JP7231428B2 - 高周波回路基板の製造方法、及び高周波回路基板 - Google Patents

高周波回路基板の製造方法、及び高周波回路基板 Download PDF

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Description

本発明は、高周波回路基板の製造方法、及び高周波回路基板に関する。
例えば自動車に搭載されるミリ波レーダ等のレーダセンサ装置で用いる高周波回路基板として、高周波回路パターンを有する基板本体の表面にＩＣ等の電子部品を実装したものが知られている（特許文献１の図１及び図２参照）。近年、電子機器の小型化に伴って、高周波回路基板の小型化が求められている。この対策として、基板本体の誘電体層に電子部品を埋設することにより、基板本体の表面における電子部品の実装面積を削減することが行われている。このような高周波回路基板を製造する際には、基材上に電子部品を実装した後に、前記基材に対してエポキシ樹脂系の誘電体を低温（２２０℃）で熱プレスすることによって、電子部品が埋設された誘電体層を成形している。
特開２０１７－２１５１９７号公報
上記の高周波回路基板における基板本体の誘電体として、エポキシ樹脂系よりも高周波特性の良いフッ素樹脂などの熱可塑性樹脂を用いることが検討されている。しかし、熱可塑性樹脂を誘電体として用いる場合、電子部品が実装された基材に対して熱可塑性樹脂を熱プレスするときの温度が高温（３５０℃以上）になり過ぎて、電子部品が熱に耐えることができずに破損するという問題があった。
本発明は、かかる従来の問題点に鑑み、電子部品の熱破損を抑制しつつ高周波特性を向上させた小型の高周波回路基板を提供することを目的とする。
（１）本発明は、仮基材の一面に高周波回路パターンを形成する第１工程と、前記仮基材の前記一面に熱可塑性樹脂及び仮導体をこの順に重ねた状態で熱プレスし、前記熱可塑性樹脂から、前記高周波回路パターンを覆う第１誘電体層部を成形する第２工程と、前記仮導体を除去した後に前記第１誘電体層に削り出し加工を施して、電子部品を収容可能なキャビティを形成する第３工程と、前記キャビティ内において前記電子部品を前記高周波回路パターンに実装する第４工程と、前記第１誘電体層部における前記キャビティの開口側に熱硬化性樹脂及びグランド導体をこの順に重ねた状態で熱プレスし、前記熱硬化性樹脂から、前記キャビティ内の前記電子部品を埋設した第２誘電体層部を成形する第５工程と、前記仮基材を除去する第６工程と、をこの順に含む高周波回路基板の製造方法である。
本発明の高周波回路基板の製造方法によれば、高周波回路パターンを形成した仮基材に熱可塑性樹脂を熱プレスして第１誘電体層部を成形した後に、第１誘電体層部に形成したキャビティ内において電子部品を高周波回路パターンに実装する。すなわち、電子部品を高周波回路パターンに実装する前に熱可塑性樹脂を熱プレスするため、熱可塑性樹脂を高温で熱プレスすることに起因して電子部品が熱破損するのを抑制することができる。
また、電子部品を高周波回路パターンに実装した後、第１誘電体層部におけるキャビティの開口側から熱硬化性樹脂及びグランド導体を熱プレスし、熱硬化性樹脂からキャビティ内の電子部品を埋設した第２誘電体層部を成形する。これにより、グランド導体と高周波回路パターンとの間には、電子部品を埋設した第２誘電体層部と、高周波特性の良い熱可塑性樹脂からなる第１誘電体層部とが介在するため、高周波回路基板を小型化することができ、かつ高周波特性も向上させることができる。
（２）前記第５工程では、前記第１誘電体層部における前記キャビティを除く部分と前記グランド導体との間に、前記第２誘電体層部の一部が成形されるように熱プレスするのが好ましい。
この場合、熱硬化性樹脂からなる第２誘電体層部の一部により、グランド導体を第１誘電体層部側に容易に固定することができる。
（３）前記第１工程では、前記高周波回路パターン上の一部に、前記電子部品を接続するためのパッドをさらに設け、前記第２工程では、熱プレスにより前記高周波回路パターン上の他部及び前記パッドを覆う前記第１誘電体層部を成形し、前記第３工程では、前記キャビティの底部において、前記高周波回路パターン上の前記他部が前記第１誘電体層部に覆われたまま前記パッドが露出するまで、前記削り出し加工を施すのが好ましい。
この場合、第１誘電体層部に削り出し加工を施しても、高周波回路パターン上の他部は第１誘電体層部に覆われたままなので、当該他部が第１誘電体層部に覆われない場合に比べて、高周波回路パターン上の第１誘電体層部に覆われる面積を増やすことができる。これにより、高周波特性をさらに向上させることができる。
（４）他の観点からみた本発明は、グランド導体と、前記グランド導体の一面から離反して配置された高周波回路パターンと、前記高周波回路パターンに実装された電子部品と、前記グランド導体と前記高周波回路パターンとの間に介在する誘電体層と、を備え、前記誘電体層は、前記電子部品を収容したキャビティを有し、前記電子部品と非接触の第１誘電体層部と、少なくとも前記キャビティ内に成形され、前記電子部品を埋設した第２誘電体層部と、を有し、前記第１誘電体層部が熱可塑性樹脂からなり、前記第２誘電体層部が熱硬化性樹脂からなる、高周波回路基板である。
本発明の高周波回路基板によれば、高周波回路パターンに実装された電子部品が、熱可塑性樹脂からなる第１誘電体層部と非接触であるため、熱可塑性樹脂を高温で熱プレスして第１誘電体層部を成形する際に、電子部品が熱破損するのを抑制することができる。
また、グランド導体と高周波回路パターンとの間には、電子部品を埋設した第２誘電体層部と、高周波特性の良い熱可塑性樹脂からなる第１誘電体層部とが介在するため、高周波回路基板を小型化することができ、かつ高周波特性も向上させることができる。
（５）前記第２誘電体層部の一部が、前記第１誘電体層部における前記キャビティを除く部分と前記グランド導体との間に介在しているのが好ましい。
この場合、熱硬化性樹脂からなる第２誘電体層部の一部により、グランド導体を第１誘電体層部側に容易に固定することができる。
（６）前記第２誘電体層部の前記一部の厚みが、前記グランド導体と前記高周波回路パターンとの間における前記第１誘電体層部の厚みよりも薄いのが好ましい。
この場合、熱硬化性樹脂（第２誘電体層部の一部）による高周波特性への悪影響を低減することができる。
（７）前記熱可塑性樹脂がポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂であるのが好ましい。
この場合、フッ素樹脂であるテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）樹脂よりも安価で容易に高周波回路基板を製造することができ、液晶ポリマー（ＬＣＰ）樹脂よりも容易に高周波特性の良い高周波回路基板を製造することができる。
（８）前記高周波回路パターンがアンテナパターンであるのが好ましい。
この場合、アンテナパターンを備えた高周波回路基板を小型化することができ、かつ高周波特性も向上させることができる。
（９）前記高周波回路基板は、前記グランド導体における前記一面と反対側の他面に積層されたガラスエポキシ樹脂層をさらに備えるのが好ましい。
この場合、ガラスエポキシ樹脂層を備えることで、例えばレーダセンサ装置に必要な回路（ベースバンド部回路や電源など）を配置することができるため、小型化することができる。
本発明によれば、電子部品の熱破損を抑制しつつ高周波特性を向上させた小型の高周波回路基板を提供することができる。
本発明の第１実施形態に係る高周波回路基板を示す断面模式図である。 前記高周波回路基板の製造方法における第１工程を示す断面模式図である。 前記高周波回路基板の製造方法における第２工程を示す断面模式図である。 前記高周波回路基板の製造方法における第２工程を示す断面模式図である。 前記高周波回路基板の製造方法における第３工程を示す断面模式図である。 前記高周波回路基板の製造方法における第４工程を示す断面模式図である。 前記高周波回路基板の製造方法における第５工程を示す断面模式図である。 前記高周波回路基板の製造方法における第５工程を示す断面模式図である。 本発明の第２実施形態に係る高周波回路基板を示す断面模式図である。 図６の高周波回路基板の製造方法における第１工程を示す断面模式図である。 図６の高周波回路基板の製造方法における第２工程を示す断面模式図である。 図６の高周波回路基板の製造方法における第２工程を示す断面模式図である。 図６の高周波回路基板の製造方法における第３工程を示す断面模式図である。 図６の高周波回路基板の製造方法における第４工程を示す断面模式図である。 図６の高周波回路基板の製造方法における第５工程を示す断面模式図である。 図６の高周波回路基板の製造方法における第５工程を示す断面模式図である。 本発明の第３実施形態に係る高周波回路基板を示す断面模式図である。
次に、本発明の好ましい実施形態について添付図面を参照しながら説明する。
［第１実施形態］
＜高周波回路基板の構成＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る高周波回路基板を示す断面模式図である。高周波回路基板１は、例えば自動車に搭載されるミリ波レーダ等のレーダセンサ装置で用いられるものである。本実施形態の高周波回路基板１は、グランド導体２、アンテナパターン（高周波回路パターン）３、電子部品４、及び誘電体層５を備えている。なお、以下の説明では、図１の上側を高周波回路基板１の「上側」とし、図１の下側を高周波回路基板１の「下側」とする（図２Ａ～図１１も同様）。
グランド導体２は、例えば銅箔等の金属箔からなり、高周波回路基板１の最上層に配置されている。高周波回路パターンであるアンテナパターン３は、例えば銅箔等の金属箔にエッチング加工を施すことによって所望の形状に形成されている。本実施形態では、複数（図例では２個）のアンテナパターン３が、グランド導体２の下面（一面）から離反して高周波回路基板１の最下層に配置されている。なお、アンテナパターン３は１個だけでもよい。また、高周波回路パターンは、アンテナパターンに限定されるものではない。
電子部品４は、例えば、ＩＣ（パッケージされていないＩＣも含む）、トランジスタ、ダイオード、抵抗、コンデンサ等からなる。本実施形態の電子部品４は、例えばＭＭＩＣ（モノリシックマイクロ波集積回路）からなる。電子部品４は、各アンテナパターン３を跨ぐように配置された状態で、はんだ８によって各アンテナパターン３にはんだ付けされて実装されている。なお、電子部品４は、はんだ付け以外の方法でアンテナパターン３に実装されていてもよい。
誘電体層５は、主としてグランド導体２とアンテナパターン３との間に介在しており、熱可塑性樹脂１３（図２Ｂ参照）を熱プレスして成形される第１誘電体層部６と、熱硬化性樹脂１４（図４Ｂ参照）を熱プレスして成形される第２誘電体層部７とを有している。
熱可塑性樹脂１３としては、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂，テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）樹脂，ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）樹脂，テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）樹脂，ポリビニリデンフルオライド（ＰＶｄＦ）樹脂，
ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）樹脂，テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）樹脂，クロロトリフルオエチレン・エチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）樹脂等のフッ素樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、変性ポリフェニレンエーテル（変形ＰＰＥ）樹脂、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、及びこれらのポリマーアロイ等が挙げられる。熱硬化性樹脂１４としては、エポキシ樹脂等が挙げられる。本実施形態では、熱可塑性樹脂１３としてポリテトラフルオロエチレン樹脂が用いられ、熱硬化性樹脂１４としてエポキシ樹脂が用いられている。
第１誘電体層部６の下面の大部分は、各アンテナパターン３の上面に密着して固定されている。第１誘電体層部６は、各アンテナパターン３の外側（図１の左右両側）にも成形されており、その成形部分の下面は、各アンテナパターン３の下面と面一とされている。
第１誘電体層部６は、底部に各アンテナパターン３の一部が露出するキャビティ６ａを有している。キャビティ６ａは、その内部に電子部品４を収容した状態で各アンテナパターン３に電子部品４を実装可能な必要最小限の大きさに形成されている。第１誘電体層部６は、キャビティ６ａに電子部品４が収容されることで、電子部品４と非接触とされている。
第２誘電体層部７は、キャビティ６ａ内に成形されて電子部品４を埋設している埋設部７ａと、埋設部７ａの上側に連続して成形されてグランド導体２の下面２ａ全体に密着して固定されている密着部７ｂとを有している。
埋設部７ａの外側面は、キャビティ６ａの内側面に密着して固定されている。また、埋設部７ａの下面の外側部分は、各アンテナパターン３の上面に密着して固定されている。埋設部７ａの下面の内側部分は、両アンテナパターン３の間に成形されており、その成形部分の下面は、各アンテナパターン３の下面と面一とされている。
密着部７ｂの埋設部７ａよりも外側に延びる外側部７ｂ１の下面は、第１誘電体層部６におけるキャビティ６ａを除く部分の上面６ｂに密着して固定されている。これにより、第２誘電体層部７の一部（外側部７ｂ１）は、第１誘電体層部６の上面６ｂとグランド導体２の下面２ａとの間に介在し、グランド導体２を第１誘電体層部６側に固定している。外側部７ｂ１の積層方向（図１の上下方向）の厚みｔ２は、グランド導体２とアンテナパターン３との間における第１誘電体層部６の積層方向の厚みｔ１よりも薄く形成されている。
＜高周波回路基板の製造方法＞
図２Ａ～図５は、第１実施形態の高周波回路基板１の製造方法を示す断面模式図である。以下、図２Ａ～図５を参照しながら、高周波回路基板１の製造方法について説明する。
図２Ａにおいて、まず、仮基材１１の上面（一面）に積層した金属箔にエッチング加工を施して各アンテナパターン３を形成する（第１工程）。仮基材１１は、例えば、ベースとなる銅箔１１ａの上面にニッケル箔１１ｂを積層して構成されている。なお、仮基材１１は、本実施形態の構成に限定されるものではない。
次に、図２Ｂに示すように、仮基材１１の上面に熱可塑性樹脂１３及び仮導体１２をこの順に重ねた状態で、３５０℃以上の高温で熱プレスする。これにより、図３Ａに示すように、仮基材１１と仮導体１２との間には、熱可塑性樹脂１３から、各アンテナパターン３を覆う第１誘電体層部６が成形される（第２工程）。
次に、図３Ａに示す状態から仮導体１２を除去した後、図３Ｂに示すように、第１誘電体層部６に削り出し加工を施して、電子部品４を収容可能なキャビティ６ａを形成する（第３工程）。これにより、キャビティ６ａの底部には、各アンテナパターン３の一部が露出した状態となる。
次に、図４Ａに示すように、第１誘電体層部６のキャビティ６ａ内に電子部品４を挿入した状態で、電子部品４をはんだ８によって各アンテナパターン３にはんだ付けする。これにより、電子部品４は、第１誘電体層部６に非接触の状態で、各アンテナパターン３に実装される（第４工程）。
次に、図４Ｂに示すように、第１誘電体層部６におけるキャビティ６ａの開口側に、熱硬化性樹脂１４及びグランド導体２をこの順に重ねた状態で、２２０℃の低温で熱プレスする（第５工程）。その際、第１誘電体層部６の上面６ｂとグランド導体２の下面２ａとの間に熱硬化性樹脂１４の一部が残るように熱プレスする。
これにより、図５に示すように、熱硬化性樹脂１４から、キャビティ６ａ内の電子部品４を埋設した埋設部７ａ、及び第１誘電体層部６の上面６ｂとグランド導体２の下面２ａとの間に介在する密着部７ｂを有する第２誘電体層部７が成形される。なお、第５工程では、１個の熱硬化性樹脂１４を用いているが、埋設部７ａ用と密着部７ｂ用の２個の熱硬化樹脂を用いてもよい。
次に、図５に示す状態から、仮基材１１を除去する（第６工程）。これにより、図１に示す高周波回路基板１を得ることができる。
＜作用効果＞
以上、第１実施形態における高周波回路基板１の製造方法によれば、アンテナパターン３を形成した仮基材１１に熱可塑性樹脂１３を熱プレスして第１誘電体層部６を成形した後に、第１誘電体層部６に形成したキャビティ６ａ内において電子部品４をアンテナパターン３に実装する。すなわち、電子部品４をアンテナパターン３に実装する前に熱可塑性樹脂１３を熱プレスするため、熱可塑性樹脂１３を高温で熱プレスすることに起因して電子部品４が熱破損するのを抑制することができる。
また、電子部品４をアンテナパターン３に実装した後、第１誘電体層部６におけるキャビティ６ａの開口側から熱硬化性樹脂１４及びグランド導体２を熱プレスし、熱硬化性樹脂１４から、キャビティ６ａ内の電子部品４を埋設した第２誘電体層部７を成形する。これにより、グランド導体２とアンテナパターン３との間には、電子部品４を埋設した第２誘電体層部７と、高周波特性の良い熱可塑性樹脂１３からなる第１誘電体層部６とが介在するため、高周波回路基板１を小型化することができ、かつ高周波特性も向上させることができる。
また、熱硬化性樹脂１４及びグランド導体２を熱プレスする際に、第１誘電体層部６の上面６ｂとグランド導体２の下面２ａとの間に、第２誘電体層部７の一部（外側部７ｂ１）が成形されるように熱プレスするので、熱硬化性樹脂１４からなる第２誘電体層部７の一部により、グランド導体２を第１誘電体層部６側に容易に固定することができる。
また、第２誘電体層部７の外側部７ｂ１の厚みｔ２は、グランド導体２とアンテナパターン３との間における第１誘電体層部６の厚みｔ１よりも薄いので、熱硬化性樹脂１４（第２誘電体層部７の外側部７ｂ１）による高周波特性への悪影響を低減することができる。
また、熱可塑性樹脂１３としてポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂を用いているため、フッ素樹脂であるテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）樹脂よりも安価で容易に高周波回路基板を製造することができ、液晶ポリマー（ＬＣＰ）樹脂よりも容易に高周波特性の良い高周波回路基板を製造することができる。
［第２実施形態］
図６は、本発明の第２実施形態に係る高周波回路基板を示す断面模式図である。本実施形態の高周波回路基板１では、各アンテナパターン３上の一部に、電子部品４を接続するためのパッド９がそれぞれ設けられている。本実施形態の各パッド９は、アンテナパターン３上のキャビティ６ａに対応する位置に設けられている。
本実施形態のキャビティ６ａは、その底部に各パッド９の上面だけが露出するように形成されている。このため、本実施形態では、各アンテナパターン３の全体が、第１誘電体層部６により覆われている。各パッド９の上面には、はんだ８によって電子部品４がはんだ付けされて接続されている。これにより、電子部品４は、パッド９を介して各アンテナパターン３に実装されている。
第１誘電体層部６におけるキャビティ６ａの下側部分は、両アンテナパターン３の間に成形されており、その成形部分の下面は、各アンテナパターン３の下面と面一とされている。第２誘電体層部７の埋設部７ａの下面は、キャビティ６ａの底面、及びパッド９の上面に密着して固定されている。
本実施形態の他の構成は、第１実施形態と同様であるため、同一の符号を付し、その説明を省略する。
図７Ａ～図１０は、第２実施形態の高周波回路基板１の製造方法を示す断面模式図である。以下、図７Ａ～図１０を参照しながら、高周波回路基板１の製造方法について説明する。尚、以下の説明では、各アンテナパターン３上におけるパッド９が設けられる部分を「一部」といい、各アンテナパターン３上におけるパッド９が設けられない部分を「他部」という。
図７Ａにおいて、まず、仮基材１１の上面に積層した金属箔にエッチング加工を施して各アンテナパターン３を形成する。その後、各アンテナパターン３上の一部にパッド９を設ける（第１工程）。
次に、図７Ｂに示すように、仮基材１１の上面に熱可塑性樹脂１３及び仮導体１２をこの順に重ねた状態で、３５０℃以上の高温で熱プレスする。これにより、図８Ａに示すように、仮基材１１と仮導体１２との間には、熱可塑性樹脂１３から、各アンテナパターン３上の他部及びパッド９を覆う第１誘電体層部６が成形される（第２工程）。
次に、図８Ａに示す状態から仮導体１２を除去した後、図８Ｂに示すように、第１誘電体層部６に削り出し加工を施して、電子部品４を収容可能なキャビティ６ａを形成する（第３工程）。これにより、キャビティ６ａの底部には、各アンテナパターン３上の他部が第１誘電体層部６に覆われたまま、各パッド９の上面が露出した状態となる。
次に、図９Ａに示すように、第１誘電体層部６のキャビティ６ａ内に電子部品４を挿入した状態で、電子部品４をはんだ８によって各パッド９にはんだ付けする。これにより、電子部品４は、第１誘電体層部６に非接触の状態で、パッド９を介して各アンテナパターン３に実装される（第４工程）。
次に、図９Ｂに示すように、第１誘電体層部６におけるキャビティ６ａの開口側に熱硬化性樹脂１４及びグランド導体２をこの順に重ねた状態で、２２０℃の低温で熱プレスする（第５工程）。その際、第１誘電体層部６の上面６ｂとグランド導体２の下面２ａとの間に熱硬化性樹脂１４の一部が残るように熱プレスする。
これにより、図１０に示すように、熱硬化性樹脂１４から、キャビティ６ａ内の電子部品４を埋設した埋設部７ａ、及び第１誘電体層部６の上面６ｂとグランド導体２の下面２ａとの間に介在する密着部７ｂを有する第２誘電体層部７が成形される。
次に、図１０に示す状態から、仮基材１１を除去する（第６工程）。これにより、図６に示す高周波回路基板１を得ることができる。
以上、第２実施形態における高周波回路基板１の製造方法によっても、第１実施形態と同様の作用効果を奏する。また、第１誘電体層部６に削り出し加工を施しても、各アンテナパターン３上の他部は第１誘電体層部６に覆われたままなので、各アンテナパターン３上の第１誘電体層部６に覆われる面積を、第１実施形態よりも増やすことができる。これにより、高周波特性をさらに向上させることができる。
また、第１誘電体層部６におけるキャビティ６ａの下側部分は、両アンテナパターン３の間にも成形されるため、第５工程（図９Ｂ参照）において、熱硬化性樹脂１４を熱プレスしてキャビティ６ａ内に第２誘電体層部７を成形する際に、電子部品４の下方に潜り込ませる熱硬化性樹脂１４の量を、第１実施形態（図４Ｂ参照）よりも減らすことができる。これにより、電子部品４の下方に第２誘電体層部７が成形されない隙間が生じるのを抑制することができる。
［第３実施形態］
図１１は、本発明の第３実施形態に係る高周波回路基板を示す断面模式図である。本実施形態の高周波回路基板１は、第１実施形態の変形例であり、グランド導体２の上面（他面）に積層された複数（図例では３層）のガラスエポキシ樹脂層１０を備えている。各ガラスエポキシ樹脂層１０は、例えば、ＦＲ－４からなる基材１０ａ上に、銅箔等の金属箔１０ｂを貼り付けて構成されている。
本実施形態の他の構成は、第１実施形態と同様であるため、同一の符号を付し、その説明を省略する。
なお、ガラスエポキシ樹脂層１０は、１層だけ積層されていてもよい。また、ガラスエポキシ樹脂層１０は、第２実施形態のグランド導体２の上面に積層されていてもよい。
本実施形態の高周波回路基板１を製造する際には、第１実施形態と同様に第１～第６工程（図２Ａ～図５参照）を行った後、グランド導体２の上面に、基材１０ａ及び金属箔１０ｂをこの順に重ねた状態で熱プレスする。その際、熱プレスの温度は、約２００℃であり、第１誘電体層部６（熱可塑性樹脂１３）の溶融温度（３５０℃以上）よりも低いので、前記熱プレスにより第１誘電体層部６が溶融することはない。
前記熱プレスの工程を繰り返し行うことで、グランド導体２の上面に、複数のガラスエポキシ樹脂層１０が積層された高周波回路基板１を得ることができる。
以上より、第３実施形態における高周波回路基板１の製造方法によっても、第１実施形態と同様の作用効果を奏する。また、高周波回路基板１がガラスエポキシ樹脂層１０を備えることで、レーダセンサ装置に必要な回路（ベースバンド部回路や電源など）を配置することができるため、小型化することができる。
［その他］
本発明の高周波回路基板は、レーダセンサ装置以外で用いられるものであってもよい。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した意味ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
１ 高周波回路基板
２ グランド導体
３ アンテナパターン（高周波回路パターン）
４ 電子部品
５ 誘電体層
６ 第１誘電体層部
６ａ キャビティ
７ 第２誘電体層部
９ パッド
１０ ガラスエポキシ樹脂層
１１ 仮基材
１２ 仮導体
１３ 熱可塑性樹脂
１４ 熱硬化性樹脂
ｔ１ 第１誘電体層部の厚み
ｔ２ 第２誘電体層部の一部の厚み

Claims (9)

  1. 仮基材の一面に高周波回路パターンを形成する第１工程と、
    前記仮基材の前記一面に熱可塑性樹脂及び仮導体をこの順に重ねた状態で熱プレスし、前記熱可塑性樹脂から、前記高周波回路パターンを覆う第１誘電体層部を成形する第２工程と、
    前記仮導体を除去した後に前記第１誘電体層部に削り出し加工を施して、電子部品を収容可能なキャビティを形成する第３工程と、
    前記キャビティ内において前記電子部品を前記高周波回路パターンに実装する第４工程と、
    前記第１誘電体層部における前記キャビティの開口側に熱硬化性樹脂及びグランド導体をこの順に重ねた状態で熱プレスし、前記熱硬化性樹脂から、前記キャビティ内の前記電子部品を埋設した第２誘電体層部を成形する第５工程と、
    前記仮基材を除去する第６工程と、をこの順に含む高周波回路基板の製造方法。
  2. 前記第５工程では、前記第１誘電体層部における前記キャビティを除く部分と前記グランド導体との間に、前記第２誘電体層部の一部が成形されるように熱プレスする、請求項１に記載の高周波回路基板の製造方法。
  3. 前記第１工程では、前記高周波回路パターン上の一部に、前記電子部品を接続するためのパッドをさらに設け、
    前記第２工程では、熱プレスにより前記高周波回路パターン上の他部及び前記パッドを覆う前記第１誘電体層部を成形し、
    前記第３工程では、前記キャビティの底部において、前記高周波回路パターン上の前記他部が前記第１誘電体層部に覆われたまま前記パッドが露出するまで、前記削り出し加工を施す、請求項１又は２に記載の高周波回路基板の製造方法。
  4. グランド導体と、
    前記グランド導体の一面から離反して配置された高周波回路パターンと、
    前記高周波回路パターンに実装された電子部品と、
    前記グランド導体と前記高周波回路パターンとの間に介在する誘電体層と、を備え、
    前記誘電体層は、
    前記電子部品を収容したキャビティを有し、前記電子部品と非接触の第１誘電体層部と、
    少なくとも前記キャビティ内において当該キャビティの内側面全体に密着するように成形され、前記電子部品を埋設した第２誘電体層部と、を有し、
    前記第１誘電体層部が熱可塑性樹脂からなり、前記第２誘電体層部が熱硬化性樹脂からなる、高周波回路基板。
  5. 前記第２誘電体層部の一部が、前記第１誘電体層部における前記キャビティを除く部分と前記グランド導体との間に介在している、請求項４に記載の高周波回路基板。
  6. 前記第２誘電体層部の前記一部の厚みが、前記グランド導体と前記高周波回路パターンとの間における前記第１誘電体層部の厚みよりも薄い、請求項５に記載の高周波回路基板。
  7. 前記熱可塑性樹脂がポリテトラフルオロエチレン樹脂である、請求項４～６のいずれか１項に記載の高周波回路基板。
  8. 前記高周波回路パターンがアンテナパターンである、請求項４～７のいずれか１項に記載の高周波回路基板。
  9. 前記グランド導体における前記一面と反対側の他面に積層されたガラスエポキシ樹脂層をさらに備える請求項４～８のいずれか１項に記載の高周波回路基板。
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