WO2009107250A1 - 常温接合装置 - Google Patents

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WO2009107250A1
WO2009107250A1 PCT/JP2008/054344 JP2008054344W WO2009107250A1 WO 2009107250 A1 WO2009107250 A1 WO 2009107250A1 JP 2008054344 W JP2008054344 W JP 2008054344W WO 2009107250 A1 WO2009107250 A1 WO 2009107250A1
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cassette
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room temperature
sample stage
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武志 津野
後藤 崇之
雅人 木ノ内
田原 諭
淳 内海
陽一郎 津村
健介 井手
毅典 鈴木
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三菱重工業株式会社
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    • Y10T156/1702For plural parts or plural areas of single part
    • Y10T156/1744Means bringing discrete articles into assembled relationship

Definitions

  • the present invention relates to a room temperature bonding apparatus, and more particularly to a room temperature bonding apparatus that produces a large amount of products using room temperature bonding. Note that this application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2008-0505551, and the disclosure of Japanese Application No. 2008-0050551 is incorporated herein by reference.
  • MEMS that integrates fine electrical parts and mechanical parts is known.
  • the MEMS include a micro relay, a pressure sensor, and an acceleration sensor.
  • the MEMS is desired to be manufactured using room temperature bonding that has high bonding strength and does not require pressing or heat treatment with a load.
  • the room-temperature bonding apparatus is desired to be used for mass production of products, is desired to have a long life, and is desired to be more compact. Further, the room temperature bonding apparatus is desired to be easy to use when a large amount of products are produced, and is desired to have a large production amount per unit time.
  • a room temperature bonding method in which a plurality of devices are formed on a bonding substrate by bonding two substrates on which a plurality of patterns are formed to the bonding substrate.
  • it is desired to improve the yield of the plurality of devices, and it is desirable to apply a load more uniformly to the bonding surfaces.
  • Japanese Patent No. 2791429 discloses a method for bonding silicon wafers that has a large bonding strength and does not require pressing or heating treatment under load.
  • the room temperature bonding method for silicon wafers is a method for bonding silicon wafers to each other, and the bonding surfaces of both silicon wafers are inert gas ion beam or inert gas high speed in vacuum at room temperature prior to bonding. Sputter etching is performed by irradiation with an atomic beam.
  • Japanese Patent Laid-Open No. 2001-351892 discloses a mounting method in which the joining method is more conveniently adapted to an actual mounting process that requires mass production, and the tact time of the entire mounting process is shortened.
  • the mounting method is a mounting method in which a plurality of objects to be bonded are bonded to each other, and a cleaning process in which the surface of each bonded object is cleaned by irradiating energy waves, and the cleaned object to be bonded in the mounting process. It has the conveyance process which conveys, and the mounting process which carries out normal temperature joining of the cleaned surfaces of each to-be-joined object conveyed.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-318219 discloses that the bonded surface can be efficiently and uniformly cleaned with energy waves or energy particles, and also has a problem of impurity adhesion due to etching of the opposite chamber wall surface when cleaning in the chamber.
  • An implementation method that can be avoided is disclosed.
  • the mounting method irradiates energy waves or energy particles with a single irradiation means in the gap formed between both objects to be bonded, and substantially simultaneously cleans the bonding surfaces of both objects to be bonded. It is characterized in that at least one of the objects to be bonded is rotated during cleaning, and the objects to be bonded are bonded together after aligning the relative positions of the cleaned objects to be bonded.
  • the room temperature bonding apparatus includes a bonding chamber that generates a vacuum atmosphere for room temperature bonding of the upper substrate and the lower substrate, and an upper stage that is installed inside the bonding chamber and supports the upper substrate in the vacuum atmosphere.
  • the upper stage is moved when the lower substrate and the upper substrate are pressed against each other. It has and a carriage support table that supports the carriage in a direction.
  • the elastic guide supports the carriage so that the carriage does not contact the carriage support when the lower substrate does not contact the upper substrate, and the lower substrate and the upper substrate are pressed against each other. Sometimes the carriage is elastically deformed so as to contact the carriage support.
  • Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2002-064042 discloses a mounting method that can finally obtain a highly accurate and highly reliable bonding state.
  • the mounting method is a mounting method in which a plurality of objects to be bonded are bonded to each other, and the first object to be bonded, the second object to be bonded, a holding unit thereof, and a backup member having a positioning reference surface.
  • the second object to be joined or the holding means thereof is adjusted in parallel to the positioning reference surface of the backup member, and the first object to be joined or the second object to be held by the holding means.
  • the parallelism with respect to the holding means is adjusted, the first object to be bonded is brought into contact with the second object to be bonded, and both the objects to be bonded are temporarily bonded, and then the second object holding means is used as a backup member.
  • the positioning reference surface is brought into contact with each other, and both the objects to be joined are pressurized to perform the main joining.
  • An object of the present invention is to provide a room temperature bonding apparatus that bonds a substrate more reliably at room temperature. Another object of the present invention is to provide a room temperature bonding apparatus that applies a larger load more uniformly to the bonding surfaces to be bonded. Still another object of the present invention is to provide a room temperature bonding apparatus having a longer life. Still another object of the present invention is to provide a room temperature bonding apparatus that is more compact. Still another object of the present invention is to provide a room temperature bonding apparatus that performs room temperature bonding at a lower cost. Still another object of the present invention is to provide a room temperature bonding apparatus that increases the production amount of a product per unit time.
  • the first sample stage holding the first substrate is supported on the first stage, the angle adjusting mechanism for supporting the change of the orientation of the first sample stage, and the first stage is driven in the first direction.
  • the first driving device, the second driving device for driving the second sample stage holding the second substrate in a second direction not parallel to the first direction, and the second substrate and the first substrate are pressed against each other.
  • the room temperature bonding apparatus can reduce the load applied to the second driving device when the first substrate and the second substrate are pressed together, and a larger load exceeding the load resistance of the second driving device can be applied. It can be added to the first substrate and the second substrate.
  • the room temperature bonding apparatus further includes an angle adjustment mechanism so that a first surface of the first substrate facing the second substrate and a second surface of the second substrate facing the first substrate are in parallel contact with each other. Can be used to change the orientation of the first substrate, and the large load can be uniformly applied to the joint surface.
  • the angle adjustment mechanism includes a spherical flange fixed to the first sample stage, a spherical seat fixed to the first stage, and a fixed flange that fixes the spherical flange to the spherical seat by caulking the spherical flange. It is preferable.
  • the angle adjustment mechanism includes a plurality of shims, and a fastening part that joins the first stage and the first sample stage by sandwiching some of the plurality of shims between the first stage and the first sample stage.
  • a fastening part that joins the first stage and the first sample stage by sandwiching some of the plurality of shims between the first stage and the first sample stage.
  • the angle adjustment mechanism includes a plurality of elements that are expanded and contracted by an electrical signal, and a fastening part that joins one end of each of the plurality of elements to the first sample stage and joins the other end of each of the elements to the first stage. Preferably it is.
  • the angle adjustment mechanism further includes a sensor that measures the orientation of the surface of the first sample stage facing the second substrate, and a control device that controls a plurality of elements based on the measured orientation of the surface. I have. At this time, the control device controls the plurality of elements so that the measured surface is parallel to the reference plane.
  • the reference surface the surface of the carriage support table that faces the second sample table, the surface of the second sample table that holds the second substrate, and the first substrate of the second substrate are joined. A surface is illustrated.
  • the room temperature bonding apparatus is preferable because it can correct the orientation of the first sample stage without opening the bonding chamber to the atmosphere, for example.
  • the room temperature bonding apparatus further includes a mechanical lock mechanism for mechanically fixing a cartridge for fixing the second substrate to the second sample stage. At this time, the room temperature bonding apparatus can hold the second substrate without using electromagnetic force, and is effective when the second substrate dislikes electromagnetic force.
  • the room temperature bonding apparatus preferably further includes a coil for fixing the cartridge for fixing the second substrate to the second sample stage using magnetic force.
  • the room-temperature bonding apparatus further includes a light source that emits light, and a camera that captures an image based on the reflected light of the light that reflects the alignment mark patterned on the first substrate or the second substrate. ing.
  • the carriage support base is formed with an observation window through which the light and the reflected light are transmitted.
  • the room-temperature bonding apparatus drives the second sample base based on the image, so that the first substrate and the second substrate are bonded to each other at room temperature as designed. Can be aligned.
  • a room temperature bonding apparatus includes a bonding chamber in which a first sample stage and a second sample stage are arranged, and a gas evacuating gas from the inside of the bonding chamber through an exhaust port formed in the bonding chamber.
  • a vacuum pump for generating a vacuum atmosphere inside the first substrate, and a first surface of the first substrate facing the second substrate and a second surface of the second substrate facing the first substrate are separated from each other.
  • Such a room temperature bonding apparatus prevents the vacuum pump from being contaminated and extends its life.
  • a room temperature bonding apparatus includes a bonding chamber in which a first sample table and a second sample table are arranged, a gate valve that opens and closes between the load lock chamber and the bonding chamber, and a first valve through the gate valve.
  • a transfer apparatus for transferring one substrate and its second substrate from the load lock chamber to the bonding chamber, and when the first surface and the second surface are separated from each other, the particles emitted from one place are in a vacuum atmosphere.
  • a surface cleaning device for irradiating between the first surface and the second surface. The center line of the particle beam is directed to a region of the inner surface of the bonding chamber excluding the gate valve.
  • the room temperature bonding apparatus further includes a plurality of cassette chambers that can be decompressed independently of each other.
  • the transfer device transfers the first substrate from the first cassette chamber of the plurality of cassette chambers to the bonding chamber, and transfers the second substrate from the second cassette chamber of the plurality of cassette chambers to the bonding chamber. Then, the bonded substrate in which the second substrate and the first substrate are bonded at room temperature is transferred from the bonding chamber to one of the plurality of cassette chambers.
  • Such a room temperature bonding apparatus can set a plurality of substrates separately in the cassette chamber at different timings.
  • the room temperature bonding apparatus further includes a plurality of cassettes arranged so as to be able to be taken in and out of the plurality of cassette chambers.
  • Each of the plurality of cassettes is formed with a plurality of shelves on which the second substrate, the first substrate, or the bonding substrate is arranged.
  • Such a room temperature bonding apparatus can put a plurality of sets of the two substrates into the cassette chamber together with the cassette, and the bonded substrate together with the cassette in the next process (step of dicing or etching or further bonding the substrates). Can be transported.
  • Such a room temperature bonding apparatus can shorten the tact time, is highly efficient, has a large production amount per unit time, and is suitable for mass production.
  • the room temperature bonding apparatus further includes an elastic guide bonded to the second sample stage in the same body.
  • the second driving device supports the elastic guide and drives the second sample stage by driving the elastic guide.
  • the elastic guide In the elastic guide, the first substrate and the second substrate are pressed against each other so that the second sample table does not contact the carriage support when the first substrate and the second substrate are not in contact with each other. It is preferable that the second sample table is elastically deformed so that the second sample table comes into contact with the carriage support table.
  • the second sample table slides on the carriage support table and moves in the second direction.
  • the room-temperature bonding apparatus includes a first driving device that drives a first stage that supports a first sample stage holding a first substrate in a first direction, and a second sample stage that holds a second substrate.
  • a second driving device that drives in a second direction that is not parallel to one direction, and a carriage support that supports the second sample stage in the first direction when the second substrate and the first substrate are pressed against each other.
  • a mechanical lock mechanism for mechanically fixing a cartridge for fixing the second substrate to the second sample stage.
  • the room-temperature bonding apparatus can further support the second substrate on the second sample stage in a detachable manner without applying electromagnetic force to the second substrate. For this reason, the room temperature bonding apparatus can apply a large load to a substrate to which no electromagnetic force can be applied.
  • a room temperature bonding apparatus includes a bonding chamber in which a first sample stage and a second sample stage are arranged, and a gas evacuating gas from the inside of the bonding chamber through an exhaust port formed in the bonding chamber.
  • a vacuum pump for generating a vacuum atmosphere inside, a gate valve for opening and closing between the load lock chamber and the bonding chamber, and the first substrate and the second substrate from the load lock chamber to the bonding chamber via the gate valve.
  • a surface cleaning device is further provided for irradiating particles emitted from one location between the first surface and the second surface in the vacuum atmosphere.
  • the center line of the particle beam is directed to a region of the inner surface of the bonding chamber excluding the exhaust port and the gate valve.
  • the room-temperature bonding apparatus includes a first driving device that drives a first stage that supports a first sample stage holding a first substrate in a first direction, and a second sample stage that holds a second substrate.
  • a second driving device that drives in a second direction that is not parallel to one direction, and a carriage support that supports the second sample stage in the first direction when the second substrate and the first substrate are pressed against each other.
  • a light source that emits light, and a camera that captures an image based on the reflected light of the light that reflects the alignment mark patterned on the first substrate or the second substrate.
  • the carriage support base is formed with an observation window through which the light and the reflected light are transmitted.
  • the room temperature bonding apparatus can reduce the load applied to the second driving device when the first substrate and the second substrate are pressed together, and a larger load exceeding the load resistance of the second driving device can be applied. It can be added to the first substrate and the second substrate.
  • the room-temperature bonding apparatus further drives the second sample base based on the image to connect the first substrate and the second substrate so that the first substrate and the second substrate are bonded at room temperature as designed. Can be aligned.
  • a room temperature bonding apparatus includes a bonding chamber in which a first sample stage and a second sample stage are arranged, and a gas evacuating gas from the inside of the bonding chamber through an exhaust port formed in the bonding chamber.
  • a vacuum pump for generating a vacuum atmosphere inside, a gate valve for opening and closing between the load lock chamber and the bonding chamber, and the first substrate and the second substrate from the load lock chamber to the bonding chamber via the gate valve.
  • the center line of the particle beam is directed to a region of the inner surface of the bonding chamber excluding the exhaust port and the gate valve.
  • the room temperature bonding apparatus can reduce the load applied to the second driving device when the first substrate and the second substrate are pressed together, and a larger load exceeding the load resistance of the second driving device can be applied. It can be added to the first substrate and the second substrate. Such a room temperature bonding apparatus further prevents the contamination of the vacuum pump and the gate valve, thereby extending the life.
  • the room temperature bonding apparatus can reduce the load applied to the second driving device when the first substrate and the second substrate are pressed together, and can apply a larger load exceeding the load resistance of the second driving device. It can be added to the first substrate and the second substrate.
  • the room temperature bonding apparatus according to the present invention can further apply a larger load more uniformly to the bonding surface between the first substrate and the second substrate.
  • FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a room temperature bonding apparatus according to the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an embodiment of a room temperature bonding apparatus according to the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing the angle adjustment mechanism.
  • FIG. 4 is a perspective view showing the angle adjustment mechanism.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing the lower substrate support.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing the substrate held by the lower substrate support.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing the cartridge.
  • FIG. 8 is a plan view showing the lower sample stage.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing the alignment apparatus.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing the gate valve.
  • FIG. 11 is a perspective view showing a claw of the transport device.
  • FIG. 12 is a perspective view showing the claw of the transfer apparatus that holds the substrate.
  • FIG. 13 is a perspective view showing the cassette.
  • FIG. 14 is a perspective view showing a cassette in which substrates are arranged.
  • FIG. 15 is a flowchart showing the operation of room-temperature bonding of substrates using the room-temperature bonding apparatus according to the present invention.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing another embodiment of the room temperature bonding apparatus according to the present invention.
  • FIG. 17 is a flowchart showing an operation of continuously manufacturing a room temperature bonding substrate using the room temperature bonding apparatus according to the present invention.
  • FIG. 18 is a flowchart showing an operation for continuously producing a room-temperature bonded substrate using the room-temperature bonding apparatus according to the present invention.
  • FIG. 19 is a flowchart showing an operation of continuously manufacturing a room-temperature bonded substrate using the room-temperature bonding apparatus according to the present invention.
  • FIG. 20 is a side view showing another angle adjustment mechanism.
  • FIG. 21 is a side view showing still another angle adjustment mechanism.
  • FIG. 22 is a plan view showing still another angle adjustment mechanism.
  • FIG. 23 is a side view showing still another angle adjustment mechanism.
  • FIG. 24 is a plan view showing still another angle adjustment mechanism.
  • FIG. 25 is a side view showing another sample stage.
  • FIG. 26 is a side view showing still another sample stage.
  • the room-temperature bonding apparatus 1 includes a bonding chamber 2 and a load lock chamber 3 as shown in FIG.
  • the joining chamber 2 and the load lock chamber 3 are formed in a container that seals the inside from the environment.
  • the room temperature bonding apparatus 1 further includes a gate valve 5.
  • the gate valve 5 is interposed between the bonding chamber 2 and the load lock chamber 3, and closes or opens a gate connecting the inside of the bonding chamber 2 and the load lock chamber 3.
  • the load lock chamber 3 includes a first cassette table 6, a second cassette table 7, and a transfer device 8 inside.
  • the first cassette base 6 and the second cassette base 7 are arranged with cassettes used for placing the substrates.
  • the load lock chamber 3 may be provided with three or more such cassette stands.
  • the load lock chamber 3 further includes a vacuum pump and a lid (not shown).
  • the vacuum pump exhausts gas from the inside of the load lock chamber 3.
  • An example of the vacuum pump is a turbo molecular pump that exhausts gas blades by blowing a plurality of metal blades inside.
  • the lid closes or opens the gate connecting the outside and the inside of the load lock chamber 3.
  • the size of the gate is larger than the cassettes arranged on the first cassette table 6 and the second cassette table 7.
  • the transfer device 8 includes a first arm 15, a second arm 16, a third arm 17, a first node 18, a second node 19, and a third node 20.
  • the first arm 15, the second arm 16, and the third arm 17 are each formed in a bar shape.
  • the first section 18 is supported by the floor plate of the load lock chamber 3 and supports the first arm 15 so as to be rotatable about the rotation shaft 22.
  • the rotating shaft 22 is parallel to the vertical direction.
  • the second joint 19 is supported by the first joint 18 and supports the second arm 16 so as to be rotatable about the rotation shaft 23.
  • the rotating shaft 23 is parallel to the vertical direction, that is, parallel to the rotating shaft 22.
  • the third joint 20 is supported by the second joint 19 and supports the third arm 17 so as to be rotatable about the rotation shaft 24.
  • the rotating shaft 24 is parallel to the vertical direction, that is, parallel to the rotating shaft 23.
  • the third arm 17 includes a claw 21 at the end opposite to the end joined to the third joint 20.
  • claw 21 is utilized in order to hold
  • the transport device 8 further includes an elevating mechanism and a telescopic mechanism that are not shown.
  • the raising / lowering mechanism raises / lowers the first arm 15 and raises / lowers the substrate held by the claw 21 by a user operation.
  • the telescopic mechanism controls the first joint 18, the second joint 19, and the third joint 20 to translate the third arm 17 parallel to the longitudinal direction of the third arm 17.
  • the transfer device 8 transfers the substrate from the load lock chamber 3 to the bonding chamber 2 via the gate valve 5 and transfers the substrate from the bonding chamber 2 to the load lock chamber 3 via the gate valve 5.
  • the bonding chamber 2 includes a vacuum pump 31, an ion gun 32, and an electron gun 33.
  • the joining chamber 2 has an exhaust port 35 formed in a part of a wall 34 forming a container.
  • the vacuum pump 31 is disposed outside the bonding chamber 2 and exhausts gas from the inside of the bonding chamber 2 through the exhaust port 35. Examples of the vacuum pump 31 include a turbo molecular pump that exhausts gas blades by blowing a plurality of metal blades inside.
  • the ion gun 32 is arranged facing one irradiation direction 36 and emits charged particles accelerated toward the irradiation direction 36. Argon ions are exemplified as the charged particles.
  • the ion gun 32 can be replaced with another surface cleaning device that cleans the surface of the substrate. Examples of the surface cleaning apparatus include a plasma gun and a fast atom beam source.
  • the electron gun 33 is arranged so as to be directed to a target irradiated with charged particles by the ion gun 32, and emits electrons
  • the wall 34 is partially formed with a door 37.
  • the door 37 includes a hinge 38.
  • the hinge 38 supports the door 37 so as to be rotatable with respect to the wall 34.
  • the wall 34 further has a window 39 formed in a part thereof.
  • the window 39 is formed of a material that transmits visible light without transmitting gas.
  • the window 39 may be anywhere on the wall 34 as long as the user can be irradiated with the charged particles by the ion gun 32 or the bonding state can be seen from the outside of the bonding chamber 2.
  • the bonding chamber 2 further includes an upper substrate support portion 41 and a lower substrate support portion 42 therein.
  • the upper substrate support unit 41 includes an upper stage 11, an angle adjustment mechanism 12, an upper sample stage 13, and an upper stage driving device 14.
  • the upper stage 11 is supported so as to be movable in the vertical direction with respect to the bonding chamber 2.
  • the angle adjustment mechanism 12 supports the upper sample stage 13 on the upper stage 11 so that the direction can be changed.
  • the upper sample stage 13 includes a dielectric layer at the lower end, applies a voltage between the dielectric layer and the substrate, and adsorbs the substrate to the dielectric layer by electrostatic force.
  • the upper stage driving device 14 translates the upper stage 11 with respect to the bonding chamber 2 in the vertical direction by a user operation.
  • the lower substrate support part 42 supports the substrate at the upper end.
  • the ion gun 32 is configured such that when the substrate supported by the upper substrate support portion 41 and the substrate supported by the lower substrate support portion 42 are separated from each other, the substrate supported by the upper substrate support portion 41 and the lower substrate support It is directed to the space between the substrate supported by the portion 42 and directed to the inner surface of a part of the wall 34 of the bonding chamber 2. That is, the irradiation direction 36 of the ion gun 32 passes between the substrate supported by the upper substrate support portion 41 and the substrate supported by the lower substrate support portion 42, and part of the inner surface of the wall 34 of the bonding chamber 2. Intersect.
  • FIG. 3 shows the angle adjustment mechanism 12.
  • the angle adjustment mechanism 12 includes a spherical flange 26, a fixed flange 27, and a spherical seat 28.
  • the spherical flange 26 is formed of a support portion and a flange portion. The support portion is joined to the upper sample stage 13. The flange portion is formed in a sphere centered on the point 29.
  • the fixing flange 27 is joined to the flange portion of the spherical flange 26 by caulking.
  • the ball seat 28 has a ball seat surface that is in close contact with the flange portion of the ball flange 26.
  • the ball seat 28 is further joined to the upper stage 11 and joined to the fixed flange 27 by a fastener exemplified by a bolt so that the ball seat surface is in close contact with the flange portion of the ball flange 26.
  • FIG. 4 shows the fixing flange 27.
  • the fixed flange 27 includes split rings 29-1 to 29-2. Each of the split rings 29-1 to 29-2 is formed in a part of the ring.
  • the split rings 29-1 to 29-2 are arranged so that the inner side of the ring contacts the flange portion of the spherical flange 26, and are joined to the flange portion of the spherical flange 26 by fastening with a bolt (not shown). Is done.
  • FIG. 5 shows the lower substrate support 42 in detail.
  • the lower substrate support part 42 includes a positioning stage 44, a carriage support base 45, a lower sample base 46, and an elastic guide 47.
  • the positioning stage 44 is supported on the bottom plate 48 of the bonding chamber 2.
  • the carriage support 45 is formed in, for example, a cylindrical shape and is supported by the bottom plate 48 of the joining chamber 2.
  • the carriage support 45 has a smooth support surface 52 at the upper end of its cylinder.
  • the support surface 52 is perpendicular to the vertical direction.
  • the lower sample stage 46 is formed in a cylindrical shape, for example.
  • the lower sample stage 46 has a smooth support surface 54 at the lower end of the cylinder.
  • the surface on the opposite side of the support surface 54 of the lower sample stage 46 is processed with high accuracy (for example, the parallelism is within 10 ⁇ m) so as to be parallel to the support surface 54.
  • the elastic guide 47 is formed of an elastic body, and is joined to the side surface of the lower sample stage 46 in the same body.
  • the positioning stage 44 supports the elastic guide 47 so that the support surface 54 of the lower sample stage 46 does not come into contact with the support surface 52 of the carriage support base 45 so that the elastic guide 47 can be translated in the horizontal direction. At this time, the support surface 54 and the support surface 52 are about 100 ⁇ m apart.
  • the support surface 54 of the lower sample table 46 contacts the support surface 52 of the carriage support table 45 when the lower sample table 46 is pushed vertically downward by the upper substrate support unit 41. It is elastically deformed. Further, the positioning stage 44 translates the elastic guide 47 in the direction parallel to the horizontal direction by the user's operation, and rotates the elastic guide 47 around the rotation axis parallel to the vertical direction.
  • the lower substrate support part 42 is configured such that when the lower sample stage 46 is pushed vertically downward by the upper substrate support part 41, the pressing load is applied to the elastic guide that supports the lower sample stage 46.
  • the carriage support base 45 supports the lower sample base 46. For this reason, the room temperature bonding apparatus 1 applies the load resistance of the positioning stage 44 to the substrate set on the upper substrate support portion 41 and the substrate set on the lower substrate support portion 42 without applying a large load to the positioning stage 44. Larger loads than can be applied.
  • the lower substrate support part 42 can replace the positioning stage 44 and the elastic guide 47 with another positioning mechanism.
  • the carriage support table 45 supports the lower sample table 46 with the support surface 52 coming into contact with the support surface 54 of the lower sample table 46.
  • the positioning mechanism translates the lower sample stage 46 in a direction parallel to the horizontal direction and rotates the lower sample stage 46 about a rotation axis parallel to the vertical direction by a user operation.
  • the lower sample stage 46 slides on the support surface 52 of the carriage support base 45 and moves.
  • FIG. 6 shows the substrate held on the lower sample stage 46.
  • the substrate 43 is bonded to the cartridge 55.
  • FIG. 7 shows the cartridge 55.
  • the cartridge 55 is formed in a substantially disk shape, and has an adhesive surface 56 and a plurality of holes 57.
  • the adhesion surface 57 is formed flat.
  • the substrate 43 is fixed to the adhesive surface 57 of the cartridge 55 using a wafer tape (not shown).
  • the plurality of holes 57 are formed outside the bonding surface 57.
  • FIG. 8 shows the lower sample stage 46.
  • the lower sample stage 46 holds the substrate 43 by holding the cartridge 55 with a mechanical lock mechanism.
  • the lower sample stage 46 is formed in a generally disc shape and includes a plurality of pins 58 and cams 59.
  • Each of the plurality of pins 58 is formed in a bar shape and is supported by the lower sample stage 46 so as to be movable in the radial direction of the disk of the lower sample stage 46.
  • the cam 59 is disposed in the center of the disk of the lower sample stage 46 and is driven by a rotation mechanism (for example, a motor) (not shown) to drive the plurality of pins 58 outward. That is, the lower sample stage 46 fixes the substrate 43 by arranging the substrate 43 so that the plurality of pins 58 enter the plurality of holes 57 of the cartridge 55 and rotating the cam 59 by a user operation.
  • the substrate held on the upper sample stage 13 is joined to the cartridge 55 in the same manner as the substrate 43.
  • the upper sample stage 13 is configured in the same manner as the lower sample stage 46. That is, the upper sample stage 13 is generally formed in a disc shape and includes a plurality of pins and cams.
  • the plurality of pins are each formed in a rod shape and supported by the upper sample stage 13 so as to be able to translate in the radial direction of the disk of the upper sample stage 13.
  • the cam is disposed at the center of the disk of the upper sample stage 13 and rotates to drive the plurality of pins outward. That is, the upper sample stage 13 fixes the substrate 43 by arranging the substrate 43 so that the plurality of pins enter the plurality of holes 57 of the cartridge 55 and rotating the cam by a user operation.
  • the sample table provided with such a mechanical lock mechanism can hold the substrate 43 without using an electromagnetic force, and is effective in holding the substrate 43 that is unlikely to receive an electromagnetic force.
  • the room-temperature bonding apparatus 1 further includes an alignment apparatus 70 as shown in FIG.
  • the alignment apparatus 70 includes an infrared illumination 71, a lens 72, and a camera 73.
  • the carriage support base 45 is formed with a transparent portion 74.
  • the transparent portion 74 is made of a material that is transparent to the infrared rays irradiated by the infrared illumination 71.
  • the lower sample stage 46 is formed with a transparent portion 75.
  • the transparent portion 75 is made of a material that is transparent to the infrared rays irradiated by the infrared illumination 71, and is disposed in the vicinity of the transparent portion 74 in the lower sample stage 46.
  • the cartridge 55 is similarly formed with a transparent portion.
  • the transparent part is made of a material transparent to the infrared rays irradiated by the infrared illumination 71 and is arranged in the vicinity of the transparent part 75 in the lower sample stage 46.
  • the infrared illumination 71, the lens 72, and the camera 73 are fixed to the bonding chamber 2.
  • the infrared illumination 71 generates infrared light that passes through the semiconductor. Examples of the infrared wavelength include wavelengths of 1 ⁇ m or more.
  • the lens 72 changes the direction of the infrared rays generated by the infrared illumination 71 to the vertical direction and irradiates the substrate 76 held by the upper substrate support portion 41 with the infrared rays via the transparent portions 74 and 75, or The substrate 77 held by the lower substrate support portion 42 is irradiated with the infrared rays.
  • the lens 72 further transmits infrared reflected light that reflects the substrate 76 to the camera 73, and transmits infrared reflected light that reflects the substrate 77 to the camera 73.
  • the camera 73 generates a partial image of the substrate 76 based on the reflected light transmitted through the lens 72, and generates a partial image of the substrate 77.
  • the substrate 76 has an alignment mark 78 formed on a part of the surface facing the substrate 77.
  • the substrate 77 has an alignment mark 79 formed on the surface facing the substrate 76.
  • the substrate 77 is supported on the lower sample stage 46 so that the alignment mark 79 is disposed on the transparent portions 74 and 75 of the substrate 77.
  • the alignment mark 78 and the alignment mark 79 are designed so as to be disposed so as to face each other when the substrate 76 and the substrate 77 are bonded at room temperature as designed.
  • the alignment marks 78 are formed at a plurality of locations on the substrate 76, and the alignment marks 79 are formed at a plurality of locations on the substrate 77.
  • the cartridge 55, the lower sample stage 46, and the carriage support stage 45 are formed so that the alignment mark 79 of the substrate 77 can be photographed by the alignment device 70. That is, when the cartridge 55 is bonded to the substrate 77, a plurality of transparent portions are formed at a plurality of locations where the plurality of alignment marks 79 are arranged.
  • a plurality of transparent portions 75 are formed at a plurality of locations where the plurality of alignment marks 79 are arranged.
  • the carriage support base 45 is formed with a plurality of transparent portions 74 at a plurality of locations where the plurality of alignment marks 79 are arranged when the lower substrate support portion 42 holds the substrate 77.
  • FIG. 10 shows the gate valve 5.
  • the gate valve 5 includes a gate 61 and a door 62.
  • the gate 61 forms an opening that connects the inside of the bonding chamber 2 and the inside of the load lock chamber 3, and has a sealing surface 63 around the opening.
  • the door 62 is moved by a mechanism (not shown) based on the user's operation, and is in close contact with the sealing surface 63 to close the opening of the gate 61, away from the opening of the gate 61, and the opening of the gate 61. Is released.
  • the room-temperature bonding apparatus 1 is a particle that is blown off from the surface of the wall 34, the surface of a built-in object, or the surface of the substrate by the particles emitted from the ion gun 32 so as not to be strongly exposed to the particles emitted from the ion gun 32. It is manufactured so that the gate valve 5 and the vacuum pump 31 are arranged so as not to be strongly exposed to.
  • the gate valve 5 When the gate valve 5 is strongly exposed to the particles emitted from the ion gun 32 or is strongly exposed to the particles blown off from the surface of the substrate by the particles emitted from the ion gun 32, the gate valve 5 is placed around the sealing surface 63. A contaminated film is formed by the particles. The contaminated film peels off when the gate valve 5 is opened and closed, and contaminants enter the sealing surface 63, so that the inside of the bonding chamber 2 and the inside of the load lock chamber 3 cannot be sealed. Such a room temperature bonding apparatus 1 can prevent the sealing surface 63 of the gate valve 5 from being contaminated and extend its life.
  • the exhaust port 35 is strongly exposed to particles emitted from the ion gun 32, or is blown off from the surface of the wall 34, the surface of a built-in object, or the surface of the substrate by particles emitted from the ion gun 32.
  • the internal metal blades are damaged or the blade is contaminated.
  • the exhaust performance of the vacuum pump 31 is lowered due to damage of the blades and solidification deposition of the contaminated film.
  • the vacuum pump 31 sucks it, and the vacuum pump 31 may be broken.
  • Such a room-temperature bonding apparatus 1 can prevent the blades of the vacuum pump 31 from being damaged and contaminated, thereby extending the life.
  • FIG. 11 shows the claw 21 of the transport device 8.
  • the claw 21 is formed with support surfaces 64 and 65 and a non-support surface 66.
  • the support surfaces 64 and 65 are formed along the same horizontal plane, and are directed upward in the vertical direction.
  • the non-support surface 66 is formed so as to be along another horizontal plane arranged vertically below the horizontal plane along which the support surfaces 64 and 65 are aligned, and is arranged between the support surface 64 and the support surface 65.
  • the claw 21 holds the substrate 67 so that the substrate 67 contacts the support surfaces 64 and 65 and the substrate 67 does not contact the non-support surface 66.
  • the claw 21 does not come into contact with the transport device 8 even when the bonding surface of the substrate 67 to be bonded at room temperature by the room temperature bonding apparatus 1 is facing upward or downward. It is possible to prevent the occurrence of bonding failure due to contamination of the bonding surface.
  • FIG. 13 shows cassettes arranged on the first cassette base 6 or the second cassette base 7.
  • a plurality of (for example, 25) shelves 69 that are horizontal on opposing walls are arranged in a line in the vertical direction.
  • the cassette 68 is arranged such that the substrate 67 contacts the shelf 69 and the bonding surface of the substrate 67 does not contact the cassette 68.
  • the cassette 68 does not come into contact with the cassette 68 regardless of whether the bonding surface of the substrate 67 to be bonded at room temperature by the room temperature bonding apparatus 1 faces upward or downward. Occurrence of poor bonding due to contamination of the surface can be prevented.
  • the operation when performing room temperature bonding using the room temperature bonding apparatus 1 includes an operation for correcting the orientation of the upper sample stage and an operation for performing room temperature bonding.
  • the operation of correcting the orientation of the upper sample stage is executed from the state where the lower substrate support part 42 is not provided with the lower sample stage 46 and the elastic guide 47.
  • the operator first measures the direction of the upper sample stage 13.
  • the operator uses the angle adjustment mechanism 12 when the surface of the upper sample stage 13 on which the substrate is disposed is not parallel to the support surface 52 of the carriage support table 45, and the surface on which the substrate of the upper sample stage 13 is disposed. It adjusts so that the support surface 52 may become parallel. That is, the operator fixes the ball flange 26 by the fixing flange 27 and fixes the fixing flange 27 to the ball seat 28 so that the surface on which the substrate of the upper sample stage 13 is disposed and the support surface 52 are parallel. To do.
  • the operator attaches the lower sample stage 46 and the elastic guide 47 to the lower substrate support 42 after performing such angle adjustment.
  • the operator presses the upper substrate support part 41 against the lower substrate support part 42 so that the support surface 54 of the lower sample stage 46 contacts the support surface 52 of the carriage support stage 45.
  • the operator measures the distribution of the load applied to the surface on which the substrate of the upper sample stage 13 is arranged and the surface on which the substrate of the lower sample stage 46 is arranged, and the load distribution is uniform. Make sure.
  • the operation of correcting the orientation of the upper sample stage is replaced with another operation when the lower sample stage 46 is supported in contact with the support surface 52 of the carriage support base 45.
  • the operator first measures the orientation of the upper sample stage 13.
  • the operator uses the angle adjustment mechanism 12 to move the substrate of the upper sample stage 13. Adjustment is made so that the surface on which the substrate of the lower sample stage 46 is disposed is parallel to the surface on which the substrate is disposed.
  • the surface of the upper sample stage 13 on which the substrate is disposed faces the upper sample stage 13 of the substrate held on the lower sample stage 46. It can also be adjusted to be parallel to.
  • the operator caulks and fixes the spherical flange 26 with the fixing flange 27 so that the surface on which the substrate of the upper sample stage 13 is disposed and the surface on which the substrate of the lower sample stage 46 is disposed are parallel.
  • the fixing flange 27 is fixed to the ball seat 28.
  • the operator presses the upper substrate support portion 41 against the lower substrate support portion 42.
  • the operator measures the distribution of the load applied to the surface on which the substrate of the upper sample stage 13 is arranged and the surface on which the substrate of the lower sample stage 46 is arranged, and the load distribution is uniform. Make sure.
  • the direction of the upper sample stage 13 can be substituted to measure the direction of the surface facing the lower sample stage 46 of the substrate.
  • the substrate of the upper sample stage 13 and the lower sample stage 46 are used.
  • the load can be more uniformly applied to the joint surface with the substrate.
  • such an operation improves the yield of the plurality of devices when the plurality of devices are formed on the bonding substrate by the room temperature bonding, and improves the reliability of the room temperature bonding by the room temperature bonding apparatus 1,
  • the room temperature bonding apparatus 1 can be made more practical. According to such an operation, it is not necessary to adjust the support surface 52 of the carriage support table 45 and the surface of the lower sample table 46 to be parallel to each other, and the load distribution can be made easier.
  • the room-temperature bonding apparatus 1 does not need to include a mechanism for adjusting the support surface 52 of the carriage support table 45 and the surface of the lower sample table 46 to be parallel to each other, and can be manufactured more easily. Can be done.
  • FIG. 15 shows the operation of joining at room temperature. After the operation of correcting the orientation of the upper sample stage is performed, the operator first closes the gate valve 5 (step S1) and generates a vacuum atmosphere inside the bonding chamber 2 using the vacuum pump 31. Then, an atmospheric pressure atmosphere is generated inside the load lock chamber 3.
  • the worker loads a plurality of substrates into the cassette 68.
  • the plurality of substrates are loaded into the cassette 68 so that the bonding surfaces face downward.
  • the operator further loads other cassettes 68 with other substrates that are bonded to the plurality of substrates at room temperature.
  • the plurality of substrates are loaded into the cassette 68 so that the bonding surfaces face upward.
  • the operator opens the lid of the load lock chamber 3, places the cassette 68 loaded with the substrate with the bonding surface facing downward on the first cassette table 6, and places the cassette 68 loaded with the substrate with the bonding surface facing upward on the first cassette 68.
  • Two cassettes 7 are arranged (step S2). If there are three or more cassette stands, they are also arranged.
  • the operator closes the lid of the load lock chamber 3, creates a vacuum atmosphere inside the load lock chamber 3, and opens the gate valve 5 (step S3).
  • the operator uses the transfer device 8 to set one of the substrates loaded in the cassette 68 disposed on the first cassette table 6 on the upper substrate support portion 41, and the cassette disposed on the second cassette table 7.
  • One of the substrates loaded in 68 is set on the lower substrate support portion 42 (step S4).
  • the operator closes the gate valve 5 (step S5).
  • the operator closes the gate valve 5 and then joins the substrate set on the upper substrate support portion 41 and the substrate set on the lower substrate support portion 42 at room temperature. That is, the operator supports the substrate set on the upper substrate support unit 41 and the lower substrate support in a state where the substrate set on the upper substrate support unit 41 and the substrate set on the lower substrate support unit 42 are separated from each other. Particles are released using the ion gun 32 between the substrate set in the portion 42. The particles irradiate the substrate to remove oxides and the like formed on the surface of the substrate and remove impurities attached to the surface of the substrate.
  • the operator operates the upper stage driving device 14 of the upper substrate support unit 41 to lower the upper sample stage 13 vertically downward, and the substrate set on the upper substrate support unit 41 and the lower substrate support unit 42. Bring the board set in to close.
  • the operator uses the alignment device 70 to capture an image of the substrate alignment mark set on the upper substrate support portion 41 and the substrate alignment mark set on the lower substrate support portion 42.
  • the operator operates the positioning mechanism of the lower substrate support portion 42 based on the image, and the substrate set on the upper substrate support portion 41 and the substrate set on the lower substrate support portion 42 are as designed. The position of the substrate set on the lower substrate support portion 42 is moved so as to be bonded.
  • the operator operates the upper stage driving device 14 of the upper substrate support unit 41 to lower the upper sample stage 13 in the vertical downward direction, and the substrate set on the upper substrate support unit 41 is moved to the lower substrate support unit 42.
  • the substrate is set in contact with the substrate.
  • the elastic guide 47 of the lower substrate support portion 42 is elastically deformed, and the lower sample stage 46 of the lower substrate support portion 42 contacts the carriage support table 45 and is supported by the carriage support table 45.
  • the substrate set on the upper substrate support portion 41 and the substrate set on the lower substrate support portion 42 are bonded by the contact to generate one bonded substrate.
  • the lower sample stage 46 is supported by being in contact with the carriage support base 45, thereby preventing a large load exceeding the load resistance from being applied to the positioning stage 44, A larger load can be more uniformly applied to the bonding surface between the substrate set on the upper substrate support portion 41 and the substrate set on the lower substrate support portion 42.
  • step S7 The operator raises the upper sample stage 13 vertically upward and opens the gate valve 5 (step S7).
  • the operator uses the transfer device 8 to transfer the bonded substrate set on the lower substrate support portion 42 to an empty shelf in the cassette 68 arranged on the first cassette table 6 (step S8). ).
  • step S8 the operations from step S4 to step S8 are repeatedly executed until all the loaded substrates are bonded at room temperature (YES in step S9).
  • step S10 When all the loaded substrates are bonded at room temperature (step S9, YES), the operator closes the gate valve 5 (step S10), supplies air to the inside of the load lock chamber 3, and loads the load lock chamber 3 An atmospheric pressure atmosphere is generated inside. The operator opens the lid of the load lock chamber 3 and takes out the bonded substrate together with the cassette 68 from the first cassette base 6 and the second cassette base 7 (step S11).
  • the cassette 68 loaded with the substrate having the bonding surface facing downward in step S2 is arranged on the first cassette table 6, and the cassette 68 loaded with the substrate having the bonding surface facing upward is arranged on the second cassette table 7. Therefore, the transfer device 2 does not have to turn the substrate inside the bonding chamber 2 or the load lock chamber 3. For this reason, the bonding chamber 2 and the load lock chamber 3 do not need to have a space for turning the substrate inside, and can be formed more compactly. Furthermore, the transport device 8 does not need to be provided with a mechanism for turning the substrate over, and can be manufactured more easily. As a result, the room temperature bonding apparatus 1 can be manufactured more compactly and at a lower cost.
  • the load lock chamber 3 of the room temperature bonding apparatus 1 in the above-described embodiment does not include the first cassette base 6 and the second cassette base 7 inside. Instead, a plurality of cassette chambers are provided. That is, the room temperature bonding apparatus 81 includes a plurality of cassette chambers 82-1 to 82-4 as shown in FIG. Each of the cassette chambers 82-1 to 82-4 is a container that seals the inside from the environment, and is generally formed of stainless steel.
  • the room temperature bonding apparatus 81 further includes a plurality of gate valves 83-1 to 83-4.
  • the cassette 84-i is arranged in the cassette chamber 82-i.
  • the cassette 84-i is the same as the cassette 68 in the above-described embodiment, and is a case in which 25 horizontal shelves are arranged in a line in the vertical direction, one on each shelf. Used to mount a substrate.
  • the cassette chamber 82-i further includes a vacuum pump and a lid (not shown).
  • the vacuum pump exhausts gas from the inside of the cassette chamber 82-i.
  • An example of the vacuum pump is a turbo molecular pump that exhausts gas blades by blowing a plurality of metal blades inside.
  • the lid can be opened by closing the gate that connects the outside and inside of the cassette chamber 82-i to an atmospheric atmosphere.
  • the size of the lid is larger than the cassette 84-i.
  • the room-temperature bonding apparatus 81 continuously manufactures three or more substrates when they are bonded to one substrate at room temperature, the operation when two substrates are bonded to one substrate at room temperature, and these bonded substrates. Can be performed.
  • the operator In the operation when room temperature bonding of three or more substrates to one substrate, among the plurality of cassette chambers 82-i, 82-1 to 82-3 are used.
  • the operator first closes the gate valve 5 and the gate valves 83-1 to 83-4, generates a vacuum atmosphere inside the bonding chamber 2 using the vacuum pump 31, and sets the inside of the load lock chamber 3.
  • a vacuum atmosphere is generated, and an atmospheric pressure atmosphere is generated inside the cassette chambers 82-1 to 82-4.
  • the operator opens the lids of the cassette chambers 82-1 to 82-2, places the cassette 84-1 loaded with 25 substrates in the cassette chamber 82-1, and the cassette loaded with 25 substrates.
  • 84-2 is placed in the cassette chamber 82-2.
  • the operator closes the lids of the cassette chambers 82-1 to 82-2 to generate a vacuum atmosphere inside the cassette chambers 82-1 to 82-2, and the gate valve 5 and the gate valves 83-1 to 83-2. And release.
  • the operator uses the transfer device 8 to mount one of the substrates loaded in the cassette 84-1 on the upper substrate support portion 41, and 1 of the substrates loaded in the cassette 84-2.
  • a single substrate is mounted on the lower substrate support 42.
  • the operator closes the gate valve 5 and joins the substrate mounted on the upper substrate support portion 41 and the substrate mounted on the lower substrate support portion 42 at room temperature to move the upper substrate support portion 41 vertically upward. And the bonded substrate mounted on the lower substrate support 42 is generated.
  • the operator opens the gate valve 5.
  • the operator uses the transfer device 8 to transfer the bonded substrate mounted on the lower substrate support portion 42 to an empty shelf in the cassette 84-1. Such a bonding operation is repeatedly executed until all the substrates loaded in the cassette 84-1 are bonded at room temperature.
  • the worker opens the lid of the cassette chamber 82-3 while such a joining operation is being performed, and places the cassette 84-3 loaded with 25 substrates in the cassette chamber 82-3.
  • the operator closes the lid of the cassette chamber 82-3 to generate a vacuum atmosphere inside the cassette chamber 82-3.
  • the operator After the room temperature bonding between the substrate loaded in the cassette 84-1 and the substrate loaded in the cassette 84-2 is completed and a vacuum atmosphere is generated inside the cassette chamber 82-3, the operator The bonded substrate loaded in the room 84-1 and bonded at room temperature is bonded to the substrate loaded in the cassette 84-3 at room temperature.
  • the operator uses the transfer device 8 to mount one of the bonded substrates loaded in the cassette 84-1 on the upper substrate support portion 41, and remove the substrate loaded in the cassette 84-3.
  • One of the substrates is mounted on the lower substrate support 42.
  • the operator closes the gate valve 5 and joins the substrate mounted on the upper substrate support portion 41 and the substrate mounted on the lower substrate support portion 42 at room temperature to move the upper substrate support portion 41 vertically upward.
  • the operator opens the gate valve 5.
  • the operator uses the transfer device 8 to transfer the bonded substrate mounted on the lower substrate support portion 42 to an empty shelf in the cassette 84-1. Such a bonding operation is repeatedly executed until all the substrates loaded in the cassette 84-1 are bonded at room temperature.
  • the two substrates are respectively arranged while the two substrates are bonded at room temperature.
  • a cassette loaded with a substrate to be subsequently bonded at room temperature is set in a cassette chamber other than the two cassette chambers.
  • a third substrate is formed after a bonded substrate in which two substrates are bonded at room temperature is generated. Therefore, it is necessary to make the inside of the load lock chamber 3 an atmospheric pressure atmosphere and to make a vacuum atmosphere again.
  • the room temperature bonding apparatus 81 does not require the inside of the load lock chamber 3 to be changed to an atmospheric pressure atmosphere to be a vacuum atmosphere again, shortens the tact time, and reduces the production amount per unit time of substrates to be bonded at room temperature. Can be more than one.
  • the operator opens the lids of the cassette chambers 82-1 to 82-2, places the cassette 84-1 loaded with 25 substrates in the cassette chamber 82-1, and the cassette loaded with 25 substrates.
  • 84-2 is placed in the cassette chamber 82-2.
  • the operator closes the lids of the cassette chambers 82-1 to 82-2 to generate a vacuum atmosphere inside the cassette chambers 82-1 to 82-2, and the gate valve 5 and the gate valves 83-1 to 83-2. And release.
  • Step 21 The operator opens the cover of the cassette chamber 82-3 and places an empty cassette 84-3 in the cassette chamber 82-3.
  • the operator closes the lid of the cassette chamber 82-3, generates a vacuum atmosphere inside the cassette chamber 82-3, and opens the gate valve 5 and the gate valve 83-3.
  • the operator uses the transfer device 8 to mount one of the substrates loaded in the cassette 84-1 on the upper substrate support portion 41, and 1 of the substrates loaded in the cassette 84-2.
  • a single substrate is mounted on the lower substrate support 42.
  • the operator closes the gate valve 5 and joins the substrate mounted on the upper substrate support portion 41 and the substrate mounted on the lower substrate support portion 42 at room temperature to move the upper substrate support portion 41 vertically upward. And the bonded substrate mounted on the lower substrate support 42 is generated.
  • the operator opens the gate valve 5.
  • the operator uses the transfer device 8 to transfer the bonded substrate mounted on the lower substrate support portion 42 to an empty shelf in the cassette 84-3. Such a bonding operation is repeatedly performed until all the substrates loaded in the cassette 84-1 are bonded at room temperature and bonded substrates are loaded on all the shelves of the cassette 84-3.
  • the operator After the room temperature bonding between the substrate loaded in the cassette 84-1 and the substrate loaded in the cassette 84-2 is completed and a vacuum atmosphere is generated inside the cassette chamber 82-4, the operator The bonding substrate loaded in 84-3 and bonded at room temperature is bonded to the substrate loaded in cassette 84-4 at room temperature. That is, the operator uses the transfer device 8 to mount one of the bonded substrates loaded in the cassette 84-3 on the lower substrate support portion 42 and to load the substrate loaded in the cassette 84-4. One of the substrates is mounted on the upper substrate support portion 41. The operator closes the gate valve 5 and joins the substrate mounted on the upper substrate support portion 41 and the substrate mounted on the lower substrate support portion 42 at room temperature to move the upper substrate support portion 41 vertically upward.
  • Step23 the bonded substrate mounted on the lower substrate support 42 is generated.
  • the operator opens the gate valve 5.
  • the operator uses the transfer device 8 to transfer the bonded substrate mounted on the lower substrate support portion 42 to an empty shelf in the cassette 84-4.
  • Such a bonding operation is repeatedly executed until all the substrates loaded in the cassettes 84-3 and 84-4 are bonded at room temperature.
  • the operator uses the transfer device 8 to mount one of the substrates loaded in the cassette 84-1 on the upper substrate support portion 41, and 1 of the substrates loaded in the cassette 84-2.
  • a single substrate is mounted on the lower substrate support 42.
  • the operator closes the gate valve 5 and joins the substrate mounted on the upper substrate support portion 41 and the substrate mounted on the lower substrate support portion 42 at room temperature to move the upper substrate support portion 41 vertically upward. And the bonded substrate mounted on the lower substrate support 42 is generated.
  • the operator opens the gate valve 5.
  • the operator uses the transfer device 8 to transfer the bonded substrate mounted on the lower substrate support portion 42 to an empty shelf in the cassette 84-3. Such a bonding operation is repeatedly performed until all the substrates loaded in the cassette 84-1 are bonded at room temperature and bonded substrates are loaded on all the shelves of the cassette 84-3.
  • Step24 the operator opens the lid of the cassette chamber 82-4, takes out the cassette 84-4 loaded with the bonding substrate from the cassette chamber 82-4, and performs another 25% operation. Another cassette 84-4 loaded with one substrate is placed in the cassette chamber 82-4. The operator closes the lid of the cassette chamber 82-4 and generates a vacuum atmosphere inside the cassette chamber 82-4.
  • the operator After the room temperature bonding between the substrate loaded in the cassette 84-1 and the substrate loaded in the cassette 84-2 is completed and a vacuum atmosphere is generated inside the cassette chamber 82-4, the operator again The bonding substrate loaded in the cassette 84-3 and bonded at room temperature and the substrate loaded in the cassette 84-4 are bonded at room temperature, and the cassette 84-1 loaded with 25 substrates and the 25 substrates are loaded.
  • the cassettes 84-2 are placed in the cassette chambers 82-1 and 82-2, respectively.
  • the operator can continuously bond the three substrates to one substrate at room temperature and continuously connect the products to which the three substrates are bonded at room temperature.
  • a cassette in which a substrate to be bonded at room temperature is loaded is set in a cassette chamber other than the two cassette chambers in which the substrates being bonded are respectively disposed. Loss can be reduced, tact time can be shortened, and the production amount per unit time of substrates to be bonded at room temperature can be increased compared to room temperature bonding apparatus 1.
  • the cassette chamber in which the bonding substrate is disposed in step 22 may be any one of the four cassette chambers. In this case, the cassette chamber in which the substrate to be bonded next is not disposed in the bonding chamber. It becomes a cassette chamber in which a cassette carrying a substrate to be joined is not set.
  • the cassette chamber in which the bonded substrate completed in Step 23 is arranged may be either one of the two cassette chambers in which the cassette on which the substrate is mounted is set in Step 22.
  • the cassette chambers in which substrates to be newly joined next are the remaining two cassette chambers excluding the two cassette chambers in which the cassettes on which the substrates are mounted are set in step 22.
  • the cassette chamber in which the bonding substrate is arranged in Step 24 may be any one of the cassette chambers excluding the cassette chamber in which the substrate bonded in Step 23 is arranged.
  • the cassette chamber in which the substrate to be bonded next is set is A bonding chamber is not arranged, and a cassette chamber in which a cassette on which a substrate to be newly bonded is mounted in Step 23 is not set.
  • the operator In the operation when four substrates are bonded to one substrate at room temperature, as shown in FIG. 18, the operator first closes the gate valve 5 and the gate valves 83-1 to 83-4, and vacuums them. A vacuum atmosphere is generated inside the bonding chamber 2 using the pump 31, a vacuum atmosphere is generated inside the load lock chamber 3, and an atmospheric pressure atmosphere is generated inside the cassette chambers 82-1 to 82-4.
  • the operator opens the lids of the cassette chambers 82-1 to 82-2, and inserts the cassette 84-1 loaded with 25 substrates and the cassette 84-2 loaded with 25 substrates into the cassette chamber 82-1. , 82-2, respectively.
  • the operator closes the lids of the cassette chambers 82-1 to 82-2 to generate a vacuum atmosphere inside the cassette chambers 82-1 to 82-2, and the gate valve 5 and the gate valves 83-1 to 83- 2 is released.
  • the operator uses the transfer device 8 to mount one of the substrates loaded in the cassette 84-1 on the upper substrate support portion 41, and 1 of the substrates loaded in the cassette 84-2.
  • a single substrate is mounted on the lower substrate support 42.
  • the operator closes the gate valve 5 and joins the substrate mounted on the upper substrate support portion 41 and the substrate mounted on the lower substrate support portion 42 at room temperature to move the upper substrate support portion 41 vertically upward. And the bonded substrate mounted on the lower substrate support 42 is generated.
  • the operator opens the gate valve 5.
  • the operator uses the transfer device 8 to transfer the bonded substrate mounted on the lower substrate support portion 42 to an empty shelf in the cassette 84-1. Such a bonding operation is repeatedly executed until all the substrates loaded in the cassette 84-1 are bonded at room temperature and bonded substrates are loaded on all the shelves of the cassette 84-1.
  • the operator After the room temperature bonding between the substrate loaded in the cassette 84-1 and the substrate loaded in the cassette 84-2 is completed and a vacuum atmosphere is generated inside the cassette chamber 82-3, the operator The bonded substrate loaded in the room 84-1 and bonded at room temperature is bonded to the substrate loaded in the cassette 84-3 at room temperature. That is, the operator uses the transfer device 8 to mount one of the bonded substrates loaded in the cassette 84-1 on the lower substrate support portion 42, and to load the substrate loaded in the cassette 84-3. One of the substrates is mounted on the upper substrate support portion 41. The operator closes the gate valve 5 and joins the substrate mounted on the upper substrate support portion 41 and the substrate mounted on the lower substrate support portion 42 at room temperature to move the upper substrate support portion 41 vertically upward.
  • Step33 the bonded substrate mounted on the lower substrate support 42 is generated.
  • the operator opens the gate valve 5.
  • the operator uses the transfer device 8 to transfer the bonded substrate mounted on the lower substrate support portion 42 to an empty shelf in the cassette 84-3. Such a bonding operation is repeatedly executed until all the substrates loaded in the cassette 84-1 are bonded at room temperature.
  • the operator uses the transport device 8 to mount one of the bonded substrates loaded in the cassette 84-3 on the lower substrate support portion 42 and out of the substrates loaded in the cassette 84-4.
  • the one substrate is mounted on the upper substrate support portion 41.
  • the operator closes the gate valve 5 and joins the substrate mounted on the upper substrate support portion 41 and the substrate mounted on the lower substrate support portion 42 at room temperature to move the upper substrate support portion 41 vertically upward.
  • the bonded substrate mounted on the lower substrate support 42 is generated.
  • the operator opens the gate valve 5.
  • the operator uses the transfer device 8 to transfer the bonded substrate mounted on the lower substrate support portion 42 to an empty shelf in the cassette 84-4. Such a bonding operation is repeatedly executed until all the bonding substrates loaded in the cassette 84-3 are bonded at room temperature.
  • the operator opens the lids of the cassette chambers 82-1 and 82-2 to place empty cassettes 84-1 to 84-2 in the cassette chambers 82-1 and 82-2.
  • -2 and another cassettes 84-1 to 84-2 loaded with another 25 substrates are placed in the cassette chambers 82-1 and 82-2.
  • the operator closes the lids of the cassette chambers 82-1 and 82-2, and generates a vacuum atmosphere inside the cassette chambers 82-1 and 82-2.
  • the operator uses the transfer device 8 to mount one of the substrates loaded in the cassette 84-1 on the upper substrate support portion 41, and 1 of the substrates loaded in the cassette 84-2.
  • a single substrate is mounted on the lower substrate support 42.
  • the operator closes the gate valve 5 and joins the substrate mounted on the upper substrate support portion 41 and the substrate mounted on the lower substrate support portion 42 at room temperature to move the upper substrate support portion 41 vertically upward. And the bonded substrate mounted on the lower substrate support 42 is generated.
  • the operator opens the gate valve 5.
  • the operator uses the transfer device 8 to transfer the bonded substrate mounted on the lower substrate support portion 42 to an empty shelf in the cassette 84-1. Such a bonding operation is repeatedly executed until all the substrates loaded in the cassette 84-1 are bonded at room temperature and bonded substrates are loaded on all the shelves of the cassette 84-1. (Step 35)
  • the worker opens the lid of the cassette chamber 82-3 while such a joining operation is being performed, and places the cassette 84-3 loaded with 25 substrates in the cassette chamber 82-3.
  • the operator closes the lid of the cassette chamber 82-3 to generate a vacuum atmosphere inside the cassette chamber 82-3. While such a joining operation is being performed, the operator further opens the lid of the cassette chamber 82-4 and takes out the cassette 84-4 loaded with the joining substrate from the cassette chamber 82-4.
  • the operator can continuously bond the four substrates to one substrate at room temperature and continuously connect the products to which the four substrates are bonded at room temperature.
  • a cassette in which a substrate to be bonded at room temperature is loaded is set in a cassette chamber other than the two cassette chambers in which the substrates being bonded are respectively disposed. Loss can be reduced, tact time can be shortened, and the production amount per unit time of substrates to be bonded at room temperature can be increased compared to room temperature bonding apparatus 1.
  • the cassette chamber in which the bonding substrate is disposed may be any one of the four cassette chambers. In this case, the cassette chamber in which the substrate to be bonded next is not disposed with the bonding substrate. In the previous step, a cassette chamber in which a cassette on which a substrate is mounted is not set.
  • the cassette chamber in which the completed bonded substrate is placed in Step 34 may be either one of the two cassette chambers in which the cassette on which the substrate is mounted is set in Step 33. In this case, the cassette chambers in which substrates to be newly joined next are the remaining two cassette chambers excluding the two cassette chambers in which the cassettes on which the substrates are mounted are set in step 33.
  • the cassette chamber in which the bonding substrate is disposed in Step 35 may be any one of the cassette chambers except the cassette chamber in which the substrate bonded in Step 34 is disposed.
  • the cassette chamber in which the substrate to be bonded next is set is A bonding chamber is not disposed, and a cassette chamber in which a cassette on which a substrate to be newly bonded is mounted is not set in Step 34.
  • such a room temperature bonding apparatus can continuously bond five or more substrates to a single substrate at room temperature. That is, such a room temperature bonding apparatus eliminates the need to make the inside of the load lock chamber 3 an atmospheric pressure atmosphere again when a product in which five or more substrates are bonded at room temperature is continuously produced.
  • a cassette in which a substrate to be bonded at room temperature is loaded is set in a cassette chamber other than the two cassette chambers in which the substrates being bonded are respectively arranged. Therefore, the production time per unit time of the substrates to be bonded at room temperature can be increased as compared with the room temperature bonding apparatus 1.
  • the operator first closes the gate valve 5 and the gate valves 83-1 to 83-4, A vacuum atmosphere is generated inside the bonding chamber 2 using the vacuum pump 31, a vacuum atmosphere is generated inside the load lock chamber 3, and an atmospheric pressure atmosphere is generated inside the cassette chambers 82-1 to 82-4.
  • the operator opens the lids of the cassette chambers 82-1 to 82-2, places the cassette 84-1 loaded with 25 substrates in the cassette chamber 82-1, and the cassette loaded with 25 substrates.
  • 84-2 is placed in the cassette chamber 82-2.
  • the operator closes the lids of the cassette chambers 82-1 to 82-2 to generate a vacuum atmosphere inside the cassette chambers 82-1 to 82-2, and the gate valve 5 and the gate valves 83-1 to 83-2. And release.
  • the operator uses the transfer device 8 to mount one of the substrates loaded in the cassette 84-1 on the upper substrate support portion 41, and 1 of the substrates loaded in the cassette 84-2.
  • a single substrate is mounted on the lower substrate support 42.
  • the operator closes the gate valve 5 and joins the substrate mounted on the upper substrate support portion 41 and the substrate mounted on the lower substrate support portion 42 at room temperature to move the upper substrate support portion 41 vertically upward. And the bonded substrate mounted on the lower substrate support 42 is generated.
  • the operator opens the gate valve 5.
  • the operator uses the transfer device 8 to transfer the bonded substrate mounted on the lower substrate support portion 42 to an empty shelf in the cassette 84-1. Such a bonding operation is repeatedly executed until all the substrates loaded in the cassette 84-1 are bonded at room temperature. (Step 42)
  • Step 42 the operator opens the lids of the cassette chambers 82-3 to 82-4, and inserts the cassette 84-3 loaded with 25 substrates into the cassette chamber 82-3.
  • the cassette 84-4 loaded with 25 substrates is placed in the cassette chamber 82-4.
  • the operator closes the lids of the cassette chambers 82-3 to 82-4, and creates a vacuum atmosphere inside the cassette chambers 82-3 to 82-4.
  • the operator completes the room temperature bonding between the substrate loaded in the cassette 84-1 and the substrate loaded in the cassette 84-2, and a vacuum atmosphere is generated in the cassette chambers 82-3 to 82-4. Thereafter, the substrate loaded in the cassette 84-3 and the substrate loaded in the cassette 84-4 are bonded at room temperature. That is, the operator uses the transfer device 8 to mount one of the substrates loaded in the cassette 84-3 on the upper substrate support portion 41, and out of the substrates loaded in the cassette 84-4. The one substrate is mounted on the lower substrate support portion 42. The operator closes the gate valve 5 and joins the substrate mounted on the upper substrate support portion 41 and the substrate mounted on the lower substrate support portion 42 at room temperature to move the upper substrate support portion 41 vertically upward.
  • Step 43 the bonded substrate mounted on the lower substrate support 42 is generated.
  • the operator opens the gate valve 5.
  • the operator uses the transfer device 8 to transfer the bonded substrate mounted on the lower substrate support portion 42 to an empty shelf in the cassette 84-3. Such a bonding operation is repeatedly executed until all the substrates loaded in the cassette 84-3 are bonded at room temperature.
  • the operator opens the lid of the cassette chamber 82-1 to take out the cassette 84-1 loaded with the bonding substrate from the cassette chamber 82-1, and another 25-4.
  • Another cassette 84-1 loaded with one substrate is placed in the cassette chamber 82-1, and a cassette 84-2 loaded with 25 substrates is placed in the cassette chamber 82-2.
  • the operator closes the lids of the cassette chambers 82-1 to 82-2 to generate a vacuum atmosphere inside the cassette chambers 82-1 to 82-2, and the gate valve 5 and the gate valves 83-1 to 83-2. And release.
  • the operator uses the transfer device 8 to mount one of the substrates loaded in the cassette 84-1 on the upper substrate support portion 41, and 1 of the substrates loaded in the cassette 84-2.
  • a single substrate is mounted on the lower substrate support 42.
  • the operator closes the gate valve 5 and joins the substrate mounted on the upper substrate support portion 41 and the substrate mounted on the lower substrate support portion 42 at room temperature to move the upper substrate support portion 41 vertically upward. And the bonded substrate mounted on the lower substrate support 42 is generated.
  • the operator opens the gate valve 5.
  • the operator uses the transfer device 8 to transfer the bonded substrate mounted on the lower substrate support portion 42 to an empty shelf in the cassette 84-1. Such a bonding operation is repeatedly executed until all the substrates loaded in the cassette 84-1 are bonded at room temperature and bonded substrates are loaded on all the shelves of the cassette 84-1.
  • Step44 the operator opens the lid of the cassette chamber 82-3, takes out the cassette 84-3 loaded with the joining substrate from the cassette chamber 82-3, and performs another 25% operation.
  • Another cassette 84-3 loaded with one substrate is placed in the cassette chamber 82-3, and a cassette 84-4 loaded with 25 substrates is placed in the cassette chamber 82-4.
  • the operator closes the lids of the cassette chambers 82-3 to 82-4, and creates a vacuum atmosphere inside the cassette chambers 82-3 to 82-4.
  • the operator can continuously manufacture products in which two substrates are bonded at room temperature by repeatedly executing such operations (steps 43 and 44). In this way, in the operation when two substrates are bonded to one substrate at room temperature using the room temperature bonding apparatus 81, the two substrates are respectively disposed while the two substrates are bonded at room temperature 2. Two cassettes loaded with substrates to be bonded at room temperature next are set in two cassette chambers other than the one cassette chamber. In the room temperature bonding apparatus 1 in the above-described embodiment, when two substrates are bonded to one substrate at room temperature, the next substrate is set after a bonded substrate in which the two substrates are bonded at room temperature is generated.
  • the room temperature bonding device 81 reduces the tact time when there is no need to make the inside of the load lock chamber 3 an atmospheric pressure atmosphere again when the product in which two substrates are bonded at room temperature is continuously manufactured. Thus, the production amount per unit time of the substrates to be bonded at room temperature can be made larger than that of the room temperature bonding apparatus 1.
  • the cassette chamber in which the bonded substrates completed in Step 42 and Step 44 are arranged may be either one of the cassette chambers in which cassettes loaded with substrates to be newly bonded in Step 41 and Step 43 are set.
  • the cassette chamber in which the substrate to be newly bonded next is set is a cassette chamber excluding the cassette chamber in which the cassette on which the substrate to be newly bonded is set in step 41 and step 43 is set.
  • the cassette chambers 82-1 to 82-2 further have two cassettes 84-1 to 84-2 arranged therein. Can be replaced with one first cassette chamber, and cassette chambers 82-3 to 82-4 can be replaced with one second cassette chamber into which two cassettes 84-3 to 84-4 can be placed. It can also be implemented using other room temperature bonding devices.
  • the room temperature bonding apparatus includes a first gate valve and a second gate valve. The first gate valve is interposed between the first cassette chamber and the load lock chamber 3, and closes a gate connecting the inside of the first cassette chamber and the inside of the load lock chamber 3, or Open.
  • the second gate valve is interposed between the second cassette chamber and the load lock chamber 3, and closes a gate connecting the inside of the second cassette chamber and the inside of the load lock chamber 3, or Open.
  • a room-temperature bonding apparatus cannot perform the operation at the time of room-temperature bonding of three or more substrates described above to one substrate, but has a simpler structure and is suitable for two-sheet continuous bonding operation. is there.
  • the cassette chambers 82-1 to 82-2 of the room temperature bonding apparatus 81 in the above-described embodiment are replaced with one linked cassette chamber.
  • two cassettes 84-1 to 84-2 can be arranged inside.
  • the room temperature bonding apparatus includes a connection gate valve.
  • the connection gate valve is interposed between the connection cassette chamber and the load lock chamber 3, and closes or opens a gate connecting the inside of the connection cassette chamber and the inside of the load lock chamber 3.
  • Such a room-temperature bonding apparatus like the room-temperature bonding apparatus 81 in the above-described embodiment, operates when two substrates are bonded to one substrate at room temperature, and three or more substrates are combined into one substrate. The operation at the time of room temperature bonding and the operation of continuously manufacturing these bonded substrates can be executed.
  • the operator In the operation when two substrates are bonded to one substrate at room temperature, the operator first closes the gate valve 5, the gate valves 83-3 to 83-4, and the connected gate valve, and then the vacuum pump 31. Is used to create a vacuum atmosphere inside the bonding chamber 2, a vacuum atmosphere inside the load lock chamber 3, and an atmospheric pressure atmosphere inside the cassette chambers 82-3 to 82-4 and the connected cassette chambers. To do. The operator opens the lid of the linked cassette chamber, and places the cassette 84-1 loaded with 25 substrates and the cassette 84-2 loaded with 25 substrates in the linked cassette chamber. The operator closes the lid of the connected cassette chamber, generates a vacuum atmosphere in the connected cassette chamber, and opens the gate valve 5 and the connected gate valve.
  • the operator uses the transfer device 8 to mount one of the substrates loaded in the cassette 84-1 on the upper substrate support portion 41, and 1 of the substrates loaded in the cassette 84-2.
  • a single substrate is mounted on the lower substrate support 42.
  • the operator closes the gate valve 5 and joins the substrate mounted on the upper substrate support portion 41 and the substrate mounted on the lower substrate support portion 42 at room temperature to move the upper substrate support portion 41 vertically upward. And the bonded substrate mounted on the lower substrate support 42 is generated.
  • the operator opens the gate valve 5.
  • the operator uses the transfer device 8 to transfer the bonded substrate set on the lower substrate support portion 42 to an empty shelf in the cassette 84-1. Such a bonding operation is repeatedly executed until all the substrates loaded in the cassette 84-1 are bonded at room temperature.
  • the operator While the joining operation is being executed, the operator opens the lids of the cassette chambers 82-3 to 82-4, and inserts the cassette 84-3 loaded with 25 substrates into the cassette chamber 82-3.
  • the cassette 84-4 loaded with 25 substrates is placed in the cassette chamber 82-4.
  • the operator closes the lids of the cassette chambers 82-3 to 82-4, and creates a vacuum atmosphere inside the cassette chambers 82-3 to 82-4.
  • the operator completes the room temperature bonding between the substrate loaded in the cassette 84-1 and the substrate loaded in the cassette 84-2, and a vacuum atmosphere is generated in the cassette chambers 82-3 to 82-4. Thereafter, the substrate loaded in the cassette 84-3 and the substrate loaded in the cassette 84-4 are bonded at room temperature. That is, the operator uses the transport device 8 to mount one of the substrates loaded in the cassette 84-4 on the upper substrate support portion 41, and out of the substrates loaded in the cassette 84-3. The one substrate is mounted on the lower substrate support portion 42. The operator closes the gate valve 5 and joins the substrate mounted on the upper substrate support portion 41 and the substrate mounted on the lower substrate support portion 42 at room temperature to move the upper substrate support portion 41 vertically upward.
  • the operator opens the gate valve 5.
  • the operator uses the transfer device 8 to transfer the bonded substrate mounted on the lower substrate support portion 42 to an empty shelf in the cassette 84-3. Such a bonding operation is repeatedly executed until all the substrates loaded in the cassette 84-3 are bonded at room temperature.
  • the operator opens the lid of the connected cassette chamber, takes out the cassette 84-1 loaded with the bonded substrate from the connected cassette chamber, and another 25 substrates. And another cassette 84-1 loaded with 25 and a substrate 84-2 loaded with 25 substrates are placed in the connected cassette chamber.
  • the operator closes the lid of the connected cassette chamber, generates a vacuum atmosphere inside the connected cassette chamber, and opens the gate valve 5 and the connected gate valve.
  • the operator uses the transfer device 8 to mount one of the substrates loaded in the cassette 84-1 on the upper substrate support portion 41, and 1 of the substrates loaded in the cassette 84-2.
  • a single substrate is mounted on the lower substrate support 42.
  • the operator closes the gate valve 5 and joins the substrate mounted on the upper substrate support portion 41 and the substrate mounted on the lower substrate support portion 42 at room temperature to move the upper substrate support portion 41 vertically upward. And the bonded substrate mounted on the lower substrate support 42 is generated.
  • the operator opens the gate valve 5.
  • the operator uses the transfer device 8 to transfer the bonded substrate mounted on the lower substrate support portion 42 to an empty shelf in the cassette 84-1. Such a bonding operation is repeatedly executed until all the substrates loaded in the cassette 84-1 are bonded at room temperature and bonded substrates are loaded on all the shelves of the cassette 84-1.
  • the operator opens the lid of the cassette chamber 82-3, takes out the cassette 84-3 loaded with the joining substrate from the cassette chamber 82-3, and performs another 25% operation.
  • Another cassette 84-3 loaded with one substrate is placed in the cassette chamber 82-3, and a cassette 84-4 loaded with 25 substrates is placed in the cassette chamber 82-4.
  • the operator closes the lids of the cassette chambers 82-3 to 82-4, and creates a vacuum atmosphere inside the cassette chambers 82-3 to 82-4.
  • the operator can continuously manufacture products in which two substrates are joined at room temperature by repeatedly executing such an operation.
  • a room temperature bonding apparatus while two substrates are bonded at room temperature, two cassette chambers other than the two cassette chambers in which the two substrates are respectively arranged are loaded with a substrate to be bonded at room temperature next. Two cassettes are set.
  • such a room temperature bonding apparatus does not require the inside of the load lock chamber 3 to be an atmospheric pressure atmosphere and a vacuum atmosphere again when continuously manufacturing products in which two substrates are bonded at room temperature.
  • the tact time can be shortened, and the production amount per unit time of the substrates to be bonded at room temperature can be increased as compared with the room temperature bonding apparatus 1.
  • Such a room temperature bonding apparatus has a simpler structure than the room temperature bonding apparatus 81, and is preferable from the viewpoint of apparatus design, manufacturing, and maintenance cost reduction.
  • the operator In the operation when three substrates are bonded to a single substrate at room temperature, the operator first closes the gate valve 5, the gate valves 83-3 to 83-4, and the connected gate valve, and then the vacuum pump 31. Is used to create a vacuum atmosphere inside the bonding chamber 2, a vacuum atmosphere inside the load lock chamber 3, and an atmospheric pressure atmosphere inside the cassette chambers 82-3 to 82-4 and the connected cassette chambers. To do. The operator opens the lid of the connected cassette chamber, and places the cassette 84-1 loaded with 25 substrates and the cassette 84-2 loaded with 25 substrates in the connected cassette chamber. The operator closes the lid of the connected cassette chamber, generates a vacuum atmosphere in the connected cassette chamber, and opens the gate valve 5 and the connected gate valve.
  • the operator opens the lid of the cassette chamber 82-3 and places an empty cassette 84-3 in the cassette chamber 82-3.
  • the operator closes the lid of the cassette chamber 82-3, generates a vacuum atmosphere inside the cassette chamber 82-3, and opens the gate valve 5 and the gate valve 83-3.
  • the operator uses the transfer device 8 to mount one of the substrates loaded in the cassette 84-1 on the upper substrate support portion 41, and 1 of the substrates loaded in the cassette 84-2.
  • a single substrate is mounted on the lower substrate support 42.
  • the operator closes the gate valve 5 and joins the substrate mounted on the upper substrate support portion 41 and the substrate mounted on the lower substrate support portion 42 at room temperature to move the upper substrate support portion 41 vertically upward. And the bonded substrate mounted on the lower substrate support 42 is generated.
  • the operator opens the gate valve 5.
  • the operator uses the transfer device 8 to transfer the bonded substrate mounted on the lower substrate support portion 42 to an empty shelf in the cassette 84-3. Such a bonding operation is repeatedly performed until all the substrates loaded in the cassette 84-1 are bonded at room temperature and bonded substrates are loaded on all the shelves of the cassette 84-3.
  • the worker opens the cover of the cassette chamber 82-4 while the joining operation is being performed, and places the cassette 84-4 loaded with 25 substrates in the cassette chamber 82-4.
  • the operator closes the lid of the cassette chamber 82-4 and generates a vacuum atmosphere inside the cassette chamber 82-4.
  • the operator After the room temperature bonding between the substrate loaded in the cassette 84-1 and the substrate loaded in the cassette 84-2 is completed and a vacuum atmosphere is generated inside the cassette chamber 82-4, the operator The bonding substrate loaded in 84-3 and bonded at room temperature is bonded to the substrate loaded in cassette 84-4 at room temperature. That is, the operator uses the transfer device 8 to mount one of the bonded substrates loaded in the cassette 84-3 on the lower substrate support portion 42 and to load the substrate loaded in the cassette 84-4. One of the substrates is mounted on the upper substrate support portion 41. The operator closes the gate valve 5 and joins the substrate mounted on the upper substrate support portion 41 and the substrate mounted on the lower substrate support portion 42 at room temperature to move the upper substrate support portion 41 vertically upward.
  • the operator opens the gate valve 5.
  • the operator uses the transfer device 8 to transfer the bonded substrate mounted on the lower substrate support portion 42 to an empty shelf in the cassette 84-4. Such a bonding operation is repeatedly executed until all the substrates loaded in the cassettes 84-3 and 84-4 are bonded at room temperature.
  • the operator After the room temperature bonding between the substrate loaded in the cassette 84-1 and the substrate loaded in the cassette 84-2 is completed and a vacuum atmosphere is generated inside the cassette chamber 82-4, the operator further An atmospheric pressure atmosphere is generated inside the connected cassette chamber.
  • the operator opens the lid of the connected cassette chamber, and places the cassette 84-1 loaded with 25 substrates and the cassette 84-2 loaded with 25 substrates in the connected cassette chamber.
  • the operator closes the lid of the connected cassette chamber, generates a vacuum atmosphere in the connected cassette chamber, and opens the gate valve 5 and the connected gate valve.
  • the operator uses the transfer device 8 to mount one of the substrates loaded in the cassette 84-1 on the upper substrate support portion 41, and 1 of the substrates loaded in the cassette 84-2.
  • a single substrate is mounted on the lower substrate support 42.
  • the operator closes the gate valve 5 and joins the substrate mounted on the upper substrate support portion 41 and the substrate mounted on the lower substrate support portion 42 at room temperature to move the upper substrate support portion 41 vertically upward. And the bonded substrate mounted on the lower substrate support 42 is generated.
  • the operator opens the gate valve 5.
  • the operator uses the transfer device 8 to transfer the bonded substrate mounted on the lower substrate support portion 42 to an empty shelf in the cassette 84-3. Such a bonding operation is repeatedly performed until all the substrates loaded in the cassette 84-1 are bonded at room temperature and bonded substrates are loaded on all the shelves of the cassette 84-3.
  • the operator opens the lid of the cassette chamber 82-4, takes out the cassette 84-4 loaded with the bonding substrate from the cassette chamber 82-4, and performs another 25% operation.
  • Another cassette 84-4 loaded with one substrate is placed in the cassette chamber 82-4. The operator closes the lid of the cassette chamber 82-4 and generates a vacuum atmosphere inside the cassette chamber 82-4.
  • the operator After the room temperature bonding between the substrate loaded in the cassette 84-1 and the substrate loaded in the cassette 84-2 is completed and a vacuum atmosphere is generated inside the cassette chamber 82-4, the operator again The bonded substrate loaded in the cassette 84-3 and bonded at room temperature and the substrate loaded in the cassette 84-4 are bonded at room temperature, and the cassette 84-1 loaded with 25 substrates and the 25 substrates are loaded.
  • the cassette 84-2 is placed in the connected cassette chamber.
  • the operator can continuously bond the three substrates to one substrate at room temperature by repeatedly executing such an operation. That is, such a room temperature bonding apparatus does not need to make the inside of the load lock chamber 3 an atmospheric pressure atmosphere again when the products in which the three substrates are bonded at room temperature are continuously manufactured, At the same time during the bonding process, a cassette in which a substrate to be bonded at room temperature is loaded is set in a cassette chamber other than the two cassette chambers in which the substrates being bonded are respectively disposed. Loss can be reduced, tact time can be shortened, and the production amount per unit time of substrates to be bonded at room temperature can be increased compared to room temperature bonding apparatus 1.
  • Such a room temperature bonding apparatus has a simpler structure than the room temperature bonding apparatus 81, and is preferable from the viewpoint of apparatus design, manufacturing, and maintenance cost reduction.
  • the operator In the operation when bonding four substrates to one substrate at room temperature, the operator first closes the gate valve 5, the gate valves 83-3 to 83-4, and the connecting gate valve, and then the vacuum pump 31. Is used to create a vacuum atmosphere inside the bonding chamber 2, a vacuum atmosphere inside the load lock chamber 3, and an atmospheric pressure atmosphere inside the cassette chambers 82-3 to 82-4 and the connected cassette chambers. To do. The operator opens the lid of the connected cassette chamber, and places the cassette 84-1 loaded with 25 substrates and the cassette 84-2 loaded with 25 substrates in the connected cassette chamber. The operator closes the lid of the connected cassette chamber, generates a vacuum atmosphere in the connected cassette chamber, and opens the gate valve 5 and the connected gate valve.
  • the operator uses the transfer device 8 to mount one of the substrates loaded in the cassette 84-1 on the upper substrate support portion 41, and 1 of the substrates loaded in the cassette 84-2.
  • a single substrate is mounted on the lower substrate support 42.
  • the operator closes the gate valve 5 and joins the substrate mounted on the upper substrate support portion 41 and the substrate mounted on the lower substrate support portion 42 at room temperature to move the upper substrate support portion 41 vertically upward. And the bonded substrate mounted on the lower substrate support 42 is generated.
  • the operator opens the gate valve 5.
  • the operator uses the transfer device 8 to transfer the bonded substrate mounted on the lower substrate support portion 42 to an empty shelf in the cassette 84-1. Such a bonding operation is repeatedly executed until all the substrates loaded in the cassette 84-1 are bonded at room temperature and bonded substrates are loaded on all the shelves of the cassette 84-1.
  • the worker opens the lid of the cassette chamber 82-3 while such a joining operation is being performed, and places the cassette 84-3 loaded with 25 substrates in the cassette chamber 82-3.
  • the operator closes the lid of the cassette chamber 82-3 to generate a vacuum atmosphere inside the cassette chamber 82-3.
  • the operator After the room temperature bonding between the substrate loaded in the cassette 84-1 and the substrate loaded in the cassette 84-2 is completed and a vacuum atmosphere is generated inside the cassette chamber 82-3, the operator The bonded substrate loaded in the room 84-1 and bonded at room temperature is bonded to the substrate loaded in the cassette 84-3 at room temperature. That is, the operator uses the transfer device 8 to mount one of the bonded substrates loaded in the cassette 84-1 on the lower substrate support portion 42, and to load the substrate loaded in the cassette 84-3. One of the substrates is mounted on the upper substrate support portion 41. The operator closes the gate valve 5 and joins the substrate mounted on the upper substrate support portion 41 and the substrate mounted on the lower substrate support portion 42 at room temperature to move the upper substrate support portion 41 vertically upward.
  • the operator opens the gate valve 5.
  • the operator uses the transfer device 8 to transfer the bonded substrate mounted on the lower substrate support portion 42 to an empty shelf in the cassette 84-3. Such a bonding operation is repeatedly executed until all the substrates loaded in the cassette 84-1 are bonded at room temperature.
  • the operator After the room temperature bonding between the substrate loaded in the cassette 84-1 and the substrate loaded in the cassette 84-2 is completed and a vacuum atmosphere is generated inside the cassette chamber 82-3, the operator further Then, an atmospheric pressure atmosphere is generated inside the cassette chamber 82-4.
  • the operator opens the lid of the cassette chamber 82-4 and places the cassette 84-4 loaded with 25 substrates in the cassette chamber 82-4.
  • the operator closes the lid of the cassette chamber 82-4, generates a vacuum atmosphere inside the cassette chamber 82-4, and opens the gate valve 5 and the gate valve 83-4.
  • the operator uses the transport device 8 to mount one of the bonded substrates loaded in the cassette 84-3 on the lower substrate support portion 42 and out of the substrates loaded in the cassette 84-4.
  • the one substrate is mounted on the upper substrate support portion 41.
  • the operator closes the gate valve 5 and joins the substrate mounted on the upper substrate support portion 41 and the substrate mounted on the lower substrate support portion 42 at room temperature to move the upper substrate support portion 41 vertically upward.
  • the bonded substrate mounted on the lower substrate support 42 is generated.
  • the operator opens the gate valve 5.
  • the operator uses the transfer device 8 to transfer the bonded substrate mounted on the lower substrate support portion 42 to an empty shelf in the cassette 84-4. Such a bonding operation is repeatedly executed until all the bonding substrates loaded in the cassette 84-3 are bonded at room temperature.
  • the operator opens the lid of the linked cassette chamber, removes empty cassettes 84-1 to 84-2 from the linked cassette chamber, and adds another 25 sheets.
  • Another cassette 84-1 to 84-2 loaded with a substrate is placed in the connected cassette chamber. The operator closes the lid of the connected cassette chamber, and generates a vacuum atmosphere inside the connected cassette chamber.
  • the operator uses the transfer device 8 to mount one of the substrates loaded in the cassette 84-1 on the upper substrate support portion 41, and 1 of the substrates loaded in the cassette 84-2.
  • a single substrate is mounted on the lower substrate support 42.
  • the operator closes the gate valve 5 and joins the substrate mounted on the upper substrate support portion 41 and the substrate mounted on the lower substrate support portion 42 at room temperature to move the upper substrate support portion 41 vertically upward. And the bonded substrate mounted on the lower substrate support 42 is generated.
  • the operator opens the gate valve 5.
  • the operator uses the transfer device 8 to transfer the bonded substrate mounted on the lower substrate support portion 42 to an empty shelf in the cassette 84-1. Such a bonding operation is repeatedly executed until all the substrates loaded in the cassette 84-1 are bonded at room temperature and bonded substrates are loaded on all the shelves of the cassette 84-1.
  • the worker opens the lid of the cassette chamber 82-3 while such a joining operation is being performed, and places the cassette 84-3 loaded with 25 substrates in the cassette chamber 82-3.
  • the operator closes the lid of the cassette chamber 82-3 to generate a vacuum atmosphere inside the cassette chamber 82-3. While such a joining operation is being performed, the operator further opens the lid of the cassette chamber 82-4 and takes out the cassette 84-4 loaded with the joining substrate from the cassette chamber 82-4.
  • the operator can continuously bond the four substrates to one substrate at room temperature and continuously connect the products to which the four substrates are bonded at room temperature.
  • a cassette in which a substrate to be bonded at room temperature is loaded is set in a cassette chamber other than the two cassette chambers in which the substrates being bonded are respectively disposed. Loss can be reduced, tact time can be shortened, and the production amount per unit time of substrates to be bonded at room temperature can be increased compared to room temperature bonding apparatus 1.
  • Such a room temperature bonding apparatus has a simpler structure than the room temperature bonding apparatus 81, and is preferable from the viewpoint of apparatus design, manufacturing, and maintenance cost reduction.
  • such a room temperature bonding apparatus can continuously bond five or more substrates to a single substrate at room temperature. That is, such a room temperature bonding apparatus eliminates the need to make the inside of the load lock chamber 3 an atmospheric pressure atmosphere again when a product in which five or more substrates are bonded at room temperature is continuously produced.
  • a cassette in which a substrate to be bonded at room temperature is loaded is set in a cassette chamber other than the two cassette chambers in which the substrates being bonded are respectively arranged. Therefore, the production time per unit time of the substrates to be bonded at room temperature can be increased as compared with the room temperature bonding apparatus 1.
  • Such a room temperature bonding apparatus has a simpler structure than the room temperature bonding apparatus 81, and is preferable from the viewpoint of apparatus design, manufacturing, and maintenance cost reduction.
  • the angle adjustment mechanism 12 can be replaced with another angle adjustment mechanism that supports the upper stage 11 so that the orientation of the upper sample stage 13 can be changed.
  • FIG. 20 shows an example of the angle adjustment mechanism to be replaced.
  • the angle adjusting mechanism includes a shim 91 and a fastener 92.
  • the shim 91 is disposed in a part of the outer peripheral area of the surface of the upper stage 11 that faces the upper sample stage 13.
  • the fastener 92 fixes the upper stage 11 and the upper sample stage 13 by fastening the upper stage 11 and the upper sample stage 13 with the shim 91 sandwiched between the upper stage 11 and the upper sample stage 13. .
  • the operator can use the surface of the upper sample stage 13 on which the substrate is placed and the support surface 52 of the carriage support stage 45 (the lower sample stage 46 becomes the carriage support stage 45).
  • an appropriate shim 91 of a plurality of shims having different thicknesses is opposed to the upper sample stage 13 of the upper stage 11.
  • the upper stage 11 and the upper sample stage 13 are fixed using a fastener 92 by being arranged at an appropriate position in the outer peripheral area of the surface to be processed.
  • the room-temperature bonding apparatus is a room temperature bonding apparatus in which the substrate of the upper sample stage 13 and the substrate of the lower sample stage 46 are placed at room temperature in the same manner as the angle adjustment mechanism 12 in the above-described embodiment.
  • the load can be more uniformly applied to the bonding surface between the substrate of the upper sample stage 13 and the substrate of the lower sample stage 46.
  • FIG. 21 shows another example of the angle adjustment mechanism to be replaced.
  • the angle adjusting mechanism includes three push bolts 93 and a tension spring 94.
  • the tension spring 94 applies an elastic force to the upper sample stage 13 with respect to the upper stage 11 so that the upper stage 11 and the upper sample stage 13 are attracted to each other.
  • the push bolts 93 are arranged at three locations on the outer peripheral area of the surface of the upper stage 11 that faces the upper sample stage 13. As the push bolts 93 are rotated, the push-in amount for pushing the upper sample stage 13 from the upper stage 11 changes.
  • the operator can use the surface of the upper sample stage 13 on which the substrate is placed and the support surface 52 of the carriage support stage 45 (the lower sample stage 46 becomes the carriage support stage 45.
  • the contact is not parallel to the surface on which the substrate of the lower sample stage 46 is disposed, the surface of the upper sample stage 13 on which the substrate is disposed and the carriage support are rotated by appropriately rotating the push bolt 93.
  • the support surface 52 of the base 45 is made parallel.
  • the room-temperature bonding apparatus is a room temperature bonding apparatus in which the substrate of the upper sample stage 13 and the substrate of the lower sample stage 46 are placed at room temperature in the same manner as the angle adjustment mechanism 12 in the embodiment described above.
  • the load can be more uniformly applied to the bonding surface between the substrate of the upper sample stage 13 and the substrate of the lower sample stage 46.
  • FIG. 23 shows still another example of the angle adjustment mechanism to be replaced.
  • the angle adjustment mechanism includes three piezoelectric elements 95, a sensor 96, and a control device 97.
  • the sensor 96 measures the direction of the upper sample stage 13.
  • the control device 97 is a computer, and applies an appropriate voltage to the piezoelectric element 95 based on the orientation of the upper sample stage 13 measured by the sensor 96 or based on the operator's operation.
  • the piezoelectric elements 95 are arranged at three locations on the outer peripheral area of the surface of the upper stage 11 that faces the upper sample stage 13. The length of the piezoelectric element 95 changes based on the applied voltage.
  • the operator measures the orientation of the upper sample stage 13 using the sensor 96.
  • the operator places the surface of the upper sample stage 13 on which the substrate is disposed and the support surface 52 of the carriage support table 45 (when the lower sample table 46 is in contact with the carriage support table 45, the substrate of the lower sample table 46 is disposed.
  • the control device 97 is appropriately operated when the surface is not parallel to the surface)
  • an appropriate voltage is applied to the piezoelectric element 95 and the surface of the upper sample table 13 on which the substrate is disposed and the carriage support table 45
  • the support surface 52 is made parallel.
  • the room-temperature bonding apparatus is a room temperature bonding apparatus in which the substrate of the upper sample stage 13 and the substrate of the lower sample stage 46 are placed at room temperature in the same manner as the angle adjustment mechanism 12 in the embodiment described above.
  • the load can be more uniformly applied to the bonding surface between the substrate of the upper sample stage 13 and the substrate of the lower sample stage 46.
  • Such an angle adjusting mechanism can further parallelize the surface on which the substrate of the upper sample stage 13 is disposed and the surface on which the substrate of the lower sample stage 46 is disposed without opening the bonding chamber 2 to the atmosphere. . That is, in the operation of correcting the orientation of the upper sample stage, the control device 97 measures the orientation of the upper sample stage 13 using the sensor 96 and applies an appropriate voltage to the piezoelectric element 95 based on the measurement result. The surface of the upper sample stage 13 on which the substrate is disposed and the surface of the lower sample stage 46 on which the substrate is disposed are made parallel. Such an operation can be performed without opening the bonding chamber 2 to the atmosphere. For example, the operation is performed in a period in which step S6 in the period in which steps S4 to S8 in FIG.
  • the upper sample stage 13 and the lower sample stage 46 can be replaced with a sample stage that fixes the substrate by another mechanism different from the mechanical lock mechanism.
  • FIG. 25 shows an example of the sample stage to be replaced.
  • the sample stage 101 includes a coil 102, a magnetic material 103, and a power source 104.
  • the magnetic material 103 is formed in a rod shape and is disposed inside the sample table 101.
  • the coil 102 is formed of an electric wire wound around the magnetic material 103, and generates a magnetic force when a direct current flows.
  • the power supply 104 causes a direct current to flow through the coil 102 or stops a direct current from flowing through the coil 102 by a user operation.
  • the substrate 105 held on the sample stage 101 is bonded to the cartridge 106 using a wafer tape (not shown).
  • the cartridge 106 is made of a ferromagnetic material.
  • the sample table 101 holds the substrate 105 by passing a direct current through the coil 102 after the substrate 105 bonded to the cartridge 106 is placed on the sample table 101. After the sample stage 101 is stopped from passing a direct current through the coil 102, the substrate 105 bonded to the cartridge 106 is removed. Such a sample stage 101 is preferable because it can hold the substrate 43 even when the substrate 105 is not a ferromagnetic material.
  • FIG. 26 shows another example of the sample stage to be replaced.
  • the sample stage 111 includes electrodes 112 and 113 and power sources 114 and 115.
  • the electrode 112 and the electrode 113 are disposed inside the sample stage 111.
  • the power source 114 applies a voltage to the electrode 112 or stops applying a voltage to the electrode 112 by a user operation.
  • the power source 115 applies a voltage to the electrode 113 or stops applying a voltage to the electrode 113 by a user operation.
  • the sample stage 111 applies a voltage to the electrodes 112 and 113 after the substrate 116 is placed on the sample stage 111, and holds the substrate 116 by the electrostatic force generated between the sample stage 111 and the substrate 116.
  • sample stage 111 the application of the voltage to the electrode 112 and the electrode 113 is stopped, and then the substrate 116 is removed.
  • a sample stage 111 can be applied to a room temperature bonding apparatus when an electrostatic force may be applied to the substrate 116. That is, various mechanisms can be applied to the sample stage as long as the specifications of the substrate held on the sample stage are allowed.
  • the room temperature bonding apparatus can reduce the load applied to the second driving device when the first substrate and the second substrate are pressed together, and can apply a larger load exceeding the load resistance of the second driving device. It can be added to the first substrate and the second substrate.
  • the room temperature bonding apparatus according to the present invention can further apply a larger load more uniformly to the bonding surface between the first substrate and the second substrate.

Abstract

第1基板を保持する第1試料台の向きを変更可能に、第1ステージにその第1試料台を支持する角度調整機構と、その第1ステージを第1方向に駆動する第1駆動装置と、第2基板を保持する第2試料台を第2方向に駆動する第2駆動装置と、その第2基板とその第1基板とが圧接されるときに、その第1方向にその第2試料台を支持するキャリッジ支持台とを備えている。このとき、常温接合装置は、第2駆動装置の耐荷重を越えた大きな荷重を第1基板と第2基板とに加えることができる。常温接合装置は、さらに、第1基板と第2基板とが平行に接触するように、角度調整機構を用いて第1基板の向きを変更することができ、その大きな荷重を接合面に均一に負荷することができる。

Description

常温接合装置
 本発明は、常温接合装置に関し、特に、常温接合を用いて製品を大量に生産する常温接合装置に関する。なお、本出願は、日本出願番号2008-050551に基づく優先権を主張するものであり、日本出願番号2008-050551における開示内容は引用により本出願に組み込まれる。
 微細な電気部品や機械部品を集積化したMEMSが知られている。そのMEMSとしては、マイクロリレー、圧力センサ、加速度センサなどが例示される。そのMEMSは、大きな接合強度を持ち、かつ荷重による押し付けや加熱処理を必要としない常温接合が用いられて製造されることが望まれている。その常温接合装置は、製品を大量に生産することに利用されることが望まれ、長寿命であることが望まれ、よりコンパクトであることが望まれている。その常温接合装置は、さらに、製品を大量に生産するときに使い勝手が良いことが望まれ、単位時間あたりの生産量が多いことが望まれている。
 複数のパターンが形成された2つの基板を接合基板に接合することにより、その接合基板に複数のデバイスを形成する常温接合方法が知られている。このような常温接合方法では、その複数のデバイスの歩留まりを向上させることが望まれ、その接合面に荷重をより均一に負荷することが望まれている。
 特許2791429号公報には、大きな接合強度を持ち、かつ荷重による押し付けや加熱処理を必要としないシリコンウェハーの接合方法が開示されている。そのシリコンウェハーの常温接合法は、シリコンウェハーとシリコンウェハーとを接合する方法であって、両方のシリコンウェハーの接合面を接合に先立って室温の真空中で不活性ガスイオンビームまたは不活性ガス高速原子ビームで照射してスパッタエッチングすることを特徴とする。
 特開2001-351892号公報には、その接合法を大量生産が要求される現実の実装工程により便利に適合させるとともに、実装工程全体のタクトタイムの短縮をはかった実装方法が開示されている。その実装方法は、複数の被接合物同士を接合する実装方法であって、各被接合物の表面にエネルギー波を照射することにより洗浄する洗浄工程と、洗浄された被接合物を実装工程に搬送する搬送工程と、搬送された各被接合物の洗浄された表面同士を常温接合する実装工程とを有することを特徴とする。
 特開2003-318219号公報には、エネルギー波もしくはエネルギー粒子により効率よくかつ均一に接合面を洗浄できるようにし、また、チャンバー内で洗浄する際にも、対向チャンバー壁面エッチングによる不純物付着の問題を回避できるようにした実装方法が開示されている。その実装方法は、対向する両被接合物間に形成される間隙内に、一つの照射手段によりエネルギー波もしくはエネルギー粒子を照射して両被接合物の接合面を実質的に同時洗浄するとともに、洗浄中に少なくとも一方の被接合物を回転させ、洗浄された被接合物間の相対位置をアライメント後、被接合物同士を接合することを特徴とする。
 特許第3970304号公報には、コンパクト化、低コスト化することができ、また、ステージ耐荷重の制約を受けなくなることで圧接荷重の上限値が広域化でき、接合時に高荷重が求められる対象へ適用する際の信頼性が増す常温接合装置が開示されている。その常温接合装置は、上側基板と下側基板とを常温接合するための真空雰囲気を生成する接合チャンバーと、前記接合チャンバーの内部に設置され、前記上側基板を前記真空雰囲気に支持する上側ステージと、前記接合チャンバーの内部に設置され、前記下側基板を前記真空雰囲気に支持するキャリッジと、前記キャリッジに同体に接合される弾性案内と、前記接合チャンバーの内部に設置され、水平方向に移動可能に前記弾性案内を支持する位置決めステージと、前記弾性案内を駆動して前記水平方向に前記キャリッジを移動する第1機構と、前記水平方向に垂直である上下方向に前記上側ステージを移動する第2機構と、前記接合チャンバーの内部に設置され、前記下側基板と前記上側基板とが圧接されるときに、前記上側ステージが移動する方向に前記キャリッジを支持するキャリッジ支持台とを具備している。前記弾性案内は、前記下側基板と前記上側基板とが接触しないときに前記キャリッジが前記キャリッジ支持台に接触しないように前記キャリッジを支持し、前記下側基板と前記上側基板とが圧接されるときに前記キャリッジが前記キャリッジ支持台に接触するように弾性変形する。
 特開2002-064042号公報には、最終的に極めて高精度で信頼性の高い接合状態を得ることができる実装方法が開示されている。その実装方法は、複数の被接合物同士を接合する実装方法であって、第1の被接合物と、第2の被接合物およびその保持手段と、位置決め基準面を有するバックアップ部材とをこの順に互いに離間させて配置し、第2の被接合物またはその保持手段のバックアップ部材の位置決め基準面に対する平行度を調整するとともに、第1の被接合物またはその保持手段の第2の被接合物またはその保持手段に対する平行度を調整し、第1の被接合物を第2の被接合物に接触させて両被接合物を仮接合した後、第2の被接合物の保持手段をバックアップ部材の位置決め基準面に接触させ、両被接合物を加圧して本接合することを特徴とする。
 本発明の課題は、基板をより確実に常温接合する常温接合装置を提供することにある。
 本発明の他の課題は、接合される接合面に、より大きな荷重をより均一に負荷する常温接合装置を提供することにある。
 本発明のさらに他の課題は、より長寿命である常温接合装置を提供することにある。
 本発明のさらに他の課題は、よりコンパクトである常温接合装置を提供することにある。
 本発明のさらに他の課題は、より低コストで常温接合する常温接合装置を提供することにある。
 本発明のさらに他の課題は、単位時間あたりの製品の生産量をより多くする常温接合装置を提供することにある。
 本発明による常温接合装置は、第1基板を保持する第1試料台を第1ステージに、第1試料台の向きを変更可能に支持する角度調整機構と、第1ステージを第1方向に駆動する第1駆動装置と、第2基板を保持する第2試料台をその第1方向に平行でない第2方向に駆動する第2駆動装置と、その第2基板とその第1基板とが圧接されるときに、その第1方向に第2試料台を支持するキャリッジ支持台とを備えている。このとき、常温接合装置は、第1基板と第2基板とを圧接するときに、第2駆動装置に加わる荷重を低減することができ、第2駆動装置の耐荷重を越えたより大きな荷重を第1基板と第2基板とに加えることができる。常温接合装置は、さらに、第1基板のうちの第2基板に対向する第1表面と第2基板のうちの第1基板に対向する第2表面とが平行に接触するように、角度調整機構を用いて第1基板の向きを変更することができ、その大きな荷重を接合面に均一に負荷することができる。
 角度調整機構は、第1試料台に固定される球フランジと、第1ステージに固定される球座と、球フランジをかしめることにより球フランジを球座に固定する固定フランジとを備えていることが好ましい。
 角度調整機構は、複数のシムと、その複数のシムのうちのいくつかのシムを第1ステージと第1試料台との間に挟んで第1ステージと第1試料台とを接合する締結部品とを備えていることが好ましい。
 角度調整機構は、電気信号により伸び縮みする複数の素子と、複数の素子の各々の一端を第1試料台に接合し、その各々の他端を第1ステージに接合する締結部品とを備えていることが好ましい。
 角度調整機構は、その第1試料台のうちのその第2基板に対向する表面の向きを測定するセンサと、その測定された表面の向きに基づいて複数の素子を制御する制御装置とをさらに備えている。このとき、制御装置は、その測定された表面が基準面に平行になるように複数の素子を制御する。その基準面としては、キャリッジ支持台のうちの第2試料台に対向する面、第2試料台のうちの第2基板が保持される面、第2基板のうちの第1基板に接合される面が例示される。このとき、常温接合装置は、たとえば、接合チャンバーを大気開放することなしに、第1試料台の向きを補正することができ、好ましい。
 本発明による常温接合装置は、その第2基板を固定するカートリッジを第2試料台に機械的に固定するメカニカルロック機構をさらに備えている。このとき、常温接合装置は、電磁力を用いないで第2基板を保持することができ、第2基板が電磁力を嫌うときに有効である。
 本発明による常温接合装置は、その第2基板を固定するカートリッジを第2試料台に磁力を用いて固定するコイルをさらに備えていることが好ましい。
 本発明による常温接合装置は、光を発する光源と、その第1基板またはその第2基板にパターンニングされたアライメントマークを反射するその光の反射光に基づいて画像を撮像するカメラとをさらに備えている。キャリッジ支持台は、その光とその反射光とが透過する観察窓が形成される。このとき、常温接合装置は、画像に基づいて第2試料台を駆動することにより、第1基板と第2基板とが設計どおりに常温接合されるように、第1基板と第2基板とを位置合わせすることができる。
 本発明による常温接合装置は、第1試料台と第2試料台とを内部に配置する接合チャンバーと、接合チャンバーに形成される排気口を介して接合チャンバーの内部から気体を排気して接合チャンバーの内部に真空雰囲気を生成する真空ポンプと、その第1基板のうちのその第2基板に対向する第1表面とその第2基板のうちのその第1基板に対向する第2表面とが離れているときに、一箇所から放出される粒子をその真空雰囲気でその第1表面とその第2表面との間に向けて照射する表面清浄化装置とを備えている。その粒子のビームの中心線は、接合チャンバーの内側表面のうちの排気口を除く領域に向いている。このような常温接合装置は、真空ポンプの汚染が防止されて、長寿命化する。
 本発明による常温接合装置は、第1試料台と第2試料台とを内部に配置する接合チャンバーと、ロードロックチャンバーと接合チャンバーとの間を開閉するゲートバルブと、ゲートバルブを介してその第1基板とその第2基板とをロードロックチャンバーから接合チャンバーに搬送する搬送装置と、その第1表面とその第2表面とが離れているときに、一箇所から放出される粒子をその真空雰囲気でその第1表面とその第2表面との間に向けて照射する表面清浄化装置とを備えている。その粒子のビームの中心線は、接合チャンバーの内側表面のうちのゲートバルブを除く領域に向いている。このような常温接合装置は、ゲートバルブの汚染が防止されて、長寿命化する。
 本発明による常温接合装置は、互いに独立して減圧可能である複数のカセットチャンバーをさらに備えている。搬送装置は、その第1基板をその複数のカセットチャンバーのうちの第1カセットチャンバーから接合チャンバーに搬送し、その第2基板をその複数のカセットチャンバーのうちの第2カセットチャンバーから接合チャンバーに搬送し、その第2基板とその第1基板とが常温接合された接合基板を接合チャンバーからその複数のカセットチャンバーのうちの1つのカセットチャンバーに搬送する。このような常温接合装置は、タイミングをずらして複数の基板を別々にカセットチャンバーにセットすることができる。
 本発明による常温接合装置は、その複数のカセットチャンバーの内部に出し入れ可能に配置される複数カセットをさらに備えている。その複数カセットは、それぞれ、その第2基板またはその第1基板またはその接合基板が配置される複数の棚が形成される。このような常温接合装置は、その2つの基板の複数組をカセットごとカセットチャンバーに入れることができ、その接合基板をカセットごと次工程(ダイシングやエッチング、あるいは、さらに基板を接合接合する工程)に搬送することができる。このような常温接合装置は、タクトタイムを短縮することができ、高効率であり、単位時間あたりの生産量が多く、大量生産に好適である。
 本発明による常温接合装置は、第2試料台に同体に接合される弾性案内をさらに備えている。第2駆動装置は、弾性案内を支持し、弾性案内を駆動することにより、第2試料台を駆動する。弾性案内は、その第1基板とその第2基板とが接触していないときに第2試料台がキャリッジ支持台に接触しないように、かつ、その第1基板とその第2基板とが圧接されるときに第2試料台がキャリッジ支持台に接触するように、弾性変形することが好ましい。
 第2試料台は、第2試料台がキャリッジ支持台に摺動してその第2方向に移動することが好ましい。
 本発明による常温接合装置は、第1基板を保持する第1試料台を支持する第1ステージを第1方向に駆動する第1駆動装置と、第2基板を保持する第2試料台をその第1方向に平行でない第2方向に駆動する第2駆動装置と、その第2基板とその第1基板とが圧接されるときに、その第1方向に第2試料台を支持するキャリッジ支持台と、その第2基板を固定するカートリッジを第2試料台に機械的に固定するメカニカルロック機構とを備えている。このとき、常温接合装置は、第1基板と第2基板とを圧接するときに、第2駆動装置に加わる荷重を低減することができ、第2駆動装置の耐荷重を越えたより大きな荷重を第1基板と第2基板とに加えることができる。常温接合装置は、さらに、第2基板に電磁力を印加することなしに、第2基板を着脱可能に第2試料台に支持することができる。このため、常温接合装置は、電磁力を印加することができない基板にその大きな荷重を負荷することができる。
 本発明による常温接合装置は、第1試料台と第2試料台とを内部に配置する接合チャンバーと、接合チャンバーに形成される排気口を介して接合チャンバーの内部から気体を排気して接合チャンバーの内部に真空雰囲気を生成する真空ポンプと、ロードロックチャンバーと接合チャンバーとの間を開閉するゲートバルブと、ゲートバルブを介してその第1基板とその第2基板とをロードロックチャンバーから接合チャンバーに搬送する搬送装置と、その第1基板のうちのその第2基板に対向する第1表面とその第2基板のうちのその第1基板に対向する第2表面とが離れているときに、一箇所から放出される粒子をその真空雰囲気でその第1表面とその第2表面との間に向けて照射する表面清浄化装置とをさらに備えている。その粒子のビームの中心線は、接合チャンバーの内側表面のうちの排気口とゲートバルブとを除く領域に向いている。このような常温接合装置は、さらに、真空ポンプの汚染とゲートバルブの汚染が防止されて、長寿命化する。
 本発明による常温接合装置は、第1基板を保持する第1試料台を支持する第1ステージを第1方向に駆動する第1駆動装置と、第2基板を保持する第2試料台をその第1方向に平行でない第2方向に駆動する第2駆動装置と、その第2基板とその第1基板とが圧接されるときに、その第1方向に第2試料台を支持するキャリッジ支持台と、光を発する光源と、その第1基板またはその第2基板にパターンニングされたアライメントマークを反射するその光の反射光に基づいて画像を撮像するカメラとを備えている。キャリッジ支持台は、その光とその反射光とが透過する観察窓が形成される。このとき、常温接合装置は、第1基板と第2基板とを圧接するときに、第2駆動装置に加わる荷重を低減することができ、第2駆動装置の耐荷重を越えたより大きな荷重を第1基板と第2基板とに加えることができる。常温接合装置は、さらに、その画像に基づいて第2試料台を駆動することにより、第1基板と第2基板とが設計どおりに常温接合されるように、第1基板と第2基板とを位置合わせすることができる。
 本発明による常温接合装置は、第1試料台と第2試料台とを内部に配置する接合チャンバーと、接合チャンバーに形成される排気口を介して接合チャンバーの内部から気体を排気して接合チャンバーの内部に真空雰囲気を生成する真空ポンプと、ロードロックチャンバーと接合チャンバーとの間を開閉するゲートバルブと、ゲートバルブを介してその第1基板とその第2基板とをロードロックチャンバーから接合チャンバーに搬送する搬送装置と、その第1基板のうちのその第2基板に対向する第1表面とその第2基板のうちのその第1基板に対向する第2表面とが離れているときに、一箇所から放出される粒子をその真空雰囲気でその第1表面とその第2表面との間に向けて照射する表面清浄化装置とを備えている。その粒子のビームの中心線は、接合チャンバーの内側表面のうちの排気口とゲートバルブとを除く領域に向いている。このとき、常温接合装置は、第1基板と第2基板とを圧接するときに、第2駆動装置に加わる荷重を低減することができ、第2駆動装置の耐荷重を越えたより大きな荷重を第1基板と第2基板とに加えることができる。このような常温接合装置は、さらに、真空ポンプの汚染とゲートバルブの汚染が防止されて、長寿命化する。
 本発明による常温接合装置は、第1基板と第2基板とを圧接するときに、第2駆動装置に加わる荷重を低減することができ、第2駆動装置の耐荷重を越えたより大きな荷重を第1基板と第2基板とに加えることができる。本発明による常温接合装置は、さらに、第1基板と第2基板との接合面に、より大きな荷重をより均一に負荷することができる。
図1は、本発明による常温接合装置の実施の形態を示す断面図である。 図2は、本発明による常温接合装置の実施の形態を示す断面図である。 図3は、角度調整機構を示す断面図である。 図4は、角度調整機構を示す斜視図である。 図5は、下側基板支持部を示す断面図である。 図6は、下側基板支持部に保持される基板を示す断面図である。 図7は、カートリッジを示す断面図である。 図8は、下側試料台を示す平面図である。 図9は、アライメント装置を示す断面図である。 図10は、ゲートバルブを示す断面図である。 図11は、搬送装置の爪を示す斜視図である。 図12は、基板を把持した搬送装置の爪を示す斜視図である。 図13は、カセットを示す斜視図である。 図14は、基板が配置されたカセットを示す斜視図である。 図15は、本発明による常温接合装置を用いて基板を常温接合する動作を示すフローチャートである。 図16は、本発明による常温接合装置の実施の他の形態を示す断面図である。 図17は、本発明による常温接合装置を用いて、常温接合基板を連続的に製造する動作を示すフロー図である。 図18は、本発明による常温接合装置を用いて、常温接合基板を連続的に製造する動作を示すフロー図である。 図19は、本発明による常温接合装置を用いて、常温接合基板を連続的に製造する動作を示すフロー図である。 図20は、他の角度調整機構を示す側面図である。 図21は、さらに他の角度調整機構を示す側面図である。 図22は、さらに他の角度調整機構を示す平面図である。 図23は、さらに他の角度調整機構を示す側面図である。 図24は、さらに他の角度調整機構を示す平面図である。 図25は、他の試料台を示す側面図である。 図26は、さらに他の試料台を示す側面図である。
 図面を参照して、本発明による常温接合装置の実施の形態を記載する。その常温接合装置1は、図1に示されているように、接合チャンバー2とロードロックチャンバー3とを備えている。接合チャンバー2とロードロックチャンバー3は、内部を環境から密閉する容器に形成されている。常温接合装置1は、さらに、ゲートバルブ5を備えている。ゲートバルブ5は、接合チャンバー2とロードロックチャンバー3との間に介設され、接合チャンバー2の内部とロードロックチャンバー3の内部とを接続するゲートを閉鎖し、または、開放する。
 ロードロックチャンバー3は、第1カセット台6と第2カセット台7と搬送装置8とを内部に備えている。第1カセット台6と第2カセット台7とは、基板を載せるために利用されるカセットが配置される。なお、ロードロックチャンバー3は、このようなカセット台を3個以上設置されても構わない。
 ロードロックチャンバー3は、さらに、図示されていない真空ポンプと蓋とを備えている。その真空ポンプは、ロードロックチャンバー3の内部から気体を排気する。その真空ポンプとしては、内部の金属製の複数の羽根が気体分子を弾き飛ばすことにより排気するターボ分子ポンプが例示される。その蓋は、ロードロックチャンバー3の外部と内部とを接続するゲートを閉鎖し、または、開放する。そのゲートの大きさは、第1カセット台6と第2カセット台7とに配置されるカセットより大きい。
 搬送装置8は、第1アーム15と第2アーム16と第3アーム17と第1節18と第2節19と第3節20とを備えている。第1アーム15と第2アーム16と第3アーム17とは、それぞれ、棒状に形成されている。第1節18は、ロードロックチャンバー3の床板に支持され、回転軸22を中心に回転可能に第1アーム15を支持している。回転軸22は、鉛直方向に平行である。第2節19は、第1節18に支持され、回転軸23を中心に回転可能に第2アーム16を支持している。回転軸23は、鉛直方向に平行であり、すなわち、回転軸22に平行である。第3節20は、第2節19に支持され、回転軸24を中心に回転可能に第3アーム17を支持している。回転軸24は、鉛直方向に平行であり、すなわち、回転軸23に平行である。第3アーム17は、第3節20に接合される端と反対側の端に、爪21を備えている。爪21は、第1カセット台6または第2カセット台に配置されるカセットに載せられる基板を把持するために利用される。
 搬送装置8は、さらに、図示されていない昇降機構と伸縮機構とを備えている。その昇降機構は、ユーザの操作により、第1アーム15を昇降させて、爪21により把持される基板を昇降させる。その伸縮機構は、第1節18と第2節19と第3節20とを制御して第3アーム17の長手方向に平行に第3アーム17を平行移動させる。
 搬送装置8は、その基板をロードロックチャンバー3から接合チャンバー2にゲートバルブ5を介して搬送し、その基板を接合チャンバー2からロードロックチャンバー3にゲートバルブ5を介して搬送する。
 接合チャンバー2は、真空ポンプ31とイオンガン32と電子銃33とを備えている。接合チャンバー2は、容器を形成する壁34の一部分に排気口35が形成されている。真空ポンプ31は、接合チャンバー2の外部に配置され、排気口35を介して接合チャンバー2の内部から気体を排気する。真空ポンプ31としては、内部の金属製の複数の羽根が気体分子を弾き飛ばすことにより排気するターボ分子ポンプが例示される。イオンガン32は、1つの照射方向36に向けられて配置され、照射方向36に向けて加速された荷電粒子を放出する。その荷電粒子としては、アルゴンイオンが例示される。イオンガン32は、その基板の表面を清浄化する他の表面清浄化装置に置換することができる。その表面清浄化装置としては、プラズマガン、高速原子ビーム源などが例示される。電子銃33は、イオンガン32により荷電粒子が照射される対象に向けられて配置され、その対象に向けて加速された電子を放出する。
 壁34は、一部分に扉37が形成されている。扉37は、ヒンジ38を備えている。ヒンジ38は、壁34に対して回転可能に扉37を支持している。壁34は、さらに、一部分に窓39が形成されている。窓39は、気体を透過しないで可視光を透過する材料から形成されている。窓39は、ユーザがイオンガン32により荷電粒子が照射される対象または、接合状態を接合チャンバー2の外部から見えるように配置されていれば壁34のどこでもかまわない。
 接合チャンバー2は、図2に示されているように、さらに、上側基板支持部41と下側基板支持部42とを内部に備えている。上側基板支持部41は、上側ステージ11と角度調整機構12と上側試料台13と上側ステージ駆動装置14とを備えている。上側ステージ11は、接合チャンバー2に対して鉛直方向に平行移動可能に支持されている。角度調整機構12は、向きを変更可能に、上側試料台13を上側ステージ11に支持している。上側試料台13は、その下端に誘電層を備え、その誘電層と基板の間に電圧を印加し、静電力によってその基板をその誘電層に吸着する。上側ステージ駆動装置14は、ユーザの操作により、上側ステージ11を接合チャンバー2に対して鉛直方向に平行移動させる。下側基板支持部42は、基板を上端に支持する。
 イオンガン32は、上側基板支持部41に支持される基板と下側基板支持部42に支持されるその基板とが離れているときに、上側基板支持部41に支持される基板と下側基板支持部42に支持される基板との間の空間に向けられ、接合チャンバー2の壁34の一部の内側表面に向けられている。すなわち、イオンガン32の照射方向36は、上側基板支持部41に支持される基板と下側基板支持部42に支持される基板との間を通り、接合チャンバー2の壁34の一部の内側表面に交差する。
 図3は、角度調整機構12を示している。角度調整機構12は、球フランジ26と固定フランジ27と球座28とを備えている。球フランジ26は、支持部分とフランジ部分とから形成されている。その支持部分は、上側試料台13に接合されている。そのフランジ部分は、点29を中心とする球に形成されている。固定フランジ27は、かしめ固定により、球フランジ26のフランジ部分に接合されている。球座28は、球フランジ26のフランジ部分に密着する球座面が形成されている。球座28は、さらに、上側ステージ11に接合され、その球座面が球フランジ26のフランジ部分に密着するように、ボルトに例示される締結具により固定フランジ27に接合されている。
 図4は、固定フランジ27を示している。固定フランジ27は、分割リング29-1~29-2を備えている。分割リング29-1~29-2は、それぞれ、リングの一部に形成されている。分割リング29-1~29-2は、そのリングの内側が球フランジ26のフランジ部分に接触するように配置され、図示されていないボルトにより締結されることにより、球フランジ26のフランジ部分に接合される。
 図5は、下側基板支持部42を詳細に示している。下側基板支持部42は、位置決めステージ44とキャリッジ支持台45と下側試料台46と弾性案内47とを備えている。位置決めステージ44は、接合チャンバー2の底板48に支持されている。キャリッジ支持台45は、例えば、円柱状に形成され、接合チャンバー2の底板48に支持されている。キャリッジ支持台45は、その円柱の上端に滑らかな支持面52を有している。支持面52は、鉛直方向に垂直である。
 下側試料台46は、例えば、円柱状に形成される。下側試料台46は、その円柱の下端に滑らかな支持面54を有している。下側試料台46の支持面54の反対側の面は、支持面54と平行になるように、高精度(たとえば、平行度が10μm以内)に加工されている。弾性案内47は、弾性体から形成され、下側試料台46の側面に同体に接合されている。位置決めステージ44は、下側試料台46の支持面54がキャリッジ支持台45の支持面52に接触しないように、弾性案内47を水平方向に平行移動可能に支持している。このとき、支持面54と支持面52とは、100μm程度離れている。弾性案内47は、さらに、上側基板支持部41により下側試料台46が鉛直下方向に押されたときに、下側試料台46の支持面54がキャリッジ支持台45の支持面52に接触するように弾性変形する。位置決めステージ44は、さらに、ユーザの操作により弾性案内47を水平方向に平行な方向に平行移動させ、弾性案内47を鉛直方向に平行な回転軸を中心に回転移動させる。
 このような下側基板支持部42は、下側試料台46が上側基板支持部41により鉛直下方向に押されたときに、押付け荷重が下側試料台46を支持する弾性案内に加わることで、キャリッジ支持台45が下側試料台46を支持する。このため、常温接合装置1は、位置決めステージ44に大きな荷重をかけずに上側基板支持部41にセットされた基板と下側基板支持部42にセットされた基板とに、位置決めステージ44の耐荷重を越えるより大きな荷重を加えることができる。
 なお、下側基板支持部42は、位置決めステージ44と弾性案内47とを他の位置決め機構に置換することもできる。このとき、キャリッジ支持台45は、支持面52が下側試料台46の支持面54に接触して下側試料台46を支持する。その位置決め機構は、ユーザの操作により下側試料台46を水平方向に平行な方向に平行移動させ、下側試料台46を鉛直方向に平行な回転軸を中心に回転移動させる。このとき、下側試料台46は、キャリッジ支持台45の支持面52に摺動して移動する。
 図6は、下側試料台46に保持される基板を示している。その基板43は、カートリッジ55に接合されている。
 図7は、カートリッジ55を示している。カートリッジ55は、概ね円盤状に形成され、接着面56と複数の穴57とが形成されている。接着面57は、平坦に形成されている。基板43は、図示されていないウェハテープを用いてカートリッジ55の接着面57に固定されている。複数の穴57は、接着面57の外側に形成されている。
 図8は、下側試料台46を示している。下側試料台46は、メカニカルロック機構によりカートリッジ55を保持することにより、基板43を保持する。下側試料台46は、概ね円盤状に形成され、複数のピン58とカム59とを備えている。複数のピン58は、それぞれ、棒状に形成され、下側試料台46の円盤の半径方向に平行移動可能に下側試料台46に支持されている。カム59は、下側試料台46の円盤の中央に配置され、図示されていない回転機構(たとえば、モータ)により回転されることにより複数のピン58を外側に向かって駆動する。すなわち、下側試料台46は、複数のピン58がカートリッジ55の複数の穴57に入るように基板43が配置され、ユーザの操作によりカム59が回転させられることにより、基板43を固定する。
 上側試料台13に保持される基板は、基板43と同様にして、カートリッジ55に接合されている。さらに、上側試料台13は、下側試料台46と同様にして構成されている。すなわち、上側試料台13は、概ね円盤状に形成され、複数のピンとカムとを備えている。その複数のピンは、それぞれ、棒状に形成され、上側試料台13の円盤の半径方向に平行移動可能に上側試料台13に支持されている。そのカムは、上側試料台13の円盤の中央に配置され、回転することによりその複数のピンを外側に向かって駆動する。すなわち、上側試料台13は、その複数のピンがカートリッジ55の複数の穴57に入るように基板43が配置され、ユーザの操作によりそのカムが回転させられることにより、基板43を固定する。
 このようなメカニカルロック機構を備えた試料台は、電磁力を用いないで基板43を保持することができ、電磁力が加わることが嫌われる基板43を保持することに有効である。
 常温接合装置1は、図9に示されているように、さらに、アライメント装置70を備えている。アライメント装置70は、赤外照明71とレンズ72とカメラ73とを備えている。このとき、キャリッジ支持台45は、透明部位74が形成されている。透明部位74は、赤外照明71が照射する赤外線に対して透明な材料で形成されている。さらに、下側試料台46は、透明部位75が形成されている。透明部位75は、赤外照明71が照射する赤外線に対して透明な材料で形成され、下側試料台46のうちの透明部位74の近傍に配置されている。さらに、その基板がカートリッジ55に接合されているときに、カートリッジ55は、同様にして、透明部位が形成されている。その透明部位は、赤外照明71が照射する赤外線に対して透明な材料で形成され、下側試料台46のうちの透明部位75の近傍に配置される。
 赤外照明71とレンズ72とカメラ73とは、接合チャンバー2に固定されている。赤外照明71は、半導体を透過する赤外線を生成する。その赤外線の波長としては、1μm以上の波長が例示される。レンズ72は、赤外照明71により生成される赤外線の向きを鉛直方向に変えて、透明部位74、75を介して、上側基板支持部41により保持される基板76にその赤外線を照射し、または、下側基板支持部42により保持される基板77にその赤外線を照射する。レンズ72は、さらに、基板76を反射する赤外線の反射光をカメラ73に透過し、基板77を反射する赤外線の反射光をカメラ73に透過する。カメラ73は、レンズ72を透過した反射光に基づいて基板76の一部の画像を生成し、基板77の一部の画像を生成する。
 基板76は、基板77に対向する表面の一部にアライメントマーク78が形成されている。基板77は、基板76に対向する表面にアライメントマーク79が形成されている。基板77は、アライメントマーク79が基板77のうちの透明部位74、75に配置されるように、下側試料台46に支持される。アライメントマーク78とアライメントマーク79とは、基板76と基板77とが設計どおりに常温接合されるときに、ちょうど向かい合って配置されるように、設計されている。アライメントマーク78は、基板76の複数の箇所に形成され、アライメントマーク79は、基板77の複数の箇所に形成されている。
 このとき、カートリッジ55と下側試料台46とキャリッジ支持台45とは、アライメント装置70により基板77のアライメントマーク79が撮影されるように、形成されている。すなわち、カートリッジ55は、基板77に接合されたときに、その複数のアライメントマーク79が配置される複数の箇所に複数の透明部位がそれぞれ形成されている。下側試料台46は、下側基板支持部42が基板77を保持したときに、その複数のアライメントマーク79が配置される複数の箇所に複数の透明部位75がそれぞれ形成されている。キャリッジ支持台45は、下側基板支持部42が基板77を保持したときに、その複数のアライメントマーク79が配置される複数の箇所に複数の透明部位74がそれぞれ形成されている。
 図10は、ゲートバルブ5を示している。ゲートバルブ5は、ゲート61と扉62とを備えている。ゲート61は、接合チャンバー2の内部とロードロックチャンバー3の内部とを接続する開口部を形成し、その開口部の周辺に封止面63を有している。扉62は、ユーザの操作に基づいて図示されていない機構により移動されて、封止面63に密着してゲート61の開口部を閉鎖し、ゲート61の開口部から離れてゲート61の開口部を開放する。
 常温接合装置1は、イオンガン32から放出される粒子に強く曝されないように、かつ、イオンガン32から放出される粒子により壁34の表面や内蔵物の表面、その基板の表面から弾き飛ばされた粒子に強く曝されないように、ゲートバルブ5と真空ポンプ31とが配置されるように製造される。
 ゲートバルブ5は、イオンガン32から放出される粒子に強く曝され、または、イオンガン32から放出される粒子によりその基板の表面から弾き飛ばされた粒子に強く曝されると、封止面63周辺にその粒子による汚染膜ができる。その汚染膜が、ゲートバルブ5の開閉により剥れ、汚染物が封止面63に入り込み、接合チャンバー2の内部とロードロックチャンバー3の内部とを密閉することができなくなる。このような常温接合装置1は、ゲートバルブ5の封止面63の汚染を防止して、長寿命化することができる。
 真空ポンプ31は、排気口35がイオンガン32から放出される粒子に強く曝され、または、イオンガン32から放出される粒子により壁34の表面や内蔵物の表面、その基板の表面から弾き飛ばされた粒子に強く曝されると、内部の金属製の複数の羽根が損傷、または羽根に汚染膜ができる。その羽根の損傷・汚染膜の固化堆積により、真空ポンプ31の排気性能の低下を引き起こす可能性がある。また、汚染膜が剥れると真空ポンプ31がそれを吸い込んでしまい、真空ポンプ31を壊す可能性がある。このような常温接合装置1は、真空ポンプ31の羽根の損傷、汚染を防止して、長寿命化することができる。
 図11は、搬送装置8の爪21を示している。爪21は、支持面64、65と非支持面66とが形成されている。支持面64、65は、同一の水平面に沿うように形成され、鉛直方向上向きに向けられている。非支持面66は、支持面64、65が沿う水平面より鉛直下側に配置される他の水平面に沿うように形成され、支持面64と支持面65との間に配置されている。爪21は、図12に示されているように、基板67が支持面64、65に接触し、基板67が非支持面66に接触しないように、基板67を把持する。このとき、爪21は、基板67の常温接合装置1により常温接合される接合面が上を向いているときでも下を向いているときでも、その接合面が搬送装置8に接触しないで、その接合面が汚染されることによる接合不良の発生を防止することができる。
 図13は、第1カセット台6または第2カセット台7に配置されるカセットを示している。そのカセット68は、対向する壁面に水平である複数(たとえば、25)の棚69がそれぞれ鉛直方向に1列に並んで配置されている。カセット68は、図14に示されているように、基板67が棚69に接触し、基板67の接合面がカセット68に接触しないように、基板67を配置する。このとき、カセット68は、基板67の常温接合装置1により常温接合される接合面が上を向いているときでも下を向いているときでも、その接合面がカセット68に接触しないで、その接合面が汚染されることによる接合不良の発生を防止することができる。
 常温接合装置1を用いて常温接合するときの動作は、上側試料台の向きを補正する動作と常温接合する動作とを備えている。
 上側試料台の向きを補正する動作は、下側基板支持部42が下側試料台46と弾性案内47とを備えていない状態から実行される。作業者は、まず、上側試料台13の向きを測定する。作業者は、上側試料台13の基板が配置される面がキャリッジ支持台45の支持面52に平行でないときに、角度調整機構12を用いて、上側試料台13の基板が配置される面と支持面52とが平行になるように調整する。すなわち、作業者は、上側試料台13の基板が配置される面と支持面52とが平行になるように、球フランジ26を固定フランジ27によりかしめ固定し、固定フランジ27を球座28に固定する。
 作業者は、このような角度調整を実施後に、下側基板支持部42に下側試料台46と弾性案内47とを取り付ける。作業者は、次いで、下側試料台46の支持面54がキャリッジ支持台45の支持面52に接触するように、上側基板支持部41を下側基板支持部42に押し付ける。このとき、作業者は、上側試料台13の基板が配置される面と下側試料台46の基板が配置される面とに印加される荷重の分布を計測し、その荷重分布が均一であることを確認する。
 なお、上側試料台の向きを補正する動作は、下側試料台46がキャリッジ支持台45の支持面52に接触して支持されているときに、他の動作に置換される。その動作では、作業者は、まず、上側試料台13の向きを測定する。作業者は、上側試料台13の基板が配置される面と下側試料台46の基板が配置される面とが平行でないときに、角度調整機構12を用いて、上側試料台13の基板が配置される面と下側試料台46の基板が配置される面とが平行になるように調整する。ここで、下側試料台46が基板を保持しているときに、上側試料台13の基板が配置される面が下側試料台46に保持されている基板の上側試料台13に対向する面に平行になるように、調整することもできる。すなわち、作業者は、上側試料台13の基板が配置される面と下側試料台46の基板が配置される面とが平行になるように、球フランジ26を固定フランジ27によりかしめ固定し、固定フランジ27を球座28に固定する。作業者は、次いで、上側基板支持部41を下側基板支持部42に押し付ける。このとき、作業者は、上側試料台13の基板が配置される面と下側試料台46の基板が配置される面とに印加される荷重の分布を計測し、その荷重分布が均一であることを確認する。
 なお、上側試料台13が基板を保持しているときには、上側試料台13の向きに置換して、その基板の下側試料台46に対向する面の向きを測定することもできる。
 このような上側試料台の向きを補正する動作によれば、上側試料台13の基板が下側試料台46の基板に常温接合されるときに、上側試料台13の基板と下側試料台46の基板との接合面に荷重がより均一に負荷されることができる。この結果、このような動作は、その常温接合により接合基板に複数のデバイスが形成されるときに、その複数のデバイスの歩留まりを向上させ、常温接合装置1による常温接合の信頼性を向上させ、常温接合装置1をより実用的にすることができる。このような動作によれば、さらに、キャリッジ支持台45の支持面52と下側試料台46の基板が配置される面とが平行になるように調整する必要がなく、その荷重分布をより容易に均一にすることができる。このとき、常温接合装置1は、キャリッジ支持台45の支持面52と下側試料台46の基板が配置される面とが平行になるように調整する機構を備える必要がなく、より容易に製造されることができる。
 図15は、その常温接合する動作を示している。作業者は、上側試料台の向きを補正する動作が実行された後に、まず、ゲートバルブ5を閉鎖して(ステップS1)、真空ポンプ31を用いて接合チャンバー2の内部に真空雰囲気を生成し、ロードロックチャンバー3の内部に大気圧雰囲気を生成する。
 作業者は、複数の基板をカセット68に装填する。その複数の基板は、接合面が下向きになるようにカセット68に装填される。作業者は、さらに、その複数の基板にそれぞれ常温接合される他の複数の基板を他のカセット68に装填する。その複数の基板は、接合面が上向きになるようにカセット68に装填される。作業者は、ロードロックチャンバー3の蓋を開けて、接合面が下向きの基板が装填されたカセット68を第1カセット台6に配置し、接合面が上向きの基板が装填されたカセット68を第2カセット台7に配置する(ステップS2)。カセット台が3個以上ある場合は、それらも配置する。作業者は、ロードロックチャンバー3の蓋を閉めて、ロードロックチャンバー3の内部に真空雰囲気を生成し、ゲートバルブ5を開放する(ステップS3)。
 作業者は、搬送装置8を用いて、第1カセット台6に配置されたカセット68に装填された基板の1つを上側基板支持部41にセットし、第2カセット台7に配置されたカセット68に装填された基板の1つを下側基板支持部42にセットする(ステップS4)。作業者は、ゲートバルブ5を閉鎖する(ステップS5)。
 作業者は、ゲートバルブ5を閉鎖した後に、上側基板支持部41にセットされた基板と下側基板支持部42にセットされた基板とを常温接合する。すなわち、作業者は、上側基板支持部41にセットされた基板と下側基板支持部42にセットされた基板とが離れた状態で、上側基板支持部41にセットされた基板と下側基板支持部42にセットされた基板との間にイオンガン32を用いて粒子を放出する。その粒子は、その基板に照射され、その基板の表面に形成される酸化物等を除去し、その基板の表面に付着している不純物を除去する。作業者は、上側基板支持部41の上側ステージ駆動装置14を操作して、上側試料台13を鉛直下方向に下降させて、上側基板支持部41にセットされた基板と下側基板支持部42にセットされた基板とを近づける。作業者は、アライメント装置70を用いて上側基板支持部41にセットされた基板のアライメントマークと下側基板支持部42にセットされた基板のアライメントマークとを画像に撮像する。作業者は、その画像に基づいて下側基板支持部42の位置決め機構を操作して、上側基板支持部41にセットされた基板と下側基板支持部42にセットされた基板とが設計通りに接合されるように、下側基板支持部42にセットされた基板の位置を移動する。作業者は、上側基板支持部41の上側ステージ駆動装置14を操作して、上側試料台13を鉛直下方向に下降させて、上側基板支持部41にセットされた基板を下側基板支持部42にセットされた基板に接触させる。このとき、下側基板支持部42の弾性案内47は弾性変形し、下側基板支持部42の下側試料台46はキャリッジ支持台45に接触してキャリッジ支持台45に支持される。上側基板支持部41にセットされた基板と下側基板支持部42にセットされた基板とは、その接触により接合され、1枚の接合基板が生成される。
 このような常温接合によれば、上側試料台13の向きを補正する動作が実行された後に実行されることにより、上側基板支持部41にセットされた基板と下側基板支持部42にセットされた基板との接合面に荷重をより均一に負荷することができ、常温接合の歩留まりを向上させることができる。このような常温接合によれば、さらに、下側試料台46がキャリッジ支持台45に接触して支持されことにより、位置決めステージ44に耐荷重を越える大きな荷重が印加されることを防止しつつ、上側基板支持部41にセットされた基板と下側基板支持部42にセットされた基板との接合面に、より大きな荷重をより均一に負荷することができる。
 作業者は、上側試料台13を鉛直上方向に上昇させて、ゲートバルブ5を開放する(ステップS7)。作業者は、搬送装置8を用いて、第1カセット台6に配置されたカセット68のうちの空いている棚に、下側基板支持部42にセットされている接合基板を搬送する(ステップS8)。カセット台が3個以上ある場合は、ステップS4~ステップS8の動作は、装填された基板がすべて常温接合されるまで(ステップS9、YES)繰り返し実行される。
 作業者は、装填された基板がすべて常温接合されると(ステップS9、YES)、ゲートバルブ5を閉鎖して(ステップS10)、ロードロックチャンバー3の内部に大気を供給してロードロックチャンバー3の内部に大気圧雰囲気を生成する。作業者は、ロードロックチャンバー3の蓋を開けて、第1カセット台6、第2カセット台7から接合基板をカセット68ごと取り出す(ステップS11)。
 このような動作によれば、その接合された全部の基板をカセット68ごと次工程に搬送することができる。このような常温接合方法は、その接合された全部の基板を別のカセットに再装填する作業が介在しないために、タクトタイムを短縮することができ、高効率であり、単位時間あたりの生産量が多く、大量生産に好適である。
 さらに、ステップS2の接合面が下向きの基板が装填されたカセット68を第1カセット台6に配置し、接合面が上向きの基板が装填されたカセット68を第2カセット台7に配置することによれば、搬送装置2は、接合チャンバー2またはロードロックチャンバー3の内部で基板を裏返す必要がない。このため、接合チャンバー2とロードロックチャンバー3とは、基板を裏返すための空間を内部に設ける必要がなく、よりコンパクトに形成されることができる。
さらに、搬送装置8は、基板を裏返すための機構を備える必要がなく、より容易に製造されることができる。その結果、常温接合装置1は、よりコンパクトに、より低コストに製造されることができる。
 本発明による常温接合装置の実施の他の形態は、既述の実施の形態における常温接合装置1のロードロックチャンバー3が第1カセット台6と第2カセット台7とを内部に備えないで、代わりに複数のカセットチャンバーを備えている。すなわち、その常温接合装置81は、図16に示されているように、その複数のカセットチャンバー82-1~82-4を備えている。カセットチャンバー82-1~82-4は、それぞれ、内部を環境から密閉する容器であり、一般に、ステンレス鋼により形成されている。常温接合装置81は、さらに、複数のゲートバルブ83-1~83-4を備えている。ゲートバルブ83-i(i=1、2、3、4)は、ロードロックチャンバー3とカセットチャンバー82-iの間に介設され、カセットチャンバー82-iの内部とロードロックチャンバー3の内部とを接続するゲートを閉鎖し、または、開放する。
 カセットチャンバー82-iは、カセット84-iが配置される。カセット84-iは、既述の実施の形態におけるカセット68と同様であり、水平である25個の棚が鉛直方向に1列に並んで配置されているケースであり、その棚に1枚ずつ基板を載せるために利用される。
 カセットチャンバー82-iは、さらに、図示されていない真空ポンプと蓋とを備えている。その真空ポンプは、カセットチャンバー82-iの内部から気体を排気する。その真空ポンプとしては、内部の金属製の複数の羽根が気体分子を弾き飛ばすことにより排気するターボ分子ポンプが例示される。その蓋は、カセットチャンバー82-iの外部と内部とを接続するゲートを閉鎖し、大気雰囲気にすることで開放できる。その蓋の大きさは、カセット84-iより大きい。
 常温接合装置81は、3枚以上の基板を1つの基板に常温接合するときの動作と、2枚の基板を1つの基板に常温接合するときの動作と、これらの接合基板を連続して製造する動作を実行することができる。
 3枚以上の基板を1つの基板に常温接合するときの動作では、複数のカセットチャンバー82-iのうち、82-1~82-3を用いる。作業者は、まず、ゲートバルブ5とゲートバルブ83-1~83-4とを閉鎖して、真空ポンプ31を用いて接合チャンバー2の内部に真空雰囲気を生成し、ロードロックチャンバー3の内部に真空雰囲気を生成し、カセットチャンバー82-1~82-4の内部に大気圧雰囲気を生成する。作業者は、カセットチャンバー82-1~82-2の蓋を開けて、25枚の基板が装填されたカセット84-1をカセットチャンバー82-1に配置し、25枚の基板が装填されたカセット84-2をカセットチャンバー82-2に配置する。作業者は、カセットチャンバー82-1~82-2の蓋を閉めて、カセットチャンバー82-1~82-2の内部に真空雰囲気を生成し、ゲートバルブ5とゲートバルブ83-1~83-2とを開放する。
 作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-1に装填された基板のうちの1枚の基板を上側基板支持部41に搭載し、カセット84-2に装填された基板のうちの1枚の基板を下側基板支持部42に搭載する。作業者は、ゲートバルブ5を閉鎖して、上側基板支持部41に搭載された基板と下側基板支持部42に搭載された基板とを常温接合して、上側基板支持部41を鉛直上方向に上昇させて、下側基板支持部42に搭載された接合基板を生成する。作業者は、次いで、ゲートバルブ5を開放する。作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-1のうちの空いている棚に下側基板支持部42に搭載されている接合基板を搬送する。このような接合動作は、カセット84-1に装填された基板がすべて常温接合されるまで繰り返し実行される。
 作業者は、このような接合動作が実行されている間に、カセットチャンバー82-3の蓋を開けて、25枚の基板が装填されたカセット84-3をカセットチャンバー82-3に配置する。作業者は、カセットチャンバー82-3の蓋を閉めて、カセットチャンバー82-3の内部に真空雰囲気を生成する。
 作業者は、カセット84-1に装填された基板とカセット84-2に装填された基板との常温接合が完了し、かつ、カセットチャンバー82-3の内部に真空雰囲気を生成された後に、カセット84-1に装填され常温接合された接合基板とカセット84-3に装填された基板とを常温接合する。すなわち、作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-1に装填された接合基板のうちの1枚の基板を上側基板支持部41に搭載し、カセット84-3に装填された基板のうちの1枚の基板を下側基板支持部42に搭載する。作業者は、ゲートバルブ5を閉鎖して、上側基板支持部41に搭載された基板と下側基板支持部42に搭載された基板とを常温接合して、上側基板支持部41を鉛直上方向に上昇させて、下側基板支持部42に搭載された接合基板を生成する。作業者は、次いで、ゲートバルブ5を開放する。作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-1のうちの空いている棚に下側基板支持部42に搭載されている接合基板を搬送する。このような接合動作は、カセット84-1に装填された基板がすべて常温接合されるまで繰り返し実行される。
 このように、常温接合装置81を用いて3枚以上の基板を1つの基板に常温接合するときの動作では、2つの基板が常温接合されている間に、その2つの基板がそれぞれ配置される2つのカセットチャンバー以外のカセットチャンバーに次に常温接合される基板が装填されるカセットがセットされる。既述の実施の形態における常温接合装置1では、3枚以上の基板を1つの基板に常温接合するときに、2枚の基板が常温接合された接合基板が生成された後に3枚目の基板をセットするためにロードロックチャンバー3の内部を大気圧雰囲気にして再度真空雰囲気にする必要がある。常温接合装置81は、ロードロックチャンバー3の内部を大気圧雰囲気にして再度真空雰囲気にする必要がなく、タクトタイムを短縮して、常温接合される基板の単位時間あたりの生産量を常温接合装置1より多くすることができる。
 さらに、3枚以上の基板が常温接合される製品を連続して製造する場合において、接合前準備工程である排気待ち時間によるロスを低減して、効率良く製造する方法として、次の方法がある。この動作では、複数のカセットチャンバー82-iのうち、82-1~82-4を用いる。3枚の基板を1つの基板に連続して常温接合するときの動作では、図17に示されているように、作業者は、まず、ゲートバルブ5とゲートバルブ83-1~83-4とを閉鎖して、真空ポンプ31を用いて接合チャンバー2の内部に真空雰囲気を生成し、ロードロックチャンバー3の内部に真空雰囲気を生成し、カセットチャンバー82-1~82-4の内部に大気圧雰囲気を生成する。作業者は、カセットチャンバー82-1~82-2の蓋を開けて、25枚の基板が装填されたカセット84-1をカセットチャンバー82-1に配置し、25枚の基板が装填されたカセット84-2をカセットチャンバー82-2に配置する。作業者は、カセットチャンバー82-1~82-2の蓋を閉めて、カセットチャンバー82-1~82-2の内部に真空雰囲気を生成し、ゲートバルブ5とゲートバルブ83-1~83-2とを開放する。(step21)作業者は、カセットチャンバー82-3の蓋を開けて、空のカセット84-3をカセットチャンバー82-3に配置する。作業者は、カセットチャンバー82-3の蓋を閉めて、カセットチャンバー82-3の内部に真空雰囲気を生成し、ゲートバルブ5とゲートバルブ83-3を開放する。
 作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-1に装填された基板のうちの1枚の基板を上側基板支持部41に搭載し、カセット84-2に装填された基板のうちの1枚の基板を下側基板支持部42に搭載する。作業者は、ゲートバルブ5を閉鎖して、上側基板支持部41に搭載された基板と下側基板支持部42に搭載された基板とを常温接合して、上側基板支持部41を鉛直上方向に上昇させて、下側基板支持部42に搭載された接合基板を生成する。作業者は、次いで、ゲートバルブ5を開放する。作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-3のうちの空いている棚に下側基板支持部42に搭載されている接合基板を搬送する。このような接合動作は、カセット84-1に装填された基板がすべて常温接合され、カセット84-3のすべての棚に接合基板が装填されるまで繰り返し実行される。(step22)
 作業者は、このような接合動作が実行されている間に、カセットチャンバー82-4の蓋を開けて、25枚の基板が装填されたカセット84-4をカセットチャンバー82-4に配置する。作業者は、カセットチャンバー82-4の蓋を閉めて、カセットチャンバー82-4の内部に真空雰囲気を生成する。(step22)
 作業者は、カセット84-1に装填された基板とカセット84-2に装填された基板との常温接合が完了し、かつ、カセットチャンバー82-4の内部に真空雰囲気を生成された後に、カセット84-3に装填され常温接合された接合基板とカセット84-4に装填された基板とを常温接合する。すなわち、作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-3に装填された接合基板のうちの1枚の基板を下側基板支持部42に搭載し、カセット84-4に装填された基板のうちの1枚の基板を上側基板支持部41に搭載する。作業者は、ゲートバルブ5を閉鎖して、上側基板支持部41に搭載された基板と下側基板支持部42に搭載された基板とを常温接合して、上側基板支持部41を鉛直上方向に上昇させて、下側基板支持部42に搭載された接合基板を生成する。作業者は、次いで、ゲートバルブ5を開放する。作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-4のうちの空いている棚に下側基板支持部42に搭載されている接合基板を搬送する。このような接合動作は、カセット84-3、84-4に装填された基板がすべて常温接合されるまで繰り返し実行される。(step23)
 作業者は、カセット84-1に装填された基板とカセット84-2に装填された基板との常温接合が完了し、かつ、カセットチャンバー82-4の内部に真空雰囲気を生成された後に、さらに、カセットチャンバー82-1~82-2の内部に大気圧雰囲気を生成する。作業者は、カセットチャンバー82-1、82-2の蓋を開けて、25枚の基板が装填されたカセット84-1と25枚の基板が装填されたカセット84-2をそれぞれ配置する。作業者は、カセットチャンバー82-1~82-2の蓋を閉めて、カセットチャンバー82-1~82-2の内部に真空雰囲気を生成し、ゲートバルブ5とゲートバルブ83-1~83-2とを開放する。(step23)
 作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-1に装填された基板のうちの1枚の基板を上側基板支持部41に搭載し、カセット84-2に装填された基板のうちの1枚の基板を下側基板支持部42に搭載する。作業者は、ゲートバルブ5を閉鎖して、上側基板支持部41に搭載された基板と下側基板支持部42に搭載された基板とを常温接合して、上側基板支持部41を鉛直上方向に上昇させて、下側基板支持部42に搭載された接合基板を生成する。作業者は、次いで、ゲートバルブ5を開放する。作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-3のうちの空いている棚に下側基板支持部42に搭載されている接合基板を搬送する。このような接合動作は、カセット84-1に装填された基板がすべて常温接合され、カセット84-3のすべての棚に接合基板が装填されるまで繰り返し実行される。(step24)
 作業者は、このような接合動作が実行されている間に、カセットチャンバー82-4の蓋を開けて、接合基板が装填されたカセット84-4をカセットチャンバー82-4から取り出し、別の25枚の基板が装填された別のカセット84-4をカセットチャンバー82-4に配置する。作業者は、カセットチャンバー82-4の蓋を閉めて、カセットチャンバー82-4の内部に真空雰囲気を生成する。(step24)
 作業者は、カセット84-1に装填された基板とカセット84-2に装填された基板との常温接合が完了し、かつ、カセットチャンバー82-4の内部に真空雰囲気を生成された後に、再度、カセット84-3に装填され常温接合された接合基板とカセット84-4に装填された基板とを常温接合し、25枚の基板が装填されたカセット84-1と25枚の基板が装填されたカセット84-2をカセットチャンバー82-1、82-2にそれぞれ配置する。
 作業者は、このような動作を繰り返して実行することにより、3枚の基板を1つの基板に連続的に常温接合することができ、かつ3枚の基板が常温接合される製品を連続して製造することができる。すなわち、このような常温接合装置は、3枚の基板が常温接合される製品を連続的に製造するときに、ロードロックチャンバー3の内部を大気圧雰囲気にして再度真空雰囲気にする必要がなく、また接合工程中に同時に、その接合中の基板がそれぞれ配置される2つのカセットチャンバー以外のカセットチャンバーに、次に常温接合される基板が装填されるカセットがセットされることで、排気待ち時間によるロスを低減し、タクトタイムを短縮して、常温接合される基板の単位時間当たりの生産量を常温接合装置1より多くすることができる。なお、step22において接合基板を配置するカセットチャンバーは、4つのカセットチャンバーのどの一つでも良く、この場合、次に接合する基板をセットするカセットチャンバーは、接合基板が配置されておらず、step21において接合する基板を搭載したカセットがセットされていないカセットチャンバーとなる。
 Step23において完成した接合基板を配置するカセットチャンバーは、step22において基板を搭載したカセットがセットされていた二つのカセットチャンバーのうちのどちらの一方でも良い。この場合、次に新たに接合する基板をセットするカセットチャンバーは、step22で基板を搭載したカセットがセットされていた2つのカセットチャンバーを除く残り二つのカセットチャンバーとなる。
 Step24において接合基板を配置するカセットチャンバーは、Step23で接合された基板が配置されているカセットチャンバーを除くカセットチャンバーのどの一つでも良く、この場合、次に接合する基板をセットするカセットチャンバーは、接合基板が配置されておらず、Step23において新たに接合する基板を搭載したカセットがセットされていないカセットチャンバーとなる。
 4枚の基板を1つの基板に常温接合するときの動作では、図18に示されるように、作業者は、まず、ゲートバルブ5とゲートバルブ83-1~83-4を閉鎖して、真空ポンプ31を用いて接合チャンバー2の内部に真空雰囲気を生成し、ロードロックチャンバー3の内部に真空雰囲気を生成し、カセットチャンバー82-1~82-4の内部に大気圧雰囲気を生成する。作業者は、カセットチャンバー82-1~82-2の蓋を開けて、25枚の基板が装填されたカセット84-1と25枚の基板が装填されたカセット84-2をカセットチャンバー82-1、82-2にそれぞれ配置する。作業者は、カセットチャンバー82-1~82-2の蓋を閉めて、そのカセットチャンバー82-1~82-2の内部に真空雰囲気を生成し、ゲートバルブ5とゲートバルブ83-1~83-2を開放する。(step31)
 作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-1に装填された基板のうちの1枚の基板を上側基板支持部41に搭載し、カセット84-2に装填された基板のうちの1枚の基板を下側基板支持部42に搭載する。作業者は、ゲートバルブ5を閉鎖して、上側基板支持部41に搭載された基板と下側基板支持部42に搭載された基板とを常温接合して、上側基板支持部41を鉛直上方向に上昇させて、下側基板支持部42に搭載された接合基板を生成する。作業者は、次いで、ゲートバルブ5を開放する。作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-1のうちの空いている棚に下側基板支持部42に搭載されている接合基板を搬送する。このような接合動作は、カセット84-1に装填された基板がすべて常温接合され、カセット84-1のすべての棚に接合基板が装填されるまで繰り返し実行される。(step32)
 作業者は、このような接合動作が実行されている間に、カセットチャンバー82-3の蓋を開けて、25枚の基板が装填されたカセット84-3をカセットチャンバー82-3に配置する。作業者は、カセットチャンバー82-3の蓋を閉めて、カセットチャンバー82-3の内部に真空雰囲気を生成する。(step32)
 作業者は、カセット84-1に装填された基板とカセット84-2に装填された基板との常温接合が完了し、かつ、カセットチャンバー82-3の内部に真空雰囲気を生成された後に、カセット84-1に装填され常温接合された接合基板とカセット84-3に装填された基板とを常温接合する。すなわち、作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-1に装填された接合基板のうちの1枚の基板を下側基板支持部42に搭載し、カセット84-3に装填された基板のうちの1枚の基板を上側基板支持部41に搭載する。作業者は、ゲートバルブ5を閉鎖して、上側基板支持部41に搭載された基板と下側基板支持部42に搭載された基板とを常温接合して、上側基板支持部41を鉛直上方向に上昇させて、下側基板支持部42に搭載された接合基板を生成する。作業者は、次いで、ゲートバルブ5を開放する。作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-3のうちの空いている棚に下側基板支持部42に搭載されている接合基板を搬送する。このような接合動作は、カセット84-1に装填された基板がすべて常温接合されるまで繰り返し実行される。(step33)
 作業者は、カセット84-1に装填された基板とカセット84-2に装填された基板との常温接合が完了し、かつ、カセットチャンバー82-3の内部に真空雰囲気を生成された後に、さらに、カセットチャンバー82-4の内部に大気圧雰囲気を生成する。作業者は、カセットチャンバー82-4の蓋を開けて、25枚の基板が装填されたカセット84-4をカセットチャンバー82-4に配置する。作業者は、カセットチャンバー82-4の蓋を閉めて、カセットチャンバー82-4の内部に真空雰囲気を生成し、ゲートバルブ5とゲートバルブ83-4を開放する。(step33)
 作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-3に装填された接合基板のうちの1枚の基板を下側基板支持部42に搭載し、カセット84-4に装填された基板のうちの1枚の基板を上側基板支持部41に搭載する。作業者は、ゲートバルブ5を閉鎖して、上側基板支持部41に搭載された基板と下側基板支持部42に搭載された基板とを常温接合して、上側基板支持部41を鉛直上方向に上昇させて、下側基板支持部42に搭載された接合基板を生成する。作業者は、次いで、ゲートバルブ5を開放する。作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-4のうちの空いている棚に下側基板支持部42に搭載されている接合基板を搬送する。このような接合動作は、カセット84-3に装填された接合基板がすべて常温接合されるまで繰り返し実行される。(step34)
 作業者は、このような接合動作が実行されている間に、カセットチャンバー82-1、82-2の蓋を開けて、空のカセット84-1~84-2をカセットチャンバー82-1、82-2から取り出し、別の25枚の基板が装填された別のカセット84-1~84-2をそのカセットチャンバー82-1、82-2に配置する。作業者は、カセットチャンバー82-1、82-2の蓋を閉めて、そのカセットチャンバー82-1、82-2の内部に真空雰囲気を生成する。(step34)
 作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-1に装填された基板のうちの1枚の基板を上側基板支持部41に搭載し、カセット84-2に装填された基板のうちの1枚の基板を下側基板支持部42に搭載する。作業者は、ゲートバルブ5を閉鎖して、上側基板支持部41に搭載された基板と下側基板支持部42に搭載された基板とを常温接合して、上側基板支持部41を鉛直上方向に上昇させて、下側基板支持部42に搭載された接合基板を生成する。作業者は、次いで、ゲートバルブ5を開放する。作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-1のうちの空いている棚に下側基板支持部42に搭載されている接合基板を搬送する。このような接合動作は、カセット84-1に装填された基板がすべて常温接合され、カセット84-1のすべての棚に接合基板が装填されるまで繰り返し実行される。(step35)
 作業者は、このような接合動作が実行されている間に、カセットチャンバー82-3の蓋を開けて、25枚の基板が装填されたカセット84-3をカセットチャンバー82-3に配置する。作業者は、カセットチャンバー82-3の蓋を閉めて、カセットチャンバー82-3の内部に真空雰囲気を生成する。作業者は、このような接合動作が実行されている間に、さらに、カセットチャンバー82-4の蓋を開けて、接合基板が装填されたカセット84-4をカセットチャンバー82-4から取り出す。(step35)
 作業者は、カセット84-1に装填された基板とカセット84-2に装填された基板との常温接合が完了し、かつ、カセットチャンバー82-3の内部に真空雰囲気を生成された後に、再度、カセット84-1に装填され常温接合された接合基板とカセット84-3に装填された基板とを常温接合し、25枚の基板が装填されたカセット84-4をカセットチャンバー82-4に配置する。
 作業者は、このような動作を繰り返して実行することにより、4枚の基板を1つの基板に連続的に常温接合することができ、かつ4枚の基板が常温接合される製品を連続して製造することができる。すなわち、このような常温接合装置は、4枚の基板が常温接合される製品を連続的に製造するときに、ロードロックチャンバー3の内部を大気圧雰囲気にして再度真空雰囲気にする必要がなく、また接合工程中に同時に、その接合中の基板がそれぞれ配置される2つのカセットチャンバー以外のカセットチャンバーに、次に常温接合される基板が装填されるカセットがセットされることで、排気待ち時間によるロスを低減し、タクトタイムを短縮して、常温接合される基板の単位時間当たりの生産量を常温接合装置1より多くすることができる。なお、step32、step33において接合基板を配置するカセットチャンバーは、4つのカセットチャンバーのどの一つでも良く、この場合、次に接合する基板をセットするカセットチャンバーは、接合基板を配置しておらず、前のstepにおいて基板を搭載したカセットがセットされていないカセットチャンバーとなる。Step34において完成した接合基板を配置するカセットチャンバーは、step33において基板を搭載したカセットがセットされた二つのカセットチャンバーのうちのどちらの一方でも良い。この場合、次に新たに接合する基板をセットするカセットチャンバーは、step33で基板を搭載したカセットがセットされた二つのカセットチャンバーを除く残りの二つのカセットチャンバーとなる。Step35において接合基板を配置するカセットチャンバーは、Step34で接合された基板が配置されているカセットチャンバーを除くカセットチャンバーのどの一つでも良く、この場合、次に接合する基板をセットするカセットチャンバーは、接合基板を配置しておらず、Step34において新たに接合する基板を搭載したカセットをセットしていないカセットチャンバーとなる。
 このような常温接合装置は、同様にして、5枚以上の基板を1つの基板に連続的に常温接合することができる。すなわち、このような常温接合装置は、5枚以上の基板が常温接合される製品を連続的に製造するときに、ロードロックチャンバー3の内部を大気圧雰囲気にして再度真空雰囲気にする必要がなく、また接合工程中に同時に、その接合中の基板がそれぞれ配置される2つのカセットチャンバー以外のカセットチャンバーに、次に常温接合される基板が装填されるカセットがセットされることで、排気待ち時間によるロスを低減し、タクトタイムを短縮して、常温接合される基板の単位時間当たりの生産量を常温接合装置1より多くすることができる。
 2枚の基板を1つの基板に常温接合するときの動作では、図19に示されるように、作業者は、まず、ゲートバルブ5とゲートバルブ83-1~83-4とを閉鎖して、真空ポンプ31を用いて接合チャンバー2の内部に真空雰囲気を生成し、ロードロックチャンバー3の内部に真空雰囲気を生成し、カセットチャンバー82-1~82-4の内部に大気圧雰囲気を生成する。作業者は、カセットチャンバー82-1~82-2の蓋を開けて、25枚の基板が装填されたカセット84-1をカセットチャンバー82-1に配置し、25枚の基板が装填されたカセット84-2をカセットチャンバー82-2に配置する。作業者は、カセットチャンバー82-1~82-2の蓋を閉めて、カセットチャンバー82-1~82-2の内部に真空雰囲気を生成し、ゲートバルブ5とゲートバルブ83-1~83-2とを開放する。(step41)
 作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-1に装填された基板のうちの1枚の基板を上側基板支持部41に搭載し、カセット84-2に装填された基板のうちの1枚の基板を下側基板支持部42に搭載する。作業者は、ゲートバルブ5を閉鎖して、上側基板支持部41に搭載された基板と下側基板支持部42に搭載された基板とを常温接合して、上側基板支持部41を鉛直上方向に上昇させて、下側基板支持部42に搭載された接合基板を生成する。作業者は、次いで、ゲートバルブ5を開放する。作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-1のうちの空いている棚に下側基板支持部42に搭載されている接合基板を搬送する。このような接合動作は、カセット84-1に装填された基板がすべて常温接合されるまで繰り返し実行される。(step42)
 作業者は、このような接合動作が実行されている間に、カセットチャンバー82-3~82-4の蓋を開けて、25枚の基板が装填されたカセット84-3をカセットチャンバー82-3に配置し、25枚の基板が装填されたカセット84-4をカセットチャンバー82-4に配置する。作業者は、カセットチャンバー82-3~82-4の蓋を閉めて、カセットチャンバー82-3~82-4の内部に真空雰囲気を生成する。(step42)
 作業者は、カセット84-1に装填された基板とカセット84-2に装填された基板との常温接合が完了し、かつ、カセットチャンバー82-3~82-4の内部に真空雰囲気を生成された後に、カセット84-3に装填された基板とカセット84-4に装填された基板とを常温接合する。すなわち、作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-3に装填された基板のうちの1枚の基板を上側基板支持部41に搭載し、カセット84-4に装填された基板のうちの1枚の基板を下側基板支持部42に搭載する。作業者は、ゲートバルブ5を閉鎖して、上側基板支持部41に搭載された基板と下側基板支持部42に搭載された基板とを常温接合して、上側基板支持部41を鉛直上方向に上昇させて、下側基板支持部42に搭載された接合基板を生成する。作業者は、次いで、ゲートバルブ5を開放する。作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-3のうちの空いている棚に下側基板支持部42に搭載されている接合基板を搬送する。このような接合動作は、カセット84-3に装填された基板がすべて常温接合されるまで繰り返し実行される。(step43)
 作業者は、このような接合動作が実行されている間に、カセットチャンバー82-1の蓋を開けて、接合基板が装填されたカセット84-1をカセットチャンバー82-1から取り出し、別の25枚の基板が装填された別のカセット84-1をカセットチャンバー82-1に配置し、25枚の基板が装填されたカセット84-2をカセットチャンバー82-2に配置する。作業者は、カセットチャンバー82-1~82-2の蓋を閉めて、カセットチャンバー82-1~82-2の内部に真空雰囲気を生成し、ゲートバルブ5とゲートバルブ83-1~83-2とを開放する。(step43)
 作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-1に装填された基板のうちの1枚の基板を上側基板支持部41に搭載し、カセット84-2に装填された基板のうちの1枚の基板を下側基板支持部42に搭載する。作業者は、ゲートバルブ5を閉鎖して、上側基板支持部41に搭載された基板と下側基板支持部42に搭載された基板とを常温接合して、上側基板支持部41を鉛直上方向に上昇させて、下側基板支持部42に搭載された接合基板を生成する。作業者は、次いで、ゲートバルブ5を開放する。作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-1のうちの空いている棚に下側基板支持部42に搭載されている接合基板を搬送する。このような接合動作は、カセット84-1に装填された基板がすべて常温接合され、カセット84-1のすべての棚に接合基板が装填されるまで繰り返し実行される。(step44)
 作業者は、このような接合動作が実行されている間に、カセットチャンバー82-3の蓋を開けて、接合基板が装填されたカセット84-3をカセットチャンバー82-3から取り出し、別の25枚の基板が装填された別のカセット84-3をカセットチャンバー82-3に配置し、25枚の基板が装填されたカセット84-4をカセットチャンバー82-4に配置する。作業者は、カセットチャンバー82-3~82-4の蓋を閉めて、カセットチャンバー82-3~82-4の内部に真空雰囲気を生成する。(step44)
 作業者は、このような動作(step43、44)を繰り返して実行することにより、2枚の基板が常温接合される製品を連続して製造することができる。このように、常温接合装置81を用いて2枚の基板を1つの基板に常温接合するときの動作では、2つの基板が常温接合されている間に、その2つの基板がそれぞれ配置される2つのカセットチャンバー以外の2つのカセットチャンバーに次に常温接合される基板が装填される2つのカセットがそれぞれセットされる。既述の実施の形態における常温接合装置1では、2枚の基板を1つの基板に常温接合するときに、2枚の基板が常温接合された接合基板が生成された後に次の基板をセットするためにロードロックチャンバー3の内部を大気圧雰囲気にして再度真空雰囲気にする必要がある。常温接合装置81は、2枚の基板が常温接合される製品を連続的に製造するときに、ロードロックチャンバー3の内部を大気圧雰囲気にして再度真空雰囲気にする必要がなく、タクトタイムを短縮して、常温接合される基板の単位時間当たりの生産量を常温接合装置1より多くすることができる。
 なお、Step42、step44において完成した接合基板を配置するカセットチャンバーは、step41、step43で新たに接合する基板を搭載したカセットをセットしたカセットチャンバーのうちのどちらの一方でも良い。この場合、次に新たに接合する基板をセットするカセットチャンバーは、step41、step43で新たに接合する基板を搭載したカセットをセットしたカセットチャンバーを除くカセットチャンバーとなる。
 なお、このような2枚の基板を1つの基板に常温接合するときの動作は、さらに、カセットチャンバー82-1~82-2が2つのカセット84-1~84-2を内部に配置することができる1つの第1カセットチャンバーに置換され、カセットチャンバー82-3~82-4が2つのカセット84-3~84-4を内部に配置することができる1つの第2カセットチャンバーに置換されているさらに他の常温接合装置を用いても実行されることができる。このとき、その常温接合装置は、第1ゲートバルブと第2ゲートバルブとを備えている。その第1ゲートバルブは、その第1カセットチャンバーとロードロックチャンバー3との間に介設され、その第1カセットチャンバーの内部とロードロックチャンバー3の内部とを接続するゲートを閉鎖し、または、開放する。その第2ゲートバルブは、その第2カセットチャンバーとロードロックチャンバー3との間に介設され、その第2カセットチャンバーの内部とロードロックチャンバー3の内部とを接続するゲートを閉鎖し、または、開放する。このような常温接合装置は、既述の3枚以上の基板を1つの基板に常温接合するときの動作を実行することができないが、構造がさらに簡単であり、2枚連続接合動作にとって好適である。
 本発明による常温接合装置の実施のさらに他の形態は、既述の実施の形態における常温接合装置81のカセットチャンバー82-1~82-2が1つの連結カセットチャンバーに置換されている。その連結カセットチャンバーは、2つのカセット84-1~84-2を内部に配置することができる。このとき、その常温接合装置は、連結ゲートバルブを備えている。その連結ゲートバルブは、その連結カセットチャンバーとロードロックチャンバー3との間に介設され、その連結カセットチャンバーの内部とロードロックチャンバー3の内部とを接続するゲートを閉鎖し、または、開放する。
 このような常温接合装置は、既述の実施の形態における常温接合装置81と同様に、2枚の基板を1つの基板に常温接合するときの動作と、3枚以上の基板を1つの基板に常温接合するときの動作と、これらの接合基板を連続して製造する動作を実行することができる。
 2枚の基板を1つの基板に常温接合するときの動作では、作業者は、まず、ゲートバルブ5とゲートバルブ83-3~83-4とその連結ゲートバルブとを閉鎖して、真空ポンプ31を用いて接合チャンバー2の内部に真空雰囲気を生成し、ロードロックチャンバー3の内部に真空雰囲気を生成し、カセットチャンバー82-3~82-4とその連結カセットチャンバーの内部に大気圧雰囲気を生成する。作業者は、その連結カセットチャンバーの蓋を開けて、25枚の基板が装填されたカセット84-1と25枚の基板が装填されたカセット84-2とをその連結カセットチャンバーに配置する。作業者は、その連結カセットチャンバーの蓋を閉めて、その連結カセットチャンバーの内部に真空雰囲気を生成し、ゲートバルブ5とその連結ゲートバルブとを開放する。
 作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-1に装填された基板のうちの1枚の基板を上側基板支持部41に搭載し、カセット84-2に装填された基板のうちの1枚の基板を下側基板支持部42に搭載する。作業者は、ゲートバルブ5を閉鎖して、上側基板支持部41に搭載された基板と下側基板支持部42に搭載された基板とを常温接合して、上側基板支持部41を鉛直上方向に上昇させて、下側基板支持部42に搭載された接合基板を生成する。作業者は、次いで、ゲートバルブ5を開放する。作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-1のうちの空いている棚に下側基板支持部42にセットされている接合基板を搬送する。このような接合動作は、カセット84-1に装填された基板がすべて常温接合されるまで繰り返し実行される。
 作業者は、このような接合動作が実行されている間に、カセットチャンバー82-3~82-4の蓋を開けて、25枚の基板が装填されたカセット84-3をカセットチャンバー82-3に配置し、25枚の基板が装填されたカセット84-4をカセットチャンバー82-4に配置する。作業者は、カセットチャンバー82-3~82-4の蓋を閉めて、カセットチャンバー82-3~82-4の内部に真空雰囲気を生成する。
 作業者は、カセット84-1に装填された基板とカセット84-2に装填された基板との常温接合が完了し、かつ、カセットチャンバー82-3~82-4の内部に真空雰囲気を生成された後に、カセット84-3に装填された基板とカセット84-4に装填された基板とを常温接合する。すなわち、作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-4に装填された基板のうちの1枚の基板を上側基板支持部41に搭載し、カセット84-3に装填された基板のうちの1枚の基板を下側基板支持部42に搭載する。作業者は、ゲートバルブ5を閉鎖して、上側基板支持部41に搭載された基板と下側基板支持部42に搭載された基板とを常温接合して、上側基板支持部41を鉛直上方向に上昇させて、下側基板支持部42に搭載された接合基板を生成する。作業者は、次いで、ゲートバルブ5を開放する。作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-3のうちの空いている棚に下側基板支持部42に搭載されている接合基板を搬送する。このような接合動作は、カセット84-3に装填された基板がすべて常温接合されるまで繰り返し実行される。
 作業者は、このような接合動作が実行されている間に、その連結カセットチャンバーの蓋を開けて、接合基板が装填されたカセット84-1を連結カセットチャンバーから取り出し、別の25枚の基板が装填された別のカセット84-1と、25枚の基板が装填されたカセット84-2を連結カセットチャンバーに配置する。作業者は、連結カセットチャンバーの蓋を閉めて、その連結カセットチャンバーの内部に真空雰囲気を生成し、ゲートバルブ5とその連結ゲートバルブとを開放する。
 作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-1に装填された基板のうちの1枚の基板を上側基板支持部41に搭載し、カセット84-2に装填された基板のうちの1枚の基板を下側基板支持部42に搭載する。作業者は、ゲートバルブ5を閉鎖して、上側基板支持部41に搭載された基板と下側基板支持部42に搭載された基板とを常温接合して、上側基板支持部41を鉛直上方向に上昇させて、下側基板支持部42に搭載された接合基板を生成する。作業者は、次いで、ゲートバルブ5を開放する。作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-1のうちの空いている棚に下側基板支持部42に搭載されている接合基板を搬送する。このような接合動作は、カセット84-1に装填された基板がすべて常温接合され、カセット84-1のすべての棚に接合基板が装填されるまで繰り返し実行される。
 作業者は、このような接合動作が実行されている間に、カセットチャンバー82-3の蓋を開けて、接合基板が装填されたカセット84-3をカセットチャンバー82-3から取り出し、別の25枚の基板が装填された別のカセット84-3をカセットチャンバー82-3に配置し、25枚の基板が装填されたカセット84-4をカセットチャンバー82-4に配置する。作業者は、カセットチャンバー82-3~82-4の蓋を閉めて、カセットチャンバー82-3~82-4の内部に真空雰囲気を生成する。
 作業者は、このような動作を繰り返して実行することにより、2枚の基板が常温接合される製品を連続して製造することができる。このような常温接合装置では、2つの基板が常温接合されている間に、その2つの基板がそれぞれ配置される2つのカセットチャンバー以外の2つのカセットチャンバーに次に常温接合される基板が装填される2つのカセットがそれぞれセットされる。このため、このような常温接合装置は、2枚の基板が常温接合される製品を連続的に製造するときに、ロードロックチャンバー3の内部を大気圧雰囲気にして再度真空雰囲気にする必要がなく、タクトタイムを短縮して、常温接合される基板の単位時間当たりの生産量を常温接合装置1より多くすることができる。このような常温接合装置は、さらに、常温接合装置81より構造が簡単であり、装置設計・製造・メンテナンスコスト低減の観点から好ましい。
 3枚の基板を1つの基板に常温接合するときの動作では、作業者は、まず、ゲートバルブ5とゲートバルブ83-3~83-4とその連結ゲートバルブとを閉鎖して、真空ポンプ31を用いて接合チャンバー2の内部に真空雰囲気を生成し、ロードロックチャンバー3の内部に真空雰囲気を生成し、カセットチャンバー82-3~82-4とその連結カセットチャンバーの内部に大気圧雰囲気を生成する。作業者は、その連結カセットチャンバーの蓋を開けて、25枚の基板が装填されたカセット84-1と25枚の基板が装填されたカセット84-2をその連結カセットチャンバーに配置する。作業者は、その連結カセットチャンバーの蓋を閉めて、その連結カセットチャンバーの内部に真空雰囲気を生成し、ゲートバルブ5とその連結ゲートバルブを開放する。作業者は、カセットチャンバー82-3の蓋を開けて、空のカセット84-3をカセットチャンバー82-3に配置する。作業者は、カセットチャンバー82-3の蓋を閉めて、カセットチャンバー82-3の内部に真空雰囲気を生成し、ゲートバルブ5とゲートバルブ83-3を開放する。
 作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-1に装填された基板のうちの1枚の基板を上側基板支持部41に搭載し、カセット84-2に装填された基板のうちの1枚の基板を下側基板支持部42に搭載する。作業者は、ゲートバルブ5を閉鎖して、上側基板支持部41に搭載された基板と下側基板支持部42に搭載された基板とを常温接合して、上側基板支持部41を鉛直上方向に上昇させて、下側基板支持部42に搭載された接合基板を生成する。作業者は、次いで、ゲートバルブ5を開放する。作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-3のうちの空いている棚に下側基板支持部42に搭載されている接合基板を搬送する。このような接合動作は、カセット84-1に装填された基板がすべて常温接合され、カセット84-3のすべての棚に接合基板が装填されるまで繰り返し実行される。
 作業者は、このような接合動作が実行されている間に、カセットチャンバー82-4の蓋を開けて、25枚の基板が装填されたカセット84-4をカセットチャンバー82-4に配置する。作業者は、カセットチャンバー82-4の蓋を閉めて、カセットチャンバー82-4の内部に真空雰囲気を生成する。
 作業者は、カセット84-1に装填された基板とカセット84-2に装填された基板との常温接合が完了し、かつ、カセットチャンバー82-4の内部に真空雰囲気を生成された後に、カセット84-3に装填され常温接合された接合基板とカセット84-4に装填された基板とを常温接合する。すなわち、作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-3に装填された接合基板のうちの1枚の基板を下側基板支持部42に搭載し、カセット84-4に装填された基板のうちの1枚の基板を上側基板支持部41に搭載する。作業者は、ゲートバルブ5を閉鎖して、上側基板支持部41に搭載された基板と下側基板支持部42に搭載された基板とを常温接合して、上側基板支持部41を鉛直上方向に上昇させて、下側基板支持部42に搭載された接合基板を生成する。作業者は、次いで、ゲートバルブ5を開放する。作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-4のうちの空いている棚に下側基板支持部42に搭載されている接合基板を搬送する。このような接合動作は、カセット84-3、84-4に装填された基板がすべて常温接合されるまで繰り返し実行される。
 作業者は、カセット84-1に装填された基板とカセット84-2に装填された基板との常温接合が完了し、かつ、カセットチャンバー82-4の内部に真空雰囲気を生成された後に、さらに、その連結カセットチャンバーの内部に大気圧雰囲気を生成する。作業者は、その連結カセットチャンバーの蓋を開けて、25枚の基板が装填されたカセット84-1と25枚の基板が装填されたカセット84-2をその連結カセットチャンバーに配置する。作業者は、その連結カセットチャンバーの蓋を閉めて、その連結カセットチャンバーの内部に真空雰囲気を生成し、ゲートバルブ5とその連結ゲートバルブを開放する。
 作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-1に装填された基板のうちの1枚の基板を上側基板支持部41に搭載し、カセット84-2に装填された基板のうちの1枚の基板を下側基板支持部42に搭載する。作業者は、ゲートバルブ5を閉鎖して、上側基板支持部41に搭載された基板と下側基板支持部42に搭載された基板とを常温接合して、上側基板支持部41を鉛直上方向に上昇させて、下側基板支持部42に搭載された接合基板を生成する。作業者は、次いで、ゲートバルブ5を開放する。作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-3のうちの空いている棚に下側基板支持部42に搭載されている接合基板を搬送する。このような接合動作は、カセット84-1に装填された基板がすべて常温接合され、カセット84-3のすべての棚に接合基板が装填されるまで繰り返し実行される。
 作業者は、このような接合動作が実行されている間に、カセットチャンバー82-4の蓋を開けて、接合基板が装填されたカセット84-4をカセットチャンバー82-4から取り出し、別の25枚の基板が装填された別のカセット84-4をカセットチャンバー82-4に配置する。作業者は、カセットチャンバー82-4の蓋を閉めて、カセットチャンバー82-4の内部に真空雰囲気を生成する。
 作業者は、カセット84-1に装填された基板とカセット84-2に装填された基板との常温接合が完了し、かつ、カセットチャンバー82-4の内部に真空雰囲気を生成された後に、再度、カセット84-3に装填され常温接合された接合基板とカセット84-4に装填された基板とを常温接合し、25枚の基板が装填されたカセット84-1と25枚の基板が装填されたカセット84-2をその連結カセットチャンバーに配置する。
 作業者は、このような動作を繰り返して実行することにより、その3枚の基板を1つの基板に連続的に常温接合することができる。すなわち、このような常温接合装置は、3枚の基板が常温接合される製品を連続的に製造するときに、ロードロックチャンバー3の内部を大気圧雰囲気にして再度真空雰囲気にする必要がなく、また接合工程中に同時に、その接合中の基板がそれぞれ配置される2つのカセットチャンバー以外のカセットチャンバーに、次に常温接合される基板が装填されるカセットがセットされることで、排気待ち時間によるロスを低減し、タクトタイムを短縮して、常温接合される基板の単位時間当たりの生産量を常温接合装置1より多くすることができる。このような常温接合装置は、さらに、常温接合装置81より構造が簡単であり、装置設計・製造・メンテナンスコスト低減の観点から好ましい。
 4枚の基板を1つの基板に常温接合するときの動作では、作業者は、まず、ゲートバルブ5とゲートバルブ83-3~83-4とその連結ゲートバルブとを閉鎖して、真空ポンプ31を用いて接合チャンバー2の内部に真空雰囲気を生成し、ロードロックチャンバー3の内部に真空雰囲気を生成し、カセットチャンバー82-3~82-4とその連結カセットチャンバーの内部に大気圧雰囲気を生成する。作業者は、その連結カセットチャンバーの蓋を開けて、25枚の基板が装填されたカセット84-1と25枚の基板が装填されたカセット84-2をその連結カセットチャンバーに配置する。作業者は、その連結カセットチャンバーの蓋を閉めて、その連結カセットチャンバーの内部に真空雰囲気を生成し、ゲートバルブ5とその連結ゲートバルブを開放する。
 作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-1に装填された基板のうちの1枚の基板を上側基板支持部41に搭載し、カセット84-2に装填された基板のうちの1枚の基板を下側基板支持部42に搭載する。作業者は、ゲートバルブ5を閉鎖して、上側基板支持部41に搭載された基板と下側基板支持部42に搭載された基板とを常温接合して、上側基板支持部41を鉛直上方向に上昇させて、下側基板支持部42に搭載された接合基板を生成する。作業者は、次いで、ゲートバルブ5を開放する。作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-1のうちの空いている棚に下側基板支持部42に搭載されている接合基板を搬送する。このような接合動作は、カセット84-1に装填された基板がすべて常温接合され、カセット84-1のすべての棚に接合基板が装填されるまで繰り返し実行される。
 作業者は、このような接合動作が実行されている間に、カセットチャンバー82-3の蓋を開けて、25枚の基板が装填されたカセット84-3をカセットチャンバー82-3に配置する。作業者は、カセットチャンバー82-3の蓋を閉めて、カセットチャンバー82-3の内部に真空雰囲気を生成する。
 作業者は、カセット84-1に装填された基板とカセット84-2に装填された基板との常温接合が完了し、かつ、カセットチャンバー82-3の内部に真空雰囲気を生成された後に、カセット84-1に装填され常温接合された接合基板とカセット84-3に装填された基板とを常温接合する。すなわち、作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-1に装填された接合基板のうちの1枚の基板を下側基板支持部42に搭載し、カセット84-3に装填された基板のうちの1枚の基板を上側基板支持部41に搭載する。作業者は、ゲートバルブ5を閉鎖して、上側基板支持部41に搭載された基板と下側基板支持部42に搭載された基板とを常温接合して、上側基板支持部41を鉛直上方向に上昇させて、下側基板支持部42に搭載された接合基板を生成する。作業者は、次いで、ゲートバルブ5を開放する。作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-3のうちの空いている棚に下側基板支持部42に搭載されている接合基板を搬送する。このような接合動作は、カセット84-1に装填された基板がすべて常温接合されるまで繰り返し実行される。
 作業者は、カセット84-1に装填された基板とカセット84-2に装填された基板との常温接合が完了し、かつ、カセットチャンバー82-3の内部に真空雰囲気を生成された後に、さらに、カセットチャンバー82-4の内部に大気圧雰囲気を生成する。作業者は、カセットチャンバー82-4の蓋を開けて、25枚の基板が装填されたカセット84-4をカセットチャンバー82-4に配置する。作業者は、カセットチャンバー82-4の蓋を閉めて、カセットチャンバー82-4の内部に真空雰囲気を生成し、ゲートバルブ5とゲートバルブ83-4を開放する。
 作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-3に装填された接合基板のうちの1枚の基板を下側基板支持部42に搭載し、カセット84-4に装填された基板のうちの1枚の基板を上側基板支持部41に搭載する。作業者は、ゲートバルブ5を閉鎖して、上側基板支持部41に搭載された基板と下側基板支持部42に搭載された基板とを常温接合して、上側基板支持部41を鉛直上方向に上昇させて、下側基板支持部42に搭載された接合基板を生成する。作業者は、次いで、ゲートバルブ5を開放する。作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-4のうちの空いている棚に下側基板支持部42に搭載されている接合基板を搬送する。このような接合動作は、カセット84-3に装填された接合基板がすべて常温接合されるまで繰り返し実行される。
 作業者は、このような接合動作が実行されている間に、その連結カセットチャンバーの蓋を開けて、空のカセット84-1~84-2をその連結カセットチャンバーから取り出し、別の25枚の基板が装填された別のカセット84-1~84-2をその連結カセットチャンバーに配置する。作業者は、その連結カセットチャンバーの蓋を閉めて、その連結カセットチャンバーの内部に真空雰囲気を生成する。
 作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-1に装填された基板のうちの1枚の基板を上側基板支持部41に搭載し、カセット84-2に装填された基板のうちの1枚の基板を下側基板支持部42に搭載する。作業者は、ゲートバルブ5を閉鎖して、上側基板支持部41に搭載された基板と下側基板支持部42に搭載された基板とを常温接合して、上側基板支持部41を鉛直上方向に上昇させて、下側基板支持部42に搭載された接合基板を生成する。作業者は、次いで、ゲートバルブ5を開放する。作業者は、搬送装置8を用いて、カセット84-1のうちの空いている棚に下側基板支持部42に搭載されている接合基板を搬送する。このような接合動作は、カセット84-1に装填された基板がすべて常温接合され、カセット84-1のすべての棚に接合基板が装填されるまで繰り返し実行される。
 作業者は、このような接合動作が実行されている間に、カセットチャンバー82-3の蓋を開けて、25枚の基板が装填されたカセット84-3をカセットチャンバー82-3に配置する。作業者は、カセットチャンバー82-3の蓋を閉めて、カセットチャンバー82-3の内部に真空雰囲気を生成する。作業者は、このような接合動作が実行されている間に、さらに、カセットチャンバー82-4の蓋を開けて、接合基板が装填されたカセット84-4をカセットチャンバー82-4から取り出す。
 作業者は、カセット84-1に装填された基板とカセット84-2に装填された基板との常温接合が完了し、かつ、カセットチャンバー82-3の内部に真空雰囲気を生成された後に、再度、カセット84-1に装填され常温接合された接合基板とカセット84-3に装填された基板とを常温接合し、25枚の基板が装填されたカセット84-4をカセットチャンバー82-4に配置する。
 作業者は、このような動作を繰り返して実行することにより、4枚の基板を1つの基板に連続的に常温接合することができ、かつ4枚の基板が常温接合される製品を連続して製造することができる。すなわち、このような常温接合装置は、4枚の基板が常温接合される製品を連続的に製造するときに、ロードロックチャンバー3の内部を大気圧雰囲気にして再度真空雰囲気にする必要がなく、また接合工程中に同時に、その接合中の基板がそれぞれ配置される2つのカセットチャンバー以外のカセットチャンバーに、次に常温接合される基板が装填されるカセットがセットされることで、排気待ち時間によるロスを低減し、タクトタイムを短縮して、常温接合される基板の単位時間当たりの生産量を常温接合装置1より多くすることができる。このような常温接合装置は、さらに、常温接合装置81より構造が簡単であり、装置設計・製造・メンテナンスコスト低減の観点から好ましい。
 このような常温接合装置は、同様にして、5枚以上の基板を1つの基板に連続的に常温接合することができる。すなわち、このような常温接合装置は、5枚以上の基板が常温接合される製品を連続的に製造するときに、ロードロックチャンバー3の内部を大気圧雰囲気にして再度真空雰囲気にする必要がなく、また接合工程中に同時に、その接合中の基板がそれぞれ配置される2つのカセットチャンバー以外のカセットチャンバーに、次に常温接合される基板が装填されるカセットがセットされることで、排気待ち時間によるロスを低減し、タクトタイムを短縮して、常温接合される基板の単位時間当たりの生産量を常温接合装置1より多くすることができる。このような常温接合装置は、さらに、常温接合装置81より構造が簡単であり、装置設計・製造・メンテナンスコスト低減の観点から好ましい。
 なお、角度調整機構12は、上側ステージ11に上側試料台13の向きを変更可能に支持する他の角度調整機構に置換することができる。
 図20は、その置換される角度調整機構の例を示している。その角度調整機構は、シム91と締結具92とを備えている。シム91は、上側ステージ11の上側試料台13に対向する面の外周域の一部に配置されている。締結具92は、シム91が上側ステージ11と上側試料台13とに挟まれた状態で、上側ステージ11と上側試料台13とを締結することにより上側ステージ11と上側試料台13とを固定する。このとき、上側試料台の向きを補正する動作では、作業者は、上側試料台13の基板が配置される面とキャリッジ支持台45の支持面52(下側試料台46がキャリッジ支持台45に接触しているときには下側試料台46の基板が配置される面)とが平行でないときに、厚さが異なる複数のシムのうちの適当なシム91を上側ステージ11の上側試料台13に対向する面の外周域の適当な位置に配置して、締結具92を用いて上側ステージ11と上側試料台13とを固定する。
 このような角度調整機構によれば、本発明による常温接合装置は、既述の実施の形態における角度調整機構12と同様にして、上側試料台13の基板が下側試料台46の基板に常温接合されるときに、上側試料台13の基板と下側試料台46の基板との接合面に荷重をより均一に負荷することができる。
 図21は、その置換される角度調整機構の他の例を示している。その角度調整機構は、3つの押しボルト93と引張ばね94とを備えている。引張ばね94は、上側ステージ11と上側試料台13とが引き付き合うように、上側ステージ11に対して上側試料台13に弾性力を印加する。押しボルト93は、図22に示されているように、上側ステージ11の上側試料台13に対向する面の外周域の3箇所に配置されている。押しボルト93は、それぞれ、回転されることにより、上側ステージ11から上側試料台13を押し込む押し込み量が変化する。このとき、上側試料台の向きを補正する動作では、作業者は、上側試料台13の基板が配置される面とキャリッジ支持台45の支持面52(下側試料台46がキャリッジ支持台45に接触しているときには下側試料台46の基板が配置される面)とが平行でないときに、押しボルト93を適当に回転させることにより、上側試料台13の基板が配置される面とキャリッジ支持台45の支持面52とを平行にする。
 このような角度調整機構によれば、本発明による常温接合装置は、既述の実施の形態における角度調整機構12と同様にして、上側試料台13の基板が下側試料台46の基板に常温接合されるときに、上側試料台13の基板と下側試料台46の基板との接合面に荷重をより均一に負荷することができる。
 図23は、その置換される角度調整機構のさらに他の例を示している。その角度調整機構は、3つの圧電素子95とセンサ96と制御装置97とを備えている。センサ96は、上側試料台13の向きを測定する。制御装置97は、コンピュータであり、センサ96により測定された上側試料台13の向きに基づいて、または、作業者の操作に基づいて、圧電素子95に適切な電圧を印加する。圧電素子95は、図24に示されているように、上側ステージ11の上側試料台13に対向する面の外周域の3箇所に配置されている。圧電素子95は、印加される電圧に基づいて長さが変化する。
 このとき、上側試料台の向きを補正する動作では、作業者は、センサ96を用いて上側試料台13の向きを測定する。作業者は、上側試料台13の基板が配置される面とキャリッジ支持台45の支持面52(下側試料台46がキャリッジ支持台45に接触しているときには下側試料台46の基板が配置される面)とが平行でないときに、制御装置97を適当に操作することにより、圧電素子95に適切な電圧を印加して上側試料台13の基板が配置される面とキャリッジ支持台45の支持面52とを平行にする。
 このような角度調整機構によれば、本発明による常温接合装置は、既述の実施の形態における角度調整機構12と同様にして、上側試料台13の基板が下側試料台46の基板に常温接合されるときに、上側試料台13の基板と下側試料台46の基板との接合面に荷重をより均一に負荷することができる。
 このような角度調整機構は、さらに、接合チャンバー2を大気開放しないで上側試料台13の基板が配置される面と下側試料台46の基板が配置される面とを平行にすることができる。すなわち、上側試料台の向きを補正する動作では、制御装置97は、センサ96を用いて上側試料台13の向きを測定し、その測定結果に基づいて圧電素子95に適切な電圧を印加して上側試料台13の基板が配置される面と下側試料台46の基板が配置される面とを平行にする。このような動作は、接合チャンバー2を大気開放しないで実行されることができ、たとえば、図15のステップS4~ステップS8が繰り返されている期間のうちのステップS6が実行されていない期間に実行されることができる。このため、このような動作によれば、ステップS4~ステップS8が繰り返されている期間に上側試料台13の向きが変化した場合でも、上側試料台13の基板が配置される面と下側試料台46の基板が配置される面とが平行になるように調整することができ、基板を常温接合することにかかる時間を短縮することができる。
 なお、上側試料台13と下側試料台46とは、メカニカルロック機構と異なる他の機構により基板を固定する試料台に置換することができる。
 図25は、その置換される試料台の例を示している。その試料台101は、コイル102と磁性材103と電源104とを備えている。磁性材103は、棒状に形成され、試料台101の内部に配置されている。コイル102は、磁性材103に巻きつけられる電線から形成され、直流電流が流されることにより磁力を発生させる。電源104は、ユーザの操作により、コイル102に直流電流を流し、または、コイル102に直流電流が流れることを停止する。試料台101に保持される基板105は、図示されていないウェハテープを用いてカートリッジ106に接合されている。カートリッジ106は、強磁性体から形成されている。試料台101は、カートリッジ106に接合された基板105が試料台101に配置された後にコイル102に直流電流を流すことにより基板105を保持する。試料台101は、コイル102に直流電流を流すことを停止された後に、カートリッジ106に接合された基板105が取り外される。このような試料台101は、基板105が強磁性体でないときでも、基板43を保持することができ、好ましい。
 図26は、その置換される試料台の他の例を示している。その試料台111は、電極112、113と電源114、115とを備えている。電極112と電極113とは、試料台111の内部に配置されている。電源114は、ユーザの操作により、電極112に電圧を印加し、または、電極112に電圧を印加することを停止する。電源115は、ユーザの操作により、電極113に電圧を印加し、または、電極113に電圧を印加することを停止する。試料台111は、基板116が試料台111に配置された後に電極112と電極113とに電圧を印加し、試料台111と基板116とに発生する静電力によって基板116を保持する。試料台111は、電極112と電極113とに電圧を印加することが停止された後に、基板116が取り外される。このような試料台111は、基板116に静電力が与えられてもいいときに、常温接合装置に適用されることができる。すなわち、試料台は、その試料台に保持される基板の仕様に許される限り、様々な機構を適用することができる。
 本発明による常温接合装置は、第1基板と第2基板とを圧接するときに、第2駆動装置に加わる荷重を低減することができ、第2駆動装置の耐荷重を越えたより大きな荷重を第1基板と第2基板とに加えることができる。本発明による常温接合装置は、さらに、第1基板と第2基板との接合面に、より大きな荷重をより均一に負荷することができる。

Claims (18)

  1.  第1基板を保持する第1試料台を第1ステージに、前記第1試料台の向きを変更可能に支持する角度調整機構と、
     前記第1ステージを第1方向に駆動する第1駆動装置と、
     第2基板を保持する第2試料台を前記第1方向に平行でない第2方向に駆動する第2駆動装置と、
     前記第2基板と前記第1基板とが圧接されるときに、前記第1方向に前記第2試料台を支持するキャリッジ支持台
     とを具備する常温接合装置。
  2.  請求の範囲1において、
     前記角度調整機構は、
     前記第1試料台に固定される球フランジと、
     前記第1ステージに固定される球座と、
     前記球フランジをかしめることにより前記球フランジを前記球座に固定する固定フランジとを備える
     常温接合装置。
  3.  請求の範囲1において、
     前記角度調整機構は、
     複数のシムと、
     前記複数のシムのうちのいくつかのシムを前記第1ステージと前記第1試料台との間に挟んで前記第1ステージと前記第1試料台とを接合する締結部品とを備える
     常温接合装置。
  4.  請求の範囲1において、
     前記角度調整機構は、
     電気信号により伸び縮みする複数の素子と、
     前記複数の素子の各々の一端を前記第1試料台に接合し、前記各々の他端を前記第1ステージに接合する締結部品とを備える
     常温接合装置。
  5.  請求の範囲4において、
     前記角度調整機構は、
     前記第1試料台のうちの前記第2試料台に対向する表面の向きを測定するセンサと、
     前記表面の向きに基づいて前記複数の素子を制御する制御装置とを更に備える
     常温接合装置。
  6.  請求の範囲1~請求の範囲5のいずれかにおいて、
     前記第2基板を固定するカートリッジを前記第2試料台に機械的に固定するメカニカルロック機構
     を更に具備する常温接合装置。
  7.  請求の範囲1~請求の範囲5のいずれかにおいて、
     前記第2基板を固定するカートリッジを前記第2試料台に磁力を用いて固定するコイル
     を更に具備する常温接合装置。
  8.  請求の範囲1~請求の範囲7のいずれかにおいて、
     光を発する光源と、
     前記第1基板または前記第2基板にパターンニングされたアライメントマークを反射する前記光の反射光に基づいて画像を撮像するカメラとを更に具備し、
     前記キャリッジ支持台は、前記光と前記反射光とが透過する観察窓が形成される
     常温接合装置。
  9.  請求の範囲1~請求の範囲8のいずれかにおいて、
     前記第1試料台と前記第2試料台とを内部に配置する接合チャンバーと、
     前記接合チャンバーに形成される排気口を介して前記接合チャンバーの内部から気体を排気して前記接合チャンバーの内部に真空雰囲気を生成する真空ポンプと、
     前記第1基板のうちの前記第2基板に対向する第1表面と前記第2基板のうちの前記第1基板に対向する第2表面とが離れているときに、一箇所から放出される粒子を前記真空雰囲気で前記第1表面と前記第2表面との間に向けて照射する表面清浄化装置とを具備し、
     前記粒子のビームの中心線は、前記接合チャンバーの内側表面のうちの前記排気口を除く領域に向いている
     常温接合装置。
  10.  請求の範囲1~請求の範囲8のいずれかにおいて、
     前記第1試料台と前記第2試料台とを内部に配置する接合チャンバーと、
     ロードロックチャンバーと前記接合チャンバーとの間を開閉するゲートバルブと、
     前記ゲートバルブを介して前記第1基板と前記第2基板とを前記ロードロックチャンバーから前記接合チャンバーに搬送する搬送装置と、
     前記第1表面と前記第2表面とが離れているときに、一箇所から放出される粒子を前記真空雰囲気で前記第1表面と前記第2表面との間に向けて照射する表面清浄化装置とを具備し、
     前記粒子のビームの中心線は、前記接合チャンバーの内側表面のうちの前記ゲートバルブを除く領域に向いている
     常温接合装置。
  11.  請求の範囲10において、
     互いに独立して減圧可能である複数のカセットチャンバーを更に具備し、
     前記搬送装置は、前記第1基板を前記複数のカセットチャンバーのうちの第1カセットチャンバーから前記接合チャンバーに搬送し、前記第2基板を前記複数のカセットチャンバーのうちの第2カセットチャンバーから前記接合チャンバーに搬送し、前記第2基板と前記第1基板とが常温接合された接合基板を前記接合チャンバーから前記複数のカセットチャンバーのうちの1つのカセットチャンバーに搬送する
     常温接合装置。
  12.  請求の範囲11において、
     前記複数のカセットチャンバーの内部に出し入れ可能に配置される複数カセットを更に具備し、
     前記複数カセットは、それぞれ、前記第2基板または前記第1基板または前記接合基板が配置される複数の棚が形成される
     常温接合装置。
  13.  請求の範囲1~請求の範囲12のいずれかにおいて、
     前記第2試料台に同体に接合される弾性案内を更に具備し、
     前記第2駆動装置は、前記弾性案内を支持し、前記弾性案内を駆動することにより、前記第2試料台を駆動し、
     前記弾性案内は、前記第1基板と前記第2基板とが接触していないときに前記第2試料台が前記キャリッジ支持台に接触しないように、かつ、前記第1基板と前記第2基板とが圧接されるときに前記第2試料台が前記キャリッジ支持台に接触するように、弾性変形する
     常温接合装置。
  14.  請求の範囲1~請求の範囲12のいずれかにおいて、
     前記第2試料台は、前記第2試料台が前記キャリッジ支持台に摺動して前記第2方向に移動する
     常温接合装置。
  15.  第1基板を保持する第1試料台を支持する第1ステージを第1方向に駆動する第1駆動装置と、
     第2基板を保持する第2試料台を前記第1方向に平行でない第2方向に駆動する第2駆動装置と、
     前記第2基板と前記第1基板とが圧接されるときに、前記第1方向に前記第2試料台を支持するキャリッジ支持台と、
     前記第2基板を固定するカートリッジを前記第2試料台に機械的に固定するメカニカルロック機構
     とを具備する常温接合装置。
  16.  請求の範囲15において、
     前記第1試料台と前記第2試料台とを内部に配置する接合チャンバーと、
     前記接合チャンバーに形成される排気口を介して前記接合チャンバーの内部から気体を排気して前記接合チャンバーの内部に真空雰囲気を生成する真空ポンプと、
     ロードロックチャンバーと前記接合チャンバーとの間を開閉するゲートバルブと、
     前記ゲートバルブを介して前記第1基板と前記第2基板とを前記ロードロックチャンバーから前記接合チャンバーに搬送する搬送装置と、
     前記第1基板のうちの前記第2基板に対向する第1表面と前記第2基板のうちの前記第1基板に対向する第2表面とが離れているときに、一箇所から放出される粒子を前記真空雰囲気で前記第1表面と前記第2表面との間に向けて照射する表面清浄化装置とを具備し、
     前記粒子のビームの中心線は、前記接合チャンバーの内側表面のうちの前記排気口と前記ゲートバルブとを除く領域に向いている
     常温接合装置。
  17.  第1基板を保持する第1試料台を支持する第1ステージを第1方向に駆動する第1駆動装置と、
     第2基板を保持する第2試料台を前記第1方向に平行でない第2方向に駆動する第2駆動装置と、
     前記第2基板と前記第1基板とが圧接されるときに、前記第1方向に前記第2試料台を支持するキャリッジ支持台と、
     光を発する光源と、
     前記第1基板または前記第2基板にパターンニングされたアライメントマークを反射する前記光の反射光に基づいて画像を撮像するカメラとを具備し、
     前記キャリッジ支持台は、前記光と前記反射光とが透過する観察窓が形成される
     常温接合装置。
  18.  請求の範囲17において、
     前記第1試料台と前記第2試料台とを内部に配置する接合チャンバーと、
     前記接合チャンバーに形成される排気口を介して前記接合チャンバーの内部から気体を排気して前記接合チャンバーの内部に真空雰囲気を生成する真空ポンプと、
     ロードロックチャンバーと前記接合チャンバーとの間を開閉するゲートバルブと、
     前記ゲートバルブを介して前記第1基板と前記第2基板とを前記ロードロックチャンバーから前記接合チャンバーに搬送する搬送装置と、
     前記第1基板のうちの前記第2基板に対向する第1表面と前記第2基板のうちの前記第1基板に対向する第2表面とが離れているときに、一箇所から放出される粒子を前記真空雰囲気で前記第1表面と前記第2表面との間に向けて照射する表面清浄化装置とを具備し、
     前記粒子のビームの中心線は、前記接合チャンバーの内側表面のうちの前記排気口と前記ゲートバルブとを除く領域に向いている
     常温接合装置。
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