JP2002286906A - 反射防止方法及び反射防止構造並びに反射防止構造を有する反射防止構造体及びその製造方法 - Google Patents
反射防止方法及び反射防止構造並びに反射防止構造を有する反射防止構造体及びその製造方法Info
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- JP2002286906A JP2002286906A JP2001086069A JP2001086069A JP2002286906A JP 2002286906 A JP2002286906 A JP 2002286906A JP 2001086069 A JP2001086069 A JP 2001086069A JP 2001086069 A JP2001086069 A JP 2001086069A JP 2002286906 A JP2002286906 A JP 2002286906A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反射防止方法及び反射防止構造に関し、周期
的な二次元格子を境界面に形成した場合と同等の反射防
止特性をより低コストで実現できるようにする。 【解決手段】 異なる屈折率率ｎa，ｎbを有する媒質間
の境界面に、ＪＩＳ Ｂ０６０１1994で定義される凹凸
の算術平均粗さをＲａ、凹凸の平均間隔をＳｍとしたと
き、０．００１μｍ＜Ｒａ＜０．５μｍ、且つ、０．０
０１μｍ＜Ｓｍ＜０．５μｍ、且つ、０．０１＜Ｒａ／
Ｓｍ＜２．０の関係を満たす複数の凹凸を無作為に形成
することによって反射防止構造とする。
的な二次元格子を境界面に形成した場合と同等の反射防
止特性をより低コストで実現できるようにする。 【解決手段】 異なる屈折率率ｎa，ｎbを有する媒質間
の境界面に、ＪＩＳ Ｂ０６０１1994で定義される凹凸
の算術平均粗さをＲａ、凹凸の平均間隔をＳｍとしたと
き、０．００１μｍ＜Ｒａ＜０．５μｍ、且つ、０．０
０１μｍ＜Ｓｍ＜０．５μｍ、且つ、０．０１＜Ｒａ／
Ｓｍ＜２．０の関係を満たす複数の凹凸を無作為に形成
することによって反射防止構造とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、屈折率の異なる媒
質間の境界面における反射防止技術に関し、特に、情報
技術産業分野の製品において反射防止性能を必要とする
部材に用いて好適の反射防止技術に関する。
質間の境界面における反射防止技術に関し、特に、情報
技術産業分野の製品において反射防止性能を必要とする
部材に用いて好適の反射防止技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、透明材質の光線透過率を向上させ
る方法として、透明材質の表面反射を低減させる方法が
用いられている。表面反射は屈折率の異なる層間でその
屈折率差に比例して増大するので、表面反射を抑えるた
めには層間での屈折率差を小さくすることが有効であ
り、従来は以下のような反射防止方法１〜３が採用され
てきた。
る方法として、透明材質の表面反射を低減させる方法が
用いられている。表面反射は屈折率の異なる層間でその
屈折率差に比例して増大するので、表面反射を抑えるた
めには層間での屈折率差を小さくすることが有効であ
り、従来は以下のような反射防止方法１〜３が採用され
てきた。
【０００３】従来方法１．高屈折率の基材表面に空気よ
りも屈折率が大きく、かつ基材よりも屈折率の小さい透
明材料をコーティングする。例えば屈折率Ｎaを有する
媒質ａから屈折率Ｎbを有する媒質ｂに垂直に光が入射
した場合の反射率は下記の数式（数１）を用いて計算す
ることができる。
りも屈折率が大きく、かつ基材よりも屈折率の小さい透
明材料をコーティングする。例えば屈折率Ｎaを有する
媒質ａから屈折率Ｎbを有する媒質ｂに垂直に光が入射
した場合の反射率は下記の数式（数１）を用いて計算す
ることができる。
【０００４】
【数１】
【０００５】ただし、Ｒ（％）：反射率を百分率で表し
たもの。 Ｎa：媒質ａの屈折率。 Ｎb：媒質ｂの屈折率。 空気中から入射する光の反射率を計算すると、Ｎa＝
１．０、Ｎb＝１．５０の場合、Ｒab＝４％となる。こ
こで、Ｎb＝１．３０の媒質を選択してコーティングす
れば、Ｒab＝１．７％となり反射率を低減することがで
きる。
たもの。 Ｎa：媒質ａの屈折率。 Ｎb：媒質ｂの屈折率。 空気中から入射する光の反射率を計算すると、Ｎa＝
１．０、Ｎb＝１．５０の場合、Ｒab＝４％となる。こ
こで、Ｎb＝１．３０の媒質を選択してコーティングす
れば、Ｒab＝１．７％となり反射率を低減することがで
きる。
【０００６】従来方法２．透明材質の表面に無機材質を
薄く多層して各層間での反射光の干渉により打ち消し合
って反射を防止する。この無機多層膜構造の反射防止膜
を形成する具体的な方法としては、真空装置中でＣａＦ
2，ＺｎＳ，ＳｉＯ2等の無機材料を繰り返し蒸着するこ
とが知られている。例えば、文献「薄膜・光デバイス吉
田、矢島著 東京大学出版会」には、ＭｇＦ2とＳｉＯ
を組み合わせた例が報告されている。
薄く多層して各層間での反射光の干渉により打ち消し合
って反射を防止する。この無機多層膜構造の反射防止膜
を形成する具体的な方法としては、真空装置中でＣａＦ
2，ＺｎＳ，ＳｉＯ2等の無機材料を繰り返し蒸着するこ
とが知られている。例えば、文献「薄膜・光デバイス吉
田、矢島著 東京大学出版会」には、ＭｇＦ2とＳｉＯ
を組み合わせた例が報告されている。
【０００７】従来方法３．媒質表面の屈折率を連続的に
変化させる屈折率傾斜型の構造によって反射率を低減す
る。この傾斜屈折率型の反射防止膜を形成する具体的な
方法としては、ガラスをイオン交換したり、不純物を拡
散したりする方法が知られている。
変化させる屈折率傾斜型の構造によって反射率を低減す
る。この傾斜屈折率型の反射防止膜を形成する具体的な
方法としては、ガラスをイオン交換したり、不純物を拡
散したりする方法が知られている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の反射防止方法１〜３にはいずれにも以下のような
課題があった。まず、従来方法１では、屈折率が所要の
条件を満たす透明材料を選択する必要がある。ところ
が、適用できる透明材料の種類は有限であるため、基材
の材質（屈折率）によっては、うまく条件を満たすよう
な屈折率を有する透明材料を選択することができず、十
分に反射率を低減することができない虞がある。
従来の反射防止方法１〜３にはいずれにも以下のような
課題があった。まず、従来方法１では、屈折率が所要の
条件を満たす透明材料を選択する必要がある。ところ
が、適用できる透明材料の種類は有限であるため、基材
の材質（屈折率）によっては、うまく条件を満たすよう
な屈折率を有する透明材料を選択することができず、十
分に反射率を低減することができない虞がある。
【０００９】これに対し、従来方法２，３は、多層膜構
造による各層間での反射光の干渉や屈折率の連続的な変
化によって全体の反射率を低減させるものであるので、
従来方法１よりも確実に反射率を低減することができ
る。しかしながら、従来方法２では、各層を成膜する際
に最適に設計された膜厚を保持する必要があり、煩雑な
工程が要求されるために高コストになるという課題があ
った。また、従来方法３でも、傾斜屈折率型の反射防止
膜の製造に煩雑な工程が要求されるため従来方法２と同
様に高コストになるという課題があった。
造による各層間での反射光の干渉や屈折率の連続的な変
化によって全体の反射率を低減させるものであるので、
従来方法１よりも確実に反射率を低減することができ
る。しかしながら、従来方法２では、各層を成膜する際
に最適に設計された膜厚を保持する必要があり、煩雑な
工程が要求されるために高コストになるという課題があ
った。また、従来方法３でも、傾斜屈折率型の反射防止
膜の製造に煩雑な工程が要求されるため従来方法２と同
様に高コストになるという課題があった。
【００１０】このようなコスト上の課題により、従来方
法２，３にかかる無機多層膜構造の反射防止膜或いは傾
斜屈折率型の反射防止膜は特殊な用途にしか使用するこ
とができなかった。例えば、近年の情報技術の発達に伴
って、携帯電話に代表される携帯情報端末が世間一般に
広く普及している。これら携帯情報端末の性能に対する
要求の中で、その視認性の改良は強く求められるもので
あったが、上記のように従来方法２，３にかかる反射防
止膜はそのコスト上の課題からこれら携帯情報端末に使
用することは難しかった。
法２，３にかかる無機多層膜構造の反射防止膜或いは傾
斜屈折率型の反射防止膜は特殊な用途にしか使用するこ
とができなかった。例えば、近年の情報技術の発達に伴
って、携帯電話に代表される携帯情報端末が世間一般に
広く普及している。これら携帯情報端末の性能に対する
要求の中で、その視認性の改良は強く求められるもので
あったが、上記のように従来方法２，３にかかる反射防
止膜はそのコスト上の課題からこれら携帯情報端末に使
用することは難しかった。
【００１１】また、近年、その構造上、従来の反射防止
方法を適用することができない製品も出現している。例
えばタッチパネル，ＬＣＤ，有機電界発光素子用（有機
ＥＬ）等のように、表面に透明電極であるＩＴＯが積層
されている製品の場合、このＩＴＯ上に無機や有機のコ
ーティング膜を付けてしまうと表面の導電性が損なわれ
てしまうため、表面に異なる材質をコーティングする従
来方法１〜３を適用することはできない。
方法を適用することができない製品も出現している。例
えばタッチパネル，ＬＣＤ，有機電界発光素子用（有機
ＥＬ）等のように、表面に透明電極であるＩＴＯが積層
されている製品の場合、このＩＴＯ上に無機や有機のコ
ーティング膜を付けてしまうと表面の導電性が損なわれ
てしまうため、表面に異なる材質をコーティングする従
来方法１〜３を適用することはできない。
【００１２】以上のような課題が従来方法１〜３にはあ
ることから、近年では、比較的低いコストで実現できる
とともに、かつ、製品への適用上の制約が少ない反射防
止方法の案出が望まれていた。そこで、発明者らはこの
要望に答えるため、本発明の創案過程において、まず、
以下の反射防止方法を案出した。まず、表面に周期がΛ
の繰り返し構造を持つ格子を考える。Λがこの格子に入
射する電磁波の波長λより十分に小さい領域での電磁波
の回折現象は、有効屈折率領域での現象として古くから
研究されている。例えば、図７に示すように特に回折格
子がピラミッドのような四角錐あるいは円錐構造を持っ
た二次元格子で、Λがλに比べて十分小さい領域では、
良好な反射防止特性を有することが知られている(文献
「Y. Ono, et al, Antireflection effect in ultrahig
h spatial-frequency holographic relief gratings, A
ppl. Opt. , vol.26, no.6, pp.1142-1146,1987」、
「E. B. Grann, et al, Optimal design for antirefle
ctive tapered two-dimensional subwavelength gratin
g structure, J. Opt. Soc. Am.A, vol.12, no.2, pp.3
33-339, 1995」参照)。
ることから、近年では、比較的低いコストで実現できる
とともに、かつ、製品への適用上の制約が少ない反射防
止方法の案出が望まれていた。そこで、発明者らはこの
要望に答えるため、本発明の創案過程において、まず、
以下の反射防止方法を案出した。まず、表面に周期がΛ
の繰り返し構造を持つ格子を考える。Λがこの格子に入
射する電磁波の波長λより十分に小さい領域での電磁波
の回折現象は、有効屈折率領域での現象として古くから
研究されている。例えば、図７に示すように特に回折格
子がピラミッドのような四角錐あるいは円錐構造を持っ
た二次元格子で、Λがλに比べて十分小さい領域では、
良好な反射防止特性を有することが知られている(文献
「Y. Ono, et al, Antireflection effect in ultrahig
h spatial-frequency holographic relief gratings, A
ppl. Opt. , vol.26, no.6, pp.1142-1146,1987」、
「E. B. Grann, et al, Optimal design for antirefle
ctive tapered two-dimensional subwavelength gratin
g structure, J. Opt. Soc. Am.A, vol.12, no.2, pp.3
33-339, 1995」参照)。
【００１３】この領域での厳密な解析はRigorous Coupl
ed Wave Theory（文献「M. G. Moharam et al, Diffrac
tion analysis of dielectric surface-relief grating
s, J. Opt. Soc. Am., vol.72, no.10, pp.1385-1392,
1982」、「K. Yokomori, Appl. Opt. , vol.23, no.14,
pp.2303-2310,1984」参照）等のベクトル回折計算によ
り行われるが、等価屈折率を求める有効屈折率法で議論
しても、大きな相違はないということが報告されている
(前出の文献「Y. Ono, et al, Antireflectioneffect i
n ultrahigh spatial-frequency holographic relief g
ratings, Appl. Opt. , vol.26, no.6, pp.1142-1146,1
987」参照)。
ed Wave Theory（文献「M. G. Moharam et al, Diffrac
tion analysis of dielectric surface-relief grating
s, J. Opt. Soc. Am., vol.72, no.10, pp.1385-1392,
1982」、「K. Yokomori, Appl. Opt. , vol.23, no.14,
pp.2303-2310,1984」参照）等のベクトル回折計算によ
り行われるが、等価屈折率を求める有効屈折率法で議論
しても、大きな相違はないということが報告されている
(前出の文献「Y. Ono, et al, Antireflectioneffect i
n ultrahigh spatial-frequency holographic relief g
ratings, Appl. Opt. , vol.26, no.6, pp.1142-1146,1
987」参照)。
【００１４】有効屈折率法に従うと、図７のような周期
的な回折格子が異なる屈折率ｎa，ｎbを有する媒質間に
形成された場合、図８（ａ），図８（ｂ）に示すよう
に、格子領域内の屈折率は一方の媒質の屈折率ｎaから
他方の媒質の屈折率ｎbへ単調に連続的に変化する。こ
の格子領域を近似的に多層膜から構成されていると考え
ると、屈折率が単調に連続的に変化していることから、
隣り合うｉ番目の層とｉ＋１番目の層との間の屈折率差
ΔｎはΔｎ＝ｎi+1−ｎi≒０と考えることができる（ｎ
i：ｉ番目の層の屈折率、ｎi+1：ｉ＋１番目の層の屈折
率）。つまり、有効屈折領域での二次元格子は、近似的
な多層膜構造によって反射防止特性を示すのである。
的な回折格子が異なる屈折率ｎa，ｎbを有する媒質間に
形成された場合、図８（ａ），図８（ｂ）に示すよう
に、格子領域内の屈折率は一方の媒質の屈折率ｎaから
他方の媒質の屈折率ｎbへ単調に連続的に変化する。こ
の格子領域を近似的に多層膜から構成されていると考え
ると、屈折率が単調に連続的に変化していることから、
隣り合うｉ番目の層とｉ＋１番目の層との間の屈折率差
ΔｎはΔｎ＝ｎi+1−ｎi≒０と考えることができる（ｎ
i：ｉ番目の層の屈折率、ｎi+1：ｉ＋１番目の層の屈折
率）。つまり、有効屈折領域での二次元格子は、近似的
な多層膜構造によって反射防止特性を示すのである。
【００１５】したがって、このような周期的な二次元格
子を上記のような屈折率の異なる媒質間の境界面に形成
すれば、境界面における反射を効率良く防止することが
できる。そして、この周期的な二次元格子を用いた反射
防止方法によれば、従来方法のように反射防止膜等をコ
ーティングする必要がないため、表面に透明電極である
ＩＴＯが積層されている製品にも問題無く適用すること
ができると考えられる。
子を上記のような屈折率の異なる媒質間の境界面に形成
すれば、境界面における反射を効率良く防止することが
できる。そして、この周期的な二次元格子を用いた反射
防止方法によれば、従来方法のように反射防止膜等をコ
ーティングする必要がないため、表面に透明電極である
ＩＴＯが積層されている製品にも問題無く適用すること
ができると考えられる。
【００１６】しかしながら、このような周期的な表面構
造の形成は、近年の半導体集積回路作成技術の発展によ
り実現された微細成型技術によって十分に可能ではある
が、現実的には、多くの手間とコストが必要となる。つ
まり、上述した周期的な二次元格子を用いた反射防止方
法では、製品への適用上の制約が少なく、かつ良好な反
射防止特性が得られるものの、比較的低いコストでの実
現という要望には現段階では十分に応えることができな
い。
造の形成は、近年の半導体集積回路作成技術の発展によ
り実現された微細成型技術によって十分に可能ではある
が、現実的には、多くの手間とコストが必要となる。つ
まり、上述した周期的な二次元格子を用いた反射防止方
法では、製品への適用上の制約が少なく、かつ良好な反
射防止特性が得られるものの、比較的低いコストでの実
現という要望には現段階では十分に応えることができな
い。
【００１７】本発明はこのような課題に鑑み創案された
もので、周期的な二次元格子を境界面に形成した場合と
同等の反射防止特性をより低コストで実現できるように
した、反射防止方法及び反射防止構造、並びに、それを
用いた反射防止構造体とその形成方法を提供することを
目的とする。
もので、周期的な二次元格子を境界面に形成した場合と
同等の反射防止特性をより低コストで実現できるように
した、反射防止方法及び反射防止構造、並びに、それを
用いた反射防止構造体とその形成方法を提供することを
目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】発明者らは、上記の周期
的な二次元格子に関する議論の延長として、必ずしも周
期的な構造ではなくランダムな表面微細構造でも反射防
止効果が得られる可能性があると考えた。つまり、図１
（ａ），図１（ｂ）に示すように、電磁波の波長λより
も十分に小さい境界面構造を有する媒質間に電磁波が入
射した場合、有効屈折率法によりその媒質間における屈
折率は、一方の媒質の屈折率ｎaから他方の媒質の屈折
率ｎbへ連続的に変化すると考えられる。この場合の屈
折率の変化は、図８に示すような周期的な構造の場合と
異なって単調な変化ではないが、この場合でも近似的に
多層膜から構成されると考えると、隣り合うｉ番目の層
とｉ＋１番目の層との間では屈折率差Δｎ＝ｎi+1−ｎi
≒０と考えることができる。したがって、このようなラ
ンダムな表面微細構造であっても、周期的な構造の場合
と同様に反射防止特性が発現すると考えられる。
的な二次元格子に関する議論の延長として、必ずしも周
期的な構造ではなくランダムな表面微細構造でも反射防
止効果が得られる可能性があると考えた。つまり、図１
（ａ），図１（ｂ）に示すように、電磁波の波長λより
も十分に小さい境界面構造を有する媒質間に電磁波が入
射した場合、有効屈折率法によりその媒質間における屈
折率は、一方の媒質の屈折率ｎaから他方の媒質の屈折
率ｎbへ連続的に変化すると考えられる。この場合の屈
折率の変化は、図８に示すような周期的な構造の場合と
異なって単調な変化ではないが、この場合でも近似的に
多層膜から構成されると考えると、隣り合うｉ番目の層
とｉ＋１番目の層との間では屈折率差Δｎ＝ｎi+1−ｎi
≒０と考えることができる。したがって、このようなラ
ンダムな表面微細構造であっても、周期的な構造の場合
と同様に反射防止特性が発現すると考えられる。
【００１９】そして、発明者らは鋭意検討した結果、表
面に以下の方法で凹凸を施すことにより、光の表面反射
を効果的に防止できることを見いだしここに発明を完成
した。すなわち、本発明の反射防止方法は、屈折率の異
なる媒質間の境界面における表面反射を防止する反射防
止方法であって、上記境界面に、ＪＩＳ Ｂ ０６０１
1994で定義される凹凸の算術平均粗さをＲａ、凹凸の平
均間隔をＳｍとしたとき、０．００１μｍ＜Ｒａ＜０．
５μｍ、且つ、０．００１μｍ＜Ｓｍ＜０．５μｍ、且
つ、０．０１＜Ｒａ／Ｓｍ＜２．０の関係を満たす複数
の凹凸を無作為に形成することを特徴としている。
面に以下の方法で凹凸を施すことにより、光の表面反射
を効果的に防止できることを見いだしここに発明を完成
した。すなわち、本発明の反射防止方法は、屈折率の異
なる媒質間の境界面における表面反射を防止する反射防
止方法であって、上記境界面に、ＪＩＳ Ｂ ０６０１
1994で定義される凹凸の算術平均粗さをＲａ、凹凸の平
均間隔をＳｍとしたとき、０．００１μｍ＜Ｒａ＜０．
５μｍ、且つ、０．００１μｍ＜Ｓｍ＜０．５μｍ、且
つ、０．０１＜Ｒａ／Ｓｍ＜２．０の関係を満たす複数
の凹凸を無作為に形成することを特徴としている。
【００２０】したがって、粗面の凹凸のような無作為に
形成された凹凸であっても、上記の３つの関係を満たし
ているならば、周期的な表面構造と同等の反射防止特性
を得られることができ、有効な反射防止構造として機能
する。すなわち、本発明の反射防止構造は、凹凸を有す
る粗面からなる反射防止構造であって、上記の凹凸が、
ＪＩＳ Ｂ ０６０１1994で定義される凹凸の算術平均粗
さをＲａ、凹凸の平均間隔をＳｍとしたとき、０．００
１μｍ＜Ｒａ＜０．５μｍ、且つ、０．００１μｍ＜Ｓ
ｍ＜０．５μｍ、且つ、０．０１＜Ｒａ／Ｓｍ＜２．０
の関係を満たしていることを特徴としている。
形成された凹凸であっても、上記の３つの関係を満たし
ているならば、周期的な表面構造と同等の反射防止特性
を得られることができ、有効な反射防止構造として機能
する。すなわち、本発明の反射防止構造は、凹凸を有す
る粗面からなる反射防止構造であって、上記の凹凸が、
ＪＩＳ Ｂ ０６０１1994で定義される凹凸の算術平均粗
さをＲａ、凹凸の平均間隔をＳｍとしたとき、０．００
１μｍ＜Ｒａ＜０．５μｍ、且つ、０．００１μｍ＜Ｓ
ｍ＜０．５μｍ、且つ、０．０１＜Ｒａ／Ｓｍ＜２．０
の関係を満たしていることを特徴としている。
【００２１】上記の反射防止構造は、以下の具体的な反
射防止構造体として提供することもできる。まず、本発
明の反射防止構造体（第１の反射防止構造体）は、樹脂
ないしガラス製の基板の表面に微細成形加工が施され、
上記の微細成形加工が施された基板表面によって上記の
反射防止構造が形成されていることを特徴としている。
射防止構造体として提供することもできる。まず、本発
明の反射防止構造体（第１の反射防止構造体）は、樹脂
ないしガラス製の基板の表面に微細成形加工が施され、
上記の微細成形加工が施された基板表面によって上記の
反射防止構造が形成されていることを特徴としている。
【００２２】また、本発明の別の反射防止構造体（第２
の反射防止構造体）は、平滑な基板の表面に透明電極が
積層され、上記透明電極の表面に現れる上記透明電極の
成分である金属もしくは金属酸化物の粒子によって上記
の反射防止構造が形成されていることを特徴としてい
る。さらに、本発明の別の反射防止構造体（第３の反射
防止構造体）は、平滑な基板の表面に樹脂もしくは無機
質の粒子を含む層が積層され、上記層の表面に現れる樹
脂もしくは無機質の粒子によって上記の反射防止構造が
形成されていることを特徴としている。なお、第２，第
３の反射防止構造体における基板には、単一の媒質から
なるもののみならず、複数の媒質が積層されたものも含
まれる。したがって、第１の反射防止構造体における樹
脂ないしガラス製の基板の表面に材質の異なる層が積層
されたものでもよい。また、ここでいう平滑とは、完全
な鏡面状態を意味するものではなく、上記凹凸のスケー
ルにおいて略平滑とみなすことができる程度であればよ
い。
の反射防止構造体）は、平滑な基板の表面に透明電極が
積層され、上記透明電極の表面に現れる上記透明電極の
成分である金属もしくは金属酸化物の粒子によって上記
の反射防止構造が形成されていることを特徴としてい
る。さらに、本発明の別の反射防止構造体（第３の反射
防止構造体）は、平滑な基板の表面に樹脂もしくは無機
質の粒子を含む層が積層され、上記層の表面に現れる樹
脂もしくは無機質の粒子によって上記の反射防止構造が
形成されていることを特徴としている。なお、第２，第
３の反射防止構造体における基板には、単一の媒質から
なるもののみならず、複数の媒質が積層されたものも含
まれる。したがって、第１の反射防止構造体における樹
脂ないしガラス製の基板の表面に材質の異なる層が積層
されたものでもよい。また、ここでいう平滑とは、完全
な鏡面状態を意味するものではなく、上記凹凸のスケー
ルにおいて略平滑とみなすことができる程度であればよ
い。
【００２３】上記の第１の反射防止構造体においては、
上記基板がガラス転移温度１５０度以上の樹脂で形成さ
れていることが好ましく、特に、メタクリル系樹脂で形
成されていることが好ましい。上記メタクリル系樹脂の
中でも、特に、下記成分ＡないしＢを単独もしくは複合
して含有してなるものがより好ましい。 成分Ａ：構造式（Ｉ）で表される含脂環骨格ビス（メ
タ）アクリレート 成分Ｂ：構造式（II）で表されるイオウ含有（メタ）ア
クリレート 構造式（Ｉ）
上記基板がガラス転移温度１５０度以上の樹脂で形成さ
れていることが好ましく、特に、メタクリル系樹脂で形
成されていることが好ましい。上記メタクリル系樹脂の
中でも、特に、下記成分ＡないしＢを単独もしくは複合
して含有してなるものがより好ましい。 成分Ａ：構造式（Ｉ）で表される含脂環骨格ビス（メ
タ）アクリレート 成分Ｂ：構造式（II）で表されるイオウ含有（メタ）ア
クリレート 構造式（Ｉ）
【００２４】
【化５】
【００２５】構造式（II）
【００２６】
【化６】
【００２７】また、上記の第２の反射防止構造体におい
ては、上記透明電極がインジウムとスズの酸化物である
ＩＴＯであることが好ましい。そして、上記金属もしく
は金属酸化物の粒子が、ＩＴＯを上記基板上にスパッタ
で成膜する際もしくは成膜後に１５０℃以上の温度で上
記基板を加熱することにより得られるＩＴＯの微結晶よ
りなることがより好ましい。
ては、上記透明電極がインジウムとスズの酸化物である
ＩＴＯであることが好ましい。そして、上記金属もしく
は金属酸化物の粒子が、ＩＴＯを上記基板上にスパッタ
で成膜する際もしくは成膜後に１５０℃以上の温度で上
記基板を加熱することにより得られるＩＴＯの微結晶よ
りなることがより好ましい。
【００２８】また、上記の第２，第３の反射防止構造体
においては、上記平滑基板がガラス転移温度１５０度以
上の樹脂で形成されていることが好ましい。特に、メタ
クリル系樹脂で形成されていることが好ましい。上記メ
タクリル系樹脂の中でも、特に、下記成分ＡないしＢを
単独もしくは複合して含有してなるものがより好まし
い。 成分Ａ：構造式（Ｉ）で表される含脂環骨格ビス（メ
タ）アクリレート 成分Ｂ：構造式（II）で表されるイオウ含有（メタ）ア
クリレート 構造式（Ｉ）
においては、上記平滑基板がガラス転移温度１５０度以
上の樹脂で形成されていることが好ましい。特に、メタ
クリル系樹脂で形成されていることが好ましい。上記メ
タクリル系樹脂の中でも、特に、下記成分ＡないしＢを
単独もしくは複合して含有してなるものがより好まし
い。 成分Ａ：構造式（Ｉ）で表される含脂環骨格ビス（メ
タ）アクリレート 成分Ｂ：構造式（II）で表されるイオウ含有（メタ）ア
クリレート 構造式（Ｉ）
【００２９】
【化７】
【００３０】構造式（II）
【００３１】
【化８】
【００３２】さらに、本発明は、上記の反射防止構造体
の製造方法も提供する。まず、本発明の反射防止構造体
の製造方法（第１の製造方法）は、微細な凹凸をもつ型
の表面を樹脂ないしガラス製の基板の表面に転写するこ
とにより、上記基板の表面に上記の反射防止構造を形成
するようにしたものである。この方法によれば、上記の
第１の反射防止構造体を得ることができる。
の製造方法も提供する。まず、本発明の反射防止構造体
の製造方法（第１の製造方法）は、微細な凹凸をもつ型
の表面を樹脂ないしガラス製の基板の表面に転写するこ
とにより、上記基板の表面に上記の反射防止構造を形成
するようにしたものである。この方法によれば、上記の
第１の反射防止構造体を得ることができる。
【００３３】この第１の製造方法において、上記型の表
面にある微細な凹凸は、平均粒子径が０．０１μｍ以
上、１００μｍ以下である微粒子を圧縮ガスと共に上記
型の表面に噴出することによって形成することができ
る。また、平均粒子径が０．０１μｍ以上、１００μｍ
以下である微粒子を圧縮ガス及び液体と共に上記型の表
面に噴出することによって形成されたものであってもよ
い。
面にある微細な凹凸は、平均粒子径が０．０１μｍ以
上、１００μｍ以下である微粒子を圧縮ガスと共に上記
型の表面に噴出することによって形成することができ
る。また、平均粒子径が０．０１μｍ以上、１００μｍ
以下である微粒子を圧縮ガス及び液体と共に上記型の表
面に噴出することによって形成されたものであってもよ
い。
【００３４】さらに、上記型が金属製の型である場合に
は、上記型の表面にある微細な凹凸は、上記型の表面に
レジスト液をコーティングした後、マスクをかけて露光
し、エッチングすることによって形成することができ
る。また、無電解メッキによっても形成することができ
る。一方、上記型がガラスないし金属ないし樹脂製の型
である場合には、上記型の表面にある微細な凹凸は、平
均粒子径が０．０１μｍ以上、１００μｍ以下である有
機ないし無機の微粒子を溶媒可溶性の樹脂に均一に分散
させた分散液を上記型の表面に塗布した後、上記分散液
中の溶媒を除去することにより形成することもできる。
は、上記型の表面にある微細な凹凸は、上記型の表面に
レジスト液をコーティングした後、マスクをかけて露光
し、エッチングすることによって形成することができ
る。また、無電解メッキによっても形成することができ
る。一方、上記型がガラスないし金属ないし樹脂製の型
である場合には、上記型の表面にある微細な凹凸は、平
均粒子径が０．０１μｍ以上、１００μｍ以下である有
機ないし無機の微粒子を溶媒可溶性の樹脂に均一に分散
させた分散液を上記型の表面に塗布した後、上記分散液
中の溶媒を除去することにより形成することもできる。
【００３５】また、本発明の別の反射防止構造体の製造
方法（第２の製造方法）は、平均粒子径が０．０１μｍ
以上、１００μｍ以下である微粒子を圧縮ガスと共に樹
脂ないしガラス製の基板の表面に噴出することにより、
上記基板の表面に上記の反射防止構造を形成するように
したものである。この方法によっても、上記の第１の反
射防止構造体を得ることができる。
方法（第２の製造方法）は、平均粒子径が０．０１μｍ
以上、１００μｍ以下である微粒子を圧縮ガスと共に樹
脂ないしガラス製の基板の表面に噴出することにより、
上記基板の表面に上記の反射防止構造を形成するように
したものである。この方法によっても、上記の第１の反
射防止構造体を得ることができる。
【００３６】また、本発明の別の反射防止構造体の製造
方法（第３の製造方法）は、平均粒子径が０．０１μｍ
以上、１００μｍ以下である微粒子を圧縮ガス及び液体
と共に樹脂ないしガラス製の基板の表面に噴出すること
により、上記基板の表面に上記の反射防止構造を形成す
るようにしたものである。この方法によっても、上記の
第１の反射防止構造体を得ることができる。
方法（第３の製造方法）は、平均粒子径が０．０１μｍ
以上、１００μｍ以下である微粒子を圧縮ガス及び液体
と共に樹脂ないしガラス製の基板の表面に噴出すること
により、上記基板の表面に上記の反射防止構造を形成す
るようにしたものである。この方法によっても、上記の
第１の反射防止構造体を得ることができる。
【００３７】さらに、本発明の別の反射防止構造体の製
造方法（第４の製造方法）は、酸ないしアルカリ液ない
し有機溶媒によって樹脂ないしガラス製の基板の表面を
エッチングすることにより、上記基板の表面に上記の反
射防止構造を形成するようにしたものである。この方法
によっても、上記の第１の反射防止構造体を得ることが
できる。
造方法（第４の製造方法）は、酸ないしアルカリ液ない
し有機溶媒によって樹脂ないしガラス製の基板の表面を
エッチングすることにより、上記基板の表面に上記の反
射防止構造を形成するようにしたものである。この方法
によっても、上記の第１の反射防止構造体を得ることが
できる。
【００３８】また、本発明の別の反射防止構造体の製造
方法（第５の製造方法）は、平滑な基板上に透明電極を
スパッタにより成膜し、成膜中或いは成膜後に上記平滑
基板を加熱して上記透明電極中に金属もしくは金属酸化
物の粒子を生成させることにより、上記平滑基板上に上
記の反射防止構造を形成するようにしたものである。こ
の方法によれば、上記の第２の反射防止構造体を得るこ
とができる。この場合、好ましくは、ガラスないし樹脂
製の平滑な基板上にインジウムとスズの酸化物であるＩ
ＴＯをスパッタにより成膜し、成膜中或いは成膜後に上
記平滑基板を１５０℃以上の温度で加熱してＩＴＯ中に
微結晶を生成させることによって上記平滑基板上に上記
の反射防止構造を形成する。
方法（第５の製造方法）は、平滑な基板上に透明電極を
スパッタにより成膜し、成膜中或いは成膜後に上記平滑
基板を加熱して上記透明電極中に金属もしくは金属酸化
物の粒子を生成させることにより、上記平滑基板上に上
記の反射防止構造を形成するようにしたものである。こ
の方法によれば、上記の第２の反射防止構造体を得るこ
とができる。この場合、好ましくは、ガラスないし樹脂
製の平滑な基板上にインジウムとスズの酸化物であるＩ
ＴＯをスパッタにより成膜し、成膜中或いは成膜後に上
記平滑基板を１５０℃以上の温度で加熱してＩＴＯ中に
微結晶を生成させることによって上記平滑基板上に上記
の反射防止構造を形成する。
【００３９】また、本発明の別の反射防止構造体の製造
方法（第６の製造方法）は、平均粒子径が０．０１μｍ
以上、１００μｍ以下である有機質ないし無機質の微粒
子を溶媒可溶性の樹脂に均一に分散させた分散液をガラ
スないし樹脂製の平滑な基板上に塗布した後、上記分散
液中の溶媒を除去することにより、上記平滑基板上に上
記の反射防止構造を形成するようにしたものである。こ
の方法によれば、上記の第３の反射防止構造体を得るこ
とができる。
方法（第６の製造方法）は、平均粒子径が０．０１μｍ
以上、１００μｍ以下である有機質ないし無機質の微粒
子を溶媒可溶性の樹脂に均一に分散させた分散液をガラ
スないし樹脂製の平滑な基板上に塗布した後、上記分散
液中の溶媒を除去することにより、上記平滑基板上に上
記の反射防止構造を形成するようにしたものである。こ
の方法によれば、上記の第３の反射防止構造体を得るこ
とができる。
【００４０】なお、上記の反射防止構造体は、タッチパ
ネル，有機電界発光素子，液晶表示パネル及びカラーフ
ィルタ等に用いて好適であり、具体的には、上記の第１
〜第３の反射防止構造体のいずれかを用いてタッチパネ
ル用基板，有機電界発光素子用基板，液晶表示パネル用
基板或いはカラーフィルタ等を製作することによって、
透過率が高く視認性に優れたタッチパネル，有機電界発
光素子，液晶表示パネル及びカラーフィルタ等を得るこ
とができる。
ネル，有機電界発光素子，液晶表示パネル及びカラーフ
ィルタ等に用いて好適であり、具体的には、上記の第１
〜第３の反射防止構造体のいずれかを用いてタッチパネ
ル用基板，有機電界発光素子用基板，液晶表示パネル用
基板或いはカラーフィルタ等を製作することによって、
透過率が高く視認性に優れたタッチパネル，有機電界発
光素子，液晶表示パネル及びカラーフィルタ等を得るこ
とができる。
【００４１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。 （イ）第１実施形態 本実施形態は、樹脂ないし無機質の粒子を平滑な基板上
にコーティングすることによって、反射防止構造体を製
造することを特徴としている。図２は、このような方法
により得られる反射防止構造体の構成と粗面の微細構造
（反射防止構造）を示す概念図である。以下、図２を用
いて本実施形態にかかる反射防止構造体の製造方法につ
いて説明する。
施の形態を説明する。 （イ）第１実施形態 本実施形態は、樹脂ないし無機質の粒子を平滑な基板上
にコーティングすることによって、反射防止構造体を製
造することを特徴としている。図２は、このような方法
により得られる反射防止構造体の構成と粗面の微細構造
（反射防止構造）を示す概念図である。以下、図２を用
いて本実施形態にかかる反射防止構造体の製造方法につ
いて説明する。
【００４２】本実施形態にかかる製造方法（コーティン
グ法）は、透明な樹脂製の平滑基板１上に、ガラスない
し樹脂製のビーズ（好ましくは、直径１００〜１０００
ｎｍのビーズ）１０を分散させたバインダー樹脂１１を
含んだ溶液を塗布（コーティング）する工程と、塗布後
にバインダー樹脂１１を所定の方法で硬化させる工程と
からなる。
グ法）は、透明な樹脂製の平滑基板１上に、ガラスない
し樹脂製のビーズ（好ましくは、直径１００〜１０００
ｎｍのビーズ）１０を分散させたバインダー樹脂１１を
含んだ溶液を塗布（コーティング）する工程と、塗布後
にバインダー樹脂１１を所定の方法で硬化させる工程と
からなる。
【００４３】バインダー樹脂１１を硬化させる方法は、
バインダー樹脂１１の種類によって好適な方法が決ま
る。例えば、アクリル樹脂やポリカーボネート樹脂など
の透明樹脂の場合には、溶媒に溶かして基板１上に塗布
した後に溶媒を乾燥させることによって硬化させる溶媒
キャスティング方法が用いられる。また、バインダー樹
脂１１が透明エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂モノマーの
場合には、ビーズ１０を分散させた後に平滑基板１上に
塗布し、塗布したバインダー樹脂１１を加熱することに
よって硬化（熱硬化）させる方法が用いられる。さら
に、バインダー樹脂１１が光硬化性のモノマーの場合に
は、ビーズ１０を分散させた後に基板１上に塗布し、塗
布したバインダー樹脂１１に活性光線を照射することに
よって硬化（光硬化）させる方法が用いられる。
バインダー樹脂１１の種類によって好適な方法が決ま
る。例えば、アクリル樹脂やポリカーボネート樹脂など
の透明樹脂の場合には、溶媒に溶かして基板１上に塗布
した後に溶媒を乾燥させることによって硬化させる溶媒
キャスティング方法が用いられる。また、バインダー樹
脂１１が透明エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂モノマーの
場合には、ビーズ１０を分散させた後に平滑基板１上に
塗布し、塗布したバインダー樹脂１１を加熱することに
よって硬化（熱硬化）させる方法が用いられる。さら
に、バインダー樹脂１１が光硬化性のモノマーの場合に
は、ビーズ１０を分散させた後に基板１上に塗布し、塗
布したバインダー樹脂１１に活性光線を照射することに
よって硬化（光硬化）させる方法が用いられる。
【００４４】以上の処理により基板１上に凹凸面を有す
るコーティング層２が積層され、反射防止機能を備えた
積層板（本発明の第３の反射防止構造体）３が完成す
る。ただし、このとき、ビーズ１０の屈折率と、基板１
の屈折率と、コーティングで用いるバインダー樹脂１１
の屈折率とは厳密に調整する必要がある。さもないとコ
ーティング層２中で屈折率差が生じ、光の反射や屈折に
よって積層板３の光線透過率が低下する虞があるからで
ある。また、コーティング層２の厚みは、表面がＪＩＳ
Ｂ ０６０１1994で定義された凹凸の算術平均粗さＲａ
が０．００１μｍ＜Ｒａ＜０．５μｍの範囲で、かつ凹
凸の平均間隔Ｓｍが０．００１μｍ＜Ｒａ＜０．５μｍ
である粗面になるように調整する。
るコーティング層２が積層され、反射防止機能を備えた
積層板（本発明の第３の反射防止構造体）３が完成す
る。ただし、このとき、ビーズ１０の屈折率と、基板１
の屈折率と、コーティングで用いるバインダー樹脂１１
の屈折率とは厳密に調整する必要がある。さもないとコ
ーティング層２中で屈折率差が生じ、光の反射や屈折に
よって積層板３の光線透過率が低下する虞があるからで
ある。また、コーティング層２の厚みは、表面がＪＩＳ
Ｂ ０６０１1994で定義された凹凸の算術平均粗さＲａ
が０．００１μｍ＜Ｒａ＜０．５μｍの範囲で、かつ凹
凸の平均間隔Ｓｍが０．００１μｍ＜Ｒａ＜０．５μｍ
である粗面になるように調整する。
【００４５】さらに、以上の処理に加えて、コーティン
グ層２の表面にＩＴＯ９を薄く真空スパッタしてもよ
い。これにより、表面の凹凸を残したまま積層板３に導
電性を付与することが可能になる。このような積層板３
は、例えば、タッチパネル，有機電界発光素子，液晶表
示パネル及びカラーフィルタに用いて好適である。タッ
チパネル，有機電界発光素子及び液晶表示パネルは、そ
れぞれガラスもしくは樹脂製の透明基板上にＩＴＯ層を
含む複数の薄膜を積層した構造であり、これら透明基板
や薄膜を通って光が外部に取り出されるようになってい
る。また、カラーフィルタもガラスもしくは樹脂製の透
明基板上に薄膜が積層される場合がある。したがって、
この積層板３をタッチパネル，有機電界発光素子及び液
晶表示パネルの基板（透明基板を含む基体）として用い
たり、カラーフィルタそのものとして用いたりすること
により、表面の反射防止構造によって反射率が抑えられ
る結果、透過率を高め視認性を向上させることが可能に
なる。
グ層２の表面にＩＴＯ９を薄く真空スパッタしてもよ
い。これにより、表面の凹凸を残したまま積層板３に導
電性を付与することが可能になる。このような積層板３
は、例えば、タッチパネル，有機電界発光素子，液晶表
示パネル及びカラーフィルタに用いて好適である。タッ
チパネル，有機電界発光素子及び液晶表示パネルは、そ
れぞれガラスもしくは樹脂製の透明基板上にＩＴＯ層を
含む複数の薄膜を積層した構造であり、これら透明基板
や薄膜を通って光が外部に取り出されるようになってい
る。また、カラーフィルタもガラスもしくは樹脂製の透
明基板上に薄膜が積層される場合がある。したがって、
この積層板３をタッチパネル，有機電界発光素子及び液
晶表示パネルの基板（透明基板を含む基体）として用い
たり、カラーフィルタそのものとして用いたりすること
により、表面の反射防止構造によって反射率が抑えられ
る結果、透過率を高め視認性を向上させることが可能に
なる。
【００４６】（ロ）第２実施形態 本実施形態は、表面に凹凸を備えた型（スタンパ）を基
板に転写することによって、反射防止構造体を製造する
ことを特徴としている。図３は、このような方法により
得られる反射防止構造体の構成と粗面の微細構造（反射
防止構造）を示す概念図である。以下、図３を用いて本
実施形態にかかる反射防止構造の製造方法について説明
する。
板に転写することによって、反射防止構造体を製造する
ことを特徴としている。図３は、このような方法により
得られる反射防止構造体の構成と粗面の微細構造（反射
防止構造）を示す概念図である。以下、図３を用いて本
実施形態にかかる反射防止構造の製造方法について説明
する。
【００４７】まず、表面に凹凸を有する型４を製作する
方法としては、比較的簡単には例えば次の５つの方法が
挙げられる。 方法１．金属板を電解エッチングする方法。 方法２．金属板に無電解メッキする方法。 方法３．金属板の表面を微粒子（好ましくは、平均粒子
径が０．０１μｍ以上、１００μｍ以下の微粒子）を含
む圧縮空気でブラスト処理するサンドブラスト方法。
方法としては、比較的簡単には例えば次の５つの方法が
挙げられる。 方法１．金属板を電解エッチングする方法。 方法２．金属板に無電解メッキする方法。 方法３．金属板の表面を微粒子（好ましくは、平均粒子
径が０．０１μｍ以上、１００μｍ以下の微粒子）を含
む圧縮空気でブラスト処理するサンドブラスト方法。
【００４８】方法４．微粒子（好ましくは、平均粒子径
が０．０１μｍ以上、１００μｍ以下の微粒子）を液体
に懸濁させて圧縮空気でブラスト処理するウェットブラ
スト方法。 方法５．金属やガラスなどの表面をバイス等で削り凹凸
を作る方法。 なお、いずれの方法においても、型４の表面がＪＩＳ
Ｂ ０６０１1994で定義された凹凸の算術平均粗さＲａ
が０．００１μｍ＜Ｒａ＜０．５μｍの範囲で、かつ凹
凸の平均間隔Ｓｍが０．００１μｍ＜Ｒａ＜０．５μｍ
である粗面になるように製作する。
が０．０１μｍ以上、１００μｍ以下の微粒子）を液体
に懸濁させて圧縮空気でブラスト処理するウェットブラ
スト方法。 方法５．金属やガラスなどの表面をバイス等で削り凹凸
を作る方法。 なお、いずれの方法においても、型４の表面がＪＩＳ
Ｂ ０６０１1994で定義された凹凸の算術平均粗さＲａ
が０．００１μｍ＜Ｒａ＜０．５μｍの範囲で、かつ凹
凸の平均間隔Ｓｍが０．００１μｍ＜Ｒａ＜０．５μｍ
である粗面になるように製作する。
【００４９】このようにして製作した型４の表面形状を
転写することによって表面に凹凸を備えた樹脂基板（反
射防止構造体）５を形成することができる。そして、こ
の型４の表面形状の転写方法には、例えば次の４つの方
法が挙げられる。 方法１．上記のいずれかの方法で作成した型４を室温も
しくは必要に応じて加熱し、そこに平滑な面を持った透
明樹脂基板５を所定圧力で押しつけることにより、型４
の表面形状を樹脂基板５に転写させる方法（プレス
法）。
転写することによって表面に凹凸を備えた樹脂基板（反
射防止構造体）５を形成することができる。そして、こ
の型４の表面形状の転写方法には、例えば次の４つの方
法が挙げられる。 方法１．上記のいずれかの方法で作成した型４を室温も
しくは必要に応じて加熱し、そこに平滑な面を持った透
明樹脂基板５を所定圧力で押しつけることにより、型４
の表面形状を樹脂基板５に転写させる方法（プレス
法）。
【００５０】方法２．上記のいずれかの方法で作成した
型４を射出成型機に取り付け、射出成形により溶融した
透明樹脂を射出して型４から脱型することにより、型４
の表面の形状転写した樹脂基板５を形成する方法（射出
成形法）。 方法３．上記のいずれかの方法で作成した型４を所定の
厚みになるようにスペーサをかませて平滑な板と対向さ
せ、その空隙に熱硬化性の透明樹脂モノマーないしオリ
ゴマーを重合開始剤とともに注入した後に加熱硬化させ
ることにより、型４の表面形状を転写した樹脂基板５を
形成する方法（加熱硬化法）。
型４を射出成型機に取り付け、射出成形により溶融した
透明樹脂を射出して型４から脱型することにより、型４
の表面の形状転写した樹脂基板５を形成する方法（射出
成形法）。 方法３．上記のいずれかの方法で作成した型４を所定の
厚みになるようにスペーサをかませて平滑な板と対向さ
せ、その空隙に熱硬化性の透明樹脂モノマーないしオリ
ゴマーを重合開始剤とともに注入した後に加熱硬化させ
ることにより、型４の表面形状を転写した樹脂基板５を
形成する方法（加熱硬化法）。
【００５１】方法４．上記のいずれかの方法で作成した
型４を所定の厚みになるようにスペーサをかませてガラ
スなどの平滑な透明板と対向させ、その空隙に光硬化性
の透明樹脂モノマーないしオリゴマーを重合開始剤とと
もに注入した後に紫外線などの活性光線を照射して硬化
させることにより、型４の表面形状を転写した樹脂基板
５を形成する方法（光硬化法）。
型４を所定の厚みになるようにスペーサをかませてガラ
スなどの平滑な透明板と対向させ、その空隙に光硬化性
の透明樹脂モノマーないしオリゴマーを重合開始剤とと
もに注入した後に紫外線などの活性光線を照射して硬化
させることにより、型４の表面形状を転写した樹脂基板
５を形成する方法（光硬化法）。
【００５２】上記のいずれの方法を採用するかは、樹脂
基板５を形成する材料（樹脂）の性質により決まる。こ
のうち光硬化法は、透明性と耐熱性、及び製造工程の短
時間化において特に有利である。このようにして作られ
た樹脂基板５は、タッチパネルや有機電界発光素子や液
晶表示パネルの透明基板として用いたり、カラーフィル
タそのものとして用いたりするのに好適であり、表面の
反射防止構造によって反射率が抑えられる結果、透過率
を高め視認性を向上させることが可能になる。
基板５を形成する材料（樹脂）の性質により決まる。こ
のうち光硬化法は、透明性と耐熱性、及び製造工程の短
時間化において特に有利である。このようにして作られ
た樹脂基板５は、タッチパネルや有機電界発光素子や液
晶表示パネルの透明基板として用いたり、カラーフィル
タそのものとして用いたりするのに好適であり、表面の
反射防止構造によって反射率が抑えられる結果、透過率
を高め視認性を向上させることが可能になる。
【００５３】なお、型４の製作方法として、第１実施形
態においてコーティング層の形成に用いた方法を適用し
てもよい。すなわち、微粒子（好ましくは、平均粒子径
が０．０１μｍ以上、１００μｍ以下の微粒子）をバイ
ンダー樹脂中に均一に分散させて平板（ガラス，金属，
樹脂のいずれでも可）の表面に塗布した後、バインダー
樹脂中の溶媒を除去することによって平板表面に微細な
凹凸を形成させて型４とする。
態においてコーティング層の形成に用いた方法を適用し
てもよい。すなわち、微粒子（好ましくは、平均粒子径
が０．０１μｍ以上、１００μｍ以下の微粒子）をバイ
ンダー樹脂中に均一に分散させて平板（ガラス，金属，
樹脂のいずれでも可）の表面に塗布した後、バインダー
樹脂中の溶媒を除去することによって平板表面に微細な
凹凸を形成させて型４とする。
【００５４】（ハ）第３実施形態 本実施形態は、加熱により透明電極中の金属もしくは金
属酸化物の粒子を成長させることによって、反射防止構
造体を製造することを特徴としている。図４は、このよ
うな方法により得られる反射防止構造体の構成と粗面の
微細構造（反射防止構造）を示す概念図である。以下、
図４を用いて本実施形態にかかる反射防止構造の製造方
法について説明する。
属酸化物の粒子を成長させることによって、反射防止構
造体を製造することを特徴としている。図４は、このよ
うな方法により得られる反射防止構造体の構成と粗面の
微細構造（反射防止構造）を示す概念図である。以下、
図４を用いて本実施形態にかかる反射防止構造の製造方
法について説明する。
【００５５】本実施形態では、特に、透明電極としてイ
ンジウムとスズの酸化物であるＩＴＯ８を用い、このＩ
ＴＯ８の表面を粒子化することによって凹凸を生じさせ
ている。具体的には、透明な樹脂基板１上に数百Å、好
ましくは２００〜３００Åの厚みのＩＴＯ８を１００℃
でスパッタ法により成膜し、このＩＴＯ８を数百度、好
ましくは１５０〜２００℃で加熱する。これによりＩＴ
Ｏ８の結晶化に伴う微粒子化が生じ、本発明の目的とす
る範囲内にある１００〜１０００Åの微細な凹凸が表面
に形成される。
ンジウムとスズの酸化物であるＩＴＯ８を用い、このＩ
ＴＯ８の表面を粒子化することによって凹凸を生じさせ
ている。具体的には、透明な樹脂基板１上に数百Å、好
ましくは２００〜３００Åの厚みのＩＴＯ８を１００℃
でスパッタ法により成膜し、このＩＴＯ８を数百度、好
ましくは１５０〜２００℃で加熱する。これによりＩＴ
Ｏ８の結晶化に伴う微粒子化が生じ、本発明の目的とす
る範囲内にある１００〜１０００Åの微細な凹凸が表面
に形成される。
【００５６】以上の処理により基板１上に凹凸面を有す
るＩＴＯ８の層が積層され、反射防止機能を備えた積層
板（本発明の第３の反射防止構造体）７が完成する。こ
のような積層板７は、第１実施形態と同様に、タッチパ
ネル，有機電界発光素子，液晶表示パネルの基板として
用いたり、カラーフィルタとして用いたりするのに好適
であり、表面の反射防止構造によって反射率が抑えられ
る結果、透過率を高め視認性を向上させることが可能に
なる。なお、上記の加熱処理はスパッタ成膜と同時に行
うことも可能である。また、ＩＴＯ８を成膜した後、プ
ラズマ処理などの物理的手法もしくはアルカリ処理など
の化学的手法により表面を粗面化して凹凸を形成しても
よい。
るＩＴＯ８の層が積層され、反射防止機能を備えた積層
板（本発明の第３の反射防止構造体）７が完成する。こ
のような積層板７は、第１実施形態と同様に、タッチパ
ネル，有機電界発光素子，液晶表示パネルの基板として
用いたり、カラーフィルタとして用いたりするのに好適
であり、表面の反射防止構造によって反射率が抑えられ
る結果、透過率を高め視認性を向上させることが可能に
なる。なお、上記の加熱処理はスパッタ成膜と同時に行
うことも可能である。また、ＩＴＯ８を成膜した後、プ
ラズマ処理などの物理的手法もしくはアルカリ処理など
の化学的手法により表面を粗面化して凹凸を形成しても
よい。
【００５７】（ニ）透明基板を形成する樹脂 上記の各実施形態において基板１，５に使用される樹脂
（透明樹脂）としては特別な制約はないが、以下に述べ
る樹脂を用いるのが望ましい。透明高分子の例として
は、多価アクリレート，多価メタクリレート，モノアク
リレート，モノメタクリレートから選ばれるモノマーか
ら重合して得られるアクリル系樹脂，あるいはポリカー
ボネート系樹脂，エポキシ系樹脂，または環状ポリオレ
フィン系樹脂が好適に用いられる。
（透明樹脂）としては特別な制約はないが、以下に述べ
る樹脂を用いるのが望ましい。透明高分子の例として
は、多価アクリレート，多価メタクリレート，モノアク
リレート，モノメタクリレートから選ばれるモノマーか
ら重合して得られるアクリル系樹脂，あるいはポリカー
ボネート系樹脂，エポキシ系樹脂，または環状ポリオレ
フィン系樹脂が好適に用いられる。
【００５８】その中でも光照射によって重合硬化し、透
明な重合体を形成するものが低複屈折性から好適に用い
られる。特に限定されないが、一般には、（メタ）アク
リレート系化合物が適している。その中でも、トリエチ
レングリコールジ（メタ）アクリレート，ヘキサンジオ
ールジ（メタ）アクリレート，２，２−ビス〔４−（メ
タ）アクリロイルオキシフェニル〕プロパン，２，２−
ビス〔４−（２−（メタ）アクリロイルオキシエトキ
シ）フェニルプロパン，ビス（オキシメチル）トリシク
ロ〔５．２．１．０2,6〕デカン＝ジメタクリレート，
ｐ−ビス〔β−（メタ）アクリロイルオキシエチルチ
オ〕キシリレン，４，４′−ビス〔β−（メタ）アクリ
ロイルオキシエチルチオ〕ジフェニルスルホン，トリメ
チロールプロパントリ（メタ）アクリレート，ウレタン
アクリレート，エポキシアクリレート等の多官能（メ
タ）アクリレート類，及びこれらのモノマーと共重合可
能な単官能モノマーとの混合物，又はこれらの多官能
（メタ）アクリレート化合物と付加重合可能なポリチオ
ールとの混合物があげられる。
明な重合体を形成するものが低複屈折性から好適に用い
られる。特に限定されないが、一般には、（メタ）アク
リレート系化合物が適している。その中でも、トリエチ
レングリコールジ（メタ）アクリレート，ヘキサンジオ
ールジ（メタ）アクリレート，２，２−ビス〔４−（メ
タ）アクリロイルオキシフェニル〕プロパン，２，２−
ビス〔４−（２−（メタ）アクリロイルオキシエトキ
シ）フェニルプロパン，ビス（オキシメチル）トリシク
ロ〔５．２．１．０2,6〕デカン＝ジメタクリレート，
ｐ−ビス〔β−（メタ）アクリロイルオキシエチルチ
オ〕キシリレン，４，４′−ビス〔β−（メタ）アクリ
ロイルオキシエチルチオ〕ジフェニルスルホン，トリメ
チロールプロパントリ（メタ）アクリレート，ウレタン
アクリレート，エポキシアクリレート等の多官能（メ
タ）アクリレート類，及びこれらのモノマーと共重合可
能な単官能モノマーとの混合物，又はこれらの多官能
（メタ）アクリレート化合物と付加重合可能なポリチオ
ールとの混合物があげられる。
【００５９】単官能モノマーとしては、例えばメチル
（メタ）アクリレート，ベンジル（メタ）アクリレー
ト，ポリチオールとしては、例えばペンタエリスリトー
ルテトラキス（β−チオプロピオネート），トリス〔２
−（β−チオプロピオニルオキシ）エチル〕トリイソシ
アヌレート等が挙げられる。単官能モノマーを用いて
も、単一分子内に複数の官能を有する多官能モノマーを
用いても良いが多官能モノマーが好適に用いられる。中
でも二官能性（メタ）アクリレートが好適に用いられ
る。
（メタ）アクリレート，ベンジル（メタ）アクリレー
ト，ポリチオールとしては、例えばペンタエリスリトー
ルテトラキス（β−チオプロピオネート），トリス〔２
−（β−チオプロピオニルオキシ）エチル〕トリイソシ
アヌレート等が挙げられる。単官能モノマーを用いて
も、単一分子内に複数の官能を有する多官能モノマーを
用いても良いが多官能モノマーが好適に用いられる。中
でも二官能性（メタ）アクリレートが好適に用いられ
る。
【００６０】上記の特性をバランスよく実現するため
に、下記成分ＡないしＢを単独もしくは複合して含有し
て樹脂が好適に用いられる。成分Ａは、上記の構造式
（Ｉ）で示される脂環式炭化水素骨格ビス（メタ）アク
リレートである．構造式（Ｉ）で示される脂環式炭化水
素骨格ビス（メタ）アクリレート化合物の具体例として
は、ビス（ヒドロキシメチル）トリシクロ［５．２．
１．０2,6］デカン＝ジアクリレート，ビス（ヒドロキ
シメチル）トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカン＝
ジメタクリレート，ビス（ヒドロキシメチル）トリシク
ロ［２．２．１．０2,6］デカン＝アクリレートメタク
リレート及びこれらの混合物，ビス（ヒドロキシメチ
ル）ペンタシクロ［６．５．１．１3,6．０2,7．
０9,13］ペンタデカン＝ジアクリレート，ビス（ヒドロ
キシメチル）ペンタシクロ［６．５．１．１3,6．
０2,7．０9,13］ペンタデカン＝ジメタクリレート，ビ
ス（ヒドロキシメチル）ペンタシクロ［６．５．１．１
3,6．０2,7．０9,13］ペンタデカン＝アクリレートメタ
クリレート及びこれらの混合物等が挙げられる。これら
のトリシクロデカン化合物及びペンタシクロデカン化合
物は、群内及び（又は）群間で２種以上併用してもよ
い。
に、下記成分ＡないしＢを単独もしくは複合して含有し
て樹脂が好適に用いられる。成分Ａは、上記の構造式
（Ｉ）で示される脂環式炭化水素骨格ビス（メタ）アク
リレートである．構造式（Ｉ）で示される脂環式炭化水
素骨格ビス（メタ）アクリレート化合物の具体例として
は、ビス（ヒドロキシメチル）トリシクロ［５．２．
１．０2,6］デカン＝ジアクリレート，ビス（ヒドロキ
シメチル）トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカン＝
ジメタクリレート，ビス（ヒドロキシメチル）トリシク
ロ［２．２．１．０2,6］デカン＝アクリレートメタク
リレート及びこれらの混合物，ビス（ヒドロキシメチ
ル）ペンタシクロ［６．５．１．１3,6．０2,7．
０9,13］ペンタデカン＝ジアクリレート，ビス（ヒドロ
キシメチル）ペンタシクロ［６．５．１．１3,6．
０2,7．０9,13］ペンタデカン＝ジメタクリレート，ビ
ス（ヒドロキシメチル）ペンタシクロ［６．５．１．１
3,6．０2,7．０9,13］ペンタデカン＝アクリレートメタ
クリレート及びこれらの混合物等が挙げられる。これら
のトリシクロデカン化合物及びペンタシクロデカン化合
物は、群内及び（又は）群間で２種以上併用してもよ
い。
【００６１】成分Ｂは、上記の構造式（II）で表される
イオウ含有（メタ）アクリレートは芳香族基と硫黄原子
を含む組成物である。構造式（II）で示されるイオウ含
有（メタ）アクリレートを具体的に例示すれば、ｐ−ビ
ス（β−（メタ）アクリロイルオキシエチルチオ）キシ
レン，ｍ−ビス（β−（メタ）アクリロイルオキシエチ
ルチオ）キシレン，α，α’−ビス（β−（メタ）アク
リロイルオキシエチルチオ）−２，３，５，６−テトラ
クロロ−ｐ−キシレン，４，４’−ジ（β−（メタ）ア
クリロイルオキシエトキシ）ジフェニルスルフィド，
４，４’−ジ（β−（メタ）アクリロイルオキシエトキ
シエトキシ）ジフェニルスルホン，４，４’−ジ（β−
（メタ）アクリロイルオキシエチルチオ）ジフェニルス
ルフィド，４，４’−ジ（β−（メタ）アクリロイルオ
キシエチルチオ）ジフェニルスルホン，４，４’−ジ
（β−（メタ）アクリロイルオキシエチルチオ）ジフェ
ニルケトン，２，４’−ジ（β−（メタ）アクリロイル
オキシエチルチオ）ジフェニルケトン，４，４’−ジ
（β−（メタ）アクリロイルオキシエチルチオ）−３，
３’，５，５’−テトタブロモジフェニルケトン，β，
β’−ビス（ｐ−（メタ）アクリロイルオキシフェニル
チオ）ジエチルエーテル，β，β’−ビス（ｐ−（メ
タ）アクリロイルオキシフェニルチオ）ジエチルチオエ
ーテル等があげられる。中でも４，４−ビス（β−メタ
クリロイルオキシエチルチオ）ジフェニルスルホンは高
屈折率を有し好適に用いられる。
イオウ含有（メタ）アクリレートは芳香族基と硫黄原子
を含む組成物である。構造式（II）で示されるイオウ含
有（メタ）アクリレートを具体的に例示すれば、ｐ−ビ
ス（β−（メタ）アクリロイルオキシエチルチオ）キシ
レン，ｍ−ビス（β−（メタ）アクリロイルオキシエチ
ルチオ）キシレン，α，α’−ビス（β−（メタ）アク
リロイルオキシエチルチオ）−２，３，５，６−テトラ
クロロ−ｐ−キシレン，４，４’−ジ（β−（メタ）ア
クリロイルオキシエトキシ）ジフェニルスルフィド，
４，４’−ジ（β−（メタ）アクリロイルオキシエトキ
シエトキシ）ジフェニルスルホン，４，４’−ジ（β−
（メタ）アクリロイルオキシエチルチオ）ジフェニルス
ルフィド，４，４’−ジ（β−（メタ）アクリロイルオ
キシエチルチオ）ジフェニルスルホン，４，４’−ジ
（β−（メタ）アクリロイルオキシエチルチオ）ジフェ
ニルケトン，２，４’−ジ（β−（メタ）アクリロイル
オキシエチルチオ）ジフェニルケトン，４，４’−ジ
（β−（メタ）アクリロイルオキシエチルチオ）−３，
３’，５，５’−テトタブロモジフェニルケトン，β，
β’−ビス（ｐ−（メタ）アクリロイルオキシフェニル
チオ）ジエチルエーテル，β，β’−ビス（ｐ−（メ
タ）アクリロイルオキシフェニルチオ）ジエチルチオエ
ーテル等があげられる。中でも４，４−ビス（β−メタ
クリロイルオキシエチルチオ）ジフェニルスルホンは高
屈折率を有し好適に用いられる。
【００６２】（ホ）その他 以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明
は上述の実施形態に限定されるものではない。例えば、
反射防止構造体の製造方法としては、平滑な透明基板の
表面に直接サンドブラスト方法やウェットブラスト方法
にて凹凸を形成してもよい。酸，アルカリないし有機溶
媒にて平滑な透明基板の表面をエッチングして凹凸を形
成してもよい。
は上述の実施形態に限定されるものではない。例えば、
反射防止構造体の製造方法としては、平滑な透明基板の
表面に直接サンドブラスト方法やウェットブラスト方法
にて凹凸を形成してもよい。酸，アルカリないし有機溶
媒にて平滑な透明基板の表面をエッチングして凹凸を形
成してもよい。
【００６３】また、本発明により得られた反射防止構造
体の用途は、上述の実施形態で例示したもののみなら
ず、境界面における表面反射の防止が要求される用途全
般に広く適用することができる。
体の用途は、上述の実施形態で例示したもののみなら
ず、境界面における表面反射の防止が要求される用途全
般に広く適用することができる。
【００６４】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明する。 ＜実施例１＞本実施例では、ビス（ヒドロキシメチル）
トリシクロ［５．２．１．０2.6］デカン＝ジメタクリ
レート９４部、ビス（ヒドロキシメチル）トリシクロ
［５．２．１．０2.6］デカン＝モノメタクリレート６
部のアクリレート組成物にペンタエリスリトールテトラ
キス（β−チオプロピオネート）６部、光開始剤として
２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィ
ンオキシド（ＢＡＳＦ社製「ルシリンＴＰＯ」）０．１
部、ベンゾフェノン０．１部を均一に撹拌混合した後、
脱泡して組成物を得た。
明する。 ＜実施例１＞本実施例では、ビス（ヒドロキシメチル）
トリシクロ［５．２．１．０2.6］デカン＝ジメタクリ
レート９４部、ビス（ヒドロキシメチル）トリシクロ
［５．２．１．０2.6］デカン＝モノメタクリレート６
部のアクリレート組成物にペンタエリスリトールテトラ
キス（β−チオプロピオネート）６部、光開始剤として
２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィ
ンオキシド（ＢＡＳＦ社製「ルシリンＴＰＯ」）０．１
部、ベンゾフェノン０．１部を均一に撹拌混合した後、
脱泡して組成物を得た。
【００６５】そして、この組成物を厚さ１．０ｍｍのシ
リコン板をスペーサとしてかました光学研磨したガラス
の型に注液し、ガラス面より距離４０ｃｍ離して上下に
配置した出力８０Ｗ／ｃｍのメタルハライドランプの間
にて５分間紫外線を照射した。そして、紫外線照射後に
脱型し、１６０℃で１時間加熱して硬化物（両方の面が
平滑な樹脂基材）を得た。この樹脂基材の片面に、スパ
ッタ装置（徳田製作所；ＣＦＳ−４ＥＳ）にてＩＴＯを
１８０℃で成膜した。その後、この積層体を１８０℃の
熱風オーブンで２時間加熱して表面にＩＴＯ結晶を生じ
させた。
リコン板をスペーサとしてかました光学研磨したガラス
の型に注液し、ガラス面より距離４０ｃｍ離して上下に
配置した出力８０Ｗ／ｃｍのメタルハライドランプの間
にて５分間紫外線を照射した。そして、紫外線照射後に
脱型し、１６０℃で１時間加熱して硬化物（両方の面が
平滑な樹脂基材）を得た。この樹脂基材の片面に、スパ
ッタ装置（徳田製作所；ＣＦＳ−４ＥＳ）にてＩＴＯを
１８０℃で成膜した。その後、この積層体を１８０℃の
熱風オーブンで２時間加熱して表面にＩＴＯ結晶を生じ
させた。
【００６６】この積層体のＩＴＯ表面を原子間力顕微鏡
（ＡＦＭ セイコー電子工業製；ＳＰＡ３００／ＳＰＩ
３７００）で観察した。ＩＴＯ膜の厚みは２００Åであ
り，Ｒａは０．０５３μｍ，Ｓｍは０．１７μｍであっ
た。得られた導電性積層体の表面抵抗値は５００Ω／□
であった。この積層体を１００℃で３時間加熱しても光
線透過率に変化は無く、耐熱性の良い安定なＩＴＯ付き
基板を得た。
（ＡＦＭ セイコー電子工業製；ＳＰＡ３００／ＳＰＩ
３７００）で観察した。ＩＴＯ膜の厚みは２００Åであ
り，Ｒａは０．０５３μｍ，Ｓｍは０．１７μｍであっ
た。得られた導電性積層体の表面抵抗値は５００Ω／□
であった。この積層体を１００℃で３時間加熱しても光
線透過率に変化は無く、耐熱性の良い安定なＩＴＯ付き
基板を得た。
【００６７】得られたＩＴＯ付き基板の反射率を評価す
るために、凹凸の付いた面側から光線を入射し、各波長
における光線透過率を下記の数式（数２）にて計算し
た。測定には島津製作所製の自記分光光度計ＵＶ−３１
００Ｓを使用した。
るために、凹凸の付いた面側から光線を入射し、各波長
における光線透過率を下記の数式（数２）にて計算し
た。測定には島津製作所製の自記分光光度計ＵＶ−３１
００Ｓを使用した。
【００６８】
【数２】光線透過率（％）＝（Ｉ１／Ｉ０）×１００ ただし、Ｉ０：サンプルに入射する光線強度。 Ｉ１：サンプルから出射した光線強度。
【００６９】測定された各波長における光線透過率は図
５中に線ａで示すとおりである。この結果から、後に述
べる比較例に比べて表面の反射が低く抑えられているた
め、光線透過率が向上していることが確認できる。 ＜実施例２＞本実施例では、ビス（ヒドロキシメチル）
トリシクロ［５．２．１．０2.6］デカン＝ジメタクリ
レート１００部、光開始剤として２，４，６−トリメチ
ルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド（ＢＡＳＦ
社製「ルシリンＴＰＯ」）０．０５部、ベンゾフェノン
０．０５部を均一に攪拌混合した後、脱泡して組成物を
得た。
５中に線ａで示すとおりである。この結果から、後に述
べる比較例に比べて表面の反射が低く抑えられているた
め、光線透過率が向上していることが確認できる。 ＜実施例２＞本実施例では、ビス（ヒドロキシメチル）
トリシクロ［５．２．１．０2.6］デカン＝ジメタクリ
レート１００部、光開始剤として２，４，６−トリメチ
ルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド（ＢＡＳＦ
社製「ルシリンＴＰＯ」）０．０５部、ベンゾフェノン
０．０５部を均一に攪拌混合した後、脱泡して組成物を
得た。
【００７０】実施例１記載のＩＴＯ付き基板のＩＴＯ面
と光学研磨したガラスとを一組とし、スペーサとして厚
さ１．０ｍｍのシリコン板を用いて１．０ｍｍの空隙を
開けて対向させた型に上記の組成物を注液し、ガラス面
より距離４０ｃｍ上にある出力８０Ｗ／ｃｍのメタルハ
ライドランプの下にて１０分間紫外線を照射した。そし
て、紫外線の照射後に脱型し、１６０℃で１時間加熱し
て硬化物を得た。
と光学研磨したガラスとを一組とし、スペーサとして厚
さ１．０ｍｍのシリコン板を用いて１．０ｍｍの空隙を
開けて対向させた型に上記の組成物を注液し、ガラス面
より距離４０ｃｍ上にある出力８０Ｗ／ｃｍのメタルハ
ライドランプの下にて１０分間紫外線を照射した。そし
て、紫外線の照射後に脱型し、１６０℃で１時間加熱し
て硬化物を得た。
【００７１】この硬化物について、実施例１記載の方法
で光線透過率と表面粗度を測定した。表面粗度はＲａ＝
０．０４１μｍ，Ｓｍ＝０．２５μｍであった。このサ
ンプルの光線透過率を各波長において測定した結果を図
６中に線ａで示す。後に述べる比較例に比べて表面の反
射が低く抑えられているため、光線透過率が向上してい
ることが確認できる。
で光線透過率と表面粗度を測定した。表面粗度はＲａ＝
０．０４１μｍ，Ｓｍ＝０．２５μｍであった。このサ
ンプルの光線透過率を各波長において測定した結果を図
６中に線ａで示す。後に述べる比較例に比べて表面の反
射が低く抑えられているため、光線透過率が向上してい
ることが確認できる。
【００７２】＜比較例１＞実施例２記載の方法で、光学
研磨したガラス２枚をシリコンゴムのスペーサを挟んで
対面させ、その間に実施例２記載の組成物を注入してＵ
Ｖ光下で硬化させて硬化物を作成した。そして、この硬
化物の光線透過率と表面粗度を実施例１記載の方法で測
定した。このサンプルの光線透過率を各波長において測
定した結果を図５中に線ｂで示す。また、表面粗度はＲ
ａ＝０．００７μｍ，Ｓｍ＝０．３μｍであった。
研磨したガラス２枚をシリコンゴムのスペーサを挟んで
対面させ、その間に実施例２記載の組成物を注入してＵ
Ｖ光下で硬化させて硬化物を作成した。そして、この硬
化物の光線透過率と表面粗度を実施例１記載の方法で測
定した。このサンプルの光線透過率を各波長において測
定した結果を図５中に線ｂで示す。また、表面粗度はＲ
ａ＝０．００７μｍ，Ｓｍ＝０．３μｍであった。
【００７３】＜比較例２＞実施例２記載の方法において
ＩＴＯ付き基板のかわりに表面を光学研磨したガラス２
枚を一組とした型を用いた。他の方法は実施例２記載の
通りである。このようにして得られたサンプルを実施例
１記載の方法で光線透過率と表面粗度を測定した。この
サンプルの光線透過率を各波長において測定した結果を
図６中に線ｂで示す。また、表面粗度はＲａ＝０．００
６５μｍ，Ｓｍ＝０．４２μｍであった。
ＩＴＯ付き基板のかわりに表面を光学研磨したガラス２
枚を一組とした型を用いた。他の方法は実施例２記載の
通りである。このようにして得られたサンプルを実施例
１記載の方法で光線透過率と表面粗度を測定した。この
サンプルの光線透過率を各波長において測定した結果を
図６中に線ｂで示す。また、表面粗度はＲａ＝０．００
６５μｍ，Ｓｍ＝０．４２μｍであった。
【００７４】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の反射防止
方法及び反射防止構造によれば、表面に反射防止膜など
をコーティングすることなしに表面反射を防止すること
が可能であり、且つ、周期的な二次元格子に比較して低
コストで高い反射防止効果を得ることができる。特に、
本発明の反射防止構造を備えた反射防止構造体をタッチ
パネル用基板，有機電界発光素子用基板，液晶表示パネ
ル用基板或いはカラーフィルタ等に備えた場合には、表
面の反射防止構造によって反射率が抑えられる結果、透
過率を高め視認性を向上させることが可能になる。
方法及び反射防止構造によれば、表面に反射防止膜など
をコーティングすることなしに表面反射を防止すること
が可能であり、且つ、周期的な二次元格子に比較して低
コストで高い反射防止効果を得ることができる。特に、
本発明の反射防止構造を備えた反射防止構造体をタッチ
パネル用基板，有機電界発光素子用基板，液晶表示パネ
ル用基板或いはカラーフィルタ等に備えた場合には、表
面の反射防止構造によって反射率が抑えられる結果、透
過率を高め視認性を向上させることが可能になる。
【図１】本発明の原理を説明するための図であり、
（ａ）は本発明にかかる表面構造の断面図、（ｂ）は媒
質中の屈折率変化を膜厚方向Ｚに対して示す図である。
（ａ）は本発明にかかる表面構造の断面図、（ｂ）は媒
質中の屈折率変化を膜厚方向Ｚに対して示す図である。
【図２】本発明の第１実施形態にかかる反射防止構造体
の構成を示す概略図である。
の構成を示す概略図である。
【図３】本発明の第２実施形態にかかる反射防止構造体
の構成を示す概略図である。
の構成を示す概略図である。
【図４】本発明の第３実施形態にかかる反射防止構造体
の構成を示す概略図である。
の構成を示す概略図である。
【図５】実施例１と比較例１とで光透過率の特性を比較
して示す図である。
して示す図である。
【図６】実施例２と比較例２とで光透過率の特性を比較
して示す図である。
して示す図である。
【図７】周期的な二次元格子を示す斜視図である。
【図８】周期的な二次元格子による反射防止の原理を説
明するための図であり、（ａ）は周期的な二次元格子の
断面図、（ｂ）は媒質中の屈折率変化を膜厚方向Ｚに対
して示す図である。
明するための図であり、（ａ）は周期的な二次元格子の
断面図、（ｂ）は媒質中の屈折率変化を膜厚方向Ｚに対
して示す図である。
１ 基板 ２ コーティング層 ３ 積層板（反射防止構造体） ４ 型 ５ 基板（反射防止構造体） ７ 積層板（反射防止構造体） ８ ＩＴＯ ９ ＩＴＯ １０ ビーズ １１ バインダー樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｂ 5/20 １０１ Ｇ０２Ｆ 1/1335 Ｇ０２Ｆ 1/1335 Ｇ０２Ｂ 1/10 Ａ (72)発明者 西原 英一郎 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社横浜総合研究所内 Ｆターム(参考） 2H042 BA02 BA13 BA15 BA20 2H048 BB08 BB42 2H091 FA37X FB02 FC15 FD06 LA03 2K009 AA12 BB02 BB14 CC09 DD02 DD12 DD15 EE03 4F100 AA01B AA17B AA33B AB01B AG00A AH01A AH04A AK01A AK01B AK25A AK25K AL06A AT00A BA02 DD07B DE01B EC042 EH462 EH612 EH66B EH662 EJ152 GB41 JA05A JA11B JL02 JN01B JN06B
Claims (27)
- 【請求項１】 屈折率の異なる媒質間の境界面における
表面反射を防止する反射防止方法であって、 上記境界面に、ＪＩＳ Ｂ ０６０１1994で定義される凹
凸の算術平均粗さをＲａ、凹凸の平均間隔をＳｍとした
とき、０．００１μｍ＜Ｒａ＜０．５μｍ、且つ、０．
００１μｍ＜Ｓｍ＜０．５μｍ、且つ、０．０１＜Ｒａ
／Ｓｍ＜２．０の関係を満たす複数の凹凸を無作為に形
成することを特徴とする、反射防止方法。 - 【請求項２】 凹凸を有する粗面からなる反射防止構造
であって、 上記の凹凸が、ＪＩＳ Ｂ ０６０１1994で定義される凹
凸の算術平均粗さをＲａ、凹凸の平均間隔をＳｍとした
とき、０．００１μｍ＜Ｒａ＜０．５μｍ、且つ、０．
００１μｍ＜Ｓｍ＜０．５μｍ、且つ、０．０１＜Ｒａ
／Ｓｍ＜２．０の関係を満たしていることを特徴とす
る、反射防止構造。 - 【請求項３】 樹脂ないしガラス製の基板の表面に微細
成形加工が施され、上記の微細成形加工が施された表面
によって請求項２記載の反射防止構造が形成されている
ことを特徴とする、反射防止構造体。 - 【請求項４】 平滑な基板の表面に透明電極が積層さ
れ、上記透明電極の表面に現れる上記透明電極の成分で
ある金属もしくは金属酸化物の粒子によって請求項２記
載の反射防止構造が形成されていることを特徴とする、
反射防止構造体。 - 【請求項５】 平滑な基板の表面に樹脂もしくは無機質
の粒子を含む層が積層され、上記層の表面に現れる樹脂
もしくは無機質の粒子によって請求項２記載の反射防止
構造が形成されていることを特徴とする、反射防止構造
体。 - 【請求項６】 上記基板がガラス転移温度１５０度以上
の樹脂で形成されていることを特徴とする、請求項３記
載の反射防止構造体。 - 【請求項７】 上記の樹脂がメタクリル系樹脂であるこ
とを特徴とする、請求項６記載の反射防止構造体。 - 【請求項８】 上記メタクリル系樹脂が下記成分Ａない
しＢを単独もしくは複合して含有してなることを特徴と
する、請求項７記載の反射防止構造体。 成分Ａ：構造式（Ｉ）で表される含脂環骨格ビス（メ
タ）アクリレート 成分Ｂ：構造式（II）で表されるイオウ含有（メタ）ア
クリレート 構造式（Ｉ） 【化１】 構造式（II） 【化２】 - 【請求項９】 上記透明電極がインジウムとスズの酸化
物であるＩＴＯであることを特徴とする、請求項４記載
の反射防止構造体。 - 【請求項１０】 上記金属もしくは金属酸化物の粒子
が、ＩＴＯを上記基板上にスパッタで成膜する際もしく
は成膜後に１５０℃以上の温度で上記基板を加熱するこ
とにより得られるＩＴＯの微結晶よりなることを特徴と
する、請求項９記載の反射防止構造体。 - 【請求項１１】 上記平滑基板がガラス転移温度１５０
度以上の樹脂で形成されていることを特徴とする、請求
項４又は５記載の反射防止構造体。 - 【請求項１２】 上記の樹脂がメタクリル系樹脂である
ことを特徴とする、請求項１１記載の反射防止構造体。 - 【請求項１３】 上記メタクリル系樹脂が下記成分Ａな
いしＢを単独もしくは複合して含有してなることを特徴
とする請求項１２記載の反射防止構造体。 成分Ａ：構造式（Ｉ）で表される含脂環骨格ビス（メ
タ）アクリレート 成分Ｂ：構造式（II）で表されるイオウ含有（メタ）ア
クリレート 構造式（Ｉ） 【化３】 構造式（II） 【化４】 - 【請求項１４】 微細な凹凸をもつ型の表面を樹脂ない
しガラス製の基板の表面に転写することにより、上記基
板の表面に請求項２記載の反射防止構造を形成すること
を特徴とする、反射防止構造体の製造方法。 - 【請求項１５】 平均粒子径が０．０１μｍ以上、１０
０μｍ以下である微粒子を圧縮ガスと共に樹脂ないしガ
ラス製の基板の表面に噴出することにより、上記基板の
表面に請求項２記載の反射防止構造を形成することを特
徴とする、反射防止構造体の製造方法。 - 【請求項１６】 平均粒子径が０．０１μｍ以上、１０
０μｍ以下である微粒子を圧縮ガス及び液体と共に樹脂
ないしガラス製の基板の表面に噴出することにより、上
記基板の表面に請求項２記載の反射防止構造を形成する
ことを特徴とする、反射防止構造体の製造方法。 - 【請求項１７】 酸ないしアルカリ液ないし有機溶媒に
よって樹脂ないしガラス製の基板の表面をエッチングす
ることにより、上記基板の表面に請求項２記載の反射防
止構造を形成することを特徴とする、反射防止構造体の
製造方法。 - 【請求項１８】 上記型の表面にある微細な凹凸が、平
均粒子径が０．０１μｍ以上、１００μｍ以下である微
粒子を圧縮ガスと共に上記型の表面に噴出することによ
って形成されたものであることを特徴とする、請求項１
４記載の反射防止構造体の製造方法。 - 【請求項１９】 上記型の表面にある微細な凹凸が、平
均粒子径が０．０１μｍ以上、１００μｍ以下である微
粒子を圧縮ガス及び液体と共に上記型の表面に噴出する
ことによって形成されたものであることを特徴とする、
請求項１４記載の反射防止構造体の製造方法。 - 【請求項２０】 上記型が金属製の型であり、上記型の
表面にある微細な凹凸が、上記型の表面にレジスト液を
コーティングした後、マスクをかけて露光し、エッチン
グすることによって形成されたものであることを特徴と
する、請求項１４記載の反射防止構造体の製造方法。 - 【請求項２１】 上記型がガラスないし金属ないし樹脂
製の型であり、上記型の表面にある微細な凹凸が、平均
粒子径が０．０１μｍ以上、１００μｍ以下である有機
ないし無機の微粒子を溶媒可溶性の樹脂に均一に分散さ
せた分散液を上記型の表面に塗布した後、上記分散液中
の溶媒を除去することにより形成されたものであること
を特徴とする、請求項１４記載の反射防止構造体の製造
方法。 - 【請求項２２】 平滑な基板上に透明電極をスパッタに
より成膜し、成膜中或いは成膜後に上記平滑基板を加熱
して上記透明電極中に金属もしくは金属酸化物の粒子を
生成させることにより、上記平滑基板上に請求項２記載
の反射防止構造を形成することを特徴とする、反射防止
構造体の製造方法。 - 【請求項２３】 平均粒子径が０．０１μｍ以上、１０
０μｍ以下である有機質ないし無機質の微粒子を溶媒可
溶性の樹脂に均一に分散させた分散液をガラスないし樹
脂製の平滑な基板上に塗布した後、上記分散液中の溶媒
を除去することにより、上記平滑基板上に請求項２記載
の反射防止構造を形成することを特徴とする、反射防止
構造体の製造方法。 - 【請求項２４】 請求項３〜１３のいずれかの項に記載
の反射防止構造体を備えたことを特徴とする、タッチパ
ネル用基板。 - 【請求項２５】 請求項３〜１３のいずれかの項に記載
の反射防止構造体を備えたことを特徴とする、有機電界
発光素子用基板。 - 【請求項２６】 請求項３〜１３のいずれかの項に記載
の反射防止構造体を備えたことを特徴とする、液晶表示
パネル用基板。 - 【請求項２７】 請求項３〜１３のいずれかの項に記載
の反射防止構造体を備えたことを特徴とする、カラーフ
ィルタ。
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