WO2009141927A1

WO2009141927A1 - プリント配線板及びその製造方法

Info

Publication number: WO2009141927A1
Application number: PCT/JP2008/073343
Authority: WO
Inventors: 通昌高橋
Original assignee: イビデン株式会社
Priority date: 2008-05-23
Filing date: 2008-12-22
Publication date: 2009-11-26
Also published as: CN102037797A; JP5010737B2; US8177577B2; JPWO2009141927A1; US20090290318A1; CN102037797B

Abstract

　プリント配線板として、導体を有する第１の基板（１０）と、導体を有し、第１の基板（１０）よりも導体の存在密度が高い第２の基板（２０）と、を備える。そして、第１の基板（１０）の導体と第２の基板（２０）の導体とが電気的に接続され、第１の基板（１０）の表面に窪み（１００ａ）が設けられ、その窪み（１００ａ）に、第２の基板（２０）が配置されている。こうして、第２の基板（２０）の主面の少なくとも一部が、第１の基板（１０）の表面に露出するように、第２の基板（２０）が第１の基板（１０）に嵌入されている。

Description

プリント配線板及びその製造方法

　この発明は、プリント配線板及びその製造方法に関する。

　プリント配線板及びその製造方法としては、例えば特許文献１に記載されるものが提案されている。特許文献１には、１枚の基板の中に導体バンプを高密度に形成した高密度領域と、導体バンプを低密度に形成した低密度領域とを併存させ、これら高密度領域と低密度領域の配置を適宜組み合わせた多層プリント配線基板が開示されている。

日本国特許第３７９５２７０号公報

　特許文献１に記載される装置では、１つの基板の中に、高密度導体領域と低密度導体領域とが形成され、高密度導体領域だけに欠陥がある場合であっても、正常な低密度導体領域を含めた基板全体が不良品となり、逆に低密度導体領域だけに欠陥がある場合であっても、正常な高密度導体領域を含めた基板全体が不良品となる。このため、材料のロス（損失）が大きい。

　この発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、プリント配線板の製造に際しての材料の損失を低減することのできるプリント配線板及びその製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、良好な電気特性を有するプリント配線板及びその製造方法を提供することを他の目的とする。

　こうした目的を達成するため、本発明の第１の観点に係るプリント配線板は、導体が形成された第１の基板と、該第１の基板よりも、導体の存在密度が高い少なくとも１つの第２の基板と、を備え、前記第２の基板の主面の少なくとも一部が、前記第１の基板の表面に露出するように、前記第２の基板が前記第１の基板に嵌入されているとともに、前記第１の基板の導体と前記第２の基板の導体とは、電気的に接続されてなる、ことを特徴とする。

　前記第２の基板の導体により形成される配線層数は、前記第１の基板の、前記第２の基板と同一の厚さ領域における配線層数よりも多く形成されている、構造としてもよい。

　前記第１の基板及び前記第２の基板は、それぞれ絶縁層を有し、前記第２の基板における絶縁層上の導体の存在密度は、前記第１の基板における絶縁層上の導体の存在密度よりも高く形成されている、構造としてもよい。

　前記第１の基板及び前記第２の基板は、層間絶縁層中のバイアを介して電気的に接続される下層配線層及び上層配線層を有し、前記第２の基板における単位層間絶縁層あたりのバイア数が、前記第１の基板における単位層間絶縁層あたりのバイア数よりも大きい、構造としてもよい。

　前記第１の基板及び前記第２の基板が、互いにフリップチップ接続により電気的に接続されている、構造としてもよい。

　前記第１の基板及び前記第２の基板が、離間して配置されており、前記第１の基板と前記第２の基板との間の隙間には、少なくとも一部に樹脂が存在する、構造としてもよい。

　前記第１の基板又は前記第２の基板の少なくとも一方は、無機材料を含む絶縁層を有する、構造としてもよい。

　前記第１の基板の絶縁層又は前記第２の基板の絶縁層の少なくとも一方は、前記無機材料により、少なくとも１つのクロス層を有している、構造としてもよい。

　前記第１の基板の無機材料を含む絶縁層の層数は、前記第２の基板の無機材料を含む絶縁層の層数よりも多い、構造としてもよい。

　前記第２の基板の少なくとも一部の導体の厚みは、前記第１の基板の導体の厚み以下である、構造としてもよい。

　前記第１の基板又は前記第２の基板の少なくとも一方に、少なくとも１つの電子部品が電気的に接続されている、構造としてもよい。

　前記第２の基板に、少なくとも１つの電子部品が、電気的に接続されている、構造としてもよい。

　本発明の第２の観点に係るプリント配線板の製造方法では、導体を有する第１の基板を作製する第１の工程と、単一の基板に、導体を有する相当数の第２の基板を作製する第２の工程と、前記第１の工程により作製された第１の基板に、窪みを形成する第３の工程と、前記第３の工程により形成された窪みに、前記第２の基板のうちの１つ又は２以上を配置する第４の工程と、前記第１の基板の導体と前記第２の基板の導体とを、電気的に接続する第５の工程と、を備える、ことを特徴とする。

　前記第４の工程に先立ち、前記第１の工程により作製された第１の基板と前記第２の工程により作製された第２の基板とについて、それぞれ良否を検査する基板検査工程を備え、前記第４の工程では、前記基板検査工程により正常である旨判断された第１の基板の前記窪みに、前記基板検査工程により正常である旨判断された第２の基板のうちの１つ又は２以上を配置する、ようにしてもよい。

　前記第３の工程では、前記第２の基板を配置した場合に位置決め可能な程度の隙間を有する窪みを形成する、ようにしてもよい。

　本発明によれば、プリント配線板の製造に際しての材料の損失を低減することのできるプリント配線板及びその製造方法を提供することができる。また、本発明によれば、良好な電気特性を有するプリント配線板及びその製造方法を提供することができる。

この発明に係るプリント配線板及びその製造方法の一実施形態について、同実施形態に係るプリント配線板の概略構造を示す断面図。第２の基板の概略構造を示す断面図。同実施形態の製造方法における第１の基板の作製工程を示す斜視図。同実施形態の製造方法における第２の基板の作製工程を示す斜視図。（ａ）～（ｄ）は、同実施形態の製造方法における第２の基板の第１配線層の形成工程を示す断面図。（ａ）～（ｅ）は、同実施形態の製造方法における第２の基板の第２配線層の形成工程を示す断面図。（ａ）～（ｅ）は、同実施形態の製造方法における第２の基板の第３配線層の形成工程を示す断面図。第１の基板に窪みを形成する工程を示す断面図。第１の基板の窪みに第２の基板を配置する工程を示す斜視図。窪みに第２の基板を配置した様子を示す平面図。窪みに第２の基板を配置した様子を示す断面図。第２の基板と窪みとの隙間に樹脂を充填した様子を示す断面図。本実施形態のプリント配線板が形成された基板を示す斜視図。プリント配線板の変形例を示す断面図。第１の基板の変形例を示す断面図。第１の基板及び第２の基板の変形例を示す平面図。第１の基板及び第２の基板の変形例を示す断面図。第１の基板と第２の基板との接続態様に関する変形例を示す断面図。第１の基板と第２の基板との接続態様の別の変形例を示す断面図。第１の基板と第２の基板との接続態様の別の変形例を示す断面図。第１の基板と第２の基板との接続態様の別の変形例を示す断面図。第１の基板と第２の基板との接続態様の別の変形例を示す断面図。プリント配線板の変形例を示す断面図。プリント配線板の別の変形例を示す断面図。プリント配線板の別の変形例を示す断面図。プリント配線板の別の変形例を示す断面図。プリント配線板の別の変形例を示す断面図。プリント配線板の別の変形例を示す断面図。（ａ）～（ｃ）は、プリント配線板の製造方法の変形例を示す断面図。

符号の説明

　１０　第１の基板
　１０ａ、２０ａ　非可撓性基材（コア基板）
　１０ｂ、２０ｂ　クロス層
　１１～１８、２１～２６　配線層
　２０、２０１、２０２　第２の基板
　２０ｃ　貫通接続
　２１ａ、２１ｂ、２２ａ、２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂ　層間接続
　２６ａ　パッシベーション膜（保護膜）
　２６ｂ　バッファ層
　２６ｃ　バンプ金属
　３０　樹脂
　３１～３４　絶縁材
　１００、２００　基板
　１００ａ　窪み
　３１０　基板
　３１１　犠牲材
　３１２　多層膜
　５０１、５０２、５０３　電子部品
　６０１ａ、６０１ｂ　銅箔
　６０２　貫通孔
　６０３ａ、６０３ｂ、６０４ａ、６０４ｂ、６０６ａ、６０６ｂ、６０７ａ、６０７ｂ、６０９ａ、６０９ｂ　導体膜
　６０５、６０８　バイア

　以下、この発明に係るプリント配線板及びその製造方法を具体化した一実施形態について説明する。

　本発明の一実施形態に係るプリント配線板は、図１にその断面構造を示すように、大きくは、第１の基板１０と、第１の基板１０の表面にその主面が露出するように嵌入された第２の基板２０と、を備える。なお、このプリント配線板は、いわゆるリジット多層板である。また、このプリント配線板を構成する第１の基板１０及び第２の基板２０も、それぞれプリント配線板である。

　第１の基板１０は、例えば無機材料（例えば、ガラスクロス、シリカフィラー、ガラスフィラー）を含む非可撓性基材１０ａ（第１の基板１０のコア基板に相当）を備える。この非可撓性基材１０ａは、図１中に破線にて示すように、無機材料により、クロス層１０ｂを有している。また、第１の基板１０の表裏には、それぞれ導体（例えば銅）からなる配線層１１～１８が、パターニングされ、層間絶縁層を介して積層形成されている。

　第２の基板２０は、図２に一部を拡大して示すように、例えば無機材料（例えば、ガラスクロス、シリカフィラー、ガラスフィラー）を含む非可撓性基材２０ａを備える。この非可撓性基材２０ａは、第２の基板２０のコア基板に相当し、その厚みは、第１の基板１０のコア基板（非可撓性基材１０ａ）の厚みよりも小さく（薄く）なっており、図１中に破線にて示すように、無機材料により、クロス層２０ｂを有している。さらに、非可撓性基材２０ａの表裏には、絶縁材３１～３４、導体パターン（例えば銅パターン）からなる配線層２１～２６、及び各配線層間を電気的に接続する層間接続２１ａ、２１ｂ、２２ａ、２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂが形成されている。詳しくは、非可撓性基材２０ａの表裏に、配線層２１，２２が形成され、これら配線層２１，２２が、それぞれその上層との層間を絶縁する絶縁材３１，３２中の、例えば銅からなる層間接続２１ａ，２１ｂ，２２ａを介して、上層の配線層２３，２４に電気的に接続されている。さらに、配線層２３，２４は、その上層との層間を絶縁する絶縁材３３，３４中の、例えば銅からなる層間接続２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂを介して、上層の配線層２５，２６に電気的に接続されている。こうして、各配線層がそれぞれ互いに電気的に接続されている。また、非可撓性基材２０ａには、その表裏の導体パターンを接続する貫通接続２０ｃが、例えば銅等がスルーホールめっきされることにより、形成されている。さらに、基板主面の一方（ここでは絶縁材３４の表面）には、パッシベーション膜（保護膜）２６ａが設けられ、そのパッシベーション膜２６ａには、配線層２６（パッド）を選択的に露出させる窓が形成されている。そして、その窓には、接着層及び拡散バリア層からなるバッファ層２６ｂを介して配線層２６と電気的に接続されるような、バンプ金属２６ｃが形成されている。

　第２の基板２０は、第１の基板１０の窪み１００ａの中に配置され、第１の基板１０にフリップチップ実装されている。いわゆるフェイスダウンにより、第１の基板１０の回路上に設けられた端子（ランド）に、第２の基板２０のバンプ金属２６ｃが直接接合されている。こうして、第１の基板１０と第２の基板２０とが電気的に接続されている。こうした構造であれば、第１の基板１０と第２の基板２０とを、容易に電気的に接続することができる。

　第２の基板２０における単位厚さあたりの配線層数は、第１の基板１０における単位厚さあたりの配線層数よりも多くなっており、両者の同一厚さ領域における配線層数を比べると、第２の基板２０は、第１の基板１０よりも導体の存在密度が高くなっている。このように、当該プリント配線板では、第２の基板２０の導体により形成される配線層数が、第１の基板１０の、第２の基板２０と同一の厚さ領域における配線層数よりも多く形成されている。こうした構造であれば、容易に高密度導体領域を形成することができ、ひいては当該プリント配線板を部分的にファインピッチ化することも容易である。

　また、第２の基板２０の少なくとも一部の配線層（導体回路）の厚みは、第１の基板１０の導体回路の厚みと同じである。ただし、第２の基板２０の少なくとも一部の導体回路の厚みは、第１の基板１０の導体回路の厚みよりも薄くてもよい。

　第１の基板１０と第２の基板２０との間には、例えばＲＣＦ（Resin Coated copper Foil）（又はプリプレグ等でも可）からなる樹脂３０が充填されている。すなわち、第１の基板１０と第２の基板２０とは、互いに樹脂３０を介して物理的に接続し、接着（電気的には絶縁）されている。この樹脂３０は、絶縁材３１～３４を構成している樹脂と同一の材料からなっていてもよい。

　このように、第１の基板１０と第２の基板２０とが樹脂３０を介して接続されることで、第１の基板１０と第２の基板２０との密着力が向上する。また、充填された樹脂３０が緩衝材となり、外部から衝撃が加わった場合にも、第２の基板２０に衝撃が直接伝わらないため、第１の基板１０よりも配線密度の高い第２の基板２０の配線の接続信頼性を向上させることができる。また、別途作製した第２の基板２０を埋設することで、ビルドアップに伴う複雑な工程を簡素化することができる。さらに、第２の基板２０の絶縁層よりも第１の基板１０の絶縁層の方が剛性が高いため、第２の基板２０にかかる応力を緩和することができる。

　こうしたプリント配線板を製造する際には、例えば図３及び図４に示すように、単一の基板１００に相当数（例えば「３２個」程度）の第１の基板１０を、また単一の基板２００に相当数（例えば「９６個」程度）の第２の基板２０を、半導体プロセスによりそれぞれ作製する。

　具体的には、第１の基板１０及び第２の基板２０は、それぞれコア基板（非可撓性基材）１０ａ，２０ａの表裏に、絶縁層を介して配線層を順次積層していくことで、作製される。これら第１の基板１０及び第２の基板２０は、配線層数が異なるものの、基本的には、同様のプロセスで作製されるため、ここでは、第２の基板２０の作製工程についてのみ詳細を示して、第１の基板１０の作製工程についてはその詳細を割愛する。

　第２の基板２０の作製に際しては、例えば図５（ａ）に示すように、表裏に銅箔６０１ａ，６０１ｂを有する非可撓性基材２０ａを用意し、例えば図５（ｂ）に示すように、穴明け加工により、貫通孔６０２を形成する。その後、研磨し、例えば図５（ｃ）に示すように、ＰＮめっき（例えば化学銅めっき及び電気銅めっき）をすることにより、基板表裏の導体パターンを接続する貫通接続２０ｃを形成するとともに、非可撓性基材２０ａの表裏に、それぞれ例えば銅からなる導体膜６０３ａ，６０３ｂを成膜する。そして、それら導体膜６０３ａ，６０３ｂを、それぞれ例えば所定のフォトエッチング工程（例えば酸洗浄、レジストのラミネート、直描（露光）、現像、エッチング、剥膜など）によりパターニングして、例えば図５（ｄ）に示すように、配線層２１，２２を形成する。こうして、第２の基板２０の第１配線層が形成される。その後、画像チェッカー等による検査、さらには黒化処理をして、上層の第２配線層の形成を始める。

　第２配線層の形成に際しては、例えば図６（ａ）に示すように、上記第１配線層を形成した構造体の表裏に、それぞれ例えばプリプレグからなる絶縁材３１，３２、及び、例えば銅箔からなる導体膜６０４ａ，６０４ｂを配置する。そして、例えばハイドロプレス装置により、最外層の導体膜６０４ａ，６０４ｂに圧力を加えて、例えば図６（ｂ）に示すように、その構造体全体を加圧プレスする。

　次に、トリミング（端面カット及び刻印）、アライメント用の穴明け、ソフトエッチング、そしてレーザ前処理をして、例えば図６（ｃ）に示すように、レーザにより、バイア６０５を形成する。さらに、デスミア（スミア除去）、ソフトエッチをした後、例えば図６（ｄ）に示すように、ＰＮめっき（例えば化学銅めっき及び電気銅めっき）をすることにより、構造体の表裏に、それぞれ導体膜６０６ａ，６０６ｂを形成する。そして、この導体膜６０６ａ，６０６ｂの形成後、工程検査として、凹みの検査をする。

　続けて、導体膜６０６ａ，６０６ｂを、それぞれ例えば所定のフォトエッチング工程（例えば酸洗浄、レジストのラミネート、直描（露光）、現像、エッチング、剥膜など）によりパターニングして、例えば図６（ｅ）に示すように、配線層２３，２４を形成する。こうして、第２の基板２０の第２配線層も形成される。その後、画像チェッカー等による検査、さらには黒化処理をして、さらに上層の第３配線層の形成を始める。

　第３配線層の形成に際しては、例えば図７（ａ）に示すように、上記第１配線層及び第２配線層を形成した構造体の表裏に、それぞれ例えばプリプレグからなる絶縁材３３，３４、及び、例えば銅箔からなる導体膜６０７ａ，６０７ｂを配置する。そして、例えばハイドロプレス装置により、最外層の導体膜６０７ａ，６０７ｂに圧力を加えて、例えば図７（ｂ）に示すように、その構造体全体を加圧プレスする。

　次に、トリミング（端面カット及び刻印）、アライメント用の穴明け、ソフトエッチング、そしてレーザ前処理をして、例えば図７（ｃ）に示すように、レーザにより、バイア６０８を形成する。さらに、デスミア（スミア除去）、ソフトエッチをした後、例えば図７（ｄ）に示すように、ＰＮめっき（例えば化学銅めっき及び電気銅めっき）をすることにより、構造体の表裏に、それぞれ導体６０９ａ，６０９ｂを形成する。そして、この導体６０９ａ，６０９ｂの形成後、工程検査として、凹みの検査をする。

　続けて、導体膜６０９ａ，６０９ｂを、それぞれ例えば所定のフォトエッチング工程（例えば酸洗浄、レジストのラミネート、直描（露光）、現像、エッチング、剥膜など）によりパターニングして、例えば図７（ｅ）に示すように、配線層２５，２６を形成する。こうして、第２の基板２０の第３配線層も形成される。その後、画像チェッカー等による検査、さらには黒化処理をし、続けて絶縁材３４の表面に、パッシベーション膜２６ａを形成する。そして、そのパッシベーション膜２６ａに、配線層２６を選択的に露出させる窓を形成し、その窓に、バッファ層２６ｂ、さらにはバンプ金属２６ｃを形成する。こうして、先の図２に示したような第２の基板２０が完成する。

　第１の基板１０も、上記図５～図７に示した工程に準ずる工程により、非可撓性基材１０ａの表裏に、それぞれ層間絶縁層を介して配線層１１～１８を積層していくことで、作製することができる。

　上記のように第１の基板１０及び第２の基板２０を作製した後、基板１００及び基板２００に形成されたそれら基板１０，２０の全てについて良否を検査し、そのうち、いずれの基板が正常であり、いずれの基板が異常（不良）であるかを判別する。ここで不良と判断された基板１０，２０は、必要に応じて、廃棄する。なお、基板１０，２０の検査としては、例えば画像チェッカー等による検査などをする。さらにその後、基板１０，２０をそれぞれ黒化処理する。

　次に、図８に示すように、基板１００上の第１の基板１０を、例えばレーザにより切断（レーザカット）して、所定数（ここでは「１つ」）の第２の基板２０を収容（配置）するための窪み１００ａを形成する。この窪み１００ａは、第２の基板２０を配置した場合に位置決め可能な程度の隙間を有するような形状（例えば直方体状の中空空間）及び大きさとする。

　続けて、単一の基板２００から、上記検査により正常である旨判断された第２の基板２０を、図９に示すように、例えばレーザにより所定サイズのチップとして切り出し、例えば図１０及び図１１にそれぞれ平面図及び断面図として示すように、その第２の基板２０のチップを、窪み１００ａに収容する。そして、例えばはんだリフロー等により、両基板１０，２０を互いにフリップチップ接続する。この際、窪み１００ａが第２の基板２０の外形に対応した中空形状、すなわち第２の基板２０よりも所定の隙間Ｄ１，Ｄ２（それぞれ第２の基板２０を位置決めすることができる程度に小さい隙間）だけ大きい中空形状を有することで、第２の基板２０を所定の位置（窪み１００ａの位置）に位置決めすることができる。

　この第２の基板２０の設置により、第１の基板１０と第２の基板２０とは、略表面が一致する。しかしこれに限られず、第２の基板２０の表面は、露出さえしていれば、第１の基板１０の表面より高くなっていても低くなっていてもよい。

　そして、ディスペンサーを使用して、図１２に示すように、第１の基板１０と第２の基板２０との隙間Ｄ１，Ｄ２（図１０）に、樹脂３０を充填する。こうして、先の図１に示したようなプリント配線板が完成する。より詳しくは、図１３に示すように、第１の基板１０及び第２の基板２０の数に対応したプリント配線板が、単一の基板１００に複数形成される。すなわち、これらプリント配線板をそれぞれチップとして切り出すことで、各チップがそれぞれ製品となる。このような構造とすることにより、プリント配線板の配線層が減り、その結果、不要な導体接続部分が減るため、耐落下衝撃性が向上する。

　なお、上記一実施形態は、以下のように変更して実施してもよい。

　第１の基板１０又は第２の基板２０の少なくとも一方に、少なくとも１つの電子部品を電気的に接続するようにしてもよい。例えば図１４に示すように、ワイヤボンディングやフリップチップ実装等により、第１の基板１０又は第２の基板２０の表面に、例えばＬＰＳＲや金線等を介して、電子部品５０１，５０２を電気的に接続したり、図中の電子部品５０３のように、第２の基板２０の内部に、電子部品を設けたりすることができる。なお、電子部品の数は任意であり、第１の基板１０及び第２の基板２０の一方のみに接続するようにしてもよい。

　第１の基板よりも導体の存在密度が高い第２の基板は、単位厚さあたりの配線層数が第１の基板よりも多いものに限定されない。例えば図１５に示すように、両基板で、単位厚さあたりの配線層数が同一でも、単位層間絶縁層あたりのバイア数が、第１の基板１０よりも第２の基板２０の方が多い構造としてもよい。なお、バイアは、層間絶縁層中に形成されて、下層配線層及び上層配線層を電気的に接続するための穴（層間接続用の穴）であり、ＩＶＨのほかに、例えばめっきスルーホール、めっきマイクロバイア、導電性ペースト接続穴などを採用することができる。さらに、上記配線層数及びバイア数がいずれも同一である場合であっても、例えば図１６に示すように、第２の基板２０における絶縁層上の導体の存在密度を、第１の基板１０における絶縁層上の導体の存在密度よりも大きくすることができる。なお、第２の基板２０のコア基板の厚みは、第１の基板１０の厚みと同等に設定してもよい（例えば図１５参照）。また、図１７に示すように、第１の基板１０及び第２の基板２０は、コア表裏面の一方のみに導体（配線層）を有するものであってもよい。

　上記実施形態では、第１の基板１０と第２の基板２０とを、フリップチップ接続により電気的に接続するようにした。これら両基板を互いにフリップチップ接続することにより、第２の基板２０の導体密度が高くなった場合でも、第１の基板１０と第２の基板２０とを電気的に接続することができる。しかし、これに限られず、両基板の接続方法は任意である。例えば図１８に示すように、ワイヤボンディングで両基板を電気的に接続するようにしてもよい。また、例えば図１９に示すように、上層までビルドアップしていき、バイアで両基板を電気的に接続するようにしてもよい。バイアで接続した場合には、電気的な接続が良好で、かつ耐衝撃性の高い接続部を形成することができる。また、例えば図２０に示すように、断面スルーホールで両基板を電気的に接続するようにしてもよい。また、例えば図２１に示すように、スプリングを介して、第１の基板１０及び第２の基板２０にそれぞれ形成されたパッド同士を接触させることで、両基板を電気的に接続するようにしてもよい。あるいは、図２２に示すように、コネクタにより、両基板を電気的に接続するようにしてもよい。なお、第２の基板と窪みとの隙間の樹脂は、必要がない場合には、割愛してもよい（例えば図２１参照）。

　さらに、両基板を電気的に接続する電極や配線の材質等も、任意である。例えばＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）接続、又はＡｕ－Ａｕ接続により、両基板を互いに電気的に接続するようにしてもよい。ＡＣＦ接続では、接続するための第１の基板１０と第２の基板２０の位置合わせを容易にすることができる。また、Ａｕ－Ａｕ接続では、腐食に強い接続部を形成することができる。

　１つの第１の基板の表面に、複数の第２の基板を配置するようにしてもよい。例えば図２３に示すように、１つの第１の基板１０（低導体密度の基板）に、２つの第２の基板２０１，２０２（高導体密度の基板）を配置するようにしてもよい。あるいは図２４に示すように、１つの窪み１００ａに複数の第２の基板（この例では基板２０１，２０２の２つ）を収容するようにしてもよい。

　上記実施形態では、第１の基板１０の表面と第２の基板２０の表面とが、同等の高さになるように、両基板を接続するようにしたが、これに限られず、図２５に示すように、第２の基板２０１の表面が第１の基板１０の表面よりも高くなる（突出する）ようにしても、あるいは第２の基板２０２の表面が第１の基板１０の表面よりも低くなる（凹む）ようにしてもよい。

　さらに、図２６に示すように、第１の基板１０（低導体密度の基板）の表面に形成した窪み１００ａ内に、高導体密度の基板２０１を配置し、この基板２０１と、基板２０１に埋設した第２の基板２０２と組み合わせて、１つのプリント配線板を形成するようにしてもよい。こうした構造であれば、基板表面にも、基板内部にも、容易に高密度導体領域を形成することができる。

　第１の基板１０及び第２の基板２０の材料は任意である。これら基板１０，２０は、互いに同一の材料からなるものであっても、異なる材料からなるものであってもよい。

　第２の基板の形状、位置、及びその位置での姿勢なども、任意である。例えば図２７に示すように、第１の基板１０（低導体密度の基板）に、第２の基板２０１（高導体密度の基板）を傾斜させるようにしてもよい。また、第２の基板に凹凸を設けたり、第２の基板自体をＶ字に形成したりしてもよい。

　例えば図２８に示すように、第２の基板２０１の主面の一部を、第１の基板１０の主面ではなく、第１の基板１０の側面に露出させるように、第２の基板２０１を第１の基板１０に嵌入するようにしてもよい。

　上記実施形態では、第１の基板１０及び第２の基板２０の検査後に窪み１００ａを形成するようにしたが、窪み１００ａを形成してから、各基板を検査するようにしてもよい。

　窪み１００ａの形状及び大きさは、任意である。ただし、第２の基板２０の位置決めをする上では、第２の基板２０に対応した形状及び大きさが好ましい。

　窪みの形成は、レーザやエッチング等によりその空間に対応した部分を除去する方法に限られず、例えば図２９（ａ）に示すように、基板３１０上に予め犠牲材３１１を設けた状態で、図２９（ｂ）に示すように、多層膜３１２（この例では多層だが１層でも可）を成膜し、図２９（ｃ）に示すように、その成膜後に犠牲材３１１を選択エッチング等により除去することにより、窪み３１２ａを形成するようにしてもよい。

　以上、本発明の実施形態について説明したが、設計上の都合やその他の要因によって必要となる様々な修正や組み合わせは、「請求項」に記載されている発明や「発明の実施の形態」に記載されている具体例に対応する発明の範囲に含まれると理解されるべきである。

　本出願は、２００８年５月２３日に出願された米国特許仮出願第６１／０７１９０９号に基づく。本明細書中に、米国特許仮出願第６１／０７１９０９号の明細書、特許請求の範囲、図面全体を参照として取り込む。

　本発明は、電子デバイス等のプリント配線板に適用可能である。

Claims

　導体が形成された第１の基板と、該第１の基板よりも、導体の存在密度が高い少なくとも１つの第２の基板と、を備え、
　前記第２の基板の主面の少なくとも一部が、前記第１の基板の表面に露出するように、前記第２の基板が前記第１の基板に嵌入されているとともに、
　前記第１の基板の導体と前記第２の基板の導体とは、電気的に接続されてなる、
　ことを特徴とするプリント配線板。
　前記第２の基板の導体により形成される配線層数は、前記第１の基板の、前記第２の基板と同一の厚さ領域における配線層数よりも多く形成されている、
　ことを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
　前記第１の基板及び前記第２の基板は、それぞれ絶縁層を有し、
　前記第２の基板における絶縁層上の導体の存在密度は、前記第１の基板における絶縁層上の導体の存在密度よりも高く形成されている、
　ことを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
　前記第１の基板及び前記第２の基板は、層間絶縁層中のバイアを介して電気的に接続される下層配線層及び上層配線層を有し、
　前記第２の基板における単位層間絶縁層あたりのバイア数が、前記第１の基板における単位層間絶縁層あたりのバイア数よりも大きい、
　ことを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
　前記第１の基板及び前記第２の基板が、互いにフリップチップ接続により電気的に接続されている、
　ことを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
　前記第１の基板及び前記第２の基板が、離間して配置されており、
　前記第１の基板と前記第２の基板との間の隙間には、少なくとも一部に樹脂が存在する、
　ことを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
　前記第１の基板又は前記第２の基板の少なくとも一方は、無機材料を含む絶縁層を有する、
　ことを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
　前記第１の基板の絶縁層又は前記第２の基板の絶縁層の少なくとも一方は、前記無機材料により、少なくとも１つのクロス層を有している、
　ことを特徴とする請求項７に記載のプリント配線板。
　前記第１の基板の無機材料を含む絶縁層の層数は、前記第２の基板の無機材料を含む絶縁層の層数よりも多い、
　ことを特徴とする請求項７に記載のプリント配線板。
　前記第２の基板の少なくとも一部の導体の厚みは、前記第１の基板の導体の厚み以下である、
　ことを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
　前記第１の基板又は前記第２の基板の少なくとも一方に、少なくとも１つの電子部品が電気的に接続されている、
　ことを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
　前記第２の基板に、少なくとも１つの電子部品が、電気的に接続されている、
　ことを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
　導体を有する第１の基板を作製する第１の工程と、
　単一の基板に、導体を有する相当数の第２の基板を作製する第２の工程と、
　前記第１の工程により作製された第１の基板に、窪みを形成する第３の工程と、
　前記第３の工程により形成された窪みに、前記第２の基板のうちの１つ又は２以上を配置する第４の工程と、
　前記第１の基板の導体と前記第２の基板の導体とを、電気的に接続する第５の工程と、
　を備える、
　ことを特徴とするプリント配線板の製造方法。
　前記第４の工程に先立ち、前記第１の工程により作製された第１の基板と前記第２の工程により作製された第２の基板とについて、それぞれ良否を検査する基板検査工程を備え、
　前記第４の工程では、前記基板検査工程により正常である旨判断された第１の基板の前記窪みに、前記基板検査工程により正常である旨判断された第２の基板のうちの１つ又は２以上を配置する、
　ことを特徴とする請求項１３に記載のプリント配線板の製造方法。
　前記第３の工程では、前記第２の基板を配置した場合に位置決め可能な程度の隙間を有する窪みを形成する、
　ことを特徴とする請求項１３に記載のプリント配線板の製造方法。