WO2012132147A1 - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

　中空部のリーク不良を抑制することができ、従って耐候性に優れている電子部品を提供する。　基板２の一方主面上において機能部３を囲むようにかつ基板２の周囲から内側に隔てられて、熱硬化性樹脂からなる枠状の支持体４が形成されており、枠状の支持体４の開口部を封止するように支持体４に蓋体５が固定されている電子部品１。枠状の支持体４が、枠状の支持体本体４ａと、支持体本体４ａから内側に突出している第１の突出部４ｂと、支持体本体４ａと第１の突出部４ｂが連なっている部分において、支持体本体４ａから外側に突出するように第２の突出部４ｃとを有する。

Description

電子部品及びその製造方法

　本発明は、熱硬化性樹脂からなる枠状の支持体を介して基板と蓋体とが接合されている電子部品及びその製造方法に関する。

　弾性表面波フィルタ装置などでは、弾性表面波フィルタ素子が臨む中空部を有するパッケージ構造が採用されている。そこで、小型化を進めるために、ウェハーレベル・チップサイズパッケージ（ＷＬＣＳＰ）の開発が進んでいる。ＷＬＣＳＰでは、パッケージの平面形状の大きさが、弾性表面波素子チップと同等とされている。

　例えば下記の特許文献１には、このような弾性表面波装置の一例が開示されている。図９に示すように、特許文献１に記載の弾性表面波装置１００１は、板状の弾性表面波素子１００２を有する。弾性表面波素子１００２は、圧電基板１００３を有する。圧電基板１００３の上面にＩＤＴ電極を有する機能部１００４が形成されている。弾性表面波素子１００２の上面には、矩形枠状の支持体１００５が形成されている。支持体１００５は、機能部１００４を囲むように設けられている。支持体１００５上には、蓋体１００６が固定されており、それによって、機能部１００４が臨む中空部分が封止されている。

　枠状の支持体１００５及び蓋体１００６を貫くように貫通電極１００７が形成されている。貫通電極１００７の上端には、外部端子１００８が形成されている。

特表２００２－５３２９３４

　弾性表面波装置１００１では、支持体１００５及び蓋体１００６の外周縁が、弾性表面波素子１００２の外周縁と同一寸法とされている。従って、小型化を図ることができる。

　他方、弾性表面波装置１００１では、機能部１００４が臨んでいる中空部が広ければ広いほど、中空部に多くの機能部を配置することができる。中空部の大きさを広げることができれば、弾性表面波装置１００１の小型化も進めることができる。中空部の平面形状の面積を広げるには、枠状の支持体１００５の幅を狭くすればよい。もっとも、貫通電極１００７を形成するためには、枠状の支持体１００５をある程度厚くしなければならない。その場合には、上記中空部の面積が小さくなる。さらに、支持体１００５の幅を狭くすると、中空部を十分に密閉することができなかった。そのため、温度変化が加わった場合などにおいて、リーク不良が出るおそれがあった。そのため、耐候性が劣化するという問題があった。

　本発明の目的は、中空部を有するパッケージ構造を備えた電子部品であって、小型化を進めることができ、かつリーク不良を抑制することができ、従って耐候性に優れている電子部品を提供することにある。

　本発明に係る電子部品は、基板と、前記基板の一方主面に形成されている機能部と、前記基板の一方主面上において、前記機能部を囲むようにかつ前記基板の周囲から内側に隔てられて形成されており、熱硬化性樹脂からなる枠状の支持体と、前記支持体の開口部を封止するように前記支持体に固定されている蓋体とを備える。本発明に係る電子部品では、前記枠状の支持体が、枠状の支持体本体と、前記支持体本体から内側に突出している第１の突出部と、前記支持体本体と第１の突出部が連なっている部分において、前記支持体本体から外側に突出するように設けられている第２の突出部とを有する。

　本発明に係る電子部品のある特定の局面では、前記機能部に電気的に接続されており、かつ前記第１の突出部及び前記蓋体を貫通するように形成されている貫通電極と、前記貫通電極の上部に接続されている外部端子とがさらに備えられている。この場合には、第１の突出部を利用して貫通電極を介して外部端子に機能部を電気的に接続することができる。従って、小型化を進めることができる。また、枠状の支持体本体に連なるように設けられている第１の突出部の面積や形状を選択することにより、横断面形状の大きな貫通電極を容易に形成することができる。上記貫通電極は、好ましくは、アンダーバンプメタル部であり、上記外部端子はバンプである。この場合には、上記第１の突出部を利用して、アンダーバンプメタル部を形成し、アンダーバンプメタル部上にバンプを接合することができる。

　本発明に係る電子部品の他の特定の局面では、前記基板に形成されている機能部が少なくとも一つのＩＤＴ電極を有し、弾性表面波装置である。この場合には、本発明に従って、小型化を図り、かつリーク不良が生じ難い弾性表面波装置を提供することができる。

　本発明に係る電子部品の製造方法は、下記の工程を備える。

　一方主面に機能部が形成されている前記基板を用意する工程。

　前記基板の一方主面の前記機能部を囲むようにかつ前記基板の周囲から内側に隔てられた枠状の支持体本体及び前記第１，第２の突出部を有するように、熱硬化性樹脂を基板の前記一方主面上に付与する工程。

　前記熱硬化性樹脂を介して前記基板の一方主面側に枠状の熱硬化性樹脂を形成するように蓋体を積層する工程。

　前記熱硬化性樹脂を硬化し、枠状の支持体を完成させると共に、前記枠状の支持体と前記基板の一方主面及び蓋体とを接合する工程。

　本発明に係る電子部品の製造方法のある特定の局面では、前記枠状の支持体を完成させる工程の後に、前記枠状の支持体の第１の突出部及び蓋体を貫くように貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に貫通電極を形成する工程と、前記貫通電極の上端に外部端子を接合する工程とがさらに備えられている。この場合には、枠状の支持体本体とは別に、枠状の支持体本体に備えられている第１の突出部を利用して貫通電極を形成することができる。従って、枠状の支持体本体の厚みを予測したとしても、貫通電極を容易に形成することができる。好ましくは、貫通電極としてアンダーバンプメタル部を形成し、外部端子としてバンプを形成する。この場合には、第１の突出部を利用してアンダーバンプメタル部を形成することができるので、該アンダーバンプメタル部上にバンプを容易に形成することができる。

　本発明に係る電子部品の製造方法の他の特定の局面では、前記機能部が形成されている基板として、弾性表面波素子機能部が形成されている弾性表面波用基板を用意し、それによって弾性表面波装置を製造する。この場合には、本発明に従って、小型化を進めることができ、かつリーク不良が生じ難い弾性表面波装置を提供することができる。

　本発明に係る電子部品によれば、熱硬化性樹脂からなる枠状の支持体の形成に際し、硬化収縮により枠状の支持体が歪んだとしても、第１の突出部が支持体本体に連ねられている部分において、第２の突出部が設けられているため、第１の突出部と支持体本体とが連なっている部分における歪みを抑制することができる。そのため、支持体と蓋体との間の隙間の発生を抑制することができ、リーク不良を抑制することができる。よって、リーク不良が生じ難く、かつ耐候性に優れた小型の電子部品を提供することが可能となる。

図１（ａ）及び図１（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る電子部品としての弾性表面波装置の正面断面図及びマザーの圧電基板から分割前の一つの弾性表面波装置構成部分かつ蓋体を取り除いた構造の底面図である。 図２（ａ）は、本発明の一実施形態で用いられている弾性表面波素子の平面図あり、図２（ｂ）は図１（ｂ）に示した構造から電極構造を削除し、枠状の支持体のみを図示してなる模式的平面図である。 図３（ａ）～図３（ｅ）は、本発明の一実施形態に係る弾性表面波装置の製造方法を説明するための各正面断面図である。 図４（ａ）～図４（ｅ）は、本発明の一実施形態に係る弾性表面波装置の製造方法を説明するための各正面断面図である。 図５は、本発明の一実施形態の製造方法で用意されるマザーのウェハ上に、複数の弾性表面波素子構成部分の電極及び枠状の支持体を形成した状態を示す平面図である。 図６は、枠状の支持体と第１の突出部が連なっている部分における熱硬化時の歪みの方向を示す模式的平面図である。 図７は、本発明の一実施形態において、枠状の支持体と第１の突出部が連ねられている部分において、第１の突出部及び第２の突出部並びに枠状の支持体本体における歪みの方向を説明するための模式的平面図である。 図８は、本発明の変形例に係る弾性表面波装置の枠状の支持体のみを示す模式的平面図である。 図９は、従来の弾性表面波装置の一例を示す正面断面図である。

　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

　以下の実施形態においては、電子部品としてのＷＬＣＳＰタイプの弾性表面波装置を説明する。

　図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係る電子部品１を示す正面断面図である。電子部品１は、ＷＬＣＳＰタイプの弾性表面波装置である。電子部品１は、基板２を有する。基板２は、弾性表面波素子用基板であり、圧電材料からなる。このような圧電材料としては、ＬｉＴａＯ_３、ＬｉＮｂＯ_３または水晶などの適宜の圧電材料を用いることができる。

　基板２の下面には機能部３が構成されている。機能部３は、後述するように、ＩＤＴ電極、反射器、配線及びパッド電極を有する。このような機能部を有する金属材料からなる構造は、本実施形態では、Ｔｉ膜と、Ａｌ－Ｃｕ合金膜の積層導電膜からなる。もっとも、基板２上に形成される金属構造は、他の金属材料により形成されてもよい。すなわち、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐｄまたはこれらを一種以上含む合金などの適宜の金属材料を用いることができる。

　図１（ａ）に示すように、基板２の下面には、枠状の支持体４が接合されている。枠状の支持体４は、矩形枠状の形状を有する。もっとも、矩形枠状以外の他の枠状の形状を有していてもよい。支持体４は、熱硬化性樹脂の硬化物からなる。本実施形態では、熱硬化性樹脂としてポリイミド系樹脂が用いられている。もっとも、他の熱硬化性樹脂を用いて支持体４が形成されていてもよい。

　支持体４は、後述するように、機能部３を取り囲むように形成されている。また、支持体４の開口部を閉成するように、支持体４の下端には、蓋体５が形成されている。蓋体５は、エポキシ系樹脂からなる第１の層５ａと、ポリイミド系樹脂からなる第２の層５ｂとを積層した構造を有する。もっとも、蓋体５は、単一の材料層により形成されていてもよい。また、蓋体５は、上記樹脂以外の適宜の絶縁性材料により形成することができる。

　図１（ａ）に示すように、基板２の下面には、パッド電極６ａ，６ｂが形成されている。支持体４の後述する突出部４ｂ，４ｂが、パッド電極６ａ，６ｂを覆うように設けられている。また、支持体４の上記突出部４ｂ，４ｂが設けられている部分において、支持体４に貫通孔が形成されている。この貫通孔は、支持体４だけでなく、蓋体５も貫通している。

　貫通孔内に、貫通電極としてのアンダーバンプメタル部７ａ、７ｂが設けられている。アンダーバンプメタル部７ａ、７ｂは、本実施形態では、Ｎｉ層及びＡｕ層を積層した構造を有する。アンダーバンプメタル部７ａ，７ｂを構成する材料は、上記金属に限らず、前述した金属構造を形成するのに用い得る材料と同様の適宜の導電性材料を用いることができる。また、アンダーバンプメタル部７ａ、７ｂは単一の金属により形成されていてもよい。

　アンダーバンプメタル部７ａ，７ｂの上端は、パッド電極６ａ，６ｂに接合されている。また、アンダーバンプメタル部７ａ，７ｂの下端は蓋体５の下面に露出している。アンダーバンプメタル部７ａ，７ｂの下面に、外部端子として、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ系半田からなるバンプ８ａ，８ｂが形成されている。

　上記電子部品１における機能部３、支持体４及びアンダーバンプメタル部７ａ，７ｂ等の平面形状を図１（ｂ）を参照して説明する。なお、電子部品１は、後述する図５に示すように、マザーの基板２Ａ上において、複数の電子部品１の機能部及び支持体とを形成した後、マザーの基板２Ａを分割することにより得られるものである。

　図１（ｂ）は、このマザーの基板２Ａにおける一個の電子部品１に相当する部分の模式的底面図である。ここでは、図１（ａ）に示されている蓋体５及びバンプ８ａ，８ｂが設けられない構造を底面図で示す。さらに、図１（ｂ）では一つの基板２の下面において、外周縁に給電線１１が設けられている。この給電線１１は、図５に示すマザーの基板２Ａを分割する際に最終的に除去されるものである。または、図１（ａ）に示した最終的に得られる電子部品１では、給電線１１は設けられていない。

　また、図１（ａ）に示す正面断面構造は、図１（ｂ）のＡ－Ａ線に沿う部分に相当する最終的な電子部品１の正面断面図である。

　図１（ｂ）に示すように、給電線１１は、基板２の外周縁に沿うように設けられている。給電線１１は、前述した機能部３を形成する金属構造と同様の金属により形成され得る。好ましくは、機能部３を構成する配線等と同じ電極材料により形成される。それによって、配線等と同時に、給電線１１を形成することができる。

　給電線１１で囲まれた領域内において、矩形枠状の支持体４が設けられている。支持体４は、矩形枠状の支持体本体４ａを有する。支持体本体４ａにより囲まれた領域において、前述した機能部３が構成されている。機能部３では、弾性表面波フィルタ装置を構成するために複数の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ９ａと一ポート型弾性表面波共振子９ｂとが設けられている。

　上記縦結合共振子型弾性表面波フィルタ９ａ及び一ポート型弾性表面波共振子９ｂは、それぞれ、その機能に応じてＩＤＴ電極及び反射器などの電極構造を基板２上に形成することにより構成されている。これらの縦結合共振子型弾性表面波フィルタ９ａ及び一ポート型弾性表面波共振子９ｂが、配線電極１０により電気的に接続されて、弾性表面波フィルタ装置として機能する機能部３が構成されている。なお、本発明においては、このような機能部３を構成する電極構造については特に限定されるものではない。

　上記機能部３の配線電極１０に電気的に接続されるように、外部と電気的に接続するためのパッド電極６ａ～６ｇが設けられている。パッド電極６ａ～６ｇは、図１（ｂ）では、破線で示している。これは、例えばパッド電極６ａ，６ｂのように、パッド電極６ａ，６ｂは、支持体４の第１の突出部４ｂにより被覆されていることによる。また、パッド電極６ａ，６ｂが設けられている部分から明らかなように、パッド電極６ａ，６ｂを覆っている支持体４の第１の突出部４ｂに前述したアンダーバンプメタル部７ａ，７ｂが設けられている。

　支持体４の第１の突出部４ｂは、上記のように、パッド電極６ａ，６ｂが設けられている部分に形成されている。より具体的には、パッド電極６ａ～６ｇのうち、基板２の外周縁に沿う位置に設けられているパッド電極６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｇが位置している部分において、支持体４の支持体本体４ａの外周縁から内側にすなわち支持体４で囲まれた開口部側に突出するように第１の突出部４ｂが設けられている。第１の突出部４ｂは、パッド電極６ａ～６ｄ，６ｇを被覆し、アンダーバンプメタル部７ａ，７ｂを形成するための貫通孔を形成する部分である。従って、本実施形態では、第１の突出部４ｂは平面形状が矩形であり、ある程度の面積を有する。

　なお、図２（ａ）は、図１（ｂ）に示した構造から、支持体４及びアンダーバンプメタル部７ａ，７ｂなどを除去した状態を示す平面図である。すなわち、基板２上に形成されている機能部３、パッド電極６ａ～６ｇ及び給電線１１が形成されている構造を示す底面図である。また、図２（ｂ）は、上記図１（ｂ）における支持体４と、パッド電極６ｅ，６ｆが設けられている部分に形成されている熱硬化性樹脂からなる支持柱１２ａ，１２ｂを示す平面図である。支持柱１２ａ，１２ｂは、パッド電極６ｅ，６ｆが設けられている部分上に形成されるものであり、円柱状の形状を有する。また、支持柱１２ａ，１２ｂには、貫通孔が形成されている。この貫通孔内に、アンダーバンプメタル部が設けられる。

　このようなアンダーバンプメタル部７ａ，７ｂが形成される部分を支持体４に構成するには、第１の突出部４ｂを設けない方法も考えられる。すなわち、支持体４の幅、すなわち支持体４の支持体本体４ａの幅を大きくすれば、支持体本体４ａの任意の位置においてアンダーバンプメタル部を設けることができる。しかしながら、そのような構造では、支持体本体４ａに囲まれた開口部の面積が小さくなる。従って、小型化を進めることが困難となる。

　そこで、本実施形態のように、従来、矩形枠状の支持体本体４ａの幅を狭くし、支持体本体４ａの内側に第１の突出部４ｂが設けられている。それによって、支持体本体４ａで囲まれている部分の面積を大きくすることができる。

　もっとも、上記第１の突出部４ｂを設けた場合、支持体４を構成する熱硬化性樹脂の硬化収縮時に歪みが生じる。この歪みにより、リーク不良が生じるおそれがあった。

　本実施形態の特徴は、このようなリーク不良を防止するために、第１の突出部４ｂに加えて、第２の突出部４ｃが設けられていることにある。第２の突出部４ｃは、第１の突出部４ｂが支持体４に設けられている部分において、支持体本体４ａから第１の突出部４ｂと反対側、すなわち外側に連ねられるように設けられている。それによって、支持体本体４ａと第１の突出部４ｂとが連なる部分における硬化収縮時の歪みが低減される。それによってリーク不良を防止することができる。これを、図６及び図７を参照して説明する。

　図６は、第１の突出部４ｂが支持体本体４ａに連ねられており、第２の突出部が設けられていない比較例の構造の模式図である。支持体４が熱硬化性樹脂からなり、熱硬化する場合には、硬化収縮が生じる。この際の歪みの方向を図６において矢印Ｅで示す。矩形の平面形状を有する第１の突出部４ｂでは、矩形形状が収縮するように歪む。また、帯状の支持体本体４ａでは、その幅方向が小さくなるように硬化収縮が進む。従って、支持体本体４ａと第１の突出部４ｂとが連なっている部分において、矢印Ｂで示すように、支持体本体４ａの外周縁が内側に移動しようとする。それによって、支持体本体４ａに歪みと捻じれが生じる。そのため、蓋体５を接合したときに隙間が生じるので、リーク不良が生じる。

　これに対して、図７に示すように、第２の突出部４ｃが設けられている構造では、硬化収縮時に第２の突出部４ｃにおいて、矢印Ｃで示す方向に収縮が進行する。そのため、支持体本体４ａと第１の突出部４ｂが連なっている部分において、図６に示した矢印Ｂで示すような変形が生じ難い。それによって、リーク不良を防止することができる。

　なお、図７では、第１の突出部４ｂと第２の突出部４ｃとが連なっている部分において、第２の突出部４ｃが支持体本体４ａの外側方向に向けられていたが、第２の突出部４ｃは、図７に示す位置に正確に形成される必要は必ずしもない。例えば、第２の突出部４ｃの一端部が、一点鎖線Ｄで示すように、第１の突出部４ｂの端縁４ｂ１が支持体本体４ａと連なる位置よりも、横方向にずれていてもよい。その場合においても、矢印Ｃで示す歪みと同様に歪みが発生する。従って、上記リーク不良を効果的に防止することができる。従って、上記第２の突出部４ｃは、第１の突出部４ｂが支持体本体４ａに連なっている部分近傍において、支持体本体４ａの外側に突出するように設けられてさえいればよい。また、第２の突出部４ｃの平面形状についても、上記矢印Ｃで示す収縮歪みを発生させ得る限り、矩形等の形状に限定されるものではない。

　本実施形態では、枠状の支持体本体４ａの幅は２０μｍである。第１の突出部４ｂは、１１６μｍ×１１６μｍ正方形の形状を有する。また、第２の突出部４ｃの突出長さは３０μｍ以上とされている。この突出長さとは、支持体本体４ａの外周縁から第２の突出部４ｃが外側に向かって突出する方向の長さをいうものとする。本実施形態では、支持体本体４ａの外周縁と直交する部分における第２の突出部４ｃの突出長さをいうものとする。もっとも、このような支持体本体４ａの幅、第１，第２の突出部４ｂ，４ｃの寸法は特に限定されるものではない。

　もっとも、第２の突出部４ｃの面積や形状については、支持体４を構成する熱硬化性樹脂の硬化収縮率や硬化温度に応じて適宜設定すればよい。

　次に、図３～図５を参照して、上記実施形態の電子部品１の製造方法を説明する。

　図３（ａ）に示すように、まず、マザーの基板２Ａを用意する。次に、マザーの基板２Ａ上に、薄膜微細加工技術により、複数の機能部３と、パッド電極６ａ，６ｂ等などと、図３（ｂ）では示されていないが、前述した給電線１１とを形成する。

　給電線１１の詳細については後述する。

　次に、図３（ｃ）に示すように、マザーの基板２Ａの上面の全面を覆うように感光性のエポキシ系樹脂を塗布する。それによって、エポキシ系樹脂層４Ａを形成する。

　次に、図３（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィ法によりエポキシ系樹脂層４Ａをパターニングする。このようにして図３（ｄ）に示すように、支持体４を形成する。図３（ｄ）では、支持体４の第１の突出部４ｂが設けられる部分が図示されているが、支持体本体４ａ、第２の突出部４ｃ、及び支持柱１２ａ，１２ｂ等も同じ工程で形成される。もっとも、この段階では、上記エポキシ系樹脂は加熱により硬化されていない。

　図５は、図３（ｄ）の工程が終了した状態におけるマザーの基板２Ａの平面図である。図５を参照して前述した給電線１１を説明する。給電線１１は、マザーの基板２Ａに構成している複数の電子部品を構成する領域に形成されている。本実施形態では、複数の電子部品がマトリクス状に形成されている。従って、給電線１１は格子状の形状を有する。この給電線１１は、後述するダイシング加工の際に除去される。

　また、後述のレーザー加工によるダメージを小さくするために、パッド電極６ａ～６ｇはＩＤＴ電極や配線電極などの他の金属構造よりも厚みが厚くされている。具体的には、Ａｌ－Ｃｕ合金の厚みを２．３μｍ以上にするのが、望ましい。

　次に図３（ｅ）に示すように、ラミネート加工により、熱硬化性樹脂をラミネートし、蓋体５の第１，第２の層５ａ，５ｂを積層する。それによって、支持体４で囲まれている開口部が閉成される。

　なお、蓋体５のラミネートに際しては、予め第１の層５ａは硬化していない状態とし、第２の層５ｂを硬化した状態としておくことが好ましい。第２の層５ｂを熱硬化や光硬化により硬化させておくことにより、硬化した第２の層５ｂにより蓋体５が撓むことが抑制される。

　次に、図３（ｅ）に示すように、ラミネート加工を施したあと、全体を加熱する。それによって支持体４及び第１の層５ａを硬化させる。その結果、第１の層５ａと支持体４とが接合され、電子部品１の機能部３が臨む中空部が形成される。この硬化に際し、前述したように、第２の突出部４ｃが設けられているため、第１の突出部４ｂと支持体本体４ａとの連なる部分における変形が生じ難い。従って、封止性に優れ、リーク不良が生じ難い中空部を形成することができる。

　なお、支持体４と第１の層５ａは同じ熱硬化工程において硬化することが望ましい。そのため、第１の層５ａを構成する熱硬化性樹脂と、支持体４を構成する熱硬化性樹脂は同じ温度域で硬化するものであることが好ましい。より好ましくは、第１の層５ａと支持体４とを同じ熱硬化性樹脂により形成することが望ましい。それによって支持体４と第１の層５ａとを同じ温度域での加熱により硬化させることができ、加熱工程の簡略化を図ることができる。加えて、同一の樹脂である場合、第１の層５ａと支持体４との接合強度も効果的に高め得る。

　次に、図４（ａ）に示すように、レーザー加工等により、蓋体５を貫くように貫通孔を形成する。図４（ａ）では、蓋体５を貫くように貫通孔が形成されている状態が示されているが、さらにレーザー加工を施し、支持体４をも貫くように貫通孔を形成する。それによって、パッド電極６ａ，６ｂを貫通孔に露出させる。

　次に、図４（ｂ）に示すように、上記貫通孔にアンダーバンプメタル部７ａ，７ｂを形成する。アンダーバンプメタル部７ａ，７ｂの形成に際しては、本実施形態では、電解メッキによりＮｉ層を貫通孔内に形成し、Ａｕ層を形成する。

　次に、図４（ｃ）に示すように、アンダーバンプメタル部７ａ，７ｂ上に、前述した半田からなるバンプ８ａ，８ｂを形成する。

　しかる後、図４（ｄ）及び図５に示すように、破線で示す分割ラインＦに沿ってダイシング等により切断する。その結果、図４（ｅ）に示すように、上記電子部品１を得ることができる。

　なお、上記製造方法は電子部品１の製造方法の一例であり、電子部品１は、他の製造方法を用いて製造するも可能である。

　上記のように、本実施形態の電子部品１では、第２の突出部４ｃが設けられているため、支持体４と蓋体５との間及び支持体４と基板２との間にリーク不良の原因となる隙間が生じ難い。上記実施形態の電子部品１と、上記実施形態の構造から第２の突出部４ｃを設けなかったことを除いては同様にして形成した比較例の電子部品等を作成した。この実施例及び比較例の電子部品について、グロスリーク試験でリーク不良率を測定した。その結果、比較例では１．５６％であった。これに対して、実施例ではリーク不良率は０．０３％であり、リーク不良率を大幅に低めることが可能であった。

　なお、上記実施形態では、第１の突出部４ｂは、アンダーバンプメタル部７ａ，７ｂを形成するために設けたが、単に支持体本体４ａを補強するために設けられているものであってもよい。

　図８は、上記実施形態の変形例に係る弾性表面波装置における枠状の支持体４の模式的平面図である。図８は、上記実施形態について示した図２（ｂ）に相当する図である。

　なお、本変形例においては、枠状の支持体４の構造以外は上記実施形態と同様とされている。従って、図８において、図２（ｂ）と同一部分については同一の参照番号を付することとする。

　図８に示すように、本変形例においても、枠状の支持体４のコーナー部において、支持体本体４ａの内側に第１の突出部４ｂが設けられている。また、第１の突出部４ｂに加えて、第２の突出部４ｃが設けられている。それによって、図２（ｂ）に示した実施形態の場合と同様に、リーク不良を防止することができる。

　さらに、本変形例では、枠状の支持体４の長さ方向中央において、第１の突出部４ｂが、支持体本体４ａの一方長辺から反対側の他方長辺に至るように延ばされている。すなわち、第１の突出部４ｂが、支持体本体４ａの両長辺間を仕切るように設けられている。それによって、仕切りとして機能している第１の突出部４ｂの一方側において送信側フィルタを構成し、他方側において受信側フィルタを構成し得る。このように、第１の突出部４ｂを、枠状の支持体４を仕切る仕切りとしても機能するように構成してもよい。

　上記各実施形態では、弾性表面波装置につき説明したが、本発明は、弾性表面波装置に限らず、密封された中空部を有する電子部品に一般的に適用することができる。

１…電子部品
２…基板
２Ａ…マザーの基板
３…機能部
４…支持体
４ａ…支持体本体
４Ａ…エポキシ系樹脂層
４ｂ…第１の突出部
４ｂ１…端縁
４Ｂ…端縁
４ｃ…第２の突出部
５…蓋体
５ａ…第１の層
５ｂ…第２の層
６ａ～６ｇ…パッド電極
７ａ，７ｂ…アンダーバンプメタル部
８ａ，８ｂ…バンプ
９ａ…縦結合共振子型弾性表面波フィルタ
９ｂ…一ポート型弾性表面波共振子
１０…配線電極
１１…給電線
１２ａ，１２ｂ…支持柱

Claims (8)

1. 　基板と、
   　前記基板の一方主面に形成されている機能部と、
   　前記基板の一方主面上において、前記機能部を囲むようにかつ前記基板の周囲から内側に隔てられて形成されており、熱硬化性樹脂からなる枠状の支持体と、
   　前記支持体の開口部を封止するように前記支持体に固定されている蓋体とを備え、
   　前記枠状の支持体が枠状の支持体本体と、前記支持体本体から内側に突出している第１の突出部と、前記支持体本体と第１の突出部から連なっている部分において、前記支持体本体から外側に突出するように設けられている第２の突出部とを有する、電子部品。
2. 　前記機能部に電気的に接続されており、かつ前記第１の突出部及び前記蓋体を貫通するように形成されている貫通電極と、前記貫通電極の上部に接続されている外部端子とをさらに備える、請求項１に記載の電子部品。
3. 　前記貫通電極がアンダーバンプメタル部であり、前記外部端子がバンプである、請求項２に記載の電子部品。
4. 　前記基板に形成されている機能部が少なくとも一つのＩＤＴ電極を有し、弾性表面波装置である、請求項１～３のいずれか１項に記載の電子部品。
5. 　請求項１～４のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法であって、
   　一方主面に機能部が形成されている前記基板を用意する工程と、
   　前記基板の一方主面の前記機能部を囲むようにかつ前記基板の周囲から内側に隔てられた枠状の支持体本体及び前記第１，第２の突出部を有するように、熱硬化性樹脂を基板の前記一方主面上に付与する工程と、
   　前記熱硬化性樹脂を介して前記基板の一方主面側に枠状の熱硬化性樹脂を形成するように蓋体を積層する工程と、
   　前記熱硬化性樹脂を硬化し、枠状の支持体を完成させると共に、前記枠状の支持体と前記基板の一方主面及び蓋体とを接合する工程とを備える、電子部品の製造方法。
6. 　前記枠状の支持体を完成させる工程の後に、前記枠状の支持体の第１の突出部及び蓋体を貫くように貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に貫通電極を形成する工程と、前記貫通電極の上端に外部端子を接合する工程とをさらに備える、請求項５に記載の電子部品の製造方法。
7. 　前記貫通電極として、アンダーバンプメタル部を形成し、前記外部端子として、バンプを形成する、請求項６に記載の電子部品の製造方法。
8. 　前記機能部が形成されている基板として、弾性表面波素子機能部が形成されている弾性表面波用基板を用意し、それによって弾性表面波装置を製造する、請求項５～７のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。

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