JP6712765B2 - 高周波基板 - Google Patents

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Description

本発明は、高周波基板に関し、特に、フェーズドアレーアンテナを有する、小型で伝送損失の少ない高周波基板に関する。
近年、ミリ波帯（３０〜３００ＧＨｚ）を使用した自動車用ミリ波レーダの普及が進んでいる。ミリ波レーダは、アンテナからミリ波帯の電波を放射し、その反射波を受信し、信号処理を行うことで、検知物体との距離・角度・速度を検出することができる。そのため、自動車同士の衝突事故、歩行者を巻き込んだ事故低減を目的とした技術開発及び低コスト化が求められている。特に、ミリ波レーダの普及には、低コストであることは必須であるため、ミリ波の送信・受信の通信を行うＲＦチップが実装される高周波基板には、安価で量産性に優れたプリント基板の適用が検討されている。
ミリ波レーダで用いられる高周波基板には、配線パターンで形成されたアンテナ素子が形成されている。アンテナ素子は、ミリ波の通信を行うＲＦチップとプリント基板上で配線パターンにより接続されている。送信用のＲＦチップから出力されたミリ波信号の電力を減衰することなくアンテナに伝えて空間に効率よく放射するには、アンテナ素子と送信用のＲＦチップをつなぐ接続部の損失を小さくすることが必要である。
また、受信も同様で、アンテナで受信されたミリ波信号の反射波を減衰することなく受信用のＲＦチップに伝えるには、アンテナ素子と受信用のＲＦチップをつなぐ接続部の損失を小さくすることが求められる。この接続部における電力損失が大きい場合、検地距離が短くなったり、検出包囲が狭くなったりする原因となる。
このような背景から、アンテナ素子と送受ＩＣ間の接続箇所においては、電力の損失を抑制することを目的として、接続箇所の特性インピーダンスの制御が行われる。特性インピーダンスの制御は、アンテナ素子とＲＦチップ間に介在する配線パターン、層間を接続するビアについて行われる。
例えば特許文献１には、プリント基板上に形成されたスルーホールの特性インピーダンスを制御し、アンテナ素子と送受ＩＣ間の伝送損失を少なくするように、ビア構成を、同軸構造を有するスルーホール構成にする技術が開示されている。
図１０は、特許文献１で開示されるビア構成の断面図であり、図１１は、特許文献１で開示されるビア構成の平面図である。図１０及び図１１に示すビア構成は、同軸構造を有するスルーホール構成であって、スルーホール１０４及びインピーダンス調整構造１０６は、所望のインピーダンス値に調整された径を有する。図１０、図１１に示す同軸構造のスルーホール構成の場合、特性インピーダンスＺ０（Ω）は、電気絶縁性基材１０２の比誘電率をεｒ（無次元）、スルーホール１０４の直径をｄ２（ｍｍ）、インピーダンス調整構造１０６の内径をｄ１（ｍｍ）として、次の数式１で表される。
Figure 0006712765
特表２００８−５２４８４５号公報
しかしながら、特許文献１に記載の技術では、基板の表層に配線パターンで形成したアンテナ素子を複数個配置したい場合、同軸構造を有するビアを避けて配置する必要があるため、効率よくアンテナ素子を配置できず、基板の面積が大きくなってしまい、コストが高くなるという課題があった。
本発明の目的は、複数のアンテナ素子を有した高周波基板に関して、複数のアンテナ素子を欠損することなく自由に効率よく配置することができ、小型でかつＲＦチップとアンテナ間の伝送損失が小さい高周波基板を提供することである。
本発明の一態様に係る高周波基板は、基板の片面に高周波信号の位相を制御することでビーム方向を調整するフェーズドアレイアンテナを備え、前記フェーズドアレイアンテナの送信と受信の周波数は同じであり、前記基板の前記フェーズドアレイアンテナが形成された面と異なる面には前記フェーズドアレイアンテナを形成するアンテナ素子とＲＦチップとのインピーダンスを整合させる整合回路が形成されており、前記フェーズドアレイアンテナと前記整合回路は前記基板に形成されたスルーホールを介して接続されており、前記スルーホールは前記基板の前記フェーズドアレイアンテナが形成された面と異なる面に開口を有する非貫通のビアで囲まれるように配置され、前記非貫通のビアは、前記基板の表層に形成されたマイクロビアと、前記基板の内層に形成されたインナービアが厚み方向に階段状に接続された構造である。
本発明によれば、複数のアンテナ素子を有した高周波基板に関して、複数のアンテナ素子を欠損することなく自由に効率よく配置することができ、小型でかつＲＦチップとアンテナ間の伝送損失が小さい高周波基板を提供することができる。
第１実施形態に係る高周波基板の構成を模式的に示す上面斜視図 第１実施形態に係る高周波基板の構成を模式的に示す下面斜視図 第１実施形態に係る高周波基板の構成を模式的に示す断面図 第１実施形態に係る高周波基板の構成を模式的に示す上面図 第１実施形態に係る高周波基板の構成を模式的に示す下面図 第１実施形態に係る高周波基板の変形例を模式的に示す上面図 第２実施形態に係る高周波基板の一例を模式的に示す断面図 第２実施形態に係る高周波基板の変形例を模式的に示す断面図 第２実施形態に係る高周波基板の更なる変形例を模式的に示す断面図 従来の同軸構造を有する基板の構成を模式的に示す断面図 従来の同軸構造を有する基板の構成を模式的に示す平面図
以下、本発明の各実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。ただし、各実施の形態において、同一機能を有する構成には、同一符号を付し、重複する説明は省略する。なお、以下に示す全ての図は、構成を模式的に示したものであり、説明を容易なものとするため、各要素の寸法を誇張して示しており、また、必要に応じて要素を省略して示している。
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る高周波基板の構成を模式的に示す上面斜視図である。図２は、本発明の第１実施形態に係る高周波基板の構成を模式的に示す下面斜視図である。図３は、本発明の第１実施形態に係る高周波基板の構成の一部を模式的に示す断面図である。図４は、本発明の第１実施形態に係る高周波基板の構成の一部を模式的に示す上面図である。図５は、本発明の第１実施形態に係る高周波基板の構成の一部を模式的に示す下面図である。
図１ないし図５において、高周波基板１００は、第１積層部１、第２積層部２、スルーホール３、ビア４、配線（アンテナ）パターン６、ソルダーレジスト７、整合回路９、ＲＦチップ１０、その他の回路部品１１を主な構成要素として有する。
なお、以下の説明では、高周波基板１００のうち、第１積層部１側の面を表面、第２積層部２側の面を裏面という。また、図４における下側（すなわち、図５における上側）を手前側、図４における上側（すなわち、図５における下側）を奥側といい、図４及び図５における上下方向を奥行き方向という。また、図４及び図５における左右方向を幅方向という。
第１積層部１は、第１の電気絶縁性基材からなる平板状の部材を積層したものであり、本実施形態においては、図３に示すように、第１積層板１ａ、第２積層板１ｂ、第３積層板１ｃ、及び第４積層板１ｄを表面から順番に積層している。
第１積層部１を形成する第１の電気絶縁性基材としては、高周波特性のよい材料、例えばポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂からなるＰＰＥ基材、ポリテトラフオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂からなるＰＴＦＥ基材、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリイミド（ＰＩ）等を用いることができる。
また、ガラスエポキシ基材、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂と無機フィラーとを含むコンポジット材を用いてもよい。熱硬化性樹脂としては、例えばエポキシ樹脂等が挙げられる。添加する無機フィラーとしては、例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＡｌＮ等のフィラーを使用することができる。
第２積層部２は、第２の電気絶縁性基材からなる平板状の部材であり、第１積層部１の裏面に密着し積層される。本実施形態においては、図３に示すように、第４積層板１ｄの裏面に積層される。
第２積層部２を形成する第２の電気絶縁性基材としては、第１の電気絶縁性基材と同様に、高周波特性のよい材料、例えばポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂からなるＰＰＥ基材、ポリテトラフオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂からなるＰＴＦＥ基材、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリイミド（ＰＩ）等を用いることができる。
また、ガラスエポキシ基材、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂と無機フィラーとを含むコンポジット材を用いてもよい。熱硬化性樹脂としては、例えばエポキシ樹脂等が挙げられる。添加する無機フィラーとしては、例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＡｌＮ等のフィラーを使用することができる。
本実施形態においては、第１積層部１を形成する第１の電気絶縁性基材と、第２積層部２を形成する第２の電気絶縁性基材とは、異なる基材を用いている。
スルーホール３は、高周波基板１００の表面と裏面とを電気的に接続するものであり、図３に示すように、高周波基板１００の表面から裏面まで貫通する孔の壁面に、めっきが施されたビアである。スルーホール３の直径は、ｄ１（ｍｍ）である。
本実施形態では、スルーホール３は、以下のように形成される。第１積層部１および第２積層部２を熱プレスにより密着させて積層した後、ドリル加工により孔を形成する。その後、孔の壁面にめっきを施すことで、導電性を有するスルーホール３が形成される。スルーホール３の形成方法はこれに限定されず、ドリル加工に加えてパンチ加工を用いてもよい。
ビア４は、第１積層部１の表面に開口が設けられた非貫通ビアとして形成されており、図４に示すように、スルーホール３の周囲を囲むように形成されている。ビア４の詳細については後述する。
配線パターン６は、図５に示すように、第２積層部２の裏面に設けられており、フェーズドアレイアンテナを形成する。本構成を用いてミリ波の通信を行う場合、フェーズドアレイアンテナの送信と受信の周波数は同じである。
本実施形態において、配線パターン６は、奥行き方向に直線状に延びるマイクロストリップ線路６ａと、奥行き方向に６個形成されたアンテナ素子６ｂを１組として、幅方向に４組の配線パターン組が整列して設けられている。
本実施形態では、アンテナ素子６ｂは、ループアンテナ素子である。アンテナ素子の形状については、パッチタイプ等、公知の形状を採用することができる。それぞれのアンテナ６ｂと電気的に接続された直線パターン６ａは、奥行き方向中央部に形成されたスルーホール３を介して第１積層部１の表面と繋がっている。配線パターン６が設けられた第２積層部２の裏面は、図３に示すように、ソルダーレジスト７により被覆されている。
整合回路９は、アンテナ素子６ｂとＲＦチップ１０（後述）間のインピーダンスのずれを調整する整合回路である。この整合回路９によって、アンテナ素子６ｂ、マイクロストリップ線路６ａ、スルーホール３、ＲＦチップ１０内の入力／出力インイーダンスといった、アンテナ回路内のそれぞれの箇所で発生するインピーダンスのズレについて、所望の値に調整することが可能となる。
整合回路９は、図１及び図４に示すように、第１積層部１の表面に設けられ、スルーホール３とＲＦチップ１０とを接続している。整合回路９は、奥行き方向に直線状に延びており、奥側端部においてスルーホール３と接続され、手前側端部においてＲＦチップ１０と接続されている。
整合回路９は、上述した４組の配線パターン組に合わせて、４組形成されている。また、第１積層部１の表面は、図３に示すように、ソルダーレジスト７により被覆されている。
ＲＦチップ１０は、図１に示すように、ＢＧＡ（Ball Grid Array ）パッケージで組み立てられ、第１積層部１の表面に実装される。ＲＦチップは、整合回路９、貫通スルーホール３を介して配線パターン６と接続されている。
なお、本実施の形態のようにＲＦチップ１０をＢＧＡパッケージで組み立てる場合、ＢＧＡパッケージのはんだボールと第１積層部１の表面との接合部周囲には、充填剤であるアンダーフィルを形成してもよい。また、アンダーフィルは整合回路９の一部にかかってもよい。このアンダーフィルによって、ＢＧＡパッケージと第１積層部１の表面との接合部に加わる応力・歪みを緩和することができ、実装の信頼性を高めることができる。
その他の回路部品１１は、図１に示すように、第１積層部１の表面に設けられている。その他の回路部品１１については、本発明とは直接関係がないので、詳細な説明を省略する。
次に、図３及び図４を用いて、本発明の特徴である、非貫通構造のビア４について詳細に説明する。
本実施の形態では、図４に示すように、１個のスルーホール３に対して、スルーホール３を囲むように、複数個の非貫通構造のビア４が設けられている。
それぞれのビア４は、図３に示すように、マイクロビア４ａと、インナービア４ｂとを重ね合わせたスタック構造である。
マイクロビア４ａは、第１積層板１ａを表面から裏面まで貫通する孔の壁面に、めっきが施されたコンフォーマルビアである。本実施形態では、マイクロビア４ａは以下のように形成される。すなわち、まず、第１積層板１ａに、レーザ加工により孔を形成する。続いて、孔の壁面にめっきを施すことで、導電性を有するマイクロビア４ａが形成される。
レーザ加工の光源には、例えば炭酸ガスレーザ、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザが用いられる。レーザ加工を用いれば、小径の貫通孔を短時間で形成することができ、生産性に優れた加工を実現できる。
なお、マイクロビア４ａの形成方法はこれに限定されず、レーザ加工に代えてパンチ加工、ドリル加工を用いてもよい。また、孔の壁面にめっきを施すのに代えて、孔全体をめっきにより埋めることでフィルドビアを形成してもよく、孔を導電性ペーストで充填するようにしてもよい。
インナービア４ｂは、第２積層板１ｂの表面から第４積層板１ｄの裏面まで貫通する孔を形成し、孔壁面にめっきが施されたインナービアである。めっきが施された孔内部には、導電性ペーストが充填される。こうすることで、インナービア４ｂに対してマイクロビア４ａをスタックした際の応力が緩和され、インナービア４ｂの信頼性を向上させることができる。
本実施形態において、インナービア４ｂは、マイクロビア４ａと同軸にスタックされている。これにより、ビア接続信頼性が向上する。
また、本実施形態において、インナービア４ｂを形成する孔の径は、マイクロビア４ａを形成する孔の径と略等しい。すなわち、スルーホール３の壁面から、マイクロビア４ａを形成する孔の壁面のうち最もスルーホール３の壁面に近い箇所までの距離は、スルーホール３の壁面から、インナービア４ｂを形成する孔の壁面のうち最も貫通スルーホール３の壁面に近い箇所までの距離と略等しい。
こうすることで、スルーホール３と、それを囲むように形成されたスタック構造のマイクロビア４ａ及びインナービア４ｂとの距離が等しくなり、ビア部分のインピーダンス調整が容易になる。
スルーホール３を介して接続されている箇所のインピーダンスは、スルーホール３と、スルーホール３を囲むように配置されたスタック構造の非貫通ビア４との距離Ｌ（図３を参照）によって支配的に決定される。スタック構造の非貫通ビア４は例えば基板のグランド電位を有している。
また、スルーホール３を囲むように配置されているスタック構造の非貫通ビア４は、図６に示す変形例のように、スルーホール３を中心とした同一円周上に配置されてもよい。これにより、貫通スルーホール３と、それを囲むように形成された、マイクロビア４ａ及びインナービア４ｂのスタック構造からなる全ての非貫通ビア４との距離が等しくなり、ビア部分のインピーダンス調整が容易になる。ただし、製造上の理由からこのような配置にすることが難しい場合、これに限定されるものではない。
表層に形成されたマイクロビア４ａと内層に形成されたインナービア４ｂは、第１の電気絶縁性基材からなる第１積層部１のみに形成する。これにより、第１の電気絶縁基材と第２の電気絶縁基材との熱膨張係数の違いによるビア接続不良を防ぐことができ、高周波基板の信頼性向上につながる。
以上のように、本発明にかかる第１実施形態の構成によれば、スルーホールを非貫通のビアで囲むようにしたので、複数のアンテナ素子を有した高周波基板に関して、複数のアンテナ素子を欠損することなく自由に効率よく配置することができ、小型でかつＲＦチップとアンテナ間の伝送損失が小さい高周波基板を提供することができる。
（第２実施形態）
以下、本発明の第２実施形態に係る高周波基板の構成ついて、図７ないし図９を用いて説明する。
図７は、第２実施形態に係る高周波基板の一例を模式的に示す断面図である。図８は、第２実施形態に係る高周波基板の変形例を模式的に示す断面図である。図９は、第２実施形態に係る高周波基板の更なる変形例を模式的に示す断面図である。
第２実施形態に係る高周波基板において、前述の第１実施形態に係る高周波基板と異なる点は、表層に形成されたマイクロビア４ａと、内層に形成されたインナービア４ｂが、厚み方向に階段状に接続された構造を有している点である。第２実施形態において、その他の構成は、第１実施形態に係る高周波基板の構成と同じである。
第２実施形態において、表層に形成されたマイクロビア４ａと、内層に形成されたインナービア４ｂは、図７に示すように、階段状（スタッガード構成）に接続されている。すなわち、マイクロビア４ａとスルーホール３の距離は、インナービア４ｂとスルーホール３の距離よりも近い。
また、表層に形成されたマイクロビア４ａと、内層に形成されたインナービア４ｂは、図８に示すような階段状の形状でもよい。この場合、インナービア４ｂとスルーホール３の距離は、マイクロビア４ａとスルーホール３との距離よりも近くなっている。
このような構成とすることで、インナービア４ｂを導電性ペーストで穴埋めし蓋めっきをする必要がなくなるので、リードタイムを短くすることができる。
また、図９に示すように、マイクロビア４ａとインナービア４ｂの直径を異ならせ、貫通スルーホール３とマイクロビア４ａの孔壁間距離Ｌ１と、貫通スルーホール３とインナービア４ｂの孔壁間距離Ｌ２が等しくなるようにスタックしてもよい。これにより、貫通スルーホール３のインピーダンスの設計および調整が容易になる。
（第３実施形態）
以下、本発明の第３実施形態に係る高周波基板について説明する。
第３実施形態では、フェーズドアレイアンテナが形成されている第２積層部２の誘電率及び誘電損失を、整合回路が形成されている第１積層部１の誘電率及び誘電損失よりも小さいものとしている。
アンテナ素子６ａからの伝送損失を小さくするためには、誘電率及び誘電損失が小さい方が好ましい。ミリ波帯のアンテナ面積が大きい場合、低誘電、低誘電損失の基材を用いることで伝送損失を抑制することが可能である。
低誘電率、低誘電損失基材は高価なため、上述のように、第２積層部２のみに、低誘電率、低誘電損失基材を使用することで、高周波基板のコストアップを抑制することができる。
また、第１実施形態と同様に、表層に形成されたマイクロビア４ａと内層に形成されたインナービア４ｂは、第１の電気絶縁性基材からなる第１積層部１のみに形成する。これにより、第１の電気絶縁基材と第２の電気絶縁基材との熱膨張係数の違いによるビア接続不良を防ぐことができ、高周波基板の信頼性を向上させることができる。
（第４実施形態）
以下、本発明の第４実施形態に係る高周波基板について説明する。
第４実施形態では、スルーホール３と、スルーホール３を囲むように配置された、マイクロビア４ａとインナービア４ｂのスタック構成からなる非貫通ビア４の距離を、フェーズドアレイアンテナの送信および受信の周波数における波長λの１／４以下に設定する。
例えば、７７ＧＨｚで通信を行うアンテナを備えている場合、第２の電気絶縁性基材として誘電率３のＰＴＦＥ基材を使用すると、基板を伝搬する１波長は約２．２５ｍｍになり、１／４波長だと約０．５６ｍｍになる。
したがって、スルーホール３と非貫通ビア４の距離は０．５６ｍｍ以下にすることが好ましい。このような配置にすることで、ミリ波帯におけるスルーホール３からの電磁界が周囲に漏れ広がるのを抑制し、伝送損失を小さくすることができる。
図１０、図１１に示す従来の同軸構造を有するスルーホール構成では、誘電率の低い基材を用いて、スルーホール１０４と、インピーダンス調整構造１０６の距離を０．５６ｍｍ以下にしようとすると、孔形成の際に基材にクラックが入ってしまい、実現が困難であった。
本実施形態では、スルーホール３を囲むビアを非貫通ビア４としたことで、スルーホール３と非貫通ビア４の距離を０．５６ｍｍ以下としても、孔形成の際に基材にクラックが入る可能性は低く、スルーホール３と非貫通ビア４の距離を小さくして伝送損失を低減することが可能となる。
（第５実施形態）
以下、本発明の第５実施形態に係る高周波基板ついて説明する。
第５実施形態では、フェーズドアレイアンテナが形成されている第２の電気絶縁性基材と、整合回路が形成されている第２１電気絶縁性基材の主剤を同じ材料としている。
電気絶縁性基材の誘電率は、添加するフィラーの充填率、径、材料により変更が可能である。主剤として同じものを使用すれば、例えば基板製造時の剥離といった不良の発生をより少なくすることができ、高周波基板の信頼性が向上する。また、第１の電気絶縁性基材と第２の電気絶縁性基材とで、熱膨張係数、弾性率を近い値に設定することも容易になるため、基板の反りを少なくすることができ、ＲＦチップを実装したときの信頼性を向上させることができる。
以上、本発明の各実施形態について説明したが、本発明は、実施形態の説明に限定されるものではない。
上述の各実施形態では、高周波基板を、第１積層部及び第２積層部からなる積層構造としたが、高周波基板の構造についてはこれに限定されない。例えば、高周波基板を１層のみとし、一方の面にＲＦチップを設け、他方の面にフェーズドアレイアンテナを設け、高周波基板の一方の面に、他方の面まで貫通する貫通スルーホールと、他方の面まで貫通しない非貫通ビアを設ける構造とすることも可能である。
本発明にかかる高周波基板は、ミリ波信号用の複数のアンテナ素子を有した高周波基板に有用である。
１ 第１積層部（第１の電気絶縁性基材）
１ａ 第１積層板
１ｂ 第２積層板
１ｃ 第３積層板
１ｄ 第４積層板
２ 第２積層部（第２の電気絶縁性基材）
３ スルーホール
４ ビア
４ａ マイクロビア
４ｂ インナービア
６ 配線(アンテナ)パターン
７ ソルダーレジスト
９ 整合回路
１０ ＲＦチップ
１１ その他の回路部品
１００ 高周波基板
１０２ 電気絶縁性基材
１０４ スルーホール
１０６ インピーダンス調整構造

Claims (8)

  1. 基板の片面に高周波信号の位相を制御することでビーム方向を調整するフェーズドアレイアンテナを備え、
    前記フェーズドアレイアンテナの送信と受信の周波数は同じであり、
    前記基板の前記フェーズドアレイアンテナが形成された面と異なる面には前記フェーズドアレイアンテナを形成するアンテナ素子とＲＦチップとのインピーダンスを整合させる整合回路が形成されており、
    前記フェーズドアレイアンテナと前記整合回路は前記基板に形成されたスルーホールを介して接続されており、
    前記スルーホールは前記基板の前記フェーズドアレイアンテナが形成された面と異なる面に開口を有する非貫通のビアで囲まれるように配置され、
    前記非貫通のビアは、前記基板の表層に形成されたマイクロビアと、前記基板の内層に形成されたインナービアが厚み方向に階段状に接続された構造である、
    高周波基板。
  2. 前記非貫通のビアは、前記基板の表層に形成されたマイクロビアと、前記基板の内層に形成されたインナービアが厚み方向に同一軸上にスタックされた構造である、
    請求項１に記載の高周波基板。
  3. 前記マイクロビアの直径と前記インナービアの直径は等しい、
    請求項１又は２に記載の高周波基板。
  4. 前記マイクロビアの直径と前記インナービアの直径は異なる、
    請求項１に記載の高周波基板。
  5. 前記フェーズドアレイアンテナが形成されている電気絶縁性基材の誘電率及び誘電損失は、前記整合回路が形成されている電気絶縁性基材の誘電率及び誘電損失よりも小さい、
    請求項１又は２に記載の高周波基板。
  6. 前記非貫通のビアは、前記整合回路が形成されている電気絶縁性基材の誘電率と等しい誘電率を有する基材にのみ形成されている、
    請求項１ないし３のいずれか一項に記載の高周波基板。
  7. 前記スルーホールと、前記スルーホールを囲むように配置された前記非貫通のビアとの距離は、前記フェーズドアレイアンテナの送信及び受信周波数における波長の１／４以下である、
    請求項１ないし４のいずれか一項に記載の高周波基板。
  8. 前記フェーズドアレイアンテナが形成されている電気絶縁性基材と、前記整合回路が形成されている電気絶縁性基材の主剤は、同じである、
    請求項１ないし５のいずれか一項に記載の高周波基板。
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