KR101738000B1 - 태양 전지 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 상기 태양 전지의 한 예는 제1 도전성 타입의 반도체 기판; 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입을 가지고, 상기 반도체 기판과 p-n 접합을 형성하는 에미터부; 상기 반도체 기판의 후면에 위치하며 상기 반도체 기판의 후면 일부를 노출하는 복수의 비아홀을 구비하는 보호막; 상기 에미터부와 연결되어 있는 제1 전극, 그리고, 상기 보호막의 후면에 위치하며, 상기 비아홀을 통해 상기 반도체 기판과 연결된 제2 전극을 포함하며, 상기 보호막은 상기 반도체 기판 후면에 위치하며 비정질 실리콘막으로 이루어진 제1 보호막, 그리고 상기 제1 보호막 후면에 위치하며 비정질 실리콘 질화막으로 이루어진 제2 보호막을 포함한다. 이로 인해, 기판을 통과한 장파장 대역에서의 빛의 기판 후면에서의 내부 반사율을 향상시켜, 빛의 흡수율이 증가하고, 단락 전류(Jsc) 특성이 향상된다.

Description

태양 전지 및 그 제조 방법{SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다
일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)의 반도체로 이루어진 기판(substrate) 및 에미터부(emitter region), 그리고 기판과 에미터부에 각각 연결된 전극을 구비한다. 이때, 기판과 에미터부의 계면에는 p-n 접합이 형성되어 있다.
이러한 태양 전지에 빛이 입사되면 반도체에서 복수의 전자-정공 쌍이 생성되고, 생성된 전자-정공 쌍은 광기전력 효과(photovoltaic effect)에 의해 전하인 전자와 정공으로 각각 분리되며, 전자와 정공은 n형의 반도체와 p형 반도체쪽으로, 예를 들어 에미터부와 기판쪽으로 각각 이동하고, 기판과 에미터부와 각각 연결된 전극에 의해 수집되며, 이 전극들을 전선으로 연결하여 전력을 얻는다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 기판을 통과한 장파장 빛의 흡수율을 향상시키고, 태양 전지의 효율을 향상시키는 것이다.
본 발명의 한 특징에 따른 태양 전지는 제1 도전성 타입의 반도체 기판; 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입을 가지고, 상기 반도체 기판과 p-n 접합을 형성하는 에미터부; 상기 반도체 기판의 후면에 위치하며 상기 반도체 기판의 후면 일부를 노출하는 복수의 비아홀을 구비하는 보호막; 상기 에미터부와 연결되어 있는 제1 전극, 그리고, 상기 보호막의 후면에 위치하며, 상기 비아홀을 통해 상기 반도체 기판과 연결된 제2 전극을 포함하며, 상기 보호막은 상기 반도체 기판 후면에 위치하며 비정질 실리콘막으로 이루어진 제1 보호막, 그리고 상기 제1 보호막 후면에 위치하며 비정질 실리콘 질화막으로 이루어진 제2 보호막을 포함한다.
상기 제1 보호막의 두께는 50㎚ 내지 100㎚이고, 상기 제1 보호막의 굴절률은 3.0 내지 3.8이며, 상기 제2 보호막의 두께는 10㎚ 내지 50㎚이고, 상기 제2 보호막의 굴절률은 1.8 내지 1.9이다.
상기 보호막은 상기 반도체 기판의 후면과 상기 제1 보호막 사이에 위치하며 실리콘 산화막으로 이루어진 제3 보호막을 더 포함할 수 있다.
상기 제3 보호막의 두께는 50㎚ 내지 200㎚이고, 상기 제3 보호막의 굴절률은 1.3 내지 1.7일 수 있다.
상기 제2 보호막의 굴절률(c)에 대한 제1 보호막의 굴절률(b)의 비율(b/c)은 1.5 내지 2.5이고, 상기 제3 보호막의 굴절률(a)에 대한 상기 제1 보호막의 굴절률(b)의 비율(b/a)은 2 내지 3일 수 있다.
상기 기판의 두께는 60㎛ 내지 140㎛일 수 있다.
상기 에미터부 위에 반사방지막을 더 포함할 수 있다.
상기 제2 전극에 접하는 부분의 상기 기판에는 후면 전계부가 위치할 수 있다.
본 발명의 한 특징에 따른 태양 전지의 제조 방법은 제1 도전성 타입을 갖는 기판에 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입의 에미터부를 형성하는 단계; 상기 기판의 후면에 복수의 비아홀을 구비하는 다층 구조의 보호막을 형성하는 단계; 그리고, 상기 에미터부와 연결된 제1 전극과, 상기 보호막의 상기 복수의 비아홀을 통해 상기 기판과 연결된 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 보호막을 형성하는 단계는, 상기 기판의 후면에 비정질 실리콘으로 이루어진 제1 보호막을 형성하는 단계; 그리고, 상기 제1 보호막의 후면에 비정질 실리콘 질화물로 이루어진 제2 보호막을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 보호막 형성 단계는 상기 제1 보호막을 형성하기 전, 상기 기판의 후면에 실리콘 산화물로 이루어진 제3 보호막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 보호막을 50㎚ 내지 100㎚의 두께로 형성할 수 있다.
상기 제2 보호막을 10㎚ 내지 50㎚의 두께로 형성할 수 있다.
상기 제3 보호막을 50㎚ 내지 200㎚의 두께로 형성할 수 있다.
상기 제1 보호막 및 상기 제2 보호막은 상기 제2 보호막의 굴절률(c)에 대한 상기 제1 보호막의 굴절률(b)의 비율(b/c)이 1.5 내지 2.5가 되도록 형성할 수 있다.
상기 제3 보호막 및 상기 제1 보호막은 상기 제3 보호막의 굴절률(a)에 대한 상기 제1 보호막의 굴절률(b)의 비율(b/a)이 2 내지 3이 되도록 형성할 수 있다.
이러한 특징에 따르면, 기판을 통과한 장파장 대역에서의 빛의 기판 후면에서의 내부 반사율을 향상시켜, 빛의 흡수율이 증가하고, 단락 전류(Jsc) 특성이 향상된다. 또한, 기판 후면에 보호막을 형성하여 후면 전극이 보호막을 관통하여 국부적으로 후면 전계부를 통해 기판과 연결되므로, 기판 표면 근처에서 전하의 재결합률이 감소한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지의 일부 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시한 태양 전지를 II-II선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지의 일부 사시도이다.
도 4는 도 3에 도시한 태양 전지를 II-II선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 5의 (a) 내지 (f)는 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 순차적으로 도시한 단면도이다.
도 6의 (a) 내지 (f)는 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 순차적으로 도시한 단면도이다.
도 7은 기판의 두께가 100㎛인 경우와 180㎛인 경우의 빛의 파장에 따른 빛의 흡수율 그래프이다.
도 8은 비교예와 본 발명의 실시예에 따라 보호막을 형성한 경우, 빛의 파장에 따른 빛의 후면 반사율 그래프이다.
도 9는 비교예와 본 발명의 실시예에 따라 보호막을 형성한 경우, 빛의 파장에 따른 단락전류(Jsc) 특성을 나타낸 그래프이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한 어떤 부분이 다른 부분 위에 "전체적"으로 형성되어 있다고 할 때에는 다른 부분의 전체 면(또는 전면)에 형성되어 있는 것뿐만 아니라 가장 자리 일부에는 형성되지 않은 것을 뜻한다.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 다양한 실시예에 따른 태양 전지 및 그 제조 방법에 대하여 설명한다.
먼저, 도 1 내지 도 2를 참고로 하여 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지의 일부 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시한 태양 전지를 II-II선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 1을 참고로 하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지(1)는 기판(110), 빛이 입사되는 기판(110)의 면인 입사면[이하, '전면(front surface)'이라함]에 위치한 에미터부(120), 에미터부(120) 위에 위치하는 반사 방지막(130), 기판(110)의 전면과 대향하는 기판(110)의 후면에 위치하며 상기 반도체 기판의 일부를 노출하는 복수의 비아홀을 구비는 다층 구조의 보호막(190), 에미터부(120)와 전기적으로 연결되어 있는 복수의 전면 전극(front electrode)(151), 복수의 전면 전극(151)과 연결되어 있고 복수의 전면 전극(151)과 교차하는 방향으로 뻗어 있는 복수의 전면전극용 집전부(152), 보호막(190)의 후면에 위치하며 보호막에 형성된 복수의 비아홀을 통해 기판(110)과 전기적으로 연결되어 있는 후면 전극(rear electrode)(161), 보호막(190) 위에 위치하며, 후면 전극(161)과 전기적으로 연결되어 있는 복수의 후면전극용 집전부(162), 상기 복수의 비아홀을 통해 노출된 기판의 부분과 후면 전극(161) 사이에 위치하는 복수의 후면 전계부(back surface field, BSF)(170)를 구비한다.
기판(110)은 제1 도전성 타입, 예를 들어 p형 도전성 타입의 실리콘으로 이루어진 반도체 기판이다. 이때, 실리콘은 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 기판 또는 비정질 실리콘일 수 있다. 기판(110)이 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 붕소(B), 갈륨, 인듐 등과 같은 3가 원소의 불순물을 함유한다. 하지만, 이와는 달리, 기판(110)은 n형 도전성 타입일 수 있고, 실리콘 이외의 다른 반도체 물질로 이루어질 수도 있다. 기판(110)이 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 기판(110)은 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물을 함유할 수 있다.
도시하지는 않았지만, 기판(110)은 텍스처링(texturing)되어 요철면인 텍스처링 표면(texturing surface)을 가질 수 있다.
에미터부(120)는 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입, 예를 들어, n형의 도전성 타입을 구비하고 있는 불순물부로서, 반도체 기판(110)과 p-n 접합을 이룬다.
이러한 p-n 접합으로 인한 내부 전위차(built-in potential difference)에 의해, 기판(110)에 입사된 빛에 의해 생성된 전하인 전자-정공 쌍은 전자와 정공으로 분리되어 전자는 n형 쪽으로 이동하고 정공은 p형 쪽으로 이동한다. 따라서, 기판(110)이 p형이고 에미터부(120)가 n형일 경우, 분리된 정공은 기판(110)쪽으로 이동하고 분리된 전자는 에미터부(120)쪽으로 이동하여, 기판(110)에서 정공은 다수 캐리어가 되며, 에미터부(120)에서 전자는 다수 캐리어가 된다.
본 실시예와 달리, 기판(110)이 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 에미터부(120)는 p형의 도전성 타입을 가진다. 이 경우, 분리된 전자는 기판(110)쪽으로 이동하고 분리된 정공은 에미터부(120)쪽으로 이동한다.
에미터부(120)가 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 에미터부(120)는 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물을 기판(110)에 도핑하여 형성될 수 있고, 반대로 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 붕소(B), 갈륨, 인듐 등과 같은 3가 원소의 불순물을 기판(110)에 도핑하여 형성될 수 있다.
에미터부(120) 위에 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘산화질화막(SiOxNy) 중에서 적어도 하나의 막으로 이루어진 반사 방지막(130)이 형성되어 있다. 반사 방지막(130)은 태양 전지(1)로 입사되는 빛의 반사도를 줄이고 특정한 파장 영역의 선택성을 증가시켜 태양 전지(1)의 효율을 높인다. 이러한 반사 방지막(130)은 약 70㎚ 내지 80㎚의 두께를 가질 수 있다. 반사 방지막(130)은 필요에 따라 생략될 수 있다.
보호막(passivation layer)(190)은 기판(110)의 후면에 위치한 제1 보호막(191), 그리고 제1 보호막(191)의 후면에 위치한 제2 보호막(192)을 포함하며, 보호막(190)을 관통하는 복수의 비아홀을 포함한다.
제1 보호막(191)은 비정질 실리콘막(a-Si, amorphous silicon)으로 이루어지고, 약 50㎚ 내지 100㎚의 두께로 형성되며, 약 3.0 내지 3.8의 굴절률(refractive index)을 갖는다.
그리고 제2 보호막(192)은 비정질 실리콘 질화막(a-SiNx)으로 이루어지고, 약 10㎚ 내지 50㎚의 두께로 형성되며, 약 1.8 내지 1.9의 굴절률(refractive index)을 갖는다.
굴절률이 높은 비정질 실리콘막으로 제1 보호막(191)을 형성하여, 제1 보호막(191)과 제2 보호막(192) 사이의 굴절률 차이를 크게 함으로써 제1 보호막(191)으로부터 제2 보호막(192)으로 향하는 빛이 태양 전지(1) 기판(110) 내로 반사되도록 하여 제1 보호막(191)과 제2 보호막(192) 사이의 계면을 통해 방출되는 빛의 양을 줄일 수 있다.
특히, 기판(110)의 두께가 얇은 경우, 1000nm 이상의 장파장대 빛의 흡수율이 감소하게 되는데, 본 실시예와 같은 두께와 굴절률을 갖는 제1 보호막(191)과 제2 보호막(192)을 기판(110)의 후면에 형성하는 경우 기판(110)의 두께를 얇게 하더라도, 기판(110)의 후면에서의 빛의 반사율이 증가하여 장파장대 영역의 빛의 흡수율이 향상되며, 따라서 태양 전지(1)의 효율을 높일 수 있는 효과가 있다.
또한, 저온 증착 등의 방법을 통하여 비정질 실리콘으로 이루어진 제1 보호막(191) 내 수소(H)의 함량을 증가시킬 수 있으며, 고농도의 수소를 포함한 비정질 실리콘층으로 이루어진 제1 보호막(191)은 그 계면 및 내부의 결정결함을 패시베이션(passiavation)하는 효과가 있으므로, 기판(110) 근처에서의 전하의 재결합율이 감소한다.
본 실시예에서, 제2 보호막(192)의 굴절률(c)에 대한 제1 보호막(192)의 굴절률(b)의 비율(b/c)은 1.5 내지 2.5이다. 여기에서, 제2 보호막(192)의 굴절률(c)에 대한 제1 보호막(191)의 굴절률(b)의 비율(b/c)이 최소 1.5 이상의 값을 갖도록 하는 이유는, 기판(100) 쪽에서 보호막(190) 쪽으로 입사하는 빛의 반사율을 증가시키기 위한 것이다.
복수의 전면 전극(151)은 에미터부(120) 위에 위치하여 에미터부(120)와 전기적으로 연결되어 있고, 서로 이격되게 정해진 방향으로 뻗어있다. 복수의 전면 전극(151)은 에미터부(120)쪽으로 이동한 전하, 예를 들면, 전자를 수집한다.
복수의 전면전극용 집전부(152)는 에미터부(120) 위에서 복수의 전면 전극(141)과 동일한 층에 위치하며, 복수의 전면 전극(151)과 교차하는 방향으로 뻗어 있다. 복수의 전면전극용 집전부(152)는 복수의 전면 전극(151)에 의해 수집된 전하를 수집하여 외부 장치로 출력한다.
복수의 전면 전극(151)과 전면전극용 집전부(152)는 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 도전성 물질로 이루어질 수 있지만, 이외의 다른 도전성 금속 물질로 이루어질 수도 있다. 복수의 전면 전극(141)과 전면전극용 집전부(142)의 두께는 20㎛ 내지 40㎛일 수 있다.
후면 전극(161)은 보호막(190)의 후면에 위치하며, 보호막에 형성된 복수의 비아홀을 통해 기판(110)과 전기적으로 연결되고, 기판(110)쪽으로 이동하는 전하, 예를 들어 정공을 수집한다. 후면전극은 후면전극용 페이스트를 스크린 인쇄하여 형성할 수 있으며, 그 두께는 20㎛ 내지 30㎛일 수 있다.
후면 전극(161)은 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 도전성 물질로 이루어질 수 있지만, 이외의 다른 도전성 물질로 이루어질 수도 있다.
보호막(190)의 후면에는 전면전극용 집전부(142)와 동일한 방향으로 뻗어 있는 복수의 후면전극용 집전부(162)가 위치한다. 이때, 복수의 후면전극용 집전부(162)는 전면전극용 집전부(152)와 마주보는 위치에 위치할 수 있다. 대안적인 실시예에서, 후면전극용 집전부(162)는 일정한 간격으로 배치된 원형 또는 다각형 형상의 복수의 도전체로 이루어질 수 있다.
복수의 후면전극용 집전부(162)는 후면 전극(151)으로부터 전달되는 전하, 예를 들어 정공을 수집하여 외부 장치로 출력한다.
복수의 후면전극용 집전부(162)는 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 도전성 물질로 이루어질 수 있지만, 이외의 다른 도전성 물질로 이루어질 수도 있다.
복수의 비아홀을 통해 노출된 기판의 부분과 후면 전극(161) 사이에 복수의 후면 전계부(170)가 위치한다. 복수의 후면 전계부(170)는 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 기판(110)보다 고농도로 도핑된 영역, 예를 들면, n+ 영역이다.
복수의 후면 전계부(170)는 기판(110)의 후면부에서 전자와 정공이 재결합하여 소멸되는 것을 감소시킨다.
이와 같은 구조를 갖는 본 실시예에 따른 태양 전지(1)는 기판(110)의 후면에 높은 굴절률을 갖는 비정질 실리콘 층으로 이루어진 제1 보호막(191)과 낮은 굴절률을 갖는 제2 보호막(192)을 포함하는 보호막(190)을 형성하여 장파장대역의 빛의 반사율을 증가시켜 기판(110) 내부에서의 빛의 재흡수율을 증가시키고, 기판(110)의 표면에 존재하는 불안정 결합으로 인한 전하의 재결합을 감소시킨 태양 전지(1)로서 그 동작은 다음과 같다.
태양 전지(1)로 빛이 조사되어 반사 방지막(130)과 에미터부(120)를 통해 반도체의 기판(110)으로 입사되면 빛 에너지에 의해 반도체의 기판(110)에서 전자-정공 쌍이 발생한다. 이때, 반사 방지막(130)에 의해 기판(110)으로 입사되는 빛의 반사 손실이 줄어들어 기판(110)으로 입사되는 빛의 양이 증가한다.
이들 전자-정공 쌍은 기판(110)과 에미터부(120)의 p-n접합에 의해 서로 분리되어 전자와 정공은, 예를 들어, n형의 도전성 타입을 갖는 에미터부(120)과 p형의 도전성 타입을 갖는 기판(110)쪽으로 각각 이동한다. 이처럼, 에미터부(120)쪽으로 이동한 전자는 전면 전극(151)에 의해 수집되어 전면전극용 집전부(152)로 전달되어 수집되고, 기판(110)쪽으로 이동한 정공은 후면 전극(161)으로 전달된 후 후면전극용 집전부(162)에 의해 수집된다. 이러한 전면전극용 집전부(152)와 후면전극용 집전부(162)를 도선으로 연결하면 전류가 흐르게 되고, 이를 외부에서 전력으로 이용하게 된다.
본 실시예와 같이 기판(110) 후면에 굴절률 차이가 큰 계면을 포함하는 보호막(190)을 형성하면, 기판(110)을 통과한 장파장 대역의 빛의 기판(110) 후면에서의 반사율이 향상되므로, 기판(110)에서의 빛의 흡수율이 증가하고, Jsc 특성이 향상되어 태양 전지의 효율이 향상된다.
또한, 본 실시예와 같이 기판 후면에 보호막(190)을 형성하고 후면 전극(151)이 보호막(190)을 관통하여 국부적으로 후면 전계부(170)를 통해 기판(110)과 연결되도록 하는 경우, 기판(110) 표면 근처에서 전하의 재결합률이 감소되어 태양 전지의 효율이 향상된다.
다음, 도 3 내지 도 4를 참고로 하여 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지에 대하여 설명한다.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지의 일부 사시도이고, 도 4는 도 3에 도시한 태양 전지를 II-II선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
본 실시예에서, 도 1 내지 도 2와 비교하여, 동일한 부분의 설명은 생략한다.
도 3을 참고로 하면, 도 1 내지 도 2에 도시된 태양 전지(1)와는 달리, 보호막(passivation layer)(290)은 기판(210)의 후면에 위치한 제3 보호막(293), 제3 보호막(293)의 후면에 위치한 제1 보호막(291), 그리고 제1 보호막(291)의 후면에 위치한 제2 보호막(292)을 포함한다.
제1 보호막(291)은 비정질 실리콘막(a-Si, amorphous silicon)으로 이루어지고, 약 50㎚ 내지 100㎚의 두께로 형성되며, 약 3.0 내지 3.8의 굴절률(refractive index)을 갖는다.
제2 보호막(292)은 비정질 실리콘 질화막(a-SiNx)으로 이루어지고, 약 10㎚ 내지 50㎚의 두께로 형성되며, 약 1.8 내지 1.9의 굴절률(refractive index)을 갖는다.
그리고 제3 보호막(293)은 실리콘 산화막(SiOx)으로 이루어지고, 약 50㎚ 내지 200㎚의 두께로 형성되며, 약 1.3 내지 1.7의 굴절률(refractive index)을 갖는다.
즉, 도 1에 도시된 실시예와는 달리, 기판(210)과 비정질 실리콘막으로 이루어진 제1 보호막(291) 사이에 실리콘 산화막으로 이루어진 제3 보호막(293)을 더 포함한다.
상대적으로 굴절률이 낮은 제3 보호막(293)을 더 포함함으로써, 기판(210)과 제3 보호막(293) 사이의 굴절률 차이를 크게하여 기판(210)으로부터 제3 보호막(293)으로 향하는 빛이 태양 전지(2) 기판(210) 내로 반사되도록 하여, 기판(210)과 제3 보호막(293) 사이의 계면을 통해 방출되는 빛의 양을 줄일 수 있다.
또한, 제1 보호막(291)으로 굴절률이 높은 비정질 실리콘막을 형성하여, 제1 보호막(291)과 제2 보호막(292) 사이의 굴절률 차이를 크게 함으로써 제1 보호막(291)으로부터 제2 보호막(292)으로 향하는 빛이 태양 전지(2) 기판(210) 내로 반사되도록 하여, 제1 보호막(291)과 제2 보호막(292) 사이의 계면을 통해 방출되는 빛의 양을 줄일 수 있으며, 제1 보호막(291)과 제3 보호막(293) 사이의 굴절률 차이를 크게 하여 제3 보호막(293)과 제1 보호막(291) 사이의 계면을 통해 방출되는 빛의 양을 줄일 수 있다.
마찬가지로, 기판(210)의 두께가 감소하는 경우, 1000nm 이상의 장파장대 빛의 흡수율이 감소하게 되는데, 본 실시예와 같은 두께와 굴절률을 갖는 제1 보호막(291), 제2 보호막(292), 그리고 제3 보호막(293)을 포함하는 보호막(290)을 기판(210)의 후면에 형성하는 경우 기판(210)의 두께를 얇게 하더라도, 기판(210)의 후면에서의 빛의 반사율이 증가하여 장파장대 영역의 빛의 흡수율이 향상되며, 따라서 태양 전지(2)의 효율을 높일 수 있는 효과가 있다.
또한, 실리콘 산화막으로 이루어진 제2 보호막(293)은 기판(210) 표면에 위치하는 댕글링 결합과 같은 불안정한 결합을 안정화된 결합으로 바꿔주므로, 기판(210)쪽으로 이동한 전하(예, 정공)가 불안정한 결합에 의해 소멸되는 현상이 줄어들어, 기판(210) 근처에서 전하의 재결합율이 감소한다.
본 실시예에서, 제3 보호막(293)의 굴절률(a)에 대한 제1 보호막(291)의 굴절률(b)의 비율(b/a)은 2 내지 3이며, 제2 보호막(292)의 굴절률(c)에 대한 제1 보호막(291)의 굴절률(b)의 비율(b/c)은 1.5 내지 2.5일 수 있다.
여기에서, 제3 보호막(293)의 굴절률(a)에 대한 제1 보호막(291)의 굴절률(b)의 비율(b/a)과 제2 보호막(292)의 굴절률(c)에 대한 제1 보호막(291)의 굴절률(b)의 비율(b/c)이 최소 1.5 이상의 값을 갖도록 형성함으로써 기판(210) 쪽에서 보호막(290) 쪽으로 입사하는 빛의 반사율을 증가시켜 태양 전지(2)의 빛 흡수율이 향상된다.
다음, 도 5의 (a) 내지 도 5의 (f)를 참고로 하여, 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지(1)의 제조 방법에 대한 한 예를 설명한다.
도 5의 (a) 내지 도 5의 (f)는 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지(1)의 제조 방법의 한 예를 순차적으로 나타낸 도면이다.
먼저, 도 5의 (a)에 도시한 것처럼, p형 단결정 또는 다결정 실리콘으로 이루어진 기판(110)에 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물을 포함하는 물질, 예를 들어, POCl3이나 H3PO4 등을 고온에서 열처리하여 5가 원소의 불순물을 기판(110)에 확산시켜 기판(110) 전체면, 즉, 전면, 후면 및 측면에 에미터부(120)를 형성한다. 본 실시예와 달리, 기판(110)의 도전성 타입이 n형일 경우, 3가 원소의 불순물을 포함하는 물질, 예를 들어, B2H6를 고온에서 열처리하거나 적층하여 기판(110) 전면에 p형의 에미터부를 형성할 수 있다. 그런 다음, p형 불순물 또는 n형 불순물이 기판(110) 내부로 확산됨에 따라 생성된 인을 포함하는 산화물(phosphorous silicate glass, PSG)이나 붕소를 포함하는 산화물(boron silicate glass, BSG)을 식각 공정을 통해 제거한다.
필요할 경우, 에미터부(120)를 형성하기 전에, 기판(110)의 전면을 텍스처링하여, 요철면인 텍스처링 표면을 형성할 수 있다.
다음, 도 5의 (b)에 도시한 것처럼, 플라즈마 화학 기상 증착법(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)과 같은 화학 기상 증착법(chemical vapor deposition, CVD)을 이용하여 기판(110)의 전면(front surface)에 반사 방지막(130)을 형성한다. 다음, 도 5의 (c) 도시한 것처럼, 습식 식각 또는 건식 식각 등으로 기판(110) 후면을 일부 두께만큼 제거하여, 기판(110)의 후면에 형성된 에미터부(120)를 제거한다.
이와는 달리, 불순물을 기판(110)의 전면에만 확산시켜 기판(110)의 원하는 부분에만 에미터부(120)를 형성함으로써 후면에 형성된 에미터부(120)를 제거하는 단계를 생략할 수 있다.
다음, 도 5의 (d)에 도시한 것처럼, 플라즈마 기상 증착법(PECVD) 을 이용하여 비정질 실리콘막(a-Si, amorphous silicon)을 기판(110)의 후면 위에 적층하여 제1 보호막(191)을 형성한다. 이때, 형성되는 제1 보호막(191)의 두께는 약 50㎚ 내지 100㎚이며, 제1 보호막의 굴절률(b)은 약 3.0 내지 3.8이다.
그런 다음, 플라즈마 기상 증착법(PECVD) 을 이용하여 비정질 실리콘 질화막(a-SiNx)을 제1 보호막(191) 위에 적층 하여 제2 보호막(192)을 형성한다. 이때 형성되는 제2 보호막(192)의 두께는 약 10㎚ 내지 50㎚이며, 제2 보호막의 굴절률(c)은 약 1.8 내지 1.9이다.
제1 보호막(191) 형성 단계와 제2 보호막(192) 형성 단계는 모두 플라즈마 기상 증착법(PECVD)에 의하여 이루어지므로 동일 장비에서 연속적으로 증착할 수 있으며, 따라서 공정이 간단해지며, 제조 시간이 단축된다.
다음, 도 5의 (e)에 도시한 것처럼, 보호막(190)의 해당 부위에 레이저 빔을 조사하여, 보호막(190)을 관통하여 기판(110)의 일부를 드러내는 복수의 비아홀(180)을 형성한다. 복수의 비아홀은 원형, 타원형 또는 다각형의 형상으로 형성할 수 있다.
복수의 비아홀(180)은 제1 방향, 예를 들어 집전부들의 길이 방향을 따라 일정한 간격을 갖고 동일선상에 형성할 수 있다. 이때, 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 일정한 간격을 갖고 동일선상에 위치하도록 형성될 수 있으며. 이와는 달리, 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 지그재그로 형성될 수 있다. 상기 실시예에 한정되는 것은 아니며, 기판(110)과 이후에 형성되는 후면 전극과의 연결을 고려하여, 다양한 패턴을 가진 복수의 비아홀(180)을 형성할 수 있다.
그런 다음, 도 5의 (f)에 도시한 것처럼, 스크린 인쇄법을 이용하여 후면 전극 패턴(61) 및 후면전극용 집전부 패턴(62)를 형성한다.
후면 전극 패턴(61)은 보호막(190) 위의 해당 부분과 기판(110)의 노출된 부분 위에 후면 전극용 페이스트를 도포한 후 이를 건조하는 것에 따라 형성할 수 있다. 후면전극용 페이스트는 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
후면 전극용 집전부 패턴(62)는 보호막(190) 후면의 해당 부분에 은(Ag)을 포함한 페이스트를 도포한 후 건조시키는 것에 따라 형성할 수 있다. 복수의 후면전극용 집전부 패턴은 후면 전극 패턴(61)에 의해 서로 분리되어 있고 한 방향으로 뻗어 있지만, 이에 한정되지 않는다.
다음, 스크린 인쇄법을 이용하여, 반사 방지막(130) 전면의 해당 부분에 은(Ag)을 포함한 페이스트를 도포한 후 건조시켜, 전면전극 및 전면전극용 집전부 패턴(50)을 형성한다. 전면전극 및 전면전극용 집전부 패턴(50)은 서로 교차하는 방향으로 뻗어 있는 전면전극 패턴부와 전면전극용 집전부 패턴부를 구비하고 있다. 즉, 각 교차부에서, 전면전극 패턴부와 전면전극용 집전부 패턴부는 서로 다른 방향을 뻗어 있다. 본 실시예에서, 전면전극 패턴부의 폭보다 전면전극용 집전부 패턴부의 폭이 더 넓지만, 이에 한정되지 않는다.
본 실시예와 달리, 전면전극 및 전면전극용 집전부 패턴(50)을 먼저 형성한 후 후면 전극 패턴(61) 및 후면전극용 집전부 패턴(62)을 형성할 수 있다.
다음, 후면 전극 패턴(61) 및 후면전극용 집전부 패턴(62), 전면전극 및 전면전극용 집전부 패턴(50)이 형성된 기판(110)을 약 750℃ 내지 800℃의 온도에서 소성하여(firing), 복수의 전면 전극(151), 복수의 전면전극용 집전부(152), 복수의 후면 전극(161) 및 복수의 후면전극용 집전부(162), 복수의 후면 전계부(170)를 형성하여 태양 전지(1)를 완성한다(도 1 및 도 2).
즉, 열처리가 시행되면, 전면전극 및 전면전극용 집전부 패턴(50)에 함유된 납(Pb) 등의 식각 성분에 의해 접촉 부위의 반사 방지막(130)이 제거되어 에미터부(120)와 접촉하는 복수의 전면 전극(151) 및 전면전극용 집전부(152)가 형성되고, 후면 전극 패턴(61) 및 후면전극용 집전부 패턴(62)은 각각 후면 전극(161) 및 후면전극용 집전부(162)가 된다.
그리고 후면 전극 패턴(61)과 접촉하는 기판(110)의 영역에는 후면 전계부(170)가 형성된다.
본 실시예와 같이 기판(110) 후면에 특정 두께와 굴절률을 갖는 제1 보호막(191)과 제2 보호막(192)을 포함하는 보호막(190)을 형성하여, 기판(110)을 통과한 장파장 대역의 빛의 기판(110) 후면에서의 반사율을 향상시켜, 빛의 재입사율이 향상된 태양 전지(1)의 제조가 가능하다.또한, 본 실시예와 같이 기판 후면에 보호막(190)을 형성하여 후면 전극(151)이 보호막(190)을 관통하여 국부적으로 후면 전계부(170)를 통해 기판(110)과 연결되도록 하는 경우, 기판(110) 표면 근처에서 전하의 재결합률이 감소된 태양 전지(1)의 제조가 가능하다.
다음, 도 6의 (a) 내지 도 6의 (f)를 참고로 하여, 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지(2)의 제조 방법에 대한 한 예를 설명한다.
도 6의 (a) 내지 도 6의 (f)는 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지(2)의 제조 방법의 한 예를 순차적으로 나타낸 도면이다.
본 예에서, 도 5의 (a) 내지 도 5의 (f)와 비교하여, 동일한 부분의 설명은 생략한다.
도 6을 참고로 하면, 도 5에 도시된 태양 전지(1)의 제조 방법과는 달리, 제1 보호막(292)을 형성하기 전에 실리콘 산화막으로 이루어진 제3 보호막(293)을 형성하는 단계를 더 포함한다.
즉, 도 6의 (d)에 도시한 것처럼, 먼저, 플라즈마 기상 증착법(PECVD) 을 이용하여 실리콘 산화막(SiOx)을 기판(210)의 후면 위에 적층 하여 제3 보호막(293)을 형성한다. 이때, 형성되는 제3 보호막(293)의 두께는 약 50㎚ 내지 200㎚이며, 제3 보호막의 굴절률(a)은 약 1.3 내지 1.7이다.
그런 다음, 플라즈마 기상 증착법(PECVD) 을 이용하여 비정질 실리콘막(a-Si, amorphous silicon)을 제3 보호막(293) 위에 적층 하여 제1 보호막(291)을 형성한다. 이때 형성되는 제1 보호막(291)의 두께는 약 50㎚ 내지 100㎚이며, 제1 보호막의 굴절률(b)은 약 3.0 내지 3.8이다.
그런 다음, 플라즈마 기상 증착법(PECVD) 을 이용하여 비정질 실리콘 질화막(a-SiNx)을 제1 보호막(291) 위에 적층 하여 제2 보호막(292)을 형성한다. 이때, 형성되는 제2 보호막(292)의 두께는 약 10㎚ 내지 50㎚이며, 제2 보호막의 굴절률(c)은 약 1.8 내지 1.9이다.
상기 보호막(290) 형성 단계는 모두 플라즈마 기상 증착법(PECVD)에 의하여 이루어지므로 동일 장비에서 연속적으로 증착할 수 있으며, 따라서 공정이 간단해지며, 제조 시간이 단축된다.
이와 같이, 본 발명의 실시예에 따라 기판(210)의 후면에 특정 두께 및 굴절률을 갖는 실리콘 산화막, 비정질 실리콘막, 비정질 실리콘 질화막으로 이루어진 보호막(290)을 형성하는 경우, 도 7 내지 도 9을 참고로 하여 본 실시예의 보호막(290)에 의한 빛의 후면 반사율 및 단락전류(Jsc) 특성을 살펴본다.
도 7은 기판의 두께가 100㎛인 경우와 180㎛인 경우의 빛의 파장에 따른 빛의 흡수율 그래프이고, 도 8은 비교예와 본 발명의 실시예에 따라 보호막(290)을 형성한 경우의 빛의 파장에 따른 빛의 후면 반사율 그래프이고, 도 9은 비교예와 본 발명의 실시예에 따라 보호막(290)을 형성한 경우의 빛의 파장에 따른 단락전류(Jsc) 특성을 나타낸 그래프이다.
도 8 및 도 9 각각에서, 제1 그래프(①)는 보호막이, 약 1.5의 굴절률을 가지며 약 10㎚ 내지 200㎚의 두께로 기판 후면에 형성된 실리콘 산화막(SiOx), 약 2.3의 굴절률(refractive index)을 가지며 약 50㎚ 내지 100㎚의 두께로 실리콘 산화막 후면에 형성된 실리콘 질화막(SiNx), 그리고 약 1.7의 굴절률(refractive index)을 가지며 약 100㎚ 내지 200㎚의 두께로 실리콘 질화막 후면에 형성된 실리콘 산화질화막(SiONx)으로 형성된 태양 전지의 빛의 파장에 따른 반사율 및 Jsc 그래프이다.
그리고 제2 그래프(②)는 보호막(290)이, 약 1.5의 굴절률(refractive index)을 가지며 약 50㎚ 내지 200㎚의 두께로 기판 후면에 형성된 실리콘 산화막(SiOx)으로 이루어진 제3 보호막(293), 약 3.7의 굴절률(refractive index)을 가지며 약 50㎚ 내지 100㎚의 두께로 제3 보호막(293) 후면에 형성된 비정질 실리콘막(a-Si, amorphous silicon)으로 이루어진 제1 보호막(291), 그리고 약 1.8의 굴절률(refractive index)을 가지며 약 10㎚ 내지 50㎚의 두께로 제1 보호막(291) 후면에 형성된 비정질 실리콘 질화막(a-SiNx)으로 이루어진 제2 보호막(292)으로 형성된 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 빛의 파장에 따른 반사율 및 Jsc 그래프이다.
도 8에 도시한 그래프를 기초로 하면, 비교예의 경우(①), 약 1000nm 내지 1200nm의 파장 대역의 평균 반사율은 약 42%이다. 이에 비하여, 본 실시예일 경우(②), 약 1000nm 내지 1200nm의 파장 대역의 평균 반사율은 약 74%이다. 특히, 약 1100nm 내지 1200nm의 파장 대역의 평균 반사율은 비교예의 경우(①) 약 37%인 반면, 본 실시예일 경우(②) 약 73%이였다.
이와 같이, 본 실시예에 후면 보호막(290)을 형성한 경우 약 1000nm 내지 1200nm의 파장 대역의 빛의 반사율이 종래의 비교예에 비해 약 32% 증가함을 알 수 있다. 특히, 약 1100nm 내지 1200nm의 파장 대역의 평균 반사율은 비교예에 비해 약 36% 증가하여, 장파장 대역의 빛의 기판 후면에서의 반사율이 현저히 증가함을 알 수 있다.
도 9에 도시한 그래프를 기초로 하면, 비교예의 경우(①), 약 1000nm 내지 1200nm의 파장대역의 Jsc는 약 3.10mA/cm2이였다. 이에 비하여, 본 실시예일 경우(②), 약 1000nm 내지 1200nm의 파장 대역의 Jsc는 약 5.45mA/cm2이였다. 특히, 약 1100nm 내지 1200nm의 파장 대역의 Jsc는 비교예의 경우(①) 약 1.11mA/cm2인 반면, 본 실시예의 경우(②) 약 2.14mA/cm2이였다.
이와 같이, 본 실시예에 따른 후면 보호막(290)을 형성하는 경우 약 1000nm 내지 1200nm의 파장 대역에서 비교예 대비 75.8%의 Jsc 상승 효과를 얻을 수 있다. 특히, 약 1100nm 내지 1200nm의 파장 대역에서는 비교예 대비 92.8%의 Jsc 상승 효과를 얻을 수 있다. 즉, 본 실시예와 같이 후면 보호막(290)을 형성하는 경우, 장파장 대역에서의 Jsc가 현저히 증가함을 알 수 있다.
이와 같이, 본 실시예에 따라 후면 보호막(290)을 형성하는 경우 장파장 대역의 빛의 기판 후면에서의 반사율이 증가하여 기판에서의 빛의 흡수율이 증가하고, Jsc 특성이 향상됨을 알 수 있다.
도 7에 도시한 것처럼, 기판(110, 210)의 두께가 감소하는 경우, 예를 들어 기판(110, 210)의 두께가 180㎛에서 100㎛로 감소하면 900nm이상의 장파장대 빛의 흡수율이 감소한다. 특히, 기판(110, 210)의 두께가 100㎛인 경우에는 1000nm 이상에서의 빛 흡수율이 약 50%도 안 되는 것을 볼 수 있다.
하지만, 본 실시예에 따른 보호막(190, 290)을 이용하면 기판의 두께가 얇은 경우에도 장파장 대역의 빛에 대한 기판(110, 210) 후면에서의 빛의 반사율이 증가하므로, 기판(110, 210)에서의 빛의 흡수율이 증가하고, Jsc 특성이 향상됨을 알 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
1: 태양 전지 110, 210: 기판
120, 220: 에미터부 130, 230: 반사 방지막
151, 251: 전면 전극 152, 252: 전면전극용 집전부
161, 261: 후면 전극 162, 262: 후면전극용 집전부
170, 271: 후면 전계부 190, 290: 보호막

Claims (17)

  1. 제1 도전성 타입의 반도체 기판;
    상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입을 가지고, 상기 반도체 기판과 p-n 접합을 형성하는 에미터부;
    상기 반도체 기판의 후면에 위치하며 상기 반도체 기판의 후면 일부를 노출하는 복수의 비아홀을 구비하는 보호막;
    상기 에미터부와 연결되어 있는 제1 전극; 그리고,
    상기 보호막의 후면에 위치하며, 상기 비아홀을 통해 상기 반도체 기판과 연결된 제2 전극을 포함하며,
    상기 보호막은 상기 반도체 기판 후면에 순차적으로 적층되며 서로 동일한 물질을 각각 포함하는 제1 보호막 및 제2 보호막을 포함하고, 상기 서로 동일한 물질은 비정질 실리콘이며, 상기 제1 보호막은 비정질 실리콘막으로 이루어지고, 상기 제1 보호막의 후면에 위치하는 상기 제2 보호막은 비정질 실리콘 질화막으로 이루어지는 태양 전지.
  2. 제1항에서,
    상기 보호막은 상기 반도체 기판의 후면과 상기 제1 보호막 사이에 위치하며 실리콘 산화막으로 이루어진 제3 보호막을 더 포함하는 태양 전지.
  3. 제1항에서,
    상기 제1 보호막의 두께는 50㎚ 내지 100㎚이고, 상기 제1 보호막의 굴절률은 3.0 내지 3.8인 태양 전지.
  4. 제1항에서,
    상기 제2 보호막의 두께는 10㎚ 내지 50㎚이고, 상기 제2 보호막의 굴절률은 1.8 내지 1.9인 태양 전지.
  5. 제2항에서,
    상기 제3 보호막의 두께는 50㎚ 내지 200㎚이고, 상기 제3 보호막의 굴절률은 1.3 내지 1.7인 태양 전지.
  6. 제1항에서,
    상기 제2 보호막의 굴절률(c)에 대한 제1 보호막의 굴절률(b)의 비율(b/c)은 1.5 내지 2.5인 태양 전지.
  7. 제2항에서,
    상기 제3 보호막의 굴절률(a)에 대한 상기 제1 보호막의 굴절률(b)의 비율(b/a)은 2 내지 3인 태양 전지.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에서,
    상기 기판의 두께는 60㎛ 내지 140㎛인 태양 전지
  9. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에서,
    상기 에미터부 위에 반사방지막을 더 포함하는 태양 전지.
  10. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에서,
    상기 제2 전극에 접하는 부분의 상기 기판에는 후면 전계부가 위치하는 태양 전지.
  11. 제1 도전성 타입을 갖는 기판에 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입의 에미터부를 형성하는 단계;
    상기 기판의 후면에 복수의 비아홀을 구비하는 다층 구조의 보호막을 형성하는 단계; 그리고,
    상기 에미터부와 연결된 제1 전극과, 상기 보호막의 상기 복수의 비아홀을 통해 상기 기판과 연결된 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 다층 구조의 보호막을 형성하는 단계는 서로 동일한 물질을 각각 포함하는 제1 보호막 및 제2 보호막을 상기 기판의 후면에 순차적으로 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 서로 동일한 물질은 비정질 실리콘이고,
    상기 제1 보호막은 비정질 실리콘막으로 형성하고,
    상기 제2 보호막은 비정질 실리콘 질화막으로 형성하는 태양 전지의 제조 방법.
  12. 제11항에서,
    상기 다층 구조의 보호막을 형성하는 단계는
    상기 제1 보호막을 형성하기 전, 상기 기판의 후면에 실리콘 산화물로 이루어진 제3 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양전지의 제조 방법.
  13. 제11항에서,
    상기 제1 보호막을 50㎚ 내지 100㎚의 두께로 형성하는 태양 전지의 제조 방법.
  14. 제11항에서,
    상기 제2 보호막을 10㎚ 내지 50㎚의 두께로 형성하는 태양 전지의 제조 방법.
  15. 제12항에서,
    상기 제3 보호막을 50㎚ 내지 200㎚의 두께로 형성하는 태양 전지의 제조 방법.
  16. 제11항에서,
    상기 제1 보호막 및 상기 제2 보호막은 상기 제2 보호막의 굴절률(c)에 대한 상기 제1 보호막의 굴절률(b)의 비율(b/c)이 1.5 내지 2.5가 되도록 형성하는 태양 전지의 제조 방법.
  17. 제12항에서,
    상기 제3 보호막 및 상기 제1 보호막은 상기 제3 보호막의 굴절률(a)에 대한 상기 제1 보호막의 굴절률(b)의 비율(b/a)이 2 내지 3이 되도록 형성하는 태양 전지의 제조 방법.
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