(1)에 있어서도, 제1 층간 접속 부재(40)와 표면 도전층(21) 및 이면 도전층(31)이 상이한 금속으로 구성되어 있기 때문에, 제1 층간 접속 부재(40)와 표면 도전층(21) 및 이면 도전층(31)과의 사이에 열전 효과를 얻을 수 있다.
특히 도시하지 않지만, 도 4(c)의 공정에 있어서, 제1 비어 홀(11)보다 지름의 작은 제2 비어 홀(12)이 형성된다. 그리고, Ag-Sn계 등의 금속 입자를 포함한 전도성 페이스트를, 제2 전도성 페이스트(51)로서 이용해 열전 변환 장치(1)가 제조된다.
이와 같이, 제2 층간 접속 부재(50)가 주로 도통을 도모하도록 구성된 열전 변환 장치(1)도 몇 개의 상기 실시예의 제조 방법에 의해 형성할 수 있다.
또한, 제2 층간 접속 부재(50)는, 고상 소결로 표면 도전층(21) 및 이면 도전층(31)과 접속되는 것이 아니라, 금속(확산) 결합으로 표면 도전층(21) 및 이면 도전층(31)과 접속된다.
(제11 실시 형태)
본 발명의 제11 실시 형태의 열전 변환 장치(1)에 대해 도 20 및 도 21을 이용해 설명한다. 열전 변환 장치(1)는, 제10 실시 형태에 대해, 제1, 제2 비어 홀(11, 12)의 배열에 있어서 상이한 것이고, 그 외에 관해서는 제10 실시 형태와 같기 때문에, 여기에서는 그 설명을 생략한다. 또한, 도 20은, 절연 기재(10)의 표면 도전층(21)이 배치된 표면을 나타낸다. 도 21은, 절연 기재(10)의 이면 도전층(31)이 배치된 이면을 나타낸다. 또한, 도 20, 21에 있어서, 제1 층간 접속 부재(40)와 제2 층간 접속 부재(50)를, 상이한 방향의 선으로 이루어진 해칭으로 나타내고 있다.
제1 비어 홀(11) 및 제2 비어 홀(12)은, 도 20 및 도 21에 나타내는 바와 같이, 절연 기재(10)의 장변 방향(도 20 및 도 21 중 지면 좌우 방향)으로 뻗은 복수의 횡배열(horizontal array)로서 배치되어 있다. 그리고, 제2 비어 홀(12)은, 각 횡배열의 일단에만 형성되어 있다. 더욱더 상술하면, 절연 기재(10) 상의 단변 방향(도 20 및 도 21 중 지면 상하 방향)으로 뻗은 종배열(vertical array)의 좌우의 각각에 있어서는, 제1, 제2 비어 홀(11, 12)이 교대로 배치되어 있다.
각 횡배열의 제1, 제2 층간 접속 부재(40)는 동일한 표면 도전층(21)과 접속되어 있다. 또한, 각 횡배열의 제1 층간 접속 부재(40)는, 도 23으로부터 분명한 바와 같이, 동일한 이면 도전층(31)과 접속되어 있다. 그리고, 이면 도전층(31)의 각각은, 도 21로부터 분명한 바와 같이, L 형상을 하고 있고, 각 제2 층간 접속 부재(50)는, 인접하는 횡배열의 제1 층간 접속 부재(40)가 접속되어 있는 이면 도전층(31)과 접속되어 있다.
즉, 본 실시 형태에서는, 각 횡배열의 제1 층간 접속 부재(40)는 각각 병렬 접속되고, 이들 병렬 접속된 것이 하나의 제2 층간 접속 부재(50)를 개재하여 인접한 횡배열의 제1 층간 접속 부재(40)에 직렬로 접속되어 있다.
또한, 도 20은, 이해하기 쉽게 하기 위해, 표면 보호 부재(20)를 생략해 나타내고 있다. 또한, 단면도는 아니지만, 제1, 제2 층간 접속 부재(40, 50)에 상기한 바와 같이 해칭을 실시하고 있다. 마찬가지로, 도 21은, 이해하기 쉽게 하기 위해, 이면 보호 부재(30)를 생략해 나타내고 있다. 또한, 단면도는 아니지만, 제1, 제2 층간 접속 부재(40, 50)에 해칭을 실시하고 있다.
이러한 열전 변환 장치(1)의 제조는, 특별히 도시하지 않지만, 도 4(a) 및 도 4(c)의 공정에 있어서, 제1 비어 홀(11) 및 제2 비어 홀(12)을 형성하는 장소를 변경해, 도 4(f) 및 도 4(g)의 공정에 있어서, 상기 표면 도전층(21) 및 이면 도전층(31)을 도 21, 22에 나타내는 바와 같이 형상에 형성하는 것에 의해 이루어진다.
이와 같이, 제1, 제2 비어 홀(11, 12)이 엇갈리게 형성되어 있지 않은 열전 변환 장치(1)에 있어서도, 몇 개의 상기 실시예의 제조 방법에 의해 형성할 수 있다.
(제12 실시 형태)
본 발명의 제12 실시 형태에 대해 설명한다. 본 실시 형태의 열전 변환 장치(1)는, 제1 실시 형태에 대해, 제1 비어 홀(11)만을 가지는 동시에 표면 보호 부재(20)와 이면 보호 부재(30)를 일체화한 점에 있어서 상이하고, 그 외에 관해서는 제1 실시 형태와 같기 때문에, 여기에서는 그 설명을 생략한다. 도 23은 도 22의 전개도이다.
도 22 및 도 23에 나타내는 바와 같이, 절연 기재(10)에는, 제1 비어 홀(11)만이 형성되어 있다. 즉, 절연 기재(10)에는, 제1 층간 접속 부재(40)만이 배치되어 있다. 또한, 표면 보호 부재(20)와 이면 보호 부재(30)는 일체화되어 있다. 바꿔 말하자면, 표면 도전층(21)과 이면 도전층(31)은, 도 23으로부터 분명한 바와 같이, 연속하고 있다.
그리고, 복수의 표면 도전층(21)의 각각은, 도 23으로부터 분명한 바와 같이, 각 횡배열의 제1 층간 접속 부재(40)와 접속되어 있다. 또한, 이 표면 도전층(21)과 연속해 형성되어 있는 이면 도전층(31)의 각각은, 그것에 연결된 표면 도전층(21)에 접속하고 있는 제1 층간 접속 부재(40)의 횡배열에 인접하는 횡배열의 제1 층간 접속 부재(40)와 접속되고 있다.
바꿔 말하면, 절연 기재(10)의 장변 방향에 따라 배치된 각 횡배열의 제1 층간 접속 부재(40)는 각각 병렬 접속되어 있다.
이러한 열전 변환 장치(1)는, 특별히 도시하지 않지만, 도 4(a)의 공정에 있어서, 제1 비어 홀(11)만을 절연 기재(10)에 형성하고, 도 4(f) 및 도 4(g)의 공정에 있어서 표면 보호 부재(20) 및 이면 보호 부재(30)가 일체적으로 형성하는 것에 의해 제조된다.
이 실시예의 열전 변환 장치(1)도, 몇 개의 상기 실시예의 제조 방법을 이용해 완성시킬 수 있다.
(제13 실시 형태)
본 발명의 제13 실시 형태에 대해 설명한다. 본 실시 형태는, 제1 실시 형태의 열전 변환 장치(1)를 가진 전자 장치(100)에 관한 것이다. 열전 변환 장치(1)의 구조의 상세는 제1 실시 형태와 같기 때문에, 여기에서는 설명을 생략한다. 열전 변환 장치(1)는, 전자 장치(100)를 가열 혹은 냉각하는 것에 의해, 전자 장치(100)를 원하는 온도로 유지하거나, 전자 장치(100)의 열을 이용하여 발전한다.
도 24에 나타내는 바와 같이, 전자 장치(100)는, 열전 변환 장치(1)에 있어서의 표면 보호 부재(20) 상에 다층 기판(110)을 구비하고 있다. 다층 기판(110)은, 각각이, 배선 패턴(121) 및 층간 접속 부재(122)를 구비한 복수(본 실시예에서는 4)의 수지 필름(120)으로 이루어진 적층체와, 이 적층체의 내부나 열전 변환 장치(1)와 반대의 면상에 설치된 반도체 칩(131 ~ 133)을 구비하고 있다. 그리고, 열전 변환 장치(1)와 다층 기판(110)이 직접 접합되어 있다.
상기 전자 장치(100)에 설치된 열전 변환 장치(1)는, 다층 기판(110)을 냉각하거나, 칩(131 ~ 133)에 공급하는 전력을 생성하는 기능을 완수한다. 또한, 열전 변환 장치(1)를 다층 기판(110)에 전력을 공급하는 것으로서 이용하는 것도 가능하다. 이 경우, 열전 변환 장치(1) 및 다층 기판(110)에 각각 상기 실시예에서 기재한 층간 접속 부재 등을 설치하고, 서로 전기적으로 접속한다.
이러한 전자 장치(100)는, 이면 보호 부재(30), 절연 기재(10), 표면 보호 부재(20), 및 복수의 수지 필름(120)을 서로 겹쳐서 적층체(80)를 구성하고, 이 적층체(80)를 가열하면서 가압하여 일체화하는 것으로써 제조된다. 즉, 열전 변환 장치(1)를 제조하는 동시에, 열전 변환 장치(1)와 다층 기판(110)을 접합한다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 열전 변환 장치(1)를 제조할 때, 열전 변환 장치(1)와 다층 기판(110)을 동시에 접합한다. 따라서, 열전 변환 장치(1)를 형성한 후에 접착제 등을 개재하여 열전 변환 장치(1)를 다층 기판(110)에 접합하는 경우와 비교해, 전자 장치(100)의 제조 공정을 간략화할 수 있다.
또한, 열전 변환 장치(1)와 다층 기판(110)을 직접 접합하여 전자 장치(100)를 구성하고 있다. 즉, 열전 변환 장치(1)와 다층 기판(110) 사이에 여분의 개재물을 존재하게 하지 않는다. 이 때문에, 다층 기판(110)의 열이 열전 변환 장치(1)에 전열되기 쉬워져, 다층 기판(110)과 열전 변환 장치(1)와의 전열성이 높은 전자 장치(100)를 얻을 수 있다.
또한, 전자 장치(100)의 다층 기판(110)은, 복수의 수지 필름(120)으로 이루어진 적층체를 가지고 있는데, 예를 들면, 다층 기판(110)을 복수의 세라믹 기판으로 이루어진 적층체로 구성해도 된다. 또한, 다층 기판(110)만을 먼저 형성해 두고, 이면 보호 부재(30), 절연 기재(10), 표면 보호 부재(20), 다층 기판(110)을 적층하여 적층체(80)를 구성하도록 해도 된다.
(다른 실시 형태)
본 발명은 상기한 실시 형태에 한정되는 것이 아니고, 특허 청구의 범위에 기재한 범위 내에 있어서 상기 실시예의 가능한 수의 조합이나, 변형예를 포함한 것이다.
예를 들면, 상기 실시 형태를 이하와 같이 조합할 수 있다. 즉, 제3 실시 형태에 제1, 제2 실시 형태를 조합하여, 오목부(15)를 형성하면서, 관통 구멍(13) 또는 홈(14)을 형성해도 된다. 또한, 제2 실시 형태를 제7 ~ 제12 실시 형태에 조합하여, 관통 구멍(13) 대신 홈(14)을 형성해도 된다. 또한, 제3 실시 형태를 제7 ~ 제12 실시 형태에 조합하여, 관통 구멍(13) 대신 오목부(15)를 형성해도 된다. 나아가, 제4 실시 형태를 제7 ~ 제12 실시 형태에 조합하여, 관통 구멍(13) 대신 글래스 크로스(10d)를 이용해도 되고, 제5 실시 형태를 제7 ~ 제12 실시 형태에 조합하여, 관통 구멍(13) 대신 복수의 구멍(17)이 형성되어 있는 열가소성 수지 필름(10c)을 이용해도 된다.
그리고, 글래스 크로스(10d)나 복수의 구멍(17)이 형성되어 있는 열가소성 수지 필름(10c)을 이용하는 경우에는, 관통 구멍(13), 홈(14), 오목부(15)의 어느 하나, 또는 전부를 형성할 수도 있다.
더욱이, 제6 실시 형태를 제1 ~ 제5 실시 형태에 조합하여, 구멍부(90a)가 형성된 한쌍의 프레스판(90)을 이용해 적층체(80)를 일체화해도 된다.
그리고, 제8 실시 형태를 제9 ~ 제12 실시 형태에 조합하여, 절연 기재(10)로서 열가소성 수지 필름(10c) 및 열강화성 수지 필름(10e)을 적층한 것을 이용해도 된다. 또한, 제8 실시 형태와 같이, 열가소성 수지 필름(10c) 및 열강화성 수지 필름(10e)을 적층한 절연 기재(10)를 이용하는 경우, 제1, 제2 비어 홀(11, 12)의 지름이 일정하게 되어 있어도 된다. 그리고, 제9 실시 형태를 제10 ~ 제12 실시 형태에 조합하여, 금속판(21a, 31a)을 이용해 표면 도전층(21) 및 이면 도전층(31)을 형성해도 된다.
상기한 바와 같이, 상기한 열전 변환 장치(1)는, 상기 실시예의 몇 개의 조합의 구조를 가지는 것이 가능하고, 이 열전 변환 장치(1)는 상기 실시예의 몇 개의 제조 방법에 의해 제조할 수 있다.
또한, 상기 제13 실시 형태에서는, 열전 변환 장치(1)와 다층 기판(110)에 의해 전자 장치(100)를 구성했지만, 열전 변환 장치의 설치 대상은 다층 기판(110)에 한정되는 것은 아니다.
예를 들면, 도 25에 나타내는 바와 같이, 전자 장치(100)는, 열전 변환 장치(1)에 있어서의 표면 보호 부재(20)상에 핀(140)을 더욱 구비해도 된다. 이러한 전자 장치(100)에서는, 핀(140)에 의해, 방열 효과를 향상시킬 수 있다. 또한, 이 전자 장치(100)는, 핀(140)을 포함한 적층체(80)를 구성하여, 이 적층체(80)를 가열하면서 가압해 일체적으로 제조된다.
또한, 예를 들면, 전자 장치(100)를, 도 26에 나타내는 바와 같이, 열전 변환 장치(1)를 배관(150) 등의 단면 원형상의 것에 접합시켜 구성해도 된다.
상기 전자 장치(100)에 이용되는 열전 변환 장치(1)는, 예를 들면, 도 4(i)의 일체화 공정 시에, 적층체(80)를 가열하는 한쌍의 프레스판으로서 곡면을 가진 것을 이용하는 것에 의해 제조된다. 또한, 일체화 공정에서는, 상기한 바와 같이 절연 기재(10)를 구성하는 수지의 유동에 의해 제1, 제2 비어 홀(11, 12)에 응력을 인가해 금속 입자 및 금속 입자와 표면 도전층(21), 이면 도전층(31)을 압접하기 때문에, 곡면을 가진 형상으로 해도 안정된 접합을 얻을 수 있다. 또한, 이러한 전자 장치(100)에 있어서도, 열전 변환 장치(1)를 제조할 때, 열전 변환 장치(1)와 피대상물을 접합하도록 해도 된다.
또한, 절연 기재(10), 표면 보호 부재(20), 이면 보호 부재(30)는 수지로 구성되어 있어, 열전 변환 장치(1)는 가요성을 가지고 있다. 이 때문에, 열전 변환 장치(1)를 제조한 후에 피대상물의 형상에 맞춰 구부려도 된다.
나아가, 도 27에 나타내는 바와 같이, 전자 장치(100)를, 열전 변환 장치(1)와, 전자 장치(190)로 구성할 수도 있다. 열전 변환 장치(1)는, 기반(160) 상에 배치되어 있다. 전자 장치(190)는, 통신 장치(180)를 가지고 있다. 통신 장치(180)는, 기판(160)에 배치된 제어 IC칩(170)을 가지고 있다. 열전 변환 장치(1)는, 전력은 발생하여, 그것을 통신 장치(180)에 공급한다. 또한, 도 27에서는, 통신 장치(180)가 노출하고 있는데, 통신 장치(180)는, 열전 변환 장치(1)(절연 기재(10)) 내에 배치되어 있어도 된다.
그리고, 본 발명의 열전 변환 장치(1)나 이 열전 변환 장치(1)를 포함한 전자 장치(100)는, 예를 들면, 옥내와 옥외를 나누는 지붕이나 벽에 구비되고, 옥내와 옥외와의 기온차에 의해 전력을 생성하는 것으로도 이용할 수 있다. 또한, 대기와 지면의 기온차에 의해 전력을 생성하는 것으로도 이용할 수 있다.
10 절연 기재
10a 표면
10b 이면
11 제1 비어 홀
12 제2 비어 홀
20 표면 보호 부재
21 표면 도전층
30 이면 보호 부재
31 이면 도전층
40 제1 층간 접속 부재
41 제1 전도성 페이스트
50 제2 층간 접속 부재
51 제2 전도성 페이스트
60 세트
80 적층체

Claims (19)

  1. 열가소성 수지를 포함해 구성되어 있어, 두께 방향으로 관통하는 복수의 제1, 제2 비어 홀(11, 12)이 형성되고, 상기 제1 비어 홀에 제1 전도성 페이스트(41)가 충전되고 있는 동시에 상기 제2 비어 홀에 제2 전도성 페이스트(51)가 충전되어 있는 절연 기재(10)를 준비하는 공정과,
    상기 절연 기재의 표면(10a)에 소정의 상기 제1, 제2 전도성 페이스트와 접촉하는 표면 도전층(21)을 가진 표면 보호 부재(20)를 배치하는 동시에, 상기 절연 기재의 이면(10b)에 소정의 상기 제1, 제2 전도성 페이스트와 접촉하는 이면 도전층(31)을 가진 이면 보호 부재(30)를 배치하여 적층체(80)를 형성하는 공정과,
    상기 적층체를 가열하면서 적층 방향에서 가압하여, 상기 제1, 제2 전도성 페이스트로부터 제1, 제2 층간 접속 부재(40, 50)가 형성되게 하는 동시에 상기 제1, 제2 층간 접속 부재와 상기 표면 도전층 및 상기 이면 도전층을 전기적으로 접속하는 일체화 공정을 실시하고,
    상기 제1 전도성 페이스트로서, 복수의 금속 원자가 소정의 결정 구조를 유지하고 있는 합금의 분말에 유기 용제를 더해 페이스트화 한 것을 이용하고,
    상기 제2 전도성 페이스트로서, 상기 합금과 이종(異種) 금속의 분말에 유기 용제를 더해 페이스트화 한 것을 이용하고,
    상기 적층체를 구성하는 공정에서는, 상기 적층체의 내부에 공동(空洞)(13 ~ 17)이 형성되고 있고,
    상기 일체화 공정에서는, 상기 공동이 상기 열가소성 수지의 유동을 조장하게 하도록 작용하는 것에 의해 상기 제1 전도성 페이스트에 대해 작용하는 적층 방향과는 상이한 방향으로의 압력을 흡수하는 것으로써, 상기 적층체에 작용하는 적층 방향으로의 인가 압력을 증대시켜, 상기 제1 전도성 페이스트를 고상 소결하여 상기 제1 층간 접속 부재가 형성되게 하는 것을 특징으로 하는 열전 변환 장치의 제조 방법.
  2. 청구항 1의 기재에 있어서,
    상기 적층체를 구성하는 공정 전에, 상기 절연 기재에 관통 구멍(13)을 형성하는 것을 특징으로 하는 열전 변환 장치의 제조 방법.
  3. 청구항 2의 기재에 있어서,
    상기 관통 구멍을 형성하는 공정에서는, 상기 제1, 제2 비어 홀의 각각을 중심으로 하는 동심원상에 있어서 둘레 방향에 등간격으로 복수의 상기 관통 구멍을 형성하는 것을 특징으로 하는 열전 변환 장치의 제조 방법.
  4. 청구항 1의 기재에 있어서,
    상기 적층체를 구성하는 공정 전에, 폐루프(close-loop) 형상의 홈부(14)를 해당 홈부의 폐루프 내에 상기 제1, 제2 비어 홀의 어느 한쪽이 하나씩 위치하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 열전 변환 장치의 제조 방법.
  5. 청구항 1 내지 4의 어느 한 항의 기재에 있어서,
    상기 적층체를 구성하는 공정에서는, 상기 표면 도전층 및 상기 이면 도전층의 적어도 한쪽 중 상기 제1, 제2 전도성 페이스트와 접촉하는 부분과 상이한 부분에 오목부(15)가 형성되어 있는 상기 표면 보호 부재 및 상기 이면 보호 부재를 이용하는 것을 특징으로 하는 열전 변환 장치의 제조 방법.
  6. 청구항 1의 기재에 있어서,
    상기 절연 기재로서, 내부에 공동(16)을 가진 다공질 부재(10d)를 함유하는 것을 이용하는 것을 특징으로 하는 열전 변환 장치의 제조 방법.
  7. 청구항 1의 기재에 있어서,
    상기 절연 기재로서, 내부에 구멍(17)이 형성된 다공질성의 것을 이용하는 것을 특징으로 하는 열전 변환 장치의 제조 방법.
  8. 청구항 1의 기재에 있어서,
    상기 절연 기재를 준비하는 공정에서는,
    상기 절연 기재에 상기 제1 비어 홀을 형성하는 공정과,
    상기 제1 비어 홀에 상기 제1 전도성 페이스트를 충전하는 공정과,
    상기 제1 전도성 페이스트를 충전하는 공정 후에 실시하는 상기 절연 기재에 상기 제2 비어 홀을 형성하는 공정과,
    상기 제2 비어 홀에 상기 제2 전도성 페이스트를 충전하는 공정을 실시하고,
    상기 제2 전도성 페이스트로서, 상기 제1 전도성 페이스트를 구성하는 유기 용제보다 융점이 낮은 유기 용제로 구성되는 것을 이용하고,
    상기 제2 전도성 페이스트를 충전하는 공정에서는, 상기 절연 기재를 상기 제1 전도성 페이스트에 포함되는 유기 용제의 융점보다 낮은 온도로, 상기 제2 전도성 페이스트에 포함되는 유기 용제의 융점보다 높은 온도로 유지하면서 실시하는 것을 특징으로 하는 열전 변환 장치의 제조 방법.
  9. 청구항 1의 기재에 있어서,
    상기 절연 기재를 준비하는 공정에서는,
    상기 절연 기재에 상기 제1, 제2 비어 홀을 동시에 형성하는 공정과,
    상기 절연 기재의 표면 상에, 상기 제1 비어 홀에 대응하는 영역이 개구된 마스크를 배치하는 공정과,
    상기 절연 기재의 표면측으로부터 상기 제1 비어 홀에 상기 제1 전도성 페이스트를 충전하는 공정과,
    상기 마스크를 제거하는 공정과,
    상기 제2 비어 홀에 상기 제2 전도성 페이스트를 충전하는 공정을 실시하고,
    상기 제2 전도성 페이스트로서, 상기 제1 전도성 페이스트를 구성하는 유기 용제보다 융점이 낮은 유기 용제로 구성되는 것을 이용하고,
    상기 제2 전도성 페이스트를 충전하는 공정에서는, 상기 절연 기재를 상기 제1 전도성 페이스트에 포함되는 유기 용제의 융점보다 낮은 온도로, 상기 제2 전도성 페이스트에 포함되는 유기 용제의 융점보다 높은 온도로 유지하면서 실시하는 것을 특징으로 하는 열전 변환 장치의 제조 방법.
  10. 청구항 1의 기재에 있어서,
    상기 절연 기재로서, 열강화성 수지 필름(10e), 열가소성 수지 필름(10c), 열강화성 수지 필름(10e)이 차례대로 적층된 것을 이용하는 것을 특징으로 하는 열전 변환 장치의 제조 방법.
  11. 청구항 1의 기재에 있어서,
    상기 절연 기재를 준비하는 공정에서는, 상기 제1, 제2 비어 홀이 엇갈리게 형성된 것을 준비하고,
    상기 적층체를 구성하는 공정에서는, 인접하는 하나의 상기 제1 비어 홀에 충전된 상기 제1 전도성 페이스트와 하나의 상기 제2 비어 홀에 충전된 상기 제2 전도성 페이스트를 세트(60)로 했을 때, 상기 절연 기재의 표면측에, 상기 제1 전도성 페이스트 및 상기 제2 전도성 페이스트가 상기 세트마다 상기 복수의 표면 도전층에 있어서의 동일한 표면 도전층에 접촉한 상태로 상기 표면 보호 부재를 배치하는 동시에, 상기 절연 기재의 이면측에, 인접하는 세트에 있어서의 한쪽 세트의 상기 제1 전도성 페이스트 및 다른쪽 세트의 상기 제2 전도성 페이스트가 상기 복수의 이면 도전층에 있어서의 동일한 상기 이면 도전층에 접촉하는 상태로 상기 이면 보호 부재를 배치하는 것을 특징으로 하는 열전 변환 장치의 제조 방법.
  12. 청구항 1의 기재에 있어서,
    상기 절연 기재를 준비하는 공정에서는, 상기 제2 비어 홀에 있어서의 상기 절연 기재의 표면과 평행한 평면에 따른 단면적이 상기 제1 비어 홀에 있어서의 상기 절연 기재의 상기 평면에 따른 단면적보다 작은 것을 준비하고,
    상기 제2 전도성 페이스트로서 상기 표면 도전층과 상기 이면 도전층을 접속하기 위한 것을 이용하는 것을 특징으로 하는 열전 변환 장치의 제조 방법.
  13. 청구항 1의 기재에 있어서,
    상기 적층체를 구성하는 공정에서는, 상기 표면 보호 부재 및 상기 이면 보호 부재가 일체화되어 있는 것을 이용하는 것을 특징으로 하는 열전 변환 장치의 제조 방법.
  14. 열가소성 수지를 포함해 구성되어 있어, 두께 방향으로 관통하는 복수의 비어 홀(11, 12)이 형성되고, 상기 비어 홀에 전도성 페이스트(41)가 충전되어 있는 절연 기재(10)를 준비하는 공정과,
    상기 절연 기재의 표면(10a)에 소정의 상기 전도성 페이스트와 접촉하는 표면 도전층(21)을 가진 표면 보호 부재(20)를 배치하는 동시에, 상기 절연 기재의 이면(10b)에 소정의 상기 전도성 페이스트와 접촉하는 이면 도전층(31)을 가진 이면 보호 부재(30)를 배치하여 적층체(80)를 형성하는 공정과,
    상기 적층체를 가열하면서 적층 방향에서 가압하여, 상기 전도성 페이스트로부터 층간 접속 부재(40)가 형성되게 하는 동시에 해당 층간 접속 부재와 상기 표면 도전층 및 상기 이면 도전층을 전기적으로 접속하는 일체화 공정을 실시하고,
    상기 전도성 페이스트로서, 복수의 금속 원자가 소정의 결정 구조를 유지하고 있는 합금의 분말에 유기 용제를 더해 페이스트화 한 것을 준비하고,
    상기 적층체를 구성하는 공정에서는, 상기 적층체의 내부에는 공동(13 ~ 17)이 형성되어 있고,
    상기 일체화 공정에서는, 상기 공동이 상기 열가소성 수지의 유동을 조장하게 하도록 작용하는 것에 의해 상기 전도성 페이스트에 대해 작용하는 적층 방향과는 상이한 방향으로의 압력을 흡수하는 것으로써, 상기 적층체에 작용하는 적층 방향으로의 인가 압력을 증대시켜, 상기 전도성 페이스트를 고상 소결하여 층간 접속 부재가 형성되게 하는 것을 특징으로 하는 열전 변환 장치의 제조 방법.
  15. 청구항 1에 기재된 열전 변환 장치의 제조 방법을 전자 장치의 제조 방법으로서 적용하고,
    상기 적층체를 구성하는 공정에서는, 상기 표면 보호 부재 상에 피대상물(110, 140, 150)을 적층한 적층체를 구성하여,
    상기 일체화 공정에서는, 상기 표면 보호 부재와 상기 피대상물을 직접 접합하는 것을 특징으로 하는 전자 장치의 제조 방법.
  16. 청구항 14에 기재된 열전 변환 장치의 제조 방법을 전자 장치의 제조 방법으로서 적용하고,
    상기 적층체를 구성하는 공정에서는, 상기 표면 보호 부재 상에 피대상물(110, 140, 150)을 적층한 적층체를 구성하여,
    상기 일체화 공정에서는, 상기 표면 보호 부재와 상기 피대상물을 직접 접합하는 것을 특징으로 하는 전자 장치의 제조 방법.
  17. 열가소성 수지를 포함해 구성되어 있어, 두께 방향으로 관통하는 복수의 제1, 제2 비어 홀(11, 12)이 형성되고, 상기 제1 비어 홀에 제1 전도성 페이스트(41)가 충전되어 있는 동시에 상기 제2 비어 홀에 제2 전도성 페이스트(51)가 충전되어 있는 절연 기재(10)를 준비하는 공정과,
    상기 절연 기재의 표면(10a)에, 소정의 상기 제1, 제2 전도성 페이스트와 접촉하는 표면 도전층(21)을 가지고, 열가소성 수지를 포함해 구성된 표면 보호 부재(20)를 배치하는 동시에, 상기 절연 기재의 이면(10b)에, 소정의 상기 제1, 제2 전도성 페이스트와 접촉하는 이면 도전층(31)을 가지고, 열가소성 수지를 포함해 구성된 이면 보호 부재(30)를 배치해 적층체(80)를 형성하는 공정과,
    상기 적층체를 가열하면서 적층 방향에서 가압하여, 상기 제1, 제2 전도성 페이스트로부터 제1, 제2 층간 접속 부재(40, 50)가 형성되게 하는 동시에 상기 제1, 제2 층간 접속 부재와 상기 표면 도전층 및 상기 이면 도전층을 전기적으로 접속하는 일체화 공정을 실시하고,
    상기 제1 전도성 페이스트로서, 복수의 금속 원자가 소정의 결정 구조를 유지하고 있는 합금의 분말에 유기 용제를 더해 페이스트화 한 것을 이용하고,
    상기 제2 전도성 페이스트로서, 상기 합금과 이종 금속의 분말에 유기 용제를 더해 페이스트화 한 것을 이용하고,
    상기 일체화 공정에서는, 상기 절연 기재의 표면과 대향하는 부분 및 상기 절연 기재의 이면과 대향하는 부분의 적어도 한쪽에 구멍부(90a)가 형성된 한쌍의 프레스판(90)을 이용해 상기 적층체를 가압하고, 상기 표면 보호 부재 및 상기 이면 보호 부재를 구성하는 열가소성 수지의 적어도 한쪽을 상기 구멍부에 유동시키는 동시에 상기 절연 기재를 구성하는 열가소성 수지를 유동시키면서, 상기 제1 전도성 페이스트를 고상 소결하여 상기 제1 층간 접속 부재가 형성되게 하는 것을 특징으로 하는 열전 변환 장치의 제조 방법.
  18. 열가소성 수지를 포함해 구성되어 있어, 두께 방향으로 관통하는 복수의 제1, 제2 비어 홀(11, 12)이 형성되고, 상기 제1 비어 홀에 제1 전도성 페이스트(41)가 충전되는 동시에 상기 제 2 비어 홀에 제2 전도성 페이스트(51)가 충전되어 있는 절연 기재(10)를 준비하는 공정과,
    상기 절연 기재의 표면(10a)에 표면 금속판(21a)을 배치하는 동시에, 상기 절연 기재의 이면(10b)에 이면 금속판(31a)을 배치해 적층체(80)를 형성하는 공정과,
    상기 적층체를 가열하면서 적층 방향에서 가압하여, 상기 제1, 제2 전도성 페이스트로부터 제1, 제2 층간 접속 부재(40, 50)가 형성되게 하는 동시에 상기 제1, 제2 층간 접속 부재와 상기 표면 금속판 및 상기 이면 금속판을 전기적으로 접속하는 일체화 공정과,
    상기 표면 금속판 및 상기 이면 금속판을 다이싱하여, 소정의 상기 제1, 제2 층간 접속 부재와 전기적으로 접속되는 복수의 표면 도전층(21) 및 이면 도전층(31)을 형성하는 공정을 실시하고,
    상기 제1 전도성 페이스트로서, 복수의 금속 원자가 소정의 결정 구조를 유지하고 있는 합금의 분말에 유기 용제를 더해 페이스트화 한 것을 이용하고,
    상기 제2 전도성 페이스트로서, 상기 합금과 이종 금속의 분말에 유기 용제를 더해 페이스트화 한 것을 이용하고,
    상기 적층체를 구성하는 공정에서는, 상기 적층체의 내부에 공동(13 ~ 17)이 형성되어 있고,
    상기 일체화 공정에서는, 상기 공동이 상기 열가소성 수지의 유동을 조장하게 하도록 작용하는 것에 의해 상기 제1 전도성 페이스트에 대해 작용하는 적층 방향과는 상이한 방향으로의 압력을 흡수하는 것으로써, 상기 적층체에 작용하는 적층 방향으로의 인가 압력을 증대시켜, 상기 제1 전도성 페이스트를 고상 소결하여 제1 층간 접속 부재가 형성되게 하는 것을 특징으로 하는 열전 변환 장치의 제조 방법.
  19. 복수의 표면 도전층(21)을 가진 표면 보호 부재(20)와,
    복수의 이면 도전층(31)을 가진 이면 보호 부재(30)와,
    두께 방향으로 관통하는 복수의 제1, 제2 비어 홀(11, 12)을 가지고, 열가소성 수지를 포함해 구성된 절연 기재(10)와,
    상기 제1 비어 홀(11)에 충전되어, 복수의 금속 원자가 소정의 결정 구조를 유지하고 있는 합금으로 형성된 제1 층간 접속 부재(40)와,
    상기 제2 비어 홀(12)에 충전되어, 상기 합금에 대해 이종 금속으로 형성된 제2 층간 접속 부재(50)를 구비하고,
    하나의 상기 제1 비어 홀에 충전된 상기 제1 층간 접속 부재와 이에 인접하는 하나의 상기 제2 비어 홀에 충전된 상기 제2 층간 접속 부재를 세트(60)로 했을 때,
    상기 제1 층간 접속 부재(40) 및 상기 제2 층간 접속 부재(50)가 상기 세트마다 상기 복수의 표면 도전층 중에서 동일한 표면 도전층(21)에 접촉하는 상태하에서, 상기 절연 기재(10)의 표면 측에 상기 표면 보호 부재(20)가 배치되어 있는 동시에,
    인접하는 세트에 있어서의 한쪽 세트의 제1 전도성 페이스트 및 다른쪽 세트의 제2 전도성 페이스트가 상기 복수의 이면 도전층 중에서 동일한 상기 이면 도전층(31)에 접촉하는 상태하에서, 상기 절연 기재(10)의 이면 측에 상기 이면 보호 부재(30)가 배치되어 있고,
    상기 제1 층간 접속 부재 및 상기 제2 층간 접속 부재의 주위는, 상기 절연 기재로 둘러싸여 있고,
    상기 제1 층간 접속 부재 및 상기 제2 층간 접속 부재는 고상 소결된 합금이고,
    상기 표면 보호 부재에 있어서의 상기 절연 기재와 대향하는 일면(20a)과 반대측의 타면과, 상기 이면 보호 부재에 있어서의 상기 절연 기재와 대향하는 일면(30a)과 반대측의 타면과의 사이의 거리에 있어서,
    상기 제1 층간 접속 부재 또는 상기 제2 층간 접속 부재를 끼운 부분은, 상기 제1 층간 접속 부재 또는 상기 제2 층간 접속 부재를 끼운 부분과 다른 부분보다 길게 되어 있고,
    나아가, 상기 표면 보호 부재에 있어서의 상기 타면과 상기 이면 보호 부재에 있어서의 상기 타면과의 사이의 중간 위치에 있어서, 상기 제1 층간 접속 부재내 또는 상기 제2 층간 접속 부재 내에 있어서의 상기 중간 위치를 제1 중간 위치로 하고, 상기 절연 기재 내에 있어서의 상기 중간 위치를 제2 중간 위치로 하면,
    상기 제1 중간 위치로부터 상기 표면 보호 부재의 타면까지의 거리는, 상기 제2 중간 위치로부터 상기 표면 보호 부재의 타면까지의 거리보다 길게 되고,
    또한 같은 상기 제1 중간 위치로부터 상기 이면 보호 부재의 타면까지의 거리는, 같은 상기 제2 중간 위치로부터 상기 이면 보호 부재의 타면까지의 거리보다 길게 되어 있는 것을 특징으로 하는 열전 변환 장치.
KR1020147032552A 2012-05-30 2013-04-26 열전 변환 장치의 제조 방법, 열전 변환 장치를 구비한 전자 장치의 제조 방법, 열전 변환 장치 KR101716559B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2012-122824 2012-05-30
JP2012122824 2012-05-30
JPJP-P-2013-011513 2013-01-24
JP2013011513A JP2014007376A (ja) 2012-05-30 2013-01-24 熱電変換装置
PCT/JP2013/062460 WO2013179840A1 (ja) 2012-05-30 2013-04-26 熱電変換装置の製造方法、熱電変換装置を備える電子装置の製造方法、熱電変換装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150002865A KR20150002865A (ko) 2015-01-07
KR101716559B1 true KR101716559B1 (ko) 2017-03-14

Family

ID=49673044

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147032552A KR101716559B1 (ko) 2012-05-30 2013-04-26 열전 변환 장치의 제조 방법, 열전 변환 장치를 구비한 전자 장치의 제조 방법, 열전 변환 장치

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9680079B2 (ko)
EP (1) EP2858134B1 (ko)
JP (1) JP2014007376A (ko)
KR (1) KR101716559B1 (ko)
CN (2) CN104335374B (ko)
WO (1) WO2013179840A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023287168A1 (ko) * 2021-07-12 2023-01-19 엘지이노텍 주식회사 열전장치

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010029526B4 (de) * 2010-05-31 2012-05-24 GLOBALFOUNDRIES Dresden Module One Ltd. Liability Company & Co. KG Halbleiterbauelement mit einer gestapelten Chipkonfiguration mit einem integrierten Peltier-Element
JP5831468B2 (ja) * 2013-01-24 2015-12-09 株式会社デンソー 熱電変換装置の製造方法
JP5942960B2 (ja) 2013-06-04 2016-06-29 株式会社デンソー 発熱量制御装置
JP6070506B2 (ja) 2013-06-04 2017-02-01 株式会社デンソー 生体検知器、車両用着座検知器およびシートベルト非着用警告システム
JP5999066B2 (ja) * 2013-06-04 2016-09-28 株式会社デンソー 振動検出器
DE102013219541B4 (de) * 2013-09-27 2019-05-09 Evonik Degussa Gmbh Verbessertes Verfahren zur pulvermetallurgischen Herstellung thermoelektrischer Bauelemente
JP6032175B2 (ja) 2013-10-25 2016-11-24 株式会社デンソー 熱電変換装置の製造方法
JP6011514B2 (ja) 2013-10-30 2016-10-19 株式会社デンソー 液面高さ検出計
JP6171853B2 (ja) 2013-10-30 2017-08-02 株式会社デンソー 非接触給電制御システム
JP6369379B2 (ja) 2014-06-03 2018-08-08 株式会社デンソー 質量流量計および速度計
JP6394491B2 (ja) * 2014-06-03 2018-09-26 株式会社デンソー 熱電変換素子シートの製造方法、熱電変換装置の製造方法
JP6485206B2 (ja) 2014-06-03 2019-03-20 株式会社デンソー 熱流分布測定装置
JP6183327B2 (ja) * 2014-09-30 2017-08-23 株式会社デンソー 熱電変換装置
JP6303973B2 (ja) * 2014-10-20 2018-04-04 株式会社デンソー 状態検出センサ
KR102276513B1 (ko) * 2014-11-10 2021-07-14 삼성전기주식회사 열전 모듈을 갖는 기판, 반도체 패키지 및 이들의 제조방법
JP2016184612A (ja) * 2015-03-25 2016-10-20 富士通株式会社 半導体装置の実装方法
JP6269612B2 (ja) 2015-08-05 2018-01-31 株式会社デンソー 放射熱センサ
JP6406298B2 (ja) 2015-10-05 2018-10-17 株式会社デンソー 監視装置および異常診断装置
JP6249009B2 (ja) * 2015-11-12 2017-12-20 株式会社デンソー 異常診断装置
JP6256454B2 (ja) * 2015-11-30 2018-01-10 株式会社デンソー ヒータプレート、このヒータプレートを用いる熱流束センサの製造装置、このヒータプレートの製造方法、及び、このヒータプレートの製造装置
ES2704132T3 (es) * 2016-01-21 2019-03-14 Evonik Degussa Gmbh Procedimiento racional para la producción pulvimetalúrgica de componentes termoeléctricos
JP6500825B2 (ja) 2016-04-08 2019-04-17 株式会社デンソー 監視装置
JP6269715B2 (ja) 2016-04-08 2018-01-31 株式会社デンソー 監視装置
CN105870314B (zh) * 2016-04-26 2018-08-07 桂林电子科技大学 一种柔性硅基纳米薄膜热电器件
WO2017208950A1 (ja) 2016-05-31 2017-12-07 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 熱電変換基板、熱電変換モジュール、熱電変換基板の製造方法
JP2019525455A (ja) * 2016-06-23 2019-09-05 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー フレキシブル熱電モジュール
WO2017222853A1 (en) * 2016-06-23 2017-12-28 3M Innovative Properties Company Thermoelectric tape
KR102047736B1 (ko) * 2016-06-23 2019-11-25 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 가요성 열전 모듈
JP6256536B2 (ja) * 2016-07-04 2018-01-10 株式会社デンソー 熱流束センサモジュールおよびその製造方法
JP6249126B1 (ja) 2016-07-12 2017-12-20 株式会社デンソー 熱流束センサおよびその製造方法
JP6304338B1 (ja) 2016-10-07 2018-04-04 株式会社デンソー 熱電変換装置の製造方法
KR20180068698A (ko) * 2016-12-14 2018-06-22 현대자동차주식회사 열전 모듈 및 그 제조 방법
JP6614169B2 (ja) * 2017-01-25 2019-12-04 株式会社Ｓｏｋｅｎ 生理的熱量の計測器
WO2019017170A1 (ja) * 2017-07-18 2019-01-24 国立研究開発法人物質・材料研究機構 熱電材料、それを用いた熱電変換モジュール、その製造方法、およびペルチェ素子
JP6958233B2 (ja) * 2017-10-26 2021-11-02 株式会社デンソー 熱電変換装置およびその製造方法
JP2020035818A (ja) * 2018-08-28 2020-03-05 リンテック株式会社 熱電変換素子及びその製造方法
JP7261461B2 (ja) * 2019-03-12 2023-04-20 株式会社Ｇｃｅインスティチュート 発電機能付半導体集積回路装置
WO2024143145A1 (ja) * 2022-12-28 2024-07-04 ＴｏｐｏＬｏｇｉｃ株式会社 測定システム

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005217353A (ja) 2004-02-02 2005-08-11 Yokohama Teikoki Kk 熱電半導体素子、熱電変換モジュールおよびその製造方法
JP2010157645A (ja) 2008-12-29 2010-07-15 National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology 熱電発電ユニット

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01179376A (ja) 1988-01-05 1989-07-17 Agency Of Ind Science & Technol 熱電モジュールおよびその製造方法
US4902648A (en) 1988-01-05 1990-02-20 Agency Of Industrial Science And Technology Process for producing a thermoelectric module
JPH08153899A (ja) 1994-11-30 1996-06-11 Mitsubishi Materials Corp 熱電変換用サーモモジュール及びその製造方法
JPH11257789A (ja) 1998-03-10 1999-09-24 Hitachi Ltd 熱電冷却装置及びそれを用いた構造物
TW405273B (en) * 1998-04-23 2000-09-11 Toyo Kohan Co Ltd Manufacturing method of sintered material for thermo-electric converter elements, sintered materials for thermo-electric converter elements, and a thermoelectric converter element made by using the same
US6127619A (en) * 1998-06-08 2000-10-03 Ormet Corporation Process for producing high performance thermoelectric modules
JP2000068564A (ja) * 1998-08-18 2000-03-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd ペルチェ素子
US6347521B1 (en) * 1999-10-13 2002-02-19 Komatsu Ltd Temperature control device and method for manufacturing the same
JP3885638B2 (ja) 2001-07-04 2007-02-21 株式会社デンソー プレス工法およびプレス用部材の作製方法
JP4457795B2 (ja) * 2004-07-22 2010-04-28 ヤマハ株式会社 熱電モジュールの製造方法
JPWO2006019059A1 (ja) * 2004-08-17 2008-05-08 古河電気工業株式会社 熱電冷却装置
JP4686171B2 (ja) * 2004-10-29 2011-05-18 株式会社東芝 熱−電気直接変換装置
JP2007036178A (ja) * 2005-06-24 2007-02-08 Denso Corp 熱電変換装置および冷暖装置
JP4882385B2 (ja) * 2006-01-19 2012-02-22 ヤマハ株式会社 熱電素子及び熱電モジュールの製造方法
JP4912964B2 (ja) * 2007-06-07 2012-04-11 住友化学株式会社 熱電変換モジュール
JP2009117792A (ja) 2007-10-19 2009-05-28 Ube Ind Ltd 熱電変換モジュール及びその製造方法
JP2009170438A (ja) * 2007-10-23 2009-07-30 Ibiden Co Ltd 熱電変換装置の製造方法
FR2925225B1 (fr) * 2007-12-17 2010-06-11 Commissariat Energie Atomique Dispositif generateur d'energie comprenant un convertisseur photovoltaique et un convertisseur thermoelectrique, ce dernier etant inclus au sein du substrat support du convertisseur photovoltaique
JP2010050356A (ja) 2008-08-22 2010-03-04 Shin-Etsu Chemical Co Ltd ヘテロ接合太陽電池の製造方法及びヘテロ接合太陽電池
US20100095995A1 (en) * 2008-10-17 2010-04-22 Ishikawa Prefectural Government Thermoelectric conversion elements, thermoelectric conversion modules and a production method of the thermoelectric conversion modules
CN101807662B (zh) * 2009-02-18 2012-09-05 财团法人工业技术研究院 热电元件及其制作方法、芯片堆叠结构及芯片封装结构
JP5423487B2 (ja) 2010-03-08 2014-02-19 株式会社デンソー 貫通ビアへの導電材料充填装置およびその使用方法
CN102214784B (zh) * 2010-04-02 2014-09-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 热电装置及其形成方法
JP6064861B2 (ja) * 2013-03-05 2017-01-25 株式会社デンソー 熱電変換装置の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005217353A (ja) 2004-02-02 2005-08-11 Yokohama Teikoki Kk 熱電半導体素子、熱電変換モジュールおよびその製造方法
JP2010157645A (ja) 2008-12-29 2010-07-15 National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology 熱電発電ユニット

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023287168A1 (ko) * 2021-07-12 2023-01-19 엘지이노텍 주식회사 열전장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20170213953A1 (en) 2017-07-27
EP2858134A4 (en) 2016-04-20
CN106876570A (zh) 2017-06-20
US20150144171A1 (en) 2015-05-28
US9871181B2 (en) 2018-01-16
CN104335374B (zh) 2017-05-24
CN104335374A (zh) 2015-02-04
KR20150002865A (ko) 2015-01-07
JP2014007376A (ja) 2014-01-16
EP2858134A8 (en) 2015-05-27
EP2858134A1 (en) 2015-04-08
US9680079B2 (en) 2017-06-13
WO2013179840A1 (ja) 2013-12-05
EP2858134B1 (en) 2017-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101716559B1 (ko) 열전 변환 장치의 제조 방법, 열전 변환 장치를 구비한 전자 장치의 제조 방법, 열전 변환 장치
JP6583461B2 (ja) 熱電変換装置の製造方法
KR101887975B1 (ko) 열전 변환 장치 및 그 제조 방법
KR101743437B1 (ko) 열전 변환 장치의 제조 방법
KR101888113B1 (ko) 열전 변환 장치의 제조 방법
TWI559582B (zh) Method for manufacturing thermoelectric conversion device, manufacturing method of electronic device with thermoelectric conversion device
KR101914216B1 (ko) 열전 변환 장치의 제조 방법
KR101593498B1 (ko) 소결층을 포함하는 열전모듈 및 그 제조 방법
JP6988630B2 (ja) 熱流束センサの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant