WO2013084479A1 - 無線モジュール - Google Patents

無線モジュール Download PDF

Info

Publication number
WO2013084479A1
WO2013084479A1 PCT/JP2012/007774 JP2012007774W WO2013084479A1 WO 2013084479 A1 WO2013084479 A1 WO 2013084479A1 JP 2012007774 W JP2012007774 W JP 2012007774W WO 2013084479 A1 WO2013084479 A1 WO 2013084479A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
wireless module
antenna
wiring pad
wiring
Prior art date
Application number
PCT/JP2012/007774
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
藤田　卓
亮佑 塩崎
Original Assignee
パナソニック株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by パナソニック株式会社 filed Critical パナソニック株式会社
Priority to US14/130,658 priority Critical patent/US9245859B2/en
Priority to JP2013548086A priority patent/JP6146313B2/ja
Priority to CN201280034099.6A priority patent/CN103650132B/zh
Publication of WO2013084479A1 publication Critical patent/WO2013084479A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49833—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers the chip support structure consisting of a plurality of insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49838—Geometry or layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/02—Coupling devices of the waveguide type with invariable factor of coupling
    • H01P5/022—Transitions between lines of the same kind and shape, but with different dimensions
    • H01P5/028—Transitions between lines of the same kind and shape, but with different dimensions between strip lines
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/36—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith
    • H01Q1/38—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith formed by a conductive layer on an insulating support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q21/00—Antenna arrays or systems
    • H01Q21/06—Arrays of individually energised antenna units similarly polarised and spaced apart
    • H01Q21/061—Two dimensional planar arrays
    • H01Q21/065—Patch antenna array
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q9/00—Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
    • H01Q9/04—Resonant antennas
    • H01Q9/0407—Substantially flat resonant element parallel to ground plane, e.g. patch antenna
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q9/00—Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
    • H01Q9/04—Resonant antennas
    • H01Q9/0407—Substantially flat resonant element parallel to ground plane, e.g. patch antenna
    • H01Q9/0414—Substantially flat resonant element parallel to ground plane, e.g. patch antenna in a stacked or folded configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q9/00—Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
    • H01Q9/04—Resonant antennas
    • H01Q9/0407—Substantially flat resonant element parallel to ground plane, e.g. patch antenna
    • H01Q9/045—Substantially flat resonant element parallel to ground plane, e.g. patch antenna with particular feeding means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
    • H01L2223/6677—High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H01L2924/141—Analog devices
    • H01L2924/1423—Monolithic Microwave Integrated Circuit [MMIC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H01L2924/15192—Resurf arrangement of the internal vias
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1532—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
    • H01L2924/15321—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • H01L2924/1617—Cavity coating
    • H01L2924/16171—Material
    • H01L2924/16172—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19042—Component type being an inductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19106—Disposition of discrete passive components in a mirrored arrangement on two different side of a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Definitions

  • This disclosure relates to a wireless module that is used for wireless communication and has electronic components mounted on a substrate.
  • a substrate mounted with an active element for example, an IC (Integrated Circuit)
  • a substrate mounted with a passive element for example, a resistor, an inductor, a capacitor
  • Patent Document 1 discloses a semiconductor device as a wireless module using a substrate on which an antenna as a passive element is mounted and a substrate on which a semiconductor element as an active element is mounted (see FIG. 3). ).
  • FIG. 3 is a longitudinal sectional view of a conventional semiconductor device.
  • an antenna 44 is mounted on one side of a silicon substrate 38
  • a semiconductor element 40 as an active element is mounted on the other side of the silicon substrate 38
  • the antenna 44 and the semiconductor element 40 are connected to the silicon substrate. They are electrically connected through a through via 46 that penetrates through 38.
  • Passive elements 32 and 34 are mounted on one surface side of the wiring substrate 30 formed separately from the silicon substrate 38, and the wiring substrate 30 and the silicon substrate 38 are connected to one surface side of the wiring substrate 30 and the silicon substrate 38. It is configured to be electrically connected via a connecting member 54 disposed between the surface side.
  • a configuration in which a first substrate on which an active element and a passive element are mounted and a second substrate on which an antenna is mounted are arranged to face each other and the two substrates are electrically connected by a connecting member.
  • a semiconductor element for example, an IC
  • a chip capacitor as a passive element
  • a chip resistor are mounted on a first substrate
  • a connecting member such as a ball is mounted.
  • the mounting surfaces (mounting surfaces) of the first substrate and the second substrate are opposed to each other, the solder of the connecting member is melted and electrically connected to the first substrate, and then a mold resin as a sealing material is mounted on the substrate. Fill the embedded layer with the parts between them and seal with resin. Thereby, a wireless module having a structure in which a plurality of substrates are stacked is completed.
  • the present disclosure has been made in view of the above-described conventional circumstances, and an object thereof is to provide a wireless module that suppresses signal loss due to impedance discontinuity and radiation when a wireless module used in a high frequency band is manufactured. .
  • the present disclosure is a wireless module, which includes at least two layers of substrates, a first substrate on which electronic components of a wireless circuit are mounted on one substrate, and a ground layer is formed on the other substrate, and the first substrate And a second substrate disposed in a stacked manner with respect to the first substrate and the second substrate as an interval at which the electronic component can be mounted.
  • the first substrate and the second substrate are electrically connected to each other.
  • connection member that is electrically connected, the first substrate and the connection member are electrically connected to each other, and provided on a bonding surface between the first wiring pad having a predetermined diameter and the one substrate and the other substrate And a second wiring pad having a diameter smaller than the predetermined diameter of the first wiring pad, and the signal path of the connecting member is in accordance with the distance between the second wiring pad and the ground layer. And has a predetermined impedance.
  • the wireless module can be easily picked up from the antenna mounting surface side.
  • the top view which shows the 3rd example of the positional relationship of the antenna part and waveguide part of the radio
  • the figure which shows an example of the shape of the wiring pad and ground pattern which connect to a penetration via
  • the figure which shows an example of the shape of the wiring pad and ground pattern which connect to a penetration via Vertical section of another wireless module Vertical section of a conventional semiconductor device
  • the problem is that, when a radio module having a high frequency (for example, a millimeter wave band) is manufactured using a radio module having a conventional configuration, impedance mismatch due to the high frequency occurs.
  • a radio module having a high frequency for example, a millimeter wave band
  • the diameter (diameter) of a connection member such as a Cu core ball and wiring pads provided on the first substrate and the second substrate on which the connection member is mounted is the wavelength of a signal in wireless communication. Will be larger.
  • impedance mismatch occurs, impedance discontinuity occurs between the input side and the output side, and signal loss increases due to signal reflection or signal radiation.
  • the dielectric thickness between the substrate on which the signal line layer is mounted (mounted) and the substrate on which the ground (GND) layer is mounted is 50 [ ⁇ m]
  • the dielectric constant of the dielectric is 3 to 4
  • the wiring width (signal line width) of 50 [ ⁇ ] impedance generally used as the input / output impedance in the signal path of the high-frequency signal is generally smaller than 50 [ ⁇ m] or 50 [ ⁇ m].
  • the height of an electronic component (for example, a semiconductor element) mounted on a buried layer between the substrates is set to 200 [ ⁇ m], for example. .
  • the diameter (diameter) of the Cu core ball is approximately 250 [ ⁇ m]
  • the wiring pad mounted on the substrate for electrically connecting the Cu core ball and the substrate has a diameter of 250 [ ⁇ m] or more. .
  • the diameter of the wiring pad is at least five times the wiring width (50 [ ⁇ m]) for realizing the above-mentioned 50 [ ⁇ ] impedance. That is, the real component of impedance becomes small, the imaginary component of impedance has a large capacitance component, the impedance between the wirings of the signal path becomes discontinuous, and signal loss occurs due to signal reflection or signal radiation. Become.
  • the wireless module of the present embodiment is used at a high frequency of a millimeter wave band of 60 [GHz], for example, and has a configuration in which an antenna as a passive element and a semiconductor element as an active element are mounted.
  • FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a wireless module 1 according to the first embodiment.
  • the wireless module 1 includes a first substrate 2 that is a main substrate and a second substrate 3 that is a sub-substrate. Note that either the first substrate 2 or the second substrate 3 may be a main substrate or a sub substrate. However, for the sake of simplicity, the first substrate 2 is a main substrate, and the second substrate 3 is a sub substrate. To do.
  • the first substrate 2 is formed using, for example, a dielectric insulating material having a dielectric constant of about 3 to 4, and has a multilayer structure of at least two layers in which the first layer substrate 2a and the second layer substrate 2b are joined. Have. In FIG. 1, the two first layer substrates 2a and the second layer substrate 2b are joined to form the first substrate 2.
  • the multilayer structure constituting the first substrate 2 is not limited to two layers.
  • the first layer substrate 2a is electrically connected to one side of a wiring pad 4a for electrically connecting a connecting member 8 described later and a semiconductor element 7 as an electronic component (mounting component) of a wireless circuit. Wiring patterns 15 and 16 are formed.
  • the first layer substrate 2a is mounted on one side with a spherical Cu core ball as the connection member 8 solder-plated on the wiring pad 4a.
  • the semiconductor element 7 is mounted on one surface side of the first layer substrate 2a via the wiring patterns 15 and 16.
  • passive elements such as a chip capacitor and a chip resistor may be mounted on one surface side of the first layer substrate 2 a in addition to the semiconductor element 7.
  • first layer substrate 2a can be electrically connected to the wiring pattern 15 via the through via 5c and the wiring pad 6a that can be electrically connected to the wiring pad 4a via the through via 5a on the other surface side.
  • Wiring pads 6c and wiring patterns 13 that electrically connect the wiring pads 6a and 6c are formed.
  • the other surface side of the second layer substrate 2b is joined to the other surface side of the first layer substrate 2a, and a planar ground pattern GND1 made of, for example, copper foil is formed on one surface side.
  • the second substrate 3 is formed using, for example, a dielectric insulating material having a dielectric constant of about 3 to 4, and has a single layer structure. Note that the second substrate 3 may have a multilayer structure as in the first substrate 2. On the one surface side of the second substrate 3, wiring pads 4b for electrically connecting the connection members 8 and a ground pattern GND2 on the surface of, for example, a copper foil are formed. The second substrate 3 is provided with a connection member 8 made of Cu core balls solder-plated on the wiring pads 4b on one surface side. Note that the wiring pad 4b and the ground pattern GND2 are not electrically connected.
  • the second substrate 3 has a wiring pad 6b electrically connectable to the wiring pad 4b through the through via 5b, a pad-shaped antenna 9 made of, for example, copper foil, and the wiring pad 6b and antenna on the other surface side. 9 is formed.
  • the wiring pattern 14 is electrically connected to the wiring pattern 14.
  • the first substrate 2 and the second substrate 3 are arranged such that one surface side of the first layer substrate 2a of the first substrate 2 and one surface side of the second substrate 3 are opposed to each other, and soldering is performed on the wiring pads 4a and 4b. They are electrically connected through Cu core balls as plated connection members 8.
  • the connection member 8 serves as a signal transmission path (signal line) between the radio circuit (for example, the semiconductor element 7) on the first layer substrate 2 a of the first substrate 2 and the antenna 9 on the second substrate 3.
  • connection member 8 is provided in order to form an interval in which an electronic component such as the semiconductor element 7 can be mounted between the first substrate 2 and the second substrate 3.
  • the embedded layer in which the semiconductor element 7 between the first substrate 2 and the second substrate 3 exists is filled with a sealing resin 10 such as a mold resin and sealed.
  • the diameter (diameter) of the Cu core ball as the connection member 8 depends on the height of the electronic component (for example, the semiconductor element 7) mounted on the embedded layer between the first substrate 2 and the second substrate 3. For example, it is set to 200 [ ⁇ m].
  • the diameter z of the wiring pads 4a and 4b is longer than the diameter of the connection member 8 in order to mount the connection member 8, and is set to 300 [ ⁇ m], for example (see FIG. 2).
  • the wiring pad on which the connection member (Cu core ball) for electrically connecting the first substrate and the second substrate is mounted is, for example, a dielectric layer having a thickness of 50 [ ⁇ m]. It is combined with the ground layer across Therefore, in the input / output impedance in the signal path of the high-frequency signal in the wireless module, the capacitance component with respect to the ground layer becomes large, resulting in impedance discontinuity.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram showing the diameters of the small-diameter wiring pads (6a, 6b), the large-diameter wiring pads (4a, 4b), and the through vias.
  • the wiring pads (6a, 6b) having a small diameter are coupled to the ground layers (GND1, GND2) with the dielectric layer having a thickness of 50 [ ⁇ m], for example, interposed therebetween.
  • the thickness of the second layer substrate 2b and the second substrate 3 is 50 [ ⁇ m].
  • the diameter x of the through via 5a is set to 50 [ ⁇ m] (or 100 [ ⁇ m])
  • the diameter y of the wiring pads 6a and 6b having a small diameter is set to 80 [ ⁇ ] (or 120 [ ⁇ m]).
  • a smaller one than the diameter z of the wiring pads 4a and 4b is used.
  • the impedance of the connection member 8 serving as a signal path in the wireless module 1 is that the area of the wiring pads (6a, 6b) coupled to the ground layers (GND1, GND2) is 1/9 (or 1/4).
  • the capacitance component for the ground layers (GND1, GND2) can be reduced as compared with the case where the ground layers (GND1, GND2) and the wiring pads (4a, 4b) are combined, and the occurrence of impedance discontinuity can be suppressed.
  • the wireless module 1 As described above, in the wireless module 1 according to the present embodiment, two large and small wiring pads having different diameters are provided, and the wiring pads having a large diameter and the wiring pads having a small diameter are electrically connected through the through vias, thereby reducing the diameter.
  • the wiring pad and the ground layer are coupled.
  • the wireless module 1 has a dielectric layer between the small-diameter wiring pad and the ground layer, compared with the case where the large-diameter wiring pad and the ground layer are combined to increase the thickness of the dielectric layer.
  • the electromagnetic field of the high-frequency signal can be confined, and signal loss due to signal reflection or signal radiation can be reduced.
  • the wireless module 1 can suppress the occurrence of impedance discontinuity in the high-frequency circuit, and can suppress impedance discontinuity and signal loss due to signal reflection or signal radiation.
  • the patch antenna and the high frequency circuit often have different heights in the substrate thickness direction.
  • the tip of the tool to be picked up interferes with an electronic component (for example, a high-frequency circuit including a transmitter). May end up.
  • FIG. 3 is a side sectional view showing a configuration example of the wireless module 100 according to the second embodiment.
  • the module substrate 110 is a multilayer substrate, and performs IC wiring and the like.
  • On the first surface 11 (upper surface in FIG. 3) of the module substrate 110 electronic components such as the antenna unit 120 or Tcxo 130 (Temperature compensated crystal oscillator) are mounted. Therefore, the first surface 11 is an antenna mounting surface on which the antenna unit 120 is provided.
  • the antenna unit 120 is a patch antenna formed by an antenna pattern by wiring, for example.
  • An electronic component such as a chip component 140 such as RLC or an IC component 150 is mounted on the second surface 12 (the lower surface in FIG. 3) of the module substrate 110.
  • the wireless module 100 is mounted on the set substrate 200.
  • the second surface 12 side of the module substrate 110 is in contact with the mounting surface of the set substrate 200.
  • a frame substrate 160 is disposed on the second surface 12 of the module substrate 110 so that the set substrate 200 does not directly contact the electronic component mounted on the second surface 12.
  • the frame substrate 160 has a mouth shape, for example, and is arranged at the peripheral end portion of the second surface 12 of the module substrate 110.
  • the wireless module 100 has a cavity type structure by the module substrate 110 and the frame substrate 160.
  • the module substrate 110 may be configured by a single layer substrate, for example, instead of a multilayer substrate.
  • the electrode 161 of the frame substrate 160 is soldered to the set substrate 200 and is physically and electrically connected. As a result, the module substrate 110 and the frame substrate 160 are electrically connected to the set substrate 200, thereby enabling signal transmission.
  • the length d1 of the module substrate 110 and the frame substrate 160 in the substrate thickness direction (z direction in FIG. 3) is, for example, about 1 mm.
  • the length d2 of the chip component 140 or the IC component 150 in the component thickness direction (z direction in FIG. 3) is, for example, about 0.2 to 0.3 mm. Even when the wireless module 100 including the frame substrate 160 is mounted on the set substrate 200, the electronic component mounted on the module substrate 110 does not contact the set substrate 200.
  • the antenna unit 120 and an electronic component such as the Tcxo 130 are integrally molded by a molding member (for example, a mold resin) to form the molded unit 170.
  • the mold part 170 surrounds the antenna part 120 and surrounding electronic components.
  • the wireless module 100 when the wireless module 100 is mounted on the set substrate 200, it is picked up by the pickup device from the first surface 11 side of the module substrate 110 and mounted on the set substrate 200. Therefore, the mold part 170 is picked up, interference during picking up due to a step between the antenna part 120 provided on the first surface 11 and the electronic component can be prevented, and the wireless module 100 can be picked up easily.
  • peripheral end surface 113 (ceiling surface) of the mold part 170 is parallel and flat with the module substrate 110. Thereby, the wireless module 100 can be picked up more easily by suction.
  • the wireless module 100 is a wireless module picked up from the first surface 11 side as the antenna mounting surface on which the antenna unit 120 is provided, and the module substrate 110 on which the antenna unit 120 is mounted.
  • the first surface 11 of the module substrate 110 is provided with a mold part 170 in which an electronic component including the antenna part 120 is molded.
  • FIG. 4 is a side cross-sectional view illustrating a configuration example of a wireless module according to the third embodiment.
  • radio module 100B includes a waveguide unit 180.
  • the radio module 100B shown in FIG. 4 is different from the radio module 100 shown in FIG. 1 in that the radio module 100B includes a waveguide unit 180.
  • the radio module 100B shown in FIG. 4 is different from the radio module 100 shown in FIG. 1 in that the radio module 100B includes a waveguide unit 180.
  • the radio module 100B shown in FIG. 4 is different from the radio module 100 shown in FIG. 1 in that the radio module 100B includes a waveguide unit 180.
  • the waveguide unit 180 is provided on the peripheral end surface 113 (mold surface) of the mold unit 170 and assists the transmission and reception of radio waves by the antenna unit 120.
  • the waveguide 180 is formed by a conductor pattern that functions as a director, for example.
  • the mold resin forming the mold part 170 is an undesired dielectric when viewed from the antenna part 120 because the antenna characteristics are not taken into consideration.
  • the wireless module 100B includes the waveguide unit 180, so that the antenna characteristics can be readjusted and kept in a good state.
  • the following three patterns are considered as positions where the waveguide part 180 is provided on the mold part 170.
  • FIG. 5 is a top view illustrating a first example of a positional relationship between the antenna unit 120 and the waveguide unit 180 of the wireless module 100B according to the third embodiment.
  • the waveguide unit 180 is provided at a position facing the antenna unit 120 on the peripheral end surface 113 of the mold unit 170. Thereby, the loss of power transmitted or received by the antenna unit 120 is minimized, and radio waves can be transmitted and received satisfactorily. That is, the certainty of suction by the picked up tool is improved, and the antenna characteristics can be kept in a good state.
  • a waveguide section 180 is provided on the peripheral end surface 113 of the mold section 170 toward the outside of the mold section 170.
  • the antenna unit 120 has a 2 ⁇ 2 array configuration on the first surface 11 of the module substrate 110.
  • the waveguide section 180 has a 2 ⁇ 2 array configuration on the peripheral end surface 113 of the mold section 170.
  • the 2 ⁇ 2 array configuration of the antenna unit 120 and the waveguide unit 180 is an example, and may be configured by one pattern or a larger number of patterns may be arranged in a lattice pattern. The antenna characteristics are better when a large number of patterns are arranged.
  • the pattern that functions as the waveguide unit 180 on the mold unit 170 is appropriately changed, so that the antenna gain or the antenna gain can be increased.
  • the frequency characteristics can be changed.
  • the waveguide portion 180 may be larger than the antenna portion 120. Desirable (see FIG. 5). That is, it is desirable that the area where the waveguide part 180 is provided on the mold surface of the mold part 170 is larger than the area where the antenna part 120 is provided on the antenna mounting surface. Thereby, the antenna characteristics can be adjusted more favorably.
  • FIG. 6 is a top view illustrating a second example of the positional relationship between the antenna unit 120 and the waveguide unit 180 of the wireless module 100B according to the third embodiment.
  • the waveguide unit 180 is provided at a position separated from the position facing the antenna unit 120 on the peripheral end surface 113 of the mold unit 170 by a predetermined distance d3. That is, the position of the waveguide unit 180 on the mold surface and the position of the antenna unit 120 on the antenna mounting surface are shifted (offset).
  • the waveguide unit 180 when the waveguide unit 180 is on the left side of the antenna unit 120, radio waves are radiated in the left direction.
  • the waveguide unit 180 when the waveguide unit 180 is on the right side of the antenna unit 120, radio waves are radiated in the right direction.
  • the waveguide unit 180 is arranged so as to be displaced in the direction in which the radio wave is desired to be emitted.
  • the antenna directivity can be changed (beam tilted) by changing the pattern on the peripheral end surface 113 of the mold section 170 without redesigning the module substrate 110. Can do.
  • the antenna directivity can be changed flexibly.
  • FIG. 7 is a top view showing a third example of the positional relationship between the antenna unit 120 and the waveguide unit 180 of the wireless module 100B in the third embodiment.
  • the waveguide unit 180 is a region where the antenna unit 120 is rotated by a predetermined rotation angle ⁇ from the region provided on the antenna mounting surface on the peripheral end surface 113 of the mold unit 170. Is provided. That is, in FIG. 7, the waveguide portion 180 has a circumferential end surface in such a positional relationship that the orientation of the rectangle indicating the region of the waveguide portion 180 and the orientation of the rectangle indicating the region of the antenna portion 120 are rotated. 113 is mounted. Thereby, the polarization plane (antenna polarization plane) of the radio wave radiated from the antenna unit 120 can be changed.
  • the position of the waveguide section 180 on the mold surface and the position of the antenna section 120 on the antenna mounting surface (position on the xy plane) are substantially the same position.
  • the rotation angle ⁇ is an angle that is less than 90 degrees.
  • the antenna polarization plane can be changed to a desired polarization plane in accordance with the magnitude of the rotation angle ⁇ .
  • the antenna polarization plane can be changed from the vertical polarization plane to the horizontal polarization plane, the horizontal polarization plane can be changed to the vertical polarization plane, or the linear polarization can be changed to the circular polarization.
  • Such a change in antenna polarization plane can be realized by changing the pattern as the waveguide section 180 on the peripheral end face 113 of the mold section 170 without redesigning the module substrate 110.
  • the resonant frequency of the waveguide unit 180 and the resonant frequency of the antenna unit 120 may be designed to be different. This also allows the antenna polarization plane to be changed.
  • the excitation timing is slightly different.
  • the antenna polarization plane can be changed.
  • the number of wiring pad combinations is not limited to two large and small, and for example, three large and small wiring pads may be used.
  • the first substrate 2 or the second substrate 3 has a multilayer structure corresponding to the number of combinations of wiring pads.
  • the ground pattern GND1 shown in FIG. 1 may have a shape surrounding the through via 5a and the wiring pads 4a and 6a (see FIGS. 8 and 9).
  • FIG. 8 is a diagram showing an example of the shape of the wiring pad 4a connected to the through via 5a and the ground pattern GND.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating an example of the shape of the wiring pad 6a connected to the through via 5a and the ground pattern GND1.
  • the ground pattern GND1 Since the wiring pads 4a and 4b as signal pads are not connected to the wiring patterns 13 and 14 (see FIG. 1), the ground pattern GND1 has a shape surrounding the through vias 5a and 5b and the wiring pads 4a and 4b. It becomes a circular shape (see FIG. 8).
  • a plurality of through vias V1 for connecting the ground pattern GND1 to the first layer substrate 2a or the second layer substrate 2b of the first substrate 2 are provided.
  • the wireless module can make the ground pattern 101 and the ground pattern 102 have the same potential, and a signal transmitted through the signal wiring pads 4a and 6a and the signal transmitted through the through via 5a is surrounded by the GND layer. Can be suppressed.
  • ground pattern GND1 is not limited to a circular shape, and may be, for example, a quadrangle or a polygon.
  • the wiring pad 4a shown in FIG. 8 may be the ground pattern GND101, GND102, GND103 in the wireless module shown in FIG.
  • FIG. 10 is a longitudinal sectional view of another wireless module.
  • the ground pattern GND1 surrounds the through vias 5a and 5b and the wiring pads 6a and 6b. A part of the wiring patterns 13 and 14 is missing.
  • a plurality of through vias V1 for connecting the ground pattern GND1 and the second layer substrate 2b of the first substrate 2 are provided.
  • the wireless module can make the ground pattern 101 and the ground pattern 102 have the same potential, and a signal transmitted through the signal wiring pads 4a and 6a and the signal transmitted through the through via 5a is surrounded by the GND layer. Can be suppressed.
  • the present disclosure is useful for a wireless module that suppresses signal loss due to impedance discontinuity and radiation when a wireless module used in a high frequency band is manufactured. Further, the present disclosure is useful for a wireless module that can easily pick up a wireless module from the antenna mounting surface side even when an electronic component is mounted on the antenna mounting surface of the wireless module.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Transceivers (AREA)
  • Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Waveguide Aerials (AREA)

Abstract

　無線モジュールは、一方の基板２ａに電子部品が搭載され、他方の基板２ｂにグランド層ＧＮＤ１が形成された第１基板２と、第１基板に対して積層された第２基板３と、第１基板と第２基板とを電気的に接続する接続部材８と、第１基板と接続部材とを電気的に接続する配線パッド４ａと、一方の基板と他方の基板との接合面に設けられる配線パッド４ｂと、を備える。接続部材の信号経路は、第２配線パッドとグランド層との間の距離に応じて定まる所定のインピーダンスを有する。

Description

無線モジュール
　本開示は、無線通信に用いられ、基板に電子部品を搭載した無線モジュールに関する。
　基板に電子回路を搭載（実装）した無線通信用の回路モジュールとして、能動素子（例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）を搭載した基板と、受動素子（例えば、抵抗、インダクタ、コンデンサ）を搭載した基板とを対向させて電気的に接続し、各基板間を樹脂封止した構成のものが知られている。
　例えば、特許文献１には、受動素子としてのアンテナが搭載された基板と、能動素子としての半導体素子とが搭載された基板を用いた無線モジュールとしての半導体装置が開示されている（図３参照）。図３は、従来の半導体装置の縦断面図である。
　特許文献１の半導体装置は、シリコン基板３８の一面側にアンテナ４４が搭載され、シリコン基板３８の他面側に能動素子としての半導体素子４０が搭載され、アンテナ４４と半導体素子４０とがシリコン基板３８を貫通する貫通ビア４６を介して電気的に接続されている。シリコン基板３８と別体に形成された配線基板３０には、一面側に受動素子３２，３４が搭載され、配線基板３０とシリコン基板３８とが、配線基板３０の一面側とシリコン基板３８の他面側との間に配設された接続部材５４を介して電気的に接続された構成となっている。
　また、従来の無線モジュールとして、能動素子及び受動素子を搭載した第１基板と、アンテナを搭載した第２基板とを対向的に配置させて２つの基板間を接続部材によって電気的に接続した構成のものもある。この構成の無線モジュールでは、第１基板に能動素子としての半導体素子（例えば、ＩＣ）、及び受動素子としてのチップコンデンサ、チップ抵抗が搭載され、第２基板に半田メッキされたＣｕ（銅）コアボール等の接続部材を搭載する。第１基板と第２基板との搭載面（実装面）同士を対向させ、接続部材の半田を溶融させて第１基板に対して電気的に接続した後、封止材料としてのモールドレジンを基板間の部品が存在する埋め込み層に充填して樹脂封止する。これにより、複数の基板を積層した構造の無線モジュールが完成する。
日本国特開２００９－２６６９７９号公報
　しかしながら、上記のような従来の構成の無線モジュールを用いて、高周波（例えばミリ波の帯域）の無線モジュールを製造する場合、高周波に起因したインピーダンス不整合の課題が生じる。
　本開示は、上記従来の事情に鑑みてなされたもので、高周波帯にて用いる無線モジュールを製造する場合に、インピーダンス不連続と放射による信号損失を抑制する無線モジュールを提供することを目的とする。
　本開示は、無線モジュールであって、少なくとも２層の基板を含み、一方の基板に無線回路の電子部品が搭載され、他方の基板にグランド層が形成された第１基板と、前記第１基板に対して積層して配置する第２基板と、前記電子部品を搭載可能な間隔として前記第１基板と前記第２基板との間に設けられ、前記第１基板と前記第２基板とを電気的に接続する接続部材と、前記第１基板と前記接続部材とを電気的に接続し、所定の径を有する第１配線パッドと、前記一方の基板と前記他方の基板との接合面に設けられ、前記第１配線パッドの前記所定の径より小さい径を有する第２配線パッドと、を備え、前記接続部材の信号経路は、前記第２配線パッドと前記グランド層との間の距離に応じて定まる所定のインピーダンスを有する。
　本開示によれば、高周波帯にて用いる無線モジュールを製造する場合に、インピーダンス不連続と放射による信号損失を抑制できる。
　本開示によれば、無線モジュールのアンテナ実装面に電子部品が実装されている場合でも、無線モジュールをアンテナ実装面側から容易にピックアップできる。
第１の実施形態の無線モジュールの縦断面図 小さい径の配線パッドと大きい径の配線パッドと貫通ビアとの各径の様子を示す説明図 第２の実施形態における無線モジュールの構成例を示す側断面図 第３の実施形態における無線モジュールの構成例を示す側断面図 第３の実施形態における無線モジュールのアンテナ部と導波部との位置関係の第１例を示す上面図 第３の実施形態における無線モジュールのアンテナ部と導波部との位置関係の第２例を示す上面図 第３の実施形態における無線モジュールのアンテナ部と導波部との位置関係の第３例を示す上面図 貫通ビアに接続する配線パッドとグランドパターンとの形状の一例を示す図 貫通ビアに接続する配線パッドとグランドパターンとの形状の一例を示す図 他の無線モジュールの縦断面図 従来の半導体装置の縦断面図
　本開示に係る無線モジュールの実施形態を説明する前に、上述した課題について詳述する。課題は、従来の構成の無線モジュールを用いて、高周波（例えばミリ波の帯域）の無線モジュールを製造する場合に、高周波に起因したインピーダンス不整合が生じることである。
　特に、ミリ波の帯域の高周波では、Ｃｕコアボール等の接続部材、及び接続部材を実装する第１基板と第２基板とに設けられる配線パッドの径（直径）が、無線通信における信号の波長に対して大きくなる。これにより、インピーダンス不整合が生じ、入力側と出力側との間におけるインピーダンス不連続となり、信号反射又は信号放射によって信号損失が大きくなる。
　例えば、信号線の層が搭載（実装）された基板と、グランド（ＧＮＤ）層が搭載された基板との間の誘電体の厚さを５０［μｍ］、誘電体の誘電率を３～４程度とする。この場合、高周波信号の信号経路における入出力インピーダンスとして一般的に用いられる５０［Ω］インピーダンスの配線幅（信号線幅）は、概ね５０［μｍ］又は５０［μｍ］より小さくなる。
　複数の基板を接続するための接続部材としてＣｕコアボールを用いる場合、基板と基板との間の埋め込み層に実装される電子部品（例えば、半導体素子）の高さを例えば２００［μｍ］とする。この場合、Ｃｕコアボールの径（直径）は概ね２５０［μｍ］、Ｃｕコアボールと基板とを電気的に接続するために基板上に搭載される配線パッドは２５０［μｍ］以上の径を有する。
　従って、配線パッドの径は、上記した５０［Ω］インピーダンスを実現するための配線幅（５０［μｍ］）の５倍以上となる。即ち、インピーダンスの実成分が小さくなり、インピーダンスの虚成分が大きな容量成分を有することになり、信号経路の配線間におけるインピーダンスが不連続となって、信号反射又は信号放射によって信号損失が生じることになる。
　次に、本開示に係る無線モジュールの実施形態について、図面を参照して説明する。本実施形態の無線モジュールは、例えば６０［ＧＨｚ］のミリ波の帯域の高周波において用いられ、受動素子としてのアンテナ及び能動素子としての半導体素子を搭載した構成である。
（第１の実施形態）
　図１は、第１の実施形態の無線モジュール１の縦断面図である。無線モジュール１は、メイン基板となる第１基板２と、サブ基板となる第２基板３とを有する構成である。なお、第１基板２と第２基板３とはどちらがメイン基板、サブ基板であってもよいが、説明を簡単にするために、第１基板２をメイン基板、第２基板３をサブ基板とする。
　第１基板２は、例えば誘電率が３～４程度の誘電体の絶縁材料を用いて形成され、第１層基板２ａと第２層基板２ｂとが接合された少なくとも２層以上の多層構造を有する。なお、図１では２つの第１層基板２ａと第２層基板２ｂとが接合されて第１基板２が形成されているが、第１基板２を構成する多層構造は２層に限定されない。
　第１層基板２ａは、一面側に、後述する接続部材８を電気的に接続するための配線パッド４ａと、無線回路の電子部品（実装部品）としての半導体素子７を電気的に接続するための配線パターン１５，１６とが形成されている。また、第１層基板２ａは、一面側に、配線パッド４ａに半田メッキされた接続部材８としての球形のＣｕコアボールが搭載されている。
　また、第１層基板２ａの一面側には、配線パターン１５，１６を介して半導体素子７が搭載されている。なお、図１には図示していないが、第１層基板２ａの一面側には、半導体素子７の他に、チップコンデンサ、チップ抵抗等の受動素子が搭載されてもよい。
　また、第１層基板２ａは、他面側に、貫通ビア５ａを介して配線パッド４ａと電気的に接続可能な配線パッド６ａと、貫通ビア５ｃを介して配線パターン１５と電気的に接続可能な配線パッド６ｃと、配線パッド６ａ及び６ｃ間を電気的に接続する配線パターン１３とが形成されている。
　第２層基板２ｂは、他面側が第１層基板２ａの他面側と接合され、一面側に、例えば銅箔の面状のグランドパターンＧＮＤ１が形成されている。
　第２基板３は、例えば誘電率が３～４程度の誘電体の絶縁材料を用いて形成され、単層構造を有する。なお、第２基板３は第１基板２と同様に多層構造を有してもよい。第２基板３は、一面側に、接続部材８を電気的に接続するための配線パッド４ｂと、例えば銅箔の面上のグランドパターンＧＮＤ２とが形成されている。第２基板３は、一面側に、配線パッド４ｂに半田メッキされたＣｕコアボールによる接続部材８が搭載されている。なお、配線パッド４ｂとグランドパターンＧＮＤ２とは電気的に接続されていない。
　また、第２基板３は、他面側に、貫通ビア５ｂを介して配線パッド４ｂと電気的に接続可能な配線パッド６ｂと、例えば銅箔のパッド状のアンテナ９と、配線パッド６ｂとアンテナ９とを電気的に接続する配線パターン１４とが形成されている。
　また、第１基板２と第２基板３とは、第１基板２の第１層基板２ａの一面側と第２基板３の一面側とが対向的に配置され、配線パッド４ａ，４ｂに半田メッキされた接続部材８としてのＣｕコアボールを介して電気的に接続されている。接続部材８は、第１基板２の第１層基板２ａにおける無線回路（例えば半導体素子７）と第２基板３におけるアンテナ９との間の信号の伝送経路（信号線路）となる。
　また、接続部材８は、第１基板２と第２基板３との間に半導体素子７等の電子部品を搭載可能な間隔を形成するために設けられる。第１基板２と第２基板３との間の半導体素子７が存在する埋め込み層には、モールドレジン等の封止樹脂１０が充填されて封止される。
　ここで、接続部材８としてのＣｕコアボールの径（直径）は、第１基板２と第２基板３との間の埋め込み層に搭載される電子部品（例えば半導体素子７）の高さに応じて決められ、例えば２００［μｍ］とする。この場合、配線パッド４ａ，４ｂの径ｚは接続部材８を搭載するために接続部材８の径より長くなり、例えば３００［μｍ］とされる（図２参照）。
　上記した従来の無線モジュールでは、第１基板と第２基板とを電気的に接続するための接続部材（Ｃｕコアボール）を搭載する配線パッドは、例えば５０［μｍ］の厚さの誘電体層を挟んでグランド層と結合する。従って、無線モジュールにおける高周波信号の信号経路における入出力インピーダンスにおいて、グランド層に対する容量成分が大きくなり、インピーダンスの不連続が生じる。
　本実施形態の無線モジュール１では、従来の無線モジュールに比べ、径の異なる大小２つの配線パッド（例えば４ａ，６ａ）の組合せを設け、径の大きな配線パッド（４ａ，４ｂ）と径の小さな配線パッド（６ａ，６ｂ）とを貫通ビア（５ａ，５ｂ）を介して電気的に接続する（図２参照）。図２は、小さい径の配線パッド（６ａ，６ｂ）と大きい径の配線パッド（４ａ，４ｂ）と貫通ビアとの各径の様子を示す説明図である。
　更に、本実施形態の無線モジュール１では、径の小さな配線パッド（６ａ，６ｂ）と例えば上記した５０［μｍ］の厚さの誘電体層を挟んでグランド層（ＧＮＤ１，ＧＮＤ２）とが結合する。具体的には、図１では、第２層基板２ｂ及び第２基板３の厚さが５０［μｍ］となる。
　更に、貫通ビア５ａの径ｘを５０［μｍ］（又は１００［μｍ］）とし、径の小さな配線パッド６ａ，６ｂの径ｙを８０［μ］（又は１２０［μｍ］）と、径の大きな配線パッド４ａ，４ｂの径ｚに比べて小さいものを用いる。
　これにより、無線モジュール１における信号経路となる接続部材８のインピーダンスは、グランド層（ＧＮＤ１，ＧＮＤ２）と結合する配線パッド（６ａ，６ｂ）の面積が１／９（又は１／４）となるため、グランド層（ＧＮＤ１，ＧＮＤ２）に対する容量成分を、グランド層（ＧＮＤ１，ＧＮＤ２）と配線パッド（４ａ，４ｂ）とが結合する場合に比べて削減でき、インピーダンス不連続の発生を抑制できる。
　以上により、本実施形態の無線モジュール１では、径の異なる大小２つの配線パッドを設け、径の大きな配線パッドと径の小さな配線パッドとを貫通ビアを介して電気的に接続し、径の小さな配線パッドとグランド層とを結合する。
　これにより、無線モジュール１は、径の大きな配線パッドとグランド層を結合させて誘電体層の厚さを広げた場合に比べて、径の小さな配線パッドとグランド層との間の誘電体層において高周波信号の電磁界を閉じ込めることができ、信号反射又は信号放射による信号損失を小さくできる。
　即ち、無線モジュール１は、高周波回路におけるインピーダンスの不連続の発生を抑制し、インピーダンス不連続と信号反射又は信号放射による信号損失とを抑制できる。
　次に、第２の実施形態の無線モジュールの前提となる背景技術及び課題について説明する。
　従来、半導体基板上に、高周波信号を発生させる発信器を持つ高周波回路とパッチアンテナとが一方の面に形成された半導体チップが、ＭＭＩＣ（Monolithic Microwave Integrated Circuits）基板に実装された撮像装置が知られている（例えば、参考特許文献１参照）。
　　（参考特許文献１）日本国特開２００４－２０５４０２号公報
　しかし、パッチアンテナと高周波回路とは基板厚み方向における高さが異なることが多い。この場合、モジュール基板を他の基板に実装する際、パッチアンテナの実装面側からモジュール基板をピックアップすると、ピックアップする工具（吸引器）の先が電子部品（例えば発信器を含む高周波回路）と干渉してしまうことがある。
　そこで、第２の実施形態では、無線モジュールのアンテナ実装面に電子部品が実装されている場合であっても、無線モジュールをアンテナ実装面側から容易にピックアップすることができる無線モジュールの例を説明する。
（第２の実施形態）
　図３は、第２の実施形態における無線モジュール１００の構成例を示す側断面図である。
　図３に示す無線モジュール１００において、モジュール基板１１０は、多層基板であり、ＩＣの配線等を行う。モジュール基板１１０の第１の面１１（図３では上面）には、アンテナ部１２０若しくはＴｃｘｏ１３０（Temperature compensated crystal oscillator：温度補償水晶発振器）等の電子部品が実装されている。したがって、第１の面１１は、アンテナ部１２０が設けられるアンテナ実装面である。
　アンテナ部１２０は、例えば配線によるアンテナパターンにより形成されるパッチアンテナである。モジュール基板１１０の第２の面１２（図３では下面）には、ＲＬＣ等のチップ部品１４０若しくはＩＣ部品１５０などの電子部品が実装される。
　無線モジュール１００は、セット基板２００に実装される。この場合、モジュール基板１１０の第２の面１２側がセット基板２００の実装面に接触する。第２の面１２に実装される電子部品に対して、セット基板２００が直接接触しないように、モジュール基板１１０の第２の面１２には、枠基板１６０が配置される。枠基板１６０は、例えば口形状となっており、モジュール基板１１０の第２の面１２の周端部に配置される。この場合、無線モジュール１００は、モジュール基板１１０と枠基板１６０とにより、キャビティ型の構造となる。なお、モジュール基板１１０は、多層基板ではなく、例えば単層基板によって構成されてもよい。
　枠基板１６０の電極１６１は、セット基板２００に半田付けされ、物理的および電気的に接続される。これにより、モジュール基板１１０および枠基板１６０と、セット基板２００と、が導通されて信号伝送が可能となる。
　モジュール基板１１０および枠基板１６０の基板厚さ方向（図３におけるｚ方向）の長さｄ１は、例えば１ｍｍ程度である。チップ部品１４０若しくはＩＣ部品１５０の部品厚さ方向（図３におけるｚ方向）の長さｄ２は、例えば０．２～０．３ｍｍ程度である。枠基板１６０を含む無線モジュール１００がセット基板２００に実装されても、モジュール基板１１０に実装された電子部品がセット基板２００に接触することはない。
　モジュール基板１１０の第１の面１１側では、アンテナ部１２０とＴｃｘｏ１３０等の電子部品とが、モールド部材（例えばモールド樹脂）によって一体でモールドされ、モールド部１７０が形成される。モールド部１７０は、アンテナ部１２０および周辺の電子部品を包囲している。モールド部材としては特に制約は無いが，誘電正接（ｔａｎδ）が小さい方が、モールド部１７０における電気損失が小さいことは言うまでもない。
　本実施形態では、無線モジュール１００がセット基板２００に実装されるときには、モジュール基板１１０の第１の面１１側からピックアップ装置によりピックアップされ、セット基板２００に実装される。したがって、モールド部１７０がピックアップされることになり、第１の面１１に設けられるアンテナ部１２０と電子部品との段差によるピックアップ時の干渉を防止でき、無線モジュール１００のピックアップが容易になる。
　また、モールド部１７０の周端面１１３（天井面）は、モジュール基板１１０と平行かつ平坦となることが好ましい。これにより、無線モジュール１００を一層容易に吸着によりピックアップすることができる。
　このように、本実施形態の無線モジュール１００は、アンテナ部１２０が設けられるアンテナ実装面としての第１の面１１側からピックアップされる無線モジュールであって、アンテナ部１２０が実装されるモジュール基板１１０と、モジュール基板１１０の第１の面１１において、アンテナ部１２０を含む電子部品がモールドされたモールド部１７０を備える。これにより、ピックアップする工具による吸引の確実性が向上する。つまり、無線モジュールのアンテナ実装面に電子部品が実装されている場合であっても、容易に無線モジュールをアンテナ実装面側からピックアップすることができる。
（第３の実施形態）
　図４は、第３の実施形態における無線モジュールの構成例を示す側断面図である。
　図４に示す無線モジュール１００Ｂと図１に示した無線モジュール１００との相違点は、無線モジュール１００Ｂが導波部１８０を備える点である。
　図４に示すように、導波部１８０は、モールド部１７０の周端面１１３（モールド面）に設けられ、アンテナ部１２０による電波の送受を補助する。導波部１８０は、例えば導波器として機能する導体パターンにより形成される。
　通常、モールド部１７０を形成するモールド樹脂は、アンテナ特性を考慮していないため、アンテナ部１２０から見ると好ましくない誘電体である。アンテナ部１２０は空気（誘電率ε＝１）を想定して形成されているが、誘電率ε＝３～４の樹脂がアンテナを包囲することで、アンテナ特性が変わることがある。無線モジュール１００Ｂは、導波部１８０を備えることで、アンテナ特性を再調整して良好な状態に保つことができる。
　導波部１８０がモールド部１７０上に設けられる位置として、以下の３パターンが考えられる。
　図５は、第３の実施形態における無線モジュール１００Ｂのアンテナ部１２０と導波部１８０との位置関係の第１例を示す上面図である。
　第１例では、導波部１８０は、モールド部１７０の周端面１１３におけるアンテナ部１２０と対向する位置に設けられる。これにより、アンテナ部１２０により送電または受電される電力の損失が最も小さくなり、良好に電波の送受を行うことができる。つまり、ピックアップする工具による吸引の確実性が向上するとともに、アンテナ特性を良好な状態に保つことができる。なお、モールド部１７０の周端面１１３において、モールド部１７０の外側に向かって導波部１８０が設けられる。
　図５に示す例では、アンテナ部１２０がモジュール基板１１０の第１の面１１において２×２のアレー構成となっている。同様に、導波部１８０がモールド部１７０の周端面１１３において２×２のアレー構成となっている。アンテナ部１２０および導波部１８０を２×２のアレー構成とすることで、位相合成若しくは振幅合成を行うことが容易になる。なお、アンテナ部１２０および導波部１８０の２×２のアレー構成は一例であり、１つのパターンで構成されても、より多数のパターンが格子状に配列されてもよい。多数のパターンが配列された方が、アンテナ特性は良好になる。
　図５のような導波部１８０を備えることで、モジュール基板１１０を再設計することなく、モールド部１７０上の導波部１８０として機能するパターンを適宜変更することで、アンテナ利得若しくはアンテナ利得の周波数特性を変更することができる．また，モールド後では製造時ばらつきを調整するためのアンテナ部１２０のパターンカットは困難であるが、モールド部１７０上のパターンをカットすることで、アンテナ部１２０のパターンカットが可能となる。
　さらに、モールド部１７０が存在することで、空気よりも高い誘電率の誘電体層の厚み（図４におけるｚ方向の長さ）が増すため、導波部１８０はアンテナ部１２０よりも大きいことが望ましい（図５参照）。つまり、導波部１８０がモールド部１７０のモールド面上に設けられた領域が、アンテナ部１２０がアンテナ実装面上に設けられた領域よりも大きいことが望ましい。これにより、一層アンテナ特性を良好に調整することができる。
　図６は、第３の実施形態における無線モジュール１００Ｂのアンテナ部１２０と導波部１８０との位置関係の第２例を示す上面図である。
　第２例では、導波部１８０は、モールド部１７０の周端面１１３におけるアンテナ部１２０と対向する位置から所定距離ｄ３だけ離れた位置に設けられる。つまり、導波部１８０のモールド面における位置とアンテナ部１２０のアンテナ実装面における位置とがずらして（オフセットして）配置される。
　例えば、図６に示すように、導波部１８０がアンテナ部１２０よりも左側の場合には、左方向に電波が放射される。一方、導波部１８０がアンテナ部１２０よりも右側の場合には、右方向に電波が放射される。このように、電波を放射したい方向に導波部１８０がずれるように配置する。
　このような導波部１８０を設けることで、モジュール基板１１０を再設計することなく、モールド部１７０の周端面１１３上のパターンを変更することで、アンテナ指向性を変更する（ビームチルトする）ことができる。また、モジュール基板１１０にアンテナ部１２０が実装された後であっても、柔軟にアンテナ指向性を変更することができる。
　図７は、第３の実施形態における無線モジュール１００Ｂのアンテナ部１２０と導波部１８０との位置関係の第３例を示す上面図である。
　第３例では、図７に示すように、導波部１８０は、モールド部１７０の周端面１１３において、アンテナ部１２０がアンテナ実装面において設けられた領域から所定の回転角度θだけ回転された領域に設けられている。つまり、図７において、導波部１８０の領域を示す矩形の向きと、アンテナ部１２０の領域を示す矩形の向きと、が回転した関係となるような位置関係で、導波部１８０が周端面１１３上に実装される。これにより、アンテナ部１２０から放射される電波の偏波面（アンテナ偏波面）を変更することができる。
　モールド面における導波部１８０の位置とアンテナ実装面におけるアンテナ部１２０の位置（ｘｙ平面上の位置）とは、ほぼ同位置となる。回転角度θは、９０度に満たない角度である。回転角度θを調整することで、回転角度θの大きさに応じて、アンテナ偏波面を所望の偏波面にすることができる。例えば、アンテナ偏波面を垂直偏波面から水平偏波面にしたり、水平偏波面から垂直偏波面にしたり、直線偏波を円偏波にしたりすることができる。なお、このようなアンテナ偏波面の変更は、モジュール基板１１０を再設計することなく、モールド部１７０の周端面１１３上の導波部１８０としてのパターンを変更することで実現することができる。
　さらに、導波部１８０とアンテナ部１２０との位置関係を回転位置関係とする代わりに、導波部１８０の共振周波数とアンテナ部１２０の共振周波数とが異なるように設計してもよい。これによっても、アンテナ偏波面を変更することができる。
　例えば、アンテナ部１２０の共振周波数を６０ＧＨｚ、導波部１８０の共振周波数を５９．５ＧＨｚとなるように、両者の共振周波数を微妙にずらすことによって、励振タイミングが若干異なるようになる。これにより、アンテナ偏波面を変更することができる。
　以上、図面を参照しながら各種の実施形態について説明したが、本開示の無線モジュールはかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本開示の技術的範囲に属するものと了解される。
　上記した実施形態では、径の異なる大小２つの配線パッドの組合せを用いて説明したが、配線パッドの組合せ数は大小２つに限定されず、例えば大小３つの配線パッドを用いてもよい。この場合、第１基板２又は第２基板３は、配線パッドの組合せの数に応じた多層構造を有する。
　なお、第１の実施形態において、図１に示すグランドパターンＧＮＤ１は、貫通ビア５ａ及び配線パッド４ａ，６ａを取り囲む形状でも良い（図８及び図９参照）。図８は、貫通ビア５ａに接続する配線パッド４ａとグランドパターンＧＮＤとの形状の一例を示す図である。図９は、貫通ビア５ａに接続する配線パッド６ａとグランドパターンＧＮＤ１との形状の一例を示す図である。
　信号用パッドとしての配線パッド４ａ，４ｂは配線パターン１３，１４に接続していないため（図１参照）、グランドパターンＧＮＤ１は、貫通ビア５ａ，５ｂ及び配線パッド４ａ，４ｂを取り囲む形状として、例えば円形状となる（図８参照）。図８では、グランドパターンＧＮＤ１と第１基板２の第１層基板２ａ又は第２層基板２ｂとを接続する複数の貫通ビアＶ１が設けられている。これにより、無線モジュールは、グランドパターン１０１とグランドパターン１０２とを同電位にすることが可能となり、信号用の配線パッド４ａ，６ａおよび貫通ビア５ａを伝わる信号の周辺をＧＮＤ層によって囲むことで信号の放射を抑圧することができる。
　なお、グランドパターンＧＮＤ１は、円形状に限定されず、例えば四角形又は多角形でも良い。また、図８に示す配線パッド４ａは、図１０に示す無線モジュールにおけるグランドパターンＧＮＤ１０１，ＧＮＤ１０２，ＧＮＤ１０３でも良い。図１０は、他の無線モジュールの縦断面図である。
　一方、信号用パッドとしての配線パッド６ａ，６ｂは配線パターン１３，１４に接続しているため（図１参照）、グランドパターンＧＮＤ１は、貫通ビア５ａ，５ｂ及び配線パッド６ａ，６ｂを取り囲むが、配線パターン１３，１４の方向に一部が欠けた形状である。同様に図９でも、グランドパターンＧＮＤ１と第１基板２の第２層基板２ｂとを接続する複数の貫通ビアＶ１が設けられている。これにより、無線モジュールは、グランドパターン１０１とグランドパターン１０２とを同電位にすることが可能となり、信号用の配線パッド４ａ，６ａおよび貫通ビア５ａを伝わる信号の周辺をＧＮＤ層によって囲むことで信号の放射を抑圧することができる。
　なお、本出願は、２０１１年１２月５日出願の日本特許出願（特願２０１１－２６６０４３）及び２０１１年１２月７日出願の日本特許出願（特願２０１１－２６８０４２）に基づくものであり、それらの内容はここに参照として取り込まれる。
　本開示は、高周波帯にて用いる無線モジュールを製造する場合に、インピーダンス不連続と放射による信号損失を抑制する無線モジュールに有用である。
　また、本開示は、無線モジュールのアンテナ実装面に電子部品が実装されている場合であっても、無線モジュールをアンテナ実装面側から容易にピックアップすることができる無線モジュール等に有用である。
１、１００、１００Ｂ　無線モジュール
２　第１基板
２ａ　第１層基板
２ｂ　第２層基板
３　第２基板
４ａ、４ｂ、６ａ、６ｂ、６ｃ　配線パッド
５ａ、５ｂ、５ｃ　貫通ビア
７　半導体素子
８　接続部材
９　アンテナ
１０　封止樹脂
１１　モジュール基板の第１の面（アンテナ実装面）
１２　モジュール基板の第２の面
１３、１４、１５、１６　配線パターン
１１０　モジュール基板
１１３　モールド部の周端面（モールド面）
１６０　枠基板
１６１　電極
１７０　モールド部
１８０　導波部
２００　セット基板
ＧＮＤ１、ＧＮＤ２　グランド層

Claims (3)

  1. 　少なくとも２層の基板を含み、一方の基板に無線回路の電子部品が搭載され、他方の基板にグランド層が形成された第１基板と、
    　前記第１基板に対して積層して配置する第２基板と、
    　前記電子部品を搭載可能な間隔として前記第１基板と前記第２基板との間に設けられ、前記第１基板と前記第２基板とを電気的に接続する接続部材と、
    　前記第１基板と前記接続部材とを電気的に接続し、所定の径を有する第１配線パッドと、
    　前記一方の基板と前記他方の基板との接合面に設けられ、前記第１配線パッドの前記所定の径より小さい径を有する第２配線パッドと、を備え、
    　前記接続部材の信号経路は、前記第２配線パッドと前記グランド層との間の距離に応じて定まる所定のインピーダンスを有する、
    　無線モジュール。
  2. 　請求項１に記載の無線モジュールであって、
    　前記第２基板と前記接続部材とを電気的に接続し、前記所定の径と同一の径を有する第３配線パッドと、
    　前記第２基板の前記第３配線パッドと反対側に設けられ、前記所定の径より小さい径を有する第４配線パッドと、を更に備え、
    　前記第２基板の前記第４配線パッドと反対側に第２グランド層が形成され、
    　前記接続部材の信号経路は、前記第４配線パッドと前記第２グランド層との間の距離に応じて定まる所定のインピーダンスを有する、
    　無線モジュール。
  3. 　請求項１又は２に記載の無線モジュールであって、
    　前記グランド層と前記第１基板とを接続する複数のビア部材を、更に備え、
    　前記グランド層は、前記第１配線パッドを取り囲む所定形状を有する、
    　無線モジュール。
PCT/JP2012/007774 2011-12-05 2012-12-04 無線モジュール WO2013084479A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/130,658 US9245859B2 (en) 2011-12-05 2012-12-04 Wireless module
JP2013548086A JP6146313B2 (ja) 2011-12-05 2012-12-04 無線モジュール
CN201280034099.6A CN103650132B (zh) 2011-12-05 2012-12-04 无线模块

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011-266043 2011-12-05
JP2011266043 2011-12-05
JP2011268042 2011-12-07
JP2011-268042 2011-12-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013084479A1 true WO2013084479A1 (ja) 2013-06-13

Family

ID=48573869

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2012/007774 WO2013084479A1 (ja) 2011-12-05 2012-12-04 無線モジュール

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9245859B2 (ja)
JP (1) JP6146313B2 (ja)
CN (1) CN103650132B (ja)
WO (1) WO2013084479A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105916286A (zh) * 2015-02-23 2016-08-31 松下知识产权经营株式会社 高频模块

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9397151B1 (en) * 2013-08-30 2016-07-19 Integrated Device Technology, Inc. Packaged integrated circuits having high-Q inductors therein and methods of forming same
US10090598B2 (en) 2014-03-03 2018-10-02 Fujikura Ltd. Antenna module and method for mounting the same
JP6524986B2 (ja) * 2016-09-16 2019-06-05 株式会社村田製作所 高周波モジュール、アンテナ付き基板、及び高周波回路基板
TWI663701B (zh) * 2017-04-28 2019-06-21 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件及其製法
CN113013609B (zh) * 2017-07-06 2023-08-15 群创光电股份有限公司 微波装置
FR3088479B1 (fr) * 2018-11-14 2022-08-05 St Microelectronics Grenoble 2 Dispositif electronique incluant une puce electronique et une antenne
KR102209674B1 (ko) * 2019-08-23 2021-01-29 (주)파트론 안테나가 형성된 전자 장치
KR102593888B1 (ko) * 2019-06-13 2023-10-24 삼성전기주식회사 안테나 모듈 및 이를 포함하는 전자기기
KR102605601B1 (ko) * 2019-08-23 2023-11-23 (주)파트론 안테나가 형성된 전자 장치
US11336032B2 (en) * 2020-05-15 2022-05-17 Raytheon Company Reactive array

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07235565A (ja) * 1994-02-23 1995-09-05 Toshiba Corp 電子回路装置
JP2001144244A (ja) * 1999-11-17 2001-05-25 Sony Corp 電子回路装置の製造方法
JP2002271101A (ja) * 2001-03-09 2002-09-20 Nec Corp 半導体装置
JP2005244010A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Toppan Printing Co Ltd 回路基板の実装構造
WO2007046271A1 (ja) * 2005-10-18 2007-04-26 Nec Corporation 垂直信号経路、それを有するプリント基板及びそのプリント基板と半導体素子とを有する半導体パッケージ

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0832190A (ja) * 1994-07-14 1996-02-02 Oki Electric Ind Co Ltd 高速信号伝送用回路基板の配線構造
JP3980807B2 (ja) * 2000-03-27 2007-09-26 株式会社東芝 半導体装置及び半導体モジュール
JP2004205402A (ja) 2002-12-26 2004-07-22 Renesas Technology Corp 撮像装置
JP4749795B2 (ja) * 2005-08-05 2011-08-17 新光電気工業株式会社 半導体装置
US8193034B2 (en) * 2006-11-10 2012-06-05 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming vertical interconnect structure using stud bumps
JP2009266979A (ja) 2008-04-24 2009-11-12 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置
KR101434003B1 (ko) * 2011-07-07 2014-08-27 삼성전기주식회사 반도체 패키지 및 그 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07235565A (ja) * 1994-02-23 1995-09-05 Toshiba Corp 電子回路装置
JP2001144244A (ja) * 1999-11-17 2001-05-25 Sony Corp 電子回路装置の製造方法
JP2002271101A (ja) * 2001-03-09 2002-09-20 Nec Corp 半導体装置
JP2005244010A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Toppan Printing Co Ltd 回路基板の実装構造
WO2007046271A1 (ja) * 2005-10-18 2007-04-26 Nec Corporation 垂直信号経路、それを有するプリント基板及びそのプリント基板と半導体素子とを有する半導体パッケージ

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105916286A (zh) * 2015-02-23 2016-08-31 松下知识产权经营株式会社 高频模块
JP2016157727A (ja) * 2015-02-23 2016-09-01 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 高周波モジュール
US10117327B2 (en) 2015-02-23 2018-10-30 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Radio-frequency module
CN105916286B (zh) * 2015-02-23 2019-08-23 松下知识产权经营株式会社 高频模块

Also Published As

Publication number Publication date
US20140145316A1 (en) 2014-05-29
CN103650132A (zh) 2014-03-19
JPWO2013084479A1 (ja) 2015-04-27
JP6146313B2 (ja) 2017-06-14
CN103650132B (zh) 2017-09-22
US9245859B2 (en) 2016-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6146313B2 (ja) 無線モジュール
JP5971566B2 (ja) 無線モジュール
JP5909707B2 (ja) 無線モジュール
US9985346B2 (en) Wireless communications package with integrated antennas and air cavity
TWI491018B (zh) 半導體封裝件及其製造方法
JP6299878B2 (ja) 高周波通信モジュール及び高周波通信装置
TWI552434B (zh) 具有天線之半導體結構
JP5942273B2 (ja) 無線モジュール及び無線モジュールの製造方法
JP6712765B2 (ja) 高周波基板
CN109244642B (zh) 封装天线的制造方法
CN109326584B (zh) 封装天线及其制造方法
KR20150108147A (ko) 밀리미터파용 레이더 온 패키지 및 이를 구비하는 레이더 어셈블리
JPWO2013121732A1 (ja) 無線モジュール
JP4498292B2 (ja) 半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法
JP2021022610A (ja) アンテナ装置および製造方法
JP4448461B2 (ja) 半導体パッケージの作製方法
JP5286694B2 (ja) 電子装置
JP2005340713A (ja) マルチチップモジュール
WO2022070856A1 (ja) 配線基体および電子装置
WO2015087486A1 (ja) 無線モジュール
JP2001267487A (ja) 高周波モジュール
JP4186166B2 (ja) 高周波回路モジュールおよび通信機
JP2003218601A (ja) 高周波用配線基板

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12855151

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14130658

Country of ref document: US

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2013548086

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 12855151

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1