JP7261461B2 - 発電機能付半導体集積回路装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 116
- 238000010248 power generation Methods 0.000 title claims description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 61
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 31
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 claims description 8
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 42
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 description 25
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 20
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 18
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 17
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 12
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 11
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 244000099147 Ananas comosus Species 0.000 description 7
- 235000007119 Ananas comosus Nutrition 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 241001125929 Trisopterus luscus Species 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002102 nanobead Substances 0.000 description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 4
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 4
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910025794 LaB6 Inorganic materials 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N tetradecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N dodecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCS WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003306 harvesting Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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Description
<発電機能付半導体集積回路装置>
図1(a)は、第1実施形態に係る発電機能付半導体集積回路装置の一例を示す模式断面図である。図1(b)は、第1実施形態に係る発電機能付半導体集積回路装置の一例を分解して示した模式分解断面図である。図2(a)及び図2(b)は、第1実施形態に係る発電機能付半導体集積回路装置を用いた電子機器の一例を示す模式断面図である。
パッケージ210は、例えば、絶縁性樹脂製であり、内部には半導体集積回路チップ230が収容されている。なお、パッケージ210は、絶縁性樹脂製に限られることはない。また、半導体集積回路チップ230は、回路基板260と対向される下面、及び下面と対向した上面を有する。半導体集積回路チップ230の下面側には、外部端子220が複数設けられている。外部端子220は、半導体集積回路チップ230と回路基板260に設けられた電気的配線270とを電気的に接続する。
熱電素子1は、パッケージ210と電気的に絶縁され、パッケージ210と熱的に接続されている。熱電素子1は、半導体集積回路チップ230と、回路基板260との間に、1つ以上設けられる。
白金(Pt)
タングステン(W)
アルミニウム(Al)
チタン(Ti)
ニオブ(Nb)
モリブデン(Mo)
タンタル(Ta)
レニウム(Re)
熱電素子1では、第1電極部11と第2電極部12との間に仕事関数差が生じればよい。したがって、第1電極部11及び12の材料には、上記以外の金属を選ぶことが可能である。また、第1、第2電極部11及び12の材料には、上記金属の他、合金、金属間化合物、及び金属化合物を選ぶことも可能である。金属化合物は、金属元素と非金属元素とが化合したものである。金属化合物の例としては、例えば六ホウ化ランタン(LaB6)を挙げることができる。
熱エネルギーが熱電素子1に与えられると、例えば、第2電極部(カソードK)12から中間部14に向けて電子eが放出される。放出された電子eは、中間部14から第1電極部(アノードA)11へと移動する。電流は、第1電極部11から第2電極部12に向かって流れる。このようにして、熱エネルギーが電気エネルギーに変換される。
(1) 熱電素子1の筐体部10は、半導体集積回路チップ230の下面と、回路基板260との間に設ける。これにより、熱電素子1を搭載するエリアを、回路基板260に新たに確保せずに済み、回路基板260のサイズの増大を抑制できる。
次に、第1実施形態の第1変形例を説明する。第1変形例は、熱電素子の変形に関する。
・筐体部10が、第1基板10aと、蓋体10cと、を含むこと
・第1電極部11、第2電極部12、第1接続配線15a、及び第2接続配線16aのそれぞれが、第1主面10af上に設けられていること
以下、熱電素子1bについて、より詳細に説明する。
図8に示すように、スリット17a及び17bは、熱電素子1bに微小なすきま17cを生じさせる。このため、ギャップ部140に注入された溶媒142が、微小なすきまから漏れる可能性がある。そこで、図6(c)に示すように、第1基板10aと蓋体10cとの間に封止部材31a及び31bを設け、スリット17a及び17bを、それぞれ、封止部材31a及び31bで塞いでもよい。これにより、スリット17a及び17bを介した、溶媒142の漏れを抑制することができる。
第2実施形態は、第1実施形態に係る半導体集積回路装置200に使用可能な電源回路300の例に関する。
図12は、第2実施形態の第1変形例に係る発電機能付半導体集積回路装置200の一例を示す模式回路図である。
10 :筐体部
10a :第1基板
10af :第1主面
10ab :第2主面
10b :第2基板
10c :蓋体
10d :収容部
11 :第1電極部
11a :第1電気的接点
12 :第2電極部
12a :第2電気的接点
13a :第1支持部
13aa :基板接合面
13b :第2支持部
13ba :基板接合面
13c :第3支持部
13ca :基板接合面
14 :中間部
15a :第1接続配線
16a :第2接続配線
17a :スリット
17b :スリット
18a :第1接合金属
18b :第2接合金属
30 :接着部材
31 :封止部材
71a :第1充填孔
71b :第2充填孔
101 :第1外部筐体端子
102 :第2外部筐体端子
140 :ギャップ部
141 :ナノ粒子
141a :絶縁膜
142 :溶媒
200 :発電機能付半導体集積回路装置
210 :パッケージ
220 :外部端子
230 :半導体集積回路チップ
260 :回路基板
265 :凹部
270 :電気的配線
280 :ヒートシンク
300 :電源回路
310 :商用電源
320 :回路基板
330 :電子部品
331a :第1外部端子
331b :第2外部端子
331c :第3外部端子
331d :第4外部端子
331e :第5外部端子
331f :第6外部端子
332 :コンバータ
333 :電流制限回路
334 :第1スイッチ
335 :低電位側配線
336 :コンデンサ
337 :抵抗
338 :第2スイッチ
350 :昇圧回路
351 :ダイオード
352 :コイル
353 :第3スイッチ
G :電極間ギャップ
Gel1 :ギャップ
Gel2 :ギャップ
Gx :電極間ギャップ
Gy :電極間ギャップ
Pin :外部入力電力
Pina :補助入力電力
Pout :LSI入力電力
Z :第1方向
X :第2方向
Y :第3方向
Claims (5)
- 半導体集積回路装置と、前記半導体集積回路装置から放出された熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電素子と、を有する発電機能付半導体集積回路装置であって、
前記半導体集積回路装置は、半導体集積回路チップを収容するパッケージを含み、
前記半導体集積回路チップは、回路基板と対向される下面、及び前記下面と対向した上面を有し、
前記熱電素子は、
収容部を有する筐体部と、
前記収容部内に設けられた第1電極部と、
前記収容部内に設けられ、前記第1電極部と第1方向に離間して対向し、前記第1電極部とは異なった仕事関数を有する第2電極部と、
前記収容部内の、前記第1電極部と前記第2電極部との間に設けられ、前記第1電極部の仕事関数と前記第2電極部の仕事関数との間の仕事関数を有するナノ粒子を含む中間部と、
を含み、
前記筐体部は、前記半導体集積回路チップの前記下面と、前記回路基板との間に設けられていること
を特徴とする発電機能付半導体集積回路装置。 - 前記熱電素子は、
前記第1電極部と電気的に接続され、前記第1電極部を前記収容部の外に導出する第1接続配線と、
前記第2電極部と電気的に接続され、前記第2電極部を前記収容部の外に導出する第2接続配線と、
を、さらに含み、
前記第1電極部と前記第1接続配線との第1電気的接点、並びに前記第2電極部と前記第2接続配線との第2電気的接点のそれぞれは、前記収容部内に設けられていること
を特徴とする請求項1記載の発電機能付半導体集積回路装置。 - 前記筐体部は、第1主面と、前記第1主面と対向し、前記半導体集積回路チップの前記下面と向き合う第2主面と、を有する第1基板を含み、
前記熱電素子は、
前記第1接続配線と電気的に接続された第1外部端子と、
前記第2接続配線と電気的に接続された第2外部端子と、
を、さらに含み、
前記第1外部端子及び前記第2外部端子のそれぞれは、前記第1基板の前記第1主面上に設けられていること
を特徴とする請求項2記載の発電機能付半導体集積回路装置。 - 前記熱電素子は、平行平板型熱電素子、及び櫛歯型熱電素子の少なくとも1つを含むこと
を特徴とする請求項1~3のいずれか1項記載の発電機能付半導体集積回路装置。 - 外部から供給される外部入力電力、及び前記熱電素子から供給される補助入力電力のそれぞれの入力が可能な、前記外部入力電力及び前記補助入力電力のそれぞれを半導体集積回路装置入力電力に変換し、前記半導体集積回路装置入力電力を前記半導体集積回路装置へ出力する電源回路
を、さらに備えること
を特徴とする請求項1~4のいずれか1項記載の発電機能付半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019044972A JP7261461B2 (ja) | 2019-03-12 | 2019-03-12 | 発電機能付半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019044972A JP7261461B2 (ja) | 2019-03-12 | 2019-03-12 | 発電機能付半導体集積回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020150078A JP2020150078A (ja) | 2020-09-17 |
JP7261461B2 true JP7261461B2 (ja) | 2023-04-20 |
Family
ID=72429881
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019044972A Active JP7261461B2 (ja) | 2019-03-12 | 2019-03-12 | 発電機能付半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7261461B2 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007299922A (ja) | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Sharp Corp | 半導体装置 |
JP2008198928A (ja) | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Sony Corp | 冷却構造及びこの構造を内蔵した電子機器 |
JP2014007376A (ja) | 2012-05-30 | 2014-01-16 | Denso Corp | 熱電変換装置 |
US20150229013A1 (en) | 2014-02-13 | 2015-08-13 | Joseph G. Birmingham | Nanofluid contact potential difference battery |
JP6411613B1 (ja) | 2017-10-31 | 2018-10-24 | 株式会社Gceインスティチュート | 熱電素子、発電装置、及び熱電素子の製造方法 |
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2019
- 2019-03-12 JP JP2019044972A patent/JP7261461B2/ja active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007299922A (ja) | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Sharp Corp | 半導体装置 |
JP2008198928A (ja) | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Sony Corp | 冷却構造及びこの構造を内蔵した電子機器 |
JP2014007376A (ja) | 2012-05-30 | 2014-01-16 | Denso Corp | 熱電変換装置 |
US20150229013A1 (en) | 2014-02-13 | 2015-08-13 | Joseph G. Birmingham | Nanofluid contact potential difference battery |
JP6411613B1 (ja) | 2017-10-31 | 2018-10-24 | 株式会社Gceインスティチュート | 熱電素子、発電装置、及び熱電素子の製造方法 |
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JP2020150078A (ja) | 2020-09-17 |
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