WO2013053805A1 - Verkapselung für ein organisches elektronisches bauelement - Google Patents

Verkapselung für ein organisches elektronisches bauelement Download PDF

Info

Publication number
WO2013053805A1
WO2013053805A1 PCT/EP2012/070134 EP2012070134W WO2013053805A1 WO 2013053805 A1 WO2013053805 A1 WO 2013053805A1 EP 2012070134 W EP2012070134 W EP 2012070134W WO 2013053805 A1 WO2013053805 A1 WO 2013053805A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
adhesive layer
encapsulation
organic electronic
thin
Prior art date
Application number
PCT/EP2012/070134
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Richard Baisl
Doreen FISCHER
Erwin Lang
Michael Popp
Tilman Schlenker
Evelyn TRUMMER-SAILER
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors Gmbh filed Critical Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority to KR1020147012539A priority Critical patent/KR102003087B1/ko
Priority to US14/351,090 priority patent/US9601721B2/en
Priority to CN201280050098.0A priority patent/CN103875090B/zh
Priority to JP2014535071A priority patent/JP2014532271A/ja
Publication of WO2013053805A1 publication Critical patent/WO2013053805A1/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
    • H10K10/80—Constructional details
    • H10K10/88—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/88—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/87—Arrangements for heating or cooling

Definitions

  • the invention relates to an encapsulation for an organic electronic component, an organic electronic component with the encapsulation and a method for
  • OLEDs organic light emitting devices
  • Thin-film encapsulations with thin layers known. Such a thin-layer encapsulation is described, for example, in the application DE 10 2008 048 472.
  • the object of the present invention is to specify an improved encapsulation for an organic electronic component. Furthermore, it is the task of the present invention
  • Encapsulation for an organic electronic component with a layer sequence comprising the following layers:
  • the first adhesive layer arranged on the at least one thin-layer encapsulation, the first adhesive layer comprising at least one getter material, and
  • Adhesive layer Adhesive layer.
  • the inventors have surprisingly found that the use of an adhesive layer with at least one getter material on the one hand a good bonding of the thin-film encapsulation is made possible with the cover layer, but on the other hand by this encapsulation and an increased life of electronic components is possible compared to components whose encapsulation provided with an adhesive layer which has no getter material.
  • first layer or a first element is arranged or applied "on” or “above” a second layer or a second element or also "between” two further layers or elements can here and in the following
  • an indirect contact can also be designated, in which further layers and / or elements are arranged between the first layer or the first element of the second layer or the second element or the two further layers or elements.
  • Encapsulation designed such that it can be penetrated by atmospheric substances such as water or oxygen at most very small proportions or the air and
  • Moisture diffusion is significantly delayed compared to previous encapsulations.
  • a "getter material” is a material which penetrates from the outside disturbing substances such as
  • Oxygen or the water of humidity absorbs or adsorbs with the result that the first
  • Adhesive layer in addition to its adhesive properties in addition oxygen and / or moisture repellent
  • Encapsulation which is suitable for forming a first barrier to atmospheric substances, in particular to moisture and oxygen. Due to the thin film encapsulation, the organic electronic
  • the component Due to the thin-film encapsulation, the component already has a first basic seal against environmental influences.
  • the thin-layer encapsulation has only "thin layers" with a thickness less than or equal to a few 100 nm.
  • the at least one thin-layer encapsulation becomes
  • PVD Physical vapor deposition
  • ALD atomic layer deposition
  • Atomic layer deposition or plasmalose atomic layer deposition generated Atomic layer deposition or plasmalose atomic layer deposition generated.
  • a chemical vapor deposition (CVD) and an atomic layer deposition (ALD) may be present in this case
  • Physical vapor deposition herein may refer to a process in which a gaseous compound condenses on a surface of a provided substrate, such as sputtering
  • a chemical vapor deposition may denote a process in which on at least one surface of a provided substrate having at least one organic functional layer at least two gaseous
  • Output connections are simultaneously supplied to a volume in which the substrate is provided. Furthermore, it may be necessary for the at least one surface of the provided substrate with the at least one organic functional layer to be at a temperature
  • ALD is particularly referred to as a method in which a first gaseous starting compound is a
  • volume is supplied, in which one to be coated
  • the first gaseous compound can adsorb on the surface. After a preferably complete or almost complete covering of the surface with the first starting compound, the part of the first starting compound which is still present in gaseous form and / or not adsorbed on the surface is usually removed from the volume again and a second
  • the second starting compound is intended to chemically react with the first starting compound adsorbed on the surface to form a solid ALD layer.
  • the surface to be coated is heated to a temperature above room temperature. This allows the reaction to Formation of the solid ALD layer are thermally initiated.
  • the temperature of the surface to be coated is usually dependent on the starting compounds.
  • Plasma-less atomic layer deposition in the present case refers to an ALD process for which no plasma is generated as described below, but in which, for the formation of the solid layer, the reaction of the starting compounds only via the Temperature of the surface to be coated is initiated.
  • the temperature of the surface to be coated is usually between 60 ° C and 120 ° C in a PLALD process, the limits being included.
  • PEALD enhanced atomic layer deposition
  • the temperature to which the surface to be coated must be heated can be reduced and, nevertheless, the reaction between the starting compounds can be initiated by plasma generation.
  • the temperature of the surface to be coated is preferably less than or equal to 120 ° C., particularly preferably less than or equal to 80 ° C., for PEALD.
  • a PEALD process may be advantageous if initiation of the reaction between the
  • the getter material may be in the form of getter particles in the adhesive layer.
  • the getter particles can have a diameter of ⁇ 1 ym to 50 ym.
  • the diameter of the getter particles is not greater than the layer thickness of the adhesive layer in order not to damage the adjacent layers and the component.
  • the getter particles have one
  • the getter particles have a maximum diameter of 10 ym at a thickness of
  • Adhesive layer of 10 ym Particularly preferred is a
  • Diameter of the getter particles none than 1 ym, regardless of the layer thickness of the adhesive layer. Thus, even with a dense packing of the particles punctual forces can be reduced to, for example, an OLED.
  • the getter material is dissolved in the adhesive.
  • the getter material may comprise oxidizable materials which can react with and bind oxygen and water.
  • oxidizable materials which can react with and bind oxygen and water.
  • the getter material may include magnesium, calcium, barium, cesium, cobalt, yttrium, lanthanum, and / or rare earth metals. You can also continue other metals, such as aluminum, zirconium, tantalum, and / or titanium or oxidizable non-metallic materials. In addition, that can
  • Getter material also includes CaO, BaO and MgO.
  • the getter material includes desiccants that can irreversibly absorb water without changing their volume.
  • the getter material may comprise, for example, dried silica gels.
  • the getter material comprises zeolites, which are preferably dried and those in their pores and
  • Channels can adsorb oxygen and / or water. In the adsorption of water and / or oxygen by
  • dried silica gels and / or zeolites do not give rise to products harmful to the underlying layers, and the dried silica gels and / or zeolites preferably do not change in volume as a result of the reaction with water and / or oxygen.
  • the encapsulation is transparent.
  • transparent it is meant herein that a material or layer is permeable to the entire visible electromagnetic spectrum or to a sub-spectrum thereof
  • an OLED can thus be coupled out via the encapsulation and the OLED is designed as a "top emitter.” It is also possible for light to be radiated from outside via the encapsulation into the organic electronic component, such as
  • Encapsulation comprising the thin-layer encapsulation, the first adhesive layer and the cover layer, is in the beam path in the case of this embodiment, for example
  • the encapsulation comprises at least one second thin-layer encapsulation.
  • the second thin-layer encapsulation may be different than the first thin-layer encapsulation with respect to the material. In this way it is possible to use the optical
  • the second thin-layer encapsulation can be like the first
  • Thin film encapsulation for example by CVD, PVD
  • the first and / or second thin-layer encapsulation may comprise one of the following materials: aluminum oxide, zinc oxide, zirconium oxide, titanium oxide, hafnium oxide, lanthanum oxide,
  • the first and / or second thin-layer encapsulation may have a layer thickness of 1 nm to 5 ym.
  • the layer thickness of the first and / or the second thin-film layer can be Encapsulation between 10 nm and 500 nm and more preferably the layer thickness is between 10 nm and 100 nm.
  • Thin layer thicknesses of the thin-layer encapsulation usually contribute to a high optical transmission of the thin-layer encapsulation.
  • the layer thicknesses of the first and the second thin-layer encapsulation may be different.
  • the first adhesive layer has one
  • the first adhesive layer may have a layer thickness of 10 ⁇ m to 50 ⁇ m. Thin layer thicknesses of the first adhesive layer generally contribute to a high optical transmission of the layer.
  • the first adhesive layer may comprise an adhesive material in which the getter material is embedded. The adhesive layer may in particular also be transparent to the radiation emitted or received by the component.
  • the getter material may be one
  • the scattering effect may be due to a refractive index difference between the
  • Refractive index of the first adhesive layer for example, the adhesive material and the refractive index of the first adhesive layer
  • Getterpumble be conditional. A scattering effect occurs when the getter particles have a different
  • Refractive index to the first adhesive layer for example, the adhesive material have.
  • Spectral range is greater than or equal to 0.05.
  • Scattering may be due to the size of the particles, their
  • the getter particles have a mean particle size of 10 nm to 10 ⁇ m, in particular an average particle size of 100 nm to 3 ⁇ m, for a scattering effect.
  • the first adhesive layer may comprise scattering particles in addition to the getter material and the adhesive material.
  • the first adhesive layer may comprise scattering particles in addition to the getter material and the adhesive material.
  • the scattering particles may include air bubbles, metal oxides, CaF, diamond and / or glass.
  • the metal oxides may include ZrO 2 , TiO 2 , Al 2 O 3, SiO 2 , ZnO, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO) and Ga 2 O.
  • the scattering particles can coat or
  • the scattering particles have an average particle size of 10 nm to 10 ym, in particular an average particle size of 100 nm to 3 ym. It is possible that the scattering particles differ in their particle size. It is also possible that various scattering particles are present in the first adhesive layer. If the optical electronic component is an OLED, the getter particle and / or the
  • the homogeneity of the illuminance at the light exit surface can be improved. It is possible to realize a more homogeneous emission characteristic of the OLED.
  • the getter and / or scattering particles it is possible by means of the getter and / or scattering particles to obtain the effect that the OLED has a greater effective Has emission surface or can illuminate a larger area compared with a device without
  • the encapsulation can therefore, in addition to the adhesion of the thin-layer encapsulation and the cover layer and the delayed air or
  • the getter material of the first adhesive layer is homogeneously distributed in the first adhesive layer, for example in the adhesive material.
  • Gettermaterials the application of the first adhesive layer. Through a homogeneous distribution of the getter material a uniform oxygen or water absorption over the entire adhesive layer is possible. If the getter material is in the form of particles in the adhesive layer and these particles should have a scattering effect on emitted radiation of e.g. have an OLED, is homogeneous by a homogeneous distribution of getter particles in addition
  • first adhesive layer may additionally
  • thermally conductive particles are selected from a group comprising carbon nanotubes, diamond, copper, boron nitride,
  • the thermal conductivity can be between 28 and 6000 W / mK.
  • Heat distribution within the device and thus reduces a differential aging of the device and thus increases the life of the device or increases the
  • Luminance at e.g. an organic light emitting diode The higher the thermal conductivity, the better the heat can be
  • heat-conductive particles with appropriate size and / or
  • Refractive index difference to the adhesive material additionally have a scattering effect on radiation, for example, an OLED.
  • the getter material is inhomogeneously distributed in the first adhesive layer, for example in the adhesive material.
  • the getter material is inhomogeneously distributed in the first adhesive layer, for example in the adhesive material.
  • Adhesive layer have a higher concentration. This embodiment is particularly suitable when it is desired to absorb oxygen and / or water penetrating from the side. This is possible, for example, if the first adhesive layer is in direct contact with the environment at the side edges, while the main surface of the first adhesive layer is covered by the cover layer.
  • the adhesive material of the first adhesive layer comprises a two-part adhesive and / or a thermosetting adhesive.
  • the adhesive material comprises methyl acrylate Adhesives. Methyl acrylate adhesives polymerize by a radical mechanism, using as a monomer
  • Methyl acrylate is used.
  • the adhesive material of the first adhesive layer may comprise a light-curing adhesive.
  • a light-curing adhesive targeted hardening under UV light and rapid curing is possible.
  • Light-curing adhesives are preferably without
  • Solvent used With Solvent used. Thus, possible undesired effects due to the shrinkage of the adhesive layer due to solvent shrinkage, such as layer stresses and point forces on the underlying layer, can be avoided. There is thus also no danger that a solvent penetrates into the active layer, for example an OLED, and thus possibly damages the active layer. Since solvents have to be sucked off again during the curing process, considerably less technical effort is required with the use of solvent-free adhesives.
  • the adhesive material of the first adhesive layer comprises an epoxy adhesive.
  • Epoxy resin adhesive will not damage the organic electronic device in case of a point defect.
  • Epoxy resin adhesive comprises an epoxy-containing A component and a B component as a hardener.
  • the A component comprises at least one epoxy resin selected from
  • the A component is solvent-free.
  • the adhesive material of the first adhesive layer may according to a further embodiment also be silicone hybrid, Polyurethanes, acrylates, phenolic resins, polysulfides and / or melamine resins.
  • the cover layer of the encapsulation serves the mechanical
  • the cover layer may be selected from a group comprising glass, metals, lacquers or plastics.
  • the metals may include, for example, copper or aluminum.
  • the metals and plastics can be films.
  • the cover layer may have a layer thickness of 10 ym to 4 mm. Particularly preferred is a layer thickness of the cover layer of 100 ym to 0.7 mm.
  • organic electronic component comprising a substrate, at least one active layer disposed on the substrate
  • the encapsulation is arranged, and an encapsulation, as already described above, ready. Furthermore, the encapsulation is arranged over the active layer.
  • the active layer is a
  • Radiation generating layer such as e.g. in an OLED or a radiation-receiving layer, e.g. at a
  • the active layer of an OLED or the majority thereof may be organic polymers, organic oligomers, organic
  • fluorescence or phosphorescence for example, polyfluorene, polythiophene or polyphenylene or derivatives, compounds, mixtures or copolymers thereof.
  • the solar cell may comprise the active layer or the plurality thereof one or more semiconductive materials which are monomeric, oligomeric and / or polymeric.
  • the organic electronic component comprises a first and a second electrode, which serve for the charge carrier injection into the active layer or holes formed by light irradiation (positive charges) and discharge electrons.
  • the first and / or the second electrode may be transparent.
  • the first or second electrode can be connected as an anode or as a cathode.
  • Generated light for example an OLED, can thus be emitted via the anode and / or cathode, or light can enter the component from the outside via the anode and / or cathode, for example in the case of an organic solar cell.
  • a transparent first electrode which can be embodied as an anode and thus serves as a hole injecting material, can, for example, be a transparent conductive oxide
  • TCO Transparent conductive oxides
  • metal oxides such as zinc oxide, for example.
  • Tin oxide Tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide or
  • ITO Indium tin oxide
  • binary Metal oxygen compounds such as ZnO, SnÜ 2 or In 2 Ü 3 also include ternary metal oxygen compounds such as Zn 2 SnC> 4, CdSnO 3 , ZnSnÜ 3 , MgIn 2 Ü 4 , GalnO 3 , ⁇ 2 ⁇ 2 ⁇ 5 or In 4 Sn 3 0i 2 or mixtures of different transparent conductive oxides to the group of TCOs.
  • TCOs do not necessarily correspond to one
  • stoichiometric composition and may also be p- or n-doped.
  • the second electrode can be embodied as a cathode and thus serve as an electron-injecting material.
  • the cathode material may, inter alia, in particular
  • the substrate is transparent.
  • generated light from, for example, an OLED can be radiated through the substrate or else light can be coupled from the outside through the substrate into the component, such as
  • the electrode adjacent to the substrate is transparent.
  • it is an OLED, it can be embodied as a so-called “bottom emitter.” It is also possible that it is a "transparent OLED", if, in addition, the encapsulation is transparent and the light emission is thus down through a transparent emitter Substrate as well as up through a transparent encapsulation.
  • the substrate is glass, quartz, plastic ⁇ films, metal, metal foil, silicon wafer or other suitable substrate material may comprise.
  • that can Substrate be a plastic film comprising suitable barrier layers.
  • the layer of organic electronic material directly adjacent to the encapsulation is the layer of organic electronic material directly adjacent to the encapsulation
  • the encapsulation has no cavity.
  • Component can be achieved.
  • the active layer of the organic electronic component has edges and
  • Thin-layer encapsulation at least the edges and / or the side surfaces and facing away from the substrate
  • the edges and / or side surfaces and the main surface of the active layer facing away from the substrate can be completely covered by the thin-layer encapsulation.
  • a first shielding of the main surface facing away from the substrate and the edges and / or side surfaces of the active layer against oxygen and water of the environment can be ensured by the thin-layer encapsulation.
  • a further embodiment is also a part of
  • Thin-film encapsulation covered, in particular the part of the substrate which is adjacent to the active layer to ensure a good encapsulation.
  • the at least one thin-layer encapsulation comprises one of the active layer
  • Adhesive layer over the main layer facing away from the main surface of the at least one thin-film encapsulation is arranged.
  • Thin film encapsulation may be covered by the first adhesive layer, which cover the edges and / or the side surfaces of the active layer of the organic electronic component.
  • the first adhesive layer which cover the edges and / or the side surfaces of the active layer of the organic electronic component.
  • Oxygen and water from the environment should penetrate especially over the edges and side surfaces to the active layer, here should be the exclusion of air and moisture
  • the first adhesive layer may be between 10 ym and 20 mm, in particular between 0.5 mm and 5 mm and
  • Adhesive layer extends beyond the edges of the active layer covered by the thin film encapsulation, the better The edges and side surfaces of the active layer are shielded from the ingress of oxygen and water.
  • the first adhesive layer is in direct contact with the substrate. As a result, the bond is significantly improved.
  • the first adhesive layer over the portions of the thin-film encapsulation that cover the edges and / or the side surfaces of the active layer and above the main surface of the thin-layer encapsulation
  • the layer thickness of the first adhesive layer which the layer thickness of the first adhesive layer
  • Portions of the thin-film encapsulation that cover the edges and / or the side surfaces of the active layer may be thicker than the layer thickness of the first adhesive layer over the main surface of the thin-layer encapsulation. In this way, the edges and / or side surfaces of the active layer can be more effectively protected from ingress of oxygen and water. This is possible, for example, if the cover layer has a low permeability to oxygen and water, and thus the main surface of the active layer is already sufficiently protected from external influences by the thin-film encapsulation, a thin first adhesive layer and the cover layer.
  • the first covers
  • Adhesive layer Areas of the thin-film encapsulation that extend beyond the active layer beyond the substrate, resulting in a particularly good encapsulation and thus protection of the active layer of the organic electronic
  • the first adhesive layer may be in direct contact with the environment.
  • the adhesive layer with at least one getter material is extremely high
  • the cover layer which is the organic component against mechanical influences
  • Main surface of the at least one thin-film encapsulation arranged.
  • the cover layer may protrude beyond the side surfaces and edges of the active layer. In particular, the entire main surface of the cover layer, that of the first
  • Adhesive layer facing is glued to the first adhesive ⁇ layer. It is also possible that the cover layer is arranged over the side surfaces of the first adhesive layer. Thus, a particularly high protection of the side surfaces of the active layer can be achieved, which with the
  • an organic electronic component is specified, wherein a second
  • Adhesive layer is present and wherein the second
  • Adhesive layer at least partially around the first
  • Adhesive layer is arranged circumferentially.
  • Adhesive layer serves to promote adhesion of the cover layer and the thin-layer encapsulation. In this way, an early delamination of these layers is increasingly prevented.
  • the second adhesive layer exhibits a better adhesive property than the first adhesive layer.
  • the second adhesive layer can be free from
  • the adhesive strength may be between 1 N / mm and 20 N / mm, in particular between 3 N / mm to 10 N / mm.
  • Adhesive layer has a shear strength between 1 and 90 N / mm 2 , in particular between 5 and 15 N / mm 2 .
  • Shear strength is the resistance that the topcoat opposes to tangential shear forces. It specifies the maximum shear stress with which the cover layer can be loaded before shearing.
  • the second adhesive layer may comprise an epoxy adhesive.
  • Particularly advantageous epoxy resin adhesives are used, which are cured at temperatures of 80 ° C to about 100 ° C. It is also possible that the
  • Epoxy resin adhesive are cured under UV exposure.
  • the second adhesive layer may be the same
  • adhesive material such as the first adhesive layer.
  • the second adhesive layer may be transparent. So can the encapsulation, which is a second
  • Adhesive layer also comprises a total of transparent
  • the second adhesive layer is completely circumferential around the first Adhesive layer arranged, resulting in an even better
  • Adhesion of the adjacent layers leads.
  • the partial regions of the thin-layer encapsulation may be covered by the second adhesive layer, which forms the edges and / or the side surfaces of the active layer of the
  • the second layer of adhesive passes over the edges of the active layer coming from the
  • the second layer of adhesive may be between 50 ym and 20 mm, more preferably between 500 ym and 5 mm and most preferably between 500 ym and 3 mm across the edges of the active layer covered by the thin-layer encapsulation.
  • the second adhesive layer is arranged above the main surface of the thin-layer encapsulation facing away from the active layer and the first
  • Adhesive layer is at least partially around the second
  • Adhesive layer arranged circumferentially.
  • the first adhesive layer can be arranged completely circumferentially around the second adhesive layer.
  • the active layer and the thin-layer encapsulation are protected from air and water diffusion from the sides by the first adhesive layer. This protection is increased even further in a further embodiment, in which the first adhesive layer also covers the subareas of the thin-layer encapsulation that cover the edges and / or the side surfaces of the active layer.
  • the active layer is arranged between a first and a second electrode, wherein the first electrode is arranged on the substrate.
  • the electronic component comprises a first further
  • Adhesive layer comprising at least one getter material.
  • the first further adhesive layer may be disposed between the first electrode and the substrate.
  • the organic electronic component can be protected by the encapsulation and additionally from the substrate by the first further adhesive layer against the ingress of moisture and air.
  • this embodiment is possible with flexible OLEDs which have flexibly formed substrates.
  • Substrates such as plastic films, have increased moisture and oxygen permeability compared to, for example, glass substrates. Therefore, especially in these cases, if the substrate does not offer sufficient protection, there is an increased demand to protect the active layer of an OLED also from the substrate better against the penetration of water and air.
  • the first further adhesive layer is arranged on rough substrates.
  • rough substrates have different Surface heights, bumps or a patchy
  • the surface heights can be in the range of 10 nm and 100 ym.
  • the first additional layer of adhesive can additionally have a planarizing effect and possible
  • this embodiment may be a top emitter OLED.
  • the first further adhesive layer comprising a getter material may have the same features or combinations of features as described for the first adhesive layer above.
  • At least one thin-layer encapsulation is arranged between the first further adhesive layer and the first electrode.
  • a second further adhesive layer is present in the component, which is arranged circumferentially around the first further adhesive layer.
  • the second additional layer of adhesive can be free from
  • the second further adhesive layer may have the same features or combinations of features described above for the second adhesive layer.
  • the second further adhesive layer is preferably arranged completely circumferentially around the first further adhesive layer.
  • the second further adhesive layer is between the first electrode and the
  • Substrate disposed and the first further adhesive layer is circumferentially around the second additional adhesive layer
  • the first further adhesive layer is preferred completely circumferentially arranged around the second additional adhesive layer.
  • the organic electronic component may be an organic light emitting diode, a solar cell, an organic
  • the organic field effect transistor may be an all-OFET in which all
  • this is organic electronic
  • the active layer of the organic electronic component may have a surface of 1 cm ⁇ to 1 m ⁇ .
  • the active layer may have a surface area of from 5 cm 2 to 2000 cm 2, and more preferably a surface area of from 25 cm 2 to 1000 cm 2 .
  • the planar component is a surface light source.
  • An OLED may, for example, comprise as further layers: a hole-inducing layer, a hole-transporting layer, an electron-transporting layer and / or an electron-inducing layer.
  • Such layers can serve to further increase the efficiency of the OLED and be formed at one or more suitable locations of the OLED. Possible materials of these layers are
  • a method for producing an organic electronic component comprising the method steps: a) providing an organic electronic layer stack comprising a first and a second
  • Electrode a substrate and at least one active layer, b) depositing at least one thin-layer encapsulation on the layer stack
  • Adhesive layer Adhesive layer.
  • the cover layer can be bonded to the thin-layer encapsulation.
  • the method step b) can be another
  • Process step b1) comprises depositing at least one second thin-layer encapsulation.
  • Layer stack under process step a) can comprise the following process steps:
  • Layer stack under process step a), after process step a2), may comprise a further process step a2 ') depositing at least one thin-layer encapsulation on the first further adhesive layer. It is possible that the method step a2) comprises a further method step a2 ") applying a second further adhesive layer.
  • Process step b) and / or bl) and / or a2 ') are deposited by means of CVD, ALD and / or PVD.
  • the cover layer can be laminated on under process step d). If the cover layer is laminated, a particularly thin cover layer can be applied.
  • the cover layer may have a layer thickness of 100 ym to 0.7 mm. This method is particularly suitable for glass, plastic and metal foils.
  • Another possible process step is e) UV curing of the first adhesive layer after process step d).
  • Thin film encapsulation can be achieved so that they can not change their position. Subsequently, the complete curing can take place thermally over a longer period of time.
  • the pre-curing is possible, for example, by exposure (250 nm ⁇ ⁇ 400 nm) in an intensity range of 100 mW / cm 2 for three minutes. Thermal post cure can be done at 80 ° C for 30 minutes.
  • the first further layer of adhesive can be used analogously to the methods described for the first adhesive layer
  • Process step a2 ') or a3) are cured.
  • method step c) comprises a further method step c1) application of the second adhesive layer.
  • Another possible method step f) hardening of the second adhesive layer according to method step d), e) or e2) may be possible.
  • method step f) may comprise a thermal curing of the second adhesive layer at temperatures of 80 ° C to 100 ° C.
  • step f) comprises curing of the second adhesive layer by UV exposure.
  • the second further adhesive layer can be cured analogously to the processes described for the second adhesive layer after process step a2 ') or a3).
  • FIGS. 1A and 1B show an embodiment of an organic electronic component in a schematic sectional view and in the plan view.
  • FIGS. 2 to 5 show schematic sectional views of an organic electronic component according to FIG.
  • Figures 6A and 6B show a further embodiment of an organic electronic component in a schematic
  • FIGS. 7 to 9 show schematic sectional views of an organic electronic component according to FIG.
  • Embodiment of Figure 1A comprises a substrate 1, an active layer 2 disposed on the substrate 1, a
  • Thin-film encapsulation 5 arranged on the active layer 2, an adhesive layer with a getter material 3 and a cover layer 4.
  • the getter material is present in the adhesive layer 3, for example in the form of getter particles.
  • the thin-layer encapsulation 5 and the adhesive layer 3 and the adhesive layer 3 and the cover layer 4 are in particular in direct contact with each other.
  • the thin-film encapsulation 5 covers the edges 2a, the side surfaces 2b and the
  • Substrate 1 which is not covered by the active layer 2. It is also possible for the thin-layer encapsulation 5 to have the main surface of the substrate 1 adjacent to the active layer 2, which is not covered by the active layer 2,
  • the adhesive layer 3 covers the Main surface of the thin-film encapsulation 5 and the
  • the adhesive layer 3 extends beyond the edges 2a of the active layer 2, which are covered by the thin-film encapsulation 5, and is in direct contact with the environment.
  • the cover layer 4 covers the main surface of the
  • Adhesive Layer 3 By disposing the adhesive layer 3 over the edges 2a and side surfaces 2b of the active layer 2 covered by the thin-layer encapsulant 5, an overlap region of the adhesive layer 3 is formed beyond the edges 2a of the active layer 2. As a result of this arrangement, the moisture only penetrates into the active layer 2 via the side surfaces 2b after a much longer time than in the case of other organic electronic components, since the side surfaces 2b of the active layer 2 are covered by the thin-layer encapsulation 5 and the adhesive layer 3. Especially with large-area components, the advantage is enormous, since the path from the outer edges to the active layer 2 for moisture and / or oxygen is correspondingly longer.
  • the adhesive layer 3 By disposing the adhesive layer 3 over the edges 2a and side surfaces 2b of the active layer 2 covered by the thin-layer encapsulant 5, an overlap region of the adhesive layer 3 is formed beyond the edges 2a of the active layer 2.
  • the moisture only penetrates into the active layer 2 via the side surfaces 2b after a much longer time than in the case of other
  • Getter material may include, for example, zeolites in the embodiment, but are also oxidizable
  • Thin film encapsulation 5 may include, for example, alumina but also zinc oxide, zirconia, titania, hafnia, lanthana, silica, silicon nitride.
  • the cover layer 4 may comprise glass, but are also possible aluminum, copper, a paint or a plastic.
  • the adhesive layer 3 and the cover layer 4 may be transparent.
  • the organic compound Preferably, the organic compound having the organic radicals, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids, amino acids
  • the getter particles may have a scattering effect with respect to the generated radiation of the active layer 2.
  • the encapsulation can therefore in addition to the bonding of the thin-film encapsulation 5 and the cover layer 4 and a delayed air and moisture diffusion in addition to
  • the active layer 2 of the component comprises, for example
  • organic functional material In the active layer 2 of an OLED can by electron and hole injection and recombination electromagnetic radiation with a
  • the organic functional material may include, for example, organic polymers, organic oligomers, organic monomers, organic small non-polymeric molecules, or combinations thereof.
  • the first substrate may be quartz, plastic films, metal,
  • the exemplary embodiment according to FIG. 1A is an organic solar cell, an organic field-effect transistor or an organic electronics.
  • the active layer 2 may receive radiation and include one or more semiconductive materials that are monomeric, oligomeric, and / or polymeric.
  • FIG. 1B shows a plan view of the component already shown in FIG. 1A.
  • FIG. 1B shows that the active layer 2 is applied centrally over part of the main surface of the substrate 1.
  • the adhesive layer 3 is over of the active layer 2 covers the main surface 2c of the active layer 2 and protrudes beyond the edges 2a of the active layer 2.
  • the failure rate is about 20% after about 1700 h and is thus smaller by half than in the case of the OLEDs without getter material in the US Pat epoxy adhesive.
  • the failure reason for the OLEDs according to the invention is not in the penetration of water and / or oxygen to the active layer, but in that it is due to too low adhesion of the first adhesive layer with getter material to early delamination. This premature
  • Adhesive layer can be reduced.
  • the exemplary embodiment according to FIG. 2 shows that the
  • Adhesive layer 3 is arranged. Includes the cover layer 4 glass, the cover layer 4 by means of glass frits with the
  • Substrate 1 are bonded.
  • the adhesive layer 3 is not in direct contact with the environment and is from the cover layer 4 from air and moisture in the environment
  • Embodiment shown in FIG 1A further improved because over the side surfaces 2b at least two protective layers
  • Cover layer 4 or thin-layer encapsulation 5 and cover layer 4) are applied.
  • the exemplary embodiment according to FIG. 3 shows that the
  • Adhesive layer 3 is arranged.
  • the adhesive layer 3 is not in direct contact with the environment and is shielded from the cover layer by air and moisture. In this embodiment, since the main surface and the
  • FIG 4 shows another embodiment, wherein in contrast to the embodiment of Figure 1A, the
  • Adhesive layer 3 still partially covers the active layer 2 adjacent the main surface of the substrate 1. In this way, the side surfaces 2 b of the active layer 2 are complete with the thin-layer encapsulation 5 and the Encapsulated adhesive layer 3, resulting in a high protection of the side surfaces 2 b of the active layer 2 before
  • the exemplary embodiment in FIG. 5 shows that the cover layer 4 is also arranged over the side surfaces of the adhesive layer 3. If the cover layer 4 comprises glass, the cover layer 4 is glued to the substrate 1 by means of glass frits. In this embodiment, the active layer 2 is at the
  • hermetic protection of the active layer 2 is distinguished.
  • FIG. 6A shows a variant of the embodiment according to FIG. 1A with a second adhesive layer 3a.
  • the adhesive layer 3 in this embodiment covers the main surface 2c of the active layer 2, and the second adhesive layer 3a is disposed completely circumferentially around the first adhesive layer 3 and covers the portions of the thin-film encapsulant 5 covering the edges 2a and the side surfaces 2b of the active layer 2.
  • the adhesive layer 3 extends beyond the edges 2a of the active layer 2, which are covered by the thin-film encapsulation 5, and is in direct contact with the environment.
  • the cover layer 4 covers the main surface of the
  • Adhesive layers 3 and 3a The thin-film encapsulation 5, the adhesive layers 3 and 3a and the cover layer 4 may be transparent.
  • the second adhesive layer 3a may comprise an epoxy adhesive and has a better one Adhesive property as the first adhesive layer 3 and in particular may be free of getter material.
  • the shear strength of the second adhesive layer is between 1 and 90 N / mm 2 , in particular between 5 and 15 N / mm 2 .
  • the adhesive strength is between 1 and 20 N / mm, in particular between 3 and 10 N / mm. and thus prevents unwanted delamination of these layers.
  • For the second adhesive layer 3a may also another
  • Adhesive which has a high adhesive strength between the
  • Cover layer 4 and the thin-film encapsulation 5 allows application find. This is particularly suitable
  • the first adhesive layer 3 has an insufficient adhesive property or one of the active layers, for example, an OLED
  • FIG. 6B shows a plan view of the component already shown in FIG. 6A.
  • FIG. 6B shows that the active layer 2 is applied centrally over part of the main surface of the substrate 1.
  • the adhesive layers 3 and 3a are disposed over the active layer 2 and cover the main surface 2c of the active layer 2, wherein the
  • Adhesive layer 3a completely circumferentially the first
  • Adhesive layer 3 is arranged and protrudes beyond the edges 2a of the active layer 2. A cross section along the dashed line leads to the schematic
  • the exemplary embodiment according to FIG. 7 shows that the
  • Cover layer 4 in addition over the side surfaces of the second Adhesive layer 3a is arranged.
  • the side surfaces of the adhesive layer 3a are covered by the cover layer 4, the side surfaces 2b of the active layer 2 are better protected from moisture and air. Since the adhesive layer 3a has no getter particles and thus may not provide adequate protection
  • the exemplary embodiment according to FIG. 8 shows that the
  • Adhesive layer 3a still partially covers the active layer 2 adjacent the main surface of the substrate 1.
  • the cover layer 4 is also arranged over the side surfaces of the adhesive layer 3a. If the cover layer 4 comprises glass, the cover layer 4 is glued to the substrate 1 by means of glass frits. Analogous to that
  • Embodiments are also with reversed arrangements of the first adhesive layer 3 and the second
  • Adhesive layer 3a possible.
  • Thin-film encapsulation 5 and the cover layer 4 achieved by the second adhesive layer 3a achieved by the second adhesive layer 3a.

Abstract

Es wird eine Verkapselung für ein organisches elektronisches Bauelement mit einer Schichtenfolge angegeben, die folgende Schichten umfasst: mindestens eine Dünnschichtverkapselung (5), zumindest eine erste Klebstoffschicht (3) angeordnet auf der mindestens einen Dünnschichtverkapselung (5), wobei die erste Klebstoffschicht (3) zumindest ein Gettermaterial umfasst und eine Deckschicht (4) angeordnet auf der ersten Klebstoffschicht (3). Weiterhin werden ein organisches elektronisches Bauelement mit einer solchen Verkapselung und ein Verfahren zur Herstellung eines solchen organischen elektronischen Bauelements beschrieben.

Description

Beschreibung
VERKAPSELUNG FÜR EIN ORGANISCHES ELEKTRONISCHES BAUELEMENT
Die Erfindung betrifft eine Verkapselung für ein organisches elektronisches Bauelement, ein organisches elektronisches Bauelement mit der Verkapselung und ein Verfahren zur
Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements mit der Verkapselung.
Organische elektronische Bauelemente, wie beispielsweise organische Leuchtdioden (OLEDs) , sind außerordentlich empfindlich gegenüber Feuchtigkeit und Sauerstoff.
Zum Schutz gegen Feuchtigkeit und Sauerstoff sind
Dünnschichtverkapselungen mit dünnen Schichten bekannt. Eine solche Dünnschichtverkapselung ist beispielsweise in der Anmeldung DE 10 2008 048 472 beschrieben.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine verbesserte Verkapselung für ein organisches elektronisches Bauelement anzugeben. Weiterhin ist es Aufgabe der vorliegenden
Anmeldung, ein organisches elektronisches Bauelement mit einer solchen Verkapselung und ein Verfahren zur Herstellung eines solchen organischen elektronischen Bauelements
anzugeben .
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Verkapselung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1, ein organisches elektronisches Bauelement umfassend die Verkapselung sowie durch ein Verfahren zur Herstellung eines organischen
elektronischen Bauelements umfassend die Verkapselung gelöst.
Vorteilhafte Ausführungsformen sowie Weiterbildungen der vorliegenden Erfindung sind in den jeweils abhängigen
Ansprüchen angegeben.
Gegenstand einer Ausführungsform der Erfindung ist eine
Verkapselung für ein organisches elektronisches Bauelement mit einer Schichtenfolge, die folgende Schichten umfasst:
- mindestens eine Dünnschichtverkapselung,
- zumindest eine erste KlebstoffSchicht angeordnet auf der mindestens einen Dünnschichtverkapselung, wobei die erste KlebstoffSchicht zumindest ein Gettermaterial umfasst und
- eine Deckschicht angeordnet auf der ersten
KlebstoffSchicht .
Die Erfinder haben überraschenderweise festgestellt, dass durch die Verwendung einer KlebstoffSchicht mit zumindest einem Gettermaterial einerseits eine gute Verklebung der Dünnschichtverkapselung mit der Deckschicht ermöglicht wird, andererseits aber durch diese Verkapselung auch eine erhöhte Lebensdauer von elektronischen Bauelementen ermöglicht wird, im Vergleich zu Bauelementen, deren Verkapselung mit einer KlebstoffSchicht versehen ist, die kein Gettermaterial aufweist. Insbesondere kann die erste KlebstoffSchicht mit zumindest einem Gettermaterial in Kombination mit der
Dünnschichtverkapselung und der Deckschicht zu einer
Verzögerung der Sauerstoff- und Wasserdiffusion führen und eventuelle Pinholes in der Dünnschichtverkapselung gut abdecken . Dass eine erste Schicht oder ein erstes Element "auf" oder "über" einer zweiten Schicht oder einem zweiten Element oder auch "zwischen" zwei weiteren Schichten oder Elementen angeordnet oder aufgebracht ist, kann dabei hier und im
Folgenden bedeuten, dass die erste Schicht oder das erste Element unmittelbar in direktem mechanischen und/oder
elektrischen Kontakt auf der zweiten Schicht oder dem zweiten Element beziehungsweise zu den zwei weiteren Schichten oder Elementen angeordnet ist. Weiterhin kann auch ein mittelbarer Kontakt bezeichnet sein, bei dem weitere Schichten und/oder Elemente zwischen der ersten Schicht oder dem ersten Element der zweiten Schicht oder dem zweiten Element beziehungsweise den zwei weiteren Schichten oder Elementen angeordnet ist.
Unter "Verkapselung" wird vorliegend eine Vorrichtung
verstanden, die dazu geeignet ist, eine Barriere gegenüber atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Feuchtigkeit und Sauerstoff, zu bilden. Mit anderen Worten ist die
Verkapselung derart ausgebildet, dass sie von atmosphärischen Stoffen wie Wasser oder Sauerstoff höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann bzw. die Luft- und
Feuchtediffusion gegenüber bisherigen Verkapselungen deutlich verzögert wird.
Ein „Gettermaterial" ist ein Material, welches von außen eindringende störende Substanzen wie beispielsweise
Sauerstoff oder das Wasser der Luftfeuchtigkeit absorbiert oder adsorbiert mit der Folge, dass die erste
KlebstoffSchicht neben ihren klebenden Eigenschaften noch zusätzlich Sauerstoff- und/oder Feuchtigkeitsabweisende
Eigenschaften aufweist. Unter „Dünnschichtverkapselung" wird vorliegend eine
Verkapselung bezeichnet, die dazu geeignet ist, eine erste Barriere gegenüber atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Feuchtigkeit und Sauerstoff, zu bilden. Durch die Dünnfilmverkapselung wird das organische elektronische
Bauelement vorgekapselt. Das organische elektronische
Bauelement besitzt durch die Dünnschichtverkapselung schon eine erste Grunddichtigkeit gegenüber Umwelteinflüssen. Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung weist die Dünnschichtverkapselung nur „dünne Schichten" mit einer Dicke kleiner oder gleich einige 100 nm auf.
Die mindestens eine Dünnschichtverkapselung wird
beispielsweise durch chemische Gasphasenabscheidung
("chemical vapour deposition", CVD) , physikalische
Gasphasenabscheidung („physical vapour deposition", PVD) und/oder Atomlagenabscheidung" ("atomic layer deposition", ALD) , wie zum Beispiel plasmaunterstützte
Atomlagenabscheidung oder plasmalose Atomlagenabscheidung erzeugt. Eine chemische Gasphasenabscheidung ("chemical vapour deposition", CVD) und eine "Atomlagenabscheidung" ("atomic layer deposition", ALD) kann vorliegend ein
Verfahren, wie in DE 10 2008 031 405 beschrieben, bezeichnen.
Eine physikalische Gasphasenabscheidung kann vorliegend ein Verfahren bezeichnen, bei dem auf einer Oberfläche eines bereit gestellten Substrats eine gasförmige Verbindung kondensiert, wie beispielsweise ein Sputtern, ein
ionenunterstütztes Abscheideverfahren oder ein thermisches Verdampfen .
Eine chemische Gasphasenabscheidung kann ein Verfahren bezeichnen, bei dem auf zumindest einer Oberfläche eines bereitgestellten Substrats mit zumindest einer organischen funktionellen Schicht zumindest zwei gasförmige
Ausgangsverbindungen zu einem festen Reaktionsprodukt
reagieren. Dabei können die zumindest zwei gasförmigen
Ausgangsverbindungen gleichzeitig einem Volumen zugeführt werden, in dem das Substrat bereitgestellt wird. Weiterhin kann es erforderlich sein, dass die zumindest eine Oberfläche des bereitgestellten Substrats mit der zumindest einen organischen funktionellen Schicht auf eine Temperatur
oberhalb der Raumtemperatur erhitzt wird.
Mit ALD ist vorliegend insbesondere ein Verfahren bezeichnet, bei dem eine erste gasförmige Ausgangsverbindung einem
Volumen zugeführt wird, in dem eine zu beschichtende
Oberfläche bereitgestellt ist, so dass die erste gasförmige Verbindung auf der Oberfläche adsorbieren kann. Nach einer bevorzugt vollständigen oder nahezu vollständigen Bedeckung der Oberfläche mit der ersten Ausgangsverbindung wird der Teil der ersten Ausgangsverbindung, der noch gasförmig und/oder nicht auf der Oberfläche adsorbiert vorliegt, in der Regel wieder aus dem Volumen entfernt und eine zweite
Ausgangsverbindung zugeführt. Die zweite Ausgangsverbindung ist dafür vorgesehen, mit der an der Oberfläche adsorbierten, ersten Ausgangsverbindung unter Bildung einer festen ALD- Schicht chemisch zu reagieren.
Es sei an dieser Stelle darauf hingewiesen, dass bei der Atomlagenabscheidung auch mehr als zwei Ausgangsverbindungen zum Einsatz kommen können.
Bei der Atomlagenabscheidung ist es in der Regel vorteilhaft, wenn die zu beschichtende Oberfläche auf eine Temperatur über Raumtemperatur erhitzt wird. Dadurch kann die Reaktion zur Bildung der festen ALD-Schicht thermisch initiiert werden. Die Temperatur der zu beschichteten Oberfläche ist hierbei in der Regel von den Ausgangsverbindungen abhängig.
Eine plasmalose Atomlagenabscheidung ( "plasma-less atomic layer deposition", PLALD) bezeichnet vorliegend ein ALD- Verfahren, für das kein Plasma wie im Folgenden beschrieben, erzeugt wird, sondern bei dem zur Bildung der festen Schicht, die Reaktion der Ausgangsverbindungen nur über die Temperatur der zu beschichtenden Oberfläche initiiert wird.
Die Temperatur der zu beschichtenden Oberfläche liegt bei einem PLALD-Verfahren in der Regel zwischen 60 °C und 120 °C, wobei die Grenzen eingeschlossen sind.
Eine plasmaunterstützte Atomlagenabscheidung ("plasma
enhanced atomic layer deposition", PEALD) bezeichnet
vorliegend weiterhin ein ALD-Verfahren, bei dem die zweite Ausgangsverbindung bei gleichzeitiger Erzeugung eines Plasmas zugeführt wird, wodurch die zweite Ausgangsverbindung
angeregt werden soll. Dadurch kann - im Vergleich zu einem plasmalosen ALD-Verfahren - die Temperatur, auf die die zu beschichtende Oberfläche aufgeheizt werden muss, verringert werden und durch die Plasmaerzeugung dennoch die Reaktion zwischen den Ausgangsverbindungen initiiert werden. Bevorzugt ist die Temperatur der zu beschichteten Oberfläche bei PEALD kleiner oder gleich 120 °C, besonders bevorzugt kleiner oder gleich 80 °C.
Insbesondere kann ein PEALD-Verfahren vorteilhaft sein, wenn eine Initiierung der Reaktion zwischen den
Ausgangsverbindungen eine Oberflächentemperatur erforderlich macht, bei der das zu verkapselnde Bauelement geschädigt werden könnte.
Gemäß einer Ausführungsform kann das Gettermaterial in der Form von Getterpartikeln in der Klebstoffschicht vorliegen. Die Getterpartikel können einen Durchmesser von < 1 ym bis 50 ym haben. Insbesondere ist der Durchmesser der Getterpartikel nicht größer als die Schichtdicke der Klebstoffschicht , um die angrenzenden Schichten und das Bauelement nicht zu schädigen. Insbesondere haben die Getterpartikel einen
Durchmesser von maximal 20 % der Schichtdicke der
Klebstoffschicht . Beispielsweise haben die Getterpartikel einen Durchmesser von maximal 10 ym bei einer Dicke der
Klebstoffschicht von 50 ym, einen Durchmesser von maximal 5 ym bei einer Dicke der Klebstoffschicht von 25 ym und einen Durchmesser von maximal 2 ym bei einer Dicke der
Klebstoffschicht von 10 ym. Besonders bevorzugt ist ein
Durchmesser der Getterpartikel keiner als 1 ym, unabhängig von der Schichtdicke der Klebstoffschicht . So können auch bei einer dichten Packung der Partikel punktuelle Kräfte auf beispielsweise eine OLED vermindert werden.
Es ist auch möglich, dass das Gettermaterial in dem Klebstoff gelöst vorliegt.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung kann das Gettermaterial oxidierbare Materialien umfassen, welche mit Sauerstoff und Wasser reagieren und diese Stoffe binden kann. Als leicht oxidierende Materialien werden insbesondere
Metalle aus der Gruppe der Alkali- und Erdalkali-Metalle eingesetzt. Beispielsweise kann das Gettermaterial Magnesium, Calcium, Barium, Cäsium, Kobalt, Yttrium, Lanthan und/oder Metalle der seltenen Erden aufweisen. Weiterhin können auch andere Metalle, wie beispielsweise Aluminium, Zirkonium, Tantal, und/oder Titan oder oxidierbare nichtmetallische Materialien geeignet sein. Darüber hinaus kann das
Gettermaterial auch CaO, BaO und MgO umfassen.
In einer weiteren Ausführungsform umfasst das Gettermaterial Trockenmittel, die Wasser irreversibel aufnehmen können ohne ihr Volumen zu ändern.
Möglich sind auch Trockenmittel, die Wasser durch
Physisorption binden können ohne dabei ihr Volumen wesentlich zu ändern. Durch erhöhte Temperatur können die adsorbierten Wassermoleküle wieder entfernt werden. Das Gettermaterial kann beispielsweise getrocknete Silikagele umfassen.
Besonders bevorzugt umfasst das Gettermaterial Zeolithe, die vorzugsweise getrocknet sind und die in ihren Poren und
Kanälen Sauerstoff und/oder Wasser adsorbieren können. Bei der Adsorption von Wasser und/oder Sauerstoff durch
getrocknete Silikagele und/oder Zeolithe entstehen keine für die darunter liegenden Schichten schädliche Produkte und die getrockneten Silikagele und/oder Zeolithe ändern vorzugsweise durch die Reaktion mit Wasser und/oder Sauerstoff ihr Volumen nicht .
In einer Ausführungsform ist die Verkapselung transparent ausgebildet. Unter „transparent" wird vorliegend verstanden, dass ein Material oder eine Schicht für das gesamte sichtbare elektromagnetische Spektrum oder eines Teilspektrums davon durchlässig ist. Insbesondere kann die Verkapselung
transparent für eine Strahlung sein, die entweder von einer aktiven Schicht des Bauelements, das durch die Verkapselung gegen Umgebungseinflüsse geschützt wird, emittiert oder empfangen wird. Das von beispielsweise einer OLED emittierte Licht kann so über die Verkapselung ausgekoppelt werden und die OLED ist als „Top-Emitter" ausgeführt. Möglich ist auch, dass Licht von außen über die Verkapselung in das organische elektronische Bauelement eingestrahlt wird, wie
beispielsweise bei einer organischen Solarzelle. Die
Verkapselung, umfassend die Dünnschichtverkapselung, die erste KlebstoffSchicht und die Deckschicht, ist bei dieser Ausführungsform im Strahlengang beispielsweise des
emittierten Lichts einer OLED oder im Strahlengang des eingekoppelten Lichts einer Solarzelle angeordnet.
In einer weiteren Ausführungsform umfasst die Verkapselung mindestens eine zweite Dünnschichtverkapselung. Die zweite Dünnschichtverkapselung kann von der ersten Dünnschichtverkapselung bezüglich des Materials verschieden sein. Auf diese Art und Weise ist es möglich, die optischen
Eigenschaften der ersten und zweiten Dünnschichtverkapselung derart anzupassen, dass deren Transmission für sichtbares Licht erhöht wird.
Die zweite Dünnschichtverkapselung kann wie die erste
Dünnschichtverkapselung beispielsweise durch CVD, PVD
und/oder ALD erzeugt werden.
Die erste und/oder zweite Dünnschichtverkapselung kann eines der folgenden Materialien aufweisen: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Lanthaniumoxid,
Siliciumoxid, Siliciumnitrid .
Die erste und/oder zweite Dünnschichtverkapselung kann eine Schichtdicke von 1 nm bis 5 ym aufweisen. Insbesondere kann die Schichtdicke der ersten und/oder der zweiten Dünnschicht- verkapselung zwischen 10 nm und 500 nm liegen und besonders bevorzugt liegt die Schichtdicke zwischen 10 nm und 100 nm. Dünne Schichtdicken der Dünnschichtverkapselung tragen in der Regel zu einer hohen optischen Transmission der Dünnschichtverkapselung bei. Die Schichtdicken der ersten und der zweiten Dünnschichtverkapselung können verschieden sein.
Die erste KlebstoffSchicht weist beispielsweise eine
Schichtdicke von 10 ym bis 100 ym auf. Insbesondere kann die erste KlebstoffSchicht eine Schichtdicke von 10 ym bis 50 ym aufweisen. Dünne Schichtdicken der ersten KlebstoffSchicht tragen in der Regel zu einer hohen optischen Transmission der Schicht bei. Weiterhin kann die erste KlebstoffSchicht ein Klebstoffmaterial umfassen, in dem das Gettermaterial eingelagert ist. Die KlebstoffSchicht kann insbesondere auch transparent für die vom Bauelement emittierte bzw. empfangene Strahlung sein.
Weiterhin kann das Gettermaterial, wenn es in der Form von Getterpartikeln in der KlebstoffSchicht vorliegt eine
streuende Wirkung auf eine Strahlung haben. Die Streuwirkung kann durch einen Brechungsindexunterschied zwischen dem
Brechungsindex der ersten KlebstoffSchicht , beispielsweise dem Klebstoffmaterial und dem Brechungsindex der
Getterpartikel bedingt sein. Eine Streuwirkung tritt auf, wenn die Getterpartikel einen unterschiedlichen
Brechungsindex zu der ersten KlebstoffSchicht , beispielsweise dem Klebstoffmaterial , aufweisen. Insbesondere ergibt sich eine vorteilhafte Streuwirkung, wenn der Unterschied der Brechungsindizes in Bereichen des sichtbaren
Spektralbereiches größer oder gleich 0,05 ist. Die
Streuwirkung kann durch die Größe der Partikel, deren
Verteilung und deren Konzentration optimiert bzw. gesteuert werden. Die Getterpartikel weisen für eine Streuwirkung eine mittlere Partikelgröße von 10 nm bis 10 ym, insbesondere eine mittlere Partikelgröße von 100 nm bis 3 ym auf. Die
Getterpartikel können auch keine Streuwirkung auf eine
Strahlung haben. Dies ist der Fall, wenn die Getterpartikel und die erste KlebstoffSchicht einen gleichen Brechungsindex aufweisen .
Weiterhin kann die erste KlebstoffSchicht zusätzlich zu dem Gettermaterial und dem Klebstoffmaterial Streupartikel umfassen. Insbesondere kann die erste KlebstoffSchicht
Streupartikel umfassen, wenn das Gettermaterial bzw. die Getterpartikel keine Streuwirkung auf die emittierte
Strahlung, beispielsweise einer OLED haben. Die Streupartikel können Luftblasen, Metalloxide, CaF, Diamant und/oder Glas umfassen. Die Metalloxide können Zr02, Ti02, AI2O3, S1O2, ZnO, Indium-Zinn-Oxid (ITO), Indium-Zink-Oxid (IZO) und Ga20 umfassen. Die Streupartikel können beschicht oder
unbeschichtet sein. Die Streupartikel weisen eine mittlere Partikelgröße von 10 nm bis 10 ym, insbesondere eine mittlere Partikelgröße von 100 nm bis 3 ym auf. Es ist möglich, dass sich die Streupartikel in ihrer Partikelgröße unterscheiden. Möglich ist auch, dass verschiedene Streupartikel in der ersten KlebstoffSchicht vorhanden sind. Handelt es sich bei dem optischen elektronischen Bauelement um eine OLED kann durch eine Streuwirkung der Getterpartikel und/oder der
Streupartikel die Homogenität der Beleuchtungsstärke an der Lichtaustrittsfläche verbessert werden. Es lässt sich eine homogenere Abstrahlcharakteristik der OLED realisieren.
Insbesondere wenn die erste KlebstoffSchicht über die Kanten der aktiven Schicht der OLED hinausragt, ist es möglich, mittels der Getter- und/oder Streupartikel die Wirkung zu erzielen, dass die OLED eine größere effektive Emissionsfläche aufweist bzw. eine größere Fläche beleuchteten kann, verglichen mit einem Bauelement ohne
Partikel mit einer Streuwirkung. Die Verkapselung kann folglich neben der Verklebung der Dünnschichtverkapselung und der Deckschicht und der verzögerten Luft- bzw.
Sauerstoffdiffusion und der verzögerten Feuchtediffusion zusätzlich zur Verbesserung der Auskopplung wellengeleiteter Lichtmoden dienen, wenn es sich bei dem organischen
elektronischen Bauelement beispielsweise um eine OLED
handelt .
In einer Ausführungsform ist das Gettermaterial der ersten Klebstoffschicht homogen in der ersten KlebstoffSchicht , beispielsweise in dem Klebstoffmaterial verteilt.
Insbesondere erleichtert eine homogene Verteilung des
Gettermaterials das Aufbringen der ersten Klebstoffschicht . Durch eine homogene Verteilung des Gettermaterials ist eine gleichmäßige Sauerstoff- bzw. Wasserabsorption über die gesamte Klebstoffschicht möglich. Wenn das Gettermaterial in der Form von Partikeln in der Klebstoffschicht vorliegt und sollten diese Partikel eine Streuwirkung auf eine emittierte Strahlung von z.B. einer OLED haben, wird durch eine homogene Verteilung der Getterpartikel zusätzlich eine homogene
Streuung der Strahlung erreicht.
Weiterhin kann die erste Klebstoffschicht zusätzlich
wärmeleitende Partikel umfassen. Insbesondere sind die wärmeleitenden Partikel aus einer Gruppe ausgewählt, die Kohlenstoffnanoröhrchen, Diamant, Kupfer, Bornitrid,
Aluminium, Aluminiumnitrid, und/oder Aluminiumoxid umfassen. Die Wärmeleitfähigkeit kann zwischen 28 und 6000 W/mK liegen. Ist die Verkapselung Bestandteil eines organischen
elektronischen Bauelements, wird in dem Bauelement im Betrieb Wärme erzeugt. Entstehende Wärmegradienten führen zu einer frühzeitigen Alterung des Bauelements und z.B. bei einer organischen Leuchtdiode zu unterschiedlich ausgekoppeltem Licht. Der Zusatz von wärmeleitenden Partikeln dient zur Wärmeableitung beziehungsweise zu einer gleichmäßigeren
Wärmeverteilung innerhalb des Bauelements und vermindert somit eine differentielle Alterung des Bauelements und erhöht somit die Lebensdauer des Bauelements bzw. erhöht die
Leuchtdichte bei z.B. einer organischen Leuchtdiode. Je höher die Wärmeleitfähigkeit, desto besser kann die Wärme
abgeleitet werden beziehungsweise im Bauelement gleichmäßiger verteilt werden. Möglich ist auch, dass die wärmeleitenden Partikel bei entsprechender Größe und/oder
Brechungsindexunterschied zum Klebstoffmaterial zusätzlich eine Streuwirkung auf eine Strahlung beispielsweise einer OLED haben.
In einer weiteren Ausführungsform ist das Gettermaterial inhomogen in der ersten KlebstoffSchicht , beispielsweise in dem Klebstoffmaterial verteilt. Insbesondere kann das
Gettermaterial an den Randbereichen der ersten
KlebstoffSchicht eine höhere Konzentration aufweisen. Diese Ausführungsform ist besonders geeignet, wenn verstärkt von der Seite eindringender Sauerstoff und/oder Wasser absorbiert werden soll. Dies ist zum Beispiel möglich, wenn die erste KlebstoffSchicht an den Seitenrändern in direktem Kontakt mit der Umgebung steht, während die Hauptoberfläche der ersten Klebstoffschicht von der Deckschicht bedeckt ist.
In einer Ausführungsform umfasst das Klebstoffmaterial der ersten Klebstoffschicht einen Zweikomponentenklebstoff und/oder einen thermisch aushärtenden Klebstoff. In einer Ausführungsform umfasst das Klebstoffmaterial Methylacrylat- Klebstoffe. Methylacrylat-Klebstoffe polymerisieren nach einem radikalischen Mechanismus, wobei als Monomer
Methylacrylat eingesetzt wird.
Besonders bevorzugt kann das Klebstoffmaterial der ersten KlebstoffSchicht einen lichthärtenden Klebstoff umfassen. Mit lichthärtenden Klebstoffen ist ein gezieltes Aushärten unter UV-Licht und eine schnelle Aushärtung möglich. Die
lichthärtende Klebstoffe werden vorzugsweise ohne
Lösungsmittel verwendet. So können mögliche unerwünschte Effekte durch das Schrumpfen der KlebstoffSchicht durch den Lösungsmittelschwund, wie Schichtspannungen und Punktkräfte auf die unterliegende Schicht umgangen werden. Es besteht somit auch nicht die Gefahr, dass ein Lösungsmittel in die aktive Schicht beispielsweise einer OLED vordringt und so die aktive Schicht möglicherweise beschädigt. Da Lösungsmittel bei der Aushärtung wieder abgesaugt werden müssen, ist mit dem Einsatz von lösemittelfreien Klebstoffen ein erheblich geringerer technischer Aufwand nötig.
In einer Ausführungsform umfasst das Klebstoffmaterial der ersten KlebstoffSchicht einen Epoxidharzkleber.
Epoxidharzkleber beschädigen das organische elektronische Bauelement im Falle eines Punktdefektes nicht. Der
Epoxidharzkleber umfasst eine epoxidhaltige A-Komponente und eine B-Komponente als Härter. Die A-Komponente umfasst zumindest ein Epoxidharz, das ausgewählt ist aus
cycloaliphatischen und aliphatischen Epoxidharzen.
Vorzugsweise ist die A-Komponente lösungsmittelfrei.
Das Klebstoffmaterial der ersten KlebstoffSchicht kann gemäß einer weiteren Ausführungsform auch Silkonhybride, Polyurethane, Acrylate, Phenolharze, Polysulfide und/oder Melaminharze umfassen.
Die Deckschicht der Verkapselung dient der mechanischen
Festigkeit und Beständigkeit der Verkapselung und schützt das organische elektronische Bauelement vor mechanischen
Einflüssen. Die Deckschicht kann aus einer Gruppe ausgewählt sein, die Glas, Metalle, Lacke oder Kunststoffe umfasst. Die Metalle können beispielsweise Kupfer oder Aluminium umfassen. Bei den Metallen und Kunstoffen kann es sich um Folien handeln .
Die Deckschicht kann eine Schichtdicke von 10 ym bis 4 mm aufweisen. Besonders bevorzugt ist eine Schichtdicke der Deckschicht von 100 ym bis 0,7 mm.
Eine weitere Ausführungsform der Erfindung stellt ein
organisches elektronisches Bauelement umfassend ein Substrat, zumindest eine aktive Schicht, die auf dem Substrat
angeordnet ist, und eine Verkapselung, wie bereits oben beschrieben, bereit. Weiterhin ist die Verkapselung über der aktiven Schicht angeordnet.
Gemäß einer Ausführungsform ist die aktive Schicht eine
Strahlungserzeugende Schicht, wie z.B. bei einer OLED oder eine Strahlungsempfangende Schicht wie z.B. bei einer
organischen Solarzelle.
Die aktive Schicht einer OLED oder die Mehrzahl davon können organische Polymere, organische Oligomere, organische
Monomere, organische kleine, nicht-polymere Moleküle („small molecules") oder Kombinationen daraus umfassen. Weiterhin kann die aktive Schicht als elektrolumineszierende Schicht ausgeführt ist. Als Materialien hierzu eignen sich Materialien, die eine Strahlungsemission aufgrund von
Fluoreszenz oder Phosphoreszenz aufweisen, beispielsweise Polyfluoren, Polythiophen oder Polyphenylen oder Derivate, Verbindungen, Mischungen oder Copolymere davon.
Handelt es sich bei dem Bauelement um eine organische
Solarzelle kann die aktive Schicht oder die Mehrzahl davon eine oder mehrere halbleitende Materialien, die monomer, oligomer und/oder polymer sind, umfassen.
Das organische elektronische Bauelement umfasst eine erste und eine zweite Elektrode, die der Ladungsträgerinjektion in die aktive Schicht dienen bzw. durch Lichteinstrahlung gebildete Löcher (positive Ladungen) und Elektronen abführen.
Insbesondere können die erste und/oder die zweite Elektrode transparent ausgebildet sein. Die erste bzw. zweite Elektrode kann jeweils als Anode oder als Kathode geschaltet werden. Erzeugtes Licht beispielsweise einer OLED kann so über die Anode und/oder Kathode abgestrahlt oder Licht von außen über die Anode und/oder Kathode in das Bauelement gelangen, wie beispielsweise bei einer organischen Solarzelle.
Eine transparente erste Elektrode, die als Anode ausgeführt sein kann und somit als Löcher-inj izierendes Material dient, kann beispielsweise ein transparentes leitendes Oxid
aufweisen oder aus einem transparenten leitenden Oxid
bestehen. Transparente leitende Oxide (transparent conductive oxides, kurz „TCO") sind transparente, leitende Materialien, in der Regel Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid,
Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid oder
Indiumzinnoxid (ITO). Neben binären Metallsauerstoff erbindungen, wie beispielsweise ZnO, SnÜ2 oder In2Ü3 gehören auch ternäre MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise Zn2SnC>4, CdSn03, ZnSnÜ3, MgIn2Ü4, Galn03, Ζη2ΐη2θ5 oder In4Sn30i2 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitender Oxide zu der Gruppe der TCOs .
Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer
stöchiometrischen Zusammensetzung und können auch p- oder n- dotiert sein.
Die zweite Elektrode kann als Kathode ausgeführt sein und somit als Elektronen-inj izierendes Material dienen. Als Kathodenmaterial können sich unter anderem insbesondere
Aluminium, Barium, Indium, Silber, Gold, Magnesium, Kalzium, Kupfer, Yttrium, Ytterbium, Samarium oder Lithium sowie
Verbindungen, Kombinationen und Legierungen davon als vorteilhaft erweisen.
In einer Ausführungsform ist das Substrat transparent. Somit kann erzeugtes Licht von beispielsweise einer OLED durch das Substrat abgestrahlt oder auch Licht von außen durch das Substrat in das Bauelement eingekoppelt werden, wie
beispielsweise bei einer organischen Solarzelle, wenn auch die zu dem Substrat benachbarte Elektrode transparent ist. Handelt es sich um eine OLED kann diese als so genannter „Bottom-Emitter" ausgeführt sein. Möglich ist auch, dass es sich um eine „transparente OLED" handelt, wenn zusätzlich die Verkapselung transparent ist und die Lichtemission somit sowohl nach unten durch ein transparentes Substrat als auch nach oben durch eine transparente Verkapselung erfolgt.
Beispielsweise kann das Substrat Glas, Quarz, Kunststoff¬ folien, Metall, Metallfolien, Siliziumwafer oder ein anderes geeignetes Substratmaterial umfassen. Insbesondere kann das Substrat eine Kunststofffolie sein, die geeignete Barriereschichten umfasst.
In einer Ausführungsform weist die an die Verkapselung direkt angrenzende Schicht des organischen elektronischen
Bauelements keine Kavität, also keine Hohlräume zu der
Verkapselung auf. Es besteht also ein direkter Kontakt zwischen der Dünnschichtverkapselung und dem organischen elektronischen Bauelement. Insbesondere besteht ein direkter Kontakt der Verkapselung und der aktiven Schicht. Möglich ist auch, dass die Verkapselung keine Kavität aufweist. Es besteht ein direkter Kontakt der Dünnschichtverkapselung und der zumindest einen ersten KlebstoffSchicht und der zumindest einen ersten KlebstoffSchicht und der Deckschicht. Auf diese Art kann eine besondere Dichtigkeit der Verkapselung und somit erhöhter Schutz des organischen elektronischen
Bauelements erreicht werden.
In einer weiteren Ausführungsform weist die aktive Schicht des organischen elektronischen Bauelements Kanten und
Seitenflächen und eine von dem Substrat abgewandte
Hauptoberfläche auf, wobei die mindestens eine
Dünnschichtverkapselung zumindest die Kanten und/oder die Seitenflächen und die von dem Substrat abgewandte
Hauptoberfläche der aktiven Schicht bedeckt. Insbesondere können die Kanten und/oder Seitenflächen und die von dem Substrat abgewandte Hauptoberfläche der aktiven Schicht komplett von der Dünnschichtverkapselung bedeckt sein. So kann eine erste Abschirmung der von dem Substrat abgewandten Hauptoberfläche und den Kanten und/oder Seitenflächen der aktiven Schicht gegen Sauerstoff und Wasser der Umgebung durch die Dünnschichtverkapselung gewährleistet werden. In einer weiteren Ausführungsform ist auch ein Teil der
Hauptoberfläche des Substrats, der nicht von der aktiven Schicht bedeckt ist, von der mindestens einen
Dünnschichtverkapselung bedeckt, insbesondere der Teil des Substrats, der zur aktiven Schicht benachbart ist, um eine gute Verkapselung zu gewährleisten.
In einer weiteren Ausführungsform weist die zumindest eine Dünnschichtverkapselung eine von der aktiven Schicht
abgewandte Hauptoberfläche auf, wobei die erste
Klebstoffschicht über der von der aktiven Schicht abgewandten Hauptoberfläche der zumindest einen Dünnschichtverkapselung angeordnet ist.
Insbesondere können auch die Teilbereiche der
Dünnschichtverkapselung von der ersten Klebstoffschicht bedeckt sein, die die Kanten und/oder die Seitenflächen der aktiven Schicht des organischen elektronischen Bauelements bedecken. In dieser Ausführungsform geht die erste
Klebstoffschicht über die Kanten der aktiven Schicht, die von der Dünnschichtverkapselung bedeckt sind, hinaus. Da
Sauerstoff und Wasser aus der Umgebung besonders über die Kanten und Seitenflächen zu der aktiven Schicht eindringen, sollte hier der Ausschluss von Luft und Feuchtigkeit
besonders hoch sein, was gemäß dieser Ausführungsform
erreicht wird. Die erste Klebstoffschicht kann zwischen 10 ym und 20 mm, insbesondere zwischen 0,5 mm und 5 mm und
besonders bevorzugt zwischen 0,5 mm und 3 mm über die Kanten der aktiven Schicht, die von der Dünnschichtverkapselung bedeckt sind, hinausgehen. Je weiter die erste
Klebstoffschicht über die durch die Dünnschichtverkapselung bedeckten Kanten der aktiven Schicht hinausgeht, desto besser sind die Kanten und Seitenflächen der aktiven Schicht vor dem Eindringen von Sauerstoff und Wasser abgeschirmt.
Es ist möglich, dass die erste KlebstoffSchicht in direktem Kontakt mit dem Substrat steht. Dadurch wird die Verklebung wesentlich verbessert.
Möglich ist auch, dass die erste KlebstoffSchicht über den Teilbereichen der Dünnschichtverkapselung, die die Kanten und/oder die Seitenflächen der aktiven Schicht bedecken und über der Hauptoberfläche der Dünnschichtverkapselung
unterschiedliche Schichtdicken aufweist. Insbesondere kann die Schichtdicke der ersten KlebstoffSchicht , die die
Teilbereiche der Dünnschichtverkapselung, die die Kanten und/oder die Seitenflächen der aktiven Schicht bedecken dicker sein als die Schichtdicke der ersten KlebstoffSchicht über der Hauptoberfläche der Dünnschichtverkapselung. Auf diese Weise können die Kanten und/oder Seitenflächen der aktiven Schicht effizienter vor eindringendem Sauerstoff und Wasser geschützt werden. Dies ist zum Beispiel möglich, wenn die Deckschicht eine geringe Durchlässigkeit für Sauerstoff und Wasser aufweist und somit die Hauptoberfläche der aktiven Schicht durch die Dünnfilmverkapselung, eine dünne erste KlebstoffSchicht und die Deckschicht schon ausreichend vor äußeren Einflüssen geschützt ist.
In einer weiteren Ausführungsform bedeckt die erste
KlebstoffSchicht Bereiche der Dünnfilmverkapselung, die über die aktive Schicht hinaus sich über das Substrat erstrecken, was zu einer besonders guten Verkapselung und somit Schutz der aktiven Schicht des organischen elektronischen
Bauelements führt. Insbesondere kann die erste Klebstoffschicht in direktem Kontakt mit der Umgebung stehen. Die Erfinder haben
überraschenderweise festgestellt, dass die Klebstoffschicht mit zumindest einem Gettermaterial eine extrem hohe
Absorption und/oder Adsorption an Sauerstoff und Wasser und somit eine hohe Verzögerung der Sauerstoff- und
Wasserdiffusion zur aktiven Schicht eines organischen
elektronischen Bauelements gewährleistet, sogar wenn ein direkter Kontakt der Klebstoffschicht mit zumindest einem Gettermaterial zu der Umgebung besteht.
In einer weiteren Ausführungsform ist die Deckschicht, die das organische Bauelement vor mechanischen Einflüssen
schützt, über der von der aktiven Schicht abgewandten
Hauptoberfläche der zumindest einen Dünnschichtverkapselung angeordnet. Die Deckschicht kann über die Seitenflächen und Kanten der aktiven Schicht hinausragen. Insbesondere kann die gesamte Hauptoberfläche der Deckschicht, die der ersten
Klebstoffschicht zugewandt ist mit der ersten Klebstoff¬ schicht verklebt sein. Möglich ist auch, dass die Deckschicht über den Seitenflächen der ersten Klebstoffschicht angeordnet ist. So kann ein besonders hoher Schutz der Seitenflächen der aktiven Schicht erreicht werden, die so mit der
Dünnschichtverkapselung, der ersten Klebstoffschicht und der Deckschicht bedeckt ist.
In einer weiteren Ausführungsform wird ein organisches elektronisches Bauelement angegeben, wobei eine zweite
Klebstoffschicht vorhanden ist und wobei die zweite
Klebstoffschicht zumindest teilweise um die erste
Klebstoffschicht umlaufend angeordnet ist. Die zweite
Klebstoffschicht dient der Haftförderung der Deckschicht und der Dünnschichtverkapselung . Auf diese Weise wird verstärkt einer frühzeitigen Delamination dieser Schichten vorgebeugt.
Vorzugsweise zeigt somit die zweite KlebstoffSchicht eine bessere Klebeeigenschaft als die erste KlebstoffSchicht . Insbesondere kann die zweite KlebstoffSchicht frei von
Gettermaterial sein, um eine erhöhte Haftfestigkeit zu erreichen. Die Haftfestigkeit kann zwischen 1 N/mm und 20 N/mm, insbesondere zwischen 3 N/mm bis 10 N/mm liegen.
In einer weiteren Ausführungsform weist die zweite
KlebstoffSchicht eine Scherfestigkeit zwischen 1 und 90 N/mm2, insbesondere zwischen 5 und 15 N/mm2 auf. Die
Scherfestigkeit ist der Widerstand, den die Deckschicht, tangentialen Scherkräften entgegensetzt. Sie gibt die maximale Schubspannung an, mit der die Deckschicht vor dem Abscheren belastet werden kann.
Die zweite KlebstoffSchicht kann einen Epoxidharzkleber umfassen. Besonders vorteilhaft werden Epoxidharzkleber verwendet, die bei Temperaturen von 80 °C bis etwa 100 °C ausgehärtet werden. Möglich ist auch, dass die
Epoxidharzkleber unter UV-Belichtung gehärtet werden.
Bevorzugt kann die zweite KlebstoffSchicht das gleiche
Klebstoffmaterial wie die erste KlebstoffSchicht umfassen.
Die zweite KlebstoffSchicht kann transparent ausgebildet sein. So kann die Verkapselung, die eine zweite
Klebstoffschicht umfasst auch insgesamt transparent
ausgebildet sein.
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform ist die zweite Klebstoffschicht vollständig umlaufend um die erste KlebstoffSchicht angeordnet, was zu einer noch besseren
Haftung der angrenzenden Schichten führt.
Es können die Teilbereiche der Dünnschichtverkapselung von der zweiten KlebstoffSchicht bedeckt sein, die die Kanten und/oder die Seitenflächen der aktiven Schicht des
organischen elektronischen Bauelements bedecken. In dieser Ausführungsform geht die zweite KlebstoffSchicht über die Kanten der aktiven Schicht, die von der
Dünnschichtverkapselung bedeckt sind, hinaus. Die zweite KlebstoffSchicht kann zwischen 50 ym und 20 mm, insbesondere zwischen 500 ym und 5 mm und besonders bevorzugt zwischen 500 ym und 3 mm über die Kanten der aktiven Schicht, die von der Dünnschichtverkapselung bedeckt sind, hinausgehen.
In einer weiteren Ausführungsform des organischen
elektronischen Bauelements ist die zweite KlebstoffSchicht über der von der aktiven Schicht abgewandten Hauptoberfläche der Dünnschichtverkapselung angeordnet und die erste
KlebstoffSchicht ist zumindest teilweise um die zweite
KlebstoffSchicht umlaufend angeordnet. In dieser
Ausführungsform ist die Haftfestigkeit zwischen der
Deckschicht und der Dünnschichtverkapselung aufgrund der zweiten KlebstoffSchicht besonders hoch und es wird verstärkt einer frühzeitigen Delamination der Schichten vorgebeugt.
Insbesondere kann die erste KlebstoffSchicht vollständig um die zweite KlebstoffSchicht umlaufend angeordnet sein. Neben der hohen Haftfestigkeit der an die zweite KlebstoffSchicht angrenzenden Schichten wird in dieser Ausführungsform die aktive Schicht und die Dünnschichtverkapselung vor einer Luft- und Wasserdiffusion von den Seiten durch die erste Klebstoffschicht geschützt. Dieser Schutz wird in einer weiteren Ausführungsform noch weiter erhöht, in der die erste KlebstoffSchicht auch die Teilbereiche der Dünnschichtverkapselung bedeckt, die die Kanten und/oder die Seitenflächen der aktiven Schicht bedecken .
In einer weiteren Ausführungsform des organischen
elektronischen Bauelements ist die aktive Schicht zwischen einer ersten und einer zweiten Elektrode angeordnet, wobei die erste Elektrode auf dem Substrat angeordnet ist. Das elektronische Bauelement umfasst eine erste weitere
Klebstoffschicht , die zumindest ein Gettermaterial umfasst.
Die erste weitere Klebstoffschicht kann zwischen der ersten Elektrode und dem Substrat angeordnet sein. Bei dieser
Ausführungsform kann das organische elektronische Bauelement durch die Verkapselung und zusätzlich vom Substrat her durch die erste weitere Klebstoffschicht vor dem Eindringen von Feuchtigkeit und Luft geschützt werden. Insbesondere ist diese Ausführungsform bei flexiblen OLEDs, die flexibel ausgebildete Substrate aufweisen, möglich. Flexible
Substrate, beispielsweise aus Kunststofffolien weisen im Vergleich zu beispielsweise Glassubstraten eine erhöhte Durchlässigkeit für Feuchtigkeit und Sauerstoff auf. Deshalb besteht besonders in diesen Fällen, wenn das Substrat keinen ausreichenden Schutz bietet, erhöhter Bedarf die aktive Schicht einer OLED auch vom Substrat her besser gegen das Vordringen von Wasser und Luft zu schützen.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die erste weitere Klebstoffschicht auf rauhen Substraten angeordnet. Rauhe Substrate weisen beispielsweise unterschiedliche Oberflächenhöhen, Unebenheiten oder eine uneinheitliche
Oberfläche auf. Die Oberflächenhöhen können im Bereich von 10 nm und 100 ym liegen. Die erste weitere KlebstoffSchicht kann hier zusätzlich planarisierend wirken und mögliche
Oberflächenhöhen beziehungsweise Unebenheiten des Substrates zumindest weitgehend beheben. Insbesondere kann es sich bei dieser Ausführungsform um eine Top-Emitter OLED handeln.
Die erste weitere KlebstoffSchicht , die ein Gettermaterial umfasst, kann die gleichen Merkmale oder Kombinationen von Merkmalen aufweisen, wie sie für die erste KlebstoffSchicht oben beschrieben sind.
In einer weiteren Ausführungsform ist zwischen der ersten weiteren KlebstoffSchicht und der ersten Elektrode zumindest eine Dünnschichtverkapselung angeordnet.
In einer weiteren Ausführungsform ist eine zweite weitere KlebstoffSchicht in dem Bauelement vorhanden, die umlaufend um die erste weitere KlebstoffSchicht angeordnet ist. Die zweite weitere KlebstoffSchicht kann frei von
Gettermaterialien sein um eine erhöhte Haftfestigkeit zu erreichen. Die zweite weitere KlebstoffSchicht kann die gleichen Merkmale oder Kombinationen von Merkmalen aufweisen, die für die zweite KlebstoffSchicht oben beschrieben sind. Bevorzugt ist die zweite weitere KlebstoffSchicht vollständig umlaufend um die erste weitere KlebstoffSchicht angeordnet.
In einer weiteren Ausführungsform ist die zweite weitere KlebstoffSchicht zwischen der ersten Elektrode und dem
Substrat angeordnet und die erste weitere KlebstoffSchicht ist umlaufend um die zweite weitere KlebstoffSchicht
angeordnet. Bevorzugt ist die erste weitere KlebstoffSchicht vollständig umlaufend um die zweite weitere KlebstoffSchicht angeordnet .
Das organische elektronische Bauelement kann eine organische Leuchtdiode, eine Solarzelle, ein organischer
Feldeffekttransistor (OFET) und/oder eine organische
Elektronik sein. Bei dem organischen Feldeffekttransistor kann es sich um einen all-OFET handeln, bei dem alle
Schichten organisch sind.
In einer Ausführungsform ist das organische elektronische
Bauelement ein flächiges Bauelement, wobei die aktive Schicht des organischen elektronischen Bauelements eine Oberfläche von 1 cm^ bis 1 m^ aufweisen kann. Insbesondere kann die aktive Schicht eine Oberfläche von 5 cm2 bis 2000 cm2 und besonders bevorzugt eine Oberfläche von 25 cm2 bis 1000 cm2 aufweisen. Besonders bevorzugt handelt es sich bei dem flächigen Bauelement um eine Flächenlichtquelle.
Eine OLED kann beispielsweise als weitere Schichten umfassen: eine löcherinduzierende Schicht, eine löchertransportierende Schicht, eine elektronentransportierende Schicht und/oder eine elektroneninduzierende Schicht. Solche Schichten können dazu dienen, die Effizienz der OLED weiter zu steigern und an einer oder mehreren geeigneten Stellen der OLED ausgebildet werden. Mögliche Materialien dieser Schichten sind
beispielsweise in EP 1770 799 A2, WO 2010/122113 AI oder WO 2010/048920 AI beschrieben.
Erfindungsgemäß wird ein Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements angegeben umfassend die Verfahrensschritte: a) Bereitstellen eines organischen elektronischen Schichtstapels umfassend eine erste und eine zweite
Elektrode, ein Substrat und zumindest eine aktive Schicht, b) Abscheiden mindestens einer Dünnschichtverkapselung auf dem Schichtstapel
c) Auftragen einer ersten KlebstoffSchicht ,
d) Anordnen einer Deckschicht über der ersten
KlebstoffSchicht .
Durch das Auftragen der ersten KlebstoffSchicht kann die Deckschicht mit der Dünnschichtverkapselung verklebt werden.
Der Verfahrensschritt b) kann einen weiteren
Verfahrensschritt bl) Abscheiden zumindest einer zweiten Dünnschichtverkapselung umfassen .
Das Bereitstellen des organischen elektronischen
Schichtstapels unter Verfahrensschritt a) kann folgende Verfahrensschritte umfassen:
al) Bereitstellen des Substrats
a2) Auftragen einer ersten weiteren KlebstoffSchicht auf das Substrat
a3) Anordnen der ersten Elektrode auf der ersten weiteren KlebstoffSchicht
a4) Aufbringen der aktiven Schicht auf der ersten Elektrode a5) Anordnen der zweiten Elektrode auf der aktiven Schicht.
Das Bereitstellen eines organischen elektronischen
Schichtstapels unter Verfahrensschritt a) kann nach dem Verfahrensschritt a2) einen weiteren Verfahrensschritt a2') Abscheiden mindestens einer Dünnschichtverkapselung auf der ersten weiteren KlebstoffSchicht umfassen. Möglich ist, dass der Verfahrensschritt a2) einen weiteren Verfahrensschritt a2'') Auftragen einer zweiten weiteren Klebstoffschicht umfasst.
Insbesondere können die Dünnschichtverkapselungen unter
Verfahrensschritt b) und/oder bl) und/oder a2') mittels CVD, ALD und/oder PVD abgeschieden werden.
Insbesondere kann die Deckschicht unter Verfahrensschritt d) auflaminiert werden. Wird die Deckschicht auflaminiert , kann eine besonders dünne Deckschicht aufgebracht werden. Die Deckschicht kann eine Schichtdicke von 100 ym bis 0,7 mm aufweisen. Dieses Verfahren eignet sich vor allem für Glas, Kunststoff und Metallfolien.
Möglich ist ein weiterer Verfahrensschritt e) UV-Härtung der ersten Klebstoffschicht nach Verfahrensschritt d) .
Möglich sind auch zwei weitere Verfahrensschritte el) UV- Vorhärten der ersten Klebstoffschicht und e2) Thermisches Nachhärten der ersten Klebstoffschicht nach dem
Verfahrensschritt d) . Durch das Vorhärten kann innerhalb kurzer Zeit eine Vorfixierung der Deckschicht über der
Dünnschichtverkapselung erreicht werden, so dass diese ihre Position nicht mehr ändern kann. Anschließend kann die vollständige Härtung thermisch über einen längeren Zeitraum erfolgen. Das Vorhärten ist z.B. durch eine Belichtung (250 nm < λ < 400 nm) in einem Intensitätsbereich von 100 mW/cm2 für drei Minuten möglich. Ein thermisches Nachhärten kann bei 80 °C für 30 Minuten erfolgen. Die erste weitere KlebstoffSchicht kann analog zu den für die erste KlebstoffSchicht beschriebenen Verfahren nach dem
Verfahrensschritt a2') oder a3) gehärtet werden.
Möglich ist, dass der Verfahrensschritt c) einen weiteren Verfahrensschritt cl) Auftragen der zweiten KlebstoffSchicht umfasst .
Möglich kann auch ein weiterer Verfahrensschritt f) Härten der zweiten KlebstoffSchicht nach Verfahrensschritt d) , e) oder e2) sein.
Insbesondere kann der Verfahrensschritt f) ein thermisches Härten der zweiten KlebstoffSchicht bei Temperaturen von 80 °C bis 100 °C umfassen.
Möglich ist auch, dass der Verfahrensschritt f) ein Härten der zweiten KlebstoffSchicht durch UV-Belichtung umfasst.
Die zweite weitere KlebstoffSchicht kann analog zu den für die zweite KlebstoffSchicht beschriebenen Verfahren nach dem Verfahrensschritt a2') oder a3) gehärtet werden.
Weitere vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispielen.
Die Figuren 1A und 1B zeigen ein Ausführungsbeispiel eines organischen elektronischen Bauelements in einer schematischen Schnittdarstellung und in der Aufsicht. Die Figuren 2 bis 5 zeigen schematische Schnittdarstellungen jeweils eines organischen elektronischen Bauelements gemäß
unterschiedlicher Ausführungsbeispiele. Die Figuren 6A und 6B zeigen ein weiteres Ausführungsbeispiel eines organischen elektronischen Bauelements in einer schematischen
Schnittdarstellung und in der Aufsicht. Die Figuren 7 bis 9 zeigen schematische Schnittdarstellungen jeweils eines organischen elektronischen Bauelements gemäß
unterschiedlicher Ausführungsbeispiele .
In den Ausführungsbeispielen und Figuren sind gleiche oder gleich wirkende Bestandteile jeweils mit den gleichen
Bezugszeichen versehen. Die dargestellten Elemente und deren Größenverhältnisse untereinander sind nicht als
maßstabsgerecht anzusehen, vielmehr können einzelne Elemente, insbesondere Schichtdicken, zum besseren Verständnis
übertrieben groß dargestellt sein.
Das organische elektronische Bauelement gemäß dem
Ausführungsbeispiel der Figur 1A umfasst ein Substrat 1, eine aktive Schicht 2 angeordnet auf dem Substrat 1, eine
Dünnschichtverkapselung 5 angeordnet auf der aktiven Schicht 2, eine KlebstoffSchicht mit einem Gettermaterial 3 und eine Deckschicht 4. Das Gettermaterial liegt beispielsweise in der Form von Getterpartikeln in der KlebstoffSchicht 3 vor. Die Dünnschichtverkapselung 5 und die KlebstoffSchicht 3 und die Klebstoffschicht 3 und die Deckschicht 4 stehen insbesondere in direktem Kontakt miteinander. Die Dünnschichtverkapselung 5 bedeckt die Kanten 2a, die Seitenflächen 2b und die
Hauptoberfläche 2c der aktiven Schicht 2 und teilweise die zur aktiven Schicht 2 benachbarte Hauptoberfläche des
Substrats 1, die nicht von der aktiven Schicht 2 bedeckt ist. Möglich ist auch, dass die Dünnschichtverkapselung 5 die zur aktiven Schicht 2 benachbarte Hauptoberfläche des Substrats 1, die nicht von der aktiven Schicht 2 bedeckt ist,
vollständig bedeckt. Die Klebstoffschicht 3 bedeckt die Hauptoberfläche der Dünnschichtverkapselung 5 und die
Teilbereiche der Dünnfilmverkapselung 5, die die Kanten 2a und die Seitenflächen 2b der aktiven Schicht 2 bedecken. Die Klebstoffschicht 3 geht dabei über die Kanten 2a der aktiven Schicht 2, die von der Dünnschichtverkapselung 5 bedeckt sind, hinaus und steht in direktem Kontakt mit der Umgebung. Die Deckschicht 4 bedeckt die Hauptoberfläche der
Klebstoffschicht 3. Durch die Anordnung der Klebstoffschicht 3 über den Kanten 2a und Seitenflächen 2b der aktiven Schicht 2, die von der Dünnschichtverkapselung 5 bedeckt sind, entsteht ein Überlappbereich der Klebstoffschicht 3 über die Kanten 2a der aktiven Schicht 2 hinaus. Durch diese Anordnung dringt die Feuchtigkeit erst nach viel längerer Zeit über die Seitenflächen 2b in die aktive Schicht 2 vor als bei anderen organischen elektronischen Bauteilen, da die Seitenflächen 2b der aktiven Schicht 2 mit der Dünnschichtverkapselung 5 und der Klebstoffschicht 3 bedeckt sind. Insbesondere bei großflächigen Bauelementen ist der Vorteil enorm, da der Weg von den Außenkanten zur aktiven Schicht 2 für Feuchtigkeit und/oder Sauerstoff dementsprechend länger ist. Das
Gettermaterial kann bei der Ausführungsform beispielsweise Zeolithe umfassen, möglich sind aber auch oxidierbare
und/oder wasseraufnehmende Materialien. Die
Dünnschichtverkapselung 5 kann beispielsweise Aluminiumoxid aber auch Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Lanthaniumoxid, Siliciumoxid, Siliciumnitrid umfassen. Die Deckschicht 4 kann Glas umfassen, möglich sind aber auch Aluminium, Kupfer, ein Lack oder ein Kunststoff. Die
Dünnschichtverkapselung 5, die Klebstoffschicht 3 und die Deckschicht 4 können transparent ausgebildet sein.
Vorzugsweise handelt es sich bei dem organischen
elektronischen Bauelement um eine OLED, wobei die Strahlung entweder über ein transparentes Substrat 1 und/oder über die transparente Verkapselung ausgekoppelt wird. Die Getterpartikel können je nach deren Größe eine Streuwirkung in Bezug auf die erzeugte Strahlung der aktiven Schicht 2 haben. Die Verkapselung kann folglich neben der Verklebung der Dünnschichtverkapselung 5 und der Deckschicht 4 und einer verzögerten Luft- und Feuchtediffusion zusätzlich zur
Verbesserung der Auskopplung der Strahlung dienen. Die aktive Schicht 2 des Bauelementes umfasst beispielsweise ein
organisches funktionelles Material. In der aktiven Schicht 2 einer OLED kann durch Elektronen- und Löcherinjektion und - rekombination elektromagnetische Strahlung mit einer
einzelnen Wellenlänge oder einem Bereich von Wellenlängen erzeugt werden. Dabei kann bei einem Betrachter ein
einfarbiger, ein mehrfarbiger und/oder ein mischfarbiger Leuchteindruck erweckt werden. Das organische funktionelle Material kann beispielsweise organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht- polymere Moleküle oder Kombinationen daraus aufweisen. Das erste Substrat kann Quarz, Kunststofffolien, Metall,
Metallfolien, Siliziumwafer oder ein beliebiges anderes geeignetes Substratmaterial umfassen. Möglich ist auch, dass es sich bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Figur 1A um eine organische Solarzelle, einen organischen Feldeffekttransistor oder eine organische Elektronik handelt. Handelt es sich bei dem Bauelement um eine organische Solarzelle kann die aktive Schicht 2 eine Strahlung empfangen und eine oder mehrere halbleitende Materialien, die monomer, oligomer und/oder polymer sind, umfassen.
Figur 1B zeigt eine Aufsicht auf das bereits in Figur 1A gezeigte Bauelement. Die Figur 1B zeigt, dass die aktive Schicht 2 mittig über einen Teil der Hauptoberfläche des Substrats 1 aufgebracht ist. Die KlebstoffSchicht 3 ist über der aktiven Schicht 2 angeordnet, bedeckt die Hauptoberfläche 2c der aktiven Schicht 2 und ragt über die Kanten 2a der aktiven Schicht 2 hinaus. Ein Querschnitt entlang der
gestrichelten Linie führt zur schematischen
Schnittdarstellung des Bauelements gemäß Figur 1A.
Die Lebensdauer von Bottom Emitter OLEDs einer Größe von 40 cm2 und 1,67 cm2 wurden in Abhängigkeit von der Betriebsdauer der OLEDs bei 60 °C und 90 % relativer Luftfeuchtigkeit (rH) getestet. Unter der relativen Luftfeuchtigkeit ist das prozentuale Verhältnis zwischen dem Dampfdruck des Wassers und dem Sättigungsdampfdruck desselben zu verstehen. Bottom Emitter OLEDs mit einer Dünnschichtverkapselung, einem reinen Epoxidkleber ohne Gettermaterial und einem aufgebrachten Glas weisen aufgrund der Bildung von „dark spots", die durch das Vordringen von Luft und Wasser in die aktive Schicht
entstehen, eine Ausfallrate nach ca. 1700 h von 40 % auf. Bei den erfindungsgemäßen Bottom Emitter OLEDs, die sich zu den oben genannten OLEDs nur durch ein Gettermaterial in dem Epoxidkleber unterscheiden, liegt die Ausfallrate nach ca. 1700 h bei 20 % und ist somit um die Hälfte geringer ist als bei den OLEDS ohne Gettermaterial in dem Epoxidkleber. Der Ausfallgrund für die erfindungsgemäßen OLEDS liegt nicht in dem Vordringen von Wasser und/oder Sauerstoff zur aktiven Schicht, sondern darin dass es aufgrund einer zu geringen Haftung der ersten KlebstoffSchicht mit Gettermaterial zu einer frühzeitigen Delamination kommt. Diese vorzeitige
Delamination kann durch das Aufbringen der zweiten
KlebstoffSchicht vermindert werden.
Im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel gemäß Figur 1A zeigt das Ausführungsbeispiel gemäß Figur 2, dass die
Deckschicht 4 zusätzlich über den Seitenflächen der Dünnschichtverkapselung 5 und den Seitenflächen der
KlebstoffSchicht 3 angeordnet ist. Umfasst die Deckschicht 4 Glas kann die Deckschicht 4 mittels Glasfritten mit dem
Substrat 1 verklebt werden. Die KlebstoffSchicht 3 steht nicht in direkten Kontakt mit der Umgebung und wird von der Deckschicht 4 vor Luft und Feuchtigkeit der Umgebung
abgeschirmt. Diese Anordnung führt zu einer Verzögerung der Luft- und Feuchtigkeitsdiffusion durch die Seitenflächen 2b der aktiven Schicht 2. Die Abschirmung der aktiven Schicht 2 an den Seitenflächen 2b wird im Vergleich zu dem
Ausführungsbeispiel gemäß Figur 1A weiter verbessert, da über den Seitenflächen 2b mindestens zwei Schutzschichten
(Dünnschichtverkapselung 5, KlebstoffSchicht 3 und
Deckschicht 4 oder Dünnschichtverkapselung 5 und Deckschicht 4) aufgebracht sind.
Im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel gemäß Figur 1A zeigt das Ausführungsbeispiel gemäß Figur 3, dass die
Deckschicht 4 zusätzlich über den Seitenflächen der
KlebstoffSchicht 3 angeordnet ist. Die KlebstoffSchicht 3 steht nicht in direkten Kontakt mit der Umgebung und wird von der Deckschicht von Luft und Feuchtigkeit abgeschirmt. Da bei dieser Ausführungsform die Hauptoberfläche und die
Seitenflächen der KlebstoffSchicht 3 von der Deckschicht 4 bedeckt sind, wird die Feuchte- und Luftdiffusion zur aktiven Schicht 2 über diese Flächen besonders gut verzögert.
Figur 4 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel, wobei im Gegensatz zu dem Ausführungsbeispiel gemäß Figur 1A die
KlebstoffSchicht 3 noch teilweise die zur aktiven Schicht 2 benachbarte Hauptoberfläche des Substrats 1 bedeckt. Auf diese Art sind die Seitenflächen 2b der aktiven Schicht 2 komplett mit der Dünnschichtverkapselung 5 und der KlebstoffSchicht 3 verkapselt, was zu einem hohen Schutz auch der Seitenflächen 2b der aktiven Schicht 2 vor
Umwelteinflüssen führt.
Im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel gemäß Figur 4 zeigt das Ausführungsbeispiel in Figur 5, dass die Deckschicht 4 auch über den Seitenflächen der KlebstoffSchicht 3 angeordnet ist. Umfasst die Deckschicht 4 Glas wird die Deckschicht 4 mittels Glasfritten mit dem Substrat 1 verklebt. In dieser Ausführungsform ist die aktive Schicht 2 an der
Hauptoberfläche 2c und den Seitenflächen 2b durch die
Dünnschichtverkapselung 5, die KlebstoffSchicht 3 und die Deckschicht 4 bedeckt, was sich in einem besonders
hermetischen Schutz der aktiven Schicht 2 auszeichnet.
Alle in den Figuren 1A, 1B und 2 bis 5 gezeigten
Ausführungsbeispiele sind auch mit einer ersten 3 und einer zweiten KlebstoffSchicht 3a möglich. Figur 6A zeigt eine Variante der Ausführungsform gemäß Figur 1A mit einer zweiten Klebstoffschicht 3a. Die KlebstoffSchicht 3 bedeckt in dieser Ausführungsform die Hauptoberfläche 2c der aktiven Schicht 2 und die zweite Klebstoffschicht 3a ist vollständig umlaufend um die erste Klebstoffschicht 3 angeordnet und bedeckt die Teilbereiche der Dünnschichtverkapselung 5, die die Kanten 2a und die Seitenflächen 2b der aktiven Schicht 2 bedecken. Die Klebstoffschicht 3 geht dabei über die Kanten 2a der aktiven Schicht 2, die von der Dünnschichtverkapselung 5 bedeckt sind, hinaus und steht in direktem Kontakt mit der Umgebung. Die Deckschicht 4 bedeckt die Hauptoberfläche der
Klebstoffschichten 3 und 3a. Die Dünnschichtverkapselung 5, die Klebstoffschichten 3 und 3a und die Deckschicht 4 können transparent ausgebildet sein. Die zweite Klebstoffschicht 3a kann einen Epoxidkleber umfassen und weist eine bessere Klebeeigenschaft als die erste KlebstoffSchicht 3 auf und kann insbesondere frei von Gettermaterial sein. Diese
Anordnung der zweiten KlebstoffSchicht 3a führt zu einer besseren Haftung der Deckschicht 4 und der
Dünnschichtverkapselung 5. Die Scherfestigkeit der zweiten KlebstoffSchicht liegt zwischen 1 und 90 N/mm2, insbesondere zwischen 5 und 15 N/mm2. Die Haftfestigkeit liegt zwischen 1 und 20 N/mm, insbesondere zwischen 3 bis 10 N/mm. und beugt so einer unerwünschten Delamination dieser Schichten vor. Für die zweite KlebstoffSchicht 3a kann auch ein anderer
Klebstoff, der eine hohe Haftfestigkeit zwischen der
Deckschicht 4 und der Dünnfilmverkapselung 5 ermöglicht, Anwendung finden. Besonders geeignet ist diese
Ausführungsform, wenn die erste KlebstoffSchicht 3 eine unzureichende Klebeeigenschaft aufweist beziehungsweise eine der aktiven Schichten beispielsweise einer OLED eine
geringere Haftung aufweist als die erste KlebstoffSchicht .
Figur 6B zeigt eine Aufsicht auf das bereits in Figur 6A gezeigte Bauelement. Die Figur 6B zeigt, dass die aktive Schicht 2 mittig über einen Teil der Hauptoberfläche des Substrats 1 aufgebracht ist. Die Klebstoffschichten 3 und 3a sind über der aktiven Schicht 2 angeordnet und bedecken die Hauptoberfläche 2c der aktiven Schicht 2, wobei die
Klebstoffschicht 3a vollständig umlaufend die erste
KlebstoffSchicht 3 angeordnet ist und über die Kanten 2a der aktiven Schicht 2 hinausragt. Ein Querschnitt entlang der gestrichelten Linie führt zur schematischen
Schnittdarstellung des Bauelements gemäß Figur 6A.
Im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel gemäß Figur 6A zeigt das Ausführungsbeispiel gemäß Figur 7, dass die
Deckschicht 4 zusätzlich über den Seitenflächen der zweiten Klebstoffschicht 3a angeordnet ist. Da bei dieser Ausführungsform die Seitenflächen der Klebstoffschicht 3a von der Deckschicht 4 bedeckt sind, sind die Seitenflächen 2b der aktiven Schicht 2 besser vor Feuchtigkeit und Luft geschützt. Da die Klebstoffschicht 3a keine Getterpartikel aufweist und so möglicherweise keinen ausreichenden Schutz der
Seitenflächen 2b der aktiven Schicht 2 vor Umwelteinflüssen bietet, ist diese Ausführungsform besonders in diesen Fällen geeignet .
Im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel gemäß Figur 6A zeigt das Ausführungsbeispiel gemäß Figur 8, dass die
Klebstoffschicht 3a noch teilweise die zur aktiven Schicht 2 benachbarte Hauptoberfläche des Substrats 1 bedeckt.
In dem Ausführungsbeispiel gemäß Figur 9 ist die Deckschicht 4 im Gegensatz zu dem Ausführungsbeispiel gemäß Figur 8 auch über den Seitenflächen der Klebstoffschicht 3a angeordnet. Umfasst die Deckschicht 4 Glas wird die Deckschicht 4 mittels Glasfritten mit dem Substrat 1 verklebt. Analog zu dem
Ausführungsbeispiel gemäß Figur 7 sind die Seitenflächen der Klebstoffschicht 3a von der Deckschicht 4 bedeckt um die Seitenflächen 2b der aktiven Schicht 2 besser vor
Feuchtigkeit und Luft zu schützten. Insbesondere wenn die Klebstoffschicht 3a keinen ausreichenden Schutz der
Seitenflächen 2b der aktiven Schicht 2 bietet, ist diese Ausführungsform geeignet.
Alle in den Figuren 6A, 6B und 7 bis 9 gezeigten
Ausführungsbeispiele sind auch mit vertauschten Anordnungen der ersten Klebstoffschicht 3 und der zweiten
Klebstoffschicht 3a möglich. Durch die Anordnung der ersten Klebstoffschicht 3 über den Teilbereichen der Dünnfilm- verkapselung, die die Kanten 2a und die Seitenflächen 2b der aktiven Schicht 2 bedecken, dringt die Feuchtigkeit erst verzögert über die Seitenflächen 2b in die aktive Schicht 2 vor und gleichzeitig wird eine hohe Haftfestigkeit der
Dünnschichtverkapselung 5 und der Deckschicht 4 durch die zweite KlebstoffSchicht 3a erreicht.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die
Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von
Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Claims

Patentansprüche
1. Verkapselung für ein organisches elektronisches
Bauelement mit einer Schichtenfolge, die folgende Schichten umfasst :
- mindestens eine Dünnschichtverkapselung (5) ,
- zumindest eine erste KlebstoffSchicht (3) angeordnet auf der mindestens einen Dünnschichtverkapselung (5) , wobei die erste KlebstoffSchicht (3) zumindest ein Gettermaterial umfasst und
- eine Deckschicht (4) angeordnet auf der ersten
KlebstoffSchicht (3) .
2. Verkapselung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei das Gettermaterial Zeolithe umfasst.
3. Verkapselung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste KlebstoffSchicht (3) zusätzlich wärmeleitende Partikel umfasst.
4. Organisches elektronisches Bauelement umfassend:
- ein Substrat (1),
- zumindest eine aktive Schicht (2), die auf dem Substrat (1) angeordnet ist, und
- eine Verkapselung über der aktiven Schicht (2) nach einem der obigen Ansprüche.
5. Organisches elektronisches Bauelement nach dem
vorhergehenden Anspruch, wobei die Verkapselung keine Kavität aufweist .
6. Organisches elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 4 bis 5, wobei die aktive Schicht (2) Kanten (2a) und Seitenflächen (2b) und eine von dem Substrat (1)
abgewandte Hauptoberfläche (2c) aufweist und wobei die mindestens eine Dünnschichtverkapselung (5) zumindest die Kanten (2a) und/oder Seitenflächen (2b) und die von dem
Substrat (1) abgewandte Hauptoberfläche (2c) der aktiven Schicht (2) bedeckt.
7. Organisches elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 4 bis 6, wobei die mindestens eine
Dünnschichtverkapselung (5) eine von der aktiven Schicht (2) abgewandte Hauptoberfläche aufweist und wobei die erste
KlebstoffSchicht (3) über der von der aktiven Schicht (2) abgewandten Hauptoberfläche der zumindest einen
Dünnschichtverkapselung (5) angeordnet ist.
8. Organisches elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 4 bis 7, wobei die erste KlebstoffSchicht (3) die Teilbereiche der Dünnschichtverkapselung (5) bedeckt, die die Kanten (2a) und/oder Seitenflächen (2b) der aktiven Schicht (2) bedeckt.
9. Organisches elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 4 bis 8, wobei eine zweite KlebstoffSchicht (3a) vorhanden ist und wobei die zweite KlebstoffSchicht (3a) zumindest teilweise um die erste KlebstoffSchicht (3) umlaufend angeordnet ist.
10. Organisches elektronisches Bauelement nach Anspruch 4 bis 8, wobei eine zweite KlebstoffSchicht (3a) vorhanden ist und wobei die zweite KlebstoffSchicht (3a) über der von der aktiven Schicht (2) abgewandten Hauptoberfläche der zumindest einen Dünnschichtverkapselung (5) angeordnet ist und die erste KlebstoffSchicht (3) zumindest teilweise um die zweite KlebstoffSchicht (3a) umlaufend angeordnet ist.
11. Organisches elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 9 oder 10, wobei die zweite KlebstoffSchicht (3a) frei von Gettermaterial ist.
12. Organisches elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 5 bis 11, wobei die Deckschicht (4) über der von der aktiven Schicht (2) abgewandten Hauptoberfläche der zumindest einen Dünnschichtverkapselung (5) angeordnet ist.
13. Organisches elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 5 bis 12,
wobei das organische elektronische Bauelement eine organische Leuchtdiode umfasst,
wobei die aktive Schicht (2) der organischen Leuchtdiode eine Strahlung emittiert, wobei die erste KlebstoffSchicht (3) im Strahlengang der aktiven Schicht (2) angeordnet ist und wobei die Getterpartikel eine Streuwirkung in Bezug auf die
Strahlung der aktiven Schicht (2) haben.
14. Verfahren zur Herstellung eines organischen
elektronischen Bauelements, umfassend die Verfahrensschritte:
A) Bereitstellen eines organischen elektronischen
Schichtstapels umfassend eine erste und eine zweite
Elektrode, ein Substrat (1) und zumindest eine aktive Schicht (2) ,
B) Abscheiden mindestens einer Dünnschichtverkapselung (5) auf den Schichtstapel,
C) Auftragen einer ersten KlebstoffSchicht (3) ,
D) Anordnen einer Deckschicht (4) über der ersten
KlebstoffSchicht (3) .
15. Verfahren nach Anspruch 14, wobei der Verfahrensschritt C) einen weiteren Verfahrensschritt
Cl) Auftragen einer zweiten KlebstoffSchicht ( 3a) umfasst.
PCT/EP2012/070134 2011-10-11 2012-10-11 Verkapselung für ein organisches elektronisches bauelement WO2013053805A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020147012539A KR102003087B1 (ko) 2011-10-11 2012-10-11 유기 전자 부품용 캡슐
US14/351,090 US9601721B2 (en) 2011-10-11 2012-10-11 Encapsulation for an organic electronic device
CN201280050098.0A CN103875090B (zh) 2011-10-11 2012-10-11 用于有机电子器件的封装件
JP2014535071A JP2014532271A (ja) 2011-10-11 2012-10-11 有機エレクトロニクスデバイスの封止部、有機エレクトロニクスデバイス、および有機エレクトロニクスデバイスを製造する方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011084276.4 2011-10-11
DE102011084276.4A DE102011084276B4 (de) 2011-10-11 2011-10-11 Verkapselung für ein organisches elektronisches bauelement, ein organisches elektronisches bauelement mit der verkapselung und ein verfahren zur herstellung eines organischen elektronischen bauelements mit der verkapselung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013053805A1 true WO2013053805A1 (de) 2013-04-18

Family

ID=47022662

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2012/070134 WO2013053805A1 (de) 2011-10-11 2012-10-11 Verkapselung für ein organisches elektronisches bauelement

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9601721B2 (de)
JP (1) JP2014532271A (de)
KR (1) KR102003087B1 (de)
CN (1) CN103875090B (de)
DE (1) DE102011084276B4 (de)
WO (1) WO2013053805A1 (de)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103956435A (zh) * 2014-04-28 2014-07-30 上海大学 一种有机发光二极管的胶带封装结构
CN104091890A (zh) * 2014-06-11 2014-10-08 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光器件、有机发光显示装置
CN104377224A (zh) * 2013-08-14 2015-02-25 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
JP2016509743A (ja) * 2013-01-28 2016-03-31 コーニング インコーポレイテッド 光抽出層を有する柔軟な密封性薄膜
JP2016103443A (ja) * 2014-11-28 2016-06-02 パイオニア株式会社 発光装置
CN105874879A (zh) * 2013-11-13 2016-08-17 日产化学工业株式会社 有机电致发光元件
CN106415875A (zh) * 2014-03-27 2017-02-15 株式会社Lg化学 封装膜及包括该封装膜的有机电子装置
JP2020053411A (ja) * 2019-12-26 2020-04-02 パイオニア株式会社 発光装置

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012208142B4 (de) 2012-05-15 2021-05-12 Pictiva Displays International Limited Organisches licht emittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines organischen licht emittierenden bauelements
FR2998096B1 (fr) * 2012-11-14 2015-01-30 Astron Fiamm Safety Connexion electrique d'un dispositif oled
DE102013105128A1 (de) 2013-05-17 2014-11-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
DE102013106937B4 (de) 2013-07-02 2022-02-17 Pictiva Displays International Limited Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
JP6387602B2 (ja) * 2013-11-14 2018-09-12 凸版印刷株式会社 透明電極、透明電極の製造方法、透明電極を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子
CN203983341U (zh) 2014-07-31 2014-12-03 京东方科技集团股份有限公司 电致发光器件及显示装置
US9535173B2 (en) * 2014-09-11 2017-01-03 General Electric Company Organic x-ray detector and x-ray systems
DE102015205674A1 (de) * 2015-03-30 2016-10-06 Osram Oled Gmbh Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
CN105118931B (zh) * 2015-09-10 2017-07-04 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、有机电致发光显示面板及显示装置
DE102015116055B4 (de) * 2015-09-23 2023-07-20 Pictiva Displays International Limited Flächiges lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines flächigen lichtemittierenden Bauelements
CN105405982A (zh) * 2015-12-09 2016-03-16 深圳市华星光电技术有限公司 有机发光二极管封装结构、封装方法及有机发光二极管
JP6745597B2 (ja) * 2015-12-25 2020-08-26 共同印刷株式会社 有機ｅｌデバイス用吸湿性光散乱シート
CN106058065B (zh) * 2016-08-08 2019-06-11 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及制备方法
US10475930B2 (en) 2016-08-17 2019-11-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming crystalline oxides on III-V materials
CN106450029A (zh) * 2016-10-25 2017-02-22 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示装置及其制作方法
US10355065B2 (en) * 2016-11-28 2019-07-16 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Double-sided display and method of packaging the same
KR20180076590A (ko) 2016-12-28 2018-07-06 엘지디스플레이 주식회사 표시장치와 그의 제조방법
CN108091771A (zh) * 2017-11-15 2018-05-29 维沃移动通信有限公司 一种显示模组制造方法、显示模组及移动终端
CN107819024B (zh) * 2017-11-29 2019-12-31 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光显示面板及吸热密封胶
CN108110145A (zh) * 2017-12-15 2018-06-01 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及封装方法、显示装置
CN108321304B (zh) * 2018-01-31 2020-08-04 上海天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法和显示装置
KR102534156B1 (ko) * 2018-04-16 2023-05-19 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치의 제조 방법
CN108428804A (zh) * 2018-04-19 2018-08-21 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示面板及其封装方法
CN108649136B (zh) 2018-04-27 2020-05-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性oled显示面板
JP7000993B2 (ja) * 2018-05-31 2022-01-19 コニカミノルタ株式会社 電子デバイス
CN109616588B (zh) * 2018-12-06 2020-10-30 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种发光器件的封装结构、封装方法和显示装置
CN109742258B (zh) * 2019-01-08 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 一种oled面板、显示装置和面板封装方法
WO2020197753A1 (en) * 2019-03-25 2020-10-01 Sinovia Technologies Non-equilibrium thermal curing processes
CN110408350A (zh) * 2019-06-21 2019-11-05 合肥派森新材料技术有限公司 一种用于封装的uv胶及其制备方法
JP2021043263A (ja) * 2019-09-06 2021-03-18 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 光変調装置及び光変調装置の製造方法
DE102020200053A1 (de) * 2020-01-06 2021-07-08 Heliatek Gmbh Verkapselungssystem für ein optoelektronisches Bauelement mit mindestens einer ersten Verkapselung und einer zweiten Verkapselung, optoelektronisches Bauelement mit einem solchen Verkapselungssystem
JP7475172B2 (ja) 2020-03-17 2024-04-26 株式会社日本触媒 有機電界発光素子パネル

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030218422A1 (en) * 2002-05-23 2003-11-27 Samsung Sdi Co., Ltd. Method for encapsulating organic electroluminescent device and an organic electroluminescent panel using the same
WO2007008774A1 (en) * 2005-07-12 2007-01-18 Eastman Kodak Company Oled device with improved efficiency and robustness
EP1770799A2 (de) 2005-09-28 2007-04-04 Osram Opto Semiconductors GmbH Organische elektrophosphoreszierende Vorrichtung
EP1804310A2 (de) * 2005-12-30 2007-07-04 Samsung SDI Co., Ltd. Organische lichtemittierende Vorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
DE102007038324A1 (de) * 2007-08-14 2009-02-26 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Organische elektronische Bauelemente
DE102008031405A1 (de) 2008-07-02 2010-01-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements und organisches elektronisches Bauelement
DE102008048472A1 (de) 2008-09-23 2010-03-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Vorrichtung mit Verkapselungsanordnung
WO2010048920A1 (de) 2008-10-31 2010-05-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende vorrichtung
DE102008063636A1 (de) * 2008-12-18 2010-06-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines organischen optoelektronischen Bauelements und organisches optoelektronisches Bauelement
WO2010122113A1 (de) 2009-04-23 2010-10-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende vorrichtung
WO2011016408A1 (ja) * 2009-08-05 2011-02-10 味の素株式会社 フィルム
WO2012060621A2 (ko) * 2010-11-02 2012-05-10 주식회사 엘지화학 접착 필름 및 이를 이용한 유기전자장치의 봉지 방법

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2776040B2 (ja) * 1990-04-27 1998-07-16 凸版印刷株式会社 有機薄膜ｅｌ素子
JPH05290976A (ja) 1992-04-10 1993-11-05 Denki Kagaku Kogyo Kk 有機薄膜電界発光素子
JPH09274990A (ja) 1996-04-08 1997-10-21 Mitsubishi Chem Corp 有機電界発光素子及びその製造方法
ITMI20021579A1 (it) * 2002-07-17 2004-01-19 Getters Spa Sistema per l'applicazione di un dispositivo assorbitore di gas su una superficie e procedimenti per la produzione di tale sistema
US20040048033A1 (en) 2002-09-11 2004-03-11 Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd. Oled devices with improved encapsulation
US6998648B2 (en) * 2003-08-25 2006-02-14 Universal Display Corporation Protected organic electronic device structures incorporating pressure sensitive adhesive and desiccant
US20050238803A1 (en) 2003-11-12 2005-10-27 Tremel James D Method for adhering getter material to a surface for use in electronic devices
JP5062648B2 (ja) * 2004-04-08 2012-10-31 双葉電子工業株式会社 有機ｅｌ素子用水分吸収剤
KR101173713B1 (ko) * 2004-04-28 2012-08-13 니폰 제온 가부시키가이샤 적층체, 발광 소자 및 그의 사용
JP4742730B2 (ja) 2005-08-04 2011-08-10 ソニー株式会社 表示装置および表示装置の製造方法
JP2007220646A (ja) * 2006-01-19 2007-08-30 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101691274B1 (ko) * 2006-09-29 2016-12-29 오스람 오엘이디 게엠베하 유기 발광 소자 및 조명 장치
DE102007063656A1 (de) * 2007-08-14 2009-07-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Organische elektronische Bauelemente
JP5232528B2 (ja) 2007-08-31 2013-07-10 富士フイルム株式会社 環境感受性デバイスの封止方法および画像表示素子
MY154426A (en) 2007-09-14 2015-06-15 Bellsion Kk Both-end supporting wing aircraft
US20090079328A1 (en) 2007-09-26 2009-03-26 Fedorovskaya Elena A Thin film encapsulation containing zinc oxide
JP5348869B2 (ja) 2007-10-17 2013-11-20 小松精練株式会社 有機電子デバイス用ホットメルト型部材、バリアフィルム封止部材、それらを用いた有機電子デバイス封止パネル
JP2009129723A (ja) 2007-11-26 2009-06-11 Rohm Co Ltd 有機ｅｌパネル
JP2009134984A (ja) * 2007-11-30 2009-06-18 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法
DE102008019900A1 (de) 2008-01-30 2009-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements und organisches elektronisches Bauelement
DE102008025755A1 (de) * 2008-05-29 2009-12-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches Licht emittierendes Bauteil und Leuchtmittel mit einem solchen Bauteil
KR101375334B1 (ko) * 2008-07-17 2014-03-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
JP2010080293A (ja) * 2008-09-26 2010-04-08 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子封止用粘着フィルム
KR20120099330A (ko) * 2008-11-14 2012-09-10 어플라이드 나노테크 홀딩스, 인크. 태양 전지 제조를 위한 잉크 및 페이스트
DE102009024411A1 (de) 2009-03-24 2010-09-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnschichtverkapselung für ein optoelektronisches Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauelement
US20110025196A1 (en) 2009-07-31 2011-02-03 General Electric Company Hermetic package with getter materials
DE102009036968A1 (de) * 2009-08-12 2011-02-17 Tesa Se Verfahren zur Kapselung einer elektronischen Anordnung
EP2508546A1 (de) 2009-12-01 2012-10-10 Nagase ChemteX Corporation Epoxidharzzusammensetzung
KR101107162B1 (ko) 2009-12-02 2012-01-25 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
TWI589042B (zh) 2010-01-20 2017-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置，撓性發光裝置，電子裝置，照明設備，以及發光裝置和撓性發光裝置的製造方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030218422A1 (en) * 2002-05-23 2003-11-27 Samsung Sdi Co., Ltd. Method for encapsulating organic electroluminescent device and an organic electroluminescent panel using the same
WO2007008774A1 (en) * 2005-07-12 2007-01-18 Eastman Kodak Company Oled device with improved efficiency and robustness
EP1770799A2 (de) 2005-09-28 2007-04-04 Osram Opto Semiconductors GmbH Organische elektrophosphoreszierende Vorrichtung
EP1804310A2 (de) * 2005-12-30 2007-07-04 Samsung SDI Co., Ltd. Organische lichtemittierende Vorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
DE102007038324A1 (de) * 2007-08-14 2009-02-26 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Organische elektronische Bauelemente
DE102008031405A1 (de) 2008-07-02 2010-01-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements und organisches elektronisches Bauelement
DE102008048472A1 (de) 2008-09-23 2010-03-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Vorrichtung mit Verkapselungsanordnung
WO2010048920A1 (de) 2008-10-31 2010-05-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende vorrichtung
DE102008063636A1 (de) * 2008-12-18 2010-06-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines organischen optoelektronischen Bauelements und organisches optoelektronisches Bauelement
WO2010122113A1 (de) 2009-04-23 2010-10-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende vorrichtung
WO2011016408A1 (ja) * 2009-08-05 2011-02-10 味の素株式会社 フィルム
WO2012060621A2 (ko) * 2010-11-02 2012-05-10 주식회사 엘지화학 접착 필름 및 이를 이용한 유기전자장치의 봉지 방법

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016509743A (ja) * 2013-01-28 2016-03-31 コーニング インコーポレイテッド 光抽出層を有する柔軟な密封性薄膜
US10944071B2 (en) 2013-08-14 2021-03-09 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
CN104377224A (zh) * 2013-08-14 2015-02-25 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN104377224B (zh) * 2013-08-14 2019-04-05 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
TWI629813B (zh) * 2013-08-14 2018-07-11 南韓商三星顯示器有限公司 有機發光顯示設備及其製造方法
CN105874879A (zh) * 2013-11-13 2016-08-17 日产化学工业株式会社 有机电致发光元件
CN106415875A (zh) * 2014-03-27 2017-02-15 株式会社Lg化学 封装膜及包括该封装膜的有机电子装置
US10103353B2 (en) 2014-03-27 2018-10-16 Lg Chem, Ltd. Encapsulation film and organic electronic device comprising the same
CN106415875B (zh) * 2014-03-27 2018-12-25 株式会社Lg化学 封装膜及包括该封装膜的有机电子装置
CN103956435A (zh) * 2014-04-28 2014-07-30 上海大学 一种有机发光二极管的胶带封装结构
CN104091890B (zh) * 2014-06-11 2016-03-09 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光器件、有机发光显示装置
WO2015188486A1 (zh) * 2014-06-11 2015-12-17 京东方科技集团股份有限公司 有机发光器件及其制备方法和有机发光显示装置
CN104091890A (zh) * 2014-06-11 2014-10-08 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光器件、有机发光显示装置
JP2016103443A (ja) * 2014-11-28 2016-06-02 パイオニア株式会社 発光装置
JP2020053411A (ja) * 2019-12-26 2020-04-02 パイオニア株式会社 発光装置
JP2021144959A (ja) * 2019-12-26 2021-09-24 パイオニア株式会社 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
US9601721B2 (en) 2017-03-21
KR102003087B1 (ko) 2019-07-23
DE102011084276A1 (de) 2013-04-11
JP2014532271A (ja) 2014-12-04
US20140246665A1 (en) 2014-09-04
CN103875090A (zh) 2014-06-18
CN103875090B (zh) 2017-08-11
DE102011084276B4 (de) 2019-10-10
KR20140083019A (ko) 2014-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102011084276B4 (de) Verkapselung für ein organisches elektronisches bauelement, ein organisches elektronisches bauelement mit der verkapselung und ein verfahren zur herstellung eines organischen elektronischen bauelements mit der verkapselung
EP2238634B1 (de) Verfahren zur herstellung eines elektronischen bauelements
EP2308117B1 (de) Strahlungsemittierende vorrichtung und verfahren zur herstellung einer strahlungsemittierenden vorrichtung
WO2013000797A1 (de) Verkapselungsstruktur für ein optoelektronisches bauelement und verfahren zum verkapseln eines optoelektronischen bauelementes
WO2013037764A2 (de) Optoelektronisches bauelement
WO2013007592A1 (de) Verkapselungsstruktur für ein optoelektronisches bauelement und verfahren zum verkapseln eines optoelektronischen bauelementes
DE102008031405A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements und organisches elektronisches Bauelement
DE102014102565B4 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
WO2009036720A1 (de) Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements
DE102008063636A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines organischen optoelektronischen Bauelements und organisches optoelektronisches Bauelement
WO2015000859A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung
DE102012109143A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
DE102008019900A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements und organisches elektronisches Bauelement
WO2012123196A1 (de) Organisches optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements
WO2017178233A1 (de) Mehrschichtige verkapselung, verfahren zur verkapselung und optoelektronisches bauelement
WO2013076073A1 (de) Verfahren zum herstellen eines opto-elektronischen bauelements und opto-elektronisches bauelement
DE102011079160B4 (de) Verkapselungsstruktur für ein optoelektronisches bauelement und verfahren zum verkapseln eines optoelektronischen bauelements
WO2015172961A1 (de) Verfahren zur herstellung einer isolatorschicht, verfahren zur herstellung eines organischen optoelektronischen bauelements umfassend eine isolatorschicht und organisches optoelektronisches bauelement umfassend eine isolatorschicht
EP3017464B1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
WO2014091010A2 (de) Organisches, elektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines organischen, elektronischen bauelementes
DE102014102281B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines organischen optoelektronischen Bauelements und organisches optoelektronisches Bauelement
WO2015128368A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements
WO2015082687A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements
DE102015204960A1 (de) Elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
DE102015119772A1 (de) Organische Leuchtdiode und Verfahren zur Herstellung einer organischen Leuchtdiode

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12772926

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2014535071

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14351090

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20147012539

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 12772926

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1