WO2011027909A1 - 導電性光学素子、タッチパネル、情報入力装置、表示装置、太陽電池、および導電性光学素子作製用原盤 - Google Patents

導電性光学素子、タッチパネル、情報入力装置、表示装置、太陽電池、および導電性光学素子作製用原盤 Download PDF

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林部和弥
村本穣
遠藤惣銘
木村清広
竹之内正樹
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    • G06F3/0428—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by opto-electronic means by sensing at the edges of the touch surface the interruption of optical paths, e.g. an illumination plane, parallel to the touch surface which may be virtual
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Definitions

  • the present invention relates to a conductive optical element, a touch panel, an information input device, a display device, a solar cell, and a master for producing a conductive optical element.
  • the present invention relates to a conductive optical element in which a transparent conductive film is formed on one main surface of a substrate.
  • a resistive touch panel for inputting information has come to be disposed on a display device such as a liquid crystal display element provided in a mobile device, a mobile phone device and the like.
  • the resistive film type touch panel has a structure in which two transparent conductive films are disposed opposite to each other through a spacer made of an insulating material such as acrylic resin.
  • the transparent conductive film functions as an electrode of a touch panel, and has a transparent substrate such as a polymer film and a high refractive index such as ITO (Indium Tin Oxide) formed on the substrate.
  • a transparent conductive film made of a material (for example, about 1.9 to 2.1).
  • the transparent conductive film for the resistive film type touch panel for example, a desired surface resistance value of about 300 ⁇ / ⁇ to 500 ⁇ / ⁇ is required.
  • a desired surface resistance value of about 300 ⁇ / ⁇ to 500 ⁇ / ⁇ is required.
  • permeability is calculated
  • JP-A-2003-136625 proposes a transparent conductive film for a touch panel in which an antireflective film is provided between a substrate and a transparent conductive film.
  • the antireflective film is formed by sequentially laminating a plurality of dielectric films having different refractive indexes.
  • an object of the present invention is to provide a conductive optical element, a touch panel, an information input device, a display device, a solar cell, and a master for producing a conductive optical element.
  • the present invention is A substrate having a surface, A structure which is a cone-shaped convex portion or concave portion disposed in large numbers on the surface of the substrate at a fine pitch equal to or less than the wavelength of visible light;
  • a transparent conductive film formed on the structure, Equipped with The aspect ratio of the structure is 0.2 or more and 1.3 or less,
  • the transparent conductive film has a surface following the structure,
  • the average film thickness D m 1 of the transparent conductive film at the top of the structure is 80 nm or less
  • the surface resistance of the transparent conductive film is a conductive optical element in the range of 50 ⁇ / ⁇ or more and 500 ⁇ / ⁇ or less.
  • the tetragonal lattice means a square lattice shape.
  • a quasi-square lattice refers to a distorted square-shaped lattice, unlike a square-shaped lattice.
  • the quasi-quartile lattice means a square lattice in which a square lattice is stretched and distorted in a linear arrangement direction (track direction).
  • the quasi-quasigonal lattice means a tetragonal lattice in which a square lattice is distorted by the serpentine arrangement of the structures.
  • it refers to a tetragonal lattice in which a square lattice is stretched and distorted in a linear arrangement direction (track direction) and distorted by a serpentine arrangement of structures.
  • it is preferable to arrange the structures periodically in a hexagonal lattice shape or a quasi-hexagonal lattice shape.
  • the hexagonal lattice means a regular hexagonal lattice.
  • a quasi-hexagonal lattice unlike a regular hexagonal lattice, refers to a distorted regular hexagonal lattice.
  • the quasi-hexagonal lattice means a hexagonal lattice in which a regular hexagonal lattice is stretched and distorted in a linear arrangement direction (track direction).
  • the quasi-hexagonal lattice means a hexagonal lattice in which a regular hexagonal lattice is distorted by the serpentine arrangement of the structures.
  • an ellipse includes not only a mathematically defined perfect ellipse but also an ellipse with some distortion.
  • a circle includes not only a mathematically defined perfect circle (a perfect circle) but also a circle with some distortion.
  • the arrangement pitch P1 of the structures in the same track is preferably longer than the arrangement pitch P2 of the structures between two adjacent tracks.
  • the filling factor of the structure having an elliptical cone shape or an elliptical frustum shape can be improved, so that the anti-reflection characteristics can be improved.
  • the arrangement pitch of the structures in the same track is P1
  • the structure between two adjacent tracks The ratio P1 / P2 is preferably 1.00 ⁇ P1 / P2 ⁇ 1.2, or 1.00 ⁇ P1 / P2 ⁇ 1.2, more preferably 1.00 ⁇ where the arrangement pitch of the body is P2.
  • each structure when each structure forms a hexagonal lattice pattern or a quasi-hexagonal lattice pattern on the substrate surface, each structure has a major axis direction in the track extending direction, and the central portion Preferably, it has an elliptical pyramid or an elliptical truncated pyramid shape whose inclination is steeper than the inclination of the tip and bottom. Such a shape can improve the anti-reflection characteristics and the transmission characteristics.
  • the height or depth of the structure in the track extending direction is the track direction
  • it is smaller than the height or depth of the structure in If this relationship is not satisfied, it is necessary to lengthen the arrangement pitch in the track extending direction, and the filling factor of the structure in the track extending direction decreases. Such a reduction in the filling factor leads to a reduction in the reflection characteristics.
  • the arrangement pitch P1 of the structures in the same track is the structure of the structure between two adjacent tracks. It is preferable to be longer than the arrangement pitch P2. In this way, the filling factor of the structure having an elliptical cone shape or an elliptical frustum shape can be improved, so that the anti-reflection characteristics can be improved.
  • the arrangement pitch of the structures in the same track is P1
  • the arrangement pitch of the structures between two adjacent tracks is P2
  • the ratio P1 / P2 satisfy the relationship of 1.4 ⁇ P1 / P2 ⁇ 1.5.
  • each structure When the structures form a tetragonal lattice pattern or a quasi-tetragonal lattice pattern on the substrate surface, each structure has a long axis direction in the track extending direction, and the inclination of the central portion is the tip and It is preferable that it is an elliptical cone or an elliptical frustum shape formed steeper than the inclination of the bottom. Such a shape can improve the anti-reflection characteristics and the transmission characteristics. If the structure forms a tetragonal or quasi-tetragonal lattice pattern on the substrate surface, the height or depth of the structure in the 45 degree direction or about 45 degree direction to the track is the row of tracks Preferably it is smaller than the height or depth of the structure in the direction.
  • the conductive optical element according to the present invention is an information input element such as a resistive touch panel and a capacitive touch panel, an electronic paper, a display element such as an electro luminescence (EL) display element, and a liquid crystal display element It is suitably applied to a battery, an electromagnetic noise removal sheet, a light source and the like.
  • the conductive substrate according to the present invention is applied to a solar cell, specifically, it is applicable to, for example, a conductive substrate used for a photoelectrode or a counter electrode of a dye-sensitized solar cell.
  • the application example of the conductive substrate is not limited to this, and is applicable to various solar cells using the conductive substrate and the like.
  • a structure provided with a large number of fine pitches on the substrate surface forms a plurality of rows of tracks, and a hexagonal lattice pattern, a quasi-hexagonal lattice pattern, a square lattice pattern between adjacent three rows of tracks.
  • the packing density of the structure on the surface can be increased, thereby enhancing the efficiency of preventing reflection of visible light and the like, and obtaining a conductive optical element excellent in reflection preventing characteristics and having high transmittance.
  • the master for producing an optical element can be efficiently produced in a short time, and the substrate can be enlarged. It is possible to cope with this, whereby the productivity of the optical element can be improved.
  • the fine array of the structures is provided not only on the light incident surface but also on the light output surface, the transmission characteristics can be further improved.
  • a conductive optical element having excellent antireflection properties can be realized.
  • FIG. 1A is a schematic plan view showing an example of the configuration of the conductive optical element according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1B is a plan view showing a part of the conductive optical element shown in FIG. 1A in an enlarged manner.
  • 1C is a cross-sectional view of tracks T1, T3,... Of FIG. 1B.
  • FIG. 1D is a cross-sectional view of tracks T2, T4,... Of FIG. 1B.
  • FIG. 1E is a schematic diagram showing a modulation waveform of laser light used to form a latent image corresponding to the tracks T1, T3,... Of FIG. 1B.
  • FIG. 1F is a schematic diagram showing a modulation waveform of laser light used to form a latent image corresponding to tracks T2, T4,...
  • FIG. 2 is a perspective view showing a part of the conductive optical element shown in FIG. 1A in an enlarged manner.
  • FIG. 3A is a cross-sectional view of the conductive optical element shown in FIG. 1A in the track extending direction.
  • FIG. 3B is a cross-sectional view of the conductive optical element 1 shown in FIG. 1A in the ⁇ direction.
  • FIG. 4 is a perspective view showing a part of the conductive optical element shown in FIG. 1A in an enlarged manner.
  • FIG. 5 is a perspective view showing a part of the conductive optical element shown in FIG. 1A in an enlarged manner.
  • FIG. 6 is a perspective view showing a part of the conductive optical element shown in FIG. 1A in an enlarged manner.
  • FIG. 1A is a cross-sectional view of the conductive optical element shown in FIG. 1A in the track extending direction.
  • FIG. 3B is a cross-sectional view of the conductive optical element 1 shown in the ⁇ direction.
  • FIG. 7 is a diagram for explaining the method of setting the bottom of the structure when the boundary of the structure is unclear.
  • 8A to 8D are diagrams showing bottom shapes when the ellipticity of the bottom of the structure is changed.
  • FIG. 9A is a view showing an example of the arrangement of a structure having a conical shape or a truncated cone shape.
  • FIG. 9B is a diagram showing an example of the arrangement of structures having an elliptical cone shape or an elliptical frustum shape.
  • FIG. 10A is a perspective view showing an example of the configuration of a roll master for producing a conductive optical element.
  • FIG. 10B is a plan view showing a part of the roll master shown in FIG. 10A in an enlarged manner.
  • FIG. 11 is a schematic view showing an example of the configuration of a roll master exposure apparatus.
  • 12A to 12C are process diagrams for explaining a method of manufacturing a conductive optical element according to the first embodiment of the present invention.
  • 13A to 13C are process diagrams for explaining a method of manufacturing a conductive optical element according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 14A to FIG. 14B are process diagrams for explaining a method of manufacturing a conductive optical element according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 15A is a schematic plan view showing an example of the configuration of a conductive optical element according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 15B is a plan view showing a part of the conductive optical element shown in FIG. 15A in an enlarged manner.
  • FIG. 15A is a schematic plan view showing an example of the configuration of a conductive optical element according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 15B is a plan view showing a part of the conductive optical element
  • FIG. 15C is a cross-sectional view of tracks T1, T3,... Of FIG. 15B.
  • 15D is a cross-sectional view of tracks T2, T4,... Of FIG. 15B.
  • FIG. 15E is a schematic diagram showing a modulation waveform of laser light used to form a latent image corresponding to the tracks T1, T3,... Of FIG. 15B.
  • FIG. 15F is a schematic diagram showing a modulation waveform of laser light used for forming a latent image corresponding to tracks T2, T4,... In FIG. 15B.
  • FIG. 16 is a diagram showing the bottom shape when the ellipticity of the bottom of the structure is changed.
  • FIG. 17A is a perspective view showing an example of the configuration of a roll master for producing a conductive optical element.
  • FIG. 17A is a perspective view showing an example of the configuration of a roll master for producing a conductive optical element.
  • FIG. 17B is a plan view showing a part of the roll master shown in FIG. 17A in an enlarged manner.
  • FIG. 18A is a schematic plan view showing an example of the configuration of a conductive optical element according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 18B is a plan view showing a part of the conductive optical element shown in FIG. 18A in an enlarged manner.
  • 18C is a cross-sectional view of tracks T1, T3,... Of FIG. 18B.
  • 18D is a cross-sectional view of tracks T2, T4,... Of FIG. 18B.
  • FIG. 19A is a plan view showing an example of the configuration of a disc master for producing a conductive optical element.
  • FIG. 19B is a plan view showing a part of the disk master shown in FIG.
  • FIG. 20 is a schematic view showing an example of the configuration of a disc master exposure apparatus.
  • FIG. 21A is a schematic plan view showing an example of the configuration of a conductive optical element according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 21B is a plan view showing a part of the conductive optical element shown in FIG. 21A in an enlarged manner.
  • FIG. 22A is a schematic plan view showing an example of the configuration of a conductive optical element according to a fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 22B is a plan view showing a part of the conductive optical element shown in FIG. 22A in an enlarged manner.
  • 22C is a cross-sectional view of the tracks T1, T3,... Of FIG. 22B.
  • FIG. 22D is a cross-sectional view of tracks T2, T4,... Of FIG. 22B.
  • FIG. 23 is a perspective view showing a part of the conductive optical element shown in FIG. 22A in an enlarged manner.
  • FIG. 24A is a schematic plan view showing an example of the configuration of a conductive optical element according to a sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 24B is a plan view showing a part of the conductive optical element shown in FIG. 24A in an enlarged manner
  • FIG. 24C is a cross-sectional view of tracks T1, T3,.
  • 24D is a cross-sectional view of tracks T2, T4,... Of FIG. 24B.
  • FIG. 25 is a perspective view showing an enlarged part of the conductive optical element shown in FIG. 24A.
  • FIG. 24A is a schematic plan view showing an example of the configuration of a conductive optical element according to a sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 24B is a plan view showing a part of the conductive
  • FIG. 26 shows an example of the refractive index profile of the conductive optical element according to the sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. FIG. 27 is a cross-sectional view showing an example of the shape of the structure.
  • 28A to 28C are diagrams for explaining the definition of the change point.
  • FIG. 29 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a conductive optical element according to a seventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 30 is a schematic view showing a configuration example of a thermal transfer molding apparatus used for the method of manufacturing a conductive optical element according to the eighth embodiment.
  • FIG. 31A is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a touch panel according to a ninth embodiment of the present invention.
  • FIG. 31B is a cross-sectional view showing a modification of the configuration of the touch panel according to the ninth embodiment of the present invention.
  • FIG. 32A is a perspective view showing an example of the configuration of a touch panel according to a tenth embodiment of the present invention.
  • FIG. 32B is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the touch panel according to the tenth embodiment of the present invention.
  • FIG. 33 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the liquid crystal display device according to the eleventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 34A is a perspective view showing a first example of the configuration of a touch panel according to a twelfth embodiment of the present invention.
  • FIG. 34B is a cross-sectional view showing a second example of the configuration of the touch panel according to the twelfth embodiment of the present invention.
  • FIG. 35A is a graph showing the reflection characteristics of Comparative Examples 1 to 5.
  • FIG. 35B is a graph showing the transmission characteristics of Comparative Examples 1 to 5.
  • FIG. 36A is a graph showing the relationship between the aspect ratio and the surface resistance in Examples 1 and 2 and Comparative Examples 6 and 7.
  • FIG. 36B is a graph showing the relationship between the structure height and the surface resistance in Examples 1 and 2 and Comparative Examples 6 and 7.
  • FIG. 37A is a graph showing the transmission characteristics of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 6 and 7.
  • FIG. 37B is a graph showing the reflection characteristics of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 6 and 7.
  • FIG. 38A is a graph showing the transmission characteristics of Example 1 and Comparative Example 9.
  • FIG. 38B is a graph showing the reflection characteristics of Example 1 and Comparative Example 9.
  • FIG. 39A is a graph showing the transmission characteristics of Comparative Examples 6 and 8.
  • FIG. 39B is a graph showing the reflection characteristics of Comparative Examples 6 and 8.
  • FIG. 40A is a graph showing the transmission characteristics of Examples 3 and 4 and Comparative Examples 11 and 12.
  • FIG. 40B is a graph showing the reflection characteristics of Examples 3 and 4 and Comparative Examples 11 and 12.
  • FIG. 41 is a graph showing the transmission characteristics of Example 5 and Comparative Examples 13 to 16.
  • FIG. 42A is a graph showing the transmission properties of the conductive optical sheets of Comparative Examples 17 and 18.
  • FIG. 42B is a graph showing the reflection characteristics of the conductive optical sheets of Comparative Examples 17 and 18.
  • FIG. 43A is a graph showing the reflection characteristics of Comparative Examples 19 and 20.
  • FIG. 43B is a graph showing the reflection characteristics of Example 6 and Comparative Example 21.
  • FIG. 44A is a graph showing the reflection characteristics of Example 7 and Comparative Example 22.
  • FIG. 44B is a graph showing the reflection characteristics of Example 8 and Comparative Example 23.
  • FIG. 45A is a diagram for explaining the filling factor when the structures are arranged in a hexagonal lattice.
  • FIG. 45B is a diagram for describing the filling factor when the structures are arranged in a square grid shape.
  • FIG. 46 is a graph showing the simulation result of Test Example 3.
  • FIG. 43A is a graph showing the reflection characteristics of Comparative Examples 19 and 20.
  • FIG. 43B is a graph showing the reflection characteristics of Example 6 and Comparative Example 21.
  • FIG. 44A is a graph showing the reflection characteristics
  • FIG. 48A is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a touch panel according to a thirteenth embodiment of the present invention.
  • FIG. 48B is an enlarged cross-sectional view of the wiring region R1 shown in FIG. 48A.
  • FIG. 48C is an enlarged cross-sectional view showing the non-wiring region R2 shown in FIG. 48A in an enlarged manner.
  • FIG. 49A is a perspective view showing a more specific configuration example of the touch panel according to the thirteenth embodiment of the present invention.
  • FIG. 48A is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a touch panel according to a thirteenth embodiment of the present invention.
  • FIG. 48B is an enlarged cross-sectional view of the wiring region R1 shown in FIG. 48A.
  • FIG. 48C is an enlarged cross-sectional view showing the non-wiring region R2 shown in FIG. 48A in an enlarged manner.
  • FIG. 49A is a perspective view showing a more specific configuration example of the touch
  • FIG. 49B is an exploded perspective view showing a configuration example of a first base material.
  • FIG. 50A is a schematic plan view showing an example of the configuration of the first optical layer in which a large number of convex structures are formed on both main surfaces.
  • FIG. 50B is a plan view showing a part of the first optical layer shown in FIG. 50A in an enlarged manner.
  • 50C is a cross-sectional view of tracks T1, T3,... Of FIG. 50B.
  • FIG. 50D is a cross-sectional view of tracks T2, T4,... Of FIG. 50B.
  • FIG. 51A is a cross-sectional view of the first optical layer shown in FIG. 50B in the track extension direction.
  • 51B is a cross-sectional view of the first optical layer shown in FIG.
  • FIG. 52A is a perspective view showing a first shape example of the structure shown in FIG. 50B.
  • FIG. 52B is a perspective view showing a second shape example of the structure shown in FIG. 50B.
  • FIG. 53A is a perspective view showing a third shape example of the structure shown in FIG. 50B.
  • FIG. 53B is a perspective view showing a fourth shape example of the structure shown in FIG. 50B.
  • FIG. 54A is a view showing an example of the arrangement of structures having a conical shape or a truncated conical shape.
  • FIG. 54B is a diagram showing an example of the arrangement of structures having an elliptical cone shape or an elliptical frustum shape.
  • FIG. 52A is a perspective view showing a first shape example of the structure shown in FIG. 50B.
  • FIG. 52B is a perspective view showing a second shape example of the structure shown in FIG. 50B.
  • FIG. 53A is a perspective view showing a third shape example of
  • 55A is a schematic plan view showing an example of the configuration of the first optical layer in which a large number of concave structures are formed on both main surfaces.
  • 55B is a plan view showing a part of the conductive element shown in FIG. 55A in an enlarged manner.
  • 55C is a cross-sectional view of the tracks T1, T3,... Of FIG. 55B.
  • 55D is a cross-sectional view of tracks T2, T4,... Of FIG. 55B.
  • FIG. 56 is a perspective view showing a part of the conductive element shown in FIG. 55B in an enlarged manner.
  • FIG. 57A is a perspective view showing an example of the configuration of a roll master for producing a first optical layer.
  • FIG. 57B is a plan view showing a part of the roll master shown in FIG.
  • FIG. 58 is a schematic view showing an example of the configuration of a roll master exposure apparatus.
  • 59A to 59C are process diagrams for describing an example of a method of manufacturing a conductive element according to a thirteenth embodiment of the present invention.
  • 60A to 60C are process diagrams for describing an example of a method of manufacturing a conductive element according to a thirteenth embodiment of the present invention.
  • 61A to 61B are process diagrams for describing an example of a method of manufacturing a conductive element according to a thirteenth embodiment of the present invention.
  • FIG. 62A is a plan view showing a first modified example of the track of the conductive element according to the thirteenth embodiment.
  • FIG. 62B is a plan view showing a second modification of the track of the conductive element according to the thirteenth embodiment.
  • FIG. 63 is a cross-sectional view showing a modification of the transparent conductive film and the concavo-convex shape of the conductive element according to the thirteenth embodiment.
  • FIG. 64A is an enlarged sectional view showing a wiring region R1 of a conductive element according to a fourteenth embodiment of the present invention.
  • FIG. 64B is an enlarged cross-sectional view showing a non-wiring region R2 of the conductive element according to the fourteenth embodiment of the present invention.
  • FIG. 65A is a schematic plan view showing an example of the configuration of a conductive element according to a fifteenth embodiment of the present invention.
  • FIG. 65B is a plan view showing a part of the conductive element shown in FIG. 65A in an enlarged manner.
  • FIG. 65C is a cross-sectional view of tracks T1, T3,... Of FIG. 65B.
  • 65D is a cross-sectional view of tracks T2, T4,... Of FIG. 65B.
  • 66A is a schematic plan view showing an example of a first optical layer of a conductive element according to a sixteenth embodiment.
  • FIG. 66B is a plan view showing a part of the first optical layer shown in FIG. 66A in an enlarged manner.
  • FIG. 67A is a schematic plan view showing an example of the configuration of the first optical layer of the conductive element according to the seventeenth embodiment of the present invention.
  • FIG. 67B is a plan view showing a part of the first optical layer shown in FIG. 67A in an enlarged manner.
  • FIG. 67C is a cross-sectional view along the line CC shown in FIG. 67B.
  • FIG. 68 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the touch panel according to the eighteenth embodiment of the present invention.
  • FIG. 69A is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a touch panel according to a nineteenth embodiment of the present invention.
  • FIG. 69B is an enlarged cross-sectional view of the wiring area shown in FIG. 69A.
  • FIG. 69C is an enlarged cross-sectional view showing the non-wiring region shown in FIG. 69A in an enlarged manner.
  • FIG. 70 is a cross-sectional view showing an example of a configuration of a display device according to a twentieth embodiment of the present invention.
  • FIG. 70B is an enlarged cross-sectional view of the wiring area shown in FIG. 70A.
  • FIG. 70C is an enlarged cross-sectional view showing the non-wiring region shown in FIG. 70A in an enlarged manner.
  • FIG. 71 is a graph showing the reflection characteristics of the conductive elements according to Examples 1-1 to 1-3 and Comparative Example 1-1.
  • FIG. 72 is a graph showing the reflection characteristics of the conductive elements according to Examples 2-1 to 2-3 and comparative example 2-1.
  • FIG. 73 is a graph showing the reflection characteristics of the conductive elements according to Examples 3-1 and 3-2 and the optical element according to comparative example 3-1.
  • FIG. 74 is a graph showing the reflection characteristics of the conductive elements according to Reference Examples 1-1 to 1-3 and the optical element according to Reference Example 1-4.
  • FIG. 75 is a graph showing the reflection characteristics of the conductive sheets according to Example 4-1 and Comparative examples 4-1 and 4-3 and the optical sheet according to Comparative example 4-2.
  • FIG. 76A is a graph showing the reflection characteristics of the conductive sheets according to Examples 5-1 to 5-4 and the optical sheet according to comparative example 5-1.
  • FIG. 76B is a graph showing the reflection characteristics of the conductive sheets according to Examples 6-1 to 6-4 and the optical sheet according to comparative example 6-1.
  • FIG. 77A is a graph showing the reflection characteristics of the conductive sheets according to Examples 7-1 to 7-4 and the optical sheet according to comparative example 7-1.
  • FIG. 77B is a graph showing the reflection characteristics of the conductive sheets according to Examples 8-1 to 8-3 and Comparative example 8-1 and the optical sheet according to Comparative example 8-2.
  • FIG. 78A is a graph showing the reflection characteristics of the conductive sheets according to Examples 9-1 to 9-3 and Comparative example 9-1 and the optical sheet according to Comparative example 9-2.
  • FIG. 78B is a graph showing the reflection properties of the conductive sheets according to Examples 10-1 and 10-2 and Comparative example 10-1 and the optical sheet according to Comparative example 10-2.
  • FIG. 79 is a graph showing the reflection characteristics of the conductive sheets according to Examples 11-1 to 11-3 and Comparative example 11-1 and the optical sheet according to Comparative example 11-2.
  • FIG. 80A is a graph showing the characteristics of the surface resistance of the conductive sheets according to Examples 12-1 to 12-3 and Comparative Examples 12-1 to 12-3.
  • FIG. 80B is a graph showing the characteristics of the surface resistances of the conductive sheets of Examples 13-1 to 18-3 and Comparative Examples 16-1 to 18-1.
  • FIG. 80C is a graph showing the characteristics of surface resistance of the conductive sheets of Examples 19-1 to 19-4.
  • FIG. 81A is a graph showing the reflection characteristics of the conductive sheets of Examples 20-1, 20-5, and 20-7 and Comparative Example 20-1.
  • FIG. 81B is a graph showing the reflection characteristics of the conductive sheets of Example 20-2, Example 20-4, and Comparative Example 20-2.
  • FIG. 82A is a graph showing the reflection characteristics of the conductive sheets of Example 20-8 and Comparative Example 20-1.
  • FIG. 82B is a graph showing the transmission properties of the conductive sheets of Example 20-8 and Comparative Example 20-1.
  • FIG. 83 is a graph showing XRD spectra of the conductive sheets of Examples 20-7 and 20-9 and Comparative Example 20-1.
  • First embodiment an example in which structures are arranged two-dimensionally in a linear and hexagonal lattice: see FIG. 1
  • Second Embodiment Example of Two-Dimensional Arrangement of Structures in a Linear and Quadratic Lattice: See FIG. 15
  • Third embodiment an example in which the structures are two-dimensionally arranged in an arc shape and a hexagonal lattice shape: see FIG. 18
  • Fourth Embodiment Example in which structures are arranged in a meandering manner: see FIG. 21
  • Fifth embodiment an example in which a concave structure is formed on a substrate surface: see FIG. 22
  • FIG. 1A is a schematic plan view showing an example of the configuration of the conductive optical element according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1B is a plan view showing a part of the conductive optical element shown in FIG. 1A in an enlarged manner.
  • 1C is a cross-sectional view of tracks T1, T3,... Of FIG. 1B.
  • FIG. 1D is a cross-sectional view of tracks T2, T4,... Of FIG. 1B.
  • FIG. 1A is a schematic plan view showing an example of the configuration of the conductive optical element according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1B is a plan view showing a part of the conductive optical element shown in FIG. 1A in an enlarged manner.
  • 1C is a cross-sectional view of tracks T1, T3,... Of FIG. 1B.
  • FIG. 1D is a cross-sectional view of tracks T2, T4,... Of FIG. 1B.
  • FIG. 1A is a schematic plan view showing an example of the configuration
  • FIG. 1E is a schematic diagram showing a modulation waveform of laser light used to form a latent image corresponding to the tracks T1, T3,... Of FIG. 1B.
  • FIG. 1F is a schematic diagram showing a modulation waveform of laser light used to form a latent image corresponding to tracks T2, T4,... Of FIG. 1B.
  • 2 and 4 to 6 are perspective views showing a part of the conductive optical element 1 shown in FIG. 1A in an enlarged manner.
  • FIG. 3A is a cross-sectional view in the track extending direction (X direction (hereinafter also referred to as a track direction as appropriate)) of the conductive optical element shown in FIG. 1A.
  • FIG. 3B is a cross-sectional view of the conductive optical element shown in FIG.
  • the conductive optical element 1 includes a base 2 having opposite main surfaces, and a plurality of structures 3 as convex portions disposed on one main surface at a fine pitch equal to or less than the wavelength of light for the purpose of reducing reflection. And a transparent conductive film 4 formed on these structures 3.
  • a metal film (conductive film) 5 may be further provided between the structure 3 and the transparent conductive film 4 from the viewpoint of reducing the surface resistance.
  • the conductive optical element 1 has a function of preventing reflection of light passing through the base 2 in the ⁇ Z direction in FIG. 2 at the interface between the structure 3 and the air around it.
  • the aspect ratio (height H / average arrangement pitch P) of the structure 3 is preferably in the range of 0.2 or more and 1.3 or less, more preferably 0.2 or more and 1.0 or less.
  • the average film thickness of the transparent conductive film 4 is preferably in the range of 9 nm to 80 nm.
  • the average film thickness of the transparent conductive film 4 is the average film thickness Dm1 of the transparent conductive film 4 at the top of the structure 3.
  • the aspect ratio of the structure 3 is preferably 0.2 or more and 1.3 or less, and more preferably 0.2 or more and 1.0 or less. If it is less than 0.2, the antireflective property tends to be deteriorated, and if it is more than 1.3, the slope slope becomes steep and the film thickness becomes thin, so the conductivity tends to be deteriorated due to environmental durability and the like. .
  • the average film thickness of the transparent conductive film 4 at the top of the structure 3 is Dm1
  • the average film thickness of the transparent conductive film 4 at the inclined surface of the structure 3 is Dm2
  • the average film thickness of the transparent conductive film 4 between the structures is Dm3. It is preferable that the relationship of Dm1>Dm3> Dm2 is satisfied.
  • the average film thickness D2 of the inclined surface of the structure 3 is preferably in the range of 9 nm to 80 nm.
  • the average film thicknesses Dm1, Dm2 and Dm3 of the transparent conductive film 4 satisfy the above relationship and the average film thickness Dm2 of the transparent conductive film 4 satisfies the above numerical range, a wide range of surface resistance can be obtained, and , Excellent anti-reflection properties, and transmission properties can be obtained. Whether or not the average film thicknesses Dm1, Dm2, and Dm3 have the above-described relationship can be confirmed by obtaining the average film thicknesses Dm1, Dm2, and Dm3, as described later.
  • the transparent conductive film 4 have a surface following the shape of the structure 3 and the average film thickness D1 of the transparent conductive film 4 at the top of the structure 3 be in the range of 80 nm or less. It is preferable that the transparent conductive film 4 has a surface following the shape of the structure 3, and the average film thickness D1 of the transparent conductive film 4 at the top of the structure 3 is in the range of 10 nm to 80 nm. If it exceeds 80 nm, the antireflective properties tend to be degraded. If it is less than 10 nm, it tends to be difficult to realize a predetermined resistance. In addition, environmental durability tends to decrease.
  • the average film thickness Dm1 of the transparent conductive film 4 on the top of the structure 3 is 10 nm or more and 80 nm or less
  • the average film thickness Dm2 of the transparent conductive film 4 on the inclined surface of the structure 3 is in the range of 9 nm to 80 nm
  • the average film thickness Dm3 of the transparent conductive film 4 between the structures is 9 nm or more. It is preferably in the range of 80 nm or less.
  • FIG. 47 is a schematic diagram for explaining how to determine the average film thicknesses Dm1, Dm2, and Dm3 of the transparent conductive film formed on the structure which is a convex portion.
  • the conductive optical element 1 is cut in the track extending direction so as to include the top of the structure 3, and the cross section thereof is photographed by TEM.
  • the film thickness D1 of the transparent conductive film 4 on the top of the structure 3 is measured from the photographed TEM photograph.
  • the film thickness D2 at the position of the half height (H / 2) of the structure 3 among the positions of the inclined surface of the structure 3 is measured.
  • the film thickness D3 at the position where the depth of the recess is the deepest is measured.
  • the surface resistance of the transparent conductive film 4 is preferably in the range of 50 ⁇ / ⁇ to 4000 ⁇ / ⁇ , and more preferably in the range of 50 ⁇ / ⁇ to 500 ⁇ / ⁇ . By setting the surface resistance in such a range, it is possible to use the transparent conductive optical element 1 as the upper electrode or the lower electrode of various types of touch panels.
  • the surface resistance of the transparent conductive film 4 is obtained by four-terminal measurement (JIS K 7194).
  • the specific resistance of the transparent conductive film 4 is 1 ⁇ 10 -3 It is preferable that it is ⁇ ⁇ cm or less, more preferably 6 ⁇ 10 -4 ⁇ ⁇ cm or less. 1 x 10 -3 It is because the said surface resistance range is realizable as it is ohm * cm or less.
  • the average arrangement pitch P of the structures 3 is preferably in the range of 100 nm to 350 nm, more preferably 150 nm to 320 nm. If the average arrangement pitch is less than 100 nm, the slope of the slope portion becomes steep and the film thickness becomes thin, so the conductivity tends to deteriorate due to environmental durability and the like.
  • the height (depth) H of the structure 3 is preferably in the range of 30 nm to 320 nm, more preferably 70 nm to 320 nm. If the height H of the structures 3 is less than 30 nm, the reflectance tends to increase. When the height H of the structure 3 exceeds 320 nm, it tends to be difficult to realize a predetermined resistance.
  • the substrate 2 is, for example, a transparent substrate having transparency. Examples of the material of the substrate 2 include, for example, plastic materials having transparency, and materials having glass as a main component, but the material is not particularly limited to these materials.
  • the glass for example, soda lime glass, lead glass, hard glass, quartz glass, liquid crystalized glass, etc. (see “Basic Handbook of Chemical Handbook”, PI-537, edited by The Chemical Society of Japan) are used.
  • plastic material polymethyl methacrylate, methyl methacrylate and other alkyl (from the viewpoint of optical properties such as transparency, refractive index, and dispersion, and further various properties such as impact resistance, heat resistance, and durability)
  • (Meth) acrylic resins such as copolymers with vinyl monomers such as meta) acrylate and styrene
  • polycarbonate resins such as polycarbonate and diethylene glycol bisallyl carbonate (CR-39);
  • brominated) bisphenol A type Thermosetting (meth) acrylic resins such as homopolymers or copolymers of (meth) acrylates, polymers and copolymers of (brominated) bisphenol A mono (meth) acrylate urethane-modified monomers
  • polyesters especially polyethylene tere
  • a subbing layer may be provided as a surface treatment to further improve the surface energy, coatability, slipperiness, flatness and the like of the plastic surface.
  • the undercoat layer include organoalkoxy metal compounds, polyesters, acrylic-modified polyesters, polyurethanes, and the like.
  • the surface of the substrate 2 may be subjected to corona discharge or UV irradiation treatment.
  • the substrate 2 When the substrate 2 is a plastic film, the substrate 2 can be obtained, for example, by stretching the above-mentioned resin, or diluting it in a solvent, forming a film and drying it.
  • the thickness of the base 2 is, for example, about 25 ⁇ m to 500 ⁇ m.
  • the shape of the substrate 2 include, for example, a sheet, a plate, and a block, but the shape is not particularly limited. Here, the sheet is defined as including a film.
  • the shape of the substrate 2 is preferably selected appropriately in accordance with the shape of a portion requiring a predetermined anti-reflection function in an optical device such as a camera. (Structure) On the surface of the base 2, a large number of structures 3 which are convex portions are arranged.
  • the structures 3 are periodically two-dimensionally arranged at a short arrangement pitch equal to or less than the wavelength band of light for reducing reflection, for example, a similar arrangement pitch to the wavelength of visible light.
  • the arrangement pitch means the arrangement pitch P1 and the arrangement pitch P2.
  • the wavelength band of light for reducing reflection is, for example, a wavelength band of ultraviolet light, a wavelength band of visible light, or a wavelength band of infrared light.
  • the wavelength band of ultraviolet light refers to the wavelength band of 10 nm to 360 nm
  • the wavelength band of visible light refers to the wavelength band of 360 nm to 830 nm
  • the wavelength band of infrared light refers to the wavelength band of 830 nm to 1 mm.
  • the arrangement pitch is in the range of 100 nm to 350 nm, more preferably 150 nm to 320 nm. If the average arrangement pitch is less than 100 nm, the slope of the slope portion becomes steep and the film thickness becomes thin, so that the conductivity is deteriorated due to environmental durability and the like. On the other hand, when the arrangement pitch exceeds 350 nm, diffraction of visible light tends to occur.
  • Each structural body 3 of the conductive optical element 1 has an arrangement form in which a plurality of rows of tracks T1, T2, T3,... (Hereinafter collectively referred to as "track T") are formed on the surface of the base 2. Have.
  • a track refers to a portion in which structures 3 are linearly connected in a row.
  • the row direction means a direction orthogonal to the extending direction (X direction) of the track on the forming surface of the base 2.
  • the structures 3 are arranged at a half pitch offset position between two adjacent tracks T.
  • the structure of the other track e.g., T2
  • the structure of the other track is located at an intermediate position (half pitch offset position) of the structures 3 arranged in one of the tracks (e.g., T1) between two adjacent tracks T.
  • Three are arranged.
  • a hexagonal lattice pattern or a quasi-hexagonal lattice pattern in which the center of the structure 3 is positioned at each point of a1 to a7 between adjacent three rows of tracks (T1 to T3) is formed.
  • the structure 3 is disposed in
  • the hexagonal lattice pattern refers to a regular hexagonal lattice pattern.
  • the quasi-hexagonal lattice pattern refers to a hexagonal lattice pattern that is stretched and distorted in the track extending direction (X-axis direction), unlike the regular hexagonal lattice pattern.
  • the arrangement pitch P1 (the distance between a1 and a2) of the structures 3 in the same track (for example, T1) Is the arrangement pitch of the structures 3 between two adjacent tracks (eg, T1 and T2), ie, the arrangement pitch P2 of the structures 3 in the ⁇ ⁇ direction with respect to the extension direction of the tracks (eg, a1 to a7, a2 to It is preferable to be longer than a7).
  • the structure 3 preferably has a conical shape or a conical shape obtained by stretching or shrinking the conical shape in the track direction, from the viewpoint of ease of molding.
  • pyramidal shapes preferably have a convexly curved surface at the top. It is preferable that the structure 3 have an axially symmetrical pyramidal shape, or a pyramidal shape obtained by extending or shrinking the pyramidal shape in the track direction. When joined to an adjacent structure 3, the structure 3 extends in the track direction an axially symmetrical pyramidal shape or pyramidal shape except for the lower portion joined to the adjacent structure 3 or It is preferable to have a contracted pyramidal shape.
  • a cone shape a cone shape, a truncated cone shape, an elliptical cone shape, an elliptical frustum shape etc. can be mentioned, for example.
  • the cone shape is a concept including an elliptical cone shape and an elliptical frustum shape other than the conical shape and the truncated cone shape as described above.
  • a truncated cone shape means the shape which cut off the top part of conical shape
  • the elliptical frustum shape means the shape which cut off the top part of the elliptical cone.
  • the structure 3 is preferably in the form of a cone having a bottom whose width in the extension direction of the track is larger than the width in the column direction orthogonal to the extension direction. Specifically, as shown in FIG. 2 and FIG.
  • the structure 3 is an elliptical, oval or oval pyramidal structure having a major axis and a minor axis at its bottom, and an elliptical cone whose top is a curved surface. It is preferably in the shape.
  • the base has an elliptical, oval or oval pyramidal structure having a major axis and a minor axis, and an elliptical truncated cone shape whose top is flat. With such a shape, the filling factor in the column direction can be improved. From the viewpoint of improving the reflection characteristics, it is preferable to have a pyramidal shape (see FIG. 4) in which the slope of the top is gentle and gradually steep from the center to the bottom.
  • each structure 3 has a conical shape whose central portion is steeper than the bottom and top portions (see FIG. 2) or a flat top portion (see FIG. 5). Is preferred.
  • the structure 3 has an elliptical cone shape or an elliptical frustum shape, it is preferable that the long axis direction of the bottom surface be parallel to the extension direction of the track.
  • the shape of the structure 3 is not limited to this, and two or more structures 3 are formed on the surface of the substrate. It may be formed.
  • the structure 3 may be integrally formed with the base 2.
  • the shape of the structure 3 may have different shapes at the top and the bottom. Further, as shown in FIG. 2 and FIG. 4 to FIG. 6, it is preferable to provide the protrusion 6 on a part or the whole of the periphery of the structure 3. This is because, even when the filling factor of the structure 3 is low, the reflectance can be suppressed to a low level.
  • the protrusion 6 is provided between the adjacent structures 3 as shown in FIGS. 2, 4 and 5.
  • the elongated protrusion 6 may be provided on the whole or a part of the periphery of the structure 3 as shown in FIG. The elongated protrusion 6 extends, for example, in the direction from the top to the bottom of the structure 3.
  • the shape of the protrusion 6 may be, for example, a triangular cross-sectional shape or a rectangular cross-sectional shape, but is not particularly limited to these shapes, and can be selected in consideration of easiness of molding and the like. Further, part or all of the surface of the structure 3 may be roughened to form fine irregularities. Specifically, for example, the surfaces between adjacent structures 3 may be roughened to form fine irregularities. In addition, a minute hole may be formed on the surface of the structure 3, for example, at the top.
  • the structure 3 is not limited to the shape of the convex portion illustrated, but may be configured by a concave portion formed on the surface of the base 2.
  • the aspect ratios of the structures 3 are not limited to the same in all cases, and the respective structures 3 are configured to have a constant height distribution (for example, a range of about 0.2 to 1.3 aspect ratio). May be By providing the structure 3 having the height distribution, it is possible to reduce the wavelength dependency of the reflection characteristic. Therefore, the conductive optical element 1 having excellent anti-reflection characteristics can be realized.
  • the height distribution means that the structures 3 having two or more heights (depths) are provided on the surface of the base 2. That is, this means that the structure 3 having the reference height and the structure 3 having a height different from that of the structure 3 are provided on the surface of the base 2.
  • the structures 3 having a height different from the reference are, for example, periodically or non-periodically (randomly) provided on the surface of the substrate 2.
  • the direction of the periodicity for example, the extending direction of the track, the column direction and the like can be mentioned.
  • the foot portion 3 a means a projecting portion provided on the peripheral portion of the bottom of the structure 3. From the viewpoint of the peeling property, it is preferable that the bottom 3a has a curved surface whose height gradually decreases from the top to the bottom of the structure 3.
  • the foot portion 3a may be provided only in a part of the peripheral portion of the structure 3, but it is preferable to provide it in the entire peripheral portion of the structure 3 from the viewpoint of improving the peeling characteristics.
  • the skirt portion is a curved surface provided on the opening periphery of the recess which is the structure 3.
  • the height (depth) of the structure 3 is not particularly limited, and is appropriately set according to the wavelength region of light to be transmitted, and the height (depth) H of the structure 3 is preferably 30 nm or more and 320 nm or less.
  • the reflectance tends to increase when the height H of the structure 3 is preferably less than 30 nm, preferably 70 nm or more and 320 nm or less.
  • the aspect ratio of the structure 3 is preferably 0.2 or more and 1.3 or less, and more preferably 0.2 or more and 1.0 or less. If it is less than 0.2, the antireflective property tends to deteriorate, and if it exceeds 1.3, the slope slope becomes steep and the film thickness becomes thin, so the conductivity tends to deteriorate due to environmental durability and the like. And exfoliation characteristics deteriorate at the time of replica replication.
  • the aspect ratio is defined by the following equation (1).
  • H height of the structure
  • P average arrangement pitch (average period)
  • the average arrangement pitch P is defined by the following equation (2).
  • Average arrangement pitch P (P1 + P2 + P2) / 3 (2)
  • P1 arrangement pitch in the track extension direction (track extension direction cycle)
  • the height H of the structures 3 is the height in the column direction of the structures 3.
  • the height in the track extension direction (X direction) of the structure 3 is smaller than the height in the column direction (Y direction), and the height in portions other than the track extension direction of the structure 3 is the height in the column direction
  • the height of the sub-wavelength structure is represented by the height in the column direction, since it is almost the same as However, when the structure 3 is a recessed part, height H of the structure in said Formula (1) is taken as the depth H of a structure.
  • the ratio P1 / P2 is 1.00 ⁇ P1 / P2 ⁇ 1.1, Or it is preferable to satisfy the relationship of 1.00 ⁇ P1 / P2 ⁇ 1.1.
  • the filling factor of the structure 3 having an elliptical cone shape or an elliptical truncated cone shape can be improved, so that the anti-reflection characteristic can be improved.
  • the filling factor of the structures 3 on the substrate surface is in the range of 65% or more, preferably 73% or more, and more preferably 86% or more, with the upper limit being 100%.
  • the filling rate in such a range, the anti-reflection characteristics can be improved.
  • the filling factor (average filling factor) of the structure 3 is a value obtained as follows. First, the surface of the conductive optical element 1 is photographed in a top view using a scanning electron microscope (SEM: Scanning Electron Microscope). Next, unit lattices Uc are randomly selected from the photographed SEM photograph, and the arrangement pitch P1 of the unit lattices Uc and the track pitch Tp are measured (see FIG. 1B). Also, the area S of the bottom surface of the structure 3 located at the center of the unit lattice Uc is measured by image processing. Next, using the measured arrangement pitch P1, the track pitch Tp, and the area S of the bottom surface, the filling rate is determined from the following equation (3).
  • the filling factor corresponds to 5% of the height of the structure 3
  • the filling rate can be determined by a method of determining the area ratio with FIG. 7 is a diagram for explaining the method of calculating the filling factor when the boundary of the structure 3 is unclear.
  • FIG. 7 is a diagram for explaining the method of calculating the filling factor when the boundary of the structure 3 is unclear.
  • the filling factor is determined by converting the diameter of the structure 3 using the height d as a threshold.
  • FIG. 8 is a diagram showing the bottom shape when the ellipticity of the bottom of the structure 3 is changed.
  • the ellipticities of the ellipses shown in FIGS. 8A to 8D are 100%, 110%, 120%, and 141%, respectively.
  • the ellipticity e of the bottom of the structure is preferably 100% ⁇ e ⁇ 150% or less.
  • the filling rate of the structure 3 can be improved, and excellent anti-reflection characteristics can be obtained.
  • the ellipticity e is (a / b) ⁇ 100 where the diameter of the bottom surface of the structure in the track direction (X direction) is a, and the diameter of the column direction (Y direction) orthogonal to that is b. It is defined.
  • the diameters a and b of the structure 3 are values obtained as follows. The surface of the conductive optical element 1 is photographed in a top view using a scanning electron microscope (SEM: Scanning Electron Microscope), and ten structures 3 are randomly extracted from the photographed SEM photograph. Next, the diameters a and b of the bottom of each of the extracted structural bodies 3 are measured.
  • FIG. 9A shows an example of the arrangement of the structures 3 having a conical or frusto-conical shape.
  • FIG. 9B shows an example of the arrangement of the structures 3 having an elliptical cone shape or an elliptical frustum shape.
  • the structures 3 are joined so that the lower part may be piled up.
  • the lower part of the structure 3 is joined to the lower part of all or part of the structures 3 in an adjacent relationship.
  • FIG. 9A and FIG. 9B the example which joins all the lower part of the structure 3 which has adjacent relation is shown. By bonding the structures 3 in this manner, the filling rate of the structures 3 can be improved.
  • the structures are preferably joined at a portion of 1/4 or less of the maximum value of the wavelength band of light under the use environment with an optical path length in consideration of the refractive index. Thereby, excellent anti-reflection characteristics can be obtained. As shown to FIG.
  • the height of a junction part becomes shallow in the order of junction part a, b, c, for example .
  • the lower portions of adjacent structures 3 in the same track are overlapped to form a first joint portion a, and the lower portions of adjacent structures 3 are overlapped between adjacent tracks.
  • the second joint 2 is formed.
  • An intersection c is formed at the intersection of the first joint a and the second joint b. The position of the intersection c is, for example, lower than the positions of the first joint a and the second joint b.
  • the ratio ((2r / P1) ⁇ 100) of the diameter 2r to the arrangement pitch P1 is 85% or more, preferably 90% or more, and more preferably 95% or more. By setting it in such a range, the filling rate of the structure 3 can be improved, and the anti-reflection characteristics can be improved. If the ratio ((2r / P1) ⁇ 100) becomes large and the overlap of the structures 3 becomes too large, the anti-reflection characteristics tend to be reduced.
  • the ratio ((2r / P1) ⁇ 100) is set so that the structures are joined at a portion of 1/4 or less of the maximum value of the wavelength band of light under use environment with the optical path length considering the refractive index. It is preferable to set the upper limit value.
  • the arrangement pitch P1 is the arrangement pitch of the structures 3 in the track direction
  • the diameter 2r is the diameter of the bottom surface of the structure in the track direction.
  • the diameter 2r is the diameter
  • the diameter 2r is the long diameter.
  • a transparent oxide semiconductor for example, SnO 2 , InO 2 Or binary compounds such as ZnO and CdO, ternary compounds containing at least one element of Sn, In, Zn and Cd which are constituent elements of binary compounds, or multicomponent (complex) oxides it can.
  • ITO In
  • SnO 2 Indium tin oxide
  • AZO (Al) 2 O 3 ZnO: aluminum-doped zinc oxide
  • SZO FTO (fluorine-doped tin oxide)
  • SnO 2 (Tin oxide) Ti oxide
  • GZO gallium-doped zinc oxide
  • IZO (In) 2 O 3 ZnO: indium zinc oxide
  • ITO is preferred.
  • the material which comprises the transparent conductive film 4 has crystallinity from a viewpoint of a conductive improvement.
  • the material constituting the transparent conductive film 4 is preferably in a mixed state of amorphous and polycrystal from the viewpoint of improving the conductivity. Whether or not the material forming the transparent conductive film 4 has crystallinity can be confirmed by, for example, X-ray diffraction (XRD).
  • XRD X-ray diffraction
  • the transparent conductive film 4 is formed following the surface shape of the structure 3, and it is preferable that the surface shapes of the structure 3 and the transparent conductive film 4 have substantially similar shapes. It is because the change of the refractive index profile by formation of the transparent conductive film 4 can be suppressed, and the outstanding antireflection characteristic and / or the transmission characteristic can be maintained.
  • the metal film (conductive film) 5 it is preferable to provide the metal film (conductive film) 5 as a base layer of the transparent conductive film 4. This is because the resistivity can be reduced, and the transparent conductive film 4 can be made thin, or the conductivity can be compensated when the conductivity does not reach a sufficient value with only the transparent conductive film 4.
  • the film thickness of the metal film 5 is not particularly limited, but is selected, for example, to several nm. Since the metal film 5 has high conductivity, a sufficient surface resistance can be obtained with a film thickness of several nm. Moreover, if it is about several nm, there is almost no optical influence such as absorption and reflection by the metal film 5.
  • a material for forming the metal film 5 it is preferable to use a metal-based material having high conductivity.
  • a metal-based material having high conductivity for example, Ag, Al, Cu, Ti, Nb, impurity-doped Si, etc. may be mentioned, but Ag is preferable in consideration of the height of the conductivity, the usage record and the like.
  • the surface resistance can be secured with the metal film 5 alone, but if it is extremely thin, the metal film 5 has an island-like structure, and it becomes difficult to secure conductivity. In that case, the formation of the transparent conductive film 4 on the upper side of the metal film 5 is also important in order to electrically connect the island-shaped metal film 5.
  • the roll master 11 has, for example, a configuration in which a large number of structures 13 which are concave portions are arranged on the surface of the master 12 at a pitch similar to the wavelength of light such as visible light.
  • the master 12 has a cylindrical or cylindrical shape.
  • the material of the master 12 may be, for example, glass, but is not particularly limited to this material.
  • a two-dimensional pattern is spatially linked using a roll master exposure apparatus described later, and a polarity inversion formatter signal and a rotation controller of a recording apparatus are synchronized for each track to generate a signal, and patterning is performed with CAV at an appropriate feed pitch. .
  • the method of manufacturing a conductive optical element according to the first embodiment includes a resist forming step of forming a resist layer on a master, an exposure step of forming a latent image of a moth-eye pattern on a resist film using a roll master exposure device, a latent image And a developing step of developing the formed resist layer.
  • the method further includes an etching step of manufacturing a roll master using plasma etching, a replication step of manufacturing a duplicate substrate using an ultraviolet curing resin, and a film forming step of depositing a transparent conductive film on the duplicate substrate.
  • This roll master exposure apparatus is configured based on an optical disc recording apparatus.
  • the laser light 15 emitted from the laser light source 21 travels straight as a parallel beam and enters an electro optical modulator (EOM: Electro Optical Modulator) 22.
  • EOM Electro Optical Modulator
  • the laser light 15 transmitted through the electro-optical element 22 is reflected by the mirror 23 and guided to the modulation optical system 25.
  • the mirror 23 is configured of a polarization beam splitter, and has the function of reflecting one polarization component and transmitting the other polarization component.
  • the polarization component transmitted through the mirror 23 is received by the photodiode 24, and the electro-optical element 22 is controlled based on the light reception signal to perform phase modulation of the laser light 15.
  • the laser light 15 is made of glass (SiO 2) by the condensing lens 26. 2 And the like are condensed on an acousto-optical element (AOM: Acoust-Optic Modulator) 27.
  • AOM Acoust-Optic Modulator
  • the laser light 15 is intensity-modulated and diverged by the acousto-optical element 27 and then collimated by the lens 28.
  • the laser beam 15 emitted from the modulation optical system 25 is reflected by the mirror 31 and guided horizontally and in parallel on the movable optical table 32.
  • the moving optical table 32 includes a beam expander 33 and an objective lens 34.
  • the laser beam 15 guided to the moving optical table 32 is shaped into a desired beam shape by the beam expander 33, and then irradiated to the resist layer on the master 12 through the objective lens 34.
  • the master 12 is mounted on a turntable 36 connected to a spindle motor 35. Then, while the master 12 is rotated and the laser light 15 is moved in the height direction of the master 12, the resist layer is intermittently irradiated with the laser light 15 to perform the exposure process of the resist layer.
  • the formed latent image becomes substantially elliptical with the major axis in the circumferential direction.
  • the movement of the laser beam 15 is performed by the movement of the movable optical table 32 in the arrow R direction.
  • the exposure apparatus includes a control mechanism 37 for forming a latent image corresponding to the two-dimensional pattern of the hexagonal lattice or quasi-hexagonal lattice shown in FIG. 1B on the resist layer.
  • the control mechanism 37 includes a formatter 29 and a driver 30.
  • the formatter 29 includes a polarity inversion unit, and this polarity inversion unit controls the irradiation timing of the laser light 15 to the resist layer.
  • the driver 30 receives the output of the polarity inverting unit and controls the acousto-optic element 27.
  • the polarity inversion formatter signal and the rotation controller of the recording apparatus are synchronized for each track so that the two-dimensional pattern is spatially linked, and a signal is generated and intensity modulated by the acousto-optic element 27.
  • a hexagonal lattice or quasi-hexagonal lattice pattern can be recorded by patterning at a constant angular velocity (CAV) and an appropriate number of rotations, an appropriate modulation frequency, and an appropriate feed pitch. For example, as shown in FIG.
  • the feed pitch is 251 nm.
  • Good Pulthagoras's Law.
  • the frequency of the polarity inversion formatter signal is changed by the number of revolutions of the roll (for example, 1800 rpm, 900 rpm, 450 rpm, 225 rpm).
  • the frequency of the polarity inversion formatter signal facing each of the rotation speeds 1800 rpm, 900 rpm, 450 rpm and 225 rpm of the roll is 37.70 MHz, 18.85 MHz, 9.34 MHz and 4 and 71 MHz.
  • a quasi-hexagonal grating pattern having a uniform spatial frequency (circumferential 315 nm period, circumferential direction about 60 degrees direction (about ⁇ 60 degree direction) 300 nm period) in the desired recording area moves the far ultraviolet laser beam on the optical table 32
  • the beam diameter is expanded to 5 times the beam diameter by a beam expander (BEX) 33, and the resist layer on the master 12 is irradiated through an objective lens 34 with a numerical aperture (NA) of 0.9 to form a fine latent image.
  • NA numerical aperture
  • a resist layer 14 is formed on the surface of the master 12.
  • a material of the resist layer 14 for example, either an organic resist or an inorganic resist may be used.
  • the organic resist for example, a novolak resist or a chemically amplified resist can be used.
  • the inorganic resist for example, a metal compound composed of one or more transition metals can be used.
  • the laser beam 15 is intermittently applied to the resist layer 14. Is exposed over the entire surface. Thereby, a latent image 16 corresponding to the locus of the laser beam 15 is formed over the entire surface of the resist layer 14 at a pitch approximately equal to the visible light wavelength.
  • the latent image 16 is, for example, arranged to form a plurality of rows of tracks on the master surface, and forms a hexagonal lattice pattern or a quasi-hexagonal lattice pattern.
  • the latent image 16 is, for example, an elliptical shape having a long axis direction in the track extending direction.
  • the etching method is performed by dry etching, for example. At this time, by alternately performing the etching process and the ashing process, for example, a pattern of the pyramidal structure 13 can be formed. In addition, a glass master having a depth (selection ratio of 3 or more) at least three times the resist layer 14 can be produced. As dry etching, plasma etching using an etching apparatus is preferable.
  • a roll master 11 having a concave hexagonal lattice pattern or quasi-hexagonal lattice pattern with a depth of about 30 nm to about 320 nm can be obtained.
  • the roll master 11 and a substrate 2 such as a sheet coated with a transfer material are brought into close contact and peeled off while being irradiated with ultraviolet light and cured.
  • FIG. 13C several structure which is a convex part is formed in one main surface of the base
  • the transfer material comprises, for example, a UV curable material and an initiator, and optionally contains a filler, a functional additive and the like.
  • the ultraviolet curable material is made of, for example, a monofunctional monomer, a bifunctional monomer, a polyfunctional monomer, etc. Specifically, the following materials are used alone or in combination.
  • monofunctional monomers for example, carboxylic acids (acrylic acid), hydroxys (2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 4-hydroxybutyl acrylate), alkyl, alicyclics (isobutyl acrylate, t-butyl acrylate) , Isooctyl acrylate, lauryl acrylate, stearyl acrylate, isobonyl acrylate, cyclohexyl acrylate) and other functional monomers (2-methoxyethyl acrylate, methoxyethylene glycol acrylate, 2-ethoxyethyl acrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate, benzyl acrylate, Ethyl carbitol acrylate, phenoxyethyl acrylate, N, N-dimethylaminoethyl acrylate, N, N Dimethylaminopropyl acrylamide, N, N-dimethyl acryl
  • Examples of difunctional monomers include tri (propylene glycol) diacrylate, trimethylolpropane diallyl ether, urethane acrylate and the like.
  • Examples of polyfunctional monomers include trimethylolpropane triacrylate, dipentaerythritol penta and hexaacrylate, and ditrimethylolpropane tetraacrylate.
  • As the initiator for example, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, 1-hydroxy-cyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, etc. It can be mentioned.
  • As the filler for example, any of inorganic fine particles and organic fine particles can be used.
  • the inorganic fine particles for example, SiO 2 , TiO 2 , ZrO 2 , SnO 2 , Al 2 O 3 And other metal oxide fine particles.
  • a leveling agent, a surface conditioner, an antifoamer etc. can be mentioned, for example.
  • Examples of the material of the substrate 2 include methyl methacrylate (co) polymer, polycarbonate, styrene (co) polymer, methyl methacrylate-styrene copolymer, cellulose diacetate, cellulose triacetate, cellulose acetate butyrate, polyester, polyamide, Polyimide, polyethersulfone, polysulfone, polypropylene, polymethylpentene, polyvinyl chloride, polyvinyl acetal, polyether ketone, polyurethane, glass and the like.
  • the method of molding the substrate 2 is not particularly limited, and it may be an injection molded body, an extrusion molded body, or a cast molded body.
  • a metal film is formed on the uneven surface of the base 2 on which the structures 3 are formed, as necessary.
  • a CVD method such as thermal CVD, plasma CVD, photo CVD etc.
  • CVD methods such as vacuum deposition, plasma-assisted deposition, sputtering, ion plating, etc.
  • CVD methods such as thermal CVD, plasma CVD, and photo CVD (Chemical Vapor Deposition (chemical deposition method): technology of depositing a thin film from a gas phase using a chemical reaction)
  • PVD methods Physical Vapor Deposition
  • vacuum deposition plasma-assisted deposition
  • sputtering ion plating
  • ion plating etc .
  • Technology for forming a thin film by aggregating physically vaporized materials in vacuum on a substrate Can be used. According to the first embodiment, it is possible to provide the conductive optical element 1 with very high transmittance, low reflected light and less reflection.
  • FIG. 15A is a schematic plan view showing an example of the configuration of a conductive optical element according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 15B is a plan view showing a part of the conductive optical element shown in FIG. 15A in an enlarged manner.
  • FIG. 15C is a cross-sectional view of tracks T1, T3,... Of FIG. 15B.
  • FIG. 15D is a cross-sectional view of tracks T2, T4,... Of FIG. 15B.
  • FIG. 15E is a schematic diagram showing a modulation waveform of laser light used to form a latent image corresponding to the tracks T1, T3,... Of FIG. 15B.
  • FIG. 15F is a schematic diagram showing a modulation waveform of laser light used for forming a latent image corresponding to tracks T2, T4,... In FIG. 15B.
  • the conductive optical element 1 according to the second embodiment is the same as the conductive optical element 1 according to the first embodiment in that each structure 3 forms a tetragonal lattice pattern or a quasi-tetragonal lattice pattern between adjacent three rows of tracks.
  • the quasi-tetragonal lattice pattern unlike the tetragonal lattice pattern, means a tetragonal lattice pattern stretched and distorted in the extension direction (X direction) of the track.
  • the height (depth) H of the structure 3 is preferably 30 nm to 320 nm, more preferably 70 nm to 320 nm, and the height H of the structure 3 is less than 30 nm, the reflectance tends to increase. .
  • the height H of the structure 3 exceeds 320 nm, it tends to be difficult to realize a predetermined resistance.
  • the aspect ratio of the structure 3 is preferably 0.2 or more and 1.3 or less, and more preferably 0.2 or more and 1.0 or less. If it is less than 0.2, the antireflective property tends to deteriorate, and if it exceeds 1.3, the slope slope becomes steep and the film thickness becomes thin, so the conductivity tends to deteriorate due to environmental durability and the like. And exfoliation characteristics deteriorate at the time of replica replication. Furthermore, the aspect ratios of the respective structures 3 are not necessarily the same, and the respective structures 3 may be configured to have a constant height distribution.
  • the arrangement pitch P1 of the structures 3 in the same track is preferably longer than the arrangement pitch P2 of the structures 3 between two adjacent tracks.
  • the arrangement pitch of the structures 3 in the same track is P1 and the arrangement pitch of the structures 3 between two adjacent tracks is P2, P1 / P2 is 1.0 ⁇ P1 / P2 ⁇ 1.5. It is preferable to satisfy the relationship.
  • the filling factor of the structure 3 having an elliptical cone shape or an elliptical truncated cone shape can be improved, so that the anti-reflection characteristic can be improved.
  • the height or depth of the structure 3 in the 45 ° direction or about 45 ° direction with respect to the track is preferably smaller than the height or depth of the structure 3 in the track extension direction.
  • the height H2 of the arrangement direction ( ⁇ direction) of the structures 3 oblique to the extension direction of the track is preferably smaller than the height H1 of the structure 3 in the extension direction of the track. That is, it is preferable that the heights H1 and H2 of the structures 3 satisfy the relationship of H1> H2.
  • FIG. 16 is a diagram showing the bottom shape when the ellipticity of the bottom of the structure 3 is changed. Ellipse 3 1 , 3 2 , 3 3 3 The ellipticities of are 100%, 163.3% and 141%, respectively. By changing the ellipticity in this manner, it is possible to change the filling factor of the structures 3 on the substrate surface.
  • the ellipticity e of the bottom of the structures is preferably 150% ⁇ e ⁇ 180%.
  • the filling factor of the structures 3 on the substrate surface is in the range of 65% or more, preferably 73% or more, and more preferably 86% or more, with the upper limit being 100%. By setting the filling rate in such a range, the anti-reflection characteristics can be improved.
  • the filling factor (average filling factor) of the structure 3 is a value obtained as follows.
  • the surface of the conductive optical element 1 is photographed in a top view using a scanning electron microscope (SEM: Scanning Electron Microscope).
  • SEM Scanning Electron Microscope
  • unit lattices Uc are randomly selected from the photographed SEM photograph, and the arrangement pitch P1 of the unit lattices Uc and the track pitch Tp are measured (see FIG. 15B).
  • the area S of the bottom surface of any of the four structures 3 included in the unit lattice Uc is measured by image processing.
  • the filling rate is determined from the following equation (4).
  • the ratio ((2r / P1) ⁇ 100) of the diameter 2r to the arrangement pitch P1 is 64% or more, preferably 69% or more, and more preferably 73% or more. By setting it in such a range, the filling rate of the structure 3 can be improved, and the anti-reflection characteristics can be improved.
  • the arrangement pitch P1 is the arrangement pitch of the structures 3 in the track direction
  • the diameter 2r is the diameter of the bottom surface of the structure in the track direction.
  • the diameter 2r is the diameter
  • the diameter 2r is the long diameter.
  • FIG. 17 shows an example of the configuration of a roll master for producing a conductive optical element having the above-described configuration.
  • This roll master differs from that of the first embodiment in that the concave structure 13 has a tetragonal lattice pattern or a quasi-tetragonal lattice pattern on its surface.
  • a roll master exposure apparatus two-dimensional patterns are spatially linked, and a polarity inversion formatter signal and a rotation controller of a recording apparatus are synchronized for each track to generate a signal, and patterning is performed with CAV at an appropriate feed pitch. Thereby, a tetragonal lattice pattern or a quasi-hexagonal lattice pattern can be recorded.
  • FIG. 18A is a schematic plan view showing an example of the configuration of a conductive optical element according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 18B is a plan view showing a part of the conductive optical element shown in FIG. 18A in an enlarged manner.
  • 18C is a cross-sectional view of tracks T1, T3,... Of FIG. 18B.
  • 18D is a cross-sectional view of tracks T2, T4,... Of FIG. 18B.
  • the conductive optical element 1 according to the third embodiment differs from that of the first embodiment in that the tracks T have an arc shape and the structures 3 are arranged in an arc shape.
  • structure 3 is arranged to form a quasi-hexagonal lattice pattern in which the center of structure 3 is located at each point of a1 to a7 between adjacent three rows of tracks (T1 to T3).
  • the quasi-hexagonal lattice pattern means a hexagonal lattice pattern distorted along the arc shape of the track T, unlike the regular hexagonal lattice pattern.
  • [Disk master configuration] 19A and 19B show an example of the configuration of a disk master for producing a conductive optical element having the above-described configuration. As shown in FIGS. 19A and 19B, the disk master 41 has a configuration in which a large number of structural bodies 43 which are concave portions are arranged on the surface of a disk-like master 42.
  • the structures 13 are periodically two-dimensionally arranged at a pitch equal to or less than the wavelength band of light under the use environment of the conductive optical element 1, for example, the wavelength of visible light.
  • the structures 43 are arranged, for example, on concentric or spiral tracks.
  • the configuration of the disk master 41 other than that described above is the same as that of the roll master 11 of the first embodiment, and thus the description thereof is omitted.
  • the moving optical table 32 includes a beam expander 33, a mirror 38 and an objective lens 34.
  • the laser beam 15 guided to the moving optical table 32 is shaped into a desired beam shape by the beam expander 33, and then irradiated to the resist layer on the disk-like master 42 through the mirror 38 and the objective lens 34.
  • Ru The master 42 is mounted on a turntable (not shown) connected to the spindle motor 35.
  • the resist layer is exposed by intermittently irradiating the resist layer on the master 42 with the laser light while rotating the master 42 and moving the laser light 15 in the rotational radius direction of the master 42. .
  • the formed latent image becomes substantially elliptical with the major axis in the circumferential direction.
  • the movement of the laser beam 15 is performed by the movement of the movable optical table 32 in the arrow R direction.
  • the control mechanism 37 includes a formatter 29 and a driver 30.
  • the formatter 29 includes a polarity inversion unit, and this polarity inversion unit controls the irradiation timing of the laser light 15 to the resist layer.
  • the driver 30 receives the output of the polarity inverting unit and controls the acousto-optic element 27.
  • the control mechanism 37 controls the intensity modulation of the laser beam 15 by the AOM 27, the driving rotational speed of the spindle motor 35, and the movement of the moving optical table 32 every track so that the two-dimensional pattern of the latent image is spatially linked. Synchronize the speed with each other.
  • the master 42 is controlled to rotate at a constant angular velocity (CAV). Then, patterning is performed at an appropriate number of revolutions of the master 42 by the spindle motor 35, appropriate frequency modulation of the laser intensity by the AOM 27, and an appropriate feed pitch of the laser light 15 by the moving optical table 32. Thereby, a latent image of a hexagonal lattice pattern or a quasi-hexagonal lattice pattern is formed on the resist layer.
  • control signal of the polarity inversion unit is a spatial frequency (pattern density of latent image: P1: 330, P2: 300 nm, or P1: 315 nm, P2: 275 nm or P1: 300 nm, P2: 265 nm) Change gradually to be uniform. More specifically, the exposure is performed while changing the irradiation cycle of the laser light 15 to the resist layer every track, and the laser in the control mechanism 37 is set so that P1 is approximately 330 nm (or 315 nm, 300 nm) in each track T. Frequency modulation of light 15 is performed.
  • a disk master 41 is manufactured in the same manner as in the first embodiment except that the resist layer formed on the disk-shaped master is exposed using the exposure apparatus having the above-described configuration.
  • the disc master 41 is brought into close contact with the base 2 such as an acrylic sheet coated with an ultraviolet curable resin, irradiated with ultraviolet rays to cure the ultraviolet curable resin, and then the base 2 is peeled off from the disc master 41. Thereby, a disk-shaped optical element in which the plurality of structures 3 are arranged on the surface can be obtained.
  • the transparent conductive film 4 is formed on the concavo-convex surface of the optical element in which the plurality of structures 3 are formed. Thereby, the disk-shaped conductive optical element 1 is obtained.
  • the conductive optical element 1 having a predetermined shape such as a rectangular shape is cut out from the disc-like conductive optical element 1. Thereby, the target electroconductive optical element 1 is produced.
  • FIG. 21A is a schematic plan view showing an example of the configuration of a conductive optical element according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 21B is a plan view showing a part of the conductive optical element shown in FIG. 21A in an enlarged manner.
  • the conductive optical element 1 according to the fourth embodiment is different from that of the first embodiment in that the structures 3 are arranged on meandering tracks (hereinafter referred to as wobble tracks).
  • the wobbles of the tracks on the substrate 2 are preferably synchronized.
  • the wobble is preferably a synchronized wobble.
  • a waveform of the wobble track for example, a sine wave, a triangular wave or the like can be mentioned.
  • the waveform of the wobble track is not limited to a periodic waveform, and may be a non-periodic waveform.
  • the wobble amplitude of the wobble track is selected to, for example, about ⁇ 10 ⁇ m.
  • the fourth embodiment is the same as the first embodiment except for the above.
  • FIG. 22A is a schematic plan view showing an example of the configuration of a conductive optical element according to a fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 22B is a plan view showing a part of the conductive optical element shown in FIG. 22A in an enlarged manner.
  • 22C is a cross-sectional view of the tracks T1, T3,... Of FIG. 22B.
  • 22D is a cross-sectional view of tracks T2, T4,... Of FIG. 22B.
  • FIG. 23 is a perspective view showing a part of the conductive optical element shown in FIG. 22A in an enlarged manner.
  • the conductive optical element 1 according to the fifth embodiment is different from that of the first embodiment in that a large number of structures 3 as concave portions are arranged on the surface of the base.
  • the shape of the structure 3 is a concave shape by inverting the convex shape of the structure 3 in the first embodiment.
  • the opening (the entrance portion of the concave portion) of the structural body 3 which is a concave portion is a lower portion, and the lowermost portion (the deepest portion of the concave portion) of the base 2 in the depth direction It is defined as the top. That is, the top and the bottom are defined by the structure 3 which is an intangible space.
  • FIG. 24A is a schematic plan view showing an example of the configuration of a conductive optical element according to a sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 24B is a plan view showing a part of the conductive optical element shown in FIG. 24A in an enlarged manner.
  • 24C is a cross-sectional view of tracks T1, T3,... Of FIG.
  • FIG. 24B. 24D is a cross-sectional view of tracks T2, T4,... Of FIG. 24B.
  • FIG. 25 is a perspective view showing a part of the conductive optical element shown in FIG. 24A in an enlarged manner.
  • the conductive optical element 1 includes a base 2, a plurality of structures 3 formed on the surface of the base 2, and a transparent conductive film 4 formed on the structures 3.
  • the structure 3 is a cone-shaped convex portion. The lower portions of adjacent structures 3 are joined so that the lower portions thereof overlap each other. Of the adjacent structures 3, the closest structure 3 is preferably disposed in the track direction. It is because it is easy by the manufacturing method mentioned later to arrange
  • the conductive optical element 1 has a function of preventing the reflection of light incident on the surface of the base on which the structure 3 is provided.
  • X axis and Y axis two axes orthogonal to each other in one main surface of the base 2
  • Z axis an axis perpendicular to one main surface of the base 2
  • the void 2 a be provided with a fine uneven shape.
  • the effective refractive index in the depth direction of the structure 3 gradually increases toward the base 2 and draws an S-shaped curve. It is changing. That is, the refractive index profile has one inflection point N. The inflection point corresponds to the shape of the side surface of the structure 3.
  • the S-shape includes a reverse S-shape, that is, a Z-shape.
  • the change of the effective refractive index in the depth direction is steeper than the average value of the slope of the effective refractive index on at least one of the top side and the base side of the structure 3. It is more preferable that the both sides of the substrate be steeper than the above average value. Thereby, excellent anti-reflection characteristics can be obtained.
  • the lower portion of the structure 3 is, for example, joined to the lower portion of part or all of the structures 3 in an adjacent relationship. By bonding the lower portions of the structures in this manner, the change of the effective refractive index in the depth direction of the structures 3 can be made smooth.
  • the filling rate of a structure can be raised by joining the lower part of structures.
  • FIG. 24B the positions of the bonding portions when bonding all adjacent structural bodies 3 are shown by black circles “ ⁇ ”. Specifically, the junctions are formed between all adjacent structures 3, between adjacent structures 3 in the same track (for example, between a1 and a2), or between adjacent tracks. It is formed between (for example, between a1 and a7, between a2 and a7). In order to achieve a smooth refractive index profile and obtain excellent antireflective properties, it is preferable to form a joint between all adjacent structures 3.
  • the structures 3 are periodically arranged in a hexagonal lattice pattern or a quasi-hexagonal lattice pattern, for example, they are joined in an orientation in which the structures 3 are symmetric six times. It is preferable that the structures 3 be joined so that the lower portions thereof overlap each other. By bonding the structures 3 in this manner, it is possible to obtain an S-shaped refractive index profile and to improve the filling factor of the structures 3.
  • the structures are preferably joined at a portion of 1/4 or less of the maximum value of the wavelength band of light under the use environment with an optical path length in consideration of the refractive index.
  • the material of the structure 3 is preferably, for example, an ionizing radiation curable resin that cures with ultraviolet light or electron beam, or a thermosetting resin that cures with heat as a main component, and an ultraviolet curable resin that can cure with ultraviolet light
  • the main component is most preferable.
  • FIG. 27 is an enlarged sectional view showing an example of the shape of the structure. It is preferable that the side surfaces of the structure 3 gradually expand toward the base 2 and change so as to draw the shape of the square root of the S-shaped curve shown in FIG. With such a side surface shape, excellent antireflection properties can be obtained, and the transferability of the structure 3 can be improved.
  • the top 3t of the structure 3 has, for example, a planar shape or a convex shape that becomes thinner toward the tip.
  • the area ratio (St / S) of the area St of the plane of the top of the structure to the area S of the unit lattice decreases as the height of the structure 3 increases. It is preferable to do so. By doing so, the anti-reflection characteristics of the conductive optical element 1 can be improved.
  • the unit cell is, for example, a hexagonal lattice or a quasi-hexagonal lattice.
  • the area ratio of the bottom of the structure (the area ratio of the area Sb of the bottom of the structure to the area S of the unit lattice (Sb / S) is preferably close to the area ratio of the top 3t.
  • the side surfaces of the structure 3 except the top 3t and the lower part 3b have one set of the first change point Pa and the second change point Pb in this order from the top 3t toward the lower part 3b preferable.
  • the effective refractive index in the depth direction of the structure 3 (in the ⁇ Z axis direction in FIG. 24A) can have one inflection point.
  • the first change point and the second change point are defined as follows. As shown in FIGS.
  • the side surface between the top 3t and the lower part 3b of the structure 3 discontinuously joins a plurality of smooth curved surfaces from the top 3t to the lower part 3b of the structure 3
  • the junction point is the change point.
  • the change point and the inflection point will coincide.
  • a point of inflection as a limit is also referred to as an inflection point here.
  • the side surface between the top 3t and the lower part 3b of the structure 3 is formed by continuously joining a plurality of smooth curved surfaces smoothly from the top 3t to the lower part 3b of the structure 3 If it is, then the change point is defined as follows. As shown in FIG. 28C, the closest point on the curve is referred to as a change point, with respect to an intersection point where tangent lines at two inflection points present on the side of the structure intersect each other.
  • the structure 3 preferably has one step St on the side surface between the top 3t and the lower portion 3b. By having one step St in this manner, the above-described refractive index profile can be realized.
  • the effective refractive index with respect to the depth direction of the structure 3 can be gradually increased toward the substrate 2 and can be changed so as to draw an S-shaped curve.
  • the steps include, for example, a tilting step or a parallel step, with a tilting step being preferred. This is because, if step St is a tilt step, transferability can be improved more than when step St is a parallel step.
  • Inclination step refers to a step which is not parallel to the substrate surface, but is inclined so that the side face extends in the direction from the top to the bottom of the structure 3.
  • Parallel steps are steps parallel to the substrate surface.
  • step St is a section set by the first change point Pa and the second change point Pb described above.
  • the step St does not include the plane of the top 3t and the curved surface or plane between the structures.
  • the structure 3 has an axially symmetrical cone shape except for the lower part joined to the adjacent structures 3 or a cone shape in which the cone shape is extended or contracted in the track direction It is preferable to have As a cone shape, a cone shape, a truncated cone shape, an elliptical cone shape, an elliptical frustum shape etc. can be mentioned, for example.
  • the cone shape is a concept including an elliptical cone shape and an elliptical frustum shape other than the conical shape and the truncated cone shape as described above.
  • a truncated cone shape means the shape which cut off the top part of conical shape
  • the elliptical frustum shape means the shape which cut off the top part of the elliptical cone.
  • the overall shape of the structure 3 is not limited to these shapes, and the effective refractive index in the depth direction of the structure 3 gradually increases toward the base 2 and changes in an S shape. It is sufficient if it has a shape that Further, the pyramidal shape includes not only a perfect pyramidal shape but also a pyramidal shape having a step St on the side surface as described above.
  • the structure 3 having an elliptical pyramidal shape is an elliptical, oval or oval pyramidal structure whose bottom surface has a major axis and a minor axis, and has a convex shape that becomes narrower at the top as it goes to the tip. is there.
  • the structure 3 having an elliptical frustum shape is a structure whose base is an elliptical, oval or oval pyramidal structure having a major axis and a minor axis and whose top is a plane.
  • the structure 3 When the structure 3 has an elliptical cone shape or an elliptical frustum shape, the structure 3 is formed on the substrate surface such that the long axis direction of the bottom of the structure 3 is the track extending direction (X axis direction). Is preferred.
  • the cross-sectional area of the structure 3 changes in the depth direction of the structure 3 so as to correspond to the refractive index profile described above.
  • the cross-sectional area of the structure 3 preferably monotonously increases in the depth direction of the structure 3.
  • the cross-sectional area of the structure 3 means the area of a cut surface parallel to the surface of the base on which the structures 3 are arranged.
  • the structure 3 having the above-described steps can be obtained, for example, by shape transfer using a master produced as follows. That is, in the etching process of the master production, the master with the step formed on the side surface of the structure (recess) is produced by appropriately adjusting the processing time of the etching processing and the ashing processing.
  • the structure 3 has a pyramidal shape, and the effective refractive index in the depth direction of the structure 3 gradually increases toward the base 2 and is S-shaped. It changes to draw a curve.
  • the shape effect of the structure 3 makes the boundary of the light not clear, thereby reducing the reflected light. Therefore, excellent anti-reflection characteristics can be obtained. In particular, when the height of the structure 3 is large, excellent anti-reflection characteristics are obtained. In addition, since the lower portions of adjacent structures 3 are joined so that the lower portions thereof overlap each other, the filling rate of the structures 3 can be increased, and the formation of the structures 3 becomes easy. It is preferable that the effective refractive index profile in the depth direction of the structure 3 be changed in an S shape, and the structures be arranged in an arrangement of (quasi) hexagonal lattices or (quasi) tetragonal lattices.
  • Each structure 3 preferably has an axially symmetric structure or a structure in which an axially symmetric structure is extended or contracted in the track direction. Furthermore, it is preferable to bond adjacent structures 3 in the vicinity of the substrate. With such a configuration, it is possible to manufacture a high performance antireflective structure that is easier to manufacture.
  • the conductive optical element 1 is produced by using a method in which the master disc production process and the etching process are integrated, the master disc production is performed as compared with the case where the conductive optical element 1 is produced by using electron beam exposure. The time required for the process (exposure time) can be significantly reduced. Therefore, the productivity of the conductive optical element 1 can be significantly improved.
  • FIG. 29 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a conductive optical element according to a seventh embodiment of the present invention.
  • the conductive optical element 1 according to the seventh embodiment has the other main surface (second main surface) opposite to the one main surface (first main surface) on which the structure 3 is formed.
  • the first embodiment is different from the first embodiment in that the structure 3 is further provided on the main surface of
  • the arrangement pattern of the structures 3 on both principal surfaces of the conductive optical element 1, the aspect ratio, etc. do not have to be the same, and different arrangement patterns and aspect ratios should be selected according to the desired characteristics.
  • the arrangement pattern of one principal surface may be a quasi-hexagonal lattice pattern
  • the arrangement pattern of the other principal surface may be a quasi-tetragonal lattice pattern.
  • the plurality of structures 3 are formed on both main surfaces of the base 2, the light reflection preventing function is applied to both the light incident surface and the light emission surface of the conductive optical element 1. Can be granted. This makes it possible to further improve the light transmission characteristics.
  • FIG. 30 is a schematic view showing a configuration example of a thermal transfer molding apparatus.
  • the laminate transfer molding apparatus 740 includes an emboss belt 743 rotated by a heating roll 741 and a cooling roll 742, and two pressing rolls 744 disposed opposite to the heating roll 741 and the cooling roll 742.
  • the base body 2 before being shaped can be inserted into the gap between the embossing belt 743 having the plurality of concave portions 743A on the surface and the flat belt 745 having no three-dimensional shape.
  • the operation of the thermal transfer molding apparatus having the above-described configuration will be described.
  • the emboss belt 743 and the flat belt 745 are rotated to insert the base body 2 before shape application into the gap between the two from the heating roll 741 side. Thereby, the heat of the heating roller 741 melts one main surface of the base 2 for a moment, and the concave portion 743A is shape-transferred on the one main surface of the base 2.
  • FIG. 31A is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a touch panel according to a ninth embodiment of the present invention.
  • This touch panel is a so-called resistive film type touch panel.
  • resistive film type touch panel any of an analog resistive film type touch panel and a digital resistive film type touch panel may be used. As shown in FIG.
  • the touch panel 50 which is an information input device, includes a first conductive base 51 having a touch surface (input face) for inputting information, and a second conductive base 51 facing the conductive base 51. And a conductive base 52.
  • the touch panel 50 preferably further includes a hard coat layer or an antifouling hard coat layer on the surface on the touch side of the first conductive substrate 51.
  • a front panel may be further provided on the touch panel 50 as necessary.
  • the touch panel 50 is attached to, for example, the display device 54 via the adhesive layer 53.
  • a display device for example, a liquid crystal display, a CRT (Cathode Ray Tube) display, a plasma display (Plasma Display Panel: PDP), an electro luminescence (EL) display, a surface-conduction electron-emitting device display (Surface-conduction Electron)
  • Various display devices such as -emitter Display (SED) can be used.
  • SED -emitter Display
  • any one of the conductive optical elements 1 according to the first to sixth embodiments is used.
  • the conductive optical elements 1 can be used.
  • the structure 3 is formed on at least one of two surfaces of the first conductive substrate 51 and the second conductive substrate 51 facing each other, and both of them are both in terms of anti-reflection and transmission characteristics.
  • the structural body 3 is formed. It is preferable to form a single layer or a multilayer antireflection layer on the surface on the touch side of the first conductive substrate 51. This is because the reflectance can be reduced and the visibility can be improved. (Modification) FIG.
  • FIG. 31B is a cross-sectional view showing a modification of the touch panel according to the ninth embodiment of the present invention.
  • the conductive optical element 1 according to the seventh embodiment is used as at least one of the first conductive substrate 51 and the second conductive substrate 52.
  • a plurality of structures 3 are formed on at least one of two opposing surfaces of the first conductive substrate 51 and the second conductive substrate 51. Furthermore, the plurality of structures 3 are formed on at least one of the surface of the first conductive substrate 51 on the touch side and the surface of the second conductive substrate 52 on the display device 54 side. From the viewpoint of the anti-reflection characteristics and the transmission characteristics, it is preferable that the structures 3 be formed on both surfaces.
  • FIG. 32A is a perspective view showing an example of the configuration of a touch panel according to a tenth embodiment of the present invention.
  • FIG. 32B is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the touch panel according to the tenth embodiment of the present invention.
  • the touch panel according to the tenth embodiment is different from the ninth embodiment in that the touch panel further includes the hard coat layer 7 formed on the touch surface.
  • the touch panel 50 includes a first conductive optical element 51 having a touch surface (input surface) for inputting information, and a second conductive optical element 52 opposed to the first conductive optical element 51.
  • the 1st electroconductive optical element 51 and the 2nd electroconductive optical element 52 are mutually bonded together via the bonding layer 55 arrange
  • As the bonding layer 55 an adhesive paste, an adhesive tape, etc. are used, for example. It is preferable that the surface of the hard coat layer 7 be provided with antifouling properties.
  • the touch panel 50 is bonded, for example, to the display device 54 via the bonding layer 53.
  • FIG. 33 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the liquid crystal display device according to the eleventh embodiment. As shown in FIG. 33, the liquid crystal display device 70 according to the eleventh embodiment is formed on a liquid crystal panel (liquid crystal layer) 71 having first and second main surfaces, and the first main surface.
  • a liquid crystal panel liquid crystal layer
  • a first polarizer 72, a second polarizer 73 formed on the second main surface, and a touch panel 50 disposed between the liquid crystal panel 71 and the first polarizer 72 are provided.
  • the touch panel 50 is a liquid crystal display integrated touch panel (so-called inner touch panel).
  • a large number of structures 3 may be formed directly on the surface of the first polarizer 72.
  • the first polarizer 72 has a protective layer such as a TAC (triacetyl cellulose) film on the surface, it is preferable to form a large number of structures 3 directly on the protective layer.
  • liquid crystal panel examples include twisted nematic (TN) mode, super twisted nematic (STN) mode, vertically aligned (VA) mode, and in-plane switching (IPS). Mode, Optically Compensated Birefringence (OCB) mode, Ferroelectric Liquid Crystal (FLC) mode, Polymer Dispersed Liquid Crystal (PDLC) mode, Phase-transition guest host (Phase) Change Guest Host: It can be used as the display mode, such as CGH) mode.
  • TN twisted nematic
  • STN super twisted nematic
  • VA vertically aligned
  • IPS in-plane switching
  • OCB Optically Compensated Birefringence
  • FLC Ferroelectric Liquid Crystal
  • PDLC Polymer Dispersed Liquid Crystal
  • Phase-transition guest host (Phase) Change Guest Host It can be used as the display mode, such as CGH) mode.
  • the first polarizer 72 and the second polarizer 73 have bonding layers 74 and 75 on the first and second main surfaces of the liquid crystal panel 71 such that the transmission axes thereof are orthogonal to each other. Is pasted together.
  • the first polarizer 72 and the second polarizer 73 pass only one of orthogonal polarization components of incident light and block the other by absorption.
  • a polyvinyl alcohol (PVA) based film in which an iodine complex or a dichroic dye is aligned in a uniaxial direction can be used as the first polarizer 72 and the second polarizer 73.
  • PVA polyvinyl alcohol
  • the touch panel 50 may be any one of the ninth to twelfth embodiments.
  • a protective layer such as a triacetyl cellulose (TAC) film on both surfaces of the first polarizer 72 and the second polarizer 73.
  • TAC triacetyl cellulose
  • the touch panel 50 may be any one of the ninth to twelfth embodiments.
  • the polarizer 72 is shared by the liquid crystal panel 71 and the touch panel 50, optical characteristics can be improved.
  • FIG. 34A is a perspective view showing an example of the configuration of a touch panel according to a twelfth embodiment of the present invention.
  • FIG. 34B is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the touch panel according to the twelfth embodiment of the present invention.
  • the touch panel 50 according to the twelfth embodiment is a so-called capacitive touch panel, and a large number of structures 3 are formed on at least one of the surface and the inside thereof.
  • the touch panel 50 is attached to, for example, the display device 54 via the adhesive layer 53.
  • the touch panel 50 according to the first configuration example includes the base 2, the transparent conductive film 4 formed on the base 2, and the protective layer 9.
  • a large number of the structures 3 are arranged at a fine pitch equal to or less than the wavelength of visible light.
  • FIG. 34A shows an example in which a large number of structures 3 are arranged on the surface of the base 2.
  • the capacitive touch panel may be any of a surface capacitive touch panel, an inner capacitive touch panel, and a projected capacitive touch panel.
  • peripheral members such as wiring layers are formed on the peripheral portion of the base 2
  • the protective layer 9 is, for example, SiO. 2 And the like as a main component.
  • the transparent conductive film 4 has a different configuration depending on the method of the touch panel 50.
  • the transparent conductive film 4 is a thin film having a substantially uniform film thickness.
  • the transparent conductive film 4 is a transparent electrode pattern such as a grid shape disposed at a predetermined pitch, and is disposed to face each other.
  • a material of the transparent conductive film 4 the same material as that of the above-described first embodiment can be used. The rest of the configuration is the same as that of the ninth embodiment, so the description will be omitted. (Second configuration example) As shown in FIG.
  • the touch panel 50 according to the second configuration example is replaced with the inside of the touch panel 50, and the structures 3 are provided on the surface of the protective layer 9, ie, the touch surface at a fine pitch of visible light wavelength or less. It differs from the first configuration example in that it is arranged in large numbers. A large number of structures 3 may be further disposed on the back surface of the side to be bonded to the display device 53. In the twelfth embodiment, since the large number of structures 3 are formed on at least one of the surface and the inside of the capacitive touch panel 50, the same effect as that of the eighth embodiment can be obtained. ⁇ 13. Thirteenth embodiment> [Configuration of touch panel] FIG.
  • FIG. 48A is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a touch panel according to a thirteenth embodiment of the present invention.
  • the touch panel 210 which is an information input device, is provided on the display surface of the display device 212.
  • the display device 212 to which the touch panel 210 is applied is not particularly limited.
  • a liquid crystal display a cathode ray tube (CRT) display, a plasma display panel (PDP), electro luminescence (Electro Luminescence), for example.
  • Examples include various display devices such as an EL (electroluminescence) display and a surface-conduction electron-emitter display (SED).
  • the touch panel 210 is a so-called projected capacitive touch panel, and includes the conductive element 11.
  • the conductive element 211 includes an optical layer 201, and a first transparent conductive film 205 and a second transparent conductive film 206 which are formed in the optical layer so as to be separated by a predetermined distance.
  • the first transparent conductive film 205 is, for example, an X electrode (first electrode) having a predetermined pattern.
  • the second transparent conductive film 206 is, for example, a Y electrode (second electrode) having a predetermined pattern.
  • These X electrodes and Y electrodes are, for example, in a relation orthogonal to each other.
  • the refractive index n of the optical layer 201 is, for example, in the range of 1.2 or more and 1.7 or less.
  • the surface resistance of the transparent conductive film 4 is preferably in the range of 50 ⁇ / ⁇ to 4000 ⁇ / ⁇ , and more preferably in the range of 50 ⁇ / ⁇ to 500 ⁇ / ⁇ .
  • the surface resistance of the transparent conductive film 4 is obtained by four-terminal measurement (JIS K 7194).
  • the specific resistance of the transparent conductive film 4 is 1 ⁇ 10 -3 It is preferable that it is ohm * cm or less. 1 x 10 -3 It is because the said surface resistance range is realizable as it is ohm * cm or less.
  • FIG. 48B is an enlarged cross-sectional view of the wiring region R1 shown in FIG. 48A.
  • FIG. 48C is an enlarged cross-sectional view showing the non-wiring region R2 shown in FIG. 48A in an enlarged manner.
  • the first transparent conductive film 205 has a first wavefront S1 and a second wavefront S2 synchronized with each other.
  • the average wavelength ⁇ 1 of the first wavefront S1 and the second wavefront S2 is equal to or less than the wavelength of visible light. It is preferable that the average widths of the vibrations of the first wavefront S1 and the second wavefront S2 be different. More preferably, the average width A1 of the oscillation of the first wavefront S1 is smaller than the average width B1 of the oscillation of the second wavefront S2.
  • the sectional shape when the first wave front S1 or the second wave front S2 is cut in one direction so as to include the position where the width of the vibration is maximum is, for example, triangular wave shape, sine wave shape, quadratic curve or It has a wave shape in which a part of a quadratic curve is repeated, or a shape approximate to these.
  • a quadratic curve a circle, an ellipse, a parabola etc. are mentioned.
  • the ratio (A1 / ⁇ 1) of the average width A1 of the vibration to the average wavelength ⁇ 1 of the first wavefront S1 in the wiring region R1 is preferably 0.2 or more and 1.3 or less, and more preferably 0.2 or more. .0 or less.
  • the ratio (B1 / ⁇ 1) of the average width B1 of the vibration to the average wavelength ⁇ 1 of the second wavefront S2 is preferably 0.2 or more and 1.3 or less, and more preferably 0.2 or more and 1.0 or less is there. If it is less than 0.2, the reflectance tends to increase. If it exceeds 1.3, there is a tendency that the surface resistance can not meet the predetermined value.
  • the average film thickness of the first transparent conductive film 205 is 80 nm or less. If it exceeds 80 nm, the reflectance tends to increase.
  • the average wavelength ⁇ 1, the average width A1 of the vibration of the first wavefront S1, the average width B1 of the vibration of the second wavefront S2, the ratio (A1 / ⁇ ), and the ratio (B1 / ⁇ ) are as follows: It is what you asked for.
  • the conductive element 211 is cut in one direction so as to include the positions C1 and C2 at which the width of the vibration of the first wavefront S1 or the second wavefront S2 of the first transparent conductive film 205 is maximum, Photograph with a transmission electron microscope (TEM: Transmission Electron Microscope).
  • the wavelength ⁇ 1 of the first wavefront S1 or the second wavefront S2, the width A1 of the oscillation of the first wavefront S1, and the width B1 of the oscillation of the second wavefront S2 are determined from the photographed TEM photograph. This measurement is repeated at 10 points randomly selected from the conductive element 211, and the measured values are simply averaged (arithmetic average) to obtain an average wavelength ⁇ 1, an average width A1 of the vibration of the first wavefront S1, and The average width B1 of the vibration of the second wavefront S2 is determined. Next, a ratio (A1 / ⁇ ) and a ratio (B1 / ⁇ ) are determined using these average wavelength ⁇ 1, the average width A1 of vibration, and the average width B1 of vibration.
  • the average film thickness means the average value of the maximum film thickness, and specifically, it can be determined as follows. First, the conductive element 211 is cut in one direction so as to include the positions C11 and C12 at which the width of vibration of the first wavefront S1 or the second wavefront S2 of the first transparent conductive film 205 is maximum, Photograph with a transmission electron microscope (TEM). Next, the film thickness of the first transparent conductive film 205 at the position (for example, the position C1) where the film thickness is the largest is measured from the photographed TEM photograph. This measurement is repeated at ten locations randomly selected from the first transparent conductive film 205, and the measured values are simply averaged (arithmetic average) to obtain an average film thickness.
  • TEM transmission electron microscope
  • the second transparent conductive film 206 has a third wavefront S3 and a fourth wavefront S4 synchronized with each other.
  • the average wavelength ⁇ 2 of the third wavefront S3 and the fourth wavefront S4 is equal to or less than the wavelength of visible light.
  • the cross-sectional shape when the third wavefront S3 or the fourth wavefront S4 is cut in one direction so as to include the position at which the width of the vibration is maximum is, for example, triangular wave shape, sine wave shape, quadratic curve or It has a wave shape in which a part of a quadratic curve is repeated, or a shape approximate to these.
  • a quadratic curve a circle, an ellipse, a parabola etc. are mentioned.
  • the ratio (A2 / ⁇ 2) of the average width A2 of the vibration to the average wavelength ⁇ 2 of the third wavefront S3 in the wiring region R1 is preferably 0.2 or more and 1.3 or less, and more preferably 0.2 or more. .0 or less. If it is less than 0.2, the reflectance tends to increase. If it exceeds 1.3, there is a tendency that the surface resistance can not meet the predetermined value.
  • the ratio (B2 / ⁇ 2) of the average width B2 of the vibration to the average wavelength ⁇ 2 of the fourth wavefront S4 is preferably 0.2 or more and 1.3 or less, and more preferably 0.2 or more and 1.0 or less is there. If it is less than 0.2, the reflectance tends to increase.
  • the average film thickness of the second transparent conductive film 206 is preferably 80 nm or less. If it exceeds 80 nm, the transmittance tends to deteriorate.
  • the average wavelength ⁇ 2 of the third wavefront S3 and the fourth wavefront S4 is determined in the same manner as the average wavelength ⁇ 1 of the first wavefront S1 and the second wavefront S2 described above.
  • the average width A2 of the vibration of the third wavefront S3 and the average width A2 of the vibrations of the fourth wavefront S4 are the average width A1 of the vibrations of the first wavefront S1 described above and the vibration of the second wavefront S1.
  • the average film thickness of the second transparent conductive film 206 is obtained in the same manner as the average film thickness of the first transparent conductive film 205.
  • the optical layer 201 includes a first optical layer 202 having a first uneven surface S1 and a fourth uneven surface S4, a second optical layer 203 having a second uneven surface S2, and a third uneven surface S3.
  • a third optical layer 204 having A first transparent conductive film 205 is formed between the first uneven surface S1 and the second uneven surface S2.
  • the second transparent conductive film 206 is formed between the third uneven surface S3 and the fourth uneven surface S4.
  • the optical layer 1 has only the first uneven surface S1 and the second uneven surface S2 as the uneven surface, and the first layer is formed between the first uneven surface S1 and the second uneven surface S2.
  • the transparent conductive film 205 may be formed.
  • the first uneven surface S1 is formed by arranging a large number of first structures 202a at an average pitch equal to or less than the wavelength of visible light.
  • the second uneven surface S2 is formed by arranging a large number of second structures 203a at an average pitch equal to or less than the wavelength of visible light.
  • the first structure body 202 a and the second structure body 203 a are disposed at opposing positions in the in-plane direction of the conductive element 211.
  • the first structure 202 a and the second structure 203 a have, for example, a concave or convex shape.
  • one of the first structural body 202a and the second structural body 203a is formed in a convex shape, whereas the other structural body is formed in a convex shape.
  • FIG. 58B and FIG. 58C an example is shown in which the second structure body 203a is formed in a concave shape while the first structure body 202a is formed in a convex shape.
  • the first structural body 202a and the second structural body 203a are formed, for example, at corresponding positions in the in-plane direction of the conductive element 211, and the first structural body 202a and the second structural body 203a are not One structural body 202a is designed to project.
  • the combination of the shapes of the first structural body 202a and the second structural body 203a is not limited to the above-described example, and both structural bodies may be formed into a convex shape or a concave shape.
  • the aspect ratio (average height or average depth H11 / average arrangement pitch P1) of the first structures 202a in the wiring region R1 is preferably 0.2 or more and 1.3 or less, and more preferably 0.2 It is above 1.0 and below.
  • the aspect ratio (average height or average depth H12 / average arrangement pitch P1) of the second structural body 203a in the wiring region R1 is preferably 0.2 or more and 1.3 or less, and more preferably 0.2 It is above 1.0 and below.
  • the average film thickness of the first transparent conductive film 205 on the top of the first structure 202 a is preferably 80 nm or less. If it exceeds 80 nm, the reflectance tends to increase.
  • the thickness of the first transparent conductive film 205 at the top of the first structure 202a is D1
  • the thickness of the first transparent conductive film 205 at the inclined surface of the first structure 202a is D2
  • the first structure When the film thickness of the first transparent conductive film 205 between the films is D3, it is preferable to satisfy the relationship of D1>D3> D2.
  • the average arrangement pitch P1, the average height or average depth H11, the average height or average depth H12, the aspect ratio (H11 / P1), and the aspect ratio (H12 / P1) are determined as follows. It is First, the conductive element 211 is cut so as to include the top of the first structure 202a, and the cross section thereof is photographed by a transmission electron microscope (TEM).
  • TEM transmission electron microscope
  • the arrangement pitch P201 of the first structure 202a or the second structure 203a, the height or depth H11 of the first structure 202a, and the height of the second structure 203a Find the depth or depth H12. This measurement is repeated at ten locations randomly selected from the conductive element 211, and the measured values are simply averaged (arithmetic average) to obtain an average arrangement pitch P1, an average height or average depth H11, and an average Determine the height or average depth H12.
  • the aspect ratio (H11 / P1) and the aspect ratio (H12 / P2) are determined using these average arrangement pitch P1, average height or average depth H11, and average height or average depth H12.
  • the average film thickness means the average value of the maximum film thickness, and specifically, it can be determined as follows. First, the conductive element 211 is cut so as to include the top of the first structure 202a, and the cross section thereof is photographed by a transmission electron microscope (TEM). Next, the film thickness of the first transparent conductive film 205 at the top portion C1 of the first structure 202a is measured from the photographed TEM photograph. These measurements are repeated at ten locations randomly selected from the conductive element 211, and the measured values are simply averaged (arithmetic average) to determine the average film thickness.
  • the third uneven surface S3 is formed by arranging a large number of third structures 204a at a pitch equal to or less than the wavelength of visible light.
  • the fourth uneven surface S4 is formed by arranging a large number of fourth structures 202b at a pitch equal to or less than the wavelength of visible light.
  • the third structure body 204 a and the fourth structure body 202 b are disposed at opposing positions in the in-plane direction of the conductive element 211.
  • the third structure 204a and the fourth structure 202b have, for example, a concave or convex shape.
  • one of the third structural body 204a and the fourth structural body 202b is formed in a convex shape, whereas the other structural body is formed in a convex shape.
  • first structural body 202a and the second structural body 203a are formed, for example, at corresponding positions in the in-plane direction of the conductive element 201, and the first structural body 202a and the second structural body 203a are not One structural body 202a is designed to project. Note that the combination of the shapes of the first structural body 202a and the second structural body 203a is not limited to the above-described example, and both structural bodies may be formed into a convex shape or a concave shape.
  • the aspect ratio (average height or average depth H21 / average arrangement pitch P2) of the third structural body 204a in the wiring region R1 is preferably 0.2 or more and 1.3 or less, and more preferably 0.2 It is above 1.0 and below.
  • the aspect ratio (average height or average depth H22 / average arrangement pitch P2) of the fourth structure 202b is preferably 0.2 or more and 1.3 or less, and more preferably 0.2 or more and 1.0 or more. It is below.
  • the average film thickness of the second transparent conductive film 206 at the top of the third structure 204 a in the wiring region R1 is preferably 80 nm or less. If it exceeds 80 nm, the reflectance tends to increase.
  • the thickness of the second transparent conductive film 206 at the top of the third structure 204a is D1
  • the thickness of the second transparent conductive film 206 at the inclined surface of the third structure 204a is D2
  • the second structure It is preferable that the relationship of D1>D3> D2 is satisfied, where D3 is the film thickness of the second transparent conductive film 206 between them.
  • the average arrangement pitch P2 of the third structural body 204a or the fourth structural body 202b is determined in the same manner as the average arrangement pitch P1 of the first structural body 202a or the third structural body 203a described above. It is.
  • the average height or average depth H21 of the third structure 204a and the average height or average depth H22 of the fourth structure 202b are the average height or average depth of the first structure 202a described above. It is determined in the same manner as the height H11 and the average height or the average depth H12 of the second structure 203a.
  • the average film thickness of the second transparent conductive film 206 is obtained in the same manner as the average film thickness of the first transparent conductive film 205.
  • FIG. 49A is a perspective view showing a more specific configuration example of the touch panel according to the thirteenth embodiment of the present invention.
  • the touch panel 210 is a projection-type capacitive touch panel of the ITO grid method, and includes a first base 204 and a first base 202 which are superimposed.
  • 49B is an exploded perspective view showing a configuration example of a first base material.
  • the 1st base material 202 has the structure substantially the same as the 1st base material 204, description of a disassembled perspective view is abbreviate
  • the first base 204 one main surface facing the first base 202 is a first region R. 1
  • the second region R 2 are alternately set repeatedly, and adjacent first regions R 1 During the second region R 2 Separated by Of the two main surfaces of the first base 202, one main surface facing the second base 231 is a first region R.
  • first region R of the first substrate 204 1 Is a unit area C of a predetermined shape 1 Are repeatedly connected in the X-axis direction
  • second region R 2 Is a unit area C of a predetermined shape 2 Are repeatedly connected in the X-axis direction.
  • First region R of the first substrate 202 1 Is a unit area C of a predetermined shape 1 Are repeatedly connected in the Y-axis direction
  • the second region R 2 Is a unit area C of a predetermined shape 2 Are repeatedly connected in the Y-axis direction.
  • Unit area C 1 And unit area C 2 Examples of the shape include, but are not limited to, a diamond shape (diamond shape), a triangle shape, a square shape and the like.
  • First region R 1 For example, a large number of structures are formed at an arrangement pitch equal to or less than the wavelength of visible light, and the transparent conductive layer is discontinuously formed in an island shape or the like.
  • the second region R 2 In the above, the structure is not formed and is made flat, and the transparent conductive layer is continuously formed. Therefore, a plurality of horizontal (X) electrodes (first electrodes) 206 formed of a transparent conductive layer are provided on one of the main surfaces of the first base 204 facing the first base 202. It is arranged.
  • a plurality of vertical (Y) electrodes (second electrodes) 205 made of a transparent conductive layer are provided on one main surface facing the first base material 204. It is arranged.
  • the horizontal electrode 206 and the vertical electrode 205 are arranged in the second region R. 2 It has the same shape as.
  • the horizontal electrodes 206 of the first base 204 and the longitudinal electrodes 205 of the first base 202 are in a mutually orthogonal relationship. In a state where the first base material 204 and the first base material 202 are superimposed, the first region R of the first base material 204 1 And a second region R of the first substrate 202 2 And the second region R of the first substrate 204.
  • FIG. 50A is a schematic plan view showing an example of the configuration of the first optical layer in which a large number of convex structures are formed on both main surfaces.
  • FIG. 50B is a plan view showing a part of the first optical layer shown in FIG. 50A in an enlarged manner.
  • 50C is a cross-sectional view of tracks T1, T3,... Of FIG. 50B.
  • FIG. 50D is a cross-sectional view of tracks T2, T4,... Of FIG. 50B.
  • FIG. 50A is a schematic plan view showing an example of the configuration of the first optical layer in which a large number of convex structures are formed on both main surfaces.
  • FIG. 50B is a plan view showing a part of the first optical layer shown in FIG. 50A in an enlarged manner.
  • 50C is a cross-sectional view of tracks T1, T3,... Of FIG. 50B.
  • FIG. 50D is a cross-sectional view of tracks T2, T4,... Of FIG. 50B.
  • 51A is a cross-sectional view of the extension direction (the X direction (hereinafter, also appropriately referred to as the track direction)) of the track of the first optical layer shown in FIG. 50B.
  • 51B is a cross-sectional view of the first optical layer shown in FIG. 50B in the ⁇ direction.
  • 52A to 53B are perspective views showing an example of the shape of the structure shown in FIG. 50B.
  • the first optical layer 202 includes a base 202 c having a first main surface and a second main surface, a large number of first structures 202 a formed on the first main surface, and a second main surface. And a plurality of second structures 202b formed.
  • the first structure 202a and the second structure 202b have, for example, a convex shape.
  • the substrate 202c is, for example, a transparent substrate having transparency.
  • the material of the base 202 c include, for example, a plastic material having transparency, and a material having glass as a main component, but is not particularly limited to these materials.
  • the glass for example, soda lime glass, lead glass, hard glass, quartz glass, liquid crystalized glass, etc. (see “Basic Handbook of Chemical Handbook”, PI-537, edited by The Chemical Society of Japan) are used.
  • polymethyl methacrylate, methyl methacrylate and other alkyl from the viewpoint of optical properties such as transparency, refractive index, and dispersion, and further various properties such as impact resistance, heat resistance, and durability
  • (Meth) acrylic resins such as copolymers with vinyl monomers such as meta) acrylate and styrene
  • polycarbonate resins such as polycarbonate and diethylene glycol bisallyl carbonate (CR-39);
  • brominated) bisphenol A type Thermosetting (meth) acrylic resins such as homopolymers or copolymers of (meth) acrylates, polymers and copolymers of (brominated) bisphenol A mono (meth) acrylate urethane-modified monomers
  • polyesters especially polyethylene terephthalate ,polyethylene Phthalate and unsaturated polyester, acrylonitrile-styrene copolymer, polyvinyl chloride, polyurethane, epoxy resin, polyarylate, polyether s
  • a subbing layer may be provided as a surface treatment to further improve the surface energy, coatability, slipperiness, flatness and the like of the plastic surface.
  • the undercoat layer include organoalkoxy metal compounds, polyesters, acrylic-modified polyesters, polyurethanes, and the like. Further, in order to obtain the same effect as providing the undercoat layer, corona discharge or UV irradiation may be performed on the surface of the base 202c.
  • the substrate 202c When the substrate 202c is a plastic film, the substrate 202c can be obtained, for example, by stretching the above-mentioned resin, or diluting it in a solvent, forming a film and drying it.
  • the thickness of the base 202c is preferably selected appropriately in accordance with the application of the conductive element 211, and is, for example, about 25 ⁇ m to 500 ⁇ m.
  • Examples of the shape of the base 202c include, but are not limited to, a sheet, a plate, and a block, but are not particularly limited to these shapes.
  • the sheet is defined as including a film.
  • first structures 202a having a convex shape are arrayed on the first main surface of the base 202c, and for example, a first structure having a convex shape on the second main surface of the base 202c.
  • a large number 202a is arranged.
  • the first structural body 202a and the second structural body 202b have a period with a short average arrangement pitch equal to or less than the wavelength band of light for reducing reflection, for example, an average arrangement pitch similar to the wavelength of visible light.
  • the wavelength band of light for reducing reflection is, for example, a wavelength band of ultraviolet light, a wavelength band of visible light, or a wavelength band of infrared light.
  • the wavelength band of ultraviolet light refers to the wavelength band of 10 nm to 360 nm
  • the wavelength band of visible light refers to the wavelength band of 360 nm to 830 nm
  • the wavelength band of infrared light refers to the wavelength band of 830 nm to 1 mm.
  • the average arrangement pitch of the first structures 2a is preferably in the range of 100 nm to 320 nm, more preferably 100 nm to 320 nm, and still more preferably 110 nm to 280 nm. If the arrangement pitch is less than 180 nm, fabrication of the first structure 202a tends to be difficult. On the other hand, when the arrangement pitch exceeds 350 nm, diffraction of visible light tends to occur.
  • the first structural body 202a and the second structural body 202b are the same except that the formation surface of the base 202c is different, so only the first structural body 202a will be described below.
  • Each first structure body 202a of the first optical layer 202 forms a plurality of rows of tracks T1, T2, T3,... (Hereinafter collectively referred to as "track T") on the surface of the base 202c.
  • tracks T1, T2, T3,... (Hereinafter collectively referred to as "track T") on the surface of the base 202c.
  • tracks T1, T2, T3,... (Hereinafter collectively referred to as "track T") on the surface of the base 202c.
  • tracks T1 T2, T3,...
  • the term “track” refers to a portion in which the first structures 202a are linearly connected in a row.
  • the column direction refers to the direction orthogonal to the extending direction (X direction) of the track on the molding surface of the base 202c.
  • the first structures 202a are disposed at a half pitch offset position between two adjacent tracks T. Specifically, between two adjacent tracks T, the other track (for example, T2) is located at an intermediate position (half pitch offset position) of the first structure 202a arranged in one track (for example, T1).
  • the first structure 202a is disposed.
  • the first structure 202a is arranged to be formed.
  • the hexagonal lattice pattern refers to a regular hexagonal lattice pattern.
  • the quasi-hexagonal lattice pattern refers to a hexagonal lattice pattern that is stretched and distorted in the track extending direction (X-axis direction), unlike the regular hexagonal lattice pattern.
  • the structure is not limited to the quasi-hexagonal lattice or the hexagonal lattice pattern, but may be another pattern such as a tetragonal lattice or a random uneven surface.
  • the first structures 202a are arranged to form a quasi-hexagonal lattice pattern, as shown in FIG.
  • the arrangement pitch p1 of the first structures 202a in the same track (for example, T1) distance between a1 and a2 is the arrangement pitch of the first structures 202a between two adjacent tracks (for example, T1 and T2), that is, the first structures 202a in the ⁇ ⁇ direction with respect to the extension direction of the tracks It is preferable that the distance is longer than the arrangement pitch p2 (for example, the distance between a1 to a7 and a2 to a7).
  • the first structure 202a preferably has a pyramidal shape, or a pyramidal shape obtained by extending or shrinking the pyramidal shape in the track direction, from the viewpoint of ease of molding. It is preferable that the first structure 202a have an axially symmetric cone shape or a cone shape obtained by extending or shrinking the cone shape in the track direction.
  • the first structure 202a When joined to the adjacent first structure 202a, the first structure 202a has an axially symmetrical pyramidal shape except for the lower part joined to the adjacent first structure 202a, or It is preferable to have a pyramidal shape in which the pyramidal shape is extended or contracted in the track direction.
  • cone shape As a cone shape, a cone shape, a truncated cone shape, an elliptical cone shape, an elliptical frustum shape etc. can be mentioned, for example.
  • the cone shape is a concept including an elliptical cone shape and an elliptical frustum shape other than the conical shape and the truncated cone shape as described above.
  • a truncated cone shape means the shape which cut off the top part of conical shape
  • the elliptical frustum shape means the shape which cut off the top part of the elliptical cone.
  • the first structure 202a preferably has a pyramidal shape having a bottom surface whose width in the extension direction of the track is larger than the width in the column direction orthogonal to the extension direction.
  • the first structure 202a is an elliptical, oval or oval pyramidal structure having a major axis and a minor axis at the bottom, and has a curved top portion. It is preferable that it has an elliptical cone shape.
  • the base has an elliptical, oval or oval pyramidal structure having a major axis and a minor axis, and an elliptical truncated cone shape whose top is flat.
  • the filling factor in the column direction can be improved.
  • a pyramid shape in which the slope of the top is gentle and gradually steep from the center to the bottom.
  • it has a conical shape whose central portion is steeper than the bottom and top portions (see FIG. 52A) or a flat top portion (see FIG. 52A). Is preferred.
  • the first structure 202a has an elliptical cone shape or an elliptical truncated cone shape, it is preferable that the long axis direction of the bottom surface thereof be parallel to the extending direction of the track.
  • each first structure 202a has the same shape in FIGS. 52A to 53B, the shape of the first structure 202a is not limited to this, and two types of the first structures 202a may be formed on the surface of the base.
  • the first structure body 202a having the above shape may be formed.
  • the first structure 202a may be integrally formed with the base 202c.
  • the protruding portion 202d is provided between the adjacent first structures 202a.
  • an elongated protrusion 202e may be provided on the whole or a part of the periphery of the first structure 202a, as shown in FIG. 53B.
  • the elongated projection 202 e extends, for example, from the top to the bottom of the first structure 202 a.
  • the shape of the protrusion 202 e can be, for example, a triangular cross-sectional shape or a rectangular cross-sectional shape, but is not particularly limited to these shapes, and can be selected in consideration of easiness of molding and the like.
  • the surface of part or all of the periphery of the first structure 202a may be roughened to form fine unevenness.
  • the surface between adjacent first structures 202a may be roughened to form fine unevenness.
  • a minute hole may be formed on the surface of the first structure 202a, for example, at the top.
  • the height H1 of the first structures 202a in the track extending direction is preferably smaller than the height H2 of the first structures 202a in the column direction. That is, it is preferable that the heights H1 and H2 of the first structure 202a satisfy the relationship of H1 ⁇ H2.
  • the arrangement pitch P201 in the track extending direction needs to be increased, so that the filling of the first structures 202a in the track extending direction is required. It is because the rate decreases. Such a reduction in the filling factor leads to a reduction in the reflection characteristics.
  • the aspect ratios of the first structures 202a are not limited to the same.
  • the first structures 202a may be configured to have a certain height distribution. By providing the first structure 202 a having a height distribution, the wavelength dependence of the reflection characteristic can be reduced. Therefore, the conductive element 211 having excellent anti-reflection characteristics can be realized.
  • the height distribution means that the first structures 202a having two or more heights (depths) are provided on the surface of the base 202c. That is, the first structure 202a having a reference height and the first structure 202a having a height different from that of the first structure 202a are provided on the surface of the base 202c. means.
  • the first structures 202a having a height different from the reference are, for example, periodically or non-periodically (randomly) provided on the surface of the base 202c.
  • the direction of the periodicity for example, the extending direction of the track, the column direction and the like can be mentioned. It is preferable to provide a skirt 202 d at the periphery of the first structure 202 a.
  • the skirt portion 202d means a projecting portion provided on the peripheral portion of the bottom portion of the first structure 202a. From the viewpoint of the peeling characteristics, it is preferable that the skirt portion 202c have a curved surface whose height gradually decreases in the direction from the top to the lower portion of the first structure 202a.
  • the foot portion 202d may be provided only in a part of the peripheral portion of the first structure 202a, but from the viewpoint of improving the peeling characteristics, the foot 202d is provided in the entire peripheral portion of the first structure 202a. Is preferred.
  • the skirt portion is a curved surface provided on the opening periphery of the concave portion which is the first structure body 202a.
  • the first structures 202a are arranged to form a hexagonal lattice pattern or a quasi-hexagonal lattice pattern, the height H of the first structures 202a is in the column direction of the first structures 202a.
  • the height of The height in the track extending direction (X direction) of the first structure 202a is smaller than the height in the column direction (Y direction), and the height in the portion other than the track extending direction of the first structure 202a Since the height is substantially the same as the height in the column direction, the height of the sub-wavelength structure is represented by the height in the column direction.
  • the ratio p1 / p2 is preferably 1.00 ⁇ Relationship of p1 / p2 ⁇ 1.2 or 1.00 ⁇ p1 / p2 ⁇ 1.2, more preferably 1.00 ⁇ p1 / p2 ⁇ 1.1, or 1.00 ⁇ p1 / p2 ⁇ 1.1 Meet.
  • the filling factor of the first structure body 202a having an elliptical cone shape or an elliptical truncated cone shape can be improved, so that the anti-reflection characteristic can be improved.
  • the filling ratio of the first structure 202a on the substrate surface is in the range of 65% or more, preferably 73% or more, and more preferably 86% or more, with the upper limit being 100%. By setting the filling rate in such a range, the anti-reflection characteristics can be improved. In order to improve the filling rate, the lower portions of adjacent first structures 202a may be joined together, or distortion may be imparted to the first structures 202a by adjusting the ellipticity of the structure bottom or the like. preferable.
  • FIG. 54A shows an example of the arrangement of the first structure 202a having a conical shape or a truncated conical shape.
  • FIG. 54B shows an example of the arrangement of the first structures 202a having an elliptical cone shape or an elliptical frustum shape.
  • the 1st structure 202a is joined so that the lower parts may overlap.
  • the lower part of the first structure 202a is joined to the lower part of all or part of the first structure 202a in an adjacent relationship. More specifically, it is preferable to join lower portions of the first structures 202a in the track direction, in the ⁇ direction, or in both directions. More specifically, it is preferable to join lower portions of the first structures 202a in the track direction, in the ⁇ direction, or in both directions.
  • the lower portions of all the first structures 202a in an adjacent relationship are joined.
  • the filling rate of the first structures 202a can be improved.
  • the first structures be joined at a portion of 1/4 or less of the maximum value of the wavelength band of light in the use environment with an optical path length in which the refractive index is taken into consideration. Thereby, excellent anti-reflection characteristics can be obtained.
  • the lower portions of adjacent first structures 202a in the same track are overlapped to form a first joint a, and the adjacent first structures are formed between adjacent tracks.
  • the lower portions of 202 a are overlapped to form a second bonding portion b.
  • An intersection c is formed at the intersection of the first joint a and the second joint b.
  • the position of the intersection c is, for example, lower than the positions of the first joint a and the second joint b.
  • the ratio ((2r / p1) ⁇ 100) of the diameter 2r to the arrangement pitch p1 is 85% or more, preferably 90% or more, and more preferably 95% or more.
  • the filling rate of the first structure 202 a can be improved, and the anti-reflection characteristic can be improved. If the ratio ((2r / p1) ⁇ 100) becomes large and the overlap of the first structures 202a becomes too large, the anti-reflection characteristics tend to be reduced. Therefore, the ratio ((2r / p1) ⁇ 100) is set so that the structures are joined at a portion of 1/4 or less of the maximum value of the wavelength band of light under use environment with the optical path length considering the refractive index. It is preferable to set the upper limit value.
  • the arrangement pitch p1 is the arrangement pitch in the track direction of the first structure 202a
  • the diameter 2r is the diameter in the track direction of the bottom surface of the first structure.
  • the diameter 2r is the diameter, and when the bottom of the first structure is elliptical, the diameter 2r is the major diameter.
  • FIG. 55A is a schematic plan view showing an example of the configuration of the first optical layer in which a large number of concave structures are formed on both main surfaces.
  • 55B is a plan view showing a part of the conductive element shown in FIG. 55A in an enlarged manner.
  • 55C is a cross-sectional view of the tracks T1, T3,... Of FIG. 55B.
  • FIG. 55D is a cross-sectional view of tracks T2, T4,... Of FIG. 55B.
  • FIG. 56 is a perspective view showing a part of the conductive element shown in FIG. 55B in an enlarged manner.
  • the second configuration example is different from the first configuration example in that the first structure 202 a and the second structure 202 b are concave.
  • the openings (the inlet portions of the concave portions) of the first structural body 202a having the concave shape and the second structural body 202b are The lower part, the lowermost part in the depth direction of the base 202c (the deepest part of the recess) is defined as the top.
  • first transparent conductive film 205 and the second transparent conductive film 206 are transparent conductive film.
  • transparent conductive film indium tin oxide (ITO), zinc oxide (ZnO), aluminum-doped zinc oxide (AZO (Al) 2 O 3 , ZnO)), SZO, fluorine-doped tin oxide (FTO), tin oxide (SnO) 2 ), Gallium-doped zinc oxide (GZO), indium zinc oxide (IZO (In 2 O 3 , ZnO)), metal oxides and the like.
  • ITO indium tin oxide
  • ZnO zinc oxide
  • SZO fluorine-doped tin oxide
  • FTO fluorine-doped tin oxide
  • SnO tin oxide
  • GZO Gallium-doped zinc oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • IZO In 2 O 3 , ZnO
  • the materials forming the first transparent conductive film 205 and the second transparent conductive film 206 are preferably in a mixed state of amorphous and polycrystal.
  • the average film thickness of the first transparent conductive film 205 is preferably 80 nm or less.
  • the average film thickness of the second transparent conductive film 206 is preferably 80 nm or less.
  • the average film thickness of the first transparent conductive film 205 is the average film thickness of the first transparent conductive film 205 at the top of the first structure 202 a.
  • the average film thickness of the second transparent conductive film 206 is the average film thickness of the second transparent conductive film 206 at the top of the second structure 203 a.
  • FIG. 57A shows an example of the configuration of a roll master for producing the first optical layer having the above-mentioned configuration.
  • FIG. 57B is a perspective view showing a part of the roll master shown in FIG. 57A in an enlarged manner.
  • the roll master 301 has, for example, a configuration in which a large number of structures 302 which are concave portions are arranged on the roll surface at a pitch equal to or less than the wavelength of light such as visible light.
  • the roll master 301 has a cylindrical or cylindrical shape.
  • the material of the roll master 301 may be, for example, glass, but is not particularly limited to this material.
  • a two-dimensional pattern is spatially linked using a roll master exposure apparatus described later, and a polarity inversion formatter signal and a rotation controller of a recording apparatus are synchronized for each track to generate a signal, and patterning is performed with CAV at an appropriate feed pitch. . Thereby, a hexagonal lattice pattern or a quasi-hexagonal lattice pattern can be recorded.
  • the spatial frequency forms a uniform grid pattern in the desired recording area.
  • the laser beam 304 emitted from the laser light source 221 travels straight as a parallel beam, and enters an electro optical modulator (EOM: Electro Optical Modulator) 222.
  • EOM Electro Optical Modulator
  • the mirror 223 is configured by a polarization beam splitter, and has a function of reflecting one polarization component and transmitting the other polarization component.
  • the polarization component transmitted through the mirror 223 is received by the photodiode 224, and the electro-optical element 222 is controlled based on the light reception signal to perform phase modulation of the laser light 304.
  • the laser beam 304 is made of glass (SiO 2 Etc.) is focused on an acousto-optical element (AOM: Acoust-Optic Modulator) 227.
  • the laser light 304 is intensity-modulated and diverged by the acousto-optical element 227 and then collimated by the lens 228.
  • the laser beam 304 emitted from the modulation optical system 225 is reflected by the mirror 231 and guided horizontally and in parallel on the movable optical table 232.
  • the moving optical table 232 includes a beam expander 233 and an objective lens 234.
  • the laser beam 304 guided to the moving optical table 232 is shaped into a desired beam shape by the beam expander 233, and then irradiated to the resist layer on the roll master 301 via the objective lens 234.
  • the roll master 301 is mounted on a turntable 236 connected to a spindle motor 235.
  • the exposure apparatus includes a control mechanism 237 for forming a latent image corresponding to the two-dimensional pattern of the hexagonal lattice or quasi-hexagonal lattice shown in FIG. 57B on the resist layer.
  • the control mechanism 237 includes a formatter 229 and a driver 230.
  • the formatter 229 includes a polarity reversing unit, and this polarity reversing unit controls the irradiation timing of the laser beam 304 to the resist layer.
  • the driver 230 receives the output of the polarity inverting unit and controls the acousto-optic element 227.
  • the polarity inversion formatter signal and the rotation controller of the recording apparatus are synchronized for each track so that the two-dimensional pattern is spatially linked, and a signal is generated and intensity modulated by the acousto-optic element 227 .
  • a hexagonal lattice or quasi-hexagonal lattice pattern can be recorded by patterning at a constant angular velocity (CAV) and an appropriate number of rotations, an appropriate modulation frequency, and an appropriate feed pitch.
  • CAV constant angular velocity
  • the feed pitch may be set to 251 nm (Pythagoras's law).
  • the frequency of the polarity inversion formatter signal is changed by the number of revolutions of the roll (for example, 1800 rpm, 900 rpm, 450 rpm, 225 rpm).
  • the frequency of the polarity inversion formatter signal facing each of the rotation speeds 1800 rpm, 900 rpm, 450 rpm and 225 rpm of the roll is 37.70 MHz, 18.85 MHz, 9.34 MHz and 4 and 71 MHz.
  • a quasi-hexagonal grating pattern having a uniform spatial frequency (circumferential 315 nm period, circumferential direction about 60 degrees direction (about -60 degree direction) 300 nm period) in the desired recording area moves the far ultraviolet laser beam on the optical table 232
  • the beam diameter is expanded to 5 times by a beam expander (BEX) 233, and the resist layer on the roll master 301 is irradiated through an objective lens 234 with a numerical aperture (NA) of 0.9 to form a fine latent image It is obtained by [Method of manufacturing conductive element]
  • a method of manufacturing the conductive element 211 configured as described above will be described with reference to FIGS. 59A to 61C.
  • a cylindrical roll master 301 is prepared.
  • the roll master 301 is, for example, a glass master.
  • a resist layer 303 is formed on the surface of the roll master 301.
  • a material of the resist layer 303 for example, either an organic resist or an inorganic resist may be used.
  • the organic resist for example, a novolak resist or a chemically amplified resist can be used.
  • the inorganic resist for example, a metal compound composed of one or more transition metals can be used. (Exposure process) Next, as shown in FIG.
  • the roll master 301 is rotated, and a laser beam (exposure beam) 304 is irradiated to the resist layer 303.
  • a laser beam (exposure beam) 304 is irradiated to the resist layer 303.
  • the laser beam 304 is intermittently applied to the resist.
  • Layer 303 is exposed over the entire surface.
  • a latent image 305 corresponding to the locus of the laser beam 304 is formed over the entire surface of the resist layer 303 at a pitch approximately equal to the visible light wavelength.
  • the latent images 305 are arranged, for example, to form a plurality of rows of tracks on the master surface, and form a hexagonal lattice pattern or a quasi-hexagonal lattice pattern.
  • the latent image 305 is, for example, an elliptical shape having a long axis direction in the track extending direction.
  • the exposed portion exposed by the laser beam 304 has a higher dissolution rate to the developer compared to the non-exposed portion, and therefore the latent image (exposure A pattern corresponding to the portion 305 is formed on the resist layer 303.
  • the surface of the roll master 301 is roll etched using the pattern (resist pattern) of the resist layer 303 formed on the roll master 301 as a mask.
  • FIG. 60B it is possible to obtain an elliptical cone-shaped or elliptical truncated cone-shaped recess having a long axis direction in the track extending direction, that is, a structure 302.
  • the etching method is performed by dry etching, for example.
  • a pattern of the pyramidal structure 302 can be formed.
  • the roll master 301 having a depth (selection ratio of 3 or more) three or more times the resist layer 303 can be manufactured, and the aspect ratio of the structure 302 can be increased.
  • a roll master 301 having a concave hexagonal lattice pattern or a quasi-hexagonal lattice pattern with a depth of about 30 nm to about 320 nm can be obtained.
  • Step of Forming First Optical Layer Next, for example, after a transfer paint is applied to one principal surface of the substrate 202c, the roll master 301 is pressed against the transfer material, and ultraviolet light or the like is irradiated to the transfer material to cure the substrate 202c. Is separated from the roll master 301. As a result, as shown in FIG. 60C, a large number of first structure bodies 202a which are convex portions are formed on one main surface of the base 202c.
  • the roll master 301 is pressed against the transfer material and After the material is cured by irradiation with ultraviolet light or the like, the base 202 c is peeled off from the roll master 301.
  • a large number of second structure bodies 202b which are convex portions are formed on the other main surface of the base 202c.
  • the formation order of the first structural body 202a and the second structural body 202b is not limited to this example, and the first structural body 202a and the second structural body 202b may be simultaneously formed on both sides of the base 202c.
  • the transfer material comprises, for example, a UV curable material and an initiator, and optionally contains a filler, a functional additive and the like.
  • the ultraviolet curable material is made of, for example, a monofunctional monomer, a bifunctional monomer, a polyfunctional monomer, etc. Specifically, the following materials are used alone or in combination.
  • monofunctional monomers for example, carboxylic acids (acrylic acid), hydroxys (2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 4-hydroxybutyl acrylate), alkyl, alicyclics (isobutyl acrylate, t-butyl acrylate) , Isooctyl acrylate, lauryl acrylate, stearyl acrylate, isobonyl acrylate, cyclohexyl acrylate) and other functional monomers (2-methoxyethyl acrylate, methoxyethylene glycol acrylate, 2-ethoxyethyl acrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate, benzyl acrylate, Ethyl carbitol acrylate, phenoxyethyl acrylate, N, N-dimethylaminoethyl acrylate, N, N Dimethylaminopropyl acrylamide, N, N-dimethyl acryl
  • Examples of difunctional monomers include tri (propylene glycol) diacrylate, trimethylolpropane diallyl ether, urethane acrylate and the like.
  • Examples of polyfunctional monomers include trimethylolpropane triacrylate, dipentaerythritol penta and hexaacrylate, and ditrimethylolpropane tetraacrylate.
  • As the initiator for example, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, 1-hydroxy-cyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, etc. It can be mentioned.
  • As the filler for example, any of inorganic fine particles and organic fine particles can be used.
  • the inorganic fine particles for example, SiO 2 , TiO 2 , ZrO 2 , SnO 2 , Al 2 O 3 And other metal oxide fine particles.
  • a leveling agent, a surface conditioner, an antifoamer etc. can be mentioned, for example.
  • Examples of the material of the base 202 c include methyl methacrylate (co) polymer, polycarbonate, styrene (co) polymer, methyl methacrylate-styrene copolymer, cellulose diacetate, cellulose triacetate, cellulose acetate butyrate, polyester, polyamide, Polyimide, polyethersulfone, polysulfone, polypropylene, polymethylpentene, polyvinyl chloride, polyvinyl acetal, polyether ketone, polyurethane, glass and the like.
  • the method for molding the base 202c is not particularly limited, and it may be an injection molded body, an extrusion molded body, or a cast molded body.
  • a first transparent conductive film 205 is formed on one main surface of the base 202c on which a large number of first structures 202a are formed.
  • a second transparent conductive film 206 is formed on the other main surface of the base 202c on which a large number of second structures 202b are formed.
  • the film formation may be performed while heating the base 202c.
  • a CVD method such as thermal CVD, plasma CVD, photo CVD, etc.
  • a chemical reaction PVD Physical Vapor Deposition
  • PVD Physical Vapor Deposition
  • sputtering ion plating, etc.
  • techniques for depositing thin films from the gas phase Can be aggregated on a substrate to form a thin film.
  • annealing treatment is performed on the first transparent conductive film 205 and / or the second transparent conductive film 206 as necessary.
  • the first transparent conductive film 205 and / or the second transparent conductive film 206 are in a mixed state of, for example, amorphous and polycrystal.
  • the first transparent conductive film 205 and the second transparent conductive film 206 are patterned by, for example, photo etching to form predetermined electrode patterns such as X electrode and Y electrode patterns.
  • the optical sheet 208 is bonded to the uneven surface of the first optical layer 2 on which the first transparent conductive film 205 is formed, via a bonding layer 207 made of an adhesive or the like.
  • the second optical layer 203 is formed on the first transparent conductive film of the first optical layer 202.
  • the uneven surface of the first optical layer 202 on which the second transparent conductive film 206 is formed is attached to the display device 212 via an adhesive or the like.
  • the third optical layer 204 is formed between the uneven surface of the first optical layer 202 and the display device 212.
  • the target conductive element 211 is obtained.
  • the conductive element 211 includes the first optical layer 202 having the first uneven surface S1 and the fourth uneven surface S4, and the second optical device having the second uneven surface S2.
  • a layer 203 and a third optical layer 204 having a third uneven surface S3 are provided.
  • a first transparent conductive film 205 having a predetermined electrode pattern is formed between the first uneven surface S1 and the second uneven surface S2.
  • a second transparent conductive film 206 having a predetermined electrode pattern is formed between the third uneven surface S3 and the fourth uneven surface S4. Accordingly, it is possible to reduce the difference in reflectance between the portion with the wiring pattern of the first transparent conductive film 205 and the second transparent conductive film 206 and the portion without the wiring pattern. Therefore, visual recognition of the wiring pattern can be suppressed. Moreover, excellent mass productivity and low cost can be realized by using nanoimprint technology and adopting a high throughput film configuration without using a multilayer optical film.
  • FIG. 62A is a plan view showing a first modified example of the track of the conductive element according to the thirteenth embodiment.
  • This first example is different from the thirteenth embodiment in that a large number of first structures 202a are arranged in an arc shape.
  • the structures 202a are arranged so as to form a hexagonal lattice pattern or a quasi-hexagonal lattice pattern in which the center of the structure 202a is positioned at points a1 to a7 between adjacent three rows of tracks (T1 to T3).
  • FIG. 62B is a plan view showing a second modification of the track of the conductive element according to the thirteenth embodiment.
  • the second modification is different from the thirteenth embodiment in that a large number of first structures 202a are arranged on a serpentine track (hereinafter referred to as a wobble track).
  • the wobbles of the tracks on the base 202c are preferably synchronized. That is, the wobble is preferably a synchronized wobble. By synchronizing the wobbles in this manner, it is possible to maintain the unit cell shape of the hexagonal lattice or quasi-hexagonal lattice and keep the filling factor high.
  • a waveform of the wobble track for example, a sine wave, a triangular wave or the like can be mentioned.
  • the waveform of the wobble track is not limited to a periodic waveform, and may be a non-periodic waveform.
  • FIG. 63 is a cross-sectional view showing a modification of the transparent conductive film and the concavo-convex shape of the conductive element according to the thirteenth embodiment.
  • the wavefront S 1 (or wavefront S 2) of the first transparent conductive film 205 and the wavefront S 3 (or wavefront S 4) of the second transparent conductive film 206 are not synchronized in the in-plane direction of the conductive element 211. The position where the vibration is maximum may be shifted.
  • the first structural body 202a and the second structural body 204a may not be formed at the same position in the in-plane direction of the conductive element 211, but may be formed at shifted positions. .
  • the wavelength ⁇ 1 of the wavefront S1 of the first transparent conductive film 205 and the wavelength ⁇ 2 of the wavefront S3 of the second transparent conductive film 206 do not have to be the same, and the two films have different values. It is also good.
  • the width A1 of the vibration of the wavefront S1 of the first transparent conductive film 205 and the width A2 of the vibration of the wavefront S3 of the second transparent conductive film 206 do not have to be the same. It may be taken.
  • FIG. 64A is an enlarged sectional view showing a wiring region R1 of a conductive element according to a fourteenth embodiment of the present invention.
  • FIG. 64B is an enlarged cross-sectional view showing a non-wiring region R2 of the conductive element according to the fourteenth embodiment of the present invention.
  • the same parts as those in the thirteenth embodiment are indicated by the same reference numerals and the explanation will be omitted.
  • a laminated film 250 made of the first transparent conductive film 205 and the first metal film 205a is formed between the first uneven surface S1 and the second uneven surface S2.
  • a laminated film 260 composed of the second transparent conductive film 206 and the second metal film 206a is formed between the third uneven surface S3 and the fourth uneven surface S4.
  • FIG. 64A shows a structure in which both the first metal film 205a and the second metal film 206a are formed, a structure in which only one of the first metal film 205a and the second metal film 206a is formed. It may be
  • the first laminated film 250 has a first wavefront S1 and a second wavefront S2 synchronized with each other.
  • the ratio (A1 / ⁇ 1) of the average width A1 of the vibration to the average wavelength ⁇ 1 of the first wavefront S1 in the wiring region R1 is preferably 0.2 or more and 1.3 or less. If it is less than 0.2, the reflectance tends to increase. If it exceeds 1.3, there is a tendency that the surface resistance can not meet the predetermined value.
  • the ratio (B1 / ⁇ 1) of the average width B1 of the vibration to the average wavelength ⁇ 1 of the second wavefront S2 is preferably 0.2 or more and 1.3 or less. If it is less than 0.2, the reflectance tends to increase. If it exceeds 1.3, there is a tendency that the surface resistance can not meet the predetermined value.
  • the average film thickness of the first transparent conductive film 205 is preferably 80 nm or less. If it exceeds 80 nm, the transmittance tends to deteriorate.
  • the second laminated film 260 has a third wavefront S3 and a fourth wavefront S4 synchronized with each other.
  • the ratio (A2 / ⁇ 2) of the average amplitude A2 to the average wavelength ⁇ 2 of the third wavefront S3 is 0.2 or more and 1.3 or less. If it is less than 0.2, the reflectance tends to increase. If it exceeds 1.3, there is a tendency that the surface resistance can not meet the predetermined value.
  • the ratio (B2 / ⁇ 2) of the width B2 of the vibration to the wavelength ⁇ 2 of the fourth wavefront S4 is preferably 0.2 or more and 1.3 or less. If it is less than 0.2, the reflectance tends to increase. If it exceeds 1.3, there is a tendency that the surface resistance can not meet the predetermined value.
  • the average film thickness of the second transparent conductive film 206 is preferably 80 nm or less. If it exceeds 80 nm, the transmittance tends to deteriorate.
  • the first metal film 205a is, for example, an interface between the first structure 202a and the first transparent conductive film 205, an interface between the first transparent conductive film 205 and the second structure 203a, Or formed on both of them.
  • the laminated film is not limited to the two-layer structure, and a laminated structure in which the first transparent conductive film 205 and the first metal film 205a are combined to form three or more layers may be adopted. For example, a stacked structure in which two first transparent conductive films 205 are stacked via the metal film 205a may be employed.
  • the second metal film 206a is, for example, an interface between the third structure body 204a and the second transparent conductive film 206, an interface between the second transparent conductive film 205 and the fourth structure body 202b, Or formed on both of them.
  • the laminated film is not limited to the two-layer structure, and a laminated structure in which the second transparent conductive film 206 and the second metal film 206a are combined to form three or more layers may be adopted.
  • a stacked structure in which two second transparent conductive films 206 are stacked via the metal film 206a may be employed.
  • the film thickness of the first metal film 205a and the second metal film 206a is not particularly limited, but is selected to be, for example, about several nm.
  • the first metal film 205a and the second metal film 206a have high conductivity, sufficient surface resistance can be obtained with a film thickness of several nm. Further, if the film thickness is about several nm, optical effects such as absorption and reflection by the first metal film 205a and the second metal film 206a are hardly present.
  • a metal-based material having high conductivity is preferably used as a material for forming the first metal film 205a and the second metal film 206a.
  • a metal-based material having high conductivity is preferably used as such a material.
  • at least one selected from the group consisting of Ag, Al, Cu, Ti, Au, Pt, and Nb can be mentioned. Among these materials, Ag is preferable in view of conductivity height, usage history, and the like.
  • FIG. 65A is a schematic plan view showing an example of the configuration of the first optical layer of the conductive element according to the fifteenth embodiment of the present invention.
  • FIG. 65B is a plan view showing a part of the conductive element shown in FIG. 65A in an enlarged manner.
  • FIG. 65C is a cross-sectional view of tracks T1, T3,... Of FIG. 65B.
  • 65D is a cross-sectional view of tracks T2, T4,... Of FIG. 65B.
  • the conductive element 211 according to the fifteenth embodiment differs from the conductive element 211 according to the thirteenth embodiment in that the first structures 202a form a tetragonal lattice pattern or a quasi-tetragonal lattice pattern between adjacent three rows of tracks. It is different from things.
  • the quasi-tetragonal lattice pattern means a tetragonal lattice pattern stretched and distorted in the extension direction (X direction) of the track, unlike the regular tetragonal lattice pattern.
  • the height or depth of the first structure 202a is not particularly limited, and is, for example, about 30 nm to 320 nm.
  • P2 in the (about) 45 ° direction pitch with respect to the track is, for example, about 100 nm to 300 nm.
  • the aspect ratio (height / arrangement pitch) of the first structure 202a is, for example, about 0.2 to 1.3.
  • the aspect ratios of the first structures 202a are not necessarily the same, and the first structures 202a may be configured to have a certain height distribution.
  • the arrangement pitch p1 of the first structures 202a in the same track is preferably longer than the arrangement pitch p2 of the first structures 202a between two adjacent tracks.
  • p1 / p2 is 1.4 ⁇ p1 / It is preferable to satisfy the relationship of p2 ⁇ 1.5.
  • the filling factor of the first structure body 202a having an elliptical cone shape or an elliptical truncated cone shape can be improved, so that the anti-reflection characteristic can be improved.
  • the height or depth of the first structure 202a in the 45 ° direction or about 45 ° direction with respect to the track is smaller than the height or depth of the first structure 202a in the track extension direction Is preferred.
  • the height H2 of the first structure 202a in the arrangement direction ( ⁇ direction) oblique to the extension direction of the track is smaller than the height H1 of the first structure 202a in the extension direction of the track Is preferred.
  • the heights H1 and H2 of the first structure 202a satisfy the relationship of H1> H2.
  • the height H of the first structures 202a is the extension of the first structures 202a.
  • the height is in the direction (track direction).
  • the filling ratio of the first structure 202a on the substrate surface is in the range of 65% or more, preferably 73% or more, and more preferably 86% or more, with the upper limit being 100%. By setting the filling rate in such a range, the anti-reflection characteristics can be improved.
  • the ratio ((2r / p1) ⁇ 100) of the diameter 2r to the arrangement pitch p1 is 64% or more, preferably 69% or more, and more preferably 73% or more. By setting it in such a range, the filling rate of the first structure 202 a can be improved, and the anti-reflection characteristic can be improved.
  • the arrangement pitch p1 is the arrangement pitch in the track direction of the first structure 202a
  • the diameter 2r is the diameter in the track direction of the bottom surface of the structure.
  • the diameter 2r is the diameter
  • the diameter 2r is the long diameter. ⁇ 16.
  • FIG. 66A is a schematic plan view showing an example of a first optical layer of a conductive element according to a sixteenth embodiment.
  • FIG. 66B is a plan view showing a part of the first optical layer shown in FIG. 66A in an enlarged manner.
  • the conductive element according to the sixteenth embodiment differs from the thirteenth embodiment in that a large number of structures 202a having two or more types of sizes and / or shapes are formed on the substrate surface. There is.
  • the first structures 202a having two or more sizes and / or shapes are, for example, cyclically repeated in the track direction or the like with the first structures 202a having the same shape and / or size. Be placed. Also, the structures 202a having the same shape and / or size may be arranged so as to appear randomly on the substrate surface. In addition, the shape of the first structure 202a may not be uniform. By doing this, diffracted light is suppressed and visibility is improved.
  • first structural body 202a is formed to have two or more types of sizes and / or shapes
  • the second structural body 203a, the third structural body 204a, and the third structural body 204a It is also possible to form the four structures 202b into two or more sizes and / or shapes.
  • all of the first structural body 202a, the second structural body 203a, the third structural body 204a, and the fourth structural body 202b need to have two or more sizes and / or shapes. Instead, at least one of them may be of two or more sizes and / or shapes depending on the desired optical properties. ⁇ 17. Seventeenth embodiment> FIG.
  • FIG. 67A is a schematic plan view showing an example of the configuration of the first optical layer of the conductive element according to the seventeenth embodiment of the present invention.
  • FIG. 67B is a plan view showing a part of the first optical layer shown in FIG. 67A in an enlarged manner.
  • FIG. 67C is a cross-sectional view along the line CC shown in FIG. 67B.
  • the same parts as those in the thirteenth embodiment are indicated by the same reference numerals and the explanation will be omitted.
  • the conductive element according to the seventeenth embodiment is different from the thirteenth embodiment in that a large number of first structures 202a are randomly arranged.
  • the first structures 202a disposed on the substrate surface are not limited to the same size and / or shape, and may have two or more different sizes and / or shapes. It is preferable that the first structures 202a be randomly formed two-dimensionally or three-dimensionally.
  • two-dimensionally random means random in the in-plane direction of the conductive element 211 or the first optical layer 202.
  • the three-dimensional randomness is random in the in-plane direction of the conductive element 211 or the first optical layer 202, and is random also in the thickness direction of the conductive element 211 or the first optical layer 202. It says that there is.
  • the shape of the first structure 202a may not be uniform. By doing this, diffracted light is suppressed and visibility is improved.
  • FIG. 68 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the touch panel according to the eighteenth embodiment of the present invention.
  • the touch panel (information input device) 400 is a so-called surface capacitive touch panel, and includes a conductive element 401.
  • the touch panel 400 is bonded, for example, to the display surface of the display device 212 via a bonding layer 406 made of an adhesive or the like.
  • the conductive element 401 includes an optical layer 402 and a transparent conductive film 403 formed in the optical layer.
  • the display device 212 is not particularly limited, and may be, for example, any transmissive, semi-transmissive, or reflective liquid crystal display device.
  • the optical layer 402 includes a first optical layer 404 having a first uneven surface S1 and a second optical layer 405 having a second uneven surface S2.
  • the first optical layer 404 includes, for example, a base 202c having both main surfaces, and a plurality of structures 202a formed on one main surface of the base 202b.
  • the second optical layer 405 is, for example, SiO. 2 And the like as a main component.
  • the transparent conductive film 403 is formed, for example, on substantially the entire first uneven surface S1 of the first optical layer 404.
  • the transparent conductive film 403 has a first wavefront S1 and a second wavefront S2 synchronized with each other.
  • FIG. 69A is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a touch panel according to a nineteenth embodiment of the present invention.
  • FIG. 69B is an enlarged cross-sectional view of the wiring area shown in FIG. 69A.
  • FIG. 69C is an enlarged cross-sectional view showing the non-wiring region shown in FIG. 69A in an enlarged manner.
  • the same parts as those in the eighteenth embodiment are indicated by the same reference numerals and the explanation will be omitted.
  • the touch panel (information input device) 500 is a so-called digital resistive film type touch panel, and includes a first conductive element 501 and a second conductive element 502 opposed to the first conductive element 501.
  • the first conductive element 501 and the second conductive element 502 are provided separated from each other by a predetermined distance, and an air layer (medium layer) 503 is formed between the two elements.
  • the first conductive element 501 and the second conductive element 502 are bonded to each other via a bonding portion 504 disposed between their peripheral portions.
  • As the bonding part 504, an adhesive paste, an adhesive tape, etc. are used, for example.
  • the touch panel 500 preferably further includes a hard coat layer 505 on the surface on the touch side of the first conductive element 501 from the viewpoint of improving the scratch resistance.
  • the surface of the hard coat layer 505 is preferably provided with antifouling properties.
  • the touch panel 500 preferably further includes an antireflective layer 507 on the hard coat 505 from the viewpoint of improving display characteristics.
  • an AR (Anti-Reflection) layer, an LR (Low-reflection) layer, an AG (Anti-Glare) layer, and the like can be given.
  • the configuration for providing the antireflection function to the touch panel surface is not limited to this, and for example, the hard coat layer 505 may be configured to be provided with the antireflection function.
  • the touch panel 500 is bonded to, for example, the display surface of the display device 212 via the bonding layer 506.
  • a material of the bonding layer 506 for example, an acrylic, rubber-based, or silicone-based adhesive can be used, and from the viewpoint of transparency, an acrylic adhesive is preferable.
  • the first conductive element 501 has a first base 511 (first optical layer) having a first facing surface S5 facing the second conductive element 502, and a facing surface S5 of the first base 511. And a first transparent conductive film 512 formed thereon.
  • the second conductive element 502 is formed on a second base (second optical layer) 521 having a facing surface S6 facing the first conductive element 501 and on the facing surface S6 of the second base 521.
  • the second transparent conductive film 522 At least one of the facing surface S5 and the facing surface S6 is an uneven surface on which a number of first structures are formed at a pitch equal to or less than the wavelength of visible light. This uneven surface is the same as the first uneven surface S1 or the second uneven surface S4 in the thirteenth embodiment. From the viewpoint of suppressing visual recognition of the wiring pattern, it is preferable that both the facing surface S5 and the facing surface S6 be uneven surfaces.
  • the first transparent conductive film 512 is, for example, an X electrode (first electrode) having a predetermined pattern such as a stripe shape.
  • the second transparent conductive film 522 is, for example, a Y electrode (second electrode) having a predetermined pattern such as a stripe shape or a cross hatch shape.
  • FIG. 70 is a cross-sectional view showing an example of a configuration of a display device according to a twentieth embodiment of the present invention.
  • FIG. 70B is an enlarged cross-sectional view of the wiring area shown in FIG. 70A.
  • FIG. 70C is an enlarged cross-sectional view showing the non-wiring region shown in FIG. 70A in an enlarged manner.
  • the same parts as those in the nineteenth embodiment are indicated by the same reference numerals and the explanation will be omitted.
  • the display device 600 is a so-called microcapsule electrophoretic electronic paper, and includes a first conductive element 601, a second conductive element 602 disposed opposite to the first conductive element 601, and the like. And a microcapsule layer (medium layer) 603 provided between the two elements.
  • a medium layer is between the conductive elements arranged oppositely
  • the present invention is applicable as long as the configuration is provided.
  • the medium in addition to the liquid and solid, the medium also includes a gas such as air.
  • the medium may also include components such as capsules, pigments and particles.
  • the microcapsule layer 603 contains a large number of microcapsules 631.
  • a transparent liquid (dispersion medium) in which black particles and white particles are dispersed is enclosed.
  • the first conductive element 601 has a first base 511 (first optical layer) having a first facing surface S5 facing the second conductive element 602, and a facing surface of the first optical base 511. And a first transparent conductive film 611 formed on S5.
  • the first base 511 may be bonded to a support 613 such as glass via a bonding layer 612 such as an adhesive.
  • the second conductive element 602 is formed on a second base (second optical layer) 521 having a facing surface S6 facing the first conductive element 601 and on the facing surface S6 of the second base 521.
  • the second transparent conductive film 621 is formed in a predetermined electrode pattern according to the driving method of the electronic paper 600. Examples of the driving method include a simple matrix driving method, an active matrix driving method, and a segment driving method.
  • the surface shape of the optical sheet was photographed by an atomic force microscope (AFM) in a state where no transparent conductive film was formed. Then, the arrangement pitch P and height H of the structures were determined from the photographed AFM image and its cross-sectional profile. Next, the aspect ratio (H / P) was determined using these arrangement pitch P and height H. (Average film thickness of transparent conductive film) In the following examples, the average film thickness of the transparent conductive film was determined as follows. First, the conductive optical sheet is cut in the extending direction of the track so as to include the top of the structure, and the cross section is taken with a transmission electron microscope (TEM: Transmission Electron Microscope). The thickness D1 of the transparent conductive film at the top of the body was measured.
  • TEM Transmission Electron Microscope
  • the average film thickness Dm1 of the transparent conductive film at the top of the structure which is the convex portion the average film thickness Dm2 of the transparent conductive film on the inclined surface of the structure which is the convex portion, and the transparent conduction between the structures which are the convex portion
  • the average film thickness Dm3 of the film was determined as follows. First, the conductive optical sheet was cut in the track extending direction so as to include the top of the structure, and the cross section was photographed by TEM.
  • the film thickness D1 of the transparent conductive film at the top of the structure was measured from the photographed TEM photograph.
  • the film thickness D2 at the height (H / 2) of the half of the structure among the positions of the inclined surfaces of the structure was measured.
  • the film thickness D3 at the position where the depth of the recess is the deepest was measured.
  • measurement of these film thicknesses D1, D2 and D3 is repeated at 10 places randomly selected from the conductive optical sheet, and the measured values D1, D2 and D3 are simply averaged (arithmetic average) Average film thicknesses Dm1, Dm2, and Dm3 were determined.
  • the average film thickness Dm1 of the transparent conductive film on the top of the structure which is the recess was determined as follows. First, the conductive optical sheet was cut in the track extending direction so as to include the top of the structure, and the cross section was photographed by TEM. Next, the film thickness D1 of the transparent conductive film at the top of the structure which is an intangible space was measured from the photographed TEM photograph. Next, the film thickness D2 of the position of the half depth (H / 2) of the structure was measured among the positions of the inclined surface of the structure.
  • the resist layer was formed by diluting the photoresist to 1/10 with a thinner and applying this diluted resist to a cylindrical surface of a glass roll master by dipping to a thickness of about 70 nm.
  • the glass roll master as a recording medium is conveyed to the roll master exposure apparatus shown in FIG. 11, and the resist layer is exposed to form one spiral and to form a hexagonal pattern between adjacent three rows of tracks.
  • a latent image forming a grid pattern was patterned on the resist layer.
  • a laser beam with a power of 0.50 mW / m which exposes the surface of the glass roll master, is irradiated to a region where a hexagonal lattice is to be formed to form a concave hexagonal lattice pattern.
  • the thickness of the resist layer in the row direction of the track row was about 100 nm, and the thickness of the resist in the track extension direction was about 100 nm.
  • the resist layer on the glass roll master was subjected to development treatment, and the resist layer in the exposed part was dissolved and developed.
  • an undeveloped glass roll master is placed on the turntable of a developing machine (not shown), the developer is dropped onto the surface of the glass roll master while rotating the entire turntable, and the resist layer on the surface is developed. did.
  • a resist glass master having a resist layer opened in a hexagonal lattice pattern was obtained.
  • CHF 3 Plasma etching was performed in a gas atmosphere.
  • etching proceeds only in the portion of the hexagonal lattice pattern exposed from the resist layer, and in the other regions, the resist layer serves as a mask and etching is not performed.
  • the etching amount (depth) in the pattern at this time was changed by the etching time.
  • Comparative example 2 A conductive optical sheet was produced in the same manner as in Comparative Example 1 except that an IZO film having an average film thickness of 160 nm was formed on the structure.
  • Comparative example 3 First, in the same manner as in Comparative Example 1, an optical sheet in which a plurality of structures were arranged on one main surface was produced. Next, in the same way as forming a plurality of structures on one main surface, a plurality of structures were formed on the other main surface of the optical sheet. Thus, an optical sheet in which a plurality of structures were arranged on both main surfaces was produced.
  • an IZO film having an average film thickness of 30 nm was formed on a structure of one main surface by sputtering to prepare a conductive optical sheet in which a plurality of structures are arranged on both main surfaces.
  • An optical sheet was produced in the same manner as in Comparative Example 1 except that the step of forming the IZO film was omitted.
  • An IZO film having an average film thickness of 30 nm was formed on the surface of a smooth acrylic sheet by sputtering to produce a conductive optical sheet. (Evaluation of shape) The surface shape of the optical sheet was observed with an atomic force microscope (AFM) in a state where an IZO film was not formed.
  • AFM atomic force microscope
  • the surface resistance of Comparative Example 2 was measured by the four-terminal method (JIS K 7194) to be 270 ⁇ / ⁇ .
  • the resistivity is 2.0 ⁇ 10 -4
  • a transparent conductive film (IZO film) of ⁇ ⁇ cm (IZO film) is formed to a thickness of 30 nm in terms of a flat plate, an average film thickness of about 30 nm is obtained.
  • the surface resistance at this time is 4000 ⁇ / ⁇ even if it is converted to the increase of the surface area, but it is a level that causes no problem when used as a resistive film type touch panel. As shown in FIG. 35A and FIG.
  • Comparative Example 1 retains characteristics that are comparable to Comparative Example 4 in which only a moth-eye structure is formed without forming a transparent conductive film. ing. Further, in Comparative Example 1, optical characteristics superior to those of Comparative Example 4 in which a transparent conductive film having a similar surface resistance is formed on a smooth sheet are obtained. In Comparative Example 2, since the transparent conductive film (IZO film) having a thickness of 160 nm in terms of a flat plate (average film thickness) is formed, the transmittance tends to be deteriorated. It is considered that this is because the transparent conductive film is formed to be excessively thick, so that the shape of the moth-eye structure is broken and it becomes difficult to maintain a desired shape.
  • IZO film transparent conductive film having a thickness of 160 nm in terms of a flat plate (average film thickness
  • FIGS. 39A and 39B show the transmission characteristics and the reflection characteristics of Example 1 and Comparative Example 9, respectively. Transmission characteristics and reflection characteristics of Comparative Example 6 and Comparative Example 8 are shown in FIGS. 39A and 39B. The following can be understood from FIGS. 36A and 36B.
  • the aspect ratio of the structure and the surface resistance tends to increase approximately in proportion to the value of the aspect ratio. It is considered that this is because the surface thickness increases as the average film thickness of the transparent conductive film decreases as the slope of the structure becomes steeper, or as the height of the structure increases or as the depth increases.
  • the aspect ratio may be appropriately adjusted to obtain a desired resistance value.
  • the following can be understood from FIGS. 37A, 37B, 38A, and 38B.
  • the transmittance tends to decrease on the side of a wavelength shorter than 450 nm, but excellent transmission characteristics can be obtained in the range of 450 nm to 800 nm.
  • permeability in the short wavelength side can be suppressed, so that the aspect-ratio of a structure is high.
  • Example 1 in which the convex-shaped structure is formed is superior in optical characteristics to Example 2 in which the concave-shaped structure is formed.
  • the following can be understood from FIGS. 39A to 39B.
  • Comparative Example 6 in which the aspect ratio is 1.2 the change in optical characteristics is suppressed to a smaller extent than in Example 1 in which the aspect ratio is 0.6.
  • Comparative Example 6 having an aspect ratio of 1.2 has a larger surface area than Example 1 having an aspect ratio of 0.6, and the average film thickness of the transparent conductive film with respect to the structure is smaller.
  • Example 12 A conductive optical sheet was produced in the same manner as in Example 1 except that the formation of the IZO film was omitted. (Evaluation of shape) The surface shape of the optical sheet was observed with an atomic force microscope (AFM) in a state where an IZO film was not formed. Then, the heights and the like of the structures of Examples and Comparative Examples were determined from the cross-sectional profile of the AFM. The results are shown in Table 3. (Evaluation of surface resistance) The surface resistance of the conductive optical sheet produced as described above was measured by the four-terminal method (JIS K 7194). The results are shown in Table 3.
  • Example 5 A conductive optical sheet was produced in the same manner as in Example 1 except that the average film thickness of the IZO film was set to 30 nm.
  • Example 14 An IZO film having an average film thickness of 30 nm was formed on the surface of a smooth acrylic sheet by sputtering to produce a conductive optical sheet.
  • Example 6 A conductive optical sheet was produced in the same manner as in Example 5 except that the average film thickness of the IZO film was changed to 20 nm.
  • Example 21 An optical sheet was produced in the same manner as in Example 6 except that the film formation of the IZO film was omitted.
  • Example 7) The concavity and convexity relationship with Comparative Example 6 was reversed.
  • a conductive optical sheet was manufactured by setting the average film thickness of the IZO film to 30 nm. Except for this point, in the same manner as in Comparative Example 6, a conductive optical sheet having a plurality of concave structures (structures of reverse pattern) formed on the surface was produced.
  • Example 6 the average film thickness of the IZO film on the bottom of the concave structure and the top between the concave structures is very large compared to the average film thickness of the other parts. I found that In particular, it was found that the average film thickness was extremely thick at the top portion. Because of such a film formation state, as shown in FIG. 44A, the change in reflectance also exhibits a complicated behavior and tends to rise.
  • FIG. 45A is a diagram for explaining the filling factor when the structures are arranged in a hexagonal lattice. As shown in FIG.
  • FIG. 45B is a diagram for describing the filling factor when the structures are arranged in a square grid shape. As shown in FIG.
  • the filling rate of the bottom is 65% or more.
  • the ratio ((2r / P1) ⁇ 100) is 90% or more, the average reflectance R becomes R ⁇ 0.3% in the visible wavelength range, and a higher performance anti-reflection effect can be obtained.
  • the filling rate at the bottom is 73% or more, and the upper limit is 100%, and the higher the filling rate, the better the performance.
  • the structure height is considered to be the height from the lowest position.
  • the tendency of the filling factor and the reflectance was similar also in the square lattice.
  • the average height H, the average arrangement pitch P, and the average aspect ratio of the conductive sheet structures were determined as follows.
  • the average arrangement pitch P, the average height H, and the aspect ratio (H / P) were determined as follows. First, the conductive sheet was cut so as to include the top of the structure, and the cross section was photographed with a transmission electron microscope (TEM). Next, the arrangement pitch P of the structures and the height H of the structures were determined from the photographed TEM photographs. This measurement was repeated at 10 points randomly selected from the conductive sheet, and the measured values were simply averaged (arithmetic average) to obtain an average arrangement pitch P and an average height H.
  • TEM transmission electron microscope
  • the aspect ratio (H / P) was determined using the average arrangement pitch P and the average height H.
  • the film thickness of the ITO film was determined as follows. First, the conductive sheet is cut to include the top of the structure, and the cross section is taken with a transmission electron microscope (TEM), and the thickness of the ITO film on the top of the structure is measured from the photographed TEM photograph did. These measurements were repeated at 10 points randomly selected from the conductive sheet, and the measured values were simply averaged (arithmetic average) to determine the average film thickness.
  • TEM transmission electron microscope
  • the average wavelength ⁇ of the first wavefront and the second wavefront, the average width A of the vibrations of the first wavefront, the average width B of the vibrations of the second wavefront, the average ratio (A / ⁇ ) and The average ratio (B / ⁇ ) was determined as follows. First, the conductive sheet was cut in one direction so as to include the position where the width of vibration of the first wavefront or the second wavefront of the ITO film is maximized, and the cross section was photographed with a transmission electron microscope (TEM) .
  • TEM transmission electron microscope
  • the wavelength ⁇ of the first wavefront or the second wavefront, the width A of the oscillation of the first wavefront, and the width B of the oscillation of the second wavefront were determined from the photographed TEM photograph. This measurement was repeated at 10 points randomly selected from the ITO film.
  • the measured wavelength ⁇ of the first wavefront and the second wavefront, the width A of the vibration of the first wavefront, and the width B of the vibration of the second wavefront are simply averaged (arithmetic average), respectively The average wavelength ⁇ of the first wave front and the second wave front, the average width A of the vibration of the first wave front, and the average width B of the vibration of the second wave front were determined.
  • the cross-sectional shape of the second wavefront is a cross-sectional shape when the conductive element is cut in one direction so as to include the position at which the width of vibration of the second wavefront of the ITO film is maximum.
  • the simulation was performed in the same manner as in Example 1-1 except that the following simulation conditions were changed, to determine the wavelength dependency of the reflectance. The results are shown in FIG.
  • Example 1-3 The simulation was performed in the same manner as in Example 1-1 except that the following simulation conditions were changed, to determine the wavelength dependency of the reflectance. The results are shown in FIG.
  • Example 2-3 The simulation was performed under the same conditions as in Example 2-1 except that the thickness d of the ITO film was set to 50 nm, and the wavelength dependency of the reflectance was determined.
  • FIG. (Comparative example 2-1) A simulation is performed under the same conditions as in Example 2-1 except that a structure is not set on the resin layer, and a flat surface is provided, and an ITO film is provided on the flat surface, and the wavelength dependence of the reflectance is I asked for sex.
  • the results are shown in FIG. The following can be understood from FIG. When the thickness of the ITO film is in the range of 10 nm to 50 nm, sufficient anti-reflection can be obtained in the visible range.
  • the reflectance can be suppressed to 1.5% or less in the visible region (450 nm to 750 nm).
  • the reflectance can be significantly reduced as compared to the layer configuration in which the ITO film is sandwiched between the flat surfaces of the resin layer.
  • the reflectance on the short wavelength side of the visible range can be reduced.
  • Example 3-1 The wavelength dependency of the reflectance of the conductive element was determined by RCWA simulation. The results are shown in FIG. The conditions of simulation are shown below.
  • Example 3-1 The simulation was performed under the same conditions as in Example 3-1 except that the thickness d of the ITO film was set to 0 nm, and the wavelength dependency of the reflectance was determined.
  • the results are shown in FIG. The following can be understood from FIG.
  • Example 4-1 a glass roll master having an outer diameter of 126 mm was prepared, and a resist layer was formed on the surface of this glass roll master as follows. That is, the resist layer was formed by diluting the photoresist to 1/10 with a thinner and applying this diluted resist to a cylindrical surface of a glass roll master by dipping to a thickness of about 70 nm. Next, the glass roll master as a recording medium is conveyed to the roll master exposure device shown in FIG. 58, and the resist layer is exposed to form one spiral, and six adjacent tracks between adjacent three tracks.
  • a latent image forming a grid pattern was patterned on the resist layer.
  • a concave hexagonal exposure pattern is irradiated by irradiating a laser beam having a power of 0.50 mW / m for exposing the surface of the glass roll master to the area where the hexagonal exposure pattern is to be formed. Formed.
  • the thickness of the resist layer in the row direction of the track row was about 60 nm, and the thickness of the resist in the track extending direction was about 50 nm.
  • the resist layer on the glass roll master was subjected to development treatment, and the resist layer in the exposed part was dissolved and developed.
  • an undeveloped glass roll master is placed on the turntable of a developing machine (not shown), the developer is dropped onto the surface of the glass roll master while rotating the entire turntable, and the resist layer on the surface is developed. did.
  • a resist glass master having a resist layer opened in a hexagonal lattice pattern was obtained.
  • CHF 3 Plasma etching was performed in a gas atmosphere.
  • etching proceeds only in the portion of the hexagonal lattice pattern exposed from the resist layer, and in the other areas, the resist layer becomes a mask and etching is not performed. It was formed on the master.
  • the etching amount (depth) was adjusted by the etching time.
  • O 2 By completely removing the resist layer by ashing, a moth-eye glass roll master having a concave hexagonal grid pattern was obtained. The depth of the recess in the row direction was deeper than the depth of the recess in the track extension direction.
  • the moth-eye glass roll master and a TAC (triacetyl cellulose) sheet coated with an ultraviolet curable resin were brought into close contact, and peeled while being irradiated with ultraviolet light and cured. Thereby, an optical sheet in which a plurality of structures were arranged on one principal surface was obtained.
  • an ITO film having an average film thickness of 30 nm on the top of the structure was formed on the entire surface of the TAC sheet on which a large number of structures were formed by sputtering.
  • a TAC sheet was attached to the ITO film via an adhesive.
  • the average arrangement pitch P of the structures of the optical sheet obtained as described above was 270 nm
  • the average height H was 170 nm
  • the average aspect ratio was 0.63.
  • the wavelength ⁇ of the ITO film is 270 nm
  • the width A of the vibration of the first wavefront of the ITO film is 170 nm
  • the width B of the second wavefront of the ITO film is 170 to 180 nm
  • the ratio (A / ⁇ ) is 0.
  • the ratio (B / ⁇ ) was 0.63 to 0.67.
  • the target conductive sheet was produced.
  • a conductive sheet was produced in the same manner as in Example 4-1 except that the average film thickness of the ITO film was set to 20 nm.
  • An optical sheet was produced in the same manner as in Example 4-1 except that the formation of the ITO film was omitted.
  • Comparative Example 4-3) A conductive sheet was produced in the same manner as in Example 4-1 except that the step of applying the ultraviolet curable resin to form the structure was omitted, and the ITO film was formed directly on the flat surface of the TAC film.
  • Example 4-1 in which the ITO film is formed on the structure and in Comparative Example 4-1 Comparative Example 4-2 in which the ITO film is formed on the flat surface of the TAC sheet in the visible range of 400 nm to 800 nm. In comparison, the reflectance can be reduced.
  • Example 4-1 in which the ITO film is formed on the structure, and Comparative Example 4-1 almost the same as Comparative Example 4-1 in which the ITO film is not formed on the structure within the visible range of 400 nm to 800 nm. Similar reflectivity is obtained. From this result, when the ITO film is formed in a predetermined wiring pattern by forming the ITO film in a structural form, the difference in reflectance between the portion with the wiring pattern and the portion without the wiring pattern is obtained.
  • Example 5-1 a TAC sheet on which a moth-eye structure was formed was prepared in the same manner as in Example 4-1 except that the conditions of the exposure step and the etching step were adjusted and the structure of the structure was as shown in Table 10. Obtained. Next, an ITO film having an average film thickness of 30 nm was formed on the entire surface of the TAC sheet on which a large number of structures were formed by sputtering. By the above, the conductive sheet in which the surface on which the moth-eye structure was formed was exposed without being covered by the resin layer was produced.
  • Example 5-2 A conductive sheet was produced in the same manner as in Example 5-1 except that the average film thickness of the ITO film was 40 nm.
  • Example 5-3 A conductive sheet was produced in the same manner as in Example 5-1 except that the average film thickness of the ITO film was 50 nm.
  • Example 5-4 A conductive sheet was produced in the same manner as in Example 5-1 except that the average film thickness of the ITO film was set to 60 nm.
  • An optical sheet was produced in the same manner as in Example 5-1 except that the formation of the ITO film was omitted.
  • Example 6-1 A conductive sheet is prepared in the same manner as Example 5-1 except that the conditions of the exposure step and the etching step are adjusted, and the structure of the structure is as shown in Table 2 and the average film thickness of the ITO film is 30 nm. Was produced.
  • Example 6-2 A conductive sheet was produced in the same manner as in Example 6-1 except that the average film thickness of the ITO film was 40 nm.
  • Example 6-3 A conductive sheet was produced in the same manner as in Example 6-1 except that the average film thickness of the ITO film was 50 nm.
  • Example 6-4 A conductive sheet was produced in the same manner as in Example 6-1 except that the average film thickness of the ITO film was 60 nm.
  • Example 6-1 An optical sheet was produced in the same manner as in Example 6-1 except that the formation of the ITO film was omitted.
  • Example 7-1 A conductive sheet is prepared in the same manner as Example 5-1 except that the conditions of the exposure step and the etching step are adjusted, and the structure of the structure is as shown in Table 10, and the average film thickness of the ITO film is 30 nm. Was produced.
  • Example 7-2 A conductive sheet was produced in the same manner as in Example 7-1 except that the average film thickness of the ITO film was 40 nm.
  • Example 7-3 A conductive sheet was produced in the same manner as in Example 7-1 except that the average film thickness of the ITO film was 50 nm.
  • Example 7-4 A conductive sheet was produced in the same manner as in Example 7-1 except that the average film thickness of the ITO film was 60 nm.
  • An optical sheet was produced in the same manner as in Example 7-1 except that the formation of the ITO film was omitted.
  • Comparative example 8-1) A conductive sheet is prepared in the same manner as Example 5-1 except that the conditions of the exposure step and the etching step are adjusted, and the structure of the structure is as shown in Table 10, and the average film thickness of the ITO film is 30 nm. Was produced.
  • Example 8-1) A conductive sheet was produced in the same manner as in Comparative Example 8-1 except that the average film thickness of the ITO film was set to 40 nm.
  • Example 8-2 A conductive sheet was produced in the same manner as in Comparative Example 8-1 except that the average film thickness of the ITO film was 50 nm.
  • Example 8-3 A conductive sheet was produced in the same manner as in Comparative Example 8-1 except that the average film thickness of the ITO film was 60 nm.
  • Example 8-2 An optical sheet was produced in the same manner as in Comparative Example 8-1 except that the formation of the ITO film was omitted.
  • Comparative example 9-1) A conductive sheet is prepared in the same manner as Example 5-1 except that the conditions of the exposure step and the etching step are adjusted, and the structure of the structure is as shown in Table 10, and the average film thickness of the ITO film is 30 nm. Was produced.
  • Example 9-1 A conductive sheet was produced in the same manner as in Comparative Example 9-1 except that the average film thickness of the ITO film was 40 nm.
  • Example 9-2 A conductive sheet was produced in the same manner as in Comparative Example 9-1 except that the average film thickness of the ITO film was 50 nm.
  • Example 9-3 A conductive sheet was produced in the same manner as in Comparative Example 9-1 except that the average film thickness of the ITO film was 60 nm.
  • Comparative Example 9-2 An optical sheet was produced in the same manner as in Comparative Example 9-1 except that the formation of the ITO film was omitted.
  • Example 10-1 A conductive sheet is prepared in the same manner as Example 5-1 except that the conditions of the exposure step and the etching step are adjusted, and the structure of the structure is as shown in Table 10, and the average film thickness of the ITO film is 30 nm.
  • Example 10-1 A conductive sheet was produced in the same manner as in Comparative Example 10-1 except that the average film thickness of the ITO film was set to 40 nm.
  • Example 10-2 A conductive sheet was produced in the same manner as in Comparative Example 10-1 except that the average film thickness of the ITO film was 50 nm.
  • Example 10-3 A conductive sheet was produced in the same manner as in Comparative Example 10-1 except that the average film thickness of the ITO film was 60 nm.
  • Example 11-3 A conductive sheet was produced in the same manner as in Example 11-2 except that the structures shown in Table 10 were formed.
  • Comparative example 11-2 A single layer glass was prepared.
  • Table 10 shows the configurations of the conductive sheets of the above-described Examples and Comparative Examples, and the optical sheets thereof. ⁇ 10. Examination of resistance characteristics by sample preparation> (Examples 12-1 to 12-3, comparative examples 12-1 to 12-3) The conditions of the exposure step and the etching step were adjusted to form a structure shown in Table 11, and a conductive sheet was produced in the same manner as in Example 4-1 except that the average film thickness of the ITO film was 30 nm. .
  • Examples 13-1 to 13-4 A conductive sheet was produced in the same manner as in Example 12-1 except that the average film thickness of the ITO film was changed to 30 nm, 40 nm, 50 nm, and 60 nm.
  • Examples 14-1 to 14-4) A conductive sheet was produced in the same manner as in Example 12-2 except that the average film thickness of the ITO film was 30 nm, 40 nm, 50 nm, and 60 nm.
  • Examples 15-1 to 15-4) A conductive sheet was produced in the same manner as in Example 12-3 except that the average film thickness of the ITO film was changed to 30, 40, 50, and 60 nm.
  • Examples 16-1 to 16-3, Comparative Example 16-1 A conductive sheet was produced in the same manner as in Comparative Example 12-1 except that the average film thickness of the ITO film was changed to 30 nm, 40 nm, 50 nm, and 60 nm.
  • Examples 17-1 to 17-3, Comparative Example 17-1) A conductive sheet was produced in the same manner as in Comparative Example 12-3 except that the average film thickness of the ITO film was changed to 30 nm, 40 nm, 50 nm, and 60 nm.
  • Example 18-1 to 18-3 Comparative Example 18-1
  • a conductive sheet was produced in the same manner as in Comparative Example 12-2 except that the average film thickness of the ITO film was changed to 30 nm, 40 nm, 50 nm, and 60 nm.
  • Examples 19-1 to 19-4 A conductive sheet was produced in the same manner as in Example 12-2 except that the average film thickness of the ITO film was 30 nm, 40 nm, 50 nm, and 60 nm.
  • Table 11 shows the configurations of the conductive sheets of Examples 12-1 to 19-4.
  • Example 20-1 First, the conditions of the exposure step and the etching step were adjusted, and as shown in Table 12, the design of the structure was changed, except that a clear hard-coated PET sheet having a thickness of 127 ⁇ m was used as a substrate, It carried out similarly to Example 1-1, and obtained the PET sheet in which the moth-eye structure was formed. Next, an ITO film having an average film thickness of 36 nm was formed by sputtering on the uneven surface of the sheet made of a structure. The film formation conditions of the ITO film are shown below.
  • Example 20-3 A conductive sheet was obtained in the same manner as Example 20-1, except that the conditions of the exposure step and the etching step were adjusted, and the design of the structure was changed as shown in Table 12.
  • Example 20-4 Next, a conductive sheet was obtained in the same manner as in Example 20-3 except that the average film thickness of the ITO film was set to 75 nm.
  • Example 20-5 A conductive sheet was obtained in the same manner as Example 20-1, except that the conditions of the exposure step and the etching step were adjusted, and the design of the structure was changed as shown in Table 12.
  • Example 20-6 Next, a conductive sheet was obtained in the same manner as in Example 20-5 except that the average film thickness of the ITO film was changed to 75 nm.
  • Example 20-7 A conductive sheet was obtained in the same manner as Example 20-1, except that the conditions of the exposure step and the etching step were adjusted, and the design of the structure was changed as shown in Table 12.
  • Example 20-8 A conductive sheet was obtained in the same manner as in Example 20-7 except that a structure was formed by thermal transfer onto Zeonor Film (registered trademark) having a thickness of 100 ⁇ m, and that the average film thickness of the ITO film was 80 nm. .
  • Example 20-9 The conditions of the exposure step and the etching step were adjusted, and the design of the structure was changed as shown in Table 12.
  • a PET sheet with a thickness of 100 ⁇ m was used as a base, and an average film thickness of 30 nm as a transparent conductive film.
  • a conductive sheet was obtained in the same manner as in Example 20-1 except that the IZO film was formed.
  • a conductive sheet was produced in the same manner as in Example 20-1 except that the step of applying the ultraviolet curable resin to form the structure was omitted, and the ITO film was directly formed on the flat surface of the PET sheet.
  • Comparative example 20-2 A step of forming a structure by applying an ultraviolet curing resin was omitted, and a conductive sheet was produced in the same manner as in Example 20-2 except that an ITO film was directly formed on the flat surface of a PET sheet.
  • the spectral reflection characteristics of the conductive sheet produced as described above were measured as follows. First, a black tape was attached to the back surface of the conductive sheet on which a large number of structures or ITO films were formed. Next, the spectral reflection characteristics and the spectral transmission characteristics of the conductive sheet when light is made incident from the surface opposite to the side where the black tape is laminated, are evaluated using an evaluation device (V-550) manufactured by JASCO Corporation. It asked using. The results are shown in FIGS. 81A to 82B. (Evaluation of crystallinity) The crystallinity of the conductive sheets of Comparative Examples 20-7, 20-9, and 20-1 was evaluated by X-ray diffraction (XRD).
  • XRD X-ray diffraction
  • the surface resistance and the film thickness were measured and calculated by the following equation.
  • R (surface resistance) ((specific resistance) / d (thickness)
  • the film thickness on a flat plate was measured by a stylus type step difference meter or AFM, and converted from the dynamic rate.
  • AFM stylus type step difference meter
  • alpha step manufactured by Tencor Corporation was used.
  • the specific resistance when a transparent conductive film is formed on a structure can be roughly estimated as follows. First, the profile of the structure is confirmed by the cross-sectional TEM, or the cross-sectional SEM, AFM, and the surface area is calculated therefrom. Moreover, the average film thickness is converted from the cross-sectional observation image also for the thickness of the conductive film.
  • Tables 12 and 13 show the configurations of the conductive sheets of Examples 20-1 to 20-9 and Comparative Examples 20-1 to 20-2. From FIGS. 81A and 81B, it can be seen that, when the transparent conductive film is formed on the concavo-convex structure made of the structure, superior antireflection characteristics can be obtained as compared to the case where the transparent conductive film is formed on the plane of the sheet. . From FIGS. 81A and 81B, it can be seen that, when the transparent conductive film is formed on the concavo-convex structure made of the structure, superior antireflection characteristics can be obtained as compared to the case where the transparent conductive film is formed on the plane of the sheet. . From FIGS.
  • the conductive element may be manufactured by thermal transfer. Specifically, a substrate mainly composed of a thermoplastic resin is heated, and a stamp (mold) such as a roll-shaped master or a disk-shaped master is pressed against the substrate which is sufficiently softened by the heating. A method of manufacturing a conductive element may be used.

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Abstract

導電性光学素子は、表面を有する基体と、基体の表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された、錐体形状の凸部または凹部である構造体と、構造体上に形成された透明導電膜とを備える。構造体のアスペクト比は０．２以上１．３以下であり、透明導電膜は構造体に倣った表面を有し、構造体の頂部における透明導電膜の平均膜厚Ｄｍ１が、８０ｎｍ以下であり、透明導電膜の表面抵抗は、５０Ω／□以上５００Ω／□以下の範囲である。

Description

導電性光学素子、タッチパネル、情報入力装置、表示装置、太陽電池、および導電性光学素子作製用原盤
　本発明は、導電性光学素子、タッチパネル、情報入力装置、表示装置、太陽電池、および導電性光学素子作製用原盤に関する。詳しくは、透明導電膜が基体の一主面に形成された導電性光学素子に関する。
　近年、モバイル機器や携帯電話機器などが備える液晶表示素子などの表示装置上には、情報を入力するための抵抗膜式タッチパネルが配置されるようになっている。
　抵抗膜式タッチパネルは、２つの透明導電性フィルムがアクリル樹脂などの絶縁材料からなるスペーサを介して対向配置された構造を有する。透明導電性フィルムは、タッチパネルの電極として機能するものであり、高分子フィルムなどの透明性を有する基材と、この基材上に形成された、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）などの高屈折率の材料（例えば１．９~２．１程度）からなる透明導電膜とを備える。
　抵抗膜式タッチパネル用としての透明導電性フィルムには、例えば３００Ω／□~５００Ω／□程度の所望の表面抵抗値が求められている。また、透明導電性フィルムには、抵抗膜式タッチパネルが配置される液晶表示素子などの表示装置の表示品質の劣化を避けるため、高い透過率が求められている。
　所望の表面抵抗値を実現するためには、透明導電性フィルムを構成する透明導電膜を例えば２０ｎｍ~３０ｎｍ程度まで厚くする必要がある。しかしながら、高屈折率の材料である透明導電膜を厚くすると、透明導電膜と基材との界面における外光の反射が増加し、透明導電性フィルムの透過率が低下してしまうため、表示装置の品質の劣化が生じる問題がある。
　この問題を解決するために、例えば特開２００３−１３６６２５号公報では、基材と透明導電膜との間に反射防止膜を設けたタッチパネル用の透明導電性フィルムが提案されている。この反射防止膜は、屈折率の異なる複数の誘電体膜を順次積層して形成されている。
　しかしながら、上記公報に記載の透明導電性フィルムでは、反射防止膜の反射機能に波長依存があるため、透明導電性フィルムの透過率に波長分散が生じてしまい、広範囲の波長で高透過率を実現することが困難である。
　したがって、本発明の目的は、導電性光学素子、タッチパネル、情報入力装置、表示装置、太陽電池、および導電性光学素子作製用原盤を提供することにある。
　上述の課題を解決するために、この発明は、
　表面を有する基体と、
　基体の表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された、錐体形状の凸部または凹部である構造体と、
　構造体上に形成された透明導電膜と、
を備え、
　構造体のアスペクト比は０．２以上１．３以下であり、
　透明導電膜は構造体に倣った表面を有し、
　構造体の頂部における透明導電膜の平均膜厚Ｄｍ１が、８０ｎｍ以下であり、
　透明導電膜の表面抵抗は、５０Ω／□以上５００Ω／□以下の範囲である導電性光学素子である。
　この発明において、主構造体を四方格子状または準四方格子状に周期的に配置することが好ましい。ここで、四方格子とは、正四角形状の格子のことをいう。準四方格子とは、正四角形状の格子とは異なり、歪んだ正四角形状の格子のことをいう。
　例えば、構造体が直線上に配置されている場合には、準四方格子とは、正四角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませた四方格子のことをいう。構造体が蛇行して配列されている場合には、準四方格子とは、正四角形状の格子を構造体の蛇行配列により歪ませた四方格子をいう。または、正四角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませ、かつ、構造体の蛇行配列により歪ませた四方格子のことをいう。
　この発明において、構造体を六方格子状または準六方格子状に周期的に配置することが好ましい。ここで、六方格子とは、正六角形状の格子のことをいう。準六方格子とは、正六角形状の格子とは異なり、歪んだ正六角形状の格子のことをいう。
　例えば、構造体が直線上に配置されている場合には、準六方格子とは、正六角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませた六方格子のことをいう。構造体が蛇行して配列されている場合には、準六方格子とは、正六角形状の格子を構造体の蛇行配列により歪ませた六方格子をいう。または、正六角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませ、かつ、構造体の蛇行配列により歪ませた六方格子のことをいう。
　この発明において、楕円には、数学的に定義される完全な楕円のみならず、多少の歪みが付与された楕円も含まれる。円形には、数学的に定義される完全な円（真円）のみならず、多少の歪みが付与された円形も含まれる。
　この発明において、同一トラック内における構造体の配置ピッチＰ１は、隣接する２つのトラック間における構造体の配置ピッチＰ２よりも長いことが好ましい。このようにすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体の充填率を向上することができるので、反射防止特性を向上することができる。
　この発明において、各構造体が、基体表面において六方格子パターン、または準六方格子パターンを形成している場合には、同一トラック内における構造体の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体の配置ピッチをＰ２としたとき、比率Ｐ１／Ｐ２が、好ましくは１．００≦Ｐ１／Ｐ２≦１．２、または１．００＜Ｐ１／Ｐ２≦１．２、より好ましくは１．００≦Ｐ１／Ｐ２≦１．１、または１．００＜Ｐ１／Ｐ２≦１．１の関係を満たすことが好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体の充填率を向上することができるので、反射防止特性を向上することができる。
　この発明において、各構造体が、基体表面において六方格子パターン、または準六方格子パターンを形成している場合には、各構造体は、トラックの延在方向に長軸方向を有し、中央部の傾きが先端部および底部の傾きよりも急峻に形成された楕円錐または楕円錐台形状であることが好ましい。このような形状にすることで、反射防止特性および透過特性を向上することができる。
　この発明において、各構造体が、基体表面において六方格子パターン、または準六方格子パターンを形成している場合には、トラックの延在方向における構造体の高さまたは深さは、トラックの列方向における構造体の高さまたは深さよりも小さいことが好ましい。このような関係を満たさない場合には、トラックの延在方向の配置ピッチを長くする必要が生じるため、トラックの延在方向における構造体の充填率が低下する。このように充填率が低下すると、反射特性の低下を招くことになる。
　この発明において、構造体が、基体表面において四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成している場合には、同一トラック内における構造体の配置ピッチＰ１は、隣接する２つのトラック間における構造体の配置ピッチＰ２よりも長いことが好ましい。このようにすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体の充填率を向上することができるので、反射防止特性を向上することができる。
　構造体が、基体表面において四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成している場合には、同一トラック内における構造体の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体の配置ピッチをＰ２としたとき、比率Ｐ１／Ｐ２が、１．４＜Ｐ１／Ｐ２≦１．５の関係を満たすことが好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体の充填率を向上することができるので、反射防止特性を向上することができる。
　構造体が、基体表面において四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成している場合には、各構造体は、トラックの延在方向に長軸方向を有し、中央部の傾きが先端部および底部の傾きよりも急峻に形成された楕円錐または楕円錐台形状であることが好ましい。このような形状にすることで、反射防止特性および透過特性を向上することができる。
　構造体が、基体表面において四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成している場合には、トラックに対して４５度方向または約４５度方向における構造体の高さまたは深さは、トラックの列方向における構造体の高さまたは深さよりも小さいことが好ましい。このような関係を満たさない場合には、トラックに対して４５度方向または約４５度方向における配置ピッチを長くする必要が生じるため、トラックに対して４５度方向または約４５度方向における構造体の充填率が低下する。このように充填率が低下すると、反射特性の低下を招くことになる。
　本発明に係る導電性光学素子は、抵抗膜式タッチパネルおよび静電容量式タッチパネルなどの情報入力素子、電子ペーパー、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）表示素子、および液晶表示素子などの表示素子、太陽電池、電磁ノイズ除去シート、光源などに適用して好適なものである。本発明に係る導電性基材を太陽電池に適用する場合、具体的には例えば、色素増感太陽電池の光電極または対極に用いられる導電性基材などに適用可能であるが、本発明の導電性基材の適用例はこれに限定されるものではなく、導電性基材などを用いる種々の太陽電池に対して適用可能である。
　本発明では、微細ピッチで基体表面に多数配設けられた構造体が、複数列のトラックをなしていると共に、隣接する３列のトラック間において、六方格子パターン、準六方格子パターン、四方格子パターンまたは準四方格子パターンをなしていることが好ましい。このようにすることで、表面における構造体の充填密度を高くすることができ、これにより可視光などの反射防止効率を高め、反射防止特性に優れ、透過率の高い導電性光学素子を得ることができる。
　また、光ディスクの原盤作製プロセスとエッチングプロセスとを融合した方法を用いて光学素子を作製した場合には、光学素子作製用原盤を短時間で効率良く製造することができるとともに基体の大型化にも対応でき、これにより、光学素子の生産性の向上を図ることができる。また、構造体の微細配列を光入射面だけでなく光出射面にも設けた場合には、透過特性をより一層向上させることができる。
　以上説明したように、本発明によれば、優れた反射防止性を有する導電性光学素子を実現できる。
　図１Ａは、本発明の第１の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図１Ｂは、図１Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図１Ｃは、図１ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図１Ｄは、図１ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図１Ｅは、図１ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。図１Ｆは、図１ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。
　図２は、図１Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す斜視図である。
　図３Ａは、図１Ａに示した導電性光学素子のトラック延在方向の断面図である。図３Ｂは、図１Ａに示した導電性光学素子１のθ方向の断面図である。
　図４は、図１Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す斜視図である。
　図５は、図１Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す斜視図である。
　図６は、図１Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す斜視図である。
　図７は、構造体の境界が不明瞭な場合の構造体底面の設定方法について説明するための図である。
　図８Ａ~図８Ｄは、構造体の底面の楕円率を変化させたときの底面形状を示す図である。
　図９Ａは、円錐形状または円錐台形状を有する構造体の配置の一例を示す図である。図９Ｂは、楕円錐形状または楕円錐台形状を有する構造体の配置の一例を示す図である。
　図１０Ａは、導電性光学素子を作製するためのロールマスタの構成の一例を示す斜視図である。図１０Ｂは、図１０Ａに示したロールマスタの一部を拡大して表す平面図である。
　図１１は、ロール原盤露光装置の構成の一例を示す概略図である。
　図１２Ａ~図１２Ｃは、本発明の第１の実施形態による導電性光学素子の製造方法を説明するための工程図である。
　図１３Ａ~図１３Ｃは、本発明の第１の実施形態による導電性光学素子の製造方法を説明するための工程図である。
　図１４Ａ~図１４Ｂは、本発明の第１の実施形態による導電性光学素子の製造方法を説明するための工程図である。
　図１５Ａは、本発明の第２の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図１５Ｂは、図１５Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図１５Ｃは、図１５ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図１５Ｄは、図１５ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図１５Ｅは、図１５ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。図１５Ｆは、図１５ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。
　図１６は、構造体の底面の楕円率を変化させたときの底面形状を示す図である。
　図１７Ａは、導電性光学素子を作製するためのロールマスタの構成の一例を示す斜視図である。図１７Ｂは、図１７Ａに示したロールマスタの一部を拡大して表す平面図である。
　図１８Ａは、本発明の第３の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図１８Ｂは、図１８Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図１８Ｃは、図１８ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図１８Ｄは、図１８ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。
　図１９Ａは、導電性光学素子を作製するためのディスクマスタの構成の一例を示す平面図である。図１９Ｂは、図１９Ａに示したディスクマスタの一部を拡大して表す平面図である。
　図２０は、ディスク原盤露光装置の構成の一例を示す概略図である。
　図２１Ａは、本発明の第４の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図２１Ｂは、図２１Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。
　図２２Ａは、本発明の第５の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図２２Ｂは、図２２Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図２２Ｃは、図２２ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図２２Ｄは、図２２ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。
　図２３は、図２２Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す斜視図である。
　図２４Ａは、本発明の第６の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図２４Ｂは、図２４Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図、図２４Ｃは、図２４ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図２４Ｄは、図２４ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。
　図２５は、図２４Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す斜視図である
　図２６は、本発明の第６の実施形態に係る導電性光学素子の屈折率プロファイルの一例を示すグラフである。
　図２７は、構造体の形状の一例を示す断面図である。
　図２８Ａ~図２８Ｃは、変化点の定義を説明するための図である。
　図２９は、本発明の第７の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す断面図である。
　図３０は、第８の実施形態に係る導電性光学素子の製造方法に用いる熱転写成形装置の一構成例を示す模式図である。
　図３１Ａは、本発明の第９の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。図３１Ｂは、本発明の第９の実施形態に係るタッチパネルの構成の変形例を示す断面図である。
　図３２Ａは、本発明の第１０の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す斜視図である。図３２Ｂは、本発明の第１０の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。
　図３３は、本発明の第１１の実施形態に係る液晶表示装置の構成の一例を示す断面図である。
　図３４Ａは、本発明の第１２の実施形態に係るタッチパネルの構成の第１の例を示す斜視図である。図３４Ｂは、本発明の第１２の実施形態に係るタッチパネルの構成の第２の例を示す断面図である。
　図３５Ａは、比較例１~５の反射特性を示すグラフである。図３５Ｂは、比較例１~５の透過特性を示すグラフである。
　図３６Ａは、実施例１、２、比較例６、７におけるアスペクト比と表面抵抗との関係を示すグラフである。図３６Ｂは、実施例１、２、比較例６、７における構造体高さと表面抵抗との関係を示すグラフである。
　図３７Ａは、実施例１、２、比較例６、７の透過特性を示すグラフである。図３７Ｂは、実施例１、２、比較例６、７の反射特性を示すグラフである。
　図３８Ａは、実施例１、比較例９の透過特性を示すグラフである。図３８Ｂは、実施例１、比較例９の反射特性を示すグラフである。
　図３９Ａは、比較例６、８の透過特性を示すグラフである。図３９Ｂは、比較例６、８の反射特性を示すグラフである。
　図４０Ａは、実施例３、４、比較例１１、１２の透過特性を示すグラフである。図４０Ｂは、実施例３、４、比較例１１、１２の反射特性を示すグラフである。
　図４１は、実施例５、比較例１３~１６の透過特性を示すグラフである。
　図４２Ａは、比較例１７、１８の導電性光学シートの透過特性を示すグラフである。図４２Ｂは、比較例１７、１８の導電性光学シートの反射特性を示すグラフである。
　図４３Ａは、比較例１９、２０の反射特性を示すグラフである。図４３Ｂは、実施例６、比較例２１の反射特性を示すグラフである。
　図４４Ａは、実施例７、比較例２２の反射特性を示すグラフである。図４４Ｂは、実施例８、比較例２３の反射特性を示すグラフである。
　図４５Ａは、構造体を六方格子状に配列したときの充填率を説明するための図である。図４５Ｂは、構造体を四方格子状に配列したときの充填率を説明するための図である。
　図４６は、試験例３のシミュレーション結果を示すグラフである。
　図４７は、凸部である構造体上に形成された透明導電膜の平均膜厚Ｄｍ１、Ｄｍ２、Ｄｍ３の求め方を説明するための略線図である。
　図４８Ａは、本発明の第１３の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。図４８Ｂは、図４８Ａに示した配線領域Ｒ１を拡大して表す拡大断面図である。図４８Ｃは、図４８Ａに示した非配線領域Ｒ２を拡大して表す拡大断面図である。
　図４９Ａは、本発明の第１３の実施形態に係るタッチパネルのより具体的な構成例を示す斜視図である。図４９Ｂは、第１の基材の一構成例を示す分解斜視図である。
　図５０Ａは、凸状の構造体が両主面に多数形成された第１の光学層の構成の一例を示す概略平面図である。図５０Ｂは、図５０Ａに示した第１の光学層の一部を拡大して表す平面図である。図５０Ｃは、図５０ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図５０Ｄは、図５０ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。
　図５１Ａは、図５０Ｂに示した第１の光学層のトラック延在方向の断面図である。図５１Ｂは、図５０Ｂに示した第１の光学層のθ方向の断面図である。
　図５２Ａは、図５０Ｂに示した構造体の第１の形状例を表す斜視図である。図５２Ｂは、図５０Ｂに示した構造体の第２の形状例を表す斜視図である。
　図５３Ａは、図５０Ｂに示した構造体の第３の形状例を表す斜視図である。図５３Ｂは、図５０Ｂに示した構造体の第４の形状例を表す斜視図である。
　図５４Ａは、円錐形状または円錐台形状を有する構造体の配置の一例を示す図である。図５４Ｂは、楕円錐形状または楕円錐台形状を有する構造体の配置の一例を示す図である。
　図５５Ａは、凹状の構造体が両主面に多数形成された第１の光学層の構成の一例を示す概略平面図である。図５５Ｂは、図５５Ａに示した導電性素子の一部を拡大して表す平面図である。図５５Ｃは、図５５ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図５５Ｄは、図５５ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。
　図５６は、図５５Ｂに示した導電性素子の一部を拡大して表す斜視図である。
　図５７Ａは、第１の光学層を作製するためのロール原盤の構成の一例を示す斜視図である。図５７Ｂは、図５７Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す平面図である。
　図５８は、ロール原盤露光装置の構成の一例を示す概略図である。
　図５９Ａ~図５９Ｃは、本発明の第１３の実施形態に係る導電性素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。
　図６０Ａ~図６０Ｃは、本発明の第１３の実施形態に係る導電性素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。
　図６１Ａ~図６１Ｂは、本発明の第１３の実施形態に係る導電性素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。
　図６２Ａは、第１３の実施形態に係る導電性素子のトラックの第１の変形例を示す平面図である。図６２Ｂは、第１３の実施形態に係る導電性素子のトラックの第２の変形例を示す平面図である。
　図６３は、第１３の実施形態に係る導電性素子の透明導電膜および凹凸形状の変形例を示す断面図である。
　図６４Ａは、本発明の第１４の実施形態に係る導電性素子の配線領域Ｒ１を拡大して表す拡大断面図である。図６４Ｂは、本発明の第１４の実施形態に係る導電性素子の非配線領域Ｒ２を拡大して表す拡大断面図である。
　図６５Ａは、本発明の第１５の実施形態に係る導電性素子の構成の一例を示す概略平面図である。図６５Ｂは、図６５Ａに示した導電性素子の一部を拡大して表す平面図である。図６５Ｃは、図６５ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図６５Ｄは、図６５ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。
　図６６Ａは、第１６の実施形態に係る導電性素子の第１の光学層の一例を示す概略平面図である。図６６Ｂは、図６６Ａに示した第１の光学層の一部を拡大して表す平面図である。
　図６７Ａは、本発明の第１７の実施形態に係る導電性素子の第１の光学層の構成の一例を示す概略平面図である。図６７Ｂは、図６７Ａに示した第１の光学層の一部を拡大して表す平面図である。図６７Ｃは、図６７Ｂに示したＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
　図６８は、本発明の第１８の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。
　図６９Ａは、本発明の第１９の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。図６９Ｂは、図６９Ａに示した配線領域を拡大して表す拡大断面図である。図６９Ｃは、図６９Ａに示した非配線領域を拡大して表す拡大断面図である。
　図７０は、本発明の第２０の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。図７０Ｂは、図７０Ａに示した配線領域を拡大して表す拡大断面図である。図７０Ｃは、図７０Ａに示した非配線領域を拡大して表す拡大断面図である。
　図７１は、実施例１−１~１−３、比較例１−１に係る導電性素子の反射特性を示すグラフである。
　図７２は、実施例２−１~２−３、比較例２−１に係る導電性素子の反射特性を示すグラフである。
　図７３は、実施例３−１、３−２に係る導電性素子、および比較例３−１に係る光学素子の反射特性を示すグラフである。
　図７４は、参考例１−１~１−３に係る導電性素子、および参考例１−４に係る光学素子の反射特性を示すグラフである。
　図７５は、実施例４−１、比較例４−１、４−３に係る導電性シート、および比較例４−２に係る光学シートの反射特性を示すグラフである。
　図７６Ａは、実施例５−１~５−４に係る導電性シート、および比較例５−１に係る光学シートの反射特性を示すグラフである。図７６Ｂは、実施例６−１~６−４に係る導電性シート、および比較例６−１に係る光学シートの反射特性を示すグラフである。
　図７７Ａは、実施例７−１~７−４に係る導電性シート、および比較例７−１に係る光学シートの反射特性を示すグラフである。図７７Ｂは、実施例８−１~８−３、比較例８−１に係る導電性シート、および比較例８−２に係る光学シートの反射特性を示すグラフである。
　図７８Ａは、実施例９−１~９−３、比較例９−１に係る導電性シート、および比較例９−２に係る光学シートの反射特性を示すグラフである。図７８Ｂは、実施例１０−１、１０−２、比較例１０−１に係る導電性シート、および比較例１０−２に係る光学シートの反射特性を示すグラフである。
　図７９は、実施例１１−１~１１−３、比較例１１−１に係る導電性シート、および比較例１１−２に係る光学シートの反射特性を示すグラフである。
　図８０Ａは、実施例１２−１~１２−３、比較例１２−１~１２−３に係る導電性シートの表面抵抗の特性を示すグラフである。図８０Ｂは、実施例１３−１~１８−３、比較例１６−１~１８−１の導電性シートの表面抵抗の特性を示すグラフである。図８０Ｃは、実施例１９−１~１９−４の導電性シートの表面抵抗の特性を示すグラフである。
　図８１Ａは、実施例２０−１、２０−５、２０−７、比較例２０−１の導電性シートの反射特性を示すグラフである。図８１Ｂは、実施例２０−２、実施例２０−４、比較例２０−２の導電性シートの反射特性を示すグラフである。
　図８２Ａは、実施例２０−８、比較例２０−１の導電性シートの反射特性を示すグラフである。図８２Ｂは、実施例２０−８、比較例２０−１の導電性シートの透過特性を示すグラフである。
　図８３は、実施例２０−７、２０−９、比較例２０−１の導電性シートのＸＲＤスペクトルを示すグラフである。
１　　光学素子
２　　基体
３　　構造体
４　　突出部
１１　　ロールマスタ
１２　　基体
１３　　構造体
１４　　レジスト層
１５　　レーザー光
１６　　潜像
２１　　レーザー
２２　　電気光学変調器
２３，３１　　ミラー
２４　　フォトダイオード
２６　　集光レンズ
２７　　音響光学変調器
２８　　コリメータレンズ
２９　　フォーマッタ
３０　　ドライバ
３２　　移動光学テーブル系
３３　　ビームエキスパンダ
３４　　対物レンズ
３５　　スピンドルモータ
３６　　ターンテーブル
３７　　制御機構
２０１　　光学層
２０２　　第１の光学層
２０２ａ　　第１の構造体
２０２ｂ　　第４の構造体
２０２ｃ　　基体
２０３　　第２の光学層
２０３ａ　　第２の構造体
２０４　　第３の光学層
２０４ａ　　第３の構造体
２０５　　第１の透明導電膜（Ｘ電極）
２０５ａ　　金属膜
２０６　　第２の透明導電膜（Ｙ電極）
２０６ａ　　金属膜
２０７　　貼合層
２０８　　光学シート
２１０　　タッチパネル
２１１　　導電性素子
２１２　　表示装置
３０１　　ロール原盤
３０２　　構造体
３０３　　レジスト層
３０４　　レーザー光
３０５　　潜像
　本発明の実施形態について図面を参照しながら以下の順序で説明する。
１．第１の実施形態（直線状でかつ六方格子状に構造体を２次元配列した例：図１参照）
２．第２の実施形態（直線状でかつ四方格子状に構造体を２次元配列した例：図１５参照）
３．第３の実施形態（円弧状でかつ六方格子状に構造体を２次元配列した例：図１８参照）
４．第４の実施形態（構造体を蛇行させて配列した例：図２１参照）
５．第５の実施形態（凹形状の構造体を基体表面に形成した例：図２２参照）
６．第６の実施形態（屈折率プロファイルをＳ字形状とした例：図２４参照）
７．第７の実施形態（導電性光学素子の両主面に構造体を形成した例：図２９参照）
８．第８の実施形態（熱転写により構造体を形成した例：図３０）
９．第９の実施形態（抵抗膜式タッチパネルに対する適用例：図３１Ａ、図３１Ｂ参照）
１０．第１０の実施形態（タッチパネルのタッチ面にハードコート層を形成した例：図３２Ａ、図３２Ｂ参照）
１１．第１１の実施形態（インナータッチパネルの例：図３３参照）
１２．第１２の実施形態（静電容量式タッチパネルに対する適用例：図３４Ａ、図３４Ｂ参照）
１３．第１３の実施形態（光学層内に２層の透明導電膜を備えた例：図４８参照）
１４．第１４の実施形態（光学層内に金属膜をさらに備えた例：図６４参照）
１５．第１５の実施形態（構造体を四方格子状に２次元配列した例：図６５参照）
１６．第１６の実施形態（２種以上の構造体を２次元配列した例：図６６参照）
１７．第１７の実施形態（構造体をランダムに配列した例：図６７参照）
１８．第１８の実施形態（光学層内に単層の透明導電膜を備えた例：図６８参照）
１９．第１９の実施形態（抵抗膜方式タッチパネルに対する適用例：図６９参照）
２０．第２０の実施形態（表示装置に対する適用例：図７０参照）
＜１．第１の実施形態＞
［導電性光学素子の構成］
　図１Ａは、本発明の第１の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図１Ｂは、図１Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図１Ｃは、図１ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図１Ｄは、図１ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図１Ｅは、図１ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。図１Ｆは、図１ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。図２、図４~図６は、図１Ａに示した導電性光学素子１の一部を拡大して表す斜視図である。図３Ａは、図１Ａに示した導電性光学素子のトラックの延在方向（Ｘ方向（以下、適宜トラック方向ともいう））の断面図である。図３Ｂは、図１Ａに示した導電性光学素子のθ方向の断面図である。
　導電性光学素子１は、対向する両主面を有する基体２と、反射の低減を目的とする光の波長以下の微細ピッチで一主面に配置された、凸部である複数の構造体３と、これらの構造体３上に形成された透明導電膜４とを備える。また、表面抵抗の低減の観点から、構造体３と透明導電膜４との間に金属膜（導電膜）５をさらに設けてもよい。この導電性光学素子１は、基体２を図２の−Ｚ方向に透過する光について、構造体３とその周囲の空気との界面における反射を防止する機能を有している。
　以下、導電性光学素子１に備えられる基体２、構造体３、透明導電膜４、および金属膜５について順次説明する。
　構造体３のアスペクト比（高さＨ／平均配置ピッチＰ）が、好ましくは０．２以上１．３以下、より好ましくは０．２以上１．０以下の範囲内である。透明導電膜４の平均膜厚は、９ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。構造体３のアスペクト比が０．２未満であり、透明導電膜４の平均膜厚が８０ｎｍを超えると、反射防止特性、および透過特性が低下する傾向にある。一方、構造体３のアスペクト比が１．３を超え、透明導電膜４の平均膜厚が９ｎｍ未満であると、構造体３の斜面が急峻になり、透明導電膜４の平均膜厚が薄くなるため、表面抵抗が上昇する傾向にある。すなわち、アスペクト比、および平均膜厚が上記数値範囲を満たすことで、幅広い範囲の表面抵抗（例えば５０Ω／□以上５００Ω／□以下）を得ることができ、かつ、優れた反射防止特性、および透過特性を得ることができる。ここで透明導電膜４の平均膜厚は、構造体３の頂部における透明導電膜４の平均膜厚Ｄｍ１である。
　また、構造体３のアスペクト比が、好ましくは０．２以上１．３以下、より好ましくは０．２以上１．０以下である。０．２未満であると、反射防止特性が劣化する傾向があり、１．３を超えると、斜面部傾斜が急峻となり膜厚が薄くなるため環境耐久性などで導電性が劣化する傾向がある。
　構造体３の頂部における透明導電膜４の平均膜厚をＤｍ１、構造体３の傾斜面における透明導電膜４の平均膜厚をＤｍ２、構造体間における透明導電膜４の平均膜厚をＤｍ３としたときに、Ｄｍ１＞Ｄｍ３＞Ｄｍ２の関係を満たすことが好ましい。構造体３の傾斜面の平均膜厚Ｄ２は、９ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。透明導電膜４の平均膜厚Ｄｍ１、Ｄｍ２、Ｄｍ３が上記関係を満たし、かつ透明導電膜４の平均膜厚Ｄｍ２が上記数値範囲を満たすことで、幅広い範囲の表面抵抗を得ることができ、かつ、優れた反射防止特性、および透過特性を得ることができる。なお、平均膜厚Ｄｍ１、Ｄｍ２、Ｄｍ３が上記関係を有しているか否かは、後述するように平均膜厚Ｄｍ１、Ｄｍ２、Ｄｍ３をそれぞれ求めることにより確認することができる。
　透明導電膜４が、構造体３の形状に倣った表面を有し、構造体３の頂部における透明導電膜４の平均膜厚Ｄ１が、８０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。透明導電膜４が、構造体３の形状に倣った表面を有し、構造体３の頂部における透明導電膜４の平均膜厚Ｄ１が、１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。８０ｎｍを超えると、反射防止特性が劣化する傾向がある。１０ｎｍ未満であると、所定の抵抗を実現するのが困難となる傾向がある。また、環境耐久性が低下する傾向がある。
　幅広い範囲の表面抵抗を得ることができ、かつ、優れた反射防止特性、および透過特性を得る観点からすると、構造体３の頂部における透明導電膜４の平均膜厚Ｄｍ１は、１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲内であり、構造体３の傾斜面における透明導電膜４の平均膜厚Ｄｍ２は、９ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲内であり、構造体間における透明導電膜４の平均膜厚Ｄｍ３は、９ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。
　図４７は、凸部である構造体上に形成された透明導電膜の平均膜厚Ｄｍ１、Ｄｍ２、Ｄｍ３の求め方を説明するための略線図である。以下、図４７を参照して、平均膜厚Ｄｍ１、Ｄｍ２、Ｄｍ３の求め方を説明する。
　まず、導電性光学素子１を構造体３の頂部を含むようにトラックの延在方向に切断し、その断面をＴＥＭにて撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、構造体３の頂部における透明導電膜４の膜厚Ｄ１を測定する。次に、構造体３の傾斜面の位置のうち、構造体３の半分の高さ（Ｈ／２）の位置の膜厚Ｄ２を測定する。次に、構造体間の凹部の位置のうち、その凹部の深さが最も深くなる位置の膜厚Ｄ３を測定する。次に、これらの膜厚Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３の測定を導電性光学素子１から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３を単純に平均（算術平均）して平均膜厚Ｄｍ１、Ｄｍ２、Ｄｍ３を求める。
　透明導電膜４の表面抵抗は、５０Ω／□以上４０００Ω／□以下の範囲であることが好ましく、より好ましくは５０Ω／□以上５００Ω／□以下の範囲内である。このような範囲の表面抵抗にすることで、種々の方式のタッチパネルの上部電極、または下部電極として透明導電性光学素子１を用いることができるからである。ここで、透明導電膜４の表面抵抗は、４端子測定（ＪＩＳ　Ｋ　７１９４）により求めたものである。
　透明導電膜４の比抵抗は、１×１０−３Ω・ｃｍ以下であることが好ましく、より好ましくは６×１０−４Ω・ｃｍ以下である。１×１０−３Ω・ｃｍ以下であると、上記表面抵抗範囲を実現することができるからである。
　構造体３の平均配置ピッチＰは、好ましくは１００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、より好ましくは１５０ｎｍ以上３２０ｎｍ以下の範囲内である。平均配置ピッチが１００ｎｍ未満であると、斜面部傾斜が急峻となり膜厚が薄くなるため環境耐久性等で導電性が劣化する傾向がある。一方、平均配置ピッチが３５０ｎｍを超えると、可視光の回折が生じる傾向がある。
　構造体３の高さ（深さ）Ｈは、好ましくは３０ｎｍ以上３２０ｎｍ以下、より好ましくは７０ｎｍ以上３２０ｎｍ以下の範囲内である。構造体３の高さＨが３０ｎｍ未満であると、反射率が増加する傾向がある。構造体３の高さＨが３２０ｎｍを超えると、所定の抵抗を実現するのが困難となる傾向がある。
（基体）
　基体２は、例えば、透明性を有する透明基体である。基体２の材料としては、例えば、透明性を有するプラスチック材料、ガラスなどを主成分とするものが挙げられるが、これらの材料に特に限定されるものではない。
　ガラスとしては、例えば、ソーダライムガラス、鉛ガラス、硬質ガラス、石英ガラス、液晶化ガラスなど（「化学便覧」基礎編、Ｐ．Ｉ−５３７、日本化学会編参照）が用いられる。プラスチック材料としては、透明性、屈折率、および分散などの光学特性、さらには耐衝撃性、耐熱性、および耐久性などの諸特性の観点から、ポリメチルメタアクリレート、メチルメタクリレートと他のアルキル（メタ）アクリレート、スチレンなどといったビニルモノマーとの共重合体などの（メタ）アクリル系樹脂；ポリカーボネート、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート（ＣＲ−３９）などのポリカーボネート系樹脂；（臭素化）ビスフェノールＡ型のジ（メタ）アクリレートの単独重合体ないし共重合体、（臭素化）ビスフェノールＡモノ（メタ）アクリレートのウレタン変性モノマーの重合体及び共重合体などといった熱硬化性（メタ）アクリル系樹脂；ポリエステル特にポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよび不飽和ポリエステル、アクリロニトリル−スチレン共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、シクロオレフィンポリマー（商品名：アートン、ゼオノア）、シクロオレフィンコポリマーなどが好ましい。また、耐熱性を考慮したアラミド系樹脂の使用も可能である。
　基材２としてプラスチック材料を用いる場合、プラスチック表面の表面エネルギー、塗布性、すべり性、平面性などをより改善するために、表面処理として下塗り層を設けるようにしてもよい。この下塗り層としては、例えば、オルガノアルコキシメタル化合物、ポリエステル、アクリル変性ポリエステル、ポリウレタンなどが挙げられる。また、下塗り層を設けるのと同様の効果を得るために、基体２の表面に対してコロナ放電、ＵＶ照射処理を行うようにしてもよい。
　基体２がプラスチックフィルムである場合には、基体２は、例えば、上述の樹脂を伸延、あるいは溶剤に希釈後フィルム状に成膜して乾燥するなどの方法で得ることができる。また、基材２の厚さは、例えば２５μｍ~５００μｍ程度である。
　基体２の形状としては、例えば、シート状、プレート状、ブロック状を挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではない。ここで、シートにはフィルムが含まれるものと定義する。基体２の形状は、カメラなどの光学機器などにおいて、所定の反射防止機能が必要とされる部分の形状などに合わせて適宜選択することが好ましい。
（構造体）
　基体２の表面には、凸部である構造体３が多数配列されている。この構造体３は、反射の低減を目的とする光の波長帯域以下の短い配置ピッチ、例えば可視光の波長と同程度の配置ピッチで周期的に２次元配置されている。ここで、配置ピッチとは、配置ピッチＰ１および配置ピッチＰ２を意味する。反射の低減を目的とする光の波長帯域は、例えば、紫外光の波長帯域、可視光の波長帯域または赤外光の波長帯域である。ここで、紫外光の波長帯域とは１０ｎｍ~３６０ｎｍの波長帯域、可視光の波長帯域とは３６０ｎｍ~８３０ｎｍの波長帯域、赤外光の波長帯域とは８３０ｎｍ~１ｍｍの波長帯域をいう。具体的には、配置ピッチは、１００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、より好ましくは１５０ｎｍ以上３２０ｎｍ以下の範囲内である。平均配置ピッチが１００ｎｍ未満であると、斜面部傾斜が急峻となり膜厚が薄くなるため環境耐久性等で導電性が劣化する。一方、配置ピッチが３５０ｎｍを超えると、可視光の回折が生じる傾向がある。
　導電性光学素子１の各構造体３は、基体２の表面において複数列のトラックＴ１，Ｔ２，Ｔ３，・・・（以下総称して「トラックＴ」ともいう。）をなすような配置形態を有する。本発明において、トラックとは、構造体３が列をなして直線状に連なった部分のことをいう。また、列方向とは、基体２の成形面において、トラックの延在方向（Ｘ方向）に直交する方向）のことをいう。
　構造体３は、隣接する２つのトラックＴ間において、半ピッチずれた位置に配置されている。具体的には、隣接する２つのトラックＴ間において、一方のトラック（例えばＴ１）に配列された構造体３の中間位置（半ピッチずれた位置）に、他方のトラック（例えばＴ２）の構造体３が配置されている。その結果、図１Ｂに示すように、隣接する３列のトラック（Ｔ１~Ｔ３）間においてａ１~ａ７の各点に構造体３の中心が位置する六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成するように構造体３が配置されている。この第１の実施形態において、六方格子パターンとは、正六角形状の格子パターンのことをいう。また、準六方格子パターンとは、正六角形状の格子パターンとは異なり、トラックの延在方向（Ｘ軸方向）に引き伸ばされ歪んだ六方格子パターンのことをいう。
　構造体３が準六方格子パターンを形成するように配置されている場合には、図１Ｂに示すように、同一トラック（例えばＴ１）内における構造体３の配置ピッチＰ１（ａ１~ａ２間距離）は、隣接する２つのトラック（例えばＴ１およびＴ２）間における構造体３の配置ピッチ、すなわちトラックの延在方向に対して±θ方向における構造体３の配置ピッチＰ２（例えばａ１~ａ７、ａ２~ａ７間距離）よりも長くなっていることが好ましい。このように構造体３を配置することで、構造体３の充填密度の更なる向上を図れるようになる。
　構造体３が、成形の容易さの観点から、錐体形状、または錐体形状をトラック方向に延伸または収縮させた錐体形状を有することが好ましい。これらの錐体形状は、頂部に凸状の曲面を有することが好ましい。構造体３が、軸対称な錐体形状、または錐体形状をトラック方向に延伸または収縮させた錐体形状を有することが好ましい。隣接する構造体３に接合されている場合には、構造体３が、隣接する構造体３に接合されている下部を除いて軸対称な錐体形状、または錐体形状をトラック方向に延伸または収縮させた錐体形状を有することが好ましい。錐体形状としては、例えば、円錐形状、円錐台形状、楕円錐形状、楕円錐台形状などを挙げることができる。ここで、錐体形状とは、上述のように、円錐形状および円錐台形状以外にも、楕円錐形状、楕円錐台形状を含む概念である。また、円錐台形状とは、円錐形状の頂部を切り落とした形状をいい、楕円錐台形状とは、楕円錐の頂部を切り落とした形状のことをいう。
　構造体３は、トラックの延在方向の幅がこの延在方向とは直交する列方向の幅よりも大きい底面を有する錐体形状であることが好ましい。具体的には、構造体３は、図２および図４に示すように、底面が長軸と短軸をもつ楕円形、長円形または卵型の錐体構造で、頂部が曲面である楕円錐形状であることが好ましい。もしくは、図５に示すように、底面が長軸と短軸をもつ楕円形、長円形または卵型の錐体構造で、頂部が平坦である楕円錐台形状であることが好ましい。このような形状にすると、列方向の充填率を向上させることができるからである。
　反射特性の向上の観点からすると、頂部の傾きが緩やかで中央部から底部に徐々に急峻な傾きの錐体形状（図４参照）が好ましい。また、反射特性および透過特性の向上の観点からすると、中央部の傾きが底部および頂部より急峻な錐形形状（図２参照）、または、頂部が平坦な錐体形状（図５参照）であることが好ましい。構造体３が楕円錐形状または楕円錐台形状を有する場合、その底面の長軸方向が、トラックの延在方向と平行となることが好ましい。図２などでは、各構造体３は、それぞれ同一の形状を有しているが、構造体３の形状はこれに限定されるものではなく、基体表面に２種以上の形状の構造体３が形成されていてもよい。また、構造体３は、基体２と一体的に形成されていてもよい。また、構造体３の形状は頂部と底部とで異なる形状を有していてもよい。
　また、図２、図４~図６に示すように、構造体３の周囲の一部または全部に突出部６を設けることが好ましい。このようにすると、構造体３の充填率が低い場合でも、反射率を低く抑えることができるからである。具体的には例えば、突出部６は、図２、図４、および図５に示すように、隣り合う構造体３の間に設けられる。また、細長い突出部６が、図６に示すように、構造体３の周囲の全体またはその一部に設けられるようにしてもよい。この細長い突出部６は、例えば、構造体３の頂部から下部の方向に向かって延びている。突出部６の形状としては、断面三角形状および断面四角形状などを挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではなく、成形の容易さなどを考慮して選択することができる。また、構造体３の周囲の一部または全部の表面を荒らし、微細の凹凸を形成するようにしてもよい。具体的には例えば、隣り合う構造体３の間の表面を荒らし、微細な凹凸を形成するようにしてもよい。また、構造体３の表面、例えば頂部に微小な穴を形成するようにしてもよい。
　構造体３は図示する凸部形状のものに限らず、基体２の表面に形成した凹部で構成されていてもよい。
　なお、構造体３のアスペクト比は全て同一である場合に限らず、各構造体３が一定の高さ分布（例えばアスペクト比０．２~１．３程度の範囲）をもつように構成されていてもよい。高さ分布を有する構造体３を設けることで、反射特性の波長依存性を低減することができる。したがって、優れた反射防止特性を有する導電性光学素子１を実現することができる。
　ここで、高さ分布とは、２種以上の高さ（深さ）を有する構造体３が基体２の表面に設けられていることを意味する。すなわち、基準となる高さを有する構造体３と、この構造体３とは異なる高さを有する構造体３とが基体２の表面に設けられていることを意味する。基準とは異なる高さを有する構造体３は、例えば基体２の表面に周期的または非周期的（ランダム）に設けられている。その周期性の方向としては、例えばトラックの延在方向、列方向などが挙げられる。
　構造体３の周縁部に裾部３ａを設けることが好ましい。導電性光学素子の製造工程において構造体３を金型などから容易に剥離することが可能になるからである。ここで、裾部３ａとは、構造体３の底部の周縁部に設けられた突出部を意味する。この裾部３ａは、上記剥離特性の観点からすると、構造体３の頂部から下部の方向に向かって、なだらかに高さが低下する曲面を有することが好ましい。なお、裾部３ａは、構造体３の周縁部の一部にのみ設けてもよいが、上記剥離特性の向上の観点からすると、構造体３の周縁部の全部に設けることが好ましい。また、構造体３が凹部である場合には、裾部は、構造体３である凹部の開口周縁に設けられた曲面となる。
　構造体３の高さ（深さ）は特に限定されず、透過させる光の波長領域に応じて適宜設定され、構造体３の高さ（深さ）Ｈは、好ましくは３０ｎｍ以上３２０ｎｍ以下、より好ましくは７０ｎｍ以上３２０ｎｍ以下、構造体３の高さＨが３０ｎｍ未満であると、反射率が増加する傾向がある。構造体３の高さＨが３２０ｎｍを超えると、所定の抵抗を実現するのが困難となる傾向がある。また、構造体３のアスペクト比が、好ましくは０．２以上１．３以下、より好ましくは０．２以上１．０以下である。０．２未満であると、反射防止特性が劣化する傾向があり、１．３を超えると、斜面部傾斜が急峻となり膜厚が薄くなるため環境耐久性等で導電性が劣化する傾向があり、かつレプリカ複製時に剥離特性が悪化する。
　なお、本発明においてアスペクト比は、以下の式（１）により定義される。
　アスペクト比＝Ｈ／Ｐ・・・（１）
　但し、Ｈ：構造体の高さ、Ｐ：平均配置ピッチ（平均周期）
　ここで、平均配置ピッチＰは以下の式（２）により定義される。
　平均配置ピッチＰ＝（Ｐ１＋Ｐ２＋Ｐ２）／３　・・・（２）
　但し、Ｐ１：トラックの延在方向の配置ピッチ（トラック延在方向周期）、Ｐ２：トラックの延在方向に対して±θ方向（但し、θ＝６０°−δ、ここで、δは、好ましくは０°＜δ≦１１°、より好ましくは３°≦δ≦６°）の配置ピッチ（θ方向周期）
　また、構造体３の高さＨは、構造体３の列方向の高さとする。構造体３のトラック延在方向（Ｘ方向）の高さは、列方向（Ｙ方向）の高さよりも小さく、また、構造体３のトラック延在方向以外の部分における高さは列方向の高さとほぼ同一であるため、サブ波長構造体の高さを列方向の高さで代表する。但し、構造体３が凹部である場合、上記式（１）における構造体の高さＨは、構造体の深さＨとする。
　同一トラック内における構造体３の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体３の配置ピッチをＰ２としたとき、比率Ｐ１／Ｐ２が、１．００≦Ｐ１／Ｐ２≦１．１、または１．００＜Ｐ１／Ｐ２≦１．１の関係を満たすことが好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体３の充填率を向上することができるので、反射防止特性を向上することができる。
　基体表面における構造体３の充填率は、１００％を上限として、６５％以上、好ましくは７３％以上、より好ましくは８６％以上の範囲内である。充填率をこのような範囲にすることで、反射防止特性を向上することができる。充填率を向上させるためには、隣接する構造体３の下部同士を接合する、または、構造体底面の楕円率を調整などして構造体３に歪みを付与することが好ましい。
　ここで、構造体３の充填率（平均充填率）は以下のようにして求めた値である。
　まず、導電性光学素子１の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いてＴｏｐ　Ｖｉｅｗで撮影する。次に、撮影したＳＥＭ写真から無作為に単位格子Ｕｃを選び出し、その単位格子Ｕｃの配置ピッチＰ１、およびトラックピッチＴｐを測定する（図１Ｂ参照）。また、その単位格子Ｕｃの中央に位置する構造体３の底面の面積Ｓを画像処理により測定する。次に、測定した配置ピッチＰ１、トラックピッチＴｐ、および底面の面積Ｓを用いて、以下の式（３）より充填率を求める。
　充填率＝（Ｓ（ｈｅｘ．）／Ｓ（ｕｎｉｔ））×１００　・・・（３）
　単位格子面積：Ｓ（ｕｎｉｔ）＝Ｐ１×２Ｔｐ
　単位格子内に存在する構造体の底面の面積：Ｓ（ｈｅｘ．）＝２Ｓ
　上述した充填率算出の処理を、撮影したＳＥＭ写真から無作為に選び出された１０箇所の単位格子について行う。そして、測定値を単純に平均（算術平均）して充填率の平均率を求め、これを基体表面における構造体３の充填率とする。
　構造体３が重なっているときや、構造体３の間に突出部６などの副構造体があるときの充填率は、構造体３の高さに対して５％の高さに対応する部分を閾値として面積比を判定する方法で充填率を求めることができる。
　図７は、構造体３の境界が不明瞭な場合の充填率の算出方法について説明するための図である。構造体３の境界が不明瞭な場合には、断面ＳＥＭ観察により、図７に示すように、構造体３の高さｈの５％（＝（ｄ／ｈ）×１００）に相当する部分を閾値とし、その高さｄで構造体３の径を換算し充填率を求めるようにする。構造体３の底面が楕円である場合には、長軸および短軸で同様の処理を行う。
　図８は、構造体３の底面の楕円率を変化させたときの底面形状を示す図である。図８Ａ~図８Ｄに示す楕円の楕円率はそれぞれ、１００％、１１０％、１２０％、１４１％である。このように楕円率を変化させることで、基体表面における構造体３の充填率を変化させることができる。構造体３が準六方格子パターンを形成する場合には、構造体底面の楕円率ｅは、１００％＜ｅ＜１５０％以下であることが好ましい。この範囲にすることで、構造体３の充填率を向上し、優れた反射防止特性を得ることができるからである。
　ここで、楕円率ｅは、構造体底面のトラック方向（Ｘ方向）の径をａ、それとは直交する列方向（Ｙ方向）の径をｂとしたときに、（ａ／ｂ）×１００で定義される。なお、構造体３の径ａ、ｂは以下のようにして求めた値である。導電性光学素子１の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いてＴｏｐ　Ｖｉｅｗで撮影し、撮影したＳＥＭ写真から無作為に構造体３を１０個抽出する。次に、抽出した構造体３それぞれの底面の径ａ、ｂを測定する。そして、測定値ａ、ｂそれぞれを単純に平均（算術平均）して径ａ、ｂの平均値を求め、これを構造体３の径ａ、ｂとする。
　図９Ａは、円錐形状または円錐台形状を有する構造体３の配置の一例を示す。図９Ｂは、楕円錐形状または楕円錐台形状を有する構造体３の配置の一例を示す。図９Ａおよび図９Ｂに示すように、構造体３が、その下部同士を重ね合うようにして接合されていていることが好ましい。具体的には、構造体３の下部が、隣接関係にある構造体３の一部または全部の下部と接合されていることが好ましい。より具体的には、トラック方向において、θ方向において、またはそれら両方向において、構造体３の下部同士を接合することが好ましい。より具体的には、トラック方向において、θ方向において、またはそれら両方向において、構造体３の下部同士を接合することが好ましい。図９Ａ、図９Ｂでは、隣接関係にある構造体３の全部の下部を接合する例が示されている。このように構造体３を接合することで、構造体３の充填率を向上することができる。構造体同士は、屈折率を考慮した光路長で使用環境下の光の波長帯域の最大値の１／４以下の部分で接合されていることが好ましい。これにより、優れた反射防止特性を得ることができる。
　図９Ｂに示すように、楕円錐形状または楕円錐台形状を有する構造体３の下部同士を接合した場合には、例えば、接合部ａ、ｂ、ｃの順序で接合部の高さが浅くなる。具体的には、同一トラック内において隣接する構造体３の下部同士が重ね合わされて第１の接合部ａが形成されるとともに、隣接するトラック間において隣接する構造体３の下部同士が重ね合わされて第２の接合部２が形成される。第１の接合部ａと第２の接合部ｂとの交点に交点部ｃが形成される。交点部ｃの位置は、例えば、第１の接合部ａ、および第２の接合部ｂの位置よりも低くなっている。楕円錐形状または楕円錐台形状を有する構造体３の下部同士を接合した場合には、例えば、接合部ａ、接合部ｂ、交点部ｃの順序でそれらの高さが低くなる。
　配置ピッチＰ１に対する径２ｒの比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が、８５％以上、好ましくは９０％以上、より好ましくは９５％以上である。このような範囲にすることで、構造体３の充填率を向上し、反射防止特性を向上できるからである。比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が大きくなり、構造体３の重なりが大きくなりすぎると反射防止特性が低減する傾向にある。したがって、屈折率を考慮した光路長で使用環境下の光の波長帯域の最大値の１／４以下の部分で構造体同士が接合されるように、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）の上限値を設定することが好ましい。ここで、配置ピッチＰ１は、構造体３のトラック方向の配置ピッチ、径２ｒは、構造体底面のトラック方向の径である。なお、構造体底面が円形である場合、径２ｒは直径となり、構造体底面が楕円形である場合、径２ｒは長径となる。
（透明導電膜）
　透明導電膜４は、透明酸化物半導体を主成分としていることが好ましい。透明酸化物半導体としては、例えば、ＳｎＯ２、ＩｎＯ２、ＺｎＯおよびＣｄＯなどの二元化合物、二元化合物の構成元素であるＳｎ、Ｉｎ、ＺｎおよびＣｄのうちの少なくとも一つの元素を含む三元化合物、または多元系（複合）酸化物を用いることができる。透明導電膜４を構成する材料としては、例えばＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２：インジウム錫酸化物）、ＡＺＯ（Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ：アルミドープ酸化亜鉛）、ＳＺＯ、ＦＴＯ（フッ素ドープ酸化錫）、ＳｎＯ２（酸化錫）、ＧＺＯ（ガリウムドープ酸化亜鉛）、ＩＺＯ（Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ：酸化インジウム亜鉛）などが挙げられるが、信頼性の高さ、および抵抗率の低さなどの観点から、ＩＴＯが好ましい。透明導電膜４を構成する材料は、導電性の向上の観点からすると、結晶性を有していることが好ましい。具体的には、透明導電膜４を構成する材料は、導電性の向上の観点からすると、アモルファスと多結晶との混合状態であることが好ましい。透明導電膜４を構成する材料が結晶性を有しているか否かは、例えば、Ｘ線回折法（Ｘ−ｒａｙ　ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ：ＸＲＤ）により確認することができる。透明導電膜４は、構造体３の表面形状に倣って形成され、構造体３と透明導電膜４との表面形状がほぼ相似形状であることが好ましい。透明導電膜４の形成による屈折率プロファイルの変化を抑制し、優れた反射防止特性および／または透過特性を維持できるからである。
（金属膜）
　金属膜（導電膜）５を透明導電膜４の下地層として設けることが好ましい。抵抗率を低減でき、透明導電膜４を薄くすることができる、または透明導電膜４だけでは導電率が十分な値に達しない場合に、導電率を補うことができるからである。金属膜５の膜厚は、特に限定されるものではないが、例えば数ｎｍ程度に選ばれる。金属膜５は導電率が高いため、数ｎｍの膜厚で十分な表面抵抗を得ることができる。また、数ｎｍ程度であれば、金属膜５による吸収や反射などの光学的な影響がほとんどない。金属膜５を構成する材料としては、導電性が高い金属系の材料を用いることが好ましい。このような材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｎｂ、不純物添加Ｓｉなどが挙げられるが、導電性の高さ、および使用実績などを考慮すると、Ａｇが好ましい。金属膜５だけでも表面抵抗を確保することが可能だが極端に薄い場合、金属膜５が島状の構造となってしまい、導通性を確保することが困難となる。その場合、島状の金属膜５を電気的につなぐためにも、金属膜５の上層の透明導電膜４の形成が重要となってくる。
［ロールマスタの構成］
　図１０は、上述の構成を有する導電性光学素子を作製するためのロールマスタの構成の一例を示す。図１０に示すように、ロールマスタ１１は、例えば、原盤１２の表面に凹部である構造体１３が可視光などの光の波長と同程度のピッチで多数配置された構成を有している。原盤１２は、円柱状または円筒状の形状を有する。原盤１２の材料は、例えばガラスを用いることができるが、この材料に特に限定されるものではない。後述するロール原盤露光装置を用い、２次元パターンが空間的にリンクし、１トラック毎に極性反転フォーマッタ信号と記録装置の回転コントローラを同期させ信号を発生し、ＣＡＶで適切な送りピッチでパターニングする。これにより、六方格子パターンまたは準六方格子パターンを記録することができる。極性反転フォーマッタ信号の周波数とロールの回転数を適切に設定することにより、所望の記録領域に空間周波数が一様な格子パターンを形成する。
［導電性光学素子の製造方法］
　次に、図１１~図１４を参照しながら、以上のように構成される導電性光学素子１の製造方法について説明する。
　第１の実施形態に係る導電性光学素子の製造方法は、原盤にレジスト層を形成するレジスト形成工程、ロール原盤露光装置を用いてレジスト膜にモスアイパターンの潜像を形成する露光工程、潜像が形成されたレジスト層を現像する現像工程を備える。さらに、プラズマエッチングを用いてロールマスタを製作するエッチング工程、紫外線硬化樹脂により複製基板を製作する複製工程と、複製基板上に透明導電膜を成膜する成膜工程とを備える。
（露光装置の構成）
　まず、図１１を参照して、モスアイパターンの露光工程に用いるロール原盤露光装置の構成について説明する。このロール原盤露光装置は、光学ディスク記録装置をベースとして構成されている。
　レーザー光源２１は、記録媒体としての原盤１２の表面に着膜されたレジストを露光するための光源であり、例えば波長λ＝２６６ｎｍの記録用のレーザー光１５を発振するものである。レーザー光源２１から出射されたレーザー光１５は、平行ビームのまま直進し、電気光学素子（ＥＯＭ：Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）２２へ入射する。電気光学素子２２を透過したレーザー光１５は、ミラー２３で反射され、変調光学系２５に導かれる。
　ミラー２３は、偏光ビームスプリッタで構成されており、一方の偏光成分を反射し他方の偏光成分を透過する機能をもつ。ミラー２３を透過した偏光成分はフォトダイオード２４で受光され、その受光信号に基づいて電気光学素子２２を制御してレーザー光１５の位相変調を行う。
　変調光学系２５において、レーザー光１５は、集光レンズ２６により、ガラス（ＳｉＯ２）などからなる音響光学素子（ＡＯＭ：Ａｃｏｕｓｔ−Ｏｐｔｉｃ　Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）２７に集光される。レーザー光１５は、音響光学素子２７により強度変調され発散した後、レンズ２８によって平行ビーム化される。変調光学系２５から出射されたレーザー光１５は、ミラー３１によって反射され、移動光学テーブル３２上に水平かつ平行に導かれる。
　移動光学テーブル３２は、ビームエキスパンダ３３、および対物レンズ３４を備えている。移動光学テーブル３２に導かれたレーザー光１５は、ビームエキスパンダ３３により所望のビーム形状に整形された後、対物レンズ３４を介して、原盤１２上のレジスト層へ照射される。原盤１２は、スピンドルモータ３５に接続されたターンテーブル３６の上に載置されている。そして、原盤１２を回転させるとともに、レーザー光１５を原盤１２の高さ方向に移動させながら、レジスト層へレーザー光１５を間欠的に照射することにより、レジスト層の露光工程が行われる。形成された潜像は、円周方向に長軸を有する略楕円形になる。レーザー光１５の移動は、移動光学テーブル３２の矢印Ｒ方向への移動によって行われる。
　露光装置は、図１Ｂに示した六方格子または準六方格子の２次元パターンに対応する潜像をレジスト層に形成するための制御機構３７を備えている。制御機構３７は、フォーマッタ２９とドライバ３０とを備える。フォーマッタ２９は、極性反転部を備え、この極性反転部が、レジスト層に対するレーザー光１５の照射タイミングを制御する。ドライバ３０は、極性反転部の出力を受けて、音響光学素子２７を制御する。
　このロール原盤露光装置では、２次元パターンが空間的にリンクするように１トラック毎に極性反転フォーマッタ信号と記録装置の回転コントローラを同期させ信号を発生し、音響光学素子２７により強度変調している。角速度一定（ＣＡＶ）で適切な回転数と適切な変調周波数と適切な送りピッチでパターニングすることにより、六方格子または準六方格子パターンを記録することができる。例えば、図１０Ｂに示すように、円周方向の周期を３１５ｎｍ、円周方向に対して約６０度方向（約−６０度方向）の周期を３００ｎｍにするには、送りピッチを２５１ｎｍにすればよい（ピタゴラスの法則）。極性反転フォーマッタ信号の周波数はロールの回転数（例えば１８００ｒｐｍ、９００ｒｐｍ、４５０ｒｐｍ、２２５ｒｐｍ）により変化させる。例えば、ロールの回転数１８００ｒｐｍ、９００ｒｐｍ、４５０ｒｐｍ、２２５ｒｐｍそれぞれに対向する極性反転フォーマッタ信号の周波数は、３７．７０ＭＨｚ、１８．８５ＭＨｚ、９．３４ＭＨｚ、４、７１ＭＨｚとなる。所望の記録領域に空間周波数（円周３１５ｎｍ周期、円周方向約６０度方向（約−６０度方向）３００ｎｍ周期）が一様な準六方格子パターンは、遠紫外線レーザー光を移動光学テーブル３２上のビームエキスパンダ（ＢＥＸ）３３により５倍のビーム径に拡大し、開口数（ＮＡ）０．９の対物レンズ３４を介して原盤１２上のレジスト層に照射し、微細な潜像を形成することにより得られる。
（レジスト成膜工程）
　まず、図１２Ａに示すように、円柱状の原盤１２を準備する。この原盤１２は、例えばガラス原盤である。次に、図１２Ｂに示すように、原盤１２の表面にレジスト層１４を形成する。レジスト層１４の材料としては、例えば有機系レジスト、および無機系レジストのいずれを用いてもよい。有機系レジストとしては、例えばノボラック系レジストや化学増幅型レジストを用いることができる。また、無機系レジストとしては、例えば、１種または２種以上の遷移金属からなる金属化合物を用いることができる。
（露光工程）
　次に、図１２Ｃに示すように、上述したロール原盤露光装置を用いて、原盤１２を回転させると共に、レーザー光（露光ビーム）１５をレジスト層１４に照射する。このとき、レーザー光１５を原盤１２の高さ方向（円柱状または円筒状の原盤１２の中心軸に平行な方向）に移動させながら、レーザー光１５を間欠的に照射することで、レジスト層１４を全面にわたって露光する。これにより、レーザー光１５の軌跡に応じた潜像１６が、可視光波長と同程度のピッチでレジスト層１４の全面にわたって形成される。
　潜像１６は、例えば、原盤表面において複数列のトラックをなすように配置されるとともに、六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成する。潜像１６は、例えば、トラックの延在方向に長軸方向を有する楕円形状である。
（現像工程）
　次に、原盤１２を回転させながら、レジスト層１４上に現像液を滴下して、図１３Ａに示すように、レジスト層１４を現像処理する。図示するように、レジスト層１４をポジ型のレジストにより形成した場合には、レーザー光１５で露光した露光部は、非露光部と比較して現像液に対する溶解速度が増すので、潜像（露光部）１６に応じたパターンがレジスト層１４に形成される。
（エッチング工程）
　次に、原盤１２の上に形成されたレジスト層１４のパターン（レジストパターン）をマスクとして、原盤１２の表面をロールエッチング処理する。これにより、図１３Ｂに示すように、トラックの延在方向に長軸方向をもつ楕円錐形状または楕円錐台形状の凹部、すなわち構造体１３を得ることができる。エッチング方法は、例えばドライエッチングによって行われる。このとき、エッチング処理とアッシング処理を交互に行うことにより、例えば、錐体状の構造体１３のパターンを形成することができる。また、レジスト層１４の３倍以上の深さ（選択比３以上）のガラスマスターを作製できる。ドライエッチングとしては、エッチング装置を用いたプラズマエッチングが好ましい。
　以上により、例えば、深さ３０ｎｍ程度から３２０ｎｍ程度の凹形状の六方格子パターンまたは準六方格子パターンを有するロールマスタ１１が得られる。
（複製工程）
　次に、例えば、ロールマスタ１１と転写材料を塗布したシートなどの基体２を密着させ、紫外線を照射し硬化させながら剥離する。これにより、図１３Ｃに示すように、凸部である複数の構造体が基体２の一主面に形成され、モスアイ紫外線硬化複製シートなどの導電性光学素子１が作製される。
　転写材料は、例えば、紫外線硬化材料と、開始剤とからなり、必要に応じてフィラーや機能性添加剤などを含んでいる。
　紫外線硬化材料は、例えば、単官能モノマー、二官能モノマー、多官能モノマーなどからなり、具体的には、以下に示す材料を単独または、複数混合したものである。
　単官能モノマーとしては、例えば、カルボン酸類（アクリル酸）、ヒドロキシ類（２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート）、アルキル、脂環類（イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソボニルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート）、その他機能性モノマー（２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレンクリコールアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ベンジルアクリレート、エチルカルビトールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ−ビニルピロリドン、２−（パーフルオロオクチル）エチル　アクリレート、３−パーフルオロヘキシル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−パーフルオロオクチルー２−ヒドロキシプロピル　アクリレート、２−（パーフルオロデシル）エチル　アクリレート、２−（パーフルオロー３−メチルブチル）エチル　アクリレート）、２，４，６−トリブロモフェノールアクリレート、２，４，６−トリブロモフェノールメタクリレート、２−（２，４，６−トリブロモフェノキシ）エチルアクリレート）、２−エチルヘキシルアクリレートなどを挙げることができる。
　二官能モノマーとしては、例えば、トリ（プロピレングリコール）ジアクリレート、トリメチロールプロパン　ジアリルエーテル、ウレタンアクリレートなどを挙げることができる。
　多官能モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ及びヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレートなどを挙げることができる。
　開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オンなどを挙げることができる。
　フィラーとしては、例えば、無機微粒子および有機微粒子のいずれも用いることができる。無機微粒子としては、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３などの金属酸化物微粒子を挙げることができる。
　機能性添加剤としては、例えば、レベリング剤、表面調整剤、消泡剤などを挙げることができる。基体２の材料としては、例えば、メチルメタクリレート（共）重合体、ポリカーボネート、スチレン（共）重合体、メチルメタクリレート−スチレン共重合体、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアセタール、ポリエーテルケトン、ポリウレタン、ガラスなどが挙げられる。
　基体２の成形方法は特に限定されず、射出成形体でも押し出し成形体でも、キャスト成形体でもよい。必要応じて、コロナ処理などの表面処理を基体表面に施すようにしてもよい。
（金属膜成膜工程）
　次に、図１４Ａに示すように、必要に応じて、構造体３が形成された基体２の凹凸面上に、金属膜を成膜する。金属膜の成膜方法としては、例えば、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなどのＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（化学蒸着法）：化学反応を利用して気相から薄膜を析出させる技術）のほか、真空蒸着、プラズマ援用蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどのＰＶＤ法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（物理蒸着法）：真空中で物理的に気化させた材料を基板上に凝集させ、薄膜を形成する技術）を用いることができる。
（導電膜の成膜工程）
　次に、図１４Ｂに示すように、構造体３が形成された基体２の凹凸面上に、透明導電膜を成膜する。透明導電膜の成膜方法としては、例えば、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなどのＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（化学蒸着法）：化学反応を利用して気相から薄膜を析出させる技術）のほか、真空蒸着、プラズマ援用蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどのＰＶＤ法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（物理蒸着法）：真空中で物理的に気化させた材料を基板上に凝集させ、薄膜を形成する技術）を用いることができる。
　第１の実施形態によれば、非常に高透過率で反射光が低く写りこみの少ない導電性光学素子１を提供できる。複数の構造体３を表面に形成することにより反射防止機能を実現しているため、波長依存性が少ない。角度依存性が光学膜タイプの透明導電膜より少ない。多層の光学膜を使用せず、ナノインプリント技術の利用と高スループットな膜構成の採用とによって、優れた量産性、および低コストを実現できる。
＜２．第２の実施形態＞
［導電性光学素子の構成］
　図１５Ａは、本発明の第２の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図１５Ｂは、図１５Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図１５Ｃは、図１５ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図１５Ｄは、図１５ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図１５Ｅは、図１５ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。図１５Ｆは、図１５ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。
　第２の実施形態に係る導電性光学素子１は、各構造体３が、隣接する３列のトラック間において四方格子パターンまたは準四方格子パターンをなしている点において、第１の実施形態のものとは異なっている。本発明において、準四方格子パターンとは、正四方格子パターンと異なり、トラックの延在方向（Ｘ方向）に引き伸ばされ歪んだ四方格子パターンを意味する。
　構造体３の高さ（深さ）Ｈは、好ましくは３０ｎｍ以上３２０ｎｍ以下、より好ましくは７０ｎｍ以上３２０ｎｍ以下、構造体３の高さＨが３０ｎｍ未満であると、反射率が増加する傾向がある。構造体３の高さＨが３２０ｎｍを超えると、所定の抵抗を実現するのが困難となる傾向がある。また、構造体３のアスペクト比が、好ましくは０．２以上１．３以下、より好ましくは０．２以上１．０以下である。０．２未満であると、反射防止特性が劣化する傾向があり、１．３を超えると、斜面部傾斜が急峻となり膜厚が薄くなるため環境耐久性等で導電性が劣化する傾向があり、かつレプリカ複製時に剥離特性が悪化する。更に、各構造体３のアスペクト比は全て同一である場合に限らず、各構造体３が一定の高さ分布をもつように構成されていてもよい。
　同一トラック内における構造体３の配置ピッチＰ１は、隣接する２つのトラック間における構造体３の配置ピッチＰ２よりも長いことが好ましい。また、同一トラック内における構造体３の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体３の配置ピッチをＰ２としたとき、Ｐ１／Ｐ２が１．０＜Ｐ１／Ｐ２≦１．５の関係を満たすことが好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体３の充填率を向上することができるので、反射防止特性を向上することができる。また、トラックに対して４５度方向または約４５度方向における構造体３の高さまたは深さは、トラックの延在方向における構造体３の高さまたは深さよりも小さいことが好ましい。
　トラックの延在方向に対して斜となる構造体３の配列方向（θ方向）の高さＨ２は、トラックの延在方向における構造体３の高さＨ１よりも小さいことが好ましい。すなわち、構造体３の高さＨ１、Ｈ２がＨ１＞Ｈ２の関係を満たすことが好ましい。
　図１６は、構造体３の底面の楕円率を変化させたときの底面形状を示す図である。楕円３１、３２、３３の楕円率はそれぞれ、１００％、１６３．３％、１４１％である。このように楕円率を変化させることで、基体表面における構造体３の充填率を変化させることができる。構造体３が四方格子または準四方格子パターンを形成する場合には、構造体底面の楕円率ｅは、１５０％≦ｅ≦１８０％であることが好ましい。この範囲にすることで、構造体３の充填率を向上し、優れた反射防止特性を得ることができるからである。
　基体表面における構造体３の充填率は、１００％を上限として、６５％以上、好ましくは７３％以上、より好ましくは８６％以上の範囲内である。充填率をこのような範囲にすることで、反射防止特性を向上することができる。
　ここで、構造体３の充填率（平均充填率）は以下のようにして求めた値である。
　まず、導電性光学素子１の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いてＴｏｐ　Ｖｉｅｗで撮影する。次に、撮影したＳＥＭ写真から無作為に単位格子Ｕｃを選び出し、その単位格子Ｕｃの配置ピッチＰ１、およびトラックピッチＴｐを測定する（図１５Ｂ参照）。また、その単位格子Ｕｃに含まれる４つの構造体３のいずれかの底面の面積Ｓを画像処理により測定する。次に、測定した配置ピッチＰ１、トラックピッチＴｐ、および底面の面積Ｓを用いて、以下の式（４）より充填率を求める。
　充填率＝（Ｓ（ｔｅｔｒａ）／Ｓ（ｕｎｉｔ））×１００　・・・（２）
　単位格子面積：Ｓ（ｕｎｉｔ）＝２×（（Ｐ１×Ｔｐ）×（１／２））＝Ｐ１×Ｔｐ
　単位格子内に存在する構造体の底面の面積：Ｓ（ｔｅｔｒａ）＝Ｓ
　上述した充填率算出の処理を、撮影したＳＥＭ写真から無作為に選び出された１０箇所の単位格子について行う。そして、測定値を単純に平均（算術平均）して充填率の平均率を求め、これを基体表面における構造体３の充填率とする。
　配置ピッチＰ１に対する径２ｒの比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が、６４％以上、好ましくは６９％以上、より好ましくは７３％以上である。このような範囲にすることで、構造体３の充填率を向上し、反射防止特性を向上できるからである。ここで、配置ピッチＰ１は、構造体３のトラック方向の配置ピッチ、径２ｒは、構造体底面のトラック方向の径である。なお、構造体底面が円形である場合、径２ｒは直径となり、構造体底面が楕円形である場合、径２ｒは長径となる。
［ロールマスタの構成］
　図１７は、上述の構成を有する導電性光学素子を作製するためのロールマスタの構成の一例を示す。このロールマスタは、その表面において凹状の構造体１３が四方格子パターンまたは準四方格子パターンをなしている点において、第１の実施形態のものとは異なっている。
　ロール原盤露光装置を用い、２次元パターンが空間的にリンクし、１トラック毎に極性反転フォーマッタ信号と記録装置の回転コントローラを同期させ信号を発生し、ＣＡＶで適切な送りピッチでパターニングする。これにより、四方格子パターン、または準六方格子パターンを記録することができる。極性反転フォーマッタ信号の周波数とロールの回転数を適切に設定することにより、所望の記録領域に空間周波数が一様な格子パターンをレーザー光の照射により原盤１２上のレジストに形成することが好ましい。
＜３．第３の実施形態＞
［導電性光学素子の構成］
　図１８Ａは、本発明の第３の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図１８Ｂは、図１８Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図１８Ｃは、図１８ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図１８Ｄは、図１８ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。
　第３の実施形態に係る導電性光学素子１は、トラックＴが円弧状の形状を有し、構造体３が円弧状に配置されている点において、第１の実施形態のものとは異なっている。図１８Ｂに示すように、隣接する３列のトラック（Ｔ１~Ｔ３）間においてａ１~ａ７の各点に構造体３の中心が位置する準六方格子パターンを形成するように構造体３が配置されている。ここで、準六方格子パターンとは、正六方格子パターンとは異なり、トラックＴの円弧状に沿って歪んだ六方格子パターンを意味する。あるいは、正六方格子パターンとは異なり、トラックＴの円弧状に沿って歪み、かつ、トラックの延在方向（Ｘ軸方向）に引き伸ばされ歪んだ六方格子パターンを意味する。
　上述した以外の導電性光学素子１の構成は、第１の実施形態と同様であるので説明を省略する。
［ディスクマスタの構成］
　図１９Ａ、図１９Ｂは、上述の構成を有する導電性光学素子を作製するためのディスクマスタの構成の一例を示す。図１９Ａ、図１９Ｂに示すように、ディスクマスタ４１は、円盤状の原盤４２の表面に凹部である構造体４３が多数配列された構成を有している。この構造体１３は、導電性光学素子１の使用環境下の光の波長帯域以下、例えば可視光の波長と同程度のピッチで周期的に２次元配列されている。構造体４３は、例えば、同心円状またはスパイラル状のトラック上に配置されている。
　上述した以外のディスクマスタ４１の構成は、第１の実施形態のロールマスタ１１と同様であるので説明を省略する。
［導電性光学素子の製造方法］
　まず、図２０を参照して、上述した構成を有するディスクマスタ４１を作製するための露光装置について説明する。
　移動光学テーブル３２は、ビームエキスパンダ３３、ミラー３８および対物レンズ３４を備えている。移動光学テーブル３２に導かれたレーザー光１５は、ビームエキスパンダ３３により所望のビーム形状に整形された後、ミラー３８および対物レンズ３４を介して、円盤状の原盤４２上のレジスト層へ照射される。原盤４２は、スピンドルモータ３５に接続されたターンテーブル（図示を省略する。）の上に載置されている。そして、原盤４２を回転させるとともに、レーザー光１５を原盤４２の回転半径方向に移動させながら、原盤４２上のレジスト層へレーザー光を間欠的に照射することにより、レジスト層の露光工程が行われる。形成された潜像は、円周方向に長軸を有する略楕円形になる。レーザー光１５の移動は、移動光学テーブル３２の矢印Ｒ方向への移動によって行われる。
　図２０に示した露光装置においては、レジスト層に対して図１８Ｂに示した六方格子または準六方格子の２次元パターンからなる潜像を形成するための制御機構３７を備えている。制御機構３７は、フォーマッタ２９とドライバ３０とを備える。フォーマッタ２９は、極性反転部を備え、この極性反転部が、レジスト層に対するレーザー光１５の照射タイミングを制御する。ドライバ３０は、極性反転部の出力を受けて、音響光学素子２７を制御する。
　制御機構３７は、潜像の２次元パターンが空間的にリンクするように、１トラック毎に、ＡＯＭ２７によるレーザー光１５の強度変調と、スピンドルモータ３５の駆動回転速度と、移動光学テーブル３２の移動速度とをそれぞれ同期させる。原盤４２は、角速度一定（ＣＡＶ）で回転制御される。そして、スピンドルモータ３５による原盤４２の適切な回転数と、ＡＯＭ２７によるレーザー強度の適切な周波数変調と、移動光学テーブル３２によるレーザー光１５の適切な送りピッチとでパターニングを行う。これにより、レジスト層に対して六方格子パターン、または準六方格子パターンの潜像が形成される。
　更に、極性反転部の制御信号を、空間周波数（潜像のパターン密度であり、Ｐ１：３３０、Ｐ２：３００ｎｍ、または、Ｐ１：３１５ｎｍ、Ｐ２：２７５ｎｍ、または、Ｐ１：３００ｎｍ、Ｐ２：２６５ｎｍ）が一様になるように徐々に変化させる。より具体的には、レジスト層に対するレーザー光１５の照射周期を１トラック毎に変化させながら露光を行い、各トラックＴにおいてＰ１がほぼ３３０ｎｍ（あるいは３１５ｎｍ、３００ｎｍ）となるように制御機構３７においてレーザー光１５の周波数変調を行う。即ち、トラック位置が円盤状の原盤４２の中心から遠ざかるに従い、レーザー光の照射周期が短くなるように変調制御する。これにより、基板全面において空間周波数が一様なナノパターンを形成することが可能となる。
　以下、本発明の第３の実施形態に係る導電性光学素子の製造方法の一例について説明する。
　まず、上述した構成を有する露光装置を用いて、円盤状の原盤上に形成されたレジスト層を露光する以外は、第１の実施形態と同様にしてディスクマスタ４１を作製する。次に、このディスクマスタ４１と、紫外線硬化樹脂を塗布したアクリルシートなどの基体２とを密着させ、紫外線を照射し紫外線硬化樹脂を硬化させた後、ディスクマスタ４１から基体２を剥離する。これにより、複数の構造体３が表面に配列された円盤状の光学素子が得られる。次に、複数の構造体３が形成された光学素子の凹凸面上に、透明導電膜４を成膜する。これにより、円盤状の導電性光学素子１が得られる。次に、この円盤状の導電性光学素子１から、矩形状などの所定形状の導電性光学素子１を切り出す。これにより、目的とする導電性光学素子１が作製される。
　この第３の実施形態によれば、直線状に構造体３を配列した場合と同様に、生産性が高く、優れた反射防止特性を有する導電性光学素子１を得ることができる。
＜４．第４の実施形態＞
　図２１Ａは、本発明の第４の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図２１Ｂは、図２１Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。
　第４の実施形態に係る導電性光学素子１は、構造体３を蛇行するトラック（以下ウォブルトラックと称する。）上に配列している点において、第１の実施形態とは異なっている。基体２上における各トラックのウォブルは、同期していることが好ましい。すなわち、ウォブルは、シンクロナイズドウォブルであることが好ましい。このようにウォブルを同期させることで、六方格子または準六方格子の単位格子形状を保持し、充填率を高く保つことができる。ウォブルトラックの波形としては、例えば、サイン波、三角波などを挙げることができる。ウォブルトラックの波形は、周期的な波形に限定されるものではなく、非周期的な波形としてもよい。ウォブルトラックのウォブル振幅は、例えば±１０μｍ程度に選択される。
　この第４の実施形態において、上記以外のことは、第１の実施形態と同様である。
　第４の実施形態によれば、構造体３をウォブルトラック上に配列していので、外観上のムラの発生を抑制できる。
＜５．第５の実施形態＞
　図２２Ａは、本発明の第５の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図２２Ｂは、図２２Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図２２Ｃは、図２２ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図２２Ｄは、図２２ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図２３は、図２２Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す斜視図である。
　第５の実施形態に係る導電性光学素子１は、凹部である構造体３が基体表面に多数配列されている点において、第１の実施形態のものとは異なっている。この構造体３の形状は、第１の実施形態における構造体３の凸形状を反転して凹形状としたものである。なお、上述のように構造体３を凹部とした場合、凹部である構造体３の開口部（凹部の入り口部分）を下部、基体２の深さ方向の最下部（凹部の最も深い部分）を頂部と定義する。すなわち、非実体的な空間である構造体３により頂部、および下部を定義する。また、第５の実施形態では、構造体３が凹部であるため、式（１）などにおける構造体３の高さＨは、構造体３の深さＨとなる。
　この第５の実施形態において、上記以外のことは、第１の実施形態と同様である。
　この第５の実施形態では、第１の実施形態における凸形状の構造体３の形状を反転して凹形状としているので、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
＜６．第６の実施形態＞
　図２４Ａは、本発明の第６の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図２４Ｂは、図２４Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図２４Ｃは、図２４ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図２４Ｄは、図２４ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図２５は、図２４Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す斜視図である。
　導電性光学素子１は、基体２と、この基体２の表面に形成された複数の構造体３と、これらの構造体３上に形成された透明導電膜４とを備える。この構造体３は、錐体形状の凸部である。隣接する構造体３の下部同士が、その下部同士を重なり合うようにして接合されている。隣接する構造体３のうち、最隣接する構造体３が、トラック方向に配置されていることが好ましい。このような位置に最隣接する構造体３を配置することが、後述する製造方法では容易であるからである。この導電性光学素子１は、構造体３が設けられた基体表面に対して入射する光の反射を防止する機能を有している。以下では、図２４Ａに示すように、基体２の一主面内において直交する２つの軸をＸ軸、Ｙ軸と称し、基体２の一主面に垂直な軸をＺ軸と称する。また、構造体３間に空隙部２ａがある場合には、この空隙部２ａに微細凹凸形状を設けることが好ましい。このような微細凹凸形状を設けることで、導電性光学素子１の反射率をさらに低減することができるからである。
　図２６は、本発明の第１の実施形態に係る導電性光学素子の屈折率プロファイルの一例を示す。図２６に示すように、構造体３の深さ方向（図２４Ａ中、−Ｚ軸方向）に対する実効屈折率が、基体２に向けて徐々に増加するとともに、Ｓ字形状の曲線を描くように変化している。すなわち、屈折率プロプロファイルが、１つの変曲点Ｎを有している。この変曲点は、構造体３の側面の形状に対応するものである。このように実効屈折率を変化させることで、光にとって境界が明確では無くなるため反射光を低減し、導電性光学素子１の反射防止特性を向上することができる。深さ方向に対する実効屈折率の変化は、単調増加であることが好ましい。ここで、Ｓ字状には、反転Ｓ字状、すなわちＺ字状も含まれる。
　また、深さ方向に対する実効屈折率の変化が、構造体３の頂部側および基体側の少なくとも一方において実効屈折率の傾きの平均値よりも急峻であることが好ましく、構造体３の頂部側および基体側の両方において上記平均値よりも急峻であることがより好ましい。これにより、優れた反射防止特性を得ることができる。
　構造体３の下部は、例えば、隣接関係にある構造体３の一部または全部の下部と接合されている。このように構造体同士の下部を接合することで、構造体３の深さ方向に対する実効屈折率の変化を滑らかにすることができる。その結果、Ｓ字形状の屈折率プロファイルが可能となる。また、構造体同士の下部を接合することで、構造体の充填率を高めることができる。なお、図２４Ｂでは、隣接する全ての構造体３を接合したときの接合部の位置が、黒丸印「●」にて示されている。具体的には、接合部は、隣接する全ての構造体３の間、同一トラック内にて隣接する構造体３の間（例えばａ１~ａ２間）、または、隣接するトラック間の構造体３の間（例えばａ１~ａ７間、ａ２~ａ７間）に形成される。滑らかな屈折率プロファイルを実現し、優れた反射防止特性を得るためには、隣接する全ての構造体３の間に接合部を形成することが好ましい。後述する製造方法により接合部を容易に形成するためには、同一トラック内にて隣接する構造体３の間に接合部を形成することが好ましい。構造体３が六方格子パターンまたは準六方格子パターンに周期的に配置されている場合には、例えば、構造体３が６回対称となる方位で接合する。
　構造体３が、その下部同士を重ね合うようにして接合されていていることが好ましい。このように構造体３を接合することで、Ｓ字形状の屈折率プロファイルを得ることができるとともに、構造体３の充填率を向上することができる。構造体同士は、屈折率を考慮した光路長で使用環境下の光の波長帯域の最大値の１／４以下の部分で接合されていることが好ましい。これにより、優れた反射防止特性を得ることができる。
　構造体３の材料としては、例えば、紫外線、もしくは電子線により硬化する電離放射線硬化型樹脂、または熱により硬化する熱硬化型樹脂を主成分とするものが好ましく、紫外線で硬化できる紫外線硬化樹脂を主成分とするものが最も好ましい。
　図２７は、構造体の形状の一例を示す拡大断面図である。構造体３の側面が、基体２へ向けて徐々に拡大するとともに、図２６に示したＳ字状曲線の平方根の形状を描くように変化することが好ましい。このような側面形状にすることにより、優れた反射防止特性を得ることができ、かつ、構造体３の転写性を向上することができる。
　構造体３の頂部３ｔは、例えば、平面形状、または、先端に行くに従って細くなる凸形状である。構造体３の頂部３ｔを平面形状とする場合、単位格子の面積Ｓに対する、構造体頂部の平面の面積Ｓｔの面積比率（Ｓｔ／Ｓ）は、構造体３の高さが高くなるにつれて小さくなるようにすることが好ましい。このようにすることで、導電性光学素子１の反射防止特性を向上することができる。ここで、単位格子は、例えば、六方格子または準六方格子などである。構造体底面の面積比率（単位格子の面積Ｓに対する、構造体底面の面積Ｓｂの面積比率（Ｓｂ／Ｓ）は、頂部３ｔの面積比率に近いことが好ましい。
　頂部３ｔおよび下部３ｂを除く構造体３の側面は、その頂部３ｔから下部３ｂの方向に向かって、第１の変化点Ｐａおよび第２の変化点Ｐｂの組をこの順序で１つ有することが好ましい。これにより、構造体３の深さ方向（図２４Ａ中、−Ｚ軸方向）に対する実効屈折率が、１つの変曲点を有することができる。
　ここで、第１の変化点および第２の変化点は以下のように定義される。
　図２８Ａ、図２８Ｂに示すように、構造体３の頂部３ｔから下部３ｂの間の側面が、構造体３の頂部３ｔから下部３ｂに向かって、滑らかな複数の曲面を不連続的に接合して形成されている場合には、接合点が変化点となる。この変化点と変曲点は一致することになる。接合点では正確には微分不可能であるが、ここでは、このような極限としての変曲点も変曲点と称する。構造体３が上述のような曲面を有する場合、構造体３の頂部３ｔから下部３ｂに向かう傾きが、第１の変化点Ｐａを境にしてより緩やかになった後、第２の変化点Ｐｂを境にしてより急になることが好ましい。
　図２８Ｃに示すように、構造体３の頂部３ｔから下部３ｂの間の側面が、構造体３の頂部３ｔから下部３ｂに向かって、滑らかな複数の曲面を連続的に滑らかに接合して形成されている場合には、変化点は以下のように定義される。図２８Ｃに示すように、構造体の側面に存在する２つの変曲点におけるそれぞれの接線が互いに交わる交点に対して、曲線上で最も近い点を変化点と称する。
　構造体３は、その頂部３ｔから下部３ｂの間の側面に、１つのステップＳｔを有することが好ましい。このように１つのステップＳｔを有することで、上述の屈折率プロファイルを実現することができる。すなわち、構造体３の深さ方向に対する実効屈折率を、基体２に向けて徐々に増加させるとともに、Ｓ字形状の曲線を描くように変化させることができる。ステップとしては、例えば傾斜ステップまたは平行ステップが挙げられ、傾斜ステップが好ましい。ステップＳｔを傾斜ステップとすると、ステップＳｔを平行ステップとするよりも、転写性を良好にできるからである。
　傾斜ステップとは、基体表面に対して平行ではなく、構造体３の頂部から下部の方向に向かうに従って側面が広がるように傾斜しているステップのことをいう。平行ステップとは、基体表面に対して平行なステップのことをいう。ここで、ステップＳｔは、上述の第１の変化点Ｐａおよび第２の変化点Ｐｂで設定される区画である。なお、ステップＳｔには、頂部３ｔの平面、および構造体間の曲面または平面を含まないものとする。
　構造体３が、成形の容易さの観点から、隣接する構造体３に接合されている下部を除いて軸対称な錐体形状、または錐体形状をトラック方向に延伸または収縮させた錐体形状を有することが好ましい。錐体形状としては、例えば、円錐形状、円錐台形状、楕円錐形状、楕円錐台形状などを挙げることができる。ここで、錐体形状とは、上述のように、円錐形状および円錐台形状以外にも、楕円錐形状、楕円錐台形状を含む概念である。また、円錐台形状とは、円錐形状の頂部を切り落とした形状をいい、楕円錐台形状とは、楕円錐の頂部を切り落とした形状のことをいう。なお、構造体３の全体形状は、これらの形状に限定されるものではなく、構造体３の深さ方向に対する実効屈折率が、基体２に向けて徐々に増加するとともに、Ｓ字状に変化するような形状であればよい。また、錐体形状には、完全な錐体形状のみならず、上述したように、側面にステップＳｔを有する錐体形状も含まれる。
　楕円錐形状を有する構造体３は、底面が長軸と短軸をもつ楕円形、長円形または卵型の錐体構造で、頂部が先端に行くに従って狭くなる細くなる凸形状を有する構造体である。楕円錐台形状を有する構造体３は、底面が長軸と短軸をもつ楕円形、長円形または卵型の錐体構造で、頂部が平面である構造体である。構造体３を楕円錐形状または楕円錐台形状とする場合、構造体３の底面の長軸方向がトラックの延在方向（Ｘ軸方向）となるように、構造体３を基体表面に形成することが好ましい。
　構造体３の断面積は、上述の屈折率プロファイルに対応するように、構造体３の深さ方向に対して変化する。構造体３の断面積は、構造体３の深さ方向に向かうに従って単調に増加することが好ましい。ここで、構造体３断面積とは、構造体３が配列された基体表面に対して、平行な切断面の面積を意味する。深さの異なる位置での構造体３の断面積割合が、当該位置に対応した上記実効屈折率プロファイルに相当するように、深さ方向に構造体の断面積を変化させることが好ましい。
　上述したステップを有する構造体３は、例えば、以下のようにして作製された原盤を用いて、形状転写をすることにより得られる。すなわち、原盤作製のエッチング工程において、エッチング処理およびアッシング処理の処理時間を適宜調整することにより、構造体（凹部）の側面にステップが形成された原盤を作製する。
　この第６の実施形態によれば、構造体３が錐体形状を有し、この構造体３の深さ方向に対する実効屈折率が、基体２へ向けて徐々に増加するとともに、Ｓ字状の曲線を描くように変化する。これにより、構造体３の形状効果により、光にとって境界が明確では無くなるため、反射光を低減できる。よって、優れた反射防止特性を得ることができる。特に、構造体３の高さが大きい場合に、優れた反射防止特性が得られる。また、隣接する構造体３の下部同士を、その下部同士が重なり合うようにして接合しているので、構造体３の充填率を上げることができるとともに、構造体３の成形が容易となる。
　構造体３の深さ方向に対する実効屈折率プロファイルをＳ字状に変化させるとともに、（準）六方格子、または、（準）四方格子の配列で構造体を配置させることが好ましい。また、各構造体３は軸対称の構造、または、軸対称の構造をトラック方向に延伸または収縮させた構造とすることが好ましい。さらに、隣接する構造体３を基体付近において接合させることが好ましい。このような構成とすることで、より製造しやすく、高性能な反射防止構造体を作製することができる。
　光ディスクの原盤作製プロセスとエッチングプロセスとを融合した方法を用いて、導電性光学素子１を作製する場合には、電子線露光を用いて導電性光学素子１を作製した場合に比べて、原盤作製プロセスに要する時間（露光時間）を大幅に短縮することができる。したがって、導電性光学素子１の生産性を大幅に向上することができる。
　構造体３の頂部の形状を先鋭でなく平面形状とした場合には、導電性光学素子１の耐久性を向上することができる。また、ロールマスタ１１に対する構造体３の剥離性を向上することもできる。構造体３のステップを傾斜ステップとした場合には、平行ステップとした場合に比べて転写性を向上することができる。
＜７．第７の実施形態＞
　図２９は、本発明の第７の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す断面図である。第７の実施形態に係る導電性光学素子１は、図２９に示すように、構造体３が形成された一主面（第１の主面）とは反対側となる他主面（第２の主面）に、構造体３をさらに備える点において、第１の実施形態とは異なっている。
　導電性光学素子１の両主面における構造体３の配置パターン、およびアスペクト比などは、同一である必要はなく、所望とする特性に応じて、異なる配置パターン、およびアスペクト比を選択するようにしてもよい。例えば、一主面の配置パターンを準六方格子パターンとし、他主面の配置パターンを準四方格子パターンとするようにしてもよい。
　第７の実施形態では、基体２の両主面に複数の構造体３を形成しているので、導電性光学素子１の光入射面および光出射面の双方に対して、光の反射防止機能を付与することができる。これにより、光の透過特性の更なる向上を図ることが可能となる。
＜８．第８の実施形態＞
　第８の実施形態は、熱転写により基体表面に複数の構造体を形成する以外のことは第１の実施形態とは異なっている。なお、第８の実施形態において、第１の実施形態と同一の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
　図３０は、熱転写成形装置の一構成例を示す模式図である。図３０に示すように、このラミネート転写成形装置７４０は、加熱ロール７４１と冷却ロール７４２とによって回転するエンボスベルト７４３と、加熱ロール７４１および冷却ロール７４２に対向して配置された２つの押圧ロール７４４によって回転する平坦ベルト７４５とを備えている。そして、表面に複数の凹部７４３Ａ有するエンボスベルト７４３と、立体形状のない平坦ベルト７４５との間隙に、形状付与前の基体２を挿入可能になっている。
　次に、上述の構成を有する熱転写成形装置の動作について説明する。
　まず、エンボスベルト７４３および平坦ベルト７４５を回転させて、加熱ロール７４１の側から両者の間隙に形状付与前の基体２を挿入する。これにより、加熱ロール７４１の熱により基体２の一主面が一瞬だけ溶融し、基体２の一主面に凹部７４３Ａが形状転写される。その後、冷却ロール４２によって、凹部７４３Ａが形状転写された基体２の表面が冷却され、表面形状が固定される。すなわち、基体２の一主面に複数の構造体１２が形成される。
　以上により、複数の構造体３が基体表面に形成された基体２を得ることができる。
＜９．第９の実施形態＞
　図３１Ａは、本発明の第９の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。このタッチパネルは、いわゆる抵抗膜方式タッチパネルである。抵抗膜方式タッチパネルとしては、アナログ抵抗膜方式タッチパネル、およびデジタル抵抗膜方式タッチパネルのいずれであってもよい。図３１Ａに示すように、情報入力装置であるタッチパネル５０は、情報を入力するタッチ面（入力面）を有する第１の導電性基材５１と、この導電性基材５１と対向する第２の導電性基材５２とを備える。タッチパネル５０は、第１の導電性基材５１のタッチ側となる面に、ハードコート層、または防汚性ハードコート層をさらに備えることが好ましい。また、必要に応じて、タッチパネル５０上にフロントパネルをさらに備えるようにしてもよい。このタッチパネル５０は、例えば表示装置５４に対して接着層５３を介して貼り合わされる。
　表示装置としては、例えば、液晶ディスプレイ、ＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ　Ｒａｙ　Ｔｕｂｅ）ディスプレイ、プラズマディスプレイ（Ｐｌａｓｍａ　Ｄｉｓｐｌａｙ　Ｐａｎｅｌ：ＰＤＰ）、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）ディスプレイ、表面伝導型電子放出素子ディスプレイ（Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ　Ｄｉｓｐｌａｙ：ＳＥＤ）などの各種表示装置を用いることができる。
　第１の導電性基材５１、および第２の導電性基材５１の少なくとも一方として、第１~第６の実施形態に係る導電性光学素子１のいずれかが用いられる。第１の導電性基材５１、および第２の導電性基材５１の両方として、第１~第６の実施形態に係る導電性光学素子１のいずれかを用いる場合、両導電性基材として互いに同一、または異なる実施形態に係る導電性光学素子１を用いることができる。
　第１の導電性基材５１、および第２の導電性基材５１の互いに対向する２つの面のうち、少なくとも一方に構造体３が形成され、反射防止特性および透過特性の観点からすると、両方に構造体３が形成されていることが好ましい。
　第１の導電性基材５１のタッチ側となる面に、単層または多層の反射防止層を形成することが好ましい。反射率を低減し、視認性を向上することができるからである。
（変形例）
　図３１Ｂは、本発明の第９の実施形態に係るタッチパネルの変形例を示す断面図である。図３１Ｂに示すように、第１の導電性基材５１、および第２の導電性基材５２の少なくとも一方として、第７の実施形態に係る導電性光学素子１が用いられる。
　第１の導電性基材５１、および第２の導電性基材５１の互いに対向する２つの面のうち、少なくとも一方に複数の構造体３が形成される。さらに、第１の導電性基材５１のタッチ側となる面、および第２の導電性基材５２の表示装置５４の側となる面の少なくとも一方に複数の構造体３が形成される。反射防止特性および透過特性の観点からすると、両方の面に構造体３が形成されていることが好ましい。
　第９の実施形態では、第１の導電性基材５１、および第２の導電性基材５１の少なくとも一方として、導電性光学素子１を用いているので、すぐれた反射防止特性および透過特性を有するタッチパネル５０を得ることができる。したがって、タッチパネル５０の視認性を向上することができる。特に、屋外でのタッチパネル５０の視認性を向上することができる。
＜１０．第１０の実施形態＞
　図３２Ａは、本発明の第１０の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す斜視図である。図３２Ｂは、本発明の第１０の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。第１０の実施形態に係るタッチパネルは、タッチ面に形成されたハードコート層７をさらに備える点において、第９の実施形態とは異なっている。
　タッチパネル５０は、情報を入力するタッチ面（入力面）を有する第１の導電性光学素子５１と、この第１の導電性光学素子５１と対向する第２の導電性光学素子５２とを備える。第１の導電性光学素子５１と、第２の導電性光学素子５２は、それらの周縁部間に配置された貼合層５５を介して互いに貼り合わされている。貼合層５５としては、例えば、粘着ペースト、粘着テープなどが用いられる。ハードコート層７の表面には、防汚性が付与されていることが好ましい。このタッチパネル５０は、例えば表示装置５４に対して貼合層５３を介して貼り合わされる。貼合層５３の材料としては、例えば、アクリル系、ゴム系、シリコン系などの粘着剤を用いることができ、透明性の観点からすると、アクリル系粘着剤が好ましい。
　第１０の実施形態では、第１の導電性光学素子５１のタッチ側となる面に、ハードコート層７を形成しているので、タッチパネル５０のタッチ面の耐擦傷性を向上することができる。
＜１１．第１１の実施形態＞
　図３３は、第１１の実施形態に係る液晶表示装置の構成の一例を示す断面図である。図３３に示すように、第１１の実施形態に係る液晶表示装置７０は、第１、および第２の主面を有する液晶パネル（液晶層）７１と、第１の主面上に形成された第１の偏光子７２と、第２の主面上に形成された第２の偏光子７３と、液晶パネル７１と第１の偏光子７２との間に配置されたタッチパネル５０とを備える。タッチパネル５０は、液晶ディスプレイ一体型タッチパネル（いわゆるインナータッチパネル）である。第１の偏光子７２の表面に多数の構造体３を直接形成するようにしてもよい。第１の偏光子７２が、ＴＡＣ（トリアセチルセルロース）フィルムなどの保護層を表面に備えている場合には、保護層上に多数の構造体３を直接形成することが好ましい。このように偏光子７２に多数の構造体３を形成することで、液晶表示装置７０をさらに薄型化することができる。
（液晶パネル）
　液晶パネル７１としては、例えば、ツイステッドネマチック（Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ：ＴＮ）モード、スーパーツイステッドネマチック（Ｓｕｐｅｒ　Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ：ＳＴＮ）モード、垂直配向（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ　Ａｌｉｇｎｅｄ：ＶＡ）モード、水平配列（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ：ＩＰＳ）モード、光学補償ベンド配向（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ　Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ　Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ：ＯＣＢ）モード、強誘電性（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ：ＦＬＣ）モード、高分子分散型液晶（Ｐｏｌｙｍｅｒ　Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ：ＰＤＬＣ）モード、相転移型ゲスト・ホスト（Ｐｈａｓｅ　Ｃｈａｎｇｅ　Ｇｕｅｓｔ　Ｈｏｓｔ：ＰＣＧＨ）モードなどの表示モードのものを用いることができる。
（偏光子）
　第１の偏光子７２、および第２の偏光子７３は、その透過軸が互いに直交するようにして液晶パネル７１の第１、および第２の主面上に対して、貼合層７４、７５を介して貼り合わされる。第１の偏光子７２、および第２の偏光子７３は、入射する光のうち直交する偏光成分の一方のみを通過させ、他方を吸収により遮へいするものである。第１の偏光子７２、および第２の偏光子７３としては、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）系フィルムに、ヨウ素錯体や二色性染料を一軸方向に配列させたものを用いることができる。第１の偏光子７２、および第２の偏光子７３の両面には、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルムなどの保護層を設けることが好ましい。
（タッチパネル）
　タッチパネル５０は、第９~第１２の実施形態のいずれかのものを用いることができる。
　第１１の実施形態では、偏光子７２を液晶パネル７１とタッチパネル５０とで共用した構成としているので、光学特性を向上することができる。
＜１２．第１２の実施形態＞
　図３４Ａは、本発明の第１２の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す斜視図である。図３４Ｂは、本発明の第１２の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。この第１２の実施形態に係るタッチパネル５０は、いわゆる静電容量方式タッチパネルであり、その表面および内部の少なくとも一方に多数の構造体３が形成されている。このタッチパネル５０は、例えば表示装置５４に対して接着層５３を介して貼り合わされる。
（第１の構成例）
　図３４Ａに示すように、第１の構成例に係るタッチパネル５０は、基体２と、この基体２上に形成された透明導電膜４と、保護層９とを備える。基体２および保護層９の少なくとも一方には、可視光の波長以下の微細ピッチで構造体３が多数配置されている。なお、図３４Ａでは、基体２の表面に構造体３が多数配置された例が示されている。静電容量方式タッチパネルは、表面型静電容量方式タッチパネル、インナー型静電容量方式タッチパネル、および投影型静電容量方式タッチパネルのいずれであってもよい。基体２の周縁部に配線層などの周縁部材を形成する場合には、上述の第１２の実施形態と同様に、基体２の周縁部にも多数の構造体３を形成することが好ましい。配線層などの周縁部材と基体２との密着性を向上することができるからである。
　保護層９は、例えばＳｉＯ２などの誘電体を主成分とする誘電体層である。透明導電膜４は、タッチパネル５０の方式により異なる構成を有している。例えば、タッチパネル５０が表面型静電容量方式タッチパネル、またはインナー型静電容量方式タッチパネルである場合には、透明導電膜４は、ほぼ一様な膜厚を有する薄膜である。タッチパネル５０が投影型静電容量方式タッチパネルである場合には、透明導電膜４は、所定ピッチで配置された格子形状などの透明電極パターンであり、対向して配置される。透明導電膜４の材料としては、上述の第１の実施形態と同様のものを用いることができる。上記以外のことは、第９の実施形態と同様であるので説明を省略する。
（第２の構成例）
　図３４Ｂに示すように、第２の構成例に係るタッチパネル５０は、タッチパネル５０の内部に代えて、保護層９の表面、すなわち、タッチ面に可視光の波長以下の微細ピッチで構造体３が多数配置されている点において、第１の構成例とは異なっている。なお、表示装置５３に貼り合わされる側の裏面に、多数の構造体３をさらに配置するようにしてもよい。
　第１２の実施形態では、静電容量方式のタッチパネル５０の表面および内部の少なくとも一方に多数の構造体３を形成しているので、第８の実施形態と同様の効果を得ることができる。
＜１３．第１３の実施形態＞
［タッチパネルの構成］
　図４８Ａは、本発明の第１３の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。図４８Ａに示すように、情報入力装置であるタッチパネル２１０は、表示装置２１２の表示面上に設けられる。タッチパネル２１０が適用される表示装置２１２は特に限定されるものではないが、例示するならば、液晶ディスプレイ、ＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ　Ｒａｙ　Ｔｕｂｅ）ディスプレイ、プラズマディスプレイ（Ｐｌａｓｍａ　Ｄｉｓｐｌａｙ　Ｐａｎｅｌ：ＰＤＰ）、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）ディスプレイ、表面伝導型電子放出素子ディスプレイ（Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ　Ｄｉｓｐｌａｙ：ＳＥＤ）などの各種表示装置が挙げられる。
　タッチパネル２１０は、いわゆる投影型静電容量方式タッチパネルであり、導電性素子１１を備える。導電性素子２１１は、光学層２０１と、この光学層内に所定間隔離して形成された第１の透明導電膜２０５および第２の透明導電膜２０６とを備える。第１の透明導電膜２０５は、例えば、所定のパターンを有するＸ電極（第１の電極）である。第２の透明導電膜２０６は、例えば、所定のパターンを有するＹ電極（第２の電極）である。これらのＸ電極とＹ電極とは、例えば互いに直交する関係にある。光学層２０１の屈折率ｎは、例えば１．２以上１．７以下の範囲内である。
　透明導電膜４の表面抵抗は、５０Ω／□以上４０００Ω／□以下の範囲であることが好ましく、より好ましくは５０Ω／□以上５００Ω／□以下の範囲内である。このような範囲の表面抵抗にすることで、静電容量方式のタッチパネルの上部電極、または下部電極として透明導電性光学素子１を用いることができるからである。ここで、透明導電膜４の表面抵抗は、４端子測定（ＪＩＳ　Ｋ　７１９４）により求めたものである。
　透明導電膜４の比抵抗は、１×１０−３Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。１×１０−３Ω・ｃｍ以下であると、上記表面抵抗範囲を実現することができるからである。
　図４８Ｂは、図４８Ａに示した配線領域Ｒ１を拡大して表す拡大断面図である。図４８Ｃは、図４８Ａに示した非配線領域Ｒ２を拡大して表す拡大断面図である。第１の透明導電膜２０５は、互いに同期する第１の波面Ｓ１と第２の波面Ｓ２とを有する。第１の波面Ｓ１および第２の波面Ｓ２の平均波長λ１は、可視光の波長以下である。第１の波面Ｓ１と第２の波面Ｓ２との振動の平均幅が異なっていることが好ましい。第１の波面Ｓ１の振動の平均幅Ａ１は、第２の波面Ｓ２の振動の平均幅Ｂ１よりも小さいことがより好ましい。振動の幅が最大となる位置を含むようにして、第１の波面Ｓ１または第２の波面Ｓ２を一方向に向かって切断したときの断面形状は、例えば、三角波形状、正弦波形状、２次曲線もしくは２次曲線の一部を繰り返した波形状、またはこれらに近似する形状などである。２次曲線としては、円、楕円、放物線などが挙げられる。
　配線領域Ｒ１において第１の波面Ｓ１の平均波長λ１に対する振動の平均幅Ａ１の比率（Ａ１／λ１）が、０．２以上１．３以下であることが好ましく、より好ましくは０．２以上１．０以下である。０．２未満であると、反射率が増加する傾向がある。１．３を超えると、表面抵抗が所定の値を満たせなくなる傾向があり。第２の波面Ｓ２の平均波長λ１に対する振動の平均幅Ｂ１の比率（Ｂ１／λ１）が、０．２以上１．３以下であることが好ましく、より好ましくは０．２以上１．０以下である。０．２未満であると、反射率が増加する傾向がある。１．３を超えると、表面抵抗が所定の値を満たせなくなる傾向がある。第１の透明導電膜２０５の平均膜厚は８０ｎｍ以下である。８０ｎｍを超えると、反射率が増加する傾向がある。
　ここで、平均波長λ１、第１の波面Ｓ１の振動の平均幅Ａ１、第２の波面Ｓ２の振動の平均幅Ｂ１、比率（Ａ１／λ）、および比率（Ｂ１／λ）は、以下のようにして求めたものである。まず、第１の透明導電膜２０５の第１の波面Ｓ１または第２の波面Ｓ２の振動の幅が最大となる位置Ｃ１およびＣ２を含むようにして導電性素子２１１を一方向に切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）にて撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、第１の波面Ｓ１または第２の波面Ｓ２の波長λ１、第１の波面Ｓ１の振動の幅Ａ１、および第２の波面Ｓ２の振動の幅Ｂ１を求める。この測定を導電性素子２１１から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して平均波長λ１、第１の波面Ｓ１の振動の平均幅Ａ１、および第２の波面Ｓ２の振動の平均幅Ｂ１を求める。次に、これらの平均波長λ１、振動の平均幅Ａ１、および振動の平均幅Ｂ１を用いて、比率（Ａ１／λ）および比率（Ｂ１／λ）を求める。
　平均膜厚は、最大膜厚の平均値を意味し、具体的には以下のようにして求められる。まず、第１の透明導電膜２０５の第１の波面Ｓ１または第２の波面Ｓ２の振動の幅が最大となる位置Ｃ１１およびＣ１２を含むようにして導電性素子２１１を一方向に切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、膜厚が最も厚くなる位置（例えば位置Ｃ１）における第１の透明導電膜２０５の膜厚を測定する。この測定を第１の透明導電膜２０５から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して平均膜厚を求める。
　第２の透明導電膜２０６は、互いに同期する第３の波面Ｓ３と第４の波面Ｓ４とを有する。第３の波面Ｓ３および第４の波面Ｓ４の平均波長λ２は、可視光の波長以下である。振動の幅が最大となる位置を含むようにして、第３の波面Ｓ３または第４の波面Ｓ４を一方向に向かって切断したときの断面形状は、例えば、三角波形状、正弦波形状、２次曲線もしくは２次曲線の一部を繰り返した波形状、またはこれらに近似する形状などである。２次曲線としては、円、楕円、放物線などが挙げられる。
　配線領域Ｒ１において第３の波面Ｓ３の平均波長λ２に対する振動の平均幅Ａ２の比率（Ａ２／λ２）が、０．２以上１．３以下であることが好ましく、より好ましくは０．２以上１．０以下である。０．２未満であると、反射率が増加する傾向がある。１．３を超えると、表面抵抗が所定の値を満たせなくなる傾向がある。第４の波面Ｓ４の平均波長λ２に対する振動の平均幅Ｂ２の比率（Ｂ２／λ２）が、０．２以上１．３以下であることが好ましく、より好ましくは０．２以上１．０以下である。０．２未満であると、反射率が増加する傾向がある。１．３を超えると、表面抵抗が所定の値を満たせなくなる傾向がある。第２の透明導電膜２０６の平均膜厚は好ましくは８０ｎｍ以下である。８０ｎｍを超えると、透過率が悪化する傾向がある。
　ここで、第３の波面Ｓ３および第４の波面Ｓ４の平均波長λ２は、上述の第１の波面Ｓ１および第２の波面Ｓ２の平均波長λ１と同様にして求めたものである。また、第３の波面Ｓ３の振動の平均幅Ａ２、および第４の波面Ｓ４の振動の平均幅Ａ２は、上述の第１の波面Ｓ１の振動の平均幅Ａ１、および第２の波面の振動の平均幅Ｂ１と同様にして求めたものである。また、第２の透明導電膜２０６の平均膜厚は、第１の透明導電膜２０５の平均膜厚と同様にして求めたものである。
　光学層２０１は、第１の凹凸面Ｓ１および第４の凹凸面Ｓ４を有する第１の光学層２０２と、第２の凹凸面Ｓ２を有する第２の光学層２０３と、第３の凹凸面Ｓ３を有する第３の光学層２０４とを備える。第１の凹凸面Ｓ１と第２の凹凸面Ｓ２との間に第１の透明導電膜２０５が形成されている。第３の凹凸面Ｓ３と第４の凹凸面Ｓ４との間に第２の透明導電膜２０６が形成されている。また、光学層１は、凹凸面として第１の凹凸面Ｓ１と第２の凹凸面Ｓ２のみを有し、これらの第１の凹凸面Ｓ１と第２の凹凸面Ｓ２との間に第１の透明導電膜２０５が形成される構成としてもよい。
　第１の凹凸面Ｓ１は、可視光の波長以下の平均ピッチで多数の第１の構造体２０２ａを配列することにより形成されている。第２の凹凸面Ｓ２は、可視光の波長以下の平均ピッチで多数の第２の構造体２０３ａを配列することにより形成されている。第１の構造体２０２ａと第２の構造体２０３ａとは、導電性素子２１１の面内方向において対向する位置に配置されている。第１の構造体２０２ａおよび第２の構造体２０３ａは、例えば、凹状または凸状の形状を有する。例えば、第１の構造体２０２ａおよび第２の構造体２０３ａのうち一方の構造体が凸状に形成されるのに対して、他方の構造体が凸状に形成される。図５８Ｂおよび図５８Ｃでは、第１の構造体２０２ａが凸状に形成されるのに対して、第２の構造体２０３ａが凹状に形成された例が示されている。第１の構造体２０２ａと第２の構造体２０３ａとは、例えば、導電性素子２１１の面内方向において対応する位置に形成されており、第２の構造体２０３ａである凹部に対して、第１の構造体２０２ａが突出するようになっている。なお、第１の構造体２０２ａおよび第２の構造体２０３ａの形状の組み合わせは上述の例に限定されるものではなく、両構造体を共に凸形状または凹形状とすることも可能である。配線領域Ｒ１において第１の構造体２０２ａのアスペクト比（平均高さまたは平均深さＨ１１／平均配置ピッチＰ１）は、０．２以上１．３以下であることが好ましく、より好ましくは０．２以上１．０以下である。配線領域Ｒ１において第２の構造体２０３ａのアスペクト比（平均高さまたは平均深さＨ１２／平均配置ピッチＰ１）は、０．２以上１．３以下であることが好ましく、より好ましくは０．２以上１．０以下である。第１の構造体２０２ａの頂部における第１の透明導電膜２０５の平均膜厚は、好ましくは８０ｎｍ以下である。８０ｎｍを超えると、反射率が増加する傾向がある。第１の構造体２０２ａの頂部における第１の透明導電膜２０５の膜厚をＤ１、第１の構造体２０２ａの傾斜面における第１の透明導電膜２０５の膜厚をＤ２、第１の構造体膜間における第１の透明導電膜２０５の膜厚をＤ３としたときに、Ｄ１＞Ｄ３＞Ｄ２の関係を満たすことが好ましい。
　ここで、平均配置ピッチＰ１、平均高さまたは平均深さＨ１１、平均高さまたは平均深さＨ１２、アスペクト比（Ｈ１１／Ｐ１）、およびアスペクト比（Ｈ１２／Ｐ１）は、以下のようにして求めたものである。まず、導電性素子２１１を第１の構造体２０２ａの頂部を含むように切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、第１の構造体２０２ａまたは第２の構造体２０３ａの配置ピッチＰ２０１、第１の構造体２０２ａの高さまたは深さＨ１１、および第２の構造体２０３ａの高さまたは深さＨ１２を求める。この測定を導電性素子２１１から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して、平均配置ピッチＰ１、平均高さまたは平均深さＨ１１、および平均高さまたは平均深さＨ１２を求める。次に、これらの平均配置ピッチＰ１、平均高さまたは平均深さＨ１１、および平均高さまたは平均深さＨ１２を用いて、アスペクト比（Ｈ１１／Ｐ１）およびアスペクト比（Ｈ１２／Ｐ２）を求める。
　平均膜厚は、最大膜厚の平均値を意味し、具体的には以下のようにして求められる。まず、導電性素子２１１を第１の構造体２０２ａの頂部を含むように切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、第１の構造体２０２ａにおける頂部Ｃ１における第１の透明導電膜２０５の膜厚を測定する。これらの測定を導電性素子２１１から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して平均膜厚を求める。
　第３の凹凸面Ｓ３は、可視光の波長以下のピッチで多数の第３の構造体２０４ａを配列することにより形成されている。第４の凹凸面Ｓ４は、可視光の波長以下のピッチで多数の第４の構造体２０２ｂを配列することにより形成されている。第３の構造体２０４ａと第４の構造体２０２ｂとは、導電性素子２１１の面内方向において対向する位置に配置されている。第３の構造体２０４ａおよび第４の構造体２０２ｂは、例えば、凹状または凸状の形状を有する。例えば、第３の構造体２０４ａおよび第４の構造体２０２ｂのうち一方の構造体が凸状に形成されるのに対して、他方の構造体が凸状に形成される。図５８Ｂおよび図５８Ｃでは、第３の構造体２０４ａが凸状に形成されるのに対して、第４の構造体２０２ｂが凹状に形成された例が示されている。第１の構造体２０２ａと第２の構造体２０３ａとは、例えば、導電性素子２０１の面内方向において対応する位置に形成されており、第２の構造体２０３ａである凹部に対して、第１の構造体２０２ａが突出するようになっている。なお、第１の構造体２０２ａおよび第２の構造体２０３ａの形状の組み合わせは上述の例に限定されるものではなく、両構造体を共に凸形状または凹形状とすることも可能である。配線領域Ｒ１において第３の構造体２０４ａのアスペクト比（平均高さまたは平均深さＨ２１／平均配置ピッチＰ２）は、０．２以上１．３以下であることが好ましく、より好ましくは０．２以上１．０以下である。第４の構造体２０２ｂのアスペクト比（平均高さまたは平均深さＨ２２／平均配置ピッチＰ２）は、０．２以上１．３以下であることが好ましく、より好ましくは０．２以上１．０以下である。配線領域Ｒ１において第３の構造体２０４ａの頂部における第２の透明導電膜２０６の平均膜厚は、好ましくは８０ｎｍ以下である。８０ｎｍを超えると、反射率が増加する傾向がある。第３の構造体２０４ａの頂部における第２の透明導電膜２０６の膜厚をＤ１、第３の構造体２０４ａの傾斜面における第２の透明導電膜２０６の膜厚をＤ２、第２の構造体間における第２の透明導電膜２０６の膜厚をＤ３としたときに、Ｄ１＞Ｄ３＞Ｄ２の関係を満たすことが好ましい。
　ここで、第３の構造体２０４ａまたは第４の構造体２０２ｂの平均配置ピッチＰ２は、上述の第１の構造体２０２ａまたは第３の構造体２０３ａの平均配置ピッチＰ１と同様にして求めたものである。また、第３の構造体２０４ａ平均高さまたは平均深さＨ２１、および第４の構造体２０２ｂの平均高さまたは平均深さＨ２２は、上述の第１の構造体２０２ａの平均高さまたは平均深さＨ１１、および第２の構造体２０３ａの平均高さまたは平均深さＨ１２と同様にして求めたものである。また、第２の透明導電膜２０６の平均膜厚は、第１の透明導電膜２０５の平均膜厚と同様にして求めたものである。
　図４９Ａは、本発明の第１３の実施形態に係るタッチパネルのより具体的な構成例を示す斜視図である。このタッチパネル２１０は、ＩＴＯ　Ｇｒｉｄ方式の投射型静電容量方式タッチパネルであり、重ね合わされた第１の基材２０４と第１の基材２０２とを備える。
　図４９Ｂは、第１の基材の一構成例を示す分解斜視図である。なお、第１の基材２０２は第１の基材２０４とほぼ同様の構成を有するので、分解斜視図の記載を省略する。第１の基材２０４の両主面のうち、第１の基材２０２に対向する一主面には、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２が交互に繰り返し設定され、隣り合う第１の領域Ｒ１の間は第２の領域Ｒ２により隔てられている。第１の基材２０２の両主面のうち、第２の基材２３１に対向する一主面には、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２が交互に繰り返し設定され、隣り合う第１の領域Ｒ１の間は第２の領域Ｒ２により隔てられている。
　第１の基材２０４の第１の領域Ｒ１は、所定形状の単位領域Ｃ１をＸ軸方向に繰り返し連結してなり、第２の領域Ｒ２は、所定形状の単位領域Ｃ２をＸ軸方向に繰り返し連結してなる。第１の基材２０２の第１の領域Ｒ１は、所定形状の単位領域Ｃ１をＹ軸方向に繰り返し連結してなり、第２の領域Ｒ２は、所定形状の単位領域Ｃ２をＹ軸方向に繰り返し連結してなる。単位領域Ｃ１および単位領域Ｃ２の形状としては、例えばダイヤモンド形状（菱形形状）、三角形状、四角形状などが挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。
　第１の領域Ｒ１には、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで構造体が多数形成され、透明導電層が島状などに不連続的に形成されている。これに対して、第２の領域Ｒ２には、構造体が形成されず平面状とされ、透明導電層が連続的に形成されている。したがって、第１の基材２０４の両主面のうち、第１の基材２０２に対向する一主面には、透明導電層からなる複数の横（Ｘ）電極（第１の電極）２０６が配列されている。また、第１の基材２０２の両主面のうち、第１の基材２０４に対向する一主面には、透明導電層からなる複数の縦（Ｙ）電極（第２の電極）２０５が配列されている。横電極２０６および縦電極２０５は、第２の領域Ｒ２と同様の形状を有する。
　第１の基材２０４の横電極２０６と第１の基材２０２の縦電極２０５とは互いに直交する関係にある。第１の基材２０４と第１の基材２０２とを重ね合わせた状態において、第１の基材２０４の第１の領域Ｒ１と、第１の基材２０２の第２の領域Ｒ２とが重ね合わされ、第１の基材２０４の第２の領域Ｒ２と、第１の基材２０２の第１の領域Ｒ１とが重ね合わされる。
（第１の光学層）
（第１の例）
　図５０Ａは、凸状の構造体が両主面に多数形成された第１の光学層の構成の一例を示す概略平面図である。図５０Ｂは、図５０Ａに示した第１の光学層の一部を拡大して表す平面図である。図５０Ｃは、図５０ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図５０Ｄは、図５０ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図５１Ａは、図５０Ｂに示した第１の光学層のトラックの延在方向（Ｘ方向（以下、適宜トラック方向ともいう））の断面図である。図５１Ｂは、図５０Ｂに示した第１の光学層のθ方向の断面図である。図５２Ａ~図５３Ｂは、図５０Ｂに示した構造体の形状例を表す斜視図である。
　第１の光学層２０２は、第１の主面および第２の主面を有する基体２０２ｃと、第１の主面に形成された多数の第１の構造体２０２ａと、第２の主面に形成された多数の第２の構造体２０２ｂとを備える。第１の構造体２０２ａ、および第２の構造体２０２ｂは、例えば凸状の形状を有している。
（基体）
　基体２０２ｃは、例えば、透明性を有する透明基体である。基体２０２ｃの材料としては、例えば、透明性を有するプラスチック材料、ガラスなどを主成分とするものが挙げられるが、これらの材料に特に限定されるものではない。
　ガラスとしては、例えば、ソーダライムガラス、鉛ガラス、硬質ガラス、石英ガラス、液晶化ガラスなど（「化学便覧」基礎編、Ｐ．Ｉ−５３７、日本化学会編参照）が用いられる。プラスチック材料としては、透明性、屈折率、および分散などの光学特性、さらには耐衝撃性、耐熱性、および耐久性などの諸特性の観点から、ポリメチルメタアクリレート、メチルメタクリレートと他のアルキル（メタ）アクリレート、スチレンなどといったビニルモノマーとの共重合体などの（メタ）アクリル系樹脂；ポリカーボネート、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート（ＣＲ−３９）などのポリカーボネート系樹脂；（臭素化）ビスフェノールＡ型のジ（メタ）アクリレートの単独重合体ないし共重合体、（臭素化）ビスフェノールＡモノ（メタ）アクリレートのウレタン変性モノマーの重合体及び共重合体などといった熱硬化性（メタ）アクリル系樹脂；ポリエステル特にポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよび不飽和ポリエステル、アクリロニトリル−スチレン共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、シクロオレフィンポリマー（商品名：アートン、ゼオノア）、シクロオレフィンコポリマーなどが好ましい。また、耐熱性を考慮したアラミド系樹脂の使用も可能である。
　基体２０２ｃとしてプラスチック材料を用いる場合、プラスチック表面の表面エネルギー、塗布性、すべり性、平面性などをより改善するために、表面処理として下塗り層を設けるようにしてもよい。この下塗り層としては、例えば、オルガノアルコキシメタル化合物、ポリエステル、アクリル変性ポリエステル、ポリウレタンなどが挙げられる。また、下塗り層を設けるのと同様の効果を得るために、基体２０２ｃの表面に対してコロナ放電、ＵＶ照射処理を行うようにしてもよい。
　基体２０２ｃがプラスチックフィルムである場合には、基体２０２ｃは、例えば、上述の樹脂を伸延、あるいは溶剤に希釈後フィルム状に成膜して乾燥するなどの方法で得ることができる。また、基体２０２ｃの厚さは、導電性素子２１１の用途に応じて適宜選択することが好ましく、例えば２５μｍ~５００μｍ程度である。
　基体２０２ｃの形状としては、例えば、シート状、プレート状、ブロック状を挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではない。ここで、シートにはフィルムが含まれるものと定義する。
（構造体）
　基体２０２ｃの第１の主面には、例えば、凸状を有する第１の構造体２０２ａが多数配列され、基体２０２ｃの第２の主面には、例えば、凸状を有する第１の構造体２０２ａが多数配列されている。これらの第１の構造体２０２ａ、および第２の構造体２０２ｂは、反射の低減を目的とする光の波長帯域以下の短い平均配置ピッチ、例えば可視光の波長と同程度の平均配置ピッチで周期的に２次元配置されている。反射の低減を目的とする光の波長帯域は、例えば、紫外光の波長帯域、可視光の波長帯域または赤外光の波長帯域である。ここで、紫外光の波長帯域とは１０ｎｍ~３６０ｎｍの波長帯域、可視光の波長帯域とは３６０ｎｍ~８３０ｎｍの波長帯域、赤外光の波長帯域とは８３０ｎｍ~１ｍｍの波長帯域をいう。具体的には、第１の構造体２ａの平均配置ピッチは、好ましくは１００ｎｍ以上３２０ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以上３２０ｎｍ以下、さらに好ましくは１１０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下範囲内である。配置ピッチが１８０ｎｍ未満であると、第１の構造体２０２ａの作製が困難となる傾向がある。一方、配置ピッチが３５０ｎｍを超えると、可視光の回折が生じる傾向がある。
　第１の構造体２０２ａと第２の構造体２０２ｂとは基体２０２ｃの形成面が異なる以外の点では同様であるので、以下では第１の構造体２０２ａについてのみ説明する。
　第１の光学層２０２の各第１の構造体２０２ａは、基体２０２ｃの表面において複数列のトラックＴ１，Ｔ２，Ｔ３，・・・（以下総称して「トラックＴ」ともいう。）をなすような配置形態を有する。本発明において、トラックとは、第１の構造体２０２ａが列をなして直線状に連なった部分のことをいう。また、列方向とは、基体２０２ｃの成形面において、トラックの延在方向（Ｘ方向）に直交する方向）のことをいう。
　第１の構造体２０２ａは、隣接する２つのトラックＴ間において、半ピッチずれた位置に配置されている。具体的には、隣接する２つのトラックＴ間において、一方のトラック（例えばＴ１）に配列された第１の構造体２０２ａの中間位置（半ピッチずれた位置）に、他方のトラック（例えばＴ２）の第１の構造体２０２ａが配置されている。その結果、図５０Ｂに示すように、隣接する３列のトラック（Ｔ１~Ｔ３）間においてａ１~ａ７の各点に第１の構造体２０２ａの中心が位置する六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成するように第１の構造体２０２ａが配置されている。本実施形態において、六方格子パターンとは、正六角形状の格子パターンのことをいう。また、準六方格子パターンとは、正六角形状の格子パターンとは異なり、トラックの延在方向（Ｘ軸方向）に引き伸ばされ歪んだ六方格子パターンのことをいう。また、構造体は準六方格子や六方格子パターンに限らず、四方格子やランダムな凹凸面など、その他のパターンであってもかまわない。
　第１の構造体２０２ａが準六方格子パターンを形成するように配置されている場合には、図５０Ｂに示すように、同一トラック（例えばＴ１）内における第１の構造体２０２ａの配置ピッチｐ１（ａ１~ａ２間距離）は、隣接する２つのトラック（例えばＴ１およびＴ２）間における第１の構造体２０２ａの配置ピッチ、すなわちトラックの延在方向に対して±θ方向における第１の構造体２０２ａの配置ピッチｐ２（例えばａ１~ａ７、ａ２~ａ７間距離）よりも長くなっていることが好ましい。このように第１の構造体２０２ａを配置することで、第１の構造体２０２ａの充填密度の更なる向上を図れるようになる。
　第１の構造体２０２ａが、成形の容易さの観点から、錐体形状、または錐体形状をトラック方向に延伸または収縮させた錐体形状を有することが好ましい。第１の構造体２０２ａが、軸対称な錐体形状、または錐体形状をトラック方向に延伸または収縮させた錐体形状を有することが好ましい。隣接する第１の構造体２０２ａに接合されている場合には、第１の構造体２０２ａが、隣接する第１の構造体２０２ａに接合されている下部を除いて軸対称な錐体形状、または錐体形状をトラック方向に延伸または収縮させた錐体形状を有することが好ましい。錐体形状としては、例えば、円錐形状、円錐台形状、楕円錐形状、楕円錐台形状などを挙げることができる。ここで、錐体形状とは、上述のように、円錐形状および円錐台形状以外にも、楕円錐形状、楕円錐台形状を含む概念である。また、円錐台形状とは、円錐形状の頂部を切り落とした形状をいい、楕円錐台形状とは、楕円錐の頂部を切り落とした形状のことをいう。
　第１の構造体２０２ａは、トラックの延在方向の幅がこの延在方向とは直交する列方向の幅よりも大きい底面を有する錐体形状であることが好ましい。具体的には、第１の構造体２０２ａは、図５２Ａおよび図５２Ｂに示すように、底面が長軸と短軸をもつ楕円形、長円形または卵型の錐体構造で、頂部が曲面である楕円錐形状であることが好ましい。また、図５３Ａに示すように、底面が長軸と短軸をもつ楕円形、長円形または卵型の錐体構造で、頂部が平坦である楕円錐台形状であることが好ましい。このような形状にすると、列方向の充填率を向上させることができるからである。
　反射特性の向上の観点からすると、頂部の傾きが緩やかで中央部から底部に徐々に急峻な傾きの錐体形状（図５２Ｂ参照）が好ましい。また、反射特性および透過特性の向上の観点からすると、中央部の傾きが底部および頂部より急峻な錐形形状（図５２Ａ参照）、または、頂部が平坦な錐体形状（図５２Ａ参照）であることが好ましい。第１の構造体２０２ａが楕円錐形状または楕円錐台形状を有する場合、その底面の長軸方向が、トラックの延在方向と平行となることが好ましい。図５２Ａ~図５３Ｂでは、各第１の構造体２０２ａは、それぞれ同一の形状を有しているが、第１の構造体２０２ａの形状はこれに限定されるものではなく、基体表面に２種以上の形状の第１の構造体２０２ａが形成されていてもよい。また、第１の構造体２０２ａは、基体２０２ｃと一体的に形成されていてもよい。
　また、図５２Ａ~図５３Ｂに示すように、第１の構造体２０２ａの周囲の一部または全部に突出部２０２ｄを設けることが好ましい。このようにすると、第１の構造体２０２ａの充填率が低い場合でも、反射率を低く抑えることができるからである。具体的には例えば、突出部２０２ｄは、図５２Ａ~図５３Ｂに示すように、隣り合う第１の構造体２０２ａの間に設けられる。また、細長い突出部２０２ｅが、図５３Ｂに示すように、第１の構造体２０２ａの周囲の全体またはその一部に設けられるようにしてもよい。この細長い突出部２０２ｅは、例えば、第１の構造体２０２ａの頂部から下部の方向に向かって延びている。突出部２０２ｅの形状としては、断面三角形状および断面四角形状などを挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではなく、成形の容易さなどを考慮して選択することができる。また、第１の構造体２０２ａの周囲の一部または全部の表面を荒らし、微細の凹凸を形成するようにしてもよい。具体的には例えば、隣り合う第１の構造体２０２ａの間の表面を荒らし、微細な凹凸を形成するようにしてもよい。また、第１の構造体２０２ａの表面、例えば頂部に微小な穴を形成するようにしてもよい。
　トラックの延在方向における第１の構造体２０２ａの高さＨ１は、列方向における第１の構造体２０２ａの高さＨ２よりも小さいことが好ましい。すなわち、第１の構造体２０２ａの高さＨ１、Ｈ２がＨ１＜Ｈ２の関係を満たすことが好ましい。Ｈ１≧Ｈ２の関係を満たすように第１の構造体２０２ａを配列すると、トラックの延在方向の配置ピッチＰ２０１を長くする必要が生じるため、トラックの延在方向における第１の構造体２０２ａの充填率が低下するためである。このように充填率が低下すると、反射特性の低下を招くことになる。
　なお、第１の構造体２０２ａのアスペクト比は全て同一である場合に限らず、各第１の構造体２０２ａが一定の高さ分布をもつように構成されていてもよい。高さ分布を有する第１の構造体２０２ａを設けることで、反射特性の波長依存性を低減することができる。したがって、優れた反射防止特性を有する導電性素子２１１を実現することができる。
　ここで、高さ分布とは、２種以上の高さ（深さ）を有する第１の構造体２０２ａが基体２０２ｃの表面に設けられていることを意味する。すなわち、基準となる高さを有する第１の構造体２０２ａと、この第１の構造体２０２ａとは異なる高さを有する第１の構造体２０２ａとが基体２０２ｃの表面に設けられていることを意味する。基準とは異なる高さを有する第１の構造体２０２ａは、例えば基体２０２ｃの表面に周期的または非周期的（ランダム）に設けられている。その周期性の方向としては、例えばトラックの延在方向、列方向などが挙げられる。
　第１の構造体２０２ａの周縁部に裾部２０２ｄを設けることが好ましい。導電性素子の製造工程において第１の構造体２０２ｄを金型などから容易に剥離することが可能になるからである。ここで、裾部２０２ｄとは、第１の構造体２０２ａの底部の周縁部に設けられた突出部を意味する。この裾部２０２ｃは、上記剥離特性の観点からすると、第１の構造体２０２ａの頂部から下部の方向に向かって、なだらかに高さが低下する曲面を有することが好ましい。なお、裾部２０２ｄは、第１の構造体２０２ａの周縁部の一部にのみ設けてもよいが、上記剥離特性の向上の観点からすると、第１の構造体２０２ａの周縁部の全部に設けることが好ましい。また、第１の構造体２０２ａが凹部である場合には、裾部は、第１の構造体２０２ａである凹部の開口周縁に設けられた曲面となる。
　六方格子パターン、または準六方格子パターンを形成するように第１の構造体２０２ａが配置されている場合には、第１の構造体２０２ａの高さＨは、第１の構造体２０２ａの列方向の高さとする。第１の構造体２０２ａのトラック延在方向（Ｘ方向）の高さは、列方向（Ｙ方向）の高さよりも小さく、また、第１の構造体２０２ａのトラック延在方向以外の部分における高さは列方向の高さとほぼ同一であるため、サブ波長構造体の高さを列方向の高さで代表する。
　同一トラック内における第１の構造体２０２ａの配置ピッチをｐ１、隣接する２つのトラック間における第１の構造体２０２ａの配置ピッチをｐ２としたとき、比率ｐ１／ｐ２が、好ましくは１．００≦ｐ１／ｐ２≦１．２、または１．００＜ｐ１／ｐ２≦１．２、より好ましくは１．００≦ｐ１／ｐ２≦１．１、または１．００＜ｐ１／ｐ２≦１．１の関係を満たしている。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する第１の構造体２０２ａの充填率を向上することができるので、反射防止特性を向上することができる。
　基体表面における第１の構造体２０２ａの充填率は、１００％を上限として、６５％以上、好ましくは７３％以上、より好ましくは８６％以上の範囲内である。充填率をこのような範囲にすることで、反射防止特性を向上することができる。充填率を向上させるためには、隣接する第１の構造体２０２ａの下部同士を接合する、または、構造体底面の楕円率を調整などして第１の構造体２０２ａに歪みを付与することが好ましい。
　図５４Ａは、円錐形状または円錐台形状を有する第１の構造体２０２ａの配置の一例を示す。図５４Ｂは、楕円錐形状または楕円錐台形状を有する第１の構造体２０２ａの配置の一例を示す。図５４Ａおよび図５４Ｂに示すように、第１の構造体２０２ａが、その下部同士を重ね合うようにして接合されていていることが好ましい。具体的には、第１の構造体２０２ａの下部が、隣接関係にある第１の構造体２０２ａの一部または全部の下部と接合されていることが好ましい。より具体的には、トラック方向において、θ方向において、またはそれら両方向において、第１の構造体２０２ａの下部同士を接合することが好ましい。より具体的には、トラック方向において、θ方向において、またはそれら両方向において、第１の構造体２０２ａの下部同士を接合することが好ましい。図５４Ａ、図５４Ｂでは、隣接関係にある第１の構造体２０２ａの全部の下部を接合する例が示されている。このように第１の構造体２０２ａを接合することで、第１の構造体２０２ａの充填率を向上することができる。第１の構造体同士は、屈折率を考慮した光路長で使用環境下の光の波長帯域の最大値の１／４以下の部分で接合されていることが好ましい。これにより、優れた反射防止特性を得ることができる。
　図５４Ｂに示すように、同一トラック内において隣接する第１の構造体２０２ａの下部同士が重ね合わされて第１の接合部ａが形成されるとともに、隣接するトラック間において隣接する第１の構造体２０２ａの下部同士が重ね合わされて第２の接合部ｂが形成される。第１の接合部ａと第２の接合部ｂとの交点に交点部ｃが形成される。交点部ｃの位置は、例えば、第１の接合部ａ、および第２の接合部ｂの位置よりも低くなっている。楕円錐形状または楕円錐台形状を有する第１の構造体２０２ａの下部同士を接合した場合には、例えば、接合部ａ、接合部ｂ、交点部ｃの順序でそれらの高さが低くなる。
　配置ピッチｐ１に対する径２ｒの比率（（２ｒ／ｐ１）×１００）が、８５％以上、好ましくは９０％以上、より好ましくは９５％以上である。このような範囲にすることで、第１の構造体２０２ａの充填率を向上し、反射防止特性を向上できるからである。比率（（２ｒ／ｐ１）×１００）が大きくなり、第１の構造体２０２ａの重なりが大きくなりすぎると反射防止特性が低減する傾向にある。したがって、屈折率を考慮した光路長で使用環境下の光の波長帯域の最大値の１／４以下の部分で構造体同士が接合されるように、比率（（２ｒ／ｐ１）×１００）の上限値を設定することが好ましい。ここで、配置ピッチｐ１は、第１の構造体２０２ａのトラック方向の配置ピッチ、径２ｒは、第１の構造体底面のトラック方向の径である。なお、第１の構造体底面が円形である場合、径２ｒは直径となり、第１の構造体底面が楕円形である場合、径２ｒは長径となる。
（第２の例）
　図５５Ａは、凹状の構造体が両主面に多数形成された第１の光学層の構成の一例を示す概略平面図である。図５５Ｂは、図５５Ａに示した導電性素子の一部を拡大して表す平面図である。図５５Ｃは、図５５ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図５５Ｄは、図５５ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図５６は、図５５Ｂに示した導電性素子の一部を拡大して表す斜視図である。
　第２の構成例は、第１の構造体２０２ａ、および第２の構造体２０２ｂが凹状である点において、第１の構成例と異なっている。このように第１の構造体２０２ａ、および第２の構造体２０２ｂを凹状とした場合、凹状を有する第１の構造体２０２ａ、および第２の構造体２０２ｂの開口部（凹部の入り口部分）を下部、基体２０２ｃの深さ方向の最下部（凹部の最も深い部分）を頂部と定義する。すなわち、非実体的な空間である第１の構造体２０２ａ、および第２の構造体２０２ｂにより頂部、および下部を定義する。
（透明導電膜）
　第１の透明導電膜２０５、および第２の透明導電膜２０６を構成する材料としては、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ（Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ））、ＳＺＯ、フッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ２）、ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ（Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ））、金属酸化物などが挙げられる。特に、信頼性の高さ、および抵抗率の低さなどの観点から、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が好ましい。第１の透明導電膜２０５、および第２の透明導電膜２０６を構成する材料は、アモルファスと多結晶との混合状態であることが好ましい。
　第１の透明導電膜２０５の平均膜厚は、８０ｎｍ以下であることが好ましい。第２の透明導電膜２０６の平均膜厚は、８０ｎｍ以下であることが好ましい。本明細書において第１の透明導電膜２０５の平均膜厚は、上述したように、第１の構造体２０２ａの頂部における第１の透明導電膜厚２０５の平均膜厚である。また、第２の透明導電膜２０６の平均膜厚は、上述したように、第２の構造体２０３ａの頂部における第２の透明導電膜厚２０６の平均膜厚である。
［ロール原盤の構成］
　図５７Ａは、上述の構成を有する第１の光学層を作製するためのロール原盤の構成の一例を示す。図５７Ｂは、図５７Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す斜視図である。ロール原盤３０１は、例えば、そのロール表面に凹部である構造体３０２が可視光などの光の波長以下のピッチで多数配置された構成を有している。ロール原盤３０１は、円柱状または円筒状の形状を有する。ロール原盤３０１の材料は、例えばガラスを用いることができるが、この材料に特に限定されるものではない。後述するロール原盤露光装置を用い、２次元パターンが空間的にリンクし、１トラック毎に極性反転フォーマッタ信号と記録装置の回転コントローラを同期させ信号を発生し、ＣＡＶで適切な送りピッチでパターニングする。これにより、六方格子パターンまたは準六方格子パターンを記録することができる。極性反転フォーマッタ信号の周波数とロールの回転数を適切に設定することにより、所望の記録領域に空間周波数が一様な格子パターンを形成する。
［露光装置の構成］
　図５８は、ロール原盤を作製するためのロール原盤露光装置の構成の一例を示す概略図である。このロール原盤露光装置は、光学ディスク記録装置をベースとして構成されている。
　レーザー光源２２１は、記録媒体としてのロール原盤３０１の表面に着膜されたレジストを露光するための光源であり、例えば波長λ＝２６６ｎｍの記録用のレーザー光３０４を発振するものである。レーザー光源２２１から出射されたレーザー光３０４は、平行ビームのまま直進し、電気光学素子（ＥＯＭ：Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）２２２へ入射する。電気光学素子２２２を透過したレーザー光３０４は、ミラー２２３で反射され、変調光学系２２５に導かれる。
　ミラー２２３は、偏光ビームスプリッタで構成されており、一方の偏光成分を反射し他方の偏光成分を透過する機能をもつ。ミラー２２３を透過した偏光成分はフォトダイオード２２４で受光され、その受光信号に基づいて電気光学素子２２２を制御してレーザー光３０４の位相変調を行う。
　変調光学系２２５において、レーザー光３０４は、集光レンズ２２６により、ガラス（ＳｉＯ２）などからなる音響光学素子（ＡＯＭ：Ａｃｏｕｓｔ−Ｏｐｔｉｃ　Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）２２７に集光される。レーザー光３０４は、音響光学素子２２７により強度変調され発散した後、レンズ２２８によって平行ビーム化される。変調光学系２２５から出射されたレーザー光３０４は、ミラー２３１によって反射され、移動光学テーブル２３２上に水平かつ平行に導かれる。
　移動光学テーブル２３２は、ビームエキスパンダ２３３、および対物レンズ２３４を備えている。移動光学テーブル２３２に導かれたレーザー光３０４は、ビームエキスパンダ２３３により所望のビーム形状に整形された後、対物レンズ２３４を介して、ロール原盤３０１上のレジスト層へ照射される。ロール原盤３０１は、スピンドルモータ２３５に接続されたターンテーブル２３６の上に載置されている。そして、ロール原盤３０１を回転させるとともに、レーザー光３０４をロール原盤３０１の高さ方向に移動させながら、レジスト層へレーザー光３０４を間欠的に照射することにより、レジスト層の露光工程が行われる。形成された潜像は、円周方向に長軸を有する略楕円形になる。レーザー光３０４の移動は、移動光学テーブル２３２の矢印Ｒ方向への移動によって行われる。
　露光装置は、図５７Ｂに示した六方格子または準六方格子の２次元パターンに対応する潜像をレジスト層に形成するための制御機構２３７を備えている。制御機構２３７は、フォーマッタ２２９とドライバ２３０とを備える。フォーマッタ２２９は、極性反転部を備え、この極性反転部が、レジスト層に対するレーザー光３０４の照射タイミングを制御する。ドライバ２３０は、極性反転部の出力を受けて、音響光学素子２２７を制御する。
　このロール原盤露光装置では、２次元パターンが空間的にリンクするように１トラック毎に極性反転フォーマッタ信号と記録装置の回転コントローラを同期させ信号を発生し、音響光学素子２２７により強度変調している。角速度一定（ＣＡＶ）で適切な回転数と適切な変調周波数と適切な送りピッチでパターニングすることにより、六方格子または準六方格子パターンを記録することができる。例えば、円周方向の周期を３１５ｎｍ、円周方向に対して約６０度方向（約−６０度方向）の周期を３００ｎｍにするには、送りピッチを２５１ｎｍにすればよい（ピタゴラスの法則）。極性反転フォーマッタ信号の周波数はロールの回転数（例えば１８００ｒｐｍ、９００ｒｐｍ、４５０ｒｐｍ、２２５ｒｐｍ）により変化させる。例えば、ロールの回転数１８００ｒｐｍ、９００ｒｐｍ、４５０ｒｐｍ、２２５ｒｐｍそれぞれに対向する極性反転フォーマッタ信号の周波数は、３７．７０ＭＨｚ、１８．８５ＭＨｚ、９．３４ＭＨｚ、４、７１ＭＨｚとなる。所望の記録領域に空間周波数（円周３１５ｎｍ周期、円周方向約６０度方向（約−６０度方向）３００ｎｍ周期）が一様な準六方格子パターンは、遠紫外線レーザー光を移動光学テーブル２３２上のビームエキスパンダ（ＢＥＸ）２３３により５倍のビーム径に拡大し、開口数（ＮＡ）０．９の対物レンズ２３４を介してロール原盤３０１上のレジスト層に照射し、微細な潜像を形成することにより得られる。
［導電性素子の製造方法］
　次に、図５９Ａ~図６１Ｃを参照しながら、以上のように構成される導電性素子２１１の製造方法について説明する。
（レジスト成膜工程）
　まず、図５９Ａに示すように、円柱状のロール原盤３０１を準備する。このロール原盤３０１は、例えばガラス原盤である。次に、図５９Ｂに示すように、ロール原盤３０１の表面にレジスト層３０３を形成する。レジスト層３０３の材料としては、例えば有機系レジスト、および無機系レジストのいずれを用いてもよい。有機系レジストとしては、例えばノボラック系レジストや化学増幅型レジストを用いることができる。また、無機系レジストとしては、例えば、１種または２種以上の遷移金属からなる金属化合物を用いることができる。
（露光工程）
　次に、図５９Ｃに示すように、上述したロール原盤露光装置を用いて、ロール原盤３０１を回転させると共に、レーザー光（露光ビーム）３０４をレジスト層３０３に照射する。このとき、レーザー光３０４をロール原盤３０１の高さ方向（円柱状または円筒状のロール原盤３０１の中心軸に平行な方向）に移動させながら、レーザー光３０４を間欠的に照射することで、レジスト層３０３を全面にわたって露光する。これにより、レーザー光３０４の軌跡に応じた潜像３０５が、可視光波長と同程度のピッチでレジスト層３０３の全面にわたって形成される。
　潜像３０５は、例えば、原盤表面において複数列のトラックをなすように配置されるとともに、六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成する。潜像３０５は、例えば、トラックの延在方向に長軸方向を有する楕円形状である。
（現像工程）
　次に、ロール原盤３０１を回転させながら、レジスト層３０３上に現像液を滴下して、図６０Ａに示すように、レジスト層３０３を現像処理する。図示するように、レジスト層３０３をポジ型のレジストにより形成した場合には、レーザー光３０４で露光した露光部は、非露光部と比較して現像液に対する溶解速度が増すので、潜像（露光部）３０５に応じたパターンがレジスト層３０３に形成される。
（エッチング工程）
　次に、ロール原盤３０１の上に形成されたレジスト層３０３のパターン（レジストパターン）をマスクとして、ロール原盤３０１の表面をロールエッチング処理する。これにより、図６０Ｂに示すように、トラックの延在方向に長軸方向をもつ楕円錐形状または楕円錐台形状の凹部、すなわち構造体３０２を得ることができる。エッチング方法は、例えばドライエッチングによって行われる。このとき、エッチング処理とアッシング処理を交互に行うことにより、例えば、錐体状の構造体３０２のパターンを形成することができる。また、例えば、レジスト層３０３の３倍以上の深さ（選択比３以上）のロール原盤３０１を作製でき、構造体３０２の高アスペクト比化を図ることができる。
　以上により、例えば、深さ３０ｎｍ程度から３２０ｎｍ程度の凹形状の六方格子パターンまたは準六方格子パターンを有するロール原盤３０１が得られる。
（第１の光学層の形成工程）
　次に、例えば、基体２０２ｃの一主面に転写塗料を塗布した後、この転写材料に対してロール原盤３０１を押し当てると共に、転写材料に対して紫外線などを照射し硬化させた後、基体２０２ｃをロール原盤３０１から剥離する。これにより、図６０Ｃに示すように、凸部である第１の構造体２０２ａが基体２０２ｃの一主面に多数形成される。
　次に、例えば、基体２０２ｃの他主面（複数の構造体が形成された側とは反対面）に、転写塗料を塗布した後、この転写材料に対してロール原盤３０１を押し当てると共に、転写材料に対して紫外線などを照射し硬化させた後、基体２０２ｃをロール原盤３０１から剥離する。これにより、図６０Ｄに示すように、凸部である第２の構造体２０２ｂが基体２０２ｃの他主面に多数形成される。なお、第１の構造体２０２ａと第２の構造体２０２ｂの形成順序はこの例に限定されるものではなく、第１の構造体２０２ａと第２の構造体２０２ｂとを基体２０２ｃの両面に同時に形成するようにしてもよい。
　転写材料は、例えば、紫外線硬化材料と、開始剤とからなり、必要に応じてフィラーや機能性添加剤などを含んでいる。
　紫外線硬化材料は、例えば、単官能モノマー、二官能モノマー、多官能モノマーなどからなり、具体的には、以下に示す材料を単独または、複数混合したものである。
　単官能モノマーとしては、例えば、カルボン酸類（アクリル酸）、ヒドロキシ類（２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート）、アルキル、脂環類（イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソボニルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート）、その他機能性モノマー（２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレンクリコールアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ベンジルアクリレート、エチルカルビトールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ−ビニルピロリドン、２−（パーフルオロオクチル）エチル　アクリレート、３−パーフルオロヘキシル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−パーフルオロオクチル−２−ヒドロキシプロピル　アクリレート、２−（パーフルオロデシル）エチル　アクリレート、２−（パーフルオロー３−メチルブチル）エチル　アクリレート）、２，４，６−トリブロモフェノールアクリレート、２，４，６−トリブロモフェノールメタクリレート、２−（２，４，６−トリブロモフェノキシ）エチルアクリレート）、２−エチルヘキシルアクリレートなどを挙げることができる。
　二官能モノマーとしては、例えば、トリ（プロピレングリコール）ジアクリレート、トリメチロールプロパン　ジアリルエーテル、ウレタンアクリレートなどを挙げることができる。
　多官能モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ及びヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレートなどを挙げることができる。
　開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オンなどを挙げることができる。
　フィラーとしては、例えば、無機微粒子および有機微粒子のいずれも用いることができる。無機微粒子としては、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３などの金属酸化物微粒子を挙げることができる。
　機能性添加剤としては、例えば、レベリング剤、表面調整剤、消泡剤などを挙げることができる。基体２０２ｃの材料としては、例えば、メチルメタクリレート（共）重合体、ポリカーボネート、スチレン（共）重合体、メチルメタクリレート−スチレン共重合体、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアセタール、ポリエーテルケトン、ポリウレタン、ガラスなどが挙げられる。
　基体２０２ｃの成形方法は特に限定されず、射出成形体でも押し出し成形体でも、キャスト成形体でもよい。必要に応じて、コロナ処理などの表面処理を基体表面に施すようにしてもよい。
（透明導電膜の成膜工程）
　次に、図６１Ａに示すように、第１の構造体２０２ａが多数形成された基体２０２ｃの一主面上に、第１の透明導電膜２０５を成膜する。次に、図６１Ｂに示すように、第２の構造体２０２ｂが多数形成された基体２０２ｃの他主面上に、第２の透明導電膜２０６を成膜する。第１の透明導電膜２０５および／または第２の透明導電膜２０６を成膜する際に、基体２０２ｃを加熱しながら成膜を行うようにしてもよい。第１の透明導電膜２０５および第２の透明導電膜２０６の成膜方法としては、例えば、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなどのＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（化学蒸着法）：化学反応を利用して気相から薄膜を析出させる技術）のほか、真空蒸着、プラズマ援用蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどのＰＶＤ法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（物理蒸着法）：真空中で物理的に気化させた材料を基板上に凝集させ、薄膜を形成する技術）を用いることができる。次に、必要に応じて、第１の透明導電膜２０５および／または第２の透明導電膜２０６に対してアニール処理を施す。これにより、第１の透明導電膜２０５および／または第２の透明導電膜２０６が、例えばアモルファスと多結晶との混合状態となる。
（透明導電膜のパターニング工程）
　次に、例えばフォトエッチングにより、第１の透明導電膜２０５および第２の透明導電膜２０６をパターニングすることで、Ｘ電極およびＹ電極パターンなどの所定の電極パターンを形成する。
（第２の光学層の形成工程）
　次に、第１の透明導電膜２０５が形成された第１の光学層２の凹凸面に対して、光学シート２０８を、粘着剤などからなる貼合層２０７を介して貼り合わせる。これにより、図６１Ｃに示すように、第１の光学層２０２の第１の透明導電膜上に第２の光学層２０３が形成される。
（第３の光学層の形成工程）
　次に、必要に応じて、第２の透明導電膜２０６が形成された第１の光学層２０２の凹凸面を、粘着剤などを介して、表示装置２１２に対して貼り合わせる。これにより、第１の光学層２０２の凹凸面と表示装置２１２との間に、第３の光学層２０４が形成される。
　以上により、目的とする導電性素子２１１が得られる。
　第１３の実施形態によれば、導電性素子２１１は、第１の凹凸面Ｓ１および第４の凹凸面Ｓ４を有する第１の光学層２０２と、第２の凹凸面Ｓ２を有する第２の光学層２０３と、第３の凹凸面Ｓ３を有する第３の光学層２０４とを備える。第１の凹凸面Ｓ１と第２の凹凸面Ｓ２との間に、所定の電極パターンを有する第１の透明導電膜２０５が形成されている。第３の凹凸面Ｓ３と第４の凹凸面Ｓ４との間に、所定の電極パターンを有する第２の透明導電膜２０６が形成されている。これにより、第１の透明導電膜２０５および第２の透明導電膜２０６の配線パターンが有る部分と無い部分との反射率の違いを低減することができる。したがって、配線パターンの視認を抑制できる。また、多層の光学膜を使用せず、ナノインプリント技術の利用と高スループットな膜構成との採用とによって、優れた量産性、および低コストを実現できる。
　光ディスクの原盤作製プロセスとエッチングプロセスとを融合した方法を用いて導電性素子２１１を作製した場合には、導電性素子２１１の生産性の向上を図ることができると共に、導電性素子２１１の大型化にも対応できる。
［変形例］
（第１の変形例）
　上述の第１３の実施形態では、トラックが直線状を有する場合について説明したが、トラックの形状はこの例に限定されるものではない。以下では、第１の構造体２０２ａのトラック形状についてのみ説明するが、第２の構造体２０２ｂ、第３の構造体２０４ａ、および第４の構造体２０２ｂについても同様のトラック形状とすることができる。
　図６２Ａは、第１３の実施形態に係る導電性素子のトラックの第１の変形例を示す平面図である。この第１の例は、多数の第１の構造体２０２ａを円弧状に配置している点において、第１３の実施形態とは異なっている。隣接する３列のトラック（Ｔ１~Ｔ３）間においてａ１~ａ７の各点に構造体２０２ａの中心が位置する六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成するように構造体２０２ａが配置されている。
　図６２Ｂは、第１３の実施形態に係る導電性素子のトラックの第２の変形例を示す平面図である。この第２の変形例は、多数の第１の構造体２０２ａを蛇行するトラック（以下ウォブルトラックと称する。）上に配列している点において、第１３の実施形態とは異なっている。このように第１の構造体２０２ａをウォブルトラック上に配列することで、外観上のムラの発生を抑制できる。基体２０２ｃ上における各トラックのウォブルは、同期していることが好ましい。すなわち、ウォブルは、シンクロナイズドウォブルであることが好ましい。このようにウォブルを同期させることで、六方格子または準六方格子の単位格子形状を保持し、充填率を高く保つことができる。ウォブルトラックの波形としては、例えば、サイン波、三角波などを挙げることができる。ウォブルトラックの波形は、周期的な波形に限定されるものではなく、非周期的な波形としてもよい。ウォブルトラックのウォブル振幅は、例えば±０．１μｍ程度に選択される。
（第２の変形例）
　図６３は、第１３の実施形態に係る導電性素子の透明導電膜および凹凸形状の変形例を示す断面図である。第１の透明導電膜２０５の波面Ｓ１（または波面Ｓ２）と、第２の透明導電膜２０６の波面Ｓ３（または波面Ｓ４）とは、導電性素子２１１の面内方向において同期せず、両者の振動の最大となる位置がずれているようにしてもよい。すなわち、第１の構造体２０２ａと第２の構造体２０４ａとは、導電性素子２１１の面内方向において、同一位置に形成されてはおらず、ずれた位置に形成されているようにしてもよい。また、第１の透明導電膜２０５の波面Ｓ１の波長λ１と、第２の透明導電膜２０６の波面Ｓ３の波長λ２とは、同一である必要はなく、両膜において異なる値をとるようにしてもよい。また、第１の透明導電膜２０５の波面Ｓ１の振動の幅Ａ１と、第２の透明導電膜２０６の波面Ｓ３の振動の幅Ａ２とは、同一である必要はなく、両膜において異なる値をとるようにしてもよい。さらに、第１の透明導電膜２０５の波面Ｓ２の振動の幅Ｂ１と、第２の透明導電膜２０６の波面Ｓ４の振動の幅Ｂ２とも同様に、同一である必要はなく、両膜において異なる値をとるようにしてもよい。
＜１４．第１４の実施形態＞
　図６４Ａは、本発明の第１４の実施形態に係る導電性素子の配線領域Ｒ１を拡大して表す拡大断面図である。図６４Ｂは、本発明の第１４の実施形態に係る導電性素子の非配線領域Ｒ２を拡大して表す拡大断面図である。第１４の実施形態において、第１３の実施形態と同一の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。第１の凹凸面Ｓ１と第２の凹凸面Ｓ２との間に、第１の透明導電膜２０５と第１の金属膜２０５ａとからなる積層膜２５０が形成されている。第３の凹凸面Ｓ３と第４の凹凸面Ｓ４との間に、第２の透明導電膜２０６と第２の金属膜２０６ａとからなる積層膜２６０が形成されている。図６４Ａでは、第１の金属膜２０５ａおよび第２の金属膜２０６ａの両方を形成する構成が示されているが、第１の金属膜２０５ａおよび第２の金属膜２０６ａの一方のみを形成する構成としてもよい。
　第１の積層膜２５０は、互いに同期する第１の波面Ｓ１と第２の波面Ｓ２とを有する。配線領域Ｒ１において第１の波面Ｓ１の平均波長λ１に対する振動の平均幅Ａ１の比率（Ａ１／λ１）が、０．２以上１．３以下であることが好ましい。０．２未満であると、反射率が増加する傾向がある。１．３を超えると、表面抵抗が所定の値を満たせなくなる傾向がある。第２の波面Ｓ２の平均波長λ１に対する振動の平均幅Ｂ１の比率（Ｂ１／λ１）が、０．２以上１．３以下であることが好ましい。０．２未満であると、反射率が増加する傾向がある。１．３を超えると、表面抵抗が所定の値を満たせなくなる傾向がある。第１の透明導電膜２０５の平均膜厚は、８０ｎｍ以下であることが好ましい。８０ｎｍを超えると、透過率が悪化する傾向がある。
　第２の積層膜２６０は、互いに同期する第３の波面Ｓ３と第４の波面Ｓ４とを有する。第３の波面Ｓ３の平均波長λ２に対する平均振幅Ａ２の比率（Ａ２／λ２）が、０．２以上１．３以下である。０．２未満であると、反射率が増加する傾向がある。１．３を超えると、表面抵抗が所定の値を満たせなくなる傾向がある。第４の波面Ｓ４の波長λ２に対する振動の幅Ｂ２の比率（Ｂ２／λ２）が、０．２以上１．３以下であることが好ましい。０．２未満であると、反射率が増加する傾向がある。１．３を超えると、表面抵抗が所定の値を満たせなくなる傾向がある。第２の透明導電膜２０６の平均膜厚は、８０ｎｍ以下であることが好ましい。８０ｎｍを超えると、透過率が悪化する傾向がある。
　第１の金属膜２０５ａおよび第２の金属膜２０６ａを形成することで、抵抗率を低減でき、第１の透明導電膜２０５および第２の透明導電膜２０６を薄くすることができる。また、第１の透明導電膜２０５または第２の透明導電膜２０６だけでは導電率が十分な値に達しない場合に、導電率を補うことができる。
　第１の金属膜２０５ａは、例えば、第１の構造体２０２ａと第１の透明導電膜２０５との間の界面、第１の透明導電膜２０５と第２の構造体２０３ａとの間の界面、またはそれらの両方に形成される。また、積層膜は２層構造に限定されるものではなく、第１の透明導電膜２０５と第１の金属膜２０５ａとを組み合わせて３層以上積層する積層構造を採用するようにしてもよい。例えば、２つの第１の透明導電膜２０５を金属膜２０５ａを介して積層する積層構造を採用するようにしてもよい。
　第２の金属膜２０６ａは、例えば、第３の構造体２０４ａと第２の透明導電膜２０６との間の界面、第２の透明導電膜２０５と第４の構造体２０２ｂとの間の界面、またはそれらの両方に形成される。また、積層膜は２層構造に限定されるものではなく、第２の透明導電膜２０６と第２の金属膜２０６ａとを組み合わせて３層以上積層する積層構造を採用するようにしてもよい。例えば、２つの第２の透明導電膜２０６を金属膜２０６ａを介して積層する積層構造を採用するようにしてもよい。
　第１の金属膜２０５ａおよび第２の金属膜２０６ａの膜厚は、特に限定されるものではないが、例えば数ｎｍ程度に選ばれる。第１の金属膜２０５ａおよび第２の金属膜２０６ａは導電率が高いため、数ｎｍの膜厚で十分な表面抵抗を得ることができる。また、数ｎｍ程度の膜厚であれば、第１の金属膜２０５ａおよび第２の金属膜２０６ａによる吸収や反射などの光学的な影響はほとんどない。第１の金属膜２０５ａおよび第２の金属膜２０６ａを構成する材料としては、導電性が高い金属系の材料を用いることが好ましい。このような材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｂからなる群より選ばれた少なくとも１種を挙げることができる。これらの材料のうちでも、導電性の高さ、および使用実績などを考慮すると、Ａｇが好ましい。第１の金属膜２０５ａおよび第２の金属膜２０６ａだけでも表面抵抗を確保することが可能だが極端に薄い場合、第１の金属膜２０５ａおよび第２の金属膜２０６ａが島状の構造となり、導通性を確保することが困難となる傾向がある。このような場合、島状の第１の金属膜２０５ａおよび第２の金属膜２０６ａを第１の透明導電膜２０５および第２の透明導電膜２０６により電気的につなぐことが好ましい。
＜１５．第１５の実施形態＞
［導電性素子の構成］
　図６５Ａは、本発明の第１５の実施形態に係る導電性素子の第１の光学層の構成の一例を示す概略平面図である。図６５Ｂは、図６５Ａに示した導電性素子の一部を拡大して表す平面図である。図６５Ｃは、図６５ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図６５Ｄは、図６５ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。
　第１５の実施形態に係る導電性素子２１１は、第１の構造体２０２ａが、隣接する３列のトラック間において四方格子パターンまたは準四方格子パターンをなしている点において、第１３の実施形態のものとは異なっている。本実施形態において、準四方格子パターンとは、正四方格子パターンと異なり、トラックの延在方向（Ｘ方向）に引き伸ばされ歪んだ四方格子パターンを意味する。
　第１の構造体２０２ａの高さまたは深さは特に限定されず、例えば、３０ｎｍ~３２０ｎｍ程度である。トラックに対して（約）４５度方向ピッチのＰ２は、例えば、１００ｎｍ~３００ｎｍ程度である。第１の構造体２０２ａのアスペクト比（高さ／配置ピッチ）は、例えば、０．２~１．３程度である。更に、第１の構造体２０２ａのアスペクト比は全て同一である場合に限らず、第１の構造体２０２ａが一定の高さ分布をもつように構成されていてもよい。
　同一トラック内における第１の構造体２０２ａの配置ピッチｐ１は、隣接する２つのトラック間における第１の構造体２０２ａの配置ピッチｐ２よりも長いことが好ましい。また、同一トラック内における第１の構造体２０２ａの配置ピッチをｐ１、隣接する２つのトラック間における第１の構造体２０２ａの配置ピッチをｐ２としたとき、ｐ１／ｐ２が１．４＜ｐ１／ｐ２≦１．５の関係を満たすことが好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する第１の構造体２０２ａの充填率を向上することができるので、反射防止特性を向上することができる。また、トラックに対して４５度方向または約４５度方向における第１の構造体２０２ａの高さまたは深さは、トラックの延在方向における第１の構造体２０２ａの高さまたは深さよりも小さいことが好ましい。
　トラックの延在方向に対して斜となる第１の構造体２０２ａの配列方向（θ方向）の高さＨ２は、トラックの延在方向における第１の構造体２０２ａの高さＨ１よりも小さいことが好ましい。すなわち、第１の構造体２０２ａの高さＨ１、Ｈ２がＨ１＞Ｈ２の関係を満たすことが好ましい。四方格子パターン、または準四方格子パターンを形成するように第１の構造体２０２ａが配置されている場合には、第１の構造体２０２ａの高さＨは、第１の構造体２０２ａの延在方向（トラック方向）の高さとする。
　基体表面における第１の構造体２０２ａの充填率は、１００％を上限として、６５％以上、好ましくは７３％以上、より好ましくは８６％以上の範囲内である。充填率をこのような範囲にすることで、反射防止特性を向上することができる。
　配置ピッチｐ１に対する径２ｒの比率（（２ｒ／ｐ１）×１００）が、６４％以上、好ましくは６９％以上、より好ましくは７３％以上である。このような範囲にすることで、第１の構造体２０２ａの充填率を向上し、反射防止特性を向上できるからである。ここで、配置ピッチｐ１は、第１の構造体２０２ａのトラック方向の配置ピッチ、径２ｒは、構造体底面のトラック方向の径である。なお、構造体底面が円形である場合、径２ｒは直径となり、構造体底面が楕円形である場合、径２ｒは長径となる。
＜１６．第１６の実施形態＞
　図６６Ａは、第１６の実施形態に係る導電性素子の第１の光学層の一例を示す概略平面図である。図６６Ｂは、図６６Ａに示した第１の光学層の一部を拡大して表す平面図である。第１６の実施形態において、第１３の実施形態と同一の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
　第１６の実施形態に係る導電性素子は、２種以上の大きさ、および／または形状を有する多数の構造体２０２ａが基体表面に形成されている点において、第１３の実施形態とは異なっている。２種以上の大きさ、および／または形状を有する第１の構造体２０２ａは、例えば、同一形状および／または大きさを有する第１の構造体２０２ａがトラック方向などに周期的に繰り返されるように配置される。また、同一形状および／または大きさを有する構造体２０２ａがランダムに基体表面に現れるように配置されるようにしてもよい。また、第１の構造体２０２ａの形状は一律でなくてもよい。このようにすることで、回折光が抑制され、視認性が向上する。
　なお、上述した例では、第１の構造体２０２ａを２種以上の大きさ、および／または形状に形成する例について説明したが、第２の構造体２０３ａ、第３の構造体２０４ａ、および第４の構造体２０２ｂを２種以上の大きさ、および／または形状に形成することも可能である。また、第１の構造体２０２ａ、第２の構造体２０３ａ、第３の構造体２０４ａ、および第４の構造体２０２ｂのうちの全てを２種以上の大きさ、および／または形状とする必要はなく、それらのうちの少なくとも１つを所望とする光学特性に応じて２種以上の大きさ、および／または形状とすることが可能である。
＜１７．第１７の実施形態＞
　図６７Ａは、本発明の第１７の実施形態に係る導電性素子の第１の光学層の構成の一例を示す概略平面図である。図６７Ｂは、図６７Ａに示した第１の光学層の一部を拡大して表す平面図である。図６７Ｃは、図６７Ｂに示したＣ−Ｃ線に沿った断面図である。第１７の実施形態において、第１３の実施形態と同一の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
　第１７の実施形態に係る導電性素子は、多数の第１の構造体２０２ａがランダムに配置されている点において、第１３の実施形態とは異なっている。基体表面に配置される第１の構造体２０２ａは、同一の大きさおよび／または形状に限定されるものではなく、２種以上の異なる大きさおよび／または形状を有していてもよい。第１の構造体２０２ａは、２次元的または３次元的にランダムに形成されていることが好ましい。ここで、２次元的にランダムとは、導電性素子２１１または第１の光学層２０２の面内方向にランダムであることをいう。また、３次元的にランダムとは、導電性素子２１１または第１の光学層２０２の面内方向にランダムであると共に、導電性素子２１１または第１の光学層２０２の厚さ方向にもランダムであることをいう。また、第１の構造体２０２ａの形状は一律でなくてもよい。このようにすることで、回折光が抑制され、視認性が向上する。
　なお、上述した例では、第１の構造体２０２ａをランダムに形成する例について説明したが、第２の構造体２０３ａ、第３の構造体２０４ａ、および第４の構造体２０２ｂをランダムに形成することも可能である。また、第１の構造体２０２ａ、第２の構造体２０３ａ、第３の構造体２０４ａ、および第４の構造体２０２ｂのうちの全てをランダムとする必要はなく、それらのうちの少なくとも１つを所望とする光学特性に応じてランダムとすることが可能である。
＜１８．第１８の実施形態＞
　図６８は、本発明の第１８の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。第１８の実施形態において、第１３の実施形態と同一の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。この第１８の実施形態に係るタッチパネル（情報入力装置）４００は、いわゆる表面静電容量方式タッチパネルであり、導電性素子４０１を備える。このタッチパネル４００は、例えば表示装置２１２の表示面に対して、粘着剤などからなる貼合層４０６を介して貼り合わされる。導電性素子４０１は、光学層４０２と、この光学層内に形成された透明導電膜４０３とを備える。表示装置２１２は特に限定されるものではなく、例えば透過型、半透過型、反射型のいずれの液晶表示装置であってもよい。
　光学層４０２は、第１の凹凸面Ｓ１を有する第１の光学層４０４と、第２の凹凸面Ｓ２を有する第２の光学層４０５とを備える。第１の光学層４０４は、例えば、両主面を有する基体２０２ｃと、基体２０２ｂの一主面に形成された多数の構造体２０２ａとを備える。第２の光学層４０５は、例えばＳｉＯ２などの誘電体を主成分とする誘電体層である。透明導電膜４０３は、例えば、第１の光学層４０４の第１の凹凸面Ｓ１のほぼ全体に形成されている。透明導電膜４０３は、互いに同期する第１の波面Ｓ１と第２の波面Ｓ２とを有する。透明導電膜４０３の材料としては、第１の実施形態の第１の透明導電膜２０５と同様のものを用いることができる。
＜１９．第１９の実施形態＞
　図６９Ａは、本発明の第１９の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。図６９Ｂは、図６９Ａに示した配線領域を拡大して表す拡大断面図である。図６９Ｃは、図６９Ａに示した非配線領域を拡大して表す拡大断面図である。第１９の実施形態において、第１８の実施形態と同一の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。このタッチパネル（情報入力装置）５００は、いわゆるデジタル抵抗膜方式タッチパネルであり、第１の導電性素子５０１と、この第１の導電性素子５０１と対向する第２の導電性素子５０２とを備える。第１の導電性素子５０１と第２の導電性素子５０２とは所定の間隔離して設けられており、両素子間には空気層（媒質層）５０３が形成されている。第１の導電性素子５０１と、第２の導電性素子５０２とは、それらの周縁部間に配置された貼合部５０４を介して互いに貼り合わされている。貼合部５０４としては、例えば、粘着ペースト、粘着テープなどが用いられる。タッチパネル５００は、耐擦傷性の向上の観点から、第１の導電性素子５０１のタッチ側となる面に、ハードコート層５０５をさらに備えることが好ましい。このハードコート層５０５の表面には、防汚性が付与されていることが好ましい。タッチパネル５００は、表示特性の向上の観点から、ハードコート５０５上に反射防止層５０７をさらに備えることが好ましい。反射防止層５０７としては、ＡＲ（Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）層、ＬＲ（Ｌｏｗ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）層、ＡＧ（Ａｎｔｉ−Ｇｌａｒｅ）層などを挙げることができる。タッチパネル表面に反射防止機能を付与する構成はこれに限定されるものではなく、例えばハードコート層５０５自体に反射防止機能を付与する構成としてもよい。このタッチパネル５００は、例えば表示装置２１２の表示面に対して貼合層５０６を介して貼り合わされる。貼合層５０６の材料としては、例えば、アクリル系、ゴム系、シリコン系などの粘着剤を用いることができ、透明性の観点からすると、アクリル系粘着剤が好ましい。
　第１の導電性素子５０１は、第２の導電性素子５０２と対向する第１の対向面Ｓ５を有する第１の基体５１１（第１の光学層）と、第１の基体５１１の対向面Ｓ５上に形成された第１の透明導電膜５１２とを備える。第２の導電性素子５０２は、第１の導電性素子５０１と対向する対向面Ｓ６を有する第２の基体（第２の光学層）５２１と、第２の基体５２１の対向面Ｓ６上に形成された第２の透明導電膜５２２とを備える。対向面Ｓ５および対向面Ｓ６の少なくとも一方は、可視光の波長以下のピッチで多数の第１の構造体が形成された凹凸面である。この凹凸面は、第１３の実施形態における第１の凹凸面Ｓ１または第２の凹凸面Ｓ４と同様である。配線パターンの視認を抑制する観点からすると、対向面Ｓ５および対向面Ｓ６の両方を凹凸面とすることが好ましい。第１の透明導電膜５１２は、例えば、ストライプ状などの所定のパターンを有するＸ電極（第１の電極）である。第２の透明導電膜５２２は、例えば、ストライプ状、クロスハッチ状などの所定のパターンを有するＹ電極（第２の電極）である。これらのＸ電極とＹ電極とは、例えば互いに直交するように配置されている。
＜２０．第２０の実施形態＞
　図７０は、本発明の第２０の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。図７０Ｂは、図７０Ａに示した配線領域を拡大して表す拡大断面図である。図７０Ｃは、図７０Ａに示した非配線領域を拡大して表す拡大断面図である。第２０の実施形態において、第１９の実施形態と同一の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。この表示装置６００は、いわゆるマイクロカプセル電気泳動方式の電子ペーパーであり、第１の導電性素子６０１と、第１の導電性素子６０１と対向配置された第２の導電性素子６０２と、これらの両素子間に設けられたマイクロカプセル層（媒質層）６０３とを備える。ここでは、マイクロカプセル電気泳動方式の電子ペーパーに対して本発明を適用した例について説明するが、電子ペーパーはこの例に限定されるものではなく、対向配置された導電性素子間に媒質層が設けられた構成であれば本発明は適用可能である。ここで、媒質には液体および固体以外に、空気などの気体も含まれる。また、媒質には、カプセル、顔料および粒子などの部材が含まれていてもよい。マイクロカプセル電気泳動方式以外に本発明を適用可能な電子ペーパーとしては、例えばツイストボール方式、サーマルリライタブル方式、トナーディスプレイ方式、Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ型電気泳動方式、電子粉粒方式の電子パーパーなどが挙げられる。
　マイクロカプセル層６０３は、多数のマイクロカプセル６３１を含んでいる。マイクロカプセル内には、例えば、黒色粒子おび白色粒子が分散された透明な液体（分散媒）が封入されている。
　第１の導電性素子６０１は、第２の導電性素子６０２と対向する第１の対向面Ｓ５を有する第１の基体５１１（第１の光学層）と、第１の光学基体５１１の対向面Ｓ５上に形成された第１の透明導電膜６１１とを備える。また、必要に応じて、粘着剤などの貼合層６１２を介して、第１の基体５１１をガラスなどの支持体６１３に貼り合わせるようにしてもよい。
　第２の導電性素子６０２は、第１の導電性素子６０１と対向する対向面Ｓ６を有する第２の基体（第２の光学層）５２１と、第２の基体５２１の対向面Ｓ６上に形成された第２の透明導電膜６２１とを備える。
　第１の透明導電膜６１１、および第２の透明導電膜６２１は、電子ペーパー６００の駆動方式に応じて所定の電極パターン状に形成されている。駆動方式としては、例えば単純マトリックス駆動方式、アクティブマトリックス駆動方式、セグメント駆動方式などが挙げられる。
　以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
　本発明の実施例および試験例について以下の順序で説明する。
１．導電性光学シートの光学特性
２．構造体と光学特性および表面抵抗との関係
３．透明導電膜の厚みと光学特性および表面抵抗との関係
４．他方式の低反射導電膜との比較
５．構造体と光学特性との関係
６．透明導電膜の形状と光学特性との関係
７．充填率、および径の比率と反射特性との関係（シミュレーション）
（高さＨ、配置ピッチＰ、アスペクト比（Ｈ／Ｐ））
　以下の実施例において、導電性光学シートの構造体の高さＨ、配置ピッチＰ、およびアスペクト比（Ｈ／Ｐ）は以下のようにして求めた。
　まず、光学シートの表面形状を、透明導電膜を成膜していない状態において、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｆｏｒｃｅ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）により撮影した。そして、撮影したＡＦＭ像、およびその断面プロファイルから、構造体の配置ピッチＰ、高さＨを求めた。次に、これらの配置ピッチＰおよび高さＨを用いてアスペクト比（Ｈ／Ｐ）を求めた。
（透明導電膜の平均膜厚）
　以下の実施例において、透明導電膜の平均膜厚は以下のようにして求めた。
　まず、導電性光学シートを構造体の頂部を含むようにトラックの延在方向に切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）にて撮影し、撮影したＴＥＭ写真から、構造体における頂部における透明導電膜の膜厚Ｄ１を測定した。これらの測定を導電性光学シートから無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して平均膜厚Ｄｍ１を求め、この平均膜厚を透明導電膜の平均膜厚とした。
　また、凸部である構造体の頂部における透明導電膜の平均膜厚Ｄｍ１、凸部である構造体の傾斜面における透明導電膜の平均膜厚Ｄｍ２、凸部である構造体の間における透明導電膜の平均膜厚Ｄｍ３は、以下のようにして求めた。
　まず、導電性光学シートを構造体の頂部を含むようにトラックの延在方向に切断し、その断面をＴＥＭにて撮影した。次に、撮影したＴＥＭ写真から、構造体の頂部における透明導電膜の膜厚Ｄ１を測定した。次に、構造体の傾斜面の位置のうち、構造体の半分の高さ（Ｈ／２）の位置の膜厚Ｄ２を測定した。次に、構造体間の凹部の位置のうち、その凹部の深さが最も深くなる位置の膜厚Ｄ３を測定した。次に、これらの膜厚Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３の測定を導電性光学シートから無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３を単純に平均（算術平均）して平均膜厚Ｄｍ１、Ｄｍ２、Ｄｍ３を求めた。
　また、凹部である構造体の頂部における透明導電膜の平均膜厚Ｄｍ１、凹部である構造体の傾斜面における透明導電膜の平均膜厚Ｄｍ２、凹部である構造体の間における透明導電膜の平均膜厚Ｄｍ３は、以下のようにして求めた。
　まず、導電性光学シートを構造体の頂部を含むようにトラックの延在方向に切断し、その断面をＴＥＭにて撮影した。次に、撮影したＴＥＭ写真から、非実体的な空間である構造体の頂部における透明導電膜の膜厚Ｄ１を測定した。次に、構造体の傾斜面の位置のうち、構造体の半分の深さ（Ｈ／２）の位置の膜厚Ｄ２を測定した。次に、構造体間の凸部の位置のうち、その凸部の高さが最も高くなる位置の膜厚Ｄ３を測定した。次に、これらの膜厚Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３の測定を導電性光学シートから無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３を単純に平均（算術平均）して平均膜厚Ｄｍ１、Ｄｍ２、Ｄｍ３を求めた。
＜１．導電性光学シートの光学特性＞
（比較例１）
　まず、外径１２６ｍｍのガラスロール原盤を準備し、このガラスロール原盤の表面に以下のようにしてレジスト層を着膜した。すなわち、シンナーでフォトレジストを１／１０に希釈し、この希釈レジストをディップによりガラスロール原盤の円柱面上に厚さ７０ｎｍ程度に塗布することにより、レジスト層を着膜した。次に、記録媒体としてのガラスロール原盤を、図１１に示したロール原盤露光装置に搬送し、レジスト層を露光することにより、１つの螺旋状に連なるとともに、隣接する３列のトラック間において六方格子パターンをなす潜像がレジスト層にパターニングされた。
　具体的には、六方格子が形成されるべき領域に対して、前記ガラスロール原盤表面まで露光するパワー０．５０ｍＷ／ｍのレーザー光を照射し凹形状の六方格子パターンを形成した。なお、トラック列の列方向のレジスト層の厚さは１００ｎｍ程度、トラックの延在方向のレジスト厚さは１００ｎｍ程度であった。
　次に、ガラスロール原盤上のレジスト層に現像処理を施して、露光した部分のレジスト層を溶解させて現像を行った。具体的には、図示しない現像機のターンテーブル上に未現像のガラスロール原盤を載置し、ターンテーブルごと回転させつつガラスロール原盤の表面に現像液を滴下してその表面のレジスト層を現像した。これにより、レジスト層が六方格子パターンに開口しているレジストガラス原盤が得られた。
　次に、エッチング装置を用い、ＣＨＦ３ガス雰囲気中でのプラズマエッチングを行った。これにより、ガラスロール原盤の表面において、レジスト層から露出している六方格子パターンの部分のみエッチングが進行し、その他の領域はレジスト層がマスクとなりエッチングはされず、楕円錐形状の凹部が得られた。このときのパターンでのエッチング量（深さ）はエッチング時間によって変化させた。最後に、Ｏ２アッシングにより完全にレジスト層を除去することにより、凹形状の六方格子のモスアイガラスロールマスタが得られた。列方向における凹部の深さは、トラックの延在方向における凹部の深さより深かった。
　次に、上記モスアイガラスロールマスタと紫外線硬化樹脂を塗布したアクリルシートを密着させ、紫外線を照射し硬化させながら剥離した。これにより、複数の構造体が一主面に配列された光学シートが得られた。次に、スパッタリング法により、平均膜厚３０ｎｍのＩＺＯ膜を構造体上に成膜した。
　以上により、目的とする導電性光学シートを作製した。
（比較例２）
　平均膜厚１６０ｎｍのＩＺＯ膜を構造体上に形成する以外は、比較例１と同様にして導電性光学シートを作製した。
（比較例３）
　まず、比較例１と同様にして一主面に複数の構造体が配列された光学シートを作製した。次に、一主面に複数の構造体を形成したのと同様にして、光学シートの他主面に複数の構造体を形成した。これにより、両主面に複数の構造体が配列された光学シートが作製された。次に、スパッタリング法により、平均膜厚３０ｎｍのＩＺＯ膜を一主面の構造体上に成膜することにより、複数の構造体が両主面に配列された導電性光学シートを作製した。
（比較例４）
　ＩＺＯ膜の成膜工程を省略する以外は比較例１と同様にして、光学シートを作製した。
（比較例５）
　スパッタリング法により、平均膜厚３０ｎｍのＩＺＯ膜を、平滑なアクリルシートの表面上に形成し、導電性光学シートを作製した。
（形状の評価）
　光学シートの表面形状を、ＩＺＯ膜を成膜していない状態において、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｆｏｒｃｅ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）により観察した。そして、ＡＦＭの断面プロファイルから各比較例の構造体の高さなどを求めた。その結果を表１に示す。
（表面抵抗の評価）
　上述のようにして作製した導電性光学シートの表面抵抗を４端子法（ＪＩＳ　Ｋ　７１９４）にて測定した。その結果を表１に示す。
（反射率／透過率の評価）
　上述のようにして作製した導電性光学シートの反射率、および透過率を日本分光の評価装置（Ｖ−５５０）を用いて評価した。その結果を図３５Ａ、図３５Ｂに示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 　上述の評価結果から以下のことがわかる。
　比較例２の表面抵抗を４端子法（ＪＩＳ　Ｋ　７１９４）にて測定したところ、２７０Ω／□となった。これに対して、モスアイ構造を表面に形成した比較例１では、抵抗率２．０×１０−４Ω・ｃｍの透明導電膜（ＩＺＯ膜）を平板換算で３０ｎｍ成膜すると、約３０ｎｍ程度の平均膜厚となる。このときの表面抵抗は、表面積が増えることを換算しても、４０００Ω／□であるが、抵抗膜式タッチパネルとして使用する際に問題ないレベルである。
　図３５Ａ、図３５Ｂに示すように、比較例１は、透明導電膜を成膜していない、モスアイ構造体のみが表面に形成された比較例４と比較しても、遜色ない特性を保持している。また、比較例１は、同程度の表面抵抗をもつ透明導電膜を平滑なシート上に成膜した比較例４の光学特性よりも、優れた光学特性が得られている。
　比較例２では、平板換算（平均膜厚）で１６０ｎｍとなる厚さの透明導電膜（ＩＺＯ膜）を成膜しているため、透過率が劣化する傾向がある。これは透明導電膜を過度に厚く成膜したため、モスアイ構造体の形状が崩れてしまい、所望の形状を維持することが困難となってしまったためと考えられる。すなわち、透明導電膜を過度に厚くすると、モスアイ構造体の形状を保持したまま薄膜を成長させることが困難になる。しかし、このように形状が保持されていない場合であっても、透明導電膜のみを平滑なシートに成膜した比較例２よりも光学特性が優れている。
　両面にモスアイ構造体を形成した比較例３では、片面にモスアイ構造を形成した比較例１に比べて反射防止機能が向上している。図３５Ｂから、９７％~９９％の非常に高透過率な特性が実現されていることがわかる。
＜２．構造体と光学特性および表面抵抗との関係＞
（比較例６、７、実施例１）
　１トラック毎に極性反転フォーマッタ信号の周波数と、ロールの回転数と、送りピッチとを調整し、レジスト層をパターニングすることにより、六方格子パターンをレジスト層に記録した。これ以外のことは、比較例１と同様にして導電性光学シートを作製した。
（実施例２）
　実施例１と凹凸関係を逆にした以外のことは比較例１と同様にして、凹形状を有する複数の構造体（逆パターンの構造体）が表面に形成された導電性光学シートを作製した。
（比較例８）
　ＩＺＯ膜の成膜を省略する以外は比較例６と同様にして導電性光学シートを作製した。
（比較例９）
　ＩＺＯ膜の成膜を省略する以外は実施例１と同様にして導電性光学シートを作製した。
（比較例１０）
　スパッタリング法により、平均膜厚４０ｎｍのＩＺＯ膜を、平滑なアクリルシートの表面上に形成し、導電性光学シートを作製した。
（形状の評価）
　光学シートの表面形状を、ＩＺＯ膜を成膜していない状態において、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｆｏｒｃｅ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）により観察した。そして、ＡＦＭの断面プロファイルから各実施例および各比較例の構造体の高さなどを求めた。その結果を表２に示す。
（表面抵抗の評価）
　上述のようにして作製した導電性光学シートの表面抵抗を４端子法にて測定した。その結果を表２に示す。また、図３６Ａに、アスペクト比と表面抵抗との関係を示す。図３６Ｂに、構造体の高さと表面抵抗との関係を示す。
（反射率／透過率の評価）
　上述のようにして作製した導電性光学シートの反射率、および透過率を日本分光の評価装置（Ｖ−５５０）を用いて評価した。その結果を図３７Ａ、図３７Ｂに示す。また、図３８Ａ、図３８Ｂに、実施例１と比較例９の透過特性、および反射特性を示す。図３９Ａ、図３９Ｂに、比較例６と比較例８の透過特性、および反射特性を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 　図３６Ａ、図３６Ｂから以下のことがわかる。
　構造体のアスペクト比と表面抵抗との間に相関があり、アスペクト比の値にほぼ比例して表面抵抗が増加する傾向がある。これは、構造体の斜面が急峻になるほど、透明導電膜の平均膜厚が薄くなる、または構造体の高さが高い、もしくは深さが深いほど表面積が増えるため、高抵抗となるためと考えられる。
　タッチパネルでは、一般的に５００~３００Ω／□の表面抵抗が求められるので、本発明をタッチパネルに適用する場合には、アスペクト比を適宜調整して、所望の抵抗値が得られるようにすることが好ましい。
　図３７Ａ、図３７Ｂ、図３８Ａ、図３８Ｂから以下のことがわかる。
　波長４５０ｎｍよりも短波長側では透過率が低下する傾向がるが、波長４５０ｎｍ~８００ｎｍの範囲では優れた透過特性が得られる。また、構造体のアスペクト比が高いほど、短波長側での透過率の低下を抑制できる。
　波長４５０ｎｍよりも短波長側では反射率も低下する傾向があるが、波長４５０ｎｍ~８００ｎｍの範囲では優れた反射特性が得られる。また、構造体のアスペクト比が高いほど、短波長側での反射率の増加を抑制できる。
　凸形状の構造体が形成された実施例１は、凹形状の構成体が形成された実施例２よりも光学特性が優れている。
　図３９Ａ~図３９Ｂから以下のことがわかる
　アスペクト比が１．２である比較例６では、アスペクト比が０．６である実施例１よりも、光学特性の変化が少なく抑えられている。これは、アスペクト比１．２である比較例６の方が、アスペクト比０．６である実施例１よりも表面積が大きく、構造体に対する透明導電膜の平均膜厚が薄くなっているためと考えられる。
＜３．透明導電膜の厚みと光学特性および表面抵抗との関係＞
（実施例３）
　ＩＺＯ膜の平均膜厚を５０ｎｍにする以外は実施例１と同様にして導電性光学シートを作製した。
（実施例４）
　実施例１と同様にして導電性光学シートを作製した。
（比較例１１）
　ＩＺＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍにする以外は実施例１と同様にして導電性光学シートを作製した。
（比較例１２）
　ＩＺＯ膜の成膜を省略する以外は実施例１と同様にして導電性光学シートを作製した。
（形状の評価）
　光学シートの表面形状を、ＩＺＯ膜を成膜していない状態において、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｆｏｒｃｅ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）により観察した。そして、ＡＦＭの断面プロファイルから各実施例および各比較例の構造体の高さなどを求めた。その結果を表３に示す。
（表面抵抗の評価）
　上述のようにして作製した導電性光学シートの表面抵抗を４端子法（ＪＩＳ　Ｋ　７１９４）にて測定した。その結果を表３に示す。
（反射率／透過率の評価）
　上述のようにして作製した導電性光学シートの反射率、および透過率を日本分光の評価装置（Ｖ−５５０）を用いて評価した。その結果を図４０Ａ、図４０Ｂに示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
 　なお、“（）”内に記された抵抗値は、同一の成膜条件にて平滑なシート上にＩＺＯ膜を成膜し、その成膜したＩＺＯ膜の抵抗値を測定したときの値である。
　図４０Ａ、図４０Ｂから以下のことがわかる。
　平均膜厚が厚くなるほど、４５０ｎｍより短波長側の反射率、および透過率が低下する傾向がる。
　＜２．構造体と光学特性および表面抵抗との関係＞、および＜３．透明導電膜の厚みと光学特性および表面抵抗との関係＞の評価結果を総合すると、以下のことがわかる。
　長波長側の光学特性は、構造体上に透明導電膜を成膜する前後でほとんど変化しないのに対して、短波長側の光学特性は変化する傾向がる。
　構造体を高アスペクトな形状とすると、光学特性は良好であるが、表面抵抗が大きくなる傾向がる。
　透明導電膜の厚さが厚くなると、短波長側の反射率が増加する傾向がある。
　表面抵抗と光学特性とがトレードオフの関係にある。
＜４．他方式の低反射導電膜との比較＞
（比較例１３）
　比較例７と同様にして導電性光学シートを作製した。
（実施例５）
　ＩＺＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍにする以外は実施例１と同様にして導電性光学シートを作製した。
（比較例１４）
　スパッタリング法により、平均膜厚３０ｎｍのＩＺＯ膜を、平滑なアクリルシートの表面上に形成し、導電性光学シートを作製した。
（比較例１５）
　ＰＶＤ法にてフィルム上に順次Ｎ＝２．０前後の光学膜を形成しその上に１．５前後の光学膜を形成しさらにその上に導電膜を形成した。
（比較例１６）
　ＰＶＤ法にてフィルム上に順次Ｎ＝２．０前後の光学膜とＮ＝１．５前後の光学膜を４層積層しそのうえに導電膜を形成した。
（形状の評価）
　光学シートの表面形状を、ＩＺＯ膜を成膜していない状態において、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｆｏｒｃｅ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）により観察した。そして、ＡＦＭの断面プロファイルから各実施例および各比較例の構造体の高さなどを求めた。その結果を表４に示す。
（反射率／透過率の評価）
　上述のようにして作製した導電性光学シートの透過率を日本分光の評価装置（Ｖ−５５０）を用いて評価した。その結果を図４１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
 　図４１から以下のことがわかる。
　構造体上に透明導電膜を成膜した比較例１３、実施例５は、平滑なシート上に透明導電膜を成膜した比較例１４に比して、４００ｎｍ~８００ｎｍの波長帯域において優れた透過特性を有している。
　多層膜を積層した比較例１５、１６は、波長５００ｎｍ程度までは優れた透過特性を示す。しかしながら、４００ｎｍ~８００ｎｍの波長帯域全体では、構造体上に透明導電膜を成膜した比較例１３、実施例５が、多層膜を積層した比較例１５、１６よりも優れている。
＜５．構造体と光学特性との関係＞
（比較例１７）
　１トラック毎に極性反転フォーマッタ信号の周波数と、ロールの回転数と、送りピッチとを調整し、レジスト層をパターニングすることにより、六方格子パターンをレジスト層に記録した。平均膜厚２０ｎｍのＩＺＯ膜を構造体上に形成した。これ以外のことは、比較例１と同様にして光学シートを作製した。
（比較例１８）
　１トラック毎に極性反転フォーマッタ信号の周波数と、ロールの回転数と、送りピッチとを調整し、レジスト層をパターニングすることにより、六方格子パターンをレジスト層に記録した。これ以外のことは、比較例１と同様にして光学シートを作製した。
（形状の評価）
　光学シートの表面形状を、ＩＺＯ膜を成膜していない状態において、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｆｏｒｃｅ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）により観察した。そして、ＡＦＭの断面プロファイルから各実施例および各比較例の構造体の高さなどを求めた。その結果を表５に示す。
（表面抵抗の評価）
　上述のようにして作製した導電性光学シートの表面抵抗を４端子法（ＪＩＳ　Ｋ　７１９４）にて測定した。その結果を表５に示す。
（反射率／透過率の評価）
　上述のようにして作製した導電性光学シートの反射率、および透過率を日本分光の評価装置（Ｖ−５５０）を用いて評価した。その結果を図４２Ａ、図４２Ｂに示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
 　図４２Ａ、図４２Ｂから以下のことがわかる。
　アスペクト比を低くすることにより、４５０ｎｍより短波長側における光学特性の低下を改善することができる。透過特性がより改善していることから、吸収特性が改善していると推定される。
＜６．透明導電膜の形状と光学特性との関係＞
（比較例１９）
　ＩＺＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍにする以外は比較例１８と同様にして導電性光学シートを作製した。
（比較例２０）
　ＩＺＯ膜の成膜を省略する以外は比較例１９と同様にして光学シートを作製した。
（実施例６）
　ＩＺＯ膜の平均膜厚を２０ｎｍにする以外は実施例５と同様にして導電性光学シートを作製した。
（比較例２１）
　ＩＺＯ膜の成膜を省略する以外は実施例６と同様にして光学シートを作製した。
（実施例７）
　比較例６と凹凸関係を逆にした。ＩＺＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍにして導電性光学シートを作製した。これ以外のことは比較例６と同様にして、凹形状を有する複数の構造体（逆パターンの構造体）が表面に形成された導電性光学シートを作製した。
（比較例２２）
　ＩＺＯ膜の成膜を省略する以外は実施例７と同様にして光学シートを作製した。
（実施例８）
　構造体の断面プロファイルの曲線変化率に変化をもたせた構造体上に平均膜厚３０ｎｍのＩＺＯ膜を形成した光学シートを作製した。
（比較例２３）
　ＩＺＯ膜の成膜を省略する以外は実施例８と同様にして光学シートを作製した。
（形状の評価）
　光学シートの表面形状を、ＩＺＯ膜を成膜していない状態において、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｆｏｒｃｅ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）により観察した。そして、ＡＦＭの断面プロファイルから各実施例および各比較例の構造体の高さなどを求めた。その結果を表６に示す。
（表面抵抗の評価）
　上述のようにして作製した導電性光学シートの表面抵抗を４端子法（ＪＩＳ　Ｋ　７１９４）にて測定した。その結果を表６に示す。
（透明導電膜の評価）
　構造体上に形成した導電膜の断面方向に切断し、断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて構造体とそれに付着した導電膜の像を観察する。
（反射率の評価）
　上述のようにして作製した導電性光学シートの反射率を日本分光の評価装置（Ｖ−５５０）を用いて評価した。その結果を図４３Ａ~図４４Ｂに示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
 　透明導電膜の形状評価、および反射率の評価から以下のことがわかる。
　比較例１９では、構造体の先端部の平均膜厚Ｄ１、構造体の斜面の平均膜厚Ｄ２、および構造体間のボトム部Ｄ３の平均膜厚は、以下のような関係になっていることがわかった。
　Ｄ１（＝３８ｎｍ）＞Ｄ３（＝２１ｎｍ）＞Ｄ２（＝１４ｎｍ~１７ｎｍ）
　ＩＺＯは屈折率が２．０程度であるため、構造体の先端部だけ実行屈折率が上昇する。このため、図４３Ａに示すように、ＩＺＯ膜の成膜により反射率が上昇する。
　実施例６では、構造体にほぼ均一に成膜されていることがわかった。このため、図４３Ｂに示すように、成膜前後の反射率変化も少なくなっている。
　実施例６では、凹形状の構造体のボトム部と、凹形状の構造体間のトップ部とにＩＺＯ膜の平均膜厚が、他の部分の平均膜厚に比して非常に厚くなっていることがわかった。特に、トップ部において平均膜厚が著しく厚くなっていることがわかった。このような成膜状態であるため、図４４Ａに示すように、反射率変化も複雑な挙動を示し、かつ上昇する傾向がある。
　実施例７では、比較例１９と同様に、構造体の先端部の平均膜厚Ｄ１、構造体の斜面の平均膜厚Ｄ２、および構造体間のボトム部Ｄ３の平均膜厚は、以下のような関係になっていることがわかった。
　Ｄ１（＝３６ｎｍ）＞Ｄ２（＝２０ｎｍ）＞Ｄ３（＝１８ｎｍ）
　しかしながら、５００ｎｍ程度より短波長側において、反射率が急激に増加する傾向がる。これは、構造体の先端部の平面状となっており、先端部の面積が大きくなっているためと考えられる。
　以上により、急峻な斜面には透明導電膜は薄く付着し、フラットな面に近いほど透明導電膜が厚く付着する傾向がある。
　また、構造体全体に均一に成膜されていると、成膜前後の光学特性変化が小さくなる傾向がある。
　また、構造体の形状が自由曲面に近いほど、透明導電膜が構造体全体に均一に付着する傾向がある。
＜７．充填率、および径の比率と反射特性との関係＞
　次に、ＲＣＷＡ（Ｒｉｇｏｒｏｕｓ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｗａｖｅ　Ａｎａｌｙｓｉｓ）シミュレーションにより、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）と反射防止特性との関係について検討を行った。
（試験例１）
　図４５Ａは、構造体を六方格子状に配列したときの充填率を説明するための図である。図４５Ａに示すにように、構造体を六方格子状に配列した場合において、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）（但し、Ｐ１：同一トラック内における構造体の配置ピッチ、ｒ：構造体底面の半径）を変化させたときの充填率を以下の式（２）により求めた。
　充填率＝（Ｓ（ｈｅｘ．）／Ｓ（ｕｎｉｔ））×１００　・・・（２）
　単位格子面積：Ｓ（ｕｎｉｔ）＝２ｒ×（２√３）ｒ
　単位格子内に存在する構造体の底面の面積：Ｓ（ｈｅｘ．）＝２×πｒ２
（但し、２ｒ＞Ｐ１のときは作図上から求める。）
　例えば、配置ピッチＰ１＝２、構造体底面の半径ｒ＝１とした場合、Ｓ（ｕｎｉｔ）、Ｓ（ｈｅｘ．）、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）、充填率は以下に示す値となる。
　Ｓ（ｕｎｉｔ）＝６．９２８２
　Ｓ（ｈｅｘ．）＝６．２８３１９
　（２ｒ／Ｐ１）×１００＝１００．０％
　充填率＝（Ｓ（ｈｅｘ．）／Ｓ（ｕｎｉｔ））×１００＝９０．７％
　表７に、上述の式（２）により求めた充填率と比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）との関係を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
 （試験例２）
　図４５Ｂは、構造体を四方格子状に配列したときの充填率を説明するための図である。図４５Ｂに示すにように、構造体を四方格子状に配列した場合において、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）、比率（（２ｒ／Ｐ２）×１００）、（但し、Ｐ１：同一トラック内における構造体の配置ピッチ、Ｐ２：トラックに対して４５度方向の配置ピッチ、ｒ：構造体底面の半径）を変化させたときの充填率を以下の式（３）により求めた。
　充填率＝（Ｓ（ｔｅｔｒａ）／Ｓ（ｕｎｉｔ））×１００　・・・（３）
　単位格子面積：Ｓ（ｕｎｉｔ）＝２ｒ×２ｒ
　単位格子内に存在する構造体の底面の面積：Ｓ（ｔｅｔｒａ）＝πｒ２
（但し、２ｒ＞Ｐ１のときは作図上から求める。）
　例えば、配置ピッチＰ２＝２、構造体底面の半径ｒ＝１とした場合、Ｓ（ｕｎｉｔ）、Ｓ（ｔｅｔｒａ）、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）、比率（（２ｒ／Ｐ２）×１００）、充填率は以下に示す値となる。
　Ｓ（ｕｎｉｔ）＝４
　Ｓ（ｔｅｔｒａ）＝３．１４１５９
　（２ｒ／Ｐ１）×１００＝７０．７％
　（２ｒ／Ｐ２）×１００＝１００．０％
　充填率＝（Ｓ（ｔｅｔｒａ）／Ｓ（ｕｎｉｔ））×１００＝７８．５％
　表８に、上述の式（３）により求めた充填率と、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）、比率（（２ｒ／Ｐ２）×１００）との関係を示す。
　また、四方格子の配置ピッチＰ１とＰ２との関係はＰ１＝√２×Ｐ２となる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000008
 （試験例３）
　配置ピッチＰ１に対する構造体底面の直径２ｒの比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）を８０％、８５％、９０％、９５％、９９％の大きさにして、以下の条件で反射率をシミュレーションにより求めた。その結果のグラフを図４６に示す。
　構造体形状：釣鐘型
　偏光：無偏光
　屈折率：１．４８
　配置ピッチＰ１：３２０ｎｍ
　構造体の高さ：４１５ｎｍ
　アスペクト比：１．３０
　構造体の配列：六方格子
　図４６から、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が８５％以上あれば、およそ可視域の波長域（０．４~０．７μｍ）において、平均反射率ＲがＲ＜０．５％となり、十分な反射防止効果が得られる。このとき底面の充填率は６５％以上である。また、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が９０％以上あれば、可視域の波長域において平均反射率ＲがＲ＜０．３％となり、より高性能な反射防止効果が得られる。このとき底面の充填率は７３％以上であり、上限を１００％として充填率が高いほど性能が良くなる。構造体同士が重なり合う場合は、構造体高さは一番低い位置からの高さを考えることとする。また、四方格子においても、充填率と反射率の傾向は同様であることを確認した。
（平均高さＨ、平均配置ピッチＰ、平均アスペクト比）
　以下の実施例において、導電性シートの構造体の平均高さＨ、平均配置ピッチＰ、および平均アスペクト比は以下のようにして求めた。
　平均配置ピッチＰ、平均高さＨ、アスペクト比（Ｈ／Ｐ）は、以下のようにして求めた。まず、導電性シートを構造体の頂部を含むように切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて撮影した。次に、撮影したＴＥＭ写真から、構造体の配置ピッチＰ、構造体の高さＨを求めた。この測定を導電性シートから無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して、平均配置ピッチＰ、および平均高さＨを求めた。次に、これらの平均配置ピッチＰ、および平均高さＨを用いて、アスペクト比（Ｈ／Ｐ）を求めた。
（ＩＴＯ膜の平均膜厚）
　以下の実施例において、ＩＴＯ膜の膜厚は以下のようにして求めた。
　まず、導電性シートを構造体の頂部を含むように切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて撮影し、撮影したＴＥＭ写真から、構造体における頂部におけるＩＴＯ膜の膜厚を測定した。これらの測定を導電性シートから無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して平均膜厚を求めた。
（平均波長λ、振動の平均幅Ａ、平均比率（Ａ／λ））
　以下の実施例において、第１の波面および第２の波面の平均波長λ、第１の波面の振動の平均幅Ａ、第２の波面の振動の平均幅Ｂ、平均比率（Ａ／λ）および平均比率（Ｂ／λ）は以下のようにして求めた。まず、ＩＴＯ膜の第１の波面または第２の波面の振動の幅が最大となる位置を含むようにして導電性シートを一方向に切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて撮影した。次に、撮影したＴＥＭ写真から、第１の波面または第２の波面の波長λ、第１の波面の振動の幅Ａ、および第２の波面の振動の幅Ｂを求めた。この測定をＩＴＯ膜から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行った。次に、測定された第１の波面および第２の波面の波長λ、第１の波面の振動の幅Ａ、第２の波面の振動の幅Ｂをそれぞれ単純に平均（算術平均）して、第１の波面および第２の波面の平均波長λ、第１の波面の振動の平均幅Ａ、第２の波面の振動の平均幅Ｂを求めた。次に、これらの平均波長λ、振動の平均幅Ａ、および振動の平均幅Ｂを用いて、平均比率（Ａ／λ）、平均比率（Ｂ／λ）を求めた。
　本発明の実施例について以下の順序で説明する。
８．シミュレーションによる反射特性の検討
９．サンプル作製による反射特性の検討
１０．サンプル作製による抵抗特性の検討
＜８．シミュレーションによる反射特性の検討＞
（実施例１−１）
　ＲＣＷＡ（Ｒｉｇｏｒｏｕｓ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｗａｖｅ　Ａｎａｌｙｓｉｓ）シミュレーションにより、導電性素子の反射率の波長依存性を求めた。その結果を図７１に示す。
　以下に、シミュレーションの条件を示す。
（導電性素子の層構成）
　（出射面側）樹脂層／Ｍｏｔｈｅｙｅ構造体／ＩＴＯ膜／樹脂層（入射面側）
（樹脂層）
　屈折率ｎ：１．５２
（ＩＴＯ膜）
　膜厚ｄ：２０ｎｍ、屈折率ｎ：２．０
　第１の波面の断面形状：放物線を周期的に繰り返した形状
　第１の波面の波長λ：４００ｎｍ、第１の波面の振動の幅Ａ：２０ｎｍ、第１の波面の波長λに対する振動の幅Ａの比率（Ａ／λ）：０．０５
　第２の波面の断面形状：放物線を周期的に繰り返した形状
　第２の波面の波長λ：４００ｎｍ、第２の波面の振動の幅Ｂ：２０ｎｍ、第２の波面の波長λに対する振動の幅Ｂの比率（Ｂ／λ）：０．０５
　本実施例において、第１の波面の断面形状は、ＩＴＯ膜の第１の波面の振動の幅が最大となる位置を含むようにして導電性素子を一方向に切断したときの断面形状である。また、第２の波面の断面形状は、ＩＴＯ膜の第２の波面の振動の幅が最大となる位置を含むようにして導電性素子を一方向に切断したときの断面形状である。
（Ｍｏｔｈｅｙｅ構造体）
　構造体形状：放物面状、配置パターン：六方格子パターン、構造体間の配置ピッチＰ：４００ｎｍ、構造体高さＨ：２０ｎｍ、アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．０５、屈折率ｎ：１．５２
（樹脂層）
　屈折率ｎ＝１．５２
（実施例１−２）
　以下のシミュレーション条件を変更する以外のことは、実施例１−１と同様にしてシミュレーションを行い、反射率の波長依存性を求めた。その結果を図７１に示す。
（Ｍｏｔｈｅｙｅ構造体）
　構造体高さＨ：４０ｎｍ、アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．１
（ＩＴＯ膜）
　第１および第２の波面の振動の幅：４０ｎｍ、比率（Ａ／λ）および比率（Ｂ／λ）：０．１
（実施例１−３）
　以下のシミュレーション条件を変更する以外のことは、実施例１−１と同様にしてシミュレーションを行い、反射率の波長依存性を求めた。その結果を図７１に示す。
（Ｍｏｔｈｅｙｅ構造体）
　構造体高さＨ：７０ｎｍ、アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．１７５
（ＩＴＯ膜）
　第１および第２の波面の振動の幅：７０ｎｍ、比率（Ａ／λ）および比率（Ｂ／λ）：０．１７５
（比較例１−１）
　樹脂層上に構造体を設定せず平坦面とし、この平坦面上にＩＴＯ膜を設けた層構成とする以外は実施例１−１と同様の条件にてシミュレーションを行い、反射率の波長依存性を求めた。その結果を図７１に示す。
　図７１から以下のことがわかる。
　高さ４０ｎｍ（アスペクト０．１）以上の構造体が表面に形成されていれば、構造体が表面に形成されていない場合とほぼ同様のスペクトルを得ることができる。
　構造体の高さ（アスペクト０．１）が４０ｎｍ以上であると、可視域（４５０ｎｍ~６５０ｎｍ）において反射率の変位量ΔＲをΔＲ＜１％とすることができる。すなわち可視域において反射率がほぼフラットとなる。
（実施例２−１）
　ＲＣＷＡシミュレーションにより、導電性素子の反射率の波長依存性を求めた。その結果を図７２に示す。
　以下に、シミュレーションの条件を示す。
（導電性素子の層構成）
　（出射面側）樹脂層／Ｍｏｔｈｅｙｅ構造体／ＩＴＯ膜／樹脂層（入射面側）
（樹脂層）
　屈折率ｎ：１．５２
（ＩＴＯ膜）
　膜厚ｄ：１０ｎｍ、屈折率ｎ：２．０
　第１の波面の断面形状：放物線を周期的に繰り返した形状
　第１の波面の波長λ：２５０ｎｍ、第１の波面の振動の幅Ａ：１５０ｎｍ、第１の波面の波長λに対する振動の幅Ａの比率（Ａ／λ）：０．６
　第２の波面の断面形状：放物線を周期的に繰り返した形状
　第２の波面の波長λ：２５０ｎｍ、第２の波面の振動の幅Ｂ：１５０ｎｍ、第２の波面の波長λに対する振動の幅Ｂの比率（Ｂ／λ）：０．６
（Ｍｏｔｈｅｙｅ構造体）
　構造体形状：放物面状、配置パターン：六方格子パターン、配置ピッチＰ：２５０ｎｍ、構造体高さＨ：１５０ｎｍ、アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．６、屈折率ｎ：１．５２
（樹脂層）
　屈折率ｎ：１．５２
（実施例２−２）
　ＩＴＯ膜の膜厚ｄを３０ｎｍとする以外は実施例２−１と同様の条件にてシミュレーションを行い、反射率の波長依存性を求めた。その結果を図７２に示す。
（実施例２−３）
　ＩＴＯ膜の膜厚ｄを５０ｎｍとする以外は実施例２−１と同様の条件にてシミュレーションを行い、反射率の波長依存性を求めた。その結果を図７２に示す。
（比較例２−１）
　樹脂層上に構造体を設定せず平坦面とし、この平坦面上にＩＴＯ膜を設けた層構成とする以外は実施例２−１と同様の条件にてシミュレーションを行い、反射率の波長依存性を求めた。その結果を図７２に示す。
　図７２から以下のことがわかる。
　ＩＴＯ膜の膜厚が１０ｎｍ~５０ｎｍの範囲内において、可視域の範囲で十分な反射防止が得られる。具体的には、可視域（４５０ｎｍ~７５０ｎｍ）において反射率を１．５％以下に抑えることができる。
　樹脂層の凹凸面間にＩＴＯ膜が挟まれた構成とすることで、樹脂層の平坦面間にＩＴＯ膜が挟まれた層構成とするよりも反射率を大幅に低減することができる。特に、可視域の短波長側における反射率を低減することができる。
（実施例３−１）
　ＲＣＷＡシミュレーションにより、導電性素子の反射率の波長依存性を求めた。その結果を図７３に示す。
　以下に、シミュレーションの条件を示す。
（導電性素子の層構成）
　樹脂層／Ｍｏｔｈｅｙｅ構造体／ＩＴＯ膜／空気
（樹脂層）
　屈折率ｎ＝１．５２
（Ｍｏｔｈｅｙｅ構造体）
　構造体形状：放物面状、配置パターン：六方格子パターン、配置ピッチＰ：２５０ｎｍ、構造体高さＨ：１２０ｎｍ、アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．４８、屈折率ｎ：１．５２
（ＩＴＯ膜）
　膜厚ｄ：２０ｎｍ、屈折率ｎ：２．０
　第１の波面の断面形状：放物線を周期的に繰り返した形状
　第１の波面の波長λ：２５０ｎｍ、第１の波面の振動の幅Ａ：１２０ｎｍ、第１の波面の波長λに対する振動の幅Ａの比率（Ａ／λ）：０．４８
　第２の波面の断面形状：放物線を周期的に繰り返した形状
　第２の波面の波長λ：２５０ｎｍ、第２の波面の振動の幅Ｂ：１２０ｎｍ、第２の波面の波長λに対する振動の幅Ｂの比率（Ｂ／λ）：０．４８
（実施例３−２）
　ＩＴＯ膜の膜厚ｄを３０ｎｍとする以外は実施例３−１と同様の条件にてシミュレーションを行い、反射率の波長依存性を求めた。その結果を図７３に示す。
（比較例３−１）
　ＩＴＯ膜の膜厚ｄを０ｎｍとする以外は実施例３−１と同様の条件にてシミュレーションを行い、反射率の波長依存性を求めた。その結果を図７３に示す。
　図７３から以下のことがわかる。
　樹脂層の表面に構造体を多数形成した場合には、およそ波長４５０~７００ｎｍの範囲において、ＩＴＯ膜を構造体上に形成したときと、ＩＴＯ膜を構造体上に形成しなかったときとで、反射率に大きな違いがなくなる傾向がある。したがって、ＩＴＯ膜の電極パターンがある部分とＩＴＯ膜の電極パターンがない部分とにおける反射率の違いを抑制することができる。すなわち、デジタル抵抗膜方式タッチパネルなどの配線の視認を抑制できる。
（参考例１−１）
　シミュレーションにより、導電性素子の反射率の波長依存性を求めた。その結果を図７４に示す。
　以下に、シミュレーションの条件を示す。
（導電性素子の層構成）
　基材／ＩＴＯ膜／媒質
（基材）
　基材：ガラス基材、成膜面：平坦面、屈折率ｎ＝１．５
（ＩＴＯ膜）
　膜厚ｄ＝２０ｎｍ、屈折率ｎ＝２．０
（媒質）
　媒質の種類：空気
（参考例１−２）
　ＩＴＯ膜の厚みを４０ｎｍとする以外は参考例１−１と同様の条件にてシミュレーションを行い、反射率の波長依存性を求めた。その結果を図７４に示す。
（参考例１−３）
　ＩＴＯ膜の厚みを６０ｎｍとする以外は参考例１−１と同様の条件にてシミュレーションを行い、反射率の波長依存性を求めた。その結果を図７４に示す。
（参考例１−４）
　ＩＴＯ膜の厚みを０ｎｍとする以外は参考例１−１と同様の条件にてシミュレーションを行い、反射率の波長依存性を求めた。その結果を図７４に示す。
　図７４から以下のことがわかる。
　基材表面にモスアイ構造を形成せず、基材の平坦面上にＩＴＯ膜を形成した場合には、基材の平坦面上にＩＴＯ膜を形成していない場合に比して反射率が増加する傾向がある。その反射率の増加の度合いはＩＴＯ膜の膜厚が厚いほど大きくなる傾向がある。
＜９．サンプル作製による反射特性の検討＞
（実施例４−１）
　まず、外径１２６ｍｍのガラスロール原盤を準備し、このガラスロール原盤の表面に以下のようにしてレジスト層を着膜した。すなわち、シンナーでフォトレジストを１／１０に希釈し、この希釈レジストをディッピング法によりガラスロール原盤の円柱面上に厚さ７０ｎｍ程度に塗布することにより、レジスト層を着膜した。次に、記録媒体としてのガラスロール原盤を、図５８に示したロール原盤露光装置に搬送し、レジスト層を露光することにより、１つの螺旋状に連なるとともに、隣接する３列のトラック間において六方格子パターンをなす潜像がレジスト層にパターニングされた。
　具体的には、六方格子状の露光パターンが形成されるべき領域に対して、前記ガラスロール原盤表面まで露光するパワー０．５０ｍＷ／ｍのレーザー光を照射し凹形状の六方格子状の露光パターンを形成した。なお、トラック列の列方向のレジスト層の厚さは６０ｎｍ程度、トラックの延在方向のレジスト厚さは５０ｎｍ程度であった。
　次に、ガラスロール原盤上のレジスト層に現像処理を施して、露光した部分のレジスト層を溶解させて現像を行った。具体的には、図示しない現像機のターンテーブル上に未現像のガラスロール原盤を載置し、ターンテーブルごと回転させつつガラスロール原盤の表面に現像液を滴下してその表面のレジスト層を現像した。これにより、レジスト層が六方格子パターンに開口しているレジストガラス原盤が得られた。
　次に、ロールエッチング装置を用い、ＣＨＦ３ガス雰囲気中でのプラズマエッチングを行った。これにより、ガラスロール原盤の表面において、レジスト層から露出している六方格子パターンの部分のみエッチングが進行し、その他の領域はレジスト層がマスクとなりエッチングはされず、楕円錐形状の凹部がガラスロール原盤に形成された。この際、エッチング量（深さ）は、エッチング時間によって調整した。最後に、Ｏ２アッシングにより完全にレジスト層を除去することにより、凹形状の六方格子パターンを有するモスアイガラスロールマスタが得られた。列方向における凹部の深さは、トラックの延在方向における凹部の深さより深かった。
　次に、上記モスアイガラスロールマスタと、紫外線硬化樹脂を塗布したＴＡＣ（トリアセチルセルロース）シートを密着させ、紫外線を照射し硬化させながら剥離した。これにより、複数の構造体が一主面に配列された光学シートが得られた。
　次に、スパッタリング法により、構造体頂部平均膜厚３０ｎｍのＩＴＯ膜を、多数の構造体が形成されたＴＡＣシート全面に成膜した。次に、粘着剤を介してＩＴＯ膜上にＴＡＣシートを貼り合わせた。
　上述のようにして得られた光学シートの構造体の平均配置ピッチＰは２７０ｎｍ、平均高さＨは１７０ｎｍ、平均アスペクト比は０．６３であった。また、ＩＴＯ膜の波長λは２７０ｎｍ、ＩＴＯ膜の第１の波面の振動の幅Ａは１７０ｎｍ、ＩＴＯ膜の第２の波面の振動の幅Ｂは１７０~１８０ｎｍ、比率（Ａ／λ）は０．６３、比率（Ｂ／λ）は０．６３~０．６７であった。
　以上により、目的とする導電性シートが作製された。
（比較例４−１）
　ＩＴＯ膜の平均膜厚を２０ｎｍとする以外は実施例４−１と同様にして導電性シートを作製した。
（比較例４−２）
　ＩＴＯ膜の形成を省略する以外は実施例４−１と同様にして光学シートを作製した。
（比較例４−３）
　紫外線硬化樹脂を塗布して構造体を形成する工程を省略し、ＴＡＣフィルムの平坦面上にＩＴＯ膜を直接成膜する以外は実施例４−１と同様にして導電性シートを作製した。
（表面抵抗の評価）
　上述のようにして作製した導電性シートおよび光学シートの表面抵抗を４端子法にて測定した。その結果を表９に示す。
（分光反射特性の評価）
　上述のようにして作製した導電性シートおよび光学シートの分光反射特性を以下のようにして測定した。まず、多数の構造体またはＩＴＯ膜が形成されたＴＡＣシートの裏面にブラックテープを貼り合わせた。次に、ブラックテープが貼り合わされた側とは反対側となる表面から光を入射したときの導電性シートの分光反射特性を、日本分光社製の評価装置（Ｖ−５５０）を用いて求めた。その結果を図７５に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000009
 　図７５から以下のことがわかる。
　構造体上にＩＴＯ膜を形成した実施例４−１、比較例４−１では、可視域４００ｎｍ~８００ｎｍの範囲内において、ＴＡＣシートの平坦面上にＩＴＯ膜を形成した比較例４−２に比して反射率を低減することができる。
　構造体上にＩＴＯ膜を形成した実施例４−１、比較例４−１では、可視域４００ｎｍ~８００ｎｍの範囲内において、構造体上にＩＴＯ膜を形成していない比較例４−１とほぼ同様の反射率が得られている。この結果から、構造体状にＩＴＯ膜を形成することで、ＩＴＯ膜を所定の配線パターン状に形成した場合には、配線パターンが有る部分と、配線パターンが無い部分との反射率の違いをほとんど無くすことができる。したがって、配線パターンがほとんど視認されなくなる。
（実施例５−１）
　まず、露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、構造体の構成を表１０に示すようにすること以外は、実施例４−１と同様にして、モスアイ構造体が形成されたＴＡＣシートを得た。次に、スパッタリング法により、平均膜厚３０ｎｍのＩＴＯ膜を、多数の構造体が形成されたＴＡＣシート全面に成膜した。以上により、モスアイ構造体が形成された面が樹脂層により覆われず露出した導電性シートが作製された。
（実施例５−２）
　ＩＴＯ膜の平均膜厚を４０ｎｍとする以外は実施例５−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例５−３）
　ＩＴＯ膜の平均膜厚を５０ｎｍとする以外は実施例５−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例５−４）
　ＩＴＯ膜の平均膜厚を６０ｎｍとする以外は実施例５−１と同様にして導電性シートを作製した。
（比較例５−１）
　ＩＴＯ膜の形成を省略する以外は実施例５−１と同様にして光学シートを作製した。
（実施例６−１）
　露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、構造体の構成を表２に示すようにすると共に、ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍとする以外は実施例５−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例６−２）
　ＩＴＯ膜の平均膜厚を４０ｎｍとする以外は実施例６−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例６−３）
　ＩＴＯ膜の平均膜厚を５０ｎｍとする以外は実施例６−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例６−４）
　ＩＴＯ膜の平均膜厚を６０ｎｍとする以外は実施例６−１と同様にして導電性シートを作製した。
（比較例６−１）
　ＩＴＯ膜の形成を省略する以外は実施例６−１と同様にして光学シートを作製した。
（実施例７−１）
　露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、構造体の構成を表１０に示すようにすると共に、ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍとする以外は実施例５−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例７−２）
　ＩＴＯ膜の平均膜厚を４０ｎｍとする以外は実施例７−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例７−３）
　ＩＴＯ膜の平均膜厚を５０ｎｍとする以外は実施例７−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例７−４）
　ＩＴＯ膜の平均膜厚を６０ｎｍとする以外は実施例７−１と同様にして導電性シートを作製した。
（比較例７−１）
　ＩＴＯ膜の形成を省略する以外は実施例７−１と同様にして光学シートを作製した。
（比較例８−１）
　露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、構造体の構成を表１０に示すようにすると共に、ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍとする以外は実施例５−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例８−１）
　ＩＴＯ膜の平均膜厚を４０ｎｍとする以外は比較例８−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例８−２）
　ＩＴＯ膜の平均膜厚を５０ｎｍとする以外は比較例８−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例８−３）
　ＩＴＯ膜の平均膜厚を６０ｎｍとする以外は比較例８−１と同様にして導電性シートを作製した。
（比較例８−２）
　ＩＴＯ膜の形成を省略する以外は比較例８−１と同様にして光学シートを作製した。
（比較例９−１）
　露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、構造体の構成を表１０に示すようにすると共に、ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍとする以外は実施例５−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例９−１）
　ＩＴＯ膜の平均膜厚を４０ｎｍとする以外は比較例９−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例９−２）
　ＩＴＯ膜の平均膜厚を５０ｎｍとする以外は比較例９−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例９−３）
　ＩＴＯ膜の平均膜厚を６０ｎｍとする以外は比較例９−１と同様にして導電性シートを作製した。
（比較例９−２）
　ＩＴＯ膜の形成を省略する以外は比較例９−１と同様にして光学シートを作製した。
（比較例１０−１）
　露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、構造体の構成を表１０に示すようにすると共に、ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍとする以外は実施例５−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例１０−１）
　ＩＴＯ膜の平均膜厚を４０ｎｍとする以外は比較例１０−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例１０−２）
　ＩＴＯ膜の平均膜厚を５０ｎｍとする以外は比較例１０−１と同様にして導電性シートを作製した。
　［０１９１］
（実施例１０−３）
　ＩＴＯ膜の平均膜厚を６０ｎｍとする以外は比較例１０−１と同様にして導電性シートを作製した。
（比較例１０−２）
　ＩＴＯ膜の形成を省略する以外は比較例１０−１と同様にして光学シートを作製した。
（実施例１１−１）
　露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、表１０に示す構造体を形成する共に、ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍとする以外は実施例５−１と同様にして導電性シートを作製した。
（比較例１１−１）
　表１２に示す構造体を形成する以外は実施例１１−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例１１−２）
　ＩＴＯ膜の平均膜厚を５０ｎｍとする以外は実施例１１−１と同様にして導電性シートを作製した。
（比較例１１−３）
　表１０に示す構造体を形成する以外は実施例１１−２と同様にして導電性シートを作製した。
（比較例１１−２）
　単層のガラスを準備した。
　表１０は、上述の実施例および比較例の導電性シート、およびの光学シートの構成を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000010
 ＜１０．サンプル作製による抵抗特性の検討＞
（実施例１２−１~１２−３、比較例１２−１~１２−３）
　露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、表１１に示す構造体を形成すると共に、ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍとする以外は実施例４−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例１３−１~１３−４）
　ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍとする以外は実施例１２−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例１４−１~１４−４）
　ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍとする以外は実施例１２−２と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例１５−１~１５−４）
　ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍとする以外は実施例１２−３と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例１６−１~１６−３、比較例１６−１）
　ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍとする以外は比較例１２−１と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例１７−１~１７−３、比較例１７−１）
　ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍとする以外は比較例１２−３と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例１８−１~１８−３、比較例１８−１）
　ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍとする以外は比較例１２−２と同様にして導電性シートを作製した。
（実施例１９−１~１９−４）
　ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍとする以外は実施例１２−２と同様にして導電性シートを作製した。
　表１１は、実施例１２−１~１９−４の導電性シートの構成を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000011
 （実施例２０−１）
　まず、露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、表１２に示すように構造体の設計を変更したこと、基材として厚さ１２７μｍを有するクリアハードコート付きＰＥＴシートを用いたこと以外は、実施例１−１と同様にして、モスアイ構造体が形成されたＰＥＴシートを得た。次に、このシートの、構造体からなる凹凸面上に、平均膜厚３６ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタリング法により成膜した。以下にＩＴＯ膜の成膜条件を示す。
　スパッタリング種：ＡＣマグネトロンスパッタリング（Ｄｕａｌカソード）
　ガス種：ＡｒとＯ２との混合ガス
　ガス流量比（体積流量比）：Ａｒ：Ｏ２＝２０：１
　成膜時圧力：０．２４Ｐａ
　投入電力：４ｋＷ
　次に、ＩＴＯ膜を１５０度で１時間アニーリングして、結晶状態とした。
　以上により、目的とする導電性シートが得られた。
（実施例２０−２）
　次に、ＩＴＯ膜の平均膜厚を７５ｎｍとしたこと以外は実施例２０−１と同様にして、導電性シートを得た。
（実施例２０−３）
　露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、表１２に示すように構造体の設計を変更したこと以外は実施例２０−１と同様にして、導電性シートを得た。
（実施例２０−４）
　次に、ＩＴＯ膜の平均膜厚を７５ｎｍとしたこと以外は実施例２０−３と同様にして、導電性シートを得た。
（実施例２０−５）
　露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、表１２に示すように構造体の設計を変更したこと以外は実施例２０−１と同様にして、導電性シートを得た。
（実施例２０−６）
　次に、ＩＴＯ膜の平均膜厚を７５ｎｍとした以外は実施例２０−５と同様にして、導電性シートを得た。
（実施例２０−７）
　露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、表１２に示すように構造体の設計を変更したこと以外は実施例２０−１と同様にして、導電性シートを得た。
（実施例２０−８）
　厚さ１００μｍのゼオノアフィルム（登録商標）に熱転写して構造体を形成したこと、ＩＴＯ膜の平均膜厚を８０ｎｍとしたこと以外は実施例２０−７と同様にして、導電性シートを得た。
（実施例２０−９）
　露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、表１２に示すように構造体の設計を変更したこと、基材として厚さ１００μｍのＰＥＴシートを用いたこと、透明導電膜として平均膜厚３０ｎｍのＩＺＯ膜を形成したこと以外は実施例２０−１と同様にして、導電性シートを得た。
（比較例２０−１）
　紫外線硬化樹脂を塗布して構造体を形成する工程を省略し、ＰＥＴシートの平坦面上にＩＴＯ膜を直接成膜する以外は実施例２０−１と同様にして導電性シートを作製した。
（比較例２０−２）
　紫外線硬化樹脂を塗布して構造体を形成する工程を省略し、ＰＥＴシートの平坦面上にＩＴＯ膜を直接成膜する以外は実施例２０−２と同様にして導電性シートを作製した。
（分光反射／透過特性の評価）
　上述のようにして作製した導電性シートの分光反射特性を以下のようにして測定した。まず、多数の構造体またはＩＴＯ膜が形成された導電性シートの裏面にブラックテープを貼り合わせた。次に、ブラックテープが貼り合わされた側とは反対側となる表面から光を入射したときの導電性シートの分光反射特性および分光透過特性を、日本分光社製の評価装置（Ｖ−５５０）を用いて求めた。その結果を図８１Ａ~図８２Ｂに示す。
（結晶性評価）
　比較例２０−７、２０−９、２０−１の導電性シートの結晶性をＸ線回折法（Ｘ−ｒａｙ　ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ：ＸＲＤ）により評価した。その結果を図８３に示す。
（表面抵抗の評価）
　上述のようにして作製した導電性光学シートの表面抵抗を４端子法（ＪＩＳ　Ｋ　７１９４）にて測定した。以下に、この測定に用いた装置およびその条件について示す。
・測定ユニット
メーカー：ＮＡＰＳＯＮ
機種名：ＲＴ−７０
・プローブユニット
メーカー：ＮＡＰＳＯＮ
機種名：ＴＳ−７Ｄ
・４端針プローブ
メーカー：ＪＡＤＥＬ
先端のＲ：１５０μｍ
間隔１ｍｍ
（比抵抗の評価）
　上述のようにして得られた導電性シートの透明導電膜の比抵抗を以下のようにして測定した。
　同スパッタロットにて平板にも成膜し、その平板の比抵抗を測定することで算出した。算出方法は表面抵抗と膜厚を測定し、下記式で計算した。
　Ｒ（表面抵抗）＝ρ（比抵抗）／ｄ（厚み）
　なお、平板上の膜厚は、触針式段差計、もしくはＡＦＭで測定し、ダイナミックレートから換算した。段差計としては、テンコール社製のαステップを用いた。
　構造体上に透明導電膜を形成した場合の比抵抗は、以下のようにして概算することができる。
　まず、断面ＴＥＭ、もしくは断面ＳＥＭ、ＡＦＭにて構造体のプロファイルを確認し、そこから表面積を算出する。また、導電膜の厚みについても断面観察像から平均膜厚を換算する。上記値より表面抵抗を測定することによりオームの法則（抵抗は比抵抗に対して断面積に比例し、膜厚に反比例する）より換算する。
　表１２、表１３は、実施例２０−１~２０−９、比較例２０−１~２０−２の導電性シートの構成を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000012
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000013
 　図８１Ａ、図８１Ｂから、構造体からなる凹凸上に透明導電膜を形成した場合には、シートの平面上に透明導電膜を形成した場合に比べて優れた反射防止特性が得られることがわかる。
　図８２Ａ、図８２Ｂから、構造体をシートに一体成型した場合にも、シートの平面上に透明導電膜を形成した場合に比べて優れた反射率が得られることがわかる。また、構造体を一体成型した場合には、透過率が高く、リップル（波打ち）が抑制されることがわかる。このようにリップルが抑制されることで、視認性が向上する。また、短波長側の透過特性が良好で、色調がニュートラル（無色透明）になることがわかる。
　図８３から、アニール前のサンプルでは、ＸＲＤスペクトルにＩＴＯの結晶性に起因するピークが観察されないのに対して、アニール後のサンプルでは、ＸＲＤスペクトルにＩＴＯの結晶性に起因するピークが観察されることがわかる。
　以上、この発明の実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
　例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、形状、材料および数値などを用いてもよい。
　また、上述の実施形態の各構成は、この発明の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。具体的には、上述の第１~第２０の実施形態の構成、形状、材料、数値、および方法などは、この発明の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
　また、上述の実施形態において、熱転写により導電性素子を作製するようにしてもよい。具体的には、熱可塑性樹脂を主成分とする基体を加熱し、この加熱により十分に柔らかくなった基体に対して、ロール状原盤やディスク状原盤などの判子（モールド）を押し当てることにより、導電性素子を作製する方法を用いるようにしてもよい。

Claims (24)

  1. 　表面を有する基体と、
    　上記基体の表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された、錐体形状の凸部または凹部である構造体と、
    　上記構造体上に形成された透明導電膜と、
    を備え、
    　上記構造体のアスペクト比が、０．２以上１．３以下であり、
    　上記透明導電膜は上記構造体に倣った表面を有し、
    　上記構造体の頂部における透明導電膜の平均膜厚Ｄｍ１が、８０ｎｍ以下であり、
    　上記透明導電膜の表面抵抗が、５０Ω／□以上５００Ω／□以下の範囲である導電性光学素子。
  2. 　上記透明導電膜は、結晶性を有している請求項１記載の導電性光学素子。
  3. 　上記透明導電膜は、インジウム錫酸化物または酸化インジウム亜鉛を含んでいる請求項１記載の導電性光学素子。
  4. 　上記導電性光学素子が、電極用である請求項１記載の導電性光学素子。
  5. 　上記構造体の頂部における透明導電膜の平均膜厚Ｄｍ１が、１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下である請求項１記載の導電性光学素子。
  6. 　上記構造体のアスペクト比が、０．２以上１．０以下である請求項１記載の導電性光学素子。
  7. 　上記透明導電膜の比抵抗が、１×１０−３Ω・ｃｍ以下である請求項１記載の導電性光学素子。
  8. 　上記透明導電膜の比抵抗が、６×１０−４Ω・ｃｍ以下である請求項７記載の導電性光学素子。
  9. 　上記構造体は、頂部に曲面を有する錐体形状である請求項１記載の導電性光学素子。
  10. 　上記構造体は、楕円錐または楕円錐台形状である請求項１記載の導電性光学素子。
  11. 　上記構造体は、上記基体の表面において複数列のトラックをなすように配置され、
    　上記トラックが、直線状、または円弧状を有する請求項１記載の導電性光学素子。
  12. 　上記構造体は、上記基体の表面において複数列のトラックをなすように配置され、
    　上記トラックが、蛇行している請求項１記載の導電性光学素子。
  13. 　上記基材は、上記表面とは反対側の他の表面を有し、
    　上記基体の他の表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された、錐体形状である凸部または凹部である構造体をさらに備える請求項１記載の導電性光学素子。
  14. 　上記構造体は、上記基体の表面において複数列のトラックをなすように配置され、
    　上記構造体は、上記トラックの延在方向に長軸方向を有する楕円錐または楕円錐台形状
    である請求項１記載の導電性光学素子。
  15. 　上記構造体は、上記基体の表面において複数列のトラックをなすように配置されている
    とともに、六方格子パターン、準六方格子パターン、四方格子パターンまたは準四方格子
    パターンを形成する請求項１記載の導電性光学素子。
  16. 　上記基体の表面に対する上記構造体の充填率が、６５％以上である請求項１記載の導電性光学素子。
  17. 　上記基体の表面に対する上記構造体の充填率が、７３％以上である請求項１６記載の導電性光学素子。
  18. 　上記配置ピッチＰ１に対する上記径２ｒの比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が、８５％以上である請求項１記載の導電性光学素子。
  19. 　上記配置ピッチＰ１に対する上記径２ｒの比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が、９０％以上である請求項１８記載の導電性光学素子。
  20. 　請求項１~１９のいずれか１項に記載の導電性光学素子を備えるタッチパネル。
  21. 　請求項１~１９のいずれか１項に記載の導電性光学素子を備える情報入力装置。
  22. 　請求項１~１９のいずれか１項に記載の導電性光学素子を備える表示装置。
  23. 　請求項１~１９のいずれか１項に記載の導電性光学素子を備える太陽電池。
  24. 　請求項１~１９のいずれか１項に記載の導電性光学素子を作製するための導電性光学素子作製用原盤であって、
    　表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された、錐体形状の凸部または凹部である転写用構造体を有し、
    　上記転写用構造体のアスペクト比が、０．２以上１．３以下である、導電性光学素子作製用原盤。
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