JP2010135786A - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の半導体発光素子100は、第1導電型半導体層101と、第1導電型半導体層101の上面に形成された活性層102と、活性層102の上面に形成された第2導電型半導体層103とを含み、第2導電型半導体層103の上面に半球形上部103a及び柱形状部103bを有する光抽出用パターンを形成したことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
102、202 活性層
103、203 第2導電型半導体層
104、204 第2電極
105 第1電極
110、210 絶縁性基板
130、230 導電性基板
140、240 マスク層
Claims (12)
- 第1導電型半導体層と、
前記第1導電型半導体層の上面に形成された活性層と、
前記活性層の上面に形成された第2導電型半導体層とを含み、
前記第2導電型半導体層の上面には、半球形上部及び柱形状部を有する光抽出用パターンが形成されていることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記第1導電型半導体層の下面に形成された絶縁性基板と、
前記第2導電型半導体層及び前記活性層の一領域を除去したことによって露出した前記第1導電型半導体層上に形成された第1電極と、
前記第2導電型半導体層の上面に形成された第2電極と
をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。 - 前記第1導電型半導体層の下面に形成された導電性基板と、
前記第2導電型半導体層の上面に形成された第2導電型電極と
をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。 - 基板上に、第1導電型半導体層、活性層及び第2導電型半導体層を積層する第1ステップと、
前記第2導電型半導体層の上面にマスク層を形成する第2ステップと、
前記マスク層を熱処理によって凝集させて、液滴形態の多数のマスクパターンを形成する第3ステップと、
前記マスクパターンが形成された面をドライエッチングして、前記第2導電型半導体層の上面に半球形上部及び柱形状部を有する光抽出用パターンを形成する第4ステップと
を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記マスク層は、Ni、Ag、Ti、Pt及びAuからなるグループから選択された一つ以上の金属を含むことを特徴とする請求項4に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記マスク層は、ITO、ZnO、SiO2及びTCOからなるグループから選択された酸化膜であることを特徴とする請求項4に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記マスク層は、1000Å乃至2000Åの厚さに蒸着されることを特徴とする請求項4乃至請求項6のいずれか1項に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記熱処理は、500℃乃至800℃の温度で行われることを特徴とする請求項4乃至請求項7のいずれか1項に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記液滴形態の多数のマスクパターンの間隔は、約0.05μm乃至0.15μmであることを特徴とする請求項4乃至請求項8のいずれか1項に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記第4ステップの後に、前記第2導電型半導体層及び前記活性層の一領域をエッチングして前記第1導電型半導体層を露出させ、露出した領域上に第1電極を形成し、前記第2導電型半導体層の上面に第2電極を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項4乃至請求項9のいずれか1項に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記第1ステップにおいて、絶縁性基板に前記第2導電型半導体層、前記活性層及び前記第1導電型半導体層を順次成長させ、前記第1導電型半導体層に導電性基板を配置した後に前記絶縁性基板を取り除くことを特徴とする請求項4乃至請求項9のいずれか1項に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記第4ステップの後に、前記第2導電型半導体層の上面に第2導電型電極を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項11に記載の半導体発光素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2008-0122085 | 2008-12-03 | ||
KR1020080122085A KR101518858B1 (ko) | 2008-12-03 | 2008-12-03 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010135786A true JP2010135786A (ja) | 2010-06-17 |
JP5165668B2 JP5165668B2 (ja) | 2013-03-21 |
Family
ID=42221964
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009267908A Expired - Fee Related JP5165668B2 (ja) | 2008-12-03 | 2009-11-25 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8664020B2 (ja) |
JP (1) | JP5165668B2 (ja) |
KR (1) | KR101518858B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013161902A (ja) * | 2012-02-03 | 2013-08-19 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101712094B1 (ko) * | 2009-11-27 | 2017-03-03 | 포항공과대학교 산학협력단 | 질화물갈륨계 수직 발광다이오드 및 그 제조 방법 |
KR102018210B1 (ko) * | 2010-06-30 | 2019-09-04 | 앤팩 바이오-메디컬 사이언스 시오., 엘티디. | 질환 검출용 장치 |
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JP2007059518A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子 |
JP2007103891A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-04-19 | Showa Denko Kk | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2007165612A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Showa Denko Kk | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2008198876A (ja) * | 2007-02-14 | 2008-08-28 | Mitsubishi Chemicals Corp | GaN系LED素子および発光装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US5561079A (en) * | 1994-12-16 | 1996-10-01 | General Motors Corporation | Stalagraphy |
US7102175B2 (en) | 2003-04-15 | 2006-09-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same |
KR100576854B1 (ko) * | 2003-12-20 | 2006-05-10 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 제조 방법과 이를 이용한 질화물 반도체 |
EP1922769B1 (en) | 2005-09-06 | 2017-04-05 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Production method of gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device |
-
2008
- 2008-12-03 KR KR1020080122085A patent/KR101518858B1/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-11-18 US US12/620,928 patent/US8664020B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-11-25 JP JP2009267908A patent/JP5165668B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20100063528A (ko) | 2010-06-11 |
US20100133570A1 (en) | 2010-06-03 |
JP5165668B2 (ja) | 2013-03-21 |
KR101518858B1 (ko) | 2015-05-13 |
US8664020B2 (en) | 2014-03-04 |
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A977 | Report on retrieval |
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